WO2025253723A1 - 基板処理装置および搬送方法 - Google Patents

基板処理装置および搬送方法

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WO2025253723A1
WO2025253723A1 PCT/JP2025/007703 JP2025007703W WO2025253723A1 WO 2025253723 A1 WO2025253723 A1 WO 2025253723A1 JP 2025007703 W JP2025007703 W JP 2025007703W WO 2025253723 A1 WO2025253723 A1 WO 2025253723A1
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WO
WIPO (PCT)
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lifter
ring
inner ring
lifters
hole
Prior art date
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Pending
Application number
PCT/JP2025/007703
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English (en)
French (fr)
Inventor
響介 安部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2025253723A1 publication Critical patent/WO2025253723A1/ja
Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping

Definitions

  • Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to substrate processing apparatuses and transfer methods.
  • Patent Document 1 listed below discloses that "the substrate processing system includes a processing chamber and a pedestal 20 disposed in the processing chamber.
  • An edge connect ring 60 is disposed adjacent to the radially outer edge of the pedestal 20.
  • a first actuator 80 is configured to selectively move the edge connect ring 60 to a raised position relative to the pedestal 20, providing a gap between the edge connect ring 60 and the pedestal 20 so that a robot arm can remove the edge connect ring 60 from the processing chamber.”
  • This disclosure provides a substrate processing apparatus and a transport method that can improve the design freedom of substrate processing apparatuses.
  • One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus comprising a chamber, a stage, an inner ring, an outer ring, a first lifter, a second lifter, and a drive unit.
  • the stage is provided within the chamber and has a first surface on which a substrate is placed and a second surface provided around the first surface.
  • the inner ring is disposed on the second surface.
  • the outer ring is disposed outside the inner ring on the second surface.
  • the first lifter raises and lowers the inner ring.
  • the second lifter raises and lowers the outer ring.
  • the height of the upper end of the second lifter is lower than the height of the upper end of the first lifter.
  • the drive unit drives the first lifter and second lifter simultaneously.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the substrate support portion.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the configuration of the substrate support portion.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the configuration near the edge of the substrate support portion.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of the arrangement of the drive unit in the reference example.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of a process for transporting the inner ring.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a process for transporting the inner ring.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of a process for transporting the lower ring and the cover ring.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the substrate support
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of a process for transporting the lower ring and the cover ring.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a process for transporting the inner ring, the lower ring, and the cover ring.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of a process for transporting the inner ring, the lower ring, and the cover ring.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of a procedure for replacing a ring assembly.
  • FIG. 13A is a diagram illustrating the process of fine-tuning the height of the inner ring.
  • FIG. 13B is a diagram illustrating the process of fine-tuning the height of the inner ring.
  • FIG. 13A is a diagram illustrating the process of fine-tuning the height of the inner ring.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the configuration near the edge of the substrate support portion in the second embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram showing another example of the process of transporting the lower ring.
  • FIG. 16 is a diagram showing another example of the lift mechanism.
  • substrate processing equipment contains components such as edge rings and cover rings that are placed around the substrate. These components wear out as substrate processing is repeated, and therefore need to be replaced periodically.
  • the chamber is opened to the atmosphere every time the edge ring and cover ring are replaced, it takes time to return to a vacuum environment after replacement, resulting in a period of time (downtime) during which substrates cannot be processed. For this reason, it is possible to lift the edge ring and cover ring with a lift mechanism and remove them from the chamber using a transfer arm, without opening the chamber to the atmosphere.
  • edge ring and cover ring wear at different rates, their replacement timing does not necessarily coincide.
  • This disclosure therefore provides technology that can improve the degree of freedom in designing substrate processing equipment.
  • Fig. 1 is a diagram for explaining an example of the configuration of a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the plasma processing system includes a capacitively coupled plasma processing device 1 and a control unit 2.
  • the capacitively coupled plasma processing device 1 is an example of a substrate processing device.
  • the plasma processing device 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply unit 20, a power supply 30, and an exhaust system 40.
  • the plasma processing device 1 also includes a substrate support unit 11 and a gas introduction unit.
  • the substrate support unit 11 is an example of a stage.
  • the gas introduction unit is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 10.
  • the gas introduction unit includes a shower head 13.
  • the substrate support unit 11 is disposed within the plasma processing chamber 10.
  • the shower head 13 is disposed above the substrate support unit 11. In one embodiment, the shower head 13 forms at least a part of the ceiling of the plasma processing chamber 10.
  • the plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10s defined by the shower head 13, a sidewall 10a of the plasma processing chamber 10, and the substrate support unit 11.
  • the plasma processing chamber 10 has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space 10s and at least one gas exhaust port for exhausting gas from the plasma processing space.
  • the plasma processing chamber 10 is grounded.
  • the showerhead 13 and substrate support 11 are electrically insulated from the housing of the plasma processing chamber 10.
  • the substrate support 11 includes a main body 111 and a ring assembly 112.
  • the main body 111 has a central region 111a for supporting a substrate W and an annular region 111b for supporting the ring assembly 112.
  • a wafer is an example of a substrate W.
  • the annular region 111b of the main body 111 surrounds the central region 111a of the main body 111 in a planar view.
  • the substrate W is disposed on the central region 111a of the main body 111, and the ring assembly 112 is disposed on the annular region 111b of the main body 111 so as to surround the substrate W on the central region 111a of the main body 111.
  • the central region 111a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W
  • the annular region 111b is also called a ring support surface for supporting the ring assembly 112.
  • the central region 111a is an example of a first surface
  • the annular region 111b is an example of a second surface.
  • the main body 111 includes a base 1110, an electrostatic chuck 1111, and an insulating ring 1112.
  • the base 1110 includes a conductive member.
  • the conductive member of the base 1110 can function as a lower electrode.
  • the electrostatic chuck 1111 is disposed on the base 1110.
  • the electrostatic chuck 1111 includes a ceramic member 1111a and an electrostatic electrode 1111b disposed within the ceramic member 1111a.
  • the ceramic member 1111a has a central region 111a.
  • An insulating ring 1112 is disposed around the electrostatic chuck 1111 to surround the electrostatic chuck 1111.
  • the upper surface of the ceramic member 1111a near the edge and the upper surface of the insulating ring 1112 form an annular region 111b.
  • an annular electrostatic chuck may be provided instead of the insulating ring 1112.
  • the ring assembly 112 may be disposed on top of the annular electrostatic chuck, or may be disposed on both the electrostatic chuck 1111 and the annular electrostatic chuck.
  • At least one RF/DC electrode coupled to an RF (Radio Frequency) power supply 31 and/or a DC (Direct Current) power supply 32 (described later) may be disposed within the ceramic member 1111a.
  • the at least one RF/DC electrode functions as a lower electrode.
  • the RF/DC electrode is also referred to as a bias electrode.
  • the conductive member of the base 1110 and the at least one RF/DC electrode may function as multiple lower electrodes.
  • the electrostatic electrode 1111b may also function as a lower electrode. Therefore, the substrate support 11 includes at least one lower electrode.
  • the ring assembly 112 includes one or more annular members.
  • the one or more annular members include an inner ring, a lower ring, and a cover ring, which will be described below.
  • the inner ring and the lower ring are formed from a conductive or insulating material, and the cover ring is formed from an insulating material.
  • the inner ring is sometimes referred to as an edge ring or a focus ring.
  • a lift mechanism 50 is provided below the substrate support portion 11, for raising and lowering the ring assembly 112. Details of the lift mechanism 50 will be described later.
  • the substrate support 11 may also include a temperature adjustment module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 1111, the ring assembly 112, and the substrate W to a target temperature.
  • the temperature adjustment module may include a heater, a heat transfer medium, a flow path 1110a, or a combination thereof.
  • a heat transfer fluid such as brine or gas flows through the flow path 1110a.
  • the flow path 1110a is formed in the base 1110, and one or more heaters are disposed in the ceramic member 1111a of the electrostatic chuck 1111.
  • the substrate support 11 may also include a heat transfer gas supply unit configured to supply a heat transfer gas to a gap between the back surface of the substrate W and the central region 111a.
  • the shower head 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply unit 20 into the plasma processing space 10s.
  • the shower head 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and multiple gas inlets 13c.
  • the processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s from the multiple gas inlets 13c.
  • the shower head 13 also includes at least one upper electrode.
  • the gas inlet may also include one or more side gas injectors (SGIs) attached to one or more openings formed in the side wall 10a.
  • SGIs side gas injectors
  • the gas supply unit 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22.
  • the gas supply unit 20 is configured to supply at least one process gas from a corresponding gas source 21 to the showerhead 13 via a corresponding flow controller 22.
  • Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller.
  • the gas supply unit 20 may include one or more flow modulation devices that modulate or pulse the flow rate of the at least one process gas.
  • the power supply 30 includes an RF power supply 31 coupled to the plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit.
  • the RF power supply 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. This causes a plasma to be formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s. Therefore, the RF power supply 31 can function as at least a part of a plasma generation unit configured to generate plasma from one or more processing gases in the plasma processing chamber 10. Furthermore, by supplying a bias RF signal to the at least one lower electrode, a bias potential is generated on the substrate W, and ion components in the formed plasma can be attracted to the substrate W.
  • the RF power supply 31 includes a first RF generating unit 31a and a second RF generating unit 31b.
  • the first RF generating unit 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a source RF signal (source RF power) for plasma generation.
  • the source RF signal has a frequency in the range of 10 MHz to 150 MHz.
  • the first RF generating unit 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are supplied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the second RF generating unit 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit and is configured to generate a bias RF signal (bias RF power).
  • the frequency of the bias RF signal may be the same as or different from the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency lower than the frequency of the source RF signal.
  • the bias RF signal has a frequency in the range of 100 kHz to 60 MHz.
  • the second RF generating unit 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies.
  • the generated one or more bias RF signals are supplied to at least one lower electrode.
  • at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.
  • the power supply 30 may also include a DC power supply 32 coupled to the plasma processing chamber 10.
  • the DC power supply 32 includes a first DC generator 32a and a second DC generator 32b.
  • the first DC generator 32a is connected to at least one lower electrode and configured to generate a first DC signal.
  • the generated first bias DC signal is applied to the at least one lower electrode.
  • the second DC generator 32b is connected to at least one upper electrode and configured to generate a second DC signal.
  • the generated second DC signal is applied to the at least one upper electrode.
  • At least one of the first and second DC signals may be pulsed.
  • a sequence of voltage pulses is applied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have a rectangular, trapezoidal, triangular, or combination thereof pulse waveform.
  • a waveform generator for generating the sequence of voltage pulses from the DC signal is connected between the first DC generator 32a and at least one lower electrode.
  • the first DC generator 32a and the waveform generator constitute a voltage pulse generator.
  • the second DC generator 32b and the waveform generator constitute a voltage pulse generator
  • the voltage pulse generator is connected to at least one upper electrode.
  • the voltage pulses may have positive or negative polarity.
  • the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses within one period.
  • the first and second DC generators 32a and 32b may be provided in addition to the RF power supply 31, or the first DC generator 32a may be provided instead of the second RF generator 31b.
  • the exhaust system 40 may be connected to, for example, a gas exhaust port 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10.
  • the exhaust system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure in the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve.
  • the vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.
  • the control unit 2 processes computer-executable instructions that cause the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described in this disclosure.
  • the control unit 2 may be configured to control each element of the plasma processing apparatus 1 to perform the various processes described herein. In one embodiment, part or all of the control unit 2 may be included in the plasma processing apparatus 1.
  • the control unit 2 may include a processing unit 2a1, a memory unit 2a2, and a communication interface 2a3.
  • the control unit 2 is realized, for example, by a computer 2a.
  • the processing unit 2a1 may be configured to perform various control operations by reading a program from the memory unit 2a2 and executing the read program. This program may be stored in the memory unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when needed.
  • the acquired program is stored in the memory unit 2a2 and read from the memory unit 2a2 by the processing unit 2a1 for execution.
  • the medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3.
  • the processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit).
  • the memory unit 2a2 may include RAM (Random Access Memory), ROM (Read Only Memory), HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination thereof.
  • the communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the substrate support section 11.
  • Figure 3 is a plan view showing an example of the configuration of the substrate support section 11.
  • Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the configuration near the edge of the substrate support section 11. In the example of Figure 3, the position of the lift mechanism 50 is indicated by a dashed line.
  • the ring assembly 112 includes an inner ring 112a, a lower ring 112b, and a cover ring 112c.
  • the lower ring 112b is an example of an intermediate ring
  • the cover ring 112c is an example of an outer ring.
  • the inner ring 112a adjusts the distribution of plasma near the edge of the substrate W.
  • the lower ring 112b protects the area near the edge of the electrostatic chuck 1111 from plasma.
  • the cover ring 112c protects the area near the edge of the electrostatic chuck 1111 and the insulating ring 1112 from plasma.
  • the inner ring 112a is positioned on a partial area of the upper surface of the lower ring 112b. Furthermore, a portion of the lower ring 112b is positioned on a partial area of the upper surface of the cover ring 112c. Therefore, when the cover ring 112c is lifted, the lower ring 112b is also lifted along with the cover ring 112c.
  • the base 1110 has through-holes h1a and h1b formed therein, penetrating the base 1110 in the thickness direction.
  • the electrostatic chuck 1111 has through-hole h2a formed therein, penetrating the electrostatic chuck 1111 near the edge thereof in the thickness direction.
  • the insulating ring 1112 has through-hole h2b formed therein, penetrating the insulating ring 1112 in the thickness direction.
  • the lower ring 112b has through-hole h3a formed therein, penetrating the lower ring 112b in the thickness direction.
  • the through-holes h1a, h2a, and h3a are interconnected, and each has an inner diameter of ⁇ 2.
  • the through-holes h1b and h2b are interconnected, and each has an inner diameter of ⁇ 4.
  • the lift mechanism 50 has a drive unit 500, a cylinder 501, a connecting member 502, a thrust mechanism 503a, a thrust mechanism 503b, a lift pin 504a, and a lift pin 504b.
  • the connecting member 502 is connected to the cylinder 501, the thrust mechanism 503a, and the thrust mechanism 503b.
  • the lift pin 504a is connected to the thrust mechanism 503a, and the lift pin 504b is connected to the thrust mechanism 503b.
  • the height of the upper end of the lift pin 504b is lower than the height of the upper end of the lift pin 504a.
  • the outer diameter of lift pin 504a is ⁇ 1, which is narrower than the inner diameter ⁇ 2 of through holes h1a, h2a, and h3a, and lift pin 504a is arranged along the inner walls of through holes h1a, h2a, and h3a.
  • the outer diameter of lift pin 504b is ⁇ 2, which is narrower than the inner diameter ⁇ 4 of through holes h1b and h2b, and lift pin 504b is arranged along the inner walls of through holes h1b and h2b.
  • Lift pin 504a is an example of a first lifter
  • lift pin 504b is an example of a second lifter.
  • Thrust mechanism 503a is a mechanism that absorbs misalignment that occurs when cylinder 501 and lift pin 504a are arranged on different axes.
  • Thrust mechanism 503b is a mechanism that absorbs misalignment that occurs when cylinder 501 and lift pin 504b are arranged on different axes. Cylinder 501 and lift pin 504a and lift pin 504b are connected via connecting member 502, but when viewed from the top and bottom, lift pin 504a and lift pin 504b are arranged at a distance from cylinder 501. Therefore, if connecting member 502 is tilted, the load direction on lift pin 504a and lift pin 504b may deviate from the vertical direction.
  • lift pin 504a and lift pin 504b may be damaged. Therefore, by providing thrust mechanisms 503a and 503b, the misalignment in the load direction on lift pins 504a and 504b is absorbed.
  • the drive unit 500 By driving the cylinder 501 up and down, the drive unit 500 simultaneously raises and lowers the lift pins 504a and 504b via the connecting member 502, thrust mechanism 503a, and thrust mechanism 503b.
  • the lift pin 504a rises through the through holes h1a, h2a, and h3a
  • the inner ring 112a is lifted by the tip of the lift pin 504a.
  • the cover ring 112c is lifted by the tip of the lift pin 504b.
  • the cover ring 112c As the cover ring 112c is lifted, the lower ring 112b on the cover ring 112c is also lifted along with the cover ring 112c.
  • one drive unit 500 is provided for one lift pin 504a and one lift pin 504b.
  • three sets of lift pins 504a and lift pins 504b are provided.
  • Each drive unit 500 independently controls the lifting and lowering of each set of lift pins 504a and lift pins 504b. This makes it possible to fine-tune the deviation in displacement between multiple lift pins 504a and between multiple lift pins 504b when they are raised and lowered.
  • one drive unit 500 is provided in common for one lift pin 504a and one lift pin 504b. This allows for greater design freedom when miniaturizing the plasma processing apparatus 1.
  • the driving unit 500 When the inner ring 112a is to be removed, the driving unit 500 simultaneously raises the lift pins 504a and 504b, thereby lifting the inner ring 112a. In this case, as shown in FIG. 6, for example, the driving unit 500 raises the lift pins 504a and 504b so that the tip of the lift pin 504a reaches a height H1 that is higher than a height H0 of the upper surface of the pick 60 of the transfer arm inserted into the plasma processing chamber 10.
  • the height H1 is an example of a first height.
  • the pick 60 of the transfer arm is inserted into the plasma processing chamber 10.
  • the driver 500 then simultaneously lowers the lift pins 504a and 504b, thereby placing the inner ring 112a on the pick 60.
  • the driver 500 lowers the lift pins 504a and 504b so that the height of the tip of the lift pin 504a is H2, which is lower than the height H3 of the underside of the pick 60.
  • the driver 500 may also lower the lift pins 504a and 504b to a position (initial position) where they are housed within the substrate support 11.
  • the lift pins 504a and 504b are driven in the reverse order.
  • the pick 60 carrying the different inner ring 112a is inserted into the plasma processing chamber 10, and then the lift pins 504a and 504b are simultaneously raised until the tip of the lift pin 504a reaches height H1. This allows the inner ring 112a to be handed over to the lift pin 504a.
  • the lift pins 504a and 504b are lowered to a position (initial position) where they are housed within the substrate support 11, thereby positioning the inner ring 112a on the lower ring 112b.
  • the drive unit 500 when removing the lower ring 112b and cover ring 112c, the drive unit 500 simultaneously raises the lift pins 504a and 504b, causing the lift pins 504b to lift the lower ring 112b along with the cover ring 112c.
  • the drive unit 500 raises the lift pins 504a and 504b so that the tip of the lift pin 504b is at height H1, which is higher than height H0.
  • the lift pin 504a passes through the through hole h3a in the lower ring 112b, and the tip of the lift pin 504a rises even higher than height H1.
  • the pick 60 of the transfer arm is inserted into the plasma processing chamber 10.
  • the driver 500 then simultaneously lowers the lift pins 504a and 504b, thereby placing the lower ring 112b and cover ring 112c on the pick 60.
  • the driver 500 lowers the lift pins 504a and 504b so that the tip of the lift pin 504a is at height H2, which is lower than height H3.
  • the driver 500 may also lower the lift pins 504a and 504b to a position (initial position) where they are housed within the substrate support 11.
  • the lift pins 504a and 504b are driven in the reverse order.
  • the pick 60 carrying the different lower ring 112b and cover ring 112c is inserted into the plasma processing chamber 10.
  • the lift pins 504a and 504b then rise simultaneously until the tip of the lift pin 504b reaches height H1.
  • the lift pin 504a passes through the through hole h3a in the lower ring 112b. This allows the lower ring 112b and cover ring 112c to be transferred to the lift pin 504b.
  • the lift pins 504a and 504b are lowered to a position (initial position) where they are housed within the substrate support 11.
  • the lower ring 112b and cover ring 112c are positioned above the edge of the electrostatic chuck 1111 and the insulating ring 1112.
  • the inner ring 112a and the lower ring 112b and cover ring 112c are transported separately, but the disclosed technology is not limited to this.
  • the timing for replacing the inner ring 112a coincides with the timing for replacing the lower ring 112b and cover ring 112c, these three components may be replaced together, as shown in Figure 10, for example.
  • the drive unit 500 simultaneously raises the lift pins 504a and 504b.
  • the inner ring 112a is lifted by the lift pins 504a
  • the lower ring 112b and cover ring 112c are lifted by the lift pins 504b.
  • the lift pins 504a and 504b are simultaneously lowered.
  • the inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c are placed on the pick 60, as shown in FIG. 11, for example.
  • the inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c can be placed on the pick 60 and removed from the plasma processing chamber 10.
  • the lift pins 504a and 504b are driven in the reverse order.
  • Fig. 12 is a flowchart showing an example of a procedure for replacing the ring assembly 112.
  • the steps illustrated in Fig. 12 are realized by the control unit 2 controlling each part of the plasma processing apparatus 1.
  • the replacement procedure illustrated in Fig. 12 is an example of a transport method.
  • the inner ring 112a, the inner ring 112b, and the cover ring 112c are replaced together.
  • step S10 it is determined whether it is time to replace the inner ring 112a (step S10).
  • the determination of when to replace the inner ring 112a may be made, for example, based on whether the cumulative time of processing substrates W has reached a predetermined time, or based on whether the amount of wear on the inner ring 112a measured by a sensor or the like has reached a predetermined value. If it is not time to replace the inner ring 112a (step S10: No), the process shown in step S10 is executed again.
  • Step S10 if it is time to replace the inner ring 112a (Step S10: Yes), it is determined whether it is time to replace the lower ring 112b and the cover ring 112c (Step S11).
  • the determination of the timing to replace the lower ring 112b and the cover ring 112c may be made based on, for example, whether the cumulative time for processing substrates W has reached a predetermined time.
  • the determination of the timing to replace the lower ring 112b and the cover ring 112c may be made based on whether the amount of wear of the lower ring 112b or the cover ring 112c measured by a sensor or the like has reached a predetermined value.
  • step S11 If it is not time to replace the lower ring 112b and the cover ring 112c (step S11: No), the drive unit 500 simultaneously raises the lift pins 504a and 504b until the tip of the lift pin 504a reaches height H1 (step S12). This causes the lift pin 504a to lift the inner ring 112a, as shown in FIG. 6, for example.
  • Step S12 is an example of process a).
  • the pick 60 of the transfer arm is inserted into the plasma processing chamber 10 (step S13).
  • the drive unit 500 simultaneously lowers the lift pins 504a and 504b until the tip of the lift pin 504a reaches height H2 (step S14).
  • the inner ring 112a is placed on the pick 60, as shown in FIG. 7, for example.
  • the pick 60 carrying the inner ring 112a is retracted from the plasma processing chamber 10, and the inner ring 112a is removed (step S15).
  • step S16 the pick 60 carrying the other inner ring 112a is inserted into the plasma processing chamber 10, thereby loading the other inner ring 112a into the plasma processing chamber 10 (step S16).
  • step S17 the lift pins 504a and 504b are simultaneously raised until the tip of the lift pin 504a reaches height H1 (step S17). This transfers the other inner ring 112a from the pick 60 to the lift pin 504a.
  • the pick 60 then retracts from the plasma processing chamber 10 (step S18).
  • the lift pins 504a and 504b are then lowered to their initial positions (step S19). This positions the other inner ring 112a on the lower ring 112b.
  • the process shown in step S10 is then performed again.
  • Step S11 if it is time to replace the lower ring 112b and the cover ring 112c (Step S11: Yes), the drive unit 500 simultaneously raises the lift pins 504a and 504b until the tip of the lift pin 504b reaches height H1 (Step S20).
  • Step S20 is an example of process b).
  • the pick 60 of the transfer arm is inserted into the plasma processing chamber 10 (step S21).
  • the drive unit 500 simultaneously lowers the lift pins 504a and 504b until the tip of the lift pin 504a reaches height H2 (step S22).
  • the inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c are placed on the pick 60, as shown in FIG. 11, for example.
  • the pick 60 carrying the inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c is retracted from the plasma processing chamber 10.
  • the inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c are removed (step S23).
  • the pick 60 carrying the other inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c is inserted into the plasma processing chamber 10.
  • the other inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c are loaded into the plasma processing chamber 10 (step S24).
  • the driving unit 500 simultaneously raises the lift pins 504a and 504b until the tip of the lift pin 504b reaches height H1 (step S25).
  • the other inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c are transferred from the pick 60 to the lift pin 504a.
  • the pick 60 retreats from within the plasma processing chamber 10 (step S18).
  • step S19 the lift pins 504a and 504b are lowered to their initial positions (step S19). This places another inner ring 112a, a lower ring 112b, and a cover ring 112c on top of the annular region 111b. Then, the process shown in step S10 is performed again.
  • the substrate processing apparatus (plasma processing apparatus 1) in this embodiment includes a chamber (plasma processing chamber 10), a stage (substrate support 11), an inner ring (inner ring 112a), an outer ring (cover ring 112c), a first lifter (lift pins 504a), a second lifter (lift pins 504b), and a drive unit (drive unit 500).
  • the stage is provided within the chamber and has a first surface (central region 111a) on which a substrate (substrate W) is placed, and a second surface (annular region 111b) provided around the first surface.
  • the inner ring is disposed on the second surface.
  • the outer ring is disposed outside the inner ring on the second surface.
  • the first lifter raises and lowers the inner ring.
  • the second lifter raises and lowers the outer ring.
  • the height of the upper end of the second lifter is lower than the height of the upper end of the first lifter.
  • the drive unit drives the first lifter and the second lifter simultaneously, thereby improving the degree of freedom in designing the substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus in the above-described embodiment is equipped with a plurality of first lifters, second lifters, and drive units.
  • One drive unit is provided for each first lifter and each second lifter, and each drive unit simultaneously drives one first lifter and one second lifter. This allows for greater freedom in designing the substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus in the above-described embodiment further includes an intermediate ring (lower ring 112b) having a through hole (through hole h3a), with a portion positioned below the inner ring and another portion positioned above the outer ring.
  • the first lifter has an outer diameter ( ⁇ 1) that is narrower than the inner diameter ( ⁇ 2) of the through hole, and raises and lowers the inner ring via the through hole.
  • the intermediate ring is lifted by the outer ring, which is lifted by the second lifter. This allows the intermediate ring to be easily transported out together with the outer ring.
  • the transfer method in the above-described embodiment is a transfer method in a substrate processing apparatus, and includes steps a) and b).
  • the substrate processing apparatus includes a chamber (plasma processing chamber 10), a stage (substrate support 11), an inner ring (inner ring 112a), an outer ring (cover ring 112c), a first lifter (lift pins 504a), a second lifter (lift pins 504b), a drive unit (drive unit 500), and a control unit (control unit 2).
  • the stage is provided within the chamber and has a first surface (central region 111a) on which a substrate (substrate W) is placed, and a second surface (annular region 111b) provided around the first surface.
  • the inner ring is disposed on the second surface.
  • the outer ring is disposed outside the inner ring on the second surface.
  • the first lifter raises and lowers the inner ring.
  • the second lifter raises and lowers the outer ring.
  • the height of the upper end of the second lifter is lower than the height of the upper end of the first lifter.
  • the drive unit drives the first lifter and the second lifter simultaneously.
  • the control unit performs steps a) and b).
  • step a) when transporting the inner ring, controls the drive unit to raise the first lifter until the tip of the first lifter reaches a first height (height H1) that is higher than the height (height H0) of the upper surface of the pick of the transport arm that transports the substrate.
  • step b) when transporting the outer ring, the control unit controls the drive unit to raise the second lifter until the tip of the second lifter reaches the first height. This improves the design flexibility of the substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus further includes an intermediate ring (lower ring 112b) having a through hole (through hole h3a), with a portion positioned below the inner ring and another portion positioned above the outer ring.
  • the first lifter has an outer diameter ( ⁇ 1) that is narrower than the inner diameter ( ⁇ 2) of the through hole.
  • the first lifter raises and lowers the inner ring through the through hole.
  • the intermediate ring is lifted by the outer ring, which is lifted by the second lifter. This allows the intermediate ring to be easily transported out together with the outer ring.
  • each driving unit 500 may drive the lift pins 504a with small displacements to compensate for the height of the upper surface of the inner ring 112a worn away by the plasma. For example, as shown in FIG. 13A, if the upper surface of the inner ring 112a, which was up to the dashed line position, is worn away by the plasma, the driving unit 500 raises the lift pins 504a by the thickness of the inner ring 112a worn away by the plasma. In other words, the driving unit 500 drives the lift pins 504a to raise the inner ring 112a in accordance with the amount of wear of the inner ring 112a. This allows the height of the upper surface of the inner ring 112a to be kept constant, as shown in FIG. 13B, for example.
  • the process of raising the inner ring 112a in accordance with the amount of wear of the inner ring 112a is an example of process d).
  • the lift pin 504a has an outer diameter ⁇ 1 that is narrower than the inner diameter ⁇ 2 of the through hole h3a, but the disclosed technology is not limited to this.
  • the lift pin 504a may have a first portion 504a1, a second portion 504a2, and a step portion 504a3, as shown in FIG. 14.
  • the first portion 504a1 has an outer diameter ⁇ 5 that is wider than the inner diameter ⁇ 2 of the through hole h3a.
  • the second portion 504a2 is a portion of the lift pin 504a closer to the tip than the first portion 504a1, and has an outer diameter ⁇ 1 that is narrower than the inner diameter ⁇ 2 of the through hole h3a.
  • the step portion 504a3 is a portion between the first portion 504a1 and the second portion 504a2.
  • the inner diameters of the through-hole h1a of the base 1110 and the through-hole h2a of the electrostatic chuck 1111 are ⁇ 6, which is larger than the outer diameter ⁇ 5 of the first portion 504a1. This allows the first portion 504a1 and second portion 504a2 of the lift pin 504a to move up and down within the through-hole h1a and through-hole h2a.
  • the lower ring 112b By raising the lift pins 504a until the height of the step portions 504a3 reaches height H1, the lower ring 112b can be lifted by the step portions 504a3, as shown in FIG. 15, for example.
  • the process in which the control unit 2 controls the drive unit 500 to raise the lift pins 504a until the height of the step portions 504a3 reaches height H1 is an example of process c).
  • This allows the lower ring 112b and the cover ring 112c to be removed separately.
  • the inner ring 112a can also be lifted by the tips of the lift pins 504a, so it is possible to remove the inner ring 112a and the lower ring 112b together.
  • by raising the lift pins 504a until the height of the tips of the lift pins 504b reaches height H1 it is possible to remove the inner ring 112a, lower ring 112b, and cover ring 112c together.
  • the lower ring 112b since the lower ring 112b can be lifted by the step portion 504a3, part of the lower ring 112b does not have to be positioned in a partial area on the upper surface of the cover ring 112c. In other words, the lower ring 112b and the cover ring 112c may be positioned so that they do not overlap when viewed from above.
  • one drive unit 500 is provided for one lift pin 504a and one 504b, for a total of three drive units 500, but the disclosed technology is not limited to this.
  • one drive unit 500 may be provided in common for multiple lift pins 504a and multiple lift pins 504b. This further reduces the space required to arrange the drive units 500, further improving the design freedom of the substrate processing apparatus.
  • capacitively coupled plasma was described as an example of a plasma source used in the plasma processing apparatus 1, but the plasma source is not limited to this.
  • Plasma sources other than capacitively coupled plasma include, for example, inductively coupled plasma (ICP), microwave-excited surface wave plasma (SWP), electron cyclotron resonance plasma (ECP), and helicon wave-excited plasma (HWP).
  • ICP inductively coupled plasma
  • SWP microwave-excited surface wave plasma
  • ECP electron cyclotron resonance plasma
  • HWP helicon wave-excited plasma
  • the microwaves used in microwave-excited surface wave plasma (SWP) are an example of electromagnetic waves.
  • (Appendix 1) a chamber; a stage provided within the chamber and having a first surface on which a substrate is placed and a second surface provided around the first surface; an inner ring disposed on the second surface; an outer ring disposed outside the inner ring on the second surface; a first lifter for lifting and lowering the inner ring; a second lifter that raises and lowers the outer ring, the height of an upper end of the second lifter being lower than the height of an upper end of the first lifter; a drive unit configured to simultaneously drive the first lifter and the second lifter.
  • (Appendix 2) a plurality of the first lifters, the second lifters, and the driving units; the driving unit is provided for one of the first lifters and one of the second lifters, 2.
  • each of the driving units simultaneously drives one of the first lifters and one of the second lifters.
  • Appendix 3 a plurality of the first lifters and a plurality of the second lifters; 2.
  • one of the driving units simultaneously drives a plurality of the first lifters and a plurality of the second lifters.
  • Appendix 4 an intermediate ring having a through hole, a portion of which is disposed below the inner ring and another portion of which is disposed above the outer ring; the first lifter has an outer diameter smaller than an inner diameter of the through hole, and lifts and lowers the inner ring through the through hole; 4.
  • the substrate processing apparatus wherein the intermediate ring is lifted by the outer ring which is lifted by the second lifter.
  • the first lifter includes: a first portion having an outer diameter greater than an inner diameter of the through hole; a second portion that is closer to the tip end of the first lifter than the first portion and has an outer diameter smaller than the inner diameter of the through hole; a step portion between the first portion and the second portion, the inner ring is lifted by a tip of the second portion of the first lifter that rises through the through hole; 4.
  • the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the intermediate ring is lifted by the step portion of the first lifter.
  • Appendix 6 6.
  • the substrate processing apparatus drives the first lifter to lift the inner ring in accordance with a wear amount of the inner ring.
  • Appendix 7 a chamber; a stage provided within the chamber and having a first surface on which a substrate is placed and a second surface provided around the first surface; an inner ring disposed on the second surface; an outer ring disposed outside the inner ring on the second surface; a first lifter for lifting and lowering the inner ring; a second lifter that raises and lowers the outer ring, the height of an upper end of the second lifter being lower than the height of an upper end of the first lifter; a drive unit configured to simultaneously drive the first lifter and the second lifter;
  • a transfer method in a substrate processing apparatus including a control unit, the control unit a) controlling the driving unit to raise the first lifter until a tip end of the first lifter reaches a first height higher than a height of an upper surface of a pick of a transport arm that transports a substrate when transporting
  • the substrate processing apparatus includes a plurality of the first lifters, the second lifters, and the driving units; the driving unit is provided for one of the first lifters and one of the second lifters, 8.
  • each of the drive units simultaneously drives one of the first lifters and one of the second lifters.
  • (Appendix 9) a plurality of the first lifters and a plurality of the second lifters; 8.
  • one drive unit simultaneously drives a plurality of the first lifters and a plurality of the second lifters.
  • the substrate processing apparatus further includes an intermediate ring having a through hole, a portion of which is disposed below the inner ring and another portion of which is disposed above the outer ring; the first lifter has an outer diameter smaller than an inner diameter of the through hole, In the step a), the first lifter lifts and lowers the inner ring through the through hole; 10. The method of claim 7, wherein in step b), the intermediate ring is lifted by the outer ring, which is lifted by the second lifter.
  • the substrate processing apparatus further includes an intermediate ring having a through hole and a portion thereof disposed below the inner ring;
  • the first lifter includes: a first portion having an outer diameter greater than an inner diameter of the through hole; a second portion that is closer to the tip end of the first lifter than the first portion and has an outer diameter smaller than the inner diameter of the through hole; a step portion between the first portion and the second portion, In the step a), the substrate is lifted by a tip of the second portion of the first lifter that rises through the through-hole,
  • the control unit 12 The conveying method according to any one of claims 7 to 11, further comprising the step of: d) controlling the drive unit to lift the inner ring in accordance with an amount of wear of the inner ring

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

基板処理装置は、チャンバと、ステージと、内側リングと、外側リングと、第１のリフタと、第２のリフタと、駆動部とを備える。ステージは、チャンバ内に設けられ、基板が載せられる第１の面と、第１の面の周囲に設けられた第２の面とを有する。内側リングは、第２の面に配置される。外側リングは、第２の面において内側リングの外側に配置される。第１のリフタは、内側リングを昇降させる。第２のリフタは、外側リングを昇降させる。また、第２のリフタの上端の高さは、第１のリフタの上端の高さよりも低い。駆動部は、第１のリフタと第２のリフタとを同時に駆動する。

Description

基板処理装置および搬送方法
　本開示の種々の側面および実施形態は、基板処理装置および搬送方法に関する。
　下記の特許文献１には、「基板処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバに配置されている台座２０とを備える。エッジ連結リング６０は、台座２０の半径方向外縁部に隣接して配置される。第１のアクチュエータ８０は、エッジ連結リング６０を台座２０に対して上昇位置に選択的に移動し、ロボットアームがエッジ連結リング６０を処理チャンバから取り除くことができるように、エッジ連結リング６０と台座２０との間に隙間を設けるように構成されている」ことが開示されている。
特開２０１６－１４６４７２号公報
　本開示は、基板処理装置の設計の自由度を向上させることができる基板処理装置および搬送方法を提供する。
　本開示の一側面は、基板処理装置であって、チャンバと、ステージと、内側リングと、外側リングと、第１のリフタと、第２のリフタと、駆動部とを備える。ステージは、チャンバ内に設けられ、基板が載せられる第１の面と、第１の面の周囲に設けられた第２の面とを有する。内側リングは、第２の面に配置される。外側リングは、第２の面において内側リングの外側に配置される。第１のリフタは、内側リングを昇降させる。第２のリフタは、外側リングを昇降させる。また、第２のリフタの上端の高さは、第１のリフタの上端の高さよりも低い。駆動部は、第１のリフタと第２のリフタとを同時に駆動する。
　本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板処理装置の設計の自由度を向上させることができる。
図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。 図２は、基板支持部の構成の一例を示す概略断面図である。 図３は、基板支持部の構成の一例を示す平面図である。 図４は、基板支持部のエッジ付近の構成の一例を示す拡大断面図である。 図５は、参考例における駆動部の配置の一例を示す図である。 図６は、内側リングを搬送する過程の一例を示す図である。 図７は、内側リングを搬送する過程の一例を示す図である。 図８は、下部リングおよびカバーリングを搬送する過程の一例を示す図である。 図９は、下部リングおよびカバーリングを搬送する過程の一例を示す図である。 図１０は、内側リング、下部リング、およびカバーリングを搬送する過程の一例を示す図である。 図１１は、内側リング、下部リング、およびカバーリングを搬送する過程の一例を示す図である。 図１２は、リングアセンブリの交換手順の一例を示すフローチャートである。 図１３Ａは、内側リングの高さの微調整の過程を説明する図である。 図１３Ｂは、内側リングの高さの微調整の過程を説明する図である。 図１４は、第２の実施形態における基板支持部のエッジ付近の構成の一例を示す拡大断面図である。 図１５は、下部リングを搬送する過程の他の例を示す図である。 図１６は、リフト機構の他の例を示す図である。
　以下に、基板処理装置および搬送方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板処理装置および搬送方法が限定されるものではない。
　ところで、基板処理装置内には、基板の周囲に配置されるエッジリングやカバーリング等の部品がある。これらの部品は、基板の処理が繰り返されるに従って消耗するため、定期的に交換する必要がある。
　また、エッジリングおよびカバーリングの交換のたびにチャンバを大気開放すると、交換後に真空環境に戻すのに時間を要し、基板の処理を行うことができない期間（ダウンタイム）が発生する。そのため、チャンバを大気開放することなく、リフト機構でエッジリングおよびカバーリングを持ち上げ、搬送アームを用いてチャンバ内から搬出することが考えられる。
　しかし、エッジリングとカバーリングとでは消耗度合いが異なるため、交換のタイミングが必ずしも一致しない。そのため、エッジリングを持ち上げるリフト機構と、カバーリングを持ち上げるリフト機構とを別々に設ける必要がある。エッジリングを持ち上げるリフト機構と、カバーリングを持ち上げるリフト機構とが別々に設けられると、基板処理装置内にそれぞれのリフト機構を配置するスペースが必要になり、基板処理装置内が大型化する。基板処理装置を小型化する場合には、リフト機構を配置するスペースを確保する必要性から、設計の自由度が低くなる。
　そこで、本開示は、基板処理装置の設計の自由度を向上させることができる技術を提供する。
［プラズマ処理システムの構成］
　以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
　プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。基板支持部１１は、ステージの一例である。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（Ceiling）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
　基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。中央領域１１１ａは第１の面の一例であり、環状領域１１１ｂは第２の面の一例である。
　一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０、静電チャック１１１１、及び絶縁リング１１１２を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。静電チャック１１１１の周囲には、静電チャック１１１１を囲むように絶縁リング１１１２が配置されている。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａのエッジ付近の上面および絶縁リング１１１２の上面は、環状領域１１１ｂである。なお、絶縁リング１１１２に代えて環状静電チャックが設けられてもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャックの上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状静電チャックの両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Radio　Frequency）電源３１及び／又はＤＣ（Direct　Current）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
　リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、後述する内側リング、下部リング、およびカバーリングを含む。内側リングおよび下部リングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。内側リングは、エッジリングやフォーカスリングと呼ばれることがある。
　基板支持部１１の下方には、リングアセンブリ１１２を昇降させるためのリフト機構５０が設けられている。リフト機構５０の詳細については、後述する。
　また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
　シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Side　Gas　Injector）を含んでもよい。
　ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
　電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
　一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
　第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
　また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
　種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
　排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
　制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Random　Access　Memory）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＨＤＤ（Hard　Disk　Drive）、ＳＳＤ（Solid　State　Drive）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Local　Area　Network）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
　図２は、基板支持部１１の構成の一例を示す概略断面図である。図３は、基板支持部１１の構成の一例を示す平面図である。図４は、基板支持部１１のエッジ付近の構成の一例を示す拡大断面図である。図３の例では、リフト機構５０の位置が破線で示されている。
　リングアセンブリ１１２は、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃを含む。下部リング１１２ｂは中間リングの一例であり、カバーリング１１２ｃは外側リングの一例である。内側リング１１２ａは、基板Ｗのエッジ付近のプラズマの分布を調整する。下部リング１１２ｂは、静電チャック１１１１のエッジ付近をプラズマから保護する。カバーリング１１２ｃは、静電チャック１１１１のエッジ付近および絶縁リング１１１２をプラズマから保護する。
　本実施形態において、内側リング１１２ａは、下部リング１１２ｂの上面の中の一部の領域に配置される。また、下部リング１１２ｂの一部は、カバーリング１１２ｃの上面の中の一部の領域に配置される。そのため、カバーリング１１２ｃが持ち上げられると、カバーリング１１２ｃと共に下部リング１１２ｂも持ち上がる。
　例えば図４に示されるように、基台１１１０には、基台１１１０を厚さ方向に貫通する貫通孔ｈ１ａおよび貫通孔ｈ１ｂが形成されている。また、静電チャック１１１１には、静電チャック１１１１のエッジ付近を厚さ方向に貫通する貫通孔ｈ２ａが形成されている。また、絶縁リング１１１２には、絶縁リング１１１２を厚さ方向に貫通する貫通孔ｈ２ｂが形成されている。また、下部リング１１２ｂには、下部リング１１２ｂを厚さ方向に貫通する貫通孔ｈ３ａが形成されている。貫通孔ｈ１ａ、貫通孔ｈ２ａ、および貫通孔ｈ３ａは連通しており、それぞれの内径はφ２である。また、貫通孔ｈ１ｂおよび貫通孔ｈ２ｂは連通しており、それぞれの内径はφ４である。
　リフト機構５０は、駆動部５００、シリンダ５０１、連結部材５０２、スラスト機構５０３ａ、スラスト機構５０３ｂ、リフトピン５０４ａ、およびリフトピン５０４ｂを有する。連結部材５０２は、シリンダ５０１、スラスト機構５０３ａ、およびスラスト機構５０３ｂに連結されている。リフトピン５０４ａはスラスト機構５０３ａに接続されており、リフトピン５０４ｂはスラスト機構５０３ｂに接続されている。本実施形態において、リフトピン５０４ｂの上端の高さは、リフトピン５０４ａの上端の高さよりも低い。
　例えば図４に示されるように、リフトピン５０４ａの外径は、貫通孔ｈ１ａ、貫通孔ｈ２ａ、および貫通孔ｈ３ａの内径φ２よりも細いφ１であり、リフトピン５０４ａは、貫通孔ｈ１ａ、貫通孔ｈ２ａ、および貫通孔ｈ３ａの内壁に沿って配置されている。また、リフトピン５０４ｂの外径は、貫通孔ｈ１ｂおよび貫通孔ｈ２ｂの内径φ４よりも細いφ２であり、リフトピン５０４ｂは、貫通孔ｈ１ｂおよび貫通孔ｈ２ｂの内壁に沿って配置されている。リフトピン５０４ａは第１のリフタの一例であり、リフトピン５０４ｂは第２のリフタの一例である。
　スラスト機構５０３ａは、シリンダ５０１とリフトピン５０４ａとが異なる軸上に配置されることから生じるずれを吸収する機構である。スラスト機構５０３ｂは、シリンダ５０１とリフトピン５０４ｂとが異なる軸上に配置されることから生じるずれを吸収する機構である。シリンダ５０１とリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂとは連結部材５０２を介して連結されるが、上下方向から見た場合、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂは、シリンダ５０１から離れた位置に配置されている。そのため、連結部材５０２に傾斜が生じる等によりリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂへの荷重方向が垂直方向からずれる可能性がある。リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂに対する荷重方向が垂直方向からずれた場合、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが破損する場合がある。そこで、スラスト機構５０３ａおよびスラスト機構５０３ｂを設けることでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂへの荷重方向のずれが吸収される。
　駆動部５００は、シリンダ５０１を上下に駆動することにより、連結部材５０２、スラスト機構５０３ａ、およびスラスト機構５０３ｂを介して、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に昇降させる。リフトピン５０４ａが、貫通孔ｈ１ａ、貫通孔ｈ２ａ、および貫通孔ｈ３ａ内を通って上昇することにより、リフトピン５０４ａの先端によって内側リング１１２ａが持ち上げられる。また、リフトピン５０４ｂが、貫通孔ｈ１ｂおよび貫通孔ｈ２ｂ内を通って上昇することにより、リフトピン５０４ｂの先端によってカバーリング１１２ｃが持ち上げられる。カバーリング１１２ｃが持ち上げられることにより、カバーリング１１２ｃと共にカバーリング１１２ｃ上の下部リング１１２ｂも持ち上げられる。
　本実施形態では、例えば図３に示されるように、１つのリフトピン５０４ａおよび１つのリフトピン５０４ｂに対して１つの駆動部５００が設けられている。また、図３の例では、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂは、３組ずつ設けられている。それぞれの駆動部５００によって、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂのそれぞれの組の昇降が独立に制御される。これにより、複数のリフトピン５０４ａの間、および複数のリフトピン５０４ｂの間での昇降および下降の際の変位のずれを微調整することができる。
　また、例えば図５に示される参考例のように、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂのそれぞれに対して駆動部５００が１つずつ設けられるとすれば、図５の例では、基板支持部１１の下に６台の駆動部５００が配置されることになる。その場合、駆動部５００の配置場所の制約から、リフトピン５０４ａとリフトピン５０４ｂとを近くに配置することが難しい。そのため、図５の例では、プラズマ処理装置１を小型化する際の設計の自由度が小さい。
　これに対し、本実施形態のプラズマ処理装置１では、例えば図３に示されるように、１つのリフトピン５０４ａおよび１つの５０４ｂに対して１つの駆動部５００が共通に設けられている。これにより、プラズマ処理装置１を小型化する際の設計の自由度を向上させることができる。
［リフトピンの動作］
　内側リング１１２ａを搬出する場合、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に上昇させることにより、リフトピン５０４ａによって内側リング１１２ａが持ち上げられる。この場合、例えば図６に示されるように、リフトピン５０４ａの先端が、プラズマ処理チャンバ１０内に挿入される搬送アームのピック６０の上面の高さＨ０よりも高いＨ１となるように、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを上昇させる。高さＨ１は、第１の高さの一例である。
　次に、プラズマ処理チャンバ１０内に搬送アームのピック６０が挿入される。そして、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に下降させることにより、内側リング１１２ａがピック６０の上に載せられる。この場合、例えば図７に示されるように、リフトピン５０４ａの先端の高さが、ピック６０の下面の高さＨ３よりも低いＨ２となるように、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを下降させる。なお、駆動部５００は、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが基板支持部１１内に収容される位置（初期位置）までリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを下降させてもよい。
　これにより、内側リング１１２ａをピック６０に載せてプラズマ処理チャンバ１０内から搬出することができる。別な内側リング１１２ａを搬入する際は、逆の手順でリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが駆動される。例えば、別な内側リング１１２ａを載せたピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内に挿入され、その後にリフトピン５０４ａの先端が高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが同時に上昇する。これにより、内側リング１１２ａがリフトピン５０４ａに受け渡される。そして、ピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内から退避した後に、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが基板支持部１１内に収容される位置（初期位置）まで下降することにより、内側リング１１２ａが下部リング１１２ｂの上に配置される。
　また、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃを搬出する場合、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に上昇させることにより、リフトピン５０４ｂによってカバーリング１１２ｃと共に下部リング１１２ｂが持ち上げられる。この場合、例えば図８に示されるように、リフトピン５０４ｂの先端が高さＨ０よりも高いＨ１となるように、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを上昇させる。この際、リフトピン５０４ａは下部リング１１２ｂの貫通孔ｈ３ａを貫通し、リフトピン５０４ａの先端は、高さＨ１よりもさらに上方まで上昇する。
　次に、プラズマ処理チャンバ１０内に搬送アームのピック６０が挿入される。そして、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に下降させることにより、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃがピック６０の上に載せられる。この場合、例えば図９に示されるように、リフトピン５０４ａの先端が高さＨ３よりも低いＨ２となるように、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを下降させる。なお、駆動部５００は、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが基板支持部１１内に収容される位置（初期位置）までリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを下降させてもよい。
　これにより、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃをピック６０に載せてプラズマ処理チャンバ１０内から搬出することができる。別な下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃを搬入する際は、逆の手順でリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが駆動される。例えば、別な下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃを載せたピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内に挿入される。そして、リフトピン５０４ｂの先端が高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが同時に上昇する。この際、リフトピン５０４ａは、下部リング１１２ｂの貫通孔ｈ３ａを貫通する。これにより、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃがリフトピン５０４ｂに受け渡される。そして、ピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内から退避した後に、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが基板支持部１１内に収容される位置（初期位置）まで下降する。これにより、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃが静電チャック１１１１のエッジおよび絶縁リング１１１２の上に配置される。
　なお、図６～図９の例では、内側リング１１２ａと、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃとが別々に搬送されるが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、内側リング１１２ａの交換タイミングと、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃの交換タイミングとが重なった場合には、例えば図１０に示されるように、これら３つの部材が一緒に交換されてもよい。
　図１０の例では、下部リング１１２ｂの上に内側リング１１２ａが配置された状態で、駆動部５００がリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に上昇させる。これにより、リフトピン５０４ａによって内側リング１１２ａが持ち上げられ、リフトピン５０４ｂによって下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃが持ち上げられる。そして、プラズマ処理チャンバ１０内に搬送アームのピック６０が挿入された後に、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に下降させる。これにより、例えば図１１に示されるように、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃがピック６０の上に載せられる。これにより、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃをピック６０に載せてプラズマ処理チャンバ１０内から搬出することができる。別な内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃを搬入する際は、逆の手順でリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂが駆動される。
［リングアセンブリ１１２の交換手順］
　図１２は、リングアセンブリ１１２の交換手順の一例を示すフローチャートである。図１２に例示された各ステップは、制御部２がプラズマ処理装置１の各部を制御することにより実現される。図１２に例示された交換手順は、搬送方法の一例である。なお、図１２の例では、内側リング１１２ａの交換タイミングと、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃの交換タイミングとが一致した場合に、内側リング１１２ａ、内側リング１１２ａ、およびカバーリング１１２ｃが一緒に交換される。
　まず、内側リング１１２ａの交換タイミングであるか否かが判定される（ステップＳ１０）。内側リング１１２ａの交換タイミングの判定は、例えば基板Ｗの処理の累積時間が所定時間に達したか否かに基づいて行われてもよく、センサ等によって測定された内側リング１１２ａの消耗量が所定値に達したか否かに基づいて行われてもよい。内側リング１１２ａの交換タイミングではない場合（ステップＳ１０：Ｎｏ）、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。
　一方、内側リング１１２ａの交換タイミングである場合（ステップＳ１０：Ｙｅｓ）、。下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃの交換タイミングであるか否かが判定される（ステップＳ１１）。下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃの交換タイミングの判定は、例えば基板Ｗの処理の累積時間が所定時間に達したか否かに基づいて行われてもよい。あるいは、下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃの交換タイミングの判定は、センサ等によって測定された下部リング１１２ｂまたはカバーリング１１２ｃの消耗量が所定値に達したか否かに基づいて行われてもよい。
　下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃの交換タイミングではない場合（ステップＳ１１：Ｎｏ）、駆動部５００は、リフトピン５０４ａの先端が高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に上昇させる（ステップＳ１２）。これにより、例えば図６に示されたように、リフトピン５０４ａによって内側リング１１２ａが持ち上げられる。ステップＳ１２は、工程ａ）の一例である。
　次に、プラズマ処理チャンバ１０内に搬送アームのピック６０が挿入される（ステップＳ１３）。そして、駆動部５００は、リフトピン５０４ａの先端が高さＨ２となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に下降させる（ステップＳ１４）。これにより、例えば図７に示されたように、内側リング１１２ａがピック６０に載せられる。そして、内側リング１１２ａを載せたピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内から退避することにより、内側リング１１２ａが搬出される（ステップＳ１５）。
　次に、別な内側リング１１２ａを載せたピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内に挿入されることにより、別な内側リング１１２ａがプラズマ処理チャンバ１０内に搬入される（ステップＳ１６）。そして、リフトピン５０４ａの先端が、高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に上昇させる（ステップＳ１７）。これにより、別な内側リング１１２ａがピック６０からリフトピン５０４ａに受け渡される。そして、ピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内から退避する（ステップＳ１８）。そして、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを初期位置まで下降する（ステップＳ１９）。これにより、別な内側リング１１２ａが下部リング１１２ｂの上に配置される。そして、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。
　一方、下部リング１１２ｂ及びカバーリング１１２ｃの交換タイミングである場合（ステップＳ１１：Ｙｅｓ）、駆動部５００は、リフトピン５０４ｂの先端が高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａ及びリフトピン５０４ｂを同時に上昇させる（ステップＳ２０）。これにより、例えば図１０に示されたように、リフトピン５０４ａによって内側リング１１２ａが持ち上げられ、リフトピン５０４ｂによって下部リング１１２ｂおよびカバーリング１１２ｃが持ち上げられる。ステップＳ２０は、工程ｂ）の一例である。
　次に、プラズマ処理チャンバ１０内に搬送アームのピック６０が挿入される（ステップＳ２１）。そして、駆動部５００は、リフトピン５０４ａの先端が、高さＨ２となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に下降させる（ステップＳ２２）。これにより、例えば図１１に示されたように、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃがピック６０に載せられる。そして、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃを載せたピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内から退避する。これにより、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃが搬出される（ステップＳ２３）。
　次に、別な内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃを載せたピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内に挿入される。これにより、別な内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃがプラズマ処理チャンバ１０内に搬入される（ステップＳ２４）。そして、駆動部５００は、リフトピン５０４ｂの先端が高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを同時に上昇させる（ステップＳ２５）。これにより、別な内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃがピック６０からリフトピン５０４ａに受け渡される。そして、ピック６０がプラズマ処理チャンバ１０内から退避する（ステップＳ１８）。そして、リフトピン５０４ａおよびリフトピン５０４ｂを初期位置まで下降する（ステップＳ１９）。これにより、別な内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃが環状領域１１１ｂの上に配置される。そして、再びステップＳ１０に示された処理が実行される。
　以上、実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における基板処理装置（プラズマ処理装置１）は、チャンバ（プラズマ処理チャンバ１０）と、ステージ（基板支持部１１）と、内側リング（内側リング１１２ａ）と、外側リング（カバーリング１１２ｃ）と、第１のリフタ（リフトピン５０４ａ）と、第２のリフタ（リフトピン５０４ｂ）と、駆動部（駆動部５００）とを備える。ステージは、チャンバ内に設けられ、基板（基板Ｗ）が載せられる第１の面（中央領域１１１ａ）と、第１の面の周囲に設けられた第２の面（環状領域１１１ｂ）とを有する。内側リングは、第２の面に配置される。外側リングは、第２の面において内側リングの外側に配置される。第１のリフタは、内側リングを昇降させる。第２のリフタは、外側リングを昇降させる。また、第２のリフタの上端の高さは、第１のリフタの上端の高さよりも低い。駆動部は、第１のリフタと第２のリフタとを同時に駆動する。これにより、基板処理装置の設計の自由度を向上させることができる。
　また、上記した実施形態における基板処理装置は、第１のリフタ、第２のリフタ、および駆動部を複数備える。駆動部は、１つの第１のリフタおよび１つの第２のリフタに対して１つ設けられ、それぞれの駆動部は、１つの第１のリフタと１つの第２のリフタとを同時に駆動する。これにより、基板処理装置の設計の自由度を向上させることができる。
　また、上記した実施形態における基板処理装置は、貫通孔（貫通孔ｈ３ａ）を有し、一部が内側リングの下に配置され、他の一部が外側リングの上に配置される中間リング（下部リング１１２ｂ）をさらに備える。第１のリフタは、貫通孔の内径（φ２）よりも細い外径（φ１）であり、貫通孔を介して内側リングを昇降させる。中間リングは、第２のリフタによって持ち上げられた外側リングによって持ち上げられる。これにより、中間リングを外側リングと共に容易に搬出することができる。
　また、上記した実施形態における搬送方法は、基板処理装置における搬送方法であって、工程ａ）および工程ｂ）を含む。基板処理装置（プラズマ処理装置１）は、チャンバ（プラズマ処理チャンバ１０）と、ステージ（基板支持部１１）と、内側リング（内側リング１１２ａ）と、外側リング（カバーリング１１２ｃ）と、第１のリフタ（リフトピン５０４ａ）と、第２のリフタ（リフトピン５０４ｂ）と、駆動部（駆動部５００）と、制御部（制御部２）とを備える。ステージは、チャンバ内に設けられ、基板（基板Ｗ）が載せられる第１の面（中央領域１１１ａ）と、第１の面の周囲に設けられた第２の面（環状領域１１１ｂ）とを有する。内側リングは、第２の面に配置される。外側リングは、第２の面において内側リングの外側に配置される。第１のリフタは、内側リングを昇降させる。第２のリフタは、外側リングを昇降させる。また、第２のリフタの上端の高さは、第１のリフタの上端の高さよりも低い。駆動部は、第１のリフタと第２のリフタとを同時に駆動する。制御部は、工程ａ）および工程ｂ）を実行する。工程ａ）では、内側リングを搬送する場合に、第１のリフタの先端が、基板を搬送する搬送アームのピックの上面の高さ（高さＨ０）よりも高い第１の高さ（高さＨ１）となるまで第１のリフタを上昇させるように、制御部が駆動部を制御する。工程ｂ）では、外側リングを搬送する場合に、第２のリフタの先端が第１の高さとなるまで第２のリフタを上昇させるように、制御部が駆動部を制御する。これにより、基板処理装置の設計の自由度を向上させることができる。
　また、上記した実施形態において、基板処理装置は、貫通孔（貫通孔ｈ３ａ）を有し、一部が内側リングの下に配置され、他の一部が外側リングの上に配置される中間リング（下部リング１１２ｂ）をさらに備える。第１のリフタは、貫通孔の内径（φ２）よりも細い外径（φ１）である。工程ａ）では、第１のリフタが貫通孔を介して内側リングを昇降させる。工程ｂ）では、中間リングが、第２のリフタによって持ち上げられた外側リングによって持ち上げられる。これにより、中間リングを外側リングと共に容易に搬出することができる。
［その他］
　なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
　例えば、上記した実施形態において、それそれの駆動部５００は、プラズマにより消耗した内側リング１１２ａの上面の高さを補正するようにリフトピン５０４ａを小さい変位で駆動してもよい。例えば図１３Ａに示されるように、破線の位置まであった内側リング１１２ａの上面がプラズマにより消耗した場合、駆動部５００は、プラズマにより消耗した内側リング１１２ａの厚さ分、リフトピン５０４ａを上昇させる。即ち、駆動部５００は、内側リング１１２ａの消耗量に応じて、内側リング１１２ａを上昇させるように、リフトピン５０４ａを駆動する。これにより、例えば図１３Ｂに示されるように、内側リング１１２ａの上面の高さを一定に保つことができる。内側リング１１２ａの消耗量に応じて内側リング１１２ａを上昇させる工程は、工程ｄ）の一例である。
　また、上記した実施形態において、リフトピン５０４ａは、貫通孔ｈ３ａの内径φ２よりも細い外径φ１であるが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、リフトピン５０４ａは、例えば図１４に示されるように、第１の部分５０４ａ１、第２の部分５０４ａ２、および段差部５０４ａ３を有してもよい。第１の部分５０４ａ１は、貫通孔ｈ３ａの内径φ２よりも太い外径φ５である。第２の部分５０４ａ２は、第１の部分５０４ａ１よりもリフトピン５０４ａの先端側の部分であって、貫通孔ｈ３ａの内径φ２よりも細い外径φ１である。段差部５０４ａ３は、第１の部分５０４ａ１と第２の部分５０４ａ２との間の部分である。
　図１４の例では、基台１１１０の貫通孔ｈ１ａおよび静電チャック１１１１の貫通孔ｈ２ａの内径は、第１の部分５０４ａ１の外径φ５よりも太いφ６である。これにより、リフトピン５０４ａの第１の部分５０４ａ１および第２の部分５０４ａ２は、貫通孔ｈ１ａおよび貫通孔ｈ２ａ内を上下に移動することができる。
　段差部５０４ａ３の高さが高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａを上昇させることにより、例えば図１５に示されるように、段差部５０４ａ３によって下部リング１１２ｂを持ち上げることができる。段差部５０４ａ３の高さが高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａを上昇させるように制御部２が駆動部５００を制御する工程は、工程ｃ）の一例である。これにより、下部リング１１２ｂとカバーリング１１２ｃとを別々に搬出することができる。また、例えば図１５に示されるように、リフトピン５０４ａの先端によって内側リング１１２ａも一緒に持ち上げることができるため、内側リング１１２ａと下部リング１１２ｂとを一緒に搬出することも可能である。また、リフトピン５０４ｂの先端の高さが高さＨ１となるまでリフトピン５０４ａを上昇させることにより、内側リング１１２ａ、下部リング１１２ｂ、およびカバーリング１１２ｃを一緒に搬出することも可能である。
　なお、図１５の例では、下部リング１１２ｂは、段差部５０４ａ３によって持ち上げることができるため、下部リング１１２ｂの一部は、カバーリング１１２ｃの上面の中の一部の領域に配置されていなくてもよい。即ち、下部リング１１２ｂとカバーリング１１２ｃとは上方から見た場合に、重ならないように配置されていてもよい。
　また、上記した実施形態では、１つのリフトピン５０４ａおよび１つの５０４ｂに対して１つの駆動部５００が設けられており、合計で３台の駆動部５００が設けられるが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、例えば図１６に示されるように、複数のリフトピン５０４ａおよび複数のリフトピン５０４ｂに対して駆動部５００が共通に１台設けられてもよい。これにより、駆動部５００を配置するための空間がさらに小さくて済み、基板処理装置の設計の自由度をさらに向上させることができる。
　また、上記した実施形態では、プラズマ処理装置１に用いられるプラズマ源の一例として、容量結合型プラズマを説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）に用いられるマイクロ波は、電磁波の一例である。
　なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設けられ、基板が載せられる第１の面と、前記第１の面の周囲に設けられた第２の面とを有するステージと、
　前記第２の面に配置される内側リングと、
　前記第２の面において前記内側リングの外側に配置される外側リングと、
　前記内側リングを昇降させる第１のリフタと、
　前記外側リングを昇降させる第２のリフタであって、前記第２のリフタの上端の高さが、前記第１のリフタの上端の高さよりも低い第２のリフタと、
　前記第１のリフタと、前記第２のリフタとを同時に駆動するように構成された駆動部と
を備える基板処理装置。
（付記２）
　前記第１のリフタ、前記第２のリフタ、および前記駆動部を複数備え、
　前記駆動部は、１つの前記第１のリフタおよび１つの前記第２のリフタに対して１つ設けられ、
　それぞれの前記駆動部は、１つの前記第１のリフタと１つの前記第２のリフタとを同時に駆動する付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
　前記第１のリフタおよび前記第２のリフタを複数備え、
　１つの前記駆動部が、複数の前記第１のリフタと複数の前記第２のリフタとを同時に駆動する付記１に記載の基板処理装置。
（付記４）
　貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置され、他の一部が前記外側リングの上に配置される中間リングをさらに備え、
　前記第１のリフタは、前記貫通孔の内径よりも細い外径であり、前記貫通孔を介して前記内側リングを昇降させ、
　前記中間リングは、前記第２のリフタによって持ち上げられた前記外側リングによって持ち上げられる付記１から３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
（付記５）
　貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置された中間リングをさらに備え、
　前記第１のリフタは、
　前記貫通孔の内径よりも太い外径である第１の部分と、
　前記第１の部分よりも前記第１のリフタの先端側の部分であって、前記貫通孔の内径よりも細い外径である第２の部分と、
　前記第１の部分と前記第２の部分との間の段差部と
を有するように構成され、
　前記内側リングは、前記貫通孔を介して上昇する前記第１のリフタの前記第２の部分の先端によって持ち上げられ、
　前記中間リングは、前記第１のリフタの前記段差部によって持ち上げられる付記１から３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
（付記６）
　前記駆動部は、前記内側リングの消耗量に応じて、前記内側リングを上昇させるように、前記第１のリフタを駆動する付記１から５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
（付記７）
　チャンバと、
　前記チャンバ内に設けられ、基板が載せられる第１の面と、前記第１の面の周囲に設けられた第２の面とを有するステージと、
　前記第２の面に配置される内側リングと、
　前記第２の面において前記内側リングの外側に配置される外側リングと、
　前記内側リングを昇降させる第１のリフタと、
　前記外側リングを昇降させる第２のリフタであって、前記第２のリフタの上端の高さが、前記第１のリフタの上端の高さよりも低い第２のリフタと、
　前記第１のリフタと前記第２のリフタとを同時に駆動するように構成された駆動部と、
　制御部と
を備える基板処理装置における搬送方法であって、前記制御部が、
ａ）前記内側リングを搬送する場合に、前記第１のリフタの先端が、基板を搬送する搬送アームのピックの上面の高さよりも高い第１の高さとなるまで前記第１のリフタを上昇させるように前記駆動部を制御する工程と、
ｂ）前記外側リングを搬送する場合に、前記第２のリフタの先端が前記第１の高さとなるまで前記第２のリフタを上昇させるように前記駆動部を制御する工程と
を実行する搬送方法。
（付記８）
　前記基板処理装置は、前記第１のリフタ、前記第２のリフタ、および前記駆動部を複数備え、
　前記駆動部は、１つの前記第１のリフタおよび１つの前記第２のリフタに対して１つ設けられ、
　それぞれの前記駆動部は、１つの前記第１のリフタと１つの前記第２のリフタとを同時に駆動する付記７に記載の搬送方法。
（付記９）
　前記第１のリフタおよび前記第２のリフタを複数備え、
　１つの前記駆動部が、複数の前記第１のリフタと複数の前記第２のリフタとを同時に駆動する付記７に記載の搬送方法。
（付記１０）
　前記基板処理装置は、貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置され、他の一部が前記外側リングの上に配置される中間リングをさらに備え、
　前記第１のリフタは、前記貫通孔の内径よりも細い外径を有し、
　前記工程ａ）では、前記第１のリフタが前記貫通孔を介して前記内側リングを昇降させ、
　前記工程ｂ）では、前記中間リングが、前記第２のリフタによって持ち上げられた前記外側リングによって持ち上げられる付記７から９のいずれか一つに記載の搬送方法。
（付記１１）
　前記基板処理装置は、貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置された中間リングをさらに備え、
　前記第１のリフタは、
　前記貫通孔の内径よりも太い外径を有する第１の部分と、
　前記第１の部分よりも前記第１のリフタの先端側の部分であって、前記貫通孔の内径よりも細い外径を有する第２の部分と、
　前記第１の部分と前記第２の部分との間の段差部と
を有するように構成され、
　前記工程ａ）では、前記貫通孔を介して上昇する前記第１のリフタの前記第２の部分の先端によって持ち上げられ、
　前記制御部が、
ｃ）前記中間リングを搬送する場合に、前記第１のリフタの前記段差部が前記第１の高さとなるまで前記第１のリフタを上昇させるように、前記駆動部を制御する工程
をさらに実行する付記７から９のいずれか一つに記載の搬送方法。
（付記１２）
　前記制御部が、
ｄ）前記内側リングの消耗量に応じて、前記内側リングを上昇させるように、前記駆動部を制御する工程
をさらに実行する付記７から１１のいずれか一つに記載の搬送方法。
ｈ　貫通孔
Ｗ　基板
１　プラズマ処理装置
２　制御部
２ａ　コンピュータ
２ａ１　処理部
２ａ２　記憶部
２ａ３　通信インターフェース
１０　プラズマ処理チャンバ
１０ａ　側壁
１０ｅ　ガス排出口
１０ｓ　プラズマ処理空間
１１　基板支持部
１１１　本体部
１１１ａ　中央領域
１１１ｂ　環状領域
１１１０　基台
１１１０ａ　流路
１１１１　静電チャック
１１１１ａ　セラミック部材
１１１１ｂ　静電電極
１１１２　絶縁リング
１１２　リングアセンブリ
１１２ａ　内側リング
１１２ｂ　下部リング
１１２ｃ　カバーリング
１３　シャワーヘッド
１３ａ　ガス供給口
１３ｂ　ガス拡散室
１３ｃ　ガス導入口
２０　ガス供給部
２１　ガスソース
２２　流量制御器
３０　電源
３１　ＲＦ電源
３１ａ　第１のＲＦ生成部
３１ｂ　第２のＲＦ生成部
３２　ＤＣ電源
３２ａ　第１のＤＣ生成部
３２ｂ　第２のＤＣ生成部
４０　排気システム
５０　リフト機構
５００　駆動部
５０１　シリンダ
５０２　連結部材
５０３　スラスト機構
５０４　リフトピン
５０４ａ１　第１の部分
５０４ａ２　第２の部分
５０４ａ３　段差部
６０　ピック

Claims (12)

  1. 　チャンバと、
    　前記チャンバ内に設けられ、基板が載せられる第１の面と、前記第１の面の周囲に設けられた第２の面とを有するステージと、
    　前記第２の面に配置される内側リングと、
    　前記第２の面において前記内側リングの外側に配置される外側リングと、
    　前記内側リングを昇降させる第１のリフタと、
    　前記外側リングを昇降させる第２のリフタであって、前記第２のリフタの上端の高さが、前記第１のリフタの上端の高さよりも低い第２のリフタと、
    　前記第１のリフタと、前記第２のリフタとを同時に駆動するように構成された駆動部と
    を備える基板処理装置。
  2. 　前記第１のリフタ、前記第２のリフタ、および前記駆動部を複数備え、
    　前記駆動部は、１つの前記第１のリフタおよび１つの前記第２のリフタに対して１つ設けられ、
    　それぞれの前記駆動部は、１つの前記第１のリフタと１つの前記第２のリフタとを同時に駆動する請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記第１のリフタおよび前記第２のリフタを複数備え、
    　１つの前記駆動部が、複数の前記第１のリフタと複数の前記第２のリフタとを同時に駆動する請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置され、他の一部が前記外側リングの上に配置される中間リングをさらに備え、
    　前記第１のリフタは、前記貫通孔の内径よりも細い外径であり、前記貫通孔を介して前記内側リングを昇降させ、
    　前記中間リングは、前記第２のリフタによって持ち上げられた前記外側リングによって持ち上げられる請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 　貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置された中間リングをさらに備え、
    　前記第１のリフタは、
    　前記貫通孔の内径よりも太い外径である第１の部分と、
    　前記第１の部分よりも前記第１のリフタの先端側の部分であって、前記貫通孔の内径よりも細い外径である第２の部分と、
    　前記第１の部分と前記第２の部分との間の段差部と
    を有するように構成され、
    　前記内側リングは、前記貫通孔を介して上昇する前記第１のリフタの前記第２の部分の先端によって持ち上げられ、
    　前記中間リングは、前記第１のリフタの前記段差部によって持ち上げられる請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記駆動部は、前記内側リングの消耗量に応じて、前記内側リングを上昇させるように、前記第１のリフタを駆動する請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 　チャンバと、
    　前記チャンバ内に設けられ、基板が載せられる第１の面と、前記第１の面の周囲に設けられた第２の面とを有するステージと、
    　前記第２の面に配置される内側リングと、
    　前記第２の面において前記内側リングの外側に配置される外側リングと、
    　前記内側リングを昇降させる第１のリフタと、
    　前記外側リングを昇降させる第２のリフタであって、前記第２のリフタの上端の高さが、前記第１のリフタの上端の高さよりも低い第２のリフタと、
    　前記第１のリフタと前記第２のリフタとを同時に駆動するように構成された駆動部と、
    　制御部と
    を備える基板処理装置における搬送方法であって、前記制御部が、
    ａ）前記内側リングを搬送する場合に、前記第１のリフタの先端が、基板を搬送する搬送アームのピックの上面の高さよりも高い第１の高さとなるまで前記第１のリフタを上昇させるように前記駆動部を制御する工程と、
    ｂ）前記外側リングを搬送する場合に、前記第２のリフタの先端が前記第１の高さとなるまで前記第２のリフタを上昇させるように前記駆動部を制御する工程と
    を実行する搬送方法。
  8. 　前記基板処理装置は、前記第１のリフタ、前記第２のリフタ、および前記駆動部を複数備え、
    　前記駆動部は、１つの前記第１のリフタおよび１つの前記第２のリフタに対して１つ設けられ、
    　それぞれの前記駆動部は、１つの前記第１のリフタと１つの前記第２のリフタとを同時に駆動する請求項７に記載の搬送方法。
  9. 　前記第１のリフタおよび前記第２のリフタを複数備え、
    　１つの前記駆動部が、複数の前記第１のリフタと複数の前記第２のリフタとを同時に駆動する請求項７に記載の搬送方法。
  10. 　前記基板処理装置は、貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置され、他の一部が前記外側リングの上に配置される中間リングをさらに備え、
    　前記第１のリフタは、前記貫通孔の内径よりも細い外径を有し、
    　前記工程ａ）では、前記第１のリフタが前記貫通孔を介して前記内側リングを昇降させ、
    　前記工程ｂ）では、前記中間リングが、前記第２のリフタによって持ち上げられた前記外側リングによって持ち上げられる請求項７から９のいずれか一項に記載の搬送方法。
  11. 　前記基板処理装置は、貫通孔を有し、一部が前記内側リングの下に配置された中間リングをさらに備え、
    　前記第１のリフタは、
    　前記貫通孔の内径よりも太い外径を有する第１の部分と、
    　前記第１の部分よりも前記第１のリフタの先端側の部分であって、前記貫通孔の内径よりも細い外径を有する第２の部分と、
    　前記第１の部分と前記第２の部分との間の段差部と
    を有するように構成され、
    　前記工程ａ）では、前記貫通孔を介して上昇する前記第１のリフタの前記第２の部分の先端によって持ち上げられ、
    　前記制御部が、
    ｃ）前記中間リングを搬送する場合に、前記第１のリフタの前記段差部が前記第１の高さとなるまで前記第１のリフタを上昇させるように、前記駆動部を制御する工程
    をさらに実行する請求項７から９のいずれか一項に記載の搬送方法。
  12. 　前記制御部が、
    ｄ）前記内側リングの消耗量に応じて、前記内側リングを上昇させるように、前記駆動部を制御する工程
    をさらに実行する請求項７に記載の搬送方法。
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