WO2023277198A1 - エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー - Google Patents

エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー Download PDF

Info

Publication number
WO2023277198A1
WO2023277198A1 PCT/JP2022/026573 JP2022026573W WO2023277198A1 WO 2023277198 A1 WO2023277198 A1 WO 2023277198A1 JP 2022026573 W JP2022026573 W JP 2022026573W WO 2023277198 A1 WO2023277198 A1 WO 2023277198A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
copper strip
less
edgewise bending
edgewise
mass
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/026573
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
航世 福岡
優樹 伊藤
健一郎 川▲崎▼
一誠 牧
Original Assignee
三菱マテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022106850A external-priority patent/JP7215627B2/ja
Application filed by 三菱マテリアル株式会社 filed Critical 三菱マテリアル株式会社
Publication of WO2023277198A1 publication Critical patent/WO2023277198A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/02—Single bars, rods, wires, or strips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon

Definitions

  • the present invention provides a copper strip for edgewise bending suitable as a material for parts for electronic and electrical equipment such as busbars formed by edgewise bending, and an electronic/electronic device manufactured using this copper strip for edgewise bending. It relates to electrical equipment parts and bus bars.
  • This application is based on Japanese Patent Application No. 2021-110693 filed in Japan on July 2, 2021, Japanese Patent Application No. 2022-060505 filed in Japan on March 31, 2022, and Japanese Patent Application No. 2022 on July 1, 2022. A priority is claimed based on Japanese Patent Application No. 2022-106850 filed, the content of which is incorporated herein.
  • Patent Literature 1 discloses an insulated rectangular copper wire that is made of oxygen-free copper and has a 0.2% yield strength of 150 MPa or less.
  • the 0.2% proof stress is suppressed to 150 MPa or less, it is possible to suppress the deterioration of the withstand voltage characteristics in the bent portion when edgewise bending is performed. It was possible.
  • Patent Document 2 in order to maintain the surface insulating film, the corners formed at the four corners of the cross section are chamfered with a radius of curvature of 0.05 to 0.6 mm, and the arithmetic mean roughness Ra is 0.05 mm. 05 to 0.3 ⁇ m, the maximum height Rz is 0.5 to 2.5 ⁇ m, and the ratio of the root mean square roughness Rq to the maximum height Rz (Rq/Rz) is 0.06 to 1.1.
  • a rectangular insulated conductor material for a coil is disclosed.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and provides an edgewise bending copper strip capable of edgewise bending under severe conditions, and an electronic device manufactured using the edgewise bending copper strip. ⁇ The purpose is to provide parts for electrical equipment and bus bars.
  • a copper strip for edgewise bending is edgewise bent at a ratio R/W of bending radius R to width W of 5.0 or less.
  • the elongation at break E (%) including the end faces extending in the longitudinal direction and the strength TS (MPa) satisfy the relationship of E ⁇ 0.19 TS+65.
  • the end face By making this end face the outer side of the edgewise bending, the end face will be sufficiently stretched even when severe edgewise processing is performed with a ratio R/W of bending radius R to width W of 5.0 or less. It is possible to suppress the occurrence of cracks and breaks.
  • the end surface of the present invention is a surface extending in the longitudinal direction and parallel to the plate thickness direction.
  • the thickness t is in the range of 1 mm or more and 10 mm or less, it is possible to sufficiently realize a reduction in current density and diffusion of heat due to Joule heat generation. Furthermore, the above elongation can be ensured because the strength is 300 MPa or less.
  • the Cu content is preferably 99.90 mass % or more.
  • the Cu content is set to 99.90 mass % or more, the amount of impurities is small, and it becomes possible to secure conductivity.
  • the copper strip for edgewise bending preferably contains one or more selected from Mg, Ca, and Zr in a total amount of more than 10 ppm by mass and less than 100 ppm by mass.
  • Mg dissolves in the matrix of copper, resulting in a large reduction in electrical conductivity. It is possible to improve strength, heat resistance, and edgewise bending workability without reducing , it is possible to improve edgewise bending workability.
  • the electrical conductivity is 97.0%IACS or higher.
  • the electrical conductivity is set to 97.0% IACS or more, heat generation during energization can be suppressed, and it is particularly suitable for parts for electronic/electrical equipment and bus bars.
  • the ratio W/t between the width W and the thickness t is preferably 2 or more.
  • the ratio W/t of the width W to the thickness t is 2 or more, it is particularly suitable as a material for electronic/electrical equipment parts and bus bars.
  • the average crystal grain size at the central portion of the plate thickness is 50 ⁇ m or less.
  • the plate thickness center portion is defined as a region from 25% to 75% of the total thickness from the surface in the plate thickness direction. In this case, since the average crystal grain size at the central portion of the plate thickness is set to 50 ⁇ m or less, the bending workability is further improved.
  • the standard deviation of the elongation at break is 5.0% or less.
  • this 5.0% expresses the value of the elongation at break itself, not the ratio to the value of the elongation at break.
  • the variation in elongation at break including the end face is sufficiently small, and the elongation including the end face is stable and excellent. Even when severe edgewise processing with R/W of 5.0 or less is performed, the occurrence of cracks and breaks can be further suppressed.
  • the Ag concentration is preferably in the range of 5 ppm by mass or more and 20 ppm by mass or less.
  • the added Ag segregates in the vicinity of the grain boundary, hinders the movement of atoms at the grain boundary, and makes it possible to refine the crystal grain size. Therefore, it is possible to obtain better edgewise bending workability.
  • the H concentration is 10 mass ppm or less
  • the O concentration is 500 mass ppm or less
  • the C concentration is 10 mass ppm or less
  • the S concentration is 10 mass ppm or less.
  • the H concentration, O concentration, C concentration, and S concentration are regulated as described above, it is possible to suppress the occurrence of defects and to suppress deterioration in workability and electrical conductivity.
  • the end surface is a slit member having a slit surface.
  • the end face is a slit face formed by slit processing, and by setting this end face (slit face) to the outside of the edgewise bending, the ratio R / W of the bending radius R and the width W is 5.0 or less. Even when severe edgewise processing is applied, the occurrence of cracks and breaks can be sufficiently suppressed.
  • a component for an electronic/electrical device is characterized by being manufactured using the copper strip for edgewise bending described above. Since the electronic/electrical device parts having this configuration are manufactured using the copper strip for edgewise bending which has excellent bending workability as described above, the occurrence of cracks and the like is suppressed, and the quality is excellent. ing.
  • a bus bar according to an aspect of the present invention is characterized by being manufactured using the copper strip for edgewise bending described above. Since the bus bar of this configuration is manufactured using the copper strip for edgewise bending which is excellent in bending workability as described above, the occurrence of cracks and the like is suppressed and the quality is excellent.
  • a plating layer may be formed on the current-carrying portion.
  • the plating layer since the plating layer is formed on the current-carrying portion that is in contact with another member and is energized, oxidation and the like can be suppressed, and the contact resistance with the other member can be kept low.
  • the busbar according to the aspect of the present invention includes an edgewise bent portion and an insulating coating portion.
  • E (%) including the end face extending in the longitudinal direction and the strength TS (MPa) satisfy the relationship of E ⁇ -0.19 TS + 65, defects such as cracks occur at the edgewise bent portion is suppressed, and damage to the insulating coating can be suppressed.
  • a copper strip for edgewise bending capable of edgewise bending under severe conditions, an electronic/electric device part manufactured using the copper strip for edgewise bending, and a bus bar are provided. can be provided.
  • FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a bus bar manufactured using a copper strip for edgewise bending according to the present embodiment, and shows a top view.
  • FIG. 1B is an explanatory view showing an example of a busbar manufactured using the copper strip for edgewise bending according to the present embodiment, and shows a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 1A. It is explanatory drawing of the test piece which measures breaking elongation including an end face.
  • 1 is a flowchart of a method for manufacturing a copper strip for edgewise bending according to the present embodiment; FIG.
  • a copper strip for edgewise bending, a component for electronic/electrical equipment, and a bus bar, which are one embodiment of the present invention, will be described below.
  • the busbar 10 which is this embodiment is demonstrated.
  • the bus bar 10 of this embodiment is provided with an edgewise bent portion 13 .
  • the busbar 10 of the present embodiment includes a copper strip 20 for edgewise bending, a plating layer 15 formed on the surface of the copper strip 20 for edgewise bending, and an edgewise bending copper strip 20. and an insulating covering portion 17 covering the copper strip 20 for bending.
  • the busbar 10 of the present embodiment is manufactured by subjecting a copper strip 20 for edgewise bending, which will be described later, to edgewise bending.
  • the conditions for edgewise bending are that the ratio R/W between the bending radius R and the width W is 5.0 or less.
  • the ratio R/W between the bending radius R and the width W may be 0.05 or more.
  • the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment has a thickness t within a range of 1 mm or more and 10 mm or less. Further, in the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, the strength TS is 300 MPa or less.
  • the elongation at break E (%) including the end faces extending in the longitudinal direction and the strength TS (MPa) have a relationship of E ⁇ 0.19 TS+65. meets That is, in the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, the end surface is left on one side, and the other side has the shape of a No. 14B test piece specified in JIS Z 2241, and the width b 0 is the thickness
  • the elongation at break E (%) and the strength TS (MPa) when a tensile test is performed using a test piece with width b 0 / thickness t ⁇ 5 satisfies the relationship of E ⁇ -0.19 TS + 65 .
  • the edgewise bending copper strip 20 is slit, and the end faces thereof are slit surfaces. Moreover, in the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, it is preferable that the ratio W/t between the width W and the thickness t is 2 or more.
  • the Cu content is preferably 99.90 mass % or more.
  • the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment may contain one or more selected from Mg, Ca, and Zr in a total content of more than 10 ppm by mass and less than 100 ppm by mass.
  • the Ag concentration may be in the range of 5 ppm by mass or more and 20 ppm by mass or less. Further, in the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, it is preferable that the H concentration is 10 mass ppm or less, the O concentration is 500 mass ppm or less, the C concentration is 10 mass ppm or less, and the S concentration is 10 mass ppm or less.
  • the electrical conductivity is 97.0% IACS or more.
  • the average crystal grain size at the central portion of the plate thickness is 50 ⁇ m or less. The central portion of plate thickness is defined as a region from 25% to 75% of the total thickness from the surface in the plate thickness direction.
  • the standard deviation of the elongation at break is preferably 5.0% or less.
  • the thickness t of the edgewise bending copper strip 20 is preferably 1.2 mm or more, more preferably 1.5 mm or more.
  • the upper limit of the thickness t of the edgewise bending copper strip 20 is preferably 9.0 mm or less, more preferably 8.0 mm or less.
  • width W width W
  • the width W of the edgewise bending copper strip 20 is preferably 10 mm or more, more preferably 15 mm or more, and more preferably 20 mm or more.
  • the width W of the edgewise bending copper strip 20 may be 60 mm or less.
  • the breaking elongation including end face In the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, the elongation at break E (%) including the end face is set to E ⁇ 0.19 TS + 65 with respect to the strength TS (MPa). By making it the outer side of wise bending, it is possible to suppress the occurrence of cracks and fractures during edgewise bending.
  • the breaking elongation including the end face can be measured by performing a tensile test using the test piece shown in FIG.
  • the shape of the test piece shown in FIG. 2 is as shown below.
  • the strength TS is 300 MPa or less, so that elongation can be ensured without lowering the electrical conductivity.
  • the strength TS of the edgewise bending copper strip 20 is preferably 290 MPa or less, more preferably 285 MPa or less, and most preferably 280 MPa or less.
  • the edgewise bending copper strip 20 may have a strength TS of 150 MPa or more.
  • the Cu content is preferably 99.90 mass % or more.
  • the Cu content is more preferably 99.93 mass% or more, more preferably 99.95 mass% or more. is more preferable.
  • Mg is an element that has the function and effect of improving the strength without significantly lowering the electrical conductivity by forming a solid solution in the matrix of copper. Further, by dissolving Mg in the matrix phase, strength and heat resistance are improved. Furthermore, by adding Mg, uniformity of structure and improvement of work hardening ability are obtained, and workability of edgewise bending is improved. Therefore, Mg may be added in order to improve strength, heat resistance, edgewise bending workability, and the like. In addition, when Ca or Zr is added, copper and intermetallic compounds are generated in the matrix phase, and the structure is homogenized, the work hardening ability, and the crystal grain size are refined without significantly decreasing the electrical conductivity. Edgewise bending workability can be further improved. Therefore, Ca and Zr may be added in order to improve the edgewise bending workability.
  • the total content of one or more selected from Mg, Ca, and Zr is made more than 10 ppm by mass, it is possible to achieve the above effects.
  • the total content of one or more selected from Mg, Ca, and Zr is set to less than 100 ppm by mass, a decrease in conductivity can be suppressed. Therefore, in the present embodiment, when one or more selected from Mg, Ca and Zr is added, the total content of one or more selected from Mg, Ca and Zr is It is preferably more than 10 mass ppm and less than 100 mass ppm.
  • the lower limit of the total content of one or more selected from Mg, Ca, and Zr is set to 20 mass ppm or more. It is preferably 30 mass ppm or more, more preferably 40 mass ppm or more.
  • the upper limit of the total content of one or more selected from Mg, Ca, and Zr is more preferably less than 90 mass ppm, and less than 80 mass ppm. is more preferable, and less than 70 ppm by mass is even more preferable.
  • the Ag concentration to 5 mass ppm or more, it is possible to obtain the above-described effects.
  • the Ag content to 20 ppm by mass or less, it is possible to suppress a decrease in conductivity and an increase in manufacturing cost. Therefore, in the present embodiment, when Ag is contained, it is preferable to set the Ag concentration to 5 mass ppm or more and 20 mass ppm or less.
  • the lower limit of the Ag concentration is more preferably 6 mass ppm or more, more preferably 7 mass ppm or more, and even more preferably 8 mass ppm or more.
  • the upper limit of the Ag concentration is more preferably 18 massppm or less, more preferably 16 massppm or less, and even more preferably 14 massppm or less.
  • H hydrogen
  • O oxygen
  • H hydrogen
  • the H concentration is more preferably 4 ppm by mass or less, more preferably 2 ppm by mass or less.
  • O oxygen
  • the O concentration is more preferably 400 mass ppm or less, more preferably 200 mass ppm or less, even more preferably 100 mass ppm or less, further preferably 50 mass ppm or less, and most preferably 20 mass ppm or less. is.
  • (C) C (carbon) is used to coat the surface of the molten metal in melting and casting for the purpose of deoxidizing the molten metal, and is an element that may inevitably be mixed.
  • the C concentration increases as the amount of C involved during casting increases. The segregation of these C, composite carbides, and C solid solution deteriorates cold workability. Therefore, in the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, it is preferable to set the C concentration to 10 mass ppm or less.
  • the C concentration is more preferably 5 mass ppm or less, more preferably 1 mass ppm or less.
  • S sulfur
  • S concentration is more preferably 5 mass ppm or less, more preferably 1 mass ppm or less.
  • unavoidable impurities include Al, As, B, Ba, Be, Bi, Cd, Cr, Sc, rare earth elements, V, Nb, Ta, Mo, Ni, W, Mn, Re, Ru, Sr, Ti, Os, P, Co, Rh, Ir, Pb, Pd, Pt, Au, Zn, Hf, Hg, Ga, In, Ge, Y, Tl, N, S, Sb, Se, Si, Sn, Te, Li, etc. are mentioned. These unavoidable impurities may be contained as long as they do not affect the properties.
  • the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment if the electrical conductivity is sufficiently high, heat generation during energization can be suppressed, so that the copper strip 20 is particularly suitable for bus bars. For this reason, it is preferable that the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment have a conductivity of 97.0% IACS or more.
  • the electrical conductivity is more preferably 97.5% IACS or more, more preferably 98.0% IACS or more, further preferably 98.5% IACS or more, and 99.0% IACS or better is most preferred.
  • ratio W/t of width W and thickness t In the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment, when the ratio W/t of the width W to the thickness t is 2 or more, it is particularly suitable as a material for bus bars.
  • the lower limit of the ratio W/t between the width W and the thickness t is preferably 3 or more, and more preferably 4 or more.
  • the upper limit of the ratio W/t of the width W to the thickness t is not particularly limited, but is preferably 50 or less, more preferably 40 or less.
  • the average crystal grain size at the central portion of the plate thickness it is preferable to set to 50 ⁇ m or less.
  • the average crystal grain size in the central portion of the plate thickness (region from 25% to 75% of the total thickness from the surface in the plate thickness direction) is more preferably 40 ⁇ m or less, more preferably 30 ⁇ m or less. More preferably, it is 25 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the average crystal grain size at the central portion of the plate thickness is not particularly limited, but is substantially 1 ⁇ m or more.
  • a copper raw material is melted to obtain molten copper. If necessary, one or more selected from Mg, Ca and Zr and Ag are added to adjust the composition. When one or two or more selected from Mg, Ca, and Zr, or Ag is added, a single element, a mother alloy, or the like can be used. Also, a raw material containing the above elements may be melted together with the copper raw material. Recycled and scrap materials may also be used.
  • the copper raw material is preferably so-called 4NCu with a Cu content of 99.99 mass% or more, or so-called 5NCu with a Cu content of 99.999 mass% or more.
  • atmosphere melting in an inert gas atmosphere (for example, Ar gas) having a low vapor pressure of H 2 O and keep the holding time at the time of melting to a minimum.
  • atmosphere melting in order to reduce the hydrogen concentration, it is preferable to perform atmosphere melting in an inert gas atmosphere (for example, Ar gas) having a low vapor pressure of H 2 O and keep the holding time at the time of melting to a minimum.
  • the molten copper whose composition has been adjusted is poured into a mold to produce an ingot.
  • the obtained ingot is subjected to heat treatment for homogenization and solutionization.
  • Intermetallic compounds and the like may exist inside the ingot, which are generated by concentrating impurities by segregation during the solidification process. Therefore, in order to eliminate or reduce these segregations, intermetallic compounds, etc., the ingot is heated to 300° C. or higher and 1080° C. or lower, thereby uniformly diffusing the impurities in the ingot.
  • the homogenization/solution treatment step S02 is preferably performed in a non-oxidizing or reducing atmosphere.
  • the heating temperature is set in the range of 300° C. or higher and 1080° C. or lower.
  • hot rolling may be performed after the homogenization/solution treatment step S02 described above in order to improve the efficiency of rough rolling and homogenize the structure, which will be described later.
  • the hot working temperature is preferably in the range of 300°C or higher and 1080°C or lower.
  • Rough rolling step S03 Rough rolling is performed in order to process it into a predetermined shape.
  • the temperature conditions in this rough rolling step S03 are not particularly limited, but in order to suppress recrystallization or to improve dimensional accuracy, cold or warm rolling is performed within the range of -200 ° C. to 200 ° C. It is preferable to set it as, and especially normal temperature is preferable.
  • the total processing rate (area reduction rate) is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and even more preferably 70% or more.
  • the processing rate (area reduction rate) per pass is preferably 10% or more, more preferably 15% or more, and even more preferably 20% or more.
  • Intermediate heat treatment step S04 After the rough rolling step S03, a heat treatment is performed to obtain a recrystallized structure. Note that the rough rolling step S03 and the intermediate heat treatment step S04 may be repeated.
  • this intermediate heat treatment step S04 is substantially the final recrystallization heat treatment, the crystal grain size of the recrystallized structure obtained in this step is almost equal to the final crystal grain size. Therefore, in this intermediate heat treatment step S04, it is preferable to appropriately select the heat treatment conditions so that the average crystal grain size at the center of the plate thickness is 50 ⁇ m or less.
  • top and front rolling In order to process the copper material into a predetermined shape after the intermediate heat treatment step S04, top and front rolling may be performed.
  • the temperature condition in this pre-rolling step S05 is preferably in the range of -200 ° C. to 200 ° C., which is cold or warm working, in order to suppress recrystallization during rolling. is preferred.
  • the rolling reduction is appropriately selected so as to approximate the final shape, and is preferably within the range of 1% or more and 30% or less.
  • Mechanical surface treatment step S06 After the pre-processing step S05, a mechanical surface treatment is performed.
  • Mechanical surface treatment is a treatment that applies compressive stress to the vicinity of the surface, and has the effect of suppressing cracking that occurs during flatwise bending due to the compressive stress in the vicinity of the surface, thereby improving bending workability.
  • Mechanical surface treatments include shot peening, blasting, lapping, polishing, buffing, grinder polishing, sandpaper polishing, tension leveler treatment, light rolling with low rolling reduction per pass (rolling reduction per pass 1 to 10% and repeated three times or more), various commonly used methods can be used.
  • the copper material obtained by the mechanical surface treatment step S06 may be subjected to finishing heat treatment in order to remove the segregation of contained elements to grain boundaries and residual strain.
  • This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere.
  • the heat treatment temperature is preferably in the range of 100° C. or higher and 500° C. or lower.
  • This heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere.
  • the method of heat treatment is not particularly limited, but short-time heat treatment in a continuous annealing furnace is preferable from the viewpoint of reducing manufacturing costs.
  • the above-described pre-rolling step S05, mechanical surface treatment step S06, and finishing heat treatment step S07 may be repeated.
  • metal plating Sn plating, Ni plating, Ag plating, etc.
  • the copper material that has undergone the finishing heat treatment step S07 or the finishing processing step S08 is subjected to shape imparting processing as necessary in order to be processed into a desired shape.
  • shape imparting processing as necessary in order to be processed into a desired shape.
  • Various commonly used methods such as slitting, pushback, punching, drawing, swaging, and conforming can be used for shaping.
  • various commonly used methods can be used, such as counter-cutting for separating materials by half-shearing and reverse-shearing, and roll-slitting for separating materials by half-shearing and pressing with rolls.
  • burrs may be added if necessary. process.
  • Various commonly used methods such as sandpaper, abrasive sheets, rotary burs, abrasive discs, abrasive belts, blasting, chamfering, extrusion, forging, cutting, and polishing can be used for deburring.
  • the processing rate area reduction rate
  • a heat treatment may be performed before performing this processing. If the end face is processed during processing such as pushback processing, drawing processing, swaging processing, conform processing, or precision shearing slit processing, burr processing may not be performed.
  • edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment is produced.
  • the elongation at break E (%) including the end face extending in the longitudinal direction and the strength TS (MPa) are E ⁇ Since the relationship of -0.19 TS + 65 is satisfied, by making this end face the outside of edgewise bending, even if severe edgewise processing is performed with a ratio R / W of bending radius R to width W of 5.0 or less , the end faces are sufficiently elongated, and the occurrence of cracks and breaks can be suppressed. Moreover, since the strength TS is 300 MPa or less, the above elongation can be ensured.
  • the thickness t is in the range of 1 mm or more and 10 mm or less, so that the current density can be reduced and heat diffusion due to Joule heating can be sufficiently realized. be able to.
  • the interior is less likely to wrinkle and a uniform shape can be obtained.
  • edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment when the standard deviation of the breaking elongation including the end faces is 5.0% or less, the dispersion of the breaking elongation including the end faces is sufficiently It is small and the elongation including the end face is stable and excellent.
  • this end face By making this end face the outside of edgewise bending, severe edgewise processing with a ratio R/W of bending radius R to width W of 5.0 or less can be performed. Even when it is applied, the occurrence of cracks and breaks can be further suppressed.
  • edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment when the ratio W/t of the width W to the thickness t is 2 or more, it is particularly suitable as a material for busbars.
  • the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment when the Cu content is 99.90 mass% or more, the amount of impurities is small, and it is possible to ensure electrical conductivity.
  • edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment contains one or more selected from Mg, Ca, and Zr in a total of more than 10 ppm by mass and less than 100 ppm by mass, By dissolving Mg in the matrix, it is possible to improve strength, heat resistance, and edgewise bending workability without significantly reducing electrical conductivity.
  • Ca and Zr are intermetallic compounds with Cu. By generating, it is possible to refine the crystal grain size and improve the edgewise bending workability without significantly reducing the conductivity.
  • the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment when the Ag concentration is within the range of 5 ppm by mass or more and 20 ppm by mass or less, the added Ag segregates in the vicinity of the grain boundary, and atoms at the grain boundary movement is hindered, and the crystal grain size can be refined.
  • the H concentration is 10 mass ppm or less
  • the O concentration is 500 mass ppm or less
  • the C concentration is 10 mass ppm or less
  • the S concentration is 10 mass ppm or less
  • the electrical conductivity is 97.0% IACS or higher, the electrical conductivity is sufficiently excellent, and heat generation during energization can be suppressed. and is particularly suitable for busbars.
  • the bending workability is further excellent.
  • the edgewise bending copper strip 20 of the present embodiment when the slit material having the end surface with the slit surface is used, the elongation at break E (%) including the end surface made of the slit surface and the strength TS (MPa) satisfies the relationship of E ⁇ 0.19TS+65, so by setting such an end surface (slit surface) as the outside of the edgewise bending, the ratio R / W of the bending radius R and the width W is Even when severe edgewise processing of 5.0 or less is applied, stress concentration on the end face is suppressed, stress spreads evenly over the bent end face, and cracking and breakage can be suppressed.
  • the electronic/electrical device component (bus bar 10) according to the present embodiment is manufactured using the edgewise bending copper strip 20 according to the present embodiment, the occurrence of cracks and the like is suppressed. and is of excellent quality.
  • the edgewise bending copper strip 20 can be prevented from being oxidized or the like. and the contact resistance with other members can be kept low.
  • the insulation coating portion 17 may be made of a commonly used insulation coating material.
  • commonly used insulating coating materials include resins having excellent electrical insulating properties, such as polyamideimide, polyimide, polyesterimide, polyurethane, and polyester.
  • the copper raw material described above was charged into a high-purity graphite crucible and was melted by high frequency in an atmosphere furnace with an Ar gas atmosphere.
  • the obtained molten copper was poured into a heat insulating material (isowool) mold to produce an ingot having the chemical composition shown in Tables 1 and 2.
  • the size of the ingot was about 80 mm thick ⁇ about 500 mm wide.
  • the obtained ingot was heated at 900° C. for 1 hour in an Ar gas atmosphere, then subjected to surface grinding to remove the oxide film, and cut into a predetermined size. Afterwards, cutting was performed to prepare the final thickness as appropriate.
  • Each cut sample was subjected to rough rolling under the conditions shown in Tables 1 and 2. Then, an intermediate heat treatment was performed so that the crystal grain sizes shown in Tables 5 and 6 were obtained.
  • the upper front rolling process was performed under the conditions described in Tables 1 and 2.
  • a mechanical surface treatment process was performed under the conditions described in Tables 1 and 2.
  • a finishing heat treatment was performed under the condition of holding at 250° C. for 1 minute. Moreover, the finishing process was performed so that the thickness t shown in Tables 3 and 4 was obtained. Further, a shaping step and a burr treatment were performed so that the plate widths W shown in Tables 3 and 4 were obtained.
  • the length was set to 200 mm to 600 mm.
  • composition analysis Measurement samples were collected from the obtained ingots, and Mg, Ca, and Zr were measured by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry, and other elements were measured by glow discharge mass spectrometry (GD-MS).
  • the analysis of H was performed by the thermal conductivity method, and the analysis of O, S and C was performed by the infrared absorption method.
  • the amount of Cu was measured using the copper electrogravimetric method (JIS H 1051). In addition, the measurement was performed at two points, the central portion and the end portion in the width direction of the sample, and the larger content was taken as the content of the sample.
  • test piece having a width of 10 mm and a length of 60 mm was taken from the copper strip for edgewise bending, and the electrical resistance was determined by the four-probe method. Also, the dimensions of the test piece were measured using a micrometer, and the volume of the test piece was calculated. Then, the electrical conductivity was calculated from the measured electrical resistance value and volume. The test piece was taken so that its longitudinal direction was parallel to the rolling direction of the copper strip for edgewise bending.
  • a sample of width 20 mm ⁇ length 20 mm was cut from the obtained copper strip for edgewise bending, and the average crystal grain size at the center of the plate thickness was measured by an SEM-EBSD (Electron Backscatter Diffraction Patterns) measuring device.
  • SEM-EBSD Electro Backscatter Diffraction Patterns
  • a surface perpendicular to the width direction of rolling, ie, the TD surface (transverse direction) was used as an observation surface, and mechanical polishing was performed using water-resistant abrasive paper and diamond abrasive grains. Then, final polishing was performed using a colloidal silica solution to obtain a sample for measurement.
  • an EBSD measurement device Quanta FEG 450 manufactured by FEI, OIM Data Collection manufactured by EDAX/TSL (currently AMETEK)
  • analysis software manufactured by EDAX/TSL (currently AMETEK) OIM Data Analysis ver.7.3 1
  • the observed surface was measured by the EBSD method at an acceleration voltage of an electron beam of 15 kV, a measurement area of 10000 ⁇ m 2 or more, and a step interval of 0.25 ⁇ m.
  • the measurement results were analyzed with the data analysis software OIM to obtain the CI value for each measurement point.
  • the misorientation of each crystal grain was analyzed using the data analysis software OIM, except for the measurement points where the CI value was 0.1 or less.
  • a boundary between measurement points where the orientation difference between adjacent measurement points is 15° or more is defined as a large-angle grain boundary, and a boundary between measurement points where the orientation difference between adjacent measurement points is less than 15° is defined as a small-angle grain boundary. and At this time, the twin boundary was also a large-angle grain boundary.
  • the measurement range was adjusted so that each sample contained 100 or more crystal grains.
  • a grain boundary map was created using the large-angle grain boundaries from the results of the obtained orientation analysis.
  • the thickness center is a region from 25% to 75% of the total thickness from the surface in the thickness direction.
  • the tensile strength was determined by the tensile test method of JIS Z 2241.
  • a stress-strain curve was obtained using the stroke elongation. From the stress-strain curve, the elongation at break of the test piece was taken as the elongation at break, and the average value and standard deviation thereof were determined. From the determined elongation at break E and strength TS, those satisfying the relationship of E ⁇ 0.19TS+65 were indicated as “ ⁇ ”, and those not satisfying the relationship of E ⁇ 0.19TS+65 were indicated as “X”. Note that the JIS Z 2241 test piece is not suitable because both end surfaces of the copper strip for edgewise bending are lost during the processing for producing the test piece.
  • the shape of the test piece is the thickness t, width b 0 of the tensile test piece described in Tables 3 and 4, the cross-sectional area S 0 of the parallel portion, the length L C of the parallel portion, and the radius R of the shoulder portion is 15 mm. 5 samples were taken by electric discharge machining except for the end face side after shaping, the elongation at break including the end face was measured, and the standard deviation was calculated.
  • Edgewise bending was performed so that the ratio R/W between the bending radius R and the plate width W shown in Tables 5 and 6 was obtained. Those with no wrinkles on the outer end face of edgewise bending are evaluated as "A” (excellent), and those with wrinkles on the outer end face of edgewise bending are evaluated as “B” (good). Those with small cracks on the outer end face were evaluated as “C” (fair), and those in which the outer end face of edgewise bending was broken and edgewise bending was not possible were evaluated as "D” (poor). did. The evaluation results A to C were judged to be "possible to bend edgewise even under severe conditions”.
  • Example 1-35 of the present invention the elongation at break E (%) including the end faces extending in the longitudinal direction and the strength TS (MPa) satisfy the relationship of E ⁇ 0.19 TS + 65, and bending The strength was "A to C", and the edgewise bending property was excellent.
  • edgewise bending copper strips that are capable of edgewise bending under severe conditions, electronic and electrical equipment parts, and bus bars manufactured using this edgewise bending copper strips.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下とされ、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことを特徴とする。

Description

エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
　本発明は、エッジワイズ曲げ加工によって成形されるバスバー等の電子・電気機器用部品の素材として適したエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーに関するものである。
　本願は、２０２１年７月２日に日本に出願された特願２０２１－１１０６９３号、２０２２年３月３１日に日本に出願された特願２０２２－０６０５０５号及び２０２２年７月１日に日本に出願された特願２０２２－１０６８５０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　従来、バスバー等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
　ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
　また、電子・電気機器用部品においては、狭い空間の中でも接続を可能とするために、フラットワイズ曲げだけではなく、エッジワイズ曲げ加工も施される。この場合、曲げ半径Ｒを小さくすることでより狭い空間でも接続が可能となる。
　しかしながら、従来の純銅材においては、電子機器や電気機器等に成形する際に必要となる曲げ加工性が不十分であり、特にエッジワイズ曲げなどの厳しい加工を施した際に割れが生じるなどの問題があった。
　そこで、特許文献１には、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下とした無酸素銅で形成された平角銅線を備えた絶縁平角銅線が開示されている。
　特許文献１に記載された銅圧延板においては、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下に抑えているので、エッジワイズ曲げ加工を施した際の曲げ加工部分における耐電圧特性の低下を抑制することが可能であった。
　また、特許文献２には、表面絶縁皮膜の維持のために、断面の四隅に形成される角部に０．０５～０．６ｍｍの曲率半径の面取りを施し、算術平均粗さＲａが０．０５～０．３μｍであり、最大高さＲｚが０．５～２．５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．０６～１．１とされたコイル用平角絶縁導線素材が開示されている。
特開２０１３－００４４４４号公報 特開２０１２－１９５２１２号公報
　ところで、最近では、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現するために、厚みがあるバスバー等が用いられる傾向にある。
　ここで、平角銅線の場合には、素材が薄いのでエッジワイズ曲げ性は悪くならず、厚い素材のエッジワイズ曲げ性が考慮されていない。一方、厚みのあるバスバーに用いられる銅材は、厚くなると、形状加工がしにくくなり、結果として切口である端面の品質が劣化しやすい。また、端面の面積が広くなり、凹凸も多くなるので、エッジワイズ曲げ性は悪くなる。
　すなわち、銅材の厚みが増すと、エッジワイズ曲げ加工を施した際に曲げの外側の割れが発生しやすくなり、不均一な形状になるおそれがある。よって、従来よりも厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能な銅材が求められている。
　この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することを目的とする。
　この課題を解決するために、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下とされ、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことを特徴としている。
　この構成のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことから、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面が十分に伸びることになり、割れや破断の発生を抑制することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。なお、本発明の端面は、長手方向に延在するとともに板厚方向に平行な面である。
　また、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。
　さらに、強度が３００ＭＰａ以下であることで、上記の伸びを確保できる。
　ここで、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることが好ましい。
　この場合、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上とされ、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
　また、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含むことが好ましい。
　この場合、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を上述の範囲で含有しているので、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
　さらに、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることが好ましい。
　この場合、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、電子・電気機器用部品、バスバーに特に適している。
　また、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることが好ましい。
　この場合、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上とされているので、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
　さらに、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。なお、本発明において、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
　この場合、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下とされているので、さらに曲げ加工性に優れている。
　さらに、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、前記破断伸びの標準偏差が５．０％以下であることが好ましい。ここで、この５．０％は破断伸びの数値に対する比率ではなく、破断伸びの値自体を表現している。
　この場合、端面を含めた破断伸びのばらつきが十分に小さく、端面を含めた伸びが安定して優れており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生をさらに抑制することができる。
　また、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることが好ましい。
　この場合、Ａｇ濃度が上述の範囲内とされているので、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。よって、より優れたエッジワイズ曲げ加工性を得ることが可能となる。
　さらに、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
　この場合、Ｈ濃度、Ｏ濃度、Ｃ濃度、Ｓ濃度が上述のように規制されているので、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
　また、本発明の一態様に係るエッジワイズ曲げ加工用銅条においては、前記端面がスリット面とされたスリット材であることが好ましい。
　この場合、端面がスリット加工されたスリット面とされており、この端面（スリット面）をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生を十分に抑制することができる。
　本発明の一態様に係る電子・電気機器用部品は、上述のエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴としている。
　この構成の電子・電気機器用部品は、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
　本発明の一態様に係るバスバーは、上述のエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴としている。
　この構成のバスバーは、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
　ここで、本発明の一態様に係るバスバーにおいては、通電部にめっき層が形成されていてもよい。
　この場合、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層が形成されているので、酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
　さらに、本発明の一態様に係るバスバーにおいては、エッジワイズ曲げ部と絶縁被覆部とを備えていることが好ましい。
　この場合、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすため、エッジワイズ曲げ部における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部の損傷を抑制することができる。
　本発明の上記態様によれば、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することが可能となる。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたバスバーの一例を示す説明図であり、上面図を示す。 本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたバスバーの一例を示す説明図であり、図１ＡのＸ－Ｘ断面矢視図を示す。 端面を含めた破断伸びを測定する試験片の説明図である。 本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条の製造方法のフロー図である。
　以下に、本発明の一実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバーについて説明する。
　まず、本実施形態であるバスバー１０について説明する。本実施形態であるバスバー１０は、図１Ａに示すように、エッジワイズ曲げ部１３が設けられている。
　また、本実施形態であるバスバー１０は、図１Ｂに示すように、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０と、このエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の表面に形成されためっき層１５と、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０を被覆する絶縁被覆部１７と、を備えている。
　本実施形態であるバスバー１０は、後述するエッジワイズ曲げ加工用銅条２０に対してエッジワイズ曲げ加工を行うことによって製造される。ここで、エッジワイズ曲げ加工の条件は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下とされている。特に限定されないが、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗは、０．０５以上であってもよい。
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０は、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされている。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下である。
　そして、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たしている。
　すなわち、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、端面を片側に残し、もう片側でＪＩＳ　Ｚ　２２４１に規定される１４Ｂ号試験片の形状を有し、幅ｂ０が厚さに対して幅ｂ０／厚さｔ≧５である試験片による引張試験を行った際の破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たしている。
　なお、本実施形態においては、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０は、スリット加工されたものとされ、端面がスリット面とされていることが好ましい。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることが好ましい。
　ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることが好ましい。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含んでいてもよい。
　さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていてもよい。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることが好ましい。
　さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。なお、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
　さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、前記破断伸びの標準偏差が５．０％以下であることが好ましい。
　ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、上述のように、形状、成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。
（厚みｔ）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１ｍｍ以上とすることにより、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することが可能となる。
　一方、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１０ｍｍ以下とすることにより、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状に成形することが可能となる。
　なお、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの下限は、１．２ｍｍ以上とすることが好ましく、１．５ｍｍ以上とすることがさらに好ましい。一方、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの上限は、９．０ｍｍ以下とすることが好ましく、８．０ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。
（幅Ｗ）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗを十分広くすることによって、大電流、大電圧に提供でき、かつ通電による発熱を抑制することが可能となる。そこで、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは、１０ｍｍ以上とすることが好ましく、１５ｍｍ以上とすることがさらに好ましく、２０ｍｍ以上とすることがより好ましい。また特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは６０ｍｍ以下であってもよい。
（端面を含めた破断伸び）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、端面を含めた破断伸びＥ（％）が強度ＴＳ（ＭＰａ）に関してＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５とされていることにより、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、エッジワイズ曲げ加工時における割れや破断の発生を抑制することが可能となる。ここで、端面を含めた破断伸びは、図２に示す試験片を用いて引張試験を行うことで測定することができる。なお、図２に示す試験片の形状は、以下に示すとおりである。
　Ｓ０：平行部の断面積
　Ｌ０：原標点距離　Ｌ０＝５．６５√Ｓ０
　ＬＣ：平行部の長さ　平行部の長さの範囲：Ｌ０＋２√Ｓ０
　ｂ０：幅
　ｔ：厚み
　Ｒ：肩部の半径
（強度）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下であることで、導電率を下げず、伸びを確保できる。
　なお、本実施形態においては、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の強度ＴＳは、２９０ＭＰａ以下が好ましく、２８５ＭＰａ以下がさらに好ましく、２８０ＭＰａ以下がもっとも好ましい。特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の強度ＴＳは、１５０ＭＰａ以上であってもよい。
（端面を含めた破断伸びの標準偏差）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０から、図２に示す試験片を複数採取し、端面を含めた破断伸びを測定した際に、端面を含めた破断伸びの標準偏差が５．０％以下である場合には、端面を含めた破断伸びが安定しており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、エッジワイズ曲げ加工時における割れや破断の発生を確実に抑制することが可能となる。
　なお、本実施形態では、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０から試験片を５個以上採取して、端面を含めた破断伸びを測定し、標準偏差を算出することが好ましい。
　また、端面を含めた破断伸びの標準偏差は、３．０％以下であることがより好ましく、２．０％以下とすることがさらに好ましく、１．７％以下であることがより一層好ましい。
（Ｃｕ）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が高く、相対的に不純物濃度が少ない程、導電率が高くなる。このため、本実施形態では、Ｃｕの含有量を９９．９０ｍａｓｓ％以上とすることが好ましい。
　なお、本実施形態のエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、さらに導電率を向上させるためには、Ｃｕの含有量を９９．９３ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましく、９９．９５ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましい。
（Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上）
　Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、強度や耐熱性が向上する。さらに、Ｍｇを添加することで組織の均一化、加工硬化能の向上が得られ、エッジワイズ曲げの加工性が向上する。このため、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、Ｍｇを添加してもよい。
　また、ＣａやＺｒを添加した場合には、母相内に銅と金属間化合物が生成し、導電率を大きく低下させることなく、組織の均一化、加工硬化能、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。このため、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、ＣａやＺｒを添加してもよい。
　ここで、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超えとすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることにより、導電性の低下を抑制することができる。
　このため、本実施形態において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を添加する場合には、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。
　なお、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等をさらに向上させるためには、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量の下限を２０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、４０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが一層好ましい。一方、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが一層好ましい。
（Ａｇ）
　銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径が微細化し、より優れる曲げ加工性を得ることが可能となる。
　ここで、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ａｇの含有量を２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることにより、導電性の低下を抑制することができるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
　このため、本実施形態において、Ａｇを含有する場合には、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
　なお、確実に結晶粒径の微細化を図るためには、Ａｇ濃度の下限を６ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、７ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが一層好ましい。一方、導電率の低下及び製造コストの増加をさらに抑制するためには、Ａｇ濃度の上限を１８ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、１４ｍａｓｓｐｐｍ以下することが一層好ましい。
（Ｈ）
　Ｈ（水素）は、鋳造時にＯ（酸素）と結びついて水蒸気となり、鋳塊中にブローホール欠陥を生じさせる元素である。このブローホール欠陥は、鋳造時には割れ、圧延時にはふくれおよび剥がれ等の欠陥の原因となる。これらの割れ、ふくれ及び剥がれ等の欠陥は、応力集中して破壊の起点となる。
　このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
　なお、Ｈ濃度は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
（Ｏ）
　Ｏ（酸素）は、銅合金中の各成分元素と反応して酸化物を形成する元素である。これらの酸化物は、破壊の起点となるため、加工性が低下し、製造を困難とする。
　このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｏ濃度を５００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
　なお、Ｏ濃度は、４００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより一層好ましく、さらに５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが最適である。
（Ｃ）
　Ｃ（炭素）は、溶湯の脱酸作用を目的として、溶解、鋳造において溶湯表面を被覆するように使用されるものであり、不可避的に混入するおそれがある元素である。Ｃ濃度は、鋳造時のＣの巻き込みが多くなると高くなる。これらのＣや複合炭化物、Ｃの固溶体の偏析は、冷間加工性を劣化させる。
　このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
　なお、Ｃ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
（Ｓ）
　Ｓ（硫黄）は、銅中に含有されることにより、導電率を大幅に低下させる。
　このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｓ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
　なお、Ｓ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
（その他の不可避不純物）
　上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｐ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
　ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、不可避不純物の含有量を少なくすることが好ましい。
（導電率）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が十分に高いと、通電時の発熱が抑えられるため、バスバーに特に適している。
　このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
　なお、導電率は、９７．５％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、さらには９８．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることが最も好ましい。
（幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔ）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔが２以上とされている場合には、バスバー用の素材として特に適している。
　なお、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの下限は、３以上であることがさらに好ましく、４以上であることがより好ましい。一方、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの上限に特に制限はないが、５０以下であることが好ましく、４０以下であることがさらに好ましい。
（板厚中心部の平均結晶粒径）
　本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径が微細であると、優れた曲げ加工性を得ることが可能となる。
　このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径を５０μｍ以下とすることが好ましい。
　なお、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径は、４０μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。さらに好ましくは２５μｍ以下が好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径の下限に特に制限はないが、実質的には１μｍ以上となる。
　次に、このような構成とされた本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の製造方法について、図３に示すフロー図を参照して説明する。
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
　まず、銅原料を溶解して銅溶湯得る。必要であればＭｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加して成分調整を行う。なお、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加する場合には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、リサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
　ここで、銅原料は、Ｃｕの含有量が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
　溶解時においては、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
　そして、成分調整された銅溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
　次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において不純物が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、不純物を均質に拡散させる。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
　ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、組織の不均一化や母相中に金属間化合物が残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
　なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間圧延を実施してもよい。熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
（粗圧延工程Ｓ０３）
　所定の形状に加工するために、粗圧延を行う。なお、この粗圧延工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。ここで、材料中に均一にひずみが導入されることで、後述する中間熱処理工程Ｓ０４で均一な再結晶粒が得られる。そのため、総加工率（減面率）は５０％以上とすることが好ましく、６０％以上とすることがより好ましく、７０％以上とすることがさらに好ましい。また、１パス当たりの加工率（減面率）は１０％以上とすることが好ましく、１５％以上とすることがより好ましく、２０％以上とすることがさらに好ましい。
（中間熱処理工程Ｓ０４）
　粗圧延工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、粗圧延工程Ｓ０３と中間熱処理工程Ｓ０４は繰り返し実施してもよい。
　ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、板厚中心の平均結晶粒径が５０μｍ以下となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。
（上前圧延工程Ｓ０５）
　中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前圧延を行ってもよい。なお、この上前圧延工程Ｓ０５における温度条件は、圧延時の再結晶を抑制するために、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
　また、圧延率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。
（機械的表面処理工程Ｓ０６）　
　上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、表面近傍の圧縮応力によってフラットワイズ曲げ加工時に発生する割れを抑制させ、曲げ加工性を向上させる効果がある。
　機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
　次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた銅材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。
　なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、中間熱処理工程Ｓ０４で得られた結晶粒径の粗大化を避けるように、熱処理条件（温度、時間）を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
　さらに、上述の上前圧延工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
　また、仕上熱処理工程Ｓ０７の後に金属めっき（Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、又は、Ａｇめっき等）を施してもよい。
（仕上加工工程Ｓ０８）
　次に、材料強度の調整、形状付与を目的として、必要に応じて適宜加工を施してもよい。冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率（減面率）は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。この加工は、圧延、引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などが挙げられる。
（形状付与加工工程Ｓ０９）
　仕上熱処理工程Ｓ０７または仕上加工工程Ｓ０８後の銅材に対して、所望の形状に加工するために必要に応じて形状付与加工を行う。
　形状付与加工は、スリット加工、プッシュバック加工、打ち抜き加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。また、精密せん断法のスリット加工を用いてもよい。具体的には、半せん断と逆せん断で材料を分離するカウンタカット加工や、半せん断とロールによる押圧で材料を分離するロールスリット加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
　なお、形状付与加工後に、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と引張強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすために、必要に応じてバリ処理を行う。バリ処理は、サンドペーパー、研磨シート、ロータリーバー、研磨ディスク、研磨ベルト、ブラスト処理、面取り加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。加工率（減面率）は１％以上３０％以下の範囲内が好ましい。この加工を行う前に熱処理を行ってもよい。
　なお、形状付与加工をプッシュバック加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工、精密せん断法のスリット加工など加工時で端面が処理される方法の場合、バリ処理は行われなくてもよい。
　このようにして、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０が製出されることになる。
　以上のような構成とされた本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことから、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面が十分に伸びることになり、割れや破断の発生を抑制することができる。また、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下であることから、上記の伸びを確保できる。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。
　ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、端面を含めた破断伸びの標準偏差が５．０％以下である場合には、端面を含めた破断伸びのばらつきが十分に小さく、端面を含めた伸びが安定して優れており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生をさらに抑制することができる。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上である場合には、バスバー用の素材として特に適している。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上である場合には、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
　さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含む場合には、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、また、ＣａやＺｒはＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内である場合には、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。
　さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされている場合には、導電性に十分に優れており、通電時の発熱を抑えることができ、バスバーに特に適している。
　さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下である場合には、さらに曲げ加工性に優れている。
　また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、端面がスリット面とされたスリット材とされている場合には、スリット面からなる端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことから、このような端面（スリット面）をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。
　また、本実施形態である電子・電気機器用部品（バスバー１０）においては、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０を用いて製造されたものであるので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
　さらに、本実施形態であるバスバー１０において、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層１５が形成されている場合には、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
　また、本実施形態であるバスバー１０において、エッジワイズ曲げ部１３と絶縁被覆部１７を備えている場合には、エッジワイズ曲げ部１３における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部１７の損傷を抑制することができる。絶縁被覆部１７は、一般に利用されている絶縁被覆材で構成されていてもよい。一般に利用されている絶縁被覆材としては、例えば、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステルイミド、ポリウレタン、ポリエステルなどの電気絶縁性に優れる樹脂が挙げられる。
　以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
　帯溶融精製法により、Ｃｕの含有量９９．９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる３ＮＣｕと、Ｃｕの含有量９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕからなる原料を用いて各種添加元素を１ｍａｓｓ％含む母合金を作製し、準備した。
　上述の銅原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
　得られた銅溶湯を、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約８０ｍｍ×幅約５００ｍｍとした。
　得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃、１時間の加熱を行い、次いで酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
　その後、適宜最終厚みを調製するために切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表１，２に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、表５，６に記載の結晶粒径が得られるように、中間熱処理を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて上前圧延工程を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて機械的表面処理工程を実施した。次に、２５０℃で１分保持の条件で仕上げ熱処理を実施した。また、表３，４に記載の厚みｔが得られるように、仕上加工工程を実施した。さらに、表３，４に記載の板幅Ｗが得られるように形状付与加工工程とバリ処理を実施した。また、長さは２００ｍｍから６００ｍｍとした。
　得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条について、以下の項目について評価を実施した。その結果を表１～６に示す。
（組成分析）
　得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。また、Ｈの分析は、熱伝導度法で行い、Ｏ，Ｓ，Ｃの分析は、赤外線吸収法で行った。Ｃｕ量は銅電解重量法（ＪＩＳ　Ｈ　１０５１）を用いて測定した。なお、試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
（導電率）
　エッジワイズ曲げ加工用銅条から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向がエッジワイズ曲げ加工用銅条の圧延方向に対して平行になるように採取した。
（板厚中心の平均結晶粒径）
　得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条から幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、板厚中心の平均結晶粒径を測定した。　圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行って測定用サンプルを得た。その後、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ　ＦＥＧ　４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現　ＡＭＥＴＥＫ社）　ＯＩＭ　Ｄａｔａ　Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現　ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ　Ｄａｔａ　Ａｎａｌｙｓｉｓ　ｖｅｒ．７．３．１）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積にて、０．２５μｍの測定間隔のステップで観察面をＥＢＳＤ法により測定した。
　測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。そして、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間の境界を大角粒界とし、隣接する測定点間の方位差が１５°未満となる測定点間の境界を小角粒界とした。この際、双晶境界も大角粒界とした。また、各サンプルで１００個以上の結晶粒が含まれるように測定範囲を調整した。得られた方位解析の結果から大角粒界を用いて結晶粒界マップを作成した。ＪＩＳ　Ｈ　０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の所定長さの線分を５本ずつ引き、完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さ（結晶粒界で切り取られた線分の長さ）の合計を結晶粒の数で割り平均値を得た。この平均値を平均結晶粒径とした。なお、板厚中心は、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域である。
（端面を含む破断伸び、強度）
　ＪＩＳ　Ｚ　２２４１の引張試験方法で、引張強度を求めた。また、ストローク伸びを用いて応力ひずみ曲線を取得した。その応力ひずみ曲線から、試験片が破断した時点までの伸びを破断伸びとし、その平均値と標準偏差を求めた。求めた破断伸びＥ及び強度ＴＳから、Ｅ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすものを「〇」とし、Ｅ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たさないものを「×」とした。
　なお、ＪＩＳ　Ｚ　２２４１の試験片では、試験片を作製するための加工によって、エッジワイズ曲げ加工用銅条の両方の端面を失われるため、不適である。一方で、エッジワイズ曲げ加工用銅条の両方の端面を残すと、つかみ部近傍に応力が集中し、つかみ部近傍で切れるため、伸びのばらつきが大きくなり、伸びが正確に測定できない。すなわち、試験片の片方の端面は図２に示す形状に加工され、その端面は平滑であり、試験片のもう片方の端面はエッジワイズ曲げ加工用銅条の端面を残した試験片を作製し測定することが好ましい。試験片の形状は、表３，４に記載されている引張試験片の厚みｔ、幅ｂ０、平行部の断面積Ｓ０、平行部の長さＬＣとし、肩部の半径Ｒを１５ｍｍとして、形状付与後の端面側以外を放電加工にて切断して５個採取して、端面を含めた破断伸びを測定し、標準偏差を算出した。
（エッジワイズ曲げ加工性）
　表５，６に記載の曲げ半径Ｒと板幅Ｗの比Ｒ／Ｗになるようにエッジワイズ曲げ加工を実施した。
　エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがないものを「Ａ」（ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがあるものを「Ｂ」（ｇｏｏｄ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面に小さな割れがあるものを「Ｃ」（ｆａｉｒ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面が破断し、エッジワイズ曲げが出来なかったものを「Ｄ」（ｐｏｏｒ）と評価した。なお、評価結果Ａ～Ｃまでを「厳しい条件でもエッジワイズ曲げが可能」と判断した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　比較例１においては、スリット加工後にバリ処理を行わなかったために、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことがなくて、この端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
　比較例２においては、強度ＴＳが３１７ＭＰａと高く、端面を含む破断伸びを確保できず、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことがなくて、この端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
　これに対して本発明例１－３５においては、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たし、曲げ加工性が「Ａ～Ｃ」となっており、エッジワイズ曲げ特性に優れていた。
　以上のことから、本発明例によれば、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条を得られることが確認された。
　厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することが可能となる。
　１０　　バスバー
　１３　　エッジワイズ曲げ部
　１５　　めっき層
　１７　　絶縁被覆部
　２０　　エッジワイズ曲げ加工用銅条
　Ｌ０　　原標点距離
　ＬＣ　　平行部の長さ
　Ｒ　　肩部の半径

Claims (14)

  1. 　曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、
    　厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、
    　強度ＴＳが３００ＭＰａ以下とされ、
    　長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことを特徴とするエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  2. 　Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  3. 　Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  4. 　導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  5. 　幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  6. 　板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  7. 　前記破断伸びの標準偏差が５．０％以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  8. 　Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  9. 　Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  10. 　前記端面がスリット面であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
  11. 　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載されたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴とする電子・電気機器用部品。
  12. 　請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載されたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴とするバスバー。
  13. 　通電部にめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のバスバー。
  14. 　エッジワイズ曲げ部と絶縁被覆部とを備えていることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載のバスバー。
PCT/JP2022/026573 2021-07-02 2022-07-04 エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー WO2023277198A1 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-110693 2021-07-02
JP2021110693 2021-07-02
JP2022060505 2022-03-31
JP2022-060505 2022-03-31
JP2022106850A JP7215627B2 (ja) 2021-07-02 2022-07-01 エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
JP2022-106850 2022-07-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023277198A1 true WO2023277198A1 (ja) 2023-01-05

Family

ID=84692814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/026573 WO2023277198A1 (ja) 2021-07-02 2022-07-04 エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW202308768A (ja)
WO (1) WO2023277198A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5466404A (en) * 1977-11-07 1979-05-29 Hitachi Ltd Preparing field coil
WO2020122230A1 (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 三菱マテリアル株式会社 純銅板、電子・電気機器用部材、放熱用部材
WO2020122112A1 (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 三菱マテリアル株式会社 純銅板
WO2021060023A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 三菱マテリアル株式会社 純銅板
WO2022085718A1 (ja) * 2020-10-23 2022-04-28 三菱マテリアル株式会社 スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板
WO2022085723A1 (ja) * 2020-10-23 2022-04-28 三菱マテリアル株式会社 スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5466404A (en) * 1977-11-07 1979-05-29 Hitachi Ltd Preparing field coil
WO2020122230A1 (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 三菱マテリアル株式会社 純銅板、電子・電気機器用部材、放熱用部材
WO2020122112A1 (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 三菱マテリアル株式会社 純銅板
WO2021060023A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 三菱マテリアル株式会社 純銅板
WO2022085718A1 (ja) * 2020-10-23 2022-04-28 三菱マテリアル株式会社 スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板
WO2022085723A1 (ja) * 2020-10-23 2022-04-28 三菱マテリアル株式会社 スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板

Also Published As

Publication number Publication date
TW202308768A (zh) 2023-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022085723A1 (ja) スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板
US20230395278A1 (en) Slit copper material, component for electronic/electric devices, bus bar, and heat dissipation substrate
CN111788320B (zh) 电子电气设备用铜合金﹑电子电气设备用铜合金板条材、电子电气设备用组件、端子及汇流排
KR102474714B1 (ko) 전자·전기 기기용 구리 합금, 전자·전기 기기용 구리 합금 소성 가공재, 전자·전기 기기용 부품, 단자, 및, 버스바
JP6187630B1 (ja) 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー
JP2017179493A (ja) 電子・電気機器用銅合金、電子・電気機器用銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、及び、バスバー
JP7342923B2 (ja) スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板
WO2022004791A1 (ja) 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板
WO2023277198A1 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
JP7215627B2 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
WO2023277197A1 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
JP7243904B2 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
JP7243903B2 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
JP7215626B2 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
WO2023277196A1 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
WO2023277199A1 (ja) エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー
JP2022124875A (ja) 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板
CN117580966A (zh) 沿边弯曲加工用铜条以及电子电气设备用部件、汇流条
JP7342924B2 (ja) スリット銅材、電子・電気機器用部品、バスバー、放熱基板
JP7078091B2 (ja) 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板
JP7078070B2 (ja) 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム
TW202206611A (zh) 銅合金、銅合金塑性加工材、電子電氣機器用零件、端子、匯流排、導線框、散熱基板

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22833342

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE