WO2025239181A1 - 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法 - Google Patents

反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

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WO2025239181A1
WO2025239181A1 PCT/JP2025/015985 JP2025015985W WO2025239181A1 WO 2025239181 A1 WO2025239181 A1 WO 2025239181A1 JP 2025015985 W JP2025015985 W JP 2025015985W WO 2025239181 A1 WO2025239181 A1 WO 2025239181A1
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film
reflective mask
conductive film
mask blank
wavelength
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PCT/JP2025/015985
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大河 筆谷
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AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate

Definitions

  • the present invention relates to a reflective mask used for EUV (Extreme Ultra Violet) exposure (i.e., for EUV lithography) used in the exposure process of semiconductor manufacturing, a method for manufacturing the same, and a reflective mask blank that is an original plate for the reflective mask.
  • a reflective mask blank for EUV lithography is also simply referred to as a "reflective mask blank.”
  • a reflective mask for EUV lithography is also simply referred to as a "reflective mask.”
  • EUV lithography which uses EUV light with a central wavelength of around 13.5 nm as a light source, has been considered in order to further miniaturize semiconductor devices.
  • a reflective mask has a multilayer reflective film that reflects EUV light formed on a substrate, and an absorber film that absorbs EUV light is patterned on the multilayer reflective film.
  • EUV light incident on the reflective mask from the exposure tool's illumination optical system is reflected in areas where there is no absorber film (openings) and absorbed in areas where there is an absorber film (non-openings).
  • the mask pattern is transferred as a resist pattern onto the wafer through the exposure tool's reduced projection optical system, and subsequent processing is carried out.
  • Patent Document 1 discloses a reflective mask blank containing chromium and nitrogen as a conductive film.
  • Reflective mask blanks are often inspected for foreign particles to reduce the impact during patterning and exposure. Reflective mask blanks are sometimes inspected for foreign particles on the conductive film surface from the conductive film side, and in these cases, there is a demand for an easy method of inspecting for foreign particles on the conductive film surface.
  • the multilayer reflective film may be removed and an identification mark may be formed on the opposite side of the substrate from the conductive film side.
  • the identification mark is read from the opposite side of the reflective mask blank from the conductive film side, and there has been a demand for the identification mark to have excellent readability.
  • the present inventors have studied the conductive film described in Patent Document 1 and found that it is difficult to achieve both the ability to inspect the conductive film surface for foreign matter and the readability of the identification mark. In particular, they found that there is room for improvement in the readability of the identification mark.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a reflective mask blank that makes it easy to inspect the conductive film surface for foreign matter and to read an identification mark formed by removing the multilayer reflective film. Another object of the present invention is to provide a reflective mask and a method for manufacturing the reflective mask.
  • the present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by satisfying a predetermined relationship between the refractive index and extinction coefficient of the conductive film, and have arrived at the present invention. That is, the inventors have found that the above problems can be solved by the following configuration.
  • a substrate a conductive film disposed on one surface of the substrate; a multilayer reflective film that reflects EUV light and is disposed on the other surface side of the substrate; an absorber film disposed on the opposite side of the multilayer reflective film from the substrate side,
  • the main component of the substrate is SiO2 , the conductive film has a thickness of 50 to 100 nm;
  • the conductive film satisfies the relationships of the below-described formulas (1) to (3) at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • the reflective mask blank according to [1] wherein the conductive film satisfies the relationship of formula (2-1) described below at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • a method for producing a reflective mask comprising a step of patterning the absorber film of the reflective mask blank according to any one of [1] to [10].
  • a reflective mask blank can be provided that allows easy inspection of foreign matter on the conductive film surface and easy reading of an identification mark formed by removing the multilayer reflective film.
  • the present invention also provides a reflective mask and a method for manufacturing a reflective mask.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an embodiment of a reflective mask blank of the present invention.
  • 1A to 1C are schematic diagrams showing an example of a manufacturing process for a reflective mask using the reflective mask blank of the present invention.
  • 10A to 10C are schematic diagrams showing another example of the manufacturing process of a reflective mask using the reflective mask blank of the present invention.
  • 10A to 10C are schematic diagrams showing another example of the manufacturing process of a reflective mask using the reflective mask blank of the present invention.
  • 10A to 10C are schematic diagrams showing another example of the manufacturing process of a reflective mask using the reflective mask blank of the present invention.
  • a numerical range expressed using “to” means a range that includes the numerical values before and after “to” as the lower and upper limits.
  • elements such as boron, carbon, nitrogen, oxygen, silicon, titanium, chromium, zirconium, niobium, molybdenum, ruthenium, rhodium, palladium, tantalum, rhenium, iridium, and platinum may be represented by their corresponding element symbols (B, C, N, O, Si, Ti, Cr, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ta, Re, Ir, Pt, etc.).
  • the reflective mask blank of the present invention comprises a substrate, a conductive film disposed on one side of the substrate, a multilayer reflective film that reflects EUV light and is disposed on the other side of the substrate, and an absorber film disposed on the side of the multilayer reflective film opposite to the substrate side.
  • the main component of the substrate is SiO 2 and the film thickness of the conductive film is 50 to 100 nm.
  • the conductive film satisfies the relationships of the following formulas (1) to (3) at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • n c ( ⁇ ) represents the refractive index of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm.
  • k c ( ⁇ ) represents the extinction coefficient of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm.
  • dc represents the film thickness of the conductive film, and is expressed in nm.
  • ⁇ represents the wavelength value, and its unit is nm.
  • Fig. 1 is a cross-sectional view showing one example of an embodiment of a reflective mask blank of the present invention.
  • the reflective mask blank 10 shown in Fig. 1 has, in this order, a conductive film 22, a substrate 12, a multilayer reflective film 14, a multilayer reflective protective film 16, and an absorber film 18.
  • the main component of the substrate 12 is SiO2
  • the film thickness of the conductive film 22 is within the above-mentioned predetermined range.
  • the conductive film 22 satisfies the relationships of the above formulas (1) to (3) at the above-mentioned predetermined wavelength.
  • the multilayer reflective protective film 16 shown in FIG. 1 may be omitted.
  • the reflective mask blank 10 may also have an etching mask film, which will be described later, on the side of the absorber film 18 opposite to the substrate 12 side.
  • the reflective mask blank 10 may further include an adhesive film (described later) on the substrate side of the conductive film 22.
  • the reflective mask blank 10 may further include a protective film (described later) on the side of the conductive film 22 opposite to the substrate side.
  • the mechanism by which the reflective mask blank of the present invention makes it easy to inspect the conductive film surface for foreign matter and to read the identification mark formed by removing the multilayer reflective film is not entirely clear, but the inventors speculate as follows.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention satisfies the above formulas (1) and (3) at a predetermined wavelength.
  • Formula (3) is a linear equation relating n c ( ⁇ ), the refractive index of the conductive film, and k c ( ⁇ ), the extinction coefficient of the conductive film, at a predetermined wavelength.
  • the inventors' studies have led to the conclusion that when the main component of the substrate is SiO 2 , the thickness of the conductive film is within the above predetermined range, and the above formulas (1) and (3) are satisfied, the transmittance of the conductive film is likely to be low. It is believed that when the transmittance of the conductive film is low, when light (inspection light) is incident from the back side of the conductive film (the opposite side to the substrate), the conductive film is less susceptible to the influence of light that may be reflected by identification marks, patterns, etc. present on the opposite side of the substrate from the conductive film side, making it easier to inspect the conductive film surface for foreign objects.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention satisfies the above formulas (1) and (2) at a predetermined wavelength.
  • Formula (2) is an elliptical equation relating n c ( ⁇ ), the refractive index of the conductive film, and k c ( ⁇ ), the extinction coefficient of the conductive film, at a predetermined wavelength.
  • the inventors' studies have led to the conclusion that when the substrate is mainly composed of SiO 2 and satisfies the above formulas (1) and (2), reflection is less likely to occur at the interface between the substrate and the conductive film.
  • the substrate of the reflective mask blank of the present invention is mainly composed of SiO2 .
  • the substrate being mainly composed of SiO2 means that the SiO2 content in the substrate, expressed as mole percent on an oxide basis, is 80% or more, preferably 85% or more, and more preferably 90% or more.
  • the substrate may also be composed solely of SiO2 . That is, the SiO2 content relative to all atoms in the substrate, expressed as mole percent on an oxide basis, may be 100% or less. Examples of materials that can be used to form the substrate include, but are not limited to, SiO 2 —TiO 2 type glass, and include quartz glass.
  • the substrate of the reflective mask blank of the present invention preferably has a small thermal expansion coefficient, which can prevent distortion of the absorber film pattern due to heat generated during exposure to EUV light.
  • the thermal expansion coefficient of the substrate at 20°C is preferably 0 ⁇ 1.0 ⁇ 10 ⁇ 7 /°C, and more preferably 0 ⁇ 0.3 ⁇ 10 ⁇ 7 /°C.
  • the surface of the substrate on which the multilayer reflective film is laminated (hereinafter also referred to as the "first principal surface") preferably has high surface smoothness.
  • the surface smoothness of the first principal surface can be evaluated by surface roughness.
  • the surface roughness of the first principal surface is preferably 0.15 nm or less in terms of root-mean-square roughness Rq.
  • the surface roughness can be measured using an atomic force microscope, and will be described as the root-mean-square roughness Rq based on JIS-B0601.
  • the first main surface is preferably surface-processed to have a predetermined flatness, in order to improve the pattern transfer accuracy and positional accuracy of a reflective mask obtained using the reflective mask blank.
  • the flatness is preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less, and even more preferably 30 nm or less.
  • the flatness can be measured using a flatness measuring instrument manufactured by Fujinon Corporation.
  • the size and thickness of the substrate are determined appropriately depending on the design values of the mask, etc.
  • the outer shape may be 6 inches (152 mm) square and the thickness may be 0.25 inches (6.3 mm).
  • the substrate is often rectangular or square.
  • the substrate preferably has high rigidity in order to prevent deformation due to film stress of films (such as a multilayer reflective film and an absorber film) formed on the substrate.
  • the Young's modulus of the substrate is preferably 65 GPa or more.
  • the multilayer reflective film of the reflective mask blank of the present invention is not particularly limited as long as it has the desired properties as a reflective film for an EUV mask blank.
  • the multilayer reflective film preferably has a high reflectivity for EUV light. Specifically, when EUV light is incident on the surface of the multilayer reflective film at an incident angle of 6°, the maximum reflectivity for EUV light with a wavelength of around 13.5 nm is preferably 60% or more, more preferably 65% or more. Similarly, even when a multilayer reflective protective film is laminated on the multilayer reflective film, the maximum reflectivity for EUV light with a wavelength of around 13.5 nm is preferably 60% or more, more preferably 65% or more.
  • a multilayer reflective film can achieve a high reflectivity for EUV light
  • a multilayer reflective film is usually used in which high-refractive index layers that exhibit a high refractive index for EUV light and low-refractive index layers that exhibit a low refractive index for EUV light are alternately stacked multiple times.
  • the multilayer reflective film may be formed by stacking multiple periods, each period being a stack structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are stacked in this order from the substrate side, or may be formed by stacking multiple periods, each period being a stack structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are stacked in this order.
  • the high refractive index layer may be a layer containing Si.
  • the Si-containing material examples include simple Si and Si compounds containing Si and one or more elements selected from the group consisting of B, C, N, and O.
  • a high refractive index layer containing Si By using a high refractive index layer containing Si, a reflective mask with excellent reflectance for EUV light can be obtained.
  • the low refractive index layer may be a layer containing a metal selected from the group consisting of Mo, Ru, Rh, and Pt, or an alloy thereof.
  • Si is commonly used for the high refractive index layer
  • Mo is commonly used for the low refractive index layer. That is, Mo/Si multilayer reflective films are the most common.
  • the multilayer reflective films are not limited thereto, and Ru/Si multilayer reflective films, Mo/Be multilayer reflective films, Mo compound/Si compound multilayer reflective films, Si/Mo/Ru multilayer reflective films, Si/Mo/Ru/Mo multilayer reflective films, Si/Ru/Mo multilayer reflective films, and Si/Ru/Mo/Ru multilayer reflective films can also be used.
  • each layer constituting the multilayer reflective film and the number of layer repeat units can be selected appropriately depending on the film material used and the EUV light reflectivity required for the reflective layer. Taking a Mo/Si multilayer reflective film as an example, to create a multilayer reflective film with a maximum EUV light reflectivity of 60% or more, it is sufficient to stack a Mo film with a film thickness of 2.3 ⁇ 0.1 nm and a Si film with a film thickness of 4.5 ⁇ 0.1 nm so that the number of repeat units is 30 to 60.
  • the layers that make up the multilayer reflective film can be deposited to the desired thickness using known deposition methods such as magnetron sputtering and ion beam sputtering.
  • ion particles are supplied from an ion source to a target of a high refractive index material and a target of a low refractive index material.
  • the multilayer reflective film is a Mo/Si multilayer reflective film
  • a Si layer of a predetermined thickness is first deposited on the substrate using ion beam sputtering, using a Si target.
  • a Mo layer of a predetermined thickness is deposited using a Mo target. This Si layer and Mo layer constitute one cycle, and 30 to 60 cycles are stacked to form the Mo/Si multilayer reflective film.
  • the reflective mask blank of the present invention may have a reflective multilayer protective film between the reflective multilayer film and the absorber film.
  • the reflective multilayer protective film is provided for the purpose of protecting the reflective multilayer film from damage during an etching process (usually a dry etching process) to form a pattern on the absorber film.
  • Materials that can achieve the above object include materials containing at least one element selected from the group consisting of Ru and Rh. That is, it is preferable that the multilayer reflective protective film contains at least one element selected from the group consisting of Ru and Rh.
  • examples of the material include Rh-based materials such as Ru metal alone, Ru alloys containing Ru and one or more metals selected from the group consisting of Si, Ti, Nb, Rh, and Zr, Rh alloys containing Rh and one or more metals selected from the group consisting of Rh metal alone, Rh and one or more metals selected from the group consisting of Si, Ti, Nb, Ru, Ta, and Zr, Rh-containing nitrides containing the Rh alloys and nitrogen, and Rh-containing oxynitrides containing the Rh alloys, nitrogen, and oxygen.
  • examples of materials that can achieve the above object include Al, nitrides containing these metals and nitrogen, and Al 2 O 3 .
  • materials that can achieve the above-mentioned object are preferably Ru metal alone, Ru alloys, Rh metal alone, or Rh alloys.
  • Ru alloy a Ru—Si alloy is preferred, and as the Rh alloy, a Rh—Si alloy is preferred.
  • the thickness of the multilayer reflective protective film is not particularly limited as long as it can function as a multilayer reflective protective film.
  • the thickness of the multilayer reflective protective film is preferably 1 to 10 nm, more preferably 1.5 to 6 nm, and even more preferably 2 to 5 nm.
  • the material of the multilayer reflective protective film is Ru metal alone, a Ru alloy, Rh metal alone, or a Rh alloy, and that the multilayer reflective protective film has the above-mentioned preferred thickness.
  • the multilayer reflective protective film may be a film consisting of a single layer, or may be a multilayer film consisting of multiple layers.
  • each layer constituting the multilayer film is preferably made of the above-mentioned preferred material.
  • the multilayer reflective protective film is a multilayer film, it is also preferable that the total thickness of the multilayer film is within the above-mentioned preferred range.
  • the protective film is a multilayer film, it is preferable that the layer of the multilayer film closest to the absorber film contains Rh. Furthermore, when the layer of the multilayer film closest to the absorber film contains Rh, it is preferable that at least one of the other layers contains Ru.
  • the multilayer reflective protective film can be deposited using known deposition methods such as magnetron sputtering and ion beam sputtering.
  • magnetron sputtering When depositing a Ru film using magnetron sputtering, it is preferable to use a Ru target as the target and Ar gas as the sputtering gas.
  • the absorber film of the reflective mask blank of the present invention is required to have a high contrast between the EUV light reflected by the multilayer reflective film and the EUV light in the absorber film when the absorber film is patterned.
  • the patterned absorber film (absorber film pattern) may function as a binary mask by absorbing EUV light, or may function as a phase shift mask that reflects EUV light and interferes with the EUV light from the multilayer reflective film to generate contrast. That is, the absorber film may be a phase shift film.
  • the absorber film When the absorber film pattern is used as a binary mask, the absorber film needs to absorb EUV light and have low reflectance for EUV light. Specifically, when EUV light is irradiated onto the surface of the absorber film, the maximum reflectance of EUV light at a wavelength of around 13.5 nm is preferably 2% or less.
  • the absorber film may contain one or more metals selected from the group consisting of Ta, Ti, Sn, and Cr, as well as one or more components selected from the group consisting of O, N, B, Hf, and H.
  • the absorber film preferably contains Ta and also contains N or B. By containing N or B, the crystalline state of the absorber film can be made to have an amorphous or microcrystalline structure.
  • the crystalline state of the absorber film is preferably amorphous, which can improve the smoothness and flatness of the absorber film. Furthermore, when the smoothness and flatness of the absorber film are improved, the edge roughness of the absorber film pattern is reduced, and the dimensional accuracy of the absorber film pattern can be improved.
  • the film thickness of the absorber film is preferably 40 to 70 nm, more preferably 50 to 65 nm.
  • the reflectance of the absorber film to EUV light is preferably 2% or more.
  • the reflectance of the absorber film is preferably 9 to 15%.
  • Examples of materials for forming the phase shift mask include simple Ru metal, Ru alloys containing Ru and one or more metals selected from the group consisting of Cr, Au, Pt, Re, Hf, Ta, Ti, and Si, alloys of Ta and Nb, oxides containing a Ru alloy or a TaNb alloy and oxygen, nitrides containing a Ru alloy or a TaNb alloy and nitrogen, and oxynitrides containing a Ru alloy or a TaNb alloy, oxygen, and nitrogen.
  • the thickness of the absorber film is preferably 30 to 60 nm, and more preferably 35 to 55 nm.
  • the absorber film may be a single-layer film or a multilayer film made up of multiple films.
  • the absorber film is a single-layer film, the number of steps in manufacturing the mask blank can be reduced, thereby improving production efficiency.
  • the layer disposed on the side opposite to the substrate side of the absorber film may be an anti-reflection film used when inspecting the absorber film pattern using inspection light (for example, wavelength 193 to 248 nm).
  • the anti-reflection film may be made of a material containing Ta and O, for example.
  • the absorber film can be formed using known film formation methods such as magnetron sputtering and ion beam sputtering. For example, when forming a Ta nitride film as the absorber film using magnetron sputtering, the absorber film can be formed by sputtering using a Ta target and supplying a gas containing Ar gas and nitrogen gas.
  • the reflective mask blank of the present invention has a conductive film on the surface (second main surface) of the substrate opposite to the first main surface.
  • the reflective mask blank can be handled by an electrostatic chuck.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention will be described in detail below.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention has a film thickness of 50 to 100 nm and satisfies the relationships of the above-mentioned formulas (1) to (3) at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • the formulas (1) to (3) are as described above, and therefore the explanation will be omitted.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention preferably satisfies the following formula (2-1) at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm, in terms of excellent readability of the identification mark.
  • n c ( ⁇ ) represents the refractive index of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm.
  • k c ( ⁇ ) represents the extinction coefficient of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm.
  • formula (2-1) is an elliptic equation relating n c ( ⁇ ), the refractive index of the conductive film, and k c ( ⁇ ), the extinction coefficient of the conductive film.
  • n c ( ⁇ ) which is the refractive index of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm
  • k c ( ⁇ ) which is the extinction coefficient of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm
  • n c ( ⁇ ) and k c ( ⁇ ) using a spectroscopic ellipsometer is carried out as follows: First, a light beam of a predetermined wavelength is incident on the surface of the reflective mask blank of the present invention on which the conductive film is formed, and the polarization state is measured and analyzed at room temperature to calculate the refractive index n c ( ⁇ ) and the extinction coefficient k c ( ⁇ ).
  • the spectroscopic ellipsometer used is M2000-DI manufactured by J. A. Woollam.
  • the literature values may be used.
  • n c ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm is greater than 1.000, preferably 1.100 or greater, more preferably 1.300 or greater, even more preferably 1.500 or greater, particularly preferably 2.000 or greater, and most preferably 2.500 or greater.
  • n c ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm is preferably 6.000 or less, more preferably 5.000 or less, and even more preferably 4.500 or less.
  • n c ( ⁇ ) at a wavelength of 450 nm is greater than 1.000, preferably 1.100 or greater, more preferably 1.300 or greater, even more preferably 1.500 or greater, particularly preferably 2.000 or greater, and most preferably 2.500 or greater.
  • n c ( ⁇ ) at a wavelength of 450 nm is preferably 5.000 or less, more preferably 4.500 or less, and even more preferably 4.200 or less.
  • n c ( ⁇ ) at a wavelength of 500 nm is greater than 1.000, preferably 1.100 or greater, more preferably 1.300 or greater, even more preferably 1.500 or greater, particularly preferably 2.000 or greater, and most preferably 2.500 or greater.
  • n c ( ⁇ ) at a wavelength of 500 nm is preferably 6.000 or less, more preferably 5.000 or less, and even more preferably 4.500 or less.
  • k c ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm is preferably 1.800 or more, more preferably 1.900 or more, and even more preferably 2.000 or more.
  • k c ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm is preferably 3.500 or less, more preferably 3.000 or less, and even more preferably 2.500 or less.
  • k c ( ⁇ ) at a wavelength of 450 nm is preferably 1.800 or more, more preferably 1.900 or more, and even more preferably 2.000 or more.
  • k c ( ⁇ ) at a wavelength of 450 nm is preferably 4.000 or less, more preferably 3.000 or less, and even more preferably 2.800 or less.
  • k c ( ⁇ ) at a wavelength of 500 nm is preferably 1.500 or more, more preferably 1.700 or more, and even more preferably 1.800 or more.
  • k c ( ⁇ ) at a wavelength of 500 nm is preferably 4.000 or less, more preferably 3.600 or less, even more preferably 3.200 or less, particularly preferably 3.000 or less, and most preferably 2.500 or less.
  • the thickness of the conductive film of the reflective mask blank of the present invention ( dc in the above formula (3)) is 50 nm or more, preferably 55 nm or more.
  • the thickness of the conductive film is 100 nm or less, preferably 95 nm or less.
  • the thickness of the conductive film is measured by X-ray reflectometry (XRR). Specifically, a Smart Lab HTP from Rigaku Corporation is used to measure the thickness of the conductive film. CuK ⁇ rays are used as the X-ray source, with a tube voltage of 40 kV and a tube current of 30 mA.
  • the accompanying software (GlobalFit) is used for analysis.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention preferably contains one or more elements selected from the group consisting of Ti, Ni, Ge, Ta and W (hereinafter also referred to as "element C1").
  • element C1 the total content of element C1 is preferably 30 atomic % or more, more preferably 50 atomic % or more, and even more preferably 70 atomic % or more, based on the total atoms in the conductive film.
  • the conductive film may consist solely of element C1. That is, the total content of element C1 may be 100 atomic % or less.
  • the conductive film may contain one type of element C1 or two or more types of element C1.
  • the conductive film of the reflective mask blank of the present invention also preferably contains one or more elements (hereinafter also referred to as "element C2") selected from the group consisting of B, C, N, and O.
  • element C2 elements selected from the group consisting of B, C, N, and O.
  • the conductive film does not necessarily need to contain element C2.
  • the total content thereof is preferably 20 atomic % or less, more preferably 15 atomic % or less, and even more preferably 10 atomic % or less, based on all atoms in the conductive film.
  • the total content thereof is preferably 0.1 atomic % or more, more preferably 1 atomic % or more, and even more preferably 3 atomic % or more.
  • the content of each element in the conductive film is determined by analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
  • Specific materials that can be used to form the conductive film include, for example, Ti, TiN, TiB, TiBN, TiC, Ni, NiO, NiGe, Ta, W, TaN, TaON, TaB, TaBN, TaCN, etc.
  • TiON refer to materials containing Ta, O, and N, and the content ratios of these elements are not limited as long as the above requirements are met.
  • the conductive film can be formed using known film-forming methods.
  • sputtering methods such as DC sputtering, magnetron sputtering, and ion beam sputtering, CVD, vacuum deposition, and electrolytic plating can be used.
  • the reflective mask blank of the present invention may further have a protective film on the side of the conductive film opposite to the substrate side.
  • the protective film is also preferably disposed on the outermost surface side of the reflective mask blank.
  • the reflective mask blank of the present invention preferably has the protective film adjacent to the conductive film.
  • Equation (4) 1 ⁇ n p ( ⁇ ) ⁇ 3 Equation (5) 0 ⁇ k p ( ⁇ ) ⁇ 1 Formula (6) d p ⁇ 20
  • n p ( ⁇ ) represents the refractive index of the protective film at a wavelength of ⁇ nm.
  • k p ( ⁇ ) represents the extinction coefficient of the protective film at a wavelength of ⁇ nm.
  • dp represents the thickness of the protective film, and is expressed in nm.
  • the refractive index n p ( ⁇ ) of the protective film at a wavelength of ⁇ nm and the extinction coefficient k p ( ⁇ ) of the protective film at a wavelength of ⁇ nm can be measured using the same measurement method as the refractive index n c ( ⁇ ) of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm and the extinction coefficient k c ( ⁇ ) of the protective film at a wavelength of ⁇ nm described above.
  • the literature values of n p ( ⁇ ) and k p ( ⁇ ) may be used.
  • n p ( ⁇ ) is 1.000 or more, preferably 1.100 or more, more preferably 1.200 or more, and even more preferably 1.400 or more at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • n p ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm is 3.000 or less, preferably 2.800 or less, more preferably 2.700 or less, and even more preferably 2.500 or less.
  • k p ( ⁇ ) is 0.000 or more, and may be 0.005 or more, at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • k p ( ⁇ ) is 1.000 or less, preferably 0.500 or less, more preferably 0.300 or less, and even more preferably 0.100 or less, at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • the thickness of the protective film (d p in formula (6)) is 20 nm or less, preferably 18 nm or less, and more preferably 15 nm or less.
  • the thickness of the protective film is preferably 3 nm or more, and more preferably 5 nm or more. When measuring the thickness of the protective film, it can be measured by the same method as the method for measuring the thickness of the conductive film.
  • the protective film that the reflective mask blank of the present invention may have preferably contains one or more elements selected from the group consisting of Si and W (hereinafter also referred to as "element P1").
  • the protective film contains the element P1
  • the total content thereof is preferably 10 atomic % or more, more preferably 15 atomic % or more, and more preferably 20 atomic % or more, based on all atoms in the protective film.
  • the conductive film may consist solely of the element P1. That is, the total content of the element P1 may be 100 atomic % or less, more preferably 50 atomic % or less, based on all atoms in the protective film.
  • the protective film that the reflective mask blank of the present invention may have also preferably contains one or more elements (hereinafter also referred to as "element P2") selected from the group consisting of B, C, N, and O.
  • the conductive film does not necessarily need to contain element P2.
  • the total content of the element P2 is preferably 30 atomic % or more, more preferably 45 atomic % or more, and even more preferably 60 atomic % or more, based on all atoms in the protective film.
  • the total content of the element P2 is preferably 90 atomic % or less, more preferably 80 atomic % or less, based on all atoms in the protective film.
  • SiO silicon dioxide
  • WO tungsten carbide
  • SiO silicon dioxide
  • WO tungsten carbide
  • the protective film can be formed using a known film-forming method. Examples of methods for forming the protective film include methods similar to those for forming the conductive film described above.
  • the reflective mask blank of the present invention may further have an adhesive film on the substrate side of the conductive film.
  • the reflective mask blank of the present invention preferably has the adhesion film adjacent to the conductive film and the substrate.
  • n a ( ⁇ ) represents the refractive index of the adhesive film at a wavelength of ⁇ nm.
  • k a ( ⁇ ) represents the extinction coefficient of the adhesive film at a wavelength of ⁇ nm.
  • d a represents the film thickness of the adhesive film, and is expressed in nm.
  • the refractive index n a ( ⁇ ) of the adhesive film at a wavelength of ⁇ nm and the extinction coefficient k a ( ⁇ ) of the adhesive film at a wavelength of ⁇ nm can be measured by the same measurement method as the refractive index n c ( ⁇ ) of the conductive film at a wavelength of ⁇ nm and the extinction coefficient k c ( ⁇ ) of the adhesive film at a wavelength of ⁇ nm described above.
  • the literature values of n a ( ⁇ ) and k a ( ⁇ ) may be used.
  • n a ( ⁇ ) is 1.000 or more, preferably 1.100 or more, more preferably 1.200 or more, even more preferably 1.400 or more, and particularly preferably 1.500 or more at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • n a ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm is 6.000 or less, preferably 5.500 or less, more preferably 4.000 or less, even more preferably 3.000 or less, and particularly preferably 2.500 or less.
  • k a ( ⁇ ) is 0.000 or more, and may be 0.005 or more, at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • k a ( ⁇ ) is 1.000 or less, preferably 0.900 or less, more preferably 0.500 or less, even more preferably 0.300 or less, and particularly preferably 0.200 or less, at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • the thickness of the adhesive film (d a in formula (9)) is 5 nm or less, and may be 4 nm or less.
  • the thickness of the adhesive film is preferably 1 nm or more, and more preferably 2 nm or more. When measuring the thickness of the adhesive film, it can be measured by the same method as that for measuring the thickness of the conductive film.
  • the adhesion film that the reflective mask blank of the present invention may have preferably contains one or more elements selected from the group consisting of Si, Nb, Ta, and Ti (hereinafter also referred to as "element A1").
  • element A1 the total content thereof is preferably 15 atomic % or more, more preferably 20 atomic % or more, and even more preferably 25 atomic % or more, based on all atoms in the adhesive film.
  • the adhesive film may consist solely of element A1. That is, the total content of element A1 may be 100 atomic % or less, more preferably 70 atomic % or less, based on all atoms in the adhesive film.
  • the adhesive film that the reflective mask blank of the present invention may have also preferably contains one or more elements (hereinafter also referred to as "element A2") selected from the group consisting of B, C, N, and O.
  • element A2 elements selected from the group consisting of B, C, N, and O.
  • the conductive film does not necessarily need to contain element A2.
  • the total content of element A2 is preferably 20 atomic % or more, more preferably 30 atomic % or more, and even more preferably 40 atomic % or more, based on the total atoms in the conductive film.
  • the total content of element A2 is preferably 80 atomic % or less, more preferably 60 atomic % or less, based on the total atoms in the conductive film.
  • Specific materials that may be used to form the adhesive film include, for example, SiO, SiON, SiOC, NbO, NbON, NbOC, NbB, NbBN, TaO, TaON, TaOC, TaB, TaBN, TiO, TiON, TiOC, TiB, and TiBN.
  • SiO refer to materials containing Si and O, and the content ratio of these elements is not limited as long as the above requirements are met.
  • the adhesive film can be formed using known film-forming methods. Examples of methods for forming the adhesive film include methods similar to those for forming the conductive film described above.
  • the reflective mask blank of the present invention may have an etching mask film on the side of the absorber film opposite to the substrate side.
  • the etching mask film is preferably made of a material that is highly resistant to dry etching. When an etching mask film is formed on the absorber film, dry etching can be performed even if the minimum line width of the absorber film pattern is small. Therefore, this is effective for miniaturizing the absorber film pattern.
  • the etching mask film preferably contains one or more elements selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Cr, Y, Nb, Mo, Ta, and Hf (hereinafter also referred to as "element X3"). That is, the material constituting the etching mask film preferably contains element X3.
  • the etching mask film may further contain at least one element selected from the group consisting of B, N and O. Examples of materials constituting the etching mask film include a simple substance of element X3, and oxides, nitrides, oxynitrides, carbides, carbonitrides, carbonates, fluorides, and oxyfluorides of element X3. Note that the material constituting the etching mask film may also be a composite compound (e.g., composite oxide) containing two or more elements of element X3.
  • Cr-based materials containing Cr as element X3 include materials containing Cr and one or more elements selected from the group consisting of Cr and O, N, C, and H, and more specifically, include CrO, CrN, and CrON.
  • CrON represents a material containing Cr, O, and N, and similar notations hereinafter have the same meaning.
  • Si-based materials containing Si as element X3 include materials containing Si and one or more elements selected from the group consisting of O, N, C, and H, and more specifically, include SiO 2 , SiON, SiN, SiO, Si, SiC, SiCO, SiCN, and SiCON.
  • the thickness of the etching mask film is preferably 2 nm or more.
  • the thickness of the etching mask film is preferably 30 nm or less, more preferably 25 nm or less, and even more preferably 10 nm or less.
  • the etching mask film can be formed using known film formation methods such as DC sputtering, magnetron sputtering, and ion beam sputtering.
  • the reflective mask of the present invention can be obtained by patterning the absorber film of the reflective mask blank of the present invention.
  • One example of a method for producing a reflective mask will be described with reference to Figures 2A to 2D.
  • FIG. 2A shows a state in which a resist pattern 40 has been formed on a reflective mask blank having, in this order, a conductive film 22, a substrate 12, a multilayer reflective film 14, a multilayer reflective protective film 16, and an absorber film 18.
  • a known method can be used to form the resist pattern 40, and for example, a resist is applied to the absorber film 18 of the reflective mask blank, and then exposed and developed to form the resist pattern 40.
  • the resist pattern 40 corresponds to a pattern formed on a wafer using a reflective mask.
  • the absorber film 18 is etched and patterned using the resist pattern 40 of FIG. 2A as a mask, and the resist pattern 40 is removed to obtain a laminate having an absorber film pattern 18pt shown in FIG. 2B.
  • FIG. 2B shows a state in which a resist pattern 40 has been formed on a reflective mask blank having, in this order, a conductive film 22, a substrate 12, a multilayer reflective film 14, a multilayer reflective protective film 16, and an absorber film 18.
  • a resist pattern 42 corresponding to the frame of the exposure region is formed on the laminate of Fig. 2B, and dry etching is performed using the resist pattern 42 of Fig. 2C as a mask. Dry etching is performed until it reaches the substrate 12. After dry etching, the resist pattern 42 is removed, and the reflective mask shown in Fig. 2D is obtained.
  • the dry etching used to form the absorber film pattern 18pt may be, for example, dry etching using a Cl-based gas or dry etching using an F-based gas.
  • the resist pattern 40 or 42 may be removed by a known method, such as removal with a cleaning solution, such as sulfuric acid-hydrogen peroxide solution (SPM), sulfuric acid, ammonia water, ammonia-hydrogen peroxide solution (APM), OH radical cleaning water, or ozone water.
  • SPM sulfuric acid-hydrogen peroxide solution
  • APM ammonia water
  • APM ammonia-hydrogen peroxide solution
  • OH radical cleaning water or ozone water.
  • a step of removing the etching mask film may be carried out in the step of obtaining the reflective mask. Furthermore, in the step of removing the resist pattern 40 or 42 described above, the etching mask film may also be removed simultaneously.
  • the reflective mask obtained by patterning the absorber film of the reflective mask blank of the present invention can be suitably used as a reflective mask for exposure to EUV light.
  • Example 1 First, a model was constructed in which a conductive film made of Al was formed on one surface of a glass substrate.
  • the refractive index and extinction coefficient of the conductive film made of Al were determined based on the values given in E. Palik, "Handbook of Optical Constants of Solids” (hereinafter also referred to as "Reference 1") Vol. 1, Academic Press, pp. 397-400, (1985).
  • the thickness of the conductive film (d c in Table 1) was set to 50 nm.
  • Maxwell's equations were numerically solved for the case where a plane wave with a wavelength of 400 nm was incident on the glass substrate from the side opposite the conductive film side, and an equation for the reflected wave generated at the interface between the glass substrate and the conductive film was obtained.
  • the propagation direction of the plane wave was assumed to be parallel to the normal direction of the glass substrate surface. It was also assumed that the glass substrate was sufficiently thick compared to the wavelength, so that no optical interference occurred within the glass substrate.
  • the refractive index of the glass substrate was the value for quartz glass (see Reference 1, Vol. I', pp. 759-0).
  • the reflected light intensity at a wavelength of 400 nm was calculated by squaring the above formula.
  • Maxwell's equations were numerically solved to obtain an equation for the transmitted wave through the glass substrate and the conductive film.
  • the transmitted light intensity at a wavelength of 400 nm was calculated by squaring the equation.
  • the reflected light intensity and transmitted light intensity at a wavelength of 450 nm, and the reflected light intensity and transmitted light intensity at a wavelength of 500 nm were calculated.
  • the reflectance was calculated from the reflected light intensity at each wavelength calculated by the above-mentioned procedure and the intensity of the incident light.
  • the readability of the identification mark was evaluated based on the calculated reflectance according to the following criteria: As described above, when the reflectance at the interface between the substrate and the conductive film is low, a difference in reflectance is likely to occur between the area where the multilayer reflective film formed on the surface of the substrate opposite the conductive film side has been removed and the area where the multilayer reflective film remains, making it easier to read the identification mark. In practical terms, an A rating or a B rating is preferable, and an A rating is more preferable.
  • A Reflectance is 40% or less at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • B Reflectance is more than 40% at one or more wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm, and reflectance is 50% or less at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • C Reflectance is more than 50% at one or more wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • the transmittance was calculated from the transmitted light intensity at each wavelength calculated by the above-mentioned procedure and the intensity of the incident light.
  • the calculated transmittance was used to evaluate the foreign substance inspectability according to the following criteria: As described above, when the conductive film has low transmittance, foreign substance inspection from the opposite side of the conductive film to the substrate is less affected by light reflected by an identification mark or the like present on the opposite side of the substrate from the conductive film side, making foreign substance inspection easier. In practical terms, an A rating is preferred.
  • A: Transmittance is 1% or less at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • B Transmittance is more than 1% at one or more of wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm.
  • Example 2 to 15 The reflectance and transmittance were calculated in the same manner as in Example 1, except that the material and film thickness of the conductive film were changed as shown in Tables 1 and 2 below, and the readability of the identification mark and the foreign matter inspectability were evaluated.
  • Example 11 an adhesive film was provided between the glass substrate and the conductive film.
  • Example 12 a protective film was provided on the side of the conductive film opposite the substrate side.
  • Example 13 an adhesive film was provided between the glass substrate and the conductive film, and a protective film was provided on the side of the conductive film opposite the substrate side.
  • the materials and film thicknesses of the adhesive film and protective film were as shown in Tables 1 and 2 below.
  • Example 16 A conductive film made of CrN was formed on a synthetic quartz substrate to obtain a substrate with a conductive film.
  • the conductive film had a thickness of 50 nm.
  • the refractive index n c ( ⁇ ) and the extinction coefficient k c ( ⁇ ) at wavelengths of 400 nm, 450 nm, and 500 nm were calculated using the measurement method described above.
  • the conductive film made of CrN was formed by magnetron sputtering under the following conditions.
  • Tables 1 and 2 show the refractive index and extinction coefficient at each wavelength of the conductive film, protective film, and adhesive film of each example, as well as the calculated reflectance and transmittance, respectively.
  • Tables 1 and 2 show the calculated values of the left sides of the above-mentioned formulas (2), (3), and (2-1).
  • nc(400) refers to the value of nc ( ⁇ ) at a wavelength of 400 nm. The same applies to nc (450), kc (400), etc.
  • the column “Readability” shows the evaluation results of the readability of the identification mark.
  • the adhesive films of Examples 11 and 13 satisfy the requirements of the above-mentioned formulas (7) to (9), and the protective films of Examples 12 and 13 satisfy the requirements of the above-mentioned formulas (4) to (6).
  • Tables 1 and 2 indicate that, at a specified wavelength, Examples 4, 5, 7-9, and 11-13, which satisfy the above formulas (1) to (3) regarding the refractive index and extinction coefficient, have superior readability of the identification mark and foreign matter inspection capabilities compared to other examples that do not satisfy at least one of the above formulas (1) to (3).

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Abstract

導電膜表面の異物の検査がしやすく、かつ、多層反射膜を除去して形成される識別マークの読み取りがしやすい、反射型マスクブランクの提供を課題とする。　基板（１２）と、基板（１２）の一方の面側に配置される導電膜（２２）と、上記基板（１２）の他方の面側に配置されるＥＵＶ光を反射する多層反射膜（１４）と、上記多層反射膜（１４）の上記基板（１２）側とは反対側に配置される吸収体膜（１８）とを有する反射型マスクブランクであって、上記基板（１２）の主成分がＳｉＯ２であり、上記導電膜（２２）の膜厚が５０～１００ｎｍであり、上記導電膜（２２）は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、所定の式（１）～式（３）の関係を満たす、反射型マスクブランク。

Description

反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法
　本発明は、半導体製造の露光プロセスで使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）露光に用いられる（すなわち、ＥＵＶリソグラフィ用）反射型マスクおよびその製造方法、ならびに、反射型マスクの原板である反射型マスクブランクに関する。
　なお、本明細書において、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクのことを、単に、「反射型マスクブランク」ともいう。また、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクのことを、単に、「反射型マスク」ともいう。
　近年、半導体デバイスの更なる微細化のために、光源として中心波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を使用したＥＵＶリソグラフィが検討されている。
　ＥＵＶ露光では、ＥＵＶ光の特性から、反射光学系および反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターニングされている。
　露光装置の照明光学系より反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、吸収体膜の無い部分（開口部）では反射され、吸収体膜の有る部分（非開口部）では吸収される。結果として、マスクパターンが露光装置の縮小投影光学系を通してウエハ上にレジストパターンとして転写され、その後の処理が実施される。
　一方、反射型マスクおよび吸収体膜をパターニングする前の反射型マスクブランクは、基材の吸収体膜側とは反対側の表面に、静電チャック用の導電膜が設けられる場合が多い。
　例えば、特許文献１に記載の反射型マスクブランクでは、導電膜として、クロムおよび窒素を含むものが開示されている。
国際公開第２００８／０７２７０６号
　反射型マスクブランクにおいては、パターニング時および露光時等における影響を低減するため、異物の検査が行われる場合が多い。反射型マスクブランクにおいては、導電膜表面の異物の検査を導電膜側から実施する場合があるが、この際、導電膜表面における異物の検査がしやすいことが求められていた。
　また、反射型マスクブランクにおいては、多層反射膜を除去して、基板の導電膜とは反対側に識別マークを形成する場合がある。識別マークは、反射型マスクブランクの導電膜側とは反対側から読み取るが、識別マークの読み取り性に優れることが求められていた。
　本発明者が上記特許文献１に記載される導電膜の態様について検討したところ、導電膜表面における異物の検査性、および、識別マークの読み取り性の両立が困難であることを知見した。特に、識別マークの読み取り性において改善の余地があることを知見した。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、導電膜表面の異物の検査がしやすく、かつ、多層反射膜を除去して形成される識別マークの読み取りがしやすい、反射型マスクブランクの提供を課題とする。
　また、本発明は、反射型マスクの提供、および、反射型マスクの製造方法の提供も課題とする。
　本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、導電膜の屈折率および消衰係数に関して、所定の関係を満たすと、上記課題が解決できることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
　〔１〕　基板と、
　上記基板の一方の面側に配置される導電膜と、
　上記基板の他方の面側に配置されるＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、
　上記多層反射膜の上記基板側とは反対側に配置される吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、
　上記基板の主成分がＳｉＯ２であり、
　上記導電膜の膜厚が５０～１００ｎｍであり、
　上記導電膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、後述する式（１）～式（３）の関係を満たす、反射型マスクブランク。
　〔２〕　上記導電膜が、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、後述する式（２－１）の関係を満たす、〔１〕に記載の反射型マスクブランク。
　〔３〕　上記導電膜が、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＷからなる群から選択される１種以上の元素を含む、〔１〕または〔２〕に記載の反射型マスクブランク。
　〔４〕　上記導電膜が、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素を含む、〔１〕～〔３〕のいずれか１つに記載の反射型マスクブランク。
　〔５〕　上記導電膜の上記基板側とは反対側にさらに保護膜を有し、
　上記保護膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、後述する式（４）～式（６）の関係を満たす、〔１〕～〔４〕のいずれか１つに記載の反射型マスクブランク。
　〔６〕　上記保護膜が、ＳｉおよびＷからなる群から選択される１種以上の元素を含む、〔５〕に記載の反射型マスクブランク。
　〔７〕　上記保護膜が、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素を含む、〔５〕または〔６〕に記載の反射型マスクブランク。
　〔８〕　上記導電膜の上記基板側にさらに密着膜を有し、
　上記密着膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、後述する式（７）～式（９）の関係を満たす、〔１〕～〔７〕のいずれか１つに記載の反射型マスクブランク。
　〔９〕　上記密着膜が、Ｓｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＴｉからなる群から選択される１種以上の元素を含む、〔８〕に記載の反射型マスクブランク。
　〔１０〕　上記密着膜が、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素を含む、〔８〕または〔９〕に記載の反射型マスクブランク。
　〔１１〕　〔１〕～〔１０〕のいずれか１つに記載の反射型マスクブランクの上記吸収体膜をパターニングして形成される吸収体膜パターンを有する、反射型マスク。
　〔１２〕　〔１〕～〔１０〕のいずれか１つに記載の反射型マスクブランクの上記吸収体膜をパターニングする工程を含む、反射型マスクの製造方法。
　本発明によれば、導電膜表面の異物の検査がしやすく、かつ、多層反射膜を除去して形成される識別マークの読み取りがしやすい、反射型マスクブランクを提供できる。
　また、本発明によれば、反射型マスク、および、反射型マスクの製造方法も提供できる。
本発明の反射型マスクブランクの実施態様の一例を示す模式図である。 本発明の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造工程における一例を示す模式図である。 本発明の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造工程における他の例を示す模式図である。 本発明の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造工程における他の例を示す模式図である。 本発明の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造工程における他の例を示す模式図である。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされる場合があるが、本発明はそのような実施態様に制限されない。
　本明細書における各記載の意味を示す。
　本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において、ホウ素、炭素、窒素、酸素、シリコン、チタン、クロム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タンタル、レニウム、イリジウムおよび白金等の元素は、それぞれ対応する元素記号（Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒｅ、ＩｒおよびＰｔ等）で表す場合がある。
＜反射型マスクブランク＞
　本発明の反射型マスクブランクは、基板と、基板の一方の面側に配置される導電膜と、基板の他方の面側に配置されるＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、多層反射膜の基板側とは反対側に配置される吸収体膜とを有する。
　ここで、本発明の反射型マスクブランクにおいては、基板の主成分がＳｉＯ２であり、導電膜の膜厚が５０～１００ｎｍである。
　さらに、本発明の反射型マスクブランクにおいては、導電膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（１）～式（３）の関係を満たす。
　式（１）、式（２）および式（３）中、ｎｃ（λ）は、波長λｎｍにおける導電膜の屈折率を表す。
　式（２）および式（３）中、ｋｃ（λ）は、波長λｎｍにおける導電膜の消衰係数を表す。
　式（３）中、ｄｃは、導電膜の膜厚の値を表し、単位はｎｍである。
　式（３）中、λは、波長の値を表し、単位はｎｍである。
　本発明の反射型マスクブランクについて、図面を参照しながら説明する。
　図１は、本発明の反射型マスクブランクの実施態様の一例を示す断面図である。図１に示す反射型マスクブランク１０は、導電膜２２、基板１２、多層反射膜１４、多層反射膜保護膜１６、および、吸収体膜１８をこの順に有する。
　図１に示す態様においては、基板１２の主成分はＳｉＯ２であり、導電膜２２の膜厚は、上述した所定の範囲内である。また、導電膜２２は、上述した所定の波長において、上記式（１）～式（３）の関係を満たす。
　なお、図１に図示した多層反射膜保護膜１６は、省略してもよい。
　また、反射型マスクブランク１０は、吸収体膜１８の基板１２側とは反対側に、後述するエッチングマスク膜を有していてもよい。
　また、反射型マスクブランク１０は、導電膜２２の基板側に、後述する密着膜をさらに有していてもよい。また、反射型マスクブランク１０は、導電膜２２の基板側とは反対側に、後述する保護膜をさらに有していてもよい。
　本発明の反射型マスクブランクが、導電膜表面の異物の検査がしやすく、かつ、多層反射膜を除去して形成される識別マークの読み取りがしやすい機序は必ずしも明らかではないが、本発明者は以下のように推測している。
　本発明の反射型マスクブランクの導電膜は、所定の波長において、上記式（１）および式（３）を満たす。式（３）は、所定の波長における、導電膜の屈折率であるｎｃ（λ）、および、導電膜の消衰係数であるｋｃ（λ）に関する直線の方程式である。本発明者の検討により、基板の主成分がＳｉＯ２であり、導電膜の厚みが上記所定の範囲であり、かつ、上記式（１）および式（３）を満たす場合、導電膜の透過率が低くなりやすいことが導かれた。導電膜の透過率が低くなると、導電膜の裏側（基板とは反対側）から光（検査光）を入射した際に、基板の導電膜側とは反対側に存在する識別マークおよびパターン等で反射され得る光の影響を受けにくく、導電膜表面の異物の検査がしやすいと考えられる。
　一方、本発明の反射型マスクブランクの導電膜は、所定の波長において、上記式（１）および式（２）を満たす。式（２）は、所定の波長における、導電膜の屈折率であるｎｃ（λ）、および、導電膜の消衰係数であるｋｃ（λ）に関する楕円の方程式である。本発明者の検討により、基板の主成分がＳｉＯ２であり、かつ、上記式（１）および式（２）を満たす場合、基板と導電膜との界面において反射が発生しにくいことが導かれた。基板と導電膜との界面において反射が発生しにくいと、上記識別マークにおいて、多層反射膜が除去された領域と、多層反射膜が残存する領域との反射率の差がつきやすく、結果として、上記識別マークの読み取りがしやすいと考えられる。
　以下、本発明の反射型マスクブランクの構成について説明する。
　なお、以下、導電膜表面の異物の検査がしやすいことを、「異物検査性に優れる」ともいい、多層反射膜を除去して形成される識別マークの読み取りがしやすいことを、「識別マークの読み取り性に優れる」ともいう。
［基板］
　本発明の反射型マスクブランクが有する基板は、主成分がＳｉＯ２である。
　基板の主成分がＳｉＯ２であるとは、基板中のＳｉＯ２の含有量が、酸化物基準のモル％表示で、８０％以上であることをいい、８５％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。また、基板はＳｉＯ２のみからなっていてもよい。すなわち、基板の全原子に対するＳｉＯ２の含有量が、酸化物基準のモル％表示で、１００％以下であってもよい。
　基板を構成する材料としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等が挙げられるが、これに限定されず、石英ガラスが挙げられる。
　本発明の反射型マスクブランクが有する基板は、熱膨張係数が小さいことが好ましい。基板の熱膨張係数が小さい方が、ＥＵＶ光による露光時の熱により、吸収体膜パターンに歪みが生じることを抑制できる。
　基板の熱膨張係数は、２０℃において、０±１．０×１０－７／℃が好ましく、０±０．３×１０－７／℃がより好ましい。
　基板の多層反射膜が積層される側の面（以下、「第１主面」ともいう。）は、高い表面平滑性を有することが好ましい。第１主面の表面平滑性は、表面粗さで評価できる。第１主面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さＲｑで、０．１５ｎｍ以下が好ましい。なお、表面粗さは、原子間力顕微鏡で測定でき、表面粗さは、ＪＩＳ－Ｂ０６０１に基づく二乗平均平方根粗さＲｑとして説明する。
　第１主面は、反射型マスクブランクを用いて得られる反射型マスクのパターン転写精度および位置精度を高められる点で、所定の平面度となるように表面加工されることが好ましい。基板は、第１主面の所定の領域（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）において、平面度は、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。平面度は、フジノン社製平面度測定器によって測定できる。
　基板の大きさおよび厚さ等は、マスクの設計値等により適宜決定される。例えば、外形は６インチ（１５２ｍｍ）角、および、厚さは０．２５インチ（６．３ｍｍ）等が挙げられる。
　基板は、矩形（長方形）または正方形である場合が多い。
　さらに、基板は、基板上に形成される膜（多層反射膜、吸収体膜等）の膜応力による変形を防止する点で、高い剛性を有することが好ましい。例えば、基板のヤング率は、６５ＧＰａ以上が好ましい。
［多層反射膜］
　本発明の反射型マスクブランクが有する多層反射膜は、ＥＵＶマスクブランクの反射膜として所望の特性を有する限り特に限定されない。多層反射膜は、ＥＵＶ光に対して高い反射率を有することが好ましく、具体的には、ＥＵＶ光が入射角６°で多層反射膜の表面に入射した際、波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光の反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。また、多層反射膜の上に、多層反射膜保護膜が積層されている場合でも、同様に、波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光の反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。
　多層反射膜は、高いＥＵＶ光の反射率を達成できることから、通常はＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折率層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層とを交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。
　多層反射膜は、高屈折率層と低屈折率層とを基板側からこの順に積層した積層構造を１周期として複数周期積層してもよいし、低屈折率層と高屈折率層とをこの順に積層した積層構造を１周期として複数周期積層してもよい。
　高屈折率層としては、Ｓｉを含む層を用いることができる。Ｓｉを含む材料としては、Ｓｉ単体の他に、Ｓｉに、Ｂ、Ｃ、Ｎ、およびＯからなる群から選択される１種以上を含むＳｉ化合物を用いることができる。Ｓｉを含む高屈折率層を用いることによって、ＥＵＶ光の反射率に優れた反射型マスクが得られる。
　低屈折率層としては、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、およびＰｔからなる群から選択される金属、またはこれらの合金を含む層を用いることができる。
　上記高屈折率層には、Ｓｉが広く使用され、低屈折率層にはＭｏが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。ただし、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
　多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光の反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ光の反射率の最大値が６０％以上の多層反射膜とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ膜と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ膜とを繰り返し単位数が３０～６０になるように積層させればよい。
　なお、多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等、公知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜できる。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて多層反射膜を作製する場合、高屈折率材料のターゲットおよび低屈折率材料のターゲットに対して、イオン源からイオン粒子を供給して行う。多層反射膜がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜である場合、イオンビームスパッタリング法により、例えば、まずＳｉターゲットを用いて、所定の膜厚のＳｉ層を基板上に成膜する。その後、Ｍｏターゲットを用いて、所定の膜厚のＭｏ層を成膜する。このＳｉ層およびＭｏ層を１周期として、３０～６０周期積層させることにより、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
［多層反射膜保護膜］
　本発明の反射型マスクブランクは、多層反射膜と、吸収体膜との間に、多層反射膜保護膜を有していてもよい。多層反射膜保護膜は、エッチングプロセス（通常はドライエッチングプロセス）により吸収体膜にパターン形成する際に、多層反射膜がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、多層反射膜を保護する目的で設けられる。
　上記目的を達成できる材料としては、Ｒｕ、および、Ｒｈからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。すなわち、多層反射膜保護膜は、Ｒｕ、および、Ｒｈからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。
　より具体的には、上記材料として、Ｒｕ金属単体、Ｒｕと、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｒｈ、および、Ｚｒからなる群から選択される１種以上の金属とを含むＲｕ合金、ならびに、Ｒｈ金属単体、Ｒｈと、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、および、Ｚｒからなる群から選択される１種以上の金属とを含むＲｈ合金、上記Ｒｈ合金と窒素とを含むＲｈ含有窒化物、および、上記Ｒｈ合金と窒素と酸素とを含むＲｈ含有酸窒化物等のＲｈ系材料が挙げられる。
　また、上記目的を達成できる材料として、Ａｌおよびこれらの金属と窒素とを含む窒化物、および、Ａｌ２Ｏ３等も例示される。
　なかでも、上記目的を達成できる材料としては、Ｒｕ金属単体、Ｒｕ合金、Ｒｈ金属単体、または、Ｒｈ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、Ｒｕ－Ｓｉ合金が好ましく、Ｒｈ合金としては、Ｒｈ－Ｓｉ合金が好ましい。
　多層反射膜保護膜の膜厚は、多層反射膜保護膜としての機能を果たすことができる限り特に制限されない。多層反射膜で反射されたＥＵＶ光の反射率を保つ点から、多層反射膜保護膜の膜厚は、１～１０ｎｍが好ましく、１．５～６ｎｍがより好ましく、２～５ｎｍがさらに好ましい。
　多層反射膜保護膜の材料が、Ｒｕ金属単体、Ｒｕ合金、Ｒｈ金属単体、または、Ｒｈ合金であって、多層反射膜保護膜の膜厚が上記好ましい膜厚であることも好ましい。
　多層反射膜保護膜は、単一の層からなる膜でもよいし、複数の層からなる多層膜でもよい。多層反射膜保護膜が多層膜である場合、多層膜を構成する各層は、上記好ましい材料からなることが好ましい。また、多層反射膜保護膜が多層膜である場合、多層膜の合計膜厚が、上記好ましい範囲の多層反射膜保護膜の膜厚であることも好ましい。
　保護膜が多層膜である場合、多層膜のうち、最も吸収体膜側に配置される層がＲｈを含むことが好ましい。また、多層膜を構成する層のうち、最も吸収体膜側に配置される層がＲｈを含む場合、他の層のうちの少なくとも１層は、Ｒｕを含むことが好ましい。
　多層反射膜保護膜は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等、公知の成膜方法を用いて成膜できる。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用して成膜することが好ましい。
［吸収体膜］
　本発明の反射型マスクブランクが有する吸収体膜は、吸収体膜をパターン化した際に、多層反射膜で反射されるＥＵＶ光と、吸収体膜でＥＵＶ光とのコントラストが高いことが求められる。
　パターン化された吸収体膜（吸収体膜パターン）は、ＥＵＶ光を吸収してバイナリマスクとして機能してもよく、ＥＵＶ光を反射しつつ多層反射膜からのＥＵＶ光と干渉してコントラストを生じせしめる位相シフトマスクとして機能してもよい。すなわち、吸収体膜は、位相シフト膜であってもよい。
　吸収体膜パターンをバイナリマスクとして用いる場合には、吸収体膜がＥＵＶ光を吸収し、ＥＵＶ光の反射率が低い必要がある。具体的には、ＥＵＶ光が吸収体膜の表面に照射された際の、波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光の反射率の最大値は、２％以下が望ましい。
　吸収体膜は、Ｔａ、Ｔｉ、ＳｎおよびＣｒからなる群から選択される１種以上の金属の他に、Ｏ、Ｎ、Ｂ、Ｈｆ、および、Ｈからなる群から選択される１種以上の成分を含んでいてもよい。これらの中でも、吸収体膜は、Ｔａを含み、かつ、ＮまたはＢを含むことが好ましい。ＮまたはＢを含むことで、吸収体膜の結晶状態をアモルファスまたは微結晶の構造にできる。
　吸収体膜の結晶状態は、アモルファスが好ましい。これにより、吸収体膜の平滑性および平面度を高められる。また、吸収体膜の平滑性および平面度が高くなると、吸収体膜パターンのエッジラフネスが小さくなり、吸収体膜パターンの寸法精度を高くできる。
　吸収体膜パターンをバイナリマスクとして用いる場合、吸収体膜の膜厚は、４０～７０ｎｍが好ましく、５０～６５ｎｍがより好ましい。
　吸収体膜パターンを位相シフトマスクとして用いる場合には、吸収体膜のＥＵＶ光の反射率は２％以上が好ましい。位相シフト効果を十分に得るためには、吸収体膜の反射率は９～１５％が好ましい。位相シフトマスクとして吸収体膜を用いると、ウエハ上の光学像のコントラストが向上し、露光マージンが増加する。
　位相シフトマスク形成する材料としては、例えば、Ｒｕ金属単体、ＲｕとＣｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｔａ、ＴｉおよびＳｉからなる群から選択される１種以上の金属とを含むＲｕ合金、ＴａとＮｂとの合金、Ｒｕ合金またはＴａＮｂ合金と酸素とを含む酸化物、Ｒｕ合金またはＴａＮｂ合金と窒素とを含む窒化物、Ｒｕ合金またはＴａＮｂ合金と酸素と窒素とを含む酸窒化物等が例示される。吸収体膜パターンを位相シフトマスクとして用いる場合、吸収体膜の膜厚は、３０～６０ｎｍが好ましく、３５～５５ｎｍがより好ましい。
　吸収体膜は、単層の膜でもよいし、複数の膜からなる多層膜でもよい。吸収体膜が単層膜である場合は、マスクブランク製造時の工程数を削減できて生産効率を向上できる。吸収体膜が多層膜である場合、吸収体膜の基板側とは反対側に配置される層は、検査光（例えば、波長１９３～２４８ｎｍ）を用いて吸収体膜パターン検査する際の反射防止膜であってもよい。
　反射防止膜を形成する材料としては、例えば、ＴａとＯとを含む材料が挙げられる。
　吸収体膜は、マグネトロンスパッタリング法およびイオンビームスパッタリング法等の公知の成膜方法を用いて形成できる。例えば、吸収体膜として、マグネトロンスパッタリング法を用いて窒化Ｔａ膜を形成する場合、Ｔａターゲットを用い、Ａｒガスおよび窒素ガスを含むガスを供給してスパッタリングを行い、吸収体膜を成膜できる。
［導電膜］
　本発明の反射型マスクブランクは、基板の上記第１主面とは反対側の面（第２主面）側に、導電膜を有する。導電膜を備えることにより、反射型マスクブランクは、静電チャックによる取り扱いが可能となる。
　以下、本発明の反射型マスクブランクが有する導電膜について詳細に説明する。
　本発明の反射型マスクブランクが有する導電膜は、膜厚が５０～１００ｎｍであって、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、上述した式（１）～式（３）の関係を満たす。
　式（１）～（３）については上述した通りであるため、説明を省略する。
　また、本発明の反射型マスクブランクが有する導電膜は、識別マークの読み取り性に優れる点で、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（２－１）を満たすことが好ましい。
　式（２－１）中、ｎｃ（λ）は、波長λｎｍにおける導電膜の屈折率を表す。
　式（２－１）中、ｋｃ（λ）は、波長λｎｍにおける導電膜の消衰係数を表す。
　なお、式（２－１）は、式（２）と同様に、導電膜の屈折率であるｎｃ（λ）、および、導電膜の消衰係数であるｋｃ（λ）に関する楕円の方程式である。本発明者の検討により、基板の主成分がＳｉＯ２であり、かつ、上記式（１）および式（２－１）を満たす場合、基板と導電膜との界面において反射がより発生しにくいことが導かれた。よって、上述した機序で、識別マークの読み取り性により優れると考えられる。
　本明細書において、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中における波長λｎｍにおける導電膜の屈折率であるｎｃ（λ）、および、波長λｎｍにおける導電膜の消衰係数であるｋｃ（λ）を測定する場合は、分光エリプソメーターで測定する。
　分光エリプソメーターによるｎｃ（λ）およびｋｃ（λ）の測定は、以下の手順で行う。まず、本発明の反射型マスクブランクの導電膜が形成されている側の面から、所定の波長の光線を入射し、偏光状態を室温にて測定および解析し、屈折率ｎｃ（λ）および消衰係数ｋｃ（λ）を算出する。
　分光エリプソメーターとしては、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製のＭ２０００－ＤＩを用いる。
　また、本明細書において、ｎｃ（λ）およびｋｃ（λ）の文献値が判明している場合には、文献値を用いてもよい。
　上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４００ｎｍにおけるｎｃ（λ）は、１．０００超であり、１．１００以上が好ましく、１．３００以上がより好ましく、１．５００以上がさらに好ましく、２．０００以上が特に好ましく、２．５００以上が最も好ましい。また、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４００ｎｍにおけるｎｃ（λ）は、６．０００以下が好ましく、５．０００以下がより好ましく、４．５００以下がさらに好ましい。
　上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４５０ｎｍにおけるｎｃ（λ）は、１．０００超であり、１．１００以上が好ましく、１．３００以上がより好ましく、１．５００以上がさらに好ましく、２．０００以上が特に好ましく、２．５００以上が最も好ましい。また、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４５０ｎｍにおけるｎｃ（λ）は、５．０００以下が好ましく、４．５００以下がより好ましく、４．２００以下がさらに好ましい。
　上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長５００ｎｍにおけるｎｃ（λ）は、１．０００超であり、１．１００以上が好ましく、１．３００以上がより好ましく、１．５００以上がさらに好ましく、２．０００以上が特に好ましく、２．５００以上が最も好ましい。また、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長５００ｎｍにおけるｎｃ（λ）は、６．０００以下が好ましく、５．０００以下がより好ましく、４．５００以下がさらに好ましい。
　上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４００ｎｍにおけるｋｃ（λ）は、１．８００以上が好ましく、１．９００以上がより好ましく、２．０００以上がさらに好ましい。また、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４００ｎｍにおけるｋｃ（λ）は、３．５００以下が好ましく、３．０００以下がより好ましく、２．５００以下がさらに好ましい。
　上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４５０ｎｍにおけるｋｃ（λ）は、１．８００以上が好ましく、１．９００以上がより好ましく、２．０００以上がさらに好ましい。また、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長４５０ｎｍにおけるｋｃ（λ）は、４．０００以下が好ましく、３．０００以下がより好ましく、２．８００以下がさらに好ましい。
　上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長５００ｎｍにおけるｋｃ（λ）は、１．５００以上が好ましく、１．７００以上がより好ましく、１．８００以上がさらに好ましい。また、上記式（１）～式（３）および式（２－１）中、波長５００ｎｍにおけるｋｃ（λ）は、４．０００以下が好ましく、３．６００以下がより好ましく、３．２００以下がさらに好ましく、３．０００以下が特に好ましく、２．５００以下が最も好ましい。
　本発明の反射型マスクブランクが有する導電膜の膜厚（上記式（３）中のｄｃ）は、５０ｎｍ以上であり、５５ｎｍ以上が好ましい。また、導電膜の膜厚は、１００ｎｍ以下であり、９５ｎｍ以下が好ましい。
　導電膜の膜厚を測定する場合は、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ：Ｘ－ｒａｙ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）によって測定する。具体的には、導電膜の膜厚の測定には、Ｒｉｇａｋｕ社のＳｍａｒｔ　Ｌａｂ　ＨＴＰを用いる。Ｘ線源としては、ＣｕＫα線を用い、管電圧は４０ｋＶ、管電流は３０ｍＡとする。解析には付属のソフト（ＧｌｏｂａｌＦｉｔ）を用いる。
　本発明の反射型マスクブランクが有する導電膜は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＷからなる群から選択される１種以上の元素（以下、「元素Ｃ１」ともいう。）を含むことが好ましい。
　導電膜が元素Ｃ１を含む場合、その合計含有量は、導電膜の全原子に対して、３０原子％以上が好ましく、５０原子％以上がより好ましく、７０原子％以上がさらに好ましい。また、導電膜が元素Ｃ１を含む場合、導電膜は、元素Ｃ１のみからなっていてもよい。すなわち、元素Ｃ１の合計含有量は、１００原子％以下であってもよい。
　また、導電膜に含まれる元素Ｃ１の種類は１種であってもよく、２種以上であってもよい。
　また、本発明の反射型マスクブランクが有する導電膜は、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素（以下、「元素Ｃ２」ともいう。）を含むことも好ましい。なお、導電膜は、元素Ｃ２を含まなくてもよい。
　導電膜が元素Ｃ２を含む場合、その合計含有量は、導電膜の全原子に対して、２０原子％以下が好ましく、１５原子％以下がより好ましく、１０原子％以下がさらに好ましい。また、導電膜が元素Ｃ２を含む場合、その合計含有量は、０．１原子％以上が好ましく、１原子％以上がより好ましく、３原子％以上がさらに好ましい。
　導電膜における各元素の含有量は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）によって分析して得られる値を採用する。
　導電膜を構成する具体的な材料としては、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＢ、ＴｉＢＮ、ＴｉＣ、Ｎｉ、ＮｉＯ、ＮｉＧｅ、Ｔａ、Ｗ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＣＮ、等が挙げられる。なお、「ＴａＯＮ」のような表記は、ＴａとＯとＮとを含む材料を指し、それら元素の含有比率は、上記の要件を満たす限り制限されない。
　導電膜は、公知の成膜方法で成膜できる。例えば、ＤＣスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、および、電解メッキ法等を用いて形成できる。
［保護膜］
　本発明の反射型マスクブランクは、導電膜の基板側とは反対側にさらに保護膜を有していてもよい。
　保護膜は、反射型マスクブランクの最も表面側に配置されることも好ましい。また、本発明の反射型マスクブランクが保護膜を有する場合、本発明の反射型マスクブランクは、導電膜に隣接して保護膜を有することが好ましい。
　本発明の反射型マスクブランクが保護膜を有する場合、識別マークの読み取り性により優れる点で、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（４）～式（６）の関係を満たすことが好ましい。
　式（４）　　　１≦ｎｐ（λ）≦３
　式（５）　　　０≦ｋｐ（λ）≦１
　式（６）　　　ｄｐ≦２０
　式（４）中、ｎｐ（λ）は、波長λｎｍにおける保護膜の屈折率を表す。
　式（５）中、ｋｐ（λ）は、波長λｎｍにおける保護膜の消衰係数を表す。
　式（６）中、ｄｐは、保護膜の膜厚の値を表し、単位はｎｍである。
　本明細書において、波長λｎｍにおける保護膜の屈折率のｎｐ（λ）、および、波長λｎｍにおける保護膜の消衰係数ｋｐ（λ）の測定は、上述した導電膜の波長λｎｍにおける屈折率ｎｃ（λ）、および、波長λｎｍにおける保護膜の消衰係数ｋｃ（λ）と同様の測定方法で測定できる。
　また、本明細書において、ｎｐ（λ）およびｋｐ（λ）の文献値が判明している場合には、文献値を用いてもよい。
　上記式（４）中、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、ｎｐ（λ）は、１．０００以上であり、１．１００以上が好ましく、１．２００以上がより好ましく、１．４００以上がさらに好ましい。また、上記式（４）中、波長４００ｎｍにおけるｎｐ（λ）は、３．０００以下であり、２．８００以下が好ましく、２．７００以下がより好ましく、２．５００以下がさらに好ましい。
　上記式（５）中、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、ｋｐ（λ）は、０．０００以上であり、０．００５以上であってもよい。また、上記式（５）中、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、ｋｐ（λ）は、１．０００以下であり、０．５００以下が好ましく、０．３００以下がより好ましく、０．１００以下がさらに好ましい。
　保護膜の膜厚（式（６）中のｄｐ）は、２０ｎｍ以下であり、１８ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以下がより好ましい。保護膜の膜厚は、３ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましい。
　保護膜の膜厚を測定する場合には、導電膜の膜厚の測定方法と同様の測定方法で測定できる。
　本発明の反射型マスクブランクが有していてもよい保護膜は、ＳｉおよびＷからなる群から選択される１種以上の元素（以下、元素「元素Ｐ１」ともいう。）を含むことが好ましい。
　保護膜が元素Ｐ１を含む場合、その合計含有量は、保護膜の全原子に対して、１０原子％以上が好ましく、１５原子％以上が好ましく、２０原子％以上がより好ましい。また、導電膜が元素Ｐ１を含む場合、導電膜は、元素Ｐ１のみからなっていてもよい。すなわち、元素Ｐ１の合計含有量は、保護膜の全原子に対して、１００原子％以下であってもよく、５０原子％以下がより好ましい。
　本発明の反射型マスクブランクが有していてもよい保護膜は、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素（以下、「元素Ｐ２」ともいう。）を含むことも好ましい。なお、導電膜は、元素Ｐ２を含まなくてもよい。
　保護膜が元素Ｐ２を含む場合、その合計含有量は、保護膜の全原子に対して、３０原子％以上が好ましく、４５原子％以上がより好ましく、６０原子％以上がさらに好ましい。また、保護膜が元素Ｐ２を含む場合、その合計含有量は、保護膜の全原子に対して、９０原子％以下が好ましく、８０原子％以下がより好ましい。
　保護膜を構成する具体的な材料としては、例えば、ＳｉＯ、および、ＷＯ等が挙げられる。「ＳｉＯ」のような表記は、ＳｉとＯとを含む材料を指し、それら元素の含有比率は、上記の要件を満たす限り制限されない。
　保護膜は、公知の成膜方法で成膜できる。保護膜の成膜方法としては、上述した導電膜の成膜方法と同様の方法が挙げられる。
［密着膜］
　本発明の反射型マスクブランクは、導電膜の基板側にさらに密着膜を有していてもよい。
　本発明の反射型マスクブランクが密着膜を有する場合、本発明の反射型マスクブランクは、導電膜および基板に隣接して密着膜を有することが好ましい。
　本発明の反射型マスクブランクが密着膜を有する場合、識別マークの読み取り性により優れる点で、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（７）～式（９）の関係を満たすことが好ましい。
　式（７）　　　１≦ｎａ（λ）≦６
　式（８）　　　０≦ｋａ（λ）≦１
　式（９）　　　ｄａ≦５
　式（７）中、ｎａ（λ）は、波長λｎｍにおける密着膜の屈折率を表す。
　式（８）中、ｋａ（λ）は、波長λｎｍにおける密着膜の消衰係数を表す。
　式（９）中、ｄａは、密着膜の膜厚の値を表し、単位はｎｍである。
　本明細書において、波長λｎｍにおける密着膜の屈折率のｎａ（λ）、および、波長λｎｍにおける密着膜の消衰係数ｋａ（λ）の測定は、上述した導電膜の波長λｎｍにおける屈折率ｎｃ（λ）、および、波長λｎｍにおける密着膜の消衰係数ｋｃ（λ）と同様の測定方法で測定できる。
　また、本明細書において、ｎａ（λ）およびｋａ（λ）の文献値が判明している場合には、文献値を用いてもよい。
　上記式（７）中、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、ｎａ（λ）は、１．０００以上であり、１．１００以上が好ましく、１．２００以上がより好ましく、１．４００以上がさらに好ましく、１．５００以上が特に好ましい。また、上記式（４）中、波長４００ｎｍにおけるｎａ（λ）は、６．０００以下であり、５．５００以下が好ましく、４．０００以下がより好ましく、３．０００以下がさらに好ましく、２．５００以下が特に好ましい。
　上記式（８）中、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、ｋａ（λ）は、０．０００以上であり、０．００５以上であってもよい。また、上記式（５）中、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、ｋａ（λ）は、１．０００以下であり、０．９００以下が好ましく、０．５００以下がより好ましく、０．３００以下がさらに好ましく、０．２００以下が特に好ましい。
　密着膜の膜厚（式（９）中のｄａ）は、５ｎｍ以下であり、４ｎｍ以下であってもよい。密着膜の膜厚は、１ｎｍ以上が好ましく、２ｎｍ以上がより好ましい。
　密着膜の膜厚を測定する場合には、導電膜の膜厚の測定方法と同様の測定方法で測定できる。
　本発明の反射型マスクブランクが有していてもよい密着膜は、Ｓｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＴｉからなる群から選択される１種以上の元素（以下、元素「元素Ａ１」ともいう。）を含むことが好ましい。
　密着膜が元素Ａ１を含む場合、その合計含有量は、密着膜の全原子に対して、１５原子％以上が好ましく、２０原子％以上がより好ましく、２５原子％以上が更に好ましい。また、密着膜が元素Ａ１を含む場合、密着膜は、元素Ａ１のみからなっていてもよい。すなわち、元素Ａ１の合計含有量は、密着膜の全原子に対して、１００原子％以下であってもよく、７０原子％以下がより好ましい。
　本発明の反射型マスクブランクが有していてもよい密着膜は、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素（以下、「元素Ａ２」ともいう。）を含むことも好ましい。なお、導電膜は、元素Ａ２を含まなくてもよい。
　導電膜が元素Ａ２を含む場合、その合計含有量は、導電膜の全原子に対して、２０原子％以上が好ましく、３０原子％以上がより好ましく、４０原子％以上がさらに好ましい。また、導電膜が元素Ａ２を含む場合、その合計含有量は、導電膜の全原子に対して、８０原子％以下が好ましく、６０原子％以下がより好ましい。
　密着膜を構成する具体的な材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、ＮｂＯ、ＮｂＯＮ、ＮｂＯＣ、ＮｂＢ、ＮｂＢＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＣ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴｉＯ、ＴｉＯＮ、ＴｉＯＣ、ＴｉＢ、および、ＴｉＢＮ等が挙げられる。「ＳｉＯ」のような表記は、ＳｉとＯとを含む材料を指し、それら元素の含有比率は、上記の要件を満たす限り制限されない。
　密着膜は、公知の成膜方法で成膜できる。密着膜の成膜方法としては、上述した導電膜の成膜方法と同様の方法が挙げられる。
［エッチングマスク膜］
　本発明の反射型マスクブランクは、吸収体膜の基板側とは反対側に、エッチングマスク膜を有していてもよい。
　エッチングマスク膜は、ドライエッチングに対して耐性の高い材料が用いられることが好ましい。吸収体膜上にエッチングマスク膜を形成すると、吸収体膜パターンの最小線幅が小さくなっても、ドライエッチングを実施できる。そのため、吸収体膜パターンの微細化に対して有効である。
　エッチングマスク膜は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＴａおよびＨｆからなる群から選択される１種以上の元素（以下、「元素Ｘ３」ともいう。）を含むことが好ましい。すなわち、エッチングマスク膜を構成する材料は、元素Ｘ３を含むことが好ましい。
　エッチングマスク膜は、さらに、Ｂ、ＮおよびＯからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含んでいてもよい。
　エッチングマスク膜を構成する材料としては、例えば、元素Ｘ３の単体、元素Ｘ３の酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、炭酸化物、フッ化物、および、酸フッ化物が挙げられる。なお、エッチングマスク膜を構成する材料は、元素Ｘ３のうち、２種以上の元素を含む複合化合物（例えば、複合酸化物）であってもよい。
　例えば、元素Ｘ３としてＣｒを含むＣｒ系材料としては、Ｃｒ、ならびに、ＣｒとＯ、Ｎ、ＣおよびＨからなる群から選択される１種以上の元素とを含む材料等が挙げられ、より具体的には、ＣｒＯ、ＣｒＮおよびＣｒＯＮ等が挙げられる。なお、「ＣｒＯＮ」の表記は、Ｃｒと、Ｏと、Ｎとを含む材料を表し、以下の同様の表記も同様の意味である。
　また、元素Ｘ３としてＳｉを含むＳｉ系材料としては、Ｓｉ、ならびに、ＳｉとＯ、Ｎ、Ｃ、およびＨからなる群から選択される１種以上とを含む材料等が挙げられ、より具体的には、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＮおよびＳｉＣＯＮ等が挙げられる。
　エッチングマスク膜の膜厚は、２ｎｍ以上が好ましい。エッチングマスク膜の膜厚は、３０ｎｍ以下が好ましく、２５ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下が更に好ましい。
　エッチングマスク膜は、ＤＣスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法およびイオンビームスパッタリング法等の公知の成膜方法を用いて形成できる。
＜反射型マスクの製造方法および反射型マスク＞
　本発明の反射型マスクは、本発明の反射型マスクブランクが有する吸収体膜をパターニングして得られる。反射型マスクの製造方法の一例を、図２Ａ～図２Ｄを参照しながら説明する。
　図２Ａは、導電膜２２、基板１２、多層反射膜１４、多層反射膜保護膜１６、吸収体膜１８をこの順に有する反射型マスクブランク上に、レジストパターン４０を形成した状態を示す。レジストパターン４０の形成方法は公知の方法を用いることができ、例えば、反射型マスクブランクの吸収体膜１８上にレジストを塗布し、露光および現像を行ってレジストパターン４０を形成する。なお、レジストパターン４０は、反射型マスクを用いてウエハ上に形成するパターンに対応する。
　その後、図２Ａのレジストパターン４０をマスクとして、吸収体膜１８をエッチングしてパターニングし、レジストパターン４０を除去して、図２Ｂに示す吸収体膜パターン１８ｐｔを有する積層体を得る。
　次いで、図２Ｃに示すように、図２Ｂの積層体上に露光領域の枠に対応するレジストパターン４２を形成し、図２Ｃのレジストパターン４２をマスクとしてドライエッチングを行う。ドライエッチングは、基板１２に到達するまで実施する。ドライエッチング後、レジストパターン４２を除去し、図２Ｄに示す反射型マスクを得る。
　吸収体膜パターン１８ｐｔを形成する際のドライエッチングは、例えば、Ｃｌ系ガスを用いたドライエッチング、および、Ｆ系ガスを用いたドライエッチングが挙げられる。
　レジストパターン４０または４２の除去は、公知の方法で行えばよく、洗浄液による除去が挙げられる。洗浄液としては、硫酸－過酸化水素水溶液（ＳＰＭ）、硫酸、アンモニア水、アンモニア－過酸化水素水溶液（ＡＰＭ）、ＯＨラジカル洗浄水、および、オゾン水等が挙げられる。
　なお、反射型マスクブランクがエッチングマスク膜を有する場合、レジストパターン４０をマスクとしてエッチングマスク膜をパターニングし、エッチングマスク膜のパターンをマスクとしてドライエッチングを行ってもよい。また、反射型マスクブランクがエッチングマスク膜を有する場合、反射型マスクを得る工程において、エッチングマスク膜を除去する工程を実施してもよい。また、上述したレジストパターン４０または４２を除去する工程において、エッチングマスク膜も同時に除去されてもよい。
　本発明の反射型マスクブランクの吸収体膜をパターニングして得られる反射型マスクは、ＥＵＶ光による露光に用いられる反射型マスクとして好適に適用できる。
　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
　以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきではない。
　なお、後述する例１～３、６、１０および１４～１６は、比較例であり、例４、５、７～９および１１～１３は実施例である。
＜シミュレーションの実施＞
　下記に示す条件でシミュレーションを実施し、導電膜等の界面反射率および導電膜等の透過率を予測し、異物検査性および識別マークの読み取り性を評価した。
　以下、例１に関するシミュレーションの実施方法を説明する。
［例１］
　まず、ガラス基板の一方の表面に、Ａｌからなる導電膜を有するモデルを構築した。Ａｌからなる導電膜の屈折率および消衰係数は、E. Palik, 'Handbook of Optical Constants of Solids（以下、「文献１」ともいう。） Vol I', Academic Press, pp.397-400, (1985)に記載の値を参照した。
　上記導電膜の厚み（表１中ｄｃ）は、５０ｎｍとした。
　上記モデルに対して、ガラス基板の導電膜側とは反対側から波長４００ｎｍの平面波が入射した場合について、マクスウェル方程式を数値的に解き、ガラス基板と導電膜との界面で発生する反射波の式を得た。なお、平面波の進行方向はガラス基板の表面の法線方向と平行な方向とした。また、ガラス基板は波長に対して十分に厚く、ガラス基板内での光の干渉は発生しないと仮定した。さらに、ガラス基板の屈折率は、石英ガラスの値を用いた（文献１のVol I', pp.759-0参照）。
　上記式を二乗して波長４００ｎｍにおける反射光強度を算出した。
　また、同様にして、マクスウェル方程式を数値的に解き、ガラス基板と導電膜とを透過する透過波の式を得た。上記式を二乗して波長４００ｎｍにおける透過光強度を算出した。
　詳細な計算方法については、Ｈ．Ａｎｇｕｓ　ＭａｃＬｅｏｄら『Ｔｈｉｎ－Ｆｉｌｍ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｆｉｌｔｅｒｓ（Ｓｅｒｉｅｓ　ｉｎ　Ｏｐｔｉｃｓ　ａｎｄ　Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）』第４版を参照した。
　同様の手順で、波長４５０ｎｍにおける反射光強度および透過光強度、ならびに、波長５００ｎｍにおける反射光強度および透過光強度を算出した。
（識別マーク読み取り性の評価）
　上述した手順で計算した各波長における反射光強度と、入射光の強度とから、反射率を算出した。
　算出された反射率によって、識別マークの読み取り性を以下の基準で評価した。上述したように、基板と導電膜との界面での反射率が低い場合には、基板の導電膜側とは反対側の面に形成した多層反射膜が除去された領域と、多層反射膜が残存する領域との反射率との差がつきやすく、識別マークの読み取りが行いやすい。
　なお、実用上、Ａ評価またはＢ評価が好ましく、Ａ評価がより好ましい。
　・Ａ：波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、反射率が４０％以下
　・Ｂ：波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍのいずれか１つ以上において、反射率が４０％超であり、かつ、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて、反射率が５０％以下
　・Ｃ：波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍのいずれか１つ以上において、反射率が５０％超
（異物検査性の評価）
　上述した手順で計算した各波長における透過光強度と、入射光の強度とから、透過率を算出した。
　算出された透過率によって、異物検査性を以下の基準で評価した。上述したように、導電膜の透過率が低い場合には、導電膜の基板とは反対側から異物検査をする際に、基板の導電膜側とは反対側に存在する識別マークなどで反射される光の影響を受けにくく、異物の検査がしやすい。
　実用上、Ａ評価が好ましい。
　・Ａ：波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおいて透過率が１％以下
　・Ｂ：波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍのいずれか１つ以上において、透過率が１％超
［例２～例１５］
　導電膜の材料および膜厚を後段の表１および表２に示す通りに変更した以外は、例１と同様にして反射率および透過率を算出し、識別マークの読み取り性および異物検査性を評価した。
　なお、例１１に関しては、ガラス基板と導電膜との間に密着膜を設けた。また、例１２に関しては、導電膜の基板側とは反対側に保護膜を設けた。例１３に関しては、ガラス基板と導電膜との間に密着膜を設け、導電膜の基板側とは反対側に保護膜を設けた。密着膜および保護膜の材料および膜厚は、後段の表１および表２に示す通りとした。
　なお、各材料からなる導電膜、保護膜および密着膜の各波長における屈折率および消衰係数は、それぞれ、下記の文献に記載の値を参照した。
　・Ｃｒ：文献１のVol II'
　・Ｃｕ：文献１のVol I'
　・Ｇｅ：D. E. Aspnes and A. A. Studna, Physical Review B 27(2), pp.985-1009, (1983)
　・Ｎｉ：Aleksandar D. Rakic, et al., Applied Optics 37(22), pp.5271, (1998)
　・Ｓｉ：文献１のVol I'
　・Ｔａ：Sopra Material Database(https://www.sspectra.com/sopra.html)
　・Ｔｉ：P. B. Johnson and R. W. Christy, Physical Review B 9, pp.5056-5070(1974)
　・Ｗ：文献１のVol I'
　・ＩｎＰ：文献１のVol I'
　・ＧｅＯｘ：Vladimir A. Volodin, et al., Electronics, 9(12), 2103 (2020)
　・ＮｉＣ：V. Dalouji and S. M. Elahi, Journal of the Korean Physical Society, 64, 857 (2014)
　・ＳｉＯ：G. Hass and C. D. Salzberg, J. Opt. Soc. Am. 44, 181 (1954) and H. R. Philipp, J. Phys. Chem. Solids 32, 1935 (1971)
　・ＳｉＯｘ：K.R. McIntosh, et al., IEEE, pp.0115-0123, (2014)
　・ＳｉＯ２：文献１のVol I'
　・ＷＯ３:M.G. Hutchins, et al., Materials Chemistry and Physics 98(2-3), pp.401-405, (2006)
［例１６］
　合成石英の基板上に、ＣｒＮからなる導電膜を成膜し、導電膜付き基板を得た。上記導電膜の膜厚は５０ｎｍであった。
　上記導電膜付き基板について、上述した測定方法で波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍおよび波長５００ｎｍにおける屈折率ｎｃ（λ）および消衰係数ｋｃ（λ）を算出した。
　なお、ＣｒＮからなる導電膜は、マグネトロンスパッタリング法によって、以下の条件で成膜した。
　・ターゲット：Ｃｒターゲット
　・スパッタガス：ＡｒとＮ２との混合ガス（Ａｒ：６０体積％、Ｎ２：４０体積％）
　・ガス圧：０．０４Ｐａ
　・投入電力：１８００Ｗ
　・成膜速度：０．１９７ｎｍ／秒
＜結果＞
　各例の導電膜、保護膜および密着膜の各波長における屈折率および消衰係数、ならびに、算出された反射率および透過率を表１および表２に示す。各例の識別マークの読み取り性および異物検査性の評価結果も表１および表２に示す。
　また、上述した式（２）、式（３）、および、式（２－１）の左辺を計算した値を表１および表２に示す。
　なお、表１および表２中、例えば「ｎｃ（４００）」の表記は、波長４００ｎｍにおけるｎｃ（λ）の値を指す。ｎｃ（４５０）、および、ｋｃ（４００）等の表記も同様の意味である。
　表１および表２中、「読み取り性」の欄は、識別マークの読み取り性の評価結果を示す。
　なお、表１および表２に示すように、例１１および例１３が有する密着膜においては、上述した式（７）～式（９）の要件を充足する。また、例１２および例１３が有する保護膜においては、上述した式（４）～式（６）の要件を充足する。
　表１および表２に示す結果から、所定の波長において、屈折率および消衰係数に関する上記式（１）～式（３）を満たす例４、５、７～９および１１～１３の場合、上記式（１）～式（３）の少なくとも１つを満たさない他の例に対して、識別マークの読み取り性および異物検査性に優れる。
　なお、２０２４年５月１６日に出願された日本特許出願２０２４－０８０３３９号の明細書、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
　１０　反射型マスクブランク
　１２　基板
　１４　多層反射膜
　１６　多層反射膜保護膜
　１８　吸収体膜
　１８ｐｔ　吸収体膜パターン
　２２　導電膜
　４０，４２　レジストパターン

Claims (12)

  1. 　基板と、
    　前記基板の一方の面側に配置される導電膜と、
    　前記基板の他方の面側に配置されるＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、
    　前記多層反射膜の前記基板側とは反対側に配置される吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、
    　前記基板の主成分がＳｉＯ２であり、
    　前記導電膜の膜厚が５０～１００ｎｍであり、
    　前記導電膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（１）～式（３）の関係を満たす、反射型マスクブランク。

    　式（１）、式（２）および式（３）中、ｎｃ（λ）は、波長λｎｍにおける前記導電膜の屈折率を表す。
    　式（２）および式（３）中、ｋｃ（λ）は、波長λｎｍにおける前記導電膜の消衰係数を表す。
    　式（３）中、ｄｃは、前記導電膜の膜厚の値を表し、単位はｎｍである。
    　式（３）中、λは、波長の値を表し、単位はｎｍである。
  2. 　前記導電膜が、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（２－１）の関係を満たす、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
    　式（２－１）中、ｎｃ（λ）は、波長λｎｍにおける前記導電膜の屈折率を表す。
    　式（２－１）中、ｋｃ（λ）は、波長λｎｍにおける前記導電膜の消衰係数を表す。
  3. 　前記導電膜が、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、ＴａおよびＷからなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
  4. 　前記導電膜が、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項３に記載の反射型マスクブランク。
  5. 　前記導電膜の前記基板側とは反対側にさらに保護膜を有し、
    　前記保護膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（４）～式（６）の関係を満たす、請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
    　式（４）　　　１≦ｎｐ（λ）≦３
    　式（５）　　　０≦ｋｐ（λ）≦１
    　式（６）　　　ｄｐ≦２０
    　式（４）中、ｎｐ（λ）は、波長λｎｍにおける前記保護膜の屈折率を表す。
    　式（５）中、ｋｐ（λ）は、波長λｎｍにおける前記保護膜の消衰係数を表す。
    　式（６）中、ｄｐは、前記保護膜の膜厚の値を表し、単位はｎｍである。
  6. 　前記保護膜が、ＳｉおよびＷからなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項５に記載の反射型マスクブランク。
  7. 　前記保護膜が、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項６に記載の反射型マスクブランク。
  8. 　前記導電膜の前記基板側にさらに密着膜を有し、
    　前記密着膜は、波長４００ｎｍ、波長４５０ｎｍ、および、波長５００ｎｍにおいて、下記式（７）～式（９）の関係を満たす、請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
    　式（７）　　　１≦ｎａ（λ）≦６
    　式（８）　　　０≦ｋａ（λ）≦１
    　式（９）　　　ｄａ≦５
    　式（７）中、ｎａ（λ）は、波長λｎｍにおける前記密着膜の屈折率を表す。
    　式（８）中、ｋａ（λ）は、波長λｎｍにおける前記密着膜の消衰係数を表す。
    　式（９）中、ｄａは、前記密着膜の膜厚の値を表し、単位はｎｍである。
  9. 　前記密着膜が、Ｓｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＴｉからなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項８に記載の反射型マスクブランク。
  10. 　前記密着膜が、Ｂ、Ｃ、ＮおよびＯからなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項９に記載の反射型マスクブランク。
  11. 　請求項１または２に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして形成される吸収体膜パターンを有する、反射型マスク。
  12. 　請求項１または２に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングする工程を含む、反射型マスクの製造方法。
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