JP5066405B2 - 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5066405B2 JP5066405B2 JP2007202026A JP2007202026A JP5066405B2 JP 5066405 B2 JP5066405 B2 JP 5066405B2 JP 2007202026 A JP2007202026 A JP 2007202026A JP 2007202026 A JP2007202026 A JP 2007202026A JP 5066405 B2 JP5066405 B2 JP 5066405B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- general formula
- alkyl
- euv
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
- Y10S430/123—Sulfur in heterocyclic ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
このため、脂環炭化水素構造を有する樹脂を含有するArFエキシマレーザー用レジストが開発されてきている。
特許文献4〜9におけるように、種々の面から光酸発生剤の検討も行われている。
〔1〕
(A)一般式(I)で表される化合物、及び、
(B)一般式(II)で表される繰り返し単位及び一般式(III)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
一般式(I)中、
R 1 〜R 13 は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、R 1 〜R 13 のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基である。
Zは単結合または電子求引性を持たない2価の連結基である。
X − は対アニオンを表す。
R 01 は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
L 1 及びL 2 は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L 1 の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に0〜4の整数を表す。但し、mとnは同時に0ではない。
〔2〕
(A)一般式(I)で表される化合物、及び、
(B)一般式(II)で表される繰り返し単位、一般式(III)で表される繰り返し単位及び一般式(IV)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
一般式(I)中、
R 1 〜R 13 は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、R 1 〜R 13 のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基である。
Zは単結合または電子求引性を持たない2価の連結基である。
X − は対アニオンを表す。
一般式(II)及び(III)において、
R 01 は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
L 1 及びL 2 は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L 1 は、互いに結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に0〜4の整数を表す。
R 01 は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
Bは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
pは0〜5の整数を表す。
〔3〕
一般式(I)におけるZが、単結合、エーテル基、又はチオエーテル基であることを特徴とする上記〔1〕又は〔2〕に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
〔4〕
一般式(I)におけるZが、単結合であることを特徴とする上記〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
〔5〕
酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂の重量平均分子量が5000以下であることを特徴とする上記〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
〔6〕
塩基性化合物を含有することを特徴とする上記〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
〔7〕
全固形分濃度が0.2〜4質量%であることを特徴とする上記〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
〔8〕
一般式(I)におけるXが、下記一般式(X)で表されるアニオンであることを特徴とする上記〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
一般式(X)中、R 14 〜R 18 は各々独立に水素原子または置換基を表す。
〔9〕
X線、電子線又はEUVで露光することを特徴とする上記〔1〕〜〔8〕のいずれか1
項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
〔10〕
上記〔1〕〜〔9〕のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
〔11〕
上記〔10〕に記載のレジスト膜を電子線、X線又はEUVにより露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
尚、本発明は、上記〔1〕〜〔11〕に係る発明であるが、以下、その他についても参考のため記載した。
(1)(A)一般式(I)で表される化合物、及び、
(B)一般式(II)で表される繰り返し単位及び一般式(III)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物。
R1〜R13は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、R1〜R13のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基である。
Zは単結合または2価の連結基である。
X-は対アニオンを表す。
L1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に0〜4の整数を表す。但し、mとnは同時に0ではない。
(B)一般式(II)で表される繰り返し単位、一般式(III)で表される繰り返し単位及び一般式(IV)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物。
R01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
L1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に0〜4の整数を表す。
Bは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
pは0〜5の整数を表す。
(4)塩基性化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載の電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物。
(5)全固形分濃度が0.2〜4質量%であることを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載の電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物。
(8)上記(1)〜(7)のいずれかに記載の組成物により、レジスト膜を形成し、該レジスト膜を電子線、X線又はEUVにより露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
酸発生剤A1を含有するレジスト組成物としては、ポジ型及びネガ型レジスト組成物のいずれであってもよい。
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸発生剤(A)及び酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂(B)を含有し、必要に応じて更に酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物(E)を含有する。
R1〜R13は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、R1〜R13のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基である。
Zは単結合または2価の連結基である。
X-は対アニオンを表す。
プチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができ、好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基であり、更に好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基である。Yは特に好ましくは-CH2CH2OH構造を含有する。
は2〜10個であり、更に好ましくは2〜6個であり、特に好ましくは2〜4個である。
R1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を2つ以
上有しても良い。R1〜R13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコー
ル性水酸基の数としては1個から6個であり、好ましくは1個から3個が好ましく、更に好ましくは1個であることが好ましい。
一般式(I)で表される化合物の有するアルコール性水酸基の数は、R1〜R13すべて
あわせて1個から10個であり、好ましくは1個から6個であり、更に好ましくは1個から3個である。
素環、又は複素環。これらは、さらに組み合わされて多環縮合環を形成することができる。例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環、が挙げられる。)を形成することもできる。
更に、R1〜R13がアルコール性水酸基を含有しない場合、R1〜R13は特に好ましくは水素原子又はアルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、ハロゲン原子、アルコキシ基である。
しくは、R9〜R13のうち少なくとも1つがアルコール性水酸基を含む。
アニオンが望ましい。有機アニオンとは炭素原子を少なくとも1つ含有するアニオンを表す。更に、有機アニオンとしては非求核性アニオンであることが好ましい。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。
非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
非求核性スルホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。非求核性カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜5)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。
く、更に好ましくはアリールスルホン酸であることが好ましい。
スルホン酸アニオンとして、例えば、メタンスルホン酸アニオン、トリフロロメタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロエタンスルホン酸アニオン、ヘプタフロロプロパンスルホン酸アニオン、パーフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロヘキサンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、パーフロロエトキシエタンスルホン酸アニオンなどが挙げられる。
水酸基の保護基Pとしてはエーテルやエステル等が挙げられ、例えば、メチルエーテル、アリールエーテル、ベンジルエーテル、酢酸エステル、安息香酸エステル、炭酸エステル等が挙げられる。
対アニオンX-はイオン交換樹脂に通し、目的のアニオンの共役酸を添加することによ
り、所望のアニオンに変換することが出来る。
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤A1とともに、他の酸発生剤を併用してもよい
。以降、酸発生剤A1ではない他の酸発生剤を酸発生剤A2と呼ぶ。
酸発生剤A2としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、
色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
り酸を発生する化合物も使用することができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1
〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、非求核性アニオンを表す。
ニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。
は炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基(好ましくは炭素数1〜15)を挙げることができる。
ニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4〜8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5−ビス(トリフロロメチル)ベンゼンスルホン酸アニオンである。
)、(ZI−2)、(ZI−3)における対応する基を挙げることができる。
式(ZI)で表される化合物のR201〜R203の少なくともひとつが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201〜R203の少なくともひとつと結合した構造を有する化合物であってもよい。
〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
2−オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
ルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができ、2−オキソアルキル基、2−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
基、ペンチル基)、炭素数3〜10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基)を挙げることができる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R206、R207及びR208は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール
基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
また、活性光線又は放射線の放射により酸を発生する化合物として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、さらに好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、または1価のフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、または1価のフッ素原子またはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸又はフッ素置換イミド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaがpKa=−1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。
酸発生剤A2は、酸発生剤A1に対し、50質量%以下であることが好ましく、30質量%であることが好ましい。
本発明のレジスト組成物が含有する酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂は、一般式(II)で表される繰り返し単位及び一般式(III)で表される繰り返し単位を有することを特徴としている。
L1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に1〜4の整数を表す。但し、mとnは同時に0ではない。
Bは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
pは0〜5の整数を表す。
R01におけるアルキル基またはシクロアルキル基としては、炭素数20個以下が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などである。これらの基は置換基を有していても良く、例えばアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。CF3基、アルコキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基等がさらに好ましい。
R01におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
R01におけるアルコキシカルボニル基に含まれるアルキルとしては、上記R01におけるアルキル基と同様のものが好ましい。
L1及びL2としてシクロアルキル基は、例えば炭素数3〜15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基を好ましく挙げることができる。
L1及びL2としてアリール基は、例えば炭素数6〜15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましく挙げることができる。
L1及びL2としてアラルキル基は、例えば、炭素数6〜20であって、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
レン基、アリーレン基、−OCO−、−COO−、または−CON(R0)−、およびこ
れらのうちの複数を含有する連結基である。R0は、水素原子またはアルキル基である。
Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基もしくは芳香環基としては、
上述のL1及びL2としてのシクロアルキル基、アリール基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3〜15である。
ヘテロ原子を含む脂環基もしくは芳香環基としては、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造(炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環)であれば、これらに限定されない。
しく、例えば、−OC(L1)(L2)O−M−Qで表される基として、以下のものが挙げられる。
Aとしてのアルキル基は、例えば炭素数1〜8個のアルキル基であって、具体的には
、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。
Aとしてのアルコキシ基は、例えば炭素数1〜8の上記アルコキシ基であり、例えば
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
Aとしてのアシルオキシ基またはアルコキシカルボニル基は、上記アシル基、アルコキシ基に対応する基を挙げることができる。
pは1〜5の整数を表し、0〜2が好ましく、1が更に好ましい。
X1は、水素原子または有機基を表す。
分解性基であってもよい。
ることができる。(有機基なのでハロゲン原子は含まない)
また、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルキルオキシ基(但し、−O−第3級アルキルは除く)、アシル基、シクロアルキルオキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルアミドメチルオキシ基、アルキルアミド基、アリールアミドメチル基、アリールアミド基等が挙げられる。
非酸分解性基としては、好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミドオキシ基、アルキルアミド基であり、より好ましくはアシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基である。
非酸分解性基において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基の様な炭素数1〜4個のものが好ましく、シク
ロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数3〜10個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数2〜4個のものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数6〜14個のものが好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基等の炭素数1〜4個のア
ルコキシ基が好ましい。
R11a〜R13aは、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリール基を表す。R14aおよびR15aは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基を表す。R16aは、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アラルキル基またはアリール基を表す。尚、R11a、R12a、R13aのうちの2つ、または
R14a、R15a、R16aのうちの2つが結合して環を形成してもよい。
なお、X1には、酸分解性基を有する基を変性により導入することもできる。このよう
にして、酸分解性基を導入したX1は、例えば、以下のようになる。
−〔C(R17a)(R18a)〕p−CO−OC(R11a)(R12a)(R13a)R17aおよびR18aは、それぞれ独立して、水素原子またはアルキル基を表す。pは1〜4の整数である。
環状構造を有する酸分解性基であることが好ましく、芳香族基(特にフェニル基)を含む構造、又は下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式又は有橋脂環式構造を含む構造であることが好ましい。
R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
R22〜R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
また、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシルオキシ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を示す。
ル基よりなる群から選択された置換基が挙げられる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
また、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基は、更に置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば、炭素数1〜4のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等)、ヒドロキシ基、オキソ基、アルキルカルボニル基(好ましくは炭素数2〜5)、アルキルカルボニルオキシ基基(好ましくは炭素数2〜5)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜5)、ハロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、フッ素原子等)等を挙げることができる。
一般式(III)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは40〜90モル%、より好ましくは45〜80モル%、特に好ましくは50〜75モル%である。
中、好ましくは5〜50モル%、より好ましくは10〜40モル%、特に好ましくは15〜30モル%である。
一般式(V)で表される繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位
中、好ましくは0〜30モル%、より好ましくは0〜20モル%、特に好ましくは0〜10モル%である。
酸分解性基を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂を構成する全繰り返し単位中、好ましくは3〜95モル%、より好ましくは5〜90モル%、特に好ましくは10〜85モル%である。
とが好ましく、さらに好ましくは1,500〜4,000の範囲であり、特に好ましく
は2,000〜3,000の範囲である。未露光部の膜減り防止の点から1000以上が好ましく、樹脂自体のアルカリに対する溶解速度、感度の点から5,000以下が好ましい。
また、分子量分散度(Mw/Mn)は、1.0〜3.0であることが好ましく、より好ましくは1.0〜2.0、特に好ましくは、1.0〜1.6である。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
樹脂(B)の添加量は、レジスト組成物の全固形分に対し、通常30〜99質量%
であり、好ましくは40〜97質量%であり、特に好ましくは50〜95質量%である。
以下、「(C)成分」あるいは「アルカリ可溶性樹脂」ともいう。
アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、0.261Nテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド(TMAH)で測定(23℃)して20A/秒以上が好ましい。特に好ましくは200A/秒以上である(Aはオングストローム)。
以下、「(D)成分」或いは「溶解阻止化合物」ともいう。
(D)酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE, 2724,355 (1996)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記脂環炭化水素系酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
さらに好ましくは2〜6個含有するものである。
であり、より好ましくは5〜40質量%である。
以下、「(E)成分」或いは「架橋剤」ともいう。
本発明のネガ型レジスト組成物には、架橋剤が使用される。
(1)フェノール誘導体のヒドロキシメチル体、アルコキシメチル体、アシルオキシメ
チル体。
(2)N−ヒドロキシメチル基、N−アルコキシメチル基、N−アシルオキシメチル基を有する化合物。
(3)エポキシ基を有する化合物。
架橋剤は、レジスト組成物の固形分中、通常3〜70質量%、好ましくは5〜50質量%の添加量で用いられる。
本発明のレジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
、炭素数3〜20のシクロアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基又は炭素数3〜20のアミノシクロアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3〜20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。
また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。
また、アミン化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)もしくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−もしくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。
アンモニウム塩化合物は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン基の中でもオキシエチレン基(−CH2CH2O−)もしくはオキシプロピレン基(−CH(CH3)CH2O−もしくは−CH2CH2CH2O−)が好ましく、さらに好ましくはオキシエチレン基である。 アンモニウム塩化合物のアニオンとしては、ハロゲン原子、スルホネート、ボレート、フォスフェート等が挙げられるが、中でもハロゲン原子、スルホネートが好ましい。ハロゲン原子としてはクロライド、ブロマイド、アイオダイドが特に好ましく、スルホネートとしては、炭素数1〜20の有機スルホネートが特に好ましい。有機スルホネートとしては、炭素数1〜20のアルキルスルホネート、アリールスルホネートが挙げられる。アルキルスルホネートのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えばフッ素、塩素、臭素、アルコキシ基、アシル基、アリール基等が挙げられる。アルキルスルホネートとして、具体的にはメタンスルホネート、エタンスルホネート、ブタンスルホネート、ヘキサンスルホネート、オクタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート、ペンタフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。アリールスルホネートのアリール基としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が挙げられる。ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐アルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基が好ましい。直鎖若しくは分岐アルキル基、シクロアルキル基として、具体的にはメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、n−ヘキシル、シクロヘキシル等が挙げられる。他の置換基としては炭素数1〜6のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ、ニトロ、アシル基、アシルオキシ基等が挙げられる。
本発明のレジスト組成物は、更に、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。
秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファッ
クF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
キシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C6F13基を有
するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。
本発明のレジスト組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
本発明において使用される溶剤として好ましくは、少なくとも1つのケトン構造を有する溶剤である。
ケトン構造を有する溶剤としては、鎖状ケトン溶剤、環状ケトン溶剤が挙げられ、合計炭素数5〜8の化合物が塗布性が良好で好ましい。
鎖状ケトン溶剤としては、例えば、2−ヘプタノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられ、好ましくは2−ヘプタノンである。
環状ケトン溶剤としては、例えば、シクロペンタノン、3−メチル−2−シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、イソホロン等挙げられ、好ましくはシクロヘキサノン、シクロヘプタノンである。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を挙げることができる。
乳酸アルキルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル等を挙げることができる。
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等を挙げることができる。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、メトキシプロピオン酸メチル、メトキシプロピオン酸エチル、エトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。
ラクトン化合物としては、例えば、γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。
ケトン系溶剤と上記併用溶剤の比率(質量比)は、好ましくは10/90〜95/5、より好ましくは20/80〜80/20、更に好ましくは30/70〜70/30である。
これら高沸点溶剤の添加量は、全溶剤中の通常0.1〜15質量%であり、好ましくは0.5〜10質量%であり、更に好ましくは1〜5質量%である。
本発明のレジスト組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記(G)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
本発明のレジスト組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1〜20質量%である。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
(1)ジベンゾチオフェン−S−オキシドの合成
ジベンゾチオフェン20.0gをトリフルオロ酢酸80.0mlに室温で懸濁した。そこに
30%過酸化水素水12.4mlを反応温度が60℃付近に保たれるよう、氷冷を行いなが
らゆっくり滴下した。滴下後、反応液を室温で30分攪拌する。反応後、反応液を水1000mlに添加し、結晶を析出させる。結晶をろ取し、水で洗う。得られた結晶をアセとニトリルで再結晶することにより、ジベンゾチオフェン-S-オキシド19.2gを得た。1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ7.51(t,2H),7.59(t,2H),7.81(d,2H),8.00(d,2H)
氷冷下、上記(1)で合成を行ったジベンゾチオフェン−S−オキシド10.0gを五
酸化二リン/メタンスルホン酸=9/1(30g)中に添加し、さらに酢酸2−フェニルエチル10mlを添加する。室温で6時間攪拌後、氷水にあける。得られた水溶液をろ過し、ヨウ化カリウム23gを添加する。析出した結晶をろ取することでヨウ化5−(4−(2−アセトキシエチル)フェニル)ジベンゾチオフェニウムを11.1g得る。得られたヨ
ウ化5−(4−(2−アセトキシエチル)フェニル)ジベンゾチオフェニウム11.1gをメ
タノール200mlに溶解し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(20%水溶液)を10.7g添加する。室温で2時間攪拌後、トリイソプロピルベンゼンスルホン酸9.6gを加え、さらに室温で30分攪拌する。反応液に更に酢酸銀3.9gを添加し、室温で
1時間攪拌する。反応液をろ過後、母液を減圧溜去する。得られた結晶をクロロホルムに溶解し、水で3回洗う。クロロホルムを減圧溜去後酢酸エチル/アセとニトリル=5/1で再結晶を行う。これにより、5−(4−(2−ヒドロキシエチル)フェニル)ジベンゾチオフェニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸塩7.0gを得る。
1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ1.20(d,18H), 2.78(m,3H), 3.71(t,2H), 4.68(m,2H), 7.02(s,2H), 7.29(d,2H),7.51(t,2H),7.64(d,2H),7.76(t,2H),8.14(d,2H),8.22(d,2H)
氷冷下、上記(1)で合成を行ったジベンゾチオフェン−S−オキシド10.0gを酢
酸2−フェニルエチル10ml中で攪拌を行い、そこにトリフルオロ酢酸無水物5.7m
l添加する。室温で1時間攪拌する。反応後、ジイソプロピルエーテルを20ml加え、結晶を析出させ、結晶をろ取する。得られた結晶9.3gをメタノール200mlに溶解
し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(20%水溶液)を10.7g添加する。室
温で2時間攪拌する。反応後、メタノールを減圧溜去し、得られた結晶をクロロホルムに
溶解し、水で3回洗う。クロロホルム層を減圧溜去後、酢酸エチル/アセとニトリル=5/1で再結晶を行う。これにより、5−(4−(2−ヒドロキシエチル)フェニル)ジベンゾチオフェニウムノナフルオロブタンスルホン酸塩8.5gを得る。
1H-NMR(400MHz、CDCl3)σ2.80(t,2H), 3.73(t,2H), 7.29(d,2H),7.53(t,2H),7.60(d,2H),7.80(t,2H),8.16(d,2H),8.25(d,2H)
下記樹脂A−1を以下のようにして合成した。
<1−1.ポリマー1aの合成>
反応容器中に上記で得られた重合体130g、メタノール500ml、1−メトキシ−
2−プロパノール500ml、濃塩酸2.0ml、蒸留水30mlを加え、80℃に加熱して5時間攪拌した。反応溶液を室温まで放冷し、蒸留水3L中に滴下した。ろ過した固体をアセトン120mlに溶解し、再度蒸留水3L中に滴下、ろ過した固体を減圧乾燥してポリマー1aを79.3g得た。GPCによる重量平均分子量は8000、分子量分散度は1.55、1H−NMRより求めた組成比は図の左から順に51/49であった。
実施例に用いた、樹脂(B)の構造及び分子量、分散度を示す。尚、繰り返し単位の右側の数字は、モル比を表す。
A−2:重量平均分子量;9900 、分散度;1.65
E−1:重量平均分子量;4000 、分散度;1.55
E−2:重量平均分子量;3100 、分散度;1.58
E−3:重量平均分子量;2500 、分散度;1.52
各成分についての記号は、以下のとおりであある。
〔酸発生剤〕
酸発生剤は、先に例示したものである。
C−1:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
C−2:トリフェニルスルホニウムアセテート
C−3:N−ヒドロキシエチルピペリジン
C−4:2,6−ジイソプロピルアニリン
C−6:トリペンチルアミン
C−10:N−フェニルジエタノールアミン
C−11:トリオクチルアミン
C−12:1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン
W−1:メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)(シリコン系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
B1:プロピレングリコールモノメチルエーテル
レンフィルターによりろ過して固形分濃度3.5質量%のポジ型レジスト溶液を調製し、下記の通り評価を行った。
なお、界面活性剤の添加量は全固形分に対し0.1質量%である。
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120℃で60秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、70nmのレジスト膜を形成させた。
得られたレジスト膜にEUV光(波長13nm)を用いて、露光量を0〜10.0mJの範囲で0.5mJづつ変えながら面露光を行い、さらに110℃で、90秒間ベークした。その後2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて、各露光量での溶解速度を測定し、感度曲線を得た。
この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とし、また感度曲線の直線部の勾配から溶解コントラスト(γ値)を算出した。γ値が大きいほど溶
解コントラストに優れている。
上記の感度を示す放射量における50nmのラインパターンの長さ方向10μmにおける任意の32点について、走査電子顕微鏡((株)日立製作所製S−9220)を用いて線幅を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。
〔アウトガス性能:露光後の膜厚変動率〕
EUV光による面露光を行って決定した感度での照射量(mJ/cm2)の2.0倍の
照射量を照射し、露光後(後加熱前)の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。
膜厚変動率(%)=[(未露光時の膜厚−露光後の膜厚)/未露光時の膜厚]×100
Claims (11)
- (A)一般式(I)で表される化合物、及び、
(B)一般式(II)で表される繰り返し単位及び一般式(III)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
一般式(I)中、
R1〜R13は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、R1〜R13のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基である。
Zは単結合または電子求引性を持たない2価の連結基である。
X−は対アニオンを表す。
R01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
L1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に0〜4の整数を表す。但し、mとnは同時に0ではない。 - (A)一般式(I)で表される化合物、及び、
(B)一般式(II)で表される繰り返し単位、一般式(III)で表される繰り返し単位及び一般式(IV)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
一般式(I)中、
R 1 〜R 13 は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、R 1 〜R 13 のうち少なくとも1つはアルコール性水酸基を含む置換基である。
Zは単結合または電子求引性を持たない2価の連結基である。
X − は対アニオンを表す。
一般式(II)及び(III)において、
R01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
L1及びL2は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアラルキル基を表す。
Mは、単結合または2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂環基または芳香環基を表す。
Q、M、L1は、互いに結合して5員または6員環を形成しても良い。
Aは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
m及びnは独立に0〜4の整数を表す。
R01は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
Bは、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
pは0〜5の整数を表す。 - 一般式(I)におけるZが、単結合、エーテル基、又はチオエーテル基であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
- 一般式(I)におけるZが、単結合であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
- 酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂の重量平均分子量が5000以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
- 塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
- 全固形分濃度が0.2〜4質量%であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
- 一般式(I)におけるXが、下記一般式(X)で表されるアニオンであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
一般式(X)中、R14〜R18は各々独立に水素原子または置換基を表す。 - X線、電子線又はEUVで露光することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子線、X線又はEUV用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
- 請求項10に記載のレジスト膜を電子線、X線又はEUVにより露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007202026A JP5066405B2 (ja) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
TW97128921A TWI470355B (zh) | 2007-08-02 | 2008-07-31 | 電子束、x射線或euv用光阻組成物、光阻膜及使用其之圖案形成方法 |
EP20080013855 EP2020616A3 (en) | 2007-08-02 | 2008-08-01 | Resist composition for electron beam, x-ray, or euv, and pattern-forming method using the same |
KR1020080075532A KR20090013727A (ko) | 2007-08-02 | 2008-08-01 | 전자선, x선, 또는 euv용 포지티브 레지스트 조성물,및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
US12/184,313 US8084183B2 (en) | 2007-08-02 | 2008-08-01 | Resist composition for electron beam, X-ray, or EUV, and pattern-forming method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007202026A JP5066405B2 (ja) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009037057A JP2009037057A (ja) | 2009-02-19 |
JP5066405B2 true JP5066405B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=40090404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007202026A Expired - Fee Related JP5066405B2 (ja) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8084183B2 (ja) |
EP (1) | EP2020616A3 (ja) |
JP (1) | JP5066405B2 (ja) |
KR (1) | KR20090013727A (ja) |
TW (1) | TWI470355B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI470345B (zh) * | 2007-08-03 | 2015-01-21 | Fujifilm Corp | 含新穎化合物之光阻組成物、使用該光阻組成物之圖案形成方法、及新穎化合物 |
JP4951464B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 |
JP5150296B2 (ja) | 2008-02-13 | 2013-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5292127B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-09-18 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5387181B2 (ja) | 2009-07-08 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5512430B2 (ja) * | 2009-07-17 | 2014-06-04 | 住友化学株式会社 | 塩及びフォトレジスト組成物 |
JP6049250B2 (ja) | 2010-11-30 | 2016-12-21 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 光酸発生剤 |
EP2472323A3 (en) | 2010-12-31 | 2013-01-16 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Polymerizable photoacid generators |
EP2472322A2 (en) | 2010-12-31 | 2012-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Photoacid generating monomer and precursor thereof |
EP2472321A1 (en) | 2010-12-31 | 2012-07-04 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of preparing photoacid-generating monomer |
JP5906787B2 (ja) | 2011-03-08 | 2016-04-20 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5783137B2 (ja) | 2012-06-15 | 2015-09-24 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI523872B (zh) | 2013-02-25 | 2016-03-01 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光敏共聚物,包括該共聚物之光阻,及形成電子裝置之方法 |
JP5812030B2 (ja) | 2013-03-13 | 2015-11-11 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US9182669B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copolymer with acid-labile group, photoresist composition, coated substrate, and method of forming an electronic device |
JP6910108B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2021-07-28 | 住友化学株式会社 | 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6783540B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-11-11 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2150691C2 (de) | 1971-10-12 | 1982-09-09 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Lichtempfindliches Gemisch und Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches zur Herstellung einer Flachdruckplatte |
US3779778A (en) | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
DE2922746A1 (de) | 1979-06-05 | 1980-12-11 | Basf Ag | Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial |
US5073476A (en) | 1983-05-18 | 1991-12-17 | Ciba-Geigy Corporation | Curable composition and the use thereof |
JPS61226745A (ja) | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
JPS61226746A (ja) | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
JPS62153853A (ja) | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
JPS62123444A (ja) | 1985-08-07 | 1987-06-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
JPH0616174B2 (ja) | 1985-08-12 | 1994-03-02 | 三菱化成株式会社 | ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物 |
JPS6269263A (ja) | 1985-09-24 | 1987-03-30 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
DE3662188D1 (en) | 1985-10-08 | 1989-04-06 | Mitsui Petrochemical Ind | Triphenol and polycarbonate polymer prepared therefrom |
JPH083630B2 (ja) | 1986-01-23 | 1996-01-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
JPS6326653A (ja) | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Tosoh Corp | フオトレジスト材 |
JPS6336240A (ja) | 1986-07-28 | 1988-02-16 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | レジスト構造の作成方法 |
JPS6334540A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPS63146038A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
JPS63146029A (ja) | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
GB8630129D0 (en) | 1986-12-17 | 1987-01-28 | Ciba Geigy Ag | Formation of image |
CA1296925C (en) | 1988-04-07 | 1992-03-10 | Patrick Bermingham | Test system for caissons and piles |
US4916210A (en) | 1988-10-20 | 1990-04-10 | Shell Oil Company | Resin from alpha, alpha', alpha"-tris(4-cyanatophenyl)-1,3,5-triisopropylbenzene |
JPH02258500A (ja) | 1989-03-31 | 1990-10-19 | Toshiba Corp | 蒸発熱交換器 |
DE3914407A1 (de) | 1989-04-29 | 1990-10-31 | Basf Ag | Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial |
JP2717602B2 (ja) | 1990-01-16 | 1998-02-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
JPH03223860A (ja) | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 新規レジスト材料 |
JP3008594B2 (ja) | 1990-08-31 | 2000-02-14 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
JP2711590B2 (ja) | 1990-09-13 | 1998-02-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
US5296330A (en) | 1991-08-30 | 1994-03-22 | Ciba-Geigy Corp. | Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive |
US5576143A (en) | 1991-12-03 | 1996-11-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive composition |
JP2753921B2 (ja) | 1992-06-04 | 1998-05-20 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP3112229B2 (ja) | 1993-06-30 | 2000-11-27 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JP3224115B2 (ja) | 1994-03-17 | 2001-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
US5824451A (en) | 1994-07-04 | 1998-10-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
JPH0862834A (ja) | 1994-08-22 | 1996-03-08 | Mitsubishi Chem Corp | フォトレジスト組成物 |
JPH095988A (ja) | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Mitsubishi Chem Corp | 感放射線性塗布組成物 |
JP3562599B2 (ja) | 1995-08-18 | 2004-09-08 | 大日本インキ化学工業株式会社 | フォトレジスト組成物 |
TWI263866B (en) | 1999-01-18 | 2006-10-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist composition |
JP2002090991A (ja) | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US6680157B1 (en) | 2000-10-12 | 2004-01-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist methods and materials for UV and electron-beam lithography with reduced outgassing |
JP2002277862A (ja) | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 液晶光変調器及びそれを用いた表示装置 |
WO2003008404A2 (en) * | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Lamberti Spa | Sulfonium salts as phtoinitiators for radiation curable systems |
JP3909818B2 (ja) * | 2001-11-12 | 2007-04-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US7521168B2 (en) * | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
EP1480078A1 (en) | 2003-05-21 | 2004-11-24 | ASML Netherlands B.V. | Method for coating a substrate for EUV lithography and substrate with photoresist layer |
JP2005037887A (ja) | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4583790B2 (ja) | 2003-06-26 | 2010-11-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4533771B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4557159B2 (ja) | 2004-04-15 | 2010-10-06 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2006078760A (ja) | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 電子線またはeuv(極端紫外光)用レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2006091677A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP4319136B2 (ja) | 2004-12-17 | 2009-08-26 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2006215271A (ja) | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7541131B2 (en) * | 2005-02-18 | 2009-06-02 | Fujifilm Corporation | Resist composition, compound for use in the resist composition and pattern forming method using the resist composition |
JP4677353B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-04-27 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4505357B2 (ja) * | 2005-03-16 | 2010-07-21 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
US7374860B2 (en) * | 2005-03-22 | 2008-05-20 | Fuji Film Corporation | Positive resist composition and pattern forming method using the same |
JP4792299B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-10-12 | 富士フイルム株式会社 | 新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
US7718344B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-05-18 | Fujifilm Corporation | Resist composition and pattern forming method using the same |
-
2007
- 2007-08-02 JP JP2007202026A patent/JP5066405B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-31 TW TW97128921A patent/TWI470355B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-08-01 US US12/184,313 patent/US8084183B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-01 KR KR1020080075532A patent/KR20090013727A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-08-01 EP EP20080013855 patent/EP2020616A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200910012A (en) | 2009-03-01 |
JP2009037057A (ja) | 2009-02-19 |
KR20090013727A (ko) | 2009-02-05 |
EP2020616A2 (en) | 2009-02-04 |
EP2020616A3 (en) | 2009-04-29 |
US20090047598A1 (en) | 2009-02-19 |
US8084183B2 (en) | 2011-12-27 |
TWI470355B (zh) | 2015-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5066405B2 (ja) | 電子線、x線又はeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4866606B2 (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4961324B2 (ja) | 電子線、x線又はeuv用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4792299B2 (ja) | 新規なスルホニウム化合物、該化合物を含有する感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4562537B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4452632B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP5140354B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2009053518A (ja) | 電子線、x線またはeuv用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP5155803B2 (ja) | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP4677353B2 (ja) | レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP5103316B2 (ja) | 新規なスルホニウム化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び新規なスルホニウム化合物 | |
JP2010100604A (ja) | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2006259136A (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4448730B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4677293B2 (ja) | ポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2007065353A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2009069381A (ja) | 電子線、x線またはeuv用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP5150296B2 (ja) | 電子線、x線またはeuv用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2007003619A (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いる化合物 | |
JP4742001B2 (ja) | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2006330099A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4695996B2 (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP4951464B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 | |
JP2009053665A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2006251466A (ja) | 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20111121 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5066405 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |