JP2002056777A - Vacuum airtight processing method inside electronic component - Google Patents

Vacuum airtight processing method inside electronic component

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JP2002056777A
JP2002056777A JP2000244122A JP2000244122A JP2002056777A JP 2002056777 A JP2002056777 A JP 2002056777A JP 2000244122 A JP2000244122 A JP 2000244122A JP 2000244122 A JP2000244122 A JP 2000244122A JP 2002056777 A JP2002056777 A JP 2002056777A
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JP
Japan
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vacuum chamber
substrate
substrates
sealing
vacuum
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JP2000244122A
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Japanese (ja)
Inventor
Taizo Abe
泰三 阿部
Hideyuki Abe
英之 阿部
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Ayumi Industry Co Ltd
Ayumi Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Ayumi Industry Co Ltd
Ayumi Kogyo Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of performing a gas exhausting, a superposition, sealing, and the like within one vacuum chamber, without using a chip pipe, in formation of a discharging space inside an electronic component, such as a flat panel display. SOLUTION: A front substrate 12 with an electrode formed on the inside face, and a back substrate 14 with an electrode and a phosphor layer formed on the inside face, are attached to hot plates 2, 4 in each of which a heating wire is built in a vacuum chamber A. After evacuating air from inside of the vacuum chamber A, both the substrates 12, 14 are piled up and sealed with each other with a sealant currently formed in the circumference of both the substrates 12, 14 or one of the substrates, while heating the substrates 12, 14. Then, the sealant is cured by cooling.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイ(以下、これをPDPという)やフィールドエミ
ッションディスプレイ(電界放出形表示素子、以下、こ
れをFEDという)などの平面化、薄型化したフラット
パネルディスプレイや冷陰極素子を利用するセンサーな
どの電子部品内部の放電空間を形成するための真空気密
処理方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat and thin flat panel display such as a plasma display (hereinafter referred to as PDP) and a field emission display (field emission display element, hereinafter referred to as FED). The present invention relates to a vacuum hermetic treatment method for forming a discharge space inside an electronic component such as a sensor using a cold cathode device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ディスプレイとしては、CRT(カソー
ド・レイ・チューブ)が古くから広く使用されている。
このCRTはガラス製の真空管であり、電子源で発生し
た電子線を電界で走査し、蛍光板に照射することで蛍光
板を発光させて画像を映し出すものである。このCRT
は、輝度、色数、視野角などの面で非常にすぐれたディ
スプレイである。しかし、ガラス製の真空管であること
や、電子を走査する必要があるため、平面化、薄型化、
大型化が難しいという問題がある。
2. Description of the Related Art As a display, a cathode ray tube (CRT) has been widely used for a long time.
The CRT is a glass vacuum tube, which scans an electron beam generated by an electron source with an electric field and irradiates the phosphor plate with light so that the phosphor plate emits light to display an image. This CRT
Is a display with excellent brightness, number of colors, viewing angle, and the like. However, because it is a vacuum tube made of glass and it is necessary to scan electrons, flattening, thinning,
There is a problem that it is difficult to increase the size.

【0003】近年テレビの画面は平面化、薄型化、大型
化の傾向にあり、そのディスプレイを実現するために種
々の表示方式が検討されている。即ち、CRTに代わる
ディスプレイとして、放電ガスによって発光を行わせる
PDPや電界放出形陰極と蛍光体とを組み合わせたFE
Dの開発が進められている。
In recent years, television screens have tended to be flat, thin, and large, and various display methods have been studied to realize such displays. That is, as a display instead of a CRT, a PDP that emits light by a discharge gas or an FE combining a field emission cathode and a phosphor.
D is under development.

【0004】PDPは、電極、隔壁、発光体等を形成し
た2枚の基板をその周縁でシール材で封着し、両基板に
挟まれた放電空間に放電ガスを封入した構造である。
[0004] The PDP has a structure in which two substrates on which electrodes, partition walls, luminous bodies, etc. are formed are sealed with a sealing material at the periphery thereof, and discharge gas is sealed in a discharge space sandwiched between the two substrates.

【0005】例えば図2に示すように、少なくとも一方
に電極を形成した表面基板30と背面基板32とを大気
中で加熱下にその周縁部に施したシール材36を溶融し
て封着し、表面基板30と背面基板32の間にシール材
とリブ(図示せず)により放電空間34を形成し、背面
基板32に開けられている排気/ガス導入孔40の上に
設けたチップ管38を通して放電空間34を真空排気し
たのち、同チップ管から該空間34に放電ガスを導入
し、その後チップ管38を溶融封止することにより、放
電空間内に放電ガスを封入する方法で製造されている。
For example, as shown in FIG. 2, a front substrate 30 and a rear substrate 32 having electrodes formed on at least one of them are sealed by melting a sealing material 36 applied to the periphery thereof under heating in the air. A discharge space 34 is formed between the front substrate 30 and the rear substrate 32 by a sealing material and a rib (not shown), and is passed through a chip tube 38 provided on an exhaust / gas introduction hole 40 opened in the rear substrate 32. After evacuating the discharge space 34, a discharge gas is introduced into the space 34 from the tip tube, and then the tip tube 38 is melted and sealed, whereby the discharge gas is sealed in the discharge space. .

【0006】FEDは、図3にその構造の一実施態様を
示すように、陰極導体52、絶縁層54、エミッタ56
およびゲート電極58からなる電界放出形陰極を内面に
形成した表面基板50と、ITO膜などの陽極導体6
2、蛍光体層64等を内面に形成した背面基板60とか
ら構成され、両基板の周縁部に形成したシール材にスペ
ーサ材66を挟んで大気圧中で加熱封着して、両基板間
に放電空間68を形成し、次いで背面基板60に開けた
排気孔70の上に設けられているチップ管72を通して
放電空間68内の不純ガス成分を真空排気しながら両基
板を加熱し、冷却後チップ管38を溶融封止する方法で
製造されている。
The FED has a cathode conductor 52, an insulating layer 54, and an emitter 56 as shown in FIG.
And a surface substrate 50 having a field emission cathode formed of a gate electrode 58 on the inner surface thereof and an anode conductor 6 such as an ITO film.
2. A back substrate 60 having a phosphor layer 64 and the like formed on the inner surface thereof. The substrate is heated and sealed at atmospheric pressure with a spacer 66 sandwiched between sealing materials formed on the peripheral portions of the two substrates. A discharge space 68 is formed in the discharge space 68, and then the two substrates are heated while the impurity gas components in the discharge space 68 are evacuated through a chip tube 72 provided on an exhaust hole 70 opened in the rear substrate 60. It is manufactured by a method of melting and sealing the tip tube 38.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たPDPやFEDの製造方法では、封着した基板間の空
隙が狭小であることと、背面基板に設けられているチッ
プ管が2〜3mmφ×20mm程度のものであるため、
排気コンダクタンスが小さく、加熱工程での排気時間が
長くかかるという問題が指摘されている。
However, in the above-mentioned method of manufacturing a PDP or FED, the gap between the sealed substrates is small, and the chip tube provided on the rear substrate has a diameter of 2 to 3 mmφ × 20 mm. Of the degree
It has been pointed out that the exhaust conductance is small and the exhaust time in the heating step is long.

【0008】さらに、上記したPDP、FEDの製造に
おいて、何れも製造工程の最後にチップ管をガスバーナ
等で溶断し封止する工程が必要であり、この工程が手作
業で行われているため、全工程の自動化、省力化を妨げ
る大きな要因となっていて、その対策が急務とされてい
る。
Further, in the above-mentioned production of PDP and FED, a step of fusing and sealing the tip tube with a gas burner or the like at the end of the production process is necessary, and since this step is performed manually, It is a major factor that hinders automation and labor saving of all processes, and measures are urgently needed.

【0009】上記に鑑みて、この発明は、PDP、FE
Dなどのフラットパネルディスプレイ、あるいは冷陰極
素子を利用するセンサーなどの電子部品を得るに当たっ
て、チップ管を用いることなく、その内部の放電空間を
真空気密下で形成する方法を提供するものである。
In view of the above, the present invention relates to PDP, FE
An object of the present invention is to provide a method of forming an internal discharge space under vacuum airtight without using a chip tube in obtaining an electronic component such as a flat panel display such as D or a sensor using a cold cathode element.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、内面に電極を形成した表面基板と、内面に電極およ
び蛍光体層を形成した背面基板とを、真空室内に間隔を
有して設置されている上、下の加熱板に保持する工程、
上記真空室内を真空排気する工程、上記真空室内の上、
下の加熱板に保持した基板を加熱する工程、加熱下で上
記表面基板および/または背面基板に塗布されているシ
ール材にて 両基板を重ね合わせ・封着する工程、重ね
合わせ・封着後真空室内を冷却してシール材を硬化させ
たのち、真空室内を大気圧に戻す工程、とからなる電子
部品内部の真空気密処理方法を特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, a front substrate having electrodes formed on an inner surface thereof and a rear substrate having electrodes and phosphor layers formed on an inner surface thereof are provided with a gap in a vacuum chamber. A process of holding on the lower heating plate,
Evacuation of the vacuum chamber, above the vacuum chamber,
A step of heating the substrate held on the lower heating plate, a step of laminating and sealing both substrates with a sealing material applied to the front substrate and / or the rear substrate under heating, and after laminating and sealing A step of cooling the vacuum chamber to harden the sealing material and then returning the vacuum chamber to atmospheric pressure.

【0011】請求項2に記載の発明は、上記請求項1に
記載の発明において、上記加熱下の両基板の重ね合わせ
・封着工程を、上記表面基板および/または背面基板に
塗布されているシール材およびスペーサを介して行うこ
とを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the step of superposing and sealing the two substrates under heating is applied to the front substrate and / or the rear substrate. It is performed through a sealing material and a spacer.

【0012】請求項3に記載の発明は、上記請求項1ま
たは2に記載の発明において、電子部品が電界放出形デ
ィスプレイであることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the electronic component is a field emission display.

【0013】請求項4に記載の発明は、内面に電極を形
成した表面基板と、内面に電極および蛍光体層を形成し
た背面基板とを、真空室内に間隔を有して設置されてい
る上、下の加熱板に保持する工程、上記真空室内を真空
排気する工程、上記真空室内の上、下の加熱板に保持し
た基板を加熱する工程、真空室内に放電ガスを導入する
工程、放電ガス雰囲気中、加熱下で上記表面基板および
/または背面基板に塗布されているシール材にて両基板
を重ね合わせ・封着する工程、重ね合わせ・封着後真空
室内を冷却してシール材を硬化させたのち、真空室内を
大気圧に戻す工程、とからなる電子部品内部の真空気密
処理方法を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, a front substrate having an electrode formed on an inner surface thereof and a back substrate having an electrode and a phosphor layer formed on an inner surface thereof are provided at intervals in a vacuum chamber. Holding the substrate on the lower heating plate, evacuating the vacuum chamber, heating the substrate held on the lower and upper heating plates in the vacuum chamber, introducing a discharge gas into the vacuum chamber, discharging gas A step of laminating and sealing both substrates with a sealing material applied to the above-mentioned front substrate and / or rear substrate in an atmosphere and under heating. After the lamination and sealing, the vacuum chamber is cooled to cure the sealing material. And a step of returning the pressure in the vacuum chamber to the atmospheric pressure.

【0014】請求項5に記載の発明は、上記請求項4に
記載の発明において、上記放電ガス雰囲気中、加熱下の
両基板の重ね合わせ・封着工程を、上記表面基板および
/または背面基板に塗布されているシール材および一方
の基板に形成されているリブを介して行うことを特徴と
する。
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the step of superposing and sealing the two substrates under heating in the discharge gas atmosphere is performed by using the front substrate and / or the rear substrate. And a rib formed on one of the substrates.

【0015】請求項6に記載の発明は、上記請求項4ま
たは5に記載の発明において、電子部品がプラズマディ
スプレイであることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth or fifth aspect, the electronic component is a plasma display.

【0016】上記請求項1に記載の発明によれば、表面
基板と背面基板とを真空室内に間隔を有して設置されて
いる上、下の加熱板に取り付けて真空室内を排気したの
ち、表面基板と背面基板とを上、下の加熱板にてそれぞ
れ別個に所定の温度まで加熱を行い、その後両基板を荷
重をかけて重ね合わせ、封着を行うものであるから、加
熱前の真空排気の排気コンダクタンスを大きくとること
ができ、排気時間を大幅に短縮することができる。そし
て、短い排気時間内で、真空室や該室内の基板表面に付
着する不純ガスを完全に除去することができるのであ
る。
According to the first aspect of the present invention, the front substrate and the rear substrate are installed in the vacuum chamber at an interval, and attached to the lower heating plate to exhaust the vacuum chamber. The front substrate and the rear substrate are separately heated to a predetermined temperature by the upper and lower heating plates, respectively, and then both substrates are superimposed by applying a load, and sealing is performed. Exhaust conductance of exhaust can be increased, and exhaust time can be significantly reduced. Then, the impurity gas adhering to the vacuum chamber and the substrate surface in the chamber can be completely removed within a short evacuation time.

【0017】請求項2に記載の発明によれば、両基板の
重ね合わせ、封着をシール材およびスペーサを介して行
うので、上記した請求項1における効果に加えて放電空
間をより大きく形成することができる。
According to the second aspect of the present invention, since the two substrates are overlapped and sealed with each other via the sealing material and the spacer, the discharge space is made larger in addition to the effect of the first aspect. be able to.

【0018】請求項4の発明によれば、表面基板と背面
基板とを真空室内に間隔を有して設置されている上、下
の加熱板に取り付けて真空室内を排気したのち、表面基
板と背面基板とを上、下の加熱板にてそれぞれ別個に所
定の温度まで加熱を行ってから、排気真空室内に放電ガ
スを導入し、放電ガス雰囲気の中で加熱されている両基
板をシール材にて重ね合わせることで放電ガスを封入し
た放電空間を作ることができるのであり、両基板を重ね
合わせる僅かな時間で行うことができる。これにより、
真空排気の排気コンダクタンスを大きくとることができ
て排気時間を大幅に短縮できるとともに、放電ガスを封
入した放電空間を容易に設けることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the front substrate and the rear substrate are installed in the vacuum chamber at an interval, and attached to the lower heating plate to evacuate the vacuum chamber. The back substrate and the upper and lower heating plates are separately heated to a predetermined temperature, and then a discharge gas is introduced into an exhaust vacuum chamber, and both substrates heated in the discharge gas atmosphere are sealed with a sealing material. Thus, a discharge space in which a discharge gas is sealed can be created by superimposing, and it can be performed in a short time when both substrates are superimposed. This allows
The evacuation conductance of the evacuation can be increased, the evacuation time can be greatly reduced, and the discharge space in which the discharge gas is sealed can be easily provided.

【0019】請求項5の発明によれば、放電ガス雰囲気
の中で加熱されている両基板の重ね合わせ・封着をシー
ル材と一方の基板に形成されているリブを介して行うこ
とで上記請求項4の効果に加えて放電ガスを封入した放
電空間を大きく形成することができるのである。
According to the fifth aspect of the present invention, the superposition and sealing of the two substrates heated in the discharge gas atmosphere are performed via the sealing material and the rib formed on one of the substrates. In addition to the effect of the fourth aspect, the discharge space in which the discharge gas is sealed can be made large.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】次に、この発明の真空気密処理方
法の一実施態様をFED(電界放出形表示素子)につい
て図1を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a vacuum hermetic treatment method according to the present invention will be described for a field emission display (FED) with reference to FIG.

【0021】図1は、この発明の真空気密処理方法を工
程順に示す説明図であって、(a)は基板装着前の真空
室内、(b)は基板装着時、(c)は基板の重ね合わせ
・封着時を示している。図において、Aは重ね合わせ・
封着を行う真空室である。この真空室A内にはニクロム
線などの熱線6を内蔵した加熱板2、4が所要の間隔を
もって上下に配置されている。そして、上側の加熱板
(以下、これを上ヒーターという)2にはその上部に加
圧板8が係合されており、これら上ヒーター2、加圧板
8は真空室A外の昇降機10に接続していて一体に上下
動するようになっている。また、下側の加熱板(以下、
これを下ヒーターという)4には図示していないが、基
板重ね合わせの際に位置調整するための三次元微調整機
構が付設されている。なお、12は油回転ポンプ、14
はターボ分子ポンプ、16はN2 ガスやArガスなどの
不活性ガス、あるいはNe+He、Xe+Heなどの混
合ガスを放電ガスとして真空室A内へ導入するためのガ
ス導入管であり、何れも真空室に接続されている。
FIGS. 1A and 1B are explanatory views showing a vacuum hermetic treatment method of the present invention in the order of steps. FIG. 1A shows a vacuum chamber before mounting a substrate, FIG. It shows the time of alignment and sealing. In the figure, A is a superposition
This is a vacuum chamber for sealing. In the vacuum chamber A, heating plates 2 and 4 having a built-in heating wire 6 such as a nichrome wire are vertically arranged at a required interval. A pressing plate 8 is engaged with the upper heating plate (hereinafter, referred to as an upper heater) 2. The upper heating plate 2 and the pressing plate 8 are connected to an elevator 10 outside the vacuum chamber A. And move up and down together. In addition, the lower heating plate (hereinafter, referred to as
Although not shown, the lower heater 4 is provided with a three-dimensional fine adjustment mechanism for adjusting the position when the substrates are overlapped. In addition, 12 is an oil rotary pump, 14
Is a turbo molecular pump; 16 is a gas introduction pipe for introducing an inert gas such as N 2 gas or Ar gas or a mixed gas such as Ne + He or Xe + He into the vacuum chamber A as a discharge gas; It is connected to the.

【0022】上記した構成の真空室A内に、図1(b)
のように、まず陽極導体、蛍光体層等が形成されている
背面基板14を機械的または静電的チャック機構(図示
せず)により上ヒーター2の下面側に取付ける。下ヒー
ター4にはその上面に、陰極導体、ゲート電極、エミッ
タなどからなる電界放出形陰極が形成されている表面基
板12を載置する。なお、図示していないが、表面基板
12、背面基板14は何れも電極導体形成面の周縁には
シール材が塗布されており、背面基板14のシール材面
にはスペーサ材16が装着されている。このスペーサ材
は表面基板12のシール材面に装着してもよい。
In the vacuum chamber A having the above structure, FIG.
First, the rear substrate 14 on which the anode conductor, the phosphor layer and the like are formed is attached to the lower surface side of the upper heater 2 by a mechanical or electrostatic chuck mechanism (not shown). On the lower heater 4, a surface substrate 12 on which a field emission cathode including a cathode conductor, a gate electrode, an emitter and the like is formed is placed. Although not shown, both the front substrate 12 and the rear substrate 14 have a sealing material applied to the periphery of the electrode conductor forming surface, and a spacer material 16 is attached to the sealing material surface of the rear substrate 14. I have. This spacer material may be mounted on the sealing material surface of the front substrate 12.

【0023】上ヒーター2、下ヒーター4に上記のよう
にして基板12、14を配設したのち、真空室A内を油
回転ポンプ20、ターボ分子ポンプ22によって10-5
〜10-9Torr程度まで真空排気する。その後、上ヒ
ーター2、下ヒーター4により加熱して背面基板14、
表面基板12を約400℃まで10分で昇温させ、この
温度で約4時間保持する。これは、背面基板14に予め
組み込まれているゲッター材を活性化させるためであ
る。
After the substrates 12 and 14 are disposed on the upper heater 2 and the lower heater 4 as described above, the inside of the vacuum chamber A is controlled to 10 -5 by an oil rotary pump 20 and a turbo molecular pump 22.
Evacuate to about -10 -9 Torr. After that, heating is performed by the upper heater 2 and the lower heater 4, and the rear substrate 14,
The surface substrate 12 is heated to about 400 ° C. in 10 minutes, and kept at this temperature for about 4 hours. This is for activating the getter material previously incorporated in the back substrate 14.

【0024】上記で背面基板14中のゲッター材の活性
化を行ったのち、両基板12、14の温度を約435℃
まで10分で昇温させ、この温度で約10分間保持す
る。この間に昇降機10により背面基板14を下降させ
ていき、図示していないが、真空室Aの側壁に設けた窓
からカメラによって、表面基板12を載置している下ヒ
ーター4に付設されている微調整機構を作動させつつ、
背面基板14の周縁部のスペーサ材16を表面基板12
周縁部のシール材上に重ね合わせ、同時に背面基板12
をチャックしている上ヒーター2の上部に係合されてい
る加圧板8に約3kg/cm2 程度の荷重をかけ、背面
基板14と表面基板12を封着する。
After the activation of the getter material in the rear substrate 14 as described above, the temperature of both substrates 12 and 14 is set to about 435 ° C.
The temperature is raised in 10 minutes until this temperature is reached and maintained at this temperature for about 10 minutes. During this time, the back substrate 14 is lowered by the elevator 10 and is attached to the lower heater 4 on which the front substrate 12 is mounted by a camera through a window provided on the side wall of the vacuum chamber A (not shown). While operating the fine adjustment mechanism,
The spacer material 16 on the periphery of the rear substrate 14 is
It is superimposed on the peripheral sealing material, and
A load of about 3 kg / cm 2 is applied to the pressurizing plate 8 engaged with the upper heater 2 which is chucking the upper substrate 2 to seal the rear substrate 14 and the front substrate 12.

【0025】その後、封着された両基板14、12に荷
重をかけたまま、真空下で冷却し、昇降機10で背面基
板14から上ヒーター2および加圧板8を離隔したの
ち、真空室A内にガス導入管24から不活性ガスとして
Arガスを導入して基板温度を40分程で約100℃ま
で冷却する。そして、真空室Aが大気圧に戻ってから両
基板14、12を封着したパネルを真空室Aから取り出
した。これにより、スペーサ材16の厚みを放電空間1
8とするFEDが得られた。
Thereafter, the two substrates 14 and 12 sealed are cooled under vacuum while applying a load, and the upper heater 2 and the pressure plate 8 are separated from the rear substrate 14 by the elevator 10. Ar gas is introduced as an inert gas from the gas introduction pipe 24 to cool the substrate temperature to about 100 ° C. in about 40 minutes. Then, after the vacuum chamber A returned to the atmospheric pressure, the panel in which the substrates 14 and 12 were sealed was taken out of the vacuum chamber A. Thereby, the thickness of the spacer material 16 is reduced to the discharge space 1.
An FED of 8 was obtained.

【0026】この発明の真空気密処理方法によれば、フ
ラットパネルディスプレイとして、上記のFEDのほ
か、プラズマディスプレイ(PDP)をも簡単に得るこ
とができる。その方法について説明すると、図1(b)
のように表面基板12、背面基板14をそれぞれ下ヒー
ター4、上ヒーター2に取り付け、真空室A内を10-5
〜10-9Torr程度まで真空排気し、上ヒーター2、
下ヒーター4により加熱して背面基板14、表面基板1
2を約400℃まで10分で昇温させ、この温度で約4
時間保持して背面基板14のゲッター材を活性化させる
過程までは上記したFEDの場合と同様である。
According to the vacuum sealing method of the present invention, a plasma display (PDP) can be easily obtained as a flat panel display in addition to the above-mentioned FED. The method will be described with reference to FIG.
Surface substrate 12 as the back substrate 14, respectively under the heater 4, attached to the upper heater 2, a vacuum chamber A 10 -5
Evacuate to about -10 -9 Torr, top heater 2,
Heated by the lower heater 4, the back substrate 14, the front substrate 1
2 to about 400 ° C. in 10 minutes, and at this temperature
The steps up to the step of activating the getter material of the rear substrate 14 by holding the time are the same as those of the above-described FED.

【0027】上記で背面基板14中のゲッター材の活性
化を行ったのち、真空室A内にガス導入管24から放電
ガスとしてHe+Neの混合ガスを導入する。次いで、
この放電ガスの雰囲気中で、両基板12、14の温度を
約435℃まで10分で昇温させる。この温度で約10
分間保持し、この間に昇降機10により背面基板14を
下降させていき、表面基板12を載置している下ヒータ
ー4に付設されている微調整機構を作動させつつ、リブ
(図示せず)が形成されている背面基板14を周縁部に
シール材が塗布されている表面基板12上に重ね合わ
せ、同時に背面基板14をチャックしている上ヒーター
2の上部に係合されている加圧板8に約3kg/cm2
程度の荷重をかけ、背面基板14と表面基板12を封着
する。その後、放電ガスの導入を止めるとともに真空室
A内の過剰の放電ガスを真空排気したのち、封着された
両基板14、12に荷重をかけたまま、真空下で冷却
し、昇降機10で背面基板14から上ヒーター2および
加圧板8を離隔したのち、真空室A内にガス導入管24
から不活性ガスとしてArガスを導入して基板温度を4
0分程で約100℃まで冷却する。そして、真空室Aが
大気圧に戻ってから両基板14、12を封着したパネル
を真空室Aから取り出した。これにより、リブの厚みを
放電空間18とし、この放電空間に放電ガスが満たされ
ているPDPを容易に得ることができるのである。
After the activation of the getter material in the back substrate 14 as described above, a mixed gas of He + Ne is introduced into the vacuum chamber A from the gas introduction tube 24 as a discharge gas. Then
In the atmosphere of the discharge gas, the temperature of both substrates 12 and 14 is raised to about 435 ° C. in 10 minutes. At this temperature about 10
During this time, the back substrate 14 is lowered by the elevator 10, and while the fine adjustment mechanism attached to the lower heater 4 on which the front substrate 12 is placed is operated, the ribs (not shown) are The formed rear substrate 14 is superimposed on the front substrate 12 having a peripheral portion coated with a sealing material, and at the same time, the pressure plate 8 engaged with the upper portion of the upper heater 2 chucking the rear substrate 14. About 3kg / cm 2
The rear substrate 14 and the front substrate 12 are sealed by applying a load of a certain degree. After that, the introduction of the discharge gas is stopped and the excess discharge gas in the vacuum chamber A is evacuated to a vacuum. After separating the upper heater 2 and the pressure plate 8 from the substrate 14, the gas introduction pipe 24 is inserted into the vacuum chamber A.
Ar gas was introduced as an inert gas from
Cool to about 100 ° C in about 0 minutes. Then, after the vacuum chamber A returned to the atmospheric pressure, the panel in which the substrates 14 and 12 were sealed was taken out of the vacuum chamber A. This makes it possible to easily obtain a PDP in which the thickness of the rib is the discharge space 18 and the discharge space is filled with the discharge gas.

【0028】上記の実施態様においては、両基板を加熱
する加熱板としてニクロム線等の熱線を内蔵した加熱板
を用いたが、このほか、カーボン、ステンレスなどの導
電性材料の板状体を使用してもよい。また、上記実施態
様においては、背面基板14の加熱板2下面への保持
は、機械的または静電的チャック機構で行ているが、こ
のほか図4のように、背面基板14の下面周縁に先端を
接触させた昇降機26によって背面基板14を水平に押
し上げ、加熱板2との間に間隙を設けるように保持させ
てもよい。
In the above embodiment, a heating plate having a built-in heating wire such as a nichrome wire is used as a heating plate for heating both substrates. In addition, a plate-like body made of a conductive material such as carbon or stainless steel is used. May be. In the above embodiment, the rear substrate 14 is held on the lower surface of the heating plate 2 by a mechanical or electrostatic chuck mechanism. In addition, as shown in FIG. The rear substrate 14 may be pushed up horizontally by the elevator 26 having the tip contacted, and may be held so as to provide a gap between the rear substrate 14 and the heating plate 2.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、この発明の請求項
1に記載の真空気密処理方法によれば、表面基板と背面
基板とを真空室内に間隔を有して設置されている上、下
の加熱板に取り付けて真空室内を充分に排気したのち、
表面基板と背面基板とを上、下の加熱板にてそれぞれ別
個に所定の温度まで加熱を行い、その後両基板を重ね合
わせ、封着を行うものであるから、加熱前の真空排気の
排気コンダクタンスを大きくとることができ、排気時間
を大幅に短縮することができる。そして、短い排気時間
内で、真空室や該室内の基板表面に付着する不純ガスを
完全に除去することができる。
As described above, according to the vacuum airtight processing method according to the first aspect of the present invention, the front substrate and the rear substrate are installed at an interval in the vacuum chamber, and After evacuating the vacuum chamber by attaching it to the heating plate of
The front substrate and the rear substrate are separately heated to a predetermined temperature by the upper and lower heating plates, and then both substrates are overlapped and sealed, so that the exhaust conductance of the vacuum exhaust before heating is performed. And exhaust time can be greatly reduced. Then, the impurity gas adhering to the vacuum chamber and the surface of the substrate in the vacuum chamber can be completely removed within a short evacuation time.

【0030】請求項4の発明によれば、表面基板と背面
基板とを真空室内に間隔を有して設置されている上、下
の加熱板に取り付けて真空室内を排気したのち、上、下
の加熱板にてそれぞれ別個に所定の温度まで加熱を行っ
てから、排気真空室内に放電ガスを導入し、放電ガス雰
囲気の中で加熱されている両基板を重ね合わせことで放
電ガスを封入した放電空間を作ることができるのであ
り、両基板をシール材にて重ね合わせる僅かな時間でこ
の作業を行うことができる。これにより、真空排気の排
気コンダクタンスを大きくとることができて排気時間を
大幅に短縮できるとともに、放電ガスを封入した放電空
間を容易に設けることができるのである。
According to the fourth aspect of the present invention, the front substrate and the rear substrate are installed in the vacuum chamber with a space therebetween, and are attached to the lower heating plate to evacuate the vacuum chamber. After heating to a predetermined temperature separately with a heating plate, a discharge gas was introduced into an exhaust vacuum chamber, and the discharge gas was sealed by overlapping both substrates heated in a discharge gas atmosphere. Since a discharge space can be created, this operation can be performed in a short time in which both substrates are overlapped with the sealing material. As a result, the exhaust conductance of the vacuum exhaust can be increased, the exhaust time can be greatly reduced, and the discharge space filled with the discharge gas can be easily provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の真空気密処理方法を工程順に示す説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a vacuum hermetic treatment method of the present invention in the order of steps.

【図2】プラズマディスプレイ(PDP)の構成の一例
を示す概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a plasma display (PDP).

【図3】電界放出形ディスプレイ(FED)の構成の一
例を示す概略図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a configuration of a field emission display (FED).

【図4】この発明の真空気密処理方法における背面基板
保持の他の例を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing another example of holding the back substrate in the vacuum airtight processing method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 真空室 2 加熱板(上ヒーター) 4 加熱板(下ヒーター) 8 加圧板 12 表面基板 14 背面基板 16 スペーサ材 18 放電空間 A Vacuum chamber 2 Heating plate (upper heater) 4 Heating plate (lower heater) 8 Pressure plate 12 Front substrate 14 Back substrate 16 Spacer material 18 Discharge space

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5C012 AA05 AA09 BC03 PP03 PP08 5C040 HA06 JA21 LA16 MA26 5G435 AA17 BB06 EE09 KK02 KK05 KK10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5C012 AA05 AA09 BC03 PP03 PP08 5C040 HA06 JA21 LA16 MA26 5G435 AA17 BB06 EE09 KK02 KK05 KK10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内面に電極を形成した表面基板と、内面
に電極および蛍光体層を形成した背面基板とを、真空室
内に間隔を有して設置されている上、下の加熱板に保持
する工程、上記真空室内を真空排気する工程、上記真空
室内の上、下の加熱板に保持した基板を加熱する工程、
加熱下で上記表面基板および/または背面基板に塗布さ
れているシール材にて両基板を重ね合わせ・封着する工
程、重ね合わせ・封着後真空室内を冷却してシール材を
硬化させたのち、真空室内を大気圧に戻す工程、とから
なることを特徴とする電子部品内部の真空気密処理方
法。
1. A front substrate having an electrode formed on an inner surface thereof and a rear substrate having an electrode and a phosphor layer formed on an inner surface thereof are held in a vacuum chamber at an interval and held by a lower heating plate. Performing the step, evacuating the vacuum chamber, heating the substrate held on the upper and lower heating plates in the vacuum chamber,
A step of laminating and sealing the two substrates with a sealing material applied to the front substrate and / or the rear substrate under heating, and after the lamination and sealing, the vacuum chamber is cooled to cure the sealing material. And a step of returning the vacuum chamber to atmospheric pressure.
【請求項2】 上記加熱下の両基板の重ね合わせ・封着
工程を、上記表面基板および/または背面基板に塗布さ
れているシール材およびスペーサを介して行うことを特
徴とする請求項1に記載の電子部品内部の真空気密処理
方法。
2. The method according to claim 1, wherein the step of superposing and sealing the two substrates under heating is performed via a sealing material and a spacer applied to the front substrate and / or the rear substrate. A method for vacuum-tightening the inside of an electronic component as described above.
【請求項3】 電子部品が電界放出形ディスプレイであ
ることを特徴とする請求項1または2に記載の真空気密
処理方法。
3. The vacuum-tight processing method according to claim 1, wherein the electronic component is a field emission display.
【請求項4】 内面に電極を形成した表面基板と、内面
に電極および蛍光体層を形成した背面基板とを、真空室
内に間隔を有して設置されている上、下の加熱板に保持
する工程、上記真空室内を真空排気する工程、上記真空
室内の上、下の加熱板に保持した基板を加熱する工程、
真空室内に放電ガスを導入する工程、放電ガス雰囲気
中、加熱下で上記表面基板および/または背面基板に塗
布されているシール材にて両基板を重ね合わせ・封着す
る工程、重ね合わせ・封着後真空室内を冷却してシール
材を硬化させたのち、真空室内を大気圧に戻す工程、と
からなることを特徴とする電子部品内部の真空気密処理
方法。
4. A front substrate having electrodes formed on an inner surface thereof and a back substrate having electrodes and phosphor layers formed on the inner surfaces thereof are held in a vacuum chamber at intervals and held by a lower heating plate. Performing the step, evacuating the vacuum chamber, heating the substrate held on the upper and lower heating plates in the vacuum chamber,
A step of introducing a discharge gas into a vacuum chamber, a step of laminating and sealing both substrates with a sealing material applied to the front substrate and / or the rear substrate in a discharge gas atmosphere and under heating, and a lamination and sealing Cooling the vacuum chamber after the attachment to cure the sealing material, and then returning the vacuum chamber to atmospheric pressure.
【請求項5】 上記放電ガス雰囲気中、加熱下の両基板
の重ね合わせ・封着工程を、上記表面基板および/また
は背面基板に塗布されているシール材および一方の基板
に形成されているリブを介して行うことを特徴とする請
求項4に記載の電子部品内部の真空気密処理方法。
5. The method according to claim 5, wherein the step of laminating and sealing the two substrates under heating in the discharge gas atmosphere is performed by applying a sealing material applied to the front substrate and / or the rear substrate and a rib formed on one of the substrates. The method according to claim 4, wherein the process is performed via a vacuum.
【請求項6】 電子部品がプラズマディスプレイである
ことを特徴とする請求項4または5に記載の真空気密処
理方法。
6. The vacuum hermetic processing method according to claim 4, wherein the electronic component is a plasma display.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100796688B1 (en) * 2006-03-03 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 Plasma display panel and manufacturing method of the same
JP2008047508A (en) * 2006-08-10 2008-02-28 Lg Electronics Inc Plasma display device
JP2012104228A (en) * 2010-11-05 2012-05-31 Panasonic Corp Method for manufacturing image display device

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