WO2024070958A1 - 信号伝達装置 - Google Patents

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WO2024070958A1
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太郎 西岡
萌 山口
遼平 梅野
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    • H10W90/00—Package configurations

Definitions

  • This disclosure relates to a signal transmission device.
  • a signal transmission device that includes a first die pad, a second die pad arranged at a distance from the first die pad, a first chip and a transformer chip mounted on the first die pad, a second chip mounted on the second die pad, and a sealing resin that seals the die pads and chips (see, for example, Patent Document 1).
  • the first chip and the transformer chip are electrically connected by a wire
  • the transformer chip and the second chip are electrically connected by another wire.
  • a signal transmission device includes a first chip including an isolation transformer, a second chip receiving a signal from the first chip and/or transmitting a signal to the first chip, a third chip receiving a signal from the first chip and/or transmitting a signal to the first chip, a first die pad on which the first chip is mounted, a second die pad arranged at a distance from the first die pad in a first direction and on which the second chip is mounted, a third die pad arranged at a distance from the first die pad in the first direction and at a distance from the second die pad in a second direction perpendicular to the first direction in a planar view, and on which the third chip is mounted, and a plurality of first lead terminals arranged on the opposite side of the first die pad from the second die pad and the third die pad in the first direction and arranged in the second direction in a plan view; a plurality of second lead terminals arranged on the opposite side of the first die pad from the second die pad and the third die pad in the first direction and arranged in the second
  • the signal transmission device described above allows the wire height of the inter-chip wires to be inspected with greater precision.
  • FIG. 1 is a perspective view of a signal transmission device according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a side view of the signal transmission device of FIG.
  • FIG. 3 is a side view of the signal transmission device of FIG. 1, seen from a different direction than that of FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the first lead terminal and its periphery in FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged view of an end surface of an outer lead of the first lead terminal of FIG.
  • FIG. 6 is a side view of the signal transmission device mounted on a circuit board.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing the internal configuration of the signal transmission device of FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the first frame and its surroundings in FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged view of a part of the first frame and its surroundings in FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged view of a remaining portion of the first frame in FIG. 8 and its surroundings.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a wire connection portion of a first lead terminal.
  • FIG. 12 is an enlarged view of the second die pad and its periphery in FIG.
  • FIG. 13 is an enlarged view of the third die pad and its periphery in FIG.
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of a wire connection portion of the second lead terminal.
  • FIG. 15 is an enlarged perspective view of the second bond portion of the third die pad wire and its surroundings.
  • FIG. 16 is a circuit diagram of the signal transmission device of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic plan view illustrating an example of the internal structure of the first chip in the signal transmission device according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is an enlarged plan view of the transformer region of FIG.
  • FIG. 19 is a schematic plan view showing an example of the internal structure of the first chip at a position different from that in FIG. 18 in the thickness direction of the first chip.
  • FIG. 20 is an enlarged plan view of the transformer region of FIG.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the first transformer of the first chip and its periphery.
  • FIG. 22 is an enlarged view of a part of the first chip in FIG.
  • FIG. 23 is an enlarged view of the conductor of the first surface side coil in the first chip of FIG. 22.
  • FIG. FIG. 24 is an enlarged view of the conductor wire of the first back side coil in the first chip in FIG. 22.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a part of the circuit region of the first chip.
  • FIG. 26 is an enlarged view of the first via and its periphery in FIG.
  • FIG. 27 is an enlarged plan view of a part of the first frame and its periphery in the signal transmission device of the second embodiment.
  • FIG. 28 is an enlarged plan view of the second die pad and its periphery in the signal transmission device of the second embodiment.
  • FIG. 29 is an enlarged plan view of the third die pad and its periphery in the signal transmission device of the second embodiment.
  • FIG. 30 is an enlarged plan view of a part of the first frame and its periphery in the signal transmission device of the third embodiment.
  • FIG. 31 is an enlarged plan view of a remaining portion of the first frame and its periphery in the signal transmission device of the third embodiment.
  • FIG. 32 is an enlarged plan view of the second die pad and its periphery in the signal transmission device of the third embodiment.
  • FIG. 33 is an enlarged plan view of the third die pad and its periphery in the signal transmission device of the third embodiment.
  • FIG. 34 is an enlarged plan view of a part of the first frame and its periphery in the signal transmission device of the fourth embodiment.
  • FIG. 35 is an enlarged plan view of a remaining portion of the first frame and its periphery in the signal transmission device of the fourth embodiment.
  • FIG. 36 is an enlarged plan view of the second die pad and its periphery in the signal transmission device of the fourth embodiment.
  • FIG. 37 is an enlarged plan view of the third die pad and its periphery in the signal transmission device of the fourth embodiment.
  • FIG. 38 is an enlarged plan view of a part of the first die pad, the third die pad, and the periphery thereof in the signal transmission device of the fifth embodiment.
  • FIG. 39 is a schematic cross-sectional view of a first chip and a first die pad in a signal transmission device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 40 is a schematic cross-sectional view of the first chip and the first die pad taken in a direction different from that of FIG.
  • FIG. 41 is a schematic cross-sectional view of the second chip and the second die pad.
  • FIG. 42 is a schematic cross-sectional view of the second chip and the second die pad taken in a direction different from that of FIG. FIG.
  • FIG. 43 is a schematic cross-sectional view of the third chip and the third die pad.
  • FIG. 44 is a schematic cross-sectional view of the third chip and the third die pad taken in a direction different from that of FIG.
  • FIG. 45 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process for the signal transmission device of the sixth embodiment.
  • FIG. 46 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device subsequent to FIG. 45.
  • FIG. 47 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 46.
  • FIG. 48 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 47.
  • FIG. 46 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 46.
  • FIG. 49 is a plan view illustrating a schematic internal structure of the signal transmission device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 50 is a plan view illustrating a schematic internal structure of the signal transmission device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 51 is an enlarged plan view of the first frame and its periphery in the signal transmission device of the ninth embodiment.
  • FIG. 52 is an enlarged plan view of the first die pad and its periphery in the signal transmission device of the ninth embodiment.
  • FIG. 53 is a cross-sectional view showing a schematic example of a cross-sectional structure of a first transformer of a first chip and its periphery in a signal transmission device according to the tenth embodiment.
  • FIG. 54 is an enlarged cross-sectional view of a part of the first transformer and its periphery in FIG.
  • FIG. 55 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process for the signal transmission device of the tenth embodiment.
  • 56 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 55.
  • FIG. 57 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 56.
  • FIG. 58 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the first transformer of the first chip and part of its periphery in the signal transmission device of the eleventh embodiment.
  • FIG. 60 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process for the signal transmission device of the twelfth embodiment.
  • 61 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 60.
  • FIG. 62 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 61.
  • FIG. 63 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 62.
  • FIG. FIG. FIG. 60 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 60.
  • FIG. 64 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 63.
  • 65 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 64.
  • FIG. 66 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the first surface side coil of the first transformer of the first chip and its surrounding area in the signal transmission device of the thirteenth embodiment.
  • FIG. 67 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing process for the signal transmission device of the thirteenth embodiment.
  • 68 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 67.
  • FIG. 69 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device following FIG. 68.
  • 70 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device subsequent to FIG. 69.
  • FIG. 71 is a cross-sectional view showing a schematic example of a manufacturing process for the signal transmission device subsequent to FIG. 70.
  • FIG. 72 is a schematic plan view showing an example of the internal structure of the first chip in a signal transmission device according to a modified example.
  • FIG. 73 is a schematic plan view showing an example of the internal structure of the first chip at a position different from that in FIG. 72 in the thickness direction of the first chip.
  • FIG. 74 is a plan view showing a schematic internal structure of a signal transmission device according to a modified example.
  • FIG. 75 is a plan view showing a schematic internal structure of a signal transmission device according to a modified example.
  • FIG. 1 to 6 show the external structure of the signal transmission device 10.
  • Figures 7 to 15 show the internal structure of the signal transmission device 10.
  • Figure 16 shows the circuit configuration of the signal transmission device 10.
  • Figures 17 to 26 show the internal structure of a first chip 60 (described later) of the signal transmission device 10.
  • FIG. 1 shows a perspective view of the signal transmission device 10.
  • Figs. 2 and 3 show a side view of the signal transmission device 10.
  • Fig. 4 shows an enlarged view of a portion of a first lead terminal 18 of the signal transmission device 10, which will be described later.
  • the package structure of the signal transmission device 10 is a small outline package (SOP).
  • SOP small outline package
  • the package structure of the signal transmission device 10 can be changed as desired, and may be a quad for non-lead package (QFN), dual flat package (DFP), dual inline package (DIP), quad flat package (QFP), single inline package (SIP), or small outline J-leaded package (SOJ), or various similar package structures.
  • QFN quad for non-lead package
  • DFP dual flat package
  • DIP dual inline package
  • QFP quad flat package
  • SIP single inline package
  • SOJ small outline J-leaded package
  • the signal transmission device 10 includes a sealing resin 90, a plurality of first lead terminals 11-18 (eight in the first embodiment) protruding from the sealing resin 90, and a plurality of second lead terminals 41-48 (eight in the first embodiment) protruding from the sealing resin 90.
  • the sealing resin 90 is formed in a rectangular plate shape.
  • the thickness direction of the sealing resin 90 is the "Z direction", and two mutually perpendicular directions among the directions perpendicular to the Z direction are the "X direction” and the "Y direction”.
  • the upper side of the Z direction is the "+Z direction", and the lower side is the "-Z direction”.
  • the front side of the X direction is the "+X direction”
  • the rear side is the "-X direction”.
  • the right side of the Y direction is the "+Y direction”
  • the left side is the "-Y direction”.
  • planar view refers to viewing the signal transmission device 10 from the thickness direction of the sealing resin 90. Unless otherwise specified, planar view refers to viewing the signal transmission device 10 from the +Z direction.
  • the shape of the sealing resin 90 in plan view is a rectangle with the X direction being the short side direction and the Y direction being the long side direction.
  • the size of the sealing resin 90 in the Y direction is at least twice the size of the sealing resin 90 in the X direction.
  • the size of the sealing resin 90 in the Y direction is no more than three times the size of the sealing resin 90 in the X direction. In one example, in plan view, the size of the sealing resin 90 in the Y direction is about 2.5 times the size of the sealing resin 90 in the X direction.
  • the dimension of the sealing resin 90 in the X direction is about 4.0 mm
  • the dimension of the sealing resin 90 in the Y direction is about 10.0 mm
  • the dimension (thickness) of the sealing resin 90 in the Z direction is about 1.75 mm.
  • the sealing resin 90 has a sealing surface 91, a sealing back surface 92 opposite the sealing surface 91, and first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 connecting the sealing surface 91 and the sealing back surface 92.
  • the sealing surface 91 is a surface facing the +Z direction
  • the sealing back surface 92 is a surface facing the -Z direction.
  • the first sealing side surface 93 and the second sealing side surface 94 form both end surfaces of the sealing resin 90 in the X direction
  • the third sealing side surface 95 and the fourth sealing side surface 96 form both end surfaces of the sealing resin 90 in the Y direction.
  • the first sealing side surface 93 is a surface facing the +X direction
  • the second sealing side surface 94 is a surface facing the -X direction.
  • the third sealing side surface 95 is a surface facing the +Y direction
  • the fourth sealing side surface 96 is a surface facing the -Y direction.
  • a recess 91A is formed in the sealing surface 91.
  • the recess 91A is circular in a plan view.
  • the recess 91A is recessed in a curved concave shape from the sealing surface 91.
  • the recess 91A is formed in a portion of the sealing surface 91 that is closer to the first sealing side surface 93 and the fourth sealing side surface 96.
  • the recess 91A serves as a marker for distinguishing the first lead terminals 11-18 from the second lead terminals 41-48.
  • the first sealing side 93 includes a first front side 93A that is continuous with the sealing surface 91, a first back side 93B that is continuous with the sealing back surface 92, and a first central side 93C.
  • the second sealing side 94 includes a second front side 94A that is continuous with the sealing surface 91, a second back side 94B that is continuous with the sealing back surface 92, and a second central side 94C.
  • the first front side 93A and the second front side 94A are inclined in a direction away from each other as they move from the sealing surface 91 toward the sealing back surface 92.
  • the connection portion between the first front side 93A and the sealing surface 91 is formed with an inclined surface 93AA.
  • the angle formed by the inclined surface 93AA and the Z direction is larger than the angle formed by the first front side 93A and the Z direction.
  • the angle formed by the inclined surface 93AA and the Z direction is, for example, 45°.
  • the connection portion between the second front surface side surface 94A and the sealing surface 91 is formed in a curved shape.
  • the first back surface side surface 93B and the second back surface side surface 94B are inclined in a direction away from each other as they move from the sealing back surface 92 to the sealing surface 91.
  • the connection portion between the first back surface side surface 93B and the second back surface side surface 94B and the sealing back surface 92 is formed in a curved shape.
  • the first central side surface 93C is formed between the first front surface side surface 93A and the first back surface side surface 93B in the Z direction.
  • the first central side surface 93C is connected to both the first front surface side surface 93A and the first back surface side surface 93B.
  • the first central side surface 93C is formed as a flat surface along, for example, the YZ plane.
  • the second central side surface 94C is formed between the second front surface side surface 94A and the second back surface side surface 94B in the Z direction.
  • the second central side surface 94C is connected to both the second front surface side surface 94A and the second back surface side surface 94B.
  • the second central side surface 94C is formed as a flat surface along the YZ plane, for example.
  • the third sealing side 95 includes a third front side 95A that is continuous with the sealing surface 91, a third back side 95B that is continuous with the sealing back surface 92, and a third central side 95C.
  • the fourth sealing side 96 includes a fourth front side 96A that is continuous with the sealing surface 91, a fourth back side 96B that is continuous with the sealing back surface 92, and a fourth central side 96C.
  • the third front side 95A and the fourth front side 96A are inclined in directions away from each other as they move from the sealing surface 91 to the sealing back surface 92.
  • the connection portions between the third front side 95A and the fourth front side 96A and the sealing surface 91 are formed in a curved shape.
  • the third back side 95B and the fourth back side 96B are inclined in directions away from each other as they move from the sealing back surface 92 to the sealing surface 91.
  • the connection portions between the third back side 95B and the fourth back side 96B and the sealing back surface 92 are formed in a curved shape.
  • the third central side surface 95C is connected to both the third front surface side surface 95A and the third back surface side surface 95B.
  • the third central side surface 95C is formed, for example, as a flat surface along the XZ plane.
  • the fourth central side surface 96C is formed between the fourth front surface side surface 96A and the fourth back surface side surface 96B in the Z direction.
  • the fourth central side surface 96C is connected to both the fourth front surface side surface 96A and the fourth back surface side surface 96B.
  • the fourth central side surface 96C is formed, for example, as a flat surface along the XZ plane.
  • the sealing resin 90 is formed, for example, by transfer molding.
  • the third sealing side surface 95 is provided with a trace (not shown) of the gate of the molding die. This trace is formed when the resin portion located at the gate of the molding die is separated from the sealing resin 90.
  • the trace is formed, for example, on the third central side surface 95C of the third sealing side surface 95.
  • the third central side surface 95C is partitioned into three regions R1 to R3 in the X direction.
  • the regions R1 to R3 are regions of the same size.
  • the region R1 is a region of the third central side surface 95C closer to the first sealing side surface 93
  • the region R3 is a region of the third central side surface 95C closer to the second sealing side surface 94
  • the region R2 is a region between the regions R1 and R3 in the X direction.
  • the above-mentioned trace may be provided in the region R1.
  • the above-mentioned trace may also be provided in the region R2.
  • the above-mentioned trace may also be provided in the region R3.
  • the gate trace of the molding die may be formed on the fourth sealing side surface 96 instead of the third sealing side surface 95. Even in this case, the trace is formed, for example, on the fourth central side surface 96C of the fourth sealing side surface 96.
  • the surface roughness Rz of each of the sealing surface 91, sealing back surface 92, and first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 of the sealing resin 90 is, for example, 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz over the entire surface of each of the sealing surface 91 and sealing back surface 92 is, for example, 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz over the entire surface of each of the first to fourth front side surfaces 93A to 96A and the first to fourth back side surfaces 93B to 96B of the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 is, for example, 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz can be expressed as the sum of the height of the highest peak and the depth of the deepest valley among the contour curves at the reference length.
  • the sealing surface 91, sealing back surface 92, and first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 are roughened to have each surface roughness Rz of, for example, 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • An example of surface roughening is shot blasting.
  • the surface roughness Rz of each of the sealing surface 91, the sealing back surface 92, and the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 is, for example, 8 ⁇ m or more. In one example, the surface roughness Rz of each of the sealing surface 91, the sealing back surface 92, and the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 is, for example, 8 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz of the sealing surface 91 and the sealing back surface 92, and the first to fourth front side surfaces 93A to 96A and the first to fourth back side surfaces 93B to 96B may be greater than that of the first to fourth central side surfaces 93C to 95C. In one example, the surface roughness Rz of the sealing surface 91 and the sealing back surface 92, and the first to fourth front side surfaces 93A to 96A and the first to fourth back side surfaces 93B to 96B may be greater than the surface roughness Rz of the surfaces that make up the recess 91A.
  • the surface roughness Rz of the sealing surface 91, the sealing back surface 92, and the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 was 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, but this is not limited to this.
  • the surface roughness Rz of each of the third sealing side surface 95 and the fourth sealing side surface 96 may be less than 5 ⁇ m or greater than 20 ⁇ m.
  • the surface roughness Rz of each of the first sealing side surface 93 and the second sealing side surface 94 may be less than 5 ⁇ m or greater than 20 ⁇ m.
  • the surface roughness Rz of each of the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 may be less than 5 ⁇ m or greater than 20 ⁇ m.
  • the surface roughness Rz of the sealing surface 91 may be less than 5 ⁇ m or greater than 20 ⁇ m. In short, it is sufficient that the surface roughness Rz of at least one of the sealing surface 91, the sealing back surface 92, and the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 is 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the sealing resin 90 is made of an insulating material.
  • One example of the insulating material is black epoxy resin.
  • the sealing resin 90 contains sulfur (S) as an additive. By containing sulfur, the sealing resin 90 can increase the adhesive strength with the first frame 10A and the second frame 10B described below. On the other hand, by containing sulfur, the sealing resin 90 may cause sulfide corrosion of the copper-based components in the signal transmission device 10.
  • the concentration of sulfur added to the sealing resin 90 is set in consideration of the balance between improving the adhesive strength between the first frame 10A and the second frame 10B and the sealing resin 90 and suppressing sulfide corrosion. In one example, the concentration of sulfur added to the sealing resin 90 is set to 300 ⁇ g/g or less.
  • the first lead terminals 11-18 include first outer lead portions 11B-18B protruding outward from the sealing resin 90.
  • the first outer lead portions 11B-18B protrude from the first sealing side surface 93 toward the +X direction.
  • the first outer lead portions 11B-18B are arranged at a distance from each other in the Y direction. It can be said that the first outer lead portions 11B-18B are arranged in the longitudinal direction of the sealing resin 90.
  • the first outer lead portions 11B-18B are arranged in the order of the first outer lead portions 11B, 12B, 13B, 14B, 15B, 16B, 17B, and 18B from the fourth sealing side surface 96 toward the third sealing side surface 95.
  • the Y direction can be said to be the arrangement direction of the first outer lead portions 11B-18B.
  • the Y direction can be said to be the arrangement direction of the first lead terminals 11-18.
  • the first outer lead portions 11B to 18B have the same shape.
  • the second lead terminals 41 to 48 include second outer lead portions 41B to 48B that protrude from the sealing resin 90 to the outside.
  • the second outer lead portions 41B to 48B protrude from the second sealing side surface 94 toward the -X direction.
  • the second outer lead portions 41B to 48B are arranged at a distance from each other in the Y direction. It can be said that the second outer lead portions 41B to 48B are arranged in the longitudinal direction of the sealing resin 90.
  • the second outer lead portions 41B to 48B are arranged in the order of the second outer lead portions 41B, 42B, 43B, 44B, 45B, 46B, 47B, and 48B from the third sealing side surface 95 toward the fourth sealing side surface 96.
  • the Y direction can be said to be the arrangement direction of the second outer lead portions 41B to 48B.
  • the Y direction can be said to be the arrangement direction of the second lead terminals 41 to 48.
  • the second outer lead portions 41B to 48B have the same shape.
  • the width dimension (size in the Y direction) of the first outer lead portions 11B to 18B and the width dimension (size in the Y direction) of the second outer lead portions 41B to 48B are equal to each other.
  • the width dimension of the first outer lead portions 11B to 18B and the width dimension of the second outer lead portions 41B to 48B are, for example, about 0.41 mm.
  • the pitch of the first outer lead portions 11B to 18B and the pitch of the second outer lead portions 41B to 48B are equal to each other.
  • the pitch of the first outer lead portions 11B to 18B can be defined by the center-to-center distance between two outer lead portions adjacent in the Y direction among the first outer lead portions 11B to 18B.
  • the pitch of the second outer lead portions 41B to 48B can be defined by the center-to-center distance between two outer lead portions adjacent in the Y direction among the second outer lead portions 41B to 48B.
  • the pitch of the first outer lead portions 11B to 18B and the pitch of the second outer lead portions 41B to 48B are each, for example, approximately 1.27 mm.
  • the shape of the first outer lead portion 18B and the shape of the second outer lead portion 41B when viewed from the Y direction are the same. Therefore, it can be said that the shapes of the first outer lead portions 11B to 18B and the shapes of the second outer lead portions 41B to 48B are the same.
  • first outer lead portions 11B to 18B The configuration of the first outer lead portions 11B to 18B will be described. Below, the detailed configuration of the first outer lead portion 18B will be described, and the detailed configuration of the first outer lead portions 11B to 17B will be omitted.
  • the first outer lead portion 18B includes a protruding portion 18P extending in the +X direction from the first sealing side surface 93, an intermediate portion 18Q extending in the -Z direction from the protruding portion 18P, and a connecting portion 18R extending in the +X direction from the intermediate portion 18Q.
  • a curved first bend is formed between the protruding portion 18P and the intermediate portion 18Q
  • a curved second bend is formed between the intermediate portion 18Q and the connecting portion 18R.
  • the connecting portion 18R may be inclined toward the -Z direction as it approaches the +X direction.
  • the acute angle formed by the connecting portion 18R and the X direction is, for example, greater than 0° and equal to or less than 8°.
  • the first outer lead portion 18B includes an outer lead body 20A made of a metal material.
  • metal materials include copper and aluminum.
  • the outer lead body 20A has an outer lead surface 21A, an outer lead back surface 22A opposite the outer lead surface 21A, a pair of outer lead side surfaces 23A (see FIG. 5) connecting the outer lead surface 21A and the outer lead back surface 22A, and an outer lead end surface 24A.
  • the outer lead end surface 24A forms the tip surface of the connection portion 18R.
  • the pair of outer lead side surfaces 23A are formed in a curved concave shape.
  • the deepest position of the curved concave outer lead side surface 23A (the position where the pair of outer lead side surfaces 23A are closest to each other in the Y direction) is closer to the outer lead back surface 22A than the center in the Z direction of the outer lead end surface 24A.
  • the outer lead body 20A has a backside curved portion 25 formed at the connection between the outer lead backside 22A and the outer lead side surface 23A.
  • the backside curved portion 25 curves upward (+Z direction) as it moves outward in the width direction (Y direction) of the outer lead body 20A. Therefore, both ends of the outer lead backside 22A in the Y direction are curved upward (+Z direction) as they move toward the pair of outer lead side surfaces 23A.
  • the first outer lead portion 18B includes a plating layer 26 that covers the outer lead body 20A. More specifically, the plating layer 26 covers the entire surfaces of the outer lead surface 21A, the outer lead back surface 22A, and the outer lead side surface 23A, as well as a portion of the outer lead end surface 24A.
  • the plating layer 26 includes an end surface plating layer 27 that covers the outer lead end surface 24A continuously from the outer lead back surface 22A toward the outer lead surface 21A.
  • the end surface plating layer 27 is located away in the Z direction from the edge of the outer lead end surface 24A on the outer lead surface 21A side. Therefore, the outer lead end surface 24A is divided into an area covered by the end surface plating layer 27 and a main body exposed area 28 that is not covered by the end surface plating layer 27. In the main body exposed area 28, the outer lead main body 20A is exposed.
  • the end surface plating layer 27 extends from the outer lead back surface 22A to a position closer to the outer lead surface 21A than the center of the outer lead end surface 24A in the Z direction. In one example, the end surface plating layer 27 covers approximately 2/3 of the outer lead end surface 24A in the Z direction.
  • the tip edge 27A of the end surface plating layer 27 includes a shape that becomes uneven in the Z direction as it approaches the Y direction. In one example, the tip edge 27A of the end surface plating layer 27 includes a recess 27B near the center in the Y direction.
  • leading edge 27A of the end surface plating layer 27 can be changed as desired.
  • the leading edge 27A of the end surface plating layer 27 may include a plurality of recesses 27B.
  • the recesses 27B may be omitted from the leading edge 27A of the end surface plating layer 27.
  • the position of the tip edge 27A of the end surface plating layer 27 in the Z direction can be changed arbitrarily.
  • the end surface plating layer 27 may cover about 1/2 of the outer lead end surface 24A in the Z direction.
  • the end surface plating layer 27 may cover about 1/4 of the outer lead end surface 24A in the Z direction.
  • the end surface plating layer 27 may cover about 3/4 of the outer lead end surface 24A in the Z direction. In this way, the end surface plating layer 27 may cover a range of 1/4 to 3/4 of the outer lead end surface 24A in the Z direction.
  • the configuration of the second outer lead portions 41B to 48B will be described. Below, the detailed configuration of the second outer lead portion 41B will be described, and the detailed configuration of the second outer lead portions 42B to 48B will be omitted.
  • the second outer lead portion 41B includes a protruding portion 41P extending in the -X direction from the second sealing side surface 94, an intermediate portion 41Q extending in the -Z direction from the protruding portion 41P, and a connecting portion 41R extending in the -X direction from the intermediate portion 41Q.
  • a curved first bend is formed between the protruding portion 41P and the intermediate portion 41Q
  • a curved second bend is formed between the intermediate portion 41Q and the connecting portion 41R.
  • the connecting portion 41R may be inclined toward the -Z direction as it approaches the -X direction.
  • the acute angle formed by the connecting portion 41R and the X direction is, for example, greater than 0° and equal to or less than 8°.
  • the second outer lead portion 41B like the first outer lead portion 18B, includes an outer lead body 20A and a plating layer 26 (see FIG. 4) that covers the outer lead body 20A.
  • the plating layer 26 of the second outer lead portion 41B like the first outer lead portion 18B, also includes an end face plating layer 27 (see FIG. 4).
  • a method for forming such an end surface plating layer 27 will be described below.
  • a first lead frame (not shown) constituting the first outer lead portion 18B and a second lead frame (not shown) constituting the second outer lead portion 41B are cut by a die (punch).
  • the cutting by the die can be performed, for example, on the first lead frame and the second lead frame connected to the frame.
  • the outer leads 11B to 18B, 41B to 48B formed by cutting are formed.
  • both the first lead frame and the second lead frame before being cut by the mold include an outer lead body 20A and a plating layer 26 that covers the outer lead surface 21A, the outer lead back surface 22A, and the pair of outer lead side surfaces 23A.
  • the mold cuts the first lead frame and the second lead frame in the +Z direction for both the first lead frame and the second lead frame. This forms the first outer lead portion 18B and the second outer lead portion 41B, each of which includes the outer lead end surface 24A.
  • the corners of the cut portion in the mold are rounded and curved. In other words, the corners are chamfered.
  • the plating layer 26 on the back surface 22A of the outer lead is pulled toward the outer lead surface 21A, forming an end surface plating layer 27 on the outer lead end surface 24A.
  • the end surface plating layer 27 is formed on both the first outer lead portion 18B and the second outer lead portion 41B, so that when the signal transmission device 10 is mounted on the circuit board PCB by a conductive bonding material SD such as solder paste or silver (Ag) paste, as shown in FIG. 6, the bonding area between the first outer lead portion 18B and the second outer lead portion 41B and the conductive bonding material SD can be increased. More specifically, the outer lead back surface 22A of the connection portion 18R of the first outer lead portion 18B, the pair of outer lead side surfaces 23A (see FIG. 5), and the outer lead back surface 22A of the end of the intermediate portion 18Q on the connection portion 18R side are each bonded to the conductive bonding material SD.
  • a conductive bonding material SD such as solder paste or silver (Ag) paste
  • the end surface plating layer 27 of the first outer lead portion 18B bonds the outer lead end surface 24A (see FIG. 5) of the first outer lead portion 18B to the conductive bonding material SD.
  • the bonding area between the first outer lead portion 18B and the conductive bonding material SD is increased by the bonding area between the end surface plating layer 27 and the conductive bonding material SD.
  • the outer lead back surface 22A of the connection portion 41R of the second outer lead portion 41B, the pair of outer lead side surfaces 23A, and the outer lead back surface 22A of the end of the intermediate portion 41Q on the connection portion 41R side are each bonded to the conductive bonding material SD.
  • the end surface plating layer 27 of the second outer lead portion 41B bonds the outer lead end surface 24A of the second outer lead portion 41B to the conductive bonding material SD.
  • the bonding area between the second outer lead portion 41B and the conductive bonding material SD is increased by the bonding area between the end surface plating layer 27 and the conductive bonding material SD.
  • a fillet is formed by the conductive bonding material SD bonded to each end surface plating layer 27 of the first outer lead portion 18B and the second outer lead portion 41B.
  • the bonding area with the conductive bonding material SD is also increased and fillets are formed for the first outer lead portions 11B-17B and the second outer lead portions 42B-48B (both see FIG. 1).
  • FIG. 7 shows the overall internal structure of the signal transmission device 10.
  • the sealing resin 90 is indicated by a two-dot chain line.
  • the signal transmission device 10 includes a first frame 10A, a second frame 10B, a first chip 60 mounted on the first frame 10A, and a second chip 70 and a third chip 80 mounted on the second frame 10B.
  • the sealing resin 90 seals the first chip 60, the second chip 70, and the third chip 80, and also partially seals the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the first frame 10A includes first lead terminals 11-18.
  • the first frame 10A further includes a first die pad 30.
  • the first lead terminals 11-18 and the first die pad 30 are formed from the same metal material. Examples of metal materials include copper and aluminum.
  • the first lead terminal 14 that is located near the center in the Y direction is connected to the first die pad 30.
  • the first lead terminal 14 and the first die pad 30 are integrated.
  • the first lead terminals 11 to 13 and 15 to 18 are arranged at a distance from the first die pad 30. As shown in FIG. 7, the first lead terminals 11 to 18 can be said to be arranged at a distance from each other in the Y direction.
  • the first die pad 30 is disposed closer to the first sealing side surface 93 than the center of the sealing resin 90 in the X direction.
  • the first chip 60 mounted on the first die pad 30 is formed in a flat plate shape.
  • the shape of the first chip 60 in a plan view is rectangular with the X direction as the short side direction and the Y direction as the long side direction.
  • the first chip 60 is mounted on the first die pad 30 by a first conductive bonding material SD1. More specifically, the first chip 60 is die-bonded to the first die pad 30.
  • the second frame 10B is disposed apart from the first frame 10A in the X direction. That is, in the first embodiment, the X direction is the arrangement direction of the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the second frame 10B includes second lead terminals 41-48.
  • the second frame 10B further includes a second die pad 50A and a third die pad 50B.
  • the second lead terminals 41-48, the second die pad 50A, and the third die pad 50B are formed of the same metal material. Examples of the metal material include copper and aluminum.
  • the second lead terminals 41-48, the second die pad 50A, and the third die pad 50B are formed of the same metal material as the first lead terminals 11-18 and the first die pad 30.
  • the second lead terminal 41 which is located at the end closer to the third sealing side surface 95, of the second lead terminals 41 to 48, is connected to the second die pad 50A.
  • the second lead terminal 41 and the second die pad 50A are integrated.
  • the second lead terminal 46 which is located closer to the fourth sealing side surface 96, of the second lead terminals 41 to 48, is connected to the third die pad 50B.
  • the second lead terminal 46 and the third die pad 50B are integrated.
  • the second lead terminals 42 to 45 which are arranged between the second lead terminal 41 and the second lead terminal 46 in the Y direction, are arranged at a distance from the second die pad 50A and the third die pad 50B.
  • the second lead terminals 47 and 48 which are closer to the fourth sealing side surface 96 than the second lead terminal 46, are arranged at a distance from the third die pad 50B. As shown in FIG. 7, the second lead terminals 41 to 48 can be said to be arranged at a distance from each other in the Y direction.
  • Both the second die pad 50A and the third die pad 50B are arranged in the X direction away from the first die pad 30 and closer to the second sealing side surface 94.
  • the X direction can be said to be the arrangement direction of the first die pad 30, the second die pad 50A, and the third die pad 50B. It can also be said that the first die pad 30, the second die pad 50A, and the third die pad 50B are arranged in the short direction of the sealing resin 90. Both the second die pad 50A and the third die pad 50B are arranged closer to the second sealing side surface 94 than the center of the sealing resin 90 in the X direction. Both the second die pad 50A and the third die pad 50B are arranged opposite the first die pad 30 in the X direction.
  • the first die pad 30 has a size in the Y direction that allows it to face the second die pad 50A and the third die pad 50B.
  • the X direction corresponds to the "first direction”.
  • the second die pad 50A and the third die pad 50B are arranged on the opposite side of the first die pad 30 in the X direction from the side on which the first lead terminals 11 to 18 are arranged.
  • the first lead terminals 11 to 18 are arranged on the opposite side of the first die pad 30 in the X direction from the second die pad 50A and the third die pad 50B.
  • the second lead terminals 41 to 48 are arranged on the opposite side of the second die pad 50A and the third die pad 50B from the first die pad 30 in the X direction.
  • the second die pad 50A and the third die pad 50B are spaced apart from each other in the Y direction. That is, in the first embodiment, the Y direction is the arrangement direction of the second die pad 50A and the third die pad 50B.
  • the second die pad 50A is arranged closer to the third sealing side surface 95 than the third die pad 50B.
  • the second die pad 50A is arranged closer to the third sealing side surface 95 than the center of the sealing resin 90 in the Y direction.
  • the third die pad 50B is arranged closer to the fourth sealing side surface 96 than the center of the sealing resin 90 in the Y direction.
  • the Y direction corresponds to the "second direction".
  • the second chip 70 mounted on the second die pad 50A is formed in a flat plate shape.
  • the shape of the second chip 70 in a plan view is rectangular with the X direction being the short side direction and the Y direction being the long side direction.
  • the size of the second chip 70 in the X direction is smaller than the size of the first chip 60 in the X direction.
  • the size of the second chip 70 in the Y direction is smaller than the size of the first chip 60 in the Y direction.
  • the second chip 70 is mounted on the second die pad 50A by the second conductive bonding material SD2. More specifically, the second chip 70 is die-bonded to the second die pad 50A.
  • the third chip 80 mounted on the third die pad 50B is formed in a flat plate shape.
  • the shape of the third chip 80 in a plan view is a rectangle with the X direction being the short side direction and the Y direction being the long side direction.
  • the size of the third chip 80 in the X direction is smaller than the size of the first chip 60 in the X direction.
  • the size of the third chip 80 in the Y direction is smaller than the size of the first chip 60 in the Y direction.
  • the sizes of the third chip 80 in the X direction and the Y direction are the same as the sizes of the second chip 70 in the X direction and the Y direction.
  • the third chip 80 is mounted on the third die pad 50B by the third conductive bonding material SD3. More specifically, the third chip 80 is die-bonded to the third die pad 50B. Note that, for example, solder paste or silver paste is used as the first to third conductive bonding materials SD1 to SD3.
  • the second chip 70 is disposed closer to the third die pad 50B of the second die pad 50A. When viewed from the X direction, the second chip 70 is disposed closer to the third sealing side surface 95 than the first chip 60. The third chip 80 is disposed closer to the fourth sealing side surface 96 than the first chip 60.
  • the signal transmission device 10 further includes conductive members 10D and 10E.
  • the conductive members 10D and 10E are formed, for example, from the same metal material as the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the conductive members 10D and 10E are disposed at a distance from each other. Furthermore, the conductive members 10D and 10E are disposed at a distance from both the first frame 10A and the second frame 10B. Therefore, both conductive members 10D and 10E are in an electrically floating state.
  • the conductive members 10D and 10E are disposed in positions overlapping each other when viewed from the Y direction.
  • the conductive members 10D and 10E are disposed in the center of the sealing resin 90 in the Y direction.
  • the conductive member 10D is disposed closer to the third sealing side surface 95 than the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the conductive member 10D is exposed from the third sealing side surface 95. More specifically, a recess 95D is formed in a portion of the third sealing side surface 95 where the conductive member 10D is exposed.
  • the recess 95D is formed in the center of the third sealing side surface 95 in the Z direction. That is, the recess 95D is provided in the third central side surface 95C (see FIG. 2).
  • the recess 95D is recessed from the third sealing side surface 95 toward the fourth sealing side surface 96.
  • the recess 95D is open toward the +Y direction.
  • the conductive member 10D constitutes the bottom surface of the recess 95D.
  • the conductive member 10E is disposed closer to the fourth sealing side surface 96 than the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the conductive member 10E is exposed from the fourth sealing side surface 96. More specifically, a recess 96D is formed in the portion of the fourth sealing side surface 96 where the conductive member 10E is exposed.
  • the recess 96D is formed in the center of the fourth sealing side surface 96 in the Z direction. In other words, the recess 96D is provided in the fourth central side surface 96C (see FIG. 2).
  • the recess 96D is recessed from the fourth sealing side surface 96 toward the third sealing side surface 95.
  • the recess 96D is open toward the -Y direction.
  • the conductive member 10E forms the bottom surface of the recess 96D.
  • the first die pad 30 is formed in a substantially T-shape in plan view.
  • the first die pad 30 has a first tip surface 31, a first base end surface 32, a first side surface 33, and a second side surface 34.
  • the first tip surface 31 is the end surface closest to the second sealing side surface 94 (see Fig. 7) among both end surfaces of the first die pad 30 in the X direction
  • the first base end surface 32 is the end surface closest to the first sealing side surface 93 among both end surfaces of the first die pad 30 in the X direction.
  • the first side surface 33 is the end surface closest to the third sealing side surface 95 (see Fig.
  • the first tip surface 31 is a surface that faces both the second die pad 50A and the third die pad 50B (see FIG. 7 ) in the X direction and extends along the Y direction in a plan view.
  • the length of the first tip surface 31 in the Y direction is longer than the length of the first base end surface 32 in the Y direction.
  • Both the first side surface 33 and the second side surface 34 are surfaces that extend along the X direction in a plan view.
  • the first die pad 30 further has a first tip side curved surface 35A and a second tip side curved surface 35B.
  • the first tip side curved surface 35A is formed between the first tip surface 31 and the first side surface 33.
  • the first tip side curved surface 35A has a shape in which the portion between the first tip surface 31 and the first side surface 33 is R-chamfered.
  • the second tip side curved surface 35B is formed between the first tip surface 31 and the second side surface 34.
  • the second tip side curved surface 35B has a shape in which the portion between the first tip surface 31 and the second side surface 34 is R-chamfered.
  • the arc length of the first tip side curved surface 35A and the arc length of the second tip side curved surface 35B are equal to each other. In one example, it can be said that the curvature radius of the first tip side curved surface 35A and the curvature radius of the second tip side curved surface 35B are equal to each other in a plan view.
  • the first die pad 30 further has a first recess 36A into which the first lead terminals 11 to 13 fit, a second recess 36B into which the first lead terminals 17 and 18 fit, and a third recess 36C into which the first lead terminals 15 and 16 fit.
  • the first recessed portion 36A is formed in a portion of the first die pad 30 closer to the fourth sealing side surface 96.
  • the first recessed portion 36A is formed to be recessed in the X direction from the second side surface 34 toward the first side surface 33.
  • the first recessed portion 36A is formed closer to the first sealing side surface 93 than the first tip surface 31 in the X direction.
  • the first recessed portion 36A is formed to remove the first base end surface 32.
  • the first recessed portion 36A opens toward both the first sealing side surface 93 and the fourth sealing side surface 96.
  • a first tip side protrusion 38A is provided as a portion of the first die pad 30 between the first recessed portion 36A and the first tip surface 31 in the X direction.
  • the first tip side protrusion 38A extends in the Y direction.
  • the first tip side protrusion 38A includes the second side surface 34, the first tip surface 31, and the second tip side curved surface 35B.
  • the first tip protrusion 38A faces the third die pad 50B (see FIG. 7) in the X direction.
  • the first recessed portion 36A includes a first surface 36A1 extending in the X direction, a second surface 36A2 extending in the Y direction, and a curved recess 36A3 formed between the first surface 36A1 and the second surface 36A2.
  • the first surface 36A1 is disposed closer to the first side surface 33 than the second side surface 34, and is connected to the first base end surface 32.
  • the second surface 36A2 constitutes a part of the side surface of the first tip side protrusion 38A.
  • the curved recess 36A3 is formed as an arc portion connecting the first surface 36A1 and the second surface 36A2.
  • the arc length of the curved recess 36A3 is greater than the arc length of the second tip side curved surface 35B.
  • the radius of curvature of the curved recess 36A3 is greater than the radius of curvature of the second tip side curved surface 35B.
  • the second recessed portion 36B is formed in a portion of the first die pad 30 closer to the third sealing side surface 95.
  • the second recessed portion 36B is formed to be recessed in the X direction from the first side surface 33 toward the second side surface 34.
  • the second recessed portion 36B is formed closer to the first sealing side surface 93 than the first tip surface 31 in the X direction.
  • the second recessed portion 36B is formed to remove the first base end surface 32.
  • the second recessed portion 36B opens toward both the first sealing side surface 93 and the third sealing side surface 95.
  • a second tip side protrusion 38B is provided as a portion of the first die pad 30 between the second recessed portion 36B and the first tip surface 31 in the X direction.
  • the second tip side protrusion 38B extends in the Y direction.
  • the second tip side protrusion 38B includes the first side surface 33, the first tip surface 31, and the first tip side curved surface 35A.
  • the second tip protrusion 38B faces the second die pad 50A (see FIG. 7) in the X direction.
  • the second recessed portion 36B includes a first surface 36B1 extending in the X direction, a second surface 36B2 extending in the Y direction, and a curved recess 36B3 formed between the first surface 36B1 and the second surface 36B2.
  • the first surface 36B1 is disposed closer to the second side surface 34 than the first side surface 33.
  • the length of the first surface 36B1 is shorter than the length of the first surface 36A1 of the first recessed portion 36A.
  • the second surface 36B2 constitutes a part of the side surface of the second tip side protrusion 38B.
  • the length of the second surface 36B2 is shorter than the length of the second surface 36A2 of the first recessed portion 36A.
  • the curved recess 36B3 is formed as an arc portion connecting the first surface 36B1 and the second surface 36B2.
  • the arc length of the curved recess 36B3 is greater than the arc length of the first tip side curved surface 35A.
  • the radius of curvature of the curved recess 36B3 is greater than the radius of curvature of the first distal curved surface 35A.
  • the arc length of the curved recess 36B3 is equal to the arc length of the curved recess 36A3 of the first recess 36A.
  • the radius of curvature of the curved recess 36B3 is equal to the radius of curvature of the curved recess 36A3.
  • the third recessed portion 36C is formed between the first recessed portion 36A and the second recessed portion 36B in the Y direction.
  • the third recessed portion 36C is formed apart from the first recessed portion 36A, but is formed continuously with the second recessed portion 36B.
  • the third recessed portion 36C is formed apart from the first tip surface 31 in the X direction.
  • the third recessed portion 36C is formed so as to remove the first base end surface 32.
  • the third recessed portion 36C opens in both directions of the first sealing side surface 93 and the third sealing side surface 95.
  • the first recessed portion 36A and the third recessed portion 36C form a connection portion 39 to which the first lead terminal 14 of the first die pad 30 is connected.
  • the connection portion 39 includes the first base end surface 32.
  • the third recess 36C includes a first surface 36C1 extending in the X direction, a second surface 36C2 extending in the Y direction, and a curved recess 36C3 formed between the first surface 36C1 and the second surface 36C2.
  • the first surface 36C1 constitutes the side surface of the connection portion 39.
  • the first surface 36C1 is formed in a position between the first surface 36A1 of the first recess 36A and the first surface 36B1 of the second recess 36B, closer to the first surface 36A1, in the Y direction.
  • the first surface 36C1 is connected to the first base end surface 32.
  • the length of the first surface 36C1 is shorter than the length of the first surface 36B1 of the second recess 36B.
  • the second surface 36C2 is formed in a position between the second surface 36B2 of the second recess 36B and the first base end surface 32, closer to the first base end surface 32, in the X direction.
  • the length of the second surface 36C2 is shorter than the length of the second surface 36B2 of the second recessed portion 36B.
  • the curved recessed portion 36C3 is formed as an arc portion connecting the first surface 36C1 and the second surface 36C2.
  • the arc length of the curved recessed portion 36C3 is equal to the arc length of the first tip side curved surface 35A.
  • the radius of curvature of the curved recessed portion 36C3 is equal to the radius of curvature of the first tip side curved surface 35A.
  • the arc length of the curved recessed portion 36C3 is smaller than the arc length of the curved recessed portions 36A3 and 36B3 of the first recessed portion 36A and the second recessed portion 36B.
  • the radius of curvature of the curved recessed portion 36C3 is smaller than the radius of curvature of the curved recessed portions 36A3 and 36B3.
  • an inclined surface 37 is formed between the second recess 36B and the third recess 36C.
  • the inclined surface 37 extends obliquely from the first surface 36C1 to the first surface 36B1 as it moves from the second surface 36C2 to the second surface 36B2.
  • the inclined surface 37 connects the second surface 36C2 and the first surface 36B1.
  • each of the first lead terminals 11 to 18 will now be described. 7, of the first lead terminals 11 to 18, the first lead terminals 11 to 13 are disposed closer to the fourth sealing side surface 96 than the first chip 60 when viewed from the X direction.
  • the first lead terminals 16 to 18 are disposed closer to the third sealing side surface 95 than the first chip 60 when viewed from the X direction.
  • the first lead terminals 14 and 15 are disposed at positions overlapping with the first chip 60 when viewed from the X direction.
  • the first lead terminals 11-18 include first inner lead portions 11A-18A provided within the sealing resin 90 and the first outer lead portions 11B-18B described above.
  • the configuration of the first inner lead portions 11A-18A will be described below.
  • each of the first inner lead portions 11 A to 13 A of the first lead terminals 11 to 13 includes a portion that fits into the first recessed portion 36 A of the first die pad 30 .
  • the first lead terminal 11 is formed in an L-shape in a plan view and includes a wire connection portion 11AA and a lead connection portion 11AB extending from the wire connection portion 11AA toward the first sealing side surface 93.
  • the wire connection portion 11AA fits into the first recessed portion 36A of the first die pad 30.
  • the wire connection portion 11AA extends in the Y direction.
  • the wire connection portion 11AA includes a recessed portion 11AC.
  • the recessed portion 11AC is formed in a portion of the wire connection portion 11AA closer to the first lead terminal 12.
  • the recessed portion 11AC is recessed from the end of the wire connection portion 11AA closer to the first sealing side surface 93 in the X direction toward the second tip side protrusion 38B of the first die pad 30.
  • the recessed portion 11AC includes a first surface 11AC1 extending in the X direction, a second surface 11AC2 extending in the Y direction, and a curved recess 11AC3 formed between the first surface 11AC1 and the second surface 11AC2.
  • the first surface 11AC1 is disposed closer to the first lead terminal 12 than the lead connection portion 11AB.
  • the second surface 11AC2 is disposed at a position overlapping the first lead terminal 12 when viewed from the X direction.
  • the curved recess 11AC3 is formed as an arc portion connecting the first surface 11AC1 and the second surface 11AC2.
  • the arc length of the curved recess 11AC3 is greater than the arc length of the first tip curved surface 35A.
  • the radius of curvature of the curved recess 11AC3 can be said to be greater than the radius of curvature of the first tip curved surface 35A.
  • the narrow portion 11AA1 of the wire connection portion 11AA whose width is narrowed by the recess 11AC, extends along the Y direction.
  • the width dimension (size in the X direction) of the narrow portion 11AA1 is smaller than the width dimension (size in the Y direction) of the lead connection portion 11AB.
  • a through hole 11AD is formed in the wire connection portion 11AA.
  • the through hole 11AD is formed in a portion of the wire connection portion 11AA that is closer to the lead connection portion 11AB than the recessed portion 11AC.
  • the through hole 11AD is filled with sealing resin 90.
  • the wire connection portion 11AA has an inclined surface 11AE.
  • the inclined surface 11AE is formed in a corner portion of the wire connection portion 11AA that is closer to the second sealing side surface 94 (see FIG. 7) and the fourth sealing side surface 96. In a plan view, the inclined surface 11AE is inclined so as to approach the fourth sealing side surface 96 as it moves from the second sealing side surface 94 toward the first sealing side surface 93.
  • the lead connection portion 11AB extends along the X direction.
  • the lead connection portion 11AB is disposed closer to the fourth sealing side surface 96 than the first die pad 30.
  • the lead connection portion 11AB is connected to the first outer lead portion 11B.
  • the first lead terminal 12 is formed in an L-shape in a plan view.
  • the first lead terminal 12 includes a wire connection portion 12AA and a lead connection portion 12AB that extends from the wire connection portion 12AA toward the first sealing side surface 93.
  • the wire connection portion 12AA fits into the recessed portion 11AC of the wire connection portion 11AA of the first lead terminal 11.
  • the wire connection portion 12AA extends in the Y direction.
  • the wire connection portion 12AA includes the recessed portion 12AC.
  • the recessed portion 12AC is formed in a portion of the wire connection portion 12AA closer to the first lead terminal 13.
  • the recessed portion 12AC is recessed from the end of the wire connection portion 12AA closer to the first sealing side surface 93 in the X direction toward the recessed portion 11AC of the wire connection portion 11AA of the first lead terminal 11.
  • the recessed portion 12AC includes a first surface 12AC1 extending in the X direction, a second surface 12AC2 extending in the Y direction, and a curved recessed portion 12AC3 formed between the first surface 12AC1 and the second surface 12AC2.
  • the first surface 12AC1 is disposed closer to the first lead terminal 13 than the lead connection portion 12AB.
  • the second surface 12AC2 is disposed at a position overlapping the first lead terminal 13 when viewed from the X direction.
  • the curved recessed portion 12AC3 is formed as an arc portion connecting the first surface 12AC1 and the second surface 12AC2.
  • the length of the arc of the curved recess 12AC3 is smaller than the length of the arc of the curved recess 11AC3 of the first lead terminal 11.
  • the radius of curvature of the curved recess 12AC3 can be said to be smaller than the radius of curvature of the curved recess 11AC3.
  • the narrow portion 12AA1 of the wire connection portion 12AA extends along the Y direction.
  • the width dimension (size in the X direction) of the narrow portion 12AA1 is smaller than the width dimension (size in the Y direction) of the lead connection portion 12AB.
  • the width dimension of the narrow portion 12AA1 is equal to the width dimension of the narrow portion 11AA1 of the first lead terminal 11. Note that the width dimensions of each of the narrow portions 11AA1 and 12AA1 can be changed arbitrarily.
  • the length dimension (size in the Y direction) of the narrow portion 12AA1 is smaller than the length dimension (size in the Y direction) of the narrow portion 11AA1.
  • a through hole 12AD is formed in the wire connection portion 12AA.
  • the through hole 12AD is formed in a portion of the wire connection portion 12AA closer to the lead connection portion 12AB than the recessed portion 12AC.
  • the through hole 12AD is filled with a sealing resin 90.
  • the diameter of the through hole 12AD is equal to the diameter of the through hole 11AD of the first lead terminal 11. Note that the diameters of the through holes 11AD, 12AD can be changed as desired.
  • a curved surface is formed at the corner portion of the wire connection portion 12AA that corresponds to the curved recess 11AC3 of the first lead terminal 11.
  • the arc length of the curved surface is smaller than the arc length of the curved recess 11AC3.
  • the radius of curvature of the curved surface is smaller than the radius of curvature of the curved recess 11AC3.
  • the arc length of the curved surface is smaller than the arc length of the curved recess 12AC3.
  • the radius of curvature of the curved surface is smaller than the radius of curvature of the curved recess 12AC3.
  • the lead connection portion 12AB extends along the X direction. When viewed from the X direction, the lead connection portion 12AB is disposed at a position overlapping the first tip side protrusion 38A of the first die pad 30. The lead connection portion 12AB is connected to the first outer lead portion 12B.
  • the first lead terminal 13 is formed in an L-shape in a plan view.
  • the first lead terminal 13 includes a wire connection portion 13AA and a lead connection portion 13AB that extends from the wire connection portion 13AA toward the first sealing side surface 93.
  • the wire connection portion 13AA fits into the recess portion 12AC of the first lead terminal 12.
  • the wire connection portion 13AA extends in the Y direction.
  • the lead connection portion 13AB extends along the X direction. When viewed from the X direction, the lead connection portion 13AB is disposed at a position overlapping the second tip side protrusion 38B of the first die pad 30.
  • the lead connection portion 13AB is connected to the first outer lead portion 13B.
  • the first inner lead portion 14A of the first lead terminal 14 is connected to the connection portion 39 of the first die pad 30.
  • the first inner lead portion 14A extends along the X direction from the connection portion 39 toward the first sealing side surface 93.
  • the width dimension (size in the Y direction) of the first inner lead portion 14A is smaller than the size of the connection portion 39 in the Y direction.
  • the first inner lead portion 14A is connected to the center of the connection portion 39 in the Y direction.
  • the first inner lead portion 14A is connected to the first outer lead portion 14B.
  • each of the first inner lead portions 15A, 16A of the first lead terminals 15, 16 includes a portion that enters the third recess portion 36C of the first die pad 30.
  • Each of the first inner lead portions 15A, 16A is positioned closer to the first sealing side surface 93 than the second recess portion 36B of the first die pad 30.
  • Each of the first inner lead portions 17A, 18A of the first lead terminals 17, 18 includes a portion that enters the second recess portion 36B.
  • the shape of the first lead terminals 16-18 in a plan view is linearly symmetrical to the shape of the first lead terminals 11-13 in a plan view with respect to an imaginary line extending in the X direction at the center of the sealing resin 90 in the Y direction. For this reason, the following describes the general configuration of the first lead terminals 16-18, and a detailed description of the configuration of the first lead terminals 16-18 is omitted.
  • the first lead terminal 18 includes a wire connection portion 18AA and a lead connection portion 18AB extending from the wire connection portion 18AA toward the first sealing side surface 93.
  • the wire connection portion 18AA is inserted into the second recessed portion 36B of the first die pad 30.
  • the wire connection portion 18AA includes a recessed portion 18AC.
  • the recessed portion 18AC is recessed from the end of the wire connection portion 18AA near the first sealing side surface 93 toward the second tip side protrusion 38B of the first die pad 30.
  • the recessed portion 18AC includes a first surface 18AC1 extending in the X direction, a second surface 18AC2 extending in the Y direction, and a curved recess 18AC3 formed between the first surface 18AC1 and the second surface 18AC2.
  • the arc length of the curved recess 18AC3 is greater than the arc length of the second tip side curved surface 35B.
  • the radius of curvature of the curved recess 18AC3 is greater than the radius of curvature of the second tip side curved surface 35B.
  • the width dimension (size in the X direction) of a narrow portion 18AA1 of the wire connection portion 18AA, which is narrowed by the recess 18AC, is smaller than the width dimension (size in the Y direction) of the lead connection portion 18AB.
  • a through hole 18AD is formed in the wire connection portion 18AA.
  • the through hole 18AD is filled with sealing resin 90.
  • An inclined surface 18AE is formed in the wire connection portion 18AA.
  • the inclined surface 18AE is formed in a corner portion of the wire connection portion 18AA that is close to the second sealing side surface 94 (see FIG. 7) and the third sealing side surface 95.
  • the lead connection portion 18AB extends along the X direction.
  • the lead connection portion 18AB is disposed closer to the third sealing side surface 95 than the first die pad 30.
  • the lead connection portion 18AB is connected to the first outer lead portion 18B.
  • the first lead terminal 17 includes a wire connection portion 17AA and a lead connection portion 17AB extending from the wire connection portion 17AA toward the first sealing side surface 93 .
  • the wire connection portion 17AA is inserted into the recessed portion 18AC of the wire connection portion 18AA of the first lead terminal 18.
  • the wire connection portion 17AA includes a recessed portion 17AC.
  • the recessed portion 17AC is recessed from the end of the wire connection portion 17AA closer to the first sealing side surface 93 in the X direction toward the recessed portion 18AC of the wire connection portion 18AA of the first lead terminal 18.
  • the recessed portion 17AC includes a first surface 17AC1 extending in the X direction, a second surface 17AC2 extending in the Y direction, and a curved recess 17AC3 formed between the first surface 17AC1 and the second surface 17AC2.
  • the arc length of the curved recess 17AC3 is smaller than the arc length of the curved recess 18AC3 of the first lead terminal 18.
  • the radius of curvature of the curved recess 17AC3 is smaller than the radius of curvature of the curved recess 18AC3.
  • the width dimension (size in the X direction) of the narrow width portion 17AA1 of the wire connection portion 17AA, which is narrowed by the recessed portion 17AC, is smaller than the width dimension (size in the Y direction) of the lead connection portion 17AB.
  • the width dimension of the narrow width portion 17AA1 is equal to the width dimension of the narrow width portion 18AA1 of the first lead terminal 18. Note that the width dimensions of each of the narrow width portions 17AA1 and 18AA1 can be changed as desired.
  • the length dimension (size in the Y direction) of the narrow width portion 17AA1 is smaller than the length dimension (size in the Y direction) of the narrow width portion 18AA1.
  • a through hole 17AD is formed in the wire connection portion 17AA.
  • the diameter of the through hole 17AD is equal to the diameter of the through hole 18AD of the first lead terminal 18. Note that the diameters of the through holes 17AD, 18AD can be changed as desired.
  • the lead connection portion 17AB is disposed at a position overlapping the second tip side protrusion 38B of the first die pad 30 when viewed from the X direction.
  • the lead connection portion 17AB is connected to the first outer lead portion 17B.
  • the first lead terminal 16 includes a wire connection portion 16AA and a lead connection portion 16AB extending from the wire connection portion 16AA toward the first sealing side surface 93 .
  • the wire connection portion 16AA enters the recess portion 17AC of the first lead terminal 17. That is, the wire connection portion 16AA enters both the third recess portion 36C of the first die pad 30 and the recess portion 17AC of the first lead terminal 17.
  • the lead connection portion 16AB is connected to the first outer lead portion 16B.
  • the first lead terminal 15 is formed in a T-shape in a plan view.
  • the first lead terminal 13 includes a wire connection portion 15AA and a lead connection portion 15AB extending from the wire connection portion 15AA toward the first sealing side surface 93.
  • the wire connection portion 15AA fits into the third recessed portion 36C of the first die pad 30.
  • the wire connection portion 15AA extends in the Y direction.
  • An inclined surface 15AC is formed in the corner portion of the wire connection portion 15AA that is closer to the first die pad 30 and the first lead terminal 16.
  • the inclined surface 15AC is inclined toward the first lead terminal 16 as it moves from the first die pad 30 toward the first sealing side surface 93.
  • the lead connection portion 16AB extends along the X direction. When viewed from the X direction, the lead connection portion 16AB is disposed closer to the fourth sealing side surface 96 (see FIG. 7) than the second recessed portion 36B of the first die pad 30. The lead connection portion 16AB is connected to the first outer lead portion 16B.
  • the first lead terminals 11-13, 15-18 are disposed away from the first die pad 30, and therefore correspond to the "first remote terminals.”
  • the first lead terminal 14 is integrated with the first die pad 30, and therefore corresponds to the "first connection terminal.”
  • the wire connection portions 11AA-13AA, 15AA-18AA of the first lead terminals 11-13, 15-18 correspond to the "second portion,” and the lead connection portions 11AB-13AB, 15AB-18AB correspond to the "first portion.”
  • Figure 11 shows the cross-sectional structure of the wire connection portion 11AA of the first inner lead portion 11A.
  • the cross-sectional structures of the wire connection portions 12AA, 13AA, 15AA-18AA of the first inner lead portions 12A, 13A, 15A-18A are similar to the cross-sectional structure of the wire connection portion 11AA, so detailed descriptions thereof will be omitted.
  • the inner lead body 20B of the wire connection portion 11AA has an inner lead surface 21B, an inner lead back surface 22B opposite the inner lead surface 21B, and an inner lead side surface 23B connecting the inner lead surface 21B and the inner lead back surface 22B.
  • the inner lead side surface 23B includes a tip surface 24B facing the second side surface 34 (see FIG. 9) of the first die pad 30.
  • the inner lead surface 21B is the surface to which the first lead wire WB described below is bonded, and faces the same side as the sealing surface 91 (see FIG. 1).
  • the tip surface 24B is formed in a concave shape that is recessed away from the first die pad 30.
  • the tip surface 24B is recessed from both the end on the inner lead surface 21B side and the end on the inner lead back surface 22B side toward the center of the tip surface 24B in the Z direction.
  • the deepest position of the concave tip surface 24B is a position about 1/3 of the thickness of the wire connection portion 12AA from the inner lead back surface 22B.
  • the shape of the tip surface 24B in the cross-sectional view of FIG. 11 can be changed as desired.
  • a plating layer 29 is formed on the inner lead surface 21B.
  • the plating layer 29 is formed of a material containing silver, for example.
  • the plating layer 29 is formed over substantially the entire inner lead surface 21B in the wire connection portion 11AA.
  • the thickness of the plating layer 29 is thinner than the thickness of the inner lead body 20B in the wire connection portion 11AA.
  • End surface 29A of plating layer 29 closer to tip surface 24B is formed at a position closer to lead connection portion 11AB (see FIG. 9) than the edge of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B.
  • plating layer 29 does not cover the end surface of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B.
  • the end of inner lead surface 21B, including the edge closer to tip surface 24B, is in contact with sealing resin 90 (see FIG. 1).
  • End surface 29A of plating layer 29 is inclined away from the edge of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B as it moves from the front surface to the back surface of plating layer 29.
  • the distance in the X direction between the back surface of plating layer 29 and the edge of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B is, for example, equal to or greater than the thickness of plating layer 29. Note that the distance in the X direction between the back surface of plating layer 29 and the edge of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B can be changed as desired.
  • the plating layer 29 does not cover the tip surface 24B of the wire connection portion 11AA. Therefore, the tip surface 24B is in contact with the sealing resin 90. Furthermore, although not shown, the plating layer 29 does not cover the inner lead side surface 23B other than the tip surface 24B. Therefore, the inner lead side surface 23B is in contact with the sealing resin 90.
  • the detailed planar structure of the second die pad 50A will be described.
  • the shape of the second die pad 50A in plan view is a substantially rectangular shape with the Y direction being the longitudinal direction and the X direction being the lateral direction.
  • the second die pad 50A includes a die pad facing surface 51A, a lead side surface 52A, a third side surface 53A, and a fourth side surface 54A.
  • the die pad facing surface 51A is a surface of the second die pad 50A facing the first die pad 30, and extends along the Y direction in plan view.
  • the lead side surface 52A is a surface of the second die pad 50A opposite to the die pad facing surface 51A, and extends along the Y direction in plan view.
  • the third side surface 53A is a side surface near the third sealing side surface 95 among both ends of the second die pad 50A in the Y direction, and extends along the X direction in plan view.
  • the fourth side surface 54A is a side surface near the fourth sealing side surface 96 (see FIG. 7) among both ends of the second die pad 50A in the Y direction, and extends along the X direction in plan view.
  • the second die pad 50A further has a first curved surface 55AA and a second curved surface 55AB.
  • the first curved surface 55AA and the second curved surface 55AB are formed at a position facing the third die pad 50B in the Y direction.
  • the first curved surface 55AA and the second curved surface 55AB are formed at the end closer to the third die pad 50B among both ends in the Y direction of the second die pad 50A. It can also be said that the first curved surface 55AA and the second curved surface 55AB are formed at the tip of the second die pad 50A.
  • the first curved surface 55AA is formed between the die pad facing surface 51A and the fourth side surface 54A.
  • the first curved surface 55AA has a shape in which the portion between the die pad facing surface 51A and the fourth side surface 54A is R-chamfered.
  • the second curved surface 55AB is formed between the second surface 56A2 and the fourth side surface 54A of the fourth recessed portion 56A described later.
  • the second curved surface 55AB has a shape in which the portion between the second surface 56A2 and the fourth side surface 54A is R-chamfered.
  • the arc length of the first curved surface 55AA and the arc length of the second curved surface 55AB are equal to each other in a plan view. It can also be said that the radius of curvature of the first curved surface 55AA and the radius of curvature of the second curved surface 55AB are equal to each other in a plan view.
  • the second die pad 50A further has a fourth recess 56A into which the second lead terminals 42 to 44 fit.
  • the fourth recessed portion 56A is formed in a portion of the second die pad 50A closer to the second sealing side surface 94.
  • the fourth recessed portion 56A is formed to be recessed in the X direction from the lead side surface 52A toward the die pad opposing surface 51A.
  • the fourth recessed portion 56A is formed to be recessed in the Y direction from the fourth side surface 54A toward the third side surface 53A. In this manner, the fourth recessed portion 56A is open toward both the second sealing side surface 94 and the fourth sealing side surface 96.
  • the fourth recessed portion 56A includes a first surface 56A1 extending in the X direction, a second surface 56A2 extending in the Y direction, and a curved recess 56A3 formed between the first surface 56A1 and the second surface 56A2.
  • the first surface 56A1 is disposed closer to the third side surface 53A than the second surface 56A2, and is connected to the lead side surface 52A.
  • the curved recess 56A3 is formed as an arc portion connecting the first surface 56A1 and the second surface 56A2.
  • the arc length of the curved recess 56A3 is greater than the arc length of the first curved surface 55AA.
  • the radius of curvature of the curved recess 56A3 is greater than the radius of curvature of the first curved surface 55AA.
  • the second die pad 50A further includes an inclined surface 57A and a through hole 58A.
  • the inclined surface 57A is formed so as to avoid interference between the second die pad 50A and the conductive member 10D.
  • the inclined surface 57A is formed between the die pad facing surface 51A and the third side surface 53A.
  • the inclined surface 57A is inclined toward the third sealing side surface 95 as it moves from the die pad facing surface 51A toward the second sealing side surface 94.
  • the through hole 58A is formed in one of the ends of the second die pad 50A in the Y direction, closer to the third sealing side surface 95.
  • the through hole 58A is formed in the second die pad 50A at a position closer to the third sealing side surface 95 than the fourth recessed portion 56A.
  • the through hole 58A has an elongated hole shape extending in the X direction.
  • the through hole 58A penetrates the second die pad 50A in the Z direction.
  • the through hole 58A is filled with sealing resin 90.
  • the third die pad 50B has a die pad facing surface 51B, a lead side surface 52B, a fifth side surface 53B, and a sixth side surface 54B.
  • the die pad facing surface 51B is a surface facing the first die pad 30 in the X direction, and extends along the Y direction in a plan view.
  • the lead side surface 52B is a surface opposite to the die pad facing surface 51B, and extends along the Y direction in a plan view.
  • the fifth side surface 53B is an end surface closest to the third sealing side surface 95 (see FIG.
  • the sixth side surface 54B is an end surface closest to the fourth sealing side surface 96 among both end surfaces in the Y direction of the third die pad 50B, and extends along the X direction in a plan view.
  • the third die pad 50B further has a fifth recess 57B into which the second lead terminal 48 fits, a sixth recess 57C into which the second lead terminal 47 fits, and a seventh recess 57D into which the second lead terminal 45 fits.
  • the fifth recessed portion 57B is formed in a portion of the third die pad 50B closer to the fourth sealing side surface 96.
  • the fifth recessed portion 57B is formed to be recessed from the sixth side surface 54B toward the fifth side surface 53B.
  • the fifth recessed portion 57B is formed closer to the second sealing side surface 94 than the die pad facing surface 51B in the X direction.
  • the fifth recessed portion 57B is formed to remove the lead side surface 52B.
  • the fifth recessed portion 57B opens toward both the second sealing side surface 94 and the fourth sealing side surface 96.
  • a protrusion 58B is provided as a portion of the third die pad 50B between the fifth recessed portion 57B and the die pad facing surface 51B in the X direction.
  • the protrusion 58B extends in the Y direction.
  • the protrusion 58B includes the sixth side surface 54B, the die pad facing surface 51B, and the second tip side curved surface 55BB.
  • the protrusion 58B faces the first die pad 30 (see FIG. 7) in the X direction. More specifically, the protrusion 58B faces the first tip protrusion 38A (see FIG. 9) of the first die pad 30.
  • the fifth recess 57B includes a first surface 57B1 extending in the X direction, a second surface 57B2 extending in the Y direction, and a curved recess 57B3 formed between the first surface 57B1 and the second surface 57B2.
  • the first surface 57B1 is disposed closer to the fifth side surface 53B than the sixth side surface 54B.
  • the second surface 57B2 forms part of the side surface of the protrusion 58B.
  • the curved recess 57B3 is formed as an arc portion connecting the first surface 57B1 and the second surface 57B2.
  • the sixth recessed portion 57C is formed in a portion of the third die pad 50B closer to the third sealing side surface 95.
  • the sixth recessed portion 57C is formed so as to be recessed from the fifth side surface 53B toward the sixth side surface 54B.
  • the sixth recessed portion 57C is formed closer to the second sealing side surface 94 than the die pad opposing surface 51B in the X direction.
  • the sixth recessed portion 57C is formed so as to remove the lead side surface 52B. In other words, the sixth recessed portion 57C is open toward both the second sealing side surface 94 and the third sealing side surface 95.
  • the sixth recess 57C includes a first surface 57C1 extending in the X direction, a second surface 57C2 extending in the Y direction, and a curved recess 57C3 formed between the first surface 57C1 and the second surface 57C2.
  • the first surface 57C1 is disposed closer to the sixth side surface 54B than the fifth side surface 53B.
  • the length of the first surface 57C1 is shorter than the length of the first surface 57B1 of the fifth recess 57B.
  • the length of the second surface 57C2 is longer than the length of the second surface 57B2 of the fifth recess 57B.
  • the curved recess 57C3 is formed as an arc portion connecting the first surface 57C1 and the second surface 57C2.
  • the arc length of the curved recess 57C3 is equal to the arc length of the curved recess 57B3 of the fifth recess 57B.
  • the radius of curvature of the curved recess 57C3 can be said to be equal to the radius of curvature of the curved recess 57B3.
  • the seventh recess 57D is formed between the fifth recess 57B and the sixth recess 57C in the Y direction.
  • the seventh recess 57D is formed apart from the sixth recess 57C, but is continuous with the fifth recess 57B.
  • the seventh recess 57D is formed apart from the die pad facing surface 51B in the X direction.
  • the seventh recess 57D opens toward both the second sealing side surface 94 and the fourth sealing side surface 96.
  • the sixth recess 57C and the seventh recess 57D form a connection portion 59B to which the second lead terminal 46 of the third die pad 50B is connected.
  • the connection portion 59B includes the lead side surface 52B.
  • the seventh recess 57D includes a first surface 57D1 extending in the X direction, a second surface 57D2 extending in the Y direction, and a curved recess 57D3 formed between the first surface 57D1 and the second surface 57D2.
  • the first surface 57D1 constitutes the side surface of the connection portion 59B.
  • the first surface 57D1 is formed in a position between the first surface 57B1 of the fifth recess 57B and the first surface 57C1 of the sixth recess 57C in the Y direction, closer to the first surface 57B1.
  • the first surface 57D1 is connected to the lead side surface 52B.
  • the second surface 57D2 is formed in the same position as the second surface 57C2 of the sixth recess 57C in the X direction.
  • the length of the second surface 57D2 is shorter than the length of the second surface 57C2 of the sixth recess 57C.
  • the length of the second surface 57D2 is shorter than the length of the second surface 57B2 of the fifth recess 57B.
  • the curved recess 57D3 is formed as an arc portion connecting the first surface 57D1 and the second surface 57D2.
  • the arc length of the curved recess 57D3 is equal to the arc length of the curved recess 57B3 of the fifth recess 57B.
  • the radius of curvature of the curved recess 57D3 is equal to the radius of curvature of the curved recess 57B3.
  • the third die pad 50B further has a first distal curved surface 55BA, a second distal curved surface 55BB, a first base curved surface 56BA, and a second base curved surface 56BB.
  • the first tip curved surface 55BA is formed between the die pad facing surface 51B and the fifth side surface 53B.
  • the first tip curved surface 55BA has a shape in which the portion between the die pad facing surface 51B and the fifth side surface 53B is R-chamfered.
  • the second tip curved surface 55BB is formed between the die pad facing surface 51B and the sixth side surface 54B.
  • the second tip curved surface 55BB has a shape in which the portion between the die pad facing surface 51B and the sixth side surface 54B is R-chamfered.
  • the arc length of the first tip curved surface 55BA and the arc length of the second tip curved surface 55BB are equal to each other.
  • the curvature radius of the first tip curved surface 55BA and the curvature radius of the second tip curved surface 55BB are equal to each other.
  • the first tip side curved surface 55BA faces the first curved surface 55AA (see FIG. 12) of the second die pad 50A in the Y direction.
  • the arc length of the first tip side curved surface 55BA is equal to the arc length of the first curved surface 55AA.
  • the radius of curvature of the first tip side curved surface 55BA is equal to the radius of curvature of the first curved surface 55AA.
  • the arc length of the first tip side curved surface 55BA and the second tip side curved surface 55BB is smaller than the arc length of the curved recess 57C3 of the sixth recess 57C.
  • the curvature radius of the first tip side curved surface 55BA and the second tip side curved surface 55BB is smaller than the curvature radius of the curved recess 57C3 of the sixth recess 57C.
  • the arc length of the first distal curved surface 55BA and the second distal curved surface 55BB is smaller than the arc length of the curved recess 57B3 of the fifth recess 57B.
  • the radius of curvature of the first distal curved surface 55BA and the second distal curved surface 55BB is smaller than the radius of curvature of the curved recess 57B3 of the fifth recess 57B.
  • the first base end side curved surface 56BA is formed between the second surface 57C2 of the sixth recess 57C and the fifth side surface 53B.
  • the first base end side curved surface 56BA has a shape in which the portion between the second surface 57C2 of the sixth recess 57C and the fifth side surface 53B is R-chamfered.
  • the second base end side curved surface 56BB is formed between the fifth recess 57B and the seventh recess 57D.
  • the second base end side curved surface 56BB has a shape in which the portion between the second surface 57B2 of the fifth recess 57B and the first surface 57D1 of the seventh recess 57D is R-chamfered.
  • the arc length of the first base end side curved surface 56BA is equal to the arc length of the second base end side curved surface 56BB.
  • the radius of curvature of the first base-end curved surface 56BA and the radius of curvature of the second base-end curved surface 56BB can be said to be equal to each other.
  • the first base end side curved surface 56BA faces the second curved surface 55AB of the second die pad 50A in the Y direction.
  • the arc length of the first base end side curved surface 56BA is equal to the arc length of the second curved surface 55AB.
  • the radius of curvature of the first base end side curved surface 56BA is equal to the radius of curvature of the second curved surface 55AB.
  • the arc length of the first base end side curved surface 56BA and the second base end side curved surface 56BB is smaller than the arc length of the curved recess 57B3 of the fifth recess 57B.
  • the radius of curvature of the first base end side curved surface 56BA and the second base end side curved surface 56BB is smaller than the radius of curvature of the curved recess 57B3 of the fifth recess 57B.
  • the arc length of the first base end curved surface 56BA and the second base end curved surface 56BB is smaller than the arc length of the curved recess 57C3 of the sixth recess 57C.
  • the radius of curvature of the first base end curved surface 56BA and the second base end curved surface 56BB is smaller than the radius of curvature of the curved recess 57C3 of the sixth recess 57C.
  • each of the second lead terminals 41 to 48 will now be described. 7, of the second lead terminals 41 to 48, the second lead terminals 41 to 44 are provided around the second die pad 50A. The second lead terminals 45 to 48 are provided around the third die pad 50B.
  • the second lead terminals 41-48 include second inner lead portions 41A-48A provided in the sealing resin 90 and the second outer lead portions 41B-48B described above.
  • the configuration of the second inner lead portions 41A-48A is described below.
  • the second inner lead portion 41A of the second lead terminal 41 is connected to the second die pad 50A.
  • the second inner lead portion 41A is connected to a portion of the second die pad 50A that is closer to the third sealing side surface 95 than the fourth recessed portion 56A.
  • the second inner lead portion 41A is connected to the end portion of the second die pad 50A that is closer to the third sealing side surface 95 than both ends in the Y direction.
  • the second inner lead portion 41A extends along the X direction from the second die pad 50A toward the first sealing side surface 93.
  • Each of the first inner lead portions 42A to 44A of the second lead terminals 42 to 44 includes a portion that fits into the fourth recessed portion 56A of the third die pad 50B.
  • the second lead terminal 42 is formed in an L-shape in a plan view.
  • the second lead terminal 42 includes a wire connection portion 42AA and a lead connection portion 42AB extending from the wire connection portion 42AA toward the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 42AA enters the fourth recessed portion 56A of the second die pad 50A.
  • the wire connection portion 42AA extends in the Y direction.
  • the lead connection portion 42AB extends along the X direction.
  • the lead connection portion 42AB is disposed closer to the third sealing side surface 95 than the second chip 70.
  • the lead connection portion 42AB is connected to the second outer lead portion 42B.
  • the second lead terminal 43 is formed in an L-shape in a plan view.
  • the second lead terminal 43 includes a wire connection portion 43AA and a lead connection portion 43AB that extends from the wire connection portion 43AA toward the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 43AA fits into the fourth recessed portion 56A of the second die pad 50A.
  • the wire connection portion 43AA extends in the Y direction.
  • the length dimension (size in the Y direction) of the wire connection portion 43AA is smaller than the length dimension (size in the Y direction) of the wire connection portion 42AA.
  • a sloping surface 43AC is formed in the corner portion of the wire connection portion 43AA that is closer to the second lead terminal 42 and the second die pad 50A.
  • the sloping surface 43AC slopes toward the second lead terminal 42 as it moves from the second die pad 50A toward the second sealing side surface 94.
  • the lead connection portion 43AB extends along the X direction. When viewed from the X direction, the lead connection portion 43AB is disposed at a position overlapping the second chip 70. The lead connection portion 43AB is connected to the second outer lead portion 43B.
  • the second lead terminal 44 is formed in a T-shape in a plan view.
  • the second lead terminal 44 includes a wire connection portion 44AA and a lead connection portion 44AB that extends from the wire connection portion 44AA toward the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 44AA fits into the fourth recessed portion 56A of the second die pad 50A.
  • the wire connection portion 44AA extends in the Y direction.
  • the length dimension (size in the Y direction) of the wire connection portion 44AA is smaller than the length dimension (size in the Y direction) of the wire connection portion 42AA.
  • the lead connection portion 44AB extends along the X direction.
  • the lead connection portion 44AB is located closer to the fourth sealing side surface 96 (see FIG. 7) than the second chip 70.
  • the lead connection portion 44AB is connected to the second outer lead portion 44B.
  • the second inner lead portion 45A of the second lead terminal 45 includes a portion that enters the sixth recess portion 57C of the third die pad 50B.
  • the second inner lead portion 47A of the second lead terminal 47 includes a portion that enters the seventh recess portion 57D.
  • the second inner lead portion 48A of the second lead terminal 48 includes a portion that enters the fifth recess portion 57B.
  • the second inner lead portion 46A of the second lead terminal 46 is connected to the third die pad 50B.
  • the second lead terminal 48 is formed in an L-shape in a plan view.
  • the second lead terminal 48 includes a wire connection portion 48AA and a lead connection portion 48AB that extends from the wire connection portion 48AA toward the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 48AA fits into the fifth recessed portion 57B of the third die pad 50B.
  • the wire connection portion 48AA extends in the Y direction.
  • the wire connection portion 48AA includes a recessed portion 48AC.
  • the recessed portion 48AC is formed in a portion of the wire connection portion 48AA closer to the second lead terminal 47.
  • the recessed portion 48AC is recessed from the end of the wire connection portion 48AA closer to the second sealing side surface 94 in the X direction toward the protruding portion 58B of the third die pad 50B.
  • the recessed portion 48AC includes a first surface 48AC1 extending in the X direction, a second surface 48AC2 extending in the Y direction, and a curved recessed portion 48AC3 formed between the first surface 48AC1 and the second surface 48AC2.
  • the first surface 48AC1 is disposed closer to the second lead terminal 47 than the lead connection portion 48AB.
  • the second surface 48AC2 is disposed at a position overlapping the second lead terminal 47 when viewed from the X direction.
  • the curved recessed portion 48AC3 is formed as an arc portion connecting the first surface 48AC1 and the second surface 48AC2.
  • the arc length of the curved recess 48AC3 is greater than the arc length of the second distal curved surface 55BB.
  • the radius of curvature of the curved recess 48AC3 is greater than the radius of curvature of the second distal curved surface 55BB.
  • the narrow portion 48AA1 of the wire connection portion 48AA whose width is narrowed by the recess 48AC, extends along the Y direction.
  • the width dimension (size in the X direction) of the narrow portion 48AA1 is greater than the width dimension (size in the Y direction) of the lead connection portion 48AB.
  • a through hole 48AD is formed in the wire connection portion 48AA.
  • the through hole 48AD is formed in a portion of the wire connection portion 48AA that is closer to the lead connection portion 48AB than the recessed portion 48AC.
  • the shape of the through hole 48AD in a plan view is circular.
  • the through hole 48AD is filled with sealing resin 90. The shape and size of the through hole 48AD can be changed as desired.
  • the wire connection portion 48AA has an inclined surface 48AE.
  • the inclined surface 48AE is formed in a corner portion of the wire connection portion 48AA that is closer to the protrusion 58B and the fourth sealing side surface 96.
  • the inclined surface 48AE inclines from the third sealing side surface 95 (see FIG. 7) toward the fourth sealing side surface 96 as it moves from the protrusion 58B toward the second sealing side surface 94.
  • the lead connection portion 48AB extends along the X direction.
  • the lead connection portion 48AB is disposed closer to the fourth sealing side surface 96 than the third die pad 50B.
  • the lead connection portion 48AB is connected to the second outer lead portion 48B.
  • the second lead terminal 47 is formed in an L-shape in a plan view.
  • the second lead terminal 47 includes a wire connection portion 47AA and a lead connection portion 47AB that extends from the wire connection portion 47AA toward the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 47AA penetrates into the recessed portion 48AC of the wire connection portion 48AA of the second lead terminal 48. In other words, the wire connection portion 47AA penetrates into both the recessed portion 48AC of the wire connection portion 48AA of the second lead terminal 48 and the seventh recessed portion 57D of the third die pad 50B.
  • the wire connection portion 47AA extends in the Y direction.
  • the width dimension (size in the X direction) of the wire connection portion 47AA is smaller than the width dimension (size in the X direction) of the wire connection portion 48AA of the second lead terminal 48.
  • the lead connection portion 47AB extends along the X direction.
  • the lead connection portion 47AB is disposed closer to the fourth sealing side surface 96 than the sixth recessed portion 57C of the second die pad 50A.
  • the lead connection portion 47AB is connected to the second outer lead portion 47B.
  • the second inner lead portion 46A of the second lead terminal 46 is connected to the connection portion 59B of the third die pad 50B.
  • the width dimension (size in the Y direction) of the second inner lead portion 46A is smaller than the width dimension (size in the Y direction) of the connection portion 59B.
  • the second inner lead portion 46A is connected to a portion of the connection portion 59B closer to the fourth sealing side surface 96.
  • the second lead terminal 45 is formed in a T-shape in a plan view.
  • the second lead terminal 45 includes a wire connection portion 45AA and a lead connection portion 45AB extending from the wire connection portion 45AA toward the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 45AA enters the sixth recess 57C of the third die pad 50B.
  • the wire connection portion 45AA extends in the Y direction.
  • the lead connection portion 45AB extends along the X direction. When viewed from the X direction, the lead connection portion 45AB is disposed closer to the third sealing side surface 95 (see FIG. 7 ) than the third chip 80.
  • the lead connection portion 45AB is connected to the second outer lead portion 45B.
  • the second lead terminals 42-44 are disposed away from the second die pad 50A, and therefore correspond to the "second remote terminals.”
  • the second lead terminals 45, 47, and 48 are disposed away from the third die pad 50B, and therefore correspond to the "third remote terminals.”
  • the second lead terminal 41 is integrated with the second die pad 50A, and therefore corresponds to the "second connection terminal.”
  • the second lead terminal 46 is integrated with the third die pad 50B, and therefore corresponds to the "third connection terminal.”
  • the wire connection portions 42AA-44AA of the second lead terminals 42-44 correspond to the "fourth portion," and the lead connection portions 42AB-44AB correspond to the "third portion.”
  • the wire connection parts 45AA, 47AA, and 48AA of the second lead terminals 45, 47, and 48 correspond to the "sixth part," and the lead connection parts 45AB, 47AB, and 48AB correspond to the "fifth part.”
  • FIG. 14 shows the cross-sectional structure of the wire connection portion 48AA of the second inner lead portion 48A.
  • the cross-sectional structures of the wire connection portions 42AA to 45AA, and 47AA of the second inner lead portions 42A to 45A, and 47A are similar to the cross-sectional structure of the wire connection portion 48AA, so detailed description thereof will be omitted.
  • the reference numerals relating to the second inner lead portion 48A are the same as those relating to the first inner lead portion 11A.
  • the inner lead body 20B of the wire connection portion 48AA has an inner lead surface 21B, an inner lead back surface 22B opposite the inner lead surface 21B, and an inner lead side surface 23B connecting the inner lead surface 21B and the inner lead back surface 22B.
  • the inner lead surface 21B of the wire connection portion 43AA faces the same side as the inner lead surface 21B of the wire connection portion 11AA (see Figure 11)
  • the inner lead back surface 22B of the wire connection portion 48AA faces the same side as the inner lead back surface 22B of the wire connection portion 11AA (see Figure 11).
  • the tip surface 24B faces the first surface 57B1 (see FIG. 13) of the fifth recessed portion 57B of the third die pad 50B in the Y direction.
  • the tip surface 24B is formed in a concave shape that is recessed away from the sixth side surface 54B.
  • the tip surface 24B is recessed from both the end on the inner lead front surface 21B side and the end on the inner lead back surface 22B side toward the center of the tip surface 24B in the Z direction.
  • the deepest position of the concave tip surface 24B is about 1/3 of the thickness of the wire connection portion 43AA from the inner lead back surface 22B.
  • the shape of the tip surface 24B in the cross-sectional view of FIG. 14 can be changed as desired.
  • a plating layer 29 is formed on the inner lead surface 21B.
  • the plating layer 29 is formed of a material containing, for example, silver.
  • the plating layer 29 is formed of the same material as the plating layer 29 of the wire connection portion 11AA (see FIG. 11).
  • the plating layer 29 is formed over almost the entire inner lead surface 21B.
  • the thickness of the plating layer 29 is thinner than the thickness of the inner lead body 20B of the wire connection portion 48AA.
  • the thickness of the plating layer 29 of the wire connection portion 48AA is equal to the thickness of the plating layer 29 of the wire connection portion 11AA.
  • the thickness of the plating layer 29 of the wire connection portion 48AA is, for example, within 20% of the thickness of the plating layer 29 of the wire connection portion 48AA, it can be said that the thickness of the plating layer 29 of the wire connection portion 48AA is equal to the thickness of the plating layer 29 of the wire connection portion 11AA.
  • End surface 29A of plating layer 29 near tip surface 24B of wire connection portion 48AA is formed at a position closer to lead connection portion 48AB (see FIG. 13) than the edge of inner lead surface 21B near tip surface 24B.
  • plating layer 29 does not cover the edge of inner lead surface 21B near tip surface 24B.
  • the end of inner lead surface 21B, including the edge near tip surface 24B, is in contact with sealing resin 90 (see FIG. 1).
  • end surface 29A of plating layer 29 is inclined away from the end surface of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B as it moves from the front surface to the back surface of plating layer 29.
  • the distance in the X direction between the back surface of plating layer 29 and the edge of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B is, for example, equal to or greater than the thickness of plating layer 29. Note that the distance in the X direction between the back surface of plating layer 29 and the edge of inner lead surface 21B closer to tip surface 24B can be changed as desired.
  • the plating layer 29 does not cover the tip surface 24B of the wire connection portion 48AA. Therefore, the tip surface 24B is in contact with the sealing resin 90. Furthermore, although not shown, the plating layer 29 does not cover the inner lead side surface 23B other than the tip surface 24B. Therefore, the inner lead side surface 23B is in contact with the sealing resin 90.
  • the first chip 60 mounted on the first die pad 30 has a chip surface 61, a chip back surface 62 (see FIG. 21) facing the opposite side to the chip surface 61 in the Z direction, and first to fourth chip side surfaces 63 to 66 connecting the chip surface 61 and the chip back surface 62.
  • a chip front surface 61 faces the side opposite to the first die pad 30 side with respect to the first chip 60
  • a chip back surface 62 faces the side facing the first die pad 30
  • the first chip side surface 63 and the second chip side surface 64 constitute both end surfaces in the X direction of the first chip 60 in a plan view.
  • the first chip side surface 63 is the chip side surface on the side of the first chip 60 on which the first lead terminals 11 to 18 are arranged
  • the second chip side surface 64 is the chip side surface on the side of the first chip 60 on which the second chip 70 and the third chip 80 are arranged.
  • the third chip side surface 65 and the fourth chip side surface 66 constitute both end surfaces in the Y direction of the first chip 60 in a plan view.
  • the third chip side surface 65 is the chip side surface closer to the third sealing side surface 95 of the sealing resin 90
  • the fourth chip side surface 66 is the chip side surface closer to the fourth sealing side surface 96.
  • the first chip 60 has a plurality of first electrode pads 67 (six in the first embodiment), a plurality of second electrode pads 68 (seven in the first embodiment), and a plurality of third electrode pads 69 (two in the first embodiment).
  • Each of the first electrode pads 67, each of the second electrode pads 68, and each of the third electrode pads 69 are provided so as to be exposed from the chip surface 61.
  • the number of each of the second electrode pads 68 and third electrode pads 69 can be changed as desired.
  • Each of the first electrode pads 67, second electrode pads 68, and third electrode pads 69 may include at least one of titanium (Ti), titanium nitride (TiN), copper (Cu), aluminum (Al), and tungsten (W).
  • each of the first electrode pads 67, second electrode pads 68, and third electrode pads 69 has a laminated structure of titanium and copper.
  • the material constituting one or two types of electrode pads among each of the first electrode pads 67, second electrode pads 68, and third electrode pads 69 may be different from the material constituting the remaining types of electrode pads.
  • each of the first electrode pads 67, each of the second electrode pads 68, and each of the third electrode pads 69 includes aluminum.
  • each of the first electrode pads 67, each of the second electrode pads 68, and each of the third electrode pads 69 exposed from the chip surface 61 has a thickness of 2 ⁇ m or more. Note that the thickness of each of the first electrode pads 67, each of the second electrode pads 68, and each of the third electrode pads 69 can be changed as desired.
  • the first electrode pads 67 are electrode pads electrically connected to the second chip 70 and the third chip 80.
  • the first electrode pads 67 are provided at a position closer to the second chip side surface 64 than the center of the X direction of the chip surface 61 in a plan view.
  • the first electrode pads 67 are arranged at the same position as each other in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the first electrode pads 67 can be divided into three first electrode pads 67 electrically connected to the second chip 70 and three first electrode pads 67 electrically connected to the third chip 80.
  • the three first electrode pads 67 electrically connected to the second chip 70 are arranged closer to the third chip side surface 65 on the chip surface 61.
  • the three first electrode pads 67 electrically connected to the third chip 80 are arranged closer to the fourth chip side surface 66 on the chip surface 61.
  • the second electrode pads 68 are electrode pads that are individually and electrically connected to the first lead terminals 11-13 and 15-18.
  • the second electrode pads 68 are located closer to the first chip side surface 63 than the center of the chip surface 61 in the X direction in a plan view.
  • the multiple third electrode pads 69 are electrode pads electrically connected to the first die pad 30. Each third electrode pad 69 has the same potential as the first die pad 30, i.e., the first ground potential.
  • the multiple third electrode pads 69 are arranged on the chip surface 61 closer to the first side surface 33 than the connection portion 39 of the first die pad 30 in a planar view.
  • the multiple third electrode pads 69 are arranged on the end of the chip surface 61 closer to the first chip side surface 63 in a planar view.
  • the second chip 70 mounted on the second die pad 50A has a chip surface 71, a chip back surface (not shown) facing the opposite side to the chip surface 71 in the Z direction, and first to fourth chip side surfaces 73 to 76 connecting the chip surface 71 and the chip back surface.
  • the chip front surface 71 faces the side opposite to the second die pad 50A with respect to the second chip 70, and the chip back surface faces the side facing the second die pad 50A.
  • the first chip side surface 73 and the second chip side surface 74 constitute both end surfaces in the X direction of the second chip 70 in a plan view.
  • the first chip side surface 73 is the chip side surface on the side of the second chip 70 on which the first chip 60 (see FIG. 7) is arranged
  • the second chip side surface 74 is the chip side surface on the side of the second chip 70 on which the second lead terminals 41 to 48 are arranged.
  • the third chip side surface 75 and the fourth chip side surface 76 constitute both end surfaces in the Y direction of the second chip 70 in a plan view.
  • the third chip side surface 75 is the chip side surface closer to the third sealing side surface 95 of the sealing resin 90
  • the fourth chip side surface 76 is the chip side surface closer to the fourth sealing side surface 96.
  • the second chip 70 has a plurality of first electrode pads 77 (three in the first embodiment), a plurality of second electrode pads 78 (four in the first embodiment), and a plurality of third electrode pads 79 (three in the first embodiment).
  • Each of the first electrode pads 77, each of the second electrode pads 78, and each of the third electrode pads 79 are provided so as to be exposed from the chip surface 71.
  • Each of the first electrode pads 77, second electrode pads 78, and third electrode pads 79 may include at least one of titanium, titanium nitride, copper, aluminum, and tungsten.
  • each of the first electrode pads 77, second electrode pads 78, and third electrode pads 79 has a laminated structure of titanium and copper. Note that the material constituting one or two types of electrode pads among each of the first electrode pads 77, second electrode pads 78, and third electrode pads 79 may be different from the material constituting the remaining types of electrode pads.
  • each of the first electrode pads 77, each of the second electrode pads 78, and each of the third electrode pads 79 includes aluminum.
  • each of the first electrode pads 77, each of the second electrode pads 78, and each of the third electrode pads 79 exposed from the chip surface 71 has a thickness of 2 ⁇ m or more. Note that the thickness of each of the first electrode pads 77, each of the second electrode pads 78, and each of the third electrode pads 79 can be changed as desired.
  • the multiple first electrode pads 77 are electrode pads that are individually and electrically connected to three of the multiple first electrode pads 67 of the first chip 60 that are closer to the third chip side surface 65.
  • the multiple first electrode pads 77 are provided in a position closer to the first chip side surface 73 than the center in the X direction of the chip surface 71 in a plan view.
  • the multiple first electrode pads 77 are arranged at the same positions as each other in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the second electrode pads 78 are electrode pads that are individually and electrically connected to the second lead terminals 42, 43.
  • the second electrode pads 78 are provided at positions closer to the fourth chip side surface 76 than the center of the chip surface 71 in the Y direction in a plan view.
  • the multiple third electrode pads 79 are electrode pads electrically connected to the second die pad 50A. Each third electrode pad 79 has the same potential as the second die pad 50A, i.e., the second ground potential.
  • the multiple third electrode pads 79 are provided at the ends of both ends in the Y direction of the chip surface 71 that are closer to the third sealing side surface 95 in a plan view.
  • the multiple third electrode pads 79 are arranged at the same positions as each other in the Y direction and spaced apart from each other in the X direction.
  • the third chip 80 mounted on the third die pad 50B has a chip surface 81, a chip back surface (not shown) facing the opposite side to the chip surface 81 in the Z direction, and first to fourth chip side surfaces 83 to 86 connecting the chip surface 81 and the chip back surface.
  • the chip front surface 81 faces the side opposite to the third die pad 50B with respect to the third chip 80, and the chip back surface faces the side facing the third die pad 50B.
  • the first chip side surface 83 and the second chip side surface 84 constitute both end surfaces in the X direction of the third chip 80 in a plan view.
  • the first chip side surface 83 is the chip side surface on the side of the third chip 80 on which the first chip 60 (see FIG. 7) is arranged
  • the second chip side surface 84 is the chip side surface on the side of the third chip 80 on which the second lead terminals 41 to 48 are arranged.
  • the third chip side surface 85 and the fourth chip side surface 86 constitute both end surfaces in the Y direction of the third chip 80 in a plan view.
  • the third chip side surface 85 is the chip side surface closer to the third sealing side surface 95 of the sealing resin 90
  • the fourth chip side surface 86 is the chip side surface closer to the fourth sealing side surface 96.
  • the third chip 80 has a plurality of first electrode pads 87 (three in the first embodiment), a plurality of second electrode pads 88 (four in the first embodiment), and a plurality of third electrode pads 89 (two in the first embodiment).
  • Each of the first electrode pads 87, each of the second electrode pads 88, and each of the third electrode pads 89 are provided so as to be exposed from the chip surface 81.
  • Each of the first electrode pads 87, second electrode pads 88, and third electrode pads 89 may include at least one of titanium, titanium nitride, copper, aluminum, and tungsten.
  • each of the first electrode pads 87, second electrode pads 88, and third electrode pads 89 has a laminated structure of titanium and copper. Note that the material constituting one or two types of electrode pads among each of the first electrode pads 87, second electrode pads 88, and third electrode pads 89 may be different from the material constituting the remaining types of electrode pads.
  • each of the first electrode pads 87, each of the second electrode pads 88, and each of the third electrode pads 89 includes aluminum.
  • each of the first electrode pads 87, each of the second electrode pads 88, and each of the third electrode pads 89 exposed from the chip surface 81 has a thickness of 2 ⁇ m or more. Note that the thickness of each of the first electrode pads 87, each of the second electrode pads 88, and each of the third electrode pads 89 can be changed as desired.
  • the multiple first electrode pads 87 are electrode pads that are individually and electrically connected to three of the multiple first electrode pads 67 on the first chip 60 that are closer to the fourth chip side surface 66.
  • the multiple first electrode pads 87 are provided in a position closer to the first chip side surface 83 than the center in the X direction of the chip surface 81 in a plan view.
  • the multiple first electrode pads 87 are arranged at the same positions as each other in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the second electrode pads 88 are electrode pads that are individually and electrically connected to the second lead terminals 47, 48.
  • the second electrode pads 88 are provided at positions closer to the fourth chip side surface 86 than the center of the chip surface 81 in the Y direction in a plan view.
  • the multiple third electrode pads 89 are electrode pads electrically connected to the third die pad 50B. Each third electrode pad 89 has the same potential as the third die pad 50B, i.e., the third ground potential.
  • the multiple third electrode pads 89 are provided at the ends closer to the third sealing side surface 95 of both ends in the Y direction of the chip surface 81 in a plan view.
  • the multiple third electrode pads 89 are arranged at the same positions as each other in the Y direction and spaced apart from each other in the X direction.
  • signal transmission device 10 includes inter-chip wires WA that individually connect first chip 60 to second chip 70 and third chip 80, first lead wires WB that individually connect first chip 60 to first lead terminals 11 to 13, 15, 16, 18, and first die pad wires WC that connect first chip 60 to first die pad 30.
  • Inter-chip wires WA, first lead wires WB, and first die pad wires WC are sealed with sealing resin 90.
  • each inter-chip wire WA extends obliquely toward the third sealing side surface 95 as it moves from the first electrode pad 67 toward the first electrode pad 77.
  • the three inter-chip wires WA are parallel to each other in a planar view.
  • each inter-chip wire WA extends obliquely toward the fourth sealing side surface 96 as it moves from the first electrode pad 67 toward the first electrode pad 87.
  • the three inter-chip wires WA are parallel to each other in a planar view.
  • the multiple second electrode pads 68 of the first chip 60 and the first lead terminals 11 to 13 are individually connected by multiple (four in the first embodiment) first lead wires WB. This allows the first chip 60 and the first lead terminals 11 to 13 to be individually electrically connected.
  • Each of the first lead terminals 11 and 12 is individually connected to the multiple second electrode pads 68 by one first lead wire WB.
  • the first lead terminal 13 is individually connected to the multiple second electrode pads 68 by two first lead wires WB.
  • the second electrode pads 68 of the first chip 60 and the first lead terminals 15, 16, and 18 are individually connected by a plurality of first lead wires WB (four in the first embodiment). This electrically connects the first chip 60 and the first lead terminals 15, 16, and 18. Each of the first lead terminals 15, 16, and 18 is individually connected to the second electrode pads 68 by one first lead wire WB.
  • the first lead terminal 17 is not electrically connected to the first chip 60. In other words, the first lead terminal 17 is in an electrically floating state. In the first embodiment, the first lead terminal 17 can also be said to be a dummy terminal.
  • the first lead wire WB is a bonding wire formed by a wire bonding device.
  • the first lead wire WB has a first bond portion at the joint with the second electrode pad 68, and a second bond portion at the joint with the first lead terminals 11-13, 15, 16, 18.
  • the first lead wire WB is connected to the wire connection portions 11AA-13AA, 15AA, 16AA, 18AA of the first inner lead portions 11A-13A, 15A, 16A, 18A of the first lead terminals 11-13, 15, 16, 18.
  • the wire connection portion 11AA includes a side surface that intersects with the first lead wire WB that connects to the wire connection portion 11AA in a planar view. This side surface faces the first die pad 30 in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 11AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 11AA, and faces the first surface 36A1 of the first recessed portion 36A of the first die pad 30 in the Y direction.
  • the first lead wire WB is connected to the end of the wire connection portion 11AA of the first lead terminal 11 that is closer to the first chip 60.
  • the wire connection portion 12AA includes a side surface that intersects with the first lead wire WB that connects to the wire connection portion 12AA in a planar view. This side surface faces the first die pad 30 in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 12AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 12AA, and faces the first surface 36A1 of the first recessed portion 36A of the first die pad 30 in the Y direction.
  • the first lead wire WB is connected to the end of the wire connection portion 12AA of the first lead terminal 12 that is closer to the first chip 60.
  • the wire connection portion 13AA includes a side surface that intersects with the first lead wire WB that connects to the wire connection portion 13AA in a planar view. This side surface faces the first die pad 30 in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 13AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 13AA, and faces the first surface 36A1 of the first recessed portion 36A of the first die pad 30 in the Y direction.
  • the two first lead wires WB are connected to a portion of the wire connection portion 13AA of the first lead terminal 13 that is closer to the first chip 60 than the lead connection portion 13AB.
  • the wire connection portion 15AA includes a side surface that intersects with the first lead wire WB that connects to the wire connection portion 15AA in a planar view. This side surface faces the first die pad 30 in a planar view. In the first embodiment, the side surface of the wire connection portion 15AA forms the tip surface of the wire connection portion 15AA, and faces the second surface 36C2 of the third recessed portion 36C of the first die pad 30 in the X direction.
  • the wire connection portion 16AA includes a side surface that intersects with the first lead wire WB that connects to the wire connection portion 16AA in a planar view. This side surface faces the first die pad 30 in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 16AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 16AA, and faces the second surface 36C2 of the third recess portion 36C of the first die pad 30 in the X direction.
  • the side surface of the wire connection portion 16AA faces the second surface 17AC2 of the recess portion 17AC of the first lead terminal 17.
  • the wire connection portion 18AA includes a side surface that intersects with the first lead wire WB that connects to the wire connection portion 18AA in a planar view. This side surface faces the first die pad 30 in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 18AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 18AA, and faces the first surface 36B1 of the second recessed portion 36B of the first die pad 30 in the Y direction.
  • the first lead wire WB is connected to the end of the wire connection portion 18AA that is closer to the first chip 60.
  • the multiple third electrode pads 69 of the first chip 60 and the first die pad 30 are individually connected by multiple (two in the first embodiment) first die pad wires WC. This electrically connects the first chip 60 and the first die pad 30. In other words, the multiple third electrode pads 69 are at the first ground potential. It can also be said that the multiple third electrode pads 69 are electrically connected to the first lead terminal 14.
  • the wire WC for the first die pad is a bonding wire formed by a wire bonding device.
  • the bond portion of the wire WC for the first die pad with the third electrode pad 69 is a first bond portion
  • the bond portion of the wire WC for the first die pad 30 is a second bond portion.
  • the second bond portion is formed in the connection portion 39.
  • the signal transmission device 10 includes second lead wires WD that individually connect the second chip 70 and the third chip 80 to the multiple second lead terminals 42, 43, 47, 48, a second die pad wire WE that connects the second chip 70 to the second die pad 50A, and a third die pad wire WF that connects the third chip 80 to the third die pad 50B.
  • the second lead wires WD, the second die pad wires WE, and the third die pad wires WF are sealed with sealing resin 90.
  • the second electrode pads 78 of the second chip 70 and the second lead terminals 42, 43 are individually connected by a plurality of second lead wires WD (four in the first embodiment). This allows the second chip 70 and the second lead terminals 42, 43 to be individually electrically connected. Each of the second lead terminals 42, 43 is individually connected to the second electrode pads 78 by two second lead wires WD. On the other hand, the second lead terminal 44 is not electrically connected to the second chip 70. In other words, the second lead terminal 44 is in an electrically floating state. In the first embodiment, the second lead terminal 44 can also be said to be a dummy terminal.
  • the second electrode pads 88 of the third chip 80 and the second lead terminals 47, 48 are individually connected by a plurality of second lead wires WD (four in the first embodiment). This allows the third chip 80 and the second lead terminals 47, 48 to be individually electrically connected. Each of the second lead terminals 47, 48 is individually connected to the second electrode pads 88 by two second lead wires WD.
  • the second lead terminal 45 is not electrically connected to the third chip 80. In other words, the second lead terminal 45 is in an electrically floating state. In the first embodiment, the second lead terminal 45 can also be said to be a dummy terminal.
  • the second lead wire WD is a bonding wire formed by a wire bonding device.
  • the bonded portion of the second lead wire WD with the second electrode pad 78 is the first bond portion
  • the bonded portion with the second lead terminals 42, 43, 47, 48 is the second bond portion.
  • the second lead wire WD is connected to the wire connection portions 42AA, 43AA, 47AA, 48AA of the second inner lead portions 42A, 43A, 47A, 48A of the second lead terminals 42, 43, 47, 48.
  • the wire connection portion 42AA includes a side surface that intersects with the second lead wire WD that connects to the wire connection portion 42AA in a planar view. This side surface faces the second die pad 50A in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 42AA forms the tip surface of the wire connection portion 42AA, and faces the second surface 56A2 of the fourth recess portion 56A of the second die pad 50A in the Y direction.
  • the wire connection portion 43AA includes a side surface that intersects with the second lead wire WD that connects to the wire connection portion 43AA in a planar view. This side surface faces the second die pad 50A in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 43AA forms the tip surface of the wire connection portion 43AA, and faces the second surface 56A2 of the fourth recess portion 56A of the second die pad 50A in the Y direction.
  • the wire connection portion 47AA includes a side surface that intersects with the second lead wire WD that connects to the wire connection portion 47AA in a planar view. This side surface faces the second die pad 50A in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 47AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 47AA, and faces the second surface 57D2 of the seventh recess portion 57D of the second die pad 50A in the Y direction.
  • the side surface of the wire connection portion 47AA faces the second surface 48AC2 of the recess portion 48AC of the wire connection portion 48AA of the second lead terminal 48.
  • the wire connection portion 48AA includes a side surface that intersects with the second lead wire WD that connects to the wire connection portion 48AA in a planar view. This side surface faces the second die pad 50A in a planar view.
  • the side surface of the wire connection portion 48AA constitutes the tip surface of the wire connection portion 48AA, and faces the first surface 57B1 of the fifth recess portion 57B of the second die pad 50A in the Y direction.
  • the second lead wire WD is connected to the end of the wire connection portion 48AA that is closer to the third chip 80.
  • the multiple third electrode pads 79 of the second chip 70 and the second die pad 50A are individually connected by multiple (three in the first embodiment) second die pad wires WE. This electrically connects the second chip 70 and the second die pad 50A. Therefore, the third electrode pad 79 of the second chip 70 is at the second ground potential. It can also be said that the third electrode pad 79 is electrically connected to the second lead terminal 41.
  • the second die pad wires WE are connected to a portion of the second die pad 50A that is closer to the third side surface 53A than the second chip 70.
  • the third electrode pads 89 of the third chip 80 and the third die pad 50B are individually connected by multiple (two in the first embodiment) third die pad wires WF. This electrically connects the third chip 80 and the third die pad 50B. Therefore, the third electrode pad 89 of the third chip 80 is at the third ground potential. It can also be said that the third electrode pad 89 is electrically connected to the second lead terminal 46.
  • the third die pad wires WF are connected to a portion of the third die pad 50B closer to the fifth side surface 53B than the third chip 80.
  • Each of the wire WE for the second die pad and the wire WF for the third die pad is a bonding wire formed by a wire bonding device.
  • the bond portion of the wire WE for the second die pad to the third electrode pad 79 is the first bond portion
  • the bond portion of the wire WE for the second die pad 50A is the second bond portion.
  • the bond portion of the wire WF for the third die pad to the third electrode pad 89 is the first bond portion
  • the bond portion of the wire WF for the third die pad to the third die pad 50B is the second bond portion.
  • the material constituting the inter-chip wire WA is different from the material constituting each of the first lead wire WB, the first die pad wire WC, the second lead wire WD, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF.
  • the first lead wire WB, the first die pad wire WC, the second lead wire WD, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF are each made of the same material.
  • the inter-chip wire WA is made of a material containing gold.
  • Each of the first lead wire WB, the first die pad wire WC, the second lead wire WD, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF is made of a material containing copper.
  • each of the first lead wire WB, the first die pad wire WC, the second lead wire WD, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF is made of a copper wire whose surface is coated with palladium (Pd). This can improve oxidation resistance and corrosion resistance compared to a copper wire whose surface is not coated with palladium.
  • each of the first lead wire WB, the first die pad wire WC, the second lead wire WD, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF may be made of a material containing aluminum.
  • a security bond WC1 is formed on the second bond portion of each wire WC for the first die pad.
  • a security bond WE1 is formed on the second bond portion of each wire WE for the second die pad.
  • a security bond WF1 is formed on the second bond portion of each wire WF for the third die pad.
  • FIG. 15 shows an oblique view of the second bond portion of the wire WF for the third die pad and its surroundings. Note that since the configuration of the second bond portion of the wire WF for the third die pad is the same as the configurations of the second bond portions of the wire WC for the first die pad and the wire WE for the second die pad, the configuration of the second bond portion of the wire WF for the third die pad will be described in detail, and a detailed description of the configurations of the second bond portions of the wire WC for the first die pad and the wire WE for the second die pad will be omitted.
  • the second bond portion of the wire WF for the third die pad includes a joint WFP that is bonded to the third die pad 50B.
  • the joint WFP is a portion that is crushed by being pressed against the third die pad 50B by the wire bonding device.
  • the thickness of the joint WFP is smaller than the diameter of the wire WF for the third die pad.
  • the security bond WF1 is formed, for example, by providing a stud bump SB on the joint WFP.
  • the stud bump SB is formed by ball bonding using a wire bonding device.
  • the joint WFP is sandwiched between the third die pad 50B and the stud bump SB.
  • the circuit configuration of the signal transmission device 10 of the first embodiment will be described with reference to FIG.
  • the signal transmission device 10 includes a first circuit 500, a second circuit 520, and a third circuit 530, as well as a first transformer 111 and a second transformer 112.
  • the first chip 60 includes the first circuit 500, the first transformer 111, and the second transformer 112
  • the second chip 70 includes the second circuit 520
  • the third chip 80 includes the third circuit 530.
  • the first transformer 111 is configured to insulate the first circuit 500 from the second circuit 520 and to enable signal exchange between the first circuit 500 and the second circuit 520.
  • the second transformer 112 is configured to insulate the first circuit 500 from the third circuit 530 and to enable signal exchange between the first circuit 500 and the third circuit 530.
  • the signal transmission device 10 also includes first terminals P1 to P6, which are external terminals electrically connected to the first circuit 500, and second terminals Q1 to Q6, which are external terminals electrically connected to the second circuit 520 and the third circuit 530.
  • the first terminal P1 is a power supply terminal (VDDI), the first terminal P2 is a regulator terminal (SLDO), the first terminal P3 is a signal input terminal (PWM), the first terminal P4 is an unused terminal (DISABLE), the first terminal P5 is a timing adjustment terminal (TNEG), and the first terminal P6 is a ground terminal (GNDI).
  • the first terminal P1 corresponds to the first lead terminal 13
  • the first terminal P2 corresponds to the first lead terminal 18
  • the first terminal P3 corresponds to the first lead terminal 11
  • the first terminal P4 corresponds to the first lead terminal 15
  • the first terminal P5 corresponds to the first lead terminal 16
  • the first terminal P6 corresponds to the first lead terminal 14.
  • the first lead terminals 12 and 17 are dummy terminals (terminals not connected internally).
  • the second terminal Q1 is a ground terminal (GNDG), the second terminal Q2 is an output terminal (OUTG), the second terminal Q3 is a power terminal (VDDG), the second terminal Q4 is a ground terminal (GNDS), the second terminal Q5 is an output terminal (OUTS), and the second terminal Q6 is a power terminal (VDDS).
  • the second terminal Q1 corresponds to the second lead terminal 41
  • the second terminal Q2 corresponds to the second lead terminal 42
  • the second terminal Q3 corresponds to the second lead terminal 43
  • the second terminal Q4 corresponds to the second lead terminal 46
  • the second terminal Q5 corresponds to the second lead terminal 47
  • the second terminal Q6 corresponds to the second lead terminal 48.
  • the second lead terminals 44 and 45 are dummy terminals (terminals not connected internally).
  • the first circuit 500 includes a first transmitting unit 501, a second transmitting unit 502, a logic unit 503, an LDO (Low Dropout) unit 504, a UVLO (Under Voltage Lock Out) unit 505, a delay unit 506, Schmitt triggers 507 and 508, and resistors 509 and 510.
  • LDO Low Dropout
  • UVLO Under Voltage Lock Out
  • the first terminal P1 is electrically connected to the UVLO unit 505 and the LDO unit 504, the first terminal P2 is electrically connected to the LDO unit 504, the first terminals P3 and P4 are electrically connected to the logic unit 503, and the first terminal P5 is electrically connected to the delay unit 506.
  • the LDO unit 504 is electrically connected to the UVLO unit 505.
  • Each of the UVLO unit 505, the delay unit 506, the first transmission unit 501, and the second transmission unit 502 is electrically connected to the logic unit 503.
  • the first transmission unit 501 is electrically connected to the first coil of the first transformer 111.
  • the first transmission unit 501 is configured to transmit the PWM signal input from the logic unit 503 to the second circuit 520 using the first transformer 111.
  • the second transmitting unit 502 is electrically connected to the first coil of the second transformer 112.
  • the second transmitting unit 502 is configured to transmit the PWM signal input from the logic unit 503 to the third circuit 530 using the second transformer 112.
  • the logic unit 503 is configured to exchange various signals with an external control device (not shown) of the signal transmission device 10 via the first terminals P3 to P5, and to exchange various signals with the second circuit 520 and the third circuit 530 using the first transmission unit 501 and the second transmission unit 502.
  • a Schmitt trigger 507 and a resistor 509 are provided in the conductive path between the first terminal P3 and the logic unit 503.
  • the input terminal of the Schmitt trigger 507 is electrically connected to the first terminal P3, and the output terminal of the Schmitt trigger 507 is electrically connected to the logic unit 503.
  • the resistor 509 is, for example, a pull-down resistor.
  • the first terminal of the resistor 509 is electrically connected between the first terminal P3 and the input terminal of the Schmitt trigger 507 in the conductive path, and the second terminal of the resistor 509 is electrically connected to the first terminal P6.
  • a Schmitt trigger 508 and a resistor 510 are provided in the conductive path between the first terminal P4 and the logic unit 503.
  • the input terminal of the Schmitt trigger 508 is electrically connected to the first terminal P4, and the output terminal of the Schmitt trigger 508 is electrically connected to the logic unit 503.
  • the resistor 510 is, for example, a pull-down resistor.
  • the first terminal of the resistor 510 is electrically connected between the first terminal P4 and the input terminal of the Schmitt trigger 508 in the conductive path, and the second terminal of the resistor 510 is electrically connected to the first terminal P6.
  • the LDO unit 504 is, for example, a shunt regulator, and is configured so that the voltage between the first terminal P1 and the first terminal P6 becomes a preset reference voltage.
  • the UVLO unit 505 stops the operation of the logic unit 503 when the voltage of the control power supply electrically connected to the first terminal P1 falls below a threshold voltage, thereby suppressing the occurrence of a malfunction.
  • the second circuit 520 includes a first receiving unit 521 , a logic unit 522 , a UVLO unit 523 , buffer circuits 524 and 525 , switching elements 526 and 527 , and a resistor 528 .
  • the second terminals Q1 and Q2 are electrically connected to the logic unit 522, and the second terminal Q1 is electrically connected to the UVLO unit 523.
  • the UVLO unit 523 and the first receiving unit 521 are electrically connected to the logic unit 522.
  • the first receiving unit 521 is electrically connected to the second coil of the first transformer 111.
  • the first receiving unit 521 is configured to receive a PWM signal from the first transmitting unit 501 via the first transformer 111 and output the received PWM signal to the logic unit 522.
  • the UVLO unit 523 stops the operation of the logic unit 522 when the voltage of the control power supply electrically connected to the second terminal Q3 falls below a threshold voltage, thereby suppressing the occurrence of a malfunction.
  • the logic unit 522 is configured to control the switching elements 526 and 527 individually. More specifically, the logic unit 522 is electrically connected to the gates of the switching elements 526 and 527 individually.
  • a buffer circuit 524 is provided between the logic unit 522 and the gate of the switching element 526. An input terminal of the buffer circuit 524 is electrically connected to the logic unit 522, and an output terminal of the buffer circuit 524 is electrically connected to the gate of the switching element 526.
  • a buffer circuit 525 is provided between the logic unit 522 and the gate of the switching element 527. An input terminal of the buffer circuit 525 is electrically connected to the logic unit 522, and an output terminal of the buffer circuit 525 is electrically connected to the gate of the switching element 527.
  • Switching element 526 is a p-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), and switching element 527 is an n-channel MOSFET.
  • the source of switching element 526 is electrically connected to second terminal Q3, and the drain of switching element 526 is electrically connected to the drain of switching element 527.
  • the source of switching element 527 is electrically connected to second terminal Q1.
  • the node between the drain of switching element 526 and the drain of switching element 527 is electrically connected to second terminal Q2.
  • resistor 528 is provided between the gate and drain of switching element 526.
  • the third circuit 530 includes a second receiving unit 531 , a logic unit 532 , a UVLO unit 533 , buffer circuits 534 and 535 , switching elements 536 and 537 , and a resistor 538 .
  • the second terminals Q4 and Q5 are electrically connected to the logic unit 532, and the second terminal Q6 is electrically connected to the UVLO unit 533.
  • the UVLO unit 533 and the second receiving unit 531 are electrically connected to the logic unit 532.
  • the second receiving unit 531 is electrically connected to the second coil of the second transformer 112.
  • the second receiving unit 531 is configured to receive a PWM signal from the second transmitting unit 502 via the second transformer 112 and output the received PWM signal to the logic unit 532.
  • the UVLO unit 533 stops the operation of the logic unit 532 when the voltage of the control power supply electrically connected to the second terminal Q6 falls below a threshold voltage, thereby suppressing the occurrence of a malfunction.
  • the logic unit 532 is configured to control the switching elements 536 and 537 individually. More specifically, the logic unit 532 is electrically connected to the gates of the switching elements 536 and 537 individually.
  • a buffer circuit 534 is provided between the logic unit 532 and the gate of the switching element 536. An input terminal of the buffer circuit 534 is electrically connected to the logic unit 532, and an output terminal of the buffer circuit 534 is electrically connected to the gate of the switching element 536.
  • a buffer circuit 535 is provided between the logic unit 532 and the gate of the switching element 537. An input terminal of the buffer circuit 535 is electrically connected to the logic unit 532, and an output terminal of the buffer circuit 535 is electrically connected to the gate of the switching element 537.
  • Switching element 536 is a p-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), and switching element 537 is an n-channel MOSFET.
  • the source of switching element 536 is electrically connected to second terminal Q6, and the drain of switching element 536 is electrically connected to the drain of switching element 537.
  • the source of switching element 537 is electrically connected to second terminal Q4.
  • the node between the drain of switching element 536 and the drain of switching element 537 is electrically connected to second terminal Q5.
  • resistor 538 is provided between the gate and drain of switching element 536.
  • FIGS. 17 to 20 show a schematic planar structure of an example of the internal configuration of the first chip 60.
  • FIGS. 21 to 26 show a schematic cross-sectional structure of an example of the internal configuration of the first chip 60. Note that to make the drawings easier to understand, some of the hatched lines have been omitted from the schematic cross-sectional structures of the first chip 60 in FIGS. 21 to 26.
  • FIG. 17 shows a schematic planar structure of an example of the internal configuration close to the chip front surface 61 of the first chip 60.
  • Fig. 18 is an enlarged view of an insulating transformer region 110, described later, in Fig. 17.
  • Fig. 19 shows a schematic planar structure of an example of the internal structure close to the chip back surface 62 of the first chip 60.
  • Fig. 20 is an enlarged view of the insulating transformer region 110 in Fig. 19.
  • the first chip 60 has an insulating transformer region 110 and a circuit region 120 , and a peripheral guard ring 100 that is connected to the insulating transformer region 110 and surrounds the circuit region 120 .
  • the insulating transformer region 110 is a region that electrically insulates the circuit region 120 and the second chip 70 while allowing transmission of signals between the circuit region 120 and the second chip 70.
  • the insulating transformer region 110 is formed closer to the second chip side surface 64 than the center of the first chip 60 in the X direction in a plan view. In other words, the insulating transformer region 110 is formed in a region of the first chip 60 that is closer to the second chip 70 (see FIG. 7 ) in a plan view.
  • the insulating transformer region 110 extends over substantially the entire first chip 60 in the Y direction.
  • the circuit area 120 is formed with the components of the first circuit 500 in FIG. 16 other than the first transformer 111 and the second transformer 112. These components include a first transmission unit 501, a second transmission unit 502, a logic unit 503, an LDO unit 504, and a UVLO unit 505.
  • the components of the first circuit 500 other than the first transformer 111 and the second transformer 112 may be referred to as “multiple first function units” and “multiple circuit elements.”
  • a plurality of second electrode pads 68 and a plurality of third electrode pads 69 are formed in the circuit region 120.
  • the plurality of second electrode pads 68 are electrically connected to at least one of the plurality of first function units and the plurality of circuit elements.
  • the plurality of third electrode pads 69 are electrically connected to the plurality of circuit elements.
  • a first transformer 111 and a second transformer 112 are formed in the insulating transformer region 110.
  • the first transformer 111 and the second transformer 112 are arranged at the same position in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the first transformer 111 is arranged closer to the third chip side surface 65 in the insulating transformer region 110
  • the second transformer 112 is arranged closer to the fourth chip side surface 66 in the insulating transformer region 110.
  • the first transformer 111 includes a first front side coil 111A and a first back side coil 111B, and a second front side coil 112A and a second back side coil 112B.
  • the second transformer 112 includes a third front side coil 113A and a third back side coil 113B, and a fourth front side coil 114A and a fourth back side coil 114B.
  • the first to fourth surface side coils 111A to 114A are arranged at the same positions in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the first to fourth surface side coils 111A to 114A are arranged in the following order from the third chip side surface 65 to the fourth chip side surface 66: first surface side coil 111A, second surface side coil 112A, third surface side coil 113A, and fourth surface side coil 114A.
  • the first to fourth back side coils 111B to 114B are arranged at the same positions in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the first to fourth back side coils 111B to 114B are arranged in the following order from the third chip side surface 65 to the fourth chip side surface 66: first back side coil 111B, second back side coil 112B, third back side coil 113B, and fourth back side coil 114B.
  • first surface side coil 111A, the second surface side coil 112A, the third surface side coil 113A, and the fourth surface side coil 114A are arranged at the same position in the Z direction.
  • the first back side coil 111B, the second back side coil 112B, the third back side coil 113B, and the fourth back side coil 114B are arranged at the same position in the Z direction.
  • Each of the first to fourth front side coils 111A to 114A and the first to fourth back side coils 111B to 114B may contain at least one of titanium, titanium nitride, copper, aluminum, and tungsten.
  • the first to fourth front side coils 111A to 114A contain copper
  • the first to fourth back side coils 111B to 114B contain aluminum.
  • the first to fourth front side coils 111A to 114A have a layered structure of titanium and copper
  • the first to fourth back side coils 111B to 114B have a layered structure of titanium nitride and aluminum.
  • a plurality of first electrode pads 67 are formed in the insulating transformer region 110.
  • the plurality of first electrode pads 67 are arranged at the same positions in the X direction and spaced apart from each other in the Y direction.
  • the plurality of first electrode pads 67 include six first electrode pads 67A to 67F.
  • the first electrode pads 67A to 67F are arranged in the order of first electrode pads 67A, 67B, 67C, 67D, 67E, and 67F from the third chip side surface 65 toward the fourth chip side surface 66.
  • the first surface side coil 111A includes a first coil portion 111A1 that is spiral-shaped in a plan view, a first outer coil end portion 111A2, and a first inner coil end portion 111A3.
  • the first outer coil end portion 111A2 constitutes the end portion in the winding direction of the outermost periphery of the first coil portion 111A1
  • the first inner coil end portion 111A3 constitutes the end portion in the winding direction of the innermost periphery of the first coil portion 111A1.
  • the second surface side coil 112A includes a second coil portion 112A1 that is spiral-shaped in a plan view, a second outer coil end portion 112A2, and a second inner coil end portion 112A3.
  • the second outer coil end portion 112A2 constitutes the end portion in the winding direction at the outermost periphery of the second coil portion 112A1
  • the second inner coil end portion 112A3 constitutes the end portion in the winding direction at the innermost periphery of the second coil portion 112A1.
  • the first electrode pad 67A is disposed in an inner space including the winding center of the first coil portion 111A1 in a plan view. It can be said that the first electrode pad 67A is located more inward than the first coil portion 111A1.
  • the first electrode pad 67A is connected to the first inner coil end 111A3. Therefore, it can be said that the first electrode pad 67A is electrically connected to the first end of the first surface side coil 111A.
  • the first electrode pad 67B is disposed between the first surface side coil 111A and the second surface side coil 112A in the Y direction in a plan view.
  • the first electrode pad 67B is connected to the first outer coil end 111A2 of the first surface side coil 111A.
  • the first electrode pad 67B is also connected to the second outer coil end 112A2 of the second surface side coil 112A. Therefore, it can be said that the first electrode pad 67B is electrically connected to the second end of the first surface side coil 111A and the second end of the second surface side coil 112A.
  • the first electrode pad 67C is disposed in an inner space including the winding center of the second coil portion 112A1 in a plan view. It can be said that the first electrode pad 67C is located more inward than the second coil portion 112A1.
  • the first electrode pad 67C is connected to the second inner coil end portion 112A3. Therefore, it can be said that the first electrode pad 67C is electrically connected to the first end portion of the second surface side coil 112A.
  • the third surface side coil 113A includes a third coil portion 113A1 that is spiral-shaped in a plan view, a third outer coil end portion 113A2, and a third inner coil end portion 113A3.
  • the third outer coil end portion 113A2 constitutes the end portion in the winding direction at the outermost periphery of the third coil portion 113A1
  • the third inner coil end portion 113A3 constitutes the end portion in the winding direction at the innermost periphery of the third coil portion 113A1.
  • the fourth surface side coil 114A includes a fourth coil portion 114A1 that is spiral-shaped in a plan view, a fourth outer coil end portion 114A2, and a fourth inner coil end portion 114A3.
  • the fourth outer coil end portion 114A2 constitutes the end portion in the winding direction of the outermost periphery of the fourth coil portion 114A1
  • the fourth inner coil end portion 114A3 constitutes the end portion in the winding direction of the innermost periphery of the fourth coil portion 114A1.
  • the first electrode pad 67D is disposed in an inner space including the winding center of the third coil portion 113A1 in a plan view. It can be said that the first electrode pad 67D is located more inward than the third coil portion 113A1. The first electrode pad 67D is connected to the third inner coil end portion 113A3. Therefore, it can be said that the first electrode pad 67D is electrically connected to the first end portion of the third surface side coil 113A.
  • the first electrode pad 67E is disposed between the third surface side coil 113A and the fourth surface side coil 114A in the Y direction in a plan view.
  • the first electrode pad 67E is connected to the third outer coil end 113A2 of the third surface side coil 113A.
  • the first electrode pad 67E is also connected to the fourth outer coil end 114A2 of the fourth surface side coil 114A. Therefore, it can be said that the first electrode pad 67E is electrically connected to the second end of the third surface side coil 113A and the second end of the fourth surface side coil 114A.
  • the first electrode pad 67F is disposed in an inner space including the winding center of the fourth coil portion 114A1 in a plan view. It can be said that the first electrode pad 67F is located more inward than the fourth coil portion 114A1. The first electrode pad 67F is connected to the fourth inner coil end portion 114A3. Therefore, it can be said that the first electrode pad 67F is electrically connected to the first end portion of the fourth surface side coil 114A.
  • the first to fourth surface side coils 111A to 114A have the same number of turns.
  • the winding direction of the first surface side coil 111A and the winding direction of the second surface side coil 112A are opposite to each other, and the winding direction of the third surface side coil 113A and the winding direction of the fourth surface side coil 114A are opposite to each other.
  • the winding direction of the first surface side coil 111A and the winding direction of the third surface side coil 113A are the same direction, and the winding direction of the second surface side coil 112A and the winding direction of the fourth surface side coil 114A are the same direction.
  • the first back side coil 111B is disposed opposite the first front side coil 111A (see FIG. 18) in the Z direction.
  • the first back side coil 111B includes a first coil portion 111B1 that is spiral in plan view, a first outer coil end 111B2, and a first inner coil end 111B3.
  • the first outer coil end 111B2 constitutes the end of the first coil portion 111B1 in the winding direction at the outermost periphery
  • the first inner coil end 111B3 constitutes the end of the first coil portion 111B1 in the winding direction at the innermost periphery.
  • the first outer coil end 111B2 is connected to a first connection wiring 118A that extends in the X direction.
  • the first connection wiring 118A is electrically connected to the first transmission unit 501 (see FIG. 16) of the circuit area 120 (see FIG. 17).
  • the first inner coil end 111B3 is connected to a first wiring not shown.
  • the first wiring is electrically connected to the first transmission unit 501 of the circuit area 120.
  • the second back side coil 112B is arranged opposite the second front side coil 112A (see FIG. 18) in the Z direction.
  • the second back side coil 112B includes a second coil portion 112B1 that is spiral in plan view, a second outer coil end 112B2, and a second inner coil end 112B3.
  • the second outer coil end 112B2 constitutes the end of the second coil portion 112B1 in the winding direction at the outermost periphery
  • the second inner coil end 112B3 constitutes the end of the second coil portion 112B1 in the winding direction at the innermost periphery.
  • the second outer coil end 112B2 is connected to the second connection wiring 118B that extends in the X direction.
  • the second connection wiring 118B is arranged in a position adjacent to the first connection wiring 118A in the Y direction.
  • the second connection wiring 118B is arranged closer to the second back side coil 112B than the first connection wiring 118A.
  • the second connection wiring 118B is electrically connected to the first transmission unit 501 of the circuit area 120.
  • the second inner coil end 112B3 is connected to a second wiring (not shown).
  • the second wiring is electrically connected to the first transmission unit 501 of the circuit area 120.
  • the third back side coil 113B is arranged opposite the third front side coil 113A (see FIG. 18) in the Z direction.
  • the third back side coil 113B includes a third coil portion 113B1 that is spiral in plan view, a third outer coil end 113B2, and a third inner coil end 113B3.
  • the third outer coil end 113B2 constitutes the end of the third coil portion 113B1 in the winding direction at the outermost part
  • the third inner coil end 113B3 constitutes the end of the third coil portion 113B1 in the winding direction at the innermost part.
  • the third outer coil end 113B2 is connected to a third connection wiring 118C that extends in the X direction.
  • the third connection wiring 118C is electrically connected to the second transmission unit 502 (see FIG. 16) of the circuit area 120.
  • the third inner coil end 113B3 is connected to a third wiring not shown.
  • the third wiring is electrically connected to the second transmission unit 502 of the circuit area 120.
  • the fourth back side coil 114B is arranged opposite the fourth front side coil 114A (see FIG. 18) in the Z direction.
  • the fourth back side coil 114B includes a fourth coil portion 114B1 that is spiral in plan view, a fourth outer coil end 114B2, and a fourth inner coil end 114B3.
  • the fourth outer coil end 114B2 constitutes the end of the fourth coil portion 114B1 in the winding direction at the outermost part
  • the fourth inner coil end 114B3 constitutes the end of the fourth coil portion 114B1 in the winding direction at the innermost part.
  • the fourth outer coil end 114B2 is connected to a fourth connection wiring 118D that extends in the X direction.
  • the fourth connection wiring 118D is arranged in a position adjacent to the third connection wiring 118C in the Y direction.
  • the fourth connection wiring 118D is arranged closer to the fourth back side coil 114B than the third connection wiring 118C.
  • the fourth connection wiring 118D is electrically connected to the second transmission unit 502 of the circuit area 120.
  • the fourth inner coil end 114B3 is connected to a fourth wiring (not shown).
  • the fourth wiring is electrically connected to the second transmission unit 502 of the circuit area 120.
  • the number of turns of the first to fourth back side coils 111B to 114B are equal to each other.
  • the winding direction of the first back side coil 111B and the winding direction of the second back side coil 112B are opposite to each other, and the winding direction of the third back side coil 113B and the winding direction of the fourth back side coil 114B are opposite to each other.
  • the winding direction of the first back side coil 111B and the winding direction of the third back side coil 113B are the same direction, and the winding direction of the second back side coil 112B and the winding direction of the fourth back side coil 114B are the same direction.
  • the number of turns of the first to fourth back side coils 111B to 114B is equal to the number of turns of the first to fourth front side coils 111A to 114A.
  • a surface side guard ring 115 is formed in the insulating transformer region 110, surrounding the first to fourth surface side coils 111A to 114A and the first electrode pads 67A to 67F in a plan view.
  • the shape of the surface side guard ring 115 in a plan view is a track shape.
  • a back side guard ring 116 is formed in the insulating transformer region 110 to surround the first to fourth back side coils 111B to 114B in a plan view.
  • the shape of the back side guard ring 116 in a plan view is a track shape.
  • the shape and size of the back side guard ring 116 are the same as those of the front side guard ring 115.
  • the back side guard ring 116 is formed at a position that overlaps with the front side guard ring 115.
  • Vias 117 are formed to connect front-side guard ring 115 and back-side guard ring 116. Vias 117 are positioned so as to overlap both front-side guard ring 115 and back-side guard ring 116 in plan view.
  • the circuit region 120 is provided with a plurality of wiring layers 121.
  • the plurality of wiring layers 121 include a wiring layer that electrically connects the plurality of first functional units, and a wiring layer that electrically connects the plurality of functional units to the first transformer 111 and the second transformer 112 of the insulating transformer region 110.
  • the plurality of first functional units are formed in a position in the circuit region 120 closer to the chip back surface 62 (see FIG. 21) in the Z direction than the plurality of wiring layers 121.
  • the plurality of first functional units are formed in the same position in the Z direction as the first to fourth back surface side coils 111B to 114B. Note that the position in the Z direction at which the plurality of first functional units are formed can be changed as desired.
  • the peripheral guard ring 100 includes a front-side peripheral guard ring 101 and a back-side peripheral guard ring 102 .
  • the front-side outer periphery guard ring 101 is connected to the front-side guard ring 115. More specifically, the front-side outer periphery guard ring 101 is connected to both ends of the front-side guard ring 115 in the Y direction.
  • the front-side outer periphery guard ring 101 includes a first portion extending in the X direction at a position adjacent to the third chip side surface 65 in the Y direction in a plan view, a second portion continuing from the first portion and extending in the Y direction at a position adjacent to the second chip side surface 64 in the X direction, and a third portion continuing from the second portion and extending in the X direction at a position adjacent to the fourth chip side surface 66 in the Y direction.
  • the front-side outer periphery guard ring 101 further includes a first connection portion extending in the Y direction from the first portion toward the front-side guard ring 115 and connected to the front-side guard ring 115, and a second connection portion extending in the Y direction from the third portion toward the front-side guard ring 115 and connected to the front-side guard ring 115. In this manner, the front-side outer peripheral guard ring 101 is electrically connected to the front-side guard ring 115 .
  • the rear outer periphery guard ring 102 is connected to the rear guard ring 116. More specifically, the rear outer periphery guard ring 102 is connected to both ends of the rear guard ring 116 in the Y direction.
  • the rear outer periphery guard ring 102 includes a first portion extending in the X direction at a position adjacent to the third chip side surface 65 in the Y direction in a plan view, a second portion continuing from the first portion and extending in the Y direction at a position adjacent to the second chip side surface 64 in the X direction, and a third portion continuing from the second portion and extending in the X direction at a position adjacent to the fourth chip side surface 66 in the Y direction.
  • the rear outer periphery guard ring 102 further includes a first connection portion extending in the Y direction from the first portion toward the rear guard ring 116 and connected to the rear guard ring 116, and a second connection portion extending in the Y direction from the third portion toward the rear guard ring 116 and connected to the rear guard ring 116.
  • the rear surface outer peripheral guard ring 102 is electrically connected to the rear surface outer peripheral guard ring 116.
  • the shape and size of the rear surface outer peripheral guard ring 102 in a plan view are the same as those of the front surface outer peripheral guard ring 101.
  • the rear surface outer peripheral guard ring 102 is disposed at a position that overlaps with the front surface outer peripheral guard ring 101 in a plan view.
  • the first chip 60 has multiple peripheral vias that connect the front-side peripheral guard ring 101 and the back-side peripheral guard ring 102.
  • the front-side peripheral guard ring 101 and the back-side peripheral guard ring 102 are electrically connected by the multiple peripheral vias.
  • Each peripheral via extends in the Z direction.
  • a cross-sectional structure of the insulating transformer region 110 will be described as an example of the internal configuration of the first chip 60. Since the first transformer 111 and the second transformer 112 have the same configuration in the insulating transformer region 110, the configuration of the first transformer 111 will be described in detail below, and a detailed description of the second transformer 112 will be omitted.
  • FIG. 21 shows a cross-sectional structure of a portion of the first transformer 111 cut along line F21-F21 in FIG. 17.
  • FIG. 22 is an enlarged view of a portion of the first transformer 111 in FIG. 21.
  • FIG. 23 is an enlarged view of the F23 portion of the first front side coil 111A of the first transformer 111 in FIG. 22, and
  • FIG. 24 is an enlarged view of the F24 portion of the first back side coil 111B of the first transformer 111 in FIG. 22. Note that hatched lines have been omitted in FIG. 21 to make the drawing easier to understand.
  • the first chip 60 has the above-mentioned substrate 130 and an element insulating layer 150 formed on the substrate 130 .
  • the substrate 130 is formed of, for example, a semiconductor substrate.
  • the substrate 130 is a semiconductor substrate formed of a material containing silicon (Si).
  • the substrate 130 may use a wide band gap semiconductor or a compound semiconductor as a semiconductor substrate.
  • the substrate 130 may use an insulating substrate formed of a material containing glass, or an insulating substrate formed of a material containing ceramics such as alumina.
  • the wide band gap semiconductor is a semiconductor substrate having a band gap of 2.0 eV or more.
  • the wide band gap semiconductor may be any one of silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), and gallium oxide ( Ga2O3 ).
  • the compound semiconductor may include at least one of aluminum nitride (AlN), indium nitride (InN), gallium nitride, and gallium arsenide (GaAs).
  • the substrate 130 is formed in a flat plate shape.
  • the substrate 130 has a substrate front surface 131 and a substrate back surface 132 opposite the substrate front surface 131.
  • the substrate back surface 132 constitutes the chip back surface 62 of the first chip 60.
  • the element insulating layer 150 is in contact with the substrate surface 131. In one example, the element insulating layer 150 is formed over the entire surface of the substrate surface 131. In one example, the element insulating layer 150 is an oxide film formed from a material containing silicon oxide (SiO 2 ). The element insulating layer 150 may be formed by stacking a plurality of such oxide films. Note that the material forming the element insulating layer 150 can be changed as desired.
  • the element insulating layer 150 has a layer surface 151 and a layer back surface 152 opposite the layer surface 151.
  • the layer surface 151 faces the same side as the substrate surface 131, and the layer back surface 152 faces the same side as the substrate back surface 132.
  • the layer back surface 152 is in contact with the substrate surface 131.
  • first electrode pads 67A to 67F are formed on the element insulating layer 150.
  • a passivation film 161 is formed on the element insulating layer 150.
  • a protective film 162 is formed on the element insulating layer 150.
  • the first electrode pads 67A to 67F are in contact with the layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the first electrode pads 67A to 67F are formed at the same positions as each other in the Z direction.
  • the passivation film 161 is a film that protects the element insulating layer 150, and is formed to cover the layer surface 151.
  • the passivation film 161 is formed to cover the first electrode pads 67A to 67F.
  • the passivation film 161 has openings (not shown) that expose a part of the first electrode pads 67A to 67F in the Z direction.
  • the protective film 162 is formed on the passivation film 161.
  • the passivation film 161 is formed of a single layer of a silicon nitride (SiN) film or a silicon oxynitride (SiON) film.
  • the passivation film 161 is formed of a laminated structure of a silicon oxide film and a silicon nitride film. In this case, the silicon nitride film may be formed on the silicon oxide film. In another example, the passivation film 161 is formed of a laminated structure of a silicon oxide film and a silicon oxynitride film. In this case, the silicon oxynitride film may be formed on the silicon oxide film.
  • the thickness of the passivation film 161 (the size of the passivation film 161 in the Z direction) is thinner than the thickness of the protective film 162 (the size of the protective film 162 in the Z direction). In one example, the thickness of the passivation film 161 is 1 ⁇ 3 or less of the thickness of the protective film 162. In one example, the thickness of the passivation film 161 is 1 ⁇ 4 or less of the thickness of the protective film 162. In one example, the thickness of the passivation film 161 is 1 ⁇ 5 or more of the thickness of the protective film 162. In the example shown in FIG. 21, the thickness of the passivation film 161 is about 1.3 ⁇ m.
  • the protective film 162 is formed on the passivation film 161.
  • the protective film 162 is a film that protects the first chip 60, and is formed of a material that contains, for example, polyimide (PI).
  • the protective film 162 can also be said to be a layer that relieves stress between the sealing resin 90 and the element insulating layer 150 and between the sealing resin 90 and the substrate 130.
  • the protective film 162 constitutes the chip surface 61 of the first chip 60.
  • the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B of the first transformer 111 are arranged opposite each other with a gap in the Z direction.
  • An element insulating layer 150 is interposed between the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B in the Z direction.
  • the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B are provided in the element insulating layer 150. It can also be said that the first back side coil 111B is embedded in the element insulating layer 150.
  • the first surface side coil 111A is arranged closer to the layer surface 151 of the element insulating layer 150 than the first back side coil 111B.
  • the first back side coil 111B is arranged closer to the layer back surface 152 of the element insulating layer 150 (closer to the substrate 130) than the first surface side coil 111A.
  • the first surface side coil 111A is exposed from the layer surface 151 of the element insulating layer 150 in the Z direction.
  • the first front surface side coil 111A is covered with a passivation film 161.
  • the first rear surface side coil 111B is disposed at a distance in the Z direction from the layer rear surface 152 of the element insulating layer 150. In other words, the first rear surface side coil 111B is disposed at a distance in the Z direction from the substrate 130.
  • the element insulating layer 150 is interposed between the first rear surface side coil 111B and the substrate 130.
  • the first surface side coil 111A is embedded in a recess 153 recessed from the layer front surface 151 of the element insulating layer 150 toward the layer back surface 152 (see FIG. 22).
  • the recess 153 is formed in a spiral shape in a plan view.
  • the first surface side coil 111A is formed by a single conductor 170 embedded in the recess 153. In other words, the first surface side coil 111A is configured by a single conductor 170 formed in a spiral shape in a plan view.
  • the conductor 170 has a coil surface 171, a coil back surface 172 opposite the coil surface 171, and a pair of coil side surfaces 173 connecting the coil surface 171 and the coil back surface 172.
  • the coil surface 171 faces the same side as the layer surface 151 of the element insulating layer 150, and the coil back surface 172 faces the same side as the layer back surface 152.
  • the pair of coil side surfaces 173 are formed in a tapered shape whose size in the X direction decreases from the coil surface 171 toward the coil back surface 172.
  • the coil back surface 172 and the pair of coil side surfaces 173 are in contact with the recess 153. In other words, the coil back surface 172 and the pair of coil side surfaces 173 are in contact with the element insulating layer 150.
  • the coil surface 171 is covered with a passivation film 161.
  • the conductive line 170 includes a barrier layer 174 and a metal layer 175 formed on the barrier layer 174 .
  • the barrier layer 174 is formed so as to be in contact with the recess 153.
  • the barrier layer 174 can be said to be a thin film interposed between the metal layer 175 and the element insulating layer 150.
  • the metal layer 175 is formed so as to fill the recess 153.
  • the metal layer 175 is formed of a material containing, for example, copper.
  • the barrier layer 174 has a function of suppressing the diffusion of copper, for example.
  • the barrier layer 174 may contain at least one of titanium, titanium nitride, tantalum (Ta), and tantalum nitride (TaN).
  • the metal layer 175 may contain at least one of aluminum, gold (Au), silver, and tungsten (W).
  • the thickness of the conductor 170 of the first front side coil 111A is thicker than the thickness of the passivation film 161 and thinner than the thickness of the protective film 162.
  • the thickness of the conductor 170 is thicker than the thickness of the first back side coil 111B (see FIG. 22).
  • the thickness of the conductor 170 is between two and three times the thickness of the passivation film 161.
  • the thickness of the conductor 170 is 1 ⁇ 2 or less the thickness of the protective film 162.
  • the thickness of the conductor 170 is 1 ⁇ 3 or more the thickness of the protective film 162.
  • the thickness of the conductor 170 can be defined by the distance between the coil front surface 171 and the coil back surface 172 in the Z direction.
  • the width dimension of the coil surface 171 of the conductor 170 (the length in the X direction in FIG. 23) is longer than the thickness of the conductor 170. In one example, the width dimension of the coil surface 171 is more than twice the thickness of the conductor 170. In one example, the width dimension of the coil surface 171 is less than three times the thickness of the conductor 170. In the example of FIG. 23, the width dimension of the coil surface 171 is approximately 6.8 ⁇ m.
  • an element insulating layer 150 is interposed between adjacent conductors 170 in the X direction.
  • the conductors 170 are spaced apart from each other in the X direction. The distance between adjacent conductors 170 in the X direction gradually increases from the coil surface 171 toward the coil back surface 172.
  • the distance between adjacent conductors 170 in the X direction is defined as the distance between the coil surfaces 171 of adjacent conductors 170 in the X direction.
  • This distance between conductors refers to the minimum distance between adjacent conductors 170 in the X direction.
  • the distance between conductors is smaller than the length of the coil surface 171 in the X direction.
  • the distance between conductors is 1 ⁇ 2 or less of the width dimension of the coil surface 171.
  • the distance between conductors is 1 ⁇ 3 or less of the width dimension of the coil surface 171.
  • the distance between conductors is 1 ⁇ 4 or less of the width dimension of the coil surface 171.
  • the distance between conductors is 1 ⁇ 5 or less of the width dimension of the coil surface 171.
  • the distance between conductors is 1 ⁇ 6 or less of the width dimension of the coil surface 171. In one example, the distance between conductors is 1 ⁇ 6 or less of the width dimension of the coil surface 171. In one example, the distance between conductors is 1 ⁇ 6 or less of the width dimension of the coil surface 171. In one example, the distance between conductors is 1 ⁇ 6 or more of the width dimension of the coil surface 171. The distance between conductors is smaller than the thickness of the conductors 170. In one example, the distance between the conductors is 1/2 or less of the thickness of the conductor 170. In another example, the distance between the conductors is 1/3 or more of the thickness of the conductor 170. In the example of FIG. 23, the distance between the conductors is about 1 ⁇ m.
  • the first back side coil 111B is composed of two coil layers 111BA and 111BB.
  • the coil layer 111BA constitutes a conductor closer to the layer front surface 151 of the element insulation layer 150
  • the coil layer 111BB constitutes a conductor closer to the layer back surface 152.
  • the coil layers 111BA and 111BB are arranged apart in the Z direction.
  • the element insulation layer 150 is interposed between the coil layers 111BA and 111BB in the Z direction.
  • Each of the coil layers 111BA and 111BB includes a conductor 180.
  • the coil layer 111BA is constituted by the conductor 180 being formed in a spiral shape in a planar view
  • the coil layer 111BB is constituted by another conductor 180 being formed in a spiral shape in a planar view.
  • the number of turns of the first back side coil 111B can be defined as the sum of the number of turns of the coil layer 111BA and the number of turns of the coil layer 111BB.
  • coil layer 111BA and coil layer 111BB are arranged to be offset from each other in the X direction.
  • coil layer 111BA and coil layer 111BB are arranged to be partially overlapping.
  • coil layer 111BA and coil layer 111BB are arranged to have portions that do not partially overlap.
  • coil layer 111BA is arranged to be offset in the X direction from coil layer 111BB by 1/2 the width dimension of conductor 180 (length in the X direction in FIG. 24).
  • Each of the coil layers 111BA, 111BB is arranged offset in the X direction with respect to the first surface side coil 111A.
  • the coil layers 111BA, 111BB are arranged so as to partially overlap with the first surface side coil 111A.
  • the coil layer 111BA is offset toward the first chip side surface 63 (see FIG. 17) with respect to the first surface side coil 111A (see FIG. 22).
  • the coil layer 111BB is offset toward the second chip side surface 64 (see FIG. 17) with respect to the first surface side coil 111A.
  • the number of turns of coil layer 111BA and the number of turns of coil layer 111BB are the same.
  • the number of turns of coil layers 111BA and 111BB is less than the number of turns of first surface side coil 111A.
  • the number of turns of coil layer 111BA is 1/2 the number of turns of first surface side coil 111A
  • the number of turns of coil layer 111BB is 1/2 the number of turns of first surface side coil 111A.
  • the sum of the number of turns of coil layer 111BA and the number of turns of coil layer 111BB is the same as the number of turns of first surface side coil 111A. Therefore, the number of turns of first back surface side coil 111B is the same as the number of turns of first surface side coil 111A.
  • the coil layers 111BA and 111BB are formed by conductors 180 of the same shape formed into a spiral shape in a planar view.
  • the conductor 180 has a coil front surface 181, a coil back surface 182 opposite the coil front surface 181, and a pair of coil side surfaces 183 connecting the coil front surface 181 and the coil back surface 182.
  • the coil front surface 181 faces the same side as the layer front surface 151 of the element insulating layer 150
  • the coil back surface 172 faces the same side as the layer back surface 152.
  • the pair of coil side surfaces 183 extend along the Z direction.
  • the coil front surface 181, the coil back surface 182, and the pair of coil side surfaces 183 each contact the element insulating layer 150.
  • the conductive wire 180 includes a back-side barrier layer 184 , a metal layer 185 formed on the back-side barrier layer 184 , and a front-side barrier layer 186 formed on the metal layer 185 .
  • the rear surface-side barrier layer 184 constitutes the coil rear surface 182 of the conductive wire 180.
  • the rear surface-side barrier layer 184 can be considered to be a thin film interposed between the rear surface of the metal layer 185 and the element insulating layer 150 in the Z direction.
  • the surface-side barrier layer 186 constitutes the coil surface 181 of the conductor 180.
  • the surface-side barrier layer 186 can be considered a thin film interposed between the surface of the metal layer 185 and the element insulating layer 150 in the Z direction.
  • the metal layer 185 has a thickness greater than that of the back-side barrier layer 184 and the front-side barrier layer 186.
  • a pair of side surfaces of the metal layer 185 are not covered by either the back-side barrier layer 184 or the front-side barrier layer 186, and are in contact with the element insulating layer 150.
  • the pair of side surfaces of the metal layer 185 form part of the Z direction of the pair of coil side surfaces 183.
  • the metal layer 185 is formed of a material containing, for example, aluminum. Both the back side barrier layer 184 and the front side barrier layer 186 may contain titanium or titanium nitride. In this way, the material constituting the first back side coil 111B is different from the material constituting the first front side coil 111A.
  • the material constituting the first front side coil 111A and the material constituting the first back side coil 111B can each be changed as desired.
  • the material constituting the first front side coil 111A and the material constituting the first back side coil 111B may be the same.
  • the thickness of the conductor 180 of the first back side coil 111B is thinner than the thickness of the protective film 162.
  • the thickness of the conductor 180 is thinner than the thickness of the conductor 170.
  • the thickness of the conductor 180 is 1 ⁇ 2 or less than the thickness of the conductor 170.
  • the thickness of the conductor 180 is about 1 ⁇ 3 of the thickness of the conductor 170.
  • the thickness of the conductor 180 is thinner than the thickness of the passivation film 161.
  • the thickness of the conductor 180 is 1 ⁇ 2 or more than the thickness of the passivation film 161.
  • the thickness of the conductor 180 can be defined by the distance in the Z direction between the coil front surface 181 and the coil back surface 182.
  • the width dimension of the conductor 180 (the length in the X direction in FIG. 22) is longer than the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is more than twice the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is more than five times the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is more than ten times the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is more than twelve times the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is more than fifteen times the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is more than sixteen times the thickness of the conductor 180. In one example, the width dimension of the conductor 180 is about seventeen times the thickness of the conductor 180.
  • the width dimension of conductor 180 is longer than the width dimension of conductor 170.
  • the width dimension of conductor 180 is more than twice the width dimension of conductor 170.
  • the width dimension of conductor 180 is less than three times the width dimension of conductor 170.
  • the width dimension of conductor 180 is approximately 15.8 ⁇ m.
  • the width dimension of conductor 170 can be defined as the size in a direction perpendicular to the direction in which conductor 170 extends in a planar view.
  • the width dimension of conductor 180 can be defined as the size in a direction perpendicular to the direction in which conductor 180 extends in a planar view.
  • an element insulating layer 150 is interposed between adjacent conductors 180 in the X direction.
  • the conductors 180 are spaced apart from each other in the X direction.
  • the distance between adjacent conductors 180 in the X direction (hereinafter, "inter-conductor distance") is the same from the coil surface 181 to the coil back surface 182.
  • the inter-conductor distance is smaller than the width dimension of the conductors 180. In one example, the inter-conductor distance is 1/2 or less of the width dimension of the conductors 180. In one example, the inter-conductor distance is 1/5 or less of the width dimension of the conductors 180.
  • the inter-conductor distance is 1/10 or less of the width dimension of the conductors 180. In one example, the inter-conductor distance is 1/15 or less of the width dimension of the conductors 180. In one example, the inter-conductor distance is 1/16 or less of the width dimension of the conductors 180. In one example, the distance between the conductors is 1/17 or less of the width dimension of the conductor 180. In one example, the distance between the conductors is 1/18 or less of the width dimension of the conductor 180. In one example, the distance between the conductors is 1/19 or less of the width dimension of the conductor 180. In one example, the distance between the conductors is 1/20 or more of the width dimension of the conductor 180.
  • the distance between the conductors is smaller than the thickness of the conductor 180.
  • the distance between the conductors is 1/2 or more of the thickness of the conductor 180.
  • the distance between the conductors of the coil layers 111BA and 111BB is smaller than the distance between the conductors of the first surface side coil 111A. In the example of FIG. 22, the distance between the conductors is about 0.8 ⁇ m.
  • the distance in the Z direction between the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B is greater than the distance in the Z direction between the layer back surface 152 of the element insulating layer 150 and the first back side coil 111B. In one example, the distance in the Z direction between the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B is smaller than the width dimension of the conductor 180. The distance in the Z direction between the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B is, for example, about 12.8 ⁇ m.
  • the distance in the Z direction between the first surface side coil 111A and the first back side coil 111B can be defined by the distance in the Z direction between the coil back surface 172 of the conductor 170 and the coil front surface 181 of the conductor 180 of the coil layer 111BA.
  • the distance in the Z direction between the first front side coil 111A and the first back side coil 111B is set according to the desired dielectric strength and the electric field strength of each of the first front side coil 111A and the first back side coil 111B.
  • the conductor 170 of the first surface side coil 111A is formed so that its coil surface 171 is exposed in the Z direction from the element insulating layer 150, but this is not limited to the above.
  • the conductor 170 of the first surface side coil 111A may be embedded in the element insulating layer 150. In other words, the coil surface 171 of the conductor 170 may be in contact with the element insulating layer 150. In other words, the conductor 170 may be disposed closer to the layer back surface 152 than the layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the circuit region 120 includes a wiring layer 121 shown in FIG. 17 and a substrate-side wiring layer 122 disposed closer to the substrate 130 than the wiring layer 121 .
  • the wiring layer 121 is formed at the same position in the Z direction as the first surface side coil 111A of the first transformer 111. In other words, the surface of the wiring layer 121 is exposed from the layer surface 151 of the element insulating layer 150 and is covered by the passivation film 161. In the example shown in FIG. 25, the thickness of the wiring layer 121 is 2.8 ⁇ m.
  • the substrate side wiring layer 122 is embedded in the element insulating layer 150.
  • the substrate side wiring layer 122 includes a first wiring layer 122A, a second wiring layer 122B, and a third wiring layer 122C.
  • the first wiring layer 122A is disposed closer to the substrate 130 in the Z direction than the second wiring layer 122B and the third wiring layer 122C.
  • the first wiring layer 122A is disposed spaced apart in the Z direction from the layer back surface 152 of the element insulating layer 150. In other words, the first wiring layer 122A is disposed spaced apart in the Z direction from the substrate 130.
  • the element insulating layer 150 is interposed between the first wiring layer 122A and the substrate 130 in the Z direction.
  • the circuit region 120 includes a first via 123 that connects the wiring layer 121 and the substrate-side wiring layer 122.
  • the first via 123 connects the wiring layer 121 and the first wiring layer 122A.
  • the first via 123 is formed, for example, from the same material as the wiring layer 121.
  • the first via 123 includes a barrier layer 123A and a metal layer 123B, similar to the conductor 170.
  • the materials constituting the barrier layer 123A and the metal layer 123B are the same as the materials constituting the barrier layer 174 and the metal layer 175 of the conductor 170 (both of which are shown in FIG. 23).
  • the circuit region 120 includes a second via 124 that connects the first wiring layer 122A to the substrate 130, a third via 125 that connects the first wiring layer 122A to the second wiring layer 122B, and a fourth via 126 that connects the second wiring layer 122B to the third wiring layer 122C.
  • the substrate-side wiring layer 122 is electrically connected to the substrate 130.
  • the first to fourth vias 123 to 126 are formed of a material that contains, for example, tungsten.
  • the first wiring layer 122A, the second wiring layer 122B, and the third wiring layer 122C have different thicknesses.
  • the thickness of the first wiring layer 122A is thinner than both the thickness of the second wiring layer 122B and the thickness of the third wiring layer 122C.
  • the thickness of the second wiring layer 122B is the same as the thickness of the third wiring layer 122C.
  • the first to third wiring layers 122A to 122C are thinner near the substrate 130 in the Z direction.
  • the first to third wiring layers 122A to 122C are thicker as they move away from the substrate 130 in the Z direction.
  • the thickness of the second wiring layer 122B and the third wiring layer 122C is less than twice the thickness of the first wiring layer 122A.
  • the thickness of the first wiring layer 122A is, for example, 0.52 ⁇ m
  • the thicknesses of the second wiring layer 122B and the third wiring layer 122C are, for example, 0.93 ⁇ m.
  • the second wiring layer 122B is formed at the same position in the Z direction as the coil layer 111BB of the first back side coil 111B
  • the third wiring layer 122C is formed at the same position in the Z direction as the coil layer 111BA.
  • Signal transmission device 10 includes inter-chip wires WA that electrically connect first chip 60 and second chip 70, and first lead wires WB that individually connect first chip 60 and first lead terminals 11 to 13, 15, 16, and 18.
  • Inter-chip wires WA are made of a material containing gold.
  • First lead wires WB are made of a material containing copper or aluminum.
  • the inter-chip wire WA is relatively important from the standpoint of the insulation reliability of the signal transmission device 10, and the height and shape of the wire must be inspected with high precision.
  • the inter-chip wire WA is formed from a material containing gold, and therefore when the height of the inter-chip wire WA is inspected using, for example, X-ray inspection, the inter-chip wire WA is displayed more clearly than when the inter-chip wire WA is formed from a material containing copper or aluminum. Therefore, the height of the inter-chip wire WA can be inspected accurately. Furthermore, the shape of the inter-chip wire WA can also be inspected accurately.
  • the first lead wire WB is less important than the inter-chip wire WA in terms of the insulation reliability of the signal transmission device 10.
  • the first lead wire WB is made of a material containing copper or aluminum, costs can be reduced compared to when the first lead wire WB is made of a material containing gold. In this way, it is possible to achieve both improved quality and reduced costs for the signal transmission device 10.
  • the first lead wire WB is a copper wire whose surface is coated with palladium. According to this configuration, the palladium coated on the surface of the copper wire can increase the bonding area of the bonding portion between the first lead wire WB, which serves as the second bond portion of the first lead wire WB, and the first lead terminals 11 to 18. This can increase the bonding strength between the first lead wire WB and the first lead terminals 11 to 18, thereby suppressing the occurrence of cracks in the bonding portions between the first lead wire WB and the first lead terminals 11 to 18.
  • the signal transmission device 10 further includes a plurality of second lead wires WD that individually connect the second chip 70 and the second lead terminals 42, 43.
  • the signal transmission device 10 further includes a plurality of second lead wires WD that individually connect the third chip 80 and the second lead terminals 47, 48.
  • These second lead wires WD are formed from a material containing copper or aluminum.
  • the second lead wire WD which is less important than the inter-chip wire WA from the standpoint of insulation reliability of the signal transmission device 10, is made of a material containing copper or aluminum, which allows for cost reduction compared to when the second lead wire WD is made of a material containing gold.
  • the second lead wire WD is a copper wire whose surface is coated with palladium. According to this configuration, the same effect as that of (1-2) above can be obtained.
  • the signal transmission device 10 further includes a first die pad wire WC that connects the first chip 60 and the first die pad 30.
  • the first die pad wire WC is made of a material containing copper or aluminum.
  • the first die pad wire WC is a copper wire whose surface is coated with palladium. According to this configuration, the same effect as that of (1-2) above can be obtained.
  • a security bond WC1 is formed at the joint between the first die pad wire WC, which is the second bond portion of the first die pad wire WC, and the first die pad 30.
  • the security bond WC1 can thicken the second bond portion of the wire WC for the first die pad. This can prevent cracks from occurring in the second bond portion of the wire WC for the first die pad.
  • the signal transmission device 10 further includes a second die pad wire WE that connects the second chip 70 and the second die pad 50A.
  • the second die pad wire WE is made of a material containing copper or aluminum. This configuration provides the same effect as that of (1-3) above.
  • the second die pad wire WE is a copper wire whose surface is coated with palladium. According to this configuration, the same effect as that of (1-2) above can be obtained.
  • a security bond WE1 is formed at the joint between the second die pad wire WE, which is the second bond portion of the second die pad wire WE, and the second die pad 50A. This configuration provides the same effect as in (1-7) above.
  • the signal transmission device 10 further includes a third die pad wire WF that connects the third chip 80 and the third die pad 50B.
  • the third die pad wire WF is made of a material containing copper or aluminum. With this configuration, an effect similar to that of (1-3) above can be obtained.
  • the third die pad wire WF is a copper wire whose surface is coated with palladium. According to this configuration, the same effect as that of (1-2) above can be obtained.
  • a security bond WF1 is formed at the joint between the third die pad wire WF, which is the second bond portion of the third die pad wire WF, and the third die pad 50B. This configuration provides the same effect as in (1-7) above.
  • Each of the first electrode pads 67, each of the second electrode pads 68, and each of the third electrode pads 69 of the first chip 60 has a thickness of 2 ⁇ m or more. According to this configuration, even if an inter-chip wire WA is bonded to each first electrode pad 67, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the element insulating layer 150 directly below each first electrode pad 67. Even if a first lead wire WB is bonded to each second electrode pad 68, it is possible to similarly suppress the occurrence of cracks in the element insulating layer 150. Even if a first die pad wire WC is bonded to each third electrode pad 69, it is possible to similarly suppress the occurrence of cracks in the element insulating layer 150.
  • the sealing resin 90 contains sulfur as an additive.
  • the concentration of the sulfur added is 300 ⁇ g/g or less. According to this configuration, it is possible to reduce sulfide corrosion of copper wires having a palladium-coated surface, such as the first lead wire WB, the second lead wire WD, the first die pad wire WC, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF.
  • a plating layer 29 is formed on the inner lead surface 21B of the wire connection portion 11AA of the first inner lead portion 11A of the first lead terminal 11.
  • the plating layer 29 is not formed on the end of the inner lead surface 21B of the wire connection portion 11AA on the tip surface 24B side, and the end is in contact with the sealing resin 90.
  • This configuration can prevent peeling between the plating layer 29 at the end of the inner lead surface 21B of the wire connection portion 11AA near the tip surface 24B and the sealing resin 90.
  • the wire connection portions 12AA, 13AA, 15AA-18AA of the first lead terminals 12, 13, 15-18 have the same configuration, and therefore the same effect can be obtained.
  • a plating layer 29 is formed on the inner lead surface 21B of the wire connection portion 48AA of the second inner lead portion 48A of the second lead terminal 48.
  • the plating layer 29 is not formed on the end of the inner lead surface 21B of the wire connection portion 48AA on the tip surface 24B side, and the end is in contact with the sealing resin 90.
  • the wire connection portions 42AA to 45AA, 47AA of the second lead terminals 42 to 45, 47 also have a similar configuration, and therefore the same effect can be obtained.
  • a plating layer 26 is formed on the outer lead surface 21A, outer lead back surface 22A, and outer lead side surface 23A of the outer lead body 20A of the first outer lead portions 11B to 18B.
  • the plating layer 26 is formed continuously from the outer lead back surface 22A to the outer lead surface 21A on the outer lead end surface 24A.
  • the plating layer 26 is separated from the outer lead surface 21A.
  • the conductive bonding material SD comes into contact with the plating layer 26 formed on the outer lead end surface 24A. This causes a fillet to be formed by the conductive bonding material SD in contact with the outer lead end surface 24A. Therefore, the mounting state of the signal transmission device 10 on the circuit board PCB can be easily confirmed.
  • the outer surface of the sealing resin 90 is formed so as to have a surface roughness Rz of 8 ⁇ m or more. According to this configuration, the creepage distance between the first lead terminals 11-18 and the second lead terminals 41-48 via the sealing resin 90 is increased. Therefore, the dielectric strength between the first lead terminals 11-18 and the second lead terminals 41-48 can be improved.
  • a signal transmission device 10 of the second embodiment will be described with reference to Figures 27 to 29.
  • the signal transmission device 10 of the second embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the configuration different from the first embodiment will be described in detail, and the components common to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and their description will be omitted.
  • the shape of the wire connection portion 13AA of the first lead terminal 13 of the first lead terminals 11-18 of the first frame 10A is different from that of the first embodiment. More specifically, the wire connection portion 13AA extends obliquely toward the first chip 60 as it moves away from the lead connection portion 13AB toward the first sealing side surface 93.
  • the corner portion of the tip side of the wire connection portion 13AA that is closer to the wire connection portion 12AA of the first lead terminal 12 includes an inclined surface 13AC.
  • the inclined surface 13AC is formed so that the distance between it and the wire connection portion 12AA in the X direction is constant. In a plan view, the inclined surface 13AC faces the wire connection portion 12AA in the X direction.
  • Two first lead wires WB are connected to the wire connection portion 13AA.
  • the first lead wire WB arranged closer to the first lead terminal 12 extends from the first bond portion of the first chip 60 so as to pass through the tip surface of the wire connection portion 13AA in a planar view.
  • the first lead wire WB that passes through the tip surface of the wire connection portion 13AA in a planar view is joined to the wire connection portion 13AA.
  • the tip surface of the wire connection portion 13AA is the side surface of the wire connection portion 13AA facing the first chip 60, and extends in a direction perpendicular to the extension direction of the wire connection portion 13AA in a planar view.
  • the remaining first lead wire WB extends from the first bond portion of the first chip 60 so as to pass through the tip surface of the wire connection portion 13AA in a plan view.
  • the first lead wire WB that passes through the tip surface of the wire connection portion 13AA in a plan view is joined to a portion of the wire connection portion 13AA closer to the tip surface of the wire connection portion 13AA than the second bond portion of the first lead wire WB, which is located closer to the first lead terminal 12 of the wire connection portion 13AA.
  • the two first lead wires WB extend perpendicular to the tip surface of the wire connection portion 13AA.
  • the angle between the first lead wires WB and the tip surface of the wire connection portion 13AA is 85° or more and 95° or less, it can be said that the first lead wires WB extend perpendicular to the tip surface of the wire connection portion 13AA.
  • the two first lead wires WB extend parallel to the extension direction of the wire connection portion 13AA.
  • the absolute value of the acute angle between the extension direction of the first lead wires WB and the extension direction of the wire connection portion 13AA is between 0° and 5°, it can be said that the first lead wires WB extend parallel to the extension direction of the wire connection portion 13AA.
  • the tip surface of the wire connection portion 13AA corresponds to "the side surface that intersects with the first lead wires WB connected to the wire connection portion 13AA in a plan view.”
  • the relationship between the first lead wire WB connected to the wire connection portion 13AA and the tip surface of the wire connection portion 13AA is not limited to being perpendicular.
  • the first lead wire WB connected to the wire connection portion 13AA only needs to extend so as to intersect with the tip surface of the wire connection portion 13AA.
  • the shape of a portion of the first die pad 30 differs from that of the first embodiment. More specifically, an inclined surface 36A4 is formed between the first surface 36A1 of the first recessed portion 36A of the first die pad 30 and the first base end surface 32. In a plan view, the inclined surface 36A4 is inclined toward the side away from the wire connection portion 13AA as it approaches the first base end surface 32. The inclined surface 36A4 is formed so that the distance between it and the wire connection portion 13AA in the X direction is constant. Therefore, in a plan view, the inclined surface 36A4 and the tip surface of the wire connection portion 13AA are parallel to each other.
  • the shape of the wire connection portion 42AA of the second lead terminal 42 of the second frame 10B among the second lead terminals 41 to 44 is different from that of the first embodiment. More specifically, the wire connection portion 42AA is inclined in a direction away from the second sealing side surface 94 as it moves from the lead connection portion 42AB toward the second chip 70. In other words, the wire connection portion 42AA extends obliquely from the lead connection portion 42AB toward the second chip 70.
  • the corner portion of the tip side of the wire connection portion 42AA that is closer to the second chip 70 includes an inclined surface 42AC.
  • the inclined surface 42AC is formed so that the distance between it and the second die pad 50A in the X direction is constant. In a plan view, the inclined surface 42AC faces the second die pad 50A in the X direction.
  • Two second lead wires WD are connected to the wire connection portion 42AA.
  • the second lead wires WD arranged closer to the second lead terminal 43 extend from the first bond portion of the second chip 70 so as to pass through the tip surface of the wire connection portion 42AA in a planar view.
  • the second lead wires WD that pass through the tip surface of the wire connection portion 42AA in a planar view are joined to the wire connection portion 42AA.
  • the tip surface of the wire connection portion 42AA is the side surface of the wire connection portion 42AA facing the second chip 70, and extends in a direction perpendicular to the extension direction of the wire connection portion 42AA in a planar view.
  • the second lead wire WD extends perpendicular to the tip surface of the wire connection portion 42AA.
  • the angle between the second lead wire WD and the tip surface of the wire connection portion 42AA is 85° or more and 95° or less, it can be said that the second lead wire WD extends perpendicular to the tip surface of the wire connection portion 42AA.
  • the second lead wire WD extends parallel to the extension direction of the wire connection portion 42AA.
  • the absolute value of the acute angle between the extension direction of the second lead wire WD and the extension direction of the wire connection portion 42AA is 0° or more and 5° or less, it can be said that the second lead wire WD extends parallel to the extension direction of the wire connection portion 42AA.
  • the tip surface of the wire connection portion 42AA corresponds to "the side surface that intersects with the second lead wire WD connected to the wire connection portion 42AA in a plan view.”
  • the relationship between the second lead wire WD connected to the wire connection portion 42AA and the tip surface of the wire connection portion 42AA is not limited to being perpendicular.
  • the second lead wire WD connected to the wire connection portion 42AA only needs to extend so as to intersect with the tip surface of the wire connection portion 42AA.
  • the remaining second lead wire WD extends from the first bond portion of the second chip 70 so as to pass through the inclined surface 42AC in a planar view.
  • the first lead wire WB that passes through the tip surface of the wire connection portion 42AA in a planar view is joined to a portion of the wire connection portion 42AA that is closer to the lead connection portion 42AB than the second bond portion of the second lead wire WD that is arranged closer to the second lead terminal 43.
  • the remaining second lead wire WD extends so as to intersect with the inclined surface 42AC.
  • the remaining second lead wires WD extend parallel to the extension direction of the wire connection portion 42AA.
  • the absolute value of the acute angle between the extension direction of the remaining second lead wires WD and the extension direction of the wire connection portion 42AA is 0° or more and 5° or less, it can be said that the remaining second lead wires WD extend parallel to the extension direction of the wire connection portion 42AA.
  • the inclined surface 42AC corresponds to "the side surface that intersects with the second lead wires WD connected to the wire connection portion 42AA in a plan view.”
  • the shape of a portion of the second die pad 50A differs from that of the first embodiment. More specifically, a recess 59A is formed in the second surface 56A2 of the fourth recess 56A of the second die pad 50A. The recess 59A is formed in a portion of the second die pad 50A closer to the third sealing side surface 95 than the second chip 70.
  • the recess 59A has a first side surface 59A1 connected to the curved recess 56A3 of the fourth recess 56A, a second side surface 59A2 connected to the second surface 56A2, and a bottom surface 59A3.
  • First side surface 59A1 extends obliquely from curved recess 56A3 toward bottom surface 59A3 toward second chip 70.
  • the direction in which first side surface 59A1 extends is parallel to the direction in which wire connection portion 42AA extends.
  • the absolute value of the acute angle between the direction in which first side surface 59A1 extends and the direction in which wire connection portion 42AA extends is between 0° and 5° in plan view, then it can be said that the direction in which first side surface 59A1 extends is parallel to the direction in which wire connection portion 42AA extends.
  • the second side surface 59A2 extends obliquely from the second surface 56A2 toward the bottom surface 59A3 toward the third sealing side surface 95.
  • the second side surface 59A2 includes a portion that faces the tip surface of the wire connection portion 42AA.
  • the direction in which the second side surface 59A2 extends is parallel to the direction in which the tip surface of the wire connection portion 42AA extends.
  • the absolute value of the acute angle formed between the direction in which the second side surface 59A2 extends and the direction in which the tip surface of the wire connection portion 42AA extends is between 0° and 5° in plan view, it can be said that the direction in which the second side surface 59A2 extends is parallel to the direction in which the tip surface of the wire connection portion 42AA extends.
  • the bottom surface 59A3 is formed between the first side surface 59A1 and the second side surface 59A2 in the Y direction.
  • the bottom surface 59A3 extends along the Y direction in a plan view.
  • the bottom surface 59A3 faces the inclined surface 42AC in the X direction.
  • the shape of the wire connection portion 47AA of the second lead terminal 47 of the second frame 10B among the second lead terminals 45-48 is different from that of the first embodiment. More specifically, the wire connection portion 47AA includes a portion whose width dimension (size in the X direction) is larger than the width dimension (size in the X direction) of the wire connection portion 47AA of the first embodiment.
  • the corner portion of the tip side of the wire connection portion 47AA near the second sealing side surface 94 includes an inclined surface 47AC1.
  • the inclined surface 47AC1 extends obliquely toward the fourth sealing side surface 96 as it approaches the second sealing side surface 94.
  • the portion of the wire connection portion 47AA near the lead connection portion 47AB includes an inclined surface 47AC2.
  • the inclined surface 47AC2 extends obliquely toward the fourth sealing side surface 96 as it approaches the second sealing side surface 94.
  • the extending direction of the inclined surface 47AC1 and the extending direction of the inclined surface 47AC2 are parallel in a plan view.
  • Two second lead wires WD are connected to the wire connection portion 47AA.
  • the two second lead wires WD extend from the first bond portion of the second chip 70 so as to pass through the side surface 47AA1 of the wire connection portion 42AA in a plan view.
  • the two second lead wires WD that pass through the side surface 47AA1 of the wire connection portion 47AA in a plan view are joined to the wire connection portion 47AA.
  • the side surface 47AA1 of the wire connection portion 47AA is the side surface of the wire connection portion 47AA facing the opposite side to the second sealing side surface 94, and extends in the Y direction in a plan view.
  • the second lead wires WD extend so as to intersect with the side surface 47AA1 of the wire connection portion 47AA.
  • the second lead wires WD may extend so as to be perpendicular to the side surface 47AA1 of the wire connection portion 47AA.
  • the second lead wire WD extends parallel to the direction in which the inclined surfaces 47AC1, 47AC2 extend in a plan view. If the absolute value of the acute angle between the direction in which the second lead wire WD extends and the direction in which the inclined surfaces 47AC1, 47AC2 extend is between 0° and 5°, it can be said that the second lead wire WD extends parallel to the direction in which the inclined surfaces 47AC1, 47AC2 extend.
  • the side surface 47AA1 of the wire connection portion 47AA corresponds to "the side surface that intersects with the second lead wire WD connected to the wire connection portion 47AA in a plan view.”
  • the shape of a portion of the third die pad 50B differs from that of the first embodiment. More specifically, the position in the X direction of the second surface 57D2 of the seventh recess 57D is farther from the second sealing side surface 94 than the second surface 48AC2 of the recess 48AC of the wire connection portion 48AA of the second lead terminal 48.
  • an inclined surface 57D4 is formed between the first surface 57D1 and the second surface 57D2 of the seventh recess 57D instead of the curved recess 57D3 (see FIG. 13). The inclined surface 57D4 is inclined so as to approach the fourth sealing side surface 96 as it moves away from the second sealing side surface 94.
  • the wire connection portion 13AA of the first lead terminal 13 includes a tip surface that intersects with the first lead wire WB connected to the wire connection portion 13AA in a plan view.
  • the tip surface of the wire connection portion 13AA faces the first die pad 30.
  • the first lead wire WB extends in roughly the same direction as the wire connection portion 13AA extends in a plan view, so the first lead wire WB can be joined while preventing it from shifting relative to the wire connection portion 13AA. This prevents a portion of the joint portion of the first lead wire WB from coming off the wire connection portion 13AA. Therefore, the first lead wire WB can be stably joined to the wire connection portion 13AA.
  • the wire connection portion 42AA of the second lead terminal 42 includes a tip surface that intersects with the second lead wire WD connected to the wire connection portion 42AA in a plan view.
  • the tip surface of the wire connection portion 42AA faces the second die pad 50A.
  • the second lead wire WD extends in roughly the same direction as the wire connection portion 42AA in a plan view, so the second lead wire WD can be joined while preventing it from shifting relative to the wire connection portion 42AA. This prevents a portion of the joint portion of the second lead wire WD from coming off the wire connection portion 42AA. Therefore, the second lead wire WD can be stably joined to the wire connection portion 42AA.
  • the first lead wire WB connected to the wire connecting portion 13AA is perpendicular to the tip surface of the wire connecting portion 13AA. With this configuration, it is easier to confirm the joining position of the first lead wire WB with the wire connecting portion 13AA, compared to when the first lead wire WB extends along the side surface of the wire connecting portion 13AA.
  • the first lead wire WB connected to the wire connecting portion 42AA is perpendicular to the tip surface of the wire connecting portion 42AA. With this configuration, it is easier to confirm the joining position of the first lead wire WB with the wire connecting portion 42AA, compared to when the first lead wire WB extends along the side surface of the wire connecting portion 42AA.
  • the wire connection portion 13AA of the first lead terminal 13 includes an inclined surface 13AC. According to this configuration, the corner of the portion of the wire connection portion 13AA near the tip end surface is cut out by the inclined surface 13AC, which makes it possible to increase the distance in the X direction between the wire connection portion 13AA and the wire connection portion 12AA of the first lead terminal 12.
  • the first die pad 30 includes an inclined surface 36A4. According to this configuration, the inclined surface 36A4 can increase the distance between the wire connection portion 13AA and the first die pad 30 in the Y direction.
  • the wire connection portion 42AA of the second lead terminal 42 includes an inclined surface 42AC. According to this configuration, the corner of the portion of the wire connection portion 42AA near the tip surface is cut out by the inclined surface 42AC, which makes it possible to increase the distance in the X direction between the wire connection portion 42AA and the second die pad 50A.
  • the second die pad 50A includes a recess 59A. According to this configuration, the recess 59A can increase the distance between the wire connection portion 42AA and the second die pad 50A in the X direction.
  • a signal transmission device 10 of the third embodiment will be described with reference to Figures 30 to 33.
  • the signal transmission device 10 of the third embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the configuration different from the first embodiment will be described in detail, and the components common to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and their description will be omitted.
  • the configuration of the first lead terminals 13, 15, and 16 among the first lead terminals 11 to 18 is different. More specifically, as shown in Figures 30 and 31, the first inner lead portions 13A, 15A, and 16A of the first lead terminals 13, 15, and 16 have through holes 13AD, 15AD, and 16AD formed therein, which penetrate the first inner lead portions 13A, 15A, and 16A in their thickness direction (Z direction).
  • the shape of the through holes 13AD, 15AD, and 16AD in a plan view is circular.
  • the diameters of the through holes 13AD, 15AD, and 16AD are equal to each other.
  • the diameters of the through holes 13AD, 15AD, and 16AD are smaller than the diameters of the through holes 11AD, 12AD, 17AD, and 18AD.
  • the shape and size of the through holes 12AD to 17AD in plan view can be changed as desired.
  • the through holes 13AD, 15AD, and 16AD are filled with sealing resin 90.
  • the sealing resin 90 filled in the through holes 13AD, 15AD, and 16AD connects the sealing resin 90 provided closer to the sealing surface 91 (see FIG. 2) than the first inner lead portions 13A, 15A, and 16A with the sealing resin 90 provided closer to the sealing back surface 92 (see FIG. 2) than the first inner lead portions 13A, 15A, and 16A.
  • the first lead terminal 14 is integrated with the first die pad 30, and therefore corresponds to the "first connection terminal.”
  • the first lead terminals 11-13, 15-18 are disposed away from the first die pad 30, and therefore correspond to the "first remote terminals.” Since the through holes 11AD-13AD, 15AD-18AD are formed in the first lead terminals 11-13, 15-18, it can be said that the first remote terminals have through holes that penetrate in the thickness direction of the first remote terminals. On the other hand, the first connection terminals do not have through holes.
  • the through hole 13AD is formed in a portion of the wire connection portion 13AA of the first inner lead portion 13A that is closer to the lead connection portion 13AB.
  • the first lead wire WB that corresponds to the wire connection portion 13AA is bonded to a portion of the wire connection portion 13AA that is closer to the first chip 60 than the through hole 13AD.
  • the second bond portion of the first lead wire WB is positioned away from the through hole 13AD in the Y direction in a plan view.
  • the through hole 15AD is formed in a portion of the wire connection portion 15AA of the first inner lead portion 15A that is closer to the lead connection portion 15AB.
  • the first lead wire WB that corresponds to the wire connection portion 15AA is joined to a portion of the wire connection portion 15AA that is closer to the first chip 60 than the through hole 15AD.
  • the second bond portion of the first lead wire WB is disposed spaced apart in the X direction from the through hole 15AD in a plan view.
  • the through hole 15AD is formed across the wire connection portion 15AA and the lead connection portion 15AB.
  • the through hole 16AD is formed in a portion of the wire connection portion 16AA of the first inner lead portion 16A that is closer to the lead connection portion 16AB.
  • the first lead wire WB that corresponds to the wire connection portion 16AA is bonded to a portion of the wire connection portion 16AA that is closer to the first chip 60 than the through hole 16AD.
  • the second bond portion of the first lead wire WB is positioned away from the through hole 16AD in the Y direction in a plan view.
  • the positions at which the through holes 13AD, 15AD, and 16AD are formed can be changed as desired.
  • the through holes 13AD, 15AD, and 16AD may be formed in the lead connection portions 13AB, 15AB, and 16AB.
  • the through holes 13AD and 16AD may also be formed across the wire connection portions 13AA and 16AA and the lead connection portions 13AB and 16AB.
  • the through hole 15AD may be formed in a portion of the wire connection portion 15AA that is closer to the first lead terminal 14 than the lead connection portion 15AB.
  • the second frame 10B of the third embodiment has a different configuration for the second lead terminals 42-45, 47 among the second lead terminals 41-48. More specifically, the second inner lead portions 42A-45A, 47A of the second lead terminals 42-45, 47 have through holes 42AD-45AD, 47AD formed therein, penetrating the second inner lead portions 42A-45A, 47A in their thickness direction (Z direction).
  • the shape of the through holes 42AD-45AD, 47AD in a plan view is circular.
  • the diameters of the through holes 42AD-45AD, 47AD are equal to each other.
  • the diameters of the through holes 42AD-45AD, 47AD are smaller than the diameter of the through hole 48AD.
  • the diameters of the through holes 42AD-45AD, 47AD are equal to the diameters of the through holes 13AD, 15AD, 16AD. Note that the shape and size of the through holes 42AD-45AD, 47AD in plan view can be changed as desired.
  • the through holes 42AD-45AD, 47AD are filled with sealing resin 90.
  • the sealing resin 90 filled in the through holes 42AD-45AD, 47AD connects the sealing resin 90 provided closer to the sealing surface 91 (see FIG. 2) than the second inner lead portions 42A-45A, 47A with the sealing resin 90 provided closer to the sealing back surface 92 (see FIG. 2) than the second inner lead portions 42A-45A, 47A.
  • the second lead terminal 41 corresponds to the "second connection terminal” because it is integrated with the second die pad 50A.
  • the second lead terminals 42-44 correspond to the "second remote terminals” because they are disposed away from the second die pad 50A. Because the through holes 42AD-44AD are formed in the second lead terminals 42-44, it can be said that the second remote terminals have through holes that penetrate in the thickness direction of the second remote terminals.
  • the second lead terminal 46 is integrated with the third die pad 50B and corresponds to the "third connection terminal.”
  • the second lead terminals 45-48 are disposed away from the third die pad 50B and correspond to the "third remote terminals.” Because the second lead terminals 45, 47 and 48 have through holes 45AD, 47AD and 48AD, the third remote terminals can be said to have through holes that penetrate in the thickness direction of the third remote terminal. On the other hand, the second lead terminal 46 does not have a through hole.
  • the through hole 42AD is formed in a portion of the wire connection portion 42AA of the second inner lead portion 42A that is closer to the lead connection portion 42AB.
  • the second lead wire WD that corresponds to the wire connection portion 42AA is bonded to a portion of the wire connection portion 42AA that is closer to the second chip 70 than the through hole 42AD.
  • the second bond portion of the second lead wire WD is positioned away from the through hole 42AD in the Y direction in a plan view.
  • the through hole 43AD is formed in a portion of the wire connection portion 43AA of the second inner lead portion 43A that is closer to the lead connection portion 43AB.
  • the second lead wire WD that corresponds to the wire connection portion 43AA is bonded to a portion of the wire connection portion 43AA that is closer to the second chip 70 than the through hole 43AD.
  • the second bond portion of the second lead wire WD is positioned away from the through hole 43AD in the Y direction in a plan view.
  • the through hole 44AD is formed in the wire connection portion 44AA of the second inner lead portion 44A, in a portion closer to the lead connection portion 44AB.
  • the through hole 44AD is formed at a position overlapping with the lead connection portion 44AB when viewed from the X direction.
  • the through hole 45AD is formed in the portion of the wire connection portion 45AA of the second inner lead portion 45A that is closer to the lead connection portion 45AB.
  • the through hole 45AD is formed at a position that overlaps with the lead connection portion 45AB when viewed from the X direction.
  • the through hole 47AD is formed in a portion of the wire connection portion 47AA of the second inner lead portion 47A that is closer to the lead connection portion 47AB.
  • Each of the two second lead wires WD that correspond to the wire connection portion 47AA is bonded to a portion of the wire connection portion 47AA that is closer to the second chip 70 than the through hole 47AD.
  • Each of the second bond portions of the two second lead wires WD is positioned away from the through hole 47AD in the Y direction in a plan view.
  • the positions at which the through holes 42AD-45AD, 47AD are formed can be changed as desired.
  • the through holes 42AD-45AD, 47AD may be formed in the lead connection parts 42AB-45AB, 47AB.
  • the through holes 42AD-45AB, 47AD may also be formed across the wire connection parts 42AA-45AA, 47AA and the lead connection parts 42AB-45AB, 47AB.
  • the first lead terminals 11 to 13 and 15 to 18 have through holes 11AD to 13AD and 15AD to 18AD.
  • the through holes 11AD to 13AD and 15AD to 18AD are filled with a sealing resin 90.
  • the sealing resin 90 filled in the through holes 11AD-13AD, 15AD-18AD can prevent the first lead terminals 11-13, 15-18 from moving when an external force is applied to the first lead terminals 11-13, 15-18. Therefore, when the first lead wires WB are joined to each of the first lead terminals 11-13, 15-18, it is possible to prevent force from being applied to the first lead wires WB due to movement of the first lead terminals 11-13, 15-18.
  • the second lead terminals 42 to 45, 47, and 48 have through holes 42AD to 45AD, 47AD, and 48AD.
  • the through holes 42AD to 45AD, 47AD, and 48AD are filled with sealing resin 90.
  • the sealing resin 90 filled in the through holes 42AD-45AD, 47AD, 48AD can prevent the second lead terminals 42-45, 47, 48 from moving when an external force is applied to the second lead terminals 42-45, 47, 48. Therefore, when the second lead wires WD are joined to each of the second lead terminals 42-45, 47, 48, it is possible to prevent force from being applied to the second lead wires WD due to movement of the second lead terminals 42-45, 47, 48.
  • a signal transmission device 10 of the fourth embodiment will be described with reference to Figures 34 to 37.
  • the signal transmission device 10 of the fourth embodiment differs from the signal transmission device 10 of the third embodiment in the configuration of the first frame 10A and the second frame 10B and the configuration of the wires.
  • the configuration different from the third embodiment will be described in detail, and the components common to the third embodiment will be denoted by the same reference numerals and their description will be omitted.
  • the first frame 10A of the fourth embodiment is different from the third embodiment in the configuration of the first lead terminals 13, 15, and 16 among the first lead terminals 11 to 18. More specifically, as shown in Figures 34 and 35, the through holes 13AD, 15AD, and 16AD (see Figures 30 and 31) are omitted from the first inner lead portions 13A, 15A, and 16A of the first lead terminals 13, 15, and 16.
  • the first frame 10A includes two types of first lead terminals: first specific terminals (first lead terminals 11, 12, 17, 18 in the fourth embodiment) that have through holes formed in the first inner lead portions 11A-13A, 15A-18A of the first lead terminals 11-13, 15-18, and second specific terminals (first lead terminals 13, 15, 16 in the fourth embodiment) that do not have through holes formed therein.
  • first specific terminals first lead terminals 11, 12, 17, 18 in the fourth embodiment
  • second specific terminals first lead terminals 13, 15, 16 in the fourth embodiment
  • the configuration of the second bond portion of the first lead wire WB differs depending on the first specific terminal and the second specific terminal. More specifically, a security bond WB1 is formed on the second bond portion of the first lead wire WB connected to the wire connection portion 13AA, 15AA, 16AA of the first inner lead portion 13A, 15A, 16A of the first lead terminal 13, 15, 16 as the second specific terminal. On the other hand, a security bond WB1 is not formed on the second bond portion of the first lead wire WB connected to the wire connection portion 11AA, 12AA, 18AA of the first inner lead portion 11A, 12A, 18A of the first lead terminal 11, 12, 18 as the first specific terminal.
  • the multiple first lead wires WB include a first specific wire joined to a first specific terminal (first lead terminals 11, 12, 18 in the fourth embodiment) and a second specific wire joined to a second specific terminal (first lead terminals 13, 15, 16 in the fourth embodiment).
  • a security bond is formed at the joint (second bond portion) of the second specific wire joined to the second specific terminal.
  • the second frame 10B of the fourth embodiment is different from the third embodiment in the configuration of the second lead terminals 43, 47 among the second lead terminals 42-45, 47, 48. More specifically, as shown in Figures 36 and 37, the through holes 43AD, 47AD are omitted from the second inner lead portions 43A, 47A of the second lead terminals 43, 47.
  • the second frame 10B includes two types of second lead terminals: second lead terminals that have through holes among the second lead terminals 42-45, 47, 48 (second lead terminals 42, 44, 45, 48 in the fourth embodiment) and second lead terminals that do not have through holes (second lead terminals 43, 47 in the fourth embodiment).
  • the second frame 10B includes two types of second lead terminals: third specific terminals (second lead terminals 42, 44, 45, 48 in the fourth embodiment) that have through holes formed in the second inner lead portions 42A-45A, 47A, 48A of the second lead terminals 42-45, 47, 48, and fourth specific terminals (second lead terminals 43, 47 in the fourth embodiment) that do not have through holes formed.
  • third specific terminals second lead terminals 42, 44, 45, 48 in the fourth embodiment
  • fourth specific terminals second lead terminals 43, 47 in the fourth embodiment
  • the configuration of the second bond portion of the second lead wire WD differs depending on the third specific terminal and the fourth specific terminal. More specifically, a security bond WD1 is formed on the second bond portion of the second lead wire WD connected to the wire connection portions 43AA, 47AA of the second inner lead portions 43A, 47A of the second lead terminals 43, 47 as the fourth specific terminals. On the other hand, a security bond WD1 is not formed on the second bond portion of the second lead wire WD connected to the wire connection portions 42AA, 48AA of the second inner lead portions 42A, 48A of the second lead terminals 42, 48 as the third specific terminals.
  • the multiple second lead wires WD include a third specific wire joined to a third specific terminal (second lead terminals 42, 48 in the fourth embodiment) and a fourth specific wire joined to a fourth specific terminal (second lead terminals 43, 47 in the fourth embodiment).
  • a security bond is formed at the joint (second bond portion) of the fourth specific wire joined to the fourth specific terminal.
  • the configuration of the security bonds WB1, WD1 is the same as that of the security bond WF1 of the first embodiment (see FIG. 15), for example.
  • the through holes 44AD, 45AD may be omitted from at least one of the second lead terminals 44, 45.
  • the security bond WB1 can prevent the first lead wire WB from peeling off from the wire connection portions 13AA, 15AA, 16AA.
  • the sealing resin 90 filled in the through holes 11AD, 12AD, 17AD, 18AD suppresses movement of the first lead terminals 11, 12, 17, 18. This makes it difficult for force to be applied to the first lead wire WB joined to the first lead terminals 11, 12, 18. This also eliminates the need to form a security bond on the first lead wire WB joined to the first lead terminals 11, 12, 18, simplifying the manufacturing process. This allows for a reduction in the manufacturing cost of the signal transmission device 10.
  • a security bond WD1 is formed in the second bond portion of the second lead wire WD joined to the wire connection portions 43AA and 47AA of the second lead terminals 43 and 47.
  • the security bond WD1 can prevent the second lead wire WD from peeling off from the wire connection portions 43AA, 47AA.
  • the sealing resin 90 filled in the through holes 42AD, 44AD, 45AD, 48AD suppresses movement of the second lead terminals 42, 44, 45, 48. This makes it difficult for force to be applied to the second lead wire WD joined to the second lead terminals 42, 48. Furthermore, since there is no need to form a security bond on the second lead wire WD joined to the second lead terminals 42, 48, the manufacturing process can be simplified. This allows the manufacturing cost of the signal transmission device 10 to be reduced.
  • the signal transmission device 10 of the fifth embodiment will be described with reference to Fig. 38.
  • the signal transmission device 10 of the fifth embodiment differs from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the configuration different from the first embodiment will be described in detail, and the same reference numerals will be used to designate the same components as the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the first frame 10A and the second frame 10B of the fifth embodiment differ from the first embodiment in the shapes of the first die pad 30 and the third die pad 50B. More specifically, the arc length of the second tip side curved surface 35B of the first die pad 30 of the fifth embodiment is longer than that of the first embodiment. The arc length of the second tip side curved surface 55BB of the third die pad 50B of the fifth embodiment is longer than that of the first embodiment.
  • the arc length of the second tip side curved surface 35B is longer than the arc length of the first tip side curved surface 35A (see FIG. 7). In a plan view, the arc length of the second tip side curved surface 35B is longer than the arc length of the first tip side curved surface 55BA of the third die pad 50B. In addition, in a plan view, it can be said that the radius of curvature of the second tip side curved surface 35B is larger than the radius of curvature of the first tip side curved surface 35A. In a plan view, it can be said that the radius of curvature of the second tip side curved surface 35B is larger than the radius of curvature of the first tip side curved surface 55BA of the third die pad 50B.
  • the arc length of the second tip side curved surface 35B is at least twice the arc length of the first tip side curved surface 35A. In one example, in a plan view, the arc length of the second tip side curved surface 35B is at least twice the arc length of the first tip side curved surface 55BA of the third die pad 50B.
  • the arc length of the second tip side curved surface 55BB of the third die pad 50B is longer than the arc length of the first tip side curved surface 55BA.
  • the radius of curvature of the second tip side curved surface 55BB is greater than the radius of curvature of the first tip side curved surface 55BA.
  • the arc length of the second tip side curved surface 55BB is at least twice the arc length of the first tip side curved surface 55BA. In one example, in a plan view, the arc length of the second tip side curved surface 55BB is equal to the arc length of the second tip side curved surface 35B of the first die pad 30.
  • the arc length of the second tip curved surface 35B of the first die pad 30 and the arc length of the second tip curved surface 55BB of the third die pad 50B in a plan view can each be changed arbitrarily.
  • the arc length of the second tip curved surface 35B in a plan view can be longer than the arc length of the second tip curved surface 55BB.
  • the first die pad 30 has a first tip side curved surface 35A formed between the first tip surface 31 and the first side surface 33, and a second tip side curved surface 35B formed between the first tip surface 31 and the second side surface 34.
  • the arc length of the second tip side curved surface 35B is longer than the arc length of the first tip side curved surface 35A.
  • the second tip curved surface 35B can reduce electric field concentration at the corner portion of the tip of the first die pad 30 that is close to the third die pad 50B. This makes it possible to avoid dielectric breakdown between the first die pad 30 and the third die pad 50B, thereby improving the dielectric strength of the signal transmission device 10.
  • the third die pad 50B has a first tip curved surface 55BA formed between the die pad facing surface 51B and the fifth side surface 53B, and a second tip curved surface 55BB formed between the die pad facing surface 51B and the sixth side surface 54B.
  • the arc length of the second tip curved surface 55BB is longer than the arc length of the first tip curved surface 55BA.
  • the second tip curved surface 55BB can reduce electric field concentration at the corner portion of the tip of the third die pad 50B that is closest to the first die pad 30. This makes it possible to avoid dielectric breakdown between the first die pad 30 and the third die pad 50B, thereby improving the dielectric strength of the signal transmission device 10.
  • a signal transmission device 10 of the sixth embodiment will be described with reference to Figures 39 to 48.
  • the signal transmission device 10 of the sixth embodiment differs from the signal transmission device 10 of the first embodiment mainly in the configurations of the first chip 60, the second chip 70, and the third chip 80.
  • configurations different from the first embodiment will be described in detail, and components common to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and descriptions thereof will be omitted.
  • FIG. 39 shows a schematic cross-sectional structure of the first die pad 30 and the first chip 60 cut in the XZ plane
  • FIG. 40 shows a schematic cross-sectional structure of the first die pad 30 and the first chip 60 cut in the YZ plane.
  • the wires WA-WC and the sealing resin 90 are omitted from the cross-sectional structures of FIG. 39 and FIG. 40.
  • the substrate 130 of the first chip 60 has first to fourth substrate side surfaces 133 to 136 that connect the substrate front surface 131 and substrate back surface 132.
  • the first substrate side surface 133 constitutes a part of the first chip side surface 63 of the first chip 60
  • the second substrate side surface 134 constitutes a part of the second chip side surface 64
  • the third substrate side surface 135 constitutes a part of the third chip side surface 65
  • the fourth substrate side surface 136 constitutes a part of the fourth chip side surface 66.
  • the substrate 130 can be divided into a first portion 137 and a second portion 138 by a step portion 139.
  • the first portion 137 is a portion of the substrate 130 that is closer to the first die pad 30.
  • the second portion 138 is a portion that is provided on the first portion 137.
  • the step portion 139 is formed around the entire periphery of the substrate 130.
  • the thickness dimension (size in the Z direction) of the first portion 137 is greater than the thickness dimension (size in the Z direction) of the second portion 138. In one example, the thickness dimension of the first portion 137 is more than twice the thickness dimension of the second portion 138. In one example, the thickness dimension of the first portion 137 is more than three times the thickness dimension of the second portion 138. In one example, the thickness dimension of the first portion 137 is less than four times the thickness dimension of the second portion 138.
  • the first conductive bonding material SD1 is interposed between the first portion 137 and the first die pad 30 in the Z direction, and has a portion that protrudes from the first chip 60 in a direction perpendicular to the Z direction. This protruding portion forms a first fillet SDA between the first portion 137.
  • the first fillet SDA is not formed in the second portion 138 due to the step portion 139.
  • the first fillet SDA is formed over the entire first portion 137 in the Z direction.
  • the height dimension (size in the Z direction) of the first fillet SDA can be changed as desired within a range lower than the step portion 139.
  • the height dimension of the first fillet SDA may be approximately 1/2 the thickness dimension of the first portion 137.
  • the position of the step portion 139 in the first chip 60 in the Z direction can be changed arbitrarily.
  • the relationship between the thickness dimension of the first portion 137 and the thickness dimension of the second portion 138 can be changed arbitrarily.
  • the thickness dimension of the first portion 137 may be equal to the thickness dimension of the second portion 138.
  • the thickness dimension of the first portion 137 is 1/2 or less of the thickness dimension of the second portion 138.
  • the thickness dimension of the first portion 137 is 1/3 or less of the thickness dimension of the second portion 138.
  • the thickness dimension of the first portion 137 is 1/4 or more of the thickness dimension of the second portion 138.
  • the thickness dimension of the first portion 137 is 1/4 or more and 3/4 or less of the thickness dimension (size in the Z direction) of the first chip 60.
  • the width H1 of the step portion 139 is equal on the first to fourth substrate sides 133 to 136.
  • the width H1 of the step portion 139 is, for example, about 3 ⁇ m.
  • the width H1 of the step portion 139 can be defined, for example, by the distance between the portion of the first substrate side 133 that corresponds to the first portion 137 and the portion that corresponds to the second portion 138.
  • FIG. 41 shows a schematic cross-sectional structure of the second die pad 50A and the second chip 70 cut in the XZ plane
  • FIG. 42 shows a schematic cross-sectional structure of the second die pad 50A and the second chip 70 cut in the YZ plane.
  • the wires WD, WE and the sealing resin 90 are omitted in the cross-sectional structures of FIG. 41 and FIG. 42.
  • the second chip 70 mounted on the second die pad 50A includes a substrate 230.
  • the substrate 230 is formed of, for example, a semiconductor substrate.
  • the substrate 230 is a semiconductor substrate formed of a material containing silicon. Note that the substrate 230 may use a wide band gap semiconductor or a compound semiconductor as a semiconductor substrate. Also, instead of a semiconductor substrate, the substrate 230 may use an insulating substrate formed of a material containing glass, or an insulating substrate formed of a material containing ceramics such as alumina.
  • the wide bandgap semiconductor is a semiconductor substrate having a bandgap of 2.0 eV or more.
  • the wide bandgap semiconductor may be any one of silicon carbide, gallium nitride, and gallium oxide.
  • the compound semiconductor may be a III-V compound semiconductor.
  • the compound semiconductor may include at least one of aluminum nitride, indium nitride, gallium nitride, and gallium arsenide.
  • the substrate 230 of the second chip 70 has first to fourth substrate side surfaces 233 to 236 that connect the substrate front surface 231 and substrate back surface 232.
  • the first substrate side surface 233 constitutes part of the first chip side surface 73 of the second chip 70
  • the second substrate side surface 234 constitutes part of the second chip side surface 74
  • the third substrate side surface 235 constitutes part of the third chip side surface 75
  • the fourth substrate side surface 236 constitutes part of the fourth chip side surface 76.
  • the substrate 230 can be divided into a first portion 237 and a second portion 238 by a step portion 239.
  • the first portion 237 is a portion of the substrate 230 that is closer to the second die pad 50A.
  • the second portion 238 is a portion that is provided on the first portion 237.
  • the step portion 239 is formed around the entire periphery of the substrate 230.
  • the thickness dimension (size in the Z direction) of the first portion 237 is greater than the thickness dimension (size in the Z direction) of the second portion 238. In one example, the thickness dimension of the first portion 237 is more than twice the thickness dimension of the second portion 238. In one example, the thickness dimension of the first portion 237 is more than three times the thickness dimension of the second portion 238. In one example, the thickness dimension of the first portion 237 is less than four times the thickness dimension of the second portion 238.
  • the second conductive bonding material SD2 is interposed between the first portion 237 and the second die pad 50A in the Z direction, and has a portion that protrudes from the second chip 70 in a direction perpendicular to the Z direction.
  • This protruding portion forms a second fillet SDB between the first portion 237.
  • the second fillet SDB is not formed in the second portion 238 due to the step portion 239.
  • the second fillet SDB is formed over the entire first portion 237 in the Z direction.
  • the height dimension (size in the Z direction) of the second fillet SDB can be changed as desired within a range lower than the step portion 239.
  • the height dimension of the second fillet SDB may be approximately 1/2 the thickness dimension of the first portion 237.
  • the position of the step portion 239 in the second chip 70 in the Z direction can be changed arbitrarily.
  • the relationship between the thickness dimension of the first portion 237 and the thickness dimension of the second portion 238 can be changed arbitrarily.
  • the thickness dimension of the first portion 237 may be equal to the thickness dimension of the second portion 238.
  • the thickness dimension of the first portion 237 is 1/2 or less of the thickness dimension of the second portion 238.
  • the thickness dimension of the first portion 237 is 1/3 or less of the thickness dimension of the second portion 238.
  • the thickness dimension of the first portion 237 is 1/4 or more of the thickness dimension of the second portion 238.
  • the thickness dimension of the first portion 237 is 1/4 or more and 3/4 or less of the thickness dimension (size in the Z direction) of the second chip 70.
  • the width H2 of the step portion 239 is equal to each other on the first to fourth substrate side surfaces 233 to 236.
  • the width H2 of the step portion 239 is, for example, about 3 ⁇ m.
  • the width H2 of the step portion 239 can be defined, for example, by the distance between the portion of the first substrate side surface 233 that corresponds to the first portion 237 and the portion that corresponds to the second portion 238.
  • FIG. 43 shows a schematic cross-sectional structure of the third die pad 50B and the third chip 80 cut in the XZ plane
  • FIG. 44 shows a schematic cross-sectional structure of the third die pad 50B and the third chip 80 cut in the YZ plane.
  • the wires WD, WF and the sealing resin 90 are omitted in the cross-sectional structures of FIG. 43 and FIG. 44.
  • the third chip 80 mounted on the third die pad 50B includes a substrate 330.
  • the substrate 330 is formed of, for example, a semiconductor substrate.
  • the substrate 330 is a semiconductor substrate formed of a material containing silicon. Note that the substrate 330 may use a wide band gap semiconductor or a compound semiconductor as a semiconductor substrate. Also, instead of a semiconductor substrate, the substrate 330 may use an insulating substrate formed of a material containing glass, or an insulating substrate formed of a material containing ceramics such as alumina.
  • the wide bandgap semiconductor is a semiconductor substrate having a bandgap of 2.0 eV or more.
  • the wide bandgap semiconductor may be any one of silicon carbide, gallium nitride, and gallium oxide.
  • the compound semiconductor may be a III-V compound semiconductor.
  • the compound semiconductor may include at least one of aluminum nitride, indium nitride, gallium nitride, and gallium arsenide.
  • the substrate 330 of the third chip 80 has first to fourth substrate side surfaces 333 to 336 that connect the substrate surface 331 and the substrate back surface 332.
  • the first substrate side surface 333 constitutes part of the first chip side surface 83 of the third chip 80
  • the second substrate side surface 334 constitutes part of the second chip side surface 84
  • the third substrate side surface 335 constitutes part of the third chip side surface 85
  • the fourth substrate side surface 336 constitutes part of the fourth chip side surface 86.
  • the substrate 330 can be divided into a first portion 337 and a second portion 338 by a step portion 339.
  • the first portion 337 is a portion of the substrate 330 that is closer to the third die pad 50B.
  • the second portion 338 is a portion that is provided on the first portion 337.
  • the step portion 339 is formed around the entire periphery of the substrate 330.
  • the thickness dimension (size in the Z direction) of the first portion 337 is greater than the thickness dimension (size in the Z direction) of the second portion 338. In one example, the thickness dimension of the first portion 337 is more than twice the thickness dimension of the second portion 338. In one example, the thickness dimension of the first portion 337 is more than three times the thickness dimension of the second portion 338. In one example, the thickness dimension of the first portion 337 is less than four times the thickness dimension of the second portion 338.
  • the third conductive bonding material SD3 is interposed between the first portion 337 and the third die pad 50B in the Z direction, and has a portion that protrudes from the third chip 80 in a direction perpendicular to the Z direction. This protruding portion forms a third fillet SDC between the first portion 337.
  • the third fillet SDC is not formed in the second portion 338 due to the step portion 339.
  • the third fillet SDC is formed over the entire first portion 337 in the Z direction.
  • the height dimension (size in the Z direction) of the third fillet SDC can be changed as desired within a range lower than the step portion 339.
  • the height dimension of the third fillet SDC may be approximately 1/2 the thickness dimension of the first portion 337.
  • the position of the step portion 339 in the third chip 80 in the Z direction can be changed arbitrarily.
  • the relationship between the thickness dimension of the first portion 337 and the thickness dimension of the second portion 338 can be changed arbitrarily.
  • the thickness dimension of the first portion 337 may be equal to the thickness dimension of the second portion 338.
  • the thickness dimension of the first portion 337 is 1/2 or less of the thickness dimension of the second portion 338.
  • the thickness dimension of the first portion 337 is 1/3 or less of the thickness dimension of the second portion 338.
  • the thickness dimension of the first portion 337 is 1/4 or more of the thickness dimension of the second portion 338.
  • the thickness dimension of the first portion 337 is 1/4 or more and 3/4 or less of the thickness dimension (size in the Z direction) of the third chip 80.
  • the width H3 of the step portion 339 is equal on the first to fourth substrate sides 333 to 336.
  • the width H3 of the step portion 339 is, for example, about 3 ⁇ m.
  • the width H3 of the step portion 339 can be defined, for example, by the distance between the portion of the first substrate side 333 that corresponds to the first portion 337 and the portion that corresponds to the second portion 338.
  • the Z-direction positions of step portions 139, 239, 339 are determined individually for first chip 60, second chip 70, and third chip 80, so the distance in the Z direction between first die pad 30 and step portion 139, the distance in the Z direction between second die pad 50A and step portion 239, and the distance in the Z direction between third die pad 50B and step portion 339 may differ from one another.
  • the ratio of the thickness dimension of the second portion 138 to the thickness dimension of the first portion 137 of the first chip 60, the ratio of the thickness dimension of the second portion 238 to the thickness dimension of the first portion 237 of the second chip 70, and the ratio of the thickness dimension of the second portion 338 to the thickness dimension of the first portion 337 of the third chip 80 may be different.
  • the ratio of the thickness dimension of the second portion 138 to the thickness dimension of the first portion 137 of the first chip 60 may be 1/3, and both the ratio of the thickness dimension of the second portion 238 to the thickness dimension of the first portion 237 of the second chip 70 and the ratio of the thickness dimension of the second portion 338 to the thickness dimension of the first portion 337 of the third chip 80 may be 1.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of preparing a substrate 830, a step of forming an element insulating layer 850 on the substrate 830, a step of forming a passivation film 861, a step of forming a protective film 862, and a step of singulating. An overview of each step will be described below.
  • Figs. 45 to 48 show a schematic cross-sectional structure of the first chip 60.
  • the hatched lines of the passivation film 861 and the protective film 862 are omitted in order to facilitate understanding of the drawings.
  • the second chip 70 and the third chip 80 are also manufactured in the same manner as the first chip 60, and therefore an example of a manufacturing process for the second chip 70 and the third chip 80 will not be described.
  • a substrate 830 including a plurality of substrates 130 is prepared.
  • the first transmitting unit 501, the second transmitting unit 502, the logic unit 503, the LDO unit 504, the UVLO unit 505, the delay unit 506, the Schmitt triggers 507 and 508, and the resistors 509 and 510 shown in FIG. 16 are formed.
  • a SiO 2 film is laminated on a substrate surface 831 of the substrate 830 by, for example, a CVD method.
  • the SiO 2 film is a film that constitutes the element insulating layer 850.
  • the element insulating layer 850 is constituted by, for example, a laminated structure of a plurality of SiO 2 films.
  • a process of forming the first to fourth rear surface side coils 111B to 114B is carried out, for example, by sputtering and etching. Then, after the process of forming the first to fourth rear surface side coils 111B to 114B is carried out, the process of forming the element insulating layer 850 on the substrate 830 is carried out again.
  • a process is carried out to form the first to fourth surface side coils 111A to 114A and the first to third electrode pads 67 to 69 by sputtering and etching.
  • the passivation film 861 is formed on the element insulating layer 850 by, for example, a CVD method.
  • the passivation film 861 also covers the second to fourth surface side coils 112A to 114A and the first to third electrode pads 67 to 69.
  • the protective film 862 is formed on the passivation film 861, for example, by a CVD method.
  • the protective film 862 is formed, for example, over the entire surface of the passivation film 861.
  • openings are formed, for example by etching, in both the protective film 862 and the passivation film 861 at positions that overlap with portions of each of the first to third electrode pads 67 to 69. As a result, portions of the first to third electrode pads 67 to 69 are exposed in the Z direction from both the protective film 862 and the passivation film 861.
  • the step of dividing into individual pieces includes a first dicing step and a second dicing step.
  • the first dicing step first, the substrate 830 is placed on the dicing tape DT. The back surface 832 of the substrate 830 is in contact with the dicing tape DT.
  • the protective film 862, the passivation film 861, and the element insulating layer 850 are cut by the first dicing blade DB1, and a part of the substrate 830 in the Z direction is cut. As a result, a recess 833 is formed in the substrate 830.
  • the substrate 830 is cut by the second dicing blade DB2.
  • the second dicing blade DB2 is a blade that is narrower than the first dicing blade DB1.
  • the second dicing blade DB2 cuts the substrate 830 from the recess 833 of the substrate 830. As a result, a step portion 839 is formed in the substrate 830.
  • the dicing tape DT is then removed. Through the above processes, the first chip 60 is manufactured.
  • Substrate 130 of first chip 60 has a first portion 137 including a back surface 132 of the substrate, a second portion 138 provided on first portion 137, and a step portion 139 formed so that second portion 138 is positioned inside substrate 130 relative to first portion 137.
  • the step portion 139 can prevent the first conductive bonding material SD1 from creeping up onto the chip surface 61 of the first chip 60.
  • the substrate 230 of the second chip 70 has a first portion 237 including the rear surface 232 of the substrate, a second portion 238 provided on the first portion 237, and a step portion 239 formed so that the second portion 238 is positioned inside the substrate 230 relative to the first portion 237.
  • the step portion 239 can prevent the second conductive bonding material SD2 from creeping up onto the chip surface 71 of the second chip 70.
  • the substrate 330 of the third chip 80 has a first portion 337 including the rear surface 332 of the substrate, a second portion 338 provided on the first portion 337, and a step portion 339 formed so that the second portion 338 is positioned inside the substrate 330 relative to the first portion 337.
  • the step portion 339 can prevent the third conductive bonding material SD3 from creeping up onto the chip surface 81 of the third chip 80.
  • a signal transmission device 10 of the seventh embodiment will be described with reference to Fig. 49.
  • the signal transmission device 10 of the seventh embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in that the conductive members 10D and 10E are omitted.
  • the configuration different from the first embodiment will be described in detail, and the components common to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and their description will be omitted.
  • the signal transmission device 10 does not include conductive members 10D, 10E (see FIG. 7). Therefore, conductive member 10D is not exposed from the third sealing side surface 95 of the sealing resin 90. Furthermore, conductive member 10E is not exposed from the fourth sealing side surface 96 of the sealing resin 90. In this way, both the third sealing side surface 95 and the fourth sealing side surface 96 are made only of the resin material that makes up the sealing resin 90.
  • the recess 95D (see FIG. 7) is omitted from the third sealing side surface 95
  • the recess 96D (see FIG. 7) is omitted from the fourth sealing side surface 96.
  • the portion of the third sealing side surface 95 between the third front side surface 95A and the third back side surface 95B forms a flat surface along the XZ plane over the entire X direction.
  • the portion of the fourth sealing side surface 96 between the fourth front side surface 96A and the fourth back side surface 96B forms a flat surface along the XZ plane over the entire X direction.
  • this configuration can prevent static electricity and the like from entering the sealing resin 90 via the conductive member.
  • the insulation distance between the first lead terminals 11-18 and the second lead terminals 41-48 can be made large. This can improve the dielectric strength of the signal transmission device 10.
  • a signal transmission device 10 of the eighth embodiment will be described with reference to Fig. 50.
  • the signal transmission device 10 of the eighth embodiment differs from the signal transmission device 10 of the first embodiment mainly in the configuration of the second frame 10B. Below, the differences in the configuration of the second frame 10B from the first embodiment will be described in detail. Also, the same reference numerals are used for the components common to the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the second frame 10B does not include second lead terminals 44, 45.
  • the second frame 10B includes second lead terminals 41-43, 46-48. This increases the distance in the Y direction between the second outer lead portion 43B of the second lead terminal 43 and the second outer lead portion 46B of the second lead terminal 46. In other words, the distance in the Y direction between the second outer lead portion 43B of the second lead terminal 43 electrically connected to the second chip 70 and the second outer lead portion 46B of the second lead terminal 46 electrically connected to the third chip 80 increases.
  • the second frame 10B includes a plurality of second lead terminals 41-43 electrically connected to the second chip 70 and a plurality of second lead terminals 46-48 electrically connected to the third chip 80.
  • the distance in the Y direction between the second outer lead portion 43B of the second lead terminal 43 that is closest to the second lead terminals 46-48 electrically connected to the third chip 80 among the second lead terminals 41-43 electrically connected to the second chip 70, and the second outer lead portion 46B of the second lead terminal 46 that is closest to the second lead terminals 41-43 electrically connected to the second chip 70 among the second lead terminals 46-48 electrically connected to the third chip 80, is greater than the distance between the second outer lead portions of the second lead terminals 41-43 adjacent in the Y direction that are electrically connected to the second chip 70.
  • the distance in the Y direction between the second outer lead portion 43B of the second lead terminal 43 that is closest to the second lead terminals 46-48 electrically connected to the third chip 80 among the second lead terminals 41-43 electrically connected to the second chip 70, and the second outer lead portion 46B of the second lead terminal 46 that is closest to the second lead terminals 41-43 electrically connected to the second chip 70 among the second lead terminals 46-48 electrically connected to the third chip 80, is greater than the distance between the second outer lead portions of the second lead terminals 46-48 that are adjacent in the Y direction and that are electrically connected to the third chip 80.
  • This configuration allows for a large creepage distance between the second lead terminal electrically connected to the second chip 70 and the second lead terminal electrically connected to the third chip 80. This allows for an improvement in the dielectric strength between the second chip 70 and the third chip 80.
  • Ninth embodiment A signal transmission device 10 of the ninth embodiment will be described with reference to Fig. 51 and Fig. 52.
  • the signal transmission device 10 of the ninth embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first frame 10A and the second frame 10B.
  • the differences in the configuration of the first frame 10A and the second frame 10B from the first embodiment will be described in detail. Also, the same reference numerals are given to the components common to the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • connection portion 39 is omitted from the first die pad 30.
  • shape of the first inner lead portion 14A of the first lead terminal 14 is different from that of the first embodiment. More specifically, the first inner lead portion 14A includes a first outer lead connection portion 14AB1 and a first die pad connection portion 14AB2.
  • the first outer lead connection portion 14AB1 is a portion that connects to the first outer lead portion 14B, and extends along the X direction. As in the first embodiment, the first outer lead portion 14B is positioned offset in the Y direction toward the third sealing side surface 95 with respect to the center of gravity G1 of the first die pad 30. Therefore, the first outer lead connection portion 14AB1 is positioned offset in the Y direction toward the fourth sealing side surface 96 with respect to the first die pad 30.
  • the first die pad connection portion 14AB2 is a portion that connects the first outer lead connection portion 14AB1 and the first die pad 30.
  • the first die pad connection portion 14AB2 is connected to the corner portion that is closer to the first sealing side surface 93 and the third sealing side surface 95 among the four corner portions of the first die pad 30.
  • the first die pad connection portion 14AB2 extends in a straight line obliquely from the fourth sealing side surface 96 to the third sealing side surface 95 as it moves from the first sealing side surface 93 to the second sealing side surface 94. More specifically, in a plan view, as shown by the arrow in the first die pad connection portion 14AB2 in FIG.
  • the direction in which the first die pad connection portion 14AB2 extends is toward the center of gravity G1 of the first die pad 30 in FIG. 51.
  • the first die pad connection portion 14AB2 extends toward the center of gravity G1 of the first die pad 30.
  • connection portion 59B is omitted from the third die pad 50B.
  • shape of the second inner lead portion 46A of the second lead terminal 46 is different from that of the first embodiment. More specifically, the second inner lead portion 46A includes a second outer lead connection portion 46AB1 and a second die pad connection portion 46AB2.
  • the second outer lead connection portion 46AB1 is a portion that connects to the second outer lead portion 46B, and extends along the X direction. As in the first embodiment, the second outer lead portion 46B is positioned offset toward the fourth sealing side surface 96 in the Y direction with respect to the center of gravity G2 of the third die pad 50B. Therefore, the second outer lead connection portion 46AB1 is positioned offset toward the fourth sealing side surface 96 in the Y direction with respect to the third die pad 50B.
  • the second die pad connection portion 46AB2 is a portion that connects the second outer lead connection portion 46AB1 and the third die pad 50B.
  • the second die pad connection portion 46AB2 is connected to the corner portion that is closer to the second sealing side surface 94 and the fourth sealing side surface 96 among the four corner portions of the third die pad 50B.
  • the second die pad connection portion 46AB2 extends in a straight line obliquely from the fourth sealing side surface 96 to the third sealing side surface 95 as it moves from the second sealing side surface 94 to the first sealing side surface 93. More specifically, in a plan view, as shown by the arrow in the second die pad connection portion 46AB2 in FIG.
  • the direction in which the second die pad connection portion 46AB2 extends is toward the center of gravity G2 of the third die pad 50B in FIG. 52.
  • the second die pad connection portion 46AB2 extends toward the center of gravity G2 of the third die pad 50B.
  • the first lead terminal 14 includes a first outer lead connection portion 14AB1 disposed offset in the Y direction with respect to the center of gravity G1 of the first die pad 30, and a first die pad connection portion 14AB2 connected to the first die pad 30.
  • the first die pad connection portion 14AB2 extends in a straight line obliquely from the first outer lead connection portion 14AB1 toward the center of gravity G1 of the first die pad 30 in a plan view.
  • This configuration reduces the amount of deformation of the first inner lead portion 14A and the first die pad 30 relative to the first outer lead portion 14B. This prevents force from being applied to the inter-chip wire WA and the first lead wire WB due to deformation of the first die pad 30.
  • the second lead terminal 46 includes a second outer lead connection portion 46AB1 that is positioned offset in the Y direction from the center of gravity G2 of the third die pad 50B, and a second die pad connection portion 46AB2 that is connected to the third die pad 50B.
  • the second die pad connection portion 46AB2 extends in a straight line obliquely from the second outer lead connection portion 46AB1 toward the center of gravity G2 of the third die pad 50B.
  • This configuration reduces the amount of deformation of the second inner lead portion 46A and the third die pad 50B relative to the second outer lead portion 46B. This prevents force from being applied to the inter-chip wire WA and the second lead wire WD due to deformation of the third die pad 50B.
  • a signal transmission device 10 of the tenth embodiment will be described with reference to Figures 53 to 57.
  • the signal transmission device 10 of the tenth embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first chip 60.
  • the differences in the configuration of the first chip 60 from the first embodiment will be described in detail. Also, the same reference numerals are used for the components common to the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • a passivation film 161 is formed on the layer surface 151 of the element insulating layer 150, while a plurality of first electrode pads 67 are not formed on the layer surface 151.
  • the passivation film 161 is in contact with the layer surface 151, and the plurality of first electrode pads 67 are disposed at a distance from the layer surface 151 in the Z direction.
  • the passivation film 161 is formed over the entire layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the first chip 60 further includes a first organic insulating layer 191 formed on the passivation film 161, and a second organic insulating layer 192 formed on the first organic insulating layer 191.
  • the first organic insulating layer 191 corresponds to the "first resin layer”
  • the second organic insulating layer 192 corresponds to the "second resin layer.”
  • Both the first organic insulating layer 191 and the second organic insulating layer 192 are formed of an insulating material having a relative dielectric constant different from that of the element insulating layer 150.
  • Both the first organic insulating layer 191 and the second organic insulating layer 192 may contain at least one of polyimide, phenolic resin, and epoxy resin.
  • the first organic insulating layer 191 and the second organic insulating layer 192 may be formed of the same resin material or different resin materials.
  • the first surface side coil 111A and the first electrode pads 67 are formed on the first organic insulating layer 191. In other words, both the first surface side coil 111A and the first electrode pads 67 are provided outside the element insulating layer 150. It can also be said that both the first surface side coil 111A and the first electrode pads 67 are arranged at a distance from the element insulating layer 150 in the Z direction. The first surface side coil 111A and the first electrode pads 67 are provided at the same positions as each other in the Z direction.
  • the second to fourth surface side coils 112A to 114A are also formed on the first organic insulating layer 191. In this way, the first to fourth surface side coils 111A to 114A correspond to "surface side coils".
  • the first surface side coil 111A and the multiple first electrode pads 67 are covered by a second organic insulating layer 192.
  • the second organic insulating layer 192 has an opening 192A that exposes a portion of the surface of each first electrode pad 67 in the Z direction.
  • the second organic insulating layer 192 is a protective film that protects the first chip 60 and constitutes the chip surface 61.
  • the coil back surface 172 of the conductor 170 of the first surface side coil 111A is in contact with the first organic insulating layer 191.
  • the first surface side coil 111A is covered with the first organic insulating layer 191 and the second organic insulating layer 192.
  • the second organic insulating layer 192 is in contact with the coil front surface 171 and a pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170.
  • the second organic insulating layer 192 is interposed between adjacent conductors 170 in the Y direction of the first surface side coil 111A.
  • the thickness of the second organic insulating layer 192 is thinner than the thickness of the element insulating layer 150.
  • the thickness of the second organic insulating layer 192 is thinner than the distance in the Z direction between the coil surface 181 of the conductor 180 in the coil layer 111BA of the first back side coil 111B and the layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the thickness of the second organic insulating layer 192 is thicker than the thickness of the conductor 180.
  • the thickness of the second organic insulating layer 192 is thicker than the thickness of the conductor 170.
  • the thickness of the second organic insulating layer 192 is thicker than the thickness of the first electrode pad 67A (the size of the first electrode pad 67A in the Z direction).
  • the first back side coil 111B is embedded in the element insulating layer 150, as in the first embodiment.
  • the first back side coil 111B is disposed closer to the layer back surface 152 of the element insulating layer 150.
  • the second to fourth back side coils 112B to 114B are also embedded in the element insulating layer 150.
  • the first to fourth back side coils 111B to 114B correspond to "back side coils”.
  • both the element insulating layer 150 and the first organic insulating layer 191 are interposed between the first front side coil 111A and the first back side coil 111B in the Z direction.
  • both an inorganic insulating layer and an organic insulating layer are interposed between the first front side coil 111A and the first back side coil 111B in the Z direction.
  • three different layers, the element insulating layer 150, the passivation film 161, and the first organic insulating layer 191 are interposed between the first front side coil 111A and the first back side coil 111B in the Z direction.
  • the front-side guard ring 115 (see FIG. 17) is formed on the first organic insulating layer 191. That is, the front-side guard ring 115 is provided at the same position in the Z direction as the first front-side coil 111A and the first electrode pad 67A.
  • the via 117 is configured by a laminated structure of a first portion, a second portion, and a third portion. The first portion penetrates in the Z direction from the back-side guard ring 116 (see FIG. 19) to the layer surface 151 of the element insulating layer 150. The first portion is in contact with the back-side guard ring 116.
  • the second portion penetrates the passivation film 161 in the Z direction to connect to the first portion and is formed on the passivation film 161.
  • the second portion is covered by the first organic insulating layer 191.
  • the third portion penetrates in the Z direction through a portion of the first organic insulating layer 191 that covers the second portion and connects to both the second portion and the front-side guard ring 115.
  • the first chip 60 has a two-layer laminate structure of the first organic insulating layer 191 and the second organic insulating layer 192, but this is not limited to this.
  • the first chip 60 may have a structure in which three or more organic insulating layers are laminated.
  • FIG. 55 to 57 a method for manufacturing the first chip 60, in particular a method for manufacturing the first surface side coil 111A will be described.
  • Figures 55 to 57 mainly show a process for forming a part of the first surface side coil 111A in the element insulating layer 150.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes the steps of preparing a substrate 830, forming an element insulating layer 850 on the substrate 830, forming a first back side coil 111B on the element insulating layer 850, and forming a passivation film 861 on the element insulating layer 850.
  • the second to fourth back side coils 112B to 114B are formed simultaneously with the step of forming the first back side coil 111B.
  • the substrate 830 is a substrate that constitutes multiple substrates 130 (see FIG. 54).
  • the element insulating layer 850 is formed over an area that corresponds to the multiple substrates 130.
  • the element insulating layer 850 corresponds to the element insulating layer 150 of the first chip 60.
  • the passivation film 861 is formed over the entire surface of the element insulating layer 850.
  • the passivation film 861 corresponds to the passivation film 161 of the first chip 60 (see FIG. 54).
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of forming a first organic insulating layer 891. More specifically, the first organic insulating layer 891 is formed on the passivation film 861 by, for example, a spin coating method.
  • the first organic insulating layer 891 may contain at least one of polyimide, phenolic resin, and epoxy resin.
  • the first organic insulating layer 891 corresponds to the first organic insulating layer 191 of the first chip 60.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of forming the first surface side coil 111A and the first electrode pad 67A. More specifically, a barrier layer (not shown) constituting the first surface side coil 111A and the first electrode pad 67A is formed on the first organic insulating layer 191, for example, by sputtering.
  • the barrier layer is a base conductive layer for plating the conductor 170 and the first electrode pad 67.
  • the barrier layer may contain at least one of titanium, titanium nitride, tantalum, and tantalum nitride, for example.
  • the barrier layer is removed from the positions other than the positions where the conductor 170 and the first electrode pad 67 of the first surface side coil 111A are to be formed, for example, by lithography and etching.
  • a conductive material constituting the conductor 170 and the first electrode pad 67 is plated on the barrier layer.
  • copper is used as the conductive material.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of forming a second organic insulating layer 892. More specifically, the second organic insulating layer 892 is formed on the first organic insulating layer 891 by, for example, spin coating. The second organic insulating layer 892 is formed so as to cover the first surface side coil 111A and the first electrode pad 67. Although not shown, the second organic insulating layer 892 is formed so as to cover the second to fourth surface side coils 112A to 114A and the other first electrode pads 67. Next, an opening 892A that opens a part of the first electrode pad 67 in the Z direction is formed in the second organic insulating layer 892 by lithography and etching. Note that openings that open a part of each of the other first electrode pads 67 in the Z direction are also formed at the same time.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a singulation process.
  • the substrate 830, the passivation film 861, the first organic insulating layer 891, and the second organic insulating layer 892 are cut by dicing. Through the above processes, the first chip 60 is manufactured.
  • the first chip 60 includes a first organic insulating layer 191 provided on an element insulating layer 150, and a second organic insulating layer 192 provided on the first organic insulating layer 191.
  • the first transformer 111 includes first to fourth front surface side coils 111A to 114A that are disposed on the first organic insulating layer 191 and covered by the second organic insulating layer 192, and first to fourth back surface side coils 111B to 114B that are disposed opposite the first to fourth front surface side coils 111A to 114A in the Z direction and embedded in the element insulating layer 150.
  • the distance in the Z direction between the first to fourth front side coils 111A to 114A and the first to fourth back side coils 111B to 114B can be increased by thickening the first organic insulating layer 191.
  • the insulation withstand voltage between the first to fourth front side coils 111A to 114A and the first to fourth back side coils 111B to 114B can be improved by thickening the first organic insulating layer 191.
  • the configuration of the element insulating layer 150 can be simplified.
  • the first organic insulating layer 191 can be easily thickened by a spin coating method. As a result, the lead time can be shortened compared to when the element insulating layer 150 is thickened, and the manufacturing cost can be reduced.
  • a signal transmission device 10 of an eleventh embodiment will be described with reference to Fig. 58.
  • the signal transmission device 10 of the eleventh embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first chip 60.
  • the differences in the configuration of the first chip 60 from the first embodiment will be described in detail.
  • the same reference numerals are used for the components common to the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the first chip 60 includes a low dielectric layer 193 having a lower dielectric constant than the passivation film 161.
  • the low dielectric layer 193 is formed on the passivation film 161.
  • the low dielectric layer 193 is formed over the entire surface of the passivation film 161.
  • the low dielectric layer 193 is in contact with the surface of the passivation film 161. It can be said that the low dielectric layer 193 is interposed between the passivation film 161 and the sealing resin 90 in the Z direction so that the passivation film 161 and the sealing resin 90 do not come into contact with each other.
  • the thickness of the low dielectric layer 193 (the size of the low dielectric layer 193 in the Z direction) is equal to or less than the thickness of the passivation film 161. In one example, the thickness of the low dielectric layer 193 is thinner than the thickness of the passivation film 161. The thickness of the low dielectric layer 193 can be changed as desired. In one example, the thickness of the low dielectric layer 193 may be thicker than the thickness of the passivation film 161.
  • the protective film 162 is formed on the low dielectric layer 193.
  • the protective film 162 is in contact with the surface of the low dielectric layer 193.
  • the low dielectric layer 193 is sandwiched in the Z direction between the passivation film 161 and the protective film 162.
  • the protective film 162 is in contact with the sealing resin 90.
  • the thickness of the protective film 162 is thicker than the thickness of the low dielectric layer 193. In other words, the thickness of the low dielectric layer 193 is thinner than the thickness of the protective film 162.
  • the element insulating layer 150 is made of a material containing silicon oxide (SiO 2 ), and therefore the relative dielectric constant of the element insulating layer 150 is about 4.1.
  • the passivation film 161 is made of a material containing silicon nitride (SiN), and therefore the relative dielectric constant of the passivation film 161 is about 7.0. In other words, the relative dielectric constant of the passivation film 161 is higher than the relative dielectric constant of the element insulating layer 150.
  • the relative dielectric constant of the protective film 162 is about 2.9.
  • the sealing resin 90 is made of a material containing epoxy resin, the relative dielectric constant of the sealing resin 90 is about 3.9. That is, the relative dielectric constant of the sealing resin 90 is lower than the dielectric constant of the passivation film 161. The relative dielectric constant of the sealing resin 90 is higher than the dielectric constant of the protective film 162.
  • the low dielectric layer 193 has a lower dielectric constant than the passivation film 161.
  • the low dielectric layer 193 is equal to or lower than the dielectric constant of the element insulating layer 150. More specifically, the low dielectric layer 193 is lower than the dielectric constant of the element insulating layer 150.
  • the low dielectric layer 193 may be equal to or lower than the dielectric constant of the sealing resin 90.
  • the low dielectric layer 193 may be formed of a material containing silicon oxide (SiO 2 ), for example. In this way, the low dielectric layer 193 may be formed of the same material as the element insulating layer 150. The low dielectric layer 193 may have a lower dielectric constant than the element insulating layer 150.
  • the low dielectric layer 193 may be formed of a low-K film.
  • the low-K film may be appropriately selected from, for example, a carbon-added silicon oxide film (SiOC), a fluorine-added silicon oxide film (SiOF), a porous film, and the like.
  • the low dielectric layer 193 When the low dielectric layer 193 is formed of a carbon-added silicon oxide film, the low dielectric layer 193 has a dielectric constant of 2.5 or more and 3.0 or less. When the low dielectric layer 193 is formed of a fluorine-added silicon oxide film, the low dielectric layer 193 has a dielectric constant of 3.4 or more and 3.8 or less. When the low dielectric layer 193 is formed of a porous film, the low dielectric layer 193 has a dielectric constant of less than 2.5. In this manner, by using a Low-K film for the low dielectric layer 193 , the relative dielectric constant of the low dielectric layer 193 can be made lower than those of the element insulating layer 150 and the sealing resin 90 .
  • the first chip 60 includes an element insulating layer 150, a passivation film 161 formed on the element insulating layer 150 so as to cover the element insulating layer 150, and a low dielectric layer 193 formed on the surface of the passivation film 161 and having a relative dielectric constant lower than that of the passivation film 161.
  • the sealing resin 90 covers the low dielectric layer 193.
  • the low dielectric layer 193 is interposed between the passivation film 161 and the sealing resin 90, thereby preventing contact between the passivation film 161 and the sealing resin 90. This makes it possible to prevent partial discharges, and in turn, creeping discharges, caused by gaps that exist at the boundary between the sealing resin 90 and the passivation film 161. This makes it possible to improve the reliability of the first chip 60.
  • the relative dielectric constant of the low dielectric layer 193 is equal to or lower than the dielectric constant of the sealing resin 90 . According to this configuration, the inception voltage of partial discharge at the boundary between the low dielectric layer 193 and the sealing resin 90 can be increased, thereby suppressing the occurrence of partial discharge, and ultimately creeping discharge, due to gaps existing at the boundary between the low dielectric layer 193 and the sealing resin 90.
  • the thickness of the low dielectric layer 193 is equal to or less than the thickness of the passivation film 161. This configuration prevents the Z-direction dimension of the first chip 60 from increasing. In other words, the height of the first chip 60 can be reduced.
  • a signal transmission device 10 of the twelfth embodiment will be described with reference to Figures 59 to 65.
  • the signal transmission device 10 of the twelfth embodiment is different from the signal transmission device 10 of the first embodiment in the configuration of the first chip 60.
  • the differences in the configuration of the first chip 60 from the first embodiment will be described in detail. Also, the same reference numerals are used for the components common to the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • Fig. 59 shows an enlarged cross-sectional structure of a part of the first surface side coil 111A and its surroundings in the first chip 60. Note that, in order to make the drawing easier to understand, hatching lines of some of the components of the first chip 60 are omitted in Fig. 59.
  • the surface side corner portion 176 formed by the coil surface 171 and the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170 of the first surface side coil 111A is formed in a rounded curved shape, unlike the first embodiment.
  • the surface side corner portion 176 can also be said to have an R surface (curved surface). That is, in the twelfth embodiment, an R surface (curved surface) is formed in the portion between the coil surface 171 and the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170. More specifically, the R surface (curved surface) is formed by both the barrier layer 174 and the metal layer 175 that make up the surface side corner portion 176.
  • the coil surface 171 of the conductor 170 is located above the layer surface 151 of the element insulating layer 150. In other words, the conductor 170 protrudes from the layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the passivation film 161 covers the surface side corner portion 176 and the coil surface 171 of the conductor 170. Therefore, the surface side corner portion 176 is not in contact with the element insulating layer 150, but is in contact with the passivation film 161.
  • the portion of the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170 that is closer to the coil back surface 172 than the surface side corner portion 176 is in contact with the element insulating layer 150.
  • the relationship between the conductor 170 and the element insulating layer 150 can be changed as desired.
  • the conductor 170 may be embedded in the element insulating layer 150.
  • the element insulating layer 150 may be provided so that the surface side corner portion 176 of the conductor 170 and the coil surface 171 are in contact with the element insulating layer 150.
  • a passivation film 161 is formed over the entire surface of the layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the conductor 170 of the second to fourth surface side coils 112A to 114A also has a surface side corner portion 176 formed by the coil surface 171 and a pair of coil side surfaces 173, which is rounded and curved.
  • the configuration of the first to fourth surface side coils 111A to 114A can be changed as desired. In other words, in the 12th embodiment, it is sufficient that the surface side corner portion 176 of at least one of the first to fourth surface side coils 111A to 114A is rounded and curved.
  • FIG. 60 to 65 a method for manufacturing the first chip 60, in particular a method for manufacturing the first surface side coil 111A will be described.
  • Figures 60 to 65 mainly show a process for forming a part of the first surface side coil 111A in the element insulating layer 850.
  • the method of manufacturing the first chip 60 includes the steps of preparing a substrate 830, forming an element insulating layer 850 on the substrate 830 (see FIG. 55, for example), and forming a first back side coil 111B (see FIG. 55) on the element insulating layer 850.
  • the second to fourth back side coils 112B to 114B are formed simultaneously with the step of forming the first back side coil 111B.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of forming a recess 853 in the element insulating layer 850. More specifically, in this step, the layer surface 851 of the element insulating layer 850 is selectively etched to form the recess 853.
  • the recess 853 includes a bottom surface 853A and a pair of side surfaces 853B connecting the bottom surface 853A and the layer surface 851.
  • the pair of side surfaces 853B are formed in a tapered shape approaching each other in the Y direction from the layer surface 851 toward the bottom surface 853A.
  • the method for manufacturing the first chip 60 includes a step of forming a barrier layer 901. More specifically, the barrier layer 901 is formed on both the pair of side surfaces 853B and the bottom surface 853A of the recess 853 and the layer surface 851 of the element insulating layer 850, for example, by a sputtering method.
  • the barrier layer 901 may contain tantalum or tantalum nitride.
  • the barrier layer 901 is formed of a laminated structure (Ta/TaN/Ta) of a first layer containing tantalum, a second layer containing tantalum nitride laminated on the first layer, and a third layer containing tantalum laminated on the second layer.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of forming a metal layer 902. More specifically, a conductive material for the conductor 170 is plated and grown from the barrier layer 901. In one example, copper is plated and grown from the barrier layer 901. This forms the metal layer 902 in the recess 853 and on the element insulating layer 850.
  • the metal layer 902 is formed, for example, from a material containing copper.
  • the method for manufacturing the first chip 60 includes a step of removing the barrier layer 901 and the metal layer 902 on the element insulating layer 850. More specifically, both the barrier layer 901 and the metal layer 902 on the element insulating layer 850 are removed by chemical mechanical polishing (CMP). This exposes the layer surface 851 of the element insulating layer 850.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of removing the upper end of the element insulating layer 850. More specifically, the entire upper end of the element insulating layer 850 is removed by dry etching or wet etching. As a result, the layer surface 851 after the upper end of the element insulating layer 850 is removed is located lower (closer to the bottom surface 853A of the recess 853) than the respective upper end surfaces of the barrier layer 901 and the metal layer 902. In other words, the upper ends of the barrier layer 901 and the metal layer 902 protrude from the layer surface 851.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a process of removing both ends in the Y direction (surface side corner portions 903 in FIG. 63) of the upper end portions of the barrier layer 901 and the metal layer 902. More specifically, a resist (not shown) is formed on the upper end surface of the metal layer 902. The resist is formed so that the surface side corner portions 903 are exposed in a plan view. Next, the barrier layer 901 and the metal layer 902 constituting the surface side corner portions 903 are removed by dry etching or wet etching. As a result, the surface side corner portions 903 are formed in a curved shape. Through the above process, the conductor 170 is formed. As a result, the first to fourth surface side coils 111A to 114A are formed. Although not shown, a plurality of first electrode pads 67 are formed in parallel with the process of forming the conductor 170 shown in FIG. 60 to FIG. 64.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of forming a passivation film 861. More specifically, the passivation film 861 is formed so as to cover the coil surface 171 and the surface side corner portion 176 of the conductor 170 and the layer surface 851 of the element insulating layer 850, for example, by chemical vapor deposition (CVD) or sputtering.
  • the passivation film 861 is formed of a material containing, for example, silicon nitride.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a process of forming a protective film 862 (see FIG. 46).
  • the protective film 862 is formed on the passivation film 861 by CVD or sputtering.
  • the protective film 862 is formed of a material containing silicon oxide, for example.
  • openings that expose parts of the first electrode pads 67 are formed in both the protective film 862 and the passivation film 861 by etching.
  • the protective film 862, the passivation film 861, the element insulating layer 850, and the substrate 830 are cut by dicing to separate them into individual chips. Through the above processes, the first chip 60 is manufactured.
  • the first to fourth surface side coils 111A to 114A of the first transformer 111 have a coil front surface 171, a coil back surface 172 opposite the coil front surface 171, and a coil side surface 173 connecting the coil front surface 171 and the coil back surface 172.
  • a curved surface is formed between the coil front surface 171 and the coil side surface 173.
  • This configuration can reduce electric field concentration at the surface corner portion 176, which is formed by the coil surface 171 and the coil side surface 173. This prevents the surface corner portion 176 from becoming the starting point of dielectric breakdown, thereby improving the dielectric strength of the first chip 60.
  • a signal transmission device 10 of the thirteenth embodiment will be described with reference to Figures 66 to 71.
  • the signal transmission device 10 of the thirteenth embodiment is different from the signal transmission device 10 of the tenth embodiment in the configuration of the first chip 60.
  • the differences in the configuration of the first chip 60 from the tenth embodiment will be described in detail.
  • the same reference numerals are used for the components common to the tenth embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • Fig. 66 shows an enlarged cross-sectional structure of a part of the first surface side coil 111A and its surroundings in the first chip 60. Note that, in order to make the drawing easier to understand, hatching lines of some of the components of the first chip 60 are omitted in Fig. 66.
  • the first chip 60 of the thirteenth embodiment like the tenth embodiment, includes a first organic insulating layer 191 formed on the layer surface 151 of the element insulating layer 150, and a second organic insulating layer 192 formed on the first organic insulating layer 191. Both the first surface side coil 111A and the first electrode pad 67A are formed on the first organic insulating layer 191, like the tenth embodiment.
  • the surface side corner portion 176 formed by the coil surface 171 and the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170 of the first surface side coil 111A is formed in a rounded curved shape, unlike the first embodiment.
  • the surface side corner portion 176 can also be said to have an R surface (curved surface).
  • an R surface (curved surface) is formed in the portion between the coil surface 171 and the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170.
  • the coil surface 171 of the conductor 170 is located above the layer surface 151 of the element insulating layer 150. In other words, the conductor 170 protrudes from the layer surface 151 of the element insulating layer 150.
  • the passivation film 161 covers the surface side corner portion 176 and the coil surface 171 of the conductor 170. Therefore, the surface side corner portion 176 is not in contact with the element insulating layer 150, but is in contact with the passivation film 161.
  • the portion of the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170 that is closer to the coil back surface 172 than the surface side corner portion 176 is in contact with the element insulating layer 150.
  • the back side corner portion 177 formed by the coil back side 172 and the pair of coil side surfaces 173 of the conductor 170 is formed in a rounded curved shape, unlike the first embodiment.
  • the back side corner portion 177 can also be said to have an R surface (curved surface).
  • an R surface (curved surface) is formed in the portion of the conductor 170 between the coil back side 172 and the pair of coil side surfaces 173.
  • the conductor 170 is covered by the second organic insulating layer 192. More specifically, the coil surface 171, the pair of coil side surfaces 173, the front side corner portion 176, and the back side corner portion 177 of the conductor 170 are in contact with the second organic insulating layer 192.
  • the conductive wire 170 is formed by a laminated structure of a seed layer 178 and a metal layer 179 formed on the seed layer 178 .
  • the seed layer 178 constitutes the coil back surface 172. That is, the seed layer 178 is in contact with the first organic insulating layer 191.
  • the seed layer 178 may contain at least one of titanium, titanium nitride, and copper, for example.
  • the seed layer 178 is formed by a laminated structure of a first layer containing titanium and a second layer containing copper laminated on the first layer.
  • the metal layer 179 is disposed at a distance from the first organic insulating layer 191 in the Z direction.
  • the metal layer 179 includes a coil surface 171, a pair of coil side surfaces 173, a surface side corner portion 176, and a back side corner portion 177.
  • the metal layer 179 is covered with a second organic insulating layer 192.
  • Method of manufacturing the first chip A method for manufacturing the first chip 60, particularly a method for manufacturing the first surface side coil 111A, will be described with reference to FIGS.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes the steps of preparing a substrate 830 (see, for example, FIG. 55), forming an element insulating layer 850 on the substrate 130, forming a first back side coil 111B (see, for example, FIG. 55) on the element insulating layer 850, forming a passivation film 861, and forming a first organic insulating layer 891.
  • the second to fourth back side coils 112B to 114B are formed simultaneously with the step of forming the first back side coil 111B.
  • the passivation film 861 is formed on the layer surface 851 of the element insulating layer 850 by, for example, a CVD method or a sputtering method.
  • the first organic insulating layer 891 is formed on the passivation film 161 by, for example, a spin coating method.
  • the method for manufacturing the first chip 60 includes a step of forming a seed layer 911. More specifically, the seed layer 911 is formed on the first organic insulating layer 891 by, for example, a sputtering method.
  • the seed layer 911 may contain titanium and copper.
  • the seed layer 911 is formed of a laminated structure (Ti/Cu) of a first seed layer 911A containing titanium and a second seed layer 911B containing copper laminated on the first seed layer 911A.
  • the method for manufacturing the first chip 60 includes a step of forming a resist 920. More specifically, first, a resist 920 is formed on the seed layer 911. Next, the resist 920 is selectively exposed to light and developed to form openings 921 that expose the portions where the conductive wires 170 (see FIG. 66) are to be formed and the portions where the first electrode pads 67 (see FIG. 53) are to be formed.
  • Figure 67 shows an opening 921 where the conductive wire 170 is to be formed.
  • the surfaces of the resist 920 constituting the opening 921 are tapered so that they approach each other toward the seed layer 911.
  • the portion of the opening 921 of the resist 920 that contacts the seed layer 911 has an inward protrusion 922 that is curved and concave.
  • the method for manufacturing the first chip 60 includes a step of forming a metal layer 912. More specifically, a conductive material for the conductor 170 is plated from the seed layer 911. In one example, copper is plated from the seed layer 911. This forms a metal layer 912 in the opening 921.
  • the metal layer 912 is formed of a material containing copper, for example.
  • the metal layer 912 is integrated with the second seed layer 911B.
  • the interface between the second seed layer 911B and the metal layer 912 is shown by a two-dot chain line to make the drawing easier to understand. However, in reality, this interface may not be formed.
  • the metal layer 912 is formed in the opening 921 where the first electrode pad 67 is to be formed. This produces the first electrode pad 67.
  • the end of the metal layer 912 on the seed layer 911 side has a rounded corner formed by the inward protrusion 922 of the resist 920 to form an R surface (curved surface).
  • the metal layer 912 is formed with an R surface (curved surface) that corresponds to the rear side corner portion 177 of the conductor 170.
  • the method for manufacturing the first chip 60 includes a step of removing the resist 920. This causes the seed layer 911 and the metal layer 912 to be exposed.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a step of etching the seed layer 911 and the metal layer 912. In one example, this step includes a step of forming curved surfaces at both ends in the Y direction of the upper end of the metal layer 912 (front surface side corner portions 913 in FIG. 69) and a step of removing the second seed layer 911B of the seed layer 911. More specifically, a resist (not shown) is formed on the upper end surface of the metal layer 912. The resist is formed so that the front surface side corner portions 913 are exposed in a plan view.
  • the metal layer 912 constituting the front surface side corner portions 913 is removed by dry etching or wet etching.
  • the front surface side corner portions 913 are formed with rounded R surfaces (curved surfaces). That is, in this step, the metal layer 912 is formed with R surfaces (curved surfaces) corresponding to the front surface side corner portions 176 of the conductive wire 170.
  • the second seed layer 911B is removed by dry etching or wet etching.
  • the method of manufacturing the first chip 60 involves removing the seed layer 911 except for the portion where the metal layer 912 is laminated. More specifically, the seed layer 911 except for the portion where the metal layer 912 is laminated is removed by, for example, etching. Through the above steps, the conductor 170 is formed. In this way, the first surface side coil 111A is formed. The second to fourth surface side coils 112A to 114A are also formed in a similar manner.
  • the manufacturing method of the first chip 60 includes a process of forming the second organic insulating layer 192.
  • the second organic insulating layer 192 is formed on the first organic insulating layer 191 by spin coating.
  • the second organic insulating layer 192 is formed so as to cover the conductive wires 170 and the first electrode pads 67A to 67F.
  • openings are formed in the second organic insulating layer 192 by etching, through which parts of the first electrode pads 67A to 67F are exposed.
  • the first to fourth surface side coils 111A to 114A of the first transformer 111 have a coil surface 171, a coil back surface 172 opposite the coil surface 171, and a coil side surface 173 connecting the coil surface 171 and the coil back surface 172.
  • a curved surface is formed between the coil surface 171 and the coil side surface 173.
  • a curved surface is formed between the coil back surface 172 and the coil side surface 173.
  • This configuration can alleviate electric field concentration at the front side corner portion 176 formed by the coil front surface 171 and the coil side surface 173, and can alleviate electric field concentration at the back side corner portion 177 formed by the coil back surface 172 and the coil side surface 173. This prevents the front side corner portion 176 and the back side corner portion 177 from becoming the starting point of dielectric breakdown, thereby improving the dielectric strength voltage of the first chip 60.
  • At least one of the configurations of the tenth and thirteenth embodiments may be added to the signal transmission device 10 of the first embodiment. At least one of the configurations of the eleventh and twelfth embodiments may be added to the signal transmission device 10 of the first embodiment.
  • At least one of the configurations of the tenth and thirteenth embodiments may be added to a signal transmission device 10 in which at least one of the configurations of the second, third, and fifth to ninth embodiments is added to the first embodiment.
  • At least one of the configurations of the 11th and 12th embodiments may be added to a signal transmission device 10 in which at least one of the configurations of the second, third, and fifth to ninth embodiments is added to the first embodiment.
  • At least one of the configurations of the second and fourth to ninth embodiments may be added to the signal transmission device 10 of the first embodiment. At least one of the configurations of the tenth and thirteenth embodiments may be added to the signal transmission device 10 in which at least one of the configurations of the second and fourth to ninth embodiments is added to the first embodiment.
  • At least one of the configurations of the 11th and 12th embodiments may be added to the signal transmission device 10 in which at least one of the configurations of the second and fourth to ninth embodiments is added to the first embodiment.
  • the first die pad 30 may be provided with one or more through holes penetrating the first die pad 30 in its thickness direction (Z direction). Each through hole is filled with sealing resin 90.
  • the second die pad 50A may be provided with one or more through holes that penetrate the second die pad 50A in its thickness direction (Z direction). Each through hole is filled with sealing resin 90.
  • the third die pad 50B may be provided with one or more through holes that penetrate the third die pad 50B in its thickness direction (Z direction). Each through hole is filled with sealing resin 90.
  • the through holes 11AD, 12AD, 17AD, and 18AD may be omitted from the first lead terminals 11, 12, 17, and 18. Furthermore, the through hole 48AD may be omitted from the second lead terminal 48.
  • the through holes 11AD, 12AD, 17AD, and 18AD may be omitted from the first lead terminals 11, 12, 17, and 18.
  • the second bond portion of the first lead wire WB may have a configuration in which the security bond WB1 is provided and a configuration in which the security bond WB1 is not provided.
  • the security bond WB1 is provided on the second bond portion of the first lead wire WB at a location where the second bond portion of the first lead wire WB is considered to be relatively easy to peel off, and the security bond WB1 is not provided on the second bond portion of the first lead wire WB at a location where the second bond portion is considered to be relatively difficult to peel off.
  • peeling of the second bond portion it is considered that the second bond portion of a relatively long first lead wire WB is easily peeled off, and the second bond portion of a relatively short first lead wire WB is difficult to peel off.
  • a security bond WB1 is provided on the second bond portion of the relatively long first lead wire WB, and a security bond WB1 is not provided on the second bond portion of the relatively short first lead wire WB.
  • the through holes 42AD, 44AD, 45AD, and 48AD may be omitted from the second lead terminals 42, 44, 45, and 48.
  • the second bond portion of the second lead wire WD may have a configuration in which the security bond WD1 is provided and a configuration in which the security bond WD1 is not provided.
  • the security bond WD1 is provided at the second bond portion of the second lead wire WD at a location where the second bond portion of the second lead wire WD is considered to be relatively easy to peel off, and the security bond WD1 is not provided at the second bond portion of the second lead wire WD at a location where the second bond portion is considered to be relatively difficult to peel off.
  • peeling of the second bond portion it is considered that the second bond portion of a relatively long second lead wire WD is easily peeled off, and the second bond portion of a relatively short second lead wire WD is difficult to peel off.
  • a security bond WD1 is provided on the second bond portion of the relatively long second lead wire WD, and a security bond WD1 is not provided on the second bond portion of the relatively short second lead wire WD.
  • the coverage area of the plating layer 29 covering the wire connection portions 11AA-13AA, 15AA-18AA of the first lead terminals 11-13, 15-18 can be changed as desired.
  • the plating layer 29 may cover the entire inner lead surface 21B of each of the wire connection portions 11AA-13AA, 15AA-18AA.
  • a portion of the plating layer 29 may cover the tip surface 24B of the wire connection portions 11AA-13AA, 15AA-18AA.
  • the coverage area of the plating layer 29 covering the wire connection portions 41AA to 45AA, 47AA, and 48AA of the second lead terminals 41 to 45, 47, and 48 can be changed as desired.
  • the plating layer 29 may cover the entire inner lead surface 21B of each of the wire connection portions 41AA to 45AA, 47AA, and 48AA.
  • a portion of the plating layer 29 may cover the tip surface 24B of the wire connection portions 41AA to 45AA, 47AA, and 48AA.
  • the coverage area of the plating layer 29 covering the wire connection portions 41AA-43AA, 47AA, 48AA of the second lead terminals 41-43, 47, 48 can be changed as desired.
  • the plating layer 29 may cover the entire inner lead surface 21B of each of the wire connection portions 41AA-43AA, 47AA, 48AA.
  • a portion of the plating layer 29 may cover the tip surface 24B of the wire connection portions 41AA-43AA, 47AA, 48AA.
  • the end surface plating layer 27 may be omitted from at least one of the outer lead end surfaces 24A of the first outer lead portions 11B-18B of the first lead terminals 11-18.
  • the end surface plating layer 27 may be omitted from at least one of the outer lead end surfaces 24A of the second outer lead portions 41B to 48B of the second lead terminals 41 to 48.
  • the arrangement of the inter-chip wires WA in a plan view can be changed as desired.
  • the three inter-chip wires WA may be formed such that the spacing between adjacent inter-chip wires WA increases, for example, from the first chip 60 toward the second chip 70 in a plan view.
  • the three inter-chip wires WA may be formed such that the spacing between adjacent inter-chip wires WA increases, for example, from the first chip 60 toward the third chip 80 in a plan view.
  • the material constituting the inter-chip wire WA is not limited to gold and can be changed as desired.
  • the material constituting the inter-chip wire WA is not limited to gold and can be changed as desired.
  • the material constituting the inter-chip wire WA is not limited to gold and can be changed as desired.
  • the material constituting the inter-chip wire WA is not limited to gold and can be changed as desired.
  • the material constituting the inter-chip wire WA is not limited to gold and can be changed as desired.
  • the material constituting the inter-chip wires WA is not limited to gold and can be changed arbitrarily.
  • the first lead wire WB is not limited to copper or aluminum and can be changed as desired.
  • the palladium coating on the surface of the copper wire may be omitted.
  • the first die pad wire WC, the second lead wire WD, the second die pad wire WE, and the third die pad wire WF can also be changed in the same manner.
  • the security bond WC1 may be omitted from at least one of the second bond portions of the multiple first die pad wires WC.
  • the security bond WE1 may be omitted from at least one of the second bond portions of the multiple second die pad wires WE.
  • the security bond WF1 may be omitted from at least one of the second bond portions of the multiple third die pad wires WF.
  • the number of the first die pad wires WC can be arbitrarily changed.
  • the number of the second die pad wires WE can be arbitrarily changed.
  • the number of the third die pad wires WF can be arbitrarily changed.
  • the configuration of the first chip 60 may be changed to the first chip 60 shown in Fig. 72 and Fig. 73.
  • the first chip 60 shown in Fig. 72 and Fig. 73 has a larger ratio of the length in the longitudinal direction to the size in the lateral direction of the first chip 60 than the first chip 60 of the first embodiment.
  • the front-side outer periphery guard ring 101 is formed in an annular shape so as to go around the outer periphery of the first chip 60.
  • the portion of the front-side outer periphery guard ring 101 adjacent to the second chip side surface 64 in the X direction and extending in the Y direction is connected to the front-side guard ring 115.
  • the configurations of the first transformer 111 and the second transformer 112 in the insulating transformer region 110 are the same as the configurations of the first transformer 111 and the second transformer 112 in the first embodiment.
  • the circuit region 120 has a plurality of functional units and a plurality of circuit elements of the first chip 60 formed therein.
  • the plurality of functional units and the plurality of circuit elements are similar to the plurality of functional units and the plurality of circuit elements of the circuit region 120 of the first embodiment.
  • the circuit region 120 includes a first circuit unit CR1, a second circuit unit CR2, and a third circuit unit CR3.
  • a MOSFET is formed in the first circuit unit CR1 and the second circuit unit CR2.
  • the first circuit unit CR1 includes the first transmission unit 501 and the second transmission unit 502 of FIG. 16
  • the second circuit unit CR2 includes the logic unit 503, the UVLO unit 505, the LDO unit 504, and the delay unit 506 of FIG. 16.
  • a protection element is formed in the third circuit unit CR3.
  • the step portion 139 of the first chip 60 is not limited to being provided around the entire circumference of the substrate 130 in a plan view.
  • the step portion 139 may be provided partially on the first to fourth substrate sides 133 to 136 of the substrate 130.
  • the step portion 239 of the second chip 70 is not limited to being provided around the entire circumference of the substrate 230 in a plan view.
  • the step portion 239 may be provided partially on the first to fourth substrate sides 233 to 236 of the substrate 230.
  • the step portion 339 of the third chip 80 is not limited to being provided around the entire circumference of the substrate 330 in a plan view.
  • the step portion 339 may be provided partially on the first to fourth substrate sides 333 to 336 of the substrate 330.
  • one or two of the step portion 139 of the first chip 60, the step portion 239 of the second chip 70, and the step portion 339 of the third chip 80 may be omitted.
  • a step portion is provided in at least one of the substrate 130 of the first chip 60, the substrate 230 of the second chip 70, and the substrate 330 of the third chip 80.
  • the first chip 60 is configured to transmit a signal to the second chip 70 and the third chip 80, but this is not limited to the above.
  • the second chip 70 may transmit a signal to the first chip 60.
  • the first chip 60 may transmit a signal to the second chip 70, and the second chip 70 may transmit a signal to the first chip 60.
  • the third chip 80 may transmit a signal to the first chip 60.
  • the first chip 60 may transmit a signal to the third chip 80, and the third chip 80 may transmit a signal to the first chip 60.
  • the second chip 70 may be configured to receive a signal from the first chip 60 and/or transmit a signal to the first chip 60.
  • the third chip 80 may be configured to receive a signal from the first chip 60 and/or transmit a signal to the first chip 60.
  • the surface roughness Rz of each of the sealing front surface 91, the sealing rear surface 92, and the first to fourth sealing side surfaces 93 to 96 of the sealing resin 90 may be less than 8 ⁇ m.
  • the concentration of sulfur added to the sealing resin 90 can be changed as desired.
  • the concentration of sulfur added to the sealing resin 90 may be greater than 300 ⁇ g/g.
  • each of the third sealing side 95 and the fourth sealing side 96 can be changed as desired.
  • a plurality of grooves 95E may be formed in the center of the third sealing side 95 in the X direction.
  • a plurality of grooves 96E may be formed in the center of the fourth sealing side 96 in the X direction.
  • the number of grooves 95E on the third sealing side 95 can be changed as desired.
  • the third sealing side 95 may have only one groove 95E.
  • the number of grooves 96E on the fourth sealing side 96 can be changed as desired.
  • the fourth sealing side 96 may have only one groove 96E.
  • the depth of the multiple grooves 95E is constant, but is not limited to this. In one example, the depth of the central groove 95E in the X direction among the multiple grooves 95E may be deeper than the depth of the grooves 95E at both ends in the X direction. Similarly, the depth of the multiple grooves 96E is constant, but is not limited to this. In one example, the depth of the central groove 96E in the X direction among the multiple grooves 96E may be deeper than the depth of the grooves 96E at both ends in the X direction.
  • the shape of the second sealing side surface 94 can be changed as desired.
  • multiple grooves 94E can be formed in the center of the second sealing side surface 94 in the Y direction.
  • the number of grooves 94E can be changed as desired. In one example, there may be only one groove 94E.
  • the depth of the multiple grooves 94E is uniform, but this is not limited to the above.
  • the depth of the central groove 94E in the Y direction among the multiple grooves 94E may be deeper than the depth of the grooves 94E at both ends in the Y direction.
  • the signal transmission device 10 of each embodiment can be applied to an insulated gate driver that performs a switching operation of a power semiconductor element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that controls the drive of a motor.
  • a power semiconductor element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that controls the drive of a motor.
  • IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • Such an insulated gate driver can be applied to an inverter device of an electric vehicle or a hybrid vehicle.
  • the power supply voltage supplied to the first chip 60 of the signal transmission device 10 is 5V or 3.3V based on the ground potential.
  • a voltage of, for example, 600V or more is applied transiently to the second chip 70 compared to the ground potential of the first chip 60.
  • a half-bridge circuit in which a low-side switching element and a high-side switching element are connected in a totem pole shape is generally used as a motor driver circuit in an inverter device of a hybrid vehicle or
  • on as used in this disclosure includes the meanings of “on” and “above” unless the context clearly indicates otherwise.
  • the expression “A is formed on B” is intended to mean that, although in each of the above embodiments, A may be in contact with B and directly disposed on B, as a modified example, A may be disposed above B without contacting B.
  • the term “on” does not exclude a structure in which another member is formed between A and B.
  • the statement "at least one of A and B" in this specification should be understood to mean “only A, or only B, or both A and B.”
  • the Z direction used in this disclosure does not necessarily have to be a vertical direction, nor does it have to completely coincide with the vertical direction. Therefore, various structures according to the present disclosure are not limited to the "up” and “down” of the Z direction described in this specification being “up” and “down” of the vertical direction.
  • the X direction may be a vertical direction
  • the Y direction may be a vertical direction.
  • Appendix A2 The signal transmission device according to Appendix A1, wherein the first lead wire (WB) is a copper wire having a surface coated with palladium.
  • the semiconductor device further includes a plurality of second lead wires (WD) that individually connect the second chip (70) and the plurality of second lead terminals (42, 43, 47, 48),
  • the signal transmission device according to Appendix A1 or A2, wherein the second lead wire (WD) is made of a material containing copper or aluminum.
  • the first die pad further includes a wire (WC) for a first die pad that connects the first chip (60) and the first die pad (30);
  • the signal transmission device according to any one of Appendixes A1 to A3, wherein the first die pad wire (WC) is made of a material containing copper or aluminum.
  • Appendix A5 Further comprising a second die pad wire (WE) connecting the second chip (70) and the second die pad (50A),
  • the signal transmission device according to any one of Appendixes A1 to A4, wherein the second die pad wire (WE) is made of a material containing copper or aluminum.
  • the first die pad wire (WC) is a bonding wire
  • the signal transmission device according to Appendix A4 wherein a security bond (WC1) is formed at a joint portion of the first die pad wire (WC) with the first die pad.
  • the second die pad wire (WE) is a bonding wire, The signal transmission device according to Appendix A5, wherein a security bond (WE1) is formed at a joint portion of the second die pad wire (WE) with the second die pad.
  • the plurality of first lead terminals (11 to 18) include first remote terminals (11 to 13, 15 to 18) arranged at a distance from the first die pad (30);
  • the first remote terminals (11 to 13, 15 to 18) are A first portion (11AB to 13AB, 15AB to 18AB) extending in the first direction; a second portion (11AA to 13AA, 15AA to 18AA) provided contiguous to the first portion (11AB to 13AB, 15AB to 18AB) and extending in a direction intersecting the first direction (X direction) with respect to the first portion (11AB to 13AB, 15AB to 18AB) in a plan view;
  • the second portion (11AA to 13AA, 15AA to 18AA) includes a side surface that intersects with the first lead wire connected to the second portion (11AA to 13AA, 15AA to 18AA) in a plan view,
  • the signal transmission device according to any one of Appendix A1 to A7, wherein the side surface faces the first die pad (30) in a plan view.
  • Appendix A9 A signal transmission device described in any one of Appendices A1 to A8, wherein the shortest distance between the plurality of second lead terminals (41 to 43) electrically connected to the second chip (70) and the plurality of second lead terminals (46 to 48) electrically connected to the third chip (80) is greater than the distance between adjacent second lead terminals in the second direction (Y direction) among the plurality of second lead terminals (41 to 43) electrically connected to the second chip (70).
  • the plurality of first lead terminals (11 to 18) are a first connection terminal (14) integrated with the first die pad (30); a first remote terminal (11-13, 15-18) disposed at a distance from the first die pad (30);
  • the first remote terminals (11 to 13, 15 to 18) have through holes (11AD to 13AD, 15AD to 18AD) penetrating in a thickness direction (Z
  • Each of the first lead terminals (11 to 18) is a first outer lead portion (11B to 18B) exposed to the outside of the sealing resin (90); a first inner lead portion (11A to 18A) provided inside the sealing resin (90) and connected to the first outer lead portion (11B to 18B);
  • the plurality of first lead terminals (11 to 18) are a first specific terminal (11
  • the sealing resin (90) has a sealing surface (91), a sealing back surface (92) opposite to the sealing surface (91), and sealing side surfaces (93-96) connecting the sealing surface (91) and the sealing back surface (92),
  • the sealing side surface (93 to 96) is a first sealing side surface (93) to which the first lead terminals (11 to 18) are exposed; a second sealing side surface
  • the first chip (60) is An element insulating layer (150); a first resin layer (191) provided on the element insulating layer (150); A second resin layer (192) provided on the first resin layer (191),
  • the isolation transformers (111, 112) are a front side coil (111A to 114A) disposed on the first resin layer (191) and covered with the second resin layer (192);
  • the signal transmission device according to any one of appendices A1 to A12, further comprising a back side coil (111B to 114B) disposed opposite the front side coil (111A to 114A) in the thickness direction (Z direction) of the element insulating layer (150) and embedded in the element insulating layer (150).
  • the first chip (60) is An element insulating layer (150); a passivation film (161) formed on the element insulating layer (150) so as to cover the element insulating layer (150); A low dielectric layer (193) formed on the surface of the passivation film (161) and having a relative dielectric constant lower than that of the passivation film (161),
  • the signal transmission device according to any one of Append
  • the isolation transformers (111, 112) are a front surface side coil (111A to 114A) disposed near a chip front surface (61) of the first chip (60); A back side coil (111B to 114B) arranged opposite the front side coil (111A to 114A),
  • the front side coils (111A to 114A) are A coil surface (171); A back surface (172) of the coil opposite to the front surface (171) of the coil; A coil side surface (173) that connects the coil front surface (171) and the coil back surface (172),
  • the signal transmission device according to any one of appendices A1 to A14, wherein a curved surface is formed between the coil surface (171) and the coil side surface (173).
  • the first chip (60) is A flat substrate (130) mounted on the first die pad (30); An element insulating layer (150) formed on the substrate (130) and having at least a part of the isolation transformer (111, 112) provided thereon;
  • the substrate (130) is a back surface (132) of the substrate facing the first die pad (30); a substrate surface (131) opposite to the substrate back surface (132); A substrate side surface (133 to 136) connecting the substrate back surface (132) and the substrate front surface (131); A first portion (137) including the rear surface (132) of the substrate; a second portion (138) disposed on the first portion (137) and including the substrate surface (131); A step portion (139) formed so that the second portion (138) is positioned inside the substrate (130) relative to the first portion (137).
  • the signal transmission device according to any one of Appendixes A1 to A15.
  • the first lead terminal (14) is a first outer lead connection portion (14AB1) disposed offset from the center of gravity (G1) of the first die pad (30) in the second direction (Y direction); a first die pad connection portion (14AB2) connected to the first die pad (30);
  • the signal transmission device according to any one of Appendices A1 to A16, wherein the first die pad connection portion (14AB2) extends in a straight line obliquely from the first outer lead connection portion (14AB1) toward the center of gravity (G1) of the first die pad (30) in a plan view.
  • the first lead terminals (11 to 18) include first inner lead portions (11A to 18A) provided in the sealing resin, the first inner lead portion (11A to 13A, 15A to 18A) includes a wire connection portion (11AA to 13AA, 15AA to 18AA) to which the first lead wire (WB) is connected,
  • the plurality of first lead terminals (11 to 18) include first outer lead portions (11B to 18B) protruding to the outside of the sealing resin (90),
  • the first outer lead portion (11B to 18B) is An outer lead surface (21A); an outer lead back surface (22A) facing the opposite side to the outer lead front surface (21A); outer lead side surfaces (23A) connecting the outer lead surface (21A) and the outer lead back surface (22A) at both ends in the width direction (Y direction) of the first outer lead portions (11A to 18A); an outer lead end surface (24A) which is an end surface in a direction in which the first outer lead portion (11
  • the signal transmission device according to any one of Appendices A1 to A10, wherein an outer surface (91 to 96) of the sealing resin (90) is formed so as to have a surface roughness Rz of 8 ⁇ m or more.
  • Appendix A21 Further comprising a third die pad wire (WF) connecting the third chip (80) and the third die pad (50B),
  • WF third die pad wire
  • the third die pad wire (WF) is a bonding wire, The signal transmission device according to Appendix A21, wherein a security bond (WF1) is formed at a joint portion of the third die pad wire (WF) with the third die pad (50B).
  • the semiconductor device further includes a plurality of second lead wires (WD) that individually connect the second chip (70) and the plurality of second lead terminals (42, 43),
  • the plurality of second lead terminals (42, 43) include second remote terminals (42, 43) arranged at a distance from the second die pad (50A),
  • the second remote terminals (42, 43) are a third portion (42AB, 43AB) extending in the first direction (X direction); a fourth portion (42AA, 43AA) provided continuously with the third portion (42AB, 43AB) and extending in a direction intersecting the first direction (X direction) with respect to the third portion (42AB, 43AB) in a plan view,
  • the fourth portion (42AA, 43AA) includes a side surface that intersects with the second lead wire (WD) connected to the fourth portion (42AA, 43AA) in a plan view
  • the signal transmission device according to claim 1 or 2, wherein the side surface faces the second die pad (50A) in a plan view.
  • the semiconductor device further includes a plurality of second lead wires (WD) that individually connect the third chip (80) and the plurality of second lead terminals (47, 48),
  • the plurality of second lead terminals (47, 48) include a third remote terminal (47, 48) arranged at a distance from the third die pad (50B),
  • the second remote terminals (47, 48) are a fifth portion (47AB, 48AB) extending in the first direction (X direction); a sixth portion (47AA, 48AA) provided continuously with the fifth portion (47AB, 48AB) and extending in a direction intersecting the first direction (X direction) with respect to the fifth portion (47AB, 48AB) in a plan view,
  • the sixth portion (47AA, 48AA) includes a side surface that intersects with the second lead wire (WD) connected to the sixth portion (47AA, 48AA) in a plan view
  • the signal transmission device according to claim 1 or 2, wherein the side surface faces the third die pad (50B) in a plan view.
  • the third die pad (50B) is a die pad opposing surface (51B) that faces the first die pad (30) in the first direction (X direction) in a plan view; a lead side surface (52B) opposite to the die pad facing surface (51B) in a plan view; A fifth side surface (53B) and a sixth side surface (54B) constituting both side surfaces in the second direction (Y direction); a first tip side curved surface (55BA) formed between the die pad opposing surface (51B) and the fifth side surface (53B); a second tip side curved surface (55BB) formed between the die pad opposing surface (51) and the sixth side surface (54B);
  • the signal transmission device according to any one of appendices A1 to A24, wherein, in a plan view, the arc length of the second tip side curved surface (55BB) is longer than the arc length of the first tip side curved surface (55BA).
  • the plurality of second lead terminals (41 to 48) are a second connection terminal (41) integrated with the second die pad (50A); second remote terminals (42-44) arranged at a distance from the second die pad (50A); a third connection terminal (46) integrated with the third die pad (50B); and a third remote terminal (45, 47, 48) disposed at a distance from the third die pad (50
  • second lead wires (WD) that individually connect the plurality of second lead terminals (42, 43, 47, 48) to the second chip (70) and the third chip (80); a sealing resin (90) that seals the first chip (60), the second chip (70), the third chip (80), the inter-chip wires (WA), the first lead wires (WB), the second lead wires (WD), the first die pad (30), the second die pad (50A), and the third die pad (50B) and partially seals the first lead terminals (11-18) and the second lead terminals (41-48);
  • Each of the second lead terminals (42, 43, 47, 48) is a second outer lead portion (42B, 43B, 47B, 48B) exposed to the outside of the sealing resin (90); a second inner lead portion (42A, 43B, 47B, 48A) provided inside the sealing resin (90) and connected to the second outer lead portion (42B, 43B, 47B, 48B);
  • the second lead terminals (42 to 45, 47, 48) include first inner lead portions (42A to 45A, 47A, 48A) provided in the sealing resin (90),
  • the first inner lead portion (42A to 45A, 47A, 48A) includes a wire connection portion (42AA to 45AA, 47AA, 48AA) to which the second lead wire (WD) is connected,
  • the wire connection portions (42AA to 45AA, 47AA, 48AA) are an inner lead surface (21B)
  • the plurality of second lead terminals (41 to 48) include second outer lead portions (41B to 48B) protruding to the outside of the sealing resin (90),
  • the second outer lead portion (41B to 48B) is An outer lead surface (21A); an outer lead back surface (22A) facing the opposite side to the outer lead front surface (21A); outer lead side surfaces (23A) connecting the outer
  • the first die pad (30) is a first tip surface (31) facing the second die pad (50A) in the first direction (X direction) in a plan view; a first base end surface (32) opposite the first tip end surface (31) in a plan view; A first side surface (33) and a second side surface (34) constituting both side surfaces in the second direction (Y direction); a first tip side curved surface (35A) formed between the first tip surface (31) and the first side surface (33); a second tip side curved surface (35B) formed between the first tip surface (31) and the second side surface (34),
  • the signal transmission device according to any one of Appendix A1 to A29, wherein, in a plan view, an arc length of the second tip side curved surface (35B) is longer than an arc length of the first tip side curved surface (35A).
  • the second lead terminal (46) is a second outer lead connection portion (46AB1) disposed offset with respect to the center of gravity (G2) of the third die pad (50B) in the second direction (Y direction); a second die pad connection portion (46AB2) connected to the third die pad (50B);
  • the signal transmission device (10) according to any one of Appendices A1 to A30, wherein the second die pad connection portion (46AB2) extends in a straight line obliquely from the second outer lead connection portion (46AB1) toward the center of gravity (G2) of the third die pad (50B) in a plan view.
  • Electric field concentration is likely to occur in the corners defined by the front and side surfaces of the first coil, which may result in a decrease in the dielectric strength of the first chip.

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

信号伝達装置は、第１トランスを含む第１チップと、第２チップと、複数の第１リード端子と、複数の第２リード端子と、第１チップと第２チップとを電気的に接続するチップ間ワイヤと、第１チップと複数の第１リード端子とを個別に接続する複数の第１リード用ワイヤと、を備える。チップ間ワイヤは、金を含む材料によって形成されている。第１リード用ワイヤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。

Description

信号伝達装置
　本開示は、信号伝達装置に関する。
　従来、第１ダイパッドと、第１ダイパッドから離隔して配置された第２ダイパッドと、第１ダイパッドに搭載された第１チップおよびトランスチップと、第２ダイパッドに搭載された第２チップと、これらダイパッドおよびチップを封止する封止樹脂と、を備える信号伝達装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。このような信号伝達装置では、第１チップとトランスチップとがワイヤによって電気的に接続されており、トランスチップと第２チップとが別のワイヤによって電気的に接続されている。
特開２０１６－２０７７１４号公報
　ところで、信号伝達装置の絶縁信頼性の観点から、隣り合うチップ同士を電気的に接続するチップ間ワイヤの形状およびワイヤ高さをより精度よく検査することが求められている。
　本開示の一態様である信号伝達装置は、絶縁トランスを含む第１チップと、前記第１チップからの信号を受信、および前記第１チップへの信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップと、前記第１チップからの信号を受信、および前記第１チップへの信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップと、前記第１チップが搭載された第１ダイパッドと、前記第１ダイパッドに対して第１方向において離隔して配置されており、前記第２チップが搭載された第２ダイパッドと、前記第１ダイパッドに対して前記第１方向において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッドに対して平面視で前記第１方向と直交する第２方向において離隔して配置されており、前記第３チップが搭載された第３ダイパッドと、平面視において前記第１方向において前記第１ダイパッドに対して前記第２ダイパッドおよび前記第３ダイパッドとは反対側に配置され、平面視において前記第２方向に配列された複数の第１リード端子と、前記第１方向において前記第２ダイパッドおよび前記第３ダイパッドに対して前記第１ダイパッドとは反対側に配置され、前記第２方向に配列された複数の第２リード端子と、前記第１チップと前記第２チップおよび前記第３チップとを個別に接続するチップ間ワイヤと、前記第１チップと前記複数の第１リード端子とを個別に接続する複数の第１リード用ワイヤと、を備え、前記チップ間ワイヤは、金を含む材料によって形成されており、前記第１リード用ワイヤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。
　上記信号伝達装置によれば、チップ間ワイヤのワイヤ高さをより精度よく検査することができる。
図１は、第１実施形態の信号伝達装置の斜視図である。 図２は、図１の信号伝達装置の側面図である。 図３は、図１の信号伝達装置における図２とは異なる方向から視た側面図である。 図４は、図３の第１リード端子およびその周辺の拡大図である。 図５は、図４の第１リード端子のアウターリード端面の拡大図である。 図６は、信号伝達装置が回路基板に実装された状態の側面図である。 図７は、図１の信号伝達装置の内部構成を示す概略平面図である。 図８は、図７の第１フレームおよびその周辺の拡大図である。 図９は、図８の第１フレームの一部およびその周辺の拡大図である。 図１０は、図８の第１フレームの残りの一部およびその周辺の拡大図である。 図１１は、第１リード端子のワイヤ接続部の模式的な断面図である。 図１２は、図７の第２ダイパッドおよびその周辺の拡大図である。 図１３は、図７の第３ダイパッドおよびその周辺の拡大図である。 図１４は、第２リード端子のワイヤ接続部の模式的な断面図である。 図１５は、第３ダイパッド用ワイヤのセカンドボンド部およびその周辺を拡大した斜視図である。 図１６は、第１実施形態の信号伝達装置の回路図である。 図１７は、第１実施形態の信号伝達装置における第１チップの内部構造の一例を示す模式的な平面図である。 図１８は、図１７のトランス領域を拡大した平面図である。 図１９は、図１８とは第１チップの厚さ方向に異なる位置における第１チップの内部構造の一例を示す模式的な平面図である。 図２０は、図１９のトランス領域を拡大した平面図である。 図２１は、第１チップの第１トランスおよびその周辺の断面構造を示す断面図である。 図２２は、図２１の第１チップの一部を拡大した拡大図である。 図２３は、図２２の第１チップにおける第１表面側コイルの導線を拡大した拡大図である。 図２４は、図２２の第１チップにおける第１裏面側コイルの導線を拡大した拡大図である。 図２５は、第１チップの回路領域の一部の断面構造を示す断面図である。 図２６は、図２５の第１ビアおよびその周辺の拡大図である。 図２７は、第２実施形態の信号伝達装置について、第１フレームの一部およびその周辺を拡大した平面図である。 図２８は、第２実施形態の信号伝達装置について、第２ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図２９は、第２実施形態の信号伝達装置について、第３ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図３０は、第３実施形態の信号伝達装置について、第１フレームの一部およびその周辺を拡大した平面図である。 図３１は、第３実施形態の信号伝達装置について、第１フレームの残りの一部およびその周辺を拡大した平面図である。 図３２は、第３実施形態の信号伝達装置について、第２ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図３３は、第３実施形態の信号伝達装置について、第３ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図３４は、第４実施形態の信号伝達装置について、第１フレームの一部およびその周辺を拡大した平面図である。 図３５は、第４実施形態の信号伝達装置について、第１フレームの残りの一部およびその周辺を拡大した平面図である。 図３６は、第４実施形態の信号伝達装置について、第２ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図３７は、第４実施形態の信号伝達装置について、第３ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図３８は、第５実施形態の信号伝達装置について、第１ダイパッドの一部、第３ダイパッド、およびその周辺を拡大した平面図である。 図３９は、第６実施形態の信号伝達装置について、第１チップおよび第１ダイパッドの模式的な断面図である。 図４０は、図３９とは異なる方向で第１チップおよび第１ダイパッドを切断した模式的な断面図である。 図４１は、第２チップおよび第２ダイパッドの模式的な断面図である。 図４２は、図４１とは異なる方向で第２チップおよび第２ダイパッドを切断した模式的な断面図である。 図４３は、第３チップおよび第３ダイパッドの模式的な断面図である。 図４４は、図４３とは異なる方向で第３チップおよび第３ダイパッドを切断した模式的な断面図である。 図４５は、第６実施形態の信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図４６は、図４５に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図４７は、図４６に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図４８は、図４７に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図４９は、第７実施形態の信号伝達装置について、信号伝達装置の内部構造を模式的に示す平面図である。 図５０は、第８実施形態の信号伝達装置について、信号伝達装置の内部構造を模式的に示す平面図である。 図５１は、第９実施形態の信号伝達装置について、第１フレームおよびその周辺を拡大した平面図である。 図５２は、第９実施形態の信号伝達装置について、第１ダイパッドおよびその周辺を拡大した平面図である。 図５３は、第１０実施形態の信号伝達装置について、第１チップの第１トランスおよびその周辺の断面構造の一例を模式的に示す断面図である。 図５４は、図５３の第１トランスの一部およびその周辺を拡大した断面図である。 図５５は、第１０実施形態の信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図５６は、図５５に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図５７は、図５６に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図５８は、第１１実施形態の信号伝達装置について、第１チップの第１トランスおよびその周辺の一部の断面構造を示す断面図である。 図５９は、第１２実施形態の信号伝達装置について、第１チップの第１トランスにおける第１表面側コイルの一部およびその周辺を拡大した断面図である。 図６０は、第１２実施形態の信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６１は、図６０に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６２は、図６１に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６３は、図６２に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６４は、図６３に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６５は、図６４に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６６は、第１３実施形態の信号伝達装置について、第１チップの第１トランスにおける第１表面側コイルの一部およびその周辺を拡大した断面図である。 図６７は、第１３実施形態の信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６８は、図６７に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図６９は、図６８に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図７０は、図６９に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図７１は、図７０に続く信号伝達装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 図７２は、変更例の信号伝達装置について、第１チップの内部構造の一例を示す模式的な平面図である。 図７３は、図７２とは第１チップの厚さ方向に異なる位置における第１チップの内部構造の一例を示す模式的な平面図である。 図７４は、変更例の信号伝達装置について、信号伝達装置の内部構造を模式的に示す平面図である。 図７５は、変更例の信号伝達装置について、信号伝達装置の内部構造を模式的に示す平面図である。
　以下、添付図面を参照して本開示における信号伝達装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
　以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
　＜第１実施形態＞
　図１～図２６を参照して、第１実施形態の信号伝達装置１０について説明する。図１～図６は、信号伝達装置１０の外観構造を示している。図７～図１５は、信号伝達装置１０の内部構造を示している。図１６は、信号伝達装置１０の回路構成を示している。図１７～図２６は、信号伝達装置１０の後述する第１チップ６０の内部構造を示している。
　［信号伝達装置の外観構成］
　図１は、信号伝達装置１０の斜視構造を示している。図２および図３は、信号伝達装置１０の側面構造を示している。図４は、信号伝達装置１０の後述する第１リード端子１８の一部の拡大構造を示している。
　図１に示すように、信号伝達装置１０のパッケージ構造は、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。なお、信号伝達装置１０のパッケージ構造は任意に変更可能であり、ＱＦＮ（Quad For Non Lead Package）、ＤＦＰ（Dual Flat Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＩＰ（Single Inline Package）、もしくはＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、または、これらに類する種々のパッケージ構造であってもよい。
　図１に示すように、信号伝達装置１０は、封止樹脂９０と、封止樹脂９０から突出した複数（第１実施形態では８本）の第１リード端子１１～１８と、封止樹脂９０から突出した複数（第１実施形態では８本）の第２リード端子４１～４８と、を備える。
　封止樹脂９０は、矩形板状に形成されている。ここで、本明細書においては、封止樹脂９０の厚さ方向を「Ｚ方向」とし、Ｚ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向を「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。また、Ｚ方向のうち上方を「＋Ｚ方向」とし、下方を「－Ｚ方向」とする。図１では、Ｘ方向のうち前方を「＋Ｘ方向」とし、後方を「－Ｘ方向」とする。図１では、Ｙ方向のうち右方を「＋Ｙ方向」とし、左方を「－Ｙ方向」とする。また、本明細書において、「平面視」とは、封止樹脂９０の厚さ方向から信号伝達装置１０を視ることを指す。特段の断りが無い限り、平面視とは、信号伝達装置１０を＋Ｚ方向から視ることを指す。
　平面視における封止樹脂９０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。平面視において、封止樹脂９０のＹ方向の大きさは、封止樹脂９０のＸ方向の大きさの２倍以上である。平面視において、封止樹脂９０のＹ方向の大きさは、封止樹脂９０のＸ方向の大きさの３倍以下である。一例では、平面視において、封止樹脂９０のＹ方向の大きさは、封止樹脂９０のＸ方向の大きさの２．５倍程度である。一例では、封止樹脂９０のＸ方向の寸法は４．０ｍｍ程度であり、封止樹脂９０のＹ方向の寸法は１０．０ｍｍ程度であり、封止樹脂９０のＺ方向の寸法（厚さ）は１．７５ｍｍ程度である。
　図１～図３に示すように、封止樹脂９０は、封止表面９１と、封止表面９１とは反対側の封止裏面９２と、封止表面９１と封止裏面９２とを繋ぐ第１～第４封止側面９３～９６と、を有する。封止表面９１は＋Ｚ方向を向く面であり、封止裏面９２は－Ｚ方向を向く面である。第１封止側面９３および第２封止側面９４は封止樹脂９０のＸ方向の両端面を構成し、第３封止側面９５および第４封止側面９６は封止樹脂９０のＹ方向の両端面を構成している。第１封止側面９３は＋Ｘ方向を向く面であり、第２封止側面９４は－Ｘ方向を向く面である。第３封止側面９５は＋Ｙ方向を向く面であり、第４封止側面９６は－Ｙ方向を向く面である。
　図１に示すように、封止表面９１には、凹部９１Ａが形成されている。凹部９１Ａは、平面視において円形である。凹部９１Ａは、封止表面９１から湾曲凹状に凹んでいる。凹部９１Ａは、封止表面９１のうち第１封止側面９３かつ第４封止側面９６寄りの部分に形成されている。凹部９１Ａは、第１リード端子１１～１８と第２リード端子４１～４８とを区別するための目印となる。
　図３に示すように、第１封止側面９３は、封止表面９１と連続する第１表面側側面９３Ａと、封止裏面９２と連続する第１裏面側側面９３Ｂと、第１中央側面９３Ｃと、を含む。第２封止側面９４は、封止表面９１と連続する第２表面側側面９４Ａと、封止裏面９２と連続する第２裏面側側面９４Ｂと、第２中央側面９４Ｃと、を含む。第１表面側側面９３Ａおよび第２表面側側面９４Ａは、封止表面９１から封止裏面９２に向かうにつれて互いに離れる方向に傾斜している。第１表面側側面９３Ａと封止表面９１との接続部分は、傾斜面９３ＡＡが形成されている。傾斜面９３ＡＡとＺ方向とが成す角度は、第１表面側側面９３ＡとＺ方向とが成す角度よりも大きい。傾斜面９３ＡＡとＺ方向とが成す角度は、たとえば４５°である。第２表面側側面９４Ａと封止表面９１との接続部分は湾曲状に形成されている。第１裏面側側面９３Ｂおよび第２裏面側側面９４Ｂは、封止裏面９２から封止表面９１に向かうにつれて互いに離れる方向に傾斜している。第１裏面側側面９３Ｂおよび第２裏面側側面９４Ｂと封止裏面９２との接続部分は湾曲状に形成されている。第１中央側面９３Ｃは、第１表面側側面９３Ａと第１裏面側側面９３ＢとのＺ方向の間に形成されている。第１中央側面９３Ｃは、第１表面側側面９３Ａおよび第１裏面側側面９３Ｂの双方と繋がっている。第１中央側面９３Ｃは、たとえばＹＺ平面に沿った平坦面として形成されている。第２中央側面９４Ｃは、第２表面側側面９４Ａと第２裏面側側面９４ＢとのＺ方向の間に形成されている。第２中央側面９４Ｃは、第２表面側側面９４Ａおよび第２裏面側側面９４Ｂの双方と繋がっている。第２中央側面９４Ｃは、たとえばＹＺ平面に沿った平坦面として形成されている。
　図２に示すように、第３封止側面９５は、封止表面９１と連続する第３表面側側面９５Ａと、封止裏面９２と連続する第３裏面側側面９５Ｂと、第３中央側面９５Ｃと、を含む。第４封止側面９６は、封止表面９１と連続する第４表面側側面９６Ａと、封止裏面９２と連続する第４裏面側側面９６Ｂと、第４中央側面９６Ｃと、を含む。第３表面側側面９５Ａおよび第４表面側側面９６Ａは、封止表面９１から封止裏面９２に向かうにつれて互いに離れる方向に傾斜している。第３表面側側面９５Ａおよび第４表面側側面９６Ａと封止表面９１との接続部分は湾曲状に形成されている。第３裏面側側面９５Ｂおよび第４裏面側側面９６Ｂは、封止裏面９２から封止表面９１に向かうにつれて互いに離れる方向に傾斜している。第３裏面側側面９５Ｂおよび第４裏面側側面９６Ｂと封止裏面９２との接続部分は湾曲状に形成されている。第３中央側面９５Ｃは、第３表面側側面９５Ａおよび第３裏面側側面９５Ｂの双方と繋がっている。第３中央側面９５Ｃは、たとえばＸＺ平面に沿った平坦面として形成されている。第４中央側面９６Ｃは、第４表面側側面９６Ａと第４裏面側側面９６ＢとのＺ方向の間に形成されている。第４中央側面９６Ｃは、第４表面側側面９６Ａおよび第４裏面側側面９６Ｂの双方と繋がっている。第４中央側面９６Ｃは、たとえばＸＺ平面に沿った平坦面として形成されている。
　封止樹脂９０は、たとえばトランスファーモールドによって形成されている。一例では、第３封止側面９５には、モールド成型金型のゲートの跡部（図示略）が設けられている。この跡部は、モールド成型金型のゲートに位置する樹脂部分を封止樹脂９０から切り離す際に形成されるものである。跡部は、たとえば第３封止側面９５の第３中央側面９５Ｃに形成されている。一例では、図３に示すように、第３中央側面９５ＣをＸ方向において３つの領域Ｒ１～Ｒ３に区画する。領域Ｒ１～Ｒ３は、互いに同じ大きさの領域である。領域Ｒ１は第３中央側面９５Ｃのうち第１封止側面９３寄りの領域であり、領域Ｒ３は第３中央側面９５Ｃのうち第２封止側面９４寄りの領域であり、領域Ｒ２は領域Ｒ１と領域Ｒ３とのＸ方向の間の領域である。上記跡部は、領域Ｒ１に設けられていてもよい。また上記跡部は、領域Ｒ２に設けられていてもよい。上記跡部は、領域Ｒ３に設けられていてもよい。
　なお、モールド成型金型のゲートの跡部は、第３封止側面９５に代えて第４封止側面９６に形成されていてもよい。この場合においても、上記跡部は、たとえば第４封止側面９６の第４中央側面９６Ｃに形成されている。
　封止樹脂９０の封止表面９１、封止裏面９２、および第１～第４封止側面９３～９６の各々の面粗度Ｒｚは、たとえば５μｍ以上２０μｍ以下である。第１実施形態では、封止表面９１および封止裏面９２の各々の全面にわたり面粗度Ｒｚは、たとえば５μｍ以上２０μｍ以下である。また、第１～第４封止側面９３～９６のうち第１～第４表面側側面９３Ａ～９６Ａおよび第１～第４裏面側側面９３Ｂ～９６Ｂの各々の全面にわたり面粗度Ｒｚは、たとえば５μｍ以上２０μｍ以下である。ここで、面粗度Ｒｚは、基準長さにおける輪郭曲線のうち最も高い山の高さと最も深い谷の深さとの和で示すことができる。一例では、封止表面９１、封止裏面９２、および第１～第４封止側面９３～９６に対して粗面処理を実施することによって、それぞれの面粗度Ｒｚをたとえば５μｍ以上２０μｍ以下とする。粗面処理としては、たとえばショットブラストが挙げられる。
　一例では、封止表面９１、封止裏面９２、および第１～第４封止側面９３～９６の各々の面粗度Ｒｚは、たとえば８μｍ以上である。一例では、封止表面９１、封止裏面９２、および第１～第４封止側面９３～９６の各々の面粗度Ｒｚは、たとえば８μｍ以上２０μｍ以下である。
　一例では、封止表面９１および封止裏面９２と、第１～第４表面側側面９３Ａ～９６Ａおよび第１～第４裏面側側面９３Ｂ～９６Ｂとの面粗度Ｒｚは、第１～第４中央側面９３Ｃ～９５Ｃよりも大きくてもよい。一例では、封止表面９１および封止裏面９２と、第１～第４表面側側面９３Ａ～９６Ａおよび第１～第４裏面側側面９３Ｂ～９６Ｂとの面粗度Ｒｚは、凹部９１Ａを構成する面の面粗度Ｒｚよりも大きくてもよい。
　第１実施形態では、封止表面９１、封止裏面９２、および第１～第４封止側面９３～９６の全ての面粗度Ｒｚが５μｍ以上２０μｍ以下であったが、これに限られない。一例では、第３封止側面９５および第４封止側面９６の各々の面粗度Ｒｚは、５μｍ未満であってもよいし、２０μｍよりも大きくてもよい。また一例では、第１封止側面９３および第２封止側面９４の各々の面粗度Ｒｚは、５μｍ未満であってもよいし、２０μｍよりも大きくてもよい。また一例では、第１～第４封止側面９３～９６の各々の面粗度Ｒｚは、５μｍ未満であってもよいし、２０μｍよりも大きくてもよい。また一例では、封止表面９１の面粗度Ｒｚは、５μｍ未満であってもよいし、２０μｍよりも大きくてもよい。要するに、封止表面９１、封止裏面９２、および第１～第４封止側面９３～９６のうち少なくとも１つの面粗度Ｒｚが５μｍ以上２０μｍ以下であればよい。
　封止樹脂９０は、絶縁材料によって形成されている。絶縁材料の一例は、黒色のエポキシ樹脂である。封止樹脂９０は、硫黄（Ｓ）を添加剤として含む。封止樹脂９０は、硫黄を含むことによって、後述する第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂとの接着力を高めることができる。一方、封止樹脂９０が硫黄を含むことによって、信号伝達装置１０内の銅系の構成要素に対して硫化腐食するおそれがある。このような第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂと封止樹脂９０との接着力の向上と、硫化腐食の抑制とのバランスを考慮して封止樹脂９０における硫黄の添加濃度が設定される。一例では、封止樹脂９０における硫黄の添加濃度は、３００μｇ／ｇ以下に設定される。
　図１に示すように、第１リード端子１１～１８は、封止樹脂９０から外部に突出した第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂを含む。平面視において第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂは、第１封止側面９３から＋Ｘ方向に向けて突出している。第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂは、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂは、封止樹脂９０の長手方向に配列されているといえる。第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂは、第４封止側面９６から第３封止側面９５に向かうにつれて第１アウターリード部１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂ，１６Ｂ，１７Ｂ，１８Ｂの順に配置されている。つまり、Ｙ方向は、第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂの配列方向であるといえる。換言すると、Ｙ方向は、第１リード端子１１～１８の配列方向であるといえる。第１実施形態では、第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂは、互いに同じ形状である。
　第２リード端子４１～４８は、封止樹脂９０から外部に突出した第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂを含む。平面視において第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂは、第２封止側面９４から－Ｘ方向に向けて突出している。第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂは、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂは、封止樹脂９０の長手方向に配列されているといえる。第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂは、第３封止側面９５から第４封止側面９６に向かうにつれて第２アウターリード部４１Ｂ，４２Ｂ，４３Ｂ，４４Ｂ，４５Ｂ，４６Ｂ，４７Ｂ，４８Ｂの順に配置されている。つまり、Ｙ方向は、第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂの配列方向であるといえる。換言すると、Ｙ方向は、第２リード端子４１～４８の配列方向であるといえる。第１実施形態では、第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂは、互いに同じ形状である。
　第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）および第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）の各々は、互いに等しい。第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂの幅寸法および第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂの幅寸法の各々は、たとえば０．４１ｍｍ程度である。第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂのピッチと第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂのピッチとは互いに等しい。ここで、第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂのピッチは、第１アウターリード部１１Ｂ～１８ＢのうちＹ方向に隣り合う２つのアウターリード部の中心間距離によって定義できる。第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂのピッチは、第２アウターリード部４１Ｂ～４８ＢのうちＹ方向に隣り合う２つのアウターリード部の中心間距離によって定義できる。第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂのピッチと第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂのピッチとの各々は、たとえば１．２７ｍｍ程度である。
　図３に示すように、Ｙ方向から視た第１アウターリード部１８Ｂの形状と、第２アウターリード部４１Ｂの形状とは互いに同じである。このため、第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂの形状と、第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂの形状とは互いに同じであるといえる。
　第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂの構成について説明する。以下では、第１アウターリード部１８Ｂの詳細な構成を説明し、第１アウターリード部１１Ｂ～１７Ｂの詳細な構成の説明を省略する。
　第１アウターリード部１８Ｂは、第１封止側面９３から＋Ｘ方向に延びる突出部１８Ｐと、突出部１８Ｐから－Ｚ方向に向けて延びる中間部１８Ｑと、中間部１８Ｑから＋Ｘ方向に延びる接続部１８Ｒと、を含む。突出部１８Ｐと中間部１８Ｑとの間には湾曲状の第１屈曲部が形成され、中間部１８Ｑと接続部１８Ｒとの間には湾曲状の第２屈曲部が形成されている。接続部１８Ｒは、＋Ｘ方向に向かうにつれて－Ｚ方向に向けて傾斜していてもよい。接続部１８ＲとＸ方向とが成す鋭角は、たとえば０°よりも大きく８°以下である。
　図４に示すように、第１アウターリード部１８Ｂは、金属部材によって構成されたアウターリード本体２０Ａを含む。金属部材としては、たとえば銅、アルミニウム等が挙げられる。アウターリード本体２０Ａは、アウターリード表面２１Ａと、アウターリード表面２１Ａとは反対側のアウターリード裏面２２Ａと、アウターリード表面２１Ａとアウターリード裏面２２Ａとを繋ぐ一対のアウターリード側面２３Ａ（図５参照）と、アウターリード端面２４Ａと、を有する。アウターリード端面２４Ａは接続部１８Ｒの先端面を構成している。
　図５に示すように、一対のアウターリード側面２３Ａは、湾曲凹状に形成されている。一例では、湾曲凹状のアウターリード側面２３Ａのうち最も深い位置（一対のアウターリード側面２３ＡがＹ方向に最も接近する位置）は、アウターリード端面２４ＡのＺ方向の中央よりもアウターリード裏面２２Ａ寄りになる。
　アウターリード本体２０Ａは、アウターリード裏面２２Ａとアウターリード側面２３Ａとの接続部分には裏面側湾曲部２５が形成されている。裏面側湾曲部２５は、アウターリード本体２０Ａの幅方向（Ｙ方向）の外方に向かうにつれて上方（＋Ｚ方向）に向けて湾曲している。このため、アウターリード裏面２２ＡのＹ方向の両端部は、一対のアウターリード側面２３Ａに向かうにつれて上方（＋Ｚ方向）に向けて湾曲している。
　図４および図５に示すように、第１アウターリード部１８Ｂは、アウターリード本体２０Ａを覆うめっき層２６を含む。より詳細には、めっき層２６は、アウターリード表面２１Ａ、アウターリード裏面２２Ａ、およびアウターリード側面２３Ａの各々の全面と、アウターリード端面２４Ａの一部とを覆っている。
　図５に示すように、めっき層２６は、アウターリード端面２４Ａのうちアウターリード裏面２２Ａから連続してアウターリード表面２１Ａに向けて覆う端面めっき層２７を含む。端面めっき層２７は、アウターリード端面２４Ａのうちアウターリード表面２１Ａ側の端縁からＺ方向に離隔して位置している。このため、アウターリード端面２４Ａは、端面めっき層２７によって覆われた領域と、端面めっき層２７によって覆われていない本体露出領域２８とに区画されている。本体露出領域２８は、アウターリード本体２０Ａが露出している。
　端面めっき層２７は、アウターリード裏面２２Ａからアウターリード端面２４ＡのＺ方向の中央よりもアウターリード表面２１Ａ寄りまで延びている。一例では、端面めっき層２７は、Ｚ方向においてアウターリード端面２４Ａの２／３程度覆っている。端面めっき層２７の先端縁２７Ａは、Ｙ方向に向かうにつれてＺ方向に凸凹した形状を含む。一例では、端面めっき層２７の先端縁２７Ａは、Ｙ方向の中央部付近に凹部２７Ｂを含む。
　なお、端面めっき層２７の先端縁２７Ａの形状は任意に変更可能である。一例では、端面めっき層２７の先端縁２７Ａは複数の凹部２７Ｂを含んでもよい。また一例では、端面めっき層２７の先端縁２７Ａから凹部２７Ｂが省略されていてもよい。
　また、端面めっき層２７の先端縁２７ＡのＺ方向の位置は任意に変更可能である。一例では、端面めっき層２７は、Ｚ方向においてアウターリード端面２４Ａの１／２程度覆っていてもよい。また一例では、端面めっき層２７は、Ｚ方向においてアウターリード端面２４Ａの１／４程度覆っていてもよい。また一例では、端面めっき層２７は、Ｚ方向においてアウターリード端面２４Ａの３／４程度覆っていてもよい。このように、端面めっき層２７は、Ｚ方向においてアウターリード端面２４Ａの１／４以上３／４以下の範囲を覆っていてもよい。
　第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂの構成について説明する。以下では、第２アウターリード部４１Ｂの詳細な構成を説明し、第２アウターリード部４２Ｂ～４８Ｂの詳細な構成の説明を省略する。
　図３に示すように、第２アウターリード部４１Ｂは、第２封止側面９４から－Ｘ方向に延びる突出部４１Ｐと、突出部４１Ｐから－Ｚ方向に向けて延びる中間部４１Ｑと、中間部４１Ｑから－Ｘ方向に延びる接続部４１Ｒと、を含む。突出部４１Ｐと中間部４１Ｑとの間には湾曲状の第１屈曲部が形成され、中間部４１Ｑと接続部４１Ｒとの間には湾曲状の第２屈曲部が形成されている。接続部４１Ｒは、－Ｘ方向に向かうにつれて－Ｚ方向に向けて傾斜していてもよい。接続部４１ＲとＸ方向とが成す鋭角は、たとえば０°よりも大きく８°以下である。
　なお、第２アウターリード部４１Ｂは、第１アウターリード部１８Ｂと同様に、アウターリード本体２０Ａと、アウターリード本体２０Ａを覆うめっき層２６（ともに図４参照）と、を含む。また第２アウターリード部４１Ｂのめっき層２６は、第１アウターリード部１８Ｂと同様に、端面めっき層２７（図４参照）を含む。
　このような端面めっき層２７の形成方法について以下に説明する。
　第１アウターリード部１８Ｂを構成する第１リードフレーム（図示略）と、第２アウターリード部４１Ｂを構成する第２リードフレーム（図示略）とが金型（パンチ）によって切断される。金型による切断は、たとえば、フレーム枠に接続された第１リードフレームおよび第２リードフレームに対して行い得る。そして、切断によって形成されたアウターリード部１１Ｂ～１８Ｂ，４１Ｂ～４８Ｂがフォーミングされる。
　ここで、金型によって切断される前の状態の第１リードフレームおよび第２リードフレームの双方は、アウターリード本体２０Ａと、アウターリード表面２１Ａ、アウターリード裏面２２Ａ、および一対のアウターリード側面２３Ａを覆うめっき層２６と、を含む。
　金型は、第１リードフレームおよび第２リードフレームの双方に対して＋Ｚ方向に向けて第１リードフレームおよび第２リードフレームを切断する。これにより、アウターリード端面２４Ａをそれぞれ含む第１アウターリード部１８Ｂおよび第２アウターリード部４１Ｂが形成される。
　金型における切断部のコーナ部分は丸められた湾曲形状となっている。つまり、コーナ部分はＲ面取りされている。このようなコーナ部分を有する金型が＋Ｚ方向に向けて第１リードフレームおよび第２リードフレームの双方を切断するように移動すると、アウターリード裏面２２Ａのめっき層２６がアウターリード表面２１Ａに向けて引っ張られることによってアウターリード端面２４Ａに端面めっき層２７が形成される。
　そして、第１アウターリード部１８Ｂおよび第２アウターリード部４１Ｂの双方に端面めっき層２７が形成されているため、図６に示すように、はんだペースト、銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接合材ＳＤによって信号伝達装置１０が回路基板ＰＣＢに実装される場合、第１アウターリード部１８Ｂおよび第２アウターリード部４１Ｂと導電性接合材ＳＤとの接合面積を増加させることができる。より詳細には、第１アウターリード部１８Ｂの接続部１８Ｒのアウターリード裏面２２Ａ、一対のアウターリード側面２３Ａ（図５参照）と、中間部１８Ｑのうち接続部１８Ｒ側の端部のアウターリード裏面２２Ａとのそれぞれが導電性接合材ＳＤと接合している。加えて、第１アウターリード部１８Ｂの端面めっき層２７によって、第１アウターリード部１８Ｂのアウターリード端面２４Ａ（図５参照）と導電性接合材ＳＤとが接合されている。この端面めっき層２７と導電性接合材ＳＤとの接合面積分、第１アウターリード部１８Ｂと導電性接合材ＳＤとの接合面積が増加している。また、第２アウターリード部４１Ｂの接続部４１Ｒのアウターリード裏面２２Ａと、一対のアウターリード側面２３Ａと、中間部４１Ｑのうち接続部４１Ｒ側の端部のアウターリード裏面２２Ａとのそれぞれが導電性接合材ＳＤと接合している。加えて、第２アウターリード部４１Ｂの端面めっき層２７によって、第２アウターリード部４１Ｂのアウターリード端面２４Ａと導電性接合材ＳＤとが接合されている。この端面めっき層２７と導電性接合材ＳＤとの接合面積分、第２アウターリード部４１Ｂと導電性接合材ＳＤとの接合面積が増加している。加えて、第１アウターリード部１８Ｂおよび第２アウターリード部４１Ｂの各々の端面めっき層２７と接合した導電性接合材ＳＤによって、フィレットが形成されている。なお、図６では図示していないが、第１アウターリード部１１Ｂ～１７Ｂおよび第２アウターリード部４２Ｂ～４８Ｂ（ともに図１参照）についても同様に導電性接合材ＳＤとの接合面積が増加し、かつフィレットが形成されている。
　［信号伝達装置の内部構造］
　図７は、信号伝達装置１０の全体の内部構造を示している。図７～図１０では、図面を容易に理解するため、封止樹脂９０を二点鎖線で示している。
　図７に示すように、信号伝達装置１０は、第１フレーム１０Ａと、第２フレーム１０Ｂと、第１フレーム１０Ａに搭載された第１チップ６０と、第２フレーム１０Ｂに搭載された第２チップ７０および第３チップ８０と、を備える。封止樹脂９０は、第１チップ６０第２チップ７０、および第３チップ８０を封止するとともに第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂを部分的に封止している。
　第１フレーム１０Ａは、第１リード端子１１～１８を含む。第１フレーム１０Ａは、第１ダイパッド３０をさらに含む。第１リード端子１１～１８および第１ダイパッド３０は、同じ金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、銅、アルミニウムが挙げられる。
　第１リード端子１１～１８のうちＹ方向の中央付近に配置された第１リード端子１４は、第１ダイパッド３０に接続されている。一例では、第１リード端子１４および第１ダイパッド３０は、一体化されている。第１リード端子１１～１３，１５～１８は、第１ダイパッド３０に対して離隔して配置されている。図７に示すとおり、第１リード端子１１～１８は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されているといえる。
　第１ダイパッド３０は、Ｘ方向において封止樹脂９０の中央よりも第１封止側面９３寄りに配置されている。第１ダイパッド３０に搭載された第１チップ６０は、平板状に形成されている。平面視における第１チップ６０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。第１チップ６０は、第１導電性接合材ＳＤ１によって第１ダイパッド３０に実装されている。より詳細には、第１チップ６０は、第１ダイパッド３０にダイボンディングされている。
　第２フレーム１０Ｂは、Ｘ方向において第１フレーム１０Ａから離隔して配置されている。つまり、第１実施形態では、Ｘ方向は、第１フレーム１０Ａと第２フレーム１０Ｂとの配列方向であるといえる。第２フレーム１０Ｂは、第２リード端子４１～４８を含む。第２フレーム１０Ｂは、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂをさらに含む。第２リード端子４１～４８、第２ダイパッド５０Ａ、および第３ダイパッド５０Ｂは、同じ金属材料によって形成されている。金属材料の一例は、銅、アルミニウムが挙げられる。一例では、第２リード端子４１～４８、第２ダイパッド５０Ａ、および第３ダイパッド５０Ｂは、第１リード端子１１～１８および第１ダイパッド３０と同じ金属材料によって形成されている。
　第２リード端子４１～４８のうち第３封止側面９５寄りの端に配置された第２リード端子４１は、第２ダイパッド５０Ａに接続されている。一例では、第２リード端子４１および第２ダイパッド５０Ａは、一体化されている。第２リード端子４１～４８のうち第４封止側面９６寄りに配置された第２リード端子４６は、第３ダイパッド５０Ｂに接続されている。一例では、第２リード端子４６および第３ダイパッド５０Ｂは、一体化されている。第２リード端子４１と第２リード端子４６とのＹ方向の間に配列された第２リード端子４２～４５は、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂから離隔して配置されている。第２リード端子４６よりも第４封止側面９６寄りの第２リード端子４７，４８は、第３ダイパッド５０Ｂから離隔して配置されている。図７に示すとおり、第２リード端子４１～４８は、Ｙ方向において互いに離隔して配列されているといえる。
　第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂの双方は、Ｘ方向において第１ダイパッド３０に対して第２封止側面９４寄りに第１ダイパッド３０から離隔して配置されている。つまり、Ｘ方向は、第１ダイパッド３０と、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂとの配列方向であるといえる。第１ダイパッド３０と、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂとは、封止樹脂９０の短手方向に配列されているともいえる。第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂの双方は、Ｘ方向において封止樹脂９０の中央よりも第２封止側面９４寄りに配置されている。第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂの双方は、第１ダイパッド３０とＸ方向において対向配置されている。換言すると、第１ダイパッド３０は、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂと対向可能なＹ方向の大きさを有する。ここで、Ｘ方向は「第１方向」に対応している。
　平面視において、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂは、Ｘ方向において第１ダイパッド３０に対して第１リード端子１１～１８が配置する側とは反対側に配置されている。換言すると、平面視において、第１リード端子１１～１８は、Ｘ方向において第１ダイパッド３０に対して第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂとは反対側に配置されているといえる。また、平面視において、第２リード端子４１～４８は、Ｘ方向において第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂに対して第１ダイパッド３０とは反対側に配置されている。
　第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂは、Ｙ方向において互いに離隔して配置されている。つまり、第１実施形態では、Ｙ方向は、第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂの配列方向であるといえる。第２ダイパッド５０Ａは、第３ダイパッド５０Ｂに対して第３封止側面９５寄りに配置されている。第２ダイパッド５０Ａは、封止樹脂９０のＹ方向の中央よりも第３封止側面９５寄りに配置されている。第３ダイパッド５０Ｂは、封止樹脂９０のＹ方向の中央よりも第４封止側面９６寄りに配置されている。ここで、Ｙ方向は「第２方向」に対応している。
　第２ダイパッド５０Ａに搭載される第２チップ７０は、平板状に形成されている。平面視における第２チップ７０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。第２チップ７０のＸ方向の大きさは、第１チップ６０のＸ方向の大きさよりも小さい。第２チップ７０のＹ方向の大きさは、第１チップ６０のＹ方向の大きさよりも小さい。第２チップ７０は、第２導電性接合材ＳＤ２によって第２ダイパッド５０Ａに実装されている。より詳細には、第２チップ７０は、第２ダイパッド５０Ａにダイボンディングされている。
　第３ダイパッド５０Ｂに搭載される第３チップ８０は、平板状に形成されている。平面視における第３チップ８０の形状は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。第３チップ８０のＸ方向の大きさは、第１チップ６０のＸ方向の大きさよりも小さい。第３チップ８０のＹ方向の大きさは、第１チップ６０のＹ方向の大きさよりも小さい。一例では、第３チップ８０のＸ方向およびＹ方向の大きさは、第２チップ７０のＸ方向およびＹ方向の大きさと同じである。第３チップ８０は、第３導電性接合材ＳＤ３によって第３ダイパッド５０Ｂに実装されている。より詳細には、第３チップ８０は、第３ダイパッド５０Ｂにダイボンディングされている。なお、第１～第３導電性接合材ＳＤ１～ＳＤ３としては、たとえばはんだペーストまたは銀ペーストが用いられる。
　第２チップ７０は、第２ダイパッド５０Ａのうち第３ダイパッド５０Ｂ寄りに配置されている。第２チップ７０は、Ｘ方向から視て、第１チップ６０よりも第３封止側面９５寄りに配置されている。第３チップ８０は、第１チップ６０よりも第４封止側面９６寄りに配置されている。
　信号伝達装置１０は、導電部材１０Ｄ，１０Ｅをさらに備える。導電部材１０Ｄ，１０Ｅは、たとえば第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂと同じ金属材料によって形成されている。導電部材１０Ｄ，１０Ｅは、互いに離隔して配置されている。また、導電部材１０Ｄ，１０Ｅは、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの双方から離隔して配置されている。このため、導電部材１０Ｄ，１０Ｅの双方は、電気的にフローティング状態である。
　導電部材１０Ｄ，１０Ｅは、Ｙ方向から視て、互いに重なる位置に配置されている。導電部材１０Ｄ，１０Ｅは、封止樹脂９０のＹ方向の中央に配置されている。
　導電部材１０Ｄは、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂに対して第３封止側面９５寄りに配置されている。導電部材１０Ｄは、第３封止側面９５から露出している。より詳細には、第３封止側面９５のうち導電部材１０Ｄが露出する部分には凹部９５Ｄが形成されている。凹部９５Ｄは、Ｚ方向において第３封止側面９５の中央に形成されている。つまり、凹部９５Ｄは、第３中央側面９５Ｃ（図２参照）に設けられている。凹部９５Ｄは、第３封止側面９５から第４封止側面９６に向けて凹んでいる。凹部９５Ｄは、＋Ｙ方向に向けて開口している。導電部材１０Ｄは、凹部９５Ｄの底面を構成している。
　導電部材１０Ｅは、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂに対して第４封止側面９６寄りに配置されている。導電部材１０Ｅは、第４封止側面９６から露出している。より詳細には、第４封止側面９６のうち導電部材１０Ｅが露出する部分には凹部９６Ｄが形成されている。凹部９６Ｄは、Ｚ方向において第４封止側面９６の中央に形成されている。つまり、凹部９６Ｄは、第４中央側面９６Ｃ（図２参照）に設けられている。凹部９６Ｄは、第４封止側面９６から第３封止側面９５に向けて凹んでいる。凹部９６Ｄは、－Ｙ方向に向けて開口している。導電部材１０Ｅは、凹部９６Ｄの底面を構成している。
　第１ダイパッド３０の詳細な平面構造について説明する。
　図８に示すように、平面視において、第１ダイパッド３０は、略Ｔ字状に形成されている。第１ダイパッド３０は、第１先端面３１、第１基端面３２、第１側面３３、および第２側面３４を有する。第１先端面３１は第１ダイパッド３０のＸ方向の両端面のうち最も第２封止側面９４（図７参照）寄りの端面であり、第１基端面３２は第１ダイパッド３０のＸ方向の端面のうち最も第１封止側面９３寄りの端面である。第１側面３３は第１ダイパッド３０のＹ方向の両端面のうち最も第３封止側面９５（図７参照）寄りの端面であり、第２側面３４は第１ダイパッド３０のＹ方向の両端面のうち最も第４封止側面９６（図７参照）寄りの端面である。第１先端面３１は、Ｘ方向において第２ダイパッド５０Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂ（ともに図７参照）の双方と対向する面であり、平面視においてＹ方向に沿って延びる面である。第１先端面３１のＹ方向の長さは、第１基端面３２のＹ方向の長さよりも長い。第１側面３３および第２側面３４の双方は、平面視においてＸ方向に沿って延びる面である。
　第１ダイパッド３０は、第１先端側湾曲面３５Ａおよび第２先端側湾曲面３５Ｂをさらに有する。
　第１先端側湾曲面３５Ａは、第１先端面３１と第１側面３３との間に形成されている。第１先端側湾曲面３５Ａは、第１先端面３１と第１側面３３との間の部分がＲ面取りされた形状である。第２先端側湾曲面３５Ｂは、第１先端面３１と第２側面３４との間に形成されている。第２先端側湾曲面３５Ｂは、第１先端面３１と第２側面３４との間の部分がＲ面取りされた形状である。一例では、平面視において、第１先端側湾曲面３５Ａの弧の長さと第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さとは互いに等しい。一例では、平面視において、第１先端側湾曲面３５Ａの曲率半径と第２先端側湾曲面３５Ｂの曲率半径とが互いに等しいともいえる。
　第１ダイパッド３０は、第１リード端子１１～１３が入り込む第１窪み部３６Ａと、第１リード端子１７，１８が入り込む第２窪み部３６Ｂと、第１リード端子１５，１６が入り込む第３窪み部３６Ｃと、をさらに有する。
　第１窪み部３６Ａは、第１ダイパッド３０のうち第４封止側面９６寄りの部分に形成されている。第１窪み部３６Ａは、第２側面３４から第１側面３３に向けてＸ方向に窪むように形成されている。第１窪み部３６Ａは、Ｘ方向において第１先端面３１よりも第１封止側面９３寄りに形成されている。一方、第１窪み部３６Ａは、第１基端面３２を除去するように形成されている。つまり、第１窪み部３６Ａは、第１封止側面９３および第４封止側面９６の双方に向けて開口している。第１ダイパッド３０のうち第１窪み部３６Ａと第１先端面３１とのＸ方向の間の部分として第１先端側突出部３８Ａが設けられている。平面視において、第１先端側突出部３８Ａは、Ｙ方向に延びている。第１先端側突出部３８Ａは、第２側面３４と第１先端面３１と第２先端側湾曲面３５Ｂとを含む。第１先端側突出部３８Ａは、Ｘ方向において第３ダイパッド５０Ｂ（図７参照）と対向している。
　第１窪み部３６Ａは、Ｘ方向に延びる第１面３６Ａ１と、Ｙ方向に延びる第２面３６Ａ２と、第１面３６Ａ１と第２面３６Ａ２との間に形成された湾曲凹部３６Ａ３と、を含む。第１面３６Ａ１は、第２側面３４よりも第１側面３３寄りに配置されており、第１基端面３２に繋がっている。第２面３６Ａ２は、第１先端側突出部３８Ａの側面の一部を構成している。平面視において、湾曲凹部３６Ａ３は、第１面３６Ａ１と第２面３６Ａ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部３６Ａ３の弧の長さは、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さよりも大きい。平面視において、湾曲凹部３６Ａ３の曲率半径は、第２先端側湾曲面３５Ｂの曲率半径よりも大きいといえる。
　第２窪み部３６Ｂは、第１ダイパッド３０のうち第３封止側面９５寄りの部分に形成されている。第２窪み部３６Ｂは、第１側面３３から第２側面３４に向けてＸ方向に窪むように形成されている。第２窪み部３６Ｂは、Ｘ方向において第１先端面３１よりも第１封止側面９３寄りに形成されている。一方、第２窪み部３６Ｂは、第１基端面３２を除去するように形成されている。つまり、第２窪み部３６Ｂは、第１封止側面９３および第３封止側面９５の双方に向けて開口している。第１ダイパッド３０のうち第２窪み部３６Ｂと第１先端面３１とのＸ方向の間の部分として第２先端側突出部３８Ｂが設けられている。平面視において、第２先端側突出部３８Ｂは、Ｙ方向に延びている。第２先端側突出部３８Ｂは、第１側面３３と第１先端面３１と第１先端側湾曲面３５Ａとを含む。第２先端側突出部３８Ｂは、Ｘ方向において第２ダイパッド５０Ａ（図７参照）と対向している。
　第２窪み部３６Ｂは、Ｘ方向に延びる第１面３６Ｂ１と、Ｙ方向に延びる第２面３６Ｂ２と、第１面３６Ｂ１と第２面３６Ｂ２との間に形成された湾曲凹部３６Ｂ３と、を含む。第１面３６Ｂ１は、第１側面３３よりも第２側面３４寄りに配置されている。第１面３６Ｂ１の長さは、第１窪み部３６Ａの第１面３６Ａ１の長さよりも短い。第２面３６Ｂ２は、第２先端側突出部３８Ｂの側面の一部を構成している。第２面３６Ｂ２の長さは、第１窪み部３６Ａの第２面３６Ａ２の長さよりも短い。平面視において、湾曲凹部３６Ｂ３は、第１面３６Ｂ１と第２面３６Ｂ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部３６Ｂ３の弧の長さは、第１先端側湾曲面３５Ａの弧の長さよりも大きい。平面視において、湾曲凹部３６Ｂ３の曲率半径は、第１先端側湾曲面３５Ａの曲率半径よりも大きいといえる。また、一例では、平面視において、湾曲凹部３６Ｂ３の弧の長さは、第１窪み部３６Ａの湾曲凹部３６Ａ３の弧の長さと等しい。平面視において、湾曲凹部３６Ｂ３の曲率半径は、湾曲凹部３６Ａ３の曲率半径と等しいといえる。
　第３窪み部３６Ｃは、Ｙ方向において第１窪み部３６Ａと第２窪み部３６Ｂとの間に形成されている。第３窪み部３６Ｃは、第１窪み部３６Ａから離隔して形成されている一方、第２窪み部３６Ｂと連続して形成されている。第３窪み部３６Ｃは、第１先端面３１からＸ方向に離隔して形成されている。一方、第３窪み部３６Ｃは、第１基端面３２を除去するように形成されている。第３窪み部３６Ｃは、第１封止側面９３および第３封止側面９５の双方向に向けて開口している。第１窪み部３６Ａと第３窪み部３６Ｃとによって第１ダイパッド３０のうち第１リード端子１４が接続される接続部３９が形成されている。接続部３９は、第１基端面３２を含む。
　第３窪み部３６Ｃは、Ｘ方向に延びる第１面３６Ｃ１と、Ｙ方向に延びる第２面３６Ｃ２と、第１面３６Ｃ１と第２面３６Ｃ２との間に形成された湾曲凹部３６Ｃ３と、を含む。第１面３６Ｃ１は、接続部３９の側面を構成している。第１面３６Ｃ１は、Ｙ方向において第１窪み部３６Ａの第１面３６Ａ１と第２窪み部３６Ｂの第１面３６Ｂ１との間のうち第１面３６Ａ１寄りの位置に形成されている。第１面３６Ｃ１は、第１基端面３２に接続されている。第１面３６Ｃ１の長さは、第２窪み部３６Ｂの第１面３６Ｂ１の長さよりも短い。第２面３６Ｃ２は、Ｘ方向において第２窪み部３６Ｂの第２面３６Ｂ２と第１基端面３２との間のうち第１基端面３２寄りの位置に形成されている。第２面３６Ｃ２の長さは、第２窪み部３６Ｂの第２面３６Ｂ２の長さよりも短い。平面視において、湾曲凹部３６Ｃ３は、第１面３６Ｃ１と第２面３６Ｃ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部３６Ｃ３の弧の長さは、第１先端側湾曲面３５Ａの弧の長さと等しい。平面視において、湾曲凹部３６Ｃ３の曲率半径は、第１先端側湾曲面３５Ａの曲率半径と等しいといえる。このように、平面視において、湾曲凹部３６Ｃ３の弧の長さは、第１窪み部３６Ａおよび第２窪み部３６Ｂの湾曲凹部３６Ａ３，３６Ｂ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、湾曲凹部３６Ｃ３の曲率半径は、湾曲凹部３６Ａ３，３６Ｂ３の曲率半径よりも小さいといえる。
　第２窪み部３６Ｂと第３窪み部３６Ｃとの間には、傾斜面３７が形成されている。平面視において、傾斜面３７は、第２面３６Ｃ２から第２面３６Ｂ２に向かうにつれて第１面３６Ｃ１から第１面３６Ｂ１に向けて斜めに延びている。傾斜面３７は、第２面３６Ｃ２と第１面３６Ｂ１とを繋いでいる。
　第１リード端子１１～１８の各々の詳細な構成について説明する。
　図７に示すように、第１リード端子１１～１８のうち第１リード端子１１～１３は、Ｘ方向から視て、第１チップ６０よりも第４封止側面９６寄りに配置されている。第１リード端子１６～１８は、Ｘ方向から視て、第１チップ６０よりも第３封止側面９５寄りに配置されている。第１リード端子１４，１５は、Ｘ方向から視て、第１チップ６０と重なる位置に配置されている。
　図８に示すように、第１リード端子１１～１８は、封止樹脂９０内に設けられた第１インナーリード部１１Ａ～１８Ａと、上述した第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂと、を含む。以下では、第１インナーリード部１１Ａ～１８Ａの構成について説明する。
　図９に示すように、第１リード端子１１～１３の第１インナーリード部１１Ａ～１３Ａの各々は、第１ダイパッド３０の第１窪み部３６Ａに入り込む部分を含む。
　第１リード端子１１は、平面視においてＬ字状に形成されている。第１リード端子１１は、ワイヤ接続部１１ＡＡと、ワイヤ接続部１１ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１１ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１１ＡＡは、第１ダイパッド３０の第１窪み部３６Ａに入り込んでいる。ワイヤ接続部１１ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部１１ＡＡは、窪み部１１ＡＣを含む。
　窪み部１１ＡＣは、ワイヤ接続部１１ＡＡのうち第１リード端子１２寄りの部分に形成されている。窪み部１１ＡＣは、ワイヤ接続部１１ＡＡのＸ方向の両端部のうち第１封止側面９３寄りの端部から第１ダイパッド３０の第２先端側突出部３８Ｂに向けて窪んでいる。窪み部１１ＡＣは、Ｘ方向に延びる第１面１１ＡＣ１と、Ｙ方向に延びる第２面１１ＡＣ２と、第１面１１ＡＣ１と第２面１１ＡＣ２との間に形成された湾曲凹部１１ＡＣ３と、を含む。第１面１１ＡＣ１は、リード接続部１１ＡＢよりも第１リード端子１２寄りに配置されている。第２面１１ＡＣ２は、Ｘ方向から視て、第１リード端子１２と重なる位置に配置されている。平面視において、湾曲凹部１１ＡＣ３は、第１面１１ＡＣ１と第２面１１ＡＣ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部１１ＡＣ３の弧の長さは、第１先端側湾曲面３５Ａの弧の長さよりも大きい。平面視において、湾曲凹部１１ＡＣ３の曲率半径は、第１先端側湾曲面３５Ａの曲率半径よりも大きいといえる。ワイヤ接続部１１ＡＡのうち窪み部１１ＡＣによって幅が狭くなった幅狭部１１ＡＡ１は、Ｙ方向に沿って延びている。幅狭部１１ＡＡ１の幅寸法（Ｘ方向の大きさ）は、リード接続部１１ＡＢの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　ワイヤ接続部１１ＡＡには、貫通孔１１ＡＤが形成されている。貫通孔１１ＡＤは、ワイヤ接続部１１ＡＡのうち窪み部１１ＡＣよりもリード接続部１１ＡＢ寄りの部分に形成されている。貫通孔１１ＡＤには封止樹脂９０が充填されている。
　ワイヤ接続部１１ＡＡには、傾斜面１１ＡＥが形成されている。傾斜面１１ＡＥは、ワイヤ接続部１１ＡＡのうち第２封止側面９４（図７参照）かつ第４封止側面９６寄りのコーナ部分に形成されている。平面視において、傾斜面１１ＡＥは、第２封止側面９４から第１封止側面９３に向かうにつれて第４封止側面９６に近づくように傾斜している。
　リード接続部１１ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部１１ＡＢは、第１ダイパッド３０よりも第４封止側面９６寄りに配置されている。リード接続部１１ＡＢは、第１アウターリード部１１Ｂに接続されている。
　第１リード端子１２は、平面視においてＬ字状に形成されている。第１リード端子１２は、ワイヤ接続部１２ＡＡと、ワイヤ接続部１２ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１２ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１２ＡＡは、第１リード端子１１のワイヤ接続部１１ＡＡの窪み部１１ＡＣに入り込んでいる。ワイヤ接続部１２ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部１２ＡＡは、窪み部１２ＡＣを含む。
　窪み部１２ＡＣは、ワイヤ接続部１２ＡＡのうち第１リード端子１３寄りの部分に形成されている。窪み部１２ＡＣは、ワイヤ接続部１２ＡＡのＸ方向の両端部のうち第１封止側面９３寄りの端部から第１リード端子１１のワイヤ接続部１１ＡＡの窪み部１１ＡＣに向けて窪んでいる。窪み部１２ＡＣは、Ｘ方向に延びる第１面１２ＡＣ１と、Ｙ方向に延びる第２面１２ＡＣ２と、第１面１２ＡＣ１と第２面１２ＡＣ２との間に形成された湾曲凹部１２ＡＣ３と、を含む。第１面１２ＡＣ１は、リード接続部１２ＡＢよりも第１リード端子１３寄りに配置されている。第２面１２ＡＣ２は、Ｘ方向から視て、第１リード端子１３と重なる位置に配置されている。平面視において、湾曲凹部１２ＡＣ３は、第１面１２ＡＣ１と第２面１２ＡＣ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部１２ＡＣ３の弧の長さは、第１リード端子１１の湾曲凹部１１ＡＣ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、湾曲凹部１２ＡＣ３の曲率半径は、湾曲凹部１１ＡＣ３の曲率半径よりも小さいといえる。ワイヤ接続部１２ＡＡのうち窪み部１２ＡＣによって幅が狭くなった幅狭部１２ＡＡ１は、Ｙ方向に沿って延びている。幅狭部１２ＡＡ１の幅寸法（Ｘ方向の大きさ）は、リード接続部１２ＡＢの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。一例では、幅狭部１２ＡＡ１の幅寸法は、第１リード端子１１の幅狭部１１ＡＡ１の幅寸法と等しい。なお、幅狭部１１ＡＡ１，１２ＡＡ１の各々の幅寸法は任意に変更可能である。また、幅狭部１２ＡＡ１の長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）は、幅狭部１１ＡＡ１の長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　ワイヤ接続部１２ＡＡには、貫通孔１２ＡＤが形成されている。貫通孔１２ＡＤは、ワイヤ接続部１２ＡＡのうち窪み部１２ＡＣよりもリード接続部１２ＡＢ寄りの部分に形成されている。貫通孔１２ＡＤには封止樹脂９０が充填されている。一例では、貫通孔１２ＡＤの直径は、第１リード端子１１の貫通孔１１ＡＤの直径と等しい。なお、貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤの各々の直径は任意に変更可能である。
　ワイヤ接続部１２ＡＡのうち第１リード端子１１の湾曲凹部１１ＡＣ３に対応するコーナ部分には、湾曲面が形成されている。平面視において、湾曲面の弧の長さは、湾曲凹部１１ＡＣ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、湾曲面の曲率半径は、湾曲凹部１１ＡＣ３の曲率半径よりも小さいといえる。また、平面視において、湾曲面の弧の長さは、湾曲凹部１２ＡＣ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、湾曲面の曲率半径は、湾曲凹部１２ＡＣ３の曲率半径よりも小さいといえる。
　リード接続部１２ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部１２ＡＢは、Ｘ方向から視て、第１ダイパッド３０の第１先端側突出部３８Ａと重なる位置に配置されている。リード接続部１２ＡＢは、第１アウターリード部１２Ｂに接続されている。
　第１リード端子１３は、平面視においてＬ字状に形成されている。第１リード端子１３は、ワイヤ接続部１３ＡＡと、ワイヤ接続部１３ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１３ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１３ＡＡは、第１リード端子１２の窪み部１２ＡＣに入り込んでいる。ワイヤ接続部１３ＡＡは、Ｙ方向に延びている。
　リード接続部１３ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部１３ＡＢは、Ｘ方向から視て、第１ダイパッド３０の第２先端側突出部３８Ｂと重なる位置に配置されている。リード接続部１３ＡＢは、第１アウターリード部１３Ｂに接続されている。
　図９に示すように、第１リード端子１４の第１インナーリード部１４Ａは、第１ダイパッド３０の接続部３９に接続されている。第１インナーリード部１４Ａは、接続部３９から第１封止側面９３に向けてＸ方向に沿って延びている。第１インナーリード部１４Ａの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）は、接続部３９のＹ方向の大きさよりも小さい。第１インナーリード部１４Ａは、接続部３９のＹ方向の中央に接続されている。第１インナーリード部１４Ａは、第１アウターリード部１４Ｂに接続されている。
　図１０に示すように、第１リード端子１５，１６の第１インナーリード部１５Ａ，１６Ａの各々は、第１ダイパッド３０の第３窪み部３６Ｃに入り込む部分を含む。第１インナーリード部１５Ａ，１６Ａの各々は、第１ダイパッド３０の第２窪み部３６Ｂよりも第１封止側面９３寄りに配置されている。第１リード端子１７，１８の第１インナーリード部１７Ａ，１８Ａの各々は、第２窪み部３６Ｂに入り込む部分を含む。
　第１リード端子１６～１８の平面視における形状は、封止樹脂９０のＹ方向の中央においてＸ方向に延びる仮想線に対して第１リード端子１１～１３の平面視における形状と線対称となる。このため、以下では、第１リード端子１６～１８の概略構成について説明し、第１リード端子１６～１８の詳細な構成の説明を省略する。
　第１リード端子１８は、ワイヤ接続部１８ＡＡと、ワイヤ接続部１８ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１８ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１８ＡＡは、第１ダイパッド３０の第２窪み部３６Ｂに入り込んでいる。ワイヤ接続部１８ＡＡは、窪み部１８ＡＣを含む。窪み部１８ＡＣは、ワイヤ接続部１８ＡＡのＸ方向の両端部のうち第１封止側面９３寄りの端部から第１ダイパッド３０の第２先端側突出部３８Ｂに向けて窪んでいる。窪み部１８ＡＣは、Ｘ方向に延びる第１面１８ＡＣ１と、Ｙ方向に延びる第２面１８ＡＣ２と、第１面１８ＡＣ１と第２面１８ＡＣ２との間に形成された湾曲凹部１８ＡＣ３と、を含む。一例では、平面視において、湾曲凹部１８ＡＣ３の弧の長さは、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さよりも大きい。平面視において、湾曲凹部１８ＡＣ３の曲率半径は、第２先端側湾曲面３５Ｂの曲率半径よりも大きいといえる。ワイヤ接続部１８ＡＡのうち窪み部１８ＡＣによって幅が狭くなった幅狭部１８ＡＡ１の幅寸法（Ｘ方向の大きさ）は、リード接続部１８ＡＢの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　ワイヤ接続部１８ＡＡには、貫通孔１８ＡＤが形成されている。貫通孔１８ＡＤには封止樹脂９０が充填されている。ワイヤ接続部１８ＡＡには、傾斜面１８ＡＥが形成されている。傾斜面１８ＡＥは、ワイヤ接続部１８ＡＡのうち第２封止側面９４（図７参照）かつ第３封止側面９５寄りのコーナ部分に形成されている。
　リード接続部１８ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部１８ＡＢは、第１ダイパッド３０よりも第３封止側面９５寄りに配置されている。リード接続部１８ＡＢは、第１アウターリード部１８Ｂに接続されている。
　第１リード端子１７は、ワイヤ接続部１７ＡＡと、ワイヤ接続部１７ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１７ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１７ＡＡは、第１リード端子１８のワイヤ接続部１８ＡＡの窪み部１８ＡＣに入り込んでいる。ワイヤ接続部１７ＡＡは、窪み部１７ＡＣを含む。窪み部１７ＡＣは、ワイヤ接続部１７ＡＡのＸ方向の両端部のうち第１封止側面９３寄りの端部から第１リード端子１８のワイヤ接続部１８ＡＡの窪み部１８ＡＣに向けて窪んでいる。窪み部１７ＡＣは、Ｘ方向に延びる第１面１７ＡＣ１と、Ｙ方向に延びる第２面１７ＡＣ２と、第１面１７ＡＣ１と第２面１７ＡＣ２との間に形成された湾曲凹部１７ＡＣ３と、を含む。一例では、平面視において、湾曲凹部１７ＡＣ３の弧の長さは、第１リード端子１８の湾曲凹部１８ＡＣ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、湾曲凹部１７ＡＣ３の曲率半径は、湾曲凹部１８ＡＣ３の曲率半径よりも小さいといえる。ワイヤ接続部１７ＡＡのうち窪み部１７ＡＣによって幅が狭くなった幅狭部１７ＡＡ１の幅寸法（Ｘ方向の大きさ）は、リード接続部１７ＡＢの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。一例では、幅狭部１７ＡＡ１の幅寸法は、第１リード端子１８の幅狭部１８ＡＡ１の幅寸法と等しい。なお、幅狭部１７ＡＡ１，１８ＡＡ１の各々の幅寸法は任意に変更可能である。また、幅狭部１７ＡＡ１の長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）は、幅狭部１８ＡＡ１の長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　ワイヤ接続部１７ＡＡには、貫通孔１７ＡＤが形成されている。一例では、貫通孔１７ＡＤの直径は、第１リード端子１８の貫通孔１８ＡＤの直径と等しい。なお、貫通孔１７ＡＤ，１８ＡＤの各々の直径は任意に変更可能である。
　リード接続部１７ＡＢは、Ｘ方向から視て、第１ダイパッド３０の第２先端側突出部３８Ｂと重なる位置に配置されている。リード接続部１７ＡＢは、第１アウターリード部１７Ｂに接続されている。
　第１リード端子１６は、ワイヤ接続部１６ＡＡと、ワイヤ接続部１６ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１６ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１６ＡＡは、第１リード端子１７の窪み部１７ＡＣに入り込んでいる。つまり、ワイヤ接続部１６ＡＡは、第１ダイパッド３０の第３窪み部３６Ｃと第１リード端子１７の窪み部１７ＡＣの双方に入り込んでいる。リード接続部１６ＡＢは、第１アウターリード部１６Ｂに接続されている。
　図１０に示すように、第１リード端子１５は、平面視においてＴ字状に形成されている。第１リード端子１３は、ワイヤ接続部１５ＡＡと、ワイヤ接続部１５ＡＡから第１封止側面９３に向けて延びるリード接続部１５ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部１５ＡＡは、第１ダイパッド３０の第３窪み部３６Ｃに入り込んでいる。ワイヤ接続部１５ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部１５ＡＡのうち第１ダイパッド３０かつ第１リード端子１６寄りのコーナ部分には、傾斜面１５ＡＣが形成されている。傾斜面１５ＡＣは、第１ダイパッド３０から第１封止側面９３に向かうにつれて第１リード端子１６に向けて傾斜している。
　リード接続部１６ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部１６ＡＢは、Ｘ方向から視て、第１ダイパッド３０の第２窪み部３６Ｂよりも第４封止側面９６（図７参照）寄りに配置されている。リード接続部１６ＡＢは、第１アウターリード部１６Ｂに接続されている。
　図９および図１０に示すように、第１リード端子１１～１３，１５～１８は、第１ダイパッド３０から離隔して配置されているので、「第１離隔端子」に対応している。一方、第１リード端子１４は第１ダイパッド３０に一体化されているので、「第１接続端子」に対応している。第１リード端子１１～１３，１５～１８のワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡは「第２部分」に対応し、リード接続部１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ～１８ＡＢは「第１部分」に対応している。
　次に、第１インナーリード部１１Ａ～１３Ａ，１５Ａ～１８Ａのワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡの詳細な断面構造について説明する。図１１は、第１インナーリード部１１Ａのワイヤ接続部１１ＡＡの断面構造を示している。なお、第１インナーリード部１２Ａ，１３Ａ，１５Ａ～１８Ａのワイヤ接続部１２ＡＡ，１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡの断面構造はワイヤ接続部１１ＡＡの断面構造と同様であるため、その詳細な説明を省略する。
　図１１に示すように、ワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード本体２０Ｂは、インナーリード表面２１Ｂと、インナーリード表面２１Ｂと反対側のインナーリード裏面２２Ｂと、インナーリード表面２１Ｂとインナーリード裏面２２Ｂとを繋ぐインナーリード側面２３Ｂと、を有する。インナーリード側面２３Ｂは、第１ダイパッド３０の第２側面３４（図９参照）を向く先端面２４Ｂを含む。インナーリード表面２１Ｂは、後述する第１リード用ワイヤＷＢが接合する側の面であり、封止表面９１（図１参照）と同じ側を向いている。
　図１１の断面視において、先端面２４Ｂは、第１ダイパッド３０から離れるように凹む凹形状として形成されている。先端面２４Ｂは、インナーリード表面２１Ｂ側の端部とインナーリード裏面２２Ｂ側の端部との双方から先端面２４ＢのＺ方向の中央に向けて凹んでいる。一例では、凹形状の先端面２４Ｂの最も深い位置は、インナーリード裏面２２Ｂからワイヤ接続部１２ＡＡの厚さの１／３程度の位置である。なお、図１１の断面視における先端面２４Ｂの形状は任意に変更可能である。
　インナーリード表面２１Ｂ上には、めっき層２９が形成されている。めっき層２９は、たとえば銀を含む材料によって形成されている。めっき層２９は、ワイヤ接続部１１ＡＡにおけるインナーリード表面２１Ｂの概ね全体にわたり形成されている。めっき層２９の厚さは、ワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード本体２０Ｂの厚さよりも薄い。
　めっき層２９のうち先端面２４Ｂ寄りの端面２９Ａは、インナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁よりもリード接続部１１ＡＢ（図９参照）寄りの位置に形成されている。つまり、めっき層２９は、インナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端面まで覆っていない。これにより、インナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁を含む端部は、封止樹脂９０（図１参照）と接している。
　めっき層２９の端面２９Ａは、めっき層２９の表面から裏面に向かうにつれてインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁から離れるように傾斜している。一例では、めっき層２９の裏面とインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁とのＸ方向の間の距離は、たとえばめっき層２９の厚さ以上である。なお、めっき層２９の裏面とインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁とのＸ方向の間の距離は任意に変更可能である。
　また、めっき層２９は、ワイヤ接続部１１ＡＡの先端面２４Ｂを覆っていない。このため、先端面２４Ｂは、封止樹脂９０と接している。また、図示していないが、めっき層２９は、インナーリード側面２３Ｂのうち先端面２４Ｂ以外のインナーリード側面２３Ｂを覆っていない。このため、インナーリード側面２３Ｂは、封止樹脂９０と接している。
　第２ダイパッド５０Ａの詳細な平面構造について説明する。
　図１２に示すように、平面視における第２ダイパッド５０Ａの形状は、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる略矩形状である。第２ダイパッド５０Ａは、ダイパッド対向面５１Ａ、リード側面５２Ａ、第３側面５３Ａ、および第４側面５４Ａを含む。ダイパッド対向面５１Ａは、第２ダイパッド５０Ａのうち第１ダイパッド３０と対向する面であり、平面視においてＹ方向に沿って延びている。リード側面５２Ａは、第２ダイパッド５０Ａのうちダイパッド対向面５１Ａとは反対側の面であり、平面視においてＹ方向に沿って延びている。第３側面５３Ａは、第２ダイパッド５０ＡのＹ方向の両端部のうち第３封止側面９５寄りの側面であり、平面視においてＸ方向に沿って延びている。第４側面５４Ａは、第２ダイパッド５０ＡのＹ方向の両端部のうち第４封止側面９６（図７参照）寄りの側面であり、平面視においてＸ方向に沿って延びている。
　第２ダイパッド５０Ａは、第１湾曲面５５ＡＡおよび第２湾曲面５５ＡＢをさらに有する。
　第１湾曲面５５ＡＡおよび第２湾曲面５５ＡＢは、第３ダイパッド５０ＢとＹ方向に対向する位置に形成されている。第１湾曲面５５ＡＡおよび第２湾曲面５５ＡＢは、第２ダイパッド５０ＡのＹ方向の両端部のうち第３ダイパッド５０Ｂに近い方の端部に形成されている。第１湾曲面５５ＡＡおよび第２湾曲面５５ＡＢは、第２ダイパッド５０Ａの先端部に形成されているともいえる。第１湾曲面５５ＡＡは、ダイパッド対向面５１Ａと第４側面５４Ａとの間に形成されている。第１湾曲面５５ＡＡは、ダイパッド対向面５１Ａと第４側面５４Ａとの間の部分がＲ面取りされた形状である。第２湾曲面５５ＡＢは、後述する第４窪み部５６Ａの第２面５６Ａ２と第４側面５４Ａとの間に形成されている。第２湾曲面５５ＡＢは、第２面５６Ａ２と第４側面５４Ａとの間の部分がＲ面取りされた形状である。一例では、平面視において、第１湾曲面５５ＡＡの弧の長さと第２湾曲面５５ＡＢの弧の長さとは互いに等しい。平面視において、第１湾曲面５５ＡＡの曲率半径と第２湾曲面５５ＡＢの曲率半径とが互いに等しいともいえる。
　第２ダイパッド５０Ａは、第２リード端子４２～４４が入り込む第４窪み部５６Ａをさらに有する。
　第４窪み部５６Ａは、第２ダイパッド５０Ａのうち第２封止側面９４寄りの部分に形成されている。第４窪み部５６Ａは、リード側面５２Ａからダイパッド対向面５１Ａに向けてＸ方向に窪むように形成されている。第４窪み部５６Ａは、Ｙ方向において第４側面５４Ａから第３側面５３Ａに向けて窪むように形成されている。このように、第４窪み部５６Ａは、第２封止側面９４および第４封止側面９６の双方に向けて開口している。
　第４窪み部５６Ａは、Ｘ方向に延びる第１面５６Ａ１と、Ｙ方向に延びる第２面５６Ａ２と、第１面５６Ａ１と第２面５６Ａ２との間に形成された湾曲凹部５６Ａ３と、を含む。第１面５６Ａ１は、第２面５６Ａ２よりも第３側面５３Ａ寄りに配置されており、リード側面５２Ａに繋がっている。平面視において、湾曲凹部５６Ａ３は、第１面５６Ａ１と第２面５６Ａ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部５６Ａ３の弧の長さは、第１湾曲面５５ＡＡの弧の長さよりも大きい。平面視において、湾曲凹部５６Ａ３の曲率半径は、第１湾曲面５５ＡＡの曲率半径よりも大きいといえる。
　第２ダイパッド５０Ａは、傾斜面５７Ａおよび貫通孔５８Ａをさらに有する。
　傾斜面５７Ａは、第２ダイパッド５０Ａと導電部材１０Ｄとの干渉を避けるように形成されている。傾斜面５７Ａは、ダイパッド対向面５１Ａと第３側面５３Ａとの間に形成されている。傾斜面５７Ａは、ダイパッド対向面５１Ａから第２封止側面９４に向かうにつれて第３封止側面９５に向けて傾斜している。
　貫通孔５８Ａは、第２ダイパッド５０ＡのＹ方向の両端部のうち第３封止側面９５寄りの端部に形成されている。貫通孔５８Ａは、第２ダイパッド５０Ａのうち第４窪み部５６Ａよりも第３封止側面９５寄りの位置に形成されている。平面視における貫通孔５８Ａは、Ｘ方向に延びる長孔形状である。貫通孔５８Ａは、Ｚ方向において第２ダイパッド５０Ａを貫通している。貫通孔５８Ａ内には封止樹脂９０が充填されている。
　第３ダイパッド５０Ｂの詳細な平面構造について説明する。
　図１３に示すように、平面視において、第３ダイパッド５０Ｂは、ダイパッド対向面５１Ｂ、リード側面５２Ｂ、第５側面５３Ｂ、および第６側面５４Ｂを有する。ダイパッド対向面５１Ｂは、第１ダイパッド３０とＸ方向に対向する面であり、平面視においてＹ方向に沿って延びている。リード側面５２Ｂは、ダイパッド対向面５１Ｂとは反対側の面であり、平面視においてＹ方向に沿って延びている。第５側面５３Ｂは、第３ダイパッド５０ＢのＹ方向の両端面のうち最も第３封止側面９５（図７参照）寄りの端面であり、平面視においてＸ方向に沿って延びている。第６側面５４Ｂは第３ダイパッド５０ＢのＹ方向の両端面のうち最も第４封止側面９６寄りの端面であり、平面視においてＸ方向に沿って延びている。
　第３ダイパッド５０Ｂは、第２リード端子４８が入り込む第５窪み部５７Ｂと、第２リード端子４７が入り込む第６窪み部５７Ｃと、第２リード端子４５が入り込む第７窪み部５７Ｄと、をさらに有する。
　第５窪み部５７Ｂは、第３ダイパッド５０Ｂのうち第４封止側面９６寄りの部分に形成されている。第５窪み部５７Ｂは、第６側面５４Ｂから第５側面５３Ｂに向けて窪むように形成されている。第５窪み部５７Ｂは、Ｘ方向においてダイパッド対向面５１Ｂよりも第２封止側面９４寄りに形成されている。一方、第５窪み部５７Ｂは、リード側面５２Ｂを除去するように形成されている。つまり、第５窪み部５７Ｂは、第２封止側面９４および第４封止側面９６の双方に向けて開口している。第３ダイパッド５０Ｂのうち第５窪み部５７Ｂとダイパッド対向面５１ＢとのＸ方向の間の部分として突出部５８Ｂが設けられている。平面視において、突出部５８Ｂは、Ｙ方向に延びている。突出部５８Ｂは、第６側面５４Ｂとダイパッド対向面５１Ｂと第２先端側湾曲面５５ＢＢとを含む。突出部５８Ｂは、Ｘ方向において第１ダイパッド３０（図７参照）と対向している。より詳細には、突出部５８Ｂは、第１ダイパッド３０の第１先端側突出部３８Ａ（図９参照）と対向している。
　第５窪み部５７Ｂは、Ｘ方向に延びる第１面５７Ｂ１と、Ｙ方向に延びる第２面５７Ｂ２と、第１面５７Ｂ１と第２面５７Ｂ２との間に形成された湾曲凹部５７Ｂ３と、を含む。第１面５７Ｂ１は、第６側面５４Ｂよりも第５側面５３Ｂ寄りに配置されている。第２面５７Ｂ２は、突出部５８Ｂの側面の一部を構成している。平面視において、湾曲凹部５７Ｂ３は、第１面５７Ｂ１と第２面５７Ｂ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。
　第６窪み部５７Ｃは、第３ダイパッド５０Ｂのうち第３封止側面９５寄りの部分に形成されている。第６窪み部５７Ｃは、第５側面５３Ｂから第６側面５４Ｂに向けて窪むように形成されている。第６窪み部５７Ｃは、Ｘ方向においてダイパッド対向面５１Ｂよりも第２封止側面９４寄りに形成されている。一方、第６窪み部５７Ｃは、リード側面５２Ｂを除去するように形成されている。つまり、第６窪み部５７Ｃは、第２封止側面９４および第３封止側面９５の双方に向けて開口している。
　第６窪み部５７Ｃは、Ｘ方向に延びる第１面５７Ｃ１と、Ｙ方向に延びる第２面５７Ｃ２と、第１面５７Ｃ１と第２面５７Ｃ２との間に形成された湾曲凹部５７Ｃ３と、を含む。第１面５７Ｃ１は、第５側面５３Ｂよりも第６側面５４Ｂ寄りに配置されている。第１面５７Ｃ１の長さは、第５窪み部５７Ｂの第１面５７Ｂ１の長さよりも短い。第２面５７Ｃ２の長さは、第５窪み部５７Ｂの第２面５７Ｂ２の長さよりも長い。平面視において、湾曲凹部５７Ｃ３は、第１面５７Ｃ１と第２面５７Ｃ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。また、一例では、平面視において、湾曲凹部５７Ｃ３の弧の長さは、第５窪み部５７Ｂの湾曲凹部５７Ｂ３の弧の長さと等しい。平面視において、湾曲凹部５７Ｃ３の曲率半径は、湾曲凹部５７Ｂ３の曲率半径と等しいといえる。
　第７窪み部５７Ｄは、Ｙ方向において第５窪み部５７Ｂと第６窪み部５７Ｃとの間に形成されている。第７窪み部５７Ｄは、第６窪み部５７Ｃから離隔して形成されている一方、第５窪み部５７Ｂと連続して形成されている。第７窪み部５７Ｄは、ダイパッド対向面５１ＢからＸ方向に離隔して形成されている。一方、第７窪み部５７Ｄは、第２封止側面９４および第４封止側面９６の双方向に向けて開口している。第６窪み部５７Ｃと第７窪み部５７Ｄとによって第３ダイパッド５０Ｂのうち第２リード端子４６が接続される接続部５９Ｂが形成されている。接続部５９Ｂは、リード側面５２Ｂを含む。
　第７窪み部５７Ｄは、Ｘ方向に延びる第１面５７Ｄ１と、Ｙ方向に延びる第２面５７Ｄ２と、第１面５７Ｄ１と第２面５７Ｄ２との間に形成された湾曲凹部５７Ｄ３と、を含む。第１面５７Ｄ１は、接続部５９Ｂの側面を構成している。第１面５７Ｄ１は、Ｙ方向において第５窪み部５７Ｂの第１面５７Ｂ１と第６窪み部５７Ｃの第１面５７Ｃ１との間のうち第１面５７Ｂ１寄りの位置に形成されている。第１面５７Ｄ１は、リード側面５２Ｂに接続されている。第２面５７Ｄ２は、Ｘ方向において第６窪み部５７Ｃの第２面５７Ｃ２と同じ位置に形成されている。第２面５７Ｄ２の長さは、第６窪み部５７Ｃの第２面５７Ｃ２の長さよりも短い。第２面５７Ｄ２の長さは、第５窪み部５７Ｂの第２面５７Ｂ２の長さよりも短い。平面視において、湾曲凹部５７Ｄ３は、第１面５７Ｄ１と第２面５７Ｄ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部５７Ｄ３の弧の長さは、第５窪み部５７Ｂの湾曲凹部５７Ｂ３の弧の長さと等しい。平面視において、湾曲凹部５７Ｄ３の曲率半径は、湾曲凹部５７Ｂ３の曲率半径と等しいといえる。
　第３ダイパッド５０Ｂは、第１先端側湾曲面５５ＢＡ、第２先端側湾曲面５５ＢＢ、第１基端側湾曲面５６ＢＡ、および第２基端側湾曲面５６ＢＢをさらに有する。
　第１先端側湾曲面５５ＢＡは、ダイパッド対向面５１Ｂと第５側面５３Ｂとの間に形成されている。第１先端側湾曲面５５ＢＡは、ダイパッド対向面５１Ｂと第５側面５３Ｂとの間の部分がＲ面取りされた形状である。第２先端側湾曲面５５ＢＢは、ダイパッド対向面５１Ｂと第６側面５４Ｂとの間に形成されている。第２先端側湾曲面５５ＢＢは、ダイパッド対向面５１Ｂと第６側面５４Ｂとの間の部分がＲ面取りされた形状である。一例では、平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さと第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さとは互いに等しい。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡの曲率半径と第２先端側湾曲面５５ＢＢの曲率半径とが互いに等しいともいえる。
　第１先端側湾曲面５５ＢＡは、Ｙ方向において第２ダイパッド５０Ａの第１湾曲面５５ＡＡ（図１２参照）と対向している。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さは、第１湾曲面５５ＡＡの弧の長さと等しい。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡの曲率半径は、第１湾曲面５５ＡＡの曲率半径と等しいともいえる。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡおよび第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さは、第６窪み部５７Ｃの湾曲凹部５７Ｃ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡおよび第２先端側湾曲面５５ＢＢの曲率半径は、第６窪み部５７Ｃの湾曲凹部５７Ｃ３の曲率半径よりも小さいといえる。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡおよび第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さは、第５窪み部５７Ｂの湾曲凹部５７Ｂ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、第１先端側湾曲面５５ＢＡおよび第２先端側湾曲面５５ＢＢの曲率半径は、第５窪み部５７Ｂの湾曲凹部５７Ｂ３の曲率半径よりも小さいといえる。
　第１基端側湾曲面５６ＢＡは、第６窪み部５７Ｃの第２面５７Ｃ２と第５側面５３Ｂとの間に形成されている。第１基端側湾曲面５６ＢＡは、第６窪み部５７Ｃの第２面５７Ｃ２と第５側面５３Ｂとの間の部分がＲ面取りされた形状である。第２基端側湾曲面５６ＢＢは、第５窪み部５７Ｂと第７窪み部５７Ｄとの間に形成されている。第２基端側湾曲面５６ＢＢは、第５窪み部５７Ｂの第２面５７Ｂ２と第７窪み部５７Ｄの第１面５７Ｄ１との間の部分がＲ面取りされた形状である。一例では、平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡの弧の長さは、第２基端側湾曲面５６ＢＢの弧の長さと等しい。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡの曲率半径と第２基端側湾曲面５６ＢＢの曲率半径とが互いに等しいともいえる。
　第１基端側湾曲面５６ＢＡは、Ｙ方向において第２ダイパッド５０Ａの第２湾曲面５５ＡＢと対向している。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡの弧の長さは、第２湾曲面５５ＡＢの弧の長さと等しい。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡの曲率半径は、第２湾曲面５５ＡＢの曲率半径と等しいともいえる。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡおよび第２基端側湾曲面５６ＢＢの弧の長さは、第５窪み部５７Ｂの湾曲凹部５７Ｂ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡおよび第２基端側湾曲面５６ＢＢの曲率半径は、第５窪み部５７Ｂの湾曲凹部５７Ｂ３の曲率半径よりも小さいといえる。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡおよび第２基端側湾曲面５６ＢＢの弧の長さは、第６窪み部５７Ｃの湾曲凹部５７Ｃ３の弧の長さよりも小さい。平面視において、第１基端側湾曲面５６ＢＡおよび第２基端側湾曲面５６ＢＢの曲率半径は、第６窪み部５７Ｃの湾曲凹部５７Ｃ３の曲率半径よりも小さいといえる。
　第２リード端子４１～４８の各々の詳細な構成について説明する。
　図７に示すように、第２リード端子４１～４８のうち第２リード端子４１～４４は、第２ダイパッド５０Ａの周囲に設けられている。第２リード端子４５～４８は、第３ダイパッド５０Ｂの周囲に設けられている。
　第２リード端子４１～４８は、封止樹脂９０内に設けられた第２インナーリード部４１Ａ～４８Ａと、上述した第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂと、を含む。以下では、第２インナーリード部４１Ａ～４８Ａの構成について説明する。
　図１２に示すように、第２リード端子４１の第２インナーリード部４１Ａは、第２ダイパッド５０Ａに接続されている。第２インナーリード部４１Ａは、第２ダイパッド５０Ａのうち第４窪み部５６Ａよりも第３封止側面９５寄りの部分に接続されている。第１実施形態では、第２インナーリード部４１Ａは、第２ダイパッド５０ＡのＹ方向の両端部のうち第３封止側面９５寄りの端部に接続されている。第２インナーリード部４１Ａは、第２ダイパッド５０Ａから第１封止側面９３に向けてＸ方向に沿って延びている。
　第２リード端子４２～４４の第１インナーリード部４２Ａ～４４Ａの各々は、第３ダイパッド５０Ｂの第４窪み部５６Ａに入り込む部分を含む。
　第２リード端子４２は、平面視においてＬ字状に形成されている。第２リード端子４２は、ワイヤ接続部４２ＡＡと、ワイヤ接続部４２ＡＡから第２封止側面９４に向けて延びるリード接続部４２ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部４２ＡＡは、第２ダイパッド５０Ａの第４窪み部５６Ａに入り込んでいる。ワイヤ接続部４２ＡＡは、Ｙ方向に延びている。
　リード接続部４２ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部４２ＡＢは、第２チップ７０よりも第３封止側面９５寄りに配置されている。リード接続部４２ＡＢは、第２アウターリード部４２Ｂに接続されている。
　第２リード端子４３は、平面視においてＬ字状に形成されている。第２リード端子４３は、ワイヤ接続部４３ＡＡと、ワイヤ接続部４３ＡＡから第２封止側面９４に向けて延びるリード接続部４３ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部４３ＡＡは、第２ダイパッド５０Ａの第４窪み部５６Ａに入り込んでいる。ワイヤ接続部４３ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部４３ＡＡの長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）は、ワイヤ接続部４２ＡＡの長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　ワイヤ接続部４３ＡＡのうち第２リード端子４２かつ第２ダイパッド５０Ａ寄りのコーナ部分には、傾斜面４３ＡＣが形成されている。傾斜面４３ＡＣは、第２ダイパッド５０Ａから第２封止側面９４に向かうにつれて第２リード端子４２に向けて傾斜している。
　リード接続部４３ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部４３ＡＢは、Ｘ方向から視て、第２チップ７０と重なる位置に配置されている。リード接続部４３ＡＢは、第２アウターリード部４３Ｂに接続されている。
　第２リード端子４４は、平面視においてＴ字状に形成されている。第２リード端子４４は、ワイヤ接続部４４ＡＡと、ワイヤ接続部４４ＡＡから第２封止側面９４に向けて延びるリード接続部４４ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部４４ＡＡは、第２ダイパッド５０Ａの第４窪み部５６Ａに入り込んでいる。ワイヤ接続部４４ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部４４ＡＡの長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）は、ワイヤ接続部４２ＡＡの長さ寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。
　リード接続部４４ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部４４ＡＢは、第２チップ７０よりも第４封止側面９６（図７参照）寄りに位置に配置されている。リード接続部４４ＡＢは、第２アウターリード部４４Ｂに接続されている。
　図１３に示すように、第２リード端子４５の第２インナーリード部４５Ａは、第３ダイパッド５０Ｂの第６窪み部５７Ｃに入り込む部分を含む。第２リード端子４７の第２インナーリード部４７Ａは、第７窪み部５７Ｄに入り込む部分を含む。第２リード端子４８の第２インナーリード部４８Ａは、第５窪み部５７Ｂに入り込む部分を含む。第２リード端子４６の第２インナーリード部４６Ａは、第３ダイパッド５０Ｂに接続されている。
　第２リード端子４８は、平面視においてＬ字状に形成されている。第２リード端子４８は、ワイヤ接続部４８ＡＡと、ワイヤ接続部４８ＡＡから第２封止側面９４に向けて延びるリード接続部４８ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部４８ＡＡは、第３ダイパッド５０Ｂの第５窪み部５７Ｂに入り込んでいる。ワイヤ接続部４８ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部４８ＡＡは、窪み部４８ＡＣを含む。
　窪み部４８ＡＣは、ワイヤ接続部４８ＡＡのうち第２リード端子４７寄りの部分に形成されている。窪み部４８ＡＣは、ワイヤ接続部４８ＡＡのＸ方向の両端部のうち第２封止側面９４寄りの端部から第３ダイパッド５０Ｂの突出部５８Ｂに向けて窪んでいる。窪み部４８ＡＣは、Ｘ方向に延びる第１面４８ＡＣ１と、Ｙ方向に延びる第２面４８ＡＣ２と、第１面４８ＡＣ１と第２面４８ＡＣ２との間に形成された湾曲凹部４８ＡＣ３と、を含む。第１面４８ＡＣ１は、リード接続部４８ＡＢよりも第２リード端子４７寄りに配置されている。第２面４８ＡＣ２は、Ｘ方向から視て、第２リード端子４７と重なる位置に配置されている。平面視において、湾曲凹部４８ＡＣ３は、第１面４８ＡＣ１と第２面４８ＡＣ２とを繋ぐ円弧部分として形成されている。一例では、平面視において、湾曲凹部４８ＡＣ３の弧の長さは、第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さよりも大きい。平面視において、湾曲凹部４８ＡＣ３の曲率半径は、第２先端側湾曲面５５ＢＢの曲率半径よりも大きいといえる。ワイヤ接続部４８ＡＡのうち窪み部４８ＡＣによって幅が狭くなった幅狭部４８ＡＡ１は、Ｙ方向に沿って延びている。幅狭部４８ＡＡ１の幅寸法（Ｘ方向の大きさ）は、リード接続部４８ＡＢの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも大きい。
　ワイヤ接続部４８ＡＡには、貫通孔４８ＡＤが形成されている。貫通孔４８ＡＤは、ワイヤ接続部４８ＡＡのうち窪み部４８ＡＣよりもリード接続部４８ＡＢ寄りの部分に形成されている。平面視における貫通孔４８ＡＤの形状は円形である。貫通孔４８ＡＤには封止樹脂９０が充填されている。なお、貫通孔４８ＡＤの形状およびサイズは任意に変更可能である。
　ワイヤ接続部４８ＡＡには、傾斜面４８ＡＥが形成されている。傾斜面４８ＡＥは、ワイヤ接続部４８ＡＡのうち突出部５８Ｂかつ第４封止側面９６寄りのコーナ部分に形成されている。平面視において、傾斜面４８ＡＥは、突出部５８Ｂから第２封止側面９４に向かうにつれて第３封止側面９５（図７参照）から第４封止側面９６に向けて傾斜している。
　リード接続部４８ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部４８ＡＢは、第３ダイパッド５０Ｂよりも第４封止側面９６寄りに配置されている。リード接続部４８ＡＢは、第２アウターリード部４８Ｂに接続されている。
　第２リード端子４７は、平面視においてＬ字状に形成されている。第２リード端子４７は、ワイヤ接続部４７ＡＡと、ワイヤ接続部４７ＡＡから第２封止側面９４に向けて延びるリード接続部４７ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部４７ＡＡは、第２リード端子４８のワイヤ接続部４８ＡＡの窪み部４８ＡＣに入り込んでいる。つまり、ワイヤ接続部４７ＡＡは、第２リード端子４８のワイヤ接続部４８ＡＡの窪み部４８ＡＣと第３ダイパッド５０Ｂの第７窪み部５７Ｄとの双方に入り込んでいる。ワイヤ接続部４７ＡＡは、Ｙ方向に延びている。ワイヤ接続部４７ＡＡの幅寸法（Ｘ方向の大きさ）は、第２リード端子４８のワイヤ接続部４８ＡＡの幅寸法（Ｘ方向の大きさ）よりも小さい。
　リード接続部４７ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部４７ＡＢは、第２ダイパッド５０Ａの第６窪み部５７Ｃよりも第４封止側面９６寄りに配置されている。リード接続部４７ＡＢは、第２アウターリード部４７Ｂに接続されている。
　第２リード端子４６の第２インナーリード部４６Ａは、第３ダイパッド５０Ｂの接続部５９Ｂに接続されている。第２インナーリード部４６Ａの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）は、接続部５９Ｂの幅寸法（Ｙ方向の大きさ）よりも小さい。第２インナーリード部４６Ａは、接続部５９Ｂのうち第４封止側面９６寄りの部分に接続されている。
　第２リード端子４５は、平面視においてＴ字状に形成されている。第２リード端子４５は、ワイヤ接続部４５ＡＡと、ワイヤ接続部４５ＡＡから第２封止側面９４に向けて延びるリード接続部４５ＡＢと、を含む。
　ワイヤ接続部４５ＡＡは、第３ダイパッド５０Ｂの第６窪み部５７Ｃに入り込んでいる。ワイヤ接続部４５ＡＡは、Ｙ方向に延びている。
　リード接続部４５ＡＢは、Ｘ方向に沿って延びている。リード接続部４５ＡＢは、Ｘ方向から視て、第３チップ８０よりも第３封止側面９５（図７参照）寄りに配置されている。リード接続部４５ＡＢは、第２アウターリード部４５Ｂに接続されている。
　図１２および図１３に示すように、第２リード端子４２～４４は、第２ダイパッド５０Ａから離隔して配置されているので、「第２離隔端子」に対応している。第２リード端子４５，４７，４８は、第３ダイパッド５０Ｂから離隔して配置されているので、「第３離隔端子」に対応している。一方、第２リード端子４１は、第２ダイパッド５０Ａに一体化されているので、「第２接続端子」に対応している。第２リード端子４６は、第３ダイパッド５０Ｂに一体化されているので、「第３接続端子」に対応している。第２リード端子４２～４４のワイヤ接続部４２ＡＡ～４４ＡＡは「第４部分」に対応し、リード接続部４２ＡＢ～４４ＡＢは「第３部分」に対応している。第２リード端子４５，４７，４８のワイヤ接続部４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡは「第６部分」に対応し、リード接続部４５ＡＢ，４７ＡＢ，４８ＡＢは「第５部分」に対応している。
　次に、第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａ，４８Ａの詳細な断面構造について説明する。図１４は、第２インナーリード部４８Ａのワイヤ接続部４８ＡＡの断面構造を示している。なお、第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａのワイヤ接続部４２ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡの断面構造はワイヤ接続部４８ＡＡの断面構造と同様であるため、その詳細な説明を省略する。また、便宜上、第２インナーリード部４８Ａに関する符号は、第１インナーリード部１１Ａに関する符号と共通した符号を用いる。
　図１４に示すように、ワイヤ接続部４８ＡＡのインナーリード本体２０Ｂは、インナーリード表面２１Ｂと、インナーリード表面２１Ｂとは反対側のインナーリード裏面２２Ｂと、インナーリード表面２１Ｂとインナーリード裏面２２Ｂとを繋ぐインナーリード側面２３Ｂと、を有する。ワイヤ接続部４３ＡＡのインナーリード表面２１Ｂはワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード表面２１Ｂ（図１１参照）と同じ側を向き、ワイヤ接続部４８ＡＡのインナーリード裏面２２Ｂはワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード裏面２２Ｂ（図１１参照）と同じ側を向いている。
　図１４の断面視において、先端面２４Ｂは、第３ダイパッド５０Ｂのうち第５窪み部５７Ｂの第１面５７Ｂ１（図１３参照）とＹ方向に対向している。先端面２４Ｂは、第６側面５４Ｂから離れるように凹む凹形状として形成されている。先端面２４Ｂは、インナーリード表面２１Ｂ側の端部とインナーリード裏面２２Ｂ側の端部との双方から先端面２４ＢのＺ方向の中央に向けて凹んでいる。一例では、凹形状の先端面２４Ｂの最も深い位置は、インナーリード裏面２２Ｂからワイヤ接続部４３ＡＡの厚さの１／３程度である。なお、図１４の断面視における先端面２４Ｂの形状は任意に変更可能である。
　インナーリード表面２１Ｂ上には、めっき層２９が形成されている。めっき層２９は、たとえば銀を含む材料によって形成されている。一例では、めっき層２９は、ワイヤ接続部１１ＡＡのめっき層２９（図１１参照）と同じ材料によって形成されている。めっき層２９は、インナーリード表面２１Ｂの概ね全体にわたり形成されている。めっき層２９の厚さは、ワイヤ接続部４８ＡＡのインナーリード本体２０Ｂの厚さよりも薄い。一例では、ワイヤ接続部４８ＡＡのめっき層２９の厚さは、ワイヤ接続部１１ＡＡのめっき層２９の厚さと等しい。ここで、ワイヤ接続部４８ＡＡのめっき層２９の厚さとワイヤ接続部１１ＡＡのめっき層２９の厚さとの差がたとえばワイヤ接続部４８ＡＡのめっき層２９の厚さの２０％以内であれば、ワイヤ接続部４８ＡＡのめっき層２９の厚さがワイヤ接続部１１ＡＡのめっき層２９の厚さと等しいといえる。
　めっき層２９のうちワイヤ接続部４８ＡＡの先端面２４Ｂ寄りの端面２９Ａは、インナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁よりもリード接続部４８ＡＢ（図１３参照）寄りの位置に形成されている。つまり、めっき層２９は、インナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁まで覆っていない。これにより、インナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁を含む端部は、封止樹脂９０（図１参照）と接している。
　図１４の断面視において、めっき層２９の端面２９Ａは、めっき層２９の表面から裏面に向かうにつれてインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端面から離れるように傾斜している。めっき層２９の裏面とインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁とのＸ方向の間の距離は、たとえばめっき層２９の厚さ以上である。なお、めっき層２９の裏面とインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ寄りの端縁とのＸ方向の間の距離は任意に変更可能である。
　また、めっき層２９は、ワイヤ接続部４８ＡＡの先端面２４Ｂを覆っていない。このため、先端面２４Ｂは、封止樹脂９０と接している。また、図示していないが、めっき層２９は、インナーリード側面２３Ｂのうち先端面２４Ｂ以外のインナーリード側面２３Ｂを覆っていない。このため、インナーリード側面２３Ｂは、封止樹脂９０と接している。
　次に、第１チップ６０、第２チップ７０、および第３チップ８０の概略構成について説明する。
　図８に示すように、第１ダイパッド３０に実装された第１チップ６０は、チップ表面６１と、Ｚ方向においてチップ表面６１とは反対側を向くチップ裏面６２（図２１参照）と、チップ表面６１とチップ裏面６２とを繋ぐ第１～第４チップ側面６３～６６と、を有する。
　チップ表面６１は第１チップ６０に対して第１ダイパッド３０側とは反対側を向き、チップ裏面６２は第１ダイパッド３０と対面する側を向いている。
　第１チップ側面６３および第２チップ側面６４は、平面視において第１チップ６０のＸ方向の両端面を構成している。第１チップ側面６３は第１チップ６０のうち第１リード端子１１～１８が配置される側のチップ側面であり、第２チップ側面６４は第１チップ６０のうち第２チップ７０および第３チップ８０が配置される側のチップ側面である。第３チップ側面６５および第４チップ側面６６は、平面視において第１チップ６０のＹ方向の両端面を構成している。第３チップ側面６５は封止樹脂９０の第３封止側面９５寄りのチップ側面であり、第４チップ側面６６は第４封止側面９６寄りのチップ側面である。
　第１チップ６０は、複数（第１実施形態では６つ）の第１電極パッド６７、複数（第１実施形態では７つ）の第２電極パッド６８、および複数（第１実施形態では２つ）の第３電極パッド６９を有する。各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９は、チップ表面６１から露出するように設けられている。なお、第２電極パッド６８および第３電極パッド６９の各々の個数は任意に変更可能である。
　各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、およびタングステン（Ｗ）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。一例では、各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９は、チタンと銅との積層構造である。なお、各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９のうち１種類または２種類の電極パッドを構成する材料は、残りの種類の電極パッドを構成する材料と異なっていてもよい。
　別例では、各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９は、アルミニウムを含む。この場合、チップ表面６１から露出する各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９の各々は、２μｍ以上の厚さを有する。なお、各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９の各々の厚さは任意に変更可能である。
　複数の第１電極パッド６７は、第２チップ７０および第３チップ８０と電気的に接続される電極パッドである。複数の第１電極パッド６７は、平面視においてチップ表面６１のＸ方向の中央よりも第２チップ側面６４寄りの位置に設けられている。複数の第１電極パッド６７は、Ｘ方向において互いに同じ位置であって、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第１電極パッド６７は、第２チップ７０と電気的に接続される３つの第１電極パッド６７と、第３チップ８０と電気的に接続される３つの第１電極パッド６７とに区分できる。第２チップ７０と電気的に接続される３つの第１電極パッド６７は、チップ表面６１のうち第３チップ側面６５寄りに配置されている。第３チップ８０と電気的に接続される３つの第１電極パッド６７は、チップ表面６１のうち第４チップ側面６６寄りに配置されている。
　複数の第２電極パッド６８は、第１リード端子１１～１３，１５～１８に個別に電気的に接続される電極パッドである。複数の第２電極パッド６８は、平面視においてチップ表面６１のＸ方向の中央よりも第１チップ側面６３寄りの位置に設けられている。
　複数の第３電極パッド６９は、第１ダイパッド３０に電気的に接続される電極パッドである。各第３電極パッド６９は、第１ダイパッド３０と同じ電位、すなわち第１グランド電位となる。複数の第３電極パッド６９は、平面視においてチップ表面６１のうち第１ダイパッド３０の接続部３９よりも第１側面３３寄りの位置に配置されている。複数の第３電極パッド６９は、平面視においてチップ表面６１のうち第１チップ側面６３寄りの端部に配置されている。
　図１２に示すように、第２ダイパッド５０Ａに実装された第２チップ７０は、チップ表面７１と、Ｚ方向においてチップ表面７１とは反対側を向くチップ裏面（図示略）と、チップ表面７１とチップ裏面とを繋ぐ第１～第４チップ側面７３～７６と、を有する。
　チップ表面７１は第２チップ７０に対して第２ダイパッド５０Ａ側とは反対側を向き、チップ裏面は第２ダイパッド５０Ａと対面する側を向いている。
　第１チップ側面７３および第２チップ側面７４は、平面視において第２チップ７０のＸ方向の両端面を構成している。第１チップ側面７３は第２チップ７０のうち第１チップ６０（図７参照）が配置される側のチップ側面であり、第２チップ側面７４は第２チップ７０のうち第２リード端子４１～４８が配置される側のチップ側面である。第３チップ側面７５および第４チップ側面７６は、平面視において第２チップ７０のＹ方向の両端面を構成している。第３チップ側面７５は封止樹脂９０の第３封止側面９５寄りのチップ側面であり、第４チップ側面７６は第４封止側面９６寄りのチップ側面である。
　第２チップ７０は、複数（第１実施形態では３つ）の第１電極パッド７７、複数（第１実施形態では４つ）の第２電極パッド７８、および複数（第１実施形態では３つ）の第３電極パッド７９を有する。各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９は、チップ表面７１から露出するように設けられている。
　各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９は、チタン、窒化チタン、銅、アルミニウム、およびタングステンのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。一例では、各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９は、チタンと銅との積層構造である。なお、各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９のうち１種類または２種類の電極パッドを構成する材料は、残りの種類の電極パッドを構成する材料と異なっていてもよい。
　別例では、各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９は、アルミニウムを含む。この場合、チップ表面７１から露出する各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９の各々は、２μｍ以上の厚さを有する。なお、各第１電極パッド７７、各第２電極パッド７８、および各第３電極パッド７９の各々の厚さは任意に変更可能である。
　複数の第１電極パッド７７は、第１チップ６０の複数の第１電極パッド６７のうち第３チップ側面６５寄りの３つの第１電極パッド６７と個別に電気的に接続される電極パッドである。複数の第１電極パッド７７は、平面視においてチップ表面７１のＸ方向の中央よりも第１チップ側面７３寄りの位置に設けられている。複数の第１電極パッド７７は、Ｘ方向において互いに同じ位置であって、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。
　複数の第２電極パッド７８は、第２リード端子４２，４３に個別に電気的に接続される電極パッドである。複数の第２電極パッド７８は、平面視においてチップ表面７１のＹ方向の中央よりも第４チップ側面７６寄りの位置に設けられている。
　複数の第３電極パッド７９は、第２ダイパッド５０Ａに電気的に接続される電極パッドである。各第３電極パッド７９は、第２ダイパッド５０Ａと同じ電位、すなわち第２グランド電位となる。複数の第３電極パッド７９は、平面視においてチップ表面７１のＹ方向の両端部のうち第３封止側面９５寄りの端部に設けられている。複数の第３電極パッド７９は、Ｙ方向において互いに同じ位置であって、Ｘ方向において互いに離隔して配列されている。
　図１３に示すように、第３ダイパッド５０Ｂに実装された第３チップ８０は、チップ表面８１と、Ｚ方向においてチップ表面８１とは反対側を向くチップ裏面（図示略）と、チップ表面８１とチップ裏面とを繋ぐ第１～第４チップ側面８３～８６と、を有する。
　チップ表面８１は第３チップ８０に対して第３ダイパッド５０Ｂ側とは反対側を向き、チップ裏面は第３ダイパッド５０Ｂと対面する側を向いている。
　第１チップ側面８３および第２チップ側面８４は、平面視において第３チップ８０のＸ方向の両端面を構成している。第１チップ側面８３は第３チップ８０のうち第１チップ６０（図７参照）が配置される側のチップ側面であり、第２チップ側面８４は第３チップ８０のうち第２リード端子４１～４８が配置される側のチップ側面である。第３チップ側面８５および第４チップ側面８６は、平面視において第３チップ８０のＹ方向の両端面を構成している。第３チップ側面８５は封止樹脂９０の第３封止側面９５寄りのチップ側面であり、第４チップ側面８６は第４封止側面９６寄りのチップ側面である。
　第３チップ８０は、複数（第１実施形態では３つ）の第１電極パッド８７、複数（第１実施形態では４つ）の第２電極パッド８８、および複数（第１実施形態では２つ）の第３電極パッド８９を有する。各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９は、チップ表面８１から露出するように設けられている。
　各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９は、チタン、窒化チタン、銅、アルミニウム、およびタングステンのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。一例では、各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９は、チタンと銅との積層構造である。なお、各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９のうち１種類または２種類の電極パッドを構成する材料は、残りの種類の電極パッドを構成する材料と異なっていてもよい。
　別例では、各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９は、アルミニウムを含む。この場合、チップ表面８１から露出する各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９の各々は、２μｍ以上の厚さを有する。なお、各第１電極パッド８７、各第２電極パッド８８、および各第３電極パッド８９の各々の厚さは任意に変更可能である。
　複数の第１電極パッド８７は、第１チップ６０の複数の第１電極パッド６７のうち第４チップ側面６６寄りの３つの第１電極パッド６７と個別に電気的に接続される電極パッドである。複数の第１電極パッド８７は、平面視においてチップ表面８１のＸ方向の中央よりも第１チップ側面８３寄りの位置に設けられている。複数の第１電極パッド８７は、Ｘ方向において互いに同じ位置であって、Ｙ方向において互いに離隔して配列されている。
　複数の第２電極パッド８８は、第２リード端子４７，４８に個別に電気的に接続される電極パッドである。複数の第２電極パッド８８は、平面視においてチップ表面８１のＹ方向の中央よりも第４チップ側面８６寄りの位置に設けられている。
　複数の第３電極パッド８９は、第３ダイパッド５０Ｂに電気的に接続される電極パッドである。各第３電極パッド８９は、第３ダイパッド５０Ｂと同じ電位、すなわち第３グランド電位となる。複数の第３電極パッド８９は、平面視においてチップ表面８１のＹ方向の両端部のうち第３封止側面９５寄りの端部に設けられている。複数の第３電極パッド８９は、Ｙ方向において互いに同じ位置であって、Ｘ方向において互いに離隔して配列されている。
　次に、第１チップ６０、第２チップ７０、および第３チップ８０の電気的な接続構成について説明する。
　図７に示すように、信号伝達装置１０は、第１チップ６０と第２チップ７０および第３チップ８０とを個別に接続するチップ間ワイヤＷＡと、第１チップ６０と第１リード端子１１～１３，１５，１６、１８とを個別に接続する第１リード用ワイヤＷＢと、第１チップ６０と第１ダイパッド３０とを接続する第１ダイパッド用ワイヤＷＣと、を備える。チップ間ワイヤＷＡ、第１リード用ワイヤＷＢ、および第１ダイパッド用ワイヤＷＣは、封止樹脂９０によって封止されている。
　第１チップ６０の複数の第１電極パッド６７のうち第３チップ側面６５寄りの３つの第１電極パッド６７と、第２チップ７０の複数の第１電極パッド７７とは、複数本（第１実施形態では３本）のチップ間ワイヤＷＡによって個別に接続されている。これにより、複数の第１電極パッド６７と複数の第１電極パッド７７とが個別に電気的に接続されている。複数の第１電極パッド７７は、複数の第１電極パッド６７よりも第３封止側面９５寄りに配置されているため、平面視において各チップ間ワイヤＷＡは、第１電極パッド６７から第１電極パッド７７に向かうにつれて第３封止側面９５に向けて斜めに延びている。３本のチップ間ワイヤＷＡは、平面視において互いに平行である。
　第１チップ６０の複数の第１電極パッド６７のうち第４チップ側面６６寄りの３つの第１電極パッド６７と、第３チップ８０の複数の第１電極パッド８７とは、複数本（第１実施形態では３本）のチップ間ワイヤＷＡによって個別に接続されている。これにより、複数の第１電極パッド６７と複数の第１電極パッド８７とが個別に電気的に接続されている。複数の第１電極パッド８７は、複数の第１電極パッド６７よりも第４封止側面９６寄りに配置されているため、平面視において各チップ間ワイヤＷＡは、第１電極パッド６７から第１電極パッド８７に向かうにつれて第４封止側面９６に向けて斜めに延びている。３本のチップ間ワイヤＷＡは、平面視において互いに平行である。
　図９に示すように、第１チップ６０の複数の第２電極パッド６８と、第１リード端子１１～１３とは、複数本（第１実施形態では４本）の第１リード用ワイヤＷＢによって個別に接続されている。これにより、第１チップ６０と第１リード端子１１～１３とが個別に電気的に接続されている。第１リード端子１１，１２の各々は、１本の第１リード用ワイヤＷＢによって複数の第２電極パッド６８に個別に接続されている。第１リード端子１３は、２本の第１リード用ワイヤＷＢによって複数の第２電極パッド６８に個別に接続されている。
　図１０に示すように、第１チップ６０の複数の第２電極パッド６８と、第１リード端子１５，１６，１８とは、複数本（第１実施形態では４本）の第１リード用ワイヤＷＢによって個別に接続されている。これにより、第１チップ６０と第１リード端子１５，１６，１８とが個別に電気的に接続されている。第１リード端子１５，１６，１８の各々は、１本の第１リード用ワイヤＷＢによって複数の第２電極パッド６８に個別に接続されている。一方、第１リード端子１７は、第１チップ６０と電気的に接続されていない。つまり、第１リード端子１７は、電気的にフローティング状態である。第１実施形態では、第１リード端子１７は、ダミー端子であるともいえる。
　第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。一例では、第１リード用ワイヤＷＢは、第２電極パッド６８との接合部がファーストボンド部であり、第１リード端子１１～１３，１５，１６，１８との接合部がセカンドボンド部である。第１リード用ワイヤＷＢは、第１リード端子１１～１３，１５，１６，１８のうち第１インナーリード部１１Ａ～１３Ａ，１５Ａ，１６Ａ，１８Ａのワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡ，１８ＡＡに接続されている。
　より詳細には、ワイヤ接続部１１ＡＡは、ワイヤ接続部１１ＡＡと接続する第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第１ダイパッド３０と対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部１１ＡＡの側面は、ワイヤ接続部１１ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第１ダイパッド３０の第１窪み部３６Ａの第１面３６Ａ１と対向している。第１リード用ワイヤＷＢは、第１リード端子１１のワイヤ接続部１１ＡＡのうち第１チップ６０寄りの端部に接続されている。
　ワイヤ接続部１２ＡＡは、ワイヤ接続部１２ＡＡと接続する第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第１ダイパッド３０と対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部１２ＡＡの側面は、ワイヤ接続部１２ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第１ダイパッド３０の第１窪み部３６Ａの第１面３６Ａ１と対向している。第１リード用ワイヤＷＢは、第１リード端子１２のワイヤ接続部１２ＡＡのうち第１チップ６０寄りの端部に接続されている。
　ワイヤ接続部１３ＡＡは、ワイヤ接続部１３ＡＡと接続する第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第１ダイパッド３０と対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部１３ＡＡの側面は、ワイヤ接続部１３ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第１ダイパッド３０の第１窪み部３６Ａの第１面３６Ａ１と対向している。２本の第１リード用ワイヤＷＢは、第１リード端子１３のワイヤ接続部１３ＡＡのうちリード接続部１３ＡＢよりも第１チップ６０寄りの部分に接続されている。
　ワイヤ接続部１５ＡＡは、ワイヤ接続部１５ＡＡと接続する第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第１ダイパッド３０と対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部１５ＡＡの側面は、ワイヤ接続部１５ＡＡの先端面を構成しており、Ｘ方向において第１ダイパッド３０の第３窪み部３６Ｃの第２面３６Ｃ２と対向している。
　ワイヤ接続部１６ＡＡは、ワイヤ接続部１６ＡＡと接続する第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第１ダイパッド３０と対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部１６ＡＡの側面は、ワイヤ接続部１６ＡＡの先端面を構成しており、Ｘ方向において第１ダイパッド３０の第３窪み部３６Ｃの第２面３６Ｃ２と対向している。また、ワイヤ接続部１６ＡＡの側面は、第１リード端子１７の窪み部１７ＡＣの第２面１７ＡＣ２と対向している。
　ワイヤ接続部１８ＡＡは、ワイヤ接続部１８ＡＡと接続する第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第１ダイパッド３０と対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部１８ＡＡの側面は、ワイヤ接続部１８ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第１ダイパッド３０の第２窪み部３６Ｂの第１面３６Ｂ１と対向している。第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１８ＡＡのうち第１チップ６０寄りの端部に接続されている。
　図８に示すように、第１チップ６０の複数の第３電極パッド６９と、第１ダイパッド３０とは、複数本（第１実施形態では２本）の第１ダイパッド用ワイヤＷＣによって個別に接続されている。これにより、第１チップ６０と第１ダイパッド３０とが電気的に接続されている。つまり、複数の第３電極パッド６９は、第１グランド電位となる。また、複数の第３電極パッド６９は、第１リード端子１４と電気的に接続されているともいえる。
　第１ダイパッド用ワイヤＷＣは、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。一例では、第１ダイパッド用ワイヤＷＣは、第３電極パッド６９との接合部がファーストボンド部であり、第１ダイパッド３０との接合部がセカンドボンド部である。第１実施形態では、セカンドボンド部は、接続部３９に形成されている。
　図７に示すように、信号伝達装置１０は、第２チップ７０および第３チップ８０と複数の第２リード端子４２，４３，４７，４８とを個別に接続する第２リード用ワイヤＷＤと、第２チップ７０と第２ダイパッド５０Ａとを接続する第２ダイパッド用ワイヤＷＥと、第３チップ８０と第３ダイパッド５０Ｂとを接続する第３ダイパッド用ワイヤＷＦと、を備える。第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦは、封止樹脂９０によって封止されている。
　図１２に示すように、第２チップ７０の複数の第２電極パッド７８と、第２リード端子４２，４３とは、複数本（第１実施形態では４本）の第２リード用ワイヤＷＤによって個別に接続されている。これにより、第２チップ７０と第２リード端子４２，４３とが個別に電気的に接続されている。第２リード端子４２，４３の各々は、２本の第２リード用ワイヤＷＤによって複数の第２電極パッド７８と個別に接続されている。一方、第２リード端子４４は、第２チップ７０と電気的に接続されていない。つまり、第２リード端子４４は、電気的にフローティング状態である。第１実施形態では、第２リード端子４４は、ダミー端子であるともいえる。
　図１３に示すように、第３チップ８０の複数の第２電極パッド８８と、第２リード端子４７，４８とは、複数本（第１実施形態では４本）の第２リード用ワイヤＷＤによって個別に接続されている。これにより、第３チップ８０と第２リード端子４７，４８とが個別に電気的に接続されている。第２リード端子４７，４８の各々は、２本の第２リード用ワイヤＷＤによって複数の第２電極パッド８８と個別に接続されている。一方、第２リード端子４５は、第３チップ８０と電気的に接続されていない。つまり、第２リード端子４５は、電気的にフローティング状態である。第１実施形態では、第２リード端子４５は、ダミー端子であるともいえる。
　第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。一例では、第２リード用ワイヤＷＤは、第２電極パッド７８との接合部がファーストボンド部であり、第２リード端子４２，４３，４７，４８との接合部がセカンドボンド部である。第２リード用ワイヤＷＤは、第２リード端子４２，４３，４７，４８のうち第２インナーリード部４２Ａ，４３Ａ，４７Ａ，４８Ａのワイヤ接続部４２ＡＡ，４３ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡに接続されている。
　より詳細には、ワイヤ接続部４２ＡＡは、ワイヤ接続部４２ＡＡと接続する第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第２ダイパッド５０Ａと対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部４２ＡＡの側面は、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第２ダイパッド５０Ａの第４窪み部５６Ａの第２面５６Ａ２と対向している。
　ワイヤ接続部４３ＡＡは、ワイヤ接続部４３ＡＡと接続する第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第２ダイパッド５０Ａと対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部４３ＡＡの側面は、ワイヤ接続部４３ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第２ダイパッド５０Ａの第４窪み部５６Ａの第２面５６Ａ２と対向している。
　ワイヤ接続部４７ＡＡは、ワイヤ接続部４７ＡＡと接続する第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第２ダイパッド５０Ａと対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部４７ＡＡの側面は、ワイヤ接続部４７ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第２ダイパッド５０Ａの第７窪み部５７Ｄの第２面５７Ｄ２と対向している。また、ワイヤ接続部４７ＡＡの側面は、第２リード端子４８のワイヤ接続部４８ＡＡの窪み部４８ＡＣの第２面４８ＡＣ２に対向している。
　ワイヤ接続部４８ＡＡは、ワイヤ接続部４８ＡＡと接続する第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面を含む。この側面は、平面視において第２ダイパッド５０Ａと対向している。第１実施形態では、ワイヤ接続部４８ＡＡの側面は、ワイヤ接続部４８ＡＡの先端面を構成しており、Ｙ方向において第２ダイパッド５０Ａの第５窪み部５７Ｂの第１面５７Ｂ１と対向している。第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４８ＡＡのうち第３チップ８０寄りの端部に接続されている。
　図１２に示すように、第２チップ７０の複数の第３電極パッド７９と、第２ダイパッド５０Ａとは、複数本（第１実施形態では３本）の第２ダイパッド用ワイヤＷＥによって個別に接続されている。これにより、第２チップ７０と第２ダイパッド５０Ａとが電気的に接続されている。このため、第２チップ７０の第３電極パッド７９は、第２グランド電位となる。また、第３電極パッド７９は、第２リード端子４１と電気的に接続されているともいえる。第２ダイパッド用ワイヤＷＥは、第２ダイパッド５０Ａのうち第２チップ７０よりも第３側面５３Ａ寄りの部分に接続されている。
　図１３に示すように、第３チップ８０の複数の第３電極パッド８９と、第３ダイパッド５０Ｂとは、複数本（第１実施形態では２本）の第３ダイパッド用ワイヤＷＦによって個別に接続されている。これにより、第３チップ８０と第３ダイパッド５０Ｂとが電気的に接続されている。このため、第３チップ８０の第３電極パッド８９は、第３グランド電位となる。また、第３電極パッド８９は、第２リード端子４６と電気的に接続されているともいえる。第３ダイパッド用ワイヤＷＦは、第３ダイパッド５０Ｂのうち第３チップ８０よりも第５側面５３Ｂ寄りの部分に接続されている。
　第２ダイパッド用ワイヤＷＥおよび第３ダイパッド用ワイヤＷＦの各々は、ワイヤボンディング装置によって形成されたボンディングワイヤである。一例では、第２ダイパッド用ワイヤＷＥは、第３電極パッド７９との接合部がファーストボンド部であり、第２ダイパッド５０Ａとの接合部がセカンドボンド部である。一例では、第３ダイパッド用ワイヤＷＦは、第３電極パッド８９との接合部がファーストボンド部であり、第３ダイパッド５０Ｂとの接合部がセカンドボンド部である。
　図７に示すように、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、第１リード用ワイヤＷＢ、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦの各々を構成する材料とは異なる。一例では、第１リード用ワイヤＷＢ、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦは、互いに同じ材料によって構成されている。
　チップ間ワイヤＷＡは、金を含む材料によって形成されている。第１リード用ワイヤＷＢ、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦの各々は、銅を含む材料によって形成されている。一例では、第１リード用ワイヤＷＢ、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦの各々は、銅ワイヤの表面がパラジウム（Ｐｄ）によってコーティングされた構成である。これにより、銅ワイヤの表面がパラジウムでコーティングされていないワイヤと比較して、耐酸化性および耐腐食性の向上を図ることができる。
　なお、第１リード用ワイヤＷＢ、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦの各々は、アルミニウムを含む材料によって形成されていてもよい。
　第１実施形態では、各第１ダイパッド用ワイヤＷＣのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＣ１が形成されている。各第２ダイパッド用ワイヤＷＥのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＥ１が形成されている。各第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＦ１が形成されている。
　図１５は第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部およびその周辺の斜視構造を示している。なお、第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部の構成と第１ダイパッド用ワイヤＷＣおよび第２ダイパッド用ワイヤＷＥのセカンドボンド部の構成とは互いに同じであるため、第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部の構成について詳述し、第１ダイパッド用ワイヤＷＣおよび第２ダイパッド用ワイヤＷＥのセカンドボンド部の構成についての詳細な説明を省略する。
　図１５に示すように、第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部は、第３ダイパッド５０Ｂに接合された接合部ＷＦＰを含む。接合部ＷＦＰは、ワイヤボンディング装置によって第３ダイパッド５０Ｂに押圧されることによって圧し潰された部分である。接合部ＷＦＰの厚さは、第３ダイパッド用ワイヤＷＦの径よりも小さい。
　セキュリティボンドＷＦ１は、たとえば接合部ＷＦＰ上にスタッドバンプＳＢを設けることによって構成されている。一例では、スタッドバンプＳＢは、ワイヤボンディング装置を用いたボールボンドによって構成されている。接合部ＷＦＰは、第３ダイパッド５０ＢとスタッドバンプＳＢとによって挟み込まれている。
　［信号伝達装置の回路構成］
　図１６を参照して、第１実施形態の信号伝達装置１０の回路構成について説明する。
　信号伝達装置１０は、第１回路５００、第２回路５２０、および第３回路５３０と、第１トランス１１１および第２トランス１１２と、を備える。第１実施形態では、第１チップ６０は第１回路５００と、第１トランス１１１および第２トランス１１２とを含み、第２チップ７０は第２回路５２０を含み、第３チップ８０は第３回路５３０を含む。第１トランス１１１は、第１回路５００と第２回路５２０とを絶縁するとともに、第１回路５００と第２回路５２０との間の信号のやりとりを可能とするように構成されている。第２トランス１１２は、第１回路５００と第３回路５３０とを絶縁するとともに、第１回路５００と第３回路５３０との間の信号のやりとりを可能とするように構成されている。
　また、信号伝達装置１０は、第１回路５００に電気的に接続された外部端子である第１端子Ｐ１～Ｐ６と、第２回路５２０および第３回路５３０に電気的に接続された外部端子である第２端子Ｑ１～Ｑ６と、を備える。
　第１端子Ｐ１は電源端子（ＶＤＤＩ）であり、第１端子Ｐ２はレギュレータ端子（ＳＬＤＯ）であり、第１端子Ｐ３は信号入力端子（ＰＷＭ）であり、第１端子Ｐ４は未使用端子（ＤＩＳＡＢＬＥ）であり、第１端子Ｐ５はタイミング調整端子（ＴＮＥＧ）であり、第１端子Ｐ６はグランド端子（ＧＮＤＩ）である。第１実施形態では、第１端子Ｐ１は第１リード端子１３に対応し、第１端子Ｐ２は第１リード端子１８に対応し、第１端子Ｐ３は第１リード端子１１に対応し、第１端子Ｐ４は第１リード端子１５に対応し、第１端子Ｐ５は第１リード端子１６に対応し、第１端子Ｐ６は第１リード端子１４に対応している。なお、第１実施形態では、第１リード端子１２，１７はダミー端子（内部未接続端子）である。
　第２端子Ｑ１はグランド端子（ＧＮＤＧ）であり、第２端子Ｑ２は出力端子（ＯＵＴＧ）であり、第２端子Ｑ３は電源端子（ＶＤＤＧ）であり、第２端子Ｑ４はグランド端子（ＧＮＤＳ）であり、第２端子Ｑ５は出力端子（ＯＵＴＳ）であり、第２端子Ｑ６は電源端子（ＶＤＤＳ）である。第１実施形態では、第２端子Ｑ１は第２リード端子４１に対応し、第２端子Ｑ２は第２リード端子４２に対応し、第２端子Ｑ３は第２リード端子４３に対応し、第２端子Ｑ４は第２リード端子４６に対応し、第２端子Ｑ５は第２リード端子４７に対応し、第２端子Ｑ６は第２リード端子４８に対応している。なお、第１実施形態では、第２リード端子４４，４５はダミー端子（内部未接続端子）である。
　第１回路５００は、第１送信部５０１、第２送信部５０２、ロジック部５０３、ＬＤＯ（Low Dropout）部５０４、ＵＶＬＯ（Under Voltage Lock Out）部５０５、遅延部５０６、シュミットトリガ５０７，５０８、および抵抗５０９，５１０を含む。
　第１端子Ｐ１はＵＶＬＯ部５０５およびＬＤＯ部５０４に電気的に接続され、第１端子Ｐ２はＬＤＯ部５０４に電気的に接続され、第１端子Ｐ３，Ｐ４はロジック部５０３に電気的に接続され、第１端子Ｐ５は遅延部５０６に電気的に接続されている。ＬＤＯ部５０４はＵＶＬＯ部５０５に電気的に接続されている。ＵＶＬＯ部５０５、遅延部５０６、第１送信部５０１、および第２送信部５０２の各々は、ロジック部５０３と電気的に接続されている。
　第１送信部５０１は、第１トランス１１１の第１コイルと電気的に接続されている。第１送信部５０１は、ロジック部５０３から入力されたＰＷＭ信号を、第１トランス１１１を用いて第２回路５２０に送信するように構成されている。
　第２送信部５０２は、第２トランス１１２の第１コイルと電気的に接続されている。第２送信部５０２は、ロジック部５０３から入力されたＰＷＭ信号を、第２トランス１１２を用いて第３回路５３０に送信するように構成されている。
　ロジック部５０３は、第１端子Ｐ３～Ｐ５を介して、信号伝達装置１０の外部の制御装置（図示略）と各種信号のやり取りを行うとともに、第１送信部５０１および第２送信部５０２を用いて第２回路５２０および第３回路５３０との間で各種信号のやり取りを行うように構成されている。
　第１端子Ｐ３とロジック部５０３との導電経路には、シュミットトリガ５０７および抵抗５０９が設けられている。シュミットトリガ５０７の入力端子は第１端子Ｐ３に電気的に接続され、シュミットトリガ５０７の出力端子はロジック部５０３に電気的に接続されている。抵抗５０９は、たとえばプルダウン抵抗である。抵抗５０９の第１端子は導電経路のうち第１端子Ｐ３とシュミットトリガ５０７の入力端子との間に電気的に接続され、抵抗５０９の第２端子は第１端子Ｐ６に電気的に接続されている。
　第１端子Ｐ４とロジック部５０３との導電経路には、シュミットトリガ５０８および抵抗５１０が設けられている。シュミットトリガ５０８の入力端子は第１端子Ｐ４に電気的に接続され、シュミットトリガ５０８の出力端子はロジック部５０３に電気的に接続されている。抵抗５１０は、たとえばプルダウン抵抗である。抵抗５１０の第１端子は導電経路のうち第１端子Ｐ４とシュミットトリガ５０８の入力端子との間に電気的に接続され、抵抗５１０の第２端子は第１端子Ｐ６に電気的に接続されている。
　ＬＤＯ部５０４は、たとえばシャントレギュレータであり、第１端子Ｐ１と第１端子Ｐ６との間の電圧を予め設定された基準電圧となるように構成されている。
　ＵＶＬＯ部５０５は、第１端子Ｐ１に電気的に接続された制御電源の電圧がしきい値電圧を下回るときにロジック部５０３の動作を停止して誤動作の発生を抑制する。
　第２回路５２０は、第１受信部５２１、ロジック部５２２、ＵＶＬＯ部５２３、バッファ回路５２４，５２５、スイッチング素子５２６，５２７、および抵抗５２８を含む。
　第２端子Ｑ１，Ｑ２はロジック部５２２と電気的に接続され、第２端子Ｑ１はＵＶＬＯ部５２３と電気的に接続されている。ＵＶＬＯ部５２３および第１受信部５２１はロジック部５２２と電気的に接続されている。
　第１受信部５２１は、第１トランス１１１の第２コイルと電気的に接続されている。第１受信部５２１は、第１トランス１１１を介して第１送信部５０１からのＰＷＭ信号を受信し、その受信したＰＷＭ信号をロジック部５２２に出力するように構成されている。
　ＵＶＬＯ部５２３は、第２端子Ｑ３に電気的に接続された制御電源の電圧がしきい値電圧を下回るときにロジック部５２２の動作を停止して誤動作の発生を抑制する。
　ロジック部５２２は、スイッチング素子５２６，５２７を個別に制御するように構成されている。より詳細には、ロジック部５２２は、スイッチング素子５２６，５２７の各々のゲートと個別に電気的に接続されている。ロジック部５２２とスイッチング素子５２６のゲートとの間にはバッファ回路５２４が設けられている。バッファ回路５２４の入力端子はロジック部５２２に電気的に接続され、バッファ回路５２４の出力端子はスイッチング素子５２６のゲートに電気的に接続されている。ロジック部５２２とスイッチング素子５２７のゲートとの間にはバッファ回路５２５が設けられている。バッファ回路５２５の入力端子はロジック部５２２に電気的に接続され、バッファ回路５２５の出力端子はスイッチング素子５２７のゲートに電気的に接続されている。
　スイッチング素子５２６はｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられ、スイッチング素子５２７はｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴが用いられている。スイッチング素子５２６のソースは第２端子Ｑ３に電気的に接続され、スイッチング素子５２６のドレインはスイッチング素子５２７のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子５２７のソースは第２端子Ｑ１に電気的に接続されている。スイッチング素子５２６のドレインとスイッチング素子５２７のドレインとのノードは、第２端子Ｑ２に電気的に接続されている。また、スイッチング素子５２６のゲートとドレインとの間には抵抗５２８が設けられている。
　第３回路５３０は、第２受信部５３１、ロジック部５３２、ＵＶＬＯ部５３３、バッファ回路５３４，５３５、スイッチング素子５３６，５３７、および抵抗５３８を含む。
　第２端子Ｑ４，Ｑ５はロジック部５３２と電気的に接続され、第２端子Ｑ６はＵＶＬＯ部５３３と電気的に接続されている。ＵＶＬＯ部５３３および第２受信部５３１はロジック部５３２と電気的に接続されている。
　第２受信部５３１は、第２トランス１１２の第２コイルと電気的に接続されている。第２受信部５３１は、第２トランス１１２を介して第２送信部５０２からのＰＷＭ信号を受信し、その受信したＰＷＭ信号をロジック部５３２に出力するように構成されている。
　ＵＶＬＯ部５３３は、第２端子Ｑ６に電気的に接続された制御電源の電圧がしきい値電圧を下回るときにロジック部５３２の動作を停止して誤動作の発生を抑制する。
　ロジック部５３２は、スイッチング素子５３６，５３７を個別に制御するように構成されている。より詳細には、ロジック部５３２は、スイッチング素子５３６，５３７の各々のゲートと個別に電気的に接続されている。ロジック部５３２とスイッチング素子５３６のゲートとの間にはバッファ回路５３４が設けられている。バッファ回路５３４の入力端子はロジック部５３２に電気的に接続され、バッファ回路５３４の出力端子はスイッチング素子５３６のゲートに電気的に接続されている。ロジック部５３２とスイッチング素子５３７のゲートとの間にはバッファ回路５３５が設けられている。バッファ回路５３５の入力端子はロジック部５３２に電気的に接続され、バッファ回路５３５の出力端子はスイッチング素子５３７のゲートに電気的に接続されている。
　スイッチング素子５３６はｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられ、スイッチング素子５３７はｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴが用いられている。スイッチング素子５３６のソースは第２端子Ｑ６に電気的に接続され、スイッチング素子５３６のドレインはスイッチング素子５３７のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子５３７のソースは第２端子Ｑ４に電気的に接続されている。スイッチング素子５３６のドレインとスイッチング素子５３７のドレインとのノードは、第２端子Ｑ５に電気的に接続されている。また、スイッチング素子５３６のゲートとドレインとの間には抵抗５３８が設けられている。
　［第１チップの詳細な構成］
　上述した信号伝達装置１０の回路構成の一部を含む第１チップ６０の詳細な構成について図１７～図２６を用いて説明する。
　図１７～図２０は、第１チップ６０の内部構成の一例についての概略平面構造を示している。図２１～図２６は、第１チップ６０の内部構成の一例についての概略断面構造を示している。なお、図面の理解を容易にするために、図２１～図２６の第１チップ６０の概略断面構造において、一部のハッチング線を省略している。
　（第１チップの平面構造）
　図１７は、第１チップ６０のチップ表面６１寄りの内部構成の一例についての概略平面構造を示している。図１８は、図１７における後述する絶縁トランス領域１１０の拡大図である。図１９は、第１チップ６０のチップ裏面６２寄りの内部構造の一例について概略平面構造を示している。図２０は、図１９における絶縁トランス領域１１０の拡大図である。
　第１チップ６０は、絶縁トランス領域１１０および回路領域１２０と、絶縁トランス領域１１０に接続され、回路領域１２０を囲う外周ガードリング１００と、を有する。
　絶縁トランス領域１１０は、回路領域１２０と第２チップ７０とを電気的に絶縁する一方、回路領域１２０と第２チップ７０との間の信号の伝達を許容する領域である。絶縁トランス領域１１０は、平面視において第１チップ６０のＸ方向の中央に対して第２チップ側面６４寄りに形成されている。つまり、絶縁トランス領域１１０は、平面視において第１チップ６０のうち第２チップ７０（図７参照）に近い領域に形成されている。絶縁トランス領域１１０は、第１チップ６０のＹ方向の概ね全体にわたり延びている。
　回路領域１２０は、図１６の第１回路５００のうち第１トランス１１１および第２トランス１１２以外の構成要素が形成されている。この構成要素としては、第１送信部５０１、第２送信部５０２、ロジック部５０３、ＬＤＯ部５０４、ＵＶＬＯ部５０５等が挙げられる。以降の説明において、第１回路５００のうち第１トランス１１１および第２トランス１１２以外の構成要素を「複数の第１機能部」および「複数の回路素子」と称する場合がある。
　回路領域１２０には、複数の第２電極パッド６８および複数の第３電極パッド６９が形成されている。複数の第２電極パッド６８は、複数の第１機能部および複数の回路素子の少なくとも一方と電気的に接続されている。複数の第３電極パッド６９は、複数の回路素子と電気的に接続されている。
　絶縁トランス領域１１０には、第１トランス１１１および第２トランス１１２が形成されている。第１トランス１１１および第２トランス１１２は、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。図１７に示す例では、第１トランス１１１は絶縁トランス領域１１０のうち第３チップ側面６５寄りに配置されており、第２トランス１１２は絶縁トランス領域１１０のうち第４チップ側面６６寄りに配置されている。
　図１７および図１９に示すように、第１トランス１１１は、第１表面側コイル１１１Ａおよび第１裏面側コイル１１１Ｂと、第２表面側コイル１１２Ａおよび第２裏面側コイル１１２Ｂと、を含む。第２トランス１１２は、第３表面側コイル１１３Ａおよび第３裏面側コイル１１３Ｂと、第４表面側コイル１１４Ａおよび第４裏面側コイル１１４Ｂと、を含む。
　図１７に示すように、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａは、第３チップ側面６５から第４チップ側面６６に向かうにつれて、第１表面側コイル１１１Ａ、第２表面側コイル１１２Ａ、第３表面側コイル１１３Ａ、および第４表面側コイル１１４Ａの順に配列されている。
　図１９に示すように、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂは、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂは、第３チップ側面６５から第４チップ側面６６に向かうにつれて、第１裏面側コイル１１１Ｂ、第２裏面側コイル１１２Ｂ、第３裏面側コイル１１３Ｂ、および第４裏面側コイル１１４Ｂの順に配列されている。
　なお、図示していないが、第１表面側コイル１１１Ａ、第２表面側コイル１１２Ａ、第３表面側コイル１１３Ａ、および第４表面側コイル１１４Ａは、Ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。第１裏面側コイル１１１Ｂ、第２裏面側コイル１１２Ｂ、第３裏面側コイル１１３Ｂ、および第４裏面側コイル１１４Ｂは、Ｚ方向において互いに同じ位置に配置されている。
　第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａおよび第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂの各々は、チタン、窒化チタン、銅、アルミニウム、およびタングステンのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。一例では、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａは銅を含んでおり、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂはアルミニウムを含んでいる。また一例では、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａはチタンと銅との積層構造であり、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂは窒化チタンとアルミニウムとの積層構造である。
　図１７に示すように、絶縁トランス領域１１０内には、複数の第１電極パッド６７が形成されている。複数の第１電極パッド６７は、Ｘ方向において互いに同じ位置であってＹ方向において互いに離隔して配列されている。複数の第１電極パッド６７は、６つの第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆを含む。第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆは、第３チップ側面６５から第４チップ側面６６に向かうにつれて第１電極パッド６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃ，６７Ｄ，６７Ｅ，６７Ｆの順に配置されている。
　図１８に示すように、第１表面側コイル１１１Ａは、平面視で渦巻き状の第１コイル部１１１Ａ１と、第１外側コイル端部１１１Ａ２と、第１内側コイル端部１１１Ａ３と、を含む。第１外側コイル端部１１１Ａ２は第１コイル部１１１Ａ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第１内側コイル端部１１１Ａ３は第１コイル部１１１Ａ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。
　第２表面側コイル１１２Ａは、平面視で渦巻き状の第２コイル部１１２Ａ１と、第２外側コイル端部１１２Ａ２と、第２内側コイル端部１１２Ａ３と、を含む。第２外側コイル端部１１２Ａ２は第２コイル部１１２Ａ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第２内側コイル端部１１２Ａ３は第２コイル部１１２Ａ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。
　第１電極パッド６７Ａは、平面視において第１コイル部１１１Ａ１の巻回中心を含む内方空間に配置されている。第１電極パッド６７Ａは、第１コイル部１１１Ａ１よりも内方に位置しているといえる。第１電極パッド６７Ａは、第１内側コイル端部１１１Ａ３と接続されている。このため、第１電極パッド６７Ａは、第１表面側コイル１１１Ａの第１端部と電気的に接続されているといえる。
　第１電極パッド６７Ｂは、平面視において第１表面側コイル１１１Ａと第２表面側コイル１１２ＡとのＹ方向の間に配置されている。第１電極パッド６７Ｂは、第１表面側コイル１１１Ａの第１外側コイル端部１１１Ａ２に接続されている。また、第１電極パッド６７Ｂは、第２表面側コイル１１２Ａの第２外側コイル端部１１２Ａ２に接続されている。このため、第１電極パッド６７Ｂは、第１表面側コイル１１１Ａの第２端部と第２表面側コイル１１２Ａの第２端部と電気的に接続されているといえる。
　第１電極パッド６７Ｃは、平面視において第２コイル部１１２Ａ１の巻回中心を含む内方空間に配置されている。第１電極パッド６７Ｃは、第２コイル部１１２Ａ１よりも内方に位置しているといえる。第１電極パッド６７Ｃは、第２内側コイル端部１１２Ａ３と接続されている。このため、第１電極パッド６７Ｃは、第２表面側コイル１１２Ａの第１端部と電気的に接続されているといえる。
　第３表面側コイル１１３Ａは、平面視で渦巻き状の第３コイル部１１３Ａ１と、第３外側コイル端部１１３Ａ２と、第３内側コイル端部１１３Ａ３と、を含む。第３外側コイル端部１１３Ａ２は第３コイル部１１３Ａ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第３内側コイル端部１１３Ａ３は第３コイル部１１３Ａ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。
　第４表面側コイル１１４Ａは、平面視で渦巻き状の第４コイル部１１４Ａ１と、第４外側コイル端部１１４Ａ２と、第４内側コイル端部１１４Ａ３と、を含む。第４外側コイル端部１１４Ａ２は第４コイル部１１４Ａ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第４内側コイル端部１１４Ａ３は第４コイル部１１４Ａ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。
　第１電極パッド６７Ｄは、平面視において第３コイル部１１３Ａ１の巻回中心を含む内方空間に配置されている。第１電極パッド６７Ｄは、第３コイル部１１３Ａ１よりも内方に位置しているといえる。第１電極パッド６７Ｄは、第３内側コイル端部１１３Ａ３と接続されている。このため、第１電極パッド６７Ｄは、第３表面側コイル１１３Ａの第１端部と電気的に接続されているといえる。
　第１電極パッド６７Ｅは、平面視において第３表面側コイル１１３Ａと第４表面側コイル１１４ＡとのＹ方向の間に配置されている。第１電極パッド６７Ｅは、第３表面側コイル１１３Ａの第３外側コイル端部１１３Ａ２と接続されている。また、第１電極パッド６７Ｅは、第４表面側コイル１１４Ａの第４外側コイル端部１１４Ａ２と接続されている。このため、第１電極パッド６７Ｅは、第３表面側コイル１１３Ａの第２端部と第４表面側コイル１１４Ａの第２端部と電気的に接続されているといえる。
　第１電極パッド６７Ｆは、平面視において第４コイル部１１４Ａ１の巻回中心を含む内方空間に配置されている。第１電極パッド６７Ｆは、第４コイル部１１４Ａ１よりも内方に位置しているといえる。第１電極パッド６７Ｆは、第４内側コイル端部１１４Ａ３と接続されている。このため、第１電極パッド６７Ｆは、第４表面側コイル１１４Ａの第１端部と電気的に接続されているといえる。
　図１７および図１８の例では、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａの巻回数は、互いに等しい。平面視において、第１表面側コイル１１１Ａの巻回方向と第２表面側コイル１１２Ａの巻回方向とは互いに反対方向であり、第３表面側コイル１１３Ａの巻回方向と第４表面側コイル１１４Ａの巻回方向とは互いに反対方向である。第１表面側コイル１１１Ａの巻回方向と第３表面側コイル１１３Ａの巻回方向とは同じ方向であり、第２表面側コイル１１２Ａの巻回方向と第４表面側コイル１１４Ａの巻回方向とは同じ方向である。
　図２０に示すように、第１裏面側コイル１１１Ｂは、Ｚ方向において第１表面側コイル１１１Ａ（図１８参照）と対向配置されている。第１裏面側コイル１１１Ｂは、平面視で渦巻き状の第１コイル部１１１Ｂ１と、第１外側コイル端部１１１Ｂ２と、第１内側コイル端部１１１Ｂ３と、を含む。第１外側コイル端部１１１Ｂ２は第１コイル部１１１Ｂ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第１内側コイル端部１１１Ｂ３は第１コイル部１１１Ｂ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。第１外側コイル端部１１１Ｂ２は、Ｘ方向に延びる第１接続配線１１８Ａに接続されている。第１接続配線１１８Ａは、回路領域１２０（図１７参照）の第１送信部５０１（図１６参照）に電気的に接続されている。第１内側コイル端部１１１Ｂ３は、図示していない第１配線に接続されている。第１配線は、回路領域１２０の第１送信部５０１に電気的に接続されている。
　第２裏面側コイル１１２Ｂは、Ｚ方向において第２表面側コイル１１２Ａ（図１８参照）と対向配置されている。第２裏面側コイル１１２Ｂは、平面視で渦巻き状の第２コイル部１１２Ｂ１と、第２外側コイル端部１１２Ｂ２と、第２内側コイル端部１１２Ｂ３と、を含む。第２外側コイル端部１１２Ｂ２は第２コイル部１１２Ｂ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第２内側コイル端部１１２Ｂ３は第２コイル部１１２Ｂ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。第２外側コイル端部１１２Ｂ２は、Ｘ方向に延びる第２接続配線１１８Ｂに接続されている。第２接続配線１１８Ｂは、Ｙ方向において第１接続配線１１８Ａと隣り合う位置に配置されている。第２接続配線１１８Ｂは、第１接続配線１１８Ａよりも第２裏面側コイル１１２Ｂ寄りに配置されている。第２接続配線１１８Ｂは、回路領域１２０の第１送信部５０１に電気的に接続されている。第２内側コイル端部１１２Ｂ３は、図示していない第２配線に接続されている。第２配線は、回路領域１２０の第１送信部５０１に電気的に接続されている。
　第３裏面側コイル１１３Ｂは、Ｚ方向において第３表面側コイル１１３Ａ（図１８参照）と対向配置されている。第３裏面側コイル１１３Ｂは、平面視で渦巻き状の第３コイル部１１３Ｂ１と、第３外側コイル端部１１３Ｂ２と、第３内側コイル端部１１３Ｂ３と、を含む。第３外側コイル端部１１３Ｂ２は第３コイル部１１３Ｂ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第３内側コイル端部１１３Ｂ３は第３コイル部１１３Ｂ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。第３外側コイル端部１１３Ｂ２は、Ｘ方向に延びる第３接続配線１１８Ｃに接続されている。第３接続配線１１８Ｃは、回路領域１２０の第２送信部５０２（図１６参照）に電気的に接続されている。第３内側コイル端部１１３Ｂ３は、図示していない第３配線に接続されている。第３配線は、回路領域１２０の第２送信部５０２に電気的に接続されている。
　第４裏面側コイル１１４Ｂは、Ｚ方向において第４表面側コイル１１４Ａ（図１８参照）と対向配置されている。第４裏面側コイル１１４Ｂは、平面視で渦巻き状の第４コイル部１１４Ｂ１と、第４外側コイル端部１１４Ｂ２と、第４内側コイル端部１１４Ｂ３と、を含む。第４外側コイル端部１１４Ｂ２は第４コイル部１１４Ｂ１の最外周の部分における巻回方向の端部を構成しており、第４内側コイル端部１１４Ｂ３は第４コイル部１１４Ｂ１の最内周の部分における巻回方向の端部を構成している。第４外側コイル端部１１４Ｂ２は、Ｘ方向に延びる第４接続配線１１８Ｄに接続されている。第４接続配線１１８Ｄは、Ｙ方向において第３接続配線１１８Ｃと隣り合う位置に配置されている。第４接続配線１１８Ｄは、第３接続配線１１８Ｃよりも第４裏面側コイル１１４Ｂ寄りに配置されている。第４接続配線１１８Ｄは、回路領域１２０の第２送信部５０２に電気的に接続されている。第４内側コイル端部１１４Ｂ３は、図示していない第４配線に接続されている。第４配線は、回路領域１２０の第２送信部５０２に電気的に接続されている。
　ここで、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂの巻回数は、互いに等しい。平面視において、第１裏面側コイル１１１Ｂの巻回方向と第２裏面側コイル１１２Ｂの巻回方向とは互いに反対方向であり、第３裏面側コイル１１３Ｂの巻回方向と第４裏面側コイル１１４Ｂの巻回方向とは互いに反対方向である。第１裏面側コイル１１１Ｂの巻回方向と第３裏面側コイル１１３Ｂの巻回方向とは同じ方向であり、第２裏面側コイル１１２Ｂの巻回方向と第４裏面側コイル１１４Ｂの巻回方向とは同じ方向である。また一例では、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂの巻回数は、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａの巻回数と等しい。
　図１８に示すように、絶縁トランス領域１１０には、平面視において第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａおよび第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆを囲む表面側ガードリング１１５が形成されている。平面視における表面側ガードリング１１５の形状は、トラック形状である。
　図２０に示すように、絶縁トランス領域１１０には、平面視において第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂを囲む裏面側ガードリング１１６が形成されている。平面視における裏面側ガードリング１１６の形状は、トラック形状である。裏面側ガードリング１１６の形状およびサイズは、表面側ガードリング１１５と同じである。平面視において、裏面側ガードリング１１６は、表面側ガードリング１１５と重なる位置に形成されている。
　絶縁トランス領域１１０には、表面側ガードリング１１５と裏面側ガードリング１１６とを接続する複数のビア１１７が形成されている。ビア１１７は、平面視において表面側ガードリング１１５と裏面側ガードリング１１６との双方と重なる位置に配置されている。
　図１７に示すように、回路領域１２０には、複数の配線層１２１が設けられている。複数の配線層１２１は、複数の第１機能部を電気的に接続する配線層と、複数の機能部と絶縁トランス領域１１０の第１トランス１１１および第２トランス１１２とを電気的に接続する配線層と、を含む。複数の第１機能部は、回路領域１２０のうちＺ方向において複数の配線層１２１よりもチップ裏面６２（図２１参照）寄りの位置に形成されている。一例では、図１９では図示していないが、複数の第１機能部は、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４ＢとＺ方向において同じ位置に形成されている。なお、複数の第１機能部が形成されるＺ方向の位置は任意に変更可能である。
　図１７および図１９に示すように、外周ガードリング１００は、表面側外周ガードリング１０１と、裏面側外周ガードリング１０２と、を含む。
　図１７に示すように、表面側外周ガードリング１０１は、表面側ガードリング１１５に接続されている。より詳細には、表面側外周ガードリング１０１は、表面側ガードリング１１５のＹ方向の両端部に接続されている。表面側外周ガードリング１０１は、平面視において第３チップ側面６５にＹ方向に隣り合う位置においてＸ方向に延びる第１部分と、第１部分から連続し、第２チップ側面６４にＸ方向に隣り合う位置においてＹ方向に延びる第２部分と、第２部分から連続し、第４チップ側面６６にＹ方向に隣り合う位置においてＸ方向に延びる第３部分と、を含む。表面側外周ガードリング１０１は、第１部分から表面側ガードリング１１５に向けてＹ方向に延びて表面側ガードリング１１５に接続される第１接続部と、第３部分から表面側ガードリング１１５に向けてＹ方向に延びて表面側ガードリング１１５に接続される第２接続部と、をさらに含む。このように、表面側外周ガードリング１０１は、表面側ガードリング１１５と電気的に接続されている。
　図１９に示すように、裏面側外周ガードリング１０２は、裏面側ガードリング１１６に接続されている。より詳細には、裏面側外周ガードリング１０２は、裏面側ガードリング１１６のＹ方向の両端部に接続されている。裏面側外周ガードリング１０２は、平面視において第３チップ側面６５にＹ方向に隣り合う位置においてＸ方向に延びる第１部分と、第１部分から連続し、第２チップ側面６４にＸ方向に隣り合う位置においてＹ方向に延びる第２部分と、第２部分から連続し、第４チップ側面６６にＹ方向に隣り合う位置においてＸ方向に延びる第３部分と、を含む。裏面側外周ガードリング１０２は、第１部分から裏面側ガードリング１１６に向けてＹ方向に延びて裏面側ガードリング１１６に接続される第１接続部と、第３部分から裏面側ガードリング１１６に向けてＹ方向に延びて裏面側ガードリング１１６に接続される第２接続部と、をさらに含む。このように、裏面側外周ガードリング１０２は、裏面側ガードリング１１６と電気的に接続されている。平面視における裏面側外周ガードリング１０２の形状およびサイズは、表面側外周ガードリング１０１と同じである。裏面側外周ガードリング１０２は、平面視において表面側外周ガードリング１０１と重なる位置に配置されている。
　なお、図示していないが、第１チップ６０は、表面側外周ガードリング１０１と裏面側外周ガードリング１０２とを接続する複数の外周ビアを有する。複数の外周ビアによって表面側外周ガードリング１０１と裏面側外周ガードリング１０２とが電気的に接続されている。各外周ビアは、Ｚ方向に延びている。
　（第１チップの断面構造）
　第１チップ６０の内部構成の一例としての絶縁トランス領域１１０の断面構造について説明する。なお、絶縁トランス領域１１０において第１トランス１１１および第２トランス１１２は互いに同じ構成であるため、以下では第１トランス１１１の構成について詳細に説明し、第２トランス１１２の詳細な説明を省略する。
　図２１は、図１７のＦ２１－Ｆ２１線で第１トランス１１１の一部を切断した断面構造を示している。図２２は、図２１の第１トランス１１１の一部を拡大した拡大図である。図２３は図２２における第１トランス１１１の第１表面側コイル１１１ＡのうちＦ２３部を拡大した拡大図であり、図２４は図２２における第１トランス１１１の第１裏面側コイル１１１ＢのうちＦ２４部を拡大した拡大図である。なお、図２１では、図面の理解を容易にするため、ハッチング線を省略している。
　図２１に示すように、第１チップ６０は、上述した基板１３０と、基板１３０上に形成された素子絶縁層１５０と、を有する。
　基板１３０は、たとえば半導体基板によって形成されている。第１実施形態では、基板１３０は、シリコン（Ｓｉ）を含む材料によって形成された半導体基板である。なお、基板１３０は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられていてもよい。また、基板１３０は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料によって形成された絶縁基板、またはアルミナ等のセラミックスを含む材料によって形成された絶縁基板が用いられていてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、および酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）のいずれか１つであってもよい。化合物半導体は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化ガリウム、およびヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）のうち少なくとも１つを含んでもよい。
　基板１３０は、平板状に形成されている。基板１３０は、基板表面１３１と、基板表面１３１とは反対側の基板裏面１３２と、を有する。基板裏面１３２は第１チップ６０のチップ裏面６２を構成している。
　素子絶縁層１５０は、基板表面１３１に接触している。一例では、素子絶縁層１５０は、基板表面１３１の全面にわたり形成されている。一例では、素子絶縁層１５０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む材料によって形成された酸化膜である。素子絶縁層１５０は、この酸化膜が複数積層されることによって構成されていてもよい。なお、素子絶縁層１５０を構成する材料は任意に変更可能である。
　素子絶縁層１５０は、層表面１５１と、層表面１５１とは反対側の層裏面１５２と、有している。層表面１５１は基板表面１３１と同じ側を向き、層裏面１５２は基板裏面１３２と同じ側を向いている。層裏面１５２は基板表面１３１と接している。
　素子絶縁層１５０上には、複数の第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆ（図２１では図示略、図１８参照）、パッシベーション膜１６１と、保護膜１６２（ともに図２２参照）と、が形成されている。
　複数の第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆは、素子絶縁層１５０の層表面１５１に接している。一例では、複数の第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆは、Ｚ方向において互いに同じ位置に形成されている。
　図２２に示すように、パッシベーション膜１６１は、素子絶縁層１５０を保護する膜であり、層表面１５１を覆うように形成されている。パッシベーション膜１６１は、複数の第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆを覆うように形成されている。一方、パッシベーション膜１６１は、複数の第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆの一部をＺ方向に露出する開口部（図示略）を有する。保護膜１６２は、パッシベーション膜１６１上に形成されている。一例では、パッシベーション膜１６１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜の単層によって形成されている。また一例では、パッシベーション膜１６１は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層構造によって形成されている。この場合、窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜上に形成されていてよい。また一例では、パッシベーション膜１６１は、酸化シリコン膜と酸窒化シリコン膜との積層構造によって形成されている。この場合、酸窒化シリコン膜は、酸化シリコン膜上に形成されていてよい。
　パッシベーション膜１６１の厚さ（パッシベーション膜１６１のＺ方向の大きさ）は、保護膜１６２の厚さ（保護膜１６２のＺ方向の大きさ）よりも薄い。一例では、パッシベーション膜１６１の厚さは、保護膜１６２の厚さの１／３以下である。一例では、パッシベーション膜１６１の厚さは、保護膜１６２の厚さの１／４以下である。一例では、パッシベーション膜１６１の厚さは、保護膜１６２の厚さの１／５以上である。図２１に示す例では、パッシベーション膜１６１の厚さは、１．３μｍ程度である。
　保護膜１６２は、パッシベーション膜１６１上に形成されている。保護膜１６２は、第１チップ６０を保護する膜であり、たとえばポリイミド（ＰＩ）を含む材料によって形成されている。保護膜１６２は、封止樹脂９０と素子絶縁層１５０および基板１３０との間の応力を緩和する層であるともいえる。保護膜１６２は、第１チップ６０のチップ表面６１を構成している。
　第１トランス１１１の第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１Ｂとは、Ｚ方向において間隔をあけて対向配置されている。第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間には素子絶縁層１５０が介在している。第１表面側コイル１１１Ａおよび第１裏面側コイル１１１Ｂは、素子絶縁層１５０に設けられている。第１裏面側コイル１１１Ｂは、素子絶縁層１５０内に埋め込まれているともいえる。第１表面側コイル１１１Ａは、第１裏面側コイル１１１Ｂに対して素子絶縁層１５０の層表面１５１寄りに配置されている。換言すると、第１裏面側コイル１１１Ｂは、第１表面側コイル１１１Ａに対して素子絶縁層１５０の層裏面１５２寄り（基板１３０寄り）に配置されている。第１表面側コイル１１１Ａは、Ｚ方向において素子絶縁層１５０の層表面１５１から露出している。第１表面側コイル１１１Ａは、パッシベーション膜１６１によって覆われている。第１裏面側コイル１１１Ｂは、素子絶縁層１５０の層裏面１５２に対してＺ方向に間隔をあけて配置されている。つまり、第１裏面側コイル１１１Ｂは、基板１３０からＺ方向に離隔して配置されている。第１裏面側コイル１１１Ｂと基板１３０との間には、素子絶縁層１５０が介在している。
　図２３に示すように、第１表面側コイル１１１Ａは、素子絶縁層１５０の層表面１５１から層裏面１５２（図２２参照）に向けて凹む凹部１５３に埋め込まれている。凹部１５３は、平面視において渦巻き状に形成されている。第１表面側コイル１１１Ａは、凹部１５３に埋め込まれた１本の導線１７０によって形成されている。つまり、平面視において、１本の導線１７０が渦巻き状に形成されることによって第１表面側コイル１１１Ａが構成されている。
　導線１７０は、コイル表面１７１と、コイル表面１７１とは反対側のコイル裏面１７２と、コイル表面１７１とコイル裏面１７２とを繋ぐ一対のコイル側面１７３と、を有する。コイル表面１７１は素子絶縁層１５０の層表面１５１と同じ側を向き、コイル裏面１７２は層裏面１５２と同じ側を向いている。一対のコイル側面１７３は、コイル表面１７１からコイル裏面１７２に向かうにつれてＸ方向の大きさが小さくなるテーパ状に形成されている。コイル裏面１７２および一対のコイル側面１７３は、凹部１５３に接している。つまり、コイル裏面１７２および一対のコイル側面１７３は、素子絶縁層１５０と接している。コイル表面１７１は、パッシベーション膜１６１によって覆われている。
　導線１７０は、バリア層１７４と、バリア層１７４上に形成された金属層１７５と、を含む。
　バリア層１７４は、凹部１５３に接するように形成されている。バリア層１７４は、金属層１７５と素子絶縁層１５０との間に介在する薄膜であるといえる。金属層１７５は、凹部１５３を充填するように形成されている。
　金属層１７５は、たとえば銅を含む材料によって形成されている。バリア層１７４は、たとえば銅の拡散を抑制する機能を有する。バリア層１７４は、チタン、窒化チタン、タンタル（Ｔａ）、および窒化タンタル（ＴａＮ）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。なお、金属層１７５は、アルミニウム、金（Ａｕ）、銀、およびタングステン（Ｗ）のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
　第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さよりも厚く、保護膜１６２の厚さよりも薄い。導線１７０の厚さは、第１裏面側コイル１１１Ｂ（図２２参照）の厚さよりも厚い。一例では、導線１７０の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さの２倍以上３倍以下である。一例では、導線１７０の厚さは、保護膜１６２の厚さの１／２以下である。一例では、導線１７０の厚さは、保護膜１６２の厚さの１／３以上である。ここで、導線１７０の厚さは、コイル表面１７１とコイル裏面１７２とのＺ方向の間の距離によって定義できる。
　導線１７０のコイル表面１７１の幅寸法（図２３ではＸ方向の長さ）は、導線１７０の厚さよりも長い。一例では、コイル表面１７１の幅寸法は、導線１７０の厚さの２倍以上である。一例では、コイル表面１７１の幅寸法は、導線１７０の厚さの３倍以下である。図２３の例では、コイル表面１７１の幅寸法は、６．８μｍ程度である。
　第１表面側コイル１１１ＡにおいてＸ方向に隣り合う導線１７０の間には、素子絶縁層１５０が介在している。つまり、第１表面側コイル１１１Ａは、Ｘ方向において導線１７０が互いに離間している。Ｘ方向に隣り合う導線１７０の間の距離は、コイル表面１７１からコイル裏面１７２に向かうにつれて徐々に大きくなる。
　図２３において、Ｘ方向に隣り合う導線１７０の間の距離のうちＸ方向に隣り合う導線１７０のコイル表面１７１の間の距離を導線間距離とする。この導線間距離は、Ｘ方向に隣り合う導線１７０の最小距離を指す。導線間距離は、コイル表面１７１のＸ方向の長さよりも小さい。一例では、導線間距離は、コイル表面１７１の幅寸法の１／２以下である。一例では、導線間距離は、コイル表面１７１の幅寸法の１／３以下である。一例では、導線間距離は、コイル表面１７１の幅寸法の１／４以下である。一例では、導線間距離は、コイル表面１７１の幅寸法の１／５以下である。一例では、導線間距離は、コイル表面１７１の幅寸法の１／６以下である。一例では、導線間距離は、コイル表面１７１の幅寸法の１／７以上である。導線間距離は、導線１７０の厚さよりも小さい。一例では、導線間距離は、導線１７０の厚さの１／２以下である。一例では、導線間距離は、導線１７０の厚さの１／３以上である。図２３の例では、導線間距離は、１μｍ程度である。
　図２２および図２４に示すように、第１裏面側コイル１１１Ｂは、２層のコイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢによって構成されている。コイル層１１１ＢＡは素子絶縁層１５０の層表面１５１寄りの導線を構成し、コイル層１１１ＢＢは層裏面１５２寄りの導線を構成している。コイル層１１１ＢＡとコイル層１１１ＢＢとは、Ｚ方向において離隔して配置されている。コイル層１１１ＢＡとコイル層１１１ＢＢとのＺ方向の間には素子絶縁層１５０が介在している。コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢの各々は、導線１８０を含む。つまり、平面視において導線１８０が渦巻き状に形成されることによってコイル層１１１ＢＡが構成され、平面視において別の導線１８０が渦巻き状に形成されることによってコイル層１１１ＢＢが構成されている。ここで、第１裏面側コイル１１１Ｂの巻回数は、コイル層１１１ＢＡの巻回数とコイル層１１１ＢＢの巻回数との合計によって定義できる。
　図２２に示すように、コイル層１１１ＢＡとコイル層１１１ＢＢとは、Ｘ方向において互いにずれて配置されている。平面視において、コイル層１１１ＢＡとコイル層１１１ＢＢとは部分的に重なるように配置されている。換言すると、平面視において、コイル層１１１ＢＡとコイル層１１１ＢＢとは部分的に重ならない部分を有するように配置されている。図２４に示す例では、コイル層１１１ＢＡは、コイル層１１１ＢＢに対して導線１８０の幅寸法（図２４ではＸ方向の長さ）の１／２分だけＸ方向にずれて配置されている。
　コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢの各々は、第１表面側コイル１１１Ａに対してＸ方向にずれて配置されている。平面視において、コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢは、第１表面側コイル１１１Ａと部分的に重なるように配置されている。図２４に示す例では、コイル層１１１ＢＡは、第１表面側コイル１１１Ａ（図２２参照）に対して第１チップ側面６３（図１７参照）寄りにずれている。コイル層１１１ＢＢは、第１表面側コイル１１１Ａに対して第２チップ側面６４（図１７参照）寄りにずれている。
　コイル層１１１ＢＡの巻回数およびコイル層１１１ＢＢの巻回数は互いに同じである。コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢの巻回数は、第１表面側コイル１１１Ａの巻回数よりも少ない。一例では、コイル層１１１ＢＡの巻回数は第１表面側コイル１１１Ａの巻回数の１／２であり、コイル層１１１ＢＢの巻回数は第１表面側コイル１１１Ａの巻回数の１／２である。つまり、コイル層１１１ＢＡの巻回数とコイル層１１１ＢＢの巻回数との合計は、第１表面側コイル１１１Ａの巻回数と同じになる。このため、第１裏面側コイル１１１Ｂの巻回数は、第１表面側コイル１１１Ａの巻回数と同じである。
　コイル層１１１ＢＡとコイル層１１１ＢＢは、同一形状の導線１８０が平面視で渦巻き状に形成されていることによって構成されている。導線１８０は、コイル表面１８１と、コイル表面１８１とは反対側のコイル裏面１８２と、コイル表面１８１とコイル裏面１８２とを繋ぐ一対のコイル側面１８３と、を有する。コイル表面１８１は素子絶縁層１５０の層表面１５１と同じ側を向き、コイル裏面１７２は層裏面１５２と同じ側を向いている。一対のコイル側面１８３は、Ｚ方向に沿って延びている。コイル表面１８１、コイル裏面１８２、および一対のコイル側面１８３の各々は、素子絶縁層１５０と接している。
　導線１８０は、裏面側バリア層１８４と、裏面側バリア層１８４上に形成された金属層１８５と、金属層１８５上に形成された表面側バリア層１８６と、を含む。
　裏面側バリア層１８４は、導線１８０のコイル裏面１８２を構成している。裏面側バリア層１８４は、金属層１８５の裏面と素子絶縁層１５０とのＺ方向の間に介在する薄膜であるといえる。
　表面側バリア層１８６は、導線１８０のコイル表面１８１を構成している。表面側バリア層１８６は、金属層１８５の表面と素子絶縁層１５０とのＺ方向の間に介在する薄膜であるといえる。
　金属層１８５は、裏面側バリア層１８４および表面側バリア層１８６よりも厚い厚さを有する。金属層１８５の一対の側面は、裏面側バリア層１８４および表面側バリア層１８６の双方によって覆われておらず、素子絶縁層１５０と接している。金属層１８５の一対の側面は、一対のコイル側面１８３のＺ方向の一部を構成している。
　金属層１８５は、たとえばアルミニウムを含む材料によって形成されている。裏面側バリア層１８４および表面側バリア層１８６の双方は、チタンまたは窒化チタンを含んでいてもよい。このように、第１裏面側コイル１１１Ｂを構成する材料は、第１表面側コイル１１１Ａを構成する材料と異なっている。
　なお、第１表面側コイル１１１Ａを構成する材料および第１裏面側コイル１１１Ｂを構成する材料の各々は任意に変更可能である。一例では、第１表面側コイル１１１Ａを構成する材料と第１裏面側コイル１１１Ｂを構成する材料とが同じであってもよい。
　図２２に示すように、第１裏面側コイル１１１Ｂの導線１８０の厚さは、保護膜１６２の厚さよりも薄い。導線１８０の厚さは、導線１７０の厚さよりも薄い。一例では、導線１８０の厚さは、導線１７０の厚さの１／２以下である。一例では、導線１８０の厚さは、導線１７０の厚さの１／３程度である。導線１８０の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さよりも薄い。導線１８０の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さの１／２以上である。ここで、導線１８０の厚さは、コイル表面１８１とコイル裏面１８２とのＺ方向の間の距離によって定義できる。
　導線１８０の幅寸法（図２２ではＸ方向の長さ）は、導線１８０の厚さよりも長い。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの２倍以上である。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの５倍以上である。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの１０倍以上である。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの１２倍以上である。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの１５倍以上である。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの１６倍以上である。一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１８０の厚さの１７倍程度である。
　一例では、導線１８０の幅寸法は、導線１７０の幅寸法よりも長い。導線１８０の幅寸法は、導線１７０の幅寸法の２倍以上である。導線１８０の幅寸法は、導線１７０の幅寸法の３倍以下である。図２２の例では、導線１８０の幅寸法は、１５．８μｍ程度である。なお、導線１７０の幅寸法は、平面視において導線１７０が延びる方向と直交する方向の大きさとして定義できる。導線１８０の幅寸法は、平面視において導線１８０が延びる方向と直交する方向の大きさとして定義できる。
　コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢにおいてＸ方向に隣り合う導線１８０の間には、素子絶縁層１５０が介在している。つまり、コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢは、Ｘ方向において導線１８０が互いに離間している。Ｘ方向に隣り合う導線１８０の間の距離（以下、「導線間距離」）は、コイル表面１８１からコイル裏面１８２に向かい同じ大きさを有する。導線間距離は、導線１８０の幅寸法よりも小さい。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／２以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／５以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／１０以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／１５以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／１６以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／１７以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／１８以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／１９以下である。一例では、導線間距離は、導線１８０の幅寸法の１／２０以上である。導線間距離は、導線１８０の厚さよりも小さい。一方、導線間距離は、導線１８０の厚さの１／２以上である。コイル層１１１ＢＡ，１１１ＢＢの導線間距離は、第１表面側コイル１１１Ａの導線間距離よりも小さい。図２２の例では、導線間距離は、０．８μｍ程度である。
　第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間の距離は、素子絶縁層１５０の層裏面１５２と第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間の距離よりも大きい。一例では、第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間の距離は、導線１８０の幅寸法よりも小さい。第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間の距離は、たとえば１２．８μｍ程度である。ここで、第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間の距離は、導線１７０のコイル裏面１７２と、コイル層１１１ＢＡの導線１８０のコイル表面１８１とのＺ方向の間の距離によって定義できる。第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間の距離は、所望の絶縁耐圧、および第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１Ｂとの各々の電界強度に応じて設定される。
　なお、第１実施形態では、第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０は、そのコイル表面１７１が素子絶縁層１５０からＺ方向に露出するように形成されていたが、これに限られない。第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０は、素子絶縁層１５０に埋め込まれていてもよい。つまり、導線１７０のコイル表面１７１は、素子絶縁層１５０が接していてもよい。換言すると、導線１７０は、素子絶縁層１５０の層表面１５１よりも層裏面１５２寄りに配置されていてもよい。
　次に、図２５および図２６を参照して、回路領域１２０の配線構造の一例について説明する。
　回路領域１２０は、図１７に示す配線層１２１と、配線層１２１よりも基板１３０寄りに配置された基板側配線層１２２と、を含む。
　一例では、配線層１２１は、第１トランス１１１の第１表面側コイル１１１ＡとＺ方向において同じ位置に形成されている。つまり、配線層１２１の表面は、素子絶縁層１５０の層表面１５１から露出するとともにパッシベーション膜１６１によって覆われている。図２５に示す例では、配線層１２１の厚さは、２．８μｍである。
　基板側配線層１２２は、素子絶縁層１５０に埋め込まれている。一例では、基板側配線層１２２は、第１配線層１２２Ａと、第２配線層１２２Ｂと、第３配線層１２２Ｃと、を含む。第１配線層１２２Ａは、Ｚ方向において第２配線層１２２Ｂおよび第３配線層１２２Ｃよりも基板１３０寄りに配置されている。第１配線層１２２Ａは、素子絶縁層１５０の層裏面１５２からＺ方向において離隔して配置されている。換言すると、第１配線層１２２Ａは、基板１３０からＺ方向に離隔して配置されている。第１配線層１２２Ａと基板１３０とのＺ方向の間には素子絶縁層１５０が介在している。
　回路領域１２０は、配線層１２１と基板側配線層１２２とを接続する第１ビア１２３を含む。図２５に示す例では、第１ビア１２３は、配線層１２１と第１配線層１２２Ａとを接続している。第１ビア１２３は、たとえば配線層１２１と同じ材料によって形成されている。
　図２６に示すように、第１ビア１２３は、たとえば導線１７０と同様に、バリア層１２３Ａおよび金属層１２３Ｂを含む。バリア層１２３Ａおよび金属層１２３Ｂの各々を構成する材料は、たとえば導線１７０のバリア層１７４および金属層１７５（ともに図２３参照）と同じである。
　図２５に示すように、回路領域１２０は、第１配線層１２２Ａと基板１３０とを接続する第２ビア１２４と、第１配線層１２２Ａと第２配線層１２２Ｂとを接続する第３ビア１２５と、第２配線層１２２Ｂと第３配線層１２２Ｃとを接続する第４ビア１２６と、を含む。これにより、図２５に示す例においては、基板側配線層１２２は、基板１３０と電気的に接続されている。第１～第４ビア１２３～１２６は、たとえばタングステンを含む材料によって形成されている。
　図２６に示すように、第１配線層１２２Ａ、第２配線層１２２Ｂ、および第３配線層１２２Ｃの各々の厚さは互いに異なっている。第１配線層１２２Ａの厚さは、第２配線層１２２Ｂの厚さおよび第３配線層１２２Ｃの厚さの双方よりも薄い。第２配線層１２２Ｂの厚さは、第３配線層１２２Ｃの厚さと同じである。つまり、第１～第３配線層１２２Ａ～１２２Ｃは、Ｚ方向において基板１３０の近くでは厚さが薄くなっている。換言すると、第１～第３配線層１２２Ａ～１２２Ｃは、Ｚ方向において基板１３０から離れると厚さが厚くなっている。一例では、第２配線層１２２Ｂおよび第３配線層１２２Ｃの厚さは、第１配線層１２２Ａの厚さの２倍以下である。図２６に示す例では、第１配線層１２２Ａの厚さはたとえば０．５２μｍであり、第２配線層１２２Ｂおよび第３配線層１２２Ｃの厚さはたとえば０．９３μｍである。また、一例では、第２配線層１２２Ｂは第１裏面側コイル１１１Ｂのコイル層１１１ＢＢとＺ方向において同じ位置に形成され、第３配線層１２２Ｃはコイル層１１１ＢＡとＺ方向において同じ位置に形成されている。
　［効果］
　第１実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）信号伝達装置１０は、第１チップ６０と第２チップ７０とを電気的に接続するチップ間ワイヤＷＡと、第１チップ６０と第１リード端子１１～１３，１５，１６，１８とを個別に接続する第１リード用ワイヤＷＢと、を備える。チップ間ワイヤＷＡは、金を含む材料によって形成されている。第１リード用ワイヤＷＢは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。
　チップ間ワイヤＷＡは信号伝達装置１０の絶縁信頼性の観点から比較的重要であり、ワイヤの高さおよびワイヤの形状を精度よく検査する必要がある。この点、第１実施形態では、チップ間ワイヤＷＡが金を含む材料によって形成されていることによって、チップ間ワイヤＷＡの高さをたとえばＸ線検査を用いて検査する場合、チップ間ワイヤＷＡが銅またはアルミニウムを含む材料によって形成される場合と比較して、チップ間ワイヤＷＡが明瞭に表示される。したがって、チップ間ワイヤＷＡの高さを正確に検査することができる。また、チップ間ワイヤＷＡの形状も正確に検査することができる。
　一方、第１リード用ワイヤＷＢは信号伝達装置１０の絶縁信頼性の観点においてチップ間ワイヤＷＡよりも重要性が低い。この点、第１実施形態では、第１リード用ワイヤＷＢが銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されるため、第１リード用ワイヤＷＢが金を含む材料によって形成される場合と比較して、コスト低減を図ることができる。このように、信号伝達装置１０の品質の向上とコスト低減との両立を図ることができる。
　（１－２）第１リード用ワイヤＷＢは、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である。
　この構成によれば、銅ワイヤの表面にコーティングされたパラジウムによって第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部となる第１リード用ワイヤＷＢと第１リード端子１１～１８との接合部の接合面積を増大させることができる。これにより、第１リード用ワイヤＷＢと第１リード端子１１～１８との接合強度を高めることができるため、第１リード用ワイヤＷＢと第１リード端子１１～１８との接合部においてクラックの発生を抑制できる。
　（１－３）信号伝達装置１０は、第２チップ７０と第２リード端子４２，４３とを個別に接続する複数の第２リード用ワイヤＷＤをさらに備える。信号伝達装置１０は、第３チップ８０と第２リード端子４７，４８とを個別に接続する複数の第２リード用ワイヤＷＤをさらに備える。これら第２リード用ワイヤＷＤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。
　この構成によれば、信号伝達装置１０の絶縁信頼性の観点からチップ間ワイヤＷＡよりも重要性が低い第２リード用ワイヤＷＤが銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されているため、第２リード用ワイヤＷＤが金を含む材料によって形成される場合と比較して、コスト低減を図ることができる。
　（１－４）第２リード用ワイヤＷＤは、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である。
　この構成によれば、上記（１－２）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－５）信号伝達装置１０は、第１チップ６０と第１ダイパッド３０とを接続する第１ダイパッド用ワイヤＷＣをさらに備える。第１ダイパッド用ワイヤＷＣは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。この構成によれば、上記（１－３）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－６）第１ダイパッド用ワイヤＷＣは、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である。
　この構成によれば、上記（１－２）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－７）第１ダイパッド用ワイヤＷＣのセカンドボンド部である第１ダイパッド用ワイヤＷＣと第１ダイパッド３０との接合部にはセキュリティボンドＷＣ１が形成されている。
　この構成によれば、セキュリティボンドＷＣ１によって第１ダイパッド用ワイヤＷＣのセカンドボンド部の厚肉化を図ることができる。これにより、第１ダイパッド用ワイヤＷＣのセカンドボンド部におけるクラックの発生を抑制できる。
　（１－８）信号伝達装置１０は、第２チップ７０と第２ダイパッド５０Ａとを接続する第２ダイパッド用ワイヤＷＥをさらに備える。第２ダイパッド用ワイヤＷＥは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。この構成によれば、上記（１－３）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－９）第２ダイパッド用ワイヤＷＥは、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である。
　この構成によれば、上記（１－２）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－１０）第２ダイパッド用ワイヤＷＥのセカンドボンド部である第２ダイパッド用ワイヤＷＥと第２ダイパッド５０Ａとの接合部にはセキュリティボンドＷＥ１が形成されている。この構成によれば、上記（１－７）と同様の効果が得られる。
　（１－１１）信号伝達装置１０は、第３チップ８０と第３ダイパッド５０Ｂとを接続する第３ダイパッド用ワイヤＷＦをさらに備える。第３ダイパッド用ワイヤＷＦは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている。この構成によれば、上記（１－３）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－１２）第３ダイパッド用ワイヤＷＦは、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である。
　この構成によれば、上記（１－２）の効果と同様の効果が得られる。
　（１－１３）第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部である第３ダイパッド用ワイヤＷＦと第３ダイパッド５０Ｂとの接合部にはセキュリティボンドＷＦ１が形成されている。この構成によれば、上記（１－７）と同様の効果が得られる。
　（１－１４）第１チップ６０の各第１電極パッド６７、各第２電極パッド６８、および各第３電極パッド６９は、２μｍ以上の厚さを有する。
　この構成によれば、各第１電極パッド６７にチップ間ワイヤＷＡが接合されたとしても各第１電極パッド６７の直下の素子絶縁層１５０にクラックが発生することを抑制できる。各第２電極パッド６８に第１リード用ワイヤＷＢが接合されたとしても同様に素子絶縁層１５０にクラックが発生することを抑制できる。各第３電極パッド６９に第１ダイパッド用ワイヤＷＣが接合されたとしても同様に素子絶縁層１５０にクラックが発生することを抑制できる。
　（１－１５）封止樹脂９０は、添加剤として硫黄を含む。硫黄の添加濃度は、３００μｇ／ｇ以下である。
　この構成によれば、第１リード用ワイヤＷＢ、第２リード用ワイヤＷＤ、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦのような銅ワイヤの表面にパラジウムでコーティングされたワイヤの硫化腐食を低減できる。
　（１－１６）第１リード端子１１の第１インナーリード部１１Ａにおけるワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード表面２１Ｂには、めっき層２９が形成されている。ワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ側の端部には、めっき層２９が形成されておらず、封止樹脂９０と接している。
　この構成によれば、ワイヤ接続部１１ＡＡのインナーリード表面２１Ｂにおける先端面２４Ｂ寄りの端部のめっき層２９と封止樹脂９０との剥離の発生を抑制できる。なお、第１リード端子１２，１３，１５～１８のワイヤ接続部１２ＡＡ，１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡも同様の構成であるため、同様の効果が得られる。
　（１－１７）第２リード端子４８の第２インナーリード部４８Ａにおけるワイヤ接続部４８ＡＡのインナーリード表面２１Ｂには、めっき層２９が形成されている。ワイヤ接続部４８ＡＡのインナーリード表面２１Ｂのうち先端面２４Ｂ側の端部には、めっき層２９が形成されておらず、封止樹脂９０と接している。
　この構成によれば、ワイヤ接続部４８ＡＡのインナーリード表面２１Ｂにおける先端面２４Ｂ寄りの端部のめっき層２９と封止樹脂９０との剥離の発生を抑制できる。なお、第２リード端子４２～４５，４７のワイヤ接続部４２ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡも同様の構成であるため、同様の効果が得られる。
　（１－１８）第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂのアウターリード本体２０Ａのアウターリード表面２１Ａ、アウターリード裏面２２Ａ、およびアウターリード側面２３Ａには、めっき層２６が形成されている。めっき層２６は、アウターリード端面２４Ａのうちアウターリード裏面２２Ａからアウターリード表面２１Ａに向けて連続的に形成されている。めっき層２６は、アウターリード表面２１Ａとは離隔している。
　この構成によれば、信号伝達装置１０が導電性接合材ＳＤによって回路基板ＰＣＢに実装される場合、アウターリード端面２４Ａに形成されためっき層２６に導電性接合材ＳＤが接触する。これにより、アウターリード端面２４Ａに接触した導電性接合材ＳＤによってフィレットが形成される。したがって、信号伝達装置１０の回路基板ＰＣＢへの実装状態を容易に確認できる。
　（１－１９）封止樹脂９０の外表面は、面粗度Ｒｚが８μｍ以上となるように形成されている。
　この構成によれば、第１リード端子１１～１８と第２リード端子４１～４８との間の封止樹脂９０を介する沿面距離が長くなる。したがって、第１リード端子１１～１８と第２リード端子４１～４８との間の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　＜第２実施形態＞
　図２７～図２９を参照して、第２実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第２実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる構成について詳細に説明し、第１実施形態と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　図２７に示すように、第１フレーム１０Ａの第１リード端子１１～１８のうち第１リード端子１３のワイヤ接続部１３ＡＡの形状が第１実施形態とは異なる。より詳細には、ワイヤ接続部１３ＡＡは、リード接続部１３ＡＢから第１封止側面９３から離れる方向に向かうにつれて第１チップ６０に向けて斜めに延びている。ワイヤ接続部１３ＡＡの先端側のコーナ部分のうち第１リード端子１２のワイヤ接続部１２ＡＡ寄りのコーナ部分は、傾斜面１３ＡＣを含む。傾斜面１３ＡＣは、ワイヤ接続部１２ＡＡとのＸ方向の間の距離が一定となるように形成されている。平面視において、傾斜面１３ＡＣは、ワイヤ接続部１２ＡＡとＸ方向に対向している。
　ワイヤ接続部１３ＡＡには、２本の第１リード用ワイヤＷＢが接続されている。第１リード端子１２寄りに配置された第１リード用ワイヤＷＢは、平面視において第１チップ６０のファーストボンド部からワイヤ接続部１３ＡＡの先端面を通過するように延びている。そして平面視においてワイヤ接続部１３ＡＡの先端面を通過した第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１３ＡＡに接合されている。ここで、ワイヤ接続部１３ＡＡの先端面は、ワイヤ接続部１３ＡＡのうち第１チップ６０側を向く側面であり、平面視においてワイヤ接続部１３ＡＡが延びる方向と直交する方向に延びている。
　また、残りの第１リード用ワイヤＷＢは、平面視において第１チップ６０のファーストボンド部からワイヤ接続部１３ＡＡの先端面を通過するように延びている。そして平面視においてワイヤ接続部１３ＡＡの先端面を通過した第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１３ＡＡのうち第１リード端子１２寄りに配置された第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部よりもワイヤ接続部１３ＡＡの先端面寄りの部分に接合されている。
　平面視において、２本の第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１３ＡＡの先端面と直交するように延びている。ここで、第１リード用ワイヤＷＢとワイヤ接続部１３ＡＡの先端面とが成す角度が８５°以上９５°以下であれば、第１リード用ワイヤＷＢがワイヤ接続部１３ＡＡの先端面と直交するように延びているといえる。
　換言すると、２本の第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１３ＡＡが延びる方向と平行となるように延びている。ここで、第１リード用ワイヤＷＢが延びる方向とワイヤ接続部１３ＡＡが延びる方向との成す鋭角の絶対値が０°以上５°以下であれば、第１リード用ワイヤＷＢが、ワイヤ接続部１３ＡＡが延びる方向と平行となるように延びているといえる。なお、第２実施形態では、ワイヤ接続部１３ＡＡの先端面は「ワイヤ接続部１３ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する側面」に対応している。
　なお、平面視において、ワイヤ接続部１３ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢとワイヤ接続部１３ＡＡの先端面との関係は、直交に限られない。平面視において、ワイヤ接続部１３ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１３ＡＡの先端面に対して交差するように延びていればよい。
　図２７に示すように、第１ダイパッド３０の一部の形状が第１実施形態とは異なる。より詳細には、第１ダイパッド３０の第１窪み部３６Ａの第１面３６Ａ１と第１基端面３２との間には、傾斜面３６Ａ４が形成されている。傾斜面３６Ａ４は、平面視において、第１基端面３２に向かうにつれてワイヤ接続部１３ＡＡから離れる側に向けて傾斜している。傾斜面３６Ａ４は、ワイヤ接続部１３ＡＡとのＸ方向の間の距離が一定となるように形成されている。このため、平面視において、傾斜面３６Ａ４とワイヤ接続部１３ＡＡの先端面とは互いに平行となる。
　図２８に示すように、第２フレーム１０Ｂの第２リード端子４１～４４のうち第２リード端子４２のワイヤ接続部４２ＡＡの形状が第１実施形態とは異なる。より詳細には、ワイヤ接続部４２ＡＡは、リード接続部４２ＡＢから第２チップ７０に向かうにつれて第２封止側面９４から離れる方向に傾斜している。つまり、ワイヤ接続部４２ＡＡは、リード接続部４２ＡＢから第２チップ７０に向けて斜めに延びている。ワイヤ接続部４２ＡＡの先端側のコーナ部分のうち第２チップ７０寄りのコーナ部分は、傾斜面４２ＡＣを含む。傾斜面４２ＡＣは、第２ダイパッド５０ＡとのＸ方向の間の距離が一定となるように形成されている。平面視において、傾斜面４２ＡＣは、第２ダイパッド５０ＡとＸ方向に対向している。
　ワイヤ接続部４２ＡＡには、２本の第２リード用ワイヤＷＤが接続されている。第２リード端子４３寄りに配置された第２リード用ワイヤＷＤは、平面視において第２チップ７０のファーストボンド部からワイヤ接続部４２ＡＡの先端面を通過するように延びている。そして平面視においてワイヤ接続部４２ＡＡの先端面を通過した第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡに接合されている。ここで、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面は、ワイヤ接続部４２ＡＡのうち第２チップ７０側を向く側面であり、平面視においてワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と直交する方向に延びている。
　平面視において、第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面と直交するように延びている。ここで、第２リード用ワイヤＷＤとワイヤ接続部４２ＡＡの先端面とが成す角度が８５°以上９５°以下であれば、第２リード用ワイヤＷＤがワイヤ接続部４２ＡＡの先端面と直交するように延びているといえる。
　換言すると、第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と平行となるように延びている。ここで、第２リード用ワイヤＷＤが延びる方向とワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向との成す鋭角の絶対値が０°以上５°以下であれば、第２リード用ワイヤＷＤが、ワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と平行となるように延びているといえる。なお、第２実施形態では、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面は「ワイヤ接続部４２ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面」に対応している。
　なお、平面視において、ワイヤ接続部４２ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤとワイヤ接続部４２ＡＡの先端面との関係は、直交に限られない。平面視において、ワイヤ接続部４２ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面に対して交差するように延びていればよい。
　また、第２リード端子４２に接続された２本の第２リード用ワイヤＷＤのうち残りの第２リード用ワイヤＷＤは、平面視において第２チップ７０のファーストボンド部から傾斜面４２ＡＣを通過するように延びている。そして平面視においてワイヤ接続部４２ＡＡの先端面を通過した第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部４２ＡＡのうち第２リード端子４３寄りに配置された第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部よりもリード接続部４２ＡＢ寄りの部分に接合されている。平面視において、残りの第２リード用ワイヤＷＤは、傾斜面４２ＡＣと交差するように延びている。
　平面視において、残りの第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と平行となるように延びている。ここで、残りの第２リード用ワイヤＷＤが延びる方向とワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向との成す鋭角の絶対値が０°以上５°以下であれば、残りの第２リード用ワイヤＷＤが、ワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と平行となるように延びているといえる。なお、第２実施形態では、傾斜面４２ＡＣは「ワイヤ接続部４２ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面」に対応している。
　図２８に示すように、第２ダイパッド５０Ａの一部の形状が第１実施形態とは異なる。より詳細には、第２ダイパッド５０Ａのうち第４窪み部５６Ａの第２面５６Ａ２には、凹部５９Ａが形成されている。凹部５９Ａは、第２ダイパッド５０Ａのうち第２チップ７０よりも第３封止側面９５寄りの部分に形成されている。凹部５９Ａは、第４窪み部５６Ａの湾曲凹部５６Ａ３と繋がる第１側面５９Ａ１と、第２面５６Ａ２と繋がる第２側面５９Ａ２と、底面５９Ａ３とを有する。
　第１側面５９Ａ１は、湾曲凹部５６Ａ３から底面５９Ａ３に向かうにつれて第２チップ７０に向けて斜めに延びている。一例では、平面視において、第１側面５９Ａ１が延びる方向は、ワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と平行となる。ここで、平面視において、第１側面５９Ａ１が延びる方向とワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向との成す鋭角の絶対値が０°以上５°以下であれば、第１側面５９Ａ１が延びる方向が、ワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と平行となるといえる。
　第２側面５９Ａ２は、第２面５６Ａ２から底面５９Ａ３に向かうにつれて第３封止側面９５に向けて斜めに延びている。第２側面５９Ａ２は、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面と対向する部分を含む。一例では、平面視において、第２側面５９Ａ２が延びる方向は、ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面が延びる方向と平行となる。ここで、平面視において、第２側面５９Ａ２が延びる方向とワイヤ接続部４２ＡＡの先端面が延びる方向との成す鋭角の絶対値が０°以上５°以下であれば、第２側面５９Ａ２が延びる方向がワイヤ接続部４２ＡＡの先端面が延びる方向と平行となるといえる。
　底面５９Ａ３は、第１側面５９Ａ１と第２側面５９Ａ２とのＹ方向の間に形成されている。底面５９Ａ３は、平面視においてＹ方向に沿って延びている。底面５９Ａ３は、傾斜面４２ＡＣとＸ方向に対向している。
　図２９に示すように、第２フレーム１０Ｂの第２リード端子４５～４８のうち第２リード端子４７のワイヤ接続部４７ＡＡの形状が第１実施形態とは異なる。より詳細には、ワイヤ接続部４７ＡＡは、その幅寸法（Ｘ方向の大きさ）が第１実施形態のワイヤ接続部４７ＡＡの幅寸法（Ｘ方向の大きさ）よりも大きい部分を含む。ワイヤ接続部４７ＡＡの先端側のコーナ部分のうち第２封止側面９４寄りのコーナ部分は、傾斜面４７ＡＣ１を含む。傾斜面４７ＡＣ１は、第２封止側面９４に向かうにつれて第４封止側面９６に向けて斜めに延びている。ワイヤ接続部４７ＡＡのうちリード接続部４７ＡＢ寄りの部分は、傾斜面４７ＡＣ２を含む。傾斜面４７ＡＣ２は、第２封止側面９４に向かうにつれて第４封止側面９６に向けて斜めに延びている。一例では、平面視において、傾斜面４７ＡＣ１が延びる方向と傾斜面４７ＡＣ２が延びる方向とは平行である。
　ワイヤ接続部４７ＡＡには、２本の第２リード用ワイヤＷＤが接続されている。２本の第２リード用ワイヤＷＤは、平面視において第２チップ７０のファーストボンド部からワイヤ接続部４２ＡＡの側面４７ＡＡ１を通過するように延びている。そして平面視においてワイヤ接続部４７ＡＡの側面４７ＡＡ１を通過した２本の第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４７ＡＡに接合されている。ここで、ワイヤ接続部４７ＡＡの側面４７ＡＡ１は、ワイヤ接続部４７ＡＡのうち第２封止側面９４とは反対側を向く側面であり、平面視においてＹ方向に延びている。平面視において、第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４７ＡＡの側面４７ＡＡ１と交差するように延びている。なお、平面視において、第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４７ＡＡの側面４７ＡＡ１と直交するように延びていてもよい。
　また、第２リード用ワイヤＷＤは、平面視において、傾斜面４７ＡＣ１，４７ＡＣ２が延びる方向と平行となるように延びている。ここで、第２リード用ワイヤＷＤが延びる方向と傾斜面４７ＡＣ１，４７ＡＣ２が延びる方向との成す鋭角の絶対値が０°以上５°以下であれば、第２リード用ワイヤＷＤが傾斜面４７ＡＣ１，４７ＡＣ２が延びる方向と平行となるように延びているといえる。なお、第２実施形態では、ワイヤ接続部４７ＡＡの側面４７ＡＡ１は「ワイヤ接続部４７ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する側面」に対応している。
　図２９に示すように、第３ダイパッド５０Ｂの一部の形状が第１実施形態とは異なる。より詳細には、第７窪み部５７Ｄの第２面５７Ｄ２のＸ方向の位置が第２リード端子４８のワイヤ接続部４８ＡＡのうち窪み部４８ＡＣの第２面４８ＡＣ２よりも第２封止側面９４から離れた側となっている。また、第７窪み部５７Ｄの第１面５７Ｄ１と第２面５７Ｄ２との間には、湾曲凹部５７Ｄ３（図１３参照）に代えて、傾斜面５７Ｄ４が形成されている。傾斜面５７Ｄ４は、第２封止側面９４から離れるにつれて第４封止側面９６に近づくように傾斜している。
　［効果］
　第２実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（２－１）第１リード端子１３のワイヤ接続部１３ＡＡは、ワイヤ接続部１３ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢと平面視で交差する先端面を含む。ワイヤ接続部１３ＡＡの先端面は、第１ダイパッド３０と対向している。
　この構成によれば、平面視においてワイヤ接続部１３ＡＡが延びる方向と概ね同じ方向に第１リード用ワイヤＷＢが延びるため、第１リード用ワイヤＷＢがワイヤ接続部１３ＡＡに対してずれることを抑制した状態で、接合できる。これにより、第１リード用ワイヤＷＢの接合部の一部がワイヤ接続部１３ＡＡから外れることを抑制できる。したがって、第１リード用ワイヤＷＢがワイヤ接続部１３ＡＡに安定して接合できる。
　（２－２）第２リード端子４２のワイヤ接続部４２ＡＡは、ワイヤ接続部４２ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤと平面視で交差する先端面を含む。ワイヤ接続部４２ＡＡの先端面は、第２ダイパッド５０Ａと対向している。
　この構成によれば、平面視においてワイヤ接続部４２ＡＡが延びる方向と概ね同じ方向に第２リード用ワイヤＷＤが延びるため、第２リード用ワイヤＷＤがワイヤ接続部４２ＡＡに対してずれることを抑制した状態で、接合できる。これにより、第２リード用ワイヤＷＤの接合部の一部がワイヤ接続部４２ＡＡから外れることを抑制できる。したがって、第２リード用ワイヤＷＤがワイヤ接続部４２ＡＡに安定して接合できる。
　（２－３）平面視において、ワイヤ接続部１３ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢとワイヤ接続部１３ＡＡの先端面とが直交している。
　この構成によれば、ワイヤ接続部１３ＡＡの側面に沿って第１リード用ワイヤＷＢが延びる場合と比較して、第１リード用ワイヤＷＢのうちワイヤ接続部１３ＡＡとの接合位置が確認しやすくなる。
　（２－４）平面視において、ワイヤ接続部４２ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢとワイヤ接続部４２ＡＡの先端面とが直交している。
　この構成によれば、ワイヤ接続部４２ＡＡの側面に沿って第１リード用ワイヤＷＢが延びる場合と比較して、第１リード用ワイヤＷＢのうちワイヤ接続部４２ＡＡとの接合位置が確認しやすくなる。
　（２－５）第１リード端子１３のワイヤ接続部１３ＡＡは、傾斜面１３ＡＣを含む。
　この構成によれば、傾斜面１３ＡＣによってワイヤ接続部１３ＡＡの先端面寄りの部分はコーナ部分が切り欠かれた形状となる。これにより、ワイヤ接続部１３ＡＡと第１リード端子１２のワイヤ接続部１２ＡＡとのＸ方向の間の距離を大きくとることができる。
　（２－６）第１ダイパッド３０は、傾斜面３６Ａ４を含む。
　この構成によれば、傾斜面３６Ａ４によってワイヤ接続部１３ＡＡと第１ダイパッド３０とのＹ方向の間の距離を大きくとることができる。
　（２－７）第２リード端子４２のワイヤ接続部４２ＡＡは、傾斜面４２ＡＣを含む。
　この構成によれば、傾斜面４２ＡＣによってワイヤ接続部４２ＡＡの先端面寄りの部分はコーナ部分が切り欠かれた形状となる。これにより、ワイヤ接続部４２ＡＡと第２ダイパッド５０ＡとのＸ方向の間の距離を大きくとることができる。
　（２－８）第２ダイパッド５０Ａは、凹部５９Ａを含む。
　この構成によれば、凹部５９Ａによってワイヤ接続部４２ＡＡと第２ダイパッド５０ＡとのＸ方向の間の距離を大きくとることができる。
　＜第３実施形態＞
　図３０～図３３を参照して、第３実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第３実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる構成について詳細に説明し、第１実施形態と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　第３実施形態の第１フレーム１０Ａは、第１リード端子１１～１８のうち第１リード端子１３，１５，１６の構成が異なる。より詳細には、図３０および図３１に示すように、第１リード端子１３，１５，１６の第１インナーリード部１３Ａ，１５Ａ，１６Ａには、第１インナーリード部１３Ａ，１５Ａ，１６Ａをその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤが形成されている。一例では、平面視における貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤの形状は円形である。第３実施形態では、貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤの直径は互いに等しい。貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤの直径は、貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤの直径よりも小さい。なお、平面視における貫通孔１２ＡＤ～１７ＡＤの形状およびサイズの各々は任意に変更可能である。
　貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤ内には、封止樹脂９０が充填されている。つまり、貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤ内に充填された封止樹脂９０によって、第１インナーリード部１３Ａ，１５Ａ，１６Ａよりも封止表面９１（図２参照）寄りに設けられた封止樹脂９０と、第１インナーリード部１３Ａ，１５Ａ，１６Ａよりも封止裏面９２（図２参照）寄りに設けられた封止樹脂９０とが繋がっている。
　ここで、第１リード端子１４は、第１ダイパッド３０と一体化されているので、「第１接続端子」に対応している。第１リード端子１１～１３，１５～１８は、第１ダイパッド３０から離隔して配置されているので、「第１離隔端子」に対応している。第１リード端子１１～１３，１５～１８に貫通孔１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤが形成されているため、第１離隔端子は、第１離隔端子の厚さ方向に貫通する貫通孔を有するといえる。一方、第１接続端子は、貫通孔を有していない。
　図３０に示す例においては、貫通孔１３ＡＤは、第１インナーリード部１３Ａのワイヤ接続部１３ＡＡのうちリード接続部１３ＡＢ寄りの部分に形成されている。ワイヤ接続部１３ＡＡに対応する第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１３ＡＡのうち貫通孔１３ＡＤよりも第１チップ６０寄りの部分に接合されている。第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部は、平面視において、貫通孔１３ＡＤからＹ方向に離隔して配置されている。
　図３１に示す例においては、貫通孔１５ＡＤは、第１インナーリード部１５Ａのワイヤ接続部１５ＡＡのうちリード接続部１５ＡＢ寄りの部分に形成されている。ワイヤ接続部１５ＡＡに対応する第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１５ＡＡのうち貫通孔１５ＡＤよりも第１チップ６０寄りの部分に接合されている。第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部は、平面視において、貫通孔１５ＡＤからＸ方向に離隔して配置されている。貫通孔１５ＡＤは、ワイヤ接続部１５ＡＡとリード接続部１５ＡＢとにわたり形成されている。
　貫通孔１６ＡＤは、第１インナーリード部１６Ａのワイヤ接続部１６ＡＡのうちリード接続部１６ＡＢ寄りの部分に形成されている。ワイヤ接続部１６ＡＡに対応する第１リード用ワイヤＷＢは、ワイヤ接続部１６ＡＡのうち貫通孔１６ＡＤよりも第１チップ６０寄りの部分に接合されている。第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部は、平面視において、貫通孔１６ＡＤからＹ方向に離隔して配置されている。
　なお、貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤの形成位置は任意に変更可能である。一例では、貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤは、リード接続部１３ＡＢ，１５ＡＢ，１６ＡＢに形成されていてもよい。また、貫通孔１３ＡＤ，１６ＡＤは、ワイヤ接続部１３ＡＡ，１６ＡＡとリード接続部１３ＡＢ，１６ＡＢとにわたり形成されていてもよい。貫通孔１５ＡＤは、ワイヤ接続部１５ＡＡのうちリード接続部１５ＡＢよりも第１リード端子１４寄りの部分に形成されていてもよい。
　図３２および図３３に示すように、第３実施形態の第２フレーム１０Ｂは、第２リード端子４１～４８のうち第２リード端子４２～４５，４７の構成が異なる。より詳細には、第２リード端子４２～４５，４７の第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａには、第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａをその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤが形成されている。一例では、平面視における貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤの形状は円形である。第３実施形態では、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤの直径は互いに等しい。貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤの直径は、貫通孔４８ＡＤの直径よりも小さい。また、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤの直径は、貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤの直径と等しい。なお、平面視における貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤの形状およびサイズの各々は任意に変更可能である。
　貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤ内には、封止樹脂９０が充填されている。つまり、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤ内に充填された封止樹脂９０によって、第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａよりも封止表面９１（図２参照）寄りに設けられた封止樹脂９０と、第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａよりも封止裏面９２（図２参照）寄りに設けられた封止樹脂９０とが繋がっている。
　ここで、第２リード端子４１は、第２ダイパッド５０Ａと一体化されているので、「第２接続端子」に対応している。第２リード端子４２～４４は、第２ダイパッド５０Ａから離隔して配置されているので、「第２離隔端子」に対応している。第２リード端子４２～４４に貫通孔４２ＡＤ～４４ＡＤが形成されているため、第２離隔端子は、第２離隔端子の厚さ方向に貫通する貫通孔を有するといえる。
　第２リード端子４６は、第３ダイパッド５０Ｂと一体化されているので、「第３接続端子」に対応している。第２リード端子４５～４８は、第３ダイパッド５０Ｂから離隔して配置されているので、「第３離隔端子」に対応している。第２リード端子４５，４７，４８に貫通孔４５ＡＤ，４７ＡＤ，４８ＡＤが形成されているため、第３離隔端子は、第３離隔端子の厚さ方向に貫通する貫通孔を有するといえる。一方、第２リード端子４６は、貫通孔を有していない。
　図３２に示す例においては、貫通孔４２ＡＤは、第２インナーリード部４２Ａのワイヤ接続部４２ＡＡのうちリード接続部４２ＡＢ寄りの部分に形成されている。ワイヤ接続部４２ＡＡに対応する第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡのうち貫通孔４２ＡＤよりも第２チップ７０寄りの部分に接合されている。第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部は、平面視において、貫通孔４２ＡＤからＹ方向に離隔して配置されている。
　貫通孔４３ＡＤは、第２インナーリード部４３Ａのワイヤ接続部４３ＡＡのうちリード接続部４３ＡＢ寄りの部分に形成されている。ワイヤ接続部４３ＡＡに対応する第２リード用ワイヤＷＤは、ワイヤ接続部４３ＡＡのうち貫通孔４３ＡＤよりも第２チップ７０寄りの部分に接合されている。第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部は、平面視において、貫通孔４３ＡＤからＹ方向に離隔して配置されている。
　貫通孔４４ＡＤは、第２インナーリード部４４Ａのワイヤ接続部４４ＡＡのうちリード接続部４４ＡＢ寄りの部分に形成されている。貫通孔４４ＡＤは、Ｘ方向から視て、リード接続部４４ＡＢと重なる位置に形成されている。
　図３３に示す例においては、貫通孔４５ＡＤは、第２インナーリード部４５Ａのワイヤ接続部４５ＡＡのうちリード接続部４５ＡＢ寄りの部分に形成されている。貫通孔４５ＡＤは、Ｘ方向から視て、リード接続部４５ＡＢと重なる位置に形成されている。
　貫通孔４７ＡＤは、第２インナーリード部４７Ａのワイヤ接続部４７ＡＡのうちリード接続部４７ＡＢ寄りの部分に形成されている。ワイヤ接続部４７ＡＡに対応する２本の第２リード用ワイヤＷＤの各々は、ワイヤ接続部４７ＡＡのうち貫通孔４７ＡＤよりも第２チップ７０寄りの部分に接合されている。２本の第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部の各々は、平面視において、貫通孔４７ＡＤからＹ方向に離隔して配置されている。
　なお、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤの形成位置は任意に変更可能である。一例では、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤは、リード接続部４２ＡＢ～４５ＡＢ，４７ＡＢに形成されていてもよい。また、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＢ，４７ＡＤは、ワイヤ接続部４２ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡとリード接続部４２ＡＢ～４５ＡＢ，４７ＡＢとにわたり形成されていてもよい。
　［効果］
　第３実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（３－１）第１リード端子１１～１３，１５～１８は、貫通孔１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤを有する。貫通孔１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤには、封止樹脂９０が充填されている。
　この構成によれば、貫通孔１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤに充填された封止樹脂９０によって第１リード端子１１～１３，１５～１８に外力が加えられた際に第１リード端子１１～１３，１５～１８が移動することを抑制できる。したがって、第１リード端子１１～１３，１５～１８の各々に第１リード用ワイヤＷＢが接合された場合、第１リード端子１１～１３，１５～１８の移動に起因して第１リード用ワイヤＷＢに力が加えられることを抑制できる。
　（３－２）第２リード端子４２～４５，４７，４８は、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤ，４８ＡＤを有する。貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤ，４８ＡＤには、封止樹脂９０が充填されている。
　この構成によれば、貫通孔４２ＡＤ～４５ＡＤ，４７ＡＤ，４８ＡＤに充填された封止樹脂９０によって第２リード端子４２～４５，４７，４８に外力が加えられた際に第２リード端子４２～４５，４７，４８が移動することを抑制できる。したがって、第２リード端子４２～４５，４７，４８の各々に第２リード用ワイヤＷＤが接合された場合、第２リード端子４２～４５，４７，４８の移動に起因して第２リード用ワイヤＷＤに力が加えられることを抑制できる。
　＜第４実施形態＞
　図３４～図３７を参照して、第４実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第４実施形態の信号伝達装置１０は、第３実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの構成と、ワイヤの構成とが異なる。以下の説明では、第３実施形態と異なる構成について詳細に説明し、第３実施形態と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　第４実施形態の第１フレーム１０Ａは、第３実施形態と比較して、第１リード端子１１～１８のうち第１リード端子１３，１５，１６の構成が異なる。より詳細には、図３４および図３５に示すように、第１リード端子１３，１５，１６の第１インナーリード部１３Ａ，１５Ａ，１６Ａから貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤ（図３０および図３１参照）が省略されている。
　つまり、第１フレーム１０Ａは、第１リード端子１１～１３，１５～１８の第１インナーリード部１１Ａ～１３Ａ，１５Ａ～１８Ａのうち貫通孔が形成された第１特定端子（第４実施形態では第１リード端子１１，１２，１７，１８）と、貫通孔が形成されていない第２特定端子（第４実施形態では第１リード端子１３，１５，１６）との２種類の第１リード端子を含む。
　第４実施形態では、第１特定端子および第２特定端子に応じて、第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部の構成が異なる。より詳細には、第２特定端子としての第１リード端子１３，１５，１６における第１インナーリード部１３Ａ，１５Ａ，１６Ａのワイヤ接続部１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部には、セキュリティボンドＷＢ１が形成されている。一方、第１特定端子としての第１リード端子１１，１２，１８における第１インナーリード部１１Ａ，１２Ａ，１８Ａのワイヤ接続部１１ＡＡ，１２ＡＡ，１８ＡＡに接続された第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部には、セキュリティボンドＷＢ１が形成されていない。
　つまり、複数の第１リード用ワイヤＷＢは、第１特定端子（第４実施形態では第１リード端子１１，１２，１８）に接合された第１特定ワイヤと、第２特定端子（第４実施形態では第１リード端子１３，１５，１６）に接合された第２特定ワイヤと、を含む。第２特定ワイヤのうち第２特定端子に接合された接合部（セカンドボンド部）には、セキュリティボンドが形成されている。
　第４実施形態の第２フレーム１０Ｂは、第３実施形態と比較して、第２リード端子４２～４５，４７，４８のうち第２リード端子４３，４７の構成が異なる。より詳細には、図３６および図３７に示すように、第２リード端子４３，４７の第２インナーリード部４３Ａ，４７Ａから貫通孔４３ＡＤ，４７ＡＤが省略されている。つまり、第２フレーム１０Ｂは、第２リード端子４２～４５，４７，４８のうち貫通孔を有する第２リード端子（第４実施形態では第２リード端子４２，４４，４５，４８）と、貫通孔を有していない第２リード端子（第４実施形態では第２リード端子４３，４７）との２種類の第２リード端子を含む。
　つまり、第２フレーム１０Ｂは、第２リード端子４２～４５，４７，４８の第２インナーリード部４２Ａ～４５Ａ，４７Ａ，４８Ａのうち貫通孔が形成された第３特定端子（第４実施形態では第２リード端子４２，４４，４５，４８）と、貫通孔が形成されていない第４特定端子（第４実施形態では第２リード端子４３，４７）との２種類の第２リード端子を含む。
　第４実施形態では、第３特定端子および第４特定端子に応じて、第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部の構成が異なる。より詳細には、第４特定端子としての第２リード端子４３，４７における第２インナーリード部４３Ａ，４７Ａのワイヤ接続部４３ＡＡ，４７ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部には、セキュリティボンドＷＤ１が形成されている。一方、第３特定端子としての第２リード端子４２，４８における第２インナーリード部４２Ａ，４８Ａのワイヤ接続部４２ＡＡ，４８ＡＡに接続された第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部には、セキュリティボンドＷＤ１が形成されていない。
　つまり、複数の第２リード用ワイヤＷＤは、第３特定端子（第４実施形態では第２リード端子４２，４８）に接合された第３特定ワイヤと、第４特定端子（第４実施形態では第２リード端子４３，４７）に接合された第４特定ワイヤと、を含む。第４特定ワイヤのうち第４特定端子に接合された接合部（セカンドボンド部）には、セキュリティボンドが形成されている。セキュリティボンドＷＢ１，ＷＤ１の構成は、たとえば第１実施形態のセキュリティボンドＷＦ１（図１５参照）と同じ構成である。なお、第２リード端子４４，４５のうち少なくとも一方から貫通孔４４ＡＤ，４５ＡＤを省略してもよい。
　［効果］
　第４実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（４－１）第１リード端子１１～１３，１５～１８のうち第１リード端子１３，１５，１６には貫通孔１３ＡＤ，１５ＡＤ，１６ＡＤが形成されていない。第１リード端子１３，１５，１６のワイヤ接続部１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡに接合された第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＢ１が形成されている。
　この構成によれば、第１リード端子１３，１５，１６に外力が加わった際に第１リード端子１３，１５，１６が移動して第１リード用ワイヤＷＢに力が加わったとしてもセキュリティボンドＷＢ１によって第１リード用ワイヤＷＢがワイヤ接続部１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡから剥離することを抑制できる。
　（４－２）第１リード端子１１～１３，１５～１８のうち第１リード端子１１，１２，１７，１８には貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤが形成されている。第１リード端子１１，１２，１８のワイヤ接続部１１ＡＡ，１２ＡＡ，１８ＡＡに接合された第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部にはセキュリティボンドが形成されていない。
　この構成によれば、貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤに充填された封止樹脂９０によって第１リード端子１１，１２，１７，１８の移動が抑制される。このため、第１リード端子１１，１２，１８に接合された第１リード用ワイヤＷＢに力が加わりにくくなる。そして、第１リード端子１１，１２，１８に接合された第１リード用ワイヤＷＢにセキュリティボンドを形成する必要がなくなるため、製造工程を簡素化できる。したがって、信号伝達装置１０の製造コストの低減を図ることができる。
　（４－３）第２リード端子４２～４５，４７，４８のうち第２リード端子４３，４７には貫通孔４３ＡＤ，４７ＡＤが形成されていない。第２リード端子４３，４７のワイヤ接続部４３ＡＡ，４７ＡＡに接合された第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＤ１が形成されている。
　この構成によれば、第２リード端子４３，４７に外力が加わった際に第２リード端子４３，４７が移動して第２リード用ワイヤＷＤに力が加わったとしてもセキュリティボンドＷＤ１によって第２リード用ワイヤＷＤがワイヤ接続部４３ＡＡ，４７ＡＡから剥離することを抑制できる。
　（４－４）第２リード端子４２～４５，４８のうち第２リード端子４２，４４，４５，４８には貫通孔４２ＡＤ，４４ＡＤ，４５ＡＤ，４８ＡＤが形成されている。第２リード端子４２，４８に接合された第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部にはセキュリティボンドが形成されていない。
　この構成によれば、貫通孔４２ＡＤ，４４ＡＤ，４５ＡＤ，４８ＡＤに充填された封止樹脂９０によって第２リード端子４２，４４，４５，４８の移動が抑制される。このため、第２リード端子４２，４８に接合された第２リード用ワイヤＷＤに力が加わりにくくなる。そして、第２リード端子４２，４８に接合された第２リード用ワイヤＷＤにセキュリティボンドを形成する必要がなくなるため、製造工程を簡素化できる。したがって、信号伝達装置１０の製造コストの低減を図ることができる。
　＜第５実施形態＞
　図３８を参照して、第５実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第５実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの構成が異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる構成について詳細に説明し、第１実施形態と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　第５実施形態の第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂは、第１実施形態と比較して、第１ダイパッド３０および第３ダイパッド５０Ｂの形状が異なる。より詳細には、第５実施形態の第１ダイパッド３０の第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さが第１実施形態よりも長い。第５実施形態の第３ダイパッド５０Ｂの第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さが第１実施形態よりも長い。
　平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さは、第１先端側湾曲面３５Ａ（図７参照）の弧の長さよりも長い。平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さは、第３ダイパッド５０Ｂの第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さよりも長い。また、平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの曲率半径は、第１先端側湾曲面３５Ａの曲率半径よりも大きいともいえる。平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの曲率半径は、第３ダイパッド５０Ｂの第１先端側湾曲面５５ＢＡの曲率半径よりも大きいといえる。
　一例では、平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さは、第１先端側湾曲面３５Ａの弧の長さの２倍以上である。一例では、平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さは、第３ダイパッド５０Ｂの第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さの２倍以上である。
　平面視において、第３ダイパッド５０Ｂの第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さは、第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さよりも長い。また、平面視において、第２先端側湾曲面５５ＢＢの曲率半径は、第１先端側湾曲面５５ＢＡの曲率半径よりも大きいといえる。
　一例では、平面視において、第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さは、第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さの２倍以上である。一例では、平面視において、第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さは、第１ダイパッド３０の第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さと等しい。
　なお、平面視における第１ダイパッド３０の第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さと、第３ダイパッド５０Ｂの第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さとの各々は任意に変更可能である。一例では、平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さは、第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さよりも長くてもよい。
　［効果］
　第５実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（５－１）第１ダイパッド３０は、第１先端面３１と第１側面３３との間に形成された第１先端側湾曲面３５Ａと、第１先端面３１と第２側面３４との間に形成された第２先端側湾曲面３５Ｂと、を有する。平面視において、第２先端側湾曲面３５Ｂの弧の長さは、第１先端側湾曲面３５Ａの弧の長さよりも長い。
　この構成によれば、第２先端側湾曲面３５Ｂによって第１ダイパッド３０のうち第３ダイパッド５０Ｂに近い先端部におけるコーナ部分の電界集中を緩和できる。これにより、第１ダイパッド３０と第３ダイパッド５０Ｂとの間の絶縁破壊を回避できるため、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　（５－２）第３ダイパッド５０Ｂは、ダイパッド対向面５１Ｂと第５側面５３Ｂとの間に形成された第１先端側湾曲面５５ＢＡと、ダイパッド対向面５１Ｂと第６側面５４Ｂとの間に形成された第２先端側湾曲面５５ＢＢと、を有する。平面視において、第２先端側湾曲面５５ＢＢの弧の長さは、第１先端側湾曲面５５ＢＡの弧の長さよりも長い。
　この構成によれば、第２先端側湾曲面５５ＢＢによって第３ダイパッド５０Ｂのうち第１ダイパッド３０に近い先端部におけるコーナ部分の電界集中を緩和できる。これにより、第１ダイパッド３０と第３ダイパッド５０Ｂとの間の絶縁破壊を回避できるため、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　＜第６実施形態＞
　図３９～図４８を参照して、第６実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第６実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１チップ６０、第２チップ７０、および第３チップ８０の各々の構成が主に異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる構成について詳細に説明し、第１実施形態と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　図３９は第１ダイパッド３０および第１チップ６０をＸＺ平面で切断した概略断面構造を示し、図４０は第１ダイパッド３０および第１チップ６０をＹＺ平面で切断した概略断面構造を示している。このため、図３９および図４０の断面構造では、ワイヤＷＡ～ＷＣおよび封止樹脂９０を省略している。
　図３９および図４０に示すように、第１チップ６０の基板１３０は、基板表面１３１と基板裏面１３２とを繋ぐ第１～第４基板側面１３３～１３６を有する。第１基板側面１３３は第１チップ６０の第１チップ側面６３の一部を構成し、第２基板側面１３４は第２チップ側面６４の一部を構成し、第３基板側面１３５は第３チップ側面６５の一部を構成し、第４基板側面１３６は第４チップ側面６６の一部を構成している。
　基板１３０は、段差部１３９によって第１部分１３７および第２部分１３８に区分できる。第１部分１３７は、基板１３０のうち第１ダイパッド３０寄りの部分である。第２部分１３８は、第１部分１３７上に設けられた部分である。図３９および図４０に示すとおり、段差部１３９は、基板１３０の全周にわたり形成されている。
　一例では、第１部分１３７の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）は、第２部分１３８の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）よりも大きい。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法の２倍以上である。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法の３倍以上である。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法の４倍以下である。
　図３９および図４０に示すように、第１導電性接合材ＳＤ１は、第１部分１３７と第１ダイパッド３０とのＺ方向の間に介在するとともに、Ｚ方向と直交する方向において第１チップ６０からはみ出した部分を有する。このはみ出した部分は、第１部分１３７との間において第１フィレットＳＤＡを形成している。第１フィレットＳＤＡは、段差部１３９によって第２部分１３８には形成されていない。図３９および図４０に示す例においては、第１フィレットＳＤＡは、Ｚ方向において第１部分１３７の全体にわたり形成されている。
　なお、第１フィレットＳＤＡの高さ寸法（Ｚ方向の大きさ）は段差部１３９よりも低い範囲において任意に変更可能である。一例では、第１フィレットＳＤＡの高さ寸法は、第１部分１３７の厚さ寸法の１／２程度であってもよい。
　また、第１チップ６０における段差部１３９のＺ方向の位置は任意に変更可能である。つまり、第１部分１３７の厚さ寸法と第２部分１３８の厚さ寸法との関係は任意に変更可能である。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法と等しくてもよい。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法の１／２以下である。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法の１／３以下である。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第２部分１３８の厚さ寸法の１／４以上である。一例では、第１部分１３７の厚さ寸法は、第１チップ６０の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）の１／４以上３／４以下である。
　段差部１３９の幅Ｈ１は、第１～第４基板側面１３３～１３６において互いに等しい。段差部１３９の幅Ｈ１は、たとえば３μｍ程度である。ここで、段差部１３９の幅Ｈ１は、たとえば第１基板側面１３３における第１部分１３７に対応する部分と第２部分１３８に対応する部分との間の距離によって定義できる。
　図４１は第２ダイパッド５０Ａおよび第２チップ７０をＸＺ平面で切断した概略断面構造を示し、図４２は第２ダイパッド５０Ａおよび第２チップ７０をＹＺ平面で切断した概略断面構造を示している。このため、図４１および図４２の断面構造では、ワイヤＷＤ，ＷＥおよび封止樹脂９０を省略している。
　図４１および図４２に示すように、第２ダイパッド５０Ａに実装された第２チップ７０は、基板２３０を備える。
　基板２３０は、たとえば半導体基板によって形成されている。基板２３０は、シリコンを含む材料によって形成された半導体基板である。なお、基板２３０は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられていてもよい。また、基板２３０は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料によって形成された絶縁基板、またはアルミナ等のセラミックスを含む材料によって形成された絶縁基板が用いられていてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化シリコン、窒化ガリウム、および酸化ガリウムのいずれか１つであってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、およびヒ化ガリウムのうち少なくとも１つを含んでもよい。
　第２チップ７０の基板２３０は、基板表面２３１と基板裏面２３２とを繋ぐ第１～第４基板側面２３３～２３６を有する。第１基板側面２３３は第２チップ７０の第１チップ側面７３の一部を構成し、第２基板側面２３４は第２チップ側面７４の一部を構成し、第３基板側面２３５は第３チップ側面７５の一部を構成し、第４基板側面２３６は第４チップ側面７６の一部を構成している。
　基板２３０は、段差部２３９によって第１部分２３７および第２部分２３８に区分できる。第１部分２３７は、基板２３０のうち第２ダイパッド５０Ａ寄りの部分である。第２部分２３８は、第１部分２３７上に設けられた部分である。図４１および図４２に示すとおり、段差部２３９は、基板２３０の全周にわたり形成されている。
　一例では、第１部分２３７の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）は、第２部分２３８の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）よりも大きい。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法の２倍以上である。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法の３倍以上である。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法の４倍以下である。
　図４１および図４２に示すように、第２導電性接合材ＳＤ２は、第１部分２３７と第２ダイパッド５０ＡとのＺ方向の間に介在するとともに、Ｚ方向と直交する方向において第２チップ７０からはみ出した部分を有する。このはみ出した部分は、第１部分２３７との間において第２フィレットＳＤＢを形成している。第２フィレットＳＤＢは、段差部２３９によって第２部分２３８には形成されていない。図４１および図４２に示す例においては、第２フィレットＳＤＢは、Ｚ方向において第１部分２３７の全体にわたり形成されている。
　なお、第２フィレットＳＤＢの高さ寸法（Ｚ方向の大きさ）は段差部２３９よりも低い範囲において任意に変更可能である。一例では、第２フィレットＳＤＢの高さ寸法は、第１部分２３７の厚さ寸法の１／２程度であってもよい。
　また、第２チップ７０における段差部２３９のＺ方向の位置は任意に変更可能である。つまり、第１部分２３７の厚さ寸法と第２部分２３８の厚さ寸法との関係は任意に変更可能である。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法と等しくてもよい。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法の１／２以下である。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法の１／３以下である。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２部分２３８の厚さ寸法の１／４以上である。一例では、第１部分２３７の厚さ寸法は、第２チップ７０の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）の１／４以上３／４以下である。
　段差部２３９の幅Ｈ２は、第１～第４基板側面２３３～２３６において互いに等しい。段差部２３９の幅Ｈ２は、たとえば３μｍ程度である。ここで、段差部２３９の幅Ｈ２は、たとえば第１基板側面２３３における第１部分２３７に対応する部分と第２部分２３８に対応する部分との間の距離によって定義できる。
　図４３は第３ダイパッド５０Ｂおよび第３チップ８０をＸＺ平面で切断した概略断面構造を示し、図４４は第３ダイパッド５０Ｂおよび第３チップ８０をＹＺ平面で切断した概略断面構造を示している。このため、図４３および図４４の断面構造では、ワイヤＷＤ，ＷＦおよび封止樹脂９０を省略している。
　図４３および図４４に示すように、第３ダイパッド５０Ｂに実装された第３チップ８０は、基板３３０を備える。
　基板３３０は、たとえば半導体基板によって形成されている。基板３３０は、シリコンを含む材料によって形成された半導体基板である。なお、基板３３０は、半導体基板として、ワイドバンドギャップ半導体または化合物半導体が用いられていてもよい。また、基板３３０は、半導体基板に代えて、ガラスを含む材料によって形成された絶縁基板、またはアルミナ等のセラミックスを含む材料によって形成された絶縁基板が用いられていてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体基板である。ワイドバンドギャップ半導体は、炭化シリコン、窒化ガリウム、および酸化ガリウムのいずれか１つであってもよい。化合物半導体は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、窒化アルミニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、およびヒ化ガリウムのうち少なくとも１つを含んでもよい。
　第３チップ８０の基板３３０は、基板表面３３１と基板裏面３３２とを繋ぐ第１～第４基板側面３３３～３３６を有する。第１基板側面３３３は第３チップ８０の第１チップ側面８３の一部を構成し、第２基板側面３３４は第２チップ側面８４の一部を構成し、第３基板側面３３５は第３チップ側面８５の一部を構成し、第４基板側面３３６は第４チップ側面８６の一部を構成している。
　基板３３０は、段差部３３９によって第１部分３３７および第２部分３３８に区分できる。第１部分３３７は、基板３３０のうち第３ダイパッド５０Ｂ寄りの部分である。第２部分３３８は、第１部分３３７上に設けられた部分である。図４３および図４４に示すとおり、段差部３３９は、基板３３０の全周にわたり形成されている。
　一例では、第１部分３３７の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）は、第２部分３３８の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）よりも大きい。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法の２倍以上である。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法の３倍以上である。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法の４倍以下である。
　図４３および図４４に示すように、第３導電性接合材ＳＤ３は、第１部分３３７と第３ダイパッド５０ＢとのＺ方向の間に介在するとともに、Ｚ方向と直交する方向において第３チップ８０からはみ出した部分を有する。このはみ出した部分は、第１部分３３７との間において第３フィレットＳＤＣを形成している。第３フィレットＳＤＣは、段差部３３９によって第２部分３３８には形成されていない。図４３および図４４に示す例においては、第３フィレットＳＤＣは、Ｚ方向において第１部分３３７の全体にわたり形成されている。
　なお、第３フィレットＳＤＣの高さ寸法（Ｚ方向の大きさ）は段差部３３９よりも低い範囲において任意に変更可能である。一例では、第３フィレットＳＤＣの高さ寸法は、第１部分３３７の厚さ寸法の１／２程度であってもよい。
　また、第３チップ８０における段差部３３９のＺ方向の位置は任意に変更可能である。つまり、第１部分３３７の厚さ寸法と第２部分３３８の厚さ寸法との関係は任意に変更可能である。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法と等しくてもよい。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法の１／２以下である。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法の１／３以下である。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第２部分３３８の厚さ寸法の１／４以上である。一例では、第１部分３３７の厚さ寸法は、第３チップ８０の厚さ寸法（Ｚ方向の大きさ）の１／４以上３／４以下である。
　段差部３３９の幅Ｈ３は、第１～第４基板側面３３３～３３６において互いに等しい。段差部３３９の幅Ｈ３は、たとえば３μｍ程度である。ここで、段差部３３９の幅Ｈ３は、たとえば第１基板側面３３３における第１部分３３７に対応する部分と第２部分３３８に対応する部分との間の距離によって定義できる。
　上述のとおり、段差部１３９，２３９，３３９のＺ方向の位置は、第１チップ６０、第２チップ７０、および第３チップ８０において個別に決められているため、第１ダイパッド３０と段差部１３９とのＺ方向の間の距離、第２ダイパッド５０Ａと段差部２３９とのＺ方向の間の距離、および第３ダイパッド５０Ｂと段差部３３９とのＺ方向の間の距離は、互いに異なる場合がある。
　また、第１チップ６０の第１部分１３７の厚さ寸法に対する第２部分１３８の厚さ寸法の比率、第２チップ７０の第１部分２３７の厚さ寸法に対する第２部分２３８の厚さ寸法の比率、第３チップ８０の第１部分３３７の厚さ寸法に対する第２部分３３８の厚さ寸法の比率は、異なる場合がある。一例では、第１チップ６０の第１部分１３７の厚さ寸法に対する第２部分１３８の厚さ寸法の比率が１／３であり、第２チップ７０の第１部分２３７の厚さ寸法に対する第２部分２３８の厚さ寸法の比率および第３チップ８０の第１部分３３７の厚さ寸法に対する第２部分３３８の厚さ寸法の比率の双方が１であってもよい。
　［第１チップの製造方法］
　図４５～図４８を参照して、第１チップ６０の製造工程の一例について説明する。
　第１チップ６０の製造方法は、基板８３０を用意する工程と、基板８３０上に素子絶縁層８５０を形成する工程と、パッシベーション膜８６１を形成する工程と、保護膜８６２を形成する工程と、個片化する工程と、を含む。以下、各工程の概要について説明する。なお、図４５～図４８では、第１チップ６０の概略断面構造を示している。図４６～図４８では、図面の理解を容易にするため、パッシベーション膜８６１および保護膜８６２のハッチング線を省略している。また、第２チップ７０および第３チップ８０についても第１チップ６０と同様に製造されるため、第２チップ７０および第３チップ８０の製造工程の一例の説明を省略する。
　図４５に示すように、基板８３０を用意する工程では、複数の基板１３０（図３９参照）を含む基板８３０が用意される。ここで、基板８３０のうち複数の基板１３０の各々に対応した領域には、図１６に示す第１送信部５０１、第２送信部５０２、ロジック部５０３、ＬＤＯ部５０４、ＵＶＬＯ部５０５、遅延部５０６、シュミットトリガ５０７，５０８、および抵抗５０９，５１０が形成されている。
　図４６に示すように、基板８３０上に素子絶縁層８５０を形成する工程では、たとえばＣＶＤ法によって基板８３０の基板表面８３１にＳｉＯ２膜が積層される。ＳｉＯ２膜は、素子絶縁層８５０を構成する膜である。素子絶縁層８５０は、たとえば複数のＳｉＯ２膜の積層構造によって構成されている。
　また、図示していないが、基板８３０上に素子絶縁層８５０を形成する工程の途中に、たとえばスパッタ法およびエッチングによって第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂを形成する工程が実施される。そして、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂを形成する工程が実施された後、基板８３０上に素子絶縁層８５０を形成する工程が再び実施される。
　図示していないが、素子絶縁層８５０が形成された後、スパッタ法およびエッチングによって第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａおよび第１～第３電極パッド６７～６９を形成する工程が実施される。
　続いて、パッシベーション膜８６１を形成する工程では、たとえばＣＶＤ法によって素子絶縁層８５０上にパッシベーション膜８６１が形成される。パッシベーション膜８６１は、図示していないが、第２～第４表面側コイル１１２Ａ～１１４Ａ、および第１～第３電極パッド６７～６９も覆っている。
　続いて、保護膜８６２を形成する工程では、パッシベーション膜８６１上にたとえばＣＶＤ法によって保護膜８６２が形成される。保護膜８６２は、たとえばパッシベーション膜８６１の表面全体にわたり形成されている。
　続いて、図示していないが、保護膜８６２およびパッシベーション膜８６１の双方における第１～第３電極パッド６７～６９の各々の一部と重なる位置にたとえばエッチングによって開口部を形成する。これにより、第１～第３電極パッド６７～６９の一部は、保護膜８６２およびパッシベーション膜８６１の双方からＺ方向に露出する。
　図４７および図４８に示すように、個片化する工程は、第１ダイシング工程と、第２ダイシング工程と、を含む。
　図４７に示すように、第１ダイシング工程では、まず、基板８３０がダイシングテープＤＴに設置される。基板８３０の基板裏面８３２がダイシングテープＤＴに接している。続いて、第１ダイシングブレードＤＢ１によって、保護膜８６２、パッシベーション膜８６１、および素子絶縁層８５０が切断されるとともに、基板８３０のＺ方向の一部が切削される。これにより、基板８３０には凹部８３３が形成される。
　続いて、図４８に示すように、第２ダイシング工程では、第２ダイシングブレードＤＢ２によって、基板８３０が切断される。第２ダイシングブレードＤＢ２は、第１ダイシングブレードＤＢ１よりも幅が狭いブレードである。第２ダイシングブレードＤＢ２は、基板８３０の凹部８３３から基板８３０を切断する。これにより、基板８３０には段差部８３９が形成される。その後、ダイシングテープＤＴが除去される。以上の工程を経て、第１チップ６０が製造される。
　［効果］
　第６実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（６－１）第１チップ６０の基板１３０は、基板裏面１３２を含む第１部分１３７と、第１部分１３７上に設けられた第２部分１３８と、第１部分１３７に対して第２部分１３８が基板１３０の内側に位置するように形成された段差部１３９と、を有する。
　この構成によれば、第１導電性接合材ＳＤ１によって第１チップ６０が第１ダイパッド３０に実装された際に、段差部１３９によって第１導電性接合材ＳＤ１が第１チップ６０のチップ表面６１まで這い上がることを抑制できる。
　（６－２）第２チップ７０の基板２３０は、基板裏面２３２を含む第１部分２３７と、第１部分２３７上に設けられた第２部分２３８と、第１部分２３７に対して第２部分２３８が基板２３０の内側に位置するように形成された段差部２３９と、を有する。
　この構成によれば、第２導電性接合材ＳＤ２によって第２チップ７０が第２ダイパッド５０Ａに実装された際に、段差部２３９によって第２導電性接合材ＳＤ２が第２チップ７０のチップ表面７１まで這い上がることを抑制できる。
　（６－３）第３チップ８０の基板３３０は、基板裏面３３２を含む第１部分３３７と、第１部分３３７上に設けられた第２部分３３８と、第１部分３３７に対して第２部分３３８が基板３３０の内側に位置するように形成された段差部３３９と、を有する。
　この構成によれば、第３導電性接合材ＳＤ３によって第３チップ８０が第３ダイパッド５０Ｂに実装された際に、段差部３３９によって第３導電性接合材ＳＤ３が第３チップ８０のチップ表面８１まで這い上がることを抑制できる。
　＜第７実施形態＞
　図４９を参照して、第７実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第７実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、導電部材１０Ｄ，１０Ｅが省略された点が異なる。以下の説明では、第１実施形態と異なる構成について詳細に説明し、第１実施形態と共通の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　図４９に示すように、信号伝達装置１０は、導電部材１０Ｄ，１０Ｅ（図７参照）を備えていない。このため、封止樹脂９０の第３封止側面９５から導電部材１０Ｄが露出していない。また、封止樹脂９０の第４封止側面９６から導電部材１０Ｅが露出していない。このように、第３封止側面９５および第４封止側面９６の双方は、封止樹脂９０を構成する樹脂材料のみによって構成されている。
　また、導電部材１０Ｄ，１０Ｅが省略されたことにともない、第３封止側面９５から凹部９５Ｄ（図７参照）が省略され、第４封止側面９６から凹部９６Ｄ（図７参照）が省略されている。つまり、第３封止側面９５のうち第３表面側側面９５Ａと第３裏面側側面９５Ｂとの間の部分は、Ｘ方向の全体にわたりＸＺ平面に沿った平坦面が形成されている。第４封止側面９６のうち第４表面側側面９６Ａと第４裏面側側面９６Ｂとの間の部分は、Ｘ方向の全体にわたりＸＺ平面に沿った平坦面が形成されている。
　［効果］
　第７実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（７－１）封止樹脂９０の第３封止側面９５および第４封止側面９６の双方は、導電部材が露出することなく封止樹脂９０のみで構成されている。
　この構成によれば、第３封止側面９５および第４封止側面９６の少なくとも一方に導電部材が露出する構成と比較して、静電気等が導電部材を介して封止樹脂９０内に進入することを抑制できる。また、導電部材が露出していないことによって第１リード端子１１～１８と第２リード端子４１～４８との間の絶縁距離を大きくとることができる。したがって、信号伝達装置１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　＜第８実施形態＞
　図５０を参照して、第８実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第８実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第２フレーム１０Ｂの構成が主に異なる。以下では、第２フレーム１０Ｂの構成について第１実施形態と異なる点を詳細に説明する。また、第１実施形態と共通の構成要素には、同一符号を付し、その説明を省略する。
　図５０に示すように、第２フレーム１０Ｂは、第２リード端子４４，４５を備えていない。換言すると、第２フレーム１０Ｂは、第２リード端子４１～４３，４６～４８を備える。これにより、第２リード端子４３の第２アウターリード部４３Ｂと第２リード端子４６の第２アウターリード部４６ＢとのＹ方向の間の距離が大きくなる。つまり、第２チップ７０と電気的に接続される第２リード端子４３の第２アウターリード部４３Ｂと、第３チップ８０と電気的に接続される第２リード端子４６の第２アウターリード部４６ＢとのＹ方向の間の距離が大きくなる。
　このように、第２フレーム１０Ｂは、第２チップ７０に電気的に接続される複数の第２リード端子４１～４３と、第３チップ８０に電気的に接続される複数の第２リード端子４６～４８と、を備える。第２チップ７０に電気的に接続される第２リード端子４１～４３のうち第３チップ８０に電気的に接続される第２リード端子４６～４８に最も近い第２リード端子４３の第２アウターリード部４３Ｂと、第３チップ８０に電気的に接続される第２リード端子４６～４８のうち第２チップ７０に電気的に接続される第２リード端子４１～４３に最も近い第２リード端子４６の第２アウターリード部４６ＢとのＹ方向の間の距離は、第２チップ７０に電気的に接続される第２リード端子４１～４３のうちＹ方向に隣り合う第２リード端子の第２アウターリード部間の距離よりも大きい。
　また、第２チップ７０に電気的に接続される第２リード端子４１～４３のうち第３チップ８０に電気的に接続される第２リード端子４６～４８に最も近い第２リード端子４３の第２アウターリード部４３Ｂと、第３チップ８０に電気的に接続される第２リード端子４６～４８のうち第２チップ７０に電気的に接続される第２リード端子４１～４３に最も近い第２リード端子４６の第２アウターリード部４６ＢとのＹ方向の間の距離は、第３チップ８０に電気的に接続される第２リード端子４６～４８のうちＹ方向に隣り合う第２リード端子の第２アウターリード部間の距離よりも大きい。
　［効果］
　第８実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（８－１）第２チップ７０に電気的に接続される複数の第２リード端子４１～４３と、第３チップ８０に電気的に接続される複数の第２リード端子４６～４８との最短距離として、第２リード端子４３と第２リード端子４６とのＹ方向の間の距離は、第２チップ７０に電気的に接続される複数の第２リード端子４１～４３のうちＹ方向に隣り合う第２リード端子４１と第２リード端子４２との間の距離よりも大きい。
　この構成によれば、第２チップ７０に電気的に接続される第２リード端子と、第３チップ８０に電気的に接続される第２リード端子との間の沿面距離を大きくとることができる。したがって、第２チップ７０と第３チップ８０との間の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　＜第９実施形態＞
　図５１および図５２を参照して、第９実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第９実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの構成が異なる。以下では、第１フレーム１０Ａおよび第２フレーム１０Ｂの構成について第１実施形態と異なる点を詳細に説明する。また、第１実施形態と共通の構成要素には、同一符号を付し、その説明を省略する。
　図５１に示すように、第９実施形態では、第１ダイパッド３０から接続部３９が省略されている。また、第１リード端子１４の第１インナーリード部１４Ａの形状が第１実施形態に対して異なる。より詳細には、第１インナーリード部１４Ａは、第１アウターリード接続部１４ＡＢ１と、第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２と、を含む。
　第１アウターリード接続部１４ＡＢ１は、第１アウターリード部１４Ｂに接続する部分であり、Ｘ方向に沿って延びている。第１アウターリード部１４Ｂは、第１実施形態と同様に、第１ダイパッド３０の重心Ｇ１に対してＹ方向において第３封止側面９５寄りにずれて配置されている。このため、第１アウターリード接続部１４ＡＢ１は、第１ダイパッド３０に対してＹ方向において第４封止側面９６寄りにずれて配置されている。
　第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２は、第１アウターリード接続部１４ＡＢ１と第１ダイパッド３０とを接続する部分である。第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２は、第１ダイパッド３０の４つのコーナ部分のうち第１封止側面９３かつ第３封止側面９５寄りのコーナ部分に接続されている。第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２は、第１封止側面９３から第２封止側面９４に向かうにつれて第４封止側面９６から第３封止側面９５に向けて斜めに一直線状に延びている。より詳細には、平面視において、図５１の第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２における矢印によって示されるように、第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２が延びる方向は、図５１の第１ダイパッド３０の重心Ｇ１に向かっている。つまり、平面視において、第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２は、第１ダイパッド３０の重心Ｇ１に向けて延びている。
　図５２に示すように、第９実施形態では、第３ダイパッド５０Ｂから接続部５９Ｂが省略されている。また、第２リード端子４６の第２インナーリード部４６Ａの形状が第１実施形態に対して異なる。より詳細には、第２インナーリード部４６Ａは、第２アウターリード接続部４６ＡＢ１と、第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２と、を含む。
　第２アウターリード接続部４６ＡＢ１は、第２アウターリード部４６Ｂに接続する部分であり、Ｘ方向に沿って延びている。第２アウターリード部４６Ｂは、第１実施形態と同様に、第３ダイパッド５０Ｂの重心Ｇ２に対してＹ方向において第４封止側面９６寄りにずれて配置されている。このため、第２アウターリード接続部４６ＡＢ１は、第３ダイパッド５０Ｂに対してＹ方向において第４封止側面９６寄りにずれて配置されている。
　第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２は、第２アウターリード接続部４６ＡＢ１と第３ダイパッド５０Ｂとを接続する部分である。第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２は、第３ダイパッド５０Ｂの４つのコーナ部分のうち第２封止側面９４かつ第４封止側面９６寄りのコーナ部分に接続されている。第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２は、第２封止側面９４から第１封止側面９３に向かうにつれて第４封止側面９６から第３封止側面９５に向けて斜めに一直線状に延びている。より詳細には、平面視において、図５２の第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２における矢印によって示されるように、第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２が延びる方向は、図５２の第３ダイパッド５０Ｂの重心Ｇ２に向かっている。つまり、平面視において、第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２は、第３ダイパッド５０Ｂの重心Ｇ２に向けて延びている。
　［効果］
　第９実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（９－１）第１リード端子１４は、第１ダイパッド３０の重心Ｇ１に対してＹ方向にずれて配置された第１アウターリード接続部１４ＡＢ１と、第１ダイパッド３０に接続された第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２と、を含む。第１ダイパッド接続部１４ＡＢ２は、平面視において第１アウターリード接続部１４ＡＢ１から第１ダイパッド３０の重心Ｇ１に向けて斜めに一直線状に延びている。
　この構成によれば、第１アウターリード部１４Ｂに対する第１インナーリード部１４Ａおよび第１ダイパッド３０の変形量を低減できる。したがって、第１ダイパッド３０の変形に起因してチップ間ワイヤＷＡおよび第１リード用ワイヤＷＢに力が加えられることを抑制できる。
　（９－２）第２リード端子４６は、第３ダイパッド５０Ｂの重心Ｇ２に対してＹ方向にずれて配置された第２アウターリード接続部４６ＡＢ１と、第３ダイパッド５０Ｂに接続された第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２と、を含む。第２ダイパッド接続部４６ＡＢ２は、平面視において第２アウターリード接続部４６ＡＢ１から第３ダイパッド５０Ｂの重心Ｇ２に向けて斜めに一直線状に延びている。
　この構成によれば、第２アウターリード部４６Ｂに対する第２インナーリード部４６Ａおよび第３ダイパッド５０Ｂの変形量を低減できる。したがって、第３ダイパッド５０Ｂの変形に起因してチップ間ワイヤＷＡおよび第２リード用ワイヤＷＤに力が加えられることを抑制できる。
　＜第１０実施形態＞
　図５３～図５７を参照して、第１０実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第１０実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１チップ６０の構成が異なる。以下では、第１チップ６０の構成について第１実施形態と異なる点を詳細に説明する。また、第１実施形態と共通の構成要素には、同一符号を付し、その説明を省略する。
　図５３に示すように、素子絶縁層１５０の層表面１５１上にパッシベーション膜１６１が形成されている一方、層表面１５１上に複数の第１電極パッド６７は形成されていない。つまり、パッシベーション膜１６１は層表面１５１に接しており、複数の第１電極パッド６７は層表面１５１からＺ方向に離隔して配置されている。パッシベーション膜１６１は、素子絶縁層１５０の層表面１５１の全体にわたり形成されている。
　第１チップ６０は、パッシベーション膜１６１上に形成された第１有機絶縁層１９１と、第１有機絶縁層１９１上に形成された第２有機絶縁層１９２と、をさらに備える。ここで、第１有機絶縁層１９１は「第１樹脂層」に対応しており、第２有機絶縁層１９２は「第２樹脂層」に対応している。
　第１有機絶縁層１９１および第２有機絶縁層１９２の双方は、素子絶縁層１５０とは異なる比誘電率を有する絶縁材料によって形成されている。第１有機絶縁層１９１および第２有機絶縁層１９２の双方は、ポリイミド、フェノール樹脂、およびエポキシ樹脂のうち少なくとも１つを含んでいてよい。第１有機絶縁層１９１および第２有機絶縁層１９２は、互いに同じ樹脂材料によって形成されてもよいし、互いに異なる樹脂材料によって形成されていてもよい。
　第１表面側コイル１１１Ａおよび複数の第１電極パッド６７は、第１有機絶縁層１９１上に形成されている。つまり、第１表面側コイル１１１Ａおよび複数の第１電極パッド６７の双方は、素子絶縁層１５０の外部に設けられている。第１表面側コイル１１１Ａおよび複数の第１電極パッド６７の双方は、素子絶縁層１５０からＺ方向に離隔して配置されているともいえる。第１表面側コイル１１１Ａおよび複数の第１電極パッド６７は、Ｚ方向において互いに同じ位置に設けられている。なお、図示していないが、第２～第４表面側コイル１１２Ａ～１１４Ａも第１有機絶縁層１９１上に形成されている。このように、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａは「表面側コイル」に対応している。
　第１表面側コイル１１１Ａおよび複数の第１電極パッド６７は、第２有機絶縁層１９２によって覆われている。第２有機絶縁層１９２は、各第１電極パッド６７の表面の一部をＺ方向に露出する開口部１９２Ａを有する。第２有機絶縁層１９２は、第１チップ６０を保護する保護膜であり、チップ表面６１を構成している。
　図５４に示すように、第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０のコイル裏面１７２は、第１有機絶縁層１９１に接している。第１表面側コイル１１１Ａは、第１有機絶縁層１９１および第２有機絶縁層１９２によって覆われている。第２有機絶縁層１９２は、導線１７０のコイル表面１７１および一対のコイル側面１７３と接している。第１表面側コイル１１１ＡのＹ方向に隣り合う導線１７０の間には、第２有機絶縁層１９２が介在している。
　第２有機絶縁層１９２の厚さは、素子絶縁層１５０の厚さよりも薄い。第２有機絶縁層１９２の厚さは、第１裏面側コイル１１１Ｂのコイル層１１１ＢＡにおける導線１８０のコイル表面１８１と素子絶縁層１５０の層表面１５１とのＺ方向の間の距離よりも薄い。第２有機絶縁層１９２の厚さは、導線１８０の厚さよりも厚い。第２有機絶縁層１９２の厚さは、導線１７０の厚さよりも厚い。第２有機絶縁層１９２の厚さは、第１電極パッド６７Ａの厚さ（第１電極パッド６７ＡのＺ方向の大きさ）よりも厚い。
　第１裏面側コイル１１１Ｂは、第１実施形態と同様に、素子絶縁層１５０内に埋め込まれている。第１裏面側コイル１１１Ｂは、素子絶縁層１５０の層裏面１５２寄りに配置されている。なお、図示していないが、第２～第４裏面側コイル１１２Ｂ～１１４Ｂも素子絶縁層１５０内に埋め込まれている。ここで、第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂは「裏面側コイル」に対応している。
　このように、第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間には、素子絶縁層１５０と第１有機絶縁層１９１との両方が介在している。つまり、第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間には、無機絶縁層および有機絶縁層の双方が介在している。図５４の例においては、第１表面側コイル１１１Ａと第１裏面側コイル１１１ＢとのＺ方向の間には、素子絶縁層１５０、パッシベーション膜１６１、および第１有機絶縁層１９１の３つの異なる層が介在している。
　図示していないが、表面側ガードリング１１５（図１７参照）は、第１有機絶縁層１９１上に形成されている。つまり、表面側ガードリング１１５は、第１表面側コイル１１１Ａおよび第１電極パッド６７ＡとＺ方向において同じ位置に設けられている。一例では、ビア１１７は、第１部分と、第２部分と、第３部分との積層構造によって構成されている。第１部分は、裏面側ガードリング１１６（図１９参照）から素子絶縁層１５０の層表面１５１までをＺ方向に貫通している。第１部分は、裏面側ガードリング１１６と接している。第２部分は、パッシベーション膜１６１をＺ方向に貫通して第１部分と接続するとともにパッシベーション膜１６１上に形成されている。第２部分は、第１有機絶縁層１９１によって覆われている。第３部分は、第１有機絶縁層１９１のうち第２部分を覆う部分をＺ方向に貫通して第２部分と表面側ガードリング１１５との双方に接続している。
　なお、図５３および図５４の例では、第１チップ６０は、第１有機絶縁層１９１および第２有機絶縁層１９２の２層の積層構造であったが、これに限られない。第１チップ６０は、３層以上の有機絶縁層が積層された構造であってもよい。
　［第１チップの製造方法］
　図５５～図５７を用いて、第１チップ６０の製造方法、特に第１表面側コイル１１１Ａの製造方法について説明する。図５５～図５７では、素子絶縁層１５０に第１表面側コイル１１１Ａの一部が形成される工程を主に示している。
　図示していないが、第１チップ６０の製造方法は、基板８３０を用意する工程と、基板８３０上に素子絶縁層８５０を形成する工程と、素子絶縁層８５０に第１裏面側コイル１１１Ｂを形成する工程と、素子絶縁層８５０上にパッシベーション膜８６１を形成する工程と、を含む。なお、第２～第４裏面側コイル１１２Ｂ～１１４Ｂは、第１裏面側コイル１１１Ｂが形成される工程と同時に形成される。
　ここで、基板８３０は、複数の基板１３０（図５４参照）を構成する基板である。素子絶縁層８５０は、複数の基板１３０に対応する領域にわたり形成されている。素子絶縁層８５０は、第１チップ６０の素子絶縁層１５０に対応している。パッシベーション膜８６１は、素子絶縁層８５０の層表面の全面にわたり形成されている。パッシベーション膜８６１は、第１チップ６０のパッシベーション膜１６１（図５４参照）に対応している。
　図５５に示すように、第１チップ６０の製造方法は、第１有機絶縁層８９１を形成する工程を含む。より詳細には、たとえばスピンコート法によってパッシベーション膜８６１上に第１有機絶縁層８９１が形成される。第１有機絶縁層８９１は、ポリイミド、フェノール樹脂、およびエポキシ樹脂のうち少なくとも１つを含んでいてよい。第１有機絶縁層８９１は、第１チップ６０の第１有機絶縁層１９１と対応している。
　図５６に示すように、第１チップ６０の製造方法は、第１表面側コイル１１１Ａおよび第１電極パッド６７Ａを形成する工程を含む。より詳細には、第１有機絶縁層１９１上には、たとえばスパッタ法によって第１表面側コイル１１１Ａおよび第１電極パッド６７Ａを構成するバリア層（図示略）が形成される。ここで、バリア層は、導線１７０および第１電極パッド６７をめっき成長させるためのベース導電層である。バリア層は、たとえばチタン、窒化チタン、タンタル、および窒化タンタルのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。続いて、たとえばリソグラフィおよびエッチングによって第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０および第１電極パッド６７が形成される位置以外のバリア層を除去する。続いて、バリア層上に導線１７０および第１電極パッド６７を構成する導電材料をめっき成長させる。導電材料としては、たとえば銅が用いられる。以上の工程を経て、第１表面側コイル１１１Ａおよび第１電極パッド６７が製造される。なお、図示していないが、第２～第４表面側コイル１１２Ａ～１１４Ａおよび他の第１電極パッド６７は、この工程と同時に製造される。
　図５７に示すように、第１チップ６０の製造方法は、第２有機絶縁層８９２を形成する工程を含む。より詳細には、たとえばスピンコート法によって第１有機絶縁層８９１上に第２有機絶縁層８９２が形成される。第２有機絶縁層８９２は、第１表面側コイル１１１Ａおよび第１電極パッド６７を覆うように形成されている。なお、図示していないが、第２有機絶縁層８９２は、第２～第４表面側コイル１１２Ａ～１１４Ａおよび他の第１電極パッド６７を覆うように形成される。続いて、リソグラフィおよびエッチングによって第２有機絶縁層８９２には、第１電極パッド６７の一部をＺ方向に開口する開口部８９２Ａが形成される。なお、他の第１電極パッド６７の各々の一部をＺ方向に開口する開口部も同時に形成される。
　続いて、第１チップ６０の製造方法は、個片化工程を含む。個片化工程では、ダイシングによって、基板８３０、パッシベーション膜８６１、第１有機絶縁層８９１、および第２有機絶縁層８９２が切断される。以上の工程を経て、第１チップ６０が製造される。
　［効果］
　第１０実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１０－１）第１チップ６０は、素子絶縁層１５０上に設けられた第１有機絶縁層１９１と、第１有機絶縁層１９１上に設けられた第２有機絶縁層１９２と、を備える。第１トランス１１１は、第１有機絶縁層１９１上に配置され、第２有機絶縁層１９２によって覆われた第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａと、Ｚ方向において第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａと対向配置され、素子絶縁層１５０内に埋め込まれた第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂと、を含む。
　この構成によれば、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａと第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４ＢとのＺ方向の間の距離を第１有機絶縁層１９１の厚膜化によって大きくすることができる。つまり、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａと第１～第４裏面側コイル１１１Ｂ～１１４Ｂとの間の絶縁耐圧の向上を第１有機絶縁層１９１の厚膜化によって実現することができる。このため、素子絶縁層１５０を厚くするため、素子絶縁層１５０をたとえば窒化シリコン膜によって形成されたエッチングストッパ膜と酸化シリコン膜によって形成された層間絶縁膜とを１つずつ交互に複数積層した積層構造とする必要がなくなる。このため、素子絶縁層１５０の構成を簡素化できる。加えて、第１有機絶縁層１９１は、スピンコート法によって容易に厚膜化することができる。その結果、素子絶縁層１５０を厚くする場合と比較して、リードタイムを短縮することができるので、製造コストを低減することができる。
　＜第１１実施形態＞
　図５８を参照して、第１１実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第１１実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１チップ６０の構成が異なる。以下では、第１チップ６０の構成について第１実施形態と異なる点を詳細に説明する。また、第１実施形態と共通の構成要素には、同一符号を付し、その説明を省略する。
　図５８に示すように、第１１実施形態では、第１チップ６０は、パッシベーション膜１６１よりも比誘電率が低い低誘電層１９３を備える。低誘電層１９３は、パッシベーション膜１６１上に形成されている。第１１実施形態では、低誘電層１９３は、パッシベーション膜１６１の表面全体にわたり形成されている。低誘電層１９３は、パッシベーション膜１６１の表面と接している。低誘電層１９３は、パッシベーション膜１６１と封止樹脂９０とが接しないようにパッシベーション膜１６１と封止樹脂９０とのＺ方向の間に介在しているといえる。
　低誘電層１９３の厚さ（低誘電層１９３のＺ方向の大きさ）は、パッシベーション膜１６１の厚さ以下である。一例では、低誘電層１９３の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さよりも薄い。なお、低誘電層１９３の厚さは任意に変更可能である。一例では、低誘電層１９３の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さよりも厚くてもよい。
　保護膜１６２は、低誘電層１９３上に形成されている。保護膜１６２は、低誘電層１９３の表面と接している。つまり、低誘電層１９３は、パッシベーション膜１６１と保護膜１６２とによってＺ方向に挟み込まれている。保護膜１６２は、封止樹脂９０と接している。保護膜１６２の厚さは、低誘電層１９３の厚さよりも厚い。換言すると、低誘電層１９３の厚さは、保護膜１６２の厚さよりも薄い。
　次に、素子絶縁層１５０、パッシベーション膜１６１、低誘電層１９３、保護膜１６２、および封止樹脂９０の誘電率の関係について説明する。
　第１１実施形態では、素子絶縁層１５０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む材料によって形成されるため、素子絶縁層１５０の比誘電率は４．１程度である。パッシベーション膜１６１は窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む材料によって形成されるため、パッシベーション膜１６１の比誘電率は７．０程度である。つまり、パッシベーション膜１６１の比誘電率は、素子絶縁層１５０の比誘電率よりも高い。
　第１１実施形態では、保護膜１６２はポリイミドを含む材料からなるため、保護膜１６２の比誘電率は２．９程度である。
　また、第１１実施形態では、封止樹脂９０はエポキシ樹脂を含む材料からなるため、封止樹脂９０の比誘電率は３．９程度である。つまり、封止樹脂９０の比誘電率は、パッシベーション膜１６１の誘電率よりも低い。封止樹脂９０の比誘電率は、保護膜１６２の比誘電率よりも高い。
　低誘電層１９３は、パッシベーション膜１６１よりも比誘電率が低い。たとえば、低誘電層１９３は、素子絶縁層１５０の比誘電率以下である。より詳細には、低誘電層１９３は、素子絶縁層１５０の比誘電率よりも低い。低誘電層１９３は、封止樹脂９０の比誘電率以下であってもよい。
　低誘電層１９３は、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む材料から形成されていてもよい。このように、低誘電層１９３は、素子絶縁層１５０と同じ材料から形成されていてもよい。また、低誘電層１９３は、素子絶縁層１５０よりも比誘電率が低くてもよい。低誘電層１９３は、Ｌｏｗ－Ｋ膜から形成されていてもよい。Ｌｏｗ－Ｋ膜としては、たとえば炭素添加酸化シリコン膜（ＳｉＯＣ）、フッ素添加酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ）、ポーラス膜等から適宜選択される。低誘電層１９３が炭素添加酸化シリコン膜によって形成される場合、低誘電層１９３の比誘電率は、２．５以上３．０以下である。低誘電層１９３がフッ素添加酸化シリコン膜によって形成される場合、低誘電層１９３の比誘電率は、３．４以上３．８以下である。低誘電層１９３がポーラス膜によって形成される場合、低誘電層１９３の比誘電率は、２．５未満である。このように、低誘電層１９３にＬｏｗ－Ｋ膜を用いることによって、低誘電層１９３の比誘電率を素子絶縁層１５０および封止樹脂９０よりも低くすることができる。
　［効果］
　第１１実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１１－１）第１チップ６０は、素子絶縁層１５０と、素子絶縁層１５０を覆うように素子絶縁層１５０上に形成されたパッシベーション膜１６１と、パッシベーション膜１６１の表面に形成され、パッシベーション膜１６１よりも比誘電率が低い低誘電層１９３と、を備える。封止樹脂９０は、低誘電層１９３を覆っている。
　この構成によれば、パッシベーション膜１６１と封止樹脂９０との間に低誘電層１９３が介在することによってパッシベーション膜１６１と封止樹脂９０とが接触することが抑制される。これにより、封止樹脂９０とパッシベーション膜１６１との境界部分に存在する空隙に起因して部分放電、ひいては沿面放電が発生することを抑制できる。したがって、第１チップ６０の信頼性を高めることができる。
　（１１－２）低誘電層１９３の比誘電率は、封止樹脂９０の誘電率以下である。
　この構成によれば、低誘電層１９３と封止樹脂９０との境界部分における部分放電の開始電圧を高くすることができるため、低誘電層１９３と封止樹脂９０との境界部分に存在する空隙に起因して部分放電、ひいては沿面放電が発生することを抑制できる。
　（１１－３）低誘電層１９３の厚さは、パッシベーション膜１６１の厚さ以下である。この構成によれば、第１チップ６０のＺ方向の寸法が大きくなることを抑制できる。つまり、第１チップ６０の低背化を図ることができる。
　＜第１２実施形態＞
　図５９～図６５を参照して、第１２実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第１２実施形態の信号伝達装置１０は、第１実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１チップ６０の構成が異なる。以下では、第１チップ６０の構成について第１実施形態と異なる点を詳細に説明する。また、第１実施形態と共通の構成要素には、同一符号を付し、その説明を省略する。
　［第１チップの構成］
　図５９は、第１チップ６０における第１表面側コイル１１１Ａの一部およびその周辺を拡大した断面構造を示している。なお、図面の理解を容易にするために、図５９では第１チップ６０の構成要素の一部のハッチング線を省略している。
　図５９に示すように、第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０におけるコイル表面１７１と一対のコイル側面１７３とによって形成された表面側コーナ部分１７６は、第１実施形態とは異なり、丸められた湾曲状に形成されている。表面側コーナ部分１７６は、Ｒ面（湾曲面）を有するともいえる。つまり、第１２実施形態では、導線１７０におけるコイル表面１７１と一対のコイル側面１７３との間の部分には、Ｒ面（湾曲面）が形成されている。より詳細には、Ｒ面（湾曲面）は、表面側コーナ部分１７６を構成するバリア層１７４および金属層１７５の双方によって構成されている。
　導線１７０のコイル表面１７１は、素子絶縁層１５０の層表面１５１よりも上方に位置している。つまり、導線１７０は、素子絶縁層１５０の層表面１５１から突出している。パッシベーション膜１６１は、導線１７０の表面側コーナ部分１７６およびコイル表面１７１を覆っている。このため、表面側コーナ部分１７６は、素子絶縁層１５０と接しておらず、パッシベーション膜１６１と接している。導線１７０の一対のコイル側面１７３のうち表面側コーナ部分１７６よりもコイル裏面１７２寄りの部分は、素子絶縁層１５０に接している。
　なお、導線１７０と素子絶縁層１５０との関係は任意に変更可能である。一例では、導線１７０が素子絶縁層１５０に埋め込まれていてもよい。つまり、導線１７０の表面側コーナ部分１７６およびコイル表面１７１が素子絶縁層１５０に接するように素子絶縁層１５０が設けられていてもよい。この場合、素子絶縁層１５０の層表面１５１の全面にわたりパッシベーション膜１６１が形成されている。
　また、図示していないが、第２～第４表面側コイル１１２Ａ～１１４Ａの導線１７０についても同様に、コイル表面１７１と一対のコイル側面１７３とによって形成された表面側コーナ部分１７６が丸められた湾曲状に形成されている。なお、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａの構成は任意に変更可能である。つまり、第１２実施形態では、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａのうち少なくとも１つの表面側コイルにおける表面側コーナ部分１７６が丸められた湾曲状に形成されていればよい。
　［第１チップの製造方法］
　図６０～図６５を用いて、第１チップ６０の製造方法、特に第１表面側コイル１１１Ａの製造方法について説明する。図６０～図６５では、素子絶縁層８５０に第１表面側コイル１１１Ａの一部が形成される工程を主に示している。
　図示していないが、第１チップ６０の製造方法は、基板８３０を用意する工程と、基板８３０（たとえば図５５参照）上に素子絶縁層８５０を形成する工程と、素子絶縁層８５０に第１裏面側コイル１１１Ｂ（図５５参照）を形成する工程と、を含む。なお、第２～第４裏面側コイル１１２Ｂ～１１４Ｂは、第１裏面側コイル１１１Ｂが形成される工程と同時に形成される。
　図６０に示すように、第１チップ６０の製造方法は、素子絶縁層８５０に凹部８５３を形成する工程を含む。より詳細には、この工程では、素子絶縁層８５０の層表面８５１が選択的にエッチングされることによって凹部８５３が形成される。凹部８５３は、底面８５３Ａと、底面８５３Ａと層表面８５１とを繋ぐ一対の側面８５３Ｂと、を含む。一対の側面８５３Ｂは、層表面８５１から底面８５３Ａに向かうにつれてＹ方向において互いに接近するテーパ状に形成されている。
　図６１に示すように、第１チップ６０の製造方法は、バリア層９０１を形成する工程を含む。より詳細には、凹部８５３の一対の側面８５３Ｂおよび底面８５３Ａと、素子絶縁層８５０の層表面８５１との双方には、たとえばスパッタ法によってバリア層９０１が形成される。バリア層９０１は、タンタルまたは窒化タンタルを含んでいてもよい。一例では、バリア層９０１は、タンタルを含む第１層と、第１層上に積層された窒化タンタルを含む第２層と、第２層上に積層されたタンタルを含む第３層との積層構造（Ｔａ／ＴａＮ／Ｔａ）によって形成されている。
　続いて、第１チップ６０の製造方法は、金属層９０２を形成する工程を含む。より詳細には、バリア層９０１から導線１７０用の導電材料をめっき成長させる。一例では、バリア層９０１から銅をめっき成長させる。これにより、凹部８５３内および素子絶縁層８５０上に金属層９０２が形成される。金属層９０２は、たとえば銅を含む材料によって形成されている。
　図６２に示すように、第１チップ６０の製造方法は、素子絶縁層８５０上のバリア層９０１および金属層９０２を除去する工程を含む。より詳細には、化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）によって素子絶縁層８５０上のバリア層９０１および金属層９０２の双方が除去される。これにより、素子絶縁層８５０の層表面８５１が露出する。
　図６３に示すように、第１チップ６０の製造方法は、素子絶縁層８５０の上端部を除去する工程を含む。より詳細には、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって素子絶縁層８５０の上端部を全体にわたり除去する。これにより、素子絶縁層８５０の上端部が除去された後の層表面８５１は、バリア層９０１および金属層９０２の各々の上端面よりも下方（凹部８５３の底面８５３Ａ寄り）に位置している。換言すると、バリア層９０１および金属層９０２の上端部は、層表面８５１から突出している。
　図６４に示すように、第１チップ６０の製造方法は、バリア層９０１および金属層９０２の上端部のうちＹ方向の両端部（図６３の表面側コーナ部分９０３）を除去する工程を含む。より詳細には、金属層９０２の上端面にレジスト（図示略）を形成する。レジストは、平面視において表面側コーナ部分９０３が露出するように形成されている。続いて、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、表面側コーナ部分９０３を構成するバリア層９０１および金属層９０２が除去される。これにより、表面側コーナ部分９０３は、湾曲状に形成される。以上の工程を経て、導線１７０が形成される。これにより、第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａが形成される。なお、図示していないが、図６０～図６４に示す導線１７０を形成する工程と並行して、複数の第１電極パッド６７が形成されている。
　図６５に示すように、第１チップ６０の製造方法は、パッシベーション膜８６１を形成する工程を含む。より詳細には、たとえば化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）またはスパッタ法によって導線１７０のコイル表面１７１および表面側コーナ部分１７６と素子絶縁層８５０の層表面８５１とを覆うようにパッシベーション膜８６１が形成される。パッシベーション膜８６１は、たとえば窒化シリコンを含む材料によって形成されている。
　図示していないが、第１チップ６０の製造方法は、保護膜８６２（図４６参照）を形成する工程を含む。保護膜８６２は、ＣＶＤ法またはスパッタ法によってパッシベーション膜８６１上に形成される。保護膜８６２は、たとえば酸化シリコンを含む材料によって形成されている。また、エッチングによって保護膜８６２およびパッシベーション膜８６１の双方に、第１電極パッド６７の一部が露出する開口部が形成される。その後、ダイシングによって保護膜８６２、パッシベーション膜８６１、素子絶縁層８５０、および基板８３０が切断されることによって個片化される。以上の工程を経て、第１チップ６０が製造される。
　［効果］
　第１２実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１２－１）第１トランス１１１の第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａは、コイル表面１７１と、コイル表面１７１とは反対側のコイル裏面１７２と、コイル表面１７１とコイル裏面１７２とを繋ぐコイル側面１７３と、を有する。コイル表面１７１とコイル側面１７３との間には湾曲面が形成されている。
　この構成によれば、コイル表面１７１とコイル側面１７３とによって構成された表面側コーナ部分１７６における電界集中を緩和できる。これにより、表面側コーナ部分１７６が絶縁破壊の起点になることが抑制されるので、第１チップ６０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　＜第１３実施形態＞
　図６６～図７１を参照して、第１３実施形態の信号伝達装置１０について説明する。第１３実施形態の信号伝達装置１０は、第１０実施形態の信号伝達装置１０と比較して、第１チップ６０の構成が異なる。以下では、第１チップ６０の構成について第１０実施形態と異なる点を詳細に説明する。また、第１０実施形態と共通の構成要素には、同一符号を付し、その説明を省略する。
　［第１チップの構成］
　図６６は、第１チップ６０における第１表面側コイル１１１Ａの一部およびその周辺を拡大した断面構造を示している。なお、図面の理解を容易にするために、図６６では第１チップ６０の構成要素の一部のハッチング線を省略している。
　第１３実施形態の第１チップ６０は、第１０実施形態と同様に、素子絶縁層１５０の層表面１５１上に形成された第１有機絶縁層１９１と、第１有機絶縁層１９１上に形成された第２有機絶縁層１９２と、を備える。第１表面側コイル１１１Ａおよび第１電極パッド６７Ａの双方は、第１０実施形態と同様に、第１有機絶縁層１９１上に形成されている。
　第１表面側コイル１１１Ａの導線１７０におけるコイル表面１７１と一対のコイル側面１７３とによって形成された表面側コーナ部分１７６は、第１実施形態とは異なり、丸められた湾曲状に形成されている。表面側コーナ部分１７６は、Ｒ面（湾曲面）を有するともいえる。つまり、第１３実施形態では、導線１７０におけるコイル表面１７１と一対のコイル側面１７３との間の部分には、Ｒ面（湾曲面）が形成されている。
　導線１７０のコイル表面１７１は、素子絶縁層１５０の層表面１５１よりも上方に位置している。つまり、導線１７０は、素子絶縁層１５０の層表面１５１から突出している。パッシベーション膜１６１は、導線１７０の表面側コーナ部分１７６およびコイル表面１７１を覆っている。このため、表面側コーナ部分１７６は、素子絶縁層１５０と接しておらず、パッシベーション膜１６１と接している。導線１７０の一対のコイル側面１７３のうち表面側コーナ部分１７６よりもコイル裏面１７２寄りの部分は、素子絶縁層１５０に接している。
　導線１７０におけるコイル裏面１７２と一対のコイル側面１７３とによって形成された裏面側コーナ部分１７７は、第１実施形態とは異なり、丸められた湾曲状によって形成されている。裏面側コーナ部分１７７は、Ｒ面（湾曲面）を有するともいえる。つまり、第１３実施形態では、導線１７０におけるコイル裏面１７２と一対のコイル側面１７３との間の部分には、Ｒ面（湾曲面）が形成されている。
　導線１７０は、第２有機絶縁層１９２によって覆われている。より詳細には、導線１７０のコイル表面１７１、一対のコイル側面１７３、表面側コーナ部分１７６、および裏面側コーナ部分１７７は、第２有機絶縁層１９２に接している。
　導線１７０は、シード層１７８と、シード層１７８上に形成された金属層１７９との積層構造によって形成されている。
　シード層１７８は、コイル裏面１７２を構成している。つまり、シード層１７８は、第１有機絶縁層１９１に接している。シード層１７８は、たとえばチタン、窒化チタン、および銅の少なくとも１つを含んでいてよい。一例では、シード層１７８は、チタンを含む第１層と、第１層上に積層された銅を含む第２層との積層構造によって形成されている。
　金属層１７９と第１有機絶縁層１９１とのＺ方向の間にシード層１７８が介在しているため、金属層１７９は、第１有機絶縁層１９１からＺ方向に離隔して配置されている。金属層１７９は、コイル表面１７１、一対のコイル側面１７３、表面側コーナ部分１７６、および裏面側コーナ部分１７７を含む。金属層１７９は、第２有機絶縁層１９２によって覆われている。
　［第１チップの製造方法］
　図６７～図７１を用いて、第１チップ６０の製造方法、特に第１表面側コイル１１１Ａの製造方法について説明する。
　図示していないが、第１チップ６０の製造方法は、基板８３０（たとえば図５５参照）を用意する工程と、基板１３０上に素子絶縁層８５０を形成する工程と、素子絶縁層８５０に第１裏面側コイル１１１Ｂ（図５５参照）を形成する工程と、パッシベーション膜８６１を形成する工程と、第１有機絶縁層８９１を形成する工程と、を含む。なお、第２～第４裏面側コイル１１２Ｂ～１１４Ｂは、第１裏面側コイル１１１Ｂが形成される工程と同時に形成される。パッシベーション膜８６１は、たとえばＣＶＤ法またはスパッタ法によって素子絶縁層８５０の層表面８５１に形成されている。第１有機絶縁層８９１は、たとえばスピンコート法によってパッシベーション膜１６１上に形成されている。
　図６７に示すように、第１チップ６０の製造方法は、シード層９１１を形成する工程を含む。より詳細には、第１有機絶縁層８９１上には、たとえばスパッタ法によってシード層９１１が形成される。シード層９１１は、チタンおよび銅を含んでいてもよい。一例では、シード層９１１は、チタンを含む第１シード層９１１Ａと、第１シード層９１１Ａ上に積層された銅を含む第２シード層９１１Ｂとの積層構造（Ｔｉ／Ｃｕ）によって形成されている。
　続いて、第１チップ６０の製造方法は、レジスト９２０を形成する工程を含む。より詳細には、まずシード層９１１上には、レジスト９２０が形成される。続いて、レジスト９２０を選択的に露光および現像することによって、導線１７０（図６６参照）を形成すべき部分および第１電極パッド６７（図５３参照）を形成すべき部分の各々を露出させる開口部９２１が形成される。
　図６７では、導線１７０を形成すべき部分の開口部９２１を示している。レジスト９２０のうち開口部９２１を構成する面は、シード層９１１に向かうにつれて互いに接近するテーパ状に形成されている。レジスト９２０の開口部９２１のうちシード層９１１と接する部分は、湾曲凹状に形成された内方突出部９２２が形成されている。
　図６８に示すように、第１チップ６０の製造方法は、金属層９１２を形成する工程を含む。より詳細には、シード層９１１から導線１７０用の導電材料をめっき成長させる。一例では、シード層９１１から銅をめっき成長させる。これにより、開口部９２１内に金属層９１２が形成される。金属層９１２は、たとえば銅を含む材料によって形成されている。金属層９１２は第２シード層９１１Ｂと一体化される。ここで、図６８では、図面の理解を容易にするため、第２シード層９１１Ｂと金属層９１２との界面を二点鎖線にて示している。しかし、実際はこの界面は形成されていない場合がある。また、図示していないが、第１電極パッド６７を形成すべき開口部９２１内に金属層９１２が形成される。これにより、第１電極パッド６７が製造される。
　ここで、金属層９１２のうちシード層９１１側の端部は、レジスト９２０の内方突出部９２２によってコーナ部分が丸められたＲ面（湾曲面）が形成される。つまり、この工程では、金属層９１２には、導線１７０の裏面側コーナ部分１７７に相当するＲ面（湾曲面）が形成される。
　図６９に示すように、第１チップ６０の製造方法は、レジスト９２０を除去する工程を含む。これにより、シード層９１１および金属層９１２が露出する。
　図７０に示すように、第１チップ６０の製造方法は、シード層９１１および金属層９１２をエッチングする工程を含む。一例では、この工程は、金属層９１２の上端部のうちＹ方向の両端部（図６９の表面側コーナ部分９１３）に湾曲面を形成する工程と、シード層９１１のうち第２シード層９１１Ｂを除去する工程と、を含む。より詳細には、金属層９１２の上端面にレジスト（図示略）を形成する。レジストは、平面視において表面側コーナ部分９１３が露出するように形成されている。続いて、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、表面側コーナ部分９１３を構成する金属層９１２が除去される。これにより、表面側コーナ部分９１３は、丸められたＲ面（湾曲面）が形成される。つまり、この工程では、金属層９１２には、導線１７０の表面側コーナ部分１７６に相当するＲ面（湾曲面）が形成される。また、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって、第２シード層９１１Ｂが除去される。
　図７１に示すように、第１チップ６０の製造方法は、シード層９１１のうち金属層９１２が積層された部分以外の部分を除去する。より詳細には、たとえばエッチングによってシード層９１１のうち金属層９１２が積層された部分以外の部分が除去される。以上の工程を経て、導線１７０が形成される。これにより、第１表面側コイル１１１Ａが形成される。なお、第２～第４表面側コイル１１２Ａ～１１４Ａも同様に形成される。
　図示していないが、第１チップ６０の製造方法は、第２有機絶縁層１９２を形成する工程を含む。第２有機絶縁層１９２は、スピンコート法によって第１有機絶縁層１９１上に形成される。第２有機絶縁層１９２は、導線１７０および第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆを覆うように形成される。また、エッチングによって第２有機絶縁層１９２に、第１電極パッド６７Ａ～６７Ｆの一部が露出する開口部が形成される。以上の工程を経て、第１チップ６０が製造される。
　［効果］
　第１３実施形態の信号伝達装置１０によれば、以下の効果が得られる。
　（１３－１）第１トランス１１１の第１～第４表面側コイル１１１Ａ～１１４Ａは、コイル表面１７１と、コイル表面１７１とは反対側のコイル裏面１７２と、コイル表面１７１とコイル裏面１７２とを繋ぐコイル側面１７３と、を有する。コイル表面１７１とコイル側面１７３との間には湾曲面が形成されている。コイル裏面１７２とコイル側面１７３との間には湾曲面が形成されている。
　この構成によれば、コイル表面１７１とコイル側面１７３とによって構成された表面側コーナ部分１７６における電界集中を緩和でき、コイル裏面１７２とコイル側面１７３とによって構成された裏面側コーナ部分１７７における電界集中を緩和できる。これにより、表面側コーナ部分１７６および裏面側コーナ部分１７７が絶縁破壊の起点になることが抑制されるので、第１チップ６０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　＜変更例＞
　上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
　［実施形態の組み合わせ］
　第１～第１３実施形態の組み合わせの例について以下に説明する。
　・第１実施形態の信号伝達装置１０に対して、第２、第３、および第５～第９実施形態の構成の少なくとも１つを追加してもよい。
　・第１実施形態の信号伝達装置１０に対して、第１０および第１３実施形態の構成の少なくとも一方を追加してもよい。
　・第１実施形態の信号伝達装置１０に対して、第１１および第１２実施形態の構成の少なくとも一方を追加してもよい。
　・第１実施形態に第２、第３、および第５～第９実施形態の構成の少なくとも１つを追加した信号伝達装置１０に対して、第１０および第１３実施形態の構成の少なくとも一方を追加してもよい。
　・第１実施形態に第２、第３、および第５～第９実施形態の構成の少なくとも１つを追加した信号伝達装置１０に対して、第１１および第１２実施形態の構成の少なくとも１つを追加してもよい。
　・第１実施形態の信号伝達装置１０に対して、第２および第４～第９実施形態の構成の少なくとも１つを追加してもよい。
　・第１実施形態に第２および第４～第９実施形態の構成の少なくとも１つを追加した信号伝達装置１０に対して、第１０および第１３実施形態の構成の少なくとも１つを追加してもよい。
　・第１実施形態に第２および第４～第９実施形態の構成の少なくとも１つを追加した信号伝達装置１０に対して、第１１および第１２実施形態の構成の少なくとも１つを追加してもよい。
　［第１ダイパッドおよび第２ダイパッドの変更例］
　・各実施形態において、第１ダイパッド３０には、第１ダイパッド３０をその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する１または複数の貫通孔が設けられていてもよい。各貫通孔には、封止樹脂９０が充填されている。
　・各実施形態において、第２ダイパッド５０Ａには、第２ダイパッド５０Ａをその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する１または複数の貫通孔が設けられていてもよい。各貫通孔には、封止樹脂９０が充填されている。
　・各実施形態において、第３ダイパッド５０Ｂには、第３ダイパッド５０Ｂをその厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する１または複数の貫通孔が設けられていてもよい。各貫通孔には、封止樹脂９０が充填されている。
　［第１リード端子および第２リード端子の変更例］
　・第１実施形態において、第１リード端子１１，１２，１７，１８から貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤを省略してもよい。また、第２リード端子４８から貫通孔４８ＡＤを省略してもよい。
　・第４実施形態において、第１リード端子１１，１２，１７，１８から貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤを省略してもよい。つまり、貫通孔１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤの有無にかかわらず、第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部は、セキュリティボンドＷＢ１が設けられた構成と、セキュリティボンドＷＢ１が設けられていない構成とが併存していてもよい。一例では、第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部が比較的剥離しやすいと考えられる箇所の第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部にセキュリティボンドＷＢ１が設けられ、セカンドボンド部が比較的剥離しにくいと考えられる箇所の第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＢ１が設けられていない。セカンドボンド部の剥離の一例としては、比較的長い第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部は剥離しやすく、比較的短い第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部は剥離しにくいと考えられる。このため、比較的長い第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＢ１が設けられ、比較的短い第１リード用ワイヤＷＢのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＢ１が設けられていない。
　・第４実施形態において、第２リード端子４２，４４，４５，４８から貫通孔４２ＡＤ，４４ＡＤ，４５ＡＤ，４８ＡＤを省略してもよい。つまり、貫通孔４２ＡＤ，４４ＡＤ，４５ＡＤ，４８ＡＤの有無にかかわらず、第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部は、セキュリティボンドＷＤ１が設けられた構成と、セキュリティボンドＷＤ１が設けられていない構成とが併存していてもよい。一例では、第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部が比較的剥離しやすいと考えられる箇所の第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部にセキュリティボンドＷＤ１が設けられ、セカンドボンド部が比較的剥離しにくいと考えられる箇所の第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＤ１が設けられていない。セカンドボンド部の剥離の一例としては、比較的長い第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部は剥離しやすく、比較的短い第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部は剥離しにくいと考えられる。このため、比較的長い第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＤ１が設けられ、比較的短い第２リード用ワイヤＷＤのセカンドボンド部にはセキュリティボンドＷＤ１が設けられていない。
　・各実施形態において、第１リード端子１１～１３，１５～１８のワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡを覆うめっき層２９の被覆領域は任意に変更可能である。一例では、めっき層２９は、ワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡの各々のインナーリード表面２１Ｂの全体にわたり覆っていてもよい。この場合、めっき層２９の一部は、ワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡの先端面２４Ｂを覆っていてもよい。
　・第１～第７および第９～第１３実施形態において、第２リード端子４１～４５，４７，４８のワイヤ接続部４１ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡを覆うめっき層２９の被覆領域は任意に変更可能である。一例では、めっき層２９は、ワイヤ接続部４１ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡの各々のインナーリード表面２１Ｂの全体にわたり覆っていてもよい。この場合、めっき層２９の一部は、ワイヤ接続部４１ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡの先端面２４Ｂを覆っていてもよい。
　・第８実施形態において、第２リード端子４１～４３，４７，４８のワイヤ接続部４１ＡＡ～４３ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡを覆うめっき層２９の被覆領域は任意に変更可能である。一例では、めっき層２９は、ワイヤ接続部４１ＡＡ～４３ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡの各々のインナーリード表面２１Ｂの全体にわたり覆っていてもよい。この場合、めっき層２９の一部は、ワイヤ接続部４１ＡＡ～４３ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡの先端面２４Ｂを覆っていてもよい。
　・各実施形態において、第１リード端子１１～１８の第１アウターリード部１１Ｂ～１８Ｂにおけるアウターリード端面２４Ａの少なくとも１つから端面めっき層２７を省略してもよい。
　・各実施形態において、第２リード端子４１～４８の第２アウターリード部４１Ｂ～４８Ｂにおけるアウターリード端面２４Ａの少なくとも１つから端面めっき層２７を省略してもよい。
　［ワイヤの変更例］
　・各実施形態において、平面視におけるチップ間ワイヤＷＡの配置態様は任意に変更可能である。一例では、平面視において、３本のチップ間ワイヤＷＡは、たとえば第１チップ６０から第２チップ７０に向かうにつれて、隣り合うチップ間ワイヤＷＡの間隔が大きくなるように形成されていてもよい。一例では、平面視において、３本のチップ間ワイヤＷＡは、たとえば第１チップ６０から第３チップ８０に向かうにつれて、隣り合うチップ間ワイヤＷＡの間隔が大きくなるように形成されていてもよい。
　・第１実施形態において、封止樹脂９０の封止表面９１、封止裏面９２、第１～第４封止側面９３～９６の各々の面粗度Ｒｚが８μｍ以上の場合、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、金に限られず、任意に変更可能である。
　・第１実施形態において、第１リード端子１１～１８のアウターリード端面２４Ａに端面めっき層２７が形成される場合、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、金に限られず、任意に変更可能である。
　・第１実施形態において、第２リード端子４１～４８のアウターリード端面２４Ａに端面めっき層２７が形成される場合、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、金に限られず、任意に変更可能である。
　・第１実施形態において、第１リード端子１１～１３，１５～１８のワイヤ接続部１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡのインナーリード表面２１Ｂにおける先端面２４Ｂ寄りの端部にめっき層２９が形成されず、封止樹脂９０が接している構成の場合、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、金に限られず、任意に変更可能である。
　・第１実施形態において、第２リード端子４１～４５，４７，４８のワイヤ接続部４１ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡのインナーリード表面２１Ｂにおける先端面２４Ｂ寄りの端部にめっき層２９が形成されず、封止樹脂９０が接している構成の場合、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、金に限られず、任意に変更可能である。
　・第２～第１３実施形態において、チップ間ワイヤＷＡを構成する材料は、金に限られず、任意に変更可能である。
　・各実施形態において、第１リード用ワイヤＷＢは、銅またはアルミニウムに限られず、任意に変更可能である。また、第１リード用ワイヤＷＢが銅ワイヤによって形成される場合、銅ワイヤの表面におけるパラジウムのコーティングを省略してもよい。なお、第１ダイパッド用ワイヤＷＣ、第２リード用ワイヤＷＤ、第２ダイパッド用ワイヤＷＥ、および第３ダイパッド用ワイヤＷＦについても同様に変更できる。
　・各実施形態において、複数の第１ダイパッド用ワイヤＷＣのセカンドボンド部のうち少なくとも１つからセキュリティボンドＷＣ１を省略してもよい。
　・各実施形態において、複数の第２ダイパッド用ワイヤＷＥのセカンドボンド部のうち少なくとも１つからセキュリティボンドＷＥ１を省略してもよい。
　・各実施形態において、複数の第３ダイパッド用ワイヤＷＦのセカンドボンド部のうち少なくとも１つからセキュリティボンドＷＦ１を省略してもよい。
　・各実施形態において、第１ダイパッド用ワイヤＷＣの本数は任意に変更可能である。また、第２ダイパッド用ワイヤＷＥの本数は任意に変更可能である。また、第３ダイパッド用ワイヤＷＦの本数は任意に変更可能である。
　［第１チップおよび第２チップの変更例］
　・各実施形態において、第１チップ６０の構成を図７２および図７３に示す第１チップ６０に変更してもよい。図７２および図７３に示す第１チップ６０は、第１実施形態の第１チップ６０と比較して、第１チップ６０の短手方向の大きさに対する長手方向の長さの比率が大きくなる。
　図７２に示すように、表面側外周ガードリング１０１は、第１チップ６０の外周縁を１周するように環状に形成されている。平面視において、表面側外周ガードリング１０１のうち第２チップ側面６４とＸ方向に隣り合い、Ｙ方向に延びる部分は、表面側ガードリング１１５に接続されている。
　図７２および図７３に示すとおり、絶縁トランス領域１１０の第１トランス１１１および第２トランス１１２の構成は、第１実施形態の第１トランス１１１および第２トランス１１２の構成と同じである。
　回路領域１２０は、第１チップ６０の複数の機能部および複数の回路素子が形成されている。複数の機能部および複数の回路素子は、第１実施形態の回路領域１２０の複数の機能部および複数の回路素子と同様である。図７３に示すように、回路領域１２０は、第１回路部ＣＲ１、第２回路部ＣＲ２、および第３回路部ＣＲ３を含む。第１回路部ＣＲ１および第２回路部ＣＲ２には、たとえばＭＯＳＦＥＴが形成されている。一例では、第１回路部ＣＲ１は図１６の第１送信部５０１および第２送信部５０２を含み、第２回路部ＣＲ２は図１６のロジック部５０３、ＵＶＬＯ部５０５、ＬＤＯ部５０４、および遅延部５０６を含む。第３回路部ＣＲ３には、たとえば保護素子が形成されている。
　・第６実施形態において、第１チップ６０の段差部１３９は、平面視において基板１３０の全周に設けられた構成に限られない。段差部１３９は、基板１３０の第１～第４基板側面１３３～１３６に対して部分的に設けられていてもよい。
　・第６実施形態において、第２チップ７０の段差部２３９は、平面視において基板２３０の全周に設けられた構成に限られない。段差部２３９は、基板２３０の第１～第４基板側面２３３～２３６に対して部分的に設けられていてもよい。
　・第６実施形態において、第３チップ８０の段差部３３９は、平面視において基板３３０の全周に設けられた構成に限られない。段差部３３９は、基板３３０の第１～第４基板側面３３３～３３６に対して部分的に設けられていてもよい。
　・第６実施形態において、第１チップ６０の段差部１３９、第２チップ７０の段差部２３９、および第３チップ８０の段差部３３９のうち１つまたは２つを省略してもよい。つまり、第６実施形態では、第１チップ６０の基板１３０、第２チップ７０の基板２３０、第３チップ８０の基板３３０の少なくとも１つに段差部が設けられていればよい。
　・各実施形態では、第１チップ６０から第２チップ７０および第３チップ８０に信号を送信する構成であったが、これに限られない。一例では、第２チップ７０から第１チップ６０に信号を送信する構成であってもよい。また、第１チップ６０から第２チップ７０に信号を送信し、第２チップ７０から第１チップ６０に信号を送信する構成であってもよい。また、一例では、第３チップ８０から第１チップ６０に信号を送信する構成であってもよい。また、第１チップ６０から第３チップ８０に信号を送信し、第３チップ８０から第１チップ６０に信号を送信する構成であってもよい。要するに、第２チップ７０は、第１チップ６０からの信号を受信、および第１チップ６０への信号の送信の少なくとも一方を行うように構成されていればよい。また、第３チップ８０は、第１チップ６０からの信号を受信、および第１チップ６０への信号の送信の少なくとも一方を行うように構成されていればよい。
　［封止樹脂の変更例］
　・各実施形態において、封止樹脂９０の封止表面９１、封止裏面９２、第１～第４封止側面９３～９６の各々の面粗度Ｒｚは、８μｍ未満であってもよい。
　・各実施形態において、封止樹脂９０に対する硫黄の添加濃度は、任意に変更可能である。一例では、封止樹脂９０に対する硫黄の添加濃度は、３００μｇ／ｇよりも大きくてもよい。
　・第７実施形態において、第３封止側面９５および第４封止側面９６の各々の形状は任意に変更可能である。一例では、図７４に示すように、第３封止側面９５のＸ方向の中央部に複数の溝部９５Ｅが形成されていてもよい。第４封止側面９６のＸ方向の中央部に複数の溝部９６Ｅが形成されていてもよい。なお、第３封止側面９５の溝部９５Ｅの個数は任意に変更可能である。一例では、第３封止側面９５の溝部９５Ｅは１つであってもよい。また、第４封止側面９６の溝部９６Ｅの個数は任意に変更可能である。一例では、第４封止側面９６の溝部９６Ｅは１つであってもよい。
　図７４に示す例では、複数の溝部９５Ｅの深さは一定であるが、これに限られない。一例では、複数の溝部９５ＥのうちＸ方向の中央の溝部９５Ｅの深さが、Ｘ方向の両端の溝部９５Ｅの深さよりも深くてもよい。また同様に、複数の溝部９６Ｅの深さは一定であるが、これに限られない。一例では、複数の溝部９６ＥのうちＸ方向の中央の溝部９６Ｅの深さが、Ｘ方向の両端の溝部９６Ｅの深さよりも深くてもよい。
　・第８実施形態において、第２封止側面９４の形状は任意に変更可能である。一例では、図７５に示すように、第２封止側面９４のＹ方向の中央部に複数の溝部９４Ｅが形成されていてもよい。なお、溝部９４Ｅの個数は任意に変更可能である。一例では、溝部９４Ｅは１つであってもよい。
　図７５に示す例では、複数の溝部９４Ｅの深さは一定であるが、これに限られない。一例では、複数の溝部９４ＥのうちＹ方向の中央の溝部９４Ｅの深さが、Ｙ方向の両端の溝部９４Ｅの深さよりも深くてもよい。
　［信号伝達装置の適用例］
　各実施形態の信号伝達装置１０は、たとえばモータの駆動を制御するＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワー半導体素子のスイッチング動作を行う絶縁ゲートドライバに適用できる。このような絶縁ゲートドライバは、たとえば電気自動車またはハイブリッド自動車のインバータ装置に適用できる。この場合、信号伝達装置１０の第１チップ６０に供給される電源電圧は、グランド電位基準で５Ｖまたは３．３Ｖである。一方、第２チップ７０には、第１チップ６０のグランド電位と比較して、たとえば６００Ｖ以上の電圧が過渡的に印加される。より詳細には、ハイブリッド自動車などのインバータ装置におけるモータドライバ回路は、ローサイドスイッチング素子とハイサイドスイッチング素子とをトーテムポール状に接続したハーフブリッジ回路が一般的に使用されている。
　本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、「ＡがＢ上に形成される」という表現は、上記各実施形態ではＡがＢに接触してＢ上に直接配置され得るが、変更例として、ＡがＢに接触することなくＢの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、ＡとＢとの間に他の部材が形成される構造を排除しない。
　本明細書における記述「ＡおよびＢの少なくとも１つ」は、「Ａのみ、または、Ｂのみ、または、ＡとＢの両方」を意味するものとして理解されたい。
　本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
　＜付記＞
　本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載した構成について上記実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各符号に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
　［付記Ａ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）と前記第２チップ（７０）および前記第３チップ（８０）とを個別に接続するチップ間ワイヤ（ＷＡ）と、
　前記第１チップ（６０）と前記複数の第１リード端子（１１～１３，１５，１６，１８）とを個別に接続する複数の第１リード用ワイヤ（ＷＢ）と、を備え、
　前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）は、金を含む材料によって形成されており、
　前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）は、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ａ２］
　前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）は、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である
　付記Ａ１に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ３］
　前記第２チップ（７０）と前記複数の第２リード端子（４２，４３，４７，４８）とを個別に接続する複数の第２リード用ワイヤ（ＷＤ）をさらに備え、
　前記第２リード用ワイヤ（ＷＤ）は、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
　付記Ａ１またはＡ２に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ４］
　前記第１チップ（６０）と前記第１ダイパッド（３０）とを接続する第１ダイパッド用ワイヤ（ＷＣ）をさらに備え、
　前記第１ダイパッド用ワイヤ（ＷＣ）は、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
　付記Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ５］
　前記第２チップ（７０）と前記第２ダイパッド（５０Ａ）とを接続する第２ダイパッド用ワイヤ（ＷＥ）をさらに備え、
　前記第２ダイパッド用ワイヤ（ＷＥ）は、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
　付記Ａ１～Ａ４のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ６］
　前記第１ダイパッド用ワイヤ（ＷＣ）は、ボンディングワイヤであり、
　前記第１ダイパッド用ワイヤ（ＷＣ）のうち前記第１ダイパッドとの接合部には、セキュリティボンド（ＷＣ１）が形成されている
　付記Ａ４に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ７］
　前記第２ダイパッド用ワイヤ（ＷＥ）は、ボンディングワイヤであり、
　前記第２ダイパッド用ワイヤ（ＷＥ）のうち前記第２ダイパッドとの接合部には、セキュリティボンド（ＷＥ１）が形成されている
　付記Ａ５に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ８］
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）は、前記第１ダイパッド（３０）から離隔して配置された第１離隔端子（１１～１３，１５～１８）を含み、
　前記第１離隔端子（１１～１３，１５～１８）は、
　前記第１方向に延びる第１部分（１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ～１８ＡＢ）と、
　前記第１部分（１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ～１８ＡＢ）に連続して設けられ、平面視において前記第１部分（１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ～１８ＡＢ）に対して前記第１方向（Ｘ方向）と交差する方向に延びる第２部分（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡ）と、を含み、
　前記第２部分（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡ）は、当該第２部分（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡ）と接続する前記第１リード用ワイヤと平面視で交差する側面を含み、
　前記側面は、平面視において前記第１ダイパッド（３０）と対向している
　付記Ａ１～Ａ７のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ９］
　前記第２チップ（７０）に電気的に接続される前記複数の第２リード端子（４１～４３）と、前記第３チップ（８０）に電気的に接続される前記複数の第２リード端子（４６～４８）との最短距離は、前記第２チップ（７０）に電気的に接続される前記複数の第２リード端子（４１～４３）のうち前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う第２リード端子間の距離よりも大きい
　付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１０］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）は、
　前記第１ダイパッド（３０）と一体化された第１接続端子（１４）と、
　前記第１ダイパッド（３０）から離隔して配置された第１離隔端子（１１～１３、１５～１８）と、を含み、
　前記第１離隔端子（１１～１３、１５～１８）は、前記第１離隔端子（１１～１３、１５～１８）の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する貫通孔（１１ＡＤ～１３ＡＤ、１５ＡＤ～１８ＡＤ）を有し、
　前記貫通孔（１１ＡＤ～１３ＡＤ、１５ＡＤ～１８ＡＤ）内には前記封止樹脂（９０）が充填されている
　付記Ａ１～Ａ９のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１１］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記各第１リード端子（１１～１８）は、
　前記封止樹脂（９０）の外部に露出した第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）と、
　前記封止樹脂（９０）の内部に設けられ、前記第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）に接続された第１インナーリード部（１１Ａ～１８Ａ）と、を含み、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）は、
　前記第１インナーリード部（１１Ａ，１２Ａ，１７Ａ，１８Ａ）に前記第１リード端子（１１～１８）の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通した貫通孔（１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤ）が形成された第１特定端子（１１，１２，１７，１８）と、
　前記第１インナーリード部（１３Ａ，１５Ａ，１６Ａ）に前記貫通孔が形成されていない第２特定端子（１３，１５，１６）と、を含み、
　前記複数の第１リード用ワイヤ（ＷＢ）は、
　前記第１特定端子（１１，１２，１７，１８）に接合された第１特定ワイヤと、
　前記第２特定端子（１３，１５，１６）に接合された第２特定ワイヤと、を含み、
　前記第２特定ワイヤのうち前記第２特定端子（１３，１５，１６）に接合された接合部には、セキュリティボンド（ＷＢ１）が形成されている
　付記Ａ１～Ａ９のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１２］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する矩形平板状の封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記封止樹脂（９０）は、封止表面（９１）と、前記封止表面（９１）とは反対側の封止裏面（９２）と、前記封止表面（９１）と前記封止裏面（９２）とを繋ぐ封止側面（９３～９６）と、を有し、
　前記封止側面（９３～９６）は、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）が露出された第１封止側面（９３）と、
　前記複数の第２リード端子（４１～４８）が露出された第２封止側面（９４）と、
　前記第１封止側面（９３）と前記第２封止側面（９４）とを繋ぐ第３封止側面（９５）および第４封止側面（９６）と、を含み、
　前記第３封止側面（９５）および前記第４封止側面（９６）の双方は、導電部材（１０Ｄ，１０Ｅ）が露出することなく前記封止樹脂（９０）のみで構成されている
　付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１３］
　前記第１チップ（６０）は、
　素子絶縁層（１５０）と、
　前記素子絶縁層（１５０）上に設けられた第１樹脂層（１９１）と、
　前記第１樹脂層（１９１）上に設けられた第２樹脂層（１９２）と、を備え、
　前記絶縁トランス（１１１，１１２）は、
　前記第１樹脂層（１９１）上に配置され、前記第２樹脂層（１９２）によって覆われた表面側コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と、
　前記素子絶縁層（１５０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記表面側コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と対向配置され、前記素子絶縁層（１５０）内に埋め込まれた裏面側コイル（１１１Ｂ～１１４Ｂ）と、を含む
　付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１４］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記第１チップ（６０）は、
　素子絶縁層（１５０）と、
　前記素子絶縁層（１５０）を覆うように前記素子絶縁層（１５０）上に形成されたパッシベーション膜（１６１）と、
　前記パッシベーション膜（１６１）の表面に形成され、前記パッシベーション膜（１６１）よりも比誘電率が低い低誘電層（１９３）と、を備え、
　前記封止樹脂（９０）は、前記低誘電層（１９３）を覆っている
　付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１５］
　前記絶縁トランス（１１１，１１２）は、
　前記第１チップ（６０）のチップ表面（６１）寄りに配置された表面側コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と、
　前記表面側コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と対向配置された裏面側コイル（１１１Ｂ～１１４Ｂ）と、を含み、
　前記表面側コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）は、
　コイル表面（１７１）と、
　前記コイル表面（１７１）とは反対側のコイル裏面（１７２）と、
　前記コイル表面（１７１）と前記コイル裏面（１７２）とを繋ぐコイル側面（１７３）と、を有し、
　前記コイル表面（１７１）と前記コイル側面（１７３）との間には湾曲面が形成されている
　付記Ａ１～Ａ１４のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１６］
　前記第１チップ（６０）は、
　前記第１ダイパッド（３０）に搭載された平板状の基板（１３０）と、
　前記基板（１３０）上に形成され、前記絶縁トランス（１１１，１１２）の少なくとも一部が設けられた素子絶縁層（１５０）と、を備え、
　前記基板（１３０）は、
　前記第１ダイパッド（３０）と対面する基板裏面（１３２）と、
　前記基板裏面（１３２）とは反対側の基板表面（１３１）と、
　前記基板裏面（１３２）と前記基板表面（１３１）とを繋ぐ基板側面（１３３～１３６）と、
　前記基板裏面（１３２）を含む第１部分（１３７）と、
　前記第１部分（１３７）上に設けられ、前記基板表面（１３１）を含む第２部分（１３８）と、
　前記第１部分（１３７）に対して前記第２部分（１３８）が前記基板（１３０）の内側に位置するように形成された段差部（１３９）と、を有する
　付記Ａ１～Ａ１５のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１７］
　前記第１リード端子（１４）は、
　前記第２方向（Ｙ方向）において前記第１ダイパッド（３０）の重心（Ｇ１）に対してずれて配置された第１アウターリード接続部（１４ＡＢ１）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に接続された第１ダイパッド接続部（１４ＡＢ２）と、を含み、
　前記第１ダイパッド接続部（１４ＡＢ２）は、平面視において前記第１アウターリード接続部（１４ＡＢ１）から前記第１ダイパッド（３０）の重心（Ｇ１）に向けて斜めに一直線状に延びている
　付記Ａ１～Ａ１６のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１８］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記第１リード端子（１１～１８）は、前記封止樹脂内に設けられた第１インナーリード部（１１Ａ～１８Ａ）を含み、
　前記第１インナーリード部（１１Ａ～１３Ａ、１５Ａ～１８Ａ）は、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）が接続されるワイヤ接続部（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡ）を含み、
　前記ワイヤ接続部（１１ＡＡ～１３ＡＡ、１５ＡＡ～１８ＡＡ）は、
　前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）が接合されるインナーリード表面（２１Ｂ）と、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）とは反対側を向くインナーリード裏面（２２Ｂ）と、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）と前記インナーリード裏面（２２Ｂ）とを繋ぐインナーリード側面（２３Ｂ）と、を有し、
　前記インナーリード側面（２３Ｂ）は、前記第１ダイパッド（３０）と前記第２方向（Ｙ方向）に対向する先端面（２４Ｂ）を含み、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）には、めっき層（２９）が形成されており、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）のうち前記先端面（２４Ｂ）側の端部には、めっき層（２９）が形成されておらず、前記封止樹脂（９０）と接している
　付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ１９］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）は、前記封止樹脂（９０）の外部に突出した第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）を含み、
　前記第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）は、
　アウターリード表面（２１Ａ）と、
　前記アウターリード表面（２１Ａ）とは反対側を向くアウターリード裏面（２２Ａ）と、
　前記第１アウターリード部（１１Ａ～１８Ａ）の幅方向（Ｙ方向）の両端において前記アウターリード表面（２１Ａ）と前記アウターリード裏面（２２Ａ）とを繋ぐアウターリード側面（２３Ａ）と、
　前記第１アウターリード部（１１Ａ～１８Ａ）が延びる方向の端面であるアウターリード端面（２４Ａ）と、を有し、
　前記アウターリード表面（２１Ａ）、前記アウターリード裏面（２２Ａ）、および前記アウターリード側面（２３Ａ）には、めっき層（２８）が形成され、
　前記めっき層（２８）は、前記アウターリード端面（２３Ａ）のうち前記アウターリード裏面（２２Ａ）から前記アウターリード表面（２１Ａ）に向けて連続的に形成され、かつ前記アウターリード表面（２１Ａ）とは離隔している
　付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２０］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記封止樹脂（９０）の外表面（９１～９６）は、面粗度Ｒｚが８μｍ以上となるように形成されている
　付記Ａ１～Ａ１０のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２１］
　前記第３チップ（８０）と前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とを接続する第３ダイパッド用ワイヤ（ＷＦ）をさらに備え、
　前記第３ダイパッド用ワイヤ（ＷＦ）は、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
　付記Ａ１～Ａ２０のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２２］
　前記第３ダイパッド用ワイヤ（ＷＦ）は、ボンディングワイヤであり、
　前記第３ダイパッド用ワイヤ（ＷＦ）のうち前記第３ダイパッド（５０Ｂ）との接合部には、セキュリティボンド（ＷＦ１）が形成されている
　付記Ａ２１に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２３］
　前記第２チップ（７０）と前記複数の第２リード端子（４２，４３）とを個別に接続する複数の第２リード用ワイヤ（ＷＤ）をさらに備え、
　前記複数の第２リード端子（４２，４３）は、前記第２ダイパッド（５０Ａ）から離隔して配置された第２離隔端子（４２，４３）を含み、
　前記第２離隔端子（４２，４３）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第３部分（４２ＡＢ，４３ＡＢ）と、
　前記第３部分（４２ＡＢ，４３ＡＢ）に連続して設けられ、平面視において前記第３部分（４２ＡＢ，４３ＡＢ）に対して前記第１方向（Ｘ方向）と交差する方向に延びる第４部分（４２ＡＡ，４３ＡＡ）と、を含み、
　前記第４部分（４２ＡＡ，４３ＡＡ）は、当該第４部分（４２ＡＡ，４３ＡＡ）と接続する前記第２リード用ワイヤ（ＷＤ）と平面視で交差する側面を含み、
　前記側面は、平面視において前記第２ダイパッド（５０Ａ）と対向している
　付記Ａ１またはＡ２に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２４］
　前記第３チップ（８０）と前記複数の第２リード端子（４７，４８）とを個別に接続する複数の第２リード用ワイヤ（ＷＤ）をさらに備え、
　前記複数の第２リード端子（４７，４８）は、前記第３ダイパッド（５０Ｂ）から離隔して配置された第３離隔端子（４７，４８）を含み、
　前記第２離隔端子（４７，４８）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第５部分（４７ＡＢ，４８ＡＢ）と、
　前記第５部分（４７ＡＢ，４８ＡＢ）に連続して設けられ、平面視において前記第５部分（４７ＡＢ，４８ＡＢ）に対して前記第１方向（Ｘ方向）と交差する方向に延びる第６部分（４７ＡＡ，４８ＡＡ）と、を含み、
　前記第６部分（４７ＡＡ，４８ＡＡ）は、当該第６部分（４７ＡＡ，４８ＡＡ）と接続する前記第２リード用ワイヤ（ＷＤ）と平面視で交差する側面を含み、
　前記側面は、平面視において前記第３ダイパッド（５０Ｂ）と対向している
　付記Ａ１またはＡ２に記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２５］
　前記第３ダイパッド（５０Ｂ）は、
　平面視において前記第１ダイパッド（３０）と前記第１方向（Ｘ方向）に対向するダイパッド対向面（５１Ｂ）と、
　平面視において前記ダイパッド対向面（５１Ｂ）とは反対側のリード側面（５２Ｂ）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）の両側面を構成する第５側面（５３Ｂ）および第６側面（５４Ｂ）と、
　前記ダイパッド対向面（５１Ｂ）と前記第５側面（５３Ｂ）との間に形成された第１先端側湾曲面（５５ＢＡ）と、
　前記ダイパッド対向面（５１）と前記第６側面（５４Ｂ）との間に形成された第２先端側湾曲面（５５ＢＢ）と、を有し、
　平面視において、前記第２先端側湾曲面（５５ＢＢ）の弧の長さは、前記第１先端側湾曲面（５５ＢＡ）の弧の長さよりも長い
　付記Ａ１～Ａ２４のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２６］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記複数の第２リード端子（４１～４８）は、
　前記第２ダイパッド（５０Ａ）と一体化された第２接続端子（４１）と、
　前記第２ダイパッド（５０Ａ）から離隔して配置された第２離隔端子（４２～４４）と、
　前記第３ダイパッド（５０Ｂ）と一体化された第３接続端子（４６）と、
　前記第３ダイパッド（５０Ｂ）から離隔して配置された第３離隔端子（４５，４７，４８）と、を含み、
　前記第２離隔端子（４２～４４）および前記第３離隔端子（４５，４７，４８）の双方には、前記第２離隔端子（４２～４４）および前記第３離隔端子（４５，４７，４８）の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する貫通孔（４２ＡＤ～４４ＡＤ，４５ＡＤ，４７ＡＤ，４８ＡＤ）を有し、
　前記貫通孔（４２ＡＤ～４４ＡＤ，４５ＡＤ，４７ＡＤ，４８ＡＤ）内には前記封止樹脂（９０）が充填されている
　付記Ａ１～Ａ２５のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２７］
　前記複数の第２リード端子（４２，４３，４７，４８）と前記第２チップ（７０）および前記第３チップ（８０）とを個別に接続する第２リード用ワイヤ（ＷＤ）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第２リード用ワイヤ（ＷＤ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、をさらに備え、
　前記各第２リード端子（４２，４３，４７，４８）は、
　前記封止樹脂（９０）の外部に露出した第２アウターリード部（４２Ｂ，４３Ｂ，４７Ｂ，４８Ｂ）と、
　前記封止樹脂（９０）の内部に設けられ、前記第２アウターリード部（４２Ｂ，４３Ｂ，４７Ｂ，４８Ｂ）に接続された第２インナーリード部（４２Ａ，４３Ｂ，４７Ｂ，４８Ａ）と、を含み、
　前記複数の第２リード端子（４２，４３，４７，４８）は、
　前記第２インナーリード部（４２Ａ，４８Ａ）に前記第２リード端子（４２，４８）の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通した貫通孔（４２ＡＤ，４８ＡＤ）が形成された第３特定端子（４２，４８）と、
　前記第２インナーリード部（４３Ａ，４７Ａ）に前記貫通孔が形成されていない第４特定端子（４３、４７）と、を含み、
　前記複数の第２リード用ワイヤ（ＷＤ）は、
　前記第３特定端子（４２，４８）に接合された第３特定ワイヤと、
　前記第４特定端子（４３，４７）に接合された第４特定ワイヤと、を含み、
　前記第４特定ワイヤのうち前記第４特定端子（４３，４７）に接合された接合部には、セキュリティボンド（ＷＢ１）が形成されている
　付記Ａ１～Ａ９、Ａ１１のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２８］
　前記複数の第２リード端子（４１～４８）と前記第２チップ（７０）および前記第３チップ（８０）とを個別に接続する第２リード用ワイヤ（ＷＤ）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４４）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、をさらに備え、
　前記第２リード端子（４２～４５，４７，４８）は、前記封止樹脂（９０）内に設けられた第１インナーリード部（４２Ａ～４５Ａ，４７Ａ，４８Ａ）を含み、
　前記第１インナーリード部（４２Ａ～４５Ａ，４７Ａ，４８Ａ）は、前記第２リード用ワイヤ（ＷＤ）が接続されるワイヤ接続部（４２ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡ）を含み、
　前記ワイヤ接続部（４２ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡ）は、
　前記第２リード用ワイヤ（ＷＤ）が接合されるインナーリード表面（２１Ｂ）と、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）とは反対側を向くインナーリード裏面（２２Ｂ）と、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）と前記インナーリード裏面（２２Ｂ）とを繋ぐインナーリード側面（２３Ｂ）と、を有し、
　前記インナーリード側面（２３Ｂ）は、前記第２ダイパッド（５０Ａ）と前記第２方向（Ｙ方向）に対向する先端面（２４Ｂ）を含み、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）には、めっき層（２９）が形成されており、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）のうち前記先端面（２４Ｂ）側の端部には、めっき層（２９）が形成されておらず、前記封止樹脂（９０）と接している
　付記Ａ１～Ａ１０，Ａ１８のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ２９］
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記チップ間ワイヤ（ＷＡ）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）をさらに備え、
　前記複数の第２リード端子（４１～４８）は、前記封止樹脂（９０）の外部に突出した第２アウターリード部（４１Ｂ～４８Ｂ）を含み、
　前記第２アウターリード部（４１Ｂ～４８Ｂ）は、
　アウターリード表面（２１Ａ）と、
　前記アウターリード表面（２１Ａ）とは反対側を向くアウターリード裏面（２２Ａ）と、
　前記第２アウターリード部（４１Ｂ～４８Ｂ）の幅方向（Ｙ方向）の両端において前記アウターリード表面（２１Ａ）と前記アウターリード裏面（２２Ａ）とを繋ぐアウターリード側面（２３Ａ）と、
　前記第２アウターリード部（４１Ｂ～４８Ｂ）が延びる方向の端面であるアウターリード端面（２４Ａ）と、を有し、
　前記アウターリード表面（２１Ａ）、前記アウターリード裏面（２２Ａ）、および前記アウターリード側面（２３Ａ）には、めっき層（２６）が形成され、
　前記めっき層（２６）は、前記アウターリード端面（２４Ａ）のうち前記アウターリード裏面（２２Ａ）から前記アウターリード表面（２１Ａ）に向けて連続的に形成され、かつ前記アウターリード表面（２１Ａ）とは離隔している
　付記Ａ１～Ａ１０、Ａ１９のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ３０］
　前記第１ダイパッド（３０）は、
　平面視において前記第２ダイパッド（５０Ａ）と前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１先端面（３１）と、
　平面視において前記第１先端面（３１）とは反対側の第１基端面（３２）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）の両側面を構成する第１側面（３３）および第２側面（３４）と、
　前記第１先端面（３１）と前記第１側面（３３）との間に形成された第１先端側湾曲面（３５Ａ）と、
　前記第１先端面（３１）と前記第２側面（３４）との間に形成された第２先端側湾曲面（３５Ｂ）と、を有し、
　平面視において、前記第２先端側湾曲面（３５Ｂ）の弧の長さは、前記第１先端側湾曲面（３５Ａ）の弧の長さよりも長い
　付記Ａ１～Ａ２９のいずれか１つに記載の信号伝達装置。
　［付記Ａ３１］
　前記第２リード端子（４６）は、
　前記第２方向（Ｙ方向）において前記第３ダイパッド（５０Ｂ）の重心（Ｇ２）に対してずれて配置された第２アウターリード接続部（４６ＡＢ１）と、
　前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に接続された第２ダイパッド接続部（４６ＡＢ２）と、を含み、
　前記第２ダイパッド接続部（４６ＡＢ２）は、平面視において前記第２アウターリード接続部（４６ＡＢ１）から前記第３ダイパッド（５０Ｂ）の重心（Ｇ２）に向けて斜めに一直線状に延びている
　付記Ａ１～Ａ３０のいずれか１つに記載の信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｂ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）と前記複数の第１リード端子（１１～１３，１５，１６，１８）とを個別に接続する第１リード用ワイヤ（ＷＢ）と、を備え、
　前記複数の第１リード端子（１１～１３，１５，１６，１８）は、
　前記第１方向（Ｘ方向）に延びる第１部分（１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ，１６ＡＢ，１８ＡＢ）と、
　前記第１部分（１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ，１６ＡＢ，１８ＡＢ）に連続して設けられ、前記第１部分（１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ，１６ＡＢ，１８ＡＢ）に対して前記第１方向（Ｘ方向）と交差する方向に延びる第２部分（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡ，１８ＡＡ）と、を含み、
　前記第２部分（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡ，１８ＡＡ）は、当該第２部分（１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ，１６ＡＡ，１８ＡＡ）に接続された前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）と平面視で交差する側面を含む
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｂ１が解決しようとする課題］
　平面視において第１リード用ワイヤが第１リード端子の側面に沿うように延びると、第１リード端子に対する第１リード用ワイヤの位置が分かりにくくなり、第１リード用ワイヤのうち第１リード端子との接合部の位置が確認しにくくなる。
　［付記Ｂ１の効果］
　付記Ｂ１に記載の信号伝達装置によれば、第１リード用ワイヤのうち第１リード端子との接合部の位置を確認しやすくなる。
　［付記Ｃ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）と前記複数の第１リード端子（１１～１３，１５，１６，１８）とを個別に接続する第１リード用ワイヤ（ＷＢ）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）は、
　前記第１ダイパッド（３０）と一体化された第１接続端子（１４）と、
　前記第１ダイパッド（３０）と離隔して配置された第１離隔端子（１１～１３，１５～１８）と、を含み、
　前記第１離隔端子（１１～１３，１５～１８）は、前記第１離隔端子（１１～１３，１５～１８）の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通する貫通孔（１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤ）を有し、
　前記貫通孔（１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤ）内には前記封止樹脂（９０）が充填されている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｃ１が解決しようとする課題］
　第１離隔端子に外力が加えられた場合、第１離隔端子が封止樹脂に対して移動するおそれがある。第１離隔端子の移動にともない、第１リード用ワイヤに力が加えられるおそれがある。
　［付記Ｃ１の効果］
　付記Ｃ１に記載の信号伝達装置によれば、第１離隔端子の移動に起因して第１リード用ワイヤに力が加えられることを抑制できる。
　［付記Ｄ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）と前記複数の第１リード端子（１１～１３，１５，１６，１８）とを個別に接続する第１リード用ワイヤ（ＷＢ）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記各第１リード端子（１１～１８）は、
　前記封止樹脂（９０）の外部に露出した第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）と、
　前記封止樹脂（９０）の内部に設けられ、前記第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）に接続された第１インナーリード部（１１Ａ～１８Ａ）と、を含み、
　前記複数の第１リード端子（１１～１３，１５～１８）は、
　前記第１インナーリード部（１１Ａ，１２Ａ，１７Ａ，１８Ａ）に前記第１リード端子（１１，１２，１７，１８）の厚さ方向（Ｚ方向）に貫通した貫通孔（１１ＡＤ，１２ＡＤ，１７ＡＤ，１８ＡＤ）が形成された第１特定端子（１１，１２，１７，１８）と、
　前記第１インナーリード部（１３Ａ，１５Ａ，１６Ａ）に前記貫通孔が形成されていない第２特定端子（１３，１５，１６）と、を含み、
　前記複数の第１リード用ワイヤ（ＷＢ）は、
　前記第１特定端子（１１，１２，１７，１８）に接合された第１特定ワイヤと、
　前記第２特定端子（１３，１５，１６）に接合された第２特定ワイヤと、を含み、
　前記第２特定ワイヤのうち前記第２特定端子（１３，１５，１６）に接合された接合部には、セキュリティボンド（ＷＢ１）が形成されている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｄ１が解決しようとする課題］
　第１リード端子に外力が加えられた場合、第１リード端子が封止樹脂に対して移動するおそれがある。第１リード端子の移動にともない、第１リード用ワイヤに力が加えられるおそれがある。
　［付記Ｄ１の効果］
　付記Ｄ１に記載の信号伝達装置によれば、第１リード端子の移動に起因して第１リード用ワイヤに力が加えられることを抑制できる。
　［付記Ｅ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する矩形平板状の封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記封止樹脂（９０）は、封止表面（９１）と、前記封止表面（９１）とは反対側の封止裏面（９２）と、前記封止表面（９１）と前記封止裏面（９２）とを繋ぐ封止側面（９３～９６）と、を有し、
　前記封止側面（９３～９６）は、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）が露出された第１封止側面（９３）と、
　前記複数の第２リード端子（４１～４８）が露出された第２封止側面（９４）と、
　前記第１封止側面（９３）と前記第２封止側面（９４）とを繋ぐ第３封止側面（９５）および第４封止側面（９６）と、を含み、
　前記第３封止側面（９５）および前記第４封止側面（９６）の双方は、導電部材（１０Ｄ，１０Ｅ）が露出することなく前記封止樹脂（９０）のみで構成されている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｅ１が解決しようとする課題］
　信号伝達装置の絶縁耐圧の向上の観点から、複数の第１リード端子と複数の第２リード端子との間の絶縁距離を大きくとることが望まれている。
　［付記Ｅ１の効果］
　付記Ｅ１に記載の信号伝達装置によれば、信号伝達装置の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　［付記Ｆ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、を備え、
　前記第１チップ（６０）は、
　素子絶縁層（１５０）と、
　前記素子絶縁層（１５０）上に設けられた第１樹脂層（１９１）と、
　前記第１樹脂層（１９１）上に設けられた第２樹脂層（１９２）と、を備え、
　前記絶縁トランス（１１１，１１２）は、
　前記第１樹脂層（１９１）上に配置され、前記第２樹脂層（１９２）によって覆われた第１コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と、
　前記素子絶縁層（１５０）の厚さ方向（Ｚ方向）において前記第１コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と対向配置され、前記素子絶縁層（１５０）内に埋め込まれた第２コイル（１１１Ｂ～１１４Ｂ）と、を含む
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｆ１が解決しようとする課題］
　信号伝達装置の絶縁耐圧の向上の観点から絶縁トランスの第１コイルと第２コイルとの間の距離が大きいことが望ましい。
　［付記Ｆ１の効果］
　付記Ｆ１に記載の信号伝達装置によれば、絶縁トランスの第１コイルと第２コイルとの間の距離を容易に大きくすることができる。
　［付記Ｇ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記第１チップ（６０）は、
　素子絶縁層（１５０）と、
　前記素子絶縁層（１５０）を覆うように前記素子絶縁層（１５０）上に形成されたパッシベーション膜（１６１）と、
　前記パッシベーション膜（１６１）の表面に形成され、前記パッシベーション膜（１６１）よりも比誘電率が低い低誘電率層（１９３）と、を備え、
　前記封止樹脂（９０）は、前記低誘電率層（１９３）を覆っている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｇ１が解決しようとする課題］
　封止樹脂とパッシベーション膜とが接触する構造では、封止樹脂とパッシベーション膜との境界部分に空隙が存在する場合がある。この空隙に起因して部分放電、ひいては沿面放電が発生するおそれがある。
　［付記Ｇ１の効果］
　付記Ｇ１の信号伝達装置によれば、部分放電、ひいては沿面放電の発生を抑制することによって第１チップの信頼性を高めることができる。
　［付記Ｈ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、を備え、
　前記絶縁トランス（１１１，１１２）は、
　第１コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と、
　前記第１コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）と対向配置された第２コイル（１１１Ｂ～１１４Ｂ）と、を含み、
　前記第１コイル（１１１Ａ～１１４Ａ）は、
　コイル表面（１７１）と、
　前記コイル表面（１７１）とは反対側のコイル裏面（１７２）と、
　前記コイル表面（１７１）と前記コイル裏面（１７２）とを繋ぐコイル側面（１７３）と、を有し、
　前記コイル表面（１７１）と前記コイル側面（１７３）との間には湾曲面（１７６）が形成されている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｈ１が解決しようとする課題］
　第１コイルのコイル表面とコイル側面とによって構成されたコーナ部分には電界集中が生じやすい。この電界集中に起因して第１チップの絶縁耐圧の低下を招くおそれがある。
　［付記Ｈ１の効果］
　付記Ｈ１に記載の信号伝達装置によれば、第１コイルの電界集中の発生を抑制することによって第１チップの絶縁耐圧の低下を抑制できる。
　［付記Ｉ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、を備え、
　前記第１チップ（６０）は、
　前記第１ダイパッド（３０）に搭載された平板状の基板（１３０）と、
　前記基板（１３０）上に形成され、前記絶縁トランス（１１１，１１２）の少なくとも一部が設けられた素子絶縁層（１５０）と、を備え、
　前記基板（１３０）は、
　前記第１ダイパッド（３０）と対面する基板裏面（１３２）と、
　前記基板裏面（１３２）とは反対側の基板表面（１３１）と、
　前記基板裏面（１３２）と前記基板表面（１３１）とを繋ぐ基板側面（１３３～１３６）と、
　前記基板裏面（１３２）を含む第１部分（１３７）と、
　前記第１部分（１３７）上に設けられ、前記基板表面（１３１）を含む第２部分（１３８）と、
　前記第１部分（１３７）に対して前記第２部分（１３８）が前記基板（１３０）の内側に位置するように形成された段差部（１３９）と、を有する
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｉ１が解決しようとする課題］
　第１導電性接合材によって第１チップが第１ダイパッドに実装された場合、第１導電性接合材が第１チップのチップ表面まで這い上がるおそれがある。
　［付記Ｉ１の効果］
　付記Ｉ１に記載の信号伝達装置によれば、第１導電性接合材が第１チップのチップ表面まで這い上がることを抑制できる。
　［付記Ｊ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、を備え、
　前記第１ダイパッド（３０）は、
　平面視において前記第２ダイパッド（５０Ａ）と前記第１方向（Ｘ方向）に対向する第１先端面（３１）と、
　平面視において前記第１先端面（３１）とは反対側の第１基端面（３２）と、
　前記第２方向（Ｙ方向）の両側面を構成する第１側面（３３）および第２側面（３４）と、
　前記第１先端面（３１）と前記第１側面（３３）との間に形成された第１先端側湾曲面（３５Ａ）と、
　前記第１先端面（３１）と前記第２側面（３４）との間に形成された第２先端側湾曲面（３５Ｂ）と、を有し、
　平面視において、前記第２先端側湾曲面（３５Ｂ）の弧の長さは、前記第１先端側湾曲面（３５Ａ）の弧の長さよりも長い
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｊ１が解決しようとする課題］
　第１ダイパッドおよび第２ダイパッドの双方にコーナ部分が形成される場合、コーナ部分には電界集中が生じやすい。このようなコーナ部分が第１方向に対向していると、これらコーナ部分の電界集中に起因して第１ダイパッドと第２ダイパッドとの間で絶縁破壊が生じるおそれがある。
　［付記Ｊ１の効果］
　付記Ｊ１に記載の信号伝達装置によれば、第１ダイパッドと第２ダイパッドとの間の絶縁破壊の発生を抑制できる。
　［付記Ｋ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記複数の第１リード端子（１１～１８）は、前記封止樹脂の外部に突出した第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）を含み、
　前記第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）は、
　アウターリード表面（２１Ａ）と、
　前記アウターリード表面（２１Ａ）とは反対側を向くアウターリード裏面（２２Ａ）と、
　前記第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）の幅方向（Ｙ方向）の両端において前記アウターリード表面（２１Ａ）と前記アウターリード裏面（２２Ａ）とを繋ぐアウターリード側面（２３Ａ）と、
　前記第１アウターリード部（１１Ｂ～１８Ｂ）が延びる方向の端面であるアウターリード端面（２４Ａ）と、を有し、
　前記アウターリード表面（２１Ａ）、前記アウターリード裏面（２２Ａ）、および前記アウターリード側面（２３Ａ）には、めっき層（２６）が形成され、
　前記めっき層（２６）は、前記アウターリード端面（２４Ａ）のうち前記アウターリード裏面（２２Ａ）から前記アウターリード表面（２１Ａ）に向けて連続的に形成され、かつ前記アウターリード表面（２１Ａ）とは離隔している
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｋ１が解決しようとする課題］
　たとえば導電性接合材によって信号伝達装置が回路基板に実装された場合、信号伝達装置と回路基板との実装状態が確認しやすいことが望ましい。
　［付記Ｋ１の効果］
　付記Ｋ１に記載の信号伝達装置によれば、アウターリード端面に導電性接合材が接してフィレットが形成されるため、信号伝達装置と回路基板との実装状態が確認しやすくなる。
　［付記Ｌ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記第１リード端子（１１～１８）は、前記封止樹脂（９０）内に設けられた第１インナーリード部（１１Ａ～１８Ａ）を含み、
　前記第１インナーリード部（１２Ａ～１７Ａ）は、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）が接続されるワイヤ接続部（１２ＡＡ～１７ＡＡ）を含み、
　前記ワイヤ接続部（１２ＡＡ～１７ＡＡ）は、
　前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）が接合されるインナーリード表面（２１Ｂ）と、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）とは反対側を向くインナーリード裏面（２２Ｂ）と、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）と前記インナーリード裏面（２２Ｂ）とを繋ぐインナーリード側面（２３Ｂ）と、を有し、
　前記インナーリード側面（２３Ｂ）は、前記第１ダイパッド（３０）と前記第２方向（Ｙ方向）に対向する先端面（２４Ｂ）を含み、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）には、めっき層（２９）が形成されており、
　前記インナーリード表面（２１Ｂ）のうち前記先端面（２４Ｂ）側の端部には、めっき層（２９）が形成されておらず、前記封止樹脂（９０）と接している
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｌ１が解決しようとする課題］
　ワイヤ接続部と第１リード用ワイヤとを良好に接合するため、ワイヤ接続部のインナーリード表面にはめっき層が形成されている。このめっき層とインナーリード表面とが剥離することに起因して、ワイヤ接続部と第１リード用ワイヤとが良好に接合できないおそれがある。
　［付記Ｌ１の効果］
　付記Ｌ１に記載の信号伝達装置によれば、ワイヤ接続部と第１リード用ワイヤとを良好に接合することができる。
　［付記Ｍ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記封止樹脂（９０）の外表面（９１～９６）は、面粗度Ｒｚが８μｍ以上となるように形成されている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｍ１が解決しようとする課題］
　信号伝達装置の絶縁耐圧の向上の観点から、複数の第１リード端子と複数の第２リード端子との間の絶縁距離を大きくとることが望まれている。
　［付記Ｍ１の効果］
　付記Ｍ１に記載の信号伝達装置によれば、信号伝達装置の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　［付記Ｎ１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、
　前記第１チップ（６０）、前記第２チップ（７０）、前記第３チップ（８０）、前記第１リード用ワイヤ（ＷＢ）、前記第１ダイパッド（３０）、前記第２ダイパッド（５０Ａ）、および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）を封止するとともに前記各第１リード端子（１１～１８）および前記各第２リード端子（４１～４８）を部分的に封止する封止樹脂（９０）と、を備え、
　前記第２チップ（７０）に電気的に接続される前記複数の第２リード端子（４１～４４）と、前記第３チップ（８０）に電気的に接続される前記複数の第２リード端子（４５～４８）との最短距離は、前記第２チップ（７０）に電気的に接続される前記複数の第２リード端子（４１～４４）のうち前記第２方向（Ｙ方向）に隣り合う第２リード端子間の距離よりも大きい
　信号伝達装置。
　［付記Ｎ１が解決しようとする課題］
　信号伝達装置の絶縁耐圧の向上の観点から、第２チップに電気的に接続される複数の第２リード端子と、第３チップに電気的に接続される複数の第２リード端子との間の絶縁距離を大きくとることが望まれている。
　［付記Ｎ１の効果］
　付記Ｎ１に記載の信号伝達装置によれば、信号伝達装置の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　［付記O１］
　絶縁トランス（１１１，１１２）を含む第１チップ（６０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップ（７０）と、
　前記第１チップ（６０）からの信号を受信、および前記第１チップ（６０）への信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップ（８０）と、
　前記第１チップ（６０）が搭載された第１ダイパッド（３０）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置されており、前記第２チップ（７０）が搭載された第２ダイパッド（５０Ａ）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第１方向（Ｘ方向）において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッド（５０Ａ）に対して平面視で前記第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）において離隔して配置されており、前記第３チップ（８０）が搭載された第３ダイパッド（５０Ｂ）と、
　平面視において前記第１方向（Ｘ方向）において前記第１ダイパッド（３０）に対して前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）とは反対側に配置され、平面視において前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第１リード端子（１１～１８）と、
　前記第１方向（Ｘ方向）において前記第２ダイパッド（５０Ａ）および前記第３ダイパッド（５０Ｂ）に対して前記第１ダイパッド（３０）とは反対側に配置され、前記第２方向（Ｙ方向）に配列された複数の第２リード端子（４１～４８）と、を備え、
　前記第１リード端子（１４）は、
　前記第２方向（Ｙ方向）において前記第１ダイパッド（３０）の重心（Ｇ１）に対してずれて配置された第１アウターリード接続部（１４ＡＢ１）と、
　前記第１ダイパッド（３０）に接続された第１ダイパッド接続部（１４ＡＢ２）と、を含み、
　前記第１ダイパッド接続部（１４ＡＢ２）は、平面視において前記第１アウターリード接続部（１４ＡＢ１）から前記第１ダイパッド（３０）の重心に向けて斜めに一直線状に延びている
　信号伝達装置（１０）。
　［付記Ｏ１が解決する課題］
　第１インナーリードに接続された第１ダイパッドは、信号伝達装置の製造時に変形しやすい。
　［付記Ｏ１の効果］
　付記Ｏ１に記載の信号伝達装置によれば、第１ダイパッドの変形量を低減できる。
　以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
　１０…信号伝達装置
　１０Ａ…第１フレーム
　１０Ｂ…第２フレーム
　１０Ｄ，１０Ｅ…導電部材
　１１～１８…第１リード端子
　１１Ａ～１８Ａ…第１インナーリード部
　１１ＡＡ～１３ＡＡ，１５ＡＡ～１８ＡＡ…ワイヤ接続部
　１１ＡＡ１，１２ＡＡ１，１７ＡＡ１，１８ＡＡ１…幅狭部
　１１ＡＢ～１３ＡＢ，１５ＡＢ～１８ＡＢ…リード接続部
　１１ＡＣ，１２ＡＣ，１７ＡＣ，１８ＡＣ…窪み部
　１１ＡＣ１，１２ＡＣ１，１７ＡＣ１，１８ＡＣ１…第１面
　１１ＡＣ２，１２ＡＣ２，１７ＡＣ２，１８ＡＣ２…第２面
　１１ＡＣ３，１２ＡＣ３，１７ＡＣ３，１８ＡＣ３…湾曲凹部
　１１ＡＤ～１３ＡＤ，１５ＡＤ～１８ＡＤ…貫通孔
　１１ＡＥ，１８ＡＥ…傾斜面
　１１Ｂ～１８Ｂ…第１アウターリード部
　１４ＡＢ１…第１アウターリード接続部
　１４ＡＢ２…第１ダイパッド接続部
　１５ＡＣ…傾斜面
　１８Ｐ…突出部
　１８Ｑ…中間部
　１８Ｒ…接続部
　２０Ａ…アウターリード本体
　２０Ｂ…インナーリード本体
　２１Ａ…アウターリード表面
　２１Ｂ…インナーリード表面
　２２Ａ…アウターリード裏面
　２２Ｂ…インナーリード裏面
　２３Ａ…アウターリード側面
　２３Ｂ…インナーリード側面
　２４Ａ…アウターリード端面
　２４Ｂ…先端面
　２５…裏面側湾曲部
　２６…めっき層
　２７…端面めっき層
　２７Ａ…先端縁
　２７Ｂ…凹部
　２８…本体露出領域
　２９…めっき層
　２９Ａ…端面
　３０…第１ダイパッド
　３１…第１先端面
　３２…第１基端面
　３３…第１側面
　３４…第２側面
　３５Ａ…第１先端側湾曲面
　３５Ｂ…第２先端側湾曲面
　３６Ａ…第１窪み部
　３６Ａ１…第１面
　３６Ａ２…第２面
　３６Ａ３…湾曲凹部
　３６Ａ４…傾斜面
　３６Ｂ…第２窪み部
　３６Ｂ１…第１面
　３６Ｂ２…第２面
　３６Ｂ３…湾曲凹部
　３６Ｃ…第３窪み部
　３６Ｃ１…第１面
　３６Ｃ２…第２面
　３６Ｃ３…湾曲凹部
　３７…傾斜面
　３８Ａ…第１先端側突出部
　３８Ｂ…第２先端側突出部
　３９…接続部
　４１～４８…第２リード端子
　４１Ａ～４８Ａ…第２インナーリード部
　４１Ｂ～４８Ｂ…第２アウターリード部
　４２ＡＡ～４５ＡＡ，４７ＡＡ，４８ＡＡ…ワイヤ接続部
　４２ＡＢ～４５ＡＢ，４７ＡＢ，４８ＡＢ…リード接続部
　４２ＡＣ，４３ＡＣ…傾斜面
　４２ＡＤ，４８ＡＤ…貫通孔
　４１Ｐ…突出部
　４１Ｑ…中間部
　４１Ｒ…接続部
　４６ＡＢ１…第２アウターリード接続部
　４６ＡＢ２…第２ダイパッド接続部
　４７ＡＡ１…側面
　４８ＡＡ１…幅狭部
　４８ＡＣ…窪み部
　４８ＡＣ１…第１面
　４８ＡＣ２…第２面
　４８ＡＣ３…湾曲凹部
　４８ＡＥ…傾斜面
　５０Ａ…第２ダイパッド
　５１Ａ…ダイパッド対向面
　５２Ａ…リード側面
　５３Ａ…第３側面
　５４Ａ…第４側面
　５５ＡＡ…第１湾曲面
　５５ＡＢ…第２湾曲面
　５６Ａ…第４窪み部
　５６Ａ１…第１面
　５６Ａ２…第２面
　５６Ａ３…湾曲凹部
　５７Ａ…傾斜面
　５８Ａ…貫通孔
　５９Ａ…凹部
　５９Ａ１…第１側面
　５９Ａ２…第２側面
　５９Ａ３…底面
　５０Ｂ…第３ダイパッド
　５１Ｂ…ダイパッド対向面
　５２Ｂ…リード側面
　５３Ｂ…第５側面
　５４Ｂ…第６側面
　５５ＢＡ…第１先端側湾曲面
　５５ＢＢ…第２先端側湾曲面
　５６ＢＡ…第１基端側湾曲面
　５６ＢＢ…第２基端側湾曲面
　５７Ｂ…第５窪み部
　５７Ｂ１…第１面
　５７Ｂ２…第２面
　５７Ｂ３…湾曲凹部
　５７Ｃ…第６窪み部
　５７Ｃ１…第１面
　５７Ｃ２…第２面
　５７Ｃ３…湾曲凹部
　５７Ｄ…第７窪み部
　５７Ｄ１…第１面
　５７Ｄ２…第２面
　５７Ｄ３…湾曲凹部
　５７Ｄ４…傾斜面
　５８Ｂ…突出部
　５９Ｂ…接続部
　６０…第１チップ
　６１…チップ表面
　６２…チップ裏面
　６３～６６…第１～第４チップ側面
　６７，６７Ａ～６７Ｆ…第１電極パッド
　６８…第２電極パッド
　６９…第３電極パッド
　７０…第２チップ
　７１…チップ表面
　７３～７６…第１～第４チップ側面
　７７…第１電極パッド
　７８…第２電極パッド
　７９…第３電極パッド
　８０…第３チップ
　８１…チップ表面
　８３～８６…第１～第４チップ側面
　８７…第１電極パッド
　８８…第２電極パッド
　８９…第３電極パッド
　９０…封止樹脂
　９１…封止表面
　９１Ａ…凹部
　９２…封止裏面
　９３～９６…第１～第４封止側面
　９３Ａ…第１表面側側面
　９３ＡＡ…傾斜面
　９３Ｂ…第１裏面側側面
　９３Ｃ…第１中央側面
　９４Ａ…第２表面側側面
　９４Ｂ…第２裏面側側面
　９４Ｃ…第２中央側面
　９４Ｅ…溝部
　９５Ａ…第３表面側側面
　９５Ｂ…第３裏面側側面
　９５Ｃ…第３中央側面
　９５Ｄ…凹部
　９５Ｅ…溝部
　９６Ａ…第４表面側側面
　９６Ｂ…第４裏面側側面
　９６Ｃ…第４中央側面
　９６Ｄ…凹部
　９６Ｅ…溝部
　１００…外周ガードリング
　１０１…表面側外周ガードリング
　１０２…裏面側外周ガードリング
　１０３…表面側接続配線
　１０４…裏面側接続配線
　１１０…絶縁トランス領域
　１１１…第１トランス
　１１１Ａ…第１表面側コイル
　１１１Ａ１…第１コイル部
　１１１Ａ２…第１外側コイル端部
　１１１Ａ３…第１内側コイル端部
　１１１Ｂ…第１裏面側コイル
　１１１ＢＡ，１１１ＢＢ…コイル層
　１１１Ｂ１…第１コイル部
　１１１Ｂ２…第１外側コイル端部
　１１１Ｂ３…第１内側コイル端部
　１１２Ａ…第２表面側コイル
　１１２…第２トランス
　１１２Ａ１…第２コイル部
　１１２Ａ２…第２外側コイル端部
　１１２Ａ３…第２内側コイル端部
　１１２Ｂ…第２裏面側コイル
　１１２Ｂ１…第２コイル部
　１１２Ｂ２…第２外側コイル端部
　１１２Ｂ３…第２内側コイル端部
　１１３Ａ…第３表面側コイル
　１１３Ａ１…第３コイル部
　１１３Ａ２…第３外側コイル端部
　１１３Ａ３…第３内側コイル端部
　１１３Ｂ…第３裏面側コイル
　１１３Ｂ１…第３コイル部
　１１３Ｂ２…第３外側コイル端部
　１１３Ｂ３…第３内側コイル端部
　１１４Ａ…第４表面側コイル
　１１４Ａ１…第４コイル部
　１１４Ａ２…第４外側コイル端部
　１１４Ａ３…第４内側コイル端部
　１１４Ｂ…第４裏面側コイル
　１１４Ｂ１…第４コイル部
　１１４Ｂ２…第４外側コイル端部
　１１４Ｂ３…第４内側コイル端部
　１１５…表面側ガードリング
　１１５Ａ…第１リング部
　１１５Ｂ…第２リング部
　１１６…裏面側ガードリング
　１１７…ビア
　１１８Ａ…第１接続配線
　１１８Ｂ…第２接続配線
　１１８Ｃ…第３接続配線
　１１８Ｄ…第４接続配線
　１２０…回路領域
　１２１…配線層
　１２２…基板側配線層
　１２２Ａ…第１配線層
　１２２Ｂ…第２配線層
　１２２Ｃ…第３配線層
　１２３…第１ビア
　１２３Ａ…バリア層
　１２３Ｂ…金属層
　１２４…第２ビア
　１２５…第３ビア
　１２６…第４ビア
　１３０…基板
　１３１…基板表面
　１３２…基板裏面
　１３３～１３６…第１～第４基板側面
　１３７…第１部分
　１３８…第２部分
　１３９…段差部
　１５０…素子絶縁層
　１５１…層表面
　１５２…層裏面
　１５３…凹部
　１６１…パッシベーション膜
　１６２…保護膜
　１７０…導線
　１７１…コイル表面
　１７２…コイル裏面
　１７３…コイル側面
　１７４…バリア層
　１７５…金属層
　１７６…表面側コーナ部分
　１７７…裏面側コーナ部分
　１７８…シード層
　１７９…金属層
　１８０…導線
　１８１…コイル表面
　１８２…コイル裏面
　１８３…コイル側面
　１８４…裏面側バリア層
　１８５…金属層
　１８６…表面側バリア層
　１９１…第１有機絶縁層
　１９２…第２有機絶縁層
　１９２Ａ…開口部
　１９３…低誘電層
　２３０…基板
　２３１…基板表面
　２３２…基板裏面
　２３３～２３６…第１～第４基板側面
　２３７…第１部分
　２３８…第２部分
　２３９…段差部
　３３０…基板
　３３１…基板表面
　３３２…基板裏面
　３３３～３３６…第１～第４基板側面
　３３７…第１部分
　３３８…第２部分
　３３９…段差部
　５００…第１回路
　５０１…第１送信部
　５０２…第２送信部
　５０３…ロジック部
　５０４…ＬＤＯ部
　５０５…ＵＶＬＯ部
　５０６…遅延部
　５０７，５０８…シュミットトリガ
　５０９，５１０…抵抗
　５２０…第２回路
　５２１…第１受信部
　５２２…ロジック部
　５２３…ＵＶＬＯ部
　５２４，５２５…バッファ回路
　５２６，５２７…スイッチング素子
　５２８…抵抗
　５３０…第２回路
　５３１…第２受信部
　５３２…ロジック部
　５３３…ＵＶＬＯ部
　５３４，５３５…バッファ回路
　５３６，５３７…スイッチング素子
　５３８…抵抗
　８３０…基板
　８３１…基板表面
　８３２…基板裏面
　８３３…凹部
　８３９…段差部
　８５０…素子絶縁層
　８５１…層表面
　８５３…凹部
　８５３Ａ…底面
　８５３Ｂ…側面
　８６１…パッシベーション膜
　８６２…保護膜
　８９１…第１有機絶縁層
　８９２…第２有機絶縁層
　８９２Ａ…開口部
　９０１…バリア層
　９０２…金属層
　９０３…表面側コーナ部分
　９１１…シード層
　９１１Ａ…第１シード層
　９１１Ｂ…第２シード層
　９１２…金属層
　９１３…表面側コーナ部分
　９２０…レジスト
　９２１…開口部
　９２２…内方突出部
　Ｇ１，Ｇ２…重心
　Ｐ１～Ｐ６…第１端子
　Ｑ１～Ｑ６…第２端子
　ＰＣＢ…回路基板
　ＳＤ…導電性接合材
　ＳＤ１…第１導電性接合材
　ＳＤＡ…第１フィレット
　ＳＤ２…第２導電性接合材
　ＳＤＢ…第２フィレット
　ＳＤ３…第３導電性接合材
　ＳＤＣ…第３フィレット
　ＳＢ…スタッドバンプ
　ＷＡ…チップ間ワイヤ
　ＷＢ…第１リード用ワイヤ
　ＷＢ１…セキュリティボンド
　ＷＣ…第１ダイパッド用ワイヤ
　ＷＣ１…セキュリティボンド
　ＷＤ…第２リード用ワイヤ
　ＷＤ１…セキュリティボンド
　ＷＥ…第２ダイパッド用ワイヤ
　ＷＥ１…セキュリティボンド
　ＷＦ…第３ダイパッド用ワイヤ
　ＷＦ１…セキュリティボンド
　ＷＦＰ…接合部
　ＤＢ１…第１ダイシングブレード
　ＤＢ２…第２ダイシングブレード
　ＤＴ…ダイシングテープ
　Ｒ１～Ｒ３…領域
　Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３…幅
　ＣＲ１～ＣＲ３…第１～第３回路部

Claims (20)

  1. 　絶縁トランスを含む第１チップと、
    　前記第１チップからの信号を受信、および前記第１チップへの信号の送信の少なくとも一方を行う第２チップと、
    　前記第１チップからの信号を受信、および前記第１チップへの信号の送信の少なくとも一方を行う第３チップと、
    　前記第１チップが搭載された第１ダイパッドと、
    　前記第１ダイパッドに対して第１方向において離隔して配置されており、前記第２チップが搭載された第２ダイパッドと、
    　前記第１ダイパッドに対して前記第１方向において離隔して配置され、かつ前記第２ダイパッドに対して平面視で前記第１方向と直交する第２方向において離隔して配置されており、前記第３チップが搭載された第３ダイパッドと、
    　平面視において前記第１方向において前記第１ダイパッドに対して前記第２ダイパッドおよび前記第３ダイパッドとは反対側に配置され、平面視において前記第２方向に配列された複数の第１リード端子と、
    　前記第１方向において前記第２ダイパッドおよび前記第３ダイパッドに対して前記第１ダイパッドとは反対側に配置され、前記第２方向に配列された複数の第２リード端子と、
    　前記第１チップと前記第２チップおよび前記第３チップとを個別に接続するチップ間ワイヤと、
    　前記第１チップと前記複数の第１リード端子とを個別に接続する複数の第１リード用ワイヤと、
    を備え、
    　前記チップ間ワイヤは、金を含む材料によって形成されており、
    　前記第１リード用ワイヤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
    　信号伝達装置。
  2. 　前記第１リード用ワイヤは、銅ワイヤの表面にパラジウムがコーティングされた構成である
    　請求項１に記載の信号伝達装置。
  3. 　前記第２チップと前記複数の第２リード端子とを個別に接続する複数の第２リード用ワイヤをさらに備え、
    　前記第２リード用ワイヤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
    　請求項１または２に記載の信号伝達装置。
  4. 　前記第１チップと前記第１ダイパッドとを接続する第１ダイパッド用ワイヤをさらに備え、
    　前記第１ダイパッド用ワイヤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  5. 　前記第２チップと前記第２ダイパッドとを接続する第２ダイパッド用ワイヤをさらに備え、
    　前記第２ダイパッド用ワイヤは、銅またはアルミニウムを含む材料によって形成されている
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  6. 　前記第１ダイパッド用ワイヤは、ボンディングワイヤであり、
    　前記第１ダイパッド用ワイヤのうち前記第１ダイパッドとの接合部には、セキュリティボンドが形成されている
    　請求項４に記載の信号伝達装置。
  7. 　前記第２ダイパッド用ワイヤは、ボンディングワイヤであり、
    　前記第２ダイパッド用ワイヤのうち前記第２ダイパッドとの接合部には、セキュリティボンドが形成されている
    　請求項５に記載の信号伝達装置。
  8. 　前記複数の第１リード端子は、前記第１ダイパッドから離隔して配置された第１離隔端子を含み、
    　前記第１離隔端子は、
    　前記第１方向に延びる第１部分と、
    　前記第１部分に連続して設けられ、平面視において前記第１部分に対して前記第１方向と交差する方向に延びる第２部分と、
    を含み、
    　前記第２部分は、当該第２部分と接続する前記第１リード用ワイヤと平面視で交差する側面を含み、
    　前記側面は、平面視において前記第１ダイパッドと対向している
    　請求項１～７のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  9. 　前記第２チップに電気的に接続される前記複数の第２リード端子と、前記第３チップに電気的に接続される前記複数の第２リード端子との最短距離は、前記第２チップに電気的に接続される前記複数の第２リード端子のうち前記第２方向に隣り合う第２リード端子間の距離よりも大きい
    　請求項１～８のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  10. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
    　前記複数の第１リード端子は、
    　前記第１ダイパッドと一体化された第１接続端子と、
    　前記第１ダイパッドから離隔して配置された第１離隔端子と、
    を含み、
    　前記第１離隔端子は、前記第１離隔端子の厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
    　前記貫通孔内には前記封止樹脂が充填されている
    　請求項１～９のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  11. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
    　前記各第１リード端子は、
    　前記封止樹脂の外部に露出した第１アウターリード部と、
    　前記封止樹脂の内部に設けられ、前記第１アウターリード部に接続された第１インナーリード部と、
    を含み、
    　前記複数の第１リード端子は、
    　前記第１インナーリード部に前記第１リード端子の厚さ方向に貫通した貫通孔が形成された第１特定端子と、
    　前記第１インナーリード部に前記貫通孔が形成されていない第２特定端子と、
    を含み、
    　前記複数の第１リード用ワイヤは、
    　前記第１特定端子に接合された第１特定ワイヤと、
    　前記第２特定端子に接合された第２特定ワイヤと、
    を含み、
    　前記第２特定ワイヤのうち前記第２特定端子に接合された接合部には、セキュリティボンドが形成されている
    　請求項１～９のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  12. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する矩形平板状の封止樹脂をさらに備え、
    　前記封止樹脂は、封止表面と、前記封止表面とは反対側の封止裏面と、前記封止表面と前記封止裏面とを繋ぐ封止側面と、を有し、
    　前記封止側面は、
    　前記複数の第１リード端子が露出された第１封止側面と、
    　前記複数の第２リード端子が露出された第２封止側面と、
    　前記第１封止側面と前記第２封止側面とを繋ぐ第３封止側面および第４封止側面と、
    を含み、
    　前記第３封止側面および前記第４封止側面の双方は、導電部材が露出することなく前記封止樹脂のみで構成されている
    　請求項１～１１のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  13. 　前記第１チップは、
    　素子絶縁層と、
    　前記素子絶縁層上に設けられた第１樹脂層と、
    　前記第１樹脂層上に設けられた第２樹脂層と、
    を備え、
    　前記絶縁トランスは、
    　前記第１樹脂層上に配置され、前記第２樹脂層によって覆われた表面側コイルと、
    　前記素子絶縁層の厚さ方向において前記表面側コイルと対向配置され、前記素子絶縁層内に埋め込まれた裏面側コイルと、
    を含む
    　請求項１～１２のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  14. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
    　前記第１チップは、
    　素子絶縁層と、
    　前記素子絶縁層を覆うように前記素子絶縁層上に形成されたパッシベーション膜と、
    　前記パッシベーション膜の表面に形成され、前記パッシベーション膜よりも比誘電率が低い低誘電層と、
    を備え、
    　前記封止樹脂は、前記低誘電層を覆っている
    　請求項１～１２のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  15. 　前記絶縁トランスは、
    　前記第１チップのチップ表面寄りに配置された表面側コイルと、
    　前記表面側コイルと対向配置された裏面側コイルと、
    を含み、
    　前記表面側コイルは、
    　コイル表面と、
    　前記コイル表面とは反対側のコイル裏面と、
    　前記コイル表面と前記コイル裏面とを繋ぐコイル側面と、
    を有し、
    　前記コイル表面と前記コイル側面との間には湾曲面が形成されている
    　請求項１～１４のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  16. 　前記第１チップは、
    　前記第１ダイパッドに搭載された平板状の基板と、
    　前記基板上に形成され、前記絶縁トランスの少なくとも一部が設けられた素子絶縁層と、
    を備え、
    　前記基板は、
    　前記第１ダイパッドと対面する基板裏面と、
    　前記基板裏面とは反対側の基板表面と、
    　前記基板裏面と前記基板表面とを繋ぐ基板側面と、
    　前記基板裏面を含む第１部分と、
    　前記第１部分上に設けられ、前記基板表面を含む第２部分と、
    　前記第１部分に対して前記第２部分が前記基板の内側に位置するように形成された段差部と、
    を有する
    　請求項１～１５のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  17. 　前記第１リード端子は、
    　前記第２方向において前記第１ダイパッドの重心に対してずれて配置された第１アウターリード接続部と、
    　前記第１ダイパッドに接続された第１ダイパッド接続部と、
    を含み、
    　前記第１ダイパッド接続部は、平面視において前記第１アウターリード接続部から前記第１ダイパッドの重心に向けて斜めに一直線状に延びている
    　請求項１～１６のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  18. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
    　前記第１リード端子は、前記封止樹脂内に設けられた第１インナーリード部を含み、
    　前記第１インナーリード部は、前記第１リード用ワイヤが接続されるワイヤ接続部を含み、
    　前記ワイヤ接続部は、
    　前記第１リード用ワイヤが接合されるインナーリード表面と、
    　前記インナーリード表面とは反対側を向くインナーリード裏面と、
    　前記インナーリード表面と前記インナーリード裏面とを繋ぐインナーリード側面と、
    を有し、
    　前記インナーリード側面は、前記第１ダイパッドと前記第２方向に対向する先端面を含み、
    　前記インナーリード表面には、めっき層が形成されており、
    　前記インナーリード表面のうち前記先端面側の端部には、めっき層が形成されておらず、前記封止樹脂と接している
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  19. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
    　前記複数の第１リード端子は、前記封止樹脂の外部に突出した第１アウターリード部を含み、
    　前記第１アウターリード部は、
    　アウターリード表面と、
    　前記アウターリード表面とは反対側を向くアウターリード裏面と、
    　前記第１アウターリード部の幅方向の両端において前記アウターリード表面と前記アウターリード裏面とを繋ぐアウターリード側面と、
    　前記第１アウターリード部が延びる方向の端面であるアウターリード端面と、
    を有し、
    　前記アウターリード表面、前記アウターリード裏面、および前記アウターリード側面には、めっき層が形成され、
    　前記めっき層は、前記アウターリード端面のうち前記アウターリード裏面から前記アウターリード表面に向けて連続的に形成され、かつ前記アウターリード表面とは離隔している
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
  20. 　前記第１チップ、前記第２チップ、前記第３チップ、前記チップ間ワイヤ、前記第１リード用ワイヤ、前記第１ダイパッド、前記第２ダイパッド、および前記第３ダイパッドを封止するとともに前記各第１リード端子および前記各第２リード端子を部分的に封止する封止樹脂をさらに備え、
    　前記封止樹脂の外表面は、面粗度Ｒｚが８μｍ以上となるように形成されている
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
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