WO2026014332A1 - ガラスエッチング用のエッチング液組成物、ガラスのエッチング方法、及びガラスの製造方法 - Google Patents

ガラスエッチング用のエッチング液組成物、ガラスのエッチング方法、及びガラスの製造方法

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WO2026014332A1
WO2026014332A1 PCT/JP2025/023843 JP2025023843W WO2026014332A1 WO 2026014332 A1 WO2026014332 A1 WO 2026014332A1 JP 2025023843 W JP2025023843 W JP 2025023843W WO 2026014332 A1 WO2026014332 A1 WO 2026014332A1
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WO
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glass
etching
mol
solution composition
acid
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PCT/JP2025/023843
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English (en)
French (fr)
Inventor
大樹 杉山
哲志 中山
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments

Definitions

  • the present disclosure relates to an etching solution composition for glass etching, a glass etching method, and a glass manufacturing method.
  • TGV Through Glass Via
  • a commonly used method for etching glass is to use a chemical solution containing hydrofluoric acid.
  • the compounds produced by the reaction such as hexafluorosilicic acid and hexafluoroaluminic acid, can form salts with alkaline earth metals, which are network modifiers in the glass, resulting in the formation of precipitates.
  • alkaline earth metals which are network modifiers in the glass
  • precipitates can prevent the etching from proceeding smoothly, making it extremely difficult to form holes of the desired shape. For this reason, an etching method using a strongly alkaline aqueous solution has been proposed.
  • One embodiment of the present disclosure aims to provide an etching solution composition that can etch glass with a high etching rate and good hole shapes.
  • An etching solution composition according to one embodiment of the present disclosure is an etching solution composition for glass etching, comprising a metal hydroxide at a concentration of 2 mol/L or more and 8 mol/L or less, and a hydroxycarboxylic acid or a salt thereof at a concentration of 0.5 mol/L or more and 1.5 mol/L or less.
  • an etching solution composition can be provided that can etch glass with a high etching rate and good hole shapes.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the flow of the glass manufacturing method of the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the flow of the glass manufacturing method of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the flow of the glass manufacturing method of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the flow of the glass manufacturing method of the second embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the flow of the glass manufacturing method of the second embodiment.
  • the etching solution composition of the present embodiment is an etching solution composition for glass etching, and contains a metal hydroxide at 2 mol/L or more and 8 mol/L or less, and a hydroxycarboxylic acid or a salt thereof at 0.5 mol/L or more and 1.5 mol/L or less, and further contains other components as necessary.
  • Cited Document 1 specifically discloses an etching method using a chemical solution containing 0.3 mol/L sodium gluconate and having a pH greater than 12, and demonstrates that the addition of sodium gluconate improves the removability of glass material and slightly increases the etching rate.
  • the etching method using the chemical solution disclosed in Patent Document 1 did not achieve an etching rate that was far from practical.
  • an etching solution composition containing 2 mol/L or more and 8 mol/L or less of a metal hydroxide and 0.5 mol/L or more and 1.5 mol/L or less of a hydroxycarboxylic acid or a salt thereof can be used to etch glass at a high etching rate and with good hole shapes, leading to the completion of the present invention.
  • the metal hydroxide is a hydroxide of a metal element and can be appropriately selected depending on the purpose without any particular limitation as long as it is basic, and suitable examples thereof include sodium hydroxide (NaOH), potassium hydroxide (KOH), etc. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the metal hydroxide in the etching solution composition is 2 mol/L or more and 8 mol/L or less, preferably 2 mol/L or more and 7 mol/L or less, more preferably 3 mol/L or more and 7 mol/L or less, and particularly preferably 3 mol/L or more and 6 mol/L or less.
  • the hydroxycarboxylic acid and/or salt thereof is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose, so long as it is a compound having a hydroxyl group and a carboxyl group and/or a salt thereof, and examples thereof include sugar acids such as aldonic acid, uronic acid, and aldaric acid; hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDTA), hydroxyethyliminodiacetic acid (HIDA), dihydroxyethylglycine (DHEG), 3-hydroxy-2,2'-iminodisuccinic acid, citric acid, lactic acid, glycolic acid, hydroxybutyric acid, malic acid, tartaric acid, salicylic acid, vanillic acid, protocatechuic acid, gallic acid, mandelic acid, benzilic acid, ferulic acid, sinapic acid, serine, threonine, and tyrosine; and salts thereof.
  • sugar acids such as aldonic acid, uronic acid, and al
  • aldonic acid examples include glyceric acid, xylonic acid, gluconic acid, heptogluconic acid, lactobionic acid, and ascorbic acid.
  • the salt examples include sodium salts and potassium salts. Among these, gluconic acid and sodium gluconate are preferred.
  • the content of the hydroxycarboxylic acid and/or its salt in the etching solution composition is 0.5 mol/L or more and 1.5 mol/L or less, preferably 0.6 mol/L or more and 1.5 mol/L or less, from the viewpoint of improving planarity and straightness.
  • the other components can be appropriately selected depending on the purpose as long as the effects of the present embodiment are not impaired.
  • the other components include complexing agents other than hydroxycarboxylic acids and/or salts thereof, such as phosphorus ligands, Lewis bases, oxidizing agents, reducing agents, inorganic salts, sugars, amine compounds, carboxylic acid compounds, aminocarboxylic acid compounds, polymeric dispersants, surfactants, organic solvents, rheology control agents, and thickeners.
  • the glass etching method of the present embodiment includes a step (step S001) of etching glass using the etching solution composition of the present embodiment described above, and further includes other steps as necessary.
  • Step S001 is a step of etching glass using the etching solution composition.
  • the etching solution composition can be appropriately selected from the items described in the etching solution composition of this embodiment.
  • the etching temperature is preferably 20°C to 150°C, more preferably 50°C to 120°C, and particularly preferably 80°C to 110°C.
  • the etching time is preferably 1 hour to 300 hours, more preferably 1 hour to 275 hours, even more preferably 1 hour to 244 hours, even more preferably 1 hour to 100 hours, particularly preferably 2 hours to 50 hours, particularly preferably 2 hours to 30 hours, and most preferably 2 hours to 20 hours.
  • etching solution composition In order to refresh the etching solution composition inside the holes in the glass during etching, it is preferable to flow the etching solution composition.
  • Suitable examples include a method of filling a closed space with the etching solution composition and etching while applying liquid pressure, as described in JP 2020-001959 A; a method of etching by applying ultrasonic waves (e.g., 40 kHz to 192 kHz) to a glass substrate, as described in JP 2016-534017 A; a method of etching while agitating the etching solution composition with a vibrator immersed in the etching solution composition, as described in JP 2020-066551 A; and a method of etching under conditions in which the average relative speed of the etching solution composition to the glass is faster in the second etching step than in the first etching step, as described in JP 2023-082984 A.
  • the glass is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably an aluminosilicate glass containing one or more selected from the group consisting of Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, MgO, CaO, SrO, and BaO, and more preferably the total content of Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O in the glass is 0 mol % to 10 mol %, and the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO is 0 mol % to 30 mol %.
  • the elements contained in the glass are not particularly limited, and any element may be contained depending on the desired physical properties. In this specification, glass also includes crystallized glass.
  • the SiO 2 content in the glass is preferably 40 mol% to 99 mol%, more preferably 55 mol% to 90 mol%, and particularly preferably 60 mol% to 85 mol%, from the viewpoint of improving the flat rate and straightness.
  • the Al 2 O 3 content in the glass is preferably 1 mol% to 40 mol%, more preferably 1 mol% to 30 mol%, and even more preferably 3 mol% to 20 mol%, from the viewpoint of improving the flat rate and straightness.
  • the B 2 O 3 content in the glass is preferably 0 mol% to 30 mol%, more preferably 1 mol% to 25 mol%, even more preferably 3 mol% to 20 mol%, and particularly preferably 5 mol% to 15 mol%, from the viewpoint of improving the flat rate and straightness.
  • SiO 2 , Al 2 O 3 , and/or B 2 O 3 have the effect of forming a glass network
  • Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, MgO, CaO, SrO, and/or BaO have the effect of modifying the glass network and are generally referred to as network modifier oxides.
  • the glass may be appropriately selected depending on the intended use, taking into consideration the CTE, refractive index, density, Young's modulus, relative dielectric constant, dielectric loss tangent, and the like.
  • the method for producing glass of the present embodiment is a method for producing glass having vias, and includes a step of etching glass having modified portions using the etching solution composition of the present embodiment described above to form vias, and further includes other steps, such as a step of forming modified portions, as necessary.
  • the via may be a through via that penetrates from one surface of the glass to the other surface, or a non-through via that has an opening on one surface of the glass and no opening on the other surface, and either can be selected appropriately depending on the purpose.
  • FIGS. 1 to 3 are schematic diagrams showing the flow of the method for manufacturing glass according to the first embodiment, illustrating aspects of the method for manufacturing glass having through vias.
  • the method for manufacturing glass according to the first embodiment includes, for example, steps S101 to S102.
  • step S101 a laser is irradiated onto a position on the glass substrate where a via is to be formed, to form a modified portion.
  • step S102 the glass having the modified portion is etched to form the plurality of vias.
  • step S101 a modified portion is formed by irradiating a laser beam onto a position on a glass substrate where a via is to be formed. This results in a modified portion being formed by modifying the position where the via is to be formed, and glass having the modified portion is formed.
  • the position where the via is to be formed is modified by receiving energy from the laser irradiation, and becomes a modified portion that has a property of being easily etched.
  • the glass substrate 110 has a first surface 112 and a second surface 114 opposite the first surface.
  • the glass substrate 110 can be selected appropriately from the glasses described in the etching method of this embodiment, and may be a laminate having additional layers such as inorganic or organic films. If the glass is to be used for packaging semiconductor elements, alkali-free glass is preferred. This is because alkali-containing glass may cause the alkali components in the glass to precipitate and adversely affect the semiconductor elements.
  • the average thickness of the glass substrate there are no particular restrictions on the average thickness of the glass substrate and it can be selected appropriately depending on the purpose, for example, 0.05 mm to 3.0 mm.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a glass substrate 210 having a modified region 230 after laser irradiation.
  • a modified region 230 of a non-through via is formed, which extends from the first surface 212 to a predetermined depth d1 .
  • an opening in the first surface 212 is referred to as a first initial opening 232.
  • the top hole diameter ⁇ 1 of the via is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 1 ⁇ m to 500 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • glass can be produced that has a high etching rate and a good hole shape.
  • the aspect ratio d 2 / ⁇ 1 may be, for example, 1 or more.
  • the planarization rate can be selected appropriately depending on the initial thickness [ ⁇ m] of the glass substrate to be processed, with initial thickness being preferably 300 ⁇ m/hour or more, initial thickness being 275 ⁇ m/hour or more being more preferred, initial thickness being 244 ⁇ m/hour or more being even more preferred, initial thickness being 220 ⁇ m/hour or more being even more preferred, initial thickness being 212 ⁇ m/hour or more being particularly preferred, and initial thickness being 200 ⁇ m/hour or more being most preferred.
  • Specific numerical values for example, when the initial plate thickness is 1,100 ⁇ m, are preferably 3.6 ⁇ m/hour or more, more preferably 4.0 ⁇ m/hour or more, even more preferably 4.5 ⁇ m/hour or more, even more preferably 5.0 ⁇ m/hour or more, particularly preferably 5.2 ⁇ m/hour or more, and most preferably 5.5 ⁇ m/hour or more.
  • the hole shape can be evaluated by the aspect ratio d 2 / ⁇ 1 as an index of its quality.
  • the ratio is preferably 1 or more, more preferably 5 or more, and even more preferably 10 or more.
  • Examples 2 to 5, 8 to 11, and 14 to 17 below are working examples, while Examples 1, 6 to 7, 12 to 13, and 18 to 25 below are comparative examples.
  • the glass substrate used was an aluminosilicate alkali-free glass substrate (EN-A1; manufactured by AGC Inc., size: 12 mm ⁇ 25 mm) having an average thickness of 1.1 mm.
  • a laser was irradiated at the planned via formation position to form a through via penetrating from one side of the glass substrate to the other side, forming a modified portion.
  • the laser used was a green picosecond laser (wavelength 532 nm, pulse width 10 ps, pulse energy 100 ⁇ J), and one shot was irradiated per planned formation position.
  • the pitch of adjacent modified portions was 300 ⁇ m, and 3,200 modified portions were arranged in a 40 ⁇ 80 grid.
  • ⁇ Plane Rate The average thickness t 0 [ ⁇ m] of the glass before etching and the average thickness t 1 [ ⁇ m] of the glass after etching were measured and calculated using a multicolor laser coaxial displacement meter with a plate thickness measuring device (CL-L015, manufactured by Keyence Corporation) as the sensor head. Next, the reduced thickness was divided by the etching time T [hours] to calculate the "flat rate" as the rate at which the glass thickness was reduced per etching time [ ⁇ m/hour] using the following formula, and evaluation was performed based on the following evaluation criteria. A grade of B or higher is a practical level. The evaluation criteria differ depending on the metal hydroxide concentration in the chemical solution.
  • the top hole diameter ⁇ 1 and bottom hole diameter ⁇ 2 of the opening of the through via were measured using a digital microscope (VHX-8000, manufactured by Keyence Corporation). The particle analysis function was used for the measurement, and the circle equivalent diameter was taken as the hole diameter. The average value of the top hole diameter ⁇ 1 and the bottom hole diameter ⁇ 2 was calculated as the "average hole diameter.”
  • Examples 2 to 25 The etching solution compositions of Examples 2 to 21 were prepared in the same manner as in Example 1, except that the composition of the etching solution composition in Example 1 was changed as shown in Tables 1 and 2, and the glasses of Examples 2 to 25 were produced in the same manner as in Example 1. Then, the flatness rate and straightness were evaluated, and an overall evaluation was performed. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • an etching solution composition, etching method, and method for manufacturing glass with vias can be provided that can achieve glass etching that has a high etching rate due to its excellent planarity rate and a good hole shape due to its excellent straightness.
  • [Appendix 1] A metal hydroxide having a concentration of 2 mol/L or more and 8 mol/L or less; An etching solution composition for glass etching, comprising: 0.5 mol/L or more and 1.5 mol/L or less of a hydroxycarboxylic acid and/or a salt thereof.
  • [Appendix 2] 2. The etching solution composition according to claim 1, wherein the metal hydroxide is sodium hydroxide and/or potassium hydroxide.
  • [Appendix 3] 3 3. The etching solution composition according to claim 1, wherein the hydroxycarboxylic acid and/or a salt thereof is gluconic acid and/or a salt thereof.
  • [Appendix 4] A method for etching glass, comprising the step of etching glass using the etching solution composition according to any one of claims 1 to 3.
  • [Appendix 5] 5. The method for etching glass according to claim 4, wherein the total content of Li 2 O, Na 2 O, and K 2 O in the glass is 0 mol % to 10 mol %, and the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO is 0 mol % to 30 mol %.
  • [Appendix 6] A method for manufacturing glass having vias, comprising: A method for producing glass, comprising the step of etching glass having a modified portion using the etching solution composition according to any one of appendixes 1 to 3 to form a via.

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Abstract

エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスのエッチングを実現できるエッチング液組成物を提供する。当該ガラスエッチング用のエッチング液組成物は、２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物と、０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下のヒドロキシカルボン酸又はその塩と、を含む。

Description

ガラスエッチング用のエッチング液組成物、ガラスのエッチング方法、及びガラスの製造方法
　本開示は、ガラスエッチング用のエッチング液組成物、ガラスのエッチング方法、及びガラスの製造方法に関する。
　近年、半導体分野において、シリコンの微細加工による性能向上が物理的及びコスト的な限界に近づきつつある。このため、半導体後工程やそれに使用する材料の深化による性能向上が盛んに検討されている。ガラスに微細貫通孔（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｇｌａｓｓ　Ｖｉａ、ＴＧＶ）加工を施したガラス板は、ガラスインターポーザやガラスコア基板など多くの用途にニーズがあり、その製造方法が研究されている。例えば、ガラス基板にレーザを照射して改質した後、薬液でエッチングすることで改質部を位置選択的に異方性加工する方法がある。
　ガラスをエッチングする方法としては、フッ化水素酸を含む薬液を用いた方法が多用される。しかし、反応によって生じるヘキサフルオロケイ酸やヘキサフルオロアルミン酸といった化合物が、ガラス中の網目修飾成分であるアルカリ土類金属と塩を形成し、析出物を生じる場合がある。微細孔加工においては、この析出物によりエッチングが円滑に進行せず、所望の形状の孔を形成することが極めて困難であるという問題がある。このため、強アルカリ性の水溶液を使用したエッチング方法が提案されている。
　強アルカリ性の薬液を使用した微細孔加工として、例えば、ｐＨ＞１２の塩基性水溶性エッチング溶液であって、少なくとも１つの錯化剤を含み、前記錯化剤により少なくとも１つの溶出成分が錯体を形成するエッチング溶液を用いたエッチングプロセスが報告されている（例えば、特許文献１参照）。
特表２０２３－５５２８６６号公報
　本開示の一実施形態は、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスのエッチングを実現できるエッチング液組成物を提供することを目的とする。
　本開示の一実施形態に係るエッチング液組成物は、２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物と、０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下のヒドロキシカルボン酸又はその塩と、を含む、ガラスエッチング用のエッチング液組成物である。
　本開示の一実施形様によれば、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスのエッチングを実現できるエッチング液組成物を提供することができる。
図１は、第１の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図である。 図２は、第１の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図である。 図３は、第１の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図である。 図４は、第２の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図である。 図５は、第２の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図である。
　以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は類似の構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。数値範囲は、四捨五入した範囲を含む。以下において、ガラスの各成分の組成範囲は、酸化物基準のｍｏｌ％で表示する。
（エッチング液組成物）
　本実施形態のエッチング液組成物は、ガラスエッチング用のエッチング液組成物であって、２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物と、０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下のヒドロキシカルボン酸又はその塩と、を含み、更に必要に応じてその他の成分を含む。
　従来技術の強アルカリ性の薬液を使用したエッチングプロセスでは、アルミノシリケートガラス等のガラスから溶出されたカルシウムイオン、マグネシウムイオン等が、アルミン酸塩、ケイ酸塩、水酸化物などの析出物を形成し、孔内部のエッチングを阻害するという問題がある。また、孔内部の流れが閉じた渦を形成してしまい、エッチングが進むと、析出物が蓄積すると共に、塩基成分及び錯化剤が減少し、エッチング速度が低下するという問題がある（例えば、Journal of the Electrochemical Society, 1983, 130.8: 1722参照）。一方で、遠心力を付与するなどにより孔内部をリフレッシュするとエッチング速度を上げることができる。しかしながら、依然として、エッチング速度と、加工性とはトレードオフの関係にあり、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスのエッチングが依然として要求されている。
　引用文献１に記載の従来技術では、具体的には、０．３ｍｏｌ／Ｌのグルコン酸ナトリウムを含むｐＨ＞１２の薬液によるエッチング方法が開示され、グルコン酸ナトリウムの添加によってガラス材料の除去性が向上するとともにエッチング速度が微増することが実証されている。しかしながら、特許文献１で開示される薬液を使用したエッチング方法ではエッチング速度が実用水準には到底満たなかった。また、グルコン酸ナトリウムの添加による孔形状の改善効果については何ら言及がなかった。このため、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスのエッチングを実現できるエッチング液組成物が求められている。
　本発明者らは、従来技術の問題点、及び前記課題を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、エッチング液組成物が、２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物と、０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下のヒドロキシカルボン酸又はその塩と、を含むことで、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスのエッチングを実現できることを見出し、本発明の完成に至った。
＜金属水酸化物＞
　前記金属水酸化物としては、金属元素の水酸化物であり、塩基性であれば、特に制限はなく目的に応じて適宜選択でき、例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　前記金属水酸化物の含有量としては、平面レートとストレート性を向上できる観点から、エッチング液組成物に対し、２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下であり、２ｍｏｌ／Ｌ以上７ｍｏｌ／Ｌ以下が好ましく、３ｍｏｌ／Ｌ以上７ｍｏｌ／Ｌ以下がより好ましく、３ｍｏｌ／Ｌ以上６ｍｏｌ／Ｌ以下が特に好ましい。
＜ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩＞
　前記ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩としては、ヒドロキシル基とカルボキシル基とを有する化合物及び／又はその塩であれば、特に制限はなく目的に応じて適宜選択でき、例えば、アルドン酸、ウロン酸、アルダル酸等の糖酸；ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）、３－ヒドロキシ－２，２'－イミノジコハク酸、クエン酸、乳酸、グリコール酸、ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸、バニリン酸、プロトカテク酸、没食子酸、マンデル酸、ベンジル酸、フェルラ酸、シナピン酸、セリン、スレオニン、チロシン；及びこれらの塩などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　前記アルドン酸としては、例えば、グリセリン酸、キシロン酸、グルコン酸、ヘプトグルコン酸、ラクトビオン酸、アスコルビン酸などが挙げられる。
　前記塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩などが挙げられる。
　これらの中でも、グルコン酸、グルコン酸ナトリウムが好ましい。
　前記ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩の含有量としては、平面レートとストレート性を向上できる観点から、エッチング液組成物に対し、０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下であり、０．６ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下が好ましい。
＜その他の成分＞
　前記その他の成分としては、本実施形態の効果を損なわない範囲で、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、リン配位子などのヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩以外の錯化剤、ルイス塩基、酸化剤、還元剤、無機塩、糖類、アミン化合物、カルボン酸化合物、アミノカルボン酸化合物、高分子系分散剤、界面活性剤、有機溶媒、レオロジーコントロール剤、増粘剤などが挙げられる。
（ガラスのエッチング方法）
　本実施形態のガラスのエッチング方法は、上述した本実施形態のエッチング液組成物を用いてガラスをエッチングする工程（ステップＳ００１）を有し、更に必要に応じてその他の工程を有する。
＜ステップＳ００１＞
　ステップＳ００１は、前記エッチング液組成物を用いてガラスをエッチングする工程である。
　前記エッチング液組成物としては、本実施形態のエッチング液組成物において説明した事項を適宜選択することができる。
　ガラスをエッチングする方法としては、前記エッチング液組成物を用いていれば、特に制限はなく、目的に応じて公知の方法を適宜選択することができるが、ガラスをエッチング液組成物に浸漬することが好ましい。エッチング温度としてはエッチング速度のコントロールが容易になる観点から、２０℃～１５０℃が好ましく、５０℃～１２０℃がより好ましく、８０℃～１１０℃が特に好ましい。エッチング時間としては品質を安定させられる観点から、１時間～３００時間が好ましく、１時間～２７５時間がより好ましく、１時間～２４４時間が更に好ましく、１時間～１００時間が更により好ましく、２時間から５０時間がとりわけ好ましく、２時間から３０時間が特に好ましく、２時間～２０時間が最も好ましい。
　エッチングする際に、ガラスの孔内部のエッチング液組成物をリフレッシュする観点から、エッチング液組成物を流動させることが好ましく、例えば、特開２０２０－００１９５９号公報に記載されたように、閉空間にエッチング液組成物を充満させ、液圧を作用させながらエッチングする方法；特表２０１６－５３４０１７号公報に記載されたように、ガラス基板に超音波（例えば、４０ｋＨｚ～１９２ｋＨｚ）を印加してエッチングする方法；特開２０２０－０６６５５１号公報に記載されたように、エッチング液組成物中に浸漬された振動体によりエッチング液組成物を攪拌しながらエッチングする方法；特開２０２３－０８２９８４号公報に記載されたように、貫通していない初期孔を有するガラスをエッチングする第１のエッチング工程と、貫通した孔を有するガラスをエッチングする第２のエッチング工程と、を有し、ガラスに対するエッチング液組成物の平均相対速度が、第１のエッチング工程よりも第２のエッチング工程が速い条件でエッチングする方法などが好適に挙げられる。
－ガラス－
　前記ガラスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯからなる群より選択される１種以上を含むアルミノシリケートガラスが好ましく、前記ガラスにおいて、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏの合計含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの合計含有量が０ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％であることがより好ましい。前記ガラスに含まれる元素としては、特に制限はなく、目的とする物性に応じて任意の元素を含んでいてもよい。本明細書においてガラスには、結晶化ガラスも含む。
　前記ガラスにおけるＳｉＯ２の含有量としては、平面レートとストレート性を高められる観点から、４０ｍｏｌ％～９９ｍｏｌ％が好ましく、５５ｍｏｌ％～９０ｍｏｌ％がより好ましく、６０ｍｏｌ％～８５ｍｏｌ％が特に好ましい。前記ガラスにおけるＡｌ２Ｏ３の含有量としては、平面レートとストレート性を高められる観点から、１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％が好ましく、１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％がより好ましく、３ｍｏｌ％～２０ｍｏｌ％が更に好ましい。前記ガラスにおけるＢ２Ｏ３の含有量としては、平面レートとストレート性を高められる観点から、０ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％が好ましく、１ｍｏｌ％～２５ｍｏｌ％がより好ましく、３ｍｏｌ％～２０ｍｏｌ％が更に好ましく、５ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％が特に好ましい。
　ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及び／又はＢ２Ｏ３は、ガラスネットワークを形成する作用を有し、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及び／又はＢａＯは、ガラスネットワークを修飾する作用を有し、一般的には網目修飾酸化物と称される。
　前記ガラスは、ＣＴＥ、屈折率、密度、ヤング率、比誘電率、誘電正接などを考慮し、使用目的に応じて適宜選定すればよい。
（ガラスの製造方法）
　本実施形態のガラスの製造方法は、ビアを有するガラスの製造方法であって、上述した本実施形態のエッチング液組成物を用い、改質部を有するガラスをエッチングしてビアを形成する工程を有し、更に必要に応じて、改質部を形成する工程などのその他の工程を有する。
　前記ビアとしては、ガラスの一の面と他の面とを貫通する貫通ビアであってもよく、ガラスの一の面に開口部を有し、他の面に開口部を有しない非貫通ビアであってもよく、いずれも目的に応じて適宜選択できる。
［第１の実施形態］
　以下、図１～３を用いて、第１の実施形態に係るガラスの製造方法について説明する。図１～３は、第１の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図であり、貫通ビアを有するガラスの製造方法の態様を示す。第１の実施形態のガラスの製造方法は、例えば、ステップＳ１０１～Ｓ１０２を有する。ステップＳ１０１では、ガラス基板におけるビア形成予定位置にレーザを照射して改質部を形成する。ステップＳ１０２では、改質部を有するガラスをエッチングして前記複数のビアを形成する。
＜Ｓ１０１＞
　ステップＳ１０１は、ガラス基板におけるビア形成予定位置にレーザを照射して改質部を形成する。これにより、前記ビア形成予定位置を改質した改質部が形成され、改質部を有するガラスが形成される。ビア形成予定位置は、レーザ照射によりエネルギーを受けて改質されることにより、エッチングされ易い性質を有する改質部になる。
　まず、ガラス基板が準備される。図１に示すように、ガラス基板１１０は、第１の面１１２と、第１の面と対向する第２の面１１４を有する。
　ガラス基板１１０としては、本実施形態のエッチング方法において説明したガラスを適宜選択することができ、無機膜や有機膜などの追加の層を有する積層体であってもよい。ガラスが半導体素子のパッケージに使用される場合は、無アルカリガラスが好ましい。アルカリ含有ガラスである場合、ガラス中のアルカリ成分が析出し、半導体素子に悪影響を及ぼすおそれがあるためである。
　ガラス基板の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．０５ｍｍ～３．０ｍｍなどが挙げられる。
　次いで、ガラス基板１１０の第１の面１１２から、ビア形成予定位置にレーザを照射して改質部１２０が形成される。図２は、レーザ照射後の改質部１２０を有するガラス基板１１０の断面図を模式的に示す。貫通ビアを有するガラスを製造する場合、第１の面１１２から第２の面１１４にわたって連通する複数の改質部１２０が形成される。改質部１２０において、第１の面１１２における開口を第１の初期開口１２２と称し、第２の面１１４における開口を第２の初期開口１２４と称する。
　前記ビア形成予定位置及び改質部としては、ガラス基板の厚み方向にわたって連通する貫通ビアの形成予定位置及び改質部（例えば、図２の１２０）であってもよく、ガラス基板の一の面から所定深さまで連通する非貫通ビアの形成予定位置及び改質部（例えば、図４の２３０）であってもよく、いずれも目的に応じて適宜選択できる。貫通ビア同士を連結させて異形の貫通ビアを形成してもよく、非貫通ビア同士を連結させてキャビティ形状、ポケット形状、溝形状のビアを形成してもよい。
　レーザとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、グリーンレーザ、ＵＶレーザなどが挙げられる。また、レーザの照射方法としては、短パルスレーザ（例えば、ピコ秒レーザ、ナノ秒レーザ、フェムト秒レーザ）を用いることが好ましい。具体的には、平均厚み１．１ｍｍのアルミノシリケートガラスに対し、グリーンピコ秒レーザ（例えば、波長５３２ｎｍ、パルス幅１０ｐｓ）、パルスエネルギー４０μＪ～３００μＪを使用し、１つの形成予定位置あたり１ショット～数ショット照射することにより（例えば、１００μＪ、１ショット）、改質部を形成することができる。
＜Ｓ１０２＞
　ステップＳ１０２は、前記エッチング液組成物を用い、改質部を有するガラスをエッチングしてビアを形成する。これにより、ビアを有するガラスが製造される。
　ガラスをエッチングする方法としては、前記エッチング液組成物及び前記改質部を有するガラスを用いていれば、特に制限はなく、本実施形態のエッチング方法において説明した事項を適宜選択することができる。
　次いで、ステップＳ１０２において、エッチング液組成物を用い、改質部１２０を有するガラス基板１１０をエッチングし、複数の貫通ビア１４０が形成される。このとき、第１の初期開口１２２が拡張されて第１の開口１４２が形成され、第２の初期開口１２４が拡張されて第２の開口１４４が形成される。なお、エッチング処理の際に、ガラス基板１１０の表面もエッチングされ、ガラス基板１１０の厚さは、エッチング前のｔ０からｔ１に変化する。図３は、エッチング後の貫通ビア１４０を有するガラスの断面図を模式的に示す。
　したがって、ガラス基板１１０の第１の面１１２及び第２の面１１４は、処理後に、それぞれ、新生面に変化する。ただし、本願では説明の煩雑さを避けるため、ガラス基板１１０のエッチング処理後の相互に対向する表面を、そのまま、「第１の面１１２」及び「第２の面１１４」と称する。
　以上により、図３に示すように、貫通ビア１４０を有するガラスを製造することができる。
　前記ビアの孔径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ～５００μｍが好ましく、１０μｍ～３００μｍがより好ましい。前記ビアの孔径が１μｍ～５００μｍであると、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスを製造することができる。
　ここで、ビアの孔径としては、ステップＳ１０１におけるレーザ照射側である第１の面１１２におけるトップ孔径φ１、第２の面１１４におけるボトム孔径φ２、及び／又はトップ孔径φ１及びボトム孔径φ２の平均値である平均孔径が挙げられる。
　エッチングの指標となるエッチング速度は、エッチング時間あたりのガラスの厚みが薄くなる速さ［μｍ／時間］としての「平面レート」により評価することができる。平面レートは速すぎると品質のコントロールが難しく、遅すぎると生産性が悪くなる。前記平面レートは、処理するガラス基板の初期板厚［μｍ］に応じて適宜選択することができ、初期板厚／３００［μｍ／時間］以上が好ましく、初期板厚／２７５［μｍ／時間］以上がより好ましく、初期板厚／２４４［μｍ／時間］以上が更に好ましく、初期板厚／２２０［μｍ／時間］以上がより更に好ましく、初期板厚／２１２［μｍ／時間］以上が特に好ましく、初期板厚／２００［μｍ／時間］以上が最も好ましい。具体的な数値としては、例えば、初期板厚１，１００μｍの場合、３．６［μｍ／時間］以上が好ましく、４．０［μｍ／時間］以上がより好ましく、４．５［μｍ／時間］以上が更に好ましく、５．０［μｍ／時間］以上がより更に好ましく、５．２［μｍ／時間］以上が特に好ましく、５．５［μｍ／時間］以上が最も好ましい。
　具体的には、エッチング前のガラスの平均厚みｔ０［μｍ］、及びエッチング後のガラスの平均厚みｔ１［μｍ］を、板厚測定装置（例えば、ＣＬ－L０１５（株式会社キーエンス製）をセンサヘッドとしたマルチカラーレーザ同軸変位計）にて測定及び算出し、減少した厚みをエッチング時間Ｔ［時間］で除した値を、下記式により求めることで「平面レート」を算出することができる。
（式）
　平面レート［μｍ／時間］＝（ｔ０－ｔ１）／Ｔ
　また、孔形状が良好であることの指標としては、ビアが貫通ビアである場合、トップ孔径及びボトム孔径の平均値である「平均孔径」に対する「くびれ径」の比である「ストレート性」により評価することができる。前記ストレート性としては、後の工程での配線微細化ができる観点から、０．３以上が好ましく、０．３３以上がより好ましく、０．３５以上が特に好ましい。
　具体的には、エッチング後のガラスについて、デジタルマイクロスコープ（例えば、ＶＨＸ－８０００、株式会社キーエンス製）を用いて貫通ビアの開口部のトップ孔径φ１、及びボトム孔径φ２を測定する。測定には粒子解析機能を使用し、円相当径を孔径とする。次いで、ガラスを割断し、複数の貫通ビアを含む断面を観察し、くびれ部１９０におけるくびれ径φｗとして、各貫通ビアの最も細い部位の二点間距離を測定する。下記式により「ストレート性」を算出することができる。
（式）
　ストレート性＝くびれ径÷平均孔径
［第２の実施形態］
　以下、図４～５を用いて、第２の実施形態に係るガラスの製造方法について説明する。図４～５は、第２の実施形態のガラスの製造方法のフローを示す模式図であり、非貫通ビアを有するガラスの製造方法の態様を示す。非貫通ビアを形成すること以外は、第１の実施形態で説明した事項を適宜選択することができる。第２の実施形態のガラスの製造方法は、例えば、ステップＳ２０１～Ｓ２０２を有する。ステップＳ２０１では、ガラス基板におけるビア形成予定位置にレーザを照射して改質部を形成する。ステップＳ２０２では、改質部を有するガラスをエッチングして前記複数のビアを形成する。
　ステップＳ２０１では、ガラス基板２１０の第１の面２１２から、ビア形成予定位置にレーザを照射して改質部２３０が形成される。ガラス基板２１０は、第１の面２１２と、第１の面と対向する第２の面２１４を有する。ガラス基板２１０としては、ガラス基板１１０、及び本実施形態のエッチング方法において説明したガラスを適宜選択することができる。
　図４は、レーザ照射後の改質部２３０を有するガラス基板２１０の断面図を模式的に示す。非貫通ビアを有するガラスを製造する場合、第１の面２１２から所定深さｄ１まで連通する非貫通ビアの改質部２３０が形成される。改質部２３０において、第１の面２１２における開口を第１の初期開口２３２と称する。
　次いで、ステップＳ２０２において、エッチング液組成物を用い、改質部２３０を有するガラス基板２１０をエッチングし、深さｄ２である複数の非貫通ビア２５０が形成される。このとき、第１の初期開口２３２が拡張されて第１の開口２５２が形成される。なお、エッチング処理の際に、ガラス基板２１０の表面もエッチングされ、ガラス基板２１０の厚さは、エッチング前のｔ０からｔ１に変化する。図５は、エッチング後の非貫通ビア２５０を有するガラスの断面図を模式的に示す。
　以上により、図５に示すように、非貫通ビア２５０を有するガラスを製造することができる。
　ビアのトップ孔径φ１としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ～５００μｍが好ましく、１０μｍ～３００μｍがより好ましい。前記ビアの孔径が１μｍ～５００μｍであると、エッチング速度が速く、かつ孔形状が良好となるガラスを製造することができる。
　また、非貫通ビア２５０の深さをｄ２［μｍ］としたときの、アスペクト比ｄ２／φ１としては、例えば、１以上であってもよい。
　エッチングの指標となるエッチング速度は、ビアが非貫通ビアである場合もビアが貫通ビアである場合と同様に、前記平面レートにより評価することができる。平面レートは速すぎると品質のコントロールが難しく、遅すぎると生産性が悪くなる。前記平面レートは、処理するガラス基板の初期板厚［μｍ］に応じて適宜選択することができ、初期板厚／３００［μｍ／時間］以上が好ましく、初期板厚／２７５［μｍ／時間］以上がより好ましく、初期板厚／２４４［μｍ／時間］以上が更に好ましく、初期板厚／２２０［μｍ／時間］以上がより更に好ましく、初期板厚／２１２［μｍ／時間］以上が特に好ましく、初期板厚／２００［μｍ／時間］以上が最も好ましい。具体的な数値としては、例えば、初期板厚１，１００μｍの場合、３．６［μｍ／時間］以上が好ましく、４．０［μｍ／時間］以上がより好ましく、４．５［μｍ／時間］以上が更に好ましく、５．０［μｍ／時間］以上がより更に好ましく、５．２［μｍ／時間］以上が特に好ましく、５．５［μｍ／時間］以上が最も好ましい。
　ビアが非貫通ビアである場合、孔形状が良好であることの指標としては、アスペクト比ｄ２／φ１により評価することができる。前記比としては、１以上が好ましく、５以上がより好ましく、１０以上が更に好ましい。
　以下、実験データについて説明する。下記の例２～例５、例８～例１１、及び例１４～例１７、が実施例であり、下記の例１、例６～例７、例１２～例１３、及び例１８～例２５が比較例である。
（例１）
＜改質部の形成＞
　ガラス基板として、平均厚み１．１ｍｍのアルミノシリケート系の無アルカリガラス（ＥＮ－Ａ１；ＡＧＣ株式会社製、サイズ：１２ｍｍ×２５ｍｍ）を使用した。
　ガラス基板の一の面から他の面に貫通する貫通ビアを形成するためのビア形成予定位置にレーザを照射し、改質部を形成した。レーザは、グリーンピコ秒レーザ（波長５３２ｎｍ、パルス幅１０ｐｓ、パルスエネルギー１００μＪ）を使用し、１つの形成予定位置あたり１ショット照射した。隣接する改質部のピッチを３００μｍとして、３，２００個の改質部を４０×８０個の格子状に配置した。
＜エッチング＞
　水に対し、３．００ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨと、０．１５ｍｏｌ／Ｌのグルコン酸ナトリウムとを添加及び混合して、例１のエッチング液組成物を作製した（表１参照）。
　１４ｍＬのエッチング液組成物を、ポリメチルペンテン製の１５ｍＬの遠沈管に入れて蓋をし、振盪機に遠沈管をセットし、振盪速度１２０ｒｐｍの旋回振盪にて、９０℃に加熱した。加熱したエッチング液組成物に改質部を有するガラス基板を浸漬して蓋をし、１５時間の振盪を行うことにより、エッチングを実施し、貫通ビアを有する例１のガラスを製造した。
＜評価＞
　以下の手順により、平面レート、及びストレート性を評価し、総合評価を行った。結果を表１に示す。
＜＜平面レート＞＞
　エッチングの前のガラスの平均厚みｔ０［μｍ］、及び後のガラスの平均厚みｔ１［μｍ］を、板厚測定装置（ＣＬ－Ｌ０１５、株式会社キーエンス製）をセンサヘッドとしたマルチカラーレーザ同軸変位計）にて測定及び算出した。次いで、減少した厚みをエッチング時間Ｔ［時間］で除した値を、下記式により求めることで、エッチング時間あたりのガラスの厚みが薄くなる速さ［μｍ／時間］としての「平面レート」を算出し、下記評価基準に基づき評価を行った。Ｂ以上が実用水準である。なお、薬液中の金属水酸化物濃度によって評価基準は異なる。薬液濃度が高くなると薬液コストが高くなり、その分高速な加工が求められ、費用対効果の基準が変わるからである。
（式）
　平面レート［μｍ／時間］＝（ｔ０－ｔ１）／Ｔ
－評価基準－
　薬液中の金属水酸化物濃度が３．００ｍｏｌ／Ｌ以下の場合は以下の基準で判断した。
Ａ：　平面レートが、４．５［μｍ／時間］以上である
Ｂ：　平面レートが、４．０［μｍ／時間］以上、４．５［μｍ／時間］未満である
Ｃ：　平面レートが、４．０［μｍ／時間］未満である
　薬液中の金属水酸化物濃度が３．００ｍｏｌ／Ｌを超える場合は以下の基準で判断した。
Ａ：　平面レートが、５．４５［μｍ／時間］以上である
Ｂ：　平面レートが、４．０［μｍ／時間］以上、５．４５［μｍ／時間］未満である
Ｃ：　平面レートが、４．０［μｍ／時間］未満である
＜＜ストレート性＞＞
　エッチング後のガラスについて、デジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ－８０００、株式会社キーエンス製）を用いて貫通ビアの開口部のトップ孔径φ１、及びボトム孔径φ２を測定した。測定には粒子解析機能を使用し、円相当径を孔径とした。トップ孔径φ１及びボトム孔径φ２の平均値を「平均孔径」として算出した。
　次いで、ガラスを割断し、複数の貫通ビアを含む断面を観察し、くびれ部１９０におけるくびれ径φｗとして、各貫通ビアの最も細い部位の二点間距離を測定した。未貫通の場合は０とした。下記式により「ストレート性」を算出し、下記評価基準に基づき評価を行った。Ｂ以上が実用水準である。
（式）
　ストレート性＝くびれ径÷平均孔径
－評価基準－
Ａ：　ストレート性が、０．３３以上である
Ｂ：　ストレート性が、０．３以上、０．３３未満である
Ｃ：　ストレート性が、０．１以上、０．３未満である
Ｄ：　ストレート性が、０．１未満である
＜＜総合評価＞＞
　下記評価基準に基づき総合評価を行った。Ｂ以上が実用水準であるが、Ａであることが好ましい。
－評価基準－
Ａ：　平面レート及びストレート性の評価基準が、いずれもＡである
Ｂ：　平面レート及びストレート性の評価基準が、Ｂを含み、Ｃ又はＤを含まない
Ｃ：　平面レート及びストレート性の評価基準が、Ｃ又はＤを含む
（例２～例２５）
　例１において、エッチング液組成物の組成を表１～２に示す通り変更したこと以外は、例１と同様にして、例２～例２１のエッチング液組成物をそれぞれ作製し、例２～例２５のガラスをそれぞれ製造した。そして、例１と同様に、平面レート、及びストレート性を評価し、総合評価を行った。結果を表１～２に示す。
　表１～４の結果より、２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物（ＮａＯＨ）がエッチングに適することがわかった。また、ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩の含有量については、従来技術では考えられていなかったほど高濃度（０．５ｍｏｌ／Ｌ以上）を用いた場合に、エッチング性が著しく良化することが分かった。また上限値は１．５ｍｏｌ／Ｌであった。
　以上より、総合評価Ａ又はＢの例において、平面レートに優れることからエッチング速度が速く、ストレート性に優れることから孔形状が良好となるガラスのエッチングを実現できるエッチング液組成物、エッチング方法、及びビアを有するガラスの製造方法を提供できることがわかった。
　以上、本開示に係るエッチング液組成物、エッチング方法、及びビアを有するガラスの製造方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　上記の実施形態等に関し、下記の付記を開示する。
［付記１］
　２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物と、
　０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下のヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩と、を含む、ガラスエッチング用のエッチング液組成物。
［付記２］
　前記金属水酸化物が水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムである、付記１に記載のエッチング液組成物。
［付記３］
　前記ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩が、グルコン酸及び／又はその塩である、付記１又は２に記載のエッチング液組成物。
［付記４］
　付記１から３のいずれかに記載のエッチング液組成物を用いてガラスをエッチングする工程を有する、ガラスのエッチング方法。
［付記５］
　前記ガラスにおいて、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏの合計含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの合計含有量が０ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％である、付記４に記載のガラスのエッチング方法。
［付記６］
　ビアを有するガラスの製造方法であって、
　付記１から３のいずれかに記載のエッチング液組成物を用い、改質部を有するガラスをエッチングしてビアを形成する工程を有する、ガラスの製造方法。
　この出願は、２０２４年７月９日に出願された日本出願特願２０２４－１１０５０３を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
　１１０　　　　ガラス基板
　１１２　　　　第１の面
　１１４　　　　第２の面
　１２０　　　　改質部
　１２２　　　　第１の初期開口
　１２４　　　　第２の初期開口
　１４０　　　　貫通ビア
　１４２　　　　第１の開口
　１４４　　　　第２の開口
　１９０　　　　くびれ部
　２１０　　　　ガラス基板
　２１２　　　　第１の面
　２１４　　　　第２の面
　２３０　　　　改質部
　２３２　　　　第１の初期開口
　２５０　　　　非貫通ビア
　２５２　　　　第１の開口

Claims (6)

  1. 　２ｍｏｌ／Ｌ以上８ｍｏｌ／Ｌ以下の金属水酸化物と、
    　０．５ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下のヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩と、を含む、ガラスエッチング用のエッチング液組成物。
  2. 　前記金属水酸化物が水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムである、請求項１に記載のエッチング液組成物。
  3. 　前記ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩が、グルコン酸及び／又はその塩である、請求項１に記載のエッチング液組成物。
  4. 　請求項１から３のいずれか１項に記載のエッチング液組成物を用いてガラスをエッチングする工程を有する、ガラスのエッチング方法。
  5. 　前記ガラスにおいて、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏの合計含有量が０ｍｏｌ％～１０ｍｏｌ％であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの合計含有量が０ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％である、請求項４に記載のガラスのエッチング方法。
  6. 　ビアを有するガラスの製造方法であって、
    　請求項１から３のいずれか１項に記載のエッチング液組成物を用い、改質部を有するガラスをエッチングしてビアを形成する工程を有する、ガラスの製造方法。
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