JP4849267B2 - レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Description
また、塗布後の長期の安定性が求められている。
真空中の安定性の向上に対しては、酸不安定基のアセタールと3級エステルを組み合わせることによる改善方法が示されている(特許文献2:米国特許6869744号明細書)。
レジスト材料の塗布後にアミン成分がレジスト膜表面に吸着することによって感度や形状が変動すると考えられ、塗布後の安定性向上のためにはアミン成分の吸着を防止する方法や、レジスト膜の表面改質が考えられる。
ラインアンドスペースパターンの周辺部が露光される明パターンと、周辺部が露光されない暗パターンとでパターンの形状が異なることが報告されている。パターンの周辺部が露光されていると周辺部から発生した酸がPEB中に蒸発しパターン部分までも覆いつくすことでラインパターンの膜減りが生じる。一方、周辺部が露光されていない場合は周辺部からの酸の供給がなく、逆にアミンの蒸発によってラインパターンが頭張り形状となるのである。
この形状の違いはダークブライト差と呼ばれ、液浸リソグラフィーだけでなくドライリソグラフィーや電子線などの真空中のリソグラフィーに於いても同様の現象が発生する。レジスト上に保護膜を付けることによってダークブライト差を低減できる。
即ち、特開2005−232095号公報(特許文献3)にバルキーなアルキル基とヘキサフルオロアルコール基の両方を有するメタクリレートエステル体が示されている。
このホモポリマーは非常に高い撥水性を示すが、アルカリに全く溶解しないため、レジストに添付した場合、現像後に欠陥を発生させるリスクがある。
そこで、本発明者らは、特開2006−145777号公報(特許文献4)、特開2007−25634号公報(特許文献5)、特願2007−012135号記載のレジスト保護膜用アルカリ溶解性ユニットと共重合することによって撥水性とアルカリ溶解性の両方の特性を満たす材料を開発した。
しかし、これらは液浸リソグラフィーにおいて、レジスト膜に保護膜を形成することが好適とされるものである。
R5は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
R6は1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基で、R5とR6が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合、R5とR6との炭素数の総和が2〜12であり、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された三価の有機基を表す。
R8は単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基、R10、R11はそれぞれ水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基、R12、R13は同一又は異種の単結合又は−O−もしくは−CR18R19−であり、R9、R18、R19は水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。
X1、X2、X3は、それぞれ−C(=O)−O−、−O−、又は−C(=O)−R20−C(=O)−O−であり、R20は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。
0≦(a−1)<1、0≦(a−2)<1、0≦(a−3)<1、0<(a−1)+(a−2)+(a−3)<1、0<b<1であり、0<(a−1)+(a−2)+(a−3)+b≦1である。)
しかも、上記レジスト膜は、水に対して高い後退接触角を有するため、液浸露光の走査後にレジスト膜の表面に液滴が残りにくく、膜表面に残存する液滴が誘発するパターン形成不良を低減することができる。
従って、本発明のレジスト材料は優れたプロセス適用性を有し、液浸リソグラフィーにおけるコストを削減して、かつ、欠陥の少ない微細なパターンを高精度で形成することができる。
このような化学増幅ポジ型レジスト材料であれば、ベース樹脂がヒドロキシ基及び/又はラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を含むことで、基板との高い密着性を実現できる。更に、ベース樹脂が酸不安定基を有する繰り返し単位を有することで、露光時に酸発生剤が発生する酸により酸不安定基を脱離させて、レジスト露光部を現像液に溶解させるように変換することにより、極めて高精度なパターンを得ることができる。
また、前記レジスト材料が、更に、有機溶剤、塩基性化合物、溶解制御剤、界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることが好ましい(請求項5)。
このように、更に有機溶剤を配合することによって、例えば、レジスト材料の基板などへの塗布性を向上させることができるし、塩基性化合物を配合することによって、レジスト膜中での酸の拡散速度を抑制し、解像度を一層向上させることができるし、溶解制御剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができるし、界面活性剤を添加することによってレジスト材料の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。
もちろん、露光後加熱処理を加えた後に現像してもよいし、エッチング工程、レジスト除去工程、洗浄工程などその他の各種の工程が行われてもよいことは言うまでもない。
この場合、前記高エネルギー線を波長180〜250nmの範囲のものとすることが好ましい(請求項7)。
このように、前記高エネルギー線を波長180〜250nmの範囲のものとして露光を行えば、より微細なパターンを形成することができる。
また、前記高エネルギー線で露光する工程を液体を介して露光する液浸露光により行うことができ(請求項8)、前記液浸露光において、180〜250nmの範囲の露光波長を用い、前記レジスト材料を塗布した基板と投影レンズの間に液体を挿入し、該液体を介して前記基板を露光することができる(請求項9)。
このように、液浸露光を行うことで、解像力が向上し、より微細なパターンを形成することができる。
また、前記液体として水を用いることができる(請求項10)。
更に、高エネルギー線として電子ビームを用いることもできる(請求項11)。
電子ビームを用いる露光方法として、マスクブランクス基板上に本発明のレジスト化合物を塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法を挙げることができる(請求項12)。
本発明のレジスト材料は、コート後のレジスト膜表面を酸やアミンに安定でかつアルカリ可溶性の膜で覆い、ドライ露光においても酸やアミンの蒸発を抑えることによって、液浸露光だけでなくドライ露光においても明パターンを暗パターンの形状と寸法差(ダークブライト差)を小さくしたり、電子線露光のような真空中の露光における寸法の安定性を向上させることができる。
従って、本発明のレジスト材料を用いれば、液浸リソグラフィーにおけるコストを削減して、かつ、欠陥の少ない微細なパターンを高精度で形成することができる。
液浸露光については、前述のように、バリアー性能と高い後退接触角を両立したレジスト材料の開発が求められていたが、本発明者らは、この問題を解決するため鋭意検討及び研究を重ねた結果、保護膜を使用せずにレジスト膜と水とが直接接触する液浸リソグラフィー工程において、特定の高分子添加剤を配合してなるレジスト膜が、(1)レジスト膜の水への溶出を抑制すること、及び、(2)水に対する後退接触角の上昇を達成することを見出し、高分子添加剤の組成、配合を種々検討した結果、本発明を完成させた。
R5は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
R6は1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基で、R5とR6が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合、R5とR6との炭素数の総和が2〜12であり、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された三価の有機基(特に炭化水素基)を表す。
R8は単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基、R10、R11はそれぞれ水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基、R12、R13は同一又は異種の単結合又は−O−もしくは−CR18R19−であり、R9、R18、R19は水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。
R17は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R15又はR16と結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環を形成してもよい。
X1、X2、X3はそれぞれ−C(=O)−O−、−O−、又は−C(=O)−R20−C(=O)−O−であり、R20は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。
0≦(a−1)<1、0≦(a−2)<1、0≦(a−3)<1、0<(a−1)+(a−2)+(a−3)<1、0<b<1であり、0<(a−1)+(a−2)+(a−3)+b≦1である。)
従って、本発明のレジスト材料を用いれば、液浸リソグラフィーにおけるコストを削減して、かつ、欠陥の少ない微細なパターンを高精度で形成することができる。
R002は、水素原子、メチル基又は−CO2R003を示す。
R003は、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。
炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。
Xは、−CH2又は酸素原子を示す。
kは、0又は1である。
また、式(L1)において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1〜18、好ましくは炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1〜18、好ましくは炭素数1〜10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基などが例示できる。
更に、インデン類、ノルボルナジエン類、アセナフチレン類、ビニルエーテル類を共重合することもできる。
本発明で使用される有機溶剤としては、ベース樹脂、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル−2−n−アミルケトン等のケトン類、3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノtert−ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ−ブチロラクトン等のラクトン類が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや1−エトキシ−2−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。
N(X)n(Y)3-n (B)−1
(式中、n=1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異なっていてもよく、下記一般式(X1)〜(X3)で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X同士が結合して環を形成してもよい。)
R205は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示し、例えば、メチレン基、あるいはR204と同様なものが挙げられる。
jは0〜5の整数である。u、hは0又は1である。s、t、s’、t’、s’’、t’’はそれぞれs+t=8、s’+t’=5、s’’+t’’=4を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するような数である。αは式(D8),(D9)の化合物の質量平均分子量を100〜1,000とする数である。
下記一般式(A1)〜(A10)で示される化合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を−R401−COOH(R401は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基)により置換してなり、かつ分子中のフェノール性水酸基(C)と≡C−COOHで示される基(D)とのモル比率がC/(C+D)=0.1〜1.0である化合物。
下記一般式(A11)〜(A15)で示される化合物。
R402、R403はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。R404は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは−(R409)h−COOR’基(R’は水素原子又は−R409−COOH)を示す。
R406は炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。
R407は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。
R410は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基又は−R411−COOH基(式中、R411は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)を示す。
R412は水素原子又は水酸基を示す。
s5、t5は、s5≧0、t5≧0で、s5+t5=5を満足する数である。
uは、1≦u≦4を満足する数であり、hは、1≦h≦4を満足する数である。
λは式(A7)の化合物を質量平均分子量1,000〜10,000とする数である。
本成分として、具体的には下記一般式(AI−1)〜(AI−14)及び(AII−1)〜(AII−10)で示される化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
なお、上記分子内に≡C−COOHで示される基を有する化合物の添加量は、ベース樹脂100質量部に対して0〜5質量部、好ましくは0.1〜5質量部、より好ましくは0.1〜3質量部、更に好ましくは0.1〜2質量部である。5質量部以下であればレジスト材料の解像度が低下するおそれが少ない。
例えば、シリコンウエハー等の基板上にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.1〜2.0μmとなるようにレジスト材料を塗布し、これをホットプレート上で60〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜140℃、1〜5分間プリベークしてフォトレジスト膜を形成する。
また、上記フォトレジスト膜は、水に対して高い後退接触角を有するため、液浸露光の走査後にフォトレジスト膜の表面に液滴が残りにくく、膜表面に残存する液滴が誘発するパターン形成不良を低減することができる。
これらの樹脂のヒドロキシ基を酸不安定基で置換されたものがポジ型として、架橋剤を添加したものがネガ型として用いられる。
架橋剤としては、メチロール基、アルコキシメチル基、アシロキシメチル基から選ばれる少なくとも一つの基で置換されたメラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、エポキシ化合物、チオエポキシ化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基等の2重結合を含む化合物を挙げることができる。これらは添加剤として用いてもよいが、ポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いられる。
ヒドロキシスチレンと(メタ)アクリル誘導体、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、ヒドロキシビニルナフタレン、ヒドロキシビニルアントラセン、インデン、ヒドロキシインデン、アセナフチレン、ノルボルナジエン類を共重合したポリマーをベースとしてもよい。
マスクブランクス用レジスト膜として用いる場合、SiO2、Cr、CrO、CrN、MoSi等のマスクブランクス基盤上に本発明のレジスト材料を塗布し、レジスト膜を形成する。
レジスト膜とブランクス基板の間にSOG膜と有機下層膜を形成し、3層構造を形成してもよい。
レジスト膜を形成後、電子ビーム描画機で真空中で露光する。露光後、ポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い、アルカリ現像液で10〜300秒間現像を行う。
レジスト材料に添加される高分子化合物(高分子添加剤)として、各々のモノマーを組み合わせてイソプロピルアルコール溶媒下で共重合反応を行い、ヘキサンに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して以下に示す組成の高分子化合物を得た。得られた高分子化合物の組成は1H−NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフにより確認した。
下記に示した組成で、ベース樹脂、光酸発生剤、塩基性化合物、及び有機溶剤を混合、溶解後にそれらをテフロン(登録商標)製フィルター(孔径0.2μm)で濾過し、レジスト材料(レジスト1、レジスト2)を調製した。
混合組成:ベース樹脂1(100質量部)、光酸発生剤(5質量部)、塩基性化合物(1質量部)、有機溶剤(1,800質量部)
分散度(Mw/Mn)=1.76
光酸発生剤(PAG):ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム
塩基性化合物(クエンチャー):2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチルモルホリン
有機溶剤:酢酸1−メトキシイソプロピル
混合組成:ベース樹脂2(100質量部)、光酸発生剤(7質量部)、塩基性化合物(0.8質量部)、有機溶剤1(1,330質量部)、有機溶剤2(570質量部)
分散度(Mw/Mn)=1.69
光酸発生剤(PAG):1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−2−ベンゾイルオキシプロパンスルホン酸4−t−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム
塩基性化合物(クエンチャー):2−シクロヘキシルカルボキシエチルモルホリン
有機溶剤1:酢酸1−メトキシイソプロピル
有機溶剤2:シクロヘキサノン
上記で調製したレジスト溶液(実施例1〜19、比較例1〜5)を各々スピンコート法によってシリコン基板上に塗布し、120℃で60秒間ベークし、厚さ200nmのフォトレジスト膜を作製した。
上記で調製したレジスト溶液(実施例1〜19、比較例1〜5)を各々スピンコート法によってシリコン基板上に塗布し、120℃で60秒間ベークし、厚さ200nmのフォトレジスト膜を作製した。このフォトレジスト膜全面に、(株)ニコン製ArFスキャナーS305Bを用いてオープンフレームにて50mJ/cm2のエネルギーを照射した。
その後、純水を回収し、純水中の光酸発生剤(PAG)の陰イオン成分濃度をAgilent社製LC−MS分析装置にて定量した。
測定した陰イオン濃度から、60秒間の陰イオン溶出量の測定結果を下記表3に示す。
8インチのSi基板上に作製した日産化学工業(株)製反射防止膜ARC−29Aの87nm膜厚上にレジスト溶液を塗布し、110℃で60秒間ベークして膜厚150nmのレジスト膜を作製した。(株)ニコン製ArFスキャナーS307E(NA0.85 σ0.93、2/3輪帯照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)でウエハー全面に100nmラインアンドスペースパターンを露光し、110℃で60秒間ポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い、2.38質量%TMAH現像液を30秒間現像を行った。
欠陥個数を、東京精密性欠陥検査装置WinWin−50−1200を用いてピクセルサイズ0.125ミクロンで計測した。
結果を表4に示す。
描画評価では、ラジカル重合で合成した下記EB用ポリマーを用いて、表5に示される組成で溶解させたプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、乳酸エチル(EL)溶液を0.2μmサイズのフィルターで濾過してポジ型レジスト材料を調製した。
得られたポジ型レジスト材料を直径6インチφのSi基板上に、クリーントラックMark5(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコートし、ホットプレート上で、110℃で60秒間プリベークして200nmのレジスト膜を作製した。これに、(株)日立製作所製HL−800Dを用いてHV電圧50keVで真空チャンバー内描画を行った。
その後真空チャンバー内に20時間放置し、描画場所を変えて更に追加で描画を行った。
描画後直ちにクリーントラックMark5(東京エレクトロン(株)製)を用いてホットプレート上で、90℃で60秒間ポストエクスポージャベーク(PEB)を行い、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、ポジ型のパターンを得た。
得られたレジストパターンを次のように評価した。
日立製作所製SEM(S−7280)を用いて現像直前に露光した場所において、0.12μmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における0.12μmのラインアンドスペースのライン寸法を測定し、これから20時間前に露光した場所の同一露光量の0.12μmラインアンドスペースのライン寸法を引いて真空放置における寸法変動量を求めた。
寸法変動量において、プラスは真空中放置によってレジスト感度が高感度化、マイナスは低感度化に変動であることを示す。
また、本発明による高分子化合物をEB用レジストに添加した場合は、真空中の安定性を改善する効果が認められたものである。
Claims (12)
- 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト材料。
R5は、炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基で、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。
R6は、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキル基で、R5とR6が結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、その場合、R5とR6との炭素数の総和が2〜12であり、1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された三価の有機基を表す。
R8は、単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基、R10、R11はそれぞれ水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基、R12、R13は同一又は異種の単結合又は−O−もしくは−CR18R19−であり、R9、R18、R19は水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。
R17は、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R15又はR16と結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜10の脂環を形成してもよい。
X1、X2、X3は、それぞれ−C(=O)−O−、−O−、又は−C(=O)−R20−C(=O)−O−であり、R20は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。
0≦(a−1)<1、0≦(a−2)<1、0≦(a−3)<1、0<(a−1)+(a−2)+(a−3)<1、0<b<1であり、0<(a−1)+(a−2)+(a−3)+b≦1である。) - 前記レジスト材料が、化学増幅ポジ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1記載のレジスト材料。
- 前記レジスト材料が、化学増幅ネガ型レジスト材料であることを特徴とする請求項1記載のレジスト材料。
- 前記レジスト材料が、少なくとも酸不安定基を有する繰り返し単位、及びヒドロキシ基及び/又はラクトン環の密着性基を有する繰り返し単位を有するベース樹脂と、一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする請求項2記載のレジスト材料。
- 前記レジスト材料が、更に、有機溶剤、塩基性化合物、溶解制御剤、架橋剤、界面活性剤のいずれか1つ以上を含有するものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のレジスト材料。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線を、波長180〜250nmの範囲のものとすることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線で露光する工程を、液体を介して露光する液浸露光により行うことを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
- 前記液浸露光において、180〜250nmの範囲の露光波長を用い、前記レジスト材料を塗布した基板と投影レンズの間に液体を挿入し、該液体を介して前記基板を露光することを特徴とする請求項8記載のパターン形成方法。
- 前記液体として、水を用いることを特徴とする請求項8又は9記載のパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線が、電子ビームであることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載のレジスト材料をマスクブランクス基板上に塗布する工程と、加熱処理後、高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とする請求項11記載のパターン形成方法。
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