WO2024080724A1 - 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 그의 동작 방법 - Google Patents

전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 그의 동작 방법 Download PDF

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WO2024080724A1
WO2024080724A1 PCT/KR2023/015591 KR2023015591W WO2024080724A1 WO 2024080724 A1 WO2024080724 A1 WO 2024080724A1 KR 2023015591 W KR2023015591 W KR 2023015591W WO 2024080724 A1 WO2024080724 A1 WO 2024080724A1
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standing wave
wave ratio
reference voltage
electronic device
voltage
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PCT/KR2023/015591
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문요한
나효석
양동일
이두환
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삼성전자 주식회사
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    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B17/00—Monitoring; Testing
    • H04B17/10—Monitoring; Testing of transmitters

Definitions

  • Various embodiments of this document relate to electronic devices, for example, electronic devices including power amplifiers and methods of operating the same.
  • Recent electronic devices can support communication methods using multiple frequency bands (e.g., dual connectivity or carrier combination).
  • a communication method using multiple frequency bands may have a larger frequency bandwidth than a communication method using a single frequency band.
  • a communication method using multiple frequency bands with relatively large frequency bandwidths can achieve higher data transmission or reception rates than other communication methods.
  • an electronic device may include a plurality of communication circuits (eg, a transceiver or amplifier circuit) to perform communication in each frequency band.
  • the communication circuit may include an amplifier circuit to amplify the signal to be transmitted.
  • the amplifier circuit can amplify a signal using power supplied by the power supply circuit.
  • the amplifier circuit may be damaged if the voltage applied to the amplifier circuit is too high.
  • the amplifier circuit may include an overvoltage protection circuit to prevent too high a voltage from being applied to the amplifier circuit.
  • An overvoltage protection circuit may operate by turning off the operation of a specific bias when the voltage inside the electronic device exceeds (or exceeds) a specified value.
  • the presence or absence of burnout (or loss) in the power amplifier or amplifier circuit is determined by the size of the voltage (Vcc) connected to the collector terminal of the power amplifier or amplifier circuit, the size of the input power, or the standing wave ratio of the antenna terminal. It can be determined by at least one of the sizes of (voltage standing wave ratio).
  • a standing wave can refer to a wave that is observed to be a composite of an incident wave and a reflected wave and only oscillate in place without moving left or right.
  • Standing wave ratio may mean the amplitude ratio of the maximum and minimum points of an oscillating standing wave.
  • the standing wave ratio at the antenna end may refer to the degree to which a signal is reflected and returned rather than being transmitted to the antenna when a signal is input to the antenna.
  • An overvoltage protection circuit can prevent burnout under one variable condition, such as the size of voltage (Vcc), but it may be difficult to prevent burnout under complex AMR (absolute maximum ratings) conditions where multiple variables mentioned above act simultaneously. .
  • the electronic device includes an amplifier circuit that amplifies a signal in a specific frequency band, and an overvoltage protection (OVP) circuit that reduces the voltage applied to the amplifier when the voltage applied to the amplifier circuit is higher than a reference voltage.
  • OVP overvoltage protection
  • the electronic device may include at least one coupler, a memory, and a communication processor for acquiring a portion of the signal output from the amplifier circuit to the antenna.
  • the communication processor uses a coupler to receive information about the voltage standing wave ratio (VSWR) of the signal output from the antenna, and determines the size of the voltage standing wave ratio (VSWR) and overvoltage protection in the memory.
  • VSWR voltage standing wave ratio
  • the size of the reference voltage (Vref) corresponding to the standing wave ratio can be determined by referring to the mapping data in which the size of the voltage at which the circuit operates is mapped, and the overvoltage protection circuit can be controlled according to the size of the determined reference voltage. there is.
  • a method of operating an electronic device including an amplifier circuit includes using a coupler to acquire a portion of the signal output from the amplifier circuit to the antenna to obtain the voltage standing wave ratio (VSWR) of the signal output from the antenna. ), referring to the mapping data in which the size of the voltage standing wave ratio (VSWR) and the size of the voltage at which the overvoltage protection (OVP) circuit operates are mapped in the memory, the standing wave It may include determining the size of the reference voltage (Vref) corresponding to the ratio and controlling the overvoltage protection circuit according to the size of the determined reference voltage.
  • Vref reference voltage
  • the electronic device may change the operating conditions of the overvoltage protection circuit according to the standing wave ratio (VSWR) of the antenna terminal.
  • the standing wave ratio at the antenna end may refer to the degree to which a signal is reflected and returned rather than being transmitted to the antenna when a signal is input to the antenna.
  • the electronic device can change the magnitude of the voltage applied to the amplifier that can operate the overvoltage protection circuit according to the standing wave ratio. Accordingly, the electronic device can prevent damage to the power amplifier or amplifier circuit.
  • the electronic device refers to mapping data in which the size of the voltage standing wave ratio (VSWR) and the size of the voltage at which the overvoltage protection device (OVP) operates are mapped, and an overvoltage protection circuit.
  • the magnitude of the operating voltage can be determined. Accordingly, the electronic device can adaptively adjust the magnitude of the voltage at which the overvoltage protection circuit operates, thereby preventing damage to the power amplifier or amplifier circuit.
  • FIG. 1 is a block diagram of an electronic device in a network environment, according to one embodiment.
  • Figure 2 is a block diagram of an electronic device for supporting legacy network communication and 5G network communication, according to one embodiment.
  • Figure 3 is a block diagram of an electronic device according to one embodiment.
  • Figure 4 shows an overvoltage protection circuit according to one embodiment.
  • Figure 5 shows a circuit diagram of an amplifier circuit in an electronic device according to an embodiment.
  • FIG. 6 shows I/Q plot data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) of an electronic device according to an embodiment.
  • Figure 7 is a flowchart showing a method of controlling an amplifier circuit of an electronic device according to an embodiment.
  • Figure 8 is a flowchart showing a method for controlling an amplifier circuit of an electronic device according to an embodiment.
  • FIG. 1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100, according to one embodiment.
  • the electronic device 101 communicates with the electronic device 102 through a first network 198 (e.g., a short-range wireless communication network) or a second network 199. It is possible to communicate with at least one of the electronic device 104 or the server 108 through (e.g., a long-distance wireless communication network).
  • the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108.
  • the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input module 150, an audio output module 155, a display module 160, an audio module 170, and a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or may include an antenna module 197.
  • at least one of these components eg, the connection terminal 178) may be omitted or one or more other components may be added to the electronic device 101.
  • some of these components e.g., sensor module 176, camera module 180, or antenna module 197) are integrated into one component (e.g., display module 160). It can be.
  • the processor 120 for example, executes software (e.g., program 140) to operate at least one other component (e.g., hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can be controlled and data processing or calculations can be performed. According to one embodiment, as at least part of data processing or computation, the processor 120 stores commands or data received from another component (e.g., sensor module 176 or communication module 190) in volatile memory 132. The commands or data stored in the volatile memory 132 can be processed, and the resulting data can be stored in the non-volatile memory 134.
  • software e.g., program 140
  • the processor 120 stores commands or data received from another component (e.g., sensor module 176 or communication module 190) in volatile memory 132.
  • the commands or data stored in the volatile memory 132 can be processed, and the resulting data can be stored in the non-volatile memory 134.
  • the processor 120 includes a main processor 121 (e.g., a central processing unit or an application processor) or an auxiliary processor 123 that can operate independently or together (e.g., a graphics processing unit, a neural network processing unit ( It may include a neural processing unit (NPU), an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor).
  • a main processor 121 e.g., a central processing unit or an application processor
  • auxiliary processor 123 e.g., a graphics processing unit, a neural network processing unit ( It may include a neural processing unit (NPU), an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor.
  • the electronic device 101 includes a main processor 121 and a auxiliary processor 123
  • the auxiliary processor 123 may be set to use lower power than the main processor 121 or be specialized for a designated function. You can.
  • the auxiliary processor 123 may be implemented separately from the main processor 121 or as part of it.
  • the auxiliary processor 123 may, for example, act on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (e.g., sleep) state, or while the main processor 121 is in an active (e.g., application execution) state. ), together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (e.g., the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) At least some of the functions or states related to can be controlled.
  • co-processor 123 e.g., image signal processor or communication processor
  • may be implemented as part of another functionally related component e.g., camera module 180 or communication module 190. there is.
  • the auxiliary processor 123 may include a hardware structure specialized for processing artificial intelligence models.
  • Artificial intelligence models can be created through machine learning. For example, such learning may be performed in the electronic device 101 itself on which the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (e.g., server 108).
  • Learning algorithms may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning, or reinforcement learning, but It is not limited.
  • An artificial intelligence model may include multiple artificial neural network layers.
  • Artificial neural networks include deep neural network (DNN), convolutional neural network (CNN), recurrent neural network (RNN), restricted boltzmann machine (RBM), belief deep network (DBN), bidirectional recurrent deep neural network (BRDNN), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the above, but is not limited to the examples described above.
  • artificial intelligence models may additionally or alternatively include software structures.
  • the memory 130 may store data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176) of the electronic device 101. Data may include, for example, input data or output data for software (e.g., program 140) and instructions related thereto.
  • Memory 130 may include volatile memory 132 or non-volatile memory 134.
  • the program 140 may be stored as software in the memory 130 and may include, for example, an operating system 142, middleware 144, or application 146.
  • the input module 150 may receive commands or data to be used in a component of the electronic device 101 (e.g., the processor 120) from outside the electronic device 101 (e.g., a user).
  • the input module 150 may include, for example, a microphone, mouse, keyboard, keys (eg, buttons), or digital pen (eg, stylus pen).
  • the sound output module 155 may output sound signals to the outside of the electronic device 101.
  • the sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. Speakers can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback.
  • the receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.
  • the display module 160 can visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user).
  • the display module 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector, and a control circuit for controlling the device.
  • the display module 160 may include a touch sensor configured to detect a touch, or a pressure sensor configured to measure the intensity of force generated by the touch.
  • the audio module 170 can convert sound into an electrical signal or, conversely, convert an electrical signal into sound. According to one embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input module 150, the sound output module 155, or an external electronic device (e.g., directly or wirelessly connected to the electronic device 101). Sound may be output through the electronic device 102 (e.g., speaker or headphone).
  • the electronic device 102 e.g., speaker or headphone
  • the sensor module 176 detects the operating state (e.g., power or temperature) of the electronic device 101 or the external environmental state (e.g., user state) and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do.
  • the sensor module 176 includes, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, humidity sensor, or light sensor.
  • the interface 177 may support one or more designated protocols that can be used to connect the electronic device 101 directly or wirelessly with an external electronic device (eg, the electronic device 102).
  • the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.
  • HDMI high definition multimedia interface
  • USB universal serial bus
  • SD card interface Secure Digital Card interface
  • audio interface audio interface
  • connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102).
  • the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).
  • the haptic module 179 can convert electrical signals into mechanical stimulation (e.g., vibration or movement) or electrical stimulation that the user can perceive through tactile or kinesthetic senses.
  • the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.
  • the camera module 180 can capture still images and moving images.
  • the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.
  • the power management module 188 can manage power supplied to the electronic device 101.
  • the power management module 188 may be implemented as at least a part of, for example, a power management integrated circuit (PMIC).
  • PMIC power management integrated circuit
  • the battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101.
  • the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, or a fuel cell.
  • Communication module 190 is configured to provide a direct (e.g., wired) communication channel or wireless communication channel between electronic device 101 and an external electronic device (e.g., electronic device 102, electronic device 104, or server 108). It can support establishment and communication through established communication channels. Communication module 190 operates independently of processor 120 (e.g., an application processor) and may include one or more communication processors that support direct (e.g., wired) communication or wireless communication.
  • processor 120 e.g., an application processor
  • the communication module 190 is a wireless communication module 192 (e.g., a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (e.g., : LAN (local area network) communication module, or power line communication module) may be included.
  • a wireless communication module 192 e.g., a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module
  • GNSS global navigation satellite system
  • wired communication module 194 e.g., : LAN (local area network) communication module, or power line communication module
  • the corresponding communication module is a first network 198 (e.g., a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (e.g., legacy It may communicate with an external electronic device 104 through a telecommunication network such as a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (e.g., LAN or WAN).
  • a telecommunication network such as a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (e.g., LAN or WAN).
  • a telecommunication network such as a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (e.g., LAN or WAN).
  • a telecommunication network such as a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network
  • the wireless communication module 192 uses subscriber information (e.g., International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199.
  • subscriber information e.g., International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)
  • IMSI International Mobile Subscriber Identifier
  • the wireless communication module 192 may support 5G networks after 4G networks and next-generation communication technologies, for example, NR access technology (new radio access technology).
  • NR access technology provides high-speed transmission of high-capacity data (eMBB (enhanced mobile broadband)), minimization of terminal power and access to multiple terminals (mMTC (massive machine type communications)), or high reliability and low latency (URLLC (ultra-reliable and low latency). -latency communications)) can be supported.
  • the wireless communication module 192 may support a high frequency band (eg, mmWave band), for example, to achieve a high data rate.
  • a high frequency band eg, mmWave band
  • the wireless communication module 192 uses technologies to secure performance in high frequency bands, for example, beamforming, massive MIMO (multiple-input and multiple-output), and full-dimensional multiplexing. It can support technologies such as input/output (FD-MIMO: full dimensional MIMO), array antenna, analog beam-forming, or large scale antenna.
  • the wireless communication module 192 may support requirements specified in the electronic device 101, an external electronic device (e.g., electronic device 104), or a network system (e.g., second network 199).
  • the wireless communication module 192 supports Peak data rate (e.g., 20 Gbps or more) for realizing eMBB, loss coverage (e.g., 164 dB or less) for realizing mmTC, or U-plane latency (e.g., 164 dB or less) for realizing URLLC.
  • Peak data rate e.g., 20 Gbps or more
  • loss coverage e.g., 164 dB or less
  • U-plane latency e.g., 164 dB or less
  • the antenna module 197 may transmit or receive signals or power to or from the outside (eg, an external electronic device).
  • the antenna module 197 may include an antenna including a radiator made of a conductor or a conductive pattern formed on a substrate (eg, PCB).
  • the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is connected to the plurality of antennas by, for example, the communication module 190. can be selected. Signals or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the selected at least one antenna.
  • other components eg, radio frequency integrated circuit (RFIC) may be additionally formed as part of the antenna module 197.
  • RFIC radio frequency integrated circuit
  • the antenna module 197 may form a mmWave antenna module.
  • a mmWave antenna module includes a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first side (e.g., bottom side) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (e.g., mmWave band), And a plurality of antennas (e.g., array antennas) disposed on or adjacent to the second side (e.g., top or side) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals in the designated high frequency band. can do.
  • a mmWave antenna module includes a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first side (e.g., bottom side) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (e.g., mmWave band), And a plurality of antennas (e.g., array antennas) disposed on or adjacent to the second side (e.g., top or side) of the
  • peripheral devices e.g., bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)
  • signal e.g. commands or data
  • commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199.
  • Each of the external electronic devices 102 or 104 may be of the same or different type as the electronic device 101.
  • all or part of the operations performed in the electronic device 101 may be executed in one or more of the external electronic devices 102, 104, or 108. For example, when the electronic device 101 needs to perform a certain function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 does not execute the function or service on its own. Alternatively, or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform at least part of the function or service.
  • One or more external electronic devices that have received the request may execute at least part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit the result of the execution to the electronic device 101.
  • the electronic device 101 may process the result as is or additionally and provide it as at least part of a response to the request.
  • cloud computing distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology can be used.
  • the electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing.
  • the external electronic device 104 may include an Internet of Things (IoT) device.
  • Server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks.
  • the external electronic device 104 or server 108 may be included in the second network 199.
  • the electronic device 101 may be applied to intelligent services (e.g., smart home, smart city, smart car, or healthcare) based on 5G communication technology and IoT-related technology.
  • An electronic device may be a type of device.
  • Electronic devices may include, for example, portable communication devices (e.g., smartphones), computer devices, portable multimedia devices, portable medical devices, cameras, wearable devices, or home appliances.
  • portable communication devices e.g., smartphones
  • computer devices e.g
  • first, second, or first or second may be used simply to distinguish one component from another, and to refer to those components in other respects (e.g., importance or order) is not limited.
  • One (e.g., first) component is said to be “coupled” or “connected” to another (e.g., second) component, with or without the terms “functionally” or “communicatively.” Where mentioned, it means that any of the components can be connected to the other components directly (e.g. wired), wirelessly, or through a third component.
  • module used in embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as logic, logic block, component, or circuit, for example. It can be used as A module may be an integrated part or a minimum unit of the parts or a part thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).
  • ASIC application-specific integrated circuit
  • One embodiment of the present document is one or more instructions stored in a storage medium (e.g., built-in memory 136 or external memory 138) that can be read by a machine (e.g., electronic device 101). It may be implemented as software (e.g., program 140) including these.
  • a processor e.g., processor 120
  • the one or more instructions may include code generated by a compiler or code that can be executed by an interpreter.
  • a storage medium that can be read by a device may be provided in the form of a non-transitory storage medium.
  • 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain signals (e.g. electromagnetic waves). This term refers to cases where data is stored semi-permanently in the storage medium. There is no distinction between temporary storage cases.
  • the method according to the embodiments disclosed in this document may be provided and included in a computer program product.
  • Computer program products are commodities and can be traded between sellers and buyers.
  • the computer program product may be distributed in the form of a machine-readable storage medium (e.g. compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (e.g. Play StoreTM) or on two user devices (e.g. It can be distributed (e.g. downloaded or uploaded) directly between smart phones) or online.
  • a portion of the computer program product may be at least temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium, such as the memory of a manufacturer's server, an application store's server, or a relay server.
  • each component (e.g., module or program) of the above-described components may include a single or plural entity, and some of the plurality of entities may be separately placed in other components. there is.
  • one or more of the above-described corresponding components or operations may be omitted, or one or more other components or operations may be added.
  • multiple components eg, modules or programs
  • the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component of the plurality of components prior to the integration. .
  • operations performed by a module, program, or other component may be executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the operations may be executed in a different order, or omitted. Alternatively, one or more other operations may be added.
  • FIG. 2 is a block diagram 200 of an electronic device 101 for supporting legacy network communication and 5G network communication, according to one embodiment.
  • the electronic device 101 includes a first communication processor 212, a second communication processor 214, a first radio frequency integrated circuit (RFIC) 222, a second RFIC 224, and a third RFIC 226, fourth RFIC 228, first radio frequency front end (RFFE) 232, second RFFE 234, first antenna module 242, second antenna module 244, and antenna It may include (248).
  • the electronic device 101 may further include a processor 120 and a memory 130.
  • Network 199 may include a first network 292 and a second network 294. According to another embodiment, the electronic device 101 may further include at least one of the components shown in FIG.
  • the network 199 may further include at least one other network.
  • the first communication processor 212, the second communication processor 214, the first RFIC 222, the second RFIC 224, the fourth RFIC 228, the first RFFE 232, and second RFFE 234 may form at least a portion of wireless communication module 192.
  • the fourth RFIC 228 may be omitted or may be included as part of the third RFIC 226.
  • the first communication processor 212 may support establishment of a communication channel in a band to be used for wireless communication with the first network 292, and legacy network communication through the established communication channel.
  • the first network may be a legacy network including a second generation (2G), 3G, 4G, or long term evolution (LTE) network.
  • the second communication processor 214 establishes a communication channel corresponding to a designated band (e.g., about 6 GHz to about 60 GHz) among the bands to be used for wireless communication with the second network 294, and 5G network communication through the established communication channel. can support.
  • the second network 294 may be a 5G network defined by 3GPP.
  • the first communication processor 212 or the second communication processor 214 corresponds to another designated band (e.g., about 6 GHz or less) among the bands to be used for wireless communication with the second network 294. It can support establishment of a communication channel and 5G network communication through the established communication channel.
  • the first communication processor 212 and the second communication processor 214 may be implemented in a single chip or a single package.
  • the first communication processor 212 or the second communication processor 214 may be formed in a single chip or a single package with the processor 120, the auxiliary processor 123, or the communication module 190. there is.
  • the first RFIC 222 When transmitting, the first RFIC 222 converts the baseband signal generated by the first communication processor 212 into a frequency range of about 700 MHz to about 3 GHz used in the first network 292 (e.g., a legacy network). It can be converted into a radio frequency (RF) signal. Upon reception, the RF signal is obtained from a first network 292 (e.g., a legacy network) via an antenna (e.g., first antenna module 242) and via an RFFE (e.g., first RFFE 232). Can be preprocessed. The first RFIC 222 may convert the pre-processed RF signal into a baseband signal to be processed by the first communication processor 212.
  • a first network 292 e.g., a legacy network
  • an antenna e.g., first antenna module 242
  • an RFFE e.g., first RFFE 232
  • the second RFIC 224 when transmitting, connects the first communications processor 212 or the baseband signal generated by the second communications processor 214 to a second network 294 (e.g., a 5G network). It can be converted to an RF signal (hereinafter referred to as a 5G Sub6 RF signal) in the Sub6 band (e.g., approximately 6 GHz or less).
  • a 5G Sub6 RF signal RF signal
  • the 5G Sub6 RF signal is obtained from the second network 294 (e.g., 5G network) via an antenna (e.g., second antenna module 244) and an RFFE (e.g., second RFFE 234) It can be preprocessed through .
  • the second RFIC 224 may convert the preprocessed 5G Sub6 RF signal into a baseband signal so that it can be processed by a corresponding communication processor of the first communication processor 212 or the second communication processor 214.
  • the third RFIC 226 converts the baseband signal generated by the second communication processor 214 into an RF signal in the 5G Above6 band (e.g., about 6 GHz to about 60 GHz) to be used in the second network 294 (e.g., a 5G network). It can be converted into a signal (hereinafter referred to as 5G Above6 RF signal).
  • the 5G Above6 RF signal may be obtained from a second network 294 (e.g., a 5G network) through an antenna (e.g., antenna 248) and preprocessed through a third RFFE 236.
  • the third RFIC 226 may convert the pre-processed 5G Above6 RF signal into a baseband signal to be processed by the second communication processor 214.
  • the third RFFE 236 may be formed as part of the third RFIC 226.
  • the electronic device 101 may include a fourth RFIC 228 separately from or at least as part of the third RFIC 226.
  • the fourth RFIC 228 converts the baseband signal generated by the second communication processor 214 into an RF signal (hereinafter referred to as an IF signal) in an intermediate frequency band (e.g., about 9 GHz to about 11 GHz). After conversion, the IF signal can be transmitted to the third RFIC (226).
  • the third RFIC 226 can convert the IF signal into a 5G Above6 RF signal.
  • a 5G Above6 RF signal may be received from a second network 294 (e.g., a 5G network) via an antenna (e.g., antenna 248) and converted into an IF signal by a third RFIC 226. .
  • the fourth RFIC 228 may convert the IF signal into a baseband signal so that the second communication processor 214 can process it.
  • the first RFIC 222 and the second RFIC 224 may be implemented as a single chip or at least part of a single package.
  • the first RFFE 232 and the second RFFE 234 may be implemented as a single chip or at least part of a single package.
  • at least one antenna module of the first antenna module 242 or the second antenna module 244 may be omitted or combined with another antenna module to process RF signals of a plurality of corresponding bands.
  • the third RFIC 226 and the antenna 248 may be disposed on the same substrate to form the third antenna module 246.
  • the wireless communication module 192 or the processor 120 may be placed on the first substrate (eg, main PCB).
  • the third RFIC 226 is located in some area (e.g., bottom surface) of the second substrate (e.g., sub PCB) separate from the first substrate, and the antenna 248 is located in another part (e.g., top surface). is disposed, so that the third antenna module 246 can be formed.
  • the third RFIC 226 and the antenna 248 By placing the third RFIC 226 and the antenna 248 on the same substrate, it is possible to reduce the length of the transmission line therebetween. This, for example, can reduce loss (e.g.
  • the electronic device 101 can improve the quality or speed of communication with the second network 294 (eg, 5G network).
  • the second network 294 e.g, 5G network
  • the antenna 248 may be formed as an antenna array including a plurality of antenna elements that can be used for beamforming.
  • the third RFIC 226, for example, as part of the third RFFE 236, may include a plurality of phase shifters 238 corresponding to a plurality of antenna elements.
  • each of the plurality of phase converters 238 can convert the phase of the 5G Above6 RF signal to be transmitted to the outside of the electronic device 101 (e.g., a base station of a 5G network) through the corresponding antenna element. .
  • each of the plurality of phase converters 238 may convert the phase of the 5G Above6 RF signal received from the outside through the corresponding antenna element into the same or substantially the same phase. This enables transmission or reception through beamforming between the electronic device 101 and the outside.
  • the second network 294 may operate independently (e.g., Stand-Alone (SA)) or connected to the first network 292 (e.g., a legacy network) (e.g., a legacy network).
  • SA Stand-Alone
  • a legacy network e.g., a legacy network
  • Non-Stand Alone (NSA) e.g., a 5G network
  • a 5G network may have only an access network (e.g., 5G radio access network (RAN) or next generation RAN (NG RAN)) and no core network (e.g., next generation core (NGC)).
  • the electronic device 101 may access the access network of the 5G network and then access an external network (eg, the Internet) under the control of the core network (eg, evolved packed core (EPC)) of the legacy network.
  • EPC evolved packed core
  • Protocol information for communication with a legacy network e.g., LTE protocol information
  • protocol information for communication with a 5G network e.g., New Radio (NR) protocol information
  • NR New Radio
  • FIG. 3 is a block diagram of an electronic device according to an embodiment of the present invention.
  • an electronic device e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 according to an embodiment of the present invention includes a communication processor 301 (e.g., the first communication processor 212 of FIG. 2 or the first communication processor 212 of FIG. 2). a second communication processor 214), a transceiver 303 (e.g., the first RFIC 222, the second RFIC 224, the third RFIC 226, or the fourth RFIC 228 in FIG. 2), an amplifier It may include a circuit 311 and an antenna 330 (eg, the first antenna module 242, the second antenna module 244, or the third antenna module 246 in FIG. 2).
  • the amplifier circuit 311 may include an overvoltage protection circuit 313 and a coupler 320.
  • the coupler 320 may be included within the amplifier circuit 311.
  • the coupler 320 may obtain a portion of the signal output from the amplifier circuit 311 and transmit it to the transceiver 303.
  • the communication processor 301 may receive control data or User data may be received and/or transmitted.
  • the communication processor 301 establishes a cellular communication connection with the base station through control data, and transmits data received from an application processor (e.g., processor 120 in FIG. 1) to the base station through the established cellular communication, and/ Alternatively, data received from the base station may be transmitted to an application processor (eg, processor 120 in FIG. 1).
  • an application processor e.g., processor 120 in FIG. 1
  • data received from the base station may be transmitted to an application processor (eg, processor 120 in FIG. 1).
  • the transceiver 303 may perform a series of operations to process signals received from the communication processor 301. For example, the transceiver 303 may perform a modulation operation on a signal received from the communication processor 301. For example, the transceiver 303 may perform a frequency modulation operation to convert a baseband signal into a radio frequency (RF) signal used for cellular communication. The transceiver 303 may perform a demodulation operation on a signal received from the outside through the communication circuit 350. For example, the transceiver 303 may perform a frequency demodulation operation to convert a radio frequency (RF) signal into a baseband signal.
  • RF radio frequency
  • the electronic device 101 may include at least one RF chain for outputting a signal in a first frequency band through a first antenna (eg, antenna 330).
  • a first antenna eg, antenna 330
  • an RF chain may refer to a set of components included in a signal movement path.
  • the RF chain may include parts (e.g., an amplifier, a switch, or a filter) that amplify the signal in the first frequency band transmitted by the transceiver 303 and filter the amplified signal. You can.
  • the electronic device 101 may include an amplifier circuit 311 for amplifying a signal in a specific frequency band.
  • the amplifier circuit 311 may be a component included in the RF chain.
  • An RF chain may refer to a set of components included in a signal movement path.
  • the RF chain may include components (e.g., an amplifier, switch, or filter) that amplify a signal in a specific frequency band transmitted by the transceiver 303 and filter the amplified signal. there is.
  • the amplifier circuit 311 may include at least one amplifier that amplifies a signal in a specific frequency band.
  • the amplifier circuit 311 may be implemented as a multi-stage amplifier structure that amplifies signals in a specific frequency band in several stages. The amplifier circuit 311 will be explained in Figure 5.
  • the communication processor 301 may measure the magnitude of the standing wave ratio (VSWR) of the amplifier circuit 311 using the transceiver 303 and the coupler 320.
  • the coupler 320 is a passive element and can be used to extract a signal that measures the magnitude of standing wave ratio (VSWR).
  • the coupler 320 may be used to distribute one signal power into a plurality of specific signal powers, or may be used to extract a portion of the specific signal power.
  • the coupler 320 may acquire a part of the signal output from the amplifier circuit 311 to the antenna 330 and transmit the acquired signal to the transceiver 303.
  • the transceiver 303 may convert the received signal and transmit it to the communication processor 301.
  • the communication processor 301 may determine the standing wave ratio of the signal output to the antenna 330 based on the signal received from the transceiver 303.
  • Figure 4 shows an overvoltage protection circuit according to one embodiment.
  • An electronic device may include an overvoltage protection circuit 400.
  • the overvoltage protection circuit 400 may be included in an amplifier circuit (eg, amplifier circuit 311 in FIG. 3).
  • the overvoltage protection circuit 400 may include a comparator 401 that compares the battery voltage (Vbatt) and the collector terminal voltage (Vcc) with the reference voltage (Vref).
  • the overvoltage protection circuit 400 measures the voltage of the battery (Vbatt) and the voltage of the collector stage (Vcc), and may include a voltage control unit 403 that turns off the voltage applied to the amplifier circuit 311 based on a specific signal. You can.
  • the communication processor e.g., the communication processor 301 in FIG.
  • VSWR voltage standing wave ratio
  • the electronic device e.g., power amplifier or amplifier circuit 3111
  • Vbatt battery voltage
  • Vref reference voltage
  • Standing wave ratio (VSWR) may refer to the ratio of the height of a standing wave generated by partially reflecting a signal output from an antenna.
  • the standing wave ratio at the antenna end may refer to the degree to which a signal is reflected and returned rather than being transmitted to the antenna when a signal is input to the antenna.
  • the standing wave ratio (VSWR) of the antenna terminal increases, the influence of reflected waves on the output of the antenna can be relatively greater.
  • the standing wave ratio (VSWR) increases, the possibility of burnout due to the influence of reflected waves may increase relatively.
  • the electronic device 101 may change the reference voltage (Vref) of the overvoltage protection circuit 400 based on the size of the standing wave ratio (VSWR) of the antenna terminal.
  • the electronic device 101 can reduce the possibility of burnout without lowering the output of the amplifier circuit 311 or lowering the voltage (Vcc) of the collector stage.
  • the electronic device 101 is output to an antenna (e.g., the antenna 330 in FIG. 3) on the amplifier circuit 311, but has a parameter indicating the degree of reflection (e.g., reflection coefficient, transmission coefficient). ), or the reference voltage (Vref) of the overvoltage protection circuit 400 can be changed based on the return loss.
  • the communication processor uses a coupler (e.g., coupler 320 of FIG. 3) to determine the strength of the signal output to the antenna 330 and the antenna 330. It is possible to obtain information about the standing wave ratio (VSWR), which is the ratio of the intensity of the signal transmitted without being transmitted to the antenna 330 and reflected.
  • the communication processor 301 may check the strength of the reflected signal obtained using the coupler 320.
  • the communication processor 301 may receive the strength of the amplified signal from the amplifier circuit 311.
  • the communication processor 301 may check the standing wave ratio based on the ratio of the intensity of the amplified signal and the intensity of the reflected signal.
  • the communication processor 301 may determine to change (or reduce) the reference voltage based on the standing wave ratio being above (or exceeding) a specified value.
  • I/Q plot data Information about the standing wave ratio (VSWR) can be converted into I/Q plot data that displays the position and size data of the standing wave ratio (VSWR) divided into real and imaginary parts.
  • I/Q plot data may refer to data that displays information about a specific signal using a rectangular coordinate system and a complex coordinate system.
  • the x-axis of I/Q plot data may include the I channel (In-phase) as the real part of the signal.
  • the y-axis of I/Q plot data may include a Q channel (quadrature phase) as the imaginary part of the signal.
  • the communication processor 301 may determine whether to change the reference voltage (Vref) based on I/Q plot data corresponding to the standing wave ratio.
  • the communication processor 301 may determine to change (or reduce) the reference voltage based on the standing wave ratio being greater than (or greater than) a specified value.
  • the process by which the communication processor 301 changes the reference voltage (Vref) based on I/Q plot data will be described in FIG. 6.
  • the communication processor 301 may change the reference voltage Vref by changing the sizes of the variable resistors 411 and 412 based on the decision to change the reference voltage.
  • the first variable resistor 411 may be electrically connected between the voltage input terminal of the battery and the operational amplifier.
  • the second variable resistor 412 may be electrically connected between the collector voltage input terminal and the operational amplifier.
  • the communication processor 301 decides to decrease the reference voltage, it may increase the size of the variable resistors 411 and 412.
  • the variable resistors 411 and 412 may be implemented as a combination of passive elements (R) and/or active elements (MOSFET, or BJT).
  • the communication processor 301 can control the possibility of burnout to be low by changing the reference voltage (Vref) in a situation where the standing wave ratio (VSWR) exceeds a specified level and the possibility of burnout is high.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an amplifier circuit in an electronic device according to an embodiment.
  • an amplifier circuit (e.g., the amplifier circuit 311 of FIG. 3) according to an embodiment includes a first port 511 that receives a signal to be amplified, and a second port 513 that receives a bias voltage. , It may include a third port 515 that receives voltage from the first power supply circuit (e.g., power supply circuit 340 in FIG. 4) and/or a fourth port 517 that outputs an amplified signal. .
  • the amplifier circuit 311 shown in FIG. 5 is shown with the symbol of a BJT (bipolar junction transistor), but the amplifier circuit 311 of the present invention includes not only a BJT but also various elements capable of amplifying signals (e.g., a field effect transistor (FET)). It can be implemented with a combination of transistor) and devices.
  • BJT bipolar junction transistor
  • FET field effect transistor
  • the first port 511 may be electrically connected to a transceiver (eg, transceiver 303 in FIG. 3).
  • the fourth port 517 may be electrically connected to an antenna (eg, antenna 330 in FIG. 3).
  • the amplifier circuit 311 may be electrically connected to various elements 519 according to the designer's intention.
  • the various elements 519 include passive elements (resistors, inductors, or capacitors) and/or active elements and may be used to determine the power gain of the amplifier circuit 311.
  • an electronic device e.g., electronic device 101 in FIG. 1
  • a communication processor e.g., communication processor 301 in FIG. 3
  • the magnitude of the voltage to be applied through and the magnitude of the voltage to be applied through the third port 515 can be determined.
  • the electronic device determines the level of voltage (e.g., 3V) to be applied through the third port 515, and supplies power to apply the determined voltage.
  • the circuit can be controlled.
  • the electronic device 101 may determine the size of the bias voltage to be applied through the second port 513 and apply the determined voltage to the amplifier circuit 311.
  • the electronic device 101 may apply the determined voltage to the amplifier circuit 311 by directly applying a bias voltage to the second port 513 through a control signal path connected through the transceiver 303.
  • FIG. 6 shows I/Q plot data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) of an electronic device according to an embodiment.
  • the communication processor uses a coupler (e.g., the coupler 320 of FIG. 3) to determine the strength of the signal output to the antenna 330 and the antenna 330. ) It is possible to obtain information about the standing wave ratio (VSWR), which is the ratio of the intensity of the reflected signal without being transmitted to the antenna 330.
  • the communication processor 301 may check the strength of the reflected signal obtained using the coupler 320.
  • the communication processor 301 may receive the strength of the amplified signal from the amplifier circuit 311.
  • the communication processor 301 may check the standing wave ratio based on the ratio of the intensity of the amplified signal and the intensity of the reflected signal.
  • I/Q plot data Information about the standing wave ratio (VSWR) can be converted into I/Q plot data that displays the position and size data of the standing wave ratio (VSWR) divided into real and imaginary parts.
  • I/Q plot data may refer to data that displays information about a specific signal using a rectangular coordinate system and a complex coordinate system.
  • the x-axis of I/Q plot data may include the I channel (In-phase) as the real part of the signal.
  • the y-axis of I/Q plot data may include a Q channel (quadrature phase) as the imaginary part of the signal.
  • the communication processor 301 may determine whether to change the reference voltage (Vref) based on I/Q plot data corresponding to the standing wave ratio. According to one example, the communication processor 301 may determine to change (or reduce) the reference voltage based on the standing wave ratio being greater than (or greater than) a specified value.
  • the size of the standing wave ratio may be determined by the distance between the origin 601 and a point corresponding to the signal 605.
  • the signal 605 may refer to a signal that is output to the antenna 330 but is reflected without reaching the antenna 330.
  • the position of the signal 605 may be determined differently depending on the frequency band of the amplifier circuit 311.
  • the number or location of signals 605 is only an example and may vary depending on the situation of the amplifier circuit 311, but is not limited thereto.
  • the communication processor 301 can use the coupler 320 to measure a reflected wave of a signal output by an amplifier reflected by an antenna and check the standing wave ratio (VSWR).
  • the communication processor 301 may determine whether the position of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is located within the designated area 610 on the I/Q plot chart of FIG. 6.
  • the communication processor 301 sets a reference voltage at which the overvoltage protection circuit (e.g., the overvoltage protection circuit 400 of FIG. 4) operates based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) within the designated area 610.
  • Vref can be maintained at a specified level (e.g. 4.5V).
  • the communication processor 301 sets the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates to a specified level (e.g., 3.8) based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) being outside the designated area 610. V) can be lowered.
  • the processor 301 may determine that the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is located outside the designated area 610 based on its location at the first point 607. Based on the location of the signal corresponding to the processor 301 standing wave ratio (VSWR) being outside the designated area 610, the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates is set to a specified level (e.g., 3.8V).
  • the communication processor 301 can control the possibility of burnout by lowering the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates in a situation where the standing wave ratio (VSWR) is relatively large and the risk of burnout is relatively high. there is.
  • Vref reference voltage
  • the location of the designated area 610 is not fixed and may be determined differently based on at least one of the size of the power input to the amplifier, the size of the voltage (Vcc) applied to the collector stage, or settings.
  • the designated area 610 may mean the value of the frequency band of the amplifier circuit 311.
  • the size and location of the designated area 610 may be determined differently depending on the frequency supported by the amplifier circuit 311. Information about the size and location of the designated area 610 may be obtained through the manufacturer of the amplifier circuit 311, or may be created through testing on an electronic device (e.g., the electronic device 101 in FIG. 1).
  • the designated area 610 which is the standard for adjusting the voltage magnitude, is shown as an area on the complex plane.
  • the designated area 610 is not limited to the area on the complex plane.
  • the designated area 610 may be displayed as a numerical range on coordinates or in the form of a lookup table.
  • the communication processor 301 determines to change the reference voltage based on Therefore, the reference voltage Vref can be changed by changing the size of the variable resistor (eg, variable resistor 411 and 412 in FIG. 4).
  • the first variable resistor 411 may be electrically connected between the voltage input terminal of the battery and the operational amplifier.
  • the second variable resistor 412 may be electrically connected between the collector voltage input terminal and the operational amplifier.
  • the communication processor 301 decides to decrease the reference voltage, it may increase the size of the variable resistors 411 and 412.
  • the variable resistors 411 and 412 may be implemented as a combination of passive elements (R) and/or active elements (MOSFET, or BJT).
  • the communication processor 301 can control the possibility of burnout to be low by changing the reference voltage (Vref) in a situation where the standing wave ratio (VSWR) exceeds a specified level and the possibility of burnout is high.
  • Figure 7 is a flowchart showing a method of controlling an amplifier circuit of an electronic device according to an embodiment.
  • Operations described with reference to FIG. 7 may be implemented based on instructions that can be stored in a computer recording medium or memory (eg, memory 130 in FIG. 1).
  • the illustrated method 700 can be executed by the electronic device previously described with reference to FIGS. 1 to 6 (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 ), and technical features described above will be omitted below.
  • the order of each operation in FIG. 7 may be changed, some operations may be omitted, and some operations may be performed simultaneously.
  • the communication processor uses a coupler (e.g., coupler 320 in FIG. 3) to determine the strength of the signal output to the antenna 330 and the signal output to the antenna 330.
  • Information about the standing wave ratio (VSWR) which is the ratio of the intensity of the signal reflected without the transmitted signal being transmitted to the antenna 330, can be obtained.
  • Information about the voltage standing wave ratio (VSWR) of the amplifier circuit 311 may be received.
  • the communication processor 301 may check the strength of the reflected signal obtained using the coupler 320.
  • the communication processor 301 may receive the strength of the amplified signal from the amplifier circuit 311.
  • the communication processor 301 may check the standing wave ratio based on the ratio of the intensity of the amplified signal and the intensity of the reflected signal.
  • the coupler 320 is a passive element and can be used to measure the magnitude of the standing wave ratio (VSWR) of the amplifier circuit 311.
  • the coupler 320 may be used to distribute one signal power into a plurality of specific signal powers, or may be used to extract a portion of the specific signal power.
  • a standing wave can refer to a wave that is observed to be a composite of an incident wave and a reflected wave and only oscillate in place without moving left or right.
  • Standing wave ratio may mean the amplitude ratio of the maximum and minimum points of an oscillating standing wave.
  • Standing wave ratio may refer to the ratio of the height of a standing wave generated by partially reflecting a signal output from an antenna.
  • the standing wave ratio at the antenna end may refer to the degree to which a signal is reflected and returned rather than being transmitted to the antenna when a signal is input to the antenna.
  • the standing wave ratio (VSWR) of the antenna terminal increases, the influence of reflected waves on the output of the antenna can be relatively greater.
  • the standing wave ratio (VSWR) increases, the possibility of burnout due to the influence of reflected waves may increase relatively.
  • the communication processor 301 stores mapping data in which the magnitudes of the voltage at which the overvoltage protection device (OVP) operates are mapped according to the magnitude of the voltage standing wave ratio (VSWR) on the memory 130. You can search. Mapping data may be determined based on I/Q plot data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) of FIG. 6.
  • the communication processor 301 may determine the level of the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection device operates based on information about the standing wave ratio of the signal output to the antenna and mapping data on the memory 130.
  • the size of the reference voltage (Vref) may use a preset value.
  • the communication processor 301 determines the overvoltage protection circuit (e.g., FIG.
  • the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 of 4) operates can be maintained at a specified level (e.g., 4.5V).
  • the communication processor 301 sets the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates to a specified level (e.g., 3.8) based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) being outside the designated area 610. V) can be lowered.
  • the communication processor 301 can control the possibility of burnout by lowering the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates in a situation where the standing wave ratio (VSWR) is relatively large and the risk of burnout is relatively high. there is.
  • the communication processor 301 adjusts the reference voltage Vref by changing the size of a variable resistor (e.g., variable resistors 411 and 412 of FIG. 4) based on the decision to change the reference voltage. can be changed. As the communication processor 301 decides to decrease the reference voltage, it may increase the size of the variable resistors 411 and 412.
  • the variable resistors 411 and 412 may be implemented as a combination of passive elements (R) and/or active elements (MOSFET, or BJT).
  • the communication processor 301 can control the possibility of burnout to be low by changing the reference voltage (Vref) in a situation where the standing wave ratio (VSWR) exceeds a specified level and the possibility of burnout is high.
  • Figure 8 is a flowchart showing a method for controlling an amplifier circuit of an electronic device according to an embodiment.
  • the operations described with reference to FIG. 8 may be implemented based on instructions that can be stored in a computer recording medium or memory (eg, memory 130 in FIG. 1).
  • the illustrated method 800 can be executed by the electronic device previously described with reference to FIGS. 1 to 6 (e.g., the electronic device 101 of FIG. 1 ), and technical features described above will be omitted below.
  • the order of each operation in FIG. 8 may be changed, some operations may be omitted, and some operations may be performed simultaneously.
  • the communication processor determines that the electronic device 101 is performing data communication so that the amplifier circuit (e.g., amplifier circuit 311 in FIG. 3) is operating. You can.
  • the communication processor 301 may receive I/Q data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) using a bidirectional coupler.
  • the communication processor 301 uses the coupler 320 to determine the strength of the signal output to the antenna 330 and the signal that is reflected rather than transmitted to the antenna 330. You can obtain information about the standing wave ratio (VSWR), which is the ratio of intensity.
  • the communication processor 301 may check the strength of the reflected signal obtained using the coupler 320.
  • the communication processor 301 may receive the strength of the amplified signal from the amplifier circuit 311.
  • the communication processor 301 may check the standing wave ratio based on the ratio of the intensity of the amplified signal and the intensity of the reflected signal.
  • the coupler 320 is a passive element and can be used to measure the magnitude of the standing wave ratio (VSWR) of the amplifier circuit 311.
  • I/Q data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) may include I/Q plot data that displays the position and size data of the standing wave ratio (VSWR) divided into real and imaginary parts.
  • I/Q plot data may refer to data that displays information about a specific signal using a rectangular coordinate system and a complex coordinate system.
  • the x-axis of I/Q plot data may include the I channel (In-phase) as the real part of the signal.
  • the y-axis of I/Q plot data may include a Q channel (quadrature phase) as the imaginary part of the signal.
  • I/Q plot data has been previously described in FIG. 6.
  • the communication processor 301 may compare I/Q data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) with mapping data stored on the memory 130. Mapping data may be determined based on I/Q plot data corresponding to the standing wave ratio (VSWR) of FIG. 6.
  • communications processor 301 may determine whether the standing wave ratio (VSWR) is a normal condition.
  • the normal condition may mean a situation in which the position of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is located inside the designated area 610 (eg, the designated area 610 in FIG. 6).
  • the abnormal condition may mean a situation in which the position of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is located outside the designated area 610.
  • the location of the designated area 610 is not fixed and may be determined differently based on at least one of the size of the power input to the amplifier, the size of the voltage (Vcc) applied to the collector stage, or settings.
  • the communication processor 301 sets a reference voltage ( Vref) can be maintained at a specified level (e.g. 4.5V).
  • the communication processor 301 may set the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates to a specified level (e.g., based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) being located inside the designated area 610). It can be maintained at 4.5V).
  • the communication processor 301 sets the reference voltage (Vref) at which the overvoltage protection circuit 400 operates to a specified level (e.g., 3.8V) based on the standing wave ratio (VSWR) of the signal output to the antenna being an abnormal condition. ) can be lowered.
  • the communication processor 301 may set the reference voltage Vref at which the overvoltage protection circuit 400 operates based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) being outside the designated area 610 to a specified level (e.g., It can be lowered to 3.8V).
  • the communication processor 301 can control the possibility of burnout to be low by adjusting the reference voltage (Vref) at which the voltage protection circuit operates in a situation where the standing wave ratio (VSWR) is relatively large and the risk of burnout is relatively high.
  • the electronic device 101 includes an amplifier circuit 311 that amplifies a signal in a specific frequency band, and an overvoltage circuit that reduces the voltage applied to the amplifier when the voltage applied to the amplifier circuit 311 is higher than the reference voltage.
  • It may include a processor 301.
  • the communication processor 301 receives information about the voltage standing wave ratio (VSWR) of the signal output to the antenna 330 using the coupler 320, and displays the voltage standing wave ratio (VSWR) on the memory 130.
  • VSWR voltage standing wave ratio
  • the overvoltage protection circuit 400 can be controlled according to the magnitude of the voltage.
  • the communication processor 301 may adjust the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates using a variable resistor.
  • the communication processor 301 determines the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates as the first size based on the standing wave ratio of the signal output to the antenna 330 exceeding a specified value, or Based on the fact that the standing wave ratio of the signal output at 330 is less than a specified level, the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates is determined to be a value higher than the first magnitude, or the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates is determined. You can decide not to change .
  • the communication processor 301 changes the reference voltage (Vref) based on I/Q plot data indicating a designated area (e.g., an area where the standing wave ratio (VSWR) is judged to be normal). You can decide whether or not.
  • Vref reference voltage
  • the size of the standing wave ratio (VSWR) may be determined by the distance from the origin and the position where the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is displayed on the I/Q plot data.
  • the communication processor 301 sets a standard for operating the overvoltage protection circuit 400 based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) on the I/Q plot data satisfying a specified condition. Voltage can be maintained.
  • VSWR standing wave ratio
  • the communication processor 301 operates the overvoltage protection circuit 400 based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) on the I/Q plot data being outside the designated area. It can be controlled to lower the reference voltage to a specified level.
  • VSWR standing wave ratio
  • the designated area may be determined differently based on at least one of the size of the power input to the amplifier, the size of the voltage (Vcc) applied to the collector stage, or settings.
  • the mapping data may refer to a table in which the magnitude of the voltage standing wave ratio (VSWR) and the magnitude of the voltage at which the overvoltage protection (OVP) circuit operates are mapped.
  • VSWR voltage standing wave ratio
  • OVP overvoltage protection
  • the mapping data determines whether to block the operation of the overvoltage protection circuit 400 depending on whether the position of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) on the I/Q plot data satisfies a specified condition.
  • a reference voltage (Vref) may be mapped.
  • a method of operating an electronic device including the amplifier circuit 311 uses the coupler 320 to obtain a portion of the signal output from the amplifier circuit 311 to the antenna 330. ), the operation of receiving information about the voltage standing wave ratio (VSWR) of the signal output, the size of the voltage standing wave ratio (VSWR) in the memory, and the over voltage protection (OVP) circuit. It includes an operation of determining the size of a reference voltage (Vref) corresponding to the standing wave ratio by referring to mapping data in which the size of the operating voltage is mapped, and an operation of controlling the overvoltage protection circuit 400 according to the size of the determined reference voltage. can do.
  • Vref reference voltage
  • the operation of controlling the overvoltage protection circuit 400 according to the determined magnitude of the reference voltage may further include the operation of adjusting the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates using a variable resistor. .
  • the operation of determining the size of the reference voltage corresponding to the standing wave ratio is to determine the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates based on the standing wave ratio of the signal output to the antenna 330 exceeding a specified value. Based on the operation of determining the first size and the standing wave ratio of the signal output to the antenna 330 being less than a specified level, the reference voltage at which the overvoltage protection circuit 400 operates is determined to be a value higher than the first size or the overvoltage An operation of determining not to change the reference voltage at which the protection circuit 400 operates may be further included.
  • the operation of determining the size of the reference voltage corresponding to the standing wave ratio is based on I/Q plot data showing a designated area (e.g., an area where the standing wave ratio is judged to be normal).
  • An operation to determine whether to change Vref) may be further included.
  • the size of the standing wave ratio (VSWR) may be determined by the distance from the origin and the position where the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is displayed on the I/Q plot data.
  • the operation of determining the magnitude of the reference voltage corresponding to the standing wave ratio is based on the location of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) on I/Q plot data satisfying specified conditions.
  • An operation of maintaining a reference voltage at which the circuit 400 operates may be further included.
  • the operation of determining the magnitude of the reference voltage corresponding to the standing wave ratio is based on the fact that the position of the signal corresponding to the standing wave ratio (VSWR) is located outside the designated area on the I/Q plot data.
  • An operation of lowering the reference voltage at which the protection circuit 400 operates to a specified level may be further included.

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Abstract

일 실시예에 따르면, 전자 장치는 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하는 증폭기 회로, 증폭기 회로에 인가되는 전압이 기준 전압 이상인 경우, 증폭기에 인가되는 전압을 감소시키는 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로 및 증폭기 회로에서 안테나로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 적어도 하나의 커플러(coupler), 메모리 및 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서는 커플러를 이용하여 안테나로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하고, 메모리 상에서 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하고, 결정된 기준 전압의 크기에 따라 과전압 보호 회로를 제어할 수 있다.

Description

전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 그의 동작 방법
본 문서의 다양한 실시예들은 전자 장치에 관한 것이며, 예를 들어 전력 증폭기를 포함하는 전자 장치 및 그의 동작 방법에 대한 것이다.
스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet PC), PMP(portable multimedia player), PDA(personal digital assistant), 랩탑 PC(laptop personal computer) 또는 웨어러블 기기(wearable device)와 같은 다양한 전자 장치들이 보급되고 있다.
최근의 전자 장치들은 복수의 주파수 대역을 이용한 통신 방식(예: 듀얼 커넥티비티 또는 반송파 결합)을 지원할 수 있다. 복수의 주파수 대역을 이용하는 통신 방식은 단일 주파수 대역을 이용하는 통신 방식에 비해 주파수 대역폭이 더 클 수 있다. 주파수 대역폭이 상대적으로 큰 복수의 주파수 대역을 이용하는 통신 방식은 다른 통신 방식에 비해 데이터의 높은 전송 속도 또는 수신 속도를 구현할 수 있다.
전자 장치는 복수의 주파수 대역을 이용한 통신 방식을 지원하기 위해서, 각 주파수 대역의 통신을 수행하기 위한 복수 개의 통신 회로(예: 트랜시버 또는 증폭기 회로)를 포함할 수 있다. 통신 회로는 전송될 신호를 증폭하기 위한 증폭기 회로를 포함할 수 있다. 증폭기 회로는 전원 공급 회로가 공급하는 전원을 이용하여 신호의 증폭을 수행할 수 있다. 증폭기 회로는, 증폭기 회로에 인가되는 전압이 너무 높은 경우, 파손될 수 있다. 따라서, 증폭기 회로는 증폭기 회로에 너무 높은 전압이 인가되는 것을 방지하기 위한 과전압 보호(over voltage protection) 회로를 포함할 수 있다. 과전압 보호(over voltage protection) 회로는 전자 장치 내부의 전압이 지정된 값을 초과(또는 이상)하면, 특정 바이어스(bias)의 작동을 차단(off)하는 형태로 동작할 수 있다.
전력 증폭기(power amplifier) 또는 증폭기 회로의 소손(또는 손실) 발생 유무는 전력 증폭기 또는 증폭기 회로의 콜렉터(collector) 단에 연결되는 전압(Vcc)의 크기, 입력되는 전력의 크기 또는 안테나 단의 정재파비(voltage standing wave ratio)의 크기 중 적어도 어느 하나에 의해 결정될 수 있다. 정재파는 입사파와 반사파가 합성되어 좌우로 이동하지 않고 제자리 진동만 하는 것으로 관측되는 파를 의미할 수 있다. 정재파비는 진동하는 정재파의 최대점과 최소점의 진폭 비율을 의미할 수 있다. 안테나 단의 정재파비는 안테나에 신호 입력 시 안테나로 전달되지 않고 반사되어 되돌아 오는 정도를 의미할 수 있다. 과전압 보호 회로는 전압(Vcc)의 크기와 같은 하나의 변수 조건에서 소손을 방지할 수 있으나, 앞서 언급된 복수의 변수들이 동시에 작용하는 복합 AMR(absolute maximum ratings)조건에서는 소손을 방지하기 어려울 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치는 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하는 증폭기 회로, 증폭기 회로에 인가되는 전압이 기준 전압 이상인 경우, 증폭기에 인가되는 전압을 감소시키는 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로 및 증폭기 회로에서 안테나로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 적어도 하나의 커플러(coupler), 메모리 및 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서는 커플러를 이용하여 안테나로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하고, 메모리 상에서 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하고, 결정된 기준 전압의 크기에 따라 과전압 보호 회로를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 증폭기 회로를 포함하는 전자 장치의 작동 방법은 증폭기 회로에서 안테나로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 커플러를 이용하여 안테나로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하는 동작, 메모리 상에서 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하는 동작 및 결정된 기준 전압의 크기에 따라 과전압 보호 회로를 제어하는 동작을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치는 증폭기 회로의 소손을 방지하기 위해, 안테나 단의 정재파비(VSWR)에 따라 과전압 보호 회로의 작동 조건을 변경할 수 있다. 안테나 단의 정재파비는 안테나에 신호 입력 시 안테나로 전달되지 않고 반사되어 되돌아 오는 정도를 의미할 수 있다. 구체적으로, 전자 장치는 정재파비에 따라 과전압 보호 회로가 작동할 수 있는 증폭기에 인가되는 전압의 크기를 변경할 수 있다. 따라서, 전자 장치는 전력 증폭기(power amplifier) 또는 증폭기 회로의 소손을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치는 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호 장치(over voltage protection, OVP)가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 과전압 보호 회로가 작동하는 전압의 크기를 결정할 수 있다. 따라서, 전자 장치는, 과전압 보호 회로가 작동하는 전압의 크기를 적응적으로 조절할 수 있어, 전력 증폭기 또는 증폭기 회로의 소손을 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 일 실시예에 따른, 레거시 네트워크 통신 및 5G 네트워크 통신을 지원하기 위한 전자 장치의 블록도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 과전압 보호 회로를 도시한 것이다.
도 5는 일 실시예에 따른 전자 장치에서, 증폭기 회로의 회로도를 도시한 것이다.
도 6은 일 실시예에 따른 전자 장치의 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 플롯(plot) 데이터를 도시한 것이다.
도 7은 일 실시예에 따른 전자 장치의 증폭기 회로 제어 방법을 순서도로 나타낸 것이다.
도 8은 일 실시예에 따른 전자 장치의 증폭기 회로 제어 방법을 흐름도로 나타낸 것이다.
도 1은, 일 실시예에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 일 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 일 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 일 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 일 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
본 문서에 개시된 일 실시예들에 따른 전자 장치는 일 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 일 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 일 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 일 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 일 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 일 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
일 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 일 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 일 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른, 레거시 네트워크 통신 및 5G 네트워크 통신을 지원하기 위한 전자 장치(101)의 블록도(200)이다. 도 2를 참조하면, 전자 장치(101)는 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제 1 radio frequency integrated circuit(RFIC)(222), 제 2 RFIC(224), 제 3 RFIC(226), 제 4 RFIC(228), 제 1 radio frequency front end(RFFE)(232), 제 2 RFFE(234), 제 1 안테나 모듈(242), 제 2 안테나 모듈(244), 및 안테나(248)을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. 네트워크(199)는 제 1 네트워크(292)와 제2 네트워크(294)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 도1에 기재된 부품들 중 적어도 하나의 부품을 더 포함할 수 있고, 네트워크(199)는 적어도 하나의 다른 네트워크를 더 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214), 제 1 RFIC(222), 제 2 RFIC(224), 제 4 RFIC(228), 제 1 RFFE(232), 및 제 2 RFFE(234)는 무선 통신 모듈(192)의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 제 4 RFIC(228)는 생략되거나, 제 3 RFIC(226)의 일부로서 포함될 수 있다.
제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)는 제 1 네트워크(292)와의 무선 통신에 사용될 대역의 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 레거시 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 일 실시예들에 따르면, 제 1 네트워크는 2세대(2G), 3G, 4G, 또는 long term evolution(LTE) 네트워크를 포함하는 레거시 네트워크일 수 있다. 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제 2 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 지정된 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 일 실시예들에 따르면, 제 2 네트워크(294)는 3GPP에서 정의하는 5G 네트워크일 수 있다. 추가적으로, 일실시예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 제 2 네트워크(294)와의 무선 통신에 사용될 대역 중 다른 지정된 대역(예: 약 6GHz 이하)에 대응하는 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 5G 네크워크 통신을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)와 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 단일(single) 칩 또는 단일 패키지 내에 구현될 수 있다. 일 실시예들에 따르면, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)는 프로세서(120), 보조 프로세서(123), 또는 통신 모듈(190)과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다.
제 1 RFIC(222)는, 송신 시에, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 생성된 기저대역(baseband) 신호를 제 1 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)에 사용되는 약 700MHz 내지 약 3GHz의 라디오 주파수(RF) 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에는, RF 신호가 안테나(예: 제 1 안테나 모듈(242))를 통해 제 1 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 1 RFFE(232))를 통해 전처리(preprocess)될 수 있다. 제 1 RFIC(222)는 전처리된 RF 신호를 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
제 2 RFIC(224)는, 송신 시에, 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에 사용되는 Sub6 대역(예: 약 6GHz 이하)의 RF 신호(이하, 5G Sub6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Sub6 RF 신호가 안테나(예: 제 2 안테나 모듈(244))를 통해 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고, RFFE(예: 제 2 RFFE(234))를 통해 전처리될 수 있다. 제 2 RFIC(224)는 전처리된 5G Sub6 RF 신호를 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214) 중 대응하는 커뮤니케이션 프로세서에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
제 3 RFIC(226)는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)에서 사용될 5G Above6 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 RF 신호(이하, 5G Above6 RF 신호)로 변환할 수 있다. 수신 시에는, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 획득되고 제 3 RFFE(236)를 통해 전처리될 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 전처리된 5G Above6 RF 신호를 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 제 3 RFFE(236)는 제 3 RFIC(226)의 일부로서 형성될 수 있다.
전자 장치(101)는, 일실시예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 별개로 또는 적어도 그 일부로서, 제 4 RFIC(228)를 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 4 RFIC(228)는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)에 의해 생성된 기저대역 신호를 중간(intermediate) 주파수 대역(예: 약 9GHz ~ 약 11GHz)의 RF 신호(이하, IF 신호)로 변환한 뒤, 상기 IF 신호를 제 3 RFIC(226)로 전달할 수 있다. 제 3 RFIC(226)는 IF 신호를 5G Above6 RF 신호로 변환할 수 있다. 수신 시에, 5G Above6 RF 신호가 안테나(예: 안테나(248))를 통해 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)로부터 수신되고 제 3 RFIC(226)에 의해 IF 신호로 변환될 수 있다. 제 4 RFIC(228)는 IF 신호를 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)가 처리할 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.
일시예에 따르면, 제 1 RFIC(222)와 제 2 RFIC(224)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 제 1 RFFE(232)와 제 2 RFFE(234)는 단일 칩 또는 단일 패키지의 적어도 일부로 구현될 수 있다. 일시예에 따르면, 제 1 안테나 모듈(242) 또는 제 2 안테나 모듈(244)중 적어도 하나의 안테나 모듈은 생략되거나 다른 안테나 모듈과 결합되어 대응하는 복수의 대역들의 RF 신호들을 처리할 수 있다.
일실시예에 따르면, 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)는 동일한 서브스트레이트에 배치되어 제 3 안테나 모듈(246)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 무선 통신 모듈(192) 또는 프로세서(120)가 제 1 서브스트레이트(예: main PCB)에 배치될 수 있다. 이런 경우, 제 1 서브스트레이트와 별도의 제 2 서브스트레이트(예: sub PCB)의 일부 영역(예: 하면)에 제 3 RFIC(226)가, 다른 일부 영역(예: 상면)에 안테나(248)가 배치되어, 제 3 안테나 모듈(246)이 형성될 수 있다. 제 3 RFIC(226)와 안테나(248)를 동일한 서브스트레이트에 배치함으로써 그 사이의 전송 선로의 길이를 줄이는 것이 가능하다. 이는, 예를 들면, 5G 네트워크 통신에 사용되는 고주파 대역(예: 약 6GHz ~ 약 60GHz)의 신호가 전송 선로에 의해 손실(예: 감쇄)되는 것을 줄일 수 있다. 이로 인해, 전자 장치(101)는 제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)와의 통신의 품질 또는 속도를 향상시킬 수 있다.
일시예에 따르면, 안테나(248)는 빔포밍에 사용될 수 있는 복수개의 안테나 엘레멘트들을 포함하는 안테나 어레이로 형성될 수 있다. 이런 경우, 제 3 RFIC(226)는, 예를 들면, 제 3 RFFE(236)의 일부로서, 복수개의 안테나 엘레멘트들에 대응하는 복수개의 위상 변환기(phase shifter)(238)들을 포함할 수 있다. 송신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘레멘트를 통해 전자 장치(101)의 외부(예: 5G 네트워크의 베이스 스테이션)로 송신될 5G Above6 RF 신호의 위상을 변환할 수 있다. 수신 시에, 복수개의 위상 변환기(238)들 각각은 대응하는 안테나 엘레멘트를 통해 상기 외부로부터 수신된 5G Above6 RF 신호의 위상을 동일한 또는 실질적으로 동일한 위상으로 변환할 수 있다. 이것은 전자 장치(101)와 상기 외부 간의 빔포밍을 통한 송신 또는 수신을 가능하게 한다.
제 2 네트워크(294)(예: 5G 네트워크)는 제 1 네트워크(292)(예: 레거시 네트워크)와 독립적으로 운영되거나(예: Stand-Alone (SA)), 연결되어 운영될 수 있다(예: Non-Stand Alone (NSA)). 예를 들면, 5G 네트워크에는 액세스 네트워크(예: 5G radio access network(RAN) 또는 next generation RAN(NG RAN))만 있고, 코어 네트워크(예: next generation core(NGC))는 없을 수 있다. 이런 경우, 전자 장치(101)는 5G 네트워크의 액세스 네트워크에 액세스한 후, 레거시 네트워크의 코어 네트워크(예: evolved packed core(EPC))의 제어 하에 외부 네트워크(예: 인터넷)에 액세스할 수 있다. 레거시 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: LTE 프로토콜 정보) 또는 5G 네트워크와 통신을 위한 프로토콜 정보(예: New Radio(NR) 프로토콜 정보)는 메모리(230)에 저장되어, 다른 부품(예: 프로세서(120), 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212), 또는 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214))에 의해 액세스될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 커뮤니케이션 프로세서(301)(예: 도 2의 제 1 커뮤니케이션 프로세서(212) 또는 도 2의 제 2 커뮤니케이션 프로세서(214)), 트랜시버(303)(예: 도 2의 제 1 RFIC(222), 제 2 RFIC(224), 제 3 RFIC(226) 또는 제 4 RFIC(228)), 증폭기 회로(311) 및 안테나(330)(예: 도 2의 제 1 안테나 모듈(242), 제 2 안테나 모듈(244), 또는 제 3 안테나 모듈(246))를 포함할 수 있다. 증폭기 회로(311)는 과전압 보호 회로(313) 및 커플러(320)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커플러(320)는 증폭기 회로(311) 내부에 포함될 수 있다. 커플러(320)는 증폭기 회로(311)에서 출력되는 신호의 일부를 획득하여 트랜시버(303)로 전송할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 근거리 무선 통신(예: Wi-Fi 또는 Bluetooth) 또는 셀룰러 무선 통신(예: 4세대 이동 통신 또는 5세대 이동 통신)을 통해 제어 데이터(control data) 또는 사용자 데이터(user data)를 수신 및/또는 전송할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 제어 데이터를 통해 기지국과 셀룰러 통신 연결을 수립하고, 수립된 셀룰러 통신을 통해 어플리케이션 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로부터 수신한 데이터를 기지국으로 전송하거나, 및/또는 기지국으로부터 수신한 데이터를 어플리케이션 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))로 전송할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 트랜시버(303)는 커뮤니케이션 프로세서(301)로부터 수신한 신호를 처리하는 일련의 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 트랜시버(303)는 커뮤니케이션 프로세서(301)로부터 수신한 신호에 대한 변조(modulation) 동작을 수행할 수 있다. 예를 들면, 트랜시버(303)는 기저 대역(baseband)의 신호를 셀룰러 통신에 이용되는 라디오 주파수(RF) 신호로 변환하는 주파수 변조 동작을 수행할 수 있다. 트랜시버(303)는 통신 회로(350)를 통해 외부로부터 수신한 신호에 대한 복조(demodulation) 동작을 수행할 수도 있다. 예를 들면, 트랜시버(303)는 라디오 주파수(RF) 신호를 기저 대역(baseband)의 신호로 변환하는 주파수 복조 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 제 1 안테나(예: 안테나(330))를 통해 제 1 주파수 대역의 신호를 출력하기 위한 적어도 하나 이상의 RF 체인을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 체인은 신호의 이동 경로에 포함된 일 부품들의 집합을 의미할 수 있다. RF 체인은 예를 들어, 트랜시버(303)가 전송한 제 1 주파수 대역의 신호를 증폭하고, 증폭된 신호를 필터링하는 동작을 수행하는 일 부품들(예: 증폭기, 스위치, 또는 필터)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하기 위한 증폭기 회로(311)를 포함할 수 있다. 증폭기 회로(311)는 RF 체인에 포함되는 부품일 수 있다. RF 체인은 신호의 이동 경로에 포함된 일 부품들의 집합을 의미할 수 있다. RF 체인은 예를 들어, 트랜시버(303)가 전송한 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하고, 증폭된 신호를 필터링하는 동작을 수행하는 일 부품들(예: 증폭기, 스위치, 또는 필터)을 포함할 수 있다. 증폭기 회로(311)는 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하는 적어도 하나 이상의 증폭기를 포함할 수 있다. 예를 들면, 증폭기 회로(311)는, 특정 주파수 대역의 신호를 여러 단계로 증폭하는 멀티 스테이지 증폭기 구조로 구현될 수 있다. 증폭기 회로(311)는 도 5에서 설명될 것이다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 트랜시버(303) 및 커플러(320)를 이용하여 증폭기 회로(311)의 정재파비(VSWR)의 크기를 측정할 수 있다. 커플러(320)는 수동(passive) 소자로서 정재파비(VSWR)의 크기를 측정하는 신호 추출에 사용될 수 있다. 커플러(320)는 하나의 신호 전력을 복수의 특정 신호 전력으로 배분하는데 사용되거나, 특정 신호 전력의 일부 전력을 추출하는데 사용될 수 있다. 일 예시에 따르면, 커플러(320)는 증폭기 회로(311)에서 안테나(330)로 출력된 신호의 일부를 획득하고, 획득된 신호를 트랜시버(303)로 전송할 수 있다. 트랜시버(303)는 수신된 신호를 변환하여 커뮤니케이션 프로세서(301)로 전송할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 트랜시버(303)에서 수신된 신호에 기반하여 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비를 결정할 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 과전압 보호 회로를 도시한 것이다.
전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 과전압 보호 회로(400)를 포함할 수 있다. 과전압 보호 회로(400)는 증폭기 회로(예: 도 3의 증폭기 회로(311)) 상에 포함될 수 있다. 과전압 보호 회로(400)는 배터리의 전압(Vbatt) 및 콜렉터 단의 전압(Vcc)과 기준 전압(Vref)를 비교하는 비교기(401)를 포함할 수 있다. 과전압 보호 회로(400)는 배터리의 전압(Vbatt) 및 콜렉터 단의 전압(Vcc)을 측정하고, 특정 신호에 기반하여 증폭기 회로(311)에 가해지는 전압을 off시키는 전압 제어부(403)를 포함할 수 있다. 비교 예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 3의 커뮤니케이션 프로세서(301))는 배터리의 전압(Vbatt) 및/또는 콜렉터 단의 전압(Vcc)이 기준 전압(Vref)을 초과함에 기반하여 전압 제어부(403) 상에서 증폭기 회로(311)에 가해지는 전압을 off시킬 수 있다. 다만, 전자 소자(예: 전력 증폭기 또는 증폭기 회로(311))는 안테나로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)가 지정된 수준을 초과하는 상황에서는 배터리의 전압(Vbatt) 및 콜렉터 단의 전압(Vcc)이 기준 전압(Vref) 미만인 상태에서도 소손이 발생할 수 있다. 정재파비(VSWR)는 안테나로 출력되는 신호가 일부 반사되어 생성되는 정재파의 높이의 비율을 의미할 수 있다. 안테나 단의 정재파비는 안테나에 신호 입력 시 안테나로 전달되지 않고 반사되어 되돌아 오는 정도를 의미할 수 있다. 안테나 단의 정재파비(VSWR)가 커질수록 반사파가 안테나의 출력에 미치는 영향이 상대적으로 커질 수 있다. 정재파비(VSWR)가 커질수록 반사파의 영향으로 인한 소손 발생 가능성이 상대적으로 커질 수 있다.
본 문서의 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 안테나 단의 정재파비(VSWR)의 크기에 기반하여 과전압 보호 회로(400)의 기준 전압(Vref)을 변경시킬 수 있다. 전자 장치(101)는 증폭기 회로(311)의 출력을 낮추거나, 콜렉터 단의 전압(Vcc)을 낮추지 않고서도 소손 발생 가능성을 감소시킬 수 있다. 또는 전자 장치(101)는 증폭기 회로(311) 상에서 안테나(예: 도 3의 안테나(330))로 출력되었으나 반사되는 정도를 지시하는 파라미터(예: 반사 계수(reflection coefficient), 투과 계수(transmission coefficient), 또는 리턴 로스(return loss))에 기반하여 과전압 보호 회로(400)의 기준 전압(Vref)을 변경시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 3의 프로세서(301))는 커플러(예: 도 3의 커플러(320))를 이용하여 안테나(330)로 출력되는 신호의 세기 및 안테나(330)로 전송된 신호가 안테나(330)로 전달되지 않고 반사된 신호의 세기의 비율인 정재파비(VSWR)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 일 예시에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 커플러(320)를 이용하여 획득한 반사된 신호의 세기를 확인할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기를 증폭기 회로(311)로부터 수신할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기와 반사된 신호의 세기의 비율에 기반하여 정재파비를 확인할 수 있다.
커뮤니케이션 프로세서(301)는, 정재파비가 지정된 값 이상(또는, 초과)임에 기반하여 기준 전압을 변경(또는, 감소)시킬 것으로 결정할 수 있다.
정재파비(VSWR)에 대한 정보는 정재파비(VSWR)의 위치 및 크기 데이터를 실수와 허수 부분으로 나눠 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터로 변환될 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터는 직교 좌표계와 복소수 좌표계를 이용하여 특정 신호에 대한 정보를 표시하는 데이터를 의미할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터의 x축은 신호의 실수부로서 I채널(In-phase)을 포함할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터의 y축은 신호의 허수부로서 Q채널(Quadrature phase)를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비에 대응하는 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 기준 전압(Vref)의 변경 여부를 결정할 수 있다. 일 예시에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 정재파비가 지정된 값 이상(또는, 초과)임에 기반하여 기준 전압을 변경(또는, 감소)시킬 것으로 결정할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)가 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 기준 전압(Vref)을 변경시키는 과정에 대해서는 도 6에서 설명될 것이다.
일 실시예에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 기준 전압을 변경하기로 결정함에 기반하여, 가변 저항(411, 412)의 크기를 변경시키는 방식으로 기준 전압(Vref)을 변경시킬 수 있다. 제 1 가변 저항(411)은 배터리의 전압 입력단과 연산 증폭기 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제 2 가변 저항(412)은 컬렉터 전압 입력단과 연산 증폭기 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 기준 전압을 감소시키기로 결정함에 따라, 가변 저항(411, 412)의 크기를 증가시킬 수 있다. 가변 저항(411,412)은 수동 소자(R) 및/또는 능동 소자(MOSFET, 또는 BJT)의 조합으로 구현될 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 지정된 수준을 초과하여 소손 발생 가능성이 높은 상황에서 기준 전압(Vref)을 변경시켜 소손 발생 가능성을 낮게 제어할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 전자 장치에서, 증폭기 회로를 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 증폭기 회로(예: 도 3의 증폭기 회로(311))는 증폭될 신호를 입력 받는 제 1 포트(511), 바이어스 전압을 인가 받는 제 2 포트(513), 제 1 전원 공급 회로(예: 도 4의 전원 공급 회로(340))로부터 전압을 인가 받는 제 3 포트(515) 및/또는 증폭된 신호를 출력하는 제 4 포트(517)를 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 증폭기 회로(311)는 BJT(bipolar junction transistor)의 기호로 도시되어 있으나, 본 발명의 증폭기 회로(311)는 BJT 뿐만 아니라 신호의 증폭이 가능한 다양한 소자(예: FET(field effect transistor)) 및 소자들의 조합으로 구현될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제 1 포트(511)는 트랜시버(예: 도 3의 트랜시버(303))와 전기적으로 연결될 수 있다. 제 4 포트(517)는 안테나(예: 도 3의 안테나(330))와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 증폭기 회로(311)는 설계자의 의도에 따라 다양한 소자들(519)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 다양한 소자들(519)는 수동 소자(저항, 인덕터 또는 캐패시터) 및/또는 능동 소자를 포함하며, 증폭기 회로(311)의 전력 이득을 결정하기 위해 이용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101)) 또는 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 3의 커뮤니케이션 프로세서(301))는 출력될 신호의 세기를 확인하고 제 2 포트(513)를 통해 인가될 전압의 크기 및 제 3 포트(515)를 통해 인가될 전압의 크기를 결정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 제 3 포트(515)를 통해 인가될 전압의 크기(예: 3V)를 결정하고, 결정된 전압을 인가하도록 전원 공급 회로를 제어할 수 있다. 전자 장치(101)는 제 2 포트(513)를 통해 인가될 바이어스 전압의 크기를 결정하고, 결정된 전압을 증폭기 회로(311)에 인가할 수 있다. 전자 장치(101)는 트랜시버(303)를 통해 연결된 제어 신호의 경로를 통해 바이어스 전압을 제 2 포트(513)에 직접 인가하는 방식으로 결정된 전압을 증폭기 회로(311)에 인가할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 전자 장치의 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 플롯(plot) 데이터를 도시한 것이다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 3의 커뮤니케이션 프로세서(301))는 커플러(예: 도 3의 커플러(320))를 이용하여 안테나(330)로 출력되는 신호의 세기 및 안테나(330)로 전송된 신호가 안테나(330)로 전달되지 않고 반사된 신호의 세기의 비율인 정재파비(VSWR)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 일 예시에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 커플러(320)를 이용하여 획득한 반사된 신호의 세기를 확인할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기를 증폭기 회로(311)로부터 수신할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기와 반사된 신호의 세기의 비율에 기반하여 정재파비를 확인할 수 있다. 정재파비(VSWR)에 대한 정보는 정재파비(VSWR)의 위치 및 크기 데이터를 실수와 허수 부분으로 나눠 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터로 변환될 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터는 직교 좌표계와 복소수 좌표계를 이용하여 특정 신호에 대한 정보를 표시하는 데이터를 의미할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터의 x축은 신호의 실수부로서 I채널(In-phase)을 포함할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터의 y축은 신호의 허수부로서 Q채널(Quadrature phase)를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비에 대응하는 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 기준 전압(Vref)의 변경 여부를 결정할 수 있다. 일 예시에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 정재파비가 지정된 값 이상(또는, 초과)임에 기반하여 기준 전압을 변경(또는, 감소)시킬 것으로 결정할 수 있다.
도 6에서, 정재파비(VSWR)의 크기는 원점(601) 및 신호(605)에 대응하는 지점 사이의 거리로 결정될 수 있다. 신호(605)는 안테나(330)로 출력하였으나 안테나(330)에 도달하지 못하고 반사된 신호를 의미할 수 있다. 신호(605)의 위치는 증폭기 회로(311)의 주파수 대역에 따라 다르게 결정될 수 있다. 신호(605)의 수나 위치는 일 예시일 뿐 증폭기 회로(311)의 상황에 따라 달라질 수 있으며, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 커플러(320)를 이용하여 증폭기에 의해 출력된 신호가, 안테나에 의해 반사된 반사파를 측정하고, 정재파비(VSWR)를 확인할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 도 6의 I/Q 플롯(plot) 차트 상에서 지정된 영역(610) 내에 위치하는지 결정할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 내부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(예: 도 4의 과전압 보호 회로(400))가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 4.5V)으로 유지시킬 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 외부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 3.8V)으로 낮출 수 있다. 예를 들어, 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 제 1 지점(607)에 위치함에 기반하여 지정된 영역(610) 외부에 위치하는 것으로 결정할 수 있다. 프로세서(301) 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 외부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 3.8V)으로 낮출 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 상대적으로 커서 소손 발생 위험성이 상대적으로 높은 상황에서 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 낮게 조절하여 소손 발생 가능성을 낮게 제어할 수 있다. 지정된 영역(610)의 위치는 고정된 것은 아니며, 증폭기에 입력되는 전력의 크기, 콜렉터 단에 가해지는 전압(Vcc)의 크기 또는 설정 중 적어도 어느 하나에 기반하여 다르게 결정될 수 있다.
지정된 영역(610)은 증폭기 회로(311)의 주파수 밴드의 값을 의미할 수 있다. 지정된 영역(610)의 크기 및 위치는 증폭기 회로(311) 상에서 지원하는 주파수에 따라 다르게 결정될 수 있다. 지정된 영역(610)의 크기 및 위치에 대한 정보는 증폭기 회로(311)의 제조사를 통해 획득할 수도 있고, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101)) 상에서 테스트를 통해 만들 수도 있다. 도 6에서는 전압 크기 조절의 기준이 되는 지정된 영역(610)이 복소 평면 상의 영역으로 도시되어 있으나, 지정된 영역(610)은 복소 평면 상의 영역으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 지정된 영역(610)은 좌표 상에서 수치 범위로 표시될 수도 있고, 룩업 테이블의 형태로 표시될 수도 있다.일 실시예에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 기준 전압을 변경하기로 결정함에 기반하여, 가변 저항(예: 도 4의 가변 저항(411, 412))의 크기를 변경시키는 방식으로 기준 전압(Vref)을 변경시킬 수 있다. 제 1 가변 저항(411)은 배터리의 전압 입력단과 연산 증폭기 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제 2 가변 저항(412)은 컬렉터 전압 입력단과 연산 증폭기 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 기준 전압을 감소시키기로 결정함에 따라, 가변 저항(411, 412)의 크기를 증가시킬 수 있다. 가변 저항(411,412)은 수동 소자(R) 및/또는 능동 소자(MOSFET, 또는 BJT)의 조합으로 구현될 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 지정된 수준을 초과하여 소손 발생 가능성이 높은 상황에서 기준 전압(Vref)을 변경시켜 소손 발생 가능성을 낮게 제어할 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 전자 장치의 증폭기 회로 제어 방법을 순서도로 나타낸 것이다.
도 7을 통하여 설명되는 동작들은 컴퓨터 기록 매체 또는 메모리(예: 도 1의 메모리(130))에 저장될 수 있는 인스트럭션들을 기반으로 구현될 수 있다. 도시된 방법(700)은 앞서 도 1 내지 도 6을 통해 설명한 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))에 의해 실행될 수 있으며, 앞서 설명한 바 있는 기술적 특징은 이하에서 생략하기로 한다. 도 7의 각 동작의 순서가 변경될 수 있으며, 일부 동작이 생략될 수도 있고, 일부 동작들이 동시에 수행될 수도 있다.
동작 710에서, 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 3의 커뮤니케이션 프로세서(301))는 커플러(예: 도 3의 커플러(320))를 이용하여 안테나(330)로 출력되는 신호의 세기 및 안테나(330)로 전송된 신호가 안테나(330)로 전달되지 않고 반사된 신호의 세기의 비율인 정재파비(VSWR)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 증폭기 회로(311)의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신할 수 있다. 일 예시에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 커플러(320)를 이용하여 획득한 반사된 신호의 세기를 확인할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기를 증폭기 회로(311)로부터 수신할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기와 반사된 신호의 세기의 비율에 기반하여 정재파비를 확인할 수 있다. 커플러(320)는 수동(passive) 소자로서 증폭기 회로(311)의 정재파비(VSWR)의 크기를 측정하는데 사용될 수 있다. 커플러(320)는 하나의 신호 전력을 복수의 특정 신호 전력으로 배분하는데 사용되거나, 특정 신호 전력의 일부 전력을 추출하는데 사용될 수 있다. 정재파는 입사파와 반사파가 합성되어 좌우로 이동하지 않고 제자리 진동만 하는 것으로 관측되는 파를 의미할 수 있다. 정재파비는 진동하는 정재파의 최대점과 최소점의 진폭 비율을 의미할 수 있다. 정재파비(VSWR)는 안테나로 출력되는 신호가 일부 반사되어 생성되는 정재파의 높이의 비율을 의미할 수 있다. 안테나 단의 정재파비는 안테나에 신호 입력 시 안테나로 전달되지 않고 반사되어 되돌아 오는 정도를 의미할 수 있다. 안테나 단의 정재파비(VSWR)가 커질수록 반사파가 안테나의 출력에 미치는 영향이 상대적으로 커질 수 있다. 정재파비(VSWR)가 커질수록 반사파의 영향으로 인한 소손 발생 가능성이 상대적으로 커질 수 있다.
동작 720에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 메모리(130) 상에서 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기에 따라 과전압 보호 장치(over voltage protection, OVP)가 작동되는 전압의 크기들이 매핑된 매핑 데이터를 검색할 수 있다. 매핑 데이터는 도 6의 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 결정될 수 있다.
동작 730에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 안테나로 출력된 신호의 정재파비에 대한 정보 및 메모리(130) 상의 매핑 데이터에 기반하여 과전압 보호 장치가 작동되는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정할 수 있다. 기준 전압(Vref)의 크기는 사전에 설정된 값을 이용할 수도 있다.
일 실시예에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(예: 도 6의 지정된 영역(610)) 내부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(예: 도 4의 과전압 보호 회로(400))가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 4.5V)으로 유지시킬 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 외부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 3.8V)으로 낮출 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 상대적으로 커서 소손 발생 위험성이 상대적으로 높은 상황에서 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 낮게 조절하여 소손 발생 가능성을 낮게 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 기준 전압을 변경하기로 결정함에 기반하여, 가변 저항(예: 도 4의 가변 저항(411, 412))의 크기를 변경시키는 방식으로 기준 전압(Vref)을 변경시킬 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 기준 전압을 감소시키기로 결정함에 따라, 가변 저항(411, 412)의 크기를 증가시킬 수 있다. 가변 저항(411,412)은 수동 소자(R) 및/또는 능동 소자(MOSFET, 또는 BJT)의 조합으로 구현될 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 지정된 수준을 초과하여 소손 발생 가능성이 높은 상황에서 기준 전압(Vref)을 변경시켜 소손 발생 가능성을 낮게 제어할 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 전자 장치의 증폭기 회로 제어 방법을 흐름도로 나타낸 것이다.
도 8을 통하여 설명되는 동작들은 컴퓨터 기록 매체 또는 메모리(예: 도 1의 메모리(130))에 저장될 수 있는 인스트럭션들을 기반으로 구현될 수 있다. 도시된 방법(800)은 앞서 도 1 내지 도 6을 통해 설명한 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))에 의해 실행될 수 있으며, 앞서 설명한 바 있는 기술적 특징은 이하에서 생략하기로 한다. 도 8의 각 동작의 순서가 변경될 수 있으며, 일부 동작이 생략될 수도 있고, 일부 동작들이 동시에 수행될 수도 있다.
동작 802에서, 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 3의 커뮤니케이션 프로세서(301))는 전자 장치(101)가 데이터 통신을 수행하여 증폭기 회로(예: 도 3의 증폭기 회로(311))가 작동되는 상황임을 확인할 수 있다.
동작 804에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 양 방향 커플러(coupler)를 이용하여 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 데이터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 커플러(320)를 이용하여 안테나(330)로 출력되는 신호의 세기 및 안테나(330)로 전송된 신호가 안테나(330)로 전달되지 않고 반사된 신호의 세기의 비율인 정재파비(VSWR)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 일 예시에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는, 커플러(320)를 이용하여 획득한 반사된 신호의 세기를 확인할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기를 증폭기 회로(311)로부터 수신할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 증폭된 신호의 세기와 반사된 신호의 세기의 비율에 기반하여 정재파비를 확인할 수 있다. 커플러(320)는 수동(passive) 소자로서 증폭기 회로(311)의 정재파비(VSWR)의 크기를 측정하는데 사용될 수 있다. 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 데이터는 정재파비(VSWR)의 위치 및 크기 데이터를 실수와 허수 부분으로 나눠 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터를 포함할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터는 직교 좌표계와 복소수 좌표계를 이용하여 특정 신호에 대한 정보를 표시하는 데이터를 의미할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터의 x축은 신호의 실수부로서 I채널(In-phase)을 포함할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터의 y축은 신호의 허수부로서 Q채널(Quadrature phase)를 포함할 수 있다. I/Q 플롯(plot) 데이터는 앞선 도 6에서 설명된 바 있다.
동작 806에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 데이터와 메모리(130) 상에 저장된 매핑 데이터를 비교할 수 있다. 매핑 데이터는 도 6의 정재파비(VSWR)에 대응하는 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 결정될 수 있다.
동작 810에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 정상 조건인지 결정할 수 있다. 정상 조건은 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610)(예: 도 6의 지정된 영역(610)) 내부에 위치하는 상황을 의미할 수 있다. 비정상 조건은 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 외부에 위치하는 상황을 의미할 수 있다. 지정된 영역(610)의 위치는 고정된 것은 아니며, 증폭기에 입력되는 전력의 크기, 콜렉터 단에 가해지는 전압(Vcc)의 크기 또는 설정 중 적어도 어느 하나에 기반하여 다르게 결정될 수 있다.
동작 812에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 안테나로 출력된 신호의 정재파비(VSWR)가 정상 조건임에 기반하여 과전압 보호 회로(예: 도 4의 과전압 보호 회로(400))가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 4.5V)으로 유지시킬 수 있다. 또는 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 내부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 4.5V)으로 유지시킬 수 있다.
동작 814에서, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 안테나로 출력된 신호의 정재파비(VSWR)가 비정상 조건임에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 3.8V)으로 낮출 수 있다. 또는 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역(610) 외부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동되는 기준 전압(Vref)을 지정된 수준(예: 3.8V)으로 낮출 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 정재파비(VSWR)가 상대적으로 커서 소손 발생 위험성이 상대적으로 높은 상황에서 전압 보호 회로가 작동되는 기준 전압(Vref)을 낮게 조절하여 소손 발생 가능성을 낮게 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 특정 주파수 대역의 신호를 증폭하는 증폭기 회로(311), 증폭기 회로(311)에 인가되는 전압이 기준 전압 이상인 경우, 증폭기에 인가되는 전압을 감소시키는 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로(400) 및 증폭기 회로(311)에서 안테나(330)로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 적어도 하나의 커플러(coupler)(320), 메모리(130) 및 커뮤니케이션 프로세서(301)를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(301)는 커플러(320)를 이용하여 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하고, 메모리(130) 상에서 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하고, 결정된 기준 전압의 크기에 따라 과전압 보호 회로(400)를 제어할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 결정에 기반하여, 가변 저항을 이용하여, 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 조절할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비가 지정된 값을 초과함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 제 1 크기로 결정하거나, 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비가 지정된 수준 미만임에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 제 1 크기보다 높은 값으로 결정하거나 또는 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 변경시키지 않는 것으로 결정 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 지정된 영역(예: 정재파비(VSWR)가 정상으로 판단되는 영역)을 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 기준 전압(Vref)의 변경 여부를 결정 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 정재파비(VSWR)의 크기는 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호가 표시된 위치와 원점으로부터의 거리에 의해 결정될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 조건을 만족함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 유지 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(301)는 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역 외부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 지정된 수준으로 낮추도록 제어 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 지정된 영역은 증폭기에 입력되는 전력의 크기, 콜렉터 단에 가해지는 전압(Vcc)의 크기 또는 설정 중 적어도 어느 하나에 기반하여 다르게 결정될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 매핑 데이터는 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 테이블을 의미 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 매핑 데이터는 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 조건을 만족하는지 여부에 따라 과전압 보호 회로(400)의 작동 차단 여부를 결정하는 기준 전압(Vref)이 매핑될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 증폭기 회로(311)를 포함하는 전자 장치의 작동 방법은 증폭기 회로(311)에서 안테나(330)로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 커플러(320)를 이용하여 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하는 동작, 메모리 상에서 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하는 동작 및 결정된 기준 전압의 크기에 따라 과전압 보호 회로(400)를 제어하는 동작을 포함 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 결정된 기준 전압의 크기에 따라 과전압 보호 회로(400)를 제어하는 동작은 가변 저항을 이용하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 조절하는 동작을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 정재파비에 대응하는 기준 전압의 크기를 결정하는 동작은 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비가 지정된 값을 초과함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 제 1 크기로 결정하는 동작, 및 안테나(330)로 출력된 신호의 정재파비가 지정된 수준 미만임에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 제 1 크기보다 높은 값으로 결정하거나 또는 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 변경시키지 않는 것으로 결정하는 동작을 더 포함 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 정재파비에 대응하는 기준 전압의 크기를 결정하는 동작은 지정된 영역(예: 정재파비가 정상으로 판단되는 영역)을 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 기준 전압(Vref)의 변경 여부를 결정하는 동작을 더 포함 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 정재파비(VSWR)의 크기는 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호가 표시된 위치와 원점으로부터의 거리에 의해 결정될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 정재파비에 대응하는 기준 전압의 크기를 결정하는 동작은 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 조건을 만족함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 유지시키는 동작을 더 포함 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 정재파비에 대응하는 기준 전압의 크기를 결정하는 동작은 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역 외부에 위치함에 기반하여 과전압 보호 회로(400)가 작동하는 기준 전압을 지정된 수준으로 낮추는 동작을 더 포함할 수 있다.

Claims (15)

  1. 전자 장치에 있어서,
    특정 주파수 대역의 신호를 증폭하는 증폭기 회로, 상기 증폭기 회로에 인가되는 전압이 기준 전압 이상인 경우, 상기 증폭기 회로에 인가되는 전압을 감소시키는 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로 및 상기 증폭기 회로에서 안테나로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 커플러(coupler);
    메모리;및
    상기 증폭기 회로 및 상기 메모리와 작동적으로 연결된 커뮤니케이션 프로세서를 포함하고,
    상기 커뮤니케이션 프로세서는
    상기 커플러를 이용하여 안테나로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하고,
    상기 메모리 상에서 상기 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 상기 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 상기 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하고,
    상기 결정된 기준 전압의 크기에 따라 상기 과전압 보호 회로를 제어하는 전자 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 커뮤니케이션 프로세서는
    상기 결정에 기반하여, 가변 저항을 이용하여, 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 조절하는 전자 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 커뮤니케이션 프로세서는
    상기 안테나로 출력된 신호의 상기 정재파비가 지정된 값을 초과함에 기반하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 제 1 크기로 결정하고,
    상기 안테나로 출력된 신호의 상기 정재파비가 지정된 값 미만임에 기반하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 상기 제 1 크기보다 높은 값으로 결정하거나 또는 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 변경시키지 않는 것으로 결정하는 전자 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 커뮤니케이션 프로세서는
    상기 지정된 영역을 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 상기 기준 전압(Vref)의 변경 여부를 결정하는 전자 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 정재파비(VSWR)의 크기는
    상기 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 상기 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호가 표시된 위치와 원점으로부터의 거리에 의해 결정되는 전자 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 커뮤니케이션 프로세서는
    상기 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 상기 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 조건을 만족함에 기반하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 유지시키는 전자 장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 매핑 데이터는
    상기 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 상기 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 조건을 만족하는지 여부에 따라 상기 과전압 보호 회로의 작동 차단 여부를 결정하는 상기 기준 전압(Vref)이 매핑되는 전자 장치.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 커뮤니케이션 프로세서는
    상기 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 상기 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호의 위치가 지정된 영역 외부에 위치함에 기반하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 지정된 수준으로 낮추도록 제어하는 전자 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 지정된 영역은
    상기 증폭기 회로에 입력되는 전력의 크기, 콜렉터 단에 가해지는 전압(Vcc)의 크기 또는 설정 중 적어도 어느 하나에 기반하여 다르게 결정되는 전자 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 매핑 데이터는
    상기 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 상기 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 테이블을 의미하는 전자 장치.
  11. 증폭기 회로를 포함하는 전자 장치의 작동 방법에 있어서,
    상기 증폭기 회로에서 안테나로 출력되는 신호의 일부를 획득하기 위한 커플러를 이용하여 상기 안테나로 출력된 신호의 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)에 대한 정보를 수신하는 동작;
    메모리 상에서 상기 정재파비(voltage standing wave ratio, VSWR)의 크기 및 과전압 보호(over voltage protection, OVP) 회로가 작동되는 전압의 크기가 매핑된 매핑 데이터를 참조하여, 상기 정재파비에 대응하는 기준 전압(Vref)의 크기를 결정하는 동작;및
    상기 결정된 기준 전압의 크기에 따라 상기 과전압 보호 회로를 제어하는 동작을 포함하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 결정된 기준 전압의 크기에 따라 상기 과전압 보호 회로를 제어하는 동작은
    가변 저항을 이용하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 조절하는 동작을 더 포함하는 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 정재파비에 대응하는 상기 기준 전압의 크기를 결정하는 동작은
    상기 안테나로 출력된 신호의 상기 정재파비가 지정된 값을 초과함에 기반하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 제 1 크기로 결정하는 동작;및
    상기 안테나로 출력된 신호의 상기 정재파비가 지정된 값 미만임에 기반하여 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 상기 제 1 크기보다 높은 값으로 결정하거나 또는 상기 과전압 보호 회로가 작동하는 상기 기준 전압을 변경시키지 않는 것으로 결정하는 동작을 더 포함하는 방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 정재파비에 대응하는 상기 기준 전압의 크기를 결정하는 동작은
    상기 지정된 영역을 표시한 I/Q 플롯(plot) 데이터에 기반하여 상기 기준 전압(Vref)의 변경 여부를 결정하는 동작을 더 포함하는 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 정재파비(VSWR)의 크기는
    상기 I/Q 플롯(plot) 데이터 상에서 상기 정재파비(VSWR)에 대응하는 신호가 표시된 위치와 원점으로부터의 거리에 의해 결정되는 방법.
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