WO2024201729A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2024201729A1
WO2024201729A1 PCT/JP2023/012590 JP2023012590W WO2024201729A1 WO 2024201729 A1 WO2024201729 A1 WO 2024201729A1 JP 2023012590 W JP2023012590 W JP 2023012590W WO 2024201729 A1 WO2024201729 A1 WO 2024201729A1
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light
layer
resonator length
distance
emitting layer
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惇 佐久間
康 浅岡
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Sharp Display Technology Corp
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Sharp Display Technology Corp
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    • H10K2102/20—Metallic electrodes, e.g. using a stack of layers

Definitions

  • This disclosure relates to a display device.
  • Patent document 1 discloses an organic EL device in which multiple pixels correspond to red (R), green (G), and blue (B), the material of the organic functional layer that constitutes the organic EL element is the same regardless of the corresponding color, an optical resonator is formed in each pixel, and the optical length of the optical resonator is set to a length corresponding to either red light, green light, or blue light depending on the thickness of the light-emitting layer.
  • Patent Document 1 sets the resonance length (cavity length) for each emitted color by controlling the thickness of the light-emitting layer, which creates the problem of reduced luminous efficiency of the light-emitting elements of one of the colors.
  • the display device includes a red light-emitting element including a first light-reflecting layer, a first light-emitting layer, and a common electrode in this order, a green light-emitting element including a second light-reflecting layer, a second light-emitting layer, and a common electrode in this order, and a blue light-emitting element including a third light-reflecting layer, a third light-emitting layer, and a common electrode in this order, and is configured such that the first distance is the distance from the first light-reflecting layer to the common electrode, the second distance is the distance from the second light-reflecting layer to the common electrode, the third distance is the distance from the third light-reflecting layer to the common electrode, the fourth distance is the distance from the center surface of the first light-emitting layer to the first light-reflecting layer, the fifth distance is the distance from the center surface of the second light-emitting layer to the second light-reflecting layer, and the first distance is the distance from the
  • the light-emitting efficiency of the light-emitting element can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating an example of a configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1A and 1B are diagrams illustrating an optical resonator that can be formed in a light-emitting device.
  • 1A and 1B are diagrams illustrating an optical resonator that can be formed in a light-emitting device.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example of the configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • 7 is a partial cross-sectional view showing an example of the configuration of a first light-emitting layer shown in FIG. 6.
  • 7 is a partial cross-sectional view showing an example of the configuration of the second light-emitting layer shown in FIG. 6.
  • 7 is a partial cross-sectional view showing an example of the configuration of a third light-emitting layer shown in FIG. 6.
  • 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display device 100 includes a display section DA in which a plurality of pixels PX are provided, and a drive circuit DC for driving the display section DA.
  • the plurality of pixels PX include a red pixel P1 including a red light-emitting element D1 and a pixel circuit E1, a green pixel P2 including a green light-emitting element D2 and a pixel circuit E2, and a blue pixel P3 including a blue light-emitting element D3 and a pixel circuit E3.
  • attention will be paid to the red light-emitting element D1, the green light-emitting element D2, and the blue light-emitting element D3.
  • the display device 100 includes a red light-emitting element D1 including a first light-reflecting layer A1, a first light-emitting layer B1, and a common electrode CE in this order, a green light-emitting element D2 including a second light-reflecting layer A2, a second light-emitting layer B2, and a common electrode CE in this order, and a blue light-emitting element D3 including a third light-reflecting layer A3, a third light-emitting layer B3, and a common electrode CE in this order, and the distance from the first light-reflecting layer A1 to the common electrode CE is a first distance f1, and the distance from the second light-reflecting layer A2 to the common electrode CE is a second distance f2.
  • the distance at is the second distance f2
  • the distance from the third light reflecting layer A3 to the common electrode CE is the third distance f3
  • the distance from the center surface of the first light emitting layer B1 to the first light reflecting layer A1 is the fourth distance f4
  • the distance from the center surface of the second light emitting layer B2 to the second light reflecting layer A2 is the fifth distance f5
  • the distance from the center surface of the third light emitting layer B3 to the third light reflective layer A3 is the sixth distance f6, where first distance f1 > second distance f2 > third distance f3 and fourth distance f4 > fifth distance f5 > sixth distance f6.
  • distance when used simply, it means geometric distance. When optical distance is intended, it is specified as “optical distance.” Similarly, “thickness” and “length” mean geometric thickness and geometric length, unless modified with “optical.” Distance, thickness, and length may be determined based on observation with a transmission electron microscope (TEM) or may be determined based on other methods such as ellipsometry.
  • TEM transmission electron microscope
  • central surface simply means the geometric central surface, i.e., the intermediate surface that is geometrically equidistant from the upper and lower surfaces.
  • the surface with the highest brightness among the surfaces included in the light-emitting layer is referred to as the "light-emitting surface.”
  • the first to third light-reflecting layers A1 to A3 may be light-reflecting electrodes or parts of light-reflecting electrodes, or light-reflecting films formed below the light-transmitting electrodes.
  • the first to third light-reflecting layers A1 to A3 may be made of the same material and may be formed from the same layer.
  • the first to third light-reflecting layers A1 to A3 may be made of silver (Ag), aluminum (Al), magnesium (Mg), or an alloy containing one or more of these.
  • the common electrode CE has light-transmitting and light-reflective properties, and is located closer to the light extraction side than the first to third light-emitting layers B1 to B3.
  • the common electrode CE may be made of a transparent metal oxide such as indium tin oxide (InTiO) and indium zinc oxide (InZnO).
  • the red light-emitting element D1 includes a first light-transmitting layer G1 located between the first light-reflecting layer A1 and the first light-emitting layer B1
  • the green light-emitting element D2 includes a second light-transmitting layer G2 located between the second light-reflecting layer A2 and the second light-emitting layer B2
  • the blue light-emitting element D3 includes a third light-transmitting layer G3 located between the third light-reflecting layer A3 and the third light-emitting layer B3
  • the thickness of the first light-transmitting layer G1 may be greater than the thickness of the second light-transmitting layer G2 and greater than the thickness of the third light-transmitting layer G3.
  • the thickness of the first light-emitting layer B1 may be greater than the thickness of the second light-emitting layer B2 and greater than the thickness of the third light-emitting layer B3.
  • the first to third light-emitting layers B1 to B3 may each contain an organic light-emitting material or quantum dots as the light-emitting material.
  • the first to third light-emitting layers B1 to B3 may have substantially the same refractive index. In order to ensure good electrical characteristics of the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3, it is beneficial that the difference in thickness between the first light-emitting layer B1 and the third light-emitting layer B3 is 40 nm or less.
  • Lower charge functional layers J1, J2, J3 of approximately the same thickness may be formed between the first light reflecting layer A1 and the first light emitting layer B1, between the second light reflecting layer A2 and the second light emitting layer B2, and between the third light reflecting layer A3 and the third light emitting layer B3.
  • the lower charge functional layers J1, J2, J3 may be made of the same material and may be formed from the same layer.
  • upper charge functional layers K1, K2, K3 of approximately the same thickness may be formed between the first light emitting layer B1 and the common electrode CE, between the second light emitting layer B2 and the common electrode CE, and between the third light emitting layer B3 and the common electrode CE.
  • the upper charge functional layers K1, K2, K3 may be made of the same material and may be formed from the same layer.
  • the thicknesses of the upper charge functional layers K1, K2, and K3 are measured at the center of each of the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3 in a plan view, and when the difference between the maximum and minimum thicknesses of the upper charge functional layers K1, K2, and K3 is 10 nm or less, the thicknesses of the upper charge functional layers K1, K2, and K3 may be considered to be the same.
  • the layer above the common electrode CE may have a lower refractive index than the common electrode CE (e.g., the atmospheric layer).
  • the display device 100 may include additional components (not shown) located above the first to third light-emitting layers B1 to B3, so long as the configuration of the layers above the first to third light-emitting layers B1 to B3 is common to the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3 in terms of material and layer thickness.
  • the display device 100 may include other components as appropriate, such as a bank layer BH, a circuit board SB on which the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3 are formed, and a sealing layer (not shown) that covers the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3.
  • the first light-emitting layer B1 may contain a light-emitting material other than a red light-emitting material.
  • the second light-emitting layer B2 may contain a light-emitting material other than a green light-emitting material
  • the third light-emitting layer B3 may contain a light-emitting material other than a blue light-emitting material.
  • the first to third light-emitting layers B1 to B3 may contain the same light-emitting material group.
  • the volume ratio of the red light-emitting material is the highest in the light-emitting material in the first light-emitting layer B1.
  • the volume ratio of the green light-emitting material is the highest in the light-emitting material in the second light-emitting layer B2
  • the volume ratio of the blue light-emitting material is the highest in the light-emitting material in the third light-emitting layer B3.
  • the volume ratio of the light-emitting material may be determined from the area ratio. For example, if the first light-emitting layer B1 contains quantum dots as the light-emitting material, a cross section of the first light-emitting layer B1 is imaged with an electron microscope, the areas of the quantum dots in the image are measured, and the areas are added up for each light-emitting color. When the total area of the red-emitting quantum dots is the largest, it may be determined that the quantum dots with the highest volume ratio in the first light-emitting layer B1 are the red-emitting quantum dots.
  • the common electrode CE may be a cathode, and the first light-reflecting layer A1, the second light-reflecting layer A2, and the third light-reflecting layer A3 may be anodes located below the common electrode CE. Additionally or alternatively, the common electrode CE may be a cathode, and the first light-transmitting layer G1, the second light-transmitting layer G2, and the third light-transmitting layer G3 may be anodes located below the common electrode CE. In the example shown in FIG.
  • the first to third light-transmitting layers G1 to G3 are in contact with the first to third light-reflecting layers A1 to A3, respectively, and cooperate to form the first to third light-reflecting electrodes H1 to H3, and the first to third light-reflecting electrodes H1 to H3 are anodes, respectively.
  • the first to third light-transmitting layers G1 to G3 may be separated from the first to third light-reflecting layers A1 to A3, respectively.
  • the common electrode CE may be an anode, and each of the first to third light-reflecting layers A1 to A3 may be a cathode located below the common electrode CE. Additionally or alternatively, the common electrode CE may be an anode, and each of the first to third light-transmitting layers G1 to G3 may be a cathode located below the common electrode CE.
  • the first to third light transmitting layers G1 to G3 may have substantially the same refractive index.
  • the first to third light transmitting layers G1 to G3 may be made of the same material.
  • the first light transmitting layer G1, the second light transmitting layer G2, and the third light transmitting layers G1 to G3 may each be made of a transparent metal oxide such as indium tin oxide (InTiO) and indium zinc oxide (InZnO).
  • Optical resonator In the red light emitting element D1, one or more optical resonators in which the red light constructively interacts with each other may be formed.
  • the wavelength of the red light is 600 to 770 nm.
  • the first distance f1 may be an n-th order resonator length for the red light to constructively interact between the first light reflecting layer A1 and the common electrode CE, and at this time, an optical resonator in which the red light constructively interacts with each other is formed between the first light reflecting layer A1 and the common electrode CE.
  • the distance from the light emitting surface of the first light emitting layer B1 to the first light reflecting layer A1 may be an n-th order resonator length for the red light to constructively interact between the light emitting surface of the first light emitting layer B1 and the first light reflecting layer A1, and at this time, an optical resonator in which the red light constructively interacts with each other is formed between the light emitting surface of the first light emitting layer B1 and the first light reflecting layer A1.
  • the "n” in the "n-th order resonator length" is any natural number.
  • Human visual sensitivity is highest in the vicinity of 555 [nm], that is, on the shorter wavelength side than red light.
  • the above distances may be designed to be shorter than the n-th order resonator length.
  • the light emitting surface of the first light emitting layer B1 may be replaced with the geometric center plane of the first light emitting layer B1.
  • the first distance f1 may be equal to or less than the n-th order resonator length R 1,n , where R 1,n is the n-th order resonator length for the red light to reinforce each other between the first light reflecting layer A1 and the common electrode CE, and the difference between the first distance f1 and the n-th order resonator length R 1,n may be equal to or less than 20% of the difference between the (n-1)th order resonator length R 1,n-1 and the n-th order resonator length R 1,n .
  • the difference is an absolute value. That is, the following inequality (1) may be satisfied.
  • the zero-order resonator length R 1,0 is set to 0 [nm] regardless of the phase shift.
  • the fourth distance f4 may be equal to or less than the n-th order resonator length R4 ,n, where R4,n is the n-th order resonator length for the red light to reinforce each other between the center surface of the first light emitting layer B1 and the first light reflecting layer A1, and the difference between the fourth distance f4 and the n-th order resonator length R4 ,n may be equal to or less than 20% of the difference between the (n-1)th order resonator length R4,n-1 and the n-th order resonator length R4 ,n .
  • the difference is an absolute value. That is, the following inequality (2) may be satisfied.
  • the 0th order resonator length R4,0 is set to 0 [nm] regardless of the phase shift.
  • one or more optical resonators may be formed in which the green light reinforces each other.
  • the wavelength of the green light is 490 to 550 nm.
  • the second distance f2 may be an n-th order resonator length for the green light to reinforce each other between the second light reflecting layer A2 and the common electrode CE, and in this case, an optical resonator for the green light to reinforce each other is formed between the second light reflecting layer A2 and the common electrode CE.
  • the distance from the light-emitting surface of the second light-emitting layer B2 to the second light reflecting layer A2 may be an n-th order resonator length for the green light to reinforce each other between the light-emitting surface of the second light-emitting layer B2 and the second light reflecting layer A2, and in this case, an optical resonator for the green light to reinforce each other is formed between the light-emitting surface of the second light-emitting layer B2 and the second light reflecting layer A2.
  • the above distances may be designed to be longer than the n-th order resonator length.
  • the light emitting surface of the second light emitting layer B2 may be replaced with the geometric center plane of the second light emitting layer B2.
  • the second distance f2 may be greater than or equal to the n-th order resonator length R 2,n , where R 2,n is the n-th order resonator length for the green light to reinforce each other between the second light reflecting layer A2 and the common electrode CE, and the difference between the second distance f2 and the n-th order resonator length R 2 ,n may be 20% or less of the difference between the (n+1)th order resonator length R 2,n+1 and the n-th order resonator length R 2,n .
  • the difference is an absolute value. That is, the following inequality (3) may be satisfied.
  • the 0-th order resonator length R 2,0 is set to 0 [nm] regardless of the phase shift.
  • the fifth distance f5 may be greater than or equal to the n-th order resonator length R5 ,n, where R5,n is the n-th order resonator length for the green light to reinforce each other between the center surface of the second light emitting layer B2 and the second light reflecting layer A2, and the difference between the fifth distance f5 and the n-th order resonator length R5 ,n may be less than or equal to 20% of the difference between the (n+1)th order resonator length R5,n+1 and the n-th order resonator length R5 ,n .
  • the difference is an absolute value. That is, the following inequality (4) may be satisfied.
  • the zeroth order resonator length R5,0 is set to 0 [nm] regardless of the phase shift.
  • one or more optical resonators may be formed in which the blue light components are reinforced.
  • the wavelength of the blue light is 430 to 490 nm.
  • the third distance f3 may be an n-th order resonator length for the blue light components to reinforce each other between the third light reflecting layer A3 and the common electrode CE, and in this case, an optical resonator for the blue light components to reinforce each other is formed between the third light reflecting layer A3 and the common electrode CE.
  • the distance from the light-emitting surface of the third light-emitting layer B3 to the third light reflecting layer A3 may be an n-th order resonator length for the blue light components to reinforce each other between the light-emitting surface of the third light-emitting layer B3 and the third light reflecting layer A3, and in this case, an optical resonator for the blue light components to reinforce each other is formed between the light-emitting surface of the third light-emitting layer B3 and the third light reflecting layer A3.
  • the above distances may be designed to be longer than the n-th order resonator length.
  • the light emitting surface of the third light emitting layer B3 may be replaced with the geometric center plane of the third light emitting layer B3.
  • the third distance f3 may be greater than or equal to the n-th order resonator length R 3,n , where R 3,n is the n-th order resonator length for blue light to reinforce each other between the third light reflecting layer A3 and the common electrode CE, and the difference between the third distance f3 and the n-th order resonator length R 3,n may be 20% or less of the difference between the (n+1)th order resonator length R 3 ,n+1 and the n-th order resonator length R 3,n .
  • the difference is an absolute value. That is, the following inequality (5) may be satisfied.
  • the 0-th order resonator length R 3,0 is set to 0 [nm] regardless of the phase shift.
  • the sixth distance f6 may be greater than or equal to the n-th resonator length R6 ,n, where R6,n is the n-th resonator length for blue light to reinforce each other between the central surface of the third light emitting layer B3 and the third light reflecting layer A3, and the difference between the sixth distance f6 and the n-th resonator length R6,n may be less than or equal to 20% of the difference between the (n+1)th resonator length R6,n+1 and the n-th resonator length R6 ,n .
  • the difference is an absolute value. That is, the following inequality (6) may be satisfied.
  • the 0th resonator length R5,0 is set to 0 [nm] regardless of the phase shift.
  • the length of the optical resonator is a first-order resonator length
  • plasmon loss is likely to occur.
  • the length of the optical resonator is a third-order or higher resonator length
  • color shift due to the optical resonator is large. Therefore, it is beneficial that the length of the resonator is a second-order resonator length or a value close to it.
  • the length of the optical resonator formed between the light-emitting surface of the second light-emitting layer B2 and the second light-reflecting layer A2 and the length of the optical resonator formed between the light-emitting surface of the third light-emitting layer B3 and the third light-reflecting layer A3 are also the second-order resonator length or a length about the second-order resonator length.
  • the fourth distance f4 may be equal to or greater than the secondary resonator length R4,2 minus 20% of the difference between the primary resonator length R4,1 and the secondary resonator length R4,2, and equal to or less than the secondary resonator length R4,2 plus 20% of the difference between the tertiary resonator length R4,3 and the secondary resonator length R4,2 , where R4,n is the n-th order resonator length, with respect to the resonator length for the red light to reinforce each other between the central surface of the first light-emitting layer B1 and the first light-reflecting layer A1.
  • the fifth distance f5 may be, with respect to the resonator length for green light to reinforce each other between the central plane of the second light-emitting layer B2 and the second light-reflecting layer A2, where the n-th order resonator length is R5 ,n , the fifth distance f5 may be not less than the secondary resonator length R5,2 minus 20% of the difference between the primary resonator length R5,1 and the secondary resonator length R5,2 , and not more than the secondary resonator length R5,2 plus 20% of the difference between the tertiary resonator length R5,3 and the secondary resonator length R5,2 .
  • the sixth distance f6 may be, with respect to the resonator length for constructively interfering with the blue light between the central plane of the third light emitting layer B3 and the third light reflecting layer A3, a value equal to or greater than the value obtained by subtracting the difference between the primary resonator length R6,1 and the secondary resonator length R6,2 from the secondary resonator length R6,2 , and a value equal to or less than the value obtained by adding 20% of the difference between the tertiary resonator length R6,3 and the secondary resonator length R6,2 to the secondary resonator length R6,2 , where R6,n is the n-th order resonator length.
  • the difference is an absolute value.
  • the difference in thickness between the first light-emitting layer B1 and the third light-emitting layer B3 is 40 nm or less, it is beneficial that the distance from the light-emitting surface of the first to third light-emitting layers B1 to B3 to the common electrode CE is equal to or approximately equal to the primary resonator length.
  • the difference between the first distance f1 and the fourth distance f4 may be equal to or greater than the value obtained by subtracting 20% of the difference between the zeroth resonator length R7,0 and the primary resonator length R7,1 from the primary resonator length R7,1 , and equal to or less than the value obtained by adding 20% of the difference between the secondary resonator length R7,2 and the primary resonator length R7,1 to the primary resonator length R7,1 , with the nth resonator length being R7 ,n , with respect to the resonator length for the red light to reinforce each other between the central surface of the first light-emitting layer B1 and the common electrode CE.
  • the difference between the second distance f2 and the fifth distance f5 may be, with respect to the resonator length for green light to reinforce each other between the central plane of the second light-emitting layer B2 and the common electrode CE, where the n-th order resonator length is R8 ,n , the difference between the second distance f2 and the fifth distance f5 may be not less than the value obtained by subtracting 20% of the difference between the zeroth order resonator length R8,0 and the primary resonator length R8,1 from the primary resonator length R8,1 , and not more than the value obtained by adding 20% of the difference between the secondary resonator length R8,2 and the primary resonator length R8,1 to the primary resonator length R8,1.
  • the difference between the third distance f3 and the sixth distance f6 may be equal to or greater than the value obtained by subtracting 20% of the difference between the zeroth-order resonator length R9,0 and the primary resonator length R9,1 from the primary resonator length R9,1 , and equal to or less than the value obtained by adding 20% of the difference between the secondary resonator length R9,2 and the primary resonator length R9,1 to the primary resonator length R9,1 , where R9, n is the nth-order resonator length for constructively interfering with each other between the central surface of the third light-emitting layer B3 and the common electrode CE.
  • the zeroth-order resonator lengths R7,0, R8,0 , and R9 ,n are 0 [ nm ], and the difference is an absolute value.
  • the ratio of the third distance f3 to the emission peak wavelength of the blue light-emitting element D3 > the ratio of the second distance f2 to the emission peak wavelength of the green light-emitting element D2 > the ratio of the first distance f1 to the emission peak wavelength of the red light-emitting element D1 may be satisfied.
  • the ratio of the sixth distance f6 to the emission peak wavelength of the blue light-emitting element D3 > the ratio of the fifth distance f5 to the emission peak wavelength of the green light-emitting element D2 > the ratio of the fourth distance f4 to the emission peak wavelength of the red light-emitting element D1 may be satisfied.
  • the light-emitting element DX includes, in this order, a light-reflecting layer having a light-reflecting surface AA, a light-emitting layer having a light-emitting surface BB, and a light-semi-reflecting layer having a light-semi-reflecting surface CC.
  • the light-semi-reflecting layer is located closer to the light-extracting side than the light-emitting layer.
  • the distance from the light-reflecting surface AA to the light-semi-reflecting surface CC is the seventh distance f7
  • the distance from the light-reflecting surface AA to the light-emitting surface BB is the eighth distance f8.
  • the emission angle of the light ray with respect to the normal direction of the light-emitting surface BB is the angle ⁇ .
  • the refractive index inside the light-emitting element DX is m, the absorption and refraction of light are ignored, and the light-reflecting surface AA, the light-emitting surface BB, and the light-semi-reflecting surface CC are assumed to be parallel planes to each other.
  • light L1 emitted upward (to the light extraction side) from the light-emitting surface BB is split into light L2 that passes through the semi-reflective surface CC and light L3 that is reflected by the semi-reflective surface CC.
  • the reflected light L3 becomes light L4 that is reflected by the semi-reflective surface AA, and is split into light L5 that passes through the semi-reflective surface CC and light that is reflected by the semi-reflective surface CC.
  • the phases of light L2 and light L5 match, and light of wavelength ⁇ and its neighboring wavelengths are constructively coupled between the semi-reflective surface AA and the semi-reflective surface CC to form an optical resonator that selectively extracts light.
  • the phases of light L2 and light L5 match.
  • ⁇ is the circular constant
  • N T is the order of resonance between the light reflecting surface AA and the light semi-reflecting surface CC
  • ⁇ R is the phase shift due to reflection at the light reflecting surface AA
  • ⁇ T is the phase shift due to reflection at the light semi-reflecting surface CC.
  • the phase shifts ⁇ R and ⁇ T are set so that the minimum value of the order N T , which takes the resonator length as a positive value, is 1.
  • ⁇ is the circular constant
  • N R is the order of resonance between the light reflecting surface AA and the light emitting surface BB
  • ⁇ R is the phase shift due to reflection at the light reflecting surface AA.
  • the phase shift ⁇ R is set so that the minimum value of the order N R is 1.
  • optical resonator in the light-emitting element DX can be applied to the optical resonators in the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3.
  • the n-th order resonator lengths of the optical resonators in the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3 may be calculated or measured in a manner different from that described above.
  • (Modification) 5 is a cross-sectional view showing a modified example of the configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • lower charge functional layers J1, J2, and J3 of approximately the same thickness may be formed as a series of films JJ between the first light reflecting layer A1 and the first light emitting layer B1, between the second light reflecting layer A2 and the second light emitting layer B2, and between the third light reflecting layer A3 and the third light emitting layer B3.
  • upper charge functional layers K1, K2, and K3 of approximately the same thickness may be formed as a series of films KK between the first light reflecting layer A1 and the common electrode CE, between the second light reflecting layer A2 and the common electrode CE, and between the third light reflecting layer A3 and the common electrode CE.
  • the "series of films” refers to films formed in a single coating process in multiple pixels (multiple light emitting elements), for example, a film formed continuously across multiple pixels.
  • the common electrode CE according to the second embodiment is made of silver (Ag) or an alloy containing silver, such as MgAg.
  • the optical reflectance of a thin film of silver or a silver alloy is greater than that of a thin film of a transparent metal oxide. Therefore, according to the common electrode CE according to the second embodiment, the reinforcement effect of the optical resonator in the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3 is high, and the front brightness of the red, green, and blue light-emitting elements D1 to D3 can be improved.
  • the thickness of the common electrode CE is small, and may be, for example, 15 to 30 nm.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing an example of the configuration of the first light-emitting layer shown in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing an example of the configuration of the second light-emitting layer shown in FIG. 6.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional view showing an example of the configuration of the third light-emitting layer shown in FIG. 6. As shown in FIGS.
  • the first light-emitting layer B1, the second light-emitting layer B2, and the third light-emitting layer B3 according to the third embodiment each include a plurality of quantum dots Q1, Q2, and Q3. At least one of the first light-emitting layer B1, the second light-emitting layer B2, and the third light-emitting layer B3 includes inorganic media M1 to M3 located between the plurality of quantum dots Q1, Q2, and Q3.
  • the first light-emitting layer B1, the second light-emitting layer B2, and the third light-emitting layer B3 may be filled with inorganic media M1, M2, and M3 such that the filling rate of the first light-emitting layer B1>the filling rate of the second light-emitting layer B2>the filling rate of the third light-emitting layer B3.
  • the third light-emitting layer B3 may not have the inorganic media M3.
  • the refractive index of the cavity is usually smaller than the refractive index of the quantum dots Q1-Q3 and the inorganic media M1-M3.
  • the filling rate of the light-emitting layer may be determined from the area ratio.
  • a cross section of the first light-emitting layer B1 may be imaged using an electron microscope, and the total area of the quantum dots Q1 and the inorganic medium M1 in the image and the total cross-sectional area including the cavities of the first light-emitting layer B1 may be measured.
  • the ratio of the total area of the quantum dots Q1 and the inorganic medium M1 to the total cross-sectional area may be determined as the filling rate of the first light-emitting layer B1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display device 100 includes lower charge functional layers J1, J2, J3 formed with approximately the same thickness between the first light reflective layer A1 and the first light emitting layer B1, between the second light reflective layer A2 and the second light emitting layer B2, and between the third light reflective layer A3 and the third light emitting layer B3, upper charge functional layers K1, K2, K3 formed with approximately the same thickness between the first light reflective layer A1 and the common electrode CE, between the second light reflective layer A2 and the common electrode CE, and between the third light reflective layer A3 and the common electrode CE, and a bank layer BH located above the first light reflective layer A1, the second light reflective layer A2, and the third light reflective layer A3, and the first light emitting layer B1, the second light emitting layer B2, the third light emitting layer B3, the lower charge functional layers J1, J2, J3, and the upper charge functional layers K
  • One of the lower charge functional layers J1, J2, J3 and the upper charge functional layers K1, K2, K3 may be a hole transport layer, and the other may be an electron transport layer.
  • the first to third light emitting layers B1 to B3 are mounted on the bank layer BH together with the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and thus can emit light on the bank layer BH as well.
  • an optical resonator can be formed for light from the first to third light emitting layers B1 to B3 on the bank layer BH, making it possible to effectively utilize the light emitted on the bank layer BH.
  • the bank layer BH when the bank layer BH is substantially transparent and the optical distance from the upper surface of the bank layer BH on which the first light-emitting layer B1 lies to the first light-reflecting layer A1 is an integer multiple of the wavelength of red light, an optical resonator is formed in which the red light emitted on the upper surface of the bank layer BH reinforces each other.
  • the bank layer BH is substantially transparent and the optical distance from the upper surface of the bank layer BH on which the second light-emitting layer B2 lies to the second light-reflecting layer A2 is an integer multiple of the wavelength of green light
  • an optical resonator is formed in which the green light emitted on the upper surface of the bank layer BH reinforces each other.
  • the bank layer BH is substantially transparent and the optical distance from the upper surface of the bank layer BH on which the third light-emitting layer B3 lies to the third light-reflecting layer A3 is an integer multiple of the wavelength of blue light, an optical resonator is formed in which the blue light emitted on the upper surface of the bank layer BH reinforces each other. In these cases, an error of about the half-width of the emission spectrum is allowed.

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Abstract

表示装置（１００）は、第１光反射層（Ａ１）、第１発光層（Ｂ１）および共通電極（ＣＥ）をこの順に含む赤色発光素子（Ｄ１）と、第２光反射層（Ａ２）、第２発光層（Ｂ２）および共通電極（ＣＥ）をこの順に含む緑色発光素子（Ｄ２）と、第３光反射層（Ａ３）、第３発光層（Ｂ３）および共通電極（ＣＥ）をこの順に含む青色発光素子（Ｄ３）とを備え、第１光反射層（Ａ１）から共通電極（ＣＥ）までの距離を第１距離ｆ１）、第２光反射層（Ａ２）から共通電極（ＣＥ）までの距離を第２距離（ｆ２）、第３光反射層（Ａ３）から共通電極（ＣＥ）までの距離を第３距離（ｆ３）、第１発光層（Ｂ１）の中心面から第１光反射層（Ａ１）までの距離を第４距離（ｆ４）、第２発光層（Ｂ２）の中心面から第２光反射層（Ａ２）までの距離を第５距離（ｆ５）、第３発光層（Ｂ３）の中心面から第３光反射層（Ａ３）までの距離を第６距離（ｆ６）として、第１距離（ｆ１）＞第２距離（ｆ２）＞第３距離（ｆ３）、かつ第４距離（ｆ４）＞第５距離（ｆ５）＞第６距離（ｆ６）である。

Description

表示装置
　本開示は、表示装置に関する。
　特許文献１は、複数の画素が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応し、有機ＥＬ素子を構成する有機機能層の材質が対応する色にかかわらず共通であり、各画素に光共振器が構成され、発光層の厚さによって光共振器の光学長を赤色光、緑色光、青色光のいずれかに対応する長さに設定する有機ＥＬ装置を開示している。
特開２００６－２６９３２７（２００６年１０月５日国際公開）
　特許文献１に開示の技術は、発光色ごとの共振長（共振器長）の設定を発光層の厚みの制御によって行うものであるため、何れかの色の発光素子の発光効率が低下する問題がある。
　本開示の一態様に係る表示装置は、第１光反射層、第１発光層および共通電極をこの順に含む赤色発光素子と、第２光反射層、第２発光層および共通電極をこの順に含む緑色発光素子と、第３光反射層、第３発光層および共通電極をこの順に含む青色発光素子とを備え、前記第１光反射層から前記共通電極までの距離を第１距離、前記第２光反射層から前記共通電極までの距離を第２距離、前記第３光反射層から前記共通電極までの距離を第３距離、前記第１発光層の中心面から前記第１光反射層までの距離を第４距離、前記第２発光層の中心面から前記第２光反射層までの距離を第５距離、前記第３発光層の中心面から前記第３光反射層までの距離を第６距離として、前記第１距離＞前記第２距離＞前記第３距離、かつ前記第４距離＞前記第５距離＞前記第６距離である、構成である。
　本開示の一態様によれば、発光素子の発光効率を向上させることができる。
本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である 本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である 発光素子に形成され得る光共振器を説明する図である。 発光素子に形成され得る光共振器を説明する図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の変形例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図６に示した第１発光層の構成の一例を示す部分断面図である。 図６に示した第２発光層の構成の一例を示す部分断面図である。 図６に示した第３発光層の構成の一例を示す部分断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。
　〔実施形態１〕
　図１は、本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。図１に示すように、本開示に係る表示装置１００は、複数の画素ＰＸが設けられた表示部ＤＡと、表示部ＤＡを駆動する駆動回路ＤＣとを備える。複数の画素ＰＸは、赤色発光素子Ｄ１および画素回路Ｅ１を含む赤色画素Ｐ１と、緑色発光素子Ｄ２および画素回路Ｅ２を含む緑色画素Ｐ２と、青色発光素子Ｄ３および画素回路Ｅ３を含む青色画素Ｐ３と、を含む。以降、赤色発光素子Ｄ１、緑色発光素子Ｄ２および青色発光素子Ｄ３に注目する。
　図２は、本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図２に示すように、表示装置１００は、第１光反射層Ａ１、第１発光層Ｂ１および共通電極ＣＥをこの順に含む赤色発光素子Ｄ１と、第２光反射層Ａ２、第２発光層Ｂ２および共通電極ＣＥをこの順に含む緑色発光素子Ｄ２と、第３光反射層Ａ３、第３発光層Ｂ３および共通電極ＣＥをこの順に含む青色発光素子Ｄ３と、を備え、第１光反射層Ａ１から共通電極ＣＥまでの距離を第１距離ｆ１、第２光反射層Ａ２から共通電極ＣＥまでの距離を第２距離ｆ２、第３光反射層Ａ３から共通電極ＣＥまでの距離を第３距離ｆ３、第１発光層Ｂ１の中心面から第１光反射層Ａ１までの距離を第４距離ｆ４、第２発光層Ｂ２の中心面から第２光反射層Ａ２までの距離を第５距離ｆ５、第３発光層Ｂ３の中心面から第３光反射層Ａ３までの距離を第６距離ｆ６として、第１距離ｆ１＞第２距離ｆ２＞第３距離ｆ３、かつ、第４距離ｆ４＞第５距離ｆ５＞第６距離ｆ６である。
　本明細書において、単なる「距離」と記載した場合は、幾何学距離を意味する。光学距離を意図する場合は、「光学距離」と明示する。「厚さ」および「長さ」も同様に、「光学」と修飾しない限り、幾何学厚さおよび幾何学長さを意味する。距離、厚さおよび長さは、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察に基づいて決定してよく、あるいは、エリプソメトリーなど他の方法に基づいて決定してよい。
　本明細書において、単なる「中心面」は、幾何学中心面、すなわち、上面および下面から幾何学的に等距離に位置する中間面を意味する。発光層に含まれる面（層厚方向に直交する面）のうち最も輝度が高い面を、「発光面」と記載する。
　第１～第３光反射層Ａ１～Ａ３はそれぞれ、光反射電極または光反射電極の一部であっても、光透過電極よりも下層に形成された光反射膜であってもよい。第１～第３光反射層Ａ１～Ａ３は、同一材料から構成されてよく、同一層から形成されてよい。第１～第３光反射層Ａ１～Ａ３はそれぞれ、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）およびマグネシウム（Ｍｇ）とこれらの１つ以上を含む合金との何れかから構成されてよい。共通電極ＣＥは、光透過性および光反射性を有し、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３よりも光取り出し側に位置する。共通電極ＣＥは、酸化インジウムスズ（ＩｎＴｉＯ）および酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）などの透明金属酸化物からなってよい。
　さらに、赤色発光素子Ｄ１は、第１光反射層Ａ１および第１発光層Ｂ１の間に位置する第１光透過層Ｇ１を含み、緑色発光素子Ｄ２は、第２光反射層Ａ２および第２発光層Ｂ２の間に位置する第２光透過層Ｇ２を含み、青色発光素子Ｄ３は、第３光反射層Ａ３および第３発光層Ｂ３の間に位置する第３光透過層Ｇ３を含み、第１光透過層Ｇ１の厚さ＞第２光透過層Ｇ２の厚さ＞第３光透過層Ｇ３の厚さであってよい。
　また、第１発光層Ｂ１の厚さ＞第２発光層Ｂ２の厚さ＞第３発光層Ｂ３の厚さであってよい。第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３はそれぞれ、発光材料として、有機発光材料を含んでも、量子ドットを含んでもよい。第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３は、屈折率が互いに略同一であってよい。赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３の電気特性が良好であるために、第１発光層Ｂ１および第３発光層Ｂ３の厚さの差が４０〔ｎｍ〕以下であることが有益である。
　第１光反射層Ａ１と第１発光層Ｂ１との間、第２光反射層Ａ２と第２発光層Ｂ２との間、および第３光反射層Ａ３と第３発光層Ｂ３との間それぞれに、略同一厚さの下側電荷機能層Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３が形成されていてよい。下側電荷機能層Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３は、同一材料から構成されてよく、同一層から形成されてよい。また、第１発光層Ｂ１と共通電極ＣＥとの間、第２発光層Ｂ２と共通電極ＣＥとの間、および第３発光層Ｂ３と共通電極ＣＥとの間それぞれに、略同一の厚さの上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３が形成されていてよい。上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３は、同一材料から構成されてよく、同一層から形成されてよい。赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３のそれぞれの平面視中央部で上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３の厚さを測定し、上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３の厚さにおける最大値と最小値との差異が１０〔ｎｍ〕以下であるとき、上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３の厚さを同一と見做してよい。
　共通電極ＣＥより上層は、共通電極ＣＥよりも低屈折率（例えば、大気層）であってよい。
　表示装置１００は、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３よりも上層の構成が、材料および層厚に関して赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３で共通である限り、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３よりも上層に位置する追加の構成要素（不図示）を備えてもよい。表示装置１００は、バンク層ＢＨ、赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３がその上に形成されている回路基板ＳＢ、ならびに、赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３を覆う封止層（不図示）などのその他の構成要素を適宜備えてよい。
　赤色発光素子Ｄ１には、赤色光を強め合うための光共振器が形成され得る。そのため第１発光層Ｂ１は、赤色発光材料以外の発光材料を含んでよい。同様の理由で、第２発光層Ｂ２が緑色発光材料以外の発光材料を含んでよく、第３発光層Ｂ３が青色発光材料以外の発光材料を含んでよい。例えば、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３が同一の発光材料群を含んでもよい。一方で、赤色発光素子Ｄ１の発光効率および輝度を向上するために、第１発光層Ｂ１中の発光材料においては、赤色発光材料の体積割合が最も高いことが有益である。同様の理由で、第２発光層Ｂ２中の発光材料においては、緑色発光材料の体積割合が最も高く、第３発光層Ｂ３中の発光材料においては、青色発光材料の体積割合が最も高いことが有益である。
　発光材料の体積比は、面積比から判断してよい。例えば、第１発光層Ｂ１が発光材料として量子ドットを含む場合、第１発光層Ｂ１の断面を電子顕微鏡で撮像し、撮像画像における量子ドットの面積を計測し、該面積を発光色毎に合計し、赤色発光の量子ドットの合計面積が最大であるとき、第１発光層Ｂ１における最も体積比が高い量子ドットが赤色発光の量子ドットであると判断してよい。
　共通電極ＣＥがカソードであり、第１光反射層Ａ１、第２光反射層Ａ２および第３光反射層Ａ３それぞれが、共通電極ＣＥよりも下側に位置するアノードであってよい。加えて、または或いは、共通電極ＣＥがカソードであり、第１光透過層Ｇ１、第２光透過層Ｇ２および第３光透過層Ｇ３それぞれが、共通電極ＣＥよりも下側に位置するアノードであってよい。図２に示す例において、第１～第３光透過層Ｇ１～Ｇ３はそれぞれ、第１～第３光反射層Ａ１～Ａ３と接し、協働して第１～第３光反射電極Ｈ１～Ｈ３を構成し、第１～第３光反射電極Ｈ１～Ｈ３はそれぞれアノードである。これに限らず、第１～第３光透過層Ｇ１～Ｇ３はそれぞれ、第１～第３光反射層Ａ１～Ａ３から分離していてよい。
　共通電極ＣＥがアノードであり、第１～第３光反射層Ａ１～Ａ３それぞれが、共通電極ＣＥよりも下側に位置するカソードであってよい。加えて、または或いは、共通電極ＣＥがアノードであり、第１～第３光透過層Ｇ１～Ｇ３それぞれが、共通電極ＣＥよりも下側に位置するカソードであってよい。
　第１～第３光透過層Ｇ１～Ｇ３は、屈折率が互いに略同一であってよい。第１～第３光透過層Ｇ１～Ｇ３は、同一材料から構成されてよい。第１光透過層Ｇ１、第２光透過層Ｇ２、および第３光透過層Ｇ１～Ｇ３それぞれが、酸化インジウムスズ（ＩｎＴｉＯ）および酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）などの透明金属酸化物からなってよい。
　（光共振器）
　赤色発光素子Ｄ１中に、赤色光が強め合う１つ以上の光共振器が形成され得る。赤色光の波長は、６００～７７０〔ｎｍ〕である。第１距離ｆ１は、赤色光が、第１光反射層Ａ１および共通電極ＣＥ間で強め合うためのｎ次共振器長であってよく、このとき、第１光反射層Ａ１および共通電極ＣＥ間に、赤色光が強め合う光共振器が形成される。また、第１発光層Ｂ１の発光面から第１光反射層Ａ１までの距離は、赤色光が、第１発光層Ｂ１の発光面および第１光反射層Ａ１間で強め合うためのｎ次共振器長であってよく、このとき、第１発光層Ｂ１の発光面および第１光反射層Ａ１間に、赤色光が強め合う光共振器が形成される。「ｎ次共振器長」の「ｎ」は任意の自然数である。
　人間の視感度が５５５〔ｎｍ〕近傍で、すなわち赤色光より短波長側で、最も高い。これを考慮して、上記距離をそれぞれｎ次共振器長より短く設計してもよい。また、簡単化のために、第１発光層Ｂ１の発光面を、第１発光層Ｂ１の幾何学中心面に置き換えてよい。具体的には、第１距離ｆ１は、赤色光が、第１光反射層Ａ１および共通電極ＣＥ間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ１，ｎとして、第１距離ｆ１がｎ次共振器長Ｒ１，ｎ以下であり、かつ、第１距離ｆ１とｎ次共振器長Ｒ１，ｎとの差分が、（ｎ－１）次共振器長Ｒ１，ｎ－１とｎ次共振器長Ｒ１，ｎとの差分の２割以下であってよい。差分は絶対値である。すなわち、下記不等式（１）を満たしてよい。ただし、位相ずれと無関係に、０次共振器長Ｒ１，０を０〔ｎｍ〕とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　また、第４距離ｆ４は、赤色光が、第１発光層Ｂ１の中心面および第１光反射層Ａ１間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ４，ｎとして、第４距離ｆ４がｎ次共振器長Ｒ４，ｎ以下であり、かつ、第４距離ｆ４とｎ次共振器長Ｒ４，ｎとの差分が、（ｎ－１）次共振器長Ｒ４，ｎ－１とｎ次共振器長Ｒ４，ｎとの差分の２割以下であってよい。差分は絶対値である。すなわち、下記不等式（２）を満たしてよい。ただし、位相ずれと無関係に、０次共振器長Ｒ４，０を０〔ｎｍ〕とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　緑色発光素子Ｄ２中に、緑色光が強め合う１つ以上の光共振器が形成され得る。緑色光の波長は、４９０～５５０〔ｎｍ〕である。第２距離ｆ２は、緑色光が、第２光反射層Ａ２および共通電極ＣＥ間で強め合うためのｎ次共振器長であってよく、このとき、第２光反射層Ａ２および共通電極ＣＥ間に、緑色光が強め合う光共振器が形成される。また、第２発光層Ｂ２の発光面から第２光反射層Ａ２までの距離は、緑色光が、第２発光層Ｂ２の発光面および第２光反射層Ａ２間で強め合うためのｎ次共振器長であってよく、このとき、第２発光層Ｂ２の発光面および第２光反射層Ａ２間に、緑色光が強め合う光共振器が形成される。
　人間の視感度が緑色光より長波長側で最も高いことを考慮して、上記距離をそれぞれｎ次共振器長より長く設計してもよい。また、簡単化のために、第２発光層Ｂ２の発光面を、第２発光層Ｂ２の幾何学中心面に置き換えてよい。具体的には、第２距離ｆ２は、緑色光が、第２光反射層Ａ２および共通電極ＣＥ間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ２，ｎとして、第２距離ｆ２がｎ次共振器長Ｒ２，ｎ以上であり、かつ、第２距離ｆ２とｎ次共振器長Ｒ２，ｎとの差分が、（ｎ＋１）次共振器長Ｒ２，ｎ＋１とｎ次共振器長Ｒ２，ｎとの差分の２割以下であってよい。差分は絶対値である。すなわち、下記不等式（３）を満たしてよい。ただし、位相ずれと無関係に、０次共振器長Ｒ２，０を０〔ｎｍ〕とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
　また、第５距離ｆ５は、緑色光が、第２発光層Ｂ２の中心面および第２光反射層Ａ２間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ５，ｎとして、第５距離ｆ５がｎ次共振器長Ｒ５，ｎ以上であり、かつ、第５距離ｆ５とｎ次共振器長Ｒ５，ｎとの差分が、（ｎ＋１）次共振器長Ｒ５，ｎ＋１とｎ次共振器長Ｒ５，ｎとの差分の２割以下であってよい。差分は絶対値である。すなわち、下記不等式（４）を満たしてよい。ただし、位相ずれと無関係に、０次共振器長Ｒ５，０を０〔ｎｍ〕とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
　青色発光素子Ｄ３中に、青色光が強め合う１つ以上の光共振器が形成され得る。青色光の波長は、４３０～４９０〔ｎｍ〕である。第３距離ｆ３は、青色光が、第３光反射層Ａ３および共通電極ＣＥ間で強め合うためのｎ次共振器長であってよく、このとき、第３光反射層Ａ３および共通電極ＣＥ間に、青色光が強め合う光共振器が形成される。また、第３発光層Ｂ３の発光面から第３光反射層Ａ３までの距離は、青色光が、第３発光層Ｂ３の発光面および第３光反射層Ａ３間で強め合うためのｎ次共振器長であってよく、このとき、第３発光層Ｂ３の発光面および第３光反射層Ａ３間に、青色光が強め合う光共振器が形成される。
　人間の視感度が青色光より長波長側で最も高いことを考慮して、上記距離をそれぞれｎ次共振器長より長く設計してもよい。また、簡単化のために、第３発光層Ｂ３の発光面を、第３発光層Ｂ３の幾何学中心面に置き換えてよい。具体的には、第３距離ｆ３は、青色光が、第３光反射層Ａ３および共通電極ＣＥ間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ３，ｎとして、第３距離ｆ３がｎ次共振器長Ｒ３，ｎ以上であり、かつ、第３距離ｆ３とｎ次共振器長Ｒ３，ｎとの差分が、（ｎ＋１）次共振器長Ｒ３，ｎ＋１とｎ次共振器長Ｒ３，ｎとの差分の２割以下であってよい。差分は絶対値である。すなわち、下記不等式（５）を満たしてよい。ただし、位相ずれと無関係に、０次共振器長Ｒ３，０を０〔ｎｍ〕とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000005
　また、第６距離ｆ６は、青色光が、第３発光層Ｂ３の中心面および第３光反射層Ａ３間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ６，ｎとして、第６距離ｆ６がｎ次共振器長Ｒ６，ｎ以上であり、かつ、第６距離ｆ６とｎ次共振器長Ｒ６，ｎとの差分が、（ｎ＋１）次共振器長Ｒ６，ｎ＋１とｎ次共振器長Ｒ６，ｎとの差分の２割以下であってよい。差分は絶対値である。すなわち、下記不等式（６）を満たしてよい。ただし、位相ずれと無関係に、０次共振器長Ｒ５，０を０〔ｎｍ〕とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000006
　第１発光層Ｂ１の発光面および第１光反射層Ａ１間に形成される光共振器に関し、当該光共振器の長さが一次共振器長であるとき、プラズモン損失が発生しやすい。また、当該光共振器の長さが三次以上の共振器長であるとき、当該光共振器による色ずれが大きい。したがって、当該共振器の長さは二次共振器長またはその近傍値であることが有益である。同様の理由で、第２発光層Ｂ２の発光面および第２光反射層Ａ２間に形成される光共振器と、第３発光層Ｂ３の発光面および第３光反射層Ａ３間に形成される光共振器との長さも、二次共振器長またはその前後の長さであることが有益である。したがって、第４距離ｆ４は、赤色光が、第１発光層Ｂ１の中心面および第１光反射層Ａ１間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ４，ｎとして、第４距離ｆ４が、２次共振器長Ｒ４，２から１次共振器長Ｒ４，１と２次共振器長Ｒ４，２との差分の２割を引いた値以上、かつ、２次共振器長Ｒ４，２に３次共振器長Ｒ４，３と２次共振器長Ｒ４，２との差分の２割を加えた値以下であってよい。同様に、第５距離ｆ５は、緑色光が、第２発光層Ｂ２の中心面および第２光反射層Ａ２間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ５，ｎとして、第５距離ｆ５が、２次共振器長Ｒ５，２から１次共振器長Ｒ５，１と２次共振器長Ｒ５，２との差分の２割を引いた値以上、２次共振器長Ｒ５，２に３次共振器長Ｒ５，３と２次共振器長Ｒ５，２との差分の２割を加えた値以下であってよい。また、第６距離ｆ６は、青色光が、第３発光層Ｂ３の中心面および第３光反射層Ａ３間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ６，ｎとして、第６距離ｆ６が、２次共振器長Ｒ６，２から１次共振器長Ｒ６，１と２次共振器長Ｒ６，２との差分を引いた値以上、２次共振器長Ｒ６，２に３次共振器長Ｒ６，３と２次共振器長Ｒ６，２との差分の２割を加えた値以下であってよい。何れについても差分は絶対値である。
　すなわち、下記連立不等式（７）を満たしてよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000007
　第１発光層Ｂ１および第３発光層Ｂ３の厚さの差が４０〔ｎｍ〕以下であるために、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３の発光面から共通電極ＣＥまでの距離がそれぞれ、一次共振器長またはその前後の長さであることが有益である。したがって、第１距離ｆ１と第４距離ｆ４との差分は、赤色光が、第１発光層Ｂ１の中心面および共通電極ＣＥ間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ７，ｎとして、第１距離ｆ１と第４距離ｆ４との差分が、１次共振器長Ｒ７，１から０次共振器長Ｒ７，０と１次共振器長Ｒ７，１との差分の２割を引いた値以上、かつ、１次共振器長Ｒ７，１に２次共振器長Ｒ７，２と１次共振器長Ｒ７，１との差分の２割を加えた値以下であってよい。同様に、第２距離ｆ２と第５距離ｆ５との差分は、緑色光が、第２発光層Ｂ２の中心面および共通電極ＣＥ間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ８，ｎとして、第２距離ｆ２と第５距離ｆ５との差分が、１次共振器長Ｒ８，１から０次共振器長Ｒ８，０と１次共振器長Ｒ８，１との差分の２割を引いた値以上、かつ、１次共振器長Ｒ８，１に２次共振器長Ｒ８，２と１次共振器長Ｒ８，１との差分の２割を加えた値以下であってよい。また、第３距離ｆ３と第６距離ｆ６との差分は、第３発光層Ｂ３の中心面および共通電極ＣＥ間で強め合うための共振器長に対して、ｎ次共振器長をＲ９，ｎとして、第３距離ｆ３と第６距離ｆ６との差分が、１次共振器長Ｒ９，１から０次共振器長Ｒ９，０と１次共振器長Ｒ９，１との差分の２割を引いた値以上、かつ、１次共振器長Ｒ９，１に２次共振器長Ｒ９，２と１次共振器長Ｒ９，１との差分の２割を加えた値以下であってよい。何れについても０次共振器長Ｒ７，０，Ｒ８，０，Ｒ９，ｎは０〔ｎｍ〕であり、差分は絶対値である。
　すなわち、下記連立不等式（８）を満たしてよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000008
　人間の視感度、反射の位相ずれ、および発光層内での発光位置を考慮すると、第３距離ｆ３の青色発光素子Ｄ３の発光ピーク波長に対する比＞第２距離ｆ２の緑色発光素子Ｄ２の発光ピーク波長に対する比＞第１距離ｆ１の赤色発光素子Ｄ１の発光ピーク波長に対する比であってよい。また、第６距離ｆ６の青色発光素子Ｄ３の発光ピーク波長に対する比＞第５距離ｆ５の緑色発光素子Ｄ２の発光ピーク波長に対する比＞第４距離ｆ４の赤色発光素子Ｄ１の発光ピーク波長に対する比であってよい。
　（ｎ次共振器長）
　図３および図４はそれぞれ、発光素子に形成され得る光共振器を説明する図である。図３および図４に示すように、発光素子ＤＸは、光反射面ＡＡを有する光反射層と、発光面ＢＢを有する発光層と、光半反射面ＣＣを有する光半反射層と、をこの順に含む。光半反射層は、発光層よりも光取り出し側に位置する。光反射面ＡＡから光半反射面ＣＣまでの距離を第７距離ｆ７とし、光反射面ＡＡから発光面ＢＢまでの距離を第８距離ｆ８とする。また、発光面ＢＢの法線方向に対する光線の出射角を角度αとする。以降、説明の簡単化のために、発光素子ＤＸ内部における屈折率をｍとし、光の吸収および屈折を無視し、光反射面ＡＡと発光面ＢＢと光半反射面ＣＣとを互いに平行な平面であるとする。
　図３に示すように、発光面ＢＢから上方（光取り出し側）に出射された光Ｌ１は、光半反射面ＣＣを通過した光Ｌ２と、光半反射面ＣＣで反射された光Ｌ３とに分かれる。反射された光Ｌ３は、光反射面ＡＡで反射された光Ｌ４となり、光半反射面ＣＣを通過した光Ｌ５と、光半反射面ＣＣで反射された光とに分かれる。所望の波長λにおいて、下記の強め合いの条件式（９）を満たすとき、光Ｌ２と光Ｌ５との位相（あるいは、光Ｌ１と光Ｌ４との位相）が整合し、光反射面ＡＡと光半反射面ＣＣとの間に波長λおよびその近傍波長の光が強め合って、選択的に取り出される光共振器が形成される。特に、発光素子ＤＸの正面への光の取り出しに関し、ｃｏｓα＝１であり、下記の強め合いの条件式（１０）を満たすときに、光Ｌ２と光Ｌ５との位相が整合する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000010
 　ここで、πは円周率であり、ＮＴは光反射面ＡＡと光半反射面ＣＣとの間での共振の次数であり、θＲは光反射面ＡＡでの反射による位相ずれであり、θＴは光半反射面ＣＣでの反射による位相ずれである。また、共振器長を正とする次数ＮＴの最小値が１であるように、位相ずれθＲ、θＴを設定する。
　図４に示すように、光Ｌ１と同位相かつ同一出射角度で、発光面ＢＢから下方（光取り出し側の反対側）に出射された光Ｌ６は、光反射面ＡＡで反射された光Ｌ７となり、光半反射面ＣＣを通過した光Ｌ８と、光半反射面ＣＣで反射された光とに分かれる。所望の波長λにおいて、下記の強め合いの条件式（１１）を満たすとき、光Ｌ２と光Ｌ８との位相（あるいは、光Ｌ１と光Ｌ７との位相）が整合し、光反射面ＡＡと発光面ＢＢとの間に波長λおよびその近傍波長の光が強め合って、選択的に取り出される光共振器が形成される。特に、発光素子ＤＸの正面への光の取り出しに関し、ｃｏｓα＝１であり、下記の強め合いの条件式（１２）を満たすときに、光Ｌ２と光Ｌ８との位相が整合する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000012
 　ここで、πは円周率であり、ＮＲは光反射面ＡＡと発光面ＢＢとの間での共振の次数であり、θＲは光反射面ＡＡでの反射による位相ずれである。また、次数ＮＲの最小値が１であるように、位相ずれθＲを設定する。
　したがって、波長λの光が光反射面ＡＡと光半反射面ＣＣとの間で強め合うためのｎ次共振器長は、ｎ＝ＮＴとして、下記式（１３）で表される。また、波長λの光が発光面ＢＢと光反射面ＡＡとの間で強め合うためのｎ次共振器長は、ｎ＝ＮＲとして、下記式（１４）で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000014
 　発光素子ＤＸ中の光共振器に関する上述の説明を、赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３中の光共振器に適用可能である。なお、赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３中の光共振器のｎ次共振器長は、上述とは異なる方法で算出または測定されてもよい。
　（変形例）
　図５は、本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の変形例を示す断面図である。図５に示すように、第１光反射層Ａ１と第１発光層Ｂ１との間、第２光反射層Ａ２と第２発光層Ｂ２との間、および第３光反射層Ａ３と第３発光層Ｂ３との間にわたって、略同一厚さの下側電荷機能層Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３が一連の膜ＪＪとして形成されていてよい。また、第１光反射層Ａ１と共通電極ＣＥとの間、第２光反射層Ａ２と共通電極ＣＥとの間、および第３光反射層Ａ３と共通電極ＣＥとの間にわたって、略同一の厚さの上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３が一連の膜ＫＫとして形成されていてよい。ここで「一連の膜」とは、複数の画素（複数の発光素子）において単一の塗布工程で作成される膜であり、例えば、複数の画素に渡って連続して形成される膜である。
　〔実施形態２〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　本実施形態２に係る共通電極ＣＥは、銀（Ａｇ）またはＭｇＡｇなどの銀を含む合金からなる。銀または銀合金の薄膜の光反射率は、透明金属酸化物の薄膜の光反射率よりも大きい。したがって、本実施形態２に係る共通電極ＣＥによれば、赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３における光共振器による強め合い効果が高く、赤色、緑色および青色発光素子Ｄ１～Ｄ３の正面輝度を向上できる。一方で、銀または銀合金による光吸収を低減するために、共通電極ＣＥの厚みは、小さいことが好ましく、例えば、１５～３０〔ｎｍ〕であってよい。
　〔実施形態３〕
　図６は、本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図７は、図６に示した第１発光層の構成の一例を示す部分断面図である。図８は、図６に示した第２発光層の構成の一例を示す部分断面図である。図９は、図６に示した第３発光層の構成の一例を示す部分断面図である。図６～図９に示すように、本実施形態３に係る第１発光層Ｂ１、第２発光層Ｂ２および第３発光層Ｂ３それぞれが、複数の量子ドットＱ１，Ｑ２，Ｑ３を含む。第１発光層Ｂ１、第２発光層Ｂ２および第３発光層Ｂ３の少なくとも１つが、複数の量子ドットＱ１，Ｑ２，Ｑ３の間に位置する無機媒体Ｍ１～Ｍ３を含む。
　第１発光層Ｂ１、第２発光層Ｂ２および第３発光層Ｂ３には、第１発光層Ｂ１の充填率＞第２発光層Ｂ２の充填率＞第３発光層Ｂ３の充填率となるように、無機媒体Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３が充填されてよい。なお、第３発光層Ｂ３に無機媒体Ｍ３が無くてもよい。空洞の屈折率は通常、量子ドットＱ１～Ｑ３および無機媒体Ｍ１～Ｍ３の屈折率より小さい。これによって、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３の厚さが略同一であり、量子ドットＱ１～Ｑ３および無機媒体Ｍ１～Ｍ３の屈折率が略同一であるときに、第１発光層Ｂ１の光学厚さ＞第２発光層Ｂ２の光学厚さ＞第３発光層Ｂ３の光学厚さとなる。したがって、第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３の厚みの差を低減しつつ、表示装置１００の光学構造および電気構造を最適化することができる。例えば、第１発光層Ｂ１および第３発光層Ｂ３の厚さの差が４０〔ｎｍ〕以下であるようにし易い。
　発光層の充填率は、面積比から判断してよい。例えば、第１発光層Ｂ１の断面を電子顕微鏡で撮像し、撮像画像における量子ドットＱ１および無機媒体Ｍ１の合計面積と、第１発光層Ｂ１の空洞を含む全断面積と、を計測し、全断面積に対する量子ドットＱ１および無機媒体Ｍ１の合計面積の比を、第１発光層Ｂ１の充填率としてよい。
　〔実施形態４〕
　図１０は、本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図１０に示すように、表示装置１００が、第１光反射層Ａ１と第１発光層Ｂ１との間、第２光反射層Ａ２と第２発光層Ｂ２との間、および第３光反射層Ａ３と第３発光層Ｂ３との間にわたって略同一厚さで形成された下側電荷機能層Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３と、第１光反射層Ａ１と共通電極ＣＥとの間、第２光反射層Ａ２と共通電極ＣＥとの間、および第３光反射層Ａ３と共通電極ＣＥとの間にわたって略同一の厚さで形成された上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３と、第１光反射層Ａ１、第２光反射層Ａ２および第３光反射層Ａ３よりも上層に位置するバンク層ＢＨとを備え、第１発光層Ｂ１、第２発光層Ｂ２、第３発光層Ｂ３、下側電荷機能層Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３、および上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３がバンク層ＢＨに乗り上げてよい。
　下側電荷機能層Ｊ１，Ｊ２，Ｊ３および上側電荷機能層Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３の一方が正孔輸送層であり、他方が電子輸送層であってよい。第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３はそれぞれ、正孔輸送層および電子輸送層と共にバンク層ＢＨに乗り上げていることによって、バンク層ＢＨ上でも発光し得る。また、バンク層ＢＨ上の第１～第３発光層Ｂ１～Ｂ３からの光に対しても光共振器を形成して、バンク層ＢＨ上での発光を有効利用できる。
　例えば、バンク層ＢＨが実質的に透明であり、第１発光層Ｂ１が乗り上げているバンク層ＢＨの上面から第１光反射層Ａ１までの光学距離が、赤色光の波長の整数倍であるとき、バンク層ＢＨの上面で発光された赤色光を強め合う光共振器が形成される。バンク層ＢＨが実質的に透明であり、第２発光層Ｂ２が乗り上げているバンク層ＢＨの上面から第２光反射層Ａ２までの光学距離が、緑色光の波長の整数倍であるとき、バンク層ＢＨの上面で発光された緑色光を強め合う光共振器が形成される。バンク層ＢＨが実質的に透明であり、第３発光層Ｂ３が乗り上げているバンク層ＢＨの上面から第３光反射層Ａ３までの光学距離が、青色光の波長の整数倍であるとき、バンク層ＢＨの上面で発光された青色光を強め合う光共振器が形成される。これらにおいて、発光スペクトルの半値幅程度の誤差が許容される。
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１００　表示装置
Ａ１　第１光反射層
Ａ２　第２光反射層
Ａ３　第３光反射層
Ｂ１　第１発光層
Ｂ２　第２発光層
Ｂ３　第３発光層
ＣＥ　共通電極
Ｄ１　赤色発光素子
Ｄ２　緑色発光素子
Ｄ３　青色発光素子
ｆ１　第１距離
ｆ２　第２距離
ｆ３　第３距離
ｆ４　第４距離
ｆ５　第５距離
ｆ６　第６距離
Ｇ１　第１光透過層
Ｇ２　第２光透過層
Ｇ３　第３光透過層
Ｊ１～Ｊ３　下側電荷機能層
ＪＪ　一連の膜
Ｋ１～Ｋ３　上側電荷機能層
ＫＫ　一連の膜
Ｍ１～Ｍ３　無機媒体
Ｑ１～Ｑ３　量子ドット

 

Claims (31)

  1. 　第１光反射層、第１発光層および共通電極をこの順に含む赤色発光素子と、第２光反射層、第２発光層および共通電極をこの順に含む緑色発光素子と、第３光反射層、第３発光層および共通電極をこの順に含む青色発光素子とを備え、
    　前記第１光反射層から前記共通電極までの距離を第１距離、
    　前記第２光反射層から前記共通電極までの距離を第２距離、
    　前記第３光反射層から前記共通電極までの距離を第３距離、
    　前記第１発光層の中心面から前記第１光反射層までの距離を第４距離、
    　前記第２発光層の中心面から前記第２光反射層までの距離を第５距離、
    　前記第３発光層の中心面から前記第３光反射層までの距離を第６距離として、
    　前記第１距離＞前記第２距離＞前記第３距離、かつ前記第４距離＞前記第５距離＞前記第６距離である、表示装置。
  2. 　前記赤色発光素子は、前記第１光反射層および前記第１発光層間に位置する第１光透過層を含み、
    　前記緑色発光素子は、前記第２光反射層および前記第２発光層間に位置する第２光透過層を含み、
    　前記青色発光素子は、前記第３光反射層および前記第３発光層間に位置する第３光透過層を含み、
    　前記第１光透過層の厚さ＞前記第２光透過層の厚さ＞前記第３光透過層の厚さである、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記共通電極がカソードであり、
    　前記第１光透過層、前記第２光透過層および前記第３光透過層それぞれが、前記共通電極よりも下側に位置するアノードである、請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記第１光透過層、前記第２光透過層、および前記第３光透過層それぞれが透明金属酸化物からなる、請求項２または３に記載の表示装置。
  5. 　前記第１発光層の厚さ＞前記第２発光層の厚さ＞前記第３発光層の厚さである、請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
  6. 　前記第１光反射層と前記第１発光層との間、前記第２光反射層と前記第２発光層との間、および前記第３光反射層と前記第３発光層との間それぞれに、同一厚さの下側電荷機能層が形成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の表示装置。
  7. 　前記第１光反射層と前記第１発光層との間、前記第２光反射層と前記第２発光層との間、および前記第３光反射層と前記第３発光層との間にわたって、同一厚さの下側電荷機能層が一連の膜として形成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の表示装置。
  8. 　前記第１発光層と前記共通電極との間、前記第２発光層と前記共通電極との間、および前記第３発光層と前記共通電極との間それぞれに、同一厚さの上側電荷機能層が形成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置。
  9. 　前記第１発光層と前記共通電極との間、前記第２発光層と前記共通電極との間、および前記第３発光層と前記共通電極との間にわたって、同一厚さの上側電荷機能層が一連の膜として形成されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置。
  10. 　前記第１発光層中の発光材料においては、赤色発光材料の体積割合が最も高く、
    　前記第２発光層中の発光材料においては、緑色発光材料の体積割合が最も高く、
    　前記第３発光層中の発光材料においては、青色発光材料の体積割合が最も高い、請求項１～９のいずれか１項に記載の表示装置。
  11. 　前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層それぞれが複数の量子ドットを含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示装置。
  12. 　前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層の少なくとも１つが、前記複数の量子ドットの間に位置する無機媒体を含む、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記第１発光層、前記第２発光層および前記第３発光層には、前記第１発光層の充填率＞前記第２発光層の充填率＞前記第３発光層の充填率となるように無機媒体が充填されている、請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　前記第１発光層および前記第３発光層の厚さの差が４０〔ｎｍ〕以下である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の表示装置。
  15. 　赤色光が前記第１光反射層および前記共通電極間で強め合うための共振器長に対して、前記第１距離がｎ次共振器長以下であり、かつ、前記第１距離とｎ次共振器長との差分が、（ｎ－１）次共振器長とｎ次共振器長との差分の２割以下である、請求項１～１４のいずれか１項に記載の表示装置。
  16. 　緑色光が前記第２光反射層および前記共通電極間で強め合うための共振器長に対して、前記第２距離がｎ次共振器長以上であり、かつ、前記第２距離とｎ次共振器長との差分が、（ｎ＋１）次共振器長とｎ次共振器長との差分の２割以下である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の表示装置。
  17. 　青色光が前記第３光反射層および前記共通電極間で強め合うための共振器長に対して、前記第３距離がｎ次共振器長以上であり、かつ、前記第３距離とｎ次共振器長との差分が、（ｎ＋１）次共振器長とｎ次共振器長との差分の２割以下である、請求項１～１６のいずれか１項に記載の表示装置。
  18. 　赤色光が前記第１発光層の中心面および前記第１光反射層間で強め合うための共振器長に対して、前記第４距離がｎ次共振器長以下であり、かつ、前記第４距離とｎ次共振器長との差分が、（ｎ－１）次共振器長とｎ次共振器長との差分の２割以下である、請求項１～１７のいずれか１項に記載の表示装置。
  19. 　緑色光が前記第２発光層の中心面および前記第２光反射層間で強め合うための共振器長に対して、前記第５距離がｎ次共振器長以上であり、かつ、前記第５距離とｎ次共振器長との差分が、（ｎ＋１）次共振器長とｎ次共振器長との差分の２割以下である、請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示装置。
  20. 　青色光が前記第３発光層の中心面および前記第３光反射層間で強め合うための共振器長に対して、前記第６距離がｎ次共振器長以上であり、かつ、前記第６距離とｎ次共振器長との差分が、（ｎ＋１）次共振器長とｎ次共振器長との差分の２割以下である、請求項１～１９のいずれか１項に記載の表示装置。
  21. 　前記共通電極がカソードであり、
    　前記第１光反射層、前記第２光反射層および前記第３光反射層それぞれが、前記共通電極よりも下側に位置するアノードである、請求項１～２０の何れか１項に記載の表示装置。
  22. 　前記第４距離は、赤色光が前記第１発光層の中心面および前記第１光反射層間で強め合うための共振器長に対して、２次共振器長から１次共振器長と２次共振器長との差分の２割を引いた値以上、かつ、２次共振器長に３次共振器長と２次共振器長との差分の２割を加えた値以下であり、
    　前記第５距離は、緑色光が前記第２発光層の中心面および前記第２光反射層間で強め合うための共振器長に対して、２次共振器長から１次共振器長と２次共振器長との差分の２割を引いた値以上、かつ、２次共振器長に３次共振器長と２次共振器長との差分の２割を加えた値以下であり、
    　前記第６距離は、青色光が前記第３発光層の中心面および前記第３光反射層間で強め合うための共振器長に対して、２次共振器長から１次共振器長と２次共振器長との差分の２割を引いた値以上、かつ、２次共振器長に３次共振器長と２次共振器長との差分の２割を加えた値以下である、請求項１～２１のいずれか１項に記載の表示装置。
  23. 　前記第１距離と前記第４距離との差分は、赤色光が前記第１発光層の中心面および前記共通電極間で強め合うための共振器長に対して、１次共振器長から０次共振器長と１次共振器長との差分の２割を引いた値以上、かつ、１次共振器長に２次共振器長と１次共振器長との差分の２割を加えた値以下であり、
    　前記第２距離と前記第５距離との差分は、緑色光が前記第２発光層の中心面および前記共通電極間で強め合うための共振器長に対して、１次共振器長から０次共振器長と１次共振器長との差分の２割を引いた値以上、かつ、１次共振器長に２次共振器長と１次共振器長との差分の２割を加えた値以下であり、
    　前記第３距離と前記第６距離との差分は、青色光が前記第３発光層の中心面および前記共通電極間で強め合うための共振器長に対して、１次共振器長から０次共振器長と１次共振器長との差分の２割を引いた値以上、かつ、１次共振器長に２次共振器長と１次共振器長との差分の２割を加えた値以下である、請求項１～２２のいずれか１項に記載の表示装置。
  24. 　前記第１光反射層と前記第１発光層との間、前記第２光反射層と前記第２発光層との間、および前記第３光反射層と前記第３発光層との間にわたって同一の厚さで形成された下側電荷機能層と、
    　前記第１発光層と前記共通電極との間、前記第２発光層と前記共通電極との間、および前記第３発光層と前記共通電極との間にわたって同一の厚さで形成された上側電荷機能層と、
    　前記第１光反射層、前記第２光反射層および前記第３光反射層よりも上層に位置するバンク層とを備え、
    　前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層、前記下側電荷機能層、および前記上側電荷機能層が前記バンク層に乗り上げている、請求項１～２３のいずれか１項に記載の表示装置。
  25. 　前記下側電荷機能層および前記上側電荷機能層の一方が正孔輸送層であって他方が電子輸送層である、請求項２４に記載の表示装置。
  26. 　前記共通電極は、光透過性および光反射性を有し、前記第１発光層、前記第２発光層、および前記第３発光層よりも光取り出し側に位置する、請求項１～２５のいずれか１項に記載の表示装置。
  27. 　前記共通電極は、銀または銀を含む合金からなる、請求項１～２６のいずれか１項に記載の表示装置。
  28. 　前記共通電極の厚みは、１５～３０〔ｎｍ〕である、請求項２７に記載の表示装置。
  29. 　前記共通電極は、透明金属酸化物からなる、請求項１～２８のいずれか１項に記載の表示装置。
  30. 　前記第３距離の前記青色発光素子の発光ピーク波長に対する比＞前記第２距離の前記緑色発光素子の発光ピーク波長に対する比＞前記第１距離の前記赤色発光素子の発光ピーク波長に対する比である、請求項１～２９のいずれか１項に記載の表示装置。
  31. 　前記第６距離の前記青色発光素子の発光ピーク波長に対する比＞前記第５距離の前記緑色発光素子の発光ピーク波長に対する比＞前記第４距離の前記赤色発光素子の発光ピーク波長に対する比である、請求項１～３０のいずれか１項に記載の表示装置。
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