WO2024142328A1 - 移送装置及び移送方法 - Google Patents

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義和 大谷
裕 山岡
健人 宇佐美
昌実 倉田
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    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation

Definitions

  • the LED chips 6 include a defective LED chip 6D, as shown in Fig. 12(b), a laser Lt that transmits through the sapphire substrate 110 is irradiated from the laser light source 3 to the rear surface of the sapphire substrate 110 (the rear surface opposite to the front surface on which the LED chip 6 is provided) at the interface between the defective LED chip 6D and the sapphire substrate 110, and the defective LED chip 6 is peeled off and removed from the sapphire substrate 110.
  • This process can be called, for example, a trimming process. Note that, when there is no defective LED chip 6D, this trimming process can be omitted.
  • the defective LED chip 6D is removed as shown in FIG. 13(f).
  • This process can be performed in the same manner as the trimming process shown in FIG. 12(b). Therefore, this process can also be called a trimming process.
  • this trimming process can be omitted.
  • the LED chip 6 on the second intermediate substrate 120 as the starting substrate is transferred to the finished substrate 220 (having an adhesive layer 221 on its surface) as the destination substrate by using a laser LM .
  • This process can also be called a transfer process.
  • a transfer device for transferring an object provided on a starting substrate from the starting substrate to a destination substrate by using a laser
  • the transfer device comprising: a laser light source configured to oscillate the laser; A first optical system; and a second optical system having an optical configuration different from the optical configuration of the first optical system; a switching mechanism configured to switch the optical path of the laser between an optical path to the first optical system and an optical path to the second optical system; Equipped with the first optical system is configured to simultaneously irradiate a plurality of objects from a back surface side of the starting substrate with the laser, thereby simultaneously transferring the plurality of objects to the destination substrate surface;
  • a transfer device is provided, wherein the second optical system is configured to remove a single object from the starting substrate or transfer the single object to a destination substrate surface by irradiating the laser onto the single object from the back side of the starting substrate.
  • the switching mechanism may include a mirror.
  • the switching mechanism may include, for example, a mirror.
  • the trimming process and transfer process can be performed in one transfer device. Therefore, if the laser transfer process is performed on the same starting substrate, there is no need to remove and attach the substrate, and the object can be transferred with high productivity. Furthermore, because this transfer method can be performed on one device, both the footprint and capital investment can be reduced.
  • the second optical system 2 is a second optical system 2B that is configured to selectively irradiate a laser L 1 T or L 1 R from the back side of the starting substrate 100 as shown in, for example, FIG. 5 or FIG. 6 to remove an object (defective object) 6D from the starting substrate 100 (i.e., perform a trimming process) or transfer an object (replenishment chip) 6R to the surface of the target substrate 200 (i.e., perform a repair process), as shown in, for example, FIG. 5 or FIG.
  • Figure 9 shows an example of alignment used in the gap laser lift-off process, transfer process, and repair process.
  • Figure 11 shows an example of alignment used in the contact laser lift-off process.
  • the same sapphire substrate 110 is used as the starting substrate 100 for the alignment of the laser lift-off process and the alignment of the preceding trimming process. Therefore, by using the transfer device 10 of the present invention, the trimming process before the laser lift-off process and the laser lift-off process can be performed in a single operation without changing the starting substrate 100.
  • a transfer device 10 is prepared (device preparation process) that includes a laser light source 3 configured to oscillate a laser, a first optical system 1, and a second optical system 2, as shown in FIG. 1.
  • the transfer step in FIG. 13(g) to the repair step in FIG. 14(h) can be performed in a series of operations without changing the setup of the starting substrate (the second intermediate substrate 120).

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Abstract

本発明は、出発基板上に設けられた対象物を出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、第１の光学系統と、第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、レーザの光路を、第１の光学系統への光路と、第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構とを具備し、第１の光学系統が、レーザを出発基板の裏面側から順次照射することにより、目的基板面に対象物を移送するように構成されており、第２の光学系統が、レーザを出発基板の裏面側から選択照射することにより、対象物を出発基板上から除去する、または対象物を目的基板面に移送するように構成されている、移送装置である。これにより、最小限のフットプリント及び設備投資、並びに高い生産性で対象物を移送できる移送装置を提供できる。

Description

移送装置及び移送方法
　本発明は、移送装置及び移送方法に関する。
　高輝度青色発光ダイオードの実用化によって光の三原色が揃ったことにより、様々な分野で発光ダイオード（以下、ＬＥＤともいう）が利用されている。その利用分野は、テレビやパソコンなどのディスプレイやモニターだけでなく、街角のデジタルサイネージやライブ会場の大型ビジョンなどの大型ディスプレイから、スマートウォッチ用のディスプレイなどの小型ディスプレイまで、枚挙にいとまがない。
　ディスプレイの量産工程においては、出発基板に形成したＬＥＤチップを回路基板に移送する技術が用いられている。図１２～図１４に、移送工程を含む、ＬＥＤチップ搭載デバイスの製造フローの一例の一部を示す。ただし、本発明の移送装置及び移送方法を適用する製造フローは、図１２～図１４に示す製造フローに限定されるものではない。
　まず、図１２（ａ）に示すように、出発基板としての例えばサファイア基板１１０を準備する。サファイア基板１１０の表面上には、移送の対象物である複数のＬＥＤチップ６が設けられている。
　複数のＬＥＤチップ６に、不良なＬＥＤチップ６Ｄが含まれている場合には、図１２（ｂ）に示すように、不良なＬＥＤチップ６Ｄとサファイア基板１１０との界面にサファイア基板１１０を透過するレーザＬｔをレーザ光源３からサファイア基板１１０の裏面（ＬＥＤチップ６を設けた表面に対する裏面）に照射して、不良なＬＥＤチップ６をサファイア基板１１０から剥離して除去する。この工程は、例えばトリミング工程と呼ぶことができる。なお、不良なＬＥＤチップ６Ｄがない場合、このトリミング工程を省略することもできる。
　次に、図１２（ｃ）に示す目的基板である第１の中間基板２１０を準備する。第１の中間基板２１０は、表面に接着層２１１を備えている。この第１の中間基板２１０と、必要に応じてトリミング工程を行ったサファイア基板１１０とを、ＬＥＤチップ６と接着層２１１とが対向するように向かい合わせる。この状態で、レーザ光源３からサファイア基板１１０の裏面に対してレーザＬＬを照射する。レーザ照射は、レーザ光源３とサファイア基板１１０及び第１の中間基板２１０とを相対的に移動させながら行う。これにより、複数のＬＥＤチップ６に対して順次照射を行うことができる。その結果、サファイア基板１１０から第１の中間基板２１０へと複数のＬＥＤチップ６がレーザＬＬにより移送される。この工程は、例えばレーザリフトオフ工程と呼ぶことができる。
　第１の中間基板２１０に移送した複数のＬＥＤチップ６の各々の表面には、Ｇａが残存している場合がある。そのため、図１２（ｄ）に示すように、洗浄層６０中でＧａ洗浄を行う。
　次に、図１３（ｅ）の右下に示す、第２の中間基板（リリース基板）１２０を準備する。第２の中間基板１２０は、表面に接着層１２１を備える。第１の中間基板２１０と第２の中間基板１２０とを、複数のＬＥＤチップ６が第２の中間基板１２０の接着層１２１に接するように張り合わせて複合体３００とし、この複合体３００を図１３（ｅ）の左上に示す転写装置２０において上下方向に圧着する。次いで、図１３（ｅ）の右下に示すようにして第２の中間基板１２０を抑え装置３０で抑えながら、第１の中間基板２１０をひき剥がす。これにより、第１の中間基板２１０から第２の中間基板１２０へのＬＥＤチップ６の転写が完了する。この工程は、チップ転写工程と呼ぶことができる。
　第２の中間基板１２０上に転写したＬＥＤチップ６に不良のＬＥＤチップ６Ｄがある場合には、図１３（ｆ）に示すように、不良のＬＥＤチップ６Ｄを除去する。この工程は、図１２（ｂ）に示したトリミング工程と同様にして行うことができる。よって、この工程もトリミング工程と呼ぶことができる。第２の中間基板１２０上に不良のＬＥＤチップ６Ｄがない場合には、もちろん、このトリミング工程を省略することができる。
　次に、図１３（ｇ）に示すように、出発基板としての第２の中間基板１２０上のＬＥＤチップ６を、目的基板としての完成基板２２０（表面に接着層２２１を備える）に、レーザＬＭを用いて移送する。この工程は、移載工程と呼ぶこともできる。
　完成基板２２０は、図１３（ｇ）の左下に示すようにウェーハ状であってもよいし、右下に示すように矩形状であってもよい。この移載工程では、複数のＬＥＤチップ６を様々なピッチで移送することができる。
　移載工程後に得られた完成基板２２０にＬＥＤチップ６の抜け（例えば、トリミング工程で除去したＬＥＤチップ６が移送される予定だった部分）があった場合には、図１３（ｈ）に示すように、出発基板としての正常な補充チップ６Ｒを備えたリペア基板１３０から、目的基板としての完成基板２２０のＬＥＤチップの抜けた箇所に、補充チップ６Ｒを補充することができる。この工程は、リペア工程と呼ぶこともできる。
　次に、図１４（ｉ）に示すように、以上のようにして得られた完成基板２２０から、マウンター４００を用いて、複数のＬＥＤチップ６を回路基板２３０に一括転写する。
　そして、図１４（ｊ）に示すように、回路基板２３０をリフロー装置４０でリフロー処理に供することにより、回路基板２３０の回路と複数のＬＥＤチップ６との電極接合を行うことができる。
　トリミング工程、レーザリフトオフ工程及びリペア工程では、ＬＥＤチップの一部にレーザを照射しアブレーションするか、または出発基板とＬＥＤチップとの界面にレーザを照射し、接着層をアブレーションすることによって、出発基板とＬＥＤチップとを分離する。例えば、特許文献１には、複数のチップ転写の際にラインビームを用いることが記載されている。また、特許文献２には、再転写方法及びリフト方法において、ガルバノスキャナを用いて、特定の照射対象物にレーザ光を照射する技術が開示されている。
特開２０２１－６１３９６号公報 特許第７１１１９１６号明細書
　従来、トリミング工程と、レーザリフトオフ工程と、移載工程と、リペア工程とは、それぞれ異なるレーザ装置で行う必要があった。これは、照射するレーザのビームエネルギー及びビーム形状、並びにレーザの照射方法が工程ごとに異なるためであった。
　レーザ装置は、一般に、大規模かつ高額である。そのため、従来上記フローでのＬＥＤ搭載デバイスの製造では、ＬＥＤチップの移載用設備のために、大きなフットプリント及び多額の設備投資が必要となっていた。
　また、１つのワークを複数のレーザ装置間で移動させると、移動のたびに基板の取り外し及び装着、並びに光学系統のアライメント調整が必要となって、生産性が低下してしまう。
　本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、最小限のフットプリント及び設備投資、並びに高い生産性で対象物を移送できる移送装置及び移送方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明では、第１の態様として、出発基板上に設けられた対象物を前記出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、
　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、
　第１の光学系統と、
　該第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、
　前記レーザの光路を、前記第１の光学系統への光路と、前記第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構と、
を具備し、
　前記第１の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から順次照射することにより、前記目的基板面に前記対象物を移送するように構成されており、
　前記第２の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から選択照射することにより、前記対象物を前記出発基板上から除去する、または前記対象物を前記目的基板面に移送するように構成されている、移送装置を提供する。
　この態様の移送装置であれば、トリミング工程、レーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程の全てまたはその一部をこの移送装置一台において一貫で行うことができる。そのため、同一の出発基板に対して行うレーザ処理工程であれば、出発基板の取り外し及び装着並びにアライメント調整、すなわち段取り換えが不要となり、高い生産性で対象物の移送を行うことができる。また、この移送装置１台でトリミング工程、レーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程の全てまたはその一部を行うことができるので、フットプリント及び設備投資の両方を削減できる。
　また、本発明では、第２の態様として、出発基板上に設けられた対象物を前記出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、
　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、
　第１の光学系統と、
　該第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、
　前記レーザの光路を、前記第１の光学系統への光路と、前記第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構と、
を具備し、
　前記第１の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から複数の対象物に同時照射することにより、前記目的基板面に前記複数の対象物を同時に移送するように構成されており、
　前記第２の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から一つの対象物に照射することにより、前記一つの対象物を前記出発基板上から除去する、または前記一つの対象物を前記目的基板面に移送するように構成されている、移送装置を提供する。
　この態様の移送装置でも、トリミング工程、レーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程の全てまたはその一部をこの移送装置一台において一貫で行うことができる。そのため、フットプリント及び設備投資の両方を削減できる。また、同一の出発基板に対して行うレーザ処理工程であれば少なくとも、基板の段取り換えが不要となり、高い生産性で対象物の移送を行うことができる。
　例えば、前記切り替え機構がミラーを備えるものであってもよい。
　上記第１及び第２の態様のいずれにおいても、切り替え機構は、例えばミラーを備えることができる。
　また、前記切り替え機構は、
　前記出発基板を少なくとも保持するように構成された第１のステージと、
　前記レーザの光路の変更に合わせて、前記第１のステージを、前記第１の光学系統と前記第２の光学系統との間で移動させるように構成された移動機構と
を備えるものであってもよい。
　このような切り替え機構を有するものであれば、第１の光学系統と第２の光学系統とにおいて同一の出発基板を用いるレーザ移送工程を、基板の取り外し及び装着をせずに行うことができ、より生産性を高めることができる。
　あるいは、前記出発基板を保持するように構成された第１のステージと、
　前記第１のステージに対向するように目的基板を保持するように構成された第２のステージと、
　前記レーザを結像するように構成されたプロジェクションレンズと、
を更に具備し、
　前記切り替え機構が、前記レーザの光路の変更に合わせて、前記第１のステージ、前記第２のステージ及び前記プロジェクションレンズを、前記第１の光学系統と前記第２の光学系統との間で移動させるように構成された移動機構を備えるものであってもよい。
　このような変形例でも、第１の光学系統と第２の光学系統とにおいて同一の出発基板を用いる移送工程を、出発基板の段取り換えをせずに行うことができ、より生産性を高めることができる。
　また、前記レーザの照射形状をライン状ビームにして複数の前記対象物に照射するように形成するパターンと、
　前記レーザの照射形状を１つの前記対象物に照射するように成形するパターンと
を有するマスクを更に備えてもよい。
　このような装置であれば、例えば、レーザリフトオフ及び移送工程は、第１の光学系統においてライン状ビームを用いて行い、トリミング工程及びリペア工程は、第２の光学系統において１つの対象物にレーザを照射することで行うことができる。
　例えば、前記第２の光学系統は、前記レーザを前記出発基板または前記出発基板上に支持された前記対象物に選択的に照射する、または前記レーザを前記出発基板の裏面側から前記出発基板または前記対象物に選択的に照射する手段として、ガルバノスキャナを有することができる。
　第２の光学系統は、例えばガルバノスキャナを有することができる。
　あるいは、前記第１の光学系統が、前記レーザの照射形状をライン状ビームにして複数の前記対象物に同時に照射するように成形するパターンを有するマスクを更に備え、
　前記第２の光学系統が、前記レーザの照射形状を前記対象物にそれぞれ個別に対応した形状に照射するように成形するパターンを有するマスクを更に備えるものであってもよい。
　このように、第１の光学系統及び第２の光学系統がそれぞれマスクを備えていてもよい。
　また、本発明では、レーザを用いて複数の対象物を出発基板から目的基板に移送する移送方法であって、
　前記複数の対象物を備えた出発基板を準備する出発基板準備工程と、
　前記複数の対象物を移送される予定の目的基板を準備する目的基板準備工程と、
　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源、第１の光学系統及び第２の光学系統を具備する移送装置を準備する装置準備工程と、
　前記出発基板上の前記複数の対象物に不良な対象物が含まれるか否かを予め判定し、前記不良な対象物が含まれている場合に前記第２の光学系統を通した前記レーザにより前記不良な対象物を選択的に除去するトリミング工程と、
　前記出発基板から前記目的基板へと前記複数の対象物を前記第１の光学系統を通した前記レーザにより移送する移送工程と
を含み、
　前記トリミング工程から前記移送工程までを前記出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行う、移送方法を提供する。
　この移送方法であれば、トリミング工程及び移送工程を、一台の移送装置において一貫で行うことができる。そのため、同一の出発基板に対して行うレーザ移送工程であれば、基板の取り外し及び装着が不要となり、高い生産性で対象物の移送を行うことができる。また、この移送方法は、１台の装置で行うことができるので、フットプリント及び設備投資の両方を削減できる。
　本発明の移送方法は、例えば、前記目的基板上に前記対象物が欠損している箇所が含まれるか否かを予め判定し、前記対象物の欠損箇所が含まれている場合には、前記出発基板から前記目的基板へと前記複数の対象物を前記第１の光学系統を通した前記レーザにより移送する前記移送工程後に、前記第２の光学系統を通して選択的に前記出発基板の前記対象物に前記レーザを照射して、前記対象物が欠損した箇所に前記対象物を移送するリペア工程を更に含むことができ、前記移送工程から前記リペア工程までを前記出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うことができる。
　このように、本発明の移送方法は、リペア工程を更に含むことができ、リペア工程を含んでも、１台の装置で行うことができる。
　例えば、前記移送工程は、
　前記レーザを、前記出発基板としての第１のステージに設置された基板表面に対象物が形成されたチップ供給基板の基材を通して、前記対象物に照射することにより、前記対象物の一部を分解することによって、前記出発基板から前記目的基板としての第２のステージに設置された第１の中間基板に前記対象物を移送するレーザリフトオフ工程、及び
　前記レーザを、前記出発基板としての前記第１のステージに設置された第２の中間基板を通して、前記第２の中間基板と前記対象物との間に形成された接着層に照射することにより、前記接着層をアブレーションすることによって、前記第２の中間基板から前記目的基板としての前記第２のステージに設置された完成基板に前記対象物を移送する移載工程
を含むことができ、
　前記第２の中間基板は、前記接着層を含み、
　本発明の移送方法は、前記レーザリフトオフ工程と前記移載工程との間に、前記第１の中間基板から前記第２の中間基板へと前記対象物を受け渡す工程を更に含むことができる。
　本発明の移送方法において、移送工程は、上記移載工程及び上記受け渡す工程を更に含むことができる。
　以上のように、本発明の移送装置であれば、第１及び第２の態様のいずれであっても、トリミング工程、レーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程の全てまたはその一部をこの移送装置一台において一貫で行うことができ、その結果、高い生産性で対象物の移送を行うことができる。また、本発明の移送装置１台でトリミング工程、レーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程の全てまたはその一部を行うことができるので、フットプリント及び設備投資の両方を削減できる。
　また、本発明の移送方法であれば、トリミング工程及び移送工程を、一台の移送装置において一貫で行うことができる。そのため、本発明の移送方法であれば、高い生産性で対象物の移送を行うことができる。また、１台の装置で行うことができるので、フットプリント及び設備投資の両方を削減できる。
本発明の移送装置の一例を示す概略図である。 本発明の移送装置の第１の態様における第１の光学系統の一例を説明する図である。 本発明の移送装置の第２の態様における第１の光学系統の一例を説明する図である。 本発明の移送装置の第２の態様における第１の光学系統の他の一例を説明する図である。 本発明の移送装置の第１の態様における第２の光学系統の一例を説明する図である。 本発明の移送装置の第１の態様における第２の光学系統の一例を説明する他の図である。 本発明の移送装置の他の一例を示す概略図である。 本発明の移送装置の他の一例を示す概略図である。 本発明の移送装置で行うことができるギャップレーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程でのアライメントを説明する図である。 本発明の移送装置で行うことができるトリミング工程でのアライメントを説明する図である。 本発明の移送装置で行うことができるコンタクトレーザリフトオフ工程でのアライメントを説明する図である。 ＬＥＤチップ搭載デバイスの一例の製造フロー図の一部である。 図１２に続く、ＬＥＤチップ搭載デバイスの一例の製造フロー図の一部である。 図１３に続く、ＬＥＤチップ搭載デバイスの一例の製造フロー図の一部である。
　上述のように、最小限のフットプリント及び設備投資、並びに高い生産性で対象物を移送できる移送装置及び移送方法の開発が求められていた。
　本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、レーザリフトオフ工程と移載工程とを同じ第１の光学系統で行うようにし、トリミング工程とリペア工程とを同じ第２の光学系統で行うようにし、第１の光学系統及び第２の光学系統、並びにレーザ光源からのレーザの光路を第１の光学系統への光路と第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構とを備えた移送装置であれば、最小限のフットプリント及び設備投資、並びに高い生産性で対象物を移送できることを見出し、本発明を完成させた。
　即ち、本発明は、出発基板上に設けられた対象物を前記出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、
　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、
　第１の光学系統と、
　該第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、
　前記レーザの光路を、前記第１の光学系統への光路と、前記第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構と、
を具備し、
　前記第１の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から順次照射することにより、前記目的基板面に前記対象物を移送するように構成されており、
　前記第２の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から選択照射することにより、前記対象物を前記出発基板上から除去する、または前記対象物を前記目的基板面に移送するように構成されている、移送装置である。
　また、本発明は、出発基板上に設けられた対象物を前記出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、
　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、
　第１の光学系統と、
　該第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、
　前記レーザの光路を、前記第１の光学系統への光路と、前記第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構と、
を具備し、
　前記第１の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から複数の対象物に同時照射することにより、前記目的基板面に前記複数の対象物を同時に移送するように構成されており、
　前記第２の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から一つの対象物に照射することにより、前記一つの対象物を前記出発基板上から除去する、または前記一つの対象物を前記目的基板面に移送するように構成されている、移送装置である。
　また、本発明は、レーザを用いて複数の対象物を出発基板から目的基板に移送する移送方法であって、
　前記複数の対象物を備えた出発基板を準備する出発基板準備工程と、
　前記複数の対象物を移送される予定の目的基板を準備する目的基板準備工程と、
　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源、第１の光学系統及び第２の光学系統を具備する移送装置を準備する装置準備工程と、
　前記出発基板上の前記複数の対象物に不良な対象物が含まれるか否かを予め判定し、前記不良な対象物が含まれている場合に前記第２の光学系統を通した前記レーザにより前記不良な対象物を選択的に除去するトリミング工程と、
　前記出発基板から前記目的基板へと前記複数の対象物を前記第１の光学系統を通した前記レーザにより移送する移送工程と
を含み、
　前記トリミング工程から前記移送工程までを前記出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行う、移送方法である。
　以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　［移送装置］
　図１に、本発明の移送装置の一例を概略的に示す。図１に示す移送装置１０は、出発基板上に設けられた対象物を出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置である。
　移送装置１０は、レーザ光源３と、第１の光学系統１と、第２の光学系統２と、切り替え機構４とを具備する。
　レーザ光源３は、レーザを発振するように構成されたものである。レーザ光源３の擬態的態様は特に限定されないが、例えば、エキシマレーザとすることができる。
　第１の態様では、第１の光学系統１は、例えば図２に概略的に示すように、レーザＬＬを出発基板１００の裏面側から順次照射することにより、目的基板２００面に対象物６を移送するように構成されている第１の光学系統１Ａとする。順次照射は、例えば図２に示すように、レーザ光源３からのレーザＬＬの光路を、出発基板１００上に形成された対象物６にレーザＬＬが順次照射されるように移動する（走査・スキャン）ことによって行うことができる。この際、図２に示すように、光路の移動に対して相対的に出発基板１００及び目的基板２００を移動させることもできる。また、図２に示すように、出発基板１００の移動速度と、目的基板２００の移動速度とを異ならせることにより、出発基板１００上に設けられた対象物６のピッチとは異なるピッチで、対象物６を目的基板２００に配置することができる。
　第２の態様では、第１の光学系統１は、例えば図３及び図４に概略的に示すように、レーザＬＬを出発基板１００の裏面側から複数の対象物６に同時照射することにより、目的基板２００面に複数の対象物６を同時に移送するように構成された第１の光学系統１Ａ’である。図３はライン状の照射形状を有するレーザＬＬを一列に並ぶ複数（１×ｍ（ｍ＞２））の対象物６に照射する例であり、図４は矩形状の照射形状を有するレーザＬＬを複数列及び複数行に並ぶ複数（ｎ×ｍ（ｎ＞２、ｍ＞２））の対象物６に照射する例である。照射形状は、例えば、後段で説明するマスクにより適宜変更することができる。
　第１の態様及び第２の態様のいずれにおいても、第１の光学系統１では、先に説明したレーザリフトオフ工程及び移載工程の両方を行うことができる。
　図１に示す第２の光学系統２は、第１の光学系統とは異なる光学構成を有する。
　第１の態様では、第２の光学系統２は、例えば図５または図６に示すようにレーザＬＴまたはＬＲを出発基板１００の裏面側から選択照射することにより、例えば図５に示すように対象物（不良な対象物）６Ｄを出発基板１００上から除去する（すなわち、トリミング工程を行う）、または対象物（補充チップ）６Ｒを目的基板２００面に移送する（すなわち、リペア工程を行う）ように構成されている第２の光学系統２Ｂである。
　別の側面である第２の態様では、例えば図５または図６に示すようにレーザＬＴまたはＬＲを出発基板１００の裏面側から一つの対象物６Ｄまたは６Ｒに照射することにより、一つの対象物（不良な対象物）６Ｄを出発基板１００上から除去する（すなわち、トリミング工程を行う）、または一つの対象物（補充チップ）６Ｒを目的基板２００面に移送するように構成されている第２の光学系統２Ｂ’である。
　図１に示す切り替え機構４は、レーザの光路Ｌを、第１の光学系統１への光路Ｌ１と、第２の光学系統２への光路Ｌ２との間で切り替えるように構成されている。
　図１の例では、切り替え機構４は、コントローラ４１と、コントローラ４１に電気的に接続されたミラー４２とを備える。コントローラ４１は、ミラー４２を動かして、レーザの光路Ｌを、第１の光学系統１への光路Ｌ１と第２の光学系統２への光路Ｌ２との間で切り替えるように構成されている。
　図１に示した例の移送装置１０は、任意のホモジナイザ５を更に含む。ホモジナイザ５は、レーザ光源３から発振されたレーザの強度分布を均一化するように構成されている。
　図１に示した例の移送装置１０は、複数のミラー、例えば切り替え機構４のミラー４２の他に、ミラーＭを更に含む。複数のミラー４２及びＭは、レーザの光路のアライメントの役割を果たす。
　以上に説明した本発明の移送装置１０であれば、レーザリフトオフ工程と移載工程とを同じ第１の光学系統１で行うことができ、トリミング工程とリペア工程とを同じ第２の光学系統２で行うことができる。また、移送装置１０は、レーザ光源３からのレーザの光路Ｌを第１の光学系統１への光路Ｌ１と第２の光学系統２への光路Ｌ２との間で切り替えるように構成された切り替え機構４とを具備しているので、１台の移送装置１０で、トリミング工程、レーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程を行うことができる。
　また、従来の各機能個別の装置では、例えばトリミング工程を行った後で出発基板を一旦取り出し、レーザリフトオフ装置に移動させて出発基板を装着し、そこでレーザリフトオフ工程を行っていた。移載工程及びそれに先立つトリミング工程も同様である。この場合、トリミング工程から一旦出発基板を取り出して、レーザリフトオフ装置または移載装置に出発基板を装着し、レーザ照射対象物を決めるためのアライメントを行った上で、レーザリフトオフ工程や移載工程を実施していた。この一連の作業により生産性が低下するだけでなく、アライメント調整の精度に依存して工程間でのばらつきが生じる可能性があった。
　本発明の移送装置１０を用いれば、出発基板１００が同じものであるレーザリフトオフ工程及びそれに先立つトリミング工程を、光路の切り替えのみで、出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うことができる。同様に、移載工程及びそれに先立つトリミング工程も、出発基板１００が同じものであるため、光路の切り替えのみで、出発基板１００の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うことができる。よって、少なくともレーザリフトオフ工程とそれに先立つトリミング工程との間、及び移載工程とそれに先立つトリミング工程との間では、出発基板１００の取り外し、移動、出発基板１００の装着及びアライメントが不要となる。その結果、生産性の低下を抑えることができるとともに、アライメントの精度に起因する工程間でのばらつきを防止することができる。
　そして、本発明の移送装置１０は、従来、レーザビームのエネルギー密度、ビームエネルギー及びビーム形状、並びに照射方法が異なり得る４台の装置で行っていた機能を１台で行うことができ、さらには複数の装置でそれぞれレーザ光源を持つ必要がなくなり、レーザエネルギーの効率的な利用が可能になる。そのため、フットプリントおよび設備投資を最小限にすることができる。
　すなわち、本発明の移送装置１０であれば、最小限のフットプリント及び設備投資、並びに高い生産性で対象物１００を移送できる。
　また、メンテナンス費用も、４台の装置を用いる場合よりも抑えることができる。
　なお、本発明の移送装置１０は、従来の４つの装置を単に組み合わせただけで得られるものではなく、装置構成を、レーザリフトオフ工程及び移載工程の２つの工程を行うことができる第１の光学系統１と、トリミング工程及びリペア工程の２つの工程を行うことができる第２の光学系統２とし、これら光学系統間での光路の切り替えを行う切り替え機構４を更に具備することによって、レーザリフトオフ工程とそれに先立つトリミング工程との間、及び移載工程とそれに先立つトリミング工程との間では、出発基板１００の取り外し、移動、出発基板１００の装着及びアライメントといった段取り替えが不要となるという本発明者らの知見があって初めて想到し得るものである。
　本発明の移送装置１０は、様々な態様が可能であり、更なる構成部材を具備することができる。更なる構成部材としては、例えば、マスク、出発基板１００を少なくとも保持する第１のステージ、目的基板２００用の第２のステージ、プロジェクションレンズ、及び移動機構を挙げることができる。
　図７に、本発明の移送装置１０の一態様を示す。
　図７に示す移送装置１０では、第１の光学系統１が、光路１１と、マスク１２とを備える。マスク１２は、レーザＬＬの照射形状を例えば図３に示すようなライン状ビームにして、複数の対象物６に同時に照射するように成形するパターンを有する。
　また、図７に示す移送装置１０では、第２の光学系統２が、光路２１と、ＡＰ２２と、ガルバノスキャナ（スキャナ）２３と、マスク２４とを備える。ＡＰ２２は、スキャナ２３が適正に作動できる大きさのレーザビームを形成するためのアパーチャである。ガルバノスキャナ２３は、レーザＬＴまたはＬＲを出発基板１００または出発基板１００上に支持された対象物６Ｄ又は６Ｒに選択的に照射する、またはレーザＬＴまたはＬＲを出発基板１００の裏面側から出発基板１００または対象物６Ｄまたは６Ｒに選択的に照射する手段である。マスク２４は、レーザＬＴまたはＬＲの照射形状を対象物６Ｄまたは６Ｒにそれぞれ個別に対応した形状に照射するように成形するパターンを有する。
　図７に示す移送装置１０は、更に、ステージ７、プロジェクションレンズ８及び移動機構４３を具備する。
　ステージ７は、後段で詳細に説明する、出発基板１００を少なくとも保持するように構成された第１のステージと、第１のステージに対向するように目的基板２００を保持するように構成された第２のステージとを備える。
　プロジェクションレンズ８は、ステージ７上の出発基板１００の照射対象にレーザを結像するように構成されているものである。
　移動機構４３は、切り替え機構４の一部であり、レーザの光路の変更に合わせて、ステージ７（例えば第１のステージ及び第２のステージ）及びプロジェクションレンズ８を、第１の光学系統１と第２の光学系統２との間で移動させるように構成されている。
　プロジェクションレンズ８は、第１の光学系統１及び第２の光学系統２のそれぞれが具備することもできる。また、移動機構４３は、目的基板２００用の第２のステージを動かさないものであってもよい。このような場合、切り替え機構４は第１のステージを含み、移動機構４３は、レーザの光路の変更に合わせて、第１のステージを、第１の光学系統１と第２の光学系統２との間で移動させるように構成されたものということができる。
　移動機構４３が第２のステージを移動させるように構成されたものである場合、第２のステージも切り替え機構４の一部である。
　移動機構４３は、第１ステージ、又は第１ステージ及び第２ステージを、同一平面内で適宜移動させることができる。よって、このような移動機構４３を備えることにより、複数の対象物の移送後の同一平面内での配列形態を任意に変更できる。
　図８に、本発明の移送装置１０の他の一態様を示す。図８に示す移送装置１０は、第１の光学系統１と第２の光学系統２とでマスク９を共有する点で、図７に示す移送装置１０と異なる。
　マスク９は、レーザＬＬの照射形状を例えば図３に示すようなライン状ビームにして、複数の対象物６に同時に照射するように成形するパターンと、レーザＬＴまたはＬＲの照射形状を対象物６Ｄまたは６Ｒにそれぞれ個別に対応した形状に照射するように成形するパターンとを有する。
　なお、切り替え機構４は、以上に説明した例に限定されない。例えば、レーザ光源３からの光路Ｌ、ステージ７及びプロジェクションレンズ８を直線的に固定した状態で、光路Ｌとプロジェクションレンズ８との間に、第１の光学系統１と第２の光学系統２とを切り替えて挿入するように構成されたものであってもよい。
　［光学系統のアライメント］
　次に、レーザリフトオフ工程、トリミング工程、移載工程およびリペア工程のそれぞれにおける光学系統のアライメントについて説明する。
　なお、レーザリフトオフは、出発基板１００と目的基板２００とを対象物６を間に挟んで接触させた状態で行うコンタクトレーザリフトオフ（Ｃｏｎｔａｃｔ　ＬＬＯ）と、出発基板１００と目的基板２００とを間に空間を設けて対向させた状態で行うギャップレーザリフトオフ（Ｇａｐ　ＬＬＯ）とに大別される。
　図９は、ギャップレーザリフトオフ工程、移載工程及びリペア工程で用いられるアライメントの例である。
　ギャップレーザリフトオフ工程（詳細は図１２（ｃ）についての先の説明を参照のこと）では、出発基板１００としての例えばサファイア基板１１０を、第１のステージ７１に保持させる。また、目的基板２００としての第１の中間基板２１０を第２のステージ７２に保持させる。また、サファイア基板１１０と第１の中間基板２１０との間に空間を設ける。
　第１のステージ７１は、レーザＬＬがサファイア基板１１０の裏面に照射できるように開口部を有する。
　プロジェクションレンズ８は、第１のステージ７１の上方に配置される。
　移載工程（詳細は図１３（ｇ）についての先の説明を参照のこと）の場合は、第１のステージ７１に出発基板１００としての第２の中間基板１２０を保持させ、第２のステージ７２に目的基板２００としての完成基板２２０を保持させる点以外は、ギャップレーザリフトオフ工程用のアライメントと同様である。
　リペア工程（詳細は図１４（ｈ）についての先の説明を参照のこと）では、第１のステージ７１に出発基板１００としてのリペア基板１３０を保持させ、第２のステージ７２に目的基板２００としての完成基板２２０を保持させる点以外は、ギャップレーザリフトオフ工程用のアライメントと同様である。
　なお、移載工程後では、例えば図３及び図４のそれぞれ右側に示したように、出発基板１００（第２の中間基板１２０）に、移送されない対象物６が残る。移送されずに残った対象物６（余剰対象物）を有するこの出発基板１００を、リペア工程でのリペア基板１３０として用いることもできる。
　移載工程（マストランスファ工程と呼ぶこともできる）は、移送工程（チップ整列工程）における比較的最終工程に近い部分のプロセスとなるが、レーザリフトオフ工程や移載工程前のトリミング工程で不良の対象物（ＬＥＤ）６Ｄが除去された場合、移送工程後に得られる完成基板３００にチップ欠損部分が生じる。リペア工程は、この欠損部分に単個のチップ６Ｒを補充する。
　このとき、リペア基板から補充チップ６Ｒを補充するが、移載装置とリペア装置とは光学系統が異なる装置であるため、従来はこれらが別の装置で構成されていた。この場合、移載工程で供給される対象物６とリペア工程で補充される補充チップ６Ｒとは、互いに別の基板から供給されるものであった。このような場合、移載工程で供給される対象物６とリペア工程で補充される補充チップ６Ｒとは、チップの生産ロットが異なるため、部分的な発光状態などの不均一が発生し得る。
　一方、リペア工程において、移載工程後に残った余剰対象物６Ｒを補充することで、チップの利用効率も高く、また移載工程で移載した対象物６とリペア工程で補充する補充チップ６Ｒとが同一ロットであること、またこれらの光学系が同一光源からのレーザを利用していることから、全面で均一な整列チップを構成することが可能となる。
　図１０は、レーザリフトオフ工程の前のトリミング工程、及び移載工程前のトリミング工程で用いられるアライメントの例である。
　レーザリフトオフ工程の前のトリミング工程（詳細は、図１２（ｂ）についての説明を参照のこと）では、第１のステージ７１に出発基板１００としての例えばサファイア基板１１０を保持させる。
　移載工程前のトリミング工程（詳細は、図１３（ｆ）についての説明を参照のこと）では、第１のステージ７１に出発基板１００としての第２の中間基板１２０を保持させる。
　以上に加えて第２のステージを用いないこと以外は、図９に示すアライメントと同様である。
　図１１は、コンタクトレーザリフトオフ工程で用いられるアライメントの例である。
　図１１に示すアライメントは、出発基板１００と目的基板２００とを対象物６を間に挟んで接触させた状態とすること、及び第１のステージ７１が出発基板１００及び目的基板２００を支持しており、第２のステージがないこと以外は、図９に示すギャップレーザリフトオフ工程用のアライメントと同様である。
　先に説明したように、また図９～図１１の上記説明から明らかなように、レーザリフトオフ工程のアライメントと、その前のトリミング工程のアライメントとでは、出発基板１００として同一のサファイア基板１１０を用いる。よって、本発明の移送装置１０を用いれば、レーザリフトオフ工程前のトリミング工程とレーザリフトオフ工程とを、出発基板１００の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うことができる。
　また、移載工程のアライメントと、その前のトリミング工程のアライメントとでは、出発基板１００として同一の第２の中間基板１２０を用いる。よって、本発明の移送装置１０を用いれば、移載工程前のトリミング工程と移載工程とを、出発基板１００の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うことができる。更に、リペア工程において、出発基板１００であるリペア基板１３０として、移載工程で用いた第２の中間基板１２０を用いれば、移載工程前のトリミング工程、移載工程、及びリペア工程を、出発基板１００の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うことができる。
　［移送方法］
　次に、本発明の移送方法を説明する。なお、本発明の移送方法は、図１２～図１４を参照しながら説明したＬＥＤ搭載デバイスの製造フローに適用できるので、図１２～図１４の一部を再度参照しながら説明する。ただし、本発明の移送方法は、図１２～図１４に示す例の製造フロー以外の製造フローにも適用できる。
　本発明の移送方法は、レーザを用いて複数の対象物６を出発基板（例えば図１２（ａ）に示すサファイア基板１１０または図１２（ｇ）に示す第２の中間基板１２０）から目的基板（例えば、図１２（ｃ）に示す第１の中間基板２１０または図１３（ｇ）に示す完成基板２２０）に移送する移送方法である。
　まず、複数の対象物６を備えた出発基板（例えば図１２（ａ）に示すサファイア基板１１０または図１２（ｃ）に示す第２の中間基板１２０）を準備する（出発基板準備工程）。
　一方、複数の対象物６を移送される予定の目的基板（例えば、図１２（ｃ）に示す第１の中間基板２１０または図１３（ｇ）に示す完成基板２２０）を準備する（目的基板準備工程）。
　また、図１に示す、レーザを発振するように構成されたレーザ光源３、第１の光学系統１及び第２の光学系統２を具備する移送装置１０を準備する（装置準備工程）。
　次に、図１２（ｂ）または図１３（ｆ）に示すように、出発基板（例えばサファイア基板１１０または第２の中間基板１２０）上の複数の対象物６に不良な対象物６Ｄが含まれるか否かを予め判定し、不良な対象物６Ｄが含まれている場合に第２の光学系統２を通したレーザＬＴにより不良な対象物６を選択的に除去する（トリミング工程）。
　そして、図１２（ｃ）または図１３（ｇ）に示すように、出発基板（例えばサファイア基板１１０または第２の中間基板１２０）から目的基板（例えば第１の中間基板２１０または完成基板２２０）へと複数の対象物６を第１の光学系統１を通したレーザＬＬまたはＬＭにより移送する（移送工程（レーザリフトオフ工程または移載工程））。
　そして、本発明の移送方法では、上記トリミング工程から上記移送工程までを出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行う。具体的には、レーザリフトオフ工程及びそれに先立つトリミング工程を、出発基板であるサファイア基板１１０の段取り換えを行わずに一連の動作で行う。また、移載工程及びそれに先立つトリミング工程を、出発基板であるサファイア基板１１０または第２の中間基板１２０の段取り換えを行わずに一連の動作で行う。
　このような本発明の移送方法では、少なくともレーザリフトオフ工程とそれに先立つトリミング工程との間、及び移載工程とそれに先立つトリミング工程との間では、出発基板の段取り換えに起因する生産性の低下を抑えることができるとともに、アライメントの精度に起因する工程間でのばらつきを防止することができる。
　そして、本発明の移送方法は、従来４台の装置で行っていた機能を１台の装置で行うことができ、さらには複数の装置でそれぞれレーザ光源を持つ必要がなくなり、レーザエネルギーの効率的な利用が可能になる。そのため、フットプリントおよび設備投資を最小限にすることができる。
　本発明の移送方法は、目的基板（例えば完成基板２２０）上に対象物６が欠損している箇所が含まれるか否かを予め判定し、対象物６の欠損箇所が含まれている場合には、出発基板（例えば第２の中間基板）から目的基板（例えば完成基板２２０）へと複数の対象物６を第１の光学系統１を通したレーザＬＭにより移送する移送工程（図１３（ｇ））後に、第２の光学系統２を通して選択的に出発基板（例えば図１４（ｈ）に示すリペア基板１３０）の対象物６ＲにレーザＬＲを照射して、対象物６が欠損した箇所に対象物（補充チップ６Ｒ）を移送するリペア工程（図１４（ｈ））を更に含むことができる。さらに、リペア基板１３０として、移載工程後の第２の中間基板１２０を用いることにより、図１３（ｇ）の移送工程から図１４（ｈ）のリペア工程までを出発基板（第２の中間基板１２０）の段取り替えを行うことなく一連の動作で行うこともできる。
　より具体的には、移送工程は、図９を参照して説明したアライメントで、レーザＬＬを、出発基板としての第１のステージ７１に設置された基板表面に対象物６が形成されたチップ供給基板（サファイア基板１１０）の基材を通して、対象物６に照射することにより、対象物６の一部を分解することによって、出発基板から目的基板としての第２のステージ７２に設置された第１の中間基板２１０に対象物６を移送するレーザリフトオフ工程（図１２（ｃ））、及び図９を参照して説明したアライメントで、レーザＬＭを、出発基板としての第１のステージ７１に設置された第２の中間基板１２０を通して、第２の中間基板１２０と対象物６との間に形成された接着層１２１に照射することにより、接着層１２１をアブレーションすることによって、第２の中間基板１２０から目的基板としての第２のステージ７２に設置された完成基板２２０に対象物６を移送する移載工程（図１３（ｇ））を含むことができる。
　また、本発明の移送方法は、レーザリフトオフ工程と移載工程との間に、図１３（ｅ）に示すような、第１の中間基板２１０から第２の中間基板１２０へと対象物６を受け渡す工程を更に含むことができる。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (11)

  1. 　出発基板上に設けられた対象物を前記出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、
    　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、
    　第１の光学系統と、
    　該第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、
    　前記レーザの光路を、前記第１の光学系統への光路と、前記第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構と、
    を具備し、
    　前記第１の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から順次照射することにより、前記目的基板面に前記対象物を移送するように構成されており、
    　前記第２の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から選択照射することにより、前記対象物を前記出発基板上から除去する、または前記対象物を前記目的基板面に移送するように構成されている、移送装置。
  2. 　出発基板上に設けられた対象物を前記出発基板から目的基板にレーザを用いて移送するための移送装置であって、
    　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源と、
    　第１の光学系統と、
    　該第１の光学系統の光学構成とは異なる光学構成を有する第２の光学系統と、
    　前記レーザの光路を、前記第１の光学系統への光路と、前記第２の光学系統への光路との間で切り替えるように構成された切り替え機構と、
    を具備し、
    　前記第１の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から複数の対象物に同時照射することにより、前記目的基板面に前記複数の対象物を同時に移送するように構成されており、
    　前記第２の光学系統が、前記レーザを前記出発基板の裏面側から一つの対象物に照射することにより、前記一つの対象物を前記出発基板上から除去する、または前記一つの対象物を前記目的基板面に移送するように構成されている、移送装置。
  3. 　前記切り替え機構がミラーを備えるものである請求項１または２に記載の移送装置。
  4. 　前記切り替え機構は、
    　前記出発基板を少なくとも保持するように構成された第１のステージと、
    　前記レーザの光路の変更に合わせて、前記第１のステージを、前記第１の光学系統と前記第２の光学系統との間で移動させるように構成された移動機構と
    を備えるものである請求項１～３のいずれか１項に記載の移送装置。
  5. 　前記出発基板を保持するように構成された第１のステージと、
    　前記第１のステージに対向するように目的基板を保持するように構成された第２のステージと、
    　前記レーザを結像するように構成されたプロジェクションレンズと、
    を更に具備し、
    　前記切り替え機構が、前記レーザの光路の変更に合わせて、前記第１のステージ、前記第２のステージ及び前記プロジェクションレンズを、前記第１の光学系統と前記第２の光学系統との間で移動させるように構成された移動機構を備えるものである請求項１～３のいずれか１項に記載の移送装置。
  6. 　前記レーザの照射形状をライン状ビームにして複数の前記対象物に照射するように形成するパターンと、
    　前記レーザの照射形状を１つの前記対象物に照射するように成形するパターンと
    を有するマスクを更に備える請求項１～５のいずれか１項に記載の移送装置。
  7. 　前記第２の光学系統は、前記レーザを前記出発基板または前記出発基板上に支持された前記対象物に選択的に照射する、または前記レーザを前記出発基板の裏面側から前記出発基板または前記対象物に選択的に照射する手段として、ガルバノスキャナを有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の移送装置。
  8. 　前記第１の光学系統が、前記レーザの照射形状をライン状ビームにして複数の前記対象物に同時に照射するように成形するパターンを有するマスクを更に備え、
    　前記第２の光学系統が、前記レーザの照射形状を前記対象物にそれぞれ個別に対応した形状に照射するように成形するパターンを有するマスクを更に備えるものである、請求項１～７のいずれか１項に記載の移送装置。
  9. 　レーザを用いて複数の対象物を出発基板から目的基板に移送する移送方法であって、
    　前記複数の対象物を備えた出発基板を準備する出発基板準備工程と、
    　前記複数の対象物を移送される予定の目的基板を準備する目的基板準備工程と、
    　前記レーザを発振するように構成されたレーザ光源、第１の光学系統及び第２の光学系統を具備する移送装置を準備する装置準備工程と、
    　前記出発基板上の前記複数の対象物に不良な対象物が含まれるか否かを予め判定し、前記不良な対象物が含まれている場合に前記第２の光学系統を通した前記レーザにより前記不良な対象物を選択的に除去するトリミング工程と、
    　前記出発基板から前記目的基板へと前記複数の対象物を前記第１の光学系統を通した前記レーザにより移送する移送工程と
    を含み、
    　前記トリミング工程から前記移送工程までを前記出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行う、移送方法。
  10. 　前記目的基板上に前記対象物が欠損している箇所が含まれるか否かを予め判定し、前記対象物の欠損箇所が含まれている場合には、前記出発基板から前記目的基板へと前記複数の対象物を前記第１の光学系統を通した前記レーザにより移送する前記移送工程後に、前記第２の光学系統を通して選択的に前記出発基板の前記対象物に前記レーザを照射して、前記対象物が欠損した箇所に前記対象物を移送するリペア工程を更に含み、
    　前記移送工程から前記リペア工程までを前記出発基板の段取り替えを行うことなく一連の動作で行う、請求項９に記載の移送方法。
  11. 　前記移送工程は、
    　前記レーザを、前記出発基板としての第１のステージに設置された基板表面に対象物が形成されたチップ供給基板の基材を通して、前記対象物に照射することにより、前記対象物の一部を分解することによって、前記出発基板から前記目的基板としての第２のステージに設置された第１の中間基板に前記対象物を移送するレーザリフトオフ工程、及び
    　前記レーザを、前記出発基板としての前記第１のステージに設置された第２の中間基板を通して、前記第２の中間基板と前記対象物との間に形成された接着層に照射することにより、前記接着層をアブレーションすることによって、前記第２の中間基板から前記目的基板としての前記第２のステージに設置された完成基板に前記対象物を移送する移載工程
    を含み、
    　前記第２の中間基板は、前記接着層を含み、
    　前記レーザリフトオフ工程と前記移載工程との間に、前記第１の中間基板から前記第２の中間基板へと前記対象物を受け渡す工程を更に含む、請求項９または請求項１０に記載の移送方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041500A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sony Corp 素子の転写方法、素子の間引き方法及び素子の転写装置
JP2018060993A (ja) * 2016-09-29 2018-04-12 東レエンジニアリング株式会社 転写方法、実装方法、転写装置、及び実装装置
WO2021193135A1 (ja) * 2020-03-23 2021-09-30 東レエンジニアリング株式会社 実装方法、実装装置、および転写装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041500A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sony Corp 素子の転写方法、素子の間引き方法及び素子の転写装置
JP2018060993A (ja) * 2016-09-29 2018-04-12 東レエンジニアリング株式会社 転写方法、実装方法、転写装置、及び実装装置
WO2021193135A1 (ja) * 2020-03-23 2021-09-30 東レエンジニアリング株式会社 実装方法、実装装置、および転写装置

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