KR101762150B1 - Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same - Google Patents

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Abstract

(과제) 우수한 방사선 감도를 갖고, 얻어지는 층간 절연막이 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 구비하면서, 경화막 형성 조건의 변화에도 대응할 수 있는 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 구비하는 포지티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 층간 절연막, 그리고 그 층간 절연막의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 본 발명은, [A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체, [B] 광산 발생체 및, [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다.

Figure 112011025778016-pat00015
(Problem) A positive radiation-sensitive composition having excellent radiation sensitivity, having an excellent interlayer insulating film having high light transmittance and voltage holding ratio, and capable of coping with changes in cured film forming conditions, An interlayer insulating film formed from the composition, and a method of forming the interlayer insulating film.
(A) a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules, [B] a photoacid generator, and [C] Containing compound as a positive radiation-sensitive composition.
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Description

포지티브형 감방사선성 조성물, 층간 절연막 및 그 형성 방법 {POSITIVE RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive radiation-sensitive composition, an interlayer insulating film, and a method of forming the same.

본 발명은, 액정 표시 소자(LCD), 유기 EL 표시 소자(OLED) 등의 표시 소자의 층간 절연막을 형성하기 위한 재료로서 적합한 포지티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 층간 절연막 및, 그 층간 절연막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive-tone radiation-sensitive composition suitable as a material for forming an interlayer insulating film of a display element such as a liquid crystal display element (LCD) or an organic EL display element (OLED), an interlayer insulating film formed of the composition, And a method for forming the same.

표시 소자에는, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선의 사이를 절연할 목적으로 층간 절연막이 형성되어 있다. 층간 절연막의 형성 재료로서는, 필요한 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직한 점에서, 포지티브형 감방사선성 조성물이 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 층간 절연막 형성에 이용되는 포지티브형 감방사선성 조성물에는 양호한 방사선 감도 등이, 이로부터 얻어지는 층간 절연막에는 우수한 내열성 등이 요구된다.In the display element, an interlayer insulating film is formed for the purpose of insulating between wirings generally arranged in layers. As a material for forming the interlayer insulating film, a positive radiation-sensitive composition is widely used because it is preferable that the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and furthermore, it is desired to have sufficient flatness. The positive radiation-sensitive composition used for forming such an interlayer insulating film is required to have good radiation sensitivity, and the interlayer insulating film obtained therefrom is required to have excellent heat resistance and the like.

또한, 최근, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등의 표시 장치는, 대화면화, 고휘도화, 고정세화, 고속 응답화, 박형화 등의 경향에 있다. 그 때문에, 표시 장치의 표시 소자에 이용되는 층간 절연막 형성용의 감방사선성 조성물은, 방사선에 대하여 고감도일 것 등과 함께, 형성되는 층간 절연막이 높은 전압 보전율이나 높은 광선 투과율을 가질 것 등의 종래보다도 더욱 우수한 성능이 요구되고 있다.In recent years, display devices such as liquid crystal display devices and organic EL display devices tend to be large-screen, high-brightness, high-definition, high-speed response, and thinner. For this reason, the radiation sensitive composition for forming an interlayer insulating film used in a display device of a display device is required to have high sensitivity to radiation, as well as to have a high voltage holding ratio and a high light transmittance, More excellent performance is required.

이러한 각종 요구에 대응하는 포지티브형 감방사선성 조성물의 성분으로서, 아크릴계 수지가 널리 채용되고 있으며, 예를 들면 일본공개특허공보 2004-4669호에는, 가교제, 산발생제 및, 그 자체는 알칼리 수용액에 불용(不溶) 또는 난용(難溶)이지만, 산의 작용에 의해 해열(解裂)할 수 있는 보호기를 갖고, 당해 보호기가 해열한 후는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 화학 증폭 레지스트 조성물이 제안되고 있다. 또한, 일본공개특허공보 2004-264623호에는, 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조 그리고 에폭시기를 함유하는 수지와, 산발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다.Acrylic resins are widely used as components of the positive radiation-sensitive composition corresponding to these various demands. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-4669, a crosslinking agent, an acid generator and itself are dissolved in an aqueous alkali solution Characterized in that it contains a resin which is insoluble or hardly soluble but has a protecting group capable of dissociating by the action of an acid and becomes soluble in an aqueous alkali solution after the protecting group is cleared A positive chemical amplification resist composition has been proposed. Further, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-264623 proposes a radiation-sensitive resin composition comprising a resin containing an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy group, and an acid generator.

그러나, 상기와 같은 종래의 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 층간 절연막을 형성하는 경우, 예를 들면, 도포 후에 비교적 저온에서 프리베이킹을 행한 경우나, 현상 공정에 있어서 장치 트러블에 의해 현상 시간이 연장된 경우 등에, 현상성, 나아가서는 패턴 형성성이 저하되는 경우가 있다. 즉, 종래의 감방사선성 수지 조성물은, 실제의 제조 현장에 있어서의 경화막 형성 조건의 다양한 변화에 대하여 충분히 대응할 수 있는 것이 아니며, 이 점에서 개선의 여지가 있다. However, when the above-described conventional radiation-sensitive resin composition is used to form an interlayer insulating film, for example, when the prebaking is performed at a relatively low temperature after coating, or when the development time is extended , The developability and, furthermore, the pattern formability may be lowered. That is, the conventional radiation-sensitive resin composition can not sufficiently cope with various changes in cured film forming conditions at an actual production site, and there is room for improvement in this respect.

일본공개특허공보 2004-4669호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-4669 일본공개특허공보 2004-264623호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623

본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 우수한 방사선 감도를 갖고, 얻어지는 층간 절연막이 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 구비하면서, 경화막 형성 조건의 변화에도 대응할 수 있는 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 구비하는 포지티브형 감방사선성 조성물, 그 조성물로 형성된 층간 절연막, 그리고 그 층간 절연막의 형성 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made based on the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide an excellent interlayer insulating film having excellent radiation sensitivity and having excellent light transmittance and voltage holding ratio, A positive-ion radiation-sensitive composition having an antistatic property and a pattern-forming property, an interlayer insulating film formed from the composition, and a method for forming the interlayer insulating film.

상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은,According to an aspect of the present invention,

[A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체(이하, 「[A] 중합체」라고도 함),[A] a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit (hereinafter also referred to as "[A] polymer") in the same or different polymer molecules,

[B] 광산 발생체 및,[B] the photoacid generator, and

[C] 하기식 (2)로 나타나는 화합물[C] a compound represented by the following formula (2)

을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물이다. Based on the total weight of the composition.

Figure 112011025778016-pat00001
Figure 112011025778016-pat00001

(식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고(단, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없음); R3은 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기(M은 Si, Ge 또는 Sn이고, R3m은 알킬기임)이고, 이들 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고; R1과 R3이 연결되어 환상 에테르 구조를 형성해도 좋음);(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and when some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group or aryl group are substituted with a substituent good (where, R 1 and R 2 is no case that all are hydrogen atoms); R 3 is a group represented by the alkyl group, cycloalkyl group, aralkyl group, aryl group, or -M (R 3m) 3 (M is Si, Ge or Sn and R 3m is an alkyl group), some or all of these hydrogen atoms may be substituted with a substituent, and R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether structure);

Figure 112011025778016-pat00002
Figure 112011025778016-pat00002

(식 (2) 중, X는 탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기이고; Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단결합, 에스테르 결합, 아미드 결합 또는 우레탄 결합이고; R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 술포기, 술포 페닐기, 또는 하기식 (i)∼(vi)의 어느 것으로 나타나는 기이고; 단, Y1 또는 Y2가 단결합일 때, 이 Y1 또는 Y2와 연결되는 R4 또는 R5가 탄소수 1∼6의 알킬기인 경우는 없음); (2), X is a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, Y 1 and Y 2 are each independently a single bond, an ester bond, an amide bond or a urethane bond, R 4 and R 5 are, each independently, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, sulfo, sulfonyl group, or the formula (i) ~ a group represented by any of (vi); However, Y 1 or Y 2 is unity coalescence When R 4 or R 5 connected to Y 1 or Y 2 is not an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms);

Figure 112011025778016-pat00003
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(식 (i)∼(vi) 중, R6은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이고; R7은 수소 원자 또는 메틸기이고; m은 0∼6의 정수이고; 단, 상기식 (2) 중의 Y1 또는 Y2가 단결합일 때, 이 Y1 또는 Y2와 연결되는 R4 또는 R5에 있어서의 m은 0임).Wherein R 6 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 7 is a hydrogen atom or a methyl group, m is an integer of 0 to 6, provided that in the formula (2) of Y 1 or Y 2 when the sum is unity, m in R 4 or R 5 that is connected with a Y 1 or Y 2 is zero).

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, [A] 중합체와 [B] 광산 발생체를 포함하기 때문에, 우수한 방사선 감도를 갖고 있다. 덧붙여, 당해 조성물은, [C] 상기식 (2)로 나타나는 화합물(이하, 「[C] 장쇄 알킬기 함유 화합물」이라고도 말함)을 포함하는 것이다. 이 [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물에 의하면, 장쇄 알킬기에 의해 경화 부분의 알칼리 현상액에 대한 소수성을 및, 관능기 부분에 의해 미경화 부분의 친수성을 함께 향상시킬 수 있다. 따라서, 당해 조성물에 의하면, 경화막 형성 조건이 변화된 경우에 있어서도, [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물이 완충 작용을 발휘하여, 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 안정되게 발휘할 수 있다. 또한, 당해 조성물은, 이러한 [A]∼[C]성분을 포함함으로써 얻어지는 경화막의 광선 투과율 및 전압 보전율을 종래의 포지티브형 감방사선성 조성물과 동일한 높은 레벨로 발휘시킬 수 있다.Since the positive-tone radiation-sensitive composition contains the [A] polymer and the [B] photo-acid generator, it has excellent radiation sensitivity. Incidentally, the composition includes [C] a compound represented by the formula (2) (hereinafter also referred to as a "[C] long chain alkyl group-containing compound"). With this [C] long chain alkyl group-containing compound, it is possible to improve the hydrophobicity of the cured portion with respect to the alkali developing solution and the hydrophilicity of the uncured portion with the functional group portion by the long chain alkyl group. Therefore, according to this composition, even when the conditions for forming the cured film are changed, the long chain alkyl group-containing compound [C] exhibits a buffering action and can exhibit excellent developing property and pattern forming property stably. In addition, the composition of the present invention can exhibit the light transmittance and the voltage holding ratio of the cured film obtained by including such [A] to [C] components at the same high level as that of the conventional positive radiation sensitive composition.

[B] 광산 발생체가, 하기식 (3)으로 나타나는 옥심술포네이트기를 갖는 화합물이면 좋다.The [B] photoacid generator may be a compound having an oxime sulfonate group represented by the following formula (3).

Figure 112011025778016-pat00004
Figure 112011025778016-pat00004

(식 (3) 중, RB1은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋음).(In the formula (3), R B1 is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted with a substituent).

당해 조성물이, [B] 광산 발생체로서 상기 구조를 갖는 화합물을 이용함으로써, 방사선 감도가 보다 향상되어, 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 발휘할 수 있다.By using the compound having the above structure as the [B] photo-acid generator, the radiation sensitivity is further improved, and excellent developability and pattern forming property can be exhibited.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 표시 소자의 층간 절연막을 형성하기 위해 적합하게 이용된다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물을 표시 소자의 층간 절연막의 형성에 이용함으로써, 높은 광선 투과율이나 높은 전압 보전율 등의, 최근의 다양한 성능에 대한 요구에 대응할 수 있는 층간 절연막을 얻을 수 있다.The positive-tone radiation-sensitive composition is suitably used for forming an interlayer insulating film of a display element. By using the positive-tone radiation-sensitive composition for forming an interlayer insulating film of a display device, an interlayer insulating film capable of meeting recent various performance demands such as high light transmittance and high voltage holding ratio can be obtained.

또한, 본 발명의 표시 소자의 층간 절연막의 형성 방법은,Further, in the method of forming the interlayer insulating film of the display element of the present invention,

(1) 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition on a substrate,

(2) 공정(1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, (3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)

(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film in the step (3)

을 갖고 있다.Lt; / RTI >

당해 방법에 있어서는, 상기 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하여 감방사선성을 이용한 노광·현상·가열에 의해 패턴을 형성함으로써, 경화막 형성 조건이 변화된 경우에도, 미세하고 그리고 정교한 패턴을 갖는 표시 소자의 층간 절연막을 형성할 수 있다.In this method, the positive radiation-sensitive composition is used to form a pattern by exposure, development, and heating using radiation-sensitive properties, so that even when the cured film formation conditions are changed, Can be formed.

본 명세서에 있어서, [A]성분인 「중합체」는, 하나의 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위를 갖고, 그리고 그 하나의 중합체 분자와는 상이한 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 경우도 포함하는 개념이다.In the present specification, the "polymer" as the [A] component is a polymer having a structural unit having a group represented by the following formula (1) in one polymer molecule, and having an epoxy group- And a case in which a unit is included.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기 [A], [B] 및 [C]성분을 포함하고 있음으로써, 우수한 방사선 감도를 갖고, 얻어지는 경화막이 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 구비하고, 그리고 경화막 형성 조건의 변화에 대한 대응성이 높고, 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 발휘할 수 있다. 따라서, 본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물로부터 얻어지는 경화막은, 제조 공정에 있어서의 형성 조건이 일정 정도 변화된 경우도, 미세하고 그리고 정교한 패턴을 갖고 있고, 그리고 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 구비하고 있기 때문에 층간 절연막 등에 적합하게 이용할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention contains the components [A], [B] and [C] as described above and thus has excellent radiation sensitivity and the resulting cured film has a high light transmittance and a high voltage- And is highly responsive to changes in cured film forming conditions, and can exhibit excellent developing property and pattern forming property. Therefore, the cured film obtained from the positive-tone radiation-sensitive composition of the present invention has a fine and precise pattern even when the forming conditions in the manufacturing process are changed to some extent, and has a high light transmittance and a high voltage holding ratio Therefore, it can be suitably used for an interlayer insulating film or the like.

도 1은 콘택트홀을 구비하는 경화막을 나타내는 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a cured film having a contact hole.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, [A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위(이하, 단순히 「구조 단위(1)」라고도 말함)와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체, [B] 광산 발생체 및, [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물을 함유하고, 추가로 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다.The positive radiation-sensitive composition of the present invention is a positive-tone radiation-sensitive composition comprising a structural unit (hereinafter also referred to simply as "structural unit (1)") containing a group represented by the following formula (1) in the same or different polymer molecules and an epoxy group- , A [B] photo-acid generator, and [C] a long chain alkyl group-containing compound, and may further contain other optional components.

<[A] 중합체><[A] Polymer>

[A] 중합체는, 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 구조 단위(1)와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖고 있고, 필요에 따라서 그 외의 구조 단위를 갖고 있어도 좋다. 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 [A] 중합체의 실시형태로서는 특별히 한정되지 않고, (i) 동일한 중합체 분자 중에 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위의 양쪽을 갖고 있고, [A] 중합체 중에 1종의 중합체 분자가 존재하는 경우, (ii) 하나의 중합체 분자 중에 구조 단위(1)를 갖고, 그와는 상이한 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖고 있고, [A] 중합체 중에 2종의 중합체 분자가 존재하는 경우, (iii) 하나의 중합체 분자 중에 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위의 양쪽을 갖고, 그와는 상이한 중합체 분자 중에 구조 단위(1)를 갖고, 이들과는 또 다른 중합체 분자 중에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖고 있고, [A] 중합체 중에 3종의 중합체 분자가 존재하는 경우, (iv) (i)∼(iii)에 규정한 중합체 분자에 더하여, [A] 중합체 중에 또 다른 1종 또는 2종 이상의 중합체 분자를 포함하는 경우 등을 들 수 있다. 어느 경우라도 본 발명의 효과를 발휘할 수 있다. 이하, 구조 단위(1), 에폭시기 함유 구조 단위 및 그 외의 구조 단위에 대해서 순서대로 설명한다.[A] The polymer may have structural units (1) and epoxy group-containing structural units in the same or different polymer molecules, and may have other structural units as required. Examples of the embodiment of the polymer [A] having the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit are not particularly limited, and (i) both of the structural unit (1) and the epoxy group- (Ii) a polymer having a structural unit (1) in one polymer molecule and an epoxy group-containing structural unit in a different polymer molecule, and wherein in the polymer (A) (Iii) one of the polymer molecules has both of the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit and the structural unit (1) in the different polymer molecule, and (I) to (iii), in the case where three polymer molecules are present in the polymer [A], the polymer [A] may be used in addition to the polymer molecules defined in During And one or more other polymer molecules are included. In any case, the effect of the present invention can be exhibited. Hereinafter, the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit and other structural units will be described in order.

<구조 단위(1)>&Lt; Structural unit (1) &gt;

구조 단위(1)에서는, 상기식 (1)로 나타나는 기가, 산의 존재하에서 해리하여 극성기를 발생시키는 기(이하, 단순히 「산해리성기」라고도 말함)로서 존재하고 있기 때문에, 방사선의 조사에 의해 광산 발생체로부터 발생한 산에 의해 산해리성기가 해리되고, 그 결과, 알칼리 불용성이었던 [A] 중합체는 알칼리 가용성이 된다. 상기 산해리성기는, 알칼리에 대해서는 비교적 안정된 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖고 있고, 이들이 산의 작용에 의해 해리되게 된다. In the structural unit (1), since the group represented by the formula (1) exists as a group capable of dissociating in the presence of an acid to generate a polar group (hereinafter, simply referred to as an "acid dissociable group"), The acid-dissociable group is dissociated by the acid generated from the generator, and as a result, the [A] polymer which was insoluble in alkali becomes alkali-soluble. The acid-dissociable group has a relatively stable acetal structure or ketal structure with respect to alkali, and these acid dissociable groups are dissociated by the action of an acid.

상기식 (1)에 있어서 R1 및 R2로 나타나는 알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 1∼30의 직쇄 및 분기 알킬기이며, 이 알킬쇄 중에 산소 원자, 황 원자, 질소 원자를 갖고 있어도 좋다. 상기 알킬기의 구체예로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-옥타데실기 등의 직쇄상 알킬기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기, 2-헥실기, 3-헥실기 등의 분기상 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group represented by R 1 and R 2 in the above formula (1) is preferably a straight chain or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and may have an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom in the alkyl chain. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, and n-octadecyl; and branched alkyl groups such as i-propyl, i-butyl, t-butyl, neopentyl, 2-hexyl and 3-hexyl groups.

상기식 (1)에 있어서 R1 및 R2로 나타나는 사이클로알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기이며, 다환이라도 좋고, 환 내에 산소 원자를 갖고 있어도 좋다. 상기 사이클로알킬기의 구체예로서는, 예를 들면 사이클로프로필기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 보르닐기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.The cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 in the formula (1) is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, and may be a polycyclic ring or may contain an oxygen atom in the ring. Specific examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a boronyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

상기식 (1)에 있어서 R1 및 R2로 나타나는 아릴기로서는, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 아릴기이며, 단환이라도 좋고, 단환이 연결된 구조라도 좋고, 축합환이라도 좋다. 상기 아릴기의 구체예로서는, 예를 들면 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group represented by R 1 and R 2 in the above formula (1) is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be a monocyclic ring, a monocyclic ring, or a condensed ring. Specific examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group.

상기 R1 및 R2의 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환기로 치환되어 있어도 좋다. 이러한 치환기로서는, 예를 들면 할로겐 원자, 수산기, 니트로기, 시아노기, 카복실기, 카보닐기, 사이클로알킬기(이 사이클로알킬기로서는, 상기 사이클로알킬기의 설명을 적합하게 적용할 수 있음), 아릴기(이 아릴기로서는, 상기 아릴기의 설명을 적합하게 적용할 수 있음), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1∼20의 알콕시기이며, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, n-부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기 등을 들 수 있음), 아실기(바람직하게는 탄소수 2∼20의 아실기이며, 예를 들면 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, i-부티릴기 등을 들 수 있음), 아실옥시기(바람직하게는 탄소수 2∼10의 아실옥시기이며, 예를 들면, 아세톡시기, 에티릴옥시기, 부티릴옥시기, t-부티릴옥시기, t-아밀옥시기 등을 들 수 있음), 알콕시카보닐기(바람직하게는 탄소수 2∼20의 알콕시카보닐기이며, 예를 들면, 메톡시카보닐기, 에톡시카보닐기, 프로폭시카보닐기 등을 들 수 있음), 할로알킬기(상기 알킬기 또는 사이클로알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 예를 들면, 퍼플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 플루오로사이클로프로필기, 플루오로사이클로부틸기 등을 들 수 있음) 등을 들 수 있다. 아릴기, 사이클로알킬기 등에 있어서의 환상 구조에 대해서는, 새로운 치환기로서는 상기 알킬기를 들 수 있다.Some or all of the hydrogen atoms of R &lt; 1 &gt; and R &lt; 2 &gt; may be substituted with a substituent. Examples of such a substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (the cycloalkyl group may suitably be the description of the cycloalkyl group) As the aryl group, the description of the aryl group may be suitably applied), an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group, n-butoxy group , Pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, and octyloxy group), an acyl group (preferably an acyl group having 2 to 20 carbon atoms, such as an acetyl group, a propionyl group, , and i-butyryl group), an acyloxy group (preferably an acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, such as an acetoxy group, an ethylyloxy group, a butyryloxy group, a t- , t-amyloxy group and the like), alkoxy carbonyl (Preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group and the like), haloalkyl group (hydrogen of the above alkyl group or cycloalkyl group A group in which some or all of the atoms are substituted with halogen atoms, and examples thereof include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a fluorocyclopropyl group, and a fluorocyclobutyl group) And the like. As the cyclic structure in the aryl group, the cycloalkyl group and the like, the alkyl group can be mentioned as a new substituent.

상기식 (1)에 있어서 R3으로 나타나는 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴기는 R1 및 R2에서의 설명을 적용할 수 있다. 상기식 (1)에 있어서 R3으로 나타나는 아르알킬기로서는, 바람직하게는 탄소수 7∼20의 아르알킬기를 들 수 있으며, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 나프틸에틸기 등을 들 수 있다. 상기식 (1)에 있어서 R3의 -M(R3m)3으로 나타나는 기로서는, 예를 들면 트리메틸실라닐기, 트리메틸게르밀기 등을 들 수 있다. 이 R3으로 나타나는 아르알킬기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 치환하고 있어도 좋은 치환기로서는, 상기 치환기를 적합하게 채용할 수 있다.The alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 in the formula (1) can be applied to R 1 and R 2 . The aralkyl group represented by R 3 in the formula (1) is preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a naphthylethyl group and the like. . Examples of the group represented by -M (R 3m ) 3 of R 3 in the above formula (1) include trimethylsilanyl group, trimethylgermyl group and the like. As the substituent which may partially or wholly replace the hydrogen atom of the aralkyl group represented by R 3 or the group represented by -M (R 3m ) 3 , the substituent may be suitably employed.

R1과 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다. 이러한 환상 에테르로서는, 예를 들면 2-옥세타닐기, 2-테트라하이드로푸라닐기, 2-테트라하이드로피라닐기, 2-디옥사닐기 등을 들 수 있다. 이 환상 에테르의 수소 원자의 일부 또는 전부는 상기 치환기로 치환되어 있어도 좋다.R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether. Examples of such cyclic ethers include 2-oxetanyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, 2-dioxanyl group and the like. Some or all of the hydrogen atoms of the cyclic ether may be substituted with the substituents described above.

구조 단위(1)는, 기타 탄소 원자에 결합함으로써 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖게 되는 관능기를 소유함으로써, 그 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 가질 수 있다.The structural unit (1) may have an acetal structure or a ketal structure by possessing a functional group which has an acetal structure or a ketal structure by bonding to other carbon atoms.

상기 기타 탄소 원자에 결합함으로써 아세탈 구조를 갖게 되는 관능기로서는, 예를 들면 1-메톡시에톡시기, 1-에톡시에톡시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 1-i-프로폭시에톡시기, 1-n-부톡시에톡시기, 1-i-부톡시에톡시기, 1-sec-부톡시에톡시기, 1-t-부톡시에톡시기, 1-사이클로펜틸옥시에톡시기, 1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-노르보닐옥시에톡시기, 1-보르닐옥시에톡시기, 1-페닐옥시에톡시기, 1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-벤질옥시에톡시기, 1-페네틸옥시에톡시기, (사이클로헥실)(메톡시)메톡시기, (사이클로헥실)(에톡시)메톡시기, (사이클로헥실)(n-프로폭시)메톡시기, (사이클로헥실)(i-프로폭시)메톡시기, (사이클로헥실)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (사이클로헥실)(페녹시)메톡시기, (사이클로헥실)(벤질옥시)메톡시기, (페닐)(메톡시)메톡시기, (페닐)(에톡시)메톡시기, (페닐)(n-프로폭시)메톡시기, (페닐)(i-프로폭시)메톡시기, (페닐)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (페닐)(페녹시)메톡시기, (페닐)(벤질옥시)메톡시기, (벤질)(메톡시)메톡시기, (벤질)(에톡시)메톡시기, (벤질)(n-프로폭시)메톡시기, (벤질)(i-프로폭시)메톡시기, (벤질)(사이클로헥실옥시)메톡시기, (벤질)(페녹시)메톡시기, (벤질)(벤질옥시)메톡시기, 2-테트라하이드로푸라닐옥시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기, 1-트리메틸실라닐옥시에톡시기, 1-트리메틸게르밀옥시에톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group having an acetal structure by bonding to other carbon atoms include 1-methoxyethoxy, 1-ethoxyethoxy, 1-n-propoxyethoxy, 1-i-propoxy Butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-norbornyloxyethoxy group, 1-boronyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) (Cyclohexyl) (ethoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (Cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) (Phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) Methoxy group, (phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) (cyclohexyloxy) (Benzyl) (n-propoxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (Benzyl) (benzyloxy) methoxy group, a 2-tetrahydrofuranyloxy group, a 2-tetrahydropyranyloxy group, a benzyloxy group, , 1-trimethylsilanyloxyethoxy group, 1-trimethylgermyloxyethoxy group and the like.

이들 중, 1-에톡시에톡시기, 1-사이클로헥실옥시에톡시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기, 1-n-프로폭시에톡시기, 2-테트라하이드로피라닐옥시기를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Of these, preferred are 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group and 2-tetrahydropyranyloxy group have.

상기 기타 탄소 원자에 결합함으로써, 케탈 구조를 갖게 되는 관능기로서는, 예를 들면, 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-에톡시에톡시기, 1-메틸-1-n-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-i-프로폭시에톡시기, 1-메틸-1-n-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-i-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-sec-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-t-부톡시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로펜틸옥시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-메틸-1-노르보닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-보르닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-페닐옥시에톡시기, 1-메틸-1-(1-나프틸옥시)에톡시기, 1-메틸-1-벤질옥시에톡시기, 1-메틸-1-페네틸옥시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-메톡시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-에톡시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-n-프로폭시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-i-프로폭시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-사이클로헥실-1-페녹시 에톡시기, 1-사이클로헥실-1-벤질옥시에톡시기, 1-페닐-1-메톡시에톡시기, 1-페닐-1-에톡시에톡시기, 1-페닐-1-n-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-i-프로폭시에톡시기, 1-페닐-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-페닐-1-페닐옥시에톡시기, 1-페닐-1-벤질옥시에톡시기, 1-벤질-1-메톡시에톡시기, 1-벤질-1-에톡시에톡시기, 1-벤질-1-n-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-i-프로폭시에톡시기, 1-벤질-1-사이클로헥실옥시에톡시기, 1-벤질-1-페닐옥시에톡시기, 1-벤질-1-벤질옥시에톡시기, 2-(2-메틸-테트라하이드로푸라닐)옥시기, 2-(2-메틸-테트라하이드로피라닐)옥시기, 1-메톡시-사이클로펜틸옥시기, 1-메톡시-사이클로헥실옥시기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group having a ketal structure by bonding to the above other carbon atom include 1-methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1- Methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxy group, 1-methyl-1-butoxyethoxy group, Methyl-1-norbornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl- Methyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl 1-cyclohexyl-1-cyclohexyloxy, 1-cyclohexyl-1-cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, Toxic Cyclohexyl-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, Phenyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-phenyl- Benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n-propoxy, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxy Ethoxy group, a 2- (2-methyl-tetrahydrofuranyl) oxy group, a 2- (2-methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, a 1-methoxy-cyclopentyloxy group, Hexyloxy group and the like.

이들 중, 1-메틸-1-메톡시에톡시기, 1-메틸-1-사이클로헥실옥시에톡시기를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Of these, preferred are 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group.

상기 아세탈 구조 또는 케탈 구조를 갖는 구조 단위(1)의 구체예로서는, 예를 들면 하기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위를 들 수 있다.Specific examples of the structural unit (1) having an acetal structure or a ketal structure include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-3).

Figure 112011025778016-pat00005
Figure 112011025778016-pat00005

(식 (1-1) 및 (1-3) 중, R'는 수소 원자 또는 메틸기이고, R1, R2 및 R3은 상기식 (1)의 설명과 동일한 의미임).(In the formulas (1-1) and (1-3), R 'is a hydrogen atom or a methyl group, and R 1 , R 2 and R 3 have the same meanings as in the description of the formula (1)).

상기식 (1-1)∼(1-3)으로 나타나는 구조 단위(1)를 부여하는 라디칼 중합성을 갖는 단량체(이하, 단순히 「아세탈 구조 함유 단량체」라고도 말함)로서는, 예를 들면 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트, 1-(사이클로알킬옥시)알킬(메타)아크릴레이트, 1-(할로알콕시)알킬(메타)아크릴레이트, 1-(아르알킬옥시)알킬(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로피라닐(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트계 아세탈 구조 함유 단량체; Examples of the monomer having a radically polymerizable structure (hereinafter simply referred to as &quot; the acetal structure-containing monomer &quot;) which gives the structural unit (1) represented by the above formulas (1-1) to (1-3) (Meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl (Meth) acrylate-based acetal structure-containing monomers such as pyranyl (meth) acrylate;

2,3-디(1-(트리알킬실라닐옥시)알콕시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(트리알킬게르밀옥시)알콕시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-알콕시알콕시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(사이클로알킬옥시)알콕시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(아르알킬옥시)알콕시카보닐)-5-노르보르넨 등의 노르보르넨계 아세탈 구조 함유 단량체; Carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylsilyloxy) alkoxy) carbonyl) Norbornene, 2,3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as 3-di (1- (aralkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene;

1-알콕시알콕시스티렌, 1-(할로알콕시)알콕시스티렌, 1-(아르알킬옥시)알콕시스티렌, 테트라하이드로피라닐옥시스티렌 등의 스티렌계 아세탈 구조 함유 단량체를 들 수 있다.Monomers containing a styrenic acetal structure such as 1-alkoxyalkoxystyrene, 1- (haloalkoxy) alkoxystyrene, 1- (aralkyloxy) alkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene.

이들 중에서, 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트, 테트라하이드로피라닐(메타)아크릴레이트, 1-알콕시알콕시스티렌, 테트라하이드로피라닐옥시스티렌이 바람직하고, 1-알콕시알킬(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among them, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxystyrene and tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) desirable.

상기 구성 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체의 구체예로서는, 예를 들면,Specific examples of the acetal structure-containing monomer which imparts the above-mentioned structural unit (1) include, for example,

1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-t-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-사이클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트,Methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1 - (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate,

1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸아크릴레이트, 1-t-부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-클로로에톡시)에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-사이클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-사이클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐아크릴레이트,Methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2- Ethyl acrylate, 1-n-propyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) Ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate,

2,3-디(1-(트리메틸실라닐옥시)에톡시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(트리메틸게르밀옥시)에톡시)카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-메톡시에톡시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(사이클로헥실옥시)에톡시카보닐)-5-노르보르넨, 2,3-디(1-(벤질옥시)에톡시카보닐)-5-노르보르넨,(1- (trimethylsilyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5- Norbornene, 2,3-di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di

p 또는 m-1-에톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-메톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-n-부톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-이소부톡시에톡시스티렌, p 또는 m-1-(1,1-디메틸에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-클로로에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-에틸헥실옥시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-n-프로폭시에톡시스티렌, p 또는 m-1-사이클로헥실옥시에톡시스티렌, p 또는 m-1-(2-사이클로헥실에톡시)에톡시스티렌, p 또는 m-1-벤질옥시에톡시스티렌 등을 들 수 있다. 상기 구조 단위(1)는, 1종 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, P or m-1-n-propoxyethoxystyrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p Or m-1-benzyloxyethoxystyrene. The structural unit (1) may be used alone or in combination of two or more.

상기 구성 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체 중에서도, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 2-테트라하이드로피라닐메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트가 바람직하다.Among the acetal structure-containing monomers giving the above-mentioned constituent unit (1), among the monomers having an acetal structure, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, Methacrylate is preferred.

구조 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체는, 시판의 것을 이용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 상기식 (1-1)로 나타나는 구조 단위(1)를 부여하는 아세탈 구조 함유 단량체는, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.As the acetal structure-containing monomer imparting the structural unit (1), commercially available monomers may be used, or those synthesized by known methods may be used. For example, the acetal structure-containing monomer imparting the structural unit (1) represented by the above formula (1-1) can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below .

Figure 112011025778016-pat00006
Figure 112011025778016-pat00006

(식 중, R', R1 및 R3은 각각 상기식 (1-1)에 있어서의 R', R1 및 R3에 대응하고, R21 및 R22는 -CH(R21)(R22)로서, 상기식 (1-1)에 있어서의 R2에 대응함).(In the formula, R corresponds to a ', R 1 and R 3 is the formula (1-1) in each R', R 1 and R 3 and, R 21 and R 22 is -CH (R 21) (R 22 ), corresponding to R 2 in the formula (1-1)).

[A] 중합체에 있어서의 구조 단위(1)의 함유량으로서는, [A] 중합체가 산에 의해 알칼리 가용성을 나타내고, 경화막의 소망하는 내열성이 발휘되는 한 특별히 한정되지 않으며, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)와 에폭시기 함유 구조 단위 양쪽을 포함하는 경우, [A] 중합체에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 5질량% 이상 70질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 이상 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이상 50질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the structural unit (1) in the polymer [A] is not particularly limited as long as the polymer [A] exhibits alkali solubility by the acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film, Is preferably 5% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, based on the total structural units contained in the polymer (A) Or less, and particularly preferably 20 mass% or more and 50 mass% or less.

한편, 단일한 중합체 분자에 구조 단위(1)를 갖고, 그리고 다른 단일한 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 경우, 구조 단위(1)를 갖는 단일한 중합체 분자에 있어서의 구조 단위(1)의 함유량으로서는, 그 중합체 분자에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 40질량% 이상 99질량% 이하가 바람직하고, 50질량% 이상 98질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이상 95질량% 이하가 특히 바람직하다.On the other hand, in the case where a single polymer molecule has a structural unit (1) and another single polymer molecule has an epoxy group-containing structural unit, the ratio of the structural unit (1) in the single polymer molecule having the structural unit The content is preferably from 40 mass% to 99 mass%, more preferably from 50 mass% to 98 mass%, and still more preferably from 55 mass% to 95 mass%, based on the total structural units contained in the polymer molecule % Or less is particularly preferable.

<에폭시기 함유 구조 단위><Epoxy group-containing structural unit>

[A] 중합체는, 상기 구조 단위(1)와 함께, 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는다. 에폭시기 함유 구조 단위는, 라디칼 중합성을 갖는 에폭시기 함유 단량체에 유래하는 구조 단위이다. 이 에폭시기로서는, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조)를 들 수 있다. [A] 중합체가 분자 중에 옥시라닐기 또는 옥세타닐기 등을 포함하는 구조 단위를 가짐으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물로부터 얻어지는 경화막의 경도를 향상시켜 내열성을 더욱 높일 수 있다.The polymer [A] has an epoxy group-containing structural unit together with the structural unit (1). The epoxy group-containing structural unit is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer having a radical polymerizable property. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). By having the polymer [A] having a structural unit including an oxiranyl group or an oxetanyl group in the molecule, the hardness of the cured film obtained from the positive-tone radiation-sensitive composition can be improved and the heat resistance can be further increased.

상기 에폭시기 함유 구조 단위를 부여하는 에폭시기 함유 단량체의 구체예로서는, 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3-메틸-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3-에틸-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산-5-메틸-5,6-에폭시헥실, 메타크릴산-5-에틸-5,6-에폭시헥실, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸,Specific examples of the epoxy group-containing monomer imparting the epoxy group-containing structural unit include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, acrylate-3,4-epoxybutyl acrylate, Ethyl-3,4-epoxybutyl acrylate, 5,6-epoxyhexyl acrylate, methacrylic acid-5,6-epoxyhexyl methacrylate, methacrylic acid 5-ethylhexyl-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-6,7-epoxyhexyl, methacrylic acid-

3,4-에폭시사이클로헥실메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실에틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실프로필메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실부틸메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실헥실메타크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실에틸아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실프로필아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실부틸아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실헥실아크릴레이트 등의 옥시라닐기 함유 (메타)아크릴계 화합물; 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, -Epoxy cyclohexyl butyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl hexyl methacrylate, 3,4-epoxy cyclohexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl (Meth) acrylic compounds having oxirane groups such as acrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylbutyl acrylate and 3,4-epoxycyclohexylhexyl acrylate;

o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 비닐벤질글리시딜에테르류; o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether,? -methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether,? -methyl- Vinyl benzyl glycidyl ethers such as diester,? -Methyl-p-vinylbenzyl glycidyl ether;

o-비닐페닐글리시딜에테르, m-비닐페닐글리시딜에테르, p-비닐페닐글리시딜에테르 등의 비닐페닐글리시딜에테르류; vinylphenyl glycidyl ethers such as o-vinylphenyl glycidyl ether, m-vinylphenyl glycidyl ether and p-vinylphenyl glycidyl ether;

3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-페닐옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-메틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-페닐옥세탄,3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) 3-methyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) Oxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-phenyloxetane,

3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-메틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-페닐옥세탄,3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-methyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-phenyloxetane,

2-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-에틸옥세탄, 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 2-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄,2- (acryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (acryloyloxymethyl) (2-acryloyloxyethyl) -2-methyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- Oxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane,

2-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-2-에틸옥세탄, 2-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-메틸옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 옥세타닐기 함유 (메타)아크릴계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 에폭시기 함유 구조 단위는, 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다.2- (methacryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-methyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) (Meth) acrylic compounds containing an oxetanyl group such as 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane and 2- (2-methacryloyloxyethyl) have. The above-mentioned epoxy group-containing structural units may be used alone or in combination of two or more.

상기 에폭시기 함유 단량체 중에서도, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-2-메틸글리시딜, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실, 메타크릴산-3,4-에폭시사이클로헥실메틸, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄이 기타 라디칼 중합성 단량체와의 공중합 반응성 및, 포지티브형 감방사선성 조성물의 현상성의 관점에서 바람직하다. Among the epoxy group-containing monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexyl, methacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, 3 - (methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane with other radically polymerizable monomers, and a positive radiation-sensitive composition From the viewpoint of developability of the toner.

[A] 중합체에 있어서의 에폭시기 함유 구조 단위의 함유량으로서는, 층간 절연막의 소망하는 내열성이 발휘되는 한 특별히 한정되지 않으며, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)와 에폭시기 함유 구조 단위를 포함하는 경우, [A] 중합체에 포함되는 전체 구조 단위에 대하여, 단량체 투입비로, 10질량% 이상 60질량% 이하가 바람직하고, 15질량% 이상 55질량% 이하가 보다 바람직하고, 20질량% 이상 50질량% 이하가 특히 바람직하다.The content of the epoxy group-containing structural unit in the polymer [A] is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the interlayer insulating film can be exhibited. When the one polymer molecule contains the structural unit (1) and the epoxy group- Is preferably 10 mass% or more and 60 mass% or less, more preferably 15 mass% or more and 55 mass% or less, and still more preferably 20 mass% or more and 50 mass% or less based on the total structural units contained in the polymer [A] Is particularly preferable.

한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)를 갖고, 그리고 기타 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 경우, 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 기타 중합체 분자에 포함되는 전체 구조 단위에 대한 에폭시기 함유 구조 단위의 함유량으로서는, 단량체 투입비로, 20질량% 이상 80질량% 이하가 바람직하고, 30질량% 이상 70질량% 이하가 보다 바람직하고, 35질량% 이상 65질량% 이하가 특히 바람직하다.On the other hand, when one polymer molecule has the structural unit (1) and other polymer molecules have an epoxy group-containing structural unit, the ratio of the epoxy group-containing structural units to the total structural units contained in other polymer molecules having an epoxy group- The content is preferably 20 mass% or more and 80 mass% or less, more preferably 30 mass% or more and 70 mass% or less, and particularly preferably 35 mass% or more and 65 mass% or less,

<그 외의 구조 단위><Other structural units>

그 외의 구조 단위를 부여하는 라디칼 중합성 단량체로서는, 카복실기 또는 그 유도체, 수산기를 갖는 라디칼 중합성 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer that imparts other structural units include a carboxyl group or a derivative thereof, and a radically polymerizable monomer having a hydroxyl group.

상기 카복실기 또는 그 유도체를 갖는 라디칼 중합체 단량체로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 2-아크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등의 모노카본산; Examples of the radical polymer monomer having a carboxyl group or a derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethylsuccinic acid, 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid, 2-acryloyloxyethylhexahydro Monocarboxylic acids such as phthalic acid and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid;

말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카본산; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid;

상기 디카본산의 산무수물 등을 들 수 있다.And the acid anhydrides of the above-mentioned dicarboxylic acids.

상기 수산기를 갖는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는,As examples of the radically polymerizable monomer having a hydroxyl group,

아크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 아크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 아크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 아크릴산-4-하이드록시메틸사이클로헥실메틸에스테르 등의 아크릴산 하이드록시알킬에스테르; Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, and 4-hydroxymethylcyclohexylmethyl acrylate;

메타크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 메타크릴산-5-하이드록시펜틸에스테르, 메타크릴산-6-하이드록시헥실에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르 등의 메타크릴산 하이드록시알킬에스테르 등을 들 수 있다.2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, methacrylic acid-5-hydroxypentyl ester, methacrylic acid- Hydroxyethyl methacrylate, hydroxyhexyl ester, methacrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, and the like.

이들 수산기를 갖는 라디칼 중합성 단량체 중, 그 외의 라디칼 중합성 단량체와의 공중합 반응성 및 얻어지는 층간 절연막의 내열성의 관점에서, 아크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 아크릴산-3-하이드록시프로필에스테르, 아크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 메타크릴산-2-하이드록시에틸에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시부틸에스테르, 아크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르, 메타크릴산-4-하이드록시메틸-사이클로헥실메틸에스테르가 바람직하다.Among these radical polymerizable monomers having hydroxyl groups, from the viewpoints of the copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and the heat resistance of the obtained interlayer insulating film, it is preferable to use acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, 4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, 4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl acrylate, methacrylic acid- Methyl-cyclohexyl methyl ester is preferred.

그 외의 라디칼 중합성 단량체의 예로서는,Examples of other radically polymerizable monomers include,

아크릴산 메틸, 아크릴산 i-프로필 등의 아크릴산 알킬에스테르; Acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;

메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸 등의 메타크릴산 알킬에스테르; Methacrylic acid alkyl esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, and t-butyl methacrylate;

아크릴산 사이클로헥실, 아크릴산-2-메틸사이클로헥실, 아크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산-2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, 아크릴산 이소보르닐 등의 아크릴산 지환식 알킬에스테르; Acrylic acid-tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, acrylic acid -2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8- yloxy Acrylic acid alicyclic alkyl esters such as ethyl and isobornyl acrylate;

메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산-2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산-2-(트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시)에틸, 메타크릴산 이소보르닐 등의 메타크릴산 지환식 알킬에스테르; 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, 2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decan-8-yloxy) ethyl methacrylate, isobornyl methacrylate and the like;

아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질 등의 아크릴산의 아릴에스테르 및 아크릴산의 아르알킬에스테르; Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate, and aralkyl esters of acrylic acid;

메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질 등의 메타크릴산의 아릴에스테르 및 메타크릴산의 아르알킬에스테르;  Aralkyl esters of methacrylic acid and aryl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate;

말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등의 디카본산 디알킬에스테르; Dicarboxylic acid dialkyl esters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconate;

메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 메타크릴산 테트라하이드로푸릴, 메타크릴산 테트라하이드로피란-2-메틸 등의 산소 1원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 메타크릴산 에스테르 및 불포화 복소 6원환 메타크릴산 에스테르; Unsaturated complex 5-membered cyclic methacrylate esters containing one oxygen atom such as tetrahydrofuranyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate, and tetrahydropyran-2-methyl methacrylate, and unsaturated complex 6-membered methacrylic acid esters ;

4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-사이클로헥실-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-메타크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란 등의 산소 2원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 메타크릴산 에스테르; 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl- , 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl- 2-methyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, and the like; unsaturated heterocyclic 5-membered cyclic methacrylate esters containing two oxygen atoms such as methacryloyloxymethyl-

4-아크릴로일옥시메틸-2,2-디메틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2,2-디에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-이소부틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-사이클로펜틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시메틸-2-사이클로헥실-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시에틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시프로필-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, 4-아크릴로일옥시부틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란 등의 산소 2원자를 포함하는 불포화 복소 5원환 아크릴산 에스테르; 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl- 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxy Methyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4- acryloyloxyethyl- Ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl- Unsaturated heterocyclic 5-membered ring acrylate esters containing two oxygen atoms such as 1,3-dioxolane;

스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, 4-이소프로페닐페놀 등의 비닐 방향족 화합물; Vinyl aromatic compounds such as styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, and 4-isopropenylphenol;

N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등의 N위치 치환 말레이미드; N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N- Maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;

1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등의 공액 디엔계 화합물; Conjugated diene-based compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;

아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아세트산 비닐 등의 그 외의 불포화 화합물을 들 수 있다.And other unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride, and vinyl acetate.

이들 그 외의 라디칼 중합성 단량체 중, 스티렌, 4-이소프로페닐페놀, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 테트라하이드로푸르푸릴, 1,3-부타디엔, 4-아크릴로일옥시메틸-2-메틸-2-에틸-1,3-디옥소란, N-사이클로헥실말레이미드, N-페닐말레이미드, 메타크릴산 벤질 등이, 상기의 반응 관능기를 갖는 라디칼 중합성 단량체와의 공중합 반응성 및, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 현상성의 점에서 바람직하다.Among these other radical polymerizable monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, methacrylic tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, methacrylic acid tetrahydrofurfuryl, 1,3-butadiene , 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide and benzyl methacrylate. From the viewpoint of copolymerization reactivity with the radically polymerizable monomer having a carboxyl group and the developability of the positive-tone radiation-sensitive composition.

[A] 중합체의 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(이하, 「Mw」라고 함)은, 바람직하게는 2.0×103∼1.0×105, 보다 바람직하게는 5.0×103∼5.0×104이다. [A] 중합체의 Mw를 상기 범위로 함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 방사선 감도 및 알칼리 현상성을 높일 수 있다.The polystyrene reduced mass average molecular weight (hereinafter referred to as &quot; Mw &quot;) of the polymer [A] by GPC (gel permeation chromatography) is preferably 2.0 x 10 3 to 1.0 x 10 5 , 3 to 5.0 x 10 &lt; 4 & gt ;. By setting the Mw of the polymer [A] within the above range, the radiation sensitivity and alkali developability of the positive radiation-sensitive composition can be increased.

또한, [A] 중합체의 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산 수평균 분자량(이하, 「Mn」이라고 함)은, 바람직하게는 2.0×103∼1.0×105, 보다 바람직하게는 5.0×103∼5.0×104이다. 공중합체의 Mn를 상기 범위로 함으로써, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막의 경화시의 경화 반응성을 향상시킬 수 있다.The polystyrene reduced number average molecular weight (hereinafter referred to as &quot; Mn &quot;) of the polymer [A] by GPC (gel permeation chromatography) is preferably 2.0 x 10 3 to 1.0 x 10 5 , more preferably 5.0 × 10 3 to 5.0 × 10 4 . By setting the Mn of the copolymer within the above range, the curing reactivity upon curing of the coating film of the positive radiation-sensitive composition can be improved.

또한, [A] 중합체의 분자량 분포 「Mw/Mn」는, 바람직하게는 3.0 이하, 보다 바람직하게는 2.6 이하이다. [A] 중합체의 Mw/Mn를 3.0 이하로 함으로써, 얻어지는 층간 절연막의 현상성을 높일 수 있다. [A] 중합체를 포함하는 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 현상할 때에 현상 잔사를 발생시키는 일 없이 용이하게 소망하는 패턴 형상을 형성할 수 있다.The molecular weight distribution &quot; Mw / Mn &quot; of the polymer [A] is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. By setting the Mw / Mn of the polymer [A] to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film can be enhanced. The positive-tone radiation-sensitive composition containing the polymer [A] can easily form a desired pattern shape without causing development residue during development.

<[A] 중합체의 제조 방법>&Lt; Process for producing [A] polymer &gt;

[A] 중합체는, 아세탈 구조 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 그 외의 구조 단위를 부여하는 단량체의 라디칼 공중합에 의해 제조할 수 있다. 동일한 중합체 분자에 구조 단위(1) 및 에폭시기 함유 구조 단위의 양쪽을 포함하는 [A] 중합체를 제조하는 경우는, 적어도 아세탈 구조 함유 단량체와 에폭시기 함유 단량체를 포함하는 혼합물을 이용하여 공중합시키면 좋다. 한편, 하나의 중합체 분자에 구조 단위(1)를 갖고, 그리고 그것과는 상이한 중합체 분자에 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 [A] 중합체를 제조하는 경우는, 적어도 아세탈 구조 함유 단량체를 포함하는 중합성 용액을 라디칼 중합시켜 구조 단위(1)를 갖는 중합체 분자를 얻어 두고, 별도로 적어도 에폭시기 함유 단량체를 포함하는 중합성 용액을 라디칼 중합시켜 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체 분자를 얻어, 마지막에 양자를 혼합하여 [A] 중합체로 하면 좋다.The polymer [A] can be produced by radical copolymerization of an acetal structure-containing monomer, an epoxy group-containing monomer and a monomer giving another structural unit. When the polymer [A] containing both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit is produced in the same polymer molecule, it may be copolymerized using a mixture containing at least an acetal structure-containing monomer and an epoxy group-containing monomer. On the other hand, in the case of producing a polymer [A] having a structural unit (1) in one polymer molecule and an epoxy group-containing structural unit in a polymer molecule different therefrom, the polymerizable solution containing at least an acetal structure- To obtain a polymer molecule having the structural unit (1), and at least a polymerizable solution containing at least an epoxy group-containing monomer is radically polymerized to obtain a polymer molecule having an epoxy group-containing structural unit, and finally, A] polymer.

[A] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화 수소류, 케톤류, 기타 에스테르류 등을 들 수 있다.Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the polymer [A] include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol mono Alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

이들 용매로서는,As these solvents,

알코올류로서, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올 등; Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like;

에테르류로서, 예를 들면 테트라하이드로푸란 등; As the ethers, for example, tetrahydrofuran and the like;

글리콜에테르로서, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등; As the glycol ether, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and the like;

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트로서, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등; As the ethylene glycol alkyl ether acetate, for example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate and the like;

디에틸렌글리콜알킬에테르로서, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등; As the diethylene glycol alkyl ether, for example, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like;

프로필렌글리콜모노알킬에테르로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등; As the propylene glycol monoalkyl ether, for example, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like;

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등; As the propylene glycol monoalkyl ether acetate, for example, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like;

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서, 예를 들면 프로필렌모노글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, and propylene glycol monobutyl ether propionate;

방향족 탄화수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등; As aromatic hydrocarbons, for example, toluene, xylene and the like;

케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등; As the ketone, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like;

기타 에스테르류로서는, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸, 2-부톡시프로피온산 메틸, 2-부톡시프로피온산 에틸, 2-부톡시프로피온산 프로필, 2-부톡시프로피온산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 프로필, 3-메톡시프로피온산 부틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 프로필, 3-에톡시프로피온산 부틸, 3-프로폭시프로피온산 메틸, 3-프로폭시프로피온산 에틸, 3-프로폭시프로피온산 프로필, 3-프로폭시프로피온산 부틸, 3-부톡시프로피온산 메틸, 3-부톡시프로피온산 에틸, 3-부톡시프로피온산 프로필, 3-부톡시프로피온산 부틸 등의 에스테르류를 각각 들 수 있다.Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy- Hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, butyl hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, ethoxyacetic acid Propyl, butyl, ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propoxyacetate Methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, Ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2- Methoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, A field, 3-propoxy propionate, butyl propionate, methyl 3-butoxy, 3-butoxy-ethyl, 3-butoxy propyl propionate, butyl propionate, 3-butoxy, etc. of esters there may be mentioned, respectively.

이들 용매 중, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 메톡시아세트산 부틸이 바람직하고, 특히, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메톡시아세트산 부틸이 바람직하다.Of these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferable, and diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl Ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferable.

[A] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면,As the polymerization initiator used in the polymerization reaction for producing the polymer [A], those generally known as radical polymerization initiators can be used. As the radical polymerization initiator, for example,

2,2'- 아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸) 등의 아조 화합물; (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethyl Azo compounds such as 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate);

벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1'-비스-(t-부틸퍼옥시)사이클로헥산 등의 유기 과산화물; 및 과산화 수소를 들 수 있다.Organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butyl peroxy pivalate, 1,1'-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; And hydrogen peroxide.

라디칼 중합 개시제로서 과산화물을 이용하는 경우에는, 과산화물을 환원제와 함께 이용하여 레독스(redox)형 개시제로 해도 좋다.When a peroxide is used as the radical polymerization initiator, the peroxide may be used as a redox-type initiator together with a reducing agent.

[A] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에 있어서, 분자량을 조정하기 위해, 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제의 구체예로서는,In the polymerization reaction for producing the polymer [A], a molecular weight regulator may be used to adjust the molecular weight. As specific examples of the molecular weight adjuster,

클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화 수소류; Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;

n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid;

디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐지술피드 등의 잔토겐류; Azotrienols such as dimethylguanidine sulfide, diisopropylguanogen sulfide and the like;

테르피놀렌, α-메틸스티렌다이머 등을 들 수 있다.Terpinolene, alpha -methylstyrene dimer, and the like.

<[B] 광산 발생체><[B] Mineral Generator>

[B] 광산 발생체는, 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이다. 여기에서, 방사선으로서는, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 사용할 수 있다. 당해 조성물이 [B] 광산 발생체와 산해리성기를 갖는 [A] 중합체를 포함함으로써, 포지티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있다. [B] 광산 발생체는, 방사선의 조사에 의해 산(예를 들면, 카본산, 술폰산 등)을 발생시키는 화합물인 한, 특별히 한정되지 않는다. [B] 광산 발생체의 당해 조성물에 있어서의 함유 형태로서는, 후술하는 화합물인 광산 발생체(이하, 「[B] 광산 발생체」라고 칭하는 경우가 있음)의 형태라도, [A] 중합체 또는 기타 중합체의 일부로서 편입된 광산 발생기의 형태라도, 이들 양쪽의 형태라도 좋다. [B] The photoacid generator is a compound which generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, and the like can be used. When the composition contains a [A] polymer having a [B] photo-acid generator and an acid-dissociable group, a positive radiation-sensitive property can be exhibited. The [B] photoacid generator is not particularly limited as long as it is a compound which generates an acid (for example, a carboxylic acid, a sulfonic acid, or the like) upon irradiation with radiation. The form of the [B] photoacid generator in the composition may be in the form of a photoacid generator (hereinafter sometimes referred to as "[B] photoacid generator") which is a compound to be described later, Or may be in the form of a photo-acid generator incorporated as a part of the polymer, or in both of them.

[B] 광산 발생체로서는, 옥심술포네이트 화합물, 오늄염, 술폰이미드 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조메탄 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 에스테르화 화합물, 카본산 에스테르 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the [B] photoacid generator include an oxime sulfonate compound, an onium salt, a sulfonimide compound, a halogen-containing compound, a diazomethane compound, a sulfone compound, a sulfonate esterified compound and a carbonic acid ester compound.

(옥심술포네이트 화합물)(Oxime sulfonate compound)

상기 옥심술포네이트 화합물로서는, 상기식 (3)으로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물이 바람직하다.As the oxime sulfonate compound, a compound containing an oxime sulfonate group represented by the formula (3) is preferable.

RB1의 직쇄상 또는 분기상 알킬기로서는 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. 또한, RB1의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 또는 사이클로알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부는, 탄소수 1∼10의 알콕시기 또는 지환식기 (7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식(有橋式) 지환기를 포함하는, 바람직하게는 바이사이클로알킬기 등) 등으로 치환되어 있어도 좋다. RB1의 아릴기로서는 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 더욱 바람직하다. RB1의 아릴기는 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자 등으로 치환되어도 좋다.As the straight chain or branched alkyl group represented by R B1 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. A part or all of the hydrogen atoms of the straight chain or branched alkyl group or cycloalkyl group represented by R B1 is an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, (Including bridged) alicyclic groups, preferably a bicycloalkyl group, etc.). The aryl group represented by R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group of R B1 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen atom.

상기식 (3)으로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 상기 화합물은, 하기식 (3-1)로 나타나는 옥심술포네이트 화합물인 것이 더욱 바람직하다.It is more preferable that the compound containing an oxime sulfonate group represented by the formula (3) is an oxime sulfonate compound represented by the following formula (3-1).

Figure 112011025778016-pat00007
Figure 112011025778016-pat00007

상기식 (3-1)에 있어서, RB1은 상기식 (3)에 있어서의 RB1의 설명과 동일한 의미이다. Z는 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다. M은 0∼3의 정수이다. m이 2 또는 3일 때, 복수의 Z는 동일해도 상이해도 좋다. Z로서의 알킬기는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.In the formula (3-1), R B1 is a description of the same meaning of R B1 in the formula (3). Z is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. M is an integer of 0 to 3; When m is 2 or 3, plural Zs may be the same or different. The alkyl group as Z is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

Z로서의 알콕시기로서는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다. Z로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다. M은 0 또는 1이 바람직하다. 특히, 상기식 (3-1)에 있어서, m이 1, Z가 메틸기이며, Z의 치환 위치가 오르토인 화합물이 바람직하다.As the alkoxy group as Z, a straight-chain or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. The halogen atom as Z is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. M is preferably 0 or 1. Particularly, a compound in which m is 1, Z is a methyl group, and Z is a substituted position in the formula (3-1) is preferable.

옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 하기식 (3-i)∼(3-v)로 각각 나타나는 화합물(3-i), 화합물(3-ii), 화합물(3-iii), 화합물(3-iv) 및 화합물(3-v) 등을 들 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound include compounds (3-i), (3-ii), (3-iii), Compounds (3-iv) and (3-v).

Figure 112011025778016-pat00008
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이들 산발생제는 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있고, [B]성분으로서의 기타 광산 발생체와 조합하여 사용할 수도 있다. 상기 화합물(3-i)[(5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], 화합물(3-ii)[(5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], 화합물(3-iii)[(캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], 화합물(3-iv)[(5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴] 및 화합물(3-v)[(5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴]은, 시판품으로서 입수할 수 있다.These acid generators may be used singly or in combination of two or more, and may be used in combination with other photoacid generators as the [B] component. (3-i) [(5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] (3-iii) [(camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] -Methylphenyl) acetonitrile], the compound (3-iv) [(5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen- ) [(5-octylsulfonyloxyimino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile] is commercially available.

(오늄염)(Onium salt)

오늄염으로서는, 디페닐요오도늄염, 트리페닐술포늄염, 술포늄염, 벤조티아조늄염, 테트라하이드로티오페늄염 등을 들 수 있다.Examples of the onium salts include diphenyl iodonium salts, triphenylsulfonium salts, sulfonium salts, benzothiazonium salts, and tetrahydrothiophenium salts.

디페닐요오도늄염으로서는, 예를 들면, 디페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄-p-톨루엔술포네이트, 디페닐요오도늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄트리플루오로아세테이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄-p-톨루엔술포네이트, 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄캠퍼술폰산 등을 들 수 있다.Examples of the diphenyl iodonium salt include diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium hexafluorophosphate, diphenyl iodonium hexafluoroarsenate, diphenyl iodonium Diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium-p-toluene sulfonate, diphenyl iodonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate, 4- Bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis Butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium- Sulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, and the like.

트리페닐술포늄염으로서는, 예를 들면, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄캠퍼술폰산, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, and the like.

술포늄염으로서는, 예를 들면, 알킬술포늄염, 벤질술포늄염, 디벤질술포늄염, 치환 벤질술포늄염 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts and substituted benzylsulfonium salts.

알킬술포늄염으로서는, 예를 들면 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-4-(벤질옥시카보닐옥시)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-3-클로로-4-아세톡시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenyl (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro 4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.

벤질술포늄염으로서는, 예를 들면 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-2-메틸-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexa 4-methoxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro- 4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, and the like.

디벤질술포늄염으로서는, 예를 들면 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-메톡시페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 디벤질-3-메틸-4-하이드록시-5-t-부틸페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시벤질-4-하이드록시페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of dibenzylsulfonium salts include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium Dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3- Methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like.

치환 벤질술포늄염으로서는, 예를 들면 p-클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-니트로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, p-클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, p-니트로벤질-3-메틸-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 3,5-디클로로벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, o-클로로벤질-3-클로로-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the substituted benzylsulfonium salt include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p -Chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl- Hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and the like.

벤조티아조늄염으로서는, 예를 들면, 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄헥사플루오로포스페이트, 3-벤질벤조티아조늄테트라플루오로보레이트, 3-(p-메톡시벤질)벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-2-메틸티오벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-5-클로로벤조티아조늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p- 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like can be used. .

테트라하이드로티오페늄염으로서는, 예를 들면, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄노나플루오로-n-부탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(5-t-부톡시카보닐옥시바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트, 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라하이드로티오페늄-2-(6-t-부톡시카보닐옥시바이사이클로[2.2.1]헵탄-2-일)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄술포네이트 등을 들 수 있다.Examples of the tetrahydrothiophenium salt include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalene- 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1,2,2-tetrafluoro-2- (norbornan- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoro-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -benzenesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophene- ) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, and the like.

(술폰이미드 화합물)(Sulfonimide compound)

술폰이미드 화합물로서는, 예를 들면, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(2-플루오로페닐술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)디페닐말레이미드, 4-메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메탄술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(노나플루오로부탄술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)-7-옥사바이사이클로[2.2.1]헵토-5-엔-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)바이사이클로[2.2.1]헵탄-5,6-옥시-2,3-디카복실이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(캠퍼술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(펜타플루오로에틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헵타플루오로프로필술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(노나플루오로부틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(에틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(프로필술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(부틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(펜틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헥실술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(헵틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(옥틸술포닐옥시)나프틸디카복실이미드, N-(노닐술포닐옥시)나프틸디카복실이미드 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide , N- (2-trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- - (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- Methylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) Maleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] hept-5-en-2 , 3-dicarboxyimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) Cyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- (Camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [ 2,1-hept-5-ene-2,3-dicarboxylic imide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2. 1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hepto- N- (2-trifluoromethylphen &lt; / RTI &gt; 2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] 2,3-dicarboxylic imide, N (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hepto-5- - (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- 5,6-oxy-2,3-dicarboxylic imide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- 2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyldicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N - (4-methylphenyl (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (4-fluorophenyl) naphthyldicarbamylimide, N- (Pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (nonafluoro-sulfonyloxy) (Propylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyldicarbide, N-ethylsulfonyloxy) naphthyldicarbamylimide, N- (Hexylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N- Naphthyldicarboxylic imide, and N- (nonylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide.

(할로겐 함유 화합물)(Halogen-containing compound)

할로겐 함유 화합물로서는, 예를 들면, 할로알킬기 함유 탄화수소 화합물, 할로알킬기 함유 헤테로 환상 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the halogen-containing compound include a haloalkyl group-containing hydrocarbon compound and a haloalkyl group-containing heterocyclic compound.

(디아조메탄 화합물)(Diazomethane compound)

디아조메탄 화합물로서는, 예를 들면, 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(사이클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨릴술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-자일릴술포닐)디아조메탄, 비스(p-클로로페닐술포닐)디아조메탄, 메틸술포닐-p-톨루엔술포닐디아조메탄, 사이클로헥실술포닐(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 페닐술포닐(벤조일)디아조메탄 등을 들 수 있다.Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane and the like.

(술폰 화합물)(Sulfone compound)

술폰 화합물로서는, 예를 들면, β-케토술폰 화합물, β-술포닐술폰 화합물, 디아릴디술폰 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the sulfone compound include a? -Ketosulfone compound, a? -Sulfonyl sulfone compound, a diaryl sulfone compound, and the like.

(술폰산 에스테르 화합물)(Sulfonic acid ester compound)

술폰산 에스테르 화합물로서는, 예를 들면, 알킬술폰산 에스테르, 할로알킬술폰산 에스테르, 아릴술폰산 에스테르, 이미노술포네이트 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonic acid ester compound include alkylsulfonic acid esters, haloalkylsulfonic acid esters, arylsulfonic acid esters, iminosulfonates, and the like.

(카본산 에스테르 화합물)(Carbonic acid ester compound)

카본산 에스테르 화합물로서는, 예를 들면, 카본산 o-니트로벤질에스테르를 들 수 있다.As the carbonic acid ester compound, for example, carbonic acid o-nitrobenzyl ester can be mentioned.

이들 [B] 광산 발생체 중에서도, 방사선 감도, 용매 등으로의 용해성의 관점에서, 옥심술포네이트 화합물이 바람직하고, 상기식 (3)으로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물이 보다 바람직하고, 상기식 (3-1)로 나타나는 옥심술포네이트 화합물이 더욱 바람직하고, 그 중에서도 시판품으로서 입수 가능한, [(5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], [(5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], [(5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], [(캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴], [(5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴]이 특히 바람직하다.Among these [B] photoacid generators, oxime sulfonate compounds are preferable from the viewpoints of radiation sensitivity and solubility in solvents, compounds containing oxime sulfonate groups represented by the above formula (3) are more preferable, The oximesulfonate compound represented by the above formula (3-1) is more preferable, and among them, [(5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2- Methylphenyl) acetonitrile], [(5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - Thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile], [(5-methylphenyl) acetonitrile] Octylsulfonyloxyimino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile] are particularly preferred.

또한, 오늄염도 바람직하고, 테트라하이드로티오페늄염 및 벤질술포늄염이 보다 바람직하고, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 및 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트가 특히 바람직하다.Onium salts are also preferable, and tetrahydrothiophenium salts and benzylsulfonium salts are more preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and benzyl- 4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate is particularly preferred.

[B] 광산 발생체는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 당해 조성물에 있어서의 [B] 광산 발생체로서의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1질량부∼10질량부, 보다 바람직하게는 1질량부∼5질량부이다. [B] 광산 발생체의 함유량이 상기 범위에 있으면, 당해 조성물의 방사선 감도를 최적화하여, 투명성을 유지하면서 전압 보전율이 높은 층간 절연막을 형성할 수 있다.As the [B] photo-acid generator, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. The content of the [B] photoacid generator in the composition is preferably 0.1 part by mass to 10 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the polymer [A]. When the content of the [B] photo-acid generator is in the above range, the radiation sensitivity of the composition is optimized, and an interlayer insulating film having a high voltage holding ratio can be formed while maintaining transparency.

<[C] 장쇄 알킬기 함유 화합물><[C] Long chain alkyl group-containing compound>

[C] 장쇄 알킬기 함유 화합물은, 상기식 (2)로 나타나는 화합물이며, 구체적으로는, 1분자 중에 소수성을 나타내는 X(탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기)와 양 말단 또는 한쪽 말단에 관능기를 갖고 있다.The [C] long chain alkyl group-containing compound is a compound represented by the above formula (2), specifically, X (divalent straight chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms), which exhibits hydrophobicity in one molecule, Lt; / RTI &gt;

이러한 [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물은, 가열 또는 현상액 중의 알칼리 성분을 촉매로 하여 [A]성분의 일부와 반응하기 때문에, 경화막의 경도 및 밀도를 향상시킬 수 있다. 이 경화막의 경도 및 밀도의 향상에 의해, 각종의 내성, 예를 들면, 산, 알칼리 수용액, 유기 용매나 에칭 가스 등에 대한 내성이 향상하여, 패턴 결손의 억제에 현저한 효과를 발휘할 수 있다.The [C] long chain alkyl group-containing compound reacts with a part of the [A] component using heating or an alkali component in the developer as a catalyst, so that the hardness and density of the cured film can be improved. By improving the hardness and density of the cured film, resistance to various kinds of resistances such as acid, alkali aqueous solution, organic solvent, etching gas and the like is improved, and a remarkable effect can be exhibited in suppressing pattern defects.

또한, [A]성분의 일부와 반응한 [C]성분은 소수성을 나타내는 장쇄 알킬기를 갖기 때문에, 경화 부분의 알칼리 현상액에 대한 소수성이 향상된다. 한편, 미반응의 [C]성분은 관능기가 친수성이기 때문에, 미경화 부분의 친수성을 발휘할 수 있다. 따라서 당해 조성물에 의하면, 저온에서의 프리베이킹이나, 현상 시간의 증가 등 , 경화막 형성 조건이 변화된 경우에 있어서도, [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물이 완충 작용을 발휘함으로써, 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 안정되게 발휘할 수 있다.Furthermore, since the [C] component reacted with a part of the [A] component has a long-chain alkyl group exhibiting hydrophobicity, the hydrophobicity of the cured portion to the alkali developer is improved. On the other hand, since the functional group of the unreacted [C] component is hydrophilic, the hydrophilic property of the uncured portion can be exerted. Therefore, according to this composition, even when the conditions for forming the cured film are changed such as pre-baking at a low temperature or an increase in development time, the long-chain alkyl group-containing compound [C] exhibits a buffering action, Can be stably exhibited.

또한, 이 [C]성분의 함유에 의해서도, 얻어지는 경화막의 광선 투과율 및 전압 보전율에 미치는 영향은 작고, 당해 조성물로부터 얻어지는 경화막은 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 발휘할 수 있다.Also, even if the content of the component [C] is contained, the effect on the light transmittance and the voltage holding ratio of the obtained cured film is small, and the cured film obtained from the composition can exhibit a high light transmittance and a voltage holding ratio.

또한, X의 탄소수가 5 이하의 경우는, 양 말단 또는 한쪽 말단의 친수성이 강하게 발현되기 때문에, 현상능을 과잉으로 촉진하는 경향에 있고, 반대로 X의 탄소수가 21 이상의 경우는, 현상성을 저하시키는 경향에 있어, 현상 잔사 발생 등의 원인이 된다.When the carbon number of X is 5 or less, the hydrophilicity of both ends or one end is strongly expressed, so that the development ability is excessively promoted. Conversely, when the number of carbon atoms of X is 21 or more, Resulting in the development of residual phenomena and the like.

X는, 탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기이지만, 불포화 결합을 포함하지 않는 탄소수 6∼20의 2가의 알킬렌기가 바람직하다. 또한, 이 직쇄상 지방족 탄화수소기는, 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환되어 있어도 좋다.X is a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, but is preferably a divalent alkylene group having 6 to 20 carbon atoms and not containing an unsaturated bond. The straight-chain aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a part or all of the hydrogen atoms.

이러한 [C]성분의 구체예로서는, 예를 들면, 이하에 나타내는 지방산, 알코올, 에스테르류, 술폰산, 에폭시 화합물 등의 화합물을 들 수 있다.As specific examples of the [C] component, there may be mentioned, for example, the following fatty acids, alcohols, esters, sulfonic acids, and epoxy compounds.

탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기를 갖는 지방산으로서는, 카프릴산(caprylic acid), 펠라르곤산(pelargonic acid), 카프르산(capric acid), 라우르산, 미리스트산, 펜타데실산, 팔미트산, 팔미톨레산, 마르가르산(margaric acid), 스테아르산, 올레산, 바크센산(vaccenic acid), 리놀레산(linoleic acid), 리놀렌산(linolenic acid), 엘레오스테아르산(eleostearic acid), 투베르쿨로스테아르산(tuberculostearic acid), 아라키드산(arachidic acid), 아라키돈산(arachidonic acid), 데칸 2산, 헥사데칸 2산, 헵타데칸 2산, 노나데칸 2산, 옥타데칸 2산, 펜타데칸 2산, 트리데칸 2산, 테트라데칸 2산, 스테아르산 글리시딜, 팔미트산 글리시딜, cis-9-헥사데센산, 엘라이드산(elaidic acid) 등을 들 수 있다. Examples of the fatty acid having a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include caprylic acid, pelargonic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, Linolenic acid, linolenic acid, eleostearic acid, fumaric acid, palmitoleic acid, palmitoleic acid, margaric acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, linolenic acid, , Tuberculostearic acid, arachidic acid, arachidonic acid, decanedioic acid, hexadecanedioic acid, heptadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, octadecanedioic acid, octadecanedioic acid, , Pentadecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, glycidyl stearate, glycidyl palmitate, cis-9-hexadecenoic acid, and elaidic acid.

탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기로서는, n-헥실알코올, n-헵틸알코올, n-옥틸알코올, n-노닐알코올, n-데실알코올, n-운데실알코올, n-도데실알코올, n-헵타데칸올, n-옥타데칸올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올, 1,11-운데칸디올, 1,12-도데칸디올, trans-9-옥타데센올, 올레일알코올, trans-2-도데센올 등을 들 수 있다.Examples of the divalent straight chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include n-hexyl alcohol, n-heptyl alcohol, n-octyl alcohol, n-nonyl alcohol, n-decyl alcohol, octadecanol, 1,8-octanediol, 1,9-nonanediol, 1,10-decanediol, 1,11-undecanediol, 1,12-dodecanediol, trans-9-octadecenol, oleyl alcohol, trans-2-dodecenol, and the like.

탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기를 갖는 에스테르류로서는, 카프릴산 메틸, 카프릴산 에틸, 펠라르곤산 메틸, 펠라르곤산 에틸, 카프르산 메틸, 카프르산 에틸, 라우르산 메틸, 라우르산 에틸, 미리스트산 메틸, 펜타데실산 메틸, 팔미트산 메틸, 팔미톨레산 메틸, 마르가르산 메틸, 스테아르산 메틸, 올레산 메틸, 바크센산 메틸, 리놀산 메틸, 리놀렌산 메틸, 엘레오스테아르산 메틸, 투베르쿨로스테아르산 메틸, 아라키드산 메틸, 아라키돈산 메틸 등을 들 수 있다. Examples of esters having a divalent straight chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include methyl caprylate, ethyl caprylate, methyl pelargonate, ethyl pelargonate, methyl caprate, caprylate, lauric acid And examples thereof include methyl, ethyl laurate, methyl myristate, methyl pentadecylate, methyl palmitate, methyl palmitoleate, methyl margarate, methyl stearate, methyl oleate, methyl myristate, methyl linoleate, methyl linolenate, Methyl stearate, methyl stearate, methyl stearate, methyl arachidonate, and methyl arachidonate.

탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기를 갖는 술폰산으로서는, 1-도데칸술폰산, 1-운데칸술폰산, 도데실벤젠술폰산, 1-노난술폰산 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonic acid having a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include 1-dodecane sulfonic acid, 1-undecane sulfonic acid, dodecylbenzene sulfonic acid and 1-nonane sulfonic acid.

탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기를 갖는 에폭시 화합물(R4 및/또는 R5가, 상기식 (i)∼(iii)의 어느 것으로 나타나는 화합물)로서는,As the epoxy compound having a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms (a compound represented by any one of the above formulas (i) to (iii) as R 4 and / or R 5 )

1,2-에폭시테트라데칸, 1,2-에폭시헥사데칸, 1,2-에폭시데칸, 1,2-에폭시헵타데칸, 1,2-에폭시노나데칸, 1,2-에폭시옥타데칸, 1,2-에폭시펜타데칸, 스테아르산 글리시딜, 팔미틴산 글리시딜 등의 R4 및/또는 R5가, 상기식 (i)로 나타나는 화합물,1,2-epoxytetradecane, 1,2-epoxyhexadecane, 1,2-epoxydecane, 1,2-epoxyheptadecane, 1,2-epoxynonadecane, 1,2- epoxy pentadecane, the compound is a glycidyl stearate, glycidyl palmitate, R 4 and / or R 5, such as dill, represented by the above formula (i),

1-(3,4-에폭시사이클로헥실)-데칸, 1-(3,4-에폭시사이클로헥실)-도데칸, 1-(3,4-에폭시사이클로헥실)-테트라데칸, 1-(3,4-에폭시사이클로헥실)-헥사데칸 등의 R4 및/또는 R5가, 상기식 (ii)로 나타나는 화합물,1- (3,4-epoxycyclohexyl) -decane, 1- (3,4-epoxycyclohexyl) -dodecane, 1- - epoxycyclohexyl) - compound is R 4 and / or R 5, such as hexadecane, represented by the above formula (ii),

3-옥틸옥세탄, 3-에틸-3-옥틸옥세탄, 3-노닐옥세탄, 3-에틸-3-노닐옥세탄 등의 R4 및/또는 R5가, 상기식 (iii)으로 나타나는 화합물R 4 and / or R 5 such as 3-octyloxetane, 3-ethyl-3-octyloxetane, 3-nonyloxetane and 3-ethyl-

을 들 수 있다..

또한, [C]성분이, 에폭시 화합물(R4 및/또는 R5가, 상기식 (i)∼(iii)의 어느 것으로 나타나는 화합물)인 경우는, 가열 등에 의해 [A] 중합체와, 상기 [C]성분이 특히 강고하게 결합할 수 있기 때문에, 경화막의 밀도 및 소수성의 상승 효과가 현저하게 나타난다. 따라서, [C]성분으로서 에폭시 화합물을 이용한 경우, 당해 조성물의 경화막 형성 조건의 변화 대응성이 더욱 높아져, 보다 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 발휘할 수 있다.When the component [C] is an epoxy compound (a compound in which R 4 and / or R 5 is represented by any one of the above formulas (i) to (iii)), the polymer [A] C] component can bond particularly strongly, a synergistic effect of the density and hydrophobicity of the cured film is remarkable. Therefore, when an epoxy compound is used as the [C] component, the changeability of the cured film forming conditions of the composition is further improved, and more excellent developability and pattern forming property can be exhibited.

또한, [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물로서는, 이소시아네이트기를 갖는 화합물과 수산기를 갖는 화합물과의 반응으로 얻어지는 우레탄기를 갖는 화합물, 아미노기를 갖는 화합물과 카복실기를 갖는 화합물과의 반응으로 얻어지는 아미드기를 갖는 화합물, 카복실기를 갖는 화합물과 수산기를 갖는 화합물과의 반응으로 얻어지는 에스테르기를 갖는 화합물 등을 들 수 있고, 이러한 화합물로서는, 구체적으로는 하기식 (2-1)∼(2-4)로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the [C] long chain alkyl group-containing compound include compounds having an urethane group obtained by reacting a compound having an isocyanate group and a compound having a hydroxyl group, compounds having an amide group obtained by a reaction between a compound having an amino group and a compound having a carboxyl group, And compounds having an ester group obtained by the reaction of a compound having a group and a compound having a hydroxyl group. Specific examples of such a compound include compounds represented by the following formulas (2-1) to (2-4) have.

Figure 112011025778016-pat00009
Figure 112011025778016-pat00009

상기 [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물 중에서도, 특히 현상성 및 패턴 형성성의 관점에서, 팔미트산, 스테아르산, 테트라데칸 이산 등의 지방산, 1-도데칸올, 1,12-도데칸디올 등의 알코올, 1,2-에폭시테트라데칸, 1,2-에폭시헥사데칸, 스테아르산 글리시딜, 1,3-에폭시-2-에틸-2-도데칸 등의 에폭시 화합물, 1-도데칸술폰산의 술폰산 등이 바람직하다.Among the above-mentioned [C] long chain alkyl group-containing compounds, from the viewpoint of developability and pattern forming property, fatty acids such as palmitic acid, stearic acid and tetradecanedioic acid, alcohols such as 1-dodecanol, 1,12-dodecanediol, Epoxy compounds such as 1,2-epoxytetradecane, 1,2-epoxyhexadecane, glycidyl stearate and 1,3-epoxy-2-ethyl-2-dodecane, sulfonic acid of 1-dodecane sulfonic acid, desirable.

[C] 장쇄 알킬기 함유 화합물은, 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 당해 감방사선성 조성물에 있어서 [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물의 사용량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼20질량부, 더욱 바람직하게는 0.05∼15질량부이다. [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물의 사용량을 상기 범위로 함으로써, 경화막 형성 조건이 변화된 경우도, 현상성이나 패턴 형성성을 효과적으로 발휘할 수 있다.The [C] long chain alkyl group-containing compounds may be used alone or in combination of two or more. The amount of the [C] long chain alkyl group-containing compound in the radiation sensitive composition is preferably from 0.01 to 20 parts by mass, more preferably from 0.05 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of the polymer [A]. By setting the amount of the [C] long chain alkyl group-containing compound to fall within the above range, developability and pattern forming property can be effectively exerted even when the cured film forming conditions are changed.

<그 외의 임의 성분>&Lt; Other optional components &gt;

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기의 [A] ∼[C]성분에 더하여, 소기의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 [D] 계면활성제, [E] 밀착 보조제, [F] 염기성 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등의 그 외의 임의 성분을 함유 할 수 있다.The positive radiation-sensitive composition of the present invention may contain, in addition to the above components [A] to [C], a surfactant [D] F] basic compounds, quinone diazide compounds, and the like.

<[D] 계면활성제>&Lt; [D] Surfactant &gt;

계면활성제는, 당해 조성물의 피막 형성성을 보다 향상시키기 위해 사용할 수 있다. 이러한 계면활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 그 외의 계면활성제를 들 수 있다. 당해 조성물이, [D] 계면활성제를 함유함으로써, 도막의 표면 평활성을 향상할 수 있고, 그 결과, 형성되는 층간 절연막의 막두께 균일성을 더욱 향상할 수 있다.The surfactant can be used to further improve the film formability of the composition. Examples of such surfactants include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and other surfactants. When the composition contains the [D] surfactant, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the uniformity of the film thickness of the formed interlayer insulating film can be further improved.

불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄의 적어도 어느 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하다. 불소계 계면활성제로서는, 예를 들면, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산 나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸, 플루오로알킬벤젠술폰산 나트륨, 플루오로알킬인산 나트륨, 플루오로알킬카본산나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오다이드, 플루오로알킬베타인, 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카본산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다. As the fluorine-containing surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least any of the terminal, main chain and side chain is preferable. Examples of the fluorine-based surfactant include 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2 Hexafluoro-n-hexyl ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di , 2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di , 2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, sodium perfluoro-n-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n- 2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro-n-dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarbonate, diglycerin tetrakis ( Fluoroalkyl polyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkyl betaine, fluoroalkyl polyoxyethylene ether, perfluoro To kill roal polyoxyethylene ethanol, alkyl alkoxylate, a carbonic acid-fluoro-perfluoroalkyl, and the like esters.

불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE사), 메가팩(Megaface) F142D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183, 메가팩 F178, 메가팩 F191, 메가팩 F471, 메가팩 F476(이상, 다이닛폰잉키카가쿠코교 가부시키가이샤 제조), 플루오라드(Fluorad) FC-170C, 플루오라드 FC-171, 플루오라드 FC-430, 플루오라드 FC-431(이상, 스미토모 쓰리엠 가부시키가이샤), 서플론(Surflon) S-112, 서플론 S-113, 서플론 S-131, 서플론 S-141, 서플론 S-145, 서플론 S-382, 서플론 SC-101, 서플론 SC-102, 서플론 SC-103, 서플론 SC-104, 서플론 SC-105, 서플론 SC-106(이상, 아사히가라스 가부시키가이샤), 에프톱(Eftop) EF301, 에프톱 EF303, 에프톱 EF352(이상, 신아키타카세이 가부시키가이샤), 프터젠트(Ftergent) FT-100, 프터젠트 FT-110, 프터젠트 FT-140A, 프터젠트 FT-150, 프터젠트 FT-250, 프터젠트 FT-251, 프터젠트 FT-300, 프터젠트 FT-310, 프터젠트 FT-400S, 프터젠트 FTX-218, 프터젠트 FT-251(이상, 가부시키가이샤 네오스) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the fluorinated surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Megafac F172, Megafac F173, Megafac F183, Fluorad FC-170C, Fluorad FC-171, Fluorad FC-430, Fluorad FC-170, and Fluorad FC- Surflon S-112, Surplon S-113, Surplon S-131, Surplon S-141, Surplon S-145, Surplon S-382, Surflon SC-101, Surflon SC-102, Surflon SC-103, Surflon SC-104, Surflon SC-105, Surflon SC- 106 (available from Asahi Glass Co., Ltd.), Eftop Ftergent FT-100, Ftergent FT-110, Ftergent FT-140A, Ftergent FT-150, Fotogent FT-100, FT-250, Fotent FT-251, Gentry may include FT-300, such as printers Gentry FT-310, FT-400S Gentry printers, printers Gentry FTX-218, printers Gentry FT-251 (above, whether or manufactured by Neos).

실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 토레 실리콘(Toray silicone) DC3PA, 토레 실리콘 DC7PA, 토레 실리콘 SH11PA, 토레 실리콘 SH21PA, 토레 실리콘 SH28PA, 토레 실리콘 SH29PA, 토레 실리콘 SH30PA, 토레 실리콘 SH-190, 토레 실리콘 SH-193, 토레 실리콘 SZ-6032, 토레 실리콘 SF-8428, 토레 실리콘 DC-57, 토레 실리콘 DC-190, SH 8400 FLUID(이상, 토레·다우코닝·실리콘 가부시키가이샤), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 토시바 실리콘 가부시키가이샤), 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤) 등을 들 수 있다.Examples of the silicone surfactant include silicone oils such as Toray silicone DC3PA, Toresilicon DC7PA, Toresilicon SH11PA, Toresilicon SH21PA, Toresilicon SH28PA, Toresilicon SH29PA, Toresilicon SH30PA, Toresilicon SH- (Manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300 (available from Toray Silicone Co., Ltd.), Toray Silicon SZ-603, Toray Silicon SF- , TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452 (manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), and organosiloxane polymer KP341 (Shinetsu Kagakukogyo Co., Ltd.).

이들 [D] 계면활성제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 당해 조성물에 있어서의 [D] 계면활성제의 함유량으로서는, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01질량부 이상 2질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 0.05질량부 이상 1질량부 이하이다. [D] 계면활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써 도막의 표면 평활성을 보다 향상할 수 있다.These [D] surfactants may be used singly or in combination of two or more kinds. The content of the [D] surfactant in the composition is preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass or more and 1 part by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A] . By setting the content of the [D] surfactant within the above range, the surface smoothness of the coating film can be further improved.

<[E] 밀착 보조제><[E] Adhesion aid>

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막과의 접착성을 향상시키기 위해 [E]성분인 밀착 보조제를 사용할 수 있다. 이러한 밀착 보조제로서는, 관능성 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다. 관능성 실란 커플링제의 예로서는, 카복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기(바람직하게는 옥시라닐기), 티올기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제 등을 들 수 있다.In the positive-tone radiation-sensitive composition, in order to improve the adhesion between an inorganic substance serving as a substrate such as a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, copper, or aluminum, ] Can be used. As such an adhesion auxiliary agent, a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group.

관능성 실란 커플링제의 구체예로서는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 바람직하다.Specific examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? - Ethoxy silane, and the like. Among these,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane and? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferable.

포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서, 이러한 [E] 밀착 보조제는, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5질량부 이상 20질량부 이하, 보다 바람직하게는 1질량부 이상 10질량부 이하의 양으로 이용된다. [E] 밀착 보조제의 양을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 층간 절연막과 기판과의 밀착성이 개선된다.In the positive-tone radiation-sensitive composition, the amount of the [E] adhesion aid is preferably 0.5 part by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, Or less. When the amount of the [E] adhesion aid is in the above range, adhesion between the interlayer insulating film and the substrate is improved.

<[F] 염기성 화합물>&Lt; [F] Basic compound &gt;

염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스터로 이용되는 것 중으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 4급 암모늄하이드록사이드, 카본산 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 [F]성분인 염기성 화합물을 함유시킴으로써, 노광에 의해 광산 발생체로부터 발생한 산의 확산 길이를 적절히 제어할 수 있어, 패턴 현상성을 양호한 것으로 할 수 있다.The basic compound can be arbitrarily selected from chemical amplification resistors. Examples of the basic compound include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium carbonates. By containing a basic compound as the [F] component in the positive-tone radiation-sensitive composition, the diffusion length of the acid generated from the photoacid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability can be improved.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디사이클로헥실아민, 디사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-5-노넨, 1,8-디아자바이사이클로[5,3,0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, Benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8- Diazabicyclo [4,3,0] -5- (4,3, 4, 5-tetramethylpiperazin-1-yl) quinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, Nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7-undecene, and the like.

4급 암모늄하이드록사이드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide. .

카본산 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the carbonic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

당해 포지티브형 감방사선성 조성물에 있어서의 [F] 염기성 화합물의 함유량은, [A] 중합체 100질량부에 대하여, 0.001∼1질량부로 하는 것이 바람직하고, 0.005∼0.2질량부로 하는 것이 보다 바람직하다. [F] 염기성 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 현상성이 양호해진다.The content of the [F] basic compound in the positive-tone radiation-sensitive composition is preferably 0.001 to 1 part by mass, more preferably 0.005 to 0.2 part by mass based on 100 parts by mass of the polymer [A]. When the content of the [F] basic compound is within the above range, the pattern developability is improved.

<퀴논디아지드 화합물>&Lt; Quinone diazide compound &gt;

퀴논디아지드 화합물은, 방사선의 조사에 의해 카본산을 발생하는 화합물이다. 퀴논디아지드 화합물로서, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라고 함)과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물을 이용할 수 있다.The quinone diazide compound is a compound which generates carbonic acid by irradiation with radiation. As the quinone diazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as &quot; mother nucleus &quot;) and 1,2-naphthoquinone diazidesulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 펜타하이드록시벤조페논, 헥사하이드록시벤조페논, (폴리하이드록시페닐)알칸, 그 외의 모핵을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other parent nuclei.

트리하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, and the like.

테트라하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,2'4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라하이드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시-3'-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.As the tetrahydroxybenzophenone, for example, 2,2'4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetra Hydroxybenzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, and 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone. .

펜타하이드록시벤조페논으로서는, 예를 들면 2,3,4,2'6'-펜타하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2'6'-pentahydroxybenzophenone and the like.

헥사하이드록시벤조페논으로서, 예를 들면 2,4,6,3'4'5'-헥사하이드록시벤조페논, 3,4,5,3'4'5'-헥사하이드록시벤조페논 등을 들 수 있다.As the hexahydroxybenzophenone, for example, 2,4,6,3'4'5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3'4'5'-hexahydroxybenzophenone, etc., .

(폴리하이드록시페닐)알칸으로서, 예를 들면 비스(2,4-디하이드록시페닐)메탄, 비스(p-하이드록시페닐)메탄, 트리스(p-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(p-하이드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리하이드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-하이드록시페닐)-2-하이드록시페닐메탄, 3,3,3'3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5'6'7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2'4'-트리하이드록시플라반 등을 들 수 있다.(P-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1 (p-hydroxyphenyl) -Tris (p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, - [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] Ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3'3'- tetramethyl-1,1'-spirobindene- 6,7,5'6'7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2'4'-trihydroxyflavone, and the like.

그 외의 모핵으로서, 예를 들면 2-메틸-2-(2,4-디하이드록시페닐)-4-(4-하이드록시페닐)-7-하이드록시크로만, 1-[1-(3-{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디하이드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디하이드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디하이드록시벤젠 등을 들 수 있다.Hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- (4-hydroxyphenyl) Methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) ) -1- methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) - dihydroxybenzene, and the like.

이들 모핵 중, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀이 바람직하다.Among these nuclei, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 '- [1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferable.

또한, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드가 바람직하다. 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드를 들 수 있다. 이들 중에서도, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드가 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride is preferable. Examples of the 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. Among them, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합물로서는, 1,1,1-트리(p-하이드록시페닐)에탄과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 축합물, 4,4'-[1-[4-[1-[4-하이드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 클로라이드와의 축합물이 바람직하다.Condensates of a phenolic compound or an alcoholic compound with 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide include 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide- Sulfonic acid chloride, a condensate of 4,4 '- [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1- methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2- Diazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(모핵)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드와의 축합 반응에서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기수에 대하여, 바람직하게는 30몰%∼85몰%, 보다 바람직하게는 50몰%∼70몰%에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산 할라이드를 이용할 수 있다. 축합 반응은 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.In the condensation reaction of a phenolic compound or an alcoholic compound (mother nucleus) with 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, the amount of the phenolic compound or the alcoholic compound is preferably 30 to 85 mol% , And more preferably 50 mol% to 70 mol% of 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide. The condensation reaction can be carried out by a known method.

또한, 퀴논디아지드 화합물로서는, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산 아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리아미노벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 아미드 등도 적합하게 사용된다.Examples of the quinone diazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus is replaced with an amide bond, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone-1, 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide and the like are also suitably used.

<포지티브형 감방사선성 조성물>&Lt; Positive radiation sensitive composition &gt;

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 상기 [A] 중합체, [B] 광산 발생체, [C] 장쇄 알킬기 함유 화합물, 및 필요에 따라서 임의 성분을 혼합함으로써 조제된다. 포지티브형 감방사선성 조성물은, 바람직하게는 적당한 용매에 용해 또는 분산시킨 상태로 조제되어 사용되어도 좋다. 예를 들면 용매 중에서, [A], [B] 및 [C] 성분, 그리고 임의 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제할 수 있다.The positive radiation-sensitive composition of the present invention is prepared by mixing the aforementioned polymer [A], the [B] photo-acid generator, the [C] long chain alkyl group-containing compound and, if necessary, optional components. The positive-tone radiation-sensitive composition may preferably be prepared by dissolving or dispersing in a suitable solvent. For example, the positive radiation-sensitive composition can be prepared by mixing the components [A], [B] and [C] and optional components in a predetermined ratio in a solvent.

<용매><Solvent>

당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 조제에 이용할 수 있는 용매로서는, 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산하여, 각 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 이용된다. 이러한 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 에스테르류 등을 들 수 있다.As the solvent which can be used for the preparation of the positive-tone radiation-sensitive composition, those which do not react with each component by uniformly dissolving or dispersing the components are suitably used. Examples of such a solvent include alcohols, ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate Aromatic hydrocarbons, ketones, esters, and the like.

이들 용매로서는,As these solvents,

알코올류로서, 예를 들면, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등; As the alcohols, for example, benzyl alcohol, diacetone alcohol and the like;

에테르류로서, 예를 들면, 테트라하이드로푸란이나, 디이소프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등의 디알킬에테르 등; As the ether, for example, dialkyl ethers such as tetrahydrofuran, diisopropyl ether, di-n-butyl ether, di-n-pentyl ether, diisopentyl ether and di-n-hexyl ether;

디에틸렌글리콜알킬에테르류로서, 예를 들면 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등; Examples of diethylene glycol alkyl ethers include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;

에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류로서, 예를 들면 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등; As the ethylene glycol alkyl ether acetates, for example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate and the like;

프로필렌글리콜모노알킬에테르류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like;

프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like;

프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트류로서, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등; Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like ;

방향족 탄화수소류로서, 예를 들면 톨루엔, 자일렌 등; As aromatic hydrocarbons, for example, toluene, xylene and the like;

케톤류로서, 예를 들면 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등; As the ketone, for example, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and the like;

에스테르류로서, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-메톡시프로피온산 부틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸 등을 각각 들 수 있다.Examples of esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy- Hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, propyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethoxyacetate, ethoxyacetate , Ethoxyacetic acid propyl acetate, butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, Propoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, , Butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, and the like.

이들 용매 중에서도, 용해성 혹은 분산성이 우수할 것, 각 성분과 비반응성일 것 및, 도막 형성의 용이성의 관점에서, 디알킬에테르 등의 에테르류, 디에틸렌글리콜알킬에테르류, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 케톤류 및 에스테르류가 바람직하고, 특히, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 사이클로헥산온, 아세트산 프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸이 바람직하다. 이들 용매는 단독으로 또는 혼합하여 이용할 수 있다.Of these solvents, ethers such as dialkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, and the like are preferable from the viewpoints of excellent solubility or dispersibility, non-reactivity with each component, Propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferable, and in particular, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve, Propyleneglycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate , 2-hydroxy-2-methylpropionic acid , The 2-hydroxy-2-methylpropionic acid ethyl, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl, 2-methoxy-propionic acid methyl, 2-methoxy-propionic acid ethyl are preferred. These solvents may be used alone or in combination.

또한, 이들 용매 중에서도, 디이소프로필에테르, 디-n-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등의 디알킬에테르 등의 에테르류가 바람직하고, 디이소펜틸에테르가 가장 바람직하다. 이러한 용매를 이용함으로써, 감방사선성 조성물을 슬릿 도포법으로 대형 유리 기판에 도포할 때에, 건조 공정 시간을 단축함과 동시에, 도포성을 보다 한층 향상(도포 불균일을 억제)하는 것이 가능해진다.Among these solvents, ethers such as diisopropyl ether, di-n-butyl ether, di-n-pentyl ether, diisopentyl ether and dialkyl ethers such as di-n-hexyl ether are preferable, Most preferred is isopentyl ether. By using such a solvent, when the radiation sensitive composition is applied to a large glass substrate by the slit coating method, the drying process time can be shortened and the coating property can be further improved (coating irregularity can be suppressed).

상기한 바람직한 용매에 더하여, 추가로 필요에 따라서, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 고비점 용매를 병용할 수도 있다.In addition to the above-mentioned preferred solvents, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, capro Examples of the organic solvent include acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate,? -Butyrolactone, ethylene carbonate, Acetate, carbitol acetate, and the like may be used in combination.

포지티브형 감방사선성 조성물을 용액 또는 분산액 상태로서 조제하는 경우, 액 중에서 차지하는 용매 이외의 성분(즉 [A], [B] 및 [C] 성분, 그리고 그 외의 임의 성분의 합계량)의 비율은, 사용 목적이나 소망하는 막두께 등에 따라서 임의로 설정할 수 있지만, 바람직하게는 5∼50질량%, 보다 바람직하게는 10∼40질량%, 더욱 바람직하게는 15∼35질량%이다.When the positive-tone radiation-sensitive composition is prepared in the form of a solution or dispersion, the ratio of the components other than the solvent (i.e., the total amount of the [A], the [B] and the component [C] But it is preferably 5 to 50% by mass, more preferably 10 to 40% by mass, and still more preferably 15 to 35% by mass.

<층간 절연막 등의 경화막의 형성>&Lt; Formation of a cured film such as an interlayer insulating film &

다음으로, 상기의 포지티브형 감방사선성 조성물을 이용하여, 기판 상에 층간 절연막 등의 경화막을 형성하는 방법에 대해서 설명한다. Next, a method of forming a cured film such as an interlayer insulating film on a substrate using the above positive radiation sensitive composition will be described.

당해 방법은,The method comprises:

(1) 당해 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition on a substrate,

(2) 공정(1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)

(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)

(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film in the step (3)

을 갖는다.Respectively.

<(1) 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정>&Lt; (1) Step of forming a coating film of positive-tone radiation-sensitive composition on a substrate &

상기 (1)의 공정에 있어서, 기판 상에 당해 포지티브형 감방사선성 조성물 또는 이 용액 또는 분산액을 도포한 후, 바람직하게는 도포면을 가열(프리베이킹)함으로써 용매를 제거하여, 도막을 형성한다. 사용할 수 있는 기판의 예로서는, 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 수지의 구체예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그 수소 첨가물 등을 들 수 있다.In the step (1), the positive-tone radiation-sensitive composition or the solution or dispersion is applied onto the substrate, and then the coated surface is preferably heated (prebaked) to remove the solvent to form a coated film. Examples of the substrate that can be used include glass, quartz, silicon, resin and the like. Specific examples of the resin include ring-opening polymers of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide and cyclic olefin, and hydrogenated products thereof.

조성물 용액 또는 분산액의 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿 다이 도포법, 바 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 도포 방법 중에서도, 스핀 코팅법 또는 슬릿 다이 도포법이 바람직하다. 프리베이킹의 조건은, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 상이하지만, 바람직하게는 60∼120℃에서 1∼10분간 정도로 할 수 있다. 본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물에 의하면, 예를 들면, 60∼80℃로 비교적 낮은 프리베이킹 조건으로 한 경우에도, 우수한 패턴 형성성을 발휘할 수 있다.The method of applying the composition solution or dispersion is not particularly limited and an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a rotation coating method (spin coating method), a slit die coating method or a bar coating method can be employed . Of these coating methods, a spin coating method or a slit die coating method is preferable. The conditions of the prebaking vary depending on the kind of each component, the blending ratio, and the like, but can be preferably about 60 to 120 DEG C for about 1 to 10 minutes. According to the positive radiation-sensitive composition of the present invention, even when the pre-baking conditions are relatively low, for example, 60 to 80 캜, excellent pattern-forming properties can be exhibited.

<(2) 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정>&Lt; (2) Step of irradiating at least part of the coating film with radiation &

상기 (2)의 공정에서는, 형성된 도막의 적어도 일부에 노광한다. 이 경우, 도막의 일부에 노광할 때에는, 통상 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하여 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 광산 발생체에 대하여 이용하는 방사선이 적합하다. 이들 방사선 중에서도, 파장이 190∼450nm의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 특히 365nm의 자외선을 포함하는 방사선이 바람직하다.In the step (2), at least a part of the formed coating film is exposed. In this case, when a part of the coating film is exposed, exposure is usually performed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation used for the photo-acid generator is suitable. Of these radiation, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet radiation of 365 nm in particular is preferable.

당해 공정에 있어서의 노광량은, 방사선의 파장 365nm에 있어서의 강도를, 조도계(OAI model356, OAI Optical Associates Inc. 제조)에 의해 측정한 값으로서, 바람직하게는 500∼6,000J/㎡, 보다 바람직하게는 1,500∼1,800J/㎡이다.The exposure dose in the process is preferably from 500 to 6,000 J / m 2, more preferably from 500 to 6,000 J / m 2, as measured by an illuminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.) at a wavelength of 365 nm Is 1,500 to 1,800 J / m &lt; 2 &gt;.

<(3) 현상 공정>&Lt; (3) Developing process &gt;

상기 (3)의 공정에서는, 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 조사 부분)을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리성 수용액이 바람직하다. 알칼리의 예로서는, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.In the step (3), the coating film after exposure is developed to remove unnecessary portions (irradiated portions of radiation) to form a predetermined pattern. As the developing solution used in the developing step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and the like.

또한, 이러한 알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리의 농도는 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1질량% 이상 5질량% 이하로 할 수 있다. 현상 방법으로서는, 예를 들면 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 이용할 수 있다. 현상 시간은, 포지티브형 감방사선성 조성물의 조성에 따라서 상이하지만, 바람직하게는 10∼180초간 정도이다. 또한, 당해 조성물에 의하면, 이 현상 시간에 다소의 장단점이 있었던 경우도, 이 영향을 받는 일 없이, 안정된 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 현상 처리에 이어서, 예를 들면 유수 세정을 30∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다.To such an aqueous alkali solution, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added in an appropriate amount. The concentration of the alkali in the aqueous alkali solution is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less from the viewpoint of achieving adequate developability. As the developing method, suitable methods such as puddle method, dipping method, swing dipping method, and shower method can be used. The developing time varies depending on the composition of the positive-tone radiation-sensitive composition, but is preferably about 10 to 180 seconds. Further, according to this composition, a stable pattern can be formed even if there are some advantages or disadvantages in the developing time, without being affected by this. Following this developing treatment, for example, water washing is carried out for 30 to 90 seconds, and then air is blown with, for example, compressed air or compressed nitrogen, whereby a desired pattern can be formed.

<(4) 가열 공정>&Lt; (4) Heating process &gt;

상기 (4)의 공정에서는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, 상기 [A] 성분의 경화 반응을 촉진하여, 경화물을 얻을 수 있다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 예를 들면 120∼250℃이다. 가열 시간은, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면, 핫 플레이트 상에서 가열 공정을 행하는 경우에는 5∼30분간, 오븐 중에서 가열 공정을 행하는 경우에는 30∼90분간으로 할 수 있다. 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝베이킹법 등을 이용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등에 대응하는 패턴 형상 박막을 기판의 표면 상에 형성할 수 있다.In the step (4), the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or an oven to accelerate the curing reaction of the component [A] to obtain a cured product. The heating temperature in this step is, for example, 120 to 250 占 폚. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus. For example, the heating time may be 5 to 30 minutes in the case of performing the heating process on the hot plate, and 30 to 90 minutes in the case of performing the heating process in the oven. A step baking method in which two or more heating steps are performed, or the like may be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to a target interlayer insulating film or the like can be formed on the surface of the substrate.

<층간 절연막 등의 경화막>&Lt; Cured film such as an interlayer insulating film &

이와 같이 형성된 층간 절연막 등의 경화막의 막두께는, 바람직하게는 0.1∼8㎛, 보다 바람직하게는 0.1∼6㎛, 더욱 바람직하게는 0.1∼4㎛이다.The film thickness of the cured film such as an interlayer insulating film formed in this way is preferably 0.1 to 8 占 퐉, more preferably 0.1 to 6 占 퐉, and still more preferably 0.1 to 4 占 퐉.

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성된 층간 절연막은, 하기의 실시예로부터도 분명해지는 바와 같이, 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 구비하면서, 우수한 패턴 형성성을 갖고 있다. 그 때문에, 당해 경화막은, 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막 등에 이용할 수 있고, 특히, 표시 소자의 층간 절연막으로서 적합하게 이용된다.The interlayer insulating film formed of the positive radiation sensitive composition of the present invention has excellent pattern forming properties while having a high light transmittance and a high voltage holding ratio as apparent from the following examples. Therefore, the cured film can be used for an interlayer insulating film, a spacer, a protective film or the like of a display element, and is particularly suitably used as an interlayer insulating film of a display element.

(실시예)(Example)

이하에 실시예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지는 않는다.EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

이하에 있어서, 중합체의 질량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다.Hereinafter, the mass average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the polymer were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

장치: GPC-101(쇼와덴코 가부시키가이샤 제조)Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko K.K.)

칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804

이동상: 테트라하이드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection amount: 100 μL

검출기: 시차 굴절계Detector: differential refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<[A] 중합체의 합성예><Synthesis Example of [A] Polymer>

[합성예 1] [Synthesis Example 1]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 5질량부, 1-에톡시에틸메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및 α-메틸스티렌다이머 3질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(A-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-1)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도 (중합체 용액에 포함되는 중합체의 질량이 중합체 용액의 전체 질량에서 차지하는 비율을 말함, 이하 동일) 는 32.1질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, -Methylstyrene dimer in an amount of 3 parts by mass, the mixture was purged with nitrogen, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) in terms of polystyrene was 9,000. The solid concentration of the polymer solution thus obtained (the ratio of the mass of the polymer contained in the polymer solution in the total mass of the polymer solution, hereinafter the same) was 32.1 mass%.

[합성예 2] [Synthesis Example 2]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 5질량부, 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및 α-메틸스티렌다이머 3질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체(A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(A-2)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 31.3질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 5 mass parts of methacrylic acid, 40 mass parts of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 5 mass parts of styrene, 40 mass parts of glycidyl methacrylate, 10 mass parts of 2-hydroxyethyl methacrylate And 3 parts by mass of? -Methylstyrene dimer were put in a flask, and after the flask was purged with nitrogen, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-2) in terms of polystyrene was 9,000. The polymer solution thus obtained had a solid concentration of 31.3% by mass.

[합성예 3] [Synthesis Example 3]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 1-n-부톡시에틸 67질량부, 메타크릴산 벤질 23질량부, 메타크릴산 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(a-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-1)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 30.3질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 67 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 23 parts by mass of benzyl methacrylate and 10 parts by mass of methacrylic acid were purged with nitrogen, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) in terms of polystyrene was 9,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 30.3% by mass.

[합성예 4] [Synthesis Example 4]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 1-벤질옥시에틸 90질량부, 메타크릴산 2-하이드록시에틸 6질량부, 메타크릴산 4질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(a-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-2)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 31.2질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 90 parts by mass of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 6 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 4 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen, and then stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 占 폚, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-2) in terms of polystyrene was 9,000. The solid solution concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.

[합성예 5] [Synthesis Example 5]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서 테트라하이드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트 85질량부, 메타크릴산 2-하이드록시에틸 7질량부, 메타크릴산 8질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(a-3)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(a-3)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 29.2질량%였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed in a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 85 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 7 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 8 parts by mass of methacrylic acid were purged with nitrogen, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-3). The polystyrene reduced mass average molecular weight (Mw) of the polymer (a-3) was 10,000. The solid solution concentration of the polymer solution obtained here was 29.2 mass%.

[합성예 6] [Synthesis Example 6]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 글리시딜 52질량부, 메타크릴산 벤질 48질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(aa-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(aa-1)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 32.3질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 52 parts by mass of glycidyl methacrylate and 48 parts by mass of benzyl methacrylate were added and replaced with nitrogen, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-1). The mass average molecular weight (Mw) of the polymer (aa-1) in terms of polystyrene was 10,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 32.3% by mass.

[합성예 7] [Synthesis Example 7]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트 45질량부, 메타크릴산 벤질 45질량부, 메타크릴산 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(aa-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(aa-2)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 33.2질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 45 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 45 parts by mass of benzyl methacrylate and 10 parts by mass of methacrylic acid were purged with nitrogen, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-2). The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (aa-2) in terms of polystyrene was 10,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 33.2 mass%.

[합성예 8] [Synthesis Example 8]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서, 메타크릴산 1-n-부톡시에틸 35질량부, 메타크릴산 벤질 35질량부, 메타크릴산 글리시딜 30질량부를 넣고 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 80℃로 상승시키고, 이 온도를 6시간 보존유지하여 중합체(aa-3)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체(aa-3)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 32.3질량%였다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 35 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate and 30 parts by mass of glycidyl methacrylate were purged with nitrogen, and stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 80 캜, and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-3). The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (aa-3) in terms of polystyrene was 10,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 32.3% by mass.

[포지티브형 감방사선성 조성물의 조제][Preparation of positive-tone radiation-sensitive composition]

실시예 및 비교예에서 이용한 표 1 중의 각 성분은, 이하와 같다.The components in Table 1 used in Examples and Comparative Examples are as follows.

(B)성분 광산 발생체(B) Component [

B-1 : 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라하이드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트B-1: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

B-2 : 벤질-4-하이드록시페닐메틸술포늄헥사플루오로포스페이트B-2: Benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate

B-3 : 상기 화합물(3-i)로 나타나는 [(5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 103」)B-3: [(5-Propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] represented by the above compound (3-i) (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Quot; IRGACURE PAG 103 &quot;, manufactured by Shikisai Co., Ltd.)

B-4 : 상기 화합물(3-ii)로 나타나는 [(5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 108」)B-4: [(5-Octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] represented by the above compound (3-ii) (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., IRGACURE PAG 108 &quot; manufactured by Shikisai Co., Ltd.)

B-5 : 상기 화합물(3-iv)로 나타나는 [(5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 121」)(5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile represented by the above-mentioned compound (3-iv) (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Quot; IRGACURE PAG 121 &quot;, manufactured by ZEON Corporation)

B-6 : 상기 화합물(3-iii)로 나타나는 [(캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「CGI1380」)B-6: [(Camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] represented by the above-mentioned compound (3-iii) (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., &Quot; CGI 1380 &quot;

B-7 : 상기 화합물(3-v)로 나타나는 [(5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴](치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「CGI725」)B-7: [(5-Octylsulfonyloxyimino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile] (CGI725 manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) represented by the above compound (3-v)

(C) 성분 장쇄 알킬기 함유 화합물Component (C) The long-chain alkyl group-containing compound

C-1 : 팔미트산C-1: Palmitic acid

C-2 : 스테아르산C-2: Stearic acid

C-3 : 테트라데칸 이산C-3: tetradecanedioic acid

C-4 : 1-도데칸올C-4: 1-Dodecanol

C-5 : 1,12-도데칸디올C-5: 1,12-Dodecanediol

C-6 : 1,2-에폭시테트라데칸C-6: 1,2-epoxytetradecane

C-7 : 1,2-에폭시헥사데칸C-7: 1,2-epoxy hexadecane

C-8 : 스테아르산 글리시딜C-8: Glycidyl stearate

C-9 : 3-에틸-3-노닐옥세탄 C-9: 3-ethyl-3-nonyloxetane

C-10 : 1-도데칸술폰산C-10: 1-Dodecane sulfonic acid

C'-1 : 발레르산(CH3(CH2)3COOH)C'-1: acid (CH 3 (CH 2) 3 COOH)

C'-2 : 리그노세린산(CH3(CH2)22COOH)C'-2: serine lignoceric acid (CH 3 (CH 2) 22 COOH)

C'-3 : 리그노세릴알코올(CH3(CH2)23OH)C'-3: Nose league reel alcohol (CH 3 (CH 2) 23 OH)

(D) 성분 계면활성제(D) Component Surfactant

D-1 : 실리콘계 계면활성제(토레·다우코닝 가부시키가이샤 제조의 「SH 8400 FLUID」)D-1: Silicone surfactant ("SH 8400 FLUID" manufactured by Toray Dow Corning)

D-2 : 불소계 계면활성제(가부시키가이샤 네오스 제조의 「프터젠트 FTX-218」)D-2: Fluorine-based surfactant ("Fotogen FTX-218" manufactured by NEOS Corporation)

(E) 성분 밀착 보조제(E) Component Adhesion Adjuvant

E-1 : γ-글리시독시프로필트리메톡시실란E-1:? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane

E-2 : β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란E-2: Synthesis of? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane

E-3 : γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란E-3:? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane

(F) 성분 염기성 화합물 (F) Component [

F-1 : 4-디메틸아미노피리딘F-1: 4-Dimethylaminopyridine

F-2 : 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-5-노넨F-2: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

[실시예 1][Example 1]

[A]성분으로서 합성예 1에서 얻어진 중합체(A-1)를 포함하는 용액(중합체(A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양)에, [B]성분으로서 (B-4) 상기 화합물(3-ii)로 나타나는 [(5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴](치바·스페셜티·케미컬즈 가부시키가이샤 제조의 「IRGACURE PAG 108」) 3질량부, [C]성분으로서 (C-1) 팔미트산 4질량부, [D]성분으로서 (D-1) 실리콘계 계면활성제(토레·다우코닝 가부시키가이샤 제조의 「SH 8400 FLUID」 0.20질량부, [E]성분으로서 (E-1) γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 3.0질량부를 혼합하고, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제했다.(B-4) was used as the [B] component in a solution (100 parts by mass (solid content) of the polymer (A-1)) containing the polymer (A- (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile] (manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) represented by the above compound (3-ii) 4 parts by mass of (C-1) palmitoic acid as the [C] component, 3 parts by mass of the silicone surfactant (D-1) , 0.20 parts by mass of "SH 8400 FLUID" as the component (E), and 3.0 parts by mass of (E-1) -glycidoxypropyltrimethoxysilane as the [E] component were filtered and filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a positive- A composition was prepared.

[실시예 2∼10 및 비교예 1∼7][Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 to 7]

각 성분의 종류 및 양을 표 1에 기재한 대로 한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 2∼10 및 비교예 1∼7의 포지티브형 감방사선성 조성물을 조제했다.The positive radiation-sensitive compositions of Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 to 7 were prepared in the same manner as in Example 1, except that the kinds and amounts of the respective components were changed as shown in Table 1.

<물성 평가>&Lt; Evaluation of physical properties &

상기와 같이 조제한 각각의 포지티브형 감방사선성 조성물을 사용하여, 이하와 같이 당해 조성물 및, 그 도막 혹은 층간 절연막으로서의 각종의 특성을 평가했다.Each of the positive radiation-sensitive compositions prepared as described above was used to evaluate various properties of the composition and its coating film or interlayer insulating film as follows.

(1) 방사선 감도(1) Radiation sensitivity

550×650mm의 크롬 성막 유리 상에, 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 도포하고, 60℃로 1분간 가열했다(HMDS 처리). 이 HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 상에, 상기와 같이 조제한 감방사선성 조성물을 슬릿 다이 코터 「TR632105-CL」을 이용하여 도포하고, 도달 압력을 100Pa로 설정하여 진공하에서 용매를 제거한 후, 추가로 90℃에서 2분간 프리베이킹함으로써, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 캐논 가부시키가이샤 제조의 MPA-600FA 노광기를 이용하여, 60㎛의 라인·앤·스페이스(10 대 1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하여, 도막에 대하여 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사한 후, 표 1에 기재한 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에서 25℃에서 퍼들법으로 현상했다. 여기에서 현상 시간은, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 농도가 0.40질량%의 현상액을 이용한 경우는 80초, 2.38질량%의 현상액을 이용한 경우는 50초간으로 했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써, HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 이때, 6㎛의 스페이스·패턴이 완전히 용해되기 위해 필요한 노광량을 조사했다. 이 값을 방사선 감도로 하여 표 1에 나타냈다. 이 값이 500J/㎡ 이하의 경우에 감도가 양호하다고 말할 수 있다.Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied onto a chromium-deposited glass of 550 x 650 mm and heated at 60 占 폚 for 1 minute (HMDS treatment). The radiation sensitive composition prepared as described above was coated on the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater &quot; TR632105-CL &quot;, and the solvent was removed under vacuum with the ultimate pressure set at 100 Pa. Lt; 0 &gt; C for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 m. Subsequently, using a MPA-600FA exposure machine manufactured by Canon Kabushiki Kaisha, the coating film was irradiated with radiation with varying exposure dose through a mask having a 60 占 퐉 line-and-space (10: 1) pattern , And the aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at the concentration shown in Table 1 was developed by the puddle method at 25 ° C. Here, the development time was 80 seconds when a developer having a tetramethylammonium hydroxide concentration of 0.40% by mass was used, and 50 seconds when a developer with 2.38% by mass was used. Subsequently, the substrate was subjected to water washing with ultra-pure water for 1 minute, and then dried to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure required to completely dissolve the space pattern of 6 mu m was examined. This value is shown in Table 1 as the radiation sensitivity. When this value is 500 J / m &lt; 2 &gt; or less, it can be said that the sensitivity is good.

(2) 콘택트홀의 형상 안정성(2) Shape stability of contact hole

스피너를 이용하여 실리콘 기판 상에 도포한 후, 프리베이킹 온도를 70℃에서 3분간, 90℃에서 3분간의 두 가지 조건에 의해, 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막두께 3.0㎛의 막두께가 되도록 도막을 형성했다. 캐논 가부시키가이샤 제조 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)를 이용하여, (1) 방사선 감도의 평가에 있어서 평가된 필요 노광량으로, 10㎛×10㎛의 콘택트홀 패턴의 마스크를 개재하여 도막의 노광을 행했다. 이어서, 농도 0.4질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)을 이용하여 퍼들법에 의해 25℃로 현상 처리를 행했다. 현상 처리의 시간은 100초로 했다. 현상 처리 후, 초순수로 1분간, 도막의 유수 세정을 행하고, 건조시켜 웨이퍼 상에 콘택트홀 패턴을 형성했다. 그 형성한 패턴을 SEM(주사 전자 현미경)으로 형상을 관찰했다.Coated on a silicon substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate under two conditions of prebaking at 70 캜 for 3 minutes and 90 캜 for 3 minutes to form a film having a film thickness of 3.0 탆 . Using a PLA-501F exposure apparatus (ultrahigh-pressure mercury lamp) manufactured by Canon Kabushiki Kaisha, exposure of a coating film was carried out through a mask of contact hole pattern of 10 mu m x 10 mu m at the required exposure amount evaluated in evaluation of radiation sensitivity (1) . Subsequently, development processing was carried out at 25 占 폚 by a puddle method using a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developing solution) having a concentration of 0.4 mass%. The development processing time was set to 100 seconds. After the developing treatment, the coating film was washed with water by ultra pure water for 1 minute and dried to form a contact hole pattern on the wafer. The formed pattern was observed by SEM (scanning electron microscope).

프리베이킹 온도를 70℃에서 3분간과 프리베이킹 온도를 90℃에서 3분간의 두 가지 조건으로 작성한 콘택트홀 패턴에 차이가 없는 경우, 프리베이킹의 온도 변화에 대한 콘택트홀의 형상 안정성이 높고, 현상성 및 패턴 형성성은 양호하다고 말할 수 있다. 한편, 프리베이킹 온도의 변화에 대하여, 콘택트홀의 크기가 많이 변화되거나, 기판으로부터의 박리가 발생하거나 하는 경우는, 프리베이킹의 온도 변화에 대한 콘택트홀의 형상 안정성이 낮고, 현상성 및 패턴 형성성은 불량하다고 말할 수 있다.In the case where there is no difference in the contact hole pattern prepared by two conditions of the prebaking temperature of 70 캜 for 3 minutes and the prebaking temperature of 90 캜 for 3 minutes, the shape stability of the contact hole with respect to the temperature change of the prebaking is high, And the pattern forming property can be said to be good. On the other hand, when the size of the contact hole is significantly changed or peeling from the substrate occurs with respect to the change of the prebaking temperature, the shape stability of the contact hole with respect to the temperature change of the prebaking is low, .

(평가 기준)(Evaluation standard)

도 1에서 나타내는 기판(1) 상에 형성된 콘택트홀(3)을 구비하는 경화막(2)의 모식적 단면도를 참조로 이하의 평가 기준으로 판단했다.Sectional view of the cured film 2 having the contact hole 3 formed on the substrate 1 shown in Fig. 1 was determined by the following evaluation criteria.

·콘택트홀 형상이 도 1(a)의 경우는, 양호라고 판단했다(A로 나타냄).In the case of the contact hole shape shown in Fig. 1 (a), it was judged to be good (indicated by A).

·콘택트홀 형상이 도 1(b)의 경우와 같이, 크게 확대된 경우는 불량이라고 판단했다(B로 나타냄).- It was judged that the shape of the contact hole was bad when the shape of the contact hole was greatly enlarged as in the case of Fig. 1 (b) (indicated by B).

·콘택트홀 형상이 도 1(c)의 경우와 같이, 패턴의 하부에 잘림이 발생한 형상은 불량이라고 판단했다(C로 나타냄). 결과를 표 1에 나타낸다.The shape of the contact hole was judged to be defective (indicated by C), as in the case of Fig. The results are shown in Table 1.

(3) 광선 투과율(3) Light transmittance

실리콘 기판 상에, 상기 방사선 감도의 평가와 동일하게 도막을 형성했다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃로 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 파장 400nm에 있어서의 광선 투과율을, 분광 광도계(150-20형 더블 빔(히타치 세이사쿠쇼 가부시키가이샤 제조))를 이용해 측정하여 평가했다. 이때, 90% 미만의 경우에 투명성이 불량, 90% 이상의 경우에 투명성이 양호라고 말할 수 있다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.A coating film was formed on the silicon substrate in the same manner as in the evaluation of the radiation sensitivity. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 DEG C for 1 hour to obtain a cured film. The light transmittance at a wavelength of 400 nm was measured by using a spectrophotometer (150-20 type double beam (Hitachi SEISAKUSHO Co., Ltd.)). In this case, transparency is poor when the content is less than 90%, and transparency is good when the content is 90% or more. The evaluation results are shown in Table 1.

(4) 전압 보전율(4) Voltage Conservation Rate

조제한 액상 조성물을, 표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 추가로 ITO(인듐-산화 주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에, 스핀 코팅한 후, 90℃의 클린 오븐 내에서 10분간 프리베이킹을 행하여, 막두께 2.0㎛의 도막을 형성했다.The prepared liquid composition was spin-coated on a soda glass substrate on which an SiO 2 film was formed to prevent elution of sodium ions on the surface and further an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape, In a clean oven for 10 minutes to form a coating film having a thickness of 2.0 탆.

이어서, 포토마스크를 개재하지 않고 도막에 500J/㎡의 노광량으로 노광했다. 그 후, 이 기판을 23℃의 0.04질량% 수산화 칼륨 수용액으로 이루어지는 현상액에 1분간 침지하여, 현상한 후, 초순수로 세정하여 풍건하고, 추가로 230℃에서 30분간 포스트베이킹을 행하여 도막을 경화시켜, 경화막을 형성했다.Subsequently, the coating film was exposed at an exposure amount of 500 J / m &lt; 2 &gt; without interposing a photomask. Thereafter, this substrate was immersed in a developer consisting of 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution at 23 占 폚 for 1 minute, developed, washed with ultrapure water and air-dried, and post baked at 230 占 폚 for 30 minutes to cure the coating film To form a cured film.

이어서, 이 화소를 형성한 기판과 ITO 전극을 소정 형상으로 증착하기만 한 기판을, 0.8mm의 글래스 비즈를 혼합한 시일제로 접합한 후, 메르크사 제조 액정 MLC6608(상품명)을 주입하여, 액정 셀을 제작했다.Subsequently, the substrate on which the pixel was formed and the substrate on which the ITO electrode had been deposited in a predetermined shape were bonded to each other with a sealant mixed with 0.8 mm glass beads, and then a liquid crystal MLC6608 (trade name) manufactured by Merck Ltd. was injected, .

이어서, 액정 셀을 60℃의 항온조에 넣고, 액정 셀의 전압 보전율을, 가부시키가이샤 토요테크니카 제조 액정 전압 보전율 측정 시스템 「VHR-1A형」(상품명)에 의해 측정했다. 이때의 인가 전압은 5.5V의 방형파, 측정 주파수는 60Hz이다. 여기에서 전압 보전율이란, (16.7밀리초 후의 액정 셀 전위차/0밀리초로 인가한 전압)의 값이다. 액정 셀의 전압 보전율이 90% 이하이면, 액정 셀은 16.7밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 레벨로 유지하지 못하고, 충분히 액정을 배향시킬 수 없음을 의미하며, 잔상 등의 「번인」을 일으킬 우려가 높다.Subsequently, the liquid crystal cell was placed in a thermostatic chamber at 60 DEG C, and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage maintaining ratio measurement system "VHR-1A type" (trade name) manufactured by Toyobo Co., Ltd. The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. Here, the voltage holding ratio is a value of a voltage applied to the liquid crystal cell after 16.7 milliseconds / 0 milliseconds. If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell can not maintain the applied voltage at a predetermined level for 16.7 milliseconds and can not sufficiently orient the liquid crystal. high.

Figure 112011025778016-pat00010
Figure 112011025778016-pat00010

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, [A], [B] 및 [C]성분을 포함하는 실시예 1∼10의 포지티브형 감방사선성 조성물은, [C]성분을 포함하지 않는 비교예 1∼7의 포지티브형 감방사선성 조성물과 비교하여, 콘택트홀의 형상 안정성이 우수하고, 높은 현상성 및 패턴 형성성을 갖고 있는 것을 알았다. 또한, 실시예의 각 포지티브형 감방사선성 조성물은, 방사선 감도, 광선 투과율 및 전압 보전율이라는 일반적인 요구 특성을 충분히 만족하는 층간 절연막을 형성 가능하다는 것을 알았다.As is clear from the results in Table 1, the positive radiation-sensitive compositions of Examples 1 to 10 including the components [A], [B] and [C] Sensitive positive radiation sensitive composition of the present invention exhibited excellent shape stability of the contact hole and had high developing property and pattern forming property. It was also found that each of the positive-tone radiation-sensitive compositions of the Examples can form an interlayer insulating film which satisfies generally required characteristics of radiation sensitivity, light transmittance and voltage holding ratio.

본 발명의 포지티브형 감방사선성 조성물은, 전술한 바와 같이, 우수한 방사선 감도를 갖고, 얻어지는 층간 절연막이 높은 광선 투과율 및 전압 보전율을 구비하면서, 경화막의 형성 조건의 변화에도 대응할 수 있는 우수한 현상성 및 패턴 형성성을 구비한다. 따라서, 당해 포지티브형 감방사선성 조성물은, 표시 소자의 층간 절연막 등을 형성하기 위해 적합하게 이용된다.As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention has excellent radiation sensitivity, and the obtained interlayer insulating film has a high light transmittance and a high voltage holding ratio, and has excellent developability capable of coping with changes in the conditions for forming a cured film and And has a pattern forming property. Accordingly, the positive-tone radiation-sensitive composition is suitably used for forming an interlayer insulating film or the like of a display element.

1 : 기판
2 : 경화막
3 : 콘택트홀
1: substrate
2:
3: Contact hole

Claims (6)

[A] 동일 또는 상이한 중합체 분자 중에 하기식 (1)로 나타나는 기를 포함하는 구조 단위와 에폭시기 함유 구조 단위를 갖는 중합체,
[B] 광산 발생체 및,
[C] 하기식 (2)로 나타나는 화합물
을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물:
Figure 112011025778016-pat00011

(식 (1) 중, R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고(단, R1 및 R2가 모두 수소 원자인 경우는 없음); R3은 알킬기, 사이클로알킬기, 아르알킬기, 아릴기 또는 -M(R3m)3으로 나타나는 기(M은 Si, Ge 또는 Sn이고, R3m은 알킬기임)이고, 이들 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋고; R1과 R3이 연결되어 환상 에테르 구조를 형성해도 좋음);
Figure 112011025778016-pat00012

(식 (2) 중, X는 탄소수 6∼20의 2가의 직쇄상 지방족 탄화수소기이고; Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, 단결합, 에스테르 결합, 아미드 결합 또는 우레탄 결합이고; R4 및 R5는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 술포기, 술포 페닐기, 또는 하기식 (i)∼(vi)의 어느 것으로 나타나는 기이고; 단, Y1 또는 Y2가 단결합일 때, 이 Y1 또는 Y2와 연결되는 R4 또는 R5가 탄소수 1∼6의 알킬기인 경우는 없음);
Figure 112011025778016-pat00013

(식 (i)∼(vi) 중, R6은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이고; R7은 수소 원자 또는 메틸기이고; m은 0∼6의 정수이고; 단, 상기식 (2) 중의 Y1 또는 Y2가 단결합일 때, 이 Y1 또는 Y2와 연결되는 R4 또는 R5에 있어서의 m은 0임).
[A] a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules,
[B] the photoacid generator, and
[C] a compound represented by the following formula (2)
A positive radiation-sensitive composition comprising:
Figure 112011025778016-pat00011

(1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, cycloalkyl group or aryl group is substituted with a substituent R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or a group represented by -M (R 3m ) 3 (wherein M represents Si, Ge (in which R 1 and R 2 are not hydrogen atoms) Or Sn and R 3m is an alkyl group), some or all of these hydrogen atoms may be substituted with a substituent, and R 1 and R 3 may be connected to form a cyclic ether structure);
Figure 112011025778016-pat00012

(2), X is a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, Y 1 and Y 2 are each independently a single bond, an ester bond, an amide bond or a urethane bond, R 4 and R 5 are, each independently, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, sulfo, sulfonyl group, or the formula (i) ~ a group represented by any of (vi); However, Y 1 or Y 2 is unity coalescence When R 4 or R 5 connected to Y 1 or Y 2 is not an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms);
Figure 112011025778016-pat00013

Wherein R 6 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 7 is a hydrogen atom or a methyl group, m is an integer of 0 to 6, provided that in the formula (2) of Y 1 or Y 2 when the sum is unity, m in R 4 or R 5 that is connected with a Y 1 or Y 2 is zero).
제1항에 있어서,
상기식 (2)로 나타나는 화합물의 R4 및 R5의 적어도 한쪽이, 상기식 (i), (ii), (iii), (vi)의 어느 것으로 나타나는 기인 화합물을 함유하는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to claim 1,
(I), (ii), (iii) and (vi), at least one of R 4 and R 5 of the compound represented by the formula (2) Composition.
제1항에 있어서,
[B] 광산 발생체가, 하기식 (3)으로 나타나는 옥심술포네이트기를 갖는 포지티브형 감방사선성 조성물.
Figure 112011025778016-pat00014

(식 (3) 중, RB1은 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있어도 좋음).
The method according to claim 1,
[B] A positive radiation-sensitive composition having an oxime sulfonate group represented by the following formula (3) as a photoacid generator.
Figure 112011025778016-pat00014

(In the formula (3), R B1 is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted with a substituent).
제1항, 제2항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
표시 소자의 층간 절연막을 형성하기 위해 이용되는 포지티브형 감방사선성 조성물.
The method according to any one of claims 1, 2, and 3,
A positive radiation-sensitive composition for use in forming an interlayer insulating film of a display element.
(1) 제4항에 기재된 포지티브형 감방사선성 조성물의 도막을 기판 상에 형성하는 공정,
(2) 공정(1)에서 형성한 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 공정(2)에서 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 공정(3)에서 현상된 도막을 가열하는 공정
을 갖는 표시 소자의 층간 절연막의 형성 방법.
(1) a step of forming a coating film of the positive radiation-sensitive composition described in (4) above on a substrate,
(2) a step of irradiating at least a part of the coating film formed in the step (1)
(3) a step of developing the coated film irradiated with the radiation in the step (2)
(4) a step of heating the developed coating film in the step (3)
Of the interlayer insulating film of the display element.
제4항에 기재된 포지티브형 감방사선성 조성물로 형성되는 표시 소자의 층간 절연막.An interlayer insulating film of a display element formed from the positive radiation-sensitive composition of claim 4.
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