CN115039299A - 窄带化气体激光装置、其控制方法和电子器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种窄带化气体激光装置的控制方法，该窄带化气体激光装置输出包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光，其中，窄带化气体激光装置具有：激光腔，其包含一对电极；光谐振器，其包含调整机构，调整机构对第1波长成分与第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及处理器，其存储有关系数据，关系数据表示能量比率的参数相对于调整机构的控制参数的关系，控制方法包含以下步骤：从外部装置接收能量比率的参数的指令值；以及根据关系数据取得与指令值对应的控制参数的值，根据控制参数的值对调整机构进行控制。

Description

窄带化气体激光装置、其控制方法和电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及窄带化气体激光装置、其控制方法和电子器件的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求清晰度的提高。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。

KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350～400pm。因此，在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时会产生色差。其结果，清晰度可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅(Grating)等)的窄带化模块(LineNarrowing Module：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7088758号说明书

专利文献2：美国专利第7154928号说明书

专利文献3：国际公开第2019/079010号

专利文献4：日本特开2006-269628号公报

发明内容

本发明的1个观点的控制方法是窄带化气体激光装置的控制方法，该窄带化气体激光装置输出包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光，其中，窄带化气体激光装置具有：激光腔，其包含一对电极；光谐振器，其包含调整机构，调整机构对第1波长成分与第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及处理器，其存储有关系数据，关系数据表示能量比率的参数相对于调整机构的控制参数的关系，控制方法包含以下步骤：从外部装置接收能量比率的参数的指令值；以及根据关系数据取得与指令值对应的控制参数的值，根据控制参数的值对调整机构进行控制。

本发明的1个观点的窄带化气体激光装置输出包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光，其中，该窄带化气体激光装置具有：激光腔，其包含一对电极；光谐振器，其包含调整机构，调整机构对第1波长成分与第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及处理器，其存储关系数据，关系数据表示能量比率的参数相对于调整机构的控制参数的关系，处理器从外部装置接收能量比率的参数的指令值，根据关系数据取得与指令值对应的控制参数的值，根据控制参数的值对调整机构进行控制。

本发明的1个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：利用窄带化气体激光装置生成脉冲激光；将脉冲激光输出到曝光装置；在曝光装置内在感光基板上曝光脉冲激光，以制造电子器件，窄带化气体激光装置输出包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光，窄带化气体激光装置具有：激光腔，其包含一对电极；光谐振器，其包含调整机构，调整机构对第1波长成分与第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及处理器，其存储关系数据，关系数据表示能量比率的参数相对于调整机构的控制参数的关系，处理器从外部装置接收能量比率的参数的指令值，根据关系数据取得与指令值对应的控制参数的值，根据控制参数的值对调整机构进行控制。

附图说明

下面，参照附图将本发明的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出比较例中的曝光系统的结构。

图2概略地示出比较例中的曝光系统的结构。

图3A概略地示出比较例中的窄带化装置的结构。

图3B概略地示出比较例中的窄带化装置的结构。

图4A概略地示出第1实施方式中的窄带化装置的结构。

图4B概略地示出第1实施方式中的窄带化装置的结构。

图5是示出第1实施方式中的2波长振荡的处理过程的流程图。

图6是示出2波长振荡的波长控制的处理过程的流程图。

图7是示出2波长振荡的能量控制的处理过程的流程图。

图8概念性地示出存储器中存储的表数据。

图9是例示线性台的控制参数Y与能量比率R的关系的图表。

图10是示出第2实施方式中的2波长振荡的能量控制的处理过程的流程图。

图11A概念地示出存储器中存储的表数据。

图11B概念地示出存储器中存储的表数据。

图12A是例示线性台的控制参数Y与能量比率R的关系的图表。

图12B是例示线性台的控制参数Y与能量比率R的关系的另一个图表。

具体实施方式

内容

1.比较例

1.1 曝光系统

1.1.1 曝光装置100的结构

1.1.2 动作

1.2 窄带化气体激光装置

1.2.1 结构

1.2.1.1 主振荡器MO

1.2.1.2 激光控制处理器30

1.2.1.3 气体调整装置GA

1.2.2 动作

1.2.2.1 激光控制处理器30

1.2.2.2 主振荡器MO

1.2.2.3 气体调整装置GA

1.3 窄带化装置

1.3.1 结构

1.3.1.1 第1和第2棱镜41和42

1.3.1.2 光栅系统50

1.3.2 动作

1.3.3 比较例的课题

2.参照表数据来调整能量比率R的窄带化气体激光装置

2.1 结构

2.2 窄带化气体激光装置的动作

2.3 激光控制处理器30进行的2波长振荡的控制

2.3.1 2波长振荡的波长控制

2.3.2 2波长振荡的能量控制

2.4 作用

3.考虑充电电压HV和气压P来调整能量比率R的窄带化气体激光装置

3.1 结构和动作

3.2 作用

4.其他

下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本发明的几个例子，并不是用于限定本发明的内容。此外，各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本发明的结构和动作所必需的。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。

1.比较例

1.1曝光系统

图1和图2概略地示出比较例中的曝光系统的结构。本公开的比较例是申请人认识到仅申请人知道的方式，不是申请人自己承认的公知例。

曝光系统包含窄带化气体激光装置1和曝光装置100。在图1中简略地示出窄带化气体激光装置1。在图2中简略地示出曝光装置100。

窄带化气体激光装置1包含激光控制处理器30。窄带化气体激光装置1构成为向曝光装置100输出脉冲激光。

1.1.1曝光装置100的结构

如图1所示，曝光装置100包含照明光学系统101、投影光学系统102和曝光控制处理器110。曝光装置100相当于本发明中的外部装置。

照明光学系统101利用从窄带化气体激光装置1入射的脉冲激光对配置于标线片(Reticle)载物台RT上的未图示的标线片的标线片图案进行照明。

投影光学系统102对透过标线片后的脉冲激光进行缩小投影，使其在配置于工件台WT上的未图示的工件上成像。工件是被涂布有抗蚀剂膜的半导体晶片等感光基板。

曝光控制处理器110是包含存储有控制程序的存储器112和执行控制程序的CPU(central processing unit：中央处理单元)111的处理装置。曝光控制处理器110为了执行本发明中包含的各种处理而特别地构成或被编程。曝光控制处理器110对曝光装置100的控制进行统括，并且在与激光控制处理器30之间发送接收各种数据和各种信号。

1.1.2动作

曝光控制处理器110将波长的目标值的数据、脉冲能量的目标值的数据和触发信号发送到激光控制处理器30。激光控制处理器30按照这些数据和信号对窄带化气体激光装置1进行控制。

曝光控制处理器110使标线片载物台RT和工件台WT同步地彼此在相反方向上平行移动。由此，利用反映了标线片图案的脉冲激光来曝光工件。

通过这种曝光工序在半导体晶片上转印标线片图案。然后，能够经过多个工序制造电子器件。

1.2窄带化气体激光装置

1.2.1结构

如图2所示，窄带化气体激光装置1除了包含激光控制处理器30以外，还包含主振荡器MO和气体调整装置GA。

1.2.1.1主振荡器MO

主振荡器MO包含激光腔10、充电器12、脉冲功率模块(PPM)13、窄带化装置14、输出耦合镜15、光检测器17和光闸18。窄带化装置14和输出耦合镜15构成光谐振器。

激光腔10配置于光谐振器的光路上。在激光腔10设置有窗口10a和10b。

激光腔10在内部具有一对电极11a和11b，进而收纳有作为激光介质的激光气体。激光介质例如是F₂、ArF、KrF、XeCl或XeF。

在激光腔10中安装有压力传感器16。

充电器12保持用于向脉冲功率模块13供给的电能。脉冲功率模块13包含开关13a。

窄带化装置14包含后述的第1和第2棱镜41和42、光栅51和52等波长选择元件。

输出耦合镜15由部分反射镜构成。

光检测器17包含分束器17a和传感器单元17b。分束器17a配置于从输出耦合镜15输出的脉冲激光的光路上。分束器17a构成为，使脉冲激光的一部分以高透射率透过，并且使脉冲激光的另一部分反射而入射到传感器单元17b。传感器单元17b构成为包含分光传感器，能够输出波长的计测数据。进而，传感器单元17b构成为包含能量传感器，能够输出脉冲能量的计测数据。

光闸18配置于透过分束器17a后的脉冲激光的光路上。在光闸18关闭时，透过分束器17a后的脉冲激光被遮断而未入射到曝光装置100。在光闸18打开时，透过分束器17a后的脉冲激光未被遮断而入射到曝光装置100。

1.2.1.2激光控制处理器30

激光控制处理器30是包含存储有控制程序的存储器32和执行控制程序的CPU31的处理装置。激光控制处理器30为了执行本发明中包含的各种处理而特别地构成或被编程。

1.2.1.3气体调整装置GA

气体调整装置GA包含气体供给装置33、气体排气装置34和气体控制处理器35。

气体供给装置33包含未图示的阀，该阀设置于激光腔10与未图示的气瓶之间的第1配管。

气体排气装置34包含设置于与激光腔10连接的第2配管的未图示的阀、泵和除害装置。

气体控制处理器35是包含存储有控制程序的存储器37和执行控制程序的CPU36的处理装置。气体控制处理器35为了执行本公开中包含的各种处理而特别地构成或被编程。

1.2.2动作

1.2.2.1激光控制处理器30

激光控制处理器30从曝光控制处理器110取得波长的目标值的数据。激光控制处理器30根据波长的目标值向窄带化装置14发送初始设定信号。在脉冲激光的输出开始后，激光控制处理器30从光检测器17接收波长的计测数据，根据波长的目标值和波长的计测数据向窄带化装置14发送反馈控制信号。

激光控制处理器30从曝光控制处理器110取得脉冲能量的目标值的数据。激光控制处理器30根据脉冲能量的目标值而向充电器12发送充电电压的初始设定信号。在脉冲激光的输出开始后，激光控制处理器30从光检测器17接收脉冲能量的计测数据，根据脉冲能量的目标值和脉冲能量的计测数据而向充电器12发送充电电压的反馈控制信号。

激光控制处理器30从曝光控制处理器110接收触发信号。激光控制处理器30将基于触发信号的振荡触发信号发送到脉冲功率模块13的开关13a。

激光控制处理器30向气体控制处理器35发送气体控制信号。此外，激光控制处理器30从压力传感器16接收气压P的计测数据，向气体控制处理器35发送气压P的计测数据。

1.2.2.2主振荡器MO

开关13a在从激光控制处理器30接收到振荡触发信号后成为接通状态。在开关13a成为接通状态后，脉冲功率模块13根据充电器12中所保持的电能而生成脉冲状的高电压。脉冲功率模块13将该高电压施加给电极11a和11b。

在对电极11a和11b施加高电压后，在电极11a和11b之间引起放电。通过该放电的能量，激光腔10内的激光气体被激励而向高能级跃迁。然后，被激励的激光气体向低能级跃迁时，放出与其能级差对应的波长的光。

激光腔10内产生的光经由窗口10a和10b向激光腔10的外部出射。从窗口10a出射的光作为光束入射到窄带化装置14。入射到窄带化装置14的光中的期望波长附近的光通过窄带化装置14折返而返回到激光腔10。

输出耦合镜15使从窗口10b出射的光中的一部分透过并输出，使另一部分反射而返回激光腔10。

这样，从激光腔10出射的光在窄带化装置14与输出耦合镜15之间往复。该光每当通过一对电极11a和11b之间的放电空间时就被放大。这样进行激光振荡而被窄带化的光作为脉冲激光从输出耦合镜15输出。

从窄带化气体激光装置1输出的脉冲激光入射到曝光装置100。

1.2.2.3气体调整装置GA

气体控制处理器35根据从激光控制处理器30接收到的气体控制信号和气压P的计测数据对气体供给装置33和气体排气装置34进行控制，以使激光腔10的内部的气压P成为期望的值。

例如，在提高激光腔10的内部的气压P的情况下，气体控制处理器35进行打开气体供给装置33中包含的阀的控制，以向激光腔10的内部供给激光气体。此外，例如，在降低激光腔10的内部的气压P的情况下，气体控制处理器35进行打开气体排气装置34中包含的阀的控制，以排放激光腔10的内部的一部分激光气体。

1.3窄带化装置

1.3.1结构

图3A和图3B概略地示出比较例中的窄带化装置14的结构。在各图中，示出彼此垂直的V轴、H轴和Z轴。图3A示出沿-V方向观察的窄带化装置14，图3B示出沿-H方向观察的窄带化装置14。-V方向和+V方向与电极11a和11b(参照图2)相面对的方向一致。-Z方向与从窗口10a出射的光束的行进方向一致。+Z方向与从窗口10b出射而经由输出耦合镜15输出的脉冲激光的行进方向一致。

窄带化装置14包含第1和第2棱镜41和42以及光栅系统50。

1.3.1.1第1和第2棱镜41和42

第1棱镜41配置于从窗口10a出射的光束的光路上。第1棱镜41由保持架411支承。

第2棱镜42配置于通过第1棱镜41后的光束的光路上。第2棱镜42由保持架421支承。

第1和第2棱镜41和42由针对窄带化装置14的选择波长具有高透射率的氟化钙或合成石英等材料构成。

第1和第2棱镜41和42配置成供光束入射出射的第1和第2棱镜41和42的表面均与V轴平行。第2棱镜42能够通过旋转台422而绕与V轴平行的轴旋转。

1.3.1.2光栅系统50

光栅系统50包含光栅51和52。光栅51和52配置在通过第2棱镜42后的光束的光路上、沿V轴方向上彼此不同的位置。光栅51和52各自的槽的方向与V轴方向一致。光栅51和52的位置设定成使通过第2棱镜42后的光束跨越光栅51和52而入射。

光栅51和52由保持架511支承。但是，光栅51被支承为维持固定的姿态，与此相对，光栅52能够通过旋转机构522而绕与V轴平行的轴旋转。

1.3.2动作

通过第1和第2棱镜41和42各棱镜，从窗口10a出射的光束分别在与HZ面平行的面内改变行进方向，其中该HZ面是垂直于V轴的面，在与HZ面平行的面内扩大光束宽度。作为一例，通过第1和第2棱镜41和42双方而朝向光栅51和52的光束的行进方向与-Z方向大致一致。

从第2棱镜42入射到光栅51和52的光被光栅51和52各自的多个槽反射，并且向与光的波长对应的方向衍射。由此，被光栅51和52各自的多个槽反射的光在与HZ面平行的面内分散。光栅51进行利特罗配置，以使从第2棱镜42入射到光栅51的光束的入射角和期望的第1波长λ1的衍射光的衍射角一致。光栅52进行利特罗配置，以使从第2棱镜42入射到光栅52的光束的入射角和期望的第2波长λ2的衍射光的衍射角一致。在从第2棱镜42入射到光栅51和52的光束的入射角彼此不同的情况下，在从光栅51返回第2棱镜42的衍射光的第1波长λ1与从光栅52返回第2棱镜42的衍射光的第2波长λ2之间产生波长差。

在图3A和图3B中，表示光束的虚线箭头仅示出从第1棱镜41朝向光栅51和52的方向，但是，窄带化装置14的选择波长的光束通过与这些虚线箭头相反的路径从光栅51和52朝向第1棱镜41。

第2棱镜42和第1棱镜41使从光栅51和52返回的光的光束宽度在与HZ面平行的面内缩小，并且使该光经由窗口10a返回激光腔10内。

旋转台422和旋转机构522由激光控制处理器30来控制。

当旋转台422使第2棱镜42稍微进行了旋转时，从第2棱镜42朝向光栅51和52出射的光束的行进方向在与HZ面平行的面内稍微变化。由此，从第2棱镜42入射到光栅51和52的光束的入射角稍微变化。由此，第1波长λ1和第2波长λ2双方变化。

当旋转机构522使光栅52稍微进行了旋转时，从第2棱镜42入射到光栅51的光束的入射角没有变化，但是，从第2棱镜42入射到光栅52的光束的入射角稍微变化。由此，第1波长λ1与第2波长λ2的波长差变化。

曝光控制处理器110向激光控制处理器30发送第1波长λ1的目标值λ1t和第2波长λ2的目标值λ2t。

激光控制处理器30根据第1波长λ1的目标值λ1t而对旋转台422进行控制。由此，旋转台422使第2棱镜42的姿态变化，调整光束入射到光栅51的入射角(第1入射角)和入射到光栅52的入射角(第2入射角)。

激光控制处理器30根据第2波长λ2的目标值λ2t对旋转机构522进行控制。由此，旋转机构522使光栅52的姿态变化，调整光束入射到光栅52的第2入射角。

根据以上的结构和动作，选择从激光腔10的窗口10a出射的光束中的第1波长λ1和第2波长λ2，使其返回到激光腔10内。由此，窄带化气体激光装置1能够进行2波长振荡。通过对旋转台422和旋转机构522进行控制，还能够分别设定第1波长λ1和第2波长λ2。

曝光装置100(参照图1)的焦距依赖于脉冲激光的波长。进行2波长振荡而从窄带化气体激光装置1输出的脉冲激光能够在曝光装置100的工件台WT中在脉冲激光的光路轴的方向上不同的2个位置处成像，能够实质上增大焦深。例如，在对膜厚较大的抗蚀剂膜进行曝光的情况下，也能够抑制抗蚀剂膜的厚度方向上的成像性能的偏差。

1.3.3比较例的课题

在比较例中，能够分别设定第1波长和第2波长，但是，无法设定能量比率，因此，有时不容易使对抗蚀剂膜进行曝光、显影而得到的抗蚀剂膜的截面形状成为期望的形状。例如，有时不容易使通过曝光和显影去除了抗蚀剂膜的部分与抗蚀剂膜残留在半导体晶片上的部分之间的边界面，即抗蚀剂壁面与半导体晶片的表面形成期望的角度。

在以下说明的若干个实施方式中，能够高精度地调整脉冲激光中包含的第1波长成分与第2波长成分的能量比率。

2.参照表数据来调整能量比率R的窄带化气体激光装置

2.1结构

图4A和图4B概略地示出第1实施方式中的窄带化装置14a的结构。图4A示出沿-V方向观察的窄带化装置14a，图4B示出沿-H方向观察的窄带化装置14a。

窄带化装置14a包含平行平面基板61。

平行平面基板61以与通过第2棱镜42后的光束的光路的截面的一部分重叠的方式进行配置。平行平面基板61配置于第2棱镜42与光栅52之间的光束的光路上。平行平面基板61由保持架611来支承。平行平面基板61由氟化钙或合成石英等材料构成。平行平面基板61构成为能够通过线性台612向-V方向和+V方向移动。线性台612相当于本发明中的调整机构。

平行平面基板61包含供通过第2棱镜42后的光束的一部分入射的入射表面613、以及供通过入射表面613入射到平行平面基板61后的光从平行平面基板61的内部朝向光栅52出射的出射表面614(参照图4B)。入射表面613和出射表面614均与H轴平行，入射表面613和出射表面614彼此平行。入射表面613和出射表面614相对于光束的入射方向倾斜以使光束弯折。具体而言，入射表面613的法线向量613v与VZ面平行，进而，该法线向量613v具有-V方向和+Z方向的方向成分。

激光控制处理器30中包含的存储器32(参照图2)存储有表示能量比率的参数与线性台612的控制参数Y的关系的关系数据。关系数据例如是参照图8在后面叙述的表数据。

能量比率的参数是和能量Eλ1与能量Eλ2的比率有关的参数，例如是能量比率R，其中该能量Eλ1是从窄带化气体激光装置1输出的脉冲激光的总脉冲能量E中的第1波长λ1的波长成分的能量，该能量Eλ2是第2波长λ2的波长成分的能量。能量比率R是第1波长λ1的波长成分的能量Eλ1与脉冲激光的总脉冲能量E之比，利用下式表示。

R＝Eλ1/E

2.2窄带化气体激光装置的动作

通过第2棱镜42后的光束中的第1部分B1通过平行平面基板61的外侧而入射到光栅51。光束的第2部分B2透过平行平面基板61的内部而入射到光栅52。即，包含平行平面基板61的窄带化装置14a使光束的第1部分B1入射到光栅51，使光束的第2部分B2入射到光栅52。此时，平行平面基板61使光束的第2部分B2的光路轴相对于第1部分B1的光路轴在+V方向移位。光路轴是指光路的中心轴。这样，平行平面基板61通过使光束的一部分透过，来调整光束的一部分的光路。

此外，线性台612通过使V轴方向上的平行平面基板61的位置变化，使第1部分B1与第2部分B2的比率变化。

当通过使平行平面基板61在-V方向上移动而增多了光束中的入射到平行平面基板61的第2部分B2时，入射到光栅52的光增多。因此，脉冲激光中包含的第2波长λ2的波长成分的能量Eλ2变大。

当通过使平行平面基板61在+V方向上移动而减少了光束中的入射到平行平面基板61的第2部分B2时，入射到光栅52的光减少。因此，脉冲激光中包含的第2波长λ2的波长成分的能量Eλ2变小。

基于线性台612实现的平行平面基板61的移动方向也可以不是V轴方向。线性台612只要使平行平面基板61在与HZ面交叉的方向上移动即可，其中该HZ面是垂直于V轴的面。

曝光控制处理器110向激光控制处理器30发送2波长振荡的各种指令值。在2波长振荡的指令值中包含第1波长λ1的目标值λ1t、第2波长λ2的目标值λ2t、能量比率R的目标值Rt和总脉冲能量E的目标值Et。

激光控制处理器30根据能量比率R的目标值Rt对线性台612进行控制。由此，线性台612调整平行平面基板61的位置，调整由光栅51选择的第1波长λ1的波长成分与由光栅52选择的第2波长λ2的波长成分的能量比率R。

激光控制处理器30根据第1波长λ1的目标值λ1t对旋转台422进行控制。由此，旋转台422使第2棱镜42的姿态变化，调整光束的第1部分B1入射到光栅51的第1入射角。

激光控制处理器30根据第2波长λ2的目标值λ2t对旋转机构522进行控制。由此，旋转机构522使光栅52的姿态变化，调整光束的第2部分B2入射到光栅52的第2入射角。

2.3激光控制处理器30进行的2波长振荡的控制

图5是示出第1实施方式中的2波长振荡的处理过程的流程图。激光控制处理器30通过以下的处理进行2波长振荡的激光控制。

在S1中，激光控制处理器30从曝光装置100的曝光控制处理器110接收2波长振荡的各种指令值。2波长振荡的指令值的具体例是参照图4B说明的那样。

接着，在S2中，激光控制处理器30关闭光闸18。由此，脉冲激光不会入射到曝光装置100。

接着，在S3中，激光控制处理器30进行2波长振荡的波长控制。2波长振荡的波长控制参照图6在后面叙述。

接着，在S5中，激光控制处理器30进行2波长振荡的能量控制。2波长振荡的能量控制参照图7在后面叙述。

接着，在S7中，激光控制处理器30打开光闸18。由此，能够使脉冲激光入射到曝光装置100。

接着，在S8中，激光控制处理器30将准备OK信号发送到曝光装置100的曝光控制处理器110。在S8之后，激光控制处理器30结束本流程图的处理。

2.3.1 2波长振荡的波长控制

图6是示出2波长振荡的波长控制的处理过程的流程图。图6所示的处理相当于图5的S3的子例程。

在S31中，激光控制处理器30开始进行用于设定波长的调整振荡。

接着，在S32中，激光控制处理器30利用光检测器17检测第1波长λ1和第2波长λ2。

接着，在S33中，激光控制处理器30从存储器32(参照图2)读入第1波长λ1的目标值λ1t和第2波长λ2的目标值λ2t。然后，激光控制处理器30利用以下的式子计算S32中检测到的第1波长λ1和第2波长λ2与各自的目标值λ1t和λ2t之差Δλ1和Δλ2。

Δλ1＝λ1-λ1t

Δλ2＝λ2-λ2t

接着，在S34中，激光控制处理器30判定差Δλ1的绝对值|Δλ1|是否小于规定值Δλ1L。在差Δλ1的绝对值|Δλ1|为规定值Δλ1L以上的情况下(S34：否)，激光控制处理器30使处理进入S35。在差Δλ1的绝对值|Δλ1|小于规定值Δλ1L的情况下(S34：是)，激光控制处理器30使处理进入S36。

在S35中，激光控制处理器30对第2棱镜42的旋转台422进行控制，以使差Δλ1的绝对值|Δλ1|减小。在S35之后，激光控制处理器30使处理返回S32。这样，激光控制处理器30对第2棱镜42的旋转台422进行控制，以使第1波长λ1接近其目标值λ1t。

在S36中，激光控制处理器30判定差Δλ2的绝对值|Δλ2|是否小于规定值Δλ2L。在差Δλ2的绝对值|Δλ2|为规定值Δλ2L以上的情况下(S36：否)，激光控制处理器30使处理进入S37。在差Δλ2的绝对值|Δλ2|小于规定值Δλ2L的情况下(S36：是)，激光控制处理器30使处理进入S38。

在S37中，激光控制处理器30对光栅52的旋转机构522进行控制，以使差Δλ2的绝对值|Δλ2|减小。在S37之后，激光控制处理器30使处理返回S32。这样，激光控制处理器30对光栅52的旋转机构522进行控制，以使第2波长λ2接近其目标值λ2t。

在S38中，激光控制处理器30停止调整振荡。在S38之后，激光控制处理器30结束本流程图的处理，返回图5所示的处理。

2.3.2 2波长振荡的能量控制

图7是示出2波长振荡的能量控制的处理过程的流程图。图7所示的处理相当于图5的S5的子例程。

在S52中，激光控制处理器30检索存储器32中存储的表数据，取得与能量比率R的目标值Rt对应的线性台612的控制参数Y的值。

接着，在S53中，激光控制处理器30按照从表数据取得的控制参数Y的值对线性台612进行控制。

接着，在S54中，激光控制处理器30开始进行用于设定脉冲能量的调整振荡。

接着，在S55中，激光控制处理器30通过光检测器17计测脉冲激光的总脉冲能量E。脉冲激光的总脉冲能量E是脉冲激光的1个脉冲的能量，相当于第1波长λ1的波长成分的能量Eλ1与第2波长λ2的波长成分的能量Eλ2之和。

然后，激光控制处理器30利用以下的式子计算检测到的总脉冲能量E与总脉冲能量E的目标值Et之差ΔE。

ΔE＝E-Et

接着，在S56中，激光控制处理器30判定差ΔE的绝对值|ΔE|是否小于规定值ΔEL。在差ΔE的绝对值|ΔE|为规定值ΔEL以上的情况下(S56：否)，激光控制处理器30使处理进入S57。在差ΔE的绝对值|ΔE|小于规定值ΔEL的情况下(S56：是)，激光控制处理器30使处理进入S58。

在S57中，激光控制处理器30通过以下的式子来变更充电电压HV。

HV＝HV-ΔE·α

这里，α是正的常数。例如在总脉冲能量E大于目标值Et的情况下，根据差ΔE使充电电压HV降低，由此减小总脉冲能量E，能够使总脉冲能量E接近目标值Et。在S57之后，激光控制处理器30使处理返回S55。

在S58中，激光控制处理器30停止调整振荡。在S58之后，激光控制处理器30结束本流程图的处理，返回图5所示的处理。

图8概念地示出存储器32中存储的表数据。表数据是将线性台612的控制参数Y和利用控制参数Y控制线性台612时的能量比率R对应起来的数据。线性台612的控制参数Y例如是指定平行平面基板61的V轴方向上的位置的参数。在图8中，括弧内的字符或数字表示控制参数Y与能量比率R的对应关系。I是1以上的整数，i表示0～I的各个整数。

图9是例示线性台612的控制参数Y与能量比率R的关系的图表。在控制参数Y为中央值Y(I/2)时，能量比率R可以成为50％。图表的曲线可以具有以能量比率R为50％的点为中心旋转对称的形状。

如图9所示，在能量比率R大于0％且小于100％的范围内，能量比率R相对于控制参数Y处于单调增加的关系。因此，当在大于0％且小于100％的范围内指定能量比率R的目标值Rt的情况下，能够唯一地确定必要的控制参数Y。

关于其他方面，第1实施方式的结构和动作与比较例的结构和动作相同。

2.4作用

在第1实施方式中，调整机构即线性台612调整脉冲激光的第1波长成分与第2波长成分的能量比率R。激光控制处理器30存储表示能量比率R的参数相对于调整机构的控制参数Y的关系的关系数据。激光控制处理器30在图5的S1中从外部装置即曝光装置100的曝光控制处理器110接收能量比率R的参数的指令值，在图7的S52和S53中根据上述关系数据取得与上述指令值对应的控制参数Y的值，根据该值对调整机构进行控制。由此，能够高精度地调整脉冲激光的第1波长成分与第2波长成分的能量比率R。此外，即使在窄带化气体激光装置1中未设置用于计测能量比率的光检测器的情况下，也能够调整能量比率R。而且，能够使使用该脉冲激光进行曝光并显影而得到的抗蚀剂壁面与半导体晶片的表面形成期望的角度。

在第1实施方式中，激光控制处理器30在图7的S53中对调整机构进行控制之前，通过图6的处理对第2棱镜42和光栅52的姿态进行控制，以使第1波长成分和第2波长成分各自的波长λ1和λ2接近各自的目标值λ1t和λ2t。在使第1波长λ1和第2波长λ2变化时，光栅51和52中的衍射效率变化，有时能量比率R变化。通过在利用调整机构调整能量比率R之前调整第1波长λ1和第2波长λ2，能够以较少的次数完成能量比率R的调整。

在第1实施方式中，激光控制处理器30在图7的S53中对调整机构进行控制之后，通过S55～S57的处理计测包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光的总脉冲能量E，对充电器12的充电电压HV进行控制，以使总脉冲能量E接近目标值Et。在通过调整机构调整能量比率R时，光谐振器的内部的光束的路径变化，有时总脉冲能量E变化。在通过调整机构调整能量比率R之后调整总脉冲能量E，由此能够以较少的次数完成总脉冲能量E的调整。

3.考虑充电电压HV和气压P来调整能量比率R的窄带化气体激光装置

3.1结构和动作

第2实施方式中的窄带化装置14a的结构与参照图4A和图4B说明的结构相同。第2实施方式中的2波长振荡的处理过程和2波长振荡的波长控制分别与参照图5和图6说明的内容相同。

第2实施方式与第1实施方式的不同之处在于，不仅考虑能量比率R的目标值Rt，还考虑充电器12的充电电压HV和激光腔10的内部的气压P来决定线性台612的控制参数Y。

在第2实施方式中，存储器32中存储的关系数据表示能量比率R相对于线性台612的控制参数Y、充电器12的充电电压HV和激光腔10的内部的气压P的组合的关系。关系数据例如是参照图11A和图11B在后面叙述的表数据。

图10是示出第2实施方式中的2波长振荡的能量控制的处理过程的流程图。图10所示的处理相当于图5的S5的子例程。

在S51b中，激光控制处理器30开始进行用于设定脉冲能量的调整振荡。

激光控制处理器30根据图5的S1中取得的总脉冲能量E的目标值Et设定充电器12的充电电压HV。激光控制处理器30从光检测器17接收总脉冲能量E的计测数据，根据总脉冲能量E的目标值Et和总脉冲能量E的计测数据对充电电压HV进行反馈控制。将通过该反馈控制而设定的充电电压HV作为第1电压HV1。

激光控制处理器30从压力传感器16接收激光腔10的内部的气压P的计测数据。

接着，在S52b中，激光控制处理器30检索存储器32中存储的表数据，取得与能量比率R的目标值Rt、第1电压HV1和气压P对应的线性台612的控制参数Y的值。

接着，在S53中，激光控制处理器30按照从表数据取得的控制参数Y的值对线性台612进行控制。

接下来的S55～S57的处理除了以下方面以外，与参照图7说明的处理相同。

在控制线性台612来调整能量比率R时，有时光谐振器的内部的光束的路径变化，总脉冲能量E变化。因此，在S55中，计测总脉冲能量E，根据与目标值Et之差ΔE，在S57中，对充电电压HV进行变更。将S57中新设定的充电电压HV作为第2电压HV2。

在S57之后，激光控制处理器30使处理返回S52b。在S57之后再次执行S52b的情况下，使用第2电压HV2作为充电电压HV。

在S56中总脉冲能量E与目标值Et之差ΔE的绝对值|ΔE|小于规定值ΔEL的情况下，在S58中停止调整振荡，然后结束本流程图的处理，这点与图7相同。

图11A和图11B概念性地示出存储器32中存储的表数据。表数据是将使用这些控制值的组合进行激光振荡时的能量比率R与线性台612的控制参数Y、充电器12的充电电压HV和激光腔10的内部的气压P的组合对应起来的数据。在图11A和图11B中，括弧内的字符或数字表示上述的控制值的组合与能量比率R的对应关系。J和K分别是1以上的整数，j是0～J的各个整数，k表示0～K的各个整数。

在图11A和图11B中，作为线性台612的控制参数Y的值，仅示出Y(1)和Y(2)这2个，但是，也可以针对更多的值制作表数据。

此外，说明了将能量比率R与控制参数Y、充电电压HV和气压P的组合对应起来的情况，但是，本发明不限于此。

表数据也可以将能量比率R与控制参数Y和充电电压HV的组合对应起来。激光控制处理器30也可以取得与能量比率R的目标值Rt和充电电压HV的组合对应的控制参数Y的值。

表数据也可以将能量比率R与控制参数Y和气压P的组合对应起来。激光控制处理器30也可以取得与能量比率R的目标值Rt和气压P的组合对应的控制参数Y的值。

图12A是例示线性台612的控制参数Y与能量比率R的关系的图表。在图12A中，示出在激光腔10的内部的气压P为第1值的情况和激光腔10的内部的气压P为第2值的情况下，图表的形状可能变化。即，与气压P较高的情况相比，在气压P较低的情况下，能量比率R的变化相对于控制参数Y的变化可能变得急剧。

图12B是例示线性台612的控制参数Y与能量比率R的关系的另一个图表。在图12B中，示出在充电器12的充电电压HV为第1值的情况和充电器12的充电电压HV为第2值的情况下，图表的形状可能变化。即，与充电电压HV较低的情况相比，在充电电压HV较高的情况下，能量比率R的变化相对于控制参数Y的变化可能变得急剧。

如图12A和图12B所示，与充电电压HV和气压P的值无关地，在能量比率R大于0％且小于100％的范围内，能量比率R相对于控制参数Y处于单调增加的关系。因此，在确定充电电压HV和气压P，进而在大于0％且小于100％的范围内指定能量比率R的目标值Rt的情况下，能够唯一地确定必要的控制参数Y。

关于其他方面，第2实施方式的结构和动作与第1实施方式的结构和动作相同。

3.2作用

在第2实施方式中，窄带化气体激光装置1具有对一对电极11a和11b施加脉冲状的高电压的脉冲功率模块13、以及保持用于向脉冲功率模块13供给的电能的充电器12。激光控制处理器30中存储的关系数据表示能量比率R的参数相对于调整机构的控制参数Y和充电器12的充电电压HV的组合的关系。激光控制处理器30将充电器12的充电电压HV设定为第1电压HV1，根据关系数据取得与能量比率R的参数的指令值和第1电压HV1的组合对应的控制参数Y的值。由此，能够考虑充电器12的充电电压HV，高精度地调整脉冲激光的第1波长成分与第2波长成分的能量比率R。

在第2实施方式中，激光控制处理器30在图10的S52b中根据关系数据取得与能量比率R的参数的指令值和第1电压HV1的组合对应的控制参数Y的值，在S53中对调整机构进行控制。然后，激光控制处理器30通过S55～S57的处理计测包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光的总脉冲能量E，将充电器12的充电电压HV设定为第2电压HV2，以使总脉冲能量E接近目标值Et。然后，激光控制处理器30返回S52b，根据关系数据取得与能量比率R的参数的指令值和第2电压HV2的组合对应的控制参数Y的值，在S53中根据新取得的控制参数Y的值对调整机构进行控制。

在通过调整机构调整了能量比率R时，有时光谐振器的内部的光束的路径变化，总脉冲能量E变化。由此，在通过调整机构调整能量比率R之后计测总脉冲能量E，根据计测结果将充电电压HV从第1电压HV1变更为第2电压HV2。在变更充电电压HV后，从关系数据得到的数据变化，因此，再次参照关系数据取得新的控制参数Y的值。由此，能够考虑充电器12的充电电压HV，高精度地调整脉冲激光的第1波长成分与第2波长成分的能量比率R。

在第2实施方式中，激光控制处理器30中存储的关系数据表示能量比率R的参数相对于调整机构的控制参数Y和激光腔10的内部的气压P的组合的关系。激光控制处理器30接收激光腔10的内部的气压P的计测数据，根据关系数据取得与能量比率R的参数的指令值和气压P的组合对应的控制参数Y的值。由此，能够考虑激光腔10的内部的气压P，高精度地调整脉冲激光的第1波长成分与第2波长成分的能量比率R。

在第2实施方式中，窄带化气体激光装置1具有对一对电极11a和11b施加脉冲状的高电压的脉冲功率模块13、以及保持用于向脉冲功率模块13供给的电能的充电器12。激光控制处理器30中存储的关系数据表示能量比率R的参数相对于调整机构的控制参数Y、充电器12的充电电压HV和激光腔10的内部的气压P的组合的关系。激光控制处理器30将充电器12的充电电压HV设定为第1电压HV1，接收激光腔10的内部的气压P的计测数据，根据关系数据取得与能量比率R的参数的指令值、第1电压HV1和气压P的组合对应的控制参数Y的值。由此，能够考虑充电器12的充电电压HV和激光腔10的内部的气压P，高精度地调整脉冲激光的第1波长成分与第2波长成分的能量比率R。

4.其他

在第1和第2实施方式中，说明了曝光装置100中包含的曝光控制处理器110输出2波长振荡的各种指令值的情况，但是，本发明不限于此。例如，也可以由对多个曝光装置100进行统括的未图示的外部装置的控制器输出这些指令值。

在第1和第2实施方式中，说明了包含2个光栅51和52且进行2波长振荡的窄带化气体激光装置1，但是，本发明不限于此。例如，窄带化气体激光装置1也可以包含3个以上的光栅，进行3波长以上的激光振荡，根据控制参数与能量比率的关系取得控制参数。

在第1和第2实施方式中，说明了包含平行平面基板61的窄带化装置14a，但是，本发明不限于此。例如，也可以构成为代替平行平面基板61而通过多个棱镜(未图示)的组合使光束的位置移位，使多个棱镜中的任意方移动，由此使移位量变化。

在第1和第2实施方式中，说明了线性台612使平行平面基板61移动而使光路轴移位的情况，但是，本发明不限于此。未图示的旋转台也可以使平行平面基板61绕与H轴平行的轴旋转，由此使光路轴移位。

在第1和第2实施方式中，说明了通过检索存储器32中存储的表数据(参照图8、图11A、图11B)而取得控制参数Y的值的情况，但是，本发明不限于此。在能量比率R相对于控制参数Y的关系用图9这样的曲线来近似、且该曲线用函数来表示的情况下，也可以在该函数中代入能量比率R的目标值Rt来计算控制参数Y的值。或者，在能量比率R相对于控制参数Y、充电电压HV和气压P的组合的关系能够用函数来近似的情况下，也可以在该函数中代入能量比率R的目标值Rt、充电电压HV和气压P来计算控制参数Y的值。也可以在存储器32中存储这些函数。

在第1和第2实施方式中，说明了检测第1波长λ1和第2波长λ2且分别与目标值λ1t和λ2t进行比较来进行波长控制的情况，但是，本发明不限于此。也可以代替检测第2波长λ2而检测第1波长λ1与第2波长λ2的波长差δλ。即，也可以检测第1波长λ1和波长差δλ，分别与第1波长λ1的目标值λ1t和波长差δλ的目标值δλt进行比较来进行波长控制。

在第1和第2实施方式中，说明了能量比率的参数包含能量比率R，能量比率R是第1波长λ1的波长成分的脉冲能量Eλ1相对于脉冲激光的总脉冲能量E之比的情况，但是，本发明不限于此。能量比率的参数只要是和第1波长λ1的波长成分的能量与第2波长λ2的波长成分的能量的比率有关的参数即可。例如，能量比率的参数也可以是第1波长λ1的波长成分的脉冲能量Eλ1除以第2波长λ2的波长成分的脉冲能量Eλ2而得到的值。此外，例如，能量比率的参数也可以是第1波长λ1的波长成分的脉冲能量Eλ1的值和第2波长λ2的波长成分的脉冲能量Eλ2的值的组合。

在第2实施方式中，说明了除了能量比率R的目标值Rt以外还考虑充电器12的充电电压HV和激光腔10的内部的气压P来决定线性台612的控制参数Y的情况，但是，本发明不限于此。也可以考虑能量比率R的目标值Rt和充电器12的充电电压HV来决定线性台612的控制参数Y。也可以考虑能量比率R的目标值Rt和激光腔10的内部的气压P来决定线性台612的控制参数Y。

上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，对于本领域技术人员而言显而易见的是，能够在不脱离权利要求书的情况下对本发明的实施方式施加变更。此外，对于本领域技术人员而言显而易见的是，能组合本发明的实施方式来使用。

只要没有明确记载，则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”、“所有”、“具有”、“具备”等用语应该解释为“不将被记载的结构要素以外的结构要素的存在除外”。此外，修饰词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外，“A、B和C中的至少一方”这样的用语应该解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或“A+B+C”。进而，应该解释为还包含它们和“A”、“B”、“C”以外的部分的组合。

Claims (20)

1.一种控制方法，所述控制方法是窄带化气体激光装置的控制方法，所述窄带化气体激光装置输出包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光，其中，

所述窄带化气体激光装置具有：

激光腔，其包含一对电极；

光谐振器，其包含调整机构，所述调整机构对所述第1波长成分与所述第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及

处理器，其存储有关系数据，所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于所述调整机构的控制参数的关系，

所述控制方法包含以下步骤：

从外部装置接收所述能量比率的参数的指令值；以及

根据所述关系数据取得与所述指令值对应的所述控制参数的值，根据所述控制参数的值对所述调整机构进行控制。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述控制方法还包含以下步骤：在对所述调整机构进行控制之前，对所述窄带化气体激光装置进行控制，以使所述第1波长成分和所述第2波长成分各自的波长接近各自的目标值。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述控制方法还包含以下步骤：在对所述调整机构进行了控制之后，计测包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量，对所述窄带化气体激光装置进行控制，以使所述总脉冲能量接近目标值。

4.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述能量比率的参数包含所述第1波长成分的脉冲能量相对于包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量之比。

5.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述能量比率的参数包含所述第1波长成分的脉冲能量的值和所述第2波长成分的脉冲能量的值。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述窄带化气体激光装置还具有：

脉冲功率模块，其对所述一对电极施加脉冲状的高电压；以及

充电器，其保持用于向所述脉冲功率模块供给的电能，

所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于如下的组合的关系：该组合是所述调整机构的所述控制参数和所述充电器的充电电压的组合，

所述控制方法还包含以下步骤：将所述充电器的充电电压设定为第1电压，

根据所述关系数据，取得与所述指令值和所述第1电压的组合对应的所述控制参数的值。

7.根据权利要求6所述的控制方法，其中，

在对所述调整机构进行控制之后，

计测包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量，

将所述充电器的充电电压设定为第2电压，以使所述总脉冲能量接近目标值，

然后，根据所述关系数据取得与所述指令值和所述第2电压的组合对应的所述控制参数的值，

根据新取得的所述控制参数的值对所述调整机构进行控制。

8.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于如下的组合的关系：该组合是所述调整机构的所述控制参数和所述激光腔的内部的气压的组合，

所述控制方法还包含以下步骤：接收所述激光腔的内部的气压的计测数据，

根据所述关系数据取得与所述指令值和所述气压的组合对应的所述控制参数的值。

9.根据权利要求1所述的控制方法，其中，

所述窄带化气体激光装置还具有：

脉冲功率模块，其对所述一对电极施加脉冲状的高电压；以及

充电器，其保持用于向所述脉冲功率模块供给的电能，

所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于如下的组合的关系：该组合是所述调整机构的所述控制参数、所述充电器的充电电压和所述激光腔的内部的气压的组合，

所述控制方法还包含以下步骤：

将所述充电器的充电电压设定为第1电压；以及

接收所述激光腔的内部的气压的计测数据，

根据所述关系数据，取得与所述指令值、所述第1电压和所述气压的组合对应的所述控制参数的值。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其中，

在对所述调整机构进行控制之后，

计测包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量，

将所述充电器的充电电压设定为第2电压，以使所述总脉冲能量接近目标值，

然后，根据所述关系数据取得与所述指令值、所述第2电压和所述气压的组合对应的所述控制参数的值，

根据新取得的所述控制参数的值对所述调整机构进行控制。

11.一种窄带化气体激光装置，其输出包含第1波长成分和第2波长成分的脉冲激光，其中，

所述窄带化气体激光装置具有：

激光腔，其包含一对电极；

光谐振器，其包含调整机构，所述调整机构对所述第1波长成分与所述第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及

处理器，其存储关系数据，所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于所述调整机构的控制参数的关系，所述处理器从外部装置接收所述能量比率的参数的指令值，根据所述关系数据取得与所述指令值对应的所述控制参数的值，根据所述控制参数的值对所述调整机构进行控制。

12.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述处理器在对所述调整机构进行控制之前，对所述窄带化气体激光装置进行控制，以使所述第1波长成分和所述第2波长成分各自的波长接近各自的目标值。

13.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述处理器在对所述调整机构进行控制之后，计测包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量，对所述窄带化气体激光装置进行控制，以使所述总脉冲能量接近目标值。

14.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述能量比率的参数包含所述第1波长成分的脉冲能量相对于包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量之比。

15.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述能量比率的参数包含所述第1波长成分的脉冲能量的值和所述第2波长成分的脉冲能量的值。

16.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述窄带化气体激光装置还具有：

脉冲功率模块，其对所述一对电极施加脉冲状的高电压；以及

充电器，其保持用于向所述脉冲功率模块供给的电能，

所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于如下的组合的关系：该组合是所述调整机构的所述控制参数和所述充电器的充电电压的组合，

所述处理器将所述充电器的充电电压设定为第1电压，

根据所述关系数据，取得与所述指令值和所述第1电压的组合对应的所述控制参数的值。

17.根据权利要求16所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述处理器在对所述调整机构进行控制之后，

计测包含所述第1波长成分和所述第2波长成分的所述脉冲激光的总脉冲能量，

将所述充电器的充电电压设定为第2电压，以使所述总脉冲能量接近目标值，

然后，根据所述关系数据取得与所述指令值和所述第2电压的组合对应的所述控制参数的值，

根据新取得的所述控制参数的值对所述调整机构进行控制。

18.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于如下的组合的关系：该组合是所述调整机构的所述控制参数和所述激光腔的内部的气压的组合，

所述处理器接收所述激光腔的内部的气压的计测数据，

根据所述关系数据取得与所述指令值和所述气压的组合对应的所述控制参数的值。

19.根据权利要求11所述的窄带化气体激光装置，其中，

所述窄带化气体激光装置还具有：

脉冲功率模块，其对所述一对电极施加脉冲状的高电压；以及

充电器，其保持用于向所述脉冲功率模块供给的电能，

所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于如下的组合的关系：该组合是所述调整机构的所述控制参数、所述充电器的充电电压和所述激光腔的内部的气压的组合，

所述处理器将所述充电器的充电电压设定为第1电压，接收所述激光腔的内部的气压的计测数据，根据所述关系数据，取得与所述指令值、所述第1电压和所述气压的组合对应的所述控制参数的值。

20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：

利用窄带化气体激光装置生成脉冲激光；

将所述脉冲激光输出到曝光装置；

在所述曝光装置内在感光基板上曝光所述脉冲激光，以制造电子器件，

所述窄带化气体激光装置输出包含第1波长成分和第2波长成分的所述脉冲激光，

所述窄带化气体激光装置具有：

激光腔，其包含一对电极；

光谐振器，其包含调整机构，所述调整机构对所述第1波长成分与所述第2波长成分的能量比率的参数进行调整；以及

处理器，其存储关系数据，所述关系数据表示所述能量比率的参数相对于所述调整机构的控制参数的关系，所述处理器从外部装置接收所述能量比率的参数的指令值，根据所述关系数据取得与所述指令值对应的所述控制参数的值，根据所述控制参数的值对所述调整机构进行控制。

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