JP2008084778A - Image display device - Google Patents

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Yusuke Kasahara
佑介 笠原
Akiyoshi Yamada
晃義 山田
Takashi Enomoto
貴志 榎本
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Toshiba Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an image display device capable of maintaining high display performance for a long time and realizing reduction in the manufacturing cost. <P>SOLUTION: This method is for manufacturing an image display device that has housing 10 that has a front substrate 11, provided with a display screen and a rear substrate 12 that is arranged opposed to the front substrate and has electron sources installed, and a getter of non-evaporation type installed in the housing. The housing is heated to a temperature higher than that of activation temperature of the non-evaporation type getter, and the interior of the housing is degassed; while being degassed, the interior of the housing is evacuated; and after the degassing, the housing is maintained at a temperature lower than that of degassing time, and the non-evaporation type getter is activated. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、蛍光体スクリーンと電子源とを有し、内部にゲッタが設けられた画像表示装置に関する。   The present invention relates to an image display device having a phosphor screen and an electron source and provided with a getter inside.

近年、軽量・薄型の画像表示装置として、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ(以下、LCDと称する)、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ(以下、FEDと称する)、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導型電子放出素子ディスプレイ(以下、SEDと称する)などが開発されている。   In recent years, as a lightweight and thin image display device, a liquid crystal display (hereinafter referred to as LCD) that controls the intensity of light using the orientation of liquid crystal, a plasma display panel (hereinafter referred to as LCD) that emits phosphors by ultraviolet rays of plasma discharge. (Referred to as PDP), field emission display (hereinafter referred to as FED) that emits a phosphor with an electron beam of a field emission electron emitter, and surface conduction electron that emits a phosphor with an electron beam of a surface conduction electron emitter. Emission element displays (hereinafter referred to as SEDs) have been developed.

例えばFEDでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させるための電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。   For example, an FED generally has a front substrate and a rear substrate that are opposed to each other with a predetermined gap, and these substrates are surrounded by a vacuum by surrounding each other through a rectangular frame-shaped side wall. Make up the vessel. A phosphor screen is formed on the inner surface of the front substrate, and a large number of electron-emitting devices are provided on the inner surface of the rear substrate as electron emission sources for exciting the phosphor to emit light.

背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧として例えば10kVが印加される。蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。   In order to support an atmospheric pressure load applied to the back substrate and the front substrate, a plurality of support members are disposed between these substrates. The potential on the back substrate side is almost the ground potential, and 10 kV, for example, is applied as an anode voltage to the phosphor screen. An image is displayed by irradiating the phosphors of red, green, and blue constituting the phosphor screen with the electron beams emitted from the electron-emitting devices and causing the phosphors to emit light.

このようなFEDにおいては、外囲器内部を高い真空度に維持することが重要となる。真空度が低いと、安定した電子放出ができず、画像表示装置の寿命が低下する。また、PDPでは、外囲器の内部を満たした不活性ガスを高純度に保つことが重要な技術となっている。   In such an FED, it is important to maintain a high degree of vacuum inside the envelope. If the degree of vacuum is low, stable electron emission cannot be performed, and the life of the image display device is reduced. Further, in PDP, it is an important technique to keep the inert gas filling the inside of the envelope with high purity.

長期間に渡って外囲器内を高真空に維持するため、外囲器内には放出ガスを吸着するゲッタ材が設けられ重要な役割を果たしている。ゲッタ特性を良好な状態にするために真空処理装置内でゲッタ材を前面基板または背面基板の内面、あるいはその他の構造物に蒸着し、更に、両基板を真空中で封着して外囲器を形成する画像表示装置の製造方法および製造装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、例えば、PDPのパネル側辺に隣り合う領域に非蒸発型ゲッタ層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2001−229824号公報 特開平11−191378号公報
In order to maintain a high vacuum in the envelope for a long period of time, a getter material that adsorbs the released gas is provided in the envelope and plays an important role. In order to obtain good getter characteristics, getter material is deposited on the inner surface of the front substrate or the rear substrate or other structures in a vacuum processing apparatus, and both substrates are sealed in a vacuum. A manufacturing method and a manufacturing apparatus of an image display device that forms the image have been proposed (see, for example, Patent Document 1). For example, a method of forming a non-evaporable getter layer in a region adjacent to the panel side of the PDP has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
JP 2001-229824 A JP-A-11-191378

真空処理装置内でゲッタ膜の形成、および外囲器の封着を行う方法では、不所望なガス分子は効率的にゲッタ膜に吸着される。そのため、FEDの真空外囲器内部は長期間にわたって高い真空度に維持される。   In the method of forming a getter film and sealing an envelope in a vacuum processing apparatus, undesired gas molecules are efficiently adsorbed on the getter film. For this reason, the inside of the vacuum envelope of the FED is maintained at a high degree of vacuum over a long period of time.

しかしながら、この方法では大型の真空処理装置を使用するため、製造コストが高くなり、結果として画像表示装置のコストも高くなる。また、真空処理装置内にゲッタ蒸着のための駆動機構を設けなければならないため、装置の信頼性やメンテナンス性が悪くなる。蛍光体スクリーンの全面に亘って蒸発型のゲッタ膜を蒸着形成すると、輝度が低下するという性能上の問題も生じる。   However, since this method uses a large vacuum processing apparatus, the manufacturing cost increases, and as a result, the cost of the image display apparatus also increases. Further, since a drive mechanism for getter vapor deposition must be provided in the vacuum processing apparatus, the reliability and maintainability of the apparatus are deteriorated. When an evaporative getter film is deposited over the entire surface of the phosphor screen, there is a problem in performance that the luminance is lowered.

また、パネル側辺に隣り合う領域に非蒸発型のゲッタ膜を形成する方法では、ゲッタから離れた領域、すなわち蛍光体スクリーンの中央部に存在する不所望なガス分子を効率的にゲッタに吸着することができない。そのため、真空外囲器の中央部のガス圧が高くなり、表示装置中央部の電子源素子が劣化してしまい良好な特性を得られない。更に、大型のパネルをコンダクタンスの小さい排気管や排気孔から外囲器内を排気している状態で基板を加熱すると、放出ガスによって外囲器内の圧力が上昇し、十分なゲッタ特性を得られるまでゲッタを活性化することが困難となる。   In addition, in the method of forming a non-evaporable getter film in the area adjacent to the side of the panel, undesired gas molecules existing in the area away from the getter, that is, in the central part of the phosphor screen are efficiently adsorbed to the getter. Can not do it. For this reason, the gas pressure in the central portion of the vacuum envelope increases, and the electron source element in the central portion of the display device deteriorates, and good characteristics cannot be obtained. Furthermore, if the substrate is heated while a large panel is exhausted from an exhaust pipe or exhaust hole with a small conductance, the pressure inside the envelope is increased by the released gas, and sufficient getter characteristics are obtained. It becomes difficult to activate the getter until it is obtained.

この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、長期にわたって良好な表示性能を維持することができ、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an image display device that can maintain good display performance over a long period of time and can reduce manufacturing costs. It is in.

この発明の態様に係る画像表示装置の製造方法は、表示面が設けられた前面基板およびこの前面基板に対向配置されているとともに電子源が設けられた背面基板を有する外囲器と、前記外囲器内に設けられた非蒸発型のゲッタと、を備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記外囲器を前記非蒸発型のゲッタの活性化温度よりも高い温度で加熱して、前記外囲器内を脱ガスし、前記脱ガスしながら、前記外囲器内を真空排気し、前記脱ガス後、前記外囲器を前記脱ガス時の温度よりも低い温度に維持した状態で、前記非蒸発型のゲッタを活性化することを特徴としている。
An image display device manufacturing method according to an aspect of the present invention includes an envelope having a front substrate provided with a display surface, a rear substrate disposed opposite to the front substrate and provided with an electron source, and the outer A non-evaporable getter provided in an envelope, and a manufacturing method of an image display device comprising:
Heating the envelope at a temperature higher than the activation temperature of the non-evaporable getter, degassing the envelope, evacuating the envelope while degassing, After the degassing, the non-evaporable getter is activated in a state where the envelope is maintained at a temperature lower than the temperature at the time of degassing.

本発明の様態によれば、大型のパネルの有効面内に配置された非蒸発ゲッタを十分に活性化することができ、長期にわたって高い表示性能を維持することができ、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法を提供することができる。   According to the aspect of the present invention, the non-evaporable getter disposed in the effective surface of the large panel can be sufficiently activated, high display performance can be maintained for a long time, and the manufacturing cost can be reduced. It is possible to provide a method for manufacturing an image display device that can be used.

以下図面を参照しながら、この発明の画像表示装置をSEDに適用した実施形態について詳細に説明する。
図1および図2に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板11、および背面基板12を備え、これらの基板は所定の間隔で対向配置されている。背面基板12は、前面基板11よりも大きな寸法に形成されている。前面基板11および背面基板12は、矩形枠状の側壁13を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な外囲器10を構成している。接合部材として機能する側壁13は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材25により、前面基板11の周縁部および背面基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
Hereinafter, an embodiment in which an image display device of the present invention is applied to an SED will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 and 2, the SED includes a front substrate 11 and a rear substrate 12 each made of a rectangular glass plate, and these substrates are arranged to face each other at a predetermined interval. The back substrate 12 is formed with a size larger than that of the front substrate 11. The front substrate 11 and the back substrate 12 constitute a flat envelope 10 whose peripheral portions are joined to each other through a rectangular frame-shaped side wall 13 and whose inside is maintained in a vacuum state. The side wall 13 functioning as a bonding member is sealed to the peripheral edge of the front substrate 11 and the peripheral edge of the back substrate 12 by, for example, a sealing material 25 such as low melting glass or low melting metal, and bonds these substrates together. is doing.

外囲器10の内部には、前面基板11および背面基板12に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材14が設けられている。これらの支持部材14は、外囲器10の一辺と平行な方向にそれぞれ延在しているとともに、上記一辺と直交する方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。各支持部材14の長手方向両端部は、それぞれ側壁13と隙間を置いて対向している。   A plurality of plate-like support members 14 are provided inside the envelope 10 in order to support an atmospheric pressure load applied to the front substrate 11 and the rear substrate 12. These support members 14 extend in a direction parallel to one side of the envelope 10 and are arranged at a predetermined interval along a direction orthogonal to the one side. Both ends in the longitudinal direction of each support member 14 are opposed to the side wall 13 with a gap.

図2ないし図4に示すように、前面基板11の内面には、画像表示面として機能する蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、緑、青の蛍光体層R、G、B、およびこれらの蛍光体層間に位置した黒色の遮光層20を並べて構成されている。赤、緑、青の3色の蛍光体層R、G、Bは、第1方向に隙間を置いて交互に並んで形成され、同一色の蛍光体層が第1方向と直交する第2方向に隙間を置いて配列されている。蛍光体層R、G、Bはそれぞれ、赤、緑、青の単色でサブピクセルを構成し、3色のサブピクセルを合わせて一画素を構成している。   As shown in FIGS. 2 to 4, a phosphor screen 16 that functions as an image display surface is formed on the inner surface of the front substrate 11. The phosphor screen 16 is configured by arranging red, green, and blue phosphor layers R, G, and B, and a black light-shielding layer 20 positioned between the phosphor layers. The phosphor layers R, G, and B of three colors of red, green, and blue are formed alternately with a gap in the first direction, and the phosphor layers of the same color are in the second direction orthogonal to the first direction. Are arranged with a gap in between. Each of the phosphor layers R, G, and B constitutes a subpixel with single colors of red, green, and blue, and constitutes one pixel by combining the subpixels of three colors.

蛍光体スクリーン16の遮光層20に重ねてマトリクス状の分断層31が形成されている。蛍光体スクリーン16上には、アルミニウム膜等からなるメタルバック層17が形成されている。本実施形態によれば、メタルバック層17は、分断層31により縦方向および横方向に分断され、互いに電気的に分離した複数の分断領域を有している。分断層31により夫々が互いに電気的に分断したメタルバック層17は、蛍光体層R、G、Bに夫々重なって位置している。   A matrix-shaped dividing layer 31 is formed so as to overlap the light shielding layer 20 of the phosphor screen 16. A metal back layer 17 made of an aluminum film or the like is formed on the phosphor screen 16. According to this embodiment, the metal back layer 17 is divided in the vertical direction and the horizontal direction by the dividing layer 31 and has a plurality of divided regions that are electrically separated from each other. The metal back layers 17 that are electrically separated from each other by the dividing layer 31 are positioned so as to overlap the phosphor layers R, G, and B, respectively.

蛍光体スクリーン16の遮光層20に重ねて、ここでは、分断層31に重ねて、非蒸発型のゲッタ膜23が形成されている。ゲッタ膜23は、蛍光体スクリーン16上に所定の面積で配置されている。すなわち、ゲッタ膜23は、蛍光体層R、G、B上を避けるように分断層31上に重ねて形成され、互いに電気的に分断された複数の領域を有している。ゲッタ膜23は、遮光層20上に重なる領域にだけ設けても良いが、蛍光体層R、G、Bに重なる領域であっても、対応する電子放出素子18からの電子ビームが当たらない領域であれば重ねて設けても良い。   A non-evaporable getter film 23 is formed so as to overlap the light shielding layer 20 of the phosphor screen 16 and, here, to the dividing layer 31. The getter film 23 is disposed on the phosphor screen 16 with a predetermined area. That is, the getter film 23 is formed so as to overlap the dividing layer 31 so as to avoid the phosphor layers R, G, and B, and has a plurality of regions that are electrically separated from each other. The getter film 23 may be provided only in a region that overlaps the light shielding layer 20, but even in a region that overlaps the phosphor layers R, G, and B, a region that does not receive the electron beam from the corresponding electron-emitting device 18 If so, they may be stacked.

図3ないし図5に示すように、ゲッタ膜23は、非蒸発型ゲッタの粉末41、非蒸発型ゲッタの粉末同士および非蒸発型ゲッタの粉末と前面基板とを接着するための接着材粒子43を有している。非蒸発型ゲッタとしては、一般に使用されている様々なものを選択することが可能であるが、SEDに使用する場合には活性化温度が比較的低い種類のものが望ましい。   As shown in FIGS. 3 to 5, the getter film 23 includes non-evaporable getter powder 41, non-evaporable getter powders, and adhesive particles 43 for bonding the non-evaporable getter powder to the front substrate. have. As the non-evaporable getter, various types that are generally used can be selected. However, when used for an SED, a type having a relatively low activation temperature is desirable.

粉末41の粒径は使用デバイスの真空特性、例えば到達真空度や放出ガス量などにより定める。本実施形態では、50%径が1〜10μm、望ましくは1〜5μmとするのがよい。これ以上粒径が大きいと非蒸発型ゲッタ粉末の比表面積が小さくなる。そのため、ゲッタのガス吸着速度が小さくなり、SEDの外囲器10内部を高い真空度に維持することが困難になる。また、これ以上粒径が小さいと、ゲッタ粉末41が室温においても非常に活性な状態となり、取り扱いが難しくなる。   The particle size of the powder 41 is determined by the vacuum characteristics of the device used, such as the ultimate vacuum and the amount of gas released. In this embodiment, the 50% diameter is 1 to 10 μm, preferably 1 to 5 μm. If the particle size is larger than this, the specific surface area of the non-evaporable getter powder becomes small. Therefore, the gas adsorption speed of the getter is reduced, and it becomes difficult to maintain the inside of the SED envelope 10 at a high degree of vacuum. If the particle diameter is smaller than this, the getter powder 41 becomes very active even at room temperature, and handling becomes difficult.

接着材粒子43は、一般に使用されている様々なものを選択することが可能であるが、非蒸発型ゲッタの粉末41よりも小さな粒径を有する接着材粒子を用いる。接着材粒子43の粒径が非蒸発型ゲッタの粉末41の粒径と同等かそれよりも大きい場合、非蒸発型ゲッタの粉末表面の大部分が接着材粒子43の陰になってしまい、ガス分子がゲッタ粉末に吸着しにくくなる。そのためにゲッタの吸着速度が落ち、SEDの外囲器内部を高い真空度に維持することができなくなる。   Various kinds of adhesive particles 43 that are generally used can be selected, but adhesive particles having a particle diameter smaller than that of the non-evaporable getter powder 41 are used. When the particle size of the adhesive particles 43 is equal to or larger than the particle size of the non-evaporable getter powder 41, most of the powder surface of the non-evaporable getter is shaded by the adhesive particles 43, and the gas Molecules are less likely to be adsorbed on the getter powder. As a result, the adsorption speed of the getter decreases, and the inside of the SED envelope cannot be maintained at a high degree of vacuum.

望ましい接着材粒子43としては、50%径が0.1〜1μmの銀パウダーを挙げることができる。この銀パウダーによって非蒸発型ゲッタの粉末41同士を接着し、同時に、非蒸発型ゲッタの粉末と前面基板と互いに接着することにより、蛍光体スクリーン16上にゲッタ膜23が形成される。ゲッタ膜23は、例えば、スクリーン印刷法、ディスペンス法、スプレー塗布法、蒸着等によって形成することができる。   Desirable adhesive particles 43 include silver powder having a 50% diameter of 0.1 to 1 μm. The silver powder 41 adheres the non-evaporable getter powder 41 to each other, and simultaneously bonds the non-evaporable getter powder and the front substrate to each other, thereby forming the getter film 23 on the phosphor screen 16. The getter film 23 can be formed by, for example, a screen printing method, a dispensing method, a spray coating method, vapor deposition, or the like.

図2に示すように、背面基板12の内面上には、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bを励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。背面基板12の内面には、電子放出素子18に電位を供給する多数本の配線21がマトリック状に設けられ、その端部は外囲器10の外部に引出されている。   As shown in FIG. 2, on the inner surface of the back substrate 12, a number of surface conduction type electron emitters each emitting an electron beam as an electron source for exciting the phosphor layers R, G, B of the phosphor screen 16 are provided. An element 18 is provided. These electron-emitting devices 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. Each electron-emitting device 18 includes an electron emitting portion (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron emitting portion. A large number of wirings 21 for supplying a potential to the electron-emitting devices 18 are provided in a matrix on the inner surface of the rear substrate 12, and end portions thereof are drawn out of the envelope 10.

背面基板12の周縁部、例えば、コーナー部には排気工程において外囲器10内部を排気するための排気孔29が貫通形成されている。排気孔29は、蛍光体スクリーン16から外れた位置、つまり、有効表示領域から外れた位置に設けられている。排気孔29は蓋部材30によって気密に封止されている。排気孔29は、1つに限らず、必要に応じて増加可能である。   Exhaust holes 29 for exhausting the inside of the envelope 10 in the exhaust process are formed through the periphery of the back substrate 12, for example, corners. The exhaust hole 29 is provided at a position away from the phosphor screen 16, that is, at a position away from the effective display area. The exhaust hole 29 is hermetically sealed by the lid member 30. The number of exhaust holes 29 is not limited to one, and can be increased as necessary.

このようなSEDでは、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン16およびメタルバック層17にアノード電圧を印加して、電子放出素子18から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーンへ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bが励起されて発光し、カラー画像を表示する。   In such an SED, when displaying an image, an anode voltage is applied to the phosphor screen 16 and the metal back layer 17, and the electron beam emitted from the electron-emitting device 18 is accelerated by the anode voltage to the phosphor screen. Collide. Thereby, the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16 are excited to emit light, and a color image is displayed.

次に、以上のように構成されたSEDの製造方法について説明する。
まず、前面基板11となる板ガラスに蛍光体スクリーン16を形成する。続いて、蛍光体スクリーン16の遮光層20に重ねてマトリクス状の分断層31を形成した後、蛍光体スクリーン16に重ねてアルミニウム膜等からなるメタルバック層17を蒸着形成する。メタルバック層17は、分断層により縦方向および横方向に分断され、互いに電気的に分離した複数の分断領域を形成する。
Next, the manufacturing method of SED comprised as mentioned above is demonstrated.
First, the phosphor screen 16 is formed on the plate glass to be the front substrate 11. Subsequently, a matrix-shaped dividing layer 31 is formed on the light shielding layer 20 of the phosphor screen 16, and then a metal back layer 17 made of an aluminum film or the like is deposited on the phosphor screen 16 by vapor deposition. The metal back layer 17 is divided in the vertical direction and the horizontal direction by the dividing line, and forms a plurality of divided regions that are electrically separated from each other.

前面基板11の内面外周部に沿って低融点ガラス25を矩形枠状に塗布して封着層を形成する。続いて、大気中で低融点ガラス25を仮焼成して有機溶剤と樹脂を除去しておく。   A low-melting glass 25 is applied in a rectangular frame shape along the outer periphery of the inner surface of the front substrate 11 to form a sealing layer. Subsequently, the low-melting glass 25 is temporarily fired in the atmosphere to remove the organic solvent and the resin.

続いて、背面基板12用の板ガラスに電子放出素子18および配線21を形成する。次に、背面基板12の内面外周部に沿って低融点ガラス25を矩形枠状に塗布し封着層を形成する。この背面基板12を大気中で仮焼成する。その後、低融点ガラス25からなる封着層上に側壁13を位置合わせした後、大気中で低融点ガラス25の結晶析出温度まで昇温しその温度を保持することにより側壁13を背面基板12に封着する。この後、電子放出素子18の活性化を行う。次いで、複数の支持部材14を背面基板12に対して位置合わせし、その端部を背面基板に固着する。   Subsequently, the electron-emitting device 18 and the wiring 21 are formed on the plate glass for the back substrate 12. Next, the low-melting glass 25 is applied in a rectangular frame shape along the inner periphery of the back substrate 12 to form a sealing layer. The back substrate 12 is temporarily fired in the atmosphere. Then, after aligning the side wall 13 on the sealing layer made of the low-melting glass 25, the temperature is raised to the crystal precipitation temperature of the low-melting glass 25 in the atmosphere and the temperature is maintained, whereby the side wall 13 is attached to the back substrate 12. Seal. Thereafter, the electron-emitting device 18 is activated. Next, the plurality of support members 14 are aligned with respect to the back substrate 12, and the end portions thereof are fixed to the back substrate.

上記のように形成された前面基板11と背面基板12とを互いに位置合わせし、対向配置するとともに、背面基板12の排気孔29に排気ラインを接続する。この状態で、前面基板11および背面基板12を加熱炉内に投入し、450℃程度まで加熱する。加熱により、低融点ガラス25の溶融が始まる。図6に示すように、例えば、30分かけてアルゴン雰囲気にて約450℃に温度が保持され、低融点ガラス25が溶融するとともに結晶析出が始まる。その後、低融点ガラス25の結晶析出がほぼ完了し、背面基板12、前面基板11が低融点ガラスにより側壁13を介して互いに封着される。   The front substrate 11 and the rear substrate 12 formed as described above are aligned with each other and arranged to face each other, and an exhaust line is connected to the exhaust hole 29 of the rear substrate 12. In this state, the front substrate 11 and the back substrate 12 are put into a heating furnace and heated to about 450 ° C. By the heating, melting of the low melting point glass 25 starts. As shown in FIG. 6, for example, the temperature is maintained at about 450 ° C. in an argon atmosphere over 30 minutes, and the low melting point glass 25 is melted and crystal precipitation starts. Thereafter, crystal precipitation of the low melting point glass 25 is almost completed, and the back substrate 12 and the front substrate 11 are sealed to each other through the side wall 13 by the low melting point glass.

続いて、加熱炉内の温度をゲッタ膜の活性化温度よりも高い高温、例えば、400〜450℃に維持し、前面基板11および背面基板12を1時間程度ベーキングする。前面基板、背面基板、蛍光体スクリーン、電子放出素子に吸着していた不所望なガス成分を放出させ脱ガスを行う。電子放出素子の酸化を防ぐため、加熱炉内を非酸化性雰囲気とすることが望ましい。   Subsequently, the temperature in the heating furnace is maintained at a high temperature higher than the activation temperature of the getter film, for example, 400 to 450 ° C., and the front substrate 11 and the back substrate 12 are baked for about 1 hour. Degassing is performed by releasing undesired gas components adsorbed on the front substrate, rear substrate, phosphor screen, and electron-emitting device. In order to prevent oxidation of the electron-emitting device, it is desirable to make the inside of the heating furnace a non-oxidizing atmosphere.

ベーキングによる脱ガスの間、排気ポンプを作動させ、排気孔29から外囲器10内部を排気する。これにより、基板、蛍光体スクリーン等から脱離したガス成分が外囲器10から外部へ排出され、外囲器10内部は清浄な真空状態となる。この状態では、外囲器10内の圧力が高くなり非蒸発のゲッタ膜23を十分に活性化させるには不十分である。400〜450℃で基板等の脱ガスを十分に行うと、昇温直後に比べ1桁ほど外囲器内の圧力が低下する。   During degassing by baking, the exhaust pump is operated to exhaust the inside of the envelope 10 from the exhaust hole 29. As a result, gas components desorbed from the substrate, the phosphor screen, and the like are discharged from the envelope 10 to the outside, and the inside of the envelope 10 is in a clean vacuum state. In this state, the pressure in the envelope 10 is increased, and this is insufficient to sufficiently activate the non-evaporable getter film 23. If the substrate and the like are sufficiently degassed at 400 to 450 ° C., the pressure in the envelope is reduced by an order of magnitude compared to immediately after the temperature rise.

続いて、加熱炉の温度を、ゲッタ膜23を活性化する250℃以上の温度、例えば、350℃まで下げる。これにより、外囲器10内の圧力を1桁ほど低くすることがきる。そして、350℃に維持した状態で所定時間、例えば、2時間、外囲器10を加熱し、非蒸発のゲッタ膜23を活性化させる。これにより、活性化されたゲッタ膜23は、パネル内の不所望なガスを十分に吸着し続けることができる吸着能力を得られる。   Subsequently, the temperature of the heating furnace is lowered to a temperature of 250 ° C. or higher for activating the getter film 23, for example, 350 ° C. Thereby, the pressure in the envelope 10 can be lowered by one digit. Then, the envelope 10 is heated for a predetermined time, for example, 2 hours while being maintained at 350 ° C., and the non-evaporable getter film 23 is activated. As a result, the activated getter film 23 can obtain an adsorption capability capable of sufficiently adsorbing an undesirable gas in the panel.

非蒸発型のゲッタ膜23の活性化が終了した後、外囲器10を所望の温度まで降温し、蓋部材30により外囲器10の排気孔29を気密に封止する。蓋部材30の封止は、インジウム等の低融点金属による封着、局所加熱による溶着など公知の技術を用いて行うことができる。次いで、外囲器10は、加熱炉から取り出される。以上の工程によりSEDの外囲器10が完成する。   After the activation of the non-evaporable getter film 23 is completed, the envelope 10 is cooled to a desired temperature, and the exhaust hole 29 of the envelope 10 is hermetically sealed by the lid member 30. The lid member 30 can be sealed using a known technique such as sealing with a low melting point metal such as indium or welding by local heating. Next, the envelope 10 is removed from the heating furnace. The SED envelope 10 is completed through the above steps.

上記のように構成されたSEDによれば、非蒸発型ゲッタで形成されたゲッタ膜23は、蛍光体スクリーン16の全面にわたって形成されているとともに、蛍光体層R、G、B上を避けるよう遮光層20上に形成されている。そのため、ゲッタ膜23により輝度を低下させずに外囲器10内部全体を高い真空度に維持することが可能となる。   According to the SED configured as described above, the getter film 23 formed of a non-evaporable getter is formed over the entire surface of the phosphor screen 16 and avoids over the phosphor layers R, G, and B. It is formed on the light shielding layer 20. For this reason, the entire interior of the envelope 10 can be maintained at a high degree of vacuum without lowering the luminance by the getter film 23.

上述したSEDの製造方法によれば、活性化中の真空度を向上させることができ、大型の表示装置を排気管または排気孔から真空排気しても、非蒸発型ゲッタを効率良く活性化することができる。また、ゲッタ膜の形成に際して高価な真空処理装置を用いる必要が無く、製造コストの増加を抑えることができ、装置の信頼性やメンテナンス性も良好になる。以上により、長期にわたって良好な表示性能を維持することができ、製造コストの低減を図ることが可能な画像表示装置の製造方法が得られる。   According to the SED manufacturing method described above, the degree of vacuum during activation can be improved, and the non-evaporable getter is efficiently activated even when a large display device is evacuated from the exhaust pipe or the exhaust hole. be able to. In addition, it is not necessary to use an expensive vacuum processing apparatus when forming the getter film, an increase in manufacturing cost can be suppressed, and the reliability and maintainability of the apparatus are also improved. As described above, it is possible to obtain an image display device manufacturing method capable of maintaining good display performance over a long period of time and reducing the manufacturing cost.

この発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. Some constituent elements may be deleted from all the constituent elements shown in the embodiments, or constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

上述した実施形態では、ゲッタ膜の形成対象となる部材として、内面に蛍光体スクリーンを有する前面基板を備えたSEDを例にとって説明したが、この発明はこれに限定されること無く、FED、PDP、その他の真空装置、蛍光表示管、半導体センサーなど他のデバイスに対しても適用することができる。非蒸発型ゲッタ粉末、接着材粒子の材料も上記実施形態に限定されること無く、使用するデバイスの真空特性や放出ガス特性、耐熱性などに合わせ、種々使用することができる。   In the above-described embodiment, the SED provided with the front substrate having the phosphor screen on the inner surface has been described as an example of the member to be the getter film. However, the present invention is not limited to this, and the FED and PDP are not limited thereto. The present invention can also be applied to other devices such as other vacuum apparatuses, fluorescent display tubes, and semiconductor sensors. The material of the non-evaporable getter powder and the adhesive particles is not limited to the above embodiment, and various materials can be used in accordance with the vacuum characteristics, emission gas characteristics, heat resistance, etc. of the device used.

ゲッタは、金属材料、有機材料、無機材料などが選択可能である。例えば、非蒸発型ゲッタとして、Ti,Zr,V,Fe,Al,Cr,Nb,Ta,W,Mo,Ni,Mn,Yなどの金属、あるいはこれらの合金を用いても良い。ゲッタは、前面基板に限らず、外囲器内に位置した他の構成部材に形成してもよい。   As the getter, a metal material, an organic material, an inorganic material, or the like can be selected. For example, a metal such as Ti, Zr, V, Fe, Al, Cr, Nb, Ta, W, Mo, Ni, Mn, Y, or an alloy thereof may be used as the non-evaporable getter. The getter is not limited to the front substrate, and may be formed on another constituent member located in the envelope.

接着材粒子の材料として、リン酸系フリットガラスを用いても良い。非蒸発型ゲッタの粉末をペースト化するときの有機材料についても、酢酸エチル、酢酸ブチル、ニトロセルロース、エルバサイト、ポリエチレンカーボネートなど、使用するデバイスの特性や非蒸発型ゲッタ材などに合わせ、様々な種類のものを適宜選択して使用してよい。その他ペースト化の混合比、ペーストの形成方法、ゲッタ膜形成のための焼成条件などについても、種々変更可能であり、活性化された非蒸発型ゲッタが十分なガス吸着性能を発揮できれば良い。   As the material for the adhesive particles, phosphoric acid-based frit glass may be used. Various organic materials can be used for pasting non-evaporable getter powders, such as ethyl acetate, butyl acetate, nitrocellulose, elbasite, and polyethylene carbonate, according to the characteristics of the device used and non-evaporable getter materials. Various types may be selected and used as appropriate. In addition, the mixing ratio of pasting, the forming method of the paste, the firing conditions for forming the getter film, and the like can be variously changed as long as the activated non-evaporable getter can exhibit sufficient gas adsorption performance.

SEDを構成する構造物の形状、寸法、配置、あるいは材料など、好適なものを選択することができることは言うまでもない。ゲッタ膜の形成寸法や形状、配置、膜厚についても、使用するデバイスの真空特性や放出ガス特性、耐熱性などに合わせ、種々使用することができる。   Needless to say, it is possible to select a suitable shape, size, arrangement, or material of the structure constituting the SED. Various formation dimensions, shapes, arrangements, and film thicknesses of the getter film can be used in accordance with the vacuum characteristics, emission gas characteristics, heat resistance, etc. of the device to be used.

前面基板と背面基板の封着についても、インライン型の連続炉、バッチ式の大気焼成炉を用いても良いし、真空中で封着を行っても良い。電子放出素子は、pn型の冷陰極素子あるいは電界放出型の電子放出素子等を用いてもよい。   Regarding the sealing of the front substrate and the rear substrate, an in-line continuous furnace or a batch-type atmospheric firing furnace may be used, or the sealing may be performed in a vacuum. As the electron-emitting device, a pn-type cold cathode device or a field-emission type electron-emitting device may be used.

図1は、この発明の実施形態に係るSEDを一部破断して示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing a partially broken SED according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1の線A−Aに沿ったSEDの断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the SED along line AA in FIG. 図3は、前記SEDの前面基板および蛍光体スクリーンの一部を拡大して示す平面図。FIG. 3 is an enlarged plan view showing a part of the front substrate and phosphor screen of the SED. 図4は、図3の線B−Bに沿った前面基板の断面図。4 is a cross-sectional view of the front substrate along the line BB in FIG. 3. 図5は、前記SEDの非蒸発型のゲッタ膜を示す断面図。FIG. 5 is a sectional view showing a non-evaporable getter film of the SED. 図6は、前記SEDの製造工程における加熱温度の変化を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a change in heating temperature in the manufacturing process of the SED.

符号の説明Explanation of symbols

10…外囲器、 11…前面基板、 12…背面基板、 13…側壁、
14…支持部材、 16…蛍光体スクリーン、 17…メタルバック層、
18…電子放出素子、 R、G、B…蛍光体層、 20…遮光層、
23…非蒸発型のゲッタ膜、 41…ゲッタの粉末、 43…接着剤粒子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Envelope, 11 ... Front substrate, 12 ... Back substrate, 13 ... Side wall,
14 ... support member, 16 ... phosphor screen, 17 ... metal back layer,
18 ... electron-emitting device, R, G, B ... phosphor layer, 20 ... light shielding layer,
23 ... Non-evaporable getter film, 41 ... Getter powder, 43 ... Adhesive particles

Claims (5)

表示面が設けられた前面基板およびこの前面基板に対向配置されているとともに電子源が設けられた背面基板を有する外囲器と、前記外囲器内に設けられた非蒸発型のゲッタと、を備えた画像表示装置の製造方法において、
前記外囲器を前記非蒸発型のゲッタの活性化温度よりも高い温度で加熱して、前記外囲器内を脱ガスし、
前記脱ガスしながら、前記外囲器内を真空排気し、
前記脱ガス後、前記外囲器を前記脱ガス時の温度よりも低い温度に維持した状態で、前記非蒸発型のゲッタを活性化する画像表示装置の製造方法。
An envelope having a front substrate provided with a display surface and a rear substrate disposed opposite to the front substrate and provided with an electron source; a non-evaporable getter provided in the envelope; In a method for manufacturing an image display device comprising:
Heating the envelope at a temperature higher than the activation temperature of the non-evaporable getter to degas the envelope;
While degassing, the inside of the envelope is evacuated,
After the degassing, an image display device manufacturing method for activating the non-evaporable getter in a state where the envelope is maintained at a temperature lower than the temperature at the time of degassing.
前記非蒸発型のゲッタの活性化を250℃以上で行う請求項1に記載の画像表示装置の製造方法。   The method for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the non-evaporable getter is activated at 250 ° C. or higher. 前記前面基板に、複数の蛍光体層と、蛍光体層間に位置した遮光層とを有する蛍光体スクリーンを形成し、前記遮光層に重ねて前記非蒸発型のゲッタを形成する請求項1に記載の画像表示装置の製造方法。   The phosphor screen having a plurality of phosphor layers and a light shielding layer positioned between the phosphor layers is formed on the front substrate, and the non-evaporable getter is formed on the light shielding layer. Manufacturing method of the image display apparatus. 前記非蒸発型のゲッタとしてTi,Zr,V,Fe,Al,Cr,Nb,Ta,W,Mo,Ni,Mn,Yの内の1種類以上の金属または合金を用いる請求項1に記載の画像表示装置の製造方法。   The one or more kinds of metals or alloys of Ti, Zr, V, Fe, Al, Cr, Nb, Ta, W, Mo, Ni, Mn, and Y are used as the non-evaporable getter. Manufacturing method of image display apparatus. 前記外囲器に形成された排気孔を通して、前記外囲器内を真空排気する請求項1に記載の画像表示装置の製造方法。   The method for manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the inside of the envelope is evacuated through an exhaust hole formed in the envelope.
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