KR20130028709A - Method for eliminating resin film and method for producing laminate - Google Patents

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KR20130028709A
KR20130028709A KR1020127023520A KR20127023520A KR20130028709A KR 20130028709 A KR20130028709 A KR 20130028709A KR 1020127023520 A KR1020127023520 A KR 1020127023520A KR 20127023520 A KR20127023520 A KR 20127023520A KR 20130028709 A KR20130028709 A KR 20130028709A
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겐이찌 에바따
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 유리판 상에 부착된 수지막을 제거하는 수지막의 제거 방법이며, 상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 열처리하는 열처리 공정과, 열처리 후의 상기 수지막을 씻어내는 세정 공정을 갖고, 상기 열처리 공정에 있어서, 상기 수지막의 상기 유리판과 반대측의 면을 300 내지 450℃의 대기, 350 내지 600℃의 불활성 분위기 또는 150 내지 350℃의 수증기에 노출시키는 수지막의 제거 방법에 관한 것이다.This invention is the removal method of the resin film which removes the resin film adhering on a glass plate, Comprising: The heat processing process of heat-processing the said resin film adhering on the said glass plate, The washing process of washing the said resin film after heat processing, In the said heat processing process, And a method for removing the resin film by exposing the surface on the side opposite to the glass plate of the resin film to an atmosphere of 300 to 450 ° C, an inert atmosphere of 350 to 600 ° C, or water vapor of 150 to 350 ° C.

Description

수지막의 제거 방법 및 적층체의 제조 방법 {METHOD FOR ELIMINATING RESIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE}Removal method of resin film and manufacturing method of laminated body {METHOD FOR ELIMINATING RESIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE}

본 발명은 수지막의 제거 방법 및 적층체의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for removing a resin film and a method for producing a laminate.

최근 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있어, 이들 디바이스에 사용하는 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 기판의 강도가 부족하면, 디바이스의 제조 공정에 있어서 기판의 핸들링성이 저하된다.In recent years, thinning and weight reduction of devices (electronic devices) such as solar cells (PV), liquid crystal panels (LCDs), organic EL panels (OLEDs), and the like, and the thinning of substrates used in these devices are in progress. If the strength of the substrate is insufficient due to the thinning, the handleability of the substrate is lowered in the manufacturing process of the device.

따라서, 종래부터 최종 두께보다 두꺼운 기판 상에 디바이스용 부재(예를 들어, 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다. 그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 기판의 두께를 0.7mm로부터 0.2mm나 0.1mm로 박판화할 경우, 원래의 기판 재료의 대부분을 에칭액으로 제거하게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다.Therefore, conventionally, after forming a device member (for example, a thin film transistor) on the board | substrate thicker than a final thickness, the method of thinning a board | substrate by a chemical etching process is employ | adopted widely. However, in this method, for example, when the thickness of one substrate is thinned from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original substrate material is removed with an etching solution, and therefore, from the viewpoint of productivity and use efficiency of raw materials. Is not preferred.

또한, 상기한 화학 에칭에 의한 기판의 박판화 방법에 있어서는, 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 해서 미세한 오목부(에치 피트)가 형성되어, 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.In addition, in the method of thinning the substrate by the above-described chemical etching, when minute scratches exist on the surface of the substrate, minute recesses (etch pits) are formed starting from the scratches by the etching process, thereby forming an optical defect. There was a case.

최근에는 상기한 과제에 대응하기 위해, 기판과 보강판을 적층한 적층체를 준비하여, 적층체의 기판 상에 디바이스용 부재를 형성한 후, 기판으로부터 보강판을 박리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 보강판은 유리판과, 상기 유리판 상에 고정되는 수지층을 가지며, 수지층과 기판이 박리 가능하도록 밀착된다. 보강판은 기판으로부터 박리된 후, 새로운 기판과 적층되어 적층체로서 재이용하는 것이 가능하다.Recently, in order to cope with the above problems, a method of preparing a laminate in which a substrate and a reinforcing plate are laminated, forming a device member on a substrate of the laminate, and then peeling the reinforcing plate from the substrate has been proposed ( For example, refer patent document 1). The reinforcing plate has a glass plate and a resin layer fixed on the glass plate, and the resin layer and the substrate are in close contact with each other so as to be peelable. After the reinforcing plate is peeled off from the substrate, the reinforcing plate can be laminated with a new substrate and reused as a laminate.

국제 공개 제07-018028호 공보International Publication No. 07-018028

그러나, 보강판의 이용 횟수에 따라, 보강판의 수지층이 서서히 열화된다. 수지층의 열화는, 디바이스의 제조 공정에 있어서의 가열 처리나 액체 처리, 보강판과 기판의 박리 조작 등에 기인한다. 수지층이 어느 정도 열화되어 있는 경우, 보강판과 기판을 박리할 때에, 수지층의 일부가 제품측인 기판에 부착되는 경우가 있다. 따라서, 보강판의 수지층이 어느 정도 열화되어 있는 경우, 수지층을 재생한 후, 보강판과 기판을 적층하는 것이 바람직하다. However, the resin layer of a reinforcement board gradually deteriorates with the use frequency of a reinforcement board. The deterioration of the resin layer is caused by heat treatment, liquid treatment, peeling operation of the reinforcing plate and the substrate in the device manufacturing process, and the like. When the resin layer is deteriorated to some extent, when peeling a reinforcement board and a board | substrate, a part of resin layer may adhere to the board | substrate which is a product side. Therefore, when the resin layer of a reinforcement board is deteriorated to some extent, it is preferable to laminate | stack a reinforcement board and a board | substrate after regenerating a resin layer.

그런데, 유리판 상에 부착된 수지층(수지막)을 재생하기 위해서는, 우선 수지막을 제거할 필요가 있다. 수지막을 제거하는 방법으로서, 칼날로 얇게 도려내는 방법이나, 블라스트 입자(예를 들어, 탄산칼슘 분말)로 제거하는 방법을 사용하는 것도 가능하지만, 칼날과의 접촉이나 블라스트 입자의 충격으로 유리판의 표면에 미세 균열이 발생하여, 유리판을 재이용할 때에 미세 균열의 영향으로 유리판이 파손될 우려가 있다.By the way, in order to reproduce the resin layer (resin film) adhering on a glass plate, it is necessary to remove a resin film first. As a method of removing the resin film, it is also possible to use a method of thinly cutting out with a blade or a method of removing with blast particles (for example, calcium carbonate powder), but the surface of the glass plate may be caused by contact with the blade or impact of the blast particles. There exists a possibility that a fine crack may generate | occur | produce in the case, and when a glass plate is reused, a glass plate may be damaged by the influence of a fine crack.

따라서, 유리판을 파손시키지 않고 수지막을 제거하는 방법으로서, 수지막을 대기 중에서 열처리하는 방법이 고려되지만, 이 경우 수지막의 산화에 의해 산화규소 등의 산화물이 생성되는 경우가 있다. 생성된 산화물은 유리판에 고착되므로, 제거하는 것이 곤란하다.Therefore, as a method of removing a resin film without damaging a glass plate, the method of heat-processing a resin film in air | atmosphere is considered, In this case, oxides, such as a silicon oxide, may be produced | generated by oxidation of a resin film. The resulting oxide is stuck to the glass plate, so it is difficult to remove it.

또한, 유리판을 파손시키지 않고 수지막을 제거하는 방법으로서, 알코올 용액이나 알칼리 용액 등의 액체를 사용하는 방법이 고려되지만, 이 경우 초음파 세정을 병용해도, 수지막의 제거에 수십시간 이상을 필요로 한다.In addition, as a method of removing the resin film without damaging the glass plate, a method of using a liquid such as an alcohol solution or an alkali solution is considered. In this case, even if ultrasonic cleaning is used in combination, removal of the resin film requires several tens of hours or more.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 유리판을 파손시키지 않고 수지막을 효율적으로 제거할 수 있는 수지막의 제거 방법 및 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the removal method of the resin film and the manufacturing method of a laminated body which can remove a resin film efficiently, without damaging a glass plate.

상기 목적을 해결하기 위해, 본 발명의 수지막의 제거 방법은In order to solve the above object, the removal method of the resin film of the present invention

유리판 상에 부착된 수지막을 제거하는 수지막의 제거 방법이며, It is a removal method of the resin film which removes the resin film adhering on a glass plate,

상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 열처리하는 열처리 공정과, A heat treatment step of heat-treating the resin film attached on the glass plate;

열처리 후의 상기 수지막을 씻어내는 세정 공정을 갖고, It has a washing | cleaning process which wash | cleans the said resin film after heat processing,

상기 열처리 공정에 있어서, 상기 수지막의 상기 유리판과 반대측의 면을 300 내지 450℃의 대기, 350 내지 600℃의 불활성 분위기 또는 150 내지 350℃의 수증기에 노출시키는 방법이다.In the heat treatment step, the surface opposite to the glass plate of the resin film is exposed to an atmosphere of 300 to 450 ° C, an inert atmosphere of 350 to 600 ° C, or water vapor of 150 to 350 ° C.

본 발명의 수지막의 제거 방법에서는, 상기 열처리 공정에 있어서, 상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 가열한 후 냉각하는 것이 바람직하다.In the removal method of the resin film of this invention, it is preferable to cool after heating the said resin film adhering on the said glass plate in the said heat processing process.

본 발명의 수지막의 제거 방법에서는, 상기 세정 공정에 있어서, 액체를 사용해서 상기 수지막을 용해 또는 팽윤시키는 것이 바람직하다.In the removal method of the resin film of this invention, in the said washing process, it is preferable to melt or swell the said resin film using a liquid.

본 발명의 수지막의 제거 방법에서는, 상기 액체의 용해도 파라미터가 7 내지 15인 것이 바람직하다.In the removal method of the resin film of this invention, it is preferable that the solubility parameter of the said liquid is 7-15.

본 발명의 수지막의 제거 방법에서는, 상기 세정 공정에 있어서, 연마제를 사용해서 상기 수지막을 제거하는 것이 바람직하다.In the removal method of the resin film of this invention, in the said washing process, it is preferable to remove the said resin film using an abrasive | polishing agent.

본 발명의 수지막의 제거 방법에서는, 상기 세정 공정에 있어서, 초음파 세정 또는 브러시 세정에 의해 세정하는 것이 바람직하다.In the removal method of the resin film of this invention, it is preferable to wash | clean by ultrasonic washing | cleaning or brush washing in the said washing process.

또한, 본 발명의 적층체의 제조 방법은Moreover, the manufacturing method of the laminated body of this invention is

유리판 상에 부착된 수지막을 제거하는 제거 공정과, 상기 수지막을 제거한 상기 유리판과 기판 사이에 수지층을 개재 장착하는 적층 공정을 갖는 적층체의 제조 방법에 있어서, In the manufacturing method of the laminated body which has a removal process which removes the resin film adhering on a glass plate, and the lamination process which mounts a resin layer between the said glass plate from which the said resin film was removed, and a board | substrate,

상기 제거 공정은The removal process

상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 열처리하는 열처리 공정과, A heat treatment step of heat-treating the resin film attached on the glass plate;

열처리 후의 상기 수지막을 씻어내는 세정 공정을 갖고, It has a washing | cleaning process which wash | cleans the said resin film after heat processing,

상기 열처리 공정에 있어서, 상기 수지막의 상기 유리판과 반대측의 면을 300 내지 450℃의 대기, 350 내지 600℃의 불활성 분위기 또는 150 내지 350℃의 수증기에 노출시키는 방법이다.In the heat treatment step, the surface opposite to the glass plate of the resin film is exposed to an atmosphere of 300 to 450 ° C, an inert atmosphere of 350 to 600 ° C, or water vapor of 150 to 350 ° C.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 상기 열처리 공정에 있어서, 상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 가열한 후 냉각하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the laminated body of this invention, it is preferable to cool after heating the said resin film adhering on the said glass plate in the said heat processing process.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 상기 세정 공정에 있어서, 액체를 사용해서 상기 수지막을 용해 또는 팽윤시키는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the laminated body of this invention, in the said washing process, it is preferable to melt or swell the said resin film using a liquid.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 상기 액체의 용해도 파라미터가 7 내지 15인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the laminated body of this invention, it is preferable that the solubility parameter of the said liquid is 7-15.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 상기 세정 공정에 있어서, 연마제를 사용해서 상기 수지막을 제거하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the laminated body of this invention, in the said washing process, it is preferable to remove the said resin film using an abrasive | polishing agent.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 상기 세정 공정에 있어서, 초음파 세정 또는 브러시 세정에 의해 세정하는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the laminated body of this invention, it is preferable to wash | clean by ultrasonic washing | cleaning or brush washing in the said washing process.

본 발명의 적층체의 제조 방법에서는, 상기 적층 공정에 있어서, 상기 수지층을 상기 유리판에 고정시킴과 함께, 상기 수지층을 상기 기판에 박리 가능하도록 밀착시키는 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the laminated body of this invention, in the said lamination process, while fixing the said resin layer to the said glass plate, it is preferable to make it adhere | attach so that the said resin layer may peel on the said board | substrate.

본 발명에 따르면, 유리판을 파손시키지 않고 수지막을 효율적으로 제거할 수 있는 수지막의 제거 방법, 및 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to this invention, the removal method of the resin film which can remove a resin film efficiently, without damaging a glass plate, and the manufacturing method of a laminated body can be provided.

도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 있어서의 적층체의 제조 방법의 공정도이다.
도 2는 도 1의 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체의 부분 측면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시 형태에 있어서의 수지막의 제거 방법의 공정도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is process drawing of the manufacturing method of the laminated body in one Embodiment of this invention.
It is a partial side view of the laminated body obtained by the manufacturing method of the laminated body of FIG.
3 is a flowchart of a method of removing a resin film in one embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시 형태로 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings, this invention is not limited to the following embodiment, A various deformation | transformation and substitution can be added to the following embodiment without deviating from the range of this invention. have.

도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 있어서의 적층체의 제조 방법의 공정도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 적층체의 제조 방법은 유리판 상에 부착된 수지막을 제거하는 제거 공정(스텝 S11)과, 수지막을 제거한 유리판과 기판 사이에 수지층을 개재 장착하는 적층 공정(스텝 S12)을 갖는다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is process drawing of the manufacturing method of the laminated body in one Embodiment of this invention. As shown in FIG. 1, the manufacturing method of a laminated body includes the removal process (step S11) which removes the resin film adhering on a glass plate, and the lamination process (step S12) which interposes a resin layer between the glass plate from which the resin film was removed, and a board | substrate. Has

도 2는 도 1의 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체의 부분 측면도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 적층체(10)는 유리판(21)과 기판(30) 사이에 수지층(22)이 개재 장착된 것이다. 수지층(22)은, 기판(30)의 제1 주면(301)에 박리 가능하도록 밀착됨과 함께, 유리판(21) 위에 고정되어 있다. 유리판(21) 및 수지층(22)은 액정 패널 등의 디바이스(전자 기기)를 제조하는 공정에 있어서, 기판(30)을 보강하는 보강판(20)으로서 기능한다.It is a partial side view of the laminated body obtained by the manufacturing method of the laminated body of FIG. As shown in FIG. 2, in the laminate 10, the resin layer 22 is interposed between the glass plate 21 and the substrate 30. The resin layer 22 is adhered to the first main surface 301 of the substrate 30 so as to be peeled off, and is fixed on the glass plate 21. The glass plate 21 and the resin layer 22 function as the reinforcement board 20 which reinforces the board | substrate 30 in the process of manufacturing devices (electronic devices), such as a liquid crystal panel.

이 적층체(10)는, 디바이스의 제조 공정의 도중까지 사용된다. 즉, 이 적층체(10)는, 기판(30) 위에 박막 트랜지스터 등의 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 보강판(20)은 기판(30)으로부터 박리되며, 디바이스를 구성하는 부재로는 되지 않는다. 기판(30)으로부터 박리된 보강판(20)은 새로운 기판(30)과 적층되어, 새로운 적층체(10)로서 재이용하는 것이 가능하다. 이하, 각 구성에 대해서 상세하게 설명한다.This laminated body 10 is used until the middle of the manufacturing process of a device. In other words, the laminate 10 is used until a device member such as a thin film transistor is formed on the substrate 30. Thereafter, the reinforcing plate 20 is peeled off from the substrate 30 and does not become a member constituting the device. The reinforcement board 20 peeled from the board | substrate 30 can be laminated | stacked with the new board | substrate 30, and can be reused as a new laminated body 10. FIG. Hereinafter, each structure is demonstrated in detail.

또한, 본 실시 형태의 적층체(10)는, 기판(30) 위에 박막 트랜지스터 등의 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다고 했지만, 디바이스용 부재가 형성되고나서 사용되어도 좋다. 예를 들어 액정 패널을 제조하는 경우, 우선 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 TFT 기판과, 컬러 필터(CF)가 형성된 CF 기판을 액정 재료를 개재하여 적층한다. 계속해서, TFT 기판(또는 CF 기판)을 화학 에칭에 의해 박판화한 후, TFT 기판(또는 CF 기판)에 보강판(20)을 적층한다. 이에 따라, 박판화된 TFT 기판(또는 CF 기판)의 강도를 높일 수 있다. 또한, 적층체는 액정 패널의 제조 공정의 도중까지 사용되고, 그 후 보강판(20)은 TFT 기판(또는 CF 기판)으로부터 박리된다.In addition, although the laminated body 10 of this embodiment is used until the device member, such as a thin film transistor, is formed on the board | substrate 30, you may use after the device member is formed. For example, when manufacturing a liquid crystal panel, first, the TFT substrate in which the thin film transistor TFT was formed, and the CF substrate in which the color filter CF were formed are laminated | stacked through a liquid crystal material. Subsequently, after thinning the TFT substrate (or CF substrate) by chemical etching, the reinforcing plate 20 is laminated on the TFT substrate (or CF substrate). As a result, the strength of the thinned TFT substrate (or CF substrate) can be increased. In addition, the laminated body is used until the middle of the manufacturing process of a liquid crystal panel, and the reinforcement board 20 is peeled from a TFT substrate (or CF board | substrate) after that.

우선, 기판(30)에 대해서 설명한다.First, the board | substrate 30 is demonstrated.

기판(30)은, 제2 주면(302)에 디바이스용 부재가 형성되어서 디바이스를 구성한다. 여기서 디바이스용 부재란, 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재를 말한다. 구체예로는 박막 트랜지스터(TFT), 컬러 필터(CF)를 들 수 있다. 디바이스로는 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등이 예시된다.In the board | substrate 30, the member for devices is formed in the 2nd main surface 302, and comprises a device. The device member means a member constituting at least a part of the device. Specific examples thereof include a thin film transistor TFT and a color filter CF. Examples of the device include a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), an organic EL panel (OLED), and the like.

기판(30)의 종류는 일반적인 것이면 되고, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 수지 기판, 또는 SUS 기판이나 구리 기판 등의 금속 기판이면 된다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하면서, 열수축율이 낮기 때문이다. 열수축율의 지표로는 JIS R 3102-1995에 규정되어 있는 선팽창 계수가 사용된다.The kind of the board | substrate 30 should just be common, for example, a metal substrate, such as a silicon wafer, a glass substrate, a resin substrate, or a SUS substrate or a copper substrate, may be sufficient. Among these, a glass substrate is preferable. It is because a glass substrate is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and its thermal contraction rate is low. As an index of thermal contraction rate, the linear expansion coefficient specified in JIS R 3102-1995 is used.

기판(30)의 선팽창 계수가 크면, 디바이스의 제조 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 다양한 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 기판(30) 위에 TFT를 형성하는 경우, 가열하에서 TFT가 형성된 기판(30)을 냉각하면, 기판(30)의 열수축에 의해 TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.When the coefficient of linear expansion of the board | substrate 30 is large, since the manufacturing process of a device often involves heat processing, various problems tend to arise. For example, in the case of forming the TFT on the substrate 30, if the substrate 30 on which the TFT is formed is cooled under heating, there is a fear that the positional shift of the TFT is excessive due to thermal contraction of the substrate 30.

유리 기판은 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형해서 얻어진다. 이러한 성형 방법은 일반적인 것이면 되고, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 풀콜법, 라버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판은, 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아당겨서 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형해서 얻어진다.The glass substrate is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a laverse method and the like are used. Moreover, especially a thin glass substrate is obtained by shape | molding the glass once shape | molded by plate shape by the method (thin draw method) which heats at the moldable temperature, pulls and thins by means, such as extending | stretching.

유리 기판의 유리는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로는 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.Although the glass of a glass substrate is not specifically limited, Oxide type glass which has alkali-free glass, borosilicate glass, soda-lime glass, high silica glass, and other silicon oxide as a main component is preferable. As oxide type glass, glass with a content of 40-90 mass% of the silicon oxide by oxide conversion is preferable.

유리 기판의 유리로는 디바이스의 종류나 그의 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 미치기 쉽기 때문에, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)로 이루어진다. 이와 같이 유리 기판의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그의 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As glass of a glass substrate, the glass suitable for the kind of device and its manufacturing process is employ | adopted. For example, since the elution of an alkali metal component easily affects a liquid crystal, the glass substrate for liquid crystal panels consists of glass (alkali free glass) which does not contain an alkali metal component substantially. Thus, the glass of a glass substrate is suitably selected based on the kind of device applied, and its manufacturing process.

유리 기판의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화 측면에서, 통상 0.8mm 미만이고, 바람직하게는 0.3mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.15mm 이하이다. 0.8mm 이상인 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3mm 이하인 경우, 유리 기판에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15mm 이하인 경우, 유리 기판을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판의 두께는, 유리 기판의 제조가 용이한 것, 유리 기판의 취급이 용이한 것 등의 이유로 0.03mm 이상인 것이 바람직하다.Although the thickness of a glass substrate is not specifically limited, In terms of thickness reduction and / or light weight of a glass substrate, it is usually less than 0.8 mm, Preferably it is 0.3 mm or less, More preferably, it is 0.15 mm or less. In the case of 0.8 mm or more, the demand for thinning and / or lightening the glass substrate cannot be satisfied. When it is 0.3 mm or less, it is possible to give favorable flexibility to a glass substrate. When it is 0.15 mm or less, it is possible to wind up a glass substrate in roll shape. Moreover, it is preferable that the thickness of a glass substrate is 0.03 mm or more for the reason that manufacture of a glass substrate is easy, handling of a glass substrate is easy, etc.

수지 기판의 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 불소 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아라미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리아크릴 수지, 각종 액정 중합체 수지, 시클로올레핀 수지, 폴리실리콘 수지 등이 예시된다. 또한, 수지 기판은 투명하여도 좋고, 불투명하여도 좋다. 또한, 수지 기판은 표면에 보호층 등의 기능층이 형성되어 이루어지는 것이어도 좋다.The kind of resin of a resin substrate is not specifically limited. Specifically, polyethylene terephthalate resin, polycarbonate resin, polyimide resin, fluorine resin, polyamide resin, polyaramid resin, polyether sulfone resin, polyether ketone resin, polyether ether ketone resin, polyethylene naphthalate resin , Polyacrylic resins, various liquid crystal polymer resins, cycloolefin resins, polysilicon resins and the like. In addition, the resin substrate may be transparent or may be opaque. The resin substrate may be formed by forming functional layers such as protective layers on the surface thereof.

또한, 기판(30)은 2층 이상으로 이루어져 있어도 좋고, 이 경우 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료여도 좋고, 이종 재료여도 좋다. 또한, 이 경우 「기판(30)의 두께」는 모든 층을 합한 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, the board | substrate 30 may consist of two or more layers, In this case, the material which forms each layer may be a homogeneous material, or a heterogeneous material may be sufficient as it. In this case, "thickness of the board | substrate 30" shall mean the thickness which combined all the layers.

이어서, 유리판(21)에 대해서 설명한다.Next, the glass plate 21 is demonstrated.

유리판(21)은 수지층(22)과 협동하여 기판(30)을 지지해서 보강하고, 디바이스의 제조 공정에 있어서 기판(30)의 변형, 흠집, 파손 등을 방지한다. 또한, 종래보다 두께가 얇은 기판(30)을 사용하는 경우, 종래 두께의 기판을 사용한 경우와 동일한 두께의 적층체(10)로 함으로써, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 종래 두께의 기판에 적합한 제조 기술이나 제조 설비를 사용 가능하게 하는 것도 유리판(21)을 사용하는 목적 중 하나이다.The glass plate 21 cooperates with the resin layer 22 to support and reinforce the board | substrate 30, and prevents deformation, a damage, damage, etc. of the board | substrate 30 in the manufacturing process of a device. In addition, when using the board | substrate 30 with a thickness thinner than the conventional, by making into the laminated body 10 of the same thickness as when using the board | substrate of a conventional thickness, the manufacturing technique suitable for the board | substrate of a conventional thickness in the manufacturing process of a device It is also one of the objectives of using the glass plate 21 to make it possible to use manufacturing facilities.

유리판(21)의 두께는 기판(30)보다 두꺼워도 좋고, 얇아도 좋다. 바람직하게는, 기판(30)의 두께, 수지층(22)의 두께 및 적층체(10)의 두께에 기초하여 유리판(21)의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 디바이스 제조 공정이 두께 0.5mm의 기판을 처리하도록 설계된 것이며, 기판(30)의 두께와 수지층(22)의 두께의 합이 0.1mm인 경우, 유리판(21)의 두께를 0.4mm로 한다. 유리판(21)의 두께는 취급하기 쉽고, 깨지기 어렵다는 등의 이유로 0.08mm 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the glass plate 21 may be thicker than the board | substrate 30, and may be thin. Preferably, the thickness of the glass plate 21 is selected based on the thickness of the board | substrate 30, the thickness of the resin layer 22, and the thickness of the laminated body 10. FIG. For example, when the current device manufacturing process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the sum of the thickness of the substrate 30 and the thickness of the resin layer 22 is 0.1 mm, the thickness of the glass plate 21 is determined. It is 0.4mm. It is preferable that the thickness of the glass plate 21 is 0.08 mm or more because it is easy to handle and hard to break.

유리판(21)의 유리는 일반적인 것이면 되고, 예를 들어 상술한 무알칼리 유리 등이면 된다. 유리판(21)은 디바이스의 제조 공정이 열처리를 수반할 경우, 기판(30)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 기판(30)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하다.The glass of the glass plate 21 may be a general thing, for example, the alkali free glass etc. which were mentioned above may be sufficient. When the device manufacturing process involves heat treatment, the glass plate 21 is preferably formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion with the substrate 30, and more preferably formed of the same material as the substrate 30.

기판(30)과 유리판(21)의 25 내지 300℃에서의 평균 선팽창 계수(이하, 간단히 「평균 선팽창 계수」라 함)의 차는, 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 너무 크면, 디바이스의 제조 공정에 있어서의 가열 냉각시에 적층체(10)가 격렬하게 휘거나, 기판(30)과 유리판(21)이 박리될 가능성이 있다. 기판(30)의 재료와 유리판(21)의 재료가 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference between the average linear expansion coefficient (hereinafter, simply referred to as "average linear expansion coefficient") at 25 to 300 ° C of the substrate 30 and the glass plate 21 is preferably 500 × 10 -7 / ° C or less, more preferably Is 300x10 <-7> / degrees C or less, More preferably, it is 200x10 <-7> / degrees C or less. If the difference is too large, there is a possibility that the laminate 10 is vigorously bent at the time of heating and cooling in the manufacturing process of the device, or the substrate 30 and the glass plate 21 are peeled off. When the material of the board | substrate 30 and the material of the glass plate 21 are the same, it can suppress that this problem arises.

이어서, 수지층(22)에 대해서 설명한다.Next, the resin layer 22 is demonstrated.

수지층(22)은 유리판(21) 위에 고정되어 있으며, 기판(30)의 제1 주면(301)에 박리 가능하도록 밀착되어 있다. 수지층(22)은, 박리 조작이 행해질 때까지 기판(30)의 위치 어긋남을 방지할 뿐 아니라, 박리 조작에 의해 기판(30)으로부터 용이하게 박리되어, 기판(30) 등이 박리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다.The resin layer 22 is fixed on the glass plate 21, and is closely_contact | adhered to the 1st main surface 301 of the board | substrate 30 so that peeling is possible. The resin layer 22 not only prevents the positional shift of the board | substrate 30 until a peeling operation is performed, but also peels easily from the board | substrate 30 by peeling operation, and the board | substrate 30 etc. are peeled off by peeling operation. To prevent breakage.

수지층(22)의 크기는 특별히 한정되지 않는다. 수지층(22)의 크기는, 기판(30)이나 유리판(21)보다 커도 좋고, 작아도 좋다.The size of the resin layer 22 is not specifically limited. The size of the resin layer 22 may be larger than the board | substrate 30 and the glass plate 21, and may be small.

수지층(22)의 표면(221)은, 일반적인 점착제가 갖는 점착력이 아닌, 고체 분자간에 있어서의 반데르발스 힘에 기인하는 힘에 의해, 기판(30)의 제1 주면(301)에 밀착되어 있는 것이 바람직하다. 용이하게 박리할 수 있기 때문이다. 본 발명에서는, 이 수지층의 표면을 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리성이라 한다.The surface 221 of the resin layer 22 is in close contact with the first main surface 301 of the substrate 30 by a force caused by van der Waals forces in solid molecules rather than the adhesive force of a general adhesive. It is desirable to have. It is because it can peel easily. In this invention, the property which can peel easily the surface of this resin layer is called peelability.

한편, 수지층(22)의 유리판(21)의 표면에 대한 결합력은, 수지층(22)의 기판(30)의 제1 주면(301)에 대한 결합력보다 상대적으로 높다. 본 발명에서는, 수지층 표면의 기판 표면에 대한 결합을 밀착이라 하고, 유리판 표면에 대한 결합을 고정이라 한다.On the other hand, the bonding force with respect to the surface of the glass plate 21 of the resin layer 22 is relatively higher than the bonding force with respect to the 1st main surface 301 of the board | substrate 30 of the resin layer 22. FIG. In the present invention, the bond to the substrate surface on the surface of the resin layer is called adhesion, and the bond to the glass plate surface is called fixation.

수지층(22)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 내지 100 ㎛인 것이 바람직하고, 5 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 7 내지 20 ㎛인 것이 더욱 바람직하다. 수지층(22)의 두께가 이러한 범위이면, 수지층(22)과 기판(30)의 밀착이 충분해지기 때문이다. 또한, 수지층(22)과 기판(30) 사이에 기포나 이물질이 개재해도, 기판(30)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 수지층(22)의 두께가 너무 두꺼우면, 형성하는 데 보다 많은 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 않다.Although the thickness of the resin layer 22 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 micrometers, It is more preferable that it is 5-30 micrometers, It is further more preferable that it is 7-20 micrometers. It is because the adhesiveness of the resin layer 22 and the board | substrate 30 becomes enough that the thickness of the resin layer 22 is such a range. This is because generation of distortion defects in the substrate 30 can be suppressed even when bubbles or foreign substances are interposed between the resin layer 22 and the substrate 30. In addition, if the thickness of the resin layer 22 is too thick, it is not economical because it requires more time and material to form.

또한, 수지층(22)은 2층 이상으로 이루어져 있어도 좋다. 이 경우 「수지층(22)의 두께」는 모든 층을 합한 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, the resin layer 22 may consist of two or more layers. In this case, "thickness of the resin layer 22" shall mean the thickness which combined all the layers.

또한, 수지층(22)이 2층 이상으로 이루어지는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지의 종류가 상이해도 좋다.In addition, when the resin layer 22 consists of two or more layers, the kind of resin which forms each layer may differ.

수지층(22)은, 유리 전이점이 실온(25℃ 정도)보다 낮거나, 또는 유리 전이점을 갖지 않는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 비점착성의 수지층이 되어, 보다 용이하게 기판(30)과 박리할 수 있으며, 동시에 기판(30)과의 밀착도 충분해지기 때문이다.It is preferable that the resin layer 22 consists of a material whose glass transition point is lower than room temperature (about 25 degreeC), or does not have a glass transition point. It is because it becomes a non-adhesive resin layer, and it can peel easily with the board | substrate 30, and also the adhesiveness with the board | substrate 30 becomes sufficient at the same time.

또한, 수지층(22)은, 디바이스의 제조 공정에 있어서 가열 처리되는 경우가 많으므로, 내열성을 갖고 있는 것이 바람직하다.In addition, since the resin layer 22 is heat-processed in the manufacturing process of a device in many cases, it is preferable to have heat resistance.

또한, 예를 들어 수지층(22)의 탄성률이 1000MPa 초과로 너무 높으면, 기판(30)과의 밀착성이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 수지층(22)의 탄성률이 1MPa 미만으로 너무 낮으면 박리성이 낮아진다.For example, when the elasticity modulus of the resin layer 22 is too high exceeding 1000 MPa, there exists a tendency for adhesiveness with the board | substrate 30 to become low. On the other hand, when the elasticity modulus of the resin layer 22 is too low below 1 MPa, peelability will become low.

수지층(22)을 형성하는 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 몇 종류의 수지를 혼합해서 사용할 수도 있다. 그 중에서도 실리콘 수지가 바람직하다. 실리콘 수지는 내열성이나 박리성이 우수하기 때문이다. 또한, 유리판(21)의 표면에 존재하는 실라놀기와의 축합 반응에 의해, 유리판(21)에 고정하기 쉽기 때문이다. 실리콘 수지층은, 유리판(21)과 기판(30) 사이에 개재 장착되어 있는 상태에서는, 예를 들어 대기 중 200℃ 정도에서 1시간 정도 처리해도, 박리성이 거의 열화되지 않는 점도 바람직하다.The kind of resin which forms the resin layer 22 is not specifically limited. For example, an acrylic resin, a polyolefin resin, a polyurethane resin, and a silicone resin is mentioned. Several types of resin can also be mixed and used. Especially, silicone resin is preferable. It is because silicone resin is excellent in heat resistance and peelability. Moreover, it is because it is easy to fix to the glass plate 21 by the condensation reaction with the silanol group which exists in the surface of the glass plate 21. In a state where the silicone resin layer is interposed between the glass plate 21 and the substrate 30, even if the silicone resin layer is treated at about 200 ° C. for about 1 hour in the air, it is also preferable that the peelability hardly deteriorates.

수지층(22)은, 실리콘 수지 중에서도 박리지용으로 사용되는 실리콘 수지(경화물)로 이루어지는 것이 바람직하다. 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 수지 조성물을 유리판(21)의 표면에 경화시켜서 형성한 수지층(22)은, 우수한 박리성을 가지므로 바람직하다. 또한, 유연성이 높으므로, 수지층(22)과 기판(30) 사이에 기포나 진개 등의 이물질이 혼입되어도 기판(30)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다.It is preferable that the resin layer 22 consists of silicone resin (hardened | cured material) used for release papers among silicone resin. Since the resin layer 22 which hardened | cured the curable resin composition used as a release resin silicone resin on the surface of the glass plate 21, and formed was excellent, it is preferable. Moreover, since flexibility is high, generation | occurrence | production of the distortion defect of the board | substrate 30 can be suppressed even if foreign substances, such as a bubble and a crack, mix between the resin layer 22 and the board | substrate 30.

이러한 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘은, 그의 경화 기구에 의해 축합 반응형 실리콘, 부가 반응형 실리콘, 자외선 경화형 실리콘 및 전자선 경화형 실리콘으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형 실리콘이 바람직하다. 경화 반응의 용이성, 수지층(22)을 형성했을 때에 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다.Although curable silicone used as such a release paper silicone resin is classified into condensation reaction type | mold silicone, addition reaction type | mold silicone, ultraviolet curable silicone, and electron beam curable silicone by the hardening mechanism, all can be used. Of these, addition reaction type silicon is preferable. This is because the degree of peelability is good when the ease of curing reaction and the resin layer 22 are formed, and the heat resistance is also high.

부가 반응형 실리콘은 주제 및 가교제를 포함하여, 백금계 촉매 등의 촉매의 존재하에서 경화하는 경화성의 조성물이다. 부가 반응형 실리콘의 경화는, 가열 처리에 의해 촉진된다. 부가 반응형 실리콘의 주제는, 규소 원자에 결합한 알케닐기(비닐기 등)를 갖는 직쇄상의 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노알케닐폴리실록산)으로 이루어진다. 부가 반응형 실리콘의 가교제는, 규소 원자에 결합한 수소 원자(히드로실릴기)를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노히드로겐폴리실록산)으로 이루어진다.Addition-reactive silicone is a curable composition which contains a main body and a crosslinking agent, and hardens | cures in presence of catalysts, such as a platinum type catalyst. Hardening of addition reaction type silicone is accelerated by heat processing. The main component of the addition-reaction type silicone consists of a linear organopolysiloxane (that is, organoalkenylpolysiloxane) having an alkenyl group (vinyl group or the like) bonded to a silicon atom. The crosslinking agent of the addition reaction type silicone consists of a linear organopolysiloxane (that is, an organohydrogenpolysiloxane) having a hydrogen atom (hydrosilyl group) bonded to a silicon atom.

또한, 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘은 형태적으로 용제형, 에멀전형 및 무용제형이 있고, 어느 형도 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 생산성, 안전성, 환경 특성의 면이 우수하기 때문이다. 또한, 수지층(22)을 형성할 때의 경화시, 즉 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화시에 발포를 일으키는 용제를 포함하지 않기 때문에, 수지층(22) 중에 기포가 잔류하기 어렵기 때문이다.In addition, the curable silicone used as a release resin silicone resin has a solvent type, an emulsion type, and a non-solvent type, and any type can be used. Of these, no-solvent formulations are preferred. This is because it is excellent in terms of productivity, safety and environmental characteristics. This is because air bubbles hardly remain in the resin layer 22 because it does not contain a solvent that causes foaming at the time of curing when forming the resin layer 22, that is, heat curing, ultraviolet curing or electron beam curing. .

또한, 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘으로서, 구체적으로는 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서 KNS-320A, KS-847(모두 신에쯔 실리콘사제), TPR6700(GE 도시바 실리콘사제), 비닐 실리콘 「8500」(아라까와 가가꾸 고교사제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)과의 조합, 비닐 실리콘 「11364」(아라까와 가가꾸 고교사제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)과의 조합, 비닐 실리콘 「11365」(아라까와 가가꾸 고교사제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교사제)과의 조합 등을 들 수 있다.Moreover, as curable silicone used as a silicone resin for release papers, KNS-320A, KS-847 (all are Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), TPR6700 (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), vinyl silicone " 8500 "(product made by Arakawa Chemical Co., Ltd.) and methylhydrogen polysiloxane" 12031 "(product made by Arakawa Chemical Co., Ltd.), vinyl silicone" 11364 "(product made by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and methylhydrogen Combination with polysiloxane "12031" (product made by Arakawa Chemical Co., Ltd.), vinyl silicone "11365" (product made by Arakawa Chemical Co., Ltd.) and methylhydrogen polysiloxane "12031" (product made by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) Combination, and the like.

또한, KNS-320A, KS-847 및 TPR6700은, 미리 주제와 가교제를 함유하고 있는 경화성 실리콘이다.In addition, KNS-320A, KS-847, and TPR6700 are curable silicones containing a main material and a crosslinking agent previously.

또한, 수지층(22)을 형성하는 실리콘 수지는, 실리콘 수지층 중 성분이 기판(30)에 이행하기 어려운 성질, 즉 저실리콘 이행성을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the silicone resin which forms the resin layer 22 has the property in which a component in a silicone resin layer does not easily transfer to the board | substrate 30, ie, low silicon transition property.

이어서, 도 1의 제거 공정(스텝 S11)에 대해서 설명한다.Next, the removal process (step S11) of FIG. 1 is demonstrated.

도 1의 제거 공정(스텝 S11)에서는, 유리판(21) 위에 부착된 수지막을 제거한다. 본 실시 형태의 제거 공정은, 디바이스의 제조 공정에 있어서 기판(30)으로부터 박리된 보강판(20)을 새로운 기판(30)과 적층하고, 새로운 적층체(10)로서 재이용하는 과정에서 행해진다. 보다 상세하게는, 본 실시 형태의 제거 공정은, 보강판(20)의 수지층(22)을 재생하기 위해, 유리판(21) 상에 고정시킨 수지층(22)을 제거하는 공정으로서 행해진다.In the removal process (step S11) of FIG. 1, the resin film adhering on the glass plate 21 is removed. The removal process of this embodiment is performed in the process of manufacturing the reinforcement board 20 peeled from the board | substrate 30 with the new board | substrate 30, and reusing it as a new laminated body 10 in the manufacturing process of a device. In more detail, the removal process of this embodiment is performed as a process of removing the resin layer 22 fixed on the glass plate 21 in order to reproduce the resin layer 22 of the reinforcement board 20.

도 3은, 본 발명의 한 실시 형태에 있어서의 수지막의 제거 방법의 공정도이며, 도 1의 제거 공정의 상세도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 제거 공정은 유리판(21) 위에 부착된 수지층(수지막)(22)을 열처리하는 열처리 공정(스텝 S31)과, 열처리 후의 수지층(수지막)(22)을 씻어내는 세정 공정(스텝 S32)을 갖는다.FIG. 3 is a process chart of the method for removing the resin film in one embodiment of the present invention, and a detailed view of the removal process of FIG. 1. As shown in FIG. 3, the removal step includes a heat treatment step (step S31) of heat-treating the resin layer (resin film) 22 attached on the glass plate 21, and a resin layer (resin film) 22 after the heat treatment. It has a washing process (step S32) which washes off.

도 3의 열처리 공정(스텝 S31)에서는, 수지층(22)의 유리판(21)과 반대측의 면(221)을 300 내지 450℃의 대기, 350 내지 600℃의 불활성 분위기 또는 150 내지 350℃의 수증기에 노출시킨다. 수지층(22)은, 고온의 주변 분위기에 의한 분해 반응에서 원자나 분자의 결합이 절단된다. 분해 반응이 충분히 진행되면, 수지층(22)에는, 미세한 균열이나 미세한 구멍 등이 형성된다.In the heat treatment step (step S31) of FIG. 3, the surface 221 on the side opposite to the glass plate 21 of the resin layer 22 is placed in an atmosphere of 300 to 450 ° C., an inert atmosphere of 350 to 600 ° C., or steam of 150 to 350 ° C. Exposed to In the resin layer 22, bonds of atoms and molecules are cleaved in the decomposition reaction by a high temperature ambient atmosphere. When the decomposition reaction proceeds sufficiently, fine cracks, minute holes, and the like are formed in the resin layer 22.

300℃ 내지 450℃의 대기에 노출시키면, 수지층(22)의 분해 반응이 1 내지 120분으로 충분히 진행된다. 바람직하게는, 350℃ 내지 450℃의 대기에 노출시키면, 수지층(22)의 분해 반응이 1 내지 30분으로 충분히 진행된다. 대기의 온도가 300℃ 미만이면 수지층(22)의 분해 반응이 진행되기 어렵다. 또한, 대기의 온도가 450℃를 초과하면, 수지층(22)의 산화에 의해 산화규소 등의 산화물이 생성된다. 생성된 산화물은 유리판(21)에 고착되므로, 제거하는 것이 곤란하다.When exposed to the atmosphere of 300 ° C to 450 ° C, the decomposition reaction of the resin layer 22 proceeds sufficiently in 1 to 120 minutes. Preferably, when exposed to 350 degreeC-450 degreeC atmosphere, the decomposition reaction of the resin layer 22 will fully advance to 1 to 30 minutes. When the temperature of the atmosphere is less than 300 ° C, the decomposition reaction of the resin layer 22 is unlikely to proceed. Moreover, when the temperature of air | atmosphere exceeds 450 degreeC, oxides, such as a silicon oxide, are produced | generated by oxidation of the resin layer 22. Moreover, as shown in FIG. Since the produced oxide is fixed to the glass plate 21, it is difficult to remove it.

350℃ 내지 600℃의 불활성 분위기에 노출시키면, 수지층(22)의 분해 반응이 1 내지 120분으로 충분히 진행된다. 바람직하게는, 400℃ 내지 600℃의 불활성 분위기에 노출시키면, 수지층(22)의 분해 반응이 1 내지 30분으로 충분히 진행된다. 불활성 분위기의 온도가 350℃ 미만이면 수지층(22)의 분해 반응이 진행되기 어렵다. 또한, 불활성 분위기의 온도가 600℃를 초과하면, 유리판(21)이 열 변형하거나, 열 열화한다.When exposed to an inert atmosphere of 350 ° C to 600 ° C, the decomposition reaction of the resin layer 22 proceeds sufficiently in 1 to 120 minutes. Preferably, when it exposes to 400 degreeC-600 degreeC inert atmosphere, the decomposition reaction of the resin layer 22 will fully advance to 1 to 30 minutes. If the temperature of an inert atmosphere is less than 350 degreeC, the decomposition reaction of the resin layer 22 will hardly advance. In addition, when the temperature of an inert atmosphere exceeds 600 degreeC, the glass plate 21 thermally deforms or thermally deteriorates.

여기서 불활성 분위기란, 산소 체적 농도가 5000ppm 이하인 분위기를 말하며, 질소 분위기나 아르곤 분위기를 포함한다. 불활성 분위기 중에서는, 산화물의 생성을 억제할 수 있다. 따라서, 450℃를 초과하는 온도로 열처리하는 것이 가능하여, 분해 반응에 필요로 하는 열처리 시간을 단축할 수 있다. 예를 들어, 600℃에서 가열하면, 수지층(22)의 분해 반응이 1 내지 3분으로 충분히 진행된다.An inert atmosphere here means the atmosphere whose oxygen volume concentration is 5000 ppm or less, and includes nitrogen atmosphere and argon atmosphere. In an inert atmosphere, generation of oxide can be suppressed. Therefore, it is possible to heat-treat at a temperature exceeding 450 degreeC, and can shorten the heat processing time required for a decomposition reaction. For example, when it heats at 600 degreeC, the decomposition reaction of the resin layer 22 will fully advance to 1-3 minutes.

150℃ 내지 350℃의 수증기에 노출시키면, 수지층(22)의 분해 반응이 1 내지 5시간으로 충분히 진행된다. 이는 수지의 가수분해성에 의한 것이며, 특히 저온 영역에서는 고압하에서의 분해가 바람직하다. 한편, 수증기의 온도가 150℃ 미만이면 수지층(22)의 분해 반응이 진행되기 어렵다. 또한, 수증기의 온도가 350℃를 초과하면, 가수분해에 비하여 열분해가 우세해지기 때문에, 비용상 대기에 노출시키는 것이 유리해진다.When exposed to steam at 150 ° C to 350 ° C, the decomposition reaction of the resin layer 22 proceeds sufficiently in 1 to 5 hours. This is due to the hydrolyzability of the resin, and decomposition under high pressure is particularly preferable in the low temperature region. On the other hand, when the temperature of the water vapor is less than 150 ° C, the decomposition reaction of the resin layer 22 hardly proceeds. In addition, when the temperature of the water vapor exceeds 350 ° C., pyrolysis becomes superior to hydrolysis, so it is advantageous to expose it to the atmosphere for cost.

열처리 공정에서는, 수지층(22)을 가열하는 가열로 내를 가압 분위기로 해도 좋다. 여기서 가압 분위기란, 기압이 대기압보다 높은 분위기를 의미한다. 이에 따라, 수지층(22)의 분해 반응을 촉진시킬 수 있다.In the heat treatment step, the inside of the heating furnace for heating the resin layer 22 may be a pressurized atmosphere. The pressurized atmosphere here means an atmosphere where atmospheric pressure is higher than atmospheric pressure. Thereby, the decomposition reaction of the resin layer 22 can be accelerated.

또한, 가열로 내를 가압 분위기로 하지 않을 경우, 가열로는 배치로여도 좋고, 가열대와 냉각대가 연속해서 터널 형상으로 연결되는 연속로여도 좋다.In addition, when the inside of a heating furnace is not made into a pressurized atmosphere, a heating furnace may be arrangement | positioning and the continuous furnace in which a heating stand and a cooling stand are connected continuously in a tunnel shape may be sufficient.

열처리 공정에서는, 수지층(22)을 소정 온도로 가열한 후, 균열의 형성을 촉진시키기 위해, 소정 온도부터 냉각해도 좋다. 소정 온도부터 50℃까지의 평균 냉각 속도는, 유리판(21)의 크기 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어, 유리판(21)의 두께가 0.4mm, 짧은 변의 길이가 600mm 이상이며, 긴 변의 길이가 800mm 이하인 경우, 소정 온도부터 50℃까지의 평균 냉각 속도는 5 내지 15℃/초인 것이 바람직하다. 15℃/초를 초과하면, 유리판(21)이 파손되기 쉽다. 한편, 5℃/초보다 작으면, 냉각 시간이 길어져 생산성이 나쁘다.In the heat treatment process, after heating the resin layer 22 to predetermined temperature, you may cool from predetermined temperature in order to accelerate formation of a crack. The average cooling rate from predetermined temperature to 50 degreeC is suitably set according to the magnitude | size of the glass plate 21, etc. For example, when the thickness of the glass plate 21 is 0.4 mm and the length of a short side is 600 mm or more, and the length of a long side is 800 mm or less, it is preferable that the average cooling rate from predetermined temperature to 50 degreeC is 5-15 degreeC / sec. . When it exceeds 15 degrees C / sec, the glass plate 21 will be easy to be damaged. On the other hand, when it is less than 5 degree-C / sec, cooling time becomes long and productivity is bad.

도 3의 세정 공정(스텝 S32)에서는, 열처리 후의 수지층(22)을 씻어낸다. 열처리 후의 수지층(22)은, 유리판(21)과 반대측의 면(221)에 있어서 원자나 분자의 결합이 절단되어 있으므로, 효율적으로 수지층(22)을 씻어낼 수 있다.In the washing | cleaning process (step S32) of FIG. 3, the resin layer 22 after heat processing is wash | cleaned. Since the bond of an atom and a molecule | numerator is cut | disconnected in the surface 221 on the opposite side to the glass plate 21, the resin layer 22 after heat processing can wash | clean the resin layer 22 efficiently.

세정 방법으로는, 예를 들어 액체를 사용해서 수지층(22)을 용해 또는 팽윤시키는 방법, 연마제를 사용해서 수지층(22)을 제거하는 방법, 초음파 세정 또는 브러시 세정에 의해 세정하는 방법, 수지층(22)에 에어를 분사하는 방법, 산 용액이나 알칼리 용액 등의 액체를 사용해서 화학적으로 세정하는 방법 등이 있다. 이들의 세정 방법은 단독으로 또는 조합해서 사용된다. 조합으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 액체를 사용해서 수지층(22)을 용해 또는 팽윤시키면서 브러시로 씻어내는 방법, 연마제를 분산시킨 분산액을 사용해서 수지층(22)을 깎으면서 브러시로 씻어내는 방법 등이 있다.As the washing method, for example, a method of dissolving or swelling the resin layer 22 using a liquid, a method of removing the resin layer 22 using an abrasive, a method of washing by ultrasonic cleaning or brush cleaning, There is a method of blowing air to the ground layer 22, a method of chemically cleaning using a liquid such as an acid solution or an alkaline solution. These washing methods are used individually or in combination. Although it does not specifically limit as a combination, For example, the method of washing | cleaning with a brush, melt | dissolving or swelling the resin layer 22 using a liquid, and wash | cleaning with a brush, shaving the resin layer 22 using the dispersion liquid which disperse | distributed the abrasive | polishing agent How to pay.

상기 액체는 용해도 파라미터(SP값)이 7 내지 15(단위: cal1 /2cm-3/2)인 것이 바람직하다. SP값이 7 내지 15의 범위외이면, 액체와 수지층(22)과의 친화성이 낮으므로, 액체가 수지층(22)에 대하여 젖기 어렵다. SP값이 7 내지 15인 액체의 구체예로는, 이소파라핀, 크실렌, 헥산, 아세톤, 디메틸포름아미드, 프로판올, 에탄올, 메탄올 등을 들 수 있다. 이들의 액체는 단독으로 또는 조합해서 사용된다. 환경 부하의 측면에서, 에탄올을 주성분으로 하는 알코올 용액이 바람직하다. 또한, 인체에 대한 영향이나 정전기 등에 의한 인화 대책의 측면을 더하면, 인화점이 21℃ 이상, 더욱 바람직하게는 70℃ 이상의 이소파라핀 용액이 바람직하다.The liquid has a solubility parameter (SP value) of 7 to 15: it is preferable that (in cal 1/2 cm -3/2). If the SP value is outside the range of 7 to 15, since the affinity between the liquid and the resin layer 22 is low, the liquid is hardly wet with the resin layer 22. Specific examples of the liquid having an SP value of 7 to 15 include isoparaffin, xylene, hexane, acetone, dimethylformamide, propanol, ethanol and methanol. These liquids are used alone or in combination. In view of environmental load, an alcohol solution based on ethanol is preferred. In addition, in addition to the flammable countermeasures caused by the influence on the human body, static electricity and the like, an isoparaffin solution having a flash point of 21 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher is preferable.

연마제는 경도가 수지층(22)보다 높으면서, 유리판(21)보다 낮은 것이면 좋고, 세정 시간의 단축을 위해 경도가 유리판(21)에 가까운 것이 바람직하다. 유리판(21)의 모스 경도는, 통상 5.5 내지 6이다. 연마제의 모스 경도는 3 내지 5가 바람직하다. 모스 경도가 3 미만인 경우, 수지층(22)을 제거할 수 없을 우려가 있다. 모스 경도가 5를 초과하는 경우, 유리판(21)의 표면에 미세 균열이 발생할 우려가 있다. 연마제의 구체예로는 산화세륨(모스 경도 5), 탄산칼슘(모스 경도 4), 경질 플라스틱(모스 경도 4 내지 5), 폴리플라스(모스 경도 4), 복숭아씨 분말(모스 경도 4) 등을 들 수 있다. 이들의 연마제는 단독으로 또는 조합해서 사용된다. 이들의 연마제의 수 평균 입경은 1 내지 10 ㎛인 것이 바람직하다.The abrasive may be lower than the glass plate 21 while having a higher hardness than the resin layer 22, and preferably close to the glass plate 21 in order to shorten the cleaning time. Mohs' Hardness of the glass plate 21 is 5.5-6 normally. As for Mohs' Hardness of an abrasive | polishing agent, 3-5 are preferable. When Mohs' Hardness is less than 3, there exists a possibility that the resin layer 22 cannot be removed. When Mohs' Hardness exceeds 5, there exists a possibility that a micro crack may generate | occur | produce on the surface of the glass plate 21. Specific examples of the abrasive include cerium oxide (moss hardness 5), calcium carbonate (moss hardness 4), hard plastics (moss hardness 4 to 5), polyplass (moss hardness 4), peach seed powder (moss hardness 4), and the like. Can be mentioned. These abrasives are used individually or in combination. It is preferable that the number average particle diameter of these abrasive | polishing agents is 1-10 micrometers.

브러시 세정에 사용되는 브러시의 모는, 유리판(21)을 상처입히지 않도록 유리판(21)보다 부드러운 재료로 구성된다.The brush of the brush used for brush cleaning is made of a material softer than the glass plate 21 so as not to scratch the glass plate 21.

또한, 본 실시 형태의 수지막의 제거 방법은, 보강판(20)의 수지층(22)을 재생하기 위해, 유리판(21) 상에 고정시킨 수지층(22)을 제거하는 데에 적용된다고 하였지만, 본 발명이 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 보강판(20)의 유리판(21)을 기판(30)으로서 재이용하기 위해, 유리판(21) 상에 고정시킨 수지층(22)을 제거하는 데에 적용되어도 좋다. 이와 같이 본 발명의 수지막의 제거 방법은, 유리 상에 부착된 수지막을 제거하는 데에 적용되는 한, 그의 용도에 특별히 한정은 없다.In addition, although the removal method of the resin film of this embodiment was applied to remove the resin layer 22 fixed on the glass plate 21 in order to regenerate the resin layer 22 of the reinforcement board 20, The present invention is not limited to this. For example, in order to reuse the glass plate 21 of the reinforcement board 20 as the board | substrate 30, you may be applied for removing the resin layer 22 fixed on the glass plate 21. FIG. Thus, as long as it applies to removing the resin film adhering on glass, the removal method of the resin film of this invention does not have limitation in particular in the use.

이어서, 도 1의 적층 공정(스텝 S12)에 대해서 설명한다.Next, the lamination process (step S12) of FIG. 1 is demonstrated.

도 1의 적층 공정(스텝 S12)에서는, 수지막을 제거한 유리판(21)과 기판(30) 사이에 수지층(22)을 개재 장착한다. 구체적으로는, 예를 들어 수지층(22)을 유리판(21)에 고정시킴과 함께, 수지층(22)을 기판(30)에 박리 가능하도록 밀착시킨다. 또한, 수지층(22)은 수지막을 제거한 측의 면에 형성되어도 좋고, 반대측의 면에 형성되어도 좋다.In the lamination process (step S12) of FIG. 1, the resin layer 22 is interposed between the glass plate 21 and the board | substrate 30 from which the resin film was removed. Specifically, for example, the resin layer 22 is fixed to the glass plate 21, and the resin layer 22 is brought into close contact with the substrate 30 so as to be peeled off. In addition, the resin layer 22 may be formed in the surface on which the resin film was removed, or may be formed in the surface on the opposite side.

수지층(22)을 유리판(21) 상에 고정시키는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 필름 형상의 수지를 유리판(21)의 표면에 고정시키는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 유리판(21)의 표면에, 필름의 표면에 대한 높은 고정력(높은 박리 강도)을 부여하기 위해, 유리판(21)의 표면에 표면 개질 처리(프라이밍 처리)를 행하여, 유리판(21) 위에 고정시키는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리), 플레임(화염) 처리와 같이 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다.Although the method of fixing the resin layer 22 on the glass plate 21 is not specifically limited, For example, the method of fixing the film-shaped resin to the surface of the glass plate 21 is mentioned. Specifically, in order to give a high fixing force (high peeling strength) to the surface of the film on the surface of the glass plate 21, a surface modification treatment (priming treatment) is performed on the surface of the glass plate 21, and the glass plate 21 is provided. The method to fix on the above is mentioned. For example, chemical methods such as silane coupling agents, such as silane coupling agents (primer treatment), physical methods of increasing surface active groups such as flame (flame) treatment, and surface roughness such as sand blast treatment can be applied. Increasing mechanical treatment methods and the like.

또한, 예를 들어 수지층(22)이 되는 경화성 수지 조성물을 유리판(21) 위로 코트하는 방법을 들 수 있다. 코트하는 방법으로는 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 이러한 방법 중에서, 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.Moreover, the method of coat | covering the curable resin composition used as the resin layer 22 on the glass plate 21 is mentioned, for example. As a coating method, the spray coating method, the die coating method, the spin coating method, the dip coating method, the roll coating method, the bar coating method, the screen printing method, the gravure coating method, etc. are mentioned. Among these methods, it can select suitably according to the kind of resin composition.

또한, 수지층(22)이 되는 경화성 수지 조성물을 유리판(21) 위에 코트할 경우, 그의 도포 시공량은 1 내지 100g/m2인 것이 바람직하고, 5 내지 20g/m2인 것이 보다 바람직하다.In addition, the resin layer 22, if the coating on the glass (21) a curable resin composition that is, it is the amount of his coated construction is more preferably that of 1 to 100g / m 2 is preferable, and 5 to 20g / m 2.

예를 들어 부가 반응형 실리콘의 경화성 수지 조성물로부터 수지층(22)을 형성하는 경우, 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산과 촉매의 혼합물로 이루어지는 경화성 수지 조성물을, 상기한 스프레이 코트법 등의 공지된 방법에 의해 유리판(21) 위에 도포 시공하고, 그 후에 가열 경화시킨다. 가열 경화 조건은, 촉매의 배합량에 따라서도 상이하지만, 예를 들어 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여, 백금계 촉매를 2질량부 배합한 경우, 대기 중에서 50℃ 내지 250℃, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃에서 반응시킨다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5 내지 60분간, 바람직하게는 10 내지 30분간으로 한다. 저실리콘 이행성을 갖는 실리콘 수지층으로 하기 위해서는, 실리콘 수지층 중에 미반응된 실리콘 성분이 남지 않도록 경화 반응을 가능한 한 진행시키는 것이 바람직하다. 상기와 같은 반응 온도 및 반응 시간이면, 실리콘 수지층 중에 미반응된 실리콘 성분이 남지 않도록 할 수 있으므로 바람직하다. 상기한 반응 시간보다 너무 길거나, 반응 온도가 너무 높을 경우에는, 실리콘 수지의 산화 분해가 동시에 일어나, 저분자량의 실리콘 성분이 생성되어, 실리콘 이행성이 높아질 가능성이 있다. 실리콘 수지층 중에 미반응된 실리콘 성분이 남지 않도록 경화 반응을 가능한 한 진행시키는 것은, 가열 처리 후의 박리성을 양호하게 하기 위해서도 바람직하다.For example, when forming the resin layer 22 from the curable resin composition of addition reaction type silicone, the spray coating method etc. which made curable resin composition which consists of a mixture of organo alkenyl polysiloxane, organohydrogen polysiloxane, and a catalyst etc. It coats on the glass plate 21 by the well-known method of, and it heat-hardens after that. Although the heat-hardening conditions differ also with the compounding quantity of a catalyst, when 2 mass parts of platinum-type catalysts are mix | blended with respect to 100 mass parts of total amounts of organo alkenyl polysiloxane and organohydrogen polysiloxane, it is 50 in air | atmosphere, for example. The reaction is carried out at 0.degree. C. to 250.degree. C., preferably at 100.degree. In addition, the reaction time in this case is 5 to 60 minutes, Preferably it is 10 to 30 minutes. In order to set it as the silicone resin layer which has low silicon transition property, it is preferable to advance hardening reaction as much as possible so that an unreacted silicone component may not remain in a silicone resin layer. The reaction temperature and reaction time as described above are preferable because unreacted silicone components can be left in the silicone resin layer. When the reaction time is too long or the reaction temperature is too high, oxidative decomposition of the silicone resin occurs at the same time, and a low molecular weight silicone component is generated, which may increase the silicone transferability. It is preferable to advance hardening reaction as much as possible so that unreacted silicone component may not remain in a silicone resin layer, in order to make the peelability after heat processing favorable.

또한, 예를 들어 수지층(22)을, 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 수지 조성물을 사용해서 제조한 경우, 유리판(21) 위에 도포 시공한 경화성 수지 조성물을 가열 경화해서 실리콘 수지층을 형성한다. 경화성 수지 조성물을 가열 경화시킴으로써, 경화 반응시에 실리콘 수지가 유리판(21)과 화학적으로 결합한다. 또한, 앵커 효과에 의해 실리콘 수지층이 유리판(21)과 결합한다. 이들의 작용에 의해, 실리콘 수지층이 유리판(21)에 견고하게 고정된다.In addition, when the resin layer 22 is manufactured using the curable resin composition used as a silicone resin for release papers, for example, the curable resin composition apply | coated on the glass plate 21 is heat-hardened, and a silicone resin layer is formed. By heat-hardening curable resin composition, a silicone resin couple | bonds with the glass plate 21 chemically at the time of hardening reaction. In addition, the silicone resin layer bonds with the glass plate 21 by the anchor effect. By these actions, the silicone resin layer is firmly fixed to the glass plate 21.

수지층(22)을 기판(30) 위에 박리 가능하도록 밀착시키는 방법은, 공지된 방법이면 좋다. 예를 들어, 상압 환경하에서 수지층(22)의 박리성 표면(221)에 기판(30)을 겹친 후, 롤이나 프레스를 사용해서 수지층(22)과 기판(30)을 압착시키는 방법을 들 수 있다. 롤이나 프레스로 압착함으로써 수지층(22)과 기판(30)이 보다 밀착되므로 바람직하다. 또한, 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 수지층(22)과 기판(30) 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.The method of bringing the resin layer 22 into close contact with the substrate 30 so as to be peeled off may be a known method. For example, after laminating | stacking the board | substrate 30 on the peelable surface 221 of the resin layer 22 in an atmospheric pressure environment, the method of crimping | bonding the resin layer 22 and the board | substrate 30 using a roll or a press is mentioned. Can be. Since the resin layer 22 and the board | substrate 30 adhere more closely by crimping | bonding with a roll or a press, it is preferable. Moreover, since the bubble mixed in between the resin layer 22 and the board | substrate 30 is removed comparatively easily by the crimping | bonding by a roll or a press, it is preferable.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 보다 바람직하게 행해지므로 보다 바람직하다. 진공하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우에도, 가열에 의해 기포가 성장하지 않으며, 기판(30)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다.When it crimps | bonds by the vacuum lamination method or the vacuum press method, it is more preferable because suppression of bubble mixing and ensuring good adhesion are performed more preferably. By pressing under vacuum, even when minute bubbles remain, bubbles do not grow due to heating, and there is an advantage that it is difficult to lead to distortion defects of the substrate 30.

수지층(22)을 기판(30) 위에 박리 가능하도록 밀착시킬 때는, 수지층(22) 및 기판(30)의 서로 접촉하는 측의 면을 충분히 세정하고, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 수지층(22)과 기판(30) 사이에 이물질이 혼입되어도, 수지층(22)이 변형되므로 기판(30) 표면의 평탄성에 영향을 미치지는 않지만, 클린도가 높을수록 그의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the resin layer 22 is brought into close contact with the substrate 30 so as to be peeled off, it is preferable that the surfaces of the resin layer 22 and the substrate 30 in contact with each other are sufficiently washed and laminated in a high clean environment. Do. Even if foreign matter is mixed between the resin layer 22 and the substrate 30, the resin layer 22 is deformed, so that the flatness of the surface of the substrate 30 is not affected. However, the higher the cleanness, the better the flatness. desirable.

또한, 수지층(22)을 유리판(21) 상에 고정시키는 공정과, 수지층(22)을 기판(30) 위에 박리 가능하도록 밀착시키는 공정의 순서에 제한은 없으며, 예를 들어 대략 동시여도 좋다.In addition, there is no restriction | limiting in the order of the process of fixing the resin layer 22 on the glass plate 21, and the process of closely bonding the resin layer 22 so that peeling on the board | substrate 30 is possible, for example, may be substantially simultaneous. .

실시예Example

이하에 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명이 이들의 예에 의해서 한정되는 것은 아니다.Although an Example etc. demonstrate this invention concretely below, this invention is not limited by these examples.

[실시예 1] Example 1

(보강판의 제작) (Production of reinforcement board)

보강판의 유리판에는, 플로트법에 의해 얻어진 세로 720mm×가로 600mm×두께 0.4mm의 유리판(아사히 가라스사제, AN100, 무알칼리 유리)을 사용하였다. 이 유리판의 평균 선팽창 계수는 38×10-7/℃였다.As a glass plate of a reinforcement board, the glass plate (Asahi Glass Co., Ltd. make, AN100, alkali free glass) of length 720mm x width 600mm x thickness 0.4mm obtained by the float method was used. The average linear expansion coefficient of this glass plate was 38x10 <-7> / degreeC.

이 유리판을 순수 세정, UV 세정하고, 유리판의 표면을 청정화하였다. 그 후, 유리판의 표면에 무용제 부가 반응형 실리콘(신에쯔 실리콘사제, KNS-320A) 100질량부와 백금계 촉매(신에쯔 실리콘사제, CAT-PL-56) 5질량부의 혼합물을 스핀 코터에 의해 도포 시공했다(도포 시공량 20g/m2).Pure water washing | cleaning and UV washing | cleaning of this glass plate were carried out, and the surface of the glass plate was cleaned. Then, spin coater a mixture of 100 parts by mass of solvent-free addition-response silicone (KNS-320A, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) and 5 parts by mass of platinum-based catalyst (CAT-PL-56, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) on the surface of the glass plate. The coating was carried out by (coating amount 20 g / m 2 ).

상기 무용제 부가 반응형 실리콘은, 규소 원자에 결합한 비닐기와 메틸기를 갖는 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산(주제)과, 규소 원자에 결합한 수소 원자와 메틸기를 갖는 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산(가교제)을 포함하는 것이다.The solvent-free addition silicone is a linear organoalkenylpolysiloxane having a vinyl group and a methyl group bonded to a silicon atom (topic) and a linear organohydrogenpolysiloxane having a hydrogen atom and a methyl group bonded to a silicon atom (crosslinking agent). It is to include.

유리판 상에 도포 시공한 혼합물을 대기 중에서 180℃, 10분간 가열 경화시키고, 유리판 위의 중앙에 세로 705mm×가로 595mm×두께 20 ㎛의 수지층을 형성하고, 고정시켰다.The mixture coated on the glass plate was heat-cured at 180 ° C. for 10 minutes in the air, and a resin layer having a length of 705 mm × 595 mm × 20 μm in thickness was formed and fixed in the center on the glass plate.

이와 같이 하여 보강판을 제작하였다.In this way, a reinforcing plate was produced.

(적층체의 제작) (Production of laminated body)

유리 기판에는, 플로트법에 의해 얻어진 세로 720mm×가로 600mm×두께 0.4mm의 유리판(아사히 가라스사제, AN100, 무알칼리 유리)을 사용하였다. 이 유리 기판의 평균 선팽창 계수는 38×10-7/℃였다.As a glass substrate, the glass plate (A100 made by Asahi Glass Co., Ltd., AN100, alkali free glass) of 720 mm x width 600 mm x thickness 0.4 mm obtained by the float method was used. The average linear expansion coefficient of this glass substrate was 38x10 <-7> / degreeC.

이 유리 기판을 순수 세정, UV 세정하고, 유리 기판의 표면을 청정화하였다. 그 후, 진공 프레스 장치를 사용하여, 유리 기판과 보강판을 진공중 실온하에서 밀착시켜, 도 2에 도시하는 적층체를 얻었다.Pure water washing | cleaning and UV washing | cleaning of this glass substrate were carried out, and the surface of the glass substrate was cleaned. Thereafter, the glass substrate and the reinforcing plate were brought into close contact with each other under vacuum at room temperature using a vacuum press device to obtain a laminate shown in FIG. 2.

(유리 기판과 보강판의 박리) (Separation of Glass Substrate and Reinforcement Plate)

이 적층체를 대기 중 250℃에서 2시간 가열 처리한 후, 실온까지 냉각하고, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다. 구체적으로는, 유리 기판과 보강판 사이에 두께 0.4mm의 나이프를 자입한 후, 유리 기판을 평탄하게 지지하면서, 보강판을 나이프의 자입 위치로부터 차례로 휘어서 변형시켰다.After heat-processing this laminated body at 250 degreeC in air for 2 hours, it cooled to room temperature and performed the peeling operation of a glass substrate and a reinforcement board. Specifically, after inserting a knife having a thickness of 0.4 mm between the glass substrate and the reinforcing plate, the reinforcing plate was deformed in turn from the insertion position of the knife while supporting the glass substrate flatly.

박리 조작 후 보강판을 현미경으로 관찰한 바, 수지층의 박리성 표면에 나이프의 자입에 기인하는 흠집이 보였다. 또한, 수지층의 박리성 표면을 적외 흡광법으로 분석한 바, 열처리에 기인하는 열화가 박리성 표면의 외측 테두리부에 약간 인정되었다. 또한, 박리성 표면의 중앙부에서는, 열처리에 기인하는 열화가 인정되지 않았다.When the reinforcing plate was observed under a microscope after the peeling operation, scratches due to the indentation of the knife were seen on the peelable surface of the resin layer. In addition, when the peelable surface of the resin layer was analyzed by the infrared absorption method, deterioration due to heat treatment was slightly recognized at the outer edge portion of the peelable surface. In addition, in the center part of a peelable surface, the degradation resulting from heat processing was not recognized.

(수지층(수지막)의 제거) (Removal of Resin Layer (Resin Film))

박리 조작 후, 보강판을 대기 중 370℃에서 10분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 370℃의 대기에 10분간 노출시켰다. 그 후, 보강판을 370℃부터 50℃까지 평균 냉각 속도 5℃/초로 냉각한 다음, 50℃의 알칼리 용액 중에 침지시키면서, 초음파 세정을 5분간 행하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 370 ° C. for 10 minutes to expose the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to 370 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the reinforcing plate was cooled from 370 ° C to 50 ° C at an average cooling rate of 5 ° C / sec, and then ultrasonic cleaning was performed for 5 minutes while immersing in an alkali solution at 50 ° C.

상기 알칼리 용액은 레지스트 박리액(파카 코퍼레이숀사제, PK-CRD620)을 이온 교환수로 20질량%로 희석한 것이다. 이 레지스트 박리액은 주성분으로서 수산화칼륨을 20질량% 포함하고 있다.The alkali solution is obtained by diluting a resist stripper (PK-CRD620, manufactured by Parker Corporation) with 20% by weight of ion-exchanged water. This resist stripping liquid contains 20 mass% of potassium hydroxide as a main component.

계속해서, 상기 알칼리 용액에 의한 브러시 세정을 1분간 행하고, 수지층(수지막)을 씻어낸 후에 순수 린스를 행하고, 공기 분사로 수분을 제거하였다.Subsequently, brush cleaning with the alkali solution was performed for 1 minute, and after washing the resin layer (resin film), pure water was rinsed and water was removed by air injection.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 2] [Example 2]

실시예 2에서는, 수지층이 되는 경화성 수지 조성물로서, 양쪽 말단에 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, 8500)과, 분자 내에 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, 12031)과, 백금계 촉매(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, CAT12070)와의 혼합물을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 보강판을 제작하였다.In Example 2, as a curable resin composition used as a resin layer, the linear polyorganosiloxane (Made by Arakawa Chemical Co., Ltd., 8500) which has a vinyl group at both ends, and methyl hydro which has a hydrosilyl group in a molecule | numerator Reinforcement was carried out in the same manner as in Example 1, except that a mixture of the genpolysiloxane (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd., 12031) and a platinum catalyst (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd., CAT12070) was used. The plate was produced.

여기서 직쇄상 폴리오르가노실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 혼합비는, 비닐기와 히드로 실릴기의 몰비가 1:1이 되도록 조절하였다. 또한, 백금계 촉매는 직쇄상 폴리오르가노실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계 100질량부에 대하여 5질량부로 하였다.Here, the mixing ratio of the linear polyorganosiloxane and the methylhydrogenpolysiloxane was adjusted so that the molar ratio of the vinyl group and the hydrosilyl group was 1: 1. In addition, the platinum catalyst was 5 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of linear polyorganosiloxane and methylhydrogen polysiloxane.

계속해서, 실시예 1과 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.Subsequently, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 1, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후, 보강판을 대기 중 370℃에서 5분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 370℃의 대기에 5분간 노출시켰다. 그 후, 보강판을 370℃부터 50℃까지 평균 냉각 속도 15℃/초로 냉각하고, 실온까지 냉각하였다. 계속해서, 알코올 용액(니혼 아루코루 한바이사제, 네오콜 R7, 용해도 파라미터가 11.5 내지 14.7, 인화점이 11 내지 24℃)에 의한 브러시 세정을 1분간 행하고, 수지층(수지막)을 씻어낸 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 370 ° C. for 5 minutes in the air to expose the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to the air at 370 ° C. for 5 minutes. Thereafter, the reinforcing plate was cooled from 370 ° C to 50 ° C at an average cooling rate of 15 ° C / sec, and cooled to room temperature. Subsequently, after brush washing with an alcohol solution (manufactured by Nippon Arukoru Hanbai, Neo-Col R7, solubility parameter of 11.5 to 14.7, flash point of 11 to 24 ° C) for 1 minute, the resin layer (resin film) is washed off. Solvent was removed by air blowing.

상기 알코올 용액은 에탄올을 86.6질량%, 노르말프로필알코올(NPA)을 9.5질량%, 메탄올을 2.6질량%, 이소프로필알코올(IPA)을 1.3질량% 포함하는 것이다.The said alcohol solution contains 86.6 mass% of ethanol, 9.5 mass% of normal propyl alcohol (NPA), 2.6 mass% of methanol, and 1.3 mass% of isopropyl alcohol (IPA).

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 3] [Example 3]

실시예 3에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In Example 3, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement board was performed.

박리 조작 후, 보강판을 대기 중 370℃에서 5분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 370℃의 대기에 5분간 노출시켰다. 그 후, 보강판을 370℃부터 50℃까지 평균 냉각 속도 15℃/초로 냉각하고, 실온까지 냉각하였다. 계속해서, 이소파라핀 용액(이데미쯔 고산사제, IP 솔벤트 2028, 용해도 파라미터가 7, 인화점이 86℃)에 의한 브러시 세정을 1분간 행하고, 수지층(수지막)을 씻어낸 후에, 200℃에 가열된 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 370 ° C. for 5 minutes in the air to expose the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to the air at 370 ° C. for 5 minutes. Thereafter, the reinforcing plate was cooled from 370 ° C to 50 ° C at an average cooling rate of 15 ° C / sec, and cooled to room temperature. Subsequently, brush washing with an isoparaffin solution (manufactured by Idemitsu Koyama Co., Ltd., IP Solvent 2028, solubility parameter 7, flash point of 86 ° C) was performed for 1 minute, and the resin layer (resin film) was washed, and then heated to 200 ° C. Solvent was removed by air blowing.

상기 이소파라핀 용액은 이소헥사데칸을 80.5질량%, 이소트리데칸을 3.0질량%, 이소도데칸을 16.5질량% 포함하는 것이다.The isoparaffin solution contains 80.5% by mass of isohexadecane, 3.0% by mass of isotridecane, and 16.5% by mass of isododecane.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 4] Example 4

실시예 4에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In Example 4, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement board was performed.

박리 조작 후, 보강판을 대기 중 350℃에서 30분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 350℃의 대기에 30분간 노출시켰다. 계속해서, 보강판을 350℃부터 50℃까지 평균 냉각 속도 5℃/초로 냉각하고, 실온까지 냉각하였다. 계속해서, 연마제를 분산시킨 분산액에 의한 브러시 세정을 1분간 행하고, 수지층(수지막)을 씻어낸 후에 순수 린스를 행하고, 공기 분사로 수분을 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 350 ° C for 30 minutes in the air, thereby exposing the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to 350 ° C for 30 minutes. Subsequently, the reinforcing plate was cooled from 350 ° C to 50 ° C at an average cooling rate of 5 ° C / sec, and cooled to room temperature. Subsequently, the brush cleaning by the dispersion liquid which disperse | distributed the abrasive | polishing agent was performed for 1 minute, and after wash | cleaning the resin layer (resin film), pure water rinsing was performed and water was removed by air injection.

상기 분산액은 수중에 산화세륨의 미립자(수 평균 입경 3 ㎛)를 분산시킨 것이다. 분산액 내의 산화세륨의 미립자의 함유량은 10질량%로 하였다.The said dispersion liquid disperse | distributed the cerium oxide microparticles | fine-particles (number average particle diameter 3 micrometers) in water. Content of the cerium oxide microparticles | fine-particles in a dispersion liquid was 10 mass%.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 5] [Example 5]

실시예 5에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In Example 5, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후, 보강판을 산소 체적 농도가 1000ppm인 질소 분위기 중 600℃에서 2분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 600℃의 질소 분위기에 2분간 노출시킨 후, 실시예 3과 마찬가지로 하여 수지층(수지막)을 씻어낸 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 600 ° C for 2 minutes in a nitrogen atmosphere having an oxygen volume concentration of 1000 ppm, thereby exposing the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to a nitrogen atmosphere at 600 ° C for 2 minutes. After washing the resin layer (resin film) in the same manner as in Example 3, the solvent was removed by air blowing.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 6] [Example 6]

실시예 6에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In Example 6, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement board was performed.

박리 조작 후, 보강판을 산소 체적 농도가 1000ppm인 질소 분위기 중 400℃에서 30분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 400℃의 질소 분위기에 30분간 노출시킨 후, 실시예 2와 마찬가지로 하여 수지층(수지막)을 씻어낸 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate is heated at 400 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere having an oxygen volume concentration of 1000 ppm, thereby exposing the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to a nitrogen atmosphere at 400 ° C. for 30 minutes. After washing the resin layer (resin film) similarly to Example 2, the solvent was removed by air blowing.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 7] [Example 7]

실시예 7에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In Example 7, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후, 보강판을 물 100g과 함께 20리터의 가압 용기 내에 넣고, 250℃에서 1시간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 고온 고압의 수증기에 노출시킨 후, 실시예 2와 마찬가지로 하여 수지층(수지막)을 씻어낸 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After peeling operation, it puts in a 20 liter pressurization container with 100 g of water, and it heats at 250 degreeC for 1 hour, exposing the surface on the opposite side to the glass plate of a resin layer (resin film) to high temperature and high pressure steam, and then performing After washing the resin layer (resin film) similarly to Example 2, the solvent was removed by air blowing.

또한, 250℃에서 1시간 가열 처리했을 때의 가압 용기 내의 최고 압력은 0.65MPa였다.In addition, the maximum pressure in the pressurized container when heat-processing at 250 degreeC for 1 hour was 0.65 Mpa.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[실시예 8] [Example 8]

실시예 8에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In Example 8, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후, 보강판을 물 100g과 함께 20리터의 가압 용기 내에 넣고, 150℃에서 5시간 가열함으로써, 수지층의 유리판과 반대측의 면을 고온 고압의 수증기에 노출시킨 후, 실시예 2와 마찬가지로 하여 수지층을 씻어낸 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was placed together with 100 g of water in a 20 liter pressure vessel and heated at 150 ° C. for 5 hours to expose the surface on the opposite side to the glass plate of the resin layer with high temperature and high pressure steam, and then as in Example 2. After washing the resin layer, the solvent was removed by air blowing.

또한, 150℃에서 5시간 가열 처리했을 때의 가압 용기 내의 최고 압력은 0.3MPa였다.In addition, the maximum pressure in a pressurized container at the time of heat processing at 150 degreeC for 5 hours was 0.3 Mpa.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, foreign substances such as oxides and resins and scratches were not seen.

[비교예 1] Comparative Example 1

비교예 1에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In the comparative example 1, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후 열처리하지 않고, 실시예 2와 마찬가지로 하여 알코올 용액에 의한 브러시 세정을 20시간 행한 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.The solvent was removed by air blowing after performing the brush washing with the alcohol solution for 20 hours in the same manner as in Example 2 without performing heat treatment after the peeling operation.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 수지가 부착되어 있었다.When the surface of the glass plate was observed under the microscope after washing | cleaning, resin adhered.

[비교예 2] Comparative Example 2

비교예 2에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In the comparative example 2, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후 보강판을 대기 중 500℃에서 10분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 500℃의 대기에 10분간 노출시켰다. 그 후, 보강판을 500℃부터 50℃까지 평균 냉각 속도 5℃/초로 냉각하고, 실온까지 냉각하였다. 계속해서, 이온 교환수 중에 담그고, 초음파 세정을 5분간 행한 후에 공기 분사로 수분을 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 500 ° C. for 10 minutes in the air to expose the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to 500 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the reinforcing plate was cooled from 500 ° C to 50 ° C at an average cooling rate of 5 ° C / sec, and cooled to room temperature. Subsequently, it was immersed in ion-exchanged water, the ultrasonic cleaning was performed for 5 minutes, and water was removed by air blowing.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 수지는 보이지 않았지만, 산화규소 등의 산화물이 고착되어 있었다.When the surface of the glass plate was observed under a microscope after washing, no resin was observed, but oxides such as silicon oxide were fixed.

[비교예 3] [Comparative Example 3]

비교예 3에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In the comparative example 3, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후, 보강판을 대기 중 250℃에서 30분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 250℃의 대기에 30분간 노출시킨 후, 실시예 2와 마찬가지로 하여 알코올 용액에 의한 브러시 세정을 1분간 행한 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 250 ° C. for 30 minutes in the air to expose the surface opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) to 250 ° C. air for 30 minutes, and then to the alcohol solution in the same manner as in Example 2. After 1 minute of brush cleaning, the solvent was removed by air blowing.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 수지가 부착되어 있었다. 세정 시간을 60분간으로 연장해도 수지가 부착되어 있었다.When the surface of the glass plate was observed under the microscope after washing | cleaning, resin adhered. Resin was stuck even if the washing | cleaning time was extended to 60 minutes.

[비교예 4] [Comparative Example 4]

비교예 4에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In the comparative example 4, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement plate was performed.

박리 조작 후 보강판을 질소 분위기 중 300℃에서 30분간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 300℃의 질소 분위기에 30분간 노출시킨 후, 실시예 2와 마찬가지로 하여 알코올 용액에 의한 브러시 세정을 1분간 행한 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다.After the peeling operation, the reinforcing plate was heated at 300 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to expose the surface on the side opposite to the glass plate of the resin layer (resin film) for 30 minutes in a nitrogen atmosphere at 300 ° C., followed by an alcohol solution in the same manner as in Example 2. After performing brush cleaning by 1 minute, the solvent was removed by air blowing.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 수지가 부착되어 있었다. 세정 시간을 60분간으로 연장해도 수지가 부착되어 있었다.When the surface of the glass plate was observed under the microscope after washing | cleaning, resin adhered. Resin was stuck even if the washing | cleaning time was extended to 60 minutes.

[비교예 5] [Comparative Example 5]

비교예 5에서는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 도 2에 도시하는 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 처리한 후, 유리 기판과 보강판의 박리 조작을 행하였다.In the comparative example 5, the laminated body shown in FIG. 2 was produced like Example 2, and after heat-processing a laminated body, the peeling operation of the glass substrate and the reinforcement board was performed.

박리 조작 후, 보강판을 물 100g과 함께 20리터의 가압 용기 내에 넣고, 100℃에서 1시간 가열함으로써, 수지층(수지막)의 유리판과 반대측의 면을 고온 고압의 수증기 중에 노출시킨 후, 실시예 2와 마찬가지로 하여 알코올 용액에 의한 브러시 세정을 60분간 행한 후에, 공기 분사로 용제를 제거하였다. 또한, 100℃에서 1시간 가열 처리했을 때의 가압 용기 내의 최고 압력은 0.2MPa였다.After peeling operation, it puts in a 20 liter pressurization container with 100 g of water, and heats it at 100 degreeC for 1 hour, and after exposing the surface on the opposite side to the glass plate of a resin layer (resin film) in high-temperature, high-pressure steam, it carries out In the same manner as in Example 2, the brush was washed with an alcohol solution for 60 minutes, and then the solvent was removed by air blowing. In addition, the maximum pressure in a pressurized container at the time of heat processing at 100 degreeC for 1 hour was 0.2 Mpa.

세정 후 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 바, 수지가 부착되어 있었다.When the surface of the glass plate was observed under the microscope after washing | cleaning, resin adhered.

본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 범위와 정신을 일탈하지 않고, 다양한 수정이나 변경을 가할 수 있는 것은 통상의 기술자에게 있어서 명확하다.Although this invention was detailed also demonstrated with reference to the specific embodiment, it is clear for those skilled in the art that various corrections and changes can be added without deviating from the range and mind of this invention.

본 출원은 2010년 3월 8일 출원한 일본 특허 출원 2010-051092에 기초하는 것이고, 그의 내용은 여기에 참조로서 도입된다.This application is based on the JP Patent application 2010-051092 of March 8, 2010, The content is taken in here as a reference.

10 적층체
20 보강판
21 유리판
22 수지층
30 기판
301 제1 주면
302 제2 주면
10 laminate
20 gusset
21 glass plates
22 resin layer
30 boards
301 first principal plane
302 2nd principal plane

Claims (13)

유리판 상에 부착된 수지막을 제거하는 수지막의 제거 방법이며,
상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 열처리하는 열처리 공정과,
열처리 후의 상기 수지막을 씻어내는 세정 공정을 갖고,
상기 열처리 공정에 있어서, 상기 수지막의 상기 유리판과 반대측의 면을 300 내지 450℃의 대기, 350 내지 600℃의 불활성 분위기 또는 150 내지 350℃의 수증기에 노출시키는 수지막의 제거 방법.
It is a removal method of the resin film which removes the resin film adhering on a glass plate,
A heat treatment step of heat-treating the resin film attached on the glass plate;
It has a washing | cleaning process which wash | cleans the said resin film after heat processing,
The said heat treatment process WHEREIN: The method of removing the resin film which exposes the surface on the opposite side to the said glass plate of the said resin film to 300-450 degreeC atmosphere, 350-600 degreeC inert atmosphere, or 150-350 degreeC water vapor | steam.
제1항에 있어서, 상기 열처리 공정에 있어서, 상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 가열한 후 냉각하는 수지막의 제거 방법. The removal method of the resin film of Claim 1 which cools after heating the said resin film adhering on the said glass plate in the said heat processing process. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정 공정에 있어서, 액체를 사용해서 상기 수지막을 용해 또는 팽윤시키는 수지막의 제거 방법. The removal method of the resin film of Claim 1 or 2 which melt | dissolves or swells the said resin film in the said washing process using a liquid. 제3항에 있어서, 상기 액체는 용해도 파라미터가 7 내지 15인 수지막의 제거 방법. The method of claim 3, wherein the liquid has a solubility parameter of 7 to 15. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 공정에 있어서, 연마제를 사용해서 상기 수지막을 제거하는 수지막의 제거 방법. The resin film removal method according to any one of claims 1 to 4, wherein in the cleaning step, the resin film is removed using an abrasive. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 공정에 있어서, 초음파 세정 또는 브러시 세정에 의해 세정하는 수지막의 제거 방법. The removal method of the resin film in any one of Claims 1-5 which wash | cleans by ultrasonic washing | cleaning or brush washing in the said washing | cleaning process. 유리판 상에 부착된 수지막을 제거하는 제거 공정과, 상기 수지막을 제거한 상기 유리판과 기판 사이에 수지층을 개재 장착하는 적층 공정을 갖는 적층체의 제조 방법에 있어서,
상기 제거 공정은
상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 열처리하는 열처리 공정과,
열처리 후의 상기 수지막을 씻어내는 세정 공정을 갖고,
상기 열처리 공정에 있어서, 상기 수지막의 상기 유리판과 반대측의 면을 300 내지 450℃의 대기, 350 내지 600℃의 불활성 분위기 또는 150 내지 350℃의 수증기에 노출시키는 적층체의 제조 방법.
In the manufacturing method of the laminated body which has a removal process which removes the resin film adhering on a glass plate, and the lamination process which mounts a resin layer between the said glass plate from which the said resin film was removed, and a board | substrate,
The removal process
A heat treatment step of heat-treating the resin film attached on the glass plate;
It has a washing | cleaning process which wash | cleans the said resin film after heat processing,
The said heat processing process WHEREIN: The manufacturing method of the laminated body which exposes the surface on the opposite side to the said glass plate of the said resin film to 300-450 degreeC atmosphere, 350-600 degreeC inert atmosphere, or 150-350 degreeC water vapor.
제7항에 있어서, 상기 열처리 공정에 있어서, 상기 유리판 상에 부착된 상기 수지막을 가열한 후 냉각하는 적층체의 제조 방법. The manufacturing method of the laminated body of Claim 7 which cools after heating the said resin film adhering on the said glass plate in the said heat processing process. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 세정 공정에 있어서, 액체를 사용해서 상기 수지막을 용해 또는 팽윤시키는 적층체의 제조 방법. The manufacturing method of the laminated body of Claim 7 or 8 which melt | dissolves or swells the said resin film in the said washing process using a liquid. 제9항에 있어서, 상기 액체는 용해도 파라미터가 7 내지 15인 적층체의 제조 방법. The method of claim 9, wherein the liquid has a solubility parameter of 7 to 15. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 공정에 있어서, 연마제를 사용해서 상기 수지막을 제거하는 적층체의 제조 방법. The manufacturing method of the laminated body in any one of Claims 7-10 in which the said resin film is removed using an abrasive | polishing agent in the said washing | cleaning process. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 공정에 있어서, 초음파 세정 또는 브러시 세정에 의해 세정하는 적층체의 제조 방법. The said washing process WHEREIN: The manufacturing method of the laminated body of any one of Claims 7-11 which wash | cleans by ultrasonic cleaning or brush cleaning. 제7항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적층 공정에 있어서, 상기 수지층을 상기 유리판에 고정시킴과 함께, 상기 수지층을 상기 기판에 박리 가능하도록 밀착시키는 적층체의 제조 방법. The manufacturing method of the laminated body in any one of Claims 7-12 which fix | immobilize the said resin layer to the said board | substrate while fixing the said resin layer to the said glass plate in the said lamination process.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013237583A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd Method for reproducing used synthetic quartz glass substrate
JP2014031302A (en) * 2012-08-06 2014-02-20 Asahi Glass Co Ltd Management method and management device of a support substrate for a glass laminate
JP6260441B2 (en) * 2014-04-30 2018-01-17 旭硝子株式会社 Removal method of resin layer
JP2015227275A (en) * 2014-06-02 2015-12-17 旭硝子株式会社 Method and apparatus for regeneration of glass plate
EP3352227B1 (en) * 2015-09-18 2020-03-25 Toho Kasei Co., Ltd. Recycling method for solar battery module
CN107524053A (en) * 2016-06-16 2017-12-29 旭硝子株式会社 Glass lining paper, the manufacture method of glass lining paper and glass plate laminate

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001351932A (en) * 2000-06-06 2001-12-21 Nec Corp Resin structure and method for laser beam machining
JP4031629B2 (en) * 2001-10-05 2008-01-09 大日本印刷株式会社 Substrate cleaning apparatus and method
JP4861609B2 (en) * 2004-05-28 2012-01-25 株式会社レナテック Method and apparatus for removing organic substances
CN101242951B (en) * 2005-08-09 2012-10-31 旭硝子株式会社 Thin sheet glass laminate and method for manufacturing display using thin sheet glass laminate
JP4682971B2 (en) * 2006-02-10 2011-05-11 マツダ株式会社 Method and apparatus for coating film peeling and selection of resin material with coating film
JP5158932B2 (en) * 2007-07-05 2013-03-06 藤倉ゴム工業株式会社 Adhesive sheet for substrate transfer jig and substrate transfer jig
JP4766494B2 (en) * 2007-09-03 2011-09-07 シャープ株式会社 Glass collection method
JP2009250992A (en) * 2008-04-01 2009-10-29 Epson Imaging Devices Corp Method of manufacturing liquid crystal display

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