JP5772181B2 - Radiation sensitive resin composition, interlayer insulating film for display element and method for forming the same - Google Patents

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本発明は、感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法に関する。   The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, an interlayer insulating film for display elements, and a method for forming the same.

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で表示素子用層間絶縁膜が設けられている。表示素子用層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、また得られる表示素子用層間絶縁膜に高度な平坦性が求められることから感放射線性樹脂組成物が幅広く使用されている。このような感放射線性樹脂組成物には良好な感度が求められ、また表示素子用層間絶縁膜には上記平坦性に加え、優れた表面硬度、耐溶媒製等が求められる。   The display element is generally provided with a display element interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers. As a material for forming an interlayer insulating film for a display element, the number of processes for obtaining a necessary pattern shape is small, and since a high level of flatness is required for the obtained interlayer insulating film for a display element, a radiation-sensitive resin composition Is widely used. Such a radiation sensitive resin composition is required to have good sensitivity, and the interlayer insulating film for display elements is required to have excellent surface hardness, solvent resistance, etc. in addition to the above flatness.

このような感放射線性樹脂組成物としては、アクリル系樹脂が広く採用されており、例えば、架橋剤、酸発生剤及びアルカリ可溶性樹脂を含有する組成物が知られている(特開2004−4669号公報参照)。上記アルカリ可溶性樹脂とは、保護基(アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用により解離し得る基)を有し、この保護基が解離した後にアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂をいう。また、他の感放射線性樹脂組成物としては、アセタール構造及び/又はケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂及び酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物が提案されている(特開2004−264623号公報参照)。   As such a radiation sensitive resin composition, an acrylic resin is widely adopted, and for example, a composition containing a crosslinking agent, an acid generator and an alkali-soluble resin is known (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-4669). Issue gazette). The alkali-soluble resin refers to a resin having a protecting group (a group that is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution and can be dissociated by the action of an acid) and becomes soluble in an alkaline aqueous solution after the protective group is dissociated. . As another radiation-sensitive resin composition, a radiation-sensitive resin composition containing an acetal structure and / or a ketal structure, a resin containing an epoxy group, and an acid generator has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-2004). 264623).

しかしながら、従来の保護基を有する感放射線性樹脂組成物を用いて表示素子用層間絶縁膜の形成を試みた場合、露光により解離した保護基がレジスト膜外に排出されることでレジスト膜の膜減少が発生し、表示素子用層間絶縁膜の平坦性が損なわれる不都合がある。この不都合を回避するためには、膜減少を予め想定して、感放射線性樹脂組成物の塗布量を多くする必要があり、コスト面で不利である。さらに、液晶ディスプレイの場合、液晶セル中でこのような現象が起きると、液晶中に保護基が混入することで表示不良の原因となる場合がある。   However, when an attempt is made to form an interlayer insulating film for a display element using a conventional radiation-sensitive resin composition having a protective group, the protective film dissociated by exposure is discharged out of the resist film. There is a disadvantage that the reduction occurs and the flatness of the interlayer insulating film for display elements is impaired. In order to avoid this inconvenience, it is necessary to increase the coating amount of the radiation sensitive resin composition on the assumption of film reduction in advance, which is disadvantageous in terms of cost. Further, in the case of a liquid crystal display, when such a phenomenon occurs in a liquid crystal cell, a protective group may be mixed in the liquid crystal, which may cause display defects.

このような状況に鑑み、良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性(残膜率)を有し、かつ表示不良を引き起こさない感放射線性樹脂組成物の開発が望まれている。   In view of such circumstances, the radiation-sensitive resin composition has good sensitivity, has excellent flatness (residual film ratio) in addition to surface hardness and solvent resistance, and does not cause display defects. Development is desired.

特開2004−4669号公報JP 2004-4669 A 特開2004−264623号公報JP 2004-264623 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性(残膜率)を有する感放射線性樹脂組成物、表示不良を引き起こさない当該組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。   The present invention has been made on the basis of the circumstances as described above, and the object thereof is to have a good sensitivity and a feeling of having excellent flatness (residual film ratio) in addition to surface hardness and solvent resistance. An object is to provide a radiation resin composition, an interlayer insulating film for a display element obtained from the composition that does not cause display defects, and a method for forming the interlayer insulating film.

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体(以下、「[A]重合体」とも称する)、及び
[B]感放射線性酸発生剤
を含有する感放射線性樹脂組成物である。

Figure 0005772181
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、単結合、メチレン基、アルキレン基、アリーレン基、下記式(4)で表される基、又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。Rは、エポキシ基、グリシジル基、グリシジルオキシ基、不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基、ビニル基、ビニルエーテル基又は(メタ)アクリロイル基である。但し、上記エポキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。nは、1〜3の整数である。但し、Rが複数の場合、複数のRは同一であっても異なっていてもよい。)
Figure 0005772181
(式(4)中、a、cは、それぞれ独立して1〜6の整数である。bは、1〜2の整数である。) The invention made to solve the above problems is
[A] a polymer containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1) (hereinafter also referred to as “[A] polymer”), and [B] a radiation-sensitive acid generator It is a radiation sensitive resin composition.
Figure 0005772181
(In formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, provided that the hydrogen atom of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group is Some or all of them may be substituted, and R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms, and R 3 is a single bond, a methylene group, an alkylene group, an arylene group, or a group represented by the following formula (4 ) is a divalent organic group comprising a combination of a group represented by or these groups. However, some or all of the hydrogen atoms with these groups may .R 4 be substituted, An epoxy group, a glycidyl group, a glycidyloxy group, an alicyclic group having an unsaturated double bond or an epoxy group, a vinyl group, a vinyl ether group, or a (meth) acryloyl group, provided that the epoxy group has Some or all of the atom, optionally substituted .n is an integer of 1 to 3. However, if R 4 is plural, even if a plurality of R 4 is optionally substituted by one or more identical Good.)
Figure 0005772181
(In Formula (4), a and c are each independently an integer of 1 to 6. b is an integer of 1 to 2.)

上記構造単位(I)は、反応性基を有する保護基を有しており、露光により解離した保護基が有する反応性基はレジスト膜中の重合体成分の官能基と反応し、レジスト膜外に排出されにくくなる。結果として、構造単位(I)を含む[A]重合体を含有する当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、優れた残膜率を実現することができる。また、当該組成物は、[B]感放射線性酸発生剤を含有することで良好な感度を有し、かつ当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、優れた表面硬度及び耐溶媒性を有し、さらに高い電圧保持率(表示不良を引き起こさない)を発揮することができる。   The structural unit (I) has a protective group having a reactive group, and the reactive group of the protective group dissociated by exposure reacts with the functional group of the polymer component in the resist film, thereby It becomes difficult to be discharged. As a result, the interlayer insulation film for display elements formed from the said composition containing the [A] polymer containing structural unit (I) can implement | achieve the outstanding residual film rate. In addition, the composition contains [B] a radiation-sensitive acid generator and has good sensitivity, and the interlayer insulating film for display elements formed from the composition has excellent surface hardness and resistance. It has solvent properties and can exhibit a higher voltage holding ratio (not causing display failure).

[A]重合体は、構造単位(I)を含む重合体分子中に、又は構造単位(I)を含まない他の重合体分子中に、エポキシ基を有する構造単位(II)をさらに含むことが好ましい。構造単位(II)をさらに含むことで、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、より優れた表面硬度、耐溶媒性及び電圧保持率を有することができる。   [A] The polymer further includes a structural unit (II) having an epoxy group in a polymer molecule containing the structural unit (I) or in another polymer molecule not containing the structural unit (I). Is preferred. By further including the structural unit (II), the interlayer insulating film for a display element formed from the composition can have more excellent surface hardness, solvent resistance, and voltage holding ratio.

当該組成物は、[C]増感剤をさらに含有することが好ましい。当該組成物が、[C]増感剤をさらに含有することで、当該組成物の感度をより向上することができる。   The composition preferably further contains a [C] sensitizer. When the composition further contains a [C] sensitizer, the sensitivity of the composition can be further improved.

当該組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。   The composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for a display element. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed from the composition.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該組成物を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
(1) A step of applying the composition on a substrate to form a coating film,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.

当該形成方法によると、優れた平坦性(残膜率)を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、感放射線性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to the formation method, an interlayer insulating film for a display element that has excellent flatness (remaining film ratio) and does not cause display defects can be formed. In addition, by forming a pattern by exposure, development, and heating using radiation sensitivity, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

なお、本明細書にいう「感放射線性樹脂組成物」の「放射線」とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。   The “radiation” of the “radiation-sensitive resin composition” in the present specification is a concept including visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, charged particle beams and the like.

以上説明したように、本発明の感放射線性樹脂組成物は、良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性(残膜率)を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。従って、当該組成物は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子用層間絶縁膜を形成するための材料として好適である。   As described above, the radiation-sensitive resin composition of the present invention has good sensitivity, has excellent flatness (residual film ratio) in addition to surface hardness and solvent resistance, and has poor display. It is possible to form an interlayer insulating film for a display element that does not cause the problem. Therefore, the composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for a display element such as a liquid crystal display element or an organic EL display element.

<感放射線性樹脂組成物>
本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]感放射線性酸発生剤を含有する。また、当該組成物は好適成分として、[C]増感剤を含有してもよい。さらに、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。
<Radiation sensitive resin composition>
The radiation sensitive resin composition of the present invention contains [A] a polymer and [B] a radiation sensitive acid generator. Moreover, the said composition may contain a [C] sensitizer as a suitable component. Furthermore, other optional components may be contained as long as the effects of the present invention are not impaired. Hereinafter, each component will be described in detail.

<[A]重合体>
[A]重合体は、上記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体である。上記構造単位(I)は、反応性基を有する保護基を有しており、露光により解離した保護基が有する反応性基はレジスト膜中の重合体成分の官能基と反応し、レジスト膜外に排出されにくくなる。結果として、構造単位(I)を含む[A]重合体を含有する当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、優れた残膜率を実現することができる。また、[A]重合体は、構造単位(I)を含む重合体分子中に、又は構造単位(I)を含まない他の重合体分子中に、エポキシ基を有する構造単位(II)をさらに含むことが好ましい。さらに、[A]重合体は本発明の効果を損なわない範囲において、アセタール構造を含む構造単位(III)及びその他の構造単位を含んでいてもよい。なお、[A]重合体は、各構造単位を2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。
<[A] polymer>
[A] The polymer is a polymer containing the structural unit (I) having a group represented by the above formula (1). The structural unit (I) has a protective group having a reactive group, and the reactive group of the protective group dissociated by exposure reacts with the functional group of the polymer component in the resist film, thereby It becomes difficult to be discharged. As a result, the interlayer insulation film for display elements formed from the said composition containing the [A] polymer containing structural unit (I) can implement | achieve the outstanding residual film rate. [A] The polymer further comprises a structural unit (II) having an epoxy group in a polymer molecule containing the structural unit (I) or in another polymer molecule not containing the structural unit (I). It is preferable to include. Furthermore, the [A] polymer may contain the structural unit (III) containing an acetal structure and other structural units as long as the effects of the present invention are not impaired. In addition, the [A] polymer may contain 2 or more types of each structural unit. Hereinafter, each structural unit will be described in detail.

[構造単位(I)]
構造単位(I)は、上記式(1)で表される基を有する。上記式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、単結合、メチレン基、アルキレン基、アリーレン基、上記式(4)で表される基、又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記式(4)中、a、cは、それぞれ独立して1〜6の整数である。bは、1〜2の整数である。Rは、エポキシ基、グリシジル基、グリシジルオキシ基、不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基、ビニル基、ビニルエーテル基又は(メタ)アクリロイル基である。但し、上記エポキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。nは、1〜3の整数である。但し、Rが複数の場合、複数のRは同一であっても異なっていてもよい。
[Structural unit (I)]
The structural unit (I) has a group represented by the above formula (1). In said formula (1), R < 1 > and R < 2 > are respectively independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the said alkyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group have may be substituted. Further, there is no case where R 1 and R 2 are both hydrogen atoms. R 3 is a single bond, a methylene group, an alkylene group, an arylene group, a group represented by the above formula (4), or a divalent organic group formed by combining these groups. However, some or all of the hydrogen atoms contained in these groups may be substituted. In said formula (4), a and c are the integers of 1-6 each independently. b is an integer of 1-2. R 4 is an epoxy group, a glycidyl group, a glycidyloxy group, an alicyclic group having an unsaturated double bond or an epoxy group, a vinyl group, a vinyl ether group, or a (meth) acryloyl group. However, one part or all part of the hydrogen atom which the said epoxy group has may be substituted. n is an integer of 1 to 3. However, when R 4 is plural, R 4 may be different and the same.

上記R及びRで表されるアルキル基としては、例えば炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 include linear and branched alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms. Examples of the linear and branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, and an n-octyl group. , N-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group and other linear alkyl groups, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group And a branched alkyl group such as.

上記R及びRで表されるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3〜20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3〜20のシクロアルキル基は、多環でもよい。上記炭素数3〜20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 include a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms. Moreover, this C3-C20 cycloalkyl group may be polycyclic. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

上記R及びRで表されるアリール基としては、例えば炭素数6〜14のアリール基等が挙げられる。上記炭素数6〜14のアリール基は、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記炭素数6〜14のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。 Examples of the aryl group represented by R 1 and R 2 include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms. The aryl group having 6 to 14 carbon atoms may be a single ring, a structure in which single rings are connected, or a condensed ring. Examples of the aryl group having 6 to 14 carbon atoms include a phenyl group and a naphthyl group.

上記R及びRで表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基(例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等)、アリール基(例えばフェニル基、ナフチル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1〜20のアルコキシ基等)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i−ブチリル基等の炭素数2〜20のアシル基等)、アシロキシ基(例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t−ブチリルオキシ基、t−アミリルオキシ基等の炭素数2〜10のアシロキシ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等の炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基)、ハロアルキル基(例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等のアルキル基;パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、フルオロシクロプロピル基、フルオロシクロブチル基等のシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子で置換された基等)等が挙げられる。 Examples of the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 include a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cyclo group. An alkyl group (eg, cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group, etc.), aryl group (eg, phenyl group, naphthyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group) , An ethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, a heptyloxy group, an octyloxy group and the like, and an acyl group (for example, an acetyl group and a propionyl group). , Butyryl group, i-butyryl group and the like having 2 to 20 carbon atoms A siloxy group), an acyloxy group (for example, an acetoxy group, an ethylyloxy group, a butyryloxy group, a t-butyryloxy group, a t-amylyloxy group, etc., an acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (for example, a methoxycarbonyl group) C2-C20 alkoxycarbonyl groups such as ethoxycarbonyl group and propoxycarbonyl group), haloalkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group) , N-octyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-octadecyl group and the like linear alkyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group Alkyl groups such as branched alkyl groups such as 3-hexyl groups; perfluoromethyl groups, perfluoro A group in which some or all of the hydrogen atoms of a cycloalkyl group such as an ethyl group, a perfluoropropyl group, a fluorocyclopropyl group, and a fluorocyclobutyl group are substituted with a halogen atom).

上記Rで表されるアルキレン基、アリーレン基又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基としては、例えば上記R及びRで例示したアルキル基及びアリール基から、水素原子1つを除いた基及びそれらの基を組み合わせてなる2価の有機基が適用できる。これらの基の置換基としては例えば上記R及びRで表される置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基として例示した基が適用できる。 Examples of the alkylene group, arylene group, or divalent organic group formed by combining these groups represented by R 3 include one hydrogen atom from the alkyl group and aryl group exemplified for R 1 and R 2 above. Excluded groups and divalent organic groups formed by combining these groups are applicable. As the substituent for these groups, for example, the groups exemplified as substituents for the optionally substituted alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 1 and R 2 can be applied.

上記Rで表される不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基の脂環式基としては炭素数3〜20のシクロアルキル基等が挙げられる。また、この炭素数3〜20のシクロアルキル基は、多環でもよい。上記炭素数3〜20のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。なお、エポキシ基とは、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)及びオキセタニル基(1,3−エポキシ構造)を含む概念である。上記Rで表される置換されていてもよいエポキシ基の置換基としては、例えば炭素数1〜10の直鎖状及び分岐状のアルキル基等が挙げられる。上記炭素数1〜10の直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状のアルキル基等が挙げられる。 Examples of the alicyclic group of the alicyclic group having an unsaturated double bond or an epoxy group represented by R 4 include a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms. Moreover, this C3-C20 cycloalkyl group may be polycyclic. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like. The epoxy group is a concept including an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). Examples of the substituent of the optionally substituted epoxy group represented by R 4 include linear and branched alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the linear and branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, and an n-octyl group. And a linear alkyl group such as i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group and 3-hexyl group.

上記式(1)で表される基としては、例えば下記式(1−1)〜(1−7)で表される基等が挙げられる。   Examples of the group represented by the above formula (1) include groups represented by the following formulas (1-1) to (1-7).

Figure 0005772181
Figure 0005772181

[A]重合体における構造単位(I)の含有量としては、本願発明の所望の効果が奏される限り特に限定されず、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で5質量%〜80質量%が好ましく、10質量%〜70質量%がより好ましく、15質量%〜65質量%が特に好ましい。   [A] The content of the structural unit (I) in the polymer is not particularly limited as long as the desired effect of the invention of the present application is achieved, and [A] is a single amount with respect to all the structural units contained in the polymer. The body charge ratio is preferably 5% by mass to 80% by mass, more preferably 10% by mass to 70% by mass, and particularly preferably 15% by mass to 65% by mass.

[構造単位(II)]
[A]重合体は、構造単位(I)を含む重合体分子中に、又は構造単位(I)を含まない他の重合体分子中にエポキシ基を有する構造単位(II)をさらに含むことが好ましい。構造単位(II)をさらに含むことで、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜は、より優れた表面硬度、耐溶媒性及び電圧保持率を有することができる。構造単位(II)としては、エポキシ基含有単量体に由来する構造単位であれば特に限定されない。
[Structural unit (II)]
[A] The polymer may further include a structural unit (II) having an epoxy group in a polymer molecule containing the structural unit (I) or in another polymer molecule not containing the structural unit (I). preferable. By further including the structural unit (II), the interlayer insulating film for a display element formed from the composition can have more excellent surface hardness, solvent resistance, and voltage holding ratio. The structural unit (II) is not particularly limited as long as it is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer.

構造単位(I)及び構造単位(II)を含む[A]重合体の態様としては、例えば
(i)同一の重合体分子中に構造単位(I)及び構造単位(II)の両方を含んでおり、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合;
(ii)一の重合体分子中に構造単位(I)を含み、それとは異なる重合体分子中に構造単位(II)を含み[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合;
(iii)一の重合体分子中に構造単位(I)及び構造単位(II)の両方を含み、それとは異なる重合体分子中に構造単位(I)を含み、これらとはさらに異なる重合体分子中に構造単位(II)を含み、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合;
(iv)上記(i)〜(iii)の重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。
As an embodiment of the [A] polymer containing the structural unit (I) and the structural unit (II), for example, (i) including both the structural unit (I) and the structural unit (II) in the same polymer molecule [A] when one polymer molecule is present in the polymer;
(Ii) In the case where the structural unit (I) is contained in one polymer molecule and the structural unit (II) is contained in a different polymer molecule, and [A] two polymer molecules are present in the polymer. ;
(Iii) A polymer molecule containing both the structural unit (I) and the structural unit (II) in one polymer molecule and a structural unit (I) in a polymer molecule different from the structural unit (I). In the case of containing the structural unit (II), and [A] three kinds of polymer molecules are present in the polymer;
(Iv) In addition to the polymer molecules of (i) to (iii) above, there may be mentioned a case where [A] the polymer further contains one or more polymer molecules.

エポキシ基含有構造単位を与えるエポキシ基含有単量体としては、例えば
(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸3−メチル−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸3−エチル−3,4−エポキシブチル、(メタ)アクリル酸5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸5−メチル−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸5−エチル−5,6−エポキシヘキシル、(メタ)アクリル酸6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルメチル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルエチル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルプロピル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルブチル、(メタ)アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルヘキシル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルメチル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルエチル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルプロピル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルブチル、アクリル酸3,4−エポキシシクロへキシルヘキシル等のオキシラニル基含有(メタ)アクリル系化合物;
o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;
o−ビニルフェニルグリシジルエーテル、m−ビニルフェニルグリシジルエーテル、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;
3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有(メタ)アクリル系化合物等が挙げられる。
Examples of the epoxy group-containing monomer that gives an epoxy group-containing structural unit include glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3-methyl-3,4-epoxybutyl acrylate, and methacrylic acid. 3-ethyl-3,4-epoxybutyl acid, 5,6-epoxyhexyl (meth) acrylate, 5-methyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, 5-ethyl-5,6-epoxyhexyl methacrylate, (Meth) acrylic acid 6,7-epoxyheptyl, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl (meth) acrylate, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylpropyl, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate Chill, 3,4-epoxycyclohexylhexyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl acrylate Oxiranyl group-containing (meth) acrylic compounds such as 3,4-epoxycyclohexylbutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl acrylate;
o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-p-vinyl Vinyl benzyl glycidyl ethers such as benzyl glycidyl ether;
vinyl phenyl glycidyl ethers such as o-vinyl phenyl glycidyl ether, m-vinyl phenyl glycidyl ether, p-vinyl phenyl glycidyl ether;
3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3 -Phenyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-phenyl Oxetane, -(2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl)- 3-phenyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2- Phenyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyl) Oxyethyl) -2-fe Luoxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) Examples include oxetanyl group-containing (meth) acrylic compounds such as 2-phenyloxetane.

上記エポキシ基含有単量体のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタンが他のラジカル重合性単量体との共重合反応性及び当該組成物の現像性の観点から好ましい。   Among the above epoxy group-containing monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3- Methyl oxetane and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and developability of the composition.

[A]重合体における構造単位(II)の含有量としては、本願発明の所望の効果が奏される限り特に限定されず、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で5質量%〜60質量%が好ましく、7質量%〜55質量%がより好ましく、10質量%〜50質量%が特に好ましい。   [A] The content of the structural unit (II) in the polymer is not particularly limited as long as the desired effect of the invention of the present application is exhibited, and [A] a single amount with respect to all the structural units contained in the polymer. The body charge ratio is preferably 5% by mass to 60% by mass, more preferably 7% by mass to 55% by mass, and particularly preferably 10% by mass to 50% by mass.

[構造単位(III)]
構造単位(III)は、酸解離性基を有し、構造単位(I)における反応性基、即ちRに該当する基を有さない構造単位である。構造単位(III)における酸解離性基としては、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。
[Structural unit (III)]
The structural unit (III) has an acid-dissociable group and is a structural unit having no reactive group in the structural unit (I), that is, a group corresponding to R 4 . The acid dissociable group in the structural unit (III) has an acetal structure or a ketal structure that is relatively stable with respect to an alkali, and these are dissociated by the action of an acid.

構造単位(III)を与える単量体としては、例えばメタクリル酸1−エトキシエチル、メタクリル酸1−メトキシエチル、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル、メタクリル酸1−イソブトキシエチル、メタクリル酸1−t−ブトキシエチル、メタクリル酸1−(2−クロルエトキシ)エチル、メタクリル酸1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチル、メタクリル酸1−n−プロポキシエチル、メタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル、メタクリル酸1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチル、メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル、メタクリル酸2−テトラヒドロピラニル、アクリル酸1−エトキシエチル、アクリル酸1−メトキシエチル、アクリル酸1−n−ブトキシエチル、アクリル酸1−イソブトキシエチル、アクリル酸1−t−ブトキシエチル、アクリル酸1−(2−クロルエトキシ)エチル、アクリル酸1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチル、アクリル酸1−n−プロポキシエチル、アクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル、アクリル酸1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチル、アクリル酸1−ベンジルオキシエチル、アクリル酸2−テトラヒドロピラニル、2,3−ジ(1−(トリメチルシラニルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリメチルゲルミルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−メトキシエトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロヘキシルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(ベンジルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、p又はm−1−エトキシエトキシスチレン、p又はm−1−メトキシエトキシスチレン、p又はm−1−n−ブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−イソブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−クロルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−エチルヘキシルオキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p又はm−1−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm−1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−ベンジルオキシエトキシスチレン等が挙げられる。   Examples of the monomer that gives the structural unit (III) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t methacrylate. -Butoxyethyl, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (methacrylic acid 1- ( 2-cyclohexylethoxy) ethyl, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-acrylate Isobutoxyethyl, acrylic 1-t-butoxyethyl, 1- (2-chloroethoxy) ethyl acrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, acrylic acid 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate, 2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2 , 3-Di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ) Ethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (benzylo) Ii) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxy Ethoxystyrene, p or m-1- (1,1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-ethylhexyloxy) ethoxystyrene, p or m-1-n-propoxyethoxystyrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1-benzyloxyethoxystyrene, etc. Can be mentioned.

これらのうち構造単位(III)を与える単量体としては、メタクリル酸1−エトキシエチル、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル、メタクリル酸2−テトラヒドロピラニル、メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル、メタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチルが好ましい。   Among these, monomers giving structural unit (III) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, methacrylic acid. 1-cyclohexyloxyethyl is preferred.

[その他の構造単位]
[A]重合体は、本発明の効果を損なわない範囲において、構造単位(I)、構造単位(II)及び構造単位(III)以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。その他の構造単位を与える単量体としては、例えばカルボキシル基又はその誘導体を有する単量体、水酸基を有する単量体、その他の単量体等が挙げられる。
[Other structural units]
[A] The polymer may contain other structural units other than the structural unit (I), the structural unit (II) and the structural unit (III) as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the monomer that gives other structural units include a monomer having a carboxyl group or a derivative thereof, a monomer having a hydroxyl group, and other monomers.

上記カルボキシル基又はその誘導体を有する単量体としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;上記ジカルボン酸の酸無水物等が挙げられる。   Examples of the monomer having a carboxyl group or a derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, Examples thereof include monocarboxylic acids such as 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid; and acid anhydrides of the above dicarboxylic acids.

上記水酸基を有する単量体としては、例えばアクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、アクリル酸4−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチル等のアクリル酸ヒドロキシアルキル;メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸3−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキル等が挙げられる。これらの水酸基を有する単量体のうち、得られる表示素子用層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチル、アクリル酸4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチル、メタクリル酸4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルが好ましい。   Examples of the monomer having a hydroxyl group include hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 4-hydroxymethylcyclohexylmethyl acrylate; methacrylic acid 2 -Hydroxyethyl, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 6-hydroxyhexyl methacrylate, 4-hydroxymethyl methacrylate-hydroxyalkyl methacrylate and the like. It is done. Of these monomers having a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, and methacrylic acid 2 are used from the viewpoint of heat resistance of the obtained interlayer insulating film for display elements. -Hydroxyethyl, 4-hydroxybutyl methacrylate, 4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl acrylate, 4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl methacrylate are preferred.

その他の単量体としては、例えば
アクリル酸メチル、アクリル酸i−プロピル等のアクリル酸アルキル;
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル等のメタクリル酸アルキル;
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキル;
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキル;
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル又はアクリル酸のアラルキル;
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル又はメタクリル酸のアラルキル;
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキル;
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル又は不飽和複素六員環メタクリル酸;
4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸;
4−アクリロイルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2、2−ジエチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロペンチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシエチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシプロピル−2−メチル
−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシブチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸;
スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、4−イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;
N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等のN位置換マレイミド;
1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等の共役ジエン系化合物;
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等の不飽和化合物等が挙げられる。
Examples of other monomers include alkyl acrylates such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;
Alkyl methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate;
Cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, 2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] acrylate Decyl-8-yloxy) ethyl, cycloaliphatic alkyl acrylates such as isobornyl acrylate;
Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, 2- (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] methacrylate) Decane-8-yloxy) ethyl, cycloaliphatic alkyl methacrylates such as isobornyl methacrylate;
Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate or aralkyl of acrylic acid;
Aryl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate or aralkyl of methacrylic acid;
Dialkyl dicarboxylates such as diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate;
Unsaturated hetero 5-membered methacrylic acid ester or unsaturated hetero 6-membered methacrylic acid containing 1 atom of oxygen such as tetrahydrofurfuryl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate, tetrahydropyran-2-methyl methacrylate;
4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl- 2 oxygen atoms such as 1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane An unsaturated heterocyclic 5-membered methacrylic acid containing:
4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2, 2-diethyl- 1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2- Cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxyethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4- Acryloyloxybutyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxola Unsaturated five-membered heterocyclic acrylic acid containing oxygen 2 atoms and the like;
Vinyl aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, 4-isopropenylphenol;
N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3 -N-substituted maleimides such as maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;
Conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;
And unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride and vinyl acetate.

これらのその他の単量体のうち、スチレン、4−イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3−ブタジエン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジルが、上記のカルボキシル基又はその誘導体を有する単量体、水酸基を有する単量体との共重合反応性及び当該組成物の現像性の観点から好ましい。 Among these other monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 1,3-butadiene 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, benzyl methacrylate is a monomer having the above carboxyl group or a derivative thereof, a hydroxyl group From the viewpoints of copolymerization reactivity with a monomer having a photopolymerization property and developability of the composition.

[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。[A]重合体のMwを上記特定範囲とすることで、当該組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 [A] Polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw) by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably 5.0 × 10. 3 to 5.0 × 10 4 . [A] By making Mw of a polymer into the said specific range, the sensitivity and alkali developability of the said composition can be improved.

[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)としては、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。[A]重合体のMnを上記特定範囲とすることで、当該組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 [A] The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the polymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably 5.0 × 10 3 to 5.0 × 10. 4 . [A] By making Mn of a polymer into the said specific range, the curing reactivity at the time of hardening of the coating film of the said composition can be improved.

[A]重合体の分子量分布(Mw/Mn)としては、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる表示素子用層間絶縁膜の現像性を高めることができる。   [A] The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. [A] By setting Mw / Mn of the polymer to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film for display elements can be enhanced.

なお、Mw及びMnは、下記の条件によるGPCにより測定した。
装置:GPC−101(昭和電工製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
Mw and Mn were measured by GPC under the following conditions.
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

<[A]重合体の合成方法>
[A]重合体は、上記各構造単位を与える単量体のラジカル共重合により合成できる。例えば、同一の重合体分子に構造単位(I)及び構造単位(II)の両方を含む[A]重合体を合成する場合は、構造単位(I)を与える単量体と構造単位(II)を与える単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位(I)を有し、かつそれとは異なる重合体分子に構造単位(II)を有する[A]重合体を合成する場合は、構造単位(I)を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(I)を有する重合体分子を得ておき、別途構造単位(II)を与える単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(II)を有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して[A]重合体とすればよい。
<[A] Polymer Synthesis Method>
[A] The polymer can be synthesized by radical copolymerization of monomers giving the above structural units. For example, when synthesizing a polymer [A] containing both the structural unit (I) and the structural unit (II) in the same polymer molecule, the monomer that gives the structural unit (I) and the structural unit (II) What is necessary is just to copolymerize using the mixture containing the monomer which gives. On the other hand, when the [A] polymer having the structural unit (I) in one polymer molecule and the structural unit (II) in a different polymer molecule is synthesized, the structural unit (I) is given. A polymer solution containing a monomer is radically polymerized to obtain a polymer molecule having the structural unit (I), and a polymer solution containing a monomer that gives the structural unit (II) is separately radically polymerized to form a structure. What is necessary is just to obtain the polymer molecule | numerator which has a unit (II), and finally mix both to make a [A] polymer.

[A]重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば後述する当該組成物の調製の項において例示した溶媒が挙げられる。   [A] Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the polymer include the solvents exemplified in the section of preparation of the composition described later.

重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;及び過酸化水素等が挙げられる。   As the polymerization initiator used in the polymerization reaction, those generally known as radical polymerization initiators can be used. For example, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- ( 2,4-Dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate); benzoyl And organic peroxides such as peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; and hydrogen peroxide.

[A]重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。   [A] In the polymerization reaction of the polymer, a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, and thioglycolic acid; Xanthogens such as xanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene, α-methylstyrene dimer and the like.

<[B]感放射線性酸発生剤>
[B]感放射線性酸発生剤は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該組成物が[B]感放射線性酸発生剤を含むことで、当該組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができる。
<[B] Radiation sensitive acid generator>
[B] The radiation-sensitive acid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. When the composition contains the [B] radiation sensitive acid generator, the composition can exhibit positive radiation sensitive characteristics.

[B]感放射線性酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。なお、これらの[B]感放射線性酸発生剤はそれぞれを単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   [B] Examples of the radiation-sensitive acid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, and carboxylic acid ester compounds. In addition, each of these [B] radiation sensitive acid generators can be used individually or in combination of 2 or more types.

[オキシムスルホネート化合物]
オキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物等が挙げられる。
[Oxime sulfonate compound]
Examples of the oxime sulfonate compound include a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (2).

Figure 0005772181
Figure 0005772181

上記式(2)中、RB1は、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。但し、これらの基は水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。 In the above formula (2), R B1 is a linear or branched alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group. However, in these groups, some or all of the hydrogen atoms may be substituted.

上記RB1で表される直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。上記炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1〜10のアルコキシ基、7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。なお、好ましい脂環式基としては、ビシクロアルキル基である。上記RB1で表されるアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。上記アリール基は置換されていてもよく、置換基としては例えば炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 The linear or branched alkyl group represented by R B1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be substituted. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl. And an alicyclic group containing a bridged alicyclic group such as a group. A preferred alicyclic group is a bicycloalkyl group. The aryl group represented by R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group may be substituted, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.

上記式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば下記式(3)で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。   Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (2) include an oxime sulfonate compound represented by the following formula (3).

Figure 0005772181
Figure 0005772181

上記式(3)中、RB1は、上記式(2)と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは、0〜3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。 In the above formula (3), R B1 has the same meaning as in the above formula (2). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. However, when there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.

上記Xで表され得るアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0又は1が好ましい。上記式(3)においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。   The alkyl group that can be represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. As m, 0 or 1 is preferable. In the above formula (3), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

上記(3)で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば下記式(3−1)〜(3−5)でそれぞれ表される化合物等が挙げられる。   Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above (3) include compounds represented by the following formulas (3-1) to (3-5).

Figure 0005772181
Figure 0005772181

上記化合物(3−1)(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、化合物(3−2)(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、化合物(3−3)(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、化合物(3−4)(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル及び化合物(3−5)(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリルは、市販品として入手できる。   Compound (3-1) (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, Compound (3-2) (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophene- 2-Ilidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, Compound (3-3) (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, Compound (3-4) (5 -P-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile and compound (3-5) (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile are commercially available. Available as a product.

[オニウム塩]
オニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。
[Onium salt]
Examples of the onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, and tetrahydrothiophenium salt.

ジフェニルヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。   Examples of the diphenyliodonium salt include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyliodonium. Butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate Bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluorome Sulphonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, etc. .

トリフェニルスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。   Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenylsulfonium. And butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。   Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like.

アルキルスルホニウム塩としては、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate and the like can be mentioned.

ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。   Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenyl. Methylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenyl Examples include methylsulfonium hexafluorophosphate.

ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。   Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, and dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium. Hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl- Examples include 4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate.

置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3- Examples include chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, and 3- (p-methoxybenzyl). ) Benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.

テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。   Examples of tetrahydrothiophenium salts include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane. Sulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1 , 2,2-Tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo) [2.2.1] Heptan-2-yl) -1,1, , 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl ) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and the like.

[スルホンイミド化合物]
スルホンイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる。
[Sulfonimide compound]
Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy). ) Succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N -(2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenyl monomer Imido, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) Diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (nonafluorobutane Sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Pto-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-en-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5 -Ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenyl) Sulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyl) Ruoxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluoro Phenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 , 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-di Ruboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2 , 3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (Phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (butylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarbo Xylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, and the like.

[ハロゲン含有化合物]
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。
[Halogen-containing compounds]
Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.

[ジアゾメタン化合物]
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。
[Diazomethane compounds]
Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, and bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane. Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane Etc.

[スルホン化合物]
スルホン化合物としては、例えばβ−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。
[Sulfone compound]
Examples of the sulfone compounds include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, diaryldisulfone compounds, and the like.

[スルホン酸エステル化合物]
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。
[Sulfonic acid ester compounds]
Examples of the sulfonate compound include alkyl sulfonate, haloalkyl sulfonate, aryl sulfonate, and imino sulfonate.

[カルボン酸エステル化合物]
カルボン酸エステル化合物としては、例えばカルボン酸o−ニトロベンジルエステル等が挙げられる。
[Carboxylic ester compounds]
Examples of the carboxylic acid ester compound include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.

[B]感放射線性酸発生剤としては、感度及び溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましい。オキシムスルホネート化合物としては、上記式(2)で表される化合物が好ましく、上記式(3)で表される化合物がより好ましく、市販品として入手可能な、上記式(3−1)で表される化合物が特に好ましい。オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましい。スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。   [B] The radiation-sensitive acid generator is preferably an oxime sulfonate compound, an onium salt, or a sulfonate compound from the viewpoints of sensitivity and solubility. As the oxime sulfonate compound, a compound represented by the above formula (2) is preferable, a compound represented by the above formula (3) is more preferable, and is represented by the above formula (3-1), which is available as a commercial product. Are particularly preferred. As the onium salt, tetrahydrothiophenium salt and benzylsulfonium salt are preferable, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate are preferable. More preferred. As the sulfonic acid ester compound, a haloalkylsulfonic acid ester is preferable, and N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester is more preferable.

当該組成物における[B]感放射線性酸発生剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.1質量部〜10質量部、より好ましくは1質量部〜5質量部である。[B]感放射線性酸発生剤の含有量を上記特定範囲とすることで、当該組成物の感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い表示素子用層間絶縁膜を形成できる。   As content of the [B] radiation sensitive acid generator in the said composition, Preferably it is 0.1 mass part-10 mass parts with respect to 100 mass parts of [A] polymers, More preferably, 1 mass part- 5 parts by mass. [B] By setting the content of the radiation-sensitive acid generator within the specific range, the sensitivity of the composition can be optimized, and an interlayer insulating film for a display element having a high surface hardness can be formed while maintaining transparency.

<[C]増感剤>
当該組成物は、好適成分として[C]増感剤をさらに含有することが好ましい。当該組成物が、[C]増感剤をさらに含有することで、当該組成物の感度をより向上することができる。[C]増感剤は、活性光線又は放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった[C]増感剤は、光酸発生剤と接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱等の作用が生じ、これにより[B]感放射線性酸発生剤は化学変化を起こして分解し酸を生成する。
<[C] sensitizer>
It is preferable that the said composition further contains a [C] sensitizer as a suitable component. When the composition further contains a [C] sensitizer, the sensitivity of the composition can be further improved. [C] The sensitizer absorbs actinic rays or radiation and enters an electronically excited state. The electronically excited [C] sensitizer is brought into contact with the photoacid generator to cause electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like, whereby the [B] radiation sensitive acid generator is chemically changed. To generate acid.

[C]増感剤としては、以下の化合物類に属しており、かつ350nm〜450nmの領域に吸収波長を有する化合物等が挙げられる。   [C] Examples of the sensitizer include compounds belonging to the following compounds and having an absorption wavelength in the region of 350 nm to 450 nm.

[C]増感剤としては、例えば
ピレン、ペリレン、トリフェニレン、アントラセン、9,10−ジブトキシアントラセン、9,10−ジエトキシアントラセン、3,7−ジメトキシアントラセン、9,10−ジプロピルオキシアントラセン等の多核芳香族類;
フルオレッセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル等のキサンテン類;
キサントン、チオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等のキサントン類;
チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン等のシアニン類;
メロシアニン、カルボメロシアニン等のメロシアニン類;
ローダシアニン類;
オキソノール類;
チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー等のチアジン類;
アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン等のアクリジン類;
アクリドン、10−ブチル−2−クロロアクリドン等のアクリドン類;
アントラキノン等のアントラキノン類;
スクアリウム等のスクアリウム類;
スチリル類;
2−[2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]エテニル]ベンゾオキサゾール等のベーススチリル類;
7−ジエチルアミノ4−メチルクマリン、7−ヒドロキシ4−メチルクマリン、2,3,6,7−テトラヒドロ−9−メチル−1H,5H,11H[l]ベンゾピラノ[6.7.8−ij]キノリジン−11−ノン等のクマリン類等が挙げられる。
[C] Examples of the sensitizer include pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10-dipropyloxyanthracene and the like. Polynuclear aromatics of
Xanthenes such as fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal;
Xanthones such as xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone;
Cyanines such as thiacarbocyanine, oxacarbocyanine;
Merocyanines such as merocyanine and carbomerocyanine;
Rhodocyanines;
Oxonols;
Thiazines such as thionine, methylene blue and toluidine blue;
Acridines such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine;
Acridones such as acridone, 10-butyl-2-chloroacridone;
Anthraquinones such as anthraquinone;
Squariums such as squalium;
Styryls;
Base styryls such as 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole;
7-diethylamino 4-methylcoumarin, 7-hydroxy 4-methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [l] benzopyrano [6.7.8-ij] quinolidine- Coumarins, such as 11-non, etc. are mentioned.

これらの[C]増感剤のうち多環芳香族類、キサントン類、アクリドン類、スチリル類、ベーススチリル類、クマリン類が好ましく、多環芳香族類、キサントン類がより好ましく、9,10−ジブトキシアントラセン、イソプロピルチオキサントンが特に好ましい。   Of these [C] sensitizers, polycyclic aromatics, xanthones, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferred, polycyclic aromatics and xanthones are more preferred, and 9,10- Dibutoxyanthracene and isopropylthioxanthone are particularly preferred.

当該組成物における[C]増感剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して0.1質量部〜10質量部が好ましく、0.5質量部〜5質量部がより好ましい。[D]塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、感度をより向上できる。   As content of the [C] sensitizer in the said composition, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, and 0.5 mass part-5 mass parts are more. preferable. [D] By making content of a basic compound into the said specific range, a sensitivity can be improved more.

<その他の任意成分>
当該組成物は、上記[A]〜[C]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて[D]塩基性化合物、[E]界面活性剤、[F]密着助剤、[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物等のその他の任意成分を含有してもよい。これらのその他の任意成分は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。以下、各成分を詳述する。
<Other optional components>
In addition to the components [A] to [C], the composition includes [D] a basic compound, [E] a surfactant, and [F] an adhesion assistant as long as the effects of the present invention are not impaired. [G] Other optional components such as a compound having a hindered phenol structure may be contained. These other optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.

<[D]塩基性化合物>
[D]塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該組成物に[D]塩基性化合物を含有させることで、露光により[B]感放射線性酸発生剤から発生した酸の拡散長を適度に制御することができパターン現像性を良好にできる。
<[D] Basic compound>
[D] The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists, for example, aliphatic amine, aromatic amine, heterocyclic amine, quaternary ammonium hydroxide, carboxylic acid quaternary ammonium. Examples include salts. By containing the [D] basic compound in the composition, the diffusion length of the acid generated from the [B] radiation-sensitive acid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability can be improved.

脂肪族アミンとしては、例えばトリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。   Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, dicyclohexylamine, Examples include dicyclohexylmethylamine.

芳香族アミンとしては、例えばアニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。   Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えばピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]−7ウンデセン等が挙げられる。   Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4 -Dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, pyrazole , Pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7 undecene Etc.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

これらの[D]塩基性化合物のうち、複素環式アミンが好ましく、4−ジメチルアミノピリジン、4−メチルイミダゾール、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネンがより好ましい。   Of these [D] basic compounds, heterocyclic amines are preferable, and 4-dimethylaminopyridine, 4-methylimidazole, and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene are more preferable.

当該組成物における[D]塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して0.001質量部〜1質量部が好ましく、0.005質量部〜0.2質量部がより好ましい。[D]塩基性化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。   As content of the [D] basic compound in the said composition, 0.001 mass part-1 mass part are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, and 0.005 mass part-0.2 mass part. Is more preferable. [D] By making content of a basic compound into the said specific range, pattern developability improves more.

<[E]界面活性剤>
[E]界面活性剤は、当該組成物の塗膜形成性をより向上させることができる。界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。当該組成物が、[E]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果形成される表示素子用層間絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。
<[E] surfactant>
[E] The surfactant can further improve the film-forming property of the composition. Examples of the surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. When the said composition contains [E] surfactant, the surface smoothness of a coating film can be improved and the film thickness uniformity of the interlayer insulation film for display elements formed as a result can be improved more.

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(1,1,2,2−テトラフルオロn−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、パーフルオロn−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10−デカフルオロn−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。   As the fluorosurfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group at at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable. For example, 1,1,2,2-tetrafluoro n- Octyl (1,1,2,2-tetrafluoro n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2 , 3,3-hexafluoro n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3) -Hexafluoro n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro n-butyl) ether, Sodium fluoro n-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro n-decane, 1,1,2,2,3,3,9,9,10,10-decafluoro n- Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkylbetaine, fluoroalkylpolyoxyethylene ether, Fluoroalkyl polyoxyethanol, perfluoroalkyl alkoxylate, carboxylic acid fluoroalkyl ester and the like can be mentioned.

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えばBM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476(以上、大日本インキ化学工業製)、フロラードFC−170C、同FC−171、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145、同S−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子製)、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、新秋田化成製)、フタージェントFT−100、同FT−110、同FT−140A、同FT−150、同FT−250、同FT−251、同FT−300、同FT−310、同FT−400S、同FTX−218、同FT−251(以上、ネオス製)等が挙げられる。   Examples of commercially available fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM CHEMIE), MegaFuck F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471. F476 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Surflon S-112, S-113, S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-105, SC-106 (and above) Asahi Glass Co., Ltd.), F-top EF301, EF303, EF352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei), Footent FT-100, FT-110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, FT-310, FT-400S, FTX-218, FT-251 (above, Neos), etc. Is mentioned.

シリコーン系界面活性剤としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH−190、同SH−193、同SZ−6032、同SF−8428、同DC−57、同DC−190、SH 8400 FLUID(以上、東レダウコーニングシリコーン製)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン製)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業製)等が挙げられる。   Examples of the silicone-based surfactant include Torre Silicone DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, and SF-8428. DC-57, DC-190, SH 8400 FLUID (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4252 (above, GE Toshiba Silicone), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.

当該組成物における[E]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下であり、より好ましくは0.05質量部以上1質量部以下である。[E]界面活性剤の含有量を上記特定範囲とすることで塗膜の膜厚均一性をより向上できる。   The content of the [E] surfactant in the composition is preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. Part to 1 part by mass. [E] The film thickness uniformity of a coating film can be improved more by making content of surfactant into the said specific range.

<[F]密着助剤>
[F]密着助剤は、基板となる無機物、例えばシリコーン、酸化シリコーン、窒化シリコーン等のシリコーン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために使用できる。密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。官能性シランカップリング剤としては、例えばカルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
<[F] Adhesion aid>
[F] The adhesion assistant can be used to improve the adhesion between an insulating material and an inorganic substance serving as a substrate, for example, a silicone compound such as silicone, silicone oxide or silicone nitride, gold, copper or aluminum. As the adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferable. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group.

官能性シランカップリング剤としては、例えばトリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのうち、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。   Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltri Examples include methoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. Of these, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferred. .

当該組成物における[F]密着助剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上10質量部以下がより好ましい。[F]密着助剤の含有量を上記特定範囲とすることで、形成される表示素子用層間絶縁膜と基板との密着性がより改善される。   The content of the [F] adhesion assistant in the composition is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, and preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. More preferred. [F] By setting the content of the adhesion assistant in the specific range, the adhesion between the formed interlayer insulating film for display elements and the substrate is further improved.

<[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物>
[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物は、ラジカル又は過酸化物による化合物の結合の解裂を防止するための成分である。[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物に加え、ヒンダードアミン構造を有する化合物等のラジカル捕捉剤等が挙げられる。
<[G] Compound having a hindered phenol structure>
[G] The compound having a hindered phenol structure is a component for preventing cleavage of the bond of the compound by a radical or a peroxide. [G] Examples of the compound having a hindered phenol structure include radical scavengers such as compounds having a hindered amine structure in addition to compounds having a hindered phenol structure.

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えばペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)、3,3’,3’,5’,5’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス[(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリン)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミン)フェノール等が挙げられる。   Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylenebis [3- (3,5-di-). tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy Benzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N′-hexane-1,6 -Diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 3,3 , 3 ′, 5 ′, 5′-hexa-tert-butyl-a, a ′, a ′-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) ) -O-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate, hexamethylene Bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-xylin) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio) -1,3 5-to Azine-2-ylamine) phenol, and the like.

上記ヒンダードアミン構造を有する化合物としては、例えばビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)スクシネート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−オクトキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−ベンジルオキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(N−シクロヘキシルオキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−ブチルマロネート、ビス(1−アクロイル−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)2,2−ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−ブチルマロネート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)デカンジオエート、2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジルメタクリレート、4−[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]−1−[2−(3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ)エチル]−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、2−メチル−2−(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)アミノ−N−(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)プロピオンアミド、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート等の化合物が挙げられる。   Examples of the compound having a hindered amine structure include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) succinate, bis ( 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-octoxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-benzyloxy-2, 2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (N-cyclohexyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (1,2,2,6,6) -Pentamethyl-4-piperidyl) 2- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-butylmalonate, bis (1-acroyl-2, , 6,6-tetramethyl-4-piperidyl) 2,2-bis (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2-butylmalonate, bis (1,2,2,6, 6-pentamethyl-4-piperidyl) decandioate, 2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl methacrylate, 4- [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl Oxy] -1- [2- (3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy) ethyl] -2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 2-methyl-2 -(2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) amino-N- (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) propionamide, tetrakis (2,2,6,6- Tetramethyl-4 Compounds such as piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate, tetrakis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) 1,2,3,4-butanetetracarboxylate It is done.

当該組成物における[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、1.5質量部以上3質量部以下がより好ましい。[G]ヒンダードフェノール構造を有する化合物の含有量を上記特定範囲とすることで、当該組成物の感度を保ちつつ、形成される表示素子用層間絶縁膜の電圧保持率等をより向上することができる。   As content of the compound which has the [G] hindered phenol structure in the said composition, 0.1 mass part or more and 10 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, and 1.5 mass parts More preferred is 3 parts by mass or less. [G] By setting the content of the compound having a hindered phenol structure in the specific range, the voltage holding ratio of the interlayer insulating film for a display element to be formed is further improved while maintaining the sensitivity of the composition. Can do.

<感放射線性樹脂組成物の調製方法>
当該組成物は、溶媒に[A]重合体、[B]感放射線性酸発生剤、必要に応じて好適成分、その他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば溶媒中で、各成分を所定の割合で混合することにより、当該組成物を調製できる。
<Method for preparing radiation-sensitive resin composition>
The said composition is prepared in the state melt | dissolved or disperse | distributed by mixing a [A] polymer, a [B] radiation sensitive acid generator, a suitable component as needed, and another arbitrary component in the solvent. For example, the composition can be prepared by mixing each component in a solvent at a predetermined ratio.

溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。   As the solvent, a solvent in which each component is uniformly dissolved or dispersed and does not react with each component is preferably used. Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, and aromatic hydrocarbons. , Ketones, other esters and the like.

アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等が挙げられる。   Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.

エーテル類としては、例えばテトラヒドロフラン等が挙げられる。   Examples of ethers include tetrahydrofuran.

グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。   Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.

エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。   Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.

ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。   Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。   Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like. .

芳香族炭化水素類としては、例えばトルエン、キシレン等が挙げられる。   Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene.

ケトン類としては、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等が挙げられる。   Examples of ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and the like.

他のエステル類としては、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。   Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, hydroxy Methyl acetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate Methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, Methyl ropoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3-methyl Butyl xylpropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples include propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましい。   Of these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and butyl methoxyacetate are preferred. Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene More preferred are glycol monomethyl ether and butyl methoxyacetate.

<表示素子用層間絶縁膜の形成方法>
当該組成物は、表示素子用層間絶縁膜の形成材料として好適である。また、本発明には、当該組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜も好適に含まれる。
<Method for forming interlayer insulating film for display element>
The composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for a display element. Further, the present invention suitably includes an interlayer insulating film for a display element formed from the composition.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該組成物を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
(1) A step of applying the composition on a substrate to form a coating film,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.

当該形成方法によると、優れた平坦性(残膜率)を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成できる。また、感放射線性を利用した露光、現像、加熱によってパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子用層間絶縁膜を形成できる。従って、形成された表示素子用層間絶縁膜は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子に好適に使用できる。   According to the formation method, an interlayer insulating film for a display element that has excellent flatness (remaining film ratio) and does not cause display defects can be formed. In addition, by forming a pattern by exposure, development, and heating using radiation sensitivity, an interlayer insulating film for a display element having a fine and elaborate pattern can be easily formed. Therefore, the formed interlayer insulation film for display elements can be used suitably for display elements, such as a liquid crystal display element and an organic EL display element.

[工程(1)]
本工程では、当該組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する。好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去する。
[Step (1)]
In this step, the composition is applied onto a substrate to form a coating film. Preferably, the solvent is removed by prebaking the coated surface.

基板としては、例えばガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70℃〜120℃、1分〜10分間程度とすることができる。   Examples of the substrate include glass, quartz, silicone, and resin. Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and a hydrogenated product thereof. As prebaking conditions, although it changes also with kinds, compounding ratios, etc. of each component, it can be set as 70 degreeC-120 degreeC, about 1 minute-10 minutes.

[工程(2)]
本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates製)により測定した値で、500J/m〜6,000J/mが好ましく、1,500J/m〜1,800J/mがより好ましい。
[Step (2)]
In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation and exposed. When exposing, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. Energy of exposure intensity at the wavelength 365nm radiation, by the value measured by luminometer (OAI model356, OAI Optical Ltd. Associates), is preferably 500J / m 2 ~6,000J / m 2 , 1,500J / m 2 ˜1,800 J / m 2 is more preferable.

[工程(3)]
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等が挙げられる。
[Step (3)]
In this step, the coating film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in the development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. .

アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度しては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量%以上5質量%以下が好ましい。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該組成物の組成によって異なるが、10秒〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。   An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant can be added to the alkaline aqueous solution. The concentration of alkali in the aqueous alkali solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method. The development time varies depending on the composition of the composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Subsequent to such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

[工程(4)]
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。加熱温度としては、例えば120℃〜250℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えばホットプレートでは5分〜30分間程度、オーブンでは30分〜90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする表示素子用層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。なお、上記硬化膜の用途としては、表示素子用層間絶縁膜に限定されず、スペーサーや保護膜としても利用することができる。
[Step (4)]
In this step, the developed coating film is heated. For heating, a heating device such as a hot plate or an oven is used to heat the patterned thin film, thereby promoting the curing reaction of the [A] polymer and obtaining a cured product. As heating temperature, it is about 120 to 250 degreeC, for example. The heating time varies depending on the type of heating device, but for example, it is about 5 to 30 minutes for a hot plate and about 30 to 90 minutes for an oven. Moreover, the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target display element interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate. Note that the use of the cured film is not limited to the interlayer insulating film for display elements, and can also be used as a spacer or a protective film.

形成された表示素子用層間絶縁膜の膜厚としては、好ましくは0.1μm〜8μm、より好ましくは0.1μm〜6μm、特に好ましくは0.1μm〜4μmである。   The film thickness of the formed interlayer insulation film for display elements is preferably 0.1 μm to 8 μm, more preferably 0.1 μm to 6 μm, and particularly preferably 0.1 μm to 4 μm.

以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is explained in full detail based on an Example, this invention is not interpreted limitedly based on description of this Example.

<[A]重合体の合成>
[合成例1]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸5質量部、構造単位(I)を与える下記式で表される化合物(Z−1)25質量部、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル30質量部、構造単位(III)を与えるメタクリル酸2−テトラヒドロピラニル25質量部、並びにその他の構造単位を与えるスチレン5質量部及びメタクリル酸2−ヒドロキシエチル10質量部、分子量調整剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。共重合体(A−1)のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は33.6質量%であった。
<[A] Synthesis of polymer>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 25 parts by mass of the compound (Z-1) represented by the following formula giving structural unit (I), 30 parts by mass of glycidyl methacrylate giving structural unit (II), and structural unit (III) 2 parts by weight of 2-tetrahydropyranyl methacrylate giving 5 parts, 5 parts by weight of styrene giving 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer as a molecular weight regulator After purging with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-1). Mw of the copolymer (A-1) was 9,000. The solid content concentration of the polymer solution was 33.6% by mass.

Figure 0005772181
Figure 0005772181

[合成例2]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える上記(Z−1)30質量部、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル30質量部、構造単位(III)を与えるメタクリル酸1−n−ブトキシエチル20質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸5質量部、スチレン5質量部及びメタクリル酸2−ヒドロキシエチル10質量部、分子量調整剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。共重合体(A−2)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は31.5質量%であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 30 parts by mass of (Z-1) giving structural unit (I), 30 parts by mass of glycidyl methacrylate giving structural unit (II), and 20 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate giving structural unit (III) And 5 parts by mass of methacrylic acid, 5 parts by mass of styrene and 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer as a molecular weight modifier, giving nitrogen and other structural units, Stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-2). Mw of the copolymer (A-2) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 31.5% by mass.

[合成例3]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(I)を与える下記式で表される化合物(Z−2)50質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ベンジル35質量部及びメタクリル酸15質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し共重合体(A−3)を含む重合体溶液を得た。共重合体(A−3)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は30.5質量%であった。
[Synthesis Example 3]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 50 parts by mass of the compound (Z-2) represented by the following formula that gives the structural unit (I) and 35 parts by mass of benzyl methacrylate and 15 parts by mass of methacrylic acid that give other structural units were charged and substituted with nitrogen. , Began stirring gently. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-3). Mw of the copolymer (A-3) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 30.5% by mass.

Figure 0005772181
Figure 0005772181

[合成例4]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル52質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し共重合体(CS−1)を含む重合体溶液を得た。共重合体(CS−1)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 4]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 52 parts by mass of glycidyl methacrylate giving structural unit (II) and 48 parts by mass of benzyl methacrylate giving other structural units were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer (CS-1). The Mw of the copolymer (CS-1) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 32.3% by mass.

[合成例5]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(II)を与えるメタクリル酸グリシジル25質量部、構造単位(III)を与えるメタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル55質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸5質量部、スチレン5質量部及びメタクリル酸2−ヒドロキシエチル10質量部、分子量調整剤としてのα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(CS−2)を含む重合体溶液を得た。共重合体(CS−2)のMwは9,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、32.1質量%であった。
[Synthesis Example 5]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 25 parts by weight of glycidyl methacrylate giving structural unit (II), 55 parts by weight of 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate giving structural unit (III), and 5 parts by weight of methacrylic acid giving other structural units, 5 parts by weight of styrene Then, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer as a molecular weight modifier were charged and purged with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer (CS-2). Mw of the copolymer (CS-2) was 9,000. The solid content concentration of the polymer solution was 32.1% by mass.

[合成例6]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位(III)を与えるメタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル50質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ベンジル35質量部及びメタクリル酸15質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し共重合体(CS−3)を含む重合体溶液を得た。共重合体(CS−3)のMwは10,000であった。重合体溶液の固形分濃度は、30.5質量%であった。
[Synthesis Example 6]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 50 parts by mass of 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate giving structural unit (III) and 35 parts by mass of benzyl methacrylate and 15 parts by mass of methacrylic acid giving other structural units were charged with nitrogen, and then gently stirred. I started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer (CS-3). The Mw of the copolymer (CS-3) was 10,000. The solid content concentration of the polymer solution was 30.5% by mass.

<感放射線性樹脂組成物の調製>
以下、実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物の調製に用いた成分を詳述する。
<Preparation of radiation-sensitive resin composition>
Hereinafter, the components used for the preparation of the radiation sensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples will be described in detail.

[B]感放射線性酸発生剤
B−1:4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−2:N−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル
B−3:(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバスペシャルティーケミカルズ製、IRGACURE PAG 103)
[B] Radiation sensitive acid generator B-1: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate B-2: N-hydroxynaphthalimide-trifluoromethanesulfonic acid ester B- 3: (5-Propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE PAG 103)

[C]増感剤
C−1:イソプロピルチオキサントン
C−2:9,10−ジブトキシアントラセン
[C] Sensitizer C-1: Isopropylthioxanthone C-2: 9,10-dibutoxyanthracene

[D]塩基性化合物
D−1:4−ジメチルアミノピリジン
D−2:4−メチルイミダゾール
[D] Basic compound D-1: 4-dimethylaminopyridine D-2: 4-methylimidazole

[E]界面活性剤
E−1:シリコーン系界面活性剤(東レダウコーニングシリコーン製、SH 8400 FLUID)
E−2:フッ素系界面活性剤(ネオス製、フタージェントFTX−218)
[E] Surfactant E-1: Silicone surfactant (made by Toray Dow Corning Silicone, SH 8400 FLUID)
E-2: Fluorosurfactant (manufactured by Neos, Factent FTX-218)

[F]密着助剤
F−1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
F−2:β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
F−3:γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
[F] Adhesion aid F-1: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane F-2: β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane F-3: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane

[実施例1]
[A]重合体としての(A−1)を含む溶液((A−1)100質量部(固形分)に相当する量)に、[B]感放射線性酸発生剤としての(B−1)3.5質量部、[D]塩基性化合物としての(D−1)0.01質量部、[E]界面活性剤としての(E−1)を0.2質量部及び[F]密着助剤としての(F−1)3.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性組成物を調製した。
[Example 1]
[A] A solution containing (A-1) as a polymer (an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of (A-1)) and [B] (B-1 as a radiation-sensitive acid generator) ) 3.5 parts by mass, [D] 0.01 parts by mass as a basic compound, [E] 0.2 parts by mass of (E-1) as a surfactant and [F] adhesion A radiation-sensitive composition was prepared by mixing 3.0 parts by mass of (F-1) as an auxiliary agent and filtering through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm.

[実施例2〜7並びに比較例1及び2]
各成分の種類及び配合量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様に操作して各組成物を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを意味する。
[Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 and 2]
Each composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the type and amount of each component were as described in Table 1. In Table 1, “-” means that the corresponding component was not used.

<評価>
調製した各組成物を用いて、下記の評価を実施した。結果を表1にあわせて示す。
<Evaluation>
The following evaluation was implemented using each prepared composition. The results are shown in Table 1.

[感度(J/m)]
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、各組成物をスリットダイコーター(東京応化工業製、TR632105−CL)を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(キヤノン製、MPA−600FA)を用い、60μmのラインアンドスペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、0.4質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において液盛り法で現像した。現像時間は80秒とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき6μmのスペースパターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この値が480(J/m)以下の場合に感度が良好と判断した。
[Sensitivity (J / m 2 )]
Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied on a 550 × 650 mm chromium-deposited glass and heated at 60 ° C. for 1 minute. Each composition was applied onto the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., TR6322105-CL), and the ultimate pressure was set to 100 Pa, and the solvent was removed under vacuum. Thereafter, it was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an exposure machine (manufactured by Canon, MPA-600FA), after irradiating the coating film with the exposure amount as a variable amount through a mask having a 60 μm line and space (10 to 1) pattern, Development was performed by a puddle method at 25 ° C. with a 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide solution. The development time was 80 seconds. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the exposure amount necessary for completely dissolving the 6 μm space pattern was examined. When this value was 480 (J / m 2 ) or less, it was judged that the sensitivity was good.

[残膜率(%)]
上記感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。加熱前と加熱後の膜厚を、レーザー顕微鏡(VK−8500、キーエンス製)を用いて測定した。この値と下記式から残膜率(%)を求めた。
残膜率(%)=(加熱後膜厚/加熱前膜厚)×100
この残膜率が70%未満の場合、残膜率を不良と判断した。
[Residual film rate (%)]
A coating film was formed on the silicon substrate by operating in the same manner as in the sensitivity evaluation. Without being exposed, this silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. The film thickness before and after heating was measured using a laser microscope (VK-8500, manufactured by Keyence). The residual film ratio (%) was determined from this value and the following formula.
Residual film ratio (%) = (film thickness after heating / film thickness before heating) × 100
When the remaining film rate was less than 70%, the remaining film rate was determined to be defective.

[表面硬度]
上記感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。この硬化膜を有する基板について、JIS K−5400−1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度(表面硬度)を測定した。この値が3H以上である場合、表示素子用層間絶縁膜としての表面硬度が良好と判断し、十分な硬化性を有するといえる。
[surface hardness]
A coating film was formed on the silicon substrate by operating in the same manner as in the sensitivity evaluation. Without being exposed, this silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. About the board | substrate which has this cured film, the pencil hardness (surface hardness) of the cured film was measured by the 8.4.1 pencil scratch test of JISK-5400-1990. When this value is 3H or more, it can be said that the surface hardness as the interlayer insulating film for display elements is good, and it has sufficient curability.

[耐溶媒性(%)]
上記感度の評価と同様に操作して、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。この硬化膜を有する基板について、得られた硬化膜の膜厚(T1)をレーザー顕微鏡(VK−8510、キーエンス製)を用いて測定した。次いで、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、70℃に温度制御されたジメチルスルホキシド中に20分間浸漬させた後、その硬化膜の膜厚(t1)を測定し、下記式から浸漬による膜厚変化率(%)を求め、耐溶媒性(%)とした。
耐溶媒性(%)={(t1−T1)/T1}×100
この値の絶対値が5%未満の場合、耐溶媒性は優良と判断した。
[Solvent resistance (%)]
A coating film was formed on the silicon substrate by operating in the same manner as in the sensitivity evaluation. Without being exposed, this silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. About the board | substrate which has this cured film, the film thickness (T1) of the obtained cured film was measured using the laser microscope (VK-8510, product made from Keyence). Next, the silicon substrate on which this cured film was formed was immersed in dimethyl sulfoxide whose temperature was controlled at 70 ° C. for 20 minutes, and then the thickness (t1) of the cured film was measured. The rate of change in thickness (%) was determined and defined as solvent resistance (%).
Solvent resistance (%) = {(t1-T1) / T1} × 100
When the absolute value of this value was less than 5%, the solvent resistance was judged to be excellent.

[電圧保持率]
表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO膜が形成され、さらにITO(インジウム−酸化錫合金)電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、各感放射線性樹脂組成物を、スピンコートした後、90℃のクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に500J/mの露光量で露光した。その後、230℃で30分間ポストベークを行い塗膜を硬化させた。次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製液晶MLC6608を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを60℃の恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定システム(VHR−1A型、東陽テクニカ社)により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。電圧保持率(%)とは、下記式から求められる値である。
電圧保持率(%)=(16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧)×100
液晶セルの電圧保持率が90%以下であると、液晶セルは16.7ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの「焼き付き」を起こすおそれが高い。
[Voltage holding ratio]
Each radiation sensitive resin composition was spin-coated on a soda glass substrate on which a SiO 2 film for preventing elution of sodium ions was formed on the surface, and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape. Thereafter, prebaking was performed for 10 minutes in a clean oven at 90 ° C. to form a coating film having a thickness of 2.0 μm. Next, the coating film was exposed at an exposure amount of 500 J / m 2 without using a photomask. Thereafter, the coating film was cured by post-baking at 230 ° C. for 30 minutes. Next, the substrate on which the pixels are formed and the substrate on which the ITO electrode is simply deposited in a predetermined shape are bonded together with a sealing agent mixed with 0.8 mm glass beads, and then Merck liquid crystal MLC6608 is injected into the liquid crystal. A cell was produced. Further, the liquid crystal cell was placed in a constant temperature layer at 60 ° C., and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage holding ratio measuring system (VHR-1A type, Toyo Technica Co., Ltd.). The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. The voltage holding ratio (%) is a value obtained from the following formula.
Voltage holding ratio (%) = (potential difference of liquid crystal cell after 16.7 milliseconds / voltage applied at 0 milliseconds) × 100
If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot hold the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds, and the liquid crystal cannot be sufficiently aligned. There is a high risk of causing "burn-in".

Figure 0005772181
Figure 0005772181

表1の結果から明らかなように当該組成物を使用した実施例1〜7は、比較例1及び2の組成物と比べ、良好な感度を有し、かつ表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性(残膜率)を有することがわかった。また、当該組成物を使用した実施例1〜7は電圧保持率についても高く、表示不良を引き起こしにくいことがわかった。   As is apparent from the results of Table 1, Examples 1 to 7 using the composition have a good sensitivity as compared with the compositions of Comparative Examples 1 and 2, and in addition to the surface hardness and solvent resistance, It was found to have excellent flatness (remaining film ratio). Moreover, Examples 1-7 which used the said composition were also high also about the voltage retention, and it turned out that it is hard to cause a display defect.

本発明の感放射線性樹脂組成物は、良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性(残膜率)を有し、かつ表示不良を引き起こさない表示素子用層間絶縁膜を形成することができる。従って、当該組成物は、液晶表示素子、有機EL表示素子等の表示素子用層間絶縁膜を形成するための材料として好適である。   The radiation-sensitive resin composition of the present invention has good sensitivity, has excellent flatness (residual film ratio) in addition to surface hardness and solvent resistance, and does not cause display defects. An interlayer insulating film can be formed. Therefore, the composition is suitable as a material for forming an interlayer insulating film for a display element such as a liquid crystal display element or an organic EL display element.

Claims (6)

[A]下記式(1)で表される基を有する構造単位(I)を含む重合体、及び
[B]感放射線性酸発生剤
を含有し、
[A]重合体が、構造単位(I)を与える単量体を含む1種又は2種以上の単量体のラジカル重合により得られたものである感放射線性樹脂組成物。
Figure 0005772181
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。また、R及びRが共に水素原子である場合はない。Rは、単結合、メチレン基、アルキレン基、アリーレン基、下記式(4)で表される基、又はこれらの基を組み合わせてなる2価の有機基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。Rは、エポキシ基、グリシジル基、グリシジルオキシ基、不飽和二重結合若しくはエポキシ基を有する脂環式基、ビニル基又は(メタ)アクリロイル基である。但し、上記エポキシ基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。nは、1〜3の整数である。但し、Rが複数の場合、複数のRは同一であっても異なっていてもよい。)
Figure 0005772181
(式(4)中、a、cは、それぞれ独立して1〜6の整数である。bは、1〜2の整数である。)
[A] a polymer containing a structural unit (I) having a group represented by the following formula (1), and [B] a radiation-sensitive acid generator ,
[A] A radiation-sensitive resin composition, wherein the polymer is obtained by radical polymerization of one or more monomers including a monomer that provides the structural unit (I) .
Figure 0005772181
(In formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, provided that the hydrogen atom of the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group is Some or all of them may be substituted, and R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms, and R 3 is a single bond, a methylene group, an alkylene group, an arylene group, or a group represented by the following formula (4 ) is a divalent organic group comprising a combination of a group represented by or these groups. However, some or all of the hydrogen atoms with these groups may .R 4 be substituted, epoxy group, a glycidyl group, an alicyclic group, a vinyl group or (meth) acryloyl group having a glycidyl group, unsaturated double bond or epoxy group. However, or part of the hydrogen atoms of the epoxy group has Parts are optionally substituted .n is an integer of 1 to 3. However, if R 4 is plural, the plurality of R 4 may be be the same or different.)
Figure 0005772181
(In Formula (4), a and c are each independently an integer of 1 to 6. b is an integer of 1 to 2.)
[A]重合体が、構造単位(I)を含む重合体分子中に、又は構造単位(I)を含まない他の重合体分子中に、エポキシ基を有する構造単位(II)をさらに含む請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。   [A] The polymer further comprises a structural unit (II) having an epoxy group in a polymer molecule containing the structural unit (I) or in another polymer molecule not containing the structural unit (I). Item 2. The radiation-sensitive resin composition according to Item 1. [C]増感剤をさらに含有する請求項1又は請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。   [C] The radiation sensitive resin composition according to claim 1 or 2, further comprising a sensitizer. 表示素子用層間絶縁膜の形成に用いられる請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation sensitive resin composition according to claim 1, 2 or 3, which is used for forming an interlayer insulating film for a display element. (1)請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布し、塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
(1) The process of apply | coating the radiation sensitive resin composition of Claim 4 on a board | substrate, and forming a coating film,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) A method of forming an interlayer insulating film for a display element, comprising: a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.
請求項4に記載の感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜。   The interlayer insulation film for display elements formed from the radiation sensitive resin composition of Claim 4.
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