JP2007266143A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】メモリセルを３次元に積層した新規な構造を有し、チップ面積を縮小することのできる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続された複数のメモリストリングスを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリストリングスは、柱状半導体と、前記柱状半導体の周りに形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の周りに形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の周りに形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の周りに形成された第１乃至第ｎの電極（ｎは２以上の自然数）とを有しており、前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極と、別の前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極とは、それぞれ、２次元的に広がる第１乃至第ｎの導電体層であることを特徴している。
【選択図】図１

Description

本発明は電気的にデータの書き換えが可能な半導体記憶装置に関し、半導体記憶装置の中でも、特に、不揮発性半導体記憶装置に関する。
小型で大容量な不揮発性半導体記憶装置の需要が急増し、高集積化、大容量化が期待できるＮＡＮＤ型フラッシュメモリが注目されている。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの高集積化、大容量化を進めるためには、デザインルールを縮小することが必要となる。デザインルールを縮小するためには、配線パターン等の更なる微細加工が必要となる。配線パターン等の更なる微細加工を実現するためには、非常に高度な加工技術が要求されるため、デザインルールの縮小化が困難になってきている。
そこで、近年、メモリの集積度を高めるために、メモリセルを３次元的に配置した半導体記憶装置が多数提案されている（特許文献１乃至３及び非特許文献１）。
メモリセルを３次元的に配置した従来の半導体記憶装置の多くは、メモリセル部分１層毎に複数のフォトエッチングプロセス（Ｐｈｏｔｏ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ、以下「ＰＥＰ」という。いわゆるフォトレジストを使ったリソグラフィ工程とエッチングなどの加工工程とを用いてパターンニングを行うプロセス。）を行う必要がある。ここで、そのデザインルールの最小線幅で行うフォトエッチングプロセスを「クリティカルＰＥＰ」とし、そのデザインルールの最小線幅より大きな線幅で行うフォトエッチングプロセスを「ラフＰＥＰ」とする。メモリセルを３次元的に配置した従来の半導体記憶装置においては、メモリセル部分１層につきクリティカルＰＥＰ数が３以上必要である。また、従来の半導体記憶装置においては、メモリセルを単純に積層していくものが多く、３次元化によるコスト増大が避けられない。
また、メモリセルを３次元的に配置した従来の半導体記憶装置の一つに、ＳＧＴ（円柱型）構造のトランジスタを用いた半導体記憶装置がある（特許文献１乃至３）。ＳＧＴ（円柱型）構造のトランジスタを用いた半導体記憶装置においては、積層メモリトランジスタのチャネル（ボディ）部をピラー（柱）状に形成した後に、側壁にゲート電極となるポリシリコンなどを形成するというプロセスを採用している。真上から見た構造は、串刺し団子のような構造となっているため、微細化に伴い、隣接ゲート間のショートなどの問題が発生する可能性が高い。
さらに、非特許文献１に開示されているように、上層ピラー及び側壁ゲートを形成した後、そのピラー及び側壁ゲートをマスクに下層ピラーを形成し、下層ゲートを形成している。よって、下層に行くにしたがってピラー径が異なるため、層毎にトランジスタ特性のバラツキが生じてしまうだけではなく、最下層のピラー径で２次元配置時のピッチが確定されるため、上から見たセル面積は大きくなってしまう。また、２次元状に配置された隣接ピラー同士は完全に分離されており、各層のワード線を接続するプロセスが別途必要になるため、プロセスが煩雑なものとなる。
従来の積層型の不揮発性半導体記憶装置は、階層毎に少なくともワード線が独立で存在しているため、必要なワード線ドライバの数が多くなり、チップ面積が大きくなっていた。
特開２００３−０７８０４４号 米国特許第５,５９９,７２４号 米国特許第５,７０７,８８５号 Ｍａｓｕｏｋａ ｅｔ ａｌ．， "Ｎｏｖｅｌ Ｕｌｔｒａｈｉｇｈ−Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ Ｗｉｔｈ ａ Ｓｔａｃｋｅｄ−Ｓｕｒｒｏｕｎｄｉｎｇ Ｇａｔｅ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ （Ｓ−ＳＧＴ） Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ Ｃｅｌｌ"， ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ， ＶＯＬ． ５０， ＮＯ４， ｐｐ９４５−９５１， Ａｐｒｉｌ ２００３
そこで、本発明は、メモリセルを３次元に積層した新規な構造を有し、チップ面積を縮小することができ、安価で歩留まりの高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。
本発明の一実施態様によれば、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続された複数のメモリストリングスを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリストリングスは、柱状半導体と、前記柱状半導体の周りに形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の周りに形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の周りに形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の周りに形成された第１乃至第ｎの電極（ｎは２以上の自然数）とを有しており、前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極と、別の前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極とは、それぞれ、２次元的に広がる第１乃至第ｎの導電体層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
また、本発明の一実施態様によれば、半導体基板上に導電性不純物の拡散領域を形成し、前記半導体基板上に第１の絶縁膜と導電体とを交互に複数形成し、前記複数の第１の絶縁膜と前記導電体とに複数のホールを形成し、前記ホールの表面に第２の絶縁膜を形成し、前記ホールの底部にある前記第２の絶縁膜をエッチングし、前記ホールに柱状半導体を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法によると、ワード線を各層毎に共通の導電体層によって形成することにより、ワード線ドライバの数を減少させることができ、チップ面積の縮小化を実現することができる。
また、本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法は、メモリトランジスタの積層数に応じた積層膜をあらかじめ堆積しておき、ホールパターンを一括で形成することにより、直列に接続された複数の縦型トランジスタを１ＰＥＰで形成することができる。
また、本発明の一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法においては、直列に接続された複数の縦型トランジスタを動作させるためには、その上下に選択ゲートを接続する必要がある。その選択ゲートと直列に接続された複数の縦型トランジスタとの直列構造の形成についても、１又は２のＰＥＰ（メモリトランジスタ形成ホールＰＥＰ）と同時に行うことが可能である。
また、本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法は、直列に接続された複数の縦型トランジスタのソース側の選択ゲート線ＳＧＳ及び各メモリトランジスタのワード線ＷＬは、動作上、常に各層毎に共通電位とすることが可能である。よって、選択ゲート線ＳＧＳ及びワード線ＷＬには、いずれも層構造を採用することができる。このことにより、ワード線は、ラフＰＥＰによって形成することが可能で、製造プロセスが簡略化され、コスト低減を実現することができる。
以下、本発明の不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法の実施形態について説明するが、本願発明は、以下の実施形態に限定されるわけではない。また、各実施形態において、同様の構成については同じ符号を付し、改めて説明しない場合がある。
一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の概略構成図を図１に示す。本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１は、メモリトランジスタ領域２、ワード線駆動回路３、ソース側選択ゲート線（ＳＧＳ）駆動回路４、ドレイン側選択ゲート線（ＳＧＤ）駆動回路５、センスアンプ６等を有している。図１に示すように、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１においては、メモリトランジスタ領域２を構成するメモリトランジスタは、半導体層を複数積層することによって形成されている。また、図１に示すとおり各層のワード線は、ある領域で２次元的に広がっている。各層のワード線は、それぞれ同一層からなる平面構造を有しており、板状の平面構造となっている。
なお、図１に示す本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１においては、ソース側選択ゲート線（ＳＧＳ）は板状の平面配線構造を有しており、ドレイン側選択ゲート線（ＳＧＤ）はそれぞれが絶縁分離された配線構造を有している。また、図８７に示すように、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、ソース側選択ゲート線（ＳＧＳ）をそれぞれが絶縁分離された配線構造を有するようにし、且つドレイン側選択ゲート線（ＳＧＤ）を板状の平面配線構造を有するようにしてもよい。また、図８８に示すように、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、ソース側選択ゲート線（ＳＧＳ）をそれぞれが絶縁分離された配線構造を有するようにし、且つドレイン側選択ゲート線（ＳＧＤ）もそれぞれが絶縁分離された配線構造を有するようにしてもよい。
図２は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のメモリトランジスタ領域２の一部の概略構成図である。本実施形態においては、メモリトランジスタ領域２は、メモリトランジスタ（ＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎ）、選択トランジスタＳＳＴｒｍｎ及びＳＤＴｒｍｎからなるメモリストリングス１０をｍ×ｎ個（ｍ、ｎは自然数）有している。図２においては、ｍ＝３、ｎ＝４の例を示している。
各メモリストリングス１０のメモリトランジスタ（ＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎ）のゲートに接続されているワードライン（ＷＬ１〜ＷＬ４）はそれぞれ同一の導電層によって形成されており、それぞれ共通である。即ち、各メモリストリングス１０のメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎのゲートの全てがワードラインＷＬ１に接続されており、各メモリストリングス１０のメモリトランジスタＭＴｒ２ｍｎのゲートの全てがワードラインＷＬ２に接続されており、各メモリストリングス１０のメモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎのゲートの全てがワードラインＷＬ３に接続されており、各メモリストリングス１０のメモリトランジスタＭＴｒ４ｍｎのゲートの全てがワードラインＷＬ４に接続されている。本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１においては、図１及び図２に示すとおり、ワードライン（ＷＬ１〜ＷＬ４）は、それぞれ、２次元的に広がっており、板状の平面構造を有している。また、ワードライン（ＷＬ１〜ＷＬ４）は、それぞれ、メモリストリングス１０に概略垂直な平面構造を有している。なお、ソース側選択トランジスタＳＳＴｒｍｎを駆動するソース側選択ゲート線ＳＧＳは、動作上、常に各層毎に共通電位とすることが可能である。よって、本実施形態においては、ソース側選択ゲート線ＳＧＳには、板状の構造を採用している。
各メモリストリングス１０は、半導体基板のＰ−ｗｅｌｌ領域に形成されたｎ＋領域の上に柱状の半導体を有している。各メモリストリングス１０は、柱状半導体に垂直な面内にマトリクス状に配置されている。なお、この柱状の半導体は、円柱状であっても、角柱状であってもよい。また、柱状の半導体とは、段々形状を有する柱状の半導体を含む。
各ワード線ＷＬは、隣り合う柱状半導体の間隔に柱状半導体の径を加えた距離の２倍以上の広がりを有するようにしてもよい。言い換えると、各ワード線ＷＬは、隣り合う前記柱状半導体の中心間距離の２倍以上の広がりを有するのが好ましい。
本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の一つのメモリストリングス１０（ここでは、ｍｎ番目のメモリストリングス）の概略構造を図３（Ａ）に、またその等価回路図を図３（Ｂ）に示す。本実施形態においては、メモリストリングス１０は、４つのメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎ並びに２つの選択トランジスタＳＳＴｒｍｎ及びＳＤＴｒｍｎを有している。これら４つのメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎ並びに２つの選択トランジスタＳＳＴｒｍｎ及びＳＤＴｒｍｎは、図３に示すようにそれぞれ直列に接続されている。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置１の１つのメモリストリングス１０においては、半導体基板上のＰ=型領域（Ｐ−Ｗｅｌｌ領域）１４に形成されたＮ+領域１５に柱状の半導体１１が形成されている。また、柱状の半導体１１の周りに形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２の周りに形成された複数の板状の電極１３ａ〜１３ｅが形成されている。この電極１３ｂ〜１３ｅと絶縁膜１２と柱状の半導体１１とがメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎを形成する。なお、絶縁膜１２は、電荷蓄積層として機能する絶縁膜（例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の積層膜）である。例えば、絶縁膜１２が酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の積層膜、所謂ＯＮＯ膜である場合、窒化珪素膜に離散分布したＳｉＮトラップに電荷が保持される。電極１３ｂ〜１３ｅはそれぞれワード線ＷＬ１〜ＷＬ４及び、１３ｆは選択ゲート線ＳＧＤｎ及び、１３ａはＳＧＳとなる。また、選択トランジスタＳＤＴｒｍｎのソース／ドレインの一端にはビット線ＢＬｍが接続されており、選択トランジスタＳＳＴｒｍｎのソース／ドレインの一端にはソース線ＳＬ（本実施形態においては、Ｎ＋領域１５）が接続されている。なお、前記電荷蓄積層は、ＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎの柱状半導体層１１の周りに形成するように（柱状の半導体層１１と電極１３ｂ〜１３ｅとの間に局在するように）してもよい。
なお、この電荷蓄積層に導電体によって形成したフローティングゲートを採用してもよい。このときは、導電体は柱状半導体と各ワード線の間にのみ形成される。
また、電極１３ａ及び１３ｆと柱状の半導体１１との間には、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１４が形成される。
なお、本実施形態においては、メモリストリングス１０は４つのメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎを有しているが、１つのメモリストリングスにあるメモリトランジスタの数はこれに限定されるわけではなく、メモリ容量に応じて任意の数に適宜変更することが可能である。
本発明の本実施形態メモリストリングスは、柱状半導体の中心軸に対して概略対称形状を有することになる。
図４には、本実施形態における一つのメモリトランジスタＭＴｒ（例えば、ＭＴｒ４ｍｎ）の断面構造を示す図である。なお、他のメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ３ｍｎについてもメモリトランジスタＭＴｒ４ｍｎと同様の構成である。メモリトランジスタＭＴｒ４ｍｎは、絶縁体１２を介して柱状の半導体１１を取り囲む導電体層１３ｅが制御ゲート電極として機能する。メモリトランジスタＭＴｒ４のソース２０及びドレイン２１は、柱状の半導体１１に形成される。ただし、メモリトランジスタＭＴｒｌｍｎ並びに選択ゲートトランジスタＳＳＴｒｍｎ及びＳＤＴｒｍｎがディプレッション型のトランジスタ構造を有する場合は、半導体１１部分に明確なソース／ドレイン拡散層を持たないようにする場合もある。また、柱状の半導体１１のうち、おおむね導電体層１３eで囲まれた領域をＰ型半導体にし、おおむね導電体層１３ｅで囲まれていない領域をＮ型半導体にしたいわゆるエンハンスメント型トランジスタにしてもよい。
図３及び図４においては、１つのメモリストリングス１０について説明したが、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１においては、全てのメモリストリングスが同様の構成を有している。
（動作）
まず、本実施形態に係る一つのメモリストリングス１０のメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎにおける「読み出し動作」、「書き込み動作」及び「消去動作」について図３を参照しながら説明する。なお、「読み出し動作」及び「書き込み動作」については、メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎを例にとって説明している。
また、本実施形態におけるメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎは、半導体１１と電荷蓄積層として機能する絶縁膜（酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の積層膜）と導電体層（本実施形態においてはポリシリコン層）とからなる所謂ＭＯＮＯＳ型縦型トランジスタであり、ここでは、電荷蓄積層に電子が蓄積されていない状態のメモリトランジスタＭＴｒのしきい値Ｖth（以下「中性しきい値」という）が０Ｖ付近にあるとして説明する。
（読み出し動作）
メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎからのデータの読み出し時には、ビット線ＢＬｍにＶbl（例えば０.７Ｖ）、ソース線ＳＬに０Ｖ、選択ゲート線ＳＧＤ及びＳＧＳにＶdd（例えば３．０Ｖ）、Ｐ−Ｗｅｌｌ領域にＶPW（例えば０Ｖ）を印加する。そして、読み出したいビット（ＭＴｒ３ｍｎ）が接続されているワード線ＷＬ３を０Ｖとし、それ以外のワード線ＷＬをＶread（例えば、４．５Ｖ）に設定する。これにより、読み出したいビット（ＭＴｒ３ｍｎ）のしきい値Ｖthが０Ｖより大きいか小さいかで、ビット線ＢＬｍに電流が流れるかどうかが決まるため、ビット線ＢＬｍの電流をセンスすることによってビット（ＭＴｒ３ｍｎ）のデータ情報を読み出すことが可能となる。なお、同様の動作によって他のビット（メモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ、ＭＴｒ２ｍｎ、ＭＴｒ４ｍｎ）のデータを読み出すことができる。
（書き込み動作）
メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎにデータ“０”を書き込む場合、即ち、メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎの電荷蓄積層に電子を注入してメモリトランジスタのしきい値を上げる（しきい値を正の方向にシフトさせる）場合は、ＢＬｍに０Ｖ、ソース線ＳＬにＶdd、選択ゲート線ＳＧＤｎにVdd（例えば３．０Ｖ）、選択ゲート線ＳＧＳにＶoff（例えば０Ｖ）、Ｐ−Ｗｅｌｌ領域にＶPW（例えば０Ｖ）を印加し、書き込みたいビット（ＭＴｒ３）のワード線ＷＬ３をＶprog（例えば１８Ｖ）、それ以外のワード線ＷＬをＶpass（例えば１０Ｖ)とすることで、所望ビット（ＭＴｒ３ｍｎ）のみ電荷蓄積層に印加される電界強度が強くなり電荷蓄積層に電子が注入され、メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎのしきい値が正の方向にシフトする。
メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎにデータ“１”を書き込む場合、即ち、メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎの消去状態からしきい値を上げない（電荷蓄積層に電子を注入しない）場合は、ビット線ＢＬｍにＶddを印加することにより、選択トランジスタＳＤＴｒｍｎのゲート電位とそのソース電位とが同電位になるため、選択トランジスタＳＤＴｒｍｎがｏｆｆ状態になり、メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎのチャネル形成領域（ボディ部）とワード線ＷＬ３との間の電位差が低減するため、メモリトランジスタＭＴｒ３ｍｎの電荷蓄積層には電子の注入が起こらない。なお、同様の動作によって他のビット（メモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ、ＭＴｒ２ｍｎ、ＭＴｒ４ｍｎ）へデータを書き込むことができる。
（消去動作）
データの消去時には、複数のメモリストリングス１０からなるブロック単位でメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎのデータの消去を行う。
選択ブロック（消去したいブロック）において、Ｐ−ｗｅｌｌ領域にＶerase（例えば２０Ｖ）を印加し、ソース線ＳＬをフローティングに、そしてＰ−ｗｅｌｌ領域にＶeraseを印加するタイミングと若干時間をずらして（例えば４μsec程度ずらして）、選択ゲート線ＳＧＳ及びＳＧＤｎの電位を上昇（例えば１５Ｖ)させる。こうすることにより、選択トランジスタＳＳＴｒｍｎのゲート端付近でＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｌｅａｋ）電流が発生し、生成したホールがメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎのボディ部である半導体層１１内部に流れ、一方、電子がＰ−ｗｅｌｌ方向に流れる。これにより、メモリトランジスタＭＴｒのチャネル形成領域（ボディ部）にはＶeraseに近い電位が伝達するため、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を例えば０Ｖに設定すると、メモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎの電荷蓄積層の電子がＰ−ｗｅｌｌに引き抜かれ、メモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎのデータの消去を行うことができる。
一方、選択ブロックのメモリトランジスタのデータ消去を行うとき、非選択ブロックにおいては、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４をフローティングとすることにより、メモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎのチャネル形成領域（ボディ部）の電位の上昇とともに、カップリングによってワード線ＷＬ１〜ＷＬ４の電位が上昇し、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４とメモリトランジスタＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎの電荷蓄積層と間に電位差が生じないため、電荷蓄積層から電子の引き抜き（消去）が行われない。
次に、メモリストリングス１０を基板面に対して縦横２次元状に配置した本実施形態の不揮発性半導体記憶装置１の「読み出し動作」、「書き込み動作」及び「消去動作」について説明する。図５には、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の等価回路図を示す。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置１は、上述のとおり、各ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４の電位がそれぞれ同電位となっている。また、ここでは、選択ゲート線ＳＧＳ１〜ＳＧＳ３は、それぞれ、独立して制御できるようにしているが、選択ゲート線ＳＧＳ１〜ＳＧＳ３を同じ導電体層によって形成するなどして同電位にし、それらの電位を制御するようにしてもよい。
また、ここでは、点線で示したメモリトランジスタＭＴｒ３２１（ビット線ＢＬ２並びに選択ゲート線ＳＧＳ１及びＳＧＤ１に接続されているメモリストリングスのＭＴｒ３）における「読み出し動作」及び「書き込み動作」について説明する。また、メモリトランジスタの「消去動作」についても説明する。
（読み出し動作）
図６は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、点線で示したメモリトランジスタＭＴｒ３２１のデータの読み出し動作を行う場合のバイアス状態を示した図である。ここでも、本実施形態におけるメモリトランジスタＭＴｒは、半導体１１と電荷蓄積層として機能する絶縁膜（酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜の積層膜）と導電体層（本実施形態においてはポリシリコン層）とからなる所謂ＭＯＮＯＳ型縦型トランジスタであり、電荷蓄積層に電子が蓄積されていない状態のメモリトランジスタＭＴｒのしきい値Ｖth（中性しきい値）が０Ｖ付近にあるとして説明する。
メモリトランジスタＭＴｒ３２１からのデータの読み出し時には、メモリトランジスタＭＴｒ３２１が接続されているビット線ＢＬ２にＶbl（例えば０.７Ｖ）、それ以外のビット線ＢＬに０Ｖ、ソース線ＳＬに０Ｖ、メモリトランジスタＭＴｒ３２１が接続されている選択ゲート線ＳＧＤ１及びＳＧＳ１にＶdd（例えば３．０Ｖ）、それ以外の選択ゲート線ＳＧＤ及びＳＧＳにＶoff（例えば０Ｖ）、Ｐ−ｗｅｌｌ領域にＶPW（例えば０Ｖ。但し、ＶPWは、Ｐ−ｗｅｌｌ領域とメモリストリングスが順バイアスになっていなければ如何なる電位でもよい。）を印加する。そして、読み出したいビット（ＭＴｒ３２１）が接続されているワード線ＷＬ３を０Ｖとし、それ以外のワード線ＷＬをＶread（例えば、４．５Ｖ）に設定する。これにより、データを読み出すビット（ＭＴｒ３２１）のビット線ＢＬ２とソース線ＳＬ間に電位差が生じ、且つ、選択ゲート線ＳＧＤ１がオンしている状態となっているため、読み出したいビット（ＭＴｒ３２１）のしきい値Ｖthが０Ｖより大きいか小さいかで、ビット線ＢＬ２に電流が流れるかどうかが決まるため、ビット線ＢＬ２の電流をセンスすることによってビット（ＭＴｒ３２１）のデータ情報を読み出すことが可能となる。なお、同様の動作によって他のビット（メモリトランジスタＭＴｒｌｍｎ）のデータを読み出すことができる。このとき、例えば、メモリトランジスタＭＴｒ３２２は、そのしきい値Ｖthが何れの値であっても、即ちメモリトランジスタＭＴｒ３２２に“１”が書き込まれていても“０”が書き込まれていても、ＳＧＤ２がＶoffとなっている為、メモリトランジスタＭＴｒ３２２およびＭＴｒ３２２が属しているメモリストリングス１０に電流が流れることがない。このは、ビット線ＢＬ２に接続されているメモリストリングス１０であって、選択ゲート線ＳＧＤ１に接続されていない全てのメモリストリングス１０において同様である。
また、例えばメモリトランジスタＭＴｒ３３１を例にとって説明すると、ＭＴｒ３３１が属するメモリストリングス１０の場合、メモリトランジスタＭＴｒ３３１のしきい値Ｖthが如何なる値であっても、即ち“１”が書き込まれていても“０”が書き込まれていても、ビット線ＢＬ３が０Ｖでありソース線ＳＬと同電位の為、ビット線ＢＬ３に電流が流れることはない。このことは、ビット線ＢＬ２に接続されていない全てのメモリストリングス１０おいて共通である。
以上より、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１においては、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４をそれぞれ共通電位で駆動し、且つ選択ゲート線ＳＧＳ１〜ＳＧＳ３を共通電位で駆動させても、任意のビットのしきい値のデータを読むことが可能となる。
（書き込み動作）
図７は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、点線で示したメモリトランジスタＭＴｒ３２１のデータの書き込み動作を行う場合のバイアス状態を示した図である。
メモリトランジスタＭＴｒ３にデータ“０”を書き込む場合、即ち、メモリトランジスタＭＴｒ３２１の電荷蓄積層に電子を注入してメモリトランジスタのしきい値を上げる（しきい値を正の方向にシフトさせる）場合は、メモリトランジスタＭＴｒ３２１が接続されているビット線ＢＬ２に０Ｖ、それ以外のビット線ＢＬにＶdd、ソース線ＳＬにＶdd、メモリトランジスタＭＴｒ３２１が接続されている選択ゲート線ＳＧＤ１にＶdd、それ以外の選択ゲート線ＳＧＤにＶoff、選択ゲート線ＳＧＳ１〜ＳＧＳ３にＶoff、Ｐ−Ｗｅｌｌ領域にＶPW（例えば０Ｖ）を印加し、書き込みたいビット（ＭＴｒ３２１）のワード線ＷＬ３をＶprog（例えば１８Ｖ）、それ以外のワード線ＷＬをＶpass（例えば１０Ｖ）とすることで、ＭＴｒ３２１が属するメモリストリングス１０において、ソース側選択ゲート線ＳＧＳ１が接続されている選択ゲートトランジスタＳＳＴｒ２１を除く全てのメモリトランジスタＭＴｒ１２１、ＭＴｒ２２１、ＭＴｒ３２１及びＭＴｒ４２１にチャネルが形成され、ビット線ＢＬ２の電位（０Ｖ）がチャネルに伝播される。このため、所望ビット（ＭＴｒ３２１）のワードラインと柱状半導体の間に存在する電荷蓄積層を含むＯＮＯ膜に印加される電界強度が強くなり、電荷蓄積層に電子が注入され、メモリトランジスタＭＴｒ３２１のしきい値が正の方向にシフトする。
このとき、例えば、メモリトランジスタＭＴｒ３２２に置いては、ソース側選択ゲート線ＳＧＤ２にはＶoffが印加されているため、ビット線ＢＬ２の電位がメモリトランジスタＭＴｒ３２２のチャネル部に伝播されることがなく、メモリトランジスタＴｒ３２２には電子の注入が起こらない。このことは、ＢＬ２に接続されているメモリストリングス１０であって、メモリトランジスタＭＴｒ３２１が属していない全てのメモリストリングス１０において同様である。
また、例えば、メモリトランジスタＭＴｒ３３１においては、ＭＴｒ３３１が属するメモリストリングス１０において、選択ゲート線ＳＧＤ１が接続されている選択トランジスタＳＤＴｒ３１のソース側電位がＶddとなりビット線ＢＬ３の電位もＶddとなっているため、選択トランジスタＳＤＴｒ３１のソースとゲートの電位が同電位となる。よって、選択トランジスタＳＤＴｒ３１はオンせず、メモリトランジスタＭＴｒ３３１のチャネル部には外部電位が伝播されないため、電子注入が起こらない。このことは、ＢＬ２に接続されていない全てのメモリストリングス１０において同様である。
メモリトランジスタＭＴｒ３２１にデータ“１”を書き込む場合、即ち、メモリトランジスタＭＴｒ３２１の消去状態からしきい値を上げない（電荷蓄積層に電子を注入しない）場合は、ビット線ＢＬ２にＶddを印加することにより、選択トランジスタＳＤＴｒ２１のゲート電位とソース電位とが同電位になるため、選択トランジスタＳＤＴｒ２１がｏｆｆ状態になり、メモリトランジスタＭＴｒ３のチャネル形成領域（ボディ部）とワード線ＷＬ３との間の電位差が低減するため、メモリトランジスタＭＴｒ３２１の電荷蓄積層には電子の注入が起こらない。なお、同様の動作によって他のビット（メモリトランジスタＭＴｒｌｍｎ、図７に示す例においては、ｌは１〜４、ｍは１〜３、ｎは１〜３）のデータを書き込むことができる。
また、各ビット線ＢＬの電位を適切に０ＶかＶddに設定することで、ある選択ゲート線ＳＧＤによって選択された共通のワード線ＷＬ上のビット（ＭＴｒ）に同時に書き込み、即ちページ書き込みを行うことが可能となる。
（消去動作）
データの消去時には、複数のメモリストリングスからなるブロック単位でメモリトランジスタＭＴｒのデータの消去を行う。図８は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、選択したブロックのメモリトランジスタＭＴｒのデータの消去動作を行う場合のバイアス状態を示した図である。
選択ブロック（消去したいブロック）において、Ｐ−ｗｅｌｌ領域にＶerase（例えば２０Ｖ）を印加し、ソース線ＳＬをフローティングに、そしてＰ−ｗｅｌｌ領域にＶeraseを印加するタイミングと若干時間をずらして（例えば４μsec程度ずらして）、選択ゲート線ＳＧＳ及びＳＧＤの電位を上昇（例えば１５Ｖ)させる。こうすることにより、選択トランジスタＳＳＴｒのゲート端付近でＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄｒａｉｎ Ｌｅａｋ）電流が発生し、生成したホールがメモリトランジスタＭＴｒのボディ部である半導体層１１内部に流れ、一方、電子がＰ−ｗｅｌｌ方向に流れる。これにより、メモリトランジスタＭＴｒのチャネル形成領域（ボディ部）にはＶeraseに近い電位が伝達するため、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を例えば０Ｖに設定すると、メモリトランジスタＭＴｒの電荷蓄積層の電子がＰ−ｗｅｌｌに引き抜きが行われ、データの消去を行うことができる。
一方、選択ブロックのメモリトランジスタのデータ消去を行うとき、非選択ブロックにおいては、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４をフローティングとすることにより、メモリトランジスタＭＴｒ１〜ＭＴｒ４のチャネル形成領域（ボディ部）の電位の上昇とともに、カップリングによってワード線ＷＬ１〜ＷＬ４の電位が上昇し、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４とメモリトランジスタＭＴｒ１〜ＭＴｒ４の電荷蓄積層と間に電位差が生じないため、電荷蓄積層から電子の引き抜き（消去）が行われない。
ここで、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の「読み出し動作」、「書き込み動作」及び「消去動作」における電位の関係を纏めたものを表１に示す。
（消去動作シミュレーション）
本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の消去動作シミュレーションの設定条件及び結果を図１０〜図１３に示す。
図１０（Ａ）は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置の一つのメモリストリングスの消去動作のシミュレーションの条件設定を示す図である。また、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）の条件設定に基づくメモリストリングスの構造を示す。図１０（Ａ）及び（Ｂ）においては、Ｐ−ｗｅｌｌの不純物濃度は１Ｅ１９ｃｍ−３、ソース線ＳＬの不純物濃度は５Ｅ１９ｃｍ−３、柱状の半導体層（ボディ）の直径及び不純物濃度はそれぞれ１９ｎｍ、１Ｅ１５ｃｍ−３、ビット線ＢＬの不純物濃度は１Ｅ１９ｃｍ−３（下層部）、５Ｅ１９ｃｍ−３（上層部）、ワード線ＷＬの厚さは５０ｎｍ、各ワード線ＷＬ間の距離は２５ｎｍ、選択ゲート線ＳＧＳのポリシリコンの厚さは１００ｎｍ、柱状の半導体層が埋め込まれるホール（以下「メモリプラグホール」と言う場合がある。）の直径は３５ｎｍ、電荷蓄積層ＦＧの厚さは１６ｎｍとした。（ただし、シミュレーションではFGの電位はフローティングではなく、ワード線電位ＶCGである）。なお、データの消去時にＰ−ｗｅｌｌに印加する電圧Ｖeraseを２０Ｖまで上昇させ、ビット線ＢＬに印加する電圧Ｖddを２０Ｖまで上昇させ、選択ゲート線ＳＧＤに印加される電圧ＶSGを１５Ｖまで上昇させ、ワード線に印加する電圧ＶＣＧを０Ｖとした。
図１２及び図１３に、図１０に示すシミュレーション条件に基づく計算結果を示す。図１２は、電位の変化を示し、図１３はホール濃度を示している。Ｐ−ｗｅｌｌの電圧を上昇していくと、柱状の半導体層（ボディ）の電位（potential）が少し遅れて上がり始め、それに伴って柱状の半導体層（ボディ）のホール濃度も上昇している。これは、ＳＧＳゲート端部でＧＩＤＬ電流が発生し柱状の半導体層（ボディ）にホールが注入され、電位が伝播することにより、柱状半導体層(ボディ)とワードライン間に電界が掛かり消去が可能となることを示している。
ここで、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置において、消去動作を実現するための構造の例を図１４から図１６に示す。
図１４においては、ソース側選択ゲート線ＳＧＳに接続されている選択ゲートトランジスタＳＳＴｒの柱状の半導体層（ボディ）の濃度を高くした例である。こうすることにより、ＧＩＤＬを増加させることができるため、消去動作に必要十分なホールを供給することができる。図１４は前述のシミュレーションで示したＧＩＤＬ電流を用いた消去方法が実現可能な構造である。尚、ＧＩＤＬを利用しない消去方法でも本発明の実施形態を実現可能である。その例を図１５と図１６に示す。
図１５においては、柱状の半導体層（ボディ）と半導体基板のＰ−ｗｅｌｌ領域とを直接接続した例である。この場合、ホールがＰ−ｗｅｌｌから直接注入され得る。また、ソース線ＳＬと柱状の半導体層（ボディ）とのコンタクトも必要なため、柱状の半導体層（ボディ）とｎ+拡散領域とがオーバーラップ構造であることを必要とする。
図１６においては、基板のＰドープポリシリコン層から柱状の半導体層にホールを直接注入する方式を示した。ｎ+拡散領域上にp型ポリシリコンからなるコンタクト層を形成し、柱状の半導体層（ボディ）がｎ+拡散領域及びp型ポリシリコンからなるコンタクト層とコンタクトをとる構成である。
図１４〜図１６の何れの構造であっても、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置の消去動作を実現することができる。なお、本実施形態において説明した構造は、本発明の不揮発性半導体記憶装置の一例であって、これらの構造に限定されるわけではない。
（製造方法）
本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の鳥瞰図を図１７に示す。本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１は、半導体基板上にメモリトランジスタが積層された構造を有している。メモリトランジスタが積層されている領域（メモリトランジスタ領域）においては、メモリトランジスタの積層数に関係なく、５回のフォトエッチングプロセス（３回のクリティカルＰＥＰ、及び２回のラフＰＥＰ）によって製造することが可能である。
図１７に示すように、各ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４がそれぞれ板状で階段状の構造を有している。各ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４がそれぞれ板状で階段状の構造を有しているため、各ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４の側端部には、段差が発生する。その段差を利用することにより、同一フォトエッチングプロセスによりワード線ドライバと各ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４とを接続するためのコンタクトホールを加工することができる。また、前記フォトエッチングプロセスによって同時に形成されたコンタクトホールを用いて、ビット線ＢＬはセンスアンプに、選択ゲート線ＳＧＤは選択ゲート線ＳＧＤドライバに接続されている。
本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリトランジスタの積層数に応じた積層膜をあらかじめ堆積しておき、ホールパターンを同時に形成することにより、直列に接続された複数の縦型トランジスタを１ＰＥＰで形成することができる。
また、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１においては、直列に接続された複数の縦型トランジスタを動作させるためには、その上下に選択ゲートを接続する必要がある。その選択ゲートと直列に接続された複数の縦型トランジスタとの直列構造の形成についても、１又は２のＰＥＰ（メモリトランジスタ形成ホールＰＥＰ）と同時に行うことが可能である。
さらに、直列に接続された複数の縦型トランジスタのソース側の選択ゲート線ＳＧＳ及び各メモリトランジスタのワード線ＷＬは、動作上、常に各層毎に共通電位とすることが可能である。よって、選択ゲート線ＳＧＳ及びワード線ＷＬには、いずれも板状構造を採用することができる。このことにより、ワード線は、ラフＰＥＰによって形成することが可能で、製造プロセスが簡略化され、コスト低減を実現することができる。
図１８〜図４４を用いて本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスについて説明する。図１８〜図４４においては、左側にワード線ドライバ回路やセンスアンプ回路等の周辺回路が形成される周辺回路領域を示し、右側にメモリトランジスタ領域を示す。また、メモリトランジスタ領域においては、図１７に示す本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の領域Ａの部分、領域Ｂの部分、Ｘ−Ｘ’及びＹ−Ｙ’の断面に相当する部分を図示している。
まず、図１８を参照する。半導体基板１上に薄い酸化珪素膜（SiO2）を形成し（図示せず）、続いて、窒化珪素膜（Si3N4）を堆積し（図示せず）、ＳＴＩ（Ｓｈａｒｒｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を形成する領域１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ、１０２ｅにドライエッチング法で３００ｎｍ程度の浅い溝を形成する。その後、熱ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を堆積し、酸化珪素膜で溝を完全に埋め込み、溝以外の部分の酸化珪素膜を化学機械的研磨（ＣＭＰ）により除去することにより、ＳＴＩ（Ｓｈａｒｒｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ、１０２ｅを形成する（図１８）。その後、残存している窒化珪素膜を熱リン酸等で除去する。
次に、基板表面を犠牲酸化し（図示せず）、所望の領域を開口するフォトレジストパタンを形成し、ボロン（Ｂ）イオンを注入し、Ｐ−ｗｅｌｌ領域１０４を形成したのちレジストを除去する（図１９）。次に、所望の領域を開口するフォトレジストパタンを形成し基板１００の表面付近にボロン（Ｂ）イオンを注入し、トランジスタのしきい値Ｖthを調整するチャネルインプラ領域１０６ａ及び１０６ｂを形成する。なお、ここでは、周辺回路領域に形成するトランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタの例を示しているが、所望の領域にＮ型を付与するイオンを注入することにより、Ｎ−ｗｅｌｌ領域を形成し、Ｐチャネル型トランジスタを形成している（図示せず）。
次に、メモリトランジスタ領域のみ開口するフォトレジストパタンを形成し、メモリセルトランジスタ領域にのみリン（Ｐ）イオンを注入し、ｎ＋拡散領域１０７を形成する（図２０）。このｎ＋拡散領域１０６ｃは、ソース線ＳＬとなる。
次に、犠牲酸化膜（図示せず）を除去し、第１のゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。
次に、所望のパターンにフォトレジストマスク１０８ａ及び１０８ｂを形成して、ウェットエッチングすることにより、所望の位置の第１のゲート絶縁膜並びにＳＴＩ１０２ａ及び１０２ｂの一部をエッチング除去する（図２１）。この領域に高速動作用の薄膜ゲートトランジスタを形成し、ウェットエッチングに晒されていない領域に高耐圧用の厚膜ゲートトランジスタを形成することになる。
次に、フォトレジストマスク１０８ａ及び１０８ｂを除去し、第２のゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。そして、基板上にＰ（リン）等の導電型不純物を添加したポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜１１０を形成する（図２２）。そして、ポリシリコン膜１１０を所定のパターンにエッチングし、周辺回路領域のトランジスタのゲート電極を１１０ａ及び１１０ｂを形成する（図２３）。次に、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域にＰイオン又はＡｓイオンなどを注入し、ゲート電極１１０ａ及び１１０ｂと自己整合的に浅いＮ型領域１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄを形成し（図２３）、その後、フォトレジストを除去する。
次に、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域にＢイオンなどを注入し、ゲート電極（図示せず）と自己整合的に浅いＰ型領域（図示せず）を形成し、その後、フォトレジストを除去する。
次に、基板全面に窒化珪素膜を形成し、異方性エッチングすることにより、ゲート電極１１０ａ及び１１０ｂの両端部のみ窒化珪素膜を残し、サイドウォール１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び１１４ｄを形成する（図２４）。
次に、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域に砒素（Ａｓ）イオンを注入し、サイドウォール１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ及び１１４ｄと自己整合的にソース／ドレイン領域１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ及び１１６ｄを形成し（図２５）、その後、フォトレジストを除去する。
次に、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域にＢイオンを注入し、サイドウォール（図示せず）と自己整合的にソース／ドレイン領域（図示せず）を形成し、その後、フォトレジストを除去する。
次に、基板全面に窒化珪素膜（バリア窒化珪素膜）１１８を形成する（図２５）。
次に、基板全面にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｐｈｏｓｏｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜１２０を形成し、ＣＭＰ処理することにより、ＢＰＳＧ膜１２０を平坦化する（図２６）。そして、スパッタリング法により基板全面にコバルト（Ｃｏ）膜を形成し、加熱処理を行うことにより、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）１２２ａ及び１２２ｂを形成する（図２６）。その後、不要なＣｏを除去する。ここで、ゲート電極にはコバルトシリサイドを形成しても良いし、別の金属を用いたシリサイド(Ｔｉ、Ｎｉなど)を形成しても良い。さらに全くシリサイドを形成しなくても良い。またこの場合、ゲート電極のポリシリコン１１０を堆積する時にポリシリコンの上にタングステンシリサイド及びＳｉＮを連続性膜したのちゲートの加工及びトランジスタの形成を行っても良い。
次に、基板全面にＢＰＳＧ膜１２４を形成する（図２７）。
次に、基板全面にＰ（リン）等の導電型不純物を添加したポリシリコン膜１２６及び窒化珪素膜１２８を形成する（図２８）。その後、フォトレジスト工程によりホール（以下「トランジスタプラグホール」と言う場合がある。）１３０ａを形成する。このポリシリコン膜１２６は、メモリトランジスタ領域の選択ゲート線ＳＧＳとなる。
次に、基板を加熱することにより、熱酸化膜１３２ａ及び１３２ｂを形成する（図２９）。熱酸化膜１３２ａ及び１３２ｂは、選択ゲートトランジスタＳＳＴｒのゲート絶縁膜となる。次に、基板全面に窒化珪素膜を形成し、異方性エッチングすることにより、ブロック窒化珪素膜１３４を形成する（図２９）。
次に、フッ酸を用いたウェットエッチング、又はフッ素系のガスを用いたドライエッチングにより、熱酸化膜１３２ｂの一部を除去し、熱酸化膜１３２ｃを形成する（図３０）。
次に、ブロック窒化珪素膜１３４を除去し、基板全面にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成した後、アモルファスシリコン膜をＣＭＰすることによって、ａ−Ｓｉ膜１３６を形成する（図３１）。なお、このアモルファスシリコン膜の代わりに、単結晶シリコンをエピタキシャル成長させることにより、シリコン膜１３６ａ及び１３６ｂを形成するようにしてもよい。
次に、フォトレジスト１３８を形成し、フォトエッチングプロセスを行う（図３２）。
次に、チタン（Ｔｉ）膜を形成し、加熱処理を行うことにより、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）１４０ａ及び１４０ｂを形成する（図３３）。なお、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）１４０ａ及び１４０ｂの代わりに、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ２）を形成するようにしてもよい。なお、このシリサイド１４０ａ及び１４０ｂは形成しなくても良い。
次に、プリメタル絶縁膜（ＰＭＤ）として酸化珪素膜１４２を形成する。そしして、フォトエッチングプロセスによりコンタクトホールを形成し、その後、配線用の溝を酸化珪素膜１４２に形成した後、タングステン（Ｗ）膜を埋め込み、タングステン(Ｗ)プラグ１４４a、１４４b及び１４４cと、配線１４６ａ及び１４６ｂを形成する。次に、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）を用いて酸化珪素膜１４８を形成する（図３３）。以下、ＴＥＯＳを用いて形成した酸化珪素膜を「ＴＥＯＳ膜」ということがある。
次に、Ｐ（リン）等の導電性不純物を添加したポリシリコン膜（もしくはアモルファスシリコン膜）と酸化珪素膜を交互に形成することによって、ポリシリコン膜１５０、１５４、１５８、１６２及び１６６並びに酸化珪素膜１５２、１５６、１６０及び１６４を形成する（図３４）。更に、窒化珪素膜１６８を形成する（図３４）。
次に、メモリトランジスタ領域において、メモリトランジスタの柱状の半導体（ボディ部）を形成するためのメモリプラグホール１７０を形成する（図３５）。なお、本実施形態においては、このメモリプラグホール１７０を「メモリプラグホール１７０」と呼ぶ。
なお、このメモリプラグホール１７０を形成するときのエッチングガスの切り替え、堆積物の除去、膜１５０〜１６８の材料などの種々の要因によって、図８１及び８２に示すように、メモリプラグホール１７０の表面に凹凸が生じる場合がある。図８１には、メモリプラグホール１７０の表面のポリシリコン膜１５０、１５４、１５８、１６２及び１６６が過剰にエッチングされ、メモリプラグホール１７０の表面に凹凸が生じている例を示している。なお、このようにメモリプラグホール１７０の表面に凹凸が生じる場合であっても、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のメモリトランジスタ領域の断面形状は、メモリプラグホール１７０の中心軸に対して概略対称である。
図８２には、メモリプラグホール１７０の表面の酸化珪素膜１４８、１５２、１５６、１６０及び１６４が過剰にエッチングされ、メモリプラグホール１７０の表面に凹凸が生じている例を示している。なお、このようにメモリプラグホール１７０の表面に凹凸が生じる場合であっても、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のメモリトランジスタ領域の断面形状は、メモリプラグホール１７０の中心軸に対して概略対称である。
また、メモリプラグホール１７０の表面に窒化珪素膜３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ及び３４０ｄを形成し、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のワード線ＷＬとなるポリシリコン膜１５０、１５４、１５８、１６２及び１６６それぞれの間にある膜の誘電率を向上させるようにしてもよい（図８３）。こうすることによって、ワード線ＷＬの電位の変化の影響を、後にメモリプラグホール１７０に形成される柱状の半導体層に効率よく伝達させることができる。
また、本実施形態においては、酸化珪素膜１５２、１５６、１６０及び１６４を形成したが（図３４）、その代わりに、酸化珪素膜／窒化珪素膜／酸化珪素膜の積層膜１５２、１５６、１６０及び１６４を形成するようにしてもよい（図８４）。こうすることによって、ワード線ＷＬの電位の変化の影響を、後にメモリプラグホール１７０に形成される柱状の半導体層に効率よく伝達させることができる。
なお、このメモリプラグホール１７０を形成するときのエッチングガスの切り替え、堆積物の除去、膜１５０〜１６８の材料などの種々の要因によって、メモリプラグホール１７０の形状が順テーパ状（図８５）又は樽状（図８６）となる場合がある。
次に、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜を順に堆積し、所謂ＯＮＯ膜１７２を形成する（図３６）。このＯＮＯ膜１７２中の窒化珪素膜は、メモリトランジスタの電荷蓄積層となる。
次に、フォトレジストを形成し、エッチバックすることにより、周辺回路領域のＯＮＯ膜１７２とメモリトランジスタ領域のＯＮＯ膜の一部を除去する。メモリトランジスタ領域のメモリプラグホール１７０には、選択ゲートトランジスタＳＤＴｒが形成される層（ポリシリコン１６６）及びその下部の酸化珪素膜１６４の一部を除いて、ＯＮＯ膜１７２ａ及びフォトレジスト１７４が残存する（図３７）。
次に、フォトレジスト１７４を除去し、加熱処理することにより、選択ゲートトランジスタＳＤＴｒが形成される層（ポリシリコン１６６）に熱酸化膜１７６を形成する（図３８）。なお、この熱酸化膜を形成する代わりに、ＣＶＤ法により、酸化珪素膜１７６を形成するようにしてもよい。
次に、基板全面に窒化珪素膜を形成し、異方性エッチングすることにより、スペーサ窒化珪素膜１７８を形成する（図３９）。
次に、スペーサ窒化珪素膜１７８を除去した後、アモルファスシリコン膜を堆積し、ＣＭＰ処理することにより、柱状のアモルファスシリコン層１８０を形成する（図４０）。なお、アモルファスシリコン膜を堆積する代わりに、多結晶シリコン膜をエピタキシャル成長させて、多結晶シリコン層１８０を形成するようにしてもよい。また、下層選択ゲートトランジスタＳＳＴｒの内部のシリコンに選択エピタキシャル成長によって形成した場合には、同様に選択エピタキシャル成長法により単結晶シリコン１８０を形成することができる。
窒化珪素膜１６８、ポリシリコン膜１５０、１５４、１５８、１６２及び１６６並びに酸化珪素膜１５２、１５６、１６０及び１６４を各層の端部が階段状になるようにテーパーエッチングし、窒化珪素膜１６８ａ、ポリシリコン膜１５０、１５４ａ、１５８ａ、１６２ａ及び１６６ａ並びに酸化珪素膜１５２ａ、１５６ａ、１６０ａ及び１６４ａを形成する（図４１）。
次に、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）１８２を形成し、ＣＭＰ処理し、平坦化する（図４２）。
ここで、メモリトランジスタ領域を図８０（Ｂ）、図９０若しくは、図１１に示すように分割してもよい。そのときは、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）１８２を形成しＣＭＰで平坦化した後、メモリトランジスタの分割パターンをフォトリソグラフィ法で形成し、導電体膜１５０、１５４、１５８、１６２、１６６及び層間絶縁膜１５２、１５６、１６０、１６４及び１６８をエッチングする。その後再度層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）を堆積し平坦化する事で、図８０（Ｂ）若しくは図９０のようなアレイ分割が形成される。尚、アレイ分割する場合は、あらかじめメモリ領域のシリコン基板１００をＳＴＩ１０２によって分割されるアレイと同程度の領域に分割しておいても良いし、シリコン基板１００を分割しなくてもよい。
次に、フォトエッチング工程により、選択ゲートトランジスタＳＤＴｒの層を分離し、領域１８６ａ及び１８６ｂに層間絶縁膜を堆積する。（図４３）。
次に、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）１８２を除去し、チタン膜を形成し、加熱処理することによりチタンシリサイド膜を形成する。なお、チタンシリサイド膜の代わりにコバルトサリサイド、ニッケルサリサイドなどを用いても良いし、サリサイドを形成しなくても良い。そして、プリメタル絶縁膜（ＰＭＤ）として酸化珪素膜１８７を形成し、ＣＭＰ処理し、平坦化する（図４４）。その後、フォトエッチング工程により、コンタクトホールを形成し、タングステン膜を形成し、ＣＭＰ処理することによって、タングステンプラグ１８８ａ、１８８ｂ、１８８ｃ１８８ｄ及び１８８ｅを形成する（図４４）。
次に、アルミニウム（Ａｌ）膜を形成し、フォトエッチング工程を経て、電極１９０ａ、１９０ｂ、１９０ｃ、１９０ｄ、１９０ｅ及び１９０ｆを形成する（図４４）。
次に、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）１９２を形成し、ＣＭＰ処理し、平坦化する（図４４）。その後、フォトエッチング工程により、コンタクトホールを形成し、タングステン膜を形成し、ＣＭＰ処理することによって、タングステンプラグ１９６ａ及び１９６ｂを形成する（図４４）。そして、アルミニウム（Ａｌ）膜を形成し、フォトエッチング工程を経て、電極１９６ａ及び１９６ｂを形成する（図４４）。
以上の工程により、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１を製造することができる。
（実施形態２）
本実施形態においては、図４５〜図７７を用いて本発明の不揮発性半導体記憶装置の別の例について、その製造プロセスを説明する。なお、図４５〜図７７においては、実施形態１と同様、左側にワード線ドライバ回路やセンスアンプ回路等の周辺回路が形成される周辺回路領域を示し、右側にメモリトランジスタ領域を示し、メモリトランジスタ領域においては、領域Ａの部分、領域Ｂの部分、Ｘ−Ｘ’及びＹ−Ｙ’の断面に相当する部分を図示している。
まず、図４５を参照する。実施形態１と同様の方法により、半導体基板２００上にＳＴＩ２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅを形成する（図４５）。
次に、基板表面を犠牲酸化し（図示せず）、所望の位置にフォトレジストパタンを形成した後、ボロン（Ｂ）イオンを注入し、Ｐ−ｗｅｌｌ領域２０４を形成する（図４６）。また、所望の位置にフォトレジストパタンを形成した後、基板２００の表面付近にボロン（Ｂ）イオンを注入し、トランジスタのしきい値Ｖthを調整するチャネルインプラ領域２０６ａ及び２０６ｂを形成する。なお、ここでは、実施形態１と同様、周辺回路領域に形成するトランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタの例を示しているが、所望の領域にＮ型を付与するイオンを注入することにより、Ｎ−ｗｅｌｌ領域を形成し、Ｐチャネル型トランジスタを形成している（図示せず）。
次に、メモリトランジスタ領域のみを開口するフォトエッチング工程を行い、メモリトランジスタ領域の所望の位置にリン（Ｐ）イオンを注入し、濃いｎ＋領域２０８を形成する（図４６）。このｎ＋拡散領域２０８は、ソース線ＳＬとなる。
次に、基板全面に窒化珪素膜（バリア窒化珪素膜）２０９を形成し、続いて、基板全面にＴＥＯＳ膜又はＢＰＳＧ膜２１０を形成する（図４６）。
次に、基板全面にＰ等の導電型不純物を添加したポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜２１２を形成し、続いて、基板全面に窒化珪素膜２１４を形成する（図４６）。
次に、所望のパターンにフォトレジストを形成し、フォトリソグラフィ工程により、ポリシリコン膜２１２及び窒化珪素膜２１４をエッチングし、ポリシリコン膜２１２ａ及び窒化珪素膜２１４ａを形成する。
次に、フォトレジストマスク（図示せず）を周辺回路領域以外に形成し、そのフォトレジストマスクを用いて、酸化珪素膜２１０および窒化珪素膜（バリア窒化珪素膜）２０９をエッチングし、メモリトランジスタ領域の酸化珪素膜２１０ａを残し、周辺回路領域の酸化珪素膜２１０および窒化珪素膜（バリア窒化珪素膜）２０９を除去する（図４８）。その後、フォトレジストマスク（図示せず）を除去する。
次に、犠牲酸化膜（図示せず）を除去し、加熱処理することにより、第１の熱酸化膜（図示せず）を形成する。
次に、所望のパターンにフォトレジストマスク２１６ａ及び２１６ｂを形成して、ウェットエッチングすることにより、第１の熱酸化膜、ＳＴＩ２０２ａ及び２０２ｂの一部をエッチング除去する（図４９）。このエッチング除去された領域に高速動作用の薄膜トランジスタを形成し、また、エッチング除去されていない部分に高耐圧用の厚膜ゲートトランジスタを形成することになる。
その後、フォトレジストマスク２１６ａ及び２１６ｂを除去し、加熱処理を行うことによって第２の熱酸化膜（図示せず）を形成する。
次に、Ｐ（リン）等の導電性不純物が添加されたポリシリコン膜２１８を形成する（図５０）。そして、ポリシリコン膜２１８を所定のパターンにエッチングし、周辺回路領域のトランジスタのゲート電極２１８ａ及び２１８ｂを形成する（図５１）。このとき、メモリトランジスタ領域においては、エッチング条件によりポリシリコン膜２１８ｃ、２１８ｄ、２１８ｅ及び２１８ｆが残存する（図５１）場合もあり、また、残存しない場合もある。
次に、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域にＡｓイオン又はＰイオンを注入し、ゲート電極２１８ａ及び２１８ｂと自己整合的に浅いＮ型領域２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ及び２２０ｄを形成し（図５１）、その後、フォトレジストを除去する。
次に、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域に、例えばＢイオンを注入し、ゲート電極（図示せず）と自己整合的に浅いＰ型領域（図示せず）を形成し、その後、フォトレジストを除去する。
次に、基板全面に窒化珪素膜を形成し、異方性エッチングすることにより、ゲート電極２１８ａ及び２１８ｂの両端部のみ窒化珪素膜を残し、サイドウォール２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ及び２２２ｄを形成する（図５２）。なお、メモリトランジスタ領域においては、エッチング条件によりポリシリコン膜２１８ｃ、２１８ｄ、２１８ｅ及び２１８ｆの側部に、それぞれ、サイドウォール２２２ｅ、２２２ｆ、２２２ｇ及び２２２ｈが形成される（図５２）場合もあり、形成されない場合もある。
次に、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域に砒素（Ａｓ）イオンを注入し、サイドウォール２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ及び２２４ｄと自己整合的にソース／ドレイン領域２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ及び２２４ｄを形成し（図５３）、その後、フォトレジストを除去する。
次に、周辺回路領域のＮチャネル型トランジスタの領域及びメモリトランジスタ領域にフォトレジストを形成し（図示せず）、周辺回路領域のＰチャネル型トランジスタの領域にＢイオンを注入し、サイドウォール（図示せず）と自己整合的にソース／ドレイン領域（図示せず）を形成し、その後、フォトレジストを除去する。
次に、基板全面に窒化珪素膜（バリア窒化珪素膜）２２６を形成する（図５３）
次に、基板全面にＢＰＳＧ膜２２８を形成し、ＣＭＰ処理することにより、ＢＰＳＧ膜２２８を平坦化する（図５４）。
次に、プリメタル層として酸化珪素膜２３０を形成する。続いて、フォトエッチング工程により酸化珪素膜２３０にコンタクトホール２３２ａ、２３２ｂ及び２３２ｃを形成する（図５５）。そして、フォトエッチング工程により酸化珪素膜２３０に配線用溝を形成し、タングステンを埋め込みＣＭＰなどで平坦化する事で、タングステン（Ｗ）プラグ２３４ａ、２３４ｂ及び２３４ｃ及び、配線２３５ａ、２３５ｂ及び２３５ｃを形成する（図５６）。次に、ＴＥＯＳ膜２３６を形成する（図５６）。
次に、Ｐ等の導電性不純物を添加したポリシリコン膜とＴＥＯＳ膜を交互に形成することによって、ポリシリコン膜２３８、２４２、２４６及び２５０並びに酸化珪素膜２４０、２４４、２４８及び２５２を形成する（図５７）。
次に、メモリトランジスタ領域の各層の端部が階段状になるようにテーパーエッチング工程を行う。まず、メモリトランジスタ領域の所定の位置にフォトレジストマスク２５４を形成する（図５８）。
次に、フォトレジストマスク２５４を用いて、酸化珪素膜２５２をエッチングし、酸化珪素膜２５２ａを形成する（図５９）。
次に、フォトレジストマスク２５４を用いて、ポリシリコン膜２５０ａをエッチングし、ポリシリコン膜２５０ａを形成する（図６０）
次に、フォトレジストマスク２５４をシニングし、フォトレジストマスク２５４ａを形成する（図６１）。そして、フォトレジストマスク２５４ａを用いて、酸化珪素膜２５２ａ及び２４８をエッチングし、酸化珪素膜２５２ｂ及び２４８ａを形成する（図６１）。
次に、フォトレジストマスク２５４ａを用いて、ポリシリコン膜２５０ａ及び２４６をエッチングし、ポリシリコン膜２５０ｂ及び２４６ａを形成する（図６２）。
次に、フォトレジストマスク２５４ａをシニングし、フォトレジストマスク２５４ｂを形成する（図６３）。そして、フォトレジストマスク２５４ｂを用いて、酸化珪素膜２５２ｂ及び２４８ａをエッチングし、酸化珪素膜２５２ｃ、２４８ｂ及び２４４ａを形成する（図６３）。
次に、フォトレジストマスク２５４ｂを用いて、ポリシリコン膜２５０ｂ、２４６ｂ及び２４２をエッチングし、ポリシリコン膜２５０ｃ、２４６ｂ及び２４２ａを形成する（図６４）。
次に、フォトレジストマスク２５４ｂをシニングし、フォトレジストマスク２５４ｃを形成する（図６４）。そして、フォトレジストマスク２５４ｃを用いて、酸化珪素膜２５２ｂ、２４８ｂ、２４４ａ及び２４０をエッチングし、酸化珪素膜２５２ｄ、２４８ｃ、２４４ｂ及び２４０ａを形成する（図６５）。
次に、フォトレジストマスク２５４ｃを用いて、ポリシリコン膜２５０ｃ、２４６ｂ、２４２ａ及び２３８をエッチングし、ポリシリコン膜２５０ｄ、２４６ｃ、２４２ｂ及び２３８ａを形成する（図６６）。こうすることによって、各層の端部が階段状に形成することができる。
なお、上述の実施形態１においても、本実施形態２において説明したテーパーエッチングの工程を用いて、図４１に示すように、窒化珪素膜１６８ａ、ポリシリコン膜１５０、１５４ａ、１５８ａ、１６２ａ及び１６６ａ並びに酸化珪素膜１５２ａ、１５６ａ、１６０ａ及び１６４ａを形成するようにしてもよい。
次に、フォトレジストマスク２５４ｃを除去し、基板全面に窒化珪素膜（バリア窒化珪素膜）２５５を形成する（図６７）。
次に、基板全面にＢＰＳＧ膜２５６を形成し、加熱処理（リフロー処理）することによって、ＢＰＳＧ膜の表面を平坦化する（図６７）。さらに、ＢＰＳＧ膜をＣＭＰ処理することにより、ＢＰＳＧ膜の表面の平坦性を高くする。ここで、メモリトランジスタ領域を図８０（Ｂ）図９０若しくは、図１１に示すように分割してもよい。そのときは、層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）２５６を形成しＣＭＰで平坦化した後、メモリトランジスタ領域の分割パターンをフォトリソグラフィ法で形成し、導電体膜２３８ａ、２４２ｂ、２４６ｃ、２５０ｄ、及び層間絶縁膜２４０ａ、２４４ｂ、２４８ｃ、２５４ｄをエッチングする。その後再度層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）を堆積し平坦化する事で、図８０（Ｂ）図９０若しくは図１１のようなアレイ分割が形成される。尚、アレイ分割する場合は、あらかじめメモリトランジスタ領域のシリコン基板１００をＳＴＩ２０２によって分割されるアレイと同程度の領域に分割しておいても良いし、シリコン基板２００を分割しなくてもよい。その後、Ｐ等の導電性不純物が添加されたポリシリコン膜２５８及び窒化珪素膜２６０を形成する（図６７）
次に、メモリトランジスタ領域において、メモリトランジスタの柱状の半導体（ボディ部）を形成するためのホール２６２を形成する（図６８）。なお、本実施形態においては、ホール２６２を「メモリプラグホール２６２」と言う。
なお、このメモリプラグホール２６２を形成するときのエッチングガスの切り替え、堆積物の除去、膜２３８〜２５２の材料などの種々の要因によって、上述の実施形態１の図８１及び８２に示すと同様に、メモリプラグホール２６２の表面に凹凸が生じる場合がある。なお、このようにメモリプラグホール２６２の表面に凹凸が生じる場合であっても、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のメモリトランジスタ領域の断面形状は、メモリプラグホール２６２の中心軸に対して概略対称である。
また、上述の実施形態１の図８３に示すと同様に、メモリプラグホール２６２の表面に窒化珪素膜を形成し、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のワード線ＷＬとなるポリシリコン膜２３８、２４２、２４６及び２５０それぞれの間にある膜の誘電率を向上させるようにしてもよい。こうすることによって、ワード線ＷＬの電位の変化の影響を、後にメモリプラグホール２６２に形成される柱状の半導体層に効率よく伝達させることができる。
また、上述の実施形態１の図８４に示すと同様に、本実施形態においては、酸化珪素膜／窒化珪素膜／酸化珪素膜の積層膜をそれぞれ形成するようにしてもよい。こうすることによって、ワード線ＷＬの電位の変化の影響を、後にメモリプラグホール２６２に形成される柱状の半導体層に効率よく伝達させることができる。
なお、このメモリプラグホール２６２を形成するときのエッチングガスの切り替え、堆積物の除去、膜２３８〜２５２の材料などの種々の要因によって、メモリプラグホール２６２の形状が上述の実施形態１の図８５及び図８６に示すと同様に順テーパ状又は樽状となる場合がある。
また、メモリプラグホール２６２を形成したあと、基板全面にリン（Ｐ）イオンを注入し、ソース線ＳＬとなるｎ＋拡散領域２０８にリンイオンを再度注入するようにしてもよい（図示せず）。
次に、基板全面にＴＥＯＳ膜２６４を形成する（図６９）。このＴＥＯＳ膜２６４は、図６９に示すとおり、メモリプラグホール２６２の底部まで形成される。ここでＴＥＯＳ膜２６４を形成する代わりに、熱酸化方により酸化膜を形成しても良い、この場合は、実施形態１と同様に、メモリプラグホール２６２の側壁のポリシリコン部分及びメモリプラグホール２６２底部のシリコン基板上にのみ酸化膜が形成される。
次に、ＴＥＯＳ膜２６４を異方性エッチングし、ＴＥＯＳ膜２４６ａを形成する（図７０）。このとき、ＴＥＯＳ膜２６４は、メモリプラグホール２６２の底部がエッチングされるようにする。
次に、アモルファスシリコン膜２６６を形成する（図７０）。
次に、アモルファスシリコン膜２６６をエッチバックし、アモルファスシリコン膜２６８ａとなるまで後退させる（図７１）。次に、メモリプラグホール２６２内部のＴＥＯＳ膜２６４ａを除去し、その後、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜を順に堆積し、所謂ＯＮＯ膜２７０を形成する（図７１）。このＯＮＯ膜２７０は、メモリトランジスタの電荷蓄積層となる。なお、ＯＮＯ膜２７０の酸化珪素膜は、ＴＥＯＳ膜でなるようにしてもよい。
次に、ＯＮＯ膜２７０を異方性エッチングすることにより、ＯＮＯ膜２７０の底部を除去し、ＯＮＯ膜２７０ａを形成する（図７２）。次に、アモルファスシリコン膜２７２を形成し、エッチバックし、アモルファスシリコン膜２７２ａとなるまで後退させる（図７２）。次に、メモリプラグホール２６２内部側壁のＯＮＯ膜２７０ａの上部露出した領域を酸化珪素膜２５２の一部が露出する程度まで除去する（図７２）。その後、基板全面にＴＥＯＳ膜２７４を形成する（図７２）。またＴＥＯＳの代わりに熱酸化膜を形成しても良い、この場合、メモリプラグホール２６２の側壁のポリシリコン上と底部のポリシリコン部分にのみ酸化膜が形成される。
次に、ＴＥＯＳ膜２７４を異方性エッチングすることにより、ＴＥＯＳ膜２７４の底部を除去し、ＴＥＯＳ膜２７４ａを形成する（図７３）。
次に、アモルファスシリコン膜２７６を形成し、ＣＭＰ処理することにより、アモルファスシリコン膜２７６を平坦化する（図７４）。
次に、フォトエッチング工程により、選択ゲートトランジスタＳＤＴｒの層を分離し（図７５）、領域２７８ａ及び１８６ｂにＢＰＳＧ膜２８０を堆積し、ＣＭＰ処理する（図７６）。
次に、フォトエッチング工程により、コンタクトホール２８２ａ、２８２ｂ、２８２ｃ、２８２ｄ、２８２ｅ、２８２ｆ及び２８２ｇを形成する（図７６）。
次に、チタン及び窒化チタンの積層膜（図示せず）を形成した後、タングステン膜を形成し、ＣＭＰ処理することにより、コンタクトホール２８２ａ、２８２ｂ、２８２ｃ、２８２ｄ、２８２ｅ、２８２ｆ及び２８２ｇにタングステンプラグ２８４ａ、２８４ｂ、２８４ｃ、２８４ｄ、２８４ｅ、２８４ｆ及び２８４ｇを形成する（図７７）。
次に、アルミニウム・銅（ＡｌＣｕ）膜を形成し、フォトレジストマスク（図示せず）を形成し、フォトエッチング工程により、パターンニングすることによって、配線２８６ａ、２８６ｂ、２８６ｃ、２８６ｄ、２８６ｅ、２８６ｆ、２８６ｇ及び２８６ｈを形成する（図７８）。その後、フォトレジストマスクを除去する。
以上の工程により、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１を製造することができる。
（実施形態３）
本実施形態においては、本発明の不揮発性半導体記憶装置の電荷蓄積層にナノ結晶膜を含む膜を用いる。例えば、電荷蓄積層を、酸化珪素膜、ナノ結晶膜、酸化珪素膜の積層構造とする。ナノ結晶膜としては、シリコンのナノ結晶を含む酸化珪素膜を用いることができる。本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置においては、このナノ結晶膜中に離散分布したシリコンのナノ結晶に電荷が保持される。
なお，本実施形態においては，シリコンのナノ結晶を含む酸化珪素膜でなるナノ結晶膜を用いたが，コバルト（Ｃｏ），タングステン（Ｗ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）等の金属のナノ結晶又はその他の導電性物質のナノ結晶を用いてもよい。なお，ナノ結晶は，「メタル・ナノ・ドット」や「ナノクリスタル」とも言う。
また，本実施例においては，電荷蓄積層を、酸化珪素膜、ナノ結晶膜、酸化珪素膜の三層積層構造を採用したが，これらの三層を連続的に形成し，シリコン，金属その他導電性物質のナノ結晶を含有する酸化珪素膜等の絶縁膜の一層構造としてもよい。
（実施形態４）
本実施形態においては、本発明の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタ領域の構成の別の例について説明する。なお、その他の構成については、上述の実施形態１、２及び３と同様であるので、ここでは、改めて説明しない。
本発明の一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置においては、ワード線ＷＬとなる導電体層とその層間膜とをテーパ状にエッチングし、段差を形成している。ここで、隣接する２個のメモリトランジスタ領域を形成する例を図７９に示す。図７９は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタ領域の導電体層を上部から見た図である。導電体層３００〜３０６は、１つのメモリトランジスタ領域を示しており、３００は１層目の導電体層、３０２は２層目の導電体層、３０４は３層目の導電体層、３０６は４層目の導電体層を示している。また、導電体層３０８〜３１４は、隣接するメモリトランジスタ領域を示しており、３０８は１層目の導電体層、３１０は２層目の導電体層、３１２は３層目の導電体層、３１４は４層目の導電体層を示している。なお、“Ａ”は、この隣接する２つのメモリトランジスタのＹ’−Ｙ方向の長さであり、“Ｂ”は、Ｘ’−Ｘ方向の長さである。
このように、隣接するメモリトランジスタ領域を形成する場合は、それぞれのメモリトランジスタ領域を別々に形成するようにしてもよい。
また、図８０には、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の２メモリトランジスタ領域の別の例を示している。図８０（Ａ）は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタ領域の導電体層を上部から見た図である。３２０は１層目の導電体層、３２２は２層目の導電体層、３２４は３層目の導電体層、３２６及び３２８は４層目の導電体層を示している。
図８０に示すメモリトランジスタ領域において、中央付近でＸ’−Ｘ方向に沿って導電体層３２０、３２４及び３２６をエッチング除去することにより、導電体層３２０ａ、３２２ａ、３２４ａ及び３２６からなるメモリトランジスタ領域と、電体層３２０ｂ、３２２ｂ、３２４ｂ及び３２８からなるメモリトランジスタ領域との２つのメモリトランジスタ領域を形成することができる。図８０に示すメモリトランジスタ領域は、図７９に示すメモリトランジスタ領域と比較して、Ｙ’−Ｙ方向の長さを短くすることができ、メモリトランジスタ領域の面積を縮小することができる。
次に、隣接する１０個のメモリトランジスタ領域を形成する例を図８９に示す。図８９は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタ領域の導電体層を上部から見た図である。なお、“Ａ”は、図７９で示した隣接する２つのメモリトランジスタのＹ’−Ｙ方向の長さに相当し、“Ｂ”は、Ｘ’−Ｘ方向の長さに相当する。
図８９に示す本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置において、３３０は１層目の導電体層、３３２は２層目の導電体層、３３４は３層目の導電体層、３３６ａ〜３３６ｊは４層目の導電体層を示している。
図８９に示すメモリトランジスタ領域において、図９０に示すとおり、４層目の導電体層３３６ａ〜３３６ｊの間でＸ’−Ｘ方向に沿って導電体層３３０、３３２及び３３４をエッチング除去することにより、導電体層３３０ａ〜３３０ｊ、導電体層３３２ａ〜３３２ｊ、導電体層３３４ａ〜３３４ｊ、導電体層３３６ａ〜３３６ｊを形成する。
図８９に示すメモリトランジスタ領域において、４層目の導電体層３３６ａ〜３３６ｊの間でＸ’−Ｘ方向に沿って導電体層３３０、３３２及び３３４をエッチング除去し、１０個のメモリトランジスタ領域を形成した上面図を図９０に示す。導電体層３３０ａ、３３２ａ、３３４ａ及び３３６ａからなるメモリトランジスタ領域と、電体層３３０ｂ、３３２ｂ、３３４ｂ及び３３６ｂからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｃ、３３２ｃ、３３４ｃ及び３３６ｃからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｄ、３３２ｄ、３３４ｄ及び３３６ｄからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｅ、３３２ｅ、３３４ｅ及び３３６ｅからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｆ、３３２ｆ、３３４ｆ及び３３６ｆからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｇ、３３２ｇ、３３４ｇ及び３３６ｇからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｈ、３３２ｈ、３３４ｈ及び３３６ｈからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｉ、３３２ｉ、３３４ｉ及び３３６ｉからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３３０ｊ、３３２ｊ、３３４ｊ及び３３６ｊからなるメモリトランジスタ領域とが形成され、合計１０個のメモリトランジスタ領域が形成される。図９０に示すメモリトランジスタ領域は、図７９に示すメモリトランジスタ領域と比較して、Ｙ’−Ｙ方向の長さを短くすることができ、メモリトランジスタ領域の面積を縮小することができる。
なお、本実施形態においては、４層の導電体層を積層することによって形成され、また１０個のメモリトランジスタ領域を形成した場合の本発明の不揮発性半導体記憶装置の例について説明したが、本発明の不揮発性半導体記憶装置は、これに限定されるわけではなく、任意の数の導電体層を積層し、任意の数のメモリトランジスタ領域を同時に形成するようにしてもよい。
また、隣接する７個のメモリトランジスタ領域が２列に形成される例を図９１及び図９２に示す。図９１は、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタ領域の導電体層を上部から見た図である。なお、“Ａ”は、図７９で示した隣接する２つのメモリトランジスタのＹ’−Ｙ方向の長さに相当し、“Ｂ”は、Ｘ’−Ｘ方向の長さに相当する。
図９１に示す本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置において、３４０は１層目の導電体層、３４２は２層目の導電体層、３４４は３層目の導電体層、３４６ａ〜３４６ｊは４層目の導電体層を示している。
図９１に示すメモリトランジスタ領域において、図９２に示すとおり、４層目の導電体層３４６ａ〜３４６ｎの間でＸ’−Ｘ方向及びＹ’−Ｙに沿って導電体層３４０、３４２及び３４４をエッチング除去することにより、導電体層３４０ａ〜３４０ｎ、導電体層３４２ａ〜３４２ｎ、導電体層３４４ａ〜３４４ｎ、導電体層３４６ａ〜３４６ｎを形成する。
図９２には、導電体層３４０ａ、３４２ａ、３４４ａ及び３４６ａからなるメモリトランジスタ領域と、電体層３４０ｂ、３４２ｂ、３４４ｂ及び３４６ｂからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｃ、３４２ｃ、３４４ｃ及び３４６ｃからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｄ、３４２ｄ、３４４ｄ及び３４６ｄからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｅ、３４２ｅ、３４４ｅ及び３４６ｅからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｆ、３４２ｆ、３４４ｆ及び３４６ｆからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｇ、３４２ｇ、３４４ｇ及び３４６ｇからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｈ、３４２ｈ、３４４ｈ及び３４６ｈからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｉ、３４２ｉ、３４４ｉ及び３４６ｉからなるメモリトランジスタ領域と、導電体層３４０ｊ、３４２ｊ、３４４ｊ及び３４６ｊからなるメモリトランジスタ領域とが形成され、合計１４個のメモリトランジスタ領域が形成される。図９２に示すメモリトランジスタ領域は、図７９に示すメモリトランジスタ領域と比較して、Ｙ’−Ｙ方向の長さを短くすることができ、メモリトランジスタ領域の面積を縮小することができる。
なお、ここでは、４層の導電体層を積層することによって形成され、また１４個のメモリトランジスタ領域を形成した場合の本発明の不揮発性半導体記憶装置の例について説明したが、本発明の不揮発性半導体記憶装置は、これに限定されるわけではなく、任意の数の導電体層を積層し、任意の数のメモリトランジスタ領域を同時に形成するようにしてもよい。
さらに、図１１には、上述の図９２に示すメモリトランジスタ領域を複数個形成した例を示している。図１１に示すように、本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置においては、複数のメモリトランジスタ領域を効率よく配置することができる。
なお、ここでは、４層の導電体層を積層することによって形成され、また１４個のメモリトランジスタ領域を２つ形成した場合の本発明の不揮発性半導体記憶装置の例について説明したが、本発明の不揮発性半導体記憶装置は、これに限定されるわけではなく、任意の数の導電体層を積層し、任意の数のメモリトランジスタ領域を同時に形成するようにしてもよい。
一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の概略構成図である。 一実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置１のメモリトランジスタ領域２の一部の概略構成図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の一つのメモリストリングス１０の概略構造を示す図である。 一実施形態における一つのメモリトランジスタＭＴｒの断面構造を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の等価回路図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、点線で示したメモリトランジスタＭＴｒ３のデータの読み出し動作を行う場合のバイアス状態を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、点線で示したメモリトランジスタＭＴｒ３のデータの書き込み動作を行う場合のバイアス状態を示した図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、選択したブロックのメモリトランジスタＭＴｒのデータの消去動作を行う場合の選択ブロックのバイアス状態を示した図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、選択したブロックのメモリトランジスタＭＴｒのデータの消去動作を行う場合の非選択ブロックのバイアス状態を示した図である。 （Ａ）は、一本実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置の一つのメモリストリングスの消去動作のシミュレーションの条件設定を示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）の条件設定に基づくメモリストリングスの構造を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する複数のメモリトランジスタ領域を示す図である。 図１０に示すシミュレーション条件に基づく計算結果を示す図である。 図１０に示すシミュレーション条件に基づく計算結果を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置の消去動作のモデルを示した図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置の消去動作のモデルを示した図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置の消去動作のモデルを示した図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の鳥瞰図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する２つのメモリトランジスタ領域を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する２つのメモリトランジスタ領域を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の製造プロセスを示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の概略構成図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１の概略構成図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する複数のメモリトランジスタ領域を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する複数のメモリトランジスタ領域を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する複数のメモリトランジスタ領域を示す図である。 一実施形態に係る本発明の不揮発性半導体記憶装置１において、隣接する複数のメモリトランジスタ領域を示す図である。
符号の説明
１ 不揮発性半導体記憶装置
２ メモリトランジスタ領域
３ ワード線駆動回路
４ ソース側選択ゲート線（ＳＧＳ）駆動回路
５ ドレイン側選択ゲート線（ＳＧＤ）駆動回路
６ センスアンプ
１０ メモリストリングス
１１ 柱状の半導体層
１２ 絶縁膜
１３ａ〜１３ｆ 電極
１４ Ｐ=型領域（Ｐ−Ｗｅｌｌ領域）
１５ Ｎ+領域１５
１００ 半導体基板
１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ、１０２ｅ１０４ ＳＴＩ
１０４ Ｐ−ｗｅｌｌ領域
１０６ａ、１０６ｂ チャネルインプラ領域
１０６ｃ ｎ＋拡散領域
１０８ａ及び１０８ｂ フォトレジストマスク
１１０ａ、１１０ｂ ゲート電極
１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄ 浅いＮ型領域
１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ サイドウォール
１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ ソース／ドレイン領域
１１８ 窒化珪素膜
１２０ ＢＰＳＧ膜
１２２ａ及び１２２ｂ コバルトシリサイド
１２４ ＢＰＳＧ膜
１２６ ポリシリコン膜
１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ 熱酸化膜
１３４ 窒化珪素膜
１３６ａ、１３６ｂ シリコン膜
１３８ フォトレジスト
１４０ａ、１４０ｂ チタンシリサイド
１４２ 酸化珪素膜
１４４ａ、１４４ｂ、１４４ｃ タングステンプラグ
１４６ａ及び１４６ｂ 配線
１４８ 酸化珪素膜
１５０、１５４、１５８、１６２、１６６ ポリシリコン膜
１５２、１５６、１６０、１６４ 酸化珪素膜
１６８ 窒化珪素膜
１７０ メモリプラグホール
１７２ ＯＮＯ膜
１７４ フォトレジスト
１７６ 酸化珪素膜
１７８ 窒化珪素膜
１８０ 柱状のアモルファスシリコン層
１８２ 層間絶縁膜（ＢＰＳＧ）
１８７ 酸化珪素膜
１８８ａ、１８８ｂ、１８８ｃ１８８ｄ、１８８ｅ タングステンプラグ
１９６ａ、１９６ｂ タングステンプラグ
２００ 半導体基板
２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ ＳＴＩ
２０４ Ｐ−ｗｅｌｌ領域
２０６ａ、２０６ｂ チャネルインプラ領域
２０８ 濃いｎ＋領域
２１０ ＢＰＳＧ膜
２１０ 酸化珪素膜
２１２ ポリシリコン膜
２１４ 窒化珪素膜
２１６、２１６ｂ フォトレジストマスク
２１８ ポリシリコン膜
２１８ａ、２１８ｂ ゲート電極
２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｄ 浅いＮ型領域
２２２ａ、２２２ｂ、２２２ｃ、２２２ｄ サイドウォール
２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、２２４ｄ サイドウォール
２２６ 窒化珪素膜
２２８ ＢＰＳＧ膜
２３０ 酸化珪素膜
２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ コンタクトホール
２３４ａ、２３４ｂ、２３４ｃ タングステン（Ｗ）プラグ
２３８、２４２、２４６、２５０ ポリシリコン膜
２３８、２４２、２４６、２５０ ポリシリコン膜
２４０、２４４、２４８、２５２ 酸化珪素膜
２４６ａ、２４６ｂ、 ポリシリコン膜
２４８ 酸化珪素膜
２５０ａ、２５０ｃ、２４２ａ ポリシリコン膜
２５０ｃ、２４６ｂ、２４２ａ、２３８ ポリシリコン膜
２５２ 酸化珪素膜
２５４、２５４ａ、２５４ｂ フォトレジストマスク
２５６ ＢＰＳＧ膜
２６２ メモリプラグホール
２６４ ＴＥＯＳ膜
２６６ アモルファスシリコン膜
２７０ ＯＮＯ膜
２７７，２７２ａ アモルファスシリコン膜
２７４、２７４ａ ＴＥＯＳ膜
２８２ａ、２８２ｂ、２８２ｃ、２８２ｄ、２８２ｅ、２８２ｆ、２８２ｇ コンタクトホール
２８４ａ、２８４ｂ、２８４ｃ、２８４ｄ、２８４ｅ、２８４ｆ、２８４ｇ タングステンプラグ
３２０ａ、３２２ａ、３２４ａ、３２６ 導電体層
３３０ａ、３３２ａ、３３４ａ、３３６ａ 導電体層
３３０ａ〜３３０ｊ、 導電体層
３３０ｃ、３３２ｃ、３３４ｃ、３３６ｃ 導電体層
３３０ｅ、３３２ｅ、３３４ｅ、３３６ｅ 導電体層
３３０ｇ、３３２ｇ、３３４ｇ、３３６ｇ 導電体層
３３０ｉ、３３２ｉ、３３４ｉ、３３６ｉ 導電体層
３３６ａ〜３３６ｊ 導電体層
３４０ａ、３４０ｂ、３４０ｃ、３４０ｄ 窒化珪素膜
ＢＬｍ ビット線
ＳＬ ソース線
ＭＴｒ１ｍｎ〜ＭＴｒ４ｍｎ メモリトランジスタ
ＳＳＴｒｍｎ、ＳＤＴｒｍｎ 選択トランジスタ

Claims (50)

  1. 電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続された複数のメモリストリングスを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
    前記メモリストリングスは、柱状半導体と、前記柱状半導体の周りに形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の周りに形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の周りに形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の周りに形成された第１乃至第ｎの電極（ｎは２以上の自然数）とを有しており、
    前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極と、別の前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極とは、それぞれ、２次元的に広がる第１乃至第ｎの導電体層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
  2. 前記２次元的に広がる第１乃至第ｎの導電体層は、それぞれ、板状の導電体層であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  3. 前記複数のメモリストリングスは、前記柱状半導体に垂直な面内にマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  4. 前記２次元的に広がる第１乃至第ｎの導電体層は、それぞれ、絶縁体を介して積層されており、前記前記２次元的に広がる第１乃至第ｎの導電体層内に前記複数のメモリストリングスがアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  5. 前記電荷蓄積層は、絶縁膜であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  6. 前記第１の絶縁膜は、酸化珪素膜であり、前記電荷蓄積層は、窒化珪素膜であり、且つ前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜であることを特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  7. 前記柱状半導体は、円柱又は角柱であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  8. 前記柱状の半導体は、半導体基板に垂直に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  9. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極を形成する導電体層は、端部において階段状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  10. 前記電荷蓄積層は、前記柱状半導体と前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極との間に局在することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  11. 前記電荷蓄積層は、導電体であることを特徴とする請求項１０に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  12. 前記メモリストリングスは、前記メモリストリングスの一端に接続された第１のトランジスタと、前記メモリストリングスの他端に接続された第２のトランジスタとを含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  13. 前記第１のトランジスタのゲート電極同士は、同一導電層によって形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  14. 前記第１のトランジスタのソースが接続されている前記半導体基板の拡散層の部分は、ｎ−型であり、且つｎ＋拡散層に直接接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  15. 前記第１のトランジスタのソースが接続されている前記半導体基板の拡散層の部分は、ｐ−型であり、且つｐ＋拡散層に直接接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  16. 前記メモリストリングスのソースは、素子分離層が形成されていないことを特徴とする請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  17. 前記メモリストリングスのソースは、別の前記メモリストリングスのソースと素子分離層により電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１６に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  18. 前記柱状半導体は、ｎ−型半導体であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  19. 前記複数のメモリセルは、ディプレション型のトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  20. 更に、前記半導体基板の前記拡散層の上に絶縁膜を介してポリシリコンを備え、前記柱状半導体は、前記ポリシリコンと前記半導体基板上の前記ｎ＋拡散層の両方と接続していることを特徴とする請求項１４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  21. 前記電荷蓄積層は、ナノ結晶を含む膜を有することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置
  22. 前記メモリストリングスは、前記柱状半導体の中心軸に対して概略対称形状を有することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  23. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極は、それぞれ、ワード線であり、前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極は、それぞれ、同一のワード線駆動回路によって駆動されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  24. 前記複数のメモリストリングスのドレインに接続されたビット線は、それぞれ、同一のセンスアンプに接続されていることを特徴とする請求項２３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  25. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極のそれぞれの間には、第４の絶縁膜が形成されており、
    前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極及び前記第４の絶縁膜の端部は、階段状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  26. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極のそれぞれの間には、第４の絶縁膜が形成されており、
    前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極及び前記第４の絶縁膜の端部は、階段状に形成されている端部と階段状に形成されていない端部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  27. 半導体基板上に導電性不純物の拡散領域を形成し、
    前記半導体基板上に第１の絶縁膜と導電体とを交互に複数形成し、
    前記複数の第１の絶縁膜と前記導電体とに複数のホールを形成し、
    前記ホールの表面に第２の絶縁膜を形成し、
    前記ホールの底部にある前記第２の絶縁膜をエッチングし、
    前記ホールに柱状半導体を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  28. 前記複数の導電体によって第１乃至第ｎの電極が形成され、
    前記柱状半導体、並びに交互に形成された複数の前記第２の絶縁膜及び前記第１乃至第ｎの電極によって、電気的に書き換え可能な複数のメモリセルが直列に接続されたメモリストリングスを形成することを特徴とする請求項２７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  29. 前記複数のメモリストリングスは、前記柱状半導体に垂直な面内にマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  30. 前記複数の導電体は、それぞれ、２次元的に広がっており、前記複数の導電体層に前記複数のメモリストリングスがアレイ状に配置されていることを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  31. 前記第２の絶縁膜は、電荷蓄積層を含むことを特徴とする請求項２７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  32. 前記第２の絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜及び酸化珪素膜が順に積層されてなることを特徴とする請求項２７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  33. 前記柱状半導体は、円柱又は角柱であることを特徴とする請求項２７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  34. 前記柱状の半導体は、前記半導体基板に垂直に形成されていることを特徴とする請求項２７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  35. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極を形成する導電体層は、端部において階段状に形成されていることを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  36. 前記メモリストリングスは、前記メモリストリングスの一端に接続された第１のトランジスタと、前記メモリストリングスの他端に接続された第２のトランジスタとを含むことを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  37. 前記第１のトランジスタのゲート電極同士は、同一導電層によって形成されていることを特徴とする請求項３６に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  38. 前記第１のトランジスタのソースが接続されている前記半導体基板の拡散層の部分は、ｎ−型であり、且つ前記半導体基板のｎ＋型の拡散層に直接に接続されていることを特徴とする請求項３６に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  39. 前記第１のトランジスタのソースが接続されている前記半導体基板の拡散層の部分は、ｎ−型であり、且つ前記半導体基板のｎ＋型の拡散層に直接に接続されていることを特徴とする請求項３６に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  40. 前記複数のメモリストリングスのソース間は、素子分離層が形成されていないことを特徴とする請求項３０に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  41. 前記メモリストリングスのソースは、別の前記メモリストリングスのソースと素子分離層により電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項４０に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  42. 前記柱状半導体は、ｎ−型半導体であることを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  43. 前記複数のメモリセルは、ディプレション型のトランジスタであることを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  44. 更に、前記半導体基板の前記拡散層の上に絶縁膜を介してポリシリコンを備え、前記柱状半導体は、前記ポリシリコンと前記半導体基板上の前記ｎ＋拡散層の両方と接続していることを特徴とする請求項３９に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  45. 前記電荷蓄積層は、ナノ結晶を含む膜を有することを特徴とする請求項３１に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  46. 前記メモリストリングスは、前記柱状半導体の中心軸に対して概略対称形状を有することを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  47. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極は、それぞれ、ワード線であり、前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極は、それぞれ、同一のワード線駆動回路によって駆動され、且つ、前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極は、同一のセンスアンプに接続されていることを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  48. 前記複数のメモリストリングスのドレインに接続されたビット線は、それぞれ、同一のセンスアンプに接続されていることを特徴とする請求項４７に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
  49. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極及び前記第１の絶縁膜の端部を階段状に加工する工程を含むことを特徴とする請求項２８に記載の不揮発性半導体記憶装置。
  50. 前記メモリストリングスの前記第１乃至第ｎの電極及び第１の絶縁膜を前記半導体基板に対して水平方向に分離する工程を含むことを特徴とする請求項４９に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

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US17/744,571 US11903205B2 (en) 2006-03-27 2022-05-13 Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device
US17/750,207 US11903207B2 (en) 2006-03-27 2022-05-20 Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

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Cited By (242)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008171918A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
WO2009047951A1 (ja) 2007-10-12 2009-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha 携帯電話機
JP2009111049A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
WO2009075370A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
WO2009084206A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP2009158775A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2009224466A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2009224465A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2009224468A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2009224574A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
WO2009119527A1 (ja) 2008-03-26 2009-10-01 株式会社 東芝 半導体メモリ及びその製造方法
JP2009238871A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2009266945A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
JP2009267243A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2009266944A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
JP2009266946A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
JP2009266280A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
JP2009266281A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
JP2009277770A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2009283498A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP2009295617A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
WO2010004706A1 (en) 2008-07-11 2010-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2010010596A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2010034112A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2010040122A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の駆動方法
WO2010035609A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
JP2010098235A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010102755A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Toshiba Corp ３次元積層型不揮発性半導体メモリ
JP2010114113A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2010118530A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2010140996A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2010157734A (ja) * 2008-12-31 2010-07-15 Samsung Electronics Co Ltd 半導体記憶素子及びその形成方法
JP2010161132A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010165982A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP2010171185A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2010192589A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010199311A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010199314A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010199312A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US7799672B2 (en) 2009-02-18 2010-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2010219409A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2010225222A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2010225684A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7851849B2 (en) 2008-06-03 2010-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device and method for manufacturing same
JP2011014638A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011029234A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2011049206A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2011054802A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US7910973B2 (en) 2008-03-17 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device
JP2011060991A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011065723A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7933151B2 (en) 2008-11-14 2011-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
JP2011096341A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
CN102104034A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 三星电子株式会社 三维半导体器件
JP2011138579A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7982261B2 (en) 2008-11-05 2011-07-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
KR101054532B1 (ko) 2009-02-16 2011-08-04 가부시끼가이샤 도시바 불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
US8013383B2 (en) 2008-02-25 2011-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device including a plurality of memory strings
JP2011187110A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置の動作方法
US8044448B2 (en) 2008-07-25 2011-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8048798B2 (en) 2008-03-04 2011-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device where memory cells are arranged three dimensionally
US8084807B2 (en) 2008-08-19 2011-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8089121B2 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2012004249A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US8148769B2 (en) 2008-09-25 2012-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8164956B2 (en) 2009-09-14 2012-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8169826B2 (en) 2009-07-15 2012-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8169016B2 (en) 2009-09-04 2012-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8174890B2 (en) 2009-03-11 2012-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8178919B2 (en) 2009-07-21 2012-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8178861B2 (en) 2008-10-15 2012-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP2012094230A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置及びその動作方法
US8187938B2 (en) 2009-04-13 2012-05-29 Hynix Semiconductor Inc. Non-volatile memory device and method for fabricating the same
US8188530B2 (en) 2009-06-24 2012-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8194467B2 (en) 2009-09-16 2012-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8193571B2 (en) 2008-08-18 2012-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked type nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing same
US8199573B2 (en) 2009-09-25 2012-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8198669B2 (en) 2009-01-09 2012-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
US8203884B2 (en) 2009-07-21 2012-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8207029B2 (en) 2009-02-02 2012-06-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device
US8207565B2 (en) 2009-07-01 2012-06-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
US8211783B2 (en) 2010-01-25 2012-07-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device including a patterned SiOC film as a mask
US8217446B2 (en) 2008-11-10 2012-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8218358B2 (en) 2009-11-02 2012-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
US8222122B2 (en) 2009-03-31 2012-07-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming nonvolatile memory device
US8233323B2 (en) 2009-02-24 2012-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8247860B2 (en) 2009-07-01 2012-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8258033B2 (en) 2009-08-10 2012-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device
US8264031B2 (en) 2009-02-06 2012-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8295091B2 (en) 2010-03-23 2012-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8310875B2 (en) 2010-09-22 2012-11-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US8315097B2 (en) 2010-09-21 2012-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8330216B2 (en) 2008-01-08 2012-12-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8335109B2 (en) 2009-01-06 2012-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for operating the same
US8335111B2 (en) 2010-07-12 2012-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8338876B2 (en) 2008-12-17 2012-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8338882B2 (en) 2010-03-10 2012-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8338956B2 (en) 2009-11-09 2012-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2013004690A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Toshiba Corp 三次元半導体装置及びその製造方法
JP2013004778A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8361862B2 (en) 2009-03-03 2013-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device
US8374033B2 (en) 2009-07-06 2013-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8373222B2 (en) 2008-09-10 2013-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device with alternately stacked isolation dielectric films and electrode films
US8378406B2 (en) 2009-12-17 2013-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Multilayer stacked type nonvolatile semiconductor memory device
JP2013042179A (ja) * 2012-11-15 2013-02-28 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8390055B2 (en) 2010-03-03 2013-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2013055206A (ja) * 2011-09-03 2013-03-21 Takehide Shirato 半導体装置及びその製造方法
US8427878B2 (en) 2010-02-17 2013-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8426908B2 (en) 2009-09-07 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8426302B2 (en) 2009-09-17 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
US8436414B2 (en) 2009-02-17 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor stacked memory device having two semiconductor pillars in a through hole and method for manufacturing same
US8507972B2 (en) 2009-06-25 2013-08-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8541866B2 (en) 2009-03-24 2013-09-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8541831B2 (en) 2008-12-03 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US8553466B2 (en) 2010-03-04 2013-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device, erasing method thereof, and memory system including the same
US8559224B2 (en) 2010-02-17 2013-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same
US8570805B2 (en) 2010-02-18 2013-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, programming method thereof and memory system including the same
US8581323B2 (en) 2010-01-08 2013-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing same
US8614917B2 (en) 2010-02-05 2013-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
US8624317B2 (en) 2011-02-25 2014-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8633526B2 (en) 2010-11-10 2014-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8633535B2 (en) 2010-06-09 2014-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory
US8644046B2 (en) 2009-02-10 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same
US8653582B2 (en) 2009-03-24 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8698313B2 (en) 2009-11-04 2014-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory apparatus
US8717817B2 (en) 2010-06-16 2014-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for multi-page programming a non-volatile memory device by simultaneously activating a plurality of selection lines based on programmed data
US8718612B2 (en) 2011-03-08 2014-05-06 Bank Of American Corporation Real-time analysis involving real estate listings
US8721337B2 (en) 2011-03-08 2014-05-13 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing virtual landscaping
US8724397B2 (en) 2011-10-19 2014-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and method of reading data thereof
US8730717B2 (en) 2010-05-10 2014-05-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US8730738B2 (en) 2011-04-05 2014-05-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices
US8748969B2 (en) 2008-12-19 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device including dummy electrodes and method of fabricating the same
US8760925B2 (en) 2011-09-26 2014-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device
JP2014127475A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Hitachi High-Technologies Corp 半導体装置の製造方法
US8779502B2 (en) 2009-06-12 2014-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory
US8786007B2 (en) 2008-12-03 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional nonvolatile memory device
JP2014138188A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Samsung Electronics Co Ltd 垂直型半導体素子のパッド構造物及び配線構造物
US8792282B2 (en) 2010-03-04 2014-07-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, memory systems and computing systems
US8797777B2 (en) 2011-06-28 2014-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US8817538B2 (en) 2011-06-14 2014-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for erasing data thereof
US8823072B2 (en) 2010-04-15 2014-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Floating gate type nonvolatile memory device and related methods of manufacture and operation
US8861267B2 (en) 2011-04-22 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups
US8873807B2 (en) 2011-03-08 2014-10-28 Bank Of America Corporation Vehicle recognition
US8884355B2 (en) 2009-08-04 2014-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8884356B2 (en) 2012-09-05 2014-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8908431B2 (en) 2010-02-17 2014-12-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Control method of nonvolatile memory device
US8912060B2 (en) 2009-08-06 2014-12-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing same
US8916921B2 (en) 2009-02-16 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device including a dielectric with low permittivity in memory cells arranged in a three dimensional manner
US8917558B2 (en) 2010-02-09 2014-12-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8923060B2 (en) 2010-02-17 2014-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and operating methods thereof
US8922657B2 (en) 2011-03-08 2014-12-30 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing security
JP2015026674A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 株式会社東芝 不揮発性記憶装置およびその製造方法
KR101495806B1 (ko) 2008-12-24 2015-02-26 삼성전자주식회사 비휘발성 기억 소자
KR101495800B1 (ko) 2009-04-10 2015-02-27 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
US8969945B2 (en) 2012-09-05 2015-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8969947B2 (en) 2010-04-27 2015-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical memory devices with quantum-dot charge storage cells
US8981461B2 (en) 2010-03-19 2015-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9029938B2 (en) 2013-09-10 2015-05-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9036411B2 (en) 2011-06-02 2015-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and data erase method thereof
US9070434B2 (en) 2012-03-29 2015-06-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US9177809B2 (en) 2013-07-03 2015-11-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9183935B2 (en) 2012-09-21 2015-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having programmable select transistors within memory units
US9190499B2 (en) 2013-03-25 2015-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device, capacitance element, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device
US9196627B2 (en) 2013-07-30 2015-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same
US9209295B2 (en) 2011-12-06 2015-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US9230975B2 (en) 2014-03-04 2016-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US9269445B1 (en) 2014-09-17 2016-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9287388B2 (en) 2012-04-10 2016-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9317860B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Collective network of augmented reality users
US9317835B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Populating budgets and/or wish lists using real-time video image analysis
US9324446B2 (en) 2013-11-15 2016-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device, and memory system
US9324440B2 (en) 2010-02-09 2016-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9337319B2 (en) 2014-01-15 2016-05-10 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101624975B1 (ko) * 2009-11-17 2016-05-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자
US9378831B2 (en) 2010-02-09 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9385137B2 (en) 2011-06-22 2016-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9406688B2 (en) 2010-08-03 2016-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps
US9425107B2 (en) 2011-03-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US9437296B2 (en) 2014-02-03 2016-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Three-dimensional resistive memory device with adjustable voltage biasing
US9437307B2 (en) 2010-09-22 2016-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
WO2016139727A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 株式会社 東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2016167325A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9502431B2 (en) 2014-09-17 2016-11-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9530793B2 (en) 2014-03-03 2016-12-27 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
JP2017045492A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9601505B2 (en) 2014-01-16 2017-03-21 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device
US9679662B1 (en) 2016-02-01 2017-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory device
US9691784B2 (en) 2014-09-05 2017-06-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9728552B1 (en) 2016-02-09 2017-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having voids between word lines and a source line
US9741438B2 (en) 2013-09-16 2017-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and program method thereof
US9773285B2 (en) 2011-03-08 2017-09-26 Bank Of America Corporation Providing data associated with relationships between individuals and images
US9786683B1 (en) 2016-03-18 2017-10-10 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9793287B2 (en) 2011-05-20 2017-10-17 Toshiba Memory Corporation Semiconductor wafer with first and second stacked bodies and semiconductor memory device
US9865351B2 (en) 2015-09-11 2018-01-09 Toshiba Memory Corporation Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection
US9881685B2 (en) 2010-08-26 2018-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same
US9905510B2 (en) 2016-02-17 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9911749B2 (en) 2015-09-09 2018-03-06 Toshiba Memory Corporation Stacked 3D semiconductor memory structure
US9929166B1 (en) 2016-09-12 2018-03-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US9941013B2 (en) 2016-03-15 2018-04-10 Toshiba Memory Corporation Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage
US9960173B2 (en) 2016-03-10 2018-05-01 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
JP2018513559A (ja) * 2015-04-24 2018-05-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 ３次元メモリのソケット構造
US10020320B2 (en) 2016-02-24 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
US10020319B2 (en) 2016-01-27 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device having pillars on a peripheral region and method of manufacturing the same
US10026748B2 (en) 2016-03-09 2018-07-17 Toshiba Memory Corporation Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing same
US10037813B2 (en) 2016-02-12 2018-07-31 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10049760B2 (en) 2016-09-06 2018-08-14 Toshiba Memory Corporation Programming and verification methods for three-dimensional memory device
US10074665B2 (en) 2015-09-11 2018-09-11 Toshiba Memory Corporation Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity
US10090312B2 (en) 2015-12-29 2018-10-02 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10115627B2 (en) 2016-08-31 2018-10-30 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US10129126B2 (en) 2016-06-08 2018-11-13 Bank Of America Corporation System for predictive usage of resources
US10134749B2 (en) 2016-04-20 2018-11-20 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10153296B2 (en) 2017-02-24 2018-12-11 Toshiba Memory Corporation Memory device and method for manufacturing same
US10178101B2 (en) 2016-06-08 2019-01-08 Bank Of America Corporation System for creation of alternative path to resource acquisition
US10276585B2 (en) 2016-08-12 2019-04-30 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10291487B2 (en) 2016-06-08 2019-05-14 Bank Of America Corporation System for predictive acquisition and use of resources
US10347650B1 (en) 2018-03-20 2019-07-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10347652B2 (en) 2017-03-23 2019-07-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10433196B2 (en) 2016-06-08 2019-10-01 Bank Of America Corporation System for tracking resource allocation/usage
US10438801B2 (en) 2017-09-22 2019-10-08 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
JP2019186540A (ja) * 2018-04-09 2019-10-24 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 垂直型メモリ装置及びその製造方法
US10468430B2 (en) 2016-03-11 2019-11-05 Toshiba Memory Corporation Semiconductor storage device
US10475809B2 (en) 2016-11-08 2019-11-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10475806B2 (en) 2017-09-07 2019-11-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device including stacked body with conductivity and insulating members and method for manufacturing the same
US10546867B2 (en) 2017-08-28 2020-01-28 Toshiba Memory Corporation Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
US10581988B2 (en) 2016-06-08 2020-03-03 Bank Of America Corporation System for predictive use of resources
WO2020054109A1 (ja) * 2018-09-14 2020-03-19 東芝メモリ株式会社 集積回路装置及び集積回路装置の製造方法
US10607935B2 (en) 2017-09-15 2020-03-31 Toshiba Memory Corporation Memory device
US10622304B2 (en) 2017-03-22 2020-04-14 Toshiba Memory Corporation Storage device including multiple wiring and electrode layers
JP2020518136A (ja) * 2017-04-27 2020-06-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ３ｄ ｎａｎｄに適用するための低誘電率酸化物および低抵抗のｏｐスタック
US10714496B2 (en) 2018-05-31 2020-07-14 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory
US10741573B2 (en) 2018-05-31 2020-08-11 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory
US10748920B2 (en) 2018-02-19 2020-08-18 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
KR20200124673A (ko) 2018-03-02 2020-11-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 3차원 반도체 기억 장치의 제조 방법
US10867641B2 (en) 2018-09-14 2020-12-15 Toshiba Memory Corporation Data latch circuit and semiconductor memory device
US10896915B2 (en) 2018-01-09 2021-01-19 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10978468B2 (en) 2018-05-31 2021-04-13 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory
US10991708B2 (en) 2016-09-21 2021-04-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device for preventing an increase in resistance difference of an electrode layer
US11238935B2 (en) 2020-03-18 2022-02-01 Kioxia Corporation Semiconductor memory device
KR20220103108A (ko) 2019-11-21 2022-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR20220128347A (ko) 2020-01-17 2022-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기
US11574682B2 (en) 2020-07-20 2023-02-07 Kioxia Corporation Semiconductor memory device

Families Citing this family (691)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070264284A1 (en) * 2004-05-19 2007-11-15 Stephen Locarnini Therapeutic, Prophylactic and Diagnostic Agents for Hepatitis B
US8937292B2 (en) * 2011-08-15 2015-01-20 Unity Semiconductor Corporation Vertical cross point arrays for ultra high density memory applications
US20130082232A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Unity Semiconductor Corporation Multi Layered Conductive Metal Oxide Structures And Methods For Facilitating Enhanced Performance Characteristics Of Two Terminal Memory Cells
JP5016832B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP4821516B2 (ja) * 2006-08-31 2011-11-24 旭光電機株式会社 多関節構造体
JP4768557B2 (ja) * 2006-09-15 2011-09-07 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2008078404A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Toshiba Corp 半導体メモリ及びその製造方法
JP5100080B2 (ja) * 2006-10-17 2012-12-19 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP4247266B2 (ja) * 2006-10-18 2009-04-02 株式会社東芝 スレッド順位付け装置及びスレッド順位付け方法
JP4939955B2 (ja) * 2007-01-26 2012-05-30 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JP2008192857A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5091526B2 (ja) * 2007-04-06 2012-12-05 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2009004510A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2009016400A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Toshiba Corp 積層配線構造体及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法
US20090053268A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Depablo Juan J Nanoparticle modified lubricants and waxes with enhanced properties
JP5376789B2 (ja) * 2007-10-03 2013-12-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の制御方法
JP5193551B2 (ja) * 2007-10-05 2013-05-08 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2009094364A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
JP2009135328A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP4468433B2 (ja) 2007-11-30 2010-05-26 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US8394683B2 (en) 2008-01-15 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor constructions, and methods of forming NAND unit cells
US7906818B2 (en) * 2008-03-13 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar
JP2009224612A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
KR100958798B1 (ko) * 2008-04-04 2010-05-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 제조 방법
KR100950479B1 (ko) * 2008-05-28 2010-03-31 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자 및 제조 방법
US7867831B2 (en) * 2008-05-28 2011-01-11 Hynix Semiconductor Inc. Manufacturing method of flash memory device comprising gate columns penetrating through a cell stack
US7732891B2 (en) * 2008-06-03 2010-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
KR101434588B1 (ko) 2008-06-11 2014-08-29 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101539697B1 (ko) 2008-06-11 2015-07-27 삼성전자주식회사 수직형 필라를 활성영역으로 사용하는 3차원 메모리 장치,그 제조 방법 및 그 동작 방법
US7915667B2 (en) * 2008-06-11 2011-03-29 Qimonda Ag Integrated circuits having a contact region and methods for manufacturing the same
KR101052921B1 (ko) 2008-07-07 2011-07-29 주식회사 하이닉스반도체 버티컬 플로팅 게이트를 구비하는 플래시 메모리소자의제조방법
US7910979B2 (en) 2008-07-08 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
FR2933802B1 (fr) * 2008-07-10 2010-10-15 Commissariat Energie Atomique Structure et procede de realisation d'un dispositif microelectronique de memoire 3d de type flash nand.
JP2010027870A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
KR101469105B1 (ko) 2008-07-24 2014-12-05 삼성전자주식회사 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리시스템
JP5288936B2 (ja) * 2008-08-12 2013-09-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR101487524B1 (ko) * 2008-08-27 2015-01-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
KR101498676B1 (ko) 2008-09-30 2015-03-09 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
US8395206B2 (en) * 2008-10-09 2013-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
KR101502585B1 (ko) * 2008-10-09 2015-03-24 삼성전자주식회사 수직형 반도체 장치 및 그 형성 방법
KR101595486B1 (ko) * 2010-01-27 2016-02-18 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101503876B1 (ko) * 2009-03-06 2015-03-20 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자
KR101483533B1 (ko) * 2008-11-06 2015-01-20 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법
US8013389B2 (en) 2008-11-06 2011-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional nonvolatile memory devices having sub-divided active bars and methods of manufacturing such devices
JP5284044B2 (ja) * 2008-11-10 2013-09-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR20100052597A (ko) * 2008-11-11 2010-05-20 삼성전자주식회사 수직형 반도체 장치
KR101511764B1 (ko) 2008-12-03 2015-04-13 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR101527192B1 (ko) 2008-12-10 2015-06-10 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법
JP5275052B2 (ja) 2009-01-08 2013-08-28 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR101512494B1 (ko) 2009-01-09 2015-04-16 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
JP5550239B2 (ja) 2009-01-26 2014-07-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US20100237122A1 (en) * 2009-03-18 2010-09-23 Dario Toledo Backpack
KR101539699B1 (ko) 2009-03-19 2015-07-27 삼성전자주식회사 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US8351236B2 (en) * 2009-04-08 2013-01-08 Sandisk 3D Llc Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture
US8199576B2 (en) * 2009-04-08 2012-06-12 Sandisk 3D Llc Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a double-global-bit-line architecture
US7983065B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-19 Sandisk 3D Llc Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines
KR101635504B1 (ko) * 2009-06-19 2016-07-04 삼성전자주식회사 3차원 수직 채널 구조를 갖는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
KR101624980B1 (ko) * 2009-06-19 2016-05-27 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자
JP2011003833A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR101044019B1 (ko) * 2009-06-30 2011-06-24 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
KR101543331B1 (ko) 2009-07-06 2015-08-10 삼성전자주식회사 메탈 소스 라인을 갖는 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
US8537610B2 (en) * 2009-07-10 2013-09-17 Micron Technology, Inc. Techniques for providing a semiconductor memory device
JP2011023464A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Toshiba Corp 半導体記憶装置
KR101524830B1 (ko) * 2009-07-20 2015-06-03 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
KR101660944B1 (ko) * 2009-07-22 2016-09-28 삼성전자 주식회사 수직형의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101635502B1 (ko) * 2009-07-22 2016-07-01 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US8541832B2 (en) * 2009-07-23 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit memory devices having vertical transistor arrays therein and methods of forming same
KR101549858B1 (ko) * 2009-07-31 2015-09-03 삼성전자주식회사 수직 채널 구조의 플래쉬 메모리 소자
KR101027349B1 (ko) * 2009-08-03 2011-04-11 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP5534748B2 (ja) * 2009-08-25 2014-07-02 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5052575B2 (ja) 2009-09-01 2012-10-17 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR101698193B1 (ko) 2009-09-15 2017-01-19 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20110035525A (ko) * 2009-09-30 2011-04-06 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
KR101113767B1 (ko) 2009-10-19 2012-02-27 주식회사 하이닉스반도체 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자, 그 동작 방법 및 제조 방법
KR101597686B1 (ko) * 2009-11-03 2016-02-25 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2011108921A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
WO2011062042A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8158967B2 (en) 2009-11-23 2012-04-17 Micron Technology, Inc. Integrated memory arrays
JP2011118905A (ja) 2009-12-07 2011-06-16 Samsung Electronics Co Ltd メモリカード及び電子機器
KR101623547B1 (ko) * 2009-12-15 2016-05-23 삼성전자주식회사 재기입가능한 3차원 반도체 메모리 장치의 제조 방법
US20130009274A1 (en) * 2009-12-31 2013-01-10 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Memory having three-dimensional structure and manufacturing method thereof
JP5394270B2 (ja) 2010-01-25 2014-01-22 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011166061A (ja) * 2010-02-15 2011-08-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR101616093B1 (ko) * 2010-02-19 2016-04-27 삼성전자주식회사 리페어 동작을 수행하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR101652878B1 (ko) * 2010-02-22 2016-09-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101663566B1 (ko) * 2010-03-03 2016-10-07 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 형성 방법
JP5144698B2 (ja) * 2010-03-05 2013-02-13 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011198806A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011199131A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5072995B2 (ja) * 2010-03-24 2012-11-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US20110241077A1 (en) * 2010-04-06 2011-10-06 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3d memory array and manufacturing method
KR101738533B1 (ko) * 2010-05-24 2017-05-23 삼성전자 주식회사 적층 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8547720B2 (en) 2010-06-08 2013-10-01 Sandisk 3D Llc Non-volatile memory having 3D array of read/write elements with efficient decoding of vertical bit lines and word lines
US8526237B2 (en) 2010-06-08 2013-09-03 Sandisk 3D Llc Non-volatile memory having 3D array of read/write elements and read/write circuits and method thereof
JP5491982B2 (ja) 2010-06-21 2014-05-14 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2012009701A (ja) 2010-06-25 2012-01-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US9397093B2 (en) 2013-02-08 2016-07-19 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device with semiconductor, metal or silicide floating gates and method of making thereof
US9159739B2 (en) 2010-06-30 2015-10-13 Sandisk Technologies Inc. Floating gate ultrahigh density vertical NAND flash memory
US10128261B2 (en) 2010-06-30 2018-11-13 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
US8198672B2 (en) 2010-06-30 2012-06-12 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device
US8187936B2 (en) 2010-06-30 2012-05-29 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof
US8349681B2 (en) 2010-06-30 2013-01-08 Sandisk Technologies Inc. Ultrahigh density monolithic, three dimensional vertical NAND memory device
US8928061B2 (en) 2010-06-30 2015-01-06 SanDisk Technologies, Inc. Three dimensional NAND device with silicide containing floating gates
US8193054B2 (en) 2010-06-30 2012-06-05 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof
KR101079300B1 (ko) * 2010-07-08 2011-11-04 윤재만 반도체 메모리 장치
JP2012028537A (ja) 2010-07-22 2012-02-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2012038865A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置の製造方法
KR101682666B1 (ko) 2010-08-11 2016-12-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것의 채널 부스팅 방법, 그것의 프로그램 방법 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
JP5349423B2 (ja) 2010-08-20 2013-11-20 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2012059830A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置
KR101763420B1 (ko) 2010-09-16 2017-08-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
KR20120030815A (ko) 2010-09-20 2012-03-29 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2012069606A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2012069187A (ja) 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP5422530B2 (ja) 2010-09-22 2014-02-19 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2012069679A (ja) 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
KR101742790B1 (ko) * 2010-11-16 2017-06-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것의 소거 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US9136005B2 (en) 2010-11-16 2015-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Erasing methods of three-dimensional nonvolatile memory devices with cell strings and dummy word lines
KR101744127B1 (ko) 2010-11-17 2017-06-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR101787041B1 (ko) * 2010-11-17 2017-10-18 삼성전자주식회사 식각방지막이 구비된 반도체 소자 및 그 제조방법
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
KR101805769B1 (ko) 2010-11-29 2017-12-08 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자의 제조 방법
JP2012119013A (ja) 2010-11-29 2012-06-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8547741B2 (en) * 2010-12-10 2013-10-01 Macronix International Co., Ltd. Nonvolatile stacked NAND memory
KR20140043711A (ko) * 2010-12-14 2014-04-10 쌘디스크 3디 엘엘씨 선택 디바이스들의 이중 층을 갖는 삼차원 비휘발성 저장
USRE46464E1 (en) 2010-12-14 2017-07-04 Lam Research Corporation Method for forming stair-step structures
US8329051B2 (en) 2010-12-14 2012-12-11 Lam Research Corporation Method for forming stair-step structures
US8535549B2 (en) * 2010-12-14 2013-09-17 Lam Research Corporation Method for forming stair-step structures
KR101692432B1 (ko) * 2010-12-23 2017-01-17 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
JP2012146350A (ja) 2011-01-07 2012-08-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8441855B2 (en) 2011-01-14 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Strings of memory cells having string select gates, memory devices incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
US8681555B2 (en) 2011-01-14 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Strings of memory cells having string select gates, memory devices incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
JP2012151169A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8363476B2 (en) * 2011-01-19 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Memory device, manufacturing method and operating method of the same
US8750040B2 (en) * 2011-01-21 2014-06-10 Micron Technology, Inc. Memory devices having source lines directly coupled to body regions and methods
KR101878006B1 (ko) 2011-01-24 2018-07-12 아이엠이씨 브이제트더블유 수직 메모리 디바이스 및 그것의 제조 방법
JP2012160234A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2012168999A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の動作方法
JP5431386B2 (ja) 2011-02-22 2014-03-05 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP5398766B2 (ja) 2011-03-16 2014-01-29 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP2012204430A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2012204493A (ja) 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2012204684A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8465906B2 (en) 2011-04-06 2013-06-18 Sandisk Technologies Inc. Method and mask for enhancing the resolution of patterning 2-row holes
US8445347B2 (en) 2011-04-11 2013-05-21 Sandisk Technologies Inc. 3D vertical NAND and method of making thereof by front and back side processing
US8860117B2 (en) 2011-04-28 2014-10-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor apparatus with multiple tiers of memory cells with peripheral transistors, and methods
KR20120124285A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 삼성전자주식회사 배드 블록 관리를 위한 방법 및 메모리 시스템
KR101855324B1 (ko) 2011-05-04 2018-05-09 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
KR101868799B1 (ko) * 2011-05-26 2018-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8530350B2 (en) * 2011-06-02 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same
US8765598B2 (en) 2011-06-02 2014-07-01 Micron Technology, Inc. Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods
JP2013004629A (ja) 2011-06-14 2013-01-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置
TWI455138B (zh) * 2011-06-14 2014-10-01 Univ Nat Chiao Tung 非揮發性半導體記憶體裝置
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
KR101250851B1 (ko) * 2011-06-30 2013-04-04 서울대학교산학협력단 3차원 적층형 메모리 어레이의 컨택 형성 방법
JP2013020682A (ja) 2011-07-14 2013-01-31 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8872252B2 (en) * 2011-08-03 2014-10-28 Micron Technology, Inc. Multi-tiered semiconductor apparatuses including residual silicide in semiconductor tier
US8797806B2 (en) 2011-08-15 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods including source gates
US9082555B2 (en) 2011-08-22 2015-07-14 Micron Technology, Inc. Structure comprising multiple capacitors and methods for forming the structure
JP5514172B2 (ja) 2011-09-02 2014-06-04 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
KR101865566B1 (ko) * 2011-09-08 2018-06-11 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치의 제조 방법
JP2013058683A (ja) 2011-09-09 2013-03-28 Toshiba Corp 半導体記憶装置の製造方法
JP2013065636A (ja) 2011-09-15 2013-04-11 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
JP2013069356A (ja) 2011-09-20 2013-04-18 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8951859B2 (en) 2011-11-21 2015-02-10 Sandisk Technologies Inc. Method for fabricating passive devices for 3D non-volatile memory
US8933502B2 (en) 2011-11-21 2015-01-13 Sandisk Technologies Inc. 3D non-volatile memory with metal silicide interconnect
US8643142B2 (en) 2011-11-21 2014-02-04 Sandisk Technologies Inc. Passive devices for 3D non-volatile memory
US8956968B2 (en) 2011-11-21 2015-02-17 Sandisk Technologies Inc. Method for fabricating a metal silicide interconnect in 3D non-volatile memory
US8837223B2 (en) 2011-11-21 2014-09-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacuring the same
KR20130066950A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 에스케이하이닉스 주식회사 3차원 불휘발성 메모리 소자와, 이를 포함하는 메모리 시스템과, 그 제조방법
KR101886382B1 (ko) 2011-12-14 2018-08-09 삼성전자주식회사 정보 저장 소자 및 그 제조 방법
US8917557B2 (en) 2011-12-15 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US9035275B2 (en) 2011-12-19 2015-05-19 Macronix International Co., Ltd. Three dimensional memory array adjacent to trench sidewalls
KR20130070153A (ko) * 2011-12-19 2013-06-27 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 캐패시터, 레지스터, 메모리 시스템 및 이들의 제조 방법
KR20130071690A (ko) * 2011-12-21 2013-07-01 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법
KR20130076372A (ko) * 2011-12-28 2013-07-08 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그 동작 방법 및 그 제조 방법
KR101900892B1 (ko) * 2012-02-06 2018-09-21 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법
US8878278B2 (en) 2012-03-21 2014-11-04 Sandisk Technologies Inc. Compact three dimensional vertical NAND and method of making thereof
JP5651632B2 (ja) * 2012-03-26 2015-01-14 株式会社東芝 プログラマブルロジックスイッチ
US20130256777A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seagate Technology Llc Three dimensional floating gate nand memory
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US8847302B2 (en) 2012-04-10 2014-09-30 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device with low capacitance and silicided word lines
KR101884002B1 (ko) * 2012-04-13 2018-08-01 삼성전자주식회사 콘택 구조물 형성 방법
US9019775B2 (en) 2012-04-18 2015-04-28 Sandisk Technologies Inc. Erase operation for 3D non-volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current
US8787094B2 (en) 2012-04-18 2014-07-22 Sandisk Technologies Inc. Soft erase operation for 3D non-volatile memory with selective inhibiting of passed bits
US8828884B2 (en) * 2012-05-23 2014-09-09 Sandisk Technologies Inc. Multi-level contact to a 3D memory array and method of making
JP6025190B2 (ja) * 2012-06-12 2016-11-16 シナプティクス・ジャパン合同会社 Ｓｒａｍ
US8964474B2 (en) 2012-06-15 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Architecture for 3-D NAND memory
JP2014002810A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8609536B1 (en) * 2012-07-06 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Stair step formation using at least two masks
US8658499B2 (en) 2012-07-09 2014-02-25 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device and method of charge trap layer separation and floating gate formation in the NAND device
KR101990904B1 (ko) 2012-07-17 2019-06-19 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자
JP2014027181A (ja) 2012-07-27 2014-02-06 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US10541029B2 (en) 2012-08-01 2020-01-21 Micron Technology, Inc. Partial block memory operations
US8614126B1 (en) 2012-08-15 2013-12-24 Sandisk Technologies Inc. Method of making a three-dimensional memory array with etch stop
US8736069B2 (en) * 2012-08-23 2014-05-27 Macronix International Co., Ltd. Multi-level vertical plug formation with stop layers of increasing thicknesses
US8754459B2 (en) 2012-08-31 2014-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
JP2014053056A (ja) 2012-09-06 2014-03-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8902657B2 (en) 2012-09-07 2014-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and controller
KR102015578B1 (ko) * 2012-09-11 2019-08-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법
JP2014056877A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Hitachi Ltd 半導体装置およびそれを用いた半導体集積回路装置
JP2014063551A (ja) 2012-09-21 2014-04-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2014063556A (ja) 2012-09-24 2014-04-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
KR102018614B1 (ko) 2012-09-26 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9318199B2 (en) 2012-10-26 2016-04-19 Micron Technology, Inc. Partial page memory operations
US9099202B2 (en) 2012-11-06 2015-08-04 Sandisk Technologies Inc. 3D stacked non-volatile storage programming to conductive state
TWI530953B (zh) * 2012-11-15 2016-04-21 旺宏電子股份有限公司 三維記憶體及解碼技術
US9087601B2 (en) 2012-12-06 2015-07-21 Sandisk Technologies Inc. Select gate bias during program of non-volatile storage
US9064578B2 (en) * 2012-12-18 2015-06-23 Micron Technology, Inc. Enable/disable of memory chunks during memory access
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US9502349B2 (en) 2014-01-17 2016-11-22 Macronix International Co., Ltd. Separated lower select line in 3D NAND architecture
US9219073B2 (en) 2014-01-17 2015-12-22 Macronix International Co., Ltd. Parallelogram cell design for high speed vertical channel 3D NAND memory
US9437605B2 (en) 2012-12-24 2016-09-06 Macronix International Co., Ltd. 3D NAND array architecture
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
KR102037847B1 (ko) * 2013-01-02 2019-10-29 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
TWI480979B (zh) * 2013-01-09 2015-04-11 Macronix Int Co Ltd 積體電路裝置及其製造方法
US8759899B1 (en) * 2013-01-11 2014-06-24 Macronix International Co., Ltd. Integration of 3D stacked IC device with peripheral circuits
CN103928395B (zh) * 2013-01-16 2017-05-03 旺宏电子股份有限公司 三维叠层半导体装置及其制造方法
KR101986245B1 (ko) 2013-01-17 2019-09-30 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자의 제조 방법
CN103943572B (zh) * 2013-01-23 2017-07-28 旺宏电子股份有限公司 集成电路装置及其制造方法
US8987914B2 (en) 2013-02-07 2015-03-24 Macronix International Co., Ltd. Conductor structure and method
US9111591B2 (en) 2013-02-22 2015-08-18 Micron Technology, Inc. Interconnections for 3D memory
US9001584B2 (en) 2013-02-28 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Sub-block decoding in 3D memory
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US9449982B2 (en) 2013-03-12 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Method of making a vertical NAND device using a sacrificial layer with air gap and sequential etching of multilayer stacks
US8946023B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Sandisk Technologies Inc. Method of making a vertical NAND device using sequential etching of multilayer stacks
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9698153B2 (en) 2013-03-12 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Vertical NAND and method of making thereof using sequential stack etching and self-aligned landing pad
US9214351B2 (en) 2013-03-12 2015-12-15 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of thin film 3D array
US8993429B2 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Macronix International Co., Ltd. Interlayer conductor structure and method
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US9230987B2 (en) 2014-02-20 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Multilevel memory stack structure and methods of manufacturing the same
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9515080B2 (en) 2013-03-12 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Vertical NAND and method of making thereof using sequential stack etching and landing pad
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
JP2014183224A (ja) 2013-03-19 2014-09-29 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2014183225A (ja) 2013-03-19 2014-09-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2014187246A (ja) 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US9099496B2 (en) 2013-04-01 2015-08-04 Sandisk Technologies Inc. Method of forming an active area with floating gate negative offset profile in FG NAND memory
US9093480B2 (en) 2013-04-01 2015-07-28 Sandisk Technologies Inc. Spacer passivation for high aspect ratio etching of multilayer stacks for three dimensional NAND device
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
JP2014241358A (ja) 2013-06-12 2014-12-25 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR20140148070A (ko) * 2013-06-21 2014-12-31 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 제조 방법
KR102098588B1 (ko) 2013-06-28 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그의 제조 방법
US9165937B2 (en) 2013-07-01 2015-10-20 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including stair step structures, and related methods
US9437606B2 (en) 2013-07-02 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Method of making a three-dimensional memory array with etch stop
US9117526B2 (en) 2013-07-08 2015-08-25 Macronix International Co., Ltd. Substrate connection of three dimensional NAND for improving erase performance
US9252151B2 (en) 2013-07-08 2016-02-02 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device with birds beak containing floating gates and method of making thereof
JP2015028966A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
US9047953B2 (en) * 2013-08-22 2015-06-02 Macronix International Co., Ltd. Memory device structure with page buffers in a page-buffer level separate from the array level
KR102066925B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-16 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102130558B1 (ko) * 2013-09-02 2020-07-07 삼성전자주식회사 반도체 장치
JP2015053336A (ja) 2013-09-05 2015-03-19 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US9230980B2 (en) 2013-09-15 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device
WO2015038246A2 (en) * 2013-09-15 2015-03-19 SanDisk Technologies, Inc. Method of integrating select gate source and memory hole for three-dimensional non-volatile memory device
US9496274B2 (en) 2013-09-17 2016-11-15 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional non-volatile memory device
US9023719B2 (en) 2013-09-17 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. High aspect ratio memory hole channel contact formation
US9508735B2 (en) * 2013-09-19 2016-11-29 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses having strings of memory cells and select gates with double gates
US9070447B2 (en) 2013-09-26 2015-06-30 Macronix International Co., Ltd. Contact structure and forming method
US8970040B1 (en) 2013-09-26 2015-03-03 Macronix International Co., Ltd. Contact structure and forming method
KR102128469B1 (ko) * 2013-11-08 2020-06-30 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20150057147A (ko) 2013-11-18 2015-05-28 삼성전자주식회사 메모리 장치
US9449983B2 (en) 2013-12-19 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof
US9023701B1 (en) * 2013-12-31 2015-05-05 Macronix International Co., Ltd. Three-dimensional memory and method of forming the same
JP2015130213A (ja) 2014-01-07 2015-07-16 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9230905B2 (en) 2014-01-08 2016-01-05 Sandisk 3D Llc Trench multilevel contact to a 3D memory array and method of making thereof
US9698156B2 (en) 2015-03-03 2017-07-04 Macronix International Co., Ltd. Vertical thin-channel memory
US9679849B1 (en) 2014-01-17 2017-06-13 Macronix International Co., Ltd. 3D NAND array with sides having undulating shapes
US9373632B2 (en) 2014-01-17 2016-06-21 Macronix International Co., Ltd. Twisted array design for high speed vertical channel 3D NAND memory
US9343322B2 (en) 2014-01-17 2016-05-17 Macronix International Co., Ltd. Three dimensional stacking memory film structure
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
JP2015149413A (ja) 2014-02-06 2015-08-20 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
KR20150100325A (ko) * 2014-02-25 2015-09-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
WO2015132887A1 (ja) 2014-03-04 2015-09-11 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 柱状半導体メモリ装置及びその製造方法
US10651189B2 (en) 2014-03-04 2020-05-12 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Method for producing pillar-shaped semiconductor memory device
JP2015170692A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US9343507B2 (en) 2014-03-12 2016-05-17 Sandisk 3D Llc Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode
JP2015176923A (ja) 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US9450026B2 (en) 2014-03-24 2016-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US9331088B2 (en) 2014-03-25 2016-05-03 Sandisk 3D Llc Transistor device with gate bottom isolation and method of making thereof
US9224747B2 (en) 2014-03-26 2015-12-29 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device with shared word line steps
JP5826441B1 (ja) 2014-04-17 2015-12-02 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 柱状半導体メモリ装置及びその製造方法
US9552991B2 (en) 2014-04-30 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Trench vertical NAND and method of making thereof
US9331094B2 (en) 2014-04-30 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. Method of selective filling of memory openings
US9559113B2 (en) 2014-05-01 2017-01-31 Macronix International Co., Ltd. SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND
US9548313B2 (en) * 2014-05-30 2017-01-17 Sandisk Technologies Llc Method of making a monolithic three dimensional NAND string using a select gate etch stop layer
US9224749B1 (en) * 2014-06-04 2015-12-29 Macronix International Co., Ltd. Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices
US9721964B2 (en) 2014-06-05 2017-08-01 Macronix International Co., Ltd. Low dielectric constant insulating material in 3D memory
US9553146B2 (en) 2014-06-05 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device having a wavy charge storage layer
JP5889486B1 (ja) 2014-06-10 2016-03-22 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 柱状半導体メモリ装置及びその製造方法
US9524779B2 (en) 2014-06-24 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional vertical NAND device with floating gates
US9768270B2 (en) 2014-06-25 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Method of selectively depositing floating gate material in a memory device
US9379124B2 (en) 2014-06-25 2016-06-28 Sandisk Technologies Inc. Vertical floating gate NAND with selectively deposited ALD metal films
US9455263B2 (en) 2014-06-27 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device with channel contacting conductive source line and method of making thereof
US9397107B2 (en) 2014-06-30 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Methods of making three dimensional NAND devices
US9305932B2 (en) 2014-06-30 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Methods of making three dimensional NAND devices
KR102234273B1 (ko) 2014-07-02 2021-04-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US9356037B2 (en) 2014-07-07 2016-05-31 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of 3D array with interleaved control structures
US9177966B1 (en) 2014-07-08 2015-11-03 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND devices with air gap or low-k core
JP6480114B2 (ja) * 2014-07-09 2019-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置、画像データ伝送方法、およびカメラシステム
US9633742B2 (en) * 2014-07-10 2017-04-25 Sandisk Technologies Llc Segmentation of blocks for faster bit line settling/recovery in non-volatile memory devices
WO2016009473A1 (ja) * 2014-07-14 2016-01-21 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
KR102234266B1 (ko) 2014-07-23 2021-04-02 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9627009B2 (en) 2014-07-25 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Interleaved grouped word lines for three dimensional non-volatile storage
US9570460B2 (en) 2014-07-29 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Spacer passivation for high-aspect ratio opening film removal and cleaning
JP2016035991A (ja) 2014-08-04 2016-03-17 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
US9136130B1 (en) 2014-08-11 2015-09-15 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND string with discrete charge trap segments
US9356031B2 (en) 2014-08-11 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND string memory devices with voids enclosed between control gate electrodes
US9620217B2 (en) 2014-08-12 2017-04-11 Macronix International Co., Ltd. Sub-block erase
US9583539B2 (en) 2014-08-19 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Word line connection for memory device and method of making thereof
US9230983B1 (en) 2014-08-20 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Metal word lines for three dimensional memory devices
US9349745B2 (en) 2014-08-25 2016-05-24 Macronix International Co., Ltd. 3D NAND nonvolatile memory with staggered vertical gates
US9691884B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 Sandisk Technologies Llc Monolithic three dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof
US9230974B1 (en) 2014-08-26 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Methods of selective removal of blocking dielectric in NAND memory strings
US9236392B1 (en) 2014-08-26 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Multiheight electrically conductive via contacts for a multilevel interconnect structure
US9601502B2 (en) 2014-08-26 2017-03-21 Sandisk Technologies Llc Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure
US9401309B2 (en) 2014-08-26 2016-07-26 Sandisk Technologies Llc Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure
US9576975B2 (en) 2014-08-26 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Monolithic three-dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof
US9257443B1 (en) * 2014-09-09 2016-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory device and method for manufacturing the same
US9917096B2 (en) * 2014-09-10 2018-03-13 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9362298B2 (en) 2014-09-11 2016-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US9508739B2 (en) * 2014-09-11 2016-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US10892269B2 (en) 2014-09-12 2021-01-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device having a bonded circuit chip including a solid state drive controller connected to a control circuit
US9431419B2 (en) * 2014-09-12 2016-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP6203152B2 (ja) 2014-09-12 2017-09-27 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置の製造方法
US9418750B2 (en) 2014-09-15 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Single ended word line and bit line time constant measurement
US9224473B1 (en) 2014-09-15 2015-12-29 Macronix International Co., Ltd. Word line repair for 3D vertical channel memory
JP6250506B2 (ja) 2014-09-16 2017-12-20 東芝メモリ株式会社 集積回路装置及びその製造方法
CN104319276B (zh) * 2014-09-16 2017-05-10 华中科技大学 一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
JP2016062622A (ja) 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその駆動方法
US9825048B2 (en) * 2014-09-24 2017-11-21 Sandisk Technologies Llc Process for word line connections in 3D memory
US9666590B2 (en) 2014-09-24 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc High stack 3D memory and method of making
US9515085B2 (en) 2014-09-26 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Vertical memory device with bit line air gap
US9984754B2 (en) * 2014-09-29 2018-05-29 Toshiba Memory Corporation Memory device and method for operating the same
US9318204B1 (en) 2014-10-07 2016-04-19 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory and method with adjusted timing for individual programming pulses
US9305934B1 (en) 2014-10-17 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device containing peripheral devices on epitaxial semiconductor pedestal
KR20160045340A (ko) * 2014-10-17 2016-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 3차원 비휘발성 메모리 장치
US9230979B1 (en) 2014-10-31 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. High dielectric constant etch stop layer for a memory structure
US9236396B1 (en) 2014-11-12 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device and method of making thereof
US9305849B1 (en) 2014-11-12 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Method of making a three dimensional NAND device
US9698152B2 (en) 2014-11-13 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structure with multi-component contact via structure and method of making thereof
US9589979B2 (en) 2014-11-19 2017-03-07 Macronix International Co., Ltd. Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same
US9570455B2 (en) 2014-11-25 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Metal word lines for three dimensional memory devices
US9698223B2 (en) 2014-11-25 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Memory device containing stress-tunable control gate electrodes
US9496419B2 (en) 2014-11-25 2016-11-15 Sandisk Technologies Llc Ruthenium nucleation layer for control gate electrodes in a memory structure
US9455007B2 (en) 2014-12-01 2016-09-27 Macronix International Co., Ltd. Word line driver circuitry and compact memory using same
US9754956B2 (en) 2014-12-04 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Uniform thickness blocking dielectric portions in a three-dimensional memory structure
US9793288B2 (en) 2014-12-04 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions
US9553100B2 (en) 2014-12-04 2017-01-24 Sandisk Techologies Llc Selective floating gate semiconductor material deposition in a three-dimensional memory structure
US9741569B2 (en) 2014-12-16 2017-08-22 Macronix International Co., Ltd. Forming memory using doped oxide
KR102310511B1 (ko) * 2014-12-19 2021-10-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
US9530781B2 (en) * 2014-12-22 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND memory having improved connection between source line and in-hole channel material as well as reduced damage to in-hole layers
US9356105B1 (en) 2014-12-29 2016-05-31 Macronix International Co., Ltd. Ring gate transistor design for flash memory
TWI600143B (zh) * 2015-01-26 2017-09-21 旺宏電子股份有限公司 高速垂直通道之三維反及閘記憶體的扭轉陣列設計
KR20160094186A (ko) * 2015-01-30 2016-08-09 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이의 제조방법
US9318210B1 (en) 2015-02-02 2016-04-19 Sandisk Technologies Inc. Word line kick during sensing: trimming and adjacent word lines
US9236128B1 (en) 2015-02-02 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Voltage kick to non-selected word line during programming
US9780182B2 (en) 2015-02-04 2017-10-03 Sandisk Technologies Llc Molybdenum-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
US10741572B2 (en) 2015-02-04 2020-08-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having multilayer word lines containing selectively grown cobalt or ruthenium and method of making the same
US9984963B2 (en) 2015-02-04 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
US9356034B1 (en) 2015-02-05 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Multilevel interconnect structure and methods of manufacturing the same
US9419058B1 (en) 2015-02-05 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Memory device with comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers and method of making thereof
US9484296B2 (en) 2015-02-12 2016-11-01 Sandisk Technologies Llc Self-aligned integrated line and via structure for a three-dimensional semiconductor device
US9583615B2 (en) 2015-02-17 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Vertical transistor and local interconnect structure
US9418743B1 (en) 2015-02-17 2016-08-16 Macronix International Co., Ltd. 3D NAND memory with decoder and local word line drivers
US9530503B2 (en) 2015-02-19 2016-12-27 Macronix International Co., Ltd. And-type SGVC architecture for 3D NAND flash
US9698202B2 (en) 2015-03-02 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory
US9524980B2 (en) 2015-03-03 2016-12-20 Macronix International Co., Ltd. U-shaped vertical thin-channel memory
US9865614B2 (en) * 2015-03-09 2018-01-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US9870945B2 (en) 2015-03-10 2018-01-16 Sandisk Technologies Llc Crystalline layer stack for forming conductive layers in a three-dimensional memory structure
US9490017B2 (en) 2015-03-10 2016-11-08 Macronix International Co., Ltd. Forced-bias method in sub-block erase
JP2016170837A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2016171215A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9397109B1 (en) 2015-03-13 2016-07-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9608001B2 (en) 2015-03-13 2017-03-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
JP2016171280A (ja) 2015-03-16 2016-09-23 株式会社東芝 半導体記憶装置の製造方法
US9530788B2 (en) 2015-03-17 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Metallic etch stop layer in a three-dimensional memory structure
US9613896B2 (en) 2015-03-18 2017-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with conductive columnar body
US9831261B2 (en) 2015-03-18 2017-11-28 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device with first and second semiconductor films in first and second columnar bodies
US9443868B1 (en) 2015-03-19 2016-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
KR102309566B1 (ko) * 2015-03-20 2021-10-07 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자
US9673057B2 (en) 2015-03-23 2017-06-06 Lam Research Corporation Method for forming stair-step structures
US9607702B2 (en) 2015-03-25 2017-03-28 Macronix International Co., Ltd. Sub-block page erase in 3D p-channel flash memory
KR102333478B1 (ko) * 2015-03-31 2021-12-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
US10186519B2 (en) 2015-03-31 2019-01-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices
US10008510B2 (en) 2015-03-31 2018-06-26 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US9799671B2 (en) 2015-04-07 2017-10-24 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts
US9379129B1 (en) 2015-04-13 2016-06-28 Macronix International Co., Ltd. Assist gate structures for three-dimensional (3D) vertical gate array memory structure
US10068914B2 (en) * 2015-04-17 2018-09-04 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method of the same
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
KR101616091B1 (ko) * 2015-04-20 2016-04-28 삼성전자주식회사 모놀리식 3차원 nand 스트링
US9548315B2 (en) 2015-04-24 2017-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same
US9601508B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Sandisk Technologies Llc Blocking oxide in memory opening integration scheme for three-dimensional memory structure
US9397046B1 (en) 2015-04-29 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Fluorine-free word lines for three-dimensional memory devices
US9627403B2 (en) 2015-04-30 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Multilevel memory stack structure employing support pillar structures
US9478259B1 (en) 2015-05-05 2016-10-25 Macronix International Co., Ltd. 3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array
US10074661B2 (en) 2015-05-08 2018-09-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional junction memory device and method reading thereof using hole current detection
US9666281B2 (en) 2015-05-08 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional P-I-N memory device and method reading thereof using hole current detection
KR102358302B1 (ko) * 2015-05-21 2022-02-04 삼성전자주식회사 수직형 낸드 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR102342548B1 (ko) 2015-05-22 2021-12-24 삼성전자주식회사 메모리 장치
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9859422B2 (en) 2015-05-28 2018-01-02 Sandisk Technologies Llc Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same
US9443861B1 (en) 2015-05-28 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Fluorine-blocking insulating spacer for backside contact structure of three-dimensional memory structures
US9793289B2 (en) 2015-06-08 2017-10-17 Toshiba Memory Corporation Non-volatile memory device
US9589981B2 (en) 2015-06-15 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Passive devices for integration with three-dimensional memory devices
US9646981B2 (en) 2015-06-15 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Passive devices for integration with three-dimensional memory devices
US9419012B1 (en) 2015-06-19 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structure employing air gap isolation
US9356043B1 (en) 2015-06-22 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage
US10622368B2 (en) 2015-06-24 2020-04-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with semicircular metal-semiconductor alloy floating gate electrodes and methods of making thereof
US9508446B1 (en) 2015-06-24 2016-11-29 Macronix International Co., Ltd. Temperature compensated reverse current for memory
US9613977B2 (en) 2015-06-24 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices
US9373403B1 (en) 2015-07-02 2016-06-21 Macronix International Co., Ltd. 3D NAND memory device and operation thereof
TWI582962B (zh) * 2015-07-06 2017-05-11 Toshiba Kk Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US9530785B1 (en) 2015-07-21 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices having a single layer channel and methods of making thereof
US9627399B2 (en) 2015-07-24 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with metal and silicide control gates
TWI578318B (zh) * 2015-08-05 2017-04-11 旺宏電子股份有限公司 三維反及閘記憶體元件及其操作方法
US9905462B2 (en) 2015-08-20 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9449987B1 (en) 2015-08-21 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors
US9543318B1 (en) 2015-08-21 2017-01-10 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US9502471B1 (en) 2015-08-25 2016-11-22 Sandisk Technologies Llc Multi tier three-dimensional memory devices including vertically shared bit lines
US9853043B2 (en) 2015-08-25 2017-12-26 Sandisk Technologies Llc Method of making a multilevel memory stack structure using a cavity containing a sacrificial fill material
US9530697B1 (en) 2015-09-09 2016-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9666597B2 (en) 2015-09-10 2017-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US9646975B2 (en) 2015-09-21 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Lateral stack of cobalt and a cobalt-semiconductor alloy for control gate electrodes in a memory structure
US9806089B2 (en) 2015-09-21 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Method of making self-assembling floating gate electrodes for a three-dimensional memory device
US9576966B1 (en) 2015-09-21 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
WO2017053329A1 (en) * 2015-09-21 2017-03-30 Monolithic 3D Inc 3d semiconductor device and structure
US9412752B1 (en) 2015-09-22 2016-08-09 Macronix International Co., Ltd. Reference line and bit line structure for 3D memory
US9401371B1 (en) 2015-09-24 2016-07-26 Macronix International Co., Ltd. Sacrificial spin-on glass for air gap formation after bl isolation process in single gate vertical channel 3D NAND flash
US9842907B2 (en) 2015-09-29 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Memory device containing cobalt silicide control gate electrodes and method of making thereof
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US9620512B1 (en) 2015-10-28 2017-04-11 Sandisk Technologies Llc Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device
US9659955B1 (en) 2015-10-28 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Crystalinity-dependent aluminum oxide etching for self-aligned blocking dielectric in a memory structure
US9793139B2 (en) 2015-10-29 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Robust nucleation layers for enhanced fluorine protection and stress reduction in 3D NAND word lines
US9899399B2 (en) 2015-10-30 2018-02-20 Sandisk Technologies Llc 3D NAND device with five-folded memory stack structure configuration
US9842851B2 (en) 2015-10-30 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices having a shaped epitaxial channel portion
US9754958B2 (en) * 2015-10-30 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices having a shaped epitaxial channel portion and method of making thereof
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US9831266B2 (en) 2015-11-20 2017-11-28 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US9799670B2 (en) 2015-11-20 2017-10-24 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device containing dielectric pillars for a buried source line and method of making thereof
US9917100B2 (en) 2015-11-20 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US9935123B2 (en) 2015-11-25 2018-04-03 Sandisk Technologies Llc Within array replacement openings for a three-dimensional memory device
US9583503B1 (en) * 2015-12-11 2017-02-28 Macronix International Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor device and method of manufacturing the same
TWI582964B (zh) 2015-12-30 2017-05-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體元件及其製作方法
KR102532427B1 (ko) 2015-12-31 2023-05-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
US9741563B2 (en) 2016-01-27 2017-08-22 Lam Research Corporation Hybrid stair-step etch
US9754820B2 (en) 2016-02-01 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing an aluminum oxide etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof
US9589839B1 (en) 2016-02-01 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Method of reducing control gate electrode curvature in three-dimensional memory devices
US10224103B2 (en) * 2016-02-09 2019-03-05 Micron Technology, Inc. Memory devices with a transistor that selectively connects a data line to another data line
US9673213B1 (en) 2016-02-15 2017-06-06 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with peripheral devices under dummy dielectric layer stack and method of making thereof
US9721663B1 (en) 2016-02-18 2017-08-01 Sandisk Technologies Llc Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array
US9595535B1 (en) 2016-02-18 2017-03-14 Sandisk Technologies Llc Integration of word line switches with word line contact via structures
JP6581019B2 (ja) 2016-03-02 2019-09-25 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
US9941209B2 (en) 2016-03-11 2018-04-10 Micron Technology, Inc. Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods
US9818754B2 (en) 2016-03-15 2017-11-14 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9768192B1 (en) 2016-03-16 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing annular etch-stop spacer and method of making thereof
JP2017168641A (ja) 2016-03-16 2017-09-21 東芝メモリ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US9780034B1 (en) * 2016-03-16 2017-10-03 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing annular etch-stop spacer and method of making thereof
US10224104B2 (en) 2016-03-23 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND memory device with common bit line for multiple NAND strings in each memory block
US10355015B2 (en) 2016-03-23 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND memory device with common bit line for multiple NAND strings in each memory block
US9812463B2 (en) 2016-03-25 2017-11-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing vertically isolated charge storage regions and method of making thereof
US9711530B1 (en) 2016-03-25 2017-07-18 Sandisk Technologies Llc Locally-trap-characteristic-enhanced charge trap layer for three-dimensional memory structures
US10096613B2 (en) 2016-04-13 2018-10-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
US9691786B1 (en) 2016-04-29 2017-06-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9679650B1 (en) 2016-05-06 2017-06-13 Micron Technology, Inc. 3D NAND memory Z-decoder
US9728547B1 (en) 2016-05-19 2017-08-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof
TWI594246B (zh) * 2016-05-24 2017-08-01 旺宏電子股份有限公司 記憶體元件及其製作方法
US9985046B2 (en) 2016-06-13 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature
US10121794B2 (en) 2016-06-20 2018-11-06 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having epitaxial germanium-containing vertical channel and method of making thereof
US10355139B2 (en) 2016-06-28 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with amorphous barrier layer and method of making thereof
US10361213B2 (en) 2016-06-28 2019-07-23 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device containing multilayer wordline barrier films and method of making thereof
US9978768B2 (en) 2016-06-29 2018-05-22 Sandisk Technologies Llc Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films
US9659866B1 (en) 2016-07-08 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structures with low source line resistance
US9865311B1 (en) 2016-07-08 2018-01-09 Micron Technology, Inc. Memory device including current generator plate
US9728266B1 (en) 2016-07-08 2017-08-08 Micron Technology, Inc. Memory device including multiple select gates and different bias conditions
US10529620B2 (en) 2016-07-13 2020-01-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing word lines formed by selective tungsten growth on nucleation controlling surfaces and methods of manufacturing the same
US10381372B2 (en) 2016-07-13 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Selective tungsten growth for word lines of a three-dimensional memory device
US9748266B1 (en) 2016-07-20 2017-08-29 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof
US11017838B2 (en) 2016-08-04 2021-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices
US9824966B1 (en) 2016-08-12 2017-11-21 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing a lateral source contact and method of making the same
TWI765122B (zh) 2016-08-18 2022-05-21 日商鎧俠股份有限公司 半導體裝置
US9805805B1 (en) 2016-08-23 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with charge carrier injection wells for vertical channels and method of making and using thereof
JP2018037123A (ja) 2016-08-29 2018-03-08 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置及びメモリシステム
JP6652470B2 (ja) 2016-09-07 2020-02-26 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
JP6608786B2 (ja) 2016-09-07 2019-11-20 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
TWI654747B (zh) 2016-09-12 2019-03-21 日商東芝記憶體股份有限公司 Semiconductor memory device
US9960179B2 (en) 2016-09-16 2018-05-01 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP6545649B2 (ja) 2016-09-16 2019-07-17 東芝メモリ株式会社 メモリデバイス
US10050054B2 (en) 2016-10-05 2018-08-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having drain select level isolation structure and method of making thereof
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
KR102650994B1 (ko) * 2016-10-14 2024-03-26 삼성전자주식회사 메모리 장치
US9881929B1 (en) 2016-10-27 2018-01-30 Sandisk Technologies Llc Multi-tier memory stack structure containing non-overlapping support pillar structures and method of making thereof
US9929174B1 (en) 2016-10-28 2018-03-27 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having non-uniform spacing among memory stack structures and method of making thereof
US10020363B2 (en) 2016-11-03 2018-07-10 Sandisk Technologies Llc Bulb-shaped memory stack structures for direct source contact in three-dimensional memory device
US10262945B2 (en) * 2016-11-28 2019-04-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional array device having a metal containing barrier and method of making thereof
US9991277B1 (en) 2016-11-28 2018-06-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with discrete self-aligned charge storage elements and method of making thereof
US9876031B1 (en) 2016-11-30 2018-01-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having passive devices at a buried source line level and method of making thereof
US10056399B2 (en) 2016-12-22 2018-08-21 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices containing inter-tier dummy memory cells and methods of making the same
US10032908B1 (en) 2017-01-06 2018-07-24 Sandisk Technologies Llc Multi-gate vertical field effect transistor with channel strips laterally confined by gate dielectric layers, and method of making thereof
US10074666B2 (en) 2017-01-09 2018-09-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with enhanced mechanical stability semiconductor pedestal and method of making thereof
JP2018116755A (ja) 2017-01-19 2018-07-26 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
US10038008B1 (en) * 2017-01-30 2018-07-31 Micron Technology, Inc. Integrated structures and NAND memory arrays
TWI669806B (zh) 2017-02-07 2019-08-21 東芝記憶體股份有限公司 Semiconductor memory device and method of manufacturing same
US10115735B2 (en) 2017-02-24 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Semiconductor device containing multilayer titanium nitride diffusion barrier and method of making thereof
JP2018142654A (ja) * 2017-02-28 2018-09-13 東芝メモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US10170490B2 (en) 2017-03-06 2019-01-01 Micron Technology, Inc. Memory device including pass transistors in memory tiers
US10192877B2 (en) * 2017-03-07 2019-01-29 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with level-shifted staircase structures and method of making thereof
US10115731B2 (en) 2017-03-13 2018-10-30 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10553601B2 (en) * 2017-03-16 2020-02-04 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory including semiconductor oxide
US9960180B1 (en) 2017-03-27 2018-05-01 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with partially discrete charge storage regions and method of making thereof
JP2018170447A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 東芝メモリ株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2018180228A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 メモリ装置
US10923492B2 (en) * 2017-04-24 2021-02-16 Micron Technology, Inc. Elevationally-extending string of memory cells and methods of forming an elevationally-extending string of memory cells
US20180331117A1 (en) 2017-05-12 2018-11-15 Sandisk Technologies Llc Multilevel memory stack structure with tapered inter-tier joint region and methods of making thereof
US10224340B2 (en) 2017-06-19 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having discrete direct source strap contacts and method of making thereof
US10115730B1 (en) 2017-06-19 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing structurally reinforced pedestal channel portions and method of making thereof
US10438964B2 (en) 2017-06-26 2019-10-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having direct source contact and metal oxide blocking dielectric and method of making thereof
KR101985590B1 (ko) * 2017-07-28 2019-06-03 한양대학교 산학협력단 집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
US10373904B2 (en) * 2017-08-28 2019-08-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices including capacitors, related electronic systems, and related methods
JP2019053799A (ja) 2017-09-14 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
CN107658317B (zh) * 2017-09-15 2019-01-01 长江存储科技有限责任公司 一种半导体装置及其制备方法
US10283452B2 (en) 2017-09-15 2019-05-07 Yangtze Memory Technology Co., Ltd. Three-dimensional memory devices having a plurality of NAND strings
JP2019054162A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 記憶装置の製造方法および記憶装置
US10290647B2 (en) 2017-09-26 2019-05-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing structurally reinforced pedestal channel portions and method of making the same
US10453798B2 (en) 2017-09-27 2019-10-22 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with gated contact via structures and method of making thereof
US10115459B1 (en) 2017-09-29 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Multiple liner interconnects for three dimensional memory devices and method of making thereof
JP2019067474A (ja) 2017-10-05 2019-04-25 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
CN107994028B (zh) * 2017-11-16 2021-02-02 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其形成方法
KR102400100B1 (ko) * 2017-11-17 2022-05-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법
CN107946306A (zh) * 2017-11-23 2018-04-20 长江存储科技有限责任公司 三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备
US10217746B1 (en) 2017-11-30 2019-02-26 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having L-shaped word lines and a support structure and methods of making the same
US10181442B1 (en) 2017-11-30 2019-01-15 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having L-shaped word lines and methods of making the same
US10211215B1 (en) 2017-11-30 2019-02-19 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing word lines having vertical protrusion regions and methods of making the same
JP2019101652A (ja) 2017-11-30 2019-06-24 東芝メモリ株式会社 半導体メモリ
JP2019102663A (ja) 2017-12-04 2019-06-24 東芝メモリ株式会社 記憶装置
US10229931B1 (en) 2017-12-05 2019-03-12 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing fluorine-free tungsten—word lines and methods of manufacturing the same
US10256252B1 (en) 2017-12-13 2019-04-09 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing structurally reinforced pedestal channel portions and methods of making the same
US10373969B2 (en) 2018-01-09 2019-08-06 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including partially surrounding select gates and fringe field assisted programming thereof
US10510738B2 (en) 2018-01-17 2019-12-17 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having support-die-assisted source power distribution and method of making thereof
US10283493B1 (en) 2018-01-17 2019-05-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing bonded memory die and peripheral logic die and method of making thereof
US10256247B1 (en) 2018-02-08 2019-04-09 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with silicided word lines, air gap layers and discrete charge storage elements, and method of making thereof
JP2019161009A (ja) 2018-03-13 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 記憶装置
US10615123B2 (en) 2018-03-14 2020-04-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing compositionally graded word line diffusion barrier layer for and methods of forming the same
US10355017B1 (en) 2018-03-23 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc CMOS devices containing asymmetric contact via structures and method of making the same
US10770459B2 (en) 2018-03-23 2020-09-08 Sandisk Technologies Llc CMOS devices containing asymmetric contact via structures
US10269820B1 (en) 2018-04-03 2019-04-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing different pedestal width support pillar structures and method of making the same
US10756186B2 (en) 2018-04-12 2020-08-25 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including germanium-containing vertical channels and method of making the same
US10381322B1 (en) 2018-04-23 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing self-aligned interlocking bonded structure and method of making the same
US10700004B2 (en) 2018-04-23 2020-06-30 Macronix International Co., Ltd. 3D NAND world line connection structure
US10840254B2 (en) 2018-05-22 2020-11-17 Macronix International Co., Ltd. Pitch scalable 3D NAND
US10535673B2 (en) * 2018-06-04 2020-01-14 Macronix International Co., Ltd. High-density flash memory device and method of manufacturing the same
KR20190140773A (ko) * 2018-06-12 2019-12-20 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법
US10763273B2 (en) * 2018-08-23 2020-09-01 Macronix International Co., Ltd. Vertical GAA flash memory including two-transistor memory cells
TWI757635B (zh) * 2018-09-20 2022-03-11 美商森恩萊斯記憶體公司 記憶體結構及其用於電性連接三維記憶裝置之多水平導電層之階梯結構的製作方法
US10629608B2 (en) 2018-09-26 2020-04-21 Macronix International Co., Ltd. 3D vertical channel tri-gate NAND memory with tilted hemi-cylindrical structure
CN109830432B (zh) * 2019-01-02 2020-11-24 华中科技大学 一种非易失性3d nand存储器的侧墙栅电极及其制备方法
KR102612197B1 (ko) 2019-01-11 2023-12-12 삼성전자주식회사 반도체 장치
US11610914B2 (en) 2019-02-11 2023-03-21 Sunrise Memory Corporation Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays
WO2020167658A1 (en) 2019-02-11 2020-08-20 Sunrise Memory Corporation Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays
US10879260B2 (en) 2019-02-28 2020-12-29 Sandisk Technologies Llc Bonded assembly of a support die and plural memory dies containing laterally shifted vertical interconnections and methods for making the same
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11037947B2 (en) 2019-04-15 2021-06-15 Macronix International Co., Ltd. Array of pillars located in a uniform pattern
KR20200126686A (ko) * 2019-04-30 2020-11-09 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US10872899B2 (en) * 2019-05-07 2020-12-22 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including signal and power connection lines extending through dielectric regions and methods of making the same
US10861873B2 (en) 2019-05-07 2020-12-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including signal and power connection lines extending through dielectric regions and methods of making the same
US10847526B1 (en) * 2019-07-26 2020-11-24 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices and electronic systems
US11450381B2 (en) 2019-08-21 2022-09-20 Micron Technology, Inc. Multi-deck memory device including buffer circuitry under array
JP2021044463A (ja) 2019-09-13 2021-03-18 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US11411013B2 (en) 2020-01-08 2022-08-09 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices including stair step structures, and related electronic devices and methods
US11437318B2 (en) 2020-06-12 2022-09-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices and electronic systems
JP2022045992A (ja) * 2020-09-10 2022-03-23 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
US11844221B2 (en) * 2021-08-23 2023-12-12 Macronix International Co., Ltd. 3D flash memory device with integrated passive device
US20230066753A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-02 Micron Technology, Inc. Electronic devices including vertical strings of memory cells, and related memory devices, systems and methods

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0479369A (ja) * 1990-07-23 1992-03-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH06338602A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JPH0878635A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2003092366A (ja) * 2001-06-23 2003-03-28 Fujio Masuoka 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2005093808A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Fujio Masuoka メモリセルユニット、それを備えてなる不揮発性半導体記憶装置及びメモリセルアレイの駆動方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258635A (en) * 1988-09-06 1993-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba MOS-type semiconductor integrated circuit device
JP2703970B2 (ja) 1989-01-17 1998-01-26 株式会社東芝 Ｍｏｓ型半導体装置
US5006909A (en) * 1989-10-30 1991-04-09 Motorola, Inc. Dram with a vertical capacitor and transistor
JP2991489B2 (ja) * 1990-11-30 1999-12-20 株式会社東芝 半導体装置
US5612563A (en) * 1992-03-02 1997-03-18 Motorola Inc. Vertically stacked vertical transistors used to form vertical logic gate structures
US5308782A (en) * 1992-03-02 1994-05-03 Motorola Semiconductor memory device and method of formation
JP3229012B2 (ja) * 1992-05-21 2001-11-12 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5480820A (en) * 1993-03-29 1996-01-02 Motorola, Inc. Method of making a vertically formed neuron transistor having a floating gate and a control gate and a method of formation
JP3403231B2 (ja) * 1993-05-12 2003-05-06 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR0165398B1 (ko) * 1995-05-26 1998-12-15 윤종용 버티칼 트랜지스터의 제조방법
US5668391A (en) * 1995-08-02 1997-09-16 Lg Semicon Co., Ltd. Vertical thin film transistor
KR0170296B1 (ko) 1995-09-19 1999-03-30 김광호 비휘발성 메모리소자
JPH1093083A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US5990509A (en) * 1997-01-22 1999-11-23 International Business Machines Corporation 2F-square memory cell for gigabit memory applications
US5929477A (en) * 1997-01-22 1999-07-27 International Business Machines Corporation Self-aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4F-square memory cell array
US6060746A (en) * 1997-02-11 2000-05-09 International Business Machines Corporation Power transistor having vertical FETs and method for making same
KR100339173B1 (ko) * 1999-05-20 2002-06-01 포만 제프리 엘 디램 칩에서 금속화의 제 1 준위를 형성시키는 방법
US6255689B1 (en) * 1999-12-20 2001-07-03 United Microelectronics Corp. Flash memory structure and method of manufacture
US6639835B2 (en) * 2000-02-29 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Static NVRAM with ultra thin tunnel oxides
JP3934867B2 (ja) * 2000-09-29 2007-06-20 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体メモリシステム
US6372559B1 (en) * 2000-11-09 2002-04-16 International Business Machines Corporation Method for self-aligned vertical double-gate MOSFET
KR100483035B1 (ko) * 2001-03-30 2005-04-15 샤프 가부시키가이샤 반도체 기억장치 및 그 제조방법
JP3933424B2 (ja) 2001-06-23 2007-06-20 富士雄 舛岡 半導体記憶装置
JP3933412B2 (ja) 2001-03-30 2007-06-20 富士雄 舛岡 半導体記憶装置及びその製造方法
JP3963677B2 (ja) 2001-06-23 2007-08-22 富士雄 舛岡 半導体記憶装置の製造方法
JP3566944B2 (ja) 2001-06-23 2004-09-15 富士雄 舛岡 半導体記憶装置及びその製造方法
JP3963664B2 (ja) * 2001-06-22 2007-08-22 富士雄 舛岡 半導体記憶装置及びその製造方法
US6925008B2 (en) * 2001-09-29 2005-08-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device with a memory unit including not more than two memory cell transistors
US6635924B1 (en) * 2002-06-06 2003-10-21 Agere Systems Inc. Ultra thin body vertical replacement gate MOSFET
US7205598B2 (en) * 2002-08-29 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Random access memory device utilizing a vertically oriented select transistor
US6624024B1 (en) * 2002-08-29 2003-09-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for a flash memory device comprising a source local interconnect
JP4108537B2 (ja) 2003-05-28 2008-06-25 富士雄 舛岡 半導体装置
US7241654B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-10 Micron Technology, Inc. Vertical NROM NAND flash memory array
JP2005294518A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US7112781B2 (en) 2004-04-21 2006-09-26 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Absolute encoder
US7126188B2 (en) * 2004-05-27 2006-10-24 Skymedi Corporation Vertical split gate memory cell and manufacturing method thereof
JP5016832B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP4768557B2 (ja) * 2006-09-15 2011-09-07 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5016928B2 (ja) * 2007-01-10 2012-09-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP4649487B2 (ja) * 2008-03-17 2011-03-09 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8395206B2 (en) * 2008-10-09 2013-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2016170837A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社東芝 半導体記憶装置
CN107689425A (zh) * 2017-08-31 2018-02-13 昆山国显光电有限公司 薄膜封装结构及薄膜封装方法和显示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0479369A (ja) * 1990-07-23 1992-03-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH06338602A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JPH0878635A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2003092366A (ja) * 2001-06-23 2003-03-28 Fujio Masuoka 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2005093808A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Fujio Masuoka メモリセルユニット、それを備えてなる不揮発性半導体記憶装置及びメモリセルアレイの駆動方法

Cited By (445)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008171918A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
WO2009047951A1 (ja) 2007-10-12 2009-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha 携帯電話機
KR101012247B1 (ko) 2007-10-29 2011-02-08 가부시끼가이샤 도시바 불휘발성 반도체 기억 장치, 및 그 제조 방법
JP2009111049A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8148789B2 (en) 2007-10-29 2012-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8426276B2 (en) 2007-10-29 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US11574926B2 (en) 2007-12-11 2023-02-07 Kioxia Corporation Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US9035374B2 (en) 2007-12-11 2015-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US11844218B2 (en) 2007-12-11 2023-12-12 Kioxia Corporation Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
WO2009075370A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US11393840B2 (en) 2007-12-11 2022-07-19 Kioxia Corporation Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8372720B2 (en) 2007-12-11 2013-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US9356042B2 (en) 2007-12-11 2016-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US9741738B2 (en) 2007-12-11 2017-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8729624B2 (en) 2007-12-11 2014-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US9985050B2 (en) 2007-12-11 2018-05-29 Toshiba Memory Corporation Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US10163931B2 (en) 2007-12-11 2018-12-25 Toshiba Memory Corporation Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
JP2009158775A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
WO2009084206A1 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8198667B2 (en) 2007-12-27 2012-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
EP2225774A4 (en) * 2007-12-27 2013-04-24 Toshiba Kk SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
EP2225774A1 (en) * 2007-12-27 2010-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8330216B2 (en) 2008-01-08 2012-12-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8013383B2 (en) 2008-02-25 2011-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device including a plurality of memory strings
US8048798B2 (en) 2008-03-04 2011-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device where memory cells are arranged three dimensionally
JP2009224466A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2009224465A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2009224468A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7927926B2 (en) 2008-03-14 2011-04-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8426976B2 (en) 2008-03-14 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
JP4691124B2 (ja) * 2008-03-14 2011-06-01 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
KR101126868B1 (ko) * 2008-03-14 2012-03-23 가부시끼가이샤 도시바 불휘발성 반도체 기억 장치, 및 그 제조 방법
US8314455B2 (en) 2008-03-17 2012-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
JP2009224574A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US7977733B2 (en) 2008-03-17 2011-07-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
JP4649487B2 (ja) * 2008-03-17 2011-03-09 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US7910973B2 (en) 2008-03-17 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device
JP2009238871A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8084809B2 (en) 2008-03-26 2011-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes
US8853766B2 (en) 2008-03-26 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes
US9412756B2 (en) 2008-03-26 2016-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same
US9859211B2 (en) 2008-03-26 2018-01-02 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes
WO2009119527A1 (ja) 2008-03-26 2009-10-01 株式会社 東芝 半導体メモリ及びその製造方法
JP4635069B2 (ja) * 2008-03-26 2011-02-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US10720216B2 (en) 2008-04-23 2020-07-21 Toshiba Memory Corporation Memory in which the channel potential of a memory cell in a non-selected NAND cell unit is increased
US8605506B2 (en) 2008-04-23 2013-12-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
US9330761B2 (en) 2008-04-23 2016-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
JP2009266945A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
US11430521B2 (en) 2008-04-23 2022-08-30 Kioxia Corporation Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory in which the channel potential of a memory cell in a non-selected NAND cell unit is increased
US11727993B2 (en) 2008-04-23 2023-08-15 Kioxia Corporation Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory wherein first through fifth voltages are applied at different timings in a program operation
US8379449B2 (en) 2008-04-23 2013-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
JP2009266281A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
US8837218B2 (en) 2008-04-23 2014-09-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
JP2009266944A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
US8952426B2 (en) 2008-04-23 2015-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
US9953708B2 (en) 2008-04-23 2018-04-24 Toshiba Memory Corporation Memory performing write operation in which a string transistor channel voltage is boosted before applying a program voltage to a word line
US9437610B2 (en) 2008-04-23 2016-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
US9558833B2 (en) 2008-04-23 2017-01-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Write controlling method for memory
JP2009266946A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
US9275737B2 (en) 2008-04-23 2016-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
US10224106B2 (en) 2008-04-23 2019-03-05 Toshiba Memory Corporation Method of controlling programming of a three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
US8681551B2 (en) 2008-04-23 2014-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory
JP2009266280A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Toshiba Corp 三次元積層不揮発性半導体メモリ
JP2009267243A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8072024B2 (en) 2008-05-13 2011-12-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP2009277770A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2009283498A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP2009295617A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8618603B2 (en) 2008-06-02 2013-12-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8247857B2 (en) 2008-06-02 2012-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
USRE45732E1 (en) 2008-06-03 2015-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device and method for manufacturing same
US7851849B2 (en) 2008-06-03 2010-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device and method for manufacturing same
US8124514B2 (en) 2008-06-03 2012-02-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device and method for manufacturing same
US8017993B2 (en) 2008-06-30 2011-09-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP2010010596A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
WO2010004706A1 (en) 2008-07-11 2010-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8653577B2 (en) 2008-07-11 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8044448B2 (en) 2008-07-25 2011-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2010034112A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8030700B2 (en) 2008-07-25 2011-10-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US7969789B2 (en) 2008-08-06 2011-06-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for driving nonvolatile semiconductor memory device
JP2010040122A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の駆動方法
US8193571B2 (en) 2008-08-18 2012-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked type nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing same
US8084807B2 (en) 2008-08-19 2011-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8373222B2 (en) 2008-09-10 2013-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device with alternately stacked isolation dielectric films and electrode films
US8148769B2 (en) 2008-09-25 2012-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8569133B2 (en) 2008-09-25 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8334551B2 (en) 2008-09-26 2012-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
WO2010035609A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8178861B2 (en) 2008-10-15 2012-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP2010098235A (ja) * 2008-10-20 2010-04-30 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8237211B2 (en) 2008-10-20 2012-08-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
USRE49113E1 (en) 2008-10-21 2022-06-21 Kioxia Corporation Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory
USRE45929E1 (en) 2008-10-21 2016-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory
JP2010102755A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Toshiba Corp ３次元積層型不揮発性半導体メモリ
USRE47866E1 (en) 2008-10-21 2020-02-18 Toshiba Memory Corporation Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory
US8228733B2 (en) 2008-10-21 2012-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory
US7983084B2 (en) 2008-10-21 2011-07-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory
US8089120B2 (en) 2008-11-04 2012-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
JP2010114113A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7982261B2 (en) 2008-11-05 2011-07-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8217446B2 (en) 2008-11-10 2012-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2010118530A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8120961B2 (en) 2008-11-13 2012-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
USRE45832E1 (en) 2008-11-14 2016-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
USRE46949E1 (en) 2008-11-14 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Non-volatile semiconductor storage device
US7933151B2 (en) 2008-11-14 2011-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8089121B2 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9245839B2 (en) 2008-12-03 2016-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US9735170B2 (en) 2008-12-03 2017-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US11871571B2 (en) 2008-12-03 2024-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US8541831B2 (en) 2008-12-03 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US10546872B2 (en) 2008-12-03 2020-01-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US8786007B2 (en) 2008-12-03 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional nonvolatile memory device
US11387249B2 (en) 2008-12-03 2022-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US9171860B2 (en) 2008-12-03 2015-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional nonvolatile memory device
JP2010140996A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8338876B2 (en) 2008-12-17 2012-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8728919B2 (en) 2008-12-17 2014-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US8748969B2 (en) 2008-12-19 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device including dummy electrodes and method of fabricating the same
KR101495806B1 (ko) 2008-12-24 2015-02-26 삼성전자주식회사 비휘발성 기억 소자
JP2010157734A (ja) * 2008-12-31 2010-07-15 Samsung Electronics Co Ltd 半導体記憶素子及びその形成方法
US8335109B2 (en) 2009-01-06 2012-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for operating the same
TWI397170B (zh) * 2009-01-07 2013-05-21 Toshiba Kk 非揮發性半導體儲存裝置及其製造方法
US8154068B2 (en) 2009-01-07 2012-04-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
JP2010161132A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8198669B2 (en) 2009-01-09 2012-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
JP2010165982A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US9029934B2 (en) 2009-01-22 2015-05-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device including floating gate electrodes formed between control gate electrodes and vertically formed along a semiconductor pillar
JP2010171185A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8440528B2 (en) 2009-01-22 2013-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a vertical nonvolatile semiconductor memory device including forming floating gates within the recesses created on the interlayer insulating films
US8207029B2 (en) 2009-02-02 2012-06-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device
US8264031B2 (en) 2009-02-06 2012-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9331095B2 (en) 2009-02-10 2016-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
US9899401B2 (en) 2009-02-10 2018-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same
US8644046B2 (en) 2009-02-10 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same
US9640545B2 (en) 2009-02-10 2017-05-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same
KR101054532B1 (ko) 2009-02-16 2011-08-04 가부시끼가이샤 도시바 불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
US8916921B2 (en) 2009-02-16 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device including a dielectric with low permittivity in memory cells arranged in a three dimensional manner
US8274108B2 (en) 2009-02-16 2012-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8680604B2 (en) 2009-02-17 2014-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2010192589A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8748971B2 (en) 2009-02-17 2014-06-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Three dimensional nonvolatile semiconductor memory having pillars provided inside an oblate through hole
US8436414B2 (en) 2009-02-17 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor stacked memory device having two semiconductor pillars in a through hole and method for manufacturing same
US7799672B2 (en) 2009-02-18 2010-09-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
US8233323B2 (en) 2009-02-24 2012-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US7989880B2 (en) 2009-02-25 2011-08-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2010199311A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010199312A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2010199314A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US9018696B2 (en) 2009-02-25 2015-04-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8247863B2 (en) 2009-02-25 2012-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8334561B2 (en) 2009-02-25 2012-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
KR101049299B1 (ko) 2009-02-25 2011-07-13 가부시끼가이샤 도시바 비휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8759162B2 (en) 2009-02-25 2014-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8361862B2 (en) 2009-03-03 2013-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device
US8174890B2 (en) 2009-03-11 2012-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8198670B2 (en) 2009-03-18 2012-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2010219409A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8829593B2 (en) 2009-03-19 2014-09-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having three-dimensionally arranged memory cells, and manufacturing method thereof
JP2010225684A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8203882B2 (en) 2009-03-23 2012-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
JP2010225222A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US9312134B2 (en) 2009-03-24 2016-04-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US11257842B2 (en) 2009-03-24 2022-02-22 Kioxia Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9941296B2 (en) 2009-03-24 2018-04-10 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US10418378B2 (en) 2009-03-24 2019-09-17 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9318503B2 (en) 2009-03-24 2016-04-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9601503B2 (en) 2009-03-24 2017-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US11792992B2 (en) 2009-03-24 2023-10-17 Kioxia Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US10658383B2 (en) 2009-03-24 2020-05-19 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8653582B2 (en) 2009-03-24 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8541866B2 (en) 2009-03-24 2013-09-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8222122B2 (en) 2009-03-31 2012-07-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming nonvolatile memory device
US9219072B2 (en) 2009-04-10 2015-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices having a three dimensional structure utilizing strapping of a common source region and/or a well region
KR101495800B1 (ko) 2009-04-10 2015-02-27 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
US8187938B2 (en) 2009-04-13 2012-05-29 Hynix Semiconductor Inc. Non-volatile memory device and method for fabricating the same
US8779502B2 (en) 2009-06-12 2014-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory
US8188530B2 (en) 2009-06-24 2012-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8759897B2 (en) 2009-06-25 2014-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8507972B2 (en) 2009-06-25 2013-08-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2011014638A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8207565B2 (en) 2009-07-01 2012-06-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
US8247860B2 (en) 2009-07-01 2012-08-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8654586B2 (en) 2009-07-06 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8374033B2 (en) 2009-07-06 2013-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8169826B2 (en) 2009-07-15 2012-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8203884B2 (en) 2009-07-21 2012-06-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8791464B2 (en) 2009-07-21 2014-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8178919B2 (en) 2009-07-21 2012-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP2011029234A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8884355B2 (en) 2009-08-04 2014-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8912060B2 (en) 2009-08-06 2014-12-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing same
US8258033B2 (en) 2009-08-10 2012-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device
US8273628B2 (en) 2009-08-25 2012-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing method including exposing electrode layers into a hole
JP2011049206A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US8436415B2 (en) 2009-09-02 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2011054802A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8169016B2 (en) 2009-09-04 2012-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8426908B2 (en) 2009-09-07 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8900984B2 (en) 2009-09-10 2014-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP2011060991A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8441061B2 (en) 2009-09-10 2013-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device with different doping concentration word lines
US8164956B2 (en) 2009-09-14 2012-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8358539B2 (en) 2009-09-14 2013-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device
US8194467B2 (en) 2009-09-16 2012-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
USRE46957E1 (en) 2009-09-16 2018-07-17 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device
US8426302B2 (en) 2009-09-17 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
US8107286B2 (en) 2009-09-18 2012-01-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Three-dimensional nonvolatile semiconductor memory device for curbing a leak current and method of data read therein
JP2011065723A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8199573B2 (en) 2009-09-25 2012-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
TWI450270B (zh) * 2009-09-25 2014-08-21 Toshiba Kk 非揮發性半導體記憶體裝置
USRE46785E1 (en) 2009-11-02 2018-04-10 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
USRE45840E1 (en) 2009-11-02 2016-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
USRE49152E1 (en) 2009-11-02 2022-07-26 Kioxia Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
USRE48191E1 (en) 2009-11-02 2020-09-01 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
JP2011096341A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8218358B2 (en) 2009-11-02 2012-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
US8189371B2 (en) 2009-11-02 2012-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same
US8698313B2 (en) 2009-11-04 2014-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory apparatus
US8338956B2 (en) 2009-11-09 2012-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
KR101624975B1 (ko) * 2009-11-17 2016-05-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자
US8378406B2 (en) 2009-12-17 2013-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Multilayer stacked type nonvolatile semiconductor memory device
US9196525B2 (en) 2009-12-18 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same
CN102104034A (zh) * 2009-12-18 2011-06-22 三星电子株式会社 三维半导体器件
US9418911B2 (en) 2009-12-18 2016-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory device having sidewall and interlayer molds
JP2011138579A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US8581323B2 (en) 2010-01-08 2013-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing same
US8211783B2 (en) 2010-01-25 2012-07-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor device including a patterned SiOC film as a mask
US8743614B2 (en) 2010-02-05 2014-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
US8614917B2 (en) 2010-02-05 2013-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
US9202571B2 (en) 2010-02-05 2015-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
US9324440B2 (en) 2010-02-09 2016-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9330769B2 (en) 2010-02-09 2016-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US10217516B2 (en) 2010-02-09 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8917558B2 (en) 2010-02-09 2014-12-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9378831B2 (en) 2010-02-09 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9378833B2 (en) 2010-02-09 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8964476B2 (en) 2010-02-17 2015-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US11062784B2 (en) 2010-02-17 2021-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8908431B2 (en) 2010-02-17 2014-12-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Control method of nonvolatile memory device
US10650903B2 (en) 2010-02-17 2020-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9747995B2 (en) 2010-02-17 2017-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8923060B2 (en) 2010-02-17 2014-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and operating methods thereof
US8427878B2 (en) 2010-02-17 2013-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US11715537B2 (en) 2010-02-17 2023-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US9330770B2 (en) 2010-02-17 2016-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US10199116B2 (en) 2010-02-17 2019-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8559224B2 (en) 2010-02-17 2013-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same
US9147492B2 (en) 2010-02-17 2015-09-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Control method of nonvolatile memory device
US9390803B2 (en) 2010-02-17 2016-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same
US8923053B2 (en) 2010-02-17 2014-12-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method thereof, and memory system including the same
US8570805B2 (en) 2010-02-18 2013-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, programming method thereof and memory system including the same
US8929145B2 (en) 2010-02-18 2015-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, programming method thereof and memory system including the same
US8390055B2 (en) 2010-03-03 2013-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8553466B2 (en) 2010-03-04 2013-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device, erasing method thereof, and memory system including the same
US8792282B2 (en) 2010-03-04 2014-07-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices, memory systems and computing systems
US8848456B2 (en) 2010-03-04 2014-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, erasing method thereof, and memory system including the same
JP2011187110A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置の動作方法
US8338882B2 (en) 2010-03-10 2012-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8981461B2 (en) 2010-03-19 2015-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
USRE45890E1 (en) 2010-03-23 2016-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8295091B2 (en) 2010-03-23 2012-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US11588032B2 (en) 2010-03-26 2023-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US10903327B2 (en) 2010-03-26 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US9564499B2 (en) 2010-03-26 2017-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US9768266B2 (en) 2010-03-26 2017-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US11888042B2 (en) 2010-03-26 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US8823072B2 (en) 2010-04-15 2014-09-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Floating gate type nonvolatile memory device and related methods of manufacture and operation
US8969947B2 (en) 2010-04-27 2015-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical memory devices with quantum-dot charge storage cells
US8730717B2 (en) 2010-05-10 2014-05-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US8633535B2 (en) 2010-06-09 2014-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory
US9293563B2 (en) 2010-06-15 2016-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8796757B2 (en) 2010-06-15 2014-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2012004249A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US8873290B2 (en) 2010-06-16 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device capable of multi-page programming by simultaneously activating a plurality of selection lines based on programmed data
US8717817B2 (en) 2010-06-16 2014-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for multi-page programming a non-volatile memory device by simultaneously activating a plurality of selection lines based on programmed data
US8335111B2 (en) 2010-07-12 2012-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same
US9406688B2 (en) 2010-08-03 2016-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps
US9881685B2 (en) 2010-08-26 2018-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same
US9947416B2 (en) 2010-08-26 2018-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same
US8315097B2 (en) 2010-09-21 2012-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US8310875B2 (en) 2010-09-22 2012-11-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9437307B2 (en) 2010-09-22 2016-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2012094230A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Hynix Semiconductor Inc 半導体メモリ装置及びその動作方法
US8633526B2 (en) 2010-11-10 2014-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9450065B2 (en) 2010-11-10 2016-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9000504B2 (en) 2010-11-10 2015-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8624317B2 (en) 2011-02-25 2014-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8718612B2 (en) 2011-03-08 2014-05-06 Bank Of American Corporation Real-time analysis involving real estate listings
US9317860B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Collective network of augmented reality users
US9519932B2 (en) 2011-03-08 2016-12-13 Bank Of America Corporation System for populating budgets and/or wish lists using real-time video image analysis
US9519923B2 (en) 2011-03-08 2016-12-13 Bank Of America Corporation System for collective network of augmented reality users
US9519924B2 (en) 2011-03-08 2016-12-13 Bank Of America Corporation Method for collective network of augmented reality users
US9524524B2 (en) 2011-03-08 2016-12-20 Bank Of America Corporation Method for populating budgets and/or wish lists using real-time video image analysis
US8721337B2 (en) 2011-03-08 2014-05-13 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing virtual landscaping
US8922657B2 (en) 2011-03-08 2014-12-30 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing security
US8873807B2 (en) 2011-03-08 2014-10-28 Bank Of America Corporation Vehicle recognition
US9317835B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Populating budgets and/or wish lists using real-time video image analysis
US9773285B2 (en) 2011-03-08 2017-09-26 Bank Of America Corporation Providing data associated with relationships between individuals and images
US9812458B2 (en) 2011-03-10 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US10079238B2 (en) 2011-03-10 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US9425107B2 (en) 2011-03-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8730738B2 (en) 2011-04-05 2014-05-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and methods of operating nonvolatile memory devices
US9336887B2 (en) 2011-04-22 2016-05-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups
US8861267B2 (en) 2011-04-22 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device including memory cell array with upper and lower word line groups
US9793287B2 (en) 2011-05-20 2017-10-17 Toshiba Memory Corporation Semiconductor wafer with first and second stacked bodies and semiconductor memory device
US9036411B2 (en) 2011-06-02 2015-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and data erase method thereof
US9490019B2 (en) 2011-06-02 2016-11-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and data erase method thereof
US8817538B2 (en) 2011-06-14 2014-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for erasing data thereof
JP2013004690A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Toshiba Corp 三次元半導体装置及びその製造方法
US9508740B2 (en) 2011-06-17 2016-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba 3D stacked semiconductor memory architecture with conductive layer arrangement
US9929173B2 (en) 2011-06-17 2018-03-27 Toshiba Memory Corporation Method of controlling a semiconductor memory device
US10332907B2 (en) 2011-06-17 2019-06-25 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells
US9281016B2 (en) 2011-06-17 2016-03-08 Kabushiki Kaisha Toshiba 3D stacked semiconductor memory devices with sense amplifier electrically connected to a selecting circuit
US11430805B2 (en) 2011-06-17 2022-08-30 Kioxia Corporation Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays
US10672794B2 (en) 2011-06-17 2020-06-02 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays
US11917826B2 (en) 2011-06-17 2024-02-27 Kioxia Corporation Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells
JP2013004778A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US8787061B2 (en) 2011-06-17 2014-07-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US11289506B2 (en) 2011-06-22 2022-03-29 Kioxia Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9385137B2 (en) 2011-06-22 2016-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9728550B2 (en) 2011-06-22 2017-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8797777B2 (en) 2011-06-28 2014-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9576968B2 (en) 2011-06-28 2017-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure
US9076675B2 (en) 2011-06-28 2015-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with a 3-dimensional stacked memory cell structure
US10068916B2 (en) 2011-06-28 2018-09-04 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure
US10586806B2 (en) 2011-06-28 2020-03-10 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure
JP2013055206A (ja) * 2011-09-03 2013-03-21 Takehide Shirato 半導体装置及びその製造方法
US8760925B2 (en) 2011-09-26 2014-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device
US8724397B2 (en) 2011-10-19 2014-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and method of reading data thereof
US9209295B2 (en) 2011-12-06 2015-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US9070434B2 (en) 2012-03-29 2015-06-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US9978765B2 (en) 2012-04-10 2018-05-22 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9287388B2 (en) 2012-04-10 2016-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US10490563B2 (en) 2012-04-10 2019-11-26 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device having floating gate-type memory cells and method for manufacturing same
US11737262B2 (en) 2012-04-10 2023-08-22 Kioxia Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US11011532B2 (en) 2012-04-10 2021-05-18 Toshiba Memory Corporation Floating gate nonvolatile semiconductor memory device
US8884356B2 (en) 2012-09-05 2014-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same
US8969945B2 (en) 2012-09-05 2015-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US9183935B2 (en) 2012-09-21 2015-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having programmable select transistors within memory units
JP2013042179A (ja) * 2012-11-15 2013-02-28 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2014127475A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Hitachi High-Technologies Corp 半導体装置の製造方法
JP2014138188A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Samsung Electronics Co Ltd 垂直型半導体素子のパッド構造物及び配線構造物
US10461030B2 (en) 2013-01-17 2019-10-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Pad structures and wiring structures in a vertical type semiconductor device
US9190499B2 (en) 2013-03-25 2015-11-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device, capacitance element, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device
US9305936B2 (en) 2013-07-03 2016-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US9177809B2 (en) 2013-07-03 2015-11-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2015026674A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 株式会社東芝 不揮発性記憶装置およびその製造方法
US9196627B2 (en) 2013-07-30 2015-11-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same
US9029938B2 (en) 2013-09-10 2015-05-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and method for manufacturing same
US9741438B2 (en) 2013-09-16 2017-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and program method thereof
US9324446B2 (en) 2013-11-15 2016-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor storage device, and memory system
US9337319B2 (en) 2014-01-15 2016-05-10 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9627495B2 (en) 2014-01-15 2017-04-18 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9601505B2 (en) 2014-01-16 2017-03-21 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device
US9780147B2 (en) 2014-02-03 2017-10-03 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US9437296B2 (en) 2014-02-03 2016-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Three-dimensional resistive memory device with adjustable voltage biasing
US9530793B2 (en) 2014-03-03 2016-12-27 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device
US9711658B2 (en) 2014-03-03 2017-07-18 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device
US9230975B2 (en) 2014-03-04 2016-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US9373631B2 (en) 2014-03-04 2016-06-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
US9691784B2 (en) 2014-09-05 2017-06-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9269445B1 (en) 2014-09-17 2016-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
US9502431B2 (en) 2014-09-17 2016-11-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
WO2016139727A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 株式会社 東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
US10686045B2 (en) 2015-03-02 2020-06-16 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method for manufacturing same
JP2016167325A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2018513559A (ja) * 2015-04-24 2018-05-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 ３次元メモリのソケット構造
JP2017045492A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9911749B2 (en) 2015-09-09 2018-03-06 Toshiba Memory Corporation Stacked 3D semiconductor memory structure
US9865351B2 (en) 2015-09-11 2018-01-09 Toshiba Memory Corporation Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection
US10541251B2 (en) 2015-09-11 2020-01-21 Toshiba Memory Corporation Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity
US10797077B2 (en) 2015-09-11 2020-10-06 Toshiba Memory Corporation Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity
US10074665B2 (en) 2015-09-11 2018-09-11 Toshiba Memory Corporation Three-dimensional semiconductor memory device including slit with lateral surfaces having periodicity
US10090312B2 (en) 2015-12-29 2018-10-02 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10020319B2 (en) 2016-01-27 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device having pillars on a peripheral region and method of manufacturing the same
US9679662B1 (en) 2016-02-01 2017-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory device
US9728552B1 (en) 2016-02-09 2017-08-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having voids between word lines and a source line
US10037813B2 (en) 2016-02-12 2018-07-31 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10796779B2 (en) 2016-02-12 2020-10-06 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10319450B2 (en) 2016-02-12 2019-06-11 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10614900B2 (en) 2016-02-12 2020-04-07 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US9905510B2 (en) 2016-02-17 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US10020320B2 (en) 2016-02-24 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device and method for manufacturing same
US10026748B2 (en) 2016-03-09 2018-07-17 Toshiba Memory Corporation Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing same
US10943914B2 (en) 2016-03-10 2021-03-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device including a substrate, various interconnections, semiconductor member, charge storage member and a conductive member
US10672779B2 (en) 2016-03-10 2020-06-02 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device including a substrate, various interconnections, semiconductor member, charge storage member and a conductive member
US9960173B2 (en) 2016-03-10 2018-05-01 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10217757B2 (en) 2016-03-10 2019-02-26 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device including a substrate, various interconnections, semiconductor member, charge storage member and a conductive member
US10468430B2 (en) 2016-03-11 2019-11-05 Toshiba Memory Corporation Semiconductor storage device
US9941013B2 (en) 2016-03-15 2018-04-10 Toshiba Memory Corporation Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage
US9786683B1 (en) 2016-03-18 2017-10-10 Toshiba Memory Corporation Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US10134749B2 (en) 2016-04-20 2018-11-20 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10129126B2 (en) 2016-06-08 2018-11-13 Bank Of America Corporation System for predictive usage of resources
US10291487B2 (en) 2016-06-08 2019-05-14 Bank Of America Corporation System for predictive acquisition and use of resources
US10433196B2 (en) 2016-06-08 2019-10-01 Bank Of America Corporation System for tracking resource allocation/usage
US10581988B2 (en) 2016-06-08 2020-03-03 Bank Of America Corporation System for predictive use of resources
US10178101B2 (en) 2016-06-08 2019-01-08 Bank Of America Corporation System for creation of alternative path to resource acquisition
US11412054B2 (en) 2016-06-08 2022-08-09 Bank Of America Corporation System for predictive use of resources
US11081492B2 (en) 2016-08-12 2021-08-03 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10672782B2 (en) 2016-08-12 2020-06-02 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10276585B2 (en) 2016-08-12 2019-04-30 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US11903210B2 (en) 2016-08-12 2024-02-13 Kioxia Corporation Semiconductor memory device
US10115627B2 (en) 2016-08-31 2018-10-30 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US11004731B2 (en) 2016-08-31 2021-05-11 Kioxia Corporation Semiconductor device
US11848228B2 (en) 2016-08-31 2023-12-19 Kioxia Corporation Semiconductor device
US10049760B2 (en) 2016-09-06 2018-08-14 Toshiba Memory Corporation Programming and verification methods for three-dimensional memory device
US9929166B1 (en) 2016-09-12 2018-03-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device
US10991708B2 (en) 2016-09-21 2021-04-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device for preventing an increase in resistance difference of an electrode layer
US10475809B2 (en) 2016-11-08 2019-11-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10153296B2 (en) 2017-02-24 2018-12-11 Toshiba Memory Corporation Memory device and method for manufacturing same
US10622304B2 (en) 2017-03-22 2020-04-14 Toshiba Memory Corporation Storage device including multiple wiring and electrode layers
US10347652B2 (en) 2017-03-23 2019-07-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
JP7211969B2 (ja) 2017-04-27 2023-01-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ３ｄ ｎａｎｄに適用するための低誘電率酸化物および低抵抗のｏｐスタック
JP2020518136A (ja) * 2017-04-27 2020-06-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ３ｄ ｎａｎｄに適用するための低誘電率酸化物および低抵抗のｏｐスタック
US10546867B2 (en) 2017-08-28 2020-01-28 Toshiba Memory Corporation Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
US10475806B2 (en) 2017-09-07 2019-11-12 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device including stacked body with conductivity and insulating members and method for manufacturing the same
US10607935B2 (en) 2017-09-15 2020-03-31 Toshiba Memory Corporation Memory device
US10438801B2 (en) 2017-09-22 2019-10-08 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10896915B2 (en) 2018-01-09 2021-01-19 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US11557605B2 (en) 2018-01-09 2023-01-17 Kioxia Corporation Semiconductor memory device
US10748920B2 (en) 2018-02-19 2020-08-18 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
KR20200124673A (ko) 2018-03-02 2020-11-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 3차원 반도체 기억 장치의 제조 방법
US11501998B2 (en) 2018-03-02 2022-11-15 Tokyo Electron Limited Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device
US10347650B1 (en) 2018-03-20 2019-07-09 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
JP2019186540A (ja) * 2018-04-09 2019-10-24 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 垂直型メモリ装置及びその製造方法
JP7351629B2 (ja) 2018-04-09 2023-09-27 三星電子株式会社 垂直型メモリ装置及びその製造方法
US10741573B2 (en) 2018-05-31 2020-08-11 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory
US11049877B2 (en) 2018-05-31 2021-06-29 Kioxia Corporation Semiconductor memory
US10978468B2 (en) 2018-05-31 2021-04-13 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory
US10714496B2 (en) 2018-05-31 2020-07-14 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory
US11387247B2 (en) 2018-05-31 2022-07-12 Kioxia Corporation Semiconductor memory
US11737279B2 (en) 2018-05-31 2023-08-22 Kioxia Corporation Semiconductor memory
US11201219B2 (en) 2018-09-14 2021-12-14 Toshiba Memory Corporation Integrated circuit device and method of manufacturing integrated circuit device
US10867641B2 (en) 2018-09-14 2020-12-15 Toshiba Memory Corporation Data latch circuit and semiconductor memory device
US11574663B2 (en) 2018-09-14 2023-02-07 Kioxia Corporation Data latch circuit and semiconductor memory device
WO2020054109A1 (ja) * 2018-09-14 2020-03-19 東芝メモリ株式会社 集積回路装置及び集積回路装置の製造方法
KR20220103108A (ko) 2019-11-21 2022-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR20220128347A (ko) 2020-01-17 2022-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 구동 방법, 및 전자 기기
US11985827B2 (en) 2020-01-17 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, driving method of semiconductor device, and electronic device
US11238935B2 (en) 2020-03-18 2022-02-01 Kioxia Corporation Semiconductor memory device
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