DE4101521C2 - Verfahren zur Wellenlängenselektion bei Einfrequenz-Mikrokristall-Lasern - Google Patents
Verfahren zur Wellenlängenselektion bei Einfrequenz-Mikrokristall-LasernInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Wellenlängenselektion bei einem
auf mehreren Frequenzen jeweils auf einer Mode emittierenden
Mikrokristall-Festkörperlaser gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Solche Mikrokristall-Laser zählen in verschiedenen Ausführungsformen
bereits zum Stand der Technik, wie beispielsweise aus der Druckschrift
"Optic Letters", Vol. 14, No. 1, 1989 durch den Artikel von Zayhowski and
Mooradian oder aus der US-PS 4 578 793 von Kane u. a. bekanntgeworden
ist. Alle diese Ausführungsformen nach dem Stand der Technik sind dadurch
gekennzeichnet, daß ein aktives Medium wie z. B. Neodym : YAG, Nd : GGG
o.a. als Kristall sehr geringer Dicke - typischerweise < 1 mm - derart
bedampft sind, daß die beiden Kristallendflächen als Laserresonator-
Spiegel wirken. Aufgrund der ausgesprochen geringen Resonatorlänge ist
der Abstand für verschiedene axiale Moden soweit gespreizt, daß die
sogenannten höheren Moden nicht mehr innerhalb des
Laserverstärkungsprofils zur Laseremission beitragen können.
Ein solcher Laser arbeitet daher naturgemäß auf einer axialen Mode.
Allerdings hat es sich in der Praxis gezeigt, daß aufgrund der geringen
Resonatorverluste mehrere Laserübergänge des aktiven Mediums stattfinden
bzw. stattfinden können. Die Fig. 1a der Zeichnung veranschaulicht in einem
Diagramm ein typisches Beispiel eines Emissionsspektrums von einem
Nd : YAG-Kristall und die Fig. 1b ein solches von einem Nd : GGG-Kristall.
Da der Modenabstand für unterschiedliche axiale Moden aufgrund der
Resonatorlänge von < 1 mm etwa 0.4 nm beträgt, lassen sich die drei
unterschiedlichen Peaks als drei separate Laserübergänge identifizieren.
Aus "Optic Letters", Vol. 12, No. 12, Dez. 1987, Seiten 999-1001, ist eine
Lasereinrichtung bekannt, bei der zwar ein λ/2-Plättchen zur
Polarisationseinstellung des Pumplichtes verwendet wird, jedoch ist der
Einfluß auf mehrere Frequenzkomponenten verschiedener Laserübergänge
der Ausgangsstrahlung nicht erkannt worden.
Diese bekannten Mikrokristall-Laser arbeiten somit im Einmoden-, aber
Mehrfrequenzbetrieb. Bei interferometrischen Messungen ist jedoch
unbedingt erforderlich, daß der Laser nicht nur im Einmodenbetrieb sondern
auch im Eigenfrequenzbetrieb arbeitet. Dies erfordert die Ausfilterung der
unerwünschten Übergänge. Diese Ausfilterung zeigt sich jedoch als fast
nicht durchführbar, denn es ist sehr schwer, hocheffiziente Bandpaßfilter mit
einer Flankensteilheit zu erzeugen, welche nur einen dieser vorgenannten
Übergänge transmittieren läßt und die anderen ausfiltert. Ist es nach großer
Ausschußerzeugung gelungen so einen Filter zu erhalten, zeigt es sich, daß
die Laserleistung der ausgefilterten Übergänge fast völlig verlorengegangen
ist.
Aus der DE-Zeitschrift "Laser und Optoelektronik", 20 (3), 1988, Seiten
56-60 ist ein herkömmlicher diodengepumpter Laser bekannt, welcher im
transversalen Nullmode (TEM₀₀) bei üblicherweise longitudinalen Moden
arbeitet.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
aufzuzeigen, das es ermöglicht, in relativ einfacher Weise einen
Mikrokristall-Laser der eingangs genannten Art sowohl im Einmodenbetrieb
auf nur einem Laserübergang zu betreiben und eine statische und auch eine
dynamische Auswahl des Laserübergangs gewährleistet.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 aufgezeigten Maßnahmen
gelöst. In den Unteransprüchen sind Ausgestaltungen und Weiterbildungen
angegeben und in der nachfolgenden Beschreibung sind
Ausführungsbeispiele erläutert, wobei diese Erläuterungen durch die Figuren
der Zeichnung ergänzt werden. Es zeigen:
Fig. 1a ein Diagramm eines Emissionsspektrums von einem Nd : YAG-
Kristall-Laser nach dem Stand der Technik,
Fig. 1b ein Diagramm eines Emissionsspektrums von einem Nd : GGG-
Kristall-Laser nach dem Stand der Technik,
Fig. 2 eine Schemaskizze eines Ausführungsbeispiels eines
Mikrokristall-Laseraufbaus zur Durchführung des
vorgeschlagenen Verfahrens in schematischer Darstellung,
Fig. 3a ein Diagramm des Emissionsspektrums eines Nd : YAG-
Mikrokristall-Lasers, bei welchem nach dem vorgeschlagenen
Verfahren zwei Übergänge selektiert worden sind,
Fig. 3b ein Diagramm des Emissionsspektrums eine Nd : GGG-Mikrokristall-
Lasers, bei welchem nach dem vorgeschlagenen Verfahren zwei
Übergänge selektiert worden sind,
Fig. 4a ein Diagramm des Emissionsspektrums eines Nd : YAG-Mikrokristall
Lasers, bei welchem nach dem vorgeschlagenen Verfahren ein Übergang
selektiert wurde,
Fig. 4b ein Diagramm des Emissionsspektrums eines Nd : GGG-Mikrokristall-
Lasers, bei welchem nach dem vorgeschlagenen Verfahren ein Über
gang selektiert wurde.
Mikrokristall-Festkörperlaser stellen als komplementäres Element zu ei
nem intelligenten Sensor ein überaus wichtiges Bauteil für äußerst kom
pakte Regelsysteme dar, welche neben einem Sensorsystem auch über ein
intelligentes Sendesystem verfügen müssen. Bisher weitgehend unbekannt
sind die gerade für interferometrische Regelzwecke ungewollten Eigen
schaften solcher Mikrokristall-Laser, die darauf beruhen, daß solche
Festkörperlaser auf mehreren Laserübergängen simultan emittieren. Das
Auftreten mehrerer Laserlinien stört jedoch nahezu in allen Fällen der
kohärenten Meßtechnik, wie beispielsweise Heterodynmessungen, Interfero
metrie, Doppler-Verschiebungsmessungen usw. Eine Trennung dieser Laser
linien durch Absorptionsfilter ist - wie bereits ausgeführt - nahezu un
möglich und selbst dielektrische Filter sind mit derart hoher Flanken
steilheit nicht herzustellen.
Nun ist es der Anmelderin gelungen, ein Verfahren zu entwickeln, nach
welchem die Laseremissionslinien selektiert werden können, denn es hat
sich gezeigt, daß beim optischen Pumpen solcher Mikrokristall-Festkör
perlaser mit Halbleiter-Laserdioden die relative Orientierung der Pump
strahlungs-Polarisationseinrichtung zur Achse der inhomogenen räumlichen
Pumpstrahlung eine wesentliche Rolle spielt. Solche Halbleiter-Laserdio
den, wie sie in herkömmlicher Weise bei nahezu allen Mikrokristall-Fest
körperlaser Verwendung finden, emittieren in einem räumlich sehr inhomo
genen Abstrahlwinkel. Die Divergenz senkrecht zum p-n-Übergang des Halb
leiters beträgt typischerweise 30° bis 40°, senkrecht hierzu jedoch nur
typischerweise 10° bis 15°. Die Laserdioden-Ausgangsstrahlung solcher
Pumpdioden ist typischerweise in einem Verhältnis von 100 : 1 polari
siert.
Pumpt man nun einen solchen in Fig. 2 skizzierten Mikrokristall-Laser
mit einer solchen Laserdiode 10 über eine Pumpoptik 11, so verformt sich
der durch die Pumpstrahlung erhitzte Laserkristall 12 derart, daß eine
konvexe Wölbung des Mikrokristalls zur Formung eines stabilen Resonators
führt. Diese Verformung ist typischerweise inhomogen, da das Pumplicht
ebenfalls inhomogen ist und dementsprechend inhomogen auf den Mikrokri
stall 12 trifft. Ein solcher inhomogen gepumpter Mikrokristall emittiert
typischerweise auf mehreren Laserübergängen.
Insbesonders spielt hier die Orientierung der Pumplichtpolarisation re
lativ zur inhomogenen räumlichen Abstrahlung der Laserdiode eine ent
scheidende Rolle. Das hier vorgeschlagene Verfahren beruht nun darauf,
daß ein λ/2-Plättchen 13 zwischen Laserdiode 10 und dem Mikrokristall-
Laser 12 angeordnet wird, welches es ermöglicht, die Pumplicht-Polarisa
tionseinrichtung unabhängig vom Pumplichtstrahlungsprofil einzustellen.
Es ist somit ermöglicht worden, kristallfeld-aufgesplittete Stark-Ni
veaus gezielt zu selektieren. Dies führt zu einer ersten Selektion der
möglichen Laseremissions-Wellenlängen, eine letzte Selektion erfolgt
durch ein hinter dem Festkörperlaser befindlichen Polarisationsanalysa
tor 14. Durch geeignete Positionierung von Polarisation der Pumplicht
strahlung, also Drehung des λ/2-Plättchens 13, und des Polarisations
analysators 14 kann so eine Laserwellenlänge selektiert werden.
Die Fig. 3a und 3b zeigen - wie bereits ausgeführt - ein Emissionsspek
trum eines Nd : YAG bzw. Nd : GGG-Mikrokristall-Festkörperlasers, bei dem
das obere Laserniveau mit Hilfe eines zwischen Pumplichtdiode 10 und Mi
krokristall 12 eingebrachten λ/2-Plättchens 13 selektiert wird.
Die Fig. 4a und 4b zeigen ein Emissionsspektrum eines Nd : YAG- bzw.
Nd : GGG-Mikrokristall-Festkörperlasers unter zusätzlicher Einfügung eines
Polarisationsanalysators hinter dem Festkörperlaser.
Das vorstehend beschriebene Verfahren ermöglicht es also nicht nur auf
relativ einfache Weise einen oder mehrere Übergänge zu unterdrücken,
sondern führt zu dem aus der Laserphysik bekannten Phänomen, daß ein La
serübergang auf Kosten der anderen Laserübergänge mit höherer Intensität
emittiert. Somit wird ein Großteil der unterdrückten Emissionsintensität
in zusätzliche Intensität der gewünschten Ausgangslinie transformiert.
Weiterhin ermöglicht das vorbeschriebene Verfahren eine statische Aus
wahl des Laserübergangs, beispielsweise durch entsprechende Justage und
zum anderen ist auch eine dynamische Auswahl gegeben durch aktive Posi
tionierung des Auswahlelements.
In bestimmten Ausführungsformen des Verfahrens kann das aktive Laserma
terial aus einem Tm-, Ho- oder TM : Ho-dotiertem Festkörperkristall gebil
det werden oder auch aus ein Er-dotierter Kristall sein. Das aktive La
sermaterial läßt sich aber auch mit laseraktiven Ionen der chemischen
Gruppe der seltenen Erden dotieren oder stöchiometrisch bilden. Wie aus
den vorstehenden Ausführungen hervorgeht, ist die Dicke des Festkörper
kristalls 12 so gewählt, daß nur eine einzige Resonatormode anschwingt,
wobei die Kristall-Endflächen bedampft sind.
Claims (8)
1. Verfahren zur Wellenlängenselektion bei einem auf mehreren Frequenzen
jeweils auf einer Mode emittierenden Mikrokristall-Laser, dessen aktives
Medium ein Festkörper-Mikrokristall geringer Dicke ist, dessen
Kristallendflächen als Laserresonatorspiegel wirken und bei dem die
Pumplichtstrahlung durch Halbleiter-Laserdioden abgegeben wird, dadurch
gekennzeichnet, daß mittels eines zwischen der Halbleiter-Laserdiode (10)
und dem Mikrokristallkörper (12) angeordneten λ/2-Plättchens (13) eine
erste Selektion der möglichen Laseremissions-Wellenlängen durchgeführt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch
einen hinter dem Mikrokristallkörper (12) angeordneten
Polarisationsanalysator (14) eine letzte Selektion erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
aktive Lasermaterial aus einem Nd-dotierten Festkörperkristall (12) wie
GGG, YAG, LNP o. ä. gebildet wird und der Festkörperlaser auf einer
einzelnen oder mehreren Laserwellenlängen des aktiven Festkörpermaterials
Laserstrahlung emittiert.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
aktive Lasermaterial aus einem Tm-, Ho- oder Tm : Ho-dotiertem
Festkörperkristall gebildet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
aktive Lasermaterial aus einem Er-dotierten Festkörperkristall gebildet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
aktive Lasermaterial mit laseraktiven Ionen der chemischen Gruppe der
seltenen Erden dotiert oder stöchiometrisch gebildet wird.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke des Festkörperkristalls (12) so gewählt wird,
daß nur eine einzige Resonatormode pro Laserübergang anschwingt.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Kristall-Endflächen bedampft werden.
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