WO2024176756A1

WO2024176756A1 - 電子装置

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Publication number: WO2024176756A1
Application number: PCT/JP2024/003013
Authority: WO
Inventors: 弘規宮崎
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2023-02-21
Filing date: 2024-01-31
Publication date: 2024-08-29
Anticipated expiration: 2025-08-21

Abstract

電子装置は、第１電極を有する第１電子部品と、前記第１電極に導通する第１配線部と、前記第１電極と前記第１配線部とを接合する第１接合部とを備える。前記第１配線部は、各々が当該第１配線部の厚さ方向の一方を向く第１面および第２面を有する。前記第１接合部は、前記厚さ方向に見て前記第１面に重なる。前記第２面は、前記第１面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ、前記厚さ方向に見て前記第１面の周縁の少なくとも一部に配置される。

Description

電子装置

　本開示は、電子装置に関する。

　従来、複数の電子部品を備える電子装置が知られている。たとえば、特許文献１には、従来の電子装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の電子装置（半導体装置）は、絶縁層、配線層、複数の接合層および複数の電子部品を備える。配線層は、絶縁層に配置されている。配線層は、複数の電子部品と、特許文献１に記載の半導体装置との導通経路の位置を構成する。複数の電子部品の各々は、抵抗器、コンデンサおよびインダクタなどの受動素子、並びにダイオードのいずれかである。複数の電子部品は、表面実装型かつチップ型である。複数の電子部品の各々は、電極を有する。各電子部品において、電極は、接合層を介して、配線層に接合されている。

特開２０２１－３４６００号公報

　上記電子装置（半導体装置）のように、電子部品が接合層を介して配線層に接合される構成では、接合層の不良により、電子部品と配線層との接合強度の低下、および、電子部品と配線層との電気伝導性の低下をもたらす。このような、接合強度の低下および電気伝導性の低下は、電子装置の信頼性を低下させる。

　本開示は、従来より改良が施された電子装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、信頼性の低下を抑制することができる電子装置を提供することを一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される電子装置は、第１電極を有する第１電子部品と、前記第１電極に導通する第１配線部と、前記第１電極と前記第１配線部とを接合する第１接合部と、を備える。前記第１配線部は、各々が当該第１配線部の厚さ方向の一方を向く第１面および第２面を有する。前記第１接合部は、前記厚さ方向に見て前記第１面に重なる。前記第２面は、前記第１面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ、前記厚さ方向に見て前記第１面の周縁の少なくとも一部に配置される。

　上記構成によれば、電子装置において、信頼性の低下を抑制することができる。

図１は、第１実施形態にかかる電子装置を示す平面図である。図２は、図１の平面図において、封止樹脂を想像線で示した図である。図３は、図２の平面図において、封止樹脂を省略し、複数の電子部品を想像線で示した図である。図４は、図３の平面図において、一部を拡大し、且つ、複数の接合部を想像線で示した要部拡大図である。図５は、第１実施形態にかかる電子装置を示す底面図である。図６は、第１実施形態にかかる電子装置を示す正面図である。図７は、第１実施形態にかかる電子装置を示す左側面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図８の一部を拡大した要部拡大断面図である。図１０は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１１は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１２は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１３は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１４は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１５は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１６は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１７は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１８は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法の一工程を示す断面図であって、図８の断面に対応する。図１９は、第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置を示す要部拡大平面図である。図２０は、第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置を示す要部拡大平面図である。図２１は、第１実施形態の第３変形例にかかる電子装置を示す要部拡大平面図である。図２２は、第１実施形態の第３変形例にかかる電子装置の他の構成例を示す要部拡大平面図である。図２３は、第２実施形態にかかる電子装置を示す要部拡大平面図であって、図４に対応する。図２４は、第２実施形態にかかる電子装置を示す要部拡大断面図であって、図９に対応する。図２５は、第２実施形態の変形例にかかる電子装置を示す要部拡大断面図であって、図９に対応する。図２６は、第３実施形態にかかる電子装置を示す要部拡大平面図であって、図４に対応する。図２７は、第３実施形態にかかる電子装置を示す断面図であって、図８に対応する。図２８は、第４実施形態にかかる電子装置を示す要部拡大断面図であって、図９に対応する。図２９は、本開示の電子装置の他の構成例を示す要部拡大平面図であって、図４に対応する。図３０は、本開示の電子装置の他の構成例を示す平面図であって、封止樹脂を想像線で示している。

　本開示の電子装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。「ある面Ａがある方向Ｂ（の一方または他方）を向く」とは、特段の断りのない限り、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。「ある物Ａがある物Ｂ（ある方向Ｂ）に直交する」とは、特段の断りがない限り、ある物Ａのある物Ｂ（ある方向Ｂ）に対する角度が厳密に９０°である場合に限定されず、当該角度が略９０°（たとえば製造上のばらつきによって生じる誤差の範囲）である場合も含む。「ある物Ａがある物Ｂ（ある方向Ｂ）に平行である」とは、特段の断りがない限り、ある物Ａがある物Ｂ（ある方向Ｂ）に対して厳密に平行である場合に限定されず、略平行（たとえば製造上のばらつきによって生じる誤差の範囲）である場合も含む。

　図１～図９は、第１実施形態にかかる電子装置Ａ１０を示している。電子装置Ａ１０は、複数の電子部品１、支持部材２、複数の接合部３、複数の配線部４、複数の端子５および封止樹脂６を備える。電子装置Ａ１０は、電気製品および電気自動車などの回路基板に表面実装されるものである。電子装置Ａ１０は、リードレスパッケージ型である。電子装置Ａ１０の平面視形状は、たとえば矩形である。

　説明の便宜上、電子装置Ａ１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向を「第１方向ｘ」という。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに直交する方向を「第２方向ｙ」という。

　複数の電子部品１はそれぞれ、図２および図８に示すように、支持部材２に支持される。複数の電子部品１はそれぞれ、ＳＭＤ（Surface Mount Device：表面実装部品）である。複数の電子部品１はそれぞれ、たとえば抵抗器、コンデンサ、インダクタまたはダイオードなどのいずれかである。複数の電子部品１は、電子装置Ａ１０の機能素子である。電子装置Ａ１０では、複数の電子部品１は、第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂを含む。つまり、電子装置Ａ１０は、第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂを備える。電子装置Ａ１０において、複数の電子部品１の数は、２つに限定されず、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

　複数の電子部品１（第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂ）はそれぞれ、一対の電極１１，１２を有する。各電子部品１（第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂの各々）において、一対の電極１１，１２は、第１方向ｘの両側にそれぞれ配置される。各電子部品１（第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂの各々）において、電極１１は、第１方向ｘの一方の端部に配置され、電極１２は、第１方向ｘの他方の端部に配置される。

　支持部材２は、図２および図８に示すように、複数の電子部品１を支持する。支持部材２は、たとえば樹脂材料を含む。当該樹脂材料は、たとえば封止樹脂６と同じであるが、封止樹脂６と異なっていてもよい。支持部材２には、先述の樹脂材料にシリカなどのフィラーが混入されていてもよい。支持部材２は、樹脂材料ではなく、単結晶の真性半導体（たとえばケイ素（Ｓｉ））を含む構成でもよいし、ガラスを含む構成でもよいし、セラミックを含む構成であってもよい。支持部材２の平面視形状は、図２～図４に示すように、たとえば矩形である。支持部材２の厚さ（厚さ方向ｚに沿う寸法）は、何ら限定されないが、たとえば３０μｍ以上３００μｍ以下である。支持部材２は、搭載面２１、裏面２２および複数の側面２３を有する。

　図６～図９に示すように、搭載面２１および裏面２２は、厚さ方向ｚにおいて離間する。搭載面２１と裏面２２は、互いに反対側を向く。搭載面２１は、支持部材２の上面であり、裏面２２は、支持部材２の下面である。搭載面２１は、複数の電子部品１に対向する。裏面２２は、電子装置Ａ１０を回路基板に実装した際、当該回路基板に対向する。本実施形態では、搭載面２１は、封止樹脂６に覆われ、裏面２２は、封止樹脂６から露出する。図６～図８に示すように、複数の側面２３はそれぞれ、搭載面２１と裏面２２との間に挟まれている。各側面２３の厚さ方向ｚの上端は、搭載面２１に繋がり、各側面２３の厚さ方向ｚの下端は、裏面２２に繋がる。各側面２３は、平坦であり、かつ、搭載面２１および裏面２２のそれぞれに直交する。本実施形態では、複数の側面２３は、第１方向ｘの一方を向くもの、第１方向ｘの他方を向くもの、第２方向ｙの一方を向くもの、および、第２方向ｙの他方を向くものを含む。

　複数の接合部３はそれぞれ、複数の配線部４のいずれかと、複数の電子部品１のいずれかとを接合する。複数の接合部３を介して、複数の電子部品１は、複数の配線部４に導通する。複数の接合部３はそれぞれ、導電性の接合材である。複数の接合部３は、たとえばはんだである。当該はんだは、錫（Ｓｎ）を組成に含む合金（たとえばＳｎ－銀（Ａｇ）合金）を含み、且つフラックスを含有する。複数の接合部３の各組成は、この例に限定されない。複数の接合部３はそれぞれ、はんだではなく、焼結金属あるいは導電性ペースト材であってもよい。

　本実施形態では、図３、図６および図８に示すように、複数の接合部３は、４つの接合部３Ａ～３Ｄを含む。よって、電子装置Ａ１０は、４つの接合部３Ａ～３Ｄを備える。接合部３Ａは、第１電子部品１Ａの電極１１と複数の配線部４のいずれかとを接合し、これらを導通させる。接合部３Ｂは、第１電子部品１Ａの電極１２と複数の配線部４のいずれかとを接合し、これらを導通させる。接合部３Ｃは、第２電子部品１Ｂの電極１１と複数の配線部４のいずれかとを接合し、これらを導通させる。接合部３Ｄは、第２電子部品１Ｂの電極１２と複数の配線部４のいずれかとを接合し、これらを導通させる。

　図８および図９から理解されるように、複数の接合部３（複数の接合部３Ａ～３Ｄ）はそれぞれ、介在部３１およびフィレット部３２を含む。各接合部３において、介在部３１とフィレット部３２とを互いに繋がり、一体的に形成されている。介在部３１は、複数の電子部品１の電極１１，１２のいずれかと複数の配線部４のいずれかとの間に介在する。介在部３１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば５μｍ以上５０μｍ以下である。フィレット部３２は、複数の電子部品１の電極１１，１２のいずれかの側面に接する。図示された例では、フィレット部３２の側面は、厚さ方向ｚに直交するｘ－ｙ平面に対する傾斜面であるが、凸に湾曲していてもよいし、凹に湾曲していてもよい。

　複数の配線部４は、電子装置Ａ１０の内部に配置される導電体である。複数の配線部４は、互いに離間する。複数の配線部４は、複数の電子部品１と複数の端子５とを電気的に繋ぐ。複数の配線部４はそれぞれ、支持部材２の搭載面２１に形成される。図示された例では、複数の配線部４は、第１方向ｘに沿って配置されている。

　本実施形態では、複数の配線部４は、図２～図６および図８に示すように、第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃを含む。よって、電子装置Ａ１０は、第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃを備える。本開示の電子装置において、複数の配線部４の数は、何ら限定されない。第１配線部４Ａと第２配線部４Ｂと第３配線部４Ｃとは、第１方向ｘに沿って配置されている。第２配線部４Ｂは、第１配線部４Ａに対して、第１方向ｘの他方に位置し、第３配線部４Ｃは、第１配線部４Ａに対して、第１方向ｘの一方に位置する。第１電子部品１Ａは、第１配線部４Ａと第２配線部４Ｂとに跨って配置されている。第２電子部品１Ｂは、第１配線部４Ａと第３配線部４Ｃとに跨って配置されている。

　図８に示すように、複数の配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃ）はそれぞれ、本体部４１および少なくとも１つの突起部４２を含む。図示された例では、第１配線部４Ａは、２つの突起部４２を含み、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃは、１つの突起部４２を含む。以下で説明する本体部４１および少なくとも１つの突起部４２は、特段の断りがない限り、各配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃの各々）で共通する。理解の便宜上、第１配線部４Ａに形成された２つの突起部４２の一方を、突起部４２１Ａといい、第１配線部４Ａの２つの突起部４２の他方を、突起部４２１Ｂという。第２配線部４Ｂの突起部４２を、突起部４２２といい、第３配線部４Ｃの突起部４２を、突起部４２３という。

　本体部４１は、搭載面２１に接する。本体部４１は、図９に示すように、たとえばシード層４０１とめっき層４０２とを有する。シード層４０１は、搭載面２１に形成されている。シード層４０１は、たとえばチタン（Ｔｉ）を含む。めっき層４０２は、シード層４０１に積層される。めっき層４０２は、たとえば銅（Ｃｕ）を含む。この構成とは異なり、本体部４１は、導電体からなる単層であってもよい。本体部４１の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば１０μｍ以上１００μｍ以下である。

　突起部４２は、本体部４１から厚さ方向ｚ上方に突き出ている。図９に示すように、突起部４２は、本体部４１の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）に形成されている。突起部４２は、たとえば本体部４１のめっき層４０２と同じ材料を含む。よって、本実施形態では、突起部４２は、Ｃｕを含む。この例とは異なり、突起部４２は、めっき層４０２と異なる金属材料を含む構成であってもよい。本実施形態では、突起部４２は、図４に示すように、平面視において、矩形環状である。図４に示すように、平面視において、接合部３Ａは、突起部４２１Ａに囲まれている。平面視において、接合部３Ｂは、突起部４２２に囲まれている。平面視において、接合部３Ｃは、突起部４２３に囲まれている。平面視において、接合部３Ｄは、突起部４２１Ｂに囲まれている。突起部４２の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば５μｍ以上３０μｍ以下である。突起部４２の厚さは、各接合部３の介在部３１の厚さに基づいて、介在部３１の厚さが突起部４２の厚さを超えない範囲で、適宜変更されうる。

　以上のように構成された複数の配線部４は、図４および図８に示すように、第１面４９１、第２面４９２、第３面４９３、第４面４９４、第５面４９５、第６面４９６、第７面４９７および第８面４９８を有する。本実施形態では、第１配線部４Ａが、第１面４９１、第２面４９２、第５面４９５および第６面４９６を有し、第２配線部４Ｂが、第３面４９３および第４面４９４を有し、第３配線部４Ｃが、第７面４９７および第８面４９８を有する。理解の便宜上、図４において、第１面４９１、第３面４９３、第５面４９５および第７面４９７をドットで示す。

　第１面４９１は、第１配線部４Ａの上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）の一部である。図４に示すように、第１面４９１は、第１配線部４Ａの上面のうち、突起部４２１Ａによって区画された部分である。接合部３Ａは、厚さ方向ｚに見て第１面４９１に重なる。本実施形態では、接合部３Ａは、第１面４９１に接する。図示された例では、第１面４９１は、厚さ方向ｚに見て矩形である。第１面４９１は、平坦である。第１面４９１は、厚さ方向ｚに直交するｘ－ｙ平面に配置される。当該ｘ－ｙ平面を「第１仮想平面」という。図４に示すように、厚さ方向ｚに見た第１面４９１の周縁は、第１端縁４９１ａ、一対の第２端縁４９１ｂおよび第３端縁４９１ｃを有する。

　図４に示すように、第１端縁４９１ａは、厚さ方向ｚに見て、第１電子部品１Ａの電極１１よりも第１方向ｘの一方に位置する。第１端縁４９１ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる。

　図４に示すように、一対の第２端縁４９１ｂの各々は、厚さ方向ｚに見て、第１方向ｘに延びる。一対の第２端縁４９１ｂは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに離間する。本実施形態では、一対の第２端縁４９１ｂは、厚さ方向ｚに見て、互いに平行である。一対の第２端縁４９１ｂの各々は、第１端縁４９１ａに繋がる。

　図４に示すように、第３端縁４９１ｃは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる。第３端縁４９１ｃは、一対の第２端縁４９１ｂの各々に繋がる。本実施形態では、第３端縁４９１ｃは、厚さ方向ｚに見て、第１端縁４９１ａに平行である。第３端縁４９１ｃは、第１端縁４９１ａに対して、第１方向ｘの他方に位置する。第３端縁４９１ｃは、厚さ方向ｚに見て、第１電子部品１Ａに重なる。

　第２面４９２は、突起部４２１Ａの頂面（厚さ方向ｚ上方を向く面）である。本実施形態では、突起部４２１Ａの平面視形状が矩形環状であるので、第２面４９２の平面視形状は矩形環状である。図８および図９に示すように、第２面４９２は、第１面４９１よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。図４に示すように、第２面４９２は、厚さ方向ｚに見て、第１面４９１の周縁の少なくも一部に配置され、本実施形態では、第１面４９１の周縁の全てに配置される。よって、厚さ方向ｚに見て、第１面４９１は、第２面４９２に囲まれている。第２面４９２は、平坦である。第２面４９２は、厚さ方向ｚに直交するｘ－ｙ平面であって、第１仮想平面と異なるｘ－ｙ平面に配置される。当該ｘ－ｙ平面を「第２仮想平面」という。第２面４９２は、第１部４９２ａ、一対の第２部４９２ｂおよび第３部４９２ｃを有する。

　図４に示すように、第１部４９２ａは、第１端縁４９１ａに沿って形成される。第１部４９２ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる帯状である。

　図４に示すように、一対の第２部４９２ｂは、一対の第２端縁４９１ｂに沿ってそれぞれ個別に形成される。一対の第２部４９２ｂの各々は、厚さ方向ｚに見て、第１方向ｘに延びる帯状である。本実施形態では、一対の第２部４９２ｂは、平面視において、互いに平行である。

　図４に示すように、第３部４９２ｃは、第３端縁４９１ｃに沿って形成される。第３部４９２ｃは、平面視において、第２方向ｙに延びる帯状である。本実施形態では、第３部４９２ｃは、平面視において、第１部４９２ａに平行である。

　第３面４９３は、第２配線部４Ｂの上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）の一部である。図４に示すように、第３面４９３は、第２配線部４Ｂの上面のうち、突起部４２２によって区画された部分である。接合部３Ｂは、厚さ方向ｚに見て第３面４９３に重なる。本実施形態では、接合部３Ｂは、第３面４９３に接する。図示された例では、第３面４９３は、厚さ方向ｚに見て矩形である。第３面４９３は、平坦である。図４に示すように、厚さ方向ｚに見た第３面４９３の周縁は、第４端縁４９３ａ、一対の第５端縁４９３ｂおよび第６端縁４９３ｃを有する。

　図４に示すように、第４端縁４９３ａは、厚さ方向ｚに見て、第１電子部品１Ａの電極１２よりも第１方向ｘの他方に位置する。第４端縁４９３ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる。

　図４に示すように、一対の第５端縁４９３ｂの各々は、厚さ方向ｚに見て、第１方向ｘに延びる。一対の第５端縁４９３ｂは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに離間する。本実施形態では、一対の第２端縁４９１ｂは、厚さ方向ｚに見て、互いに平行である。一対の第５端縁４９３ｂの各々は、第４端縁４９３ａに繋がる。

　図４に示すように、第６端縁４９３ｃは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる。第６端縁４９３ｃは、一対の第５端縁４９３ｂの各々に繋がる。本実施形態では、第６端縁４９３ｃは、厚さ方向ｚに見て、第４端縁４９３ａに平行である。第６端縁４９３ｃは、第４端縁４９３ａに対して、第１方向ｘの一方に位置する。第６端縁４９３ｃは、厚さ方向ｚに見て、第１電子部品１Ａに重なる。

　第４面４９４は、突起部４２２の頂面（厚さ方向ｚ上方を向く面）である。本実施形態では、突起部４２２の平面視形状が矩形環状であるので、第４面４９４の平面視形状は矩形環状である。図８に示すように、第４面４９４は、第３面４９３よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。図４に示すように、第４面４９４は、厚さ方向ｚに見て、第３面４９３の周縁の少なくも一部に配置され、本実施形態では、第３面４９３の周縁の全てに配置される。よって、厚さ方向ｚに見て、第３面４９３は、第４面４９４に囲まれている。第４面４９４は、平坦である。図４に示すように、第４面４９４は、第４部４９４ａ、一対の第５部４９４ｂおよび第６部４９４ｃを有する。

　図４に示すように、第４部４９４ａは、第４端縁４９３ａに沿って形成される。第４部４９４ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる帯状である。

　図４に示すように、一対の第５部４９４ｂは、一対の第５端縁４９３ｂに沿ってそれぞれ個別に形成される。一対の第５部４９４ｂの各々は、平面視において、第１方向ｘに延びる帯状である。本実施形態では、一対の第５部４９４ｂは、平面視において、互いに平行である。

　図４に示すように、第６部４９４ｃは、第６端縁４９３ｃに沿って形成される。第６部４９４ｃは、平面視において、第２方向ｙに延びる帯状である。本実施形態では、第６部４９４ｃは、平面視において、第４部４９４ａに平行である。

　第５面４９５は、第１配線部４Ａの上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）の一部である。図４に示すように、第５面４９５は、第１配線部４Ａの上面のうち、突起部４２１Ｂによって区画された部分である。接合部３Ｄは、厚さ方向ｚに見て第５面４９５に重なる。本実施形態では、接合部３Ｄは、第５面４９５に接する。図示された例では、第５面４９５は、平面視において矩形である。第５面４９５は、平坦である。第５面４９５は、第１面４９１とともに、先述の第１仮想平面に配置される。第５面４９５は、平坦である。第５面４９５は、第１面４９１とともに、先述の第１仮想平面に配置される。この構成とは異なり、第５面４９５は、第１仮想平面と異なるｘ－ｙ平面に配置されていてもよい。つまり、第１面４９１と第５面４９５とは、第１方向ｘに見て互いに重なっていなくてもよい。図４に示すように、厚さ方向ｚに見た第５面４９５の周縁は、第７端縁４９５ａ、一対の第８端縁４９５ｂおよび第９端縁４９５ｃを有する。

　図４に示すように、第７端縁４９５ａは、厚さ方向ｚに見て、第２電子部品１Ｂの電極１２よりも第１方向ｘの他方に位置する。第７端縁４９５ａは、平面視において、第２方向ｙに延びる。

　図４に示すように、一対の第８端縁４９５ｂの各々は、平面視において、第１方向ｘに延びる。一対の第８端縁４９５ｂは、平面視において、第２方向ｙに離間する。本実施形態では、一対の第８端縁４９５ｂは、厚さ方向ｚに見て、互いに平行である。一対の第８端縁４９５ｂの各々は、第７端縁４９５ａに繋がる。

　図４に示すように、第９端縁４９５ｃは、平面視において、第２方向ｙに延びる。第９端縁４９５ｃは、一対の第８端縁４９５ｂの各々に繋がる。本実施形態では、第９端縁４９５ｃは、厚さ方向ｚに見て、第７端縁４９５ａに平行である。第９端縁４９５ｃは、第７端縁４９５ａに対して、第１方向ｘの一方に位置する。第９端縁４９５ｃは、厚さ方向ｚに見て、第２電子部品１Ｂに重なる。

　第６面４９６は、突起部４２１Ｂの頂面（厚さ方向ｚ上方を向く面）である。本実施形態では、突起部４２１Ｂの平面視形状が矩形環状であるので、第６面４９６の平面視形状は矩形環状である。図８および図９に示すように、第６面４９６は、第５面４９５よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。図４に示すように、第６面４９６は、厚さ方向ｚに見て、第５面４９５の周縁の少なくも一部に配置され、本実施形態では、第５面４９５の周縁の全てに配置される。よって、厚さ方向ｚに見て、第５面４９５は、第６面４９６に囲まれている。第６面４９６は、平坦である。第６面４９６は、第２面４９２とともに、先述の第２仮想平面に配置される。この構成とは異なり、第６面４９６は、第２仮想平面と異なるｘ－ｙ平面に配置されていてもよい。つまり、第２面４９２と第６面４９６とは、第１方向ｘに見て互いに重なっていなくてもよい。第６面４９６は、第２面４９２から離れている。図４に示すように、第６面４９６は、第７部４９６ａ、一対の第８部４９６ｂおよび第９部４９６ｃを有する。

　図４に示すように、第７部４９６ａは、第７端縁４９５ａに沿って形成される。第７部４９６ａは、平面視において、第２方向ｙに延びる帯状である。

　図４に示すように、一対の第８部４９６ｂは、一対の第８端縁４９５ｂに沿ってそれぞれ個別に形成される。一対の第８部４９６ｂの各々は、平面視において、第１方向ｘに延びる帯状である。本実施形態では、一対の第８部４９６ｂは、平面視において、互いに平行である。

　図４に示すように、第９部４９６ｃは、第９端縁４９５ｃに沿って形成される。第９部４９６ｃは、平面視において、第２方向ｙに延びる帯状である。本実施形態では、第９部４９６ｃは、平面視において、第７部４９６ａに平行である。

　第７面４９７は、第３配線部４Ｃの上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）の一部である。図４に示すように、第７面４９７は、第３配線部４Ｃの上面のうち、突起部４２３によって区画された部分である。接合部３Ｃは、厚さ方向ｚに見て第７面４９７に重なる。本実施形態では、接合部３Ｃは、第７面４９７に接する。図示された例では、第７面４９７は、厚さ方向ｚに見て矩形である。第７面４９７は、平坦である。図４に示すように、厚さ方向ｚに見た第７面４９７の周縁は、第１０端縁４９７ａ、一対の第１１端縁４９７ｂおよび第１２端縁４９７ｃを有する。

　図４に示すように、第１０端縁４９７ａは、厚さ方向ｚに見て、第２電子部品１Ｂの電極１１よりも第１方向ｘの一方に位置する。第１０端縁４９７ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる。

　図４に示すように、一対の第１１端縁４９７ｂの各々は、厚さ方向ｚに見て、第１方向ｘに延びる。一対の第１１端縁４９７ｂは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに離間する。本実施形態では、一対の第１１端縁４９７ｂは、厚さ方向ｚに見て、互いに平行である。一対の第１１端縁４９７ｂの各々は、第１２端縁４９７ｃに繋がる。

　図４に示すように、第１２端縁４９７ｃは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる。第１２端縁４９７ｃは、一対の第１１端縁４９７ｂの各々に繋がる。本実施形態では、第１２端縁４９７ｃは、厚さ方向ｚに見て、第１０端縁４９７ａに平行である。第１２端縁４９７ｃは、第１０端縁４９７ａに対して、第１方向ｘの他方に位置する。第１２端縁４９７ｃは、厚さ方向ｚに見て、第２電子部品１Ｂに重なる。

　第８面４９８は、突起部４２３の頂面（厚さ方向ｚ上方を向く面）である。本実施形態では、突起部４２３の平面視形状が矩形環状であるので、第８面４９８の平面視形状は矩形環状である。図８に示すように、第８面４９８は、第７面４９７よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。図４に示すように、第８面４９８は、厚さ方向ｚに見て、第７面４９７の周縁の少なくも一部に配置され、本実施形態では、第７面４９７の周縁の全てに配置される。よって、厚さ方向ｚに見て、第７面４９７は、第８面４９８に囲まれている。第８面４９８は、平坦である。第８面４９８は、第１０部４９８ａ、一対の第１１部４９８ｂおよび第１２部４９８ｃを有する。

　図４に示すように、第１０部４９８ａは、第１０端縁４９７ａに沿って形成される。第１０部４９８ａは、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる帯状である。

　図４に示すように、一対の第１１部４９８ｂは、一対の第１１端縁４９７ｂに沿ってそれぞれ個別に形成される。一対の第１１部４９８ｂの各々は、平面視において、第１方向ｘに延びる帯状である。本実施形態では、一対の第１１部４９８ｂは、平面視において、互いに平行である。

　図４に示すように、第１２部４９８ｃは、第１２端縁４９７ｃに沿って形成される。第１２部４９８ｃは、平面視において、第２方向ｙに延びる帯状である。本実施形態では、第１２部４９８ｃは、平面視において、第１０部４９８ａに平行である。

　複数の端子５はそれぞれ、複数の配線部４のいずれかに導通しており、かつ、電子装置Ａ１０の外部に露出した導電体である。複数の端子５はそれぞれ、電子装置Ａ１０を回路基板に実装する際の端子となる。図６および図８に示すように、複数の端子５はそれぞれ、支持部材２を厚さ方向ｚに貫通する。図示された例では、電子装置Ａ１０は、２つの端子５を備える。図８に示すように、２つの端子５の一方は、第２配線部４Ｂに接しており、２つの端子５の他方は、第３配線部４Ｃに接している。この例とは異なり、電子装置Ａ１０は、第１配線部４Ａに接する端子５をさらに備えていてもよい。

　複数の端子５はそれぞれ、図６および図８に示すように、柱状部５１および外部電極部５２を含む。次で説明する柱状部５１および外部電極部５２はそれぞれ、特段の断りがない限り、各端子５で共通する。

　図８に示すように、柱状部５１は、支持部材２を厚さ方向ｚに貫通する。柱状部５１は、たとえば金属材料を含む。当該金属材料は、何ら限定されないが、たとえばＣｕである。柱状部５１の平面視形状は、何ら限定されないが、図示された例では矩形である。柱状部５１の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）は、たとえば支持部材２の搭載面２１と面一である。この柱状部５１の上面は、複数の配線部４のいずれかに接する。複数の端子５には、柱状部５１の上面が複数の配線部４のいずれにも接しないものがあってもよい。このような端子５は、ダミー端子となる。柱状部５１の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）は、支持部材２から露出する。この柱状部５１の下面は、たとえば支持部材２の裏面２２と面一である。本実施形態では、すべての端子５において、柱状部５１の側面（第１方向ｘまたは第２方向ｙを向く面）は、支持部材２に覆われているが、この例と異なり、複数の端子５には、柱状部５１の側面が露出したものがあってもよい。

　図８に示すように、外部電極部５２は、柱状部５１のうち、支持部材２の裏面２２から露出する部位に接する。図６～図８に示すように、外部電極部５２は、裏面２２から突き出る。外部電極部５２は、無電解めっきにより形成される。外部電極部５２は、たとえば、柱状部５１に接する側からＮｉ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金（Ａｕ）層の順に積層された複数の金属層から構成される。外部電極部５２は、その他の構成として、柱状部５１に接する側から、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層された複数の金属層、あるいは、Ｃｕ層、Ａｇ層、Ｓｎ層の順に積層された複数の金属層とすることができる。外部電極部５２の材料および形成方法は、これらの例に限定されない。

　封止樹脂６は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。封止樹脂６は、当該エポキシ樹脂にシリカなどのフィラーが混入されていてもよい。封止樹脂６は、図１、図２および図５～図８に示すように、複数の電子部品１、複数の接合部３および複数の配線部４を覆う。封止樹脂６は、図６～図８に示すように、支持部材２の一部を覆う。封止樹脂６は、搭載面２１上に形成される。封止樹脂６は、平面視において矩形状である。封止樹脂６の厚さ（厚さ方向ｚに沿う寸法）は、何ら限定されないが、たとえば３００μｍ以上１２００μｍ以下である。封止樹脂６は、図１、図２および図６～図８に示すように、樹脂主面６１、樹脂裏面６２および複数の樹脂側面６３を有する。

　図６～図８に示すように、樹脂主面６１および樹脂裏面６２は、厚さ方向ｚにおいて離間する。樹脂主面６１と樹脂裏面６２とは、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。樹脂主面６１は、厚さ方向ｚにおいて、搭載面２１と同じ方向を向き、樹脂裏面６２は、厚さ方向ｚにおいて裏面２２と同じ方向を向く。樹脂裏面６２は、搭載面２１に接する。樹脂裏面６２には、複数の配線部４の形状に応じて凹凸がある。図１、図２および図６～図８に示すように、複数の樹脂側面６３の各々は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面６１と樹脂裏面６２とに挟まれており、これらに繋がる。複数の樹脂側面６３は、複数の側面２３のうちの対応する１つと面一である。

　次に、電子装置Ａ１０の製造方法の一例について、図１０～図１８を参照して説明する。図１０～図１８は、電子装置Ａ１０の製造方法における一工程を示す断面図である。これらの断面図は、図８に示す断面に対応する。

　まず、図１０に示すように、支持基板８０を準備し、当該支持基板８０上に複数の柱状部５１を形成する。支持基板８０は、たとえば単結晶の真性半導体材料を含む。当該半導体材料は、たとえばＳｉである。支持基板８０を準備する工程では、たとえば支持基板８０として、シリコンウエハを準備する。支持基板８０は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面８０ａおよび基板裏面８０ｂを有する。複数の柱状部５１は、たとえば次の工程により形成される。まず、基板主面８０ａにシード層を形成する。当該シード層の形成は、たとえばスパッタリング法による。そして、シード層上にレジストをパターニングし、電解めっきにより複数の柱状部５１を形成する。その後、レジスト層および不要なシード層を除去する。これらの工程を経て、支持基板８０の基板主面８０ａに、複数の柱状部５１を形成する。

　次いで、図１１に示すように、支持基板８０の基板主面８０ａに、複数の柱状部５１を覆う支持部材２（樹脂層）を形成する。支持部材２（樹脂層）の形成は、たとえばモールド成形による。支持部材２（樹脂層）は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。支持部材２（樹脂層）としては、当該合成樹脂ではなく、他の絶縁性の樹脂材料であってもよい。支持部材２（樹脂層）は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く搭載面２１および裏面２２を有する。搭載面２１は、基板主面８０ａと同じ方向を向き、裏面２２は、基板主面８０ａに対向する。

　次いで、図１２に示すように、支持部材２（樹脂層）を研削する。当該支持部材２の研削は、搭載面２１から厚さ方向ｚ下方に向かって行い、柱状部５１が露出するまで行う。当該研削の方法は特に限定されない。研削ではない方法により、支持部材２を低背化してもよい。

　次いで、図１３に示すように、複数の配線部４を形成する。複数の配線部４は、たとえば次の工程により形成される。まず、搭載面２１、各柱状部５１の上に、シード層４０１を形成する。当該シード層４０１の形成は、たとえばスパッタリング法による。たとえばシード層４０１として、Ｔｉ層およびＣｕ層が順に積層される。次に、シード層４０１上にレジストをパターニングし、電解めっきによりめっき層４０２を形成する。たとえば、めっき層４０２は、Ｃｕを含む。次に、めっき層４０２上にレジストをパターニングし、電解めっきにより複数の突起部４２（複数の突起部４２１Ａ，４２１Ｂ，４２２，４２３）を形成する。その後、レジストおよび不要なシード層４０１（めっき層４０２から露出するシード層４０１）を除去する。これらの工程を経て、複数の配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃ）を形成する。

　次いで、図１４に示すように、複数の接合部３を形成する。複数の接合部３を形成する工程では、たとえば、各接合部３としてのはんだペーストを、スクリーン印刷によって、複数の配線部４上に形成する。この時、各突起部４２１Ａ，４２１Ｂ，４２２，４２３によって区画される領域に、接合部３（対応する接合部３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ）を形成する。複数の接合部３を印刷した時には、複数の接合部３の各厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、１００μｍ程度である。この接合部３の厚さは、スクリーン印刷で用いるメタルマスクの厚さに相当する。各接合部３を印刷する範囲は、平面視において、後の工程によって固化した状態の接合部３よりも小さい。

　次いで、図１５に示すように、複数の電子部品１を搭載し、その後、複数の電子部品１を接合する。図１５に示すように、複数の電子部品１を搭載する工程では、第１電子部品１Ａの電極１１と接合部３Ａとを、第１電子部品１Ａの電極１２と接合部３Ｂとを、第２電子部品１Ｂの電極１１と接合部３Ｃとを、第２電子部品１Ｂの電極１２と接合部３Ｄとをそれぞれ対応させて載置する。その後、各電子部品１（第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂ）を載置した状態で、リフローを行う。このリフローによる熱によって各接合部３Ａ～３Ｄが溶融し、各接合部３Ａ～３Ｄがペースト状である時よりも流動性が高くなる。次いで、溶融した各接合部３Ａ～３Ｄを冷却する。これにより、各接合部３Ａ～３Ｄが固化し、各電子部品１（第１電子部品１Ａおよび第２電子部品１Ｂ）が接合される。形成される各接合部３Ａ～３Ｄには、介在部３１およびフィレット部３２が形成される。

　次いで、図１６に示すように、封止樹脂６を形成する。封止樹脂６は、支持部材２の上方に、複数の電子部品１および複数の配線部４を覆うように、形成される。封止樹脂６の形成は、たとえばモールド成形による。封止樹脂６は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。封止樹脂６としては、当該合成樹脂ではなく、他の絶縁性の樹脂材料であってもよい。封止樹脂６は、厚さ方向ｚの一方を向く樹脂主面６１を有する。封止樹脂６の低背化のために、各電子部品１が露出しない程度に、封止樹脂６を、樹脂主面６１から厚さ方向ｚ下方に研削してもよい。

　次いで、図１７に示すように、支持基板８０を除去する。当該支持基板８０の除去では、たとえば、図１６に示す状態において、基板裏面８０ｂ側から支持基板８０を研削する。当該研削では、支持基板８０を、基板裏面８０ｂ側から行う。図示された例では、当該研削を、支持基板８０の除去後も継続して行うことで、支持部材２および柱状部５１を低背化する。この低背化は、行わなくてもよい。

　次いで、図１８に示すように、外部電極部５２を形成する。外部電極部５２は、裏面２２から露出する柱状部５１の頂面に形成される。外部電極部５２の形成は、たとえば無電解めっきによる。当該無電解めっきでは、柱状部５１に接する側から、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層させる。これにより、各々が柱状部５１および外部電極部５２を含む複数の端子５が形成される。

　その後、図１８に示す切断線ＣＬで、封止樹脂６を切断することで、個片化する。封止樹脂６の切断は、たとえばダイシングブレードを用いた切削加工により行われる。

　以上の工程を経て、図１～図９に示す電子装置Ａ１０が製造される。電子装置Ａ１０の製造方法は、上記した例に限定されない。たとえば、支持部材２が単結晶の真性半導体（たとえばＳｉ）を含む場合、次のように製造される。それは、上記支持基板８０（シリコンウエハ）に、エッチング等により溝を形成する。次いで、当該溝に複数の柱状部５１を形成する。次いで、支持部材２（樹脂層）を形成することなく、複数の配線部４を形成する。封止樹脂６の形成後において、支持基板８０を除去するのではなく、先述の溝に形成された複数の柱状部５１が露出するまで、研削する。このような工程に変更することで、支持部材２が半導体材料からなる電子装置Ａ１０が製造される。

　電子装置Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。

　電子装置Ａ１０は、第１電子部品１Ａと第１配線部４Ａと接合部３Ａとを備える。第１配線部４Ａは、第１面４９１および第２面４９２を有する。第２面４９２は、第１面４９１よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。第２面４９２は、厚さ方向ｚに見て、第１面４９１の周縁の少なくとも一部に配置されている。そして、接合部３Ａは、厚さ方向ｚに見て第１面４９１に重なり、第１電子部品１Ａの電極１１と第１配線部４Ａとを接合する。この構成によれば、第１配線部４Ａにおいて、接合部３Ａが形成される第１面４９１の周縁の少なくとも一部（第２面４９２を有する部分）が、厚さ方向ｚの一方（上方）に突き出た構造となる。つまり、第１面４９１と第２面４９２とで段差が生じる。この突き出た部分（第２面４９２を有する部分）は、接合部３Ａの流出を堰き止めるので、接合部３Ａの厚さ（厚さ方向ｚの寸法）を適度に確保できる。これにより、電子装置Ａ１０は、接合部３Ａの厚さ不足を抑制できるので、第１電子部品１Ａの電極１１と第１配線部４Ａとの接合強度の低下および電気伝導性の低下を抑制できる。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制できる。

　電子装置Ａ１０では、第１配線部４Ａは、第１面４９１を有する本体部４１と、第２面４９２を有する前記第２面を有する突起部４２１Ａとを含む。突起部４２１Ａは、本体部４１から厚さ方向ｚの一方（上方）に突き出る。この構成によれば、第２面４９２を、第１面４９１よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に配置することができる。

　電子装置Ａ１０では、第１電子部品１Ａの電極１１は、当該第１電子部品１Ａにおいて、第１方向ｘの一方の端部に配置されている。第１面４９１の周縁は、厚さ方向ｚに見て、第１電子部品１Ａの電極１１よりも第１方向ｘの一方に位置し、且つ、第２方向ｙに延びる第１端縁４９１ａを有し、第２面４９２は、第１端縁４９１ａに沿って形成された第１部４９２ａを有する。この構成によれば、接合部３Ａが第１方向ｘの一方（すなわち第１電子部品１Ａに外側）に向かって流出することを抑制できる。接合部３Ａの形成時においては、リフローの熱によって、接合部３Ａのペースト時よりも、一時的に流動性が高くなる。この時、第１電子部品１Ａの重みにより、接合部３Ａが拡がる。この接合部３Ａの拡がりは、第１方向ｘにおいて、第１方向ｘの他方（第１電子部品１Ａの内側）よりも、第１方向ｘの一方（第１電子部品１Ａの外側）に拡がりやすい。そのため、第２面４９２が第１部４９２ａを有することで、接合部３Ａの流出を抑制できる。

　電子装置Ａ１０では、第２面４９２は、第１面４９１の周縁の全てに沿って形成されている。この構成では、接合部３Ａの流出を、第１方向ｘおよび第２方向ｙのすべてにおいて、抑制することができるので、電子装置Ａ１０は、接合部３Ａの厚さ不足を抑制する上で、好ましい構造である。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制する上で、好ましい構造である。

　電子装置Ａ１０では、第２配線部４Ｂは、第３面４９３および第４面４９４を有する。第４面４９４は、第３面４９３よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。第４面４９４は、厚さ方向ｚに見て、第３面４９３の周縁の少なくとも一部に配置されている。そして、接合部３Ｂは、厚さ方向ｚに見て第３面４９３に重なり、第１電子部品１Ａの電極１２と第１配線部４Ａとを接合する。この構成によれば、接合部３Ａと同様に、第３面４９３と第４面４９４とで段差が生じ、接合部３Ｂの流出を堰き止めることができるので、接合部３Ｂの厚さ（厚さ方向ｚの寸法）を適度に確保できる。これにより、電子装置Ａ１０は、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制できるので、第１電子部品１Ａの電極１２と第２配線部４Ｂとの接合強度の低下および電気伝導性の低下を抑制できる。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制できる。特に、電子装置Ａ１０では、第４面４９４は、第３面４９３の周縁の全てに沿って形成されている。この構成では、接合部３Ｂの流出を、第１方向ｘおよび第２方向ｙのすべてにおいて、抑制することができるので、電子装置Ａ１０は、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制する上で、好ましい構造である。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制する上で、好ましい構造である。さらに、電子装置Ａ１０では、各接合部３Ａ，３Ｂの両方の厚さ不足を抑制できるので、第１電子部品１Ａが傾いた姿勢で接合されることを抑制できる。

　電子装置Ａ１０では、第１配線部４Ａは、第５面４９５および第６面４９６を有する。第６面４９６は、第５面４９５よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。第６面４９６は、厚さ方向ｚに見て、第５面４９５の周縁の少なくとも一部に配置されている。そして、接合部３Ｄは、厚さ方向ｚに見て第５面４９５に重なり、第２電子部品１Ｂの電極１２と第１配線部４Ａとを接合する。この構成によれば、各接合部３Ａ，３Ｂと同様に、第５面４９５と第６面４９６とで段差が生じ、接合部３Ｄの流出を堰き止めることができるので、接合部３Ｄの厚さ（厚さ方向ｚの寸法）を適度に確保できる。これにより、電子装置Ａ１０は、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制できるので、第２電子部品１Ｂの電極１２と第１配線部４Ａとの接合強度の低下および電気伝導性の低下を抑制できる。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制できる。特に、電子装置Ａ１０では、第６面４９６は、第５面４９５の周縁の全てに沿って形成されている。この構成では、接合部３Ｄの流出を、第１方向ｘおよび第２方向ｙのすべてにおいて、抑制することができるので、電子装置Ａ１０は、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制する上で、好ましい構造である。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制する上で、好ましい構造である。

　電子装置Ａ１０では、第１配線部４Ａには、第１電子部品１Ａの電極１１および第２電子部品１Ｂの電極１２の両方が接合される。このような構成においては、２つの接合部３Ａ，３Ｄが第１配線部４Ａに配置されており、仮に各接合部３Ａ，３Ｄが流出すると、２つの接合部３Ａ，３Ｄが一体化される。このような一体化は、各接合部３Ａ，３Ｄの流出を促進する。つまり、２つの接合部３Ａ，３Ｄが共通の第１配線部４Ａに配置された構成では、各接合部３Ｂ，３Ｃよりも各接合部３Ａ，３Ｄは、厚さ不足になりやすい。よって、第２面４９２と第６面４９６とを２つの接合部３Ａ，３Ｄの間に配置することは、各接合部３Ａ，３Ｄの厚さ不足を抑制する上で好ましい。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制する上で、好ましい構造である。

　電子装置Ａ１０では、第３配線部４Ｃは、第７面４９７および第８面４９８を有する。第８面４９８は、第７面４９７よりも厚さ方向ｚの一方（上方）に位置する。第８面４９８は、厚さ方向ｚに見て、第７面４９７の周縁の少なくとも一部に配置されている。そして、接合部３Ｃは、厚さ方向ｚに見て第７面４９７に重なり、第２電子部品１Ｂの電極１１と第３配線部４Ｃとを接合する。この構成によれば、各接合部３Ａ，３Ｂ，３Ｄと同様に、第７面４９７と第８面４９８とで段差が生じ、接合部３Ｃの流出を堰き止めることができるので、接合部３Ｃの厚さ（厚さ方向ｚの寸法）を適度に確保できる。これにより、電子装置Ａ１０は、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制できるので、第２電子部品１Ｂの電極１１と第３配線部４Ｃとの接合強度の低下および電気伝導性の低下を抑制できる。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制できる。特に、電子装置Ａ１０では、第８面４９８は、第７面４９７の周縁の全てに沿って形成されている。この構成では、接合部３Ｃの流出を、第１方向ｘおよび第２方向ｙのすべてにおいて、抑制することができるので、電子装置Ａ１０は、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制する上で、好ましい構造である。つまり、電子装置Ａ１０は、信頼性の低下を抑制する上で、好ましい構造である。さらに、電子装置Ａ１０では、各接合部３Ｃ，３Ｄの両方の厚さ不足を抑制できるので、第２電子部品１Ｂが傾いた姿勢で接合されることを抑制できる。

　電子装置Ａ１０では、各突起部４２（複数の突起部４２１Ａ，４２１Ｂ，４２２，４２３の各々）の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、３μｍ以上３０μｍ以下である。この構成によれば、各接合部３（複数の接合部３Ａ～３Ｄの各々）の流出を抑制できる。

　以下に、本開示の電子装置の他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。

　図１９は、第１実施形態の第１変形例にかかる電子装置Ａ１１を示している。電子装置Ａ１１は、電子装置Ａ１０と比較して、第２面４９２、第４面４９４、第６面４９６および第８面４９８の各々の形成範囲が異なる。

　電子装置Ａ１１では、第２面４９２は、一対の第２部４９２ｂおよび第３部４９２ｃのいずれも有しておらず、第１部４９２ａのみを有する。第４面４９４は、一対の第５部４９４ｂおよび第６部４９４ｃのいずれも有しておらず、第４部４９４ａのみを有する。第６面４９６は、一対の第８部４９６ｂおよび第９部４９６ｃのいずれも有しておらず、第７部４９６ａのみを有する。第８面４９８は、一対の第１１部４９８ｂおよび第１２部４９８ｃのいずれも有しておらず、第１０部４９８ａのみを有する。よって、電子装置Ａ１１では、図１９に示すように、複数の突起部４２１Ａ，４２１Ｂ，４２２，４２３はそれぞれ、厚さ方向ｚに見て、第２方向ｙに延びる帯状である。

　図２０は、第１実施形態の第２変形例にかかる電子装置Ａ１２を示している。電子装置Ａ１２は、各電子装置Ａ１０，Ａ１１と比較して、第２面４９２、第４面４９４、第６面４９６および第８面４９８の各々の形成範囲が異なる。

　電子装置Ａ１３では、第２面４９２は、第３部４９２ｃを有しておらず、第１部４９２ａおよび一対の第２部４９２ｂを有する。第４面４９４は、第６部４９４ｃを有しておらず、第４部４９４ａおよび一対の第５部４９４ｂを有する。第６面４９６は、第９部４９６ｃを有しておらず、第７部４９６ａおよび一対の第８部４９６ｂを有する。第８面４９８は、第１２部４９８ｃを有しておらず、第１０部４９８ａおよび一対の第１１部４９８ｂを有する。よって、電子装置Ａ１３では、図２０に示すように、複数の突起部４２１Ａ，４２１Ｂ，４２２，４２３はそれぞれ、厚さ方向ｚに見て、矩形環状の一辺が開口した形状である。

　上記電子装置Ａ１１，Ａ１２と異なる例において、第２面４９２は、次のように構成されていてもよい。それは、第１面４９１が厚さ方向ｚに見て矩形である例において、第２面４９２は、第１部４９２ａ、一対の第２部４９２ｂおよび第３部４９２ｃのいずれか１つ以上を有していればよい。この場合、接合部３Ａの流出しやすい方向を考慮して、第１部４９２ａ、一対の第２部４９２ｂおよび第３部４９２ｃのいずれか１つ以上を設ければよい。このことは、第４面４９４、第６面４９６および第８面４９８の各々においても、同様である。

　図２１は、第１実施形態に第３変形例にかかる電子装置Ａ１３を示している。電子装置Ａ１３は、電子装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。それは、２つの突起部４２１Ａ，４２１Ｂが、互いに繋がっている点である。

　電子装置Ａ１３では、第１配線部４Ａは、突起部４２１Ｃをさらに備える。図２１に示すように、突起部４２１Ｃは、２つの突起部４２１Ａ，４２１Ｂに挟まれ、これらの各々に繋がる。この構成により、２つの突起部４２１Ａ，４２１Ｂは、突起部４２１Ｃを介して、互いに繋がる。そして、電子装置Ａ１３では、第２面４９２と第６面４９６とは、突起部４２１Ｃの上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）を介して、互いに繋がっている。

　電子装置Ａ１３では、電子装置Ａ１０において、突起部４２１Ｃを追加した例を示したが、各電子装置Ａ１１，Ａ１２に突起部４２１Ｃを追加してもよい。たとえば、図２２には、電子装置Ａ１１に突起部４２１Ｃを追加した例を示している。

　各電子装置Ａ１１～Ａ１３では、電子装置Ａ１０と同様に、第１配線部４Ａは、第１面４９１および第２面４９２を有するので、接合部３Ａの厚さ不足を抑制できる。各電子装置Ａ１１～Ａ１３は、電子装置Ａ１０と同様に、第２配線部４Ｂは、第３面４９３および第４面４９４を有するので、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制できる。各電子装置Ａ１１～Ａ１３は、電子装置Ａ１０と同様に、第１配線部４Ａは、第５面４９５および第６面４９６を有するので、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制できる。各電子装置Ａ１１～Ａ１３は、電子装置Ａ１０と同様に、第３配線部４Ｃは、第７面４９７および第８面４９８を有するので、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制できる。したがって、各電子装置Ａ１１～Ａ１３は、電子装置Ａ１０と同様に、信頼性の低下を抑制できる。その他、各電子装置Ａ１１～Ａ１３は、電子装置Ａ１０と共通する構成により、電子装置Ａ１０と同様の効果を奏する。

　図２３および図２４は、第２実施形態にかかる電子装置Ａ２０を示している。電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。それは、電子装置Ａ２０は、複数のめっき層７１Ａ～７１Ｄを備える点である。

　複数のめっき層７１Ａ～７１Ｄはそれぞれ、たとえば、各配線部４の本体部４１の表層（すなわちめっき層４０２）よりも各接合部３に対する濡れ性が高い金属材料を含む。当該金属材料は、たとえばＮｉである。図２４に示すように、各めっき層７１Ａ～７１Ｄは、本体部４１のめっき層４０２上に形成される。

　めっき層７１Ａは、第１面４９１と接合部３Ａとの間に介在する。厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ａの周縁は、第２面４９２によって区画される領域に内包される。当該領域は、第１面４９１の略すべてに相当する。つまり、めっき層７１Ａは、厚さ方向ｚに見て、第２面４９２によって区画される領域（すなわち第１面４９１）よりも小さい。この例とは異なり、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ａは、第２面４９２によって区画される領域（すなわち第１面４９１）の全体に形成されていてもよい。図示された例では、接合部３Ａは、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ａの外方まで形成されているが、接合部３Ａの全てが、めっき層７１Ａ上に形成されていてもよい。

　めっき層７１Ｂは、第３面４９３と接合部３Ｂとの間に介在する。厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｂの周縁は、第４面４９４によって区画される領域に内包される。当該領域は、第４面４９４の略すべてに相当する。つまり、めっき層７１Ｂは、厚さ方向ｚに見て、第４面４９４によって区画される領域（すなわち第３面４９３）よりも小さい。この例とは異なり、厚さ方向ｚにみて、めっき層７１Ｂは、第４面４９４によって区画される領域（すなわち第３面４９３）の全体に形成されていてもよい。図示された例では、接合部３Ｂは、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｂの外方まで形成されているが、接合部３Ｂの全てが、めっき層７１Ｂ上に形成されていてもよい。

　めっき層７１Ｃは、第５面４９５と接合部３Ｄとの間に介在する。厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｃの周縁は、第６面４９６によって区画される領域に内包される。当該領域は、第５面４９５の略すべてに相当する。つまり、めっき層７１Ｃは、厚さ方向ｚに見て、第６面４９６によって区画される領域（すなわち第５面４９５）よりも小さい。この例とは異なり、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｃは、第６面４９６によって区画される領域（すなわち第５面４９５）の全体に形成されていてもよい。図示された例では、接合部３Ｄは、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｃの外方まで形成されているが、接合部３Ｄの全てが、めっき層７１Ｃ上に形成されていてもよい。

　めっき層７１Ｄは、第７面４９７と接合部３Ｃとの間に介在する。厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｄの周縁は、第８面４９８によって区画される領域に内包される。当該領域は、第７面４９７の略すべてに相当する。つまり、めっき層７１Ｄは、厚さ方向ｚに見て、第８面４９８によって区画される領域（すなわち第７面４９７）よりも小さい。この例とは異なり、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｄは、第８面４９８によって区画される領域（すなわち第７面４９７）の全体に形成されていてもよい。図示された例では、接合部３Ｃは、厚さ方向ｚに見て、めっき層７１Ｄの外方まで形成されているが、接合部３Ｃの全てが、めっき層７１Ｄ上に形成されていてもよい。

　電子装置Ａ２０では、電子装置Ａ１０と同様に、第１配線部４Ａは、第１面４９１および第２面４９２を有するので、接合部３Ａの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０と同様に、第２配線部４Ｂは、第３面４９３および第４面４９４を有するので、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０と同様に、第１配線部４Ａは、第５面４９５および第６面４９６を有するので、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０と同様に、第３配線部４Ｃは、第７面４９７および第８面４９８を有するので、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制できる。したがって、電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０と同様に、信頼性の低下を抑制できる。その他、電子装置Ａ２０は、他の電子装置Ａ１０～Ａ１３と共通する構成により、この電子装置Ａ１０～Ａ１３と同様の効果を奏する。

　電子装置Ａ２０は、第１面４９１と接合部３Ａとの間に介在するめっき層７１Ａを備える。この構成では、接合部３Ａの形成時（リフロー時）において、接合部３Ａには、めっき層７１Ａから流出せずにめっき層７１Ａ上に残留する力が生じる。この残留する力は、たとえば、リフローによって流動性が高まった接合部３Ａの表面張力によって生じる。したがって、電子装置Ａ２０は、めっき層７１Ａによって、接合部３Ａの流出を抑制しつつ、突起部４２１Ａによっても、接合部３Ａの流出を抑制できる。つまり、電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０よりも、接合部３Ａの流出をさらに抑制できる。このことは、他のめっき層７１Ｂ～７１Ｄにおいても同様である。つまり、電子装置Ａ２０は、電子装置Ａ１０よりも、各接合部３Ｂ～３Ｄの流出をさらに抑制できる。

　図２５は、第２実施形態の変形例にかかる電子装置Ａ２１を示している。電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と比較して、次の点で異なる。第１に、各本体部４１の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）の全面にめっき層７１が形成されている点である。第２に、各突起部４２が、対応するめっき層７１上に形成されている点である。

　電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と同様に、第１配線部４Ａは、第１面４９１および第２面４９２を有するので、接合部３Ａの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と同様に、第２配線部４Ｂは、第３面４９３および第４面４９４を有するので、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と同様に、第１配線部４Ａは、第５面４９５および第６面４９６を有するので、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と同様に、第３配線部４Ｃは、第７面４９７および第８面４９８を有するので、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制できる。したがって、電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と同様に、信頼性の低下を抑制できる。その他、電子装置Ａ２１は、電子装置Ａ２０と共通する構成により、この電子装置Ａ２０と同様の効果を奏する。たとえば、電子装置Ａ２１は、めっき層７１によって、各接合部３Ａ～３Ｄの流出をさらに抑制できる。

　図２６および図２７は、第３実施形態にかかる電子装置Ａ３０を示している。電子装置Ａ３０は、電子装置Ａ１０と比較して、各配線部４の構成が異なる。具体的には、電子装置Ａ３０の各配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃの各々）は、配線層４３および金属層４４を含む。

　配線層４３は、上記本体部４１と同じである。つまり、配線層４３は、シード層４０１およびめっき層４０２が積層された構成である。複数の配線部４において、各接合部３（各接合部３Ａ～３Ｄ）は、配線層４３に接する。

　金属層４４は、配線層４３に対して、厚さ方向ｚの一方（上方）に積層される。各配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃの各々）において、金属層４４は、配線層４３の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）の一部を露出させる。金属層４４は、たとえばめっき層４０２と異なる金属材料を含む。当該金属材料は、たとえばＮｉである。金属層４４は、たとえばめっき層４０２と同じ金属材料であってもよい。

　図２６および図２７に示すように、電子装置Ａ３０では、第１面４９１および第５面４９５は、第１配線部４Ａの配線層４３の上面のうち、第１配線部４Ａの金属層４４から露出した部分である。第２面４９２および第６面４９６は、第１配線部４Ａの金属層４４の上面である。図２６に示すように、第２面４９２および第６面４９６は、互いに繋がっている。

　図２６および図２７に示すように、電子装置Ａ３０では、第３面４９３は、第２配線部４Ｂの配線層４３の上面のうち、第２配線部４Ｂの金属層４４から露出した部分である。第４面４９４は、第２配線部４Ｂの金属層４４の上面である。

　図２６および図２７に示すように、電子装置Ａ３０では、第７面４９７は、第３配線部４Ｃの配線層４３の上面のうち、第３配線部４Ｃの金属層４４から露出した部分である。第８面４９８は、第３配線部４Ｃの金属層４４の上面である。

　電子装置Ａ３０では、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０と同様に、第１配線部４Ａは、第１面４９１および第２面４９２を有するので、接合部３Ａの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ３０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０と同様に、第２配線部４Ｂは、第３面４９３および第４面４９４を有するので、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ３０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０と同様に、第１配線部４Ａは、第５面４９５および第６面４９６を有するので、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ３０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０と同様に、第３配線部４Ｃは、第７面４９７および第８面４９８を有するので、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制できる。したがって、電子装置Ａ３０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０と同様に、信頼性の低下を抑制できる。その他、電子装置Ａ３０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０と共通する構成により、この電子装置Ａ１０，Ａ２０と同様の効果を奏する。

　図２８は、第４実施形態にかかる電子装置Ａ４０を示している。電子装置Ａ４０は、電子装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、複数の配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃ）はいずれも、突起部４２を含んでいない。第２に、本体部４１が凹部４５を有する。

　各配線部４（第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃの各々）において、凹部４５は、本体部４１の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）から窪む。複数の接合部３Ａ～３Ｄの一部ずつは、第１配線部４Ａ、第２配線部４Ｂおよび第３配線部４Ｃに形成された対応する凹部４５に収容されている。

　電子装置Ａ４０では、第１面４９１、第３面４９３、第５面４９５および第７面４９７はそれぞれ、複数の配線部４のいずれかの凹部４５の底面に相当する。第２面４９２、第４面４９４、第６面４９６および第７面４９７はそれぞれ、複数の配線部４のいずれかの本体部４１の上面である。たとえば、図２８に示すように、第１配線部４Ａに形成された２つの凹部４５のうちの、一方の底面が第１面４９１であり、他方の底面が第５面４９５である。第１配線部４Ａの突起部４２の上面が、第２面４９２および第６面４９６である。

　電子装置Ａ４０では、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、第１配線部４Ａは、第１面４９１および第２面４９２を有するので、接合部３Ａの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ４０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、第２配線部４Ｂは、第３面４９３および第４面４９４を有するので、接合部３Ｂの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ４０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、第１配線部４Ａは、第５面４９５および第６面４９６を有するので、接合部３Ｄの厚さ不足を抑制できる。電子装置Ａ４０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、第３配線部４Ｃは、第７面４９７および第８面４９８を有するので、接合部３Ｃの厚さ不足を抑制できる。したがって、電子装置Ａ４０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様に、信頼性の低下を抑制できる。その他、電子装置Ａ４０は、他の電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と共通する構成により、この電子装置Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０と同様の効果を奏する。

　上記第１ないし第４実施形態（これらの変形例を含む）では、複数の配線部４が、第１面４９１および第２面４９２、第３面４９３および第４面４９４、第５面４９５および第６面４９６、第７面４９７および第８面４９８の全ての組を有する例を示したが、本開示の電子装置は、これらのいずれか一組以上を有していればよい。複数の接合部３の流出度合いを考慮して、適宜、複数の配線部４に、第１面４９１および第２面４９２、あるいは、第３面４９３および第４面４９４、あるいは、第５面４９５および第６面４９６、あるいは、第７面４９７および第８面４９８を形成すればよい。たとえば、図２９には、第１面４９１および第２面４９２と、第５面４９５および第６面４９６との二組を有する電子装置を示している。先述の通り、第１配線部４Ａには、第１電子部品１Ａの電極１１および第２電子部品１Ｂの電極１２の両方が接合されており、このような構成では、他の接合部３Ｂ，３Ｃよりも各接合部３Ａ，３Ｄは、厚さ不足になりやすい。そのため、図２９に示す例では、第１配線部４Ａにのみ、段差（第１面４９１と第２面４９２との段差および第５面４９５と第６面４９６との段差）を設けている。このように、各接合部３の流出度合いを考慮して、各配線部４に段差を設けてもよい。

　上記第１ないし第４実施形態（これらの変形例を含む）では、電子部品１の数は、２つである例を示したが、本開示の電子装置において、電子部品１の数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

　上記第１ないし第４実施形態（これらの変形例を含む）と異なる例において、電子装置は、少なくとも１つの電子部品１の他に、半導体素子を備えていてもよい。図３０は、半導体素子１９をさらに備えた電子装置を示している。半導体素子１９は、たとえばＬＳＩなどの集積回路である。この例と異なり、半導体素子１９は、ＬＤＯ（Low Drop Out）などの電圧制御用素子、オペアンプなどの増幅用素子、トランジスタおよびダイオードなどのディスクリート素子であってもよい。図３０に示す例では、半導体素子１９は、フリップチップ実装されている。したがって、本開示の電子装置は、電子部品だけを備えるものに限定されず、半導体素子をさらに備える構成を含む。

　本開示にかかる電子装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の電子装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。本開示の電子装置は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　第１電極を有する第１電子部品と、
　前記第１電極に導通する第１配線部と、
　前記第１電極と前記第１配線部とを接合する第１接合部と、
を備え、
　前記第１配線部は、各々が当該第１配線部の厚さ方向の一方を向く第１面および第２面を有し、
　前記第１接合部は、前記厚さ方向に見て前記第１面に重なり、
　前記第２面は、前記第１面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ、前記厚さ方向に見て前記第１面の周縁の少なくとも一部に配置される、電子装置。
　付記２．
　前記第１配線部は、前記第１面を有する本体部と、前記第２面を有する突起部とを含み、
　前記突起部は、前記本体部から前記厚さ方向の一方に突き出る、付記１に記載の電子装置。
　付記３．
　前記本体部は、第１めっき層を有し、
　前記突起部は、前記第１めっき層と同じ材料を含む、付記２に記載の電子装置。
　付記４．
　前記第１面と前記第１接合部との間に介在する第２めっき層をさらに備え、
　前記厚さ方向に見て、前記第２めっき層の周縁は、前記第２面によって区画される領域に内包されている、付記２または付記３に記載の電子装置。
　付記５．
　前記第１配線部は、前記第１面を有する配線層と、前記配線層上に形成され且つ前記第２面を有する金属層とを含む、付記１に記載の電子装置。
　付記６．
　前記第１電極は、前記第１電子部品において前記厚さ方向に直交する第１方向の一方の端部に配置されている、付記１ないし付記５のいずれかに記載の電子装置。
　付記７．
　前記第１面の前記周縁は、前記厚さ方向に見て、前記第１電極よりも前記第１方向の前記一方に位置し、且つ、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に延びる第１端縁を有し、
　前記第２面は、前記第１端縁に沿って形成された第１部を有する、付記６に記載の電子装置。
　付記８．
　前記第１面の前記周縁は、各々が前記第１方向に延びる一対の第２端縁を有し、
　前記一対の第２端縁は、前記第２方向に離間し、且つ、前記第１端縁に繋がり、
　前記第２面は、各々が前記第１部に繋がる一対の第２部を有し、
　前記一対の第２部は、前記一対の第２端縁の各々に沿ってそれぞれ個別に形成されている、付記７に記載の電子装置。
　付記９．
　前記第２面は、前記第１面の前記周縁の全てに沿って形成されている、付記８に記載の電子装置。
　付記１０．
　前記第１配線部から離間する第２配線部と、
　前記第１電子部品を前記第２配線部に接合する第２接合部と、をさらに備え、
　前記第１電子部品は、前記第１方向の他方の端部に配置された第２電極を有し、
　前記第２接合部は、前記第２電極と前記第２配線部とを接合する、
　前記第２配線部は、各々が前記厚さ方向の前記一方を向く第３面および第４面を有し、
　前記第２接合部は、前記第３面に接しており、
　前記第４面は、前記第３面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ前記厚さ方向に見て前記第３面の周縁の少なくとも一部に配置される、付記６ないし付記９のいずれかに記載の電子装置。
　付記１１．
　第３電極を有する第２電子部品と、
　前記第３電極と前記第１配線部とを接合する第３接合部と、をさらに備える、付記１ないし付記１０のいずれかに記載の電子装置。
　付記１２．
　前記第１配線部は、各々が前記厚さ方向の前記一方を向く第５面および第６面を有し、
　前記第３接合部は、前記第５面に接しており、
　前記第６面は、前記第５面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ前記厚さ方向に見て前記第５面の周縁の少なくとも一部に配置される、付記１１に記載の電子装置。
　付記１３．
　前記第２面と前記第６面とは、前記第１接合部と前記第３接合部との間に配置される、付記１２に記載の電子装置。
　付記１４．
　前記第１面と前記第５面とは、前記厚さ方向に直交する第１仮想平面に配置され、
　前記第２面と前記第６面とは、前記厚さ方向に直交する第２仮想平面に配置される、付記１３に記載の電子装置。
　付記１５．
　前記第２面と前記第６面とは、互いに繋がる、付記１３に記載の電子装置。
　付記１６．
　前記第２面と前記第６面とは、互いに離れている、付記１４または付記１５に記載の電子装置。
　付記１７．
　前記第１接合部は、はんだを含む、付記１ないし付記１６のいずれかに記載の電子装置。

Ａ１０～Ａ１３，Ａ２０，Ａ２１，Ａ３０，Ａ４０：電子装置
１：電子部品　　　　１Ａ：第１電子部品
１Ｂ：第２電子部品　　　　１１，１２：電極
１９：半導体素子　　　　２：支持部材
２１：搭載面　　　　２２：裏面
２３：側面　　　　３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ：接合部
３１：介在部　　　　３２：フィレット部
４：配線部　　　　４Ａ：第１配線部
４Ｂ：第２配線部　　　　４Ｃ：第３配線部
４１：本体部　　　　４０１：シード層　　　　４０２：めっき層
４２，４２１Ａ，４２１Ｂ，４２２，４２３：突起部
４３：配線層　　　　４４：金属層
４５：凹部　　　　４９１：第１面
４９１ａ：第１端縁　　　　４９１ｂ：第２端縁
４９１ｃ：第３端縁　　　　４９２：第２面
４９２ａ：第１部　　　　４９２ｂ：第２部
４９２ｃ：第３部　　　　４９３：第３面
４９３ａ：第４端縁　　　　４９３ｂ：第５端縁
４９３ｃ：第６端縁　　　　４９４：第４面
４９４ａ：第４部　　　　４９４ｂ：第５部
４９４ｃ：第６部　　　　４９５：第５面
４９５ａ：第７端縁　　　　４９５ｂ：第８端縁
４９５ｃ：第９端縁　　　　４９６：第６面
４９６ａ：第７部　　　　４９６ｂ：第８部
４９６ｃ：第９部　　　　４９７：第７面
４９７ａ：第１０端縁　　　　４９７ｂ：第１１端縁
４９７ｃ：第１２端縁　　　　４９８：第８面
４９８ａ：第１０部　　　　４９８ｂ：第１１部
４９８ｃ：第１２部　　　　５：端子
５１：柱状部　　　　５２：外部電極部
６：封止樹脂　　　　６１：樹脂主面
６２：樹脂裏面　　　　６３：樹脂側面
７１，７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃ，７１Ｄ：めっき層
８０：支持基板　　　　８０ａ：基板主面
８０ｂ：基板裏面

Claims

　第１電極を有する第１電子部品と、
　前記第１電極に導通する第１配線部と、
　前記第１電極と前記第１配線部とを接合する第１接合部と、
を備え、
　前記第１配線部は、各々が当該第１配線部の厚さ方向の一方を向く第１面および第２面を有し、
　前記第１接合部は、前記厚さ方向に見て前記第１面に重なり、
　前記第２面は、前記第１面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ、前記厚さ方向に見て前記第１面の周縁の少なくとも一部に配置される、電子装置。
　前記第１配線部は、前記第１面を有する本体部と、前記第２面を有する突起部とを含み、
　前記突起部は、前記本体部から前記厚さ方向の一方に突き出る、請求項１に記載の電子装置。
　前記本体部は、第１めっき層を有し、
　前記突起部は、前記第１めっき層と同じ材料を含む、請求項２に記載の電子装置。
　前記第１面と前記第１接合部との間に介在する第２めっき層をさらに備え、
　前記厚さ方向に見て、前記第２めっき層の周縁は、前記第２面によって区画される領域に内包されている、請求項２または請求項３に記載の電子装置。
　前記第１配線部は、前記第１面を有する配線層と、前記配線層上に形成され且つ前記第２面を有する金属層とを含む、請求項１に記載の電子装置。
　前記第１電極は、前記第１電子部品において前記厚さ方向に直交する第１方向の一方の端部に配置されている、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子装置。
　前記第１面の前記周縁は、前記厚さ方向に見て、前記第１電極よりも前記第１方向の前記一方に位置し、且つ、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に延びる第１端縁を有し、
　前記第２面は、前記第１端縁に沿って形成された第１部を有する、請求項６に記載の電子装置。
　前記第１面の前記周縁は、各々が前記第１方向に延びる一対の第２端縁を有し、
　前記一対の第２端縁は、前記第２方向に離間し、且つ、前記第１端縁に繋がり、
　前記第２面は、各々が前記第１部に繋がる一対の第２部を有し、
　前記一対の第２部は、前記一対の第２端縁の各々に沿ってそれぞれ個別に形成されている、請求項７に記載の電子装置。
　前記第２面は、前記第１面の前記周縁の全てに沿って形成されている、請求項８に記載の電子装置。
　前記第１配線部から離間する第２配線部と、
　前記第１電子部品を前記第２配線部に接合する第２接合部と、をさらに備え、
　前記第１電子部品は、前記第１方向の他方の端部に配置された第２電極を有し、
　前記第２接合部は、前記第２電極と前記第２配線部とを接合する、
　前記第２配線部は、各々が前記厚さ方向の前記一方を向く第３面および第４面を有し、
　前記第２接合部は、前記第３面に接しており、
　前記第４面は、前記第３面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ前記厚さ方向に見て前記第３面の周縁の少なくとも一部に配置される、請求項６ないし請求項９のいずれかに記載の電子装置。
　第３電極を有する第２電子部品と、
　前記第３電極と前記第１配線部とを接合する第３接合部と、をさらに備える、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の電子装置。
　前記第１配線部は、各々が前記厚さ方向の前記一方を向く第５面および第６面を有し、
　前記第３接合部は、前記第５面に接しており、
　前記第６面は、前記第５面よりも前記厚さ方向の前記一方に位置し、且つ前記厚さ方向に見て前記第５面の周縁の少なくとも一部に配置される、請求項１１に記載の電子装置。
　前記第２面と前記第６面とは、前記第１接合部と前記第３接合部との間に配置される、請求項１２に記載の電子装置。
　前記第１面と前記第５面とは、前記厚さ方向に直交する第１仮想平面に配置され、
　前記第２面と前記第６面とは、前記厚さ方向に直交する第２仮想平面に配置される、請求項１３に記載の電子装置。
　前記第２面と前記第６面とは、互いに繋がる、請求項１３に記載の電子装置。
　前記第２面と前記第６面とは、互いに離れている、請求項１４または請求項１５に記載の電子装置。
　前記第１接合部は、はんだを含む、請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の電子装置。