JP4911558B2 - 狭帯域化レーザ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、狭帯域化レーザ装置に関し、特に、半導体を製造するために用いられる縮小投影露光装置の光源としての狭帯域化エキシマレーザ装置あるいは狭帯域化F2レーザ装置において、そのレーザ光のスペクトル純度幅等のスペクトル指標値を制御する装置に関するものである。
以下に縮小投影露光装置の光源として用いられる狭帯域化レーザ装置の従来技術について各項目毎に説明する。
(露光用光源)
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている。このため露光用光源から放出される光の短波長化が進められており、露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在の露光用ガスレーザ装置としては、波長248nmの紫外線を放出するKrFエキシマレーザ装置ならびに、波長193nmの紫外線を放出するArFエキシマレーザ装置が用いられている。次世代の露光技術として、露光用レンズとウェーハ間を液体で満たして、屈折率を変えることによって、露光光源の見かけの波長を短波長化する液浸技術をArF露光に適用することが考えられている。ArF液浸では、見かけの波長は134nmと短くなる。また、次々世代の露光用光源として、波長157nmの紫外線を放出するF2レーザ装置が有力であり、F2レーザ液浸露光が採用される可能性もある。F2液浸では、115nmまで短波長化すると言われている。
(露光用光学素子と色収差)
多くの半導体露光装置の光学系には、投影光学系が採用されている。投影光学系では、異なる屈折率を有するレンズ等の光学素子が組み合わされて色収差補正が行なわれる。現在、露光用光源であるレーザ波長の248nm〜115nmの波長域では、投影光学系のレンズ材料として使用に適する光学材料は、合成石英とCaF2以外にない。このため、KrFエキシマレーザの投影レンズとしては、合成石英のみで構成された全屈折タイプの単色レンズが採用され、ArFエキシマレーザの投影レンズとしては、合成石英とCaF2で構成された全屈折タイプの部分色消しレンズが採用されている。ところが、KrF、ArFエキシマレーザの自然発振幅は約350〜400pmと広いために、これらの投影レンズを使用すると色収差が発生して、解像力が低下する。そこで、色収差が無視できるまでに、上記ガスレーザ装置から放出されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。このため、レーザ装置には、狭帯域化素子(エタロンやグレーティング等)を有する狭帯域化モジュールが光共振器内に設けられ、スペクトル線幅の狭帯域化が行われている。
(スペクトル純度幅)
露光装置の結像性能は、レーザ光のスペクトル波形の半値全幅だけでなく、スペクトル波形の裾野成分によって大きく影響を受ける。そこで、いわゆるスペクトル純度幅といわれるスペクトルの新しい指標値が導入されている。このスペクトル純度幅は、例えば全エネルギーの95%のエネルギーが入るスペクトル幅(E95)で評価される。
集積回路の品質を保証するためには、このスペクトル純度幅を例えば0.5pm以下に抑えることが要求されている。
(スペクトル純度幅を安定化させる理由)
しかし、近年になって、このスペクトル純度幅が、光学システムで設計された値から大幅に狭い値であっても、集積回路の品質が悪化することがあると言われ始めた。このことは、特許文献1(US6721340)および2(特開2001-267673号)に記載されている。このため、スペクトル純度幅は、ある所定の許容幅内で安定するように制御(以下、適宜、安定化制御という)される必要がある。
(スペクトル純度幅の制御の従来技術)
スペクトル純度幅を制御する技術としては、波長振りによる方法と、グレーティング曲げ制御による方法が開示されている。
波長振りによりスペクトル純度幅を安定化制御する技術に関しては、特許文献1および2に記載されている。特許文献2には、波長検出器を設けるとともに、狭帯域化ユニット内に高速同調機構を設け、検出された波長に基づき、高速同調機構で、1パルス毎に、微小かつ高速に波長を振ることによって、見かけ上のスペクトル純度幅を制御して許容幅内に収めるという発明が記載されている。ここでいう、「見かけ上のスペクトル純度幅の制御」とは、各瞬間での中心波長を振り、時間積分することで振り幅に応じたスペクトル純度幅を擬似的に得る制御のことである。
グレーティング曲げ制御によりスペクトル線幅(純度幅も含む)を安定化制御する技術に関しては、特許文献3(特開2000-312048号)に記載されている。この特許文献3は、狭帯域化モジュール内にある波長選択素子の精密なグレーティングの曲げ機構に関するものであり、2方向スペクトル幅制御グレーティングアセンブリが提案されている。この技術を図面を参照して説明する。
図26はスペクトル純度幅を制御するためのグレーティング曲げ機構を示す。
バネハウジング91は、グレーティング90のライン表面から離れるように延びる2つの端プレート92、93のうちの一方の端プレート92に接続される。調節ロッド94は他方の端プレート93にねじ込まれ、バネハウジング91に挿通される。さらに、調節ロッド94はバネハウジング91内に設けられたピストン95に固定される。バネハウジング91の内部には、バネハウジング91内の一方の圧力表面91aとピストン95の一方の面との間に取り付けられた圧縮バネ96と、バネハウジング91内の他方の圧力表面91bとピストン95の他方の面との間に取り付けられた圧縮バネ97とがある。調整ロッド94を一方の方向に回すと、グレーティング90のライン表面の凹状はより大きく(又は凸状はより小さく)なり、調整ロッド94を他方の方向に回すと、グレーティング90のライン表面の凸状はより大きく(又は凹状はより小さく)なる。このグレーティング曲げ機構により、スペクトル線幅およびスペクトル純度幅E95をある程度の範囲内で制御することができる。
US6721340 特開2001−267673号 特開2000−312048号
しかしながら、上記特許文献2に記載された従来技術では、スペクトル純度幅を制御することに伴い、中心波長もそれに付随して変化する。このため、中心波長を所望の値に一致させる中心波長制御と、スペクトル純度幅を所定の許容幅内に収めるスペクトル線幅制御と、を独立に行うことが困難である。このため、つぎのような問題が発生する。
(1)中心波長の制御は、1パルス毎にフィードバック制御を行うことが望ましいが、これが複雑な制御になる。
(2)中心波長が安定している状況では、中心波長制御の精度はあまり問題とならないが、露光装置から目標波長の変更の指示が出された場合など、波長をダイナミックに制御する必要がある場合には、中心波長制御の精度に影響を与えるおそれがある。
(3)バースト発振の初期において、中心波長が大きくずれるチャーピング現象が発生する。
さらに、上記特許文献3に記載された従来技術では、グレーティング曲げの制御により、スペクトル線幅を目標スペクトル純度幅E95に制御しようとする場合に以下の問題が発生する。
(1)レーザの出力を維持した状態を維持することのできるスペクトル純度幅E95の制御範囲は、約0.4から0.6pmであり、ダイナミックレンジが小さい。そのため、スペクトル純度幅E95の目標値は0.5pm付近で設定することしかできない(この点の詳細は後述する)。しかも、熱負荷や音響波等の影響で±0.1pmの範囲を超えた場合にはスペクトル純度幅E95の安定化が困難である。
(2)スペクトル純度幅を変化させるためのグレーティングの曲げは、プリズムビームエキスパンダにより大きく拡大されるため、長い曲率半径(例えば数km程度)で円弧上に非常に綺麗に曲げを行う必要がある。綺麗に曲げることができない場合にはスペクトルの形状に大きな影響を及ぼす。例えば、複数のピークが発生する可能性がある。
(3)露光装置用の狭帯域化エキシマレーザ装置に使用されるグレーティングのサイズは非常に大きく(長さ200mmから350mm)かつ、グレーティングの曲げ機構は非常に精密である。それゆえ、スペクトル純度幅E95の早い制御には適さない。
以上のように、波長振りやグレーティング曲げによってスペクトル純度幅の制御を行うことには諸問題があり、スペクトル純度幅E95の制御を、中心波長の制御にほとんど影響を与えることなく広い制御範囲で行うことは難しかった。
本発明は、こうした実状に鑑みてなされたものであり、スペクトル純度幅E95の制御を、中心波長の制御にほとんど影響を与えることなく広い制御範囲で行えるようにし、スペクトル純度幅E95を安定化させることを解決課題とするものである。
第1発明は、
レーザ媒質と、
前記レーザ媒質を励起する励起源と、
光を波長毎に分散させる波長分散素子と、入射した光の一部を反射し残りを透過する部分透過型出力カプラと、を有し、前記レーザ媒質の励起に起因して出力された光を共振させる光共振器と、
前記光共振器内の出力側の光軸上に配置され、前記レーザ媒質から出力された光の波面を調整する波面調整器と、を備えたこと
を特徴とする。
図1を参照して第1発明を説明する。例えば、レーザチャンバ10内にレーザ媒質としてレーザガス1が封入され、励起源として放電電極11、12が設けられる。放電電極11、12は電源回路によって電圧が制御される。放電電極11、12間で発生する放電によってレーザガス1が励起されると光が放出される。光を狭帯域化するために、レーザチャンバ10のリア側には光を波長毎に分散させる波長分散素子、例えばグレーティング21が設けられる。レーザチャンバ10のフロント側には入射した光の一部を反射し残りを透過する部分透過型の出力カプラ31が設けられている。グレーティング21や出力カプラ31で光共振器が構成される。光共振器内の出力側、すなわち出力カプラ31側には波面調整器32が設けられる。光はレーザチャンバ10側から波面調整器32を通過し、出力カプラ31に達する。波面調整器32は所望のスペクトル純度幅E95が得られるように調整される。すると、光が波面調整器32を通過すると所望の波面に調整される。
第2発明は、第1発明において、
前記部分透過型出力カプラから出力された光をサンプリングし、所望のスペクトル幅を得るべく前記波面調整器をフィードバック制御する波面調整器制御部をさらに備えたこと
を特徴とする。
図10を参照して第2発明を説明する。第2発明では、波面調整器制御部すなわちレーザコントローラ50および波面調整ドライバ52は波面調整器32をフィードバック制御する。すなわち、出力カプラ31から出力された光はサンプリングされ、スペクトル純度幅E95が検出される。レーザコントローラ50は、検出したスペクトル純度幅E95に基づいて所望のスペクトル純度幅E95を得るべく波面調整ドライバ52を介して波面調整器32を制御する。
第3発明は、第1発明において、
前記波面調整器は、それぞれ光路上に配置されるシリンドリカル凹レンズおよびシリンドリカル凸レンズと、前記シリンドリカル凹レンズと前記シリンドリカル凸レンズの少なくとも一方を光路上で移動させて前記シリンドリカル凹レンズと前記シリンドリカル凸レンズの間隔を調整するレンズ間隔調整機構と、を有すること
を特徴とする。
図1を参照して第3発明を説明する。第3発明では、波面調整器が、シリンドリカル凹凸レンズ33、34とシリンドリカル凹凸レンズ33、34の少なくとも一方を移動させるレンズ間隔調整機構すなわちリニアステージ35を有する。シリンドリカル凹凸レンズ33、34の主点間距離が調整されると光の波面は変化する。
第4発明は、第1乃至第4発明において、
前記レーザ媒質はレーザガスであり、前記励起源は互いに対向する一対の放電電極と当該放電電極間へ高電圧を印加する電源回路とを有しており、前記レーザガスと前記放電電極とをレーザチャンバの内部に備えたこと
を特徴とする。
第4発明は第1発明で説明した通りである。
第5発明は、第4発明において、
前記放電電極間の放電方向に対して、前記波長分散素子の波長分散面が直交し、且つ前記波面調整器のシリンドリカル面の頂点を結ぶ直線が平行するように、前記放電電極と前記角度分散型光学素子と前記波面調整器とが配置されること
を特徴とする。
図1を参照して第5発明を説明する。第5発明では、放電電極11、12間の放電方向に対して、グレーティング21の波長分散面が直交し、且つ凹凸レンズ33、34のシリンドリカル面の凸面または凹面の頂点を結ぶ直線が平行するように、放電電極11、12とグレーティング21と凹凸レンズ33、34とが配置される。
本発明によれば、次の効果が得られる。
(1)レーザのパルスエネルギを維持した状態で、スペクトル純度幅E95のダイナミックレンジを大きくとることができる。これにより、広い範囲でスペクトル純度幅E95を設定することができ、所望のスペクトル純度幅E95で安定化させることができる。
さらに、第3発明によれば、次の効果が得られる。
(2)凹凸レンズ間距離を変化させることにより中心波長制御とは独立に波面を変化させるので、応答性の速い波面制御が可能となり、これに伴ってスペクトル純度幅E95の制御の応答性も波長振り方式やグレーティング曲げ方式に比べて速くなる。
(3)凹凸レンズ間距離を変化させることにより波面を変化させるので、波面収差がグレーティング曲げ方式にくらべて少なくなるため、スペクトル形状が略単一ピークの綺麗な波形でスペクトル純度幅を変化させることが可能となる。グレーティングを歪み無く曲げるのは難しいためである。
(4)従来の狭帯域化レーザのフロント側に波面調整モジュールを設置するだけでスペクトル純度幅E95がアクティブに制御可能になる(オプション対応が容易)。
以下、図面を参照して本発明に係る狭帯域化レーザ装置の実施の形態について説明する。
図1(a)は実施例1に係る狭帯域化レーザ装置の構成を上面から示し、図1(b)は波面補正器を具えた狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示している。
図1に示すように、レーザチャンバ10のリア側(図面右側)には通常の狭帯域化モジュール20が配置され、フロント側(図面左側)には波面調整モジュール30が配置される。
レーザチャンバ10の内部には、所定距離だけ離隔し、互いの長手方向が平行であって、かつ放電面が対向する一対の放電電極11、12が設けられている。また、レーザチャンバ10におけるレーザ光の光軸上にあって、レーザ光出力部分には、ウインドウ13、14が設けられている。ウインドウ13、14は、レーザ光に対する透過性を有する材料、例えばCaF2等によって構成されている。両ウインドウ13、14は、外側の面が互いに平行に配置され、また、レーザ光に対して反射損失を低減すべくブリュースタ角で設置される。
レーザチャンバ10にはレーザ媒質としてレーザガス1が封入される。F2レーザの場合にレーザガス1は、F2ガスと、HeやNe等からなるバッファガスとの混合ガスである。KrFエキシマレーザの場合にレーザガス1は、KrガスおよびF2ガスと、HeやNe等からなるバッファガスの混合ガスである。ArFエキシマレーザの場合にレーザガス1は、ArガスおよびF2ガスと、HeやNe等からなるバッファガスの混合ガスである。各ガスは、図示しないガス供給・排出機構によって供給と排出が制御される。
レーザチャンバ10に設けられた放電電極11、12は図示しない電源回路によって高電圧が印加される。放電電極11、12間の電圧が所定電圧を越えると放電が発生する。すると、レーザガス1は励起されて高エネルギー準位に移行した後に、低エネルギー準位に移行する。このとき光が放出される。
狭帯域化モジュール20には、プリズムビームエキスパンダ22と波長分散素子であるグレーティング21等の光学素子が設けられている。狭帯域化モジュール20は、波長分散素子であるエタロンと全反射ミラー等の光学素子で構成される場合もある。
波面調整モジュール30は、例えば出力カプラ31と波面補正器32とを有する。出力カプラ31は入射した光の一部を反射し、残りを透過する光学素子である。波面補正器32はシリンドリカル凹レンズ(以下、単に「凹レンズ」という)33と、シリンドリカル凸レンズ(以下、単に「凸レンズ」という)34と、凹レンズ33を保持するリニアステージ35とを有する。凹レンズ33および凸レンズ34は光共振器内の出力側光軸上に配置され、さらに凹レンズ33はリニアステージ35の動作に応じて光軸に沿って移動自在である。なお凸レンズ34がリニアステージに保持されていてもよい。凸レンズ34および凹レンズ33の表面には、反射損失を小さくするための反射防止膜(AR膜)がコーティングされている。出力カプラ31における光共振器側の面には部分反射膜(PR膜)がコーティングされ、出力側の面にはAR膜がコーティングされている。
この波面調整モジュール30内の出力カプラ31と狭帯域化モジュール20内のグレーティング21とで光共振器が構成される。
波面調整モジュール30は、光共振器内におけるフロント側の波面の曲率半径を調整する機能と、レーザ光の一部を出力し、一部を光共振器内に戻す機能を有している。例えば、凹レンズ33を光軸に沿って移動させることによって、波面を調整することができる。例えば、曲率の無い(フラットな)波面をフラットな波面に変換する場合は、凸レンズ34と凹レンズ33の焦点位置が一致する。このときの凸レンズ34と凹レンズ33の距離をD0とする。フラットな波面を凸な波面に変換する場合には、凸レンズ34と凹レンズ33の距離をD0よりも大きくすべく、凹レンズ33の位置が調整される。逆にフラットな波面を凹な波面に変換する場合には、凸レンズ34と凹レンズ33の距離をD0よりも小さくすべく、凹レンズ33の位置が調整される。このようにして、凸レンズ34と凹レンズ33との距離を変化させることにより光共振器内の光の波面を調整することが可能となる。
ここでレーザチャンバ10内の放電電極11、12に対する波面調整モジュール30と狭帯域化モジュール20の相対的な位置関係について説明する。
一般に波長分散素子(グレーティングおよび分散プリズム)による狭帯域化は、波長分散素子に入射するレーザ光のビーム広がり角を狭くすることによって効率よく狭帯域化が行われる。そこで、参考文献(特開平2-303178号)には、レーザの放電方向に対して垂直方向(図面上下方向)のレーザのビーム広がり角が狭い(ビーム幅が狭いため)ので、波長分散素子の各波長分散方向を含む平面(波長分散面)と電極の放電方向の平面が略垂直となるように光学素子とレーザチャンバ(放電方向)を配置することで、レーザ光のスペクトルを狭くしかつ高出力にすることができる技術が開示されている。本実施例では、狭帯域化モジュール20内の光学素子とレーザチャンバ10に加えてさらに波面調整モジュール30の波面の方向を最適化することによって、高出力かつE95の広い可変範囲を実現できる。
レーザチャンバ10内では、図示しない高圧電源回路によって放電電極11、12間に高電圧が印加されて放電が行われる。放電電極11、12間の放電エリアにおいて、レーザのゲイン領域が形成される。放電電極11、12間で放電がなされると、光はリア側のウインドウ13およびスリット5を透過し、プリズムビームエキスパンダ22によって放電方向に対して略垂直方向にビームが拡大される。このビームが拡大された光はグレーティング21の回折面に所定の角度αで入射し、所定の波長範囲内の光が同じ回折角度αで回折する。このグレーティング21の角度配置をリトロー配置という。つまり、グレーティング21は自身の波長分散面が放電電極11、12間の放電方向に対して略直交するように配置される。グレーティング21を回折した光は再びプリズムビームエキスパンダ22を透過する。スリット5は選択波長の光のみを透過させ、その選択波長の光はリア側のウインドウ13を通過して放電エリアに入射する。選択波長の光は放電エリアを透過することで増幅される。増幅された光はフロント側のウインドウ14を通過し、波面調整モジュール30に入射し、シリンドリカルの凹凸レンズ33、34を透過することによって波面が調整される。凹凸レンズ33、34のシリンドリカル面の凸面または凹面の頂点を結ぶ直線が放電電極11、12間の放電方向と平行となり、グレーティング21の波長分散面に対して略垂直となるように凹凸レンズ33、34は配置される。そして、出力カプラ31によりレーザ光の一部はレーザの出力光として取り出され、一部は反射し、再び凹凸レンズ33、34を透過することによって波面が調整される。この光はフロント側のウインドウ14を介して再び放電エリアを透過し増幅される。このような構成の光共振器によってレーザ発振が起こり、所定のE95のスペクトル幅のレーザ光が出力される。波長分散素子(グレーティングおよび分散プリズム)の波長選択特性は、波長分散面の波面の変化によって変化させることができる。そこで上述したように、凹凸レンズ33、34とグレーティング21は、凹凸レンズ33、34のシリンドリカル面とグレーティング21の波長分散面が略垂直となるようにそれぞれ配置される。本実施例ではシリンドリカル凹凸レンズ33、34を有する波面調整モジュール30を示したが、これに限定されることなく、波面調整モジュール30によって調整される波面が波長分散面に対して略垂直となるように構成されていればよい。いいかえれば、波面調整モジュール30に平面波が透過した場合に、波面がシリンドリカル状に変換され、この波面のシリンドリカル面が波長分散面に対して略垂直になればよい。
次に本実施例の特性すなわちレーザチャンバ10のフロント側に配置された波面調整モジュール30で波面調整する場合の特性と、従来の特性すなわちレーザチャンバのリア側に配置されたグレーティングで波面調整する場合の特性とを比較する。
図2はグレーティング曲げ機構を示している。図3(a)、(b)はグレーティングで波面調整した場合の特性を示している。図3(a)はレーザのパルスエネルギの相対値とグレーティングの曲率半径との相対値依存性を示し、図3(b)はスペクトル純度幅E95とグレーティングの曲率半径との相対値依存性を示す。
図2に示すグレーティング曲げ機構24は、グレーティング21の両端を把持し、中央を押し引きすることによってグレーティング21の曲率半径を調整する。
本発明者らは、図2に示すグレーティング曲げ機構24を用いてグレーティング21の曲率半径を変化させて、出力されるレーザ光のパルスエネルギとスペクトル純度幅E95を測定し、グレーティング21の曲率半径とレーザ光のパルスエネルギとスペクトル純度幅E95の関係を求めた。
図3(a)で示すように、レーザのパルスエネルギの相対値とグレーティング21の曲率半径の相対値の関係は上に凸な曲線となった。必要なパルスエネルギの相対値が800以上であると仮定すると、この場合のグレーティング21の曲率半径の相対値は、−3から+4の範囲となる。
図3(b)で示すように、スペクトル純度(E95)とグレーティングの曲率半径の相対値の関係は下に凸な曲線となった。グレーティング21の曲率半径の相対値が−3から+4の範囲では、スペクトル純度(E95)の変化範囲は約0.4から約0.6pmであった。スペクトル純度幅E95を制御するためには、単調減少曲線または単調増加曲線の領域でグレーティング21の曲率半径を制御する必要がある。したがって、図3(b)の破線aで示すように、グレーティング21の曲率半径の相対値を−3から0に変化させることによってスペクトル純度幅E95を約0.6pmから約0.4pmに減少させることができる。
以上のことから、グレーティング曲げによってスペクトル幅を制御する狭帯域化レーザでは、レーザのパルスエネルギを維持した状態では、スペクトル純度幅E95の変化幅をあまり大きくできず、ダイナミックレンジをあまり大きくできないことが明らかになった。
図4(a)、(b)はシリンドリカル凹凸レンズで波面調整した場合の特性を示している。図4(a)はレーザのパルスエネルギの相対値とグレーティングの曲率半径との相対値依存性を示し、図4(b)はスペクトル純度幅E95とグレーティングの曲率半径との相対値依存性を示す。
本発明者らは、図1に示すリニアステージ35で凹凸レンズ33、34の主点間距離を変化させて、出力されるレーザ光のパルスエネルギとスペクトル純度幅E95を測定し、凹凸レンズ33、34の主点間距離とレーザ光のパルスエネルギおよびスペクトル純度幅E95の関係を求めた。
図4(a)で示すように、レーザのパルスエネルギの相対値とレンズ主点間距離の関係は上に凸な曲線となった。必要なパルスエネルギの相対値が800以上であると仮定すると、この場合の凹凸レンズ33、34の距離は、27mmから34mmの範囲となる。
図4(b)で示すように、スペクトル純度(E95)と凹凸レンズ33、34の主点間距離の関係は下に凸な曲線となった。凹凸レンズ33、34の主点間距離が27mmから34mmの範囲では、スペクトル純度(E95)の変化範囲は約0.4pmから約1.2pmであった。スペクトル純度幅E95を制御するためには、単調減少曲線または単調増加曲線の領域で凹凸レンズ33、34の主点間距離を制御する必要がある。したがって、図4(b)の破線bで示すように、凹凸レンズ33、34の主点間距離を27mmから34mmに変化させることによってスペクトル純度幅E95を約0.4pmから約1.2pmに増加させることができる。
以上のことから、凹凸レンズ33、34の主点間距離を調整することによってスペクトル幅を制御する狭帯域化レーザでは、レーザのパルスエネルギを維持した状態でも、図3に示した場合と比べて、スペクトル純度幅E95の変化幅を大きくでき、ダイナミックレンジを非常に大きくできることが明らかになった。
本発明者は、波面調整をレーザチャンバのフロント側で行うとE95のダイナミックレンジが広くなる原因について、波面調整をレーザチャンバのリア側で行うよりもフロント側で行う方がレーザの放電エリアを有効に利用できるためであると推定する。以下で詳細を説明する。
図5(a)はリア側に設けられたグレーティングによって波面調整を行う狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示し、図5(b)はフロント側に設けられた凹凸レンズによって波面調整を行う狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示す。
まず、レーザチャンバ10のリア側で波面調整する場合の説明をする。ここでは、図5(a)で示すように、レーザチャンバ10のリア側の狭帯域化モジュール20にグレーティング曲げ機構24が配置され、グレーティング曲げ機構24およびグレーティング21によって波面調整されるものとする。放電エリアで生じた放電により発光した光はリア側のウインドウ13およびスリット5を透過し、プリズムビームエキスパンダ22によって放電方向に対して略垂直方向にビームが拡大される。ビームが拡大された光はグレーティング21に所定の角度で入射回折する。ここで、グレーティング21の波長分散面と放電電極11、12の放電方向は略垂直である。グレーティング21を回折した光は再びプリズムビームエキスパンダ22を透過する。スリット5は選択波長の光のみを透過させ、その選択波長の光はウインド13を透過して放電電極11、12間の放電エリアに入射する。放電エリアを透過することで、選択波長の光は増幅される。ただし、スリット5を透過した光の幅は放電エリアの幅(放電電極11、12の幅)よりも大幅に狭いために、選択波長の光は効率的に増幅されない。放電エリアで増幅された光はフロント側のウインドウ14を透過し出力カプラ31によって、一部がレーザの出力光として取り出され、一部が反射する。反射した光は再びウインドウ14を透過し、放電エリアに入射して増幅される。以上で説明した動作を行い得るように光共振器を構成することによってレーザ発振が起こり、所定のE95のスペクトル幅のレーザ光が出力される。このように、レーザチャンバ10のリア側で波面調整する場合は、選択波長の光が放電エリアに効率的に満たされないため、レーザの出力を維持した状態でE95の可変範囲を大きくすることができない。
つぎに、レーザチャンバ10のフロント側で波面調整する場合の説明をする。ここでは、図5(b)で示すように、レーザチャンバ10のフロント側の波面調整モジュール30に凹凸レンズ33、34が配置され、凹凸レンズ33、34によって波面調整されるものとする。放電エリアで生じた放電により発光した光はリア側のウインドウ13およびスリット5を透過し、プリズムビームエキスパンダ22によって放電方向に対して略垂直方向にビームが拡大される。ビームが拡大された光はグレーティング21に所定の角度で入射回折する。ここで、グレーティング21の波長分散面と放電電極11、12の放電方向は略垂直である。グレーティング21を回折した光は再びプリズムビームエキスパンダ22を透過する。スリット5は選択波長の光のみを透過させ、その選択波長の光はウインド13を透過して放電電極11、12間の放電エリアに入射する。放電エリアを透過することで、選択波長の光は増幅される。ここで、スリット5を透過した光の幅は放電エリアの幅(放電電極11、12の幅)よりも狭いものの、選択波長の光は、所定の広がりを持った球面波となって放電エリアを透過するため、効率的に増幅される。放電エリアで増幅された光はフロント側のウインドウ14を透過し、凹凸レンズ33、34を透過して所定の波面に変換される。そして、増幅された光は出力カプラ31によって、一部がレーザの出力光として取り出され、一部が反射する。反射した光は再びウインドウ14を透過し、放電エリアに入射して増幅される。以上で説明した動作を行い得るように光共振器を構成することによってレーザ発振が起こり、所定のE95のスペクトル幅のレーザ光が出力される。このように、レーザチャンバ10のフロント側で波面調整する場合は、選択波長の光が放電エリアに効率的に満たさるため、レーザの出力を維持した状態でE95の可変範囲を大きくすることができる。
本実施例の効果としては以下の(1)〜(4)が挙げられる。
(1)レーザのパルスエネルギを維持した状態で、スペクトル純度幅E95のダイナミックレンジを大きくとることができる。これにより、広い範囲でスペクトル純度幅E95を設定することができ、所望のスペクトル純度幅E95で安定化させることができる。
(2)凹凸レンズ間距離を変化させることにより波面を変化させるので、応答性の速い波面制御が可能となり、これに伴ってスペクトル純度幅E95の制御の応答性もグレーティング曲げ方式に比べて速くなる。
(3)凹凸レンズ間距離を変化させることにより波面を変化させるので、波面収差がグレーティング曲げ方式にくらべて少なくなるため、スペクトル形状が略単一ピークの綺麗な波形でスペクトル純度幅を変化させることが可能となる。グレーティングを歪み無く曲げるのは難しいためである。
(4)従来の狭帯域化レーザのフロント側に波面調整モジュールを設置するだけでスペクトル純度幅E95がアクティブに制御可能になる(オプション対応が容易)。
なお、波面調整用の光学素子としては、シリンドリカル状の波面を調整するものが最もこのましいが、球面状の波面を調整するものにしても、略同様の機能を果たすことができる。したがって、例えば、波面調整用の光学素子として球面の凹凸レンズを組み合わせてもよい。
本実施例では、実施例1の別形態を説明する。
図6は実施例2に係る狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示している。実施例1と実施例2との異なる部分は波面調整モジュール内の構成である。
図6で示すように、波面調整モジュール30は波面調整器32を有する。波面調整器32は、シリンドリカル凸レンズ37とシリンドリカル凹レンズ36と、凹レンズ36を保持するリニアステージ35とを有する。凸レンズ37は一面がフラット状に加工され、他面がシリンドリカル状に加工されている。また凹レンズ36は一面がフラット状に加工され、他面がシリンドリカル状に加工されている。そして、凸レンズ37のシリンドリカル凸面と凹レンズ36のシリンドリカル凹面が互いに対向し、凸レンズ37のフラット面がレーザ出力側に向き、凹レンズ36のフラット面がレーザチャンバ10側に向くようにして、凸レンズ37と凹レンズ36は光軸上に配置される。凸レンズ37のフラット面にはPR膜がコーティングされ、凸レンズ37のシリンドリカル凸面と凹レンズ36のシリンドリカル凹面およびフラット面にはAR膜がコーティングされている。本実施例の凸レンズ37は出力カプラの機能を兼ね備える。
本実施例では、出力カプラの機能を持った凸レンズ37が光軸上に固定され、両面にAR膜がコーティングされた凹レンズ36が光軸に沿って駆動されることによって波面調整が行われる。
実施例2の効果としては以下の(1)〜(3)が挙げられる。
(1)光学素子の個数が低減できるため、コスト低減可能である。
(2)実施例1に比べて共振器内の面数が減るため、レーザの効率が向上する。
(3)出力カプラの機能を持ったシリンドリカル凸レンズが固定されているため、レーザ光の光軸が変化しにくい。
本実施例では、波面調整器32は、凸レンズ37のフラット面にPR膜がコーティングされシリンドリカル凸面にAR膜がコーティングされているが、これに限定されることはない。凸レンズ37のシリンドリカル凸面にPR膜がコーティングされ、フラット面にAR膜がコーティングされていても、波面調整と出力カプラの機能を共に備えることが可能である。
実施例1と同様に、波面調整用の光学素子としては、シリンドリカル状の波面を調整するものが最もこのましいが、球面状の波面を調整するものにしても、略同様の機能を果たすことができる。したがって、例えば、波面調整用の光学素子として球面の凹凸レンズを組み合わせてもよい。
図25は実施例1、2で示した凹凸レンズの組み合わせ以外のパターンを示す。
図25(a)に示すように、一方の面にシリンドリカル面を有し他方の面にフラット面を有する凹レンズ36と、両面にシリンドリカル面を有する凸レンズ34と、出力カプラ31とで波面調整器が構成され、凹レンズ36のシリンドリカル面と凸レンズ34のシリンドリカル面が対向してもよいし、図25(b)に示すように、凹レンズ36のフラット面と凸レンズ34のシリンドリカル面が対向してもよい。
また図25(c)に示すように、一方の面にシリンドリカル面を有し他方の面にフラット面を有する凹レンズ36と、一方の面にシリンドリカル面を有し他方の面にフラット面を有しフラット面にPR膜がコーティングされた凸レンズ37とで波面調整器が構成され、凹レンズ36のフラット面と凸レンズ37のシリンドリカル面が対向してもよい。
また図25(d)に示すように、両面にシリンドリカル面を有する凹レンズ33と、一方の面にシリンドリカル面を有し他方の面にフラット面を有しフラット面にPR膜がコーティングされた凸レンズ37とで波面調整器が構成され、凹レンズ33のシリンドリカル面と凸レンズ37のシリンドリカル面が対向してもよい。
本実施例では、実施例1のさらなる別形態を説明する。
図7は実施例3に係る狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示している。図8は図7のA−A断面を示している。実施例1と実施例3との異なる部分はレーザのフロント側の構成である。
図7に示すように、レーザチャンバ10のフロント側には、エンドミラーであるディフォーマブルミラー70が配置されている。本実施例では、ディフォーマブルミラー70の全反射面の形状を整形して、レーザ波面を変化(修正)させる。
レーザチャンバ10のリア側にリトロー配置されたグレーティング21とフロント側のディフォーマブルミラー70との間で、レーザ共振器が構成されている。レーザチャンバ10とフロント側のディフォーマブルミラー70との間の光路上には、45度入射のビームスプリッタ71が配置されている。ビームスプリッタ71は、出力カプラとして機能する。すなわち、レーザチャンバ10から出力された光の一部は、ビームスプリッタ71によって反射され、レーザ光として出力される。
一方、ビームスプリッタ71を透過した光は、ディフォーマブルミラー70によって、反射波面が変化して再びビームスプリッタ71に入射する。ビームスプリッタ71の透過光は、レーザチャンバ10を透過して増幅される。そして、レーザチャンバ10を透過して増幅された光は、プリズムビームエキスパンダ22とグレーティング21とにより狭帯域化される。回折光は再びレーザチャンバ10を透過して増幅される。そして、再び、レーザチャンバ10を透過して増幅された光は、ビームスプリッタ71に入射され、レーザ発振される。レーザチャンバ10内で発生するレーザ光の波面は、理想的には、シリンドリカル状の波面となる。
ディフォーマブルミラー70は、アクチュエータ73によって、反射面の複数の各部分が機械的に押し引きされる。図7、図8は、ライン型のディフォーマブルミラー70と、ディフォーマブルミラー70の反射面の3点に設けられたアクチュエータ73を示している。アクチュエータ73としては、例えばピエゾ素子が使用される。各アクチュエータ73(ピエゾ素子)を伸縮させることにより、ディフォーマブルミラー70の裏面が押し引きされる。結果として、ディフォーマブルミラー70の反射面の各部が押し引きされディフォーマブルミラー70の曲率半径の大きさが調整される。なお、図7、図8は、アクチュエータ73の数が3つの場合を例示しているが、これに限定されることなく、アクチュエータ73の個数は任意である。アクチュエータ73の個数を多くすることによって、より高精度な波面修正が可能となる。また、ディフォーマブルミラー70の反射面を押し引きするアクチュエータ73としては、ピエゾ素子に限定されるわけではなく、任意のものを使用することができる。
例えば、ピエゾ素子以外に、温度変化による熱膨張を利用してディフォーマブルミラー70の反射面を押し引きするアクチュエータを使用してもよい。
本実施例特有の効果を以下に示す。ディフォーマブルミラーはアクチュエータを多数配置することにより、任意の形状の波面に変換することができる。たとえば、高繰返し時に発生するレーザチャンバ内の放電による音響波により発生する複雑な光の波面を補正することが可能となる。また、狭帯域化モジュール内の熱から発生する複雑な光の波面の歪みを調整することが可能となる。
図9は実施例4に係る波面調整器を示している。
一般に、CaF2などの光学材料の屈折率は温度によって変化する。したがって、光学素子に温度分布を故意に与えることで屈折率分布を発生させることができる。そこで、図9に示すように、光学材料のCaF2基板41の四方の各側面に熱電素子のような加熱および冷却が可能な加熱冷却器42を設置する。加熱冷却器42が設置された付近のCaF2基板41の温度は、温度センサ42aで検出され、CaF2基板41が所定の温度分布になるように温度センサ42aの検出値に基づいて各加熱冷却器42を温度制御して、CaF2基板41に所望の屈折率分布を与え、レーザ光の波面を変化させる。
この波面調整器はレーザチャンバと出力カプラの間に設置することにより、波面調整モジュールとしての機能を果すことができる。CaF2基板41の両面にはAR膜がコーティングされている。また、出力カプラと機能を兼用するために、出力側の面にPR膜がコーティングされ、光共振器側の面にAR膜コーティングされていてもよい。この場合、1個の素子で、本発明の機能を実現可能となり、レーザの効率が向上する。
本実施例では実施例1で説明したレーザ装置を備えたレーザシステムおよびその制御について説明する。なお実施例2〜4のレーザ装置も本実施例のレーザシステムに適用可能である。
図10は実施例5に係るスペクトル純度幅E95の制御システムの構成を示す。
本実施例のレーザシステムは、レーザチャンバ10のフロント側に配置され光共振器内の波面を調整する波面調整モジュール30と、レーザチャンバ10のリア側に配置されスペクトル線幅を狭帯域化する狭帯域化モジュール20と、出力カプラから出力された光を検出するモニタモジュール39と、出力レーザ光の遮断および出力を切り換えるシャッタ6と、レーザシステム全体を統括してコントロールするレーザコントローラ50と、レーザコントローラ50から出力される波長制御信号を狭帯域化モジュール20に備えられたアクチュエータ(例えば回転ステージ23)の動作信号にして出力する中心波長調整ドライバ51と、レーザコントローラ50から出力される波面制御信号を波面調整モジュール30に備えられたアクチュエータ(例えばリニアステージ35)の動作信号にして出力する波面調整ドライバ52と、レーザのパルスエネルギを制御するレーザ電源53と、を有する。本実施例では、レーザ装置から出力されたレーザ光は露光装置3に案内され、半導体ウェーハの露光に利用される。
図11はモニタモジュールの構成を示している。
モニタモジュール39は、ビームスプリッタ391と、エタロン分光器393と、フォトダイオード392とで構成されている。
エタロン分光器393では、スペクトル純度幅E95などのスペクトル指標値が計測され、フォトダイオード392でレーザ出力エネルギーが計測される。エタロン分光器393は、拡散板やレンズアレイのようなビーム拡散手段394と、エタロン395と、レンズ396と、センサアレイ397とで構成されている。センサアレイ397としては、例えば複数のフォトダイオードアレイが1次元上に配列されたラインセンサ等を使用することができ、この場合、複数のフォトダイオードはチャンネル(ch:整数)順に並べられている。
モニタモジュール39では、ビームスプリッタ391によってレーザ光の一部がサンプリングされエタロン分光器393に入射される。エタロン分光器393に入射されたレーザ光は、ビーム拡散手段394によって拡散され、エタロン395に入射される。エタロン395を通過したレーザ光は、レンズ396に入射される。レンズ396の焦点面にセンサアレイ397が設置されている。このためレンズ396をレーザ光が透過すると、センサアレイ397上には、干渉縞(フリンジ)が生成される。センサアレイ397上のフリンジのデータからレーザ光の波長と光量の線形データがスペクトル波形として求められ、スペクトル純度幅E95が計算される。
なお、図11の構成では、エタロン分光器393を使用しているが、分光器の形態としては、角度分散型の光学素子を用いてもよい。例えば、ツェルニー・ターナ(Czerny-Turner)型の分光器、複数のグレーティングを使用した分光器、マルチパス化した分光器を使用してもよい。
図10、図11を参照して、本実施例の動作を説明する。レーザコントローラ50は、外部からスペクトル純度幅E95の指令値(露光装置3からまたはレーザのパドル入力)を示す信号と、モニタモジュール39から出力されるレーザのパルスエネルギおよびレーザのスペクトル純度幅E95を示す信号と、を入力する。さらに、レーザコントローラ50は、スペクトル純度幅E95の制御信号を波面調整ドライバ51を介して波面調整モジュール30に出力し、また、パルスエネルギを制御するためにレーザの充電電圧の制御信号をレーザ電源に出力し、また、中心波長の制御信号を中心波長調整ドライバ52を介して狭帯域化モジュール20に出力する。例えば、波面調整モジュール30内に設置された凹レンズ33は1軸のリニアステージ35に保持されている。リニアステージ35はレーザコントローラ50から出力された制御信号を波面調整ドライバ51を介して入力し、入力した信号に応じて凹レンズ33を光軸方向(図面左右方向)に移動させる。さらに、狭帯域化モジュール20内に配置されたグレーティング21は回転ステージ23に保持されている。回転ステージ23はレーザコントローラ50から出力された制御信号を中心波長調整ドライバ52を介して入力し、入力した信号に応じてグレーティング21を回転させる。なお、回転ステージ23にグレーティング21ではなく、プリズムビームエキスパンダ22のいずれかが取り付けられていても波長制御が可能である。
ここで、最初に本実施例に係る処理の流れを大まかに説明し、その後に、図面を用いて具体的な処理の流れを説明する。
まず、スペクトル純度幅E95の目標値が外部から入力され、レーザコントローラ50に設定される。レーザコントローラ50は、シャッタ6を閉じ、波面調整モジュール30に信号を出力して凹レンズ33を原点(凹レンズ33を移動する場合の基準位置であり、いずれかの任意の位置に決める)の位置に移動させ、さらにレーザ電源53に信号を出力して所定の充電電圧でレーザ発振させる。そして、モニタモジュール39内のピンフォトダイオード392によってレーザのパルスエネルギが検出され、エタロン分光器393によってスペクトル純度幅E95とレーザの中心波長が検出される。レーザコントローラ50は検出されたパルスエネルギとスペクトル純度幅E95を記憶する。次にレーザコントローラ50に波面調整モジュール30に信号を出力して凹レンズ33を所定の位置に移動させ、レーザ発振させる。そして、再度モニタモジュール39内のピンフォトダイオード392によってレーザのパルスエネルギが検出され、エタロン分光器393によってスペクトル純度幅E95とレーザの中心波長が検出される。レーザコントローラ50は検出されたパルスエネルギとスペクトル純度幅E95を記憶する。レーザコントローラ50は、以上の作業を所定回数繰り返して行い、レーザのパルスエネルギとスペクトル純度幅E95のレンズ位置依存性を記憶する。
次に、レーザコントローラ50は、記憶したレンズ位置依存性のデータに基づいて、凹レンズ33を目標のスペクトル純度幅E95とするためのレンズ位置を割り出し、指示信号を波面調整ドライバ51に出力する。波面調整ドライバ51はリニアステージ35に位置信号を出力する。リニアステージ35は位置信号に応じて凹レンズ33を移動させる。このようにレーザコントローラ50は、スペクトル純度幅E95の計測値を目標値と一致させるためにフィードバック制御を行う。また、レーザコントローラ50は、パルスエネルギを目標エネルギにするためにレーザ電源を制御する。さらに、レーザコントローラ50は、レーザの発振波長を目標波長にするための指示信号を中心波長調整ドライバ52に出力する。中心波長調整ドライバ52は回転ステージ23に回転信号を出力する。回転ステージ23は回転信号に応じてグレーティング21を回転させる。このようにレーザコントローラ50は、中心波長の計測値を目標波長と一致させるためにフィードバック制御を行う。
レーザコントローラ50は、レーザのパルスネルギ、スペクトル純度幅E95および中心波長が許容範囲に制御されたことを確認した後にシャッタ6を開ける。レーザ光は露光装置3に入射され、半導体ウェーハが露光される。
図12は実施例5に係るレーザシステムで行われるメインルーチンのフローチャートを示す。
まず、レーザコントローラ50によって、スペクトル純度幅E95の制御を行う前に、シャッタ6が閉じられる(ステップ1201)。シャッタ6の閉塞により、調整発振の動作によるレーザ光は露光装置3に入力されない。この状態で、外部装置(露光装置3またはパドル)等から出力された目標のパルスエネルギとスペクトル純度幅E95および中心波長の設定値がレーザコントローラ50に読み込まれる(ステップ1202)。そして、「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンに移行する(ステップ1203)。このサブルーチンでは、レーザのパルスエネルギとスペクトル純度幅E95に対する波面調整の補正値(例えばレンズ主点間の距離D)の依存性が記憶される。「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンの具体的な内容については後述する(図13)。
「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンで処理が終了すると、レーザコントローラ50からレーザ電源53に、レーザの発振条件を設定するために繰返し周波数fcおよび充電電圧Vcを示す出力信号が送られる(ステップ1204)。そして、レーザチャンバ10内の放電電極11、12間で放電させるためにレーザ電源53にトリガ信号が送られ、レーザ発振が開始される(ステップ1205)。
ここで、スペクトル純度幅E95を目標値にするための「E95制御」のサブルーチン(ステップ1206)、パルスエネルギEを目標値にするための「エネルギ制御」のサブルーチン(ステップ1207)、中心波長λを目標値にするための「中心波長制御」のサブルーチン(ステップ1208)に移行する。各サブルーチンでは、制御対象(スペクトル純度幅E95、パルスエネルギE、中心波長λ)が許容範囲に入った場合に処理が終了され、入らない場合に処理が繰り返される。各サブルーチンの具体的な内容については後述する(図15、図17、図18)。
各制御対象が許容範囲に入ると、レーザコントローラ50から露光装置3に露光準備のOK信号が送られ、シャッタ6が開けられる(ステップ1209の判断Yes、ステップ1210)。レーザ光は露光装置3に案内され、半導体ウェーハの露光が開始される。露光の際には、「E95制御」のサブルーチン(ステップ1211)、「エネルギ制御」のサブルーチン(ステップ1212)、「中心波長制御」のサブルーチン(ステップ1213)に移行し、パルスエネルギE、スペクトル純度幅E95、中心波長λを目標値にすべくフィードバック制御が行われる。露光の際に、少なくともスペクトル純度幅E95のエラーが発生した場合はエラー信号が立てられている。エラー信号が立っている場合は、レーザコントローラ50から露光装置3に異常が通知され、再びステップ1201以降の処理が行われる(ステップ1214の判断Yes)。
図13は「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンのフローチャートを示す。
まず、レーザコントローラ50からレーザ電源53に、レーザの発振条件を設定するために繰返し周波数fcおよび充電電圧Vcを示す出力信号が送られる(ステップ1301)。そして、レーザチャンバ10内の放電電極11、12間で放電させるためにレーザ電源53にトリガ信号が送られ、レーザ発振が開始される(ステップ1302)。
次に、凹レンズ33の位置を初期値Xnにするために、レーザコントローラ50から波面調整ドライバ51に信号が出力される(ステップ1303)。波面調整ドライバ51はリニアステージ35を制御する(ステップ1304)。ここで、「E95計測」のサブルーチンに移行する(ステップ1305)。「E95計測」のサブルーチンの具体的な内容については後述する(図14)。「E95計測」のサブルーチンの後に、モニタモジュール39によってレーザのパルスエネルギEが計測される(ステップ1306)。そして、このときの凹レンズ33の位置Xn、スペクトル純度幅E95n、レーザのパルスエネルギEnが記憶される(ステップ1307)。さらに、凹レンズ33の次の位置Xn+1=Xn+ΔX0が計算される(ステップ1308)。このΔX0とは、予め定められたリニアステージ35の移動ピッチである。
凹レンズ33の次の位置Xn+1が凹レンズ33のリミット位置XLMよりも小さい場合は、Xn+1がXnにされ、ステップ1304以降の処理が繰り返される(ステップ1309の判断Yes)。凹レンズ33の位置Xn+1が凹レンズ33のリミット位置XLMを超えた場合は、レーザの発振が停止され、図12に示すメインルーチンに戻る(ステップ1309の判断No、ステップ1310)。
図14は「E95計測」のサブルーチンのフローチャートを示す。
サブルーチンスタート後、モニタモジュール39によって、スペクトル波形が計測される(ステップ1401)。計測されたスペクトル波形はデコンボリューション処理されて、真のスペクトル波形が計算される(ステップ1402)。つぎに、スペクトル純度幅E95の平均値または移動平均値が計算によって求められる(ステップ1403)。以上の処理後、当サブルーチン移行前のサブルーチン(図13又は後述する図15)に戻る。
図15は「E95制御」のサブルーチンのフローチャートを示す。
図15に示すように、レーザ発振と同時に、ステップ1501に移行し、「E95計測」のサブルーチン(図14)が実行され、モニタモジュール39によってスペクトル純度幅E95の計測が行なわれる。スペクトル純度幅E95は、1パルス毎に計測する。しかし、計算時間との兼ね合いで、nパルスに渡る平均値、または移動平均値でスペクトル純度幅E95を評価してもよい。
スペクトル純度幅E95の目標スペクトル純度幅の値をE950として、目標スペクトル純度幅E950に対する第1許容幅がE950±dE95(s)(第1制御閾値dE95(s))と設定される。この目標スペクトル純度幅E950に対する第1許容幅E950±dE95(s)は、露光装置3で要求されるスペックにしたがって、設定される。露光装置3から要求される第1許容幅の上限値E950+dE95(s)を超えたり下限値E950−dE95(s)を下回ったりして、第1許容幅の範囲外にならないように制御する必要がある。このため、ある所定のマージン(dE95(s)−dE95)を持たせた第2制御閾値dE95、つまり目標スペクトル純度幅E95に対する第2許容幅E950±dE95が設定される。第2制御閾値dE95の範囲は、0≦dE95<dE95(s)である。dE95=0の場合は、スペクトル純度幅E95の計測値が少しでも目標値E950から外れると、計測値E95を目標値E950に一致させるように、レーザコントローラ50の指示に応じてリニアステージ35が動作して安定化制御が実行されることになる。
実際のスペクトル純度幅E95が計測された後、計測値E95と目標値E950との差の絶対値が第2制御閾値dE95以下であるか否かが、つまり計測されたスペクトル純度幅E95が、第2許容幅E950±dE95内に収まっているか否かが計算される(ステップ1502)。
計測値E95と目標値E950との差の絶対値が第2制御閾値dE95以下である、つまり|E95−E950|≦dE95であれば、スペクトル純度幅E95の安定化制御は実行されない(ステップ1502の判断Yes)。一方、計測値E95と目標値E950との差の絶対値が第2制御閾値dE95を超えている、つまり|E95−E950|>dE95の場合には(ステップ1502の判断No)、つぎに、計測値E95と目標値E950との差の絶対値が、第1制御閾値dE95(s)を下回っているか否かが判断(|E95−E950|<dE95(s))される(ステップ1503)。この結果、計測値E95と目標値E950との差の絶対値が、第1制御閾値dE95(s)以上となっているときは(ステップ1503の判断No)、露光装置3へエラー信号を送って、スペクトル純度幅が第1許容幅から外れているレーザ光が露光装置3に入るのを防止するよう、レーザ発振を停止したり、露光装置3とレーザ装置2との間に存在するシャッタ6を閉じたりする(ステップ1506)。
一方、計測値E95と目標値E950との差の絶対値が、第1制御閾値dE95(s)を下回っているときは(ステップ1503の判断Yes)、計測値E95を目標値E950に一致させるように、「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンに移行され、E95アクチュエータが動作して安定化制御が実行される(ステップ1504)。「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンの具体的な内容については後述する(図16)。
「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンによる処理の結果、スペクトル純度幅E95が許容幅内に入ったならば、図12のメインルーチンに戻る(ステップ1505の判断Yes)。スペクトル純度幅E95が許容幅内に入らなければ、ステップ1501以降の処理を繰り返す(ステップ1505の判断No)。
図16は「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンのフローチャートを示す。
まず、スペクトル純度幅E95の計測値と目標値との差ΔE95(=E95−E950)が計算される(ステップ1601)。ここで図13に示す「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンで記憶されたスペクトル純度幅E95と凹レンズ33の位置Xとの関係に基づいて、ΔE95だけ変化させるのに必要なレンズ位置ΔXが計算される(ステップ1602)。なお、「スペクトル純度幅E95と凹レンズ33の位置Xとの関係」および「レンズ位置Xの具体的な計算例」に関しては図19を用いて後述する。
次に、目標とする凹レンズ33の位置X(=X+ΔX)が計算される(ステップ1603)。そして、計算された凹レンズ33の位置Xが許容範囲内にあるか否かが判定される(ステップ1604)。凹レンズ33の位置Xが許容範囲内にあれば、レーザコントローラ50から波面調整ドライバ51を介して波面調整モジュール30のリニアステージ35に信号が出力される。リニアステージ35は凹レンズ33を実際に位置Xに制御する(ステップ1604の判断Yes、ステップ1605)。一方、凹レンズ33の位置Xが許容範囲内になければ、エラー信号が立てられる(ステップ1604の判断No、ステップ1606)。なお、凹レンズ33の位置Xの許容範囲についても図19を用いて後述する。以上の処理後、図15に示す「E95制御」のサブルーチンに戻る。
図17は「エネルギ制御」のサブルーチンのフローチャートを示す。
まず、モニタモジュール39内に備えられたピンフォトダイオード392により、レーザのパルスエネルギEが検出される(ステップ1701)。次に、検出されたパルスエネルギEと目標エネルギE0との差ΔE(=E−E0)が計算される(ステップ1702)。そして、レーザのパルスエネルギがΔE分だけ変化するようレーザコントローラ50からレーザ電源53の充電電圧Vが制御される(ステップ1703)。以上の処理が終了すると、図11に示すメインルーチンに戻る。
図18は「中心波長制御」のサブルーチンのフローチャートを示す。
まず、モニタモジュール39内に備えられたエタロン分光器393により、レーザの中心波長λが検出される(ステップ1801)。次に、検出された中心波長λと目標中心波長λ0との差Δλ(=λ−λ0)が計算される(ステップ1802)。そして、レーザの中心波長がΔλ分だけ変化するようにレーザコントローラ50から中心波長調整ドライバ52を介して狭帯域化モジュール20内の回転ステージ23に信号が出力される。回転ステージ23はグレーティング21の設置角度を制御する(ステップ1803)。以上の処理が終了すると、図11に示すメインルーチンに戻る。
図19は凹レンズの位置とレーザのスペクトル純度幅E95およびパルスエネルギEの関係を示しており、図13に示した「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンで記憶される関係である。同図19において、破線AはパルスエネルギEを表し、実線Bはスペクトル純度幅E95を表している。
図19に示すように、必要なパルスエネルギELが設定されると、波面調整モジュール102の凹レンズ33の位置Xの下限XLLMと上限XMLMが求められる。凹レンズ33の位置Xの上下限値XLLM、XMLMは、凹レンズ33の位置Xの許容範囲として記憶される。この許容範囲は、図16に示す「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンで使用される。
凹レンズ33の位置Xの上下限値XLLM、XMLMが求められると、スペクトル純度幅E95の範囲も求められる。図19では、破線Cの範囲がスペクトル純度E95の可変範囲となる。この範囲において、凹レンズ33の位置Xにおける勾配値ΔE95/ΔXが記憶される。この勾配値は、図15に示す「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンで、レンズ位置ΔXを計算する際に使用される。
実施例6では実施例5の別形態について説明する。
図20は、実施例6に係るスペクトル純度幅E95の制御システムの構成を示しており、図10で示した構成にビーム補正モジュールが追加された例を示す。
実施例6の構成は実施例5の構成とほぼ同一であるため、ここでは異なる構成のみを説明する。
波面調整モジュール30に設けられたリニアスケール35を動作させるとスペクトル純度幅E95が変化すると同時に、出力レーザ光のビームプロファイルおよびビームダイバージェンスが変化する。そこで、本実施例では、波面調整モジュール30の出力側にビーム補正モジュール60が配置されている。また、ビーム補正モジュール60を制御するビーム補正ドライバ55が設けられ、モニタモジュール39内にビームモニタ399が設けられている。ビームモニタ399で検出される信号に基づいてレーザコントローラ50はビーム補正ドライバ55を介してビーム補正モジュール60に信号を送り、露光装置3に入射するレーザ光の品位を所定の範囲内に入るよう制御する。
本実施例では、ビーム補正モジュール60として、凹凸レンズ61、62が使用される。凹レンズ61は、光軸上を移動可能なように、リニアステージ63で保持されている。なお凸レンズ62がリニアステージで保持されてもよい。凹凸レンズ61、62の距離を制御することによりビーム補正が可能となる。
図21(a)、(b)を用いてビームモニタ399の具体例を説明する。
図21(a)は、ビームダイバージェンスモニタの構成を示す。
レーザ光の光軸上にはビームスプリッタ3991が配置され、ビームスプリッタ3991によってサンプリングされる光の光軸上には集光レンズ3992が配置され、集光レンズ3992の焦点位置にはCCD3993が配置される。レーザ光の一部はビームスプリッタ3991でサンプリングされ、集光レンズ3992を透過し、CCD3993に照射される。CCD3993上のスポット光の径Pを計測することにより、レーザ光のビームダイバージェンスDを計測することができる。ビームサイバージェンスDは、集光レンズ3992の焦点距離Fとスポット光の径Pから計算することができる(D=P/F)。
図21(b)は、シャックハルトマンの波面計の構成を示す。
レーザ光の光軸上にはビームスプリッタ3991が配置され、ビームスプリッタ3991によってサンプリングされる光の光軸上にはマイクロレンズアレイ3994が配置され、マイクロレンズアレイ3994の焦点位置にはCCD3993が配置される。レーザ光の一部はビームスプリッタ3991でサンプリングされ、マイクロレンズアレイ3994を透過し、CCD3993に照射される。CCD3993上のスポット光のそれぞれの位置を計測することにより、レーザ光の波面の形状を計測することができる。
さらに、図示しないが、ビームモニタ399としてレーザのビームプロファイラを設置して、レーザビームの大きさを検出し、その検出値に基づいてレーザのビーム幅を安定化するようにビーム補正アクチュエータを介して、ビーム補正モジュールに信号を送ってもよい。
図22はビーム補正制御のフローチャートを示す。図22は、ビームモニタ399として図21(a)に示したビームダイバージェンスモニタを使用する場合のフローの一例である。
まず、ビームダイバージェンスDが検出され、検出されたビームダイバージェンスDと目標のビームダイバージェンスD0との差ΔD(=D−D0)が計算される(ステップ2201)。そして、レーザのビームダイバージェンスがΔD分だけ変化するようにレーザコントローラ50からビーム補正ドライバ55を介してビーム補正モジュール60のリニアステージ263に信号が出力される。リニアステージ263は凹レンズ61の位置を制御する(ステップ2202)。
図23はビーム補正制御のフローチャートを示す。図23は、ビームモニタ399として図21(b)に示したシャックハルトマンの波面計を使用する場合のフローの一例である。
まず、レーザの出力光の波面の曲率半径Rが検出され、検出された曲率半径Rと目標の曲率半径R0との差ΔR(=R−R0)が計算される(ステップ2301)。そして、レーザの波面の曲率半径RがΔR分だけ変化するようにレーザコントローラ50からビーム補正ドライバ55を介してビーム補正モジュール60のリニアステージ263に信号が出力される。リニアステージ263は凹レンズ61の位置を制御する(ステップ2302)。
本実施例によると、露光装置に出力される光のビーム品質が安定する。そのため、半導体ウェーハの露光斑および露光量制御を安定して行うことができる。
本実施例では、レーザのビームをモニタしてビーム補正モジュールに制御信号を送ることによってフィードバック制御しているが、これに限定されることなく、波面調整モジュールに出力する制御値からビームの変化を予測計算して、ビーム補正モジュールに制御信号を入力してビームを制御してもよい。
本実施例では実施例6で説明したレーザシステムをダブルチャンバのレーザシステムに適用した形態について説明する。
図24は実施例6をダブルチャンバシステムに適用した場合のレーザシステムの構成を示す。
図24に示すダブルチャンバ方式は、狭帯域化された光を発振するMaster Oscilator(MO)と、狭帯域化された光をシード光として増幅発振するPower Oscilator(PO)とを有しており、この方式をMOPO方式という。
本実施例では、MO側に実施例6の構成が適用されている。MOにおいては、MOレーザチャンバ10−1のフロント側にリア側に狭帯域化モジュール20が配置され、波面調整モジュール30が配置されている。波面調整モジュール30の出力側には、表面に高反射膜(HR膜)がコーティングされ、波面調整モジュール30から出力されたシード光を直角に反射するミラー81が配置されており、ミラー81の出力側にビーム補正モジュール60が配置されている。さらにビーム補正モジュール60の出力側にはMOモニタモジュール39−1が配置されている。MOモニタモジュール39−1の出力側には、表面にHR膜がコーティングされ、MOモニタモジュール39−1から出力されたシード光を直角に反射するミラー82が配置されており、ミラー82の出力側にPOが構成されている。POにおいては、POレーザチャンバ10−2のリア側にリアミラー7が配置され、フロント側にPO出力カプラ8が配置されている。PO出力カプラ8の出力側には、ビームスプリッタ9が配置され、さらにPOモニタモジュール39−2が配置されている。なお、リアミラー7はPR膜がコーティングされたミラーていてもよいし、空間的に一部を透過させるミラーでもよい。
MOは、所定のスペクトル純度幅E95の光を出力する。光はミラー81で反射して、波面調整モジュール60を透過し、MOモニタモジュール39−1に入射する。MOモニタモジュール39−1で一部の光は透過するが、一部の光はサンプリングされて、MOのパルスエネルギとビームが検出される。MOモニタモジュール39−1を透過した光は、ミラー82で反射して、POのリアミラー7からシード光として入力される。シード光は、POレーザチャンバ10−2と出力カプラ8によってスペクトルを維持した状態で増幅発振され、レーザ光として出力される。レーザ光の一部は、ビームスプリッタ9を透過し、一部は反射してPOモニタモジュール39−2に入射する。POモニタモジュール39−2ではパルスエネルギとスペクトル純度幅E95が検出される。
レーザコントローラ50には、MOモニタモジュール39−1からMOのパルスエネルギとビームの検出値が入力され、POモニタモジュール39−2から、POのパルスエネルギとE95および中心波長の検出値が入力される。レーザコントローラ50は、入力した各検出値に基づいてフィードバック制御を行う。レーザコントローラ50は、MOのパルスエネルギとPOのパルスエネルギの検出結果に基づいて、同期コントローラ57を介してMOレーザ電源53−1とPOレーザ電源53−2に、MOとPOの放電タイミングと充電電圧値の制御信号を送る。また、レーザコントローラ50は、スペクトル純度幅E95の検出結果に基づいて、MOの波面調整ドライバ51を介して波面調整モジュール30に制御信号を送る。また、レーザコントローラ50は、ビームモニタの検出値に基づいて、ビーム補正ドライバ54を介してビーム補正モジュール60に制御信号を送る。また、レーザコントローラ50は、中心波長の検出値に基づいて、中心波長駆動ドライバ51を介して狭帯域化モジュール20に制御信号を送る。狭帯域化モジュール20、波面調整モジュール30、ビーム補正モジュール60に設けられた各アクチュエータは制御信号に応じて動作する。
なお、本実施例では、MOPO方式の例を示したが、これに限定させることなく、POの共振器を省いたPower Amplifierとして動作させても同様の制御が可能である。さらに、スペクトル純度幅E95を制御するためにMOの波面調整モジュール30のみを制御しているが、これに限定されることなく、その他のスペクトル純度幅E95を変化させる手段と組み合わせてもよい。スペクトル純度幅E95を変化させる手段としては、例えば、MOとPOの同期タイミングを変化させる方法などがある。
図1(a)は実施例1に係る狭帯域化レーザ装置の構成を上面から示す図であり、図1(b)は波面調整器を具えた狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示す図である。 図2はグレーティング曲げ機構を示す図である。 図3(a)、(b)はグレーティングで波面調整した場合の特性を示す図である。 図4(a)、(b)はシリンドリカル凹凸レンズで波面調整した場合の特性を示す図である。 図5(a)はリア側に設けられたグレーティングによって波面調整を行う狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示す図であり、図5(b)はフロント側に設けられた凹凸レンズによって波面調整を行う狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示す。図である。 図6は実施例2に係る狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示す図である。 図7は実施例3に係る狭帯域化レーザ装置の構成を側面から示す図である。 図8は図7のA−A断面を示す図である。 図9は実施例4に係る波面調整器を示している。 図10は実施例5に係るスペクトル純度幅E95の制御システムの構成を示す図である。 図11はモニタモジュールの構成を示す図である。 図12は実施例5に係るレーザシステムで行われるメインルーチンのフローチャートを示す。 図13は「スペクトル純度幅E95とE95アクチュエータ校正」のサブルーチンのフローチャートを示す図である。 図14は「E95計測」のサブルーチンのフローチャートを示す図である。 図15は「E95制御」のサブルーチンのフローチャートを示す図である。 図16は「E95アクチュエータ制御」のサブルーチンのフローチャートを示す図である。 図17は「エネルギ制御」のサブルーチンのフローチャートを示す図である。 図18は「中心波長制御」のサブルーチンのフローチャートを示す図である。 図19は凹レンズの位置とレーザのスペクトル純度幅E95およびパルスエネルギEの関係を示す図である。 図20は実施例6に係るスペクトル純度幅E95の制御システムの構成を示す図である。 図21(a)は、ビームダイバージェンスモニタの構成を示す図であり、図21(b)はシャックハルトマンの波面計の構成を示す図である。 図22はビーム補正制御のフローチャートを示す図である。 図23はビーム補正制御のフローチャートを示す図である。 図24は実施例6をダブルチャンバシステムに適用した場合のレーザシステムの構成を示す図である。 凹凸レンズの組み合わせパターンを示す図である。 図26はスペクトル純度幅を制御するためのグレーティング曲げ機構を示す図である。
符号の説明
1 レーザガス
10 レーザチャンバ
11、12 放電電極
13、14 ウインドウ
20 狭帯域化モジュール
21 グレーティング
22 プリズムビームエキスパンダ
23 回転ステージ
30 波面調整モジュール
31 出力カプラ
32 波面調整器
33 凹レンズ
34 凸レンズ
35 リニアステージ

Claims (7)

  1. レーザチャンバ内に封入されたレーザ媒質と、
    前記レーザ媒質を励起する励起源と、
    光を波長毎に分散させる波長分散素子と、入射した光の一部を反射し残りを透過する部分透過型出力カプラと、を有し、前記レーザ媒質の励起に起因して出力された光を共振させる光共振器と
    を備え、
    前記レーザチャンバのリア側には、前記波長分散素子が配置され、
    前記レーザチャンバのフロント側には、前記部分透過型出力カプラが配置され、
    前記光共振器内の光軸上であって、前記部分透過型出力カプラと前記レーザチャンバとの間に、前記レーザ媒質から出力された光の波面を調整する波面調整器であって、波面をシリンドリカル状に変換し、波面のシリンドリカル面を波長分散方向に対して略垂直にする波面調整器が配置されていること
    を特徴とする狭帯域化レーザ装置。
  2. 前記部分透過型出力カプラから出力された光をサンプリングし、所望のスペクトル幅を得るべく前記波面調整器をフィードバック制御する波面調整器制御部をさらに具えたこと
    を特徴とする請求項1 記載の狭帯域化レーザ装置。
  3. 前記波面調整器は、それぞれ光路上に配置されるシリンドリカル凹レンズおよびシリンドリカル凸レンズと、前記シリンドリカル凹レンズと前記シリンドリカル凸レンズの少なくとも一方を光路上で移動させて前記シリンドリカル凹レンズと前記シリンドリカル凸レンズの間隔を調整するレンズ間隔調整機構と、を有すること
    を特徴とする請求項1 記載の狭帯域化レーザ装置。
  4. 前記レーザ媒質はレーザガスであり、前記励起源は互いに対向する一対の放電電極と当該放電電極間へ高電圧を印加する電源回路とを有しており、前記レーザガスと前記放電電極とをレーザチャンバの内部に備えたこと
    を特徴とする請求項1 乃至3記載の狭帯域化レーザ装置。
  5. 前記放電電極間の放電方向に対して、前記波長分散素子の波長分散面が直交し、且つ前記波面調整器のシリンドリカル凹レンズの凹面のうちの底面およびシリンドリカル凸レンズの凸面のうちの頂上の面が平行になるように、前記放電電極と前記角度分散型光学素子と前記波面調整器とが配置されること
    を特徴とする請求項4 記載の狭帯域化レーザ装置。
  6. 前記レーザチャンバのリア側にあって、前記レーザチャンバと前記波長分散素子との間に、選択波長の光のみを透過させるスリットが配置されていること
    を特徴とする請求項1から5に記載の狭帯域化レーザ装置。
  7. 前記波長分散素子は、グレーティングであること
    を特徴とする請求項1から6に記載の狭帯域化レーザ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11271361B2 (en) 2017-11-27 2022-03-08 Gigaphoton Inc. Excimer laser apparatus and method for manufacturing electronic device

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5157004B2 (ja) * 2006-07-04 2013-03-06 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザのスペクトル幅調整方法
JP4818871B2 (ja) * 2006-10-20 2011-11-16 株式会社小松製作所 レーザ装置
JP5111930B2 (ja) * 2007-05-01 2013-01-09 ギガフォトン株式会社 露光用放電励起レーザ装置
JP2009210726A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Hitachi Via Mechanics Ltd マスクレス露光装置
JP5833806B2 (ja) * 2008-09-19 2015-12-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法
US20100080254A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Lundquist Paul B Temperature tuning of optical distortions
JP2010153650A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2010157620A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP5410396B2 (ja) 2010-03-23 2014-02-05 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
US8824514B2 (en) * 2010-11-09 2014-09-02 Kla-Tencor Corporation Measuring crystal site lifetime in a non-linear optical crystal
JP6113426B2 (ja) 2011-09-08 2017-04-12 ギガフォトン株式会社 マスタオシレータシステムおよびレーザ装置
JP5580358B2 (ja) * 2012-03-23 2014-08-27 ギガフォトン株式会社 露光用放電励起レーザ装置
JPWO2014192704A1 (ja) * 2013-05-27 2017-02-23 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及びアクチュエータを制御する方法
US9599510B2 (en) * 2014-06-04 2017-03-21 Cymer, Llc Estimation of spectral feature of pulsed light beam
WO2016125155A1 (en) * 2015-02-02 2016-08-11 Wi-Charge Ltd. Distributed coupled resonator laser
CN106154759B (zh) * 2015-04-15 2018-08-24 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种可校正物料起伏的光刻装置及方法
JP6585174B2 (ja) * 2015-08-07 2019-10-02 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置
JPWO2017029729A1 (ja) 2015-08-19 2018-05-31 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
JP6595012B2 (ja) * 2016-02-02 2019-10-23 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置
CN114720402A (zh) * 2022-03-31 2022-07-08 中国科学院光电技术研究所 一种复合传感无源腔标定装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4862467A (en) * 1988-03-18 1989-08-29 Massachusetts Institute Of Technology One- and two-dimensional optical wavefront synthesis in real time
JPH0298919A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Nikon Corp レーザ装置
JPH05330806A (ja) * 1992-05-26 1993-12-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 立方晶窒化ホウ素の加工方法
JP4102457B2 (ja) * 1997-05-09 2008-06-18 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US6212217B1 (en) 1997-07-01 2001-04-03 Cymer, Inc. Smart laser with automated beam quality control
US6094448A (en) 1997-07-01 2000-07-25 Cymer, Inc. Grating assembly with bi-directional bandwidth control
US6721340B1 (en) 1997-07-22 2004-04-13 Cymer, Inc. Bandwidth control technique for a laser
JP3690632B2 (ja) * 1998-03-17 2005-08-31 株式会社小松製作所 狭帯域モジュールの検査装置
JP3590524B2 (ja) * 1998-03-25 2004-11-17 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザの波面制御装置
JP2000150998A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Komatsu Ltd エキシマレーザ装置の狭帯域化モジュール
US6211217B1 (en) * 1999-03-16 2001-04-03 Novartis Ag Method for reducing pericardial fibrosis and adhesion formation
WO2001059889A1 (en) 2000-02-09 2001-08-16 Cymer, Inc. Bandwidth control technique for a laser
JP2002084026A (ja) * 2000-06-16 2002-03-22 Lambda Physik Ag F2レーザ
US6856638B2 (en) * 2000-10-23 2005-02-15 Lambda Physik Ag Resonator arrangement for bandwidth control
US7352791B2 (en) * 2004-07-27 2008-04-01 Corning Incorporated Optical systems including wavefront correcting optical surfaces

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11271361B2 (en) 2017-11-27 2022-03-08 Gigaphoton Inc. Excimer laser apparatus and method for manufacturing electronic device

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