WO2026004602A1 - 熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法 - Google Patents

熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法

Info

Publication number
WO2026004602A1
WO2026004602A1 PCT/JP2025/021081 JP2025021081W WO2026004602A1 WO 2026004602 A1 WO2026004602 A1 WO 2026004602A1 JP 2025021081 W JP2025021081 W JP 2025021081W WO 2026004602 A1 WO2026004602 A1 WO 2026004602A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heat medium
pipe
temperature
bypass
flow path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
PCT/JP2025/021081
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
晃士 河西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2026004602A1 publication Critical patent/WO2026004602A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to a heat medium control device and a heat medium control method.
  • Patent Document 1 listed below discloses a heat medium control method that includes a flow rate control step and a supply stop step.
  • the flow rate control step the flow rate of the heat medium is reduced while the heat medium is supplied from a temperature control unit that supplies temperature-controlled heat medium into a flow path formed in a heat exchange element that exchanges heat with a temperature-controlled object.
  • the supply stop step the supply of the heat medium into the flow path is stopped by controlling a supply valve provided in a supply pipe that connects the temperature control unit and the flow path of the heat exchange element.
  • Patent Document 2 listed below discloses providing two systems of temperature fluid, managing the temperatures of the low-temperature fluid and the high-temperature fluid so that the temperature of the electrostatic chuck 12 becomes the set temperature, and mixing the fluids at a predetermined flow rate ratio before flowing them through the electrostatic chuck 12.
  • This disclosure provides a heat medium control device and a heat medium control method that can suppress temperature fluctuations in the heat medium flowing through the flow path of a heat exchanger.
  • One aspect of the present disclosure is a heat medium control device comprising a first supply pipe, a first return pipe, a second supply pipe, a second return pipe, a first switching unit, a second switching unit, a first bypass pipe, and a first valve.
  • the first supply pipe is connected to a first pipe for supplying a heat medium as a fluid into a flow path formed in a heat exchange element that exchanges heat with a temperature-controlled object, and is a pipe for supplying the heat medium at a first temperature from a first temperature control unit into the flow path via the first pipe.
  • the first return pipe is connected to a second pipe for discharging the heat medium that has flowed through the flow path, and is a pipe for returning the heat medium that has flowed through the flow path to a tank in the first temperature control unit.
  • the second supply pipe is connected to the first pipe and is a pipe for supplying the heat medium at a second temperature different from the first temperature from a second temperature control unit into the flow path via the first pipe.
  • the second return pipe is connected to the second pipe and is a pipe for returning the heat medium that has flowed through the flow path to the tank in the second temperature control unit.
  • the first switching unit switches the heat medium supplied to the first pipe to the heat medium flowing through the first supply pipe or the heat medium flowing through the second supply pipe.
  • the second switching unit switches the destination of the heat medium discharged from the second pipe to either the first return pipe or the second return pipe.
  • the first bypass pipe is provided between the second pipe and the tank in the first temperature control unit.
  • the first valve is provided on the first bypass pipe.
  • Various aspects and embodiments of the present disclosure can suppress temperature fluctuations of the heat medium flowing through the flow passages of the heat exchange member.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an example of a temperature control method.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by the temperature control device.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by the temperature control device.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by the temperature control device.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by the temperature control device.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of a temperature change of the heat medium in the reference example.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 3 is
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of a temperature change of the heat medium in this embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 11 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by a temperature control device according to another example.
  • FIG. 13 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by a temperature control device according to another example.
  • FIG. 14 is a diagram showing an example of a heat medium control process by a temperature control device according to another example.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of a heat medium control process by a temperature control device in another example.
  • FIG. 16 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 17 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 18 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 19 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 20 is a diagram showing another example of the configuration of the temperature control device.
  • FIG. 21 is a diagram showing an example of a heat medium control process performed by a temperature control device according to another example.
  • FIG. 22 is a diagram showing an example of a heat medium control process by a temperature control device in another example.
  • FIG. 23 is a diagram showing an example of a heat medium control process by a temperature control device in another example.
  • the heat medium flowing through the flow path of the heat exchange element that exchanges heat with the temperature-controlled object is switched from a heat medium of a first temperature to a heat medium of a second temperature.
  • the supply of the heat medium of the first temperature to the heat exchange element is stopped, and the supply of the heat medium of the second temperature to the heat exchange element is started.
  • the heat medium of the first temperature remains in the flow paths of the heat exchange element. Therefore, immediately after the heat medium supplied to the flow paths of the heat exchange element is switched from a heat medium of a first temperature to a heat medium of a second temperature, the heat medium of the first temperature remaining in the flow paths of the heat exchange element is returned to the tank storing the heat medium of the second temperature. As a result, the temperature in the tank storing the heat medium of the second temperature becomes different from the second temperature, and the temperature of the heat medium supplied to the flow paths of the heat exchange element becomes different from the second temperature. As a result, immediately after the heat medium supplied to the flow paths of the heat exchange element is switched from a heat medium of a first temperature to a heat medium of a second temperature, the temperature of the heat exchange element becomes unstable.
  • This disclosure therefore provides technology that can suppress temperature fluctuations of the heat medium flowing through the flow path of the heat exchanger.
  • Figure 1 is a diagram illustrating an example configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the plasma processing system includes a capacitively coupled plasma processing device 1 and a control unit 2.
  • the capacitively coupled plasma processing device 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply unit 20, a power supply 30, and an exhaust system 40.
  • the plasma processing device 1 also includes a substrate support unit 11 and a gas inlet unit.
  • the gas inlet unit is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 10.
  • the gas inlet unit includes a showerhead 13.
  • the substrate support unit 11 is disposed within the plasma processing chamber 10.
  • the showerhead 13 is disposed above the substrate support unit 11. In one embodiment, the showerhead 13 forms at least a portion of the ceiling of the plasma processing chamber 10.
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10s defined by the showerhead 13, a sidewall 10a of the plasma processing chamber 10, and the substrate support unit 11.
  • the plasma processing chamber 10 has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space 10s and at least one gas exhaust port for exhausting gas from the plasma processing space.
  • the plasma processing chamber 10 is grounded.
  • the showerhead 13 and substrate support 11 are electrically insulated from the housing of the plasma processing chamber 10.
  • the substrate support 11 includes a main body 111 and a ring assembly 112.
  • the main body 111 has a central region 111a for supporting a substrate W and an annular region 111b for supporting the ring assembly 112.
  • a wafer is an example of a substrate W.
  • the substrate W is an example of a temperature-controlled object.
  • the annular region 111b of the main body 111 surrounds the central region 111a of the main body 111 in a planar view.
  • the substrate W is disposed on the central region 111a of the main body 111, and the ring assembly 112 is disposed on the annular region 111b of the main body 111 so as to surround the substrate W on the central region 111a of the main body 111. Therefore, the central region 111a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 111b is also called a ring support surface for supporting the ring assembly 112.
  • the main body 111 includes a base 1110 and an electrostatic chuck 1111.
  • the base 1110 includes a conductive member.
  • the base 1110 is an example of a heat exchange member.
  • the conductive member of the base 1110 may function as a lower electrode.
  • the electrostatic chuck 1111 is disposed on the base 1110.
  • the electrostatic chuck 1111 includes a ceramic member 1111a and an electrostatic electrode 1111b disposed within the ceramic member 1111a.
  • the ceramic member 1111a has a central region 111a. In one embodiment, the ceramic member 1111a also has an annular region 111b. Note that another member surrounding the electrostatic chuck 1111, such as an annular electrostatic chuck or an annular insulating member, may also have the annular region 111b.
  • the ring assembly 112 may be disposed on the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, or may be disposed on both the electrostatic chuck 1111 and the annular insulating member.
  • at least one RF/DC electrode coupled to an RF (Radio Frequency) power supply 31 and/or a DC (Direct Current) power supply 32 (described later) may be disposed within the ceramic member 1111a.
  • the at least one RF/DC electrode functions as a lower electrode.
  • the RF/DC electrode is also called a bias electrode.
  • the conductive member of the base 1110 and the at least one RF/DC electrode may function as multiple lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 1111b may function as a lower electrode. Therefore, the substrate support 11 includes at least one lower electrode.
  • the ring assembly 112 includes one or more annular members.
  • the one or more annular members include one or more edge rings and at least one cover ring.
  • the edge rings are formed of a conductive or insulating material, and the cover rings are formed of an insulating material.
  • the substrate support 11 may also include a temperature control module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 1111, the ring assembly 112, and the substrate to a target temperature.
  • the temperature control module may include a heater, a heat medium, a flow path 1110a, or a combination thereof.
  • a heat medium such as brine or a gas, flows through the flow path 1110a.
  • a temperature control device 50 is connected to the flow path 1110a via pipes 50a and 50b.
  • the heat medium, whose temperature is controlled by the temperature control device 50 is supplied into the flow path 1110a via pipe 50a.
  • the heat medium that has flowed through the flow path 1110a is returned to the temperature control device 50 via pipe 50b.
  • the temperature control device 50 is an example of a heat medium control device
  • the pipe 50a is an example of a first pipe
  • the pipe 50b is an example of a second pipe.
  • the shower head 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 20 into the plasma processing space 10s.
  • the shower head 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and multiple gas inlets 13c.
  • the processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s from the multiple gas inlets 13c.
  • the shower head 13 also includes at least one upper electrode.
  • the gas inlet may also include one or more side gas injectors (SGIs) attached to one or more openings formed in the side wall 10a.
  • SGIs side gas injectors
  • the gas supply unit 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22.
  • the gas supply unit 20 is configured to supply at least one process gas from a corresponding gas source 21 to the showerhead 13 via a corresponding flow controller 22.
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the gas supply unit 20 may include one or more flow modulation devices that modulate or pulse the flow rate of the at least one process gas.
  • the power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to the plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • the RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. This causes a plasma to be formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s. Therefore, the RF power supply 31 can function as at least a part of a plasma generation unit configured to generate plasma from one or more processing gases in the plasma processing chamber 10. Furthermore, by supplying a bias RF signal to the at least one lower electrode, a bias potential is generated on the substrate W, and ion components in the formed plasma can be attracted to the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generating unit 31a and a second RF generating unit 31b.
  • the first RF generating unit 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency in the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generating unit 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the second RF generating unit 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a bias RF signal (bias RF power).
  • the frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency lower than the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 60 MHz.
  • the second RF generating unit 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies.
  • the generated one or more bias RF signals are supplied to at least one lower electrode.
  • at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.
  • the power supply 30 may also include a DC power supply 32 coupled to the plasma processing chamber 10.
  • the DC power supply 32 includes a first DC generator 32a and a second DC generator 32b.
  • the first DC generator 32a is connected to at least one lower electrode and configured to generate a first DC signal.
  • the generated first bias DC signal is applied to the at least one lower electrode.
  • the second DC generator 32b is connected to at least one upper electrode and configured to generate a second DC signal.
  • the generated second DC signal is applied to the at least one upper electrode.
  • the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses within one period.
  • the first and second DC generators 32a and 32b may be provided in addition to the RF power supply 31, or the first DC generator 32a may be provided instead of the second RF generator 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • the control unit 2 processes computer-executable instructions that cause the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described in this disclosure.
  • the control unit 2 may be configured to control each element of the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described herein. In one embodiment, part or all of the control unit 2 may be included in the plasma processing apparatus 1.
  • the control unit 2 may include a processing unit 2a1, a memory unit 2a2, and a communication interface 2a3.
  • the control unit 2 is realized, for example, by a computer 2a.
  • the processing unit 2a1 may be configured to perform various control operations by reading a program from the memory unit 2a2 and executing the read program. This program may be stored in the memory unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when needed.
  • the acquired program is stored in the memory unit 2a2 and read from the memory unit 2a2 by the processing unit 2a1 for execution.
  • the medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3.
  • the processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit).
  • the memory unit 2a2 may include RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination thereof.
  • the communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • the temperature control device 50 includes a first temperature control unit 51 a, a second temperature control unit 51 b, a pipe 52 a, a pipe 52 b, a pipe 53 a, a pipe 53 b, a first switching unit 54 a, a second switching unit 54 b, a first bypass pipe 55 a, a second bypass pipe 55 b, a first bypass valve 56 a, and a second bypass valve 56 b.
  • the pipe 52 a is an example of a first supply pipe
  • the pipe 52 b is an example of a second supply pipe
  • the pipe 53 a is an example of a first return pipe
  • the pipe 53 b is an example of a second return pipe.
  • the first temperature control unit 51a has a pump 510a, a heat exchanger 511a, and a tank 512a.
  • the pump 510a pushes the heat medium stored in the tank 512a into the pipe 52a.
  • the heat exchanger 511a adjusts the temperature of the heat medium flowing in via the pipe 53a to a first temperature and returns it to the tank 512a.
  • the tank 512a stores the heat medium that has been adjusted to the first temperature by the heat exchanger 511a.
  • the first temperature is, for example, 30°C.
  • the second temperature control unit 51b has a pump 510b, a heat exchanger 511b, and a tank 512b.
  • the pump 510b pushes the heat medium stored in the tank 512b into the pipe 52b.
  • the heat exchanger 511b adjusts the temperature of the heat medium flowing in via the pipe 53b to a second temperature and returns it to the tank 512b.
  • the tank 512b stores the heat medium that has been adjusted to the second temperature by the heat exchanger 511b.
  • the second temperature is, for example, 10°C.
  • Pipe 52a is connected to pipe 50a via first switching unit 54a, and supplies heat medium controlled to a first temperature from first temperature control unit 51a to flow path 1110a of base 1110 via first switching unit 54a and pipe 50a.
  • Pipe 53a is connected to pipe 50b via second switching unit 54b, and returns the heat medium that has flowed through flow path 1110a of base 1110 to tank 512a via heat exchanger 511a.
  • the second switching unit 54b has a first return valve 540b and a second return valve 541b. One end of the first return valve 540b is connected to the pipe 53a, and the other end of the first return valve 540b is connected to the pipe 50b. One end of the second return valve 541b is connected to the pipe 53b, and the other end of the second return valve 541b is connected to the pipe 50b.
  • the second switching unit 54b controls the first return valve 540b and the second return valve 541b to switch the destination of the heat medium discharged from the pipe 50b between the pipe 53a and the pipe 53b.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an example of a temperature control method.
  • the temperature control method illustrated in FIG. 3 is realized by the control unit 2 controlling each unit of the temperature control device 50.
  • the example of FIG. 3 shows an operation of switching the heat medium flowing in the flow path 1110a from a heat medium of a first temperature to a heat medium of a second temperature while a heat medium of a first temperature is flowing in the flow path 1110a of the base 1110.
  • An example of the temperature control method will be described below with reference to FIGS. 4 and 6.
  • the temperature control method illustrated in FIG. 3 is an example of a heat medium control method.
  • the temperature control method illustrated in FIG. 3 begins with a state in which, as shown in FIG. 4, heat medium at a first temperature from first temperature control unit 51a is supplied into flow path 1110a via pipe 52a and returned to first temperature control unit 51a via pipe 53a.
  • first supply valve 540a and first return valve 540b are open, and the other valves are closed.
  • valves drawn in white represent valves that are open
  • valves drawn in black represent valves that are closed.
  • Step S10 the first supply valve 540a is closed (step S10), and the second supply valve 541a is opened (step S11).
  • the first switching unit 54a switches the heat medium supplied to the pipe 50a from the heat medium flowing through the pipe 52a to the heat medium flowing through the pipe 52b.
  • Steps S10 and S11 are an example of process (a).
  • Step S12 is opened (step S12), and the first return valve 540b is closed (step S13).
  • the heat medium discharged from flow path 1110a via pipe 50b is returned to tank 512a of first temperature control unit 51a via first bypass pipe 55a.
  • Step S12 is an example of process (b).
  • step S14 it is determined whether a predetermined time has elapsed.
  • the predetermined time in step S14 is the time required from when the supply of heat medium at the second temperature into flow path 1110a begins until the heat medium at the first temperature remaining in flow path 1110a is removed from flow path 1110a. If the predetermined time has not elapsed (step S14: No), the process shown in step S14 is executed again.
  • Step S14 If the predetermined time has elapsed (Step S14: Yes), the second return valve 541b is opened (Step S15) and the first bypass valve 56a is closed (Step S16).
  • the temperature control method illustrated in FIG. 3 then ends.
  • the heat medium at the second temperature supplied from the second temperature control unit 51b flows through the flow path 1110a of the base 1110 via the pipe 52b and is returned to the second temperature control unit 51b via the pipe 53b.
  • the second supply valve 541a is closed and the first supply valve 540a is opened. This causes the first switching unit 54a to switch the heat medium supplied to the pipe 50a from the heat medium flowing through the pipe 52b to the heat medium flowing through the pipe 52a.
  • the second bypass valve 56b is opened and the second return valve 541b is closed.
  • the heat medium discharged through the pipe 50b is returned to the tank 512b of the second temperature control unit 51b through the second bypass pipe 55b.
  • first return valve 540b is opened.
  • second bypass valve 56b is closed.
  • the heat medium at the first temperature supplied from first temperature control unit 51a flows through flow path 1110a of base 1110 via pipe 52a and is returned to tank 512a of first temperature control unit 51a via pipe 53a.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of the temperature change of the heat medium in a reference example.
  • FIG. 8 shows, as a reference example, the temperature change of the heat medium when using a temperature control device 50 that is not provided with the first bypass pipe 55a, the second bypass pipe 55b, the first bypass valve 56a, and the second bypass valve 56b.
  • FIG. 8 shows the temperature of the heat medium flowing in the flow path 1110a near the pipe 50a (the temperature on the supply side) and the temperature of the heat medium flowing in the flow path 1110a near the pipe 50b (the temperature on the discharge side).
  • the heat medium at a first temperature (30°C) and the heat medium at a second temperature (10°C) supplied to the flow path 1110a of the base 1110 are alternately switched at a predetermined interval.
  • Figure 9 is a diagram showing an example of the temperature change of the heat medium in this embodiment.
  • Figure 9 shows the temperature of the heat medium flowing in flow path 1110a near pipe 50a (supply side temperature) and the temperature of the heat medium flowing in flow path 1110a near pipe 50b (discharge side temperature).
  • the heat medium at a first temperature (30°C) and the heat medium at a second temperature (10°C) supplied into flow path 1110a of base 1110 are alternately switched at a predetermined interval.
  • the heat medium at the second temperature remaining in flow path 1110a is returned to the second temperature control unit 51b via the second bypass pipe 55b. Therefore, the heat medium at the second temperature is not returned to the heat exchanger 511a of the first temperature control unit 51a. Therefore, the temperature of the heat medium in tank 512a stabilizes at the first temperature, and the temperature of the heat medium supplied into flow path 1110a also quickly stabilizes at the first temperature.
  • the heat medium control device (temperature control device 50) of this embodiment includes a first supply pipe (pipe 52a), a first return pipe (pipe 53a), a second supply pipe (pipe 52b), a second return pipe (pipe 53b), a first switching unit (first switching unit 54a), a second switching unit (second switching unit 54b), a first bypass pipe (first bypass pipe 55a), and a first valve (first bypass valve 56a).
  • the first supply pipe is connected to a first pipe (pipe 50a) for supplying a heat medium, which is a fluid, into a flow path (flow path 1110a) formed in a heat exchange member (base 1110) that exchanges heat with a temperature-controlled object (substrate W).
  • the first supply pipe is a pipe for supplying a heat medium, whose temperature has been controlled to a first temperature, from a first temperature control unit (first temperature control unit 51a) into the flow path via the first pipe.
  • the first return pipe is connected to a second pipe (pipe 50b) for discharging the heat medium that has flowed through the flow path and is a pipe for returning the heat medium that has flowed through the flow path to a tank (tank 512a) in the first temperature control unit.
  • the second supply pipe is connected to the first pipe and is a pipe for supplying the heat medium, whose temperature has been controlled to a second temperature different from the first temperature, from a second temperature control unit (second temperature control unit 51b) into the flow path via the first pipe.
  • the second return pipe is connected to the second pipe and is a pipe for returning the heat medium that has flowed through the flow path to the tank (tank 512b) in the second temperature control unit.
  • the first switching unit switches the heat medium supplied to the first pipe to the heat medium flowing through the first supply pipe or the heat medium flowing through the second supply pipe.
  • the second switching unit switches the destination of the heat medium discharged from the second pipe to the first return pipe or the second return pipe.
  • One end of the first bypass pipe is connected to the second pipe, which is closer to the flow path than the connection between the first return pipe and the second return pipe, and the other end is connected to a tank in the first temperature control unit.
  • the first valve is provided on the first bypass pipe. This makes it possible to suppress fluctuations in the temperature of the heat medium flowing through the flow path of the heat exchange element.
  • the above-described embodiment also includes a second bypass pipe (second bypass pipe 55b) having one end connected to a second pipe closer to the flow path than the connection between the first return pipe and the second return pipe and the other end connected to a tank in the second temperature control unit, and a second valve (second bypass valve 56b) provided on the second bypass pipe.
  • second bypass pipe 55b having one end connected to a second pipe closer to the flow path than the connection between the first return pipe and the second return pipe and the other end connected to a tank in the second temperature control unit
  • second valve second bypass valve 56b
  • the above-described embodiment also relates to a method for controlling a heat medium in a heat medium control device, and includes steps (a) and (b).
  • step (a) while the heat medium supplied from the first temperature control unit is flowing through the flow path, the first switching unit switches the heat medium supplied to the first pipe from the heat medium flowing through the first supply pipe to the heat medium flowing through the second supply pipe.
  • step (b) the first valve is opened to return the heat medium discharged from the second pipe to the tank in the first temperature control unit via the first bypass pipe. This makes it possible to suppress temperature fluctuations of the heat medium flowing through the flow path of the heat exchange element.
  • the first bypass pipe 55a and the second bypass pipe 55b are connected to the pipe 50b, but the disclosed technology is not limited to this.
  • the pipe 550 may be connected to the pipe 50b, and the first bypass pipe 55a and the second bypass pipe 55b may be connected to the pipe 550.
  • a valve 551 is provided on the pipe 550.
  • the first bypass pipe 55a and the second bypass pipe 55b are connected to the pipe 50b, but the disclosed technology is not limited to this.
  • three-way valves may be used as the first return valve 540b and the second return valve 541b.
  • the first bypass pipe 55a is connected to the second bypass pipe 55b
  • the second bypass pipe 55b is connected to the first return valve 540b.
  • the first bypass valve 56a and the second bypass valve 56b are not required.
  • the temperature control device 50 illustrated in FIG. 11 operates, for example, as follows. Below, as shown in FIG. 12, for example, the operation starts with a state in which a heat medium at a first temperature supplied from a first temperature control unit 51a flows through a flow path 1110a of a base 1110 via a pipe 52a and is returned to the first temperature control unit 51a via a pipe 53a.
  • the first supply valve 540a is opened, and in the first return valve 540b, the valve connected to the pipe 50b and the valve connected to the pipe 53a are opened, and the other valves are closed.
  • the first supply valve 540a is closed and the second supply valve 541a is opened. Then, in the second return valve 541b, the valve connected to the pipe 50b and the valve connected to the first bypass pipe 55a are opened, and the first return valve 540b is closed. As a result, for example, as shown in FIG. 13, the heat medium discharged via the pipe 50b is returned to the tank 512a of the first temperature control unit 51a via the first bypass pipe 55a.
  • the system waits until the time required for the first temperature heat medium remaining in flow path 1110a to disappear from flow path 1110a has elapsed since the supply of the second temperature heat medium began into flow path 1110a. Then, in second return valve 541b, the valve connected to pipe 53b is opened, and the valve connected to first bypass pipe 55a is closed. As a result, for example, as shown in FIG. 14, the second temperature heat medium supplied from second temperature control unit 51b flows through flow path 1110a of base 1110 via pipe 52b, and is returned to tank 512b of second temperature control unit 51b via pipe 53b.
  • the system waits until the time required for the heat medium at the second temperature remaining in flow path 1110a to disappear from flow path 1110a has elapsed since the supply of the heat medium at the first temperature began into flow path 1110a. Then, in first return valve 540b, the valve connected to pipe 53a is opened, and the valve connected to second bypass pipe 55b is closed. As a result, for example, as shown in FIG. 12, the heat medium at the first temperature supplied from first temperature control unit 51a flows through flow path 1110a of base 1110 via pipe 52a, and is returned to tank 512a of first temperature control unit 51a via pipe 53a.
  • heat medium remains in the first bypass pipe 55a from the time the first bypass valve 56a is closed until the first bypass valve 56a is opened again. Therefore, if there is a long period of time between the time the first bypass valve 56a is closed and the time the first bypass valve 56a is opened again, the temperature of the heat medium remaining in the first bypass pipe 55a will change from the first temperature. If the temperature of the heat medium remaining in the first bypass pipe 55a changes from the first temperature, when the first bypass valve 56a is opened again, heat medium at a temperature different from the first temperature will flow from the first bypass pipe 55a into the tank 512a. This may cause the temperature of the heat medium in the tank 512a to fluctuate. The same applies to the second bypass pipe 55b.
  • a temperature adjustment unit 57a may be provided in the first bypass pipe 55a, and a temperature adjustment unit 57b may be provided in the second bypass pipe 55b.
  • the temperature adjustment unit 57a adjusts the temperature of the heat medium remaining in the first bypass pipe 55a to a first temperature.
  • the temperature adjustment unit 57b adjusts the temperature of the heat medium remaining in the second bypass pipe 55b to a second temperature.
  • a gas supply unit 58 may be provided to supply gas into the first bypass pipe 55a and the second bypass pipe 55b.
  • the gas supply unit 58 is connected to the first bypass pipe 55a via pipe 580a and to the second bypass pipe 55b via pipe 580b.
  • a valve 581a is provided in pipe 580a, and a valve 581b is provided in pipe 580b.
  • first bypass pipe 55a and the second bypass pipe 55b are connected to the pipe 50b, but the disclosed technology is not limited to this.
  • first bypass pipe 55a and the second bypass pipe 55b may be connected to the pipe 50b via a pipe 550 and an intermediate tank 59.
  • a valve 551 is provided in the pipe 550.
  • the pipe 550 is an example of a third bypass pipe.
  • the intermediate tank 59 is provided, which makes it possible to suppress sudden changes in the liquid level of the heat medium in tanks 512a and 512b. Furthermore, the intermediate tank 59 makes it possible to mitigate water hammer when valve 551, first bypass valve 56a, and second bypass valve 56b are opened and closed.
  • a temperature adjustment unit may be provided in intermediate tank 59.
  • the temperature adjustment unit adjusts the temperature of the heat medium remaining in intermediate tank 59 to a first temperature before first bypass valve 56a is opened. Furthermore, the temperature adjustment unit adjusts the temperature of the heat medium remaining in intermediate tank 59 to a second temperature before second bypass valve 56b is opened. This makes it possible to suppress temperature changes in the heat medium in tanks 512a and 512b.
  • a gas supply unit may be provided to supply gas to the pipe 550, the first bypass pipe 55a, and the second bypass pipe 55b. This makes it possible to purge the heat medium remaining in the pipe 550, the first bypass pipe 55a, and the second bypass pipe 55b, and suppress changes in the temperature of the heat medium in the tanks 512a and 512b.
  • the second return valve 541b is opened and the first bypass valve 56a is closed a predetermined time after the supply of the heat medium at the second temperature into the flow path 1110a has begun.
  • a temperature sensor 500 that measures the temperature of the heat medium flowing through the pipe 50b may be provided in the pipe 50b.
  • the control unit 2 determines the timing to open the second return valve 541b and the timing to close the first bypass valve 56a based on the temperature of the heat medium measured by the temperature control device 50. The control unit 2 then controls the second return valve 541b and the first bypass valve 56a at the determined timings. This allows the second return valve 541b to be opened and the first bypass valve 56a to be closed when the heat medium at the first temperature has actually run out of the flow path 1110a.
  • bypass pipe 520a may be provided between pipes 52a and 53a, and bypass pipe 520b may be provided between pipes 52b and 53b.
  • Valve 521a is provided in bypass pipe 520a, and valve 521b is provided in bypass pipe 520b.
  • Bypass pipe 520a is an example of a fourth bypass pipe, and valve 521a is an example of a third valve.
  • valves when a heat medium at a first temperature circulates through flow path 1110a of base 1110, the valves are controlled, for example, as shown in Figure 21.
  • first supply valve 540a and first return valve 540b are opened, and the heat medium at the first temperature circulates through flow path 1110a.
  • valve 521b is opened, and the heat medium at a second temperature circulates via bypass piping 520b.
  • valve 521a is opened and first supply valve 540a is closed.
  • first supply valve 540a By opening valve 521a, some of the heat medium flowing through pipe 52a flows into bypass pipe 520a. This reduces the heat medium flowing through first supply valve 540a, mitigating water hammer when first supply valve 540a is closed.
  • second supply valve 541a is opened and valve 521b is closed.
  • second supply valve 541a By opening second supply valve 541a, some of the heat medium flowing through bypass piping 520b flows into piping 50a via piping 52b. This reduces the heat medium flowing through bypass piping 520b, mitigating the water hammer that occurs when valve 521b is closed.
  • the first supply valve 540a remains open until the heat medium at the first temperature is gone from the flow path 1110a.
  • the heat medium passing through the first return valve 540b may not return to the first temperature control unit 51a.
  • the heat medium output from the pump 510a is pushed out at a predetermined pressure X and flows into the connection position A via the bypass pipe 520a.
  • the pressure of the heat medium flowing into the connection position A via the first return valve 540b is pushed out by the heat medium output from the pump 510b at pressure X, but due to pressure loss within the flow path 1110a, the pressure is lower than pressure X when it flows into the connection position A.
  • connection position A the heat medium passing through the first return valve 540b may not return to the first temperature control unit 51a and may instead remain in the pipe 52b. If the heat medium remains in the pipe 52b, when the first return valve 540b is closed and the second return valve 541b is opened, the heat medium at the first temperature will flow into the second temperature control unit 51b via the pipe 53b, causing the temperature of the heat medium in the tank 512b to fluctuate.
  • second bypass valve 56b When switching the heat medium flowing through flow path 1110a from a heat medium at the second temperature to a heat medium at the first temperature, second bypass valve 56b is opened. As a result, the heat medium at the second temperature discharged from pipe 50b is returned to tank 512b via second bypass pipe 55b. This makes it possible to suppress temperature fluctuations of the heat medium in tank 512a.
  • the first switching unit 54a and the second switching unit 54b may be realized by a single three-way valve.
  • a plasma etching processing apparatus has been described as an example of the plasma processing apparatus 1, but the disclosed technology is not limited to this.
  • the disclosed technology can also be applied to film formation apparatuses, modification apparatuses, cleaning apparatuses, and the like, as long as the apparatus uses a temperature-controlled heat medium to control the temperature of a temperature-control target such as a wafer W.
  • a first supply pipe connected to a first pipe for supplying a heat medium as a fluid into a flow path formed in a heat exchange member that exchanges heat with a temperature control object, and for supplying the heat medium at a first temperature from a first temperature control unit into the flow path via the first pipe; a first return pipe connected to a second pipe for discharging the heat medium that has flowed through the flow path, and for returning the heat medium that has flowed through the flow path to a tank in the first temperature control unit; a second supply pipe connected to the first pipe for supplying the heat medium at a second temperature different from the first temperature from a second temperature control unit into the flow path via the first pipe; a second return pipe connected to the second pipe for returning the heat medium that has flowed through the flow path to a tank in the second temperature control unit; a first switching unit that switches the heat medium supplied to the first pipe between the heat medium flowing through the first supply pipe and the heat medium flowing through the second supply pipe; a second switching unit that switches a destination
  • (Appendix 2) a second bypass pipe having one end connected to the second pipe on the flow path side of a connection portion between the first return pipe and the second return pipe, and the other end connected to a tank in the second temperature control unit; 2.
  • (Appendix 3) 3.
  • (Appendix 4) 3.
  • the heat medium control device according to claim 2 further comprising: a gas supply unit configured to purge the heat medium in the first bypass piping and the second bypass piping by supplying a gas into the first bypass piping and the second bypass piping.
  • a first supply pipe connected to a first pipe for supplying a heat medium as a fluid into a flow path formed in a heat exchange member that exchanges heat with a temperature control object, and for supplying the heat medium at a first temperature from a first temperature control unit into the flow path via the first pipe; a first return pipe connected to a second pipe for discharging the heat medium that has flowed through the flow path, and for returning the heat medium that has flowed through the flow path to a tank in the first temperature control unit; a second supply pipe connected to the first pipe for supplying the heat medium at a second temperature different from the first temperature from a second temperature control unit into the flow path via the first pipe; a second return pipe connected to the second pipe for returning the heat medium that has flowed through the flow path to a tank in the second temperature control unit; a first switching unit that switches the heat medium supplied to the first pipe between the heat medium flowing through the first supply pipe and the heat medium flowing through the second supply pipe; a second switching unit that switches a

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)

Abstract

第１の供給配管は、熱交換部材の流路内に熱媒体を供給するための第１の配管に接続され、第１の温度の熱媒体を第１の配管を介して流路内に供給する。第１の戻り配管は、流路内の熱媒体を排出するための第２の配管に接続され、流路内を流れた熱媒体を第１の温度制御部内のタンクに戻す。第２の供給配管は、第１の配管に接続され、第２の温度の熱媒体を第１の配管を介して流路内に供給する。第２の戻り配管は、第２の配管に接続され、流路内を流れた熱媒体を第２の温度制御部内のタンクに戻す。第１の切替部は、第１の配管に供給される熱媒体を切り替える。第２の切替部は、第２の配管から排出される熱媒体の排出先を切り替える。第１のバイパス配管は、第２の配管と第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられる。第１のバルブは、第１のバイパス配管に設けられる。

Description

熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法
　本開示の種々の側面および実施形態は、熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法に関する。
　例えば、下記の特許文献１には、流量制御工程と、供給停止工程とを含む熱媒体の制御方法が開示されている。流量制御工程では、温度制御された熱媒体を供給する温度制御部から、温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材に形成された流路内に熱媒体が供給されている状態で、熱媒体の流量が下げられる。供給停止工程では、温度制御部と熱交換部材の流路とを接続する供給配管に設けられた供給弁を制御することにより、流路内への熱媒体の供給が停止される。
　また、例えば、下記の特許文献２には、２系統の温度流体を設け、静電チャック１２の温度が設定温度になるように、低温流体と高温流体の温度を管理し、所定の流量比で混合させて静電チャック１２に流すことが開示されている。
特開２０２０－１２００４５号公報 特開２０１３－１０５３５９号公報
　本開示は、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体の温度の変動を抑えることができる熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法を提供する。
　本開示の一側面は、熱媒体制御装置であって、第１の供給配管と、第１の戻り配管と、第２の供給配管と、第２の戻り配管と、第１の切替部と、第２の切替部と、第１のバイパス配管と、第１のバルブとを備える。第１の供給配管は、温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材に形成された流路内に流体である熱媒体を供給するための第１の配管に接続され、第１の温度制御部から第１の温度の熱媒体を第１の配管を介して流路内に供給するための配管である。第１の戻り配管は、流路内を流れた熱媒体を排出するための第２の配管に接続され、流路内を流れた熱媒体を第１の温度制御部内のタンクに戻すための配管である。第２の供給配管は、第１の配管に接続され、第２の温度制御部から第１の温度とは異なる第２の温度の熱媒体を第１の配管を介して流路内に供給するための配管である。第２の戻り配管は、第２の配管に接続され、流路内を流れた熱媒体を第２の温度制御部内のタンクに戻すための配管である。第１の切替部は、第１の配管に供給される熱媒体を、第１の供給配管を流れる熱媒体または第２の供給配管を流れる熱媒体に切り替える。第２の切替部は、第２の配管から排出される熱媒体の排出先を、第１の戻り配管または第２の戻り配管に切り替える。第１のバイパス配管は、第２の配管と第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられる。第１のバルブは、第１のバイパス配管に設けられる。
　本開示の種々の側面および実施形態によれば、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体の温度の変動を抑えることができる。
図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 図２は、温度制御装置の構成の一例を示す図である。 図３は、温度制御方法の一例を示すフローチャートである。 図４は、温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図５は、温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図６は、温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図７は、温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図８は、参考例における熱媒体の温度変化の一例を示す図である。 図９は、本実施形態における熱媒体の温度変化の一例を示す図である。 図１０は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図１１は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図１２は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図１３は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図１４は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図１５は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図１６は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図１７は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図１８は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図１９は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図２０は、温度制御装置の構成の他の例を示す図である。 図２１は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図２２は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。 図２３は、他の例における温度制御装置による熱媒体の制御過程の一例を示す図である。
　以下に、開示される熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法が限定されるものではない。
　ところで、温度制御対象の設定温度を切り替える場合、温度制御対象との間で熱交換を行う熱交換部材の流路に流れる熱媒体が、第１の温度の熱媒体から第２の温度の熱媒体に切り替えられる。その場合、第１の温度の熱媒体の熱交換部材への供給が停止され、第２の温度の熱媒体の熱交換部材への供給が開始される。
　しかし、熱交換部材の流路内に供給される熱媒体が第１の温度の熱媒体から第２の温度の熱媒体に切り替えられた直後は、熱交換部材の流路内に第１の温度の熱媒体が残っている。そのため、熱交換部材の流路内に供給される熱媒体が第１の温度の熱媒体から第２の温度の熱媒体に切り替えられた直後は、熱交換部材の流路内に残留する第１の温度の熱媒体が、第２の温度の熱媒体を貯留するタンク内に戻されてしまう。これにより、第２の温度の熱媒体を貯留するタンク内の温度が第２の温度とは異なる温度となってしまい、熱交換部材の流路内に供給される熱媒体の温度が第２の温度とは異なる温度となってしまう。これにより、熱交換部材の流路内に供給される熱媒体が第１の温度の熱媒体から第２の温度の熱媒体に切り替えられた直後は、熱交換部材の温度が不安定になってしまう。
　そこで、本開示は、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体の温度の変動を抑えることができる技術を提供する。
　以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（Ceiling）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。基板Ｗは、温度制御対象物の一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０は、熱交換部材の一例である。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Radio　Frequency）電源３１及び／又はＤＣ（Direct　Current）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような流体の熱媒体が流れる。流路１１１０ａには、配管５０ａおよび配管５０ｂを介して温度制御装置５０が接続されている。温度制御装置５０によって温度制御された熱媒体は、配管５０ａを介して流路１１１０ａ内に供給される。流路１１１０ａ内を流れた熱媒体は、配管５０ｂを介して温度制御装置５０に戻される。温度制御装置５０は熱媒体制御装置の一例であり、配管５０ａは第１の配管の一例であり、配管５０ｂは第２の配管の一例である。
　一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Side　Gas　Injector）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＨＤＤ（Hard　Disk　Drive）、ＳＳＤ（Solid　State　Drive）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Local　Area　Network）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
［温度制御装置５０の構成］
　図２は、温度制御装置５０の構成の一例を示す図である。温度制御装置５０は、第１の温度制御部５１ａ、第２の温度制御部５１ｂ、配管５２ａ、配管５２ｂ、配管５３ａ、配管５３ｂ、第１の切替部５４ａ、第２の切替部５４ｂ、第１のバイパス配管５５ａ、第２のバイパス配管５５ｂ、第１のバイパスバルブ５６ａ、および第２のバイパスバルブ５６ｂを備える。配管５２ａは第１の供給配管の一例であり、配管５２ｂは第２の供給配管の一例であり、配管５３ａは第１の戻り配管の一例であり、配管５３ｂは第２の戻り配管の一例である。
　第１の温度制御部５１ａは、ポンプ５１０ａ、熱交換器５１１ａ、およびタンク５１２ａを有する。ポンプ５１０ａは、タンク５１２ａに貯留された熱媒体を配管５２ａへ押し出す。熱交換器５１１ａは、配管５３ａを介して流入する熱媒体の温度を第１の温度に調整してタンク５１２ａに戻す。タンク５１２ａは、熱交換器５１１ａによって第１の温度に温度調整された熱媒体を貯留する。第１の温度は、例えば３０℃である。
　第２の温度制御部５１ｂは、ポンプ５１０ｂ、熱交換器５１１ｂ、およびタンク５１２ｂを有する。ポンプ５１０ｂは、タンク５１２ｂに貯留された熱媒体を配管５２ｂへ押し出す。熱交換器５１１ｂは、配管５３ｂを介して流入する熱媒体の温度を第２の温度に調整してタンク５１２ｂに戻す。タンク５１２ｂは、熱交換器５１１ｂによって第２の温度に温度調整された熱媒体を貯留する。第２の温度は、例えば１０℃である。
　なお、タンク５１２ａとタンク５１２ｂとの間には、タンク５１２ａとタンク５１２ｂとを接続する配管が設けられていてもよい。これにより、タンク５１２ａおよびタンク５１２ｂの一方の熱媒体が溢れた場合でも、溢れた熱媒体が配管を介して他方に流入するため、タンクから熱媒体が漏れ出ることが防止される。
　配管５２ａは、第１の切替部５４ａを介して配管５０ａに接続され、第１の温度制御部５１ａから第１の温度に温度制御された熱媒体を第１の切替部５４ａおよび配管５０ａを介して、基台１１１０の流路１１１０ａ内に供給する。配管５３ａは、第２の切替部５４ｂを介して配管５０ｂに接続され、基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れた熱媒体を熱交換器５１１ａを介してタンク５１２ａに戻す。
　配管５２ｂは、第１の切替部５４ａを介して配管５０ａに接続され、第２の温度制御部５１ｂから第２の温度に温度制御された熱媒体を第１の切替部５４ａおよび配管５０ａを介して、基台１１１０の流路１１１０ａ内に供給する。配管５３ｂは、第２の切替部５４ｂを介して配管５０ｂに接続され、基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れた熱媒体を熱交換器５１１ｂを介してタンク５１２ｂに戻す。
　第１の切替部５４ａは、第１の供給バルブ５４０ａおよび第２の供給バルブ５４１ａを有する。第１の供給バルブ５４０ａの一端は配管５２ａに接続され、第１の供給バルブ５４０ａの他端は配管５０ａに接続される。第２の供給バルブ５４１ａの一端は配管５２ｂに接続され、第２の供給バルブ５４１ａの他端は配管５０ａに接続される。第１の切替部５４ａは、第１の供給バルブ５４０ａおよび第２の供給バルブ５４１ａを制御することにより、配管５０ａに供給される熱媒体を、配管５２ａを流れる熱媒体または配管５２ｂを流れる熱媒体に切り替える。
　第２の切替部５４ｂは、第１の戻りバルブ５４０ｂおよび第２の戻りバルブ５４１ｂを有する。第１の戻りバルブ５４０ｂの一端は配管５３ａに接続され、第１の戻りバルブ５４０ｂの他端は配管５０ｂに接続される。第２の戻りバルブ５４１ｂの一端は配管５３ｂに接続され、第２の戻りバルブ５４１ｂの他端は配管５０ｂに接続される。第２の切替部５４ｂは、第１の戻りバルブ５４０ｂおよび第２の戻りバルブ５４１ｂを制御することにより、配管５０ｂから排出される熱媒体の排出先を、配管５３ａまたは配管５３ｂに切り替える。
　第１のバイパス配管５５ａの一端は配管５０ｂに接続され、第１のバイパス配管５５ａの他端はタンク５１２ａに接続されている。第１のバイパス配管５５ａには、第１のバイパスバルブ５６ａが設けられている。また、第２のバイパス配管５５ｂの一端は配管５０ｂに接続され、第２のバイパス配管５５ｂの他端はタンク５１２ｂに接続されている。第２のバイパス配管５５ｂには、第２のバイパスバルブ５６ｂが設けられている。
［温度制御装置５０の動作］
　図３は、温度制御方法の一例を示すフローチャートである。図３に例示された温度制御方法は、制御部２が温度制御装置５０の各部を制御することにより実現される。図３の例では、基台１１１０の流路１１１０ａ内を第１の温度の熱媒体が流れている状態で、流路１１１０ａ内を流れる熱媒体を、第１の温度の熱媒体から第２の温度の熱媒体に切り替える動作が示されている。以下では、図４および図６を参照しながら、温度制御方法の一例について説明する。図３に例示された温度制御方法は、熱媒体の制御方法の一例である。
　なお、図３に例示された温度制御方法は、例えば図４に示されるように、第１の温度制御部５１ａからの第１の温度の熱媒体が配管５２ａを介して流路１１１０ａ内に供給され、配管５３ａを介して第１の温度制御部５１ａに戻される状態から開始される。図４の例では、第１の供給バルブ５４０ａおよび第１の戻りバルブ５４０ｂが開けられ、それ以外のバルブが閉じられている。なお、図４以降の図において、白抜きで描かれたバルブは開けられている状態のバルブを表しており、黒く塗りつぶされたバルブは閉じられている状態のバルブを表している。
　まず、図４に示された状態において、第１の供給バルブ５４０ａが閉じられ（ステップＳ１０）、第２の供給バルブ５４１ａが開けられる（ステップＳ１１）。これにより、第１の切替部５４ａによって、配管５０ａに供給される熱媒体が、配管５２ａを流れる熱媒体から配管５２ｂを流れる熱媒体に切り替えられる。ステップＳ１０およびステップＳ１１は、工程（ａ）の一例である。
　次に、第１のバイパスバルブ５６ａが開けられ（ステップＳ１２）、第１の戻りバルブ５４０ｂが閉じられる（ステップＳ１３）。これにより、例えば図５に示されるように、配管５０ｂを介して流路１１１０ａ内から排出された熱媒体が第１のバイパス配管５５ａを介して第１の温度制御部５１ａのタンク５１２ａに戻される。ステップＳ１２は、工程（ｂ）の一例である。
　そして、所定時間が経過したか否かが判定される（ステップＳ１４）。ステップＳ１４における所定時間は、流路１１１０ａ内に第２の温度の熱媒体の供給が開始されてから、流路１１１０ａ内に残留している第１の温度の熱媒体が流路１１１０ａ内からなくなるまでに要する時間である。所定時間が経過していない場合（ステップＳ１４：Ｎｏ）、再びステップＳ１４に示された処理が実行される。
　所定時間が経過した場合（ステップＳ１４：Ｙｅｓ）、第２の戻りバルブ５４１ｂが開けられ（ステップＳ１５）、第１のバイパスバルブ５６ａが閉じられる（ステップＳ１６）。そして、図３に例示された温度制御方法が終了する。これにより、例えば図６に示されるように、第２の温度制御部５１ｂから供給された第２の温度の熱媒体が配管５２ｂを介して基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れ、配管５３ｂを介して第２の温度制御部５１ｂに戻される。
　なお、基台１１１０の流路１１１０ａ内を第２の温度の熱媒体が流れている状態で、流路１１１０ａ内を流れる熱媒体を、第２の温度の熱媒体から第１の温度の熱媒体に切り替える場合には、例えば以下のような制御が行われる。
　まず、図６に例示された状態において、第２の供給バルブ５４１ａが閉じられ、第１の供給バルブ５４０ａが開けられる。これにより、第１の切替部５４ａによって、配管５０ａに供給される熱媒体が、配管５２ｂを流れる熱媒体から配管５２ａを流れる熱媒体に切り替えられる。
　次に、第２のバイパスバルブ５６ｂが開けられ、第２の戻りバルブ５４１ｂが閉じられる。これにより、例えば図７に示されるように、配管５０ｂを介して排出された熱媒体が第２のバイパス配管５５ｂを介して第２の温度制御部５１ｂのタンク５１２ｂに戻される。
　そして、流路１１１０ａ内に第１の温度の熱媒体の供給が開始されてから、流路１１１０ａ内に残留している第２の温度の熱媒体が流路１１１０ａ内からなくなるまでに要する時間が経過した場合、第１の戻りバルブ５４０ｂが開けられる。そして、第２のバイパスバルブ５６ｂが閉じられる。これにより、例えば図４に示されるように、第１の温度制御部５１ａから供給された第１の温度の熱媒体が配管５２ａを介して基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れ、配管５３ａを介して第１の温度制御部５１ａのタンク５１２ａに戻される。
［熱媒体の温度変化］
　図８は、参考例における熱媒体の温度変化の一例を示す図である。図８では、第１のバイパス配管５５ａ、第２のバイパス配管５５ｂ、第１のバイパスバルブ５６ａ、および第２のバイパスバルブ５６ｂが設けられていない温度制御装置５０を用いた場合の熱媒体の温度変化が参考例として示されている。図８では、配管５０ａ付近の流路１１１０ａ内を流れる熱媒体の温度（供給側の温度）、および、配管５０ｂ付近の流路１１１０ａ内を流れる熱媒体の温度（排出側の温度）がそれぞれ示されている。また、図８の例では、基台１１１０の流路１１１０ａ内に供給される第１の温度（３０℃）の熱媒体と第２の温度（１０℃）の熱媒体とが所定周期で交互に切り替えられている。
　参考例では、第１の温度の熱媒体が供給される期間Ｔ１において、流路１１１０ａ内に第１の温度の熱媒体が供給された直後は、流路１１１０ａ内に残存するの第２の温度の熱媒体が、第１の温度制御部５１ａに戻される。そのため、第１の温度制御部５１ａの熱交換器５１１ａでは、熱媒体の温度を第１の温度に調整しきれず、第１の温度よりも低い温度の熱媒体がタンク５１２ａ内に戻される。そのため、タンク５１２ａ内の熱媒体の温度が、一時的に第１の温度よりも低くなり、流路１１１０ａ内に供給される熱媒体の温度も第１の温度よりも低くなってしまう。
　また、第２の温度の熱媒体が供給される期間Ｔ２では、流路１１１０ａ内に第２の温度の熱媒体が供給された直後は、流路１１１０ａ内に残存するの第１の温度の熱媒体が、第２の温度制御部５１ｂに戻される。そのため、第２の温度制御部５１ｂの熱交換器５１１ｂでは、熱媒体の温度を第２の温度に調整しきれず、第２の温度よりも高い温度の熱媒体がタンク５１２ｂ内に戻される。そのため、タンク５１２ｂ内の熱媒体の温度が、一時的に第２の温度よりも高くなり、流路１１１０ａ内に供給される熱媒体の温度も第２の温度よりも高くなってしまう。
　従って、図８に示された参考例では、流路１１１０ａ内を流れる熱媒体を切り替えた直後の温度の変動が大きくなり、熱媒体の温度が安定化するまで時間を要している。
　図９は、本実施形態における熱媒体の温度変化の一例を示す図である。図９では、配管５０ａ付近の流路１１１０ａ内を流れる熱媒体の温度（供給側の温度）、および、配管５０ｂ付近の流路１１１０ａ内を流れる熱媒体の温度（排出側の温度）がそれぞれ示されている。また、図９の例では、基台１１１０の流路１１１０ａ内に供給される第１の温度（３０℃）の熱媒体と第２の温度（１０℃）の熱媒体とが所定周期で交互に切り替えられている。
　本実施形態では、第１の温度の熱媒体が供給される期間Ｔ１において、流路１１１０ａ内に第１の温度の熱媒体が供給された直後に、流路１１１０ａ内に残存するの第２の温度の熱媒体は、第２のバイパス配管５５ｂを介して第２の温度制御部５１ｂに戻される。そのため、第１の温度制御部５１ａの熱交換器５１１ａには第２の温度の熱媒体が戻されない。そのため、タンク５１２ａ内の熱媒体の温度は第１の温度で安定し、流路１１１０ａ内に供給される熱媒体の温度も第１の温度で早期に安定する。
　また、第２の温度の熱媒体が供給される期間Ｔ２では、流路１１１０ａ内に第２の温度の熱媒体が供給された直後に、流路１１１０ａ内に残存するの第１の温度の熱媒体は、第１のバイパス配管５５ａを介して第１の温度制御部５１ａに戻される。そのため、第２の温度制御部５１ｂの熱交換器５１１ｂには第１の温度の熱媒体が戻されない。そのため、タンク５１２ｂ内の熱媒体の温度は第２の温度で安定し、流路１１１０ａ内に供給される熱媒体の温度も第２の温度で早期に安定する。
　従って、図９に例示されるように、本実施形態では、流路１１１０ａ内を流れる熱媒体を切り替えた直後の温度の変動が小さくなり、より短い期間で流路１１１０ａ内を流れる熱媒体の温度を安定化することができる。
　以上、実施形態について説明した。上記したように、本実施形態の熱媒体制御装置（温度制御装置５０）は、第１の供給配管（配管５２ａ）と、第１の戻り配管（配管５３ａ）と、第２の供給配管（配管５２ｂ）と、第２の戻り配管（配管５３ｂ）と、第１の切替部（第１の切替部５４ａ）と、第２の切替部（第２の切替部５４ｂ）と、第１のバイパス配管（第１のバイパス配管５５ａ）と、第１のバルブ（第１のバイパスバルブ５６ａ）とを備える。第１の供給配管は、温度制御対象物（基板Ｗ）と熱交換を行う熱交換部材（基台１１１０）に形成された流路（流路１１１０ａ）内に流体である熱媒体を供給するための第１の配管（配管５０ａ）に接続され、第１の温度制御部（第１の温度制御部５１ａ）から第１の温度に温度制御された熱媒体を第１の配管を介して流路内に供給するための配管である。第１の戻り配管は、流路内を流れた熱媒体を排出するための第２の配管（配管５０ｂ）に接続され、流路内を流れた熱媒体を第１の温度制御部内のタンク（タンク５１２ａ）に戻すための配管である。第２の供給配管は、第１の配管に接続され、第２の温度制御部（第２の温度制御部５１ｂ）から第１の温度とは異なる第２の温度に温度制御された熱媒体を第１の配管を介して流路内に供給するための配管である。第２の戻り配管は、第２の配管に接続され、流路内を流れた熱媒体を第２の温度制御部内のタンク（タンク５１２ｂ）に戻すための配管である。第１の切替部は、第１の配管に供給される熱媒体を、第１の供給配管を流れる熱媒体または第２の供給配管を流れる熱媒体に切り替える。第２の切替部は、第２の配管から排出される熱媒体の排出先を、第１の戻り配管または第２の戻り配管に切り替える。第１のバイパス配管は、一端が、第１の戻り配管および第２の戻り配管との接続部分よりも流路側の第２の配管に接続され、他端が第１の温度制御部内のタンクに接続される。第１のバルブは、第１のバイパス配管に設けられる。これにより、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体の温度の変動を抑えることができる。
　また、上記した実施形態では、一端が、第１の戻り配管および第２の戻り配管との接続部分よりも流路側の第２の配管に接続され、他端が第２の温度制御部内のタンクに接続される第２のバイパス配管（第２のバイパス配管５５ｂ）と、第２のバイパス配管に設けられる第２のバルブ（第２のバイパスバルブ５６ｂ）とをさらに備える。これにより、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体を、第２の温度の熱媒体から第１の温度の熱媒体に切り替える場合でも、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体の温度の変動を抑えることができる。
　また、上記した実施形態は、熱媒体制御装置における熱媒体の制御方法であって、工程（ａ）および工程（ｂ）とを含む。工程（ａ）では、流路内に第１の温度制御部から供給された熱媒体が流れている状態で、第１の切替部が、第１の配管に供給される熱媒体を、第１の供給配管を流れる熱媒体から第２の供給配管を流れる熱媒体に切り替える。工程（ｂ）では、第１のバルブを開けることにより、第２の配管から排出される熱媒体を、第１のバイパス配管を介して第１の温度制御部内のタンクに戻す。これにより、熱交換部材の流路内を流れる熱媒体の温度の変動を抑えることができる。
［その他］
　なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
　例えば、上記した実施形態では、第１のバイパス配管５５ａおよび第２のバイパス配管５５ｂが配管５０ｂに接続されているが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、例えば図１０に示されるように、配管５０ｂに配管５５０が接続され、第１のバイパス配管５５ａおよび第２のバイパス配管５５ｂが配管５５０に接続されていてもよい。配管５５０にはバルブ５５１が設けられる。
　また、上記した実施形態では、第１のバイパス配管５５ａおよび第２のバイパス配管５５ｂが配管５０ｂに接続されているが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、例えば図１１に示されるように、第１の戻りバルブ５４０ｂおよび第２の戻りバルブ５４１ｂとして三方弁が用いられてもよい。この場合、第１のバイパス配管５５ａが第２のバイパス配管５５ｂに接続され、第２のバイパス配管５５ｂが第１の戻りバルブ５４０ｂに接続される。また、第１のバイパスバルブ５６ａおよび第２のバイパスバルブ５６ｂは不要となる。
　図１１に例示された温度制御装置５０は、例えば以下のように動作する。以下では、例えば図１２に示されるように、第１の温度制御部５１ａから供給された第１の温度の熱媒体が配管５２ａを介して基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れ、配管５３ａを介して第１の温度制御部５１ａに戻されている状態から開始される。図１２の例では、第１の供給バルブ５４０ａが開けられ、第１の戻りバルブ５４０ｂにおいて、配管５０ｂに接続されたバルブと配管５３ａに接続されたバルブとが開けられ、それ以外のバルブが閉じられている。
　まず、図１２に示された状態において、第１の供給バルブ５４０ａが閉じられ、第２の供給バルブ５４１ａが開けられる。そして、第２の戻りバルブ５４１ｂにおいて、配管５０ｂに接続されたバルブと第１のバイパス配管５５ａに接続されたバルブとが開けられ、第１の戻りバルブ５４０ｂが全て閉じられる。これにより、例えば図１３に示されるように、配管５０ｂを介して排出された熱媒体が第１のバイパス配管５５ａを介して第１の温度制御部５１ａのタンク５１２ａに戻される。
　そして、流路１１１０ａ内に第２の温度の熱媒体の供給が開始されてから、流路１１１０ａ内に残留している第１の温度の熱媒体が流路１１１０ａ内からなくなるまでに要する時間が経過するまで待機する。そして、第２の戻りバルブ５４１ｂにおいて、配管５３ｂに接続されたバルブが開けられ、第１のバイパス配管５５ａに接続されたバルブが閉じられる。これにより、例えば図１４に示されるように、第２の温度制御部５１ｂから供給された第２の温度の熱媒体が配管５２ｂを介して基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れ、配管５３ｂを介して第２の温度制御部５１ｂのタンク５１２ｂに戻される。
　流路１１１０ａ内に流れる熱媒体を、第２の温度の熱媒体から第１の温度の熱媒体に切り替える場合には、図１４に示された状態において、第２の供給バルブ５４１ａが閉じられ、第１の供給バルブ５４０ａが開けられる。そして、第１の戻りバルブ５４０ｂにおいて、配管５０ｂに接続されたバルブと第２のバイパス配管５５ｂに接続されたバルブとが開けられ、第２の戻りバルブ５４１ｂが全て閉じられる。これにより、例えば図１５に示されるように、配管５０ｂを介して排出された熱媒体が第２のバイパス配管５５ｂを介して第２の温度制御部５１ｂのタンク５１２ｂに戻される。
　そして、流路１１１０ａ内に第１の温度の熱媒体の供給が開始されてから、流路１１１０ａ内に残留している第２の温度の熱媒体が流路１１１０ａ内からなくなるまでに要する時間が経過するまで待機する。そして、第１の戻りバルブ５４０ｂにおいて、配管５３ａに接続されたバルブが開けられ、第２のバイパス配管５５ｂに接続されたバルブが閉じられる。これにより、例えば図１２に示されるように、第１の温度制御部５１ａから供給された第１の温度の熱媒体が配管５２ａを介して基台１１１０の流路１１１０ａ内を流れ、配管５３ａを介して第１の温度制御部５１ａのタンク５１２ａに戻される。
　また、上記した実施形態では、第１のバイパスバルブ５６ａが閉じられてから再び第１のバイパスバルブ５６ａが開けられるまでの間、第１のバイパス配管５５ａ内に熱媒体が残留する。そのため、第１のバイパスバルブ５６ａが閉じられてから再び第１のバイパスバルブ５６ａが開けられるまでの時間が長い場合には、第１のバイパス配管５５ａ内に残留する熱媒体の温度が第１の温度から変化してしまう。第１のバイパス配管５５ａ内に残留する熱媒体の温度が第１の温度から変化してしまうと、再び第１のバイパスバルブ５６ａが開けられた場合に、第１の温度とは異なる温度の熱媒体が、第１のバイパス配管５５ａからタンク５１２ａに流入することになる。これにより、タンク５１２ａ内の熱媒体の温度が変動する場合がある。第２のバイパス配管５５ｂについても同様である。
　そこで、他の例として、例えば図１６に示されるように、第１のバイパス配管５５ａに温度調整部５７ａを設け、第２のバイパス配管５５ｂに温度調整部５７ｂを設けてもよい。温度調整部５７ａは、第１のバイパス配管５５ａ内に残留する熱媒体の温度を第１の温度に調整する。温度調整部５７ｂは、第２のバイパス配管５５ｂ内に残留する熱媒体の温度を第２の温度に調整する。これにより、第１のバイパスバルブ５６ａおよび第２のバイパスバルブ５６ｂが再び開けられた場合であも、第１の温度制御部５１ａのタンク５１２ａには第１の温度の熱媒体が流入し、第２の温度制御部５１ｂのタンク５１２ｂには第２の温度の熱媒体が流入する。これにより、タンク５１２ａおよびタンク５１２ｂ内の熱媒体の温度の変動を抑制することができる。
　あるいは、他の例として、例えば図１７に示されるように、第１のバイパス配管５５ａおよび第２のバイパス配管５５ｂ内にガスを供給するガス供給部５８が設けられていてもよい。図１７の例では、ガス供給部５８は、配管５８０ａを介して第１のバイパス配管５５ａに接続され、配管５８０ｂを介して第２のバイパス配管５５ｂに接続される。配管５８０ａにはバルブ５８１ａが設けられ、配管５８０ｂにはバルブ５８１ｂが設けられている。
　図１７の例では、第１のバイパスバルブ５６ａが閉じられた場合、バルブ５８１ａが開けられ、ドライエア等のガスがガス供給部５８から第１のバイパス配管５５ａ内に供給される。これにより、第１のバイパス配管５５ａ内に残留する第１の温度の熱媒体がパージされる。そのため、第１のバイパスバルブ５６ａが再び開けられた場合であっても、タンク５１２ａ内の熱媒体の温度の変化を抑えることができる。
　第２のバイパスバルブ５６ｂが閉じられた場合も、バルブ５８１ｂが開けられ、ドライエア等のガスがガス供給部５８から第２のバイパス配管５５ｂ内に供給される。これにより、第２のバイパス配管５５ｂ内に残留する第２の温度の熱媒体がパージされる。そのため、第２のバイパスバルブ５６ｂが再び開けられた場合であっても、タンク５１２ｂ内の熱媒体の温度の変化を抑えることができる。
　また、上記した実施形態では、第１のバイパス配管５５ａおよび第２のバイパス配管５５ｂが配管５０ｂに接続されているが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、例えば図１８に示されるように、第１のバイパス配管５５ａおよび第２のバイパス配管５５ｂは、配管５５０および中間タンク５９を介して配管５０ｂに接続されてもよい。配管５５０にはバルブ５５１が設けられる。配管５５０は、第３のバイパス配管の一例である。
　図１８の例では、中間タンク５９が設けられていることにより、タンク５１２ａおよびタンク５１２ｂにおける急激な熱媒体の液面の変化を抑制することができる。また、中間タンク５９が設けられていることにより、バルブ５５１、第１のバイパスバルブ５６ａ、および第２のバイパスバルブ５６ｂを開閉した際の水撃を緩和することができる。
　なお、図１８の例において、中間タンク５９には温度調整部が設けられていてもよい。この場合、第１のバイパスバルブ５６ａが開けられる前に、中間タンク５９内に残留している熱媒体の温度が温度調整部によって第１の温度に調整される。また、第２のバイパスバルブ５６ｂが開けられる前に、中間タンク５９内に残留している熱媒体の温度が温度調整部によって第２の温度に調整される。これにより、タンク５１２ａおよびタンク５１２ｂ内の熱媒体の温度変化を抑制することができる。
　また、中間タンク５９に温度調整部が設けられる場合、配管５５０、第１のバイパス配管５５ａ、および第２のバイパス配管５５ｂにガスを供給するガス供給部が設けられてもよい。これにより、配管５５０、第１のバイパス配管５５ａ、および第２のバイパス配管５５ｂ内に残留する熱媒体をパージすることができ、タンク５１２ａおよびタンク５１２ｂ内の熱媒体の温度の変化を抑えることができる。
　また、上記した実施形態では、流路１１１０ａ内に第２の温度の熱媒体の供給が開始されてから所定時間経過後に、第２の戻りバルブ５４１ｂが開けられ、第１のバイパスバルブ５６ａが閉じられる。しかし、開示の技術はこれに限られない。他の例として、例えば図１９に示されるように、配管５０ｂに配管５０ｂ内を流れる熱媒体の温度を測定する温度センサ５００が設けられてもよい。図１９の例では、制御部２が、温度制御装置５０によって測定される熱媒体の温度に基づいて、第２の戻りバルブ５４１ｂを開けるタイミングおよび第１のバイパスバルブ５６ａを閉じるタイミングを判定する。そして、制御部２は、判定されたタイミングで、第２の戻りバルブ５４１ｂおよび第１のバイパスバルブ５６ａをそれぞれ制御する。これにより、第１の温度の熱媒体が流路１１１０ａ内から実際になくなったタイミングで、第２の戻りバルブ５４１ｂを開け、第１のバイパスバルブ５６ａを閉じることができる。
　また、他の例として、例えば図２０に示されるように、配管５２ａと配管５３ａとの間にバイパス配管５２０ａが設けられ、配管５２ｂと配管５３ｂとの間にバイパス配管５２０ｂが設けられてもよい。バイパス配管５２０ａにはバルブ５２１ａが設けられ、バイパス配管５２０ｂにはバルブ５２１ｂが設けられる。バイパス配管５２０ａは第４のバイパス配管の一例であり、バルブ５２１ａは第３のバルブの一例である。
　図２０の例では、第１の供給バルブ５４０ａを閉じる前にバルブ５２１ａが開けられることにより、配管５２ａを流れる熱媒体の一部がバイパス配管５２０ａに流れ、第１の供給バルブ５４０ａを閉じる際の水撃が緩和される。また、第２の供給バルブ５４１ａを閉じる前にバルブ５２１ｂが開けられることにより、配管５２ｂを流れる熱媒体の一部がバイパス配管５２０ｂに流れ、第２の供給バルブ５４１ａを閉じる際の水撃が緩和される。
　図２０の例では、基台１１１０の流路１１１０ａ内を第１の温度の熱媒体が循環する場合、例えば図２１に示されるように各バルブが制御される。図２１の例では、第１の供給バルブ５４０ａおよび第１の戻りバルブ５４０ｂが開けられ、流路１１１０ａ内を第１の温度の熱媒体が循環する。また、バルブ５２１ｂが開けられ、第２の温度の熱媒体は、バイパス配管５２０ｂを介して循環する。
　図２１の状態において、流路１１１０ａ内を流れる熱媒体を第１の温度の熱媒体から第２の温度の熱媒体に切り替える場合、バルブ５２１ａが開けられ、第１の供給バルブ５４０ａが閉じされる。バルブ５２１ａが開けられることにより、配管５２ａを流れる熱媒体の一部がバイパス配管５２０ａに流れ込む。これにより、第１の供給バルブ５４０ａを流れる熱媒体が減少し、第１の供給バルブ５４０ａを閉じる際の水撃が緩和される。
　次に、第２の供給バルブ５４１ａが開けられ、バルブ５２１ｂが閉じられる。第２の供給バルブ５４１ａが開けられることにより、バイパス配管５２０ｂを流れる熱媒体の一部が配管５２ｂを介して配管５０ａに流れ込む。これにより、バイパス配管５２０ｂを流れる熱媒体が減少し、バルブ５２１ｂを閉じる際の水撃が緩和される。
　ここで、例えば図２２に示されるように、第１の温度の熱媒体が流路１１１０ａ内からなくなるまで第１の供給バルブ５４０ａを開けたままにする場合を考える。この場合、バイパス配管５２０ａと配管５３ａとの接続位置Ａにおいて、第１の戻りバルブ５４０ｂを介する熱媒体が第１の温度制御部５１ａに戻らない場合がある。例えば、ポンプ５１０ａから出力された熱媒体は所定の圧力Ｘで押し出され、バイパス配管５２０ａを介して接続位置Ａに流れ込む。一方、第１の戻りバルブ５４０ｂを介して接続位置Ａに流れ込む熱媒体の圧力は、ポンプ５１０ｂから圧力Ｘで出力された熱媒体に押し出されるが、流路１１１０ａ内での圧力損失により、接続位置Ａに流れ込む段階では、圧力Ｘよりも低い圧力となる。
　そのため、接続位置Ａにおいて、第１の戻りバルブ５４０ｂを介する熱媒体が第１の温度制御部５１ａに戻らず配管５２ｂ内に滞留する場合がある。配管５２ｂ内に熱媒体が滞留すると、第１の戻りバルブ５４０ｂを閉じて第２の戻りバルブ５４１ｂを開けた場合に、第１の温度に熱媒体が配管５３ｂを介して第２の温度制御部５１ｂに流れ込むことになり、タンク５１２ｂ内の熱媒体の温度が変動する。
　これに対し、図２０の例では、第２の供給バルブ５４１ａが開けられ、バルブ５２１ｂが閉じられた場合、第１のバイパスバルブ５６ａが開けられ、第１の戻りバルブ５４０ｂが閉じられる。これにより、例えば図２３に示されるように、配管５０ｂから排出された第１の温度の熱媒体は、第１のバイパス配管５５ａを介してタンク５１２ａに戻される。これにより、タンク５１２ｂ内の熱媒体の温度の変動を抑えることができる。
　流路１１１０ａ内を流れる熱媒体を第２の温度の熱媒体から第１の温度の熱媒体に切り替える場合は、第２のバイパスバルブ５６ｂが開けられる。これにより、配管５０ｂから排出された第２の温度の熱媒体は、第２のバイパス配管５５ｂを介してタンク５１２ｂに戻される。これにより、タンク５１２ａ内の熱媒体の温度の変動を抑えることができる。
　また、上記した実施形態において、第１の切替部５４ａおよび第２の切替部５４ｂは、１つの三方弁で実現されてもよい。
　また、上記した各実施形態では、プラズマ源の一例として容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）が用いられたが、開示の技術はこれに限られない。プラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、またはヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が用いられてもよい。
　また、上記した各実施形態では、プラズマ処理装置１として、プラズマエッチング処理装置を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。温度制御された熱媒体を用いて、ウエハＷ等の温度制御対象物の温度を制御する装置であれば、エッチング装置以外に、成膜装置、改質装置、または洗浄装置等に対しても、開示の技術を適用することができる。
　なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
　温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材に形成された流路内に流体である熱媒体を供給するための第１の配管に接続され、第１の温度制御部から第１の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第１の供給配管と、
　前記流路内を流れた前記熱媒体を排出するための第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第１の温度制御部内のタンクに戻すための第１の戻り配管と、
　前記第１の配管に接続され、第２の温度制御部から前記第１の温度とは異なる第２の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第２の供給配管と、
　前記第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第２の温度制御部内のタンクに戻すための第２の戻り配管と、
　前記第１の配管に供給される前記熱媒体を、前記第１の供給配管を流れる前記熱媒体または前記第２の供給配管を流れる前記熱媒体に切り替える第１の切替部と、
　前記第２の配管から排出される前記熱媒体の排出先を、前記第１の戻り配管または前記第２の戻り配管に切り替える第２の切替部と、
　前記第２の配管と前記第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられる第１のバイパス配管と、
　前記第１のバイパス配管に設けられる第１のバルブと
を備える熱媒体制御装置。
（付記２）
　一端が、前記第１の戻り配管および前記第２の戻り配管との接続部分よりも前記流路側の前記第２の配管に接続され、他端が前記第２の温度制御部内のタンクに接続される第２のバイパス配管と、
　前記第２のバイパス配管に設けられる第２のバルブと
をさらに備える付記１に記載の熱媒体制御装置。
（付記３）
　前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内の前記熱媒体の温度を調整する温度調整部をさらに備える付記２に記載の熱媒体制御装置。
（付記４）
　前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内にガスを供給することにより、前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内の前記熱媒体をパージするように構成されるガス供給部をさらに備える付記２に記載の熱媒体制御装置。
（付記５）
　前記第２の配管に接続される第３のバイパス配管と、
　前記第３のバイパス配管に接続される中間タンクと
をさらに備え、
　前記第１のバイパス配管は、前記中間タンクと前記第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられ、
　前記第２のバイパス配管は、前記中間タンクと前記第２の温度制御部内のタンクとの間に設けられる付記２に記載の熱媒体制御装置。
（付記６）
　前記中間タンク内の前記熱媒体の温度を調整する温度調整部をさらに備える付記５に記載の熱媒体制御装置。
（付記７）
　前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内にガスを供給することにより、前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内の前記熱媒体をパージするように構成されるガス供給部をさらに備える付記５または６に記載の熱媒体制御装置。
（付記８）
　前記第２の配管内を流れる前記熱媒体の温度を測定するセンサと、
　前記センサによって測定された前記熱媒体の温度の変化に応じて、前記第２の切替部および前記第１のバルブを制御する制御部と
をさらに備える付記１から７のいずれか一つに記載の熱媒体制御装置。
（付記９）
　前記第１の供給配管と前記第１の戻り配管とに接続された第４のバイパス配管と、
　前記第４のバイパス配管に設けられる第３のバルブと
をさらに備え、
　前記第３のバルブは、前記第２の温度制御部から供給された前記熱媒体が前記流路内に供給されている間、前記第１の温度制御部から供給された前記熱媒体を、前記第３のバイパス配管および前記第１の戻り配管を介して前記第１の温度制御部に戻すように制御される付記１から８のいずれか一つに記載の熱媒体制御装置。
（付記１０）
　温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材に形成された流路内に流体である熱媒体を供給するための第１の配管に接続され、第１の温度制御部から第１の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第１の供給配管と、
　前記流路内を流れた前記熱媒体を排出するための第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第１の温度制御部内のタンクに戻すための第１の戻り配管と、
　前記第１の配管に接続され、第２の温度制御部から前記第１の温度とは異なる第２の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第２の供給配管と、
　前記第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第２の温度制御部内のタンクに戻すための第２の戻り配管と、
　前記第１の配管に供給される前記熱媒体を、前記第１の供給配管を流れる前記熱媒体または前記第２の供給配管を流れる前記熱媒体に切り替える第１の切替部と、
　前記第２の配管から排出される前記熱媒体の排出先を、前記第１の戻り配管または前記第２の戻り配管に切り替える第２の切替部と、
　前記第２の配管と前記第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられる第１のバイパス配管と、
　前記第１のバイパス配管に設けられる第１のバルブと
を備える熱媒体制御装置における熱媒体の制御方法であって、
（ａ）前記流路内に、前記第１の温度制御部から供給された前記熱媒体が流れている状態で、前記第１の切替部が、前記第１の配管に供給される前記熱媒体を、前記第１の供給配管を流れる前記熱媒体から前記第２の供給配管を流れる前記熱媒体に切り替える工程と、
（ｂ）前記第１のバルブを開けることにより、前記第２の配管から排出される前記熱媒体を、前記第１のバイパス配管を介して前記第１の温度制御部内のタンクに戻す工程と
を含む熱媒体の制御方法。
Ｗ　基板
１　プラズマ処理装置
１０　プラズマ処理チャンバ
１１　基板支持部
１１１　本体部
１１１０　基台
１１１０ａ　流路
１１１１　静電チャック
１１２　リングアセンブリ
１３　シャワーヘッド
２　制御部
２０　ガス供給部
３０　電源
３１　ＲＦ電源
３２　ＤＣ電源
４０　排気システム
５０　温度制御装置
５０ａ　配管
５０ｂ　配管
５００　温度センサ
５１ａ　第１の温度制御部
５１ｂ　第２の温度制御部
５１０　ポンプ
５１１　熱交換器
５１２　タンク
５２　配管
５２０　バイパス配管
５２１　バルブ
５３　配管
５４ａ　第１の切替部
５４０ａ　第１の供給バルブ
５４１ａ　第２の供給バルブ
５４ｂ　第２の切替部
５４０ｂ　第１の戻りバルブ
５４１ｂ　第２の戻りバルブ
５５ａ　第１のバイパス配管
５５ｂ　第２のバイパス配管
５５０　配管
５５１　バルブ
５６ａ　第１のバイパスバルブ
５６ｂ　第２のバイパスバルブ
５７　温度調整部
５８　ガス供給部
５８０　配管
５８１　バルブ
５９　中間タンク

Claims (10)

  1. 　温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材に形成された流路内に流体である熱媒体を供給するための第１の配管に接続され、第１の温度制御部から第１の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第１の供給配管と、
    　前記流路内を流れた前記熱媒体を排出するための第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第１の温度制御部内のタンクに戻すための第１の戻り配管と、
    　前記第１の配管に接続され、第２の温度制御部から前記第１の温度とは異なる第２の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第２の供給配管と、
    　前記第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第２の温度制御部内のタンクに戻すための第２の戻り配管と、
    　前記第１の配管に供給される前記熱媒体を、前記第１の供給配管を流れる前記熱媒体または前記第２の供給配管を流れる前記熱媒体に切り替える第１の切替部と、
    　前記第２の配管から排出される前記熱媒体の排出先を、前記第１の戻り配管または前記第２の戻り配管に切り替える第２の切替部と、
    　前記第２の配管と前記第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられる第１のバイパス配管と、
    　前記第１のバイパス配管に設けられる第１のバルブと
    を備える熱媒体制御装置。
  2. 　一端が、前記第１の戻り配管および前記第２の戻り配管との接続部分よりも前記流路側の前記第２の配管に接続され、他端が前記第２の温度制御部内のタンクに接続される第２のバイパス配管と、
    　前記第２のバイパス配管に設けられる第２のバルブと
    をさらに備える請求項１に記載の熱媒体制御装置。
  3. 　前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内の前記熱媒体の温度を調整する温度調整部をさらに備える請求項２に記載の熱媒体制御装置。
  4. 　前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内にガスを供給することにより、前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内の前記熱媒体をパージするように構成されるガス供給部をさらに備える請求項２に記載の熱媒体制御装置。
  5. 　前記第２の配管に接続される第３のバイパス配管と、
    　前記第３のバイパス配管に接続される中間タンクと
    をさらに備え、
    　前記第１のバイパス配管は、前記中間タンクと前記第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられ、
    　前記第２のバイパス配管は、前記中間タンクと前記第２の温度制御部内のタンクとの間に設けられる請求項２に記載の熱媒体制御装置。
  6. 　前記中間タンク内の前記熱媒体の温度を調整する温度調整部をさらに備える請求項５に記載の熱媒体制御装置。
  7. 　前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内にガスを供給することにより、前記第１のバイパス配管および前記第２のバイパス配管内の前記熱媒体をパージするように構成されるガス供給部をさらに備える請求項５または６に記載の熱媒体制御装置。
  8. 　前記第２の配管内を流れる前記熱媒体の温度を測定するセンサと、
    　前記センサによって測定された前記熱媒体の温度の変化に応じて、前記第２の切替部および前記第１のバルブを制御する制御部と
    をさらに備える請求項１に記載の熱媒体制御装置。
  9. 　前記第１の供給配管と前記第１の戻り配管とに接続された第４のバイパス配管と、
    　前記第４のバイパス配管に設けられる第３のバルブと
    をさらに備え、
    　前記第３のバルブは、前記第２の温度制御部から供給された前記熱媒体が前記流路内に供給されている間、前記第１の温度制御部から供給された前記熱媒体を、前記第４のバイパス配管および前記第１の戻り配管を介して前記第１の温度制御部に戻すように制御される請求項１に記載の熱媒体制御装置。
  10. 　温度制御対象物と熱交換を行う熱交換部材に形成された流路内に流体である熱媒体を供給するための第１の配管に接続され、第１の温度制御部から第１の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第１の供給配管と、
    　前記流路内を流れた前記熱媒体を排出するための第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第１の温度制御部内のタンクに戻すための第１の戻り配管と、
    　前記第１の配管に接続され、第２の温度制御部から前記第１の温度とは異なる第２の温度の前記熱媒体を前記第１の配管を介して前記流路内に供給するための第２の供給配管と、
    　前記第２の配管に接続され、前記流路内を流れた前記熱媒体を前記第２の温度制御部内のタンクに戻すための第２の戻り配管と、
    　前記第１の配管に供給される前記熱媒体を、前記第１の供給配管を流れる前記熱媒体または前記第２の供給配管を流れる前記熱媒体に切り替える第１の切替部と、
    　前記第２の配管から排出される前記熱媒体の排出先を、前記第１の戻り配管または前記第２の戻り配管に切り替える第２の切替部と、
    　前記第２の配管と前記第１の温度制御部内のタンクとの間に設けられる第１のバイパス配管と、
    　前記第１のバイパス配管に設けられる第１のバルブと
    を備える熱媒体制御装置における熱媒体の制御方法であって、
    （ａ）前記流路内に、前記第１の温度制御部から供給された前記熱媒体が流れている状態で、前記第１の切替部が、前記第１の配管に供給される前記熱媒体を、前記第１の供給配管を流れる前記熱媒体から前記第２の供給配管を流れる前記熱媒体に切り替える工程と、
    （ｂ）前記第１のバルブを開けることにより、前記第２の配管から排出される前記熱媒体を、前記第１のバイパス配管を介して前記第１の温度制御部内のタンクに戻す工程と
    を含む熱媒体の制御方法。
PCT/JP2025/021081 2024-06-25 2025-06-11 熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法 Pending WO2026004602A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024-101796 2024-06-25
JP2024101796 2024-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2026004602A1 true WO2026004602A1 (ja) 2026-01-02

Family

ID=98221663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2025/021081 Pending WO2026004602A1 (ja) 2024-06-25 2025-06-11 熱媒体制御装置および熱媒体の制御方法

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202618498A (ja)
WO (1) WO2026004602A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013205955A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd 温度制御システム及び温度制御方法
WO2020145082A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 株式会社Kelk 温度制御システム及び温度制御方法
WO2020217800A1 (ja) * 2019-04-23 2020-10-29 Ckd株式会社 熱交換システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013205955A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd 温度制御システム及び温度制御方法
WO2020145082A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 株式会社Kelk 温度制御システム及び温度制御方法
WO2020217800A1 (ja) * 2019-04-23 2020-10-29 Ckd株式会社 熱交換システム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202618498A (zh) 2026-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111489985B (zh) 热介质的控制方法和热介质控制装置
US20240153742A1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
TW202418887A (zh) 電漿處理裝置、電漿處理方法、壓力閥控制裝置、壓力閥控制方法及壓力調整系統
WO2024024594A1 (ja) プラズマ処理装置及び電源システム
CN113394070B (zh) 温度控制方法和等离子体处理装置
WO2023171195A1 (ja) 伝熱ガスのリーク量低減方法及びプラズマ処理装置
US20250166975A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US12406835B2 (en) Temperature controller, substrate processing apparatus, and pressure control method
US20240212987A1 (en) Gas supply system, gas control system, plasma processing apparatus, and gas control method
JP2023178190A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、圧力弁制御装置、圧力弁制御方法及び圧力調整システム
TW202335083A (zh) 氣體供給系統、電漿處理裝置及氣體供給方法
WO2025216074A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7799906B2 (ja) プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP7645828B2 (ja) 基板処理装置および基板温度補正方法
JP7727528B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2010161156A (ja) プラズマエッチング方法
TW202447853A (zh) 部件及部件之製造方法
TW202431331A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN114975060A (zh) 基板处理装置和基板温度校正方法
WO2025253916A1 (ja) 基板処理装置および制御方法
JP2024115405A (ja) プラズマ処理装置
JP2024115200A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2026034193A1 (ja) プラズマ処理装置に用いられる構造物
TW202548999A (zh) 構件及構件之製造方法
CN117174563A (zh) 等离子体处理装置和方法、压力阀控制装置和方法以及压力调节系统

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 25825458

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1