WO2023021622A1 - バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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慎一 松本
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ギガフォトン株式会社
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    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA

Definitions

  • the present disclosure relates to a bypass device, a laser device, and a method of manufacturing an electronic device.
  • a KrF excimer laser device that outputs laser light with a wavelength of about 248 nm and an ArF excimer laser device that outputs laser light with a wavelength of about 193 nm are used.
  • the spectral line width of the spontaneous oscillation light of the KrF excimer laser device and the ArF excimer laser device is as wide as 350-400 pm. Therefore, if the projection lens is made of a material that transmits ultraviolet light, such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, resolution can be reduced. Therefore, it is necessary to narrow the spectral line width of the laser light output from the gas laser device to such an extent that the chromatic aberration can be ignored. Therefore, in the laser resonator of the gas laser device, a line narrowing module (LNM) including a band narrowing element (etalon, grating, etc.) is provided in order to narrow the spectral line width.
  • LNM line narrowing module
  • a gas laser device whose spectral line width is narrowed will be referred to as a band-narrowed gas laser device.
  • a bypass device is attachable to and detachable from a laser device that outputs pulsed laser light.
  • a bypass device for forming a bypass optical path that forms a bypass optical path comprising: a plurality of optical elements forming the bypass optical path;
  • the first high-reflectance mirror reflects the pulsed laser beam to the outside of the pulse width stretching device and guides it to the bypass optical path, and the first high-reflectance mirror reflects the pulsed laser beam that enters through the bypass optical path. and a second highly reflective mirror returning the light to the output path of the pulse width stretcher.
  • a laser device includes a laser oscillator that outputs pulsed laser light and a pulse width stretching device that stretches the pulse width of the incident pulsed laser light, and a bypass optical path that bypasses the pulse width stretching device.
  • a method for manufacturing an electronic device includes a laser oscillator that outputs pulsed laser light and a pulse width stretcher that stretches the pulse width of the incident pulsed laser light, bypassing the pulse width stretcher.
  • a pulsed laser beam output from a laser device having a detachably attached bypass device that forms a bypass optical path is output to an exposure device, and a pulsed laser beam is applied to a photosensitive substrate in the exposure device to manufacture an electronic device.
  • a method for manufacturing an electronic device including exposing, wherein the bypass device includes a plurality of optical elements forming a bypass optical path, and a housing housing the plurality of optical elements, wherein the plurality of optical elements include: By reflecting the pulsed laser light incident on the pulse width stretching device toward the outside of the pulse width stretching device, the pulsed laser light is reflected by the first high-reflection mirror that guides the pulsed laser light to the bypass optical path, and by the first high-reflection mirror. a second highly reflective mirror for reflecting the pulsed laser light incident through the optical path, thereby returning the pulsed laser light to the exit optical path of the pulse width stretcher.
  • FIG. 1 is a front view schematically showing the configuration of a laser device according to a comparative example.
  • FIG. 2 is a front view schematically showing a configuration example of the laser device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a front view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the first embodiment;
  • FIG. 4 is a top view schematically showing the configuration of the laser device according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a front view schematically showing the configuration of the laser device according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a top view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a front view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a state in which the bypass device is removed from the laser device according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a top view schematically showing the configuration of the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a front view schematically showing the configuration of the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 12 is a top view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is a front view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a state where the bypass device is removed from the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 15 is a perspective view showing a state in which a bypass device is attached to the laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing the configuration of a bypass device according to a first modification of the first embodiment;
  • FIG. 17 is a diagram schematically showing the configuration of a bypass device according to a second modification of the first embodiment;
  • FIG. 18 is a diagram schematically showing a configuration example of an exposure apparatus.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration example of a laser device 2 according to a comparative example.
  • the comparative examples of the present disclosure are forms known by the applicant to be known only by the applicant, and not known examples to which the applicant admits.
  • the height direction of the laser device 2 is the V-axis direction
  • the length direction is the Z-axis direction
  • the depth direction is the H-axis direction.
  • the V-axis direction may be parallel to the direction of gravity, and the direction opposite to the direction of gravity is defined as the "+V-axis direction.”
  • the emission direction of the pulsed laser light emitted from the laser device 2A is defined as "+Z-axis direction”.
  • the direction toward the front of the paper surface of FIG. 1 is defined as the “+H axis direction”.
  • the laser device 2 includes a master oscillator (MO) 10, an MO beam steering unit 20, a power oscillator (PO) 30, a PO beam steering unit 40, and an optical pulse stretcher (OPS). ) 50.
  • MO master oscillator
  • PO power oscillator
  • OPS optical pulse stretcher
  • the master oscillator 10 includes a band narrowing module (LNM) 11, a chamber 14, and an Output Coupler (OC) 17.
  • LNM band narrowing module
  • OC Output Coupler
  • the LNM 11 includes a prism beam expander 12 for narrowing the spectral linewidth and a grating 13.
  • the prism beam expander 12 and the grating 13 are Littrow arranged so that the incident angle and the diffraction angle are the same.
  • the output coupling mirror 17 is a reflecting mirror with a reflectance within the range of 40% to 60%.
  • the output coupling mirror 17 and LNM 11 are arranged to form an optical resonator.
  • a chamber 14 is placed on the optical path of the optical resonator.
  • the chamber 14 includes a pair of discharge electrodes 15a, 15b and two windows 16a, 16b through which the pulsed laser light is transmitted.
  • the chamber 14 accommodates excimer laser gas therein.
  • the excimer laser gas may contain, for example, Ar gas or Kr gas as a rare gas, F2 gas as a halogen gas, and Ne gas as a buffer gas.
  • the MO beam steering unit 20 includes a highly reflective mirror 21a and a highly reflective mirror 21b.
  • the high reflection mirror 21 a and the high reflection mirror 21 b are arranged so that the pulsed laser light output from the master oscillator 10 is incident on the power oscillator 30 .
  • a high-reflection mirror in the present disclosure is, for example, a plane mirror having a high-reflection film formed on the surface of a substrate made of synthetic quartz or calcium fluoride (CaF 2 ).
  • a highly reflective film is a dielectric multilayer film, for example, a film containing fluoride.
  • the power oscillator 30 includes a rear mirror 31, a chamber 32, and an output coupling mirror 35.
  • the rear mirror 31 and the output coupling mirror 35 are arranged to form an optical resonator.
  • the chamber 32 is arranged on the optical path of the optical resonator.
  • Chamber 32 may be of similar construction to chamber 14 of master oscillator 10 . That is, the chamber 32 includes a pair of discharge electrodes 33a, 33b and two windows 34a, 34b through which the pulsed laser light is transmitted.
  • the chamber 32 accommodates excimer laser gas therein.
  • the rear mirror 31 is a reflecting mirror with a reflectance within the range of 50% to 90%.
  • the output coupling mirror 35 is a reflective mirror with a reflectance in the range of 10% to 30%.
  • the PO beam steering unit 40 includes a high reflection mirror 40a and a high reflection mirror 40b.
  • the high reflection mirror 40 a and the high reflection mirror 40 b are arranged so that the pulsed laser light output from the power oscillator 30 is incident on the OPS 50 .
  • the OPS 50 includes a beam splitter 52 and four concave mirrors 54a-54d.
  • the beam splitter 52 is arranged on the optical path of the pulsed laser light output from the PO beam steering unit 40 .
  • the beam splitter 52 is a reflecting mirror that transmits a part of the pulsed laser light and reflects the rest of the pulsed laser light.
  • the reflectance of beam splitter 52 is preferably in the range of 40% to 70%, more preferably about 60%.
  • the beam splitter 52 causes the laser device 2 to output the pulsed laser light that has passed through the beam splitter 52 .
  • the four concave mirrors 54 a to 54 d constitute a delay optical path 56 for the pulsed laser light reflected by the first surface of the beam splitter 52 .
  • the pulsed laser beam reflected by the first surface of the beam splitter 52 is reflected by the four concave mirrors 54 a to 54 d, and is arranged so that the beam is imaged on the beam splitter 52 again.
  • the four concave mirrors 54a to 54d may be concave mirrors having substantially the same focal length.
  • the focal length f of each of the concave mirrors 54a-54d may correspond, for example, to the distance from the beam splitter 52 to the concave mirror 54a.
  • the concave mirror 54a and the concave mirror 54b are arranged so that the pulsed laser beam reflected by the first surface of the beam splitter 52 is reflected by the concave mirror 54a and made incident on the concave mirror 54b.
  • the concave mirror 54a and the concave mirror 54b convert the pulsed laser light reflected by the first surface of the beam splitter 52 into a first image at the same magnification (1:1) as the image on the first surface of the beam splitter 52. is arranged so as to be imaged as
  • the concave mirror 54c and the concave mirror 54d are arranged so that the pulse laser beam reflected by the concave mirror 54b is reflected by the concave mirror 54c and made incident on the concave mirror 54d. Furthermore, the concave mirror 54d is arranged so that the pulsed laser beam reflected by the concave mirror 54d is incident on the second surface of the beam splitter 52 opposite to the first surface. The concave mirror 54c and the concave mirror 54d are arranged so as to form the first image on the second surface of the beam splitter 52 at a ratio of 1:1 as the second image.
  • the OPS 50 may include a beam splitter and two or more high-reflection mirrors.
  • a discharge occurs in the chamber 32 in synchronization with the timing at which the seed light transmitted through the rear mirror 31 is incident.
  • the laser gas is excited, the seed light is amplified by the Fabry-Perot optical resonator composed of the output coupling mirror 35 and the rear mirror 31, and the amplified pulsed laser light is output from the output coupling mirror 35.
  • the pulsed laser light output from the output coupling mirror 35 passes through the PO beam steering unit 40 and enters the OPS 50 .
  • a portion of the pulsed laser beam that has entered the OPS 50 is transmitted through the beam splitter 52 and output, and a portion thereof is reflected by the beam splitter 52 .
  • the pulsed laser beam reflected by the beam splitter 52 goes around a delay optical path 56 composed of first to fourth concave mirrors 54a to 54d and enters the beam splitter 52 again.
  • a portion of the pulsed laser light incident on the beam splitter 52 is reflected and output from the OPS 50 .
  • the pulsed laser light that has passed through the beam splitter 52 circulates through the delay optical path 56 again.
  • the pulsed laser light repeatedly circulates in the delay optical path 56, and the OPS 50 outputs pulsed laser light of 0-circulation light, 1-circulation light, 2-circulation light, 3-circulation light, and so on.
  • the light intensity of the pulsed laser light output from the OPS 50 decreases as the number of turns of the delay optical path 56 increases.
  • the pulsed laser light after the 1st round of light is delayed by an integral multiple of the delay time determined by the optical path length of the delay optical path 56 with respect to the pulsed laser light of the 0th round of light, and then synthesized and output. That is, the pulse waveforms of the pulsed laser beams of the 1st and subsequent rounds are superimposed on the pulsed laser beam of the 0th round of light while being delayed by the delay time.
  • the OPS 50 extends the pulse width of the pulsed laser beam.
  • Speckle is light and dark spots caused by interference when laser light is scattered in a random medium.
  • the laser device 2 according to the comparative example may have an abnormality in laser performance due to a defect or the like.
  • Abnormalities in laser performance include, for example, a decrease in the power of pulsed laser light, a decrease in beam characteristics of pulsed laser light, and the like.
  • a decrease in beam characteristics is, for example, an increase in beam divergence.
  • the cause may be a drop in the output of the laser oscillator or a drop in the optical transmittance of the OPS 50 . If the laser performance does not improve even after removing the OPS 50, it can be determined that the cause lies in the laser oscillator. Conversely, if the laser performance improves by removing the OPS 50, the cause lies in the OPS 50. can be judged.
  • the work of detaching the OPS 50 from the laser device 2 and reattaching it to the laser device 2 may take, for example, half a day or longer, during which the production line of the factory may have to be stopped.
  • the optical axis adjusted before removal may not be reproduced. In this case, the optical axis needs to be adjusted again, which may require more time.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of a laser device 2A according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the laser device 2A shown in FIG. 2 differences from the configuration of the laser device 2 according to the comparative example shown in FIG. 1 will be described.
  • a laser device 2A according to the first embodiment differs from the configuration of the laser device 2 according to the comparative example in that the bypass device 60 is detachably configured.
  • the laser device 2A includes a master oscillator 10, an MO beam steering unit 20, a power oscillator 30, a PO beam steering unit 40, and an OPS 50. These elements may be similar to the configuration of the laser device 2 shown in FIG.
  • the master oscillator 10 or the combination of the master oscillator 10 and the power oscillator 30 is an example of the "laser oscillator” in the present disclosure.
  • OPS 50 is an example of a “pulse width stretcher” in this disclosure.
  • the PO beam steering unit 40 is an example of a "beam steering device" in this disclosure.
  • the bypass device 60 forms a bypass optical path that bypasses the delay optical path 56 included in the OPS 50 .
  • Bypass device 60 includes four highly reflective mirrors 61-64.
  • the high reflection mirrors 61-64 are an example of "a plurality of optical elements" in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 61 is an example of the "first high reflection mirror” in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 64 is an example of a "second high reflection mirror” in the present disclosure.
  • the high reflection mirrors 61 to 64 are housed in a housing 65 and held at predetermined positions within the housing 65 . High reflection mirrors 61 - 64 form a bypass optical path that bypasses OPS 50 .
  • a space into which a part of the bypass device 60 can be inserted is secured on the light incident side and the light emitting side of the OPS 50 in the laser device 2A.
  • a housing 65 of the bypass device 60 is configured to be detachable from the laser device 2A.
  • the broken line indicates the position where the bypass device 60 is attached to the laser device 2A.
  • the housing 65 is positioned and fixed with respect to the OPS 50 when attached to the laser device 2A.
  • the solid line indicates the state where the bypass device 60 is removed from the laser device 2A.
  • FIG. 3 shows a state in which the bypass device 60 is attached to the laser device 2A.
  • the high reflection mirror 61 is arranged so as to reflect the pulsed laser beam emitted from the PO beam steering unit 40 to enter the high reflection mirror 62 when the bypass device 60 is attached to the laser device 2A.
  • the high reflection mirror 61 is arranged to form an angle of 45° with respect to the incident optical axis of the OPS 50 and reflect the pulsed laser beam traveling along the incident optical axis at a reflection angle of 45°.
  • the high reflection mirror 62 and the high reflection mirror 63 are arranged so as to guide the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 61 to the high reflection mirror 64 .
  • the high reflection mirror 62 is arranged so as to reflect the pulsed laser beam incident from the high reflection mirror 61 at a reflection angle of 45° so as to enter the high reflection mirror 63 .
  • the high reflection mirror 63 is arranged so as to reflect the pulsed laser beam incident from the high reflection mirror 62 at a reflection angle of 45° and make it enter the high reflection mirror 64 .
  • the high reflection mirror 64 forms an angle of 45° with respect to the output optical axis of the OPS 50 so as to reflect the pulse laser light incident from the high reflection mirror 63 at a reflection angle of 45° and return it to the output optical path of the OPS 50 . placed. That is, the high-reflecting mirror 64 is arranged so as to emit the pulsed laser light traveling through the bypass optical path on the optical path of the pulsed laser light emitted from the OPS 50 when the bypass device 60 is not attached to the laser device 2A. .
  • the high reflection mirrors 61 to 64 are arranged so that the angle formed by the incident light and the reflected light is 90°.
  • a housing 65 of the bypass device 60 is formed with a light entrance window (not shown) for allowing the pulsed laser beam emitted from the PO beam steering unit 40 to enter the highly reflective mirror 61 . Further, the housing 65 is formed with a light emission window (not shown) for emitting the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 64 to the outside of the housing 65 .
  • the high-reflection mirrors 61 to 64 may be arranged so that the angle formed by the incident light and the reflected light is an angle other than 90°.
  • the high-reflection mirror 61 as the first high-reflection mirror may be arranged so as to reflect the pulsed laser light incident on the OPS 50 toward the outside of the OPS 50, thereby guiding the pulsed laser light to the bypass optical path.
  • a high-reflection mirror 64 as a second high-reflection mirror reflects the pulsed laser light that is reflected by the high-reflection mirror 61 and enters via the bypass optical path, thereby returning the pulsed laser light to the output optical path of the OPS 50 .
  • the pulsed laser light emitted from the power oscillator 30 enters the OPS 50 via the PO beam steering unit 40.
  • FIG. The pulsed laser light that has entered the OPS 50 is emitted from the laser device 2A after the pulse width is extended by the delay optical path 56 .
  • the bypass device 60 is attached to the laser device 2A during investigation work to identify the cause when an abnormality occurs in the laser performance of the pulsed laser light emitted from the laser device 2A.
  • the pulsed laser light emitted from the PO beam steering unit 40 and traveling along the incident optical axis of the OPS 50 enters the bypass device 60 and bypasses the OPS 50. After traveling along the optical path, it is output along the output optical axis of the OPS 50 .
  • the bypass device 60 by attaching the bypass device 60 to the laser device 2A, the OPS 50 is bypassed without removing the OPS 50 from the laser device 2A, and the pulsed laser beam is emitted. can be output. Therefore, when an abnormality occurs in the laser performance of the laser device 2A, by attaching and detaching the bypass device 60, the cause can be easily identified and investigated.
  • the angle of the mirrors such as the OPS 50 arranged in the optical path does not change, and by removing the bypass device 60, the optical path returns to its original state, so there is no need to adjust the optical axis. . Therefore, it is possible to reduce the overall work time for identifying the cause.
  • the pulse width of the pulse laser light can be switched by attaching and detaching the bypass device 60 . Further, since the output of the pulsed laser light is reduced by passing through the OPS 50, when the bypass device 60 is attached to the laser device 2A, the pulse width of the pulsed laser light is shortened while the output is increased. Therefore, by attaching or detaching the bypass device 60, it becomes possible to select which of the pulse width and the output of the pulsed laser light has priority, and the practical performance of the laser device 2A can be expanded.
  • FIG. 4 is a top view schematically showing the configuration of a laser device 2B according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a front view schematically showing the configuration of the laser device 2B.
  • the “front” of the laser device 2B refers to the side of the outer peripheral surface of the laser device 2B on which an exterior cover panel (not shown) opens wide for maintenance of the laser device 2B.
  • the "front” is the side from which the arrangement structure inside the device as shown in FIG. 5 can be seen when the exterior cover panel of the laser device 2B is opened.
  • the laser device 2B includes a master oscillator 10, an MO beam steering unit 20, a power oscillator 30, and an OPS 50. These elements may be similar to the configuration of the laser device 2 shown in FIG.
  • the laser device 2B includes a long optical pulse stretcher 100 (hereinafter referred to as "L-OPS 100") for generating a long-distance optical path difference that stretches the pulse width.
  • L-OPS 100 is arranged behind the laser device 2B.
  • the “back surface” is the back side when viewed from the front of the laser device 2B, and is the surface opposite to the front.
  • L-OPS 100 is an example of a “pulse width stretcher” in this disclosure.
  • the laser device 2B includes a PO beam steering unit 42 instead of the PO beam steering unit 40 shown in FIG.
  • PO beam steering unit 42 includes high reflective mirror 44 a , high reflective mirror 44 b , and high reflective mirror 44 c for optical communication with L-OPS 100 .
  • the high-reflection mirror 44a is arranged so as to reflect the pulsed laser light output from the power oscillator 30 and make it enter the high-reflection mirror 44b.
  • the high reflection mirror 44b is arranged to reflect the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 44a so as to enter the L-OPS 100.
  • FIG. The high-reflection mirror 44c is arranged to reflect the pulsed laser beam output from the L-OPS 100 and make it enter the OPS 50.
  • the L-OPS 100 is composed of multiple concave mirrors, multiple high reflection mirrors, and multiple beam splitters.
  • FIG. 4 shows only a plurality of concave mirrors 102 and one beam splitter 104 among the components of L-OPS 100.
  • the beam splitter 104 is arranged at a position where the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 44b of the PO beam steering unit 42 is incident.
  • a delay optical path 106 is configured by the above components. That is, the laser device 2B according to the second embodiment includes two pulse width expansion devices, the OPS 50 and the L-OPS 100.
  • FIG. Each of OPS 50 and L-OPS 100 may include a beam splitter and two or more highly reflective mirrors.
  • the laser device 2B is configured such that the bypass device 70 is detachable.
  • Bypass device 70 includes two highly reflective mirrors 72 and 74 .
  • the high reflective mirrors 72 and 74 are examples of "a plurality of optical elements" in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 72 is an example of the "first high reflection mirror” in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 74 is an example of a "second high reflection mirror” in the present disclosure.
  • the high-reflection mirrors 72 and 74 are housed in a housing 76 and held at predetermined positions within the housing 76 .
  • Highly reflective mirrors 72 and 74 form a bypass optical path that bypasses L-OPS 100 .
  • a space into which the bypass device 70 can be inserted is secured between the L-OPS 100 and the PO beam steering unit 42 in the laser device 2B.
  • a housing 76 of the bypass device 70 is configured to be detachable from the laser device 2B.
  • the position where the bypass device 70 is attached to the laser device 2B is indicated by broken lines.
  • the housing 76 is positioned and fixed with respect to the PO beam steering unit 42 when attached to the laser device 2B.
  • solid lines indicate the state where the bypass device 70 is removed from the laser device 2B.
  • the high reflection mirror 72 is arranged so as to reflect the pulsed laser light emitted from the PO beam steering unit 42 to enter the high reflection mirror 74 when the bypass device 70 is attached to the laser device 2B.
  • the highly reflective mirror 72 is arranged to form an angle of 45° with respect to the incident optical axis of the L-OPS 100 and reflect the pulsed laser beam traveling along the incident optical axis with a reflection angle of 45°. .
  • the high reflection mirror 74 is arranged so as to reflect the pulsed laser light incident from the high reflection mirror 72 and make it enter the high reflection mirror 44 c of the PO beam steering unit 42 .
  • the high-reflection mirror 74 forms an angle of 45° with respect to the output optical axis of the L-OPS 100, and reflects the pulsed laser light incident from the high-reflection mirror 72 at a reflection angle of 45° to output the L-OPS 100. Arranged back into the path of incidence. That is, the high-reflecting mirror 74 is arranged so as to emit the pulsed laser beam traveling through the bypass optical path on the optical path of the pulsed laser beam emitted from the L-OPS 100 when the bypass device 70 is not attached to the laser device 2B. be done.
  • the high reflection mirrors 72 and 74 are arranged so that the angle between the incident light and the reflected light is 90°.
  • FIG. 8 and 9 are perspective views schematically showing the configuration of the bypass device 70.
  • FIG. FIG. 8 shows a state in which the bypass device 70 is removed from the laser device 2B.
  • FIG. 9 shows a state in which the bypass device 70 is attached to the laser device 2B.
  • a housing 76 of the bypass device 70 is formed with a light entrance window 78A for allowing the pulsed laser beam emitted from the PO beam steering unit 42 to enter the highly reflective mirror 72 . Further, the housing 76 is formed with a light emission window 78B for emitting the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 74 to the outside of the housing 76 .
  • the high-reflection mirrors 72 and 74 may be arranged so that the angle formed by the incident light and the reflected light is an angle other than 90°.
  • the high-reflection mirror 72 as the first high-reflection mirror should be arranged so as to reflect the pulsed laser light incident on the L-OPS 100 toward the outside of the L-OPS 100, thereby guiding the pulsed laser light to the bypass optical path. good.
  • a high-reflection mirror 74 as a second high-reflection mirror reflects the pulsed laser beam that is reflected by the high-reflection mirror 72 and enters through the bypass optical path, thereby transmitting the pulsed laser beam to the output optical path of the L-OPS 100. It should be arranged so as to return to
  • the pulsed laser light incident on the L-OPS 100 returns to the PO beam steering unit 42 after the pulse width is extended by the delay optical path 106 .
  • the pulsed laser beam that has returned to the PO beam steering unit 42 is incident on the OPS 50 after its traveling direction is changed by the high reflection mirror 44c.
  • the pulsed laser beam incident on the OPS 50 is further extended in pulse width by the OPS 50 and emitted from the laser device 2B.
  • the bypass device 70 is attached to the laser device 2B during investigation work to identify the cause when an abnormality occurs in the laser performance of the pulsed laser light emitted from the laser device 2B.
  • the pulsed laser light emitted from the high reflection mirror 44b of the PO beam steering unit 42 and traveling along the incident optical axis of the L-OPS 100 enters the bypass device 70.
  • the pulsed laser beam that has entered the bypass device 70 travels through the bypass optical path without passing through the L-OPS 100 and then is output along the output optical axis of the L-OPS 100 .
  • the pulsed laser light output from bypass device 70 returns to PO beam steering unit 42 .
  • the pulsed laser beam that has returned to the PO beam steering unit 42 is incident on the OPS 50 after its traveling direction is changed by the high reflection mirror 44c.
  • the pulsed laser beam incident on the OPS 50 is expanded in pulse width by the OPS 50 and emitted from the laser device 2B.
  • the L-OPS 100 can be bypassed without removing the L-OPS 100 from the laser device 2B. It becomes possible to output a pulsed laser beam by pressing the laser beam. Therefore, when an abnormality occurs in the laser performance of the laser device 2B, it is possible to easily investigate the cause by attaching and detaching the bypass device 70 .
  • the bypass device 70 By installing the bypass device 70, the mirror angle of the L-OPS 100, etc. arranged in the optical path does not change, and by removing the bypass device 70, the optical path returns to its original state, so there is no need to adjust the optical axis. is. Therefore, it is possible to reduce the overall work time for identifying the cause.
  • the bypass device 70 can be easily attached/detached to/from the laser device 2B. Therefore, by attaching/detaching the bypass device 70, it is possible to select which of the pulse width and the output of the pulsed laser beam has priority. As a result, the practical performance of the laser device 2B can be expanded.
  • FIG. 10 is a top view schematically showing the configuration of a laser device 2C according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a front view schematically showing the configuration of the laser device 2C.
  • the laser device 2C is configured such that a bypass device 80 can be detachably attached instead of the bypass device 70 of the second embodiment.
  • the bypass device 80 is configured to be detachable from the front of the laser device 2C, that is, from the maintenance side.
  • Other configurations of the laser device 2C are the same as those of the laser device 2B according to the second embodiment.
  • the bypass device 80 includes five highly reflective mirrors 81-85.
  • the high reflection mirrors 81-85 are an example of "a plurality of optical elements" in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 81 is an example of the "first high reflection mirror” in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 85 is an example of a "second high reflection mirror” in the present disclosure.
  • the high reflection mirrors 81 to 85 are housed in a housing 86 and held at predetermined positions within the housing 86 . High reflection mirrors 81 to 85 form a bypass optical path that bypasses L-OPS 100 .
  • a space is secured in the PO beam steering unit 42 in the laser device 2C so that a part of the bypass device 80 can be inserted.
  • a housing 86 of the bypass device 80 is configured to be detachable from the laser device 2C.
  • broken lines indicate the position where the bypass device 80 is attached to the laser device 2C.
  • the housing 86 is positioned and fixed with respect to the PO beam steering unit 42 when attached to the laser device 2C.
  • solid lines indicate the state where the bypass device 80 is removed from the laser device 2C.
  • the high reflection mirrors 81 to 84 are arranged at positions where the pulsed laser light reflected by the high reflection mirror 44a of the PO beam steering unit 42 is sequentially incident when the bypass device 80 is attached to the laser device 2C.
  • the high-reflection mirror 85 is arranged so as to reflect the pulsed laser light incident from the high-reflection mirror 84 to enter the OPS 50 . That is, the high reflection mirror 85 is arranged to output the pulsed laser light along the output optical axis of the PO beam steering unit 42 .
  • FIG. 14 and 15 are perspective views schematically showing the configuration of the bypass device 80.
  • FIG. FIG. 14 shows a state where the bypass device 80 is removed from the laser device 2C.
  • FIG. 15 shows a state in which the bypass device 80 is attached to the laser device 2C.
  • a housing 86 of the bypass device 80 is formed with a light entrance window 87A for allowing the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 44a of the PO beam steering unit 42 to enter the high reflection mirror 81. Further, the housing 86 is formed with a light emission window 87B for emitting the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 85 to the outside of the housing 86 .
  • the high reflection mirror 81 is arranged so as to reflect the pulsed laser beam, which is reflected by the high reflection mirror 44a of the PO beam steering unit 42 and travels in the -V axis direction, to travel in the +H axis direction. be done.
  • the high-reflection mirror 82 is arranged so as to reflect the pulsed laser beam traveling in the +H-axis direction to cause it to travel in the +Z-axis direction.
  • the high-reflection mirror 83 is arranged to reflect the pulsed laser beam traveling in the +Z-axis direction to cause it to travel in the -V-axis direction.
  • the high-reflecting mirror 84 is arranged to reflect the pulsed laser beam traveling in the -V-axis direction to cause it to travel in the -H-axis direction.
  • the high-reflection mirror 85 is arranged so as to reflect the pulsed laser beam traveling in the ⁇ H-axis direction and cause it to travel in the +Z-axis direction. That is, the high reflection mirrors 81 to 85 are arranged so that the angle between the incident light and the reflected light is 90°.
  • the high-reflection mirrors 81 to 85 may be arranged so that the angle formed by the incident light and the reflected light is an angle other than 90°.
  • the high-reflection mirror 81 as the first high-reflection mirror should be arranged so as to reflect the pulsed laser light incident on the L-OPS 100 toward the outside of the L-OPS 100, thereby guiding the pulsed laser light to the bypass optical path. good.
  • a high-reflection mirror 85 as a second high-reflection mirror reflects the pulsed laser beam that is reflected by the high-reflection mirror 81 and enters through the bypass optical path, thereby allowing the pulsed laser beam to pass through the output optical path of the L-OPS 100. It should be arranged so as to return to It should be noted that the output optical path of the L-OPS 100 refers to the optical path through which the pulsed laser beam emitted from the L-OPS 100 enters the OPS 50 .
  • the operation of the laser device 2C when the bypass device 80 is not attached is the same as the operation of the laser device 2B according to the second embodiment.
  • the pulsed laser beam emitted from the power oscillator 30 is changed in traveling direction by the PO beam steering unit 42 and enters the L-OPS 100 on the back of the laser device 2C.
  • the pulsed laser beam that has entered the L-OPS 100 is expanded in pulse width by the L-OPS 100 , returns to the PO beam steering unit 42 , changes its traveling direction in the PO beam steering unit 42 , and enters the OPS 50 .
  • the pulsed laser light incident on the OPS 50 is further extended in pulse width by the OPS 50 and emitted from the laser device 2C.
  • the bypass device 80 is attached to the laser device 2C during investigation work to identify the cause when an abnormality occurs in the laser performance of the pulsed laser light emitted from the laser device 2C.
  • the pulsed laser light emitted from the power oscillator 30 enters the bypass device 80 after the traveling direction is changed by the high reflection mirror 44a of the PO beam steering unit 42.
  • the pulsed laser beam that has entered the bypass device 80 travels through the bypass optical path without passing through the L-OPS 100 and then is output along the emission optical axis of the PO beam steering unit 42 .
  • the pulsed laser light output from the bypass device 80 is incident on the OPS 50, the pulse width is expanded by the OPS 50, and the pulsed laser light is output from the laser device 2C.
  • the bypass device 80 by attaching the bypass device 80 to the laser device 2C, the L-OPS 100 can be bypassed without removing the L-OPS 100 from the laser device 2C. It becomes possible to output a pulsed laser beam by pressing the laser beam.
  • the bypass device 80 according to the third embodiment can be attached and detached from the front of the laser device 2C, that is, from the maintenance side, so that the attachment work is easy.
  • the laser device 2C and the bypass device 80 according to the third embodiment have the same effects as the laser device 2B and the bypass device 70 according to the second embodiment.
  • a bypass device enables adjustment of the optical axis of the bypass optical path.
  • FIG. 16 schematically shows the configuration of a bypass device 60A according to a first modification of the first embodiment.
  • the bypass device 60A includes four high reflection mirrors 61 to 64 for forming a bypass optical path, like the bypass device 60 according to the first embodiment.
  • the high reflection mirror 62 is held by the holder 90A with the first actuator, and the high reflection mirror 63 is held by the holder 90B with the second actuator.
  • the holders 90A and 90B with the first and second actuators are accommodated in a housing 65 together with the high reflection mirrors 61-64.
  • the holders 90A and 90B with the first and second actuators are examples of the "optical axis adjustment mechanism" in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 62 is an example of the "first optical element” in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 63 is an example of the "second optical element" in the present disclosure.
  • the holders 90A and 90B with the first and second actuators are each composed of, for example, a holder, a PZT (lead zirconate titanate) actuator, and an automatic micrometer.
  • the holder 90A with the first actuator holds the high reflection mirror 62 and changes the posture angle of the high reflection mirror 62 with respect to two orthogonal axes. For example, the holder with the first actuator 90A rotates the high reflection mirror 62 around the H axis and around the axis parallel to the surface of the high reflection mirror 62 and orthogonal to the H axis.
  • the holder 90B with the second actuator holds the high reflection mirror 63 and changes the posture angle of the high reflection mirror 63 with respect to two orthogonal axes.
  • the holder 90B with the second actuator rotates the high reflection mirror 63 around the H axis and around the axis parallel to the surface of the high reflection mirror 63 and orthogonal to the H axis.
  • the first and second actuator holders 90A and 90B are controlled by a controller (not shown).
  • the optical axis of the bypass optical path can be adjusted. Specifically, it is possible to adjust the traveling direction and position of the pulsed laser beam traveling through the bypass optical path.
  • the bypass device 60A When the bypass device 60A is attached to the laser device 2A according to the first embodiment, there is a possibility that the output optical axis of the OPS 50 and the output optical axis of the bypass device 60A are deviated. Even if such a deviation occurs, the output optical axis of the bypass device 60A can be aligned with the output optical axis of the OPS 50 by controlling the first and second actuator holders 90A and 90B. .
  • any two of the high-reflection mirrors 61 to 64 may be held by the holders 90A and 90B with the first and second actuators, without being limited to the example shown in FIG.
  • FIG. 17 schematically shows the configuration of a bypass device 60B according to a second modification of the first embodiment.
  • the bypass device 60B includes four highly reflective mirrors 61 to 64 and a translucent parallel plate substrate 66.
  • the parallel plate substrate 66 is made of synthetic quartz or calcium fluoride (CaF 2 ), for example.
  • the high reflection mirrors 61 to 64 and the parallel plate substrate 66 are examples of the "plurality of optical elements" in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 62 is held by the holder 90C with the first actuator.
  • the first actuator-equipped holder 90C has the same configuration as the first actuator-equipped holder 90A described in the first modified example, holds the high reflection mirror 62, and adjusts the posture angle of the high reflection mirror 62 with respect to two orthogonal axes. change.
  • the holders 90C and 90D with the first and second actuators are accommodated in the housing 65 together with the high reflection mirrors 61 to 64 and the parallel plate substrate 66. As shown in FIG.
  • the holders 90C and 90D with the first and second actuators are examples of the "optical axis adjustment mechanism" in the present disclosure.
  • the high reflection mirror 62 is an example of the "first optical element" in the present disclosure.
  • the parallel plate substrate 66 is arranged in an inclined state on the optical path along which the pulsed laser beam reflected by the high reflection mirror 62 travels toward the high reflection mirror 63 .
  • the parallel plate substrate 66 transmits the pulsed laser beam incident from the high reflection mirror 62 and makes it enter the high reflection mirror 63 .
  • the parallel plate substrate 66 is an example of the "second optical element" in the present disclosure.
  • the parallel plate substrate 66 is held by a holder 90D with a second actuator.
  • the second holder with actuators 90D has the same configuration as the first holder with actuators 90A described in the first modified example, holds the parallel plate substrate 66, and adjusts the posture angle of the parallel plate substrate 66 with respect to two orthogonal axes. change.
  • the holder 90D with the second actuator rotates the parallel plate substrate 66 around the H axis and around the axis parallel to the surface of the parallel plate substrate 66 and orthogonal to the H axis.
  • the first and second actuator holders 90C and 90D are controlled by a controller (not shown).
  • the optical axis of the bypass optical path can be adjusted by changing the attitude angles of the high reflection mirror 62 and the parallel plate substrate 66 with respect to the two axes. Specifically, by changing the attitude angle of the high reflection mirror 62, it is possible to adjust the traveling direction of the pulsed laser beam traveling through the bypass optical path.
  • the position of the pulsed laser beam can be adjusted.
  • the amount of change in position due to the pulsed laser beam passing through the parallel plate substrate 66 depends on the incident angle to the parallel plate substrate 66 , the thickness of the parallel plate substrate 66 , and the refractive index of the parallel plate substrate 66 .
  • the attitude angle of the parallel flat plate substrate 66 By changing the attitude angle of the parallel flat plate substrate 66, the position of the pulse laser light changes as the angle of incidence of the pulse laser light on the parallel flat plate substrate 66 changes.
  • the high reflection mirror 62 is held by the holder 90C with the first actuator as the optical axis adjusting mechanism. can be held with
  • a parallel plate substrate 66 is arranged between the high reflection mirror 62 and the high reflection mirror 63 .
  • the parallel plate substrate 66 may be arranged between the high reflection mirrors 61 and 62 or between the high reflection mirrors 63 and 64 .
  • the parallel plate substrate 66 may be arranged on the light incident side of the high reflection mirror 61 or on the light exit side of the high reflection mirror 64 .
  • Each of the high reflection mirrors 72 and 74 included in the bypass device 70 according to the second embodiment may be provided with a holder with an actuator as an optical axis adjustment mechanism.
  • a holder with an actuator may be provided on one of the high-reflection mirrors 72 and 74
  • a parallel plate substrate held by the holder with an actuator may be arranged between the high-reflection mirrors 72 and 74 .
  • a parallel plate substrate held by a holder with an actuator may be arranged on the light incident side of the high reflection mirror 72 or on the light exit side of the high reflection mirror 74 .
  • the light entrance window 78A and the light exit window 78B are not essential and may simply be apertures through which light passes.
  • any two high-reflection mirrors selected from the high-reflection mirrors 81 to 85 included in the bypass device 80 according to the third embodiment may be provided with a holder with an actuator.
  • a holder with an actuator is provided for one high-reflection mirror selected from the high-reflection mirrors 81 to 85, and the holder with the actuator is held between two high-reflection mirrors selected from the high-reflection mirrors 81-85.
  • a parallel plate substrate may be arranged.
  • a parallel plate substrate held by a holder with an actuator may be arranged on the light incident side of the high reflection mirror 81 or on the light exit side of the high reflection mirror 85 .
  • the light entrance window 78A and the light exit window 78B are not essential and may simply be apertures through which light passes.
  • the holder with actuator as the optical axis adjustment mechanism may be provided for three or more optical elements among the plurality of optical elements forming the bypass optical path.
  • Two or more optical elements among the plurality of optical elements forming the bypass optical path may be parallel plate substrates, and each of the parallel plate substrates may be provided with a holder with an actuator.
  • FIG. 18 schematically shows a configuration example of an exposure apparatus 200 .
  • Exposure apparatus 200 includes illumination optical system 204 and projection optical system 206 .
  • the illumination optical system 204 illuminates a reticle pattern of a reticle (not shown) arranged on the reticle stage RT with pulsed laser light incident from the laser device 2A according to the first embodiment, for example.
  • the projection optical system 206 reduces and projects the pulsed laser beam transmitted through the reticle to form an image on a workpiece (not shown) placed on the workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate, such as a semiconductor wafer, coated with photoresist.
  • the exposure apparatus 200 synchronously translates the reticle stage RT and the workpiece table WT, thereby exposing the workpiece to pulsed laser light reflecting the reticle pattern.
  • a semiconductor device can be manufactured through a plurality of processes.
  • a semiconductor device is an example of an "electronic device" in this disclosure.
  • bypass device 60 may be attached to the laser device 2A that causes the pulsed laser beam to enter the exposure device 200, or the bypass device 60 may be removed.
  • the bypass device 60 may be attached to the laser device 2A that causes the pulsed laser beam to enter the exposure device 200, or the bypass device 60 may be removed.
  • the laser device 2B or the laser device 2C described above may be used instead of the laser device 2A.

Abstract

本開示の一観点に係るバイパス装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置に着脱可能であり、レーザ装置内に設けられ、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置であって、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体とを備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射してバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射してパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーとが含まれる。

Description

バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。たとえば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置およびＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Ｌｉｎｅ　Ｎａｒｒｏｗｉｎｇ　Ｍｏｄｕｌｅ：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
特開２００５－１４８５５０号公報 特開平８－０１５６１８号公報
概要
　本開示の１つの観点に係るバイパス装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置に着脱可能であり、レーザ装置内に設けられ、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置であって、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体と、を備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射してバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射してパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、が含まれる。
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置であって、バイパス装置は、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体と、を備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射してバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射してパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、が含まれる。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置から出力されたパルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板にパルスレーザ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法であって、バイパス装置は、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体と、を備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射することにより、パルスレーザ光をバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射することにより、パルスレーザ光をパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、が含まれる。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るレーザ装置の構成を概略的に示す正面図である。 図２は、第１実施形態に係るレーザ装置の構成例を概略的に示す正面図である。 図３は、第１実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す正面図である。 図４は、第２実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す上面図である。 図５は、第２実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す正面図である。 図６は、第２実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す上面図である。 図７は、第２実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す正面図である。 図８は、第２実施形態に係るレーザ装置からバイパス装置が取り外された状態を示す斜視図である。 図９は、第２実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す斜視図である。 図１０は、第３実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す上面図である。 図１１は、第３実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す正面図である。 図１２は、第３実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す上面図である。 図１３は、第３実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す正面図である。 図１４は、第３実施形態に係るレーザ装置からバイパス装置が取り外された状態を示す斜視図である。 図１５は、第３実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す斜視図である。 図１６は、第１実施形態の第１変形例に係るバイパス装置の構成を概略的に示す図である。 図１７は、第１実施形態の第２変形例に係るバイパス装置の構成を概略的に示す図である。 図１８は、露光装置の構成例を概略的に示す図である。
実施形態
　＜内容＞
　１．比較例
　　１．１　構成
　　１．２　動作
　　１．３　課題
　２．第１実施形態
　　２．１　構成
　　２．２　動作
　　２．３　効果
　３．第２実施形態
　　３．１　構成
　　３．２　動作
　　３．３　効果
　４．第３実施形態
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　　４．３　効果
　５．バイパス装置の変形例
　　５．１　第１変形例
　　５．２　第２変形例
　　５．３　その他の変形例
　６．電子デバイスの製造方法
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．比較例
　　１．１　構成
　図１は、比較例に係るレーザ装置２の構成例を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。
　図１において、レーザ装置２の高さ方向をＶ軸方向、長さ方向をＺ軸方向、奥行き方向をＨ軸方向とする。Ｖ軸方向は、重力方向と平行であってよく、重力方向と逆方向を「＋Ｖ軸方向」とする。また、レーザ装置２Ａから出射されるパルスレーザ光の出射方向を「＋Ｚ軸方向」とする。また、図１の紙面の手前に向かう方向を「＋Ｈ軸方向」とする。
　レーザ装置２は、マスターオシレータ（Master Oscillator：ＭＯ）１０と、ＭＯビームステアリングユニット２０と、パワーオシレータ（Power Oscillator：ＰＯ）３０と、ＰＯビームステアリングユニット４０と、光学パルスストレッチャ（Optical Pulse Stretcher：ＯＰＳ）５０とを含む。
　マスターオシレータ１０は、狭帯域化モジュール（ＬＮＭ）１１と、チャンバ１４と、出力結合ミラー（Output Coupler：ＯＣ）１７とを含む。
　ＬＮＭ１１は、スペクトル線幅を狭帯域化するためのプリズムビームエキスパンダ１２と、グレーティング１３とを含む。プリズムビームエキスパンダ１２とグレーティング１３とは、入射角度と回折角度とが一致するようにリトロー配置される。
　出力結合ミラー１７は、反射率が４０％～６０％の範囲内の反射ミラーである。出力結合ミラー１７とＬＮＭ１１とは、光共振器を構成するように配置される。
　チャンバ１４は、光共振器の光路上に配置される。チャンバ１４は、１対の放電電極１５ａ，１５ｂと、パルスレーザ光が透過する２枚のウィンドウ１６ａ，１６ｂとを含む。チャンバ１４は、エキシマレーザガスを内部に収容する。エキシマレーザガスは、例えば、レアガスとしてＡｒガス又はＫｒガス、ハロゲンガスとしてＦ２ガス、バッファガスとしてＮｅガスを含んでいてもよい。
　ＭＯビームステアリングユニット２０は、高反射ミラー２１ａと高反射ミラー２１ｂとを含む。高反射ミラー２１ａと高反射ミラー２１ｂとは、マスターオシレータ１０から出力されたパルスレーザ光がパワーオシレータ３０に入射するように配置される。本開示における高反射ミラーは、例えば、合成石英又はフッ化カルシウム（ＣａＦ２）により形成された基板の表面に高反射膜が形成された平面ミラーである。高反射膜は、誘電体多層膜、例えば、フッ化物を含む膜である。
　パワーオシレータ３０は、リアミラー３１と、チャンバ３２と、出力結合ミラー３５とを含む。リアミラー３１と出力結合ミラー３５とは光共振器を構成するように配置される。
　チャンバ３２は、光共振器の光路上に配置される。チャンバ３２は、マスターオシレータ１０のチャンバ１４と同様の構成であってよい。すなわち、チャンバ３２は、１対の放電電極３３ａ，３３ｂと、パルスレーザ光が透過する２枚のウィンドウ３４ａ，３４ｂとを含む。チャンバ３２は、エキシマレーザガスを内部に収容する。
　リアミラー３１は、反射率が５０％～９０％の範囲内の反射ミラーである。出力結合ミラー３５は、反射率が１０％～３０％の範囲内の反射ミラーである。
　ＰＯビームステアリングユニット４０は、高反射ミラー４０ａと高反射ミラー４０ｂとを含む。高反射ミラー４０ａと高反射ミラー４０ｂとは、パワーオシレータ３０から出力されたパルスレーザ光がＯＰＳ５０に入射するように配置される。
　ＯＰＳ５０は、ビームスプリッタ５２と、４枚の凹面ミラー５４ａ～５４ｄとを含む。ビームスプリッタ５２は、ＰＯビームステアリングユニット４０から出力されたパルスレーザ光の光路上に配置される。ビームスプリッタ５２は、入射したパルスレーザ光のうちの一部のパルスレーザ光を透過させ、その他のパルスレーザ光を反射させる反射ミラーである。ビームスプリッタ５２の反射率は、４０％～７０％の範囲内であることが好ましく、約６０％であることがより好ましい。ビームスプリッタ５２は、ビームスプリッタ５２を透過したパルスレーザ光をレーザ装置２から出力させる。
　４枚の凹面ミラー５４ａ～５４ｄは、ビームスプリッタ５２の第１の面を反射したパルスレーザ光の遅延光路５６を構成する。ビームスプリッタ５２の第１の面で反射されたパルスレーザ光は、４枚の凹面ミラー５４ａ～５４ｄで反射して、再びビームスプリッタ５２でビームが結像するように配置される。
　４枚の凹面ミラー５４ａ～５４ｄは、それぞれの焦点距離が全て略等しい凹面ミラーであってよい。凹面ミラー５４ａ～５４ｄのそれぞれの焦点距離ｆは、例えば、ビームスプリッタ５２から凹面ミラー５４ａまでの距離に相当してよい。
　凹面ミラー５４ａと凹面ミラー５４ｂとは、ビームスプリッタ５２の第１の面で反射されたパルスレーザ光を凹面ミラー５４ａで反射し、凹面ミラー５４ｂに入射させるように配置される。凹面ミラー５４ａと凹面ミラー５４ｂとは、ビームスプリッタ５２の第１の面で反射されたパルスレーザ光が、ビームスプリッタ５２の第１の面における像を等倍（１：１）で第１の像として結像させるように配置される。
　凹面ミラー５４ｃと凹面ミラー５４ｄとは、凹面ミラー５４ｂで反射されたパルスレーザ光を凹面ミラー５４ｃで反射し、凹面ミラー５４ｄに入射させるように配置される。さらに、凹面ミラー５４ｄは、凹面ミラー５４ｄで反射されたパルスレーザ光がビームスプリッタ５２の第１の面とは反対側の第２の面に入射するように配置される。凹面ミラー５４ｃと凹面ミラー５４ｄとは、第１の像をビームスプリッタ５２の第２の面に１：１で第２の像として結像させるように配置される。
　なお、ＯＰＳ５０は、ビームスプリッタと２以上の高反射ミラーとを含むものであればよい。
　　１．２　動作
　マスターオシレータ１０のチャンバ１４において放電が発生すると、レーザガスが励起され、出力結合ミラー１７とＬＮＭ１１とで構成される光共振器によって狭帯域化されたパルスレーザ光が出力結合ミラー１７から出力される。このパルスレーザ光はＭＯビームステアリングユニット２０によって、パワーオシレータ３０のリアミラー３１にシード光として入射する。
　リアミラー３１を透過したシード光が入射するタイミングに同期して、チャンバ３２において放電が発生する。その結果、レーザガスが励起され、出力結合ミラー３５とリアミラー３１とで構成されるファブリペロー型の光共振器によってシード光が増幅され、出力結合ミラー３５から増幅されたパルスレーザ光が出力される。出力結合ミラー３５から出力されたパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４０を経由して、ＯＰＳ５０に入射する。
　ＯＰＳ５０に入射したパルスレーザ光は、一部がビームスプリッタ５２を透過して出力され、一部がビームスプリッタ５２により反射される。ビームスプリッタ５２により反射されたパルスレーザ光は、第１～第４の凹面ミラー５４ａ～５４ｄにより構成される遅延光路５６を周回して再びビームスプリッタ５２に入射する。そして、ビームスプリッタ５２に入射したパルスレーザ光の一部が反射されてＯＰＳ５０から出力される。ビームスプリッタ５２を透過したパルスレーザ光は、再び遅延光路５６を周回する。
　このように、遅延光路５６をパルスレーザ光が繰り返し周回することにより、ＯＰＳ５０からは、０周回光、１周回光、２周回光、３周回光・・・のパルスレーザ光が出力される。ＯＰＳ５０から出力されるパルスレーザ光は、遅延光路５６の周回数が多くなるほど光強度が低下する。
　１周回光以降のパルスレーザ光は、０周回光のパルスレーザ光に対して、遅延光路５６の光路長で決まる遅延時間の整数倍だけ遅れてそれぞれ合成されて出力される。すなわち、０周回光のパルスレーザ光のパルス波形には、１周回光以降のパルスレーザ光のパルス波形がそれぞれ遅延時間だけ遅延されながら順に重畳される。こうして、ＯＰＳ５０によってパルスレーザ光のパルス幅が伸長される。
　ＯＰＳ５０によってパルスレーザ光のパルス幅を伸張することにより、コヒーレンスが低下する。これによりスペックルの発生が抑制される。スペックルとは、レーザ光がランダムな媒質で散乱されたときに、干渉によって生じる明暗の斑点である。
　　１．３　課題
　比較例に係るレーザ装置２は、不具合等によりレーザ性能に異常が生じることがある。レーザ性能の異常として、例えば、パルスレーザ光のパワーの低下、パルスレーザ光のビーム特性の低下などがある。ビーム特性の低下とは、例えばビームダイバージェンスの増大である。
　レーザ性能に異常が生じた場合には、原因を特定するためにＯＰＳ５０を取り外してレーザ性能を再度確認することが考えられる。これは、原因がレーザ発振器（マスターオシレータ１０又はパワーオシレータ３０）にあるのか、ＯＰＳ５０にあるのかを特定するためである。例えば、パルスレーザ光のパワーが低下した場合には、原因として、レーザ発振器の出力の低下、又はＯＰＳ５０の光透過率の低下が考えられる。ＯＰＳ５０を取り外してもなおレーザ性能が改善しない場合には、原因がレーザ発振器にあると判断することができ、逆に、ＯＰＳ５０を取り外すことによりレーザ性能が改善する場合には、原因がＯＰＳ５０にあると判断できる。
　しかしながら、ＯＰＳ５０をレーザ装置２から取り外してレーザ装置２に再度取り付ける作業には、例えば半日以上の時間が掛かることがあり、その間、工場の製造ラインを停止せざるを得ないことがある。また、一度取り外したＯＰＳ５０をレーザ装置２に再度設置する場合、取り外し前に調整済みであった光軸が再現しないことがある。この場合、再度光軸調整が必要となり、さらに時間を要することがある。
　このように、レーザ性能に異常が生じた場合に、短時間に原因を特定可能とすることが求められる。
　２．第１実施形態
　　２．１　構成
　図２は、本開示の第１実施形態に係るレーザ装置２Ａの構成例を概略的に示す。図２に示すレーザ装置２Ａについて、図１に示す比較例に係るレーザ装置２の構成と異なる点を説明する。第１実施形態に係るレーザ装置２Ａは、バイパス装置６０が着脱可能に構成されている点が比較例に係るレーザ装置２の構成と異なる。
　レーザ装置２Ａは、マスターオシレータ１０と、ＭＯビームステアリングユニット２０と、パワーオシレータ３０と、ＰＯビームステアリングユニット４０と、ＯＰＳ５０とを備える。これらの要素は、図１に示すレーザ装置２の構成と同様であってよい。マスターオシレータ１０、又はマスターオシレータ１０とパワーオシレータ３０との組み合わせは、本開示における「レーザ発振器」の一例である。ＯＰＳ５０は、本開示における「パルス幅伸長装置」の一例である。ＰＯビームステアリングユニット４０は、本開示における「ビームステアリング装置」の一例である。
　バイパス装置６０は、ＯＰＳ５０に含まれる遅延光路５６をバイパスするバイパス光路を形成する。バイパス装置６０は、４枚の高反射ミラー６１～６４を含む。高反射ミラー６１～６４は、本開示における「複数の光学素子」の一例である。高反射ミラー６１は、本開示における「第１高反射ミラー」の一例である。高反射ミラー６４は、本開示における「第２高反射ミラー」の一例である。
　高反射ミラー６１～６４は、筐体６５に収容され、筐体６５内の所定の位置に保持されている。高反射ミラー６１～６４は、ＯＰＳ５０をバイパスするバイパス光路を形成する。
　レーザ装置２Ａには、ＯＰＳ５０の光入射側及び光出射側に、バイパス装置６０の一部を挿入することが可能な空間が確保されている。バイパス装置６０の筐体６５は、レーザ装置２Ａに対して着脱可能に構成されている。図２において、バイパス装置６０がレーザ装置２Ａに取り付けられる位置を破線で示している。筐体６５は、レーザ装置２Ａに取り付けられる際に、ＯＰＳ５０に対して位置決め固定される。図２において、実線は、バイパス装置６０がレーザ装置２Ａから取り外された状態を示している。
　図３は、レーザ装置２Ａにバイパス装置６０が取り付けられた状態を示す。高反射ミラー６１は、バイパス装置６０がレーザ装置２Ａに取り付けられた場合に、ＰＯビームステアリングユニット４０から出射されるパルスレーザ光を反射して高反射ミラー６２に入射させるように配置される。例えば、高反射ミラー６１は、ＯＰＳ５０の入射光軸に対して４５°の角度をなし、入射光軸に沿って進行するパルスレーザ光を４５°の反射角で反射するように配置される。
　高反射ミラー６２及び高反射ミラー６３は、高反射ミラー６１により反射されたパルスレーザ光を高反射ミラー６４へ導くように配置される。例えば、高反射ミラー６２は、高反射ミラー６１から入射するパルスレーザ光を４５°の反射角で反射して高反射ミラー６３に入射させるように配置される。高反射ミラー６３は、高反射ミラー６２から入射するパルスレーザ光を４５°の反射角で反射して高反射ミラー６４に入射させるように配置される。
　高反射ミラー６４は、ＯＰＳ５０の出射光軸に対して４５°の角度をなし、高反射ミラー６３から入射するパルスレーザ光を４５°の反射角で反射してＯＰＳ５０の出射光路へ戻すように配置される。すなわち、高反射ミラー６４は、バイパス装置６０がレーザ装置２Ａに取り付けられていない場合にＯＰＳ５０から出射されるパルスレーザ光の光路に、バイパス光路を進行したパルスレーザ光を出射するように配置される。
　すなわち、高反射ミラー６１～６４は、それぞれ入射光と反射光のなす角が９０°となるように配置される。
　バイパス装置６０の筐体６５には、ＰＯビームステアリングユニット４０から出射されるパルスレーザ光を高反射ミラー６１入射させるための光入射窓（図示せず）が形成されている。また、筐体６５には、高反射ミラー６４により反射されたパルスレーザ光を筐体６５外に出射するための光出射窓（図示せず）が形成されている。
　高反射ミラー６１～６４は、それぞれ入射光と反射光のなす角が９０°以外の角度となるように配置されてもよい。第１高反射ミラーとしての高反射ミラー６１は、ＯＰＳ５０に入射するパルスレーザ光をＯＰＳ５０の外に向けて反射することにより、パルスレーザ光をバイパス光路へ導くように配置されればよい。また、第２高反射ミラーとしての高反射ミラー６４は、高反射ミラー６１により反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射することにより、パルスレーザ光をＯＰＳ５０の出射光路へ戻すように配置されればよい。
　　２．２　動作
　レーザ装置２Ａにバイパス装置６０が取り付けられていない場合、パワーオシレータ３０から出射したパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４０を介してＯＰＳ５０に入射する。ＯＰＳ５０に入射したパルスレーザ光は、遅延光路５６によりパルス幅が伸長された後、レーザ装置２Ａから出射される。
　バイパス装置６０は、例えば、レーザ装置２Ａから出射されるパルスレーザ光のレーザ性能に異常が生じた場合に、原因を特定する調査作業時に、レーザ装置２Ａに取り付けられる。レーザ装置２Ａにバイパス装置６０が取り付けられた場合、ＰＯビームステアリングユニット４０から出射されてＯＰＳ５０の入射光軸に沿って進行するパルスレーザ光は、バイパス装置６０に入射し、ＯＰＳ５０を通らずにバイパス光路を進行した後、ＯＰＳ５０の出射光軸に沿って出力される。
　　２．３　効果
　第１実施形態に係るレーザ装置２Ａ及びバイパス装置６０によれば、レーザ装置２Ａにバイパス装置６０を取り付けることにより、ＯＰＳ５０をレーザ装置２Ａから取り外さずにＯＰＳ５０をバイパスしてパルスレーザ光を出力させることが可能となる。このため、レーザ装置２Ａのレーザ性能に異常が生じた場合に、バイパス装置６０の取り付け及び取り外しを行うことにより、原因の特定調査を容易に行うことができる。
　バイパス装置６０の取り付けにより、光路に配置されているＯＰＳ５０等のミラー角度が変化することはなく、またバイパス装置６０を取り外すことにより光路が元の状態に戻るので、光軸の調整が不要である。このため、原因特定に係る全体の作業時間を短縮することができる。
　レーザ装置２Ａに対してバイパス装置６０が容易に着脱可能であるので、バイパス装置６０の着脱によりパルスレーザ光のパルス幅を切り替えることができる。また、パルスレーザ光はＯＰＳ５０を通過することにより出力が低下するので、レーザ装置２Ａに対してバイパス装置６０を取り付けた場合には、パルスレーザ光のパルス幅が短くなる一方、出力が上がる。したがって、バイパス装置６０の着脱によりパルスレーザ光のパルス幅と出力とのいずれを優先するかが選択可能となり、レーザ装置２Ａの実用的な性能を拡大することができる。
　３．第２実施形態
　次に、本開示の第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂについて説明する。なお、以下では、比較例に係るレーザ装置２の構成と異なる点を説明する。
　　３．１　構成
　図４は、第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂの構成を概略的に示す上面図である。図５は、レーザ装置２Ｂの構成を概略的に示す正面図である。なお、レーザ装置２Ｂに関する「正面」とは、レーザ装置２Ｂの外周面のうち、レーザ装置２Ｂのメンテナンス等のために図示しない外装カバーパネルが大きく開く側の面を指す。レーザ装置２Ｂの外装カバーパネルを開けた際に、図５のような装置内部の配置構造が見える側の面が「正面」である。
　レーザ装置２Ｂは、マスターオシレータ１０と、ＭＯビームステアリングユニット２０と、パワーオシレータ３０と、ＯＰＳ５０とを備える。これらの要素は、図１に示すレーザ装置２の構成と同様であってよい。
　レーザ装置２Ｂは、パルス幅を伸長する長い距離の光路差を生むための長大な光学パルスストレッチャ１００（以下、「Ｌ－ＯＰＳ１００」と表記する。）を備える。Ｌ－ＯＰＳ１００は、レーザ装置２Ｂの背面に配置される。「背面」は、レーザ装置２Ｂの正面から見て奥側であり、正面と反対の面である。Ｌ－ＯＰＳ１００は、本開示における「パルス幅伸長装置」の一例である。
　レーザ装置２Ｂは、図１に示されるＰＯビームステアリングユニット４０に代えて、ＰＯビームステアリングユニット４２を備える。ＰＯビームステアリングユニット４２は、Ｌ－ＯＰＳ１００との光のやり取りのために、高反射ミラー４４ａと、高反射ミラー４４ｂと、高反射ミラー４４ｃとを含む。
　高反射ミラー４４ａは、パワーオシレータ３０から出力されたパルスレーザ光を反射して、高反射ミラー４４ｂに入射させるように配置される。高反射ミラー４４ｂは、高反射ミラー４４ａで反射されたパルスレーザ光を反射して、Ｌ－ＯＰＳ１００に入射させるように配置される。高反射ミラー４４ｃは、Ｌ－ＯＰＳ１００から出力されたパルスレーザ光を反射して、ＯＰＳ５０に入射させるように配置される。
　Ｌ－ＯＰＳ１００は、複数の凹面ミラーと、複数の高反射ミラーと、複数のビームスプリッタとで構成されている。図４には、Ｌ－ＯＰＳ１００の構成要素のうちの複数の凹面ミラー１０２と、１つのビームスプリッタ１０４のみが示されている。ビームスプリッタ１０４は、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ｂで反射されたパルスレーザ光が入射する位置に配置される。Ｌ－ＯＰＳ１００には、上記構成要素により遅延光路１０６が構成されている。すなわち、第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂは、ＯＰＳ５０とＬ－ＯＰＳ１００との２つのパルス幅伸長装置を含む。ＯＰＳ５０及びＬ－ＯＰＳ１００の各々は、ビームスプリッタと２以上の高反射ミラーとを含むものであればよい。
　レーザ装置２Ｂは、バイパス装置７０が着脱可能に構成されている。バイパス装置７０は、２枚の高反射ミラー７２，７４を含む。高反射ミラー７２，７４は、本開示における「複数の光学素子」の一例である。高反射ミラー７２は、本開示における「第１高反射ミラー」の一例である。高反射ミラー７４は、本開示における「第２高反射ミラー」の一例である。
　高反射ミラー７２，７４は、筐体７６に収容され、筐体７６内の所定の位置に保持されている。高反射ミラー７２，７４は、Ｌ－ＯＰＳ１００をバイパスするバイパス光路を形成する。
　レーザ装置２Ｂには、Ｌ－ＯＰＳ１００とＰＯビームステアリングユニット４２との間に、バイパス装置７０を挿入することが可能な空間が確保されている。バイパス装置７０の筐体７６は、レーザ装置２Ｂに対して着脱可能に構成されている。図４及び図５において、バイパス装置７０がレーザ装置２Ｂに取り付けられる位置を破線で示している。筐体７６は、レーザ装置２Ｂに取り付けられる際に、ＰＯビームステアリングユニット４２に対して位置決め固定される。図４及び図５において、実線は、バイパス装置７０がレーザ装置２Ｂから取り外された状態を示している。
　図６及び図７は、レーザ装置２Ｂにバイパス装置７０が取り付けられた状態を示す。高反射ミラー７２は、バイパス装置７０がレーザ装置２Ｂに取り付けられた場合に、ＰＯビームステアリングユニット４２から出射されるパルスレーザ光を反射して高反射ミラー７４に入射させるように配置される。例えば、高反射ミラー７２は、Ｌ－ＯＰＳ１００の入射光軸に対して４５°の角度をなし、入射光軸に沿って進行するパルスレーザ光を４５°の反射角で反射するように配置される。
　高反射ミラー７４は、高反射ミラー７２から入射するパルスレーザ光を反射して、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ｃに入射させるように配置される。例えば、高反射ミラー７４は、Ｌ－ＯＰＳ１００の出射光軸に対して４５°の角度をなし、高反射ミラー７２から入射するパルスレーザ光を４５°の反射角で反射してＬ－ＯＰＳ１００の出射光路へ戻すように配置される。すなわち、高反射ミラー７４は、バイパス装置７０がレーザ装置２Ｂに取り付けられていない場合にＬ－ＯＰＳ１００から出射されるパルスレーザ光の光路に、バイパス光路を進行したパルスレーザ光を出射するように配置される。
　すなわち、高反射ミラー７２，７４は、それぞれ入射光と反射光のなす角が９０°となるように配置される。
　図８及び図９は、バイパス装置７０の構成を概略的に示す斜視図である。図８は、レーザ装置２Ｂからバイパス装置７０が取り外された状態を示す。図９は、レーザ装置２Ｂにバイパス装置７０が取り付けられた状態を示す。
　バイパス装置７０の筐体７６には、ＰＯビームステアリングユニット４２から出射されるパルスレーザ光を高反射ミラー７２に入射させるための光入射窓７８Ａが形成されている。また、筐体７６には、高反射ミラー７４により反射されたパルスレーザ光を筐体７６外に出射するための光出射窓７８Ｂが形成されている。
　高反射ミラー７２，７４は、それぞれ入射光と反射光のなす角が９０°以外の角度となるように配置されてもよい。第１高反射ミラーとしての高反射ミラー７２は、Ｌ－ＯＰＳ１００に入射するパルスレーザ光をＬ－ＯＰＳ１００の外に向けて反射することにより、パルスレーザ光をバイパス光路へ導くように配置されればよい。また、第２高反射ミラーとしての高反射ミラー７４は、高反射ミラー７２により反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射することにより、パルスレーザ光をＬ－ＯＰＳ１００の出射光路へ戻すように配置されればよい。
　　３．２　動作
　レーザ装置２Ｂにバイパス装置７０が取り付けられていない場合、パワーオシレータ３０から出射したパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ａと高反射ミラー４４ｂとによって進行方向が変更される。高反射ミラー４４ａと高反射ミラー４４ｂとによって進行方向が変更されたパルスレーザ光は、レーザ装置２Ｂの背面にあるＬ－ＯＰＳ１００に入射する。
　Ｌ－ＯＰＳ１００に入射したパルスレーザ光は、遅延光路１０６によってパルス幅が伸長された後、ＰＯビームステアリングユニット４２に戻る。ＰＯビームステアリングユニット４２に戻ったパルスレーザ光は、高反射ミラー４４ｃによって進行方向が変更されてＯＰＳ５０に入射する。ＯＰＳ５０に入射したパルスレーザ光は、ＯＰＳ５０によってさらにパルス幅が伸長されてレーザ装置２Ｂから出射する。
　バイパス装置７０は、例えば、レーザ装置２Ｂから出射されるパルスレーザ光のレーザ性能に異常が生じた場合に、原因を特定する調査作業時に、レーザ装置２Ｂに取り付けられる。レーザ装置２Ｂにバイパス装置７０が取り付けられた場合、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ｂから出射されてＬ－ＯＰＳ１００の入射光軸に沿って進行するパルスレーザ光は、バイパス装置７０に入射する。バイパス装置７０に入射したパルスレーザ光は、Ｌ－ＯＰＳ１００を通らずにバイパス光路を進行した後、Ｌ－ＯＰＳ１００の出射光軸に沿って出力される。バイパス装置７０から出力されたパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４２に戻る。ＰＯビームステアリングユニット４２に戻ったパルスレーザ光は、高反射ミラー４４ｃによって進行方向が変更されてＯＰＳ５０に入射する。ＯＰＳ５０に入射したパルスレーザ光は、ＯＰＳ５０によってパルス幅が伸長されてレーザ装置２Ｂから出射する。
　　３．３　効果
　第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂ及びバイパス装置７０によれば、レーザ装置２Ｂにバイパス装置７０を取り付けることにより、Ｌ－ＯＰＳ１００をレーザ装置２Ｂから取り外さずにＬ－ＯＰＳ１００をバイパスしてパルスレーザ光を出力させることが可能となる。このため、レーザ装置２Ｂのレーザ性能に異常が生じた場合に、バイパス装置７０の取り付け及び取り外しを行うことにより、原因の特定調査を容易に行うことができる。
　バイパス装置７０の取り付けにより、光路に配置されているＬ－ＯＰＳ１００等のミラー角度が変化することはなく、またバイパス装置７０を取り外すことにより光路が元の状態に戻るので、光軸の調整が不要である。このため、原因特定に係る全体の作業時間を短縮することができる。
　第１実施形態と同様に、レーザ装置２Ｂに対してバイパス装置７０が容易に着脱可能であるので、バイパス装置７０の着脱によりパルスレーザ光のパルス幅と出力とのいずれを優先するかが選択可能となり、レーザ装置２Ｂの実用的な性能を拡大することができる。
　４．第３実施形態
　次に、本開示の第３実施形態に係るレーザ装置２Ｃについて説明する。なお、以下では、第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂの構成と異なる点を説明する。
　　４．１　構成
　図１０は、第３実施形態に係るレーザ装置２Ｃの構成を概略的に示す上面図である。図１１は、レーザ装置２Ｃの構成を概略的に示す正面図である。レーザ装置２Ｃは、第２実施形態のバイパス装置７０に代えて、バイパス装置８０が着脱可能に構成されている。バイパス装置８０は、レーザ装置２Ｃの正面、すなわちメンテナンス面側から着脱可能に構成されている。レーザ装置２Ｃのその他の構成は、第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂの構成と同様である。
　バイパス装置８０は、５枚の高反射ミラー８１～８５を含む。高反射ミラー８１～８５は、本開示における「複数の光学素子」の一例である。高反射ミラー８１は、本開示における「第１高反射ミラー」の一例である。高反射ミラー８５は、本開示における「第２高反射ミラー」の一例である。
　高反射ミラー８１～８５は、筐体８６に収容され、筐体８６内の所定の位置に保持されている。高反射ミラー８１～８５は、Ｌ－ＯＰＳ１００をバイパスするバイパス光路を形成する。
　レーザ装置２Ｃには、ＰＯビームステアリングユニット４２に、バイパス装置８０の一部を挿入することが可能な空間が確保されている。バイパス装置８０の筐体８６は、レーザ装置２Ｃに対して着脱可能に構成されている。図１０及び図１１において、バイパス装置８０がレーザ装置２Ｃに取り付けられる位置を破線で示している。筐体８６は、レーザ装置２Ｃに取り付けられる際に、ＰＯビームステアリングユニット４２に対して位置決め固定される。図１０及び図１１において、実線は、バイパス装置８０がレーザ装置２Ｃから取り外された状態を示している。
　図１２及び図１３は、レーザ装置２Ｃにバイパス装置８０が取り付けられた状態を示す。高反射ミラー８１～８４は、バイパス装置８０がレーザ装置２Ｃに取り付けられた場合に、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ａで反射されたパルスレーザ光が順次入射する位置に配置される。
　高反射ミラー８５は、高反射ミラー８４から入射するパルスレーザ光を反射してＯＰＳ５０に入射させるように配置される。すなわち、高反射ミラー８５は、ＰＯビームステアリングユニット４２の出射光軸に沿ってパルスレーザ光を出力するように配置される。
　図１４及び図１５は、バイパス装置８０の構成を概略的に示す斜視図である。図１４は、レーザ装置２Ｃからバイパス装置８０が取り外された状態を示す。図１５は、レーザ装置２Ｃにバイパス装置８０が取り付けられた状態を示す。
　バイパス装置８０の筐体８６には、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ａで反射されたパルスレーザ光を高反射ミラー８１に入射させるための光入射窓８７Ａが形成されている。また、筐体８６には、高反射ミラー８５により反射されたパルスレーザ光を筐体８６外に出射するための光出射窓８７Ｂが形成されている。
　図１５に示すように、高反射ミラー８１は、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ａで反射されて－Ｖ軸方向に進行するパルスレーザ光を反射して＋Ｈ軸方向に進行させるように配置される。高反射ミラー８２は、＋Ｈ軸方向に進行するパルスレーザ光を反射して＋Ｚ軸方向に進行させるように配置される。高反射ミラー８３は、＋Ｚ軸方向に進行するパルスレーザ光を反射して－Ｖ軸方向に進行させるように配置される。高反射ミラー８４は、－Ｖ軸方向に進行するパルスレーザ光を反射して－Ｈ軸方向に進行させるように配置される。高反射ミラー８５は、－Ｈ軸方向に進行するパルスレーザ光を反射して＋Ｚ軸方向に進行させるように配置される。すなわち、高反射ミラー８１～８５は、それぞれ入射光と反射光のなす角が９０°となるように配置される。
　高反射ミラー８１～８５は、それぞれ入射光と反射光のなす角が９０°以外の角度となるように配置されてもよい。第１高反射ミラーとしての高反射ミラー８１は、Ｌ－ＯＰＳ１００に入射するパルスレーザ光をＬ－ＯＰＳ１００の外に向けて反射することにより、パルスレーザ光をバイパス光路へ導くように配置されればよい。また、第２高反射ミラーとしての高反射ミラー８５は、高反射ミラー８１により反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射することにより、パルスレーザ光をＬ－ＯＰＳ１００の出射光路へ戻すように配置されればよい。なお、Ｌ－ＯＰＳ１００の出射光路とは、Ｌ－ＯＰＳ１００から出射されるパルスレーザ光がＯＰＳ５０に入射するまでの光路を指す。
　　４．２　動作
　バイパス装置８０が取り付けられていない場合におけるレーザ装置２Ｃの動作は、第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂの動作と同様である。パワーオシレータ３０から出射したパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４２によって進行方向が変更されて、レーザ装置２Ｃの背面にあるＬ－ＯＰＳ１００に入射する。Ｌ－ＯＰＳ１００に入射したパルスレーザ光は、Ｌ－ＯＰＳ１００でパルス幅が伸長された後、ＰＯビームステアリングユニット４２に戻り、ＰＯビームステアリングユニット４２で進行方向が変更されてＯＰＳ５０に入射する。ＯＰＳ５０に入射したパルスレーザ光は、ＯＰＳ５０によってさらにパルス幅が伸長されてレーザ装置２Ｃから出射する。
　バイパス装置８０は、例えば、レーザ装置２Ｃから出射されるパルスレーザ光のレーザ性能に異常が生じた場合に、原因を特定する調査作業時に、レーザ装置２Ｃに取り付けられる。レーザ装置２Ｃにバイパス装置８０が取り付けられた場合、パワーオシレータ３０から出射したパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット４２の高反射ミラー４４ａによって進行方向が変更された後、バイパス装置８０に入射する。バイパス装置８０に入射したパルスレーザ光は、Ｌ－ＯＰＳ１００を通らずにバイパス光路を進行した後、ＰＯビームステアリングユニット４２の出射光軸に沿って出力される。バイパス装置８０から出力されたパルスレーザ光は、ＯＰＳ５０に入射し、ＯＰＳ５０によってパルス幅が伸長されてレーザ装置２Ｃから出射する。
　　４．３　効果
　第３実施形態に係るレーザ装置２Ｃ及びバイパス装置８０によれば、レーザ装置２Ｃにバイパス装置８０を取り付けることにより、Ｌ－ＯＰＳ１００をレーザ装置２Ｃから取り外さずにＬ－ＯＰＳ１００をバイパスしてパルスレーザ光を出力させることが可能となる。特に、第３実施形態に係るバイパス装置８０は、レーザ装置２Ｃの正面、すなわちメンテナンス面側から着脱可能であるので、取り付け作業が容易である。
　その他、第３実施形態に係るレーザ装置２Ｃ及びバイパス装置８０は、第２実施形態に係るレーザ装置２Ｂ及びバイパス装置７０と同様の効果を奏する。
　５．バイパス装置の変形例
　次に、バイパス装置の変形例を説明する。変形例に係るバイパス装置は、バイパス光路の光軸の調整を可能とする。
　　５．１　第１変形例
　図１６は、第１実施形態の第１変形例に係るバイパス装置６０Ａの構成を概略的に示す。バイパス装置６０Ａは、第１実施形態に係るバイパス装置６０と同様に、バイパス光路を形成するための４枚の高反射ミラー６１～６４を含む。
　高反射ミラー６１～６４のうち高反射ミラー６２は、第１アクチュエータ付きホルダ９０Ａにより保持されており、高反射ミラー６３は、第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｂにより保持されている。第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ａ，９０Ｂは、高反射ミラー６１～６４とともに筐体６５に収容されている。第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ａ，９０Ｂは、本開示における「光軸調整機構」の一例である。高反射ミラー６２は、本開示における「第１光学素子」の一例である。高反射ミラー６３は、本開示における「第２光学素子」の一例である。
　第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ａ，９０Ｂは、それぞれ、例えばホルダ、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）アクチュエータ、及び自動マイクロメータにより構成される。
　第１アクチュエータ付きホルダ９０Ａは、高反射ミラー６２を保持し、かつ直交する２軸に関して高反射ミラー６２の姿勢角度を変化させる。例えば、第１アクチュエータ付きホルダ９０Ａは、高反射ミラー６２を、Ｈ軸の回り、及び高反射ミラー６２の表面に平行であってＨ軸に直交する軸の回りに高反射ミラー６２を回転させる。
　同様に、第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｂは、高反射ミラー６３を保持し、かつ直交する２軸に関して高反射ミラー６３の姿勢角度を変化させる。例えば、第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｂは、高反射ミラー６３を、Ｈ軸の回り、及び高反射ミラー６３の表面に平行であってＨ軸に直交する軸の回りに高反射ミラー６３を回転させる。第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ａ，９０Ｂは、コントローラ（図示せず）により制御される。
　２軸に関して高反射ミラー６２，６３の各々の姿勢角度を変化させることによって、バイパス光路の光軸の調整を行うことができる。具体的には、バイパス光路を進行するパルスレーザ光の進行方向及び位置を調整することができる。
　第１実施形態に係るレーザ装置２Ａにバイパス装置６０Ａを取り付けた場合に、ＯＰＳ５０の出射光軸とバイパス装置６０Ａの出射光軸とにずれが生じる可能がある。このようなずれが生じた場合であっても、第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ａ，９０Ｂを制御することにより、バイパス装置６０Ａの出射光軸を、ＯＰＳ５０の出射光軸に一致させることができる。
　なお、図１６に示す例に限らず、高反射ミラー６１～６４のうちいずれの２枚を第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ａ，９０Ｂで保持してもよい。
　　５．２　第２変形例
　図１７は、第１実施形態の第２変形例に係るバイパス装置６０Ｂの構成を概略的に示す。バイパス装置６０Ｂは、４枚の高反射ミラー６１～６４と、透光性の平行平板基板６６とを含む。平行平板基板６６は、例えば、合成石英又はフッ化カルシウム（ＣａＦ２）により形成される。高反射ミラー６１～６４及び平行平板基板６６は、本開示における「複数の光学素子」の一例である。
　高反射ミラー６１～６４のうち、高反射ミラー６２は第１アクチュエータ付きホルダ９０Ｃにより保持されている。第１アクチュエータ付きホルダ９０Ｃは、第１変形例で説明した第１アクチュエータ付きホルダ９０Ａと同様の構成であり、高反射ミラー６２を保持し、かつ直交する２軸に関して高反射ミラー６２の姿勢角度を変化させる。第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｃ，９０Ｄは、高反射ミラー６１～６４及び平行平板基板６６とともに筐体６５に収容されている。第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｃ，９０Ｄは、本開示における「光軸調整機構」の一例である。また、高反射ミラー６２は、本開示における「第１光学素子」の一例である。
　平行平板基板６６は、高反射ミラー６２で反射されたパルスレーザ光が高反射ミラー６３へ向かう光路上に傾斜した状態で配置される。平行平板基板６６は、高反射ミラー６２から入射したパルスレーザ光を透過させて、高反射ミラー６３に入射させる。平行平板基板６６は、本開示における「第２光学素子」の一例である。
　平行平板基板６６は、第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｄにより保持されている。第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｄは、第１変形例で説明した第１アクチュエータ付きホルダ９０Ａと同様の構成であり、平行平板基板６６を保持し、かつ直交する２軸に関して平行平板基板６６の姿勢角度を変化させる。例えば、第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｄは、平行平板基板６６を、Ｈ軸の回り、及び平行平板基板６６の表面に平行であってＨ軸に直交する軸の回りに平行平板基板６６を回転させる。第１及び第２アクチュエータ付きホルダ９０Ｃ，９０Ｄは、コントローラ（図示せず）により制御される。
　２軸に関して高反射ミラー６２と平行平板基板６６と姿勢角度を変化させることによって、バイパス光路の光軸の調整を行うことができる。具体的には、高反射ミラー６２の姿勢角度を変化させることによって、バイパス光路を進行するパルスレーザ光の進行方向を調整することができる。
　また、平行平板基板６６の姿勢角度を変化させることによって、パルスレーザ光の位置を調整することができる。パルスレーザ光が平行平板基板６６を通過することによる位置の変化量は、平行平板基板６６への入射角、平行平板基板６６の厚み、及び平行平板基板６６の屈折率に依存する。平行平板基板６６の姿勢角度を変化させることにより、パルスレーザ光の平行平板基板６６への入射角が変化することに伴い、パルスレーザ光の位置が変化する。
　なお、図１７に示す例では、高反射ミラー６２を、光軸調整機構としての第１アクチュエータ付きホルダ９０Ｃで保持しているが、高反射ミラー６１～６４のうちいずれを第１アクチュエータ付きホルダ９０Ｃで保持してもよい。
　また、図１７に示す例では、高反射ミラー６２と高反射ミラー６３との間に平行平板基板６６を配置している。これに代えて、高反射ミラー６１と高反射ミラー６２との間、又は高反射ミラー６３と高反射ミラー６４との間に平行平板基板６６を配置してもよい。また、高反射ミラー６１の光入射側、又は高反射ミラー６４の光出射側に平行平板基板６６を配置してもよい。
　　５．３　その他の変形例
　第２実施形態に係るバイパス装置７０に含まれる高反射ミラー７２，７４のそれぞれに光軸調整機構としてのアクチュエータ付きホルダを設けてもよい。また、高反射ミラー７２，７４の一方にアクチュエータ付きホルダを設け、高反射ミラー７２と高反射ミラー７４との間に、アクチュエータ付きホルダに保持された平行平板基板を配置してもよい。また、高反射ミラー７２の光入射側、又は高反射ミラー７４の光出射側に、アクチュエータ付きホルダに保持された平行平板基板を配置してもよい。さらに、光入射窓７８Ａ及び光出射窓７８Ｂは、必須でなく、単に光が通過する開口であってもよい。
　また、第３実施形態に係るバイパス装置８０に含まれる高反射ミラー８１～８５から選択されるいずれか２枚の高反射ミラーにアクチュエータ付きホルダを設けてもよい。また、高反射ミラー８１～８５から選択される１枚の高反射ミラーにアクチュエータ付きホルダを設け、高反射ミラー８１～８５から選択される２枚の高反射ミラーの間にアクチュエータ付きホルダに保持された平行平板基板を配置してもよい。また、高反射ミラー８１の光入射側、又は高反射ミラー８５の光出射側に、アクチュエータ付きホルダに保持された平行平板基板を配置してもよい。さらに、光入射窓７８Ａ及び光出射窓７８Ｂは、必須でなく、単に光が通過する開口であってもよい。
　また、光軸調整機構としてのアクチュエータ付きホルダは、バイパス光路を形成する複数の光学素子のうちの３以上の光学素子に設けられていてもよい。また、バイパス光路を形成する複数の光学素子のうちの２以上の光学素子が平行平板基板であって、平行平板基板の各々にアクチュエータ付きホルダが設けられていてもよい。
　６．電子デバイスの製造方法
　図１８は、露光装置２００の構成例を概略的に示す。露光装置２００は、照明光学系２０４と投影光学系２０６とを含む。照明光学系２０４は、例えば、第１実施形態に係るレーザ装置２Ａから入射したパルスレーザ光によって、レチクルステージＲＴ上に配置された図示しないレチクルのレチクルパターンを照明する。投影光学系２０６は、レチクルを透過したパルスレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
　露光装置２００は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したパルスレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにレチクルパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造できる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。
　また、露光装置２００にパルスレーザ光を入射させるレーザ装置２Ａには、バイパス装置６０が取り付けられていてもよいし、バイパス装置６０が取り外されていてもよい。ウエハの露光に際して、バイパス装置６０の着脱により、パルスレーザ光のパルス幅と出力とのいずれを優先するかを選択できる。なお、レーザ装置２Ａに限らず、上述のレーザ装置２Ｂ又はレーザ装置２Ｃなどを用いてもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (10)

  1. 　パルスレーザ光を出力するレーザ装置に着脱可能であり、前記レーザ装置内に設けられ、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置であって、
    　前記バイパス光路を形成する複数の光学素子と、
    　前記複数の光学素子を収容する筐体と、
    　を備え、
    　前記複数の光学素子には、
    　前記パルス幅伸長装置に入射する前記パルスレーザ光を前記パルス幅伸長装置の外に向けて反射して前記バイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、
    　前記第１高反射ミラーにより反射され、前記バイパス光路を介して入射する前記パルスレーザ光を反射して前記パルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、
    　が含まれる
    　バイパス装置。
  2. 　請求項１に記載のバイパス装置であって、
    　前記バイパス光路の光軸を調整する光軸調整機構をさらに備える
    　バイパス装置。
  3. 　請求項２に記載のバイパス装置であって、
    　前記光軸調整機構は、前記複数の光学素子のうちの第１光学素子を保持して姿勢角度を変化させる第１アクチュエータ付きホルダと、第２光学素子を保持して姿勢角度を変化させる第２アクチュエータ付きホルダとを含む
    　バイパス装置。
  4. 　請求項３に記載のバイパス装置であって、
    　前記第１光学素子及び前記第２光学素子は、高反射ミラーである
    　バイパス装置。
  5. 　請求項３に記載のバイパス装置であって、
    　前記第１光学素子は、高反射ミラーであり、
    　前記第２光学素子は、透光性の平行平板基板である
    　バイパス装置。
  6. 　請求項１に記載のバイパス装置であって、
    　前記第１高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光の進行方向を変更するビームステアリング装置から出力された前記パルスレーザ光を反射し、
    　前記第２高反射ミラーは、前記バイパス光路を介して入射した前記パルスレーザ光を、前記パルス幅伸長装置の出射光軸に沿って出力して前記出射光路に戻す
    　バイパス装置。
  7. 　請求項１に記載のバイパス装置であって、
    　前記第１高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光の進行方向を変更するビームステアリング装置に含まれる１つの高反射ミラーから出力された前記パルスレーザ光を反射し、
    　前記第２高反射ミラーは、前記バイパス光路を介して入射した前記パルスレーザ光を、前記パルス幅伸長装置の出射光軸に沿って出力して前記ビームステアリング装置へ戻す
    　バイパス装置。
  8. 　請求項１に記載のバイパス装置であって、
    　前記第１高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光の進行方向を変更するビームステアリング装置に含まれる１つの高反射ミラーから出力された前記パルスレーザ光を反射し、
    　前記第２高反射ミラーは、前記バイパス光路を介して入射した前記パルスレーザ光を、前記ビームステアリング装置の出射光軸に沿って出力して前記出射光路に戻す
    　バイパス装置。
  9. 　パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、前記パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置であって、
    　前記バイパス装置は、
    　前記バイパス光路を形成する複数の光学素子と、
    　前記複数の光学素子を収容する筐体と、
    　を備え、
    　前記複数の光学素子には、
    　前記パルス幅伸長装置に入射する前記パルスレーザ光を前記パルス幅伸長装置の外に向けて反射して前記バイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、
    　前記第１高反射ミラーにより反射され、前記バイパス光路を介して入射する前記パルスレーザ光を反射して前記パルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、
    　が含まれる
    　レーザ装置。
  10. 　パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、前記パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板に前記パルスレーザ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法であって、
    　前記バイパス装置は、
    　前記バイパス光路を形成する複数の光学素子と、
    　前記複数の光学素子を収容する筐体と、
    　を備え、
    　前記複数の光学素子には、
    　前記パルス幅伸長装置に入射する前記パルスレーザ光を前記パルス幅伸長装置の外に向けて反射して前記バイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、
    　前記第１高反射ミラーにより反射され、前記バイパス光路を介して入射する前記パルスレーザ光を反射して前記パルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、
    　が含まれる
    　電子デバイスの製造方法。
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