WO2025142256A1 - 実装装置および調整方法 - Google Patents

Abstract

熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる実装装置を提供する。 具体的には、ステージと、前記基板及び前記集積パッケージを押圧する押圧部と、前記ステージに支持され、前記基板及び前記集積パッケージのいずれか一方に接触する第１アタッチメントと、前記押圧部に支持され、前記基板及び前記集積パッケージのいずれか他方に接触する第２アタッチメントと、前記第１アタッチメントを加熱する第１加熱部と、前記第２アタッチメントを加熱する第２加熱部と、を有する。前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方は、前記集積パッケージの熱伝導率である押圧方向熱伝導率の分布に基づいた複数の加熱領域を有する。前記複数の加熱領域は、それぞれ異なる単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量で発熱可能に構成される。

Description

実装装置および調整方法

　本発明は基板に集積パッケージを実装する実装装置及び前記実装装置の調整方法に関する。

　基板に半導体チップを実装する実装装置が知られている。前記実装装置は、ステージ上基板の所定位置に半導体チップを配置し、前記半導体チップのバンプを熱によって溶融させた状態で前記半導体チップを前記基板に押し付けることにより前記半導体チップを前記基板に接続させる。

　このような実装装置において、前記半導体チップを前記基板に接続する際に加熱される前記半導体チップの温度分布が不均一である場合、前記半導体チップのバンプは、溶融状態にばらつきが生じる。この結果、前記半導体チップは、前記基板に対して接続不良が生じたり、前記半導体チップと前記基板とのギャップが不均一になったりして、正常に作動しない場合がある。そこで、前記基板と前記半導体チップとの接続不良、前記基板と前記半導体チップとのギャップの不均一等を抑制する実装装置が知られている。

　特許文献１に記載の実装装置（半導体製造装置）は、前記基板に前記半導体チップを搭載するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドに設けられ、前記半導体チップを吸引するアタッチメントと、前記アタッチメントを加熱する加熱部を有している。前記加熱部は、第１加熱エリアと前記第１加熱エリア水平方向に囲む第２加熱エリアとを有する。前記実装装置は、前記第１加熱エリアと前記第２加熱エリアとの温度を独立して制御することにより、前記半導体チップの温度分布を均一にしている。

国際公開第２０２１／１００５９１号

　特許文献１に記載の実装装置は、前記半導体チップの中心部分に比べて放熱によって温度が低下し易い前記半導体チップの周辺部分を加熱する第２加熱エリアの加熱温度を、前記半導体チップの中心部分を加熱する第１加熱エリアの加熱温度よりも高く設定することによって前記半導体チップの温度分布を均一にしている。しかしながら、複数の異なる半導体チップを樹脂によってモールディングした集積パッケージは、集積パッケージの中で熱伝導率が高い前記半導体チップの集積部分と前記半導体チップの集積部分よりも熱伝導率が低い樹脂部分とが不均一に位置している。つまり、前記集積パッケージは、単一の半導体チップに比べて、熱伝導率の分布が複雑になっている。よって、特許文献１に記載の実装装置では、前記基板と前記集積パッケージとの接続不良、前記基板と前記集積パッケージとのギャップの不均一等を抑制するための均一な加熱が難しい場合があった。

　本発明の目的は、熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる実装装置及びその調整方法の提供を目的とする。

　本発明者は、熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる実装装置の構成について検討した。鋭意検討の結果、本発明者は、以下のような構成に想到した。

　本発明の実施形態に係る実装装置は、複数の半導体チップが集積され且つモールドされた集積パッケージ及び前記集積パッケージが実装される基板のうち少なくとも１つが搭載されるステージと、前記ステージと対向するように配置され、前記ステージに向かって相対的に移動し且つ前記基板及び前記集積パッケージを押圧する押圧部と、前記ステージに支持され、前記基板及び前記集積パッケージのいずれか一方に前記押圧部の移動方向から接触する第１アタッチメントと、前記押圧部に支持され、前記基板及び前記集積パッケージのいずれか他方に前記押圧部の移動方向から接触する第２アタッチメントと、前記ステージに支持され、前記第１アタッチメントを加熱する第１加熱部と、前記押圧部に支持され、前記第２アタッチメントを加熱する第２加熱部と、を有する。

　前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方は、前記押圧部の押圧方向における前記集積パッケージの熱伝導率である押圧方向熱伝導率の分布に基づいた複数の加熱領域を有する。前記複数の加熱領域は、それぞれ異なる単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量で発熱可能に構成される。

　上述の構成では、前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方は、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率毎の分布に基づいた複数の加熱領域を有する。よって、前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方は、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率に基づいた熱量によって前記集積パッケージを加熱する。前記実装装置は、前記押圧方向熱伝導率と、前記基板と前記集積パッケージとの温度差とによって定まる前記基板から前記集積パッケージに伝わる熱量を、複数の加熱領域による加熱によって調整する。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを均一に加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　他の観点によれば、本発明の実装装置は、以下の構成を含むことが好ましい。前記複数の加熱領域は、前記押圧方向に見て、前記集積パッケージにおいて、異なる所定範囲の押圧方向熱伝導率を有する部分毎にそれぞれ重なる。

　上述の構成では、前記複数の加熱領域は、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率が所定の範囲に含まれる部分を１つの領域とした押圧方向熱伝導率の領域に対応するように構成されている。よって、前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方は、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率の領域毎に熱量を加えることにより押圧方向熱伝導率の領域毎の温度の調整に適切な熱量を伝えることができる。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを均一に加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　他の観点によれば、本発明の実装装置は、以下の構成を含むことが好ましい。前記複数の加熱領域は、前記押圧方向に見て重なる前記集積パッケージの前記押圧方向熱伝導率の大きさに比例した発熱量で発熱するように構成される。

　上述の構成では、前記加熱領域は、前記基板及び前記集積パッケージの少なくとも一方に接触する場合、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率が他の部分の押圧方向熱伝導率と比べて高い部分と重なる部分の前記加熱領域の発熱量を、前記他の部分と重なる加熱領域の発熱量よりも高くする。これにより、実装装置は、前記他の部分に比べて前記基板から前記集積パッケージに熱が伝わりやすい部分を前記他の部分よりも高い熱量で加熱することにより前記基板の温度低下を抑制することができる。また、前記加熱領域は、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率が他の部分よりも低い部分と重なる部分の前記押圧方向熱伝導率を前記他の部分と重なる加熱領域の発熱量よりも低くする。これにより、実装装置は、前記他の部分に比べて前記基板から前記集積パッケージに熱が伝わりにくい部分を前記他の部分よりも低い熱量で加熱することにより前記基板の温度上昇を抑制することができる。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを均一に加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　他の観点によれば、本発明の実装装置は、以下の構成を含むことが好ましい。前記第１加熱部は、所定の単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量で発熱する単一の加熱領域を有し、前記第１アタッチメントを介して、均一の熱量で発熱する単一の加熱領域によって前記基板を加熱する。前記第２加熱部は、前記複数の加熱領域を有し、前記第２アタッチメントを介して、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率の分布に基づいた異なる熱量で発熱する前記複数の加熱領域によって前記集積パッケージを加熱する。

　上述の構成では、前記第１加熱部によって均一に加熱された前記基板から熱が伝わる前記集積パッケージを押圧方向熱伝導率の分布に基づいて前記第２加熱部の複数の加熱領域によって加熱する。前記実装装置は、集積パッケージを押圧方向熱伝導率が所定範囲の領域毎に押圧方向熱伝導率に基づいた熱量で加熱することにより、前記基板から前記集積パッケージに伝わる熱量を調整することができる。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　他の観点によれば、本発明の実装装置は、以下の構成を含むことが好ましい。前記第２加熱部を制御する制御部を有する。前記第１アタッチメントは、押圧方向に見て、前記複数の加熱領域と重なる位置に温度センサをそれぞれ有する。前記制御部は、前記温度センサによって検出される温度が所定範囲の温度になるように、前記複数の加熱領域毎の発熱量を制御する。

　上述の構成では、前記実装装置は、前記基板を保持する前記第１アタッチメントの温度が所定範囲内に収まるように前記複数の加熱領域の発熱量を制御している。つまり、前記実装装置は、前記複数の加熱領域によって、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率の差によって変動する前記基板の温度に基づいて前記基板を加熱することにより、前記基板から前記集積パッケージに伝わる熱量に応じた熱量を前記基板に加える。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　基板と前記基板上に載置された集積パッケージを載置方向一方から加熱する第１加熱部と、載置方向他方から加熱する複数の加熱領域を有する第２加熱部と、の発熱量を調整する調整方法である。

　前記調整方法は、第１加熱部と、前記第２加熱部が有する複数の加熱領域のうち発熱量を調整する加熱領域である第１調整加熱領域とによって前記基板と前記集積パッケージとを加熱し、載置方向に見て、前記第１調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度が目標温度範囲内に含まれるように前記第１調整加熱領域の発熱量を調整する第１次温度調整工程と、第１加熱部と、前記第１次温度調整工程において調整した発熱量によって発熱する前記第１調整加熱領域とによって前記基板と前記集積パッケージとを加熱し、且つ、第１加熱部と、第１次温度調整工程において発熱量を調整していない第２加熱部の加熱領域である第２調整加熱領域とによって前記基板と前記集積パッケージとを加熱し、載置方向に見て、前記第２調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度が目標温度範囲内に含まれるように前記第２調整加熱領域の発熱量を調整する第２次温度調整工程と、載置方向に見て、前記第１次温度調整工程において調整した発熱量によって発熱する前記第１調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度と、前記第２次温度調整工程において調整した発熱量によって発熱する前記第２調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度がそれぞれ目標温度範囲内に含まれるように、前記第１調整加熱領域と前記第２調整加熱領域との発熱量をそれぞれ調整する再調整工程と、を有する。

　上述の構成では、第１次温度調整工程及び第２次温度調整工程によって、複数の加熱領域を有する第２加熱部の発熱量を個別に調整した後に、再調整工程によって、第１次温度調整工程及び第２次温度調整工程において発熱量を調整した前記複数の発熱領域の発熱量を再調整する。前記調整方法は、前記基板と前記集積パッケージとの前記押圧方向（載置方向）熱伝導率に基づいて設定された加熱領域同士の影響を考慮して、各加熱領域の発熱量を調整している。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを均一に加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　本明細書で使用される専門用語は、特定の実施形態のみを定義する目的で使用されるのであって、前記専門用語によって発明を制限する意図はない。

　本明細書において、「含む、備える（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」「含む、備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」または「有する（ｈａｖｉｎｇ）」及びそれらの変形の使用は、記載された特徴、工程、操作、要素、成分、及び／または、それらの等価物の存在を特定するが、ステップ、動作、要素、コンポーネント、及び／または、それらのグループのうちの１つまたは複数を含むことができる。

　本明細書において、「取り付けられた」、「接続された」、「結合された」、及び／または、それらの等価物は、広義の意味で使用され、“直接的及び間接的な”取り付け、接続及び結合の両方を包含する。さらに、「接続された」及び「結合された」は、物理的または機械的な接続または結合に限定されず、直接的または間接的な電気的な接続または結合を含むことができる。

　他に定義されない限り、本明細書で使用される全ての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解される意味と同じ意味を有する。

　［集積パッケージ］
　本明細書において、集積パッケージとは、複数の半導体チップが集積され且つパッケージ基板上においてモールドされた１つのパッケージを意味する。集積パッケージは、２つ以上のアクティブな半導体チップを、シリコン基板に配線を加工したシリコンインターポーザー（または有機インターポーザー）上に並べて配置した２．５Ｄの集積パッケージ、２つ以上のアクティブな半導体チップをダイスタッキングにより集積した３Ｄの集積パッケージを含む。集積パッケージは、ヘテロジニアスインテグレーションにより構成された集積回路を樹脂モールディングしたパッケージである。なお、複数の半導体チップをパッケージ基板のシリコンブリッジによって接続する構成でもよい。また、以下の実施形態において、集積パッケージは、複数の半導体チップが集積され、且つモールドされた１つのパッケージであれば、どのような構造を有していてもよい。

　［基板］
　本明細書において、基板とは、集積パッケージを実装する、シリコン、セラミックス、樹脂等の材料で構成された配線回路がパターニングされた基板等を意味する。前記基板は、導体による配線を有する。集積回路と基板とは、突起状の接続電極であるバンプの溶着により接続される。

　［集積パッケージの押圧方向熱伝導率］
　本明細書において、集積パッケージの押圧方向熱伝導率とは、集積パッケージにおいて、半導体チップ及びシリコンインターポーザーの積層方向であり、実装装置の押圧部による押圧方向の単位面積当たりの平均熱伝導率を意味する。前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率は、複数のシリコン製の半導体チップが不均一に集積されているため、押圧方向に見て、半導体チップが積層されている部分とシリコンインターポーサーだけの部分とで異なる。よって、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率は、押圧方向に見て、集積パッケージの半導体チップの形状及び積層方向に基づいて、不均一に分布している。なお、以下の実施形態において、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率の分布は、実験、解析等により予め特定されている。

　［押圧方向熱伝導率の分布］
　以下の実施形態において、押圧方向熱伝導率の分布とは、押圧方向熱伝導率が一定範囲内に含まれる部分を、前記一定範囲の平均値の押圧方向熱伝導率を有する領域として、前記領域の位置、大きさ、範囲を意味している。以下の実施形態において、押圧方向から見た集積パッケージの全領域には、異なる一定範囲の平均値の押圧方向熱伝導率を有する領域が複数存在している。つまり、本実施形態における集積パッケージは、押圧方向から見て、一範囲内の押圧方向熱伝導率を有する領域が複数分布している。

　［押圧方向］
　以下の実施形態において、押圧方向とは、集積パッケージを押圧する押圧部によって集積パッケージを押圧する方向だけでなく、押圧部によって集積パッケージに加えられた力の反力の方向も含む。なお、以下の実施形態において、押圧方向は、前記基板に載置された集積パッケージにおける載置方向である。

　本発明の一実施形態によれば、実装装置及び調整方法は、前記押圧部の移動方向における前記集積パッケージの熱伝導率である押圧方向熱伝導率の分布に基づいた複数の加熱領域を有する前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方を用いて、熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

図１は、本発明の実施形態１、２における実装装置の全体構成図である。 図２は、本発明の実施形態１における実装装置の制御ブロック図である。 図３は、本発明の実装装置によって基板に実装される集積パッケージの平面図である。 図４は、図３におけるＩＶ－ＩＶ矢視断面図である。 図５は、本発明の実施形態１における第２ヒータの平面図である。 図６は、図５におけるＶＩ－ＶＩ矢視断面図及び図３におけるＩＶ－ＩＶ矢視断面図である。 図７は、治具の部分断面図である。 図８は、本発明の実施形態１における実装装置によって治具を保持した状態での実装装置及び治具の部分断面図である。 図９は、本発明の実施形態１における実装装置によって基板と集積パッケージとを保持した状態での実装装置及び集積パッケージの部分断面図である。 図１０は、本発明の実施形態１における実装装置によって基板に集積パッケージを配置した状態での実装装置及び集積パッケージの部分断面図である。 図１１は、本発明の実施形態２における第１加熱部の平面図である。 図１２は、図１１におけるＸＩＩ－ＸＩＩ断面図及び基板と集積パッケージの断面図である。 図１３は、本発明の実施形態２における実装装置の制御ブロック図である。 図１４は、本発明の実施形態２における実装装置によって治具を保持した状態での実装装置及び治具の部分断面図である。 図１５は、本発明の実施形態３における実装装置によって基板に集積パッケージを配置した状態での実装装置の部分断面図である。 図１６は、本発明の実施形態３における実装装置の制御ブロック図である。

　以下で、本発明に係る実装装置について図面を参照しながら説明する。各図において、同一部分には同一の符号を付して、その同一部分の説明は繰り返さない。各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表していない。なお、以下の本発明の実施の形態の説明において、Ｘ方向及びＹ方向は、水平面上の方向であるものとする。Ｙ方向は、Ｘ方向に対して直交する方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に対して直交する方向である。本実施形態において、Ｚ方向を鉛直方向として規定する。ただし、この方向の定義により、各実施形態における位置決め装置の使用時の向きを限定する意図はない。

　また、以下の説明において、“固定”、“接続”、“接合”及び“取り付ける”等（以下、固定等）の表現は、部材同士が直接、固定等されている場合だけでなく、他の部材を介して固定等されている場合も含む。すなわち、以下の説明において、固定等の表現には、部材同士の直接的及び間接的な固定等の意味が含まれる。

　［実施形態１］
　＜実装装置１の構成＞
　図１及び図２を用いて、本発明に係る実装装置の実施形態１である実装装置１について説明する。図１は、本発明の実施形態１における実装装置１、実施形態２における実装装置１Ａの全体構成図である。図２は、実装装置１の制御ブロック図である。

　図１に示すように、実装装置１は、基板αに集積パッケージβを実装する。実装装置１は、図示しない半導体製造装置等の製造装置に設けられる。実装装置１は、ステージユニット１０と、ピックアップユニット２０と、制御装置３０（図２参照）とを有する。

　ステージユニット１０は、基板αをＸＹ平面上の任意の位置に位置決めする移動可能なステージである。ステージユニット１０は、図示しないフレームに支持されている。ステージユニット１０は、ステージ搭載面１０ａをＺ方向に向けて配置される。ステージユニット１０は、ステージ駆動装置１１を有している。ステージユニット１０は、ステージ駆動装置１１によって、ステージ搭載面１０ａをＸＹ平面上の任意の位置に移動可能に構成されている。ステージユニット１０は、第１加熱部である第１ヒータ１２及び第１アタッチメント１３を支持している。

　第１ヒータ１２は、第１アタッチメント１３を介して基板αを加熱する。第１ヒータ１２は、例えば、セラミックスの筐体を有するパルスヒータである。なお、第１ヒータ１２は、レーザーによって加熱するレーザー加熱方式、誘導加熱方式のヒータ等を含む。なお、第１ヒータ１２は、第１アタッチメントを加熱できる加熱装置であればよい。第１ヒータ１２は、予め設定されている単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第１発熱量Ｃ１で発熱可能に構成されている。第１ヒータ１２は、ステージユニット１０のステージ搭載面１０ａに固定されている。第１ヒータ１２は、加熱面をＺ方向に向けて配置される。第１ヒータ１２は、ステージユニット１０と一体で移動可能に構成されている。第１ヒータ１２の加熱面における単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量は、全ての位置において等しい。つまり、第１ヒータ１２は、加熱面の全面を等しく加熱する。

　第１アタッチメント１３は、基板αを保持する。第１アタッチメント１３は、例えば、金属製の直方体によって構成されている。第１アタッチメント１３は、第１ヒータ１２の加熱面に着脱可能な状態で固定されている。第１アタッチメント１３は、基板αを保持する第１アタッチメント保持面１３ａをＺ方向に向けて配置される。第１アタッチメント１３は、第１アタッチメント保持面１３ａに図示しない複数の吸引孔を有する。第１アタッチメント１３は、図示しない吸引装置によって前記吸引孔を吸引可能に構成されている。第１アタッチメント１３は、前記吸引孔に発生する吸引力によって基板αを第１アタッチメント保持面１３ａにおいて吸着保持可能に構成される。第１アタッチメント１３は、ステージユニット１０によって、第１ヒータ１２と一体で移動可能に構成されている。また、第１アタッチメント１３は、第１ヒータ１２によって加熱される。

　ピックアップユニット２０は、集積パッケージβをＸＹ平面上の任意の位置に位置決めするユニットである。ピックアップユニット２０は、図示しないフレームに支持されている。ピックアップユニット２０は、ピックアップユニット搭載面２０ａを第１アタッチメント１３に向けて配置される。ピックアップユニット２０は、ピックアップユニット駆動装置２１を有している。ピックアップユニット２０は、ピックアップユニット駆動装置２１によって、ＸＹ平面上の任意の位置に移動可能に構成されている。ピックアップユニット２０には、基板α及び集積パッケージβの位置を測定するカメラ２２が設けられている。ピックアップユニット２０は、押圧ユニット２３、第２加熱部である第２ヒータ２５、第２アタッチメント２６を支持している。

　押圧部である押圧ユニット２３は、集積パッケージβをＺ方向に移動させるユニットである。押圧ユニット２３は、ピックアップユニット搭載面２０ａに固定されている。押圧ユニット２３は、押圧ユニット搭載面２３ａを第１アタッチメント１３に対向するように配置される。押圧ユニット２３は、押圧ユニット駆動装置２４によって、押圧ユニット搭載面２３ａをステージユニット１０に向かって、Ｚ方向の任意の位置に相対的に移動可能に構成されている。また、押圧ユニット２３は、押圧ユニット駆動装置２４によって、所定の力で押圧ユニット搭載面２３ａを対象物に対して押圧可能に構成されている。また、押圧ユニット２３は、ピックアップユニット２０と一体で移動可能に構成されている。つまり、押圧ユニット２３は、集積パッケージβを基板αの任意の位置に配置し、且つ押圧可能に構成されている。

　第２ヒータ２５は、第２アタッチメント２６を介して集積パッケージβを加熱する。第２ヒータ２５は、例えば、セラミックスの筐体を有するコンスタントヒータである。第２ヒータ２５は、押圧ユニット搭載面２３ａに固定されている。第２ヒータ２５は、加熱面を第１アタッチメント１３に向けて配置される。第２ヒータ２５は、押圧ユニット２３と一体で移動可能に構成されている。第２ヒータ２５は、複数の加熱領域を有している。

　第２アタッチメント２６は、集積パッケージβを保持する。第２アタッチメント２６は、例えば、セラミックス等の無機材料、金属等の材料で構成された直方体によって構成されている。第２アタッチメント２６は、押圧ユニット２３の搭載面に着脱可能な状態で固定されている。第２アタッチメント２６は、集積パッケージβを保持する第２アタッチメント保持面２６ａを第１アタッチメント１３に向けて配置されている。第２アタッチメント２６は、基板αが第１アタッチメント１３の所定位置に保持されている状態において、押圧ユニット２３の押圧方向に見て、基板αに配置された集積パッケージβの全体と重なる形状を有している。第２アタッチメント２６は、前記第２アタッチメント保持面２６ａに図示しない吸引孔を有する。第２アタッチメント２６は、図示しない吸引装置によって前記吸引孔を吸引可能に構成されている。第２アタッチメント２６は、前記吸引孔に発生する吸引力によって集積パッケージβを第２アタッチメント保持面２６ａにおいて吸着保持可能に構成される。第２アタッチメント２６は、ピックアップユニット２０及び押圧ユニット２３と一体で移動可能に構成されている。

　図２に示すように、制御装置３０は、ステージ駆動装置１１、第１ヒータ１２、ピックアップユニット駆動装置２１、カメラ２２及び押圧ユニット駆動装置２４、第２ヒータ２５及び図示しない吸引ポンプを制御する。制御装置３０は、実体的には、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等がバスで接続されている。または、制御装置３０は、ワンチップのＬＳＩ等からなる構成であってもよい。制御装置３０は、ステージ駆動装置１１、第１ヒータ１２、ピックアップユニット駆動装置２１及び押圧ユニット駆動装置２４、第２ヒータ２５及び図示しない吸引ポンプの動作を制御するために種々のプログラムおよびデータが格納されている。

　制御装置３０は、ステージ駆動装置１１のＸ方向アクチュエータ及びＹ方向アクチュエータと電気的に接続されている。制御装置３０は、ピックアップユニット駆動装置２１のＸ方向アクチュエータ及びＹ方向アクチュエータに電気的に接続されている。制御装置３０は、押圧ユニット駆動装置２４のＺ方向アクチュエータに電気的に接続されている。制御装置３０は、カメラ２２に電気的に接続されている。制御装置３０は、第１ヒータ１２及び第２ヒータ２５に電気的に接続されている。

　また、制御装置３０は、カメラ２２に電気的に接続されている。制御装置３０は、ステージ駆動装置１１及びピックアップユニット駆動装置２１に含まれるＸ方向スケール及びＹ方向スケールに電気的に接続されている。制御装置３０は、押圧ユニット駆動装置２４に含まれるＺ方向スケールに電気的に接続されている。

　制御装置３０は、ステージ駆動装置１１に対して、ステージユニット１０に搭載されている第１アタッチメント１３（図１参照）を目標位置に位置付けるための位置制御信号を出力可能に構成される。制御装置３０は、ピックアップユニット駆動装置２１及び押圧ユニット駆動装置２４に対して、押圧ユニット２３に搭載されている第２アタッチメント２６を目標位置に位置付けるための位置制御信号を出力可能に構成される。

　制御装置３０は、第１ヒータ１２に対して、第１発熱量Ｃ１で発熱させる発熱量制御信号を出力可能に構成される。制御装置３０は、第２ヒータ２５の複数の加熱領域に対して、所定の発熱量で発熱させる発熱量制御信号を出力可能に構成される。

　制御装置３０は、カメラ２２に対して、基板α及び集積パッケージβを撮像する制御信号を出力可能に構成される。制御装置３０は、図示しない吸引ポンプに対して吸引制御信号を出力可能に構成される。

　制御装置３０は、カメラ２２によって基板α及び集積パッケージβのＸ座標及びＹ座標を取得可能である。制御装置３０は、前記Ｘ方向スケール及び前記Ｙ方向スケールによって、第１アタッチメント１３及び第２アタッチメント２６のＸ座標、Ｙ座標を取得可能である。制御装置３０は、前記Ｚ方向スケールによって第２アタッチメント２６のＺ座標を取得可能である。

　このように構成される実装装置１は、ステージユニット１０の第１アタッチメント１３に外部の搬送装置から基板αが搭載されると、基板αを吸引力によって保持する。実装装置１は、ピックアップユニット２０の第２アタッチメントによって、集積パッケージβを吸引力によって保持する。実装装置１は、カメラ２２によって、基板αの位置を確認しながら、ステージ駆動装置１１によって基板αのＸ方向及びＹ方向の位置を調整し、且つピックアップユニット駆動装置２１によって集積パッケージβのＸ方向の位置及びＹ方向の位置を調整する。実装装置１は、押圧ユニット駆動装置２４によって、集積パッケージβのＺ方向の位置を調整し、基板α上の所定の位置に、集積パッケージβを配置する。

　実装装置１は、押圧ユニット駆動装置２４によって、基板αの所定位置に配置した集積パッケージβを基板αに向けて押圧する。合わせて、実装装置１は、第１ヒータ１２によって、第１アタッチメント１３を介して基板αを加熱する。実装装置１は、第２ヒータ２５によって、第２アタッチメント２６を介して集積パッケージβを加熱する。第１アタッチメント１３を介して基板αに伝わった熱と第２アタッチメント２６を介して集積パッケージβに伝わった熱とは、集積パッケージβのバンプβ６（図４参照）を溶融する。このようにして、実装装置１は、基板αの所定位置に集積パッケージβを接続する。

　＜集積パッケージの構造及び押圧方向熱伝導率＞
　次に図３と図４とを用いて、集積パッケージβの構造及び押圧方向熱伝導率について説明する。図３は、実装装置１、１Ａ、１Ｂによって基板に実装される集積パッケージβの平面図である。図４は、図３におけるＩＶ－ＩＶ矢視断面図である。

　図３及び図４に示すように、集積パッケージβは、樹脂製のパッケージ基板β１（図４参照）にシリコンインターポーザーβ２（図４参照）を介して、第１半導体チップβ３、第２半導体チップβ４が接続された集積パッケージである。集積パッケージβは、樹脂β５によってモールディングされている。第１半導体チップβ３及び第２半導体チップβ４におけるシリコンインターポーザーβ２と反対側に位置する面は、樹脂β５によって覆われていない。パッケージ基板β１は、電極を含むバンプβ６を有する。

　図３に示すように、集積パッケージβは、パッケージ基板β１（図４参照）、シリコンインターポーザーβ２（図４参照）及び第１半導体チップβ３が積層されている第１領域Ａβ１と、パッケージ基板β１、シリコンインターポーザーβ２及び第２半導体チップβ４が積層されている第２領域Ａβ２と、パッケージ基板β１、シリコンインターポーザーβ２及び樹脂β５が積層されている第３領域Ａβ３（網掛け部分）とを有する。

　図４に示すように、第１領域Ａβ１の押圧方向熱伝導率Ｔβ１は、集積パッケージβにおいて最も高いものとする。押圧ユニット２３側に位置する第２ヒータ２５から第１領域Ａβ１に熱が伝わった場合、第１領域Ａβ１に位置するバンプβ６は、最も熱されやすく最も冷めやすい（蓄熱しにくい）。また、ステージユニット１０側に位置する第１ヒータ１２から第１領域Ａβ１に熱が伝わった場合、第１領域Ａβ１に位置するバンプβ６は、最も熱されにくく最も冷めやすい（蓄熱しにくい）。よって、第１領域Ａβ１は、加熱を継続しなければ、基板αに実装するために必要な温度よりも低くなりやすい。

　第２領域Ａβ２の押圧方向熱伝導率Ｔβ２は、集積パッケージβにおいて第１領域Ａβ１の次に高いものとする。

　第３領域Ａβ３の押圧方向熱伝導率Ｔβ３は、集積パッケージβにおいて最も低いものとする。押圧ユニット２３側に位置する第２ヒータ２５から第３領域Ａβ３に熱が伝わった場合、第３領域Ａβ３に位置するバンプβ６は、最も熱されにくく最も冷めにくい（蓄熱し易い）。また、ステージユニット１０側に位置する第１ヒータ１２から第３領域Ａβ３に熱が伝わった場合、第３領域Ａβ３に位置するバンプβ６は、最も熱されやすく最も冷めにくい（蓄熱し易い）。よって、第３領域Ａβ３は、加熱を継続すると前記温度よりも高くなりやすい。

　＜第２加熱部の加熱領域＞
　次に、図２及び図５から図８を用いて、第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３について説明する。図５は、第２ヒータ２５の平面図である。図６は、図５におけるＶＩ－ＶＩ矢視断面図及び図３におけるＩＶ－ＩＶ矢視断面図である。図７は、治具Ｔの部分断面図である。図８は、実装装置１によって治具Ｔを保持した状態での実装装置１及び治具Ｔの部分断面図である。なお、以下の説明において、基板αには、所定の位置に集積パッケージβが配置されているものとする。

　図５と図６とに示すように、第２ヒータ２５は、基板αが第１アタッチメント１３の所定位置に保持されている状態において、押圧ユニット２３の押圧方向に見て、基板αに配置された集積パッケージβの少なくとも一部と重なる形状を有している。本実施形態において、第２ヒータ２５は、押圧方向に見て、集積パッケージβの全体と重なる。また、第２ヒータ２５は、押圧ユニット２３によって集積パッケージβに加えられた力を受け止め可能に構成されている。

　第２ヒータ２５は、複数の加熱領域を有している。第２ヒータ２５は、複数の加熱領域として、押圧方向に見て、集積パッケージβの押圧方向熱伝導率の分布に基づいた第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３を有する。第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量をそれぞれ独立して変更可能に構成されている。第１加熱領域Ａ２１は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第１加熱領域発熱量Ｃ２１で発熱する（図２参照）。第２加熱領域Ａ２２は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第２加熱領域発熱量Ｃ２２で発熱する（図２参照）。第３加熱領域Ａ２３は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第３加熱領域発熱量Ｃ２３で発熱する（図２参照）。

　図６に示すように、第１加熱領域Ａ２１は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第１領域Ａβ１の少なくとも一部と重なる。第２加熱領域Ａ２２は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第２領域Ａβ２の少なくとも一部と重なる。第３加熱領域Ａ２３は、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる。本実施形態において、第１加熱領域Ａ２１は、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１の全体と重なり、且つ第１領域Ａβ１と略同一の形状を有する。本実施形態において、第２加熱領域Ａ２２は、押圧方向に見て、第２領域Ａβ２の全体と重なり、且つ第２領域Ａβ２と略同一の形状を有する。本実施形態において、第３加熱領域Ａ２３は、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３の全体と重なる。

　図２に示すように、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３は、制御装置３０に電気的に接続されている。第１加熱領域Ａ２１は、制御装置３０からの発熱制御信号に基づいて、例えば、第１加熱領域発熱量Ｃ２１で発熱するように構成される。第２加熱領域Ａ２２は、制御装置３０からの発熱制御信号に基づいて、例えば、第２加熱領域発熱量Ｃ２２で発熱するように構成される。第３加熱領域Ａ２３は、制御装置３０からの発熱制御信号に基づいて、例えば、第３加熱領域発熱量Ｃ２３で発熱するように構成される。

　次に、図７及び図８を用いて、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の加熱量の設定について説明する。第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の発熱量は、治具Ｔを用いた温度測定によって決定する。

　図７に示すように、治具Ｔは、基板α、集積パッケージβ、第１治具温度センサγ１、第２治具温度センサγ２、第３治具温度センサγ３を有している。治具Ｔは、基板α上に集積パッケージβが実装されている。また、治具Ｔは、基板αと集積パッケージβとの間に第１治具温度センサγ１、第２治具温度センサγ２及び第３治具温度センサγ３を有している。

　図８に示すように、第１治具温度センサγ１は、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１と重なるように位置している。つまり、第１治具温度センサγ１は、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１における基板αと集積パッケージβとの間の温度を検出する。第２治具温度センサγ２は、押圧方向に見て、第２領域Ａβ２と重なるように位置している。つまり、第２治具温度センサγ２は、押圧方向に見て、第２領域Ａβ２における基板αと集積パッケージβとの間の温度を検出する。第３治具温度センサγ３は、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なるように位置している。つまり、第３治具温度センサγ３は、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３における基板αと集積パッケージβとの間の温度を検出する。

　治具Ｔは、実装装置１の第１アタッチメント１３に搭載された状態で、第２アタッチメント２６を介して押圧ユニット２３によって押圧される。更に、治具Ｔは、第１発熱量Ｃ１で発熱する第１ヒータ１２によって加熱されるとともに、第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３によって加熱される（図８参照）。この際、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３は、第２発熱量Ｃ２で発熱している。

　基板αに伝わった第１ヒータ１２からの熱は、第１領域Ａβ１の押圧方向熱伝導率Ｔβ１（図７参照）、第２領域Ａβ２の押圧方向熱伝導率Ｔβ２（図７参照）及び第３領域Ａβ３の押圧方向熱伝導率Ｔβ３（図７参照）に比例した割合で集積パッケージβに伝わる。治具Ｔの基板αのうち、押圧方向に見て、最も高い押圧方向熱伝導率Ｔβ１を有する第１領域Ａβ１と重なる部分は、最も集積パッケージβに熱を伝えやすい。つまり、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１と重なる基板αの部分に伝わる熱は、基板αから集積パッケージβに逃げやすい。治具Ｔの基板αのうち、押圧方向に見て、最も低い押圧方向熱伝導率Ｔβ３を有する第３領域Ａβ３と重なる部分は、最も集積パッケージβに熱を伝えにくい。つまり、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる基板αの部分に伝わる熱は、基板αから集積パッケージβに逃げにくい。

　また、基板αに伝わった第１ヒータ１２からの熱は、第１領域Ａβ１と基板αとの温度差、第２領域Ａβ２と基板αとの温度差及び第３領域Ａβ３と基板αとの温度差に比例した割合で集積パッケージβに伝わる。治具Ｔの基板αのうち、押圧方向に見て、最も高い押圧方向熱伝導率Ｔβ１を有する第１領域Ａβ１と重なる部分は、第１領域Ａβ１との温度差を小さくした場合、集積パッケージβに対して熱を伝えにくくなる。治具Ｔの基板αのうち、押圧方向に見て、最も低い押圧方向熱伝導率Ｔβ３を有する第３領域Ａβ３と重なる部分は、第３領域Ａβ３との温度差を大きくした場合、集積パッケージβに対して熱を伝えやすくなる。

　治具Ｔは、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３によって集積パッケージβの各部が異なる温度に加熱されることにより、基板αと集積パッケージβの各部との間に生じた温度差に応じた熱量が基板αから集積パッケージβに伝わる。これにより、治具Ｔの基板αと集積パッケージβとの間の温度が変化する。よって、第２ヒータ２５は、加熱領域毎に発熱量を調整することにより、基板αと集積パッケージβとの間の温度を調整することができる。

　基板αに対する集積パッケージβの実装時の接続不良は、基板αと集積パッケージβとを接続するパンプを均一に溶融することにより抑制することができる。よって、第２ヒータ２５における、第１加熱領域発熱量Ｃ２１、第２加熱領域発熱量Ｃ２２及び第３加熱領域発熱量Ｃ２３は、治具Ｔの第１治具温度センサγ１によって検出される第１領域Ａβ１の温度、第２治具温度センサγ２によって検出される第２領域Ａβ２の温度及び第３治具温度センサγ３によって検出される第３領域Ａβ３の温度が所定範囲内に含まれる発熱量に決定される。

　押圧方向に見て、最も押圧方向熱伝導率が高い第１領域Ａβ１と重なる基板αの部分は、第２発熱量Ｃ２よりも高い第１加熱領域発熱量Ｃ２１で発熱する第１加熱領域Ａ２１によって加熱されることにより、基板αと集積パッケージβとの温度差が小さくなる。よって、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１と重なる基板αの部分の温度は、第１領域Ａβ１に伝わる熱量が抑制されるので、上昇しやすい。また、押圧方向に見て、最も押圧方向熱伝導率が低い第３領域Ａβ３と重なる基板αの部分は、第２発熱量Ｃ２よりも低い第３加熱領域発熱量Ｃ２３で発熱する第３加熱領域Ａ２３によって加熱されることにより、基板αと集積パッケージβとの温度差が大きくなる。よって、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる基板αの部分の温度は、第３領域Ａβ３に伝わる熱量が増大されるので上昇しにくい。これにより、実装装置１は、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の発熱量の調整によって、基板αと集積パッケージβとの間の温度を所定範囲内に調整することができる。

　制御装置３０による治具Ｔを用いた各加熱領域の温度（発熱量）の調整方法について具体的に説明する。制御装置３０は、治具Ｔに電気的に接続され、治具Ｔの第１治具温度センサγ１によって検出される第１領域Ａβ１の温度、第２治具温度センサγ２によって検出される第２領域Ａβ２の温度及び第３治具温度センサγ３によって検出される第３領域Ａβ３の温度を取得可能である。なお、各加熱領域の温度を測定する温度センサは、第２アタッチメント２６に配置されていてもよい。

　制御装置３０は、第１次温度調整工程として、第１ヒータ１２と、第２ヒータ２５の加熱領域のうち１つの加熱領域を第１調整加熱領域として、前記第１調整加熱領域によって治具Ｔを加熱する。制御装置３０は、例えば第１ヒータ１２と、第２ヒータ２５の前記第１調整加熱領域である第１加熱領域Ａ２１とによって治具Ｔを加熱する。制御装置３０は、治具Ｔの第１治具温度センサγ１によって検出される第１領域Ａβ１の温度が第１領域Ａβ１の目標温度範囲内に含まれるように第１ヒータ１２の発熱量と第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１の発熱量を調整する。

　制御装置３０は、第２次温度調整工程として、第１次温度調整工程において前記第１調整加熱領域として発熱量を調整した第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１と第１ヒータ１２とを調整した発熱量で加熱しつつ、第１次温度調整工程で発熱量を調整していない第２ヒータ２５の加熱領域を第２調整加熱領域として前記第２調整加熱領域によって治具Ｔを加熱する。制御装置３０は、例えば第２ヒータ２５の第２加熱領域Ａ２２を前記第２調整加熱領域として治具Ｔを加熱する。制御装置３０は、治具Ｔの第２治具温度センサγ２によって検出される第２領域Ａβ２の温度が第２領域Ａβ２の目標温度範囲内に含まれるように第２ヒータ２５の第２加熱領域Ａ２２の発熱量を調整する。

　制御装置３０は、再調整工程として、第１ヒータ１２を加熱しつつ、第１次温度調整工程において調整した発熱量で第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１を加熱し、第２次温度調整工程において調整した発熱量で第２ヒータ２５の第２加熱領域Ａ２２を加熱する。さらに、制御装置３０は、第１治具温度センサγ１によって検出される第１領域Ａβ１の温度が第１領域Ａβ１の目標温度範囲内に含まれ、且つ第２治具温度センサγ２によって検出される第２領域Ａβ２の温度が第２領域Ａβ２の目標温度範囲内に含まれるように、第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１の発熱量及び第２加熱領域Ａ２２の発熱量を再調整する。

　このように、制御装置３０は、各加熱領域のうち１つの加熱領域を第１調整加熱領域として発熱量を調整する第１次温度調整工程を実施した後、第１次温度調整工程において発熱量を調整していない他の加熱領域を第２調整加熱領域として発熱量を調整する第２次調整工程を実施する。更に、制御装置３０は、第１次温度調整工程及び第２次温度調整工程において発熱量を調整した各調整加熱領域によって加熱される領域の温度が各領域の目標温度範囲内に含まれるように各加熱領域の発熱量を再調整する。これにより、各加熱領域の発熱量を他の加熱領域の影響を考慮して調整することができる。

　以上より、第１加熱領域Ａ２１は、第２加熱領域Ａ２２の第２加熱領域発熱量Ｃ２２及び第３加熱領域Ａ２３の第３加熱領域発熱量Ｃ２３よりも大きい第１加熱領域発熱量Ｃ２１で発熱するように制御される。第２加熱領域Ａ２２は、第３加熱領域Ａ２３の第３加熱領域発熱量Ｃ２３よりも大きい第２加熱領域発熱量Ｃ２２で発熱するように制御される。第３加熱領域Ａ２３は、第１加熱領域Ａ２１の第１加熱領域発熱量Ｃ２１及び第２加熱領域Ａ２２の第２加熱領域発熱量Ｃ２２よりも小さい第３加熱領域発熱量Ｃ２３で発熱するように制御される。

　このように構成される実装装置１は、基板αと第１領域Ａβ１との温度差を他の領域よりも小さくし、基板αから集積パッケージβに伝わる熱量を抑制させる。また、実装装置１は、基板αと第３領域Ａβ３との温度差を他の領域よりも大きくし、基板αから集積パッケージβに伝わる熱量を増加させる。このように、実装装置１は、集積パッケージβの押圧方向熱伝導率の分布に基づいて、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の発熱量を調整することにより、基板αと集積パッケージβとの間の温度分布のばらつきを抑制し、基板αに対する集積パッケージβの接続不良を抑制することができる。

　＜集積パッケージの実装＞
　次に、図９と図１０とを用いて実装装置１による基板αに対する集積パッケージβの実装について説明する。図９は、実装装置１において、基板αと集積パッケージβとを保持した状態での実装装置１及び集積パッケージのβの部分断面図である。図１０は、実施形態１において、基板αに集積パッケージβを配置した状態で実装装置１及び集積パッケージのβの断面図である。なお、実装装置１は、制御装置３０の制御信号によって各部を制御している。

　図９に示すように、実装装置１には、図示しない外部の搬送装置によって、第１アタッチメント１３に基板αが搭載される。実装装置１は、第１アタッチメント１３によって、基板αを吸着保持する。基板αは、第１アタッチメント１３の所定の位置に保持される。　

　実装装置１は、ピックアップユニット駆動装置２１によって移動される押圧ユニット２３によって、所定の待機位置にある集積パッケージβを、第２アタッチメント２６を介して吸引保持する。集積パッケージβは、第２アタッチメント２６の所定の位置に保持される。この際、第２アタッチメント２６を保持している第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第１領域Ａβ１と重なっている。第２ヒータ２５の第２加熱領域Ａ２２は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第２領域Ａβ２と重なっている。第２ヒータ２５の第３加熱領域Ａ２３は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第３領域Ａβ３と重なっている。

　図１０に示すように、実装装置１は、押圧ユニット２３によって、第１アタッチメント１３に搭載された基板α上に集積パッケージβを配置する。この際、集積パッケージβは、基板α上の電極に集積パッケージβが有するバンプβ６が接触した状態で第２アタッチメント２６に保持されている。

　実装装置１は、バンプβ６を溶融させるために、第１ヒータ１２を第１発熱量Ｃ１で加熱する。合わせて、実装装置１は、第２ヒータ２５において、第１加熱領域Ａ２１を第１加熱領域発熱量Ｃ２１で発熱させ、第２加熱領域Ａ２２を第２加熱領域発熱量Ｃ２２で発熱させ、第３加熱領域Ａ２３を第３加熱領域発熱量Ｃ２３で発熱させる。

　基板αには、第１アタッチメント１３を介して、第１ヒータ１２の加熱面からの熱が均一に伝わる。集積パッケージβには、第２アタッチメント２６を介して、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３からの熱が伝わる。合わせて、実装装置１は、押圧ユニット２３によって、集積パッケージβを基板αに向かって所定の外力で押圧する。なお、第１ヒータ１２の温度は、第２ヒータ２５の最高温度よりも高い温度である。

　押圧方向に見て、基板αの第１領域Ａβ１と重なる部分に伝わった第１ヒータ１２からの熱は、第１領域Ａβ１の押圧方向熱伝導率Ｔβ１、及び、第１領域Ａβ１と基板αとの温度差に基づいて集積パッケージβの第１領域Ａβ１に伝わる（図６参照）。押圧方向に見て、基板αの第２領域Ａβ２と重なる部分に伝わった第１ヒータ１２からの熱は、第２領域Ａβ２の押圧方向熱伝導率Ｔβ２、及び、第２領域Ａβ２と基板αとの温度差に基づいて集積パッケージβの第２領域Ａβ２に伝わる（図６参照）。押圧方向に見て、基板αの第３領域Ａβ３と重なる部分に伝わった第１ヒータ１２からの熱は、第３領域Ａβ３の押圧方向熱伝導率Ｔβ３、及び、第３領域Ａβ３と基板αとの温度差に基づいて集積パッケージβの第３領域Ａβ３に伝わる（図６参照）。

　基板αのうち、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１と重なる部分に伝わった熱は、基板αの電極等を介して、集積パッケージβの第１領域Ａβ１に位置するバンプβ６、パッケージ基板β１の一部、シリコンインターポーザーβ２の一部、第１半導体チップβ３の順に伝わる。基板αのうち、押圧方向に見て、第２領域Ａβ２と重なる部分に伝わった熱は、基板αの電極等を介して、集積パッケージβの第２領域Ａβ２に位置するバンプβ６、パッケージ基板β１の一部、シリコンインターポーザーβ２の一部、第２半導体チップβ４の順に伝わる。基板αのうち、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる部分に伝わった熱は、基板αの電極等を介して、集積パッケージβの第３領域Ａβ３に位置するバンプβ６、パッケージ基板β１の一部、シリコンインターポーザーβ２の一部、樹脂β５の順に伝わる。

　集積パッケージβの第１領域Ａβ１には、第２アタッチメント２６を介して、第１加熱領域発熱量Ｃ２１（図２参照）で発熱している第１加熱領域Ａ２１からの熱が伝わる。第１領域Ａβ１は、第２領域Ａβ２及び第３領域Ａβ３よりも高い温度に加熱される。つまり、第１領域Ａβ１と基板αとの温度差が最も小さい。集積パッケージβの第２領域Ａβ２には、第２アタッチメント２６を介して、第２加熱領域発熱量Ｃ２２（図２参照）で発熱している第２加熱領域Ａ２２からの熱が伝わる。第２領域Ａβ２は、第１領域Ａβ１よりも低い温度に加熱される。つまり、第２領域Ａβ２と基板αとの温度差が第１領域Ａβ１の次に小さい。集積パッケージβの第３領域Ａβ３には、第２アタッチメント２６を介して、第３加熱領域発熱量Ｃ２３（図２参照）で発熱している第３加熱領域Ａ２３からの熱が伝わる。第３領域Ａβ３は、第２領域Ａβ２よりも低い温度に加熱される。つまり、第３領域Ａβ３と基板αとの温度差が最も大きい。

　第１加熱領域Ａ２１によって最も高い温度に加熱されている第１領域Ａβ１に接触している基板αの部分は、第１領域Ａβ１との温度差が小さいので、基板αの他の部分に比べて、集積パッケージβに伝わる熱量が小さい。最も押圧方向熱伝導率が低い第３領域Ａβ３に接触している基板αの部分は、第３領域Ａβ３との温度差が大きいので、基板αの他の部分に比べて集積パッケージβに伝わる熱量が大きい。実装装置１は、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の発熱量を調整することによって、基板αから集積パッケージβに伝わる熱量を調整する。つまり、実装装置１は、第２ヒータ２５によって、基板αから集積パッケージβに対する第１ヒータ１２の熱の伝わりやすさを調整している。これにより、基板αと集積パッケージβとの間の温度を所定範囲に維持することができる。

　第１ヒータ１２と第２ヒータ２５によって加熱され、且つ押圧ユニット２３によって基板αに向かって押圧されている集積パッケージβは、バンプβ６が溶融した状態で基板αの電極に接触する。

　実装装置１は、第１ヒータ１２と第２ヒータ２５とによる加熱、及び押圧ユニット２３による押圧開始から所定時間経過すると、第１ヒータ１２及び第２ヒータ２５による加熱を停止する。更に、実装装置１は、第１ヒータ１２及び第２ヒータ２５による加熱を停止してから所定時間経過後に押圧ユニット２３による押圧を停止する。

　このように、実装装置１は、集積パッケージβの第１領域Ａβ１、第２領域Ａβ２及び第３領域Ａβ３に基づいて区分した第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３を、集積パッケージβの押圧方向熱伝導率に基づいた温度で加熱するので、集積パッケージβの形状だけでなく、集積パッケージβの内部構造の影響による基板αの温度分布の変化を抑制することができる。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージβを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板αに対する集積パッケージβの接続不良を抑制することができる。

　なお、実装装置１において、第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３によって集積パッケージβを加熱し、第１ヒータ１２によって基板αを加熱しない場合、第２ヒータ２５から離れているバンプβ６を加熱するために第２ヒータ２５の温度を高くする必要がある。この場合、第２ヒータ２５によって加熱される第２アタッチメント２６は、第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の温度及び領域間の温度差が増大することにより、アタッチメント内部に熱衝撃が発生し、第２アタッチメントに歪み等が生じる可能性がある。

　また、集積パッケージβを第２ヒータ２５によって加熱し、且つ基板αを常時加熱するコンスタントヒータによって構成される第１ヒータ１２によって所定の温度まで加熱する場合、基板αの電極に塗布されているフラックス、樹脂接着材等が熱によって変質する可能性がある。また、基板αに塗布されたフラックス、樹脂接着材等が変質しない程度の温度で加熱する場合、バンプβ６によって基板αと集積パッケージβとが溶着するまでに時間がかかり生産効率が低下する。

　そこで、強制冷却機能を有するパルスヒータによって構成される第１ヒータ１２によって、基板αを所定の温度で所定の時間だけ急速に加熱し、急速に冷却することにより、基板αに塗布されたフラックス、樹脂接着材等の変質を抑制することができる。また、第２ヒータ１２によってバンプβ６を加熱することにより、第２ヒータ２５の設定温度を低くし、第２アタッチメントの熱衝撃を抑制することができる。

　　［実施形態２］
　以下に、図１、図１１から図１３を用いて、本発明に係る実施形態２である実装装置１Ａについて説明する。図１１は、第１ヒータ１２Ａの平面図である。図１２は、図１１におけるＸＩＩ－ＸＩＩ断面図及び基板αと集積パッケージβの断面図である。図１３は、実装装置１Ａの制御ブロック図である。

　実装装置１Ａは、第１ヒータ１２Ａ及び第２ヒータ２５Ａの構成が実装装置１の第１ヒータ１２及び第２ヒータ２５と異なる。以下の各実施形態において、実施形態１と同様の構成には同一の符号を付して説明を省略し、実施形態１と異なる部分についてのみ説明する。

　＜実装装置１Ａの構成＞
　図１に示すように、実装装置１Ａは、ステージユニット１０と、ピックアップユニット２０と、制御装置３０（図１３参照）とを有する。ステージユニット１０は、第１加熱部である第１ヒータ１２Ａ及び第１アタッチメント１３を支持している。ピックアップユニット２０は、押圧ユニット２３、第２ヒータ２５Ａ、第２アタッチメント２６を支持している。

　図１２に示すように、第１加熱部である第１ヒータ１２Ａは、第１アタッチメント１３を介して基板αを加熱する。第１ヒータ１２Ａは、例えば、セラミックスの筐体を有するコンスタントヒータである。第１ヒータ１２Ａは、ステージユニット１０のステージ搭載面１０ａに固定されている。第１ヒータ１２Ａは、加熱面をＺ方向に向けて配置される。第１ヒータ１２Ａは、ステージユニット１０と一体で移動可能に構成されている。第１ヒータ１２Ａは、複数の加熱領域を有している。

　第２加熱部である第２ヒータ２５Ａは、第２アタッチメント２６を介して集積パッケージβを加熱する。第２ヒータ２５Ａは、例えば、セラミックスの筐体を有するコンスタントヒータである。第２ヒータ２５Ａは、押圧ユニット搭載面２３ａに固定されている。第２ヒータ２５Ａは、加熱面を第１アタッチメント１３に向けて配置される。第２ヒータ２５Ａは、押圧ユニット２３と一体で移動可能に構成されている。第２ヒータ２５は、複数の加熱領域を有している。第２ヒータ２５Ａの加熱面における単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量は、全ての位置において等しい。つまり、第２ヒータ２５Ａは、加熱面の全面を等しく加熱する。

　図１３に示すように、制御装置３０Ａは、第２ヒータ２５に対して、第１発熱量Ｃ１で発熱させる発熱量制御信号を出力可能に構成される。制御装置３０Ａは、第１ヒータ１２Ａの複数の加熱領域に対して、所定の発熱量で発熱させる発熱量制御信号を出力可能に構成される。

　＜第１加熱部の加熱領域＞
　図１２を用いて、第１ヒータ１２Ａの第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３について説明する。第１ヒータ１２Ａは、基板αが第１アタッチメント１３の所定位置に保持されている状態において、押圧方向に見て、基板αに配置された集積パッケージβの少なくとも一部と重なる形状を有している。本実施形態において、第１ヒータ１２Ａは、押圧方向に見て、集積パッケージβの全体と重なる。また、第１ヒータ１２Ａは、押圧ユニット２３によって集積パッケージβに加えられた力を受け止め可能に構成されている。

　第１ヒータ１２Ａの加熱領域は、複数の加熱領域に分割されている。第１ヒータ１２Ａは、複数の加熱領域として、押圧方向に見て、集積パッケージβの押圧方向熱伝導率の分布に基づいた第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３を有する。第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量をそれぞれ独立して変更可能に構成されている。第１加熱領域Ａ１１は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第１加熱領域発熱量Ｃ１１（図１３参照）で発熱する。第２加熱領域Ａ１２は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第２加熱領域発熱量Ｃ１２（図１３参照）で発熱する。第３加熱領域Ａ１３は、単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量である第３加熱領域発熱量Ｃ１３（図１３参照）で発熱する。

　第１加熱領域Ａ１１は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第１領域Ａβ１の少なくとも一部と重なる。第２加熱領域Ａ１２は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第２領域Ａβ２の少なくとも一部と重なる。第３加熱領域Ａ１３は、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる。本実施形態において、第１加熱領域Ａ１１は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第１領域Ａβ１の全体と重なり、且つ第１領域Ａβ１と略同一の形状を有する。本実施形態において、第２加熱領域Ａ１２は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第２領域Ａβ２の全体と重なり、且つ第２領域Ａβ２と略同一の形状を有する。本実施形態において、第３加熱領域Ａ１３は、押圧方向に見て、集積パッケージβの第３領域Ａβ３の全体と重なる。

　図１３に示すように、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３は、制御装置３０Ａに電気的に接続されている。第１加熱領域Ａ１１は、制御装置３０からの発熱制御信号に基づいて、例えば、第１加熱領域発熱量Ｃ１１で発熱するように構成される。第２加熱領域Ａ１２は、制御装置３０Ａからの発熱制御信号に基づいて、例えば、第２加熱領域発熱量Ｃ１２で発熱するように構成される。第３加熱領域Ａ１３は、制御装置３０Ａからの発熱制御信号に基づいて、例えば、第３加熱領域発熱量Ｃ１３で発熱するように構成される。

　次に、図１４を用いて、第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３の加熱量の設定について説明する。図１４は、本発明の実施形態２における実装装置１Ａによって治具Ｔを保持した状態での実装装置１Ａ及び治具Ｔの部分断面図である。第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３の発熱量は、治具Ｔを用いた温度測定によって決定する。なお、第１ヒータ１２Ａの最低温度は第２ヒータ２５Ａの温度よりも高い。

　図１４に示すように、治具Ｔは、第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３によって基板αの各部が異なる温度に加熱されることにより、基板αから集積パッケージβに伝わる熱量が調整される。これにより、治具Ｔの基板αと集積パッケージβとの間の温度が変化する。よって、第１ヒータ１２Ａは、加熱領域毎に発熱量を調整
することにより、基板αと集積パッケージβとの間の温度を調整することができる。

　第１ヒータ１２Ａにおける、第１加熱領域発熱量Ｃ１１、第２加熱領域発熱量Ｃ１２及び第３加熱領域発熱量Ｃ１３は、治具Ｔの第１治具温度センサγ１によって検出される第１領域Ａβ１の温度、第２治具温度センサγ２によって検出される第２領域Ａβ２の温度及び第３治具温度センサγ３によって検出される第３領域Ａβ３の温度が所定範囲内に含まれる発熱量に決定される。

　治具Ｔは、実装装置１の第１アタッチメント１３に搭載された状態で、第２アタッチメント２６を介して押圧ユニット２３によって押圧される。更に、治具Ｔは、第２発熱量Ｃ２（図１３参照）で発熱する第２ヒータ２５によって加熱されるとともに、第１ヒータ１２Ａの第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３によって加熱される。この際、第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３は、第１発熱量Ｃ１で発熱している。第１加熱領域Ａ１１によって加熱された基板αの部分から第１領域Ａβ１に伝わる熱量は、他の加熱領域によって加熱された基板αの部分から集積パッケージβに伝わる熱量よりも多い。また、第３加熱領域Ａ１３によって加熱された基板αの部分から第３領域Ａβ３に伝わる熱量は、他の加熱領域によって加熱された基板αの部分から集積パッケージβに伝わる熱量よりも少ない。

　押圧方向に見て、最も押圧方向熱伝導率が高い第１領域Ａβ１と重なる基板αの部分に第１加熱領域Ａ１１から伝わる熱量は、第１発熱量Ｃ１よりも高い第１加熱領域発熱量Ｃ１１（図１３参照）で発熱する第１加熱領域Ａ１１によって加熱されることにより増大する。よって、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１と重なる基板αの部分の温度は、基板αから集積パッケージβに伝わる熱量と第１加熱領域Ａ１１から基板αに伝わる熱量との差が大きくなるので上昇しやすい。また、押圧方向に見て、最も押圧方向熱伝導率が低い第３領域Ａβ３と重なる基板αの部分に第３加熱領域Ａ１３から伝わる熱量は、第１発熱量Ｃ１よりも低い第３加熱領域発熱量Ｃ１３（図１３参照）で発熱する第３加熱領域Ａ１３によって加熱されることにより減少する。よって、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる基板αの部分の温度は、基板αから集積パッケージβに伝わる熱量と第３加熱領域Ａ１３から基板αに伝わる熱量との差が小さくなるので上昇しにくい。これにより、第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３は、基板αと集積パッケージβとの間の温度を所定範囲内に調整することができる。

　このように構成される実装装置１Ａは、押圧方向に見て、第１領域Ａβ１と重なる基板αの部分に第１加熱領域Ａ１１から伝わる熱量と基板αから第１領域Ａβ１に伝わる熱量との収支を増加させる。また、実装装置１は、押圧方向に見て、第３領域Ａβ３と重なる基板αの部分に第３加熱領域Ａ１３から伝わる熱量と基板αから第３領域Ａβ３に伝わる熱量との収支を減少させる。このように、実装装置１は、集積パッケージβの押圧方向熱伝導率の分布に基づいて、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の発熱量を調整することにより、基板αと集積パッケージβとの間の温度分布のばらつきを抑制し、基板αに対する集積パッケージβの接続不良を抑制することができる。

　［実施形態３］
　以下に、図１５と図１６を用いて、本発明に係る実装装置の実施形態３に係る実装装置１Ｂついて説明する。図１５は、本発明の実施形態３における実装装置１Ｂによって基板αに集積パッケージβを配置した状態での実装装置１Ｂの部分断面図である。図１６は、実装装置１Ｂの制御ブロック図である。実装装置１Ｂは、第１アタッチメント１３Ｂが第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃを有する点で実装装置１と異なる。

　＜実装装置１Ｂの構成＞
　図１５に示すように、実装装置１Ｂは、ステージユニット１０と、ピックアップユニット２０と、制御装置３０Ｂ（図１６参照）とを有する。

　ステージユニット１０は、第１加熱部である第１ヒータ１２及び第１アタッチメント１３Ｂを支持している。

　第１アタッチメント１３Ｂは、第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃを有する。第１温度センサ２７ａは、押圧方向に見て、第１アタッチメント１３Ｂの所定の位置に保持された基板αに配置されている集積パッケージβの第１領域Ａβ１と重なるように位置している。第２温度センサ２７ｂは、押圧方向に見て、基板αに配置されている集積パッケージβの第２領域Ａβ２と重なるように位置している。第３温度センサ２７ｃは、押圧方向に見て、基板αに配置されている集積パッケージβの第３領域Ａβ３と重なるように位置している。

　第１温度センサ２７ａは、押圧方向に見て、基板αにおいて第１領域Ａβ１と重なる部分の温度を測定可能である。第２温度センサ２７ｂは、押圧方向に見て、基板αにおいて第２領域Ａβ２と重なる部分の温度を測定可能である。第３温度センサ２７ｃは、押圧方向に見て、基板αにおいて第３領域Ａβ３と重なる部分の温度を測定可能である。

　図１６に示すように、制御装置３０Ｂは、第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃの検出温度に基づいて第２ヒータ２５の動作を制御するために種々のプログラムおよびデータが格納されている。

　制御装置３０Ｂは、第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃと電気的に接続されている。

　制御装置３０Ｂは、第１加熱領域Ａ２１に対して第１温度センサ２７ａの検出温度に基づいた温度制御信号を出力可能に構成される。制御装置３０Ｂは、第２加熱領域Ａ２２に対して第２温度センサ２７ｂの検出温度に基づいた温度制御信号を出力可能に構成される。制御装置３０Ｂは、第３加熱領域Ａ２３に対して第３加熱領域Ａ２３の検出温度に基づいた温度制御信号を出力可能に構成される。

　実装装置１Ｂは、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の加熱量の設定を行う場合、治具Ｔの第１治具温度センサγ１（図７参照）、第２治具温度センサγ２（図７参照）、第３治具温度センサγ３（図７参照）に代えて、第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃの検出温度に基づいて、第１加熱領域発熱量Ｃ２１、第２加熱領域発熱量Ｃ２２及び第３加熱領域発熱量Ｃ２３を設定することができる（図１６参照）。

　また、実装装置１Ｂは、第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃの検出温度に基づいて、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の発熱量を調整することができる。実装装置１Ｂは、基板αに集積パッケージβを実装する際、第１温度センサ２７ａ、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃの少なくとも１つの検出温度が所定範囲に含まれていない場合、第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３の少なくとも１つの発熱量を調整することで、第２温度センサ２７ｂ及び第３温度センサ２７ｃの検出温度を所定範囲内にすることができる。これにより、熱伝導率が不均一な集積パッケージを加熱した際の温度のばらつきを抑制し、基板に対する前記集積パッケージの接続不良を抑制することができる。

　［その他の実施形態］
　上述の実施形態１において、実装装置１は、第１加熱部である第１ヒータ１２によって、第１アタッチメント１３を均一に加熱し、第２加熱部である第２ヒータ２５の第１加熱領域Ａ２１、第２加熱領域Ａ２２及び第３加熱領域Ａ２３によって、第２アタッチメント２６を領域毎に異なる熱量で加熱している。また、上述の実施形態２において、実装装置１Ａは、第１加熱部である第１ヒータ１２の第１加熱領域Ａ１１、第２加熱領域Ａ１２及び第３加熱領域Ａ１３によって、第１アタッチメント１３を領域毎に異なる熱量で加熱し、第２加熱部である第２ヒータ２５によって、第２アタッチメント２６を均一に加熱している。しかしながら、第１加熱部及び第２加熱部は、それぞれ複数の加熱領域を有する構成でもよい。このように構成される実装装置は、第１加熱部によって第１アタッチメント１３を領域毎に異なる熱量で加熱し、且つ第２加熱部によって第２アタッチメント２６を領域毎に異なる熱量で加熱することができる。

　上述の各実施形態において、第１加熱領域Ａ１１及び第１加熱領域Ａ２１は、第１領域Ａβ１と略同一の形状を有する。第２加熱領域Ａ１２及び第２加熱領域Ａ２２は、第２領域Ａβ２と略同一の形状を有する。第３加熱領域Ａ１３及び第３加熱領域Ａ２３は、第３領域Ａβ３と略同一の形状を有する。しかしながら、各加熱領域は、対応する領域を加熱できる形状であればよい。

　上述の実施形態において、実装装置１、１Ａ、１Ｂは、ステージユニット１０に搭載された基板α及び集積パッケージβを、ステージユニット１０の方向に相対的に移動する押圧ユニット２３によって押圧している。しかしながら、実装装置は、基板α及び集積パッケージβが搭載されたステージユニットを、押圧ユニットに向かって移動させることによって基板α及び集積パッケージβを押圧する構成でもよい。

　上述の実施形態において、実装装置１、１Ａ、１Ｂは、ピックアップユニット２０によって、基板αに対する集積パッケージβの位置決めを行っている。しかしながら、実装装置は、ステージによって、集積パッケージβに対する基板αの位置決めを行う構成でもよい。

　また、上述の実施形態において、実装装置１、１Ａ、１Ｂは、ピックアップユニット２０によって、集積パッケージβのピックアップを行っている。しかしながら、実装装置は、外部のピックアップユニットによって集積パッケージβをピックアップし、基板αに対して位置決めする構成でもよい。

　また、上述の実施形態において、実装装置１、１Ａ、１Ｂは、第１アタッチメント１３によって基板αを保持し、第２アタッチメントによって集積パッケージβを保持している。しかしながら、実装装置は、第１アタッチメントによって集積パッケージβを保持し、第２アタッチメントによって基板αを保持する構成でもよい。

　また、上述の実施形態１及び実施形態２において、実装装置１、１Ａ、１Ｂは、パルスヒータである第１ヒータ１２によって第１アタッチメント１３を加熱し、第２ヒータ２５によって第２アタッチメント２６を加熱している。しかしながら、実装装置は、コンスタントヒータによって第１アタッチメント及び第２アタッチメントを加熱する構成でもよい。

　以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。

　　１、１Ａ、１Ｂ　　実装装置
　１０　　ステージユニット
　１０ａ　ステージ搭載面
　１１　　ステージ駆動装置
　１２、１２Ａ　　第１ヒータ
　１３、１３Ｂ　　第１アタッチメント
　１３ａ　第１アタッチメント保持面
　２０　　ピックアップユニット
　２０ａ　ピックアップユニット搭載面
　２１　　ピックアップユニット駆動装置
　２２　　カメラ
　２３　　押圧ユニット
　２３ａ　押圧ユニット搭載面
　２４　　押圧ユニット駆動装置
　２５、２５Ａ　　第２ヒータ
　２６　　第２アタッチメント
　２６ａ　第２アタッチメント保持面
　２７ａ　第１温度センサ
　２７ｂ　第２温度センサ
　２７ｃ　第３温度センサ
　３０、３０Ａ、３０Ｂ　　制御装置
　　Ｔ　　治具
　　γ１　第１治具温度センサ
　　γ２　第２治具温度センサ
　　γ３　第３治具温度センサ
　　α　　基板
　　β　　集積パッケージ
　　β１　パッケージ基板
　　β２　シリコンインターポーザー
　　β３　第１半導体チップ
　　β４　第２半導体チップ
　　β５　樹脂
　　β６　バンプ
　Ａ１１　第１ヒータの第１加熱領域
　Ａ１２　第１ヒータの第２加熱領域
　Ａ１３　第１ヒータの第３加熱領域
　Ａ２１　第２ヒータの第１加熱領域
　Ａ２２　第２ヒータの第２加熱領域
　Ａ２３　第２ヒータの第３加熱領域
　Ｃ１　　第１発熱量
　Ｃ１１　第１ヒータの第１加熱領域発熱量
　Ｃ１２　第１ヒータの第２加熱領域発熱量
　Ｃ１３　第１ヒータの第３加熱領域発熱量
　Ｃ２　　第２発熱量
　Ｃ２１　第２ヒータの第１加熱領域発熱量
　Ｃ２２　第２ヒータの第２加熱領域発熱量
　Ｃ２３　第２ヒータの第３加熱領域発熱量
　Ａβ１　集積パッケージの第１領域
　Ａβ２　集積パッケージの第２領域
　Ａβ３　集積パッケージの第３領域
　　Ｔβ１、Ｔβ２、Ｔβ３　集積パッケージの押圧方向熱伝導率

Claims (6)

1. 　複数の半導体チップが集積され且つモールドされた集積パッケージ及び前記集積パッケージが実装される基板のうち少なくとも１つが搭載されるステージと、
   　前記ステージと対向するように配置され、前記ステージに向かって相対的に移動し且つ前記基板及び前記集積パッケージを押圧する押圧部と、
   　前記ステージに支持され、前記基板及び前記集積パッケージのいずれか一方に前記押圧部の移動方向から接触する第１アタッチメントと、
   　前記押圧部に支持され、前記基板及び前記集積パッケージのいずれか他方に前記押圧部の移動方向から接触する第２アタッチメントと、
   　前記ステージに支持され、前記第１アタッチメントを加熱する第１加熱部と、
   　前記押圧部に支持され、前記第２アタッチメントを加熱する第２加熱部と、
   を有する、実装装置であって、
   　前記第１加熱部及び前記第２加熱部の少なくとも一方は、
   　　前記押圧部の押圧方向における前記集積パッケージの熱伝導率である押圧方向熱伝導率の分布に基づいた複数の加熱領域を有し、
   　前記複数の加熱領域は、
   　　それぞれ異なる単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量で発熱可能に構成される、
   実装装置。
2. 　請求項１に記載の実装装置において、
   　前記複数の加熱領域は、
   　　前記押圧方向に見て、前記集積パッケージにおいて、所定範囲内の押圧方向熱伝導率を有する部分毎にそれぞれ重なるように構成される、
   実装装置。
3. 　請求項１または２に記載の実装装置において、
   　前記複数の加熱領域は、
   　　前記押圧方向に見て重なる前記集積パッケージの前記押圧方向熱伝導率の大きさに比例した発熱量で発熱するように構成される、
   実装装置。
4. 　請求項１または２に記載の実装装置において、
   　前記第１加熱部は、
   　　所定の単位時間当たり且つ単位面積当たりの発熱量で発熱する単一の加熱領域を有し、前記第１アタッチメントを介して、均一の熱量で発熱する単一の加熱領域によって前記基板を加熱し、
   　前記第２加熱部は、
   　　前記複数の加熱領域を有し、前記第２アタッチメントを介して、前記集積パッケージの押圧方向熱伝導率の分布に基づいた異なる熱量で発熱する前記複数の加熱領域によって前記集積パッケージを加熱する、
   実装装置。
5. 　請求項４に記載の実装装置において、
   　前記第２加熱部を制御する制御部を有し、
   　前記第１アタッチメントは、
   　押圧方向に見て、前記複数の加熱領域と重なる位置に温度センサをそれぞれ有し、
   　前記制御部は、
   　前記温度センサによって検出される温度が所定範囲の温度になるように、前記複数の加熱領域毎の発熱量を制御する、
   実装装置。
6. 　基板と前記基板上に載置された集積パッケージを載置方向一方から加熱する第１加熱部と、載置方向他方から加熱する複数の加熱領域を有する第２加熱部と、の発熱量を調整する調整方法であって、
   　第１加熱部と、前記第２加熱部が有する複数の加熱領域のうち発熱量を調整する加熱領域である第１調整加熱領域とによって前記基板と前記集積パッケージとを加熱し、載置方向に見て、前記第１調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度が目標温度範囲内に含まれるように前記第１調整加熱領域の発熱量を調整する第１次温度調整工程と、
   　第１加熱部と、前記第１次温度調整工程において調整した発熱量によって発熱する前記第１調整加熱領域とによって前記基板と前記集積パッケージとを加熱し、且つ、第１加熱部と、第１次温度調整工程において発熱量を調整していない第２加熱部の加熱領域である第２調整加熱領域とによって前記基板と前記集積パッケージとを加熱し、載置方向に見て、前記第２調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度が目標温度範囲内に含まれるように前記第２調整加熱領域の発熱量を調整する第２次温度調整工程と、
   　載置方向に見て、前記第１次温度調整工程において調整した発熱量によって発熱する前記第１調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度と、前記第２次温度調整工程において調整した発熱量によって発熱する前記第２調整加熱領域と重なる前記基板の領域の温度がそれぞれ目標温度範囲内に含まれるように、前記第１調整加熱領域と前記第２調整加熱領域との発熱量をそれぞれ調整する再調整工程と、を有する、
   調整方法。

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