KR101932449B1 - Positive-type photosensitive resin composition, method of producing cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic electroluminescent display device - Google Patents

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Abstract

고감도이며, 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 불량이 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다. (성분 A) (1) 및 (2)의 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분, (1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, (2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체, (성분 C) 광산 발생제 및 (성분 D) 용제를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.Which is high in sensitivity, high in resistance to peeling liquid and NMP, good in adhesion to a transparent electrode film or metal, excellent in dry etching resistance, and capable of obtaining a cured film hard to cause display failure even in a display device To provide a resin composition. (Component A) a polymer component comprising a polymer which satisfies at least one of (1) and (2), (1) a polymer component comprising (a1) a structural unit having an acid group protected with an acid- (A2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group, (component C) a photoacid generator and (component D) a polymer having a structural unit having an acid- ) Solvent. ≪ / RTI >

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치{POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive type photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, a liquid crystal display, and an organic EL display device }

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, a liquid crystal display, and an organic EL display. More particularly, the present invention relates to a planarizing film for electronic components such as a liquid crystal display, an organic EL display, an integrated circuit element, and a solid-state imaging element, a positive photosensitive resin composition suitable for forming a protective film or an interlayer insulating film, and a method for forming a cured film using the same. will be.

박막 트랜지스터(이하, 「TFT」로 기재한다)형 액정 표시 소자나 자기 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는 일반적으로 층상으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해서 층간 절연막이 형성되어 있다. 층간 절연막을 형성하는 재료로서는 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정 수가 적고 또한 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직한 점에서 감광성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다.In an electronic component such as a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") type liquid crystal display element, a magnetic head element, an integrated circuit element, or a solid-state image pickup element, an interlayer insulating film is formed . As a material for forming the interlayer insulating film, a photosensitive resin composition is widely used because it is preferable that the number of steps for obtaining a required pattern shape is small and that it has sufficient flatness.

상기 전자 부품 중 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는 상기 층간 절연막 상에 투명 전극막(ITO)을 형성하고, 그 위에 몰리브덴(Mo)이나 티탄(Ti) 등의 금속으로 이루어지는 배선이 더 형성되고, 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조되기 때문에 층간 절연막은 투명 전극막의 형성 공정에 있어서 고온 조건에 노출되거나 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액(주로 모노에탄올아민(MEA))이나 액정 배향막 형성 시에 사용되는 N-메틸피롤리돈(NMP)에 노출되게 되기 때문에 이들에 대한 충분한 내성이 필요하게 된다. 또한, 층간 절연막은 드라이 에칭 공정에 가해지는 경우도 있기 때문에 드라이 에칭에 대한 충분한 내성도 필요하게 된다.Among the above electronic components, for example, a TFT type liquid crystal display element has a structure in which a transparent electrode film (ITO) is formed on the interlayer insulating film, a wiring made of metal such as molybdenum (Mo) or titanium (Ti) (Mainly monoethanolamine (MEA)) or a liquid crystal alignment film (liquid crystal alignment film) which is exposed to high temperature conditions in the process of forming a transparent electrode film or used for pattern formation of an electrode since the liquid crystal alignment film is formed through the process of forming a liquid crystal alignment film Methylpyrrolidone (NMP) used in the process of the present invention. Further, since the interlayer insulating film is sometimes subjected to a dry etching process, sufficient resistance to dry etching is also required.

또한, 일본 특허 공개 2009-258722호 공보에는 해리성기가 분해함으로써 카르복실기를 발생시키는 특정 아크릴산계 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산 해리성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 함유하는 수지, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(단, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 화합물로 이루어지는 구성 단위를 함유하는 상기 수지를 제외한다), 파장 300㎚ 이상의 활성광선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-258722 discloses a resin composition which contains a specific acrylic acid-based constituent unit which generates a carboxyl group by decomposition of a dissociable group and is alkali-insoluble or alkali-insoluble and which becomes alkali-soluble when the acid- , A resin containing a constituent unit derived from an epoxy group-containing radically polymerizable monomer, a compound having two or more epoxy groups in the molecule (excluding the above resin containing a constituent unit comprising an epoxy group-containing radically polymerizable compound) A positive photosensitive resin composition containing a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray of 300 nm or more has been proposed.

또한, 국제 공개 제 2009/136647호 팜플렛에는 알칼리 가용성 수지(A), 감광제(B), 특정 규소 화합물(C)을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.Further, in the pamphlet of International Publication No. 2009/136647, a positive photosensitive resin composition containing an alkali-soluble resin (A), a photosensitizer (B) and a specific silicon compound (C) has been proposed.

그러나 일본 특허 공개 2009-258722호 공보 및 국제 공개 제 2009/136647호 팜플렛에 있어서 제안되어 있는 감광성 수지 조성물은 층간 절연막 형성 후에 사용되는 레지스트의 박리액(주로 모노에탄올아민(MEA))이나 특히 용제의 NMP(N-메틸피롤리돈)에 대한 내성이 높지 않은 것, 또한 드라이 에칭에 대한 내성이 높지 않은 점에서 액정 표시 장치에 있어서의 표시 문제가 일어나기 쉬워 개선이 요구되고 있었다.However, the photosensitive resin composition proposed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2009-258722 and 2009/136647 discloses a resist stripping liquid (mainly monoethanolamine (MEA)) used after forming an interlayer insulating film, It has been required to improve the resistance to NMP (N-methylpyrrolidone) and the display problem in the liquid crystal display device because the resistance to dry etching is not high.

본 발명은 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 이하의 과제를 해결하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to solve the following problems.

즉, 본 발명이 해결하려고 하는 과제는 레지스트 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 문제가 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법 및 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.That is, a problem to be solved by the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition capable of obtaining a cured film having high resistance to resist stripping liquid and NMP, excellent dry etching resistance, A cured film obtained by curing a photosensitive resin composition, a method of forming the cured film, and an organic EL display device and a liquid crystal display device provided with the cured film.

이러한 상황에서 본원발명자가 예의 검토를 행한 결과 특정 구조를 갖는 규소 화합물을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 이것은 가교성기를 갖는 화학 증폭형 레지스트 중에 있어서는 알콕시실릴 화합물이 가교성기나 탈보호된 산기와 결합하는 경화제로서 유효하게 기능하기 때문이다. 구체적으로는 하기 수단 <1> 또는 <16>에 의해, 보다 바람직하게는 하기 수단 <2>∼<16>에 의해 상기 과제는 해결되었다.Under such circumstances, the present inventors have conducted intensive studies and found that the above problems can be solved by using a silicon compound having a specific structure. This is because, in a chemically amplified resist having a crosslinkable group, the alkoxysilyl compound effectively functions as a curing agent to bond with a crosslinkable group or a deprotected acid group. More specifically, the above problems are solved by the following means <1> or <16>, more preferably by the following means <2> to <16>.

<1> (성분 A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분,&Lt; 1 > (Component A) A polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2)

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(1) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(2) a polymer having (a1) a polymer having a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group,

(성분 C) 광산 발생제, 및(Component C) photoacid generator, and

(성분 D) 용제를 함유하고, 또한(Component D) solvent, and further comprises

(성분 X) 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.(Component X) A positive-working photosensitive resin composition characterized by containing a silicon compound having two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by formula (X1) in one molecule.

Figure 112012089092645-pat00001
Figure 112012089092645-pat00001

(식 중 RX1∼RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1∼RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다)(Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group or And the remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent group.

<2> <1>에 있어서, 상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1∼RX3 중 적어도 2개가 알콕시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.&Lt; 2 &gt; The positive photosensitive resin composition according to &lt; 1 &gt;, wherein at least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) is an alkoxy group.

<3> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 성분 X의 함유량이 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.<3> The positive photosensitive resin composition according to <1> or <2>, wherein the content of the component X is 0.1% by weight or more based on the sum of the components excluding the solvent of the resin composition.

<4> <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(a1)가 카르복실기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.&Lt; 4 > The positive photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to < 3 >, wherein the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group protected by an acetal or ketal moiety.

<5> <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(a1)가 식(a1-1)로 나타내어지는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<5> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <4>, wherein the structural unit (a1) is a structural unit represented by formula (a1-1).

Figure 112012089092645-pat00002
Figure 112012089092645-pat00002

(식 중 R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 2 each represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and either one of the at least R 1 and R 2 alkyl group or aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, and R 1 or R 2 R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

<6> <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(X1)의 RX1∼RX3 중 적어도 2개가 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.<6> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein at least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) are a methoxy group or an ethoxy group.

<7> <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(a2)가 에폭시기, 옥세타닐기로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<7> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <6>, wherein the structural unit (a2) is a structural unit having at least one kind selected from an epoxy group and an oxetanyl group.

<8> <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 있어서, 성분 A의 함유량 WA와 성분 B의 함유량 WB의 중량 비율이 WA/WB=98/2∼20/80인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<8><1> to <7> according to any one of, the content W A and W B weight ratio of the content of the component B in component A W A / W B = 98 / 2~20 / 80 in positive photosensitive Resin composition.

<9> <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 있어서, 성분 C가 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<9> A positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <8>, wherein the component C is an oxime sulfonate compound having at least one of oximesulfonate moieties represented by formula (c0).

Figure 112012089092645-pat00003
Figure 112012089092645-pat00003

<10> (1) <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정,(10) A process for producing a positive photosensitive resin composition, comprising the steps of: applying a positive photosensitive resin composition according to any one of < 1 > to &

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정,(3) a step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray,

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 및(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition by an aqueous developer, and

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.(5) A post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition.

<11> <10>에 있어서, 상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.<11> The method for forming a cured film according to <10>, wherein the step of exposing the photosensitive resin composition developed before the post-baking step after the development step.

<12> <10> 또는 <11>에 있어서, (6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정을 더 포함하는 경화막의 형성 방법.<12> The method for forming a cured film according to <10> or <11>, further comprising a step of performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermal curing.

<13> <10> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 경화막.<13> A cured film formed by the method for forming a cured film according to any one of <10> to <12>.

<14> <13>에 있어서, 층간 절연막인 경화막.<14> The cured film as an interlayer insulating film according to <13>.

<15> <13> 또는 <14>에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치.<15> An organic EL display device or liquid crystal display device comprising the cured film according to <13> or <14>.

<16> 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물의 내약품성 향상제.<16> A chemical-resistance improving agent for a positive-working photosensitive resin composition, which contains a silicon compound having two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by formula (X1) in one molecule.

Figure 112012089092645-pat00004
Figure 112012089092645-pat00004

(식 중 RX1∼RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1∼RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다)(Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group or And the remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent group.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면 MEA나 NMP에 대한 내성이 높고, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 문제가 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법 및 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.According to the present invention, it is possible to provide a positive photosensitive resin composition which is high in resistance to MEA and NMP, excellent in dry etching resistance, and capable of obtaining a cured film hardly causing display problems even in a display device, Film, a method of forming the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device provided with the cured film.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또한, 명세서 중 「하한∼상한」의 기재는 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한∼하한」의 기재는 「상한 이하, 하한 이상」을 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치 범위를 나타낸다.The description of "lower limit to upper limit" in the specification indicates "lower limit and higher limit," and the description of "upper limit to lower limit" indicates "upper limit or lower limit." That is, a numerical range including an upper limit and a lower limit.

또한, 「(성분 C) 광산 발생제 등」을 간단히 「성분 C」 등이라고도 하고, 「(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위」 등을 간단히 「구성 단위(a1)」 등이라고도 한다.Component (C), photoacid generator or the like "may be simply referred to as" component C "or the like, and" (a1) a structural unit having a residue protected by an acid-decomposable group " .

또한, 「아크릴레이트」, 「메타크릴레이트」의 쌍방 또는 어느 하나를 가리킬 경우 「(메타)아크릴레이트」로, 「아크릴」, 「메탈크릴」의 쌍방 또는 어느 하나를 가리킬 경우 「(메타)아크릴」로 각각 기재하는 경우가 있다.When both or either of "acrylate" and "methacrylate" is referred to, the term "(meth) acrylate" and the term "acrylate" Quot ;, respectively.

(포지티브형 감광성 수지 조성물)(Positive photosensitive resin composition)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물(이하, 간단히 「감광성 수지 조성물」이라고도 한다)은 (성분 A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분,The positive photosensitive resin composition of the present invention (hereinafter, simply referred to as &quot; photosensitive resin composition &quot;) comprises (component A) a polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1)

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(1) a polymer having (a1) a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 C) 광산 발생제, (성분 D) 용제 및 (성분 X) 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.(A2) a copolymer having a structural unit having a crosslinkable group and (a2) a copolymer having a structural unit having a crosslinkable group, (a2) a copolymer having a structural unit having an acid group decomposable group, (C) a photoacid generator, (D) a solvent, and (C) a silicon compound having two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by formula (X1) in one molecule.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지않고, 적어도 산기를 갖는 구성 단위와 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 함유하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention does not have a constituent unit having an acid-decomposable group-protected moiety and at least a copolymer having a constituent unit having an acid group and a constituent unit having a crosslinkable group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 특정 수지(성분 A)와 광산 발생제와 특정 규소 화합물을 함유함으로써 박리액, 특히 모노에탄올아민을 함유하는 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 문제가 일어나기 어려운 경화막을 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention contains a specific resin (component A), a photoacid generator and a specific silicon compound, and thus has a high resistance to a peeling liquid, particularly a peeling liquid containing monoethanolamine or NMP, It is possible to form a cured film which is excellent in dry etching resistance and hardly causes display problems even in a display device.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 드라이 에칭 레지스트용 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used as a positive photosensitive resin composition for a dry etching resist.

또한, 본명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 아울러 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.The notation in which the substituent and the non-substituent are not described in the notation of the group (atomic group) in the present specification includes not only a substituent but also a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, 본 발명에 사용하는 성분 A 등의 공중합체가 함유하는 구성 단위를 도입하는 방법은 중합법이어도 좋고, 고분자 반응법이어도 좋다. 중합법에서는 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에 이들의 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는 중합 반응을 행한 후에 얻어진 공중합체의 구성 단위에 포함되는 반응성기를 이용해서 필요한 관능기를 구성 단위 중으로 도입한다. 여기서 관능기로서는 카르복실기 또는 페놀성 수산기 등의 산기를 보호함과 동시에 강산의 존재 하에서 분해하여 이들을 유리(遊離)하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교성기, 또한 페놀성 수산기나 카르복실기와 같은 알칼리 가용성기(산기) 등을 예시할 수 있다.The method for introducing the structural unit contained in the copolymer such as the component A used in the present invention may be a polymerization method or a polymer reaction method. In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and these monomers are copolymerized. In the polymer reaction method, a necessary functional group is introduced into the constituent unit by using a reactive group contained in the constituent unit of the copolymer obtained after the polymerization reaction. Examples of the functional group include a protecting group for protecting an acid group such as a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group and decomposing in the presence of strong acid to liberate them, a crosslinking group such as an epoxy group or an oxetanyl group, an alkaline group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group And a soluble group (acid group).

<(A) 중합체 성분><(A) Polymer Component>

본 발명의 조성물은 중합체 성분으로서 (1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 중 적어도 한쪽을 포함한다. 또한, 이들 이외의 중합체를 포함하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서의 (A) 중합체 성분(이하, 「(A) 성분」이라고 하는 경우도 있다)은 특별히 언급하지 않은 한 상기 (1) 및/또는 (2)에 추가하여 필요에 따라 첨가되는 다른 중합체를 포함시킨 것을 의미한다.The composition of the present invention comprises (1) a polymer having (a1) a constituent unit having an acid group protected by an acid-decomposable group and (a2) a constituent unit having a crosslinkable group, and (2) A polymer having a structural unit having a group protected with a group and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group. In addition, polymers other than these may be contained. The polymer component (A) (hereinafter, also referred to as "component (A)") in the present invention may contain, in addition to the above-mentioned (1) and / or (2) Quot; means that a polymer is included.

(A) 성분은 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면 스티렌으로부터 유래되는 구성 단위나 비닐 화합물로부터 유래되는 구성 단위 등을 갖고 있어도 좋다.The component (A) is preferably an addition polymerization type resin, more preferably a polymer comprising a constituent unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof. Further, it may contain a structural unit other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof, for example, a structural unit derived from styrene or a structural unit derived from a vinyl compound.

또한, 「메타아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위」를 「아크릴계 구성 단위」라고도 한다. 또한, 「(메타)아크릴산」은 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.The "structural unit derived from methacrylic acid and / or ester thereof" is also referred to as "acrylic structural unit". Further, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid and / or acrylic acid".

<<구성 단위(a1)>><< Constituent unit (a1) >>

성분 A는 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다. (A) 성분이 구성 단위(a1)를 가짐으로써 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Component A has at least (a1) a structural unit having a group whose acid group is protected with an acid-decomposable group. The component (A) has the constituent unit (a1), so that a photosensitive resin composition having extremely high sensitivity can be obtained.

본 발명에 있어서의 「산기가 산 분해성기로 보호된 기」는 산기 및 산 분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 산기로서는 카르복실기 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 산 분해성기로서는 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기(예를 들면, 후술하는 식(A1)로 나타내어지는 기의 에스테르 구조, 테트라히드로피라닐에스테르기 또는 테트라히드로푸라닐에스테르기 등의 아세탈계 관능기)나 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기(예를 들면, tert-부틸에스테르기 등의 제 3 급 알킬기, tert-부틸카보네이트기 등의 제 3 급 알킬카보네이트기)를 사용할 수 있다.In the present invention, the "group protected with an acid-decomposable group" can be any group known as an acid group and an acid decomposable group, and is not particularly limited. Specific examples of the acid group include a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group. Examples of the acid decomposable group include groups which are relatively easily decomposed by an acid (for example, an ester structure of a group represented by the formula (A1) described later, an acetal group such as a tetrahydropyranyl ester group or a tetrahydrofuranyl ester group (For example, a tertiary alkyl group such as a tert-butyl ester group, or a tertiary alkylcarbonate group such as a tert-butylcarbonate group) may be used.

(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위 또는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하다.(a1) The constituent unit in which the acid group has a group protected with an acid-decomposable group is preferably a constituent unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group or a constituent unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

이하 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)과, 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 대해서 순서대로 각각 설명한다.Hereinafter, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group and the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group will be described in order.

<<<(a1-1) 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위>>><<< (a1-1) Structural unit having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group >>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 카르복실기를 갖는 구성 단위의 카르복실기가 이하에서 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a carboxyl group of a carboxyl group-containing structural unit protected by an acid-decomposable group described below in detail.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서는 특별히 제한 없이 공지의 구성 단위를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)이나 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위(a1-1-2)를 들 수 있다.The above-mentioned structural unit having a carboxyl group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected by the acid-decomposable group is not particularly limited and known structural units can be used. (A1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in a molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid or an unsaturated tricarboxylic acid, (A1-1-2) having a structure derived from an unsaturated group and an acid anhydride.

이하 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서 사용되는 (a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위와, (a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위에 대해서 각각 순서대로 설명한다.(A1-1-1) a constituent unit derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule and (a1-1-2) a constituent unit derived from an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride And the constitutional unit having a structure derived from the same will be described in order.

<<<<(a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위>>>><<<< (a1-1-1) Constituent units derived from an unsaturated carboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule, etc. >>>>

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)로서 본 발명에서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 열거하는 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 계피산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-프탈산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복실산으로서는 예를 들면 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복실기를 갖는 구성 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이어도 좋다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 좋고, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양 말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트이어도 좋고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.As the constituent unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule, those listed below are used as the unsaturated carboxylic acid used in the present invention. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl Hexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-phthalic acid, and the like. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, and mesaconic acid. The unsaturated polycarboxylic acid used to obtain the structural unit having a carboxyl group may be an acid anhydride thereof. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of a polycarboxylic acid, for example, mono (2-acryloyloxyethyl) succinate, mono Mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate mono (2-methacryloyloxyethyl), and the like. The unsaturated polycarboxylic acid may be a mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxylic polymer, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone monoacrylate and ω-carboxypolycaprolactone monomethacrylate. have. Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester and 4-carboxystyrene.

그 중에서도 현상성의 관점으로부터 상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)을 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-프탈산 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among them, in order to form the structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule from the viewpoint of developability, acrylic acid, methacrylic acid, 2- (meth) acryloyl (Meth) acryloyloxyethyl-phthalic acid or anhydride of an unsaturated polycarboxylic acid, and the like, and acrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, It is more preferable to use acrylic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid.

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)은 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The structural unit (a1-1-1) derived from an unsaturated carboxylic acid or the like having at least one carboxyl group in the molecule may be composed of one kind alone, or may be composed of two or more kinds.

<<<<(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위>>>><<<< (a1-1-2) Constituent units having a structure derived from an ethylenic unsaturated group and an acid anhydride together >>>>

에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위(a1-1-2)는 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위 중에 존재하는 수산기와 산 무수물을 반응시켜서 얻어진 모노머로부터 유래되는 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1-2) having both the ethylenic unsaturated group and the structure derived from an acid anhydride is preferably a unit derived from a monomer obtained by reacting a hydroxyl group and an acid anhydride which are present in the structural unit having an ethylenic unsaturated group.

상기 산 무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 이염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점으로부터 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As the acid anhydrides, known ones can be used, and specific examples include dibasic acid anhydrides such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and anhydrous chlorendic acid; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. Of these, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride or succinic anhydride are preferable from the viewpoint of developability.

상기 산 무수물의 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점으로부터 바람직하게는 10∼100몰%, 보다 바람직하게는 30∼100몰%이다.The reaction rate of the acid anhydride with respect to the hydroxyl group is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 30 to 100 mol% from the viewpoint of developability.

<<<<구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 산 분해성기>>>><<<< Acid decomposable group which can be used in the structural unit (a1-1) >>>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상술의 산 분해성기를 사용할 수 있다.As the acid decomposable group that can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid decomposable group, the acid decomposable group may be used.

이들의 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 콘택트 홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 하기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 카르복실기가 하기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 경우 보호 카르복실기의 전체로서는 -(C=O)-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다.Among these acid decomposable groups, the carboxyl group is preferably a protected carboxyl group protected in the form of an acetal from the viewpoints of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, in particular, from the viewpoints of sensitivity and pattern shape, formation of contact holes, and storage stability of the photosensitive resin composition. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, it is more preferable that the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of acetal represented by the following general formula (a1-10). When the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of an acetal represented by the following general formula (a1-10), the protected carboxyl group as a whole has a structure of - (C═O) -O-CR 101 R 102 (OR 103 ) .

일반식(a1-10)The general formula (a1-10)

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(식(a1-10) 중 R101 및 R102는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단 R101과 R102가 함께 수소 원자인 경우를 제외한다. R103은 알킬기를 나타낸다. R101 또는 R102와, R103이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다)(Formula (a1-10) of R 101 and R 102 represents a hydrogen atom or an alkyl group, each independently, other than the R-stage 101 and, if R 102 is a hydrogen atom together. R 103 represents an alkyl group. R 101, or R 102 and R 103 may be connected to form a cyclic ether)

상기 일반식(a1-10) 중 R101∼R103은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 좋다. 여기서 R101 및 R102의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 일은 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In the general formula (a1-10), R 101 to R 103 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, and the alkyl group may be any of linear, branched and cyclic. Wherein no work is both of R 101 and R 102 represent a hydrogen atom, at least one of R 101 and R 102 represents an alkyl group.

상기 일반식(a1-10)에 있어서 R101, R102 및 R103이 알킬기를 나타낼 경우 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이어도 좋다.When R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (a1-10) represent an alkyl group, the alkyl group may be any of linear, branched or cyclic.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는 탄소수 1∼12개인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼6개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼4개인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The straight-chain or branched-chain alkyl group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a sec- Butyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

상기 환상 알킬기로서는 탄소수 3∼12개인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4∼6개인 것이 더욱 바람직하다. 상기 환상 알킬기로서는 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노보닐기, 이소보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 8 carbon atoms, and still more preferably 4 to 6 carbon atoms. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, and an isobonyl group.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우 R101, R102, R103은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우 R101, R102, R103은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. When R 101 , R 102 and R 103 have a halogen atom as a substituent, they are a haloalkyl group, and when they have an aryl group as a substituent, R 101 , R 102 and R 103 are aralkyl groups.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 예시할 수 있고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는 탄소수 6∼20개의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6∼12개이며, 구체적으로는 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉 아랄킬기로서는 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and more preferably a phenyl group, an alpha -methylphenyl group, a naphthyl group, etc., Examples of the alkyl group as a whole, that is, an aralkyl group include benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group and the like.

상기 알콕시기로서는 탄소수 1∼6개의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼4개이며, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a methoxy group or ethoxy group.

또한, 상기 알킬기가 환상의 알킬기일 경우 상기 환상의 알킬기는 치환기로서 탄소수 1∼10개의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기일 경우에는 치환기로서 탄소수 3∼12개의 환상의 알킬기를 갖고 있어도 좋다.When the alkyl group is a cyclic alkyl group, the cyclic alkyl group may have a linear or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms as a substituent. When the alkyl group is a straight chain or branched chain alkyl group, And may have up to 12 cyclic alkyl groups.

이들의 치환기는 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.These substituents may be further substituted by the above substituents.

상기 일반식(a1-10)에 있어서 R101, R102 및 R103이 아릴기를 나타낼 경우 상기 아릴기는 탄소수 6∼12개인 것이 바람직하고, 탄소수 6∼10개인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 상기 치환기로서는 탄소수 1∼6개의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는 예를 들면 페닐기, 트릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.When R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (a1-10) represent an aryl group, the aryl group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aryl group may have a substituent, and as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms may be preferably exemplified. As the aryl group, for example, a phenyl group, a trityl group, a cumenyl group, a 1-naphthyl group and the like can be mentioned.

또한, R101, R102 및 R103은 서로 결합해서 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수 있다. R101과 R102, R101과 R103 또는 R102와 R103이 결합했을 경우의 환구조로서는 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 101 , R 102 and R 103 may combine with each other to form a ring together with the carbon atoms to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 101 and R 102 , R 101 and R 103, or R 102 and R 103 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuranyl group, And examples thereof include a t-butyl group and a tetrahydropyranyl group.

또한, 상기 일반식(a1-10)에 있어서 R101 및 R102 중 어느 한쪽이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In the general formula (a1-10), it is preferable that one of R 101 and R 102 is a hydrogen atom or a methyl group.

상기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판된 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법에 의해 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 번호 0037∼0040에 기재된 합성 방법 등에 의해 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit having a protective carboxyl group represented by the general formula (a1-10) may be a commercially available one, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, it can be synthesized by the synthesis method described in paragraphs 0037 to 0040 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-221494.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 1 바람직한 실시형태는 하기 일반식으로 나타내어지는 구성 단위이다.The first preferred embodiment of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the following general formula.

Figure 112012089092645-pat00006
Figure 112012089092645-pat00006

(식 중 R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 2 each represents a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and either one of the at least R 1 and R 2 alkyl group or aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, and R 1 or R 2 R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

R1 및 R2가 알킬기인 경우 탄소수는 1∼10개인 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는 각각 수소 원자 또는 탄소수 1∼4개의 알킬기가 바람직하다.When R 1 and R 2 are alkyl groups, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms are preferred. When R 1 and R 2 are aryl groups, a phenyl group is preferred. R 1 and R 2 are each preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1∼10개의 알킬기가 바람직하고, 1∼6개의 알킬기가 보다 바람직하다.R 3 represents an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 alkyl groups.

X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.X represents a single bond or an arylene group, with a single bond being preferred.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 2 바람직한 실시형태는 하기 일반식의 구조 단위이다.A second preferred embodiment of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit represented by the following general formula:

Figure 112012089092645-pat00007
Figure 112012089092645-pat00007

(식 중 R121은 수소 원자 또는 탄소수 1∼4개의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, R122∼R128은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1∼4개의 알킬기를 나타낸다)(Wherein R 121 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and R 122 to R 128 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

R121은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 121 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L1은 카르보닐기가 바람직하다.L 1 is preferably a carbonyl group.

R122∼R128은 수소 원자가 바람직하다.R 122 to R 128 are preferably a hydrogen atom.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group include the following structural units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112012089092645-pat00008
Figure 112012089092645-pat00008

<<<(a1-2) 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>><<< (a1-2) Protecting Protected by Acid-Decomposable Group Constituent with a phenolic hydroxyl group >>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위가 이하에서 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group is a structural unit having a phenolic hydroxyl group and a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group by an acid-decomposable group described in detail below.

<<<<(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>>><<<< (a1-2-1) Constituent with phenolic hydroxyl group >>>>

상기 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는 히드록시스티렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있지만 이들 중에서는 히드록시스티렌 또는 α-메틸히드록시스티렌으로부터 유래되는 구성 단위가 감도의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서 하기 일반식(a1-20)으로 나타내어지는 구성 단위도 감도의 관점으로부터 바람직하다.Examples of the structural unit having a phenolic hydroxyl group include a hydroxystyrene-based structural unit and a constitutional unit in a novolak-based resin. Among them, a structural unit derived from hydroxystyrene or? -Methylhydroxystyrene has a sensitivity . The structural unit represented by the following general formula (a1-20) as a structural unit having a phenolic hydroxyl group is also preferable from the viewpoint of sensitivity.

일반식(a1-20)In general formula (a1-20)

Figure 112012089092645-pat00009
Figure 112012089092645-pat00009

(일반식(a1-20) 중 R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타내고, a는 1∼5의 정수를 나타내고, b는 0∼4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R222가 2 이상 존재할 경우 이들의 R222는 서로 달라도 좋고 같아도 좋다)(In the general formula (a1-20), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 221 represents a single bond or a divalent linking group, R 222 represents a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms , a represents an integer of 1 to 5, b represents an integer of 0 to 4, and a + b is not more than 5. When two or more R 222 are present, these R 222 may be the same or different,

상기 일반식(a1-20) 중 R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.In the general formula (a1-20), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합인 경우에는 감도를 향상시킬 수 있고, 경화막의 투명성을 더 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R221의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R221이 알킬렌기인 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R221이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 또한, a는 1∼5의 정수를 나타내지만 본 발명의 효과의 관점이나 제조가 용이하다는 점으로부터 a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.R 221 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of a single bond, the sensitivity can be improved and the transparency of the cured film can be further improved. Examples of the divalent linking group of R 221 include alkylene groups and specific examples of R 221 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group and the like. Among them, R &lt; 221 &gt; is preferably a single bond, a methylene group or an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group. Although a represents an integer of 1 to 5, a is preferably 1 or 2, and more preferably a is 1, from the viewpoint of the effects of the present invention and ease of production.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는 R221과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때 4위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the bonding position of the hydroxyl group in the benzene ring is bonded to the 4-position when the carbon atom bonded to R 221 is the reference (1 position).

R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1∼5개의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다. 구체적으로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점으로부터 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 222 is a halogen atom or a straight or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group . Among them, chlorine atom, bromine atom, methyl group or ethyl group is preferable from the viewpoint of easy production.

또한, b는 0 또는 1∼4의 정수를 나타낸다.B represents 0 or an integer of 1 to 4;

<<<<구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 산 분해성기>>>><<<< Acid decomposable group which can be used in the structural unit (a1-2) >>>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기와 마찬가지로 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 아세탈로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 콘택트 홀의 형성성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기일 경우 보호 페놀성 수산기의 전체로서는 -Ar-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.The acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group is preferably an acid decomposable group which can be used for the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid- As with the acid-decomposable group, known ones can be used, and they are not particularly limited. Among the acid decomposable groups, structural units having a protected phenolic hydroxyl group protected by an acetal are preferable from the viewpoints of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, particularly the sensitivity and pattern shape, the storage stability of the photosensitive resin composition, and the formability of the contact hole. Among the acid decomposable groups, from the viewpoint of sensitivity, the phenolic hydroxyl group is more preferably a protected phenolic hydroxyl group protected in the form of an acetal represented by the above general formula (a1-10). When the phenolic hydroxyl group is a protected phenolic hydroxyl group protected in the form of an acetal represented by the general formula (a1-10), the total of the protected phenolic hydroxyl groups is -Ar-O-CR 101 R 102 (OR 103 ) Structure. Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는 R101=R102=R103=메틸기나 R101=R102=메틸기이며 R103=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group include R 101 = R 102 = R 103 = methyl group, R 101 = R 102 = methyl group, and R 103 = benzyl group.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락 번호 0042에 기재된 것 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomers used for forming the structural unit having a protected phenolic hydroxyl group in which the phenolic hydroxyl group is protected in the form of an acetal include those described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215590 .

이들 중에서 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체가 투명성의 관점으로부터 바람직하다.Of these, a 1-alkoxyalkyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate and a tetrahydropyranyl protected derivative of 4-hydroxyphenyl methacrylate are preferred from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기의 구체예로서는 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Specific examples of the acetal protecting group of the phenolic hydroxyl group include 1-alkoxyalkyl groups, and examples thereof include a 1-ethoxyethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, 1-cyclohexyloxy) ethyl group, 1- (2-cyclohexyloxy) ethyl group, 1-naphthyloxy group, Oxyethyl group, etc. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판된 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법에 의해한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기의 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 기타 모노머와 미리 공중합 시켜 놓고, 그 후에 산촉매의 존재 하에서 비닐 에테르와 반응시켜도 좋다.The radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid-decomposable group may be a commercially available one, or a known one may be used. For example, a compound having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst. The above-mentioned synthesis may be carried out by previously copolymerizing a monomer having a phenolic hydroxyl group with other monomers, and then reacting with a vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific preferred examples of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group include the following structural units, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112012089092645-pat00010
Figure 112012089092645-pat00010

<<<구성 단위(a1)의 바람직한 실시형태>>><<< Preferred Embodiment of Constituent Unit (a1) >>>

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a2)를 포함하지 않을 경우 구성 단위(a1)는 상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체 중 20∼100몰%가 바람직하고, 30∼90몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a1) does not substantially contain the structural unit (a2), the structural unit (a1) is preferably 20 to 100 mol%, more preferably 30 To 90 mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 하기 구성 단위(a2)를 함유할 경우 단구성 단위(a1)는 상기 구성 단위(a1)과 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 감도의 관점으로부터 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성 단위(a1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기가 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위일 경우 20∼50몰%가 바람직하다.When the polymer containing the constituent unit (a1) contains the following constituent unit (a2), the constituent unit (a1) is a polymer containing the constituent unit (a1) and the constituent unit (a2) To 70 mol%, and more preferably 10 mol% to 60 mol%. In particular, when the acid-decomposable group usable in the structural unit (a1) is a structural unit having a carboxyl group protected in the form of an acetal in the form of an acetal, it is preferably 20 to 50 mol%.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 비하면 현상이 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)이 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 사용하는 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with the acid-decomposable group is characterized in that the phenomenon is faster than that of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid decomposable group. Therefore, when a rapid development is desired, the structural unit (a1-1) having a protected carboxyl group protected with an acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow the development, it is preferable to use the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid-decomposable group.

<<(a2) 가교성기를 갖는 구성 단위>><< (a2) Structural unit having a crosslinkable group >>

(A) 성분은 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)를 갖는다. 상기 가교성기는 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 가교성기를 갖는 구성 단위의 실시형태로서는 에폭시기, 옥세타닐기, -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20개의 알킬기)로 나타내어지는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세타닐기 및 -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20개의 알킬기)로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 중에서도 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 성분이 에폭시기 및 옥세타닐기 중 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.(A) has a structural unit (a2) having a crosslinkable group. The crosslinkable group is not particularly limited as long as it is a group which causes a curing reaction by a heat treatment. Preferred examples of the structural unit having a crosslinkable group include at least one group selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, a group represented by -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) and an ethylenic unsaturated group , And is preferably at least one selected from the group consisting of an epoxy group, oxetanyl group and -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). Among them, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the constituent unit in which the component (A) contains at least one of an epoxy group and an oxetanyl group. More specifically, the following can be mentioned.

<<<(a2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위>>><<< (a2-1) Constituent Unit Having an Epoxy Group and / or an Oxetanyl Group >>>

상기 (A) 중합체는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(구성 단위(a2-1))를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3원환의 환상 에테르기는 에폭시기라고도 불리고, 4원환의 환상 에테르기는 옥세타닐기라고도 불린다.The polymer (A) preferably contains a structural unit (structural unit (a2-1)) having an epoxy group and / or oxetanyl group. The cyclic ether group of the 3-membered ring is also called an epoxy group, and the cyclic ether group of the 4-membered ring is also called an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)은 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1∼3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, Or more oxetanyl group, and it is not particularly limited, but it is preferable to have 1 to 3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, and it is preferable to have one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total More preferably one having an epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락 번호 0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate , glycidyl? -n-butyl acrylate,? -epoxybutyl acrylate,? -epoxybutyl methacrylate,? -epoxycyclohexylmethyl acrylate, Epoxycyclohexylmethyl, 3,4-epoxycyclohexylmethyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton as described in paragraphs [0031] to [00300] of WO 00/1995, the contents of which are incorporated herein by reference.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락 번호 0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include (meth) acrylate esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 001 of JP-A No. 2001-330953 , The contents of which are incorporated herein by reference.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)을 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Specific examples of the radically polymerizable monomer used for forming the above-mentioned structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or oxetanyl group are monomers containing a methacrylic acid ester structure and monomers containing an acrylic ester structure Do.

이들 중에서도 바람직한 것은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들의 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Among these, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These constituent units may be used singly or in combination of two or more.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.Preferable specific examples of the above-mentioned structural unit (a2-1) having an epoxy group and / or an oxetanyl group include the following constitutional units. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 112012089092645-pat00011
Figure 112012089092645-pat00011

<<<(a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위>>><<< (a2-2) Structural unit having an ethylenic unsaturated group >>>

상기 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)의 1개로서 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)를 들 수 있다(이하, 「구성 단위(a2-2)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3∼16개의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 하기 일반식(a2-2-1)로 나타내어지는 측쇄를 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.(A2-2) having an ethylenic unsaturated group as one of the structural unit (a2) having a crosslinkable group (hereinafter also referred to as &quot; structural unit (a2-2) &quot;). The structural unit (a2-2) having an ethylenically unsaturated group is preferably a structural unit having an ethylenic unsaturated group in its side chain, more preferably a structural unit having an ethylenic unsaturated group at its terminal and having 3 to 16 carbon atoms, A structural unit having a side chain represented by the following general formula (a2-2-1) is more preferable.

일반식(a2-2-1)(A2-2-1)

Figure 112012089092645-pat00012
Figure 112012089092645-pat00012

(일반식(a2-2-1) 중 R301은 탄소수 1∼13개의 2가의 연결기를 나타내고, R302는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, *는 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)의 주쇄에 연결하는 부위를 나타낸다)(In the general formula (a2-2-1), R 301 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, R 302 represents a hydrogen atom or a methyl group, and * represents a linking group to the main chain of the structural unit (a2) Lt; / RTI &gt;

R301은 탄소수 1∼13개의 2가의 연결기로서, 알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합시킨 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 2가의 연결기는 임의의 위치에 히드록시기, 카르복실기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. R301의 구체예로서는 하기의 2가의 연결기를 들 수 있다.R 301 is a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, which may contain an alkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond, or a urethane bond. The divalent linking group may have a substituent such as a hydroxyl group or a carboxyl group at an arbitrary position. Specific examples of R 301 include the following divalent linking groups.

Figure 112012089092645-pat00013
Figure 112012089092645-pat00013

상기 일반식(a2-2-1)로 나타내어지는 측쇄 중에서도 상기 R301로 나타내어지는 2가의 연결기를 포함해서 지방족의 측쇄가 바람직하다.Among the side chains represented by the general formula (a2-2-1), aliphatic side chains including the divalent linking group represented by R 301 are preferable.

그 외 (a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락 번호 0072∼0090의 기재를 참작할 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.Others (a2-2) With regard to the constituent unit having an ethylenic unsaturated group, the description of paragraphs 0072 to 0090 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2011-215580 may be taken into consideration, and the contents thereof are included in the specification of the present invention.

<<<(a2-3) -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20개의 알킬기)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위>>><<< (a2-3) Structural unit having a group represented by -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) >>>

본 발명에서 사용하는 중합체는 -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1∼20개의 알킬기)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위(a2-3)도 바람직하다. 구성 단위(a2-3)를 가짐으로써 원만한 가열 처리로 경화 반응을 일으킬 수 있고, 제특성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 여기서 R은 탄소수 1∼9개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬기가 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다. 구성 단위(a2)는 보다 바람직하게는 하기 일반식(a2-30)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위이다.Polymer used in the present invention are also preferred structural units (a2-3) having a group represented by -NH-CH 2 -OR (R is alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). By having the structural unit (a2-3), a curing reaction can be caused by a satisfactory heat treatment, and a cured film having excellent properties can be obtained. Here, R is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group. The structural unit (a2) is more preferably a structural unit having a group represented by the following general formula (a2-30).

일반식(a2-30)(A2-30)

Figure 112012089092645-pat00014
Figure 112012089092645-pat00014

(일반식(a2-30) 중 R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1∼20개의 알킬기를 나타낸다)(In the general formula (a2-30), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms)

R2는 탄소수 1∼9개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼4개의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of linear, branched or cyclic alkyl groups, but is preferably a linear or branched alkyl group.

R2의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-부틸기, n-부틸기, 메틸기가 바람직하다.Specific examples of R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, a cyclohexyl group and an n-hexyl group. Of these, an i-butyl group, an n-butyl group and a methyl group are preferable.

<<<구성 단위(a2)의 바람직한 실시형태>>><<< Preferred Embodiment of Constituent Unit (a2) >>>

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a1)를 포함하지 않을 경우 구성 단위(a2)는 상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 5∼90몰%가 바람직하고, 20∼80몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) does not substantially contain the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably 5 to 90 mol%, more preferably 20 To 80 mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가 상기 구성 단위(a1)를 함유할 경우 단구성 단위(a2)는 상기 구성 단위(a1)과 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 약품 내성의 관점으로부터 3∼70몰%가 바람직하고, 10∼60몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) contains the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably a polymer containing the structural unit (a1) and the structural unit (a2) Is preferably 3 to 70 mol%, and more preferably 10 to 60 mol%.

본 발명에서는 또한 어느 실시형태에 관계없이 (A) 성분의 전체 구성 단위 중 구성 단위(a2)를 3∼70몰% 함유하는 것이 바람직하고, 10∼60몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다.In the present invention, regardless of the embodiment, the content of the structural unit (a2) in the total structural units of the component (A) is preferably 3 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%.

상기의 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 약품 내성이 양호해진다.Within the above range, the transparency and chemical resistance of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

<<(a3) 기타 구성 단위>><< (a3) Other building blocks >>

본 발명에 있어서 (A) 성분은 상기 구성 단위(a1) 및/또는 (a2)에 추가해서 이들 이외의 다른 구성 단위(a3)을 갖고 있어도 좋다. 이들의 구성 단위는 상기 중합체 성분(1) 및/또는 (2)가 포함되어 있어도 좋다. 또한, 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 갖는 중합체 성분을 갖고 있어도 좋다. 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 갖는 중합체 성분을 포함할 경우 상기 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.In the present invention, the component (A) may contain, in addition to the above structural units (a1) and / or (a2), the other structural units (a3). These constituent units may contain the polymer components (1) and / or (2). In addition, apart from the polymer component (1) or (2), a polymer component having substantially no structural units (a1) and (a2) and having another structural unit (a3) may be contained. When the polymer component (1) or (2) contains a polymer component substantially not containing (a1) and (a2) and having another constituent unit (a3), the blending amount of the polymer component is preferably 60 By mass or less, more preferably 40% by mass or less, and still more preferably 20% by mass or less.

기타 구성 단위(a3)가 되는 모노머로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 기타 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 산기를 갖는 구성 단위를 갖고 있어도 좋다. 기타 구성 단위(a3)가 되는 모노머는 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.The monomer to be the other constituent unit (a3) is not particularly limited and includes, for example, styrenes, alkyl (meth) acrylates, (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters , Unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, and other unsaturated compounds can be mentioned. Further, as described later, it may have a structural unit having an acid group. The monomers to be the other constituent unit (a3) may be used alone or in combination of two or more.

이하에 본 발명의 중합체 성분의 바람직한 실시형태를 들지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Preferred embodiments of the polymer component of the present invention are described below, but the present invention is not limited thereto.

(제 1 실시형태)(First Embodiment)

중합체 성분(1)이 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)을 더 갖는 실시형태.An embodiment wherein the polymer component (1) further comprises one or more other structural units (a3).

(제 2 실시형태)(Second Embodiment)

중합체 성분(2)의 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)을 더 갖는 실시형태.(A1) an embodiment wherein the polymer having a constituent unit having a group in which an acid group is protected with an acid-decomposable group further comprises one or more other constituent units (a3) of the polymer constituent (2).

(제 3 실시형태)(Third Embodiment)

중합체 성분(2)의 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)을 더 갖는 실시형태.An embodiment in which the polymer (a2) having a structural unit having a crosslinkable group in the polymer component (2) further comprises one or more other structural units (a3).

(제 4 실시형태)(Fourth Embodiment)

상기 제 1∼제 3 실시형태 중 어느 하나에 있어서 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 실시형태.An embodiment wherein any one of the first to third embodiments includes a structural unit containing at least an acid group as the other structural unit (a3).

(제 5 실시형태)(Fifth Embodiment)

상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 더 갖는 중합체를 갖는 실시형태.An embodiment having a polymer which does not substantially contain (a1) and (a2) and which further comprises another structural unit (a3) apart from the polymer component (1) or (2).

(제 6 실시형태)(Sixth Embodiment)

중합체 성분(2)을 적어도 포함하는 실시형태.An embodiment comprising at least polymer component (2).

(제 7 실시형태)(Seventh Embodiment)

상기 제 1∼제 6 실시형태의 2 이상의 조합으로 이루어지는 실시형태.An embodiment comprising two or more combinations of the first to sixth embodiments.

(제 8 실시형태)(Eighth embodiment)

상기 중합성 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체를 포함하는 실시형태.An embodiment comprising a polymer having at least an acid group-containing constituent unit as the other constituent unit (a3) separately from the polymerizable component (1) or (2).

(제 9 실시형태)(Ninth embodiment)

상기 중합성 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 갖는 구성 단위와, 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 포함하는 실시형태.An embodiment including a copolymer having a structural unit having at least an acid group and a structural unit having a crosslinkable group as the other structural unit (a3) separately from the polymerizable component (1) or (2).

(제 10 실시형태)(Tenth Embodiment)

상기 실시형태 8 또는 9에 있어서 산기가 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 실시형태.In the embodiment 8 or 9, the acid group is a structural unit having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group.

구성 단위(a3)은 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산 메틸, 비닐벤조산 에틸, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 이소보닐, 아크릴로니트릴, 에틸렌글리콜모노아세토아세테이트모노메타아크릴레이트 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 외에 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 번호 0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the structural unit (a3) include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, (Meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, Acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile and ethylene glycol monoacetoacetate monomethacrylate Unit. In addition, the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 can be mentioned.

또한, 기타 구성 단위(a3)로서 스티렌류, 지방족환식 골격을 갖는 기가 전기 특성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Further, as the other structural unit (a3), a styrene group or a group having an alicyclic cyclic skeleton is preferable from the viewpoint of electrical characteristics. Specific examples include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobonyl Methacrylate, and the like.

또한, 기타 구성 단위(a3)로서 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 밀착성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 n-부틸 등을 들 수 있고, (메타)아크릴산 메틸이 보다 바람직하다. 중합체(A)를 구성하는 구성 단위 중 상기 구성 단위(a3)의 함유율은 60몰% 이하가 바람직하고, 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 40몰% 이하가 더욱 바람직하다. 하한값으로서는 0몰%이어도 좋지만 예를 들면 1몰% 이상으로 할 수 있고, 또한 5몰% 이상으로 할 수 있다. 상기 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 제특성이 양호해진다.In addition, as the other structural unit (a3), a (meth) acrylic acid alkyl ester is preferable from the viewpoint of adhesion. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate and n-butyl (meth) acrylate. More preferred is methyl (meth) acrylate. The content of the structural unit (a3) among the constituent units constituting the polymer (A) is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less, still more preferably 40 mol% or less. The lower limit value may be 0 mol%, but may be, for example, 1 mol% or more, and may be 5 mol% or more. Within the range of the above-mentioned numerical values, the properties of the cured film obtained from the photosensitive resin composition are improved.

기타 구성 단위(a3)로서 산기를 포함하는 것이 바람직하다. 산기를 포함함으로써 알카리성 현상액에 용해되기 쉬워져 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 발명에 있어서의 산기란 pKa가 7보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산기는 통상 산기를 형성할 수 있는 모노머를 사용해서 산기를 포함하는 구성 단위로서 중합체에 포함된다. 이러한 산기를 포함하는 구성 단위를 중합체 중에 포함시킴으로써 알카리성 현상액에 대하여 용해되기 쉬워지는 경향이 있다.  As the other structural unit (a3), it is preferable to include an acid group. By including an acid group, it is easy to dissolve in an alkaline developing solution, and the effect of the present invention is more effectively exhibited. The acid group in the invention means a proton dissociable group having a pKa smaller than 7. The acid group is included in the polymer as a constituent unit containing an acid group by using a monomer capable of forming an acid group. By incorporating such a structural unit containing an acid group into the polymer, it tends to be easily dissolved in the alkaline developer.

본 발명에서 사용되는 산기로서는 카르복실산기로부터 유래되는 것, 술폰아미드기로부터 유래되는 것, 포스폰산기로부터 유래되는 것, 술폰산기로부터 유래되는 것, 페놀성 수산기로부터 유래되는 것, 술폰아미드기, 술포닐이미드기 등이 예시되고, 카르복실산기로부터 유래되는 것 및/또는 페놀성 수산기로부터 유래되는 것이 바람직하다.Examples of the acid group used in the present invention include those derived from a carboxylic acid group, those derived from a sulfonamide group, those derived from a phosphonic acid group, those derived from a sulfonic acid group, those derived from a phenolic hydroxyl group, A sulfonylimide group, and the like, and those derived from a carboxylic acid group and / or derived from a phenolic hydroxyl group are preferable.

카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산; 말레산, 푸말산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산 등의 불포화 카르복실산을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; And unsaturated carboxylic acids such as dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid.

또한, 카르복실산 무수물 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit having a carboxylic acid anhydride residue include maleic anhydride, itaconic anhydride, and the like.

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제 2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene,? -Methyl-p-hydroxystyrene, and the like disclosed in JP-A-2008-40183 Hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, 4-hydroxybenzoic acid derivatives such as 4- An addition reaction product of a hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, and the like.

이들 중에서도 메타크릴산, 아크릴산, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제 2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물이 더욱 바람직하고, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제 2888454호 공보의 단락 0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, p-히드록시스티렌 및 α-메틸-p-히드록시스티렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 유래되는 구성 단위인 것이 보다 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유래되는 구성 단위인 것이 더욱 바람직하고, 메타크릴산으로부터 유래되는 구성 단위인 것이 특히 바람직하다. 이들의 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Of these, methacrylic acid, acrylic acid, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, 4-hydroxy Addition reaction products of benzoic acid and glycidyl methacrylate, and addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable, and compounds described in paragraphs 0011 to 001 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, The addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid derivative, 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, the addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, as described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, , A structural unit derived from at least one member selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene More preferably a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and particularly preferably a structural unit derived from methacrylic acid. These constituent units may be used singly or in combination of two or more.

구성 단위(b1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다.Specific preferred examples of the structural unit (b1) include the following structural units.

Figure 112012089092645-pat00015
Figure 112012089092645-pat00015

산기를 포함하는 구성 단위는 전체 중합체 성분의 구성 단위의 1∼80몰%가 바람직하고, 1∼50몰%가 보다 바람직하고, 5∼40몰%가 더욱 바람직하고, 5∼30몰%가 특히 바람직하고, 5∼20몰%가 특히 바람직하다.The constituent unit containing an acid group is preferably from 1 to 80 mol%, more preferably from 1 to 50 mol%, still more preferably from 5 to 40 mol%, and particularly preferably from 5 to 30 mol%, of the constituent units of the whole polymer component , And particularly preferably from 5 to 20 mol%.

본 발명에서는 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 갖는 중합체로서는 측쇄에 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 일본 특허 공개 소 59-44615호, 일본 특허 공고 소 54-34327호, 일본 특허 공고 소 58-12577호, 일본 특허 공고 소 54-25957호, 일본 특허 공개 소 59-53836호, 일본 특허 공개 소 59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체 등 및 측쇄에 카르복실기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산 무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.In the present invention, as the polymer which does not substantially contain (a1) and (a2) and other structural unit (a3), a resin having a carboxyl group in the side chain is preferable apart from the polymer component (1) or (2). For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-44615, Japanese Patent Publication No. 54-34327, Japanese Patent Publication No. 58-12577, Japanese Patent Publication No. 54-25957, Japanese Patent Application Laid-open No. 59-53836, A methacrylic acid copolymer, an acrylic acid copolymer, an itaconic acid copolymer, a crotonic acid copolymer, a maleic acid copolymer, a partially esterified maleic acid copolymer, and the like, which are described in each publication of JP-A No. 59-71048, , Acidic anhydride added to a polymer having a hydroxyl group, and the like, and a polymer having a (meth) acryloyl group in its side chain is also preferable.

예를 들면, 벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트/벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 일본 특허 공개 평 7-140654호 공보에 기재된 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.(Meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / benzyl (meth) acrylate / (Meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate / polymethyl methacrylate macromonomer / Benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / benzyl Methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 외에도 일본 특허 공개 평 7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평 8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평 10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평 11-140144호 공보, 일본 특허 공개 평 11-174224호 공보, 일본 특허 공개 2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 2003-233179호 공보, 일본 특허 공개 2009-52020호 공보 등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-207211, 8-259876, 10-300922, 11-140144, 11-174224 Publicly known polymer compounds described in JP-A-2000-56118, JP-A-2003-233179, and JP-A-2009-52020 can be used, and the contents thereof are included in the specification of the present invention.

이들의 중합체는 1종류만 포함하고 있어도 좋고, 2종류 이상 포함하고 있어도 좋다.These polymers may be contained in one kind alone or in two or more kinds.

이들의 중합체로서 시판되어 있는 SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상 사토머사제), ArUFON UC-3000, ArUFON UC-3510, ArUFON UC-3900, ArUFON UC-3910, ArUFON UC-3920, ArUFON UC-3080(이상 도아고세이(주)제), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586(이상 BASF제) 등을 사용할 수도 있다.As these polymers, commercially available polymers such as SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (manufactured by Sartomer), ArUFON UC-3000, ArUFON UC-3510, ArUFON UC- UF-3910, ArUFON UC-3920, ArUFON UC-3080 (manufactured by Dojo Kosei Co., Ltd.), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67 and Joncryl 586 (manufactured by BASF).

다른 구성 단위(a3)로서 스티렌이나 α-메틸스티렌 등의 스티렌류를 사용할 경우 하기 식(b3-1)로 나타내어지는 구성 단위를 더 갖는 것이 바람직하다. R4는 수소 원자인 것이 바람직하다.When styrene such as styrene or? -Methylstyrene is used as the other structural unit (a3), it is preferable to further include a structural unit represented by the following formula (b3-1). R 4 is preferably a hydrogen atom.

Figure 112012089092645-pat00016
Figure 112012089092645-pat00016

(식 중 R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group)

또한, 구성 단위(b3)의 예로서는 (메타)아크릴산 에스테르류, 스티렌류 및 N치환 말레이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 유래되는 구성 단위를 바람직하게 들 수 있고, (메타)아크릴산 에스테르류 및 스티렌류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 유래되는 구성 단위를 보다 바람직하게 들 수 있다.Examples of the structural unit (b3) include structural units derived from at least one member selected from the group consisting of (meth) acrylic acid esters, styrenes and N-substituted maleimides, and (meth) acrylic acid esters And structural units derived from at least one member selected from the group consisting of styrenes.

그 중에서도 구성 단위(b3)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 (메타)아크릴산 디시클로펜타닐, (메타)아크릴산 시클로헥실, 아크릴산 시클로헥실과 같은 지환 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르류, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, 스티렌을 바람직하게 예시할 수 있고, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, 스티렌을 보다 바람직하게 예시할 수 있고, (메타)아크릴산 메틸을 더욱 바람직하게 예시할 수 있고, 메타크릴산 메틸을 특히 바람직하게 예시할 수 있다.Among them, examples of the radically polymerizable monomer used for forming the structural unit (b3) include (meth) acrylic esters having an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclohexyl acrylate, Methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and styrene can be preferably exemplified, and methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate and styrene are more preferable. (Meth) acrylate is more preferable, and methyl methacrylate is particularly preferably exemplified.

<<(A) 중합체의 분자량>><< (A) Molecular weight of polymer >>

(A) 중합체의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 바람직하게는 1,000∼200,000, 보다 바람직하게는 2,000∼50,000의 범위이다. 상기 수치의 범위 내이면 제특성이 양호하다. 수 평균 분자량과 중량 평균 분자량의 비(분산도)는 1.0∼5.0이 바람직하고, 1.5∼3.5가 보다 바람직하다.The molecular weight of the polymer (A) is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 2,000 to 50,000, in terms of polystyrene reduced weight average molecular weight. Within the above range of the numerical value, the property is good. The ratio (number of dispersions) of the number average molecular weight to the weight average molecular weight is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.5 to 3.5.

<<(A) 중합체의 제조 방법>><< (A) Method of producing polymer >>

또한, (A) 성분의 합성법에 대해서도 여러 가지 방법이 알려져 있지만 일례를 들면 적어도 상기 (a1) 및 상기 (a3)으로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중 라디칼 중합 개시제를 사용해서 중합함으로써 합성할 수 있다. 또한, 소위 고분자 반응에 의해 합성할 수도 있다.Further, although various methods are known for the synthesis of the component (A), for example, at least the radically polymerizable (meth) acrylic polymer containing a radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit represented by the above (a1) Can be synthesized by polymerization of a monomer mixture using a radical polymerization initiator in an organic solvent. It may also be synthesized by a so-called polymer reaction.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 전체 고형분 100질량부에 대하여 (A) 성분을 50∼99.9질량부의 비율로 포함하는 것이 바람직하고, 70∼98질량부의 비율로 포함하는 것이 보다 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains the component (A) in an amount of 50 to 99.9 parts by mass based on 100 parts by mass of the total solid content, more preferably 70 to 98 parts by mass.

<성분 (X)>&Lt; Component (X) >

본 발명에서 사용되는 규소 화합물은 하기 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 것을 특징으로 한다.The silicon compound used in the present invention is characterized by having two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by the following formula (X1) in one molecule.

Figure 112012089092645-pat00017
Figure 112012089092645-pat00017

(식 중 RX1∼RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1∼RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다)(Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group or And the remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent group.

식(X1) 중 RX1∼RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1∼RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기(예를 들면, 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 알키닐기, 아랄킬기)를 나타낸다.At least one of R X1 to R X3 in the formula (X1) is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group Lt; / RTI &gt; Each of R X1 to R X3 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent group (for example, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aralkyl group).

식(X1) 중 규소 원자에 결합하는 가수분해성기로서는 특히 알콕시기, 할로겐 원자가 바람직하고, 알콕시기가 보다 바람직하다.As the hydrolyzable group bonded to the silicon atom in the formula (X1), an alkoxy group and a halogen atom are particularly preferable, and an alkoxy group is more preferable.

알콕시기로서는 린스성과 내쇄성의 관점으로부터 탄소수 1∼30개의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1∼15개의 알콕시기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼5개의 알콕시기가 더욱 바람직하고, 탄소수 1∼3개의 알콕시기가 보다 더 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 특히 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 15 carbon atoms, still more preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms And a methoxy group or an ethoxy group is particularly preferable.

또한, 할로겐 원자로서 F 원자, Cl 원자, Br 원자, I 원자를 들 수 있고, 합성의 용이함 및 안정성의 관점에서 바람직하게는 Cl 원자 및 Br 원자를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 Cl원자를 들 수 있다.As the halogen atom, there can be mentioned F atom, Cl atom, Br atom and I atom. From the viewpoint of easiness of synthesis and stability, preferred is a Cl atom and a Br atom. More preferably, .

성분 X는 식(X1)로 나타내어지는 기를 2개 이상 갖는다. 즉, 분자 내에 가수분해성기가 결합한 규소 원자를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 성분 A 중에 포함되는 가수분해성기가 결합한 규소 원자의 수는 2∼6개가 바람직하고, 2∼4개가 보다 바람직하고, 2 또는 3개가 더욱 바람직하다.The component X has two or more groups represented by the formula (X1). That is, a compound having two or more silicon atoms bonded with a hydrolysable group in the molecule is preferably used. The number of silicon atoms bonded to the hydrolyzable group contained in Component A is preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, and still more preferably 2 or 3.

2개 이상의 구성 성분(X1)을 가짐으로써 경화막 내부에서 가교제로서 기능하여 경화막의 박리액이나 용제에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.By having at least two constituent components (X1), it can function as a cross-linking agent in the cured film to improve the resistance to peeling liquid and solvent of the cured film.

상기 가수분해성기는 1개의 규소 원자에 1∼4개의 범위에서 결합할 수 있고, 식(X1) 중에 있어서의 가수분해성기의 총 개수는 2개 또는 3개의 범위인 것이 바람직하고, 3개의 가수분해성기가 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다. 가수분해성기가 규소 원자에 2개 이상 결합할 때에는 그들은 서로 동일해도 달라도 좋다.The hydrolyzable group may be bonded to one silicon atom in a range of 1 to 4, and the total number of hydrolyzable groups in the formula (X1) is preferably in a range of 2 or 3, and three hydrolyzable groups It is particularly preferable that they are combined. When two or more hydrolysable groups are bonded to a silicon atom, they may be the same or different.

상기 가수분해성기로서 바람직한 알콕시기로서 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, tert-부톡시기, 페녹시기, 벤질옥시기 등을 들 수 있다. 이들의 각 알콕시기를 복수개 조합해서 사용해도 좋고, 다른 알콕시기를 복수개 조합해서 사용해도 좋다.Examples of the preferable alkoxy group as the hydrolyzable group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a tert-butoxy group, a phenoxy group and a benzyloxy group. A plurality of these alkoxy groups may be used in combination, or a plurality of different alkoxy groups may be used in combination.

알콕시기가 결합한 알콕시실릴기로서는 예를 들면 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 트리이소프로폭시실릴기, 트리페녹시실릴기 등의 트리알콕시실릴기; 디메톡시메틸실릴기, 디에톡시메틸실릴기 등의 디알콕시모노알킬실릴기; 메톡시디메틸실릴기, 에톡시디메틸실릴기 등의 모노알콕시디알킬실릴기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysilyl group bonded with an alkoxy group include trialkoxysilyl groups such as a trimethoxysilyl group, a triethoxysilyl group, a triisopropoxysilyl group, and a triphenoxysilyl group; Dialkoxymonoalkylsilyl groups such as a dimethoxymethylsilyl group and a diethoxymethylsilyl group; And monoalkoxydialkylsilyl groups such as methoxydimethylsilyl group and ethoxydimethylsilyl group.

성분 X는 황 원자, 에스테르 결합, 우레탄 결합, 에테르 결합, 우레아 결합 또는 이미노기를 함유해도 좋다. 그 중에서도 성분 X는 가교성의 관점으로부터 황 원자를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 알칼리 현상성의 관점으로부터 알칼리수로 분해하기 쉬운 에스테르 결합, 우레탄 결합 또는 에테르 결합(특히, 옥시알킬렌기에 포함되는 에테르 결합)을 함유하는 것이 바람직하다. 황 원자를 함유하는 성분 X는 가황제로서 기능하여 경화막의 반응(가교)을 촉진하는 경우가 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 성분 X는 에틸렌성 불포화 결합을 갖고 있지 않은 화합물인 것이 바람직하다. 성분 X는 중합성기로서 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기만을 갖는 것이 바람직하다.Component X may contain a sulfur atom, an ester bond, a urethane bond, an ether bond, a urea bond or an imino group. Among them, the component X preferably contains a sulfur atom from the viewpoint of crosslinkability, and further contains an ester bond, an urethane bond or an ether bond (particularly an ether bond contained in the oxyalkylene group) which is easily decomposed into alkaline water . Component X containing a sulfur atom may function as a vulcanizing agent to promote the reaction (crosslinking) of the cured film. The component X in the present invention is preferably a compound having no ethylenic unsaturated bond. The component X preferably has only a hydrolyzable silyl group and / or a silanol group as a polymerizable group.

본 발명에 있어서의 성분 X는 복수의 상기 식(X1)로 나타내어지는 기가 2가의 연결기를 통해 결합하고 있는 화합물을 들 수 있고, 이러한 2가의 연결기로서는 효과의 관점으로부터 술피드기(-S-), 이미노기(-N(R)-) 또는 우레탄 결합(-OCON(R)- 또는 N(R)COO-)을 갖는 연결기가 바람직하다. 또한, R은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. R에 있어서의 치환기로서는 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아랄킬기를 예시할 수 있다.The component X in the present invention is a compound in which a plurality of groups represented by the above formula (X1) are bonded through a divalent linking group. From the viewpoint of the effect, such a divalent linking group includes a sulfide group (-S-) , An imino group (-N (R) -) or a urethane bond (-OCON (R) - or N (R) COO-). R represents a hydrogen atom or a substituent. As the substituent in R, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aralkyl group can be exemplified.

성분 X의 합성 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 합성할 수 있다. 일례로서 상기 특정 구조를 갖는 연결기를 포함하는 성분 X의 대표적인 합성 방법을 나타낸다.The method for synthesizing the component X is not particularly limited and can be synthesized by a known method. As an example, a typical synthesis method of component X including a linking group having the above specific structure is shown.

<연결기로서 술피드기를 갖고, 또한 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물의 합성법><Method for synthesizing a compound having a sulfide group as a linking group and having a hydrolyzable silyl group and / or a silanol group>

연결기로서 술피드기를 갖는 성분 X(이하 적당히 「술피드 연결기 함유 성분 X」라고 칭한다)의 합성법은 특별히 한정되지 않지만 구체적으로는 예를 들면 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X와 황화 알칼리의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X의 반응, 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X와 메르캅탄류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 메르캅탄류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 케톤류와 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 디아조늄염과 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 옥실란류의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응 및 메르캅탄류와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 아지리딘류의 반응 등의 합성 방법을 예시할 수 있다.A method for synthesizing a component X having a sulfide group as a linking group (hereinafter referred to as "sulfide linkage group-containing component X" as appropriate) is not particularly limited, but specific examples thereof include reaction of a component X having a halogenated hydrocarbon group with an alkali sulfide, , Reaction of component X having a mercapto group with component X having a halogenated hydrocarbon group, reaction of a component X having a halogenated hydrocarbon group with mercaptans, reaction of a component X having an ethylenically unsaturated bond, A reaction of component X having an ethylenically unsaturated bond and a component X having a mercapto group, a reaction of a component X having a mercapto group and a compound having an ethylenically unsaturated bond, a component having a ketone group and a mercapto group Reaction of X with a component X having a diazonium salt and a mercapto group, reaction of an oxirane with a component X having a mercapto group, A reaction between a component X having a mercapto group and a component X having an oxyl group, a reaction between a mercapto group and a component X having an oxyl group, and a reaction of a component X having a mercapto group with aziridines.

<연결기로서 이미노기를 갖고, 또한 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물의 합성법><Method for synthesizing a compound having an imino group as a linking group and having a hydrolyzable silyl group and / or a silanol group>

연결기로서 이미노기를 갖는 성분 X(이하 적당히 「이미노 연결기 함유 성분 X」라고 칭한다)의 합성법은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 아미노기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X의 반응, 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X와 아민류의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 옥실란류의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응, 아민류와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 아지리딘류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 아민류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 아미노기를 갖는 성분 X의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 아미노기를 갖는 성분 X의 반응, 아세틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 아미노기를 갖는 성분 X의 반응, 이민성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 유기 알칼리 금속 화합물의 반응, 이민성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 유기 알칼리 토류 금속 화합물의 반응 및 카르보닐 화합물과 아미노기를 갖는 성분 X의 반응 등의 합성 방법을 예시할 수 있다.The method for synthesizing a component X having an imino group as a linking group (hereinafter referred to as "imino linking group-containing component X" as appropriate) is not particularly limited. For example, the reaction between a component X having an amino group and a halogenated hydrocarbon, The reaction of component X having a hydrocarbon group, the reaction of component X having an halogenated hydrocarbon group with an amine, the reaction of component X having an amino group with an oxirane, the reaction of component X having an amino group with component X having an oxyl group, Reaction of X with aziridines with component X having an amino group, reaction of component X having an ethylenically unsaturated bond with amines, reaction of component X having an ethylenically unsaturated bond with component X having an amino group, reaction of an ethylenically unsaturated bond And a component X having an amino group, a reaction between a compound having an acetylenic unsaturated bond and Reaction of component X having an amino group, reaction of component X having an imatinib unsaturated bond with an organic alkali metal compound, reaction of component X having an imatinib unsaturated bond with an organic alkaline earth metal compound, and reaction of component X having a carbonyl compound and an amino group Can be exemplified.

<연결기로서 우레탄 결합(우레일렌기)을 갖고, 또한 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물의 합성법><Synthesis method of a compound having a urethane bond (ureylene group) as a linking group and having a hydrolyzable silyl group and / or a silanol group>

연결기로서 우레일렌기를 갖는 성분 X(이하 적당히 「우레일렌 연결기 함유 성분 X」라고 칭한다)의 합성법은 특별히 한정되지 않지만 구체적으로는 예를 들면 아미노기를 갖는 성분 X와 이소시안산 에스테르류의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 이소시안산 에스테르를 갖는 성분 X의 반응 및 아민류와 이소시안산 에스테르를 갖는 성분 X의 반응 등의 합성 방법을 예시할 수 있다.A method for synthesizing a component X having a ureylene group as a linking group (hereinafter referred to as "ureylene linkage-containing component X" as appropriate) is not particularly limited, but specifically, for example, a reaction between an amino group-containing component X and an isocyanate, For example, the reaction of component X having isocyanate and isocyanate and reaction of component X having amines and isocyanate can be exemplified.

성분 X의 구체예로서는 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)부탄, 1-메틸디메톡시실릴-4-트리메톡시실릴부탄, 1,4-비스(메틸디메톡시실릴)부탄, 1,5-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1-메틸디메톡시실릴-5-트리메톡시실릴펜탄, 1,5-비스(메틸디메톡시실릴)펜탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,4-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(메틸디메톡시실릴)헥산, 1,7-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,6-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 1,8-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,7-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 1,9-비스(트리메톡시실릴)노난, 2,7-비스(트리메톡시실릴)노난, 1,10-비스(트리메톡시실릴)데칸, 3,8-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비닐트리클로로실란, 1,3-비스(트리클로로실란)프로판, 1,3-비스(트리브로모실란)프로판, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리에톡시실란, γ-아크릴록시프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, 메르캅토메틸트리메톡시실란, 디메톡시-3-메르캅토프로필메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)디에톡시메틸실란, 3-(2-아세톡시에틸티오프로필)디메톡시메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)트리에톡시실란, 디메톡시메틸-3-(3-페녹시프로필티오프로필)실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,8-비스(트리에톡시실릴)옥탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비스(트리에톡시실릴프로필)아민, 비스(트리메톡시실릴프로필)우레아, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-트리에톡시실릴프로필메타아크릴레이트, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, 트리메틸실라놀, 디페닐실란디올, 트리페닐실라놀 등을 들 수 있다.Specific examples of the component X include 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) butane, 1-methyldimethoxysilyl- Bis (trimethoxysilyl) pentane, 1-methyldimethoxysilyl-5-trimethoxysilylpentane, 1,1-bis (trimethoxysilyl) pentane, Bis (trimethoxysilyl) pentane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) pentane, (Trimethoxysilyl) hexane, 1,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 2,5-bis (trimethoxysilyl) hexane, Bis (trimethoxysilyl) octane, 2,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 1,8-bis (Methoxysilyl) octane, 1,9-bis (trimethoxysilyl) nonane, 2,7-bis (trimethoxysilyl) (Trimethoxy Vinyl trichlorosilane, 1,3-bis (trichlorosilane) propane, 1,3-bis (tribromosilane) propane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, , 4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane,? -Methacryl Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltriethoxysilane,? -Methacryloxypropyltriethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, -Aminopropyltrimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) - γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) Aminoethyl) -? - aminopropyltriethoxysilane,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane , N-phenyl- gamma -aminopropyltrimethoxysilane, gamma-mercaptopropyltrimethoxysilane, gamma-mercaptopropyltriethoxysilane, mercaptomethyltrimethoxysilane, dimethoxy-3-mercaptopropyl (2-aminoethylthioethyl) diethoxymethylsilane, 3- (2-acetoxyethylthiopropyl) dimethoxymethylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) triethoxysilane, dimethyl Bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, 1,4-bis (triethoxysilyl) Benzene, bis (triethoxysilyl) ethane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,8-bis (triethoxysilyl) Bis (trimethoxysilylpropyl) amine, bis (trimethoxysilylpropyl) urea,? -Chloropropyltrimethoxysilane,? -Triethoxysilylpropylmethacrylate,? - In-laid propyltriethoxysilane and the like can be mentioned silane, trimethyl silanol, diphenyl silane diol, triphenyl silanol.

그 밖에도 이하에 나타내는 화합물을 바람직한 것으로서 들 수 있지만 본 발명은 이들의 화합물에 제한되는 것은 아니다.In addition, the compounds shown below are preferred, but the present invention is not limited to these compounds.

Figure 112012089092645-pat00018
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Figure 112012089092645-pat00019
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Figure 112012089092645-pat00020
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상기 각 식 중 R 및 R1은 각각 이하의 구조로부터 선택되는 부분 구조를 나타낸다. 분자 내에 복수의 R 및 R1이 존재할 경우 이들은 서로 같아도 달라도 좋고, 합성 적성상은 동일한 것이 바람직하다.Wherein R and R &lt; 1 &gt; each represent a partial structure selected from the following structures. When a plurality of R and R &lt; 1 &gt; exist in the molecule, they may be the same or different, and the synthetic aptitude is preferably the same.

Figure 112012089092645-pat00021
Figure 112012089092645-pat00021

성분 X는 적당히 합성해서 얻는 것도 가능하지만 시판된 것을 사용하는 것이 비용 면으로부터 바람직하다. 성분 X로서는 예를 들면 신에쓰 가가꾸 고교(주), 도레이·다우코닝(주), 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈(주), 치소(주) 등으로부터 시판되어 있는 실란 제품, 실란 커플링제 등의 시판품이 이것에 상당하기 때문에 본 발명의 수지 조성물에 이들 시판품을 목적에 따라 적당히 선택해서 사용해도 좋다.Component X can be obtained by appropriately synthesizing, but it is preferable to use commercially available component X from the viewpoint of cost. Examples of the component X include commercially available products such as silane products and silane coupling agents commercially available from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Toray, Dow Corning Co., Ltd., Momentive Performance Materials Co., Ltd., , These commercial products may be appropriately selected and used according to the purpose in the resin composition of the present invention.

본 발명에 있어서의 성분 X로서 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물을 1종 사용해서 얻어진 부분 가수분해 축합물 또는 2종 이상 사용해서 얻어진 부분 공가수분해 축합물을 사용할 수 있다. 이하 이들의 화합물을 「부분 (공)가수분해 축합물」이라고 칭하는 경우가 있다.As the component X in the present invention, a partial hydrolysis condensation product obtained by using one species of a compound having a hydrolyzable silyl group and / or a silanol group or a partial hydrolysis condensation product obtained by using two or more species can be used. Hereinafter, these compounds are sometimes referred to as "partial (co) hydrolysis-condensation products".

부분 (공)가수분해 축합물 전구체로서의 실란 화합물 중에서도 범용성, 비용면, 막의 상용성의 관점으로부터 규소 상의 치환기로서 메틸기 및 페닐기로부터 선택되는 치환기를 갖는 실란 화합물인 것이 바람직하고, 구체적으로는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란이 바람직한 전구체로서 예시된다.Of the silane compounds as the partial (co) hydrolytic condensation product precursors, silane compounds having a substituent selected from a methyl group and a phenyl group as a substituent on silicon are preferable from the viewpoints of versatility, cost, and compatibility of the film. Specific examples thereof include methyltrimethoxy Silane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane and diphenyldiethoxysilane are exemplified as preferable precursors.

이 경우 부분 (공)가수분해 축합물로서는 상기한 바와 같은 실란 화합물의 2량체(실란 화합물 2몰에 물 1몰을 작용시키고 알코올 2몰을 탈리시켜 디실록산 단위로 한 것)∼100량체, 바람직하게는 2∼50량체, 더욱 바람직하게는 2∼30량체로 한 것을 바람직하게 사용할 수 있고, 2종 이상의 실란 화합물을 원료로 하는 부분 공가수분해 축합물을 사용하는 것도 가능하다.In this case, the partial (co) hydrolysis-condensation product is preferably a dimer of a silane compound as described above (which is obtained by dissolving 2 moles of water in 2 moles of silane compound and desorbing 2 moles of alcohol to form a disiloxane unit) Preferably 2 to 50 moles, more preferably 2 to 30 moles, and it is also possible to use a partially hydrolyzed condensate containing two or more silane compounds as raw materials.

또한, 이러한 부분 (공)가수분해 축합물은 실리콘알콕시올리고머로서 시판되어 있는 것을 사용해도 좋고(예를 들면, 신에쓰 가가꾸 고교(주) 등으로부터 시판되어 있다), 또한 상법에 의거하여 가수분해성 실란 화합물에 대하여 당량 미만의 가수분해물을 반응시킨 후에 알코올, 염산 등의 부생물을 제거함으로써 제조한 것을 사용해도 좋다. 제조에 있어서는 전구체가 되는 원료의 가수분해성 실란 화합물로서 예를 들면 상기한 바와 같은 알콕시실란류나 아실록시실란류를 사용할 경우에는 염산, 황산 등의 산, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속의 수산화물, 트리에틸아민 등의 알카리성 유기 물질 등을 반응 촉매로서 부분 가수분해 축합하면 좋고, 클로로실란류로부터 직접 제조할 경우에는 부생되는 염산을 촉매로서 물 및 알코올을 반응시키면 좋다.The partially hydrolyzed condensate may be a commercially available silicone alkoxy oligomer (for example, commercially available from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and may be hydrolyzed A product prepared by reacting less than the equivalent amount of the hydrolyzate with respect to the silane compound and then removing by-products such as alcohol and hydrochloric acid may be used. In the production, when the alkoxysilanes or acyloxysilanes as described above are used as the hydrolyzable silane compounds of the starting materials to be precursors, for example, acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid, alkali metals or alkaline earth metals such as sodium hydroxide and potassium hydroxide Hydroxides of metals, alkaline organic substances such as triethylamine, and the like may be partially hydrolyzed and condensed as a reaction catalyst, and when produced directly from chlorosilanes, hydrochloric acid by-produced may be used as a catalyst to react with water and alcohol.

경화성, 접착성, 내열착색 안정성 및 투명성과 접착 강도의 밸런스가 보다 우수하고, 내습열 접착성이 우수하다는 관점으로부터 비스(트리알콕시실릴)알칸이 보다 바람직하고, 비스-(3-트리메톡시실릴프로필)아민, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,7-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 1,8-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 1,9-비스(트리메톡시실릴)노난 및 1,10-비스(트리메톡시실릴)데칸으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 비스-(3-트리메톡시실릴프로필)아민이 더욱 바람직하다.(Trialkoxysilyl) alkane is more preferable, and bis- (3-trimethoxysilyl) silane is more preferred from the viewpoints of excellent curability, adhesiveness, heat-resistant color stability, excellent balance between transparency and adhesive strength, Bis (trimethoxysilyl) heptane, 1,8-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) (Methoxysilyl) octane, 1,9-bis (trimethoxysilyl) nonane and 1,10-bis (trimethoxysilyl) decane, and more preferably at least one member selected from the group consisting of 1,6-bis Trimethoxysilyl) hexane, and bis- (3-trimethoxysilylpropyl) amine are more preferable.

본 발명에서 사용하는 X 성분은 특히 식(X2)로 나타내어지는 규소 화합물이 바람직하다.The X component used in the present invention is preferably a silicon compound represented by the formula (X2).

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(식 중 X는 상기 식(X1)로 나타내어지는 기를 나타내고, a는 2 이상의 정수를 나타낸다. Ro는 a값의 연결기를 나타낸다)(Wherein X represents a group represented by the formula (X1), a represents an integer of 2 or more, and Ro represents a linking group having an a value)

식(X2)에 있어서의 X는 상기 식(X1)로 나타내어지는 기와 동의이며, 바람직한 범위도 동의이다.X in the formula (X2) is in agreement with the group represented by the formula (X1), and the preferable range is also synonymous.

식(X2)에 있어서 a는 2∼4가 바람직하고, 2 또는 3이 더욱 바람직하다.In the formula (X2), a is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3.

식(X2)로 나타내어지는 화합물은 더욱 바람직하게는 하기 식(X3)으로 나타내어지는 화합물이다.The compound represented by the formula (X2) is more preferably a compound represented by the following formula (X3).

Figure 112012089092645-pat00023
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(식 중 X는 상기 식(X1)을 나타내고, a는 2 이상의 정수를 나타낸다. n은 1∼5의 정수를 나타낸다. Roo는 단결합 또는 a값의 연결기를 나타낸다)(Wherein X represents the formula (X1), a represents an integer of 2 or more, and n represents an integer of 1 to 5. Roo represents a single bond or a linking group of an a value)

식(X3)에 있어서의 X는 상기 식(X1)로 나타내어지는 기와 동의이며, 바람직한 범위도 동의이다.X in the formula (X3) is in agreement with the group represented by the formula (X1), and the preferable range is also synonymous.

식(X3)에 있어서 a는 2∼4가 바람직하고, 2 또는 3이 더욱 바람직하고, 2가 특히 바람직하다.In the formula (X3), a is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3, and particularly preferably 2.

식(X3)에 있어서 Roo는 단결합 및 -CR2-(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼3개의 알킬기), -S-, -CO-, -O-, 페닐렌기, 및In formula (X3), Roo represents a single bond and -CR 2 - (R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), -S-, -CO-, -O-,

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이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기인 것이 바람직하다.Or a combination of two or more thereof.

식(X3)에 있어서 Roo는 보다 바람직하게는 단결합 및 -CR2-(R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼3개의 알킬기), -S-, -CO-, -O- 및 이들의 조합으로 이루어지는 기이며, 더욱 바람직하게는 단결합 및 -CH2-, -S- 및 이들의 조합으로 이루어지는 기이다.In the formula (X3), Roo is more preferably a single bond and -CR 2 - (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), -S-, -CO-, -O-, or a combination thereof Group, more preferably a single bond, -CH 2 -, -S-, or a combination thereof.

식(X3)에 있어서 n은 1∼3의 정수가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하다.In the formula (X3), n is preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2.

본 발명에서 사용하는 규소 화합물의 분자량은 100∼1500이 바람직하고, 250∼1100이 보다 바람직하다.The molecular weight of the silicon compound used in the present invention is preferably 100 to 1500, more preferably 250 to 1100.

본 발명에서는 특히 식(S-1)∼식(S-17)에 기재된 규소 화합물이 바람직하게 채용된다.In the present invention, silicon compounds described in formulas (S-1) to (S-17) are particularly preferably employed.

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Figure 112012089092645-pat00026
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성분 X는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.The component X may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에 있어서 성분 X의 양은 경화성, 접착성, 내열착색 안정성 및 투명성과 접착 강도의 밸런스라는 관점으로부터 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한값에 대해서는 특별히 결정하는 것은 아니지만 바람직하게는 10중량% 이하이며, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다.The amount of the component X in the present invention is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more based on the total amount of the components excluding the solvent of the resin composition, from the viewpoints of the curability, the adhesiveness, the heat resistant coloration stability, More preferable. The upper limit value is not particularly determined, but is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less.

(성분 C) 광산 발생제(Component C)

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 광산 발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention (component C) contains a photoacid generator.

성분 C로서는 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300∼450㎚의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이면 증감제와 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.The component C is preferably a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, but is not limited to the chemical structure thereof. Also, for a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer.

성분 C로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the component C, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4 급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미도술포네이트 화합물 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 고감도인 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들의 구체예로서는 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 0029∼단락 0032에 기재된 광산 발생제를 들 수 있고, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등이 바람직하게 사용된다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidazolone compounds and oxime sulfonate compounds. Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the viewpoint of high sensitivity. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Specific examples thereof include photoacid generators described in paragraphs 0029 to 534 of JP-A-2004-264623, and 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoro And the like are preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 광산 발생제로서 하기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 파선 부분은 다른 화학 구조와의 결합 위치를 나타낸다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate residue represented by the following formula (c0) as the (C) photoacid generator. In addition, the broken line indicates a bonding position with another chemical structure.

Figure 112012089092645-pat00027
Figure 112012089092645-pat00027

상기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물은 하기 식(c1)로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate compound having at least one of the oxime sulfonate moieties represented by the formula (c0) is preferably a compound represented by the following formula (c1).

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(식(c1) 중 R5 및 R6은 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, R5 및 R6은 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, R7은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(In the formula (c1), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group, R 5 and R 6 may be connected to form a ring, and R 7 represents an alkyl group or an aryl group)

식(c1) 중 R5는 탄소 원자수 1∼6개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4개의 할로겐화 알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 탄소 원자수 1∼4개의 알콕시기 또는 시아노기를 나타낸다. R5가 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기일 경우 이들의 기는 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4개의 알콕시기 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.In formula (c1), R 5 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a 2-furyl group, a 2-thienyl group, Four alkoxy groups or cyano groups. When R 5 is a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, .

식(c1) 중 R6은 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기, 디알킬아미노기, 모르폴리노기 또는 시아노기를 나타낸다. R6과 R5는 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성해도 좋고, 상기 5원환 또는 6원환은 1개 또는 2개의 임의의 치환기를 가져도 좋은 벤젠환과 결합하고 있어도 좋다.In formula (c1), R 6 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, A phenyl group which may be substituted, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl, dialkylamino, morpholino or cyano group which may be substituted with W. R 6 and R 5 may be bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and the 5-membered ring or the 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have 1 or 2 arbitrary substituents.

식(c1) 중 R7은 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타낸다. 알킬기는 환상 알킬기이어도 좋다. W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (c1), R 7 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, A phenyl group which may be substituted, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W. The alkyl group may be a cyclic alkyl group. W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms .

R5로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼6개의 알킬기는 직쇄 또는 분기쇄 알킬기이면 좋고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소아밀기, n-헥실기 또는 2-에틸부틸기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 5 may be a linear or branched alkyl group and includes, for example, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, , n-pentyl group, isoamyl group, n-hexyl group or 2-ethylbutyl group.

R5로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4개의 할로겐화 알킬기로서는 예를 들면 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 2-브로모프로필기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 5 include a chloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group and a 2-bromopropyl group.

R5로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4개의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 5 include methoxy group and ethoxy group.

R5가 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타낼 경우 이들의 기는 할로겐 원자(예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등), 수산기, 탄소 원자수 1∼4개의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기), 탄소 원자수 1∼4개의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기) 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.When R 5 represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups may be substituted with a halogen atom (e.g., a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom), a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (Such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl or tert-butyl) Propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group) and nitro group.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 6 include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기의 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 6 include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 6 include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, - Amyl group.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 6 include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R6으로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기의 구체예로서는 o-트릴기, m-트릴기, p-트릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 6 include o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, o-ethylphenyl group, m-ethylphenyl group, Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, A dichlorophenyl group, a 2,4,6-tribromophenyl group, A 2,4,6-trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenylyl group.

R6으로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기의 구체예로서는 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 6 include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R6으로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기의 구체예로서는 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 6 include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

R6으로 나타내어지는 디알킬아미노기로서는 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the dialkylamino group represented by R 6 include a dimethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group and a diphenylamino group.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 7 include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i- an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, a n-decyl group and the like.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기의 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 7 include methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A n-decyloxy group, and the like.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 7 include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoro-n-butyl group, - Amyl group.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 7 include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group, and the like.

R7로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기의 구체예로서는 o-트릴기, m-트릴기, p-트릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 7 include an o-tolyl group, a m-tolyl group, a p-tolyl group, an o-ethylphenyl group, Propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i- butyl) phenyl group, (o-amyl) phenyl group, o- methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) phenyl group, p- (T-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2, A 4,6-trifluorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentabromophenyl group, a pentafluorophenyl group, and a p-biphenylyl group.

R7로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기의 구체예로서는 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the naphthyl group which may be substituted with W represented by R 7 include a 2-methyl-1-naphthyl group, a 3-methyl-1-naphthyl group, Methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl Methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group and 8-methyl-2-naphthyl group.

R7로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기의 구체예로서는 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.Specific examples of the anthranyl group which may be substituted with W represented by R 7 include a 2-methyl-1-anthranyl group, a 3-methyl-1-anthranyl group, a 4-methyl- Methyl-1-anthranyl, 7-methyl-1-anthranyl, 8-methyl-1-anthranyl, Anthranyl group, 6-methyl-2-anthranyl group, 7-methyl-2-anthranyl group, , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group and 10-methyl-2-anthranyl group.

W로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기 및 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시의 구체예로서는 R6 또는 R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기 및 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서 열거한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the alkoxy halide having 1 to 5 carbon atoms represented by W include R 6 or R 7 As exemplified as specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, .

R6과 R5는 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성해도 좋다.R 6 and R 5 may combine with each other to form a 5-membered or 6-membered ring.

R6과 R5가 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성할 경우 상기 5원환 또는 6원환으로서는 탄소환식기 및 복소환식환을 들 수 있고, 예를 들면 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피란, 피리딘, 피라진, 모르폴린, 피페리딘 또는 피페라진환이면 좋다. 상기 5원환 또는 6원환은 임의의 치환기를 가져도 좋은 벤젠환과 결합하고 있어도 좋고, 그 예로서는 테트라히드로나프탈렌, 디히드로안트라센, 인덴, 크로만, 플루오렌, 크산텐 또는 티오크산텐환계를 들 수 있다. 상기 5원환 또는 6원환은 카르보닐기를 포함해도 좋고, 그 예로서는 시클로헥사디에논, 나프탈레논 및 안트론환계를 들 수 있다.When R 6 and R 5 are bonded to each other to form a 5-membered ring or a 6-membered ring, examples of the 5-membered or 6-membered ring include a carbocyclic group and a heterocyclic ring, and examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, , Furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyran, pyridine, pyrazine, morpholine, piperidine or piperazin ring. The 5-membered or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have an arbitrary substituent. Examples thereof include tetrahydronaphthalene, dihydroanthracene, indene, chroman, fluorene, xanthene or thioxanthene ring system . The 5-membered or 6-membered ring may contain a carbonyl group, and examples thereof include cyclohexadieneone, naphthalenone and anthrone ring systems.

상기 식(c1)로 나타내어지는 화합물의 바람직한 실시형태의 하나는 하기 식(c1-1)로 나타내어지는 화합물이다. 식(c1-1)로 나타내어지는 화합물은 식(c1)에 있어서의 R6과 R5가 결합해서 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One preferred embodiment of the compound represented by the formula (c1) is a compound represented by the following formula (c1-1). The compound represented by the formula (c1-1) is a compound in which R 6 and R 5 in the formula (c1) are bonded to form a 5-membered ring.

Figure 112012089092645-pat00029
Figure 112012089092645-pat00029

(식(c1-1) 중 R7은 식(c1)에 있어서의 R7과 동의이며, X는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, t는 0∼3의 정수를 나타내고, t가 2 또는 3일 때 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다)(Formula (c1-1) of R 7 is R 7 and the consent of the formula (c1), X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, t represents an integer of 0~3, t is 2 or 3, the plural Xs may be the same or different)

X로 나타내어지는 알킬기로서는 탄소 원자수 1∼4개의 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group represented by X, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 나타내어지는 알콕시기로서는 탄소 원자수 1∼4개의 직쇄상 또는 분기쇄상 알콕시기가 바람직하다.As the alkoxy group represented by X, a straight chain or branched chain alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

t로서는 0 또는 1이 바람직하다.t is preferably 0 or 1.

식(c1-1) 중 t가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르소 위치이며, R7이 탄소 원자수 1∼10개의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-요오드노보닐메틸기 또는 p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (c1-1), t is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in an ortho position, R 7 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl- A norbornylmethyl group or a p-tolyl group is particularly preferable.

식(c1-1)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 화합물(i), 화합물(ⅱ), 화합물(ⅲ), 화합물(ⅳ) 등을 들 수 있고, 이들의 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물(i)∼(ⅳ)은 시판품으로서 입수할 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by formula (c1-1) include the following compounds (i), (ii), (iii) and (iv) Or two or more of them may be used in combination. The compounds (i) to (iv) are commercially available.

또한, 다른 종류의 광산 발생제와 조합해서 사용할 수도 있다.It may also be used in combination with other types of photoacid generators.

Figure 112012089092645-pat00030
Figure 112012089092645-pat00030

식(c1)로 나타내어지는 화합물의 바람직한 실시형태의 하나로서는As a preferred embodiment of the compound represented by the formula (c1)

R5가 탄소 원자수 1∼4개의 알킬기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 메톡시페닐기, 4-비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내고;R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a methoxyphenyl group, a 4-biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group;

R6이 시아노기를 나타내고;R 6 represents a cyano group;

R7이 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기를 나타내는 것이다.R 7 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(c1)로 나타내어지는 화합물로서는 하기 식(c1-2)로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.The compound represented by the formula (c1) is also preferably a compound represented by the following formula (c1-2).

Figure 112012089092645-pat00031
Figure 112012089092645-pat00031

식(c1-2) 중 R8은 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4개의 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R7은 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10개의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5개의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.In formula (c1-2), R 8 represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms or a nitro group, and L represents an integer of 0 to 5. R 7 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group , A naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms , A halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(c1-2)에 있어서의 R7로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-트릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-트릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 7 in the formula (c1-2) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-octyl group, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a perfluoro- A perfluoro-n-butyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a p-

R8로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by R 8 is preferably a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom.

R8로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4개의 알킬기로서는 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 is preferably a methyl group or an ethyl group.

R8로 나타내어지는 탄소 원자수 1∼4개의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.L is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

식(c1)로 나타내어지는 화합물 중 식(c1-2)로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 바람직한 실시형태로서는 식(c1) 중 R5가 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R6이 시아노기를 나타내고, R7이 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-트릴기를 나타내는 실시형태이다.Formula (c1) the compound represented by the formula (c1-2) as a preferred embodiment of the compounds included in the compound represented by formula (c1) of the R 5 represents a phenyl group or a 4-methoxyphenyl group as in, R 6 is cyano And R 7 represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a 4-tyl group.

이하 식(c1)로 나타내어지는 화합물 중 식(c1-2)로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific preferred examples of the compound represented by formula (c1-2) among the compounds represented by formula (c1) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=메틸기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = methyl group)

α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=에틸기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = ethyl group)

α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=n-프로필기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-propyl group)

α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=n-부틸기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-butyl group), and an α- (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide

α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=4-트릴기)(R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = 4-triyl group)

α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=메틸기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = methyl group)

α-[(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=에틸기)methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = ethyl group)

α-[(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=n-프로필기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = n-propyl group)

α-[(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=n-부틸기)(R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = n-butyl group)

α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=4-트릴기)methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl, R 6 = cyano group, R 7 = 4-trilyl group)

또한, 상기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는 하기 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.Examples of the compound having at least one oximesulfonate residue represented by the formula (c0) include oximesulfonate represented by the following formula (OS-3), formula (OS-4) Compound.

Figure 112012089092645-pat00032
Figure 112012089092645-pat00032

(식(OS-3)∼(OS-5) 중 R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)(In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, and the plural R 2 s present independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 present independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, 6 &lt; / RTI &gt;

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group, aryl group or heteroaryl group represented by R 1 in formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30개의 알킬기인 것이 바람직하다.The alkyl group represented by R 1 in formulas (OS-3) to (OS-5) is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30개의 아릴기가 바람직하다.The aryl group represented by R 1 in formulas (OS-3) to (OS-5) is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 헤테로아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4∼30개의 헤테로아릴기가 바람직하고, 적어도 1개의 복소 방향환이면 좋고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환되어 있어도 좋다.The heteroaryl group represented by R 1 in the above formulas (OS-3) to (OS-5) is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms, which may have a substituent, and is preferably at least one heteroaryl group For example, a complex aromatic ring and a benzene ring may be coordinated.

R1로 나타내어지는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group, aryl group or heteroaryl group represented by R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group have.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R2는 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 1개가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.One or two of R 2 present in at least two of the compounds in the above formulas (OS-3) to (OS-5) are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one of R 2 is an alkyl group, It is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group or aryl group represented by R 2 in formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

R2로 나타내어지는 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 마찬가지인 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or aryl group represented by R 2 may have include the same groups as the substituent which the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼12개의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼6개의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group represented by R 2 in the formulas (OS-3) to (OS-5) is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms Is more preferable.

R2로 나타내어지는 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 바람직하고, 메틸기가 더욱 바람직하다.The alkyl group represented by R 2 is preferably a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group or n-hexyl group, more preferably a methyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30개의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group represented by R 2 in the formulas (OS-3) to (OS-5) is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R2로 나타내어지는 아릴기로서 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As the aryl group represented by R 2 , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group or p-phenoxyphenyl group is preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

상기 식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서 X를 환원으로서 포함하는 환은 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O일 경우 n은 1인 것이 바람직하고, 또한 X가 S일 경우 n은 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is preferably 2. [

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기 및 알킬옥시기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group and alkyloxy group represented by R 6 in the above formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30개의 알킬기인 것이 바람직하다.The alkyl group represented by R 6 in formulas (OS-3) to (OS-5) is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6으로 나타내어지는 알킬옥시기로서는 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기 또는 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.The alkyloxy group represented by R 6 is preferably a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group or an ethoxyethyloxy group.

R6에 있어서의 아미노술포닐기로서는 메틸아미노술포닐기, 디메틸아미노술포닐기, 페닐아미노술포닐기, 메틸페닐아미노술포닐기, 아미노술포닐기를 들 수 있다.Examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group and an aminosulfonyl group.

R6으로 나타내어지는 알콕시술포닐기로서는 메톡시술포닐기, 에톡시술포닐기, 프로필옥시술포닐기, 부틸옥시술포닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysulfonyl group represented by R 6 include methoxysulfonyl group, ethoxysulfonyl group, propyloxysulfonyl group and butyloxysulfonyl group.

R6으로 나타내어지는 알킬기 또는 알킬옥시기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or alkyloxy group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중 m은 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, .

또한, 상기 식(OS-3)로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-6), 식(OS-10) 또는 식(OS-11)로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식(OS-4)로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-7)로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식(OS-5)로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-8) 또는 식(OS-9)로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하다.The compound represented by the formula (OS-3) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-6), formula (OS-10) or formula (OS- 4) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-7), and the compound represented by the above formula (OS-5) is preferably a compound represented by the following formula (OS- Is particularly preferable.

Figure 112012089092645-pat00033
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식(OS-6)∼(OS-11) 중 R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8개의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formulas (OS-6) to (OS-11), R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 8 represents a hydrogen atom, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group), a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, .

상기 식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R1은 상기 식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 실시형태도 마찬가지이다.The expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), a preferred embodiment versa.

상기 식(OS-6)에 있어서의 R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

상기 식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8개의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8개의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6개의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in the formulas (OS-6) to (OS-11) is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, More preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group, and is particularly preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group .

상기 식(OS-8) 및 식(OS-9)에 있어서의 R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in the formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

상기 식(OS-8)∼(OS-11)에 있어서의 R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서 옥심의 입체 구조(E,Z)에 대해서는 어느 한쪽이어도 혼합물이어도 좋다.In addition, in the oxime sulfonate compound, any of the three-dimensional structure (E, Z) of oxime may be a mixture.

상기 식(OS-3)∼(OS-5)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 예시 화합물을 들 수 있지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112012089092645-pat00034
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Figure 112012089092645-pat00035
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상기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물의 바람직한 다른 실시형태로서는 일본 특허 공개 2011-209719호 공보의 단락 0117∼단락 0129에 기재된 것도 들 수 있다.As another preferred embodiment of the oxime sulfonate compound having at least one oxime sulfonate residue represented by the above formula (c0), those described in paragraphs 0117 to 1199 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 209719 .

본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성광선에 감응하는 (성분 C) 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는 1,2-퀴논디아지드 화합물은 축차형 광화학 반응에 의해 카르복실기를 생성하지만 그 양자 수율은 1 이하이며, 옥심술포네이트 화합물에 비해 감도가 낮기 때문이다.It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator (component C) sensitive to an actinic ray. This is because the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxyl group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is 1 or less, and the sensitivity is lower than that of the oxime sulfonate compound.

이것에 대하여 옥심술포네이트 화합물은 활성광선에 감응해서 생성하는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로 1개의 광량자의 작용에 의해 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 수제곱과 같은 큰 값이 되어 소위 화학 증폭의 결과로서 고감도가 얻어지는 것으로 추측된다.On the contrary, since the oxime sulfonate compound acts as a catalyst against the deprotection of an acidic group protected by an acid generated by an actinic ray, an acid generated by the action of one photon contributes to many deprotection reactions, The yield is greater than 1, for example, a large value such as a power of 10, and it is presumed that high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 C)광산 발생제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 상함유량 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the photoacid generator (component C) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the content of the components A and B .

(성분 D) 용제(Component D) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 D)용제를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 본 발명의 각 성분을 (성분 D)용제에 용해한 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a (component D) solvent. The photosensitive resin composition of the present invention is preferably prepared as a solution in which each component of the present invention is dissolved in a solvent (component D).

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2009-258722호 공보의 단락 0074에 기재된 용제를 들 수 있다.As the solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention, a known solvent can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol Propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol mono Alkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like. Examples of the solvent used in the photosensitive resin composition of the present invention include the solvent described in paragraph 0074 of JP-A No. 2009-258722.

상기한 용제 중 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 및/또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다.Of these solvents, diethylene glycol ethyl methyl ether and / or propylene glycol monomethyl ether acetate are particularly preferred.

이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독 또는 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더욱 바람직하다.These solvents may be used alone or in combination of two or more. The solvent usable in the present invention is preferably used alone or in combination of two or more, more preferably two solvents in combination, and the use of propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers in combination More preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 성분 D의 함유량은 성분 A100중량부에 대하여 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the component D in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, and still more preferably 150 to 1,500 parts by weight based on 100 parts by weight of the component A.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 D)용제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부당 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent (component D) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, and more preferably 150 to 1,500 parts by weight per 100 parts by weight of the total content of component A and component B. By weight is more preferable.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 기타 성분을 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain other components.

기타 성분으로서 본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도의 관점으로부터 광증감제를 함유하는 것이 바람직하고, 액보존 안정성의 관점으로부터 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 막물성의 관점으로부터 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 기판 밀착성의 관점으로부터 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 도포성의 관점으로부터 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하다.As the other components, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a photosensitizer from the viewpoint of sensitivity, and preferably contains a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability, and preferably contains a crosslinking agent And from the viewpoint of substrate adhesion, it is preferable to contain an adhesion improver. From the viewpoint of coatability, it is preferable to contain a surfactant.

이하 본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유할 수 있는 기타 성분을 설명한다.Hereinafter, other components that can be contained in the photosensitive resin composition of the present invention will be described.

[광증감제][Photosensitizer]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 광증감제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a photosensitizer.

광증감제를 함유함으로써 노광 감도 향상에 유효하며, 노광 광원이 g, h선 혼합선인 경우에 특히 유효하다.It is effective for improving exposure sensitivity by containing a photosensitizer, and is particularly effective when the exposure light source is a g- and h-line mixed line.

광증감제로서는 안트라센 유도체, 아크리돈 유도체, 티오크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 베이스스티릴 유도체, 디스티릴벤젠 유도체가 바람직하다.As the photosensitizer, an anthracene derivative, an acridone derivative, a thioxanthone derivative, a coumarin derivative, a basestyryl derivative, and a distyrylbenzene derivative are preferable.

안트라센 유도체로서는 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디클로로안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 9-히드록시메틸안트라센, 9-브로모안트라센, 9-클로로안트라센, 9,10-디브로모안트라센, 2-에틸안트라센, 9,10-디메톡시안트라센이 바람직하다.Examples of the anthracene derivative include anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9- hydroxymethylanthracene, 9-bromoanthracene, 9,10-dibromoanthracene, 2-ethyl anthracene, and 9,10-dimethoxy anthracene are preferable.

아크리돈 유도체로서는 아크리돈, N-부틸-2-클로로아크리돈, N-메틸아크리돈, 2-메톡시아크리돈, N-에틸-2-메톡시아크리돈이 바람직하다.As the acridone derivative, acridone, N-butyl-2-chloroacridone, N-methylacridone, 2-methoxyacridone and N-ethyl-2-methoxyacridone are preferable.

티오크산톤 유도체로서는 티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 2-클로로티오크산톤이 바람직하다.As the thioxanthone derivative, thioxanthone, diethyl thioxanthone, 1-chloro-4-propanedioxanthone and 2-chlorothioxanthone are preferable.

쿠마린 유도체로서는 쿠마린-1, 쿠마린-6H, 쿠마린-110, 쿠마린-102가 바람직하다.As coumarin derivatives, coumarin-1, coumarin-6H, coumarin-110 and coumarin-102 are preferable.

베이스스티릴 유도체로서는 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조옥사졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조티아졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)나프토티아졸을 들 수 있다.Examples of the base styryl derivative include 2- (4-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (4-dimethylaminostyryl) benzothiazole and 2- (4-dimethylaminostyryl) naphthothiazole .

디스티릴벤젠 유도체로서는 디스티릴벤젠, 디(4-메톡시스티릴)벤젠, 디(3,4,5-트리메톡시스티릴)벤젠을 들 수 있다.Examples of the distyrylbenzene derivative include distyrylbenzene, di (4-methoxystyryl) benzene and di (3,4,5-trimethoxystyryl) benzene.

이들 중에서도 안트라센 유도체가 바람직하고, 9,10-디알콕시안트라센(알콕시기의 탄소수 1∼6개)이 보다 바람직하다.Among these, anthracene derivatives are preferable, and 9,10-dialkoxyanthracene (having 1 to 6 carbon atoms in the alkoxy group) is more preferable.

광증감제의 구체예로서는 하기를 들 수 있다. 또한, 하기에 있어서 Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기를 나타낸다.Specific examples of the photosensitizer include the following. In the following, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, and Bu represents a butyl group.

Figure 112012089092645-pat00036
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본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 광증감제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 광증감제의 함유량이 0.1중량부 이상이면 소망의 감도가 얻기 쉽고, 또한 10중량부 이하이면 도막의 투명성을 확보하기 쉽다.The content of the photosensitizer in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B. When the content of the photosensitizer is 0.1 parts by weight or more, desired sensitivity is easily obtained. When the content is 10 parts by weight or less, transparency of the coating film is easily ensured.

[염기성 화합물][Basic compound]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 액보존 안정성의 관점으로부터 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability.

염기성 화합물로서는 화학 증폭 레지스트에서 사용되는 것 중으로부터 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4 급 암모늄히드록시드 및 카르복실산의 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound, any of those used in the chemically amplified resist can be arbitrarily selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Amine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

복소환식 아민으로서는 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르폴리닐)에틸]티오요소, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N- But are not limited to, dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, , 4-methylmorpholine, N-cyclohexyl-N '- [2- (4-morpholinyl) ethyl) piperidine, piperidine, piperidine, piperazine, morpholine, Thiourea, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, and 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene.

제 4 급 암모늄히드록시드로서는 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide.

카르복실산의 제 4 급 암모늄염으로서는 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋지만 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더욱 바람직하다.The basic compounds which can be used in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds, but two or more kinds thereof are preferably used in combination, more preferably two kinds of them, and two kinds of heterocyclic amines Is more preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.002∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.002 to 0.2 part by weight based on 100 parts by weight of the total content of component A and component B.

[가교제][Crosslinking agent]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제를 첨가함으로써 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent if necessary. By adding a crosslinking agent, the cured film obtained by the photosensitive resin composition of the present invention can be made into a stronger film.

가교제로서는 예를 들면 이하에 설명하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다.As the crosslinking agent, for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule described below, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, or a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond may be added.

이들의 가교제 중에서 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하고, 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Of these crosslinking agents, compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule are preferable, and epoxy resins are particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼44중량부인 것이 보다 바람직하고, 3∼40중량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써 기계적 강도 및 내용제성이 우수한 경화막이 얻어진다.The amount of the crosslinking agent to be added in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 44 parts by weight, and still more preferably 3 to 40 parts by weight relative to the total solid content of the photosensitive resin composition. Addition in this range provides a cured film excellent in mechanical strength and solvent resistance.

-분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물-- a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule -

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, aliphatic epoxy resin and the like.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있고, JER150S65나 JER1031S(모두 미쓰비시 카가쿠(주)제) 등 일본 특허 공개 2009-258722호 공보의 단락 0051∼단락 0053에 기재된 것을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.These are available as commercial products and include those described in paragraphs 0051 to 0053 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-258722 such as JER150S65 and JER1031S (all manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지 및 페놀노볼락형 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다.Of these, epoxy resins are preferable, and bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins and phenol novolak type epoxy resins are more preferable, and bisphenol A type epoxy resins are particularly preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는 아론옥세탄OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (manufactured by DOA KOSEI CO., LTD.) Can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.The oxetanyl group-containing compound is preferably used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

이들 중에서도 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 본 발명의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량을 100중량부로 했을 때, 1∼50중량부가 바람직하고, 3∼30중량부가 보다 바람직하다.Among them, the amount of the compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule to be added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total content of component A and component B, To 30 parts by weight is more preferable.

-알콕시메틸기 함유 가교제 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물-- a compound having an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent or at least one ethylenically unsaturated double bond -

알콕시메틸기 함유 가교제로서는 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴 및 알콕시메틸화 요소 등이 바람직하다. 또한, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril and alkoxymethylated urea are preferable. As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or more functional (meth) .

알콕시메틸기 함유 가교제 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-170305호 공보의 단락 0093∼단락 0100에 기재된 것을 들 수 있고, 첨가량이나 조합의 바람직한 범위에 대해서도 마찬가지이다.Specific examples of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent or the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond include those described in paragraphs 0093 to 0100 of JP-A No. 2011-170305, and the preferable range of the addition amount and the combination is the same .

[밀착 개량제][Adhesion improver]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 기판 밀착성의 관점으로부터 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains an adhesion improver from the viewpoint of substrate adhesion.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 밀착 개량제는 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 몰리브덴, 티탄, 산화 인듐 주석, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하는 일 없이 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improver that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention is an adhesion improver that can be used as a substrate, and can be formed by a method of reacting an inorganic substance to be a substrate, such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, Thereby improving the adhesion of the insulating film. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the adhesion improver used in the present invention is for the purpose of modifying the interface, and a known silane coupling agent can be used without particular limitation.

이들 중에서도 실란 커플링제를 바람직하게 예시할 수 있다. 단, 본 발명의 실란 커플링제는 가수 분해성 실릴기 또는 실라놀기를 1분자 중에 1개 갖는 화합물을 가리키고, 성분 X에 해당하는 규소 화합물은 본 발명의 실란 커플링제에는 포함되지 않는다.Among them, a silane coupling agent can be preferably exemplified. However, the silane coupling agent of the present invention refers to a compound having one hydrolyzable silyl group or silanol group in one molecule, and the silicon compound corresponding to component X is not included in the silane coupling agent of the present invention.

바람직한 실란 커플링제로서는 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴록시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴록시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacrylate Acryloxypropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? - , And vinyltrialkoxysilane.

이들 중 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란 및 γ-메타크릴록시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다.Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 아울러 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. These are effective in improving the adhesion with the substrate and also in adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 밀착 개량제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.The content of the adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B. [

[계면활성제][Surfactants]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 도포성의 관점으로부터 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a surfactant from the viewpoint of coatability.

계면활성제로서는 음이온계, 양이온계, 비이온계 또는 양성 중 어느 것이어도 사용할 수 있지만 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants may be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 예로서는 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 불소계, 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, fluorine series, and silicone surfactants.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 계면활성제로서 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 함유하는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the photosensitive resin composition of the present invention contains a fluorine-based surfactant and / or a silicon-based surfactant as a surfactant.

이들의 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제로서 예를 들면 일본 특허 공개 소 62-36663호, 일본 특허 공개 소 61-226746호, 일본 특허 공개 소 61-226745호, 일본 특허 공개 소 62-170950호, 일본 특허 공개 소 63-34540호, 일본 특허 공개 평 7-230165호, 일본 특허 공개 평 8-62834호, 일본 특허 공개 평 9-54432호, 일본 특허 공개 평 9-5988호, 일본 특허 공개 2001-330953호 각 공보에 기재된 계면활성제를 들 수 있고, 시판된 계면활성제를 사용할 수도 있다.Examples of the fluorinated surfactants and silicone surfactants include those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, Japanese Patent Laid-Open Nos. 63-34540, 7-230165, 8-62834, 9-54432, 9-5988, 2001-330953 A surfactant described in each publication, or a commercially available surfactant may be used.

사용할 수 있는 시판의 계면활성제로서 예를 들면 에프톱 EF301, EF303(이상, 신아키타 카세이(주)제), 플루오라드 FC430, 431(이상, 스미토모스리엠(주)제), 메가팩 F171, F173, F176, F189, R08(이상, DIC(주)제), 서프론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (이상, 아사히가라스(주)제), PolyFox 시리즈(OMNOVA사제) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산폴리머 KP-341(신에쓰 가가꾸 고교(주)제)도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.(Commercially available from Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Fluorad FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), Megafac F171 and F173 , F176, F189, R08 (manufactured by DIC Corporation), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105 and 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox series (manufactured by OMNOVA ), And silicone surfactants. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone surfactant.

또한, 계면활성제로서 하기 식(1)로 나타내어지는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 포함하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.Further, the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (1) and tetrahydrofuran (THF) (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be mentioned as a preferable example.

Figure 112012089092645-pat00037
Figure 112012089092645-pat00037

(식(1) 중 R1 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3개 이상 6개 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분률이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 3 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 represents a hydrogen atom or an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms P represents an integer of not less than 10% by weight and not more than 80% by weight, q represents an integer of not less than 10% by weight, and L represents an alkylene group of 3 to 6 carbon atoms, p and q are weight percentages indicating a polymerization ratio, R represents an integer of 1 or more and 18 or less, and n represents an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L은 하기 식(2)로 나타내어지는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(2)에 있어서의 R5는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서 탄소수 1개 이상 3개 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2개 또는 3개의 알킬기가 보다 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group of 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms in view of compatibility and wettability to a surface to be coated, Lt; / RTI &gt; alkyl groups are more preferred.

Figure 112012089092645-pat00038
Figure 112012089092645-pat00038

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 계면활성제의 첨가량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼1중량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, and even more preferably 0.01 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the total content of Component A and Component B Is more preferable.

<기타><Others>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 가소제, 열 라디칼 발생제, 열산 발생제, 산 증식제, 현상 촉진제, 산화 방지제 등의 기타 성분을 첨가할 수 있다. 이들의 성분에 대해서는 예를 들면 일본 특허 공개 2009-98616호 공보, 일본 특허 공개 2009-244801호 공보에 기재된 것, 기타 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, “고분자 첨가제의 신전개((주)일간 공업 신문사)”에 기재된 각종 자외선 흡수제나 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.Other components such as a plasticizer, a heat radical generator, a thermal acid generator, an acid proliferator, a development promoter, and an antioxidant may be added to the photosensitive resin composition of the present invention. As for these components, for example, those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-98616, Japanese Patent Laid-Open No. 2009-244801, and other known ones can be used. Various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in &quot; New developments of high molecular additive &quot; (Nikkan Kogyo Shinbun Co., Ltd.) may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

(경화막의 형성 방법)(Method of forming a cured film)

이어서, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것 이외에 특별히 제한은 없지만 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.The method of forming the cured film of the present invention is not particularly limited, except that the positive photosensitive resin composition of the present invention is used, but preferably includes the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정(1) a step of applying the positive photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정(3) a step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition with an aqueous developer

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정(5) a post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition

본 발명의 경화막의 형성 방법에 있어서는 상기 노광 공정에 있어서의 노광후에 가열 처리를 행하지 않고 상기 (4)의 현상 공정을 행해도 좋다.In the method for forming a cured film of the present invention, the developing step (4) may be performed without performing the heat treatment after the exposure in the above exposure step.

또한, 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 더 포함하고 있어도 좋다.The method may further include a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole before the post-baking step.

또한, 본 발명의 경화막의 형성 방법은 (6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the method for forming a cured film of the present invention further includes (6) a dry etching process for performing dry etching on a substrate having a cured film obtained by thermal curing.

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포해서 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다.(1), it is preferable that the positive photosensitive resin composition of the present invention is applied to a substrate to form a wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는 도포된 상기 막으로부터 감압(진공) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거해서 기판 상에 건조 도막을 형성시키는 것이 바람직하다.In the solvent removal step of (2), it is preferable that the solvent is removed from the coated film by reduced pressure (vacuum) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는 얻어진 도막에 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 활성광선을 조사하는 것이 바람직하다. 이 공정에서는 특정 산 발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해 성분 A 중에 포함되는 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기가 분해되어서 산기가 생성된다.It is preferable to irradiate the obtained coating film with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less. In this process, a specific acid generator decomposes to generate acid. The acid-decomposable group in the constituent unit (a1) contained in the component A is decomposed by the catalytic action of the generated acid to generate an acid group.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서 상기의 분해 반응을 가속시키기 위해서 필요에 따라 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 한다)를 행해도 좋다. PEB에 의해 산 분해성기로부터의 산기의 생성을 촉진시킬 수 있다.In order to accelerate the decomposition reaction in the region where the acid catalyst is generated, Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) may be performed as needed. PEB can promote the generation of an acid group from the acid decomposable group.

특정 수지에 있어서의 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기는 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 광산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 산기를 발생하기 때문에 반드시 PEB를 행할 필요는 없다. 따라서, 노광 공정 후에 가열 처리를 행하지 않고 상기 현상 공정을 행하는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 (3)의 노광 공정 후에 PEB를 행하는 일 없이 행할 일 없이 4)의 현상 공정에서 현상을 행함으로써 포지티브 화상을 형성하는 것이 바람직하다.The acid decomposable group in the structural unit (a1) in the specific resin is low in the activation energy of the acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from the photoacid generator due to exposure to generate an acid group. Therefore, it is preferable to carry out the above-described development step without performing the heat treatment after the exposure step. More specifically, it is preferable to form a positive image by performing development in the developing step 4) without performing PEB after the exposure step of (3).

또한, 비교적 저온에서 PEB를 행함으로써 가교 반응을 일으키는 일 없이 산 분해성기의 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 90℃ 이하가 특히 바람직하다.Further, by conducting PEB at a relatively low temperature, decomposition of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 90 占 폚.

(4)의 현상 공정에서는 유리된 산기를 갖는 성분 A 및 산기를 갖는 성분 B를 알카리성 현상액을 사용해서 현상하는 것이 바람직하다. 알카리성 현상액에 용해되기 쉬운 산기를 갖는 감광성 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써 포지티브 화상을 형성할 수 있다.It is preferable to develop the component A having a free acid group and the component B having an acid group by using an alkaline developing solution in the developing step of the step (4). A positive image can be formed by removing the exposed region including the photosensitive resin composition having an acid group which is easily dissolved in an alkaline developing solution.

(5)의 포스트 베이킹 공정에 있어서 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써 예를 들면 구성 단위(b1) 중의 산기 및 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기를 열분해하여 생성한 산기와, 구성 단위(a2) 및 구성 단위(b2) 중의 가교성기와 가교시켜 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은 가열 온도 등에 따라 적당히 설정할 수 있지만 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.For example, by heating the positive image obtained in the step of post baking of the structural unit (5), for example, an acid group generated by thermal decomposition of an acid-decomposable group in the structural unit (a1) (b2) with a crosslinkable group to form a cured film. The heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be suitably set according to the heating temperature and the like, but it is preferably within the range of 10 to 90 minutes.

본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 바람직하게 사용할 수 있다.The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be preferably used as a dry etching resist.

(5)의 포스트 베이킹 공정에 의해 열경화해서 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 경우 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.A dry etching process such as ashing, plasma etching, or ozone etching can be performed as the etching process when the cured film obtained by thermal curing by the post baking process of the substrate 5 is used as a dry etching resist.

(6)의 드라이 에칭 공정에 있어서는 반응 가스 중에 기판을 노출해서 에칭을 실시하는 반응성 가스 에칭 처리나 반응 가스를 플라즈마에 의해 이온화·라디칼화해서 에칭을 실시하는 반응성 이온 에칭(RIE) 등 공지의 드라이 에칭 처리를 예시할 수 있다. 이들의 가스종이나 에칭 방법은 드라이 에칭하는 재료, 소망의 속도나 정밀도 등에 따라 적당히 선택하면 좋다. 또한, 드라이 에칭을 행하는 장치로서는 공지의 장치를 사용할 수 있다.In the dry etching process of the step (6), a reactive gas etching process for etching the substrate in the reaction gas, a reactive ion etching (RIE) process for ionizing and radicalizing the reactive gas by plasma, Etching treatment may be exemplified. These gas species and etching methods may be appropriately selected depending on the material to be dry-etched, the desired speed and accuracy, and the like. As a device for performing dry etching, a known device can be used.

또한, 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하고, 현상된 감광성 수지 조성물의 패턴에 활성광선, 바람직하게는 자외선을 전면 조사하는 공정을 추가하면 활성광선의 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.In addition, it is preferable that the step of exposing the developed photosensitive resin composition to a post-baking step includes a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition to a total exposure. When the step of irradiating the pattern of the developed photosensitive resin composition with actinic light, preferably ultraviolet light, Can accelerate the crosslinking reaction.

이어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

[감광성 수지 조성물의 조제 방법][Method for preparing photosensitive resin composition]

특정 수지 및 산 발생제의 필수 성분에 필요에 따라 용제를 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해해서 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면, 특정 수지 또는 산 발생제를 각각 미리 용제에 용해시킨 용액으로 한 후 이들을 소정의 비율로 혼합해서 감광성 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 감광성 수지 조성물의 용액은 구멍 지름 0.1㎛의 필터 등을 사용해서 여과한 후에 사용에 제공할 수도 있다.If necessary, the specific resin and the essential component of the acid generator are mixed with a solvent in a predetermined ratio and optionally by stirring, and dissolved to prepare a photosensitive resin composition. For example, a photosensitive resin composition may be prepared by preparing a solution prepared by dissolving a specific resin or acid generator in each solvent in advance, and then mixing them in a predetermined ratio. The solution of the photosensitive resin composition prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.1 mu m or the like.

<도포 공정 및 용제 제거 공정><Coating Process and Solvent Removal Process>

감광성 수지 조성물을 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리 베이킹)에 의해 용제를 제거함으로써 소망의 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는 예를 들면 액정 표시 장치의 제조에 있어서는 편광판, 필요에 따라서 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 더 형성하고, 투명 도전 회로층을 더 형성한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판으로의 도포 방법은 특별히 한정되지 않지만 도포가 바람직하고, 예를 들면 슬릿 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코트법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기서 대형 기판이란 각 변이 1m 이상인 크기의 기판을 말한다.A desired dry film can be formed by applying a photosensitive resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). As the substrate, for example, a glass plate in which a polarizing plate, a black matrix layer and a color filter layer, if necessary, and a transparent conductive circuit layer are further formed in the production of a liquid crystal display device can be exemplified. The coating method on the substrate is not particularly limited, but coating is preferred. For example, a slit coat method, a spray method, a roll coating method, and a spin coating method can be used. Among them, the slit coat method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large-size substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 성분 A 중의 구성 단위(a1)에 있어서 산 분해성기가 분해되고, 또한 성분 A를 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만 바람직하게는 70∼120℃에서 30∼300초간 정도이다.(2) The heating conditions in the solvent removal step are those in which the acid-decomposable group is decomposed in the constituent unit (a1) in the component A in the unexposed portion and the component A is not soluble in the alkali developer, But it is preferably about 70 to 120 DEG C for about 30 to about 300 seconds.

<노광 공정><Exposure Step>

(3) 노광 공정에서는 감광성 수지 조성물의 건조 도막을 형성한 기판에 소정의 패턴의 활성광선을 조사한다. 노광은 마스크를 개재해서 행해도 좋고, 소정의 패턴을 직접 묘화해도 좋다. 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 노광 공정 후 필요에 따라 PEB를 행해도 좋다.(3) In the exposure step, the substrate on which the dry film of the photosensitive resin composition is formed is irradiated with a predetermined pattern of actinic rays. The exposure may be performed through a mask, or a predetermined pattern may be directly drawn. An active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. After the exposure process, PEB may be performed if necessary.

활성광선에 의한 노광에는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, LED 광원 등을 사용할 수 있다.A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, an LED light source, and the like can be used for exposure by an actinic ray.

수은등을 상용할 경우에는 g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 수은등은 레이저에 비하면 대면적의 노광에 적합하다는 점에서 바람직하다.When a mercury lamp is commonly used, an actinic ray having a wavelength of g-line (436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm) or the like can be preferably used. The mercury lamp is preferable in that it is suitable for exposure of a large area as compared with a laser.

레이저를 사용할 경우에는 고체(YAG) 레이저에서는 343㎚, 355㎚가 바람직하게 사용되고, 엑시머 레이저에서는 351㎚(XeF)가 바람직하게 사용되고, 반도체 레이저에서는 375㎚, 405㎚가 더욱 바람직하게 사용된다. 이 중에서도 안정성, 비용 등의 점으로부터 355㎚, 405㎚가 보다 바람직하다. 레이저는 1회 또는 복수회로 나누어 도막에 조사할 수 있다. 또한, 에너지 밀도, 펄스 폭, 레이저 주파수, 노광 장치 및 필터의 구체예나 바람직한 범위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-186398호 공보의 단락 0098∼단락 0100에 기재된 것을 들 수 있다.When a laser is used, 343 nm and 355 nm are preferably used for the solid (YAG) laser and 351 nm (XeF) for the excimer laser, and 375 nm and 405 nm are more preferably used for the semiconductor laser. Of these, 355 nm and 405 nm are more preferable from the standpoints of stability and cost. The laser can be irradiated to the coating film once or plural times. The specific examples and preferred ranges of the energy density, the pulse width, the laser frequency, the exposure apparatus, and the filter are those described in paragraphs 0098 to 0100 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 183398/1999.

<현상 공정><Development Process>

(4) 현상 공정에서는 염기성 현상액을 사용해서 노광부 영역을 제거해서 화상 패턴을 형성한다. 현상액에 사용하는 염기성 화합물로서는 예를 들면 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류;테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.(4) In the developing process, a basic developer is used to remove the exposed area to form an image pattern. Examples of the basic compound used in the developer include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and cholinehydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는 현상 가능하면 특별히 제한은 없지만 10.0∼14.0인 것이 바람직하다.The pH of the developer is not particularly limited as far as development is feasible, but it is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30∼180초간이며, 또한 현상의 수법은 퍼들법, 디핑법, 샤워법 등 어느 것이어도 좋다. 현상 후에는 유수 세정을 10∼90초간 행하여 소망의 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a puddle method, a dipping method, and a shower method. After the development, washing with water for 10 to 90 seconds is carried out to form a desired pattern.

<포스트 베이킹 공정(가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) >

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용해서 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫 플레이트 상이면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간, 가열 처리를 함으로써 특정 수지 중의 산 분해성기를 분해해서 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 발생시켜 특정 수지 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응해서 가교시킴으로써 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For example, 180 to 250 캜 for a predetermined time, for example, 5 to 60 minutes on a hot plate, using a heating apparatus such as a hot plate or an oven for a pattern corresponding to the unexposed region obtained by development , And an oven for 30 to 90 minutes to decompose the acid-decomposable group in the specific resin to generate a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group to react with the crosslinkable group as an epoxy group and / or an oxetanyl group in the specific resin, Hardness and the like can be formed. In addition, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서 패턴을 형성한 기판에 활성광선에 의해 재노광한 후 포스트 베이킹(재노광/포스트 베이킹)함으로써 미노광 부분에 존재하는 산 발생제 (B)로부터 산을 발생시켜 가교를 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Further, the substrate on which the pattern has been formed is re-exposed to the substrate by the action of an actinic ray and then post-baked (re-exposure / post-baking) to generate an acid from the acid generator (B) As a catalyst.

즉, 본 발명에 있어서의 경화막의 형성 방법은 현상 공정과 포스트 베이킹 공정 사이에 활성광선에 의해 재노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, the method of forming a cured film in the present invention preferably includes a step of re-exposure by an actinic ray between a developing step and a post-baking step.

재노광 공정에 있어서의 노광은 상기 노광 공정과 마찬가지의 수단에 의해 행하면 좋지만 상기 재노광 공정에서는 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는 100∼1,000mJ/㎠이다.The exposure in the re-exposure step may be carried out by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the entire exposure on the side of the substrate on which the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention. The preferable exposure amount of the re-exposure process is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 &gt;.

<드라이 에칭 공정><Dry Etching Process>

본 발명에 있어서의 드라이 에칭 공정은 상기 포스트 베이킹 공정에 있어서 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 내성이 우수하므로 드라이 에칭 조건에 노출되어도 막 감소량이 적다.The dry etching step in the present invention is a step of performing dry etching on a substrate having a cured film obtained by thermosetting in the post baking step. The cured film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention is excellent in dry etching resistance, so that the film reduction amount is small even when exposed to dry etching conditions.

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 피드라이 에칭 재료로서는 실리콘, 이산화 규소, 질화 규소, 알루미나, 유리, 유리-세라믹스, 비화 갈륨, 인화 인듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 강, 구리-실리콘 합금, 인듐-주석 산화물 피복 유리; 금속, 반도체 및 절연 재료의 패터닝 영역을 함유하는 임의의 기판 등이 포함되지만 그들에 한정되지 않는다.Examples of the feed-lye etching material usable in the present invention include silicon, silicon dioxide, silicon nitride, alumina, glass, glass-ceramics, gallium arsenide, indium phosphide, copper, aluminum, nickel, iron, - tin oxide coated glass; Metal, semiconductor, any substrate containing patterning regions of insulating material, and the like, but are not limited thereto.

플라즈마의 발생법으로서는 특별히 제한은 없고, 감압 플라즈마법, 대기 플라즈마법 모두 도포할 수 있다.The generation method of the plasma is not particularly limited, and both the decompression plasma method and the atmospheric plasma method can be applied.

또한, 플라즈마 에칭에는 예를 들면 헬륨, 아르곤, 크립톤, 제논 중으로부터 선택되는 불활성 가스, O2, CF4, C2F4, N2, CO2, SF6, CHF3 중 적어도 O, N, F 또는 Cl을 포함하는 반응성 가스를 바람직하게 사용할 수 있다.Further, plasma etching, for example, helium, argon, krypton, an inert gas, O 2 is selected from xenon into, CF 4, C 2 F 4 , N 2, CO 2, SF 6, CHF 3 of at least O, N, F or Cl may be preferably used.

드라이 에칭 공정에서는 예를 들면 하지가 SiNx나 SiO2 등의 실리콘계의 층의 경우 O2와 CF4, SiF6 등의 불소계의 반응 가스를 사용하는 것이 바람직하다.In the dry etching step, for example, in the case of a silicon-based layer such as SiN x or SiO 2 , it is preferable to use a fluorine-based reaction gas such as O 2 and CF 4 or SiF 6 .

또한, 드라이 에칭 공정에 있어서의 기판과, 상기 도포 공정에 있어서의 기판은 같은 것이어도 다른 것이어도 좋다. 예를 들면, 상기 도포 공정에 있어서의 기판을 가상의 기판으로 하고, 상기 드라이 에칭 공정 전까지 별도의 기판에 상기 경화막을 전사 등을 행해도 좋다.The substrate in the dry etching step and the substrate in the coating step may be the same or different. For example, the substrate in the coating step may be a virtual substrate, and the cured film may be transferred to another substrate until the dry etching step.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막은 드라이 에칭이나 웨트 에칭 등의 에칭 처리 시의 희생층으로서도 바람직하게 사용할 수 있고, 에칭 처리 후에 상기 경화막을 박리할 때에는 애싱 등의 기지의 드라이 플라즈마 프로세스나 알칼리 약품 처리 등의 기지의 웨트 프로세스에 의한 박리를 행할 수 있다. 본 발명의 경화막은 베이킹 공정을 거쳐 경화하고 있기 때문에 드라이 플라즈마 프로세스에 의한 박리가 특히 바람직하다.The cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention is also preferably used as a sacrifice layer for etching treatment such as dry etching or wet etching. When the cured film is peeled off after the etching treatment, a dry plasma Peeling can be performed by a known wet process such as a process or an alkali chemical treatment. Since the cured film of the present invention is cured through the baking process, peeling by the dry plasma process is particularly preferable.

에칭용 레지스트로서 평면 레지스트로서 사용했을 경우에도 산소 플라즈마 처리가 바람직하게 사용되지만 약액에 의한 가열 처리에 의해 레지스트를 박리 제거하는 것도 가능하다.Even when used as a flat resist as an etching resist, oxygen plasma treatment is preferably used, but it is also possible to peel off the resist by heat treatment with a chemical solution.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다.The cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention can be particularly preferably used as a dry etching resist.

본 발명의 경화막은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막이며, 층간 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은 본 발명의 경화막의 형성 방법에 의해 얻어진 경화막인 것이 바람직하다.The cured film of the present invention is a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention and can be preferably used as an interlayer insulating film. It is preferable that the cured film of the present invention is a cured film obtained by the method of forming a cured film of the present invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 높은 감도를 갖고, 현상 시에 있어서의 잔사의 발생이 억제되고, 또한 평활성이 우수한 표면을 갖는 경화막이 얻어지고, 상기 경화막은 층간 절연막으로서 유용하다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용해서 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고, 양호한 형상의 패턴 형상을 형성할 수 있고, 또한 그 표면의 평활성도 우수하므로 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.With the photosensitive resin composition of the present invention, a cured film having a high sensitivity, suppressing the occurrence of residues during development, and having a surface with excellent smoothness is obtained, and the cured film is useful as an interlayer insulating film. Further, the interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention has high transparency, can form a pattern of a good shape, and has excellent smoothness on the surface thereof. Therefore, the use of the organic EL display device or the liquid crystal display device useful.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포할 수 있는 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용해서 형성되는 경화막을 평탄화막이나 보호막, 층간 절연막으로서 사용하는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device or liquid crystal display device to which the photosensitive resin composition of the present invention can be applied is not particularly limited except that the cured film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention is used as a planarizing film, a protective film, or an interlayer insulating film , And various known organic EL display devices and liquid crystal display devices having various structures.

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 아모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리 실리콘 TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에 이들의 TFT에 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, specific examples of the TFT (Thin-Film Transistor) included in the organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention include an amorphous silicon TFT, a low-temperature polysilicon TFT, and an oxide semiconductor TFT. Since the cured film of the present invention has excellent electrical characteristics, it can be preferably used in combination with these TFTs.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치를 취할 수 있는 액정 표시 장치의 방식으로서는 TN(TwistedNematic) 방식, VA(Virtical Alignment) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.As a liquid crystal display device capable of adopting the liquid crystal display device of the present invention, there are TN (Twisted Nematic), VA (Virtual Alignment), IPS (In-Place-Switching), FFS (Optical Compensated Bend) method.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치를 취할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647이나 일본 특허 공개 2011-257734에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alignment) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Specific examples of the alignment method of the liquid crystal alignment film that can take the liquid crystal display of the present invention include a rubbing alignment method and a photo alignment method. It may also be polymer-oriented supported by PSA (Polymer Sustained Alignment) technology described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-149647 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-257734.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도에 한정되지 않고 여러 가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 보호막, 층간 절연막 이외에도 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 설치되는 마이크로 렌즈, 에칭용 레지스트, 특히 바람직하게는 드라이 에칭용 레지스트 등에 바람직하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned use, and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film, a protective film, an interlayer insulating film, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constant, a microlens provided on the color filter in the solid-state image pickup device, Can be suitably used for resist for dry etching.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a structural conceptual diagram showing an example of an organic EL display device using the photosensitive resin composition of the present invention. Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에 여기서는 도시를 생략한 콘택트 홀을 형성한 후 이 콘택트 홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3 here. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or later and the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워 넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)이 형성되어 있다.The flattening film 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 상에는 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 콘택트 홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜서 형성되어 있다. 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom-emission organic EL element is formed. That is, the first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.An insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By forming the insulating film 8, a short circuit is formed between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step .

또한, 도 1에는 도시 생략되어 있지만 소망의 패턴 마스크를 개재해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착해서 형성하고, 이어서 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용해서 부착함으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어서 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in Fig. 1, a hole transport layer, an organic luminescent layer, and an electron transport layer are sequentially evaporated through a desired pattern mask, then a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate, It is possible to obtain an active matrix type organic EL display device in which a glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin are used to seal by adhering and a TFT 1 for driving each organic EL element is connected.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은 편광 필름이 부착된 2장의 유리 기판(14,15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 콘택트 홀(18)을 통해 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO투명 전극(19) 상에는 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 형성되어 있다.Fig. 2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the active matrix type liquid crystal display device 10. Fig. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is composed of a TFT corresponding to all pixels disposed between two glass substrates 14, 16 are disposed on the substrate. An ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17 in each element formed on the glass substrate. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of a liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is formed.

실시예Example

이어서, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급이 없는 한 「부」,「%」는 중량 기준이다.EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited by these examples. Unless otherwise noted, "parts" and "%" are by weight.

<합성예 1>&Lt; Synthesis Example 1 &

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 150중량부를 넣고, 질소 분위기 하에 두고 90℃로 승온했다. 그 용액에 단량체 성분으로서메타크릴산 1-에톡시에틸 41.3중량부, 3-에틸-3-옥세타닐메틸메타크릴레이트 31.0중량부, 메타크릴산 5.6중량부, 2-에틸헥실메타크릴레이트 17.0중량부 및 중합 개시제로서 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(와코쥰야쿠제) 10.0중량부를 용해시키고, 2시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 2시간 교반했다. 그 용액에 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 2.5중량부를 더 첨가하고, 2시간 더 교반하고, 반응을 종료시켰다. 그것에 의해 공중합체 A-1을 얻었다. 중량 평균 분자량은 11,000이었다.A cooling tube and a stirrer, 150 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether was placed, and the mixture was heated to 90 DEG C under a nitrogen atmosphere. 41.3 parts by weight of 1-ethoxyethyl methacrylate, 31.0 parts by weight of 3-ethyl-3-oxetanylmethyl methacrylate, 5.6 parts by weight of methacrylic acid, 17.0 parts by weight of 2-ethylhexyl methacrylate And 10.0 parts by weight of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) as a polymerization initiator were dissolved and dissolved dropwise over 2 hours. After completion of dropwise addition, stirring was continued for 2 hours. 2.5 parts by weight of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) was further added to the solution, followed by further stirring for 2 hours to terminate the reaction. Thus, Copolymer A-1 was obtained. The weight average molecular weight was 11,000.

<합성예 2∼38>&Lt; Synthesis Examples 2 to 38 &

사용한 모노머 및 그 양을 변경한 이외는 합성예 1과 마찬가지로 해서 하기 표에 나타내는 공중합체 A-2∼A-15, B-1∼B-16, 및 b-1∼b-5를 각각 합성했다. 합성된 각 공중합체의 조성비(몰%) 및 중량 평균 분자량(Mw)은 하기 표에 나타내는 바와 같다.Copolymers A-2 to A-15, B-1 to B-16, and b-1 to b-5 shown in the following table were synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomers used and amounts thereof were changed . The composition ratios (mol%) and weight average molecular weights (Mw) of the synthesized copolymers are shown in the following table.

Figure 112012089092645-pat00039
Figure 112012089092645-pat00039

Figure 112012089092645-pat00040
Figure 112012089092645-pat00040

표 1 및 표 2 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Tables 1 and 2 are as follows.

MAEVE: 메타크릴산 1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

MATHF: 테트라히드로-2H-푸란-2-일메타크릴레이트MATHF: tetrahydro-2H-furan-2-yl methacrylate

MACHOE: 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트MACHOE: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHP: 테트라히드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트MATHP: tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate

PHSEVE: p-히드록시스티렌의 1-에톡시에틸기 보호체PHSEVE: 1-ethoxyethyl protective group of p-hydroxystyrene

OXE-30: 3-에틸-3-옥세타닐메틸메타크릴레이트(오사카유기 카가쿠고교(주)제)OXE-30: 3-ethyl-3-oxetanylmethyl methacrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

NBMA: n-부톡시메틸아크릴아미드NBMA: n-butoxymethyl acrylamide

VBGE :p-비닐벤질글리시딜에테르VBGE: p-vinylbenzyl glycidyl ether

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

PHS: p-히드록시스티렌PHS: p-hydroxystyrene

HEMA: 2-에틸헥실메타크릴레이트HEMA: 2-ethylhexyl methacrylate

THFFMA: 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트THFFMA: tetrahydrofurfuryl methacrylate

St: 스티렌St: Styrene

α-MeSt: α-메틸스티렌α-MeSt: α-methylstyrene

MMA: 메틸메타크릴레이트MMA: methyl methacrylate

DCPM: 메타크릴산(트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일)DCPM: methacrylic acid (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl)

(실시예 1∼143 및 비교예 1∼34)(Examples 1 to 143 and Comparative Examples 1 to 34)

하기 표에 기재한 양(고형분)을 고형분 농도가 27중량%가 되도록 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트=1:1(중량비)의 혼합 용제에 용해시킨 후 구멍 지름 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 각 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다.The amount (solid content) shown in the following table was dissolved in a mixed solvent of diethylene glycol methyl ethyl ether: propylene glycol monomethyl ether acetate = 1: 1 (weight ratio) so that the solid content concentration became 27% by weight, And filtered through a membrane filter to prepare respective photosensitive resin compositions.

Figure 112012089092645-pat00041
Figure 112012089092645-pat00041

Figure 112012089092645-pat00042
Figure 112012089092645-pat00042

Figure 112012089092645-pat00043
Figure 112012089092645-pat00043

Figure 112012089092645-pat00044
Figure 112012089092645-pat00044

Figure 112012089092645-pat00045
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Figure 112012089092645-pat00046
Figure 112012089092645-pat00046

상기 표 중 각종 첨가제의 약호는 하기와 같다.The abbreviations of various additives in the above table are as follows.

C-1: 하기 구조의 화합물(합성품)C-1: Compound of the following structure (synthesized product)

C-2: 하기 구조의 화합물(합성품)C-2: Compound of the following structure (synthesized product)

C-3: 하기 구조의 화합물(합성품)C-3: Compound of the following structure (synthesized product)

C-4: CGI-1397(BASF사제)C-4: CGI-1397 (BASF)

C-5: 하기 구조의 화합물(일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라 합성했다)C-5: Compound of the following structure (synthesized according to the method described in paragraph 0108 of Japanese Patent Publication No. 2002-528451)

C-6: PAI-1001(미도리 카가쿠(주)제)C-6: PAI-1001 (manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

C-7: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트C-7: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate

Figure 112012089092645-pat00047
Figure 112012089092645-pat00047

<C-1의 합성><Synthesis of C-1>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화 알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로라이드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서 반응액에 4N HCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후 2N HCl수용액(60mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축 후 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 ° C and reacted for 2 hours. 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution under ice-cooling, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added thereto to separate the liquid. The organic layer was concentrated and the crystals were reslurried with diisopropyl ether Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(18mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하여 10시간 가열 환류했다. 방냉 후 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과, 냉 메탄올 세정 후 건조해서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 wt% hydroxylamine aqueous solution (8.0 g) were added to the suspension of the obtained ketone compound (3.0 g) and methanol (18 mL), and the mixture was heated under reflux for 10 hours. After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시키고, 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로라이드(2.4g)을 첨가하고, 실온으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 C-1(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), and triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was allowed to react at room temperature for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered and then slurry was rinsed with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain C-1 (2.3 g).

또한, B-1의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.4(dd,1H)7.3(d,2H),7.1(d.1H),5.6(q,1H),2.4(s,3H),1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-1 (300㎒, CDCl 3 ) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (d, 1H), 7.4 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

<C-2의 합성><Synthesis of C-2>

2-나프톨(20g)을 N,N-디메틸아세트아미드(150mL)에 용해시키고, 탄산 칼륨(28.7g), 2-브로모옥탄산 에틸(52.2g)을 첨가해서 100℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액에 물(300mL), 아세트산 에틸(200mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축한 후 48중량% 수산화 나트륨 수용액(23g), 에탄올(50mL), 물(50mL)을 첨가하여 2시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액(500mL)에 넣고, 석출한 결정을 여과, 수세해서 카르복실산 조체를 얻은 후 폴리 인산 30g을 첨가해서 170℃에서 30분 반응시켰다. 반응액을 물(300mL)에 넣고, 아세트산 에틸(300mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 케톤 화합물(10g)을 얻었다.2-Naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 mL), potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromooxinate (52.2 g) were added and reacted at 100 ° C for 2 hours. Water (300 mL) and ethyl acetate (200 mL) were added to the reaction mixture to separate the layers. The organic layer was concentrated, and 48 wt% aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 mL) and water (50 mL) . The reaction solution was poured into 1N HCl aqueous solution (500 mL), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a carboxylic acid mixture. Then, 30 g of polyphosphoric acid was added and reacted at 170 DEG C for 30 minutes. The reaction solution was poured into water (300 mL) and ethyl acetate (300 mL) was added to separate the layers. The organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물(10.0g), 메탄올(100mL)의 현탁 용액에 아세트산 나트륨(30.6g), 염산 히드록실아민(25.9g), 황산 마그네슘(4.5g)을 첨가하고, 24시간 가열 환류했다. 방냉 후 물(150mL), 아세트산 에틸(150mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 물 80mL로 4회 분액하고, 농축한 후 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 옥심 화합물(5.8g)을 얻었다.Sodium acetate (30.6 g), hydroxylamine hydrochloride (25.9 g) and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the resulting suspension of the ketone compound (10.0 g) and methanol (100 mL) and the mixture was refluxed for 24 hours. After cooling, water (150 mL) and ethyl acetate (150 mL) were added to separate the layers. The organic layer was partitioned four times with 80 mL of water, concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain an oxime compound (5.8 g).

얻어진 옥심(3.1g)에 대하여 C-1과 마찬가지로 술포네이트화를 행하여 C-2(3.2g)를 얻었다.The resulting oxime (3.1 g) was sulfonated in the same manner as C-1 to obtain C-2 (3.2 g).

또한, B-2의 1H-NMR스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.5(dd,1H)7.3(d,2H),7.1(d.1H),5.6(dd,1H),2.4(s,3H),2.2(ddt,1H),1.9(ddt,1H),1.4∼1.2(m,8H),0.8(t,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B-2 (300㎒, CDCl 3 ) is δ = 8.3 (d, 1H) , 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (s, 3H), 2.2 (ddt, 1H), 1.9 (dd, 1H), 7.5 (dd, , 1H), 1.4-1.2 (m, 8H), 0.8 (t, 3H).

<C-3의 합성><Synthesis of C-3>

C-1에 있어서의 p-톨루엔술포닐클로라이드 대신에 벤젠술포닐클로라이드를 사용한 이외는 C-1과 마찬가지로 해서 C-3을 합성했다.C-3 was synthesized in the same manner as C-1 except that benzenesulfonyl chloride was used instead of p-toluenesulfonyl chloride in C-1.

또한, C-3의 1H-NMR스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H),8.1(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.7-7.5(m,4H),7.4(dd,1H),7.1(d.1H),5.6(q,1H),1.7(d,3H)이었다.In addition, C-3 1 H-NMR spectrum (300㎒, CDCl 3) of the δ = 8.3 (d, 1H) , 8.1 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.7 (M, 4H), 7.4 (dd, 1H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

D-1: DBA(9,10-디부톡시안트라센, 가와사키 카세이고교(주)제)D-1: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, manufactured by Kawasaki Kasei Kogyo Co., Ltd.)

E-1: 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨(도쿄 카세이고교(주)제)E-1: 1,5-Diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

E-2: 하기 구조의 화합물E-2: Compound of the following structure

Figure 112012089092645-pat00048
Figure 112012089092645-pat00048

S-1: 하기 화합물(제조원: 신에쓰 가가꾸 고교(주), 품번: KBE-3026)S-1: The following compound (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number: KBE-3026)

S-6: 하기 화합물(제조원: 도레이 다우(주), 품번: Z6920)S-6: The following compound (manufactured by Toray Industries, Ltd., product number: Z6920)

S-7: 하기 화합물(제조원: 신에쓰 가가꾸 고교(주), 품번: KBE-846)S-7: The following compound (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number: KBE-846)

S-8: 하기 화합물(제조원: 신에쓰 가가꾸 고교(주), 품번: KBM-9659)S-8: The following compound (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., product number: KBM-9659)

Figure 112012089092645-pat00049
Figure 112012089092645-pat00049

Figure 112012089092645-pat00050
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Figure 112012089092645-pat00051
Figure 112012089092645-pat00051

F-1: JER150S65(미쓰비시 카가쿠(주)제)F-1: JER150S65 (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

F-2: JER1031S(미쓰비시 카가쿠(주)제)F-2: JER1031S (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

G-1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403, 신에쓰 가가꾸 고교(주)제)G-1: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (KBM-403, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

H-1: 하기 구조의 화합물H-1: Compound of the following structure

Figure 112012089092645-pat00052
Figure 112012089092645-pat00052

<내약품성(박리액 내성)의 평가>&Lt; Evaluation of chemical resistance (release liquid resistance) >

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜두께(코닝사제)) 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후 90℃/120초 핫 플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하고, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to form a photosensitive resin composition layer .

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다.The resulting photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 모노에탄올아민에 60℃에서 5분 침지시키고, 그 막을 끌어올려서 표면의 액을 닦아낸 후에 바로 막두께를 측정했다. 침지 전의 막두께와 침지 후의 막두께를 비교해서 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 박리액 내성은 양호하며, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in monoethanolamine at 60 DEG C for 5 minutes, and the film was taken up to wipe off the liquid on the surface, and the film thickness was immediately measured. The ratio of the film thickness before immersion and the film thickness after immersion was expressed in percent. The results are shown in the following table. The smaller the numerical value is, the better the peel solution resistance of the cured film is, and A or B is preferable.

팽준율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100(%) = Film thickness after immersion (占 퐉) / film thickness before immersion (占 퐉) 占 100

A: 100% 이상 102% 미만 A: 100% or more and less than 102%

B: 102% 이상 105% 미만B: 102% or more and less than 105%

C: 105% 이상 110% 미만C: 105% or more and less than 110%

D: 110% 이상 115% 미만D: 110% or more and less than 115%

E: 115% 이상E: 115% or more

<내약품성(NMP 내성)의 평가>&Lt; Evaluation of chemical resistance (NMP resistance) >

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜두께(코닝사제)) 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후 90℃/120초 핫 플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to obtain a photosensitive resin composition layer .

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다.The resulting photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 NMP에 80℃에서 10분 침지시키고, 그 막을 끌어올려서 표면의 액을 닦아낸 후에 바로 막두께를 측정했다. 침지 전의 막두께와 침지 후의 막두께를 비교해서 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 NMP 내성은 양호하며, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in NMP at 80 DEG C for 10 minutes, and the film was pulled up to wipe out the liquid on the surface, and the film thickness was measured immediately. The ratio of the film thickness before immersion and the film thickness after immersion was expressed in percent. The results are shown in the following table. The smaller the numerical value is, the better the NMP resistance of the cured film is, and A or B is preferable.

팽윤율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (占 퐉) / film thickness before immersion (占 퐉) 占 100

A: 100% 이상 102% 미만A: 100% or more and less than 102%

B: 102% 이상 105% 미만B: 102% or more and less than 105%

C: 105% 이상 110% 미만C: 105% or more and less than 110%

D: 110% 이상 115% 미만D: 110% or more and less than 115%

E: 115% 이상E: 115% or more

<내드라이 에칭성>&Lt; Dry etching resistance >

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사제)) 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후 90℃/120초 핫 플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하고, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.Each of the photosensitive resin compositions was coated with a slit on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thick (manufactured by Corning)), and then the solvent was removed by heating on a hot plate at 90 DEG C for 120 seconds to form a photosensitive resin composition layer .

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 상기 경화막을 드라이 에칭 장치 「CDE-80N ((주)시바우라 메카트로닉스제)」를 사용해서 에칭 가스로서 CF4 50ml/분, O2 10ml/분, 출력 400㎽, 에칭 시간 90초의 조건으로 드라이 에칭을 행했다. 그 막감소량으로부터 에칭 속도를 산출했다. 수치로서는 작을수록 내 드라이 에칭성이 높고, A 또는 B가 바람직하다.The resulting photosensitive resin composition layer was exposed to light with an integrated irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 mW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure device (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., At 230 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film. The cured film was dry etched under the conditions of CF 4 50 ml / min, O 2 10 ml / min, output of 400 mW, and etching time of 90 seconds as an etching gas using a dry etching apparatus "CDE-80N (Shibaura Mechatronics, . The etching rate was calculated from the film reduction amount. The smaller the numerical value is, the higher the dry etching resistance is, and A or B is preferable.

A: 30Å/초 이상 35Å/초 미만A: 30 Å / sec to 35 Å / sec

B: 35Å/초 이상 40Å/초 미만B: 35 Å / sec or more and less than 40 Å / sec

C: 40Å/초 이상 45Å/초 미만C: 40 Å / sec to 45 Å / sec

<실시예 144>&Lt; Example 144 >

일본 특허 제 3321003호 공보의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 해서 형성하고, 실시예 144의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 사용하여 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.In the active matrix liquid crystal display device shown in Fig. 1 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 was formed as an interlayer insulating film in the following manner, and a liquid crystal display device of Example 144 was obtained. That is, the photosensitive resin composition of Example 1 was used to form a cured film 17 as an interlayer insulating film.

즉, 일본 특허 제 3321003호 공보의 58 단락의 기판과 층간 절연막(17)의 젖음성을 향상시키는 전(前)처리로서 기판을 헥사메틸디실라잔(HMDS) 증기 하에 30초 노출시키고, 그 후 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 스핀 코트 도포한 후 90℃에서 2분 핫 플레이트 상에서 프리 베이킹해서 용제를 휘발시켜 막두께 3㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 이어서, 얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 MPA 5500CF(고압 수은등)를 사용해서 10㎛φ의 홀 패턴의 마스크를 통해 40mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광했다. 그리고, 노광 후의 감광성 수지 조성물층을 알칼리 현상액(0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)으로 23℃/60초간 현상한 후 초순수로 20초 린싱했다. 이어서, 초고압 수은등을 이용해서 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 전면 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 30분 가열해서 경화막을 얻었다.That is, as a pretreatment for improving the wettability of the substrate of the paragraph 58 of Japanese Patent No. 3321003 and the interlayer insulating film 17, the substrate is exposed for 30 seconds under steam of hexamethyldisilazane (HMDS), and thereafter The photosensitive resin composition of Example 1 was coated with a spin coat, prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes, and the solvent was volatilized to form a photosensitive resin composition layer having a thickness of 3 탆. Subsequently, the obtained photosensitive resin composition layer was exposed using a Canon MPA 5500CF (high-pressure mercury lamp) through a mask having a hole pattern of 10 mu m phi to 40 mJ / cm2 (energy intensity: 20 mW / did. Then, the exposed photosensitive resin composition layer was developed with an alkaline developer (0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) at 23 占 폚 for 60 seconds and rinsed with ultrapure water for 20 seconds. Subsequently, the entire surface of the substrate was exposed using an ultra-high pressure mercury lamp so that the cumulative irradiation dose was 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 mW / cm 2, i-line), and then the substrate was heated in an oven at 230 캜 for 30 minutes to obtain a cured film.

상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다.The coating properties when the photosensitive resin composition was applied were good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured films obtained after exposure, development and firing.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가한 결과 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As a result of applying a driving voltage to the obtained liquid crystal display device, it was found that the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

<실시예 145>&Lt; Example 145 >

실시예 144와 이하의 프로세스만 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 기판 전처리인 헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리를 생략하고, 실시예 52의 감광성 수지 조성물을 도포한 경우에도 얻어진 경화막으로서 패턴의 결함이나 박리가 없는 양호한 상태이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 기판과의 밀착성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다. 생산성을 향상시키는 관점에서는 상기 기판 전처리의 공정을 생략하는 것도 바람직하다.Only the process of Example 144 and the following processes were modified to obtain the same liquid crystal display device. That is, even when the hexamethyldisilazane (HMDS) treatment as the substrate pretreatment was omitted and the photosensitive resin composition of Example 52 was applied, the obtained cured film was in a satisfactory state without any defect or peeling of the pattern. The performance as a liquid crystal display device was also good as in Example 144. [ This is considered to be due to the excellent adhesion of the composition of the present invention with the substrate. It is also preferable to omit the substrate pretreatment step from the viewpoint of improving the productivity.

<실시예 146>&Lt; Example 146 >

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 알칼리 현상액을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로부터 2.38%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 변경해도 얻어진 경화막으로서 패턴의 결함이나 박리가 없는 양호한 상태이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 기판과의 밀착성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다.The same liquid crystal display device was obtained by modifying only the process of Example 144 and the following. That is, even when the alkaline developing solution was changed from an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide of 0.4% to a solution of tetramethylammonium hydroxide of 2.38%, the obtained cured film was in a satisfactory state without any pattern defect or peeling. The performance as a liquid crystal display device was also good as in Example 144. [ This is considered to be due to the excellent adhesion of the composition of the present invention with the substrate.

<실시예 147><Example 147>

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 알칼리 현상액을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로부터 0.04%의 KOH 수용액으로 변경해도 얻어진 경화막으로서 패턴의 결함이나 박리가 없는 양호한 상태이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 기판과의 밀착성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다.The same liquid crystal display device was obtained by modifying only the process of Example 144 and the following. That is, even when the alkaline developer was changed from a 0.4% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide to a 0.04% KOH aqueous solution, the obtained cured film was in a satisfactory state without any defects or peeling of the pattern. The performance as a liquid crystal display device was also good as in Example 144. [ This is considered to be due to the excellent adhesion of the composition of the present invention with the substrate.

<실시예 148>&Lt; Example 148 >

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 현상·린싱 후의 전면 노광의 공정을 생략하고, 오븐에서 230℃에서 30분 가열해서 경화막을 얻었다. 얻어진 액정 표시 장치로서의 성능은 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 약품 내성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다. 생산성을 향상시키는 관점에서는 전면 노광의 공정을 생략하는 것도 바람직하다.The same liquid crystal display device was obtained by modifying only the process of Example 144 and the following. That is, omitting the step of front exposure after developing and rinsing, the cured film was obtained by heating at 230 ° C for 30 minutes in an oven. The obtained liquid crystal display device was as good as the performance in Example 144. This is considered to be because the composition of the present invention is excellent in drug resistance. From the viewpoint of improving the productivity, it is also preferable to omit the step of front exposure.

<실시예 149>&Lt; Example 149 >

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 전면 노광의 공정과 오븐에서의 230℃/30분 가열 공정 사이에 100℃에서 3분 핫 플레이트 상에서 가열하는 공정을 추가했다. 얻어진 액정 표시 장치로서의 성능은 실시예 149와 마찬가지로 양호했다. 홀 패턴의 형상을 갖춘다는 관점으로부터 본 공정을 추가하는 것도 바람직하다.The same liquid crystal display device was obtained by modifying only the process of Example 144 and the following. That is, a step of heating on a hot plate at 100 占 폚 for 3 minutes between the step of front exposure and the step of heating at 230 占 폚 for 30 minutes in an oven was added. The obtained liquid crystal display device was as good as the performance of Example 149. It is also preferable to add the process from the viewpoint of having the shape of the hole pattern.

<실시예 150>&Lt; Example 150 >

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 현상·린싱 공정과 전면 노광의 공정 사이에 100℃에서 3분 핫 플레이트 상에서 가열하는 공정을 추가했다. 얻어진 액정 표시 장치로서의 성능은 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 홀 패턴의 형상을 갖춘다는 관점으로부터 본 공정을 추가하는 것도 바람직하다.The same liquid crystal display device was obtained by modifying only the process of Example 144 and the following. That is, a process of heating on a hot plate at 100 ° C for 3 minutes was added between the development / rinsing process and the front exposure process. The obtained liquid crystal display device was as good as the performance in Example 144. It is also preferable to add the process from the viewpoint of having the shape of the hole pattern.

<실시예 151>&Lt; Example 151 >

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 여기에서는 도시를 생략한 콘택트 홀을 형성한 후 이 콘택트 홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Subsequently, a contact hole (not shown) was formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole was formed on the insulating film 3 . The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or later and the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워 넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 상으로의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고, 핫 플레이트 상에서 프리 베이킹(90℃×2분)한 후 마스크상으로 고압 수은등을 사용해서 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(에너지 강도 20㎽ /㎠) 조사한 후 알칼리 수용액 (0.4%의 TMAH 수용액)으로 현상해서 패턴을 형성하고, 초고압 수은등을 사용해서 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 전면 노광하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000㎚이었다.The planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2. The formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 was performed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 1 on a substrate, prebaking on a hot plate (90 占 폚 for 2 minutes), applying a high- (365 nm) was irradiated with 45 mJ / cm 2 (energy intensity 20 mW / cm 2) and then developed with an aqueous alkali solution (0.4% TMAH aqueous solution) to form a pattern. Using a super high pressure mercury lamp, the cumulative irradiation dose was 300 mJ / (Energy intensity: 20 mW / cm &lt; 2 &gt;, i-line) and subjected to heat treatment at 230 DEG C for 60 minutes. The coating properties when the photosensitive resin composition was applied were good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured films obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarization film 4 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 상에 보텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 콘택트 홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜서 형성했다. 그 후 레지스트를 도포, 프리 베이킹하고, 소망의 패턴의 마스크를 통해 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 해서 ITO 에천트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸술폭시드(DMSO)의 혼합액)을 사용해서 상기 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 해서 얻어진 제 1 전극(5)는 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Subsequently, a bottom-emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. [ Thereafter, the resist was coated and prebaked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Then, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The thus obtained first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

이어서, 제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는 실시예 3의 감광성 수지 조성물을 사용하여 상기와 마참가지의 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극의 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Then, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. As the insulating film, the insulating film 8 was formed by the above-described method using the photosensitive resin composition of Example 3. By forming this insulating film, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in the subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 소망의 패턴 마스크를 개재해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착해서 형성했다. 이어서, 기판 상방의 전면이 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 인출하여 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용해서 부착함으로써 밀봉했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited by vapor deposition in a vacuum vapor deposition apparatus via a desired pattern mask. Subsequently, a second electrode made of Al on the entire upper surface of the substrate was formed. The obtained substrate was taken out of the evaporator, sealed with a sealing glass plate and using an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 해서 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속해서 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 결과 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements are connected is obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

<실시예 152><Example 152>

실시예 144에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 16의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was similarly manufactured except that the photosensitive resin composition of Example 1 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 16 in Example 144. The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is a highly reliable liquid crystal display device.

<실시예 153>&Lt; Example 153 >

실시예 144에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 31의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 같이 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.A liquid crystal display was manufactured in the same manner as in Example 144 except that the photosensitive resin composition of Example 31 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 31. The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is a highly reliable liquid crystal display device.

<실시예 154>&Lt; Example 154 >

실시예 144에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 132의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL device was produced in the same manner as in Example 144 except that the photosensitive resin composition of Example 132 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 132. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

<실시예 155>&Lt; Example 155 >

실시예 151에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 16의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 151 except that the photosensitive resin composition of Example 16 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 1. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

<실시예 156>&Lt; Example 156 >

실시예 151에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 31의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 151, except that the photosensitive resin composition of Example 31 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 31. The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

<실시예 157>&Lt; Example 157 >

실시예 151에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 133의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 151 except that the photosensitive resin composition of Example 133 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 1. The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

1: TFT(박막 트랜지스터) 2: 배선
3: 절연막 4: 평탄화막
5: 제 1 전극 6: 유리 기판
7: 콘택트 홀 8: 절연막
10: 액정 표시 장치 12: 백라이트 유닛
14,15: 유리 기판 16: TFT
17: 경화막 18: 콘택트 홀
19: ITO 투명 전극 20: 액정
22: 컬러 필터
1: TFT (thin film transistor) 2: wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: Contact hole 8: Insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14, 15: glass substrate 16: TFT
17: cured film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (19)

(성분 A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(1) (a1) 산기는 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(2) (a1) 산기는 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(성분 C) 광산 발생제, 및
(성분 D) 용제를 함유하고, 또한
(성분 X) 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012089092645-pat00053

[식 중 RX1∼RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1∼RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다]
(Component A) A polymer component comprising a polymer satisfying at least one of the following (1) and (2)
(1) (a1) the acid group is a polymer having a structural unit having a group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,
(2) (a1) the acid group is a polymer having a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group,
(Component C) photoacid generator, and
(Component D) solvent, and further comprises
(Component X) A positive-type photosensitive resin composition comprising a silicon compound having at least two hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by formula (X1) in one molecule.
Figure 112012089092645-pat00053

Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolysable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group, or Lt; / RTI &gt; And the remaining R X1 to R X3 independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent group,
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 알콕시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein at least two of R X1 to R X3 in said structural unit (X1) are alkoxy groups.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 X의 함유량은 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the content of the component X is 0.1% by weight or more based on the total amount of the components excluding the solvent of the resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(a1)는 카르복실기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the constituent unit (a1) is a constituent unit in which the carboxyl group has an acetal- or ketal-protected residue.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(a1)는 식(a1-1)로 나타내어지는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012089092645-pat00054

[식 중 R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the structural unit (a1) is a structural unit represented by the formula (a1-1).
Figure 112012089092645-pat00054

Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 is an alkyl group or an aryl group, R 1 or R 2 and R 3 may be connected to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group,
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1)의 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein at least two of R X1 to R X3 in said structural unit (X1) are a methoxy group or an ethoxy group.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(a2)는 에폭시기, 옥세타닐기로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the structural unit (a2) is a structural unit having at least one kind selected from an epoxy group and an oxetanyl group.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 A의 함유량 WA와 상기 성분 B의 함유량 WB의 중량 비율은 WA/WB=98/2∼20/80인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The component content W A and W B weight ratio of the content of the B component of the A is W A / W B = 98 / 2~20 / 80 of the positive photosensitive resin composition according to claim.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 C는 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기의 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112012089092645-pat00055
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the component C is an oxime sulfonate compound having at least one of oximesulfonate moieties represented by formula (c0).
Figure 112012089092645-pat00055
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 알콕시기이며, 상기 성분 X의 함유량은 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein at least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) are alkoxy groups, and the content of the component X is 0.1% by weight or more based on the total of the components excluding the solvent of the resin composition. Composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 알콕시기이며, 상기 구성 단위(X1)의 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
At least two of R among X1 X3 ~R the structural unit (X1) is an alkoxy group, and at least two of R X1 ~R X3 of the structural unit (X1) is positive, characterized in that a methoxy group or an ethoxy group Sensitive resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 알콕시기이며, 상기 성분 X의 함유량은 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상이며, 상기 구성 단위(X1)의 RX1∼RX3 중 적어도 2개는 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
At least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) are alkoxy groups, and the content of the component X is 0.1% by weight or more based on the total amount of the components excluding the solvent of the resin composition, Wherein at least two of R X1 to R X3 are a methoxy group or an ethoxy group.
(1) 제 1 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,
(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정,
(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 및
(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
(1) a step of applying the positive photosensitive resin composition described in (1) above onto a substrate,
(2) a step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) a step of exposing the photosensitive resin composition from which the solvent has been removed by an actinic ray,
(4) a step of developing the exposed photosensitive resin composition by an aqueous developer, and
(5) a post-baking step of thermally curing the developed photosensitive resin composition.
제 13 항에 있어서,
상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
14. The method of claim 13,
And a step of exposing the developed photosensitive resin composition to the whole before the post-baking step after the developing step.
제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
(6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
The method according to claim 13 or 14,
(6) The method for forming a cured film, further comprising a step of performing dry etching on the substrate having the cured film obtained by thermosetting.
제 13 항에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed by the method for forming a cured film according to claim 13. 제 16 항에 있어서,
층간 절연막인 것을 특징으로 하는 경화막.
17. The method of claim 16,
Wherein the cured film is an interlayer insulating film.
제 16 항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. An organic EL display device comprising the cured film according to claim 16. 제 16 항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 16.
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