WO2024201774A1 - レーザ装置、露光装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

レーザ装置、露光装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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    • H01S3/2375—Hybrid lasers

Definitions

  • This disclosure relates to a laser apparatus, an exposure apparatus, and a method for manufacturing an electronic device.
  • gas laser devices used for exposure include KrF excimer laser devices that output laser light with a wavelength of approximately 248 nm, and ArF excimer laser devices that output laser light with a wavelength of approximately 193 nm.
  • the spectral linewidth of the natural oscillation light of KrF excimer laser devices and ArF excimer laser devices is wide, at 350 to 400 pm. Therefore, if a projection lens is made of a material that transmits ultraviolet light, such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, the resolution may decrease. Therefore, it is necessary to narrow the spectral linewidth of the laser light output from the gas laser device to a level where chromatic aberration can be ignored. For this reason, a line narrowing module (LNM) containing a narrowing element (such as an etalon or grating) may be provided inside the laser resonator of the gas laser device to narrow the spectral linewidth.
  • LNM line narrowing module
  • a gas laser device in which the spectral linewidth is narrowed is called a narrow-line gas laser device.
  • a laser device includes a laser oscillator that generates a pulsed laser beam, an actuator that adjusts the laser beam parameters of the pulsed laser beam, and a laser control processor that corrects the operating parameter values of the actuator to reduce the difference between the measured value and the target value of the laser beam parameter based on a changing pattern of the pulse time interval of the pulsed laser beam that changes continuously within a burst of burst oscillation in response to a command from an exposure device, and controls the actuator.
  • An exposure apparatus is an exposure apparatus connectable to a laser apparatus including a laser oscillator that generates pulsed laser light, an actuator that adjusts the laser light parameters of the pulsed laser light, and a laser control processor that controls the actuator, and is equipped with a projection optical system that forms an image on a wafer surface using the pulsed laser light output from the laser apparatus, and an exposure control processor that acquires measured values of the laser light parameters of the pulsed laser light, and corrects the operating parameter values of the actuator based on a changing pattern of the pulse time interval of the pulsed laser light that changes continuously within a burst of burst oscillation so that the difference between the measured value and a target value is reduced, and outputs the corrected operating parameter values to the laser apparatus.
  • a method for manufacturing an electronic device includes generating pulsed laser light using a laser device including a laser oscillator that generates pulsed laser light, an actuator that adjusts laser light parameters of the pulsed laser light, and a laser control processor that corrects operating parameter values of the actuator so as to reduce differences between measured values and target values of the laser light parameters based on a changing pattern of the pulse time interval of the pulsed laser light that changes continuously within a burst of burst oscillation at the command of the exposure device, and controls the actuator, outputting the pulsed laser light to an exposure device, and exposing the pulsed laser light onto a photosensitive substrate in the exposure device to manufacture an electronic device.
  • a method for manufacturing an electronic device includes generating pulsed laser light by a laser device including a laser oscillator that generates pulsed laser light, an actuator that adjusts laser light parameters of the pulsed laser light, and a laser control processor that controls the actuator, outputting the pulsed laser light to an exposure device including a projection optical system that forms an image on a wafer surface using the pulsed laser light output from the laser device, and an exposure control processor that obtains measured values of the laser light parameters, corrects the operating parameter values of the actuator based on a changing pattern of the pulse time interval of the pulsed laser light that changes continuously within a burst of burst oscillation so that the difference between the measured value and a target value is small, and outputs the corrected operating parameter values to the laser device, and exposing the pulsed laser light onto a photosensitive substrate in the exposure device to manufacture an electronic device.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure system in a comparative example.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a laser device according to a comparative example.
  • FIG. 3 shows an example of a semiconductor wafer being exposed by an exposure system.
  • FIG. 4 shows an example of a trigger signal sent to the power supply.
  • FIG. 5, together with FIGS. 6 and 7, shows how the position of the scan field changes relative to the position of the pulsed laser beam.
  • FIG. 6, together with FIGS. 5 and 7, shows how the position of the scan field changes with respect to the position of the pulsed laser beam.
  • FIG. 5 and 6 shows how the position of the scan field changes with respect to the position of the pulsed laser beam.
  • FIG. 8 illustrates a procedure for sequentially exposing multiple scan fields.
  • FIG. 9 is a graph showing the change in workpiece table speed and repetition rate when exposing a scan field in a comparative example.
  • FIG. 10 is a graph showing the change in workpiece table speed and repetition rate during exposure during acceleration.
  • FIG. 11 is a graph showing changes in the measured values of the repetition rate and the laser light parameters in the comparative example.
  • FIG. 12 is a graph showing the continuously changing repetition rate and the changes in the measured values of the laser light parameters.
  • FIG. 13 is a graph of the measured values of the laser light parameters in the first embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing the configuration of the laser device according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a flowchart of laser control in the first embodiment.
  • FIG. 16 is a flowchart showing a first example of a process for acquiring time series data of pulse time intervals.
  • FIG. 17 is a flowchart showing a second example of the process for acquiring time series data of pulse time intervals.
  • FIG. 18 shows an example of time series data of pulse time intervals.
  • FIG. 19 is a flowchart illustrating an example of a process for obtaining target values of laser light parameters.
  • FIG. 20 shows an example of target values of the laser light parameters.
  • FIG. 21 is a flowchart showing a first example of a process for acquiring a data set of correction parameter values.
  • FIG. 16 is a flowchart showing a first example of a process for acquiring time series data of pulse time intervals.
  • FIG. 17 is a flowchart showing a second example of the process for acquiring time series data of pulse time intervals.
  • FIG. 18 shows an example of time series data of pulse time
  • FIG. 22 is a flowchart showing a second example of a process for acquiring a data set of correction parameter values.
  • FIG. 23 is a flowchart showing an example of a process for updating the correction parameter value while performing one burst oscillation.
  • FIG. 24 is a flow chart illustrating an example process for calculating corrected motion parameter values.
  • FIG. 25 shows an example of a parameter table.
  • FIG. 26 is a flowchart showing an example of a process for calculating an operation parameter value corresponding to a target value.
  • FIG. 27 is a graph illustrating a method for calculating an operational parameter value from a relationship between the operational parameter value and the laser light parameter value.
  • FIG. 28 is a flow chart illustrating an example process for calculating correction parameter values for a next burst.
  • FIG. 29 is a flowchart illustrating an example of a process for calculating the control gradient.
  • FIG. 30 is a graph illustrating how a control gradient is calculated from the relationship between the operating parameter value and the laser light parameter value.
  • FIG. 31 is a flowchart of laser control in the first modified example of the first embodiment.
  • FIG. 32 is a flowchart showing an example of a process for performing one burst oscillation.
  • FIG. 33 is a flowchart illustrating an example of a process for acquiring a data set of correction parameter values in the second modified example of the first embodiment.
  • FIG. 34 is a flowchart showing an example of a process of acquiring the relationship between the operation parameter value and the laser light parameter value in the second modified example of the first embodiment.
  • FIG. 30 is a flowchart illustrating an example of a process for calculating the control gradient.
  • FIG. 30 is a graph illustrating how a control gradient is calculated from the relationship between the operating parameter value and the laser light parameter value.
  • FIG. 43 is a flow chart illustrating an example process for calculating corrected motion parameter values.
  • FIG. 44 is a graph illustrating a method for calculating an operational parameter value from a relationship between the operational parameter value and the laser light parameter value.
  • FIG. 45 is a graph illustrating a method for calculating an operational parameter value from a relationship between the operational parameter value and the laser light parameter value.
  • FIG. 46 is a graph illustrating a method for calculating an operational parameter value from a relationship between the operational parameter value and the laser light parameter value.
  • FIG. 47 is a flow chart illustrating an example process for calculating correction parameter values for a next burst.
  • FIG. 48 is a schematic diagram showing the configuration of a laser device according to the third embodiment.
  • FIG. 49 is a flowchart of laser control in the third embodiment.
  • FIG. 50 is a flowchart showing an example of a process for updating the correction parameter value while performing one burst oscillation.
  • FIG. 51 is a flowchart illustrating an example of a process for calculating a corrected set voltage value and a corrected set value.
  • FIG. 52 is a flow chart illustrating an example process for calculating correction parameter values for a next burst.
  • FIG. 53 is a flowchart of laser control in a modified example of the third embodiment.
  • FIG. 54 is a flowchart showing an example of a process for performing one burst oscillation.
  • FIG. 55 is a schematic diagram showing the configuration of a laser device according to the fourth embodiment.
  • Other elements including solid-state laser 9.1 Configuration 9.1.1 Laser oscillator 18 9.1.2 Laser Amplifier PA 9.2 Operation 10.
  • Exposure apparatus 100a corrects operation parameter value A 10.1 Configuration 10.2 Operation 10.3 Function 11.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure system in a comparative example.
  • the comparative example of the present disclosure is a form that the applicant recognizes as being known only by the applicant, and is not a publicly known example that the applicant acknowledges.
  • the exposure system includes a laser device 1 and an exposure device 100.
  • the laser device 1 includes a laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 is a processing device that includes a memory 31 in which a control program is stored, and a CPU (central processing unit) 32 that executes the control program.
  • the laser control processor 30 is specially configured or programmed to execute various processes included in the present disclosure.
  • the laser device 1 is configured to output a pulsed laser beam toward the exposure device 100.
  • the exposure apparatus 100 includes an illumination optical system 101, a projection optical system 102, and an exposure control processor 110.
  • the illumination optical system 101 illuminates a reticle pattern of a reticle (not shown) placed on a reticle stage RT with pulsed laser light incident from the laser device 1.
  • the projection optical system 102 reduces and projects the pulsed laser light that has passed through the reticle, forming an image on a workpiece (not shown) placed on a workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a resist film.
  • the exposure control processor 110 is a processing device that includes a memory 111 in which a control program is stored, and a CPU 112 that executes the control program.
  • the exposure control processor 110 is specially configured or programmed to execute the various processes included in this disclosure.
  • the exposure control processor 110 manages the control of the exposure apparatus 100, and transmits and receives various data and signals to and from the laser control processor 30.
  • Fig. 2 shows a schematic configuration of the laser apparatus 1 according to the comparative example.
  • the laser apparatus 1 includes a laser oscillator 17, a power supply 12, a laser light parameter measuring instrument 16, a shutter 19, and a laser control processor 30.
  • the laser apparatus 1 can be connected to an exposure apparatus 100.
  • Fig. 2 shows a Z-axis, a V-axis, and an H-axis that are perpendicular to each other.
  • a pulsed laser beam is output from the laser oscillator 17 in the Z direction.
  • the laser oscillator 17 includes a laser chamber 10, a discharge electrode 11a, a line narrowing module 14, and a spectrum adjuster 15a.
  • the line narrowing module 14 and the spectrum adjuster 15a form a laser resonator.
  • the laser chamber 10 is disposed in the optical path of the laser resonator. Windows 10a and 10b are provided at both ends of the laser chamber 10.
  • Discharge electrode 11a and a discharge electrode (not shown) that forms a pair with it are disposed inside the laser chamber 10.
  • the discharge electrode (not shown) is positioned so as to overlap with the discharge electrode 11a in the direction of the V axis perpendicular to the paper surface.
  • the laser chamber 10 is filled with a laser gas that includes, for example, argon gas or krypton gas as a rare gas, fluorine gas as a halogen gas, and neon gas as a buffer gas.
  • the power source 12 includes a switch 13 and is connected to the discharge electrode 11a and a charger (not shown).
  • the power source 12 is an example of an actuator in this disclosure.
  • the line-narrowing module 14 includes multiple prisms 14a and 14b and a grating 14c.
  • the prisms 14a and 14b are arranged in this order in the optical path of the light emitted from the window 10a.
  • the surfaces of the prisms 14a and 14b where the light enters and exits are both parallel to the V direction.
  • the grating 14c is Littrow-positioned in the optical path of the light that has passed through the prisms 14a and 14b so that the angle of incidence and the angle of diffraction are the same.
  • the direction of the grooves of the grating 14c is parallel to the V direction.
  • Rotation stage 14e includes a driver (not shown). Rotation stage 14e is an example of an actuator in this disclosure.
  • the laser light parameter measuring instrument 16 includes an energy monitor and a spectrum monitor, not shown.
  • the energy monitor includes a photodiode, not shown, and outputs a signal including a measured value Em of the pulse energy E of the pulse laser light.
  • the spectrum monitor includes an etalon spectrometer, not shown, and outputs waveform data of the interference fringes of the pulse laser light.
  • a processing device, not shown, included in the laser light parameter measuring instrument 16 calculates the measured values ⁇ m and ⁇ m of the wavelength ⁇ and spectral linewidth ⁇ of the pulse laser light from the waveform data of the interference fringes.
  • the wavelength ⁇ of the pulse laser light means the central wavelength.
  • the laser control processor 30 transmits the set value A ⁇ of the rotation angle of the prism 14b to the rotating stage 14e based on the target value ⁇ t of the wavelength ⁇ .
  • the laser control processor 30 transmits the set value A ⁇ of the position of the cylindrical plano-concave lens 15c to the linear stage 15d based on the target value ⁇ t of the spectral line width ⁇ .
  • the laser control processor 30 sends a trigger signal Tr to the power supply 12 .
  • the switch 13 When the power supply 12 receives a trigger signal Tr, the switch 13 turns on. When the switch 13 turns on, the power supply 12 generates a pulsed high voltage according to a set voltage value HV from the electrical energy stored in a charger (not shown), and applies this high voltage to the discharge electrode 11a.
  • the light emitted from the laser chamber 10 travels back and forth between the line narrowing module 14 and the spectrum adjuster 15a, and is amplified each time it passes through the discharge space inside the laser chamber 10. This light is narrowed in line each time it is turned back by the line narrowing module 14. The light thus oscillated and narrowed in line is output as pulsed laser light from the spectrum adjuster 15a.
  • the linear stage 15d included in the spectral adjuster 15a moves the cylindrical plano-concave lens 15c along the optical path between the laser chamber 10 and the cylindrical plano-convex lens 15b according to the set value A ⁇ output from the laser control processor 30. This adjusts the wavefront of the light traveling from the spectral adjuster 15a to the line narrowing module 14, and adjusts the spectral linewidth ⁇ of the pulsed laser light.
  • the laser light parameter measuring instrument 16 outputs the measured value Lm of the laser light parameter L of the pulsed laser light to the laser control processor 30.
  • the measured value Em of the pulse energy E contained in the measured value Lm is used by the laser control processor 30 to feedback control the set voltage value HV.
  • the measured value ⁇ m of the wavelength ⁇ contained in the measured value Lm is used by the laser control processor 30 to feedback control the set value A ⁇ of the rotation angle of the prism 14b.
  • the measured value ⁇ m of the spectral linewidth ⁇ contained in the measured value Lm is used by the laser control processor 30 to feedback control the set value A ⁇ of the position of the cylindrical plano-concave lens 15c.
  • FIG. 3 shows an example of a semiconductor wafer WF exposed by an exposure system.
  • FIG. 3 shows an X-axis and a Y-axis that are orthogonal to each other in the plane of the semiconductor wafer WF.
  • the semiconductor wafer WF is, for example, a plate of monocrystalline silicon having a substantially circular disk shape.
  • a photosensitive resist film is applied to the semiconductor wafer WF.
  • the exposure of the semiconductor wafer WF is performed for each section of scan fields SF#1, SF#2, etc.
  • Each of the scan fields SF#1, SF#2 corresponds to an area where a reticle pattern of one reticle is transferred.
  • #1 and #2 indicate the order of exposure.
  • the semiconductor wafer WF is moved so that the first scan field SF#1 is irradiated with pulsed laser light, and the scan field SF#1 is exposed. After that, the semiconductor wafer WF is moved so that the second scan field SF#2 is irradiated with pulsed laser light, and the scan field SF#2 is exposed. Thereafter, the semiconductor wafer WF is moved in the same manner to expose all the scan fields SF.
  • Figure 4 shows an example of a trigger signal Tr sent to the power supply 12.
  • a trigger signal Tr sent to the power supply 12.
  • pulsed laser light is output continuously at a predetermined repetition frequency.
  • the output of pulsed laser light is stopped.
  • the operation of continuously outputting pulsed laser light is called a burst.
  • bursts are repeated multiple times. This type of laser oscillation is called burst oscillation.
  • the output of the pulsed laser light to the exposure device 100 is stopped in order to replace the semiconductor wafer WF#1 on the workpiece table WT with the second semiconductor wafer WF#2.
  • adjustment oscillation may be performed for the purpose of adjusting parameters, etc.
  • Figures 5 to 7 show how the position of the scan field SF changes with respect to the position of the pulsed laser light.
  • the width of the scan field SF in the X-axis direction is the same as the width of the beam cross section B of the pulsed laser light at the position of the workpiece table WT in the X-axis direction.
  • the width of the scan field SF in the Y-axis direction is greater than the width W of the beam cross section B of the pulsed laser light at the position of the workpiece table WT in the Y-axis direction.
  • the procedure for exposing the scan field SF with pulsed laser light is performed in the order of Figures 5, 6, and 7.
  • the workpiece table WT is positioned so that the +Y end SFy+ of the scan field SF is located a predetermined distance in the -Y direction from the position of the -Y end By- of the beam cross section B.
  • the workpiece table WT is accelerated in the +Y direction.
  • the speed of the workpiece table WT becomes Vy.
  • the scan field SF is exposed while moving the workpiece table WT so that the position of the scan field SF moves linearly at a constant speed Vy relative to the position of the beam cross section B.
  • Vy the position of the scan field SF
  • the exposure of the scan field SF is completed. In this way, exposure is performed while the scan field SF moves relative to the position of the beam cross section B.
  • Figure 9 is a graph showing the change in speed V and repetition frequency f of the workpiece table WT when exposing the scan field SF in the comparative example.
  • the scan field SF is exposed by pulsed laser light of repetition frequency f while the workpiece table WT moves in a uniform linear motion at speed Vy so that the number of irradiation pulses Ns is constant at every position in the scan field SF.
  • acceleration from speed 0 is required, and after exposure, deceleration to speed 0 is required.
  • exposure cannot be performed during the acceleration and deceleration period, which can hinder improvements in production efficiency.
  • the repetition frequency f of the pulsed laser light during exposure is a constant value
  • the repetition frequency f is changed during exposure in accordance with the change in the speed V of the workpiece table WT so that the number of irradiation pulses Ns is constant at any position in the scan field SF.
  • FIG. 11 is a graph showing changes in the repetition frequency f and the measured value Lm of the laser light parameter L in the comparative example.
  • the measured value Lm of the laser light parameter L may change due to changes in the influence of acoustic waves generated inside the laser chamber 10, changes in the influence of thermal loads on various optical elements, or other factors.
  • the repetition frequency f changes, when the output of pulsed laser light at the same repetition frequency f is continuous as in the comparative example, it is possible to keep the measured value Lm within an allowable range by performing correction according to the repetition frequency f in addition to feedback control of the laser light parameter L. For example, a first correction may be performed at the first repetition frequency f1, and a second correction may be performed at the second repetition frequency f2.
  • the change in the repetition frequency f shown in FIG. 12 corresponds to the change in the repetition frequency f during the period shown by XII in FIG. 10.
  • correction according to the repetition frequency f is performed in addition to feedback control for each pulse.
  • the measured value Lm will not be the same. It is presumed that the reason for this is that even if the repetition frequency f is the same, the density distribution and temperature distribution of the gas in the laser chamber 10 and the temperature of the optical element are different depending on the past history of the change in the repetition frequency f.
  • the present disclosure aims to provide a laser device or a control method thereof that stabilizes the measured value Lm of the laser light parameter L to a value close to the target value Lt when the repetition frequency f is changed continuously.
  • Laser device 1a using correction parameter value ⁇ Ac for each burst oscillation pulse 2.1
  • Concept Fig. 13 is a graph of the measured value Lm of the laser light parameter L in the first embodiment.
  • the repetition frequency f is smallest immediately after the start and immediately before the end of one burst, and the repetition frequency f gradually increases during the burst and then gradually decreases.
  • the change pattern of the repetition frequency f is the same in the first burst and the second burst
  • the history of change in the repetition frequency f is the same for pulses that are output in the same order in the first burst and the second burst.
  • a correction parameter value ⁇ Ac of each pulse is calculated based on the difference between the measured value Lm of each pulse in the first burst and the target value Lt, and the correction parameter value ⁇ Ac is used to control the laser light parameter L of each pulse having the same output order in the second burst. This allows the measured value Lm of each pulse in the second burst to be closer to the target value Lt than the measured value Lm of each pulse in the first burst. Furthermore, by updating the correction parameter value ⁇ Ac while repeating the bursts, the accuracy of the correction parameter value ⁇ Ac can be improved.
  • the correction parameter value ⁇ Ac includes any one of a correction parameter value ⁇ HVc for correcting the set voltage value HV, a correction parameter value ⁇ A ⁇ c for correcting the set value A ⁇ of the rotation angle of the prism 14b, and a correction parameter value ⁇ A ⁇ c for correcting the set value A ⁇ of the position of the cylindrical plano-concave lens 15c.
  • the laser control processor 30 includes an internal trigger oscillator 33.
  • the internal trigger oscillator 33 is configured to generate and transmit a trigger signal Tr to the power supply 12 without receiving a trigger signal Tr from the exposure control processor 110 when performing the adjusted oscillation described below.
  • the exposure control processor 110 transmits time series data of the pulse time interval ⁇ T to the laser control processor 30.
  • the time series data of the pulse time interval ⁇ T will be described later with reference to FIG. 18.
  • the laser control processor 30 is configured to be able to access the parameter table PT.
  • the parameter table PT stores the correction parameter value ⁇ Ac for each pulse in a burst.
  • the parameter table PT corresponds to the table in this disclosure. The parameter table PT will be described further below with reference to FIG. 25.
  • the laser control processor 30 corrects the operating parameter value A calculated based on the target value Lt using the correction parameter value ⁇ Ac, and transmits the corrected operating parameter value Ac to the corresponding actuator.
  • the corrected operating parameter value Ac includes any one of the corrected set voltage value HVc, the corrected set value A ⁇ c of the rotation angle of the prism 14b, and the corrected set value A ⁇ c of the position of the cylindrical plano-concave lens 15c.
  • the laser control processor 30 acquires time series data of the pulse time interval ⁇ T. Details of S10 will be described later with reference to Figures 16 to 18.
  • the laser control processor 30 acquires the target value Lt of the laser light parameter L. Details of S20 will be described later with reference to Figures 19 and 20.
  • the laser control processor 30 sends a preparation OK signal for exposure during acceleration to the exposure control processor 110.
  • the exposure control processor 110 prepares the workpiece table WT and other parts for operation, and then sends various data and a trigger signal Tr to the laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 performs one burst oscillation using the correction parameter value ⁇ Ac while updating the correction parameter value ⁇ Ac for the next burst. Details of S50 will be described later with reference to Figures 23 to 30.
  • the laser control processor 30 determines whether or not exposure during acceleration is to be continued. For example, if the exposure device 100 stops exposure during acceleration and performs exposure using uniform linear motion, it is determined that exposure during acceleration is not to be continued. If exposure during acceleration is not to be continued (S80: NO), the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart. If exposure during acceleration is to be continued (S80: YES), the laser control processor 30 proceeds to S90.
  • the laser control processor 30 determines whether or not to update the time series data of the pulse time interval ⁇ T. If the exposure apparatus 100 changes the change pattern of the pulse time interval ⁇ T, it is determined that the time series data of the pulse time interval ⁇ T is to be updated. If the time series data of the pulse time interval ⁇ T is to be updated (S90: YES), the laser control processor 30 returns the process to S10 to re-obtain an appropriate correction parameter value ⁇ Ac. If the time series data of the pulse time interval ⁇ T is not to be updated (S90: NO), the laser control processor 30 returns the process to S50.
  • Fig. 16 is a flowchart showing a first example of a process for acquiring time series data of pulse time interval ⁇ T.
  • Fig. 16 corresponds to a subroutine of S10 in Fig. 15.
  • the laser control processor 30 acquires the time series data of the pulse time interval ⁇ T by receiving it from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 ends the process of this flowchart and returns to the process shown in Fig. 15.
  • FIG. 18 shows an example of time series data of pulse time interval ⁇ T.
  • the number of pulses included in one burst is kmax. An integer value from 1 to kmax is assigned as the pulse number k in the burst according to the output order of the pulses.
  • the pulse time interval ⁇ T is given for each pulse number k as the time difference from the previous pulse.
  • the pulse time interval ⁇ T for a specific pulse number k is expressed as pulse time interval ⁇ T(k).
  • pulse time interval ⁇ T(2) is the time interval from the output time of the pulse number 1 to the output time of the pulse number 2.
  • the pulse time interval ⁇ T(1) may be, for example, the length of the pause period before the burst begins. Alternatively, the pulse time interval ⁇ T(1) may be blank.
  • time series data of the repetition frequency f which is the inverse of the pulse time interval ⁇ T(k) may be acquired.
  • Fig. 19 is a flowchart showing an example of processing for acquiring the target value Lt of the laser light parameter L.
  • Fig. 19 corresponds to the subroutine of S20 in Fig. 15.
  • the laser control processor 30 acquires the target value Lt by receiving it from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in Fig. 15.
  • FIG. 20 shows an example of a target value Lt of a laser light parameter L.
  • the target value Lt may be set for each pulse number k and stored in association with the pulse number k.
  • the target value Lt for a specific pulse number k is expressed as target value Lt(k).
  • the target values Lt(1) to Lt(kmax) may all be the same value.
  • Fig. 21 is a flowchart showing a first example of a process for acquiring a data set of the correction parameter value ⁇ Ac.
  • Fig. 21 corresponds to the subroutine of S30 in Fig. 15.
  • the laser apparatus 1a performs adjustment oscillation to acquire a data set of the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the laser control processor 30 transmits a start signal for adjusted oscillation to the exposure control processor 110. If it is OK to start adjusted oscillation in the laser device 1a, the exposure control processor 110 transmits a start OK signal to the laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 determines whether or not a start OK signal for adjusted oscillation has been received. If a start OK signal has not been received (S37: NO), the laser control processor 30 waits until a start OK signal is received. If a start OK signal has been received (S37: YES), the laser control processor 30 proceeds to S38.
  • the laser control processor 30 closes the shutter 19.
  • the shutter 19 does not need to be opened or closed.
  • the laser control processor 30 opens the shutter 19. After S62, the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 15.
  • FIG. 22 is a flow chart showing a second example of the process for acquiring a data set of the correction parameter value ⁇ Ac.
  • FIG. 22 corresponds to the subroutine of S30 in FIG. 15.
  • the correction parameter value ⁇ Ac is acquired from past log data (not shown) of the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the log data may be, for example, a parameter table PT as shown in FIG. 25 stored for each of a plurality of change patterns of the pulse time interval ⁇ T.
  • the laser control processor 30 searches the log data for the correction parameter value ⁇ Ac.
  • search keys the time series data for the pulse time interval ⁇ T, the data for the target value Lt of the laser light parameter L, and other data for the exposure conditions are used.
  • the laser control processor 30 determines whether or not a data set of the correction parameter value ⁇ Ac that matches the search key exists. If a data set of the correction parameter value ⁇ Ac that matches the search key exists (S32: YES), the laser control processor 30 proceeds to S33. If a data set of the correction parameter value ⁇ Ac that matches the search key does not exist (S32: NO), the laser control processor 30 proceeds to S36 in FIG. 21, and then performs adjustment oscillation to obtain a data set of the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the laser control processor 30 reads a data set of the correction parameter values ⁇ Ac that match the search key from the log data. After S33, the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 15.
  • the data set of the correction parameter values ⁇ Ac read in S33 may be used to control the pulsed laser light for performing exposure during acceleration.
  • the laser control processor 30 may proceed to S36 in FIG. 21 and use the correction parameter value ⁇ Ac read in S33 as the initial value of the correction parameter value ⁇ Ac in the adjusted oscillation.
  • the measured value Lm of the laser light parameter L can be brought into the allowable range early on, so that the number of bursts in the adjusted oscillation can be reduced and the reliability of the correction parameter value ⁇ Ac can be improved.
  • Fig. 23 is a flow chart showing an example of a process for updating the correction parameter value ⁇ Ac while performing one burst oscillation.
  • Fig. 23 shows a common process which corresponds to the subroutine of S50 in Fig. 15 and also corresponds to the subroutine of S50 in Fig. 21.
  • S50 in Fig. 15 exposure during acceleration is performed after S40, whereas in S50 in Fig. 21, adjustment oscillation is performed after S38.
  • the laser control processor 30 sets the value of the pulse number k to 1.
  • the symbols indicating various values will be explained with (k) added to the end.
  • the laser control processor 30 calculates a corrected operation parameter value Ac(k) by correcting the operation parameter value A(k) calculated based on the target value Lt(k) using the correction parameter value ⁇ Ac(k). Details of S54 will be described later with reference to Figures 24 to 27.
  • the laser control processor 30 performs one pulse of laser oscillation to generate pulsed laser light.
  • the process of FIG. 23 is performed as a subroutine of S50 in FIG. 15, the generated pulsed laser light is output to the exposure device 100.
  • the process of FIG. 23 is performed as a subroutine of S50 in FIG. 21, the generated pulsed laser light does not have to be output to the exposure device 100.
  • the processing of S55 is performed at a timing according to the pulse time interval ⁇ T(k). That is, the time difference between the pulse laser light of pulse number k-1 and pulse number k is the pulse time interval ⁇ T(k).
  • the change pattern of the pulse time interval ⁇ T is the same when the processing of FIG. 23 is performed as a subroutine of S50 in FIG. 15 and when it is performed as a subroutine of S50 in FIG. 21. For this reason, the correction parameter value ⁇ Ac(k) obtained based on the change pattern of the pulse time interval ⁇ T in S50 in FIG. 21 can be used to correct the operating parameter value A(k) in S50 in FIG. 15.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ Ac(k) for the next burst so that the difference between the measured value Lm(k) of the laser light parameter L and the target value Lt(k) in the next burst is small. Details of S56 will be described later with reference to Figures 28 to 30.
  • the laser control processor 30 determines whether the value of the pulse number k has reached the number of pulses kmax in one burst. If the value of the pulse number k has not reached the number of pulses kmax (S57: NO), the laser control processor 30 adds 1 to the value of the pulse number k in S58 to update the value of k, and returns to S54. If the value of the pulse number k has reached the number of pulses kmax (S57: YES), one burst has ended, so the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 15 or FIG. 21.
  • Fig. 24 is a flowchart showing an example of a process for calculating the corrected operation parameter value Ac(k), which corresponds to the subroutine of S54 in Fig. 23.
  • the laser control processor 30 controls the actuator using the corrected operating parameter value Ac(k). If the controlled laser light parameter L is the pulse energy E, the actuator is the power supply 12; if the controlled laser light parameter L is the wavelength ⁇ , the actuator is the rotary stage 14e; and if the controlled laser light parameter L is the spectral linewidth ⁇ , the actuator is the linear stage 15d. By starting control of the actuator before proceeding to S546, it is possible to complete the actuator drive early and make it in time for one-pulse laser oscillation in S55 (see FIG. 23).
  • the laser control processor 30 writes the correction parameter value ⁇ Ac(k) into the parameter table PT as the old correction parameter value ⁇ Acp(k).
  • the old correction parameter value ⁇ Acp(k) is the correction parameter value used in the laser oscillation, and is used to update the correction parameter value ⁇ Ac(k) in S56 (see FIG. 23).
  • the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 23.
  • FIG. 25 shows an example of the parameter table PT.
  • the correction parameter value ⁇ Ac(k) is stored in association with the pulse number k of the pulse contained in one burst and the pulse time interval ⁇ T(k). Furthermore, the old correction parameter value ⁇ Acp(k) is stored in association with these. Furthermore, the target value Lt(k) of the laser light parameter L (see FIG. 20) may be stored in association with these.
  • FIG. 26 is a flowchart showing an example of a process for calculating an operating parameter value A(k) corresponding to a target value Lt(k).
  • FIG. 26 corresponds to the subroutine of S542 in FIG. 24.
  • the laser control processor 30 reads the relationship between the operating parameter value A and the laser light parameter L.
  • the relationship between the operating parameter value A and the laser light parameter L may be obtained by performing a separate adjustment oscillation, which will be described later with reference to Figures 33 to 36, and may be stored in the memory 31.
  • the laser control processor 30 calculates the operation parameter value A(k) corresponding to the target value Lt(k) of the laser light parameter L based on the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L. After S5422, the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 24.
  • FIG. 27 is a graph illustrating a method of calculating an operation parameter value A(k) from the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L.
  • the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L may be represented by an approximation formula or by table data.
  • the operation parameter value A(k) corresponding to the target value Lt(k) can be calculated from the approximation formula.
  • the operation parameter value A(k) may be calculated by linear interpolation.
  • FIG. 28 is a flowchart showing an example of a process for calculating a correction parameter value ⁇ Ac(k) for the next burst.
  • Fig. 28 corresponds to the subroutine of S56 in Fig. 23.
  • the laser control processor 30 acquires the measured value Lm(k) of the laser light parameter L of the pulsed laser light generated in S55 (see FIG. 23) from the laser light parameter measuring device 16.
  • the laser control processor 30 reads the old correction parameter value ⁇ Acp(k) from the parameter table PT.
  • the laser control processor 30 calculates the control gradient G(k) corresponding to the operating parameter value A(k). Details of S564 will be described later with reference to Figures 29 and 30.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ Ac(k) by adding the value obtained by dividing the difference Le(k) by the control gradient G(k) and the previous correction parameter value ⁇ Acp(k).
  • the laser control processor 30 writes the correction parameter value ⁇ Ac(k) calculated in S565 into the parameter table PT.
  • the correction parameter value ⁇ Ac(k) is used to correct the operating parameter value A(k) in S54 (see FIG. 23) in the next burst.
  • the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 23.
  • the correction parameter value ⁇ Ac(k) for the next burst has been calculated before laser oscillation of the next pulse in the current burst (S55).
  • FIG. 29 is a flowchart showing an example of a process for calculating the control gradient G(k).
  • FIG. 29 corresponds to the subroutine of S564 in FIG. 28.
  • the laser control processor 30 reads the relationship between the operating parameter value A and the value of the laser light parameter L.
  • the relationship between the operating parameter value A and the value of the laser light parameter L may be the same as that read in FIG. 26.
  • the laser control processor 30 calculates the control gradient G(k) corresponding to the operating parameter value A(k) based on the relationship between the operating parameter value A and the value of the laser light parameter L. After S5642, the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG. 28.
  • FIG. 30 is a graph illustrating a method for calculating the control gradient G(k) from the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L.
  • the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L is expressed by an approximate formula
  • the differential value of the approximate formula at the operation parameter value A(k) may be used as the control gradient G(k).
  • the control gradient G(k) may be calculated from the gradient between multiple measurement points close to the operation parameter value A(k).
  • the laser apparatus 1a includes a laser oscillator 17 that generates a pulsed laser beam, actuators such as a power supply 12 that adjusts a laser beam parameter L of the pulsed laser beam, a rotation stage 14e, a linear stage 15d, and the like, and a laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 corrects an operating parameter value A of the actuator so as to reduce a difference Le between a measured value Lm and a target value Lt of the laser beam parameter L based on a changing pattern of a pulse time interval ⁇ T of the pulsed laser beam that changes continuously within a burst of burst oscillation in response to a command from the exposure apparatus 100, and controls the actuator.
  • the pulse time interval ⁇ T changes continuously, it may not be possible to stabilize the measured value Lm near the target value Lt simply by making a correction corresponding to the pulse time interval ⁇ T.
  • the difference Le between the measured value Lm and the target value Lt can be brought within an acceptable range.
  • the laser control processor 30 calculates a correction parameter value ⁇ Ac for each pulse based on the difference Le between the measured value Lm and the target value Lt for each of multiple consecutive pulses in the first burst, and corrects the operating parameter value A calculated based on the target value Lt in the second burst that follows the first burst, based on the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ Ac to be used in the second burst following the first burst while generating the pulsed laser light in the first burst.
  • the correction parameter value ⁇ Ac is calculated based on the difference Le between the measured value Lm and the target value Lt in the first burst, so that the correction parameter value ⁇ Ac can be calculated early.
  • the laser control processor 30 starts calculating the correction parameter value ⁇ Ac to be used in the second burst following the first burst before the second pulse of pulsed laser light following the first pulse is output.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ Ac based on the old correction parameter value ⁇ Acp for each pulse used in the first burst and the difference Le between the measured value Lm and the target value Lt for each pulse in the first burst.
  • the old correction parameter value ⁇ Acp is used, which can improve the accuracy of the correction parameter value ⁇ Ac used in the next burst.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ Ac(k) by adding the value obtained by dividing the difference Le(k) by the control gradient G(k) calculated based on the operating parameter value A(k) to the previous correction parameter value ⁇ Acp(k).
  • the laser control processor 30 is configured to be able to access a parameter table PT that stores the correction parameter value ⁇ Ac for each pulse in the change pattern, and corrects the operation parameter value A for each pulse calculated based on the target value Lt based on the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the laser control processor 30 is configured to be able to access a different parameter table PT for each change pattern, and determines the parameter table PT from which the correction parameter value ⁇ Ac is read based on the change pattern.
  • the parameter table PT stores data on the pulse time interval ⁇ T and the correction parameter value ⁇ Ac for each pulse in association with each other.
  • the parameter table PT includes a correction parameter value ⁇ Ac for each pulse included in one burst.
  • the parameter table PT is configured to store the correction parameter value ⁇ Ac and the old correction parameter value ⁇ Acp that was previously used as the correction parameter value ⁇ Ac. After reading out the correction parameter value ⁇ Ac to correct the operation parameter value A, the laser control processor 30 stores it in the parameter table PT as the old correction parameter value ⁇ Acp, and updates the correction parameter value ⁇ Ac using the old correction parameter value ⁇ Acp and stores it in the parameter table PT.
  • the laser control processor 30 performs a first adjusted oscillation to generate a pulsed laser beam based on the change pattern of the pulse time interval ⁇ T and the target value Lt of the laser beam parameter L, obtains a measured value Lm, and creates a parameter table PT by calculating a correction parameter value ⁇ Ac for each pulse based on the difference Le between the target value Lt and the measured value Lm for each pulse.
  • the laser control processor 30 performs the process of performing the first adjustment oscillation to create the parameter table PT multiple times, and ends the first adjustment oscillation when the difference Le between the target value Lt and the measured value Lm falls within an allowable range.
  • the accuracy of the correction parameter value ⁇ Ac can be improved by performing the adjustment oscillation multiple times, and an appropriate correction parameter value ⁇ Ac can be obtained by performing the adjustment oscillation until the difference Le falls within the allowable range.
  • the first embodiment is similar to the comparative example.
  • FIG. 31 is a flowchart of laser control in the first modified example of the first embodiment.
  • the configuration of the first modified example is similar to that described with reference to Fig. 14.
  • the processes of S50a and S70a are performed instead of S50 in Fig. 15.
  • the laser control processor 30 performs one burst oscillation using the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the correction parameter value ⁇ Ac is not updated. Details of S50a will be described later with reference to FIG. 32.
  • the laser control processor 30 determines whether or not to perform an adjusted oscillation. For example, when a sufficient downtime is expected, such as when replacing the semiconductor wafer WF or the reticle in the exposure apparatus 100, the laser control processor 30 determines to perform an adjusted oscillation. Alternatively, the laser control processor 30 may determine whether or not an adjusted oscillation start OK signal has been received from the exposure control processor 110, in which case S37 in FIG. 21 may be omitted. Alternatively, the laser control processor 30 may determine to perform an adjusted oscillation when the difference between the measured value Lm and the target value Lt of the laser light parameter L becomes larger than a threshold value. If an adjusted oscillation is to be performed (S70a: YES), the laser control processor 30 returns the process to S30. In S30, the process of S50 is performed as described with reference to FIG. 21, and the process of S50a is not performed. If an adjusted oscillation is not to be performed (S70a: NO), the laser control processor 30 advances the process to S80.
  • Fig. 32 is a flowchart showing an example of processing for performing one burst oscillation.
  • Fig. 32 corresponds to the subroutine of S50a in Fig. 31.
  • Fig. 32 differs from Fig. 23 in that it does not include the processing of S56.
  • the laser control processor 30 corrects the operating parameter value A using the same data set of the correction parameter value ⁇ Ac for the first burst and the second burst.
  • the measured value Lm of the laser light parameter L can be kept within the allowable range without updating the correction parameter value ⁇ Ac during exposure. Furthermore, since the correction parameter value ⁇ Ac is not updated during exposure, the correction parameter value ⁇ Ac does not fluctuate and control can be stabilized.
  • the first variant of the first embodiment is similar to the first embodiment.
  • FIG. 33 is a flowchart showing an example of a process for acquiring a data set of the correction parameter value ⁇ Ac in the second modified example of the first embodiment.
  • the configuration of the second modified example is similar to that described with reference to Fig. 14.
  • S39e is added to perform the second adjustment oscillation.
  • the laser control processor 30 performs a second adjustment oscillation to obtain the relationship between the operating parameter value A and the value of the laser light parameter L. Details of S39e are described below with reference to FIG. 34.
  • Fig. 34 is a flowchart showing an example of a process for acquiring the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L in the second modified example of the first embodiment.
  • Fig. 34 corresponds to the subroutine of S39e in Fig. 33.
  • the laser control processor 30 starts laser oscillation at a constant repetition frequency fa.
  • the laser control processor 30 may generate a trigger signal Tr of the repetition frequency fa by the internal trigger oscillator 33.
  • the repetition frequency fa is set to a repetition frequency at which the laser light parameter L is not easily affected by acoustic waves, for example, 3 kHz or less, and is preferably set to 10 Hz or more and 1 kHz or less.
  • FIG. 35 shows an example of the trigger signal Tr in the first and second adjusted oscillations.
  • the trigger signal Tr in the first adjusted oscillation continuously changes the pulse time interval ⁇ T according to the change pattern of the pulse time interval ⁇ T.
  • the maximum value of the pulse time interval ⁇ T is ⁇ Tmax.
  • the pulse time interval in the second adjusted oscillation is constant at the reciprocal 1/fa of the repetition frequency fa, and 1/fa is longer than ⁇ Tmax.
  • the laser control processor 30 sets the value of counter n, which counts the number of plots nmax of the operating parameter value A, to 0.
  • the laser control processor 30 adds 1 to the value of counter n to update the value of n.
  • the laser control processor 30 sets the operating parameter value A(n). For example, the first operating parameter value A(1) is set to the lower limit of the operating parameter value A.
  • the actuator is controlled according to the set operating parameter value A(n), and a pulsed laser beam is generated.
  • the laser control processor 30 acquires the measured value Lm(n) of the laser light parameter L of the generated pulsed laser light from the laser light parameter measuring device 16.
  • the measured value Lm(n) may be an average value of the measured values Lm of multiple pulses of the pulsed laser light.
  • the laser control processor 30 stores the operating parameter value A(n) and the measurement value Lm(n) in association with each other.
  • the laser control processor 30 determines whether the value of the counter n has reached the number of plots nmax. If the value of the counter n has reached the number of plots nmax (S397e: YES), the laser control processor 30 ends the laser oscillation at the repetition frequency fa and ends the processing of this flowchart. If the value of the counter n has not reached the number of plots nmax (S397e: NO), the laser control processor 30 calculates the next operating parameter value A(n+1) by adding the step width ⁇ A to the current operating parameter value A(n), and then returns to the processing of S393e.
  • FIG. 36 shows an example of the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L obtained by the second adjusted oscillation.
  • the measured value Lm(n) is calculated for each operation parameter value A(n) and is associated with each other to obtain the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L.
  • the laser control processor 30 performs a second adjusted oscillation to generate a pulsed laser beam while changing the operation parameter value A, obtains the relationship between the operation parameter value A and the measurement value Lm, and calculates either the operation parameter value A or the correction parameter value ⁇ Ac based on this relationship.
  • the second adjustment oscillation is performed to obtain the relationship between the operating parameter value A and the value of the laser light parameter L, and the first adjustment oscillation is performed based on this relationship, so that the operating parameter value A(k) can be calculated with high accuracy in the first adjustment oscillation (see FIG. 27), or the control gradient G(k) can be calculated (see FIG. 30) to calculate the correction parameter value ⁇ Ac(k) with high accuracy.
  • the characteristics of the laser device 1a can change due to changes in the gas composition inside the laser chamber 10, it is desirable to perform the second adjustment oscillation before the first adjustment oscillation each time the first adjustment oscillation is performed.
  • the time interval 1/fa of the pulses in the second adjusted oscillation is longer than the longest time interval ⁇ Tmax among the time intervals of the pulses that change according to the change pattern in the first adjusted oscillation.
  • the second modified example is similar to the first embodiment.
  • the correction parameter value ⁇ Ac may not be updated during exposure, as in the first modified example.
  • Fig. 37 is a flowchart of laser control in the second embodiment.
  • the configuration of the second embodiment is similar to that described with reference to Fig. 14.
  • target values Et, ⁇ t, and ⁇ t of the pulse energy E, wavelength ⁇ , and spectral linewidth ⁇ are obtained instead of the target value Lt of the laser light parameter L (S20b).
  • a correction parameter value ⁇ HVc for correcting the set voltage value HV a correction parameter value ⁇ A ⁇ c for correcting the set value A ⁇ of the rotation angle of the prism 14b, and a correction parameter value ⁇ A ⁇ c for correcting the set value A ⁇ of the position of the cylindrical plano-concave lens 15c are obtained (S30b) and updated (S50b).
  • FIG. 38 is a flowchart showing an example of a process for acquiring a target value Lt of the laser light parameter L.
  • FIG. 39 shows an example of the target value Lt of the laser light parameter L.
  • FIG. 40 is a flowchart showing an example of a process for acquiring a data set of the correction parameter value ⁇ Ac.
  • FIG. 41 is a flowchart showing an example of a process for updating the correction parameter value ⁇ Ac while performing one burst oscillation.
  • FIG. 42 shows an example of a parameter table PT.
  • FIG. 43 is a flowchart showing an example of a process for calculating a corrected operation parameter value Ac(k).
  • FIG. 44 to 46 are graphs illustrating a method for calculating the operation parameter value A(k) from the relationship between the operation parameter value A and the value of the laser light parameter L.
  • FIG. 47 is a flowchart showing an example of a process for calculating the correction parameter value ⁇ Ac(k) for the next burst. These figures are similar to the corresponding figures in the first embodiment, except that the laser light parameter L is controlled in synchronization with each pulse of the pulsed laser light, that is, the pulse energy E, the wavelength ⁇ , and the spectral linewidth ⁇ .
  • pulse energy E pulse energy E
  • wavelength ⁇ wavelength ⁇
  • spectral linewidth ⁇ can change in conjunction with each other; for example, after pulse energy E falls within the allowable range, changing the control of wavelength ⁇ and spectral linewidth ⁇ can change pulse energy E as well. As shown in FIG.
  • the second embodiment is similar to the first embodiment.
  • the correction parameter value ⁇ Ac may not be updated during exposure, as in the first modified example of the first embodiment, or a second adjustment oscillation may be performed, as in the second modified example of the first embodiment.
  • Laser device 1c that receives the set voltage value HV from the exposure device 100 48 shows a schematic configuration of a laser apparatus 1c according to the third embodiment.
  • the exposure apparatus 100 includes a pulse energy measuring instrument 116, which outputs a measured value Em2 of the pulse energy E to the exposure control processor 110.
  • the exposure control processor 110 transmits a set voltage value HV for adjusting the pulse energy E to the laser control processor 30, instead of a target value Et of the pulse energy E.
  • the laser control processor 30 performs one burst oscillation using the correction parameter values ⁇ HVc, ⁇ A ⁇ c, and ⁇ A ⁇ c, while updating the correction parameter values ⁇ A ⁇ c and ⁇ A ⁇ c for the next burst.
  • the correction parameter value ⁇ HVc is not updated. This is because in the exposure apparatus 100, feedback control of the set voltage value HV for each pulse is performed based on the measured value Em2 of the pulse energy E, and updating the correction parameter value ⁇ HVc during exposure may cause the pulse energy E to become unstable. Details of S50c are described below with reference to FIG. 50.
  • Fig. 50 is a flowchart showing an example of a process for updating the correction parameter value ⁇ Ac while performing one burst oscillation.
  • Fig. 50 corresponds to a subroutine of S50c in Fig. 49.
  • the processes of S52c and S54c are performed instead of S54b in Fig. 41, and the process of S56c is performed instead of S56b in Fig. 41.
  • the laser control processor 30 receives the set voltage value HV from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 stores the set voltage value HV in the memory 31 as the set voltage value HV(k) corresponding to the pulse number k.
  • the laser control processor 30 calculates the corrected set voltage value HVc(k), the corrected set value A ⁇ c(k), and the corrected set value A ⁇ c(k) by correcting the set voltage value HV(k), the set value A ⁇ (k), and the set value A ⁇ (k). Details of S54c will be described later with reference to FIG. 51.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter values ⁇ A ⁇ c(k) and ⁇ A ⁇ c(k) for the next burst. Details of S56c will be described later with reference to FIG. 52.
  • Fig. 51 is a flowchart showing an example of a process for calculating the corrected set voltage value HVc(k), the corrected set value A ⁇ c(k), and the corrected set value A ⁇ c(k).
  • Fig. 51 corresponds to a subroutine of S54c in Fig. 50.
  • the processes of S541c and S542c are performed instead of S541b and S542b in Fig. 43, and the process of S546c is performed instead of S546b in Fig. 43.
  • the laser control processor 30 does not need to read the target value Et(k) of the pulse energy E, and does not need to calculate the set voltage value HV(k) corresponding to the target value Et(k) in S542c. This is because the set voltage value HV(k) has already been acquired in S52c (see FIG. 50).
  • the target value Et of the pulse energy E is used in the adjustment oscillation (S30b in FIG. 49), but is not used during exposure (FIGS. 50 to 52), so it is sufficient to simply define a typical value in S20b in FIG. 49.
  • the laser control processor 30 does not need to write the correction parameter value ⁇ HVc(k) as the old correction parameter value ⁇ HVcp(k) in the parameter table PT. This is because if the correction parameter value ⁇ HVc(k) is updated in parallel with the feedback control for each pulse in the exposure apparatus 100, the pulse energy E may become unstable.
  • Fig. 52 is a flowchart showing an example of a process for calculating a correction parameter value ⁇ Ac(k) for the next burst.
  • Fig. 52 corresponds to the subroutine of S56c in Fig. 50.
  • the process for calculating the correction parameter value ⁇ HVc(k) based on the measured value Em(k) of the pulse energy E does not need to be performed.
  • the laser light parameter L includes the pulse energy E.
  • the laser control processor 30 receives the set voltage value HV for adjusting the pulse energy E from the exposure apparatus 100 as the operation parameter value A, and corrects the set voltage value HV using the same data set of the correction parameter value ⁇ Ac for the first burst and the second burst.
  • the correction parameter value ⁇ HVc(k) is not updated during exposure, which prevents the pulse energy E from becoming unstable and enables highly accurate control based on the set voltage value HV set by the exposure apparatus 100.
  • the third embodiment is similar to the second embodiment.
  • the second adjustment oscillation may be performed in the same manner as in the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 53 is a flowchart of laser control in a modified example of the third embodiment.
  • the configuration of the modified example is similar to that described with reference to Fig. 48.
  • the processes of S50d and S70a are performed instead of S50c in Fig. 49.
  • the laser control processor 30 performs one burst oscillation using the correction parameter value ⁇ Ac.
  • the correction parameter value ⁇ Ac is not updated. Details of S50d will be described later with reference to FIG. 54.
  • FIG. 54 is a flow chart showing an example of processing for performing one burst oscillation.
  • FIG. 54 corresponds to the subroutine S50d in FIG. 53.
  • FIG. 54 differs from FIG. 50 in that it does not include the processing of S56c.
  • the variation of the third embodiment is similar to the third embodiment.
  • a laser oscillator 17 includes an output coupling mirror 15 instead of a spectral adjuster 15a.
  • One surface of the output coupling mirror 15 is coated with a partially reflective film.
  • the output coupling mirror 15 does not need to have a function of adjusting the spectral linewidth ⁇ .
  • the laser device 1d includes a laser amplifier PO between the laser oscillator 17 and the beam splitter 16a.
  • the laser amplifier PO includes a laser chamber 20, discharge electrodes 21a and 21b, a rear mirror 24, and an output coupling mirror 25.
  • the rear mirror 24 is made of a material that transmits pulsed laser light, and one surface of the rear mirror 24 is coated with a partially reflective film. The reflectance of the rear mirror 24 is set higher than the reflectance of the output coupling mirror 25.
  • the laser chamber 20 is disposed in the optical path of the laser resonator that is composed of the rear mirror 24 and the output coupling mirror 25. Windows 20a and 20b are provided at both ends of the laser chamber 20.
  • Discharge electrodes 21a and 21b are disposed inside the laser chamber 20.
  • a power supply 22 is connected to the discharge electrode 21a, and the power supply 22 is connected to a charger (not shown).
  • the power supply 22 includes a switch 23.
  • the above-mentioned components of the laser amplifier PO are similar to the corresponding components of the laser oscillator 17.
  • an example of a Fabry-Perot type resonator has been shown as the optical resonator of the laser amplifier PO, the optical resonator is not limited to this example, and may be a ring resonator.
  • the laser control processor 30 sets a target value Et1 of the pulse energy E1 of the pulsed laser beam B1 output from the laser oscillator 17.
  • the laser control processor 30 further receives from the exposure control processor 110 the target values Et, ⁇ t, and ⁇ t of the pulse energy E, wavelength ⁇ , and spectral linewidth ⁇ , the pulse time interval ⁇ T, and a trigger signal Tr of the pulsed laser beam B2 output from the laser amplifier PO.
  • the laser control processor 30 transmits set voltage values HV1 and HVc to the power supplies 12 and 22, respectively, based on the target values Et1 and Et.
  • the laser control processor 30 transmits first and second trigger signals Tr1 and Tr2 to the power supplies 12 and 22, respectively, based on the trigger signal Tr.
  • the switch 23 included in the power supply 22 turns on when it receives a second trigger signal Tr2 from the laser control processor 30.
  • Tr2 a second trigger signal from the laser control processor 30.
  • the power supply 22 generates a pulsed high voltage from the electrical energy stored in a charger (not shown) and applies this high voltage to the discharge electrode 21a.
  • the timing of the second trigger signal Tr2 to the switch 23 relative to the timing of the first trigger signal Tr1 to the switch 13 is controlled so that the second discharge timing at which a discharge occurs inside the laser chamber 20 is synchronized with the first discharge timing at which a discharge occurs inside the laser chamber 10 by a delay time ⁇ T.
  • Pulse laser light B1 generated by the discharge in the laser chamber 10 and entering the laser chamber 20 travels back and forth between the rear mirror 24 and the output coupling mirror 25, and is amplified each time it passes through the discharge space inside the laser chamber 20.
  • the amplified pulse laser light B2 is output from the output coupling mirror 25.
  • FIG. 56 is a graph showing the relationship between the delay time ⁇ T of the second discharge timing relative to the first discharge timing and the spectral linewidth ⁇ of the pulsed laser light B2 output from the laser amplifier PO.
  • the delay time ⁇ T becomes shorter, the spectral linewidth ⁇ becomes larger, and as the delay time ⁇ T becomes longer, the spectral linewidth ⁇ becomes smaller.
  • the spectral linewidth ⁇ can be adjusted by the delay time ⁇ T.
  • a delay circuit (not shown) for adjusting the delay time ⁇ T is an example of an actuator in this disclosure.
  • the laser control processor 30 corrects the set value A ⁇ of the delay time ⁇ T calculated from the target value ⁇ t of the spectral linewidth ⁇ received from the exposure control processor 110 based on the correction parameter value ⁇ A ⁇ c, and sets the delay time ⁇ T by calculating the corrected set value A ⁇ c. This makes it possible to appropriately control the spectral linewidth ⁇ of the pulsed laser light B2 even when the pulse time interval ⁇ T changes continuously within a burst.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ A ⁇ c for the next burst based on the difference between the measured value ⁇ m of the spectral linewidth ⁇ and the target value ⁇ t, and stores it in the parameter table PT.
  • a spectral adjuster 15a may be disposed at the position of the output coupling mirror 15, and the spectral linewidth ⁇ may be adjusted by the spectral adjuster 15a.
  • the laser control processor 30 corrects the set voltage value HV calculated from the target value Et of the pulse energy E received from the exposure control processor 110 based on the correction parameter value ⁇ HVc, calculates the corrected set voltage value HVc, and controls the power supply 22. This makes it possible to appropriately control the pulse energy E of the pulse laser light B2 even when the pulse time interval ⁇ T changes continuously within a burst.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ HVc for the next burst based on the difference between the measured value Em of the pulse energy E and the target value Et, and stores it in the parameter table PT.
  • the fourth embodiment is similar to the first embodiment.
  • the correction parameter value ⁇ Ac may not be updated during exposure, as in the first modified example of the first embodiment, or a second adjustment oscillation may be performed, as in the second modified example of the first embodiment.
  • the pulse energy E, the wavelength ⁇ , and the spectral linewidth ⁇ may be synchronously controlled, as in the second embodiment.
  • the set voltage value HV received from the exposure apparatus 100 may be used, as in the third embodiment.
  • Laser device 1e including a solid-state laser 57 is a schematic diagram showing the configuration of a laser device 1e according to the fifth embodiment.
  • the laser device 1e includes a laser oscillator 18, a solid-state laser control processor 180, and a laser amplifier PA.
  • the laser oscillator 18 includes a solid-state laser
  • the laser amplifier PA includes a laser chamber that contains an excimer laser gas.
  • the solid-state laser control processor 180 is a processing device including a memory 181 in which a control program is stored, and a CPU 182 that executes the control program.
  • the solid-state laser control processor 180 is specially configured or programmed to execute various processes included in the present disclosure.
  • the laser oscillator 18 includes a semiconductor laser 60, a pulse amplifier 71, and a wavelength conversion system 72.
  • the semiconductor laser 60 includes a distributed feedback semiconductor laser, not shown.
  • the distributed feedback semiconductor laser includes a semiconductor laser element, a Peltier element, and a function generator, not shown. Each of the Peltier element and the function generator is an example of an actuator in this disclosure.
  • the pulse amplifier 71 includes a titanium sapphire crystal and a pumping pulse laser, not shown.
  • the titanium sapphire crystal is disposed in the optical path of the CW laser light output from the semiconductor laser 60.
  • the wavelength conversion system 72 includes an LBO (lithium triborate) crystal and a KBBF (potassium beryllium fluoroborate) crystal, not shown.
  • the laser amplifier PA includes a laser chamber 40, discharge electrodes 41a and 41b, a concave mirror 44, and a convex mirror 45.
  • the laser chamber 40 contains argon gas as a rare gas. Windows 40a and 40b are provided at both ends of the laser chamber 40.
  • Discharge electrodes 41a and 41b are disposed inside the laser chamber 40.
  • a power supply 42 is connected to the discharge electrode 41a, and the power supply 42 is connected to a charger (not shown).
  • the power supply 42 includes a switch 43.
  • the power supply 42 is an example of an actuator in this disclosure.
  • the convex mirror 45 is disposed in the optical path of the pulsed laser light B1 that is output from the laser oscillator 18 and passes through the windows 40a and 40b of the laser chamber 40.
  • the concave mirror 44 is disposed in the optical path of the pulsed laser light B1 that is reflected by the convex mirror 45 and passes through the windows 40a and 40b of the laser chamber 40 again.
  • the focal points of the convex mirror 45 and the concave mirror 44 coincide with each other.
  • a laser amplifier PA has been shown as an amplifier included in the laser device 1e, the amplifier is not limited to this example and may be, for example, a laser amplifier PO that includes a ring resonator.
  • the laser control processor 30 receives the pulse energy E, wavelength ⁇ , and target values Et, ⁇ t, and ⁇ t of the spectral linewidth ⁇ of the pulsed laser light B2, the pulse time interval ⁇ T, and the trigger signal Tr from the exposure control processor 110.
  • the laser control processor 30 transmits a set voltage value HVc to the power supply 42 based on the target value Et, and transmits set values A ⁇ c and A ⁇ c to the solid-state laser control processor 180 based on the target values ⁇ t and ⁇ t.
  • the laser control processor 30 transmits first and second trigger signals Tr1 and Tr2 based on the trigger signal Tr to the solid-state laser control processor 180 and the power supply 42, respectively.
  • the solid-state laser control processor 180 transmits the set values A ⁇ c and A ⁇ c to the semiconductor laser 60, and transmits the first trigger signal Tr1 to the pulse amplifier 71.
  • the semiconductor laser element outputs a CW (continuous wave) laser light with a wavelength of approximately 773.6 nm.
  • the central wavelength of the CW laser light output from the semiconductor laser element is adjusted by adjusting the temperature of the semiconductor laser element to a set value A ⁇ c using a Peltier element.
  • the central wavelength of the CW laser light is chirped by increasing or decreasing the current supplied to the semiconductor laser element at a high frequency using a function generator.
  • the larger the amplitude of the increasing or decreasing current the larger the spectral linewidth of the integrated spectral waveform obtained by integrating the spectral waveform of the CW laser light within the range of the pulse time width of the pulse laser light emitted from the pulse amplifier 71.
  • the spectral linewidth is adjusted by adjusting the amplitude of the increasing or decreasing current to a set value A ⁇ c.
  • the titanium sapphire crystal is excited by the pumping laser light output from the pumping pulse laser.
  • the titanium sapphire crystal amplifies the CW laser light that is incident during the excited period into a pulsed form, and emits the pulsed laser light toward the wavelength conversion system 72.
  • the wavelength conversion system 72 emits the fourth harmonic of the pulsed laser light output from the pulse amplifier 71 as pulsed laser light B1.
  • the wavelength ⁇ of the pulsed laser light B1 is approximately 193.4 nm, which is the amplification wavelength of the ArF excimer that constitutes the laser amplifier PA. If the laser amplifier PA is composed of a KrF excimer, the configuration of the semiconductor laser 60 and the wavelength conversion system 72 is selected so as to output pulsed laser light B1 according to the amplification wavelength.
  • a high voltage is applied to the discharge electrodes 41a and 41b so that discharge begins in the discharge space within the laser chamber 40 in synchronization with the timing at which the pulsed laser light B1 is incident on the laser chamber 40 from the laser oscillator 18.
  • the pulsed laser light B1 that enters the laser amplifier PA passes through the discharge space in the laser chamber 40, and is then reflected by the convex mirror 45, and is given a beam divergence angle according to the curvature of the convex mirror 45. This pulsed laser light B1 passes through the discharge space in the laser chamber 40 again.
  • the pulsed laser light B1 which is reflected by the convex mirror 45 and passes through the laser chamber 40, is reflected by the concave mirror 44 and returned to a nearly parallel beam.
  • This pulsed laser light B1 passes through the discharge space in the laser chamber 40 one more time and is emitted to the outside of the laser amplifier PA as pulsed laser light B2.
  • the beam width of the pulsed laser light B1 is expanded, and the pulse energy is amplified as it passes through the discharge space three times.
  • the laser control processor 30 corrects the temperature setting value A ⁇ , calculated from the target value ⁇ t of the wavelength ⁇ received from the exposure control processor 110, based on the correction parameter value ⁇ A ⁇ c, and sets the temperature of the semiconductor laser element by calculating the corrected setting value A ⁇ c. This makes it possible to appropriately control the wavelength ⁇ of the pulse laser light B2 even if the pulse time interval ⁇ T changes continuously within a burst.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ A ⁇ c for the next burst based on the difference between the measured value ⁇ m of the wavelength ⁇ and the target value ⁇ t, and stores it in the parameter table PT.
  • the laser control processor 30 corrects the set value A ⁇ of the current amplitude calculated from the target value ⁇ t of the spectral linewidth ⁇ received from the exposure control processor 110 based on the correction parameter value ⁇ A ⁇ c, and calculates the corrected set value A ⁇ c to set the amplitude of the current supplied to the semiconductor laser element. This makes it possible to appropriately control the spectral linewidth ⁇ of the pulsed laser light B2 even if the pulse time interval ⁇ T changes continuously within a burst.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ A ⁇ c for the next burst based on the difference between the measured value ⁇ m of the spectral linewidth ⁇ and the target value ⁇ t, and stores it in the parameter table PT.
  • the laser oscillator 18 is a solid-state laser, even if the pulse time interval ⁇ T changes continuously within a burst, there is little effect on the wavelength ⁇ and the spectral linewidth ⁇ , so correction of the set values A ⁇ and A ⁇ is not necessarily required.
  • the laser control processor 30 corrects the set voltage value HV calculated from the target value Et of the pulse energy E received from the exposure control processor 110 based on the correction parameter value ⁇ HVc, calculates the corrected set voltage value HVc, and controls the power supply 42. This makes it possible to appropriately control the pulse energy E of the pulse laser light B2 even when the pulse time interval ⁇ T changes continuously within a burst.
  • the laser control processor 30 calculates the correction parameter value ⁇ HVc for the next burst based on the difference between the measured value Em of the pulse energy E and the target value Et, and stores it in the parameter table PT.
  • the fifth embodiment is similar to the first embodiment.
  • the correction parameter value ⁇ Ac may not be updated during exposure, as in the first modified example of the first embodiment, or a second adjustment oscillation may be performed, as in the second modified example of the first embodiment.
  • the pulse energy E, the wavelength ⁇ , and the spectral linewidth ⁇ may be synchronously controlled, as in the second embodiment.
  • the set voltage value HV received from the exposure apparatus 100 may be used, as in the third embodiment.
  • Exposure apparatus 100a that corrects the operation parameter value A 58 shows a schematic configuration of an exposure apparatus 100a and a laser apparatus 1f according to the sixth embodiment.
  • the exposure apparatus 100a includes a pulse energy measuring device 116 and a parameter table PT.
  • the laser apparatus 1f does not need to include the internal trigger oscillator 33 and the parameter table PT.
  • the exposure control processor 110 corrects the operation parameter value A, which is calculated based on the target value Lt of the laser light parameter L, based on the correction parameter value ⁇ Ac stored in the parameter table PT, and transmits the corrected operation parameter value Ac to the laser control processor 30.
  • the laser control processor 30 does not need to calculate the corrected operation parameter value Ac.
  • the laser control processor 30 controls the actuator using the corrected operation parameter value Ac received from the exposure control processor 110.
  • the exposure control processor 110 acquires the measured value Lm of the laser light parameter L. For example, the exposure control processor 110 acquires the measured value Em of the pulse energy E from the pulse energy meter 116, and acquires the measured values ⁇ m and ⁇ m of the wavelength ⁇ and the spectral linewidth ⁇ from the laser control processor 30. The exposure control processor 110 updates the correction parameter value ⁇ Ac based on the difference Le between the measured value Lm and the target value Lt, and stores it in the parameter table PT.
  • the exposure apparatus 100a can be connected to a laser device 1f including a laser oscillator 17 that generates a pulsed laser beam, an actuator that adjusts a laser beam parameter L of the pulsed laser beam, and a laser control processor 30 that controls the actuator.
  • the exposure apparatus 100a includes a projection optical system 102 and an exposure control processor 110.
  • the projection optical system 102 forms an image on a wafer surface using a pulsed laser beam output from the laser device 1f.
  • the exposure control processor 110 acquires a measured value Lm of the laser beam parameter L of the pulsed laser beam, and corrects an operating parameter value A of the actuator so as to reduce a difference Le between the measured value Lm and a target value Lt based on a change pattern of the pulse time interval ⁇ T of the pulsed laser beam that changes continuously within a burst of burst oscillation, and outputs the corrected value to the laser device 1f.
  • the difference Le between the measured value Lm and the target value Lt can be brought within an acceptable range.
  • the laser light parameter L includes the pulse energy E
  • the exposure apparatus 100a further includes a pulse energy meter 116 that measures the pulse energy E.
  • the exposure control processor 110 acquires the pulse energy E measured by the pulse energy meter 116 as a measured value Lm, corrects the set voltage value HV for adjusting the pulse energy E as an operating parameter value A, and outputs it to the laser apparatus 1f.
  • the pulse energy E can be controlled with high precision by using the pulse energy measuring device 116 included in the exposure apparatus 100a.
  • the sixth embodiment is similar to the first embodiment.
  • the correction parameter value ⁇ Ac may not be updated during exposure, as in the first modification of the first embodiment, or the exposure control processor 110 may output a trigger signal Tr or other signals so that the laser device 1f performs the second adjusted oscillation, as in the second modification of the first embodiment.
  • the pulse energy E, the wavelength ⁇ , and the spectral linewidth ⁇ may be synchronously controlled, as in the second embodiment.
  • the spectral linewidth ⁇ may be controlled by the delay time ⁇ T of the first and second discharge timings given to the laser oscillator 17 and the laser amplifier PO, as in the fourth embodiment.
  • a solid-state laser may be used as the laser oscillator 18, as in the fifth embodiment.

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Abstract

レーザ装置は、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、露光装置の指令によりバースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、レーザ光パラメータの計測値と目標値との差が小さくなるようにアクチュエータの動作パラメータ値を補正し、アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を備える。

Description

レーザ装置、露光装置、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、レーザ装置、露光装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。例えば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過させる材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Line Narrowing Module：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
米国特許出願公開第２０１８／３０９２５９号明細書 米国特許出願公開第２０１７／１７９６７７号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、露光装置の指令によりバースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、レーザ光パラメータの計測値と目標値との差が小さくなるようにアクチュエータの動作パラメータ値を補正し、アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を備える。
　本開示の１つの観点に係る露光装置は、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を含むレーザ装置に接続可能な露光装置であって、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を用いてウエハ面に像を形成する投影光学系と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータの計測値を取得し、バースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、計測値と目標値との差が小さくなるように、アクチュエータの動作パラメータ値を補正してレーザ装置に出力する露光制御プロセッサと、を備える。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、露光装置の指令によりバースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、レーザ光パラメータの計測値と目標値との差が小さくなるようにアクチュエータの動作パラメータ値を補正し、アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を備えるレーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、パルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にパルスレーザ光を露光することを含む。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を含むレーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、パルスレーザ光を、レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を用いてウエハ面に像を形成する投影光学系と、レーザ光パラメータの計測値を取得し、バースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、計測値と目標値との差が小さくなるように、アクチュエータの動作パラメータ値を補正してレーザ装置に出力する露光制御プロセッサと、を含む露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にパルスレーザ光を露光することを含む。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例における露光システムの構成を概略的に示す。 図２は、比較例に係るレーザ装置の構成を模式的に示す。 図３は、露光システムによって露光される半導体ウエハの例を示す。 図４は、電源に送信されるトリガ信号の例を示す。 図５は、図６及び図７とともにパルスレーザ光の位置に対してスキャンフィールドの位置が変化する様子を示す。 図６は、図５及び図７とともにパルスレーザ光の位置に対してスキャンフィールドの位置が変化する様子を示す。 図７は、図５及び図６とともにパルスレーザ光の位置に対してスキャンフィールドの位置が変化する様子を示す。 図８は、複数のスキャンフィールドを順次露光する手順を示す。 図９は、比較例においてスキャンフィールドを露光するときのワークピーステーブルの速度及び繰り返し周波数の変化を示すグラフである。 図１０は、加速中露光におけるワークピーステーブルの速度及び繰り返し周波数の変化を示すグラフである。 図１１は、比較例における繰り返し周波数及びレーザ光パラメータの計測値の変化を示すグラフである。 図１２は、連続的に変化する繰り返し周波数及びレーザ光パラメータの計測値の変化を示すグラフである。 図１３は、第１の実施形態におけるレーザ光パラメータの計測値のグラフである。 図１４は、第１の実施形態に係るレーザ装置の構成を模式的に示す。 図１５は、第１の実施形態におけるレーザ制御のフローチャートである。 図１６は、パルス時間間隔の時系列データを取得する処理の第１の例を示すフローチャートである。 図１７は、パルス時間間隔の時系列データを取得する処理の第２の例を示すフローチャートである。 図１８は、パルス時間間隔の時系列データの一例を示す。 図１９は、レーザ光パラメータの目標値を取得する処理の例を示すフローチャートである。 図２０は、レーザ光パラメータの目標値の一例を示す。 図２１は、補正パラメータ値のデータセットを取得する処理の第１の例を示すフローチャートである。 図２２は、補正パラメータ値のデータセットを取得する処理の第２の例を示すフローチャートである。 図２３は、１回のバースト発振を行いながら補正パラメータ値を更新する処理の例を示すフローチャートである。 図２４は、補正された動作パラメータ値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図２５は、パラメータテーブルの一例を示す。 図２６は、目標値に対応する動作パラメータ値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図２７は、動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係から動作パラメータ値を計算する方法を例示するグラフである。 図２８は、次のバーストのために補正パラメータ値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図２９は、制御勾配を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図３０は、動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係から制御勾配を計算する方法を例示するグラフである。 図３１は、第１の実施形態の第１の変形例におけるレーザ制御のフローチャートである。 図３２は、１回のバースト発振を行う処理の例を示すフローチャートである。 図３３は、第１の実施形態の第２の変形例において補正パラメータ値のデータセットを取得する処理の例を示すフローチャートである。 図３４は、第１の実施形態の第２の変形例において動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係を取得する処理の例を示すフローチャートである。 図３５は、第１及び第２の調整発振におけるトリガ信号の例を示す。 図３６は、第２の調整発振によって取得される動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係の例を示す。 図３７は、第２の実施形態におけるレーザ制御のフローチャートである。 図３８は、レーザ光パラメータの目標値を取得する処理の例を示すフローチャートである。 図３９は、レーザ光パラメータの目標値の一例を示す。 図４０は、補正パラメータ値のデータセットを取得する処理の例を示すフローチャートである。 図４１は、１回のバースト発振を行いながら補正パラメータ値を更新する処理の例を示すフローチャートである。 図４２は、パラメータテーブルの一例を示す。 図４３は、補正された動作パラメータ値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図４４は、動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係から動作パラメータ値を計算する方法を例示するグラフである。 図４５は、動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係から動作パラメータ値を計算する方法を例示するグラフである。 図４６は、動作パラメータ値とレーザ光パラメータの値との関係から動作パラメータ値を計算する方法を例示するグラフである。 図４７は、次のバーストのために補正パラメータ値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図４８は、第３の実施形態に係るレーザ装置の構成を模式的に示す。 図４９は、第３の実施形態におけるレーザ制御のフローチャートである。 図５０は、１回のバースト発振を行いながら補正パラメータ値を更新する処理の例を示すフローチャートである。 図５１は、補正された設定電圧値及び補正された設定値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図５２は、次のバーストのために補正パラメータ値を計算する処理の例を示すフローチャートである。 図５３は、第３の実施形態の変形例におけるレーザ制御のフローチャートである。 図５４は、１回のバースト発振を行う処理の例を示すフローチャートである。 図５５は、第４の実施形態に係るレーザ装置の構成を模式的に示す。 図５６は、第１の放電タイミングに対する第２の放電タイミングの遅延時間と、レーザ増幅器から出力されるパルスレーザ光のスペクトル線幅と、の関係を示すグラフである。 図５７は、第５の実施形態に係るレーザ装置の構成を模式的に示す。 図５８は、第６の実施形態に係る露光装置及びレーザ装置の構成を模式的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．比較例
　１．１　露光装置１００の構成
　１．２　露光装置１００の動作
　１．３　レーザ装置１の構成
　１．４　レーザ装置１の動作
　１．５　ステップアンドスキャン露光
　１．６　繰り返し周波数ｆの変化に伴う課題
２．バースト発振するパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを用いるレーザ装置１ａ
　２．１　コンセプト
　２．２　構成
　２．３　動作
　　２．３．１　メインフロー
　　２．３．２　パルス時間間隔ΔＴの時系列データの取得
　　２．３．３　レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔの取得
　　２．３．４　補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットの取得
　　２．３．５　バースト発振及び補正パラメータ値ΔＡｃの更新
　　　２．３．５．１　補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）の計算
　　　２．３．５．２　次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）の計算
　２．４　作用
３．露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないレーザ装置１ａ
　３．１　動作
　　３．１．１　メインフロー
　　３．１．２　バースト発振
　３．２　作用
４．第２の調整発振を行うレーザ装置１ａ
　４．１　動作
　　４．１．１　補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットの取得
　　４．１．２　第２の調整発振
　４．２　作用
５．パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλを同期して制御するレーザ装置１ａ
６．設定電圧値ＨＶを露光装置１００から受信するレーザ装置１ｃ
　６．１　構成
　６．２　動作
　　６．２．１　メインフロー
　　６．２．２　バースト発振及び補正パラメータ値ΔＡｃの更新
　　　６．２．２．１　補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）の計算
　　　６．２．２．２　次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）の計算
　６．３　作用
７．露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないレーザ装置１ｃ
８．レーザ発振器１７及びレーザ増幅器ＰＯの放電タイミングによってスペクトル線幅Δλを調整するレーザ装置１ｄ
　８．１　構成
　８．２　動作
９．固体レーザを含むレーザ装置１ｅ
　９．１　構成
　　９．１．１　レーザ発振器１８
　　９．１．２　レーザ増幅器ＰＡ
　９．２　動作
１０．動作パラメータ値Ａを補正する露光装置１００ａ
　１０．１　構成
　１０．２　動作
　１０．３　作用
１１．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．比較例
　図１は、比較例における露光システムの構成を概略的に示す。本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。露光システムは、レーザ装置１と、露光装置１００と、を含む。レーザ装置１は、レーザ制御プロセッサ３０を含む。レーザ制御プロセッサ３０は、制御プログラムが記憶されたメモリ３１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ（central processing unit）３２と、を含む処理装置である。レーザ制御プロセッサ３０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。レーザ装置１は、パルスレーザ光を露光装置１００に向けて出力するように構成されている。
　１．１　露光装置１００の構成
　露光装置１００は、照明光学系１０１と、投影光学系１０２と、露光制御プロセッサ１１０と、を含む。照明光学系１０１は、レーザ装置１から入射したパルスレーザ光によって、レチクルステージＲＴ上に配置された図示しないレチクルのレチクルパターンを照明する。投影光学系１０２は、レチクルを透過したパルスレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはレジスト膜が塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
　露光制御プロセッサ１１０は、制御プログラムが記憶されたメモリ１１１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ１１２と、を含む処理装置である。露光制御プロセッサ１１０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。露光制御プロセッサ１１０は、露光装置１００の制御を統括するとともに、レーザ制御プロセッサ３０との間で各種データ及び各種信号を送受信する。
　１．２　露光装置１００の動作
　露光制御プロセッサ１１０は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔのデータ、及びトリガ信号Ｔｒを、レーザ制御プロセッサ３０に送信する。レーザ光パラメータＬはパルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλを含み、目標値Ｌｔはそれらの目標値Ｅｔ、λｔ、及びΔλｔを含む。レーザ制御プロセッサ３０は、これらのデータ及び信号に従ってレーザ装置１を制御する。露光制御プロセッサ１１０は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して互いに逆方向に平行移動させる。これにより、レチクルパターンを反映したパルスレーザ光でワークピースが露光される。
　このような露光工程によって半導体ウエハにレチクルパターンが転写される。その後、複数の工程を経ることで電子デバイスを製造することができる。
　１．３　レーザ装置１の構成
　図２は、比較例に係るレーザ装置１の構成を模式的に示す。レーザ装置１は、レーザ発振器１７と、電源１２と、レーザ光パラメータ計測器１６と、シャッター１９と、レーザ制御プロセッサ３０と、を含む。レーザ装置１は露光装置１００に接続可能とされている。図２には互いに垂直なＺ軸、Ｖ軸、及びＨ軸が示されている。パルスレーザ光はレーザ発振器１７からＺ方向に出力される。
　レーザ発振器１７は、レーザチャンバ１０と、放電電極１１ａと、狭帯域化モジュール１４と、スペクトル調整器１５ａと、を含む。狭帯域化モジュール１４とスペクトル調整器１５ａとが、レーザ共振器を構成する。レーザチャンバ１０は、レーザ共振器の光路に配置されている。レーザチャンバ１０の両端にはウインドウ１０ａ及び１０ｂが設けられている。レーザチャンバ１０の内部に、放電電極１１ａ及びこれと対をなす図示しない放電電極が配置されている。図示しない放電電極は、紙面に垂直なＶ軸の方向において放電電極１１ａと重なるように位置している。レーザチャンバ１０には、例えばレアガスとしてアルゴンガス又はクリプトンガス、ハロゲンガスとしてフッ素ガス、バッファガスとしてネオンガス等を含むレーザガスが封入される。
　電源１２は、スイッチ１３を含むとともに、放電電極１１ａと図示しない充電器とに接続されている。電源１２は本開示におけるアクチュエータの一例である。
　狭帯域化モジュール１４は、複数のプリズム１４ａ及び１４ｂとグレーティング１４ｃとを含む。プリズム１４ａ及び１４ｂは、ウインドウ１０ａから出射した光の光路にこの順で配置されている。光が入出射するプリズム１４ａ及び１４ｂの表面はいずれもＶ方向に平行である。グレーティング１４ｃは、プリズム１４ａ及び１４ｂを透過した光の光路において、入射角と回折角とが一致するようにリトロー配置されている。グレーティング１４ｃの溝の方向は、Ｖ方向に平行である。
　プリズム１４ｂは、回転ステージ１４ｅに支持されている。回転ステージ１４ｅは、図示しないドライバを含む。回転ステージ１４ｅは本開示におけるアクチュエータの一例である。
　スペクトル調整器１５ａは、シリンドリカル平凸レンズ１５ｂと、シリンドリカル平凹レンズ１５ｃと、リニアステージ１５ｄと、を含む。シリンドリカル平凹レンズ１５ｃはレーザチャンバ１０とシリンドリカル平凸レンズ１５ｂとの間に配置される。シリンドリカル平凸レンズ１５ｂ及びシリンドリカル平凹レンズ１５ｃは、シリンドリカル平凸レンズ１５ｂの凸面とシリンドリカル平凹レンズ１５ｃの凹面とが向かい合うように配置されている。シリンドリカル平凸レンズ１５ｂの凸面及びシリンドリカル平凹レンズ１５ｃの凹面はそれぞれＶ方向に平行な焦点軸を有する。シリンドリカル平凸レンズ１５ｂの凸面の反対側に位置する平らな面は、部分反射膜でコーティングされている。
　シリンドリカル平凹レンズ１５ｃは、リニアステージ１５ｄに支持されている。リニアステージ１５ｄは図示しないドライバを含む。リニアステージ１５ｄは本開示におけるアクチュエータの一例である。
　スペクトル調整器１５ａから出力されたパルスレーザ光の光路にビームスプリッタ１６ａが配置され、ビームスプリッタ１６ａは、パルスレーザ光の一部を露光装置１００に向けて高い透過率で透過させるとともに、他の一部を反射するように構成されている。ビームスプリッタ１６ａによって反射されたパルスレーザ光の光路にレーザ光パラメータ計測器１６が配置されている。レーザ光パラメータ計測器１６はレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍを出力する。計測値Ｌｍは、パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλの計測値Ｅｍ、λｍ、及びΔλｍを含む。
　一例として、レーザ光パラメータ計測器１６は、図示しないエネルギーモニタ及びスペクトルモニタを含む。エネルギーモニタは、図示しないフォトダイオードを含み、パルスレーザ光のパルスエネルギーＥの計測値Ｅｍを含む信号を出力する。スペクトルモニタは、図示しないエタロン分光器を含み、パルスレーザ光の干渉縞の波形データを出力する。レーザ光パラメータ計測器１６に含まれる図示しない処理装置が干渉縞の波形データからパルスレーザ光の波長λ及びスペクトル線幅Δλの計測値λｍ及びΔλｍを計算する。パルスレーザ光の波長λとは中心波長を意味する。
　シャッター１９は、ビームスプリッタ１６ａを透過したパルスレーザ光の光路に位置する。シャッター１９は、露光装置１００へのパルスレーザ光の通過と遮断とを切り替え可能に構成されている。
　１．４　レーザ装置１の動作
　レーザ制御プロセッサ３０は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔのデータ及びトリガ信号Ｔｒを露光制御プロセッサ１１０から受信し、目標値Ｌｔに基づいてアクチュエータの動作パラメータ値Ａを出力する。動作パラメータ値Ａは、パルスエネルギーＥを調整するための設定電圧値ＨＶと、波長λを調整するためのプリズム１４ｂの回転角度の設定値Ａλと、スペクトル線幅Δλを調整するためのシリンドリカル平凹レンズ１５ｃの位置の設定値ＡΔλと、を含む。すなわち、レーザ制御プロセッサ３０は、パルスエネルギーＥの目標値Ｅｔに基づいて、放電電極１１ａに印加される電圧のための設定電圧値ＨＶを電源１２に送信する。レーザ制御プロセッサ３０は、波長λの目標値λｔに基づいて、プリズム１４ｂの回転角度の設定値Ａλを回転ステージ１４ｅに送信する。レーザ制御プロセッサ３０は、スペクトル線幅Δλの目標値Δλｔに基づいて、シリンドリカル平凹レンズ１５ｃの位置の設定値ＡΔλをリニアステージ１５ｄに送信する。さらに、レーザ制御プロセッサ３０は、トリガ信号Ｔｒを電源１２に送信する。
　スイッチ１３は、電源１２がトリガ信号Ｔｒを受信するとオン状態となる。電源１２は、スイッチ１３がオン状態となると、図示しない充電器に充電された電気エネルギーから設定電圧値ＨＶに応じたパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を放電電極１１ａに印加する。
　放電電極１１ａに高電圧が印加されると、レーザチャンバ１０の内部に放電が起こる。この放電のエネルギーにより、レーザチャンバ１０の内部のレーザ媒質が励起されて高エネルギー準位に移行する。励起されたレーザ媒質が、その後低エネルギー準位に移行するとき、そのエネルギー準位差に応じた波長の光を放出する。
　レーザチャンバ１０の内部で発生した光は、ウインドウ１０ａ及び１０ｂを介してレーザチャンバ１０の外部に出射する。レーザチャンバ１０のウインドウ１０ａから出射した光は、プリズム１４ａ及び１４ｂによってＨ方向のビーム幅を拡大させられて、グレーティング１４ｃに入射する。プリズム１４ａ及び１４ｂからグレーティング１４ｃに入射した光は、グレーティング１４ｃの複数の溝によって反射されるとともに、光の波長に応じた方向に回折させられる。グレーティング１４ｃに入射した光の入射角と、所望波長の回折光の回折角と、を一致させることで、グレーティング１４ｃからプリズム１４ｂに入射する回折光の波長が選択される。プリズム１４ａ及び１４ｂは、グレーティング１４ｃから入射した回折光のＨ方向のビーム幅を縮小させるとともに、その光を、ウインドウ１０ａを介してレーザチャンバ１０に戻す。
　スペクトル調整器１５ａに含まれるシリンドリカル平凸レンズ１５ｂは、レーザチャンバ１０のウインドウ１０ｂから出射した光のうちの一部を透過させて出力し、他の一部を反射してウインドウ１０ｂを介してレーザチャンバ１０の内部に戻す。
　このようにして、レーザチャンバ１０から出射した光は、狭帯域化モジュール１４とスペクトル調整器１５ａとの間で往復し、レーザチャンバ１０の内部の放電空間を通過する度に増幅される。この光は、狭帯域化モジュール１４で折り返される度に狭帯域化される。こうしてレーザ発振し狭帯域化された光が、スペクトル調整器１５ａからパルスレーザ光として出力される。
　狭帯域化モジュール１４に含まれる回転ステージ１４ｅは、レーザ制御プロセッサ３０から出力される設定値Ａλに従って、プリズム１４ｂをＶ方向に平行な軸周りに回転させる。これにより、狭帯域化モジュール１４の選択波長が調整され、パルスレーザ光の波長λが調整される。パルスレーザ光の波長λの調整はプリズム１４ｂの回転による場合に限られず、図示しないミラーを狭帯域化モジュール１４に配置し、ミラーの姿勢を変更してグレーティング１４ｃに入射する光の入射角を調整することによって行われてもよい。
　スペクトル調整器１５ａに含まれるリニアステージ１５ｄは、レーザ制御プロセッサ３０から出力される設定値ＡΔλに従って、レーザチャンバ１０とシリンドリカル平凸レンズ１５ｂとの間の光路に沿ってシリンドリカル平凹レンズ１５ｃを移動させる。これにより、スペクトル調整器１５ａから狭帯域化モジュール１４へ向かう光の波面が調整され、パルスレーザ光のスペクトル線幅Δλが調整される。
　レーザ光パラメータ計測器１６は、パルスレーザ光のレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍをレーザ制御プロセッサ３０に出力する。計測値Ｌｍに含まれるパルスエネルギーＥの計測値Ｅｍは、レーザ制御プロセッサ３０が設定電圧値ＨＶをフィードバック制御するのに用いられる。計測値Ｌｍに含まれる波長λの計測値λｍは、レーザ制御プロセッサ３０がプリズム１４ｂの回転角度の設定値Ａλをフィードバック制御するのに用いられる。計測値Ｌｍに含まれるスペクトル線幅Δλの計測値Δλｍは、レーザ制御プロセッサ３０がシリンドリカル平凹レンズ１５ｃの位置の設定値ＡΔλをフィードバック制御するのに用いられる。
　１．５　ステップアンドスキャン露光
　図３は、露光システムによって露光される半導体ウエハＷＦの例を示す。図３には半導体ウエハＷＦの面内で互いに直交するＸ軸及びＹ軸が示されている。半導体ウエハＷＦは、例えば、ほぼ円板形を有する単結晶シリコンの板である。半導体ウエハＷＦには例えば感光性のレジスト膜が塗布されている。半導体ウエハＷＦの露光は、スキャンフィールドＳＦ＃１、ＳＦ＃２等の区画ごとに行われる。スキャンフィールドＳＦ＃１、ＳＦ＃２の各々は、１枚のレチクルのレチクルパターンが転写される領域に相当する。＃１及び＃２は露光順を示す。露光順を特定せずに説明する場合は＃１、＃２等を付さないことがある。１つめのスキャンフィールドＳＦ＃１にパルスレーザ光が照射されるように半導体ウエハＷＦを移動させて、スキャンフィールドＳＦ＃１を露光する。その後、２つめのスキャンフィールドＳＦ＃２にパルスレーザ光が照射されるように半導体ウエハＷＦを移動させて、スキャンフィールドＳＦ＃２を露光する。その後同様に半導体ウエハＷＦを移動させながらすべてのスキャンフィールドＳＦの露光を行う。
　図４は、電源１２に送信されるトリガ信号Ｔｒの例を示す。１つのスキャンフィールドＳＦを露光するときはパルスレーザ光が所定の繰り返し周波数で連続して出力される。１つのスキャンフィールドＳＦから他のスキャンフィールドＳＦに移動するときはパルスレーザ光の出力を休止する。パルスレーザ光を連続して出力する動作をバーストという。１つの半導体ウエハＷＦを露光するために、バーストが複数回にわたって繰り返される。このようなレーザ発振をバースト発振という。
　１つめの半導体ウエハＷＦ＃１の露光が終了すると、ワークピーステーブルＷＴ上の半導体ウエハＷＦ＃１を２つめの半導体ウエハＷＦ＃２に交換するために露光装置１００へのパルスレーザ光の出力は中止される。但し、シャッター１９を閉じた状態で、パラメータの調整などを目的とした調整発振が行われてもよい。
　図５～図７は、パルスレーザ光の位置に対してスキャンフィールドＳＦの位置が変化する様子を示す。スキャンフィールドＳＦのＸ軸方向の幅は、ワークピーステーブルＷＴの位置におけるパルスレーザ光のビーム断面ＢのＸ軸方向の幅と同一である。スキャンフィールドＳＦのＹ軸方向の幅は、ワークピーステーブルＷＴの位置におけるパルスレーザ光のビーム断面ＢのＹ軸方向の幅Ｗより大きい。
　パルスレーザ光によりスキャンフィールドＳＦを露光する手順は、図５、図６、図７の順で行われる。まず、図５に示されるように、ビーム断面Ｂの－Ｙ方向の端Ｂｙ－の位置に対してスキャンフィールドＳＦの＋Ｙ方向の端ＳＦｙ＋が－Ｙ方向に所定距離離れて位置するようにワークピーステーブルＷＴが位置決めされる。そして、ワークピーステーブルＷＴが＋Ｙ方向に加速される。ビーム断面Ｂの－Ｙ方向の端Ｂｙ－の位置に対してスキャンフィールドＳＦの＋Ｙ方向の端ＳＦｙ＋が一致するときまでに、ワークピーステーブルＷＴの速度はＶｙとなる。図６に示されるように、ビーム断面Ｂの位置に対してスキャンフィールドＳＦの位置が速度Ｖｙで等速直線運動するようにワークピーステーブルＷＴを移動しながら、スキャンフィールドＳＦが露光される。図７に示されるように、ビーム断面Ｂの＋Ｙ方向の端Ｂｙ＋の位置をスキャンフィールドＳＦの－Ｙ方向の端ＳＦｙ－が通過するまでワークピーステーブルＷＴが移動されたら、スキャンフィールドＳＦの露光が終了する。このように、ビーム断面Ｂの位置に対してスキャンフィールドＳＦが移動しながら露光が行われる。
　パルスレーザ光のビーム断面Ｂの幅Ｗに相当する距離をスキャンフィールドＳＦが速度Ｖｙで移動するための所要時間Ｔは、以下の通りである。
　　　Ｔ＝Ｗ／Ｖｙ
　スキャンフィールドＳＦのうちの任意の１箇所に照射されるパルスレーザ光の照射パルス数Ｎｓは、所要時間Ｔにおいて生成されるパルスレーザ光のパルス数と同一であり、以下の通りである。
　　　Ｎｓ＝ｆ・Ｔ
ここで、ｆはパルスレーザ光の繰り返し周波数である。
　照射パルス数Ｎｓは、Ｎスリットパルス数ともいう。スキャンフィールドＳＦのどの位置においても照射パルス数Ｎｓが一定となるようにすることで、スキャンフィールドＳＦの面内における露光品質が一定となる。
　図８は、複数のスキャンフィールドＳＦ＃１、ＳＦ＃２等を順次露光する手順を示す。ステップアンドスキャン露光においては、１つのスキャンフィールドＳＦ＃１から次のスキャンフィールドＳＦ＃２へ移るたびに、スキャン方向がＹ方向から－Ｙ方向へ、あるいは－Ｙ方向からＹ方向へと反対方向に切り替わる。このため、速度Ｖｙの等速直線運動を維持したままでは１つのスキャンフィールドＳＦ＃１から次のスキャンフィールドＳＦ＃２へ移ることはできず、ワークピーステーブルＷＴのＹ方向の速度成分を一旦０まで減速したうえで、反対方向に加速する必要がある。
　図９は、比較例においてスキャンフィールドＳＦを露光するときのワークピーステーブルＷＴの速度Ｖ及び繰り返し周波数ｆの変化を示すグラフである。スキャンフィールドＳＦのどの位置においても照射パルス数Ｎｓが一定となるように、ワークピーステーブルＷＴが速度Ｖｙで等速直線運動している間に、繰り返し周波数ｆのパルスレーザ光によりスキャンフィールドＳＦが露光される。露光の前には速度０からの加速を行う必要があり、露光の後には速度０への減速を行う必要がある。比較例においては加減速の期間に露光を行うことができず、生産効率の向上の妨げとなり得る。
　図１０は、加速中露光におけるワークピーステーブルＷＴの速度Ｖ及び繰り返し周波数ｆの変化を示すグラフである。比較例と異なる露光技術として、ワークピーステーブルＷＴが等速直線運動に達する前にスキャンフィールドＳＦの露光を開始したり、ワークピーステーブルＷＴが減速を開始してからスキャンフィールドＳＦの露光を終了したりすることが提案されている。この露光技術を加速中露光という。加速中露光における加速中とは、加速度が０以外の状態をいい、減速中を含む。図９に示される比較例においては、露光中のパルスレーザ光の繰り返し周波数ｆが一定値であるのに対し、加速中露光においては、ワークピーステーブルＷＴの速度Ｖの変化に合わせて、スキャンフィールドＳＦのどの位置においても照射パルス数Ｎｓが一定となるように、露光中に繰り返し周波数ｆを変化させる。
　加速中露光においては、ワークピーステーブルＷＴが速度Ｖｙに達する前に露光を開始するので、１つのスキャンフィールドＳＦの露光開始から露光終了までの所要時間は比較例よりもわずかに長くなる。しかし、速度０から露光開始までの加速の所要時間と、露光終了から速度０までの減速の所要時間とが比較例より短くなり、総合的な生産効率を向上し得る。
　１．６　繰り返し周波数ｆの変化に伴う課題
　図１１は、比較例における繰り返し周波数ｆ及びレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍの変化を示すグラフである。繰り返し周波数ｆが変化すると、レーザチャンバ１０の内部で発生する音響波の影響が変化したり、各種光学素子が受ける熱負荷の影響が変化したりして、あるいはその他の要因によってレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍが変わってしまうことがある。しかし、繰り返し周波数ｆが変化するとしても、比較例のように同じ繰り返し周波数ｆでのパルスレーザ光の出力が連続する場合は、レーザ光パラメータＬのフィードバック制御に加えて、繰り返し周波数ｆに応じた補正を行うことで、計測値Ｌｍを許容範囲内に収めることが可能である。例えば、第１の繰り返し周波数ｆ１においては第１の補正を行い、第２の繰り返し周波数ｆ２においては第２の補正を行えばよい。
　図１２は、連続的に変化する繰り返し周波数ｆ及びレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍの変化を示すグラフである。図１２に示される繰り返し周波数ｆの変化は、図１０にＸＩＩで示される期間内の繰り返し周波数ｆの変化に相当する。繰り返し周波数ｆを連続的に変化させながらパルスレーザ光を出力する場合は、パルスごとのフィードバック制御に加えて、繰り返し周波数ｆに応じた補正を行っても、計測値Ｌｍを許容範囲内に収めることが困難になり得る。例えば、繰り返し周波数ｆを増加させながら第１の繰り返し周波数ｆ１に達した場合と、繰り返し周波数ｆを減少させながら第１の繰り返し周波数ｆ１に達した場合とで同じ補正を行っても、計測値Ｌｍは同じ値にならない。その原因は、繰り返し周波数ｆが同じであっても、繰り返し周波数ｆの変化の過去の履歴によって、レーザチャンバ１０内のガスの密度分布及び温度分布、及び光学素子の温度が異なるためであると推定される。
　図１２における時刻ｔ１までの繰り返し周波数ｆの変化の履歴ｈ１と、時刻ｔ２までの繰り返し周波数ｆの変化の履歴ｈ２とでは異なる。そのような履歴による影響はパルスごとに異なると考えられるので、繰り返し周波数ｆを連続的に変化させる場合のレーザ光パラメータＬの制御においては、履歴に応じて別々の補正が必要となり得る。
　本開示は、繰り返し周波数ｆを連続的に変化させる場合にレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍを目標値Ｌｔに近い値に安定化するレーザ装置又はその制御方法を提供することを目的とする。
２．バースト発振するパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを用いるレーザ装置１ａ
　２．１　コンセプト
　図１３は、第１の実施形態におけるレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍのグラフである。１回のバーストの開始直後及び終了直前において繰り返し周波数ｆが最も小さく、バーストの途中では繰り返し周波数ｆが次第に高くなった後、次第に低くなる。繰り返し周波数ｆの変化パターンが第１のバーストと第２のバーストとで同じである場合、第１のバーストと第２のバーストとのそれぞれにおける出力順が同じであるパルスにおいては、繰り返し周波数ｆの変化の履歴が同じである。
　そこで、第１のバーストにおける各パルスの計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差に基づいて各パルスの補正パラメータ値ΔＡｃを計算し、補正パラメータ値ΔＡｃを用いて、第２のバーストにおいて出力順が同じである各パルスのレーザ光パラメータＬを制御する。これにより、第１のバーストにおける各パルスの計測値Ｌｍよりも、第２のバーストにおける各パルスの計測値Ｌｍの方が目標値Ｌｔに近くなり得る。さらにバーストを繰り返しながら補正パラメータ値ΔＡｃを更新することで、補正パラメータ値ΔＡｃの精度を向上し得る。補正パラメータ値ΔＡｃは、設定電圧値ＨＶを補正するための補正パラメータ値ΔＨＶｃと、プリズム１４ｂの回転角度の設定値Ａλを補正するための補正パラメータ値ΔＡλｃと、シリンドリカル平凹レンズ１５ｃの位置の設定値ＡΔλを補正するための補正パラメータ値ΔＡΔλｃと、のいずれかを含む。
　２．２　構成
　図１４は、第１の実施形態に係るレーザ装置１ａの構成を模式的に示す。レーザ装置１ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は内部トリガ発振器３３を含む。内部トリガ発振器３３は、後述の調整発振を行う場合に、露光制御プロセッサ１１０からトリガ信号Ｔｒを受信しなくてもトリガ信号Ｔｒを生成して電源１２に送信できるように構成されている。
　露光制御プロセッサ１１０は、レーザ制御プロセッサ３０にパルス時間間隔ΔＴの時系列データを送信する。パルス時間間隔ΔＴの時系列データについては図１８を参照しながら後述する。
　レーザ制御プロセッサ３０は、パラメータテーブルＰＴにアクセス可能に構成されている。パラメータテーブルＰＴは、バースト内のパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを記憶する。パラメータテーブルＰＴは本開示におけるテーブルに相当する。パラメータテーブルＰＴについてはさらに図２５を参照しながら後述する。
　レーザ制御プロセッサ３０は、目標値Ｌｔに基づいて計算された動作パラメータ値Ａを、補正パラメータ値ΔＡｃを用いて補正し、補正された動作パラメータ値Ａｃを対応するアクチュエータに送信する。補正された動作パラメータ値Ａｃは、補正された設定電圧値ＨＶｃと、プリズム１４ｂの回転角度の補正された設定値Ａλｃと、シリンドリカル平凹レンズ１５ｃの位置の補正された設定値ＡΔλｃと、のいずれかを含む。
　２．３　動作
　２．３．１　メインフロー
　図１５は、第１の実施形態におけるレーザ制御のフローチャートである。レーザ制御プロセッサ３０は、以下の処理により、補正パラメータ値ΔＡｃを用いてバースト発振を行いながら、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡｃを更新する。
　Ｓ１０において、レーザ制御プロセッサ３０は、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを取得する。Ｓ１０の詳細については図１６～図１８を参照しながら後述する。
　Ｓ２０において、レーザ制御プロセッサ３０は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔを取得する。Ｓ２０の詳細については図１９及び図２０を参照しながら後述する。
　Ｓ３０において、レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する。Ｓ３０の詳細については図２１及び図２２を参照しながら後述する。
　Ｓ４０において、レーザ制御プロセッサ３０は、加速中露光の準備ＯＫ信号を露光制御プロセッサ１１０に送信する。準備ＯＫ信号を受信した露光制御プロセッサ１１０は、ワークピーステーブルＷＴ等の動作準備の後、各種データ及びトリガ信号Ｔｒをレーザ制御プロセッサ３０に送信する。
　Ｓ５０において、レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＡｃを用いて１回のバースト発振を行いながら、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡｃを更新する。Ｓ５０の詳細については図２３～図３０を参照しながら後述する。
　Ｓ８０において、レーザ制御プロセッサ３０は、加速中露光を継続するか否かを判定する。例えば、露光装置１００が加速中露光を中止して等速直線運動による露光を行う場合には、加速中露光を継続しないと判定される。加速中露光を継続しない場合（Ｓ８０：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了する。加速中露光を継続する場合（Ｓ８０：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ９０に処理を進める。
　Ｓ９０において、レーザ制御プロセッサ３０は、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを更新するか否かを判定する。露光装置１００がパルス時間間隔ΔＴの変化パターンを変更する場合には、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを更新すると判定される。パルス時間間隔ΔＴの時系列データを更新する場合（Ｓ９０：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０は適切な補正パラメータ値ΔＡｃを取り直すためにＳ１０に処理を戻す。パルス時間間隔ΔＴの時系列データを更新しない場合（Ｓ９０：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ５０に処理を戻す。
　２．３．２　パルス時間間隔ΔＴの時系列データの取得
　図１６は、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを取得する処理の第１の例を示すフローチャートである。図１６は図１５のＳ１０のサブルーチンに相当する。Ｓ１１において、レーザ制御プロセッサ３０は、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを露光制御プロセッサ１１０から受信することにより取得する。Ｓ１１の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図１５に示される処理に戻る。
　図１７は、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを取得する処理の第２の例を示すフローチャートである。図１７は図１５のＳ１０のサブルーチンに相当する。Ｓ１２において、レーザ制御プロセッサ３０は、トリガ信号Ｔｒを露光制御プロセッサ１１０から受信し、このトリガ信号Ｔｒの時間間隔を計測することにより、パルス時間間隔ΔＴの時系列データを取得する。Ｓ１２の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図１５に示される処理に戻る。Ｓ１２において受信するトリガ信号Ｔｒは、露光装置１００における露光中に生成されたトリガ信号Ｔｒでもよいし、露光が行われないときに生成されたダミーのトリガ信号Ｔｒでもよい。
　図１８は、パルス時間間隔ΔＴの時系列データの一例を示す。１回のバーストに含まれるパルス数をｋｍａｘとする。バースト内のパルス番号ｋとして、１からｋｍａｘまでの整数値がパルスの出力順に従って付与される。パルス時間間隔ΔＴは、パルス番号ｋごとに、前のパルスとの時間差として与えられる。特定のパルス番号ｋに対するパルス時間間隔ΔＴはパルス時間間隔ΔＴ（ｋ）のように表記する。例えば、パルス時間間隔ΔＴ（２）は、パルス番号１のパルスの出力時刻からパルス番号２のパルスの出力時刻までの時間間隔である。パルス時間間隔ΔＴ（１）は、例えばバーストが始まる前の休止期間の長さであってもよい。あるいは、パルス時間間隔ΔＴ（１）は空欄であってもよい。パルス時間間隔ΔＴ（ｋ）の代わりに、パルス時間間隔ΔＴ（ｋ）の逆数である繰り返し周波数ｆの時系列データを取得するようにしてもよい。
　２．３．３　レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔの取得
　図１９は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔを取得する処理の例を示すフローチャートである。図１９は図１５のＳ２０のサブルーチンに相当する。Ｓ２１において、レーザ制御プロセッサ３０は、目標値Ｌｔを露光制御プロセッサ１１０から受信することにより取得する。Ｓ２１の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図１５に示される処理に戻る。
　図２０は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔの一例を示す。目標値Ｌｔは、パルス番号ｋごとに設定され、パルス番号ｋと対応付けて記憶されてもよい。特定のパルス番号ｋに対する目標値Ｌｔは目標値Ｌｔ（ｋ）のように表記する。目標値Ｌｔ（１）～Ｌｔ（ｋｍａｘ）は、すべて同じ値でもよい。
　２．３．４　補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットの取得
　図２１は、補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する処理の第１の例を示すフローチャートである。図２１は図１５のＳ３０のサブルーチンに相当する。第１の例においては露光装置１００で露光が行われないときにレーザ装置１ａで調整発振を行い、補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する。
　Ｓ３６において、レーザ制御プロセッサ３０は調整発振の開始信号を露光制御プロセッサ１１０に送信する。露光制御プロセッサ１１０は、レーザ装置１ａにおいて調整発振を開始してよい場合は開始ＯＫ信号をレーザ制御プロセッサ３０に送信する。
　Ｓ３７において、レーザ制御プロセッサ３０は調整発振の開始ＯＫ信号を受信したか否かを判定する。開始ＯＫ信号を受信していない場合（Ｓ３７：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０は開始ＯＫ信号を受信するまで待機する。開始ＯＫ信号を受信した場合（Ｓ３７：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ３８に処理を進める。
　Ｓ３８において、レーザ制御プロセッサ３０はシャッター１９を閉める。あるいは、別のシャッターが露光装置１００に設けられていて、露光制御プロセッサ１１０が開始ＯＫ信号を出力する前に閉められるようになっている場合は、シャッター１９の開閉は行われなくてもよい。
　Ｓ５０において、レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＡｃを用いて１回のバースト発振を行いながら、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡｃを更新する。Ｓ５０の処理は、図１５に含まれるＳ５０の処理と共通である。但し、図１５においては露光制御プロセッサ１１０からトリガ信号Ｔｒを受信してバースト発振を行うのに対し、図２１においては内部トリガ発振器３３がトリガ信号Ｔｒを生成してバースト発振を行ってもよい。また図２１において最初のバースト発振を行うときに読み込まれる補正パラメータ値ΔＡｃはすべて０でもよい。図２１のＳ５０において行われるバースト発振は本開示における第１の調整発振に相当する。Ｓ５０の詳細については図２３～図３０を参照しながら後述する。
　Ｓ６１において、レーザ制御プロセッサ３０はバースト内のすべてのパルスのレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍが許容範囲内か否かを判定する。バースト内のパルスのうち１つ以上のパルスの計測値Ｌｍが許容範囲外である場合（Ｓ６１：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ５０に処理を戻す。バースト内のすべてのパルスの計測値Ｌｍが許容範囲内となるまで、Ｓ５０の処理が複数回行われてもよい。バースト内のすべてのパルスの計測値Ｌｍが許容範囲内である場合（Ｓ６１：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ６２に処理を進める。個々のパルスの計測値Ｌｍが許容範囲内か否かを判定するだけでなく、計測値Ｌｍのばらつきを標準偏差などの指標で評価し、ばらつきが許容範囲内であるか否かをさらに判定してもよい。
　Ｓ６２において、レーザ制御プロセッサ３０はシャッター１９を開ける。Ｓ６２の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図１５に示される処理に戻る。
　図２２は、補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する処理の第２の例を示すフローチャートである。図２２は図１５のＳ３０のサブルーチンに相当する。第２の例においては補正パラメータ値ΔＡｃの過去のログデータ（図示せず）から補正パラメータ値ΔＡｃを取得する。ログデータは、例えば、パルス時間間隔ΔＴの複数の変化パターンの各々について、図２５に示されるようなパラメータテーブルＰＴを記憶したものでもよい。
　Ｓ３１において、レーザ制御プロセッサ３０は補正パラメータ値ΔＡｃのログデータを検索する。検索キーとしてはパルス時間間隔ΔＴの時系列データ、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔのデータ、及びその他の露光条件のデータが用いられる。
　Ｓ３２において、レーザ制御プロセッサ３０は検索キーに合致する補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットが存在するか否かを判定する。検索キーに合致する補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットが存在する場合（Ｓ３２：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ３３に処理を進める。検索キーに合致する補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットが存在しない場合（Ｓ３２：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０は図２１のＳ３６に処理を進め、その後調整発振を行って補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する。
　Ｓ３３において、レーザ制御プロセッサ３０はログデータから検索キーに合致する補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを読み込む。Ｓ３３の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図１５に示される処理に戻る。Ｓ３３で読み込まれた補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットが、加速中露光を行うためのパルスレーザ光の制御に用いられてもよい。
　あるいは、Ｓ３３の後、レーザ制御プロセッサ３０は図２１のＳ３６に処理を進め、Ｓ３３で読み込まれた補正パラメータ値ΔＡｃを調整発振における補正パラメータ値ΔＡｃの初期値として用いてもよい。その場合はレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍを早期に許容範囲内とすることができるので、調整発振におけるバーストの回数を低減でき、さらに補正パラメータ値ΔＡｃの信頼性を向上し得る。
　２．３．５　バースト発振及び補正パラメータ値ΔＡｃの更新
　図２３は、１回のバースト発振を行いながら補正パラメータ値ΔＡｃを更新する処理の例を示すフローチャートである。図２３は図１５のＳ５０のサブルーチンに相当するとともに、図２１のＳ５０のサブルーチンにも相当する共通の処理を示す。図１５のＳ５０においては、Ｓ４０の後で加速中露光が行われるのに対し、図２１のＳ５０においては、Ｓ３８の後で調整発振が行われる。
　Ｓ５１において、レーザ制御プロセッサ３０はパルス番号ｋの値を１にセットする。パルス番号ｋが特定された場合の各種の値を示す符号の末尾には（ｋ）を付して説明する。
　Ｓ５４において、レーザ制御プロセッサ３０は、目標値Ｌｔ（ｋ）に基づいて計算された動作パラメータ値Ａ（ｋ）を、補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を用いて補正することにより、補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）を計算する。Ｓ５４の詳細については図２４～図２７を参照しながら後述する。
　Ｓ５５において、レーザ制御プロセッサ３０は１パルスのレーザ発振を行ってパルスレーザ光を生成する。図２３の処理が図１５のＳ５０のサブルーチンとして行われるときは、生成されたパルスレーザ光が露光装置１００に出力される。図２３の処理が図２１のＳ５０のサブルーチンとして行われるときは、生成されたパルスレーザ光が露光装置１００に出力されなくてもよい。
　Ｓ５５の処理は、パルス時間間隔ΔＴ（ｋ）に従ったタイミングで行われる。すなわち、パルス番号ｋ－１及びパルス番号ｋのパルスレーザ光の時間差は、パルス時間間隔ΔＴ（ｋ）となる。図２３の処理が図１５のＳ５０のサブルーチンとして行われるときと、図２１のＳ５０のサブルーチンとして行われるときと、でパルス時間間隔ΔＴの変化パターンは同じである。このため、図２１のＳ５０でパルス時間間隔ΔＴの変化パターンに基づいて取得される補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を、図１５のＳ５０で動作パラメータ値Ａ（ｋ）を補正するために使用できる。
　Ｓ５６において、レーザ制御プロセッサ３０は、次のバーストにおいてレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍ（ｋ）と目標値Ｌｔ（ｋ）との差が小さくなるように、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算する。Ｓ５６の詳細については図２８～図３０を参照しながら後述する。
　Ｓ５７において、レーザ制御プロセッサ３０はパルス番号ｋの値が１回のバーストのパルス数ｋｍａｘに達したか否かを判定する。パルス番号ｋの値がパルス数ｋｍａｘに達していない場合（Ｓ５７：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０はＳ５８においてパルス番号ｋの値に１を加算してｋの値を更新し、Ｓ５４に処理を戻す。パルス番号ｋの値がパルス数ｋｍａｘに達した場合（Ｓ５７：ＹＥＳ）、１回のバーストが終了したので、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図１５又は図２１に示される処理に戻る。
　２．３．５．１　補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）の計算
　図２４は、補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図２４は図２３のＳ５４のサブルーチンに相当する。
　Ｓ５４１において、レーザ制御プロセッサ３０は図１９で取得されたレーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔ（ｋ）を読み込む。
　Ｓ５４２において、レーザ制御プロセッサ３０は目標値Ｌｔ（ｋ）に対応する動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算する。このときは補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）による補正は行われない。Ｓ５４２の詳細については図２６及び図２７を参照しながら後述する。
　Ｓ５４３において、レーザ制御プロセッサ３０は補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）をパラメータテーブルＰＴから読み込む。
　Ｓ５４４において、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａ（ｋ）に補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を加算することにより、補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）を計算する。補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）が０である場合には、補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）は動作パラメータ値Ａ（ｋ）と同じ値になる。
　Ｓ５４５において、レーザ制御プロセッサ３０は補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）を用いてアクチュエータを制御する。制御されるレーザ光パラメータＬがパルスエネルギーＥであればアクチュエータは電源１２であり、制御されるレーザ光パラメータＬが波長λであればアクチュエータは回転ステージ１４ｅであり、制御されるレーザ光パラメータＬがスペクトル線幅Δλであればアクチュエータはリニアステージ１５ｄである。Ｓ５４６に処理を進める前にアクチュエータの制御を開始することで、アクチュエータの駆動を早期に完了させ、Ｓ５５（図２３参照）における１パルスのレーザ発振に間に合わせることができる。
　Ｓ５４６において、レーザ制御プロセッサ３０は補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ（ｋ）としてパラメータテーブルＰＴに書き込む。旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ（ｋ）は、レーザ発振で使用された補正パラメータ値であり、Ｓ５６（図２３参照）において補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を更新するために使用される。Ｓ５４６の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図２３に示される処理に戻る。
　図２５は、パラメータテーブルＰＴの一例を示す。補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）は、１回のバーストに含まれるパルスのパルス番号ｋ及びパルス時間間隔ΔＴ（ｋ）と対応付けて記憶される。さらに、これらと対応付けて旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ（ｋ）が記憶される。さらに、これらと対応付けてレーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔ（ｋ）（図２０参照）が記憶されてもよい。
　図２６は、目標値Ｌｔ（ｋ）に対応する動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図２６は図２４のＳ５４２のサブルーチンに相当する。
　Ｓ５４２１において、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬとの関係を読み込む。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係は、図３３～図３６を参照しながら後述する別途の調整発振を行うことにより取得され、メモリ３１に記憶されていてもよい。
　Ｓ５４２２において、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係に基づいて、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔ（ｋ）に対応する動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算する。Ｓ５４２２の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図２４に示される処理に戻る。
　図２７は、動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係から動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算する方法を例示するグラフである。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係は近似式で表されてもよいし、テーブルデータで表されてもよい。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係が近似式で表される場合、その近似式から目標値Ｌｔ（ｋ）に対応する動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算できる。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係がテーブルデータで表される場合であって、目標値Ｌｔ（ｋ）に対応するデータがテーブルデータに含まれていない場合に、線形補間により動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算してもよい。
　２．３．５．２　次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）の計算
　図２８は、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図２８は図２３のＳ５６のサブルーチンに相当する。
　Ｓ５６１において、レーザ制御プロセッサ３０はＳ５５（図２３参照）で生成されたパルスレーザ光のレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍ（ｋ）をレーザ光パラメータ計測器１６から取得する。
　Ｓ５６２において、レーザ制御プロセッサ３０は計測値Ｌｍ（ｋ）と目標値Ｌｔ（ｋ）との差Ｌｅ（ｋ）を以下の式により計算する。
　　　Ｌｅ（ｋ）＝Ｌｔ（ｋ）－Ｌｍ（ｋ）
　Ｓ５６３において、レーザ制御プロセッサ３０は旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ（ｋ）をパラメータテーブルＰＴから読み込む。
　Ｓ５６４において、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａ（ｋ）に対応する制御勾配Ｇ（ｋ）を計算する。Ｓ５６４の詳細については図２９及び図３０を参照しながら後述する。
　Ｓ５６５において、レーザ制御プロセッサ３０は、差Ｌｅ（ｋ）を制御勾配Ｇ（ｋ）で除算して得られた値と、旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ（ｋ）と、を加算することにより、補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算する。
　Ｓ５６６において、レーザ制御プロセッサ３０はＳ５６５で計算された補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）をパラメータテーブルＰＴに書き込む。補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）は、次のバーストにおいて、Ｓ５４（図２３参照）において動作パラメータ値Ａ（ｋ）を補正するために使用される。Ｓ５６６の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図２３に示される処理に戻る。図２３に戻って現在のバーストにおける次のパルスのレーザ発振（Ｓ５５）をする前に、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）が計算されている。
　図２９は、制御勾配Ｇ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図２９は図２８のＳ５６４のサブルーチンに相当する。
　Ｓ５６４１において、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係を読み込む。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係は図２６において読み込まれるものと同じでよい。
　Ｓ５６４２において、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係に基づいて、動作パラメータ値Ａ（ｋ）に対応する制御勾配Ｇ（ｋ）を計算する。Ｓ５６４２の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了して図２８に示される処理に戻る。
　図３０は、動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係から制御勾配Ｇ（ｋ）を計算する方法を例示するグラフである。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係が近似式で表される場合、その近似式の動作パラメータ値Ａ（ｋ）における微分値を制御勾配Ｇ（ｋ）としてもよい。動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係がテーブルデータで表される場合は、動作パラメータ値Ａ（ｋ）に近接する複数の計測点間の勾配から制御勾配Ｇ（ｋ）を計算してもよい。
　２．４　作用
　（１）第１の実施形態によれば、レーザ装置１ａは、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器１７と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータＬを調節する電源１２、回転ステージ１４ｅ、リニアステージ１５ｄ等のアクチュエータと、レーザ制御プロセッサ３０と、を備える。レーザ制御プロセッサ３０は、露光装置１００の指令によりバースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔ΔＴの変化パターンに基づいて、レーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅが小さくなるようにアクチュエータの動作パラメータ値Ａを補正し、アクチュエータを制御する。
　パルス時間間隔ΔＴが連続的に変化する場合、パルス時間間隔ΔＴに対応した補正だけでは計測値Ｌｍを目標値Ｌｔ付近に安定化できない場合がある。パルス時間間隔ΔＴの変化パターンに基づいて動作パラメータ値Ａを補正することにより、計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅを許容範囲内にすることができる。
　（２）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、第１のバーストにおける連続する複数のパルスのパルスごとの計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅに基づいてパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを計算し、第１のバーストより後の第２のバーストにおける目標値Ｌｔに基づいて計算された動作パラメータ値Ａを、補正パラメータ値ΔＡｃに基づいて補正する。
　これによれば、バースト間でパルス時間間隔ΔＴの変化パターンの少なくとも一部が共通であることが多いため、第１のバーストで計算した補正パラメータ値ΔＡｃを第２のバーストに適用することで、パルス時間間隔ΔＴの変化パターンに基づいた適切な補正をし得る。
　（３）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、第１のバーストにおけるパルスレーザ光の生成を行いながら、第１のバーストの後の第２のバーストにおいて使用される補正パラメータ値ΔＡｃを計算する。
　これによれば、第１のバーストにおけるパルスレーザ光の生成を行いながら、第１のバーストにおける計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅに基づいて補正パラメータ値ΔＡｃを計算するので、補正パラメータ値ΔＡｃを早期に計算できる。
　（４）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、第１のバーストにおける第１のパルスのパルスレーザ光が出力された後、第１のパルスの次の第２のパルスのパルスレーザ光が出力される前に、第１のバーストの後の第２のバーストにおいて使用される補正パラメータ値ΔＡｃの計算を開始する。
　これによれば、次のパルスが出力される前に計算を開始するので、補正パラメータ値ΔＡｃを早期に計算できる。
　（５）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、第１のバーストにおいて使用されたパルスごとの旧補正パラメータ値ΔＡｃｐと、第１のバーストにおけるパルスごとの計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅと、に基づいて補正パラメータ値ΔＡｃを計算する。
　これによれば、旧補正パラメータ値ΔＡｃｐを用いるので、次のバーストで使用される補正パラメータ値ΔＡｃの精度を向上し得る。
　（６）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、動作パラメータ値Ａ（ｋ）に基づいて求められる制御勾配Ｇ（ｋ）で差Ｌｅ（ｋ）を除算して得られた値と、旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ（ｋ）と、を加算することにより補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算する。
　これによれば、動作パラメータ値Ａ（ｋ）に応じて最適な制御勾配Ｇ（ｋ）が変わり得るので、動作パラメータ値Ａ（ｋ）に応じた適切な制御勾配Ｇ（ｋ）を求めることで、適切な補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算できる。
　（７）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、変化パターンにおけるパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを記憶したパラメータテーブルＰＴにアクセス可能に構成され、目標値Ｌｔに基づいて計算されたパルスごとの動作パラメータ値Ａを、補正パラメータ値ΔＡｃに基づいて補正する。
　これによれば、パラメータテーブルＰＴにアクセスすることで、動作パラメータ値Ａの補正を迅速に行うことができる。
　（８）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、変化パターンごとに異なるパラメータテーブルＰＴにアクセス可能に構成され、変化パターンに基づいて、補正パラメータ値ΔＡｃを読み出すパラメータテーブルＰＴを決定する。
　これによれば、パルス時間間隔ΔＴの変化パターンが変わった場合でも、適切な補正パラメータ値ΔＡｃを得ることができる。
　（９）第１の実施形態によれば、パラメータテーブルＰＴは、パルス時間間隔ΔＴのデータと、パルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃと、を対応付けて記憶している。
　これによれば、同じ変化パターンに対応した過去のデータがある場合に過去の補正パラメータ値ΔＡｃを流用できる。
　（１０）第１の実施形態によれば、パラメータテーブルＰＴは、１回のバーストに含まれるパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを含む。
　これによれば、１回のバーストに対応するパラメータテーブルＰＴを使用することにより、１回のバーストにおいて複数のパラメータテーブルＰＴを読み出す必要がなく、動作パラメータ値Ａを効率的に補正し得る。
　（１１）第１の実施形態によれば、パラメータテーブルＰＴは、補正パラメータ値ΔＡｃと、補正パラメータ値ΔＡｃとして過去に使用された旧補正パラメータ値ΔＡｃｐと、を記憶するように構成される。レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＡｃを、動作パラメータ値Ａを補正するために読み出した後、旧補正パラメータ値ΔＡｃｐとしてパラメータテーブルＰＴに記憶させ、補正パラメータ値ΔＡｃを、旧補正パラメータ値ΔＡｃｐを用いて更新してパラメータテーブルＰＴに記憶させる。
　これによれば、補正パラメータ値ΔＡｃと旧補正パラメータ値ΔＡｃｐとを別々に記憶することで、補正パラメータ値ΔＡｃを使用した動作パラメータ値Ａの補正と、旧補正パラメータ値ΔＡｃｐ及び計測値Ｌｍを利用した補正パラメータ値ΔＡｃの更新と、を円滑に行うことができる。
　（１２）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、パルス時間間隔ΔＴの変化パターンとレーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔとに基づいてパルスレーザ光を生成する第１の調整発振を行って、計測値Ｌｍを取得し、パルスごとの目標値Ｌｔと計測値Ｌｍとの差Ｌｅに基づいてパルスごとの補正パラメータ値ΔＡｃを計算することによりパラメータテーブルＰＴを作成する。
　これによれば、調整発振を行うことで適切な補正パラメータ値ΔＡｃを得ることができる。
　（１３）第１の実施形態によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、第１の調整発振を行ってパラメータテーブルＰＴを作成する処理を、複数回行い、目標値Ｌｔと計測値Ｌｍとの差Ｌｅが許容範囲内となった場合に第１の調整発振を終了する。
　これによれば、調整発振を複数回行うことで補正パラメータ値ΔＡｃの精度を向上し、差Ｌｅが許容範囲内となるまで調整発振を行うことで、適切な補正パラメータ値ΔＡｃを得ることができる。
　他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
３．露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないレーザ装置１ａ
　３．１　動作
　３．１．１　メインフロー
　図３１は、第１の実施形態の第１の変形例におけるレーザ制御のフローチャートである。第１の変形例の構成は図１４を参照しながら説明したものと同様である。第１の変形例におけるレーザ制御においては、図１５のＳ５０の代わりにＳ５０ａ及びＳ７０ａの処理が行われる。
　Ｓ５０ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＡｃを用いて１回のバースト発振を行う。しかし、補正パラメータ値ΔＡｃの更新は行わない。Ｓ５０ａの詳細については図３２を参照しながら後述する。
　Ｓ７０ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、調整発振をするか否かを判定する。例えば、露光装置１００において半導体ウエハＷＦ又はレチクルを交換する場合など、十分な休止期間が見込める場合に調整発振をすると判定する。あるいは、露光制御プロセッサ１１０から調整発振の開始ＯＫ信号を受信したか否かを判定してもよく、その場合は図２１のＳ３７が省略されてもよい。あるいは、レーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差が閾値より大きくなった場合に調整発振すると判定してもよい。調整発振をする場合（Ｓ７０ａ：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０は、Ｓ３０に処理を戻す。Ｓ３０においては、図２１を参照しながら説明したようにＳ５０の処理が行われ、Ｓ５０ａの処理は行われない。調整発振をしない場合（Ｓ７０ａ：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０は、Ｓ８０に処理を進める。
　３．１．２　バースト発振
　図３２は、１回のバースト発振を行う処理の例を示すフローチャートである。図３２は図３１のＳ５０ａのサブルーチンに相当する。図３２はＳ５６の処理を含まない点で図２３と異なる。
　３．２　作用
　（１４）第１の実施形態の第１の変形例においては、レーザ制御プロセッサ３０は、第１のバーストと第１のバーストより後の第２のバーストとの間に第１の調整発振を行わない場合に、第１のバーストと第２のバーストとで同じ補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを用いて動作パラメータ値Ａを補正する。
　これによれば、露光中におけるレーザ装置１ａの特性の変動が大きくない場合には、露光中に補正パラメータ値ΔＡｃの更新を行わなくても、レーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍを許容範囲内に収めることができる。また、露光中には補正パラメータ値ΔＡｃの更新を行わないので、補正パラメータ値ΔＡｃが変動せず制御が安定化し得る。
　他の点については、第１の実施形態の第１の変形例は第１の実施形態と同様である。
４．第２の調整発振を行うレーザ装置１ａ
　４．１　動作
　４．１．１　補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットの取得
　図３３は、第１の実施形態の第２の変形例において補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する処理の例を示すフローチャートである。第２の変形例の構成は図１４を参照しながら説明したものと同様である。第２の変形例においては、図２１のＳ３８の後、Ｓ５０における第１の調整発振の前に、Ｓ３９ｅが追加されて第２の調整発振が行われる。
　Ｓ３９ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、第２の調整発振を行って動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係を取得する。Ｓ３９ｅの詳細について図３４を参照しながら以下に説明する。
　４．１．２　第２の調整発振
　図３４は、第１の実施形態の第２の変形例において動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係を取得する処理の例を示すフローチャートである。図３４は図３３のＳ３９ｅのサブルーチンに相当する。
　Ｓ３９１ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、一定の繰り返し周波数ｆａでのレーザ発振を開始させる。レーザ制御プロセッサ３０は、内部トリガ発振器３３によって繰り返し周波数ｆａのトリガ信号Ｔｒを生成してもよい。繰り返し周波数ｆａは、レーザ光パラメータＬが音響波の影響を受けにくい繰り返し周波数、例えば３ｋＨｚ以下に設定され、好ましくは１０Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下に設定される。
　図３５は、第１及び第２の調整発振におけるトリガ信号Ｔｒの例を示す。第１の調整発振におけるトリガ信号Ｔｒは、パルス時間間隔ΔＴの変化パターンに従ってパルス時間間隔ΔＴを連続的に変化させる。パルス時間間隔ΔＴの最大値をΔＴｍａｘとする。但し、パルス時間間隔ΔＴの最大値はバースト間の休止期間を含まないものとする。一方、第２の調整発振におけるパルスの時間間隔は繰り返し周波数ｆａの逆数１／ｆａで一定であり、１／ｆａはΔＴｍａｘよりも長い。
　図３４を再び参照し、Ｓ３９２ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は動作パラメータ値Ａのプロット数ｎｍａｘをカウントするためのカウンタｎの値を０にセットする。
　Ｓ３９３ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、カウンタｎの値に１を加算してｎの値を更新する。
　Ｓ３９４ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、動作パラメータ値Ａ（ｎ）をセットする。例えば、最初の動作パラメータ値Ａ（１）は、動作パラメータ値Ａの下限値に設定される。セットされた動作パラメータ値Ａ（ｎ）に従ってアクチュエータが制御され、パルスレーザ光が生成される。
　Ｓ３９５ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、生成されたパルスレーザ光のレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍ（ｎ）をレーザ光パラメータ計測器１６から取得する。計測値Ｌｍ（ｎ）は、パルスレーザ光の複数のパルスの計測値Ｌｍを平均した値でもよい。
　Ｓ３９６ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、動作パラメータ値Ａ（ｎ）と計測値Ｌｍ（ｎ）とを対応付けて記憶する。
　Ｓ３９７ｅにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、カウンタｎの値がプロット数ｎｍａｘに達したか否かを判定する。カウンタｎの値がプロット数ｎｍａｘに達した場合（Ｓ３９７ｅ：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０は繰り返し周波数ｆａでのレーザ発振を終了させて本フローチャートの処理を終了する。カウンタｎの値がプロット数ｎｍａｘに達していない場合（Ｓ３９７ｅ：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０は現在の動作パラメータ値Ａ（ｎ）に刻み幅ΔＡを加算することにより、次の動作パラメータ値Ａ（ｎ＋１）を計算し、その後Ｓ３９３ｅに処理を戻す。
　図３６は、第２の調整発振によって取得される動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係の例を示す。動作パラメータ値Ａ（ｎ）の各々において計測値Ｌｍ（ｎ）が計算され、互いに対応付けられることで動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係を取得することができる。
　４．２　作用
　（１５）第１の実施形態の第２の変形例によれば、レーザ制御プロセッサ３０は、動作パラメータ値Ａを変えながらパルスレーザ光を生成する第２の調整発振を行って、動作パラメータ値Ａと計測値Ｌｍとの関係を取得し、この関係に基づいて動作パラメータ値Ａ及び補正パラメータ値ΔＡｃのいずれかを計算する。
　これによれば、第２の調整発振を行って動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係を取得し、その関係に基づいて、第１の調整発振を行うので、第１の調整発振において高精度に動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算し（図２７参照）、あるいは制御勾配Ｇ（ｋ）を計算して（図３０参照）高精度に補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算することができる。例えばレーザチャンバ１０の内部のガス組成の変化によってレーザ装置１ａの特性が変わり得るので、第１の調整発振を行うたびに、第１の調整発振の前に第２の調整発振を行うことが望ましい。
　（１６）第１の実施形態の第２の変形例によれば、第２の調整発振におけるパルスの時間間隔１／ｆａは、第１の調整発振において変化パターンに応じて変化するパルスの時間間隔のうちの最長の時間間隔ΔＴｍａｘよりも長い。
　これによれば、パルス時間間隔ΔＴの変動の影響が少ない条件で動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係を取得でき、パルス時間間隔ΔＴの変動の影響を加味した補正を高精度に行い得る。
　他の点については、第２の変形例は第１の実施形態と同様である。第２の変形例において、第１の変形例と同様に露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないようにしてもよい
５．パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλを同期して制御するレーザ装置１ａ
　図３７は、第２の実施形態におけるレーザ制御のフローチャートである。第２の実施形態の構成は図１４を参照しながら説明したものと同様である。第２の実施形態におけるレーザ制御においては、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔの代わりに、パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλの目標値Ｅｔ、λｔ、及びΔλｔを取得する（Ｓ２０ｂ）。
　第２の実施形態においては、補正パラメータ値ΔＡｃの代わりに、設定電圧値ＨＶを補正するための補正パラメータ値ΔＨＶｃと、プリズム１４ｂの回転角度の設定値Ａλを補正するための補正パラメータ値ΔＡλｃと、シリンドリカル平凹レンズ１５ｃの位置の設定値ＡΔλを補正するための補正パラメータ値ΔＡΔλｃと、を取得し（Ｓ３０ｂ）、これらを更新する（Ｓ５０ｂ）。
　図３８は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔを取得する処理の例を示すフローチャートである。図３９は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔの一例を示す。図４０は、補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを取得する処理の例を示すフローチャートである。図４１は、１回のバースト発振を行いながら補正パラメータ値ΔＡｃを更新する処理の例を示すフローチャートである。図４２は、パラメータテーブルＰＴの一例を示す。図４３は、補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図４４～図４６は、動作パラメータ値Ａとレーザ光パラメータＬの値との関係から動作パラメータ値Ａ（ｋ）を計算する方法を例示するグラフである。図４７は、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。これらの図は、レーザ光パラメータＬとして、パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλをパルスレーザ光の各パルスに同期して制御することを示した他は、第１の実施形態において対応する図と同様である。
　パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλの３つは互いに連動して変化することがあり、例えばパルスエネルギーＥが許容範囲内となった後で、波長λ及びスペクトル線幅Δλの制御を変えればパルスエネルギーＥも変わってしまうことがある。図４０に示されるように、パルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλの計測値Ｅｍ、λｍ、及びΔλｍのすべてが許容範囲内かを判定し（Ｓ６１ｂ）、いずれかが許容範囲外であれば（Ｓ６１ｂ：ＮＯ）、補正パラメータ値ΔＨＶｃ、ΔＡλｃ、及びΔＡΔλｃをすべて更新すること（Ｓ５０ｂ）により、計測値Ｅｍ、λｍ、及びΔλｍのすべてを目標値に近づけることができる。
　他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。第２の実施形態において、第１の実施形態の第１の変形例と同様に露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないようにしてもよいし、第１の実施形態の第２の変形例と同様に第２の調整発振を行うようにしてもよい。
６．設定電圧値ＨＶを露光装置１００から受信するレーザ装置１ｃ
　６．１　構成
　図４８は、第３の実施形態に係るレーザ装置１ｃの構成を模式的に示す。第３の実施形態において、露光装置１００はパルスエネルギー計測器１１６を含み、パルスエネルギー計測器１１６はパルスエネルギーＥの計測値Ｅｍ２を露光制御プロセッサ１１０に出力する。露光制御プロセッサ１１０は、パルスエネルギーＥの目標値Ｅｔの代わりに、パルスエネルギーＥを調整するための設定電圧値ＨＶをレーザ制御プロセッサ３０に送信する。
　６．２　動作
　６．２．１　メインフロー
　図４９は、第３の実施形態におけるレーザ制御のフローチャートである。第３の実施形態におけるレーザ制御においては、図３７のＳ５０ｂの代わりにＳ５０ｃの処理が行われる。
　Ｓ５０ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＨＶｃ、ΔＡλｃ、及びΔＡΔλｃを用いて１回のバースト発振を行いながら、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡλｃ及びΔＡΔλｃを更新する。但し、補正パラメータ値ΔＨＶｃは更新しない。露光装置１００においてはパルスエネルギーＥの計測値Ｅｍ２に基づいてパルスごとに設定電圧値ＨＶのフィードバック制御が行われており、露光中に補正パラメータ値ΔＨＶｃを更新してしまうとパルスエネルギーＥが不安定になるおそれがあるためである。Ｓ５０ｃの詳細について図５０を参照しながら以下に説明する。
　６．２．２　バースト発振及び補正パラメータ値ΔＡｃの更新
　図５０は、１回のバースト発振を行いながら補正パラメータ値ΔＡｃを更新する処理の例を示すフローチャートである。図５０は図４９のＳ５０ｃのサブルーチンに相当する。図５０においては、図４１のＳ５４ｂの代わりにＳ５２ｃ及びＳ５４ｃの処理が行われ、図４１のＳ５６ｂの代わりにＳ５６ｃの処理が行われる。
　Ｓ５２ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、設定電圧値ＨＶを露光制御プロセッサ１１０から受信する。レーザ制御プロセッサ３０は、設定電圧値ＨＶをパルス番号ｋに対応する設定電圧値ＨＶ（ｋ）としてメモリ３１に記憶する。
　Ｓ５４ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、設定電圧値ＨＶ（ｋ）、設定値Ａλ（ｋ）、及び設定値ＡΔλ（ｋ）を補正することにより、補正された設定電圧値ＨＶｃ（ｋ）、補正された設定値Ａλｃ（ｋ）、及び補正された設定値ＡΔλｃ（ｋ）を計算する。Ｓ５４ｃの詳細については図５１を参照しながら後述する。
　Ｓ５６ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡλｃ（ｋ）及びΔＡΔλｃ（ｋ）を計算する。Ｓ５６ｃの詳細については図５２を参照しながら後述する。
　６．２．２．１　補正された動作パラメータ値Ａｃ（ｋ）の計算
　図５１は、補正された設定電圧値ＨＶｃ（ｋ）、補正された設定値Ａλｃ（ｋ）、及び補正された設定値ＡΔλｃ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図５１は図５０のＳ５４ｃのサブルーチンに相当する。図５１においては、図４３のＳ５４１ｂ及びＳ５４２ｂの代わりにＳ５４１ｃ及びＳ５４２ｃの処理が行われ、図４３のＳ５４６ｂの代わりにＳ５４６ｃの処理が行われる。
　Ｓ５４１ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０はパルスエネルギーＥの目標値Ｅｔ（ｋ）を読み込まなくてよく、Ｓ５４２ｃにおいては目標値Ｅｔ（ｋ）に対応する設定電圧値ＨＶ（ｋ）を計算しなくてよい。設定電圧値ＨＶ（ｋ）をＳ５２ｃ（図５０参照）において取得済みだからである。パルスエネルギーＥの目標値Ｅｔは、調整発振（図４９のＳ３０ｂ）において使用されるが、露光時（図５０～図５２）においては使用されないので、図４９のＳ２０ｂでは典型値を定めるだけでもよい。
　Ｓ５４６ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は補正パラメータ値ΔＨＶｃ（ｋ）を旧補正パラメータ値ΔＨＶｃｐ（ｋ）としてパラメータテーブルＰＴに書き込まなくてよい。露光装置１００におけるパルスごとのフィードバック制御と並行して補正パラメータ値ΔＨＶｃ（ｋ）を更新してしまうとパルスエネルギーＥが不安定になるおそれがあるためである。
　６．２．２．２　次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）の計算
　図５２は、次のバーストのために補正パラメータ値ΔＡｃ（ｋ）を計算する処理の例を示すフローチャートである。図５２は図５０のＳ５６ｃのサブルーチンに相当する。図５２においては、パルスエネルギーＥの計測値Ｅｍ（ｋ）に基づいて補正パラメータ値ΔＨＶｃ（ｋ）を計算する処理が行われなくてよい。
　６．３　作用
　（１７）第３の実施形態によれば、レーザ光パラメータＬはパルスエネルギーＥを含む。レーザ制御プロセッサ３０は、パルスエネルギーＥを調整するための設定電圧値ＨＶを動作パラメータ値Ａとして露光装置１００から受信し、第１のバーストと第２のバーストとで同じ補正パラメータ値ΔＡｃのデータセットを用いて設定電圧値ＨＶを補正する。
　これによれば、露光装置１００から設定電圧値ＨＶを受信する場合は露光中に補正パラメータ値ΔＨＶｃ（ｋ）を更新しないので、パルスエネルギーＥが不安定となることを抑制するとともに、露光装置１００が設定した設定電圧値ＨＶに基づいて高精度の制御が可能となる。
　他の点については、第３の実施形態は第２の実施形態と同様である。あるいは、第３の実施形態において、第１の実施形態の第２の変形例と同様に第２の調整発振を行うようにしてもよい。
７．露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないレーザ装置１ｃ
　図５３は、第３の実施形態の変形例におけるレーザ制御のフローチャートである。変形例の構成は図４８を参照しながら説明したものと同様である。変形例におけるレーザ制御においては、図４９のＳ５０ｃの代わりにＳ５０ｄ及びＳ７０ａの処理が行われる。
　Ｓ５０ｄにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、補正パラメータ値ΔＡｃを用いて１回のバースト発振を行う。しかし、補正パラメータ値ΔＡｃの更新は行わない。Ｓ５０ｄの詳細については図５４を参照しながら後述する。
　Ｓ７０ａの処理は、図３１を参照しながら説明した通りである。
　図５４は、１回のバースト発振を行う処理の例を示すフローチャートである。図５４は図５３のＳ５０ｄのサブルーチンに相当する。図５４はＳ５６ｃの処理を含まない点で図５０と異なる。
　他の点については、第３の実施形態の変形例は第３の実施形態と同様である。
８．レーザ発振器１７及びレーザ増幅器ＰＯの放電タイミングによってスペクトル線幅Δλを調整するレーザ装置１ｄ
　８．１　構成
　図５５は、第４の実施形態に係るレーザ装置１ｄの構成を模式的に示す。レーザ装置１ｄにおいて、レーザ発振器１７は、スペクトル調整器１５ａの代わりに出力結合ミラー１５を含む。出力結合ミラー１５の１つの面には部分反射膜がコーティングされている。出力結合ミラー１５はスペクトル線幅Δλを調節する機能を有しなくてもよい。
　レーザ装置１ｄは、レーザ発振器１７とビームスプリッタ１６ａとの間にレーザ増幅器ＰＯを含む。レーザ増幅器ＰＯは、レーザチャンバ２０と、放電電極２１ａ及び２１ｂと、リアミラー２４と、出力結合ミラー２５と、を含む。リアミラー２４は、パルスレーザ光を透過させる材料で構成され、その１つの面には部分反射膜がコーティングされている。リアミラー２４の反射率は、出力結合ミラー２５の反射率より高く設定されている。レーザチャンバ２０は、リアミラー２４と出力結合ミラー２５とで構成されるレーザ共振器の光路に配置されている。レーザチャンバ２０の両端にはウインドウ２０ａ及び２０ｂが設けられている。レーザチャンバ２０の内部に、放電電極２１ａ及び２１ｂが配置されている。放電電極２１ａには電源２２が接続され、電源２２は図示しない充電器に接続されている。電源２２はスイッチ２３を含む。
　他の点については、レーザ増幅器ＰＯの上述の構成要素は、レーザ発振器１７の対応する構成要素と同様である。なお、レーザ増幅器ＰＯの光共振器としてファブリペロ型の共振器の例を示したが、この例に限定されることなく、光共振器はリング共振器であってもよい。
　８．２　動作
　レーザ制御プロセッサ３０は、レーザ発振器１７から出力されるパルスレーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥ１の目標値Ｅｔ１を設定する。レーザ制御プロセッサ３０は、さらに、レーザ増幅器ＰＯから出力されるパルスレーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλの目標値Ｅｔ、λｔ、及びΔλｔ、パルス時間間隔ΔＴ、及びトリガ信号Ｔｒを露光制御プロセッサ１１０から受信する。
　レーザ制御プロセッサ３０は、目標値Ｅｔ１及びＥｔに基づいて、電源１２及び２２にそれぞれ設定電圧値ＨＶ１及びＨＶｃを送信する。レーザ制御プロセッサ３０は、トリガ信号Ｔｒに基づいて第１及び第２のトリガ信号Ｔｒ１及びＴｒ２をそれぞれ電源１２及び２２に送信する。
　電源２２に含まれるスイッチ２３は、レーザ制御プロセッサ３０から第２のトリガ信号Ｔｒ２を受信するとオン状態となる。電源２２は、スイッチ２３がオン状態となると、図示しない充電器に充電された電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を放電電極２１ａに印加する。
　レーザチャンバ１０の内部に放電が起こる第１の放電タイミングに対して、レーザチャンバ２０の内部に放電が起こる第２の放電タイミングが遅延時間δＴで同期するように、スイッチ１３への第１のトリガ信号Ｔｒ１のタイミングに対するスイッチ２３への第２のトリガ信号Ｔｒ２のタイミングが制御される。
　レーザチャンバ１０の放電により生成されレーザチャンバ２０に入射したパルスレーザ光Ｂ１は、リアミラー２４と出力結合ミラー２５との間で往復し、レーザチャンバ２０の内部の放電空間を通過する度に増幅される。増幅されたパルスレーザ光Ｂ２が、出力結合ミラー２５から出力される。
　図５６は、第１の放電タイミングに対する第２の放電タイミングの遅延時間δＴと、レーザ増幅器ＰＯから出力されるパルスレーザ光Ｂ２のスペクトル線幅Δλと、の関係を示すグラフである。遅延時間δＴが短くなるとスペクトル線幅Δλが大きくなり、遅延時間δＴが長くなるとスペクトル線幅Δλが小さくなる。そこで、遅延時間δＴによってスペクトル線幅Δλを調整することができる。遅延時間δＴを調整するための図示しない遅延回路は、本開示におけるアクチュエータの一例である。
　レーザ制御プロセッサ３０は、露光制御プロセッサ１１０から受信したスペクトル線幅Δλの目標値Δλｔから計算される遅延時間δＴの設定値ＡΔλを補正パラメータ値ΔＡΔλｃに基づいて補正し、補正された設定値ＡΔλｃを計算することにより遅延時間δＴを設定する。これにより、パルス時間間隔ΔＴがバースト内で連続的に変化する場合でもパルスレーザ光Ｂ２のスペクトル線幅Δλを適切に制御し得る。レーザ制御プロセッサ３０は、スペクトル線幅Δλの計測値Δλｍと目標値Δλｔとの差に基づいて、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡΔλｃを計算してパラメータテーブルＰＴに記憶させる。
　第４の実施形態において、遅延時間δＴによってスペクトル線幅Δλを調整する場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。出力結合ミラー１５の位置にスペクトル調整器１５ａ（図１４参照）を配置し、スペクトル調整器１５ａによってスペクトル線幅Δλを調整してもよい。
　レーザ制御プロセッサ３０は、露光制御プロセッサ１１０から受信したパルスエネルギーＥの目標値Ｅｔから計算される設定電圧値ＨＶを補正パラメータ値ΔＨＶｃに基づいて補正し、補正された設定電圧値ＨＶｃを計算して電源２２を制御する。これにより、パルス時間間隔ΔＴがバースト内で連続的に変化する場合でもパルスレーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥを適切に制御し得る。レーザ制御プロセッサ３０は、パルスエネルギーＥの計測値Ｅｍと目標値Ｅｔとの差に基づいて、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＨＶｃを計算してパラメータテーブルＰＴに記憶させる。
　他の点については、第４の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第４の実施形態において、第１の実施形態の第１の変形例と同様に露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないようにしてもよいし、第１の実施形態の第２の変形例と同様に第２の調整発振を行うようにしてもよい。あるいは、第４の実施形態において、第２の実施形態と同様にパルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλを同期して制御してもよい。あるいは、第４の実施形態において、第３の実施形態と同様に露光装置１００から受信した設定電圧値ＨＶを使用してもよい。
９．固体レーザを含むレーザ装置１ｅ
　９．１　構成
　図５７は、第５の実施形態に係るレーザ装置１ｅの構成を模式的に示す。レーザ装置１ｅは、レーザ発振器１８と、固体レーザ制御プロセッサ１８０と、レーザ増幅器ＰＡと、を含む。レーザ発振器１８は固体レーザを含み、レーザ増幅器ＰＡはエキシマレーザガスを収容したレーザチャンバを含む。
　９．１．１　レーザ発振器１８
　固体レーザ制御プロセッサ１８０は、制御プログラムが記憶されたメモリ１８１と、制御プログラムを実行するＣＰＵ１８２と、を含む処理装置である。固体レーザ制御プロセッサ１８０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。
　レーザ発振器１８は、半導体レーザ６０と、パルス増幅器７１と、波長変換システム７２と、を含む。半導体レーザ６０は、図示しない分布帰還型半導体レーザを含む。分布帰還型半導体レーザは、図示しない半導体レーザ素子、ペルチェ素子、及びファンクションジェネレータを含む。ペルチェ素子及びファンクションジェネレータの各々は、本開示におけるアクチュエータの一例である。パルス増幅器７１は、図示しないチタンサファイヤ結晶及びポンピング用パルスレーザを含む。半導体レーザ６０から出力されたＣＷレーザ光の光路にチタンサファイヤ結晶が配置される。波長変換システム７２は、図示しないＬＢＯ（lithium triborate）結晶及びＫＢＢＦ（potassium beryllium fluoroborate）結晶を含む。
　９．１．２　レーザ増幅器ＰＡ
　レーザ増幅器ＰＡは、レーザチャンバ４０と、放電電極４１ａ及び４１ｂと、凹面ミラー４４と、凸面ミラー４５と、を含む。レーザチャンバ４０は、レアガスとしてアルゴンガスを含む。レーザチャンバ４０の両端にはウインドウ４０ａ及び４０ｂが設けられている。レーザチャンバ４０の内部に、放電電極４１ａ及び４１ｂが配置されている。放電電極４１ａには電源４２が接続され、電源４２は図示しない充電器に接続されている。電源４２はスイッチ４３を含む。電源４２は本開示におけるアクチュエータの一例である。
　凸面ミラー４５は、レーザ発振器１８から出力されてレーザチャンバ４０のウインドウ４０ａ及び４０ｂを通過したパルスレーザ光Ｂ１の光路に配置されている。凹面ミラー４４は、凸面ミラー４５によって反射されてレーザチャンバ４０のウインドウ４０ａ及び４０ｂをふたたび通過したパルスレーザ光Ｂ１の光路に配置されている。凸面ミラー４５及び凹面ミラー４４の焦点は互いに一致する。なお、レーザ装置１ｅに含まれる増幅器としてレーザ増幅器ＰＡの例を示したが、この例に限定されることなく、増幅器は例えばリング共振器を含むレーザ増幅器ＰＯであってもよい。
　９．２　動作
　レーザ制御プロセッサ３０は、パルスレーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλの目標値Ｅｔ、λｔ、及びΔλｔ、パルス時間間隔ΔＴ、及びトリガ信号Ｔｒを露光制御プロセッサ１１０から受信する。
　レーザ制御プロセッサ３０は、目標値Ｅｔに基づいて、電源４２に設定電圧値ＨＶｃを送信し、目標値λｔ及びΔλｔに基づいて、固体レーザ制御プロセッサ１８０に設定値Ａλｃ及びＡΔλｃを送信する。レーザ制御プロセッサ３０は、トリガ信号Ｔｒに基づく第１及び第２のトリガ信号Ｔｒ１及びＴｒ２をそれぞれ固体レーザ制御プロセッサ１８０及び電源４２に送信する。固体レーザ制御プロセッサ１８０は、設定値Ａλｃ及びＡΔλｃを半導体レーザ６０に送信し、第１のトリガ信号Ｔｒ１をパルス増幅器７１に送信する。
　半導体レーザ６０において、半導体レーザ素子は波長約７７３．６ｎｍのＣＷ（continuous wave）レーザ光を出力する。ペルチェ素子により半導体レーザ素子の温度を設定値Ａλｃに調整することで、半導体レーザ素子から出力されるＣＷレーザ光の中心波長が調整される。また、半導体レーザ素子に供給される電流をファンクションジェネレータによって高い周波数で増減することで、ＣＷレーザ光の中心波長がチャープする。増減する電流の振幅が大きいほど、ＣＷレーザ光のスペクトル波形をパルス増幅器７１から出射されるパルスレーザ光のパルス時間幅の範囲で積分した積分スペクトル波形のスペクトル線幅が大きくなる。増減する電流の振幅を設定値ＡΔλｃに調整することでスペクトル線幅が調整される。
　パルス増幅器７１において、チタンサファイヤ結晶は、ポンピング用パルスレーザから出力されるポンピングレーザ光によって励起される。チタンサファイヤ結晶は、励起された期間内に入射したＣＷレーザ光をパルス状に増幅し、波長変換システム７２に向けてパルスレーザ光を出射する。
　波長変換システム７２は、パルス増幅器７１から出力されたパルスレーザ光の第４高調波をパルスレーザ光Ｂ１として出射する。パルスレーザ光Ｂ１の波長λは、レーザ増幅器ＰＡを構成するＡｒＦエキシマの増幅波長である約１９３．４ｎｍとなる。なお、レーザ増幅器ＰＡがＫｒＦエキシマで構成される場合は、その増幅波長に応じたパルスレーザ光Ｂ１を出力するように半導体レーザ６０及び波長変換システム７２の構成が選択される。
　レーザ発振器１８からレーザチャンバ４０にパルスレーザ光Ｂ１が入射するタイミングと同期してレーザチャンバ４０内の放電空間で放電が開始するように、放電電極４１ａ及び４１ｂに高電圧が印加される。
　レーザ増幅器ＰＡに入射したパルスレーザ光Ｂ１は、レーザチャンバ４０内の放電空間を通過した後、凸面ミラー４５によって反射されるとともに、凸面ミラー４５の曲率に応じたビーム拡がり角を与えられる。このパルスレーザ光Ｂ１は、レーザチャンバ４０内の放電空間をふたたび通過する。
　凸面ミラー４５によって反射されてレーザチャンバ４０を通過したパルスレーザ光Ｂ１は、凹面ミラー４４によって反射されるとともに、ほぼ平行光に戻される。このパルスレーザ光Ｂ１はレーザチャンバ４０内の放電空間をさらに１回通過し、パルスレーザ光Ｂ２としてレーザ増幅器ＰＡの外部に出射する。
　このようにして、パルスレーザ光Ｂ１はビーム幅を拡大され、放電空間を３回通過する間にパルスエネルギーが増幅される。
　レーザ制御プロセッサ３０は、露光制御プロセッサ１１０から受信した波長λの目標値λｔから計算される温度の設定値Ａλを補正パラメータ値ΔＡλｃに基づいて補正し、補正された設定値Ａλｃを計算することにより半導体レーザ素子の温度を設定する。これにより、パルス時間間隔ΔＴがバースト内で連続的に変化する場合でもパルスレーザ光Ｂ２の波長λを適切に制御し得る。レーザ制御プロセッサ３０は、波長λの計測値λｍと目標値λｔとの差に基づいて、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡλｃを計算してパラメータテーブルＰＴに記憶させる。
　レーザ制御プロセッサ３０は、露光制御プロセッサ１１０から受信したスペクトル線幅Δλの目標値Δλｔから計算される電流の振幅の設定値ＡΔλを補正パラメータ値ΔＡΔλｃに基づいて補正し、補正された設定値ＡΔλｃを計算することにより、半導体レーザ素子に供給される電流の振幅を設定する。これにより、パルス時間間隔ΔＴがバースト内で連続的に変化する場合でもパルスレーザ光Ｂ２のスペクトル線幅Δλを適切に制御し得る。レーザ制御プロセッサ３０は、スペクトル線幅Δλの計測値Δλｍと目標値Δλｔとの差に基づいて、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＡΔλｃを計算してパラメータテーブルＰＴに記憶させる。なお、レーザ発振器１８が固体レーザである場合、パルス時間間隔ΔＴがバースト内で連続的に変化しても、波長λ及びスペクトル線幅Δλへの影響が少ないので、必ずしも、設定値Ａλ及びＡΔλの補正を行わなくてもよい。
　レーザ制御プロセッサ３０は、露光制御プロセッサ１１０から受信したパルスエネルギーＥの目標値Ｅｔから計算される設定電圧値ＨＶを補正パラメータ値ΔＨＶｃに基づいて補正し、補正された設定電圧値ＨＶｃを計算して電源４２を制御する。これにより、パルス時間間隔ΔＴがバースト内で連続的に変化する場合でもパルスレーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥを適切に制御し得る。レーザ制御プロセッサ３０は、パルスエネルギーＥの計測値Ｅｍと目標値Ｅｔとの差に基づいて、次のバーストのための補正パラメータ値ΔＨＶｃを計算してパラメータテーブルＰＴに記憶させる。
　他の点については、第５の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第５の実施形態において、第１の実施形態の第１の変形例と同様に露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないようにしてもよいし、第１の実施形態の第２の変形例と同様に第２の調整発振を行うようにしてもよい。あるいは、第５の実施形態において、第２の実施形態と同様にパルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλを同期して制御してもよい。あるいは、第５の実施形態において、第３の実施形態と同様に露光装置１００から受信した設定電圧値ＨＶを使用してもよい。
１０．動作パラメータ値Ａを補正する露光装置１００ａ
　１０．１　構成
　図５８は、第６の実施形態に係る露光装置１００ａ及びレーザ装置１ｆの構成を模式的に示す。露光装置１００ａは、パルスエネルギー計測器１１６と、パラメータテーブルＰＴと、を含む。レーザ装置１ｆは、内部トリガ発振器３３及びパラメータテーブルＰＴを含まなくてもよい。
　１０．２　動作
　露光制御プロセッサ１１０は、レーザ光パラメータＬの目標値Ｌｔに基づいて計算される動作パラメータ値Ａを、パラメータテーブルＰＴに記憶された補正パラメータ値ΔＡｃに基づいて補正し、補正された動作パラメータ値Ａｃをレーザ制御プロセッサ３０に送信する。レーザ制御プロセッサ３０は補正された動作パラメータ値Ａｃを計算しなくてもよい。レーザ制御プロセッサ３０は、露光制御プロセッサ１１０から受信した補正された動作パラメータ値Ａｃを用いてアクチュエータを制御する。
　露光制御プロセッサ１１０は、レーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍを取得する。例えば、露光制御プロセッサ１１０は、パルスエネルギー計測器１１６からパルスエネルギーＥの計測値Ｅｍを取得し、レーザ制御プロセッサ３０から波長λ及びスペクトル線幅Δλの計測値λｍ及びΔλｍを取得する。露光制御プロセッサ１１０は、計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅに基づいて補正パラメータ値ΔＡｃを更新し、パラメータテーブルＰＴに記憶させる。
　１０．３　作用
　（１８）第６の実施形態によれば、露光装置１００ａは、パルスレーザ光を生成するレーザ発振器１７と、パルスレーザ光のレーザ光パラメータＬを調節するアクチュエータと、アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサ３０と、を含むレーザ装置１ｆに接続可能である。露光装置１００ａは、投影光学系１０２と露光制御プロセッサ１１０とを備える。投影光学系１０２は、レーザ装置１ｆから出力されたパルスレーザ光を用いてウエハ面に像を形成する。露光制御プロセッサ１１０は、パルスレーザ光のレーザ光パラメータＬの計測値Ｌｍを取得し、バースト発振のバースト内で連続的に変化するパルスレーザ光のパルス時間間隔ΔＴの変化パターンに基づいて、計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅが小さくなるように、アクチュエータの動作パラメータ値Ａを補正してレーザ装置１ｆに出力する。
　これによれば、変化パターンに基づいて動作パラメータ値Ａを補正することにより、計測値Ｌｍと目標値Ｌｔとの差Ｌｅを許容範囲内にすることができる。
　（１９）第６の実施形態によれば、レーザ光パラメータＬはパルスエネルギーＥを含み、露光装置１００ａは、パルスエネルギーＥを計測するパルスエネルギー計測器１１６をさらに備える。露光制御プロセッサ１１０は、パルスエネルギー計測器１１６によって計測されたパルスエネルギーＥを計測値Ｌｍとして取得し、パルスエネルギーＥを調整するための設定電圧値ＨＶを動作パラメータ値Ａとして補正してレーザ装置１ｆに出力する。
　これによれば、露光装置１００ａに含まれるパルスエネルギー計測器１１６を用いることで高精度にパルスエネルギーＥの制御をし得る。
　他の点については、第６の実施形態は第１の実施形態と同様である。あるいは、第６の実施形態において、第１の実施形態の第１の変形例と同様に露光中には補正パラメータ値ΔＡｃを更新しないようにしてもよいし、第１の実施形態の第２の変形例と同様にレーザ装置１ｆが第２の調整発振を行うように、露光制御プロセッサ１１０がトリガ信号Ｔｒやその他の信号を出力してもよい。あるいは、第６の実施形態において、第２の実施形態と同様にパルスエネルギーＥ、波長λ、及びスペクトル線幅Δλを同期して制御してもよい。あるいは、第６の実施形態において、第４の実施形態と同様にレーザ発振器１７とレーザ増幅器ＰＯとに与えられる第１及び第２の放電タイミングの遅延時間δＴによってスペクトル線幅Δλを制御してもよい。あるいは、第６の実施形態において、第５の実施形態と同様にレーザ発振器１８として固体レーザが用いられてもよい。
１１．その他
　上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (21)

  1. 　パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、
    　前記パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、
    　露光装置の指令によりバースト発振のバースト内で連続的に変化する前記パルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、前記レーザ光パラメータの計測値と目標値との差が小さくなるように前記アクチュエータの動作パラメータ値を補正し、前記アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、
    を備える、レーザ装置。
  2. 　請求項１記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　第１のバーストにおける連続する複数のパルスのパルスごとの前記計測値と前記目標値との差に基づいてパルスごとの補正パラメータ値を計算し、
    　　前記第１のバーストより後の第２のバーストにおける前記目標値に基づいて計算された前記動作パラメータ値を、前記補正パラメータ値に基づいて補正する、
    レーザ装置。
  3. 　請求項２記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、前記第１のバーストにおける前記パルスレーザ光の生成を行いながら、前記第２のバーストにおいて使用される前記補正パラメータ値を計算する、
    レーザ装置。
  4. 　請求項２記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、前記第１のバーストにおける第１のパルスが出力された後、前記第１のパルスの次の第２のパルスが出力される前に、前記第２のバーストにおいて使用される前記補正パラメータ値の計算を開始する、
    レーザ装置。
  5. 　請求項２記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、前記第１のバーストにおいて使用されたパルスごとの旧補正パラメータ値と、前記第１のバーストにおけるパルスごとの前記計測値と前記目標値との差と、に基づいて前記補正パラメータ値を計算する、
    レーザ装置。
  6. 　請求項５記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、前記動作パラメータ値に基づいて求められる制御勾配で前記差を除算して得られた値と、前記旧補正パラメータ値と、を加算することにより前記補正パラメータ値を計算する、
    レーザ装置。
  7. 　請求項１記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記変化パターンにおけるパルスごとの補正パラメータ値を記憶したテーブルにアクセス可能に構成され、
    　　前記目標値に基づいて計算されたパルスごとの前記動作パラメータ値を、前記補正パラメータ値に基づいて補正する、
    レーザ装置。
  8. 　請求項７記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記変化パターンごとに異なる前記テーブルにアクセス可能に構成され、
    　　前記変化パターンに基づいて、前記補正パラメータ値を読み出す前記テーブルを決定する、
    レーザ装置。
  9. 　請求項７記載のレーザ装置であって、
    　前記テーブルは、前記パルス時間間隔のデータと、パルスごとの前記補正パラメータ値と、を対応付けて記憶している、
    レーザ装置。
  10. 　請求項７記載のレーザ装置であって、
    　前記テーブルは、１回のバーストに含まれるパルスごとの前記補正パラメータ値を含む、
    レーザ装置。
  11. 　請求項７記載のレーザ装置であって、
    　前記テーブルは、前記補正パラメータ値と、前記補正パラメータ値として過去に使用された旧補正パラメータ値と、を記憶するように構成され、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記補正パラメータ値を、前記動作パラメータ値を補正するために読み出した後、前記旧補正パラメータ値として前記テーブルに記憶させ、
    　　前記補正パラメータ値を、前記旧補正パラメータ値を用いて更新して前記テーブルに記憶させる、
    レーザ装置。
  12. 　請求項７記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記変化パターンと前記目標値とに基づいて前記パルスレーザ光を生成する第１の調整発振を行って、前記計測値を取得し、
    　　パルスごとの前記目標値と前記計測値との差に基づいて、パルスごとの前記補正パラメータ値を計算して前記テーブルを作成する、
    レーザ装置。
  13. 　請求項１２記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記第１の調整発振を行って前記テーブルを作成する処理を、複数回行い、
    　　前記目標値と前記計測値との差が許容範囲内となった場合に前記第１の調整発振を終了する、
    レーザ装置。
  14. 　請求項１２記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、第１のバーストと前記第１のバーストより後の第２のバーストとの間に前記第１の調整発振を行わない場合に、前記第１のバーストと前記第２のバーストとで同じ前記補正パラメータ値のデータセットを用いて前記動作パラメータ値を補正する、
    レーザ装置。
  15. 　請求項１２記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記動作パラメータ値を変えながら前記パルスレーザ光を生成する第２の調整発振を行って、前記動作パラメータ値と前記計測値との関係を取得し、
    　　前記関係に基づいて前記動作パラメータ値及び前記補正パラメータ値のいずれかを計算する、
    レーザ装置。
  16. 　請求項１５記載のレーザ装置であって、
    　前記第２の調整発振におけるパルスの時間間隔は、前記第１の調整発振において前記変化パターンに応じて変化するパルスの時間間隔のうちの最長の時間間隔よりも長い、
    レーザ装置。
  17. 　請求項７記載のレーザ装置であって、
    　前記レーザ光パラメータはパルスエネルギーを含み、
    　前記レーザ制御プロセッサは、
    　　前記パルスエネルギーを調整するための設定電圧値を前記動作パラメータ値として前記露光装置から受信し、
    　　第１のバーストと第２のバーストとで同じ前記補正パラメータ値のデータセットを用いて前記設定電圧値を補正する、
    レーザ装置。
  18. 　パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、前記パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、前記アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を含むレーザ装置に接続可能な露光装置であって、
    　前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を用いてウエハ面に像を形成する投影光学系と、
    　前記レーザ光パラメータの計測値を取得し、バースト発振のバースト内で連続的に変化する前記パルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、前記計測値と目標値との差が小さくなるように、前記アクチュエータの動作パラメータ値を補正して前記レーザ装置に出力する露光制御プロセッサと、
    を備える露光装置。
  19. 　請求項１８記載の露光装置であって、
    　前記レーザ光パラメータはパルスエネルギーを含み、
    　前記露光装置は、前記パルスエネルギーを計測するパルスエネルギー計測器をさらに備え、
    　前記露光制御プロセッサは、前記パルスエネルギー計測器によって計測された前記パルスエネルギーを前記計測値として取得し、前記パルスエネルギーを調整するための設定電圧値を前記動作パラメータ値として補正して前記レーザ装置に出力する、
    露光装置。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、
    　前記パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、
    　露光装置の指令によりバースト発振のバースト内で連続的に変化する前記パルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、前記レーザ光パラメータの計測値と目標値との差が小さくなるように前記アクチュエータの動作パラメータ値を補正し、前記アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、
    を備えるレーザ装置によって前記パルスレーザ光を生成し、
    　前記パルスレーザ光を前記露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
  21. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　パルスレーザ光を生成するレーザ発振器と、前記パルスレーザ光のレーザ光パラメータを調節するアクチュエータと、前記アクチュエータを制御するレーザ制御プロセッサと、を含むレーザ装置によって前記パルスレーザ光を生成し、
    　前記パルスレーザ光を、前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を用いてウエハ面に像を形成する投影光学系と、前記レーザ光パラメータの計測値を取得し、バースト発振のバースト内で連続的に変化する前記パルスレーザ光のパルス時間間隔の変化パターンに基づいて、前記計測値と目標値との差が小さくなるように、前記アクチュエータの動作パラメータ値を補正して前記レーザ装置に出力する露光制御プロセッサと、を含む露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
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