WO2024057709A1 - 半導体パッケージ、および、電子装置 - Google Patents

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semiconductor package
support
adhesive
view
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寿樹 小山
晴美 宮木
哲史 公文
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    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Definitions

  • the present technology relates to semiconductor packages.
  • the present invention relates to a semiconductor package in which a substrate is bonded to a support, and an electronic device.
  • Adhesives have traditionally been commonly used when sealing semiconductor chips within semiconductor packages.
  • a semiconductor package has been proposed in which a semiconductor chip is mounted on a substrate by wire bonding, and the wires and bonding terminals are sealed with an adhesive when the substrate is bonded to a support (for example, see Patent Document 1). ).
  • the wire and bonding terminal are sealed with an adhesive to prevent moisture from entering the wire connection portion.
  • the semiconductor chip is tilted during bonding, there is a risk that the adhesive may flow out of the specified area.
  • This technology was developed in light of these circumstances, and aims to prevent adhesive from flowing outside of a specified area in semiconductor packages, where the substrate is attached to the support with adhesive.
  • the present technology has been developed to solve the above-mentioned problems, and its first aspect is that it includes a substrate, and a semiconductor chip placed on the substrate plane of the substrate and electrically connected to the substrate.
  • a semiconductor package comprising: a support; and a first adhesive that partially flows into a gap between the substrate plane and the semiconductor chip and adheres the substrate to the support. This provides the effect of suppressing the adhesive from flowing out of the specified area.
  • a trench may be formed in the plane of the substrate. This brings about the effect that the adhesive flows into the trench.
  • the trench may be formed in the base material of the substrate. This brings about the effect that a deep trench is formed.
  • the trench may be formed in a solder resist. This brings about the effect that it is possible to form trenches with complex shapes and high precision by photolithography.
  • the trench may be formed of a conductor pattern. This brings about the effect that it is possible to form trenches with complex shapes and high precision by photolithography.
  • the trench may be formed by silk printing. This brings about the effect that the trench can be formed in a simple manner.
  • the first side surface may further include a die-bonding resin that includes a filler and bonds the semiconductor chip to the plane of the substrate. This brings about the effect of suppressing the inclination of the semiconductor chip.
  • a second adhesive and glass are further provided, one surface of both surfaces of the support is adhered to the substrate by the first adhesive, and the other surface is bonded to the substrate by the first adhesive. It may be bonded to the glass using the second adhesive. This brings about the effect of fixing the glass.
  • the support further includes a silicone resin
  • the support has an opening
  • one of the surfaces of the support has a protrusion that protrudes toward the semiconductor chip. is formed around the opening, and the silicone resin may be provided between the protrusion and the semiconductor chip. This provides the effect of suppressing the adhesive from flowing out onto the semiconductor chip.
  • a first slit may be formed on one of both surfaces of the support. This provides the effect of preventing the first adhesive from flowing out.
  • the first slit includes a plurality of first slit parts parallel or perpendicular to the side of the support body and a plurality of second slit parts formed in an oblique direction. It may be. This provides the effect of preventing the first adhesive from flowing out.
  • a second slit may be formed on the other surface of both surfaces of the support. This provides the effect of suppressing the second adhesive from flowing out.
  • a through hole may be formed in the support. This brings about the effect of suppressing the first and second adhesives from flowing out.
  • a second aspect of the present technology provides a substrate, a semiconductor chip placed on the substrate plane of the substrate and electrically connected to the substrate, a support, and a connection between the substrate plane and the semiconductor chip.
  • the electronic device includes a first adhesive, a portion of which flows into the gap between the substrate and the substrate, and an optical section that guides light to the semiconductor chip. This provides the effect of suppressing the adhesive from flowing out of the specified area within the electronic device.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of an electronic device according to a first embodiment of the present technology.
  • 1 is an example of a cross-sectional view of a semiconductor package according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the effect of providing a trench in the semiconductor package in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate in which a through hole is formed in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate in which a trench is formed according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1A and 1B are examples of a top view and a cross-sectional view of a substrate coated with a die-bonding resin according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package to which a sensor chip is die-bonded according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package to which wire bonding is performed according to the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is an example of a bottom view and a sectional view of a support coated with an adhesive according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package on which a support body is mounted according to a first embodiment of the present technology.
  • 1A and 1B are examples of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package in which a substrate is pressure-bonded according to a first embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package to which glass is bonded according to a first embodiment of the present technology. It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the semiconductor package in the 1st embodiment of this technique.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method of forming a trench using a solder resist in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method of forming a trench using a conductor pattern in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a method of forming a trench by grinding a substrate in the first embodiment of the present technology.
  • FIG. 3 is an example of a cross-sectional view of a semiconductor package according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate in which a through hole is formed according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 6 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate coated with die-bonding resin according to a second embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package to which a sensor chip is die-bonded according to a second embodiment of the present technology. It is an example of the top view and cross-sectional view of the board
  • FIG. 7 is a plan view showing another pattern of slits on the lower surface of the support in the fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 7 is a plan view showing a pattern of trenches on the upper surface of a substrate in a fifth embodiment of the present technology.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an installation position of an imaging unit.
  • First embodiment (example where trenches are formed in the substrate) 2.
  • Second embodiment (example using filler-containing die bond resin) 3.
  • Third embodiment (example in which a trench is formed in a substrate and die bond resin containing filler is used) 4.
  • Fourth embodiment (example in which a trench is formed on the substrate and a protrusion is formed on the support) 5.
  • Fifth embodiment (example in which trenches are formed in the substrate and slits are formed in the support) 6.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of an electronic device 100 according to a first embodiment of the present technology.
  • This electronic device 100 is a device for capturing image data, and includes an optical section 110, a sensor chip 230, and a DSP (Digital Signal Processing) circuit 120. Furthermore, the electronic device 100 includes a display section 130, an operation section 140, a bus 150, a frame memory 160, a storage section 170, and a power supply section 180.
  • a digital camera such as a digital still camera, a smartphone, a personal computer, a vehicle-mounted camera, etc. are assumed.
  • the optical section 110 collects light from the subject and guides it to the sensor chip 230.
  • the sensor chip 230 generates image data by photoelectric conversion in synchronization with a vertical synchronization signal.
  • the vertical synchronization signal is a periodic signal with a predetermined frequency that indicates the timing of imaging.
  • the sensor chip 230 supplies the generated image data to the DSP circuit 120.
  • a CIS CMOS Image Sensor
  • the DSP circuit 120 performs predetermined signal processing on image data from the sensor chip 230. This DSP circuit 120 outputs the processed image data to a frame memory 160 or the like via a bus 150.
  • the display unit 130 displays image data.
  • a liquid crystal panel or an organic EL (Electro Luminescence) panel is assumed.
  • the operation unit 140 generates an operation signal according to a user's operation.
  • the bus 150 is a common path through which the optical section 110, sensor chip 230, DSP circuit 120, display section 130, operation section 140, frame memory 160, storage section 170, and power supply section 180 exchange data with each other.
  • the frame memory 160 holds image data.
  • the storage unit 170 stores various data such as image data.
  • the power supply section 180 supplies power to the sensor chip 230, the DSP circuit 120, the display section 130, and the like.
  • the sensor chip 230 is mounted within a semiconductor package.
  • FIG. 2 is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 200 according to the first embodiment of the present technology.
  • This semiconductor package 200 includes a glass 210, a support 220, a sensor chip 230, and a substrate 240.
  • an arrow indicates the direction of incidence of incident light from the optical section 110 (not shown).
  • an axis parallel to the optical axis will be referred to as the Z-axis
  • a predetermined axis perpendicular to the Z-axis will be referred to as the X-axis.
  • the axis perpendicular to the X-axis and the Z-axis is the Y-axis.
  • the direction toward the optical section 110 is defined as an upward direction. This figure is a sectional view seen from the Y-axis direction.
  • the sensor chip 230 is placed on the chip mounting area on the upper surface of the substrate 240 and bonded with die bond resin (not shown). Further, the sensor chip 230 is electrically connected to the substrate 240 by a wire 261 made of Au (gold) or the like. In the figure, coordinates X2 and X5 indicate the coordinates of the left end and right end of the chip mounting area. Further, on the upper surface (in other words, the light-receiving surface) of the sensor chip 230, a light-receiving section 231 in which a plurality of pixels are arranged is provided. Note that the sensor chip 230 is an example of a semiconductor chip described in the claims.
  • a through hole passing through the substrate 240 is formed in the center of the substrate plane of the substrate 240.
  • coordinates X3 and X4 indicate the coordinates of the left end and right end of the through hole.
  • a trench is formed along a path from outside the chip mounting area to the through hole.
  • trenches are formed in a route from coordinate X1 to coordinate X3 and a route from coordinate X4 to coordinate X6. These trenches create steps at coordinates X1 and X6.
  • the support body 220 is a frame-shaped member used to support the glass 210. Glass 210 is adhered to the upper surface of support 220 with adhesive 252 . Further, the adhesive 251 adheres the substrate 240 on which the sensor chip 230 is mounted to the support body 220 while sealing the wire 261 and its surroundings. Note that the adhesive 251 is an example of a first adhesive described in the claims, and the adhesive 252 is an example of a second adhesive described in the claims.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the effect of providing a trench in a semiconductor package in the first embodiment of the present technology.
  • a configuration in which no trench is formed on the upper surface of the substrate 240 is assumed as a comparative example.
  • a shows a cross-sectional view of a comparative example.
  • the substrate 240 on which the sensor chip 230 is mounted is adhered to the support body 220 with the adhesive 251.
  • the sensor chip 230 may be tilted with respect to the plane of the substrate due to variations in equipment accuracy, flatness of the substrate 240, physical properties of the resin, and the like.
  • the gap between the sensor chip 230 and the substrate 240 also varies.
  • the adhesive 251 may flow out of the specified area (outside the semiconductor package 200 or the light receiving section 231). Alternatively, voids may occur in the adhesive 251.
  • the portion surrounded by the dotted line a in the figure indicates a portion where the adhesive 251 has flowed out of the specified area or a portion where a void has occurred.
  • FIG. 4 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate 240 in which a through hole is formed in the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the substrate 240
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the substrate 240 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the substrate 240 taken along the dashed line a in the figure.
  • the substrate 240 is rectangular when viewed from above, and the rough dotted line a in FIG. 4 is drawn along the diagonal of the rectangle. An axis parallel to this diagonal corresponds to the X axis in FIG.
  • the dashed line a in FIG. 4 is drawn parallel to the side of the substrate 240, and the axis parallel to this side is defined as the x-axis.
  • the axis perpendicular to the x-axis and the Z-axis is the y-axis. The same applies to subsequent drawings.
  • a through hole 243 is formed in the center of the upper surface of the substrate 240. Further, a predetermined number of terminals 241 are arranged along the periphery of a chip mounting area 242 surrounded by fine dotted lines.
  • FIG. 5 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate 240 in which a trench 244 is formed in the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the substrate 240
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the substrate 240 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the substrate 240 taken along the dashed line a in the figure.
  • a trench 244 is formed along a diagonal line from the outside of the chip mounting area 242 to the through hole 243. Details of the method for forming the trench 244 will be described later. Although the trench 244 is formed in the shape of an x along the diagonal line, the shape of the trench 244 can be changed to the shape illustrated in a in the same figure as long as a sufficient gap can be secured. Not limited.
  • FIG. 6 is an example of a top view and a cross-sectional view of the substrate 240 coated with the die-bonding resin 253 in the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the substrate 240
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the substrate 240 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the substrate 240 taken along the dashed line a in the figure.
  • a die bonding resin 253 is applied within the chip mounting area 242.
  • This die-bonding resin 253 does not contain filler, which will be described later.
  • die bond resin 253 is applied avoiding the trench 244.
  • FIG. 7 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 to which a sensor chip 230 is die-bonded according to the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the sensor chip 230 is placed on the chip mounting area 242 and die-bonded.
  • FIG. 8 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 subjected to wire bonding according to the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the sensor chip 230 and the substrate 240 are electrically connected by the wire 261. That is, wire bonding is performed.
  • the substrate 240 on which the sensor chip 230 is mounted by wire bonding in this manner is hereinafter referred to as a "substrate with a sensor chip.”
  • FIG. 9 is an example of a bottom view and a cross-sectional view of the support body 220 coated with the adhesive 251 according to the first embodiment of the present technology.
  • a shows a bottom view of the support body 220
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the support body 220.
  • the support body 220 is a frame-shaped member having a rectangular opening.
  • Adhesive 251 is applied so as to surround the opening. This step is performed by turning the support body 220 upside down. Further, the steps illustrated in FIG. 9 may be executed in parallel with the steps illustrated in FIGS. 4 to 8, or may be executed after FIG. 8.
  • FIG. 10 is an example of a top view and a cross-sectional view of the semiconductor package 200 on which the support body 220 is mounted according to the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the support 220 is placed on the substrate 240 with the sensor chip. Then, the support 220 is aligned so that the light receiving section 231 of the sensor chip 230 is located within the opening of the support 220.
  • FIG. 11 is an example of a top view and a cross-sectional view of the semiconductor package 200 in which the substrate 240 is pressure-bonded according to the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the substrate 240 with the sensor chip is pressed against the support 220.
  • the adhesive 251 that is crushed and flows also flows into the trench 244, the adhesive 251 is prevented from flowing out to unnecessary locations such as the outside of the semiconductor package 200 and the light receiving section 231.
  • the thick dotted line a in the figure indicates the boundary of the area where the adhesive 251 has spread.
  • a portion of the adhesive 251 also flows into the gap between the sensor chip 230 and the substrate 240.
  • FIG. 12 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 to which glass 210 is bonded according to the first embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • an adhesive 252 is applied to the upper surface of the support 220, and the glass 210 is adhered.
  • the semiconductor package 200 illustrated in FIG. 2 is obtained.
  • FIG. 13 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the semiconductor package 200 according to the first embodiment of the present technology.
  • the manufacturing system for the semiconductor package 200 forms a through hole in the substrate 240 (step S901) and a trench (step S902). Then, the manufacturing system applies die bonding resin to the substrate 240 (step S903), and performs die bonding (step S904) and wire bonding (step S905) of the sensor chip 230.
  • the manufacturing system also applies adhesive to the support 220 (step S906), places the support 220 on the substrate 240 with the sensor chip, and aligns it (step S907).
  • the manufacturing system presses the substrate 240 with the sensor chip onto the support 220 (step S908), adheres the glass 210 (step S909), and ends the manufacturing process.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a method for forming a trench 244 using a solder resist in the first embodiment of the present technology.
  • a conductor 245 is formed on the upper surface of the substrate 240, and a solder resist 246 is applied. At least a portion of the conductor 245 is electrically connected and used as wiring. A portion of conductor 245 may also be used as a ground.
  • a pattern of the solder resist 246 is formed by photolithography. This forms a trench 244.
  • a level difference of about 5 to 10 micrometers ( ⁇ m).
  • the trench 244 is a component that originally exists to protect and insulate the wiring on the surface of the substrate 240, there is no need to add a new process. Furthermore, since this method forms a pattern using photolithography, the accuracy and degree of freedom of position and shape are high, and it is suitable when a step has a complicated shape or requires high precision.
  • the trench 244 can also be provided by further forming a solder resist 247 after a in the figure. Thereby, exposure of the conductor 245 can be avoided and the trench 244 can be formed without any design restrictions.
  • the trench 244 can also be formed using a conductor pattern.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining a method of forming trenches 244 using a conductor pattern in the first embodiment of the present technology.
  • a conductor 245 is formed on the upper surface of the substrate 240, and a solder resist 246 is applied.
  • a pattern of the solder resist 246 is formed by photolithography.
  • a pattern of conductors 245 is formed by photolithography. At least a portion of the pattern of the conductor 245 is electrically connected and used as a wiring pattern. Further, a trench 244 is formed by the pattern of the conductor 245.
  • the trenches 244 can also be formed by grinding the substrate 240.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining a method of forming trenches 244 by grinding substrate 240 in the first embodiment of the present technology.
  • a conductor 245 is formed on the upper surface of the substrate 240, and a solder resist 246 is applied.
  • a pattern of solder resist 246 is formed. Furthermore, a pattern of conductors 245 is formed, as illustrated in c in the figure.
  • a portion of the upper surface of the substrate 240 is ground by router processing or the like, and a trench 244 is formed.
  • the method of forming the trench 244 by grinding the substrate 240 is suitable for forming a relatively deep step of 0.1 millimeter (mm) or more because it performs mechanical grinding.
  • the trenches 244 can also be formed by silk printing.
  • the adhesive 251 can be prevented from flowing out of the specified area. Can be suppressed. Moreover, the generation of voids can also be suppressed.
  • the trench 244 is formed on the upper surface of the substrate 240 to suppress the adhesive 251 from flowing out, but with this configuration, it is difficult to prevent the sensor chip 230 from tilting.
  • the semiconductor package 200 in this second embodiment differs from the first embodiment in that a sensor chip 230 and a substrate 240 are bonded together using a filler-containing die-bonding resin.
  • FIG. 17 is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 200 according to the second embodiment of the present technology. This figure shows a cross-sectional view seen from the y-axis direction.
  • the semiconductor package 200 of the second embodiment is the first in that the trench 244 is not formed on the upper surface of the substrate 240 and die bond resin 270 containing filler 271 is used instead of die bond resin 253 containing no filler. This is different from the embodiment of .
  • FIGS. 18 to 20 Next, a method for manufacturing the semiconductor package 200 of the second embodiment will be described using FIGS. 18 to 20.
  • FIG. 18 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate 240 in which a through hole 243 is formed in the second embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the substrate 240
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the substrate 240 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the substrate 240 taken along the dashed line a in the figure.
  • through holes 243 and terminals 241 are formed similarly to the first embodiment.
  • FIG. 19 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate coated with die bond resin 270 in the second embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the substrate 240
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the substrate 240 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the substrate 240 taken along the dashed line a in the figure.
  • die bonding resin 270 in which the maximum diameter of filler 271 is controlled to a predetermined size is applied within chip mounting area 242.
  • FIG. 20 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 to which a sensor chip 230 is die-bonded according to the second embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the sensor chip 230 is placed on the chip mounting area 242 and die bonded.
  • the filler 271 in the die bond resin 270 prevents the die bond resin 270 from being crushed to a size smaller than the filler diameter. Therefore, tilting of the sensor chip 230 can be suppressed in the subsequent press-welding process.
  • a gap larger than the filler diameter can be secured between the sensor chip 230 and the substrate 240. Thereby, it is possible to suppress the adhesive 251 from flowing out of the specified area and from generating voids.
  • the sensor chip 230 and the substrate 240 are bonded together using the die bonding resin 270 containing the filler 271, so that it is possible to suppress the inclination of the sensor chip 230. Furthermore, it is possible to suppress the adhesive 251 from flowing out of the specified area and from generating voids.
  • Third embodiment> In the second embodiment described above, the gap was secured by the die-bonding resin 270 containing the filler 271, but with this configuration, it is difficult to increase the volume of the gap.
  • the semiconductor package 200 in this third embodiment differs from the second embodiment in that a trench 244 is formed in a substrate 240.
  • FIG. 21 is an example of a top view and a cross-sectional view of a substrate 240 in the third embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the substrate 240
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the substrate 240 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the substrate 240 taken along the dashed line a in the figure.
  • a trench 244 is formed on the upper surface of the substrate 240. Unlike the first embodiment, the trench 244 is formed in a + shape along the x-axis direction and the y-axis direction.
  • the volume of the gap between the sensor chip 230 and the substrate 240 can be further increased.
  • the layout and shape of the trench 244 on the substrate plane can be changed as appropriate, taking into consideration the arrangement of the terminals 241, the position where the adhesive 251 is likely to flow out, and the like.
  • the depth of the trench 244 be larger than the diameter of the filler 271 within the die bond resin 270.
  • FIG. 22 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 according to the third embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • a trench 244 and a die bonding resin 270 containing a filler 271 are provided.
  • the trench 244 and the die bonding resin 270 including the filler 271 are used, the volume of the gap between the sensor chip 230 and the substrate 240 is increased. be able to.
  • the trench 244 suppresses the adhesive 251 from flowing out of the specified area, but with this configuration, depending on various conditions, the adhesive 251 may flow out to the light receiving section 231. There is a risk of it getting lost.
  • the semiconductor package 200 according to the fourth embodiment differs from the first embodiment in that a protrusion is provided on the support 220 and silicone resin is filled between the protrusion and the sensor chip 230.
  • FIG. 23 is an example of a cross-sectional view and an enlarged view of a semiconductor package 200 according to the fourth embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows an enlarged view of the inside of the thick frame of a in the same figure.
  • the support body 220 of the fourth embodiment has a protrusion that protrudes toward the sensor chip 230 on the lower surface.
  • Coordinates X7 and X8 in the figure indicate the coordinates of the left and right ends of the protrusion
  • coordinates Z1 and Z2 indicate the coordinates of the upper and lower ends of the protrusion.
  • silicone resin 254 is filled between the protrusion and the sensor chip 230. These protrusions and the silicone resin 254 can physically prevent the adhesive 251 from flowing out onto the upper surface of the sensor chip 230. Further, by using the silicone resin 254 to prevent the silicone resin from flowing out, even if the resin itself comes into contact with the sensor chip 230, the chip can be prevented from being damaged.
  • FIG. 24 is an example of a bottom view and a cross-sectional view of a support 220 coated with an adhesive 251 according to the fourth embodiment of the present technology.
  • a shows a bottom view of the support body 220
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the support body 220.
  • adhesive 251 is applied similarly to the first embodiment.
  • FIG. 25 is an example of a bottom view and a sectional view of a support body 220 coated with a silicone resin 254 in the fourth embodiment of the present technology.
  • a shows a bottom view of the support body 220
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the support body 220.
  • a silicone resin 254 is applied to the protrusion of the support 220.
  • protrusions are formed along the sides so as to surround the opening of the support body 220, but there are protrusions in a part of the periphery of the opening. Since there is no silicone resin 254 applied thereto, this portion becomes a slit 225.
  • the generation of voids can be suppressed by discharging gas through the slit 225 of the support body 220 and the through hole 243 of the substrate 240. It is preferable to provide the slits 225 at two or more locations.
  • FIG. 26 is a diagram showing an example of the shape of the protrusion in the fourth embodiment of the present technology. As illustrated in a in the figure, the cross-sectional shape of the protrusion is, for example, rectangular.
  • the cross-sectional shape of the protrusion is not limited to a rectangle, and may be a semi-ellipse as illustrated in b in the figure. Alternatively, as illustrated in c in the figure, the cross-sectional shape of the protrusion may be stepped.
  • FIG. 27 is a diagram for explaining a method of curing silicone resin 254 in the fourth embodiment of the present technology.
  • the gap between the protrusion and the lower surface of the sensor chip 230 at the end of curing is defined as dZ.
  • the silicone resin 254 is applied to approximately the same height as the dZ, and after the sensor chip 230 is placed, the silicone resin 254 is fully cured by ultraviolet rays, heating, a curing agent, etc. .
  • the silicone resin 254 can be applied and temporarily cured at a higher level than dZ, and then the silicone resin 254 can be permanently cured after mounting the sensor chip 230, as illustrated in c in the figure.
  • a two-step curing method is used.
  • the protrusion is formed on the support 220 and the silicone resin 254 is provided between the protrusion and the sensor chip 230, the sensor of the adhesive 251 is Outflow to the chip 230 can be reliably prevented.
  • the trench 244 is provided in the substrate 240 to suppress the adhesive 251 from flowing out. There is a possibility that it cannot be suppressed.
  • the semiconductor package 200 of this fifth embodiment differs from the first embodiment in that a slit is provided in the support 220.
  • FIG. 28 is an example of a top view and a bottom view of the support body 220 in the fifth embodiment of the present technology.
  • a is an example of a top view of the support body 220
  • b in the figure is an example of a bottom view of the support body 220.
  • the support body 220 of the fifth embodiment differs from the first embodiment in that a slit 222 is formed on the upper surface.
  • the slit 222 is an example of a second slit described in the claims.
  • the support body 220 of the fifth embodiment differs from the first embodiment in that a slit 221 is formed on the lower surface.
  • the shape of the slit 221 is such that diagonal portions formed at the four corners and portions formed parallel to the sides of the support body 220 are connected.
  • the part surrounded by the thick dotted line b indicates one of the diagonal slit parts.
  • the slit 221 is an example of a first slit described in the claims.
  • the shape of the slits 221 and 222 is not particularly limited, and may be any shape that can be formed by processing.
  • a part of the adhesive 251 that wets and spreads during pressure contact is trapped, guided to the slit 221, and does not protrude from the support 220.
  • the slit 222 on the upper surface of the support 220, when the glass 210 is bonded to the support 220, the excess adhesive 252 is trapped and does not protrude into unnecessary areas.
  • through holes can be provided in the support body 220.
  • the cross-sectional shape of the slits 221, 222 and the through holes may be, for example, straight, but preferably trapezoidal, and preferably have a structure that allows gas generated during bonding to be exhausted and pushed out. Thereby, generation of voids within the adhesives 251 and 252 can be suppressed.
  • a depression of a predetermined area may be formed in a part of the slits 221, 222 or the through hole as a resin accumulation area. Thereby, when there is too much adhesive 251 or 252, the resin pool area can function as a buffer.
  • the slits 221 and 222 do not penetrate the support 220 in a and b in the figure, these slits may penetrate the support 220. Furthermore, there is no limit to the number of slits as long as processing is possible.
  • the slits 221 and 222 are formed so as to surround the opening of the support body 220, as illustrated in a and b in the figure.
  • a through hole may be further formed in at least a portion of the slit 221 and the slit 222 to connect the slits.
  • the adhesive 251 tends to accumulate at the four corners, diagonal slits are formed at the four corners to prevent the adhesive 251 from spilling out from the four corners, as illustrated in b in the figure. Can be done. Furthermore, the bonding area increases, and a decrease in the strength of the support body 220 can be prevented.
  • the diagonal portions at the four corners and the portions parallel to the sides of the support body 220 are connected, but these can also be separated as described later.
  • the slits parallel to the sides may be arranged in a staggered manner.
  • the slits 221 and 222 are preferably processed using a mold.
  • sublimation processing can also be performed directly on the support body 220 using a laser or the like.
  • the pitch between the slits and the depth of the slits can be made fine if processing is possible.
  • FIG. 29 is an example of a bottom view and a cross-sectional view of a support 220 coated with an adhesive 251 according to the fifth embodiment of the present technology.
  • a shows a bottom view of the support body 220
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the support body 220 taken along the rough dotted line a in the same figure.
  • c in the same figure shows a cross-sectional view of the support body 220 when cut along the dashed line a in the same figure.
  • slit portions 221-2 are formed at the four corners, and these portions are referred to as slit portions 221-2.
  • slits are formed parallel to the sides, and this portion is referred to as a slit portion 221-1.
  • a slit portion 221-1 As illustrated in the bottom view a in the figure, the slit portion 221-1 and the slit portion 221-2 are connected.
  • FIG. 30 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 on which a support body 220 is mounted according to the fifth embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • c shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the support 220 is placed on the substrate 240 with the sensor chip.
  • FIG. 31 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 with a substrate 240 in pressure contact according to the fifth embodiment of the present technology.
  • a shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the rough dotted line a in the figure.
  • C in the figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 taken along the dashed line a in the figure.
  • the substrate 240 with the sensor chip is pressed against the support 220.
  • the compressed and fluid adhesive 252 flows into the trench 244 and further into the slit 221 on the lower surface of the support 220. This prevents the adhesive 251 from flowing out to unnecessary locations.
  • FIG. 32 is an example of a top view and a cross-sectional view of a semiconductor package 200 to which glass 210 is bonded according to the fifth embodiment of the present technology.
  • a in the same figure shows a top view of the semiconductor package 200
  • b in the same figure shows a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when cut along the rough dotted line a in the same figure.
  • an adhesive 252 is applied to the upper surface of the support 220, and the glass 210 is adhered. At this time, a portion of the adhesive 252 flows into the slit 222 on the upper surface of the support body 220, so that it is possible to suppress the adhesive 252 from flowing out to unnecessary locations.
  • FIG. 33 is a plan view showing another pattern of the slits 221 on the lower surface of the support body 220 in the fifth embodiment of the present technology.
  • the slit portion 221-1 may be arranged in a staggered manner.
  • slit portions 221-1 perpendicular to the sides may be formed.
  • the slit part 221-1 between two adjacent diagonal slit parts 221-2 is formed parallel to the side of interest, but in b of the same figure, the slit part 221-1 is formed perpendicular to that side. is formed.
  • slit portion 221-1 and the slit portion 221-2 can also be separated at b in the figure.
  • FIG. 34 is a plan view showing a trench pattern on the upper surface of the substrate in the fifth embodiment of the present technology.
  • trenches parallel to the sides of the substrate 240 can also be formed.
  • the portion parallel to the sides is defined as a trench portion 244-1, and the portion in the diagonal direction is defined as a trench portion 244-2.
  • the slits 221 and 222 are formed in the support body 220, it is possible to prevent the adhesives 251 and 252 from flowing out.
  • the slits 221 and 222 are formed in the support body 220, but if the adhesive 251 and 252 are in a larger amount than expected, the outflow cannot be sufficiently suppressed. There is a risk.
  • the semiconductor package 200 according to this modification of the fifth embodiment differs from the fifth embodiment in that a through hole is formed in the support body 220.
  • FIG. 35 is an example of a top view and a bottom view of the support body 220 in a modification of the fifth embodiment of the present technology.
  • a is an example of a top view of the support body 220
  • b in the figure is an example of a bottom view of the support body 220.
  • the slit 222 is not formed on the upper surface of the support body 220. Further, as illustrated in a and b in the figure, through holes 223 are formed near the four corners of the support body 220. By forming this through hole 223, it is possible to prevent the adhesives 251 and 252 from flowing out.
  • FIG. 36 is an example of a cross-sectional view of a semiconductor package 200 in a modification of the fifth embodiment of the present technology.
  • a in the same figure is an example of a cross-sectional view of the semiconductor package 200 when bonded with the adhesive 251.
  • the cross-sectional shape of the through hole 223 is, for example, a straight shape.
  • the cross-sectional shape of the through hole 223 can also be made into a trapezoid so that the adhesive 251 can be easily pushed out.
  • the adhesive 251 and 252 can be guided into the through hole 223 and prevented from flowing out. Can be done.
  • the technology according to the present disclosure (this technology) can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be realized as a device mounted on any type of moving body such as a car, electric vehicle, hybrid electric vehicle, motorcycle, bicycle, personal mobility, airplane, drone, ship, robot, etc. You can.
  • FIG. 37 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile body control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside vehicle information detection unit 12030, an inside vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio/image output section 12052, and an in-vehicle network I/F (interface) 12053 are illustrated.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a drive force generation device such as an internal combustion engine or a drive motor that generates drive force for the vehicle, a drive force transmission mechanism that transmits the drive force to wheels, and a drive force transmission mechanism that controls the steering angle of the vehicle. It functions as a control device for a steering mechanism to adjust and a braking device to generate braking force for the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operations of various devices installed in the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a turn signal, or a fog lamp.
  • radio waves transmitted from a portable device that replaces a key or signals from various switches may be input to the body control unit 12020.
  • the body system control unit 12020 receives input of these radio waves or signals, and controls the door lock device, power window device, lamp, etc. of the vehicle.
  • the external information detection unit 12030 detects information external to the vehicle in which the vehicle control system 12000 is mounted.
  • an imaging section 12031 is connected to the outside-vehicle information detection unit 12030.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image of the exterior of the vehicle, and receives the captured image.
  • the external information detection unit 12030 may perform object detection processing such as a person, car, obstacle, sign, or text on the road surface or distance detection processing based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal according to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output the electrical signal as an image or as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or non-visible light such as infrared rays.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • a driver condition detection section 12041 that detects the condition of the driver is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver condition detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 detects the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver condition detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether the driver is falling asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates control target values for the driving force generation device, steering mechanism, or braking device based on the information inside and outside the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, Control commands can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or shock mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or shock mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generating device, steering mechanism, braking device, etc. based on information about the surroundings of the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040. It is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., which does not rely on operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12020 based on the information outside the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps according to the position of the preceding vehicle or oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of preventing glare, such as switching from high beam to low beam. It can be carried out.
  • the audio and image output unit 12052 transmits an output signal of at least one of audio and images to an output device that can visually or audibly notify information to the occupants of the vehicle or to the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display section 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • FIG. 38 is a diagram showing an example of the installation position of the imaging section 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided, for example, at positions such as the front nose, side mirrors, rear bumper, back door, and the top of the windshield inside the vehicle 12100.
  • An imaging unit 12101 provided in the front nose and an imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle mainly acquire images in front of the vehicle 12100.
  • Imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors mainly capture images of the sides of the vehicle 12100.
  • An imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door mainly captures images of the rear of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle is mainly used to detect preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, and the like.
  • FIG. 38 shows an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • An imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • imaging ranges 12112 and 12113 indicate imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • an imaging range 12114 shows the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose.
  • the imaging range of the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door is shown. For example, by overlapping the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, an overhead image of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of image sensors, or may be an image sensor having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 determines the distance to each three-dimensional object within the imaging ranges 12111 to 12114 and the temporal change in this distance (relative speed with respect to the vehicle 12100) based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. In particular, by determining the three-dimensional object that is closest to the vehicle 12100 on its path and that is traveling at a predetermined speed (for example, 0 km/h or more) in approximately the same direction as the vehicle 12100, it is possible to extract the three-dimensional object as the preceding vehicle. can.
  • a predetermined speed for example, 0 km/h or more
  • the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in advance in front of the preceding vehicle, and perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. In this way, it is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., in which the vehicle travels autonomously without depending on the driver's operation.
  • the microcomputer 12051 transfers three-dimensional object data to other three-dimensional objects such as two-wheeled vehicles, regular vehicles, large vehicles, pedestrians, and utility poles based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic obstacle avoidance. For example, the microcomputer 12051 identifies obstacles around the vehicle 12100 into obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceeds a set value and there is a possibility of a collision, the microcomputer 12051 transmits information via the audio speaker 12061 and the display unit 12062. By outputting a warning to the driver via the vehicle control unit 12010 and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be provided.
  • the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceed
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether the pedestrian is present in the images captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • pedestrian recognition involves, for example, a procedure for extracting feature points in images captured by the imaging units 12101 to 12104 as infrared cameras, and a pattern matching process is performed on a series of feature points indicating the outline of an object to determine whether it is a pedestrian or not.
  • the audio image output unit 12052 creates a rectangular outline for emphasis on the recognized pedestrian.
  • the display unit 12062 is controlled to display the .
  • the audio image output unit 12052 may control the display unit 12062 to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to, for example, the imaging unit 12031 among the configurations described above.
  • the electronic device 100 in FIG. 1 can be applied to the imaging unit 12031.
  • the present technology can also have the following configuration.
  • a substrate a semiconductor chip placed on the substrate plane of the substrate and electrically connected to the substrate; a support and a first adhesive that partially flows into a gap between the substrate plane and the semiconductor chip and adheres the substrate to the support.
  • the semiconductor package according to (2), wherein the trench is formed of a conductive pattern.
  • (6) The semiconductor package according to (2), wherein the trench is formed by silk printing.
  • the first slit is a plurality of first slits parallel or perpendicular to the sides of the support;
  • a substrate a semiconductor chip placed on the substrate plane of the substrate and electrically connected to the substrate; a support and a first adhesive that partially flows into a gap between the substrate plane and the semiconductor chip and adheres the substrate to the support;
  • An electronic device comprising: an optical section that guides light to the semiconductor chip.

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Abstract

接着剤により基板を支持体に接着する半導体パッケージにおいて、規定の領域外への接着剤の流れ出しを抑制する。　半導体パッケージは、基板と、半導体チップと、支持体と、第１の接着剤とを具備する。この半導体パッケージにおいて、半導体チップは、基板の基板平面に載置されて前記基板と電気的に接続される。また、半導体パッケージにおいて、第１の接着剤は、基板平面と半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、基板を前記支持体に接着する。

Description

半導体パッケージ、および、電子装置
　本技術は、半導体パッケージに関する。詳しくは、基板を支持体に接着する半導体パッケージ、および、電子装置に関する。
　従来より、半導体チップを半導体パッケージ内に封止する際に、接着剤がよく用いられている。例えば、半導体チップをワイヤボンディングにより基板に実装し、その基板を支持体に接着する際に、ワイヤおよびボンディング端子を接着剤で封止する半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０１２－０９５１７７号公報
　上述の従来技術では、接着剤でワイヤおよびボンディング端子を封止することにより、ワイヤ接続部への水分の浸入防止を図っている。しかしながら、接着時に半導体チップが傾いた際に、接着剤が規定の領域外に流れ出してしまうおそれがある。
　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、接着剤により基板を支持体に接着する半導体パッケージにおいて、規定の領域外への接着剤の流れ出しを抑制することを目的とする。
　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、基板と、上記基板の基板平面に載置されて上記基板と電気的に接続された半導体チップと、支持体と、上記基板平面と上記半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、上記基板を上記支持体に接着する第１の接着剤とを具備する半導体パッケージである。これにより、規定の領域外への接着剤の流れ出しが抑制されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記基板平面には、トレンチが形成されてもよい。これにより、トレンチに接着剤が流れ込むという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記トレンチは、上記基板の基材に形成されていてもよい。これにより、深いトレンチが形成されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記トレンチは、ソルダーレジストに形成されていてもよい。これにより、フォトリソグラフィによって複雑な形状や高い精度のトレンチの形成が可能になるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記トレンチは、導体パターンにより形成されていてもよい。これにより、フォトリソグラフィによって複雑な形状や高い精度のトレンチの形成が可能になるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記トレンチは、シルク印刷により形成されていてもよい。これにより、簡易な方法でトレンチが形成されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、フィラーを含み、上記基板平面に上記半導体チップを接着するダイボンド樹脂をさらに具備してもよい。これにより、半導体チップの傾きが抑制されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、第２の接着剤と、ガラスとをさらに具備し、上記支持体の両面の一方の面は上記第１の接着剤により上記基板に接着され、他方の面は上記第２の接着剤により上記ガラスに接着されてもよい。これにより、ガラスが固着されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、シリコーン樹脂をさらに具備し、上記支持体は開口部を有し、上記支持体の両面のうち上記一方の面には、上記半導体チップの方に突出する突起部が上記開口部の周囲に形成されており、上記シリコーン樹脂は、上記突起部と上記半導体チップとの間に設けられていてもよい。これにより、半導体チップ上への接着剤の流れ出しが抑制されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記支持体の両面のうち上記一方の面には、第１のスリットが形成されてもよい。これにより、第１の接着剤の流れ出しが防止されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記第１のスリットは、上記支持体の辺に平行または垂直な複数の第１スリット部と、斜め方向に形成された複数の第２スリット部とを含むものであってもよい。これにより、第１の接着剤の流れ出しが防止されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記支持体の両面のうち上記他方の面には、第２のスリットが形成されてもよい。これにより、第２の接着剤の流れ出しが抑制されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記支持体には、貫通孔が形成されてもよい。これにより、第１や第２の接着剤の流れ出しが抑制されるという作用をもたらす。
　また、本技術の第２の側面は、基板と、前記基板の基板平面に載置されて前記基板と電気的に接続された半導体チップと、支持体と、前記基板平面と前記半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、前記基板を前記支持体に接着する第１の接着剤と、前記半導体チップに光を導く光学部とを具備する電子装置である。これにより、電子装置内で規定の領域外への接着剤の流れ出しが抑制されるという作用をもたらす。
本技術の第１の実施の形態における電子装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージのトレンチを設けた効果を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における貫通孔を形成した基板の上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるトレンチを形成した基板の上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるダイボンド樹脂を塗布した基板の上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるセンサーチップをダイボンドした半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるワイヤボンディングを行った半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における接着剤を塗布した支持体の下面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における支持体を載置した半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における基板を圧接した半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態におけるガラスを接着した半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本技術の第１の実施の形態におけるソルダーレジストによりトレンチを形成する方法を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における導体パターンによりトレンチを形成する方法を説明するための図である。 本技術の第１の実施の形態における基板の研削によりトレンチを形成する方法を説明するための図である。 本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージの断面図の一例である。 本技術の第２の実施の形態における貫通孔を形成した基板の上面図および断面図の一例である。 本技術の第２の実施の形態におけるダイボンド樹脂を塗布した基板の上面図および断面図の一例である。 本技術の第２の実施の形態におけるセンサーチップをダイボンドした半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における基板の上面図および断面図の一例である。 本技術の第３の実施の形態における半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第４の実施の形態における半導体パッケージの断面図および拡大図の一例である。 本技術の第４の実施の形態における接着剤を塗布した支持体の下面図および断面図の一例である。 本技術の第４の実施の形態におけるシリコーン樹脂を塗布した支持体の下面図および断面図の一例である。 本技術の第４の実施の形態における突起部の形状の一例を示す図である。 本技術の第４の実施の形態におけるシリコーン樹脂の硬化方法を説明するための図である。 本技術の第５の実施の形態における支持体の上面図および下面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態における接着剤を塗布した支持体の下面図および断面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態における支持体を載置した半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態における基板を圧接した半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態におけるガラスを接着した半導体パッケージの上面図および断面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態における支持体の下面のスリットの別のパターンを示す平面図である。 本技術の第５の実施の形態における基板の上面のトレンチのパターンを示す平面図である。 本技術の第５の実施の形態の変形例における支持体の上面図および下面図の一例である。 本技術の第５の実施の形態の変形例における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。 車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。
説明は以下の順序により行う。
　１．第１の実施の形態（基板にトレンチを形成した例）
　２．第２の実施の形態（フィラー入りのダイボンド樹脂を用いる例）
　３．第３の実施の形態（基板にトレンチを形成し、フィラー入りのダイボンド樹脂を用いる例）
　４．第４の実施の形態（基板にトレンチを形成し、支持体に突起部を形成した例）
　５．第５の実施の形態（基板にトレンチを形成し、支持体にスリットを形成した例）
　６．移動体への応用例
　＜１．第１の実施の形態＞
　［電子装置の構成例］
　図１は、本技術の第１の実施の形態における電子装置１００の一構成例を示すブロック図である。この電子装置１００は、画像データを撮像するための装置であり、光学部１１０、センサーチップ２３０およびＤＳＰ（Digital Signal Processing）回路１２０を備える。さらに電子装置１００は、表示部１３０、操作部１４０、バス１５０、フレームメモリ１６０、記憶部１７０および電源部１８０を備える。電子装置１００としては、例えば、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラの他、スマートフォンやパーソナルコンピュータ、車載カメラ等が想定される。
　光学部１１０は、被写体からの光を集光してセンサーチップ２３０に導くものである。センサーチップ２３０は、垂直同期信号に同期して、光電変換により画像データを生成するものである。ここで、垂直同期信号は、撮像のタイミングを示す所定周波数の周期信号である。センサーチップ２３０は、生成した画像データをＤＳＰ回路１２０に供給する。センサーチップ２３０として、例えば、ＣＩＳ（CMOS Image Sensor）が用いられる。
　ＤＳＰ回路１２０は、センサーチップ２３０からの画像データに対して所定の信号処理を実行するものである。このＤＳＰ回路１２０は、処理後の画像データをバス１５０を介してフレームメモリ１６０などに出力する。
　表示部１３０は、画像データを表示するものである。表示部１３０としては、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルが想定される。操作部１４０は、ユーザの操作に従って操作信号を生成するものである。
　バス１５０は、光学部１１０、センサーチップ２３０、ＤＳＰ回路１２０、表示部１３０、操作部１４０、フレームメモリ１６０、記憶部１７０および電源部１８０が互いにデータをやりとりするための共通の経路である。
　フレームメモリ１６０は、画像データを保持するものである。記憶部１７０は、画像データなどの様々なデータを記憶するものである。電源部１８０は、センサーチップ２３０、ＤＳＰ回路１２０や表示部１３０などに電源を供給するものである。
　上述の構成において、例えば、センサーチップ２３０は、半導体パッケージ内に実装される。
　［半導体パッケージの構成例］
　図２は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。この半導体パッケージ２００は、ガラス２１０、支持体２２０、センサーチップ２３０および基板２４０を備える。同図において、矢印は、光学部１１０（不図示）からの入射光の入射方向を示す。
　以下、光軸に平行な軸をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な所定の軸をＸ軸とする。Ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸をＹ軸とする。また、光学部１１０への方向を上方向とする。同図は、Ｙ軸方向から見た断面図である。
　センサーチップ２３０は、基板２４０の上面のチップ搭載エリアに載置され、ダイボンド樹脂（不図示）により接着される。また、センサーチップ２３０は、基板２４０にＡｕ（金）等のワイヤ２６１により電気的に接続される。同図において、座標Ｘ２およびＸ５は、チップ搭載エリアの左端および右端の座標を示す。また、センサーチップ２３０の上面（言い換えれば、受光面）には、複数の画素が配列された受光部２３１が設けられる。なお、センサーチップ２３０は、特許請求の範囲に記載の半導体チップの一例である。
　また、基板２４０の基板平面の中央部には、基板２４０を貫通する貫通孔が形成されている。同図において、座標Ｘ３およびＸ４は、貫通孔の左端および右端の座標を示す。貫通孔を形成することにより、基板２４０を接着する際に貫通孔から気体を排出して、ボイドの発生を防止することができる。
　そして、基板２４０の上面において、チップ搭載エリアの外部から、貫通孔までの経路にトレンチが形成される。同図において、座標Ｘ１から座標Ｘ３までの経路と、座標Ｘ４から座標Ｘ６までの経路とにトレンチが形成されている。これらのトレンチにより、座標Ｘ１やＸ６において段差が生じる。
　支持体２２０は、ガラス２１０を支えるために用いられる枠状の部材である。支持体２２０の上面は、接着剤２５２によりガラス２１０が接着される。また、接着剤２５１は、ワイヤ２６１とその周辺とを封止しつつ、センサーチップ２３０が実装された基板２４０を支持体２２０に接着する。なお、接着剤２５１は、特許請求の範囲に記載の第１の接着剤の一例であり、接着剤２５２は、特許請求の範囲に記載の第２の接着剤の一例である。
　図３は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージのトレンチを設けた効果を説明するための図である。
　ここで、基板２４０の上面にトレンチが形成されない構成を比較例として想定する。同図におけるａは、比較例の断面図を示す。前述のように、センサーチップ２３０が実装された基板２４０は、接着剤２５１により支持体２２０に接着される。この接着の際に、設備精度や基板２４０の平面度や樹脂物性などのバラツキに起因して、センサーチップ２３０が基板平面に対して傾いてしまうことがある。センサーチップ２３０が傾くと、センサーチップ２３０と基板２４０との間の隙間にもバラツキが生じる。この隙間が狭すぎると、比較例では、接着剤２５１が規定の領域外（半導体パッケージ２００の外部や、受光部２３１）に接着剤が流れ出してしまうことがある。あるいは、接着剤２５１にボイドが生じるおそれがある。同図におけるａの点線で囲った部分は、接着剤２５１が規定の領域外に流れ出した箇所やボイドが生じた箇所を示す。
　これに対して、同図におけるｂに例示するように基板２４０の上面にトレンチを形成した場合、センサーチップ２３０が接着時に傾いても、センサーチップ２３０と基板２４０との間に十分な隙間を安定的に確保することができる。この隙間に接着剤２５１の一部が流れ込みやすくなるため、規定の領域外への接着剤の流れ出しや、ボイドの発生を抑制することができる。流れ出しの防止により、小型の半導体パッケージ２００や電子装置１００を容易に実現することができる。
　［半導体パッケージの製造方法］
　次に図４から図１２を用いて半導体パッケージ２００の製造方法について説明する。
　図４は、本技術の第１の実施の形態における貫通孔を形成した基板２４０の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、基板２４０の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。
　また、基板２４０は上から見て矩形であり、図４におけるａの荒い点線は、その矩形の対角線に沿って引かれている。この対角線に平行な軸が図１のＸ軸に該当する。図４におけるａの一点鎖線は、基板２４０の辺に平行に引かれており、この辺に平行な軸をｘ軸とする。ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸をｙ軸とする。以降の図面についても同様である。
　同図におけるａに例示するように、基板２４０の上面において、中央部に貫通孔２４３が形成される。また、細かい点線で囲まれたチップ搭載エリア２４２の周囲に沿って所定数の端子２４１が配列される。
　図５は、本技術の第１の実施の形態におけるトレンチ２４４を形成した基板２４０の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、基板２４０の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。
　同図におけるａに例示するように、貫通孔２４３の形成後に、対角線に沿って、チップ搭載エリア２４２の外部から貫通孔２４３までの経路にトレンチ２４４が形成される。トレンチ２４４の形成方法の詳細については後述する。なお、対角線に沿って×の形状となるようにトレンチ２４４を形成しているが、十分に隙間を確保することができるものであれば、トレンチ２４４の形状は同図におけるａに例示したものに限定されない。
　同図におけるｂに例示するように、ＸＺ断面においては、トレンチ２４４により段差が生じる。一方、同図におけるｃに例示するように、ｘＺ断面においてはトレンチ２４４が無いため、段差が生じない。
　図６は、本技術の第１の実施の形態におけるダイボンド樹脂２５３を塗布した基板２４０の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、基板２４０の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。
　同図におけるａに例示するように、トレンチ２４４の形成後に、チップ搭載エリア２４２内に、ダイボンド樹脂２５３が塗布される。このダイボンド樹脂２５３は、後述するフィラーを含まない。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、トレンチ２４４の箇所を避けてダイボンド樹脂２５３が塗布される。
　図７は、本技術の第１の実施の形態におけるセンサーチップ２３０をダイボンドした半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるｃに例示するように、ダイボンド樹脂２５３の塗布後に、センサーチップ２３０がチップ搭載エリア２４２に載置され、ダイボンドされる。
　図８は、本技術の第１の実施の形態におけるワイヤボンディングを行った半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａおよびｃに例示するように、ワイヤ２６１により、センサーチップ２３０と基板２４０とが電気的に接続される。すなわち、ワイヤボンディングが行われる。このように、ワイヤボンディングによりセンサーチップ２３０を実装した基板２４０を以下、「センサーチップ付きの基板」と称する。
　図９は、本技術の第１の実施の形態における接着剤２５１を塗布した支持体２２０の下面図および断面図の一例である。同図におけるａは、支持体２２０の下面図を示し、同図におけるｂは、支持体２２０の断面図を示す。
　同図におけるａに例示するように、支持体２２０は矩形の開口部を有する枠状の部材である。その開口部を囲むように接着剤２５１が塗布される。この工程は、支持体２２０を上下反転して行われる。また、図９に例示した工程は、図４乃至８に例示した工程と並行して実行してもよいし、図８の後に実行してもよい。
　図１０は、本技術の第１の実施の形態における支持体２２０を載置した半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、接着剤２５１の塗布後において、センサーチップ付きの基板２４０に支持体２２０が載置される。そして、支持体２２０の開口部内に、センサーチップ２３０の受光部２３１が位置するように、支持体２２０の位置合わせが行われる。
　なお、同図において、記載の便宜上、模様が同じ個所が生じているが、模様が同じ個所に同じ材料が用いられるとは限らない。例えば、同図におけるｃの支持体２２０とダイボンド樹脂２５３とは模様が同じであるが、用いられる材料は異なる。以降の図面においても同様である。
　図１１は、本技術の第１の実施の形態における基板２４０を圧接した半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、位置合わせの後に、センサーチップ付きの基板２４０が支持体２２０に圧接される。このとき、押しつぶされて流動する接着剤２５１がトレンチ２４４にも流れ込むため、半導体パッケージ２００の外部や受光部２３１などの不要な箇所への接着剤２５１の流れ出しが抑制される。同図におけるａの太い点線は、接着剤２５１の広がったエリアの境界を示す。特に内側の点線に例示するように、接着剤２５１の一部は、センサーチップ２３０と基板２４０との間の隙間にも流れ込んでいる。
　図１２は、本技術の第１の実施の形態におけるガラス２１０を接着した半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、センサーチップ付きの基板２４０の圧接後に、支持体２２０の上面に接着剤２５２が塗布され、ガラス２１０が接着される。図４から図１２までの工程により、図２に例示した半導体パッケージ２００が得られる。
　図１３は、本技術の第１の実施の形態における半導体パッケージ２００の製造方法の一例を示すフローチャートである。半導体パッケージ２００の製造システムは、基板２４０に貫通孔を形成し（ステップＳ９０１）、トレンチを形成する（ステップＳ９０２）。そして、製造システムは、基板２４０にダイボンド樹脂を塗布し（ステップＳ９０３）、センサーチップ２３０のダイボンド（ステップＳ９０４）およびワイヤボンディング（ステップＳ９０５）を行う。
　また、製造システムは、支持体２２０に接着剤を塗布し（ステップＳ９０６）、その支持体２２０をセンサーチップ付きの基板２４０に載置して位置合わせを行う（ステップＳ９０７）。
　そして、製造システムは、センサーチップ付きの基板２４０を支持体２２０に圧接し（ステップＳ９０８）、ガラス２１０を接着して（ステップＳ９０９）、製造工程を終了する。
　続いて、図１４から図１６を参照して、トレンチ２４４を形成する方法について説明する。
　図１４は、本技術の第１の実施の形態におけるソルダーレジストによりトレンチ２４４を形成する方法を説明するための図である。
　例えば、同図におけるａに例示するように、基板２４０の上面に、導体２４５が形成され、ソルダーレジスト２４６が塗布される。導体２４５の少なくとも一部は、電気的に接続されて配線として用いられる。導体２４５の一部は、グランドとして用いられることもある。
　そして、同図におけるｂに例示するように、フォトリソグラフィにより、ソルダーレジスト２４６のパターンが形成される。これによりトレンチ２４４が形成される。配線上のソルダーレジスト２４６をパターニングする場合、一般的には、５から１０マイクロメートル（μｍ）程度の段差を形成することができる。
　このように、ソルダーレジスト２４６によりトレンチ２４４を形成する方法では、基板２４０の表面の配線保護や絶縁のために元々存在する構成要素であるため、新たな工程の追加が不要である。また、この方法は、フォトリソグラフィでパターン形成するため、位置や形状の精度と自由度とが高く、段差に複雑な形状や高精度を要する場合に適している。
　なお、同図におけるｃに例示するように、同図におけるａの後にソルダーレジスト２４７をさらに重ねて形成することにより、トレンチ２４４を設けることもできる。これにより、導体２４５の露出を避けて、設計上の制約を設けずにトレンチ２４４を形成することができる。
　同図に例示した方法の他、導体パターンによりトレンチ２４４を形成することもできる。
　図１５は、本技術の第１の実施の形態における導体パターンによりトレンチ２４４を形成する方法を説明するための図である。
　例えば、同図におけるａに例示するように、基板２４０の上面に、導体２４５が形成され、ソルダーレジスト２４６が塗布される。
　そして、同図におけるｂに例示するように、フォトリソグラフィにより、ソルダーレジスト２４６のパターンが形成される。
　更に、同図におけるｃに例示するように、フォトリソグラフィにより、導体２４５のパターンが形成される。導体２４５のパターンの少なくとも一部は、電気的に接続されて配線パターンとして用いられる。また、導体２４５のパターンによりトレンチ２４４が形成される。
　このように、導体パターンによりトレンチ２４４を形成する方法では、表面配線は元々存在する構成要素であるため、新たな工程の追加が不要である。また、この方法は、フォトリソグラフィでパターン形成するため、位置や形状の精度と自由度とが高く、段差に複雑な形状や高精度を要する場合に適している。
　図１４や図１５に例示した方法の他、基板２４０の研削によりトレンチ２４４を形成することもできる。
　図１６は、本技術の第１の実施の形態における基板２４０の研削によりトレンチ２４４を形成する方法を説明するための図である。
　例えば、同図におけるａに例示するように、基板２４０の上面に、導体２４５が形成され、ソルダーレジスト２４６が塗布される。
　そして、同図におけるｂに例示するように、ソルダーレジスト２４６のパターンが形成される。更に、同図におけるｃに例示するように、導体２４５のパターンが形成される。
　続いて、同図におけるｄに例示するように、ルーター加工などにより、基板２４０の上面の一部が研削され、トレンチ２４４が形成される。
　このように、基板２４０の研削によりトレンチ２４４を形成する方法は、機械的な研削を行うため、０．１ミリメートル（ｍｍ）以上などの比較的深い段差を形成する場合に適している。
　なお、図１４から図１６に例示した方法の他、シルク印刷によりトレンチ２４４を形成することもできる。
　このように、本技術の第１の実施の形態によれば、基板２４０にトレンチ２４４を形成したため、センサーチップ付の基板２４０を接着する際に、接着剤２５１の規定の領域外への流れ出しを抑制することができる。また、ボイドの発生を抑制することもできる。
　＜２．第２の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、基板２４０の上面にトレンチ２４４を形成して接着剤２５１の流れ出しを抑制していたが、この構成では、センサーチップ２３０の傾きを防止することが困難である。この第２の実施の形態における半導体パッケージ２００は、フィラー入りのダイボンド樹脂によりセンサーチップ２３０と基板２４０とを接着した点において第１の実施の形態と異なる。
　図１７は、本技術の第２の実施の形態における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。同図は、ｙ軸方向から見た断面図を示す。この第２の実施の形態の半導体パッケージ２００は、基板２４０の上面にトレンチ２４４が形成されず、フィラーを含まないダイボンド樹脂２５３の代わりに、フィラー２７１を含むダイボンド樹脂２７０が用いられる点において第１の実施の形態と異なる。
　次に図１８から図２０を用いて第２の実施の形態の半導体パッケージ２００の製造方法について説明する。
　図１８は、本技術の第２の実施の形態における貫通孔２４３を形成した基板２４０の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、基板２４０の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、第１の実施の形態と同様に、貫通孔２４３や端子２４１が形成される。
　図１９は、本技術の第２の実施の形態におけるダイボンド樹脂２７０を塗布した基板の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、基板２４０の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。
　同図におけるａおよびｂに例示するように、フィラー２７１の最大径を所定サイズに制御したダイボンド樹脂２７０がチップ搭載エリア２４２内に塗布される。
　図２０は、本技術の第２の実施の形態におけるセンサーチップ２３０をダイボンドした半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａに例示するように、ダイボンド樹脂２７０の塗布後に、センサーチップ２３０がチップ搭載エリア２４２に載置され、ダイボンドされる。このとき、ダイボンド樹脂２７０内のフィラー２７１により、フィラー径未満までダイボンド樹脂２７０が押しつぶされることが無くなる。このため、後段の圧接工程において、センサーチップ２３０が傾くことを抑制することができる。また、センサーチップ２３０と基板２４０との間に、フィラー径以上の隙間を確保することができる。これにより、接着剤２５１の規定の領域外への流れ出しや、ボイドの発生を抑制することができる。
　第２の実施の形態においても、図２０に例示した工程後において、第１の実施の形態と同様に、ワイヤボンディング、接着剤２５１の塗布、位置合わせ、圧接、および、ガラスの接着の各工程が行われる。これらの工程は、第１の実施の形態と同様であるため、図面を省略する。
　このように、本技術の第２の実施の形態によれば、フィラー２７１を含むダイボンド樹脂２７０によりセンサーチップ２３０と基板２４０とを接着するため、センサーチップ２３０の傾きを抑制することができる。また、接着剤２５１の規定の領域外への流れ出しや、ボイドの発生を抑制することができる。
　＜３．第３の実施の形態＞
　上述の第２の実施の形態では、フィラー２７１を含むダイボンド樹脂２７０により、隙間を確保していたが、この構成では、隙間の容積をより大きくすることが困難である。この第３の実施の形態における半導体パッケージ２００は、基板２４０にトレンチ２４４を形成した点において第２の実施の形態と異なる。
　図２１は、本技術の第３の実施の形態における基板２４０の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、基板２４０の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の基板２４０の断面図を示す。
　同図におけるａに例示するように、基板２４０の上面にトレンチ２４４が形成される。トレンチ２４４は、第１の実施の形態と異なり、ｘ軸方向およびｙ軸方向に沿って、＋の形状となるように形成される。
　トレンチ２４４と、フィラー２７１を含むダイボンド樹脂２７０とを組み合わせることにより、センサーチップ２３０と基板２４０との間の隙間の容積をより大きくすることができる。なお、トレンチ２４４の基板平面上のレイアウトや形状は、端子２４１の配列や、接着剤２５１の流れ出しやすい位置などを考慮して適宜に変更することができる。
　また、トレンチ２４４の深さは、ダイボンド樹脂２７０内のフィラー２７１の直径よりも大きくすることが好ましい。
　図２２は、本技術の第３の実施の形態における半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるｂおよびｃに例示するように、トレンチ２４４と、フィラー２７１を含むダイボンド樹脂２７０とが設けられる。
　このように、本技術の第３の実施の形態によれば、トレンチ２４４と、フィラー２７１を含むダイボンド樹脂２７０とを用いるため、センサーチップ２３０と基板２４０との間の隙間の容積をより大きくすることができる。
　＜４．第４の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、トレンチ２４４により規定の領域外への接着剤２５１の流れ出しを抑制していたが、この構成では、諸条件によっては、受光部２３１へ接着剤２５１が流れ出してしまうおそれがある。この第４の実施の形態における半導体パッケージ２００は、支持体２２０に突起部を設けて突起部およびセンサーチップ２３０の間にシリコーン樹脂を充填した点において第１の実施の形態と異なる。
　図２３は、本技術の第４の実施の形態における半導体パッケージ２００の断面図および拡大図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の断面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの太枠内を拡大した拡大図を示す。
　同図におけるａおよびｂに例示するように、第４の実施の形態の支持体２２０は、下面において、センサーチップ２３０の方へ突出する突出部が開口部の周囲に形成されている点において第１の実施の形態と異なる。同図における座標Ｘ７およびＸ８は、突出部の左端および右端の座標を示し、座標Ｚ１およびＺ２は、突出部の上端および下端の座標を示す。また、突出部とセンサーチップ２３０との間にシリコーン樹脂２５４が充填される。これらの突出部およびシリコーン樹脂２５４により、センサーチップ２３０の上面への接着剤２５１の流れ出しを物理的に防止することができる。また、流れ出しの防止にシリコーン樹脂２５４を用いることにより、その樹脂自体がセンサーチップ２３０に接触した際であっても、チップにダメージを与えないようにすることができる。
　図２４は、本技術の第４の実施の形態における接着剤２５１を塗布した支持体２２０の下面図および断面図の一例である。同図におけるａは、支持体２２０の下面図を示し、同図におけるｂは、支持体２２０の断面図を示す。第４の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に接着剤２５１が塗布される。
　なお、第４の実施の形態におけるワイヤボンディングまでの工程は、第１の実施の形態と同様である。
　図２５は、本技術の第４の実施の形態におけるシリコーン樹脂２５４を塗布した支持体２２０の下面図および断面図の一例である。同図におけるａは、支持体２２０の下面図を示し、同図におけるｂは、支持体２２０の断面図を示す。
　同図におけるａおよびｂに例示するように、支持体２２０の突起部にシリコーン樹脂２５４が塗布される。ここで、同図におけるａに例示するように、支持体２２０の開口部を囲むように、その辺に沿って突起部が形成されているが、開口部の周囲の一部には突起部が無くてシリコーン樹脂２５４が塗布されず、この部分はスリット２２５になっている。基板２４０を接着する際に、支持体２２０のスリット２２５と基板２４０の貫通孔２４３とを介して気体を排出することにより、ボイドの発生を抑制することができる。スリット２２５は、２か所以上設けることが好ましい。
　図２６は、本技術の第４の実施の形態における突起部の形状の一例を示す図である。同図におけるａに例示するように、突起部の断面形状は、例えば、矩形である。
　なお、突起部の断面形状は矩形に限定されず、同図におけるｂに例示するように、半楕円形状であってもよい。あるいは、同図におけるｃに例示するように、突起部の断面形状は、階段状であってもよい。
　図２７は、本技術の第４の実施の形態におけるシリコーン樹脂２５４の硬化方法を説明するための図である。硬化終了時の突起部とセンサーチップ２３０の下面との間の隙間をｄＺとする。
　同図におけるａに例示するように、例えば、ｄＺと略同一の高さにシリコーン樹脂２５４が塗布され、センサーチップ２３０の載置後に紫外線、加熱や硬化剤などによりシリコーン樹脂２５４が本硬化される。
　あるいは、同図におけるｂに例示するように、ｄＺより高く、シリコーン樹脂２５４を塗布して仮硬化し、同図におけるｃに例示するようにセンサーチップ２３０の載置後に本硬化することもできる。例えば、本硬化の際にシリコーン樹脂２５４が縮小する場合などに、２段階で硬化させる方法が用いられる。
　なお、第４の実施の形態を第２、第３の実施の形態に適用することもできる。
　このように、本技術の第４の実施の形態によれば、支持体２２０に突起部を形成し、その突起部とセンサーチップ２３０との間にシリコーン樹脂２５４を設けたため、接着剤２５１のセンサーチップ２３０への流れ出しを確実に防止することができる。
　＜５．第５の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、基板２４０にトレンチ２４４を設けることにより、接着剤２５１の流れ出しを抑制していたが、接着剤２５１が想定以上に過多である場合などに、流れ出しを十分に抑制することができないおそれがある。この第５の実施の形態の半導体パッケージ２００は、支持体２２０にスリットを設けた点において第１の実施の形態と異なる。
　図２８は、本技術の第５の実施の形態における支持体２２０の上面図および下面図の一例である。同図におけるａは、支持体２２０の上面図の一例であり、同図におけるｂは、支持体２２０の下面図の一例である。
　同図におけるａに例示するように、第５の実施の形態の支持体２２０は、上面にスリット２２２が形成される点において第１の実施の形態と異なる。なお、スリット２２２は、特許請求の範囲に記載の第２のスリットの一例である。
　また、同図におけるｂに例示するように、第５の実施の形態の支持体２２０は、下面にスリット２２１が形成される点において第１の実施の形態と異なる。スリット２２１の形状は、４隅に形成された斜め方向の部分と、支持体２２０の辺に平行に形成された部分とを連結した形状である。同図におけるｂの太い点線で囲まれた部分は、斜め方向のスリット部分の１つを示す。なお、スリット２２１は、特許請求の範囲に記載の第１のスリットの一例である。
　スリット２２１や２２２の形状は特に制限はなく、加工により形成することができる形状であればよい。支持体２２０の下面にスリット２２１を設けることにより、圧接時に濡れ広がった接着剤２５１の一部がトラップされ、スリット２２１に誘導されて、支持体２２０からはみ出すことがなくなる。また、支持体２２０の上面にスリット２２２を設けることにより、ガラス２１０を支持体２２０と接着する際に、余分な接着剤２５２がトラップされ、不要な箇所に、はみ出すことがなくなる。
　また、後述するように、スリット２２１や２２２の代わりに、支持体２２０に貫通孔を設けることもできる。
　また、スリット２２１、２２２や貫通孔の断面形状は、例えば、ストレート形状でよいが、好ましくは台形形状がよく、接着中に生じる気体が排出され、押し出されるような構造がよい。これにより、接着剤２５１や２５２内のボイド発生を抑制することができる。
　また、スリット２２１、２２２や貫通孔の一部には、所定面積の窪みを樹脂溜まりエリアとして形成することもできる。これにより、接着剤２５１や２５２が過多の際に、その樹脂溜まりエリアをバッファーとして機能させることができる。
　また、スリット２２１や２２２は、同図におけるａおよびｂでは支持体２２０を貫通していないが、これらのスリットが支持体２２０を貫通してもよい。また、加工が可能であれば、スリット数に制限はない。
　また、スリット２２１および２２２は、同図におけるａおよびｂに例示するように、支持体２２０の開口部を囲むように形成される。
　また、スリット２２１およびスリット２２２の少なくとも一部に、後述するように、さらに貫通孔を形成し、それらのスリットを繋げることもできる。これにより、上側の接着剤２５１と下側の接着剤２５２とのいずれが過多となった際であっても共通の貫通孔を退避領域として機能させることができる。
　また、接着剤２５１は、４隅に溜まりやすいため、同図におけるｂに例示するように４隅に斜め方向のスリット部分を形成することにより、４隅からの接着剤２５１のはみだしを防止することができる。また、接着面積が増大して支持体２２０の強度低下を防止することができる。
　同図におけるｂでは、４隅の斜め方向の部分と、支持体２２０の辺に平行な部分とが接続されているが、これらを後述するように分断することもできる。その場合、辺に平行なスリットは、千鳥配列することもできる。
　また、スリット２２１や２２２の加工は、金型による加工が好ましい。ただし、微細なスリットの加工に関しては、支持体２２０に直接レーザー等で昇華加工することもできる。また、スリット間のピッチや、スリットの深さに関しては、加工可能であれば、微細なものにすることができる。
　また、支持体２２０の接着時のボイド発生のリスクを低減するため、真空条件下で圧着することが好ましい。
　図２９は、本技術の第５の実施の形態における接着剤２５１を塗布した支持体２２０の下面図および断面図の一例である。同図におけるａは、支持体２２０の下面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の支持体２２０の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の支持体２２０の断面図を示す。
　同図におけるｂに例示するように、４隅には、斜め方向のスリットが形成され、この部分をスリット部２２１－２とする。
　同図におけるｃに例示するように、辺に平行にスリットが形成され、この部分をスリット部２２１－１とする。同図におけるａの下面図に例示するように、スリット部２２１－１とスリット部２２１－２とは連結されている。
　図３０は、本技術の第５の実施の形態における支持体２２０を載置した半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、接着剤２５１の塗布後において、センサーチップ付きの基板２４０に支持体２２０が載置される。
　図３１は、本技術の第５の実施の形態における基板２４０を圧接した半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。同図におけるｃは、同図におけるａの一点鎖線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａ、ｂおよびｃに例示するように、位置合わせの後に、センサーチップ付きの基板２４０が支持体２２０に圧接される。このとき、押しつぶされて流動する接着剤２５２がトレンチ２４４に流れ込み、さらに、支持体２２０の下面のスリット２２１にも流れ込む。このため、不要な箇所への接着剤２５１の流れ出しが防止される。
　図３２は、本技術の第５の実施の形態におけるガラス２１０を接着した半導体パッケージ２００の上面図および断面図の一例である。同図におけるａは、半導体パッケージ２００の上面図を示し、同図におけるｂは、同図におけるａの粗い点線に沿って切断した際の半導体パッケージ２００の断面図を示す。
　同図におけるａおよびｂに例示するように、センサーチップ付きの基板２４０の圧接後に、支持体２２０の上面に接着剤２５２が塗布され、ガラス２１０が接着される。このとき、接着剤２５２の一部が、支持体２２０の上面のスリット２２２に流れ込むため、不要な箇所への接着剤２５２の流れ出しを抑制することができる。
　図３３は、本技術の第５の実施の形態における支持体２２０の下面のスリット２２１の別のパターンを示す平面図である。
　同図におけるａに例示するように、辺に平行なスリット部２２１－１と、斜め方向のスリット部２２１－２とを分断することもできる。この際にスリット部２２１－１を千鳥配列にすることもできる。
　あるいは、同図におけるｂに例示するように、辺に垂直なスリット部２２１－１を形成することもできる。
　同図におけるａとｂとの相違点に関して、隣接する２つの斜め方向のスリット部２２１－２の間の領域の辺に着目する。同図におけるａおよびｂの太線は、着目した辺を示す。同図におけるａでは、隣接する２つの斜め方向のスリット部２２１－２の間のスリット部２２１－１は、着目した辺に平行に形成されているが、同図におけるｂでは、その辺に垂直に形成されている。
　なお、同図におけるｂにおいて、スリット部２２１－１とスリット部２２１－２とを分断することもできる。
　図３４は、本技術の第５の実施の形態における基板の上面のトレンチのパターンを示す平面図である。第１の実施の形態における斜め方向のトレンチに加えて、基板２４０の辺に平行なトレンチをさらに形成することもできる。辺に平行な部分をトレンチ部２４４－１とし、斜め方向の部分をトレンチ部２４４－２とする。
　なお、第５の実施の形態を、第２、第３や第４の実施の形態のそれぞれに適用することもできる。
　このように、本技術の第５の実施の形態によれば、支持体２２０にスリット２２１および２２２を形成したため、接着剤２５１や２５２の流れ出しを防止することができる。
　［変形例］
　上述の第５の実施の形態では、支持体２２０にスリット２２１や２２２を形成していたが、接着剤２５１や２５２が想定以上に過多であった場合に、流れ出しを十分に抑制することができないおそれがある。この第５の実施の形態の変形例における半導体パッケージ２００は、支持体２２０に貫通孔を形成した点において第５の実施の形態と異なる。
　図３５は、本技術の第５の実施の形態の変形例における支持体２２０の上面図および下面図の一例である。同図におけるａは、支持体２２０の上面図の一例であり、同図におけるｂは、支持体２２０の下面図の一例である。
　同図におけるａに例示するように、第５の実施の形態の変形例では、支持体２２０の上面には、スリット２２２が形成されていない。また、同図におけるａおよびｂに例示するように、支持体２２０の４隅の近傍に貫通孔２２３が形成される。この貫通孔２２３の形成により、接着剤２５１や２５２の流れ出しを防止することができる。
　なお、支持体２２０の上面にスリット２２２をさらに形成し、下面のスリット２２１と貫通孔２２３により繋げることもできる。
　図３６は、本技術の第５の実施の形態の変形例における半導体パッケージ２００の断面図の一例である。同図におけるａは、接着剤２５１により接着した際の半導体パッケージ２００の断面図の一例である。同図におけるａに例示するように、貫通孔２２３の断面形状は、例えば、ストレート形状である。
　なお、同図におけるｂに例示するように、接着剤２５１を押し出しやすいように、貫通孔２２３の断面形状を台形とすることもできる。
　このように、本技術の第５の実施の形態の変形例によれば、支持体２２０に貫通孔２２３を形成したため、貫通孔２２３に接着剤２５１や２５２を誘導して、流れ出しを防止することができる。
　＜６．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図３７は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３７に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ(interface)１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３７の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図３８は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図３８では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図３８には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。　
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、例えば、図１の電子装置１００は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、規定の領域外への接着剤の流れ出しを抑制して、接着剤の流れ出しによるシステムへの悪影響を抑制することができる。
　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）基板と、
　前記基板の基板平面に載置されて前記基板と電気的に接続された半導体チップと、
　支持体と、
　前記基板平面と前記半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、前記基板を前記支持体に接着する第１の接着剤と
を具備する半導体パッケージ。
（２）前記基板平面には、トレンチが形成される
前記（１）記載の半導体パッケージ。
（３）前記トレンチは、前記基板の基材に形成されている
前記（２）記載の半導体パッケージ。
（４）前記トレンチは、ソルダーレジストにより形成されている
前記（２）記載の半導体パッケージ。
（５）前記トレンチは、導体パターンにより形成されている
前記（２）記載の半導体パッケージ。
（６）前記トレンチは、シルク印刷により形成されている
前記（２）記載の半導体パッケージ。
（７）フィラーを含み、前記基板平面に前記半導体チップを接着するダイボンド樹脂をさらに具備する
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（８）第２の接着剤と、
　ガラスと
をさらに具備し、
　前記支持体の両面の一方の面は前記第１の接着剤により前記基板に接着され、他方の面は前記第２の接着剤により前記ガラスに接着される
前記（１）から（７）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（９）シリコーン樹脂をさらに具備し、
　前記支持体は開口部を有し、
　前記支持体の両面のうち前記一方の面には、前記半導体チップの方に突出する突起部が前記開口部の周囲に形成されており、
　前記シリコーン樹脂は、前記突起部と前記半導体チップとの間に設けられる
前記（８）記載の半導体パッケージ。
（１０）前記支持体の両面のうち前記一方の面には、第１のスリットが形成される
前記（８）または（９）記載の半導体パッケージ。
（１１）前記第１のスリットは、
　前記支持体の辺に平行または垂直な複数の第１スリット部と、
　斜め方向に形成された複数の第２スリット部と
を含む前記（１０）記載の半導体パッケージ。
（１２）前記支持体の両面のうち前記他方の面には、第２のスリットが形成される
前記（８）から（１１）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１３）前記支持体には、貫通孔が形成される
前記（８）から（１２）のいずれかに記載の半導体パッケージ。
（１４）基板と、
　前記基板の基板平面に載置されて前記基板と電気的に接続された半導体チップと、
　支持体と、
　前記基板平面と前記半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、前記基板を前記支持体に接着する第１の接着剤と、
　前記半導体チップに光を導く光学部と
を具備する電子装置。
　１００　電子装置
　１１０　光学部
　１２０　ＤＳＰ回路
　１３０　表示部
　１４０　操作部
　１５０　バス
　１６０　フレームメモリ
　１７０　記憶部
　１８０　電源部
　２００　半導体パッケージ
　２１０　ガラス
　２２０　支持体
　２２１、２２２、２２５　スリット
　２２１－１、２２１－２　スリット部
　２２３、２４３　貫通孔
　２３０　センサーチップ
　２３１　受光部
　２４０　基板
　２４１　端子
　２４２　チップ搭載エリア
　２４４　トレンチ
　２４４－１、２４４－２　トレンチ部
　２４５　導体
　２４６、２４７　ソルダーレジスト
　２５１、２５２　接着剤
　２５３、２７０　ダイボンド樹脂
　２５４　シリコーン樹脂
　２６１　ワイヤ
　２７１　フィラー
　１２０３１　撮像部

Claims (14)

  1. 　基板と、
    　前記基板の基板平面に載置されて前記基板と電気的に接続された半導体チップと、
    　支持体と、
    　前記基板平面と前記半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、前記基板を前記支持体に接着する第１の接着剤と
    を具備する半導体パッケージ。
  2. 　前記基板平面には、トレンチが形成される
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  3. 　前記トレンチは、前記基板の基材に形成されている
    請求項２記載の半導体パッケージ。
  4. 　前記トレンチは、ソルダーレジストにより形成されている
    請求項２記載の半導体パッケージ。
  5. 　前記トレンチは、導体パターンにより形成されている
    請求項２記載の半導体パッケージ。
  6. 　前記トレンチは、シルク印刷により形成されている
    請求項２記載の半導体パッケージ。
  7. 　フィラーを含み、前記基板平面に前記半導体チップを接着するダイボンド樹脂をさらに具備する
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  8. 　第２の接着剤と、
    　ガラスと
    をさらに具備し、
    　前記支持体の両面の一方の面は前記第１の接着剤により前記基板に接着され、他方の面は前記第２の接着剤により前記ガラスに接着される
    請求項１記載の半導体パッケージ。
  9. 　シリコーン樹脂をさらに具備し、
    　前記支持体は開口部を有し、
    　前記支持体の両面のうち前記一方の面には、前記半導体チップの方に突出する突起部が前記開口部の周囲に形成されており、
    　前記シリコーン樹脂は、前記突起部と前記半導体チップとの間に設けられる
    請求項８記載の半導体パッケージ。
  10. 　前記支持体の両面のうち前記一方の面には、第１のスリットが形成される
    請求項８記載の半導体パッケージ。
  11. 　前記第１のスリットは、
    　前記支持体の辺に平行または垂直な複数の第１スリット部と、
    　斜め方向に形成された複数の第２スリット部と
    を含む請求項１０記載の半導体パッケージ。
  12. 　前記支持体の両面のうち前記他方の面には、第２のスリットが形成される
    請求項８記載の半導体パッケージ。
  13. 　前記支持体には、貫通孔が形成される
    請求項８記載の半導体パッケージ。
  14. 　基板と、
    　前記基板の基板平面に載置されて前記基板と電気的に接続された半導体チップと、
    　支持体と、
    　前記基板平面と前記半導体チップとの間の隙間に一部が流れ込み、前記基板を前記支持体に接着する第１の接着剤と、
    　前記半導体チップに光を導く光学部と
    を具備する電子装置。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327560A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JP2005142360A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法
WO2009130958A1 (ja) * 2008-04-25 2009-10-29 シャープ株式会社 配線基板、半導体装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP2010161140A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011159900A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Panasonic Corp 固体撮像装置
WO2011121756A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2012095177A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Sony Corp 撮像素子パッケージ、撮像素子パッケージの製造方法、及び、電子機器
WO2021117585A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子パッケージおよび撮像素子パッケージの製造方法
WO2022153671A1 (ja) * 2021-01-15 2022-07-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ、電子装置、および、半導体パッケージの製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327560A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JP2005142360A (ja) * 2003-11-06 2005-06-02 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法
WO2009130958A1 (ja) * 2008-04-25 2009-10-29 シャープ株式会社 配線基板、半導体装置、ならびに半導体装置の製造方法
JP2010161140A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011159900A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Panasonic Corp 固体撮像装置
WO2011121756A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2012095177A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Sony Corp 撮像素子パッケージ、撮像素子パッケージの製造方法、及び、電子機器
WO2021117585A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子パッケージおよび撮像素子パッケージの製造方法
WO2022153671A1 (ja) * 2021-01-15 2022-07-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ、電子装置、および、半導体パッケージの製造方法

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