WO2023219030A1 - 加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2023219030A1
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heat treatment
wafer
hot plate
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公一朗 田中
幸信 大塚
裕一 寺下
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Tokyo Electron Ltd
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    • H10P72/7612—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by lifting arrangements, e.g. lift pins

Definitions

  • the present disclosure relates to a heat treatment apparatus, a heat treatment method, and a computer storage medium.
  • the heat treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 heats a substrate on which a coating film is formed within a processing container, and includes a mounting section provided in the processing container on which the substrate is placed, and a mounting section. and a heating section for heating the substrate placed on the substrate.
  • the processing container has a lid portion that constitutes a ceiling portion, and the lid portion has an exhaust chamber formed between an upper surface portion and a lower surface portion.
  • An outer peripheral exhaust port communicating with the exhaust chamber is formed in the peripheral portion of the lower surface of the lid.
  • a central exhaust port is formed in the center of the lower surface of the lid surface. The central exhaust port is connected to one end side of a central exhaust pipe provided so as to penetrate the exhaust chamber.
  • the technology according to the present disclosure suppresses the occurrence of defects on the substrate due to substances generated in the processing space during heating, without impairing the in-plane uniformity of the coated film after heat treatment.
  • One aspect of the present disclosure is a heat treatment apparatus that heats a substrate on which a coating film is formed, which includes a processing container that forms a processing space that accommodates the substrate, and a substrate that is accommodated in the processing space.
  • a heating plate having a mounting surface and a heating unit that heats the substrate, an adjustment mechanism that adjusts the height of the substrate with respect to the heating plate, an exhaust unit that exhausts the processing space, and a control unit.
  • the control unit includes (A) a step of setting the height of the substrate relative to the hot plate to a predetermined height at a predetermined distance from the hot plate and starting heat treatment of the substrate; and (B) a step of causing the heat treatment to proceed in a predetermined manner.
  • the control is performed so as to execute the step of switching to ON.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of the heat treatment apparatus according to the present embodiment when viewed from the side.
  • FIG. 3 is a diagram showing the state of the heat processing apparatus at each step of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the state of the heat processing apparatus at each step of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the temperature history of the wafer W during the heat treatment included in the wafer treatment according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a process space evacuation mode in another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing the state of the processing space in the step of terminating the heat treatment in another example of the wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of effects of another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of effects of another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing the height of the lid member relative to the bottom member in each step of another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of data used to determine whether the heat treatment has reached a predetermined degree of progress.
  • processing solutions such as processing solutions for forming an SOC film used as a hard mask
  • wafer a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer").
  • a heat treatment is performed to heat the substrate in a treatment container of a heat treatment apparatus.
  • the inside of the processing container is evacuated for the purpose of recovering defect-causing substances generated within the processing container during heating.
  • a defect-causing substance is a substance that causes defects when attached to a substrate.
  • the defect-causing substances may not be completely recovered.
  • increasing the amount of exhaust gas from the processing container or lengthening the exhaust time can recover more defect-causing substances, but this may result in the thickness of the coating film becoming uneven within the plane of the substrate. .
  • the technology according to the present disclosure is capable of reducing the amount of heat generated within the processing container (specifically, within the processing space formed by the processing container) during heating without impairing the uniformity of the coated film after heat treatment within the substrate surface. To suppress defects caused by substances from occurring on a substrate.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of the heat treatment apparatus according to the present embodiment viewed from the side.
  • the heat processing apparatus 1 has a processing container 2 that forms a processing space S that accommodates a wafer W as a substrate.
  • This processing container 2 includes a bottom member 3 having a heating plate 11, and a lid member 4 that forms a processing space S between the bottom member 3 and the bottom member 3, including a ceiling portion 4a facing a mounting surface 11a, which will be described later, of the bottom member 3. have.
  • the processing container 2 is provided within a housing (not shown).
  • the bottom member 3 is supported via a support member 6 on a base 5 of the casing (not shown).
  • the bottom member 3 includes a support base 12 made of a flat cylindrical body with a recess formed inside the peripheral edge 12a.
  • a hot plate 11 is provided in the recess of the support base 12.
  • the upper surface 11a of the hot plate 11 is a mounting surface on which the wafer W is mounted.
  • a plurality of gap pins (not shown) that support the lower surface of the wafer W may be provided on the upper surface 11a (hereinafter referred to as the mounting surface 11a) of the hot plate 11.
  • a heater 13 serving as a heating section for heating the wafer W is provided inside the hot plate 11 .
  • the heater 13 can heat the wafer W by heating the mounting surface 11a. Specifically, the heater 13 heats the wafer W placed on the placement surface 11a by heating the placement surface 11a, and also heats the wafer W located at a distance from the placement surface 11a. Can be heated.
  • the heater 13 is controlled by a control section 100, which will be described later.
  • the ceiling portion 4a of the lid member 4 is formed into a disk shape having a larger diameter than the bottom member 3. Further, the lid member 4 has a side wall portion 4b that closes the periphery of the gap between the bottom member 3 and the ceiling portion 4a to form a processing space S.
  • the side wall portion 4b is formed in an annular shape in plan view.
  • This lid member 4 is raised and lowered by a raising and lowering mechanism 20.
  • the elevating mechanism 20 has a drive source such as a motor that generates a driving force for raising and lowering the lid member 4, that is, a driving force for adjusting the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3. provided.
  • This elevating mechanism 20 is controlled by a control section 100, which will be described later.
  • the elevating mechanism 20 can form the processing space S by lowering the lid member 4.
  • the elevating mechanism 20 can open the processing space S by raising the lid member 4.
  • the elevating mechanism 20 can change the volume of the processing space S by raising and lowering the lid member 4, that is, by adjusting the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3.
  • the elevating mechanism 20 constitutes an adjusting mechanism that adjusts the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3, and also constitutes a changing unit that changes the volume of the processing space S.
  • a shower head 30 is provided on the ceiling portion 4a of the lid member 4.
  • the shower head 30 supplies oxygen-containing gas, that is, oxygen-containing gas, downward from the ceiling portion 4a.
  • the oxygen-containing gas supplied by the shower head 30 is, for example, dry air.
  • the shower head 30 supplies an inert gas that does not contain oxygen downward from the ceiling portion 4a.
  • the inert gas supplied by the shower head 30 is, for example, nitrogen gas.
  • the shower head 30 has a plurality of discharge holes 31 and a gas distribution space 32.
  • the discharge holes 31 are each formed on the lower surface of the shower head 30.
  • the discharge holes 31 are arranged substantially uniformly, for example, in a central portion of the lower surface of the shower head 30, other than the exhaust port 41, which will be described later.
  • the plurality of discharge holes 31 include a first discharge hole located above the peripheral edge of the wafer W on the hot plate 11 and a second discharge hole located above the center of the wafer W on the hot plate 11. include.
  • the gas distribution space 32 distributes the oxygen-containing gas or inert gas introduced into the shower head 30 and supplies it to each discharge hole 31 .
  • An introduction pipe 33 for introducing oxygen-containing gas or inert gas into the shower head 30 is connected to the shower head 30 .
  • a gas source 35 that stores oxygen-containing gas is connected to the introduction pipe 33 via a supply pipe 34 .
  • the supply pipe 34 is provided with a supply equipment group 36 including an on-off valve, a flow control valve, etc. that control the flow of oxygen-containing gas.
  • a gas source 38 for storing inert gas is connected to the introduction pipe 33 via a supply pipe 37 .
  • the supply pipe 37 is provided with a supply equipment group 39 including an on-off valve, a flow rate control valve, etc. that control the flow of inert gas.
  • the supply equipment groups 36 and 39 are controlled by a control unit 100, which will be described later.
  • the shower head 30, the introduction pipe 33, the supply pipe 37, and the supply equipment group 39 constitute a gas supply section that supplies inert gas to the processing space S.
  • the supply pipe 34 and the supply equipment group 36 constitute another gas supply unit that supplies oxygen-containing gas to the processing space S.
  • the heat treatment apparatus 1 is provided with a central exhaust section 40 and a peripheral exhaust section 50.
  • the central exhaust section 40 and the peripheral exhaust section 50 constitute an exhaust section that exhausts the processing space S.
  • the central exhaust section 40 exhausts the processing space S from a position above the mounting surface 11a and corresponding to a position near the center of the wafer W on the mounting surface 11a (in the illustrated example, the central position). Exhaust.
  • the central exhaust section 40 has an exhaust port 41 .
  • the exhaust port 41 is provided at a position near the center of the lower surface of the shower head 30 (in the illustrated example, the central position) and opens downward.
  • the central exhaust section 40 exhausts the processing space S through the exhaust port 41.
  • the central exhaust section 40 has a central exhaust path 42 formed to extend upward from the exhaust port 41.
  • An exhaust device 44 such as a vacuum pump is connected to the central exhaust path 42 via an exhaust pipe 43.
  • the exhaust pipe 43 is provided with an exhaust equipment group 45 having valves and the like for adjusting the exhaust amount.
  • the exhaust device 44 and the exhaust equipment group 45 are controlled by a control section 100, which will be described later.
  • the peripheral edge exhaust part 50 is located above the mounting surface 11a and corresponds to a position near the peripheral edge of the wafer W on the mounting surface 11a (in the illustrated example, a position slightly outside the peripheral edge of the wafer W).
  • the processing space S is evacuated from the position.
  • the peripheral exhaust part 50 has an exhaust port 51 .
  • the exhaust port 51 opens downward from the lower surface of the ceiling portion 4a so as to surround the outer periphery of the shower head 30.
  • the exhaust port 51 may be a plurality of exhaust holes arranged along the outer periphery of the shower head 30.
  • the peripheral exhaust part 50 exhausts the processing space S through the exhaust port 51.
  • the peripheral exhaust section 50 has a peripheral exhaust path 52 that communicates with the exhaust port 51.
  • An exhaust device 54 such as a vacuum pump is connected to the peripheral exhaust path 52 via an exhaust pipe 53.
  • the exhaust pipe 53 is provided with an exhaust equipment group 55 having valves and the like for adjusting the exhaust amount.
  • the exhaust device 54 and the exhaust equipment group 55 are controlled by a control section 100, which will be described later.
  • the ceiling portion 4a is configured to be heated.
  • the ceiling portion 4a has a built-in heater (not shown) that heats the ceiling portion 4a.
  • This heater is controlled by a control section 100, which will be described later, to adjust the temperature of the ceiling section 4a (specifically, for example, the shower head 30) to a predetermined temperature.
  • a lifting mechanism 60 for lifting and lowering the wafer W is provided below the bottom member 3.
  • the elevating mechanism 60 is configured such that an elevating pin 61 serving as a transfer member for transferring the wafer W to and from a transfer mechanism (not shown) provided outside the processing container 2 passes through the support table 12 and the hot plate 11. It is set in. For example, at least three lifting pins 61 are provided at equal intervals in the circumferential direction of the hot plate 11.
  • the elevating pin 61 is moved up and down by the elevating mechanism 62, and is configured to be able to protrude above the hot plate 11 when raised.
  • the elevating mechanism 62 has a drive source such as a motor that generates a driving force for elevating the elevating pin 61, and is provided on the base 5, for example.
  • This elevating mechanism 62 is controlled by a control section 100, which will be described later.
  • the elevating mechanism 60 constitutes an adjusting mechanism that adjusts the height of the wafer W with respect to the hot plate 11.
  • the heat treatment apparatus 1 described above includes a control section 100.
  • the control unit 100 is, for example, a computer including a processor such as a CPU, a memory, and the like, and has a storage unit 101.
  • the storage unit 101 stores, for example, a program including commands for controlling various operations of the heat treatment apparatus 1, which will be described later.
  • the above program may be one that has been recorded on a computer-readable storage medium H, and may have been installed in the control unit 100 from the storage medium H.
  • the storage medium H may be one for temporary storage or one for non-temporary storage. Further, part or all of the program may be realized by dedicated hardware (circuit board).
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams each showing the state of the heat processing apparatus 1 at each step of wafer processing according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing the temperature history of the wafer W during the heat treatment included in the wafer treatment according to the present embodiment. Note that all of the wafer processing according to the present embodiment illustrated below is performed under the control of the control unit 100.
  • Step S1 Carrying in wafer W
  • a wafer W is loaded into the heat treatment apparatus 1. Specifically, after the lid member 4 is raised, the wafer W on which the SOC film is formed as the coating film is moved to above the hot plate 11 by a transport mechanism (not shown). Thereafter, the lifting pin 61 is lifted, and the wafer W is transferred to the lifting pin 61 as shown in FIG. 2(A), and the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is raised to the transfer height Hd.
  • the delivery height Hd is, for example, 30 mm to 50 mm.
  • the exhaust from the central exhaust section 40 is turned off.
  • the exhaust by the peripheral exhaust section 50 is always turned on during wafer processing.
  • the heater 13 is controlled so that the temperature of the mounting surface 11a of the hot plate 11 is, for example, 200 to 450°C. Note that during wafer processing, the heater 13 is controlled so that, for example, the temperature of the mounting surface 11a of the hot plate 11 is constant.
  • a heater (not shown) for the ceiling portion 4a is controlled so that, for example, the temperature of the ceiling portion 4a (specifically, the shower head 30) is constant at a predetermined temperature during wafer processing.
  • Step S2 Start of heat treatment
  • the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is set to a predetermined height that is a predetermined distance away from the hot plate 11, that is, the first height H1, and the heat treatment is started.
  • the lid member 4 is lowered to form a processing space S as shown in FIG. 2(B).
  • the lifting pin 61 is lowered, and the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is different from the delivery height Hd and is lower than the delivery height Hd.
  • the height is assumed to be H1.
  • the heat processing begins.
  • the first height H1 is, for example, 2 mm to 10 mm, and is set in advance and stored in the storage unit 101. Further, during the heat treatment, the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3, that is, the volume of the processing space S, is constant.
  • Step S3 Heating at the first height H1
  • the wafer W is heated to the first height H1, and exhaust is performed by the peripheral exhaust section 50 to recover defect-causing substances generated in the processing space S during heating.
  • the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is maintained at the first height H1, and the oxygen-containing gas is supplied from the shower head 30 to the processing space S.
  • exhaust is performed by the peripheral exhaust section 50, and defect-causing substances in the processing space S, such as defect-causing substances generated from the SOC film during heating, are recovered.
  • oxygen-containing gas may be discharged from the shower head 30 before the heating process starts.
  • Step S3 is performed until the heat treatment reaches a predetermined degree of progress. Specifically, step S3 is performed until the temperature of the wafer W reaches a predetermined temperature Tt, which is slightly lower than the temperature at which the crosslinking reaction with oxygen in the SOC film starts, as shown in FIG.
  • the determination as to whether the heat treatment has reached a predetermined degree of progress is made, for example, when the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is a first height. This is performed based on whether or not the time that has passed since being set to H1 has exceeded a predetermined time T1.
  • the control unit 100 determines that a predetermined degree of progress has been reached, that is, the predetermined temperature Tt has been reached.
  • the “predetermined time T1” used for this determination varies depending on the type of SOC film, and is set in advance based on user input via an input unit such as a keyboard or touch panel (not shown), and is stored in the storage unit 101. There is.
  • Step S4 Lowering the wafer W
  • the wafer W is lowered. Specifically, after the heat treatment reaches a predetermined degree of progress, the elevating pins 61 are lowered and the wafer W is placed on the mounting surface 11a of the hot plate 11.
  • Step S5 Heating while placed
  • the wafer W is heated while being placed on the hot plate 11, and exhaust is performed by the peripheral exhaust section 50 and the central exhaust section 40 to eliminate defect-causing substances generated in the processing space S during heating. Collection takes place.
  • the state in which the wafer W is placed on the hot plate 11 is maintained, and the oxygen-containing gas is supplied from the shower head 30 to the processing space S.
  • the temperature of the wafer W heated by the hot plate 11 exceeds a certain temperature
  • the material in the SOC film on the wafer W undergoes a crosslinking reaction with oxygen in the processing space S and the like due to heat.
  • the SOC film becomes hardened, that is, etched resistant, due to a crosslinking reaction occurring in the film.
  • the exhaust equipment group 45 is controlled, and the exhaust by the central exhaust part 40 is switched from OFF to ON, and both the exhaust by the peripheral exhaust part 50 and the exhaust by the central exhaust part 40 are performed.
  • defect-causing substances in the processing space S such as defect-causing substances generated from the SOC film during heating, are recovered.
  • This step S5 is performed until a predetermined time T2 elapses after the wafer W is placed on the hot plate 11.
  • the predetermined time T2 (i.e., the heating time when placed on the hot plate 11) is, for example, 30 seconds to 120 seconds, and the predetermined time T1 (i.e., the heating time at the first height H1) is, for example, 30 seconds to 120 seconds. ) is 0.5 to 1.5 times the predetermined time T2.
  • the timing at which the exhaust gas by the central exhaust section 40 is switched from OFF to ON is, for example, immediately after the start of heating in step S5 (that is, immediately after the wafer W is placed on the hot plate 11). Further, the timing may be after a predetermined time T3 has elapsed after the heating in step S5 is started (that is, after the wafer W is placed on the hot plate 11). The reason will be explained later.
  • the predetermined time T3 is, for example, 2 seconds or more and 10 seconds or less.
  • Step S6 End of heat treatment
  • the wafer W is separated from the mounting surface 11a by the lifting pin 61, and the lid member 4 is lifted to open the processing space S, and the heat treatment is completed.
  • step S5 for example, the supply of oxygen-containing gas from the shower head 30 to the processing space S, the exhaust by the central exhaust part 40, and the exhaust by the peripheral exhaust part 50 are maintained ON, and the elevator is moved up and down.
  • the pin 61 and the lid member 4 are raised simultaneously.
  • the wafer W rises to the transfer height Hd, and the processing space S is opened.
  • Step S7 Carrying out wafer W
  • the wafer W is carried out of the heat treatment apparatus 1. Specifically, the elevating pin 61 is lowered, and the wafer W is delivered to a transport mechanism (not shown), and is moved from above the hot plate 11 by the transport mechanism. This completes the wafer processing according to this example.
  • wafer processing according to Comparative Examples 1 and 2 below can be considered.
  • Comparative Examples 1 and 2 had the following problems. That is, in the wafer processing according to Comparative Example 1, no defects were generated on the surface of the wafer W after the wafer processing, but the thickness of the SOC film after the wafer processing was sometimes thicker at the center of the wafer W. Furthermore, in the wafer processing according to Comparative Example 2, depending on the type of SOC film, it may not be possible to sufficiently recover defect-causing substances in the processing space S, and defects may occur on the surface of the wafer W after wafer processing. In some cases, even if the evacuation time was increased, the above-mentioned defects could not be sufficiently reduced.
  • the wafer W is placed on the hot plate 11 after being heated at the first height H1. Therefore, the temperature change of the wafer W immediately after the start of the heat treatment and the temperature change of the wafer W immediately after being placed on the hot plate 11 are relatively gentle. Therefore, according to the wafer processing according to this example, it is possible to suppress the generation of defect-causing substances P that are difficult to recover, which may occur during a period when the temperature of the wafer W is drastically changing. Furthermore, in the heat treatment of the wafer W on which the SOC film is formed, the fluidity of the SOC film is highest in the initial stage, and the film thickness is likely to be influenced by exhaust gas.
  • the exhaust by the central exhaust section 40 is in an OFF state. Therefore, by performing central exhaust during the heat treatment, it is possible to suppress the thickness of the SOC film from increasing at the center of the wafer W.
  • the height of the wafer W relative to the hot plate 11 during heating in step S5 is the height at which the wafer W is placed on the hot plate 11.
  • the present invention is not limited to this, and any height may be used as long as it is closer to the hot plate 11 than the first height H1. The same applies to the following examples.
  • the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is set to the first height H1 which is a predetermined distance away from the hot plate 11, and the heat treatment of the wafer W is started.
  • step (a) when the heat treatment reaches a predetermined degree of progress, the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 is made lower than the first height H1, and the wafer W is placed on the hot plate 11. or a close state, and a step of switching the exhaust gas in the processing space S from OFF to ON. Therefore, the temperature of the wafer W changes relatively slowly over the entire period of the heat treatment.
  • the exhaust of the processing space S (specifically, the exhaust by the central exhaust section 40) is turned on in order to improve the recovery efficiency of defect-causing substances in the processing space S. This is after the heat treatment has progressed to a predetermined degree, that is, after the fluidity of the coating film on the wafer W has decreased. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of in-plane non-uniformity in film thickness due to exhaustion of the processing space S (specifically, exhaustion by the central exhaust section 40).
  • defects caused by substances generated in the processing space S during heating can occur on the wafer W without impairing the uniformity of the coating film on the wafer W surface after the heat treatment. can be suppressed.
  • the timing at which the exhaust by the central exhaust section 40 is switched from OFF to ON may be after a predetermined time T3 has elapsed since the heating plate 11 was placed.
  • the heating time at the first height H1, etc. heating only at the first height H1 may affect the fluidity of the coating film and the influence of the exhaust from the central exhaust section 40. This is because you may not be able to drop it enough to avoid being affected.
  • FIG. 5 is a diagram showing an exhaust form of the processing space S in another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • the lid member 4 in the process of terminating the heat treatment in step S6, the lid member 4 is raised while the exhaust by the central exhaust section 40 and the exhaust by the peripheral exhaust section 50 are kept ON, and the processing space S is It was open.
  • the exhaust by the peripheral exhaust part 50 is turned off while the exhaust by the central exhaust part 40 is maintained ON, and then, After the predetermined time T2 has elapsed, the lid member 4 may be raised and the processing space S may be opened. Thereby, when the processing space S is opened, it is possible to suppress the defect-causing substance from leaking out of the processing container 2 through the gap between the bottom member 3 and the lid member 4.
  • FIG. 6 is a diagram showing the state of the processing space S at the step of terminating the heat treatment in step S6 in another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • the elevating pin 61 is raised, that is, the wafer W is raised while the exhaust by the central exhaust part 40 and the exhaust by the peripheral exhaust part 50 are kept ON.
  • the lifting and the lifting of the lid member 4 were performed simultaneously, and the wafer W was raised to the transfer height Hd, and the processing space S was opened.
  • the process of terminating the heat treatment in step S6 first, as shown in FIG.
  • the lifting pin 61 is Only the raising may be performed, and the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 may be set to the second height H2, and the processing space S may remain formed. Thereafter, after a predetermined time T3 has elapsed, the lifting pins 61 are raised again and the lid member 4 is raised simultaneously, and the wafer W is raised to the transfer height Hd, and the processing space S is opened. good.
  • the first height H1 and the second height H2 may be the same or different.
  • the second height H2 is set in advance and stored in the storage unit 101, for example, like the first height H1. Further, the second height H2 may be calculated and determined in advance by the control unit 100 as described below, and may be stored in the storage unit 101. That is, the control unit 100 obtains the detection result of the amount of warpage of the wafer W to be processed from an external detection device (not shown), calculates and determines the second height H2 in advance based on the detection result, It may be stored in the storage unit 101.
  • the external detection device is, for example, a known device that images the wafer W from the side and detects the amount of warpage of the wafer W from the imaged result.
  • the second height H2 is calculated and determined by the control unit 100 from the detection result of the amount of warpage of the wafer W to be processed, as described below. That is, the control unit 100 calculates the sum of the obtained warp amount Wp of the wafer W and the default value H20 of the second height H2 stored in the storage unit 101, and the result is used as the actual second height H2.
  • the lid member 4 has the height H3 of the peripheral edge of the wafer W with respect to the lower end of the peripheral edge of the lid member 4 is different, when the lifting pin 61 is raised again and the lid member 4 is raised simultaneously and the processing space S is opened, the lid member The airflow passing under the peripheral edge of the wafer W and flowing into the surface of the wafer W also differs. Specifically, when the lifting pin 61 is raised again and the lid member 4 is raised simultaneously to open the processing space S, if the above-mentioned height H3 is large, the airflow flowing to the surface of the wafer W is reduced, and the above-mentioned If the height H3 is small, the amount of air flowing into the surface of the wafer W increases.
  • the surface of the wafer W is The airflow flowing in is also approximately constant. As a result, the influence of the amount of warpage of the wafer W on the heat treatment results can be suppressed.
  • the exhaust form of the processing space S in the process of terminating the heat treatment in step S6 may be the same as in Example 6 of the wafer processing described above. That is, in the process of terminating the heat treatment in step S6, of the exhaust by the central exhaust part 40 and the exhaust by the peripheral exhaust part 50, only the exhaust by the peripheral exhaust part 50 is turned off before the lid member 4 is raised, and then After the time T3 has elapsed, the lid member 4 may be raised and the processing space S may be opened.
  • the supply pipe 37, gas source 38, and supply equipment group 39 used for supplying inert gas to the processing space S may be omitted from the heat processing apparatus 1. can.
  • FIGS. 7 and 8 are explanatory diagrams of effects of other examples of wafer processing according to this embodiment.
  • the gas supplied to the processing space S during the heat treatment was an oxygen-containing gas, and switching to an inert gas was not particularly performed.
  • the gas supplied to the processing space S is switched from an oxygen-containing gas to an inert gas, and the oxygen-containing gas in the processing space S is replaced with the inert gas. That is, in this example, heating in an oxygen-containing gas atmosphere is switched to heating in a low oxygen concentration atmosphere (specifically, heating in an inert gas atmosphere) during the heat treatment.
  • the timing at which the gas supplied to the processing space S is switched from an oxygen-containing gas to an inert gas is, for example, during the heating of the wafer W placed on the hot plate 11 in step S5.
  • the above-mentioned timing is, for example, during the heating in step S5, when the crosslinking reaction due to the reaction with oxygen in the SOC film on the wafer W reaches a predetermined degree of progress. This is when the predetermined temperature Ts, which is higher than the temperature at which the crosslinking reaction in the SOC film is completed, is reached.
  • the control unit 100 determines whether the crosslinking reaction due to the reaction with oxygen in the SOC film has reached a predetermined degree of progress, that is, whether the temperature of the wafer W has reached a predetermined temperature Ts, for example, the wafer W is placed on the hot plate 11. This is performed based on whether the time that has passed since the placement has exceeded a predetermined time T11.
  • the control unit 100 determines that a predetermined degree of progress has been reached, that is, the predetermined temperature Ts has been reached.
  • the "predetermined time T11" used for this determination varies depending on the type of SOC film, and is set in advance based on user input via an input unit such as a keyboard or touch panel (not shown), and is stored in the storage unit 101. There is.
  • defect-causing substances P1 may be scattered from the SOC film, as shown in FIG. 7(A). .
  • This scattering of the defect-causing substance P1 will stop as the heat treatment progresses.
  • the above-mentioned defect-causing substance P1 is removed from the SOC film on the wafer W, as shown in FIG. 7(B).
  • the fine particles P2 of the vaporized material may combine with the oxygen in the processing space S to become another defect-causing substance P3 with a large mass.
  • This defect-causing substance P3 not only has a large mass but also is generated in large quantities. Therefore, the exhaust by the central exhaust part 40 and the exhaust by the peripheral exhaust part 50 cannot completely recover the defect-causing substance P3, and as shown in FIG. There are cases where the particles S are filled with the particles and remain attached to the entire surface of the wafer W after wafer processing is completed.
  • the gas supplied to the processing space S is Switch from oxygen-containing gas to inert gas. Therefore, even if the relatively large defect-causing substance P1 described above is scattered during a period including immediately after the wafer W is placed on the hot plate 11, the defect-causing substance P1 will be scattered as shown in FIG. 8(A). Since it does not combine with the above-mentioned fine particles P2 and oxygen in the processing space S, it does not change into another defect-causing substance P3 having a large mass (see FIG. 7(B)).
  • P4 is the reduced defect-causing substance.
  • the reduced defect-causing substance P4 can be easily recovered by exhaust through the central exhaust section 40 and exhaust through the peripheral exhaust section 50, as shown in FIG. 8(B). Therefore, it is possible to suppress the defect-causing substance P3 (see FIG. 2(B)) and other defect-causing substances from filling the processing space S at the end of the heat treatment, and the wafer W after the wafer processing is completed. It is possible to prevent defect-causing substances from remaining attached to the entire surface of the substrate.
  • the exhaust by the central exhaust section 40 may be switched from OFF to ON at the same time as the switching.
  • the timing at which the gas supplied to the processing space S is switched from an oxygen-containing gas to an inert gas is when heating in step S5 is started, that is, in step S4.
  • the wafer W may be lowered to be placed on the hot plate 11.
  • FIG. 9 is a diagram showing the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3 in each step of another example of wafer processing according to the present embodiment.
  • the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3 that is, the volume of the processing space S
  • the volume of the processing space S was constant during the heat treatment.
  • the volume of the processing space S may be made smaller than in the heating step in an oxygen-containing gas atmosphere. good.
  • the volume of the processing space S may be made larger in the heating step in an inert gas atmosphere than in the replacement step.
  • a heating step is performed in an oxygen-containing gas atmosphere with the height of the lid member 4 relative to the bottom member 3 set to a first height H11
  • the replacement step may be performed with the height of the lid member 4 relative to the bottom member 3 set to a second height H12 that is lower than the first height H12.
  • the heating step in an inert gas atmosphere is performed with the height of the lid member 4 relative to the bottom member 3 set to the third height H13 which is higher than the second height H12. good.
  • the third height H13 may be the same as or different from the first height H11.
  • the time required to replace the atmosphere in the processing space S with an inert gas can be shortened.
  • generation of the aforementioned defect-causing substance P3 having a large mass can be suppressed.
  • the heating step in an inert gas atmosphere by increasing the volume of the processing space S as described above, that is, by increasing the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3, it is possible to The airflow can be made more uniform within the wafer plane. Further, it is possible to prevent the lid member 4 (specifically, the shower head 30) from being contaminated by adhesion of defect-causing substances.
  • the heating step in an inert gas atmosphere when the volume of the processing space S is made larger than in the replacement step as described above, the flow rate of the inert gas supplied to the processing space S is increased in the replacement step, and the volume of the inert gas is increased in the replacement step. It may be relatively small in the heating process in an atmosphere of This makes it possible to shorten the time required to replace the atmosphere in the processing space S with inert gas in the replacement step, and to suppress the amount of inert gas consumed during the entire heat treatment.
  • the determination of whether the heat treatment has reached a predetermined degree of progress is performed using a keyboard, touch panel, etc. (not shown). This is performed based on a predetermined time T1 that is preset based on user input via the input unit.
  • the method of determining whether the heat treatment has progressed to a predetermined degree is not limited to this.
  • data D1 indicating a relationship R as shown in FIG. 10 is stored in the storage unit 101 in advance.
  • the above relationship R is the temperature of the wafer W when the wafer W is heated with the hot plate 11 at the current set temperature and the height of the wafer W relative to the hot plate 11 set to a preset first height H1. This is the relationship with heating time.
  • the predetermined temperature (that is, the target temperature achieved by heating at the first height H1) Tt is received from the user via an input unit such as a keyboard or a touch panel (not shown), and is stored in the storage unit 101 in advance. I'll let you. Then, a determination as to whether the temperature of the wafer W has reached a predetermined temperature Tt may be made based on the data D1 stored in the storage unit 101. Specifically, the control unit 100 calculates and determines the time T21 required to reach the predetermined temperature Tt based on the data D1 stored in the storage unit 101 and the predetermined temperature Tt. Based on the determination of whether or not the time elapsed since the height of the wafer W with respect to 11 was set to the first height H1, the temperature of the wafer W has reached the predetermined temperature Tt. A determination may be made.
  • the time T21 required to reach the predetermined temperature Tt is output from an external output such as a display unit (for example, a liquid crystal display) not shown. It may also be output to the outside via the section.
  • a display unit for example, a liquid crystal display
  • the relationship R between the temperature of the wafer W and the heating time when the wafer W is heated with the height of the wafer W relative to the hot plate 11 as the first height H1 is determined for each temperature of the hot plate 11 and with respect to the hot plate 11.
  • the data D2 indicating each height of the wafer W may be stored in the storage unit 101 in advance. Then, it may be determined whether the temperature of the wafer W has reached a predetermined temperature Tt based on the data D2 stored in the storage unit 101.
  • the current temperature of the hot plate 11, the predetermined temperature Tt, and the set values of the first height H1 are received from the user via an input unit such as a keyboard or touch panel (not shown), and are stored in the storage unit 101 in advance. I'll let you. Furthermore, the control unit 100 calculates and determines the time T21 required to reach the predetermined temperature Tt based on this information and the data D2. Then, the control unit 100 determines whether or not the time that has elapsed since the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 was set to the first height H1 has exceeded the above-mentioned time T21, and the temperature of the wafer W is set to a predetermined value. A determination is made as to whether the temperature Tt has been reached.
  • the relationship R between the temperature of the wafer W and the heating time when the wafer W is heated with the height of the wafer W relative to the hot plate 11 as the first height H1 is determined by the set temperature of the hot plate 11 and the heating time relative to the hot plate 11. It is affected not only by the height of the wafer W but also by the set temperature of the lid member 4 (specifically, the shower head 30). Therefore, data D3 indicating the above relationship R for each temperature of the hot plate 11, for each height of the wafer W with respect to the hot plate 11, and for each temperature of the lid member 4 may be stored in the storage unit 101 in advance. Then, a determination as to whether the temperature of the wafer W has reached a predetermined temperature Tt may be made based on the data D3 stored in the storage unit 101.
  • set values for the temperature of the lid member 4, the temperature of the hot plate 11, the predetermined temperature Tt, and the first height H1 are received from the user via an input unit such as a keyboard or touch panel (not shown), and It is stored in the storage unit 101. Furthermore, the control unit 100 calculates and determines the time T21 required to reach the predetermined temperature Tt based on this information and the data D2. Then, the control unit 100 determines whether or not the time that has elapsed since the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 was set to the first height H1 has exceeded the above-mentioned time T21, and the temperature of the wafer W is set to a predetermined value. A determination is made as to whether the temperature Tt has been reached.
  • the temperature of the wafer W reaches the predetermined temperature Tt, which is determined as information used to determine whether the temperature of the wafer W has reached the predetermined temperature Tt.
  • the time T21 required to complete the process may be outputted to the outside via an external output unit such as a display unit (for example, a liquid crystal display) not shown.
  • candidates for information to be used for determining whether the temperature of the wafer W has reached a predetermined temperature Tt may be determined based on the data D2. For example, the set values of the temperature of the hot plate 11, the predetermined temperature Tt, and the allowable range of the time T21 required to reach the predetermined temperature Tt are entered via an input unit such as a keyboard or touch panel (not shown). It is accepted from the user and stored in the storage unit 101 in advance. Further, the control unit 100 determines a candidate combination of the time T21 and the first height H1 based on this information and the data D2. The determined candidates may be output to the outside via an external output unit such as a display unit (for example, a liquid crystal display) not shown.
  • a display unit for example, a liquid crystal display
  • candidates for information used to determine whether the temperature of the wafer W has reached a predetermined temperature Tt may be determined based on the data D3.
  • the set values of the temperature of the lid member 4, the temperature of the hot plate 11, the predetermined temperature Tt, and the allowable range of the time T21 required to reach the predetermined temperature Tt can be set using a keyboard or touch panel (not shown).
  • the information is received from the user via the input unit and stored in the storage unit 101 in advance. Further, the control unit 100 determines a candidate combination of the time T21 and the first height H1 based on this information and the data D3.
  • the determined candidates may be output to the outside via an external output unit such as a display unit (for example, a liquid crystal display) not shown.
  • the candidate combination of the time T21 and the height H1 determined based on the data D2 or the data D3 is determined based on the detection result of the amount of warpage of the wafer W to be processed as follows. It may be possible to narrow it down. That is, when the shape of the wafer W is convex in side view (the central part protrudes upward) and the amount of warpage of the wafer W is large, the distance from the hot plate 11 at the periphery of the wafer W becomes short. As a result, the amount of heating increases, and as a result, the in-plane uniformity of the film thickness may be impaired.
  • the control unit 100 selects the candidate combination of the time T21 and the first height H1 as the first height. It may be possible to narrow down the selection to only those with a length H1 of 3 mm or more.
  • the detection result of the amount of warpage of the wafer W to be processed is obtained, for example, from an external detection device (not shown). Further, information other than the amount of warpage of the wafer W, which is necessary for narrowing down the combination candidates, is stored in advance in the storage unit 101, for example.
  • the first height H1 may be adjusted as follows based on the detection result of the amount of warpage of the wafer W to be processed. That is, a basic value of the first height H1 is set, and for example, if the wafer W is along a convex shape in side view and the amount of warpage is 500 ⁇ m or more, the first height H1 is larger than the basic value. A value may be applied, otherwise a base value may be applied to the first height H1.
  • the height of the lid member 4 with respect to the bottom member 3 was adjusted by raising and lowering the lid member 4, but it may also be adjusted by raising and lowering the lid member 4.
  • the height of the wafer W with respect to the hot plate 11 was adjusted by raising and lowering the wafer W in the above description, it may be adjusted by raising and lowering the hot plate 11.
  • the SOC film has been cited as an example of the coating film above, the technology according to the present disclosure can also be used for other coating films.
  • a heat treatment device that heats a substrate on which a coating film is formed, a processing container forming a processing space that accommodates the substrate; a heating plate having a mounting surface on which the substrate accommodated in the processing space is mounted, and a heating section that heats the substrate; an adjustment mechanism that adjusts the height of the substrate relative to the hot plate; an exhaust section that exhausts the processing space; comprising a control unit;
  • the control unit includes: (A) the step of setting the height of the substrate relative to the hot plate to a predetermined height at a predetermined distance from the hot plate and starting heat treatment of the substrate; (B) When the heat treatment reaches a predetermined degree of progress, the height of the substrate relative to the hot plate is lowered than the predetermined height, and the substrate is placed on or close to the hot plate.
  • the exhaust section is a central exhaust section that exhausts the processing space from a position above the placement surface and corresponding to a position near the center of the substrate on the placement surface; a peripheral exhaust part that exhausts the processing space from a position above the mounting surface and corresponding to a position near the peripheral edge of the substrate on the mounting surface;
  • the control unit includes: Maintaining the exhaust gas by the central exhaust section in the step (A), and switching it from OFF to ON in the step (B);
  • the heat treatment apparatus according to Supplementary Note 1, wherein the heat treatment apparatus is controlled so that the exhaust gas by the peripheral edge exhaust part is kept ON from the step (A).
  • the processing container is a bottom member including the hot plate; a lid member including a top wall facing the placement surface and forming the processing space with the bottom member; further comprising another adjustment mechanism that adjusts the height of the lid member with respect to the bottom member,
  • the control unit includes: (C) At the end of the heat treatment, the exhaust from the peripheral exhaust part is turned off while the exhaust from the central exhaust part is kept ON, and then, after a predetermined period of time has elapsed, the lid member is attached to the bottom member.
  • the heat treatment apparatus according to additional note 2, wherein control is performed to further perform the step of increasing the height of the treatment space and opening the treatment space.
  • the control unit performs the heat treatment based on data indicating a relationship between the substrate temperature and the heating time when the height of the substrate with respect to the heat plate is the predetermined height at the current set temperature of the heat plate.
  • the heat treatment apparatus according to any one of Supplementary Notes 1 to 3, which determines whether or not the progress level has reached the predetermined degree of progress, or determines information used for the determination.
  • the control unit determines the predetermined height and performs the heat treatment on the basis of data indicating a relationship between substrate temperature and heating time for each temperature of the hot plate and for each height of the substrate with respect to the hot plate.
  • At least one of determining whether a predetermined degree of progress has been reached, determining information used for the determination, or determining candidates for the information is performed. heat treatment equipment.
  • the heat treatment apparatus according to Supplementary Note 4 further comprising a storage unit that stores the data.
  • the heat treatment apparatus according to Supplementary Note 5 further comprising a storage unit that stores the data.
  • [Additional Note 8] further comprising a gas supply unit that supplies an inert gas to the processing space,
  • the control unit includes: The heat treatment apparatus according to any one of Supplementary Notes 1 to 7, wherein control is performed to replace oxygen-containing gas in the treatment space with an inert gas during the heat treatment.
  • a heat treatment method for heating a substrate on which a coating film is formed (a) The height of the substrate relative to the heating plate having a mounting surface on which the substrate accommodated in the processing space is placed is set to a predetermined height that is a predetermined distance away from the heating plate, and heating processing of the substrate is started. process and (b) When the heat treatment reaches a predetermined degree of progress, the height of the substrate relative to the hot plate is lower than the predetermined height, and the substrate is placed on or close to the hot plate.
  • a readable computer storage medium that stores a program that runs on a computer of a control unit that controls a heat treatment device so that the heat treatment device executes a heat treatment method of heating a substrate on which a coating film is formed. There it is, The heat treatment method includes: (a) The step of starting heat treatment of the substrate by setting the height of the substrate with respect to a heating plate having a mounting surface on which the substrate accommodated in the processing space is placed to a predetermined height at a predetermined distance from the heating plate.
  • Heat treatment apparatus Processing container 11 Hot plate 11a Placement surface 13 Heater 20 Elevating mechanism 40 Central exhaust section 50 Peripheral exhaust section 60 Elevating mechanism 100 Control section S Processing space W Wafer

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、前記処理空間を排気する排気部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う。

Description

加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体
　本開示は、加熱処理装置、加熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　特許文献１に開示の加熱処理装置は、塗布膜が形成された基板を処理容器内で加熱するものであって、処理容器内に設けられ、基板を載置する載置部と、載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、を有する。また、特許文献１において、処理容器は、天井部を構成する蓋部を有し、蓋部は、上面部と下面部との間に排気室が形成されている。蓋部の下面部における周辺部には、排気室と連通する外周排気口が形成されている。蓋面部の下面部における中央部には、中央排気口が形成されている。中央排気口は、排気室を貫通するように設けられた中央排気管の一端側が接続されている。
特開２０２１－９９２３号公報
　本開示にかかる技術は、加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理空間内に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制する。
　本開示の一態様は、塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、前記処理空間を排気する排気部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う。
　本開示によれば、加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理空間内に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制することができる。
本実施形態にかかる加熱処理装置の構成を側面から見て模式的に示した説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の各工程での加熱処理装置の状態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の各工程での加熱処理装置の状態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理に含まれる加熱処理中のウェハＷの温度履歴を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、処理空間の排気形態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、加熱処理を終了させる工程での処理空間の状態を示す図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の効果の説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の効果の説明図である。 本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の各工程における、底部材に対する蓋部材の高さを示す図である。 加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定に用いられるデータの説明図である。
　半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板の表面上に、各種処理液、例えばハードマスクとして用いられるＳＯＣ膜形成用の処理液が塗布されることがある。そして、これらの処理液の塗布後すなわち塗布膜の形成後においては、加熱処理装置の処理容器内で基板を加熱する加熱処理が行われる。
　また、加熱処理装置では、加熱中に処理容器内に生じた欠陥原因物質を回収することを目的として、処理容器内が排気される。欠陥原因物質とは、基板に付着することにより欠陥の原因となる物質である。しかし、上述のように排気を行ったとしても、欠陥原因物質を回収し切れない場合がある。また、処理容器内からの排気量を大きくしたり排気時間を長くしたりすれば欠陥原因物質を多く回収できるが、塗布膜の厚さが基板の面内で不均一になってしまうことがある。
　そこで、本開示にかかる技術は、加熱処理後の塗布膜の基板面内均一性を損なわずに、加熱中に処理容器内（具体的には処理容器により形成される処理空間内）に生じた物質に起因する欠陥が基板に発生するのを抑制する。
　以下、本実施形態にかかる加熱処理装置及び加熱処理方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜加熱処理装置＞
　図１は、本実施形態にかかる加熱処理装置の構成を側面から見て模式的に示した説明図である。
　図１に示すように、加熱処理装置１は、基板としてのウェハＷを収容する処理空間Ｓを形成する処理容器２を有している。この処理容器２は、熱板１１を有する底部材３と、底部材３の後述の載置面１１ａと対向する天井部４ａを含み底部材３との間で処理空間Ｓを形成する蓋部材４を有している。また、処理容器２は、図示しない筐体内に設けられている。
　底部材３は、図示しない前記筐体の基台５の上に支持部材６を介して支持されている。底部材３は、周縁部１２ａよりも内側に凹部が形成された扁平な円筒体からなる支持台１２を備えている。支持台１２の凹部に熱板１１が設けられる。
　熱板１１の上面１１ａは、ウェハＷが載置される載置面である。熱板１１の上面１１ａ（以下、載置面１１ａ）には、ウェハＷの下面を支持する図示しない複数のギャップピンが設けられていてもよい。
　また、熱板１１内には、ウェハＷを加熱する加熱部としてのヒータ１３が設けられている。ヒータ１３は、載置面１１ａを加熱することにより、ウェハＷを加熱することができる。具体的には、ヒータ１３は、載置面１１ａを加熱することにより、載置面１１ａに載置されたウェハＷを加熱し、また、載置面１１ａから離間した位置に位置するウェハＷを加熱することができる。ヒータ１３は後述の制御部１００により制御される。
　蓋部材４の天井部４ａは、底部材３よりも直径の大きい円板状に形成されている。
　また、蓋部材４は、底部材３と天井部４ａとの間の隙間の周囲を塞ぎ処理空間Ｓを形成する側壁部４ｂを有する。側壁部４ｂは平面視円環状に形成されている。
　この蓋部材４は、昇降機構２０によって昇降する。昇降機構２０は、蓋部材４の昇降のための駆動力すなわち底部材３に対する蓋部材４の高さを調整するための駆動力を発生するモータ等の駆動源を有し、例えば基台５に設けられる。この昇降機構２０は、後述の制御部１００により制御される。昇降機構２０は、蓋部材４を下降させることで、処理空間Ｓを形成することができる。また、昇降機構２０は、蓋部材４を上昇させることで、処理空間Ｓを開放することができる。さらに、昇降機構２０は、蓋部材４を昇降させることで、すなわち、底部材３に対する蓋部材４の高さを調整することで、処理空間Ｓの容積を変更することができる。
　このように、昇降機構２０は、底部材３に対する蓋部材４の高さを調整する調整機構を構成すると共に、処理空間Ｓの容積を変更する変更部を構成する。
　また、蓋部材４の天井部４ａには、シャワーヘッド３０が設けられている。
　シャワーヘッド３０は、天井部４ａから下方に、酸素を含有するガスすなわち酸素含有ガスを供給する。シャワーヘッド３０が供給する酸素含有ガスは例えばドライエアである。
　また、シャワーヘッド３０は、天井部４ａから下方に、酸素を含まない不活性ガスを供給する。シャワーヘッド３０が供給する不活性ガスは例えば窒素ガスである。
　シャワーヘッド３０は、複数の吐出孔３１と、ガス分配空間３２と、を有する。
　吐出孔３１はそれぞれ、シャワーヘッド３０の下面に形成されている。吐出孔３１は、例えば、シャワーヘッド３０の下面中央部における、後述する排気口４１以外の部分に、略均一に配置されている。複数の吐出孔３１は、熱板１１上のウェハＷの周縁部の上方に位置する第１吐出孔と、熱板１１上のウェハＷの中央部の上方に位置する第２吐出孔と、を含む。
　ガス分配空間３２は、シャワーヘッド３０に導入された酸素含有ガスまたは不活性ガスを分配して各吐出孔３１に供給する。
　シャワーヘッド３０には、当該シャワーヘッド３０に酸素含有ガスまたは不活性ガスを導入する導入管３３が接続されている。
　導入管３３には、供給管３４を介して、酸素含有ガスを貯留するガス源３５が接続されている。供給管３４には、酸素含有ガスの流通を制御する開閉弁や流量調節弁等を含む供給機器群３６が設けられている。
　また、導入管３３には、供給管３７を介して、不活性ガスを貯留するガス源３８が接続されている。供給管３７には、不活性ガスの流通を制御する開閉弁や流量調節弁等を含む供給機器群３９が設けられている。
　供給機器群３６、３９は後述の制御部１００により制御される。
　加熱処理装置１においては、シャワーヘッド３０、導入管３３、供給管３７、供給機器群３９によって、処理空間Ｓに不活性ガスを供給するガス供給部が構成され、シャワーヘッド３０、導入管３３、供給管３４、供給機器群３６によって、処理空間Ｓに酸素含有ガスを供給する他のガス供給部が構成されている。
　さらに、加熱処理装置１には、中央排気部４０と周縁排気部５０が設けられている。これら中央排気部４０と周縁排気部５０により、処理空間Ｓを排気する排気部が構成されている。
　中央排気部４０は、載置面１１ａの上方であって、当該載置面１１ａ上のウェハＷの中央寄りの位置（図の例では上記中央の位置）に相当する位置から、処理空間Ｓを排気する。中央排気部４０は排気口４１を有する。排気口４１は、シャワーヘッド３０の下面における中央寄りの位置（図の例では中央の位置）に設けられており、下方に開口している。中央排気部４０は、この排気口４１を介して、処理空間Ｓを排気する。
　また、中央排気部４０は、排気口４１から上方向に延伸するように形成された中央排気路４２を有する。中央排気路４２には、排気管４３を介して、真空ポンプ等の排気装置４４が接続されている。排気管４３には、排気量を調整するバルブ等を有する排気機器群４５が設けられている。排気装置４４及び排気機器群４５は後述の制御部１００により制御される。
　周縁排気部５０は、載置面１１ａの上方であって、当該載置面１１ａ上のウェハＷの周縁部寄りの位置（図の例では上記ウェハＷの周端のやや外側の位置）に相当する位置から、処理空間Ｓを排気する。周縁排気部５０は、排気口５１を有する。排気口５１は、シャワーヘッド３０の外周を囲むように、天井部４ａの下面から、下方に開口している。排気口５１は、複数の排気孔をシャワーヘッド３０の外周に沿って並べたものであってもよい。周縁排気部５０は、この排気口５１を介して、処理空間Ｓを排気する。
　また、周縁排気部５０は、排気口５１に通ずる周縁排気路５２を有する。周縁排気路５２には、排気管５３を介して、真空ポンプ等の排気装置５４が接続されている。排気管５３には、排気量を調整するバルブ等を有する排気機器群５５が設けられている。排気装置５４及び排気機器群５５は後述の制御部１００により制御される。
　さらに、天井部４ａは、加熱されるように構成されている。例えば、天井部４ａには、当該天井部４ａを加熱する図示しないヒータが内蔵されている。このヒータが後述の制御部１００により制御され、天井部４ａ（具体的には例えばシャワーヘッド３０）が所定の温度に調整される。
　さらに、加熱処理装置１では、底部材３の下方に、ウェハＷを昇降させる昇降機構６０が設けられている。昇降機構６０は、処理容器２の外部に設けられた図示しない搬送機構との間でウェハＷの受け渡しを行うための受渡部材としての昇降ピン６１が、支持台１２及び熱板１１を貫通するように設けられている。昇降ピン６１は、例えば熱板１１の周方向に等間隔で少なくとも３本設けられる。
　昇降ピン６１は、昇降機構６２によって昇降し、上昇したときに熱板１１の上方に突出可能に構成されている。昇降機構６２は、昇降ピン６１の昇降のための駆動力を発生するモータ等の駆動源を有し、例えば基台５に設けられる。昇降ピン６１を昇降させることで、熱板１１に対する、昇降ピン６１に支持されたウェハＷの高さを調整することができる。この昇降機構６２は、後述の制御部１００により制御される。
　このように、昇降機構６０は、熱板１１に対するウェハＷの高さを調整する調整機構を構成する。
　上述した加熱処理装置１は、制御部１００を備えている。制御部１００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、記憶部１０１を有している。記憶部１０１には、例えば後述する加熱処理装置１の各種動作を制御するための指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは一時的に記憶するものであっても非一時的に記憶するものであってもよい。また、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。
＜ウェハ処理の例１＞
　続いて、加熱処理装置１を用いて行われる加熱処理を含むウェハ処理の、本実施形態にかかる例を説明する。
　図２及び図３はそれぞれ、本実施形態にかかるウェハ処理の各工程での加熱処理装置１の状態を示す図である。図４は、本実施形態にかかるウェハ処理に含まれる加熱処理中のウェハＷの温度履歴を示す図である。
　なお、以下で例示する本実施形態にかかるウェハ処理はいずれも、制御部１００の制御の下、行われる。
（ステップＳ１：ウェハＷの搬入）
　まず、加熱処理装置１内にウェハＷが搬入される。
　具体的には、蓋部材４が上昇された後、塗布膜としてＳＯＣ膜が形成されたウェハＷが、図示しない搬送機構によって、熱板１１の上方まで移動される。その後、昇降ピン６１が上昇され、ウェハＷが図２（Ａ）に示すように昇降ピン６１に受け渡され、熱板１１に対するウェハＷの高さが受け渡し高さＨｄまで上昇する。受け渡し高さＨｄは例えば３０ｍｍ～５０ｍｍである。
　このとき、中央排気部４０による排気はＯＦＦとされる。周縁排気部５０による排気はウェハ処理中、常時ＯＮとされる。
　また、このとき、熱板１１の載置面１１ａの温度が例えば２００～４５０℃となるようにヒータ１３が制御されている。なお、ウェハ処理中、ヒータ１３は例えば熱板１１の載置面１１ａの温度が一定となるように制御される。また、天井部４ａに対する図示しないヒータは、ウェハ処理中、例えば天井部４ａ（具体的にはシャワーヘッド３０）の温度が所定の温度で一定になるように制御される。
（ステップＳ２：加熱処理の開始）
　続いて、熱板１１に対するウェハＷの高さが、熱板１１から所定の距離離れる所定の高さすなわち第１の高さＨ１とされ、加熱処理が開始される。
　具体的には、蓋部材４が下降されて図２（Ｂ）に示すように処理空間Ｓが形成される。
　また、蓋部材４の下降と同時または蓋部材４の下降後、昇降ピン６１が下降され、熱板１１に対するウェハＷの高さが、受け渡し高さＨｄと異なり受け渡し高さＨｄより低い第１の高さＨ１とされる。このように熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされ、処理空間Ｓが形成されると、加熱処理の開始となる。なお、第１の高さＨ１は、例えば２ｍｍ～１０ｍｍであり、予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。
　また、加熱処理中、底部材３に対する蓋部材４の高さ、すなわち、処理空間Ｓの容積は、一定である。
（ステップＳ３：第１の高さＨ１での加熱）
　次に、第１の高さＨ１でウェハＷが加熱されると共に、周縁排気部５０による排気が行われ加熱中に処理空間Ｓに生じた欠陥原因物質の回収が行われる。
　具体的には、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１で維持されると共に、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの酸素含有ガスの供給が行われる。
　また、周縁排気部５０による排気が行われ、加熱中にＳＯＣ膜から生じた欠陥原因物質等、処理空間Ｓ内の欠陥原因物質が回収される。
　なお、シャワーヘッド３０からの酸素含有ガスの吐出は、加熱処理の開始前から行われていてもよい。
　ステップＳ３は、加熱処理が所定の進行度合いになるまで行われる。具体的には、ステップＳ３は、図４に示すように、ウェハＷの温度が、ＳＯＣ膜における酸素との架橋反応が開始する温度よりやや低い所定の温度Ｔｔになるまで行われる。
　加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定は、例えば、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が所定の時間Ｔ１を超えたか否かに基づいて行われる。制御部１００は、上記所定の時間Ｔ１を超えると、所定の進行度合いになったと判定し、すなわち、所定の温度Ｔｔになったと判定する。この判定に用いられる「所定の時間Ｔ１」は、ＳＯＣ膜の種類によって異なり、例えば、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介したユーザ入力に基づいて予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。
（ステップＳ４：ウェハＷの下降）
　そして、加熱処理が所定の進行度合いになった後は、ウェハＷが下降される。
　具体的には、加熱処理が所定の進行度合いになった後は、昇降ピン６１が下降され、ウェハＷが熱板１１の載置面１１ａに載置される。
（ステップＳ５：載置された状態での加熱）
　次に、ウェハＷが熱板１１に載置された状態で加熱されると共に、周縁排気部５０による排気及び中央排気部４０による排気が行われ加熱中に処理空間Ｓに生じた欠陥原因物質の回収が行われる。
　具体的には、図３（Ａ）に示すようにウェハＷが熱板１１に載置された状態が維持されると共に、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの酸素含有ガスの供給が行われる。熱板１１により加熱されたウェハＷがある温度を超えると、ウェハＷ上のＳＯＣ膜中の材料が、処理空間Ｓ中等の酸素と熱により架橋反応する。ＳＯＣ膜は、膜中に架橋反応が起こることで硬化すなわちエッチング耐性が生じる。
　また、排気機器群４５が制御され、中央排気部４０による排気がＯＦＦからＯＮに切り替えられ、周縁排気部５０による排気及び中央排気部４０による排気の両方が行われる。これにより、加熱中にＳＯＣ膜から生じた欠陥原因物質等、処理空間Ｓ内の欠陥原因物質が回収される。
　このステップＳ５は、ウェハＷが熱板１１に載置されてから所定の時間Ｔ２が経過するまで行われる。
　上記所定の時間Ｔ２（すなわち熱板１１に載置された状態での加熱時間）は例えば３０秒～１２０秒であり、また、上記所定の時間Ｔ１（すなわち第１の高さＨ１での加熱時間）は、上記所定の時間Ｔ２の０．５～１．５倍である。
　中央排気部４０による排気がＯＦＦからＯＮに切り替えられるタイミングは、具体的には、例えば、ステップＳ５の加熱の開始直後（すなわちウェハＷの熱板１１への載置直後）である。また、上記タイミングは、ステップＳ５の加熱が開始されてから（すなわちウェハＷが熱板１１に載置されてから）所定の時間Ｔ３経過後であってもよい。その理由は後述する。上記所定の時間Ｔ３は例えば２秒以上１０秒以下である。
（ステップＳ６：加熱処理の終了）
　ステップＳ５が完了すると、昇降ピン６１の上昇によりウェハＷが載置面１１ａから離されると共に、蓋部材４が上昇され処理空間Ｓが開放され、加熱処理が終了となる。
　具体的には、ステップＳ５の完了後、例えば、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの酸素含有ガスの供給、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、昇降ピン６１の上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われる。これにより、図３（Ｂ）に示すように、ウェハＷが受け渡し高さＨｄまで上昇すると共に、処理空間Ｓが開放される。
（ステップＳ７：ウェハＷの搬出）
　その後、加熱処理装置１外へウェハＷが搬出される。
　具体的には、昇降ピン６１が下降され、ウェハＷが、図示しない搬送機構に受け渡され、当該搬送機構によって、熱板１１の上方から移動される。
　これで、本例にかかるウェハ処理は完了となる。
　本例と異なるウェハ処理として、以下の比較例１、２にかかるウェハ処理が考えられる。
（比較例１）
　第１の高さＨ１でのウェハＷの加熱が行われず、熱板１１に載置された状態でのウェハＷの加熱のみが行われ、加熱の際、最初から中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気の両方がＯＮにされる。
（比較例２）
　第１の高さＨ１でのウェハＷの加熱が行われず、熱板１１に載置された状態でのウェハＷの加熱のみが行われ、加熱の際、最初の１０～２０秒程度、中央排気部４０による排気がＯＦＦにされ、周縁排気部５０による排気のみがＯＮにされ、その後、５０秒程度、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気の両方がＯＮにされる。
　しかし、本発明者らが鋭意実験を重ねたところ、比較例１、２では以下の課題があることが判明した。すなわち、比較例１にかかるウェハ処理では、ウェハ処理後のウェハＷの表面に欠陥は生じないが、ウェハ処理後におけるＳＯＣ膜の厚さが、ウェハＷの中央部で厚くなることあった。また、比較例２にかかるウェハ処理では、ＳＯＣ膜の種類によっては、処理空間Ｓ中の欠陥原因物質を十分回収することができず、ウェハ処理後のウェハＷの表面に欠陥が生じることがあり、排気時間を長くしても、上記欠陥を十分に減らすことができない場合があった。
　これは、該当する種類のＳＯＣ膜では、第１の高さＨ１でのウェハＷの加熱が行われない場合、加熱処理開始直後且つ熱板１１に載置された直後というウェハＷの温度変化が激しい期間に、中央排気部４０による排気を行わないと、その後に中央排気部４０による排気を行っても回収することができない欠陥原因物質が生じることが理由と考えられる。
　それに対し、本例にかかるウェハ処理では、ウェハＷが、第１の高さＨ１での加熱が行われた後、熱板１１に載置される。そのため、加熱処理開始直後のウェハＷの温度変化及び熱板１１に載置された直後のウェハＷの温度変化が比較的緩やかである。したがって、本例にかかるウェハ処理によれば、ウェハＷの温度変化が激しい期間に生じ得る、回収しにくい欠陥原因物質Ｐが発生するのを抑制することができる。
　また、ＳＯＣ膜が形成されたウェハＷに対する加熱処理では、初期段階が、ＳＯＣ膜の流動性が最も高く、排気の影響が膜厚に出やすい。それに対し、本例にかかるウェハ処理では、加熱処理の初期段階にあたる、第１の高さＨ１でウェハＷを加熱する工程において、中央排気部４０による排気はＯＦＦ状態である。したがって、加熱処理時に中央排気を行うことによりＳＯＣ膜の厚さがウェハＷの中央部で厚くなるのを抑制することができる。
　なお、以上の本実施形態にかかるウェハ処理の例では、ステップＳ５による加熱の際の、熱板１１に対するウェハＷの高さは、熱板１１に載置された状態となる高さであるが、これに限られず、第１の高さＨ１より熱板１１に近接する状態となる高さであればよい。以下の例についても同様である。
＜本実施形態の主な効果＞
　以上のように、本実施形態にかかる例のウェハ処理は、熱板１１に対するウェハＷの高さを、熱板１１から所定の距離離れる第１の高さＨ１とし、ウェハＷの加熱処理を開始する（ａ）工程と、加熱処理が所定の進行度合いになった際に、熱板１１に対するウェハＷの高さを第１の高さＨ１より低くし、ウェハＷを熱板１１に載置した状態または近接した状態にすると共に、処理空間Ｓ内の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む。そのため、加熱処理の全期間に亘って、ウェハＷの温度変化が比較的緩やかである。したがって、ウェハＷの温度変化が激しい期間に生じ得る、回収しにくい欠陥原因物質Ｐが発生するのを抑制することができる。また、本実施形態にかかる例のウェハ処理では、処理空間Ｓ中の欠陥原因物質の回収効率を高めるための処理空間Ｓの排気（具体的には中央排気部４０による排気）がＯＮにされるのは、加熱処理が所定の進行度合いになった後、すなわち、ウェハＷ上の塗布膜の流動性が低下した後である。したがって、上記処理空間Ｓの排気（具体的には中央排気部４０による排気）により膜厚の面内不均一性が生じるのを抑制することができる。
　よって、本実施形態によれば、加熱処理後の塗布膜のウェハＷ面内での均一性を損なわずに、加熱中に処理空間Ｓ内に生じた物質に起因する欠陥がウェハＷに発生するのを抑制することができる。
　前述のように、中央排気部４０による排気がＯＦＦからＯＮに切り替えられるタイミングは、熱板１１に載置されてから所定の時間Ｔ３経過後であってもよい。これは、塗布膜の種類や第１の高さＨ１での加熱時間等によっては、第１の高さＨ１での加熱のみでは、塗布膜の流動性を、中央排気部４０による排気の影響を受けない程度に、十分に落とすことができない場合があるからである。
（ウェハ処理の例２）
　図５は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、処理空間Ｓの排気形態を示す図である。
　以上の例では、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程では、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、蓋部材４の上昇が行われ、処理空間Ｓが開放されていた。これに代えて、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程では、図５に示すように、中央排気部４０による排気がＯＮに維持されたまま、周縁排気部５０による排気をＯＦＦにさせ、その後、所定の時間Ｔ２経過してから、蓋部材４の上昇が行われ、処理空間Ｓが開放されてもよい。これにより、処理空間Ｓが開放されたときに、欠陥原因物質が、底部材３と蓋部材４との間の隙間から、処理容器２外に漏れ出すのを抑制することができる。
（ウェハ処理の例３）
　図６は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例における、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程での処理空間Ｓの状態を示す図である。
　上述のウェハ処理の例１等では、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、昇降ピン６１の上昇すなわちウェハＷの上昇と蓋部材４の上昇とが同時に行われ、ウェハＷが受け渡し高さＨｄまで上昇すると共に、処理空間Ｓが開放されていた。これに代えて、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程では、まず、図６に示すように、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気がＯＮに維持されたまま、昇降ピン６１の上昇のみが行われ、熱板１１に対するウェハＷの高さが第２の高さＨ２とされ、処理空間Ｓが形成されたままとしてもよい。そして、その後、所定の時間Ｔ３経過してから、昇降ピン６１の再上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われ、ウェハＷが受け渡し高さＨｄまで上昇すると共に、処理空間Ｓが開放されてもよい。
　なお、第１の高さＨ１と第２の高さＨ２は同じであってもよいし、異なってもよい。
　第２の高さＨ２は、例えば、第１の高さＨ１と同様、予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。
　また、第２の高さＨ２は、以下のように制御部１００により予め算出され決定され、記憶部１０１に記憶されていてもよい。すなわち、制御部１００により、処理対象のウェハＷの反り量の検出結果が、図示しない外部の検出装置から取得され、上記検出結果に基づいて、第２の高さＨ２が予め算出され決定され、記憶部１０１に記憶されていてもよい。なお、上記外部の検出装置は、例えば、ウェハＷを側方から撮像し撮像結果から当該ウェハＷの反り量を検出する、公知の装置である。
　例えば、以下のようにして、制御部１００により、処理対象のウェハＷの反り量の検出結果から第２の高さＨ２が算出され決定される。
　すなわち、制御部１００により、取得されたウェハＷの反り量Ｗｐと記憶部１０１に記憶されていた第２の高さＨ２のデフォルト値Ｈ２０との和が算出され、その結果が実際の第２の高さＨ２（＝Ｗｐ＋Ｈ２０）に決定される。これにより、蓋部材４の周縁部の下端に対するウェハＷの周縁部の高さＨ３が、ウェハＷの反り量によらず一定となる。
　蓋部材４の周縁部の下端に対するウェハＷの周縁部の高さＨ３が異なると、昇降ピン６１の再上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われ処理空間Ｓが開放される際に、蓋部材４の周縁部の下を通ってウェハＷの表面に流れ込む気流も異なってくる。具体的には、昇降ピン６１の再上昇と蓋部材４の上昇が同時に行われ処理空間Ｓが開放される際、上記高さＨ３が大きいと、ウェハＷの表面に流れ込む気流が少なくなり、上記高さＨ３が小さいと、ウェハＷの表面に流れ込む気流が多くなる。したがって、蓋部材４の周縁部の下端に対するウェハＷの周縁部の高さＨ３をウェハＷの反り量によらず一定にすることにより、上述の処理空間Ｓの開放の際にウェハＷの表面に流れ込む気流も略一定となる。その結果、ウェハＷの反り量が熱処理結果に与える影響を抑制することができる。
　また、本例の場合、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程における処理空間Ｓの排気形態を、上述のウェハ処理の例６と同様にしてもよい。すなわち、ステップＳ６の加熱処理を終了させる工程で、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気のうち、蓋部材４の上昇前に、周縁排気部５０による排気のみＯＦＦにさせ、その後所定の時間Ｔ３経過してから、蓋部材４の上昇が行われ、処理空間Ｓが開放されてもよい。
　なお、上述のウェハ処理の例１～３を行う場合、処理空間Ｓへの不活性ガスの供給に用いられる供給管３７、ガス源３８、供給機器群３９を加熱処理装置１から省略することができる。
＜ウェハ処理の例４＞
　図７及び図８は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の効果の説明図である。
　以上の例では、加熱処理中、処理空間Ｓに供給されるガスは酸素含有ガスであり不活性ガスへの切り替えは特に行われていなかった。
　それに対し、本例では、加熱処理中に、処理空間Ｓに供給されるガスが、酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられ、処理空間Ｓ内の酸素含有ガスが不活性ガスで置換される。すなわち、本例では、加熱処理の途中で、酸素含有ガスの雰囲気での加熱から、低酸素濃度雰囲気での加熱（具体的には不活性ガスの雰囲気での加熱）に切り替えられる。
　処理空間Ｓに供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられるタイミングは、例えば、ステップＳ５の熱板１１に載置された状態でのウェハＷの加熱中である。
　具体的には、上記タイミングは、例えば、ステップＳ５の加熱中であって、ウェハＷ上のＳＯＣ膜において酸素との反応による架橋反応が所定の進行度合いになったとき、より具体的には、ＳＯＣ膜における上記架橋反応が完了する温度以上の所定の温度Ｔｓとなったときである。
　ＳＯＣ膜において酸素との反応による架橋反応が所定の進行度合いになったか否かの判定すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｓになったか否かの判定は、例えば、ウェハＷが熱板１１に載置されてから経過した時間が所定の時間Ｔ１１を超えたか否かに基づいて行われる。制御部１００は、上記所定の時間Ｔ１１を超えると、所定の進行度合いになったと判定し、すなわち、所定の温度Ｔｓになったと判定する。この判定に用いられる「所定の時間Ｔ１１」は、ＳＯＣ膜の種類によって異なり、例えば、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介したユーザ入力に基づいて予め設定され、記憶部１０１に記憶されている。
　本例のように加熱処理の後段で不活性ガスの雰囲気下で加熱を行う場合、加熱処理を終了させる際、蓋部材４が上昇される前、すなわち、処理空間Ｓが開放される前に、シャワーヘッド３０から処理空間Ｓへの不活性ガスの供給は停止される。
　ウェハＷの熱板１１への載置直後を含む期間で、急激な温度変化等によって、図７（Ａ）に示すように、比較的大粒の欠陥原因物質Ｐ１がＳＯＣ膜から飛散する場合がある。この欠陥原因物質Ｐ１の飛散は、加熱処理が進行すれば収まる。しかし、本例とは異なり、不活性ガスへの切り替えを行わない場合、加熱処理が進行すると、上述の欠陥原因物質Ｐ１が、図７（Ｂ）に示すように、その後ウェハＷ上のＳＯＣ膜から気化した材料による微粒子Ｐ２と、処理空間Ｓ中の酸素と結合し、質量が大きい別の欠陥原因物質Ｐ３となる場合がある。この欠陥原因物質Ｐ３は、質量が大きいだけでなく、大量に発生する。したがって、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気では、欠陥原因物質Ｐ３を回収し切れず、図７（Ｃ）に示すように、欠陥原因物質Ｐ３が、加熱処理終了時の処理空間Ｓ中に充満してしまい、ウェハ処理終了後のウェハＷの表面全面に付着したまま残ってしまう場合がある。
　それに対し、本例にかかるウェハ処理では、ＳＯＣ膜において酸素による架橋反応が所定の進行度合いになった後（具体的には架橋反応が完了した後）は、処理空間Ｓへ供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられる。そのため、ウェハＷの熱板１１への載置直後を含む期間で上述の比較的大粒の欠陥原因物質Ｐ１が飛散したとしても、この欠陥原因物質Ｐ１が、図８（Ａ）に示すように、前述の微粒子Ｐ２と、処理空間Ｓ中の酸素と結合しないため、質量が大きい別の欠陥原因物質Ｐ３（図７（Ｂ）参照）に変化しない。代わりに、上記欠陥原因物質Ｐ１は、その一部が熱で揮発して縮小していく（図８（Ａ）中、Ｐ４は縮小した欠陥原因物質）。縮小した欠陥原因物質Ｐ４は、図８（Ｂ）に示すように、中央排気部４０による排気及び周縁排気部５０による排気により、容易に回収することができる。したがって、上記欠陥原因物質Ｐ３（図２（Ｂ）参照）やその他の欠陥原因物質が、加熱処理終了時の処理空間Ｓ中に充満するのを抑制することができ、ウェハ処理終了後のウェハＷの表面全面に欠陥原因物質が付着したまま残るのを抑制することができる。
　処理空間Ｓに供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられるタイミングが上述のタイミングの場合、切り替えと同時に、中央排気部４０による排気をＯＦＦからＯＮに切り替えてもよい。
　また、処理空間Ｓに供給されるガスが酸素含有ガスから不活性ガスに切り替えられるタイミングすなわち処理空間Ｓの不活性ガスへの置換タイミングは、ステップＳ５の加熱が開始されるとき、すなわち、ステップＳ４のウェハＷが熱板１１に載置されるよう下降されるときであってもよい。
＜ウェハ処理の例５＞
　図９は、本実施形態にかかるウェハ処理の他の例の各工程における、底部材３に対する蓋部材４の高さを示す図である。
　以上の例では、加熱処理中、底部材３に対する蓋部材４の高さすなわち処理空間Ｓの容積は一定であった。これに代えて、処理空間Ｓ内の酸素含有ガスを不活性ガスへ置換する工程（以下、置換工程）において、酸素含有ガスの雰囲気での加熱工程より、処理空間Ｓの容積を小さくしてもよい。また、この場合、不活性ガスの雰囲気での加熱工程において、上記置換工程より、処理空間Ｓの容積を大きくしてもよい。
　具体的には、図９（Ａ）に示すように、底部材３に対する蓋部材４の高さを第１の高さＨ１１にした状態で、酸素含有ガスの雰囲気での加熱工程が行われ、図９（Ｂ）に示すように、底部材３に対する蓋部材４の高さを第１の高さＨ１２より低い第２の高さＨ１２にした状態で、置換工程が行われてもよい。また、この場合に、底部材３に対する蓋部材４の高さを第２の高さＨ１２より高い第３の高さＨ１３にした状態で、不活性ガスの雰囲気での加熱工程が行われてもよい。第３の高さＨ１３は、第１の高さＨ１１と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　本例のように、置換工程において処理空間Ｓの容積を小さくすることで、処理空間Ｓ内の雰囲気を不活性ガスで置換するのに要する時間を短縮することができる。その結果、前述の質量が大きい欠陥原因物質Ｐ３の発生を抑制することができる。
　また、不活性ガスの雰囲気での加熱工程において、上述のように処理空間Ｓの容積を大きくすることで、すなわち、底部材３に対する蓋部材４の高さを高くすることで、ウェハＷの直上における気流をウェハ面内でより均一にすることができる。また、蓋部材４（具体的にはシャワーヘッド３０）に欠陥原因物質が付着し汚染されるのを抑制することができる。
　不活性ガスの雰囲気での加熱工程において、前述のように置換工程より処理空間Ｓの容積を大きくする場合、処理空間Ｓへの不活性ガスの供給流量を、置換工程において大きくし、不活性ガスの雰囲気での加熱工程において相対的に小さくしてもよい。これにより、置換工程において処理空間Ｓ内の雰囲気を不活性ガスで置換するのに要する時間を短くしつつ、加熱処理全体での不活性ガスの消費量を抑えることができる。
（変形例）
　上述のウェハ処理の例１等では、加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介したユーザ入力に基づいて予め設定された所定の時間Ｔ１に基づいて行われていた。
　加熱処理が所定の進行度合いになったか否かの判定方法すなわちウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定方法は、これに限られない。
　例えば、図１０に示すような関係Ｒを示すデータＤ１を予め記憶部１０１に記憶させておく。上記関係Ｒは、熱板１１を現在の設定温度とし、当該熱板１１に対するウェハＷの高さを予め設定された第１の高さＨ１としてウェハＷを加熱したときの、ウェハＷの温度と加熱時間との関係である。また、上記所定の温度（すなわち、第１の高さＨ１での加熱による目標到達温度）Ｔｔを、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。そして、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、記憶部１０１に記憶された上記データＤ１に基づいて、行われてもよい。具体的には、制御部１００により、記憶部１０１に記憶された上記データＤ１と所定の温度Ｔｔとに基づいて、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１が算出され決定され、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が上記時間Ｔ２１を超えたか否かの判定に基づき、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が行われてもよい。
　ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報として決定した、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。
　また、熱板１１に対するウェハＷの高さを第１の高さＨ１としてウェハＷを加熱したときのウェハＷの温度と加熱時間との関係Ｒを、熱板１１の温度毎且つ熱板１１に対するウェハＷの高さ毎に示すデータＤ２を、予め記憶部１０１に記憶させてもよい。そして、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、記憶部１０１に記憶された上記データＤ２に基づいて、行われてもよい。
　例えば、熱板１１の現在温度、上記所定の温度Ｔｔ及び第１の高さＨ１の設定値を、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ２とに基づいて、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１が算出され決定される。そして、制御部１００により、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が上記時間Ｔ２１を超えたか否かの判定に基づき、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が行われる。
　なお、熱板１１に対するウェハＷの高さを第１の高さＨ１としてウェハＷを加熱したときのウェハＷの温度と加熱時間との関係Ｒは、熱板１１の設定温度及び熱板１１に対するウェハＷの高さだけでなく、蓋部材４（具体的にはシャワーヘッド３０）の設定温度の影響を受ける。したがって、上記関係Ｒを、熱板１１の温度毎、熱板１１に対するウェハＷの高さ毎且つ蓋部材４の温度毎に示すデータＤ３を、予め記憶部１０１に記憶させてもよい。そして、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が、記憶部１０１に記憶された上記データＤ３に基づいて、行われてもよい。
　例えば、蓋部材４の温度、熱板１１の温度、上記所定の温度Ｔｔ及び第１の高さＨ１の設定値を、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ２とに基づいて、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１が算出され決定される。そして、制御部１００により、熱板１１に対するウェハＷの高さが第１の高さＨ１とされてから経過した時間が上記時間Ｔ２１を超えたか否かの判定に基づき、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定が行われる。
　上記データＤ１を用いる例と同様、上記データＤ２または上記データＤ３を用いる例でも、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報として決定した、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。
　また、上記データＤ２に基づいて、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報の候補が決定されてもよい。
　例えば、熱板１１の温度及び上記所定の温度Ｔｔの設定値と、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１として許容される範囲とを、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ２とに基づいて、上記時間Ｔ２１と第１の高さＨ１との組み合わせの候補が決定される。決定された候補は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。
　同様に、上記データＤ３に基づいて、ウェハＷの温度が所定の温度Ｔｔになったか否かの判定に用いる情報の候補が決定されてもよい。
　例えば、蓋部材４の温度、熱板１１の温度及び上記所定の温度Ｔｔの設定値と、所定の温度Ｔｔに到達するまでに要する時間Ｔ２１として許容される範囲とを、図示しないキーボードやタッチパネル等の入力部を介してユーザから受け付けておき、予め記憶部１０１に記憶させておく。また、制御部１００により、これらの情報と上記データＤ３とに基づいて、上記時間Ｔ２１と第１の高さＨ１との組み合わせの候補が決定される。決定された候補は、図示しない表示部（例えば液晶ディスプレイ）等の外部出力部を介して外部出力されてもよい。
　また、上記データＤ２または上記データＤ３に基づいて決定された、上記時間Ｔ２１と上記高さＨ１との組み合わせの候補が、以下のようにして処理対象のウェハＷの反り量の検出結果に基づいて絞られるようにしてもよい。
　すなわち、ウェハＷの形状が側面視凸状（中央部が上方にと突出した形状）であり当該ウェハＷの反り量が大きい場合、当該ウェハＷの周縁部において熱板１１との距離が近くなって加熱量が多くなり、その結果、膜厚の面内均一性が損なわれるおそれがある。そのため、例えばウェハＷが側面視凸状に沿っておりその反り量が５００μｍ以上の場合は、制御部１００により、上記時間Ｔ２１と第１の高さＨ１との組み合わせの候補が、第１の高さＨ１が３ｍｍ以上のもののみに絞られるようにしてもよい。
　なお、処理対象のウェハＷの反り量の検出結果は、例えば図示しない外部の検出装置から取得される。また、上記組み合わせ候補の絞り込みに必要な、ウェハＷの反り量以外の情報は、例えば記憶部１０１に予め記憶されている。
　なお、第１の高さＨ１が以下のようにして処理対象のウェハＷの反り量の検出結果に基づいて調整されるようにしてもよい。すなわち、第１の高さＨ１の基本値を設定しておき、例えばウェハＷが側面視凸状に沿っておりその反り量が５００μｍ以上の場合は、第１の高さＨ１が基本値より大きい値が適用され、それ以外の場合は、第１の高さＨ１に基本値が適用されてもよい。
　以上では、底部材３に対する蓋部材４の高さを、蓋部材４を昇降させることで調整していたが、蓋部材４を昇降させることで調整してもよい。
　また、以上では、熱板１１に対するウェハＷの高さを、ウェハＷを昇降させることで調整していたが、熱板１１を昇降させることで調整してもよい。
　以上では、塗布膜の例としてＳＯＣ膜を挙げたが、本開示にかかる技術は、他の塗布膜にも用いることができる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲、後述の付記項及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は上記の効果を損なわない範囲で、任意に組み合わせることができる。また、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
［付記項１］
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、
基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、
前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、
前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、
前記処理空間を排気する排気部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
　（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、
　（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う、加熱処理装置。
［付記項２］
前記排気部は、
　前記載置面の上方であって、前記載置面上の基板の中央寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する中央排気部と、
　前記載置面の上方であって、前記載置面上の前記基板の周縁部寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する周縁排気部と、を有し、
前記制御部は、
　前記中央排気部による排気を、前記（Ａ）工程でＯＦＦに維持し、前記（Ｂ）工程でＯＦＦからＯＮに切り替え、
　前記周縁排気部による排気を、前記（Ａ）工程からＯＮのまま維持するよう、制御を行う、付記項１に記載の加熱処理装置。
［付記項３］
前記処理容器は、
　前記熱板を含む底部材と、
　前記載置面に対向する天壁を含み、前記底部材との間で前記処理空間を形成する蓋部材と、を有し、
前記底部材に対する前記蓋部材の高さを調整する別の調整機構をさらに備え、
前記制御部は、
　（Ｃ）前記加熱処理の終了時に、前記中央排気部による排気をＯＮに維持したまま、前記周縁排気部による排気をＯＦＦにし、その後、所定の時間経過してから、前記底部材に対する前記蓋部材の高さを高くし、前記処理空間を開放する工程をさらに実行するよう、制御を行う、付記項２に記載の加熱処理装置。
［付記項４］
前記制御部は、前記熱板の現在の設定温度における、前記熱板に対する基板の高さが前記所定の高さのときの基板温度と加熱時間との関係を示すデータに基づいて
、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、または、当該判定に用いられる情報の決定を行う
、付記項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
［付記項５］
前記制御部は、基板温度と加熱時間との関係を前記熱板の温度毎且つ前記熱板に対する基板の高さ毎に示すデータに基づいて 、前記所定の高さの決定、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、当該判定に用いられる情報の決定、または、当該情報の候補の決定の少なくともいずれか１つを行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
［付記項６］
前記データを記憶する記憶部をさらに備える、付記項４に記載の加熱処理装置。
［付記項７］
前記データを記憶する記憶部をさらに備える、付記項５に記載の加熱処理装置。 
［付記項８］
前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部をさらに備え、
前記制御部は、
　加熱処理中に前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、付記項１～７のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
［付記項９］
前記制御部は、前記（Ｂ）工程中に、前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、付記項８に記載の加熱処理装置。
［付記項１０］
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法であって、
（ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する前記熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
（ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。
［付記項１１］
塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法を、加熱処理装置によって実行させるように、当該加熱処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記加熱処理方法は、
　（ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
　（ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。
１　加熱処理装置
２　処理容器
１１　熱板
１１ａ　載置面
１３　ヒータ
２０　昇降機構
４０　中央排気部
５０　周縁排気部
６０　昇降機構
１００　制御部
Ｓ　処理空間
Ｗ　ウェハ

Claims (11)

  1. 塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理装置であって、
    基板を収容する処理空間を形成する処理容器と、
    前記処理空間に収容された基板が載置される載置面と、基板を加熱する加熱部と、を有する熱板と、
    前記熱板に対する基板の高さを調整する調整機構と、
    前記処理空間を排気する排気部と、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    　（Ａ）前記熱板に対する基板の高さを前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし基板の加熱処理を開始する工程と、
    　（Ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を実行するよう、制御を行う、加熱処理装置。
  2. 前記排気部は、
    　前記載置面の上方であって、前記載置面上の基板の中央寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する中央排気部と、
    　前記載置面の上方であって、前記載置面上の前記基板の周縁部寄りの位置に相当する位置から、前記処理空間を排気する周縁排気部と、を有し、
    前記制御部は、
    　前記中央排気部による排気を、前記（Ａ）工程でＯＦＦに維持し、前記（Ｂ）工程でＯＦＦからＯＮに切り替え、
    　前記周縁排気部による排気を、前記（Ａ）工程からＯＮのまま維持するよう、制御を行う、請求項１に記載の加熱処理装置。
  3. 前記処理容器は、
    　前記熱板を含む底部材と、
    　前記載置面に対向する天壁を含み、前記底部材との間で前記処理空間を形成する蓋部材と、を有し、
    前記底部材に対する前記蓋部材の高さを調整する別の調整機構をさらに備え、
    前記制御部は、
    　（Ｃ）前記加熱処理の終了時に、前記中央排気部による排気をＯＮに維持したまま、前記周縁排気部による排気をＯＦＦにし、その後、所定の時間経過してから、前記底部材に対する前記蓋部材の高さを高くし、前記処理空間を開放する工程をさらに実行するよう、制御を行う、請求項２に記載の加熱処理装置。
  4. 前記制御部は、前記熱板の現在の設定温度における、前記熱板に対する基板の高さが前記所定の高さのときの基板温度と加熱時間との関係を示すデータに基づいて、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、または、当該判定に用いられる情報の決定を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
  5. 前記制御部は、基板温度と加熱時間との関係を前記熱板の温度毎且つ前記熱板に対する基板の高さ毎に示すデータに基づいて、前記所定の高さの決定、前記加熱処理が前記所定の進行度合いになったか否かの判定、当該判定に用いられる情報の決定、または、当該情報の候補の決定の少なくともいずれか１つを行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
  6. 前記データを記憶する記憶部をさらに備える、請求項４に記載の加熱処理装置。
  7. 前記データを記憶する記憶部をさらに備える、請求項５に記載の加熱処理装置。
  8. 前記処理空間に不活性ガスを供給するガス供給部をさらに備え、
    前記制御部は、
    　加熱処理中に前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、請求項１に記載の加熱処理装置。
  9. 前記制御部は、前記（Ｂ）工程中に、前記処理空間内の酸素含有ガスを不活性ガスで置換するよう、制御を行う、請求項８に記載の加熱処理装置。
  10. 塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法であって、
    （ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
    （ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。
  11. 塗布膜が形成された基板を加熱する加熱処理方法を、加熱処理装置によって実行させるように、当該加熱処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
    前記加熱処理方法は、
    　（ａ）処理空間に収容された基板が載置される載置面を有する熱板に対する基板の高さを、前記熱板から所定の距離離れる所定の高さとし、基板の加熱処理を開始する工程と、
    　（ｂ）前記加熱処理が所定の進行度合いになった際に、前記熱板に対する基板の高さを前記所定の高さより低くし、基板を前記熱板に載置した状態または近接した状態にすると共に、前記処理空間の排気をＯＦＦからＯＮに切り替える工程と、を含む、加熱処理方法。
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