WO2024095569A1 - インダクタ部品 - Google Patents

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WO2024095569A1
WO2024095569A1 PCT/JP2023/030259 JP2023030259W WO2024095569A1 WO 2024095569 A1 WO2024095569 A1 WO 2024095569A1 JP 2023030259 W JP2023030259 W JP 2023030259W WO 2024095569 A1 WO2024095569 A1 WO 2024095569A1
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WO
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wiring
coil
axis
inductor component
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Prior art date
Application number
PCT/JP2023/030259
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English (en)
French (fr)
Inventor
秀基 加茂
由雅 吉岡
剛 高松
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00Fixed inductances of the signal type 
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29Terminals; Tapping arrangements for signal inductances

Definitions

  • This disclosure relates to inductor components.
  • the inductor component has an element body, a coil provided within the element body and wound along the axial direction, and a first external electrode and a second external electrode provided on the element body and electrically connected to the coil.
  • the width of the pad portion is wider than the width of the wiring portion, so part of the pad portion is located radially inside the coil relative to the wiring portion. This makes the inner diameter of the coil smaller, and the efficiency of obtaining inductance is not necessarily high.
  • the present disclosure therefore aims to provide an inductor component that can increase the efficiency of obtaining inductance.
  • an inductor component comprises: an element body including a first main surface and a second main surface opposed to each other; a coil provided on the element body and wound helically along an axis; a first external electrode and a second external electrode provided on the element body and electrically connected to the coil;
  • the axis of the coil is disposed parallel to the first major surface;
  • the coil is a plurality of first coil wirings provided on the first main surface side with respect to the axis and arranged along the axis on a plane parallel to the first main surface; a plurality of second coil wirings provided on the second main surface side with respect to the axis and arranged along the axis on a plane parallel to the second main surface; a plurality of first through wires extending from the first coil wiring toward the second coil wiring and arranged along the axis; a plurality of second through wirings extending from the first coil wiring toward the second coil wiring, provided on an opposite side of the axis from the
  • axis refers to the intersection of a first plane passing through the center between the first coil wiring and the second coil wiring and a second plane passing through the center between the first through wiring and the second through wiring.
  • the phrase "the first through wiring and the second through wiring are non-parallel when viewed in the axial direction” means that the center line of the first through wiring and the center line of the second through wiring are not parallel when viewed in the axial direction.
  • the center lines of the first through wiring and the second through wiring refer to lines passing through the centers of the through wiring in a plane perpendicular to the extension direction.
  • the external electrodes are provided on the element body specifically means that the external electrodes are provided on the outer surface side of the element body, including cases where the external electrodes are provided directly on the outer surface of the element body, cases where the external electrodes are provided on the outside of the element body via a separate member on the element body, and cases where the external electrodes are provided on the outer surface of the element body with part of them embedded in the element body.
  • the coil includes a first coil wiring, a first through wiring, a second coil wiring, and a second through wiring, and the first coil wiring, the first through wiring, the second coil wiring, and the second through wiring are connected in this order to form at least a part of a spiral shape, so that the inner diameter of the coil can be increased and the efficiency of obtaining inductance can be increased. Also, by increasing the efficiency of obtaining inductance, the Q value can be increased. Furthermore, since the first through wiring and the second through wiring are non-parallel when viewed in the axial direction, the design freedom of the first through wiring and the second through wiring can be improved, for example, the Q value can be increased or the self-resonant frequency can be increased.
  • the first through-hole wiring and the second through-hole wiring are linearly symmetrical with respect to the axis when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • symmetry with respect to the coil axis can be ensured, making it easy to design the coil.
  • the first through-hole wiring and the second through-hole wiring are symmetrical with respect to a line that is perpendicular to the first main surface and includes the axis when viewed from the axial direction.
  • symmetry with respect to the coil axis can be ensured, making it easy to design the coil.
  • the line edge roughness of the first through wiring is greater than the line edge roughness of the first coil wiring.
  • the line edge roughness of the first through wiring refers to the line edge roughness of the side of the first through wiring on the inner diameter side of the coil in a cross section perpendicular to the axis of the coil and including the center line of the first through wiring.
  • the line edge roughness of the first coil wiring refers to the line edge roughness of the side of the first coil wiring in a cross section perpendicular to the first main surface and including the center line of the first coil wiring.
  • the anchor effect improves adhesion between the first through wiring and the element body.
  • the line edge roughness of the first through wiring is equal to or smaller than the line edge roughness of the first coil wiring.
  • the side of the first through wiring is smooth, so that the increase in resistance at high frequencies due to the skin effect can be suppressed, and the Q value can be improved.
  • the width of the first through-hole wiring and the width of the second through-hole wiring are different.
  • the width of the first through-hole wiring is the equivalent circle diameter obtained from the cross-sectional area of the first through-hole wiring in a cross section that includes the center of the extension direction of the first through-hole wiring and is parallel to the first main surface.
  • the width of the second through-hole wiring is the equivalent circle diameter obtained from the cross-sectional area of the second through-hole wiring in a cross section that includes the center of the extension direction of the second through-hole wiring and is parallel to the first main surface.
  • the design freedom of the first through-hole wiring and the second through-hole wiring can be improved.
  • the first through wiring has an outer circumferential portion located radially outward of the coil with respect to the first coil wiring and the second coil wiring when viewed in the axial direction,
  • the outer circumferential portion is disposed between 0.3 and 0.7 inclusive of a height of the element body in a direction perpendicular to the first main surface, with the first main surface as a reference.
  • the second coil wiring means being located radially outward of the tangent line that contacts the end face that is located in a direction parallel to the first main surface of the first coil wiring and the end face that is located in a direction parallel to the first main surface of the second coil wiring, as viewed from the axial direction.
  • the first through wiring has an outer peripheral portion, so the inner diameter of the coil can be increased to improve the Q value.
  • the outer peripheral portion is disposed between 0.3 and 0.7 of the height of the element body, so that the outer peripheral portion can be provided on only a portion of the height of the element body, thereby reducing the possibility that the first through wiring will be exposed from the element body when singulated.
  • a second coil provided on the body and wound in a spiral shape along a second axis parallel to the axis; a third external electrode and a fourth external electrode provided on the element body and electrically connected to the second coil,
  • the second coil is a plurality of third coil wirings provided on the first main surface side with respect to the second axis and arranged along the second axis on a plane parallel to the first main surface; a plurality of fourth coil wirings provided on the second main surface side with respect to the second axis and arranged along the second axis on a plane parallel to the second main surface; a plurality of third through wirings extending from the third coil wiring toward the fourth coil wiring and arranged along the second axis; a plurality of fourth through wirings extending from the third coil wiring toward the fourth coil wiring, provided on an opposite side of the second axis from the third through wiring, and arranged along the second axis; the third coil wiring, the third through wiring, the fourth coil wiring,
  • the efficiency of obtaining inductance can be increased in the second coil as well as in the first coil, and design freedom can be improved.
  • the first through wire and the second through wire and the third through wire and the fourth through wire are line-symmetrical with respect to a center line between the first coil and the second coil.
  • the second through wire and the third through wire are arranged in parallel.
  • the second through-hole wiring and the third through-hole wiring are arranged in parallel, so that the distance between adjacent coils and the second coil can be reduced, and the inductor component can be made smaller.
  • the first through wiring and the second through wiring are asymmetrical with respect to a straight line that is perpendicular to the first main surface and includes the axis, when viewed from the axial direction.
  • the first through-hole wiring and the second through-hole wiring are asymmetrical with respect to a straight line that is perpendicular to the first main surface and includes the axis when viewed from the axial direction, thereby further improving the design freedom of the first through-hole wiring and the second through-hole wiring.
  • the third through wire and the fourth through wire are non-parallel when viewed from the second axial direction.
  • the distance between the third through-hole wiring and the fourth through-hole wiring can be increased, and the inner diameter of the second coil can be increased, thereby improving the Q value.
  • the first through wiring has a first connection surface connected to the first coil wiring and a second connection surface connected to the second coil wiring
  • the first external electrode is provided on the first main surface side and overlaps at least a portion of the first connection surface when viewed in a direction perpendicular to the first main surface;
  • the inclination angle on the axial side between a straight line connecting the center of the first connection surface and the center of the second connection surface and the connection surface connected to the first through wiring of the second coil wiring is greater than or equal to 60° and less than 90°.
  • the inclination angle is less than 90°, the area of the first coil wiring that overlaps with the first external electrode when viewed from a direction perpendicular to the first main surface can be reduced. This reduces the parasitic capacitance between the first external electrode and the first coil wiring, and increases the self-resonant frequency.
  • the inclination angle is 60° or more, the inner diameter of the coil can be secured, thereby ensuring the Q value.
  • a portion of the first connection surface and a portion of the second connection surface preferably overlap when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • a part of the first connection surface and a part of the second connection surface overlap, so when a through hole is formed in the base body, a seed layer is provided on the inner surface of the through hole, and the first through wiring is formed on the seed layer by electrolytic plating, the formation of the seed layer becomes easy.
  • the center of the first connection surface is preferably closer to the axis than the center of the second connection surface when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • the first connection surface is disposed inside the coil relative to the second connection surface when viewed from a direction perpendicular to the first main surface. This makes it possible to reduce the area of the first coil wiring that overlaps with the first external electrode when viewed from a direction perpendicular to the first main surface, thereby reducing the parasitic capacitance between the first external electrode and the first coil wiring and increasing the self-resonant frequency.
  • the first through-hole wiring has a conductive layer located on the outer periphery when viewed from the direction in which the first through-hole wiring extends, and a non-conductive layer located inside the conductive layer.
  • the current when used in the high frequency band, the current mainly flows through the surface of the first through-hole wiring due to the skin effect, so by providing a conductive layer on the outer periphery, the Q value is not lowered.
  • the Q value when provided on the outer periphery, the Q value is not lowered.
  • by providing a non-conductive layer on the inside stress can be alleviated, and manufacturing costs can be reduced by not using a conductor.
  • the cross-sectional area of at least one of the two ends in the extension direction of the first through-hole wiring is larger than the cross-sectional area of the center part in the extension direction of the first through-hole wiring.
  • the cross-sectional area of the end of the first through wiring can be increased, improving the connectivity between the first through wiring and at least one of the first coil wiring and the second coil wiring.
  • the cross-sectional area of the end of the first through wiring is large and the cross-sectional area of the center of the first through wiring is small, it is easy to form the first through wiring.
  • the thickness of the inductor component is 200 ⁇ m or less.
  • the inductor components can be made thinner.
  • the first external electrode and the second external electrode are preferably located inside the outer surface of the body when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • the first external electrode and the second external electrode are not in contact with the outer surface of the element body, so that when the inductor components are singulated, the load on the first external electrode and the second external electrode can be reduced, and deformation and peeling of the first external electrode and the second external electrode can be suppressed. Therefore, even if the inductor component is made small, deformation and peeling of the first external electrode and the second external electrode can be prevented.
  • the inductor component further comprises an organic insulator provided on the first main surface, the element body being an inorganic insulator, and the organic insulator being located inside the outer surface of the inorganic insulator when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • the organic insulator since the organic insulator is included, the organic insulator is easily given fluidity, and when the first coil wiring is covered with the organic insulator, the organic insulator can be easily filled between adjacent first coil wirings, improving insulation. In addition, since the organic insulator is not in contact with the outer surface of the mechanical insulator, the load on the organic insulator can be reduced when singulating into individual inductor components, and deformation and peeling of the organic insulator can be suppressed.
  • the inductor component according to one aspect of the present disclosure can improve the efficiency of obtaining inductance.
  • FIG. 2 is a schematic bottom view of the inductor component of the first embodiment as viewed from the bottom side.
  • FIG. This is a cross-sectional view of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a portion of FIG. 2 .
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • FIG. 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a first modified example of an inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a second modified example of the inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a third modified example of the inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a fourth modified example of the inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a fifth modified example of the inductor component.
  • FIG. 13 is a schematic bottom view of the inductor component of the second embodiment as viewed from the bottom side.
  • FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG. 7.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 8 .
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • 5A to 5C are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a first modified example of an inductor component.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a second modified example of the inductor component.
  • Fig. 1 is a schematic bottom view of the inductor component 1 as viewed from the bottom side.
  • Fig. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in Fig. 1.
  • Fig. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in Fig. 1.
  • external electrodes are depicted by two-dot chain lines in Fig. 1.
  • the element body 10 is depicted as transparent so that the structure can be easily understood, but it may be semi-transparent or opaque.
  • the inductor component 1 is a surface mount type inductor component used, for example, in a high frequency signal transmission circuit. As shown in Figures 1, 2 and 3, the inductor component 1 includes an element body 10, a coil 110 provided on the element body 10 and wound in a spiral shape along an axis AX, and a first external electrode 121 and a second external electrode 122 provided on the element body 10 and electrically connected to the coil 110.
  • the element body 10 has a length, width, and height.
  • the element body 10 has a first end face 100e1 and a second end face 100e2 at both ends in the length direction, a first side face 100s1 and a second side face 100s2 at both ends in the width direction, and a bottom face 100b and a top face 100t at both ends in the height direction.
  • the outer surface 100 of the element body 10 includes the first end face 100e1 and the second end face 100e2, the first side face 100s1 and the second side face 100s2, the bottom face 100b, and the top face 100t.
  • the bottom face 100b corresponds to an example of a "first main face” as described in the claims
  • the top face 100t corresponds to an example of a "second main face” as described in the claims.
  • the length direction (longitudinal direction) of the element body 10, which is the direction from the first end face 100e1 to the second end face 100e2, is referred to as the X direction.
  • the width direction of the element body 10, which is the direction from the first side face 100s1 to the second side face 100s2, is referred to as the Y direction.
  • the height direction of the element body 10, which is the direction from the bottom face 100b to the top face 100t, is referred to as the Z direction.
  • the X direction, Y direction, and Z direction are mutually perpendicular, and when arranged in the order X, Y, Z, they form a right-handed system.
  • the "outer surface 100 of the element body” including the first end surface 100e1, the second end surface 100e2, the first side surface 100s1, the second side surface 100s2, the bottom surface 100b, and the top surface 100t of the element body 10 does not simply mean a surface facing the outer periphery of the element body 10, but a surface that is the boundary between the outside and the inside of the element body 10. Furthermore, “above the outer surface 100 of the element body 10” does not mean an absolute direction such as vertically upward as defined by the direction of gravity, but refers to a direction toward the outside of the outside and the inside with the outer surface 100 as a boundary, based on the outer surface 100. Therefore, "above the outer surface 100” is a relative direction determined by the orientation of the outer surface 100. Furthermore, "above” with respect to a certain element includes not only an upper side away from the element, that is, an upper position through another object on the element or an upper position with a space therebetween, but also a position directly above the element (on).
  • the axis AX of the coil 110 is arranged parallel to the bottom surface 100b.
  • the coil 110 includes a plurality of bottom surface wirings 11b arranged on the bottom surface 100b side with respect to the axis AX and arranged along the axis AX on a plane parallel to the bottom surface 100b, a plurality of top surface wirings 11t arranged on the top surface 100t side with respect to the axis AX and arranged along the axis AX on a plane parallel to the top surface 100t, a plurality of first through wirings 13 extending from the bottom surface wirings 11b toward the top surface wirings 11t and arranged along the axis AX, and a plurality of second through wirings 14 extending from the bottom surface wirings 11b toward the top surface wirings 11t, arranged on the opposite side of the first through wirings 13 with respect to the axis AX and arranged along the axis AX.
  • the bottom wiring 11b corresponds to an example of the "first coil wiring” described in the claims
  • the top wiring 11t corresponds to an example of the "second coil wiring” described in the claims.
  • the axis AX is the intersection of a first plane passing through the center between the bottom wiring 11b and the top wiring 11t, and a second plane passing through the center between the first through wiring 13 and the second through wiring 14.
  • the axis AX is a straight line passing through the center of the inner diameter portion of the coil 110.
  • the axis AX of the coil 110 has no dimension in a direction perpendicular to the axis AX.
  • the coil 110 includes the bottom wiring 11b, the first through wiring 13, the top wiring 11t, and the second through wiring 14.
  • the bottom wiring 11b, the first through wiring 13, the top wiring 11t, and the second through wiring 14 are connected in this order to form at least a part of a spiral shape, so that the inner diameter of the coil 110 can be increased and the efficiency of obtaining inductance can be increased. Furthermore, by increasing the efficiency of obtaining inductance, the Q value can be increased.
  • the pad portion of a conventional inductor component and the bottom wiring 11b and top wiring 11t of this embodiment are "receiving portions" for the wiring that penetrates the element body (the conductive vias of a conventional inductor component and the first through wiring 13 and second through wiring 14 of this embodiment), and therefore have a shape that extends perpendicularly in the direction that penetrates the element body.
  • the pad portion extends in a direction perpendicular to the axis of the coil, and is likely to have a structure that blocks magnetic flux generated in the axial direction of the coil.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 extend in a direction perpendicular to the axis AX of the coil 110, so the bottom wiring 11b and the top wiring 11t extend in a direction parallel to the axis AX of the coil 110. Therefore, the bottom wiring 11b and the top wiring 11t are unlikely to have a structure that blocks magnetic flux generated in the direction of the axis AX. In other words, with this embodiment, a structure that is unlikely to block magnetic flux can be achieved, improving the inductance acquisition efficiency and Q value.
  • the first through-hole wiring 13 and the second through-hole wiring 14 are non-parallel when viewed along the axis AX.
  • the center line 13a of the first through-hole wiring 13 and the center line 14a of the second through-hole wiring 14 are not parallel when viewed along the axis AX.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are non-parallel when viewed from the axis AX direction, which improves the design freedom of the first through-wire 13 and the second through-wire 14, and for example, the Q value can be increased or the self-resonant frequency can be raised. Specifically, the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 can be increased, and the inner diameter of the coil 110 can be increased, improving the Q value.
  • all the first through wirings 13 and all the second through wirings 14 are non-parallel when viewed from the axis AX direction. It is sufficient that at least one first through wiring 13 and at least one second through wiring 14 are non-parallel when viewed from the axis AX direction. It is preferable that the first through wiring 13 and the second through wiring 14 intersecting on the same plane perpendicular to the axis AX are non-parallel when viewed from the axis AX direction. Although all the first through wirings 13 overlap when viewed from the axis AX direction, there may be first through wirings 13 that do not overlap when viewed from the axis AX direction among all the first through wirings 13. The same applies to the second through wirings 14.
  • the volume of the inductor component 1 is 0.08 mm3 or less, and the size of the long side of the inductor component 1 is 0.65 mm or less.
  • the size of the long side of the inductor component 1 refers to the largest value among the length, width, and height of the inductor component 1, and in this embodiment, refers to the length in the X direction. According to the above configuration, the volume of the inductor component 1 is small and the long side of the inductor component 1 is short, so that the weight of the inductor component 1 is light. Therefore, even if the external electrodes 121 and 122 are small, the necessary mounting strength can be obtained.
  • the thickness of the inductor component 1 is preferably 200 ⁇ m or less. This allows the inductor component 1 to be made thin.
  • the size of the inductor component 1 (length (X direction) x width (Y direction) x height (Z direction)) is 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm, 0.4 mm x 0.2 mm x 0.2 mm, 0.25 mm x 0.125 mm x 0.120 mm, etc. Furthermore, the width and height do not have to be equal, and may be, for example, 0.4 mm x 0.2 mm x 0.3 mm.
  • the element body 10 contains SiO2 , which can provide insulation and rigidity to the element body 10.
  • the element body 10 is made of, for example, a sintered glass body.
  • the sintered glass body may contain alumina, which can further increase the strength of the element body.
  • the glass sintered body is formed, for example, by stacking multiple insulating layers containing glass.
  • the stacking direction of the multiple insulating layers is the Z direction.
  • the insulating layers are in a layered form having main surfaces extending in the XY plane. Note that, due to firing or the like, the interfaces between the multiple insulating layers of the element body 10 may not be clear.
  • the element body 10 may be made of, for example, a glass substrate.
  • the glass substrate may be a single-layer glass substrate, and since the majority of the element body is made of glass, losses such as eddy current losses at high frequencies can be suppressed.
  • the coil 110 includes a plurality of bottom wirings 11b, a plurality of top wirings 11t, a plurality of first through wirings 13, and a plurality of second through wirings 14.
  • the bottom wirings 11b, the first through wirings 13, the top wirings 11t, and the second through wirings 14 are connected in sequence to form at least a portion of the coil 110 wound in the axial direction AX.
  • the coil 110 is a so-called helical-shaped coil 110, so that in a cross section perpendicular to the axis AX, the area in which the bottom wiring 11b, the top wiring 11t, the first through wiring 13, and the second through wiring 14 run parallel to the winding direction of the coil 110 can be reduced, thereby reducing the stray capacitance in the coil 110.
  • a helical shape refers to a shape in which the number of turns in the entire coil is greater than one turn, and the number of turns in the coil in a cross section perpendicular to the axis is less than one turn.
  • One turn or more refers to a state in which, in a cross section perpendicular to the axis, the coil wiring has parts that are adjacent in the radial direction when viewed from the axial direction and run parallel to the winding direction
  • “less than one turn” refers to a state in which, in a cross section perpendicular to the axis, the coil wiring does not have parts that are adjacent in the radial direction when viewed from the axial direction and run parallel to the winding direction.
  • the bottom wiring 11b extends in only one direction. Specifically, the bottom wiring 11b extends in the Y direction at a slight incline toward the X direction. All the bottom wirings 11b are arranged parallel to the X direction.
  • modified illumination such as annular illumination or dipole illumination
  • the pattern resolution in a specific direction can be improved to form a finer pattern.
  • the bottom wirings 11b extend in only one direction and all the bottom wirings 11b are arranged in parallel, so that fine bottom wirings 11b can be formed by using modified illumination, for example, in the photolithography process, and the inductor component 1 can be made smaller.
  • the top surface wiring 11t extends in only one direction. Specifically, the top surface wiring 11t extends in the Y direction. All the top surface wiring 11t are arranged in parallel along the X direction. With the above configuration, the top surface wiring 11t extends in only one direction and is arranged in parallel. Therefore, by using, for example, modified illumination in the photolithography process, fine top surface wiring 11t can be formed, and the inductor component 1 can be made smaller.
  • the bottom wiring 11b and the top wiring 11t are made of a good conductor material such as copper, silver, gold, or an alloy of these.
  • the bottom wiring 11b and the top wiring 11t may be a metal film formed by plating, vapor deposition, sputtering, or the like, or may be a metal sintered body formed by applying and sintering a conductive paste.
  • the bottom wiring 11b and the top wiring 11t may also be a multi-layer structure in which multiple metal layers are stacked.
  • the thickness of the bottom wiring 11b and the top wiring 11t is preferably 5 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the first through wiring 13 is disposed on the first side surface 100s1 side of the axis AX within the through hole V of the element body 10, and the second through wiring 14 is disposed on the second side surface 100s2 side of the axis AX within the through hole V of the element body 10.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 each extend in a direction perpendicular to the bottom surface 100b and the top surface 100t. This allows the lengths of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 to be shortened, thereby suppressing the DC resistance (Rdc). All of the first through wirings 13 and all of the second through wirings 14 are disposed in parallel along the X direction.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are non-parallel when viewed from the axis AX direction. Specifically, the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are bent at the center so that the distance between them becomes wider toward the center in the Z direction. In other words, the first through wiring 13 and the second through wiring 14 each have a shape that spreads outward in the radial direction of the coil 110 toward the center in the Z direction. In addition, the first through wiring 13 and the second through wiring 14 each have a stepped shape along the Z direction.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are each formed by stacking multiple conductor layers, the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be easily formed in a stepped shape by stacking the conductor layers of each layer in a shifted manner.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are linearly symmetrical with respect to the axis AX when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b. This ensures symmetry of the coil 110 with respect to the axis AX, making it easier to design the coil 110. It also reduces the intrusion of some of the through-wires into the inner diameter of the coil 110, improving the Q value.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are symmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed in the direction of the axis AX. This ensures symmetry of the coil 110 with respect to the axis AX, making it easier to design the coil 110. It also reduces the intrusion of some of the through-wires into the inner diameter of the coil 110, improving the Q value.
  • the line edge roughness (hereinafter also referred to as LER (Line Edge Roughness)) of the first through wiring 13 is greater than the line edge roughness of the bottom wiring 11b.
  • the line edge roughness of the first through wiring 13 refers to the line edge roughness of the side of the first through wiring 13 on the inner diameter side of the coil 110 in a cross section perpendicular to the axis AX of the coil 110 and including the center line 13a of the first through wiring 13.
  • the line edge roughness of the bottom wiring 11b refers to the line edge roughness of the side of the bottom wiring 11b in a cross section perpendicular to the bottom surface 100b and including the center line 14a of the bottom wiring 11b. This improves the adhesion between the first through wiring 13 and the element body 10 due to the anchor effect.
  • the LER of the first through wiring 13 refers to the dimensional variation in the width of the first through wiring 13.
  • the width of the first through wiring 13 is the dimension in a direction perpendicular to the center line 13a in a cross section including the center line 13a of the first through wiring 13.
  • the method for measuring the LER complies with the SEMI standard (SEMI Standard P47-0307, Test Method for Evaluation of Line-Edge Roughness and Line width Roughness).
  • SEMI standard SEMI Standard P47-0307, Test Method for Evaluation of Line-Edge Roughness and Line width Roughness.
  • an SEM image (or optical image) of the first through wiring 13 is acquired at a magnification that covers 1/3 or more of the length of the first through wiring 13 in the extension direction, and the LER of the first through wiring 13 is calculated using WinROOF2018, which is image processing software.
  • an SEM image of the bottom wiring 11b is acquired at a magnification that covers 1/3 or more of the length of the bottom wiring 11b in the extension direction, and the LER of the bottom wiring 11b is calculated.
  • the LER refers to the average value of the LER calculated at three or more points in the image acquired as described above, and the three or more points include at least two points where the distance between the two points is half or more of the acquired image.
  • the line edge roughness of the first through wiring 13 may be greater than the line edge roughness of the top surface wiring 11t, and the adhesion between the first through wiring 13 and the element body 10 is improved due to the anchor effect.
  • the line edge roughness of the second through wiring 14 may be greater than the line edge roughness of the bottom wiring 11b, and the anchor effect improves the adhesion between the second through wiring 14 and the element body 10.
  • the line edge roughness of the second through wiring 14 may be greater than the line edge roughness of the top wiring 11t, and the anchor effect improves the adhesion between the second through wiring 14 and the element body 10.
  • the line edge roughness of the first through wiring 13 may be equal to or smaller than the line edge roughness of the bottom wiring 11b. In this way, since the side surface of the first through wiring 13 is smooth, an increase in resistance at high frequencies due to the skin effect can be suppressed, and the Q value can be improved. Similarly, the line edge roughness of the first through wiring 13 may be equal to or smaller than the line edge roughness of the top wiring 11t. Similarly, the line edge roughness of the second through wiring 14 may be equal to or smaller than the line edge roughness of the bottom wiring 11b, and since the side surface of the second through wiring 14 is smooth, it is possible to suppress an increase in resistance at high frequencies due to the skin effect, and the Q value can be improved. Similarly, the line edge roughness of the second through wiring 14 may be equal to or smaller than the line edge roughness of the top wiring 11t.
  • the width of the first through wiring 13 and the width of the second through wiring 14 are different.
  • the width of the first through wiring 13 is a circle equivalent diameter obtained from the cross-sectional area of the first through wiring 13 in a cross section that includes the center of the extension direction of the first through wiring 13 and is parallel to the bottom surface 100b.
  • the width of the second through wiring 14 is a circle equivalent diameter obtained from the cross-sectional area of the second through wiring 14 in a cross section that includes the center of the extension direction of the second through wiring 14 and is parallel to the bottom surface 100b.
  • the first through wiring 13 is divided into three equal parts in the height direction, an upper part, a middle part, and a lower part, and the average value of the circle equivalent diameter of the cross-sectional area of each of the three equal parts is set as the width.
  • the width of the first through wiring 13 and the width of the second through wiring 14 are considered to be different when the width of the first through wiring 13 and the width of the second through wiring 14 are relatively different by 10% or more.
  • the above configuration improves the design freedom of the first through-wire 13 and the second through-wire 14. For example, if the through-wire is inclined or curved, the DC resistance increases, so the width of the through-wire on the side with the longer line length is increased so that the DC resistance of through-wires of different shapes and different line lengths is the same.
  • the first through wiring 13 has an outer peripheral portion 131 located radially outward of the coil 110 from the bottom wiring 11b and the top wiring 11t when viewed from the axis AX direction.
  • the outer peripheral portion 131 is located radially outward of the coil 110 from a tangent L2 that touches an end face 11b1 of the bottom wiring 11b located in a direction parallel to the bottom face 100b and an end face 11t1 of the top wiring 11t located in a direction parallel to the bottom face 100b when viewed from the axis AX direction.
  • the outer peripheral portion 131 is located between 0.3 and 0.7 of the height Z1 of the element body 10 in a direction perpendicular to the bottom face 100b, with the bottom face 100b as a reference.
  • the height Z1 of the element body 10 is the distance from the bottom face 100b to the top face 100t.
  • the position of 1.0 of the height Z1 of the element body 10 corresponds to the top face 100t.
  • the first through wiring 13 has an outer peripheral portion 131, so the inner diameter of the coil 110 can be increased to improve the Q value.
  • the outer peripheral portion 131 is disposed between 0.3 and 0.7 of the height Z1 of the element body, the outer peripheral portion 131 can be provided on only a portion of the height Z1 of the element body 10, thereby reducing the possibility that the first through wiring 13 will be exposed from the element body 10 when singulated.
  • the second through wiring 14 has an outer peripheral portion that is located radially outward of the coil 110 relative to the bottom wiring 11b and the top wiring 11t when viewed from the axis AX direction, and the outer peripheral portion is positioned between 0.3 and 0.7 of the height Z1 of the element body 10. This makes it possible to increase the inner diameter of the coil 110 and improve the Q value, and also reduces the possibility of the second through wiring 14 being exposed from the element body 10 when singulated.
  • the first through wiring 13 contains SiO 2. According to this, when the element body 10 contains SiO 2 , the linear expansion coefficient of the first through wiring 13 can be matched to the linear expansion coefficient of the element body 10, and cracks between the first through wiring 13 and the element body 10 can be suppressed.
  • a conductive paste is used for the first through wiring 13.
  • the conductive material is Ag, Cu, or the like.
  • the second through wiring 14 similarly contains SiO 2 .
  • the first end of the bottom wiring 11b and the first end of the top wiring 11t overlap when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b, and the angle ⁇ between the bottom wiring 11b and the top wiring 11t is an acute angle.
  • the angle ⁇ is the angle between the center line of the width of the bottom wiring 11b (the dashed line in FIG. 2) and the center line of the width of the top wiring 11t (the dashed line in FIG. 2) when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b.
  • the angle ⁇ between the bottom wiring 11b and the top wiring 11t connected to the same first through wiring 13 is 5° or more and 45° or less when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b.
  • the angle ⁇ is the angle between the center line of the width of the bottom wiring 11b (the dashed line in FIG. 2) and the center line of the width of the top wiring 11t (the dashed line in FIG. 2) when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b.
  • the coil 110 is wound tightly, so that the inductance can be improved. Since the angle ⁇ is 45° or less, the coil length is shortened, the leakage magnetic flux is reduced, and the Q value is increased.
  • the coil length refers to the distance between the two ends located at the outermost positions in the axis AX direction among the bottom wiring 11b, the top wiring 11t, the first through wiring 13, and the second through wiring 14. Since the angle ⁇ is 5° or more, the possibility of contact between two adjacent first through wirings 13 in the axis AX direction is reduced, and the possibility of contact between two adjacent second through wirings 14 in the axis AX direction is reduced. Note that the angle ⁇ may be 5° or more and 45° or less in at least one pair of bottom wiring 11b and top wiring 11t among all the bottom wirings 11b and top wiring 11t.
  • the angle ⁇ between the bottom surface wiring 11b and the top surface wiring 11t connected to the same second through wiring 14 is 5° or more and 45° or less. This allows the coil 110 to be wound tightly, improving the inductance.
  • At least one of the bottom wiring 11b, top wiring 11t, first through wiring 13, and second through wiring 14 includes a void portion or a resin portion.
  • a void portion or a resin portion This allows the stress caused by the difference in linear expansion coefficient between the wiring and the element body 10 to be absorbed by the void portion or resin portion, and the stress can be alleviated.
  • a method for forming the void portion for example, a material that is burned away by sintering is used as the wiring material, and the void portion can be formed by sintering the wiring.
  • a method for forming the resin portion for example, a conductive paste can be used as the wiring material to form the resin portion.
  • At least one of the bottom surface wiring 11b and the top surface wiring 11t contains SiO 2.
  • the linear expansion coefficient of the wiring can be matched to the linear expansion coefficient of the element body 10, and cracks between the wiring and the element body 10 can be suppressed.
  • the first external electrode 121 is connected to a first end of the coil 110, and the second external electrode 122 is connected to a second end of the coil 110.
  • the first external electrode 121 is provided on the first end face 100e1 side with respect to the center in the X direction of the element body 10 so as to be exposed from the outer surface 100 of the element body 10.
  • the second external electrode 122 is provided on the second end face 100e2 side with respect to the center in the X direction of the element body 10 so as to be exposed from the outer surface 100 of the element body 10.
  • the first external electrode 121 and the second external electrode 122 are located inside the outer surface 100 of the element body 10.
  • the first external electrode 121 and the second external electrode 122 are located inside the first end surface 100e1, the second end surface 100e2, the first side surface 100s1, and the second side surface 100s2 of the element body 10.
  • the first external electrode 121 and the second external electrode 122 are not in contact with the outer surface 100 of the element body 10, so when the inductor components are singulated, the load on the first external electrode 121 and the second external electrode 122 can be reduced, and deformation and peeling of the first external electrode 121 and the second external electrode 122 can be suppressed. Therefore, even if the inductor component is made small, deformation and peeling of the first external electrode 121 and the second external electrode 122 can be prevented.
  • the first external electrode 121 may be provided continuously on the bottom surface 100b and the first end surface 100e1. In this way, since the first external electrode 121 is a so-called L-shaped electrode, a solder fillet can be formed on the first external electrode 121 when the inductor component 1 is mounted on a mounting board. Similarly, the second external electrode 122 may be provided continuously on the bottom surface 100b and the second end surface 100e2.
  • the first external electrode 121 has a bottom surface portion 121b provided on the bottom surface 100b and a via portion 121v embedded in the bottom surface 100b.
  • the via portion 121v is connected to the bottom surface portion 121b.
  • the via portion 121v is connected to an end of the bottom surface wiring 11b located on the first end surface 100e1 side in the axis AX direction.
  • the second external electrode 122 has a bottom surface portion 122b provided on the bottom surface 100b and a via portion 122v embedded in the bottom surface 100b.
  • the via portion 122v is connected to the bottom surface portion 122b.
  • the via portion 122v is connected to the end of the bottom surface wiring 11b located on the second end surface 100e2 side in the axis AX direction.
  • the first external electrode 121 has an underlayer 121e1 and a plating layer 121e2 that covers the underlayer 121e1.
  • the underlayer 121e1 includes a conductive material such as Ag or Cu.
  • the plating layer 121e2 includes a conductive material such as Ni or Sn.
  • a part of the bottom portion 121b and the via portion 121v are composed of the underlayer 121e1.
  • Another part of the bottom portion 121b is composed of the plating layer 121e2.
  • the second external electrode 122 has an underlayer and a plating layer that covers the underlayer.
  • the first external electrode 121 and the second external electrode 122 may be composed of a single layer of conductive material.
  • Figures 5A to 5M are views corresponding to the cross section II-II of Figure 1.
  • Figures 5I, 5J, and 5M are views corresponding to the cross section III-III of Figure 1.
  • a first insulating layer 1011 is provided on a base substrate 1000 by printing.
  • the material of the base substrate 1000 is, for example, a glass substrate, a silicon substrate, an alumina substrate, etc.
  • the material of the first insulating layer 1011 is, for example, a resin such as epoxy or polyimide, or an inorganic insulating film such as SiO or SiN.
  • the second insulating layer 1012 is provided on the first insulating layer 1011 by printing.
  • a groove 1012a is provided in the second insulating layer 1012.
  • the groove 1012a is formed, for example, by a photolithography process. Note that the groove may be formed from the beginning as a printing pattern.
  • a top conductor layer 1011t is provided in the groove 1012a by printing.
  • the material of the top conductor layer 1011t is, for example, Ag, Cu, Au, Al, an alloy containing at least one of these elements, solder paste, etc.
  • the top conductor layer 1011t is formed as a printing pattern so that it remains only in the groove 1012a. Note that after the top conductor layer 1011t is printed on the second insulating layer 1012, a photolithography process may be used to make the top conductor layer 1011t remain only in the groove 1012a.
  • a third insulating layer 1013 is provided on the second insulating layer 1012 by printing.
  • a first groove 1013a and a second groove 1013b are provided in the third insulating layer 1013.
  • the first groove 1013a and the second groove 1013b are formed in the same manner as in FIG. 5B.
  • the first through conductor layer 1131 of the first layer is provided by printing in the first groove 1013a
  • the second through conductor layer 1141 of the first layer is provided by printing in the second groove 1013b.
  • the first through conductor layer 1131 of the first layer and the second through conductor layer 1141 of the first layer are formed in the same manner as in FIG. 5C.
  • a fourth insulating layer 1014 is provided on the third insulating layer 1013, and a second-layer first penetrating conductor layer 1132 and a second-layer second penetrating conductor layer 1142 are provided in each of the two grooves provided in the fourth insulating layer 1014. Furthermore, a fifth insulating layer 1015 is provided on the fourth insulating layer 1014, and a third-layer first penetrating conductor layer 1133 and a third-layer second penetrating conductor layer 1143 are provided in each of the two grooves provided in the fifth insulating layer 1015.
  • a sixth insulating layer 1016 is provided on the fifth insulating layer 1015, and a fourth-layer first penetrating conductor layer 1134 and a fourth-layer second penetrating conductor layer 1144 are provided in each of the two grooves provided in the sixth insulating layer 1016.
  • a seventh insulating layer 1017 is provided on the sixth insulating layer 1016, and a fifth layer, a first penetrating conductor layer 1135, and a fifth layer, a second penetrating conductor layer 1145 are provided in each of the two grooves provided in the seventh insulating layer 1017.
  • the first through conductor layer 1131 of the first layer, the first through conductor layer 1132 of the second layer, and the first through conductor layer 1133 of the third layer are stacked in order so as to be shifted radially outward of the coil
  • the first through conductor layer 1133 of the third layer, the first through conductor layer 1134 of the fourth layer, and the first through conductor layer 1135 of the fifth layer are stacked in order so as to be shifted radially inward of the coil.
  • the second through conductor layer 1141 of the first layer, the second through conductor layer 1142 of the second layer, and the second through conductor layer 1143 of the third layer are stacked in order so as to be shifted radially outward of the coil
  • the second through conductor layer 1143 of the third layer, the second through conductor layer 1144 of the fourth layer, and the second through conductor layer 1145 of the fifth layer are stacked in order so as to be shifted radially inward of the coil.
  • an eighth insulating layer 1018 is provided on the seventh insulating layer 1017, and a bottom conductor layer 1011b is provided in a groove provided in the eighth insulating layer 1018.
  • the material of the bottom conductor layer 1011b is the same as the material of the top conductor layer 1011t.
  • a ninth insulating layer 1019 is provided on the eighth insulating layer 1018.
  • a groove 1019a is provided in the ninth insulating layer 1019 so that a portion of the bottom conductor layer 1011b is exposed.
  • an underlying conductor layer 1121e1 is provided on the ninth insulating layer 1019 and in the groove 1019a.
  • the material of the underlying conductor layer 1121e1 is, for example, a resin paste such as Ag or Cu.
  • the entire laminate is sintered in a high-temperature (e.g., 500°C or higher) furnace.
  • the first to ninth insulating layers 1011-1019 are sintered to form the base body 10
  • the top conductor layer 1011t is sintered to form the top wiring 11t
  • the bottom conductor layer 1011b is sintered to form the bottom wiring 11b
  • the first through conductor layers 1131-1135 of the first to fifth layers are sintered to form the first through wiring 13
  • the second through conductor layers 1141-1145 of the first to fifth layers are sintered to form the second through wiring 14
  • the base conductor layer 1121e1 is sintered to form the base layer 121e1.
  • the strength can be improved by sintering the insulating layers, and the conductor layers are sintered to volatilize unnecessary resin components contained in the conductor layers and fuse the conductor material contained in the conductor layers to achieve high conductivity.
  • the base substrate 1000 may be peeled off by decomposing the surface during sintering, or may be mechanically removed by grinding or the like before or after sintering, or may be chemically removed by etching or the like before or after sintering.
  • the chip is cut into individual pieces along cut lines C.
  • a plating layer 121e2 is formed by barrel plating so as to cover the base layer 121e1, forming a first external electrode 121. In this way, the inductor component 1 is manufactured as shown in FIG. 2.
  • Fig. 6A is a view showing a first modified example of the inductor component, corresponding to the II-II cross section of Fig. 1.
  • the first through wire 13 and the second through wire 14 are not parallel when viewed from the axis AX direction. This makes it possible to increase the distance between the first through wire 13 and the second through wire 14, thereby making it possible to increase the inner diameter of the coil 110 and improve the Q value.
  • first through-wire 13 and the second through-wire 14 are bent at the center so that the distance between them becomes wider toward the center in the Z direction.
  • first through-wire 13 and the second through-wire 14 each have a shape that spreads outward in the radial direction of the coil 110 toward the center in the Z direction.
  • first through wiring 13 and the second through wiring 14 each have an arc shape along the Z direction. That is, the inner surface of the first through wiring 13 has a concave curved surface, and the outer surface of the first through wiring 13 has a convex curved surface.
  • the inner surface of the second through wiring 14 has a concave curved surface, and the outer surface of the second through wiring 14 has a convex curved surface.
  • the inner surfaces of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are the surfaces on the inner diameter side of the coil 110, and the outer surfaces of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are the surfaces on the outer diameter side of the coil 110.
  • the inner surfaces of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 and the outer surfaces of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be made smooth, thereby reducing DC resistance.
  • the inner surfaces of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are smooth, it is possible to suppress an increase in resistance at high frequencies due to the skin effect, and the Q value can be improved.
  • FIG. 6B is a view showing a second modified example of the inductor component, corresponding to the cross section taken along line II-II in FIG. 1.
  • the first through wire 13 and the second through wire 14 are not parallel when viewed from the axis AX direction. This allows the distance between the first through wire 13 and the second through wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110 to be increased, and the Q value to be improved.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are inclined so that the distance between them becomes wider toward the top surface wiring 11t in the Z direction.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 each have a shape that spreads outward in the radial direction of the coil 110 as far as the top surface wiring 11t in the Z direction. In this way, the coil 110 has a trapezoidal shape when viewed in the axial AX direction.
  • the first through-hole wiring 13 and the second through-hole wiring 14 can be formed in a straight line and shortened, thereby reducing the DC resistance of the first through-hole wiring 13 and the second through-hole wiring 14.
  • FIG. 6C is a view showing a third modified example of an inductor component corresponding to the cross section taken along line II-II in Fig. 1.
  • an inductor component 1C of the third modified example includes a first coil 110A and a second coil 110B, as compared with the inductor component 1 shown in Fig. 2.
  • the first coil 110A corresponds to the coil 110 of the inductor component 1 shown in Fig. 2.
  • the second coil 110B like the first coil 110A, is provided on the element body 10, wound in a spiral shape along the axis AX (an example of the second axis), and connected to a third external electrode and a fourth external electrode (not shown).
  • the third external electrode and the fourth external electrode have the same configuration as the first external electrode 121 and the second external electrode 122 of the inductor component 1 shown in FIG. 1.
  • the second coil 110B like the first coil 110A, includes bottom wiring 11b (an example of the third coil wiring), top wiring 11t (an example of the fourth coil wiring), a first through wiring 13 (an example of the third through wiring), and a second through wiring 14 (an example of the fourth through wiring).
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are not parallel when viewed from the direction of the axis AX. This allows the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110A to be increased, and the Q value to be improved.
  • the first through wiring 13 has the same configuration as the first through wiring 13 of the inductor component 1 in FIG. 2.
  • the second through wiring 14 has a linear shape parallel to the Z direction. In other words, the first through wiring 13 is bent at the center so that the distance between the first through wiring 13 and the second through wiring 14 becomes wider toward the center in the Z direction.
  • the first through wiring 13 has a stepped shape along the Z direction. According to the above configuration, when the first through wiring 13 is formed by stacking multiple conductor layers, the first through wiring 13 can be easily formed in a stepped shape by stacking the conductor layers of each layer in a shifted manner.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are not parallel when viewed from the axis AX direction. This allows the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110B to be increased, and the Q value to be improved.
  • the second through wiring 14 has the same configuration as the second through wiring 14 of the inductor component 1 in FIG. 2.
  • the first through wiring 13 has a linear shape parallel to the Z direction.
  • the second through wiring 14 is bent at the center so that the distance between the first through wiring 13 and the second through wiring 14 becomes wider toward the center in the Z direction.
  • the second through wiring 14 has a stepped shape along the Z direction. According to the above configuration, when the second through wiring 14 is formed by stacking multiple conductor layers, the second through wiring 14 can be easily formed in a stepped shape by stacking the conductor layers of each layer in a shifted manner.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are preferably arranged parallel to each other.
  • the first and second through wirings 13 and 14 of the first coil 110A and the first and second through wirings 13 and 14 of the second coil 110B are symmetrical with respect to a center line M between the first coil 110A and the second coil 110B.
  • the center line M is a line that passes through the center between the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B.
  • first through wiring 13 of the first coil 110A and the second through wiring 14 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M
  • second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M. This makes it easy to obtain the first coil 110A and the second coil 110B with the same characteristics.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged adjacent to each other, and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the distance between the adjacent first coil 110A and second coil 110B can be reduced, and the inductor component 1C can be made smaller.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged parallel to each other.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are adjacent to each other, and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged parallel to each other.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed from the direction of the axis AX.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel, so that the distance between the adjacent first coil 110A and second coil 110B can be reduced, and the inductor component 1C can be made compact.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed from the axis AX direction, so that the design freedom of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be further improved.
  • the first through wire 13 and the second through wire 14 may be asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed in the axis AX direction.
  • FIG. 6D is a view showing a fourth modified example of an inductor component corresponding to the cross section taken along line II-II in Fig. 1.
  • the coil includes a first coil 110A and a second coil 110B.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are not parallel when viewed from the direction of the axis AX. This allows the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110A to be increased, and the Q value to be improved.
  • the first through wiring 13 has the same configuration as the first through wiring 13 of the inductor component 1A in FIG. 6A.
  • the second through wiring 14 has a linear shape parallel to the Z direction. In other words, the first through wiring 13 is bent at the center so that the distance between the first through wiring 13 and the second through wiring 14 becomes wider toward the center in the Z direction.
  • the first through wiring 13 has an arc shape along the Z direction.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are not parallel when viewed from the axis AX direction. This allows the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110B to be increased, and the Q value to be improved.
  • the second through wire 14 has the same configuration as the second through wire 14 of the inductor component 1A in FIG. 6A.
  • the first through wire 13 has a straight line shape parallel to the Z direction.
  • the second through wire 14 is bent at the center so that the distance between the first through wire 13 and the second through wire 14 becomes wider toward the center in the Z direction.
  • the second through wire 14 has an arc shape along the Z direction.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 and the second through wiring 14 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M between the first coil 110A and the second coil 110B.
  • first through wiring 13 of the first coil 110A and the second through wiring 14 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M
  • second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M. This makes it possible to easily obtain the first coil 110A and the second coil 110B with the same characteristics.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged adjacent to each other, and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the distance between the adjacent first coil 110A and second coil 110B can be reduced, and the inductor component 1D can be made smaller.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged parallel to each other.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are adjacent to each other, and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged parallel to each other.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed from the direction of the axis AX.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel, so that the distance between the adjacent first coil 110A and second coil 110B can be reduced, and the inductor component 1D can be made compact.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed from the axis AX direction, so that the design freedom of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be further improved.
  • the first through wire 13 and the second through wire 14 may be asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed in the direction of the axis AX.
  • FIG. 6E is a view showing a fifth modified example of an inductor component corresponding to the cross section taken along line II-II in Fig. 1.
  • inductor component 1E of the fifth modified example includes a first coil 110A and a second coil 110B, as compared with inductor component 1B of the second modified example shown in Fig. 6B.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are not parallel when viewed from the direction of the axis AX. This allows the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110A to be increased, and the Q value to be improved.
  • the first through wiring 13 has the same configuration as the first through wiring 13 of the inductor component 1B of the second modified example.
  • the second through wiring 14 has a linear shape parallel to the Z direction. In other words, the first through wiring 13 is inclined so that the distance between the first through wiring 13 and the second through wiring 14 becomes wider in the Z direction toward the top surface wiring 11t side.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be formed in a linear shape and shortened, thereby reducing the DC resistance of the first through wiring 13 and the second through wiring 14.
  • the first through-wire 13 and the second through-wire 14 are not parallel when viewed from the axis AX direction. This allows the distance between the first through-wire 13 and the second through-wire 14 to be increased, the inner diameter of the coil 110B to be increased, and the Q value to be improved.
  • the second through wiring 14 has the same configuration as the second through wiring 14 of the inductor component 1B of the second modified example.
  • the first through wiring 13 has a linear shape parallel to the Z direction.
  • the second through wiring 14 is inclined so that the distance between the first through wiring 13 and the second through wiring 14 becomes wider in the Z direction toward the top surface wiring 11t.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 and the second through wiring 14 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M between the first coil 110A and the second coil 110B.
  • first through wiring 13 of the first coil 110A and the second through wiring 14 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M
  • second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are line-symmetrical with respect to the center line M. This makes it possible to easily obtain the first coil 110A and the second coil 110B with the same characteristics.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged adjacent to each other, and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel, the distance between the adjacent first coil 110A and second coil 110B can be reduced, and the inductor component 1E can be made smaller.
  • the axis AX of the first coil 110A and the axis AX of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are adjacent to each other, and the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed from the direction of the axis AX.
  • the second through wiring 14 of the first coil 110A and the first through wiring 13 of the second coil 110B are arranged in parallel, so that the distance between the adjacent first coil 110A and second coil 110B can be reduced, and the inductor component 1E can be made compact.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed from the axis AX direction, so that the design freedom of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be further improved.
  • the first through wire 13 and the second through wire 14 may be asymmetrical with respect to a straight line L1 that is perpendicular to the bottom surface 100b and includes the axis AX when viewed in the axis AX direction.
  • Fig. 7 is a schematic bottom view showing the second embodiment of the inductor component as viewed from the bottom side.
  • Fig. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of Fig. 7.
  • the insulating layer is omitted, and the external electrodes are drawn with two-dot chain lines.
  • the element body 10 is drawn transparently so that the structure can be easily understood.
  • the second embodiment differs from the first embodiment mainly in the position of the coil axis, the material of the element body, and the provision of an insulating layer, and these differences in configuration will be mainly described below.
  • the other configurations are the same as those of the first embodiment, and description thereof will be omitted.
  • the axis AX of the coil 110 is perpendicular to the X direction. Specifically, the axis AX is parallel to the Y direction and passes through the center of the element body 10 in the X direction. This can reduce the interference with the magnetic flux of the coil 110 by the first external electrode 121 and the second external electrode 122, improving the efficiency of obtaining inductance.
  • the length of coil 110 in the axial AX direction is shorter than the inner diameter of coil 110.
  • the length of coil 110 in the axial AX direction is also called the coil length. This allows the Q value to be improved because the coil length is short and the coil inner diameter is large.
  • the inner diameter of the coil refers to the equivalent diameter of a circle based on the minimum area of the region surrounded by coil 110 when viewed through the axial AX direction.
  • the element body 10 is an inorganic insulator.
  • the material of the element body 10 is preferably glass, which has high insulating properties and can suppress eddy currents and increase the Q value.
  • the element body 10 preferably contains silicon, which provides high thermal stability of the element body 10 and therefore can suppress fluctuations in dimensions of the element body 10 due to heat and reduce variations in electrical characteristics.
  • the element body 10 is preferably a single-layer glass plate. This ensures the strength of the element body 10. Furthermore, in the case of a single-layer glass plate, the dielectric loss is small, so the Q value at high frequencies can be increased. Furthermore, since there is no sintering process as in the case of sintered bodies, deformation of the element body 10 during sintering can be suppressed, which suppresses pattern misalignment, making it possible to provide an inductor component with a small inductance tolerance.
  • the material of the single-layer glass plate is preferably a photosensitive glass plate such as Foturan II (registered trademark of Schott AG).
  • the single-layer glass plate preferably contains cerium oxide (ceria: CeO 2 ), in which case the cerium oxide acts as a sensitizer, making processing by photolithography easier.
  • the single-layer glass plate can be processed by mechanical processing such as drilling and sandblasting, dry/wet etching using a photoresist/metal mask, laser processing, etc., it may be a glass plate that does not have photosensitivity.
  • the single-layer glass plate may be made by sintering a glass paste, or may be formed by a known method such as the float method.
  • the inductor component 1F has an insulator 22.
  • the insulator 22 covers both the bottom surface 100b and the top surface 100t of the element body 10. Note that the insulator 22 may be provided only on the bottom surface 100b out of the bottom surface 100b and the top surface 1100t.
  • the insulator 22 is a member that covers the wiring (bottom wiring 11b, top wiring 11t) to protect the wiring from external forces, prevent damage to the wiring, and improve the insulation of the wiring.
  • the insulator 22 is preferably an organic insulator.
  • the insulator 22 may be a resin film such as epoxy or polyimide, which is easy to form.
  • the insulator 22 is preferably made of a material with a low dielectric constant, which can reduce the stray capacitance formed between the coil 110 and the external electrodes 121 and 122 when the insulator 22 is present between the coil 110 and the external electrodes 121 and 122.
  • the insulator 22 can be formed, for example, by laminating a resin film such as ABF GX-92 (manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd.), or by applying a paste-like resin and thermally curing it.
  • the insulator 22 may be an inorganic film such as an oxide, nitride, or oxynitride of silicon or hafnium, which has excellent insulation properties and thin film forming properties.
  • the organic insulator is located inside the outer surface 100 of the inorganic insulator when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b.
  • the organic insulator is easily given fluidity, and when the wiring (bottom surface wiring 11b, top surface wiring 11t) is covered with the organic insulator, the organic insulator can be easily filled between adjacent wirings, improving insulation.
  • the organic insulator since the organic insulator is not in contact with the outer surface of the mechanical insulator, the load on the organic insulator can be reduced when singulating into individual inductor components, and deformation and peeling of the organic insulator can be suppressed.
  • the bottom wiring 11b extends in only one direction. Specifically, the bottom wiring 11b extends in the X direction. All the bottom wirings 11b are arranged in parallel along the Y direction.
  • the top wiring 11t extends in only one direction. Specifically, the top wiring 11t extends in the X direction at a slight incline toward the Y direction. All the top wirings 11t are arranged in parallel along the Y direction.
  • the first through wiring 13 is arranged on the first end face 100e1 side with respect to the axis AX within the through hole V of the element body 10
  • the second through wiring 14 is arranged on the second end face 100e2 side with respect to the axis AX within the through hole V of the element body 10.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 each extend in a direction perpendicular to the bottom surface 100b and the top surface 100t.
  • the multiple first through wirings 13 and the multiple second through wirings 14 are each arranged in parallel along the Y direction.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are non-parallel when viewed from the axis AX direction. Specifically, the first through wiring 13 and the second through wiring 14 are inclined so that the distance between them becomes wider toward the top surface wiring 11t in the Z direction.
  • the first through wiring 13 and the second through wiring 14 each have a shape that spreads outward in the radial direction of the coil 110 as far as the top surface wiring 11t in the Z direction.
  • the coil 110 has a trapezoidal shape when viewed from the axis AX direction. According to the above configuration, the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be formed in a straight line and shortened, and the DC resistance of the first through wiring 13 and the second through wiring 14 can be reduced.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of FIG. 8.
  • the first through wiring 13 has a first connection surface 13y1 connected to the bottom wiring 11b and a second connection surface 13y2 connected to the top wiring 11t.
  • the first external electrode 121 is provided on the bottom surface 100b side, and when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b, the first external electrode 121 overlaps at least a portion of the first connection surface 13y1.
  • the inclination angle ⁇ on the axis AX side between the straight line L3 connecting the center of the first connection surface 13y1 and the center of the second connection surface 13y2 and the connection surface 11t2 connected to the first through wiring 13 of the top wiring 11t is 60° or more and less than 90°.
  • the inclination angle ⁇ is less than 90°, the area of the bottom wiring 11b that overlaps with the first external electrode 121 when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b can be reduced. This reduces the parasitic capacitance between the first external electrode 121 and the bottom wiring 11b, and increases the self-resonant frequency.
  • the inclination angle ⁇ is 60° or more, the inner diameter of the coil 110 can be secured to ensure the Q value.
  • the second through wiring 14 has a first connection surface 14y1 connected to the bottom wiring 11b and a second connection surface 14y2 connected to the top wiring 11t.
  • the second external electrode 122 is provided on the bottom surface 100b side, and when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b, the second external electrode 122 may overlap at least a portion of the first connection surface 14y1.
  • the inclination angle ⁇ on the axis AX side between the straight line L4 connecting the center of the first connection surface 14y1 and the center of the second connection surface 14y2 and the connection surface 11t3 connected to the second through wiring 14 of the top wiring 11t may be 60° or more and less than 90°.
  • the inclination angle ⁇ is less than 90°, so the area of the bottom wiring 11b that overlaps with the second external electrode 122 when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b can be reduced. This reduces the parasitic capacitance between the second external electrode 122 and the bottom wiring 11b, and increases the self-resonant frequency.
  • the inclination angle ⁇ is 60° or more, so the inner diameter of the coil 110 can be secured to ensure the Q value.
  • the center of the first connection surface 13y1 is closer to the axis AX than the center of the second connection surface 13y2 when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b.
  • the first connection surface 13y1 when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b, the first connection surface 13y1 is disposed inside the coil 110 more than the second connection surface 13y2.
  • This makes it possible to reduce the area of the bottom wiring 11b that overlaps with the first external electrode 121 when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b, thereby reducing the parasitic capacitance between the first external electrode 121 and the bottom wiring 11b and increasing the self-resonant frequency.
  • the center of the first connection surface 14y1 may be closer to the axis AX than the center of the second connection surface 14y2 when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface 100b.
  • copper foil 2001 is provided by printing on a base substrate 2000.
  • the material of the base substrate 2000 is the same as that of the base substrate 1000 in the first embodiment.
  • a glass substrate 2010 that will become the element body 10 is provided on a base substrate 2000.
  • the base substrate 2000 and the glass substrate 2010 are attached to each other using a jig such as conductive tape, pins, or a frame.
  • the glass substrate 2010 has a first through hole V1 and a second through hole V2.
  • the first through hole V1 and the second through hole V2 are non-parallel.
  • the glass substrate 2010 is, for example, a TGV (Through Glass Via) substrate.
  • the TGV substrate is a substrate in which through holes are formed in advance by a laser, photolithography, or the like.
  • the glass substrate 2010 may be, for example, a TSV (Through Silicon Via) substrate, or may be something else.
  • Ti/Cu or other necessary conductive materials may be deposited in advance as seeds on the surface of the glass substrate 2010 by sputtering or the like.
  • a first through conductor layer 2013 that will become the first through wiring 13 is formed in the first through hole V1.
  • a second through conductor layer that will become the second through wiring 14 is formed in the second through hole V2.
  • the first through hole V1 is electrolytically plated to form the first through conductor layer 2013, and the second through hole V2 is electrolytically plated to form the second through conductor layer 2014.
  • a seed layer may be formed on the surface of the glass substrate 2010 or the inner surface of the through holes V1 and V2 by sputtering or the like, and a through conductor layer may be formed by known methods such as filled plating, conformal plating, or a printing and filling method of a conductive paste. If there is unnecessary plating growth on the surface of the glass substrate 2010, the unnecessary portions are removed by polishing, CMP, wet etching (etch-back), or dry etching.
  • the base substrate 2000 is peeled off from the glass substrate 2010.
  • the base substrate 2000 may be removed mechanically by grinding or the like, or may be removed chemically by etching or the like.
  • a bottom conductor layer 2011b that will become the bottom wiring 11b and a top conductor layer 2011t that will become the top wiring 11t are formed on a glass substrate 2010.
  • a seed layer (not shown) is provided on the entire surface of the glass substrate 2010, and a patterned photoresist is formed on the seed layer.
  • a copper layer is formed by electrolytic plating on the seed layer in the openings of the photoresist.
  • the photoresist and seed layer are removed by wet etching or dry etching. This forms the bottom conductor layer 2011b and the top conductor layer 2011t that are patterned into an arbitrary shape.
  • the bottom conductor layer 2011b and the top conductor layer 2011t may be formed one at a time, or both may be formed simultaneously.
  • insulating layers 2022 that become insulators 22 are provided on the top and bottom surfaces of glass substrate 2010 so as to cover the conductor layers.
  • bottom-side insulating layer 2022 and top-side insulating layer 2022 may be formed one at a time, or both may be formed simultaneously.
  • holes 2022a are provided on bottom conductor layer 2011b of bottom-side insulating layer 2022 using photolithography or laser processing.
  • a first external electrode conductor layer 2121 that will become the first external electrode 121 is provided on the bottom insulating layer 2022.
  • the first external electrode conductor layer 2121 is connected to the bottom conductor layer 2011b.
  • a Pd catalyst (not shown) is provided on the bottom insulating layer 2022, and a Ni, Au plating layer is formed by electroless plating.
  • a patterned photoresist is formed on the plating layer. The plating layer in the openings of the photoresist is removed by wet etching or dry etching. This forms the first external electrode conductor layer 2121 patterned into an arbitrary shape.
  • a seed layer (not shown) is provided on the bottom insulating layer 2022, and a patterned photoresist is formed on the seed layer.
  • the seed layer in the openings of the photoresist is removed by wet etching or dry etching.
  • a Ni, Au plating layer may be formed on the remaining seed layer by electroless plating.
  • a second external electrode conductor layer 2122 which will become the second external electrode 122, is provided on the insulating layer 2022 on the bottom side.
  • the chip is cut into individual pieces along cut lines C. This produces inductor component 1F as shown in FIG. 8.
  • Modification (First Modification) 11A is a diagram corresponding to a part of the VIII-VIII cross section of FIG. 7 showing a first modified example of the inductor component.
  • the cross-sectional area of each of the two end portions 13e in the extension direction of the first through wiring 13 is larger than the cross-sectional area of the central portion 13m in the extension direction of the first through wiring 13.
  • the cross-sectional area of the first through wiring 13 is the area of a cross section in a direction perpendicular to the bottom surface 100b of the first through wiring 13.
  • the width of the first through wiring 13 in the direction perpendicular to the bottom surface 100b is continuously increased from the central portion 13m toward the two end portions 13e.
  • the cross-sectional area of one end 13e of the first through-hole wiring 13 may be larger than the cross-sectional area of the central portion 13m of the first through-hole wiring 13.
  • the cross-sectional area of at least one end of the second through-hole wiring 14 may be larger than the cross-sectional area of the central portion 13m of the first through-hole wiring 13.
  • FIG. 11B is a diagram corresponding to a part of the cross section taken along the line VIII-VIII in FIG. 7, showing a second modified inductor component.
  • the first through wiring 13 has a conductive layer 13s located on the outer periphery side as viewed from the extending direction of the first through wiring 13, and a non-conductive layer 13u located inside the conductive layer 13s.
  • current mainly flows through the surface of the first through wiring 13 due to the skin effect, so that the Q value is not lowered by providing the conductive layer 13s on the outer periphery side.
  • the non-conductive layer 13u on the inner side stress can be alleviated, and the manufacturing cost can be reduced by not using a conductor.
  • a seed layer is provided on the inner surface of the through hole V of the element body 10 by sputtering or electroless plating. Then, a plating layer is formed on the seed layer by electrolytic plating. In this way, multiple conductive layers 13s such as Ti/Cu/electrolytic Cu or Pd/electroless Cu/electrolytic Cu can be formed on the outer periphery of the first through wiring 13. After that, the inside of the conductive layer 13s is sealed with resin by printing or heat pressing to form a non-conductive layer 13u made of resin. In this way, stress can be relieved by the non-conductive layer 13u inside the first through wiring 13 while current flows through the surface (conductive layer 13s) of the first through wiring 13.
  • the second through wiring 14 may have a conductive layer located on the outer periphery when viewed from the direction in which the second through wiring 14 extends, and a non-conductive layer located inside the conductive layer. Note that the cross-sectional area of each of the two ends in the extension direction of the first through wiring 13 is larger than the cross-sectional area of the center part in the extension direction of the first through wiring 13, but the cross-sectional area of each of the two ends in the extension direction of the first through wiring 13 may be the same as the cross-sectional area of the center part in the extension direction of the first through wiring 13.
  • the present disclosure includes the following aspects. ⁇ 1> an element body including a first main surface and a second main surface opposed to each other; a coil provided on the element body and wound helically along an axis; a first external electrode and a second external electrode provided on the element body and electrically connected to the coil;
  • the axis of the coil is disposed parallel to the first major surface;
  • the coil is a plurality of first coil wirings provided on the first main surface side with respect to the axis and arranged along the axis on a plane parallel to the first main surface; a plurality of second coil wirings provided on the second main surface side with respect to the axis and arranged along the axis on a plane parallel to the second main surface; a plurality of first through wires extending from the first coil wiring toward the second coil wiring and arranged along the axis; a plurality of second through wirings extending from the first coil wiring toward the second coil wiring, provided on an opposite side of the axis from the first through wiring, and
  • ⁇ 2> The inductor component according to ⁇ 1>, wherein the first through wiring and the second through wiring are line-symmetric with respect to the axis when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • ⁇ 3> The inductor component according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the first through wiring and the second through wiring are, when viewed from the axial direction, symmetrical with respect to a line that is perpendicular to the first main surface and includes the axis.
  • ⁇ 4> The inductor component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein a line edge roughness of the first through wiring is greater than a line edge roughness of the first coil wiring.
  • ⁇ 5> The inductor component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein a line edge roughness of the first through wiring is equal to or smaller than a line edge roughness of the first coil wiring.
  • ⁇ 6> The inductor component according to ⁇ 1>, wherein a width of the first through wiring and a width of the second through wiring are different.
  • the first through wiring has an outer circumferential portion located radially outward of the coil with respect to the first coil wiring and the second coil wiring when viewed in the axial direction,
  • the second coil is a plurality of third coil wirings provided on the first main surface side with respect to the second axis and arranged along the second axis on a plane parallel to the first main surface; a plurality of fourth coil wirings provided on the second main surface side with respect to the second axis and arranged along the second axis on a plane parallel to the second main surface; a plurality of third through wirings extending from the third coil wiring toward the fourth coil wiring and arranged along the second axis; a plurality of fourth through wirings extending from the third coil wiring toward the fourth coil wiring, provided on an opposite side of the second axis from the third through wiring, and arranged along the second axis; the third coil wiring, the third through wiring, the fourth coil wiring, and the fourth through wiring are connected in
  • ⁇ 9> An inductor component as described in ⁇ 8>, wherein, when viewed in the axial direction of the coil, the first through wiring and the second through wiring, and the third through wiring and the fourth through wiring are linearly symmetrical with respect to a center line between the coil and the second coil.
  • ⁇ 11> The inductor component according to ⁇ 9>, wherein the first through wiring and the second through wiring are asymmetrical with respect to a line that is perpendicular to the first main surface and includes the axis, when viewed from the axial direction.
  • the first through wiring has a first connection surface connected to the first coil wiring and a second connection surface connected to the second coil wiring; the first external electrode is provided on the first main surface side and overlaps at least a portion of the first connection surface when viewed in a direction perpendicular to the first main surface;
  • ⁇ 14> The inductor component according to ⁇ 13>, wherein a portion of the first connection surface and a portion of the second connection surface overlap when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.
  • ⁇ 15> The inductor component according to ⁇ 13> or ⁇ 14>, wherein, when viewed in a direction perpendicular to the first main surface, a center of the first connection surface is closer to the axis than a center of the second connection surface.
  • ⁇ 16> An inductor component described in any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>, wherein the first through wiring has a conductive layer located on the outer periphery when viewed from the direction in which the first through wiring extends, and a non-conductive layer located inside the conductive layer.
  • ⁇ 17> An inductor component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 16>, wherein a cross-sectional area of at least one of both ends in the extension direction of the first through wiring is larger than a cross-sectional area of a central portion in the extension direction of the first through wiring.
  • ⁇ 18> The inductor component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 17>, wherein the inductor component has a thickness of 200 ⁇ m or less.
  • ⁇ 19> An inductor component described in any one of ⁇ 1> to ⁇ 18>, wherein, when viewed in a direction perpendicular to the first main surface, the first external electrode and the second external electrode are located inside the outer peripheral surface of the element body.
  • an organic insulator is provided on the first main surface, An inductor component described in any one of ⁇ 1> to ⁇ 19>, wherein the base body is an inorganic insulator, and the organic insulator is located inside the outer surface of the inorganic insulator when viewed in a direction perpendicular to the first main surface.

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Abstract

インダクタンスの取得効率を高くすることができるインダクタ部品を提供する。インダクタ部品は、互いに対向する第1主面および第2主面を含む素体と、素体に設けられ、軸に沿って螺旋状に巻き回されたコイルと、素体に設けられ、コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極とを備え、コイルの軸は、第1主面に平行に配置され、コイルは、軸に対して第1主面側に設けられ、第1主面に平行な平面上に軸に沿って配列された複数の第1コイル配線と、軸に対して第2主面側に設けられ、第2主面に平行な平面上に軸に沿って配列された複数の第2コイル配線と、第1コイル配線から第2コイル配線に向かって延在し、軸に沿って配列された複数の第1貫通配線と、第1コイル配線から第2コイル配線に向かって延在し、軸に対して第1貫通配線と反対側に設けられ、軸に沿って配列された複数の第2貫通配線とを含み、第1コイル配線と、第1貫通配線と、第2コイル配線と、第2貫通配線とは、この順に接続されることにより、螺旋状の少なくとも一部を構成し、第1貫通配線と第2貫通配線は、軸方向からみて、非平行である。

Description

インダクタ部品
 本開示は、インダクタ部品に関する。
 従来、インダクタ部品としては、特許第6652280号公報(特許文献1)に記載されたものがある。インダクタ部品は、素体と、素体内に設けられ、軸方向に沿って巻き回されたコイルと、素体に設けられ、コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極とを有する。
 コイルは、軸に沿って積層された複数のコイルパターンを有する。軸方向に隣り合うコイルパターンは、導電性ビアを介して、接続される。コイルパターンは、軸に直交する方向に延在する配線部と、配線部の端部に設けられ導電性ビアと接続するパッド部とを有する。パッド部の幅は、パッド部と導電性ビアとの接続性を向上させるため、配線部の幅に比べて広い。
特許第6652280号公報
 ところで、前記従来のようなインダクタ部品では、パッド部の幅は、配線部の幅に比べて広いので、パッド部の一部は、配線部よりもコイルの径方向の内側に位置する。このため、コイルの内径が小さくなり、インダクタンスの取得効率が必ずしも高いと言えない。
 そこで、本開示は、インダクタンスの取得効率を高くすることができるインダクタ部品を提供することにある。
 前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
 互いに対向する第1主面および第2主面を含む素体と、
 前記素体に設けられ、軸に沿って螺旋状に巻き回されたコイルと、
 前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極と
を備え、
 前記コイルの前記軸は、前記第1主面に平行に配置され、
 前記コイルは、
 前記軸に対して前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に平行な平面上に前記軸に沿って配列された複数の第1コイル配線と、
 前記軸に対して前記第2主面側に設けられ、前記第2主面に平行な平面上に前記軸に沿って配列された複数の第2コイル配線と、
 前記第1コイル配線から前記第2コイル配線に向かって延在し、前記軸に沿って配列された複数の第1貫通配線と、
 前記第1コイル配線から前記第2コイル配線に向かって延在し、前記軸に対して前記第1貫通配線と反対側に設けられ、前記軸に沿って配列された複数の第2貫通配線と
を含み、
 前記第1コイル配線と、前記第1貫通配線と、前記第2コイル配線と、前記第2貫通配線とは、この順に接続されることにより、前記螺旋状の少なくとも一部を構成し、
 前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、非平行である。
 この明細書では、「軸」とは、第1コイル配線と第2コイル配線の間の中央を通る第1平面と、第1貫通配線と第2貫通配線の間の中央を通る第2平面との交線をいう。
 「第1貫通配線と第2貫通配線は、軸方向からみて、非平行である」とは、第1貫通配線の中心線と第2貫通配線の中心線が、軸方向からみて、平行でないことをいう。なお、第1貫通配線、第2貫通配線の中心線とは、各貫通配線の延伸方向に直交する面における中心を通る線のことである。
 「外部電極が素体に設けられる」とは、具体的には、外部電極が素体の外面側に設けられることをいう。例えば、外部電極が素体の外面直上に設けられる場合や、外部電極が素体上の別部材を介して素体の外側に設けられる場合や、外部電極の一部が素体に埋め込まれた状態で外部電極の外面上に設けられる場合を含む。
 前記一態様によれば、コイルは、第1コイル配線と第1貫通配線と第2コイル配線と第2貫通配線とを含み、第1コイル配線と第1貫通配線と第2コイル配線と第2貫通配線とは、この順に接続されることにより、螺旋状の少なくとも一部を構成するので、コイルの内径を大きくでき、インダクタンスの取得効率を高くすることができる。また、インダクタンス取得効率を高くすることで、Q値を大きくすることができる。
 さらに、第1貫通配線と第2貫通配線は、軸方向からみて、非平行であるので、第1貫通配線および第2貫通配線の設計自由度を向上でき、例えば、Q値を大きくでき、または、自己共振周波数を高くできる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記第1主面に直交する方向からみて、前記軸に対して線対称である。
 前記実施形態によれば、コイルの軸に対する対称性を確保でき、コイルの設計を容易に行うことができる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1主面に直交し前記軸を含む直線に対して線対称である。
 前記実施形態によれば、コイルの軸に対する対称性を確保でき、コイルの設計を容易に行うことができる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線のラインエッジラフネスは、前記第1コイル配線のラインエッジラフネスより大きい。
 ここで、第1貫通配線のラインエッジラフネスとは、コイルの軸に直交し、かつ、第1貫通配線の中心線を含む断面において、第1貫通配線の側面のうちのコイルの内径側の側面のラインエッジラフネスをいう。第1コイル配線のラインエッジラフネスとは、第1主面に直交し、かつ、第1コイル配線の中心線を含む断面において、第1コイル配線の側面のラインエッジラフネスをいう。
 前記実施形態によれば、アンカー効果により第1貫通配線と素体との密着性が向上する。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線のラインエッジラフネスは、前記第1コイル配線のラインエッジラフネスと同じかそれより小さい。
 前記実施形態によれば、第1貫通配線の側面が滑らかであるので、表皮効果による高周波での抵抗が上昇することを抑制でき、Q値を向上できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線の幅と前記第2貫通配線の幅は、異なる。
 ここで、第1貫通配線の幅とは、第1貫通配線の延伸方向の中央を含み第1主面に平行な断面における第1貫通配線の断面積から求めた円相当径である。第2貫通配線の幅とは、第2貫通配線の延伸方向の中央を含み第1主面に平行な断面における第2貫通配線の断面積から求めた円相当径である。
 前記実施形態によれば、第1貫通配線および第2貫通配線の設計自由度を向上できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記第1貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1コイル配線および前記第2コイル配線よりも前記コイルの径方向の外側に位置する外周部分を有し、
 前記外周部分は、前記第1主面を基準として前記素体の前記第1主面に直交する方向の高さの0.3以上0.7以下の間に配置されている。
 ここで、第1コイル配線および第2コイル配線よりもコイルの径方向の外側に位置するとは、軸方向からみて、第1コイル配線の第1主面に平行な方向に位置する端面と第2コイル配線の第1主面に平行な方向に位置する端面とに接する接線よりもコイルの径方向の外側に位置することをいう。
 前記実施形態によれば、第1貫通配線は、外周部分を有するので、コイルの内径を大きくして、Q値を向上できる。また、外周部分は、素体の高さの0.3以上0.7以下の間に配置されているので、外周部分を素体の高さの一部分だけに設けることができ、これにより、個片時に第1貫通配線が素体から露出する可能性を低減できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記素体に設けられ、前記軸と平行な第2軸に沿って螺旋状に巻き回された第2コイルと、
 前記素体に設けられ、前記第2コイルに電気的に接続された第3外部電極および第4外部電極と
をさらに備え、
 前記第2コイルは、
 前記第2軸に対して前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に平行な平面上に前記第2軸に沿って配列された複数の第3コイル配線と、
 前記第2軸に対して前記第2主面側に設けられ、前記第2主面に平行な平面上に前記第2軸に沿って配列された複数の第4コイル配線と、
 前記第3コイル配線から前記第4コイル配線に向かって延在し、前記第2軸に沿って配列された複数の第3貫通配線と、
 前記第3コイル配線から前記第4コイル配線に向かって延在し、前記第2軸に対して前記第3貫通配線と反対側に設けられ、前記第2軸に沿って配列された複数の第4貫通配線と
を含み、
 前記第3コイル配線と、前記第3貫通配線と、前記第4コイル配線と、前記第4貫通配線とは、この順に接続されることにより、前記第2コイルの螺旋状の少なくとも一部を構成し、
 前記第2貫通配線と、前記第3貫通配線とは、隣り合う。
 前記実施形態によれば、コイルと同様に第2コイルにおいても、インダクタンス取得効率を高くすることができ、また、設計自由度を向上できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記コイルの前記軸方向からみて、前記第1貫通配線および前記第2貫通配線と前記第3貫通配線および前記第4貫通配線とは、前記第1コイルと前記第2コイルの間の中央線に対して線対称である。
 前記実施形態によれば、近い特性の第1コイルと第2コイルを容易に得ることができる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記コイルの前記軸方向からみて、前記第2貫通配線と前記第3貫通配線とは、平行に配置されている。
 前記実施形態によれば、第2貫通配線と第3貫通配線とは、平行に配置されているので、隣り合うコイルと第2コイルの間の距離を小さくでき、インダクタ部品を小型にできる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1主面に直交し前記軸を含む直線に対して非線対称である。
 前記実施形態によれば、第1コイルにおいて、第1貫通配線と第2貫通配線は、軸方向からみて、第1主面に直交し軸を含む直線に対して非線対称であるので、第1貫通配線および第2貫通配線の設計自由度をより向上できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記第3貫通配線と前記第4貫通配線は、前記第2軸方向からみて、非平行である。
 前記実施形態によれば、第3貫通配線と第4貫通配線の間の距離を広げることができ、第2コイルの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
 前記第1貫通配線は、前記第1コイル配線に接続される第1接続面と、前記第2コイル配線に接続される第2接続面とを有し、
 前記第1外部電極は、前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の少なくとも一部に重なり、
 前記軸方向からみて、前記第1接続面の中心と前記第2接続面の中心とを結ぶ直線と、前記第2コイル配線の前記第1貫通配線に接続される接続面とのなす前記軸側の傾斜角度は、60°以上90°未満である。
 前記実施形態によれば、傾斜角度は90°未満であるので、第1主面に直交する方向からみて第1外部電極と重なる第1コイル配線の面積を小さくすることができる。これにより、第1外部電極と第1コイル配線の間の寄生容量を小さくして、自己共振周波数を高くすることができる。また、傾斜角度は60°以上であるので、コイルの内径を確保してQ値を確保できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の一部と前記第2接続面の一部とは、重なる。
 前記実施形態によれば、第1主面に直交する方向からみて、第1接続面の一部と第2接続面の一部とは、重なるので、素体に貫通孔を形成し貫通孔の内面にシード層を設け、電解めっきによりシード層上に第1貫通配線を形成する場合、シード層の形成が容易となる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の中心は、前記第2接続面の中心よりも前記軸に近い。
 前記実施形態によれば、第1主面に直交する方向からみて、第1接続面は、第2接続面よりもコイルの内側に配置される。これにより、第1主面に直交する方向からみて第1外部電極と重なる第1コイル配線の面積を小さくすることができ、第1外部電極と第1コイル配線の間の寄生容量を小さくして、自己共振周波数を高くすることができる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線は、前記第1貫通配線の延在する方向から見て外周側に位置する導電層と、前記導電層の内側に位置する非導電層とを有する。
 前記実施形態によれば、高周波帯で使用する場合、表皮効果により第1貫通配線の表面を主に電流が流れるため、外周側に導電層を設けることで、Q値を下げることがない。また、内側に非導電層を設けることで、応力を緩和でき、また、導体を使用しないことによる製造コストを低減できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1貫通配線の延在方向の両端部の少なくとも一方の断面積は、前記第1貫通配線の延在方向の中央部の断面積よりも大きい。
 前記実施形態によれば、第1貫通配線の端部の断面積を大きくすることができ、第1貫通配線と第1コイル配線および第2コイル配線の少なくとも一方との接続性を向上することができる。また、素体に穴部を形成し、この穴部に導電材料をフィルドめっきなどにより充填して、素体の穴部に第1貫通配線を形成する際、穴部の開口側に導電材料を充填し易い。そして、第1貫通配線の端部の断面積は大きく、第1貫通配線の中央部の断面積は小さいので、第1貫通配線を形成しやすい。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記インダクタ部品の厚みは、200μm以下である。
 前記実施形態によれば、インダクタ部品を薄くできる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1外部電極および前記第2外部電極は、前記素体の外面よりも内側に位置する。
 前記実施形態によれば、第1外部電極および第2外部電極は、素体の外面に接触していないので、個々のインダクタ部品に個片化する際、第1外部電極および第2外部電極にかかる負荷を低減でき、第1外部電極および第2外部電極の変形や剥離を抑制できる。このため、インダクタ部品を小型にしても、第1外部電極および第2外部電極の変形や剥離を防止できる。
 好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、さらに、前記第1主面に設けられた有機絶縁体を備え、前記素体は、無機絶縁体であり、前記有機絶縁体は、前記第1主面に直交する方向からみて、前記無機絶縁体の外面よりも内側に位置する。
 前記実施形態によれば、有機絶縁体を有するので、有機絶縁体は流動性を付与しやすく、第1コイル配線を有機絶縁体により覆う場合、隣り合う第1コイル配線の間に有機絶縁体を容易に充填することができ、絶縁性を向上できる。また、有機絶縁体は、機絶縁体の外面に接触していないので、個々のインダクタ部品に個片化する際、有機絶縁体にかかる負荷を低減でき、有機絶縁体の変形や剥離を抑制できる。
 本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、インダクタンスの取得効率を高くすることができる。
第1実施形態のインダクタ部品を底面側から見た模式底面図である。 図1のII-II断面図である。 図1のIII-III断面図である。 図2の一部の拡大図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第1変形例を示す断面図である。 インダクタ部品の第2変形例を示す断面図である。 インダクタ部品の第3変形例を示す断面図である。 インダクタ部品の第4変形例を示す断面図である。 インダクタ部品の第5変形例を示す断面図である。 第2実施形態のインダクタ部品を底面側から見た模式底面図である。 図7のVIII-VIII断面図である。 図8の一部拡大図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第1変形例を示す断面図である。 インダクタ部品の第2変形例を示す断面図である。
 以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
 <第1実施形態>
 第1実施形態に係るインダクタ部品1について、以下に説明する。図1は、インダクタ部品1を底面側から見た模式底面図である。図2は、図1のII-II断面図である。図3は、図1のIII-III断面図である。なお、図1では、便宜上、外部電極を二点鎖線で描いている。また、図1では、素体10は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。
 1.概要構成
 インダクタ部品1の概要構成について説明する。インダクタ部品1は、例えば、高周波信号伝送回路に用いられる表面実装型のインダクタ部品である。図1と図2と図3に示すように、インダクタ部品1は、素体10と、素体10に設けられ、軸AXに沿って螺旋状に巻き回されたコイル110と、素体10に設けられ、コイル110に電気的に接続された第1外部電極121および第2外部電極122とを備える。
 素体10は、長さ、幅および高さを有する。素体10は、長さ方向の両端側にある第1端面100e1および第2端面100e2と、幅方向の両端側にある第1側面100s1および第2側面100s2と、高さ方向の両端側にある底面100bおよび天面100tとを有する。つまり、素体10の外面100は、第1端面100e1および第2端面100e2と、第1側面100s1および第2側面100s2と、底面100bおよび天面100tとを含む。底面100bは、特許請求の範囲に記載の「第1主面」の一例に相当し、天面100tは、特許請求の範囲に記載の「第2主面」の一例に相当する。
 なお、図面に示すように、以下では、説明の便宜上、素体10の長さ方向(長手方向)であって、第1端面100e1から第2端面100e2に向かう方向をX方向とする。また、素体10の幅方向であって、第1側面100s1から第2側面100s2に向かう方向をY方向とする。また、素体10の高さ方向であって、底面100bから天面100tに向かう方向をZ向とする。X方向、Y方向及びZ方向は、互いに直交する方向であって、X,Y,Zの順に並べたとき、右手系を構成する。
 この明細書では、素体10の第1端面100e1、第2端面100e2、第1側面100s1、第2側面100s2、底面100bおよび天面100tを含む「素体の外面100」は、単に素体10の外周側を向く面という意味ではなく、素体10の外側と内側との境界となる面である。また、「素体10の外面100の上方」とは、重力方向に規定される鉛直上方のような絶対的な一方向ではなく、外面100を基準に、当該外面100を境界とする外側と内側とのうち、外側に向かう方向を指す。したがって、「外面100の上方」とは外面100の向きによって定まる相対的な方向である。また、ある要素に対して「上方(above)」には、当該要素とは離れた上方、すなわち当該要素上の他の物体を介した上側の位置や間隔を空けた上側の位置だけではなく、当該要素と接する直上の位置(on)も含む。
 コイル110の軸AXは、底面100bに平行に配置される。コイル110は、軸AXに対して底面100b側に設けられ、底面100bに平行な平面上に軸AXに沿って配列された複数の底面配線11bと、軸AXに対して天面100t側に設けられ、天面100tに平行な平面上に軸AXに沿って配列された複数の天面配線11tと、底面配線11bから天面配線11tに向かって延在し、軸AXに沿って配列された複数の第1貫通配線13と、底面配線11bから天面配線11tに向かって延在し、軸AXに対して第1貫通配線13と反対側に設けられ、軸AXに沿って配列された複数の第2貫通配線14とを含む。底面配線11bと、第1貫通配線13と、天面配線11tと、第2貫通配線14とは、この順に接続されることにより、螺旋状の少なくとも一部を構成する。
 底面配線11bは、特許請求の範囲に記載の「第1コイル配線」の一例に相当し、天面配線11tは、特許請求の範囲に記載の「第2コイル配線」の一例に相当する。軸AXは、底面配線11bと天面配線11tの間の中央を通る第1平面と、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の中央を通る第2平面との交線をいう。つまり、軸AXは、コイル110の内径部の中心を通る直線である。コイル110の軸AXは、軸AXに直交する方向の寸法を有さない。
 上記構成によれば、コイル110は、底面配線11bと第1貫通配線13と天面配線11tと第2貫通配線14とを含み、底面配線11bと第1貫通配線13と天面配線11tと第2貫通配線14とは、この順に接続されることにより、螺旋状の少なくとも一部を構成するので、コイル110の内径を大きくでき、インダクタンスの取得効率を高くすることができる。また、インダクタンス取得効率を高くすることで、Q値を大きくすることができる。
 具体的に述べると、従来のインダクタ部品のパッド部や本実施形態の底面配線11bおよび天面配線11tは、素体を貫通する配線(従来のインダクタ部品の導電性ビアや本実施形態の第1貫通配線13および第2貫通配線14)の「受け部」であるため、素体を貫通する方向に垂直に広がる形状となる。ここで、従来のインダクタ部品の構成では、導電性ビアがコイルの軸に平行な方向に延在するため、パッド部は、コイルの軸に垂直な方向に広がり、コイルの軸方向に発生する磁束を遮る構造となりやすい。
 これに対して、本実施形態では、第1貫通配線13および第2貫通配線14がコイル110の軸AXに垂直な方向に延在するため、底面配線11bおよび天面配線11tは、コイル110の軸AXに平行な方向に広がる。よって、底面配線11bおよび天面配線11tは、軸AX方向に発生する磁束を遮る構造となりにくい。すなわち、本実施形態であれば、磁束を遮りにくい構造とすることができ、インダクタンス取得効率やQ値を向上できる。
 図2に示すように、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、非平行である。つまり、第1貫通配線13の中心線13aと第2貫通配線14の中心線14aが、軸AX方向からみて、平行でない。
 上記構成によれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、非平行であるので、第1貫通配線13および第2貫通配線14の設計自由度を向上でき、例えば、Q値を大きくでき、または、自己共振周波数を高くできる。具体的に述べると、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110の内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 なお、全ての第1貫通配線13と全ての第2貫通配線14が、軸AX方向からみて、非平行であることが好ましい。少なくとも一つの第1貫通配線13と少なくとも一つの第2貫通配線14が、軸AX方向からみて、非平行であればよい。軸AXに直交する同一平面に交差する第1貫通配線13と第2貫通配線14が、軸AX方向からみて、非平行であることが好ましい。
 また、全ての第1貫通配線13が、軸AX方向からみて重なっているが、全ての第1貫通配線13のうち軸AX方向からみて重ならない第1貫通配線13が存在していてもよい。第2貫通配線14についても同様である。
 2.各部構成
 (インダクタ部品1)
 インダクタ部品1の体積は、0.08mm以下であり、かつ、インダクタ部品1の長辺の大きさは、0.65mm以下である。インダクタ部品1の長辺の大きさは、インダクタ部品1の長さ、幅および高さのうちの最も大きい値をいい、この実施形態では、X方向の長さをいう。上記構成によれば、インダクタ部品1の体積が小さく、かつ、インダクタ部品1の長辺も短いので、インダクタ部品1の重量が軽くなる。このため、外部電極121,122が小さくても、必要な実装強度を得ることができる。また、インダクタ部品1の厚みは、好ましくは、200μm以下である。これによれば、インダクタ部品1を薄くできる。
 具体的に述べると、インダクタ部品1のサイズ(長さ(X方向)×幅(Y方向)×高さ(Z方向))は、0.6mm×0.3mm×0.3mm、0.4mm×0.2mm×0.2mm、0.25mm×0.125mm×0.120mmなどである。また、幅と高さは等しくなくてもよく、例えば、0.4mm×0.2mm×0.3mmなどであってもよい。
 (素体10)
 素体10は、SiOを含む。これによれば、素体10に絶縁性と剛性を付与することができる。素体10は、例えば、ガラス焼結体から構成される。ガラス焼結体は、アルミナを含んでいてもよく、素体の強度を更に高めることができる。
 ガラス焼結体は、例えば、複数のガラスを含む絶縁層を積層して構成される。複数の絶縁層の積層方向は、Z方向である。すなわち、絶縁層は、XY平面に広がった主面を有する層状である。なお、素体10は、焼成などによって、複数の絶縁層同士の界面が明確となっていない場合がある。
 なお、素体10は、例えば、ガラス基板から構成されてもよい。ガラス基板は、単層のガラス基板であってもよく、素体の大部分がガラスとなることから、高周波での渦電流損のような損失を抑制することができる。
 (コイル110)
 コイル110は、複数の底面配線11bと、複数の天面配線11tと、複数の第1貫通配線13と、複数の第2貫通配線14とを備える。底面配線11b、第1貫通配線13、天面配線11tおよび第2貫通配線14は、順に接続されて軸AX方向に巻き回されたコイル110の少なくとも一部を構成する。
 上記構成によれば、コイル110は、いわゆるヘリカル形状のコイル110であるので、軸AXに直交する断面において、底面配線11b、天面配線11t、第1貫通配線13および第2貫通配線14がコイル110の巻き回し方向に沿って並走する領域を低減でき、コイル110における浮遊容量を低減できる。
 ここで、ヘリカル形状とは、コイル全体のターン数は1ターンより大きく、かつ、軸に直交する断面におけるコイルのターン数は1ターン未満である形状をいう。1ターン以上とは、軸に直交する断面において、コイルの配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有する状態をいい、1ターン未満とは、軸に直交する断面において、コイルの配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有さない状態をいう。
 底面配線11bは、一つの方向にのみ延在する。具体的に述べると、底面配線11bは、ややX方向に傾いてY方向に延伸している。全ての底面配線11bは、X方向に沿って平行に配置されている。ここで、フォトリソグラフィ工程において、例えば輪帯照明、ダイポール照明などの変形照明を使用すると、特定方向のパターン解像性を高めて、より微細なパターンを形成することができる。上記構成によれば、底面配線11bが1方向にのみ延在し、全ての底面配線11bは平行に配置されているため、フォトリソグラフィ工程で例えば変形照明を使用することにより、微細な底面配線11bを形成でき、インダクタ部品1を小型化できる。
 天面配線11tは、一つの方向にのみ延在する。具体的に述べると、天面配線11tは、Y方向に延びる形状である。全ての天面配線11tは、X方向に沿って平行に配置されている。上記構成によれば、天面配線11tが1方向にのみ延在し、全ての天面配線11tは平行に配置されているため、フォトリソグラフィ工程で例えば変形照明を使用することにより、微細な天面配線11tを形成でき、インダクタ部品1を小型化できる。
 底面配線11bおよび天面配線11tは、銅、銀,金又はこれらの合金などの良導体材料からなる。底面配線11bおよび天面配線11tは、めっき、蒸着、スパッタリングなどによって形成された金属膜であってもよいし、導体ペーストを塗布、焼結させた金属焼結体であってもよい。また、底面配線11bおよび天面配線11tは、複数の金属層が積層された多層構造であってもよい。底面配線11bおよび天面配線11tの厚みは、5μm以上50μm以下であることが好ましい。
 第1貫通配線13は、素体10の貫通孔V内で、軸AXに対して第1側面100s1側に配置され、第2貫通配線14は、素体10の貫通孔V内で、軸AXに対して第2側面100s2側に配置されている。第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、底面100bおよび天面100tに直交する方向に延伸している。これによれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14の長さを短くできるため、直流抵抗(Rdc)を抑制できる。全ての第1貫通配線13および全ての第2貫通配線14は、それぞれ、X方向に沿って平行に配置されている。
 第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、非平行である。具体的に述べると、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、互いの間隔がZ方向の中心ほど広くなるように、中心で屈曲している。つまり、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、Z方向の中心ほどコイル110の径方向の外側に広がるような形状を有する。また、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、Z方向に沿って階段状の形状を有する。上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14をそれぞれ複数の導体層を積層して形成する場合、各層の導体層をずらして積層することで、第1貫通配線13および第2貫通配線14を容易に階段状に形成することができる。
 好ましくは、図1に示すように、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、底面100bに直交する方向からみて、軸AXに対して線対称である。これによれば、コイル110の軸AXに対する対称性を確保でき、コイル110の設計を容易に行うことができる。また、一部の貫通配線がコイル110の内径内に進入することを低減し、Q値を向上できる。
 好ましくは、図2に示すように、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して線対称である。これによれば、コイル110の軸AXに対する対称性を確保でき、コイル110の設計を容易に行うことができる。また、一部の貫通配線がコイル110の内径内に進入することを低減し、Q値を向上できる。
 好ましくは、第1貫通配線13のラインエッジラフネス(以下、LER(Line Edge Roughness)ともいう)は、底面配線11bのラインエッジラフネスより大きい。具体的に述べると、第1貫通配線13のラインエッジラフネスとは、コイル110の軸AXに直交し、かつ、第1貫通配線13の中心線13aを含む断面において、第1貫通配線13の側面のうちのコイル110の内径側の側面のラインエッジラフネスをいう。底面配線11bのラインエッジラフネスとは、底面100bに直交し、かつ、底面配線11bの中心線14aを含む断面において、底面配線11bの側面のラインエッジラフネスをいう。これによれば、アンカー効果により第1貫通配線13と素体10との密着性が向上する。
 第1貫通配線13のLERは、第1貫通配線13の幅の寸法ばらつきをいう。第1貫通配線13の幅は、第1貫通配線13の中心線13aを含む断面において中心線13aに直交する方向の寸法である。LERの測定方法は、SEMI規格に準ずる(SEMI Standard P47-0307, Test Method for Evaluation of Line-Edge Roughness and Line width Roughness)。
 本実施形態では、第1貫通配線13の延在方向の長さの1/3以上が収まる倍率で第1貫通配線13のSEM画像(または光学画像)を取得し、画像処理ソフトであるWinROOF2018を使用して、第1貫通配線13のLERを算出する。また、底面配線11bについても同様に、底面配線11bの延在方向の長さの1/3以上が収まる倍率で底面配線11bのSEM画像を取得し、底面配線11bのLERを算出する。なお、本明細書におけるLERとは、特に断りがない限り、上記のとおり取得した画像において、3点以上の箇所で算出されたLERの平均値を指し、当該3点以上の算出箇所は、2点間距離が取得画像の半分以上となる2点を少なくとも含める。
 なお、同様に、第1貫通配線13のラインエッジラフネスは、天面配線11tのラインエッジラフネスより大きくてもよく、アンカー効果により第1貫通配線13と素体10との密着性が向上する。
 また、同様に、第2貫通配線14のラインエッジラフネスは、底面配線11bのラインエッジラフネスより大きくてもよく、アンカー効果により第2貫通配線14と素体10との密着性が向上する。同様に、第2貫通配線14のラインエッジラフネスは、天面配線11tのラインエッジラフネスより大きくてもよく、アンカー効果により第2貫通配線14と素体10との密着性が向上する。
 ここで、第1貫通配線13のラインエッジラフネスは、底面配線11bのラインエッジラフネスと同じかそれより小さくてもよい。これによれば、第1貫通配線13の側面が滑らかであるので、表皮効果による高周波での抵抗が上昇することを抑制でき、Q値を向上できる。
 なお、同様に、第1貫通配線13のラインエッジラフネスは、天面配線11tのラインエッジラフネスと同じかそれより小さくてもよい。また、同様に、第2貫通配線14のラインエッジラフネスは、底面配線11bのラインエッジラフネスと同じかそれより小さくてもよく、第2貫通配線14の側面が滑らかであるので、表皮効果による高周波での抵抗が上昇することを抑制でき、Q値を向上できる。同様に、第2貫通配線14のラインエッジラフネスは、天面配線11tのラインエッジラフネスと同じかそれより小さくてもよい。
 好ましくは、第1貫通配線13の幅と第2貫通配線14の幅は、異なる。第1貫通配線13の幅とは、第1貫通配線13の延伸方向の中央を含み底面100bに平行な断面における第1貫通配線13の断面積から求めた円相当径である。第2貫通配線14の幅とは、第2貫通配線14の延伸方向の中央を含み底面100bに平行な断面における第2貫通配線14の断面積から求めた円相当径である。具体的に述べると、第1貫通配線13を高さ方向に上部、中部、下部として三等分し、三等分のそれぞれの断面積の円相当径の平均値を幅とする。なお、第1貫通配線13の幅と第2貫通配線14の幅が、相対的に10%以上異なる場合に、第1貫通配線13の幅と第2貫通配線14の幅が、異なることとする。
 上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14の設計自由度を向上できる。例えば、貫通配線を傾斜状や湾曲状にすると直流抵抗が高くなるので、異なる形状、異なる線路長の貫通配線の直流抵抗が同じになるように、線路長が長い側の貫通配線の幅を大きくする。
 図4は、図2の一部の拡大図である。図4に示すように、第1貫通配線13は、軸AX方向からみて、底面配線11bおよび天面配線11tよりもコイル110の径方向の外側に位置する外周部分131を有する。外周部分131は、軸AX方向からみて、底面配線11bの底面100bに平行な方向に位置する端面11b1と天面配線11tの底面100bに平行な方向に位置する端面11t1とに接する接線L2よりもコイル110の径方向の外側に位置する。外周部分131は、底面100bを基準として素体10の底面100bに直交する方向の高さZ1の0.3以上0.7以下の間に配置されている。素体10の高さZ1は、底面100bから天面100tまでの距離である。素体10の高さZ1の1.0の位置が天面100tに相当する。
 上記構成によれば、第1貫通配線13は、外周部分131を有するので、コイル110の内径を大きくして、Q値を向上できる。また、外周部分131は、素体の高さZ1の0.3以上0.7以下の間に配置されているので、外周部分131を素体10の高さZ1の一部分だけに設けることができ、これにより、個片時に第1貫通配線13が素体10から露出する可能性を低減できる。
 同様に、第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面配線11bおよび天面配線11tよりもコイル110の径方向の外側に位置する外周部分を有し、外周部分は、素体10の高さZ1の0.3以上0.7以下の間に配置されている。これにより、コイル110の内径を大きくしてQ値を向上でき、また、個片時に第2貫通配線14が素体10から露出する可能性を低減できる。
 好ましくは、第1貫通配線13は、SiOを含む。これによれば、素体10がSiOを含む場合、第1貫通配線13の線膨張係数を素体10の線膨張係数と合わせことができ、第1貫通配線13と素体10と間のクラックを抑制できる。第1貫通配線13は、例えば、導電ペーストを用いる。導電材料は、Ag、Cuなどである。好ましくは、同様に、第2貫通配線14は、SiOを含む。
 好ましくは、図2に示すように、底面100bに直交する方向からみて、底面配線11bの第1の端部と天面配線11tの第1の端部とが重なり、底面配線11bと天面配線11tとのなす角度θは、鋭角である。角度θとは、底面100bに直交する方向からみて、底面配線11bの幅の中心線(図2の一点鎖線)と天面配線11tの幅の中心線(図2の一点鎖線)との間の角度である。
 好ましくは、図2に示すように、底面100bに直交する方向からみて、同一の第1貫通配線13に接続された底面配線11bと天面配線11tとのなす角度θは、5°以上45°以下である。角度θとは、底面100bに直交する方向からみて、底面配線11bの幅の中心線(図2の一点鎖線)と天面配線11tの幅の中心線(図2の一点鎖線)との間の角度である。
 上記構成によれば、コイル110が密に巻回されるため、インダクタンスを向上させることができる。角度θが45°以下であるので、コイル長が短くなり、漏れ磁束が減り、Q値が高くなる。コイル長とは、底面配線11b、天面配線11t、第1貫通配線13および第2貫通配線14のうち、最も軸AX方向外側に位置する両端部分の間隔をいう。角度θが5°以上であるので、軸AX方向に隣り合う2つの第1貫通配線13が接触する可能性を低減し、また、軸AX方向に隣り合う2つの第2貫通配線14が接触する可能性を低減できる。なお、全ての底面配線11bおよび天面配線11tの少なくとも1組の底面配線11bおよび天面配線11tにおいて、角度θが、5°以上45°以下であればよい。
 好ましくは、同様に、底面100bに直交する方向からみて、同一の第2貫通配線14に接続された底面配線11bと天面配線11tとのなす角度θは、5°以上45°以下である。これによれば、コイル110が密に巻回されるため、インダクタンスを向上させることができる。
 好ましくは、底面配線11b、天面配線11t、第1貫通配線13および第2貫通配線14の少なくとも一つの配線は、空隙部または樹脂部を含む。これによれば、配線と素体10の線膨張係数差による応力を空隙部または樹脂部により吸収でき、応力を緩和できる。空隙部を形成する方法として、例えば、配線の材料に焼結により焼失する部材を用い、配線を焼結することで空隙部を形成することができる。樹脂部を形成する方法として、例えば、配線の材料に導電性ペーストを用いることで樹脂部を形成することができる。
 好ましくは、底面配線11bおよび天面配線11tの少なくとも一つの配線は、SiOを含む。これによれば、素体10がSiOを含む場合、配線の線膨張係数を素体10の線膨張係数と合わせことができ、配線と素体10と間のクラックを抑制できる。
 (第1外部電極121および第2外部電極122)
 第1外部電極121は、コイル110の第1端部に接続され、第2外部電極122は、コイル110の第2端部に接続される。第1外部電極121は、素体10の外面100から露出するように、素体10のX方向の中心に対して第1端面100e1側に設けられている。第2外部電極122は、素体10の外面100から露出するように、素体10のX方向の中心に対して第2端面100e2側に設けられている。
 底面100bに直交する方向からみて、第1外部電極121および第2外部電極122は、素体10の外面100よりも内側に位置する。つまり、第1外部電極121および第2外部電極122は、素体10の第1端面100e1、第2端面100e2、第1側面100s1および第2側面100s2よりも内側に位置する。
 上記構成によれば、第1外部電極121および第2外部電極122は、素体10の外面100に接触していないので、個々のインダクタ部品に個片化する際、第1外部電極121および第2外部電極122にかかる負荷を低減でき、第1外部電極121および第2外部電極122の変形や剥離を抑制できる。このため、インダクタ部品を小型にしても、第1外部電極121および第2外部電極122の変形や剥離を防止できる。
 なお、第1外部電極121は、底面100bおよび第1端面100e1に連続して設けられていてもよい。これによれば、第1外部電極121は、いわゆるL字形状の電極であるので、インダクタ部品1を実装基板に実装する際、第1外部電極121にはんだフィレットを形成することができる。同様に、第2外部電極122は、底面100bおよび第2端面100e2に連続して設けられていてもよい。
 第1外部電極121は、底面100b上に設けられた底面部分121bと、底面100bに埋め込まれたビア部分121vとを有する。ビア部分121vは、底面部分121bに接続される。ビア部分121vは、軸AX方向の第1端面100e1側に位置する底面配線11bの端部に接続される。
 第2外部電極122は、底面100b上に設けられた底面部分122bと、底面100bに埋め込まれたビア部分122vとを有する。ビア部分122vは、底面部分122bに接続される。ビア部分122vは、軸AX方向の第2端面100e2側に位置する底面配線11bの端部に接続される。
 第1外部電極121は、下地層121e1と、下地層121e1を覆うめっき層121e2とを有する。下地層121e1は、例えば、AgやCuなどの導電材料を含む。めっき層121e2は、例えば、NiやSnなどの導電材料を含む。底面部分121bの一部とビア部分121vとは、下地層121e1から構成される。底面部分121bの他の一部は、めっき層121e2から構成される。同様に、第2外部電極122は、下地層と、下地層を覆うめっき層とを有する。なお、第1外部電極121および第2外部電極122は、単層の導電体材料から構成されていてもよい。
 (インダクタ部品1の製造方法)
 次に、図5Aから図5Mを用いてインダクタ部品1の製造方法を説明する。図5Aから図5H、図5K、図5Lは、図1のII-II断面に対応した図である。図5I、図5J、図5Mは、図1のIII-III断面に対応した図である。
 図5Aに示すように、ベース基板1000上に第1絶縁層1011を印刷により設ける。ベース基板1000の材料は、例えば、ガラス基板、シリコン基板、アルミナ基板などであり、第1絶縁層1011の材料は、例えば、エポキシ、ポリイミドなどの樹脂、SiOやSiNなどの無機絶縁膜である。
 図5Bに示すように、第1絶縁層1011上に第2絶縁層1012を印刷により設ける。第2絶縁層1012に溝1012aを設ける。このとき、例えば、溝1012aをフォトリソグラフィ工程により形成する。なお、印刷パターンとして始めから溝を形成していてもよい。
 図5Cに示すように、溝1012aに天面導体層1011tを印刷により設ける。天面導体層1011tの材料は、例えば、Ag、Cu、Au、Alやそれらの元素を少なくとも一つ以上含む合金、はんだペーストなどである。このとき、例えば、天面導体層1011tを印刷パターンとして溝1012aのみに残るように形成する。なお、天面導体層1011tを第2絶縁層1012上に印刷した後に、フォトリソグラフィ工程により天面導体層1011tを溝1012aのみに残るようにしてもよい。
 図5Dに示すように、第2絶縁層1012上に第3絶縁層1013を印刷により設ける。第3絶縁層1013に第1溝1013aと第2溝1013bを設ける。図5Bと同様の方法で第1溝1013aおよび第2溝1013bを形成する。
 図5Eに示すように、第1溝1013aに1層目の第1貫通導体層1131を印刷により設け、第2溝1013bに1層目の第2貫通導体層1141を印刷により設ける。図5Cと同様の方法で1層目の第1貫通導体層1131および1層目の第2貫通導体層1141を形成する。
 上述の工程を繰り返して、図5Fに示すように、第3絶縁層1013上に第4絶縁層1014を設け、第4絶縁層1014に設けた2つの溝のそれぞれに、2層目の第1貫通導体層1132と2層目の第2貫通導体層1142を設ける。さらに、第4絶縁層1014上に第5絶縁層1015を設け、第5絶縁層1015に設けた2つの溝のそれぞれに、3層目の第1貫通導体層1133と3層目の第2貫通導体層1143を設ける。さらに、第5絶縁層1015上に第6絶縁層1016を設け、第6絶縁層1016に設けた2つの溝のそれぞれに、4層目の第1貫通導体層1134と4層目の第2貫通導体層1144を設ける。さらに、第6絶縁層1016上に第7絶縁層1017を設け、第7絶縁層1017に設けた2つの溝のそれぞれに、5層目の第1貫通導体層1135と5層目の第2貫通導体層1145を設ける。
 このとき、1層目の第1貫通導体層1131、2層目の第1貫通導体層1132および3層目の第1貫通導体層1133を、順に、コイルの径方向外側にずらすように積層し、3層目の第1貫通導体層1133、4層目の第1貫通導体層1134および5層目の第1貫通導体層1135を、順に、コイルの径方向内側にずらすように積層する。同様に、1層目の第2貫通導体層1141、2層目の第2貫通導体層1142および3層目の第2貫通導体層1143を、順に、コイルの径方向外側にずらすように積層し、3層目の第2貫通導体層1143、4層目の第2貫通導体層1144および5層目の第2貫通導体層1145を、順に、コイルの径方向内側にずらすように積層する。
 図5Gに示すように、第7絶縁層1017上に第8絶縁層1018を設け、第8絶縁層1018に設けた溝に底面導体層1011bを設ける。底面導体層1011bの材料は、天面導体層1011tの材料と同じである。図5Hに示すように、第8絶縁層1018上に第9絶縁層1019を設ける。
 図5Iに示すように、底面導体層1011bの一部が露出するように第9絶縁層1019に溝1019aを設ける。図5Jに示すように、第9絶縁層1019上および溝1019a内に、下地導体層1121e1を設ける。下地導体層1121e1の材料は、例えば、AgやCuなどの樹脂ペーストである。
 図5Kに示すように、積層体の全体を高温(例えば500℃以上)の炉で焼結する。第1から第9絶縁層1011~1019を焼結して素体10を形成し、天面導体層1011tを焼結して天面配線11tを形成し、底面導体層1011bを焼結して底面配線11bを形成し、1層目から5層目の第1貫通導体層1131~1135を焼結して第1貫通配線13を形成し、1層目から5層目の第2貫通導体層1141~1145を焼結して第2貫通配線14を形成し、下地導体層1121e1を焼結して下地層121e1を形成する。したがって、絶縁層を焼結することで強度を向上でき、また、導体層を焼結することで、導体層に含まれる不要な樹脂成分を揮発するとともに、導体層に含まれる導体材料が融着し高い導電率を実現できる。ベース基板1000は、焼結の際に表面を分解させることで剥離させてもよく、または、焼結前後に研削などで機械的に除去してもよく、または、焼結前後にエッチングなどで化学的に除去してもよい。
 図5Lに示すように、カット線Cにて個片化する。図5Mに示すように、下地層121e1を覆うようにバレルめっきにてめっき層121e2を形成し、第1外部電極121を形成する。これにより、図2に示すように、インダクタ部品1を製造する。
 3.変形例
 (第1変形例)
 図6Aは、インダクタ部品の第1変形例を示す図1のII-II断面に対応した図である。図6Aに示すように、第1変形例のインダクタ部品1Aでは、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110の内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、互いの間隔がZ方向の中心ほど広くなるように、中心で屈曲している。つまり、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、Z方向の中心ほどコイル110の径方向の外側に広がるような形状を有する。
 また、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、Z方向に沿って円弧形状を有する。つまり、第1貫通配線13の内側面は、凹曲面を有し、第1貫通配線13の外側面は、凸曲面を有する。第2貫通配線14の内側面は、凹曲面を有し、第2貫通配線14の外側面は、凸曲面を有する。第1貫通配線13および第2貫通配線14のそれぞれの内側面は、コイル110の内径側の面であり、第1貫通配線13および第2貫通配線14のそれぞれの外側面は、コイル110の外径側の面である。
 上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14のそれぞれの内側面と、第1貫通配線13および第2貫通配線14のそれぞれの外側面とを滑らかにできて、直流抵抗を低減できる。特に、第1貫通配線13および第2貫通配線14のそれぞれの内側面は、滑らかであるので、表皮効果による高周波での抵抗が上昇することを抑制でき、Q値を向上できる。
 (第2変形例)
 図6Bは、インダクタ部品の第2変形例を示す図1のII-II断面に対応した図である。図6Bに示すように、第2変形例のインダクタ部品1Bでは、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110の内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、互いの間隔がZ方向の天面配線11t側ほど広くなるように傾斜している。つまり、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、Z方向の天面配線11tほどコイル110の径方向の外側に広がるような形状を有する。このように、コイル110は、軸AX方向からみて、台形形状を有する。
 上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14を直線状に形成して短くすることができ、第1貫通配線13および第2貫通配線14の直流抵抗を低減できる。
 (第3変形例)
 図6Cは、インダクタ部品の第3変形例を示す図1のII-II断面に対応した図である。図6Cに示すように、第3変形例のインダクタ部品1Cでは、図2に示すインダクタ部品1と比較して、第1コイル110Aおよび第2コイル110Bを含む。第1コイル110Aは、図2に示すインダクタ部品1のコイル110に相当する。
 第2コイル110Bは、第1コイル110Aと同様に、素体10に設けられ、軸AX(第2軸の一例)に沿って螺旋状に巻き回され、図示しない第3外部電極および第4外部電極に接続される。第3外部電極および第4外部電極は、図1に示すインダクタ部品1の第1外部電極121および第2外部電極122と同様の構成である。
 第2コイル110Bは、第1コイル110Aと同様に、底面配線11b(第3コイル配線の一例)と、天面配線11t(第4コイル配線の一例)と、第1貫通配線13(第3貫通配線の一例)と、第2貫通配線14(第4貫通配線の一例)とを含む。
 第1コイル110Aにおいて、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110Aの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第1貫通配線13は、図2のインダクタ部品1の第1貫通配線13と同様の構成である。一方、第2貫通配線14は、Z方向に平行な直線形状を有する。つまり、第1貫通配線13は、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間隔がZ方向の中心ほど広くなるように、中心で屈曲している。第1貫通配線13は、Z方向に沿って階段状の形状を有する。上記構成によれば、第1貫通配線13を複数の導体層を積層して形成する場合、各層の導体層をずらして積層することで、第1貫通配線13を容易に階段状に形成することができる。
 第2コイル110Bにおいて、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110Bの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第2貫通配線14は、図2のインダクタ部品1の第2貫通配線14と同様の構成である。一方、第1貫通配線13は、Z方向に平行な直線形状を有する。つまり、第2貫通配線14は、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間隔がZ方向の中心ほど広くなるように、中心で屈曲している。第2貫通配線14は、Z方向に沿って階段状の形状を有する。上記構成によれば、第2貫通配線14を複数の導体層を積層して形成する場合、各層の導体層をずらして積層することで、第2貫通配線14を容易に階段状に形成することができる。
 好ましくは、図6Cに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第1貫通配線13および第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13および第2貫通配線14とは、第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の中央線Mに対して線対称である。中央線Mとは、第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13との間の中央を通る線である。具体的に述べると、第1コイル110Aの第1貫通配線13と第2コイル110Bの第2貫通配線14とは、中央線Mに対して線対称であり、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、中央線Mに対して線対称である。これによれば、同じ特性の第1コイル110Aと第2コイル110Bを容易に得ることができる。
 好ましくは、図6Cに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、隣り合い、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置される。これによれば、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置されているので、隣り合う第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の距離を小さくでき、インダクタ部品1Cを小型にできる。
 好ましくは、図6Cに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、隣り合い、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置される。第1コイル110Aにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称である。
 上記構成によれば、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置されているので、隣り合う第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の距離を小さくでき、インダクタ部品1Cを小型にできる。また、第1コイル110Aにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称であるので、第1貫通配線13および第2貫通配線14の設計自由度をより向上できる。
 なお、同様に、第2コイル110Bにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称であってもよい。
 (第4変形例)
 図6Dは、インダクタ部品の第4変形例を示す図1のII-II断面に対応した図である。図6Dに示すように、第4変形例のインダクタ部品1Dでは、図6Aに示すインダクタ部品1Aと比較して、コイルは、第1コイル110Aおよび第2コイル110Bを含む。
 第1コイル110Aにおいて、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110Aの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第1貫通配線13は、図6Aのインダクタ部品1Aの第1貫通配線13と同様の構成である。一方、第2貫通配線14は、Z方向に平行な直線形状を有する。つまり、第1貫通配線13は、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間隔がZ方向の中心ほど広くなるように、中心で屈曲している。第1貫通配線13は、Z方向に沿って円弧形状を有する。上記構成によれば、第1貫通配線13の側面を滑らかにできて、第1貫通配線13の直流抵抗を低減できる。
 第2コイル110Bにおいて、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110Bの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第2貫通配線14は、図6Aのインダクタ部品1Aの第2貫通配線14と同様の構成である。一方、第1貫通配線13は、Z方向に平行な直線形状を有する。つまり、第2貫通配線14は、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間隔がZ方向の中心ほど広くなるように、中心で屈曲している。第2貫通配線14は、Z方向に沿って円弧形状を有する。上記構成によれば、第2貫通配線14の側面を滑らかにできて、第2貫通配線14の直流抵抗を低減できる。
 好ましくは、図6Dに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第1貫通配線13および第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13および第2貫通配線14とは、第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の中央線Mに対して線対称である。具体的に述べると、第1コイル110Aの第1貫通配線13と第2コイル110Bの第2貫通配線14とは、中央線Mに対して線対称であり、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、中央線Mに対して線対称である。これによれば、同じ特性の第1コイル110Aと第2コイル110Bを容易に得ることができる。
 好ましくは、図6Dに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、隣り合い、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置される。これによれば、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置されているので、隣り合う第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の距離を小さくでき、インダクタ部品1Dを小型にできる。
 好ましくは、図6Dに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、隣り合い、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置される。第1コイル110Aにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称である。
 上記構成によれば、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置されているので、隣り合う第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の距離を小さくでき、インダクタ部品1Dを小型にできる。また、第1コイル110Aにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称であるので、第1貫通配線13および第2貫通配線14の設計自由度をより向上できる。
 なお、同様に、第2コイル110Bにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称であってもよい。
 (第5変形例)
 図6Eは、インダクタ部品の第5変形例を示す図1のII-II断面に対応した図である。図6Eに示すように、第5変形例のインダクタ部品1Eでは、図6Bに示す第2変形例のインダクタ部品1Bと比較して、第1コイル110Aおよび第2コイル110Bを含む。
 第1コイル110Aにおいて、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110Aの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第1貫通配線13は、第2変形例のインダクタ部品1Bの第1貫通配線13と同様の構成である。一方、第2貫通配線14は、Z方向に平行な直線形状を有する。つまり、第1貫通配線13は、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間隔がZ方向の天面配線11t側ほど広くなるように傾斜している。上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14を直線状に形成して短くすることができ、第1貫通配線13および第2貫通配線14の直流抵抗を低減できる。
 第2コイル110Bにおいて、軸AX方向からみて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、平行でない。これによれば、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間の距離を広げることができ、コイル110Bの内径を大きくできて、Q値を向上できる。
 具体的に述べると、第2貫通配線14は、第2変形例のインダクタ部品1Bの第2貫通配線14と同様の構成である。一方、第1貫通配線13は、Z方向に平行な直線形状を有する。つまり、第2貫通配線14は、第1貫通配線13と第2貫通配線14の間隔がZ方向の天面配線11t側ほど広くなるように傾斜している。上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14を直線状に形成することができ、第1貫通配線13および第2貫通配線14の電気抵抗を低減できる。
 好ましくは、図6Eに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第1貫通配線13および第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13および第2貫通配線14とは、第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の中央線Mに対して線対称である。具体的に述べると、第1コイル110Aの第1貫通配線13と第2コイル110Bの第2貫通配線14とは、中央線Mに対して線対称であり、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、中央線Mに対して線対称である。これによれば、同じ特性の第1コイル110Aと第2コイル110Bを容易に得ることができる。
 好ましくは、図6Eに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、隣り合い、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置される。これによれば、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置されているので、隣り合う第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の距離を小さくでき、インダクタ部品1Eを小型にできる。
 好ましくは、図6Eに示すように、第1コイル110Aの軸AXと第2コイル110Bの軸AXは、平行に配置される。第1コイル110Aの軸AX方向からみて、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、隣り合い、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置される。第1コイル110Aにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称である。
 上記構成によれば、第1コイル110Aの第2貫通配線14と第2コイル110Bの第1貫通配線13とは、平行に配置されているので、隣り合う第1コイル110Aと第2コイル110Bの間の距離を小さくでき、インダクタ部品1Eを小型にできる。また、第1コイル110Aにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称であるので、第1貫通配線13および第2貫通配線14の設計自由度をより向上できる。
 なお、同様に、第2コイル110Bにおいて、第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、底面100bに直交し軸AXを含む直線L1に対して非線対称であってもよい。
 <第2実施形態>
 図7は、インダクタ部品の第2実施形態を示す底面側から見た模式底面図である。図8は、図7のVIII-VIII断面図である。図7では、便宜上、絶縁層を省略して描き、外部電極を二点鎖線で描いている。また、図7では、素体10は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれている。第2実施形態は、第1実施形態とは、主に、コイルの軸の位置と、素体の材料と、絶縁層を設けている点が相違し、主に、これらの相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第1実施形態と同じ構成であり、その説明を省略する。
 1.各部構成
 (インダクタ部品1F)
 図7に示すように、インダクタ部品1Fでは、コイル110の軸AXは、X方向に対して垂直である。具体的に述べると、軸AXは、Y方向に対して平行であり、素体10のX方向の中心を通過する。これによれば、第1外部電極121および第2外部電極122によるコイル110の磁束の妨げを少なくでき、インダクタンスの取得効率を向上できる。
 コイル110の軸AX方向の長さは、コイル110の内径より短い。コイル110の軸AX方向の長さは、コイル長ともいう。これによれば、コイル長が短く、コイル内径が大きいので、Q値を向上できる。コイルの内径とは、軸AX方向から透過して見た際に、コイル110に囲まれた領域の最小面積を基準にした円相当径をいう。
 (素体10)
 素体10は、無機絶縁体である。素体10の材料は、好ましくは、ガラスであり、これによれば、ガラスは絶縁性が高いため、渦電流を抑制でき、Q値を高くできる。素体10には、好ましくは、Si元素が含有され、これによれば、素体10の熱的安定性が高く、このため、熱による素体10寸法などの変動を抑制し、電気特性バラツキを小さくすることができる。
 素体10は、好ましくは、単層ガラス板である。これによれば、素体10の強度を確保することができる。また、単層ガラス板の場合、誘電損が小さいことから高周波でのQ値を高くすることができる。また、焼結体のような焼結工程がないので焼結時の素体10の変形が抑制できることからパターンズレを抑制でき、インダクタンス公差の小さいインダクタ部品を提供できる。
 単層ガラス板の材料としては、製造方法の観点からは、FoturanII(SchottAG社登録商標)に代表される感光性を有するガラス板が好ましい。特に、単層ガラス板は、セリウム酸化物(セリア:CeO)を含有していることが好ましく、この場合、セリウム酸化物が増感剤となって、フォトリソグラフィによる加工がより容易となる。
 ただし、単層ガラス板は、ドリル、サンドブラストなどの機械加工、フォトレジスト・メタルマスクなどを用いたドライ/ウェットエッチング加工、レーザ加工などによって加工できることから、感光性を有さないガラス板であってもよい。また、単層ガラス板は、ガラスペーストを焼結させたものであってもよいし、フロート法などの公知の方法よって形成されていてもよい。
 (絶縁体22)
 図8に示すように、インダクタ部品1Fは、絶縁体22を有する。絶縁体22は、素体10の底面100bおよび天面100tのそれぞれを覆う。なお、絶縁体22は、底面100bおよび天面1100tのうちの底面100bのみに設けられていてもよい。
 絶縁体22は、配線(底面配線11b、天面配線11t)を覆うことで、配線を外力から保護し、配線の損傷を防止する役割や、配線の絶縁性を向上する役割を有する部材である。絶縁体22は、好ましくは、有機絶縁体である。例えば、絶縁体22は、形成が容易なエポキシ、ポリイミドなどの樹脂膜であってもよい。特に、絶縁体22は、低誘電率の材料で構成されることが好ましく、これにより、コイル110と外部電極121,122との間に絶縁体22が存在する場合、コイル110と外部電極121,122との間に形成される浮遊容量を低減することができる。絶縁体22は、例えば、ABF GX-92(味の素ファインテクノ株式会社製)などの樹脂フィルムをラミネートするか、ペースト状の樹脂を塗布、熱硬化するなどによって形成できる。なお、絶縁体22は、例えば絶縁性及び薄膜化に優れた珪素やハフニウムなどの酸化物、窒化物、酸窒化物などの無機膜であってもよい。
 好ましくは、素体10が無機絶縁体であり、絶縁体22が有機絶縁体であるとき、有機絶縁体は、底面100bに直交する方向からみて、無機絶縁体の外面100よりも内側に位置する。これによれば、有機絶縁体を有するので、有機絶縁体は流動性を付与しやすく、配線(底面配線11b、天面配線11t)を有機絶縁体により覆う場合、隣り合う配線の間に有機絶縁体を容易に充填することができ、絶縁性を向上できる。また、有機絶縁体は、機絶縁体の外面に接触していないので、個々のインダクタ部品に個片化する際、有機絶縁体にかかる負荷を低減でき、有機絶縁体の変形や剥離を抑制できる。
 (コイル110)
 図7に示すように、底面配線11bは、一つの方向にのみ延在する。具体的に述べると、底面配線11bは、X方向に延びる形状である。全ての底面配線11bは、Y方向に沿って平行に配置されている。天面配線11tは、一つの方向にのみ延在する。具体的に述べると、天面配線11tは、ややY方向に傾いてX方向に延伸している。全ての天面配線11tは、Y方向に沿って平行に配置されている。
 図7と図8に示すように、第1貫通配線13は、素体10の貫通孔V内で、軸AXに対して第1端面100e1側に配置され、第2貫通配線14は、素体10の貫通孔V内で、軸AXに対して第2端面100e2側に配置されている。第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、底面100bおよび天面100tに直交する方向に延伸している。複数の第1貫通配線13および複数の第2貫通配線14は、それぞれ、Y方向に沿って平行に配置されている。
 第1貫通配線13と第2貫通配線14は、軸AX方向からみて、非平行である。具体的に述べると、第1貫通配線13および第2貫通配線14は、互いの間隔がZ方向の天面配線11t側ほど広くなるように傾斜している。第1貫通配線13および第2貫通配線14は、それぞれ、Z方向の天面配線11tほどコイル110の径方向の外側に広がるような形状を有する。コイル110は、軸AX方向からみて、台形形状を有する。上記構成によれば、第1貫通配線13および第2貫通配線14を直線状に形成して短くすることができ、第1貫通配線13および第2貫通配線14の直流抵抗を低減できる。
 図9は、図8の一部拡大図である。図7と図8と図9に示すように、第1貫通配線13は、底面配線11bに接続される第1接続面13y1と、天面配線11tに接続される第2接続面13y2とを有する。第1外部電極121は、底面100b側に設けられ、底面100bに直交する方向からみて、第1外部電極121は、第1接続面13y1の少なくとも一部に重なる。軸AX方向からみて、第1接続面13y1の中心と第2接続面13y2の中心とを結ぶ直線L3と、天面配線11tの第1貫通配線13に接続される接続面11t2とのなす軸AX側の傾斜角度αは、60°以上90°未満である。
 上記構成によれば、傾斜角度αは90°未満であるので、底面100bに直交する方向からみて第1外部電極121と重なる底面配線11bの面積を小さくすることができる。これにより、第1外部電極121と底面配線11bの間の寄生容量を小さくして、自己共振周波数を高くすることができる。また、傾斜角度αは60°以上であるので、コイル110の内径を確保してQ値を確保できる。
 なお、同様に、第2貫通配線14は、底面配線11bに接続される第1接続面14y1と、天面配線11tに接続される第2接続面14y2とを有する。第2外部電極122は、底面100b側に設けられ、底面100bに直交する方向からみて、第2外部電極122は、第1接続面14y1の少なくとも一部に重なってもよい。このとき、軸AX方向からみて、第1接続面14y1の中心と第2接続面14y2の中心とを結ぶ直線L4と、天面配線11tの第2貫通配線14に接続される接続面11t3とのなす軸AX側の傾斜角度βは、60°以上90°未満であってもよい。
 上記構成によれば、傾斜角度βは90°未満であるので、底面100bに直交する方向からみて第2外部電極122と重なる底面配線11bの面積を小さくすることができる。これにより、第2外部電極122と底面配線11bの間の寄生容量を小さくして、自己共振周波数を高くすることができる。また、傾斜角度βは60°以上であるので、コイル110の内径を確保してQ値を確保できる。
 好ましくは、図7に示すように、第1貫通配線13において、底面100bに直交する方向からみて、第1接続面13y1の一部と第2接続面13y2の一部とは、重なる。これによれば、素体10に貫通孔Vを形成し貫通孔Vの内面にシード層を設け、電解めっきによりシード層上に第1貫通配線13を形成する場合、シード層の形成が容易となる。なお、同様に、第2貫通配線14において、底面100bに直交する方向からみて、第1接続面14y1の一部と第2接続面14y2の一部とは、重なっていてもよい。
 好ましくは、図7に示すように、第1貫通配線13において、底面100bに直交する方向からみて、第1接続面13y1の中心は、第2接続面13y2の中心よりも軸AXに近い。これによれば、底面100bに直交する方向からみて、第1接続面13y1は、第2接続面13y2よりもコイル110の内側に配置される。これにより、底面100bに直交する方向からみて第1外部電極121と重なる底面配線11bの面積を小さくすることができ、第1外部電極121と底面配線11bの間の寄生容量を小さくして、自己共振周波数を高くすることができる。なお、同様に、第2貫通配線14において、底面100bに直交する方向からみて、第1接続面14y1の中心は、第2接続面14y2の中心よりも軸AXに近くてもよい。
 (インダクタ部品1Fの製造方法)
 次に、図10Aから図10Hを用いてインダクタ部品1Fの製造方法を説明する。図10Aから図10Hは、図7のVIII-VIII断面に対応した図である。
 図10Aに示すように、ベース基板2000上に銅箔2001を印刷により設ける。ベース基板2000の材料は、第1実施形態のベース基板1000と同じである。
 図10Bに示すように、ベース基板2000上に素体10となるガラス基板2010を設ける。例えば、導電性テープやピンや枠などの治具を用いてベース基板2000とガラス基板2010を密着させる。ガラス基板2010は、第1貫通孔V1および第2貫通孔V2を有する。第1貫通孔V1と第2貫通孔V2は、非平行である。ガラス基板2010は、例えば、TGV(Through Glass Via)基板である。TGV基板は、予めレーザやフォトリソなどによって貫通孔を形成した基板である。ガラス基板2010は、例えば、TSV(Through Silicon Via)基板であってもよく、または、それ以外であってもよい。また、ガラス基板2010の表面に、スパッタなどで予めシードとしてTi/Cuやその他必要な導電材料を蒸着していてもよい。
 図10Cに示すように、第1貫通孔V1内に第1貫通配線13となる第1貫通導体層2013を形成する。第2貫通孔V2内に第2貫通配線14となる第2貫通導体層を形成する。具体的に述べると、ベース基板2000上の銅箔2001から給電することによって、第1貫通孔V1に電解めっきをして第1貫通導体層2013を形成し、第2貫通孔V2に電解めっきをして第2貫通導体層2014を形成する。その他、ガラス基板2010の表面や貫通孔V1,V2の内面にスパッタなどでシード層を形成し、既知の方法によるフィルドめっきやコンフォーマルめっき、導電性ペーストの印刷充填法などを用いて、貫通導体層を形成してもよい。ガラス基板2010の表面に不要なめっき成長がある場合、研磨、CMPやウェットエッチ(エッチバック)やドライエッチで不要部分を除去する。
 図10Dに示すように、ベース基板2000をガラス基板2010から剥離する。このとき、ベース基板2000を研削などで機械的に除去してもよく、または、エッチングなどで化学的に除去してもよい。
 図10Eに示すように、底面配線11bとなる底面導体層2011bおよび天面配線11tとなる天面導体層2011tをガラス基板2010上に形成する。具体的に述べると、ガラス基板2010の全面に図示しないシード層を設け、シード層上にパターニングされたフォトレジストを形成する。フォトレジストの開口部におけるシード層上に電解めっきで銅の層を形成する。フォトレジスト及びシード層をウェットエッチング又はドライエッチングで除去する。これにより、任意の形状にパターニングされた底面導体層2011bおよび天面導体層2011tを形成する。このとき、底面導体層2011bおよび天面導体層2011tを一方ずつ形成してもよく、または、両方同時に形成してもよい。
 図10Fに示すように、ガラス基板2010の天面および底面に導体層を覆うように、絶縁体22となる絶縁層2022を設ける。このとき、底面側の絶縁層2022および天面側の絶縁層2022を一方ずつ形成してもよく、または、両方同時に形成してもよい。その後、底面側の絶縁層2022の底面導体層2011b上にフォトリソやレーザ加工を用いて孔2022aを設ける。
 図10Gに示すように、底面側の絶縁層2022上に、第1外部電極121となる第1外部電極導体層2121を設ける。このとき、第1外部電極導体層2121は、底面導体層2011bに接続される。具体的に述べると、底面側の絶縁層2022上に図示しないPd触媒を設け、無電解めっきにてNi、Auめっき層を形成する。めっき層上にパターニングされたフォトレジストを形成する。フォトレジストの開口部におけるめっき層をウェットエッチング又はドライエッチングで除去する。これにより、任意の形状にパターニングされた第1外部電極導体層2121を形成する。または、底面側の絶縁層2022上に図示しないシード層を設け、シード層上にパターニングされたフォトレジストを形成する。次に、フォトレジストの開口部におけるシード層をウェットエッチング又はドライエッチングで除去する。残留したシード層上に無電解めっきにてNi、Auめっき層を形成してもよい。同様に、底面側の絶縁層2022上に、第2外部電極122となる第2外部電極導体層2122を設ける。
 図10Hに示すように、カット線Cにて個片化する。これにより、図8に示すように、インダクタ部品1Fを製造する。
 2.変形例
 (第1変形例)
 図11Aは、インダクタ部品の第1変形例を示す図7のVIII-VIII断面の一部に対応した図である。図11Aに示すように、第1変形例のインダクタ部品1Gでは、第1貫通配線13の延在方向の両端部13eのそれぞれの断面積は、第1貫通配線13の延在方向の中央部13mの断面積よりも大きい。第1貫通配線13の断面積は、第1貫通配線13の底面100bに直交する方向の断面の面積である。第1貫通配線13の延在方向に沿った断面において、第1貫通配線13の底面100bに直交する方向の幅は、中央部13mから両端部13eに向かって連続的に大きくなっている。
 これによれば、第1貫通配線13の端部13eの断面積を大きくすることができ、第1貫通配線13と底面配線11bおよび天面配線11tの少なくとも一方との接続性を向上することができる。また、素体10に穴部としての貫通孔Vを形成し、この貫通孔Vに導電材料をフィルドめっきなどにより充填して、貫通孔Vに第1貫通配線13を形成する際、貫通孔Vの開口側に導電材料を充填し易い。そして、第1貫通配線13の端部13eの断面積は大きく、第1貫通配線13の中央部13mの断面積は小さいので、第1貫通配線13を形成しやすい。
 なお、第1貫通配線13の一方の端部13eの断面積が、第1貫通配線13の中央部13mの断面積よりも大きければよい。また、同様に、第2貫通配線14の少なくとも一方の端部の断面積が、第1貫通配線13の中央部13mの断面積よりも大きくてもよい。
 (第2変形例)
 図11Bは、インダクタ部品の第2変形例を示す図7のVIII-VIII断面の一部に対応した図である。図11Bに示すように、第2変形例のインダクタ部品1Hでは、第1貫通配線13は、第1貫通配線13の延在する方向から見て外周側に位置する導電層13sと、導電層13sの内側に位置する非導電層13uとを有する。これによれば、高周波帯で使用する場合、表皮効果により第1貫通配線13の表面を主に電流が流れるため、外周側に導電層13sを設けることで、Q値を下げることがない。また、内側に非導電層13uを設けることで、応力を緩和でき、また、導体を使用しないことによる製造コストを低減できる。
 導電層13sおよび非導電層13uを形成する方法の一例を説明する。素体10の貫通孔Vの内面に、スパッタリングや無電めっきによりシード層を設ける。そして、電解めっきによりシード層上にめっき層を形成する。こうすることで、例えば、Ti/Cu/電解CuやPd/無電解Cu/電解Cuなどの複数の導電層13sを第1貫通配線13の外周側に形成することができる。その後、印刷や熱プレスなどで、導電層13sの内側を樹脂で封止して、樹脂からなる非導電層13uを形成する。こうすることで、第1貫通配線13の表面(導電層13s)に電流を流しつつ、第1貫通配線13の内部の非導電層13uにより応力を緩和することができる。
 同様に、第2貫通配線14は、第2貫通配線14の延在する方向から見て外周側に位置する導電層と、導電層の内側に位置する非導電層とを有していてもよい。なお、第1貫通配線13の延在方向の両端部のそれぞれの断面積は、第1貫通配線13の延在方向の中央部の断面積よりも大きいが、第1貫通配線13の延在方向の両端部のそれぞれの断面積は、第1貫通配線13の延在方向の中央部の断面積と同じであってもよい。
 なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第1と第2実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
 本開示は、下記の態様を含む。
<1>
 互いに対向する第1主面および第2主面を含む素体と、
 前記素体に設けられ、軸に沿って螺旋状に巻き回されたコイルと、
 前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極と
を備え、
 前記コイルの前記軸は、前記第1主面に平行に配置され、
 前記コイルは、
 前記軸に対して前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に平行な平面上に前記軸に沿って配列された複数の第1コイル配線と、
 前記軸に対して前記第2主面側に設けられ、前記第2主面に平行な平面上に前記軸に沿って配列された複数の第2コイル配線と、
 前記第1コイル配線から前記第2コイル配線に向かって延在し、前記軸に沿って配列された複数の第1貫通配線と、
 前記第1コイル配線から前記第2コイル配線に向かって延在し、前記軸に対して前記第1貫通配線と反対側に設けられ、前記軸に沿って配列された複数の第2貫通配線と
を含み、
 前記第1コイル配線と、前記第1貫通配線と、前記第2コイル配線と、前記第2貫通配線とは、この順に接続されることにより、前記螺旋状の少なくとも一部を構成し、
 前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、非平行である、インダクタ部品。
<2>
 前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記第1主面に直交する方向からみて、前記軸に対して線対称である、<1>に記載のインダクタ部品。
<3>
 前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1主面に直交し前記軸を含む直線に対して線対称である、<1>または<2>に記載のインダクタ部品。
<4>
 前記第1貫通配線のラインエッジラフネスは、前記第1コイル配線のラインエッジラフネスより大きい、<1>から<3>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<5>
 前記第1貫通配線のラインエッジラフネスは、前記第1コイル配線のラインエッジラフネスと同じかそれより小さい、<1>から<3>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<6>
 前記第1貫通配線の幅と前記第2貫通配線の幅は、異なる、<1>に記載のインダクタ部品。
<7>
 前記第1貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1コイル配線および前記第2コイル配線よりも前記コイルの径方向の外側に位置する外周部分を有し、
 前記外周部分は、前記第1主面を基準として前記素体の前記第1主面に直交する方向の高さの0.3以上0.7以下の間に配置されている、<1>から<6>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<8>
 前記素体に設けられ、前記軸と平行な第2軸に沿って螺旋状に巻き回された第2コイルと、
 前記素体に設けられ、前記第2コイルに電気的に接続された第3外部電極および第4外部電極と
をさらに備え、
 前記第2コイルは、
 前記第2軸に対して前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に平行な平面上に前記第2軸に沿って配列された複数の第3コイル配線と、
 前記第2軸に対して前記第2主面側に設けられ、前記第2主面に平行な平面上に前記第2軸に沿って配列された複数の第4コイル配線と、
 前記第3コイル配線から前記第4コイル配線に向かって延在し、前記第2軸に沿って配列された複数の第3貫通配線と、
 前記第3コイル配線から前記第4コイル配線に向かって延在し、前記第2軸に対して前記第3貫通配線と反対側に設けられ、前記第2軸に沿って配列された複数の第4貫通配線と
を含み、
 前記第3コイル配線と、前記第3貫通配線と、前記第4コイル配線と、前記第4貫通配線とは、この順に接続されることにより、前記第2コイルの螺旋状の少なくとも一部を構成し、
 前記第2貫通配線と、前記第3貫通配線とは、隣り合う、<1>から<7>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<9>
 前記コイルの前記軸方向からみて、前記第1貫通配線および前記第2貫通配線と前記第3貫通配線および前記第4貫通配線とは、前記コイルと前記第2コイルの間の中央線に対して線対称である、<8>に記載のインダクタ部品。
<10>
 前記コイルの前記軸方向からみて、前記第2貫通配線と前記第3貫通配線とは、平行に配置されている、<8>または<9>に記載のインダクタ部品。
<11>
 前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1主面に直交し前記軸を含む直線に対して非線対称である、<9>に記載のインダクタ部品。
<12>
 前記第3貫通配線と前記第4貫通配線は、前記第2軸方向からみて、非平行である、<8>に記載のインダクタ部品。
<13>
 前記第1貫通配線は、前記第1コイル配線に接続される第1接続面と、前記第2コイル配線に接続される第2接続面とを有し、
 前記第1外部電極は、前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の少なくとも一部に重なり、
 前記軸方向からみて、前記第1接続面の中心と前記第2接続面の中心とを結ぶ直線と、前記第2コイル配線の前記第1貫通配線に接続される接続面とのなす前記軸側の傾斜角度は、60°以上90°未満である、<1>から<12>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<14>
 前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の一部と前記第2接続面の一部とは、重なる、<13>に記載のインダクタ部品。
<15>
 前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の中心は、前記第2接続面の中心よりも前記軸に近い、<13>または<14>に記載のインダクタ部品。
<16>
 前記第1貫通配線は、前記第1貫通配線の延在する方向から見て外周側に位置する導電層と、前記導電層の内側に位置する非導電層とを有する、<1>から<15>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<17>
 前記第1貫通配線の延在方向の両端部の少なくとも一方の断面積は、前記第1貫通配線の延在方向の中央部の断面積よりも大きい、<1>から<16>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<18>
 前記インダクタ部品の厚みは、200μm以下である、<1>から<17>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<19>
 前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1外部電極および前記第2外部電極は、前記素体の外周面よりも内側に位置する、<1>から<18>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
<20>
 さらに、前記第1主面に設けられた有機絶縁体を備え、
 前記素体は、無機絶縁体であり、前記有機絶縁体は、前記第1主面に直交する方向からみて、前記無機絶縁体の外面よりも内側に位置する、<1>から<19>の何れか一つに記載のインダクタ部品。
 1,1A-1H インダクタ部品
 10 素体
 11b 底面配線(第1コイル配線)
 11b1 端面
 11t 天面配線(第2コイル配線)
 11t1 端面
 11t2 接続面
 11t3 接続面
 13 第1貫通配線
 131 外周部分
 13a 中心線
 13e 端部
 13m 中央部
 13s 導電層
 13u 非導電層
 13y1 第1接続面
 13y2 第2接続面
 14 第2貫通配線
 14a 中心線
 14y1 第1接続面
 14y2 第2接続面
 22 絶縁体
 100b 底面(第1主面)
 100t 天面(第2主面)
 110,110A,110B コイル
 121 第1外部電極
 121b 底面部分
 121v ビア部分
 121e1 下地層
 121e2 めっき層
 122 第2外部電極
 122b 底面部分
 122v ビア部分
 AX 軸
 L1,L2,L4 直線
 L3 接線
 M 中央線
 V 貫通孔
 Z1 高さ
 θ 底面配線と天面配線のなす角度
 α,β 傾斜角度

Claims (20)

  1.  互いに対向する第1主面および第2主面を含む素体と、
     前記素体に設けられ、軸に沿って螺旋状に巻き回されたコイルと、
     前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極および第2外部電極と
    を備え、
     前記コイルの前記軸は、前記第1主面に平行に配置され、
     前記コイルは、
     前記軸に対して前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に平行な平面上に前記軸に沿って配列された複数の第1コイル配線と、
     前記軸に対して前記第2主面側に設けられ、前記第2主面に平行な平面上に前記軸に沿って配列された複数の第2コイル配線と、
     前記第1コイル配線から前記第2コイル配線に向かって延在し、前記軸に沿って配列された複数の第1貫通配線と、
     前記第1コイル配線から前記第2コイル配線に向かって延在し、前記軸に対して前記第1貫通配線と反対側に設けられ、前記軸に沿って配列された複数の第2貫通配線と
    を含み、
     前記第1コイル配線と、前記第1貫通配線と、前記第2コイル配線と、前記第2貫通配線とは、この順に接続されることにより、前記螺旋状の少なくとも一部を構成し、
     前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、非平行である、インダクタ部品。
  2.  前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記第1主面に直交する方向からみて、前記軸に対して線対称である、請求項1に記載のインダクタ部品。
  3.  前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1主面に直交し前記軸を含む直線に対して線対称である、請求項1または2に記載のインダクタ部品。
  4.  前記第1貫通配線のラインエッジラフネスは、前記第1コイル配線のラインエッジラフネスより大きい、請求項1から3のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  5.  前記第1貫通配線のラインエッジラフネスは、前記第1コイル配線のラインエッジラフネスと同じかそれより小さい、請求項1から3のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  6.  前記第1貫通配線の幅と前記第2貫通配線の幅は、異なる、請求項1に記載のインダクタ部品。
  7.  前記第1貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1コイル配線および前記第2コイル配線よりも前記コイルの径方向の外側に位置する外周部分を有し、
     前記外周部分は、前記第1主面を基準として前記素体の前記第1主面に直交する方向の高さの0.3以上0.7以下の間に配置されている、請求項1から6のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  8.  前記素体に設けられ、前記軸と平行な第2軸に沿って螺旋状に巻き回された第2コイルと、
     前記素体に設けられ、前記第2コイルに電気的に接続された第3外部電極および第4外部電極と
    をさらに備え、
     前記第2コイルは、
     前記第2軸に対して前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に平行な平面上に前記第2軸に沿って配列された複数の第3コイル配線と、
     前記第2軸に対して前記第2主面側に設けられ、前記第2主面に平行な平面上に前記第2軸に沿って配列された複数の第4コイル配線と、
     前記第3コイル配線から前記第4コイル配線に向かって延在し、前記第2軸に沿って配列された複数の第3貫通配線と、
     前記第3コイル配線から前記第4コイル配線に向かって延在し、前記第2軸に対して前記第3貫通配線と反対側に設けられ、前記第2軸に沿って配列された複数の第4貫通配線と
    を含み、
     前記第3コイル配線と、前記第3貫通配線と、前記第4コイル配線と、前記第4貫通配線とは、この順に接続されることにより、前記第2コイルの螺旋状の少なくとも一部を構成し、
     前記第2貫通配線と、前記第3貫通配線とは、隣り合う、請求項1から7のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  9.  前記コイルの前記軸方向からみて、前記第1貫通配線および前記第2貫通配線と前記第3貫通配線および前記第4貫通配線とは、前記コイルと前記第2コイルの間の中央線に対して線対称である、請求項8に記載のインダクタ部品。
  10.  前記コイルの前記軸方向からみて、前記第2貫通配線と前記第3貫通配線とは、平行に配置されている、請求項8または9に記載のインダクタ部品。
  11.  前記第1貫通配線と前記第2貫通配線は、前記軸方向からみて、前記第1主面に直交し前記軸を含む直線に対して非線対称である、請求項9に記載のインダクタ部品。
  12.  前記第3貫通配線と前記第4貫通配線は、前記第2軸方向からみて、非平行である、請求項8に記載のインダクタ部品。
  13.  前記第1貫通配線は、前記第1コイル配線に接続される第1接続面と、前記第2コイル配線に接続される第2接続面とを有し、
     前記第1外部電極は、前記第1主面側に設けられ、前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の少なくとも一部に重なり、
     前記軸方向からみて、前記第1接続面の中心と前記第2接続面の中心とを結ぶ直線と、前記第2コイル配線の前記第1貫通配線に接続される接続面とのなす前記軸側の傾斜角度は、60°以上90°未満である、請求項1から12のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  14.  前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の一部と前記第2接続面の一部とは、重なる、請求項13に記載のインダクタ部品。
  15.  前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1接続面の中心は、前記第2接続面の中心よりも前記軸に近い、請求項13または14に記載のインダクタ部品。
  16.  前記第1貫通配線は、前記第1貫通配線の延在する方向から見て外周側に位置する導電層と、前記導電層の内側に位置する非導電層とを有する、請求項1から15のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  17.  前記第1貫通配線の延在方向の両端部の少なくとも一方の断面積は、前記第1貫通配線の延在方向の中央部の断面積よりも大きい、請求項1から16のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  18.  前記インダクタ部品の厚みは、200μm以下である、請求項1から17のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  19.  前記第1主面に直交する方向からみて、前記第1外部電極および前記第2外部電極は、前記素体の外周面よりも内側に位置する、請求項1から18のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
  20.  さらに、前記第1主面に設けられた有機絶縁体を備え、
     前記素体は、無機絶縁体であり、前記有機絶縁体は、前記第1主面に直交する方向からみて、前記無機絶縁体の外面よりも内側に位置する、請求項1から19のいずれか1つに記載のインダクタ部品。
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