WO2025258950A1 - 발광모듈 - Google Patents

발광모듈

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WO2025258950A1
WO2025258950A1 PCT/KR2025/007858 KR2025007858W WO2025258950A1 WO 2025258950 A1 WO2025258950 A1 WO 2025258950A1 KR 2025007858 W KR2025007858 W KR 2025007858W WO 2025258950 A1 WO2025258950 A1 WO 2025258950A1
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light
light emitting
emitting
layer
substrate
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PCT/KR2025/007858
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이정훈
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Seoul Viosys Co Ltd
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Seoul Viosys Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a light-emitting module including a light-emitting unit.
  • a light-emitting diode is a type of light-emitting device that emits light when current is applied.
  • LEDs have been widely used in various fields, such as display devices, vehicle lamps, and general lighting.
  • LEDs boast long lifespans, low power consumption, and fast response times. Taking full advantage of these advantages, they are rapidly replacing existing light sources.
  • a display device utilizing LEDs can be obtained by forming structures of individually grown red (R), green (G), and blue (B) light-emitting diodes (LEDs) on a final substrate.
  • a light-emitting diode is formed by growing epitaxial layers on a substrate, and includes an N-type semiconductor layer, a P-type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween.
  • An N-electrode pad is formed on the N-type semiconductor layer, and a P-electrode pad is formed on the P-type semiconductor layer, so that the light-emitting diode is driven by being electrically connected to an external power source through the electrode pads.
  • current can flow from the P-electrode pad through the semiconductor layers to the N-electrode pad, and light generated through recombination of electrons and holes in the active layer can be emitted.
  • the present invention can provide a light-emitting module whose performance and reliability can be increased.
  • the present invention can provide a light-emitting module in which alignment of a light-emitting part is easy and movement of the light-emitting part can be prevented.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of miniaturizing the size of the light-emitting portion.
  • the present invention can provide a light-emitting module with improved light extraction efficiency.
  • the present invention can provide a light emitting module capable of improving the straightness of light emitted from a light emission surface.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of preventing thermal deformation due to heat generation during operation.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of preventing particles generated during operation from spreading.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of securing a wide light-emitting area.
  • a light-emitting module may include a substrate and one or more light-emitting units arranged on one surface of the substrate.
  • the light-emitting module may include a mounting guide layer disposed on one surface of the substrate and having an open hole forming a mounting area on which the light-emitting part is mounted on one surface of the substrate.
  • the first direction separation distance between the opening hole and the side surface of the light emitting portion may be 0.25 times or less of the first direction side surface length of the light emitting portion.
  • the first direction length of the anchoring guide layer may be two to five times the first direction spacing.
  • the light emitting portion has a rectangular shape having a length in the first direction and a length in the second direction perpendicular to the first direction on a plane, and a diagonal length of the light emitting portion may be greater than a width in the first direction of the open hole of the mounting guide layer.
  • the light emitting portion includes a plurality of vertically stacked light emitting stacks, and among the plurality of light emitting stacks, a vertical thickness of a light emitting stack adjacent to the substrate may be thicker than a thickness of the mounting guide layer.
  • the light emitting unit further includes an adhesive layer covering the mounting guide layer and the mounting area to secure the light emitting unit to the substrate, and the thickness of the adhesive layer may be thinner than the thickness of the mounting guide layer.
  • the device may further include a protective layer disposed on the light-emitting portion, an insulating layer disposed on top of the protective layer, and an electrode portion disposed on top of the insulating layer and connected to the light-emitting portion through a first opening provided in the protective layer and a second opening provided in the insulating layer.
  • the second opening may be positioned within the first opening.
  • the light emitting portion includes first to third light emitting stacks sequentially and vertically stacked on the substrate, and the first to third light emitting stacks may each include a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.
  • the first to third light-emitting stacks each include a mesa etching region that exposes a portion of the first conductive semiconductor layer, and the first exposure region in the first light-emitting stack, where the first conductive semiconductor layer is exposed by the mesa etching region, may be formed long along one side.
  • the first opening and the second opening in the first exposure area have an elliptical shape having a long side length and a short side length, and the long side length direction may be identical to the length direction of the first exposure area.
  • the first opening and the second opening in the second light-emitting stack have an elliptical shape having a long side length and a short side length, and the long side length direction may be perpendicular to the length direction of the first exposure area.
  • the area of the first opening in the first exposure area may be greater than the area of the first opening in the second exposure area.
  • the area of the second opening in the first exposure area may be greater than the area of the second opening in the second exposure area.
  • the light emitting portion may be provided in multiple numbers within the mounting area.
  • the light-emitting portion may include a plurality of vertically stacked light-emitting stacks and an electrode portion disposed in a groove formed in a side surface of the light-emitting stacks.
  • the light emitting portion may further include a connecting layer disposed between adjacent light emitting stacks.
  • the groove may extend from the upper surface to the lower surface of the light emitting portion.
  • a light-emitting module is a light-emitting module including a substrate and one or more light-emitting units arranged on one surface of the substrate, wherein the light-emitting units may include a plurality of light-emitting stacks vertically stacked, a groove formed in a recessed manner in a side surface of the plurality of light-emitting stacks, a cover layer covering the groove, and an electrode unit arranged in the groove and connected to the light-emitting stacks through an opening provided in the cover layer.
  • the light emitting portion has a polygonal prism shape including a top surface, a bottom surface, and a plurality of side surfaces
  • the electrode portion may include a plurality of electrodes extending vertically along the side surfaces of the light emitting portion.
  • one of the plurality of electrodes may be a common electrode commonly connected to the plurality of light-emitting stacks, and the remaining electrodes, excluding the common electrode, may be individual electrodes each connected to the plurality of light-emitting stacks.
  • the present invention can provide a light-emitting module whose performance and reliability can be increased.
  • the present invention can provide a light-emitting module in which alignment of a light-emitting part is easy and movement of the light-emitting part can be prevented.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of miniaturizing the size of a light-emitting portion.
  • the present invention can provide a light-emitting module with improved light extraction efficiency.
  • the present invention can provide a light emitting module capable of improving the straightness of light emitted from a light emission surface.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of preventing thermal deformation due to heat generation during operation.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of preventing particles generated during operation from spreading.
  • the present invention can provide a light-emitting module capable of securing a wide light-emitting area.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view showing a light-emitting module according to a first embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a plan view showing the light emitting module of Fig. 1.
  • Fig. 3 is a cross-sectional view showing a light-emitting module according to a second embodiment of the present invention.
  • Fig. 4 is a plan view showing the light emitting module of Fig. 3.
  • Figure 5 is a modified example of Figure 3.
  • Fig. 6 is a plan view showing an example of a light emitting unit applicable to an embodiment of the present invention.
  • Figure 7 is an enlarged view showing a cross-section and a part of the cross-section of Figure 6.
  • Fig. 8 is a cross-sectional view showing a light-emitting module according to a third embodiment of the present invention.
  • Fig. 9 is a side view showing a light-emitting module according to a fourth embodiment of the present invention.
  • Fig. 10 is a top view of the light emitting module of Fig. 9.
  • Fig. 11 is a top view showing a modified example of the light emitting part of Fig. 9.
  • Figure 12 is a side view of Figure 11.
  • Figures 13 to 17 are top views showing further variations of the light emitting unit.
  • Fig. 18 is a perspective view of the light emitting module of Fig. 9.
  • Fig. 19 is a perspective view showing a modified example of a light-emitting module according to the fourth embodiment.
  • Fig. 20 is a perspective view showing another modified example of the light-emitting module according to the fourth embodiment.
  • the illustrated embodiments should be understood to provide exemplary features of varying details of some ways in which the concepts of the present invention may be practically implemented. Therefore, unless otherwise specified, the features, components, modules, layers, membranes, panels, regions, and/or aspects (hereinafter, individually or collectively referred to as "elements") of the various embodiments may be differently combined, separated, interchanged, and/or rearranged without departing from the scope of the concepts of the present invention.
  • an element such as a layer
  • the element may be directly on, connected to, or joined to the other element or layer, or there may be intervening elements or layers present.
  • an element or layer is referred to as being “directly on,” “directly connected to,” or “directly joined to” another element or layer, there are no intervening elements or layers present.
  • the term “connected” may refer to physical, electrical, and/or fluidic connections, with or without intervening elements.
  • the DR1-axis, DR2-axis, and DR3-axis are not limited to the three axes of a Cartesian coordinate system, such as the x, y, and z-axes, and may be interpreted in a broader sense.
  • the DR1-axis, DR2-axis, and DR3-axis may be perpendicular to one another, or may represent different directions that are not perpendicular to one another.
  • “at least one of X, Y, and Z” and “at least one selected from the group consisting of X, Y, and Z” may be interpreted as only X, only Y, only Z, or any combination of two or more of X, Y, and Z, such as, for example, XYZ, XYY, YZ, and ZZ.
  • the term “and/or” as used herein includes any and all combinations of one or more of the associated listed items.
  • first the terms “first,” “second,” and the like may be used herein to describe various types of elements, these elements should not be limited by these terms. These terms are used to distinguish one element from another. Therefore, the first element discussed below may be referred to as the second element without departing from the teachings of the present disclosure.
  • the exemplary term "beneath” can encompass both orientations above and below.
  • the device can be oriented differently (e.g., rotated 90° or oriented in other orientations), and thus the spatially relative descriptors used herein can also be interpreted accordingly.
  • each block, unit, and/or module may be implemented by dedicated hardware, or by a combination of dedicated hardware for performing some functions and processors (e.g., one or more programmed processors and associated circuitry) for performing other functions.
  • processors e.g., one or more programmed processors and associated circuitry
  • the blocks, units, and/or modules of some embodiments may be physically separated into two or more interacting and individual blocks, units, and/or modules without departing from the scope of the present invention.
  • the blocks, units, and/or modules of some embodiments may be physically combined into more complex blocks, units, and/or modules without departing from the scope of the present invention.
  • Fig. 1 is a side view illustrating a light-emitting module (100) according to a first embodiment of the present invention.
  • the light-emitting module (100) may include a substrate (110) and one or more light-emitting units (120) arranged on one surface of the substrate (110).
  • the above substrate (110) has a configuration in which a light-emitting portion (120) is mounted and supported on one surface, and is not limited to a specific type such as a sapphire substrate, a circuit board, a light-transmitting substrate, a glass substrate, a TFT substrate, a polymer substrate, a flexible substrate, a polyimide substrate, etc.
  • the substrate (110) may be formed with an area larger than a single light-emitting portion (120).
  • the substrate (110) may be composed of a PCB (Printed Circuit Board).
  • the PCB may be, for example, an FR4 PCB having excellent properties such as high strength, flame retardancy, and chemical resistance.
  • the substrate (110) may be at least one of PMMA (Polymethyl Methacrylate), PC (Polycarbonate) resin, COP (Cyclo Olefin Polymer), acrylic resin, PE (Polyethylene), epoxy resin, and glass, which have light-transmitting properties.
  • the substrate (110) may be formed of a material such as PET or PVB, which have bending properties.
  • the substrate (110) may be a Metal PCB (Metal Printed Circuit Board) having excellent heat dissipation performance and good thermal conductivity.
  • the PCB may include Cu, Zn, Au, Ni, Al, Mg, Cd, Be, W, Mo, Si, and Fe as a base metal, or an alloy of at least one of these.
  • a base metal or an alloy of at least one of these.
  • various PCBs can be used depending on the product characteristics.
  • the above light-emitting unit (120) may be a light-emitting element that is arranged on one surface of the substrate (110) and emits light.
  • a plurality of light-emitting units (120) may be arranged spaced apart from each other on one surface of the substrate (110).
  • the first direction length or the second direction length perpendicular to the first direction of the light emitting portion (120) on a plane may be 200 um or less.
  • the first and second direction areas of the light emitting portion (120) may be 40000 um 2 or less.
  • At least one light emitting portion (120) may have an EQE value of 80% or more at 10 mA/100 um 2 .
  • At least one light emitting portion (120) may have a profile in which the luminous intensity increases in a current range of 0 to 10 mA.
  • the light emitting portions (120) may have a driving voltage of 3 V or less. Therefore, heat generation may be reduced by having high electrical efficiency in a small light emitting size.
  • the light-emitting unit (120) may be a light-emitting diode including a plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126).
  • the light-emitting unit (120) of FIG. 1 is only one example of a light-emitting diode, and the present invention is not limited thereto.
  • the above light-emitting unit (120) may further include a growth substrate for growing a plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126).
  • the growth substrate may be a growth substrate for growing a gallium nitride-based semiconductor layer, such as a sapphire substrate, a silicon substrate, a SiC substrate, a spinel substrate, a Ga2O3 substrate, etc.
  • the growth substrate is not limited to a specific type as long as it is a substrate capable of growing a nitride-based semiconductor layer.
  • the growth substrate may be removed after the growth of the plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126).
  • the above light-emitting stack may include a semiconductor layer, a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.
  • the first conductive semiconductor layer may be a semiconductor layer grown on one surface of a growth substrate, and may include a phosphide or nitride semiconductor such as (Al, Ga, In)P or (Al, Ga, In)N.
  • the first conductive semiconductor layer may be doped to be n-type by including one or more impurities such as Si, C, Ge, Sn, Te, Pb, etc.
  • the present invention is not limited thereto, and as another example, the first conductive semiconductor layer may be doped to be of the opposite conductive type by including a p-type dopant.
  • the first conductive semiconductor layer may be formed of a single layer or multiple layers.
  • the active layer is a light-emitting layer disposed on one side of the first conductive semiconductor layer, and may include a phosphide or nitride semiconductor such as (Al, Ga, In)P or (Al, Ga, In)N, and may be grown on the first conductive semiconductor layer using a technique such as MOCVD, MBE, or HVPE.
  • the active layer may include a quantum well structure (QW) including at least two barrier layers and at least one well layer, and further may include a multiple quantum well structure (MQW) including a plurality of barrier layers and a plurality of well layers.
  • QW quantum well structure
  • MQW multiple quantum well structure
  • the wavelength of light emitted from the active layer can be controlled by controlling the composition ratio of the material constituting the well layers.
  • the well layers may commonly include the same element, and may include In, for example.
  • the second conductive semiconductor layer may be a semiconductor layer disposed on one side of the active layer.
  • the second conductive semiconductor layer may include a phosphide-based or nitride-based semiconductor, such as (Al, Ga, In)P or (Al, Ga, In)N.
  • the second conductive semiconductor layer may be doped with a conductive type opposite to that of the first conductive semiconductor layer.
  • the second conductive semiconductor layer may be doped to be p-type by including an impurity such as Mg.
  • the light emitting element (120) may have a light-emitting surface formed on the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer to emit light. For example, light generated in the active layer may be emitted to the outside through the first conductive semiconductor layer or through the second conductive semiconductor layer.
  • a rough structure may be formed on one surface of the first conductive semiconductor layer or one surface of the second conductive semiconductor layer to increase light extraction efficiency.
  • FIG. 1 illustrates an example in which the light-emitting element (120) includes a plurality of vertically stacked light-emitting stacks (122, 124, 126), but the present invention is not limited thereto.
  • the light-emitting element (120) may include one light-emitting stack (122, 124, 126) or two light-emitting stacks (122, 123, 124).
  • the plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126) may emit light having the same peak wavelength. Alternatively, at least one of the plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126) may emit light having a different peak wavelength from the other light-emitting stacks (122, 124, 126).
  • the light-emitting element (120) may include a first light-emitting stack (122), a second light-emitting stack (124), and a third light-emitting stack (126) that emit light of different peak wavelengths.
  • the first to third light-emitting stacks (122, 124, 126) may be sequentially and vertically stacked on a substrate (110). Light emitted from the third light-emitting stack (126) may pass through the second and first light-emitting stacks (124, 122) and be emitted to the outside.
  • the first light-emitting stack (122) can emit blue light
  • the second light-emitting stack (124) can emit green light
  • the third light-emitting stack (126) can emit red light.
  • the present invention is not limited thereto.
  • examples in which the first light-emitting stack (122) emits red light, the second light-emitting stack (124) emits green light, and the third light-emitting stack (126) emits blue light, or examples in which the first light-emitting stack (122) emits green light, the second light-emitting stack (124) emits blue light, and the third light-emitting stack (126) emits red light are also possible.
  • a connecting layer for adhesion may be arranged between the first to third light-emitting stacks (122, 124, 126). Specifically, a first connecting layer may be arranged between the first light-emitting stack (122) and the second light-emitting stack (124). A second connecting layer may be arranged between the second light-emitting stack (124) and the second light-emitting stack (126).
  • the light-emitting stack (122, 124, 126) may include a mesa etching region that exposes a portion of the first conductive semiconductor layer.
  • An exposure region in which a portion of the first conductive semiconductor layer of each light-emitting stack (122, 124, 126) is exposed may be formed by the mesa etching region.
  • the first to third light-emitting stacks (122, 124, 126) can form first to third exposure areas, respectively.
  • the plurality of electrodes (129a, 129b, 129c, 129d)
  • one may be a common electrode (129d) commonly connected to the plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126)
  • the rest may be individual electrodes (129a, 129b, 129c) each connected to the plurality of light-emitting stacks (122, 124, 126).
  • the light-emitting unit (120) includes the first to third light-emitting stacks (122, 124, 126)
  • the light-emitting unit (120) may include first to third individual electrodes (129a, 129b, 129c) each connected to the first to third light-emitting stacks (122, 124, 126).
  • the common electrode (129d) may be connected to the first to third exposed areas of the first to third light-emitting stacks (122, 124, 126). By being connected to the first to third exposed areas, the common electrode (129d) may serve as a common electrode electrically connected to the same conductive semiconductor layers of either the first conductive semiconductor layer or the second conductive semiconductor layer.
  • the light emitting module (100) may further include a mounting guide layer (150) disposed on one surface of the substrate (110).
  • the above-mentioned mounting guide layer (150) may be provided with an open hole (152) that forms a mounting area in which the light-emitting portion (120) is mounted.
  • the open hole (152) may be an opening that exposes a portion of the substrate (110).
  • the above-mentioned settling guide layer (150) may be formed of various materials as an insulating layer, and may be formed of SiO 2 , for example.
  • the thickness (f) of the above-mentioned settling guide layer (150) may have various values depending on the design, and may have a thickness of 100 nm, for example.
  • the above open hole (152) may have various plane shapes, and for example, may have a rectangular shape having a first direction length on the plane and a second direction length perpendicular thereto.
  • the width (B) of the above-mentioned first direction reference opening hole (152) may be greater than the first direction side length (A) of the above-mentioned light-emitting portion (120).
  • the light emitting portion (120) may have a rectangular shape having a first direction length and a second direction length perpendicular to the first direction on a plane, and at this time, a diagonal length (C) of the light emitting portion (120) may be determined.
  • the diagonal length (C) of the light emitting portion (120) may be greater than the width (B) of the open hole (152) of the mounting guide layer (150) with respect to the first direction. Therefore, when the light emitting portion (120) is mounted on the substrate (110), the corner of the mounting guide layer (150) may be prevented from being damaged by the light emitting portion (120).
  • the length (b) of the settling guide layer (150) may be 2 to 5 times the spacing (a). Accordingly, the spacing effect of the light emitting parts (120) by the settling guide layer (150) may be increased.
  • the settling guide layer (150) may be provided with a plurality of open holes (150), and the length (b) of the settling guide layer (150) may be the spacing between adjacent open holes (150).
  • the vertical thickness of the light emitting portion (120) may be thicker than the thickness (f) of the mounting guide layer (150).
  • the thickness (f) of the mounting guide layer (150) may be designed in consideration of the thickness of the light emitting portion (120).
  • the vertical thickness (d) of the light-emitting stack adjacent to the substrate (110), i.e., the first light-emitting stack (122), may be thicker than the thickness (f) of the mounting guide layer (150).
  • the vertical thickness (d) of the first light-emitting stack (122) may be 2 to 8 ⁇ m. Therefore, it is possible to prevent light generated from the first light-emitting stack (122) from being excessively absorbed by the mounting guide (150).
  • the thickness (f) of the above-mentioned anchoring guide layer (150) may have a thickness of 1% to 10% of the vertical thickness (d) of the first light-emitting stack (122).
  • FIGS. 1 and 2 illustrate examples in which one light emitting unit (120) is arranged within one settling area, but the present invention is not limited thereto.
  • the light emitting module (100) may further include an adhesive layer (160) disposed on the upper portion of the mounting guide layer (150) to fix the light emitting portion (120) to one surface of the substrate (110).
  • the light emitting portion (120) may be fixed by being disposed on the adhesive layer (160), thereby preventing movement within the mounting area.
  • the adhesive layer (160) may have various configurations as long as it can adhere the light emitting portion (120) to be fixed, and may be made of, for example, a polymer material such as polyimide or SiO 2.
  • a portion of the substrate (110) that comes into contact with the mounting guide layer (150) may protrude upward to form a step.
  • the light emitting portion (120) may be surrounded by the step of the substrate (110). Therefore, the height of the mounting guide layer (150) may be increased by the step of the substrate (110).
  • the upper surface of the area where the substrate (110) comes into contact with the mounting guide layer (150) may be parallel to the upper surface of the mounting area where the light-emitting part (120) is placed. Accordingly, the position of the mounting guide layer (150) can be easily moved or the design can be changed to easily adjust the pixel pitch.
  • the thickness (e) of the adhesive layer (160) may be thinner than the thickness (f) of the mounting guide layer (150).
  • the thickness (f) of the mounting guide layer (150) may be 7 to 30 times the thickness (e) of the adhesive layer (160). Accordingly, the adhesive layer (160) may be formed without a break even in the gap area between the open hole (152) and the side surface of the light-emitting portion (120).
  • the light emitting module (100) may further include an insulating layer (170) disposed on the light emitting portion (120).
  • the electrode portion (129) may be disposed on the upper portion of the insulating layer (170) and may be connected to the light emitting portion (120) through a second opening (172) provided in the insulating layer (170).
  • the electrode portion (129) may be disposed between the insulating layer (170) and the substrate (110) and covered by the insulating layer (170).
  • the above insulating layer (170) can cover the adhesive layer (160) and the light-emitting portion (120), and can include an organic or inorganic insulating material, for example, polyimide, SiO 2 , SiNx, Al 2 O 3 , Si or C.
  • the above light-emitting module (100) may further include a protective layer (180) under the insulating layer (170).
  • the protective layer (180) may cover the light-emitting portion (120) and may be a distributed Bragg reflector having a multi-layer structure. Considering the light emission direction, the protective layer (180) may be placed between the light-emitting portion (120) and the substrate (110).
  • the above protective layer (180) may include a first opening (182), and the electrode (129) may be connected to the light emitting portion (120) through the first opening (182).
  • the above electrode (129) is connected to the light emitting portion (120) through the first opening (182) and the second opening (172), and the second opening (172) can be placed within the first opening (182).
  • the area of the first opening (182) may be larger than the area of the second opening (172).
  • FIG. 3 illustrates a light emitting module (200) according to a second embodiment of the present invention.
  • the light emitting module (200) according to the second embodiment can be configured similarly to the light emitting module (200) of the first embodiment, except that a plurality of light emitting units (220) are arranged within one mounting area.
  • the light emitting module (200) of the second embodiment will be described focusing on the differences from the light emitting module (100) of the first embodiment.
  • the above light emitting unit (220) may have various configurations, and unlike FIGS. 1 and 2, may include one or two light emitting stacks.
  • three light emitting units (220) may be arranged in one mounting area, and each light emitting unit (220) may include one light emitting stack that emits blue, green, and red light.
  • the three light emitting units (220) may constitute one pixel.
  • the protective layer (280) covering the light emitting units (220) may be arranged spaced apart from each other to correspond to each light emitting unit (220).
  • the electrode portion (229) can be electrically connected to each light-emitting portion (220). In the city, the electrode portion (229) can be arranged to face the substrate (210) with respect to the light-emitting portion (220).
  • the insulating layer (270) can fill between the light-emitting portions (220) and can fill between the mounting guide layer (250) and the light-emitting portion (220). Therefore, the light-emitting portion (220) can be prevented from moving or rotating in the mounting area.
  • the electrode portion (229) may be disposed between the light-emitting portion (220) and the substrate (210). Accordingly, the insulating layer (270) may cover the upper portion of the light-emitting portion (220) and may extend between the mounting guide layer (250) and the light-emitting portion (220).
  • the light-emitting portion (220) may have a square shape or a rectangular shape having a long side length and a short side length. For example, as shown in FIG. 4, the light-emitting portions (220) disposed within one mounting region may be disposed along the long side length direction (first direction).
  • the width (B) of the opening hole (252) in the arrangement direction (first direction) may be greater than the length (A) in the first direction of the arrangement region (RG) in which the light-emitting portions (220) are disposed.
  • the diagonal length (C) of the above-described arrangement area (RG) may be greater than the first direction width (B) of the above-described open hole (252). Accordingly, the long sides of the light-emitting parts (220) may be arranged so that they do not face each other, thereby effectively preventing color mixing. Accordingly, when the light-emitting parts (220) are mounted on the substrate (210), the corners of the mounting guide layer (250) may be prevented from being damaged by the light-emitting parts (220).
  • the light emitting parts (220) arranged within one mounting area may be arranged along the short-side length direction (first direction).
  • the width (B) of the opening hole (252) in the mounting direction (first direction) may be greater than the length (A) in the first direction of the mounting area (RG) in which the light emitting parts (220) are arranged.
  • the diagonal length (C) of the mounting area (RG) may be greater than the width (B) in the first direction of the opening hole (252). Therefore, when the light emitting parts (220) are mounted on the substrate (210), the corners of the mounting guide layer (250) may be prevented from being damaged by the light emitting parts (220).
  • the distance between the open holes (252) may be widened to increase the contrast.
  • the distance (a) between the opening hole (252) and the side surface of the light emitting portion (220) may be 0.25 times or less of the side length (A) of the arrangement area (RG) of the light emitting portion (220). Therefore, when the light emitting portion (220) is arranged on the substrate (210), the light emitting portion (220) can be prevented from rotating excessively, thereby changing the viewing angle.
  • the length (b) of the settling guide layer (250) may be 2 to 5 times the spacing (a). Accordingly, the spacing effect of the light emitting parts (220) by the settling guide layer (250) may be increased.
  • the settling guide layer (250) may be provided with a plurality of open holes (250), and the length (b) of the settling guide layer (250) may be the spacing between adjacent open holes (250).
  • the vertical thickness (d) of the light emitting portion (220) may be thicker than the thickness (f) of the mounting guide layer (250).
  • the thickness (f) of the mounting guide layer (250) may be designed in consideration of the thickness (d) of the light emitting portion (220).
  • the vertical thickness (d) of the light emitting portion (220) may be 2 to 8 ⁇ m.
  • the thickness (f) of the mounting guide layer (250) may have a thickness of 1% to 10% of the vertical thickness (d) of the light emitting portion (220). Therefore, it is possible to prevent light generated from the light emitting portion (220) from being excessively absorbed by the mounting guide (250).
  • the thickness of the light-emitting stack adjacent to the substrate (210) may be thicker than the thickness (f) of the fixing guide layer (250).
  • the thickness (e) of the adhesive layer (260) may be thinner than the thickness (f) of the mounting guide layer (250).
  • the thickness (f) of the mounting guide layer (250) may be 7 to 30 times the thickness (e) of the adhesive layer (260). Accordingly, the adhesive layer (260) may be formed without a break even in the gap area between the open hole (252) and the side surface of the light-emitting portion (220).
  • Fig. 6 is a plan view showing an example of a light-emitting unit (300) applicable to an embodiment of the present invention, and illustrates the shape and arrangement of the first and second openings (382, 372) of the protective layer (380) and the insulating layer (370).
  • the shape and arrangement of the first and second openings (382, 372) of the protective layer (380) and the insulating layer (370) in the light-emitting unit (300) according to the embodiment can be similarly applied to the light-emitting modules (100, 200) according to the first and second embodiments.
  • the protective layer (380) may be a DBR layer.
  • the light-emitting unit (300) may include first to third light-emitting stacks (322, 324, 326).
  • a first connection layer (323) may be arranged between the first light-emitting stack (322) and the second light-emitting stack (324), and a second connection layer (325) may be arranged between the second light-emitting stack (324) and the third light-emitting stack (326).
  • the first exposure area of the first light-emitting stack (322) adjacent to the substrate (310) may be formed long along one side of the light-emitting portion (300).
  • the first exposure area may extend along the second direction on the side of the light-emitting portion (300).
  • At least one of the first and second openings (382, 372) of the protective layer (380) and the insulating layer (370) may have an elliptical shape having a long side length (L1, L2) and a short side length (S1, S2).
  • the light emitting portion (300) may be connected to the common electrode (329d) through the first and second openings (382, 372) of the elliptical shape.
  • the direction of the long side length (L1, L2) of the first opening (382a) of the protective layer (380) and the second opening (372a) of the insulating layer (370) arranged in the first exposure area of the first light-emitting stack (322) may be consistent with the longitudinal direction (second direction) of the first exposure area.
  • the light-emitting area of the first light-emitting stack (322) can be secured widely and the amount of light can be increased.
  • the second exposure area of the second light-emitting stack (324) arranged on the upper portion of the first light-emitting stack (322) may extend along the first direction perpendicular to the second direction.
  • the direction of the long side length (L1, L2) of the first opening (382b) of the protective layer (380) and the second opening (372b) of the insulating layer (370) arranged in the second exposure area may be perpendicular to the longitudinal direction (second direction) of the first exposure area.
  • the first and second openings (382a, 372a) arranged in the first exposure area and the first and second openings (382a, 372a) arranged in the second exposure area may be arranged to be further apart from each other.
  • the area of the first opening (382a) may be larger than the area of the first opening (382b) in the second exposure area.
  • the area of the second opening (372a) in the first exposure area may be larger than the area of the second opening (372b) in the second exposure area.
  • the first to third light-emitting stacks (322, 324, 326) are sequentially and vertically stacked, the light-emitting area of the first light-emitting stack (322) is formed to be relatively larger than the light-emitting area of the second light-emitting stack (324).
  • the contact area with the common electrode (329d) in the first exposure area can be made larger. Accordingly, the resistance according to the difference in the light emitting area of each light emitting stack (322, 324, 326) can be reduced.
  • FIG. 7 is an enlarged view of a portion of the cross-section of FIG. 6, in which the second opening (372b) of the insulating layer (370) may be arranged within the first opening (382b) of the protective layer (380).
  • the second opening (372b) of the insulating layer (370) may be formed to have a smaller size than the first opening (382a) of the protective layer (380). Accordingly, the side surface of the first opening (382a) may be configured to be spaced apart from the common electrode (329d).
  • the distance from the second opening (372b) of the insulating layer (370) to the upper surface of the insulating layer (370) may be increased, and the slope extending from the second opening (372b) of the insulating layer (370) to the upper surface of the insulating layer (370) may be made gentle. Accordingly, the common electrode (329d) placed on the upper portion can be stably formed without the problem of being cut off by a steep slope, and a stable electrical connection can be formed.
  • FIG. 8 illustrates a light-emitting module (400) according to a third embodiment of the present invention.
  • the light-emitting module (400) can be configured identically or similarly to the light-emitting modules (100, 200) of the first and second embodiments except for the light-emitting portion (420), and therefore, description of overlapping parts is omitted.
  • the above light-emitting portion (420) may include first to third light-emitting stacks (422, 424, 426) that are sequentially and vertically stacked on the substrate (410).
  • the light-emitting portion (420) may further include a connection layer (423, 425) that is arranged between the light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the light-emitting portion (420) may include a first connection layer (423) that is arranged between the first light-emitting stack (422) and the second light-emitting stack (424), and a second connection layer (425) that is arranged between the second light-emitting stack (424) and the third light-emitting stack (426).
  • the above light-emitting portion (420) may include a cover layer (427) surrounding the light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the cover layer (427) may be an insulating layer made of an insulating material.
  • the above cover layer (427) surrounds the light-emitting stacks (422, 424, 426) and is a layer disposed between the light-emitting stacks (422, 424, 426) and the electrode portion (429), and may have openings (H) for connection between the plurality of electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) and the plurality of light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the openings (H) are openings that expose a portion of the light-emitting stacks (422, 424, 426), and the plurality of electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) can be electrically connected to the plurality of light-emitting stacks (422, 424, 426) through the openings (H) of the cover layer (427).
  • the light-emitting portion (420) may be formed in a polygonal columnar shape including a top surface, a bottom surface, and a plurality of side surfaces by stacking a plurality of light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the bottom surface of the light-emitting portion (420) is a surface facing one surface of the substrate (410), and the top surface may be defined as a surface opposite the bottom surface.
  • the side surfaces of the above light-emitting portion (420) are surfaces connecting the upper and lower surfaces, and may be surfaces that are perpendicular to one surface of the substrate (410) or have an incline.
  • the light emitting portion (420) may be in the form of a square pillar having a rectangular shape on a plane, but this is merely exemplary and the present invention is not limited thereto.
  • the light emitting portion (420) may have four side surfaces and four corners where adjacent side surfaces meet. The corners may be areas formed by two side surfaces meeting and may be areas included in the side surfaces.
  • At least one groove (G) may be formed on the side surface of the light-emitting portion (420).
  • the groove (G) may refer to an empty space formed by recessing inward on the side surface of the light-emitting portion (420).
  • An inner surface (IS) defining the empty space of the groove (G) may be formed.
  • the groove (G) may be formed vertically along the side surfaces of the plurality of light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the vertical direction may be consistent with the stacking direction of the light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the groove (G) may be formed to extend from the upper surface to the lower surface of the light-emitting portion (420). That is, the groove (G) may be formed to pass through the upper surface and the lower surface of the side surface of the light-emitting portion (420).
  • the groove (G) may extend from the first light-emitting stack (422) and pass through the first connection layer (423).
  • the groove (G) may extend from the first connection layer (423) and pass through the second light-emitting stack (424).
  • the groove (G) may extend from the second light-emitting stack (424) and pass through the second connection layer (425).
  • the groove (G) may extend from the second connecting layer (425) and pass through the third light-emitting stack (426).
  • the groove (G) may be formed by extending from the first light-emitting stack (422) to the third light-emitting stack (426).
  • the groove (G) may be formed on each side of the light-emitting portion (420). Since the light-emitting portion (420) has four side surfaces, the light-emitting portion (420) may include four grooves (G) formed on each side surface. The present invention is not limited thereto, and the grooves (G) may of course be formed at corners where adjacent side surfaces of the light-emitting portion (420) meet.
  • An electrode part (429) may be placed in the groove (G). Specifically, the electrode part (429) of the light-emitting part (420) may be placed within the groove (G). One electrode (429a, 429b, 429c, 429d) may be placed corresponding to one groove (G).
  • the number of grooves (G) formed in the light-emitting portion (520) may be the same as the number of electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) of the light-emitting portion (420).
  • the light-emitting portion (420) since the light-emitting portion (420) includes three light-emitting stacks (422, 424, 426), four electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) are provided, and four grooves (G) may be formed for each electrode (429a, 429b, 429c, 429d).
  • the electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) are arranged in the corresponding grooves (G), the electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) can also extend vertically along the side surfaces of the light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) may also extend vertically along the corner where adjacent sides of the light emitting portions meet.
  • the opening (H) of the cover layer (427) can be formed within the groove (G).
  • the inner surface of the groove (G) may be covered by a cover layer (427), and the cover layer (427) may be covered by electrodes (429a, 429b, 429c, 429d).
  • the cover layer (427) may include an opening (H) that exposes at least a portion of the light-emitting stack (422, 424, 426) on the inner surface of the groove (G).
  • the cover layer (427) is not limited to within the groove (G), and may extend to the outer side surfaces of the light-emitting stacks (422, 424, 426).
  • the cover layer (427) may cover the interface between the light-emitting stacks (422, 424, 426) and the connection layers (423, 425).
  • the common electrode (429d) can be connected to each of the light-emitting stacks (422, 424, 426) through a plurality of openings (H) formed at different heights.
  • the plurality of openings (H) corresponding to the common electrode (429d) can be arranged vertically. That is, the openings (H) of the cover layer (427) can be formed in multiple numbers, and the heights at which the plurality of openings (H) are positioned can be different from each other.
  • each electrode (429a, 429b, 429c, 429d) may be different from each other.
  • the width and height ratios of each electrode (429a, 429b, 429c, 429d) may also be different from each other.
  • each of the electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) may be exposed to the outside through the second opening (472) of the insulating layer (470).
  • the light emitting module (400) may also have the second opening (472) of the insulating layer (470) positioned within the first opening (482) of the protective layer (480).
  • the electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) are arranged within the corresponding groove (G) region, but the present invention is not limited thereto.
  • the electrodes (429a, 429b, 429c, 429d) may extend within the groove (G) to the peripheral region of the groove (G).
  • the groove (G) may have various widths and depths.
  • the width and depth of the groove (G) may have substantially uniform values depending on the distance from one surface of the substrate (410).
  • the width of the groove (G) may refer to a length parallel to the side surface on which the groove (G) is formed, and the depth may refer to a length perpendicular to the side surface on which the groove (G) is formed.
  • the shape of the groove (G) above is exemplary, and the shape and size of the groove (G) can be configured in various ways depending on the design.
  • the width of the groove (G) may vary depending on the distance from one surface of the substrate (410). In this case, the width of the groove (G) may increase as the distance from one surface of the substrate (410) increases.
  • the depth of the groove (G) may vary depending on the distance from one surface of the substrate (410). In this case, the depth of the groove (G) may become deeper as the distance from one surface of the substrate (410) increases.
  • the sunken area of the groove (G) is the area of the region formed by the cross-section formed by the groove (G), and may vary depending on the distance from one surface of the substrate (410). At this time, the sunken area of the groove (G) may increase as the distance from one surface of the substrate (410) increases.
  • At least a portion of the inner surface of the groove (G) may be curved.
  • FIG. 9 is a side view showing a light-emitting module (500) according to a fourth embodiment of the present invention, wherein the light-emitting module (500) may include a substrate (510) and a light-emitting portion (520) disposed on one surface of the substrate (510).
  • the substrate (510) may be configured identically or similarly to the substrates (110, 210, 410) of the light-emitting modules (100, 200, 400) of the first to third embodiments.
  • the light-emitting portion (520) may be configured identically or similarly to the light-emitting portion (420) of the light-emitting module (400) of the third embodiment.
  • the light-emitting module (500) may further include a molding portion (530).
  • the above light-emitting module (500) may include a substrate (510) and a light-emitting unit (520) arranged on one surface of the substrate (510).
  • the light-emitting unit (520) may be configured identically or similarly to the light-emitting unit (420) of FIG. 8, so description of the overlapping configuration is omitted.
  • the electrode portion (529) can be electrically connected to the substrate (510) by a conductive material disposed between the light-emitting portion (520) and the substrate (510).
  • the conductive material can extend to the side of the first light-emitting stack (522) to cover a portion of the side of the first light-emitting stack (522).
  • the light-emitting module (500) may further include a molding part (530) that covers one surface of the substrate (510) and the light-emitting part (520).
  • the molding part (530) is a layer that covers at least a portion of a side or upper surface of the light-emitting element (520) and may transmit at least a portion of the light emitted from the light-emitting part (520).
  • the molding part (530) may cover at least a portion of the light-emitting element (520) to protect the light-emitting part (520) from moisture and external impact.
  • the molding part (530) may additionally include a filler such as silica, TiO 2 , or alumina.
  • the molding part (530) may be formed to cover both the upper surface and the side surface of the light-emitting part (520).
  • the molding part (530) may be formed as a molding layer having light-transmitting properties.
  • FIG. 10 is a top view showing the light emitting portion (520) of FIG. 9, showing grooves (G) formed on the side surfaces of light emitting stacks (522, 524, 526), a cover layer (527) covering the light emitting stacks (522, 524, 526), and electrodes (529a, 529b, 529c, 529d) positioned within the grooves (G) and connected to the light emitting stacks (522, 524, 526) through openings (H) of the cover layer (527).
  • FIGS. 11 and 12 illustrate plan and side views of light emitting stacks (522, 524, 526) of another exemplary light emitting element (520).
  • the grooves (G) formed on the side surfaces of the light emitting stacks (522, 524, 526) can have variable widths (T1, T2) depending on the distance from one surface of the substrate (510).
  • the widths (T1, T2) of the grooves (G) are lengths parallel to the side surfaces of the light emitting stacks (522, 524, 526), and can be the distance between the inner surfaces (IS) of the opposing grooves (G).
  • the groove (G) may have a minimum width (T2) on the lower surface of the light emitting stack (522, 524, 526) and a maximum width (T1) on the upper surface.
  • the sunken area of the groove (G) of the light emitting portion (520) increases as it moves away from the substrate (510), so that the light emitting portion (520) can be supported more stably on the substrate (510).
  • Fig. 13 illustrates a plan view of a light-emitting stack (522, 524, 526) of another exemplary light-emitting element (520).
  • the cross-section of a groove (G) formed on a side surface of the light-emitting stack (522, 524, 526) may be formed in a trapezoidal shape whose width becomes narrower as the depth increases.
  • a groove (G) may be formed on each side of the above-described light-emitting stack (522, 524, 526), and each corresponding electrode (529a, 529b, 529c, 529d) may be arranged within the groove (G).
  • One of the electrodes (529a, 529b, 529c, 529d) may be a common electrode (529d) that is connected to all of the plurality of light-emitting stacks (522, 524, 526).
  • Fig. 14 illustrates a plan view of a light-emitting stack (522, 524, 526) of another exemplary light-emitting element (520).
  • the cross-section of a groove (G) formed on a side surface of the light-emitting stack (522, 524, 526) may be formed in a triangular shape whose width becomes narrower as the depth increases.
  • a groove (G) may be formed on each side of the above-described light-emitting stack (522, 524, 526), and each corresponding electrode (529a, 529b, 529c, 529d) may be arranged within the groove (G).
  • One of the electrodes (529a, 529b, 529c, 529d) may be a common electrode (529d) that is connected to all of the plurality of light-emitting stacks (522, 524, 526).
  • Fig. 15 illustrates a plan view of a light-emitting stack (522, 524, 526) of another exemplary light-emitting element (520).
  • the cross-section of a groove (G) formed on a side surface of the light-emitting stack (522, 524, 526) may be formed in a semicircular shape.
  • a groove (G) may be formed on each side of the above-described light-emitting stack (522, 524, 526), and each corresponding electrode (529a, 529b, 529c, 529d) may be arranged within the groove (G).
  • One of the electrodes (529a, 529b, 529c, 529d) may be a common electrode (529d) that is connected to all of the plurality of light-emitting stacks (522, 524, 526).
  • Fig. 16 illustrates a plan view of a light-emitting stack (522, 524, 526) of another exemplary light-emitting element (520).
  • the groove (G) of the light-emitting stack (522, 524, 526) may be formed in a corner area where adjacent sides meet.
  • the groove (G) may have a shape in which the corners of the light-emitting stacks (522, 524, 526) are chamfered or chiseled.
  • a groove (G) may be formed at each corner region of the above-described light-emitting stack (522, 524, 526), and each corresponding electrode (529a, 529b, 529c, 529d) may be arranged within the groove (G).
  • One of the electrodes (529a, 529b, 529c, 529d) may be a common electrode (529d) that is connected to all of the plurality of light-emitting stacks (522, 524, 526).
  • Fig. 17 illustrates a plan view of a light-emitting stack (522, 524, 526) of another exemplary light-emitting element (520).
  • the groove (G) of the light-emitting stack (522, 524, 526) may be formed in a corner area where adjacent side surfaces meet.
  • the groove (G) may have a shape in which the corners of the light-emitting stacks (522, 524, 526) are sunken.
  • the inner circumferential surface of the groove (G) may be curved.
  • a groove (G) may be formed at each corner region of the above-described light-emitting stack (522, 524, 526), and each corresponding electrode (529a, 529b, 529c, 529d) may be arranged within the groove (G).
  • One of the electrodes (529a, 529b, 529c, 529d) may be a common electrode (529d) that is connected to all of the plurality of light-emitting stacks (522, 524, 526).
  • the light emitting element (520) described in the above drawings 9 to 17 can also be applied to the light emitting module (100, 200, 400) according to the first to third embodiments.
  • Fig. 18 is a perspective view showing the light emitting module (500) of Fig. 9.
  • the cover layer (527) is omitted from the illustration.
  • the electrode portion (529) is arranged in a groove (G) formed in the side surface of the light emitting stack (522, 524, 526), the light emitting module (500) can be miniaturized, and the light emitting area of each light emitting stack (522, 524, 526) can be maximized to maximize the amount of light.
  • the electrode portion (529) extends vertically along the side surface of the light emitting portion (520), the electrode portion (529) can reflect light from the side surface of the light emitting portion (520), thereby improving the light extraction efficiency and the straightness of the light.
  • the thermal deformation can be absorbed through the groove (G) shape, and particles that may occur during thermal deformation can be confined within the groove (G) area to improve the light-emitting quality.
  • the common electrode (529d) among the electrode portions (529) is commonly connected to all of the first to third light-emitting stacks (522, 524, 526) through the openings (H) of the cover layer (527) formed at different heights.
  • the light emitting module (500') of FIG. 19 illustrates a modified example of the light emitting module (500) of FIG. 18, and will be described in detail focusing on differences from the light emitting module (500) of the fourth embodiment described above.
  • the light emitting module (500') of FIG. 19 can be configured identically or similarly to the light emitting module (500) of FIG. 18, except that the light emitting portion (520) of FIGS. 9 and 10 is replaced with the light emitting portion (520) of FIGS. 11 and 12.
  • the width (T1, T2) of the groove (G) can be varied depending on the distance from one surface of the substrate (510).
  • the depth (W1, W2) of the groove (G) can be varied depending on the distance from one surface of the substrate (510).
  • the width (T1, T2) of the groove (G) may increase as it gets farther away from one surface of the substrate (510). Furthermore, the depth (W1, W2) of the groove (G) may increase as it gets farther away from one surface of the substrate (510). Accordingly, the groove (G) may have a maximum width (T1) on the upper surface of the light-emitting portion (520) and a minimum width (T2) on the lower surface of the light-emitting portion (520). Accordingly, the inner side surfaces (S) facing each other within the groove (G) may form an inclined surface.
  • the maximum width from the outer boundary of the groove (G) to one edge of the third light-emitting stack (526), the maximum width from the outer boundary of the groove (G) to one edge of the second light-emitting stack (524), and the maximum width from the outer boundary of the groove (G) to one edge of the first light-emitting stack (522) may be different from each other.
  • the rate of change in the width of the groove (G) and the rate of change in the width from the outer boundary of the groove (G) to one edge of the light emitting stack (522, 524, 526) may be inversely proportional.
  • the sunken area of the cross-section of the groove (G) may increase as it gets farther away from one surface of the substrate (510). That is, the area of the groove (G) when viewed from the upper surface of the light-emitting portion (520) may be larger than the area of the groove (G) when viewed from the lower surface. Accordingly, the light-emitting area of the first light-emitting stack (522) may be formed to be large.
  • the present invention is not limited thereto, and the sunken area of the cross-section of the groove (G) may become smaller as it gets farther away from one surface of the substrate (510).
  • a plurality of openings (H) of the cover layer (527) may be arranged in the groove (G) where the common electrode (529d) is arranged, and each opening (H) may be arranged at a different height and formed in a different size.
  • the light emitting module (500'') of Fig. 20 illustrates another modified example of the light emitting module (500) of Fig. 18, and will be described in detail focusing on differences from the light emitting module (500) of the fourth embodiment described above.
  • the light emitting module (500'') of Fig. 20 may be configured identically or similarly to the light emitting module (500) of Fig. 18, except that the light emitting portion (520) of Figs. 9 and 10 is replaced with the light emitting portion (520) of Fig. 17.
  • the groove (G) may be formed at an edge of the light-emitting portion (520). That is, the groove (G) may be formed across at least two adjacent side surfaces of the light-emitting portion (520).
  • the groove (G) may have an inner surface formed as a curved surface when viewed from the upper surface of the light-emitting portion (520).
  • the groove (G) may have an inner surface formed as a linear surface when viewed from the upper surface of the light-emitting portion (520).
  • the sunken area of the groove (G) is not limited to a specific shape such as a folded shape, a square shape, a trapezoidal shape, a vertex shape converging to a single vertex, a semicircular shape, an arc shape, etc., and may have various shapes.

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Abstract

본 발명은 기판 및 상기 기판의 일면에 배치되는 하나 이상의 발광부를 포함하는 발광모듈로서, 상기 기판의 일면 상에 배치되며, 상기 기판의 일면 중 상기 발광부가 안착되는 안착영역을 형성하는 개방홀을 구비하는 안착가이드층을 포함하며, 상기 개방홀의 제1 방향 폭은 상기 발광부의 제1 방향 측면 길이보다 큰 발광모듈을 개시한다.

Description

발광모듈
본 발명은 발광부를 포함하는 발광모듈에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광 소자 중 하나이다. 최근, 발광 다이오드는 디스플레이 장치, 차량용 램프, 일반 조명과 같은 여러 분야에 다양하게 이용되고 있다. 그리고 발광 다이오드는 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 응답속도가 빠른 장점이 있다. 이러한 장점을 십분 활용하여 기존 광원을 빠르게 대치하고 있다. 예로서, 발광 다이오드를 사용하는 표시 장치는 최종 기판 상에 개별적으로 성장된 적색(Red, R), 녹색(Green, G) 및 청색(Blue, B) 발광 다이오드(LED)의 구조들을 형성함으로써 얻어질 수 있다.
구체적으로, 발광 다이오드는 기판 상에 에피층들을 성장시키어 형성되며, N형 반도체층, P형 반도체층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. N형 반도체층 상에 N-전극 패드가 형성되고, P형 반도체층 상에 P-전극 패드가 형성되어, 발광 다이오드는 상기 전극패드들을 통해 외부 전원에 전기적으로 연결되어 구동된다. 이때, 전류는 P-전극 패드에서 상기 반도체층들을 거쳐 N-전극 패드로 흐를 수 있고, 활성층에서 전자와 정공의 재결합을 통해 발생하는 광이 방출될 수 있다.
본 발명은 성능 및 신뢰성이 증가될 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 발광부의 정렬이 용이하고 발광부의 이동을 방지할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 발광부의 크기를 소형화할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 광의 추출 효율이 개선된 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 광 출사면에서 출사되는 광의 직진성을 개선할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 구동 중 발열에 의한 열변형을 방지할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 구동 중 발생되는 파티클이 확산되는 것을 방지할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 넓은 발광영역을 확보할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광모듈은 기판 및 상기 기판의 일면에 배치되는 하나 이상의 발광부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광모듈은 상기 기판의 일면 상에 배치되며, 상기 기판의 일면 중 상기 발광부가 안착되는 안착영역을 형성하는 개방홀을 구비하는 안착가이드층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 개방홀과 상기 발광부의 측면 사이의 상기 제1 방향 이격 간격은 상기 발광부의 상기 제1 방향 측면 길이의 0.25배 이하일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 안착가이드층의 제1 방향 길이는 상기 제1 방향 이격 간격의 2배 내지 5배일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 평면 상 상기 제1 방향 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향 길이를 가지는 사각 형상을 가지며, 상기 발광부의 대각선 길이는, 상기 안착가이드층의 상기 개방홀의 상기 제1 방향 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 수직으로 적층된 복수의 발광스택들을 포함하며, 상기 복수의 발광스택들 중, 상기 기판에 인접한 발광스택의 수직 두께는 상기 안착가이드층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부를 상기 기판에 고정하기 위해 상기 안착가이드층와 상기 안착영역을 덮는 접착층을 더 포함하며, 상기 접착층의 두께는 상기 안착가이드층의 두께보다 얇을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부 상에 배치되는 보호층, 상기 보호층 상부에 배치되는 절연층, 및 상기 절연층 상부에 배치되며 상기 보호층에 구비되는 제1 오프닝 및 상기 절연층에 구비되는 제2 오프닝을 통해 상기 발광부에 연결되는 전극부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 오프닝은 상기 제1 오프닝 내에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 상기 기판 상에 순차 수직으로 적층된 제1 내지 제3 발광스택들을 포함하며, 상기 제1 내지 제3 발광스택은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 발광스택은 각각 상기 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 메사에칭영역을 포함하며, 상기 제1 발광스택에서 상기 메사에칭영역에 의해 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 노출영역은 일측면을 따라 길게 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 노출영역에서 상기 제1 오프닝 및 상기 제2 오프닝은 장변 길이 및 단변 길이를 가지는 타원형 형상이며, 상기 장변 길이 방향은 상기 제1 노출영역의 길이 방향과 일치할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 발광스택에서 상기 제1 오프닝 및 상기 제2 오프닝은 장변 길이 및 단변 길이를 가지는 타원형 형상이며, 상기 장변 길이 방향은 상기 제1 노출영역의 길이 방향과 수직일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 노출영역에서 상기 제1 오프닝의 면적은 상기 제2 노출영역에서 상기 제1 오프닝의 면적 보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 노출영역에서 상기 제2 오프닝의 면적은 상기 제2 노출영역에서 상기 제2 오프닝의 면적 보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 상기 안착영역 내에 복수로 구비될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 수직으로 적층된 복수의 발광스택들 및 상기 발광스택들의 측면에 함몰 형성되는 그루브에 배치되는 전극부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 인접한 상기 발광스택들 사이에 배치되는 연결층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 그루브는 상기 발광부의 상면에서 하면까지 연장 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광모듈은 기판 및 상기 기판의 일면에 배치되는 하나 이상의 발광부를 포함하는 발광모듈로서, 상기 발광부는 수직으로 적층된 복수의 발광스택들, 상기 복수의 발광스택들의 측면에 함몰 형성되는 그루브, 상기 그루브를 덮는 커버층, 및 상기 그루브 내에 배치되며 상기 커버층에 구비되는 오프닝을 통해 상기 발광스택들에 연결되는 전극부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광부는 상면, 하면 및 복수의 측면들을 포함하는 다각기둥 형태이며, 상기 전극부는 상기 발광부의 측면을 따라 수직으로 연장되는 복수의 전극들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 전극들 중 하나는 상기 복수의 발광스택들에 공통으로 연결되는 공통전극이며, 상기 복수의 전극들 중 상기 공통전극을 제외한 나머지는 상기 복수의 발광스택들에 각각 연결되는 개별전극일 수 있다.
본 발명은 성능 및 신뢰성이 증가될 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 발광부의 정렬이 용이하고 발광부의 이동을 방지할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 발광부의 크기를 소형화 할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 광의 추출 효율이 개선된 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 광 출사면에서 출사되는 광의 직진성을 개선할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 구동 중 발열에 의한 열변형을 방지할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 구동 중 발생되는 파티클이 확산되는 것을 방지할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
본 발명은 넓은 발광영역을 확보할 수 있는 발광모듈을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광모듈을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광모듈을 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광모듈을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광모듈을 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 변형례이다.
도 6는 본 발명의 실시예에 적용 가능한 발광부의 예시를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 단면 및 단면 일부를 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광모듈을 보여주는 단면도이다.
도 9은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광모듈을 보여주는 측면도이다.
도 10는 도 9의 발광모듈의 상면도이다.
도 11은 도 9의 발광부의 변형례를 보여주는 상면도이다.
도 12은 도 11의 측면도이다.
도 13 내지 도 17은 발광부의 또 다른 변형례들을 보여주는 상면도이다.
도 18은 도 9의 발광모듈의 사시도이다.
도 19은 제4 실시예에 따른 발광모듈의 변형례를 보여주는 사시도이다.
도 20는 제4 실시예에 따른 발광모듈의 또 다른 변형례를 보여주는 사시도이다.
이하의 설명에서, 설명의 목적을 위하여, 본 개시의 다양한 실시 예 또는 구현 예의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 특정 세부 사항이 설명된다. 본 명세서에 사용되는 "실시 예" 및 "구현 예"는 본 명세서에 개시된 본 발명의 개념의 하나 이상을 이용하는 장치 또는 방법의 비제한적인 예를 나타내는 상호교체 가능한 용어이다. 그러나 다양한 실시 예가 이들 특정 세부 사항을 이용하지 않거나 하나 이상의 등가 배열체를 이용하여 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 예에서, 공지된 구조 및 디바이스가, 다양한 실시 예를 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해, 블록도 형태로 도시된다. 또한, 다양한 실시 예가 서로 다를 수 있지만, 배타적일 필요는 없다. 예를 들어, 실시 예의 특정 형상, 구성 및 특성은 본 발명의 개념의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다른 실시 예에서 사용되거나 구현될 수 있다.
달리 명시되지 않는 한, 도시된 실시 예는, 본 발명의 개념이 실제로 구현될 수 있는 몇몇 방식의 변화하는 세부 사항의 예시적인 특징을 제공하는 것으로 이해되어야 한다. 그러므로 달리 명시되지 않는 한, 다양한 실시 예의 특징부, 구성요소, 모듈, 층, 막, 패널, 영역 및/또는 양태(이하, 개별적으로 또는 집합적으로 "요소"로 지칭됨)은 본 발명의 개념의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다르게 조합되고, 분리되고, 상호 교체되고 그리고/또는 재배열될 수 있다.
첨부한 도면에서의 단면-해칭 및/또는 음영의 사용은 일반적으로 인접한 요소 사이의 경계를 명확히 하기 위해 제공된다. 이와 같이, 단면-해칭 또는 음영의 유무가, 명시되지 않는 한, 요소의 특정 재료, 재료 특성들, 치수, 비율, 예시된 요소 사이의 공통성 및/또는 임의의 다른 특징, 속성 및 특성에 대한 어떠한 선호도 또는 요구 사항을 의미하거나 나타내지는 않는다. 또한, 첨부한 도면에서, 요소의 크기 및 상대적인 크기는 명확성 및/또는 설명적인 목적을 위해 과장될 수 있다. 실시 예가 다르게 구현될 때, 특정 공정 순서는 설명된 순서와 다르게 수행될 수 있다. 예를 들어, 두 개의 연속적으로 설명된 공정이 실질적으로 동시에 수행되거나 또는 설명된 순서와 반대인 순서로 수행될 수 있다. 또한, 동일한 참조 부호는 동일한 요소를 나타낸다.
층과 같은 요소가 다른 요소 또는 층 "상에 있거나", 그"에 연결되거나" 또는 그"에 결합되는" 것으로서 언급될 때, 상기 요소는 직접적으로 다른 요소 또는 층 상에 있거나, 그에 연결되거나 그에 결합될 수 있고, 또는 개재 요소 또는 층이 존재할 수 있다. 그러나 요소 또는 층이 다른 요소 또는 층 "상에 직접 있거나", 그"에 직접 연결되거나" 또는 그"에 직접 결합되는" 것으로서 언급될 때, 개재 요소 또는 층이 존재하지 않는다. 이를 위해, "연결된" 이라는 용어는, 개재 요소이 있는 상태에서 또는 없는 상태에서, 물리적인, 전기적인 및/또는 유체적인 연결을 지칭할 수 있다. 또한, DR1-축, DR2-축 및 DR3-축은 x, y 및 z-축과 같은 직교 좌표계의 세 개의 축으로 제한되지 않으며, 더욱 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, DR1-축, DR2-축 및 DR3-축은 서로 직각일 수 있고, 또는 서로 직각이 아닌 서로 다른 방향을 나타낼 수 있다. 본 개시의 목적을 위해, "X, Y 및 Z 중 하나 이상" 및 "X, Y 및 Z로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상"은 오직 X, 오직 Y, 오직 Z 또는, 예컨대, XYZ, XYY, YZ 및 ZZ와 같은, X, Y 및 Z 중 두 개 이상의 임의의 조합으로서 해석될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 용어 "및/또는"은 연관된 리스트된 물품 중 하나 이상의 임의의 및 모든 조합을 포함한다.
비록 용어 "제1", "제2" 등이 다양한 형태의 요소를 설명하기 위해 본 명세서에서 사용될 수 있지만, 이들 요소가 이들 용어에 의해 한정되어서는 아니 된다. 이들 용어는 하나의 요소를 다른 하나의 요소와 구별하기 위해 사용된다. 그러므로 이하에서 논의되는 제1 요소는 본 개시의 가르침을 이탈하지 않는 한도 내에서 제2 요소로 명명될 수 있다.
"밑에", "아래에", "바로 밑에", "하부의", "위에", "상부의", "상방에", "보다 높은", (예를 들어, "측벽"에서와 같이) "측부" 등과 같은 공간적으로 상대적인 용어는 설명적인 목적을 위해 그리고, 그에 의해, 도면에 도시된 바와 같은 하나의 요소와 다른 요소(들)와의 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시된 방위에 부가하여 사용, 작동 및/또는 제조 중인 장치의 서로 다른 방위를 포함하도록 의도된다. 예를 들어, 도면에서의 장치가 뒤집히면, 다른 요소 또는 특징부 "아래에" 또는 "밑에"로서 설명된 요소는 다른 요소 또는 특징부의 "위에" 배향될 것이다. 그러므로, "아래에"라는 예시적인 용어는 위 및 아래의 방위를 모두 포함할 수 있다. 또한, 장치는 다르게 배향될 수 있고(예를 들어, 90° 회전되거나 다른 방위에 배향될 수 있고), 이와 같이, 본 명세서에서 사용되는 공간적으로 상대적인 서술어는 역시 그에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 전문 용어는 특정 실시 예를 설명하기 위한 것이며 한정적인 것은 아니다. 본 명세서에서 사용되는 단수 형태는, 문맥상 명확하게 다르게 지시하지 않는 한, 복수의 형태를 또한 포함한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 "구비한다", "구비하는", "포함한다" 및/또는 "포함하는" 이라는 용어는 언급된 특징, 정수, 단계, 작동, 요소, 구성요소 및/또는 그 그룹의 존재를 명시하지만, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계, 작동, 요소, 구성요소 및/또는 그 그룹의 존재 또는 부가를 배제하지는 않는다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어 "실질적으로", "약" 및 기타 유사한 용어는 정도를 나타내는 용어가 아닌 근사도를 나타내는 용어로서 사용되며, 이와 같이, 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 인식될 수 있는, 측정된, 계산된 그리고/또는 제공된 값의 고유한 편차를 설명하기 위해 사용된다.
다양한 실시 예가, 이상화된 실시 예 및/또는 중간 구조물의 개략적인 예시도인, 단면 및/또는 분해 예시도를 참조하여 이하에 설명된다. 이와 같이, 예를 들어, 제조 기법 및/또는 공차의 결과로서 예시도의 형상으로부터의 변형이 예상될 수 있다. 그러므로 본 명세서에 개시된 실시 예는 반드시 특정의 도시된 영역의 형상에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들어, 제조에 기인하여 발생되는 형상에 있어서의 편차를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 이러한 방식으로, 도면에 도시된 영역은 본질적으로 개략적일 수 있고, 이 영역의 형상은 디바이스의 영역의 실제 형상을 반영하지 않을 수 있으며, 이와 같이, 반드시 한정적인 의미를 갖는 것으로 의도되지는 않는다.
당 분야에서 통상적인 바와 같이, 일부 실시 예가 기능 블록, 유닛 및/또는 모듈의 관점에서 첨부 도면에 도시되고 설명될 수 있다. 당업자는 이러한 블록들, 유닛들, 및/또는 모듈들이 반도체 기반의 제조 기술 또는 다른 제조 기술을 이용하여 형성된 논리 회로, 개별 부품들, 마이크로 프로세서들, 배선 회로들, 메모리 소자들, 배선 접속들과 같은 전자(또는 광학) 회로들에 의해 물리적으로 구현된다는 것을 이해할 것이다. 마이크로프로세서 또는 다른 유사한 하드웨어에 의해 블록, 유닛 및/또는 모듈이 구현되는 경우, 이들은 본 명세서에서 논의된 다양한 기능을 수행하기 위해 소프트웨어(예를 들어, 마이크로 코드)를 사용하여 프로그래밍 되고, 제어될 수 있으며, 선택적으로 펌웨어 및/또는 소프트웨어에 의해서 구동될 수 있다. 또한, 각각의 블록, 유닛 및/또는 모듈은 전용 하드웨어에 의해, 또는 일부 기능을 수행하는 전용 하드웨어 및 다른 기능을 수행하는 위한 프로세서(예를 들어, 하나 이상의 프로그램된 프로세서 및 관련 회로)의 조합으로서 구현될 수 있다. 또한, 일부 실시 예들 각각의 블록, 유닛 및/또는 모듈은 본 발명의 개념의 범위를 벗어나지 않으면서 물리적으로 두 개 이상의 상호 작용 및 개별 블록, 유닛 및/또는 모듈로 분리될 수 있다. 또한, 일부 실시 예의 블록, 유닛 및/또는 모듈은 본 발명의 개념의 범위를 벗어나지 않으면서 더 복잡한 블록, 유닛 및/또는 모듈로 물리적으로 결합될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는(기술적이거나 과학적인 용어를 포함하는) 모든 용어는 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 통상적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 그 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명시적으로 정의되지 않는 한, 이상적이거나 지나치게 형식적인 관점에서 해석되어서는 아니 된다.
이하, 도면을 통해서 본 발명의 발광모듈에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광모듈(100)을 도시한 측면도이다. 상기 발광모듈(100)은, 기판(110) 및 상기 기판(110)의 일면에 배치되는 하나 이상의 발광부(120)를 포함할 수 있다.
상기 기판(110)은 일면에 발광부(120)가 실장되고 지지되는 구성으로, 사파이어 기판, 회로기판, 광 투과성 기판, 글래스 기판, TFT 기판, 폴리머 기판, 플렉서블 기판, 폴리이미드 기판 등 특정 종류로 한정되지 않는다. 상기 기판(110)은 하나의 발광부(120) 보다 넓은 면적으로 형성될 수 있다.
예로서, 상기 기판(110)은 PCB(Printed Circuit Board, 인쇄회로기판)로 구성될 수 있다. PCB는, 예를 들면, 고강도, 난연성, 내화학성, 등의 우수한 특성을 포함하는 FR4 PCB일 수 있다. 또는 상기 기판(110)은 빛을 투과시키는 특성을 갖는 PMMA(Polymethyl Methacrylate), PC(Polycarbonate) 수지, COP(Cyclo Olefin Polymer), 아크릴 수지, PE(Polyethylene), 에폭시 수지, 및 유리 중 하나 이상일 수 있다. 또는 상기 기판(110)은 휘어지는 성질을 갖는 휘어지는 성질을 갖는 PET, PVB 등의 소재로 물질로 형성될 수 있다. 또는 상기 기판(110)은 방열 성능이 우수하고 열전도율이 좋은 Metal PCB(Metal Printed Circuit Board)일 수 있다. 더 자세하게는, Base 금속으로 Cu, Zn, Au, Ni, Al, Mg, Cd, Be, W, Mo, Si 및 Fe 또는 이들 중 적어도 하나의 합금을 포함하는 PCB일 수 있다. 하지만 이에 한정되지 않으며, 제품 특성에 따라 다양한 PCB를 사용할 수 있다.
상기 발광부(120)는 기판(110)의 일면에 배치되어 광을 출사하는 발광소자일 수 있다. 상기 기판(110)의 일면에 복수의 발광부(120)들이 이격되어 배치될 수 있다.
평면 상 상기 발광부(120)의 제1 방향 길이 또는 제1 방향에 수직한 제2 방향 길이는 200um 이하일 수 있다. 또는 상기 발광부(120)의 제1 방향 및 제2 방향 면적은 40000um2 이하 일 수 있다. 적어도 하나의 발광부(120)는 10mA/100um2에서 EQE 값이 80% 이상일 수 있다. 적어도 하나의 발광부(120)는 0~10mA 전류 구간에서 광도가 증가하는 프로파일을 가질 수 있다. 상기 발광부(120)들은 구동 전압이 3V 이하일 수 있다. 따라서 작은 발광 사이즈에서 높은 전기적 효율을 가짐으로써 발열이 감소될 수 있다.
도 1을 참조하면, 상기 발광부(120)는 복수의 발광스택(122, 124, 126)들을 포함하는 발광 다이오드일 수 있다. 다만, 도 1의 발광부(120)는 발광 다이오드의 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광부(120)는 복수의 발광스택(122, 124, 126)들을 성장시키기 위한 성장 기판을 더 포함할 수 있다. 상기 성장 기판은 질화 갈륨계 반도체층을 성장시키기 위한 성장 기판, 예컨대, 사파이어 기판, 실리콘 기판, SiC 기판, 스피넬 기판, Ga2O3 기판 등일 수 있다. 상기 성장 기판은 질화물계 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판이면 특정 종류로 한정되지 않는다. 상기 성장 기판은 복수의 발광스택(122, 124, 126)들 성장 후 제거될 수 있다.
상기 발광스택(122, 124, 126)은 반도체층으로, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층은 성장 기판의 일면에 성장된 반도체층일 수 있으며, (Al, Ga, In)P 또는 (Al, Ga, In)N과 같은 인화물 또는 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층은 Si, C, Ge, Sn, Te, Pb 등과 같은 불순물을 1종 이상 포함하여 n형으로 도핑 될 수 있다. 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 예로서 제1 도전형 반도체층이 p형 도펀트를 포함하여 반대의 도전형으로 도핑될 수도 있다. 또한, 나아가, 제1 도전형 반도체층은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.
상기 활성층은 제1 도전형 반도체층 일측에 배치되는 발광층으로, (Al, Ga, In)P 또는 (Al, Ga, In)N과 같은 인화물 또는 질화물 반도체를 포함할 수 있으며, MOCVD, MBE, 또는 HVPE 등의 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층 상에 성장될 수 있다. 또한, 활성층은 적어도 두 개의 장벽층(barrier layer) 및 적어도 하나의 우물층(well layer)을 포함하는 양자우물구조(QW)를 포함할 수 있으며, 나아가, 복수의 장벽층 및 복수의 우물층을 포함하는 다중양자우물구조(MQW)를 포함할 수 있다. 상기 활성층에서 방출되는 광의 파장은 우물층을 구성하는 물질의 조성비를 제어하여 조절할 수 있다. 이 경우, 우물층은 동일한 원소를 공통적으로 포함할 수 있고, 예로서 In을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층은 활성층 일측에 배치되는 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 (Al, Ga, In)P 또는 (Al, Ga, In)N과 같은 인화물계 또는 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 제1 도전형 반도체층의 도전형과 반대의 도전형으로 도핑될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg과 같은 불순물을 포함하여 p형으로 도핑될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 제1 도전형 반도체층 또는 제2 도전형 반도체층 측에 광이 출사되는 광출사면이 형성될 수 있다. 예로서, 상기 활성층에서 생성된 광은 제1 도전형 반도체층을 통과해 외부로 방출되거나, 또는 제2 도전형 반도체층을 통과해 외부로 방출될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층의 일면 또는 제2 도전형 반도체층의 일면에는 광 추출 효율을 높이기 위한 요철 구조가 형성될 수 있다.
도 1은 상기 발광소자(120)가 수직으로 적층된 복수의 발광스택(122, 124, 126)들을 포함하는 예를 도시한 것이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예로서, 상기 발광소자(120)는 하나의 발광스택(122, 124, 126)을 포함하거나 또는 두 개의 발광스택(122, 123, 124)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 발광스택(122, 124, 126)들은 같은 피크파장의 광을 출사할 수 있다. 또는 상기 복수의 발광스택(122, 124,126)들 중 적어도 하나는 다른 발광스택(122, 124, 126)과 서로 다른 피크파장의 광을 출사할 수 있다.
예로서 도 1에서, 상기 발광소자(120)는 서로 다른 피크파장의 광을 출사하는 제1 발광스택(122), 제2 발광스택(124), 및 제3 발광스택(126)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광스택(122, 124, 126)은 기판(110) 상에 순차 수직으로 적층될 수 있다. 상기 제3 발광스택(126)에서 방출된 광은 제2 및 제1 발광스택(124, 122)을 지나 외부로 출사될 수 있다.
이때, 상기 제1 발광스택(122)은 청색광을 방출할 수 있고, 상기 제2 발광스택(124)은 녹색광을 방출할 수 있고, 상기 제3 발광스택(126)은 적색광을 방출할 수 있다. 이는 예시적인 것으로 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 발광스택(122)이 적색광을 방출하고 제2 발광스택(124)이 녹색광을 방출하며 제3 발광스택(126)이 청색광을 방출하는 예, 또는 상기 제1 발광스택(122)이 녹색광을 방출하고 제2 발광스택(124)이 청색광을 방출하며 제3 발광스택(126)이 적색광을 방출하는 예도 가능함은 물론이다.
즉, 상기 발광부(120)는 레드, 그린, 블루의 발광스택(122, 124, 126)이 수직으로 적층되어 배치될 수도 있고, 이와 다른 형태로 동일한 색을 방출하는 발광스택(122, 124, 126)들이 수직으로 적층될 수도 있다.
상기 제1 내지 제3 발광스택(122, 124, 126)들 사이에는 접착을 위한 연결층이 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 발광스택(122)과 제2 발광스택(124) 사이에는 제1 연결층이 배치될 수 있다. 상기 제2 발광스택(124)과 제2 발광스택(126) 사이에는 제2 연결층이 배치될 수 있다.
또한, 상기 발광스택(122, 124, 126)은 상기 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 메사에칭영역을 포함할 수 있다. 상기 메사에칭영역에 의해 각 발광스택(122, 124, 126)의 제1 도전형 반도체층의 일부영역이 노출된 노출영역이 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광스택(122, 124, 126)은 각각 제1 내지 제3 노출영역을 형성할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광부(120)는 상기 발광스택(122, 124, 126)들과 연결되는 전극부(129)를 포함할 수 있다. 상기 전극부(129)는 복수의 전극(129a, 129b, 129c, 129d)들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 전극(129a, 129b, 129c, 129d)들 중 하나는 상기 복수의 발광스택(122, 124, 126)들에 공통으로 연결되는 공통전극(129d)이며, 나머지는 상기 복수의 발광스택들(122, 124, 126)에 각각 연결되는 개별전극(129a, 129b, 129c)들일 수 있다. 상기 발광부(120)가 제1 내지 제3 발광스택(122, 124, 126)을 포함함에 따라 상기 발광부(120)는 제1 내지 제3 발광스택(122, 124, 126)에 각각 연결되는 제1 내지 제3 개별전극(129a, 129b, 129c)들을 포함할 수 있다.
상기 공통전극(129d)은 상기 제1 내지 제3 발광스택(122, 124, 126)의 제1 내지 제3 노출영역에 연결될 수 있다. 상기 공통전극(129d)은 제1 내지 제3 노출영역에 연결됨으로써 제1 도전형 반도체층 또는 제2 도전형 반도체층 중 어느 하나의 동일한 도전형 반도체층들에 전기적으로 연결되는 공통 전극 역할을 수행할 수 있다.
상기 개별전극(129a, 129b, 129c)은 각 발광스택(122, 124, 126)의 제1 도전형 반도체층 또는 제2 도전형 반도체층에 연결될 수 있다. 개별전극(129a, 129b, 129c)과 전기적으로 연결되는 도전형 반도체층은 공통전극(129d)이 전기적으로 연결되는 도전형 반도체층과 다른 극성을 가질 수 있다.
한편, 상기 발광모듈(100)은 상기 기판(110)의 일면 상에 배치되는 안착가이드층(150)을 더 포함할 수 있다.
상기 안착가이드층(150)은 상기 발광부(120)가 안착되는 안착영역을 형성하는 개방홀(152)을 구비할 수 있다. 상기 개방홀(152)는 상기 기판(110)의 일부를 노출하는 개구일 수 있다.
상기 안착가이드층(150)은 절연층으로 다양한 재질로 이루어질 수 있으며 예로서, SiO2로 이루어질 수 있다. 상기 안착가이드층(150)의 두께(f)는 설계에 따라 다양한 값을 가질 수 있으며, 예로서, 100nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 개방홀(152)은 다양한 평면 형상을 가질 수 있으며, 예로서, 평면 상 제1 방향 길이 및 그에 수직한 제2 방향 길이를 가지는 사각형 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 방향 기준 상기 개방홀(152)의 폭(B)은 상기 발광부(120)의 제1 방향 측면 길이(A)보다 클 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 발광부(120)는 평면 상 제1 방향 길이 및 제1 방향에 수직한 제2 방향 길이를 가지는 사각 형상일 수 있으며, 이때 상기 발광부(120)의 대각선 길이(C)가 결정될 수 있다. 상기 발광부(120)의 대각선 길이(C)는 상기 제1 방향 기준 상기 안착가이드층(150)의 개방홀(152)의 폭(B)보다 클 수 있다. 따라서 발광부(120)가 기판(110)에 안착될 때 발광부(120)에 의하여 안착가이드층(150)의 모서리가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 방향 기준, 상기 개방홀(152)과 상기 발광부(120)의 측면 사이의 이격 간격(a)은 상기 발광부(120)의 측면 길이(A)의 0.25배 이하일 수 있다. 따라서 발광부(120)가 기판(110) 상에 배치될 때 발광부(120)가 과도하게 회전하여 시야각이 변경되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 방향 기준, 상기 안착가이드층(150)의 길이(b)는 상기 이격 간격(a)의 2배 내지 5배일 수 있다. 따라서 안착가이드층(150)에 의한 발광부(120)들의 이격 효과가 증가될 수 있다. 상기 안착가이드층(150)에는 상기 개방홀(150)이 복수로 구비될 수 있으며, 상기 안착가이드층(150)의 길이(b)은 인접한 개방홀(150) 사이의 간격일 수 있다.
상기 발광부(120)의 수직 두께는 상기 안착가이드층(150)의 두께(f) 보다 두꺼울 수 있다. 상기 안착가이드층(150)의 두께(f)는 상기 발광부(120)의 두께를 고려하여 설계될 수 있다.
상기 발광부(120)가 복수의 발광스택(122, 124, 126)들을 포함하는 경우, 상기 기판(110)에 인접한 발광스택, 즉 제1 발광스택(122)의 수직 두께(d)는 상기 안착가이드층(150)의 두께(f)보다 두꺼울 수 있다. 상기 제1 발광스택(122)의 수직 두께(d)는 2~8μm일 수 있다. 따라서 제1 발광스택(122)에서 발생된 광이 안착가이드(150)에서 과도하게 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
상기 안착가이드층(150)의 두께(f)는 상기 제1 발광스택(122)의 수직 두께(d)의 1% 내지 10%의 두께를 가질 수 있다.
한편, 상술한 도 1 및 도 2는 하나의 안착영역 내에 하나의 발광부(120)가 배치된 예를 도시한 것이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광모듈(100)은 상기 발광부(120)를 상기 기판(110)의 일면에 고정하기 위해 상기 안착가이드층(150)의 상부에 배치되는 접착층(160)을 더 포함할 수 있다. 상기 접착층(160) 상에 발광부(120)가 배치되어 고정됨으로써 안착영역 내에서 이동이 방지될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 발광부(120)가 고정되도록 접착시킬 수 있다면 다양한 구성이 가능하며, 예로서, 폴리이미드 등의 고분자 물질 또는 SiO2 등으로 이루어질 수 있다. 안착가이드층(150)과 접촉하는 기판(110)의 일부 영역은 상부로 돌출되어 단차를 형성할 수 있다. 발광부(120)는 기판(110)의 단차에 의하여 둘러싸일 수 있다. 따라서 기판(110)의 단차에 의하여 안착가이드층(150)의 높이를 높일 수 있다.
다른 실시 형태로, 기판(110)이 안착가이드층(150)과 접하는 영역의 상면은 발광부(120)가 배치되는 안착영역의 상면과 나란할 수도 있다. 따라서 안착가이드층(150)의 위치를 용이하게 이동시키거나, 설계변경 하여 픽셀의 피치를 용이하게 조절할 수 있다.
상기 접착층(160)의 두께(e)는 상기 안착가이드층(150)의 두께(f) 보다 얇을 수 있다. 예로서, 상기 안착가이드층(150)의 두께(f)는 상기 접착층(160)의 두께(e)의 7배 내지 30배일 수 있다. 따라서 상기 접착층(160)은 개방홀(152)과 상기 발광부(120)의 측면 사이의 이격 영역에도 끊어짐 없이 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광모듈(100)은, 상기 발광부(120) 상에 배치되는 절연층(170)을 더 포함할 수 있다. 상기 전극부(129)는 상기 절연층(170) 상부에 배치되며 상기 절연층(170)에 구비되는 제2 오프닝(172)을 통해 상기 발광부(120)에 연결될 수 있다. 또는 광 출사 방향을 고려하여, 전극부(129)는 절연층(170)과 기판(110) 사이에 배치되어 절연층(170)에 의하여 덮일 수도 있다.
상기 절연층(170)은 접착층(160) 및 상기 발광부(120)를 덮을 수 있으며, 유기 또는 무기 절연 물질, 예를 들어, 폴리이미드, SiO2, SiNx, Al2O3, Si 또는 C 등을 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(100)은 상기 절연층(170) 하부에 보호층(180)을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층(180)은 상기 발광부(120)를 덮을 수 있으며, 다중층 구조를 가지는 분포 브래그 반사기일 수 있다. 광 출사 방향을 고려하여, 보호층(180)은 발광부(120)와 기판(110) 사이에 배치될 수도 있다.
상기 보호층(180)은 제1 오프닝(182)을 포함할 수 있으며, 상기 전극(129)은 상기 제1 오프닝(182)을 통해 발광부(120)에 연결될 수 있다.
상기 전극(129)은 제1 오프닝(182) 및 제2 오프닝(172)을 통해 발광부(120)와 연결되며, 상기 제1 오프닝(182) 내에 상기 제2 오프닝(172)이 배치될 수 있다.
상기 제1 오프닝(182)의 면적은 제2 오프닝(172)의 면적보다 클 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광모듈(200)을 도시한 것으로, 제2 실시예에 따른 발광모듈(200)은 하나의 안착영역 내에 복수의 발광부(220)들이 배치되는 점을 제외하고는, 제1 실시예의 발광모듈(200)과 유사하게 구성될 수 있다. 이하, 제1 실시예의 발광모듈(100)과의 차이점을 중심으로 제2 실시예의 발광모듈(200)을 설명한다.
상기 발광부(220)는 다양한 구성을 가질 수 있으며, 도 1 및 도 2와 달리 하나 또는 두 개의 발광스택을 포함할 수도 있다. 예로서, 하나의 안착영역에 3 개의 발광부(220)가 배치될 수 있으며, 각 발광부(220)는 청색, 녹색 및 적색의 광을 출사하는 하나의 발광스택을 포함할 수 있다. 3개의 발광부(220)는 하나의 픽셀을 구성할 수 있다. 발광부(220)를 덮는 보호층(280)은 각 발광부(220)에 대응하도록 이격되어 배치될 수 있다.
전극부(229)는 각각의 발광부(220)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도시에서는 전극부(229)가 발광부(220)를 기준으로 기판(210)에 대향하도록 배치될 수 있다. 절연층(270)은 발광부(220)들 사이를 채울 수 있으며, 안착가이드층(250)과 발광부(220) 사이를 채울 수 있다. 따라서 발광부(220)가 안착영역에서 이동되거나 회전하는 것을 방지할 수 있다.
다른 실시 형태로, 도시하지 않았지만, 전극부(229)는 발광부(220)와 기판(210)의 사이에 배치될 수 있다. 따라서 절연층(270)이 발광부(220)의 상부를 덮을 수 있으며, 안착가이드층(250)과 발광부(220) 사이로 연장될 수 있다. 상기 발광부(220)는 정사각형 또는 장변길이 및 단변길이를 가지는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 안착영역 내에 배치되는 발광부(220)들은 장변길이 방향(제1 방향)을 따라 배치될 수 있다. 상기 개방홀(252)의 배치방향(제1 방향) 폭(B)은 상기 발광부(220)들이 배치되는 배치영역(RG)의 제1 방향 길이(A)보다 클 수 있다. 상기 배치영역(RG)의 대각선 길이(C)는 상기 개방홀(252)의 제1 방향 폭(B) 보다 클 수 있다. 따라서 발광부(220)들의 장변이 서로 마주보지 않도록 배치하여 혼색이 효과적으로 방지될 수 있다. 따라서 발광부(220)가 기판(210)에 안착될 때 발광부(220)에 의하여 안착가이드층(250)의 모서리가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 안착영역 내에 배치되는 발광부(220)들은 단변길이 방향(제1 방향)을 따라 배치될 수 있다. 상기 개방홀(252)의 배치방향(제1 방향) 폭(B)은 상기 발광부(220)들이 배치되는 배치영역(RG)의 제1 방향 길이(A)보다 클 수 있다. 상기 배치영역(RG)의 대각선 길이(C)는 상기 개방홀(252)의 제1 방향 폭(B) 보다 클 수 있다. 따라서 발광부(220)가 기판(210)에 안착될 때 발광부(220)에 의하여 안착가이드층(250)의 모서리가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 개방홀(252)간의 거리를 넓게 확보하여 콘트라스트를 증가시킬 수 있다.
상기 제1 방향 기준, 상기 개방홀(252)과 상기 발광부(220)의 측면 사이의 이격 간격(a)은 상기 발광부(220)의 배치영역(RG)의 측면 길이(A)의 0.25배 이하일 수 있다. 따라서 발광부(220)가 기판(210) 상에 배치될 때 발광부(220)가 과도하게 회전하여 시야각이 변경되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 방향 기준, 상기 안착가이드층(250)의 길이(b)는 상기 이격 간격(a)의 2배 내지 5배일 수 있다. 따라서 안착가이드층(250)에 의한 발광부(220)들의 이격 효과가 증가될 수 있다. 상기 안착가이드층(250)에는 상기 개방홀(250)이 복수로 구비될 수 있으며, 상기 안착가이드층(250)의 길이(b)은 인접한 개방홀(250) 사이의 간격일 수 있다.
상기 발광부(220)의 수직 두께(d)는 상기 안착가이드층(250)의 두께(f) 보다 두꺼울 수 있다. 상기 안착가이드층(250)의 두께(f)는 상기 발광부(220)의 두께(d)를 고려하여 설계될 수 있다. 상기 발광부(220)의 수직 두께(d)는 2~8μm일 수 있다. 예로서, 상기 안착가이드층(250)의 두께(f)는 상기 발광부(220)의 수직 두께(d)의 1% 내지 10%의 두께를 가질 수 있다. 따라서 발광부(220)에서 발생된 광이 안착가이드(250)에서 과도하게 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
상기 발광부(220)가 복수의 발광스택들을 포함하는 경우, 상기 기판(210)에 인접한 발광스택의 두께는 상기 안착가이드층(250)의 두께(f)보다 두꺼울 수 있다.
상기 접착층(260)의 두께(e)는 상기 안착가이드층(250)의 두께(f) 보다 얇을 수 있다. 예로서, 상기 안착가이드층(250)의 두께(f)는 상기 접착층(260)의 두께(e)의 7배 내지 30배일 수 있다. 따라서 상기 접착층(260)은 개방홀(252)과 상기 발광부(220)의 측면 사이의 이격 영역에도 끊어짐 없이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 6은 본 발명의 실시예 적용 가능한 발광부(300)의 예시를 보여주는 평면도로서, 보호층(380) 및 절연층(370)의 제1 및 제2 오프닝(382, 372)의 형상 및 배치 형태를 도시한 것이다. 실시예에 따른 발광부(300)에서 보호층(380) 및 절연층(370)의 제1 및 제2 오프닝(382, 372)의 형상 및 배치 형태는 제1 내지 제2 실시예에 따른 발광모듈(100, 200)에도 유사하게 적용될 수 있다. 상기 보호층(380)은 DBR층일 수 있다.
구체적으로, 도 6에서, 상기 발광부(300)는 제1 내지 제3 발광스택(322, 324, 326)을 포함할 수 있다. 상기 제1 발광스택(322)과 제2 발광스택(324) 사이에는 제1 연결층(323)이 배치되고, 상기 제2 발광스택(324)과 제3 발광스택(326) 사이에는 제2 연결층(325)이 배치될 수 있다.
상기 기판(310)과 인접한 제1 발광스택(322)의 제1 노출영역은 상기 발광부(300)의 일 측면을 따라 길게 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 노출영역은 발광부(300)의 측면에 제2 방향을 따라 연장될 수 있다.
상기 보호층(380) 및 절연층(370)의 제1 및 제2 오프닝(382, 372)들 중 적어도 하나는 장변 길이(L1, L2) 및 단변 길이(S1, S2)를 가지는 타원형 형상을 가질 수 있다. 상기 발광부(300)는 상기 타원형 형상의 제1 및 제2 오프닝(382, 372)을 통해 공통전극(329d)과 연결될 수 있다.
이때, 상기 제1 발광스택(322)의 제1 노출영역에 배치되는 보호층(380)의 제1 오프닝(382a) 및 절연층(370)의 제2 오프닝(372a)의 장변 길이(L1, L2) 방향은 상기 제1 노출영역의 길이 방향(제2 방향)과 일치할 수 있다. 이를 통해 상기 제1 발광스택(322)의 발광영역을 넓게 확보할 수 있고 광량을 증가시킬 수 있다.
상기 제1 발광스택(322) 상부에 배치되는 제2 발광스택(324)의 제2 노출영역은 제2 방향에 수직한 제1 방향을 따라 연장될 수 있다.
이때, 상기 제2 노출영역에 배치되는 보호층(380)의 제1 오프닝(382b) 및 절연층(370)의 제2 오프닝(372b)의 장변 길이(L1, L2) 방향은 상기 제1 노출영역의 길이 방향(제2 방향)과 수직일 수 있다. 이를 통해 제1 노출영역에 배치되는 제1 및 제2 오프닝(382a, 372a)과 제2 노출영역에 배치되는 제1 및 제2 오프닝(382a, 372a)이 서로 더 멀리 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 제1 노출영역에서 상기 제1 오프닝(382a)의 면적은 상기 제2 노출영역에서 상기 제1 오프닝(382b)의 면적 보다 클 수 있다. 유사하게, 상기 제1 노출영역에서 상기 제2 오프닝(372a)의 면적은 상기 제2 노출영역에서 상기 제2 오프닝(372b)의 면적 보다 클 수 있다. 제1 내지 제3 발광스택(322, 324, 326)이 순차 수직으로 적층됨에 따라 제1 발광스택(322)의 발광면적이 제2 발광스택(324)의 발광면적보다 상대적으로 크게 형성되는데, 제1 노출영역에서 제1 오프닝(382a) 및 제2 오프닝(372a)의 크기를 제2 노출영역에서 보다 크게 함으로써, 제1 노출영역에서 공통 전극(329d)과의 접촉면적을 더 크게 할 수 있다. 그에 따라 각 발광스택(322, 324, 326)의 발광면적 차이에 따른 저항을 감소시킬 수 있다.
한편, 도 7은 도 6의 단면의 일부를 확대한 것으로, 상기 보호층(380)의 제1 오프닝(382b) 내에 상기 절연층(370)의 제2 오프닝(372b)이 배치될 수 있다. 상기 절연층(370)의 제2 오프닝(372b)은 상기 보호층(380)의 제1 오프닝(382a) 보다 더 작은 크기로 형성될 수 있다. 그에 따라 상기 제1 오프닝(382a)의 측면이 공통 전극(329d)와 이격되도록 구성될 수 있다. 결과적으로, 절연층(370)의 제2 오프닝(372b)으로부터 절연층(370)의 상면까지 거리가 증가되고 절연층(370)의 제2 오프닝(372b)으로부터 절연층(370)의 상면까지 이어지는 경사를 완만하게 할 수 있다. 그에 따라 그 상부에 배치되는 공통 전극(329d)가 급격한 경사면으로 끊기는 문제없이 안정적으로 잘 형성될 수 있으며 안정적인 전기적 연결이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광모듈(400)을 도시한 것으로, 상기 발광모듈(400)은 발광부(420)를 제외하고는 제1 내지 제2 실시예의 발광모듈(100, 200)과 동일하거나 유사하게 구성될 수 있으므로, 중복되는 부분에 대한 설명은 생략한다.
상기 발광부(420)는 상기 기판(410) 상에 순차 수직으로 적층되는 제1 내지 제3 발광스택(422, 424, 426)을 포함할 수 있다. 상기 발광부(420)는 발광스택(422, 424, 426) 사이에 배치되는 연결층(423, 425)을 더 포함할 수 있다. 상기 발광부(420)는 상기 제1 발광스택(422)과 제2 발광스택(424) 사이에 배치되는 제1 연결층(423) 및 제2 발광스택(424)과 제3 발광스택(426) 사이에 배치되는 제2 연결층(425)을 포함할 수 있다.
상기 발광부(420)는 발광스택(422, 424, 426)들을 둘러싸는 커버층(427)을 포함할 수 있다. 상기 커버층(427)은 절연 재질의 절연층일 수 있다.
상기 커버층(427)은 상기 발광스택(422, 424, 426)들을 둘러싸며 상기 발광스택(422, 424, 426)들과 상기 전극부(429) 사이에 배치되는 층으로, 상기 복수의 전극(429a, 429b, 429c, 429d)들과 상기 복수의 발광스택들(422, 424, 426)들 사이의 연결을 위한 오프닝(H)들을 구비할 수 있다. 상기 오프닝(H)은 발광스택(422, 424, 426)의 일 부분을 노출시키는 개구로서, 상기 복수의 전극(429a, 429b, 429c, 429d)들은 커버층(427)의 오프닝(H)을 통해 상기 복수의 발광스택들(422, 424, 426)들에 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상기 발광부(420)는 복수의 발광스택(422, 424, 426)들이 적층되어 상면, 하면 및 복수의 측면들을 포함하는 다각기둥 형태로 형성될 수 있다. 이때, 상기 발광부(420)의 하면은 상기 기판(410)의 일면에 대향하는 면이며, 상면은 상기 하면의 반대측 일면으로 정의할 수 있다.
상기 발광부(420)의 측면들은 상면 및 하면을 연결하는 면들로서, 상기 기판(410)의 일면에 수직하거나 또는 경사를 가지는 면일 수 있다.
예로서, 상기 발광부(420)는 평면 상 사각형 형상을 가지는 사각기둥 형태일 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 상기 발광부(420)는 4개의 측면과 인접한 측면들이 만나는 4개의 모서리를 가질 수 있다. 상기 모서리는 두 개의 측면이 만나 형성되는 영역으로 측면에 포함되는 영역일 수 있다.
상기 발광부(420)의 측면에는 적어도 하나의 그루브(G)가 형성될 수 있다. 상기 그루브(G)는 발광부(420)의 측면에서 내측으로 함몰 형성되는 빈 공간을 의미할 수 있다. 그루브(G)의 빈 공간을 정의하는 내측면(IS)이 형성될 수 있다.
상기 그루브(G)는 상기 복수의 발광스택(422, 424, 426)들의 측면을 따라 수직으로 형성될 수 있다. 여기서, 수직 방향은 상기 발광스택(422, 424, 426)의 적층 방향과 일치할 수 있다. 상기 그루브(G)는 상기 발광부(420)의 상면에서 하면까지 연장 형성될 수 있다. 즉, 상기 그루브(G)는 상기 발광부(420)의 측면에 상면과 하면을 지나도록 형성될 수 있다. 상기 그루브(G)는 제1 발광스택(422)에서 연장되어 제1 연결층(423)을 지나갈 수 있다. 또한, 그루브(G)는 제1 연결층(423)에서 연장되어 제2 발광스택(424)을 지나갈 수 있다. 그루브(G)는 제2 발광스택(424)에서 연장되어 제2 연결층(425)을 지나갈 수 있다. 상기 그루브(G)는 제2 연결층(425)에서 연장되어 제3 발광스택(426)을 지나갈 수 있다. 그루브(G)는 제1 발광스택(422)에서부터 제3 발광스택(426)까지 연장되어 형성될 수 있다.
예로서, 상기 그루브(G)는 상기 발광부(420)의 각 측면마다 형성될 수 있다. 상기 발광부(420)가 네 개의 측면을 가짐에 따라 상기 발광부(420)는 각 측면에 형성되는 네 개의 그루브(G)를 포함할 수 있다. 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 그루브(G)는 상기 발광부(420)의 인접한 측면이 만나는 모서리에 형성될 수도 있음은 물론이다.
상기 그루브(G)에 전극부(429)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 그루브(G) 내에 상기 발광부(420)의 전극부(429)가 배치될 수 있다. 하나의 그루브(G)에는 하나의 전극(429a, 429b, 429c, 429d)이 대응되어 배치될 수 있다.
그에 따라, 상기 발광부(520)에 형성되는 그루브(G)의 개수는 상기 발광부(420)의 전극(429a, 429b, 429c, 429d)의 개수와 동일 할 수 있다. 도 8의 경우, 상기 발광부(420)가 3개의 발광스택(422, 424, 426)을 포함함에 따라 네 개의 전극(429a, 429b, 429c, 429d)이 구비되며, 각 전극(429a, 429b, 429c, 429d)을 위한 네 개의 그루브(G)가 형성될 수 있다.
상기 전극(429a, 429b, 429c, 429d)이 대응되는 그루브(G)에 배치되므로, 상기 전극(429a, 429b, 429c, 429d) 또한 상기 발광스택(422, 424, 426)들의 측면을 따라 수직으로 연장될 수 있다.
상기 그루브(G)가 발광스택(422, 424, 426)들의 모서리 영역에서 형성되는 경우, 상기 전극(429a, 429b, 429c, 429d)들 또한 발광부의 이웃한 측면이 만나는 모서리를 따라 수직으로 연장될 수 있다.
상기 그루브(G) 내에 전극(429a, 429b, 429c, 429d)이 배치됨에 따라, 상기 커버층(427)의 오프닝(H)은 그루브(G) 내에 형성될 수 있다.
상기 그루브(G)의 내주면은 커버층(427)에 의해 덮일 수 있고, 상기 커버층(427)은 전극(429a, 429b, 429c, 429d)에 의해 덮일 수 있다. 이때, 커버층(427)은 그루브(G) 내주면에서 발광스택(422, 424, 426)의 적어도 일부분을 노출시키는 오프닝(H)을 포함할 수 있다. 상기 커버층(427)은 그루브(G) 내에 한정되지 않고, 발광스택(422, 424, 426)들의 외 측면까지 연장될 수 있다. 또한, 상기 커버층(427)은 발광스택(422, 424, 426)들과 연결층(423, 425) 사이의 계면을 덮을 수 있다.
상기 전극(429a, 429b, 429c, 429d)은 그루브(G)를 따라 수직으로 연장되므로, 공통전극(429d)은 서로 다른 높이에 형성된 복수의 오프닝(H)들을 통해 각 발광스택(422, 424, 426)들에 연결될 수 있다. 상기 공통전극(429d)에 대응되는 복수의 오프닝(H)들은 수직으로 배치될 수 있다. 즉, 상기 커버층(427)의 오프닝(H)은 복수개로 형성될 수 있으며, 복수의 오프닝(H)들이 위치하는 높이는 서로 다를 수 있다.
각 전극(429a, 429b, 429c, 429d)들의 상하 길이는 서로 상이할 수 있다. 각 전극(429a, 429b, 429c, 429d)들의 너비 및 높이 비율 또한 서로 상이할 수 있다.
도 8에서 상기 각 전극(429a, 429b, 429c, 429d)은 상기 절연층(470)의 제2 오프닝(472)을 통해 외부로 노출될 수 있다. 상기 발광모듈(400) 또한 보호층(480)의 제1 오프닝(482) 내에 절연층(470)의 제2 오프닝(472)이 배치될 수 있다.
한편, 도 8의 경우, 상기 전극(429a, 429b, 429c, 429d)이 대응되는 그루브(G) 영역 내에 한정되어 배치되는 예를 도시한 것이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전극(429a, 429b, 429c, 429d)은 상기 그루브(G) 내에서 그루브(G)의 주변 영역까지 연장될 수 있다.
상기 그루브(G)는 다양한 폭과 깊이를 가질 수 있다. 상기 그루브(G)의 폭과 깊이는 기판(410)의 일면으로부터의 거리에 따라 실질적으로 균일한 값을 가질 수 있다. 여기서, 그루브(G)의 폭은 상기 그루브(G)가 형성된 측면에 평행한 길이를 의미하고, 깊이는 상기 그루브(G)가 형성된 측면에 수직한 길이를 의미할 수 있다.
상기 그루브(G)의 형태는 예시적인 것이며 그루브(G)의 형태 및 크기는 설계에 따라 다양하게 구성될 수 있다.
일 예로, 상기 그루브(G)의 폭은 기판(410)의 일면으로부터의 거리에 따라 가변될 수 있다. 이때, 상기 그루브(G)의 폭은 기판(410)의 일면으로부터의 거리가 멀어질수록 커질 수 있다.
또는, 상기 그루브(G)의 깊이는 기판(410)의 일면으로부터의 거리에 따라 가변될 수 있다. 이때, 상기 그루브(G)의 깊이는 기판(410)의 일면으로부터의 거리가 멀어질수록 깊어질 수 있다.
또한, 상기 그루브(G)의 함몰면적은 그루브(G)가 형성하는 단면이 형성하는 영역의 면적으로서, 상기 기판(410)의 일면으로부터의 거리에 따라 가변될 수 있다. 이때, 상기 그루브(G)의 함몰면적은 상기 기판(410)의 일면으로부터의 거리가 멀어질수록 커질 수 있다.
상기 그루브(G)의 내주면의 적어도 일부는 곡면일 수도 있다.
도 9는 도 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광모듈(500)을 보여주는 측면도로서, 상기 발광모듈(500)는 기판(510) 및 상기 기판(510)의 일면에 배치되는 발광부(520)를 포함할 수 있다. 상기 제4 실시예의 발광모듈(500)에서 상기 기판(510)은 상기 제1 내지 제3 실시예의 발광모듈(100, 200, 400)의 기판(110, 210, 410)과 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다. 상기 발광부(520)는 상기 제3 실시예의 발광모듈(400)의 발광부(420)와 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다. 상기 발광모듈(500)은 몰딩부(530)를 더 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(500)은 기판(510) 및 기판(510)의 일면에 배치되는 발광부(520)를 포함할 수 있다. 상기 발광부(520)는 도 8의 발광부(420)와 동일하거나 유사하게 구성될 수 있으므로 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.
전극부(529)는 발광부(520)와 기판(510)의 사이에 배치되는 전도성 물질에 의하여 기판(510)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전도성 물질은 제1 발광스택(522)의 측면으로 연장되어 제1 발광스택(522)의 측면 일부를 덮을 수도 있다.
도 9에서, 상기 발광모듈(500)은, 상기 기판(510)의 일면과 발광부(520)를 덮는 몰딩부(530)를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(530)는 상기 발광소자(520)의 측면 또는 상면의 적어도 일부 영역을 덮는 층으로, 상기 발광부(520)에서 방출된 광의 적어도 일부를 투과시킬 수 있다. 상기 몰딩부(530)는 상기 발광소자(520)의 적어도 일부를 덮어 수분 및 외부 충격으로부터 상기 발광부(520)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩부(530)는 실리카, TiO2 또는 알루미나 등과 같은 충전제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(530)는 발광부(520)의 상면 및 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(530)는 투광성을 갖는 몰딩층으로 형성될 수 있다.
도 10은 도 9의 발광부(520)를 보여주는 상면도로서, 발광스택(522, 524, 526)들의 측면에 형성되는 그루브(G), 발광스택(522, 524, 526)들을 커버하는 커버층(527), 및 그루브(G) 내에 배치되며 커버층(527)의 오프닝(H)을 통해 발광스택(522, 524, 526)에 연결되는 전극(529a, 529b, 529c, 529d)들을 보여준다.
한편, 상기 발광모듈(500)에서 발광소자(520)는 다양하게 변형될 수 있다. 먼저, 도 11 및 도 12는 다른 예시적인 발광소자(520)의 발광스택(522, 524, 526)의 평면도 및 측면도를 도시한 것이다. 도 11 및 도 12에서 발광스택(522, 524, 526)의 측면에 형성되는 그루브(G)는 기판(510)의 일면으로부터의 거리에 따라 폭(T1, T2)이 가변될 수 있다. 여기서, 그루브(G)의 폭(T1, T2)은 발광스택(522, 524, 526)의 측면에 평행한 길이로서, 대향하는 그루브(G) 내측면(IS) 사이의 거리일 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 그루브(G)는 발광스택(522, 524, 526)의 하면에서 최소 폭(T2)을 가지며, 상면에서 최대 폭(T1)을 가질 수 있다.
결과적으로, 상기 발광부(520)는 기판(510)에서 멀어질수록 그루브(G)의 함몰면적이 커지므로, 상기 발광부(520)가 보다 안정적으로 기판(510) 상에 지지될 수 있다.
다음으로, 도 13는 또 다른 예시적인 발광소자(520)의 발광스택(522, 524, 526)의 평면도를 도시한 것이다. 도 13에서, 상기 발광스택(522, 524, 526)의 측면에 형성되는 그루브(G)의 단면은 깊이가 깊어질수록 폭이 좁아지는 사다리꼴 형태로 형성될 수 있다.
상기 발광스택(522, 524, 526)의 측면 마다 그루브(G)가 형성될 수 있으며, 그루브(G) 내에 대응되는 각 전극(529a, 529b, 529c, 529d)이 배치될 수 있다. 상기 전극(529a, 529b, 529c, 529d)들 중 하나는 복수의 발광스택(522, 524, 526)들에 모두 연결되는 공통전극(529d)일 수 있다.
다음으로, 도 14는 또 다른 예시적인 발광소자(520)의 발광스택(522, 524, 526)의 평면도를 도시한 것이다. 도 14에서, 상기 발광스택(522, 524, 526)의 측면에 형성되는 그루브(G)의 단면은 깊이가 깊어질수록 폭이 좁아지는 삼각형 형태로 형성될 수 있다.
상기 발광스택(522, 524, 526)의 측면 마다 그루브(G)가 형성될 수 있으며, 그루브(G) 내에 대응되는 각 전극(529a, 529b, 529c, 529d)이 배치될 수 있다. 상기 전극(529a, 529b, 529c, 529d)들 중 하나는 복수의 발광스택(522, 524, 526)들에 모두 연결되는 공통전극(529d)일 수 있다.
다음으로, 도 15은 또 다른 예시적인 발광소자(520)의 발광스택(522, 524, 526)의 평면도를 도시한 것이다. 도 15에서, 상기 발광스택(522, 524, 526)의 측면에 형성되는 그루브(G)의 단면은 반원 형태로 형성될 수 있다.
상기 발광스택(522, 524, 526)의 측면 마다 그루브(G)가 형성될 수 있으며, 그루브(G) 내에 대응되는 각 전극(529a, 529b, 529c, 529d)이 배치될 수 있다. 상기 전극(529a, 529b, 529c, 529d)들 중 하나는 복수의 발광스택(522, 524, 526)들에 모두 연결되는 공통전극(529d)일 수 있다.
다음으로, 도 16은 또 다른 예시적인 발광소자(520)의 발광스택(522, 524, 526)의 평면도를 도시한 것이다. 도 16에서, 상기 발광스택(522, 524, 526)의 그루브(G)는 인접한 측면이 만나는 모서리 영역에 형성될 수 있다. 상기 그루브(G)는 상기 발광스택(522, 524, 526)들의 모서리를 모따기 또는 모깎기 가공한 형태를 가질 수 있다.
상기 발광스택(522, 524, 526)의 모서리 영역 마다 그루브(G)가 형성될 수 있으며, 그루브(G) 내에 대응되는 각 전극(529a, 529b, 529c, 529d)이 배치될 수 있다. 상기 전극(529a, 529b, 529c, 529d)들 중 하나는 복수의 발광스택(522, 524, 526)들에 모두 연결되는 공통전극(529d)일 수 있다.
다음으로, 도 17은 또 다른 예시적인 발광소자(520)의 발광스택(522, 524, 526)의 평면도를 도시한 것이다. 도 17에서, 상기 발광스택(522, 524, 526)의 그루브(G)는 인접한 측면이 만나는 모서리 영역에 형성될 수 있다. 상기 그루브(G)는 상기 발광스택(522, 524, 526)들의 모서리가 함몰된 형태를 가질 수 있다. 상기 그루브(G)의 내주면은 곡면일 수 있다.
상기 발광스택(522, 524, 526)의 모서리 영역 마다 그루브(G)가 형성될 수 있으며, 그루브(G) 내에 대응되는 각 전극(529a, 529b, 529c, 529d)이 배치될 수 있다. 상기 전극(529a, 529b, 529c, 529d)들 중 하나는 복수의 발광스택(522, 524, 526)들에 모두 연결되는 공통전극(529d)일 수 있다.
상기 도 9 내지 도 17에서 설명한 발광소자(520)는 제1 내지 제3 실시예에 따른 발광모듈(100, 200, 400)에도 적용될 수 있다.
다음으로, 도 18은 도 9의 발광모듈(500)을 보여주는 사시도이다. 도 18에서 커버층(527)은 도시를 생략하였다. 상기 발광모듈(500)은 발광스택(522, 524, 526)의 측면에 함몰 형성된 그루브(G) 내에 전극부(529)가 배치되므로 발광부(520)의 소형화가 가능하고 각 발광스택(522, 524, 526)의 발광면적을 최대로 확보하여 광량을 극대화할 수 있다. 또한, 전극부(529)가 발광부(520)의 측면을 따라 수직으로 연장되므로, 전극부(529)가 발광부(520)의 측면에서 광을 반사하여 광 추출 효율과 광의 직진성을 개선할 수 있다.
또한, 상기 구동 중 발광부(520)의 발열에 의해 열변형이 발생되는 경우에서, 그루브(G) 형상을 통해 열변형을 흡수할 수 있고, 열변형시 발생 가능한 파티클을 그루브(G) 영역 내에 가두어 발광 품질을 개선할 수 있다.
또한, 도 18을 참조하면, 상기 전극부(529) 중 공통전극(529d)이 서로 다른 높이에 형성되는 커버층(527)의 오프닝(H)들을 통해 제1 내지 제3 발광스택(522, 524, 526)에 모두 공통으로 연결됨을 알 수 있다.
다음으로, 도 19의 발광모듈(500')은 도 18의 발광모듈(500)의 변형례를 도시한 것으로, 상술한 제4 실시예의 발광모듈(500)과 다른 점을 중심으로 상세히 설명한다. 도 19의 발광모듈(500') 도 9 및 도 10의 발광부(520)가 도 11 및 도 12의 발광부(520)로 대체된 점을 제외하고는 도 18의 발광모듈(500)과 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다.
상기 발광소자(520)에서 그루브(G)의 폭(T1, T2)은 기판(510)의 일면으로부터의 거리에 따라 가변될 수 있다. 상기 발광소자(520)에서 그루브(G)의 깊이(W1, W2)은 기판(510)의 일면으로부터의 거리에 따라 가변될 수 있다.
상기 그루브(G)의 폭(T1, T2)은 기판(510)의 일면에서 멀어질 수록 커질 수 있다. 더 나아가, 상기 그루브(G)의 깊이(W1, W2)은 기판(510)의 일면에서 멀어질 수록 깊어질 수 있다. 그에 따라, 상기 그루브(G)는 상기 발광부(520)의 상면에서 최대 폭(T1)을 가지고, 상기 발광부(520)의 하면에서 최소 폭(T2)을 가질 수 있다. 그에 따라, 상기 그루브(G) 내에서 대향하는 내측면(S)은 경사면을 형성할 수 있다.
상기 그루브(G)의 외측 경계에서 제3 발광스택(526)의 일 모서리까지의 최대 폭, 상기 그루브(G)의 외측 경계에서 제2 발광스택(524)의 일 모서리까지의 최대 폭, 및 상기 그루브(G)의 외측 경계에서 제1 발광스택(522)의 일 모서리까지의 최대 폭은, 서로 상이할 수 있다.
상기 그루브(G)의 폭의 변화율과 그루브(G)의 외측 경계에서 발광스택(522, 524, 526)의 일 모서리까지의 폭의 변화율은 반비례 관계일 수 있다.
상기 그루브(G)의 단면의 함몰면적은 기판(510)의 일면으로부터 멀어질수록 커질 수 있다. 즉, 발광부(520)의 상면 측에서 볼 때 그루브(G)의 면적은 하면 측에서 볼 때 그루브(G)의 면적보다 클 수 있다. 따라서 제1 발광스택(522)의 발광 면적을 크게 형성할 수 있다.
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 그루브(G)의 단면의 함몰면적은 기판(510)의 일면으로부터 멀어질수록 작아질 수도 있다.
또한, 공통전극(529d)이 배치되는 그루브(G)에는 커버층(527)의 오프닝(H)이 복수로 배치될 수 있으며, 각 오프닝(H)은 서로 다른 높이에 배치되며 서로 다른 크기로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 20의 발광모듈(500'')은 도 18의 발광모듈(500)의 또 다른 변형례를 도시한 것으로, 상술한 제4 실시예의 발광모듈(500)과 다른 점을 중심으로 상세히 설명한다. 도 20의 발광모듈(500'') 도 9 및 도 10의 발광부(520)가 도 17의 발광부(520)로 대체된 점을 제외하고는 도 18의 발광모듈(500)과 동일하거나 유사하게 구성될 수 있다.
상기 그루브(G)는 발광부(520)의 모서리에 형성될 수 있다. 즉, 그루브(G)는 발광부(520)의 적어도 2개의 인접한 측면에 걸쳐서 형성될 수 있다. 상기 그루브(G)는 발광부(520)의 상면 측에서 볼 때 내측면이 곡면으로 형성될 수도 있다. 또는 상기 그루브(G)는 발광부(520)의 상면 측에서 볼 때 내측면이 선형으로 형성될 수도 있다.
본 발명에서 상기 그루브(G)의 함몰영역은 절곡된 형태, 사각형 형태, 사다리꼴 형태, 하나의 꼭지점으로 수렴하는 꼭지점 형태, 반원 형태, 원호 형태 등 특정 형태에 한정되지 않으며, 다양한 형상을 가질 수 있음은 자명하다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판 및 상기 기판의 일면에 배치되는 하나 이상의 발광부를 포함하는 발광모듈로서,
    상기 기판의 일면 상에 배치되며, 상기 기판의 일면 중 상기 발광부가 안착되는 안착영역을 형성하는 개방홀을 구비하는 안착가이드층을 포함하며,
    상기 개방홀의 제1 방향 폭은 상기 발광부의 제1 방향 측면 길이보다 큰 발광모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 개방홀과 상기 발광부의 측면 사이의 상기 제1 방향 이격 간격은 상기 발광부의 상기 제1 방향 측면 길이의 0.25배 이하인 발광모듈.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 안착가이드층의 제1 방향 길이는 상기 제1 방향 이격 간격의 2배 내지 5배인 발광모듈.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부는 평면 상 상기 제1 방향 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향 길이를 가지는 사각 형상을 가지며,
    상기 발광부의 대각선 길이는, 상기 안착가이드층의 상기 개방홀의 상기 제1 방향 폭보다 큰 발광모듈.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부는 수직으로 적층된 복수의 발광스택들을 포함하며,
    상기 복수의 발광스택들 중, 상기 기판에 인접한 발광스택의 수직 두께는 상기 안착가이드층의 두께보다 두꺼운 발광모듈.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부를 상기 기판에 고정하기 위해 상기 안착가이드층와 상기 안착영역을 덮는 접착층을 더 포함하며,
    상기 접착층의 두께는 상기 안착가이드층의 두께보다 얇은 발광모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 발광부 상에 배치되는 보호층, 상기 보호층 상부에 배치되는 절연층, 및 상기 절연층 상부에 배치되며 상기 보호층에 구비되는 제1 오프닝 및 상기 절연층에 구비되는 제2 오프닝을 통해 상기 발광부에 연결되는 전극부를 더 포함하는 발광모듈.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2 오프닝은 상기 제1 오프닝 내에 배치되는 발광모듈.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 발광부는 상기 기판 상에 순차 수직으로 적층된 제1 내지 제3 발광스택들을 포함하며,
    상기 제1 내지 제3 발광스택은 각각 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며,
    상기 제1 내지 제3 발광스택은 각각 상기 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 메사에칭영역을 포함하며,
    상기 제1 발광스택에서 상기 메사에칭영역에 의해 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 노출영역은 일측면을 따라 길게 형성되는 발광모듈.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 노출영역에서 상기 제1 오프닝 및 상기 제2 오프닝은 장변 길이 및 단변 길이를 가지는 타원형 형상이며,
    상기 장변 길이 방향은 상기 제1 노출영역의 길이 방향과 일치하는 발광모듈.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 제2 발광스택에서 상기 제1 오프닝 및 상기 제2 오프닝은 장변 길이 및 단변 길이를 가지는 타원형 형상이며,
    상기 장변 길이 방향은 상기 제1 노출영역의 길이 방향과 수직인 발광모듈.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 노출영역에서 상기 제1 오프닝의 면적은 상기 제2 노출영역에서 상기 제1 오프닝의 면적 보다 큰 발광모듈.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 노출영역에서 상기 제2 오프닝의 면적은 상기 제2 노출영역에서 상기 제2 오프닝의 면적 보다 큰 발광모듈.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부는 상기 안착영역 내에 복수로 구비되는 발광모듈.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부는 수직으로 적층된 복수의 발광스택들 및 상기 발광스택들의 측면에 함몰 형성되는 그루브에 배치되는 전극부를 포함하는 발광모듈.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광부는 인접한 상기 발광스택들 사이에 배치되는 연결층을 더 포함하는 발광모듈.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 그루브는 상기 발광부의 상면에서 하면까지 연장 형성되는 발광모듈.
  18. 기판 및 상기 기판의 일면에 배치되는 하나 이상의 발광부를 포함하는 발광모듈로서,
    상기 발광부는 수직으로 적층된 복수의 발광스택들, 상기 복수의 발광스택들의 측면에 함몰 형성되는 그루브, 상기 그루브를 덮는 커버층, 및 상기 그루브 내에 배치되며 상기 커버층에 구비되는 오프닝을 통해 상기 발광스택들에 연결되는 전극부를 포함하는 발광모듈.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 발광부는 상면, 하면 및 복수의 측면들을 포함하는 다각기둥 형태이며,
    상기 전극부는 상기 발광부의 측면을 따라 수직으로 연장되는 복수의 전극들을 포함하는 발광모듈.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 복수의 전극들 중 하나는 상기 복수의 발광스택들에 공통으로 연결되는 공통전극이며, 상기 복수의 전극들 중 상기 공통전극을 제외한 나머지는 상기 복수의 발광스택들에 각각 연결되는 개별전극인 발광모듈.
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