WO2024022899A1 - Facettenspiegel-baugruppe - Google Patents

Abstract

Eine Facettenspiegel-Baugruppe (20) hat einen Trägerkörper (39) für eine Mehrzahl von Einzelspiegeln (28i). Reflexionsflächen der Einzelspiegel (28i) sind individuell über zugeordnete Kippaktoren um mindestens eine Kippachse (33i; 36i) innerhalb eines Einzelspiegel-Kippwinkelbereiches um eine Neutral-Kippstellung zwischen einem Maximalwinkel und einem Minimalwinkel verkippbar. Die Einzelspiegel (28i) haben mindestens zwei verschiedene Neutral-Kippstellungen in einem Bereich um einen Mittelwert eines Gesamt-Kippwinkelbereiches. Es resultiert eine Facettenspiegel- Baugruppe, bei der Anforderungen an eine Kippaktorik der Facettenspiegel-Baugruppe reduziert sind.

Description

F acettenspiegel-Baugruppe

Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 207 546.3 in Anspruch, deren Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird.

Die Erfindung betrifft eine Facettenspiegel-Baugruppe. Ferner betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie mit einem derartigen Facettenspiegel, ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nano strukturierten Bauteils sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes Bauteil.

Eine Facettenspiegel-Baugruppe der eingangs genannten Art ist bekannt aus der DE 10 2018 207 103 Al. Beleuchtungsoptiken für die Projektionslithographie sind bekannt aus der US 9,977,335, der WO 2009/100 856 Al und der WO 2008/011 981 A 1.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Facettenspiegel-Baugruppe der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass Anforderungen an eine Kippaktorik der Facettenspiegel-Baugruppe reduziert sind.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Facettenspiegel-Baugruppe mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.

Die erfindungsgemäße Facettenspiegel-Baugruppe ermöglicht einen großen Gesamt-Kippwinkelbereich, der von der Gesamtheit der Einzelspiegel abgedeckt wird, mit im Vergleich zum Gesamt-Kippwinkelbereich kleineren Einzelspiegel-Kippwinkelbereichen der jeweiligen Einzelspiegel. Aufgrund der verschiedenen Neutral-Kippstellungen lässt sich der größere Gesamt- Kippwinkelbereich über verschiedene, jeweils verschobene Einzelspiegel- Kippwinkelbereiche, die aufgrund der verschiedenen Neutral-Kippstellungen resultieren, abdecken. Dies ermöglicht es, eine Kippaktorik für die Einzelspiegel einzusetzen, die aufgrund der geringeren Kippwinkelbereichs- Anforderung angepasst an andere Anforderungen an die Facettenspiegel- Baugruppe ausgelegt werden kann, insbesondere mit Blick auf eine gute thermische Leitfähigkeit zwischen den Reflexionsflächen der Einzelspiegel und dem Trägerkörper der Facettenspiegel-Baugruppe. Entsprechend ermöglicht der im Vergleich zum Gesamt-Kippwinkelbereich kleinere Einzelspiegel-Kippwinkelbereich eine Reduzierung einer Oberflächentemperatur der Reflexionsflächen der Einzelspiegel für den Fall, dass bei der Reflexion durch die Einzelspiegel eine Restabsorption reflektierten Lichts auftritt, was insbesondere beim Einsatz der Facettenspiegel-Baugruppe bei der Reflexion von EUV-Licht der Fall ist.

Substratkörper der Einzelspiegel sind am Trägerkörper der Facettenspiegel- Baugruppe fixiert. Die Facettenspiegel-Baugruppe kann einen MEMS- Aufbau haben, der beispielsweise beschrieben ist in der DE 10 2008 009 600 AL

Einzelspiegel, die dem Trägerkörper zugeordnet sind, haben dann verschiedene Neutral-Kippstellungen, wenn es bestimmte dieser Einzelspiegel gibt, die eine Neutral-Kipp Stellung aufweisen, und andere dieser Einzelspiegel, die eine hiervon verschiedene Neutral-Kipp Stellung aufweisen.

Die Facettenspiegel-Baugruppe kann mehrere Tragkörper aufweisen. Einzelspiegel der Facettenspiegel-Baugruppe, die mindestens einem dieser mehreren Tragkörper zugeordnet sind und deren Substratkörper dann an diesem Tragkörper fixiert sind, haben jeweils mindestens zwei verschiedene Neutral-Kippstellungen. Auch mehr als zwei verschiedene Neutral- Kippstellungen der Einzelspiegel, die am gleichen Tragkörper der Facettenspiegel-Baugruppe fixiert sind, sind möglich, beispielsweise drei, vier, fünf oder noch mehr Neutral-Kippstellungen. Im Grenzfall kann jeder der Einzelspiegel, der an dem gleichen Trägerkörper der Facettenspiegel-Baugruppe fixiert ist, eine individuelle Neutral-Kippstellung aufweisen.

Bei der Facettenspiegel-Baugruppe nach Anspruch 2 wird das Konzept des im Vergleich zum Gesamt-Kippwinkelbereich kleineren Einzelspiegel- Kippwinkelbereichs auf die beiden Kippwinkel-Dimensionen um die beiden Kippachsen übertragen. Es ergeben sich entsprechende Vorteile in beiden Kippwinkeldimensionen.

Eine Einzelspiegel-Gruppierung nach Anspruch 3 vereinfacht einen Aufbau der Facettenspiegel-Baugruppe. Eine derartige Einzelspiegelgruppe kann als Reihe oder Spalte, also als ID-Gruppe oder als Array mit mindestens zwei Reihen und mindestens zwei Spalten, also als 2D-Gruppe ausgeführt sein. Die Facettenspiegel-Baugruppe kann mehrere Gruppen derartiger Einzelspiegel mit jeweils der gleichen Gruppen-Neutral-Kippstellung aufweisen, wobei die Gruppen-Neutral-Kippstellungen mindestens zweier dieser Gruppen, die jeweils am gleichen Tragkörper der Facettenspiegel- Baugruppe fixiert sind, voneinander verschiedenen sind. Zusätzlich können Einzelspiegel bei einer solchen Facettenspiegel-Baugruppe mit individuellen Neutral-Kippstellungen vorgesehen sein, die am gleichen Tragkörper der Facettenspiegel-Baugruppe fixiert sind wie die Einzelspiegel-Gruppen. Ein Kippwinkelbereichsverhältnis nach Anspruch 4 hat sich in der Praxis als geeignet herausgestellt, um einerseits die Anforderungen an die Ver- kippbarkeit der Einzelspiegel und andererseits eine Anforderungsreduktion an eine Mechanik und Aktorik aufgrund des geringeren Einzelspiegel- Kippwinkelbereichs zu ermöglichen. Das Verhältnis zwischen dem Ge- samt-Kippwinkelbereich und dem Einzelspiegel-Kippwinkelbereich kann im Bereich von 1,2 liegen, kann im Bereich von 1,5 liegen, kann 2 oder größer sein und ist regelmäßig kleiner als 100.

Eine Ausgestaltung der Facettenspiegel-Baugruppe nach Anspruch 5 ermöglicht eine Neutral-Kippstellungs-Vorgabe über eine entsprechende Keilform des Substratkörpers für den jeweiligen Einzelspiegel. Bei dieser Variante können ansonsten gleich aufgebaute Einzelspiegel zum Einsatz kommen. Dies verringert den Herstellungsaufwand für die Facettenspiegel- Baugruppe. Der Substratkörper kann auch zweidimensional keilförmig sein, um jeweilige Neutral-Kippstellungen um zwei Kippachsen des jeweiligen Einzelspiegels vorzugeben. Über eine Ausgestaltung nach Anspruch 6 lassen sich ebenfalls für die Einzelspiegel verschiedene Neutral-Kippstellungen vorgeben. Entsprechend ist auch hier die Gestaltung einer zweidimensional keilförmigen Spiegelplatte zur Vorgabe der Neutral-Kippstellungen um die beiden Kippachsen des jeweiligen Einzelspiegels möglich. Auch eine Kombination aus einer keilförmigen Spiegelplatte einerseits und einem keilförmigen Substratkörper andererseits des jeweiligen Einzelspiegels ist möglich, zum Beispiel zur Entkopplung der Vorgabe der Neutral- Kippstellung des Einzelspiegels um die beiden Kippachsen. Die Neutral- Kippstellung um eine der beiden Kippachsen kann dann über eine Keilform des Substratkörpers und die Neutral-Kipp Stellung um die andere der beiden Kippachsen kann dann über eine Keilform der Spiegelplatte vorgegeben werden. Ausgestaltungen der Facettenspiegel-Baugruppe haben sich für einen Feldfacettenspiegel, einen Pupillenfacettenspiegel oder einen spekularen Reflektor bewährt.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8, eines optischen Systems nach Anspruch 9, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10, eines Herstellungsverfahrens für ein mikro- beziehungsweise nano strukturiertes Bauteil nach Anspruch 11 und eines hierdurch hergestellten mikro- beziehungsweise nano strukturierten Bauteils entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Facettenspiegel-Baugruppe bereits erläutert wurden. Die Beleuchtungsoptik kann Teil eines Beleuchtung s systems sein, zu dem zusätzlich noch eine Lichtquelle, insbesondere eine EUV-Lichtquelle gehört.

Bei dem hergestellten Bauteil kann es sich um ein Halbleiterelement, besonders um einen Microchip, insbesondere um einen Speicherchip handeln.

Nachfolgend wird anhand der Zeichnung mindestens ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie;

Fig. 2 schematisch eine mit einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach Fig. 1 erfolgende Übertragung von Teilfeldem, die von nebeneinander angeordneten ersten Facetten eines ersten Facettenspiegels einer Facettenspiegel- Baugruppe der Beleuchtungsoptik vorgegeben werden, über eine Übertragungsoptik, aufweisend einen weiteren Facettenspiegel und einen Überführungsspiegel, in Teil- Abschnitte eines Objektfeldes einer nachgeordneten abbildenden Optik der Proj ektionsbelichtungsanlage ;

Fig. 3 in einem Querschnitt mit Schnittebene senkrecht zu einer Reflexionsfläche einen prinzipiellen Aufbau eines Einzelspiegels der Facettenspiegel-Baugruppe;

Fig. 4 eine Ausführung einer Anordnung von Einzelspiegeln nach Fig. 3 mit individuell verschiedenen Neutral-Kippstellungen der Einzelspiegel relativ zu einem Tragkörper der Facettenspiegel-Baugruppe für die Einzelspiegel, wobei die individuellen Neutral-Kippstellungen vorgegeben sind durch entsprechende Keilformen von Substratkörpem der Einzelspiegel;

Fig. 5 eine weitere Ausführung einer Gruppe von Einzelspiegeln für eine Ausführung der Facettenspiegel-Baugruppe, wobei die Einzelspiegel die gleiche Neutral-Kipp Stellung haben, die vorgegeben ist über eine Keilform eines gemeinsamen Substratkörpers der Einzelspiegel;

Fig. 6 eine graphische Wiedergabe eines Gesamt-Kippwinkelbe- reichs der Einzelspiegel einer Ausführung der Facettenspiegel-Baugruppe einschließlich jeweiliger Einzelspiegel-Kippwinkelbereiche, in einer Kippachsen-Dimension; und Fig. 7 eine graphische Wiedergabe eines Gesamt-Kippwinkelbe- reichs der Einzelspiegel einer Ausführung der Facetenspiegel-Baugruppe einschließlich jeweiliger Einzelspiegel-Kippwinkelbereiche, in zwei Kippachsen-Dimensionen.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die Figur 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.

Eine Ausführung eines Beleuchtungs systems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungs system separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungs system die Lichtquelle 3 nicht.

Das Objektfeld 5 ist bogenförmig ausgeführt. Das Objektfeld 5 kann teilringförmig ausgeführt sein.

Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Reti- kelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.

In der Figur 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der Fig. 1 längs der y-Richtung. Die z-Rich- tung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektions optik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungs Strahlung oder Beleuchtung slicht oder Abbildungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-La- ser, FEL) handeln. Die Beleuchtungs Strahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hy- perboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein. Zusammen mit der Lichtquelle 3 kann der Kollektor 17 ein Quellen-Kollektor-Modul bilden.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungs Strahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20 in Form einer Facettenspiegel-Baugruppe, die nachfolgend noch näher erläutert wird.

Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungs Strahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt.

Der erste Facettenspiegel 20 liegt in einem Femfeld des Beleuchtungslichts 16. Das Femfeld kann näherungsweise in einer Fourier-konjugierten Ebene zur Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 liegen.

Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein. Die ersten Facetten 21 sind mit Hilfe zugeordneter Aktoren individuell verkippbar.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 Al bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtung s Strahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung. Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter bzw. weiterer Facettenspiegel 22. Der zweite Facettenspiegel 22 liegt beabstandet zu einer beispielhaft in der Figur 1 zwischen den beiden Facettenspiegeln 20, 22 veranschaulichten Eintrittspupillenebene EP der nachfolgenden Projektionsoptik 10. Die Eintrittspupille EP ist das eintrittsseitige Bild der aperturbegrenzenden Blende der Projektionsoptik 10. Alternativ kann der zweite Facettenspiegel auch in dieser oder im Bereich dieser Eintrittspupille EP angeordnet sein und wird dann als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet, der gemeinsam mit dem Feldfacettenspiegel 20 eine Beleuchtungsoptik nach Art eines Wabenkondensors bildet.

Die Eintrittspupillenebene EP der Projektionsoptik 10 kann im Falle einer beabstandeten Anordnung des zweiten Facettenspiegels 22 zur Eintrittspupillenebene EP im Strahlengang des Beleuchtungslichts 16 vor oder nach dem zweiten Facettenspiegel 22 angeordnet sein. Ein Abstand der Eintrittspupillenebene von einer Anordnungsebene des zweiten Facettenspiegels 22 liegt bei mindestens 5 % eines Abstandes zwischen den beiden Facettenspiegeln 20, 22.

Die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 wird im Falle der beabstandeten Anordnung des zweiten Facettenspiegels 22 zur Eintrittspupillenebene EP auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind grundsätzlich bekannt aus der US 9,977,335 oder US 2006/0132747 Al, der EP 1 614 008 Bl und der US 6,573,978. Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23, die im Falle der Ausführung als spekularer Reflektor auch als Speku- larfacetten bezeichnet werden. Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System.

Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Einzel- oder Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen. Die zweiten Facetten 23 sind mit Hilfe zugeordneter Aktoren individuell verkippbar. Bei einer alternativen Ausführung der Beleuchtungsoptik können die zweiten Facetten auch als nicht verkippbare Facetten gestaltet sein.

Im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 ist ein Überführungsspiegel 24 angeordnet, der zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Der Überführungsspiegel 24 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Gl- Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) ausgeführt. Ein kleinster Einfallswinkel des Beleuchtungslichts 16 auf dem Überführungsspiegel 24 ist größer als 45° und kann größer sein als 60°, kann größer als 65°, kann größer sein als 70°, kann größer als 75° und kann auch noch größer sein. Ein derartiger Überführungsspiegel 24 ist nicht zwingend, sodass das Beleuchtungslicht 3 nach Reflexion an den zweiten Facetten 23 des zweiten Facettenspiegels 22 auch direkt hin zum Objektfeld 5 insbesondere ohne weitere Spiegelreflexion geführt werden kann. Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der Figur 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau vier Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20, den weiteren Facettenspiegel 22 und den Überführungsspiegel 24. Je nach Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch weggelassen sein, so dass der erste Facettenspiegel 20 die erste für das Beleuchtungslicht 16 bündelführende Komponente nach der Zwischenfokusebene 18 ist. Eine Reflexionsfläche des Überführungsspiegels 24 weicht von einer ebenen Fläche ab, verläuft also nicht plan, sondern gekrümmt.

Der Überführungsspiegel 24 hat eine bündelformende Wirkung auf das Gesamt-Bündel des Beleuchtungslichts 16. Der Überführungsspiegel 24 hat je nach seiner Ausführung eine Abbildung s Wirkung mit einem Abbildungsfaktor, der vergrößernd oder alternativ verkleinernd wirkt. Ein Abbildungsfaktor kleiner als 1 beschreibt nachfolgend einen verkleinernden Abbildungsfaktor. Ein Abbildungsfaktor größer als 1 beschreibt einen vergrößernden Abbildungsfaktor.

Wiederum alternativ kann der Abbildungsfaktor 1 sein oder es kann eine Abbildung mit Abbildungsfaktoren durch den Überführungsspiegel 24 herbeigeführt werden, die sich in der x-Richtung einerseits und in der y-Rich- tung andererseits unterscheiden. Der Abbildungsfaktor des Überführungsspiegels 24 kann in der x-Richtung und/oder in der y-Richtung einen Wert im Bereich zwischen 0,1 und 10 aufweisen. Der Abbildungsfaktor kann insbesondere im Bereich zwischen 0,125 und 8, kann zwischen 0,25 und 4, kann zwischen 0,33 und 3, kann zwischen 0,5 und 2 und kann auch zwischen 0,75 und 1,25 oder auch zwischen 0,9 und 1,1 liegen. Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Stiahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.

Bei dem in der Figur 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel Ml bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungs Strahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungs Strahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Rich- tung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild- Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12. Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe b_x, b_y in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe b_x, b_y der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (b_x, b_y) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab b bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab b bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4: 1.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8: 1.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0, 125 oder von 0,25, sind möglich.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 Al.

Die ersten Facetten 21 des ersten Facettenspiegels 20 können bei einer entsprechenden Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 zur Vorgabe von Teilfel- dem dienen, die mit der Beleuchtungsoptik 4 in Teil- Abschnitte 25i des Objektfelds 5 überführt werden (vergleiche Fig. 2). Bei dieser Überführung kann es sich um eine Abbildung handeln. Die jeweilige zweite Facette 23, die ihrerseits eine Mehrzahl von Einzelspiegeln umfassen kann, die auf den zweiten Facettenspiegel 22 zur Führung eines jeweiligen Teilbündels 16i genutzt wird, wird auch als virtuelle Teilfeldfacette 23 bezeichnet.

Figur 2 verdeutlicht diese Überführung der ersten Facetten 21 in die Teil- Abschnitte 25 des Objektfeldes 5 anhand von insgesamt neun ersten Facetten 2 lij, die in drei Zeilen (i = 1, 2, 3) und in drei Spalten (j=l, 2, 3) angeordnet sind. Entsprechend ist in der Figur 2 ein Abschnitt des ersten Facettenspiegels 20 mit insgesamt neun ersten Facetten 2 lij dargestellt. Tatsächlich ist die Anzahl der ersten Facetten 21 des ersten Facettenspiegels 20 deutlich größer und kann beispielsweise im Bereich von mehreren 100 liegen.

Jede erste Facette 21 kann aus einer zusammenhängenden makroskopischen Reflektionsfläche bestehen. Alternativ kann jede erste Facette 21 aus einer Mehrzahl benachbarter Einzel- oder Mikrospiegel bestehen.

Von den ersten Facetten 2 lij werden jeweils Teilbündel 16i eines Gesamt- Bündels des Beleuchtungslichts 16 reflektiert und hierdurch die von den ersten Facetten 2 lij vorgegebenen Teilfelder in die Teil- Abschnitte 25i, 252, 25s des Objektfeldes 5 überführt. Die hierzu dienende Überführungsoptik, die gebildet ist aus dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Überführungsspiegel 24, ist in der Figur 2 lediglich schematisch dargestellt.

Die ersten Facetten 2 lij können mit einer rechteckigen Reflexionsflächen- Berandung ausgeführt sein, so dass die über die ersten Facetten 2 lij vorgegebenen Teilfelder rechteckig sind. Über Teilbündel 16i, die von den ersten Facetten 21n, 2hi und 2I33 reflektiert werden, werden von der Übertragungsoptik 22, 24 in den in der Figur 2 links auf dem Objektfeld 5 dargestellten Teil -Abschnitt 25i einander überlagernd überführt. Teilbündel 16i, die von den ersten Facetten 2112, 2I23 und 2I32 reflektiert werden, werden mittels der Übertragungsoptik 22, 24 in den in der Figur 2 mittig auf dem Objektfeld 5 dargestellten Teil-Abschnitt 252 überführt. Teilbündel 16i, die von den ersten Facetten 21B, 2I22 und 2131 reflektiert werden, werden mittels der Überführungsoptik 22, 24 in den in der Figur 2 rechts auf dem Objektfeld 5 dargestellten Teil-Abschnitt 253 überführt.

Die Teil- Abschnitte 25i haben quer zur Objektverlagerungsrichtung y, also längs der x-Richtung, eine Erstreckung, die ein Drittel einer x-Erstreckung des Objektfeldes beträgt. Je nach Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann diese x-Erstreckung der Teil- Abschnitte höchstens 50 % betragen, kann höchstens 40 % betragen, kann höchstens 30 % betragen, kann höchstens 25 % betragen, kann höchstens 10 % betragen und kann beispielsweise 5 % betragen oder ggf. noch kleiner sein. Regelmäßig ist diese x-Erstreckung der Teil- Abschnitte 25 größer als 1 % der x-Erstreckung des Objektfeldes 5.

Die Teil- Abschnitte 25 haben längs der Objektverlagerungsrichtung y eine Erstreckung über das gesamte Objektfeld 5. Alternativ ist es möglich, dass auch längs der y-Richtung mehrere nebeneinanderliegende Teilfelder vorhanden sind, beispielsweise zwei, drei oder noch mehr derartige Teilfelder.

Fig. 3 zeigt im Querschnitt senkrecht zu einer Reflexionsfläche 26 mit einer reflektierenden Beschichtung 27 einen grundsätzlichen Aufbau eines der Spiegel des ersten Facettenspiegels 20 beziehungsweise des zweiten Facettenspiegels 22. Bei diesem Spiegel kann es sich um eine erste Facette 21 des ersten Facettenspiegels 20 und/oder um eine zweite Facette 23 des zweiten Facettenspiegels 22 handeln. Alternativ kann es sich bei dem Einzelspiegel 28 der Fig. 3 um einen Einzel- oder Mikrospiegel handeln, der zusammen mit weiteren derartigen Einzelspiegeln Teil einer ersten derartigen Facette 21 oder zweiten Facette 23 ist, wie vorstehend bereits erläutert wurde. Der Aufbau nach Fig. 3 wird anhand eines derartigen Einzelspiegels 28 erläutert.

Der Einzelspiegel 28 hat eine Spiegelplatte 29, auf der die reflektierende Beschichtung 27 aufgebracht ist. Weiterhin hat der Einzelspiegel 28 einen Substratkörper 30. Die Spiegelplatte 29 und der Substratkörper 30 sind über eine Aufhängung 31 mechanisch miteinander verbunden. Bei einer Ausführung des Einzelspiegels 28 sind die Spiegelplatte 29, der Substratkörper 30 und die Aufhängung 31 Bestandteile eines monolithischen Körpers, gehen also einstückig ineinander über.

Der Einzelspiegel 28 hat weiterhin Kippaktoren 32i, 322, die jeweils zwischen der Spiegelplatte 29 und dem Substratkörper 30 angeordnet sind. Die Kippaktoren 32i, 322 sind beiderseits der Aufhängung 31 angeordnet. Die Kippaktoren 32i, 322 sind kapazitiv ausgeführt, haben also jeweils eine spiegelplattenseitige Elektrode und eine substratseitige Elektrode, zwischen denen ein Luftspalt vorliegt. Die Kippaktoren 32i, 322 ermöglichen eine Verkippung der Spiegelplatte 29 relativ zum Substratkörper 30 im Bereich der Aufhängung 31 um eine Kippachse 33, die senkrecht auf der Zeichenebene der Fig. 3 steht. Den Kippaktoren 32i, 322 kann jeweils eine Sensoreinheit 34i, 342 zugeordnet sein. Über diese Sensoreinheiten 34i, 342 kann ein Kippwinkel der Spiegelplatte 29 zum Substratkörper 30 gemessen werden. Die Sensoreinheiten 34i stehen mit einer zentralen Steuer/Regeleinrichtung 35 in Signalverbindung, die in der Fig. 1 schematisch dargestellt ist.

Zur Verkippung der Spiegelplatte 29 relativ zum Substratkörper 30 um eine weitere Kippachse 36, die senkrecht auf der Kippachse 33 steht und in der Zeichenebene der Fig. 3 liegt, weist der Einzelspiegel 28 zwei weitere Kippaktoren 32i auf, die in der Fig. 3 nicht dargestellt sind und vor beziehungsweise hinter der Zeichenebene der Fig. 3 so angeordnet sind, dass die Aufhängung 31 wiederum zwischen diesen beiden weiteren Kippaktoren 32i liegt. Die beiden Kippachsen 33, 36 spannen eine Ebene auf, zu der in einer in der Fig. 3 dargestellten Neutral-Kipp Stellung die Reflexionsfläche 26 parallel angeordnet ist.

Fig. 4 zeigt eine Ausführungsvariante für eine Facettenspiegel-Baugruppe 37 mit insgesamt vier Einzelspiegeln 281, 282, 283, 284 nach Art des Einzelspiegels 28 der Fig. 3. Diese Facettenspiegel-Baugruppe 37 kann als Bestandteil des Facettenspiegels 20 und/oder als Bestandteil des Facettenspiegels 22 zum Einsatz kommen. Bei den Einzelspiegeln 28i kann es sich dabei um Einzelspiegel handeln, die gemeinsam eine virtuelle Facette insbesondere des ersten Facettenspiegels 20 aufbauen, oder auch insgesamt um die Facetten handeln, insbesondere die erste Facette 21 des ersten Facettenspiegels 20.

Die Einzelspiegel 28i können über deren zugeordnete Kippaktoren 32i individuell um die jeweiligen Kippachsen 33, 36 innerhalb eines Einzelspiegel- Kippwinkelbereichs um die in der Fig. 4 jeweils dargestellte Neutral- Kippstellung zwischen einem Maximalwinkel und einem Minimalwinkel verkippt werden. Für eine Kippwinkel-Dimension, nämlich für die Verkippung um die Kippachsen 33i der jeweiligen Einzelspiegel 28i senkrecht zur Zeichenebene der Fig. 4 ist dies für zwei verschiedene Neutral-Kipp Stellungen ßi, beispielsweise des Einzelspiegels 28i der Fig. 4, und ß4, beispielsweise des Einzelspiegels 284 der Fig. 4, wiedergegeben. Der Einzelspiegel 28i ist um seine Neutral-Kipp Stellung ßi in einem Kippwinkelbereich um die Kippachse 331 zwischen einem Minimalwinkel ßi-ß und einem Maximalwinkel ßi+ß verkippbar. Der Einzelspiegel 284 ist um seine Neutral-Kipp Stellung ß4 zwischen einem Minimalwinkel ß4-ß und einem Maximalwinkel ß4+ß verkippbar. Die beiden Neutral-Kippstellungen ßi und ß4 unterscheiden sich im absoluten Kippwinkel um die Kippachse 331 beziehungsweise 334. Die beiden Kippwinkelbereiche [ßi-ß_; ßi+ß] und [ß4— ß; ß4⁺ß] liegen innerhalb eines Gesamt-Kippwinkelbereichs [-a; +a] um einen Mittelwert ao, für den definiert ist ao = 0.

Die verschiedenen Neutral-Kippstellungen ßi der Einzelspiegel 28i werden über eine entsprechende Keilform eines Keil-Verbindungsabschnitts 381, 382, 383, 384 des jeweiligen Substratkörpers 30i bis 304 des Einzelspiegels 28i bis 284 erreicht. Über den jeweiligen Keil-Verbindungsabschnitt 38i ist der Einzelspiegel 28i mit einem Trägerkörper 39 der Facettenspiegel-Baugruppe 37 verbunden. Zur Vorgabe der Neutral-Kippstellungen ßi um die beiden Kippachsen 38i und 36i können die Keil-Verbindungsabschnitte 38i zweidimensional keilförmig gestaltet sein, sodass ein Keilwinkel dieser Keil-Verbindungsabschnitte 38i nicht nur in der Zeichenebene der Fig. 4 vorliegt, sondern auch in einer hierzu senkrechten Zeichenebene, auf der die Kippachsen 36i senkrecht stehen. Für die Neutral-Kippstellungen ßi der Einzelspiegel 28i in der Anordnung nach Fig. 4 gilt im Verhältnis ßs < ßi < ß2 (= 0) < ß4.

Fig. 7 zeigt für einen der Spiegel 28i schematisch die Lage des Einzelspiegel-Kippwinkelbereichs in den zwei Kippwinkel-Dimensionen x und y um die Neutral-Kipp Stellung ßi,_x, ßi,_y innerhalb des Gesamt-Kippwinkelbe- reichs [-ax/_y; +o.x/_y]. Hierbei ist angenommen, dass ein Einzelspiegel-Kippwinkelbereich ßi + ß für beide Kippwinkel-Dimensionen x (entspricht Kippachse 33i) und y (entspricht Kippachse 360 gleich groß ist. Entsprechend wird davon ausgegangen, dass auch der Gesamt-Kippwinkelbereich [-ax/_y; +a _y] in Kippwinkel-Dimensionen gleich groß ist, was zu kreisförmigen Darstellungen für den Einzel-Kippwinkelbereich um die Neutral- Kippstellung ßi,_x; ßi,_y und für den Gesamt-Kippwinkelbereich um den Koordinatennullpunkt (oo = 0) in der Fig. 7 führt.

Bei der Ausführung nach Fig. 4 hat jeder der Einzelspiegel 28i eine individuelle Neutral-Kipp Stellung ßi beziehungsweise ßi,_x; ßi,_y.

Alternativ oder zusätzlich kann die Facettenspiegel-Baugruppe abschnittsweise eine Mehrzahl von Einzelspiegeln 28i aufweisen, die jeweils den gleichen Kippwinkelwert für die Neutral-Kipp Stellung ßi aufweisen. Dies wird nachfolgend anhand des Facettenspiegel-Baugruppenabschnitts 40 nach Fig. 5 erläutert. Der Facettenspiegel-Baugruppenabschnitt 40 hat vier Einzelspiegel 28s, 28e, 28?, 28s, die vom grundsätzlichen Aufbau her wiederum dem Einzelspiegel 28 nach Fig. 3 entsprechen.

Diese Einzelspiegel 28s bis 28s sind beim Facettenspiegel-Baugruppenabschnitt 40 über einen gemeinsamen Keil-Verbindungsabschnitt 41 mit dem Trägerkörper 39 der Facetten-Baugruppe verbunden. Ein Keilwinkel des Keil-Verbindungsabschnitts 41 gibt dann die Neutral-Kippstellungen ßs = ße = ß? = ß₈ der Einzelspiegel 28s bis 28s des Facettenspiegel-Baugruppenabschnitts 40 vor.

Die Einzelspiegel 28s bis 28s geben eine Gruppe von Einzelspiegeln 28i mit jeweils der gleichen Gruppen-Neutral-Kippstellung ßi vor.

Die Facettenspiegel-Baugruppe 20 hat insbesondere mehrere derartige Facettenspiegel-Baugruppenabschnitte 40 mit verschiedenen Keil-Verbindungsabschnitten 41, die verschiedene Keilwinkel und somit verschiedene Neutral-Kippstellungen ßi der Einzelspiegel 28i des jeweiligen Facettenspiegel-Baugruppenabschnitts 40 vorgeben.

Der Gesamt-Kippwinkelbereich [-a; +a] ist größer als der Einzelspiegel- Kippwinkelbereich [ßi-ß; ßi+ß] . Ein Verhältnis zwischen dem Gesamt- Kippwinkelbereich und dem jeweiligen Einzelspiegel-Kippwinkelbereich liegt zwischen 1,1 und 100, insbesondere im Bereich zwischen 1,1 und 10, zum Beispiel zwischen 1,1 und 3 und kann insbesondere im Bereich von 2 liegen.

Damit die Bedingung erfüllt ist, dass der jeweilige Einzelspiegel-Kippwinkelbereich innerhalb des Gesamt-Kippwinkelbereichs liegt, liegen die Neutral-Kippstellungen ßi der Einzelspiegel 28i in einem Bereich [oo-a+ß; ao+a-ß], was für beide Dimensionen x und y erfüllt ist.

Ein Kippwinkelhub einerseits um die Kippachsen 33i kann sich von einem Kippwinkelhub um die Kippachsen 36i unterscheiden, sodass neben kreisrunden Kippwinkelbereichen, wie in der Fig. 7, auch elliptische beziehungsweise ovale Kippwinkelbereiche resultieren können. Ein Verhältnis zwischen den Kippwinkel-Hüben um die jeweilige Neutral-Kipp Stellung in den beiden Kippwinkel-Dimensionen x und y kann im Bereich zwischen 1 und 10, insbesondere im Bereich zwischen 1 und 2 liegen.

Bei einer in der Zeichnung nicht dargestellten Ausführung wird die jeweilige Neutral-Kipp Stellung ßi des jeweiligen Einzelspiegels 28i über eine entsprechende Keilform der Spiegelplatte 29i des jeweiligen Einzelspiegels 28i vorgegeben. Die Spiegelplatte 29i hat dann zusätzlich die Funktion eines Keil-Verbindungsabschnitts entsprechend derjenigen, die vorstehend im Zusammenhang mit dem Keil-Verbindungsabschnitt 38i beziehungsweise 41 erläutert wurde.

Bei einer weiteren, ebenfalls nicht dargestellten Ausführung jeweiliger Facettenspiegel-Baugruppenabschnitte nach Art der Facettenspiegel-Baugruppenabschnitte 37 nach Fig. 4 und 40 nach Fig. 5 kann eine Kombination aus Keil-Verbindungsabschnitten 38 beziehungsweise 41 zur Vorgabe der Neutral-Kippstellungen ßi in einer Kippwinkel-Dimension und eine keilförmige Spiegelplatte 29i zur Vorgabe der Neutral-Kipp Stellung ßi in der anderen Kippwinkel-Dimension vorgesehen sein. Hierbei kann die Vorgabe der Neutral-Kipp Stellung um die beiden Kippachsen 33i beziehungsweise 36i hinsichtlich des hierfür verantwortlichen Keilkörpers entkoppelt werden. Die Neutral-Kipp Stellung um eine dieser Kippachsen, beispielsweise um die Kippachse 33, kann über die Keilform des Substratkörpers und die Neutral-Kipp Stellung ßi um die andere Kippachse, beispielsweise die Kippachse 38, kann über die Keilform der Spiegelplatte 29 vorgegeben werden. Zur Herstellung eines mikro strukturierten Bauteils, insbesondere eines hoch integrierten Halbleiterbauelements, beispielsweise eines Speicherchips, mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden zunächst das Retikel 7 und der Wafer 13 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 7 mit der Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf eine lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 13 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikrostruktur auf dem Wafer 13 und hieraus das mikro- beziehungsweise nanostrukturierte Bauteil erzeugt.

Claims

Patentansprüche

1. Facettenspiegel-Baugruppe (20), mit einem Trägerkörper (39) für eine Mehrzahl von Einzelspiegeln (280, wobei Reflexionsflächen (26) der Einzelspiegel (280 individuell über zugeordnete Kippaktoren (320 um mindestens eine Kippachse (33; 36) innerhalb eines Einzelspiegel-Kippwinkelbereichs ([ßi-ß; ßi+ß]) um eine Neutral-Kipp Stellung (ß0 zwischen einem Maximalwinkel (ßi+ß) und einem Minimalwinkel (ßi-ß) verkippbar sind, wobei die Einzelspiegel (280 mindestens zwei verschiedene Neut- ral-Kippstellungen (ß0 in einem Bereich ([oo-a+ß; ao+a-ß]) um einen Mittelwert (ao) eines Gesamt-Kippwinkelbereichs ([ao-a; ao+a]) aufweisen.

2. Facettenspiegel-Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsflächen (26) der Einzelspiegel (280 individuell über die zugeordneten Aktoren (320 um zwei Kippachsen (33, 36) innerhalb jeweils eines Kippwinkelbereichs ([ßi-ß; ßi+ß]) um eine Neut- ral-Kipp Stellung (ßi) zwischen einem Maximalwinkel (ßi+ß) und einem Minimalwinkel (ßi-ß) verkippbar sind, wobei zur Vorgabe der jeweiligen Kippwinkelbereiche um jede der beiden Kippachsen (33, 36) die Einzelspiegel (280 mindestens zwei verschiedene Neutral-Kippstellungen (ß0 in einem Bereich [(oo-a+ß; ao+a-ß]) um einen Mittelwert (ao) eines Gesamt-Kippwinkelbereichs ([ao-a; ao+a]) um die jeweilige Kippachse (33, 36) aufweisen.

3. Facettenspiegel-Baugruppe nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch mehrere Gruppen (40) mit Facettenspiegeln (28s bis 28s) mit jeweils der gleichen Gruppen-Neutral-Kippstellung (ßi).

4. Facettenspiegel-Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Gesamt-Kippwinkelbereich mindestens 1,1-mal so groß ist wie der Einzelspiegel-Kippwinkelbereich.

5. Facettenspiegel-Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass jeder der Einzelspiegel (280 eine Spiegelplatte (290 und einen Substratkörper (300 aufweist, wobei der jeweilige Kippaktor (320 des Einzelspiegels (280 zwischen der Spiegelplatte (290 und dem Substratkörper (300 angeordnet ist, wobei die jeweilige Neutral-Kipp Stellung (ßi) eines der Einzelspiegel (280 über eine entsprechende Keilform eines Keil-Verbindungsabschnitts (380 des Substratkörpers (300 dieses Einzelspiegels (280 vorgegeben ist.

6. Facettenspiegel-Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass jeder der Einzelspiegel (280 eine Spiegelplatte (290 und einen Substratkörper (300 aufweist, wobei der jeweilige Kippaktor (320 des Einzelspiegels (280 zwischen der Spiegelplatte (290 und dem Substratkörper (300 angeordnet ist, wobei die jeweilige Neutral-Kipp Stellung (ßi) eines der Einzelspiegel (280 über eine entsprechende Keilform der Spiegelplatte (290 dieses Einzelspiegels (280 vorgegeben ist.

7. Facettenspiegel-Baugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ausgeführt als Feldfacettenspiegel (20) und/oder als Pupillenfacettenspiegel und/oder als spekularer Reflektor (22) einer Projektionsbelichtungsan- lage (1).

8. Beleuchtungsoptik (4) für die Projektionslithographie zur Beleuchtung eines Objektfeldes (5) einer nachgeordneten abbildenden Optik (10), in dem ein zu beleuchtendes Objekt (7) anordenbar ist, mit Beleuchtungslicht (16) einer Lichtquelle (3), wobei die Beleuchtungsoptik (4) einen Facettenspiegel (20, 22) nach Anspruch 7 aufweist.

9. Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik (4) nach Anspruch 8 und mit einer Projektionsoptik (10) zur Abbildung des Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (11).

10. Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System nach Anspruch 9 und einer Lichtquelle (3).

11. Verfahren zur Herstellung eines mikro strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten:

Bereitstellung eines Retikels (7),

Bereitstellung eines Wafers (13) mit einer für das Beleuchtungslicht (16) empfindlichen Beschichtung,

Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels (7) auf den Wafer (13) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 10,

Entwickeln der mit dem Beleuchtungslicht (16) belichteten lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer (13).

12. Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 11.