WO2026023536A1 - 半導体装置および半導体装置アッセンブリ - Google Patents

半導体装置および半導体装置アッセンブリ

Info

Publication number
WO2026023536A1
WO2026023536A1 PCT/JP2025/025577 JP2025025577W WO2026023536A1 WO 2026023536 A1 WO2026023536 A1 WO 2026023536A1 JP 2025025577 W JP2025025577 W JP 2025025577W WO 2026023536 A1 WO2026023536 A1 WO 2026023536A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor device
leads
resin
main surface
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/025577
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
奈世乃 姥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of WO2026023536A1 publication Critical patent/WO2026023536A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Definitions

  • This disclosure relates to semiconductor devices and semiconductor device assemblies.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in this document comprises a semiconductor element that performs switching operations, multiple leads, and sealing resin. Wires for passing current are connected between the semiconductor element and the leads.
  • heat is generated from the semiconductor element.
  • semiconductor devices have become larger in current, there has been a trend toward an increase in the amount of heat generated by the semiconductor element.
  • the amount of heat generated by the semiconductor element increases, there is a risk that the leads connected to the semiconductor element via the wires will become too hot.
  • An object of the present disclosure is to provide an improved semiconductor device compared to conventional semiconductor devices.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that has improved heat dissipation properties for heat generated in a semiconductor element and is suitable for passing a large current.
  • a semiconductor device provided by a first aspect of the present disclosure comprises a support having a first main surface facing one side in the thickness direction and a second main surface facing the opposite side to the first main surface, one or more semiconductor elements mounted on the first main surface, a plurality of first leads, and a sealing resin covering the one or more semiconductor elements, at least a portion of the support, and a portion of each of the plurality of first leads, wherein the support includes an insulating layer and a first metal layer located on one side of the insulating layer in the thickness direction and having the first main surface,
  • the multiple first leads are spaced apart from one another in a first direction perpendicular to the thickness direction, and each of the multiple first leads has a joint portion conductively joined to the first metal layer and a first terminal portion protruding from the sealing resin to one side in a second direction perpendicular to the thickness direction and the first direction, the first metal layer having a non-conductive portion that is not conductive to any of the one or more semiconductor elements, and the multiple first leads include
  • a semiconductor device assembly provided by a second aspect of the present disclosure includes a semiconductor device according to the first aspect of the present disclosure and a heat dissipation member in contact with the second main surface.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a rear view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a plan view showing a semiconductor element of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in FIG.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG.
  • FIG. 15 is a circuit diagram showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a semiconductor device assembly including the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a semiconductor device assembly including the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a schematic diagram of a vehicle equipped with the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a plan view showing a semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a front view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a rear view showing the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 22 is a right side view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a left side view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a front view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a rear view showing the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 22 is a right side view showing a semiconductor
  • FIG. 24 is a bottom view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 25 is a bottom view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI in FIG.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII in FIG.
  • an object A is formed on an object B” and “an object A is formed on an object B” include “an object A is formed directly on an object B” and “an object A is formed on an object B with another object interposed between the two objects.”
  • an object A is disposed on an object B” and “an object A is disposed on an object B” include “an object A is disposed directly on an object B” and “an object A is disposed on an object B with another object interposed between the two objects.”
  • an object A is located on an object B” includes “an object A is located on an object B with an object A in contact with the object B” and “an object A is located on an object B with another object interposed between the two objects.”
  • the phrase “an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction” includes “an object A overlaps the entire object B” and “an object A overlaps a part of an object B.”
  • First embodiment: 1 to 15 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A1 of this embodiment includes a plurality of first leads 1, a plurality of second leads 2, a support 3, one or more semiconductor elements 4, a thermistor 6, a plurality of wires 71, 72, 73, and 74, and a sealing resin 8.
  • Figure 1 is a perspective view showing semiconductor device A1.
  • Figure 2 is a plan view showing semiconductor device A1.
  • Figure 3 is a plan view showing semiconductor device A1, seen through sealing resin 8.
  • Figure 4 is a bottom view showing semiconductor device A1.
  • Figure 5 is a front view showing semiconductor device A1.
  • Figure 6 is a rear view showing semiconductor device A1.
  • Figure 7 is a plan view showing the semiconductor element of semiconductor device A1.
  • Figure 8 is a partially enlarged cross-sectional view showing semiconductor device A1.
  • Figure 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in Figure 3.
  • Figure 10 is a cross-sectional view taken along line X-X in Figure 3.
  • Figure 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in Figure 3.
  • Figure 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in Figure 3.
  • Figure 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII in Figure 3.
  • Figure 14 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in Figure 3.
  • Figure 15 is a circuit diagram showing semiconductor device A1.
  • the outline of the sealing resin 8 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • Wire 71 is omitted from Figures 9 and 10, and wires 71 and 72 are omitted from Figure 12.
  • the thickness direction (direction when viewed from above) of support 3 is an example of the "thickness direction” of the present disclosure and is referred to as the “thickness direction z.”
  • the direction perpendicular to thickness direction z is an example of the "first direction” of the present disclosure and is referred to as the "first direction x.”
  • the direction perpendicular to both thickness direction z and first direction x is an example of the "second direction” of the present disclosure and is referred to as the “second direction y.”
  • one side of thickness direction z corresponds to the "one side of the thickness direction” of the present disclosure and is referred to as the "z1 side of thickness direction z”
  • the other side of thickness direction z corresponds to the "other side of the thickness direction” of the present disclosure and is referred to as the "z2 side of thickness direction z.”
  • One side of the first direction x is referred to as the "x1 side of first direction x”
  • the other side of the first direction x is referred
  • the support 3 supports one or more semiconductor elements 4.
  • the support 3 supports multiple semiconductor elements 4.
  • the support 3 supporting one or more semiconductor elements 4 includes a form in which one or more semiconductor elements 4 are directly supported by being directly bonded to the support 3, and a form in which one or more semiconductor elements 4 are indirectly supported with another member interposed between the one or more semiconductor elements 4 and the support 3.
  • the specific configuration of the support 3 is not limited in any way.
  • the support 3 is formed, for example, from an AMB (Active Metal Brazing) substrate or a DBC (Direct Bonded Copper) substrate.
  • the support 3 includes an insulating layer 31, a first metal layer 32, and a second metal layer 33.
  • the support 3 has a first main surface 3a and a second main surface 3b.
  • the first main surface 3a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the second main surface 3b faces the opposite side to the first main surface 3a (the z2 side in the thickness direction z).
  • the thickness of the support 3 (dimension in the thickness direction z) is not particularly limited, and is, for example, approximately 0.4 mm or more and 3.0 mm or less.
  • the insulating layer 31 is made of an insulating material, such as a ceramic with excellent thermal conductivity. Examples of such ceramics include aluminum nitride (AlN), silicon nitride (SiN), and alumina ( Al2O3 ).
  • the insulating layer 31 is not limited to ceramics and may be an insulating resin sheet or the like.
  • the shape of the insulating layer 31 is not particularly limited, and for example, is rectangular in a plan view. In this embodiment, the insulating layer 31 has an elongated rectangular shape with the first direction x as the longitudinal direction when viewed in the thickness direction z.
  • the thickness of the insulating layer 31 is not particularly limited, and for example, is approximately 0.05 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the first metal layer 32 is located on the z1 side of the insulating layer 31 in the thickness direction z.
  • the first metal layer 32 is bonded to the surface of the insulating layer 31 facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the constituent material of the first metal layer 32 includes a metal such as copper (Cu).
  • the constituent material may also include other materials such as aluminum (Al) and molybdenum (Mo).
  • the first metal layer 32 including the first portion 321 to the sixth portion 326 described below can be easily formed, for example, by patterning copper foil bonded to the insulating layer 31.
  • the first metal layer 32 has a first main surface 3a.
  • the first main surface 3a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the thickness of the first metal layer 32 is not particularly limited and is, for example, approximately 0.1 mm to 1.5 mm.
  • the first metal layer 32 includes a first portion 321, a second portion 322, a third portion 323, a fourth portion 324, a fifth portion 325, and two sixth portions 326.
  • the surfaces of these first portion 321 to sixth portion 326 may be plated with, for example, silver (Ag).
  • the first portion 321 is located on the insulating layer 31 closer to the x2 side in the first direction x.
  • the first portion 321 supports one of the multiple semiconductor elements 4.
  • the second portion 322 is located on the x1 side in the first direction x relative to the first portion 321 and is adjacent to the first portion 321.
  • the second portion 322 supports one of the multiple semiconductor elements 4.
  • the third portion 323 is located on the x1 side in the first direction x relative to the second portion 322 and is adjacent to the second portion 322.
  • the third portion 323 supports one of the multiple semiconductor elements 4.
  • the fourth portion 324 is located on the x1 side in the first direction x relative to the third portion 323 and is adjacent to the third portion 323.
  • the fourth portion 324 supports one of the multiple semiconductor elements 4.
  • the fifth portion 325 is located near a corner on the x1 side of the insulating layer 31 in the first direction x and on the y1 side in the second direction y.
  • the fifth portion 325 is adjacent to the fourth portion 324.
  • the fifth portion 325 does not support any of the multiple semiconductor elements 4.
  • the two sixth portions 326 are located near a corner on the x1 side of the insulating layer 31 in the first direction x and on the y2 side in the second direction y.
  • the two sixth portions 326 support the thermistors 6.
  • the second metal layer 33 is located on the z2 side of the insulating layer 31 in the thickness direction z.
  • the second metal layer 33 is bonded to the surface of the insulating layer 31 facing the z2 side in the thickness direction z.
  • the constituent material of the second metal layer 33 is not limited in any way and includes, for example, a metal such as copper (Cu).
  • the constituent material of the second metal layer 33 may be the same as the constituent material of the first metal layer 32.
  • the second metal layer 33 has a second main surface 3b.
  • the second main surface 3b is a flat surface facing the z2 side in the thickness direction z. In this embodiment, the second main surface 3b is exposed from the sealing resin 8.
  • a heat dissipation member (e.g., a heat sink) (not shown) can be attached to the second main surface 3b.
  • the second main surface 3b is rectangular in plan view and has a first edge 331 and a second edge 332.
  • the first edge 331 is located at the end of the second main surface 3b on the y1 side in the second direction y.
  • the second edge 332 is located at the end of the second main surface 3b on the y2 side in the second direction y.
  • the first leads 1 and the second leads 2 are made of a metal and have a higher thermal conductivity than the insulating layer 31, for example.
  • the metal making up the first leads 1 and the second leads 2 is not particularly limited, and may be, for example, copper, aluminum, iron (Fe), oxygen-free copper, or an alloy thereof (e.g., a Cu-Sn alloy, a Cu-Zr alloy, a Cu-Fe alloy, etc.).
  • the first leads 1 and the second leads 2 may be plated with nickel (Ni).
  • the first leads 1 and the second leads 2 may be formed, for example, by pressing a mold against a metal plate, or by patterning a metal plate by etching.
  • the method for forming the first leads 1 and the second leads 2 is not particularly limited.
  • the thickness of the first leads 1 and the second leads 2 is not particularly limited, and may be, for example, approximately 0.4 mm or more and 0.8 mm or less.
  • the first leads 1 and the second leads 2 are spaced apart from each other
  • the multiple first leads 1 include leads 11, 12, 13, 14, and 15. Leads 11, 12, 13, 14, and 15 form a conduction path to the semiconductor element 4. Leads 11, 12, 13, 14, and 15 are spaced apart from one another in the first direction x.
  • lead 11 is located on the x2 side in the first direction x relative to the other leads 12 to 15.
  • Lead 11 includes a bonding portion 111, a first terminal portion 112, and a first pad portion 113.
  • the bonding portion 111 is rectangular in plan view and is the portion that is bonded to the first portion 321.
  • the bonding portion 111 is electrically bonded to the end of the first portion 321 on the y1 side in the second direction y.
  • This electrically bonded portion may take various forms, such as using a conductive bonding material or welding, including laser welding.
  • the first terminal portion 112 is a portion of the lead 11 that protrudes from the sealing resin 8.
  • two first terminal portions 112 are provided spaced apart in the first direction x.
  • Each first terminal portion 112 is located on the opposite side of the bonding portion 111 in the second direction y.
  • Each first terminal portion 112 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y.
  • the first terminal portion 112 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the first terminal portion 112 is bent in the thickness direction z toward the side toward which the first main surface 3a of the support 3 faces (the z1 side in the thickness direction z) and extends to the z1 side in the thickness direction z.
  • the tip of one of the first terminal portions 112 is tapered.
  • the first pad portion 113 is located between the bonding portion 111 and the first pad portion 113 in the second direction y.
  • the first pad portion 113 has a rectangular shape in plan view with sides extending along the first direction x and the second direction y.
  • the bonding portion 111 and the first pad portion 113 are covered with sealing resin 8.
  • lead 12 is located on the x1 side in the first direction x relative to lead 11.
  • Lead 12 includes a bonding portion 121, a first terminal portion 122, and a first pad portion 123.
  • the bonding portion 121 is rectangular in plan view and is the portion that is bonded to the second portion 322.
  • the bonding portion 121 is conductively bonded to the end of the second portion 322 on the y1 side in the second direction y.
  • This conductive bonding may take various forms, such as using a conductive bonding material or welding, including laser welding.
  • the first terminal portion 122 is a portion of the lead 12 that protrudes from the sealing resin 8.
  • the first terminal portion 122 is located on the opposite side of the bonding portion 121 in the second direction y.
  • the first terminal portion 122 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y.
  • the first terminal portion 122 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the first terminal portion 122 is bent in the thickness direction z toward the side toward which the first main surface 3a of the support 3 faces (the z1 side in the thickness direction z), and extends to the z1 side in the thickness direction z.
  • the tip of the first terminal portion 122 is tapered.
  • the first pad portion 123 is located between the bonding portion 121 and the first pad portion 123 in the second direction y.
  • the first pad portion 123 is rectangular in plan view with sides along the first direction x and the second direction y.
  • a wire 71 is bonded to the first pad portion 123.
  • the bond portion 121 and the first pad portion 123 are covered with sealing resin 8.
  • lead 13 is located on the x1 side in the first direction x relative to lead 12.
  • Lead 13 includes a bonding portion 131, a first terminal portion 132, and a first pad portion 133.
  • Bonding portion 131 is rectangular in plan view and is the portion bonded to third portion 323.
  • Bonding portion 131 is conductively bonded to the end of third portion 323 on the y1 side in the second direction y.
  • This conductive bonding may take various forms, such as using a conductive bonding material or welding, including laser welding.
  • the multiple leads 22 are not bonded to the first metal layer 32, and are supported by the sealing resin 8.
  • the multiple leads 22 are arranged at intervals in the first direction x.
  • Each of the multiple leads 22 is arranged adjacent to one of the multiple leads 21 so as to form a pair.
  • the configuration of the leads 22 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in Figures 3, 9, and 11, the leads 22 include a second terminal portion 222 and a pad portion 223.
  • the second terminal portion 222 is the portion of the lead 22 that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second terminal portion 222 protrudes from the sealing resin 8 toward the y2 side in the second direction y.
  • the second terminal portion 222 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the second terminal portion 222 is bent in the thickness direction z toward the side toward which the first main surface 3a of the support body 3 faces (the z1 side in the thickness direction z).
  • the pad portion 223 is covered with the sealing resin 8.
  • the pad portion 223 is parallel to the first metal layer 32.
  • a wire 72 is bonded to the pad portion 223.
  • the two leads 23 are not bonded to the first metal layer 32, and are supported by the sealing resin 8.
  • the two leads 23 are arranged side by side in the first direction x.
  • the configuration of the leads 23 is not particularly limited. In this embodiment, as shown in Figures 3 and 12, the leads 23 include a second terminal portion 232 and a pad portion 233.
  • the second terminal portion 232 is the portion of the lead 23 that protrudes from the sealing resin 8.
  • the second terminal portion 232 protrudes from the sealing resin 8 toward the y2 side in the second direction y.
  • the second terminal portion 232 is used, for example, to electrically connect the semiconductor device A1 to an external circuit.
  • the second terminal portion 232 is bent in the thickness direction z toward the side toward which the first main surface 3a of the support body 3 faces (the z1 side in the thickness direction z).
  • the pad portion 233 is covered with the sealing resin 8.
  • the pad portion 233 is parallel to the first metal layer 32.
  • a wire 74 is bonded to the pad portion 233.
  • Each of the multiple semiconductor elements 4 is an electronic component that serves as the functional core of the semiconductor device A1, and in this embodiment, is a switching element.
  • the multiple semiconductor elements 4 are arranged on the first main surface 3a of the first metal layer 32. Specifically, four or more multiple semiconductor elements 4 are arranged spaced apart from one another, and each of the multiple semiconductor elements 4 is supported by one of the first portion 321 to fourth portion 324 of the first metal layer 32.
  • the multiple semiconductor elements 4 include semiconductor elements 4A to 4F.
  • the illustrated example includes six semiconductor elements 4A to 4F, this is just one example, and the number of semiconductor elements 4 is not limited in any way.
  • the semiconductor element 4 (each of the semiconductor elements 4A to 4F) is configured to include, for example, at least one of a wide bandgap semiconductor and an ultra-wide bandgap semiconductor.
  • wide bandgap semiconductors include SiC (silicon carbide) and GaN (gallium nitride).
  • ultra-wide bandgap semiconductors include Ga 2 O 3 (gallium oxide) and C (diamond).
  • the semiconductor element 4 is, for example, a MOSFET (SiC MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)) made of a SiC (silicon carbide) substrate.
  • the semiconductor element 4 may be a MOSFET made of a Si (silicon) substrate instead of a SiC substrate, and may include, for example, an IGBT element.
  • the semiconductor element 4 may also be a MOSFET containing GaN (gallium nitride).
  • the second electrode 42 of semiconductor element 4B is electrically connected to the first pad portion 133 of lead 13 by wire 71.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4C is electrically connected to the first pad portion 143 of the lead 14 by a wire 71.
  • the wire 71 is made of, for example, aluminum (Al) or copper (Cu). Note that there are no limitations on the material, diameter, or number of wires 71.
  • the semiconductor element 4E is located on the third portion 323.
  • the semiconductor element 4E is bonded to the third portion 323 by a conductive bonding material 49.
  • the first electrode 41 of the semiconductor element 4E is electrically connected to the third portion 323 by the conductive bonding material 49.
  • the bonding portion 131 which is electrically bonded to the third portion 323, is electrically connected to the first electrode 41 of the semiconductor element 4E.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4E is electrically connected to the first pad portion 153 of the lead 15 by a wire 71.
  • the bonding portion 151 of the lead 15 is electrically connected to the fifth portion 325.
  • the fifth portion 325 corresponds to the "non-conductive portion” in this disclosure.
  • the lead 15 corresponds to the "first terminal lead” in this disclosure.
  • the third electrode 43 of the semiconductor element 4A is conductively connected to the pad portion 223 of the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22, which is conductively connected to the third electrode 43 of the semiconductor element 4A, is a terminal (gate terminal) for inputting a drive signal to the semiconductor element 4A.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4A is conductively connected to the pad portion 213 of the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21, which is conductively connected to the second electrode 42 of the semiconductor element 4A, is a terminal for detecting a source signal (source sense terminal) of the semiconductor element 4A.
  • the wires 72 and 73 are made of, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), etc. There are no limitations on the material, diameter, or number of the wires 72 and 73.
  • the third electrode 43 of the semiconductor element 4B is electrically connected to the pad portion 223 of the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the third electrode 43 of the semiconductor element 4B is the gate terminal of the semiconductor element 4B.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4B is electrically connected to the pad portion 213 of the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the second electrode 42 of the semiconductor element 4B is the source sense terminal of the semiconductor element 4B.
  • the third electrode 43 of the semiconductor element 4C is electrically connected to the pad portion 223 of the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the third electrode 43 of the semiconductor element 4C is the gate terminal of the semiconductor element 4C.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4C is electrically connected to the pad portion 213 of the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the second electrode 42 of the semiconductor element 4C is the source sense terminal of the semiconductor element 4C.
  • the third electrode 43 of the semiconductor element 4D is electrically connected to the pad portion 223 of the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the third electrode 43 of the semiconductor element 4D is the gate terminal of the semiconductor element 4D.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4D is electrically connected to the pad portion 213 of the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the second electrode 42 of the semiconductor element 4D is the source sense terminal of the semiconductor element 4D.
  • the third electrode 43 of the semiconductor element 4E is electrically connected to the pad portion 223 of the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the third electrode 43 of the semiconductor element 4E is the gate terminal of the semiconductor element 4E.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4E is electrically connected to the pad portion 213 of the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the second electrode 42 of the semiconductor element 4E is the source sense terminal of the semiconductor element 4E.
  • the third electrode 43 of the semiconductor element 4F is electrically connected to the pad portion 223 of the lead 22 by a wire 72.
  • the lead 22 electrically connected to the third electrode 43 of the semiconductor element 4F is the gate terminal of the semiconductor element 4F.
  • the second electrode 42 of the semiconductor element 4F is electrically connected to the pad portion 213 of the lead 21 by a wire 73.
  • the lead 21 electrically connected to the second electrode 42 of the semiconductor element 4F is the source sense terminal of the semiconductor element 4F.
  • semiconductor device A1 includes, for example, a half-bridge switching circuit.
  • semiconductor elements 4A, 4B, and 4C form the upper arm circuit of semiconductor device A1
  • semiconductor elements 4D, 4E, and 4F form the lower arm circuit.
  • semiconductor elements 4A, 4B, and 4C are connected in parallel to each other, and in the lower arm circuit, semiconductor elements 4D, 4E, and 4F are connected in parallel to each other.
  • Each semiconductor element 4A, 4B, and 4C and each semiconductor element 4D, 4E, and 4F are individually connected in series to form a bridge layer.
  • a DC voltage to be converted into power is input to leads 11 and 15.
  • Lead 11 is the positive electrode (P terminal), and lead 15 is the negative electrode (N terminal).
  • An AC voltage converted into power by semiconductor elements 4A to 4F is output from leads 12, 13, and 14.
  • the multiple first leads 1 are power leads for passing the current that is the switching target of the multiple semiconductor elements 4 (semiconductor elements 4A-4F).
  • semiconductor elements 4 are arranged side by side in the first direction x.
  • Semiconductor element 4A is located at the end on the x2 side of the first direction x
  • semiconductor element 4F is located at the end on the x1 side of the first direction x.
  • Semiconductor elements 4A to 4F are arranged in this order from the x2 side of the first direction x to the x1 side of the first direction x.
  • semiconductor element 4B is located on the y2 side of semiconductor element 4A in the second direction y.
  • Semiconductor element 4B overlaps semiconductor element 4A when viewed in the second direction y.
  • the four semiconductor elements 4B to 4E are arranged at regular intervals along the first direction x.
  • Semiconductor element 4F is located on the y1 side of semiconductor element 4E in the second direction y.
  • Semiconductor element 4F overlaps semiconductor element 4E when viewed in the second direction y.
  • Thermistor 6 is a temperature detection element and is mounted on support 3.
  • the thermistor 6 is a resistor whose electrical resistance changes greatly with temperature changes, and the resistance value changes in response to the ambient temperature, causing the voltage between its terminals to change.
  • the ambient temperature of the thermistor 6 is detected based on the voltage between its terminals.
  • the characteristics of the thermistor 6 are not limited.
  • the thermistor 6 may be an NTC (negative temperature coefficient) thermistor, a PTC (positive temperature coefficient) thermistor, or a thermistor with other characteristics.
  • the thermistor 6 detects the temperature of the semiconductor device A1. As shown in Figures 3 and 12, the thermistor 6 is arranged across the two sixth portions 326 of the first metal layer 32. The thermistor 6 is bonded to the sixth portion 326 via a conductive bonding material 69.
  • the conductive bonding material 69 may be any material that can bond the thermistor 6 to the sixth portion 326 and electrically connect the thermistor 6 and the sixth portion 326. Examples of the conductive bonding material 69 that can be used include solder, metal paste, and metal sintered material.
  • One terminal of the thermistor 6 is conductively bonded to one sixth portion 326 via the conductive bonding material 69, and the other terminal of the thermistor 6 is conductively bonded to the other sixth portion 326 via the conductive bonding material 69.
  • Each of the two sixth portions 326 is electrically connected to the pad portion 233 of the lead 23 via a wire 74.
  • the sixth portion 326 and the wire 74 form a conductive path that connects the thermistor 6 to the lead 23.
  • the two leads 23 serve as terminals for detecting the temperature of the semiconductor device A1, and output the voltage between the terminals of the thermistor 6.
  • the semiconductor device A1 may be equipped with another temperature detection element instead of the thermistor 6.
  • Another temperature detection element include a semiconductor temperature sensor.
  • a semiconductor temperature sensor is a type of silicon diode, which exhibits a large change in forward voltage relative to temperature changes, and detects the ambient temperature based on the voltage between its terminals when a predetermined current is passed through it.
  • the semiconductor device A1 may be configured without a temperature detection element such as the thermistor 6.
  • the sealing resin 8 covers the multiple semiconductor elements 4 (semiconductor elements 4A-4F), thermistor 6, wires 71-74, portions of the multiple first leads 1 and multiple second leads 2, and a portion of the support body 3.
  • the material that makes up the sealing resin 8 may be made of, for example, black epoxy resin.
  • the sealing resin 8 is formed, for example, by molding.
  • the sealing resin 8 has a first resin main surface 81, a second resin main surface 82, a resin side surface 83, a resin side surface 84, a first resin side surface 85, and a second resin side surface 86.
  • the first resin main surface 81 and the second resin main surface 82 are surfaces facing opposite each other in the thickness direction z and are both flat surfaces perpendicular to the thickness direction z.
  • the first resin main surface 81 faces the z1 side in the thickness direction z
  • the second resin main surface 82 faces the z2 side in the thickness direction z.
  • the second resin main surface 82 has a frame shape surrounding the second main surface 3b of the support body 3 (second metal layer 33) in a planar view.
  • the second main surface 3b is exposed from the second resin main surface 82.
  • the second main surface 3b and the second resin main surface 82 are, for example, flush with each other.
  • the second main surface 3b and the second resin main surface 82 may be located at different positions in the thickness direction z.
  • the resin side surface 83, the resin side surface 84, the first resin side surface 85, and the second resin side surface 86 are connected to both the first resin main surface 81 and the second resin main surface 82, and are sandwiched between them in the thickness direction z.
  • the resin side surface 83 and the resin side surface 84 are spaced apart in the first direction x.
  • the resin side surface 83 faces the x1 side of the first direction x
  • the resin side surface 84 faces the x2 side of the first direction x.
  • the first resin side surface 85 and the second resin side surface 86 are spaced apart in the second direction y.
  • the first resin side surface 85 faces the y1 side of the second direction y
  • the second resin side surface 86 faces the y2 side of the second direction y.
  • a portion of each of the multiple first leads 1 protrudes from the first resin side surface 85. Specifically, first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 of each of leads 11 to 15 protrude from first resin side surface 85 toward the y1 side in the second direction y. A portion of each of the multiple second leads 2 protrudes from second resin side surface 86. Specifically, second terminal portions 212, 222, and 232 of each of multiple leads 21 to 23 protrude from second resin side surface 86 toward the y2 side in the second direction y.
  • the ratio of the length L4 in the second direction y between the first edge 331 and the first resin side surface 85 to the length L3 in the second direction y between the first edge 331 and the second edge 332 of the second main surface 3b is, for example, 10% to 300%, preferably 18% to 133%, and more preferably 33% to 71%.
  • the ratio of the length L5 in the second direction y between the second edge 332 and the second resin side surface 86 to the length L3 in the second direction y between the first edge 331 and the second edge 332 is, for example, 10% to 300%, preferably 18% to 133%, and more preferably 33% to 71%.
  • the sealing resin 8 has a plurality of first grooves 821 and a plurality of second grooves 822.
  • the plurality of first grooves 821 and the plurality of second grooves 822 are formed in the second resin main surface 82.
  • the sealing resin 8 has three first grooves 821 and three second grooves 822.
  • the plurality of first grooves 821 are located between the second main surface 3b and the first resin side surface 85 in the second direction y.
  • the plurality of first grooves 821 are spaced apart from one another in the second direction y, and each extends the entire length in the first direction x.
  • the plurality of second grooves 822 are located between the second main surface 3b and the second resin side surface 86 in the second direction y.
  • the plurality of second grooves 822 are spaced apart from one another in the second direction y, and each extends the entire length in the first direction x.
  • the sealing resin 8 has recesses 831 and 841.
  • Recess 831 is located at the center of resin side surface 83 in the second direction y, and is recessed from resin side surface 83 to the x2 side in the first direction x.
  • Recess 841 is located at the center of resin side surface 84 in the second direction y, and is recessed from resin side surface 84 to the x1 side in the first direction x.
  • Recesses 831 and 841 are used, for example, to secure a heat dissipation member when it is attached to semiconductor device A1.
  • the sealing resin 8 has a plurality of first recesses 851.
  • the multiple first recesses 851 are recessed from the first resin side surface 85 toward the y2 side in the second direction y.
  • Two or more first recesses 851 are located between adjacent first terminal portions 112, 122, 132, 142, 152 in the first direction x.
  • two first recesses 851 are located between adjacent first terminal portions 112 and 122 in the first direction x
  • two first recesses 851 are located between adjacent first terminal portions 122 and 132 in the first direction x.
  • Two first recesses 851 are located between the first terminal portion 132 and the first terminal portion 142 that are adjacent in the first direction x, and two first recesses 851 are located between the first terminal portion 142 and the first terminal portion 152 that are adjacent in the first direction x.
  • the sealing resin 8 has a plurality of second recesses 861.
  • the plurality of second recesses 861 are recessed from the second resin side surface 86 toward the y1 side in the second direction y.
  • Two or more second recesses 861 are located between adjacent second terminal portions 212, 222, 232 in the first direction x.
  • two second recesses 861 are located between the second terminal portion 212 and the second terminal portion 222 that are adjacent in the first direction x
  • two second recesses 861 are located between the second terminal portion 222 and the second terminal portion 232 that are adjacent in the first direction x.
  • the support 3 includes an insulating layer 31 and a first metal layer 32 located on the z1 side of the insulating layer 31 in the thickness direction z.
  • the first metal layer 32 has a first main surface 3a facing the z1 side of the thickness direction z, and semiconductor elements 4A-4F are mounted on the first main surface 3a.
  • the multiple first leads 1 (leads 11-15) have bonding portions 111, 121, 131, 141, and 151 conductively bonded to the first metal layer 32, and first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 protruding from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the first metal layer 32 has a fifth portion 325 (non-conductive portion) that is not conductive to any of the semiconductor elements 4A-4F.
  • the bonding portion 151 of lead 15 (first terminal lead) is conductively bonded to the fifth portion 325.
  • the multiple first leads 1 (leads 11-15) have first pad portions 113, 123, 133, 143, and 153 covered with sealing resin 8.
  • Each of the first pad portions 113, 123, 133, 143, and 153 is rectangular in shape with sides extending in the first direction x and the second direction y when viewed in the thickness direction z.
  • the length L1 in the second direction y of the first pad portion 153 (113, 123, 133, and 143) is longer than the protrusion length L2 of the first terminal portion 152 (112, 122, 132, and 142) protruding from the sealing resin 8 in the second direction y.
  • This configuration allows the planar size of each of the first pad portions 113, 123, 133, 143, and 153 to be large, thereby improving the heat dissipation performance of the semiconductor device A1.
  • the first pads 113, 123, 133, 143, and 153 are rectangular and large in plan view, making it easy to bond the wire 71 and improving the strength with which the leads 11-15 are held by the sealing resin 8. This improves the reliability of the semiconductor device A1.
  • the first pad portions 113, 123, 133, 143, and 153 of each of the multiple first leads 1 are aligned at the same position in the second direction y. This configuration facilitates bonding of the multiple first leads 1 (bonding portions 111, 121, 131, 141, and 151 of leads 11 to 15) to the first metal layer 32 (first portion 321 to fifth portion 325).
  • the first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 of each of the multiple first leads 1 have their ends on the y1 side in the second direction y aligned at the same position in the second direction y.
  • the first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 are bent and extend toward the z1 side in the thickness direction z, and have tapered tips. This configuration makes it easy to connect the first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 to an external circuit board, etc.
  • the second metal layer 33 of the support 3 has a second main surface 3b.
  • the second main surface 3b is exposed from the second resin main surface 82.
  • the ratio of the length L4 in the second direction y between the first edge 331 and the first resin side surface 85 to the length L3 in the second direction y between the first edge 331 and the second edge 332 of the second main surface 3b is 10% or more and 300% or less.
  • the ratio of the length L5 in the second direction y between the second edge 332 and the second resin side surface 86 to the length L3 in the second direction y between the first edge 331 and the second edge 332 is 10% or more and 300% or less.
  • the sealing resin 8 has a plurality of first grooves 821 and a plurality of second grooves 822 formed in the second resin main surface 82.
  • the plurality of first grooves 821 are located between the second main surface 3b and the first resin side surface 85 in the second direction y, are spaced apart from one another in the second direction y, and each extend in the first direction x. This configuration ensures a large creepage distance between the second metal layer 33 and the plurality of first leads 1 (first terminal portions 112, 122, 132, 142, 152) protruding from the sealing resin 8.
  • the plurality of second grooves 822 are located between the second main surface 3b and the second resin side surface 86 in the second direction y, are spaced apart from one another in the second direction y, and each extend in the first direction x. This configuration ensures a large creepage distance between the second metal layer 33 and the multiple second leads 2 (second terminal portions 212, 222, 232) protruding from the sealing resin 8. This makes the semiconductor device A1 suitable for passing large currents.
  • the sealing resin 8 has multiple first recesses 851.
  • the multiple first recesses 851 are recessed from the first resin side surface 85 toward the y2 side in the second direction y.
  • Two or more first recesses 851 are located between adjacent first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 in the first direction x. This configuration increases the creepage distance between adjacent first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 in the first direction x. This makes the semiconductor device A1 suitable for passing large currents.
  • the sealing resin 8 has multiple second recesses 861.
  • the multiple second recesses 861 are recessed from the second resin side surface 86 toward the y1 side in the second direction y.
  • Two or more second recesses 861 are located between adjacent second terminal portions 212, 222, 232 in the first direction x. This configuration increases the creepage distance between adjacent second terminal portions 212, 222, 232 in the first direction x. This makes the semiconductor device A1 suitable for passing large currents.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the shapes and dimensions of the various components shown in the semiconductor device A1 of this embodiment.
  • the width and depth of each of the multiple first grooves 821, the multiple second grooves 822, the multiple first recesses 851, and the multiple second recesses 861 can be changed as appropriate.
  • the length L3 in the second direction y between the first edge 331 and the second edge 332 of the second main surface 3b of the second metal layer 33 i.e., the length in the second direction y of the support body 3) can be made larger than in the example shown in the semiconductor device A1. In this case, the heat dissipation performance of the semiconductor device according to the present disclosure can be further improved.
  • FIGS. 16 and 17 show a semiconductor device assembly B1 configured with the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • FIGS. 16 and 17 are cross-sectional views showing the semiconductor device assembly B1.
  • FIG. 16 shows a cross-section similar to FIG. 11, and
  • FIG. 17 shows a cross-section similar to FIG. 14.
  • the semiconductor device assembly B1 includes the semiconductor device A1 and a heat dissipation member 91.
  • the heat dissipation member 91 is arranged on the z2 side of the semiconductor device A1 in the thickness direction z.
  • the heat dissipation member 91 is arranged facing the second main surface 3b of the support body 3.
  • the heat dissipation member 91 is in contact with the second main surface 3b.
  • the heat dissipation member 91 is in contact with the entire surface of the second main surface 3b.
  • the heat dissipation member 91 is fixed to the semiconductor device A1 using two screw members 911.
  • the screw shanks of the two screw members 911 are housed in recesses 831 and 841.
  • the semiconductor device assembly B1 includes a heat dissipation member 91 that contacts the second main surface 3b of the semiconductor device A1 (support 3). This configuration further improves the heat dissipation performance of the semiconductor device A1. Furthermore, as described above, in the semiconductor device A1, the length by which the sealing resin 8 protrudes from the support 3 in the second direction y can be made relatively long. This allows the length L6 in the second direction y of the contact portion of the heat dissipation member 91 with the semiconductor device A1 to be relatively long, while still ensuring a predetermined insulation distance from the multiple first leads 1 and multiple second leads 2 to the heat dissipation member 91. This is preferable for improving the heat dissipation performance of the semiconductor device A1.
  • FIG 18 is a schematic diagram of vehicle B2 equipped with semiconductor device A1.
  • Vehicle B2 is equipped with an AC-DC converter 871, a power receiving device 872, a storage battery 873, a drive system 874, and a DC-DC converter 875.
  • Semiconductor device A1 constitutes part of the AC-DC converter 871 (PFC circuit).
  • the AC-DC converter 871 converts the AC power into high-voltage DC power.
  • the AC-DC converter 871 supplies the high-voltage DC power to the storage battery 873.
  • the power receiving device 872 supplies power to the storage battery 873 via a contactless charging system, and power is supplied via electromagnetic induction from a contactless charger (not shown) installed in a parking lot, etc.
  • the power stored in the storage battery 873 is supplied to the drive system 874, which is composed of an inverter, an AC motor, and a transmission.
  • the drive system 874 drives the vehicle B2.
  • the DC-DC converter 875 supplies power to electrical components other than those driving the vehicle B2, and is, for example, a step-down DC-DC converter.
  • the AC-DC converter 871 described above is an example of a "power conversion device" in this disclosure. Note that the semiconductor device A1 is not limited to AC-DC conversion devices, and can be used in power conversion devices such as DC-DC conversion devices and DC-AC conversion devices.
  • a semiconductor device A2 includes a plurality of first leads 1, a plurality of second leads 2, a support 3, a plurality of semiconductor elements 4, a thermistor 6, a plurality of wires 71, 72, 73, and 74, and a sealing resin 8.
  • FIG. 19 is a plan view of the semiconductor device A2.
  • FIG. 20 is a front view of the semiconductor device A2.
  • FIG. 21 is a rear view of the semiconductor device A2.
  • FIG. 22 is a right side view of the semiconductor device A2.
  • FIG. 23 is a left side view of the semiconductor device A2.
  • FIG. 24 is a bottom view of the semiconductor device A2.
  • FIG. 25 is a bottom view of the semiconductor device A2, seen through the sealing resin 8.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI in FIG. 25.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII in FIG.
  • the thickness direction (direction when viewed from above) of support 3 is an example of the "thickness direction” of the present disclosure and is referred to as the “thickness direction z.”
  • the direction perpendicular to thickness direction z is an example of the "first direction” of the present disclosure and is referred to as the "first direction x.”
  • the direction perpendicular to both thickness direction z and first direction x is an example of the "second direction” of the present disclosure and is referred to as the “second direction y.”
  • one side of thickness direction z corresponds to the "one side of the thickness direction” of the present disclosure and is referred to as the "z1 side of thickness direction z”
  • the other side of thickness direction z corresponds to the "other side of the thickness direction” of the present disclosure and is referred to as the "z2 side of thickness direction z.”
  • One side of the first direction x is referred to as the "x1 side of first direction x”
  • the other side of the first direction x is referred
  • the configurations of the first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 of the multiple first leads 1 (leads 11 to 15) and the second terminal portions 212, 222, and 232 of the multiple second leads 2 differ from those of the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • the first terminal portion 112 of the lead 11 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 112 has a mounting surface 11a.
  • the mounting surface 11a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 122 of the lead 12 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 122 has a mounting surface 12a.
  • the mounting surface 12a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 132 of the lead 13 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 132 has a mounting surface 13a.
  • the mounting surface 13a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 142 of the lead 14 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 142 has a mounting surface 14a.
  • the mounting surface 14a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 152 of the lead 15 protrudes from the sealing resin 8 to the y1 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the first terminal portion 152 has a mounting surface 15a.
  • the mounting surface 15a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the mounting surfaces 11a, 12a, 13a, 14a, and 15a of the first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152, respectively, are surfaces that are conductively joined to the mounting substrate 92 when the semiconductor device A2 is mounted on the mounting substrate 92, for example.
  • the position of the mounting surfaces 11a, 12a, 13a, 14a, and 15a in the thickness direction z may be the same as the first resin principal surface 81, or may be on the z1 side of the first resin principal surface 81 in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 212 of the lead 21 protrudes from the sealing resin 8 to the y2 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 212 has a mounting surface 21a.
  • the mounting surface 21a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 222 of the lead 22 protrudes from the sealing resin 8 to the y2 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 222 has a mounting surface 22a.
  • the mounting surface 22a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 232 of the lead 23 protrudes from the sealing resin 8 to the y2 side in the second direction y and is folded back to the z1 side in the thickness direction z.
  • the second terminal portion 232 has a mounting surface 23a.
  • the mounting surface 23a faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the mounting surfaces 21a, 22a, and 23a of the second terminal portions 212, 222, and 232, respectively, are surfaces that are electrically connected to the mounting substrate 92 when the semiconductor device A2 is mounted on the mounting substrate 92, for example.
  • the position of the mounting surfaces 21a, 22a, and 23a in the thickness direction z may be the same as that of the first resin principal surface 81, or may be on the z1 side of the first resin principal surface 81 in the thickness direction z.
  • the support 3 includes an insulating layer 31 and a first metal layer 32 located on the z1 side of the insulating layer 31 in the thickness direction z.
  • the first metal layer 32 has a first main surface 3a facing the z1 side of the thickness direction z, and semiconductor elements 4A-4F are mounted on the first main surface 3a.
  • the multiple first leads 1 (leads 11-15) have bonding portions 111, 121, 131, 141, and 151 conductively bonded to the first metal layer 32, and first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152 protruding from the sealing resin 8 toward the y1 side in the second direction y.
  • the first metal layer 32 has a fifth portion 325 (non-conductive portion) that is not conductive to any of the semiconductor elements 4A-4F.
  • the bonding portion 151 of lead 15 (first terminal lead) is conductively bonded to the fifth portion 325.
  • the plurality of second grooves 822 are located between the second main surface 3b and the second resin side surface 86 in the second direction y, are spaced apart from one another in the second direction y, and each extend in the first direction x. This configuration ensures a large creepage distance between the second metal layer 33 and the multiple second leads 2 (second terminal portions 212, 222, 232) protruding from the sealing resin 8. This makes the semiconductor device A2 suitable for passing large currents.
  • mounting surfaces 11a, 12a, 13a, 14a, and 15a of first terminal portions 112, 122, 132, 142, and 152, and mounting surfaces 21a, 22a, and 23a of second terminal portions 212, 222, and 232 face the z1 side in the thickness direction z.
  • This enables so-called surface mounting, which utilizes mounting surfaces 11a, 12a, 13a, 14a, and 15a and mounting surfaces 21a, 22a, and 23a, when mounting semiconductor device A2 on mounting board 92. Therefore, semiconductor device A2 can improve the efficiency of the mounting process.
  • Each of the plurality of first leads (1) has a first pad portion (113, 123, 133, 143, 153) that is located between the joint portion (111, 121, 131, 141, 151) and the first terminal portion (112, 122, 132, 142, 152) in the second direction (y) and is covered with the sealing resin (8),
  • the first pad portion (113, 123, 133, 143, 153) has a rectangular shape with sides extending along the first direction (x) and the second direction (y) when viewed in the thickness direction (z),
  • the sealing resin (8) has a plurality of first grooves (821) formed in the second resin main surface (82),
  • Appendix 15. A plurality of the semiconductor elements (4) are provided, The semiconductor device (A1, A2) according to any one of Supplementary Notes 1 to 14, wherein the plurality of semiconductor elements (4) are arranged side by side in the first direction (x).
  • the one or more semiconductor elements (4) are switching elements, The semiconductor device (A1, A2) according to any one of appendices 1 to 15, wherein the plurality of first leads (1) are power leads for passing a current that is a switching target of the one or more semiconductor elements.

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体装置は、支持体と、前記支持体に搭載された複数の半導体素子と、複数の第１リードと、封止樹脂とを備える。前記封止樹脂は、各半導体素子、前記支持体の一部、および各第１リードの一部を覆う。前記支持体は、絶縁層と、第１金属層とを含む。各第１リードは、前記第１金属層に接合された接合部と、前記封止樹脂から突出する第１端子部とを有する。前記第１金属層は、前記複数の半導体素子のいずれにも導通しない非導通部を含む。前記複数の第１リードは、前記非導通部に接合された接合部を有する第１端子リードを含む。

Description

半導体装置および半導体装置アッセンブリ
　本開示は、半導体装置および半導体装置アッセンブリに関する。
　特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、スイッチング動作を行う半導体素子、複数のリードおよび封止樹脂を備える。半導体素子とリードとの間には、電流を流すためのワイヤが接続されている。半導体装置の使用時には、半導体素子から熱が発生する。昨今では、半導体装置の大電流化に伴い、半導体素子での発熱量が増大する傾向にある。半導体素子での発熱量が増大すると、ワイヤを介して半導体素子に接続されたリードが高温となるおそれがあった。
特開２０２２－１２３２６０号公報
［概要］
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、半導体素子で発生した熱の放熱性を向上させ、大電流を流すのに適した半導体装置を提供することを一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１主面、および前記第１主面とは反対側を向く第２主面を有する支持体と、前記第１主面上に搭載された１以上の半導体素子と、複数の第１リードと、前記１以上の半導体素子、前記支持体の少なくとも一部、および前記複数の第１リードの各々の一部を覆う封止樹脂と、を備え、前記支持体は、絶縁層と、前記絶縁層の前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記第１主面を有する第１金属層と、を含み、前記複数の第１リードは、前記厚さ方向と直交する第１方向において互いに離隔しており、前記複数の第１リードの各々は、前記第１金属層に導通接合された接合部と、前記封止樹脂から前記厚さ方向および前記第１方向と直交する第２方向の一方側に突出する第１端子部と、を有し、前記第１金属層は、前記１以上の半導体素子のいずれにも導通しない非導通部を有し、前記複数の第１リードは、第１端子リードを含み、前記第１端子リードの前記接合部は、前記非導通部に導通接合されている。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置アッセンブリは、本開示の第１の側面に係る半導体装置と、前記第２主面に接する放熱部材と、を備える。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す背面図である。 図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の半導体素子を示す平面図である。 図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大断面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図３のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。 図１６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を備えた半導体装置アッセンブリを示す断面図である。 図１７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を備えた半導体装置アッセンブリを示す断面図である。 図１８は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を備えた車両の概要図である。 図１９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図２０は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図２１は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す背面図である。 図２２は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す右側面図である。 図２３は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す左側面図である。 図２４は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図２５は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図２６は、図２５のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 図２７は、図２５のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
［詳細な説明］
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
　第１実施形態：
　図１～図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、複数の第１リード１、複数の第２リード２、支持体３、１以上の半導体素子４、サーミスタ６、複数ずつのワイヤ７１，７２，７３，７４、および封止樹脂８を備えている。
　図１は、半導体装置Ａ１を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１を示す平面図である。図３は、半導体装置Ａ１を示す平面図であり、封止樹脂８を透過した図である。図４は、半導体装置Ａ１を示す底面図である。図５は、本半導体装置Ａ１を示す正面図である。図６は、半導体装置Ａ１を示す背面図である。図７は、半導体装置Ａ１の半導体素子を示す平面図である。図８は、半導体装置Ａ１を示す部分拡大断面図である。図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図３のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。図１４は、図３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。図１５は、半導体装置Ａ１を示す回路図である。なお、図３においては、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図９および図１０においてはワイヤ７１を省略しており、図１２においては、ワイヤ７１，７２を省略している。
　半導体装置Ａ１の説明においては、支持体３の厚さ方向（平面視方向）は、本開示の「厚さ方向」の一例であり、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向は、本開示の「第１方向」の一例であり、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向は、本開示の「第２方向」の一例であり、「第２方向ｙ」と呼ぶ。また、厚さ方向ｚの一方側は本開示の「厚さ方向の一方側」に相当し、「厚さ方向ｚのｚ１側」と呼び、厚さ方向ｚの他方側は本開示の「厚さ方向の他方側」に相当し、「厚さ方向ｚのｚ２側」と呼ぶ。第１方向ｘの一方側を「第１方向ｘのｘ１側」と呼び、第１方向ｘの他方側を「第１方向ｘのｘ２側」と呼ぶ。第２方向ｙの一方側は本開示の「第２方向の一方側」に相当し、「第２方向ｙのｙ１側」と呼び、第２方向ｙの他方側は本開示の「第２方向の他方側」に相当し、「第２方向ｙのｙ２側」と呼ぶ。
　図３、図８～図１３に示すように、支持体３は、１以上の半導体素子４を支持する。本実施形態においては、支持体３は、複数の半導体素子４を支持する。支持体３が１以上の半導体素子４を支持するとは、支持体３に１以上の半導体素子４が直接接合される等によって直接的に支持される形態、および１以上の半導体素子４および支持体３の間に他の部材が介在された状態で間接的に支持される形態、を含む。
　支持体３の具体的構成は何ら限定されない。支持体３は、たとえばＡＭＢ（Active Metal Brazing）基板またはＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板により構成される。本実施形態において、支持体３は、絶縁層３１、第１金属層３２および第２金属層３３を含む。支持体３は、第１主面３ａおよび第２主面３ｂを有する。第１主面３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。第２主面３ｂは、第１主面３ａとは反対側（厚さ方向ｚのｚ２側）を向く。支持体３の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ以上３．０ｍｍ以下程度である。
　絶縁層３１は、絶縁性材料からなり、たとえば熱伝導性の優れたセラミックスからなる。このようなセラミックスとしては、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）が挙げられる。絶縁層３１は、セラミックスに限定されず、絶縁樹脂シートなどであってもよい。絶縁層３１の形状は特に限定されず、たとえば平面視矩形状である。本実施形態において、絶縁層３１は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘを長手方向とする長矩形状である。絶縁層３１の厚さは特に限定されず、たとえば０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下程度である。
　第１金属層３２は、絶縁層３１の厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。第１金属層３２は、絶縁層３１の厚さ方向ｚのｚ１側を向く面に接合されている。第１金属層３２の構成材料は、たとえば銅（Ｃｕ）等の金属を含む。当該構成材料は銅以外のたとえばアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）を含んでいてもよい。上記ＤＢＣ基板等を用いることで、たとえば絶縁層３１に接合された銅箔をパターニングすることにより、後述の第１部３２１～第６部３２６を含む第１金属層３２を容易に形成することができる。第１金属層３２は、第１主面３ａを有する。第１主面３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。第１金属層３２の厚さは特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下程度である。
　第１金属層３２は、第１部３２１、第２部３２２、第３部３２３、第４部３２４、第５部３２５および２つの第６部３２６を含む。これら第１部３２１～第６部３２６の表面には、たとえば銀（Ａｇ）めっきを施してもよい。
　第１部３２１は、絶縁層３１上において第１方向ｘのｘ２側寄りに位置する。第１部３２１は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。第２部３２２は、第１部３２１に対して第１方向ｘのｘ１側に位置し、第１部３２１と隣り合っている。第２部３２２は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。第３部３２３は、第２部３２２に対して第１方向ｘのｘ１側に位置し、第２部３２２と隣り合っている。第３部３２３は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。第４部３２４は、第３部３２３に対して第１方向ｘのｘ１側に位置し、第３部３２３と隣り合っている。第４部３２４は、複数の半導体素子４のいずれかを支持している。
　第５部３２５は、絶縁層３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ１側の角部付近に位置する。第５部３２５は、第４部３２４と隣り合っている。第５部３２５は、複数の半導体素子４のいずれも支持していない。２つの第６部３２６は、絶縁層３１の第１方向ｘのｘ１側、且つ第２方向ｙのｙ２側の角部付近に位置する。２つの第６部３２６は、サーミスタ６を支持している。
　第２金属層３３は、絶縁層３１の厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。第２金属層３３は、絶縁層３１の厚さ方向ｚのｚ２側を向く面に接合されている。第２金属層３３の構成材料は、何ら限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）等の金属を含む。本実施形態においては、第２金属層３３の構成材料は、第１金属層３２の構成材料と同じであってもよい。第２金属層３３は、第２主面３ｂを有する。第２主面３ｂは、厚さ方向ｚのｚ２側を向く平面である。本実施形態において、第２主面３ｂは、封止樹脂８から露出する。第２主面３ｂには、図示しない放熱部材（たとえばヒートシンク）などが取り付け可能である。図４などに示すように、第２主面３ｂは、平面視矩形状であり、第１端縁３３１および第２端縁３３２を有する。第１端縁３３１は、第２主面３ｂにおいて第２方向ｙのｙ１側の端に位置する。第２端縁３３２は、第２主面３ｂにおいて第２方向ｙのｙ２側の端に位置する。
　複数の第１リード１および複数の第２リード２は、金属を含んで構成されており、たとえば絶縁層３１よりも熱伝導率が高い。複数の第１リード１および複数の第２リード２を構成する金属は特に限定されず、たとえば銅、アルミニウム、鉄（Ｆｅ）、無酸素銅、またはこれらの合金（たとえば、Ｃｕ－Ｓｎ合金、Ｃｕ－Ｚｒ合金、Ｃｕ－Ｆｅ合金等）である。また、複数の第１リード１および複数の第２リード２には、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施されていてもよい。複数の第１リード１および複数の第２リード２は、たとえば、金型を金属板に押し付けるプレス加工により形成されてもよいし、金属板をエッチングでパターニングすることにより形成されてもよい。なお、複数の第１リード１および複数の第２リード２の形成方法は限定されない。複数の第１リード１および複数の第２リード２の厚さは特に限定されず、たとえば０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下程度である。複数の第１リード１および複数の第２リード２は、互いに離隔している。
　本実施形態においては、図１～図５および図９～図１２に示すように、複数の第１リード１は、リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５を含んでいる。リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５は、半導体素子４への導通経路を構成している。リード１１、リード１２、リード１３、リード１４およびリード１５は、第１方向ｘにおいて互いに離隔している。
　図示した例では、リード１１は、他のリード１２～１５よりも第１方向ｘのｘ２側に位置する。リード１１は、接合部１１１、第１端子部１１２および第１パッド部１１３を含む。接合部１１１は、平面視矩形状であり、第１部３２１に接合される部分である。接合部１１１は、第１部３２１の第２方向ｙのｙ１側の端部に導通接合されている。この導通接合は、導電性接合材を用いた形態、レーザ溶接を含む溶接による形態、等の種々の形態であってよい。
　第１端子部１１２は、リード１１のうち封止樹脂８から突出する部分である。図示した例では、２つの第１端子部１１２が第１方向ｘに間隔を隔てて設けられている。各第１端子部１１２は、第２方向ｙにおいて接合部１１１とは反対側に位置する。各第１端子部１１２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。第１端子部１１２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第１端子部１１２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられており、厚さ方向ｚのｚ１側に延びる。図１、図５に示すように、一方の第１端子部１１２の先端部は、先細り形状とされている。第１パッド部１１３は、第２方向ｙにおいて接合部１１１と第１パッド部１１３との間に位置する。第１パッド部１１３は、平面視において第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。接合部１１１および第１パッド部１１３は、封止樹脂８によって覆われている。
　図示した例では、リード１２は、リード１１に対して、第１方向ｘのｘ１側に位置する。リード１２は、接合部１２１、第１端子部１２２および第１パッド部１２３を含む。接合部１２１は、平面視矩形状であり、第２部３２２に接合される部分である。接合部１２１は、第２部３２２の第２方向ｙのｙ１側の端部に導通接合されている。この導通接合は、導電性接合材を用いた形態、レーザ溶接を含む溶接による形態、等の種々の形態であってよい。
　第１端子部１２２は、リード１２のうち封止樹脂８から突出する部分である。第１端子部１２２は、第２方向ｙにおいて接合部１２１とは反対側に位置する。第１端子部１２２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。第１端子部１２２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第１端子部１２２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられており、厚さ方向ｚのｚ１側に延びる。図１、図５に示すように、第１端子部１２２の先端部は、先細り形状とされている。第１パッド部１２３は、第２方向ｙにおいて接合部１２１と第１パッド部１２３との間に位置する。第１パッド部１２３は、平面視において第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。第１パッド部１２３には、ワイヤ７１が接合されている。接合部１２１および第１パッド部１２３は、封止樹脂８によって覆われている。
　図示した例では、リード１３は、リード１２に対して、第１方向ｘのｘ１側に位置する。リード１３は、接合部１３１、第１端子部１３２および第１パッド部１３３を含む。接合部１３１は、平面視矩形状であり、第３部３２３に接合される部分である。接合部１３１は、第３部３２３の第２方向ｙのｙ１側の端部に導通接合されている。この導通接合は、導電性接合材を用いた形態、レーザ溶接を含む溶接による形態、等の種々の形態であってよい。
　第１端子部１３２は、リード１３のうち封止樹脂８から突出する部分である。第１端子部１３２は、第２方向ｙにおいて接合部１３１とは反対側に位置する。第１端子部１３２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。第１端子部１３２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第１端子部１３２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられており、厚さ方向ｚのｚ１側に延びる。図１、図５に示すように、第１端子部１３２の先端部は、先細り形状とされている。第１パッド部１３３は、第２方向ｙにおいて接合部１３１と第１パッド部１３３との間に位置する。第１パッド部１３３は、平面視において第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。第１パッド部１３３には、ワイヤ７１が接合されている。接合部１３１および第１パッド部１３３は、封止樹脂８によって覆われている。
　図示した例では、リード１４は、リード１３に対して、第１方向ｘのｘ１側に位置する。リード１４は、接合部１４１、第１端子部１４２および第１パッド部１４３を含む。接合部１４１は、平面視矩形状であり、第４部３２４に接合される部分である。接合部１４１は、第４部３２４の第２方向ｙのｙ１側の端部に導通接合されている。この導通接合は、導電性接合材を用いた形態、レーザ溶接を含む溶接による形態、等の種々の形態であってよい。
　第１端子部１４２は、リード１４のうち封止樹脂８から突出する部分である。第１端子部１４２は、第２方向ｙにおいて接合部１４１とは反対側に位置する。第１端子部１４２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。第１端子部１４２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第１端子部１４２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられており、厚さ方向ｚのｚ１側に延びる。図１、図５に示すように、第１端子部１４２の先端部は、先細り形状とされている。第１パッド部１４３は、第２方向ｙにおいて接合部１４１と第１パッド部１４３との間に位置する。第１パッド部１４３は、平面視において第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。第１パッド部１４３には、ワイヤ７１が接合されている。接合部１４１および第１パッド部１４３は、封止樹脂８によって覆われている。
　図示した例では、リード１５は、リード１４に対して、第１方向ｘのｘ１側に位置する。リード１５は、接合部１５１、第１端子部１５２および第１パッド部１５３を含む。接合部１５１は、平面視矩形状であり、第５部３２５に接合される部分である。接合部１５１は、第５部３２５に導通接合されている。この導通接合は、導電性接合材を用いた形態、レーザ溶接を含む溶接による形態、等の種々の形態であってよい。
　第１端子部１５２は、リード１５のうち封止樹脂８から突出する部分である。第１端子部１５２は、第２方向ｙにおいて接合部１５１とは反対側に位置する。第１端子部１５２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出している。第１端子部１５２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第１端子部１５２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられており、厚さ方向ｚのｚ１側に延びる。図１、図５に示すように、第１端子部１５２の先端部は、先細り形状とされている。第１パッド部１５３は、第２方向ｙにおいて接合部１５１と第１パッド部１５３との間に位置する。第１パッド部１５３は、平面視において第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。第１パッド部１５３には、ワイヤ７１が接合されている。接合部１５１および第１パッド部１５３は、封止樹脂８によって覆われている。
　図３に示すように、第１パッド部１５３（１１３，１２３，１３３，１４３）の第２方向ｙの長さＬ１は、第１端子部１５２（１１２，１２２，１３２，１４２）が封止樹脂８から第２方向ｙへ突出する突出長さＬ２より長い。また、複数の第１リード１（リード１１～１５）それぞれの第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３は、第２方向ｙにおいて同じ位置に揃っている。複数の第１リード１（リード１１～１５）のそれぞれの第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２は、第２方向ｙのｙ１側の端が第２方向ｙにおいて同じ位置に揃っている。
　本実施形態においては、図１～図４、図６および図９～図１４に示すように、複数の第２リード２は、複数のリード２１、複数のリード２２、および２つのリード２３を含んでいる。リード２１およびリード２２は、半導体素子４の後述する第２電極４２および第３電極４３への導通経路を構成している。２つのリード２３は、サーミスタ６への導通経路を構成している。
　複数のリード２１は、それぞれ、第１金属層３２に接合されておらず、封止樹脂８によって支持されている。複数のリード２１は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。リード２１の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図１０に示すように、リード２１は、第２端子部２１２およびパッド部２１３を含む。
　第２端子部２１２は、リード２１のうち封止樹脂８から突出する部分である。第２端子部２１２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出している。第２端子部２１２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２端子部２１２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられている。パッド部２１３は、封止樹脂８によって覆われている。パッド部２１３は、第１金属層３２に対して平行である。パッド部２１３には、ワイヤ７３が接合されている。
　複数のリード２２は、それぞれ、第１金属層３２に接合されておらず、封止樹脂８によって支持されている。複数のリード２２は、第１方向ｘにおいて間隔を隔てて配置されている。複数のリード２２の各々は、複数のリード２１のいずれかと対をなすように近接し配置されている。リード２２の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図９、図１１に示すように、リード２２は、第２端子部２２２およびパッド部２２３を含む。
　第２端子部２２２は、リード２２のうち封止樹脂８から突出する部分である。第２端子部２２２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出している。第２端子部２２２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２端子部２２２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられている。パッド部２２３は、封止樹脂８によって覆われている。パッド部２２３は、第１金属層３２に対して平行である。パッド部２２３には、ワイヤ７２が接合されている。
　２つのリード２３は、それぞれ、第１金属層３２に接合されておらず、封止樹脂８によって支持されている。２つのリード２３は、第１方向ｘに並んで配置されている。リード２３の構成は特に限定されない。本実施形態においては、図３、図１２に示すように、リード２３は、第２端子部２３２およびパッド部２３３を含む。
　第２端子部２３２は、リード２３のうち封止樹脂８から突出する部分である。第２端子部２３２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出している。第２端子部２３２は、たとえば半導体装置Ａ１を外部の回路に電気的に接続するために用いられる。図示された例においては、第２端子部２３２は、厚さ方向ｚにおいて支持体３の第１主面３ａが向く側（厚さ方向ｚのｚ１側）に折り曲げられている。パッド部２３３は、封止樹脂８によって覆われている。パッド部２３３は、第１金属層３２に対して平行である。パッド部２３３には、ワイヤ７４が接合されている。
　複数の半導体素子４はそれぞれ、半導体装置Ａ１の機能中枢となる電子部品であり、本実施形態では、スイッチング素子である。複数の半導体素子４は、第１金属層３２の第１主面３ａ上に配置されている。具体的には、４つ以上の複数の半導体素子４が互いに離隔して配置されており、当該複数の半導体素子４は、それぞれ、第１金属層３２の第１部３２１～第４部３２４のいずれかに支持されている。本実施形態においては、複数の半導体素子４は、半導体素子４Ａ～４Ｆを含む。また、図示された例においては、６つの半導体素子４Ａ～４Ｆを備えているがこれは一例であり、半導体素子４の個数は何ら限定されない。
　半導体素子４（半導体素子４Ａ～４Ｆの各々）は、たとえばワイドバンドギャップ半導体およびウルトラワイドバンドギャップ半導体の少なくともいずれかを含んで構成される。ワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）、ＧａＮ（窒化ガリウム）などが挙げられる。ウルトラワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばＧａ2Ｏ3（酸化ガリウム）、Ｃ（ダイヤモンド）などが挙げられる。本実施形態において、半導体素子４（半導体素子４Ａ～４Ｆの各々）は、たとえばＳｉＣ（炭化シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor））である。なお、半導体素子４は、ＳｉＣ基板に変えてＳｉ（シリコン）基板からなるＭＯＳＦＥＴであってもよく、たとえばＩＧＢＴ素子を含んでいてもよい。また、半導体素子４は、ＧａＮ（窒化ガリウム）を含むＭＯＳＦＥＴであってもよい。
　図３、図７～図１３に示すように、半導体素子４Ａ～４Ｆの各々は、平面視矩形状の板状であり、素子本体４０、第１電極４１、第２電極４２および第３電極４３を有する。素子本体４０は、ＳｉＣ基板等を含む部位である。第１電極４１は、素子本体４０の厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。第２電極４２および第３電極４３は、素子本体４０の厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。第１電極４１、第２電極４２および第３電極４３の形状および配置は限定されない。図示した例では、厚さ方向ｚに見て、第３電極４３より第２電極４２が大きい。第２電極４２は、厚さ方向ｚに見て、分離した２つの領域を含んでよい。本実施形態においては、半導体素子４Ａ～４Ｆが、ＳｉＣ基板を含むＭＯＳＦＥＴであり、第１電極４１がドレイン電極、第２電極４２がソース電極、第３電極４３がゲート電極である。
　半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、図３、図１１、図１３に示すように、第１部３２１上に位置する。半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、導電性接合材４９によって第１部３２１に接合されている。導電性接合材４９は、たとえば、はんだ、金属ペースト、金属焼結材、等が用いられる。半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃの各々の第１電極４１は、導電性接合材４９によって、第１部３２１に導通接続される。そして、第１部３２１に導通接合された接合部１１１は、半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃの各々の第１電極４１に導通している。また、図３に示すように、半導体素子４Ａの第２電極４２は、ワイヤ７１によって、リード１２の第１パッド部１２３に導通接続される。半導体素子４Ｂの第２電極４２は、ワイヤ７１によって、リード１３の第１パッド部１３３に導通接続される。半導体素子４Ｃの第２電極４２は、ワイヤ７１によって、リード１４の第１パッド部１４３に導通接続される。ワイヤ７１は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。なお、ワイヤ７１の材料、線径、および本数等は、何ら限定されない。
　半導体素子４Ｄは、図３、図９、図１３に示すように、第２部３２２上に位置する。半導体素子４Ｄは、導電性接合材４９によって第２部３２２に接合されている。これにより、半導体素子４Ｄの第１電極４１は、導電性接合材４９によって、第２部３２２に導通接続される。そして、第２部３２２に導通接合された接合部１２１は、半導体素子４Ｄの第１電極４１に導通している。図３に示すように、半導体素子４Ｄの第２電極４２は、ワイヤ７１によって、リード１５の第１パッド部１５３に導通接続される。
　半導体素子４Ｅは、図３、図１０、図１３に示すように、第３部３２３上に位置する。半導体素子４Ｅは、導電性接合材４９によって第３部３２３に接合されている。これにより、半導体素子４Ｅの第１電極４１は、導電性接合材４９によって、第３部３２３に導通接続される。そして、第３部３２３に導通接合された接合部１３１は、半導体素子４Ｅの第１電極４１に導通している。図３に示すように、半導体素子４Ｅの第２電極４２は、ワイヤ７１によって、リード１５の第１パッド部１５３に導通接続される。
　半導体素子４Ｆは、図３、図１２に示すように、第４部３２４上に位置する。半導体素子４Ｆは、導電性接合材４９によって第４部３２４に接合されている。これにより、半導体素子４Ｆの第１電極４１は、導電性接合材４９によって、第４部３２４に導通接続される。そして、第４部３２４に導通接合された接合部１４１は、半導体素子４Ｆの第１電極４１に導通している。図３に示すように、半導体素子４Ｆの第２電極４２は、ワイヤ７１によって、リード１５の第１パッド部１５３に導通接続される。
　第１金属層３２の第５部３２５には、複数の半導体素子４のいずれも接合されていない。これにより、第５部３２５は、複数の半導体素子４のいずれにも導通しない。第５部３２５には、リード１５の接合部１５１が導通接合されている。第５部３２５は、本開示の「非導通部」に相当する。リード１５は、本開示の「第１端子リード」に相当する。
　半導体素子４Ａの第３電極４３は、ワイヤ７２によってリード２２のパッド部２２３に導通接続される。半導体素子４Ａの第３電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４Ａの駆動信号入力用の端子（ゲート端子）である。半導体素子４Ａの第２電極４２は、ワイヤ７３によってリード２１のパッド部２１３に導通接続される。半導体素子４Ａの第２電極４２に導通接続されたリード２１は、半導体素子４Ａのソース信号検出用の端子（ソースセンス端子）である。ワイヤ７２，７３は、たとえば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等からなる。なお、ワイヤ７２，７３の材料、線径、および本数等は、何ら限定されない。
　半導体素子４Ｂの第３電極４３は、ワイヤ７２によってリード２２のパッド部２２３に導通接続される。半導体素子４Ｂの第３電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４Ｂのゲート端子である。半導体素子４Ｂの第２電極４２は、ワイヤ７３によってリード２１のパッド部２１３に導通接続される。半導体素子４Ｂの第２電極４２に導通接続されたリード２１は、半導体素子４Ｂのソースセンス端子である。
　半導体素子４Ｃの第３電極４３は、ワイヤ７２によってリード２２のパッド部２２３に導通接続される。半導体素子４Ｃの第３電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４Ｃのゲート端子である。半導体素子４Ｃの第２電極４２は、ワイヤ７３によってリード２１のパッド部２１３に導通接続される。半導体素子４Ｃの第２電極４２に導通接続されたリード２１は、半導体素子４Ｃのソースセンス端子である。
　半導体素子４Ｄの第３電極４３は、ワイヤ７２によってリード２２のパッド部２２３に導通接続される。半導体素子４Ｄの第３電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４Ｄのゲート端子である。半導体素子４Ｄの第２電極４２は、ワイヤ７３によってリード２１のパッド部２１３に導通接続される。半導体素子４Ｄの第２電極４２に導通接続されたリード２１は、半導体素子４Ｄのソースセンス端子である。
　半導体素子４Ｅの第３電極４３は、ワイヤ７２によってリード２２のパッド部２２３に導通接続される。半導体素子４Ｅの第３電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４Ｅのゲート端子である。半導体素子４Ｅの第２電極４２は、ワイヤ７３によってリード２１のパッド部２１３に導通接続される。半導体素子４Ｅの第２電極４２に導通接続されたリード２１は、半導体素子４Ｅのソースセンス端子である。
　半導体素子４Ｆの第３電極４３は、ワイヤ７２によってリード２２のパッド部２２３に導通接続される。半導体素子４Ｆの第３電極４３に導通接続されたリード２２は、半導体素子４Ｆのゲート端子である。半導体素子４Ｆの第２電極４２は、ワイヤ７３によってリード２１のパッド部２１３に導通接続される。半導体素子４Ｆの第２電極４２に導通接続されたリード２１は、半導体素子４Ｆのソースセンス端子である。
　図１５に示すように、半導体装置Ａ１は、たとえばハーフブリッジ型のスイッチング回路を含む。この場合、半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、半導体装置Ａ１の上アーム回路を構成し、半導体素子４Ｄ，４Ｅ，４Ｆは、下アーム回路を構成する。上アーム回路において、半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃは互いに並列に接続され、下アーム回路において、半導体素子４Ｄ，４Ｅ，４Ｆは互いに並列に接続される。各半導体素子４Ａ，４Ｂ，４Ｃと各半導体素子４Ｄ，４Ｅ，４Ｆとは、対応するもの同士が個別に直列に接続され、ブリッジ層を構成する。半導体装置Ａ１において、リード１１およびリード１５には、電力変換対象となる直流電圧が入力される。リード１１は正極（Ｐ端子）であり、リード１５は負極（Ｎ端子）である。リード１２、リード１３およびリード１４から、半導体素子４Ａ～４Ｆにより電力変換された交流電圧が出力される。複数の第１リード１（リード１１～１５）は、複数の半導体素子４（半導体素子４Ａ～４Ｆ）のスイッチング対象である電流を流すためのパワーリードである。
　図３に示すように、本実施形態において、複数の半導体素子４（半導体素子４Ａ～４Ｆ）は、第１方向ｘにおいて並んで配置されている。半導体素子４Ａは第１方向ｘのｘ２側の端に位置し、半導体素子４Ｆは第１方向ｘのｘ１側の端に位置し、半導体素子４Ａ～４Ｆは、第１方向ｘのｘ２側から第１方向ｘのｘ１側に向けてこの順に配置されている。図示した例では、半導体素子４Ｂは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４Ａに対して第２方向ｙのｙ２側に位置する。半導体素子４Ｂは、第２方向ｙに見て、半導体素子４Ａに重なる。４つの半導体素子４Ｂ～４Ｅは、第１方向ｘに沿って一定間隔で配列されている。半導体素子４Ｆは、第２方向ｙにおいて、半導体素子４Ｅに対して第２方向ｙのｙ１側に位置する。半導体素子４Ｆは、第２方向ｙに見て、半導体素子４Ｅに重なる。
　サーミスタ６は、温度検出素子であり、支持体３上に実装されている。サーミスタ６は、温度変化に対して電気抵抗の変化の大きい抵抗体であり、周囲の温度に応じて抵抗値が変化することで、端子間電圧が変化する。サーミスタ６の端子間電圧に基づいて、サーミスタ６の周囲の温度が検出される。なお、サーミスタ６の特性は限定されない。サーミスタ６は、ＮＴＣ（negative temperature coefficient）サーミスタであってもよいし、ＰＴＣ（Positive temperature coefficient）サーミスタであってもよいし、その他の特性を有するサーミスタであってもよい。
　サーミスタ６は、半導体装置Ａ１の温度を検出するためのものである。図３、図１２に示すように、サーミスタ６は、第１金属層３２の２つの第６部３２６に架け渡して配置されている。サーミスタ６は、導電性接合材６９を介して第６部３２６に接合されている。導電性接合材６９は、サーミスタ６を第６部３２６に接合し、且つ、サーミスタ６と第６部３２６とを電気的に接続しうるものであればよい。導電性接合材６９は、たとえば、はんだ、金属ペースト、金属焼結材、等が用いられる。サーミスタ６の一方の端子は、導電性接合材６９を介して一方の第６部３２６に導通接合され、サーミスタ６の他方の端子は、導電性接合材６９を介して他方の第６部３２６に導通接合されている。
　２つの第６部３２６の各々は、ワイヤ７４を介してリード２３のパッド部２３３に導通接続されている。第６部３２６およびワイヤ７４は、サーミスタ６とリード２３とを導通させる導通経路である。２つのリード２３は、半導体装置Ａ１の温度検出のための端子になり、サーミスタ６の端子間電圧を出力する。
　半導体装置Ａ１は、サーミスタ６に代えて、他の温度検出素子を備えてもよい。他の温度検出素子としては、半導体温度センサなどが考えられる。半導体温度センサは、温度変化に対して順方向電圧の変化の大きいＳｉダイオードなどであり、所定の電流を流したときの端子間電圧に基づいて、周囲の温度が検出される。なお、本実施形態と異なり、上記サーミスタ６などの温度検出素子を備えない構成であってもよい。
　封止樹脂８は、複数の半導体素子４（半導体素子４Ａ～４Ｆ）、サーミスタ６およびワイヤ７１～７４と、複数の第１リード１および複数の第２リード２の一部ずつと、支持体３の一部と、を覆っている。封止樹脂８の構成材料は特に限定されず、たとえば黒色のエポキシ樹脂で構成される。封止樹脂８は、たとえばモールド成形により形成される。
　封止樹脂８は、第１樹脂主面８１、第２樹脂主面８２、樹脂側面８３、樹脂側面８４、第１樹脂側面８５および第２樹脂側面８６を有する。第１樹脂主面８１および第２樹脂主面８２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く面であり、ともに厚さ方向ｚに対して直交する平坦面である。第１樹脂主面８１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向き、第２樹脂主面８２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。第２樹脂主面８２は、図４に示すように、平面視において支持体３（第２金属層３３）の第２主面３ｂを囲む枠状である。第２樹脂主面８２から、第２主面３ｂが露出している。第２主面３ｂおよび第２樹脂主面８２は、たとえば面一である。第２主面３ｂおよび第２樹脂主面８２は、互いの厚さ方向ｚの位置が異なっていてもよい。
　樹脂側面８３、樹脂側面８４、第１樹脂側面８５および第２樹脂側面８６は、第１樹脂主面８１および第２樹脂主面８２の双方につながり、且つ、厚さ方向ｚにおいてこれらに挟まれている。樹脂側面８３および樹脂側面８４は、第１方向ｘに離隔する。樹脂側面８３は、第１方向ｘのｘ１側を向き、樹脂側面８４は、第１方向ｘのｘ２側を向く。第１樹脂側面８５および第２樹脂側面８６は、第２方向ｙに離隔する。第１樹脂側面８５は、第２方向ｙのｙ１側を向き、第２樹脂側面８６は、第２方向ｙのｙ２側を向く。第１樹脂側面８５から、複数の第１リード１それぞれの一部が突き出ている。具体的には、第１樹脂側面８５から、リード１１～１５それぞれの第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２が第２方向ｙのｙ１側に突出する。第２樹脂側面８６から、複数の第２リード２それぞれの一部が突き出ている。具体的には、第２樹脂側面８６から、複数ずつのリード２１～２３それぞれの第２端子部２１２，２２２，２３２が第２方向ｙのｙ２側に突出する。
　本実施形態においては、図９～図１２などに示すように、第２主面３ｂの第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３に対して、第１端縁３３１と第１樹脂側面８５との第２方向ｙの長さＬ４の割合は、たとえば１０％以上３００％以下であり、好ましくは１８％以上１３３％以下、より好ましくは３３％以上７１％以下である。また、第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３に対して、第２端縁３３２と第２樹脂側面８６との第２方向ｙの長さＬ５の割合は、たとえば１０％以上３００％以下であり、好ましくは１８％以上１３３％以下、より好ましくは３３％以上７１％以下である。
　本実施形態において、図４、図９～図１２などに示すように、封止樹脂８は、複数の第１溝８２１および複数の第２溝８２２を有する。複数の第１溝８２１および複数の第２溝８２２は、第２樹脂主面８２に形成されている。図示した例では、封止樹脂８は、３つの第１溝８２１および３つの第２溝８２２を有する。複数の第１溝８２１は、第２方向ｙにおいて第２主面３ｂと第１樹脂側面８５との間に位置する。複数の第１溝８２１は、第２方向ｙにおいて互いに離隔しており、各々が第１方向ｘの全長にわたって延びる。複数の第２溝８２２は、第２方向ｙにおいて第２主面３ｂと第２樹脂側面８６との間に位置する。複数の第２溝８２２は、第２方向ｙにおいて互いに離隔しており、各々が第１方向ｘの全長にわたって延びる。
　図２～図４、図１４などに示すように、封止樹脂８は、凹部８３１および凹部８４１を有する。凹部８３１は、樹脂側面８３の第２方向ｙの中央に位置し、樹脂側面８３から第１方向ｘのｘ２側に凹んでいる。凹部８４１は、樹脂側面８４の第２方向ｙの中央に位置し、樹脂側面８４から第１方向ｘのｘ１側に凹んでいる。凹部８３１および凹部８４１は、たとえば半導体装置Ａ１に放熱部材を取り付ける際の固定などに用いられる。
　本実施形態において、図２、図４、図５などに示すように、封止樹脂８は、複数の第１凹部８５１を有する。複数の第１凹部８５１は、第１樹脂側面８５から第２方向ｙのｙ２側に凹んでいる。第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２の間には、２つ以上の第１凹部８５１が位置する。図示した例では、第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１１２および第１端子部１２２の間には、２つの第１凹部８５１が位置し、第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１２２および第１端子部１３２の間には、２つの第１凹部８５１が位置する。第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１３２および第１端子部１４２の間には、２つの第１凹部８５１が位置し、第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１４２および第１端子部１５２の間には、２つの第１凹部８５１が位置する。
　本実施形態において、図２、図４、図６などに示すように、封止樹脂８は、複数の第２凹部８６１を有する。複数の第２凹部８６１は、第２樹脂側面８６から第２方向ｙのｙ１側に凹んでいる。第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２１２，２２２，２３２の間には、２つ以上の第２凹部８６１が位置する。図示した例では、第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２１２および第２端子部２２２の間には、２つの第２凹部８６１が位置し、第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２２２および第２端子部２３２の間には、２つの第２凹部８６１が位置する。
　次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
　支持体３は、絶縁層３１と、絶縁層３１の厚さ方向ｚのｚ１側に位置する第１金属層３２と、を含む。第１金属層３２は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１主面３ａを有し、第１主面３ａ上に半導体素子４Ａ～４Ｆが搭載されている。複数の第１リード１（リード１１～１５）は、第１金属層３２に導通接合された接合部１１１，１２１，１３１，１４１，１５１と、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出する第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２と、を有する。第１金属層３２は、半導体素子４Ａ～４Ｆのいずれにも導通しない第５部３２５（非導通部）を有する。リード１５（第１端子リード）の接合部１５１は、第５部３２５に導通接合されている。このような構成によれば、半導体素子４で発生した熱が当該半導体素子４とリード１５との間に接続されたワイヤ７１を介してリード１５に到達しても、当該半導体素子４からの熱を第５部３２５に接合された接合部１５１を通じて支持体３側に逃がすことができる。これにより、半導体素子４の発熱量が増大しても、リード１５が高温となるのを防止できる。したがって、半導体装置Ａ１は、半導体素子４で発生した熱の放熱性を向上させることができ、大電流を流すのに適する。
　複数の第１リード１（リード１１～１５）は、封止樹脂８に覆われた第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３を有する。第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３の各々は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。第１パッド部１５３（１１３，１２３，１３３，１４３）の第２方向ｙの長さＬ１は、第１端子部１５２（１１２，１２２，１３２，１４２）が封止樹脂８から第２方向ｙへ突出する突出長さＬ２より長い。このような構成によれば、第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３の各々の平面視サイズを大きく確保することができ、半導体装置Ａ１の放熱性を向上させることができる。第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３が矩形状であって平面視サイズが大きいことにより、ワイヤ７１の接合が容易であるとともに、封止樹脂８によってリード１１～１５を保持する強度が向上する。これにより、半導体装置Ａ１の信頼性が向上する。
　複数の第１リード１（リード１１～１５）それぞれの第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３は、第２方向ｙにおいて同じ位置に揃っている。このような構成によれば、複数の第１リード１（リード１１～１５の接合部１１１，１２１，１３１，１４１，１５１）の第１金属層３２（第１部３２１～第５部３２５）への接合が容易である。
　複数の第１リード１（リード１１～１５）のそれぞれの第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２は、第２方向ｙのｙ１側の端が第２方向ｙにおいて同じ位置に揃っている。第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２は、屈曲して厚さ方向ｚのｚ１側に延びるととともに、先端部が先細り形状である。このような構成によれば、第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２を外部の回路基板等へ接続するのが容易になる。
　支持体３の第２金属層３３は、第２主面３ｂを有する。第２主面３ｂは、第２樹脂主面８２から露出している。第２主面３ｂの第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３に対して、第１端縁３３１と第１樹脂側面８５との第２方向ｙの長さＬ４の割合は、１０％以上３００％以下である。また、第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３に対して、第２端縁３３２と第２樹脂側面８６との第２方向ｙの長さＬ５の割合は、１０％以上３００％以下である。このような構成によれば、封止樹脂８が支持体３から第２方向ｙに張り出す長さを比較的長くすることができる。これにより、封止樹脂８のボリュームを比較的大きくすることができ、半導体装置Ａ１の放熱性がより向上する。
　その一方、複数の第１リード１（第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）が封止樹脂８から第２方向ｙへ突出する突出長さＬ２、および複数の第２リード２が封止樹脂８から第２方向ｙへ突出する突出長さを相対的に短くすることで、半導体装置Ａ１の第２方向ｙの全長（複数の第１リード１の第２方向ｙのｙ１側の端から複数の第２リード２の第２方向ｙのｙ２側の端までの長さ）は変更する必要がない。したがって、半導体装置Ａ１の回路基板等への実装に必要な面積（フットプリント）を変更することなく、上述のように封止樹脂８のボリュームを大きくすることが可能である。
　封止樹脂８は、第２樹脂主面８２に形成された複数の第１溝８２１および複数の第２溝８２２を有する。複数の第１溝８２１は、第２方向ｙにおいて第２主面３ｂと第１樹脂側面８５との間に位置し、且つ第２方向ｙにおいて互いに離隔しており、各々が第１方向ｘに延びる。このような構成によれば、第２金属層３３と、封止樹脂８から突出する複数の第１リード１（第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）との間の沿面距離を大きく確保することができる。また、複数の第２溝８２２は、第２方向ｙにおいて第２主面３ｂと第２樹脂側面８６との間に位置し、且つ第２方向ｙにおいて互いに離隔しており、各々が第１方向ｘに延びる。このような構成によれば、第２金属層３３と、封止樹脂８から突出する複数の第２リード２（第２端子部２１２，２２２，２３２）との間の沿面距離を大きく確保することができる。これにより、半導体装置Ａ１は、大電流を流すのに適する。
　封止樹脂８は、複数の第１凹部８５１を有する。複数の第１凹部８５１は、第１樹脂側面８５から第２方向ｙのｙ２側に凹んでいる。第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２の間には、２つ以上の第１凹部８５１が位置する。このような構成によれば、第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２の間の沿面距離を大きくすることができる。これにより、半導体装置Ａ１は、大電流を流すのに適する。
　封止樹脂８は、複数の第２凹部８６１を有する。複数の第２凹部８６１は、第２樹脂側面８６から第２方向ｙのｙ１側に凹んでいる。第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２１２，２２２，２３２の間には、２つ以上の第２凹部８６１が位置する。このような構成によれば、第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２１２，２２２，２３２の間の沿面距離を大きくすることができる。これにより、半導体装置Ａ１は、大電流を流すのに適する。
　なお、本開示に係る半導体装置は、本実施形態の半導体装置Ａ１で示した各部の形状や寸法に限定されない。たとえば、複数の第１溝８２１、複数の第２溝８２２、複数の第１凹部８５１および複数の第２凹部８６１について、各々の幅および深さは適宜変更可能である。また、第２金属層３３の第２主面３ｂの第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３（すなわち、支持体３の第２方向ｙの長さ）は、半導体装置Ａ１において図示した例よりも大きくすることが可能である。この場合、本開示に係る半導体装置の放熱性をより向上させることができる。
　次に、図１６～図１８に基づき、半導体装置Ａ１の使用例について説明する。
　図１６および図１７は、上記実施形態の半導体装置Ａ１を備えて構成された半導体装置アッセンブリＢ１を示している。図１６および図１７は、半導体装置アッセンブリＢ１を示す断面図である。図１６は、図１１と同様の断面を表し、図１７は、図１４と同様の断面を表す。半導体装置アッセンブリＢ１は、半導体装置Ａ１および放熱部材９１を備えている。
　放熱部材９１は、半導体装置Ａ１に対して厚さ方向ｚのｚ２側に配置されている。放熱部材９１は、支持体３の第２主面３ｂに対向配置されている。図示した例では、放熱部材９１は、第２主面３ｂに接する。放熱部材９１は、第２主面３ｂの全面に接している。図１７に示すように、たとえば、２本のねじ部材９１１を用いて、半導体装置Ａ１に放熱部材９１を固定している。２本のねじ部材９１１それぞれのねじ軸部は、凹部８３１および凹部８４１に収容されている。
　半導体装置アッセンブリＢ１は、半導体装置Ａ１（支持体３）の第２主面３ｂに接する放熱部材９１を備える。このような構成によれば、半導体装置Ａ１の放熱性をより向上させることができる。また、半導体装置Ａ１においては、上述のように、封止樹脂８が支持体３から第２方向ｙに張り出す長さは、比較的長くすることができる。これにより、複数の第１リード１および複数の第２リード２から放熱部材９１までの絶縁距離を所定量確保しつつ、放熱部材９１の半導体装置Ａ１との当接部位の第２方向ｙの長さＬ６を相対的に大きくすることができる。このことは、半導体装置Ａ１の放熱性を向上させる上で、より好ましい。
　図１８は、半導体装置Ａ１を備えた車両Ｂ２の概要図である。車両Ｂ２は、ＡＣ－ＤＣ変換装置８７１、受電装置８７２、蓄電池８７３、駆動系統８７４およびＤＣ－ＤＣ変換装置８７５を備える。半導体装置Ａ１は、ＡＣ－ＤＣ変換装置８７１の一部（ＰＦＣ回路）を構成している。車両Ｂ２が、屋外等に設置された交流電源である充電施設８７０から交流電力を給電されると、ＡＣ－ＤＣ変換装置８７１により高電圧直流電力に変換される。ＡＣ－ＤＣ変換装置８７１は、高電圧直流電力を蓄電池８７３に給電する。受電装置８７２は、非接触充電システムにより蓄電池８７３に給電するものであり、駐車場等に設置された非接触充電器（図示せず）から電磁誘導方式により電力供給される。蓄電池８７３に蓄えられた電力は、インバータ、交流モータおよび変速機から構成される駆動系統８７４に給電される。駆動系統８７４は、車両Ｂ２を駆動する。ＤＣ－ＤＣ変換装置８７５は、車両Ｂ２の走行駆動以外の電装品等への電力供給を行うものであり、たとえば降圧型のＤＣ－ＤＣコンバータである。上記のＡＣ－ＤＣ変換装置８７１は、本開示の「電力変換装置」の一例である。なお、半導体装置Ａ１は、ＡＣ－ＤＣ変換装置に限らず、ＤＣ－ＤＣ変換装置、ＤＣ－ＡＣ変換装置などの電力変換装置に用いることができる。
　第２実施形態：
　図１９～図２７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、重複する説明を省略する。本実施形態の半導体装置Ａ２は、複数の第１リード１、複数の第２リード２、支持体３、複数の半導体素子４、サーミスタ６、複数ずつのワイヤ７１，７２，７３，７４、および封止樹脂８を備えている。図１９は、半導体装置Ａ２を示す平面図である。図２０は、本半導体装置Ａ２を示す正面図である。図２１は、半導体装置Ａ２を示す背面図である。図２２は、本半導体装置Ａ２を示す右側面図である。図２３は、本半導体装置Ａ２を示す左側面図である。図２４は、半導体装置Ａ２を示す底面図である。図２５は、半導体装置Ａ２を示す底面図であり、封止樹脂８を透過した図である。図２６は、図２５のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。図２７は、図２５のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
　半導体装置Ａ２の説明においては、支持体３の厚さ方向（平面視方向）は、本開示の「厚さ方向」の一例であり、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向は、本開示の「第１方向」の一例であり、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向は、本開示の「第２方向」の一例であり、「第２方向ｙ」と呼ぶ。また、厚さ方向ｚの一方側は本開示の「厚さ方向の一方側」に相当し、「厚さ方向ｚのｚ１側」と呼び、厚さ方向ｚの他方側は本開示の「厚さ方向の他方側」に相当し、「厚さ方向ｚのｚ２側」と呼ぶ。第１方向ｘの一方側を「第１方向ｘのｘ１側」と呼び、第１方向ｘの他方側を「第１方向ｘのｘ２側」と呼ぶ。第２方向ｙの一方側は本開示の「第２方向の一方側」に相当し、「第２方向ｙのｙ１側」と呼び、第２方向ｙの他方側は本開示の「第２方向の他方側」に相当し、「第２方向ｙのｙ２側」と呼ぶ。なお、本実施形態の半導体装置Ａ２は、上記実施形態の半導体装置Ａ１と上下反転した姿勢で表している。
　本実施形態の半導体装置Ａ２においては、複数の第１リード１（リード１１～１５）それぞれの第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２、および複数の第２リード２（複数のリード２１、複数のリード２２、および２つのリード２３）それぞれの第２端子部２１２，２２２，２３２の構成が、上記実施形態の半導体装置Ａ１と異なっている。
　リード１１の第１端子部１１２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第１端子部１１２は、実装面１１ａを有する。実装面１１ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。リード１２の第１端子部１２２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第１端子部１２２は、実装面１２ａを有する。実装面１２ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。リード１３の第１端子部１３２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第１端子部１３２は、実装面１３ａを有する。実装面１３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。リード１４の第１端子部１４２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第１端子部１４２は、実装面１４ａを有する。実装面１４ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。リード１５の第１端子部１５２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第１端子部１５２は、実装面１５ａを有する。実装面１５ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。
　第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２それぞれの実装面１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａは、半導体装置Ａ２がたとえば実装基板９２に実装される際に、実装基板９２に導通接合される面である。実装面１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａの厚さ方向ｚにおける位置は、第１樹脂主面８１と同じでよく、第１樹脂主面８１より厚さ方向ｚのｚ１側であってもよい。
　リード２１の第２端子部２１２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第２端子部２１２は、実装面２１ａを有する。実装面２１ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。リード２２の第２端子部２２２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第２端子部２２２は、実装面２２ａを有する。実装面２２ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。リード２３の第２端子部２３２は、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ２側に突出するとともに、厚さ方向ｚのｚ１側に折り返されている。第２端子部２３２は、実装面２３ａを有する。実装面２３ａは、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。
　第２端子部２１２，２２２，２３２それぞれの実装面２１ａ，２２ａ，２３ａは、半導体装置Ａ２がたとえば実装基板９２に実装される際に、実装基板９２に導通接合される面である。実装面２１ａ，２２ａ，２３ａの厚さ方向ｚにおける位置は、第１樹脂主面８１と同じでよく、第１樹脂主面８１より厚さ方向ｚのｚ１側であってもよい。
　次に、半導体装置Ａ２の作用について説明する。
　支持体３は、絶縁層３１と、絶縁層３１の厚さ方向ｚのｚ１側に位置する第１金属層３２と、を含む。第１金属層３２は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く第１主面３ａを有し、第１主面３ａ上に半導体素子４Ａ～４Ｆが搭載されている。複数の第１リード１（リード１１～１５）は、第１金属層３２に導通接合された接合部１１１，１２１，１３１，１４１，１５１と、封止樹脂８から第２方向ｙのｙ１側に突出する第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２と、を有する。第１金属層３２は、半導体素子４Ａ～４Ｆのいずれにも導通しない第５部３２５（非導通部）を有する。リード１５（第１端子リード）の接合部１５１は、第５部３２５に導通接合されている。このような構成によれば、半導体素子４で発生した熱が当該半導体素子４とリード１５との間に接続されたワイヤ７１を介してリード１５に到達しても、当該半導体素子４からの熱を第５部３２５に接合された接合部１５１を通じて支持体３側に逃がすことができる。これにより、半導体素子４の発熱量が増大しても、リード１５が高温となるのを防止できる。したがって、半導体装置Ａ２は、半導体素子４で発生した熱の放熱性を向上させることができ、大電流を流すのに適する。
　複数の第１リード１（リード１１～１５）は、封止樹脂８に覆われた第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３を有する。第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３の各々は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿う辺を有する矩形状である。第１パッド部１５３（１１３，１２３，１３３，１４３）の第２方向ｙの長さＬ１は、第１端子部１５２（１１２，１２２，１３２，１４２）が封止樹脂８から第２方向ｙへ突出する突出長さＬ２より長い。このような構成によれば、第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３の各々の平面視サイズを大きく確保することができ、半導体装置Ａ２の放熱性を向上させることができる。第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３が矩形状であって平面視サイズが大きいことにより、ワイヤ７１の接合が容易であるとともに、封止樹脂８によってリード１５を保持する強度が向上する。これにより、半導体装置Ａ２の信頼性が向上する。
　複数の第１リード１（リード１１～１５）のそれぞれの第１パッド部１１３，１２３，１３３，１４３，１５３は、第２方向ｙにおいて同じ位置に揃っている。このような構成によれば、複数の第１リード１（リード１１～１５の接合部１１１，１２１，１３１，１４１，１５１）の第１金属層３２（第１部３２１～第５部３２５）への接合が容易である。
　支持体３の第２金属層３３は、第２主面３ｂを有する。第２主面３ｂは、第２樹脂主面８２から露出している。第２主面３ｂの第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３に対して、第１端縁３３１と第１樹脂側面８５との第２方向ｙの長さＬ４の割合は、１０％以上３００％以下である。また、第１端縁３３１と第２端縁３３２との第２方向ｙの長さＬ３に対して、第２端縁３３２と第２樹脂側面８６との第２方向ｙの長さＬ５の割合は、１０％以上３００％以下である。このような構成によれば、封止樹脂８が支持体３から第２方向ｙに張り出す長さを比較的長くすることができる。これにより、封止樹脂８のボリュームを比較的大きくすることができ、半導体装置Ａ２の放熱性がより向上する。
　封止樹脂８は、第２樹脂主面８２に形成された複数の第１溝８２１および複数の第２溝８２２を有する。複数の第１溝８２１は、第２方向ｙにおいて第２主面３ｂと第１樹脂側面８５との間に位置し、且つ第２方向ｙにおいて互いに離隔しており、各々が第１方向ｘに延びる。このような構成によれば、第２金属層３３と、封止樹脂８から突出する複数の第１リード１（第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）との間の沿面距離を大きく確保することができる。また、複数の第２溝８２２は、第２方向ｙにおいて第２主面３ｂと第２樹脂側面８６との間に位置し、且つ第２方向ｙにおいて互いに離隔しており、各々が第１方向ｘに延びる。このような構成によれば、第２金属層３３と、封止樹脂８から突出する複数の第２リード２（第２端子部２１２，２２２，２３２）との間の沿面距離を大きく確保することができる。これにより、半導体装置Ａ２は、大電流を流すのに適する。
　封止樹脂８は、複数の第１凹部８５１を有する。複数の第１凹部８５１は、第１樹脂側面８５から第２方向ｙのｙ２側に凹んでいる。第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２の間には、２つ以上の第１凹部８５１が位置する。このような構成によれば、第１方向ｘにおいて隣り合う第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２の間の沿面距離を大きくすることができる。これにより、半導体装置Ａ２は、大電流を流すのに適する。
　封止樹脂８は、複数の第２凹部８６１を有する。複数の第２凹部８６１は、第２樹脂側面８６から第２方向ｙのｙ１側に凹んでいる。第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２１２，２２２，２３２の間には、２つ以上の第２凹部８６１が位置する。このような構成によれば、第１方向ｘにおいて隣り合う第２端子部２１２，２２２，２３２の間の沿面距離を大きくすることができる。これにより、半導体装置Ａ２は、大電流を流すのに適する。
　第１端子部１１２，１２２，１３２，１４２，１５２における実装面１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ、および第２端子部２１２，２２２，２３２における実装面２１ａ，２２ａ，２３ａは、図２４～図２７に示すように、厚さ方向ｚのｚ１側を向く面である。これにより、半導体装置Ａ２を実装基板９２に実装する際に、実装面１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａおよび実装面２１ａ，２２ａ，２３ａを利用した、いわゆる面実装が可能となる。したがって、半導体装置Ａ２によれば、実装作業の効率を向上させることができる。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　厚さ方向（ｚ）の一方側（ｚ１側）を向く第１主面（３ａ）、および前記第１主面（３ａ）とは反対側を向く第２主面（３ｂ）を有する支持体（３）と、
　前記第１主面（３ａ）上に搭載された１以上の半導体素子（４）と、
　複数の第１リード（１）と、
　前記１以上の半導体素子（４）、前記支持体（３）の少なくとも一部、および前記複数の第１リード（１）の各々の一部を覆う封止樹脂（８）と、を備え、
　前記支持体（３）は、絶縁層（３１）と、前記絶縁層３１の前記厚さ方向（ｚ）の一方側（ｚ１側）に位置し、且つ前記第１主面（３ａ）を有する第１金属層（３２）と、を含み、
　前記複数の第１リード（１）は、前記厚さ方向（ｚ）と直交する第１方向（ｘ）において互いに離隔しており、
　前記複数の第１リード（１）の各々は、前記第１金属層（３２）に導通接合された接合部（１１１，１２１，１３１，１４１，１５１）と、前記封止樹脂（８）から前記厚さ方向（ｚ）および前記第１方向（ｘ）と直交する第２方向（ｙ）の一方側（ｙ１側）に突出する第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）と、を有し、
　前記第１金属層（３２）は、前記１以上の半導体素子（４）のいずれにも導通しない非導通部（３２５）を有し、
　前記複数の第１リード（１）は、第１端子リード（１５）を含み、
　前記第１端子リード（１５）の前記接合部（１５１）は、前記非導通部（３２５）に導通接合されている、半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記２．
　前記複数の第１リード（１）の各々は、前記第２方向（ｙ）において前記接合部（１１１，１２１，１３１，１４１，１５１）と前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）との間に位置し、且つ前記封止樹脂（８）に覆われた第１パッド部（１１３，１２３，１３３，１４３，１５３）を有し、
　前記第１パッド部（１１３，１２３，１３３，１４３，１５３）は、前記厚さ方向（ｚ）に見て前記第１方向（ｘ）および前記第２方向（ｙ）に沿う辺を有する矩形状であり、
　前記第１パッド部（１１３，１２３，１３３，１４３，１５３）の前記第２方向（ｙ）の長さ（Ｌ１）は、前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）が前記封止樹脂（８）から前記第２方向（ｙ）へ突出する突出長さ（Ｌ２）より長い、付記１に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記３．
　前記複数の第１リード（１）のそれぞれの前記第１パッド部（１１３，１２３，１３３，１４３，１５３）は、前記第２方向（ｙ）において同じ位置に揃う、付記２に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記４．
　前記複数の第１リード（１）のそれぞれの前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）は、前記第２方向（ｙ）の一方側（ｙ１側）の端が前記第２方向（ｙ）において同じ位置に揃う、付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記５．
　前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）は、屈曲して前記厚さ方向（ｚ）の一方側（ｚ１側）に延びるとともに、先端部が先細り形状である、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１）。
　付記６．
　前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）は、前記厚さ方向（ｚ）の一方側（ｚ１側）を向く実装面（１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ）を有する、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置（Ａ２）。
　付記７．
　前記封止樹脂（８）は、前記厚さ方向（ｚ）の一方側（ｚ１側）を向く第１樹脂主面（８１）と、前記厚さ方向（ｚ）の他方側（ｚ２側）を向く第２樹脂主面（８２）と、前記第２方向（ｙ）の一方側（ｙ１側）を向く第１樹脂側面（８５）と、前記第２方向（ｙ）の他方側（ｙ２側）を向く第２樹脂側面（８６）と、を有し、
　前記支持体（３）は、前記絶縁層（３１）の前記厚さ方向（ｚ）の他方側（ｚ２側）に位置し、且つ前記第２主面（３ｂ）を有する第２金属層（３３）を含み、
　前記第２主面（３ｂ）は、前記第２樹脂主面（８２）から露出しており、
　前記第２主面（３ｂ）は、前記第２方向（ｙ）の一方側（ｙ１側）の端に位置する第１端縁（３３１）と、前記第２方向（ｙ）の他方側（ｙ２側）の端に位置する第２端縁（３３２）と、を有し、
　前記第１端縁（３３１）と前記第２端縁（３３２）との前記第２方向（ｙ）の長さ（Ｌ３）に対して、前記第１端縁（３３１）と前記第１樹脂側面（８５）との前記第２方向（ｙ）の長さ（Ｌ４）の割合は、１０％以上３００％以下である、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記８．
　前記封止樹脂（８）は、前記第２樹脂主面（８２）に形成された複数の第１溝（８２１）を有し、
　前記複数の第１溝（８２１）は、前記第２方向（ｙ）において前記第２主面（３ｂ）と前記第１樹脂側面（８５）との間に位置し、且つ前記第２方向（ｙ）において互いに離隔しており、各々が前記第１方向（ｘ）に延びる、付記７に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記９．
　前記封止樹脂（８）は、各々が前記第１樹脂側面（８５）から前記第２方向（ｙ）の他方側（ｙ２側）に凹む複数の第１凹部（８５１）を有する、付記７または８に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１０．
　前記複数の第１リード（１）のそれぞれの前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）は、前記第１樹脂側面（８５）から突出しており、
　前記第１方向（ｘ）において隣り合う前記第１端子部（１１２，１２２，１３２，１４２，１５２）の間に２つ以上の前記第１凹部（８５１）が位置する、付記９に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１１．
　複数の第２リード（２）をさらに備え、
　前記複数の第２リード（２）は、前記第１方向（ｘ）において互いに離隔しており、
　前記複数の第２リード（２）の各々は、前記第２樹脂側面（８６）から前記第２方向（ｙ）の他方側（ｙ２側）に突出する第２端子部（２１２，２２２，２３２）を有し、
　前記第１端縁（３３１）と前記第２端縁（３３２）との前記第２方向（ｙ）の長さ（Ｌ３）に対して、前記第２端縁（３３２）と前記第２樹脂側面（８６）との前記第２方向（ｙ）の長さ（Ｌ５）の割合は、１０％以上３００％以下である、付記７ないし１０のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１２．
　前記封止樹脂（８）は、前記第２樹脂主面（８２）に形成された複数の第２溝（８２２）を有し、
　前記複数の第２溝（８２２）は、前記第２方向（ｙ）において前記第２主面（３ｂ）と前記第２樹脂側面（８６）との間に位置し、且つ前記第２方向（ｙ）において互いに離隔しており、各々が前記第１方向（ｘ）に延びる、付記１１に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１３．
　前記封止樹脂（８）は、各々が前記第２樹脂側面（８６）から前記第２方向（ｙ）の一方側（ｙ１側）に凹む複数の第２凹部（８６１）を有する、付記１１または１２に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１４．
　前記第１方向（ｘ）において隣り合う前記第２端子部（２１２，２２２，２３２）の間に２つ以上の前記第２凹部（８６１）が位置する、付記１３に記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１５．
　複数の前記半導体素子（４）を備え、
　複数の前記半導体素子（４）は、前記第１方向（ｘ）において並んで配置されている、付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１６．
　前記１以上の半導体素子（４）は、スイッチング素子であり、
　前記複数の第１リード（１）は、前記１以上の半導体素子のスイッチング対象である電流を流すためのパワーリードである、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１７．
　前記第１金属層（３２）は、前記１以上の半導体素子（４）のいずれかに導通する導通部（３２１，３２３，３２３，３２４）を有し、
　前記複数の第１リード（１）のうち前記第１端子リード（１５）以外の前記第１リード（１）の前記接合部（１１１，１２１，１３１，１４１）は、前記導通部（３２１，３２３，３２３，３２４）に導通接合されている、付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１，Ａ２）。
　付記１８．
　付記１ないし１７のいずれかに記載の半導体装置（Ａ１）と、
　前記第２主面（３ｂ）に接する放熱部材（９１）と、を備える、半導体装置アッセンブリ（Ｂ１）。
　付記１９．
　付記１６に記載の半導体装置（Ａ１）を含んで構成された電力変換装置（ＡＣ－ＤＣ変換装置８７１）を備える、車両（Ｂ２）。
Ａ１，Ａ２：半導体装置　　　　Ｂ１：半導体装置アッセンブリ
Ｂ２：車両　　　　１：第１リード
１１～１４：リード　　　　１５：リード（第１端子リード）
１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ：実装面
１１１，１２１，１３１，１４１，１５１：接合部
１１２，１２２，１３２，１４２，１５２：第１端子部
１１３，１２３，１３３，１４３，１５３：第１パッド部
２：第２リード　　　　２１～２３：リード
２１ａ，２２ａ，２３ａ：実装面　　　　
２１２，２２２，２３２：第２端子部
２１３，２２３，２３３：パッド部　　　　３：支持体
３ａ：第１主面　　　　３ｂ：第２主面
３１：絶縁層　　　　３２：第１金属層
３２１：第１部　　　　３２２：第２部
３２３：第３部　　　　３２４：第４部
３２５：第５部（非導通部）　　　　３２６：第６部
３３：第２金属層　　　　３３１：第１端縁
３３２：第２端縁　　　　４，４Ａ～４Ｆ：半導体素子
４０：素子本体　　　　４１：第１電極
４２：第２電極　　　　４３：第３電極
４９：導電性接合材　　　　６：サーミスタ
６９：導電性接合材　　　　７１～７４：ワイヤ
８：封止樹脂　　　　８１：第１樹脂主面
８２：第２樹脂主面　　　　８２１：第１溝
８２２：第２溝　　　　８３，８４：樹脂側面
８３１，８４１：凹部　　　　８５：第１樹脂側面
８５１：第１凹部　　　　８６：第２樹脂側面
８６１：第２凹部　　　　８７０：充電施設
８７１：ＡＣ－ＤＣ変換装置（電力変換装置）
８７２：受電装置　　　　８７３：蓄電池
８７４：駆動系統　　　　８７５：ＤＣ－ＤＣ変換装置
９１：放熱部材　　　　９１１：ねじ部材
９２：実装基板　　　　Ｌ１，Ｌ３～Ｌ６：長さ
Ｌ２：突出長さ

Claims (17)

  1. 　厚さ方向の一方側を向く第１主面、および前記第１主面とは反対側を向く第２主面を有する支持体と、
    　前記第１主面上に搭載された１以上の半導体素子と、
    　複数の第１リードと、
    　前記１以上の半導体素子、前記支持体の少なくとも一部、および前記複数の第１リードの各々の一部を覆う封止樹脂と、を備え、
    　前記支持体は、絶縁層と、前記絶縁層の前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記第１主面を有する第１金属層と、を含み、
    　前記複数の第１リードは、前記厚さ方向と直交する第１方向において互いに離隔しており、
    　前記複数の第１リードの各々は、前記第１金属層に導通接合された接合部と、前記封止樹脂から前記厚さ方向および前記第１方向と直交する第２方向の一方側に突出する第１端子部と、を有し、
    　前記第１金属層は、前記１以上の半導体素子のいずれにも導通しない非導通部を有し、
    　前記複数の第１リードは、第１端子リードを含み、
    　前記第１端子リードの前記接合部は、前記非導通部に導通接合されている、半導体装置。
  2. 　前記複数の第１リードの各々は、前記第２方向において前記接合部と前記第１端子部との間に位置し、且つ前記封止樹脂に覆われた第１パッド部を有し、
    　前記第１パッド部は、前記厚さ方向に見て前記第１方向および前記第２方向に沿う辺を有する矩形状であり、
    　前記第１パッド部の前記第２方向の長さは、前記第１端子部が前記封止樹脂から前記第２方向へ突出する突出長さより長い、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記複数の第１リードのそれぞれの前記第１パッド部は、前記第２方向において同じ位置に揃う、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記複数の第１リードのそれぞれの前記第１端子部は、前記第２方向の一方側の端が前記第２方向において同じ位置に揃う、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記第１端子部は、屈曲して前記厚さ方向の一方側に延びるとともに、先端部が先細り形状である、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 　前記第１端子部は、前記厚さ方向の一方側を向く実装面を有する、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 　前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方側を向く第１樹脂主面と、前記厚さ方向の他方側を向く第２樹脂主面と、前記第２方向の一方側を向く第１樹脂側面と、前記第２方向の他方側を向く第２樹脂側面と、を有し、
    　前記支持体は、前記絶縁層の前記厚さ方向の他方側に位置し、且つ前記第２主面を有する第２金属層を含み、
    　前記第２主面は、前記第２樹脂主面から露出しており、
    　前記第２主面は、前記第２方向の一方側に端に位置する第１端縁と、前記第２方向の他方側の端に位置する第２端縁と、を有し、
    　前記第１端縁と前記第２端縁との前記第２方向の長さに対して、前記第１端縁と前記第１樹脂側面との前記第２方向の長さの割合は、１０％以上３００％以下である、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　前記封止樹脂は、前記第２樹脂主面に形成された複数の第１溝を有し、
    　前記複数の第１溝は、前記第２方向において前記第２主面と前記第１樹脂側面との間に位置し、且つ前記第２方向において互いに離隔しており、各々が前記第１方向に延びる、請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記封止樹脂は、各々が前記第１樹脂側面から前記第２方向の他方側に凹む複数の第１凹部を有する、請求項７または８に記載の半導体装置。
  10. 　前記複数の第１リードのそれぞれの前記第１端子部は、前記第１樹脂側面から突出しており、
    　前記第１方向において隣り合う前記第１端子部の間に２つ以上の前記第１凹部が位置する、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　複数の第２リードをさらに備え、
    　前記複数の第２リードは、前記第１方向において互いに離隔しており、
    　前記複数の第２リードの各々は、前記第２樹脂側面から前記第２方向の他方側に突出する第２端子部を有し、
    　前記第１端縁と前記第２端縁との前記第２方向の長さに対して、前記第２端縁と前記第２樹脂側面との前記第２方向の長さの割合は、１０％以上３００％以下である、請求項７ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記封止樹脂は、前記第２樹脂主面に形成された複数の第２溝を有し、
    　前記複数の第２溝は、前記第２方向において前記第２主面と前記第２樹脂側面との間に位置し、且つ前記第２方向において互いに離隔しており、各々が前記第１方向に延びる、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記封止樹脂は、各々が前記第２樹脂側面から前記第２方向の一方側に凹む複数の第２凹部を有する、請求項１１または１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記第１方向において隣り合う前記第２端子部の間に２つ以上の前記第２凹部が位置する、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　複数の前記半導体素子を備え、
    　複数の前記半導体素子は、前記第１方向において並んで配置されている、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 　前記１以上の半導体素子は、スイッチング素子であり、
    　前記複数の第１リードは、前記１以上の半導体素子のスイッチング対象である電流を流すためのパワーリードである、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
  17. 　請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置と、
    　前記第２主面に接する放熱部材と、を備える、半導体装置アッセンブリ。
PCT/JP2025/025577 2024-07-26 2025-07-17 半導体装置および半導体装置アッセンブリ Pending WO2026023536A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024-120990 2024-07-26
JP2024120990 2024-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2026023536A1 true WO2026023536A1 (ja) 2026-01-29

Family

ID=98565417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2025/025577 Pending WO2026023536A1 (ja) 2024-07-26 2025-07-17 半導体装置および半導体装置アッセンブリ

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2026023536A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150228567A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Package substrate and semiconductor package using the same
WO2022019023A1 (ja) * 2020-07-20 2022-01-27 ローム株式会社 半導体装置
WO2022264982A1 (ja) * 2021-06-14 2022-12-22 ローム株式会社 絶縁モジュール
WO2023243278A1 (ja) * 2022-06-14 2023-12-21 ローム株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150228567A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Package substrate and semiconductor package using the same
WO2022019023A1 (ja) * 2020-07-20 2022-01-27 ローム株式会社 半導体装置
WO2022264982A1 (ja) * 2021-06-14 2022-12-22 ローム株式会社 絶縁モジュール
WO2023243278A1 (ja) * 2022-06-14 2023-12-21 ローム株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12463118B2 (en) Semiconductor device
US11127662B2 (en) Semiconductor device
JP7648602B2 (ja) 半導体装置
JP7781069B2 (ja) 半導体装置
WO2021200336A1 (ja) 電子装置
US20240404977A1 (en) Semiconductor device and semiconductor module
US20240321693A1 (en) Semiconductor device
US20240047433A1 (en) Semiconductor device
CN115206919A (zh) 半导体装置
CN113517244A (zh) 一种功率半导体模块的新型封装结构
WO2024116873A1 (ja) 半導体モジュール
JP7545845B2 (ja) 半導体装置
WO2026023536A1 (ja) 半導体装置および半導体装置アッセンブリ
WO2024247629A1 (ja) 半導体装置および車両
US20240030080A1 (en) Semiconductor device
CN116190339A (zh) 端子元件或汇流条以及包括端子元件或汇流条的功率半导体模块装置
CN117425957A (zh) 半导体装置
JP2001035983A (ja) 半導体装置
KR102940062B1 (ko) 전력반도체 모듈
US20240055332A1 (en) Semiconductor device
US20250391805A1 (en) Semiconductor device
US20260096491A1 (en) Semiconductor device and vehicle
US20240203849A1 (en) Semiconductor device and mounting structure for semiconductor device
US20250391750A1 (en) Semiconductor device, semiconductor assembly, and vehicle
WO2024116743A1 (ja) 半導体装置