WO2026009704A1 - 検出装置及び検出装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

検出装置は、絶縁層と、電極層と、第１バッファ層と、活性層と、第２バッファ層と、粘着絶縁層と、基板と、が積層されて光センサとして機能する検出領域と、絶縁層と、粘着絶縁層と、基板と、が積層された非検出領域と、を備え、非検出領域のうち電極層と電気的に接続された第１端子が設けられた端子部は、粘着絶縁層及び基板と重ならない。

Description

検出装置及び検出装置の製造方法

　本発明は、検出装置及び検出装置の製造方法に関する。

　指紋パターンや静脈パターンを検出可能な光センサが知られている（例えば、特許文献１）。このような光センサでは、活性層として有機半導体材料が用いられた有機フォトダイオード（ＯＰＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）を有するセンサが知られている。

特開２０２２－１２１２９７号公報

　有機フォトダイオードに可撓性を持たせることを目的として、有機フォトダイオードが形成されたフレキシブル基板と、当該有機フォトダイオードに接続される回路が実装された基板と、を別体で設け、これらの基板の各々に設けられた端子同士を有機フォトダイオードが形成されたフレキシブル基板側から圧着する構成が採用されることがある。係る構成では、フレキシブル基板と、回路が実装された基板と、が圧着によって重なり合い、厚みが増してしまう。

　本発明の目的は、より薄い検出装置及びより薄い検出装置の製造方法を提供することにある。

　本発明の一態様の検出装置は、絶縁層と、電極層と、第１バッファ層と、活性層と、第２バッファ層と、粘着絶縁層と、基板と、が積層されて光センサとして機能する検出領域と、前記絶縁層と、前記粘着絶縁層と、前記基板と、が積層された非検出領域と、を備え、前記非検出領域のうち前記電極層と電気的に接続された第１端子が設けられた端子部は、前記粘着絶縁層及び前記基板と重ならない。

　本発明の一態様の検出装置の製造方法は、積層方向の一方側から他方側に向かって、第１基板、第１粘着絶縁層、絶縁層、電極層、第１バッファ層、活性層、第２バッファ層、第２粘着絶縁層、第２基板の順にこれらを配置した基板を形成する工程と、前記基板のうち前記第１バッファ層、前記活性層、前記第２バッファ層、前記第２粘着絶縁層及び前記第２基板が積層されない領域に形成された複数の端子を、外部基板に設けられた複数の外部端子と圧着する工程と、前記第１基板及び前記第１粘着絶縁層を前記基板から剥がす工程と、を含み、前記第１粘着絶縁層は、一面側で前記第１基板と当接し、他面側で前記絶縁層と当接する接着部と、前記第１基板と前記絶縁層との間の隙間である非接着部と、が前記積層方向に直交する方向に沿って交互に並ぶ。

図１は、実施形態に係る検出装置の内側に指を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。 図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ´断面における断面模式図である。 図３は、図１に示す検出装置の光センサの展開例を示す展開図である。 図４は、センサ基板の基部６１０側と被圧着部側の各々の概略的な積層構造を示す図である。 図５は、センサ基板をより拡大して示す平面図である。 図６は、実施形態における非検出領域の積層構造を概略的に示す平面図である。 図７は、図６の「端子部」におけるＶＩＩ－ＶＩＩ断面図である。 図８は、図６の「端子部」におけるＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ断面図である。 図９は、比較例における非検出領域の積層構造を概略的に示す平面図である。 図１０は、図９の「端子部」におけるＸ－Ｘ断面図である。 図１１は、センサ基板から第１基板及び第１粘着絶縁層を剥がす工程後のセンサ基板における非検出領域５９９の積層構造を概略的に示す平面図である。 図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ断面図である。 図１３は、図１１のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ断面図である。 図１４は、図６に示す第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５７に置換された構成例を示す図である。 図１５は、図６に示す第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５６に置換された構成例を示す図である。 図１６は、センサ基板の平面視点での形態と、センサ基板において第１基板と絶縁層とを接着している第１粘着絶縁層の平面視点での形態と、の関係を示す図である。

　発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

　本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

（実施形態）
　図１は、実施形態に係る検出装置の内側に指を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ´断面における断面模式図である。図３は、図１に示す検出装置の光センサの展開例を示す展開図である。

　図１に示す検出装置１は、人体に着脱自在な指輪型のデバイスであり、人体の指Ｆｇに装着される。指Ｆｇは、拇指、示指、中指、薬指、小指等を含む。人体は、検出装置１が本人確認を行う被認証者である。検出装置１は、装着された指Ｆｇから生体に関する生体情報を検出できる。指Ｆｇは、測定対象の一例である。測定対象は、生体または生体の一部であり、測定対象物である。検出装置１は、指輪又はリストバンドとすることで、ユーザが携帯しやすくしている。以下の説明では、検出装置１は、指輪として使用されることを想定している。

　検出装置１は、図２に示すように、筐体２００と、光源６０と、第１光センサ１０Ａと、第２光センサ１０Ｂと、を備える。検出装置１は、図示しないバッテリーを筐体２００の内部に備え、バッテリーの電力によって動作する装置である。

　筐体２００は、指Ｆｇに装着可能なリング状（環状）に形成されており、生体に装着される装着部材である。図２に示す一例では、筐体２００は、封止膜２１０と、外装部２２０とを備える。筐体２００は、封止膜２１０と外装部２２０とが一体となってリング状に形成されている。封止膜２１０は、光源６０、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ等を内部に収容している。封止膜２１０は、例えば、透過性の合成樹脂、シリコン等の筐体材料によってリング状に形成されている。外装部２２０は、封止膜２１０の外周面２１０Ａを覆う筐体２００の表面を有している。外装部２２０は、例えば、金属、非透過性の合成樹脂等の部材によってリング状に形成されている。筐体２００は、光源６０、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ等が実装された回路基板７０を、封止膜２１０の内部に収容している。回路基板７０は、例えば、金型において、リング状に形成された状態で周囲に充填部材を充填して筐体２００を形成することで、筐体２００の内部に収容される。

　図３に示すように、回路基板７０は、変形可能な帯状に形成されており、一端７１と他端７２とを接続することで、リング状に形成される。回路基板７０は、第１実装領域７３と第２実装領域７４とを有する。第１実装領域７３は、光源６０等が実装される領域である。第２実装領域７４は、制御回路１２２、電源回路１２３等が実装される領域である。回路基板７０は、第１実装領域７３の光源６０の近傍を跨ぐように、センサ基板２１が実装されている。より具体的には、実施形態の回路基板７０は、可撓性のあるＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｂｏａｒｄ）が採用されている。なお、回路基板７０は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）として一般的に採用されている基板を用いて構成されてもよい。

　本実施形態では、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂの各々は、円周方向２００Ｃで、光源６０を挟むように設けている。すなわち、検出装置１は、円周方向２００Ｃで、第１光センサ１０Ａ、光源６０、第２光センサ１０Ｂの順に並んで配置されている。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、円周方向２００Ｃで光源６０を挟むように配置されることで、光源６０が照射した光を筐体２００の広範囲で検出可能になっている。

　センサ基板２１は、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂが実装されており、変形可能な基板になっている。センサ基板２１は、第３方向Ｄｚに対して湾曲させることができる。センサ基板２１は、回路基板７０に装着されることで、筐体２００の円周方向２００Ｃにおいて、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂを光源６０の両側に位置付ける。センサ基板２１は、第１光センサ１０Ａが実装される第１領域２１Ａと、第２光センサ１０Ｂが実装される第２領域２１Ｂとを有する。センサ基板２１は、第１領域２１Ａと第２領域２１Ｂとを有する１枚の基板として形成されている。

　本実施形態では、回路基板７０は、図２に示すように、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ及び光源６０を実装した表面が筐体２００の内周面２００Ｂと対向するように、筐体２００の内部に収容されている。なお、回路基板７０は、透光性を有する場合、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂ及び光源６０を表面とは反対の裏面に実装してもよい。この場合、光源６０は、回路基板７０に向けて光を出射し、回路基板７０を透過した光が筐体２００の外部に向けて出射するように配置すればよい。

　光源６０は、図２に示すように、筐体２００の封止膜２１０の内部に設けられ、リング状の筐体２００に装着された指Ｆｇ等の被検出体に向けて光を照射可能な構成になっている。光源６０は、例えば、無機ＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）や、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Organic　Light　Emitting　Diode）等が用いられる。光源６０は、所定の波長の光を照射する。本実施形態では、光源６０は、近赤外光、赤色光及び緑光を照射可能なように複数の光源を有している。

　光源６０から出射された光は、指Ｆｇ等の被検出体の表面で反射されて第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂに入射する。これにより、検出装置１は、指Ｆｇ等の表面の凹凸の形状を検出することで指紋を検出することができる。あるいは、光源６０から出射された光は、指Ｆｇ等の内部で反射し又は指Ｆｇ等を透過して第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂに入射してもよい。これにより、検出装置１は、指Ｆｇ等の内部の生体に関する情報を検出できる。生体に関する情報とは、例えば、指や掌の脈波、脈拍、血管像等である。すなわち、検出装置１は、指紋を検出する指紋検出装置や、静脈などの血管パターンを検出する静脈検出装置として構成されてもよい。

　第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂの各々は、光源６０によって照射した光が指Ｆｇ等で反射した光、直接入射する光等を検出する。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、有機フォトダイオードである。第１光センサ１０Ａは、筐体２００の円周方向２００Ｃにおける光源６０の一方の端部６１に隣接するように、筐体２００に設けられている。第２光センサ１０Ｂは、筐体２００の円周方向２００Ｃにおける光源６０の他方の端部６２に隣接するように、筐体２００に設けられている。

　図３に示すように、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、有機フォトダイオードＯＰＤ（図４参照）を有する。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂの各々は、円周方向２００Ｃに沿って並ぶ２つの電極１１を有する構成になっている。第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂは、１枚のセンサ基板２１に実装されており、センサ基板２１を介して回路基板７０に電気的に接続されている。センサ基板２１は、筐体２００の円周方向２００Ｃで、第１光センサ１０Ａと第２光センサ１０Ｂとの間に切り欠き部２２（図４参照）を有する。すなわち、検出装置１は、有機フォトダイオードＯＰＤで光を検出する検出装置である。

　なお、以下の説明において、第１方向Ｄｘは、センサ基板２１と平行な面内の一方向である。また、第２方向Ｄｙは、センサ基板２１と平行な面内の一方向であり、円周方向２００Ｃと同一の方向である。実施形態では第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとは直交するが、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとの交差角度は厳密な直交であることが必須でなく、直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第２方向Ｄｙ及び第１方向Ｄｘと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、センサ基板２１の法線方向である。また、「平面視」とは、センサ基板２１と垂直な方向から見た場合の位置関係をいう。また、「側方」と記載した場合、第３方向Ｄｚに対して交差する方向（第１方向Ｄｘ、第２方向Ｄｙ等）をさす。

　以下の説明では、センサ基板２１を、基部６１０側と被圧着部６２０側とで区別した説明を行う。基部６１０側は、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂのような有機フォトダイオードＯＰＤ（図４参照）が形成される側である。被圧着部６２０側は、係る有機フォトダイオードＯＰＤに接続されている配線の端子（例えば、後述する端子５０３，５０４，・・・，５１１）が形成されている側である。また、基部６１０側とされるセンサ基板２１の部分と被圧着部６２０側とされるセンサ基板２１の部分との境界を境界線６００として示している。

　図４は、センサ基板２１の基部６１０側と被圧着部６２０側の各々の概略的な積層構造を示す図である。なお、図４は、あくまで積層構造に特化した説明を行うための概略図であり、平面視点での各構成の配置、形状、大きさ等の態様は、後述する図５に示すものがより正確である。基部６１０側には、有機フォトダイオードＯＰＤを構成する積層構造が形成されている。具体的には、有機フォトダイオードＯＰＤは、活性層３０１、正孔注入層３０２及び電子注入層３０３を含む。より具体的には、有機フォトダイオードＯＰＤは、正孔注入層３０２と電子注入層３０３とが活性層３０１を第３方向Ｄｚに挟む積層構造を有する。

　活性層３０１は、照射される光に応じて特性（例えば、電圧電流特性や抵抗値）が変化する。活性層３０１の材料として、有機材料が用いられる。正孔注入層３０２は、いわゆるＨＩＬ（Ｈｏｌｅ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）であり、第２バッファ層に相当する。電子注入層３０３は、いわゆるＥＩＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）であり、第１バッファ層に相当する。

　なお、より具体的には、活性層３０１は、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体であるｎ型フラーレン誘導体（ＰＣＢＭ）とが混在するバルクヘテロ構造である。活性層３０１として、例えば、低分子有機材料であるＣ６０（フラーレン）、ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１酪酸メチルエステル：Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１－ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン：Ｃｏｐｐｅｒ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｆ１６ＣｕＰｃ（フッ素化銅フタロシアニン）、ｒｕｂｒｅｎｅ（ルブレン：５，６，１１，１２－ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ＰＤＩ（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ（ペリレン）の誘導体）等を用いることができる。

　活性層３０１は、これらの低分子有機材料を用いて蒸着型（Ｄｒｙ　Ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成することができる。この場合、活性層３０１は、例えば、ＣｕＰｃとＦ１６ＣｕＰｃとの積層膜、又はｒｕｂｒｅｎｅとＣ６０との積層膜であってもよい。活性層３０１は、塗布型（Ｗｅｔ　Ｐｒｏｃｅｓｓ）で形成することもできる。この場合、活性層３０１は、上述した低分子有機材料と高分子有機材料とを組み合わせた材料が用いられる。高分子有機材料として、例えばＰ３ＨＴ（ｐｏｌｙ（３－ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））、Ｆ８ＢＴ（Ｆ８－ａｌｔ－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）等を用いることができる。活性層３０１は、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭとが混合した状態の膜、又はＦ８ＢＴとＰＤＩとが混合した状態の膜とすることができる。

　また、正孔注入層３０２の材料として、例えばポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）から成る複合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）のような導電性ポリマーが用いられる。また、電子注入層３０３の材料として、例えばリチウム（Ｌｉ）等、仕事関数の小さいアルカリ金属が用いられる。

　なお、図４では図示を省略しているが、正孔注入層３０２と活性層３０１との間にさらに正孔輸送層が形成されていてもよい。また、活性層３０１と電子注入層３０３との間にさらに電子輸送層が形成されていてもよい。正孔輸送層の材料として、酸化金属層が用いられる。係る酸化金属層として、例えば酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化モリブデン等が挙げられる。電子輸送層の材料として、例えばエトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が用いられる。また、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ単層膜に限定されず、電子ブロック層や、正孔ブロック層を含んで積層膜として形成されていてもよい。

　正孔注入層３０２は、陽極として機能する電極３１２と当接する。具体的には、正孔注入層３０２は、接続部３０２１を含む。接続部３０２１は、正孔注入層３０２の一部であり、活性層３０１及び電子注入層３０３の側方で活性層３０１から第３方向Ｄｚに延出するよう形成されている。正孔注入層３０２は、接続部３０２１が電極３１２と当接することで、電極３１２と当接する。

　電子注入層３０３は、陰極として機能する電極１１と当接する。電極１１は、電子注入層３０３を挟んで活性層３０１と第３方向Ｄｚに対向するよう配置されている。

　電極１１及び正孔注入層３０２は、それぞれ配線として機能する導電材料層と接続されている。具体的には、電極１１は、配線３３１と接続されている。正孔注入層３０２は、配線基部３３００と接続されている。配線３３１と配線基部３３００とは同層の導電材料層である。係る導電材料層は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電材料で形成されるが、これに限られるものでなく、他の導電性材料で形成されてもよい。配線３３１と配線基部３３００とは絶縁層３２０を介して離隔されている。より具体的には、電極１１及び電極３１２を含む電極層と、配線３３１及び配線基部３３００を含む導電材料層との間には、絶縁層３２０が介在している。係る電極層は、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電材料で形成される。絶縁層３２０には、電極１１と配線３３１とを電気的に接続するためのスルーホール３９１が形成されている。また、絶縁層３２０には、電極３１２と配線基部３３００とを電気的に接続するためのスルーホール３９２が形成されている。

　図４に示すように、配線３３１は、基部６１０側と被圧着部６２０側とを接続するように、境界線６００を挟んで基部６１０側及び被圧着部６２０側の両方に延出する。また、絶縁層３２０は、基部６１０側と被圧着部６２０側の両方に延在している。

　被圧着部６２０側には、センサ基板２１の端子を設けるための積層構造が形成されている。具体的には、端子は、被圧着部６２０側に延出している配線３３１と接続された端部電極１１０の第２方向Ｄｙの一端側に形成されている。端部電極１１０は、電極１１及び電極３１２を含む電極層と同層である。端部電極１１０と配線３３１との間には、絶縁層３２０が介在しているが、端部電極１１０と配線３３１とを電気的に接続するためのスルーホール３９３が設けられている。

　なお、配線部３３と記載した場合、図４に示すように、センサ基板２１に含まれる積層構造のうち、配線３３１及び配線基部３３００を含む導電材料層と、絶縁層３２０と、電極１１、電極３１２及び端部電極１１０を含む電極層と、で形成される積層構造をさす。

　端部電極１１０の第２方向Ｄｙの一端側は、外部に露出する。係る露出部が、端子として機能する。また、配線部３３に含まれる配線３３１が、境界線６００を挟んで基部６１０側及び被圧着部６２０側で連続し、電極１１又は電極３１２と、被圧着部６２０側に設けられる端子（端子５０３，５０４，・・・，５１１）とを電気的に接続する配線として機能する。

　なお、図４に示す配線３３１は、スルーホール３９１を介して電極１１と接続されているが、配線３３１のように配線として機能する構成はセンサ基板２１に複数設けられる。

　図５は、センサ基板２１をより拡大して示す平面図である。図３及び図５に示すように、センサ基板２１には、４つの電極１１が設けられている。具体的には、第１光センサ１０Ａと第２光センサ１０Ｂとにそれぞれ２つずつ電極１１が設けられている。

　図５に示すように、４つの電極１１のうち１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１１と接続されている。また、４つの電極１１のうち他の１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１２と接続されている。また、４つの電極１１のうち他の１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１３と接続されている。また、４つの電極１１のうち残りの１つは、スルーホール３９１を介して配線部３３１４と接続されている。配線部３３１１，３３１２，３３１３，３３１４は、それぞれ個別の配線３３１である。配線部３３１１は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、被圧着部６２０側で端子５０４と接続されている。配線部３３１２は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、被圧着部６２０側で端子５０３と接続されている。配線部３３１３は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、被圧着部６２０側で端子５０９と接続されている。配線部３３１４は、基部６１０側でスルーホール３９１と接続され、被圧着部６２０側で端子５１０と接続されている。端子５０３，５０４，５０９，５１０は、それぞれ個別の端子である。

　また、第１光センサ１０Ａの配線基部３３００は、配線部３３１０と接続されている。また、第２光センサ１０Ｂの配線基部３３００は、配線部３３１５と接続されている。配線部３３１０，３３１５はそれぞれ個別の配線３３１である。配線部３３１０は、基部６１０側で配線基部３３００と接続され、被圧着部６２０側で端子５０５及び端子５０７と接続されている。配線部３３１５は、基部６１０側で配線基部３３００と接続され、被圧着部６２０側で端子５１１と接続されている。端子５０５，５０７，５１１は、それぞれ個別の端子である。図４を参照して説明したように、電極３１２は、配線基部３３００と当接している。従って、電極３１２も、電極１１と同様、配線３３１を介して端子と接続されている。

　なお、図４に示すように、配線３３１、配線基部３３００及び絶縁層３２０は、絶縁層３４０の一面側と当接している。また、絶縁層３４０は、他面側で第１粘着絶縁層３５０と当接している。第１粘着絶縁層３５０は、絶縁層３４０と第１基板３６０との間に介在する。

　第１基板３６０の一面側に対して、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０、配線３３１及び配線基部３３００を含む導電材料層、絶縁層３２０、電極１１、電極３１２及び端部電極１１０を含む電極層、電子注入層３０３、活性層３０１、正孔注入層３０２の順に積層を重ねることで、有機フォトダイオードＯＰＤ及び有機フォトダイオードＯＰＤと電気的に接続された端子を含む主要な積層構造が形成される。

　さらに、センサ基板２１は、有機フォトダイオードＯＰＤを構造的に保護、補強する構成を含む。具体的には、センサ基板２１は、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０を含む。接着剤層４１０は、基部６１０で有機フォトダイオードＯＰＤを正孔注入層３０２側から覆うように設けられる。付加的構造維持部４５０は、第２基板４４０に第２粘着絶縁層４３０と絶縁層４２０とが積層された構造である。第２粘着絶縁層４３０は、第２基板４４０と絶縁層４２０との間に介在する。付加的構造維持部４５０の絶縁層４２０側は、接着剤層４１０と当接する。有機フォトダイオードＯＰＤを構造的に保護、補強する構成は、上述した主要な積層構造の形成後、有機フォトダイオードＯＰＤを覆うように接着剤層４１０が形成され、その後に付加的構造維持部４５０が絶縁層４２０を接着剤層４１０側に向けて接着剤層４１０に接着されることで形成される。

　なお、中間部４００と記載した場合、有機フォトダイオードＯＰＤと、接着剤層４１０とで形成される積層構造をさす。従って、センサ基板２１は、付加的構造維持部４５０側からみて、付加的構造維持部４５０、中間部４００、配線部３３、絶縁層３４０、第１粘着絶縁層３５０、第１基板３６０の順にこれらの構成が積層された構造を有するといえる。

　絶縁層３４０及び絶縁層４２０は、絶縁層であり、例えば無色透明のポリイミド（ＣＰＩ：Ｃｏｌｏｒｌｅｓｓ　ＰｏｌｙＩｍｉｄｅ)を用いて形成される。第１粘着絶縁層３５０は、絶縁層３４０と第１基板３６０とを接着する接着層である。第２粘着絶縁層４３０は、絶縁層４２０と第２基板４４０とを接着する接着層である。第１粘着絶縁層３５０及び第２粘着絶縁層４３０は、例えば絶縁性及び透光性を有する粘着性のフィルム（ＯＣＡ：Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｌｅａｒ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いて形成される。ＯＣＡとして、例えばアクリル系のものが採用されるが、シリコン系又はウレタン系のものが採用されてもよい。第１基板３６０及び第２基板４４０は、構造維持用の部材であり、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ：Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）を用いて形成される。接着剤層４１０は、例えばカプセル化された接着剤（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いて形成される。

　ここで、基部６１０側のうち有機フォトダイオードＯＰＤが形成された領域を検出領域６８０とする。検出領域６８０は、第１基板３６０と、第１粘着絶縁層３５０と、絶縁層３４０と、電極３１２及び端部電極１１０を含む電極層と、第１バッファ層に相当する電子注入層３０３と、活性層３０１と、第２バッファ層に相当する正孔注入層３０２と、第２粘着絶縁層４３０と、第２基板４４０と、が積層されている。検出領域６８０は、有機フォトダイオードＯＰＤを含み、光を検出する光センサとして機能する領域であるといえる。

　また、図５に示す未配線端子５０１，５０２，５１２は、図４に示す配線３３１に対応する構成と接続されていない点を除いて、端子５０３，５０４、５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１と同様の構成である。以下、端子部５００と記載した場合、端子５０３，５０４、５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１及び未配線端子５０１，５０２，５１２が設けられた部分をさす。なお、端子部５００に含まれる端子は、全て配線３３１に対応する構成と接続されていてもよいし、一部が未配線端子５０１，５０２，５１２のように配線３３１に対応する構成と接続されていなくてもよい。ただし、端子部５００に含まれる端子のうち１つ以上は、配線３３１に対応する構成と接続されている。端子５０３，５０４、５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１のような、配線３３１に対応する構成と接続されている端子は、第１端子に相当する。

　なお、実施形態では、端子部５００の端子として機能する端部電極１１０と、有機フォトダイオードＯＰＤに接続された電極として機能する電極１１、電極３１２とが、共に、絶縁層３２０に積層された同じ電極層に含まれる。すなわち、実施形態において第１端子として機能する端子５０３，５０４，・・・，５１１及び未配線端子５０１，５０２，５１２の導電部は、有機フォトダイオードＯＰＤの電極層と同層である。

　なお、図４で示すように、被圧着部６２０側は、配線部３３、絶縁層３４０、第１粘着絶縁層３５０及び第１基板３６０で構成されている。言い換えれば、被圧着部６２０側は、有機フォトダイオードＯＰＤ、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０を構成に含んでいない。このため、境界線６００を境として、有機フォトダイオードＯＰＤ、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０を構成に含んでいる基部６１０側と、有機フォトダイオードＯＰＤ、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０が積層されない端子と、で段差が生じている。間隙６７０は、当該段差があることを示すものである。

　また、実施形態の説明では、図４に示す基準位置６３０よりも被圧着部６２０側の構成について、図６以降で特筆して説明する。基準位置６３０は、境界線６００よりも基部６１０側において第１条件及び第２条件を満たす部分と、第１条件を満たさない部分との境界線である。第１条件は、電極１１、電極３１２及び有機フォトダイオードＯＰＤを含まないことである。第２条件は、付加的構造維持部４５０及び絶縁層３４０を含むことである。境界線６００と基準位置６３０との間の部分は、第１条件及び第２条件を満たす。また、境界線６００と基準位置６３０との間の部分のほとんどは、接着剤層４１０を含む。ただし、境界線６００と基準位置６３０との間の部分であっても、接着剤層４１０がない部分が境界線６００付近に一部存在する。

　有機フォトダイオードＯＰＤは、センサ基板２１の端子部５００に配置された端子と、回路基板７０に形成された端子７２０（図７等参照）とが圧着されることで、回路基板７０に設けられた制御回路１２２、電源回路１２３と電気的に接続される。係る圧着は、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側で行われる。係る圧着後のセンサ基板２１と回路基板７０とは、図３に示すように、平面視点で重なる。ここで、回路基板７０を第３基板とみなすと、端子７２０は第２端子に相当する。また、第１端子に相当する端子５０３，５０４、５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１は、第２端子と接続されているといえる。また、第１光センサ１０Ａ、第２光センサ１０Ｂのように、有機フォトダイオードＯＰＤが設けられている検出領域６８０は、回路基板７０と重なっている。以下、端子部５００と端子７２０との圧着と記載した場合、センサ基板２１の端子部５００に配置された端子と、回路基板７０に形成された端子７２０との圧着をさす。

　図４等では、実施形態における電極１１のうち最も境界線６００に近い側の端部の第２方向Ｄｙの位置を、基準位置６３０として示している。以下、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側の構成について、図６から図９を参照して説明する。なお、以下の説明で非検出領域５９９と記載した場合、センサ基板２１のうち、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側の部分をさす。図４に示すように、非検出領域５９９は、第１基板３６０と、第１粘着絶縁層３５０と、絶縁層３４０と、第２粘着絶縁層４３０と、第２基板４４０と、が積層されている。非検出領域５９９には、有機フォトダイオードＯＰＤのように光を検出する光センサとして機能する構成がないことから、光センサとして機能しない非検出領域に相当する。また、非検出領域５９９には、電極層のうち有機フォトダイオードＯＰＤに設けられた部分（電極１１、電極３１２）と電気的に接続された第１端子として機能する端子５０３，５０４，・・・，５１１が設けられた端子部５００があるといえる。非検出領域５９９は、被圧着部６２０側の全部と、基部６１０側の一部と、を含む。

　図６は、実施形態における非検出領域５９９の積層構造を概略的に示す平面図である。図６ならびに後述する図９、図１１、図１４及び図１５では、「第１層」、「第２層」、「第３層」、「第４層」、「第５層」及び「端子部」を並べて図示している。「第１層」は、図４を参照して説明したセンサ基板２１の積層構造における第１基板３６０のうち、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側を平面視点で示している。「第２層」は、図４を参照して説明したセンサ基板２１の積層構造における第１粘着絶縁層３５０のうち、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側を平面視点で示している。「第３層」は、図４を参照して説明したセンサ基板２１の積層構造における絶縁層３４０のうち、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側を平面視点で示している。「第４層」は、図４を参照して説明したセンサ基板２１の積層構造における接着剤層４１０のうち、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側を平面視点で示している。「第５層」は、図４を参照して説明したセンサ基板２１の積層構造における付加的構造維持部４５０のうち、基準位置６３０よりも被圧着部６２０側を平面視点で示している。「端子部」は、非検出領域５９９を平面視点で示している。係る「端子部」で図示されている構成は、図４で示すように、第１基板３６０側から付加的構造維持部４５０側に向かって、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０、配線部３３、接着剤層４１０、付加的構造維持部４５０の順にこれらの構成が第３方向Ｄｚに積層されている構成である。以下、図６等と記載した場合、特筆しない限り、図６ならびに後述する図９、図１１、図１４及び図１５をさす。

　図６の「第１層」で示すように、実施形態の第１基板３６０のうち基準位置６３０よりも被圧着部６２０側は、平面視点で矩形状である。具体的には、第１基板３６０は、平面視点で矩形状の非検出領域５９９全体をカバーする第１方向Ｄｘの寸法及び第２方向Ｄｙの寸法を有する。

　図６の「第２層」で示すように、実施形態の第１粘着絶縁層３５０は、平面視点でストライプ状である。具体的には、第１粘着絶縁層３５０は、長手方向が第１方向Ｄｘに沿う３以上の接着部が第２方向Ｄｙに並ぶ。当該３以上の接着部のうち第２方向Ｄｙに隣り合う２つの接着部の間には、隙間が空いている。当該隙間の長手方向は、第２方向Ｄｙに沿う。当該隙間の数は、接着部の第２方向Ｄｙの並び数から１を引いた数である。実施形態では、第１基板３６０と絶縁層３４０とは、第１粘着絶縁層３５０の接着部によって接着される。第１粘着絶縁層３５０の隙間は、第１粘着絶縁層３５０における非接着部として機能する。

　非検出領域５９９において第１粘着絶縁層３５０が有する接着部及び非接着部の第１方向Ｄｘの幅は、第１基板３６０と同様である。また、図６に示す幅Ｄ１及び幅Ｄ２は、幅Ｄ３よりも小さい。幅Ｄ１は、第１粘着絶縁層３５０が有する接着部の並び方向の幅、すなわち、接着部の第２方向Ｄｙの幅である。幅Ｄ２は、第１粘着絶縁層３５０が有する非接着部の並び方向の幅、すなわち、第１粘着絶縁層３５０が有する接着部同士の隙間の第２方向Ｄｙの幅である。幅Ｄ３は、端子部５００として設けられた複数の端子（端子５０３，５０４，・・・，５１１及び未配線端子５０１，５０２，５１２）の並び方向の幅、すなわち、当該複数の端子の第１方向Ｄｘの幅である。なお、幅Ｄ３は例えば１ミリメートル（ｍｍ）程度であり、幅Ｄ１及び幅Ｄ２は１ミリメートル未満（例えば、０．５ミリメートル程度）であるが、これらはあくまで一例であってここに例示した幅に限られるものでなく、適宜変更可能である。

　図６の「第３層」で示すように、実施形態の絶縁層３４０のうち基準位置６３０よりも被圧着部６２０側は、平面視点で矩形状である。具体的には、絶縁層３４０は、平面視点で矩形状の非検出領域５９９全体をカバーする第１方向Ｄｘの寸法及び第２方向Ｄｙの寸法を有する。

　図６の「第４層」で示すように、実施形態の接着剤層４１０のうち基準位置６３０よりも被圧着部６２０側は、平面視点で矩形状である。基準位置６３０よりも被圧着部６２０側の部分について、絶縁層３４０との比較で接着剤層４１０の形状を説明すると、接着剤層４１０は、第１方向Ｄｘの寸法が絶縁層３４０と同等であるが、第２方向Ｄｙの寸法が絶縁層３４０よりも短い。言い換えれば、接着剤層４１０は、基準位置６３０を一端とした第２方向Ｄｙの幅が、絶縁層３４０よりも小さい。なお、基準位置６３０を一端とした第２方向Ｄｙの幅とは、基準位置６３０から被圧着部６２０側に向かう第２方向Ｄｙの延設の度合いである、といえる。

　図６の「第５層」で示すように、実施形態の付加的構造維持部４５０のうち基準位置６３０よりも被圧着部６２０側は、平面視点で矩形状である。基準位置６３０よりも被圧着部６２０側の部分について、絶縁層３４０及び接着剤層４１０との比較で付加的構造維持部４５０の形状を説明すると、付加的構造維持部４５０は、第１方向Ｄｘの寸法が絶縁層３４０及び接着剤層４１０と同等であるが、第２方向Ｄｙの寸法が絶縁層３４０よりも短く、接着剤層４１０よりも長い。言い換えれば、付加的構造維持部４５０は、基準位置６３０を一端とした第２方向Ｄｙの幅が、絶縁層３４０よりも小さく、接着剤層４１０よりも大きい。

　図６の「端子部」で示すように、実施形態の非検出領域５９９は、第１部分５１５と、第２部分５２０と、第３部分５３０と、を有する。

　図４との対応関係について説明すると、第１部分５１５及び第２部分５２０は、境界線６００よりも基部６１０側である。端子部５００及び第３部分５３０は、境界線６００よりも被圧着部６２０側である。また、第２部分５２０と第３部分５３０との境目が境界線６００に相当する。なお、図６等では、端子部５００から基準位置６３０側に延出する配線、すなわち、図４及び図５を参照して説明した端部電極１１０と配線３３１とによって構成される配線のうち、第２部分５２０までの範囲内の部分のみ概略的に図示し、第１部分５１５の範囲内の部分については図示を省略している。

　第１部分５１５は、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０、配線部３３、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０が重なる部分である。第２部分５２０は、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０、配線部３３及び付加的構造維持部４５０が重なる部分である。すなわち、第２部分５２０は、接着剤層４１０を含まない。第３部分５３０は、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０及び配線部３３が重なる部分である。すなわち、第３部分５３０は、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０を含まない。端子部５００は、平面視点で第３部分５３０内に位置する。従って、端子部５００は、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０と重ならない。ここで、付加的構造維持部４５０は、絶縁層４２０、第２粘着絶縁層４３０及び第２基板４４０を含む。従って、端子部５００は、第２粘着絶縁層４３０及び第２基板４４０と重ならない。

　図７は、図６の「端子部」におけるＶＩＩ－ＶＩＩ断面図である。図７は、端子部５００のＤｙ－Ｄｚ断面図を含む。なお、図７は端子部５００のうち端子５０４の位置での断面図であるため、端子５０４が例示されているが、端子５０４以外の端子部５００のＤｙ－Ｄｚ断面図も、端子５０４のＤｙ－Ｄｚ断面図と同様である。

　図４を参照して説明したように、端子部５００は、配線部３３に形成されている。また、図６を参照して説明したように、端子部５００が位置する第３部分５３０は、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０及び絶縁層３４０と重なる。

　なお、図７に示す第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０及び絶縁層３４０は、境界線６００よりも基部６１０側が接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０と共に回路基板７０の一端７１に沿う。また、図７に示す第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０及び絶縁層３４０は、境界線６００よりも被圧着部６２０側のうち、相対的に境界線６００に近い部分が湾曲し、相対的に境界線６００から遠い部分で一端７１に沿う形状である。これは、圧着ヘッド９００からの押圧力９０１を受けて端子部５００と端子７２０とが圧着されることによる。

　図８は、図６の「端子部」におけるＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ断面図である。図８は、端子部５００のＤｘ－Ｄｚ断面図を含む。

　一端７１は、複数の端子７２０を有する。一方向（図７及び図８に示す第１方向Ｄｘ）に並ぶ複数の端子７２０のピッチは、端子部５００において一方向（図７及び図８に示す第１方向Ｄｘ）に並ぶ複数の端子のピッチに対応する。実施形態では、端子部５００に１２の端子（ただし、配線３３１と接続されているものは９）が設けられていることから、端子７２０の数も１２である。なお、端子部５００における端子の数及び端子７２０の数は１２に限られるものでなく、１１以下であってもよいし、１３以上であってもよい。

　端子７２０は、一端７１の導電層７０３と電気的に接続されている。一端７１は、導電層７０３のような導電層と、絶縁層７０１と絶縁層７０２のように当該導電層を挟んで対向する絶縁層と、を含む積層構造を有する。図８では、１つの導電層７０３を挟んで絶縁層７０１と絶縁層７０２とが第３方向Ｄｚに対向する構成であり、導電層が一層であるが、一端７１の具体的構成はこれに限られるものでない。一端７１は、複数の導電層を有していてもよい。複数の導電層同士の間には、絶縁層が介在する。導電層７０３のような導電層には、配線が形成されている。当該配線は、端子７２０と、制御回路１２２や電源回路１２３のような回路と、を電気的に接続する。

　実施形態の端子７２０の周囲には、陥没部８００が形成されている。陥没部８００は、一端７１に設けられた絶縁層のうち、センサ基板２１側に露出する絶縁層であって、平面視点で端子７２０が形成されている範囲及び当該範囲の周囲に形成された第３方向Ｄｚの凹部である。図８及び図９に示す例では、センサ基板２１側に露出する絶縁層は、絶縁層７０１である。端子７２０は、陥没部８００のＤｘ－Ｄｙ平面を基準として、センサ基板２１側に第３方向Ｄｚに突出しているといえる。

　端子部５００と端子７２０とは、介在層７３０を間に挟んで圧着される。介在層７３０は、異方性導電膜であり、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　Ｆｉｌｍ）からなる。介在層７３０は、例えば、複数の導電粒子を含む。導電粒子は、微小な粒子状の導体である。導電粒子を球体とみなした場合の径は、例えば５μｍ程度である。なお、圧着前の介在層７３０の第３方向Ｄｚの厚みは、例えば２５μｍ程度であるが、圧着によって５μｍ程度になる。

　図８では、介在層７３０と、当該介在層７３０を介して端子７２０と圧着された未配線端子５０１と、を含む構成を被圧着部８０１として示している。被圧着部８０ｎは、未配線端子５０１が未配線端子５０ｎ又は端子に付された符号に置換される点を除いて、被圧着部８０１と同様の構成である。例えば、ｎ＝２である場合の被圧着部８０２は、未配線端子５０１が未配線端子５０２に置換される点を除いて、被圧着部８０１と同様の構成である。実施形態では、ｎは、２から１２の範囲内の自然数のいずれかである。ｎの最大値は、端子部５００に設けられた端子及び未配線端子の合計数及び端子７２０の数に対応する。実施形態では、ｎが３から１１の範囲内の自然数である場合、未配線端子５０ｎの記載は、端子の記載（端子５０３，５０４，・・・，５１１）に置換される。

　端子部５００と端子７２０との圧着時には、センサ基板２１に設けられた端子部５００と一端７１に設けられた複数の端子７２０とが対向する状態で、圧着ヘッド９００がセンサ基板２１側から押し付けられる。

　実施形態では、図７及び図８に示すように、圧着ヘッド９００は、境界線６００よりも被圧着部６２０側でセンサ基板２１に押し付けられる圧着ヘッドである。圧着ヘッド９００は、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０及び絶縁層３４０を挟んで端子部５００と対向する配置でセンサ基板２１を一端７１側に押圧する押圧力９０１をセンサ基板２１に与える。なお、図７及び図８では図示を省略しているが、一端７１は、Ｄｘ－Ｄｙ平面に沿う作業台に載置されている。一端７１は、絶縁層７０２側で当該作業台と接することで、全体的にＤｘ－Ｄｙ平面に沿うよう支持されている状態である。係る状態の一端７１と圧着ヘッド９００との間でセンサ基板２１に対して圧着ヘッド９００から押圧力９０１が与えられることで、端子部５００と端子７２０とが圧着される。

　なお、端子部５００と端子７２０との圧着時、圧着ヘッド９００は常温よりも有意に高い温度となるよう加熱された状態でセンサ基板２１に押し付けられる。具体例を挙げると、端子部５００と端子７２０との圧着時における圧着ヘッド９００の温度は２４０℃程度である。係る温度の圧着ヘッド９００がセンサ基板２１に押し当てられることで、端子部５００と端子７２０との間の介在層７３０が１７０℃程度まで加熱されて端子部５００と端子７２０とを接合する。

　なお、センサ基板２１に含まれる構成の各々の第３方向Ｄｚの厚みを例示すると、第１基板３６０は、２０μｍ程度である。また、第１粘着絶縁層３５０は、２０μｍ程度である。また、絶縁層３４０は、１０μｍ程度である。また、接着剤層４１０は、２０μｍ程度である。すなわち、絶縁層３４０のような絶縁層と、第１粘着絶縁層３５０のような粘着絶縁層と、第１基板３６０のような基板との積層構造の第３方向Ｄｚの厚みは、実施形態では５０μｍ程度である。付加的構造維持部４５０の第３方向Ｄｚの厚みも、実施形態では５０μｍ程度である。

　実施形態では、端子部５００と端子７２０との圧着工程の実施時に、センサ基板２１に第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０が設けられている。第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０は、境界線６００よりも被圧着部６２０側の絶縁層３４０及び配線部３３の反り返りを抑制する。具体的には、センサ基板２１では、第１基板３６０、第２基板４４０のように構造維持層として機能する基板が、センサ基板２１の全体の形状をＤｘ－Ｄｙ平面に概ね沿う状態で維持する剛性を有している。一方、センサ基板２１のうち付加的構造維持部４５０が設けられていない境界線６００よりも被圧着部６２０側では、第１基板３６０が係る剛性で構造を維持している。

　また、第１粘着絶縁層３５０がストライプ状であり、絶縁層３４０及び第１基板３６０と全面で当接していない。すなわち、第１粘着絶縁層３５０は、「一面側で第１基板３６０と当接し、他面側で絶縁層３４０と当接する接着部」と、「第１基板３６０と絶縁層３４０との間の隙間である非接着部」と、がセンサ基板２１を構成する積層構造における積層方向（第３方向Ｄｚ）に直交する方向に沿って交互に並ぶ。

　このような実施形態によれば、端子部５００と端子７２０とのより確実な圧着を実現できる。以下、圧着ヘッド９００から押圧力９０１が与えられる範囲内に第１粘着絶縁層３５０がある比較例について、図９及び図１０を参照して説明する。

　図９は、比較例における非検出領域５９９の積層構造を概略的に示す平面図である。比較例では、実施形態の第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５９に置換されている。なお、第１粘着絶縁層３５９は、平面視点での形状を除いて、第１粘着絶縁層３５０と同様の構成である。

　図９の「端子部」で示すように、実施形態の非検出領域５９９は、第１部分５１９と、第２部分５２９と、第３部分５３９と、を有する。第１部分５１９は、第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５９に置換されている点を除いて、第１部分５１５と同様である。第２部分５２９は、第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５９に置換されている点を除いて、第２部分５２０と同様である。第３部分５３９は、第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５９に置換されている点を除いて、第３部分５３０と同様である。

　具体的には、実施形態では、第１粘着絶縁層３５０がストライプ状であり、接着部と非接着部とを有していたが、比較例では、第１基板３６０及び絶縁層３４０と同様の寸法の矩形状であり、隙間がない第１粘着絶縁層３５９が図９の「第２層」で図示されている。

　図１０は、図９の「端子部」におけるＸ－Ｘ断面図である。比較例では、図１０の「第２層」と「端子部」との関係及び図１１で示すように、隙間がない第１粘着絶縁層３５９と、端子部５００と、が平面視点で重なる。すなわち、圧着ヘッド９００から押圧力９０１が与えられる範囲内で、第１粘着絶縁層３５９が隙間なく第１基板３６０と絶縁層３４０とを接着している。このような比較例では、圧着ヘッド９００と端子部５００との間に介在する第１粘着絶縁層３５９が圧着ヘッド９００からの熱によって軟化し、押圧力９０１を受けて変形する。係る第１粘着絶縁層３５９の変形によって押圧力９０１の一部が端子部５００の端子と端子７２０とを圧着させる方向のベクトルとは異なる方向のベクトルに分散されてしまう。このため、比較例では端子部５００の端子と端子７２０との圧着が不十分になることがある。

　これに対し、実施形態では、上述したように、第１粘着絶縁層３５０が、「一面側で第１基板３６０と当接し、他面側で絶縁層３４０と当接する接着部」と、「第１基板３６０と絶縁層３４０との間の隙間である非接着部」と、がセンサ基板２１を構成する積層構造における積層方向（第３方向Ｄｚ）に直交する方向に沿って交互に並ぶ構造である。すなわち、圧着ヘッド９００から押圧力９０１が与えられる範囲内にある第１粘着絶縁層３５０が比較例に比して少ない。これによって、比較例に比して、押圧力９０１が他の方向のベクトルに分散してしまうことをより抑制しやすくなる。従って、端子部５００と端子７２０とのより確実な圧着を実現できる。

　なお、実施形態では、端子部５００と端子７２０との圧着工程の実施後、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０は、センサ基板２１から剥がされる。すなわち、圧着工程の後、センサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を剥がす工程が生じる。具体例を挙げると、作業者がセンサ基板２１における第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０の端部を把持してセンサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を物理的に剥がす作業によって、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０がセンサ基板２１から剥がされる。第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０が剥がされた後のセンサ基板２１は、絶縁層３４０と、電極３１２を含む電極層と、第１バッファ層に相当する電子注入層３０３、活性層３０１、第２バッファ層に相当する正孔注入層３０２と、第２粘着絶縁層４３０と、第２基板４４０と、が積層されて光センサとして機能する検出領域６８０と、絶縁層３４０と、第２粘着絶縁層４３０と、第２基板４４０と、が積層された非検出領域５９９と、を備える。また、センサ基板２１は、非検出領域５９９のうち、電極３１２と電気的に接続された第１端子として機能する端子５０３，５０４，・・・，５１１が設けられた端子部５００が、第２粘着絶縁層４３０及び第２基板４４０と重ならない。

　図１１は、センサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を剥がす工程後のセンサ基板２１における非検出領域５９９の積層構造を概略的に示す平面図である。図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ断面図である。図１３は、図１１のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ断面図である。

　図６ではまだセンサ基板２１に第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０があったが、図１１では、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０が剥がされているため、設けられない。すなわち、センサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を剥がす工程後において、配線部３３を挟んで有機フォトダイオードＯＰＤの反対側で外部に露出しているのは絶縁層３４０である。

　なお、図１１の「第１層」では、第１基板３６０が剥がされてなくなっていることを破線矩形３６８で示している。また、図１１の「第２層」では、第１粘着絶縁層３５０が剥がされてなくなっていることを破線矩形３５８で示している。

　図１１の「端子部」で示すように、センサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を剥がす工程後の非検出領域５９９は、第１部分５１８と、第２部分５２８と、第３部分５３８と、を有する。

　第１部分５１８は、絶縁層３４０、配線部３３、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０が重なる部分である。第２部分５２８は、絶縁層３４０、配線部３３及び付加的構造維持部４５０が重なる部分である。第３部分５３８は、絶縁層３４０及び配線部３３が重なる部分である。すなわち、第３部分５３８は、接着剤層４１０及び付加的構造維持部４５０を含まない。

　端子部５００と端子７２０との圧着前では、第１基板３６０がセンサ基板２１のうち付加的構造維持部４５０が設けられていない境界線６００よりも被圧着部６２０側の構造を維持している。これに対し、端子部５００と端子７２０との圧着後では、端子部５００を含む絶縁層３４０が一端７１によって支持されるため、絶縁層３４０の形状が安定する。従って、端子部５００と端子７２０との圧着後、境界線６００よりも被圧着部６２０側の構造を維持するための第１基板３６０は、不要になる。第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０が剥がされることで、端子部５００と端子７２０の圧着によって一体化した、「センサ基板２１と回路基板７０とが重なり合った構造体」の第３方向Ｄｚの厚みをより薄くできる。

　なお、端子部５００と端子７２０との圧着前には、第１粘着絶縁層３５０によって第１基板３６０を絶縁層３４０に接着した状態のセンサ基板２１が形成される。すなわち、積層方向の一方側から他方側に向かって、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０、電極３１２を含む電極層、第１バッファ層に相当する電子注入層３０３、活性層３０１、第２バッファ層に相当する正孔注入層３０２、第２粘着絶縁層４３０、第２基板４４０の順にこれらを配置した基板を形成する基板形成工程が行われる。係る基板形成工程の後、センサ基板２１のうち、「第１バッファ層、活性層３０１、第２バッファ層、第２粘着絶縁層４３０及び第２基板４４０が積層されない領域」（非検出領域５９９）に形成された複数の端子５０３，５０４，・・・，５１１を、外部基板（回路基板７０）に設けられた複数の外部端子（端子７２０）と圧着する圧着工程が行われる。係る圧着工程の後、第１基板３６０及び絶縁層３４０をセンサ基板２１から剥がす工程が行われる。

　以上、実施形態によれば、検出装置１は、絶縁層３４０と、電極３１２及び端部電極１１０を含む電極層と、第１バッファ層に相当する電子注入層３０３と、活性層３０１と、第２バッファ層に相当する正孔注入層３０２と、第２粘着絶縁層４３０と、第２基板４４０と、が積層されて光センサとして機能する検出領域６８０と、絶縁層３４０と、第２粘着絶縁層４３０と、第２基板４４０と、が積層された非検出領域５９９と、を備える。非検出領域５９９のうち「電極層（電極１１、電極３１２）と電気的に接続された第１端子（端子５０３，５０４，・・・，５１１）」が設けられた端子部５００は、第２粘着絶縁層４３０及び第２基板４４０と重ならない。これによって、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を有する比較例よりもより薄い検出装置１を提供できる。

　また、第１端子（端子５０３，５０４，・・・，５１１）は、外部基板（回路基板７０）に設けられた第２端子（端子７２０）と接続され、検出領域６８０と回路基板７０とは重なる。これによって、検出装置１に設けられる基板を平面視点でよりコンパクトにすることができる。

　また、第１端子（端子５０３，５０４，・・・，５１１）は、電極１１、電極３１２を含む電極層と同層である。これによって、センサ基板２１の製造に際して、当該第１端子を形成する工程と電極１１、電極３１２を形成する工程とを纏めることができる。従って、センサ基板２１の製造工程数をより少なくできる。

　また、検出領域６８０の光センサは有機フォトダイオードＯＰＤである。これによって、カラーフィルタを用いずに複数の光の色の波長を検出可能になる。また、有機フォトダイオードＯＰＤはセンサ基板２１のような可撓性を有する基板に形成できるうえ、検出領域６８０をより大型化することも比較的容易である点で、他の方式の光センサに比して利点がある。

　また、実施形態によれば、検出装置１の製造方法は、積層方向（第３方向Ｄｚ）の一方側から他方側に向かって、第１基板３６０、第１粘着絶縁層３５０、絶縁層３４０、電極３１２を含む電極層、第１バッファ層に相当する電子注入層３０３、活性層３０１、第２バッファ層に相当する正孔注入層３０２、第２粘着絶縁層４３０、第２基板４４０の順にこれらを配置した基板を形成する工程と、センサ基板２１のうち、「第１バッファ層、活性層３０１、第２バッファ層、第２粘着絶縁層４３０及び第２基板４４０が積層されない領域」（非検出領域５９９）に形成された複数の端子５０３，５０４，・・・，５１１を、外部基板（回路基板７０）に設けられた複数の外部端子（端子７２０）と圧着する工程と、第１基板３６０及び絶縁層３４０をセンサ基板２１から剥がす工程と、を含む。第１粘着絶縁層３５０は、一面側で第１基板３６０と当接し、他面側で絶縁層３４０と当接する接着部と、第１基板３６０と絶縁層３４０との間の隙間である非接着部と、が当該積層方向に直交する方向（例えば、第２方向Ｄｙ）に沿って交互に並ぶ。このように、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を剥がすことで、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を有する比較例よりもより薄い検出装置１を製造できる。また、複数の端子５０３，５０４，・・・，５１１を、複数の外部端子（端子７２０）と圧着する時点で第１基板３６０が端子部５００と重なっているので、端子部５００を含む非検出領域５９９の絶縁層３４０の反り等、圧着を妨げる可能性がある絶縁層３４０の変形を抑制した良好な条件下で圧着を行える。

　また、第１粘着絶縁層３５０の接着部の幅Ｄ１及び非接着部の幅Ｄ２は、端子５０３，５０４，・・・，５１１の並び方向の幅である幅Ｄ３に比して小さい。ここで、幅Ｄ１及び幅Ｄ２は、接着部と非接着部との並び方向の幅である。これによって、押圧力９０１をより均一的にセンサ基板２１に対して加えやすくなる。

　また、第１粘着絶縁層３５０がストライプ状であることで、センサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０をより剥がしやすくなる。

　なお、図１２及び図１３で示すように、第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０が設けられていない状態の絶縁層３４０に圧着ヘッド９００をセンサ基板２１側から押し付けて押圧力９０１を加えることも可能である。ただし、この場合、絶縁層３４０に反りが生じて回路基板７０の板面（Ｄｘ－Ｄｙ平面）に沿わなくなってしまうと、端子部５００と端子７２０との圧着の難易度が比較的高くなる。このため、上述したように、圧着前までは第１基板３６０を第１粘着絶縁層３５０で絶縁層３４０に貼り付けた状態とし、圧着後に第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０を絶縁層３４０から剥がすようにすることで、より良好な条件下で圧着を行える。

　なお、第１粘着絶縁層３５０のように第１基板３６０と絶縁層３４０とを接着する構成の構造は、ストライプ状に限られない。以下、係る構成の他の形態例について、図１４及び図１５を参照して説明する。

　図１４は、図６に示す第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５７に置換された構成例を示す図である。図１４に示す例では、「第２層」で示すように、図６における「第２層」の第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５７に置換されている。第１粘着絶縁層３５７は、平面視点で市松模様状に接着部と非接着部とが交互に並ぶ。具体的には、第１粘着絶縁層３５７は、第３方向Ｄｚの一面側で第１基板３６０と当接し、他面側で絶縁層３４０と当接する接着部３５７１を有する。また、第１粘着絶縁層３５７には、第１基板３６０と絶縁層３４０との間の隙間である非接着部３５７２が設けられている。接着部３５７１と非接着部３５７２は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに沿って交互に並ぶ。なお、接着部３５７１と非接着部３５７２が並ぶ方向は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに交差する方向であってもよい。接着部３５７１と非接着部３５７２との並び方向における接着部３５７１の幅及び非接着部３５７２の幅は、幅Ｄ３より小さくてもよいし、幅Ｄ３以上であってもよい。

　図１４の「端子部」で示すように、実施形態の非検出領域５９９は、第１部分５１７と、第２部分５２７と、第３部分５３７と、を有する。第１部分５１７は、第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５７に置換されている点を除いて、第１部分５１５と同様である。第２部分５２７は、第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５７に置換されている点を除いて、第２部分５２０と同様である。第３部分５３７は、第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５７に置換されている点を除いて、第３部分５３０と同様である。以上、特筆した事項を除いて、図１４に示す例による構成は、図６を参照して説明した構成と同様である。

　図１５は、図６に示す第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５６に置換された構成例を示す図である。図１５に示す例では、「第２層」で示すように、図６における「第２層」の第１粘着絶縁層３５０が第１粘着絶縁層３５６に置換されている。非検出領域５９９内における第１粘着絶縁層３５６は、非検出領域５９９の縁のうちセンサ基板２１の外周縁である３辺に沿う接着部を有する。言い換えれば、当該３辺の内側である非接着部３５６１は、第１基板３６０と絶縁層３４０との間の隙間である。従って、第１粘着絶縁層３５６は、非接着部３５６１を挟んで第１方向Ｄｘに対向する二辺の一方と、非接着部３５６１と、当該二辺の他方と、が並ぶ。ここで、当該二辺は、一面側で第１基板３６０と当接し、他面側で絶縁層３４０と当接する接着部である。従って、当該二辺の一方である接着部と、非接着部３５６１と、当該二辺の他方である接着部と、が交互に並んでいる。また、第１粘着絶縁層３５６は、複数の（端子５０３，５０４，・・・，５１１）が配置された端子部５００を挟んで対向する二辺と、当該二辺の一端同士を接続する一辺と、を有するといえる。

　図１５の「端子部」で示すように、実施形態の非検出領域５９９は、第１部分５１６と、第２部分５２６と、第３部分５３６と、第４部分５４６と、を有する。第１部分５１６は、第１粘着絶縁層３５０が非接着部３５６１に置換されている点を除いて、第１部分５１５と同様である。第２部分５２６は、第１粘着絶縁層３５０が非接着部３５６１に置換されている点を除いて、第２部分５２０と同様である。第３部分５３６は、第１粘着絶縁層３５０が非接着部３５６１に置換されている点を除いて、第３部分５３０と同様である。第４部分５４６は、非検出領域５９９の外周縁に沿う部分であり、第１粘着絶縁層３５６によって第１基板３６０と絶縁層３４０とが接着されている部分である。以上、特筆した事項を除いて、図１５に示す例による構成は、図６を参照して説明した構成と同様である。

　以上、図６、図１４、図１５では、非検出領域５９９内で第１基板３６０と絶縁層３４０とを接着している第１粘着絶縁層の平面視点での形態について図示していたが、係る第１粘着絶縁層の形態は、センサ基板２１全体で共通である。第１粘着絶縁層が市松模様状、ドット状又は枠体状であっても、ストライプ状と同様、センサ基板２１から第１基板３６０及び第１粘着絶縁層３５０をより剥がしやすくなる。

　図１６は、センサ基板２１の平面視点での形態と、センサ基板２１において第１基板３６０と絶縁層３４０とを接着している第１粘着絶縁層の平面視点での形態と、の関係を示す図である。図１６の「センサ基板」は、図３及び図５を参照して説明したセンサ基板２１の平面視点での形態を概略的に示している。

　図１６の「第１粘着絶縁層」は、第１基板３６０と絶縁層３４０とを接着する第１粘着絶縁層の平面視点での形態を概略的に示している。図１６の「第１粘着絶縁層」における「枠体状」の第１粘着絶縁層３５６は、図１６の「センサ基板」で示すセンサ基板２１の外周縁をなぞる形状の接着部を有する。従って、境界線６００よりも被圧着部６２０側だけで見ると、境界線６００と重なる部分には接着層がなく、非接着部３５６１が存在している。従って、図１５を参照して説明したように、非検出領域５９９内における第１粘着絶縁層３５６は、境界線６００と重なる部分を除く３辺をなぞる形態になっている。

　なお、第１基板３６０と絶縁層３４０とを接着する第１粘着絶縁層の形態は、第１粘着絶縁層３５０，３５７，３５６に限られるものでない。例えば、図１６の「ストライプ状」で示すように、第２方向Ｄｙに沿う接着部３５４１と非接着部３５４２とが第１方向Ｄｘに交互に並んでもよい。接着部３５４１及び非接着部３５４２の第１方向Ｄｘの幅は、幅Ｄ３より小さくてもよいし、幅Ｄ３以上であってもよい。なお、ストライプ状の接着部と非接着部の並び方向は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに交差する方向であってもよい。また、上述した幅Ｄ１及び幅Ｄ２は、幅Ｄ３以上であってもよい。

　また、図１６の「ドット状」で示すように、センサ基板２１全体と重なる範囲で点在する接着部を有する第１粘着絶縁層３５５によって第１基板３６０と絶縁層３４０とが接着されてもよい。第１粘着絶縁層３５５は、ドットパターンとして示した部分が接着部であり、白抜き部分が非接着部である。なお、係るドット状の接着部は、例えば第１基板３６０を基材として第１粘着絶縁層３５５を薄膜形成する方法で形成される。

　図示しないが、図６を参照して説明した第１粘着絶縁層３５０及び図１４を参照して説明した第１粘着絶縁層３５７も、第１粘着絶縁層３５４，３５５と同様、平面視点でセンサ基板２１全体をカバーするよう設けられている。

　なお、検出装置１の形態は図１及び図２を参照して説明した指輪型に限定されるものでなく、有機フォトダイオードＯＰＤによる光の検出が想定されるあらゆる装置の形態のいずれかが適用されてよい。

　また、上述した実施形態では、第１光センサ１０Ａ及び第２光センサ１０Ｂが設けられていたが、検出装置が備える有機フォトダイオードＯＰＤの数は実施形態で例示された数に限られるものでなく、１つ以上であればよい。

　上述した各実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

　１　検出装置
　１１，３１２　電極
　２１　センサ基板
　７０　回路基板
　１１０　端部電極
　３５０，３５４，３５５，３５６，３５７　第１粘着絶縁層
　３６０　第１基板
　４３０　第２粘着絶縁層
　４４０　第２基板
　５００　端子部
　５０３，５０４，５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１　端子
　７２０　端子
　ＯＰＤ　有機フォトダイオード

Claims (12)

1. 　絶縁層と、電極層と、第１バッファ層と、活性層と、第２バッファ層と、粘着絶縁層と、基板と、が積層されて光センサとして機能する検出領域と、
   　前記絶縁層と、前記粘着絶縁層と、前記基板と、が積層された非検出領域と、を備え、
   　前記非検出領域のうち前記電極層と電気的に接続された第１端子が設けられた端子部は、前記粘着絶縁層及び前記基板と重ならない、
   　検出装置。
2. 　前記第１端子は、外部基板に設けられた第２端子と接続され、
   　前記検出領域と前記外部基板とは重なる、
   　請求項１に記載の検出装置。
3. 　前記第１端子は、前記電極層と同層である、
   　請求項１又は２に記載の検出装置。
4. 　前記光センサは有機フォトダイオードである、
   　請求項１又は２に記載の検出装置。
5. 　積層方向の一方側から他方側に向かって、第１基板、第１粘着絶縁層、絶縁層、電極層、第１バッファ層、活性層、第２バッファ層、第２粘着絶縁層、第２基板の順にこれらを配置した基板を形成する工程と、
   　前記基板のうち前記第１バッファ層、前記活性層、前記第２バッファ層、前記第２粘着絶縁層及び前記第２基板が積層されない領域に形成された複数の端子を、外部基板に設けられた複数の外部端子と圧着する工程と、
   　前記第１基板及び前記第１粘着絶縁層を前記基板から剥がす工程と、を含み、
   　前記第１粘着絶縁層は、
   　　一面側で前記第１基板と当接し、他面側で前記絶縁層と当接する接着部と、
   　　前記第１基板と前記絶縁層との間の隙間である非接着部と、
   　が前記積層方向に直交する並び方向に沿って交互に並ぶ、
   　検出装置の製造方法。
6. 　前記接着部の前記並び方向の幅及び前記非接着部の前記並び方向の幅は、前記複数の端子の並び方向の幅に比して小さい、
   　請求項５に記載の検出装置の製造方法。
7. 　前記第１粘着絶縁層は、ストライプ状である、
   　請求項５又は６に記載の検出装置の製造方法。
8. 　前記第１粘着絶縁層は、市松模様状である、
   　請求項５又は６に記載の検出装置の製造方法。
9. 　前記第１粘着絶縁層は、前記複数の端子を挟んで対向する二辺と、当該二辺の一端同士を接続する一辺と、を有する、
   　請求項５又は６に記載の検出装置の製造方法。
10. 　前記第１粘着絶縁層は、前記基板の外周縁に沿う、
    　請求項９に記載の検出装置の製造方法。
11. 　前記複数の端子は、前記電極層と同層である、
    　請求項５又は６に記載の検出装置の製造方法。
12. 　前記第１バッファ層、前記活性層及び前記第２バッファ層を有する光センサは有機フォトダイオードである、
    　請求項５又は６に記載の検出装置の製造方法。