JP2004349009A - Method of manufacturing image display device, apparatus for manufacture, and image display device manufactured by this method of manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置、特に、対向配置された前面基板および背面基板を備えた画像表示装置の製造方法、製造装置、およびこの製造方法により製造された画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、放電現象による蛍光体の発光を利用したプラズマディスプレイ(PDP)や、主として電界による電子放出を利用したフィールド・エミッション・ディスプレイ(以下、FEDと称する)が知られている。
【0003】
これらの画像表示装置は、基本構成として、所定の間隔をおいて対向配置された前面基板および背面基板を備え、これらの基板は周辺部を互いに接合することにより外囲器を構成している。特に、FEDは、前面基板と背面基板との間の空間、すなわち外囲器内部を高い真空度に維持することで良好な画像表示を可能としている。またPDPでは、外囲器の内部を満たした不活性ガスを高純度に保つことが重要な技術となっている。
【0004】
長期間に渡って外囲器内を高真空に維持するため、外囲器内には放出ガスを吸着するゲッタ材が設けられ重要な役割を果たしている。従来、外囲器の構成部材を真空雰囲気下において高温でベークアウト(以下、ベーキング工程と称する)して充分に脱ガスした後、真空処理装置内でゲッタ材を前面基板または背面基板の内面、あるいはその他の構造物に蒸着し(以下、ゲッタ工程と称する)、更に、両基板を真空中で封着して外囲器を形成する(以下、封着工程と称する)画像表示装置の製造方法および製造装置が提案されている(例えば、特許文献1)。
【0005】
上記製造方法によれば、ベーキング工程は、充分な脱ガス効果を得るために、外囲器の構成部材を少なくとも200℃以上の温度、一般的には、300℃〜400℃程度まで加熱する場合が多い。ベーキング工程を終えた両基板やその他の構成部材はゲッタ工程へ移行し、高温に維持された状態でゲッタ膜の形成が行われる。これは、後述するように、次の封着工程で構成部材を再度加熱する必要があるとともに、冷却に要する時間を短縮して生産効率を上げるためである。
【0006】
封着工程では、基板を再度加熱して周縁部を封着する。封着材として、一般的なフリットガラスを用いた場合、フリットガラスの溶融温度である350℃を越える高温まで封着部を加熱する。このような封着工程では、基板全面をほぼ均一に加熱する方式(以下、均一加熱封着)と、封着部のみを局所的に加熱する方式(以下、局所加熱方式)が提案されている。しかし、局所加熱方式の場合でも、基板の画像表示領域全体を一定温度以下に保つことは技術的に難しい。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−229824号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の製造方法において、ゲッタ工程は、高温での加熱を必要とするベーキング工程と封着工程との間に位置していることから、基板が高温に維持された状態のままで実施されている。しかし、高温の部材上にゲッタを形成した場合、ゲッタ膜の吸着能力が大きく損なわれる。一般的なゲッタ材であるバリウムの例では、基板が200℃以上に加熱された状態でゲッタ膜を成膜すると、その吸着能力は25℃の室温で成膜した場合と比較して1/5以下にまで低下する。
【0009】
また、ベーキング工程の後に基板を一端冷却し、200℃以下の温度でバリウムを成膜した場合でも、ゲッタ膜が成膜された基板は、その後の封着工程において200℃以上に加熱されるため、同様にゲッタ膜の吸着能力が低下する。従って、画像表示装置を構成する外囲器内の真空度やガス純度が短時間で悪化し、長期間に渡って高い表示性能を維持することが困難となる。
【0010】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、ゲッタ材のガス吸着能力低下を防止し、長期間に渡って高い表示性能を維持することのできる画像表示装置を製造可能な画像表示装置の製造方法および製造装置、並びに、この製造方法により形成された画像表示装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置の製造方法は、表示面が設けられた前面基板およびこの前面基板に対向配置された背面基板を有する外囲器を備えた画像表示装置の製造方法において、
上記表示面に重ねてゲッタ膜を形成するゲッタ工程と、上記背面基板および上記ゲッタ膜の形成された前面基板の周縁部を封着して外囲器を構成する封着工程とを備え、上記表示面の温度を200℃以下に調整した状態で上記ゲッタ工程を行ない、上記ゲッタ工程以降、上記表示面の温度を200℃以下に維持することを特徴としている。
【0012】
また、この発明の他の態様に係る画像表示装置の製造装置は、表示面が設けられた前面基板およびこの前面基板に対向配置された背面基板を有する外囲器を備えた画像表示装置の製造装置において、
上記表示面の温度を調整する温度調整機構を有し、上記表示面の温度を200℃以下に調整した状態で上記表示面に重ねてゲッタ膜を形成するゲッタ形成装置と、上記表示面の温度を200℃以下に維持した状態で、上記背面基板および上記ゲッタ膜の形成された前面基板の周縁部同士を封着する封着装置とを備えことを特徴としている。
【0013】
上記のように構成された製造方法および製造装置によれば、ゲッタ形成から封着に至るまで、ゲッタ形成領域としての前面基板の表示面を200℃以下に保つことで、ゲッタ材のガス吸着能力劣化を防止することができる。これにより、外囲器内を高い真空度に維持し、長期間に渡って高い表示性能を維持可能なFEDを得ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながら、この発明の実施の形態に係る画像表示装置の製造方法について詳細に説明する。
始めに、本製造方法により製造される画像表示装置として、表面伝導型の電子放出素子を備えたFEDを例にとって説明する。
【0015】
図1および図2に示すように、このFEDは、絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は1〜2mmの隙間を置いて対向配置されている。そして、前面基板11および背面基板12は、矩形枠状の側壁13を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された扁平な矩形状の真空外囲器10を構成している。
【0016】
真空外囲器10の内部には、前面基板11および背面基板12に加わる大気圧荷重を支えるため、複数のスペーサ14が設けられている。スペーサ14としては、板状あるいは柱状のスペーサ等を用いることができる。
【0017】
前面基板11の内面上には、画像表示面として、赤、緑、青の蛍光体層16とマトリクス状の遮光層17とを有した蛍光体スクリーン15が形成されている。これらの蛍光体層16はストライプ状あるいはドット状に形成してもよい。この蛍光体スクリーン15上には、アルミニウム膜等からなるメタルバック20が形成され、更に、メタルバックに重ねてゲッタ膜22が形成されている。
【0018】
背面基板12の内面上には、蛍光体スクリーン15の蛍光体層16を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板12の内面には、電子放出素子18に電位を供給する多数本の配線21がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器10の外部に引出されている。
【0019】
このようなFEDでは、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン15およびメタルバック20にアノード電圧を印加し、電子放出素子18から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーンへ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン15の蛍光体層16が励起されて発光し、カラー画像を表示する。
【0020】
次に、上記のように構成されたFEDの製造方法について説明する。
【0021】
まず、図3に示すように、内面に蛍光体スクリーン15およびメタルバック20が形成された前面基板11、および電子放出素子18が設けられた背面基板12を用意する。また、予め、背面基板12上に側壁13および複数のスペーサ14を接合しておく。更に、例えば、側壁13の上面全周に沿って封着材を充填しておく。ここでは、封着材としてインジウムを使用した。これらの前面基板11および背面基板12、その他、真空外容器10を構成する上述の各構成部材をベーキングチャンバ30に投入する。なお、側壁13およびスペーサ14は、場合により、後の工程で接合しても良く、また、前面基板11に接合しても良い。
【0022】
ベーキングチャンバ30は、排気ポンプ31によって10−4Pa程度の真空度に維持されている。ベーキングチャンバ30の内部には、ホットプレート32a、32bを有した加熱機構32が設置されている。ベーキングチャンバ30内において、前面基板11および背面基板12はその内面同士が隙間置いて対向した状態で配置されている。また、ホットプレート32a、32bは、前面基板11および背面基板12の外面にそれぞれ対向した状態で配置されている。加熱機構32としては、他に、ランプ方式やシースヒータ方式、電子線照射(EB)加熱方式等の加熱機構を採用しても良い。
【0023】
続いて、ベーキングチャンバ30の真空雰囲気中で、ホットプレート32a、32bにより前面基板11、および背面基板12、その他、外囲器10の構成部材を加熱処理し、各構成部材からガスを放出させる(ベーキング工程)。ここでは、各構成部材を350℃まで30分かけて均一に加熱し、30分間保持した。ベーキング工程によって発生した放出ガスは、速やかに排気ポンプ31によって排気し、ベーキングチャンバ30を10−4Paの真空度を維持する。
【0024】
次に、ベーキングチャンバ30から前面基板11を取り出し、図4に示すように、真空状態を破ることなく、ゲッタチャンバ40に投入する。ゲッタチャンバ40は、排気ポンプ44によって10−5Pa程度の真空度に維持されている。ゲッタチャンバ40内には、温度調整機構として機能するパネルヒータ41、ゲッタ材42、およびゲッタ材を加熱する高周波コイル43が設置されている。 なお、ゲッタチャンバ40、温度調整機構、および加熱機構としての高周波コイル43はゲッタ形成装置を構成している。
【0025】
ゲッタチャンバ40内に投入された前面基板11は、その外面側がパネルヒータ41と対向し、かつ、メタルバック20がゲッタ材42と対向した状態に配置される。そして、パネルヒータ41により前面基板11を速やかに冷却し、メタルバック20および蛍光体スクリーン15からなる表示面の温度を200℃以下に調整する。本実施の形態では、前面基板11をゲッタチャンバ40に投入してから5分後にメタルバック20の表面温度を測定しところ、120℃まで低下していた。パネルヒータ41を使用しない場合の温度を測定したところ、メタルバック20の表面温度は250℃であった。
【0026】
次に、メタルバック20の表面温度を120℃程度に維持した状態で、高周波コイル43によりゲッタ材42を加熱、蒸発させ、メタルバック20上にゲッタ膜22を形成した。ゲッタ材42としてはバリウムゲッタを使用し、高周波コイル43で誘導加熱することにより、真空蒸着した。所定の膜厚まで成膜するためにかかる所用時間は1分以内であり、その間、メタルバック20の表面温度はほとんど変化しなかった。
【0027】
次に、ゲッタ膜22を形成した前面基板11を外気に晒すことなく、封着チャンバ50に搬入する。図5に示すように、封着チャンバ50内には、基板の周縁部を局所的に加熱するための局所加熱機構51、基板を加圧する封着機構52が設置されている。局所加熱機構51は、それ環状のヒータ51a、51bを有している。また、封着チャンバ50内は排気ポンプ54により10−5Pa台の高真空に保たれている。背面基板12、その他、真空外容器10を構成する上述の各部材は、所定の工程を経た後、外気に晒すことなく、封着チャンバ50に搬入する。封着チャンバ50、局所加熱機構51、封着機構52は封着装置を構成している。
【0028】
続いて、前面基板11と背面基板12を、それぞれの基板上に形成した蛍光体層16と電子放出素子18とが正しく対向するように位置調整する。これまでの間に基板温度は徐々に低下し、前面基板11上に形成したゲッタ膜22の温度は110℃であった。この状態で、ヒータ51a、51bにより背面基板12および前面基板11の周縁部のみを約180℃まで加熱し、封着材としてのインジウムを溶融させる。この際、ゲッタ膜22の温度をインジウムの溶融温度160℃以下に保持する。ここでは、ゲッタ膜22の温度が110℃に維持されていることを確認した後、封着機構52によって前面基板11を背面基板12に向かって加圧し、インジウムを介して前面基板周縁部と側壁13と接合した。
【0029】
その後、インジウムが固体化するまで冷却し、真空外囲器10を得る。このように、基板の封着部のみを局所的に加熱、冷却することで、従来とほぼ同様の所要時間で真空外囲器の封着作業を行うことができた。
【0030】
上述した製造工程において、ゲッタ膜形成時およびゲッタ膜形成以降の表示面の温度、つまり、メタルバックおよび蛍光体スクリーンの温度を、100℃、140℃、180℃、220℃にそれぞれ調整してFEDを製造した後、各FEDの表示性能評価を行った。その結果を図6に示す。図6では、表示性能保持率として、FEDの初期状態における表示画像の輝度を100%とし、使用時間の経過に伴う輝度の変化を示している。図6に示すように、表示面の温度を200℃以下に調整した状態でゲッタ工程および封着工程を行うことにより、長時間にわたって安定した表示性能を維持するFEDを得られる。また、上記複数のFEDにおけるゲッタ膜を破壊試験したところ、図7に示すように、表示面の温度を200℃以下に調整した状態でゲッタ工程および封着工程を行うことにより、吸着能力の高いゲッタ膜を得られることが確認された。
【0031】
上述した実施の形態では、ゲッタ材としてバリウムを用いたが、これに限らず、チタン等の他のゲッタ材を用いてもよい。図8および図9は、ゲッタ材としてチタンを用いた場合においるFEDの表示性能保持率およびゲッタ吸着能力をそれぞれ示している。この場合においてもゲッタ工程から封着工程の間、基板の表示面を200℃以下に調整することにより、高い表示性能を得ることができる。
【0032】
以上のことから、本実施の形態によれば、ゲッタ工程から封着工程に至る間、基板のゲッタ形成領域を常に200℃以下、好ましくは160℃以下に保つことで、ゲッタ材のガス吸着能力劣化を防止することができる。従って、電子放出素子の劣化を抑制し、長期間に渡って高い表示性能を維持可能なFEDを得ることができる。
【0033】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【0034】
例えば、各構成要素の寸法、材料等は、上述の実施の形態で示した数値、材料に限定されることなく、必要に応じて種々選択可能である。封着材料は、インジウムに限らず、その合金や、その他金属材料、フリットガラスなど選択可能である。その他、ゲッタ膜は、前面基板に限らず、真空外囲器内に位置した他の構成部材に蒸着してもよい。
【0035】
ベーキング工程は、各部材で個別に行っても良く、個別にベーキングチャンバを使用しても良い。その際、加熱温度も個別に設定しても良い。また、温度調整機構はゲッタチャンバに設置する以外に、ベーキングチャンバや、その間の搬送機構に設置しても良い。ベーキングチャンバ、ゲッタチャンバ、および封着チャンバを1台のチャンバに一体化することも可能である。この発明は、FEDに限らず、PDP等の他の画像表示装置の製造に適用してもよい。
【0036】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ゲッタ材のガス吸着能力劣化を防止し、長期間に渡って高い表示性能を維持する画像表示装置を製造可能な製造方法、製造装置、およびこの製造方法により製造された画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態に係る製造方法により製造される画像表示装置の一例であるFEDを示す斜視図。
【図2】図1の線A−Aに沿った上記FEDの断面図。
【図3】上記FEDの製造に用いるベーキング装置を示す断面図。
【図4】上記FEDの製造に用いるゲッタ形成装置を示す断面図
【図5】上記FEDの製造に用いる封着装置を示す断面図。
【図6】FEDの表示性能保持率を、低温でゲッタ形成した場合と高温で形成した場合とで比較して示す図。
【図7】FEDのゲッタ能力を、低温でゲッタ形成した場合と高温で形成した場合とで比較して示すグラフ。
【図8】ゲッタ材としてチタンを用いた場合におけるFEDの表示性能保持率を、低温でゲッタ形成した場合と高温で形成した場合とで比較して示す図。
【図9】ゲッタ材としてチタンを用いた場合におけるFEDのゲッタ吸着能力を、低温でゲッタ形成した場合と高温で形成した場合とで比較して示すグラフ。
【符号の説明】
10…真空外囲器、 11…前面基板、 12…背面基板、
13…側壁、 15…蛍光体スクリーン、 18…電子放出素子、
20…メタルバック20…ゲッタ膜、 30…ベーキングチャンバ、
31…排気ポンプ、 32…加熱機構、 40…ゲッタチャンバ、
41…温度調整機構、 42…ゲッタ材、 43…高周波コイル、
50…封着チャンバ、 51…封着機構、 52…局所加熱機構[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing an image display device, and more particularly to an image display device having a front substrate and a rear substrate that are arranged to face each other, and an image display device manufactured by the manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, various flat-panel image display devices have attracted attention as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter, referred to as CRTs). For example, a plasma display (PDP) using light emission of a phosphor due to a discharge phenomenon, and a field emission display (hereinafter, referred to as FED) mainly using electron emission by an electric field are known.
[0003]
These image display devices have, as a basic configuration, a front substrate and a rear substrate that are arranged to face each other at a predetermined interval, and these substrates constitute an envelope by joining peripheral portions of each other. In particular, the FED enables good image display by maintaining the space between the front substrate and the rear substrate, that is, the inside of the envelope at a high degree of vacuum. Also, in PDP, it is an important technique to keep the inert gas filling the inside of the envelope at high purity.
[0004]
In order to maintain a high vacuum inside the envelope for a long period of time, a getter material for adsorbing the released gas is provided in the envelope and plays an important role. Conventionally, after baking out the components of the envelope at a high temperature under a vacuum atmosphere (hereinafter, referred to as a baking step) and sufficiently degassing, a getter material is placed in a vacuum processing apparatus on the inner surface of a front substrate or a rear substrate, Alternatively, a method of manufacturing an image display device is performed in which vapor deposition is performed on another structure (hereinafter, referred to as a getter process), and both substrates are sealed in a vacuum to form an envelope (hereinafter, referred to as a sealing process). And a manufacturing apparatus have been proposed (for example, Patent Document 1).
[0005]
According to the above manufacturing method, the baking step is performed when the components of the envelope are heated to a temperature of at least 200 ° C., generally about 300 ° C. to 400 ° C., in order to obtain a sufficient degassing effect. There are many. After the baking process, both substrates and other components move to the getter process, and the getter film is formed while being kept at a high temperature. This is because the components need to be heated again in the next sealing step and the time required for cooling is shortened to increase the production efficiency, as described later.
[0006]
In the sealing step, the substrate is heated again to seal the peripheral portion. When general frit glass is used as the sealing material, the sealing portion is heated to a high temperature exceeding 350 ° C., which is the melting temperature of the frit glass. In such a sealing step, a method of heating the entire surface of the substrate substantially uniformly (hereinafter, uniform heating sealing) and a method of locally heating only the sealing portion (hereinafter, local heating method) have been proposed. . However, even in the case of the local heating method, it is technically difficult to keep the entire image display area of the substrate at a certain temperature or lower.
[0007]
[Patent Document 1]
JP 2001-229824 A
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the conventional manufacturing method, the getter step is located between the baking step and the sealing step that require heating at a high temperature, so that the substrate is kept at a high temperature. It has been implemented. However, when a getter is formed on a high-temperature member, the adsorption capability of the getter film is greatly impaired. In the case of barium, which is a general getter material, when a getter film is formed in a state where the substrate is heated to 200 ° C. or higher, the adsorption capacity is 1/5 of that when the film is formed at room temperature of 25 ° C. It falls to below.
[0009]
Further, even when the substrate is cooled once after the baking step and barium is formed at a temperature of 200 ° C. or less, the substrate on which the getter film is formed is heated to 200 ° C. or more in the subsequent sealing step. Similarly, the adsorption ability of the getter film is reduced. Therefore, the degree of vacuum and gas purity in the envelope constituting the image display device deteriorate in a short time, and it becomes difficult to maintain high display performance for a long period of time.
[0010]
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an image display device capable of preventing a decrease in gas adsorption capacity of a getter material and maintaining a high display performance for a long period of time. An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing an image display device, and an image display device formed by the manufacturing method.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a method for manufacturing an image display device according to an aspect of the present invention is directed to an image display device including an envelope having a front substrate provided with a display surface and a rear substrate disposed opposite to the front substrate. In a method for manufacturing an apparatus,
A getter step of forming a getter film overlying the display surface, and a sealing step of forming an envelope by sealing a peripheral portion of the back substrate and the front substrate on which the getter film is formed, The getter step is performed in a state where the temperature of the display surface is adjusted to 200 ° C. or lower, and the temperature of the display surface is maintained at 200 ° C. or lower after the getter step.
[0012]
According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing an image display device, comprising: a front substrate provided with a display surface; and an envelope having a back substrate disposed opposite to the front substrate. In the device,
A getter forming apparatus having a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the display surface, forming a getter film on the display surface in a state where the temperature of the display surface is adjusted to 200 ° C. or less, and a temperature of the display surface And a sealing device for sealing the peripheral portions of the rear substrate and the front substrate on which the getter film is formed, while maintaining the temperature at 200 ° C. or less.
[0013]
According to the manufacturing method and the manufacturing apparatus configured as described above, the gas adsorption capacity of the getter material is maintained by keeping the display surface of the front substrate as the getter formation region at 200 ° C. or less from the getter formation to the sealing. Deterioration can be prevented. As a result, it is possible to obtain an FED capable of maintaining a high degree of vacuum in the envelope and maintaining high display performance for a long period of time.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a method for manufacturing an image display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, as an image display device manufactured by the present manufacturing method, an FED provided with a surface conduction electron-emitting device will be described as an example.
[0015]
As shown in FIGS. 1 and 2, the FED includes a
[0016]
A plurality of
[0017]
On the inner surface of the
[0018]
On the inner surface of the
[0019]
In such an FED, when displaying an image, an anode voltage is applied to the
[0020]
Next, a method of manufacturing the FED configured as described above will be described.
[0021]
First, as shown in FIG. 3, a
[0022]
The
[0023]
Subsequently, the
[0024]
Next, the
[0025]
The
[0026]
Next, while the surface temperature of the metal back 20 was maintained at about 120 ° C., the getter material 42 was heated and evaporated by the high-
[0027]
Next, the
[0028]
Subsequently, the positions of the
[0029]
Thereafter, the indium is cooled until solidified, and the
[0030]
In the above-described manufacturing process, the temperature of the display surface during the formation of the getter film and after the formation of the getter film, that is, the temperatures of the metal back and the phosphor screen are adjusted to 100 ° C., 140 ° C., 180 ° C., and 220 ° C., respectively. Was manufactured, and the display performance of each FED was evaluated. FIG. 6 shows the result. FIG. 6 shows a change in the luminance with the lapse of the use time, assuming that the luminance of the display image in the initial state of the FED is 100% as the display performance retention rate. As shown in FIG. 6, by performing the gettering step and the sealing step in a state where the temperature of the display surface is adjusted to 200 ° C. or lower, it is possible to obtain an FED that maintains stable display performance for a long time. In addition, when the getter films of the plurality of FEDs were subjected to a destructive test, as shown in FIG. 7, the getter process and the sealing process were performed in a state where the temperature of the display surface was adjusted to 200 ° C. or less, so that the adsorption capability was high. It was confirmed that a getter film could be obtained.
[0031]
In the above-described embodiment, barium is used as the getter material. However, the present invention is not limited to this, and another getter material such as titanium may be used. FIG. 8 and FIG. 9 show the display performance retention and the getter adsorption capability of the FED when titanium is used as the getter material, respectively. In this case as well, high display performance can be obtained by adjusting the display surface of the substrate to 200 ° C. or less during the gettering step and the sealing step.
[0032]
As described above, according to the present embodiment, the getter material has a gas adsorption capacity of 200 ° C. or lower, preferably 160 ° C. or lower at all times from the getter process to the sealing process. Deterioration can be prevented. Therefore, it is possible to obtain an FED capable of suppressing deterioration of the electron-emitting device and maintaining high display performance for a long period of time.
[0033]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying constituent elements in an implementation stage without departing from the scope of the invention. Various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiments. Further, components of different embodiments may be appropriately combined.
[0034]
For example, the dimensions, materials, and the like of each component are not limited to the numerical values and materials shown in the above-described embodiment, but can be variously selected as needed. The sealing material is not limited to indium, and its alloy, other metal materials, frit glass and the like can be selected. In addition, the getter film may be deposited not only on the front substrate but also on other constituent members located in the vacuum envelope.
[0035]
The baking step may be performed individually for each member, or a baking chamber may be used individually. At that time, the heating temperature may be set individually. Further, the temperature adjusting mechanism may be installed in a baking chamber or a transfer mechanism between the baking chamber, instead of being installed in the getter chamber. It is also possible to integrate the baking chamber, getter chamber and sealing chamber into one chamber. The present invention is not limited to the FED, and may be applied to the manufacture of another image display device such as a PDP.
[0036]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the present invention, it is possible to prevent a deterioration in the gas adsorption ability of a getter material and to manufacture an image display device capable of maintaining high display performance for a long period of time, a manufacturing apparatus, and a manufacturing method. An image display device manufactured by the manufacturing method can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an FED as an example of an image display device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view of the FED taken along line AA in FIG. 1;
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a baking apparatus used for manufacturing the FED.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a getter forming apparatus used for manufacturing the FED. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a sealing apparatus used for manufacturing the FED.
FIG. 6 is a diagram showing the display performance retention of the FED in comparison between the case where the getter is formed at a low temperature and the case where the getter is formed at a high temperature.
FIG. 7 is a graph showing the getter ability of the FED in comparison between the case where the getter is formed at a low temperature and the case where the getter is formed at a high temperature.
FIG. 8 is a diagram showing the display performance retention of the FED when titanium is used as a getter material, when the getter is formed at a low temperature and when it is formed at a high temperature.
FIG. 9 is a graph showing the getter adsorption capacity of the FED when titanium is used as a getter material, when the getter is formed at a low temperature and when the getter is formed at a high temperature.
[Explanation of symbols]
10: vacuum envelope, 11: front substrate, 12: rear substrate,
13 ... side wall, 15 ... phosphor screen, 18 ... electron-emitting device,
20: metal back 20: getter film 30: baking chamber
31 ... exhaust pump, 32 ... heating mechanism, 40 ... getter chamber,
41: temperature adjustment mechanism, 42: getter material, 43: high-frequency coil,
50: sealing chamber 51: sealing mechanism 52: local heating mechanism
Claims (12)
上記表示面に重ねてゲッタ膜を形成するゲッタ工程と、上記背面基板および上記ゲッタ膜の形成された前面基板の周縁部を封着して外囲器を構成する封着工程とを備え、
上記表示面の温度を200℃以下に調整した状態で上記ゲッタ工程を行ない、上記ゲッタ工程以降、上記表示面の温度を200℃以下に維持することを特徴とする画像表示装置の製造方法。In a method for manufacturing an image display device including an envelope having a front substrate provided with a display surface and a rear substrate disposed opposite to the front substrate,
A getter step of forming a getter film on the display surface, and a sealing step of forming an envelope by sealing a peripheral portion of the back substrate and the front substrate on which the getter film is formed,
A method for manufacturing an image display device, comprising: performing the getter step in a state where the temperature of the display surface is adjusted to 200 ° C. or lower, and maintaining the temperature of the display surface at 200 ° C. or lower after the getter step.
上記表示面の温度を調整する温度調整機構を有し、上記表示面の温度を200℃以下に調整した状態で上記表示面に重ねてゲッタ膜を形成するゲッタ形成装置と、
上記表示面の温度を200℃以下に維持した状態で、上記背面基板および上記ゲッタ膜の形成された前面基板の周縁部同士を封着する封着装置とを備えことを特徴とする画像表示装置の製造装置。In an apparatus for manufacturing an image display device including an envelope having a front substrate provided with a display surface and a rear substrate disposed opposite to the front substrate,
A getter forming apparatus having a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the display surface, and forming a getter film on the display surface in a state where the temperature of the display surface is adjusted to 200 ° C. or less;
An image display device comprising: a sealing device for sealing peripheral portions of the back substrate and the front substrate on which the getter film is formed, while maintaining the temperature of the display surface at 200 ° C. or lower. Manufacturing equipment.
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- 2003-05-20 JP JP2003141993A patent/JP2004349009A/en active Pending
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