WO2025141925A1 - 半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

受動部品及び能動部品を有する半導体パッケージ（１０）は、第１主面（１０Ａ）及び第１主面（１０Ａ）とは反対側の第２主面（１０Ｂ）を有する第１部品層を備えている。また、半導体パッケージ（１０）は、第１部品層に対して第１主面（１０Ａ）に直交する方向に隣接する第１配線層を備えている。第１部品層は、無機材料を含む第１封止部（１１）と、第１封止部（１１）の内部に位置する能動部品（１２Ａ）とを有している。また、第１部品層は、第１封止部（１１）の内部で第１主面（１０Ａ）に交差する方向に延び、端部が第１主面（１０Ａ）において第１封止部（１１）から露出する複数の第１ビア配線（１４）を有している。第１配線層は、第１絶縁樹脂部（２１）と、第１絶縁樹脂部（２１）の内部で延びる第１配線部（２２）と、を有している。能動部品（１２Ａ）の接続端子（１３）が、第１封止部（１１）における第２主面（１０Ｂ）側において第１封止部（１１）から露出している。

Description

半導体パッケージ

　本開示は、半導体パッケージに関する。

　特許文献１に記載の電子部品は、コア基板を有している。コア基板は、当該コア基板を貫通する開口を有している。開口の内側には、磁性体樹脂が充填されている。さらに、磁性体樹脂は、貫通孔を有している。貫通孔の内側にはスルーホール導体が位置している。また、電子部品は、絶縁層と、導体層とを有している。絶縁層は、コア基板の主面に位置している。導体層は、絶縁層の表面に位置している。導体層は、上記のスルーホール導体と共にインダクタを構成している。

特開２０２０－１７８００７号公報

　特許文献１に記載のような電子部品では、インダクタは、導体層及びスルーホール導体によって構成されている。このようなインダクタは、電子部品全体を製造して、当該電子部品に対して電流を流すまで、正常に動作するか判別がつきにくい。したがって、特許文献１に記載の電子部品では、電子部品全体を製造した後に、インダクタが正常に動作するか否かの試験を行わざるを得ない。なお、ここでは、インダクタを例に挙げたが、電子部品がインダクタ以外の受動部品、又は能動部品を内包する場合でも、同様に、電子部品全体が製造されるまで、正常に動作するか否かの判別がつきにくいという課題が発生する。

　上記課題を解決するため、本開示の一態様は、受動部品及び能動部品を有する半導体パッケージであって、第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第１部品層と、前記第１部品層に対して前記第１主面に直交する方向に隣接する第１配線層と、を備え前記第１部品層は、無機材料を含む第１封止部と、前記第１封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、前記第１封止部の内部で前記第１主面に交差する方向に延び、端部が前記第１主面において前記第１封止部から露出する複数の第１ビア配線と、を有し、前記第１配線層は、第１絶縁樹脂部と、前記第１絶縁樹脂部の内部で延びる第１配線部と、を有し、前記能動部品の接続端子が、前記第１封止部における前記第２主面側において前記第１封止部から露出している半導体パッケージである。

　上記構成によれば、合格判定した受動部品を搭載でき、信頼性が向上する。

図１は、第１実施形態の半導体パッケージの概略構成図である。 図２は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図３は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図４は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図５は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図６は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図７は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図８は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図９は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図１０は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図１１は、第１実施形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。 図１２は、第２実施形態の半導体パッケージの概略構成図である。 図１３は、変更例の半導体パッケージの概略構成図である。 図１４は、変更例の半導体パッケージの概略構成図である。 図１５は、変更例の半導体パッケージの概略構成図である。

　以下、半導体パッケージの一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。また、以下では、部材に対して第１、第２、・・・と、名称を付しているものがある。これらはあくまでも便宜上のもので、部材の優先順位を示すものではない。さらに、第１、第２の各番号を互いに入れ替えて解釈することも許容する。

　（第１実施形態）
　＜全体構成について＞
　図１に示すように、半導体パッケージ１０は、第１層Ｌ１を備えている。第１層Ｌ１の外形は、全体として略直方体状である。第１層Ｌ１は、第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂを有している。第１主面１０Ａは、第１層Ｌ１の外面のうち、最も面積の広い面の１つである。第１主面１０Ａに直交する方向を向いて視たとき、第１主面１０Ａは、長方形状である。第２主面１０Ｂは、第１層Ｌ１の外面のうち、第１主面１０Ａとは反対側の面である。第２主面１０Ｂは、第１主面１０Ａに平行である。第２主面１０Ｂに直交する方向を向いて視たとき、第２主面１０Ｂの形状は、第１主面１０Ａの形状と同じである。

　以下の説明では、第１主面１０Ａに直交する軸を第１軸Ｘとする。そして、第１軸Ｘに沿う方向のうちの特定の方向を第１正方向Ｘ１とし、第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。第１実施形態では、第１正方向Ｘ１は、第１主面１０Ａが向く方向と一致する。第１負方向Ｘ２は、第２主面１０Ｂが向く方向と一致する。

　半導体パッケージ１０は、第１層Ｌ１に積層された第２層Ｌ２、第３層Ｌ３、第４層Ｌ４、及び第５層Ｌ５を備えている。第１軸Ｘに沿う方向を向いて透視したときに、第１層Ｌ１～第５層Ｌ５の各層の外形は、いずれも長方形状である。半導体パッケージ１０の各層は、第１負方向Ｘ２側から第１正方向Ｘ１側に向かうに従って、第２層Ｌ２、第１層Ｌ１、第３層Ｌ３、第４層Ｌ４、及び第５層Ｌ５の順で並んでいる。

　第１層Ｌ１は、第１封止部１１と、複数の第１電子部品１２と、複数の第１ビア配線１４と、複数の第１部品外部端子１５と、を有している。なお、第１層Ｌ１は、第１電子部品１２を含む第１部品層である。

　第１封止部１１の外形は、略直方体状である。第１封止部１１の外面のうちの第１正方向Ｘ１を向く平面は、第１主面１０Ａである。また、第１封止部１１の外面のうちの第１負方向Ｘ２を向く平面は、第２主面１０Ｂである。第１封止部１１は、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ　ＥｔｈＯｘｙ　Ｓｉｌａｎｅ）である。すなわち、第１封止部１１は、無機材料を含んでいる。また、第１封止部１１に適用される無機材料を含む材質としては、ＳｉＯ_２や、ＴｉＮ、ＴｉＯ、ＳｉＣＯＨ等を採用可能である。

　第１電子部品１２は、受動部品又は能動部品である。受動部品は、インダクタ、抵抗、コンデンサのいずれかである。能動部品は、電流に対して増幅、整流、変換等の能動的な仕事を行う電子部品である。例えば、能動部品は、ダイオード、トランジスタ、及びこれらを含む集積回路等である。なお、当該集積回路が、インダクタ、抵抗、及びコンデンサを含んでいる場合でも、能動部品を１つでも有していれば、能動部品として扱う。以降の説明においても「電子部品」は、受動部品又は能動部品のいずれかを示す。

　図１に示す例では、第１層Ｌ１は、３つの第１電子部品１２を有している。３つの第１電子部品１２は、２つの能動部品１２Ａ、及び１つの受動部品１２Ｂである。すなわち、第１電子部品１２のうちの少なくとも１つは、能動部品１２Ａである。また、第１電子部品１２のうちの１つは、受動部品１２Ｂである。

　受動部品１２Ｂは、無機材料を含んでいる。例えば、受動部品１２Ｂがインダクタである場合、当該受動部品１２Ｂは、無機材料として、Ｆｅ、ＦｅＳｉ系、及びクロム・ジルコニウム・タンタル合金等の材料を含んでいる。これらの材料は、インダクタのコアに含まれている。また、受動部品１２Ｂがインダクタである場合、当該受動部品１２Ｂは、無機材料として、Ｃｕ、Ａｇ等の材料を含んでいる。これらの材料は、インダクタの配線に含まれている。

　また、受動部品１２Ｂがコンデンサである場合、当該受動部品１２Ｂは、無機材料として、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、チタン酸バリウム等の材料を含んでいる。これらの材料は、コンデンサのコアに含まれている。また、受動部品１２Ｂがコンデンサである場合、当該受動部品１２Ｂは、Ａｌ、Ｎｉ等の材料を含んでいる。これらの材料は、電極に含まれている。なお、受動部品１２Ｂは、インダクタ及びコンデンサのどちらの場合においても、エポキシ系及びポリイミド系樹脂などを有機材料として含んでいる。

　第１実施形態において、受動部品１２Ｂにおける無機材料の体積分率は、８０ｖｏｌ％以上である。すなわち、受動部品１２Ｂにおける無機材料の体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　各第１電子部品１２は、第１封止部１１の内部に位置している。具体的には、３つの第１電子部品１２は、それぞれ、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。また、各第１電子部品１２は、それぞれ、第１層Ｌ１内部において、第２主面１０Ｂ側に寄って位置している。具体的には、各第１電子部品１２における一方の主面は、第１層Ｌ１の第２主面１０Ｂと、概ね面一になっている。

　第１電子部品１２のうち、２つの能動部品１２Ａの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は同じである。また、残り１つの第１電子部品１２である受動部品１２Ｂの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は、各能動部品１２Ａの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法より大きい。

　各能動部品１２Ａは、部品本体１２Ｍと、接続端子１３と、内部側端子１３Ａと、を備えている。接続端子１３は、第１電子部品１２において当該第１電子部品１２の外部の配線等と接続するための外部端子としての機能を有する。図１に示す例において、各能動部品１２Ａは、２つの接続端子１３と、２つの内部側端子１３Ａとを有している。２つの接続端子１３は、第１負方向Ｘ２側に向けて露出している。具体的には、各接続端子１３は、部品本体１２Ｍから突出している。また、各接続端子１３は、第１封止部１１における第２主面１０Ｂ側において第１封止部１１から露出している。なお、これら各接続端子１３は、第１封止部１１から突出している。

　各第１電子部品１２の接続端子１３の外表面において、Ｃｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。第１実施形態では、各接続端子１３全体において、Ｃｕの体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である。各接続端子１３は、Ｃｕ成分の他に、Ｓ、Ｎｉ、及びＯ成分をわずかに含んでいる。

　２つの内部側端子１３Ａは、部品本体１２Ｍから第１正方向Ｘ１側に向けて露出している。すなわち、各内部側端子１３Ａは、第１主面１０Ａに直交する方向における接続端子１３とは反対側で部品本体１２Ｍから露出している。図１に示す例では、内部側端子１３Ａは、部品本体１２Ｍから突出していない。換言すると、内部側端子１３Ａの第１正方向Ｘ１側の端面は、部品本体１２Ｍと面一になっている。すなわち、接続端子１３の突出量は、内部側端子１３Ａの突出量より大きい。各内部側端子１３Ａの材質は、接続端子１３の材質と同じである。

　図１に示す例において、第１電子部品１２における受動部品１２Ｂは、２つの接続端子１３を有している。当該２つの接続端子１３の材質は、能動部品１２Ａの接続端子１３の材質と同じである。２つの接続端子１３は、第１負方向Ｘ２側に向けて露出している。また、第１負方向Ｘ２側の各接続端子１３は、第１封止部１１における第２主面１０Ｂ側において第１封止部１１から露出している。なお、これら第１負方向Ｘ２側の各接続端子１３は、第１封止部１１から突出している。このように、各第１電子部品１２の接続端子１３は、第１封止部１１における第２主面１０Ｂにおいてのみ、第１封止部１１から露出している。

　図１に示す例において、第１層Ｌ１は、４つの第１ビア配線１４を有している。各第１ビア配線１４は、略円柱状である。各第１ビア配線１４は、第１封止部１１の内部で第１主面１０Ａに交差する方向に延びている。第１実施形態では、各第１ビア配線１４は、第１主面１０Ａに直交する方向に延びている。各第１ビア配線１４の第１端は、能動部品１２Ａにおける内部側端子１３Ａに接続している。また、各第１ビア配線１４の第２端は、第１封止部１１から露出している。すなわち、第１ビア配線１４の端部は、第１主面１０Ａにおいて第１封止部１１から露出している。

　第１ビア配線１４は、Ｃｕ成分を含んでいる。第１ビア配線１４におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。第１実施形態では、第１配線部２２におけるＣｕの体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である。

　複数の第１部品外部端子１５は、第１封止部１１から突出している。具体的には、複数の第１部品外部端子１５は、第１封止部１１の第１正方向Ｘ１側から露出している。各第１部品外部端子１５は、第１ビア配線１４の第２端に接続している。各第１部品外部端子１５の材質は、第１ビア配線１４の材質と同じである。

　第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１に対して第１負方向Ｘ２側に積層されている。換言すると、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の第２主面１０Ｂに、直接積層されている。したがって、第２層Ｌ２は、第１部品層に対して第１主面１０Ａに直交する方向に隣接している。

　第２層Ｌ２は、第１絶縁樹脂部２１と、第１配線部２２と、複数の第１配線外部端子２３と、を有している。したがって、第２層Ｌ２は、第１配線部２２を含む第１配線層である。

　第１絶縁樹脂部２１の外形は、略直方体状である。第１絶縁樹脂部２１の外形は、第２層Ｌ２の外形と略一致する。第１絶縁樹脂部２１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。合成樹脂は、例えば、エポキシ系、及びポリイミド系の樹脂である。なお、第１絶縁樹脂部２１は、第１封止部１１から突出した第１電子部品１２の接続端子１３の周面を覆っている。

　第１配線部２２は、第１主面１０Ａに交差する方向に延びる複数の第１柱状配線２２Ｂと、第１主面１０Ａに平行な方向に延びる複数の第１配線２２Ａと、を有している。第１柱状配線２２Ｂは、第１配線２２Ａに接続している。これらの複数の第１柱状配線２２Ｂ及び複数の第１配線２２Ａは、互いに接続している。なお、図１において一部の第１柱状配線２２Ｂ及び一部の第１配線２２Ａにのみ符号を付している。

　第１配線部２２は、第１電子部品１２における接続端子１３に接続している。第１配線部２２は、任意のパターンで、第１絶縁樹脂部２１の内部で延びている。第１配線部２２の材質は、第１ビア配線１４の材質と同じである。すなわち、第１配線部２２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　複数の第１配線外部端子２３は、第１絶縁樹脂部２１から突出している。具体的には、複数の第１配線外部端子２３は、第１絶縁樹脂部２１の第１負方向Ｘ２側から露出している。各第１配線外部端子２３の材質は、第１正方向Ｘ１側からＣｕを主成分とする層、Ｎｉを主成分とする層、及びＡｕを主成分とする層の３層構造になっている。なお、当該第１配線外部端子２３は、半導体パッケージ１０を基板等に実装する際の外部端子として機能する。なお、図１において一部の第１配線外部端子２３にのみ符号を付している。

　第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１に対して第１正方向Ｘ１側に積層されている。換言すると、第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１の第１主面１０Ａに積層されている。すなわち、第３層Ｌ３は、第１部品層に対して第１主面１０Ａに直交する方向に隣接している。

　第３層Ｌ３は、第２絶縁樹脂部３１と、第２配線部３２と、複数の第２配線外部端子３３と、を有している。第３層Ｌ３は、第２配線部３２を含む第２配線層である。
　第２絶縁樹脂部３１の外形は、略直方体状である。第２絶縁樹脂部３１の外形は、第３層Ｌ３の外形と略一致する。第２絶縁樹脂部３１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。なお、第２絶縁樹脂部３１は、第１部品外部端子１５の周面を覆っている。

　第２配線部３２は、第１主面１０Ａに平行な方向に延びる複数の第２配線３２Ａと、第１主面１０Ａに交差する方向に延びる複数の第２柱状配線３２Ｂと、を有している。第２柱状配線３２Ｂは、第２配線３２Ａに接続している。これらの複数の第２柱状配線３２Ｂ及び複数の第２配線３２Ａは、互いに接続している。なお、図１において一部の第２柱状配線３２Ｂ及び一部の第２配線３２Ａにのみ符号を付している。

　第２配線部３２は、第１部品外部端子１５に接続している。すなわち、第２配線部３２は、第１部品外部端子１５を介して、第１層Ｌ１における第１ビア配線１４に接続している。換言すると、第１ビア配線１４の第２端は、第２配線層内の第２配線部３２に接続している。

　第２配線部３２は、任意のパターンで、第２絶縁樹脂部３１の内部で延びている。第２配線部３２の材質は、第１配線部２２の材質と同じである。すなわち、第２配線部３２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　複数の第２配線外部端子３３は、第２絶縁樹脂部３１から突出している。具体的には、複数の第２配線外部端子３３は、第２絶縁樹脂部３１の第１正方向Ｘ１側から露出している。各第２配線外部端子３３の材質は、第１部品外部端子１５の材質と同じである。

　第４層Ｌ４は、第３層Ｌ３に対して第１正方向Ｘ１側に積層されている。第４層Ｌ４は、第２封止部４１と、複数の第２電子部品４２と、第２ビア配線４４と、複数の第２部品外部端子４５と、複数の接続部４７と、アンダーフィル４６と、を有している。なお、第４層Ｌ４は、第２電子部品４２を含む第２部品層である。

　第２封止部４１の外形は、略直方体状である。第２封止部４１の外形は、第４層Ｌ４の外形と略一致する。第２封止部４１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。
　図１に示す例では、第４層Ｌ４は、３つの第２電子部品４２を備えている。第２電子部品４２は、２つの能動部品４２Ａ、及び１つの受動部品４２Ｂである。すなわち、第２電子部品４２のうちの少なくとも１つは、能動部品４２Ａである。また、第２電子部品４２のうちの１つは、受動部品４２Ｂである。当該受動部品４２Ｂにおける無機材料の体積分率は、８０ｖｏｌ％以上である。

　各第２電子部品４２は、第２封止部４１の内部に位置している。具体的には、３つの第２電子部品４２は、それぞれ、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。
　各第２電子部品４２は、接続端子４３を備えている。接続端子４３は、第２電子部品４２において当該第２電子部品４２の外部の配線等と接続するための外部端子としての機能を有する。

　図１に示す例において、各第２電子部品４２は、２つの接続端子４３を有している。各接続端子４３は、第１負方向Ｘ２側に向けて露出している。これらの接続端子４３は、第２絶縁樹脂部３１に覆われていない。各第２電子部品４２の接続端子４３の材質は、第１電子部品１２の接続端子４３の材質と同じである。

　第２ビア配線４４は、略円柱状である。第２ビア配線４４は、第２封止部４１の内部で第１主面１０Ａに交差する方向に延びている。第１実施形態では、第２ビア配線４４は、第１主面１０Ａに直交する方向に延びている。第２ビア配線４４の第１端は、第２配線外部端子３３のうちの１つに接続している。また、第２ビア配線４４の第２端は、第２封止部４１から露出している。すなわち、第２ビア配線４４の端部は第１正方向Ｘ１側の面において、第２封止部４１から露出している。第２ビア配線４４の材質は、第１ビア配線１４の材質と同じである。

　複数の第２部品外部端子４５は、第２封止部４１から突出している。具体的には、複数の第２部品外部端子４５は、第２封止部４１の第１正方向Ｘ１側から露出している。第２部品外部端子４５のうちの１つは、第２ビア配線４４の第２端に接続している。各第２部品外部端子４５の材質は、第１部品外部端子１５の材質と同じである。

　第２ビア配線４４に接続していない第２配線外部端子３３は、接続部４７を介して第２電子部品４２の接続端子４３に接続している。接続部４７は、はんだ等の導電性材料である。接続部４７は、第２配線外部端子３３の数に応じて存在する。各接続部４７は、対応する第２配線外部端子３３に塗布されている。すなわち、接続部４７は、第２配線外部端子３３第１正方向Ｘ１側の面を覆っている。

　アンダーフィル４６は、第２封止部４１の内部に位置している。アンダーフィル４６は、第２絶縁樹脂部３１の第１正方向Ｘ１側から、接続端子４３の第１正方向Ｘ１側の端までの領域に位置している。すなわち、アンダーフィル４６は、第２配線外部端子３３、接続部４７、及び接続端子４３の周面を覆っている。アンダーフィル４６の材質は、例えば、エポキシ樹脂である。なお、アンダーフィル４６の材質は、エポキシ系の樹脂に限らず、ポリイミド系の樹脂、液晶ポリマー系の樹脂、アクリル系の樹脂、フェノール系の樹脂、及びこれらの組み合わせでもよい。また、アンダーフィル４６は、無機フィラーとして、シリカフィラーなどを含んでいてもよい。

　第５層Ｌ５は、第４層Ｌ４に対して第１正方向Ｘ１側に積層されている。第５層Ｌ５は、第３絶縁樹脂部５１と、第３配線部５２と、を有している。第５層Ｌ５は、第３配線部５２を含む第３配線層である。

　第３絶縁樹脂部５１の外形は、略直方体状である。第３絶縁樹脂部５１の外形は、第５層Ｌ５の外形と略一致する。第３絶縁樹脂部５１の材質は、第１絶縁樹脂部２１の材質と同じである。なお、第３絶縁樹脂部５１の第１負方向Ｘ２側に、第２部品外部端子４５が食い込んでいる。

　第３配線部５２は、第１主面１０Ａに交差する方向に延びる複数の第３柱状配線５２Ｂと、第１主面１０Ａに平行な方向に延びる複数の第３配線５２Ａと、を有している。第３柱状配線５２Ｂは、第３配線５２Ａに接続している。なお、図１において一部の第３柱状配線５２Ｂ及び一部の第３配線５２Ａにのみ符号を付している。

　第３配線部５２は、第２部品外部端子４５に接続している。第３配線部５２は、任意のパターンで、第３絶縁樹脂部５１の内部で延びている。第３配線部５２の材質は、第１配線部２２の材質と同じである。すなわち、第３配線部５２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　＜半導体パッケージの製造方法について＞
　半導体パッケージ１０の製造方法について説明する。なお、図２～図１１において、一部の部材にのみ符号を付している場合がある。

　図２に示すように、まず、板状のベース基板ＢＬを準備する。ベース基板ＢＬの材質は、シリコンである。以下では、ベース基板ＢＬの主面が第１軸Ｘに直交しているものとして説明する。第１負方向Ｘ２を向いて視たとき、ベース基板ＢＬは、例えば、長方形状となっている。ベース基板ＢＬの各辺の寸法は、半導体パッケージ１０が複数個収容される寸法である。次に、ベース基板ＢＬの第１正方向Ｘ１側、すなわち上面全体に第１リリース層ＲＬ１を塗布する。第１リリース層ＲＬ１は、例えば、赤外線硬化型樹脂製のテープ、アクリル樹脂系の接着剤、ポリイミド系の接着剤等の接着機能を有するシート状の部材である。

　次に、図３に示すように、第１リリース層ＲＬ１上に、第１電子部品１２を配置する。具体的には、第１電子部品１２における接続端子１３が、第１リリース層ＲＬ１と向かい合うようにして、第１電子部品１２を配置する。

　次に、図４に示すように、第１封止部１１を形成する。具体的には、まず、各第１電子部品１２及び第１リリース層ＲＬ１の第１正方向Ｘ１側から、ＣＶＤ法等の公知の技術により、絶縁体を形成する。絶縁体の材質は、ＴＥＯＳである。次に、当該絶縁体に対してボッシュ法等の公知の技術により、第１貫通孔ＰＯ１を形成する。第１貫通孔ＰＯ１は、第１負方向Ｘ２を視たときに、第１電子部品１２の内部側端子１３Ａと重なる位置に形成される。

　次に、図５に示すように、第１貫通孔ＰＯ１に対して第１ビア配線１４を形成する。第１ビア配線１４は、ビアフィル法などの公知の技術により形成される。なお、図示は省略するが、第１ビア配線１４を形成する過程で、Ｃｕからなるシード層が形成される。

　次に、図６に示すように、第１封止部１１に対して第１正方向Ｘ１側に第２絶縁樹脂部３１、第２配線部３２、及び第２配線外部端子３３を形成する。第２絶縁樹脂部３１は、フォトリソグラフィによって形成される。第２配線部３２及び第２配線外部端子３３は、セミアディティブ法などの公知の技術により形成される。なお、当該工程において、第２配線外部端子３３に対して無電解めっき、又は電解めっき等の公知の方法で表面処理を施してもよい。

　次に、図７に示すように、第２電子部品４２を実装する。具体的には、第２配線外部端子３３上に、第２電子部品４２が有する端子をはんだで接続する。接続後のはんだは、接続部４７となる。また、第２絶縁樹脂部３１と、第２電子部品４２との間にエポキシ樹脂を充填する。これにより、アンダーフィル４６が形成される。

　次に、第２封止部４１を形成する。具体的には、第２電子部品４２及び第２絶縁樹脂部３１の第１正方向Ｘ１側から、絶縁体をラミネートする。絶縁体の材質は、無機フィラーを含む有機樹脂である。次に、当該絶縁体に対して第１正方向Ｘ１側からレーザーを照射する。具体的には、第２電子部品４２に接続していない、第２配線外部端子３３の第１正方向Ｘ１側の部分であって、第２ビア配線４４を形成する部分の絶縁体にレーザーを照射する。これにより、絶縁体が加工され、第２貫通孔ＰＯ２が形成される。

　次に、図８に示すように、第２貫通孔ＰＯ２に対して第２ビア配線４４を形成する。第２ビア配線４４は、ビアフィル法などの公知の技術により形成される。なお、図示は省略するが、第２ビア配線４４を形成する過程で、Ｃｕからなるシード層が形成される。そして、第２封止部４１及び第２ビア配線４４の第１正方向Ｘ１側の一部を研磨して所望のサイズとする。

　次に、図９に示すように、第３絶縁樹脂部５１、第３配線部５２、及び第２部品外部端子４５を形成する。第３絶縁樹脂部５１は、フォトリソグラフィによって形成される。第３配線部５２及び第２部品外部端子４５は、セミアディティブ法などの公知の技術により形成される。次に、第１リリース層ＲＬ１を切削により除去する。さらに、第３絶縁樹脂部５１に対して第１正方向Ｘ１側に第２リリース層ＲＬ２を形成する。第２リリース層ＲＬ２は、第３絶縁樹脂部５１の全体を覆うように形成される。第２リリース層ＲＬ２の材質は、第１リリース層ＲＬ１の材質と同じである。

　次に、図１０に示すように、第１封止部１１に対して第１負方向Ｘ２側に第１絶縁樹脂部２１、第１配線部２２、及び第１配線外部端子２３を形成する。第１絶縁樹脂部２１は、フォトリソグラフィによって形成される。第１配線部２２及び第１配線外部端子２３の一部は、セミアディティブ法などの公知の技術により形成される。また、形成した第１配線外部端子２３の一部に対して無電解めっき、又は電解めっき等の公知の方法でＮｉを主成分とする層と、Ａｕを主成分とする層を形成する。これにより第１配線外部端子２３が形成される。

　次に、図１１に示すように、所望の半導体パッケージ１０のサイズとなるように、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。そして、第２リリース層ＲＬ２を切削により除去する。

　＜第１実施形態の効果について＞
　（１－１）上記第１実施形態によれば、半導体パッケージ１０は、能動部品１２Ａ及び受動部品１２Ｂを有している。これら能動部品１２Ａ及び受動部品１２Ｂは、半導体パッケージ１０を形成する過程において実装される。すなわち、上記構成によれば、能動部品１２Ａ及び受動部品１２Ｂは、予め良品と判定されたもののみを採用できる。そのため、半導体パッケージ１０全体を形成した後に、これらの能動部品１２Ａ及び受動部品１２Ｂに対して、正常に動作するか否かに関する試験を、必ずしも行う必要がない。このような構成によれば、半導体パッケージ１０における良品率を高めることができる。

　（１－２）上記第１実施形態では、第１配線層である第２層Ｌ２は、第１部品層である第１層Ｌ１の第２主面１０Ｂに積層されている。第２層Ｌ２が第１層Ｌ１に積層されることにより、第１層Ｌ１の第２主面１０Ｂが第２層Ｌ２に覆われる。この構成によれば、第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１に含まれる能動部品１２Ａ及び受動部品１２Ｂに対して作用する外部からの衝撃を和らげることができる。

　また、上記第１実施形態では、第２配線層である第３層Ｌ３は、第１部品層である第１層Ｌ１の第１主面１０Ａに積層されている。この構成によれば、能動部品１２Ａ及び受動部品１２Ｂに対して、衝撃が作用することをさらに抑制できる。

　（１－３）上記第１実施形態では、第１ビア配線１４の第１端は第１電子部品１２に接続している。また、第１ビア配線１４の第２端は、第１配線層内の第１配線部２２に接続している。すなわち、第１ビア配線１４は、第１電子部品１２と第１配線部２２とを接続している。この構成によれば、第１ビア配線１４により、第１電子部品１２に対して、第１主面１０Ａに直交する方向から直接電流を流すことができる。換言すると、第１層Ｌ１内部において、第１主面１０Ａに平行に延びる配線及び第１主面１０Ａに交差する方向に延びるビア等の構成を必要とせず、第１電子部品１２と第１配線部２２とを接続できる。

　（１－４）上記第１実施形態では、第１電子部品１２の接続端子１３の外表面におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。また、第１配線部２２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。上記第１実施形態において第１配線部２２と接続端子１３とを接続する第１ビア配線１４の材質は、第１配線部２２の材質と同じで、Ｃｕを５０ｖｏｌ％以上含んでいる。すなわち、接続端子１３と第１ビア配線１４との界面の材質が同様であることから、これら接続端子１３と第１ビア配線１４とが一体化しやすい。したがって、接続端子１３と第１ビア配線１４との接続強度を向上できる。同様に、第１配線部２２と第１ビア配線１４との界面の材質が同様であることから、第１配線部２２と第１ビア配線１４との接続強度を向上できる。したがって、第１電子部品１２と第１配線部２２との電気的接続が保たれやすい。

　（１－５）上記第１実施形態において、受動部品１２Ｂは、無機材料を含んでいる。当該受動部品１２Ｂにおける無機材料の体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。また、受動部品１２Ｂの周面を覆う第１封止部１１は、無機材料を含んでいる。すなわち、この構成によれば、受動部品１２Ｂの熱膨張係数と第１封止部１１の熱膨張係数との差が極端に異なるといったことはない。このような熱膨張係数の関係であれば、温度変化に伴うこれらの部材の変形量が大きく乖離しないので、熱変形に伴う第１層Ｌ１における反りを抑制できる。

　（１－６）上記第１実施形態において、受動部品１２Ｂの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は、能動部品１２Ａの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法より大きい。すなわち、受動部品１２Ｂの厚さ寸法は相応に大きい。そのため、例えば、受動部品１２Ｂをインダクタとした場合、所望のインダクタンスを得るような設計が実現しやすい。また、受動部品１２Ｂがコンデンサである場合も、所望のキャパシタンスを得るような設計が実現しやすい。

　（１－７）上記第１実施形態では、第１電子部品１２の能動部品１２Ａにおける接続端子１３の突出量は、内部側端子１３Ａの突出量よりも大きくなっている。接続端子１３の突出量が大きいことにより、半導体パッケージ１０の製造工程において、能動部品１２Ａを配置する際の位置決めとして接続端子１３を利用可能である。また、接続端子１３により、第１層Ｌ１の第１負方向Ｘ２を向く面の表面積が大きくなるため、第２層Ｌ２との密着性が向上する。また、内部側端子１３Ａの突出量が比較的に小さいことにより、能動部品１２Ａ自体の第１主面１０Ａに直交する方向の寸法が大きくなることを抑制できる。

　（第２実施形態）
　＜全体構成について＞
　以下、半導体パッケージの第２実施形態について説明する。

　図１２に示すように、第２実施形態の半導体パッケージ１０は、第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２を備えている。第１層Ｌ１は、第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂを有している。第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂについては、第１実施形態と同様である。また、第１軸Ｘ、第１正方向Ｘ１、第１負方向Ｘ２についても第１実施形態と同様の扱いとする。

　第１層Ｌ１は、第１部品層ＰＴ１と、２つの第１配線層ＬＮ１を備えている。第２実施形態では、第１部品層ＰＴ１とは別の層である各第１配線層ＬＮ１が、第１部品層ＰＴ１の内部に埋まっているような状態になっている。

　第１部品層ＰＴ１は、第１封止部２１と、複数の第１電子部品２２と、複数の第１ビア配線２４と、複数の第１部品外部端子２５と、を有している。
　第１封止部２１の外形は、略直方体状である。上述の２つの第１配線層ＬＮ１は、第１封止部２１の内部に位置している。すなわち、第１配線層ＬＮ１は、第１部品層ＰＴ１の一部分である第１封止部２１又は第１電子部品２２に対して第１主面１０Ａに直交する方向に隣接している。第１封止部２１の材質は、第１実施形態と同じである。すなわち、第１封止部２１は、無機材料を含んでいる。

　図１２に示す例では、第１層Ｌ１は、３つの第１電子部品２２を有している。３つの第１電子部品２２は、すべて能動部品である。すなわち、第１電子部品２２のうちの少なくとも１つは、能動部品である。

　各第１電子部品２２は、第１封止部２１の内部に位置している。具体的には、３つの第１電子部品２２は、それぞれ、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。また、各第１電子部品２２は、それぞれ、第１層Ｌ１内部において、第２主面１０Ｂ側に寄って位置している。具体的には、各第１電子部品２２における一方の主面は、第１層Ｌ１の第２主面１０Ｂと、概ね面一になっている。

　３つの第１電子部品２２のうちの２つは、それぞれ別の第１配線層ＬＮ１に隣接している。具体的には、２つの第１電子部品２２における第１正方向Ｘ１側の面には、それぞれ第１配線層ＬＮ１が積層されている。なお、各第１配線層ＬＮ１は、第１層Ｌ１内においては互いに電気的に接続していない。

　各第１電子部品２２は、接続端子２６を備えている。接続端子２６は、第１電子部品２２において当該第１電子部品２２の外部の配線等と接続するための外部端子としての機能を有する。図１２に示す例において、各第１電子部品２２は、複数の接続端子２６を有している。各接続端子２６は、第１負方向Ｘ２側に向けて露出している。また、各接続端子２６は、第１封止部２１における第２主面１０Ｂ側において第１封止部２１から露出している。なお、各接続端子２６は、第１封止部２１から突出している。各接続端子２６の外表面において、Ｃｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。なお、第２実施形態における接続端子２６の材質は、第１実施形態と同様である。

　各第１配線層ＬＮ１は、第１配線部１２と第１絶縁樹脂部１１とを有している。なお、図１２では、第１配線層ＬＮ１内部の第１配線部１２及び第１絶縁樹脂部１１の図示を省略している。第１配線部１２及び第１絶縁樹脂部１１については、第１実施形態と同様の構成である。すなわち、各第１絶縁樹脂部１１の外形は、略直方体状である。ただし、各第１絶縁樹脂部１１における第１主面１０Ａに平行な方向の寸法は、第１層Ｌ１における第１主面１０Ａに平行な方向の寸法よりも小さい。また、各第１絶縁樹脂部１１における第１主面１０Ａに直交する方向の寸法は、第１層Ｌ１における第１主面１０Ａに直交する方向の寸法よりも小さい。各第１絶縁樹脂部１１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。

　各第１配線部１２は、任意のパターンで、各第１絶縁樹脂部１１の内部で延びている。各第１配線部１２の材質は、第１実施形態の第１配線部１２の材質と同じである。すなわち、第１配線部１２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　第１配線層ＬＮ１に隣接する２つの第１電子部品２２は、貫通配線２３を備えている。すなわち、能動部品から選ばれる１以上は、貫通配線２３を備えている。当該能動部品は、それぞれ、２つの貫通配線２３を備えている。各貫通配線２３は、略円柱状である。各貫通配線２３は、当該能動部品を第１主面１０Ａに直交する方向に貫通している。各貫通配線２３における第１正方向Ｘ１側の端は、第１配線層ＬＮ１の第１配線部１２に接続している。また、各貫通配線２３における第１負方向Ｘ２側の端は、接続端子２６に接続している。

　図１２に示す断面上では、第１部品層ＰＴ１は、４つの第１ビア配線２４を有している。各第１ビア配線２４は、略円柱状である。各第１ビア配線２４における径は、各貫通配線２３における径よりも大きい。換言すると、貫通配線２３の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、第１ビア配線２４の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法よりも小さい。各第１ビア配線２４は、第１封止部２１の内部で第１主面１０Ａに交差する方向に延びている。第２実施形態では、各第１ビア配線２４は、第１主面１０Ａに直交する方向に延びている。

　４つの第１ビア配線２４のうちの２つは、第１配線層ＬＮ１から延びている。すなわち、当該第１ビア配線２４の第１負方向Ｘ２側の第１端は、第１配線層ＬＮ１の第１配線部１２に接続している。また、当該第１ビア配線２４の第１正方向Ｘ１側の第２端は、第１主面１０Ａ側において第１封止部２１から露出している。

　また、残りの２つの第１ビア配線２４における第１負方向Ｘ２側の第１端は、第２主面１０Ｂ側において、第１封止部２１から露出している。また、当該２つの第１ビア配線２４における第１正方向Ｘ１側の第２端は、第１主面１０Ａ側において第１封止部２１から露出している。すなわち、第２実施形態における４つの第１ビア配線２４の端部は、第１主面１０Ａ側において、第１封止部２１から露出している。

　第１ビア配線２４は、Ｃｕ成分を含んでいる。第１ビア配線２４におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。第２実施形態では、第１実施形態と同様に、第１ビア配線２４におけるＣｕの体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である。

　図１２に示す断面上では、第１層Ｌ１は、１０個の第１部品外部端子２５を有している。なお、第１層Ｌ１は、図１２の断面で図示されていないその他の第１部品外部端子２５を有していることもある。このうちの２つの第１部品外部端子２５は、第１封止部２１の第１負方向Ｘ２側から突出している。当該第１部品外部端子２５は、それぞれ、第２主面１０Ｂ側において第１封止部２１から露出する第１ビア配線２４の第１端に接続している。これらの１０個の第１部品外部端子２５の材質は、接続端子２６の材質と同じである。

　また、図１２に示す断面上の第１部品外部端子２５のうちの残りの８つの第１部品外部端子２５は、第１封止部２１の第１正方向Ｘ１側において露出している。当該８つの第１部品外部端子２５の周面は、第１封止部２１に覆われている。また、このうちの４つの第１部品外部端子２５は、第１ビア配線２４の第１正方向Ｘ１側の端に接続している。残りの４つの第１部品外部端子２５は、第１配線層ＬＮ１に対して第１正方向Ｘ１側に直接積層されている。当該第１部品外部端子２５は、第１配線層ＬＮ１における第１配線部１２と電気的に接続している。これら８つの第１部品外部端子２５の材質は、第１配線部１２の材質と同じである。なお、図１２において、一部の第１部品外部端子２５にのみ符号を付している。

　第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の第１正方向Ｘ１側に直接積層されている。第２層Ｌ２は、第２部品層ＰＴ２と４つの第２配線層ＬＮ２と、を備えている。上述の第１層Ｌ１と同様に、第２層Ｌ２においても、第２部品層ＰＴ２とは別の層である第２配線層ＬＮ２が、第２部品層ＰＴ２の内部に埋まっているような状態になっている。

　第２部品層ＰＴ２は、第２封止部４１と、複数の第２電子部品４２と、複数の第２部品外部端子４３と、を有している。
　第２封止部４１の外形は、略直方体状である。上述の４つの第２配線層ＬＮ２は、第２封止部４１の内部に位置している。すなわち、第２配線層ＬＮ２は、第２部品層ＰＴ２の一部である第２封止部４１又は第２電子部品４２に対して第１主面１０Ａに直交する方向に隣接している。第２封止部４１の材質は、第１封止部２１の材質と同じである。すなわち、第２封止部４１は、無機材料を含んでいる。

　図１２に示す例では、第２層Ｌ２は、５つの第２電子部品４２を有している。５つの第２電子部品４２のうちの４つは、能動部品４２Ａである。残りの１つの第２電子部品４２は、受動部品４２Ｂである。すなわち、第２電子部品４２のうちの少なくとも１つは、能動部品４２Ａである。第２電子部品４２のうちの少なくとも１つは、受動部品４２Ｂである。

　４つの能動部品４２Ａのうちの２つは、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。そして、これら２つの能動部品４２Ａの第１負方向Ｘ２側の面には、それぞれ第２配線層ＬＮ２が積層されている。さらに、２つの能動部品４２Ａの第１正方向Ｘ１側の面には、第２配線層ＬＮ２及び別の能動部品４２Ａが積層されている。したがって、これらは、第１正方向Ｘ１側に向かって、第２配線層ＬＮ２、能動部品４２Ａ、第２配線層ＬＮ２、及び能動部品４２Ａの順に積層された合計４つの要素からなる積層物となっている。そして、当該積層物が、第１主面１０Ａに平行な方向に２組並んでいる。また、隣接する第２配線層ＬＮ２と能動部品４２Ａとは、互いに電気的に接続している。なお、各第２配線層ＬＮ２は、第２層Ｌ２内においては互いに電気的に接続していない。

　ここで、第１軸Ｘに沿う方向に積層された１組の積層物における２つの能動部品４２Ａを、それぞれ、第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２と呼称する。第１能動部品４２Ａ１は、第２能動部品４２Ａ２に対して第１負方向Ｘ２側に位置している。第１能動部品４２Ａ１と第２能動部品４２Ａ２とは、第１主面１０Ａに直交する方向において、第１部品層ＰＴ１に対して積層されている。また、第１能動部品４２Ａ１と第１部品層ＰＴ１との間には、電子部品は存在しない。すなわち、第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２は、間に他の電子部品を介することなく第１主面１０Ａに直交する方向において、第１部品層ＰＴ１に対して積層されている。第１主面１０Ａに直交する方向における第１能動部品４２Ａ１の最大寸法は、第１主面１０Ａに直交する方向における第２能動部品４２Ａ２の最大寸法と同じである。各能動部品４２Ａの厚さ寸法は同じである。

　第２電子部品４２における受動部品４２Ｂは、能動部品４２Ａ及び第２配線層ＬＮ２が積層された２組の積層物に対して、第１主面１０Ａに平行な方向において並んで位置している。受動部品４２Ｂは、無機材料を含んでいる。当該受動部品４２Ｂにおける無機材料の体積分率は、８０ｖｏｌ％以上である。

　受動部品４２Ｂの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は、第１能動部品４２Ａ１の第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法と第２能動部品４２Ａ２の第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法を合計した値より大きくなっている。

　上述した各第２配線層ＬＮ２は、第２配線部３２と第２絶縁樹脂部３１とを有している。なお、図１２では、第２配線層ＬＮ２内部の第２配線部３２及び第２絶縁樹脂部３１の図示を省略している。第２配線部３２及び第２絶縁樹脂部３１については、上記第１配線層ＬＮ１と同様の構成である。すなわち、各第２絶縁樹脂部３１の外形は、略直方体状である。ただし、第２配線層ＬＮ２が第２部品層ＰＴ２内に埋まったような状態になっていることから、各第２絶縁樹脂部３１における第１主面１０Ａに平行な方向の寸法は、第２層Ｌ２における第１主面１０Ａに平行な方向の寸法よりも小さい。また、各第２絶縁樹脂部３１における第１主面１０Ａに直交する方向の寸法は、第２層Ｌ２における第１主面１０Ａに直交する方向の寸法よりも小さい。各第２絶縁樹脂部３１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。

　各第２配線部３２は、任意のパターンで、各第２絶縁樹脂部３１の内部で延びている。各第２配線部３２の材質は、第２配線部３２の材質と同じである。すなわち、第２配線部３２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　図１２に示す断面上では、第２層Ｌ２は、８つの第２部品外部端子４３を有している。なお、第２層Ｌ２は、図１２の断面で図示されていないその他の第２部品外部端子４３を有していることもある。図１２に示す断面上の第２部品外部端子４３のうちの７つの第２部品外部端子４３は、第２配線層ＬＮ２に対して第１負方向Ｘ２側に直接積層されている。これら７つの第２部品外部端子４３は、第２配線層ＬＮ２に対して電気的に接続している。また、図１２に示す断面上の第２部品外部端子４３のうちの残りの１つの第２部品外部端子４３は、第２電子部品４２の受動部品４２Ｂの第１負方向Ｘ２側に直接積層されている。

　図１２に示す断面上の８つの第２部品外部端子４３の周面は、第２封止部４１に覆われている。また、８つの第２部品外部端子４３は、第２封止部４１の第１負方向Ｘ２側において露出している。すなわち、各第２部品外部端子４３は、第２封止部４１における第１部品層ＰＴ１側の面から露出している。

　また、上述したように、図１２に示す断面上における第１部品外部端子２５のうちの８つは、第１封止部２１の第１正方向Ｘ１側において露出している。すなわち、第１部品外部端子２５は、第１封止部２１における第２部品層ＰＴ２側の面から露出している。第１部品外部端子２５は、間に他の部材を介することなく、第２部品外部端子４３に接続している。また、同様に、第１正方向Ｘ１を向く第１封止部２１は、間に他の部材を介することなく、第１負方向Ｘ２を向く第２封止部４１に接触している。

　第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２が有する各部材は、無機材料を含んでいる。第２実施形態において、半導体パッケージ１０全体において、ほとんどが無機材料である。具体的には、半導体パッケージ１０全体での無機材料の体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である。

　＜第２実施形態の効果＞
　（２－１）上記第２実施形態によれば、第１部品層ＰＴ１は、第１電子部品２２を有している。第１電子部品２２は、半導体パッケージ１０を形成する過程において実装される。すなわち、上記構成によれば、第１電子部品２２は、予め良品と判定されたもののみを採用できる。そのため、半導体パッケージ１０全体を形成した後に、これらの第１電子部品２２に対して、正常に動作するか否かに関する試験を、必ずしも行う必要がない。このような構成によれば、半導体パッケージ１０における良品率を高めることができる。

　（２－２）第２実施形態において、第１電子部品２２から選ばれる１以上は、貫通配線２３を備えている。貫通配線２３は、第１配線部１２に接続している。この構成によれば、貫通配線２３により、第１電子部品２２内部において第１主面１０Ａに直交する方向に電流を流すことができる。すなわち、この構成によれば、第１電子部品２２を介して第１配線部１２に電流を流すことができるため、第１電子部品２２を避けて配線パターンを設計する必要がなく、配線パターンが複雑になることを抑制できる。

　（２－３）第２実施形態において、各貫通配線２３の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、各第１ビア配線２４の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法よりも小さい。この構成によれば、第１ビア配線２４には貫通配線２３よりも大きな電流を流すことができる。すなわち、第１ビア配線２４における第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法と貫通配線２３における第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法とが同じ場合と比較して、第１部品層ＰＴ１に対して大きな電流を付与できる。

　（２－４）第２実施形態において、受動部品４２Ｂにおける無機材料の体積分率は、８０ｖｏｌ％以上である。また、半導体パッケージ１０全体での無機材料の体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である。この構成によれば、半導体パッケージ１０全体において、熱膨張係数の均一化が図れる。そのため、半導体パッケージ１０において、局所的な熱変形が生じることを抑制できる。

　（２－５）第２実施形態において、第１部品外部端子２５は、間に他の部材を介することなく、第２部品外部端子４３に接続している。つまり、第２部品層ＰＴ２は、ビア等の他の配線を介さずに第１部品層ＰＴ１に接続している。そのため、第１部品層ＰＴ１から第２部品層ＰＴ２に電流を流したときに、これらの部材の界面で直流抵抗が大きくなることを抑制できる。

　（２－６）第２実施形態において、受動部品４２Ｂの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は、第１能動部品４２Ａ１の第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法と第２能動部品４２Ａ２の第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法を合計した値より大きい。この構成によれば、例えば、受動部品４２Ｂがインダクタである場合、コアの容量を確保できる。そのため、取得できるインダクタンスを大きくできる。なお、この構成によれば、受動部品としてコンデンサを採用した場合も、キャパシタンスを大きくし得る。

　＜変更例＞
　上記第１実施形態及び第２実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記第１実施形態、第２実施形態、及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。なお、以下図１３～図１５に示す変更例では、第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成を有する箇所について、説明を省略又は簡略化することがある。なお、図１３～図１５において第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成の箇所については、符号の一部を省略して図示している場合がある。

　・第２実施形態において、さらに、第１部品層ＰＴ１に対して配線層が積層されていてもよい。例えば、図１３に示す例では、半導体パッケージ１０は、第３層Ｌ３を備えている。第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１に対して第１負方向Ｘ２側に積層されている。換言すると、第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１の第２主面１０Ｂに、直接積層されている。したがって、第３層Ｌ３は、第１部品層ＰＴ１に対して第１主面１０Ａに直交する方向に隣接している。

　第３層Ｌ３は、第３絶縁樹脂部５１と、第３配線部５２と、複数の第３配線外部端子５３と、を有している。したがって、第３層Ｌ３は、第３配線部５２を含む第３配線層ＬＮ３である。なお、第３配線層ＬＮ３は、第１実施形態の第２配線層と同様の構成である。

　第３絶縁樹脂部５１の外形は、略直方体状である。第３絶縁樹脂部５１の材質は、有機樹脂のみである。なお、第３絶縁樹脂部５１は、第１封止部２１から突出した第１部品外部端子２５、及び接続端子２６の周面を覆っている。

　第３配線部５２は、第１部品外部端子２５または接続端子２６に接続している。第３配線部５２は、任意のパターンで、第３絶縁樹脂部５１の内部で延びている。第３配線部５２の材質は、第１配線部１２の材質と同じである。すなわち、第３配線部５２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　複数の第３配線外部端子５３は、第３絶縁樹脂部５１から突出している。具体的には、複数の第３配線外部端子５３は、第３絶縁樹脂部５１の第１負方向Ｘ２側から露出している。各第３配線外部端子５３の材質は、第１正方向Ｘ１側からＣｕを主成分とする層、Ｎｉを主成分とする層、及びＡｕを主成分とする層の３層構造になっている。

　仮に、第３絶縁樹脂部５１が無機材料のみで構成されている場合、半導体パッケージ１０の製造環境において、高いクリーン度が求められる。図１３に示す例では、第３絶縁樹脂部５１の材質は、有機樹脂のみである。したがって、図１３に示す例では、第３絶縁樹脂部５１が無機材料のみで構成される場合と比較して、製造環境におけるクリーン度の高さがそれほど求められず、製造にかかるコストが大きくなることを抑制できる。なお、第３絶縁樹脂部５１が有機樹脂のみで構成される場合に限らず、無機フィラーを含む有機樹脂であっても同様の効果を奏する。

　・第２実施形態において、半導体パッケージ１０は、さらに、マザー基板に接続するための部材を備えていてもよい。図１３に示す例では、半導体パッケージ１０は、ランド部５４を備えている。ランド部５４は、はんだ等の導電性材料である。ランド部５４は、一部の第３配線外部端子５３に塗布されている。ランド部５４は、当該第３配線外部端子５３の第１負方向Ｘ２側の面を覆っている。すなわち、ランド部５４は、第３配線層ＬＮ３の第１主面１０Ａに直交する方向において、第１部品層ＰＴ１と反対側を向く面に位置する第３配線外部端子５３上に位置している。ランド部５４は、第３配線層ＬＮ３に実装されるマザー基板を接続するための部材である。

　この構成によれば、ランド部５４の存在により、第３配線部５２の配線パターンを任意のパターンに設計できる。換言すると、第３配線部５２の配線パターンは、マザー基板と第１部品層ＰＴ１における第１電子部品２２との接続を鑑みて好適なパターンに設計可能である。

　・第２実施形態において、第１部品層ＰＴ１に積層される能動部品４２Ａの大きさは、全て同じでなくてもよい。図１３に示す例において、第２部品層ＰＴ２が有する能動部品４２Ａのうち、最も第１正方向Ｘ１側に位置する２つの能動部品４２Ａの第１正方向Ｘ１の面は、第２封止部４１から露出している。ここで、図１３に示す例における当該２つの能動部品４２Ａを、それぞれ、第１能動部品４２Ａ１、第２能動部品４２Ａ２と呼称する。第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２は、第１主面１０Ａに直交する方向において第１部品層ＰＴ１に対して積層されている。なお、図１３に示す例では、第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２は、第２配線層ＬＮ２及び他の能動部品４２Ａを介して第１部品層ＰＴ１に積層されている。第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２は、第１主面１０Ａに平行な方向において、他の電子部品を介することなく並んでいる。

　また、図１３に示す例において、半導体パッケージ１０は、第３能動部品４２Ａ３と、第４配線層ＬＮ４と、を備えている。第４配線層ＬＮ４の構成は、第２実施形態の第２配線層ＬＮ２の構成と同様である。すなわち、第４配線層ＬＮ４は、第４絶縁樹脂部６１と、第４配線部６２とを有している。第４配線部６２は、第４絶縁樹脂部６１の内部で任意のパターンで延びている。

　図１３に示す例では、第４配線層ＬＮ４及び第３能動部品４２Ａ３は、第１主面１０Ａに直交する方向において第１部品層ＰＴ１に対して積層されている。具体的には、第３能動部品４２Ａ３は、第１主面１０Ａに直交する方向において、第４配線層ＬＮ４を介して第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２に対して積層されている。なお、第３能動部品４２Ａ３と、第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２との間に他の電子部品は介されていない。第１主面１０Ａに直交する方向から透視したとき、第３能動部品４２Ａ３及び第４配線層ＬＮ４は、第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２に重なっている。この構成によれば、第１能動部品４２Ａ１及び第２能動部品４２Ａ２を介して、第３能動部品４２Ａ３に電力が供給される。すなわち、半導体パッケージ１０は、高集積化した能動部品４２Ａを含んでいる。

　・第２実施形態において、第１部品層ＰＴ１に対して第１正方向Ｘ１に配線層が積層されていてもよい。また、第１部品層ＰＴ１に対して複数の配線層が積層されていてもよい。

　図１４に示す例では、第２実施形態における第２層Ｌ２は、第２配線層ＬＮ２のみで構成されている。また、図１４に示す例では、半導体パッケージ１０は、第２層Ｌ２に対して第１正方向Ｘ１に積層される第４層Ｌ４を備えている。第４層Ｌ４は、第４配線層ＬＮ４のみで構成されている。なお、図１４に示す例において、半導体パッケージ１０は、図１３に示す例と同様の第３配線層ＬＮ３を備えている。

　第２配線層ＬＮ２は、第２絶縁樹脂部３１と、第２配線部３２と、複数の第２配線外部端子３３と、を有している。
　第２絶縁樹脂部３１の外形は、略直方体状である。第２絶縁樹脂部３１の材質は、無機フィラーを含む有機樹脂である。第２配線部３２は、第１主面１０Ａに交差する方向に延びる複数の第２柱状配線３２Ｂと、第１主面１０Ａに平行な方向に延びる複数の第２配線３２Ａと、を有している。各第２配線３２Ａは、各第２柱状配線３２Ｂに接続している。各第２柱状配線３２Ｂは、略円錐台状である。各第２柱状配線３２Ｂは、第１正方向Ｘ１に向かうほど、径が小さくなっている。すなわち、各第２柱状配線３２Ｂは、第４配線層ＬＮ４に向かうほど、第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法が小さくなっている。

　第２配線部３２は、任意のパターンで、第２絶縁樹脂部３１の内部で延びている。第２配線部３２の材質は、第１配線部１２の材質と同じである。すなわち、第２配線部３２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　図１４に示す断面上では、第２配線層ＬＮ２は、２１個の第２配線外部端子３３を有している。各第２配線外部端子３３の材質は、第２配線部３２の材質と同じである。このうちの１０個の第２配線外部端子３３は、第２配線部３２に対して第１負方向Ｘ２側に位置している。当該１０個の第２配線外部端子３３の周面は、第２絶縁樹脂部３１に覆われている。当該１０個の第２配線外部端子３３は、第２絶縁樹脂部３１の第１負方向Ｘ２側において露出している。これら１０個の第２配線外部端子３３は、間に他の部材を介することなく、第１部品外部端子２５に接続している。

　残りの１１個の第２配線外部端子３３は、第２配線部３２に対して第１正方向Ｘ１側に位置している。当該１１個の第２配線外部端子３３は、第２絶縁樹脂部３１の第１負方向Ｘ２側において露出している。具体的には、当該１１個の第２配線外部端子３３は、第２絶縁樹脂部３１に対して第１正方向Ｘ１に突出している。すなわち、第２配線外部端子３３は、第２絶縁樹脂部３１における第４配線層ＬＮ４側の面から突出している。これら１１個の第２配線外部端子３３の周面は他の部材に覆われていない。

　図１４に示す例では、上述したように第４層Ｌ４は、第４配線層ＬＮ４のみで構成されている。第４配線層ＬＮ４は、第４絶縁樹脂部６１と、第４配線部６２と、複数の第４配線外部端子６３と、を有している。

　第４絶縁樹脂部６１の外形は、略直方体状である。第４絶縁樹脂部６１の材質は、無機フィラーを含む有機樹脂である。第４配線部６２は、第１主面１０Ａに交差する方向に延びる複数の第４柱状配線６２Ｂと、第１主面１０Ａに平行な方向に延びる複数の第４配線６２Ａと、を有している。各第４配線６２Ａは、各第４柱状配線６２Ｂに接続している。各第４柱状配線６２Ｂは、略円錐台状である。各第４柱状配線６２Ｂは、第１負方向Ｘ２に向かうほど、径が小さくなっている。すなわち、各第４柱状配線６２Ｂは、第２配線層ＬＮ２に向かうほど、第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法が小さくなっている。

　図１４に示す断面上では、第４配線層ＬＮ４は、２０個の第４配線外部端子６３を有している。各第４配線外部端子６３の材質は、第４配線部６２の材質と同じである。このうちの９個の第４配線外部端子６３は、第４配線部６２に対して第１正方向Ｘ１側に位置している。当該９個の第４配線外部端子６３の周面は、第２絶縁樹脂部３１に覆われている。当該９個の第４配線外部端子６３は、第４絶縁樹脂部６１の第１正方向Ｘ１側において露出している。

　残りの１１個の第４配線外部端子６３は、第４配線部６２に対して第１負方向Ｘ２側に位置している。当該１１個の第４配線外部端子６３は、第２絶縁樹脂部３１の第１負方向Ｘ２側において露出している。具体的には、当該１１個の第４配線外部端子６３は、第４絶縁樹脂部６１に対して第１負方向Ｘ２に突出している。すなわち、第４配線外部端子６３は、第４絶縁樹脂部６１における第２配線層ＬＮ２側の面から突出している。これら１１個の第４配線外部端子６３の周面は他の部材に覆われていない。当該第４配線外部端子６３は、第２配線外部端子３３に接続している。当該第４配線外部端子６３及び第２配線外部端子３３の周面は、他の部材に覆われていない。したがって、第２絶縁樹脂部３１と第４絶縁樹脂部６１との間に空隙が生じている。

　図１４に示す例では、第２絶縁樹脂部３１と第４絶縁樹脂部６１との間に空隙が生じている。この構成によれば、半導体パッケージ１０全体に対して曲げ応力が発生した場合でも、当該空隙により、応力を分散できる。すなわち、この構成によれば、半導体パッケージ１０に対して発生した曲げ応力によって半導体パッケージ１０にクラック等が発生することを抑制できる。

　また、図１４に示す例では、各第２柱状配線３２Ｂは、第４配線層ＬＮ４に向かうほど、第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法が小さくなっている。また、各第４柱状配線６２Ｂは、第２配線層ＬＮ２に向かうほど、第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法が小さくなっている。すなわち、第２柱状配線３２Ｂと第４柱状配線６２Ｂとの形状は第１軸Ｘに沿う方向に反転している。第２配線層ＬＮ２と第４配線層ＬＮ４とを同様の工程で製造した場合、第２柱状配線３２Ｂ及び第４柱状配線６２Ｂは、同様のテーパ形状になる。一方で、第２配線層ＬＮ２と第４配線層ＬＮ４とを形成した後に、互いに積層した場合、各柱状配線の形状が第２配線層ＬＮ２と第４配線層ＬＮ４とで反転できる。上記構成によれば、各配線層をそれぞれ並行して形成することも可能である。すなわち、各配線層を並行して形成することで、製造時間の短縮を図ることもできる。

　・第２実施形態において、第２部品層ＰＴ２は、隣接する層の全体を覆っていなくてもよい。図１４に示す例では、半導体パッケージ１０は、第４層Ｌ４の第１正方向Ｘ１側に積層される第５層Ｌ５を備えている。第５層Ｌ５は、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２とを有している。

　第１部分Ｐ１は、第２部品層ＰＴ２と、４つの第５配線層ＬＮ５と、ダミー部ＤＭと、を備えている。第１部分Ｐ１においても、第２部品層ＰＴ２とは別の層である第５配線層ＬＮ５が、第２部品層ＰＴ２の内部に埋まっているような状態になっている。

　第２部品層ＰＴ２は、第２封止部４１と、複数の第２電子部品４２と、を有している。第２封止部４１の外形は、略直方体状である。上述の４つの第５配線層ＬＮ５は、第２封止部４１の内部に位置している。すなわち、第５配線層ＬＮ５は、第２部品層ＰＴ２の一部である第２封止部４１又は第２電子部品４２に対して第１主面１０Ａに直交する方向に隣接している。第２封止部４１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。図１４に示す例では、無機フィラーは、シリカである。すなわち、第２封止部４１は、無機材料を含んでいる。

　図１４に示す例では、第２部品層ＰＴ２は、４つの第２電子部品４２を有している。第２電子部品４２は、全て能動部品４２Ａである。各能動部品４２Ａは、第２封止部４１の内部に位置している。

　４つの第２電子部品４２のうちの２つは、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。そして、これら２つの第２電子部品４２の第１負方向Ｘ２側の面には、それぞれ第５配線層ＬＮ５が積層されている。さらに、一方の能動部品４２Ａの第１正方向Ｘ１側の面には、第５配線層ＬＮ５、別の第２電子部品４２、第５配線層ＬＮ５、及び別の第２電子部品４２がこの順で積層された合計６つの要素からなる積層物となっている。当該積層物において、隣接する第５配線層ＬＮ５と第２電子部品４２とは、互いに電気的に接続している。なお、各第５配線層ＬＮ５は、第１部分Ｐ１内においては互いに電気的に接続していない。

　この積層物に含まれる３つの第２電子部品４２のうちの２つは、４つの貫通配線４４を備えている。具体的には、積層された３つの第２電子部品４２のうちの第１負方向Ｘ２側から２つの第２電子部品４２が、４つの貫通配線４４を備えている。４つの貫通配線４４は、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。各貫通配線４４は、当該第２電子部品４２を第１主面１０Ａに直交する方向に貫通している。また、各貫通配線４４は、当該第２電子部品４２の第１正方向Ｘ１側に積層された第５配線層ＬＮ５層についても第１主面１０Ａに直交する方向に貫通している。そして、各第２電子部品４２の貫通配線４４同士は互いに接続している。すなわち、積層物において、各貫通配線４４は、最も第１負方向Ｘ２側に位置する第５配線層ＬＮ５から最も第１正方向Ｘ１側に位置する第２電子部品４２を電気的に接続している。

　図１４に示す例において、４つの第２電子部品４２のうちの積層されていない残りの１つの第２電子部品４２の第１正方向Ｘ１側には、ダミー部ＤＭが位置している。ダミー部ＤＭは、当該第２電子部品４２の第１正方向Ｘ１側の面の全体を直接覆っている。ダミー部ＤＭは、熱伝導性を有する合成樹脂である。ダミー部ＤＭは、当該第２電子部品４２の熱を効率的に吸収し、外部に放熱することができる。

　各第５配線層ＬＮ５は、第５配線部７２と第５絶縁樹脂部７１とを有している。なお、図１４では、第５配線層ＬＮ５内部の第５配線部７２及び第５絶縁樹脂部７１の図示を省略している。第５配線部７２及び第５絶縁樹脂部７１については、第１配線層ＬＮ１と同様の構成である。すなわち、各第５絶縁樹脂部７１の外形は、略直方体状である。ただし、各第５絶縁樹脂部７１における第１主面１０Ａに平行な方向の寸法は、第１部分Ｐ１における第１主面１０Ａに平行な方向の寸法よりも小さい。また、各第５絶縁樹脂部７１における第１主面１０Ａに直交する方向の寸法は、第１部分Ｐ１における第１主面１０Ａに直交する方向の寸法よりも小さい。各第５絶縁樹脂部７１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。

　各第５配線部７２は、任意のパターンで、各第５絶縁樹脂部７１の内部で延びている。各第５配線部７２の材質は、第１配線部１２の材質と同じである。すなわち、第５配線部７２におけるＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である。

　第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１に対して第１主面１０Ａに平行な方向に離れて位置している。第２部分Ｐ２は、第３部品層ＰＴ３のみで構成されている。第３部品層ＰＴ３は、第３封止部８１と、複数の第３電子部品８２と、を有している。

　第３封止部８１の外形は、略直方体状である。第３封止部８１の材質は、無機フィラーを含む合成樹脂である。ただし、第３封止部８１では、第２封止部４１とは異なる無機フィラーを含んでいる。第３封止部８１は、Ｆｅ元素を含む磁性金属フィラーを含んでいる。すなわち、第２封止部４１の材質は、第３封止部８１の材質が異なっている。なお、「材質が異なる」とは、第２封止部４１と第３封止部８１とで組成物が違う場合はもちろん、含まれている無機フィラーの粒径が異なる場合を含む。

　図１４に示す例では、第３部品層ＰＴ３は、２つの第３電子部品８２を有している。各第３電子部品８２は、第３封止部８１の内部に位置している。第３電子部品８２は、全て受動部品である。２つの第３電子部品８２は、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。

　上述したように、第２部品層ＰＴ２及び第３部品層ＰＴ３は、第１主面１０Ａに直交する方向において、第４配線層ＬＮ４を介して第１部品層ＰＴ１に積層されている。また、第２部品層ＰＴ２及び第３部品層ＰＴ３は、第４配線層ＬＮ４上において、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。すなわち、第２部品層ＰＴ２、及び第３部品層ＰＴ３は、第１主面１０Ａに直交する方向において同じ箇所に位置している。

　図１４に示す例では、第２部品層ＰＴ２及び第３部品層ＰＴ３は、第１主面１０Ａに直交する方向において、同層に位置している。すなわち、第２部品層ＰＴ２及び第３部品層ＰＴ３は、同様のタイミングにおいて形成可能である。すなわち、この構成によれば、製造工程が複雑にならず、安価に高密度実装ができる。

　また、図１４に示す例では、第２封止部４１の材質と第３封止部８１の材質とが異なっている。第２封止部４１の材質は、能動部品に合わせて採用できる。また、第３封止部８１の材質は、受動部品に合わせて採用できる。すなわち、上記構成によれば、それぞれの電子部品に対して好適な材質を選定できる。特に、上述したように第３封止部８１においてＦｅ元素を含む磁性金属フィラーを採用することにより、受動部品のインダクタンスを向上できたり、ノイズ放出を抑制したり、放熱性を高めることができる。

　・図１４に示す例において、第２柱状配線３２Ｂの形状と第４柱状配線６２Ｂの形状とが同様であってもよい。すなわち、第２柱状配線３２Ｂ及び第４柱状配線６２Ｂのどちらもが、第１負方向Ｘ２に向かうほど径が小さくなっていてもよいし、第１正方向Ｘ１に向かうほど径が小さくなっていてもよい。

　・図１４に示す例において、第２封止部４１の材質と第３封止部８１の材質とが同じであってもよい。
　・図１４に示す例において、第１部分Ｐ１は、第５配線層ＬＮ５を有していなくてもよい。

　・図１４に示す例において、第１部分Ｐ１はダミー部ＤＭを有していなくてもよい。また、他の部品層がダミー部ＤＭを有していてもよい。この点、第１実施形態及び第２実施形態の部品層においても同様である。

　・図１４に示す例において、第２絶縁樹脂部３１と第４絶縁樹脂部６１との間の空隙が生じていなくてもよい。図１５に示す例では、第２配線外部端子３３の一部は、第２絶縁樹脂部３１における第４配線層ＬＮ４側の面から露出している。当該第２配線外部端子３３の周面は、第２絶縁樹脂部３１に覆われている。また、第４配線外部端子６３の一部は、第４絶縁樹脂部６１における第２配線層ＬＮ２側の面から露出している。当該第４配線外部端子６３の周面は、第４絶縁樹脂部６１に覆われている。第４配線外部端子６３は、第２配線外部端子３３に接続している。これら第４配線外部端子６３及び第２配線外部端子３３の周面は、それぞれ第２絶縁樹脂部３１及び第４絶縁樹脂部６１に覆われている。すなわち、第４配線外部端子６３及び第２配線外部端子３３の周面は、合成樹脂により覆われている。図１５に示す例では、第２絶縁樹脂部３１と第４絶縁樹脂部６１とが互いに接触している。

　図１５に示す例の構成によれば、第２配線層ＬＮ２と第４配線層ＬＮ４との接続は、各外部端子のみでなく、合成樹脂によっても接続する。そのため、第２配線層ＬＮ２と第４配線層ＬＮ４との密着力が向上する。

　・図１５に示す例において、第２配線外部端子３３及び第２配線外部端子３３の周面を覆う合成樹脂は、第２絶縁樹脂部３１及び第４絶縁樹脂部６１に限定されない。例えば、第２配線外部端子３３及び第２配線外部端子３３は、アンダーフィルなどの合成樹脂によって覆われていてもよい。

　・図１３に示す例において、第３能動部品４２Ａ３が、第１能動部品４２Ａ１、及び第２能動部品４２Ａ２に対して第１負方向Ｘ２側に位置していてもよい。例えば、図１５に示す例では、第３能動部品４２Ａ３は、第５配線層ＬＮ５を介して第４配線層ＬＮ４に積層されている。そして、第１能動部品４２Ａ１は、第５配線層ＬＮ５を介して第３能動部品４２Ａ３に対して第１正方向Ｘ１側に積層されている。また、第２能動部品４２Ａ２は、第５配線層ＬＮ５を介して第３能動部品４２Ａ３に対して第１正方向Ｘ１側に積層されている。第１能動部品４２Ａ１と第２能動部品４２Ａ２とは、第１主面１０Ａに平行な方向に並んでいる。すなわち、図１５に示す例のように、１つの能動部品４２Ａに対して複数の能動部品４２Ａが第１主面１０Ａに平行な方向に並んで積層されていてもよい。

　・第２実施形態において、受動部品２２Ｂが貫通配線２７を備えていてもよい。図１５に示す例では、第１電子部品２２の少なくとも１つは、受動部品２２Ｂである。当該受動部品２２Ｂは、貫通配線２７を備えている。貫通配線２７は、第１主面１０Ａに直交する方向に受動部品２２Ｂを貫通している。貫通配線２７は、略円柱状である。当該貫通配線２７の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、第１ビア配線２４の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法よりも小さい。また、当該受動部品２２Ｂにおける貫通配線２７の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、能動部品２２Ａにおける貫通配線２３の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法よりも大きい。

　・図１５に示す例において、受動部品２２Ｂにおける貫通配線２７の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、第１ビア配線２４の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法と同じでもよいし、大きくてもよい。また、受動部品２２Ｂにおける貫通配線２７の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、能動部品２２Ａにおける貫通配線２３の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法と同じでもよいし、小さくてもよい。

　・第１実施形態において、第１電子部品１２の接続端子１３は、複数の層構造になっていてもよい。例えば、接続端子１３は、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｕ等を主成分とする層などを含んでいてもよい。ただし、上記（１－４）における効果を奏するためには、各接続端子１３の外表面において、Ｃｕの体積分率が５０ｖｏｌ％以上であると好適である。また、接続端子１３の外表面において、Ｃｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％未満であってもよい。

　・第１実施形態において、第１配線部２２のＣｕの体積分率は、５０ｖｏｌ％未満でもよい。また、第１配線部２２において、Ｃｕの代わりにＡｇ、Ａｌ、及びＡｕを採用してもよい。この点、各配線層の配線部においても同様である。また、第２実施形態における各配線層の配線部も同様である。

　・第１実施形態において、第１柱状配線２２Ｂの形状は、円錐台状に限定されない。例えば、円柱状でもよいし、角柱状でもよい。この点、他の柱状配線においても同様である。

　・第１実施形態において、第１部品層は、少なくとも１つの能動部品を有していればよい。また、半導体パッケージ１０は、少なくとも１つの受動部品と能動部品とを有していればよい。この点、第２実施形態も同様である。

　・第１実施形態において、第１部品層は、少なくとも１つの第１ビア配線１４を有していればよい。また、第１部品層が第１ビア配線１４を有して入れば、他の部品層は、ビア配線を有していなくてもよい。この点、第２実施形態の部品層においても同様である。

　・第１実施形態において、受動部品１２Ｂの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は、能動部品１２Ａの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法と同じでもよいし、小さくてもよい。

　・第１実施形態において、受動部品１２Ｂにおける無機材料の体積分率は、第１実施形態の例に限定されない。すなわち、受動部品１２Ｂにおける無機材料の体積分率は、５０ｖｏｌ％未満であってもよい。この点、他の受動部品においても同様である。また、第２実施形態における受動部品４２Ｂにおいても同様である。

　・第１実施形態において、接続端子１３の突出量は、内部側端子１３Ａの突出量より小さくてもよい。また、内部側端子１３Ａは、部品本体１２Ｍの第１正方向Ｘ１側の面よりも第１正方向Ｘ１に突出していてもよいし、第１負方向Ｘ２側に窪んでいてもよい。

　・第２実施形態において、貫通配線２３の第１正方向Ｘ１側の端は、第１ビア配線２４に接続していてもよい。すなわち、貫通配線２３は、第１配線部１２を介さずに、直接第１ビア配線２４に接続していてもよい。また、第１電子部品２２の第１正方向Ｘ１側が第１部品外部端子２５に面している場合、貫通配線２３の第１正方向Ｘ１側の端は、第１部品外部端子２５に接続していてもよい。また、第２実施形態において、第１電子部品２２は、貫通配線２３を有していなくてもよい。また、第２電子部品４２が貫通配線を有していてもよい。

　・第２実施形態において、貫通配線２３と第１ビア配線２４との寸法関係は、第２実施形態例に限定されない。貫通配線２３の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法は、第１ビア配線２４の第１主面１０Ａに平行な方向の最大寸法と同じでもよいし、大きくてもよい。

　・第２実施形態において、第１配線層ＬＮ１が、第１主面１０Ａに直交する方向において第１部品層ＰＴ１と隣接していれば、第１配線層ＬＮ１の位置は第２実施形態の例に限定されない。例えば、第１配線層ＬＮ１は、第１電子部品２２に対して第１負方向Ｘ２側に積層されていてもよい。

　・第２実施形態において、半導体パッケージ１０全体での無機材料の体積比率は、９０ｖｏｌ％未満であってもよい。
　・第２実施形態において、第２電子部品４２における能動部品４２Ａと受動部品４２Ｂとの寸法関係は、第２実施形態の例に限定されない。例えば、受動部品４２Ｂの第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法は、第１能動部品４２Ａ１の第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法と第２能動部品４２Ａ２の第１主面１０Ａに直交する方向の最大寸法を合計した値と同じでもよいし、小さくてもよい。

　・第２実施形態において、第１層Ｌ１と第２層Ｌ２との間に他の配線層が位置していてもよい。すなわち、第１部品外部端子２５と第２部品外部端子４３との間に他の部材が介していてもよい。

　＜付記＞
　上記実施形態及び変更例から導き出せる技術思想を以下に記載する。
　［１］受動部品及び能動部品を有する半導体パッケージであって、第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第１部品層と、前記第１部品層に対して前記第１主面に直交する方向に隣接する第１配線層と、を備え前記第１部品層は、無機材料を含む第１封止部と、前記第１封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、前記第１封止部の内部で前記第１主面に交差する方向に延び、端部が前記第１主面において前記第１封止部から露出する複数の第１ビア配線と、を有し、前記第１配線層は、第１絶縁樹脂部と、前記第１絶縁樹脂部の内部で延びる第１配線部と、を有し、前記能動部品の接続端子が、前記第１封止部における前記第２主面側において前記第１封止部から露出している半導体パッケージ。

　［２］前記第１配線層は、前記第１部品層の前記第１主面又は前記第２主面に積層されている［１］に記載の半導体パッケージ。
　［３］前記第１配線層は、前記第１部品層の前記第１主面に積層されており、前記第１ビア配線の第１端は前記能動部品に接続しており、前記第１ビア配線の第２端は前記第１配線層内の前記第１配線部に接続している［２］に記載の半導体パッケージ。

　［４］前記第１配線層は、前記第１主面に直交する方向において、前記第１部品層と反対側を向く面に第１配線外部端子を有し、前記第１配線外部端子上に、前記第１配線層に実装されるマザー基板を接続するためのランド部を備える［２］又は［３］に記載の半導体パッケージ。

　［５］前記第１主面に直交する方向において前記第１配線層に対して積層された第２配線層を備え、前記第２配線層は、第２絶縁樹脂部と、前記第２絶縁樹脂部の内部で延びる第２配線部と、を備え、前記第１配線層は、前記第１絶縁樹脂部における前記第２配線層側の面から突出する第１配線外部端子を有し、前記第２配線層は、前記第２絶縁樹脂部における前記第１配線層側の面から突出し、前記第１配線外部端子に接続する第２配線外部端子を有し、前記第１絶縁樹脂部と前記第２絶縁樹脂部との間に空隙が生じている［２］又は［３］に記載の半導体パッケージ。

　［６］前記第１主面に直交する方向において前記第１配線層に対して積層された第２配線層を備え、前記第２配線層は、第２絶縁樹脂部と、前記第２絶縁樹脂部の内部で延びる第２配線部と、を備え、前記第１配線層は、前記第１絶縁樹脂部における前記第２配線層側の面から露出する第１配線外部端子を有し、前記第２配線層は、前記第２絶縁樹脂部における前記第１配線層側の面から露出し、前記第１配線外部端子に接続する第２配線外部端子を有し、前記第１配線外部端子及び前記第２配線外部端子の周面は、合成樹脂により覆われている［２］又は［３］に記載の半導体パッケージ。

　［７］前記第１配線部は、前記第１主面に交差する方向に延びる第１柱状配線と、前記第１柱状配線に接続し、前記第１主面に平行な方向に延びる第１配線と、を有しており、前記第１柱状配線は、前記第２配線層に向かうほど、前記第１主面に平行な方向の最大寸法が小さくなっており、前記第２配線部は、前記第１主面に交差する方向に延びる第２柱状配線と、前記第２柱状配線に接続し、前記第１主面に平行な方向に延びる第２配線と、を有しており、前記第２柱状配線は、前記第１配線層に向かうほど、前記第１主面に平行な方向の最大寸法が小さくなっている［５］または［６］に記載の半導体パッケージ。

　［８］前記第１絶縁樹脂部は、有機樹脂である［１］～［７］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。
　［９］前記第１封止部の内部に位置する前記能動部品の前記接続端子の外表面において、Ｃｕの体積分率は５０ｖｏｌ％以上であり、前記第１配線部において、Ｃｕの体積分率は５０ｖｏｌ％以上である［１］～［８］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１０］前記第１封止部の内部に位置する前記能動部品から選ばれる１以上は、当該能動部品を前記第１主面に直交する方向に貫通する貫通配線を備え、前記貫通配線は、前記第１配線部又は前記第１ビア配線に接続している［１］～［９］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１１］前記貫通配線の前記第１主面に平行な方向の最大寸法は、前記第１ビア配線の前記第１主面に平行な方向の最大寸法よりも小さい［１０］に記載の半導体パッケージ。
　［１２］前記受動部品は、無機材料を含み、前記受動部品における前記無機材料の体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である［１］～［１１］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１３］前記受動部品における前記無機材料の体積分率は、８０ｖｏｌ％以上であり、且つ、半導体パッケージ全体での無機材料の体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である［１２］に記載の半導体パッケージ。

　［１４］前記受動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法は、前記能動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法より大きい［１］～［１３］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１５］前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第２部品層を備え、前記第２部品層は、無機材料を含む第２封止部と、前記第２封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、前記第２封止部における前記第１部品層側の面から露出する第２部品外部端子を有し、前記第１部品層は、前記第１封止部における前記第２部品層側の面から露出する第１部品外部端子を有し、前記第１部品外部端子は、間に他の部材を介することなく、第２部品外部端子に接続している［１］～［１４］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１６］前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第１能動部品と第２能動部品と第３能動部品とを備え、前記第１能動部品及び前記第２能動部品は、前記第１主面に平行な方向において間に他の電子部品を介することなく並んでおり、前記第３能動部品は、間に他の電子部品を介することなく前記第１主面に直交する方向において、前記第１能動部品及び前記第２能動部品に対して積層されており、前記第１主面に直交する方向から透視したとき、前記第３能動部品は、前記第１能動部品及び前記第２能動部品に重なっている［１］～［１５］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１７］前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第１能動部品と第２能動部品と少なくとも１つの前記受動部品とを備え、前記第１能動部品及び前記第２能動部品は、間に他の電子部品を介することなく前記第１主面に直交する方向において、前記第１部品層に対して積層されており、前記受動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法は、前記第１能動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法と前記第２能動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法を合計した値より大きい［１］～［１６］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１８］前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第２部品層及び第３部品層を備え、前記第２部品層は、無機材料を含む第２封止部と、前記第２封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、を有し、前記第３部品層は、無機材料を含む第３封止部と、前記第３封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記受動部品と、を有し、前記第２部品層及び前記第３部品層は、前記第１主面に直交する方向において同じ箇所に位置している［１］～［１７］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　［１９］前記第２封止部の材質は前記第３封止部の材質と異なる［１８］に記載の半導体パッケージ。
　［２０］前記第１封止部の内部に位置する前記能動部品は、部品本体と、前記部品本体から突出する前記接続端子と、前記第１主面に直交する方向における前記接続端子とは反対側で前記部品本体から露出する内部側端子と、を有し、前記接続端子の突出量は、前記内部側端子の突出量より大きい［１］～［１９］のいずれか一つに記載の半導体パッケージ。

　Ｌ１…第１層
　Ｌ２…第２層
　１０…半導体パッケージ
　１０Ａ…第１主面
　１０Ｂ…第２主面
　１１…第１封止部
　１２Ａ…能動部品
　１２Ｂ…受動部品
　１３…接続端子
　１４…第１ビア配線
　２１…第１絶縁樹脂部
　２２…第１配線部

Claims (20)

1. 　受動部品及び能動部品を有する半導体パッケージであって、
   　第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第１部品層と、前記第１部品層に対して前記第１主面に直交する方向に隣接する第１配線層と、を備え
   　前記第１部品層は、
   　無機材料を含む第１封止部と、
   　前記第１封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、
   　前記第１封止部の内部で前記第１主面に交差する方向に延び、端部が前記第１主面において前記第１封止部から露出する複数の第１ビア配線と、
   　を有し、
   　前記第１配線層は、
   　第１絶縁樹脂部と、
   　前記第１絶縁樹脂部の内部で延びる第１配線部と、を有し、
   　前記能動部品の接続端子が、前記第１封止部における前記第２主面側において前記第１封止部から露出している
   　半導体パッケージ。
2. 　前記第１配線層は、前記第１部品層の前記第１主面又は前記第２主面に積層されている
   　請求項１に記載の半導体パッケージ。
3. 　前記第１配線層は、前記第１部品層の前記第１主面に積層されており、
   　前記第１ビア配線の第１端は前記能動部品に接続しており、前記第１ビア配線の第２端は前記第１配線層内の前記第１配線部に接続している
   　請求項２に記載の半導体パッケージ。
4. 　前記第１配線層は、前記第１主面に直交する方向において、前記第１部品層と反対側を向く面に第１配線外部端子を有し、
   　前記第１配線外部端子上に、前記第１配線層に実装されるマザー基板を接続するためのランド部を備える
   　請求項２又は請求項３に記載の半導体パッケージ。
5. 　前記第１主面に直交する方向において前記第１配線層に対して積層された第２配線層を備え、
   　前記第２配線層は、
   　第２絶縁樹脂部と、
   　前記第２絶縁樹脂部の内部で延びる第２配線部と、を備え、
   　前記第１配線層は、前記第１絶縁樹脂部における前記第２配線層側の面から突出する第１配線外部端子を有し、
   　前記第２配線層は、前記第２絶縁樹脂部における前記第１配線層側の面から突出し、前記第１配線外部端子に接続する第２配線外部端子を有し、
   　前記第１絶縁樹脂部と前記第２絶縁樹脂部との間に空隙が生じている
   　請求項２又は請求項３に記載の半導体パッケージ。
6. 　前記第１主面に直交する方向において前記第１配線層に対して積層された第２配線層を備え、
   　前記第２配線層は、
   　第２絶縁樹脂部と、
   　前記第２絶縁樹脂部の内部で延びる第２配線部と、を備え、
   　前記第１配線層は、前記第１絶縁樹脂部における前記第２配線層側の面から露出する第１配線外部端子を有し、
   　前記第２配線層は、前記第２絶縁樹脂部における前記第１配線層側の面から露出し、前記第１配線外部端子に接続する第２配線外部端子を有し、
   　前記第１配線外部端子及び前記第２配線外部端子の周面は、合成樹脂により覆われている
   　請求項２又は請求項３に記載の半導体パッケージ。
7. 　前記第１配線部は、前記第１主面に交差する方向に延びる第１柱状配線と、前記第１柱状配線に接続し、前記第１主面に平行な方向に延びる第１配線と、を有しており、
   　前記第１柱状配線は、前記第２配線層に向かうほど、前記第１主面に平行な方向の最大寸法が小さくなっており、
   　前記第２配線部は、前記第１主面に交差する方向に延びる第２柱状配線と、前記第２柱状配線に接続し、前記第１主面に平行な方向に延びる第２配線と、を有しており、
   　前記第２柱状配線は、前記第１配線層に向かうほど、前記第１主面に平行な方向の最大寸法が小さくなっている
   　請求項５または請求項６に記載の半導体パッケージ。
8. 　前記第１絶縁樹脂部は、有機樹脂である
   　請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
9. 　前記第１封止部の内部に位置する前記能動部品の前記接続端子の外表面において、Ｃｕの体積分率は５０ｖｏｌ％以上であり、
   　前記第１配線部において、Ｃｕの体積分率は５０ｖｏｌ％以上である
   　請求項１～請求項８のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
10. 　前記第１封止部の内部に位置する前記能動部品から選ばれる１以上は、当該能動部品を前記第１主面に直交する方向に貫通する貫通配線を備え、
    　前記貫通配線は、前記第１配線部又は前記第１ビア配線に接続している
    　請求項１～請求項９のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
11. 　前記貫通配線の前記第１主面に平行な方向の最大寸法は、前記第１ビア配線の前記第１主面に平行な方向の最大寸法よりも小さい
    　請求項１０に記載の半導体パッケージ。
12. 　前記受動部品は、無機材料を含み、
    　前記受動部品における前記無機材料の体積分率は、５０ｖｏｌ％以上である
    　請求項１～請求項１１のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
13. 　前記受動部品における前記無機材料の体積分率は、８０ｖｏｌ％以上であり、
    　且つ、半導体パッケージ全体での無機材料の体積分率は、９０ｖｏｌ％以上である
    　請求項１２に記載の半導体パッケージ。
14. 　前記受動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法は、前記能動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法より大きい
    　請求項１～請求項１３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
15. 　前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第２部品層を備え、
    　前記第２部品層は、
    　無機材料を含む第２封止部と、
    　前記第２封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、
    　前記第２封止部における前記第１部品層側の面から露出する第２部品外部端子を有し、
    　前記第１部品層は、前記第１封止部における前記第２部品層側の面から露出する第１部品外部端子を有し、
    　前記第１部品外部端子は、間に他の部材を介することなく、第２部品外部端子に接続している
    　請求項１～請求項１４のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
16. 　前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第１能動部品と第２能動部品と第３能動部品とを備え、
    　前記第１能動部品及び前記第２能動部品は、前記第１主面に平行な方向において間に他の電子部品を介することなく並んでおり、
    　前記第３能動部品は、間に他の電子部品を介することなく前記第１主面に直交する方向において、前記第１能動部品及び前記第２能動部品に対して積層されており、
    　前記第１主面に直交する方向から透視したとき、前記第３能動部品は、前記第１能動部品及び前記第２能動部品に重なっている
    　請求項１～請求項１５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
17. 　前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第１能動部品と第２能動部品と少なくとも１つの前記受動部品とを備え、
    　前記第１能動部品及び前記第２能動部品は、間に他の電子部品を介することなく前記第１主面に直交する方向において、前記第１部品層に対して積層されており、
    　前記受動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法は、前記第１能動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法と前記第２能動部品の前記第１主面に直交する方向の最大寸法を合計した値より大きい
    　請求項１～請求項１６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
18. 　前記第１主面に直交する方向において前記第１部品層に対して積層された第２部品層及び第３部品層を備え、
    　前記第２部品層は、
    　無機材料を含む第２封止部と、
    　前記第２封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記能動部品と、
    　を有し、
    　前記第３部品層は、
    　無機材料を含む第３封止部と、前記第３封止部の内部に位置する少なくとも１つの前記受動部品と、
    　を有し、
    　前記第２部品層及び前記第３部品層は、前記第１主面に直交する方向において同じ箇所に位置している
    　請求項１～請求項１７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
19. 　前記第２封止部の材質は前記第３封止部の材質と異なる
    　請求項１８に記載の半導体パッケージ。
20. 　前記第１封止部の内部に位置する前記能動部品は、
    　部品本体と、
    　前記部品本体から突出する前記接続端子と、
    　前記第１主面に直交する方向における前記接続端子とは反対側で前記部品本体から露出する内部側端子と、
    　を有し、
    　前記接続端子の突出量は、前記内部側端子の突出量より大きい
    　請求項１～請求項１９のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。

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