JPH04367864A - レジスト組成物 - Google Patents
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Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト組成物に関し
、さらに詳しくは、遠紫外線、KrFエキシマレーザー
光などの照射によるパターン形成が可能なレジスト材料
に関する。本発明のレジスト組成物は、特に、半導体素
子の微細加工用ネガ型レジストとして好適である。
、さらに詳しくは、遠紫外線、KrFエキシマレーザー
光などの照射によるパターン形成が可能なレジスト材料
に関する。本発明のレジスト組成物は、特に、半導体素
子の微細加工用ネガ型レジストとして好適である。
【0002】
【従来の技術】レジストを用いる微細加工により半導体
素子を製造する場合、シリコンウエーハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって画像(パターン)を得てい
る。シリコンウエーハ上に残ったレジストを保護膜とし
て、エッチングを行なった後、レジスト膜を除去するこ
とにより微細加工は終了する。
素子を製造する場合、シリコンウエーハ表面にレジスト
を塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成し、
次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成する
リソグラフィー技術によって画像(パターン)を得てい
る。シリコンウエーハ上に残ったレジストを保護膜とし
て、エッチングを行なった後、レジスト膜を除去するこ
とにより微細加工は終了する。
【0003】ところで、近年、IC、LSIさらにVL
SIへと半導体素子の高集積化、高密度化、小型化に伴
って、1μm以下の微細パターンを形成する技術が要求
されている。しかしながら、近紫外線または可視光線を
用いる従来のフォトリソグラフィー技術では、1μm以
下の微細パターンを精度よく形成することは極めて困難
であり、歩留りの低下も著しい。
SIへと半導体素子の高集積化、高密度化、小型化に伴
って、1μm以下の微細パターンを形成する技術が要求
されている。しかしながら、近紫外線または可視光線を
用いる従来のフォトリソグラフィー技術では、1μm以
下の微細パターンを精度よく形成することは極めて困難
であり、歩留りの低下も著しい。
【0004】このため、光(波長350〜450nmの
紫外光)を利用する従来のフォトリソグラフィーにかえ
て、露光の解像度を高めるために、波長の短い遠紫外線
(短波長紫外線)、KrFエキシマレーザー光(波長2
49nmの光を出すクリプトンフルオライドレーザー)
などを用いるリソグラフィー技術が研究されている。こ
のリソグラフィー技術の中心となるレジスト材料には、
多数の高度な特性が要求されているが、その中でも重要
なのは、感度、解像度、耐エッチング性および保存安定
性である。
紫外光)を利用する従来のフォトリソグラフィーにかえ
て、露光の解像度を高めるために、波長の短い遠紫外線
(短波長紫外線)、KrFエキシマレーザー光(波長2
49nmの光を出すクリプトンフルオライドレーザー)
などを用いるリソグラフィー技術が研究されている。こ
のリソグラフィー技術の中心となるレジスト材料には、
多数の高度な特性が要求されているが、その中でも重要
なのは、感度、解像度、耐エッチング性および保存安定
性である。
【0005】しかし、従来開発されたレジスト材料は、
これら全ての性能を充分に満足するものではなく、性能
の向上が強く望まれていた。例えば、ポリメタクリル酸
グリシジルのようなネガ型レジストは、高感度ではある
が、解像度や耐ドライエッチング性が劣る。また、ポリ
メタクリル酸メチルのようなポジ型レジストは、解像度
は良好であるが、感度や耐ドライエッチング性が劣る。
これら全ての性能を充分に満足するものではなく、性能
の向上が強く望まれていた。例えば、ポリメタクリル酸
グリシジルのようなネガ型レジストは、高感度ではある
が、解像度や耐ドライエッチング性が劣る。また、ポリ
メタクリル酸メチルのようなポジ型レジストは、解像度
は良好であるが、感度や耐ドライエッチング性が劣る。
【0006】近年、基材高分子、光酸発生剤(活性光線
の照射により酸を生成する化合物)および感酸物質(酸
の存在下で架橋する化合物)の3成分系からなる微細加
工用レジストが開発されている。これは、光によって発
生した酸を触媒として感酸物質が反応し、基材高分子の
溶解性などが変化して、ポジ型またはネガ型レジストと
なるものである。例えば、ノボラック樹脂、メチロール
メラミン、光酸発生剤からなるネガ型レジストが知られ
ている。光によって生成する酸を触媒として、メチロー
ルメラミンがフェノール樹脂を架橋して不溶化させるも
のである。また、ノボラック樹脂−エポキシ化合物など
のカチオン重合性の官能基を含むポリマーに、光酸発生
剤の存在下で光照射すると、官能基の重合により架橋構
造となり不溶化する現象を利用したネガ型レジストも知
られている。
の照射により酸を生成する化合物)および感酸物質(酸
の存在下で架橋する化合物)の3成分系からなる微細加
工用レジストが開発されている。これは、光によって発
生した酸を触媒として感酸物質が反応し、基材高分子の
溶解性などが変化して、ポジ型またはネガ型レジストと
なるものである。例えば、ノボラック樹脂、メチロール
メラミン、光酸発生剤からなるネガ型レジストが知られ
ている。光によって生成する酸を触媒として、メチロー
ルメラミンがフェノール樹脂を架橋して不溶化させるも
のである。また、ノボラック樹脂−エポキシ化合物など
のカチオン重合性の官能基を含むポリマーに、光酸発生
剤の存在下で光照射すると、官能基の重合により架橋構
造となり不溶化する現象を利用したネガ型レジストも知
られている。
【0007】ところが、ノボラック樹脂系のフォトレジ
ストを遠紫外線で露光すると、レジスト自体の光吸収が
大きすぎるために、感度や解像度が不充分となり、良好
な微細パターンの形成ができず、最近の高度な要求性能
基準から見て、いまだ充分ではない。
ストを遠紫外線で露光すると、レジスト自体の光吸収が
大きすぎるために、感度や解像度が不充分となり、良好
な微細パターンの形成ができず、最近の高度な要求性能
基準から見て、いまだ充分ではない。
【0008】最近、高エネルギー照射線の作用下に酸を
生成する化合物として、テトラブロモビスフェノールA
などの芳香族炭化水素原子に結合した塩素原子または臭
素原子を含有する化合物を用いたネガ型レジストが提案
されている(特開平2−52348号)。しかしながら
、このレジストは、感度がいまだ不十分である。さらに
、この酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹脂
に対する相溶性が不十分であり、レジスト組成物の溶剤
に対する溶解性や保存性も十分であるとはいえない。 そこで、前記性能のバランスのとれた新規なレジストの
開発が強く望まれていた。
生成する化合物として、テトラブロモビスフェノールA
などの芳香族炭化水素原子に結合した塩素原子または臭
素原子を含有する化合物を用いたネガ型レジストが提案
されている(特開平2−52348号)。しかしながら
、このレジストは、感度がいまだ不十分である。さらに
、この酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹脂
に対する相溶性が不十分であり、レジスト組成物の溶剤
に対する溶解性や保存性も十分であるとはいえない。 そこで、前記性能のバランスのとれた新規なレジストの
開発が強く望まれていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、感度
、解像度、耐エッチング性および保存安定性などのレジ
スト特性が高度にバランスのとれたレジスト材料を提供
することにある。また、本発明の目的は、波長の短い遠
紫外線やKrFエキシマレーザー光を用いるリソグラフ
ィーに適したレジスト材料を提供することにある。本発
明の他の目的は、特に、半導体素子の微細加工用ネガ型
レジストとして好適なレジスト組成物を提供することに
ある。
、解像度、耐エッチング性および保存安定性などのレジ
スト特性が高度にバランスのとれたレジスト材料を提供
することにある。また、本発明の目的は、波長の短い遠
紫外線やKrFエキシマレーザー光を用いるリソグラフ
ィーに適したレジスト材料を提供することにある。本発
明の他の目的は、特に、半導体素子の微細加工用ネガ型
レジストとして好適なレジスト組成物を提供することに
ある。
【0010】本発明者らは、前記従来技術の有する問題
点を解決するために鋭意研究した結果、アルカリ可溶性
フェノール樹脂、活性光線の照射により酸を生成する化
合物および酸の存在下で架橋する化合物を含有するレジ
スト組成物において、活性光線の照射により酸を生成す
る化合物として、塩素化アルキル基または臭素化アルキ
ル基などのハロゲン化アルキル基を置換基として有する
芳香族化合物を使用することにより、従来よりも感度が
向上したレジスト組成物の得られることを見出した。こ
の酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹脂との
相溶性が良好である。そして、この酸生成化合物を用い
たレジスト組成物は、塗布のための溶剤に対する溶解性
が良好で、保存安定性にも優れている。本発明は、これ
らの知見に基づいて完成するに至ったものである。
点を解決するために鋭意研究した結果、アルカリ可溶性
フェノール樹脂、活性光線の照射により酸を生成する化
合物および酸の存在下で架橋する化合物を含有するレジ
スト組成物において、活性光線の照射により酸を生成す
る化合物として、塩素化アルキル基または臭素化アルキ
ル基などのハロゲン化アルキル基を置換基として有する
芳香族化合物を使用することにより、従来よりも感度が
向上したレジスト組成物の得られることを見出した。こ
の酸生成化合物は、アルカリ可溶性フェノール樹脂との
相溶性が良好である。そして、この酸生成化合物を用い
たレジスト組成物は、塗布のための溶剤に対する溶解性
が良好で、保存安定性にも優れている。本発明は、これ
らの知見に基づいて完成するに至ったものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれば
、アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性光線の照射によ
り酸を生成する化合物および酸の存在下で架橋する化合
物を含有するレジスト組成物において、活性光線の照射
により酸を生成する化合物が塩素および臭素から選ばれ
る少なくとも1種のハロゲンで置換されたアルキル基を
有する芳香族化合物であることを特徴とするレジスト組
成物が提供される。以下、本発明について詳述する。
、アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性光線の照射によ
り酸を生成する化合物および酸の存在下で架橋する化合
物を含有するレジスト組成物において、活性光線の照射
により酸を生成する化合物が塩素および臭素から選ばれ
る少なくとも1種のハロゲンで置換されたアルキル基を
有する芳香族化合物であることを特徴とするレジスト組
成物が提供される。以下、本発明について詳述する。
【0012】(アルカリ可溶性フェノール樹脂)本発明
において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂とし
ては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との縮合反
応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物
、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノー
ル系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生
成物などが挙げられる。
において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹脂とし
ては、例えば、フェノール類とアルデヒド類との縮合反
応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物
、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノー
ル系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生
成物などが挙げられる。
【0013】ここで用いるフェノール類の具体例として
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類;レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールA、ピロガロールなどの多価のフェノール類などが
挙げられる。
は、フェノール、クレゾール、キシレノール、エチルフ
ェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、フ
ェニルフェノールなどの一価のフェノール類;レゾルシ
ノール、ピロカテコール、ハイドロキノン、ビスフェノ
ールA、ピロガロールなどの多価のフェノール類などが
挙げられる。
【0014】アルデヒド類の具体例としては、ホルムア
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。ケトン類の具体例
としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらの縮
合反応は、常法にしたがって行なうことができる。
ルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレ
フタルアルデヒドなどが挙げられる。ケトン類の具体例
としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらの縮
合反応は、常法にしたがって行なうことができる。
【0015】また、ビニルフェノール系重合体は、ビニ
ルフェノールの単独重合体およびビニルフェノールと共
重合可能な成分との共重合体から選択される。共重合可
能な成分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸
、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸
ビニル、アクリロニトリル、およびこれらの誘導体など
が挙げられる。
ルフェノールの単独重合体およびビニルフェノールと共
重合可能な成分との共重合体から選択される。共重合可
能な成分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸
、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸
ビニル、アクリロニトリル、およびこれらの誘導体など
が挙げられる。
【0016】また、イソプロペニルフェノール系重合体
は、イソプロペニルフェノールの単独重合体およびイソ
プロペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体
から選択される。
は、イソプロペニルフェノールの単独重合体およびイソ
プロペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体
から選択される。
【0017】共重合可能な成分の具体例としては、アク
リル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マ
レイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル、およ
びこれらの誘導体などが挙げられる。
リル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マ
レイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル、およ
びこれらの誘導体などが挙げられる。
【0018】フェノール樹脂の水素添加反応は、公知の
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成さ
れる。
方法によって実施することが可能であって、フェノール
樹脂を有機溶剤に溶解し、均一系または不均一系の水素
添加触媒の存在下、水素を導入することによって達成さ
れる。
【0019】水素添加反応におけるフェノール樹脂溶液
の濃度は、1〜70重量%、好ましくは1〜40重量%
である。溶媒としては、水素添加触媒に悪影響を与えな
いでフェノール樹脂を溶解させるものであれば特に制限
はない。水素添加触媒は、水素添加反応の活性を有する
金属あるいは非金属触媒であれば特に限定はない。具体
例としては、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、I
r、Os、Pt、Cr、Te、Mn、Ti、V、Zr、
Mo、W系水素添加触媒が挙げられる。これらの触媒は
、単独あるいは併用することもできる。
の濃度は、1〜70重量%、好ましくは1〜40重量%
である。溶媒としては、水素添加触媒に悪影響を与えな
いでフェノール樹脂を溶解させるものであれば特に制限
はない。水素添加触媒は、水素添加反応の活性を有する
金属あるいは非金属触媒であれば特に限定はない。具体
例としては、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、I
r、Os、Pt、Cr、Te、Mn、Ti、V、Zr、
Mo、W系水素添加触媒が挙げられる。これらの触媒は
、単独あるいは併用することもできる。
【0020】水素添加反応の反応温度は、通常0〜30
0℃、好ましくは20〜150℃である。300℃以上
でも可能であるが、副反応が起こり易いので好ましくな
い。水素圧は、大気圧〜400kg/cm2、好ましく
は5〜200kg/cm2である。水素添加反応後、再
沈精製、沈降法、遠心分離法、濾過法などにより、水素
添加反応樹脂溶液から触媒を除去することが可能である
。
0℃、好ましくは20〜150℃である。300℃以上
でも可能であるが、副反応が起こり易いので好ましくな
い。水素圧は、大気圧〜400kg/cm2、好ましく
は5〜200kg/cm2である。水素添加反応後、再
沈精製、沈降法、遠心分離法、濾過法などにより、水素
添加反応樹脂溶液から触媒を除去することが可能である
。
【0021】水素添加は、水素添加率が通常0.1〜7
0%、好ましくは1〜50%、さらに好ましくは3〜4
0%の範囲となるように行なう。水素添加率が70%を
超えると水素添加フェノール樹脂がアルカリ不溶性にな
るので、レジスト用の基材高分子としては不適当である
。また、水素添加率が低すぎると、水素添加による性能
向上効果が小さくなる。これらのアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂は、単独でも用いられるが、2種以上を混合し
て用いても良い。
0%、好ましくは1〜50%、さらに好ましくは3〜4
0%の範囲となるように行なう。水素添加率が70%を
超えると水素添加フェノール樹脂がアルカリ不溶性にな
るので、レジスト用の基材高分子としては不適当である
。また、水素添加率が低すぎると、水素添加による性能
向上効果が小さくなる。これらのアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂は、単独でも用いられるが、2種以上を混合し
て用いても良い。
【0022】本発明のレジスト組成物には必要に応じて
、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、
例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無
水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸
との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリ
ドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加することが
できる。これらの任意成分の添加量は、アルカリ可溶性
フェノール樹脂100重量部に対して、0〜50重量部
、好ましくは5〜20重量部である。
、現像性、保存安定性、耐熱性などを改善するために、
例えば、スチレンとアクリル酸、メタクリル酸または無
水マレイン酸との共重合体、アルケンと無水マレイン酸
との共重合体、ビニルアルコール重合体、ビニルピロリ
ドン重合体、ロジン、シェラックなどを添加することが
できる。これらの任意成分の添加量は、アルカリ可溶性
フェノール樹脂100重量部に対して、0〜50重量部
、好ましくは5〜20重量部である。
【0023】(酸架橋性化合物)本発明において用いら
れる酸の存在下で架橋する化合物(以下、「酸架橋性化
合物」と略記)は、活性光線の照射により酸を生成する
化合物に由来する酸の存在下で架橋し、活性光線の照射
部のフェノール樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性を
低下させる物質であれば、特に限定されるものではない
が、その中でも、C−O−R基(Rは水素またはアルキ
ル基)を有する化合物、あるいはエポキシ基を有する化
合物が好ましい。
れる酸の存在下で架橋する化合物(以下、「酸架橋性化
合物」と略記)は、活性光線の照射により酸を生成する
化合物に由来する酸の存在下で架橋し、活性光線の照射
部のフェノール樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性を
低下させる物質であれば、特に限定されるものではない
が、その中でも、C−O−R基(Rは水素またはアルキ
ル基)を有する化合物、あるいはエポキシ基を有する化
合物が好ましい。
【0024】C−O−R基を有する化合物の具体例とし
ては、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエー
テル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキル
エーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキ
ルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド
樹脂、アルキルエ−テル基含有フェノール系化合物など
が挙げられる。
ては、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、アルキルエー
テル化メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキル
エーテル化ベンゾグアナミン樹脂、ユリア樹脂、アルキ
ルエーテル化ユリア樹脂、ウレタン−ホルムアルデヒド
樹脂、アルキルエ−テル基含有フェノール系化合物など
が挙げられる。
【0025】メラミン−ホルムアルデヒド樹脂は、常法
にしたがって、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条
件下で縮合して得られる。アルキルエーテル化メラミン
樹脂は、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条件下で
縮合して得られたメチロールメラミンをアルコールでア
ルキルエーテル化して得られる。アルキルエーテル化メ
ラミン樹脂としては、保存安定性が良好であることから
、ヘキサアルキルエーテル化メラミンを主成分とするメ
ラミン樹脂が好ましく、その中でも特にヘキサメチルエ
ーテル化メラミン樹脂が好ましい。
にしたがって、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条
件下で縮合して得られる。アルキルエーテル化メラミン
樹脂は、メラミンとホルムアルデヒドを塩基性条件下で
縮合して得られたメチロールメラミンをアルコールでア
ルキルエーテル化して得られる。アルキルエーテル化メ
ラミン樹脂としては、保存安定性が良好であることから
、ヘキサアルキルエーテル化メラミンを主成分とするメ
ラミン樹脂が好ましく、その中でも特にヘキサメチルエ
ーテル化メラミン樹脂が好ましい。
【0026】メラミン−ホルムアルデヒド樹脂のメラミ
ンの代わりに、メラミン系化合物であるアセトグアナミ
ン、ベンゾグアナミンなどとホルムアルデヒドとを同様
に反応して得た樹脂を用いることもできる。アルキルエ
ーテル化ベンゾグアナミン樹脂は、アルキルエーテル化
メラミン樹脂のメラミンの代わりにベンゾグアナミンを
用いることにより容易に合成することが可能である。ア
ルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂としては、保存
安定性が良好であることから、テトラアルキルエーテル
化ベンゾグアナミン樹脂が好ましく、特にその中でもテ
トラメチルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂が好ましい
。
ンの代わりに、メラミン系化合物であるアセトグアナミ
ン、ベンゾグアナミンなどとホルムアルデヒドとを同様
に反応して得た樹脂を用いることもできる。アルキルエ
ーテル化ベンゾグアナミン樹脂は、アルキルエーテル化
メラミン樹脂のメラミンの代わりにベンゾグアナミンを
用いることにより容易に合成することが可能である。ア
ルキルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂としては、保存
安定性が良好であることから、テトラアルキルエーテル
化ベンゾグアナミン樹脂が好ましく、特にその中でもテ
トラメチルエーテル化ベンゾグアナミン樹脂が好ましい
。
【0027】ユリア樹脂は、常法にしたがって、尿素と
ホルムアルデヒドを縮合して得られる。アルキルエーテ
ル化ユリア樹脂は、尿素とホルムアルデヒドを縮合して
得られたメチロール尿素をアルコールでアルキルエーテ
ル化して得られる。アルキルエーテル化ユリア樹脂とし
ては、モノメチロール尿素、ジメチロール尿素、トリメ
チロール尿素、ウロン化合物のアルキルエーテル化物が
好ましく、さらに好ましくはトリメチロール尿素のアル
キルエーテル化物が挙げられる。
ホルムアルデヒドを縮合して得られる。アルキルエーテ
ル化ユリア樹脂は、尿素とホルムアルデヒドを縮合して
得られたメチロール尿素をアルコールでアルキルエーテ
ル化して得られる。アルキルエーテル化ユリア樹脂とし
ては、モノメチロール尿素、ジメチロール尿素、トリメ
チロール尿素、ウロン化合物のアルキルエーテル化物が
好ましく、さらに好ましくはトリメチロール尿素のアル
キルエーテル化物が挙げられる。
【0028】ユリア樹脂の尿素の代わりに、尿素系化合
物であるグリコールウリル、ウロン系化合物、メチレン
尿素、プロピレン尿素などの環状尿素化合物などとホル
ムアルデヒドを同様の方法で反応して得た樹脂を用いる
こともできる。
物であるグリコールウリル、ウロン系化合物、メチレン
尿素、プロピレン尿素などの環状尿素化合物などとホル
ムアルデヒドを同様の方法で反応して得た樹脂を用いる
こともできる。
【0029】ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂としては
、下記一般式(1)で示される化合物が挙げられる。 一般式(1)
、下記一般式(1)で示される化合物が挙げられる。 一般式(1)
【0030】
【化1】
(式中、R1は水素またはアルキル基)
【0031】ア
ルキルエーテル基含有フェノール系化合物としては、一
般式(2)で示される化合物が挙げられる。 一般式(2)
ルキルエーテル基含有フェノール系化合物としては、一
般式(2)で示される化合物が挙げられる。 一般式(2)
【0032】
【化2】
(式中、R2はアルキル基、アルコキシ基、アルケニル
基またはアルケニルオキシ基、R3は水素、アルキル基
または水酸基、R4は水素またはアルキル基を示し、n
は2〜4の整数を表わす。)
基またはアルケニルオキシ基、R3は水素、アルキル基
または水酸基、R4は水素またはアルキル基を示し、n
は2〜4の整数を表わす。)
【0033】エポキシ基を有する化合物の具体例として
は、ビフェノールA系エポキシ、ビスフェノールF系エ
ポキシ、ビスフェノールS系エポキシ、ビスフェノール
E系エポキシ、ノボラック系エポキシ、臭素化エポキシ
などのグリシジルエーテル系エポキシ樹脂;シクロヘキ
センオキサイド基、トリシクロデセンオキサイド基、シ
クロペンテンオキサイド基などを含む脂環式脂肪族エポ
キシ樹脂;グリシジルエステル系エポキシ樹脂;グリシ
ジルアミン系エポキシ樹脂;複素環式エポキシ樹脂;多
官能性エポキシ樹脂;などが挙げられる。これらエポキ
シ樹脂は、常法にしたがって合成することが可能である
。
は、ビフェノールA系エポキシ、ビスフェノールF系エ
ポキシ、ビスフェノールS系エポキシ、ビスフェノール
E系エポキシ、ノボラック系エポキシ、臭素化エポキシ
などのグリシジルエーテル系エポキシ樹脂;シクロヘキ
センオキサイド基、トリシクロデセンオキサイド基、シ
クロペンテンオキサイド基などを含む脂環式脂肪族エポ
キシ樹脂;グリシジルエステル系エポキシ樹脂;グリシ
ジルアミン系エポキシ樹脂;複素環式エポキシ樹脂;多
官能性エポキシ樹脂;などが挙げられる。これらエポキ
シ樹脂は、常法にしたがって合成することが可能である
。
【0034】これら酸架橋性化合物は、単独でも2種以
上を混合して用いてもよく、アルカリ可溶性フェノール
樹脂100重量部に対して、通常0.2〜50重量部、
好ましくは3〜40重量部である。酸架橋性化合物の配
合割合が過小であると、パターン形成が不可能となり、
逆に、過大であると、現像残が発生し易くなる。
上を混合して用いてもよく、アルカリ可溶性フェノール
樹脂100重量部に対して、通常0.2〜50重量部、
好ましくは3〜40重量部である。酸架橋性化合物の配
合割合が過小であると、パターン形成が不可能となり、
逆に、過大であると、現像残が発生し易くなる。
【0035】(ハロゲン化アルキル基を有する芳香族化
合物)本発明においては、活性光線の照射により酸を生
成する化合物(酸開裂可能な化合物ともいう)として、
塩素および臭素から選ばれる少なくとも1種のハロゲン
で置換されたアルキル基(ハロゲン化アルキル基)を有
する芳香族化合物を使用する。
合物)本発明においては、活性光線の照射により酸を生
成する化合物(酸開裂可能な化合物ともいう)として、
塩素および臭素から選ばれる少なくとも1種のハロゲン
で置換されたアルキル基(ハロゲン化アルキル基)を有
する芳香族化合物を使用する。
【0036】芳香族化合物の基本骨格としては、例えば
、ベンゼン環、ナフタレン環、ビフェニル、ジフェニル
エーテル、ジフェニルスルフィド、ジフェニルスルホキ
シド、ジフェニルスルホン、ジフェニルメタン、ジフェ
ニルプロパン、トリフェニルメタン、トリフェニルエタ
ン、テトラフェニルエタン、テトラフェニルブタン、テ
トラフェニルペンタン、テトラフェニルキシレン等各種
のものが挙げられ、特に限定されない。また、置換基と
して、ハロゲン化アルキル基以外に、水酸基、ニトロ基
などの他の置換基を有していてもよい。
、ベンゼン環、ナフタレン環、ビフェニル、ジフェニル
エーテル、ジフェニルスルフィド、ジフェニルスルホキ
シド、ジフェニルスルホン、ジフェニルメタン、ジフェ
ニルプロパン、トリフェニルメタン、トリフェニルエタ
ン、テトラフェニルエタン、テトラフェニルブタン、テ
トラフェニルペンタン、テトラフェニルキシレン等各種
のものが挙げられ、特に限定されない。また、置換基と
して、ハロゲン化アルキル基以外に、水酸基、ニトロ基
などの他の置換基を有していてもよい。
【0037】ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基
1個当りの置換ハロゲンの数は、1または2以上であり
、また、芳香族化合物におけるハロゲン化アルキル基の
置換数は1または2以上である。ハロゲンは、塩素およ
び臭素から選ばれる少なくとも1種を使用する。ハロゲ
ン化アルキル基は、通常、塩素化アルキル基または臭素
化アルキル基である。
1個当りの置換ハロゲンの数は、1または2以上であり
、また、芳香族化合物におけるハロゲン化アルキル基の
置換数は1または2以上である。ハロゲンは、塩素およ
び臭素から選ばれる少なくとも1種を使用する。ハロゲ
ン化アルキル基は、通常、塩素化アルキル基または臭素
化アルキル基である。
【0038】ハロゲン化アルキル基の炭素数は、特に限
定されないが、通常1〜10、好ましくは3〜5である
。また、芳香族化合物は、1または2以上のハロゲン化
アルキル基とともに、1または2以上の水酸基で置換さ
れているものが好ましい。
定されないが、通常1〜10、好ましくは3〜5である
。また、芳香族化合物は、1または2以上のハロゲン化
アルキル基とともに、1または2以上の水酸基で置換さ
れているものが好ましい。
【0039】本発明で使用するハロゲン化アルキル基を
有する芳香族化合物の具体例としては、例えば、以下の
化学式で示される化合物を挙げることができる。
有する芳香族化合物の具体例としては、例えば、以下の
化学式で示される化合物を挙げることができる。
【0040】
【化3】
【0041】
【化4】
【0042】
【化5】
【0043】
【化6】
【0044】
【化7】
【0045】
【化8】
【0046】
【化9】
【0047】
【化10】
【0048】
【化11】
【0049】
【化12】
【0050】
【化13】
【0051】
【化14】
【0052】
【化15】
【0053】
【化16】
【0054】
【化17】
【0055】
【化18】
【0056】
【化19】
【0057】
【化20】
【0058】
【化21】
【0059】
【化22】
【0060】
【化23】
【0061】
【化24】
【0062】
【化25】
【0063】
【化26】
【0064】
【化27】
【0065】
【化28】
【0066】
【化29】
【0067】
【化30】
【0068】
【化31】
【0069】
【化32】
【0070】
【化33】
【0071】
【化34】
【0072】
【化35】
【0073】
【化36】
【0074】
【化37】
【0075】
【化38】
【0076】
【化39】
【0077】
【化40】
【0078】
【化41】
【0079】
【化42】
【0080】
【化43】
【0081】
【化44】
【0082】
【化45】
【0083】
【化46】
【0084】
【化47】
【0085】
【化48】
【0086】
【化49】
【0087】
【化50】
【0088】
【化51】
【0089】
【化52】
【0090】
【化53】
【0091】
【化54】
【0092】
【化55】
【0093】
【化56】
【0094】
【化57】
【0095】
【化58】
【0096】
【化59】
【0097】
【化60】
【0098】
【化61】
【0099】
【化62】
【0100】
【化63】
【0101】
【化64】
【0102】
【化65】
【0103】
【化66】
【0104】
【化67】
【0105】
【化68】
【0106】
【化69】
【0107】
【化70】
【0108】
【化71】
【0109】
【化72】
【0110】酸生成化合物としてのハロゲン化アルキル
基を有する芳香族化合物の使用割合は、アルカリ可溶性
フェノール樹脂100重量部に対して、通常0.01〜
50重量部、好ましくは0.1〜20重量部である。こ
の使用割合が0.01重量部未満ではパターン形成が困
難となり、50重量部を越えると現像残が発生し易くな
って、いずれの場合もレジスト性能が低下する。
基を有する芳香族化合物の使用割合は、アルカリ可溶性
フェノール樹脂100重量部に対して、通常0.01〜
50重量部、好ましくは0.1〜20重量部である。こ
の使用割合が0.01重量部未満ではパターン形成が困
難となり、50重量部を越えると現像残が発生し易くな
って、いずれの場合もレジスト性能が低下する。
【0111】(レジスト組成物)本発明のレジスト組成
物は、基板に塗布してレジスト膜を形成するために、通
常、溶剤に溶解して用いる。
物は、基板に塗布してレジスト膜を形成するために、通
常、溶剤に溶解して用いる。
【0112】溶剤としては、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘ
プタノン、ブチロラクトンなどのケトン類;n−プロピ
ルアルコール、iso−プロピルアルコール、n−ブチ
ルアルコール、t−ブチルアルコール、などのアルコー
ル類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、ジオキサン、などのエー
テル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エ
チル、などのエステル類;2−オキシプロピオン酸メチ
ル、2−オキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロ
ピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、な
どのモノオキシカルボン酸エステル類;セロソルブアセ
テート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチル
セロソルブアセテート、などのセロソルブエステル類;
プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーチル
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル
、などのプロピレングリコール類;ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレング
リコールメチルエチルエーテル、などのジエチレングリ
コール類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水
素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジ
メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチ
ルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどの極性溶媒
;などが挙げられる。これらは、単独でも2種類以上を
混合して用いてもよい。
トン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘ
プタノン、ブチロラクトンなどのケトン類;n−プロピ
ルアルコール、iso−プロピルアルコール、n−ブチ
ルアルコール、t−ブチルアルコール、などのアルコー
ル類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、ジオキサン、などのエー
テル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピ
ル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エ
チル、などのエステル類;2−オキシプロピオン酸メチ
ル、2−オキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロ
ピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、な
どのモノオキシカルボン酸エステル類;セロソルブアセ
テート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソル
ブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチル
セロソルブアセテート、などのセロソルブエステル類;
プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーチル
アセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル
、などのプロピレングリコール類;ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、
ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレング
リコールメチルエチルエーテル、などのジエチレングリ
コール類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水
素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジ
メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチ
ルアセトアミド、N−メチルピロリドンなどの極性溶媒
;などが挙げられる。これらは、単独でも2種類以上を
混合して用いてもよい。
【0113】本発明のレジスト組成物には、必要に応じ
て界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション
防止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの添加剤を含
有させることができる。
て界面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション
防止剤、可塑剤、ハレーション防止剤などの添加剤を含
有させることができる。
【0114】本発明のレジスト組成物の現像液としては
、アルカリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニ
アなどの無機アルカリ類;エチルアミン、プロピルアミ
ンなどの第一アミン類;ジエチルアミン、ジプロピルア
ミンなどの第二アミン類;トリメチルアミン、トリエチ
ルアミンなどの第三アミン類;ジエチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類;
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
エチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニ
ウム塩;などが挙げられる。
、アルカリ水溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニ
アなどの無機アルカリ類;エチルアミン、プロピルアミ
ンなどの第一アミン類;ジエチルアミン、ジプロピルア
ミンなどの第二アミン類;トリメチルアミン、トリエチ
ルアミンなどの第三アミン類;ジエチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類;
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシ
エチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニ
ウム塩;などが挙げられる。
【0115】さらに、必要に応じて上記アルカリ水溶液
にメタノール、エタノール、プロパノール、エチレング
リコールなどの水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定
剤、樹脂の溶解抑制剤などを適量添加することができる
。
にメタノール、エタノール、プロパノール、エチレング
リコールなどの水溶性有機溶剤、界面活性剤、保存安定
剤、樹脂の溶解抑制剤などを適量添加することができる
。
【0116】本発明のレジスト組成物は、その溶剤溶液
を用いて、シリコンウエーハなどの基板表面に常法によ
り塗布した後、溶剤を乾燥除去することにより、レジス
ト膜を形成することができるが、塗布法としては、特に
、スピンコーティングが賞用される。
を用いて、シリコンウエーハなどの基板表面に常法によ
り塗布した後、溶剤を乾燥除去することにより、レジス
ト膜を形成することができるが、塗布法としては、特に
、スピンコーティングが賞用される。
【0117】また、露光は、遠紫外線照射装置やクリプ
トン/フッ素ガスを封入したエキシマレーザー装置を用
い、短波長紫外線やKrFエキシマレーザー光を照射す
ることにより、微細なパターンを形成することができる
。
トン/フッ素ガスを封入したエキシマレーザー装置を用
い、短波長紫外線やKrFエキシマレーザー光を照射す
ることにより、微細なパターンを形成することができる
。
【0118】光照射後、熱処理(露光後ベーク)を行な
うことにより、酸と酸架橋性化合物との反応(酸触媒反
応)が促進され、さらに高感度化することができる。
うことにより、酸と酸架橋性化合物との反応(酸触媒反
応)が促進され、さらに高感度化することができる。
【0119】
【実施例】以下に、実施例および比較例を挙げて、本発
明についてさらに具体的に説明する。なお、各例中の部
および%は特に断りのない限り重量基準である。
明についてさらに具体的に説明する。なお、各例中の部
および%は特に断りのない限り重量基準である。
【0120】[実施例1]ポリビニルフェノール(重量
平均分子量5000)100部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂(三和ケミカル社製、ニ
カラックMW−30)15部、前記の化18で示される
化合物1.5部、フッ素系界面活性剤0.01部を2−
メトキシプロピオン酸エチル380部に溶解し、0.1
μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルター(ミリ
ポア社製)で濾過してレジスト溶液を調製した。
平均分子量5000)100部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂(三和ケミカル社製、ニ
カラックMW−30)15部、前記の化18で示される
化合物1.5部、フッ素系界面活性剤0.01部を2−
メトキシプロピオン酸エチル380部に溶解し、0.1
μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルター(ミリ
ポア社製)で濾過してレジスト溶液を調製した。
【0121】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FA(キャノン社製)
とテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、13
0℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液(濃度2.38%)で23
℃、1分間、浸漬法により現像してネガ型パターンを得
た。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FA(キャノン社製)
とテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、13
0℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液(濃度2.38%)で23
℃、1分間、浸漬法により現像してネガ型パターンを得
た。
【0122】パターンの膜厚を膜厚計アルファステップ
200(テンコー社製)で測定すると0.95μmであ
った。パターンの形成されたウエーハを取り出して電子
顕微鏡で観察したところ、0.45μmのパターンが解
像していた。
200(テンコー社製)で測定すると0.95μmであ
った。パターンの形成されたウエーハを取り出して電子
顕微鏡で観察したところ、0.45μmのパターンが解
像していた。
【0123】[実施例2]実施例1のパターンの形成さ
れたウエーハをドライエッチング装置DEM−451T
(日電アネルバ社製)を用いてパワー300W、圧力0
.03Torr、ガスCF4/H2=30/10、周波
数13.56MHzでエッチングしたところ、パターン
のなかったところのみエッチングされていることが観察
された。エッチング後のレジストのパターンを観察する
と、ほぼエッチング前の形状を維持していた。このこと
により、実施例1のレジスト組成物が耐ドライエッチン
グ性に優れていることが分かった。
れたウエーハをドライエッチング装置DEM−451T
(日電アネルバ社製)を用いてパワー300W、圧力0
.03Torr、ガスCF4/H2=30/10、周波
数13.56MHzでエッチングしたところ、パターン
のなかったところのみエッチングされていることが観察
された。エッチング後のレジストのパターンを観察する
と、ほぼエッチング前の形状を維持していた。このこと
により、実施例1のレジスト組成物が耐ドライエッチン
グ性に優れていることが分かった。
【0124】[実施例3]ポリビニルフェノール(重量
平均分子量5000)100部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂(三和ケミカル社製、ニ
カラックMW−30)15部、前記の化17で示される
化合物0.9部、フッ素系界面活性剤0.01部を2−
メトキシプロピオン酸エチル380部に溶解し、0.1
μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで濾過
してレジスト溶液を調製した。
平均分子量5000)100部、アルキルエーテル化メ
ラミン−ホルムアルデヒド樹脂(三和ケミカル社製、ニ
カラックMW−30)15部、前記の化17で示される
化合物0.9部、フッ素系界面活性剤0.01部を2−
メトキシプロピオン酸エチル380部に溶解し、0.1
μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで濾過
してレジスト溶液を調製した。
【0125】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、85℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EX(ニコン社製、NA=0.42)とテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、125℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.35μm
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、85℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EX(ニコン社製、NA=0.42)とテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、125℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.35μm
のパターンが解像していた。
【0126】[実施例4]水添ポリビニルフェノール(
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、ア
ルキルエーテル基含有フェノール化合物(GENERA
L ELECTRIC社製Methylon Re
sin 75108のメチロール化物)25部、前記
の化11で示される化合物0.5部、フッ素系界面活性
剤0.01部をプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート350部に溶解し、0.1μmのポリテト
ラフルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、ア
ルキルエーテル基含有フェノール化合物(GENERA
L ELECTRIC社製Methylon Re
sin 75108のメチロール化物)25部、前記
の化11で示される化合物0.5部、フッ素系界面活性
剤0.01部をプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート350部に溶解し、0.1μmのポリテト
ラフルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
【0127】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EXとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、
130℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、浸
漬法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの
形成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察した
ところ、0.40μmのパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EXとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、
130℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、浸
漬法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの
形成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察した
ところ、0.40μmのパターンが解像していた。
【0128】[実施例5]水添ポリビニルフェノール(
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、ア
ルキルエーテル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂(CYA
NAMID社製、UFR−65)25部、前記の化47
で示される化合物1.0部、フッ素系界面活性剤0.0
1部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート350部に溶解し、0.1μmのポリテトラフルオ
ロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製
した。
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、ア
ルキルエーテル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂(CYA
NAMID社製、UFR−65)25部、前記の化47
で示される化合物1.0部、フッ素系界面活性剤0.0
1部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート350部に溶解し、0.1μmのポリテトラフルオ
ロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製
した。
【0129】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EXとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、
110℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、浸
漬法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの
形成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察した
ところ、0.35μmのパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.0μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EXとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、
110℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、浸
漬法により現像してネガ型パターンを得た。パターンの
形成されたウエーハを取り出して電子顕微鏡で観察した
ところ、0.35μmのパターンが解像していた。
【0130】[実施例6]水添ポリビニルフェノール(
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、エ
ーテル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂15部、前記
の化11で示される化合物2.0部、フッ素系界面活性
剤0.01部をシクロヘキサノン330部に溶解し、0
.1μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで
濾過してレジスト溶液を調製した。
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、エ
ーテル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂15部、前記
の化11で示される化合物2.0部、フッ素系界面活性
剤0.01部をシクロヘキサノン330部に溶解し、0
.1μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターで
濾過してレジスト溶液を調製した。
【0131】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ0.8μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FAとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、130℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.50μm
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ0.8μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FAとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、130℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.50μm
のパターンが解像していた。
【0132】[実施例7]m−クレゾールノボラック樹
脂(重量平均分子量6100)100部、アルキルエー
テル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂20部、前記の
化25で示される化合物2.0部、フッ素系界面活性剤
0.01部を2−メトキシプロピオン酸エチル380部
に溶解し、0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製
フィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
脂(重量平均分子量6100)100部、アルキルエー
テル化ウレタン−ホルムアルデヒド樹脂20部、前記の
化25で示される化合物2.0部、フッ素系界面活性剤
0.01部を2−メトキシプロピオン酸エチル380部
に溶解し、0.1μmのポリテトラフルオロエチレン製
フィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
【0133】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ0.8μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FAとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、125℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.50μm
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ0.8μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FAとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、125℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.50μm
のパターンが解像していた。
【0134】[実施例8]m−クレゾールノボラック樹
脂(重量平均分子量6100)100部、アルキルエー
テル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂(CYANAMID
社製、UFR−65)20部、前記の化24で示される
化合物1.5部、フッ素系界面活性剤0.01部をシク
ロヘキサノン330部に溶解し、0.1μmのポリテト
ラフルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
脂(重量平均分子量6100)100部、アルキルエー
テル化尿素−ホルムアルデヒド樹脂(CYANAMID
社製、UFR−65)20部、前記の化24で示される
化合物1.5部、フッ素系界面活性剤0.01部をシク
ロヘキサノン330部に溶解し、0.1μmのポリテト
ラフルオロエチレン製フィルターで濾過してレジスト溶
液を調製した。
【0135】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.2μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FAとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、125℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.45μm
のパターンが解像していた。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ1.2μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
遠紫外線照射装置PLA−521FAとテスト用マスク
を用いて露光を行なった。次に、125℃で60秒間露
光後ベークした後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃、1分間、浸漬法により現像してネ
ガ型パターンを得た。パターンの形成されたウエーハを
取り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.45μm
のパターンが解像していた。
【0136】[実施例9]水添ポリビニルフェノール(
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、ア
ルキルエーテル化メラミン−ホルムアルデヒド樹脂(三
和ケミカル社製、ニカラックMW−30)15部、前記
の化12で示される化合物1.0部、フッ素系界面活性
剤0.01部を2−メトキシプロピオン酸エチル380
部に溶解し、0.1μmのポリテトラフルオロエチレン
製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
水添率=8%、重量平均分子量4900)100部、ア
ルキルエーテル化メラミン−ホルムアルデヒド樹脂(三
和ケミカル社製、ニカラックMW−30)15部、前記
の化12で示される化合物1.0部、フッ素系界面活性
剤0.01部を2−メトキシプロピオン酸エチル380
部に溶解し、0.1μmのポリテトラフルオロエチレン
製フィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
【0137】上記レジスト溶液をシリコンウエーハ上に
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ0.8μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EXとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、
130℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、浸
漬法により現像してネガ型パターンを得た。
スピナーで塗布した後、90℃で90秒間ベークし、厚
さ0.8μmのレジスト膜を形成した。このウエーハを
KrFエキシマレーザーステッパーNSR 1505
EXとテスト用マスクを用いて露光を行なった。次に、
130℃で60秒間露光後ベークした後、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃、1分間、浸
漬法により現像してネガ型パターンを得た。
【0138】感度の評価を行なったところ、5.4mJ
/cm2であった。パターンの形成されたウエーハを取
り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.30μmの
パターンが解像していた。
/cm2であった。パターンの形成されたウエーハを取
り出して電子顕微鏡で観察したところ、0.30μmの
パターンが解像していた。
【0139】[比較例1]実施例9において、化12で
示される化合物の代わりに、特開平2−52348号で
酸生成化合物として使用されているテトラブロモビスフ
ェノールAを用いたこと以外は、同様にしてレジスト溶
液を調製した。そして、実施例9と同様の方法でネガ型
のパターンを得た。感度の評価を行なったところ、7.
3mJ/cm2であり、実施例9のレジスト組成物と比
較して30%以上感度が低下していた。
示される化合物の代わりに、特開平2−52348号で
酸生成化合物として使用されているテトラブロモビスフ
ェノールAを用いたこと以外は、同様にしてレジスト溶
液を調製した。そして、実施例9と同様の方法でネガ型
のパターンを得た。感度の評価を行なったところ、7.
3mJ/cm2であり、実施例9のレジスト組成物と比
較して30%以上感度が低下していた。
【0140】
【発明の効果】本発明によれば、感度、解像度、耐エッ
チング性、保存安定性などのバランスの優れたレジスト
組成物が得られる。本発明のレジスト組成物は、短波長
光を用いるリソグラフィーに適したパターン形成材料で
あり、特に、半導体素子の微細加工用ネガ型レジストと
して好適である。
チング性、保存安定性などのバランスの優れたレジスト
組成物が得られる。本発明のレジスト組成物は、短波長
光を用いるリソグラフィーに適したパターン形成材料で
あり、特に、半導体素子の微細加工用ネガ型レジストと
して好適である。
Claims (4)
- 【請求項1】 アルカリ可溶性フェノール樹脂、活性
光線の照射により酸を生成する化合物および酸の存在下
で架橋する化合物を含有するレジスト組成物において、
活性光線の照射により酸を生成する化合物が塩素および
臭素から選ばれる少なくとも1種のハロゲンで置換され
たアルキル基を有する芳香族化合物であることを特徴と
するレジスト組成物。 - 【請求項2】 アルカリ可溶性フェノール樹脂がアル
カリ可溶性の水素添加フェノール樹脂である請求項1記
載のレジスト組成物。 - 【請求項3】 活性光線の照射により酸を生成する化
合物が炭素数3以上のハロゲン化アルキル基を有し、か
つ、水酸基を有する芳香族化合物である請求項1記載の
レジスト組成物。 - 【請求項4】 酸の存在下で架橋する化合物がC−O
−R基(Rは水素またはアルキル基)またはエポキシ基
を有する化合物である請求項1記載のレジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170722A JPH04367864A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170722A JPH04367864A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04367864A true JPH04367864A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15910182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3170722A Pending JPH04367864A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04367864A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0511441A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
US5370988A (en) * | 1994-02-28 | 1994-12-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Print stabilizers and antifoggants for photothermography |
EP0762208A2 (en) | 1995-09-08 | 1997-03-12 | Konica Corporation | Light sensitive composition, presensitized lithographic printing plate and image forming method employing the printing plate |
US6511783B1 (en) | 1999-08-11 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Negative resist composition |
US6528233B2 (en) | 1999-12-16 | 2003-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical amplification type negative-working resist composition for electron beams or X-rays |
EP2477073A1 (en) | 2002-02-13 | 2012-07-18 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
JP2013503208A (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | エボニック オクセノ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | テトラフェノール(tp)置換構造を基礎とする有機燐化合物 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3170722A patent/JPH04367864A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0511441A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
US5370988A (en) * | 1994-02-28 | 1994-12-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Print stabilizers and antifoggants for photothermography |
EP0762208A2 (en) | 1995-09-08 | 1997-03-12 | Konica Corporation | Light sensitive composition, presensitized lithographic printing plate and image forming method employing the printing plate |
US6511783B1 (en) | 1999-08-11 | 2003-01-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Negative resist composition |
US6528233B2 (en) | 1999-12-16 | 2003-03-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical amplification type negative-working resist composition for electron beams or X-rays |
EP2477073A1 (en) | 2002-02-13 | 2012-07-18 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
JP2013503208A (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | エボニック オクセノ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | テトラフェノール(tp)置換構造を基礎とする有機燐化合物 |
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