JP5488176B2 - Positive radiation-sensitive composition, interlayer insulating film and method for forming the same - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示素子(LCD)、有機EL表示素子(OLED)等の表示素子の層間絶縁膜の形成材料として好適なポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される層間絶縁膜、及びその層間絶縁膜の形成方法に関する。   The present invention relates to a positive radiation sensitive composition suitable as a material for forming an interlayer insulating film of a display element such as a liquid crystal display element (LCD) or an organic EL display element (OLED), and an interlayer insulating film formed from the composition. And a method of forming the interlayer insulating film.

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、ポジ型感放射線性組成物が幅広く使用されている。このような層間絶縁膜を形成する際に用いられるポジ型感放射線性組成物には良好な放射線感度及び保存安定性が、得られる層間絶縁膜には優れた耐熱性や透明性等が求められる。   The display element is generally provided with an interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers. As the material for forming the interlayer insulating film, positive radiation-sensitive compositions are widely used because the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and a material having sufficient flatness is preferable. The positive radiation sensitive composition used in forming such an interlayer insulating film is required to have good radiation sensitivity and storage stability, and the obtained interlayer insulating film is required to have excellent heat resistance and transparency. .

上記ポジ型感放射線性組成物の成分としては、アクリル系樹脂が広く採用されており、例えば特開2009−98673号公報には、酸解離性基を含む構造単位を有し、この酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性になる樹脂、カルボキシル基と反応して共有結合を生成し得る官能基(エポキシ基等)を含む構造単位を有する樹脂、並びに酸発生剤を含有するポジ型感光性組成物が提案されている。この組成物は、上記2種類の特定の樹脂を混合しており、塗膜形成後、酸の作用により酸解離性基を含む構造単位を有する樹脂から生成したカルボキシル基と、エポキシ基等を含む構造単位を有する樹脂との架橋反応により硬化するよう構成されている。しかしながら、架橋反応の進行が不充分であることに起因してか、得られる硬化膜の表面硬度及び耐溶剤性は満足のいくレベルではない。   As a component of the positive radiation sensitive composition, an acrylic resin is widely adopted. For example, JP 2009-98673 A has a structural unit containing an acid dissociable group, and this acid dissociation property. Resin that becomes alkali-soluble when the group is dissociated, Resin having a structural unit containing a functional group that can react with a carboxyl group to form a covalent bond (such as an epoxy group), and a positive photosensitive material containing an acid generator Compositions have been proposed. This composition is a mixture of the above two types of specific resins, and contains a carboxyl group generated from a resin having a structural unit containing an acid dissociable group by the action of an acid after the formation of a coating film, an epoxy group, and the like. It is configured to be cured by a crosslinking reaction with a resin having a structural unit. However, the surface hardness and solvent resistance of the obtained cured film are not satisfactory levels due to insufficient progress of the crosslinking reaction.

特開2009−98673号公報JP 2009-98673 A

このような現状に対し、エポキシ系材料の硬化剤として用いられているアミン化合物の添加により架橋反応を進行させる方策も考えられる。ただ、一般的なアミン化合物の添加では、組成物中に存在するエポキシ基との経時的な反応を招来し、保存安定性が低下することがある。   In order to cope with such a current situation, it is conceivable to promote a crosslinking reaction by adding an amine compound used as a curing agent for an epoxy material. However, the addition of a general amine compound may cause a reaction with time with an epoxy group present in the composition, resulting in a decrease in storage stability.

そこで、アミン化合物を酸で脱離する保護基により保護して反応性を低下させて、上記組成物の保存安定性を確保するという方策も考えられる。その上で、硬化膜の形成過程で発生した酸により保護基を脱離すれば、アミン化合物をエポキシ基との架橋反応に供することができる。しかしながら、この場合、酸解離性基の解離によってアルカリ不溶性樹脂がアルカリ可溶性となる反応と、エポキシ基のアミン化合物による架橋反応とが同時に進行してしまい、上記組成物がポジ型の感放射線特性を発揮することができなくなるおそれがある。   Therefore, it is also conceivable to protect the amine compound with a protecting group capable of leaving with an acid to reduce the reactivity to ensure the storage stability of the composition. In addition, if the protecting group is eliminated by an acid generated in the process of forming the cured film, the amine compound can be subjected to a crosslinking reaction with an epoxy group. However, in this case, the reaction in which the alkali-insoluble resin becomes alkali-soluble due to the dissociation of the acid-dissociable group and the crosslinking reaction with the amine compound of the epoxy group proceed simultaneously, and the composition exhibits positive radiation sensitive characteristics. There is a risk that it can no longer be demonstrated.

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、表面硬度及び耐溶剤性に優れ、一般的な要求特性である透過率及び電圧保持率を有する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ保存安定性に優れ、充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。   The present invention has been made based on the above circumstances, and its purpose is to provide an interlayer insulating film having excellent surface hardness and solvent resistance, and having transmittance and voltage holding ratio which are general required characteristics. A positive-type radiation-sensitive composition that can be formed and has excellent storage stability and sufficient radiation sensitivity, an interlayer insulating film formed from the composition, and a method for forming the interlayer insulating film is there.

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式(I)で表される基を含む構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位と下記式(II)で表される構造が窒素原子に結合した基(以下、「窒素含有基」ともいう)を含む構造単位(2)とを有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう)、及び
[B]酸発生体
を含有するポジ型感放射線性組成物である。

Figure 0005488176
(式(I)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル又はアリール基であり、これらのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい(但し、R及びRが共に水素原子である場合はない)。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(R3mで表される基(MはSi、Ge又はSnであり、R3mはアルキル基である。)であり、これらの水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。RとRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。)
Figure 0005488176
(式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基である。R及びRは、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキル基若しくは炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基であるか、又はR及びRが互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基を形成する。*は窒素原子と結合する結合手である。) The invention made to solve the above problems is
[A] In the same or different polymer molecules, a structural unit (1) containing a group represented by the following formula (I), an epoxy group-containing structural unit, and a structure represented by the following formula (II) A polymer (hereinafter also referred to as “[A] polymer”) having a structural unit (2) containing a bonded group (hereinafter also referred to as “nitrogen-containing group”), and [B] an acid generator It is a positive radiation sensitive composition.
Figure 0005488176
(In Formula (I), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and a part of the hydrogen atoms of these alkyl group, cycloalkyl group or aryl group) Alternatively, all may be substituted with a substituent (provided that R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms) R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or —M (R 3m ) is a group represented by 3 (M is Si, Ge or Sn, R 3m is an alkyl group), and some or all of these hydrogen atoms are substituted with substituents. R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether.)
Figure 0005488176
(In the formula (II), R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms. R 5 and R 6 are each independently An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, or R 5 and R 6 are bonded to each other, and carbon together with the carbon atom to which they are bonded (Forms a divalent alicyclic hydrocarbon group of formula 4 to 20. * is a bond bonded to a nitrogen atom.)

当該ポジ型感放射線性組成物は、構造単位(2)を導入した[A]重合体を採用しており、この構造単位(2)は、アミン構造として、窒素原子部分に保護基を導入してカルバメート構造とした窒素含有基を含む。これにより、当該ポジ型感放射線性組成物は、保存時では窒素含有構造の反応性を抑制可能であり、保存安定性を向上させることができる。また、窒素含有基の保護形態として特定のカルバメート構造を採用することで、酸解離性基としての上記式(II)で表される構造の酸による解離のための活性化エネルギーより脱保護のための活性化エネルギーを高くしている。その結果、この窒素含有基は、露光時に[B]酸発生体から生じた酸によっては脱保護されず、現像後のポストベーク(Post Bake)時の熱とその熱により[B]酸発生体から生じた酸との協働作用により脱保護されることになる。従って、当該ポジ型感放射線性組成物では、露光から現像までの一連の工程でポジ型の感放射線特性を発揮することができると共に、ポストベーク時に脱保護された窒素含有基によってエポキシ基の架橋反応を充分進行させることができ、優れた表面硬度及び耐溶剤性を有する層間絶縁膜を形成することができる。   The positive radiation sensitive composition employs the [A] polymer introduced with the structural unit (2), and the structural unit (2) introduces a protecting group into the nitrogen atom portion as an amine structure. Containing nitrogen-containing groups with carbamate structure. Thereby, the said positive radiation sensitive composition can suppress the reactivity of a nitrogen-containing structure at the time of storage, and can improve storage stability. Further, by adopting a specific carbamate structure as the protection form of the nitrogen-containing group, it is possible to deprotect from the activation energy for dissociation by the acid of the structure represented by the above formula (II) as the acid dissociable group The activation energy is increased. As a result, the nitrogen-containing group is not deprotected by the acid generated from the [B] acid generator at the time of exposure, and the [B] acid generator is generated by heat during post-baking after development and its heat. It will be deprotected by the cooperative action with the acid generated from. Therefore, the positive radiation-sensitive composition can exhibit positive radiation-sensitive characteristics in a series of steps from exposure to development, and crosslinks an epoxy group with a nitrogen-containing group that is deprotected during post-baking. The reaction can proceed sufficiently and an interlayer insulating film having excellent surface hardness and solvent resistance can be formed.

当該ポジ型感放射線性組成物では、上記構造単位(2)が、下記式(2−1)で表される構造単位(以下、「構造単位(2−1)」ともいう)であることが好ましい。

Figure 0005488176
(式(2−1)中、R、R及びRの定義は上記式(II)と同じである。Rは水素原子又はメチル基であり、Xは炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。Rは水素原子又は炭素数1〜20の1価の炭化水素基であり、X及びRが互いに結合して、それらが結合している窒素原子と共に炭素数4〜20の複素環構造を形成してもよい。) In the positive radiation sensitive composition, the structural unit (2) is a structural unit represented by the following formula (2-1) (hereinafter also referred to as “structural unit (2-1)”). preferable.
Figure 0005488176
(In Formula (2-1), the definitions of R 4 , R 5 and R 6 are the same as those in Formula (II) above. R 7 is a hydrogen atom or a methyl group, and X is 2 having 1 to 20 carbon atoms. R 8 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and X and R 8 are bonded to each other, together with the nitrogen atom to which they are bonded, 4 to 20 heterocyclic structures may be formed.)

上記構造単位(2)が、具体的に上記式(2−1)で表される特定の構造を有すると、構造単位(2)を与える単量体の重合性が優れることとなるため、構造単位(2)の[A]重合体への組み込み割合を高くすることができ、これにより、当該ポジ型感放射線性組成物は、優れたエポキシ基架橋機能を発揮することができる。その結果、当該ポジ型感放射線性組成物を用いて得られる層間絶縁膜では、優れた表面硬度及び耐溶剤性を発揮することができる。   When the structural unit (2) specifically has a specific structure represented by the formula (2-1), the monomer that gives the structural unit (2) has excellent polymerizability. The incorporation ratio of the unit (2) into the [A] polymer can be increased, whereby the positive radiation-sensitive composition can exhibit an excellent epoxy group crosslinking function. As a result, an interlayer insulating film obtained using the positive radiation sensitive composition can exhibit excellent surface hardness and solvent resistance.

当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子の層間絶縁膜を形成するために好適に用いることができる。   The positive radiation sensitive composition can be suitably used for forming an interlayer insulating film of a display element.

本発明の表示素子用層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を含む。
The method for forming an interlayer insulating film for a display element according to the present invention includes:
(1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).

当該ポジ型感放射線性組成物を用いる本発明の形成方法により、表面硬度及び耐溶剤性に優れ、充分な透過率及び電圧保持率を有する層間絶縁膜を形成することができる。   By the formation method of the present invention using the positive radiation sensitive composition, an interlayer insulating film having excellent surface hardness and solvent resistance, and sufficient transmittance and voltage holding ratio can be formed.

当該ポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子の層間絶縁膜も本発明に好適に含まれる。   An interlayer insulating film of a display element formed from the positive radiation sensitive composition is also suitably included in the present invention.

以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記[A]及び[B]成分を含んでいることによって、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性をバランス良く満たすと共に、優れた表面硬度及び耐溶剤性を有する層間絶縁膜を形成することができる。また、当該ポジ型感放射線性組成物は、優れた保存安定性を有し、かつ充分な放射線感度を発現する。   As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention contains the above-described components [A] and [B], thereby satisfying the general required characteristics of transmittance and voltage holding ratio in a well-balanced manner. In addition, an interlayer insulating film having excellent surface hardness and solvent resistance can be formed. Moreover, the positive radiation sensitive composition has excellent storage stability and exhibits sufficient radiation sensitivity.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有し、さらにその他の任意成分を含有してもよい。   The positive radiation sensitive composition of the present invention contains a [A] polymer and a [B] acid generator, and may further contain other optional components.

<[A]重合体>
[A]重合体は、同一又は異なる重合体分子中に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位と構造単位(2)とを有しており、必要に応じてその他の構造単位を有していてもよい。構造単位(1)、エポキシ基含有構造単位及び構造単位(2)を有する[A]重合体の態様としては特に限定されず、例えば
(i)一の重合体分子中に構造単位(1)、エポキシ基含有構造単位及び構造単位(2)の全てを有しており、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合、
(ii)一の重合体分子中に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位を有し、それとは異なる重合体分子中に構造単位(2)を有しており、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合、
(iii)一の重合体分子中に構造単位(1)及び構造単位(2)を有し、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有しており、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合、
(iv)一の重合体分子中にエポキシ基含有構造単位及び構造単位(2)を有し、それとは異なる重合体分子中に構造単位(1)を有しており、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合、
(v)一の重合体分子中に構造単位(1)を有すると共に、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有し、これらとはさらに異なる重合体分子中に構造単位(2)を有しており、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合、
(vi)(i)〜(v)に規定の各重合体分子を組み合わせて含む場合
(vii)(i)〜(vi)に規定の重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子が存在する場合
等が挙げられる。上記いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。以下、構造単位(1)、エポキシ基含有構造単位、構造単位(2)及びその他の構造単位について順に説明する。
<[A] polymer>
[A] The polymer has the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, and the structural unit (2) in the same or different polymer molecules, and other structural units as necessary. It may be. The embodiment of the [A] polymer having the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit and the structural unit (2) is not particularly limited. For example, (i) the structural unit (1) in one polymer molecule, When all of the epoxy group-containing structural unit and the structural unit (2) are present, and [A] one polymer molecule is present in the polymer,
(Ii) having a structural unit (1) and an epoxy group-containing structural unit in one polymer molecule, and having a structural unit (2) in a different polymer molecule, [A] in the polymer If there are two polymer molecules in
(Iii) One polymer molecule has the structural unit (1) and the structural unit (2), and a polymer molecule different from the structural unit (1) has an epoxy group-containing structural unit, and [A] If there are two polymer molecules in
(Iv) It has an epoxy group-containing structural unit and a structural unit (2) in one polymer molecule, and has a structural unit (1) in a different polymer molecule, [A] in the polymer If there are two polymer molecules in
(V) having a structural unit (1) in one polymer molecule, and having an epoxy group-containing structural unit in a polymer molecule different from the structural unit (1), and further having a structural unit (2 And [A] when three kinds of polymer molecules are present in the polymer,
(Vi) When each of the polymer molecules specified in (i) to (v) is included in combination (vii) In addition to the polymer molecules specified in (i) to (vi), [A] is further separated in the polymer In the case where one or two or more polymer molecules are present. In either case, the effects of the present invention can be enjoyed. Hereinafter, the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, the structural unit (2), and other structural units will be described in order.

<構造単位(1)>
構造単位(1)では、上記式(I)で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基(以下、単に「酸解離性基」ともいう。)として存在しているので、放射線の照射により酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった[A]重合体はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。
<Structural unit (1)>
In the structural unit (1), the group represented by the above formula (I) is present as a group that dissociates in the presence of an acid to generate a polar group (hereinafter also simply referred to as “acid-dissociable group”). Therefore, the acid-dissociable group is dissociated by the acid generated from the acid generator upon irradiation with radiation, and as a result, the [A] polymer that has been insoluble in alkali becomes alkali-soluble. The acid dissociable group has an acetal structure or a ketal structure that is relatively stable with respect to an alkali, and these are dissociated by the action of an acid.

上記式(I)においてR及びRで表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30の直鎖状及び分岐状アルキル基が挙げられ、このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記アルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状アルキル基を挙げることができる。 Examples of the alkyl group represented by R 1 and R 2 in the above formula (I) include linear and branched alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, and an oxygen atom and a sulfur atom in the alkyl chain. And may have a nitrogen atom. Specific examples of the alkyl group include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, and n-tetradecyl group. A branched alkyl group such as a straight-chain alkyl group such as n-octadecyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group Can do.

上記式(I)においてR及びRで表されるシクロアルキル基としては、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記シクロアルキル基の具体例としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。 In the above formula (I), the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, may be polycyclic, and has an oxygen atom in the ring. Also good. Specific examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a bornyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group.

上記式(I)においてR及びRで表されるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記アリール基の具体例としては、例えばフェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。 In the above formula (I), the aryl group represented by R 1 and R 2 is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be a single ring or a structure in which single rings are connected, It may be a condensed ring. Specific examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group.

上記R及びRの水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基(このシクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基の説明を好適に適用することができる。)、アリール基(このアリール基としては、上記アリール基の説明を好適に適用することができる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20のアシル基であり、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i−ブチリル基等が挙げられる。)、アシロキシ基(好ましくは炭素数2〜10のアシロキシ基であり、例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t−ブチリルオキシ基、t−アミリルオキシ基等が挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等が挙げられる。)、ハロアルキル基(上記アルキル基又はシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、フルオロシクロプロピル基、フルオロシクロブチル基等が挙げられる。)等が挙げられる。アリール基、シクロアルキル基等における環状構造については、さらなる置換基としては上記アルキル基を挙げることができる。 Some or all of the hydrogen atoms of R 1 and R 2 may be substituted with a substituent. As such a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (for this cycloalkyl group, the description of the cycloalkyl group can be preferably applied. ), An aryl group (as the aryl group, the above description of the aryl group can be preferably applied), an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, such as a methoxy group, ethoxy Group, propoxy group, n-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, etc.), acyl group (preferably an acyl group having 2 to 20 carbon atoms, for example, acetyl Group, propionyl group, butyryl group, i-butyryl group, etc.), acyloxy group (preferably An acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, such as an acetoxy group, an ethylyloxy group, a butyryloxy group, a t-butyryloxy group, a t-amylyloxy group, etc.), an alkoxycarbonyl group (preferably having a carbon number of 2 to 20). An alkoxycarbonyl group, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, etc.), a haloalkyl group (a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or cycloalkyl group are substituted with halogen atoms). And examples thereof include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a fluorocyclopropyl group, and a fluorocyclobutyl group. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the further substituent include the above alkyl groups.

上記式(I)においてRで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基はR及びRでの説明を適用することができる。上記式(I)においてRで表されるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。上記式(1)においてRの−M(R3mで表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このRで表されるアラルキル基又は−M(R3mで表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。 In the above formula (I), the description of R 1 and R 2 can be applied to the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 . The aralkyl group represented by R 3 in the above formula (I) is preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. . The group represented by -M (R 3m) 3 of R 3 in the above formula (1), for example trimethylsilanyl group, trimethylgermyl group and the like. As the substituent which may substitute part or all of the hydrogen atoms of the aralkyl group represented by R 3 or the group represented by —M (R 3m ) 3 , the above substituents are preferably employed. be able to.

とRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。このような環状エーテルとしては、例えば2−オキセタニル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピラニル基、2−ジオキサニル基等が挙げられる。この環状エーテルの水素原子の一部又は全部は上記置換基で置換されていてもよい。 R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether. Examples of such cyclic ethers include 2-oxetanyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, 2-dioxanyl group and the like. Some or all of the hydrogen atoms of the cyclic ether may be substituted with the above substituents.

構造単位(1)は、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。   The structural unit (1) can have an acetal structure or a ketal structure by having a functional group that should have an acetal structure or a ketal structure by bonding to another carbon atom.

上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1−メトキシエトキシ基、1−エトキシエトキシ基、1−n−プロポキシエトキシ基、1−i−プロポキシエトキシ基、1−n−ブトキシエトキシ基、1−i−ブトキシエトキシ基、1−sec−ブトキシエトキシ基、1−t−ブトキシエトキシ基、1−シクロペンチルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−ノルボルニルオキシエトキシ基、1−ボルニルオキシエトキシ基、1−フェニルオキシエトキシ基、1−(1−ナフチルオキシ)エトキシ基、1−ベンジルオキシエトキシ基、1−フェネチルオキシエトキシ基、(シクロヘキシル)(メトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(エトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(フェノキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(メトキシ)メトキシ基、(フェニル)(エトキシ)メトキシ基、(フェニル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(フェノキシ)メトキシ基、(フェニル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(メトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(エトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(フェノキシ)メトキシ基、(ベンジル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、2−テトラヒドロフラニルオキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基、1−トリメチルシラニルオキシエトキシ基、1−トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等を挙げることができる。   Examples of the functional group that should have an acetal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxyethoxy. Group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-i-butoxyethoxy group, 1-sec-butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1- Norbornyloxyethoxy group, 1-bornyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (cyclohexyl) (Methoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (ethoxy) methoxy group (Cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (i-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (benzyloxy) methoxy group , (Phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) methoxy group, (phenyl) (n-propoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) (cyclohexyloxy) methoxy group , (Phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (benzyloxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) methoxy group, (benzyl) (n-propoxy) methoxy group, Benzyl) (i-propo Ii) methoxy group, (benzyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (benzyl) (phenoxy) methoxy group, (benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1 -A trimethylsilanyloxyethoxy group, a 1-trimethylgermyloxyethoxy group, etc. can be mentioned.

これらのうち、1−エトキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基、1−n−プロポキシエトキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基を好ましいものとして挙げることができる。   Among these, 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group, and 2-tetrahydropyranyloxy group can be mentioned as preferable examples.

上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば、1−メチル−1−メトキシエトキシ基、1−メチル−1−エトキシエトキシ基、1−メチル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−メチル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−メチル−1−n−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−i−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−sec−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−t−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロペンチルオキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−メチル−1−ノルボルニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−ボルニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−(1−ナフチルオキシ)エトキシ基、1−メチル−1−ベンジルオオキシエトキシ基、1−メチル−1−フェネチルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−メトキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−エトキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−フェノキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−ベンジルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−メトキシエトキシ基、1−フェニル−1−エトキシエトキシ基、1−フェニル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−フェニル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−フェニル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−ベンジルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−メトキシエトキシ基、1−ベンジル−1−エトキシエトキシ基、1−ベンジル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−ベンジル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−ベンジル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−ベンジルオキシエトキシ基、2−(2−メチル−テトラヒドロフラニル)オキシ基、2−(2−メチル−テトラヒドロピラニル)オキシ基、1−メトキシ−シクロペンチルオキシ基、1−メトキシ−シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the functional group that should have a ketal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, 1-methyl- 1-n-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1- sec-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-t-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxy Ethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-methyl-1- (1-na Tiloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzyloxyoxyethoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-ethoxyethoxy group, 1- Cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyl Oxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, 1-phenyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-i-propoxyethoxy group, Phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group 1-phenyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-methoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n- Propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxyethoxy group, 2 -(2-Methyl-tetrahydrofuranyl) oxy group, 2- (2-methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, 1-methoxy-cyclopentyloxy group, 1-methoxy-cyclohexyloxy group and the like can be mentioned.

これらのうち、1−メチル−1−メトキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基を好ましいものとして挙げることができる。   Among these, 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group can be mentioned as preferable ones.

上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位(1)の具体例としては、例えば下記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位が挙げられる。   Specific examples of the structural unit (1) having the acetal structure or ketal structure include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-3).

Figure 0005488176
(式(1−1)及び(1−3)中、R´は水素原子又はメチル基である。R、R及びRは上記式(I)の説明と同義である。)
Figure 0005488176
(In the formulas (1-1) and (1-3), R ′ is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 , R 2 and R 3 have the same meanings as in the description of the above formula (I).)

上記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位(1)を与えるラジカル重合性を有する単量体(以下、単に「アセタール構造含有単量体」ともいう。)としては、例えば
1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、1−(シクロアルキルオキシ)アルキル(メタ)アクリレート、1−(ハロアルコキシ)アルキル(メタ)アクリレート、1−(アラルキルオキシ)アルキル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレート系アセタール構造含有単量体;
2,3−ジ(1−(トリアルキルシラニルオキシ)アルコキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリアルキルゲルミルオキシ)アルコキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−アルコキシアルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロアルキルオキシ)アルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(アラルキルオキシ)アルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;
1−アルコキシアルコキシスチレン、1−(ハロアルコキシ)アルコキシスチレン、1−(アラルキルオキシ)アルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体
等が挙げられる。
As a monomer having radical polymerizability that gives the structural unit (1) represented by the above formulas (1-1) to (1-3) (hereinafter also simply referred to as “acetal structure-containing monomer”). For example, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl (meth) acrylate, tetrahydropyrani (Meth) acrylate-based acetal structure-containing monomers such as ru (meth) acrylate;
2,3-di (1- (trialkylsilanyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylgermyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2, 3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (aralkyloxy) alkoxycarbonyl ) Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as -5-norbornene;
Examples thereof include styrene acetal structure-containing monomers such as 1-alkoxyalkoxystyrene, 1- (haloalkoxy) alkoxystyrene, 1- (aralkyloxy) alkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene.

これらの中で、1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート、1−アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレートがより好ましい。   Among these, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate is more preferable.

上記構成単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体の具体例としては、例えば、
1−エトキシエチルメタクリレート、1−メトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、1−イソブトキシエチルメタクリレート、1−t−ブトキシエチルメタクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルメタクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルメタクリレート、1−n−プロポキシエチルメタクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレート、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート等のメタクリレート系アセタール構造含有単量体;
1−エトキシエチルアクリレート、1−メトキシエチルアクリレート、1−n−ブトキシエチルアクリレート、1−イソブトキシエチルアクリレート、1−t−ブトキシエチルアクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルアクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルアクリレート、1−n−プロポキシエチルアクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルアクリレート、1−ベンジルオキシエチルアクリレート、2−テトラヒドロピラニルアクリレート等のアクリレート系アセタール構造含有単量体;
2,3−ジ(1−(トリメチルシラニルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリメチルゲルミルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−メトキシエトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロヘキシルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(ベンジルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;
p又はm−1−エトキシエトキシスチレン、p又はm−1−メトキシエトキシスチレン、p又はm−1−n−ブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−イソブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−クロルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−エチルヘキシルオキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p又はm−1−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm−1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−ベンジルオキシエトキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体
等を挙げることができる。上記構造単位(1)は、1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the acetal structure-containing monomer that gives the structural unit (1) include, for example,
1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2 -Ethylhexyloxy) methacrylates such as 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate Acetal structure-containing monomer;
1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl acrylate, 1- (2 -Ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate, etc. Acetal structure-containing monomer;
2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3- Di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5 A monomer containing a norbornene-based acetal structure such as norbornene;
p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- ( 1,1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-ethylhexyloxy) ethoxystyrene, p or m-1-n-propoxyethoxy Styrene acetal structure-containing monomers such as styrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1-benzyloxyethoxystyrene, etc. Can be mentioned. The said structural unit (1) can be used 1 type or in combination of 2 or more types.

上記構成単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体の中でも、1−エトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。   Among the acetal structure-containing monomers that give the structural unit (1), 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, and 1-benzyloxyethyl methacrylate are preferable.

構造単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式(1−1)で表される構造単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体は、下記に示すように(メタ)アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。   A commercially available thing may be used for the acetal structure containing monomer which gives structural unit (1), and what was synthesize | combined by the well-known method can also be used. For example, the acetal structure-containing monomer that gives the structural unit (1) represented by the above formula (1-1) reacts (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below. Can be synthesized.

Figure 0005488176
(式中、R´、R及びRは、それぞれ上記式(1−1)におけるR´、R及びRに対応し、R21及びR22は、−CH(R21)(R22)として、上記式(1−1)におけるRに対応する。)
Figure 0005488176
(In the formula, R ′, R 1 and R 3 respectively correspond to R ′, R 1 and R 3 in the above formula (1-1), and R 21 and R 22 represent —CH (R 21 ) (R 22 ) corresponds to R 2 in the above formula (1-1).)

[A]重合体における構造単位(1)の含有量としては、[A]重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位と構造単位(2)とを有する場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、5質量%以上70質量%以下が好ましく、10質量%以上60質量%以下がより好ましく、20質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   [A] The content of the structural unit (1) in the polymer is not particularly limited as long as the polymer [A] is alkali-soluble by acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film. When the polymer molecule has the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, and the structural unit (2), the monomer charge ratio is 5% by mass with respect to all structural units contained in the [A] polymer. 70 mass% or less is preferable, 10 mass% or more and 60 mass% or less are more preferable, and 20 mass% or more and 50 mass% or less are especially preferable.

一方、必須の3構造単位のうち、一の重合体分子に構造単位(1)単独、又は構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位若しくは構造単位(2)とを有する場合、構造単位(1)を有するその一の重合体分子における構造単位(1)の含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、5質量%以上60質量%以下が好ましく、10質量%以上50質量%以下がより好ましく、15質量%以上45質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, among the essential three structural units, when one polymer molecule has the structural unit (1) alone or the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit or structural unit (2), the structural unit (1 The content of the structural unit (1) in the one polymer molecule having) is 5% by mass or more and 60% by mass or less in the monomer charge ratio with respect to all the structural units contained in the polymer molecule. Is preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less, and particularly preferably 15% by mass or more and 45% by mass or less.

<エポキシ基含有構造単位>
[A]重合体は、上記構造単位(1)及び後述の構造単位(2)と共に、エポキシ基含有構造単位を有する。エポキシ基含有構造単位は、ラジカル重合性を有するエポキシ基含有単量体に由来する構造単位である。このエポキシ基としては、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)が挙げられる。[A]重合体が分子中にオキシラニル基又はオキセタニル基等を含む構造単位を有することで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の表面硬度及び耐溶剤性をさらに高めることができる。
<Epoxy group-containing structural unit>
[A] A polymer has an epoxy group containing structural unit with the said structural unit (1) and the below-mentioned structural unit (2). The epoxy group-containing structural unit is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer having radical polymerizability. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). [A] When the polymer has a structural unit containing an oxiranyl group or an oxetanyl group in the molecule, the surface hardness and solvent resistance of the cured film obtained from the positive radiation-sensitive composition can be further increased. .

上記エポキシ基含有構造単位を与えるエポキシ基含有単量体の具体例としては、例えば
アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−3−メチル−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3−エチル−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−メチル−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−エチル−5,6−エポキシヘキシル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル等のエポキシアルキル基含有(メタ)アクリル系化合物;
3,4−エポキシシクロへキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルメチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルエチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルプロピルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルブチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルヘキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルエチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルプロピルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルブチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルヘキシルアクリレート等のエポキシシクロアルキル基含有(メタ)アクリル系化合物
等のオキシラニル基含有(メタ)アクリル系化合物;
Specific examples of the epoxy group-containing monomer that gives the epoxy group-containing structural unit include, for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, and acrylic. Acid-3-methyl-3,4-epoxybutyl, methacrylate-3-ethyl-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid Contains epoxyalkyl groups such as 5-methyl-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5-ethyl-5,6-epoxyhexyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl (Meth) acrylic compounds;
3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohex Xylbutyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl acrylate, 3,4 -Epoxy cycloalkyl group-containing (meth) acrylic compounds such as epoxy cyclohexyl propyl acrylate, 3,4-epoxy cyclohexyl butyl acrylate, 3,4-epoxy cyclohexyl hex acrylate, etc. Oxiranyl group-containing (meth) acrylic compounds;

o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;
o−ビニルフェニルグリシジルエーテル、m−ビニルフェニルグリシジルエーテル、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;
o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-p-vinyl Vinyl benzyl glycidyl ethers such as benzyl glycidyl ether;
vinyl phenyl glycidyl ethers such as o-vinyl phenyl glycidyl ether, m-vinyl phenyl glycidyl ether, p-vinyl phenyl glycidyl ether;

3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン等の3−(アクリロイルオキシアルキル)オキセタン類;   3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3 -3- (acryloyloxyalkyl) oxetanes such as phenyloxetane;

3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン等の3−(メタクリロイルオキシアルキル)オキセタン類;   3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3 -3- (methacryloyloxyalkyl) oxetanes such as phenyloxetane;

2−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等の2−(アクリロイルオキシアルキル)オキセタン類;   2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2 -2- (acryloyloxyalkyl) oxetanes such as phenyloxetane;

2−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等の2−(メタクリロイルオキシアルキル)オキセタン類
等のオキセタニル基含有(メタ)アクリル系化合物等を挙げることができる。上記エポキシ基含有構造単位は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2 -Oxetanyl group containing (meth) acrylic compounds, such as 2- (methacryloyloxyalkyl) oxetanes, such as phenyl oxetane. The said epoxy group containing structural unit can be used individually or in combination of 2 or more types.

上記エポキシ基含有単量体の中でも、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−2−メチルグリシジル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタンが他のラジカル重合性単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。   Among the above epoxy group-containing monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-Methyloxetane and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and developability of the positive radiation sensitive composition.

[A]重合体におけるエポキシ基含有構造単位の含有量としては、層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位と構造単位(2)とを有する場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、10質量%以上60質量%以下が好ましく、15質量%以上55質量%以下がより好ましく、20質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   [A] The content of the epoxy group-containing structural unit in the polymer is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the interlayer insulating film is exhibited, and the structural unit (1) and the epoxy group are contained in one polymer molecule. When the structural unit and the structural unit (2) are included, the monomer charge ratio is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, and preferably 15% by mass or more with respect to all the structural units contained in the [A] polymer. 55 mass% or less is more preferable, and 20 mass% or more and 50 mass% or less are especially preferable.

一方、必須の3構造単位のうち、一の重合体分子にエポキシ基含有構造単位単独、又はエポキシ基含有構造単位と構造単位(1)若しくは構造単位(2)とを有する場合、エポキシ基含有構造単位を有する一の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位の含有量としては、単量体仕込み比で、20質量%以上80質量%以下が好ましく、30質量%以上70質量%以下がより好ましく、35質量%以上65質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, among the essential three structural units, when one polymer molecule has an epoxy group-containing structural unit alone or an epoxy group-containing structural unit and the structural unit (1) or the structural unit (2), the epoxy group-containing structure The content of the epoxy group-containing structural unit with respect to all the structural units contained in one polymer molecule having a unit is preferably 20% by mass or more and 80% by mass or less, more preferably 30% by mass or more and 70% by mass in terms of monomer charge ratio. % Or less is more preferable, and 35 mass% or more and 65 mass% or less is especially preferable.

<構造単位(2)>
[A]重合体は、上記式(II)で表される構造が窒素原子に結合する窒素含有基を含む構造単位(2)を有する。構造単位(2)は、窒素含有基を含む単量体(以下、「窒素基含有単量体」ともいう)に由来する構造単位である。構造単位(2)では、ポストベーク時における酸及び熱の作用によって窒素含有基の脱保護が進み、露出したアミン部分(窒素原子部分)によってエポキシ基の架橋反応が充分進行することになる。
<Structural unit (2)>
[A] The polymer has a structural unit (2) containing a nitrogen-containing group in which the structure represented by the formula (II) is bonded to a nitrogen atom. The structural unit (2) is a structural unit derived from a monomer containing a nitrogen-containing group (hereinafter also referred to as “nitrogen group-containing monomer”). In the structural unit (2), deprotection of the nitrogen-containing group proceeds by the action of acid and heat during post-baking, and the crosslinking reaction of the epoxy group proceeds sufficiently by the exposed amine portion (nitrogen atom portion).

上記式(II)のRで表される炭素数1〜4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4 in the formula (II) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, and a t-butyl group. Can be mentioned. Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms include cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, norbornyl group, tricyclodecyl group, tetracyclododecyl group, adamantyl group and the like. It is done.

上記式(II)のR及びRで表される炭素数1〜4のアルキル基並びに炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基としては、上記式(II)のRの定義を適用することができる。また、上記式(II)のR及びRが互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に形成される炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基、ノルボルナンジイル基、トリシクロデカンジイル基、テトラシクロドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms represented by R 5 and R 6 in the above formula (II) include R 4 in the above formula (II). The definition of can be applied. Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms formed together with the carbon atom to which R 5 and R 6 in the formula (II) are bonded to each other include, for example, Examples thereof include a cyclobutanediyl group, a cyclopentanediyl group, a cyclohexanediyl group, a cyclooctanediyl group, a norbornanediyl group, a tricyclodecanediyl group, a tetracyclododecandiyl group, and an adamantanediyl group.

上記構造単位(2)は、上記式(2−1)で表される構造単位であることが好ましい。上記式(2−1)のXで表される炭素数1〜20の2価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、i−プロピレン基、n−ブチレン基、n−ペンチレン基、n−ヘキシレン基、n−ヘプチレン基、n−オクチレン基、n−ノニレン基、n−デシレン基等の炭素数1〜20の2価の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基;シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基、ノルボルナンジイル基、トリシクロデカンジイル基、テトラシクロドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の炭素数3〜20の2価の脂環式炭化水素基;フェニレン基、ナフチレン基等の炭素数6〜20のアリーレン基;ベンジレン基、フェニレンエチレン基、フェニレンプロピレン基、ナフチレンメチレン基、ナフチレンエチレン基等の炭素数7〜20のアリーレンアルキレン基等が挙げられる。これらの基のうち、炭素数2以上の基が好ましい。   The structural unit (2) is preferably a structural unit represented by the formula (2-1). Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by X in the formula (2-1) include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an i-propylene group, and an n-butylene group. , N-pentylene group, n-hexylene group, n-heptylene group, n-octylene group, n-nonylene group, n-decylene group, etc., bivalent linear or branched carbonization having 1 to 20 carbon atoms Hydrogen group; C 3-20 divalent such as cyclobutanediyl group, cyclopentanediyl group, cyclohexanediyl group, cyclooctanediyl group, norbornanediyl group, tricyclodecanediyl group, tetracyclododecanediyl group, adamantanediyl group, etc. An alicyclic hydrocarbon group; an arylene group having 6 to 20 carbon atoms such as a phenylene group or a naphthylene group; a benzylene group, a phenyleneethylene group, or a phenylenepropylene Group, naphthylene methylene group, such as arylenealkylene group having 7 to 20 carbon atoms, such as naphthylene ethylene group. Of these groups, groups having 2 or more carbon atoms are preferred.

上記式(2−1)のRで表される炭素数1〜20の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基、上記式(II)のRで表される炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基の説明で例示された基等が挙げられる。 Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 8 in the above formula (2-1) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, 2- C1-C20 straight chain such as methylpropyl group, 1-methylpropyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group or the like Examples thereof include a branched alkyl group and groups exemplified in the description of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms represented by R 4 in the above formula (II).

上記式(2−1)のX及びRが互いに結合して、それらが結合している窒素原子と共に形成される炭素数4〜20の複素環構造としては、例えばピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペリジン、ピロリジン、ピペラジン、モルホリン等の構造が挙げられる。これらの構造は、一部の水素原子が直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基で置換されたものであってもよい。 Examples of the heterocyclic structure having 4 to 20 carbon atoms formed by combining X and R 8 in the above formula (2-1) with the nitrogen atom to which they are bonded include pyrrole, imidazole, pyrazole, and pyridine. , Pyridazine, pyrimidine, pyrazine, piperidine, pyrrolidine, piperazine, morpholine and the like. These structures may have a structure in which some hydrogen atoms are substituted with a linear or branched hydrocarbon group.

上記式(II)で表される構造の具体例としては、例えば、下記式(II−1)〜(II−21)で表される構造が挙げられる。   Specific examples of the structure represented by the formula (II) include structures represented by the following formulas (II-1) to (II-21).

Figure 0005488176
Figure 0005488176

上記式(II)で表される構造としては、tert−ブチルオキシカルボニル基及びtert−アミロキシカルボニル基が好ましい。   As the structure represented by the above formula (II), a tert-butyloxycarbonyl group and a tert-amyloxycarbonyl group are preferable.

構造単位(2−1)の好ましい具体例としては、例えば下記式(2−1−1)〜(2−1−26)で表される構造単位等が挙げられる。なお、下記式中、Rは上記式(2−1)と同じ定義である。 Preferable specific examples of the structural unit (2-1) include structural units represented by the following formulas (2-1-1) to (2-1-26). In the following formulae, R 7 has the same definition as in the above formula (2-1).

Figure 0005488176
Figure 0005488176

Figure 0005488176
Figure 0005488176

[A]重合体における構造単位(2)の含有量としては、[A]重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位と構造単位(2)とを有する場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、3質量%以上40質量%以下が好ましく、5質量%以上35質量%以下がより好ましく、10質量%以上30質量%以下が特に好ましい。   [A] The content of the structural unit (2) in the polymer is not particularly limited as long as the [A] polymer is alkali-soluble by an acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film. When the polymer molecule has the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, and the structural unit (2), the monomer charge ratio is 3% by mass with respect to all the structural units contained in the [A] polymer. It is preferably 40% by mass or less, more preferably 5% by mass or more and 35% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less.

一方、必須の3構造単位のうち、一の重合体分子に構造単位(2)単独、又は構造単位(2)と構造単位(1)若しくはエポキシ基含有構造単位とを有する場合、構造単位(2)を有するその一の重合体分子における構造単位(2)の含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、10質量%以上60質量%以下が好ましく、20質量%以上55質量%以下がより好ましく、30質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, among the essential three structural units, when one polymer molecule has the structural unit (2) alone, or the structural unit (2) and the structural unit (1) or the epoxy group-containing structural unit, the structural unit (2 The content of the structural unit (2) in the one polymer molecule having) is 10% by mass or more and 60% by mass or less in the monomer charge ratio with respect to all the structural units contained in the polymer molecule. 20 mass% or more and 55 mass% or less are more preferable, and 30 mass% or more and 50 mass% or less are especially preferable.

窒素基含有単量体としては、目的とする構造単位(2)に対応する(メタ)アクリロイル基を有する単量体を好適に用いることができる。このような上記構造単位(2−1)を与える窒素基含有単量体の合成方法は、下記のスキームに従い以下の手順に従って合成することができる。

Figure 0005488176
As the nitrogen group-containing monomer, a monomer having a (meth) acryloyl group corresponding to the target structural unit (2) can be suitably used. The method for synthesizing the nitrogen group-containing monomer giving the structural unit (2-1) can be synthesized according to the following procedure according to the following scheme.
Figure 0005488176

(メタ)アクリル酸クロリドとアルコールをトリエチルアミンなどの有機アミン類存在下、テトラヒドロフランなどの溶媒中で攪拌することにより、窒素基含有単量体及び有機アミンの塩酸塩が得られる。反応溶液を分液洗浄や蒸留、再結晶など適切に処理することにより、窒素基含有単量体を単離することができる。また、酸クロリドを用いない方法として、(メタ)アクリル酸無水物を用いるアルコールのエステル化反応を用いることもできる。   By stirring (meth) acrylic acid chloride and alcohol in a solvent such as tetrahydrofuran in the presence of an organic amine such as triethylamine, a nitrogen group-containing monomer and an organic amine hydrochloride can be obtained. The nitrogen group-containing monomer can be isolated by appropriately treating the reaction solution such as separation washing, distillation, and recrystallization. As a method not using acid chloride, an esterification reaction of alcohol using (meth) acrylic anhydride can also be used.

<その他の構造単位>
その他の構造単位を与えるラジカル重合性単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有するラジカル重合性単量体等が挙げられる。
上記カルボキシル基又はその誘導体を有するラジカル重合体単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;
マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;
上記ジカルボン酸の酸無水物等を挙げることができる。
<Other structural units>
Examples of the radical polymerizable monomer that gives other structural units include a carboxyl group or a derivative thereof, a radical polymerizable monomer having a hydroxyl group, and the like.
Examples of the radical polymer monomer having a carboxyl group or a derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthal Acids, monocarboxylic acids such as 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid;
Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid;
The acid anhydride of the said dicarboxylic acid etc. can be mentioned.

上記水酸基を有するラジカル重合性単量体の例としては、
アクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル;
メタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−5−ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸−6−ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等を挙げることができる。
Examples of the radical polymerizable monomer having a hydroxyl group include
Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethylcyclohexylmethyl ester;
Methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-3-hydroxypropyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-5-hydroxypentyl ester, methacrylic acid-6-hydroxyhexyl ester, methacrylic acid-4- Mention may be made of methacrylic acid hydroxyalkyl esters such as hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester.

これらの水酸基を有するラジカル重合性単量体のうち、その他のラジカル重合性単量体との共重合反応性及び得られる層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。   Among these radical polymerizable monomers having a hydroxyl group, acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and heat resistance of the resulting interlayer insulating film, Acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, methacrylic acid -4-Hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester is preferred.

その他のラジカル重合性単量体の例としては、
アクリル酸メチル、アクリル酸i−プロピル等のアクリル酸アルキルエステル;
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル;
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸−2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル;
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸−2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル;
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル;
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル;
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル;
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル;
4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル;
Examples of other radical polymerizable monomers include
Alkyl acrylates such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;
Alkyl methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate;
Cyclohexyl acrylate, acrylate-2-methylcyclohexyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, acrylate-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] Acrylic alicyclic alkyl ester such as decan-8-yloxy) ethyl, isobornyl acrylate;
Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, methacrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decano-8-yloxy) ethyl, methacrylic acid alicyclic alkyl esters such as isobornyl methacrylate;
Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate and aralkyl esters of acrylic acid;
Aryl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate and aralkyl esters of methacrylic acid;
Dicarboxylic acid dialkyl esters such as diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate;
Unsaturated 5-membered ring methacrylates and unsaturated 6-membered ring methacrylates containing 1 atom of oxygen such as tetrahydrofurfuryl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate, tetrahydropyran-2-methyl methacrylate;
4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl- 2 oxygen atoms such as 1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane Unsaturated heterocyclic 5-membered methacrylates containing:

4−アクリロイルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2、2−ジエチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロペンチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシエチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシプロピル−2−メチル
−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシブチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル;
スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、4−イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;
N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等のN位置換マレイミド;
1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等の共役ジエン系化合物;
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物を挙げることができる。
4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2, 2-diethyl- 1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2- Cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxyethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4- Acryloyloxybutyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxola Unsaturated five-membered heterocyclic acrylic acid esters containing oxygen 2 atoms and the like;
Vinyl aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, 4-isopropenylphenol;
N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3 -N-substituted maleimides such as maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;
Conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;
Other unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride and vinyl acetate can be mentioned.

これらのその他のラジカル重合性単量体のうち、スチレン、4−イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3−ブタジエン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジル等が、上記の反応官能基を有するラジカル重合性単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。 Among these other radical polymerizable monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 1, Radical polymerizability in which 3-butadiene, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, benzyl methacrylate, etc. have the above reactive functional groups It is preferable in terms of copolymerization reactivity with the monomer and developability of the positive radiation sensitive composition.

[A]重合体のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。[A]重合体のMwを上記範囲とすることによって、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 [A] The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mw”) by GPC (gel permeation chromatography) of the polymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably. It is 5.0 * 10 < 3 > -5.0 * 10 < 4 >. [A] By making Mw of a polymer into the said range, the radiation sensitivity and alkali developability of the said positive type radiation sensitive composition can be improved.

また、[A]重合体のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)は、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。共重合体のMnを上記範囲とすることによって、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 Moreover, the number average molecular weight (hereinafter referred to as “Mn”) in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) of the [A] polymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 . Preferably it is 5.0 * 10 < 3 > -5.0 * 10 < 4 >. By setting the Mn of the copolymer within the above range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the positive radiation sensitive composition can be improved.

さらに、[A]重合体の分子量分布「Mw/Mn」は、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体のMw/Mnを3.0以下とすることにより、得られる層間絶縁膜の現像性を高めることができる。[A]重合体を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。   Furthermore, the molecular weight distribution “Mw / Mn” of the [A] polymer is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. [A] By setting Mw / Mn of the polymer to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film can be improved. [A] The positive-type radiation-sensitive composition containing a polymer can easily form a desired pattern shape without causing a development residue during development.

<[A]重合体の製造方法>
[A]重合体は、アセタール構造含有単量体、エポキシ基含有単量体、窒素基含有単量体、及びその他の構造単位を誘導する単量体のラジカル共重合により製造することができる。同一の重合体分子に構造単位(1)、エポキシ基含有構造単位及び窒素基含有単量体の全てを有する[A]重合体を製造する場合は、少なくともアセタール構造含有単量体とエポキシ基含有単量体と窒素基含有単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、例えば一の重合体分子に構造単位(1)及び構造単位(2)を有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する[A]重合体を製造する場合は、少なくともアセタール構造含有単量体と窒素基含有単量体とを含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(1)及び構造単位(2)を有する重合体分子を得ておき、別途少なくともエポキシ基含有単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位を有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して[A]重合体とすればよい。
<[A] Production method of polymer>
[A] The polymer can be produced by radical copolymerization of an acetal structure-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, a nitrogen group-containing monomer, and other structural unit-derived monomers. When producing the [A] polymer having all of the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit and the nitrogen group-containing monomer in the same polymer molecule, at least an acetal structure-containing monomer and an epoxy group What is necessary is just to copolymerize using the mixture containing a monomer and a nitrogen-group containing monomer. On the other hand, for example, when the [A] polymer having the structural unit (1) and the structural unit (2) in one polymer molecule and the epoxy group-containing structural unit in a different polymer molecule is produced, A polymer solution having the structural unit (1) and the structural unit (2) is obtained by radical polymerization of a polymerizable solution containing at least an acetal structure-containing monomer and a nitrogen group-containing monomer, and at least an epoxy group is separately obtained. The polymerizable solution containing the containing monomer may be radically polymerized to obtain a polymer molecule having an epoxy group-containing structural unit, and finally both are mixed to form the [A] polymer.

[A]重合体を製造するための重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等を挙げることができる。   [A] Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the polymer include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, and propylene glycol monoalkyls. Examples include ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等;
エーテル類として、例えばテトラヒドロフラン等;
グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;
ジエチレングリコールアルキルエーテルとして、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;
These solvents include
Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like;
Ethers such as tetrahydrofuran;
Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether;
Examples of ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like;

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとして、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;
芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレン等;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等;
Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate;
As propylene glycol monoalkyl ether propionate, for example, propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and the like;

他のエステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類をそれぞれ挙げることができる。   Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, Methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionic acid Butyl, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate Methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3- Butyl toxipropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples include esters such as propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、特に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましい。   Among these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and butyl methoxyacetate are preferable, particularly diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferred.

[A]重合体を製造するための重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できる。ラジカル重合開始剤としては、例えば、
2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;
ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;及び
過酸化水素が挙げられる。
[A] As the polymerization initiator used in the polymerization reaction for producing the polymer, those generally known as radical polymerization initiators can be used. Examples of radical polymerization initiators include:
2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), Azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate);
And organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; and hydrogen peroxide.

ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。   When a peroxide is used as the radical polymerization initiator, the peroxide may be used together with a reducing agent to form a redox initiator.

[A]重合体を製造するための重合反応において、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用することができる。分子量調整剤の具体例としては、
クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;
n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;
ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;
ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。
[A] In the polymerization reaction for producing the polymer, a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Specific examples of molecular weight regulators include
Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;
mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, thioglycolic acid;
Xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide;
Examples include terpinolene and α-methylstyrene dimer.

<[B]酸発生体>
[B]酸発生体は、放射線の照射よっても熱の付与によっても酸を発生する化合物である。ここで、放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用することができる。当該ポジ型感放射線性組成物が酸解離性基を有する[A]重合体と[B]酸発生体とを含むことで、ポジ型の感放射線特性を発揮することができる。[B]酸発生体は、放射線の照射又は熱の付与によって酸(例えばカルボン酸、スルホン酸等)を発生させる化合物である限り、特に限定されない。[B]酸発生体の当該ポジ型感放射線性組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸発生剤(以下、単に「[B]酸発生剤」ともいう。)の形態でも、[A]重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。なお、放射線の照射又は熱の付与のいずれによって酸発生体から酸を発生させるかは、露光前のプレベーク時の温度、照射線の照射量、ポストベーク時の温度等を調整することにより決めることができるが、[B]酸発生体としては、露光時の放射線の照射により酸を発生し、かつポストベーク時の熱によって酸を発生するものが好ましい。このような[B]酸発生体を用いることで、当該ポジ型感放射線性組成物はポジ型の感放射線特性を発揮することができると共に、ポストベーク時に[A]重合体中の構造単位(2)に含まれる窒素含有基を脱保護してエポキシ基の架橋反応を充分に進行させることができる。
<[B] Acid generator>
[B] The acid generator is a compound that generates an acid either by irradiation of radiation or by application of heat. Here, as the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. By including the [A] polymer having an acid-dissociable group and the [B] acid generator, the positive radiation-sensitive composition can exhibit positive radiation-sensitive characteristics. [B] The acid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid (for example, carboxylic acid, sulfonic acid, etc.) by irradiation with radiation or application of heat. [B] The inclusion form of the acid generator in the positive radiation-sensitive composition is also a form of an acid generator (hereinafter also simply referred to as “[B] acid generator”) which is a compound as described later. [A] It may be in the form of an acid generating group incorporated as part of a polymer or other polymer, or in both forms. In addition, whether to generate acid from the acid generator by irradiation of radiation or application of heat is determined by adjusting the temperature at the time of pre-bake before exposure, the irradiation dose, the temperature at the time of post-bake, etc. However, as the [B] acid generator, an acid generator that generates an acid by irradiation with radiation during exposure and generates an acid by heat during post-baking is preferable. By using such a [B] acid generator, the positive radiation-sensitive composition can exhibit positive radiation-sensitive characteristics, and at the time of post-baking, the structural unit (A) in the polymer ( The nitrogen-containing group contained in 2) can be deprotected to sufficiently advance the crosslinking reaction of the epoxy group.

[B]酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物が代表的に挙げられ、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びテトラヒドロチオフェニウム塩等のオニウム塩や、スルホンイミド化合物、並びにキノンジアジド化合物が挙げられる。   [B] The acid generator typically includes oxime sulfonate compounds, such as diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, ammonium salt, phosphonium salt, and tetrahydrothiophenium salt. Examples include onium salts, sulfonimide compounds, and quinonediazide compounds.

<オキシムスルホネート化合物>
上記オキシムスルホネート化合物としては、下記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物が好ましい。
<Oxime sulfonate compound>
As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by following formula (3) is preferable.

Figure 0005488176
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上記式(3)において、RB1は、置換されていてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、又は置換されていてもよいアリール基である。RB1のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。RB1のアルキル基は、炭素数1〜10のアルコキシ基又は脂環式基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環式基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)で置換されていてもよい。RB1のアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がさらに好ましい。RB1のアリール基は、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子で置換されてもよい。 In the above formula (3), R B1 is a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aryl group which may be substituted. The alkyl group for R B1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The alkyl group of R B1 includes an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (including a bridged alicyclic group such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, preferably bicycloalkyl. Group) and the like. The aryl group for R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group of R B1 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen atom.

上記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を含有する上記化合物は、下記式(4)で表されるオキシムスルホネート化合物であることがさらに好ましい。   The compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (3) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following formula (4).

Figure 0005488176
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上記式(4)において、RB1は、上記式(3)におけるRB1の説明と同義である。Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは0〜3の整数である。mが2又は3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。Xとしてのアルキル基は、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。 In the above formula (4), R B1 has the same meaning as described for R B1 in the formula (3). X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. When m is 2 or 3, the plurality of X may be the same or different. The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

Xとしてのアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状アルコキシ基が好ましい。Xとしてのハロゲン原子は、塩素原子又はフッ素原子が好ましい。mは0又は1が好ましい。特に、上記式(4)において、mが1、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。   The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. m is preferably 0 or 1. In particular, in the above formula (4), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

オキシムスルホネート化合物の具体例としては、例えば、下記式(4−i)〜(4−v)でそれぞれ表される化合物(4−i)、化合物(4−ii)、化合物(4−iii)、化合物(4−iv)及び化合物(4−v)等が挙げられる。   Specific examples of the oxime sulfonate compound include, for example, compounds (4-i), (4-ii), (4-iii) represented by the following formulas (4-i) to (4-v), A compound (4-iv), a compound (4-v), etc. are mentioned.

Figure 0005488176
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これらは単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができ、[B]成分としての他の酸発生剤と組み合わせて使用することもできる。上記化合物(4−i)〜(4−v)は、市販品として、入手することができる。   These can be used alone or in combination of two or more, and can also be used in combination with other acid generators as the component [B]. The said compounds (4-i)-(4-v) can be obtained as a commercial item.

<オニウム塩>
上記オニウム塩のうち、ジフェニルヨードニウム塩の例としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。
<Onium salt>
Among the above onium salts, examples of diphenyliodonium salts include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p -Toluenesulfonate, diphenyliodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butyl) Phenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-t-butylphenyl) iodo Umum trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid Etc.

トリフェニルスルホニウム塩の例としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。   Examples of triphenylsulfonium salts include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, triphenyl Examples include sulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

スルホニウム塩の例としては、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等を挙げることができる。   Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like.

これらのスルホニウム塩としては、
アルキルスルホニウム塩として、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等;
ベンジルスルホニウム塩として、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等;
ジベンジルスルホニウム塩として、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等;
置換ベンジルスルホニウム塩として、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等をそれぞれ挙げることができる。
As these sulfonium salts,
Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- ( Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, etc .;
Examples of benzylsulfonium salts include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and benzyl-4-methoxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenylmethyl Sulfonium hexafluorophosphate, etc .;
Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyl dibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium hexa Fluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl-4 -Hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate and the like;
Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium. Hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3-chloro Examples include -4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

ベンゾチアゾニウム塩の例としては、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of benzothiazonium salts include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p-methoxy Benzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.

テトラヒドロチオフェニウム塩の例としては、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等が挙げられる。   Examples of tetrahydrothiophenium salts include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium Nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1,2,2-tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-Butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2, 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydro Ofenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1 -Naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and the like.

これらのオニウム塩の中でも、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及び熱付与による酸発生効率の向上の点から、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩が好適に用いられる。この中でも特に、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナートが好ましく用いられる。   Among these onium salts, triphenylsulfonium salts, sulfonium salts, benzothiazonium salts, tetrahydrothiophenium salts from the viewpoint of improving the radiation sensitivity of the positive-type radiation-sensitive composition and the acid generation efficiency by heat application. Are preferably used. Among these, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium Hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexa Fluorophosphate, 1- (4-n-butoxynaphtha Down-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate are preferred.

<スルホンイミド化合物>
スルホンイミド化合物の例としては、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−101」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド(商品名「PI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、
<Sulfonimide compound>
Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-”). 106 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide (trade name" SI-101 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenyl) Sulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide N- (2-fluoropheny Sulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide (trade name “PI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy ) Diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide,

N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−100」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−101」(みどり化学(株)製))、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−105」(みどり化学(株)製))、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−109」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−106」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、   N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4 -Methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name "NDI-101" (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (trifluoromethane Sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (nonafluorobutanesulfonyloxy) ) Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) ) Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-106” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) -7- Oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene- 2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2. .1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3 -Dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7- Oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2, 3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- ( 4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1 ] Heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide ,

N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−101」(みどり化学(株)製))、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−100」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−109」(みどり化学(株)製))、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−1004」(みどり化学(株)製))、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる   N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-106”) (Manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (phenylsulfonyloxy) naphthyl Dicarboxylimide (trade name “NAI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyldi Carboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy ) Naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)) N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide (trade name “NAI-1004” (Midori Chemical Co., Ltd.) Manufactured)), N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (octyl) Ruhoniruokishi) naphthyl dicarboxyl imide, N- (nonyl sulfonyloxy) naphthyl dicarboxylic imide and the like

<キノンジアジド化合物>
キノンジアジド化合物は、放射線の照射又は熱の付与によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物として、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」という。)と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
<Quinonediazide compound>
A quinonediazide compound is a compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with radiation or application of heat. As the quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核を挙げることができる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

これらの母核としては、
トリヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等;
テトラヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン等;
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等;
ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等;
As these mother cores,
Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone;
Examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3, 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone, etc .;
Examples of pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone and the like;
Examples of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone and the like;

(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとして、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン等;   Examples of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl). ) Ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4) -Hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl- 4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiin Down -5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl -7,2 ', 4'-trihydroxy flavan like;

その他の母核として、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。   As other mother nucleus, for example, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4- Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4, 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene and 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene.

これらの母核のうち、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。   Among these mother nuclei, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

また、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド及び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドを挙げることができる。この中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドを使用することが特に好ましい。   The 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide is preferably 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride. Specific examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride. Among these, it is particularly preferable to use 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物の好適例としては、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物が挙げられる。   Preferable examples of the condensate of a phenolic compound or alcoholic compound and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide include 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide-5. -Condensate with sulfonic acid chloride, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2-naphthoquinonediazide-5 A condensate with sulfonic acid chloride is mentioned.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30〜85モル%、より好ましくは50〜70モル%に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。   In the condensation reaction of the phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, preferably 30 to 85 mol% based on the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. More preferably, 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide corresponding to 50 to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.

また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド等も好適に使用される。これらの[B]成分は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, such as 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used. These [B] components can be used individually or in combination of 2 or more types.

当該ポジ型感放射線性組成物における[B]酸発生剤としての含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは1〜20質量部であり、より好ましくは1〜10質量部である。[B]成分の含有量が上記範囲にあると、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる層間絶縁膜の耐溶媒性も良好となる。   The content of the [B] acid generator in the positive radiation sensitive composition is preferably 1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts per 100 parts by mass of the [A] polymer. Part by mass. When the content of the component [B] is in the above range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion in the alkaline aqueous solution serving as the developer is large, the patterning performance is improved, and the obtained interlayer insulating film The solvent resistance is also improved.

<その他の任意成分>
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記の[A]成分及び[B]成分に加え、所期の効果を損なわない範囲で、必要に応じて[C]界面活性剤、[D]密着助剤、[E]塩基性化合物等の他の任意成分を含有することができる。
<Other optional components>
In addition to the above-mentioned [A] component and [B] component, the positive radiation-sensitive composition of the present invention includes [C] surfactant, [D] as necessary, within a range not impairing the intended effect. Other optional components such as an adhesion assistant and [E] basic compound can be contained.

<[C]界面活性剤>
当該ポジ型感放射線性組成物には、塗膜形成時の塗布性をさらに向上させるため、[C]界面活性剤を使用することができる。好適に用いることができる界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤及びノニオン系界面活性剤が挙げられる。
<[C] Surfactant>
[C] Surfactant can be used for the positive radiation sensitive composition in order to further improve the coating property at the time of coating film formation. Examples of the surfactant that can be suitably used include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and a nonionic surfactant.

フッ素系界面活性剤の例としては、1,1,2,2−テトラフルオロオクチル(1,1,2,2−テトラフルオロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロペンチル)エーテル等のフルオロエーテル類;パーフルオロドデシルスルホン酸ナトリウム;1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフルオロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロデカン等のフルオロアルカン類;フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム類;フルオロアルキルオキシエチレンエーテル類;フルオロアルキルアンモニウムヨージド類;フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル類;パーフルオロアルキルポリオキシエタノール類;パーフルオロアルキルアルコキシレート類;フッ素系アルキルエステル類等を挙げることができる。   Examples of fluorosurfactants include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl hexyl ether, Octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,1) 2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether and other fluoroethers; sodium perfluorododecylsulfonate; 1,1,2 , 2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexaph Fluoroalkanes such as orodecane; sodium fluoroalkylbenzenesulfonates; fluoroalkyloxyethylene ethers; fluoroalkylammonium iodides; fluoroalkylpolyoxyethylene ethers; perfluoroalkylpolyoxyethanols; perfluoroalkylalkoxylates And fluorine-based alkyl esters.

これらのフッ素系界面活性剤の市販品としては、BM−1000、BM−1100(以上、BM Chemie社製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC−170C、FC−171、FC−430、FC−431(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145、同S−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子(株)製)、エフトップEF301、同303、同352(新秋田化成(株)製)、フタージェントFTX−218((株)ネオス社製)等が挙げられる。   Commercially available products of these fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM Chemie), MegaFack F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471. (Above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Florard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, Sumitomo 3M Limited), Surflon S-112, S-113 S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Ftop EF301, 303, 352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), and Fantent FTX-218 (manufactured by Neos Co., Ltd.) It is.

シリコーン系界面活性剤の具体例としては、市販されている商品名で、DC3PA、DC7PA、FS−1265、SF−8428、SH11PA、SH21PA、SH28PA、SH29PA、SH30PA、SH−190、SH−193、SH 8400 FLUID、SZ−6032(以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン(株)製)等を挙げることができる。   Specific examples of the silicone-based surfactant include commercially available product names such as DC3PA, DC7PA, FS-1265, SF-8428, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SH 8400 FLUID, SZ-6032 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4442 (above, GE Toshiba Silicone) For example).

ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類;(メタ)アクリル酸系共重合体類等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤の代表的な市販品としては、ポリフローNo.57、95(共栄社化学(株)製)が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   Nonionic surfactants include, for example, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, and the like. Polyoxyethylene aryl ethers; polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; (meth) acrylic acid copolymers and the like. As a typical commercially available nonionic surfactant, Polyflow No. 57, 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.). These surfactants can be used alone or in combination of two or more.

当該ポジ型感放射線性組成物において、[C]界面活性剤は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.05質量部以上5質量部以下、より好ましくは0.1質量部以上2質量部以下で用いられる。[C]界面活性剤の使用量を上記範囲とすることによって、基板上に塗膜を形成する際の膜荒れを抑制することができる。   In the positive radiation sensitive composition, the [C] surfactant is preferably 0.05 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. It is used in an amount of 2 parts by mass or more and 2 parts by mass or less. [C] By making the usage-amount of surfactant into the said range, the film roughening at the time of forming a coating film on a board | substrate can be suppressed.

<[D]密着助剤>
当該ポジ型感放射線性組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために[D]成分である密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
<[D] Adhesion aid>
In the positive-type radiation-sensitive composition, in order to improve the adhesion between an inorganic material serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide and silicon nitride, a metal such as gold, copper and aluminum, and an insulating film [ D] Adhesion aids that are components can be used. As such an adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of functional silane coupling agents include silane coupling agents having reactive substituents such as carboxyl groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, epoxy groups (preferably oxiranyl groups), thiol groups, and the like.

官能性シランカップリング剤の具体例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中でも、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。   Specific examples of functional silane coupling agents include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxy Examples include propyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. . Among these, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferable.

ポジ型感放射線性組成物において、このような[D]密着助剤は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下の量で用いられる。密着助剤の量を上記範囲とすることによって、形成される層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。   In the positive radiation sensitive composition, the [D] adhesion assistant is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. It is used in an amount of no less than 10 parts and no more than 10 parts by mass. By setting the amount of the adhesion assistant in the above range, the adhesion between the formed interlayer insulating film and the substrate is improved.

<[E]塩基性化合物>
当該ポジ型感放射線性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で塩基性化合物を含んでもよい。塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。塩基性化合物としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物に塩基性化合物を含有させることにより、露光により酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を良好なものとすることができる。
<[E] basic compound>
The positive radiation sensitive composition may contain a basic compound as long as the effects of the present invention are not impaired. The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. Examples of the basic compound include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carboxylic acid quaternary ammonium salts, and the like. By containing a basic compound in the positive radiation-sensitive composition, the diffusion length of the acid generated from the acid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability can be improved. it can.

第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、イソブチルアミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、ペンチルアミン、tert−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示される。   Primary aliphatic amines include ammonia, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentylamine, tert-amylamine, cyclopentylamine, Examples include hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dodecylamine, cetylamine, methylenediamine, ethylenediamine, tetraethylenepentamine and the like.

第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−n−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−sec−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N−ジメチルメチレンジアミン、N,N−ジメチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。   Secondary aliphatic amines include dimethylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, dipentylamine, dicyclopentylamine, dihexylamine, Examples include dicyclohexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, didodecylamine, dicetylamine, N, N-dimethylmethylenediamine, N, N-dimethylethylenediamine, N, N-dimethyltetraethylenepentamine and the like.

第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−sec−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。   Tertiary aliphatic amines include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, triisopropylamine, tri-n-butylamine, triisobutylamine, tri-sec-butylamine, tripentylamine, tricyclopentylamine, tri Hexylamine, tricyclohexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, tridodecylamine, tricetylamine, N, N, N ′, N′-tetramethylmethylenediamine, N, N, Examples thereof include N ′, N′-tetramethylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethyltetraethylenepentamine and the like.

また、混成アミン類としては、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が例示される。   Examples of the mixed amines include dimethylethylamine, methylethylpropylamine, benzylamine, phenethylamine, benzyldimethylamine, dicyclohexylmethylamine and the like.

芳香族アミン類及び複素環アミン類としては、アニリン誘導体(例えばアニリン、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−プロピルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2−ニトロアニリン、3−ニトロアニリン、4−ニトロアニリン、2,4−ジニトロアニリン、2,6−ジニトロアニリン、3,5−ジニトロアニリン、N,N−ジメチルトルイジン等)、ジフェニルアミン、ジフェニル(p−トリル)アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体(例えば、ピロール、2H−ピロール、1−メチルピロール、2,4−ジメチルピロール、2,5−ジメチルピロール、N−メチルピロール等)、オキサゾール誘導体(例えばオキサゾール、イソオキサゾール等)、チアゾール誘導体(例えばチアゾール、イソチアゾール等)、イミダゾール誘導体(例えば、イミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、トリフェニルイミダゾール等)、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体(例えばピロリン、2−メチル−1−ピロリン等)、ピロリジン誘導体(例えば、ピロリジン、N−メチルピロリジン、ピロリジノン、N−メチルピロリドン等)、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体(例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4−(1−ブチルペンチル)ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3−メチル−2−フェニルピリジン、3−メチル−4−フェニルピリジン、4−tert−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1−メチル−2−ピリドン、4−ピロリジノピリジン、1−メチル−4−フェニルピリジン、2−(1−エチルプロピル)ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン、ニコチン等)、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体(例えばモルホリン、4−メチルモルホリン等)、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体(例えばキノリン、3−キノリンカルボニトリル、8−オキシキノリン等)、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.3.0]−7−ウンデセン等の多環式アミン等が例示される。   Aromatic amines and heterocyclic amines include aniline derivatives such as aniline, N-methylaniline, N-ethylaniline, N-propylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, ethylaniline, propylaniline, trimethylaniline, 2-nitroaniline, 3-nitroaniline, 4-nitroaniline, 2,4-dinitroaniline, 2,6-dinitroaniline, 3,5-dinitroaniline, N, N-dimethyltoluidine, etc.), diphenylamine, diphenyl (p-tolyl) amine, methyldiphenylamine, triphenylamine, phenylenediamine, naphthylamine, diaminonaphthalene, pyrrole derivatives (eg, pyrrole, 2H-pyrrole, 1-methylpyrrole, , 4-dimethylpyrrole, 2,5-dimethylpyrrole, N-methylpyrrole, etc.), oxazole derivatives (eg oxazole, isoxazole etc.), thiazole derivatives (eg thiazole, isothiazole etc.), imidazole derivatives (eg imidazole, 4 -Methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, triphenylimidazole, etc.), pyrazole derivatives, furazane derivatives, pyrroline derivatives (eg pyrroline, 2-methyl-1-pyrroline etc.), Pyrrolidine derivatives (eg, pyrrolidine, N-methylpyrrolidine, pyrrolidinone, N-methylpyrrolidone, etc.), imidazoline derivatives, imidazolidine derivatives, pyridine derivatives (eg, pyridine, methylpyridine, Tylpyridine, propylpyridine, butylpyridine, 4- (1-butylpentyl) pyridine, dimethylpyridine, trimethylpyridine, triethylpyridine, phenylpyridine, 3-methyl-2-phenylpyridine, 3-methyl-4-phenylpyridine, 4- tert-butylpyridine, diphenylpyridine, benzylpyridine, methoxypyridine, butoxypyridine, dimethoxypyridine, 1-methyl-2-pyridone, 4-pyrrolidinopyridine, 1-methyl-4-phenylpyridine, 2- (1-ethylpropyl) ) Pyridine, aminopyridine, dimethylaminopyridine, nicotine, etc.), pyridazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyrazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolidine derivatives, piperidine derivatives, piperazine derivatives , Morpholine derivatives (eg morpholine, 4-methylmorpholine etc.), indole derivatives, isoindole derivatives, 1H-indazole derivatives, indoline derivatives, quinoline derivatives (eg quinoline, 3-quinolinecarbonitrile, 8-oxyquinoline etc.), isoquinoline Derivatives, cinnoline derivatives, quinazoline derivatives, quinoxaline derivatives, phthalazine derivatives, purine derivatives, pteridine derivatives, carbazole derivatives, phenanthridine derivatives, acridine derivatives, phenazine derivatives, 1,10-phenanthroline derivatives, adenine derivatives, adenosine derivatives, guanine derivatives, Guanosine derivative, uracil derivative, uridine derivative, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7- Polycyclic amines such as Ndesen are exemplified.

また、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体(例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3−アミノピラジン−2−カルボン酸、メトキシアラニン)等が例示される。   Examples of nitrogen-containing compounds having a carboxy group include aminobenzoic acid, indolecarboxylic acid, amino acid derivatives (for example, nicotinic acid, alanine, arginine, aspartic acid, glutamic acid, glycine, histidine, isoleucine, glycylleucine, leucine, methionine, Phenylalanine, threonine, lysine, 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid, methoxyalanine) and the like.

スルホニル基を有する含窒素化合物として3−ピリジンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示される。   Examples of the nitrogen-containing compound having a sulfonyl group include 3-pyridinesulfonic acid and pyridinium p-toluenesulfonate.

ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物及びアルコール性含窒素化合物としては、例えば、2−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4−キノリンジオール、3−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−エチルジエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’−イミノジエタノール、2−アミノエタノ−ル、3−アミノ−1−プロパノール、4−アミノ−1−ブタノール、4−(2−ヒドロキシエチル)モルホリン、2−(2−ヒドロキシエチル)ピリジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、1−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1−(2−ヒドロキシエチル)ピロリジン、1−(2−ヒドロキシエチル)−2−ピロリジノン、3−ピペリジノ−1,2−プロパンジオール、3−ピロリジノ−1,2−プロパンジオール、8−ヒドロキシユロリジン、3−クイヌクリジノール、3−トロパノール、1−メチル−2−ピロリジンエタノール、1−アジリジンエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)フタルイミド、N−(2−ヒドロキシエチル)イソニコチンアミド等が例示される。   Examples of the nitrogen-containing compound having a hydroxy group, the nitrogen-containing compound having a hydroxyphenyl group, and the alcoholic nitrogen-containing compound include 2-hydroxypyridine, aminocresol, 2,4-quinolinediol, 3-indolemethanol hydrate, mono Ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triisopropanolamine, 2,2'-iminodiethanol, 2-aminoethanol, 3-amino-1-propanol, 4- Amino-1-butanol, 4- (2-hydroxyethyl) morpholine, 2- (2-hydroxyethyl) pyridine, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 1- [2- (2-hydroxyethoxy) ethyl] piperazine The Lysine ethanol, 1- (2-hydroxyethyl) pyrrolidine, 1- (2-hydroxyethyl) -2-pyrrolidinone, 3-piperidino-1,2-propanediol, 3-pyrrolidino-1,2-propanediol, 8- Hydroxyurolidine, 3-cuincridinol, 3-tropanol, 1-methyl-2-pyrrolidineethanol, 1-aziridineethanol, N- (2-hydroxyethyl) phthalimide, N- (2-hydroxyethyl) isonicotinamide Etc. are exemplified.

アミド誘導体としては、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ニコチン酸アミド等が例示される。   Examples of amide derivatives include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, nicotinic acid amide and the like.

イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。   Examples of imide derivatives include phthalimide, succinimide, maleimide and the like.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

さらに、下記式(5)及び(6)で表される塩基性化合物を配合することもできる。   Furthermore, the basic compound represented by following formula (5) and (6) can also be mix | blended.

Figure 0005488176
Figure 0005488176

(式(5)及び(6)中、R41、R42、R43、R47、R48はそれぞれ独立して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数1〜20のアルキレン基である。R44、R45、R46、R49、R50は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基であり、このアルキル基の水素原子の一部又は全部はアミノ基で置換されていてもよい。R44とR45、R45とR46、R44とR46、R44とR45とR46、R49とR50はそれぞれ結合して環を形成してもよい。S、T、Uはそれぞれ0〜20の整数である。但し、S、T、Uのいずれもが同時に0のとき、R44、R45、R46、R49、R50が全て水素原子である場合はない。) (In the formulas (5) and (6), R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 are each independently a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 20 carbon atoms. R 44 , R 45 , R 46 , R 49 and R 50 are a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and some or all of the hydrogen atoms in the alkyl group may be substituted with an amino group. R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46 , R 44 and R 45 and R 46 , and R 49 and R 50 may be bonded to form a ring. , U are each an integer of 0 to 20. However, when all of S, T, and U are 0 at the same time, R 44 , R 45 , R 46 , R 49 , and R 50 are all hydrogen atoms. Absent.)

上記式(5)及び(6)において、R41、R42、R43、R47、R48のアルキレン基としては、炭素数1〜20、好ましくは1〜10、更に好ましくは1〜8のものである。具体的には、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、n−ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基等が挙げられる。 In the above formulas (5) and (6), the alkylene group of R 41 , R 42 , R 43 , R 47 and R 48 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms. Is. Specifically, methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, n-pentylene group, isopentylene group, hexylene group, nonylene group, decylene group, cyclopentylene group, Examples thereof include a cyclohexylene group.

また、R44、R45、R46、R49、R50のアルキル基としては、炭素数1〜20、好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6のものであり、これらは直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。 The alkyl groups R 44, R 45, R 46 , R 49, R 50, 1~20 carbon atoms, preferably 1 to 8, even more preferably 1 to 6, these linear , Either branched or annular. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, hexyl group, nonyl group, decyl group, dodecyl Group, tridecyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like.

さらにR44とR45、R45とR46、R44とR46、R44とR45とR46、R49とR50が環を形成する場合、その環の炭素数は代表的には1〜20、より好ましくは1〜8、さらに好ましくは1〜6であり、またこれらの環は炭素数1〜6、特に1〜4のアルキル基が分岐していてもよい。S、T、Uはそれぞれ0〜20の整数であり、より好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜8の整数である。 Further, when R 44 and R 45 , R 45 and R 46 , R 44 and R 46 , R 44 and R 45 and R 46 , and R 49 and R 50 form a ring, the carbon number of the ring is typically It is 1-20, More preferably, it is 1-8, More preferably, it is 1-6, Moreover, the C1-C6, especially 1-4 alkyl group may branch these rings. S, T, and U are each an integer of 0 to 20, more preferably 1 to 10, and even more preferably an integer of 1 to 8.

上記式(5)及び(6)の化合物として、具体的には、トリス{2−(メトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス[2−{(2−メトキシエトキシ)メトキシ}エチル]アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6等が挙げられる。   Specific examples of the compounds of the above formulas (5) and (6) include tris {2- (methoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (methoxyethoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2- Methoxyethoxy) methoxy} ethyl] amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine , Tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl] amine, 4,7,13,16,21,24-hexaoxa-1,10- Diazabicyclo [8.8.8] hexacosane, 4,7,13,18-tetraoxa-1,10-diazabicyclo [8.5.5] eicosane 1,4,10,13-tetraoxa-7,16-diazabicyclooctadecane, 1-aza-12-crown-4, 1-aza-15-crown-5, 1-aza-18-crown-6, etc. Can be mentioned.

特に、[E]塩基性化合物としては、第三級アミン、アニリン誘導体、ピロリジン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、アミノ酸誘導体、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、トリス{2−(メトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{(2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス[2−{(2−メトキシエトキシ)メチル}エチル]アミン、1−アザ−15−クラウン−5等が好ましい。   In particular, [E] basic compounds include tertiary amines, aniline derivatives, pyrrolidine derivatives, pyridine derivatives, quinoline derivatives, amino acid derivatives, nitrogen-containing compounds having a hydroxy group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, alcoholic properties Nitrogen-containing compounds, amide derivatives, imide derivatives, tris {2- (methoxymethoxy) ethyl} amine, tris {(2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris [2-{(2-methoxyethoxy) methyl} Ethyl] amine, 1-aza-15-crown-5 and the like are preferable.

当該ポジ型感放射線性組成物における塩基性化合物の含有量は、[A]重合体100質量部に対して、0.001〜1質量部とすることが好ましく、0.005〜0.2質量部とすることがより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記範囲とすることで、パターン現像性が良好となる。   It is preferable that content of the basic compound in the said positive radiation sensitive composition shall be 0.001-1 mass part with respect to 100 mass parts of [A] polymers, and 0.005-0.2 mass. More preferably, it is a part. Pattern developability becomes favorable by making content of a basic compound into the said range.

<ポジ型感放射線性組成物>
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記[A]重合体及び[B]酸発生体、並びに必要に応じて任意成分を混合することによって調製される。通常、ポジ型感放射線性組成物は、好ましくは適当な[F]溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され、使用される。例えば溶媒中で、[A]及び[B]成分、並びに任意成分を所定の割合で混合することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製することができる。
<Positive radiation sensitive composition>
The positive radiation-sensitive composition of the present invention is prepared by mixing the above-mentioned [A] polymer and [B] acid generator, and optional components as necessary. Usually, the positive radiation sensitive composition is preferably prepared and used in a state dissolved or dispersed in an appropriate [F] solvent. For example, a positive radiation-sensitive composition can be prepared by mixing [A] and [B] components and optional components in a solvent in a predetermined ratio.

<[F]溶媒>
当該ポジ型感放射線性組成物の調製に用いることができる[F]溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等を挙げることができる。
<[F] solvent>
As the [F] solvent that can be used for the preparation of the positive radiation sensitive composition, those that uniformly dissolve or disperse each component and do not react with each component are preferably used. Examples of such solvents include alcohols, ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate. , Aromatic hydrocarbons, ketones, esters and the like.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えば、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等;
エーテル類として、例えば、テトラヒドロフランや、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテル、ジn−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等;
ジエチレングリコールアルキルエーテル類として、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;
These solvents include
Examples of alcohols include benzyl alcohol and diacetone alcohol;
Examples of ethers include dialkyl ethers such as tetrahydrofuran, diisopropyl ether, di n-butyl ether, di n-pentyl ether, diisopentyl ether, and di n-hexyl ether;
Examples of diethylene glycol alkyl ethers include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;
Examples of ethylene glycol alkyl ether acetates include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether;
Examples of propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate;
Examples of propylene glycol monoalkyl ether propionates include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;

芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレン等;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等;
エステル類として、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル等をそれぞれ挙げることができる。
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, etc.
Examples of esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2-methylpropionic acid Ethyl, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, protyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxy Butyl propionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, ethoxy Butyl acetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2 Examples thereof include propyl methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate and the like.

これらの溶媒の中でも、溶解性あるいは分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。これらの溶媒は、単独で又は混合して用いることができる。   Among these solvents, from the viewpoint of excellent solubility or dispersibility, non-reactivity with each component, and ease of coating film formation, ethers such as dialkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, Ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferred, especially diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene Glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol Noethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl lactate, Ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 2-methoxypropionate and ethyl 2-methoxypropionate are preferred. These solvents can be used alone or in combination.

また、これらの溶媒の中でも、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテル、ジn−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等のエーテル類が好ましく、ジイソペンチルエーテルが最も好ましい。このような溶媒を用いることによって、感放射線性組成物をスリット塗布法で大型ガラス基板に塗布する際に、乾燥工程時間を短縮すると同時に、塗布性をより一層向上(塗布ムラを抑制)することが可能となる。   Among these solvents, ethers such as diisopropyl ether such as diisopropyl ether, di n-butyl ether, di n-pentyl ether, diisopentyl ether, and di n-hexyl ether are preferable, and diisopentyl ether is most preferable. . By using such a solvent, when applying the radiation-sensitive composition to a large glass substrate by the slit coating method, the drying process time is shortened, and at the same time, the coating property is further improved (coating unevenness is suppressed). Is possible.

上記した溶媒に加え、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。   In addition to the above-mentioned solvents, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-octanol High-boiling solvents such as nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, carbitol acetate and the like can also be used in combination.

ポジ型感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める[F]溶媒以外の成分(すなわち[A]及び[B]成分並びにその他の任意成分の合計量)の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは5〜50質量%、より好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜35質量%である。   When preparing a positive radiation-sensitive composition in the form of a solution or dispersion, the proportion of components other than the [F] solvent in the solution (that is, the total amount of the components [A] and [B] and other optional components) Can be arbitrarily set according to the purpose of use, desired film thickness and the like, but is preferably 5 to 50% by mass, more preferably 10 to 40% by mass, and further preferably 15 to 35% by mass.

<層間絶縁膜の形成>
次に、上記のポジ型感放射線性組成物を用いて、基板上に層間絶縁膜の硬化膜を形成する方法について説明する。当該方法は、以下の工程を以下の記載順で含む。
(1)当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程。
<Formation of interlayer insulating film>
Next, a method for forming a cured film of an interlayer insulating film on a substrate using the positive radiation sensitive composition will be described. The method includes the following steps in the order described below.
(1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in the step (2), and (4) A step of heating the coating film developed in the step (3).

<(1)ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程>
上記(1)の工程において、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物の溶液又は分散液を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することによって溶媒を除去して、塗膜を形成する。使用できる基板の例としては、[D]密着助剤で例示した基板に加え、ガラス基板、石英基板、樹脂基板等を挙げることができる。樹脂基板の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等のそれぞれで形成される基板等を挙げることができる。
<(1) Step of forming a coating film of positive radiation sensitive composition on substrate>
In the step (1), after coating the positive radiation-sensitive composition solution or dispersion on the substrate, the coating surface is preferably removed by heating (pre-baking) the coated surface. Form. Examples of the substrate that can be used include a glass substrate, a quartz substrate, a resin substrate, and the like in addition to the substrate exemplified in [D] adhesion aid. Specific examples of the resin substrate include substrates formed of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin ring-opening polymer, and hydrogenated products thereof.

組成物溶液又は分散液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法又はスリットダイ塗布法が好ましく、スリットダイ塗布法が特に好ましい。プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは70〜120℃で1〜10分間程度とすることができる。   The coating method of the composition solution or dispersion is not particularly limited, and an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or the like is employed. be able to. Among these coating methods, a spin coating method or a slit die coating method is preferable, and a slit die coating method is particularly preferable. Prebaking conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, and the like, but can be preferably about 70 to 120 ° C for about 1 to 10 minutes.

<(2)塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程>
上記(2)の工程では、形成された塗膜の少なくとも一部に露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、酸発生体に対して用いる放射線が好適である。これらの放射線の中でも、波長が190〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、特に365nmの紫外線を含む放射線が好ましい。
<(2) Step of irradiating at least part of the coating film>
In the step (2), at least a part of the formed coating film is exposed. In this case, when a part of the coating film is exposed, it is usually exposed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, the radiation used for the acid generator is suitable. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is particularly preferable.

当該工程における露光量は、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates Inc.製)により放射線の波長365nmにおける強度を測定した値として、好ましくは300〜5,000J/m、より好ましくは400〜1,500J/mである。 The exposure amount in this step is preferably 300 to 5,000 J / m 2 , more preferably 400 to 1 as a value obtained by measuring the intensity of radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.). , 500 J / m 2 .

<(3)現像工程>
上記(3)の工程では、露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等を挙げることができる。
<(3) Development process>
In the step (3), by developing the exposed coating film, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in the development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of alkalis include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. be able to.

また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは0.1質量%以上5質量%以下とすることができる。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、好ましくは10〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。   In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant can be added to such an alkaline aqueous solution. The concentration of the alkali in the alkaline aqueous solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. As a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid filling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, or the like can be used. The development time varies depending on the composition of the positive radiation-sensitive composition, but is preferably about 10 to 180 seconds. Following such development processing, for example, after washing with running water for 30 to 90 seconds, a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

<(4)加熱工程>
上記(4)の工程では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、上記[A]成分中の窒素含有基の脱保護及びこれによるエポキシ基の硬化反応を促進して、所望の硬化物を得ることができる。本工程における加熱温度は、例えば120〜250℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には5〜30分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には30〜90分間とすることができる。2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
<(4) Heating process>
In the step (4), the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or an oven, thereby deprotecting the nitrogen-containing group in the component [A] and curing the epoxy group thereby. Can be promoted to obtain a desired cured product. The heating temperature in this step is, for example, 120 to 250 ° C. Although heating time changes with kinds of heating apparatus, for example, when performing a heating process on a hotplate, it can be set to 30 to 90 minutes when performing a heating process in an oven. The step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the target interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.

<層間絶縁膜>
このように形成された層間絶縁膜の膜厚は、好ましくは0.1〜8μm、より好ましくは0.1〜6μm、さらに好ましくは0.1〜4μmである。
<Interlayer insulation film>
The film thickness of the interlayer insulating film thus formed is preferably 0.1 to 8 μm, more preferably 0.1 to 6 μm, and still more preferably 0.1 to 4 μm.

本発明のポジ型感放射線性組成物から形成された層間絶縁膜は、下記の実施例からも明らかにされるように、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性をバランス良く満たすと共に、優れた表面硬度及び耐溶剤性を有する。そのため、当該層間絶縁膜は、表示素子用に好適に用いられる。   The interlayer insulating film formed from the positive radiation-sensitive composition of the present invention satisfies the general required characteristics of transmittance and voltage holding ratio in a well-balanced manner, as will be apparent from the following examples. Excellent surface hardness and solvent resistance. Therefore, the interlayer insulating film is suitably used for display elements.

以下に合成例、実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   The present invention will be described more specifically with reference to synthesis examples and examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

以下において、重合体の重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、下記の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
装置:GPC−101(昭和電工(株)製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
Below, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the polymer were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko KK)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

<[A]重合体の合成例>
[合成例1]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、1−エトキシエチルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル30質量部、窒素基含有単量体(1)20質量部及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.7質量%であった。
<[A] Polymer Synthesis Example>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 30 parts by mass of glycidyl methacrylate, 20 parts by mass of the nitrogen group-containing monomer (1) and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer. After replacing the charged nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) was 8,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.7 mass%.

[合成例2]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル30質量部、窒素基含有単量体(2)20質量部、及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by weight of methacrylic acid, 40 parts by weight of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, 30 parts by weight of glycidyl methacrylate, 20 parts by weight of nitrogen group-containing monomer (2), and α-methyl After 3 parts by mass of styrene dimer was charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polymer (A-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 8,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

[合成例3]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸1−n−ブトキシエチル47質量部、窒素基含有単量体(1)20質量部、メタクリル酸ベンジル23質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、30.8質量%であった。
[Synthesis Example 3]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 47 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 20 parts by mass of the nitrogen group-containing monomer (1), 23 parts by mass of benzyl methacrylate, and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen. It was. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polymer (a-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 8,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.8 mass%.

[合成例4]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸1−ベンジルオキシエチル60質量部、窒素基含有単量体(1)36質量部、メタクリル酸4質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.6質量%であった。
[Synthesis Example 4]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 60 parts by mass of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 36 parts by mass of the nitrogen group-containing monomer (1), and 4 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The polymer (a-2) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 8,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.

[合成例5]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きテトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルメタクリレート55質量部、窒素基含有単量体(2)37質量部、メタクリル酸8質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−3)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、29.8質量%であった。
[Synthesis Example 5]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 55 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 37 parts by mass of the nitrogen group-containing monomer (2), and 8 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-3). The polymer (a-3) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 29.8 mass%.

[合成例6]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル52質量部、メタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 6]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, after 52 parts by mass of glycidyl methacrylate and 48 parts by mass of benzyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-1). The polymer (aa-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

[合成例7]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート45質量部、メタクリル酸ベンジル45質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.2質量%であった。
[Synthesis Example 7]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 45 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 45 parts by mass of benzyl methacrylate, and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-2). The polymer (aa-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 33.2 mass%.

[合成例8]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸1−n−ブトキシエチル35質量部、メタクリル酸ベンジル35質量部、窒素基含有単量体(1)10質量部、メタクリル酸グリシジル20質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−3)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.7質量%であった。
[Synthesis Example 8]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 35 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate, 10 parts by mass of the nitrogen group-containing monomer (1) and 20 parts by mass of glycidyl methacrylate were substituted with nitrogen, and then gently stirred. I started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-3). The polymer (aa-3) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.7 mass%.

[比較合成例]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸5質量部、1−エトキシエチルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(AA−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.1質量%であった。
[Comparative synthesis example]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer were charged. After that, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polymer (AA-1) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.1 mass%.

<ポジ型感放射線性組成物の調製>
[実施例1]
[A]重合体として合成例1で得られた重合体(A−1)を含む溶液(重合体(A−1)100質量部(固形分)に相当する量)に、[B]酸発生剤として(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 108」)3質量部、[C]界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤((株)東レ・ダウコーニング製の「SH 8400 FLUID」)0.20質量部、及び[D]密着助剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、ポジ型感放射線性組成物(S−1)を調製した。
<Preparation of positive radiation sensitive composition>
[Example 1]
[B] Acid generation in the solution containing the polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 as the polymer (amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the polymer (A-1)) (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (“IRGACURE PAG 108” manufactured by Ciba Specialty Chemicals) as an agent, [C] interface 0.20 parts by mass of a silicone-based surfactant (“SH 8400 FLUID” manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) as an activator, and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane 3.0 as an adhesion aid A positive radiation-sensitive composition (S-1) was prepared by mixing parts by mass and filtering through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm.

[実施例2〜10及び比較例1〜3]
各成分の種類及び量を表1に記載の通りとした他は、実施例1と同様にしてポジ型感放射線性組成物を調製した。
[Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 to 3]
A positive radiation-sensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and amounts of each component were as described in Table 1.

以下、各実施例及び比較例で用いた成分を列挙する。
〔[A]成分の単量体〕
窒素基含有単量体(1)(上記式(2−1−14)で表される構造単位に対応)
The components used in each example and comparative example are listed below.
[Monomer of [A] component]
Nitrogen group-containing monomer (1) (corresponding to the structural unit represented by the above formula (2-1-14))

Figure 0005488176
Figure 0005488176

窒素基含有単量体(2)(上記式(2−1−17)で表される構造単位に対応)   Nitrogen group-containing monomer (2) (corresponding to the structural unit represented by the above formula (2-1-17))

Figure 0005488176
Figure 0005488176

〔[B]成分 酸発生剤〕
B−1:4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−2:ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
B−3:(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル (チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 103」)
B−4:(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル (チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 108」)
B−5:(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル (チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 121」)
B−6:(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル (チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「CGI1380」)
B−7:(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル (チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「CGI725」)
[[B] component acid generator]
B-1: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate B-2: benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate B-3: (5-propylsulfonyloxyimino -5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile ("IRGACURE PAG 103" manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-4: (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (“IRGACURE PAG 108” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-5: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (“IRGACURE PAG 121” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-6: (Camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (“CGI1380” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
B-7: (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile (“CGI725” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)

〔[C]成分 界面活性剤〕
C−1:シリコーン系界面活性剤((株)東レ・ダウコーニング製の「SH 8400 FLUID」)
C−2:フッ素系界面活性剤((株)ネオス社製の「フタージェントFTX−218」)
[[C] component surfactant]
C-1: Silicone-based surfactant (“SH 8400 FLUID” manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)
C-2: Fluorosurfactant ("Fergent FTX-218" manufactured by Neos Co., Ltd.)

〔(D)成分 密着助剤〕
D−1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
D−2:β−(3,4−エポキシシクロヘキシル) エチルトリメトキシシラン
D−3:γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
[(D) component adhesion aid]
D-1: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane D-2: β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane D-3: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane

〔比較例用 アミン化合物〕
トリエチルアミン
[Amine compound for comparative example]
Triethylamine

<物性評価>
上記のように調製した各々のポジ型感放射線性組成物を使用し、以下のように当該組成物、及びその塗膜あるいは層間絶縁膜としての各種の特性を評価した。
<Physical property evaluation>
Each positive radiation sensitive composition prepared as described above was used, and the composition and various properties as a coating film or an interlayer insulating film were evaluated as follows.

(1)感放射線性組成物の放射線感度の評価
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した(HMDS処理)。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、上記のように調製した感放射線性組成物をスリットダイコーター「TR632105−CL」を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、キヤノン(株)製のMPA−600FA露光機を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、0.4質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において液盛り法で現像した。現像時間は80秒間とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この値を放射線感度として表1に示す。この値が600J/m以下の場合に感度が良好であるといえる。
(1) Evaluation of radiation sensitivity of radiation-sensitive composition Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied on a 550 × 650 mm chromium-deposited glass and heated at 60 ° C. for 1 minute (HMDS treatment). The radiation-sensitive composition prepared as described above is applied onto the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater “TR6321055-CL”, the ultimate pressure is set to 100 Pa, and the solvent is removed under vacuum. Then, the film was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an MPA-600FA exposure machine manufactured by Canon Inc., the coating film was irradiated with radiation through the mask having a 60 μm line and space (10 to 1) pattern with the exposure amount as a variable. After that, the film was developed with a 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. by a puddle method. The development time was 80 seconds. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure necessary to completely dissolve the 6 μm space pattern was examined. This value is shown in Table 1 as radiation sensitivity. It can be said that the sensitivity is good when this value is 600 J / m 2 or less.

(2)透過率の評価
上記「(1)感放射線性組成物の放射線感度の評価」と同様に、シリコン基板上に塗膜を形成した。露光せずに、このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。波長400nmにおける透過率を、分光光度計(150−20型ダブルビーム(日立製作所(株)製))を用いて測定して評価した。このとき、透過率が90%未満の場合に透明性が不良といえる。評価結果を表1に示す。
(2) Evaluation of transmittance A coating film was formed on a silicon substrate in the same manner as in the above “(1) Evaluation of radiation sensitivity of radiation-sensitive composition”. Without being exposed, this silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. The transmittance at a wavelength of 400 nm was measured and evaluated using a spectrophotometer (150-20 type double beam (manufactured by Hitachi, Ltd.)). At this time, it can be said that the transparency is poor when the transmittance is less than 90%. The evaluation results are shown in Table 1.

(3)表面硬度の評価
上記「(2)透過率の評価」で形成された硬化膜を有する基板について、JIS K−5400−1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度(表面硬度)を測定した。この値が3H又はそれより大きいとき、層間絶縁膜としての表面硬度は良好であり、その硬化膜を形成するために用いた組成物は十分な硬化性を有するといえる。評価結果を表1に示す。
(3) Evaluation of surface hardness About the board | substrate which has the cured film formed in said "(2) Evaluation of transmittance", the pencil hardness of a cured film is carried out by the 8.4.1 pencil scratch test of JISK-5400-1990. (Surface hardness) was measured. When this value is 3H or larger, the surface hardness as an interlayer insulating film is good, and it can be said that the composition used for forming the cured film has sufficient curability. The evaluation results are shown in Table 1.

(4)耐溶剤性の評価
上記「(2)透過率の評価」で形成された硬化膜を有する基板について、得られた硬化膜の膜厚(T1)を測定した。そして、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、70℃に温度制御されたジメチルスルホキシド中に20分間浸漬させた後、その硬化膜の膜厚(t1)を測定し、浸漬による膜厚変化率{(t1−T1)/T1}×100〔%〕を算出した。この値の絶対値が5%未満の場合に耐溶剤性は優良であるといえる。結果を表1に示す。
(4) Evaluation of solvent resistance About the board | substrate which has a cured film formed by said "(2) Evaluation of the transmittance | permeability", the film thickness (T1) of the obtained cured film was measured. And after immersing the silicon substrate in which this cured film was formed in the dimethylsulfoxide temperature-controlled at 70 degreeC for 20 minutes, the film thickness (t1) of the cured film was measured, and the film thickness change rate by immersion {(T1-T1) / T1} × 100 [%] was calculated. It can be said that the solvent resistance is excellent when the absolute value of this value is less than 5%. The results are shown in Table 1.

(5)電圧保持率の評価
表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO膜が形成され、さらにITO(インジウム−酸化錫合金)電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、調製した液状感放射線性組成物をスピンコートしたのち、90℃のクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。次に、フォトマスクを介さずに、塗膜に500J/mの露光量で露光した。その後、230℃で30分間ポストベークを行い塗膜を硬化させて、永久硬化膜を形成した。
(5) Evaluation of voltage holding ratio The liquid feeling prepared on a soda glass substrate on which a SiO 2 film for preventing elution of sodium ions was formed on the surface, and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape. After spin coating the radiation composition, pre-baking was performed for 10 minutes in a clean oven at 90 ° C. to form a coating film having a thickness of 2.0 μm. Next, the coating film was exposed at an exposure amount of 500 J / m 2 without using a photomask. Thereafter, post-baking was performed at 230 ° C. for 30 minutes to cure the coating film to form a permanent cured film.

次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク社製液晶MLC6608(商品名)を注入して、液晶セルを作製した。さらに、液晶セルを60℃の恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、(株)東陽テクニカ製液晶電圧保持率測定システム「VHR−1A型」(商品名)により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。評価結果を表1に示す。   Next, the substrate on which this pixel is formed and the substrate on which the ITO electrode is simply deposited in a predetermined shape are bonded together with a sealing agent mixed with 0.8 mm glass beads, and then a liquid crystal MLC6608 (trade name) manufactured by Merck is used. The liquid crystal cell was manufactured by pouring. Furthermore, the liquid crystal cell was put in a constant temperature layer of 60 ° C., and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage holding ratio measuring system “VHR-1A type” (trade name) manufactured by Toyo Corporation. The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. The evaluation results are shown in Table 1.

ここで電圧保持率(%)とは、(16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧)×100の式から得た値である。液晶セルの電圧保持率が90%以下である場合、液晶セルは16.7ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、充分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの「焼き付き」を起こすおそれが高い。   Here, the voltage holding ratio (%) is a value obtained from an equation of (liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds / voltage applied at 0 milliseconds) × 100. When the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot hold the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds, and the liquid crystal cannot be sufficiently aligned. There is a high risk of causing "burn-in".

(6)保存安定性の評価
感放射線性組成物溶液を40℃のオーブン中で1週間放置し、オーブンに入れる前後での粘度を測定し、粘度変化率を求めた。このとき、粘度変化率が5%以下である場合に保存安定性が良好といえ、5%を超える場合に保存安定性が不良といえる。粘度は、E型粘度計(商品名「VISCONIC ELD.R」、東機産業(株)製)を用いて25℃で測定した。評価結果を表1に示す。
(6) Evaluation of storage stability The radiation-sensitive composition solution was left in an oven at 40 ° C. for 1 week, and the viscosity before and after placing in the oven was measured to determine the rate of change in viscosity. At this time, when the viscosity change rate is 5% or less, the storage stability is good, and when it exceeds 5%, the storage stability is poor. The viscosity was measured at 25 ° C. using an E-type viscometer (trade name “VISCONIC ELD.R”, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.). The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 0005488176
Figure 0005488176

表1の結果から明らかなように、[A]及び[B]成分を含む実施例1〜10のポジ型感放射線性組成物は、重合体を構成する構造単位に窒素含有基を含まない比較例1〜3の感放射線性組成物と比較して、表面硬度及び耐溶剤性の点について、優れていることが分かった。加えて、これらの実施例のポジ型感放射線性組成物は、優れた保存安定性及び充分な放射線感度を有すると共に、透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性を有する層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。なお、比較例では、表面硬度や耐溶剤性を上げるべくアミン化合物を添加すると、組成物の保存安定性が下がってしまい、表面硬度及び耐溶剤性の向上と保存安定性の向上との両立は図れなかった。   As is clear from the results of Table 1, the positive radiation sensitive compositions of Examples 1 to 10 containing the components [A] and [B] are comparative examples in which the structural unit constituting the polymer does not contain a nitrogen-containing group Compared with the radiation sensitive compositions of Examples 1 to 3, it was found that the surface hardness and solvent resistance were excellent. In addition, the positive-type radiation-sensitive compositions of these examples form an interlayer insulating film having excellent storage stability and sufficient radiation sensitivity, as well as general required characteristics of transmittance and voltage holding ratio. I found it possible. In addition, in the comparative example, when an amine compound is added to increase the surface hardness and solvent resistance, the storage stability of the composition is lowered, and both the improvement of the surface hardness and the solvent resistance and the improvement of the storage stability are I could n’t.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように、優れた保存安定性及び充分な放射線感度を有しており、透過率及び電圧保持率という一般的要求特性を備え、優れた表面硬度及び耐溶剤性を有する硬化膜を形成可能である。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子用の層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。   As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention has excellent storage stability and sufficient radiation sensitivity, has general required characteristics of transmittance and voltage holding ratio, and has an excellent surface. A cured film having hardness and solvent resistance can be formed. Therefore, the positive radiation sensitive composition is suitably used for forming an interlayer insulating film for a display element.

Claims (5)

[A]同一又は異なる重合体分子中に、下記式(I)で表される基を含む構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位と下記式(II)で表される構造が窒素原子に結合した基を含む構造単位(2)とを有する重合体、及び
[B]酸発生体
を含有するポジ型感放射線性組成物。
Figure 0005488176
(式(I)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい(但し、R及びRが共に水素原子である場合はない)。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(R3mで表される基(MはSi、Ge又はSnであり、R3mはアルキル基である。)であり、これらの水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。RとRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。)
Figure 0005488176
(式(II)中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基である。R及びRは、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキル基若しくは炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基であるか、又はR及びRが互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基を形成する。*は窒素原子と結合する結合手である。)
[A] In the same or different polymer molecules, a structural unit (1) containing a group represented by the following formula (I), an epoxy group-containing structural unit, and a structure represented by the following formula (II) A positive radiation-sensitive composition containing a polymer having a structural unit (2) containing a bonded group, and [B] an acid generator.
Figure 0005488176
(In Formula (I), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and one of the hydrogen atoms of these alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group) Part or all may be substituted with a substituent (provided that R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms) R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or — A group represented by M (R 3m ) 3 (M is Si, Ge or Sn, R 3m is an alkyl group), and some or all of these hydrogen atoms are substituted with substituents; R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether.)
Figure 0005488176
(In the formula (II), R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms. R 5 and R 6 are each independently An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms, or R 5 and R 6 are bonded to each other, and carbon together with the carbon atom to which they are bonded (Forms a divalent alicyclic hydrocarbon group of formula 4 to 20. * is a bond bonded to a nitrogen atom.)
上記構造単位(2)が、下記式(2−1)で表される構造単位である請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。
Figure 0005488176
(式(2−1)中、R、R及びRの定義は上記式(II)と同じである。Rは水素原子又はメチル基であり、Xは炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。Rは水素原子又は炭素数1〜20の1価の炭化水素基であり、X及びRが互いに結合して、それらが結合している窒素原子と共に炭素数4〜20の複素環構造を形成してもよい。)
The positive radiation sensitive composition according to claim 1, wherein the structural unit (2) is a structural unit represented by the following formula (2-1).
Figure 0005488176
(In Formula (2-1), the definitions of R 4 , R 5 and R 6 are the same as those in Formula (II) above. R 7 is a hydrogen atom or a methyl group, and X is 2 having 1 to 20 carbon atoms. R 8 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and X and R 8 are bonded to each other, together with the nitrogen atom to which they are bonded, 4 to 20 heterocyclic structures may be formed.)
表示素子の層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項1又は請求項2に記載のポジ型感放射線性組成物。   The positive radiation-sensitive composition according to claim 1 or 2, which is used for forming an interlayer insulating film of a display element. (1)請求項3に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を含む表示素子用層間絶縁膜の形成方法。
(1) The process of forming the coating film of the positive radiation sensitive composition of Claim 3 on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) A step of heating the coating film developed in step (3).
請求項3に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子の層間絶縁膜。   The interlayer insulation film of the display element formed from the positive radiation sensitive composition of Claim 3.
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