JP7215627B2 - エッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバー - Google Patents
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本発明は、エッジワイズ曲げ加工によって成形されるバスバー等の電子・電気機器用部品の素材として適したエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーに関するものである。
従来、バスバー等の電子・電気機器用部品には、導電性の高い銅又は銅合金が用いられている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
ここで、電子機器や電気機器等の大電流化にともない、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散のために、これら電子機器や電気機器等に使用される電子・電気機器用部品においては、導電率に優れた無酸素銅等の純銅材が適用されている。
また、電子・電気機器用部品においては、狭い空間の中でも接続を可能とするために、フラットワイズ曲げだけではなく、エッジワイズ曲げ加工も施される。この場合、曲げ半径Ｒを小さくすることでより狭い空間でも接続が可能となる。
しかしながら、従来の純銅材においては、電子機器や電気機器等に成形する際に必要となる曲げ加工性が不十分であり、特にエッジワイズ曲げなどの厳しい加工を施した際に割れが生じるなどの問題があった。
しかしながら、従来の純銅材においては、電子機器や電気機器等に成形する際に必要となる曲げ加工性が不十分であり、特にエッジワイズ曲げなどの厳しい加工を施した際に割れが生じるなどの問題があった。
そこで、特許文献１には、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下とした無酸素銅で形成された平角銅線を備えた絶縁平角銅線が開示されている。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下に抑えているので、エッジワイズ曲げ加工を施した際の曲げ加工部分における耐電圧特性の低下を抑制することが可能であった。
特許文献１に記載された銅圧延板においては、０．２％耐力を１５０ＭＰａ以下に抑えているので、エッジワイズ曲げ加工を施した際の曲げ加工部分における耐電圧特性の低下を抑制することが可能であった。
また、特許文献２には、表面絶縁皮膜の維持のために、断面の四隅に形成される角部に０．０５～０．６ｍｍの曲率半径の面取りを施し、算術平均粗さＲａが０．０５～０．３μｍであり、最大高さＲｚが０．５～２．５μｍであり、二乗平均平方根粗さＲｑと最大高さＲｚの比率（Ｒｑ／Ｒｚ）が０．０６～１．１とされたコイル用平角絶縁導線素材が開示されている。
ところで、最近では、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現するために、厚みがあるバスバー等が用いられる傾向にある。
ここで、平角銅線の場合には、素材が薄いのでエッジワイズ曲げ性は悪くならず、厚い素材のエッジワイズ曲げ性が考慮されていない。一方、厚みのあるバスバーに用いられる銅材は、厚くなると、形状加工がしにくくなり、結果として切口である端面の品質が劣化しやすい。また、端面の面積が広くなり、凹凸も多くなるので、エッジワイズ曲げ性は悪くなる。
すなわち、銅材の厚みが増すと、エッジワイズ曲げ加工を施した際に曲げの外側の割れが発生しやすくなり、不均一な形状になるおそれがある。よって、従来よりも厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能な銅材が求められている。
ここで、平角銅線の場合には、素材が薄いのでエッジワイズ曲げ性は悪くならず、厚い素材のエッジワイズ曲げ性が考慮されていない。一方、厚みのあるバスバーに用いられる銅材は、厚くなると、形状加工がしにくくなり、結果として切口である端面の品質が劣化しやすい。また、端面の面積が広くなり、凹凸も多くなるので、エッジワイズ曲げ性は悪くなる。
すなわち、銅材の厚みが増すと、エッジワイズ曲げ加工を施した際に曲げの外側の割れが発生しやすくなり、不均一な形状になるおそれがある。よって、従来よりも厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能な銅材が求められている。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することを目的とする。
この課題を解決するために、本発明の態様１のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下とされ、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことを特徴としている。
本発明の態様１のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことから、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面が十分に伸びることになり、割れや破断の発生を抑制することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。なお、本発明の端面は、長手方向に延在するとともに板厚方向に平行な面である。
また、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。
さらに、強度が３００ＭＰａ以下であることで、上記の伸びを確保できる。
また、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。
さらに、強度が３００ＭＰａ以下であることで、上記の伸びを確保できる。
本発明の態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１のエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることを特徴としている。
本発明の態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上とされ、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
本発明の態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上とされ、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
本発明の態様３のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１又は態様２のエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含むことを特徴としている。
本発明の態様３のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を上述の範囲で含有しているので、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
本発明の態様３のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を上述の範囲で含有しているので、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
本発明の態様４のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様３のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることを特徴としている。
本発明の態様４のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、電子・電気機器用部品、バスバーに特に適している。
本発明の態様４のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされているので、通電時の発熱を抑えることができ、電子・電気機器用部品、バスバーに特に適している。
本発明の態様５のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様４のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることを特徴としている。
本発明の態様５のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上とされているので、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
本発明の態様５のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上とされているので、電子・電気機器用部品、バスバー用の素材として特に適している。
本発明の態様６のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様５のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることを特徴としている。なお、本発明において、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
本発明の態様６のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下とされているので、さらに曲げ加工性に優れている。
本発明の態様６のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下とされているので、さらに曲げ加工性に優れている。
本発明の態様７のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様６のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、前記破断伸びの標準偏差が５．０％以下であることを特徴としている。ここで、この５．０％は破断伸びの数値に対する比率ではなく、破断伸びの値自体を表現している。
本発明の態様７のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、端面を含めた破断伸びのばらつきが十分に小さく、端面を含めた伸びが安定して優れており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生をさらに抑制することができる。
本発明の態様７のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、端面を含めた破断伸びのばらつきが十分に小さく、端面を含めた伸びが安定して優れており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生をさらに抑制することができる。
本発明の態様８のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様７のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴としている。
本発明の態様８のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ａｇ濃度が上述の範囲内とされているので、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。よって、より優れたエッジワイズ曲げ加工性を得ることが可能となる。
本発明の態様８のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ａｇ濃度が上述の範囲内とされているので、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。よって、より優れたエッジワイズ曲げ加工性を得ることが可能となる。
本発明の態様９のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様８のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴としている。
本発明の態様９のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｈ濃度、Ｏ濃度、Ｃ濃度、Ｓ濃度が上述のように規制されているので、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
本発明の態様９のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、Ｈ濃度、Ｏ濃度、Ｃ濃度、Ｓ濃度が上述のように規制されているので、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
本発明の態様１０のエッジワイズ曲げ加工用銅条は、態様１から態様９のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条において、前記端面がスリット面とされたスリット材であることを特徴としている。
本発明の態様１０のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、端面がスリット加工されたスリット面とされており、この端面（スリット面）をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生を十分に抑制することができる。
本発明の態様１０のエッジワイズ曲げ加工用銅条によれば、端面がスリット加工されたスリット面とされており、この端面（スリット面）をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生を十分に抑制することができる。
本発明の態様１１の電子・電気機器用部品は、態様１から態様１０のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴としている。
本発明の態様１１の電子・電気機器用部品は、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
本発明の態様１１の電子・電気機器用部品は、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
本発明の態様１２のバスバーは、態様１から態様１０のいずれか一つのエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴としている。
本発明の態様１２のバスバーは、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
本発明の態様１２のバスバーは、上述のように曲げ加工性に優れたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されているので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
本発明の態様１３のバスバーは、態様１２のバスバーにおいて、通電部にめっき層が形成されていることを特徴としている。
本発明の態様１３のバスバーによれば、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層が形成されているので、酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
本発明の態様１３のバスバーによれば、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層が形成されているので、酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
本発明の態様１４のバスバーは、態様１２又は態様１３のバスバーにおいて、エッジワイズ曲げ部と絶縁被覆部とを備えていることを特徴としている。
本発明の態様１４のバスバーによれば、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすため、エッジワイズ曲げ部における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部の損傷を抑制することができる。
本発明の態様１４のバスバーによれば、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすため、エッジワイズ曲げ部における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部の損傷を抑制することができる。
本発明によれば、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することが可能となる。
以下に、本発明の一実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条、および、電子・電気機器用部品、バスバーについて説明する。
まず、本実施形態であるバスバー１０について説明する。本実施形態であるバスバー１０は、図１Ａに示すように、エッジワイズ曲げ部１３が設けられている。
また、本実施形態であるバスバー１０は、図１Ｂに示すように、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０と、このエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の表面に形成されためっき層１５と、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０を被覆する絶縁被覆部１７と、を備えている。
本実施形態であるバスバー１０は、後述するエッジワイズ曲げ加工用銅条２０に対してエッジワイズ曲げ加工を行うことによって製造される。ここで、エッジワイズ曲げ加工の条件は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下とされている。特に限定されないが、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗは、０．０５以上であってもよい。
また、本実施形態であるバスバー１０は、図１Ｂに示すように、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０と、このエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の表面に形成されためっき層１５と、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０を被覆する絶縁被覆部１７と、を備えている。
本実施形態であるバスバー１０は、後述するエッジワイズ曲げ加工用銅条２０に対してエッジワイズ曲げ加工を行うことによって製造される。ここで、エッジワイズ曲げ加工の条件は、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下とされている。特に限定されないが、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗは、０．０５以上であってもよい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０は、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされている。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下である。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下である。
そして、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たしている。
すなわち、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、端面を片側に残し、もう片側でＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１４Ｂ号試験片の形状を有し、幅ｂ０が厚さに対して幅ｂ０／厚さｔ≧５である試験片による引張試験を行った際の破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たしている。
すなわち、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、端面を片側に残し、もう片側でＪＩＳ Ｚ ２２４１に規定される１４Ｂ号試験片の形状を有し、幅ｂ０が厚さに対して幅ｂ０／厚さｔ≧５である試験片による引張試験を行った際の破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たしている。
なお、本実施形態においては、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０は、スリット加工されたものとされ、端面がスリット面とされていることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることが好ましい。
ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含んでいてもよい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含んでいてもよい。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていてもよい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることが好ましい。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。なお、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることが好ましい。なお、板厚中心部とは、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域とする。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、前記破断伸びの標準偏差が５．０％以下であることが好ましい。
ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、上述のように、形状、成分組成、組織、各種特性を規定した理由について以下に説明する。
（厚みｔ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１ｍｍ以上とすることにより、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することが可能となる。
一方、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１０ｍｍ以下とすることにより、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状に成形することが可能となる。
なお、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの下限は、１．２ｍｍ以上とすることが好ましく、１．５ｍｍ以上とすることがさらに好ましい。一方、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの上限は、９．０ｍｍ以下とすることが好ましく、８．０ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１ｍｍ以上とすることにより、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することが可能となる。
一方、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、厚みｔを１０ｍｍ以下とすることにより、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状に成形することが可能となる。
なお、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの下限は、１．２ｍｍ以上とすることが好ましく、１．５ｍｍ以上とすることがさらに好ましい。一方、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の厚みｔの上限は、９．０ｍｍ以下とすることが好ましく、８．０ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。
（幅Ｗ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗを十分広くすることによって、大電流、大電圧に提供でき、かつ通電による発熱を抑制することが可能となる。そこで、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは、１０ｍｍ以上とすることが好ましく、１５ｍｍ以上とすることがさらに好ましく、２０ｍｍ以上とすることがより好ましい。また特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは６０ｍｍ以下であってもよい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗを十分広くすることによって、大電流、大電圧に提供でき、かつ通電による発熱を抑制することが可能となる。そこで、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは、１０ｍｍ以上とすることが好ましく、１５ｍｍ以上とすることがさらに好ましく、２０ｍｍ以上とすることがより好ましい。また特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の幅Ｗは６０ｍｍ以下であってもよい。
（端面を含めた破断伸び）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、端面を含めた破断伸びＥ（％）が強度ＴＳ（ＭＰａ）に関してＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５とされていることにより、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、エッジワイズ曲げ加工時における割れや破断の発生を抑制することが可能となる。ここで、端面を含めた破断伸びは、図２に示す試験片を用いて引張試験を行うことで測定することができる。なお、図２に示す試験片の形状は、以下に示すとおりである。
Ｓ０：平行部の断面積
Ｌ０：原標点距離 Ｌ０＝５．６５√Ｓ０
ＬＣ：平行部の長さ 平行部の長さの範囲：Ｌ０＋２√Ｓ０
ｂ０：幅
ｔ：厚み
Ｒ：肩部の半径
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、端面を含めた破断伸びＥ（％）が強度ＴＳ（ＭＰａ）に関してＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５とされていることにより、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、エッジワイズ曲げ加工時における割れや破断の発生を抑制することが可能となる。ここで、端面を含めた破断伸びは、図２に示す試験片を用いて引張試験を行うことで測定することができる。なお、図２に示す試験片の形状は、以下に示すとおりである。
Ｓ０：平行部の断面積
Ｌ０：原標点距離 Ｌ０＝５．６５√Ｓ０
ＬＣ：平行部の長さ 平行部の長さの範囲：Ｌ０＋２√Ｓ０
ｂ０：幅
ｔ：厚み
Ｒ：肩部の半径
（強度）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下であることで、導電率を下げず、伸びを確保できる。
なお、本実施形態においては、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の強度ＴＳは、２９０ＭＰａ以下が好ましく、２８５ＭＰａ以下がさらに好ましく、２８０ＭＰａ以下がもっとも好ましい。特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の強度ＴＳは、１５０ＭＰａ以上であってもよい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下であることで、導電率を下げず、伸びを確保できる。
なお、本実施形態においては、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の強度ＴＳは、２９０ＭＰａ以下が好ましく、２８５ＭＰａ以下がさらに好ましく、２８０ＭＰａ以下がもっとも好ましい。特に限定されないが、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の強度ＴＳは、１５０ＭＰａ以上であってもよい。
（端面を含めた破断伸びの標準偏差）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０から、図２に示す試験片を複数採取し、端面を含めた破断伸びを測定した際に、端面を含めた破断伸びの標準偏差が５．０％以下である場合には、端面を含めた破断伸びが安定しており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、エッジワイズ曲げ加工時における割れや破断の発生を確実に抑制することが可能となる。
なお、本実施形態では、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０から試験片を５個以上採取して、端面を含めた破断伸びを測定し、標準偏差を算出することが好ましい。
また、端面を含めた破断伸びの標準偏差は、３．０％以下であることがより好ましく、２．０％以下とすることがさらに好ましく、１．７％以下であることがより一層好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０から、図２に示す試験片を複数採取し、端面を含めた破断伸びを測定した際に、端面を含めた破断伸びの標準偏差が５．０％以下である場合には、端面を含めた破断伸びが安定しており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、エッジワイズ曲げ加工時における割れや破断の発生を確実に抑制することが可能となる。
なお、本実施形態では、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０から試験片を５個以上採取して、端面を含めた破断伸びを測定し、標準偏差を算出することが好ましい。
また、端面を含めた破断伸びの標準偏差は、３．０％以下であることがより好ましく、２．０％以下とすることがさらに好ましく、１．７％以下であることがより一層好ましい。
（Ｃｕ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が高く、相対的に不純物濃度が少ない程、導電率が高くなる。このため、本実施形態では、Ｃｕの含有量を９９．９０ｍａｓｓ％以上とすることが好ましい。
なお、本実施形態のエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、さらに導電率を向上させるためには、Ｃｕの含有量を９９．９３ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましく、９９．９５ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が高く、相対的に不純物濃度が少ない程、導電率が高くなる。このため、本実施形態では、Ｃｕの含有量を９９．９０ｍａｓｓ％以上とすることが好ましい。
なお、本実施形態のエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、さらに導電率を向上させるためには、Ｃｕの含有量を９９．９３ｍａｓｓ％以上とすることがさらに好ましく、９９．９５ｍａｓｓ％以上とすることがより好ましい。
（Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上）
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、強度や耐熱性が向上する。さらに、Ｍｇを添加することで組織の均一化、加工硬化能の向上が得られ、エッジワイズ曲げの加工性が向上する。このため、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、Ｍｇを添加してもよい。
また、ＣａやＺｒを添加した場合には、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成し、導電率を大きく低下させることなく、組織の均一化、加工硬化能、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。このため、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、ＣａやＺｒを添加してもよい。
Ｍｇは、銅の母相中に固溶することで、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、強度や耐熱性が向上する。さらに、Ｍｇを添加することで組織の均一化、加工硬化能の向上が得られ、エッジワイズ曲げの加工性が向上する。このため、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、Ｍｇを添加してもよい。
また、ＣａやＺｒを添加した場合には、ＣａやＺｒがＣｕと金属間化合物を生成し、導電率を大きく低下させることなく、組織の均一化、加工硬化能、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性をさらに向上させることが可能となる。このため、エッジワイズ曲げ加工性等を向上させるために、ＣａやＺｒを添加してもよい。
ここで、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超えとすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることにより、導電性の低下を抑制することができる。
このため、本実施形態において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を添加する場合には、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。
このため、本実施形態において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を添加する場合には、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量を１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。
なお、強度、耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性等をさらに向上させるためには、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量の下限を２０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、４０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが一層好ましい。一方、導電率の低下をさらに抑制するためには、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上の合計含有量の上限を９０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがより好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることがさらに好ましく、７０ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが一層好ましい。
（Ａｇ）
銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径が微細化し、より優れる曲げ加工性を得ることが可能となる。
ここで、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ａｇの含有量を２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることにより、導電性の低下を抑制することができるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
このため、本実施形態において、Ａｇを含有する場合には、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
銅中に微量に添加されたＡｇは、粒界近傍に偏析することとなる。これにより、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径が微細化し、より優れる曲げ加工性を得ることが可能となる。
ここで、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることで、上述の作用効果を奏することが可能となる。一方、Ａｇの含有量を２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることにより、導電性の低下を抑制することができるとともに製造コストの増加を抑制することができる。
このため、本実施形態において、Ａｇを含有する場合には、Ａｇ濃度を５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、確実に結晶粒径の微細化を図るためには、Ａｇ濃度の下限を６ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、７ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましく、８ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが一層好ましい。一方、導電率の低下及び製造コストの増加をさらに抑制するためには、Ａｇ濃度の上限を１８ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１６ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましく、１４ｍａｓｓｐｐｍ以下することが一層好ましい。
（Ｈ）
Ｈ（水素）は、鋳造時にＯ（酸素）と結びついて水蒸気となり、鋳塊中にブローホール欠陥を生じさせる元素である。このブローホール欠陥は、鋳造時には割れ、圧延時にはふくれおよび剥がれ等の欠陥の原因となる。これらの割れ、ふくれ及び剥がれ等の欠陥は、応力集中して破壊の起点となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｈ濃度は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｈ（水素）は、鋳造時にＯ（酸素）と結びついて水蒸気となり、鋳塊中にブローホール欠陥を生じさせる元素である。このブローホール欠陥は、鋳造時には割れ、圧延時にはふくれおよび剥がれ等の欠陥の原因となる。これらの割れ、ふくれ及び剥がれ等の欠陥は、応力集中して破壊の起点となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｈ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｈ濃度は、４ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
（Ｏ）
Ｏ（酸素）は、銅合金中の各成分元素と反応して酸化物を形成する元素である。これらの酸化物は、破壊の起点となるため、加工性が低下し、製造を困難とする。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｏ濃度を５００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｏ濃度は、４００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより一層好ましく、さらに５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが最適である。
Ｏ（酸素）は、銅合金中の各成分元素と反応して酸化物を形成する元素である。これらの酸化物は、破壊の起点となるため、加工性が低下し、製造を困難とする。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｏ濃度を５００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｏ濃度は、４００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより一層好ましく、さらに５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが最適である。
（Ｃ）
Ｃ（炭素）は、溶湯の脱酸作用を目的として、溶解、鋳造において溶湯表面を被覆するように使用されるものであり、不可避的に混入するおそれがある元素である。Ｃ濃度は、鋳造時のＣの巻き込みが多くなると高くなる。これらのＣや複合炭化物、Ｃの固溶体の偏析は、冷間加工性を劣化させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｃ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｃ（炭素）は、溶湯の脱酸作用を目的として、溶解、鋳造において溶湯表面を被覆するように使用されるものであり、不可避的に混入するおそれがある元素である。Ｃ濃度は、鋳造時のＣの巻き込みが多くなると高くなる。これらのＣや複合炭化物、Ｃの固溶体の偏析は、冷間加工性を劣化させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｃ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｃ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
（Ｓ）
Ｓ（硫黄）は、銅中に含有されることにより、導電率を大幅に低下させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｓ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｓ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｓ（硫黄）は、銅中に含有されることにより、導電率を大幅に低下させる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、Ｓ濃度を１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｓ濃度は、５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、１ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
（その他の不可避不純物）
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｐ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
上述した元素以外のその他の不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｐ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
（導電率）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が十分に高いと、通電時の発熱が抑えられるため、バスバーに特に適している。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
なお、導電率は、９７．５％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、さらには９８．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることが最も好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が十分に高いと、通電時の発熱が抑えられるため、バスバーに特に適している。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。
なお、導電率は、９７．５％ＩＡＣＳ以上であることがさらに好ましく、９８．０％ＩＡＣＳ以上であることがより好ましく、さらには９８．５％ＩＡＣＳ以上であることが好ましく、９９．０％ＩＡＣＳ以上であることが最も好ましい。
（幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔ）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔが２以上とされている場合には、バスバー用の素材として特に適している。
なお、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの下限は、３以上であることがさらに好ましく、４以上であることがより好ましい。一方、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの上限に特に制限はないが、５０以下であることが好ましく、４０以下であることがさらに好ましい。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔが２以上とされている場合には、バスバー用の素材として特に適している。
なお、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの下限は、３以上であることがさらに好ましく、４以上であることがより好ましい。一方、幅Ｗと厚みｔの比Ｗ／ｔの上限に特に制限はないが、５０以下であることが好ましく、４０以下であることがさらに好ましい。
（板厚中心部の平均結晶粒径）
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径が微細であると、優れた曲げ加工性を得ることが可能となる。
本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径が微細であると、優れた曲げ加工性を得ることが可能となる。
このため、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、板厚中心部の平均結晶粒径を５０μｍ以下とすることが好ましい。
なお、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径は、４０μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以下がより一層好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径の下限に特に制限はないが、実質的には１μｍ以上となる。
なお、板厚中心部（板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域）における平均結晶粒径は、４０μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２５μｍ以下がより一層好ましい。また、板厚中心部の平均結晶粒径の下限に特に制限はないが、実質的には１μｍ以上となる。
次に、このような構成とされた本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０の製造方法について、図３に示すフロー図を参照して説明する。
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、銅原料を溶解して銅溶湯を得る。必要であればＭｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加して成分調整を行う。なお、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加する場合には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、リサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
まず、銅原料を溶解して銅溶湯を得る。必要であればＭｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加して成分調整を行う。なお、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上やＡｇを添加する場合には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、リサイクル材およびスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅原料は、Ｃｕの含有量が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解時においては、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
溶解時においては、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。
そして、成分調整された銅溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
（均質化／溶体化工程Ｓ０２）
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において不純物が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、不純物を均質に拡散させる。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
次に、得られた鋳塊の均質化および溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において不純物が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することがある。そこで、これらの偏析および金属間化合物等を消失または低減させるために、鋳塊を３００℃以上１０８０℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、不純物を均質に拡散させる。なお、この均質化／溶体化工程Ｓ０２は、非酸化性または還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
ここで、加熱温度が３００℃未満では、溶体化が不完全となり、組織の不均一化や母相中に金属間化合物が残存するおそれがある。一方、加熱温度が１０８０℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を３００℃以上１０８０℃以下の範囲に設定している。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間圧延を実施してもよい。熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、後述する粗圧延の効率化と組織の均一化のために、前述の均質化／溶体化工程Ｓ０２の後に熱間圧延を実施してもよい。熱間加工温度は、３００℃以上１０８０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
（粗圧延工程Ｓ０３）
所定の形状に加工するために、粗圧延を行う。なお、この粗圧延工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。ここで、材料中に均一にひずみが導入されることで、後述する中間熱処理工程Ｓ０４で均一な再結晶粒が得られる。そのため、総加工率（減面率）は５０％以上とすることが好ましく、６０％以上とすることがより好ましく、７０％以上とすることがさらに好ましい。また、１パス当たりの加工率（減面率）は１０％以上とすることが好ましく、１５％以上とすることがより好ましく、２０％以上とすることがさらに好ましい。
所定の形状に加工するために、粗圧延を行う。なお、この粗圧延工程Ｓ０３における温度条件は特に限定はないが、再結晶を抑制するために、あるいは寸法精度の向上のため、冷間または温間圧延となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。ここで、材料中に均一にひずみが導入されることで、後述する中間熱処理工程Ｓ０４で均一な再結晶粒が得られる。そのため、総加工率（減面率）は５０％以上とすることが好ましく、６０％以上とすることがより好ましく、７０％以上とすることがさらに好ましい。また、１パス当たりの加工率（減面率）は１０％以上とすることが好ましく、１５％以上とすることがより好ましく、２０％以上とすることがさらに好ましい。
（中間熱処理工程Ｓ０４）
粗圧延工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、粗圧延工程Ｓ０３と中間熱処理工程Ｓ０４は繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、板厚中心の平均結晶粒径が５０μｍ以下となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。
粗圧延工程Ｓ０３後に、再結晶組織にするために熱処理を実施する。なお、粗圧延工程Ｓ０３と中間熱処理工程Ｓ０４は繰り返し実施してもよい。
ここで、この中間熱処理工程Ｓ０４が実質的に最後の再結晶熱処理となるため、この工程で得られた再結晶組織の結晶粒径は最終的な結晶粒径にほぼ等しくなる。そのため、この中間熱処理工程Ｓ０４では、板厚中心の平均結晶粒径が５０μｍ以下となるように、適宜、熱処理条件を選定することが好ましい。
（上前圧延工程Ｓ０５）
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前圧延を行ってもよい。なお、この上前圧延工程Ｓ０５における温度条件は、圧延時の再結晶を抑制するために、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、圧延率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。
中間熱処理工程Ｓ０４後の銅素材を所定の形状に加工するため、上前圧延を行ってもよい。なお、この上前圧延工程Ｓ０５における温度条件は、圧延時の再結晶を抑制するために、冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。
また、圧延率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。
（機械的表面処理工程Ｓ０６）
上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、表面近傍の圧縮応力によってフラットワイズ曲げ加工時に発生する割れを抑制させ、曲げ加工性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
上前加工工程Ｓ０５後に、機械的表面処理を行う。機械的表面処理は、表面近傍に圧縮応力を与える処理であり、表面近傍の圧縮応力によってフラットワイズ曲げ加工時に発生する割れを抑制させ、曲げ加工性を向上させる効果がある。
機械的表面処理は、ショットピーニング処理、ブラスト処理、ラッピング処理、ポリッシング処理、バフ研磨、グラインダー研磨、サンドペーパー研磨、テンションレベラー処理、１パス当りの圧下率が低い軽圧延（１パス当たりの圧下率１～１０％とし３回以上繰り返す）など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた銅材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、中間熱処理工程Ｓ０４で得られた結晶粒径の粗大化を避けるように、熱処理条件（温度、時間）を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前圧延工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
また、仕上熱処理工程Ｓ０７の後に金属めっき（Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、又は、Ａｇめっき等）を施してもよい。
次に、機械的表面処理工程Ｓ０６によって得られた銅材に対して、含有元素の粒界への偏析および残留ひずみの除去のため、仕上熱処理を実施してもよい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理温度は、１００℃以上５００℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、中間熱処理工程Ｓ０４で得られた結晶粒径の粗大化を避けるように、熱処理条件（温度、時間）を設定する必要がある。例えば４５０℃では０．１秒から１０秒程度保持することが好ましく、２５０℃では１分から１００時間保持することが好ましい。この熱処理は、非酸化雰囲気または還元性雰囲気中で行うことが好ましい。熱処理の方法は特に限定はないが、製造コスト低減の効果から、連続焼鈍炉による短時間の熱処理が好ましい。
さらに、上述の上前圧延工程Ｓ０５、機械的表面処理工程Ｓ０６、仕上熱処理工程Ｓ０７を、繰り返し実施してもよい。
また、仕上熱処理工程Ｓ０７の後に金属めっき（Ｓｎめっき、Ｎｉめっき、又は、Ａｇめっき等）を施してもよい。
（仕上加工工程Ｓ０８）
次に、材料強度の調整、形状付与を目的として、必要に応じて適宜加工を施してもよい。冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率（減面率）は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。この加工は、圧延、引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などが挙げられる。
次に、材料強度の調整、形状付与を目的として、必要に応じて適宜加工を施してもよい。冷間、または温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましく、特に常温が好ましい。また、加工率（減面率）は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、１％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。この加工は、圧延、引抜加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工などが挙げられる。
（形状付与加工工程Ｓ０９）
仕上熱処理工程Ｓ０７または仕上加工工程Ｓ０８後の銅材に対して、所望の形状に加工するために必要に応じて形状付与加工を行う。
形状付与加工は、スリット加工、プッシュバック加工、打ち抜き加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。また、精密せん断法のスリット加工を用いてもよい。具体的には、半せん断と逆せん断で材料を分離するカウンタカット加工や、半せん断とロールによる押圧で材料を分離するロールスリット加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
仕上熱処理工程Ｓ０７または仕上加工工程Ｓ０８後の銅材に対して、所望の形状に加工するために必要に応じて形状付与加工を行う。
形状付与加工は、スリット加工、プッシュバック加工、打ち抜き加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。また、精密せん断法のスリット加工を用いてもよい。具体的には、半せん断と逆せん断で材料を分離するカウンタカット加工や、半せん断とロールによる押圧で材料を分離するロールスリット加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。
なお、形状付与加工後に、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と引張強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすために、必要に応じてバリ処理を行う。バリ処理は、サンドペーパー、研磨シート、ロータリーバー、研磨ディスク、研磨ベルト、ブラスト処理、面取り加工、押し出し加工、鍛造加工、切削加工、研磨加工など一般的に使用される種々の方法が使用できる。加工率（減面率）は１％以上３０％以下の範囲内が好ましい。この加工を行う前に熱処理を行ってもよい。
なお、形状付与加工をプッシュバック加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工、精密せん断法のスリット加工など加工時で端面が処理される方法の場合、バリ処理は行われなくてもよい。
なお、形状付与加工をプッシュバック加工、引抜加工、スウェージング加工、コンフォーム加工、精密せん断法のスリット加工など加工時で端面が処理される方法の場合、バリ処理は行われなくてもよい。
このようにして、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０が製出されることになる。
以上のような構成とされた本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことから、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面が十分に伸びることになり、割れや破断の発生を抑制することができる。また、強度ＴＳが３００ＭＰａ以下であることから、上記の伸びを確保できる。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０においては、厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされているので、電流密度の低減およびジュール発熱による熱の拡散を十分に実現することができる。また、エッジワイズ曲げ加工を施した際に、内部にしわが寄りにくく、均一な形状が得られる。
ここで、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、端面を含めた破断伸びの標準偏差が５．０％以下である場合には、端面を含めた破断伸びのばらつきが十分に小さく、端面を含めた伸びが安定して優れており、この端面をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、割れや破断の発生をさらに抑制することができる。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上である場合には、バスバー用の素材として特に適している。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上である場合には、不純物量が少なく、導電性を確保することが可能となる。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含む場合には、銅の母相中にＭｇが固溶することによって、導電率を大きく低下させることなく、強度および耐熱性、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となり、また、ＣａやＺｒはＣｕと金属間化合物を生成することによって、導電率を大きく低下させることなく、結晶粒径を微細化し、エッジワイズ曲げ加工性を向上させることが可能となる。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内である場合には、添加されたＡｇが粒界近傍に偏析し、粒界での原子の移動が妨げられ、結晶粒径を微細化することができる。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、欠陥の発生を抑制できるとともに、加工性および導電率の低下を抑制することができる。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされている場合には、導電性に十分に優れており、通電時の発熱を抑えることができ、バスバーに特に適している。
さらに、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下である場合には、さらに曲げ加工性に優れている。
また、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０において、端面がスリット面とされたスリット材とされている場合には、スリット面からなる端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことから、このような端面（スリット面）をエッジワイズ曲げの外側とすることで、曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下の厳しいエッジワイズ加工を施した場合でも、端面における応力集中が抑制され、応力が曲げ端面に均等に広がり、割れや破断の発生を抑制することができる。
また、本実施形態である電子・電気機器用部品（バスバー１０）においては、本実施形態であるエッジワイズ曲げ加工用銅条２０を用いて製造されたものであるので、割れ等の発生が抑制されており、品質に優れている。
さらに、本実施形態であるバスバー１０において、他の部材と接触して通電する通電部にめっき層１５が形成されている場合には、エッジワイズ曲げ加工用銅条２０の酸化等を抑制することができ、他の部材との接触抵抗を低く抑えることができる。
また、本実施形態であるバスバー１０において、エッジワイズ曲げ部１３と絶縁被覆部１７を備えている場合には、エッジワイズ曲げ部１３における割れ等の欠陥の発生が抑制されており、絶縁被覆部１７の損傷を抑制することができる。絶縁被覆部１７は、一般に利用されている絶縁被覆材で構成されていてもよい。一般に利用されている絶縁被覆材としては、例えば、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステルイミド、ポリウレタン、ポリエステルなどの電気絶縁性に優れる樹脂が挙げられる。
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
帯溶融精製法により、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる３ＮＣｕと、Ｃｕの含有量９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕからなる原料を用いて各種添加元素を１ｍａｓｓ％含む母合金を作製し、準備した。
上述の銅原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯を、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約８０ｍｍ×幅約５００ｍｍとした。
帯溶融精製法により、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる３ＮＣｕと、Ｃｕの含有量９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕからなる原料を用いて各種添加元素を１ｍａｓｓ％含む母合金を作製し、準備した。
上述の銅原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。
得られた銅溶湯を、断熱材（イソウール）鋳型に注湯することにより、表１，２に示す成分組成の鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約８０ｍｍ×幅約５００ｍｍとした。
得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃、１時間の加熱を行い、次いで酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。
その後、適宜最終厚みを調製するために切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表１，２に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、表５，６に記載の結晶粒径が得られるように、中間熱処理を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて上前圧延工程を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて機械的表面処理工程を実施した。次に、２５０℃で１分保持の条件で仕上げ熱処理を実施した。また、表３，４に記載の厚みｔが得られるように、仕上加工工程を実施した。さらに、表３，４に記載の板幅Ｗが得られるように形状付与加工工程とバリ処理を実施した。また、長さは２００ｍｍから６００ｍｍとした。
その後、適宜最終厚みを調製するために切断を行った。切断されたそれぞれの試料は表１，２に記載の条件で粗圧延を行った。次いで、表５，６に記載の結晶粒径が得られるように、中間熱処理を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて上前圧延工程を実施した。次に、表１，２に記載された条件にて機械的表面処理工程を実施した。次に、２５０℃で１分保持の条件で仕上げ熱処理を実施した。また、表３，４に記載の厚みｔが得られるように、仕上加工工程を実施した。さらに、表３，４に記載の板幅Ｗが得られるように形状付与加工工程とバリ処理を実施した。また、長さは２００ｍｍから６００ｍｍとした。
得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条について、以下の項目について評価を実施した。その結果を表１～６に示す。
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。また、Ｈの分析は、熱伝導度法で行い、Ｏ，Ｓ，Ｃの分析は、赤外線吸収法で行った。Ｃｕ量は銅電解重量法（ＪＩＳ Ｈ １０５１）を用いて測定した。なお、試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒは誘導結合プラズマ発光分光分析法で、その他の元素はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。また、Ｈの分析は、熱伝導度法で行い、Ｏ，Ｓ，Ｃの分析は、赤外線吸収法で行った。Ｃｕ量は銅電解重量法（ＪＩＳ Ｈ １０５１）を用いて測定した。なお、試料中央部と幅方向端部の２カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
（導電率）
エッジワイズ曲げ加工用銅条から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向がエッジワイズ曲げ加工用銅条の圧延方向に対して平行になるように採取した。
エッジワイズ曲げ加工用銅条から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向がエッジワイズ曲げ加工用銅条の圧延方向に対して平行になるように採取した。
（板厚中心の平均結晶粒径）
得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条から幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、板厚中心の平均結晶粒径を測定した。
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行って測定用サンプルを得た。その後、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積にて、０．２５μｍの測定間隔のステップで観察面をＥＢＳＤ法により測定した。
得られたエッジワイズ曲げ加工用銅条から幅２０ｍｍ×長さ２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、板厚中心の平均結晶粒径を測定した。
圧延の幅方向に対して垂直な面、すなわちＴＤ面(Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を観察面として、耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行って測定用サンプルを得た。その後、ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．７．３．１）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１００００μｍ２以上の測定面積にて、０．２５μｍの測定間隔のステップで観察面をＥＢＳＤ法により測定した。
測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。そして、隣接する測定点間の方位差が１５°以上となる測定点間の境界を大角粒界とし、隣接する測定点間の方位差が１５°未満となる測定点間の境界を小角粒界とした。この際、双晶境界も大角粒界とした。また、各サンプルで１００個以上の結晶粒が含まれるように測定範囲を調整した。得られた方位解析の結果から大角粒界を用いて結晶粒界マップを作成した。ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の所定長さの線分を５本ずつ引き、完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さ（結晶粒界で切り取られた線分の長さ）の合計を結晶粒の数で割り平均値を得た。この平均値を平均結晶粒径とした。なお、板厚中心は、板厚方向における表面から全厚の２５％から７５％までの領域である。
（端面を含む破断伸び、強度）
ＪＩＳ Ｚ ２２４１の引張試験方法で、引張強度を求めた。また、ストローク伸びを用いて応力ひずみ曲線を取得した。その応力ひずみ曲線から、試験片が破断した時点までの伸びを破断伸びとし、その平均値と標準偏差を求めた。求めた破断伸びＥ及び強度ＴＳから、Ｅ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすものを「〇」とし、Ｅ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たさないものを「×」とした。
なお、ＪＩＳ Ｚ ２２４１の試験片では、試験片を作製するための加工によって、エッジワイズ曲げ加工用銅条の両方の端面を失われるため、不適である。一方で、エッジワイズ曲げ加工用銅条の両方の端面を残すと、つかみ部近傍に応力が集中し、つかみ部近傍で切れるため、伸びのばらつきが大きくなり、伸びが正確に測定できない。すなわち、試験片の片方の端面は図２に示す形状に加工され、その端面は平滑であり、試験片のもう片方の端面はエッジワイズ曲げ加工用銅条の端面を残した試験片を作製し測定することが好ましい。試験片の形状は、表３，４に記載されている引張試験片の厚みｔ、幅ｂ０、平行部の断面積Ｓ０、平行部の長さＬＣとし、肩部の半径Ｒを１５ｍｍとして、形状付与後の端面側以外を放電加工にて切断して５個採取して、端面を含めた破断伸びを測定し、標準偏差を算出した。
ＪＩＳ Ｚ ２２４１の引張試験方法で、引張強度を求めた。また、ストローク伸びを用いて応力ひずみ曲線を取得した。その応力ひずみ曲線から、試験片が破断した時点までの伸びを破断伸びとし、その平均値と標準偏差を求めた。求めた破断伸びＥ及び強度ＴＳから、Ｅ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすものを「〇」とし、Ｅ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たさないものを「×」とした。
なお、ＪＩＳ Ｚ ２２４１の試験片では、試験片を作製するための加工によって、エッジワイズ曲げ加工用銅条の両方の端面を失われるため、不適である。一方で、エッジワイズ曲げ加工用銅条の両方の端面を残すと、つかみ部近傍に応力が集中し、つかみ部近傍で切れるため、伸びのばらつきが大きくなり、伸びが正確に測定できない。すなわち、試験片の片方の端面は図２に示す形状に加工され、その端面は平滑であり、試験片のもう片方の端面はエッジワイズ曲げ加工用銅条の端面を残した試験片を作製し測定することが好ましい。試験片の形状は、表３，４に記載されている引張試験片の厚みｔ、幅ｂ０、平行部の断面積Ｓ０、平行部の長さＬＣとし、肩部の半径Ｒを１５ｍｍとして、形状付与後の端面側以外を放電加工にて切断して５個採取して、端面を含めた破断伸びを測定し、標準偏差を算出した。
（エッジワイズ曲げ加工性）
表５，６に記載の曲げ半径Ｒと板幅Ｗの比Ｒ／Ｗになるようにエッジワイズ曲げ加工を実施した。
エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがないものを「Ａ」（ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがあるものを「Ｂ」（ｇｏｏｄ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面に小さな割れがあるものを「Ｃ」（ｆａｉｒ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面が破断し、エッジワイズ曲げが出来なかったものを「Ｄ」（ｐｏｏｒ）と評価した。なお、評価結果Ａ～Ｃまでを「厳しい条件でもエッジワイズ曲げが可能」と判断した。
表５，６に記載の曲げ半径Ｒと板幅Ｗの比Ｒ／Ｗになるようにエッジワイズ曲げ加工を実施した。
エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがないものを「Ａ」（ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面にしわがあるものを「Ｂ」（ｇｏｏｄ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面に小さな割れがあるものを「Ｃ」（ｆａｉｒ）と評価し、エッジワイズ曲げの外側となる端面が破断し、エッジワイズ曲げが出来なかったものを「Ｄ」（ｐｏｏｒ）と評価した。なお、評価結果Ａ～Ｃまでを「厳しい条件でもエッジワイズ曲げが可能」と判断した。
比較例１においては、スリット加工後にバリ処理を行わなかったために、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことがなくて、この端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
比較例２においては、強度ＴＳが３１７ＭＰａと高く、端面を含む破断伸びを確保できず、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことがなくて、この端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
比較例２においては、強度ＴＳが３１７ＭＰａと高く、端面を含む破断伸びを確保できず、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことがなくて、この端面を外側にしてエッジワイズ曲げを実施した際に破断し、曲げ加工性が「Ｄ」となった。
これに対して本発明例１－３５においては、長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たし、曲げ加工性が「Ａ～Ｃ」となっており、エッジワイズ曲げ特性に優れていた。
以上のことから、本発明例によれば、厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条を得られることが確認された。
厳しい条件でのエッジワイズ曲げが可能なエッジワイズ曲げ加工用銅条、このエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造された電子・電気機器用部品、バスバーを提供することが可能となる。
１０ バスバー
１３ エッジワイズ曲げ部
１５ めっき層
１７ 絶縁被覆部
２０ エッジワイズ曲げ加工用銅条
Ｌ０ 原標点距離
ＬＣ 平行部の長さ
Ｒ 肩部の半径
１３ エッジワイズ曲げ部
１５ めっき層
１７ 絶縁被覆部
２０ エッジワイズ曲げ加工用銅条
Ｌ０ 原標点距離
ＬＣ 平行部の長さ
Ｒ 肩部の半径
Claims (14)
- 曲げ半径Ｒと幅Ｗの比率Ｒ／Ｗが５．０以下でエッジワイズ曲げ加工するエッジワイズ曲げ加工用銅条であって、
厚みｔが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲内とされ、
強度ＴＳが３００ＭＰａ以下とされ、
長手方向に延在する端面を含めた破断伸びＥ（％）と強度ＴＳ（ＭＰａ）とがＥ≧－０．１９ＴＳ＋６５の関係を満たすことを特徴とするエッジワイズ曲げ加工用銅条。 - Ｃｕの含有量が９９．９０ｍａｓｓ％以上であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒから選択される１種又は２種以上を合計で１０ｍａｓｓｐｐｍ超え１００ｍａｓｓｐｐｍ未満の範囲内で含むことを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- 導電率が９７．０％ＩＡＣＳ以上とされていることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- 幅Ｗと厚みｔの比率Ｗ／ｔが２以上であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- 板厚中心部の平均結晶粒径が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- 前記破断伸びの標準偏差が５．０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- Ａｇ濃度が５ｍａｓｓｐｐｍ以上２０ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- Ｈ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｏ濃度が５００ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｃ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓ濃度が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- 前記端面がスリット面であることを特徴とする請求項１に記載のエッジワイズ曲げ加工用銅条。
- 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載されたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴とする電子・電気機器用部品。
- 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載されたエッジワイズ曲げ加工用銅条を用いて製造されたことを特徴とするバスバー。
- 通電部にめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のバスバー。
- エッジワイズ曲げ部と絶縁被覆部とを備えていることを特徴とする請求項１２に記載のバスバー。
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| WO2020122112A1 (ja) | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 純銅板 |
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