WO2024147178A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

有機ＥＬ表示装置（１）は、基板層（１０）上に順に設けられたＴＦＴ層（２０）および発光素子層（６０）を備える。基板層の背面側には、カメラ（３）が配置される。表示領域のうち第１表示領域（ＤＡ１）内側の第２表示領域（ＤＡ２）は、カメラが受ける外光を透過する。第２表示領域（ＤＡ２）には、ＴＦＴ（５０）と有機ＥＬ素子（７０）とを電気的に接続する接続線（４０ｒ）が設けられる。接続線は、透明配線層（ＴＬ１）を含む。第２表示領域の画素電極は、透明配線層に重ねて設けられる第１領域（ＰＢ１）と、透明配線層と同一層上に形成される第２領域（ＰＢ２）とを有する。

Description

表示装置

　本開示は、表示装置に関する。

　近年、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；以下、ＥＬと称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、スマートフォンやタブレット端末といった情報端末のディスプレイとして利用される場合、またはテレビ電話やテレビ会議といった双方向通信のコミュニケーションを行うためのディスプレイとして利用される場合に、画像を表示する正面側を撮影するカメラ、いわゆるインカメラと組み合わせられる。

　インカメラ付きの有機ＥＬ表示装置においては、当該装置の背面側の平面視で表示領域と重なる位置にカメラを配置させることが提案される。このような有機ＥＬ表示装置の一例は、特許文献１に開示される。

特開２０２２－０４１８８６号公報

　上述したようなインカメラ付きの有機ＥＬ表示装置では、平面視で表示領域のカメラと重なる部分が外光を透過する透過領域とされる。この透過領域には、有機ＥＬ素子と画素回路とを接続する接続線が設けられる。当該接続線は、表示領域においてカメラに利用される光の透過率を高めるべく、光透過性を有する透明配線層によって構成されることが望ましい。有機ＥＬ素子がトップエミッション型である場合、有機ＥＬ素子を構成する画素電極は、光反射性を有する。そのため、画素電極と透明配線層とは別々に形成しなければならない。このような場合、画素電極は、平面視で透明配線層の内側に収まるように当該透明配線層に重ねて設けられる。

　しかし、そうした構成を採ると、個々の発光素子に係るアライメントマージンとして、透明導電層および画素電極の両パターン間のマージンと、画素電極およびその上層に設けられる構成要素の両パターン間のマージンとを合わせた分のマージンが必要となる。それ故、互いに隣り合う画素電極の間に比較的長い距離を確保せざるを得ない。その結果、表示装置における表示画像の高精細化が阻害される。この問題は、表示領域のうち透過領域外の一般的な部分において、透明配線層と同一層に同一材料により透明導電層を形成し、画素電極が透明導電層に重ねて設けられる場合にも、同様に生じる。

　本開示の目的は、光を利用する電子部品が表示領域の背面側に重ねて配置される表示装置において、表示領域での電子部品に利用される光の透過率を高め、且つ表示画像を高精細化することにある。

　本開示は、表示装置を対象とする。本開示に係る第１の態様の表示装置は、基板と、前記基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層上に設けられた発光素子層とを備える。前記薄膜トランジスタ層には複数の薄膜トランジスタが、前記発光素子層には複数の発光素子が、表示領域をなす複数のサブ画素に対応してそれぞれ設けられる。平面視で前記表示領域に重なる位置において、前記基板の背面側には、光を利用する電子部品が配置される。前記表示領域は、第１表示領域と、該第１表示領域の内側に設けられ、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域とを有する。前記第２表示領域には、前記薄膜トランジスタと前記発光素子とを電気的に接続する接続線が設けられる。前記接続線は、光透過性を有する透明配線層を含む。前記第２表示領域の前記画素電極は、前記透明配線層に重ねて設けられる第１領域と、前記透明配線層と同一層上に形成される第２領域とを有する。

　また、本開示に係る第２の態様の表示装置は、基板と、前記基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層上に設けられた発光素子層とを備える。前記薄膜トランジスタ層には複数の薄膜トランジスタが、前記発光素子層には複数の発光素子が、表示領域をなす複数のサブ画素に対応してそれぞれ設けられる。平面視で前記表示領域に重なる位置において、前記基板の背面側には、光を利用する電子部品が配置される。前記表示領域は、第１表示領域と、該第１表示領域の内側に設けられ、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域とを有する。前記第２表示領域には、前記薄膜トランジスタと前記発光素子とを電気的に接続する接続線が設けられる。前記接続線は、光透過性を有する透明配線層を含む。前記第１表示領域の前記画素電極は、前記透明配線層と同一材料により同一層に形成された透明導電層に重ねて設けられる第１領域と、前記透明導電層と同一層上に形成される第２領域とを有する。

　本開示に係る表示装置によれば、表示領域での電子部品に利用される光の透過率を高め、且つ表示画像を高精細化できる。

図１は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の概略構成を例示する平面図である。 図２は、図１のII－II線における有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図３は、有機ＥＬ表示装置の第１表示領域における画素と各種の配線とを例示する平面図である。 図４は、図３のIV－IV線における有機ＥＬ表示装置の第１表示領域の断面図である。 図５は、画素回路を例示する等価回路図である。 図６は、有機ＥＬ表示装置の第２表示領域およびその周辺の概略構成を例示する平面図である。 図７は、図６のVIIで囲んだ有機ＥＬ表示装置の要部を例示する平面図である。 図８は、図７のVIII－VIII線における有機ＥＬ表示装置の要部の断面図である。 図９は、図７のIX－IX線における有機ＥＬ表示装置の要部の断面図である。 図１０は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１０の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１０の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１１は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１１の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１１の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１２は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１２の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１２の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１３は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１３の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１３の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１４は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１４の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１４の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１５は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１５の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１５の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１６は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１６の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１６の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１７は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１７の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１７の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１８は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１８の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１８の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図１９は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図１９の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図１９の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図２０は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図２０の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図２０の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図２１は、実施形態２の有機ＥＬ表示装置の第１表示領域の図４に相当する断面図である。 図２２は、実施形態２の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図２２の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図２２の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図２３は、実施形態２の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図２３の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図２３の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図２４は、実施形態３の有機ＥＬ表示装置の第１表示領域の図４に相当する断面図である。 図２５は、実施形態３の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図２５の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図２５の左側は図８に相当する部分の断面図である。 図２６は、実施形態３の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図２６の右側は図４に相当する部分の断面図であり、図２６の左側は図８に相当する部分の断面図である。

　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、本開示に係る表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。なお、図面は、本開示の技術を概念的に説明するためのものである。よって、図面は、本開示の技術を容易にするために寸法、比または数を、誇張あるいは簡略化して表す場合がある。

　以下の実施形態において、「第１方向」とは、表示装置の所定の使用状態の向きでの画面の横方向を意味する。「第２方向」とは、第１方向と直交する方向であり、表示装置の所定の使用状態の向きでの画面の縦方向を意味する。サブ画素などの構成要素の行とは、第１方向に一列をなす複数の構成要素の横の並びを意味する。サブ画素などの構成要素の列とは、第２方向に一列をなす複数の構成要素の縦の並びを意味する。

　以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素の上に、他の膜や層、素子などの構成要素が設けられる、または形成されるとする記載は、或る構成要素の直上に他の構成要素が存在する場合のみを意味するのではなく、それら両方の構成要素の間に、それら以外の膜や層、素子などの構成要素が介在される場合も含む。

　また、以下の実施形態において、或る構成要素が他の構成要素に接続されるとする記載は、特に断らない限り、電気的に接続されることを意味する。当該記載は、本開示の技術の要旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、それら以外の構成要素を介した間接的な接続をも意味する。当該記載はさらに、或る構成要素に他の構成要素が一体化される、つまり或る構成要素の一部が他の構成要素を構成する場合も含む。

　また、以下の実施形態において、或る構成要素が他の構成要素と同一層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素と同一のプロセスによって形成されることを意味する。或る構成要素が他の構成要素の下層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素よりも先のプロセスによって形成されることを意味する。或る構成要素が他の構成要素の上層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素よりも後のプロセスによって形成されることを意味する。

　また、以下の実施形態において、或る構成要素が他の構成要素と同一である、または同等であるとする記載は、或る構成要素と他の構成要素とが完全に同一である状態、または完全に同等である状態のみを意味するのではなく、或る構成要素と他の構成要素とが製造ばらつきや公差の範囲内で変動するといった実質的に同一である状態、または実質的に同等である状態を含む。

　また、以下の実施形態において、第１、第２、第３…という記載は、これらの記載が付与された語句を区別するために用いられ、その語句の数や何らかの順序までも限定するものではない。

　《実施形態１》
　この実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、スマートフォンと呼ばれる多機能電話機やタブレット端末などのモバイル機器に使用される。有機ＥＬ表示装置１は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、テレビジョン装置など、その他の各種機器に使用されてもよい。

　　－有機ＥＬ表示装置の構成－
　図１および図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、カメラ３と組み合わせられ、カメラ３により画面の正面側を撮影可能なインカメラ付きの表示装置を構成する。有機ＥＬ表示装置１は、表示領域ＤＡと、額縁領域ＦＡとを有する。

　表示領域ＤＡは、画像を表示する領域である。表示領域ＤＡは、画面を構成する。表示領域ＤＡは、例えば矩形状に設けられる。表示領域ＤＡは、少なくとも１つの辺が円弧状になった形状、少なくとも１つの角部が円弧状になった形状、少なくとも１つの辺に切欠きがある形状などの略矩形状、その他の任意の形状であってもよい。

　図３に示すように、表示領域ＤＡは、複数の画素ＰＸによって構成される。複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配列される。各画素ＰＸは、３つのサブ画素ＳＰによって構成される。３つのサブ画素ＳＰは、赤色に発光するサブ画素ＳＰｒと、緑色に発光するサブ画素ＳＰｇと、青色に発光するサブ画素ＳＰｂとである。これら３つのサブ画素ＳＰｒ、ＳＰｇ、ＳＰｂは、例えばストライプ状に配列される。

　図１および図２に示すように、カメラ３は、有機ＥＬ表示装置１を構成する基板層１０の背面側において、平面視で表示領域ＤＡに重なる位置に配置される。カメラ３は、光を利用する電子部品の一例である。カメラ３は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）などのイメージセンサを有する。カメラ３は、有機ＥＬ表示装置１を収容する筐体（不図示）の内部に設置される。

　表示領域ＤＡは、第１表示領域ＤＡ１と、第２表示領域ＤＡ２とを有する。第１表示領域ＤＡ１は、表示領域ＤＡの大部分を占める領域である。第２表示領域ＤＡ２は、第１表示領域ＤＡ１の内側に設けられる。第２表示領域ＤＡ２は、カメラ３に利用される光を透過する部分を含む領域である。第２表示領域ＤＡ２は、例えば表示領域ＤＡの一方側（図１で上側）に矩形状に設けられる。第２表示領域ＤＡ２は、円形や楕円形など、その他の形状であってもよい。

　額縁領域ＦＡは、画面以外の非表示部分を構成する領域である。額縁領域ＦＡは、例えば矩形枠状に設けられる。額縁領域ＦＡは、矩形以外の枠形状とされてもよい。額縁領域ＦＡは、端子部ＴＰと、折り曲げ部ＢＰとを含む。端子部ＴＰは、外部回路（表示制御回路など）と接続するための部分である。端子部ＴＰは、額縁領域ＦＡの一辺を構成する部分の外縁寄りの位置に、当該一辺に沿って第１方向Ｘに延びるように設けられる。

　折り曲げ部ＢＰは、額縁領域ＦＡにおける端子部ＴＰと表示領域ＤＡとの間に設けられる。折り曲げ部ＢＰは、第１方向Ｘに延びる折り曲げ軸周りに折り曲げられる部分である。折り曲げ部ＢＰは、額縁領域ＦＡの第１方向Ｘにおける全体に亘るように横長に延びる。図示しないが、折り曲げ部ＢＰでは、ＴＦＴ層２０を構成する無機絶縁膜が除去され、他の部分よりも高い可撓性を得ている。

　有機ＥＬ表示装置１の額縁領域ＦＡは、折り曲げ部ＢＰでＵ字状をなすように、例えば１８０°程度折り曲げられる（図２に二点鎖線で示す）。そのことで、端子部ＴＰは、有機ＥＬ表示装置１の背面側に配置される。端子部ＴＰは、図示しないが、複数の端子を有する。端子部ＴＰには、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板ＣＢが接続される。

　有機ＥＬ表示装置１の額縁領域ＦＡには、駆動回路ＤＣが設けられる。駆動回路ＤＣは、額縁領域ＦＡにおいて、端子部ＴＰが設けられた辺と隣り合う辺（図１で左右の各辺）を構成する部分に配置される。駆動回路ＤＣは、後述するＴＦＴ層２０の一部として、モノリシックに形成される。駆動回路ＤＣは、ゲートドライバおよびエミッションドライバを含む。

　有機ＥＬ表示装置１の額縁領域ＦＡには、第１額縁線４０ｆａと、第２額縁線４０ｆｂとが設けられる。第１額縁線４０ｆａおよび第２額縁線４０ｆｂはそれぞれ、表示領域ＤＡを囲むように形成され、端子部ＴＰへと延びる。第１額縁線４０ｆａには、ハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が配線基板ＣＢを介して供給される。第２額縁線４０ｆｂには、ローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が配線基板ＣＢを介して供給される。

　有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス駆動方式を採用する。有機ＥＬ表示装置１では、個々のサブ画素ＳＰの発光を薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、ＴＦＴと称する）５０により制御し、ＴＦＴ５０の動作により画像表示を行う。図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、基板層１０と、ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）２０と、発光素子層６０と、封止膜８０とを備える。

　　〈基板層〉
　基板層１０は、有機ＥＬ表示装置１のベースをなす層である。基板層１０は、基板の一例である。基板層１０は、光透過性（本例では可視光の透過性を意味する；以下同じ）および可撓性を併せ持つ。基板層１０は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂材料によって形成される。基板層１０の背面には、光透過性を有する保護フィルム１１（後に参照する図４、図８、図９、図２１、図２４では不図示）が貼り付けられる。

　　〈ＴＦＴ層〉
　ＴＦＴ層２０は、基板層１０上に設けられる。ＴＦＴ層２０は、上述した駆動回路ＤＣを含む。ＴＦＴ層２０はさらに、各種の配線４０を含む。

　各種の配線４０には、上述した第１額縁線４０ｆａおよび第２額縁線４０ｆｂが含まれる。その他、各種の配線４０としては、図３に示す複数のゲート線４０ｇと、複数の発光制御線４０ｅと、複数の電源線４０ｐと、複数のソース線４０ｓとが設けられる。ゲート線４０ｇおよび発光制御線４０ｅは、第１金属線の一例である。ソース線４０ｓおよび電源線４０ｐは、第２金属線の一例である。

　複数のゲート線４０ｇはそれぞれ、ゲート信号を伝達する配線である。複数のゲート線４０ｇは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに互いに間隔をあけて配置され、第１方向Ｘに互いに平行に延びる。ゲート線４０ｇは、サブ画素ＳＰの行ごとに設けられる。各ゲート線４０ｇは、駆動回路ＤＣのゲートドライバに接続される。

　複数の発光制御線４０ｅはそれぞれ、エミッション信号を伝達する配線である。複数の発光制御線４０ｅは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに互いに間隔をあけて配置され、第１方向Ｘに互いに平行に延びる。発光制御線４０ｅは、サブ画素ＳＰの行ごとに設けられる。各発光制御線４０ｅは、駆動回路ＤＣのエミッションドライバに接続される。

　複数の電源線４０ｐはそれぞれ、所定のハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）を印加する配線である。複数の電源線４０ｐは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに互いに間隔をあけて配置され、第２方向Ｙに互いに平行に延びる。電源線４０ｐは、サブ画素ＳＰの列ごとに設けられる。各電源線４０ｐは、第１額縁線４０ｆａに接続される。

　複数のソース線４０ｓはそれぞれ、ソース信号を伝達する配線である。複数のソース線４０ｓは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに互いに間隔をあけて配置され、第２方向Ｙに互いに平行に延びる。ソース線４０ｓは、サブ画素ＳＰの列ごとに設けられる。各ソース線４０ｓは、端子部ＴＰに引き出され、配線基板ＣＢを介して表示制御回路（ソースドライバ）に接続される。

　図４、図８および図９に示すように、ＴＦＴ層２０にさらに、複数のＴＦＴ５０と、複数のキャパシタ５１と、第１平坦化膜５４と、第２平坦化膜５６と、第３平坦化膜５８と、複数の接続線４０ｒとを含む。

　複数のＴＦＴ５０は、複数のサブ画素ＳＰに対応して設けられる。ＴＦＴ５０は、サブ画素ＳＰごとに複数設けられる。本例において、サブ画素ＳＰごとに設けられた複数のＴＦＴ５０は、第１ＴＦＴ５０Ａと、第２ＴＦＴ５０Ｂと、第３ＴＦＴ５０Ｃとである。例えば、第１ＴＦＴ５０Ａ、第２ＴＦＴ５０Ｂおよび第３ＴＦＴ５０Ｃはいずれも、トップゲート型に構成される。図示しないが、第１ＴＦＴ５０Ａ、第２ＴＦＴ５０Ｂおよび第３ＴＦＴ５０Ｃはそれぞれ、ゲート電極と、第１端子電極と、第２端子電極とを備える。

　キャパシタ５１は、サブ画素ＳＰごとに少なくとも１つ設けられる。図示しないが、キャパシタ５１は、第１容量電極と、第２容量電極とを備える。第１容量電極と第２容量電極とは、ＴＦＴ層２０に含まれる絶縁膜（不図示）を介して互いに重なり合う。第１容量電極および第２容量電極はそれぞれ、他の電極または配線の一部によって構成されてもよい。

　第１平坦化膜５４は、複数のＴＦＴ５０および複数のキャパシタ５１を覆うように設けられる。第２平坦化膜５６および第３平坦化膜５８は、この順で第１平坦化膜５４上に積層される。第１平坦化膜５４、第２平坦化膜５６および第３平坦化膜５８は、表示領域ＤＡの全体に亘って広がる。ＴＦＴ層２０の表面は、第１平坦化膜５４、第２平坦化膜５６および第３平坦化膜５８によって平坦化される。

　接続線４０ｒは、所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）と有機ＥＬ素子７０とを接続する配線であり、第１表示領域ＤＡ１および第２表示領域ＤＡ２のそれぞれに複数設けられる。第１表示領域ＤＡ１の接続線４０ｒは、サブ画素ＳＰごとに設けられる。第２表示領域ＤＡ２の接続線４０ｒは、画素回路ＰＣごとに設けられる。

　複数の接続線４０ｒはそれぞれ、下層接続線４０ｒａと、中間接続線４０ｒｂと、上層接続線４０ｒｃとを有する。下層接続線４０ｒａ、中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃは、互いに異なる層に形成される。中間接続線４０ｒｂは、第２接続線に相当する。上層接続線４０ｒｃは、第１接続線に相当する。

　各下層接続線４０ｒａは、第１平坦化膜５４上に設けられる。下層接続線４０ｒａは、所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）と中間接続線４０ｒｂとを接続する配線であり、第２平坦化膜５６の下層に位置する。下層接続線４０ｒａは、第１表示領域ＤＡ１のサブ画素ＳＰごと、および第２表示領域ＤＡ２の画素回路ＰＣごとに、島状に形成される。各下層接続線４０ｒａは、第１平坦化膜５４に形成された第１コンタクトホールＨａを介して所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）に接続される。

　各中間接続線４０ｒｂは、第２平坦化膜５６上に設けられる。中間接続線４０ｒｂは、下層接続線４０ｒａと上層接続線４０ｒｃ、ひいては所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）とを接続する配線であり、第３平坦化膜５８の下層に位置する。中間接続線４０ｒｂは、第１表示領域ＤＡ１のサブ画素ＳＰごと、および第２表示領域ＤＡ２の画素回路ＰＣごとに、島状に形成される。各中間接続線４０ｒｂは、第２平坦化膜５６に形成された第２コンタクトホールＨｂを介して対応する下層接続線５５に接続される。

　各上層接続線４０ｒｃは、第３平坦化膜５８上に設けられる。上層接続線４０ｒｃは、中間接続線４０ｒｂと有機ＥＬ素子７０とを接続する配線であり、有機ＥＬ素子７０を構成する画素電極６１の下層に位置する。上層接続線４０ｒｃは、第１表示領域ＤＡ１のサブ画素ＳＰごと、および第２表示領域ＤＡ２の画素回路ＰＣごとに、島状に形成される。各上層接続線４０ｒｃは、画素電極６１に接続されると共に、第３平坦化膜５８に形成された第３コンタクトホールＨｃを介して対応する中間接続線４０ｒｂに接続される。

　上述した各種の配線および電極は、中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃを除いて、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属材料からなり、単層膜または積層膜によって構成される。中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１、透明導電層ＴＬ２）はそれぞれ、結晶化された透明導電材料からなり、単層膜または積層膜によって構成される。

　本例の中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１、透明導電層ＴＬ２）をなす透明導電材料はいずれも、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）である。このような中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１、透明導電層ＴＬ２）は、光透過性を有し、可視光領域波長の吸収の程度が少ない。下層接続線４０ｒａは、中間接続線４０ｒｂのパターニングに用いられるエッチング液に耐性を有する、つまり当該エッチング液により腐食されない又は腐食され難い金属材料（例えばチタン（Ｔｉ）を含む金属材料）からなることが好ましい。

　第１平坦化膜５４、第２平坦化膜５６および第３平坦化膜５８はそれぞれ、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂などの有機樹脂材料、またはポリシロキサン系のＳＯＧ（Spin On Glass）材料などからなる。第１平坦化膜５４、第２平坦化膜５６および第３平坦化膜５８のうち少なくとも２つの平坦化膜は、互いに同じ材料によって構成されてもよい。第１平坦化膜５４、第２平坦化膜５６および第３平坦化膜５８は、互いに異なる材料によって構成されてもよい。

　　〈発光素子層〉
　発光素子層６０は、ＴＦＴ層２０上に設けられる。図４に示すように、発光素子層６０は、複数の有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）７０と、エッジカバー７５とを含む。有機ＥＬ素子７０は、発光素子の一例である。有機ＥＬ素子７０は、トップエミッション型に構成される。有機ＥＬ素子７０では、有機ＥＬ層６２で発した光が封止膜８０側から取り出される。

　複数の有機ＥＬ素子７０は、複数のサブ画素ＳＰに対応して設けられる。個々の有機ＥＬ素子７０は、サブ画素ＳＰを構成する。そして、複数の有機ＥＬ素子７０は全体として、表示領域ＤＡを構成する。各有機ＥＬ素子７０の発光は、複数のＴＦＴ５０およびキャパシタ５１の動作により制御される。各有機ＥＬ素子７０は、画素電極６１と、有機ＥＬ層６２と、共通電極６３とを有する。

　画素電極６１は、各サブ画素ＳＰにおいて、第３平坦化膜５８上に設けられる。画素電極６１は、サブ画素ＳＰに対応してマトリクス状に配列される。画素電極６１は、下層接続線４０ｒａ、中間接続線４０ｒｂおよび下層接続線４０ｒｃを介して所定のＴＦＴ５０に接続される。画素電極６１は、陽極として機能し、有機ＥＬ層６２にホール（正孔）を注入する。

　本例の画素電極６１は、導電性積層体ＣＬにより構成される。導電性積層体ＣＬは、第１透明電極層６１ａと、反射電極層６１ｂと、第２透明電極層６１ｃとが順に積層されてなる。第１透明電極層６１ａ、反射電極層６１ｂおよび第２透明電極層６１ｃはいずれも、共通のエッチング液（例えばＰＡＮ系のエッチング液）によりエッチングされる性質を有する導電材料で形成される。

　第１透明電極層６１ａおよび第２透明電極層６１ｃはそれぞれ、光透過性を有する。本例の第１透明電極層６１ａおよび第２透明電極層６１ｃは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる。第１透明電極層６１ａおよび第２透明電極層６１ｃは、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）やインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）など、その他の透明導電材料によって形成されてもよい。反射電極層６１ｂは、光反射性を有する。本例の反射電極層６１ｂは、銀（Ａｇ）からなる。反射電極層６１ｂは、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金など、その他の光反射性を有する金属材料によって形成されてもよい。

　エッジカバー７５は、第２平坦化膜５６上に設けられる。エッジカバー７５は、複数の画素電極６１を区画するように格子状に形成される。エッジカバー７５は、画素電極６１の上層に位置し、各画素電極６１の外縁（周端部分）を覆う。エッジカバー７５は、各画素電極６１を部分的に露出させる複数の開口７６を有する。エッジカバー７５の各開口７６の周縁は、平面視で当該開口７６に対応する画素電極６１の外縁に囲まれる。エッジカバー７５の各開口７６の周縁と、当該開口７６に対応する画素電極６１の外縁との間には、アライメントマージンＭ１が設けられる。

　エッジカバー７５の表面の一部は、封止膜８０側に突出して、複数のフォトスペーサ７７を構成する。フォトスペーサ７７は、柱状の支持物であり、例えば、有機ＥＬ表示装置１の製造において、有機ＥＬ層６２を構成する機能層（例えば発光層）を形成するのに用いられる成膜用マスクと成膜対象の表面との間隔を保つ役割を果たす。フォトスペーサ７７は、第１表示領域ＤＡ１および第２表示領域ＤＡ２のそれぞれに所定の配列で複数設けられ、額縁領域ＦＡにも複数設けられる。

　エッジカバー７５における各開口７６の周縁は、平面視で対応する画素電極６１の外縁に囲まれる。また、エッジカバー７５における各開口７６の周縁は、平面視で対応する透明導電層ＴＬ２の内側に位置してもよく、当該透明導電層ＴＬ２の外側に位置してもよい。エッジカバー７５は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂などの有機樹脂材料、またはポリシロキサン系のＳＯＧ材料などからなる。

　有機ＥＬ層６２は、エッジカバー７５の開口７６内で個々の画素電極６１上に設けられる。有機ＥＬ層６２は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を有する。正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層は、この順で画素電極６１上に積層され、各々の機能に適した公知の化合物からなる。有機ＥＬ層６２は、画素電極６１と共通電極６３との間に電流を印加することで発光する。

　共通電極６３は、表示領域ＤＡの全体に亘り複数のサブ画素ＳＰに共通して一続きに設けられる。共通電極６３は、エッジカバー７５および各有機ＥＬ層６２を覆い、有機ＥＬ層６２を介して各画素電極６１と重なる。共通電極６３は、額縁領域ＦＡにまで広がり、第２額縁線４０ｆｂに接続される。共通電極６３は、陰極として機能し、有機ＥＬ層６２に電子を注入する。共通電極６３には、仕事関数の小さな導電材料を用いることが好ましい。

　共通電極６３の材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物が挙げられる。共通電極６３の材料は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの金属であってもよい。共通電極６３の材料は、金属化合物や合金であってもよい。共通電極６３は、導電材料からなる層を複数積層して形成されてもよい。

　　〈封止膜〉
　封止膜８０は、発光素子層６０上に設けられる。図４に示すように、封止膜８０は、複数の有機ＥＬ素子７０を覆い、各有機ＥＬ素子７０（特に有機ＥＬ層６２）を水分や酸素などから保護する。封止膜８０は、表示領域ＤＡの全体に設けられ、額縁領域ＦＡにまで広がる。封止膜８０は、例えばＴＦＥ（Thin Film Encapsulation）構造を有する。封止膜８０は、第１無機膜８１と、有機膜８２と、第２無機膜８３とを有する。第１無機膜８１、有機膜８２および第２無機膜８３は、この順で発光素子層６０上に設けられる。

　第１無機膜８１および第２無機膜８３は、有機膜８２よりも額縁領域ＦＡの外周側に延び、額縁領域ＦＡの周縁部分で互いに重なる。有機膜８２は、第１無機膜８１および第２無機膜８３によって包み込まれる。第１無機膜８１および第２無機膜８３はそれぞれ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる。有機膜８２は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの有機樹脂材料からなる。

　　〈画素回路〉
　各サブ画素ＳＰに設けられた複数のＴＦＴ５０およびキャパシタ５１は、図５に示すような画素回路ＰＣを構成する。画素回路ＰＣは、各種の配線によって供給されるゲート信号、エミッション信号、ソース信号、ハイレベル電源電圧およびローレベル電源電圧に基づいて、有機ＥＬ素子７０の発光を制御する。

　図５に示す等価回路図では、ＴＦＴ５０の第１端子電極を丸付き数字の１で示し、ＴＦＴ５０の第２端子電極を丸付き数字の２で示す。また、図５に示す等価回路図では、キャパシタ５１の第１容量電極を四角付き数字の１で示し、キャパシタ５１の第２容量電極を四角付き数字の２で示す。

　第１ＴＦＴ５０Ａのゲート電極は、対応するゲート線４０ｇに接続される。第１ＴＦＴ５０Ａの第１端子電極は、対応するソース線４０ｓに接続される。第１ＴＦＴ５０Ａの第２端子電極は、対応する第２ＴＦＴ５０Ｂに接続される。第２ＴＦＴ５０Ｂのゲート電極は、対応する第１ＴＦＴ５０Ａの第２端子電極に接続される。第２ＴＦＴ５０Ｂの第１端子電極は、対応する電源線４０ｐに接続される。第２ＴＦＴ５０Ｂの第２端子電極は、対応する第３ＴＦＴ５０Ｃに接続される。

　第３ＴＦＴ５０Ｃのゲート電極は、対応する発光制御線４０ｅに接続される。第３ＴＦＴ５０Ｃの第１端子電極は、対応する第２ＴＦＴ５０Ｂの第２端子電極に接続される。第３ＴＦＴ５０Ｃの第２端子電極は、対応する有機ＥＬ素子７０（画素電極６１）に接続される。キャパシタ５１の第１容量電極は、電源線４０ｐに接続される。キャパシタ５１の第２容量電極は、第１ＴＦＴ５０Ａの第２端子電極および第２ＴＦＴ５０Ｂのゲート電極に接続される。

　　〈有機ＥＬ素子および画素回路の配置構成〉
　図６に示すように、第２表示領域ＤＡ２においては、有機ＥＬ素子７０および画素回路ＰＣの配置関係が第１表示領域ＤＡ１と相違し、各種の配線の延び方が変則的（イレギュラー）である。図６には、第２表示領域ＤＡ２およびその周囲の第１表示領域ＤＡ１における有機ＥＬ素子７０および画素回路ＰＣの配置関係を概略的に例示する。

　図６に示す模式図では、便宜上、有機ＥＬ素子７０を円形のシンボル図形で示し、画素回路ＰＣを矩形のシンボル図形で示す。また、図６の模式図では、赤色に発光する有機ＥＬ素子７０に左傾斜ハッチングを付し、緑色に発光する有機ＥＬ素子７０にドットハッチングを付し、青色に発光する有機ＥＬ素子７０に右傾斜ハッチングを付す。

　図６の模式図では、便宜上、ゲート線４０ｇおよび発光制御線４０ｅを、代表した１本の配線（第１金属線４０Ｘ）として一点鎖線で示す。ゲート線４０ｇおよび発光制御線４０ｅはそれぞれ、第１金属線４０Ｘと同様な形状に延びる。また、図６の模式図では、便宜上、ソース線４０ｓおよび電源線４０ｐを、代表した１本の配線（第２金属線４０Ｙ）として破線で示す。ソース線４０ｓおよび電源線４０ｐはそれぞれ、第２金属線４０Ｙと同様な形状に延びる。

　第１表示領域ＤＡ１では、画素回路ＰＣが、対応する有機ＥＬ素子７０に平面視で重なる箇所およびその近傍周辺に配置される。このことは、図６において、有機ＥＬ素子７０と画素回路ＰＣとを重ねた図示で示される。すなわち、第１表示領域ＤＡ１において、各画素回路ＰＣは、対応する有機ＥＬ素子７０がなすサブ画素ＳＰと重なる位置に設けられる。

　図４に示すように、第１表示領域ＤＡ１において、各接続線４０ｒを構成する下層接続線４０ｒａ、中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃは、対応する画素電極６１と平面視で重なる領域またはその周囲に位置し、局所的な範囲で互いに接続される。これにより、各接続線４０ｒは、所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）の直上またはその周辺で当該ＴＦＴ５０から第３平坦化膜５８上に引き出され、当該ＴＦＴ５０と画素電極６１とを接続する。

　第１表示領域ＤＡ１の各上層接続線４０ｒｃは、透明導電層ＴＬ２によって構成される。透明導電層ＴＬ２は、後述する透明配線層ＴＬ１に付随する副次物である。透明導電層ＴＬ２は、第１表示領域ＤＡ１のサブ画素ＳＰごとに島状に形成される。透明導電層ＴＬ２は、画素電極６１と相似形とされ、画素電極６１よりも一回り小さい面積を有する。第１表示領域ＤＡ１の各画素電極６１は、対応する透明導電層ＴＬ２に重ねて設けられる。

　当該各画素電極６１は、透明導電層ＴＬ２の全体に被さり、透明導電層ＴＬ２の周辺にも広がる。当該各画素電極６１は、対応する透明導電層ＴＬ２の外縁の少なくとも一部を覆う。本例の当該各画素電極６１は、対応する透明導電層ＴＬ２の外縁（周端面）を全周に亘って覆う。当該各画素電極６１の外縁は、平面視で対応する透明導電層ＴＬ２の外縁の全周を囲む。

　当該各画素電極６１は、第１領域ＰＡ１と、第２領域ＰＡ２とを有する。第１領域ＰＡ１は、画素電極６１のうち透明導電層ＴＬ２に重ねて設けられる領域である。第２領域ＰＡ２は、画素電極６１のうち透明導電層ＴＬ２と同一層上に形成される領域である。本例では、当該各画素電極６１の第２領域ＰＡ２は、第３平坦化膜５８の表面に形成され、第１領域ＰＡ１の全周に広がる枠状とされる。そして、当該第２領域ＰＡ２の内周部分が、透明導電層ＴＬ２の周端面にかかる。

　図６に示すように、第２表示領域ＤＡ２では、画素回路ＰＣが、対応する有機ＥＬ素子７０と平面視で重ならない離間した箇所に配置される。第２表示領域ＤＡ２において、各サブ画素ＳＰをなす有機ＥＬ素子７０が配置される領域と、それら各有機ＥＬ素子７０に対応する複数の画素回路ＰＣが配置される領域とは、互いに分けて設けられる。

　具体的には、第２表示領域ＤＡ２は、発光素子領域ＥＡと、回路配置領域ＣＡとを含む。発光素子領域ＥＡは、第２表示領域ＤＡ２の中央部分に設けられる。発光素子領域ＥＡには、複数の有機ＥＬ素子７０が配置される。回路配置領域ＣＡは、発光素子領域ＥＡの周囲に設けられる。回路配置領域ＣＡには、複数の画素回路ＰＣが設けられる。それら各画素回路ＰＣは、発光素子領域ＥＡに配置された有機ＥＬ素子７０の発光を制御するものである。

　発光素子領域ＥＡには、隣り合う２つの有機ＥＬ素子７０を１セットとして、複数セットの有機ＥＬ素子７０が配置される。各セットをなす２つの有機ＥＬ素子７０は、第１方向Ｘに並べて配置される。それら２つの有機ＥＬ素子７０による発光は、互いに同色である。回路配置領域ＣＡの画素回路ＰＣは、有機ＥＬ素子７０のセットごとに設けられ、当該セットの２つの有機ＥＬ素子７０の発光を共通に制御する。

　第２表示領域ＤＡ２の接続線４０ｒは、有機ＥＬ素子７０のセットと画素回路ＰＣとの組ごとに設けられる。それら各接続線４０ｒは、各セットの有機ＥＬ素子７０と画素回路ＰＣ、厳密には所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）とを接続する。第２表示領域ＤＡ２における複数の上層接続線４０ｒｃはそれぞれ、対応するセットをなす２つの有機ＥＬ素子７０にそれぞれ接続され、それら２つの有機ＥＬ素子７０を互いに接続する。各セットをなす２つの有機ＥＬ素子７０は、共通の上層接続線４０ｒｃに接続される。

　第２表示領域ＤＡ２における複数の中間接続線４０ｒｂはそれぞれ、図９にも示すように、発光素子領域ＥＡから回路配置領域ＣＡに引き出され、回路配置領域ＣＡで下層接続線４０ｒａを経由して所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）に接続される。図７に示すように、第２表示領域ＤＡ２において、互いに接続されない中間接続線４０ｒｂと上層接続線４０ｒｃとのいくつかは、平面視で互いに交差して延びる。図８に示すように、それら中間接続線４０ｒｂと上層接続線４０ｒｃとの交差部分には、第３平坦化膜５８が介在する。

　第２表示領域ＤＡ２の各上層接続線４０ｒｃは、一対の電極端子部４０ｔと、連結線部４０ｌとを有する。一対の電極端子部４０ｔは、上層接続線４０ｒｃの両端に分けて設けられ、互いに異なる有機ＥＬ素子７０の画素電極６１に接続される。連結線部４０ｌは、一対の電極端子部４０ｔを連結する。各電極端子部４０ｔは、対応する画素電極６１と相似形とされ、当該画素電極６１よりも一回り小さい面積を有する。上層接続線４０ｒｃは、透明配線層ＴＬ１によって構成される。すなわち、第２表示領域ＤＡ２の各接続線４０ｒは、画素電極６１と同一層（第３平坦化膜５８）上に形成された透明配線層ＴＬ１を含む。

　第２表示領域ＤＡ２の各画素電極６１は、対応する透明配線層ＴＬ１のうち電極端子部４０ｔを構成する部分に重ねて設けられる。当該画素電極６１は、透明配線層ＴＬ１のうち電極端子部４０ｔを構成する部分に被さり、その電極端子部４０ｔを構成する部分の周辺にも広がる。当該画素電極６１は、透明配線層ＴＬ１の外縁の一部、本例では電極端子部４０ｔを構成する部分の外縁（周端面）を全周に亘って覆う。そして、当該画素電極６１の外縁は、平面視で透明配線層ＴＬ１のうち電極端子部４０ｔを構成する部分の外縁を囲む。

　当該各画素電極６１は、第１領域ＰＢ１と、第２領域ＰＢ２とを有する。第１領域ＰＢ１は、画素電極６１のうち透明配線層ＴＬ１に重ねて設けられる領域である。第２領域ＰＢ２は、画素電極６１のうち透明配線層ＴＬ１と同一層上に形成される領域である。本例では、当該各画素電極６１の第２領域ＰＢ２は、第３平坦化膜５８の表面に形成され、第１領域ＰＢ１の全周に広がる枠状とされる。そして、当該第２領域ＰＢ２の内周部分が、透明配線層ＴＬ１の周端面にかかる。

　透明配線層ＴＬ１と透明導電層ＴＬ２とは、互いに同一層に同一材料により形成される。上述したように、本例の透明配線層ＴＬ１および透明導電層ＴＬ２は、結晶化された透明導電材料、本例ではインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）により形成され、比較的高い光透過性を有する。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）は、結晶化される前は所定のエッチング液により腐食される一方で、結晶化された後は当該エッチング液により腐食され難くなる性質を有する。ここでいう「所定のエッチング液」には、透明配線層ＴＬ１および透明導電層ＴＬ２のパターニングに用いられるエッチング液（本例ではＩＴＯエッチング液）と、画素電極６１（第１透明電極層６１ａ、反射電極層６１ｂおよび第２透明電極層６１ｃ）のパターニングに用いられるエッチング液（本例ではＰＡＮ系のエッチング液）とが含まれる。

　図６に示すように、第２表示領域ＤＡ２における複数のサブ画素ＳＰに対応する各第１金属線４０Ｘは、発光素子領域ＥＡに配置される有機ＥＬ素子７０の群の外側を経由して延びる。それら各第１金属線４０Ｘは、発光素子領域ＥＡを避けて回路配置領域ＣＡを延び、回路配置領域ＣＡの画素回路ＰＣ（第３ＴＦＴ５０Ｃの第２端子電極）に接続される。また、第２表示領域ＤＡ２における複数のサブ画素ＳＰに対応する各第２金属線４０Ｙは、発光素子領域ＥＡに配置される有機ＥＬ素子７０の群の外側を経由して延びる。

　このように、第２表示領域ＤＡ２において、接続線４０ｒ（中間接続線４０ｒｂおよび上層接続線４０ｒｃ）、第１金属線４０Ｘおよび第２金属線４０Ｙは、発光素子領域ＥＡでの正面側から背面側への光の透過率を低下させないように設計される。

　　－有機ＥＬ表示装置の動作－
　有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素ＳＰにおいて、まず、対応する発光制御線４０ｅが選択され、その発光制御線４０ｅを介して非活性状態を示すエミッション信号が第３ＴＦＴ５０Ｃに入力される。そのことで、第３ＴＦＴ５０Ｃがオフ状態になって、有機ＥＬ素子７０が非発光状態となる。

　そして、非発光状態の有機ＥＬ素子７０に対応するゲート線４０ｇが選択され、そのゲート線４０ｇを介して活性状態を示すゲート信号が第１ＴＦＴ５０Ａに入力される。そのことで、第１ＴＦＴ５０Ａがオン状態となる。第１ＴＦＴ５０Ａがオン状態になると、ソース線４０ｓを介して伝達されるソース信号に対応する所定の電圧が、第２ＴＦＴ５０Ｂに印加されると共に、キャパシタ５１に書き込まれる。

　その後、対応する発光制御線４０ｅが選択され、活性状態を示すエミッション信号が第３ＴＦＴ５０Ｃに入力される。そのことで、第３ＴＦＴ５０Ｃがオン状態となる。第３ＴＦＴ５０Ｃがオン状態になると、第２ＴＦＴ５０Ｂのゲート電極にかかる電圧に応じた駆動電流が電源線４０ｐから有機ＥＬ素子７０に供給される。

　このようにして、有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素ＳＰにおいて、有機ＥＬ素子７０（発光層）が駆動電流に応じた輝度で発光することにより、画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ素子７０の発光は、第１ＴＦＴ５０Ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ５０Ｂのゲート電極にかかる電圧がキャパシタ５１によって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまでサブ画素ＳＰごとに維持される。

　また、有機ＥＬ表示装置１では、第２表示領域ＤＡ２において、正面側から背面側に外光を透過する。第２表示領域ＤＡ２を透過した外光は、カメラ３の受光部に入射する。カメラ３は、第２表示領域ＤＡ２を透過した外光を受けてイメージセンサで電気信号に変換する。そのことで、有機ＥＬ表示装置１では、カメラ３により、画面の前方を対象（被写側）として、画像撮影が行われる。

　　－有機ＥＬ表示装置の製造方法－
　有機ＥＬ表示装置１を製造するには、まず、ガラス基板２００の表面に有機樹脂材料を塗布してベーク処理を行うことにより、基板層１０を形成する。次いで、基板層１０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やスパッタリング、真空蒸着法といった公知の成膜法、スピンコート法やインクジェット法といった公知の塗布法、フォトリソグラフィなどの公知のパターニング技術を用いて、ＴＦＴ層２０、発光素子層６０および封止膜８０をこの順に形成する。

　そして、基板層１０の裏面にガラス基板２００側からレーザー光を照射するなどして、基板層１０からガラス基板２００を剥離する。続いて、封止膜８０の表面に、偏光板やカバーパネルを貼り付ける。また、基板層１０の背面に、保護フィルム１１を貼り付ける。さらに、端子部ＴＰに、配線基板ＣＢを接続することにより、表示制御回路を実装する。しかる後、有機ＥＬ表示装置１をカメラ３と共に筐体内に収容し、有機ＥＬ表示装置１の背面側において、平面視で第２表示領域ＤＡ２と重なる位置にカメラ３を設置する。

　以上のようにして、有機ＥＬ表示装置１を製造できる。

　ＴＦＴ層２０を形成する工程では、ガラス基板２００表面の基板層１０上に、複数のＴＦＴ５０およびキャパシタ５１などを形成した後に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、アクリル系やポリイミド系の感光性樹脂、または感光性のＳＯＧ材料を塗布する。続いて、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行う。そのことにより、図１０に示すように、第１コンタクトホールＨａを有する第１平坦化膜５４（例えば厚さ０．５μｍ～３．０μｍ程度）を形成する。

　次に、第１平坦化膜５４が形成された基板上に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜を成膜する。そのことにより、図１１に示すように、第１金属膜１００（例えば厚さ１００ｎｍ～５００ｎｍ程度）を形成する。ここで、第１金属膜１００を形成するのに、チタン膜に代えて、モリブデン膜を成膜するか、または、チタン膜、アルミニウム膜およびチタン膜を順に成膜してもよい。続いて、第１金属膜１００をパターニングして、下層接続線４０ｒａを形成する（図１２参照）。第１金属膜１００のパターニングは、例えば、公知のチタンエッチング液などの金属材料に応じたエッチング液を用いたウェットエッチングやドライエッチングにより行う。

　次に、下層接続線４０ｒａが形成された基板上に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、アクリル系やポリイミド系の感光性樹脂、または感光性のＳＯＧ材料を塗布する。続いて、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行う。そのことにより、図１２に示すように、第２コンタクトホールＨｂを有する第２平坦化膜５６（例えば厚さ０．５μｍ～３０μｍ程度）を形成する。

　次に、第２平坦化膜５６が形成された基板上に、例えば、スパッタリング法により、インジウムスズ酸化物膜を成膜する。そのことにより、図１３に示すように、第１透明導電膜１０２（例えば厚さ５０ｎｍ～１５０ｎｍ程度）を形成する。ここで、第１透明導電膜１０２を形成するのに、インジウム亜鉛酸化物膜、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物膜を成膜してもよい。続いて、第１透明導電膜１０２をパターニングして、中間接続線４０ｒｂを形成する（図１４参照）。第１透明導電膜１０２のパターニングは、例えば、公知のＩＴＯエッチング液などの透明導電材料に応じたエッチング液を用いたウェットエッチングにより行う。

　次に、中間接続線４０ｒｂが形成された基板上に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、アクリル系やポリイミド系の感光性樹脂、または感光性のＳＯＧ材料を塗布する。続いて、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像およびプリベークを行う。そのことにより、図１４に示すように、第３コンタクトホールＨｃを有する第３平坦化膜５８（例えば厚さ０．５μｍ～３．０μｍ程度）を形成する。

　次に、第３平坦化膜５８が形成された基板上に、例えば、スパッタリング法により、インジウムスズ酸化物膜を成膜する。そのことにより、図１５に示すように、第２透明導電膜１０４（例えば厚さ５０μｍ～１５０μｍ程度）を形成する。ここで、第２透明導電膜１０４を形成するのに、インジウム亜鉛酸化物膜、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物膜を成膜してもよい。続いて、第２透明導電膜１０４をパターニングして、図１６に示すように、上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１および透明導電層ＴＬ２）を形成する。第２透明導電膜１０４のパターニングは、例えば、公知のＩＴＯエッチング液などの透明導電材料に応じたエッチング液を用いたウェットエッチングにより行う。

　次に、上層接続線４０ｒｃが形成された基板に、例えば、２００℃～２５０℃程度の温度で３０分～１２０分間程度に亘ってアニール処理を施す。このアニール処理により、下層接続線４０ｒａ、中間接続線４０ｒｂ、上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１および透明導電層ＴＬ２）を結晶化させる。そのことで、下層接続線４０ｒａ、中間接続線４０ｒｂ、上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１および透明導電層ＴＬ２）の導電性および光透過性が高められる。また、透明配線層ＴＬ１および透明導電層ＴＬ２は、結晶化されることで、後に行う画素電極６１のパターニングに用いられるＰＡＮ系のエッチング液に耐性を持つようになる。

　このようにして、ＴＦＴ層２０を形成できる。

　発光素子層６０を形成する工程では、上層接続線４０ｒｃが形成された基板上に、例えば、スパッタリング法により、インジウムスズ酸化物膜１０６ａ（例えば厚さ５ｎｍ～１００ｎｍ程度）、銀膜１０６ｂ（例えば厚さ５０ｎｍ～２００ｎｍ程度）、およびインジウムスズ酸化物膜１０６ｃ（例えば厚さ５ｎｍ～１００ｎｍ程度）をこの順に成膜する。そのことにより、図１７に示すように、第２金属膜１０６を形成する。ここで、第２金属膜１０６を形成するのに、インジウムスズ酸化物膜１０６ａ，１０６ｃに代えて、インジウム亜鉛酸化物膜若しくはインジウムガリウム亜鉛酸化物膜を成膜してもよい。また、銀膜１０６ｂに代えて、銀合金膜、アルミニウム膜、またはアルミニウム合金膜を成膜してもよい。続いて、第２金属膜１０６をパターニングして、図１８に示すように、画素電極６１を形成する。

　第２金属膜１０６のパターニングは、ウェットエッチングにより行う。このウェットエッチングでは、エッチング液として、リン酸、硝酸および酢酸を混合したＰＡＮ系のエッチング液を使用する。このとき、第２表示領域ＤＡ２の各上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１）は、ＰＡＮ系のエッチング液に晒される。しかし、当該上層接続線４０ｒｃ（透明配線層ＴＬ１）は、前もって結晶化されて耐性を持つため、エッチング液に腐食されない又は腐食され難く、画素電極６１から部分的に露出した状態に残すことができる。

　次に、図１９に示すように、画素電極６１が形成された基板上に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド系の感光性樹脂を塗布する。続いて、その塗布膜１０８に対して、プリベーク、露光、現像およびプリベークを行う。そのことにより、図２０に示すように、フォトスペーサ７７を有するエッジカバー７５を形成する。その後、エッジカバー７５が形成された基板上に、公知の方法を用いて、有機ＥＬ層６２および共通電極６３を順に形成する。

　このようにして、発光素子層６０を形成できる。

　　－実施形態１の特徴－
　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、第２表示領域ＤＡ２に設けられた接続線４０ｒが、光透過性を有する透明配線層ＴＬ１（上層接続線４０ｒｃ）を含む。それによって、第２表示領域ＤＡ２でのカメラ３が受ける外光の透過率を高めることができる。また、第２表示領域ＤＡ２の画素電極６１は、透明配線層ＴＬ１に重ねて設けられるが、その透明配線層ＴＬ１の外縁の一部を覆う。透明配線層ＴＬ１の外縁のうち画素電極６１により覆われる部分では、個々の有機ＥＬ素子７０に係るアライメントマージンとして、画素電極６１とエッジカバー７５の開口７６との両パターン間のマージンＭ１を考慮すればよく、透明配線層ＴＬ１と画素電極６１との両パターン間のマージンを確保しなくて済む。そのことで、第２表示領域ＤＡ２において、互いに隣り合う画素電極６１の間に確保すべき距離を短くできる。これにより、有機ＥＬ表示装置１における表示画像を高精細化できる。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、第１表示領域ＤＡ１の画素電極６１が、透明導電層ＴＬ２に重ねて設けられるが、その透明導電層ＴＬ２の外縁を全周に亘って覆う。透明導電層ＴＬ２の外縁のうち画素電極６１により覆われる部分では、個々の有機ＥＬ素子７０に係るアライメントマージンとして、画素電極６１とエッジカバー７５の開口７６との両パターン間のマージンＭ１を考慮すればよく、透明導電層ＴＬ２と画素電極６１との両パターン間のマージンを確保しなくて済む。そのことで、第１表示領域ＤＡ１において、互いに隣り合う画素電極６１の間に確保すべき距離を短くできる。これにより、有機ＥＬ表示装置１における表示画像を高精細化できる。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、透明配線層ＴＬ１が結晶化された透明導電材料により形成される。当該透明導電材料は、結晶化される前は所定のエッチング液により腐食される一方、結晶化された後はエッチング液により腐食され難くなる性質を有する。そうした透明導電材料は、透明配線層ＴＬ１よりも上層に位置する膜や層のパターニングに上記所定のエッチング液を用いる場合、結晶化していると、当該エッチング液に晒されても腐食され難いので、透明配線層ＴＬ１の材料として好適である。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、透明配線層ＴＬ１がインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）は、上述のエッチング液に対する性質を良好に示すことから、透明配線層ＴＬ１の具体的な材料として使用可能である。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、画素電極６１が第１透明電極層６１ａ、反射電極層６１ｂおよび第２透明電極層６１ｃからなる積層構造を有する。そして、透明配線層ＴＬ１は、第１透明電極層６１ａ、反射電極層６１ｂおよび第２透明電極層６１ｃのパターニングに用いられるＰＡＮ系のエッチング液により腐食され難い性質を有する。これによれば、透明配線層ＴＬ１を残しつつ、第１透明電極層６１ａ、反射電極層６１ｂおよび第２透明電極層６１ｃを一括でエッチングできる。それにより、画素電極６１を形成するためのプロセスを削減できる。このことは、有機ＥＬ表示装置１のコストを低減するのに有利である。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、接続線４０ｒが上層接続線４０ｒａに加えて中間接続線４０ｒｂを含んで構成される。上層接続線４０ｒａと中間接続線４０ｒｂとは、互いに異なる層に形成される。これにより、上層接続線４０ｒａおよび中間接続線４０ｒｂのレイアウトを、平面視で互いに交差して延びる配置として設計できる。そして、中間接続線４０ｒｂも光透過性を有する。このことは、第２表示領域ＤＡ２でのカメラ３が受ける外光の透過率を向上させるのに有利である。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、第２表示領域ＤＡ２における複数の有機ＥＬ素子７０が発光素子領域ＥＡに配置され、発光素子領域ＥＡにおける有機ＥＬ素子７０の発光を制御する複数の画素回路ＰＣが発光素子領域ＥＡの周囲に配置される。これによれば、発光素子領域ＥＡに画素回路ＰＣを設けずに済む。そのことで、発光素子領域ＥＡにおいて、表示領域ＤＡの正面側から背面側に光を好適に透過させ、カメラ３が受ける外光を確保できる。このことは、カメラ３の機能発揮に有利である。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、画素回路ＰＣが、２つ以上の有機ＥＬ素子７０を１セットとする有機ＥＬ素子７０のセットごとに設けられる。そして、当該セットをなす２つ以上の有機ＥＬ素子７０の発光は、共通の画素回路ＰＣによって制御される。これによれば、第２表示領域ＤＡ２においては、有機ＥＬ素子７０の数に対して画素回路ＰＣの数を少なくできる。このことは、第２表示領域ＤＡ２でのカメラ３が受ける外光の透過率を高めるのに有利である。

　《実施形態２》
　この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１は、第１表示領域ＤＡ１における画素電極６１とＴＦＴ５０との接続構成が上記実施形態１と異なる。なお、本実施形態では、第１表示領域ＤＡ１における画素電極６１とＴＦＴ５０との接続構成が上記実施形態１と異なる他は、有機ＥＬ表示装置１について上記実施形態１と同様に構成される。

　図２１に示すように、この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１において、第１表示領域ＤＡ１の各画素電極６１は、第３平坦化膜５８に形成された第３コンタクトホールＨｃを介して中間接続線４０ｒｂに接続される。上層接続線４０ｒｃは、上記実施形態１と同様に第２表示領域ＤＡ２には設けられる（図８および図９参照）一方、第１表示領域ＤＡ１には設けられない。第１表示領域ＤＡ１の各画素電極６１は、その全体が第３平坦化膜５８の表面に形成され、中間接続線４０ｒｂに直接接続される。

　この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１を製造するには、図２２に示すように、ＴＦＴ層２０を形成する工程で第２透明導電膜１０４をパターニングするときに、第２表示領域ＤＡ２のみに上層接続線４０ｒｃを形成し、第１表示領域ＤＡ１では第２透明導電膜１０４を除去する。しかる後の発光素子層６０を形成する工程では、図２３に示すように、上記実施形態１と同様にして第２金属膜１０６を形成する。そして、上記実施形態１と同様に、第２金属膜１０６をパターニングして、画素電極６１を形成する。

　　－実施形態２の特徴－
　この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、第１表示領域ＤＡ１に上層接続線４０ｒｃが設けられない。これによれば、第１表示領域ＤＡ１の各サブ画素ＳＰの構造を、第２表示領域ＤＡ２を有しないタイプの有機ＥＬ表示装置と近い構造にできる。このことは、インカメラ付きの有機ＥＬ表示装置１における表示画像の高精細化に有利である。

　《実施形態３》
　この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１は、第１表示領域ＤＡ１における画素電極６１とＴＦＴ５０との接続構成が上記実施形態１と異なる。なお、本実施形態では、第１表示領域ＤＡ１における画素電極６１とＴＦＴ５０との接続構成が上記実施形態１と異なる他は、有機ＥＬ表示装置１について上記実施形態１と同様に構成される。

　図２４に示すように、この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１において、第１表示領域ＤＡ１の各画素電極６１は、第３平坦化膜５８に形成された第３コンタクトホイールＨｃを介して下層接続線４０ｒａに接続される。上層接続線４０ｒｃ、第２平坦化膜５６および中間接続線４０ｒｂは、上記実施形態１と同様に第２表示領域ＤＡ２には設けられる（図８および図９参照）一方、第１表示領域ＤＡ１には設けられない。第１表示領域ＤＡ１の第３平坦化膜５８の厚さは、第２表示領域ＤＡ２の第２平坦化膜５６と第３平坦化膜５８との積層膜の厚さと同等である。

　この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１を製造するには、図２５に示すように、ＴＦＴ層２０を形成する工程で第２平坦化膜５６を形成するときに、第２表示領域ＤＡ２のみに第２平坦化膜５６を形成し、第１表示領域ＤＡ１では塗布膜を除去する。そして、図２６に示すように、第３平坦化膜５８を、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とで同程度の表面高さとなるように形成する。このとき、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とで第３平坦化膜５８の厚さ調整が必要な場合は、塗布膜への露光時に、グレートーンマスクまたはハーフトーンマスクを用いてもよい。

　　－実施形態３の特徴－
　この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１では、第１表示領域ＤＡ１に上層接続線４０ｒｃ、さらには第２平坦化膜５６および中間接続線４０ｒｂが設けられない。これによれば、第１表示領域の各サブ画素の構造を、第２表示領域ＤＡ２を有しないタイプの有機ＥＬ表示装置と同じ構造にできる。このことは、インカメラ付きの有機ＥＬ表示装置１における表示画像の高精細化に有利である。

　《その他の実施形態》
　上記実施形態１では、第１表示領域ＤＡ１の各画素電極６１が、透明導電層ＴＬ２の全体に被さり、透明導電層ＴＬ２の外縁を全周に亘って覆うとしたが、これに限らない。第１表示領域ＤＡ１の各画素電極６１は、透明導電層ＴＬ２の外縁の一部のみを覆ってもよい。

　上記実施形態３では、第１表示領域ＤＡ１に上層接続線４０ｒｃ（透明導電層ＴＬ２）が設けられないとしたが、これに限らない。上記実施形態３の有機ＥＬ表示装置１において、上記実施形態１と同様に、上層接続線４０ｒｃ（透明導電層ＴＬ２）が第１表示領域ＤＡ１にも設けられてもよい。

　上記実施形態１では、透明導電層ＴＬ２が上層接続線４０ｒｃを構成し、ＴＦＴ層２０に含まれるとしたが、これに限らない。透明導電層ＴＬ２は、画素電極６１の一部（すなわち、発光素子層６０に含まれる）とみなしてもよい。

　上記実施形態１～３では、各画素電極６１が、第１透明電極層６１ａと、反射電極層６１ｂと、第２透明電極層６１ｃとが順に積層されてなるとしたが、これに限らない。各画素電極６１は、２層以下の導電層によって構成されてもよく、４層以上の導電層によって構成されてもよい。

　上記実施形態１～３では、発光素子領域ＥＡに設けられた複数の有機ＥＬ素子７０は、２つで１セットとし、セットごとに上層接続線４０ｒｃを介して互いに接続されるとしたが、これに限らない。発光素子領域ＥＡにおける複数の有機ＥＬ素子７０は、３つ以上で１セットとして、セットごとに上層接続線４０ｒｃを介して互いに接続されてもよい。

　また、発光素子領域ＥＡに設けられる複数の有機ＥＬ素子７０は、２つ以上で１セットになっていなくてもよい。すなわち、発光素子領域ＥＡにおける複数の有機ＥＬ素子７０は、互いに接続されず、個別に制御されてもよい。この場合、回路配置領域ＣＡには、有機ＥＬ素子７０ごとに別個の画素回路ＰＣが設けられ、各有機ＥＬ素子７０が接続線４０ｒを介して別々の画素回路ＰＣに接続される。

　上記実施形態１～３では、有機ＥＬ層６２が各サブ画素ＳＰに個別に設けられるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ層６２は、複数のサブ画素ＳＰにおいて一続きとして共通に設けられてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素ＳＰでの色調表現を行ってもよい。

　上記実施形態１～３では、各画素ＰＸが３色のサブ画素ＳＰによって構成されるとしたが、これに限らない。各画素ＰＸを構成するサブ画素ＳＰは、４色以上であってもよい。また、各画素ＰＸを構成する３色のサブ画素ＳＰは、ストライプ配列で設けられるとしたが、これに限らない。複数のサブ画素ＰＳの配列は、ペンタイル配列など、他の配列であってもよい。

　上記実施形態１～３では、画素回路ＰＣを構成する複数のＴＦＴ５０が第１ＴＦＴ５０Ａ、第２ＴＦＴ５０Ｂおよび第３ＴＦＴ５０Ｃの３つであるとしたが、これに限らない、画素回路ＰＣを構成する複数のＴＦＴ５０は、２つ以下であってもよく、４つ以上であってもよい。また、各ＴＦＴ５０は、ボトムゲート型に構成されてもよい。

　上記実施形態１～３では、画素電極６１が陽極であり、共通電極６３が陰極であるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ表示装置１は、画素電極６１が陰極として機能し、共通電極６３が陽極として機能するように構成されてもよい。この場合、有機ＥＬ層６２は、反転した積層構造とされる。

　上記実施形態１～３では、有機ＥＬ層６２が、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層からなる５層構造であるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ層６２は、正孔注入層兼輸送層、発光層、および電子輸送層兼注入層からなる３層構造であってもよく、任意の積層構造を採用可能である。

　上記実施形態１～３では、有機ＥＬ表示装置１の基板が基板層であるとしたが、これに限らない。当該基板としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるプラスチック基板やガラス基板など、光透過性を有するものであれば、任意の材料からなる基板を用いることが可能である。

　上記実施形態１～３では、有機ＥＬ表示装置１に組み合わせられる電子部品としてカメラ３を例示したが、これに限らない。当該電子部品は、有機ＥＬ表示装置１の背面側において第２表示領域ＤＡ２と重なる位置に配置され、表示領域ＤＡを透過した光を利用するものであれば、指紋センサや顔認証センサ、輝度センサなど、その他の電子部品であってもよい。

　上記実施形態１～３では、本開示に係る表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、これに限らない。本開示の技術は、電流によって駆動される複数の発光素子を備える表示装置に適用可能である。当該表示装置としては、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備える表示装置が挙げられる。その他、本開示の技術は、液晶表示装置やプラズマ表示装置にも適用可能である。

　以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。上記実施形態について、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲においてさらに色々な変形が可能なこと、またそうした変形も本開示の技術の範囲に属することは、当業者に理解されるところである。

　以上説明したように、本開示は、表示装置について有用である。

　ＣＬ　　　　導電性積層体
　ＤＡ　　　　表示領域
　ＤＡ１　　　第１表示領域
　ＤＡ２　　　第２表示領域
　ＥＡ　　　　発光素子領域
　ＰＣ　　　　画素回路
　ＰＡ１，ＰＢ１　　第１領域
　ＰＡ２，ＰＢ２　　第２領域
　ＳＰ　　　　サブ画素
　ＴＬ１　　　透明配線層
　ＴＬ２　　　透明導電層
　１　　　　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　３　　　　　カメラ（電子部品）
　１０　　　　基板層（基板）
　２０　　　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
　４０ｒ　　　接続線
　４０ｒｂ　　中間接続線（第２接続線）
　４０ｒｃ　　上層接続線（第１接続線）
　５０　　　　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　６０　　　　発光素子層
　６１　　　　画素電極
　６１ａ　　　第１透明電極層
　６１ｂ　　　反射電極層
　６１ｃ　　　第２透明電極層
　７０　　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
　７５　　　　エッジカバー
　７６　　　　開口

Claims (12)

1. 　基板と、
   　前記基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
   　前記薄膜トランジスタ層上に設けられた発光素子層と、を備え、
   　前記薄膜トランジスタ層には複数の薄膜トランジスタが、前記発光素子層には複数の発光素子が、表示領域をなす複数のサブ画素に対応してそれぞれ設けられ、
   　平面視で前記表示領域に重なる位置において、前記基板の背面側に光を利用する電子部品が配置される表示装置であって、
   　前記表示領域は、第１表示領域と、該第１表示領域の内側に設けられ、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域と、を有し、
   　前記第２表示領域には、前記薄膜トランジスタと前記発光素子とを電気的に接続する接続線が設けられ、
   　前記接続線は、光透過性を有する透明配線層を含み、
   　前記第２表示領域の前記発光素子を構成する画素電極は、前記透明配線層に重ねて設けられる第１領域と、前記透明配線層と同一層上に形成される第２領域と、を有する、表示装置。
2. 　基板と、
   　前記基板上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
   　前記薄膜トランジスタ層上に設けられた発光素子層と、を備え、
   　前記薄膜トランジスタ層には複数の薄膜トランジスタが、前記発光素子層には複数の発光素子が、表示領域をなす複数のサブ画素に対応してそれぞれ設けられ、
   　平面視で前記表示領域に重なる位置において、前記基板の背面側に光を利用する電子部品が配置される表示装置であって、
   　前記表示領域は、第１表示領域と、該第１表示領域の内側に設けられ、前記電子部品に利用される光を透過する第２表示領域と、を有し、
   　前記第２表示領域には、前記薄膜トランジスタと前記発光素子とを電気的に接続する接続線が設けられ、
   　前記接続線は、光透過性を有する透明配線層を含み、
   　前記第１表示領域の前記発光素子を構成する画素電極は、前記透明配線層と同一材料により同一層に形成された透明導電層に重ねて設けられる第１領域と、前記透明導電層と同一層上に形成される第２領域と、を有する、表示装置。
3. 　請求項２に記載の表示装置において、
   　前記第１表示領域の前記画素電極は、前記透明導電層の外縁を全周に亘って覆う、表示装置。
4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載の表示装置において、
   　前記発光素子層は、前記画素電極の外縁を覆うように設けられたエッジカバーを含み、
   　前記エッジカバーにおける前記画素電極を部分的に露出させる開口の周縁は、平面視で前記画素電極の外縁に囲まれる、表示装置。
5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の表示装置において、
   　前記透明配線層は、結晶化された透明導電材料により形成され、
   　前記透明導電材料は、結晶化される前は所定のエッチング液により腐食される一方、結晶化された後は前記エッチング液により腐食され難くなる性質を有する、表示装置。
6. 　請求項５に記載の表示装置において、
   　前記透明導電材料は、インジウムスズ酸化物である、表示装置。
7. 　請求項５または６に記載の表示装置において、
   　前記画素電極は、光透過性を有する第１透明電極層と、光反射性を有する反射電極層と、光透過性を有する第２透明電極層とが順に積層された導電性積層体により構成され、
   　前記第１透明電極層、前記反射電極層および前記第２透明電極層はいずれも、前記エッチング液によりエッチングされる性質を有する導電材料により形成される、表示装置。
8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置において、
   　前記接続線は、前記画素電極に電気的に接続される第１接続線と、該第１接続線と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続する第２接続線と、を有し、
   　前記第１接続線は、前記透明配線層によって構成され、
   　前記第２接続線は、前記第１接続線とは異なる層に形成され、光透過性を有する、表示装置。
9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の表示装置において、
   　前記第２表示領域は、複数の前記発光素子が配置される発光素子領域を含み、
   　前記発光素子領域の周囲には、前記薄膜トランジスタを含み、当該発光素子領域に配置された前記発光素子の発光を制御する画素回路が設けられる、表示装置。
10. 　請求項９に記載の表示装置において、
    　前記発光素子領域には、２つ以上の前記発光素子を１セットとして、複数セットの前記発光素子が配置され、
    　前記画素回路は、前記発光素子のセットごとに設けられ、当該セットをなす２つ以上の前記発光素子の発光を共通に制御する、表示装置。
11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示装置において、
    　前記電子部品は、カメラである、表示装置。
12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の表示装置において、
    　前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、表示装置。