WO2023218889A1 - Composition, compound, surface treatment agent, article and method for producing article - Google Patents

Composition, compound, surface treatment agent, article and method for producing article Download PDF

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WO2023218889A1
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integer
compound
carbon atoms
silsesquioxane
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雄二郎 富塚
啓吾 松浦
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Ａｇｃ株式会社
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    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films

Definitions

  • Means for solving the above problems include the following aspects. ⁇ 1> A silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group bonded directly to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton or via an alkylene group, and a hydroxyl group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton through a trivalent or higher valent linking group. at least one selected from the group consisting of a silsesquioxane compound, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof, and a plurality of reactive silyl groups bonded together; water and, A solvent other than water, acid or alkali; A composition comprising.
  • ⁇ 3> The composition according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the silsesquioxane skeleton is a cage-shaped silsesquioxane skeleton.
  • ⁇ 4> The composition according to ⁇ 2>, wherein the ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is 1:7 to 7:1.
  • ⁇ 5> The composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the acid or alkali is an alkali.
  • ⁇ 6> The composition according to ⁇ 5>, wherein the alkali is an ammonium compound.
  • ⁇ 7> The composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the solvent is alcohol.
  • the silsesquioxane compound contains a plurality of reactive silyl groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group.
  • the number of reactive silyl groups bonded to one silicon atom of the silsesquioxane skeleton is preferably 2 to 15, more preferably 2 to 9, and even more preferably 2 or 3.
  • the number of reactive silyl groups in one molecule of the silsesquioxane compound is preferably 2 to 60, more preferably 2 to 36, even more preferably 2 to 12, particularly preferably 2 to 9, and most preferably 2 or 3. .
  • the structures of the plurality of reactive silyl groups may be the same or different from each other.
  • a reactive silyl group means a group in which a reactive group is bonded to a Si atom.
  • the reactive group is preferably a hydrolyzable group or a hydroxyl group.
  • R is each independently a monovalent hydrocarbon group
  • L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group
  • n is an integer from 0 to 2.
  • the plurality of groups (2) may be the same or different. From the viewpoint of excellent availability of raw materials and ease of manufacturing the compound, it is preferable that the plurality of groups (2) are the same.
  • the silicon atom of the silsesquioxane skeleton has a hydroxyl group directly or via an alkylene group, or a plurality of reactive groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group. Only “silyl group” may be bonded.
  • the silsesquioxane compound is preferably a compound represented by the following formula (1) from the viewpoint of excellent scratch resistance and abrasion resistance.
  • SQ 8 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1)
  • SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms
  • Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group
  • R is each independently a monovalent hydrocarbon group
  • L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group
  • n is each independently an integer from 0 to 2
  • g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more
  • m1 is an integer from 1 to 7
  • m2 is an integer from 1 to 7
  • m3 is an integer from 0 to 6
  • each g is independently an integer of 1 or more, and at least one g is an integer of 2 or more.
  • g is each independently preferably an integer of 2 to 15, more preferably an integer of 2 to 9, even more preferably 2 or 3.
  • the total g in compound (1) is preferably 2 to 60, more preferably 2 to 36, even more preferably 2 to 12, particularly preferably 2 to 9, and most preferably 2 or 3.
  • the ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is preferably 1:7 to 7:1, may be 2:6 to 6:2, or may be 3:5 to 5:3.
  • the above-mentioned "ratio of m1 and m2 in the silsesquioxane compound" refers to (Number of silicon atoms in the silsesquioxane skeleton): (Number of silicon atoms in the silsesquioxane skeleton bonded to the reactive silyl group).
  • the hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom), and from the viewpoint of reducing environmental load, it is preferable that it is not substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom).
  • a halogen atom for example, a fluorine atom
  • the alkoxy group include groups in which an oxygen atom is bonded to the group exemplified as the hydrocarbon group. However, the oxygen atom is bonded to the silicon atom in SQ8 .
  • Q c is a single bond or a divalent linking group
  • R 32 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
  • Q d is a single bond or an alkylene group
  • R 33 is a hydrogen atom or a halogen atom
  • y is an integer from 1 to 10
  • the definitions and specific examples of R, L, and n are the same as the definitions and specific examples of each symbol in the reactive silyl group.
  • Q a is a single bond or a divalent linking group.
  • divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O) -, -Si(R a ) 2 -, and a combination of two or more thereof.
  • the SQ 8 end of Q a is not -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O)-, or -Si(R a ) 2 -.
  • R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group.
  • the monocyclic ring is preferably a 4- to 8-membered ring, more preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring.
  • the fused polycyclic ring is preferably a fused polycyclic ring in which two or more 4- to 8-membered rings are fused together, and fused polycyclic rings in which 2 or 3 rings selected from 5-membered rings and 6-membered rings are bonded together; A fused polycyclic ring in which one or two rings selected from membered rings and six-membered rings and one four-membered ring are bonded is more preferred.
  • the hetero atoms constituting the ring are preferably nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms, and more preferably nitrogen atoms and oxygen atoms.
  • the number of heteroatoms constituting the ring is preferably 3 or less. Furthermore, when the number of heteroatoms constituting the ring is two or more, these heteroatoms may be the same or different.
  • rings include the rings shown below, 1,3-cyclohexadiene ring, 1,4-cyclohexadiene ring, anthracene ring, cyclopropane ring, decahydronaphthalene ring, norbornene ring, norbornadiene ring, furan ring, Examples include a pyrrole ring, a thiophene ring, a pyrazine ring, a morpholine ring, an aziridine ring, an isoquinoline ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a pyran ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, and an indene ring.
  • the remaining bonds, if any, are bonded to hydrogen atoms or substituents.
  • any two of Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ), and -R 31 may be bonded to that one carbon atom.
  • Q a and Q b are bonded to different ring constituent atoms.
  • Each of the i R 31s may be bonded to a separate ring atom, or two of the i R 31s may be bonded to one ring carbon atom. There may be two or more ring-constituting carbon atoms to which two R 31s are bonded.
  • X 31 is a group having a carbon atom, a nitrogen atom, a silicon atom, a 4- to 8-valent organopolysiloxane residue, or a (h+i+1)-valent ring, from the viewpoint of improving the abrasion resistance of the surface treatment layer. is preferable, and a carbon atom or a silicon atom is more preferable.
  • Q b is a single bond or a divalent linking group.
  • divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O) -, -Si(R a ) 2 -, and a combination of two or more thereof.
  • R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group.
  • R d is a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms).
  • Examples of the divalent hydrocarbon group include a divalent saturated hydrocarbon group, a divalent aromatic hydrocarbon group, an alkenylene group, and an alkynylene group.
  • the divalent saturated hydrocarbon group may be linear, branched, or cyclic, and includes, for example, an alkylene group.
  • the carbon number of the divalent saturated hydrocarbon group (e.g. alkylene group) is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, and examples include 2, 3, 8, 9, and 11. .
  • the alkynylene group or alkenylene group preferably has 2 to 20 carbon atoms, and examples thereof include 2, 3, 8, 9, and 11 carbon atoms.
  • the divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 5 to 20 carbon atoms, such as a phenylene group.
  • groups combining two or more of the above include -OC(O)-, -C(O)O-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O )-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N( R d )-, -N(R d )SO 2 -, -C(O)N(R d )-, alkylene group having -N(R d )C(O)-, etheric oxygen an alkylene group having an atom, an alkylene group having -OC(O)-, an alkylene group having -C(O)O-, an alkylene group having -
  • R 31 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
  • h is an integer greater than or equal to 1
  • i is an integer greater than or equal to 0.
  • X 31 is a single bond or an alkylene group
  • h is 1 and i is 0.
  • X 31 is a nitrogen atom
  • h is an integer of 1 to 2
  • i is an integer of 0 to 1
  • X 31 is a carbon atom or a silicon atom
  • h is an integer of 1 to 3
  • i is an integer of 0 to 2
  • X 31 is a divalent to octavalent organopolysiloxane residue
  • h is an integer of 1 to 7
  • i is an integer of 0 to 6
  • X 31 is a group having a (h+i+1)-valent ring
  • h is an integer of 1 to 7
  • i is an integer of 0 to 6
  • two or more (-R 31 )s may be the same or different.
  • R 32 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of easy production of the compound.
  • the alkyl group a methyl group is preferred.
  • Q d is a single bond or an alkylene group.
  • the alkylene group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of easy production of the compound, Q d is preferably a single bond or -CH 2 -.
  • R 33 is a hydrogen atom or a halogen atom, and a hydrogen atom is preferable from the viewpoint of easy production of the compound.
  • y is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 6.
  • Two or more [CH 2 C(R 32 )(-Q d -Si(R) n L 3-n )] may be the same or different.
  • groups (3-1A-1) to (3-1A-7) are preferable.
  • -(O) s1 -Q b1 -Si(R) n L 3-n ...(3-1A-1) -(O) s2 -Q a2 -N [-Q b2 -Si(R) n L 3-n ] 2 ...(3-1A-2) -Q a3 -Si(R g ) [-Q b3 -Si(R) n L 3-n ] 2 ...(3-1A-3) -[O] s4 -Q a4 -(O) t4 -C[-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3-n ] 3-w1 (-R 31 ) w1 ...(3-1A- 4) -Q a5 -Si [-Q b5 -Si(R) n L 3-n ] 3 ...
  • s1 is 0 or 1.
  • Q b1 is an alkylene group.
  • the alkylene group may have -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group.
  • the alkylene group may have a plurality of groups selected from the group consisting of -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, and a dialkylsilylene group.
  • the alkylene group has -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b1 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • group (3-1A-1) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • Q a2 is a single bond, an alkylene group, -C(O)-, or an etheric oxygen atom between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, - C(O)-, -C(O)O-, -OC(O)-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N(R d )-, -N( R d ) is a group having SO 2 -, -C(O)N(R d )-, or -NH-.
  • the alkylene group represented by Q a2 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms.
  • Q a2 is -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 - , -CH 2 NHCH 2 CH 2 - from the viewpoint of easy production of the compound.
  • -CH 2 OC(O)CH 2 CH 2 -, or -C(O)- are preferred.
  • s2 is 0 or 1 (however, when Q a2 is a single bond, it is 0).
  • Q b2 is an alkylene group or a group having a divalent organopolysiloxane residue, an ether oxygen atom, or -NH- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b2 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the number of carbon atoms in the group having a divalent organopolysiloxane residue, ether oxygen atom or -NH- between carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b2 is 2 to 10. is preferable, and 2 to 6 are more preferable.
  • group (3-1A-2) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • ⁇ in (CH 2 ) ⁇ bonded to the reactive silyl group is an integer representing the number of methylene groups, preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, It may be from 2 to 10, or from 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, ⁇ may be 1 to 10.
  • a plurality of ⁇ 's contained in the same compound may be the same or different, but are preferably the same. For example, all of the plurality of ⁇ 's contained in the same compound are 2, 3, 8, 9, or 11. The same applies below.
  • Q a3 is an alkylene group which may have an ether oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
  • R g is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group. From the viewpoint of easy production of the compound, R g is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
  • the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably a methyl group.
  • Q b3 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b3 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the carbon number of the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms, represented by Q b3 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
  • Q b3 is preferably -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - from the viewpoint of easy production of the compound.
  • the two [-Q b3 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-3) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 1 to 10.
  • R 31 is as described above.
  • s4 is 0 or 1.
  • Q a4 is a single bond or an alkylene group which may have an ether oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
  • t4 is 0 or 1 (however, when Q a4 is a single bond, it is 0).
  • -Q a4 -(O) t4 - is -CH 2 O-, -CH 2 OCH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 O-, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 - are preferred (however, the left side is bonded to the silicon atom of SQ 8 ), and when s4 is 1, A single bond, -CH 2 -, and -CH 2 CH 2 - are preferred.
  • Q b4 is an alkylene group, and the alkylene group is -O-, -C(O)N(R d )- (the definition of R d is as described above), a silphenylene skeleton group, a divalent may have an organopolysiloxane residue or a dialkylsilylene group.
  • the alkylene group has -O- or a silphenylene skeleton group, it is preferable to have -O- or a silphenylene skeleton group between carbon atoms.
  • the terminal between carbon atoms or the side bonded to (O) u4 preferably has these groups.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b4 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the range may be from 1 to 10.
  • u4 is 0 or 1.
  • -(O) u4 -Q b4 - includes -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 from the viewpoint of easy production of the compound.
  • w1 is an integer from 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0. If there are two or more [-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3-n ], two or more [-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3- n ] may be the same or different. When there are two or more R 31 s, two or more (-R 31 )s may be the same or different.
  • group (3-1A-4) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 0 to 10.
  • Q a5 is an alkylene group or a (poly)oxyalkylene group which may have an etheric oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
  • Q a5 is -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , -CH 2 CH 2 from the viewpoint of easy production of the compound. 2 CH 2 - and OCH 2 CH 2 CH 2 - are preferred (however, the right side is bonded to Si).
  • Q b5 is a single bond, an alkylene group, or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b5 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the number of carbon atoms in the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b5 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable. From the viewpoint of easy production of the compound, Q b5 is preferably -CH 2 CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 - (provided that the right side is Si(R) n L 3- bond to n ).
  • the three [-Q b5 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-5) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 1 to 10.
  • v is 0 or 1.
  • Q a6 is an alkylene group which may have an etheric oxygen atom.
  • the alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6. From the viewpoint of easy production of the compound, Q a6 includes -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , and -CH 2 CH 2 CH 2 - is preferred (provided that the right side is bonded to Z a ).
  • Z a is a (w+1)-valent organopolysiloxane residue.
  • w2 is an integer from 2 to 7.
  • Examples of the (w2+1)-valent organopolysiloxane residue include the following groups. However, R a in the following formula is as described above.
  • Q b6 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b6 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
  • the carbon number of the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b6 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
  • Q b6 -CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 CH 2 - are preferable from the viewpoint of easy production of the compound.
  • w2 [-Q b6 -Si(R) n3 L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-6) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 1 to 10.
  • Z c is a (w3+w4+1)-valent hydrocarbon group.
  • w3 is an integer of 4 or more.
  • w4 is an integer greater than or equal to 0.
  • the definitions and preferred ranges of s4, Q a4 , t4, Q b4 and u4 are the same as the definitions of each symbol in group (3-1A-4).
  • Z c may consist of a hydrocarbon chain, may have an ether oxygen atom between carbon atoms of the hydrocarbon chain, and is preferably composed of a hydrocarbon chain.
  • the valence of Z c is preferably 5 to 20, more preferably 5 to 10, even more preferably 5 to 8, particularly preferably penta or hexavalent.
  • the number of carbon atoms in Z c is preferably 3 to 50, more preferably 4 to 40, even more preferably 5 to 30.
  • w3 is preferably 4 to 20, more preferably 4 to 16, even more preferably 4 to 8, and particularly preferably 4 or 5.
  • w4 is preferably 0 to 10, more preferably 0 to 8, even more preferably 0 to 6, particularly preferably 0 to 3, and most preferably 0 or 1.
  • two or more [-(O-Q b4 ) u4 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
  • group (3-1A-7) include the following groups.
  • * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
  • r represents an integer from 0 to 10.
  • Y 1 in formula (1) may be groups (g2-1) to (g2-7).
  • the A 1 side is connected to the silicon atom of SQ 8 , and the Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 or Q 26 side is [-Si(R) n L 3-n ].
  • a 1 is a single bond or -O-.
  • Q 11 is a single bond, -O-, an alkylene group, or a bond between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 -, or It is a group having O-.
  • Q 12 is a single bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
  • Q 13 is a single bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
  • Q 14 is Q 12 when the atom in Z 1 to which Q 14 is bonded is a carbon atom, and is Q 13 when the atom in Z 1 to which Q 14 is bonded is a nitrogen atom.
  • Q 15 is an alkylene group or a combination of an alkylene group and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
  • Q 22 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, an alkylene group A group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- at the end not connected to Si, or between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- at the end not connected to Si and -C(O)NR 6 -, -C(O) It is a group having -, -NR 6 - or O-, and when two or more
  • Q 23 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms; , two Q23s may be the same or different.
  • Q 24 is Q 22 when the atom in Z 1 to which Q 24 is bonded is a carbon atom, and is Q 23 when the atom in Z 1 to which Q 24 is bonded is a nitrogen atom, and two or more Q 24 exist. In this case, two or more Q24 's may be the same or different.
  • Q 25 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms; , Q 25 exists, two or more Q 25 may be the same or different.
  • Q 26 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms. .
  • Z 1 is a group having a (h2+1)-valent ring structure in which Q 14 has a carbon atom or nitrogen atom to which Q 14 is directly bonded, and Q 24 has a carbon atom or nitrogen atom to which Q 24 is directly bonded.
  • R e1 is a hydrogen atom or an alkyl group, and when two or more R e1s exist, two or more R e1s may be the same or different.
  • R e2 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or an acyloxy group.
  • R e3 is an alkyl group.
  • R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group.
  • d2 is an integer of 0 to 2, preferably 1 or 2.
  • d4 is an integer from 0 to 3, preferably 2 or 3.
  • d2+d4 is an integer from 1 to 5, preferably 4 or 5.
  • e2 is an integer from 1 to 3, preferably 2 or 3.
  • h2 is an integer of 1 or more, preferably 2 or 3.
  • i2 is an integer from 1 to 3, preferably 2 or 3.
  • i3 is 2 or 3.
  • the number of carbon atoms in the alkylene groups of Q 11 , Q 12 , Q 13 , Q 14 , Q 15 , Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 and Q 26 is determined from the viewpoint of excellent manufacturing ease of the compound and the surface treatment layer. From the viewpoint of even better wear resistance, the number is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, and may be 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10, 1 to 6, or 1 to 4. However, when the alkylene group has a specific bond between carbon atoms, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.
  • Examples of the ring structure in Z 1 include the ring structures described above, and preferred forms are also the same.
  • Q 14 and Q 24 are directly bonded to the ring structure in Z 1 , for example, an alkylene group is not connected to the ring structure and Q 14 or Q 24 is not connected to the alkylene group.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R e1 , R e2 or R e3 is preferably from 1 to 6, more preferably from 1 to 3, even more preferably from 1 to 2, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group portion of the acyloxy group of R e2 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • h2 is preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, and even more preferably 2 or 3, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound and further excellent wear resistance of the surface treatment layer.
  • Y 1 in formula (1) may be groups (g2-8) to (g2-14).
  • the A 1 side is connected to the silicon atom of SQ 8 , and the G 1 side is connected to [-Si(R) n L 3-n ].
  • G 1 is a group (g3), and two or more G 1s in Y 1 may be the same or different.
  • the symbols other than G 1 are the same as those in equations (g2-1) to (g2-7).
  • the Si side is connected to Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 and Q 26 , and the Q 3 side is connected to [-Si(R) n L 3-n ].
  • R 8 is an alkyl group.
  • Q 3 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, or (OSi(R 9 ) 2 ) p -O-, and two or more Q 3 may be the same or different.
  • k3 is 2 or 3.
  • R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group.
  • R 9 is an alkyl group, a phenyl group, or an alkoxy group, and two R 9s may be the same or different.
  • p is an integer from 0 to 5, and when p is 2 or more, two or more (OSi(R 9 ) 2 ) may be the same or different.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group of Q 3 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, more preferably 2 to 20, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound and from the viewpoint of further excellent wear resistance of the surface treatment layer. is more preferable, and may be from 2 to 10, or from 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10, 1 to 6, or 1 to 4. However, when the alkylene group has a specific bond between carbon atoms, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R 8 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group of R 9 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
  • the number of carbon atoms in the alkoxy group of R 9 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent storage stability of compound (1).
  • p is preferably 0 or 1.
  • Examples of the compound (1) include a compound (1) having the following Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g .
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-1) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-2) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-3) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-4) include the following structures. r represents an integer from 0 to 10.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-5) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-6) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-7) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-8) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-9) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-10) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-11) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-13) include the following structures.
  • Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-14) include the following structures.
  • silsesquioxane compound for example, the following compounds are preferred.
  • the definition and details of the monovalent hydrocarbon group are the same as the definition and details of the monovalent hydrocarbon group in formula (1).
  • the details of the silsesquioxane compound described above can be applied, except that the silsesquioxane skeleton is a complete cage-type silsesquioxane skeleton.
  • Examples of the cissesquioxane compound include compounds (3) and (4) in addition to compound (1).
  • the number of Si carbon atoms in SQ 10 and SQ 12 of compounds (3) and (4) is 10 and 12, respectively.
  • SQ 10 and SQ 12 of compounds (3) and (4) are preferably cage-shaped.
  • SQ 12 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(4)
  • SQ 12 is a silsesquioxane skeleton having 12 Si atoms
  • Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group
  • R is each independently a monovalent hydrocarbon group
  • L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group
  • n is each independently an integer from 0 to 2
  • g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more
  • m1 is an integer from 1 to 11
  • m2 is an integer from 1 to 11
  • m3 is an integer from 0 to 10
  • n1 is an integer from 0 to 5
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond
  • each symbol in formula (3) is as follows, except that SQ 10 is silsesquioxane having 10 Si atoms and m1+m2+m3 is 10. Same as details.
  • the ratio of m1 and m2 in formula (3) is preferably 1:9 to 9:1.
  • the specific embodiment of formula (3) is the same as the specific embodiment of formula (1) except for the above.
  • each symbol in formula (4) is as follows, except that SQ 12 is silsesquioxane having 12 Si atoms and m1+m2+m3 is 12. Same as details.
  • the ratio of m1 and m2 in formula (4) is preferably 1:11 to 11:1.
  • the specific embodiment of formula (4) is the same as the specific embodiment of formula (1) except for the above.
  • SQ 8 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1-1)
  • SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms
  • Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group
  • g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more, m1 is an integer from 1 to 7, m2 is an integer from 1 to 7, m3 is an integer from 0 to 6, m1+m2+m3 is 8,
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 11 (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
  • SQ 10 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(3-1)
  • SQ 10 is a silsesquioxane skeleton having 10 Si atoms
  • Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group
  • g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more, m1 is an integer from 1 to 9, m2 is an integer from 1 to 9, m3 is an integer from 0 to 8, m1+m2+m3 is 10, n1 is an integer from 0 to 5,
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 11 (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 10 .
  • SQ 12 is a silsesquioxane skeleton having 12 Si atoms
  • Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group
  • Q L is a single bond or a divalent linking group
  • g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more
  • m1 is an integer from 1 to 11
  • m2 is an integer from 1 to 11
  • m3 is an integer from 0 to 10
  • n1 is an integer from 0 to 5
  • R x is a monovalent organic group
  • Y 11 (CH 2 ) n1
  • R x each bond to the silicon atom in SQ 12 .
  • trifunctional or higher functional alkoxysilanes examples include tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane, n-octyltetraethoxysilane, triethoxymethylsilane, phenyltriethoxysilane, etc., and n-octyltetraethoxysilane and TEOS preferable.
  • TEOS tetraethoxysilane
  • tetramethoxysilane tetramethoxysilane
  • n-octyltetraethoxysilane triethoxymethylsilane
  • phenyltriethoxysilane etc.
  • n-octyltetraethoxysilane and TEOS preferable.
  • the composition of the present disclosure may contain silica particles from the viewpoint of improving film strength, low reflectivity, etc. when a surface treatment layer is formed.
  • silica particles porous silica particles are preferable, and examples thereof include hollow silica particles, mesoporous particles, and the like.
  • the shape of the silica particles is not particularly limited, and examples include powder, sol (colloidal silica), and the like.
  • colloidal silica it may be used as, for example, water-dispersible colloidal silica or organic solvent-dispersible colloidal silica such as alcohol.
  • the surface treatment agent of the present disclosure comprises a composition of the present disclosure. Since the composition of the present disclosure has the above-described structure, a surface treatment layer having excellent water repellency and abrasion resistance can be formed by using a surface treatment agent containing the composition of the present disclosure.
  • the article of the present disclosure includes a base material and a surface treatment layer surface treated with the surface treatment agent.
  • touch panel base materials As the base material, touch panel base materials, display base materials, and eyeglass lenses are suitable, and touch panel base materials are particularly suitable.
  • touch panel base materials As the material for the touch panel base material, glass or transparent resin is preferable.
  • the surface treatment layer may be provided directly on the surface of the base material, or a base layer may be provided between the base material and the surface treatment layer.
  • the article of the present disclosure includes a base material, a base layer disposed on the base material, and a surface treatment of the present disclosure disposed on the base layer. It is preferable to include a surface treatment layer whose surface is treated with an agent.
  • Group 1 elements, Group 2 elements, and Group 13 elements are preferable because the wear resistance of the surface treatment layer is better, and Group 1 elements and Group 2 elements are more preferable. , Group 1 elements are more preferred. As the specific element, only one type of element may be included, or two or more types of elements may be included.
  • the base layer may be a single layer or a multilayer.
  • the base layer may have an uneven surface.
  • the thickness of the underlayer is preferably 1 to 100 nm, more preferably 1 to 50 nm, and even more preferably 2 to 20 nm. If the thickness of the base layer is equal to or greater than the above lower limit, the adhesion of the surface treatment layer to the base layer will be further improved, and the wear resistance of the surface treatment layer will be more excellent. If the thickness of the base layer is below the above upper limit, the base layer itself will have excellent wear resistance.
  • the thickness of the base layer is measured by observing a cross section of the base layer using a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the base layer can be formed, for example, by a vapor deposition method using a vapor deposition material or a wet coating method.
  • the vapor deposition material used in the vapor deposition method preferably contains an oxide containing silicon and a specific element.
  • Specific examples of the form of the vapor deposition material include powder, molten body, sintered body, granulated body, and crushed body, and from the viewpoint of ease of handling, molten body, sintered body, and granulated body are preferable.
  • the melt means a solid obtained by melting the powder of the vapor deposition material at a high temperature and then cooling and solidifying the powder.
  • a sintered body means a solid obtained by firing a powder of a vapor deposition material, and if necessary, a molded body obtained by press-molding the powder may be used instead of a powder of a vapor deposition material.
  • the granule refers to a solid material obtained by kneading a powder of a vapor deposition material and a liquid medium (for example, water, an organic solvent) to obtain particles, and then drying the particles.
  • ⁇ Powders containing silicon e.g. powder of silicon oxide, silica sand, silica gel
  • powders containing specific elements e.g. powder of oxides of specific elements, carbonates, sulfates, nitrates, oxalic acid
  • a specific example of a vapor deposition method using a vapor deposition material includes a vacuum vapor deposition method.
  • the vacuum deposition method is a method in which a deposition material is evaporated in a vacuum chamber and adhered to the surface of a base material.
  • the temperature during vapor deposition (for example, the temperature of the boat in which the vapor deposition material is placed when using a vacuum vapor deposition apparatus) is preferably 100 to 3,000°C, more preferably 500 to 3,000°C.
  • the pressure during vapor deposition (for example, when using a vacuum vapor deposition apparatus, the pressure in the tank in which the vapor deposition material is placed) is preferably 1 Pa or less, more preferably 0.1 Pa or less.
  • one vapor deposition material may be used, or two or more vapor deposition materials containing different elements may be used.
  • a plurality of boats may be used, or all the evaporation materials may be placed in a single boat.
  • the vapor deposition method may be codeposition, alternate vapor deposition, or the like. Specifically, examples include mixing silica and a specific element source in the same boat, co-evaporating silica and a specific element source in separate boats, and alternately depositing silica and a specific element source in separate boats. can be mentioned.
  • the conditions, order, etc. of vapor deposition are appropriately selected depending on the structure of the underlying layer.
  • the base layer on the base material by a wet coating method using a coating liquid containing a compound containing silicon, a compound containing a specific element, and a liquid medium.
  • Specific examples of compounds containing specific elements include oxides of specific elements, alkoxides of specific elements, carbonates of specific elements, sulfates of specific elements, nitrates of specific elements, oxalates of specific elements, and water of specific elements. Examples include oxides.
  • an organic solvent is preferable.
  • organic solvents include compounds consisting only of hydrogen atoms and carbon atoms, and compounds consisting only of hydrogen atoms, carbon atoms, and oxygen atoms.
  • examples include hydrocarbon-based organic solvents, ketone-based organic solvents, and ethers.
  • examples include organic solvents based on organic solvents, organic solvents based on esters, organic solvents based on glycol, and organic solvents based on alcohol.
  • hydrocarbon organic solvents include pentane, hexane, heptane, octane, hexadecane, isohexane, isooctane, isononane, cycloheptane, cyclohexane, bicyclohexyl, benzene, toluene, ethylbenzene, o-xylene, m-xylene, Examples include p-xylene, o-diethylbenzene, m-diethylbenzene, p-diethylbenzene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, and tert-butylbenzene.
  • ketone organic solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-heptanone, 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one, and 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one. Examples include 3,5-trimethylcyclohexanone and isophorone.
  • ether organic solvents include diethyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane.
  • nitrogen-containing compounds include nitrobenzene, acetonitrile, benzonitrile, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
  • sulfur-containing compounds include carbon disulfide and dimethyl sulfoxide.
  • siloxane compound include hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, and decamethyltetrasiloxane.
  • the content of the liquid medium is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total amount of the coating liquid used to form the base layer.
  • wet coating methods for forming the base layer include spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet, flow coating, roll coating, Examples include the cast method, Langmuir-Blodgett method, and gravure coating method.
  • the drying temperature of the coating film is preferably 20 to 200°C, more preferably 80 to 160°C.
  • the article of the present disclosure is preferably an optical member.
  • optical components include medical devices such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game devices, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras.
  • medical devices such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game devices, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras.
  • Examples include personal appliances, copying machines, PCs, displays (eg, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.
  • the article is preferably a display or a touch panel.
  • a method for producing an article of the present disclosure is, for example, a method of surface-treating a base material using the surface treatment agent of the present disclosure to produce an article in which a surface-treated layer is formed on the base material.
  • surface treatment methods include spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet, flow coating, roll coating, casting, and Langmuir-Blodgett methods. , gravure coating method.
  • an operation may be performed to accelerate the reaction between the composition of the present disclosure and the base material, if necessary.
  • Such operations include heating, humidification, light irradiation, and the like.
  • a hydrolysis reaction of hydrolyzable groups, a reaction between hydroxyl groups, etc. on the surface of the base material and silanol groups, and a condensation reaction of silanol groups. can promote reactions such as the formation of siloxane bonds.
  • compounds in the surface treatment layer that are not chemically bonded to other compounds or the base material may be removed as necessary. Examples of the removal method include a method of pouring a solvent onto the surface treatment layer, a method of wiping with a cloth impregnated with a solvent, and the like.
  • SQL 8 represents a cage-shaped silsesquioxane skeleton having eight Si atoms.
  • Compound (III) is a compound in which a CH 2 OH group is bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -SiCl 3 is bonded to the remaining silicon atoms. .
  • compound (IV) was obtained by distilling off volatile components under reduced pressure.
  • Compound (V) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -SiCl to the remaining silicon atoms. 3 ] is a compound in which 3 is bonded.
  • Compound (VI) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -Si to the remaining silicon atoms. It is a compound in which (OCH 3 ) 3 ] 3 is bonded.
  • Example 6 The prepared compositions of Examples 1 to 5 were applied to a glass substrate by spin coating. The glass substrate obtained after heating at 120° C. for 2 hours was evaluated.
  • compound (VI) was deposited on a glass substrate under the following conditions. The vapor deposition was performed using a vacuum vapor deposition apparatus (manufactured by ULVAC, VTR350M) (vacuum vapor deposition method). 0.5 g of a 20% ethyl acetate solution of compound (VI) was filled into a molybdenum boat in a vacuum evaporation apparatus, and the inside of the vacuum evaporation apparatus was evacuated to 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • the boat containing the compound is heated at a temperature increase rate of 10°C/min or less, and when the deposition rate exceeds 1 nm/sec using a crystal oscillation film thickness meter, the shutter is opened to form a film on the surface of the substrate. started. When the film thickness reached approximately 50 nm, the shutter was closed to complete the film formation on the surface of the substrate.
  • the substrate on which the compound was deposited was heat-treated at 100° C. for 30 minutes to obtain an article having a surface-treated layer on the surface of the substrate.
  • the composition of the present disclosure is useful as a surface treatment agent.
  • the surface treatment agent can be used, for example, for substrates in display devices such as touch panel displays, optical elements, semiconductor elements, building materials, automobile parts, nanoimprint technology, and the like.
  • the surface treatment agent can be used for bodies, window glasses (windshields, side glasses, rear glasses), mirrors, bumpers, etc. of transportation equipment such as trains, automobiles, ships, and airplanes.
  • the surface treatment agent can be used for outdoor articles such as building exterior walls, tents, solar power generation modules, sound insulation boards, and concrete; fishing nets, insect nets, and aquariums.
  • surface treatment agents are used for medical applications such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game equipment, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras. It can be used for optical members such as appliances, copying machines, PCs, displays (for example, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.
  • medical applications such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game equipment, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras.
  • optical members such as appliances, copying machines, PCs, displays (for example, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.

Abstract

The present invention provides a composition comprising: one or more substances selected from the group consisting of a silsesquioxane compound, a hydrolysate thereof, and a partial condensation product thereof, said silsesquioxane compound including a silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group that binds to a silicon atom of the silsesquioxane skeleton either directly or via an alkylene group, and a plurality of reactive silyl groups that bond to a silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a linking group having a valence of three or higher; water; a solvent other than water; and an acid or an alkali. Also provided are: a compound for producing the silsesquioxane compound; a surface treatment agent comprising the composition; an article using the surface treatment agent; and a method for producing the article.

Description

組成物、化合物、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法Compositions, compounds, surface treatment agents, articles, and methods for producing articles
　本開示は、組成物、化合物、表面処理剤、物品、及び物品の製造方法に関する。 The present disclosure relates to compositions, compounds, surface treatment agents, articles, and methods of manufacturing articles.
　近年、外観、視認性等の性能を向上させるために、物品の表面に指紋を付きにくくしたり、汚れを落としやすくしたりする技術が求められている。具体的な方法として、物品の表面に表面処理剤を用いて表面処理を行う方法が知られている。例えば、特許文献１には、活性化させた基材上に、少なくとも１つのアルキル骨格単層、及びヒドロキシルかご型シルセスキオキサンナノ粒子を含む疎水性コーティングを堆積させて、基材上に耐指紋性コーティングを形成する方法が記載されている。特許文献２には、表面のコーティング用途に用いるためのアルコキシシリル基含有シルセスキオキサンが記載されている。 In recent years, in order to improve performance such as appearance and visibility, there has been a demand for technology that makes it difficult for fingerprints to form on the surface of articles and makes it easier to remove dirt. As a specific method, a method is known in which the surface of an article is subjected to surface treatment using a surface treatment agent. For example, U.S. Pat. A method of forming a fingerprint coating is described. Patent Document 2 describes an alkoxysilyl group-containing silsesquioxane for use in surface coating applications.
特開２０１８－２７５３１号公報JP2018-27531A 特開２０１９－１８９５６４号公報Japanese Patent Application Publication No. 2019-189564
　一方、表面処理剤には耐擦傷性、耐摩耗性等の観点からさらなる改良が求められている。かかる状況に鑑み、本開示は基材に良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を付与しうる組成物、前記組成物を調製するための化合物、前記組成物を含む表面処理剤、並びに前記表面処理剤を用いた物品及び物品の製造方法に関する。 On the other hand, surface treatment agents are required to be further improved in terms of scratch resistance, abrasion resistance, etc. In view of this situation, the present disclosure provides a composition that can impart good scratch resistance and abrasion resistance to a substrate, a compound for preparing the composition, a surface treatment agent containing the composition, and the surface treatment. The present invention relates to articles using the agent and methods for manufacturing the articles.
　上記課題を解決するための手段は、以下の態様を含む。
＜１＞　シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、
　水と、
　水以外の溶媒と、
　酸又はアルカリと、
を含む組成物。
＜２＞　前記シルセスキオキサン化合物が下記式（１）で表される、＜１＞に記載の組成物。
　ＳＱ８（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（１）
　式（１）中、
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
＜３＞　前記シルセスキオキサン骨格が、かご型のシルセスキオキサン骨格である、＜１＞又は＜２＞に記載の組成物。
＜４＞　前記シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率が１：７～７：１である、＜２＞に記載の組成物。
＜５＞　前記酸又はアルカリが、アルカリである、＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の組成物。
＜６＞　前記アルカリがアンモニウム化合物である、＜５＞に記載の組成物。
＜７＞　前記溶媒がアルコールである、＜１＞～＜６＞のいずれか１項に記載の組成物。
＜８＞　さらに、３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む、＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の組成物。
＜９＞　下記式（１－１）で表される化合物。
　ＳＱ８［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１－１）
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
＜１０＞　＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の組成物を含む表面処理剤。
＜１１＞　基材に対して、＜１０＞に記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。
＜１２＞　基材と、前記基材上に配置され、＜１０＞に記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。
＜１３＞　前記物品が光学部材である、＜１２＞に記載の物品。
＜１４＞　前記物品がディスプレイ又はタッチパネルである、＜１２＞に記載の物品。 Means for solving the above problems include the following aspects.
<1> A silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group bonded directly to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton or via an alkylene group, and a hydroxyl group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton through a trivalent or higher valent linking group. at least one selected from the group consisting of a silsesquioxane compound, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof, and a plurality of reactive silyl groups bonded together;
water and,
A solvent other than water,
acid or alkali;
A composition comprising.
<2> The composition according to <1>, wherein the silsesquioxane compound is represented by the following formula (1).
SQ 8 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1)
In formula (1),
SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms,
Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group,
R is each independently a monovalent hydrocarbon group,
L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group,
n is each independently an integer from 0 to 2,
g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 7,
m2 is an integer from 1 to 7,
m3 is an integer from 0 to 6,
m1+m2+m3 is 8,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
<3> The composition according to <1> or <2>, wherein the silsesquioxane skeleton is a cage-shaped silsesquioxane skeleton.
<4> The composition according to <2>, wherein the ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is 1:7 to 7:1.
<5> The composition according to any one of <1> to <4>, wherein the acid or alkali is an alkali.
<6> The composition according to <5>, wherein the alkali is an ammonium compound.
<7> The composition according to any one of <1> to <6>, wherein the solvent is alcohol.
<8> The compound according to any one of <1> to <7>, further comprising at least one selected from the group consisting of a trifunctional or higher-functional alkoxysilane, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof. Composition.
<9> A compound represented by the following formula (1-1).
SQ 8 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1-1)
SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms,
Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group,
B is each independently -Q L -CH=CH 2 , where Q L is a single bond or a divalent linking group,
g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 7,
m2 is an integer from 1 to 7,
m3 is an integer from 0 to 6,
m1+m2+m3 is 8,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 11 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
<10> A surface treatment agent comprising the composition according to any one of <1> to <8>.
<11> A method for manufacturing an article, comprising performing a surface treatment on a base material using the surface treatment agent described in <10> to manufacture an article having a surface treatment layer formed on the base material.
<12> An article comprising a base material and a surface treatment layer disposed on the base material and surface treated with the surface treatment agent according to <10>.
<13> The article according to <12>, wherein the article is an optical member.
<14> The article according to <12>, wherein the article is a display or a touch panel.
　本開示によれば、基材に良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を付与しうる組成物、前記組成物を調製するための化合物、前記組成物を含む表面処理剤、並びに前記表面処理剤を用いた物品及び物品の製造方法が提供される。 According to the present disclosure, a composition capable of imparting good scratch resistance and abrasion resistance to a substrate, a compound for preparing the composition, a surface treatment agent containing the composition, and a surface treatment agent comprising the composition. Articles used and methods for manufacturing the articles are provided.
　以下、本開示の実施形態を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本開示の実施形態は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本開示の実施形態を制限するものではない。 Hereinafter, modes for carrying out embodiments of the present disclosure will be described in detail. However, the embodiments of the present disclosure are not limited to the following embodiments. In the following embodiments, the constituent elements (including elemental steps and the like) are not essential unless otherwise specified. The same applies to numerical values and their ranges, and they do not limit the embodiments of the present disclosure.
　本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
　本開示において「～」を用いて示された数値範囲には、「～」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
　本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
　本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
　「表面処理層」とは、基材の表面に、表面処理によって形成される層を意味する。
　本開示において、化合物又は基が特定の式（Ｘ）で表される場合、当該式（Ｘ）で表される化合物又は基をそれぞれ化合物（Ｘ）及び基（Ｘ）と記すことがある。
　本開示において、反応性シリル基を有する化合物の「部分縮合物」とは、溶媒中で、酸又はアルカリと水の存在下、前記化合物が有する反応性シリル基の全部又は一部が加水分解し、次いで脱水縮合することにより生成するオリゴマー（多量体）をいう。「部分縮合物」は１種の化合物の縮合物であってもよく、２種以上の化合物の縮合物であってもよい。例えば、「化合物Ｘの部分縮合物」は、化合物Ｘ同士の縮合物であってもよく、化合物Ｘと他の化合物との縮合物であってもよい。
　本開示において、（ポリ）オキシアルキレン基とは、オキシアルキレン基又はポリオキシアルキレン基を表す。 In this disclosure, the term "step" includes not only a step that is independent from other steps, but also a step that cannot be clearly distinguished from other steps, as long as the purpose of the step is achieved. .
In the present disclosure, numerical ranges indicated using "~" include the numerical values written before and after "~" as minimum and maximum values, respectively.
In the present disclosure, each component may contain multiple types of corresponding substances. If there are multiple types of substances corresponding to each component in the composition, the content rate or content of each component is the total content rate or content of the multiple types of substances present in the composition, unless otherwise specified. means quantity.
In this disclosure, the term "layer" or "film" refers to the case where the layer or film is formed only in a part of the region, in addition to the case where the layer or film is formed in the entire region when observing the region where the layer or film is present. This also includes cases where it is formed.
"Surface treatment layer" means a layer formed on the surface of a base material by surface treatment.
In the present disclosure, when a compound or group is represented by a specific formula (X), the compound or group represented by the formula (X) may be referred to as a compound (X) and a group (X), respectively.
In the present disclosure, a "partial condensate" of a compound having a reactive silyl group means that all or part of the reactive silyl group of the compound is hydrolyzed in the presence of an acid or alkali and water in a solvent. refers to oligomers (multimers) produced by subsequent dehydration condensation. The "partial condensate" may be a condensate of one type of compound, or a condensate of two or more types of compounds. For example, the "partial condensate of compound X" may be a condensate of compounds X with each other, or a condensate of compound X with another compound.
In the present disclosure, the (poly)oxyalkylene group represents an oxyalkylene group or a polyoxyalkylene group.
［組成物］
　本開示の組成物は、シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物（以下、単に「シルセスキオキサン化合物」とも記す。）、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、水と、水以外の溶媒と、酸又はアルカリと、を含む。
　本開示の組成物を用いて基材表面の表面処理を行うと、驚くべきことに基材表面の耐擦傷性及び耐摩耗性に優れることが見出された。この理由は明らかではないが、シルセスキオキサン化合物が反応性シリル基を有し、ゾルゲル反応により三次元網目構造を形成することにより、表面処理された基材の表面硬度が上がり、耐擦傷性が向上すると考えられる。さらに、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に複数の反応性シリル基が結合していることにより、基材との結合が強固になり、耐摩耗性が向上すると考えられる。また、本開示の組成物は、シルセスキオキサン化合物を含むため、親油性に優れ、低指紋視認性に優れる傾向にある。 [Composition]
The composition of the present disclosure includes a silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group bonded directly to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton or via an alkylene group, and a hydroxyl group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton with a valence of 3 or more. Consisting of a silsesquioxane compound (hereinafter also simply referred to as a "silsesquioxane compound") containing multiple reactive silyl groups bonded via a linking group, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof At least one selected from the group consisting of water, a solvent other than water, and an acid or alkali.
It has been surprisingly found that when the surface of a substrate is treated using the composition of the present disclosure, the surface of the substrate has excellent scratch resistance and abrasion resistance. The reason for this is not clear, but the silsesquioxane compound has a reactive silyl group and forms a three-dimensional network structure through a sol-gel reaction, which increases the surface hardness of the surface-treated substrate and improves scratch resistance. It is thought that this will improve. Furthermore, it is thought that the presence of a plurality of reactive silyl groups bonded to the silicon atoms of the silsesquioxane skeleton strengthens the bond with the base material and improves wear resistance. Further, since the composition of the present disclosure contains a silsesquioxane compound, it tends to have excellent lipophilicity and low fingerprint visibility.
＜シルセスキオキサン化合物＞
　シルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含む。シルセスキオキサンとは、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ）を単位とする主鎖骨格を有し、式（ＲＳｉＯ１．５）ｎ（式中、Ｒは有機基を表し、ｎは整数を表す。）で表される構造を基本骨格とする化合物の総称である。シルセスキオキサン骨格は、かご型、はしご型、ランダム構造等の種々の構造を有し得、耐擦傷性及び耐摩耗性を向上する観点からは、かご型が好ましい。シルセスキオキサン骨格が、かご型の構造を有する場合、シルセスキオキサン骨格は完全かご型の構造を有してもよく、不完全かご型の構造を有してもよく、耐擦傷性及び耐摩耗性を向上する観点からは、完全かご型の構造を有することが好ましい。シルセスキオキサン化合物がかご型の構造を有する場合、基本骨格中のＳｉ原子数は８、１０、又は１２個が好ましく、８個がより好ましい。シルセスキオキサン化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 <Silsesquioxane compound>
The silsesquioxane compound has a silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group bonded directly to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton or via an alkylene group, and a hydroxyl group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton with a valence of 3 or more. and a plurality of reactive silyl groups bonded via a linking group. Silsesquioxane has a main chain skeleton composed of siloxane bonds (Si—O), and has the formula (RSiO 1.5 ) n (wherein, R represents an organic group and n represents an integer. ) is a general term for compounds whose basic skeleton is the structure represented by The silsesquioxane skeleton can have various structures such as a cage shape, a ladder shape, and a random structure, and the cage shape is preferable from the viewpoint of improving scratch resistance and abrasion resistance. When the silsesquioxane skeleton has a cage structure, the silsesquioxane skeleton may have a complete cage structure or an incomplete cage structure, and the silsesquioxane skeleton may have a cage structure. From the viewpoint of improving wear resistance, it is preferable to have a complete cage structure. When the silsesquioxane compound has a cage structure, the number of Si atoms in the basic skeleton is preferably 8, 10, or 12, and more preferably 8. One type of silsesquioxane compound may be used alone, or two or more types may be used in combination.
　シルセスキオキサン化合物はハロゲン原子（例えばフッ素原子）を含んでいても含んでいなくてもよい。一態様において、環境負荷の低減の観点からは、シルセスキオキサン化合物はハロゲン原子（例えばフッ素原子）を含まないことが好ましい。 The silsesquioxane compound may or may not contain a halogen atom (for example, a fluorine atom). In one embodiment, from the viewpoint of reducing environmental impact, it is preferable that the silsesquioxane compound does not contain a halogen atom (eg, a fluorine atom).
　シルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基を含む。シルセスキオキサン化合物１分子中の前記水酸基の数は、１以上であり、１～７が好ましい。 The silsesquioxane compound contains a hydroxyl group bonded directly or via an alkylene group to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton. The number of hydroxyl groups in one molecule of the silsesquioxane compound is 1 or more, preferably 1 to 7.
　シルセスキオキサン化合物は、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基を含む。シルセスキオキサン骨格の１つのケイ素原子に結合する複数の反応性シリル基の数は、２～１５が好ましく、２～９がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。シルセスキオキサン化合物１分子中の反応性シリル基の数は、２～６０が好ましく、２～３６がより好ましく、２～１２がさらに好ましく、２～９が特に好ましく、２又は３が最も好ましい。複数の反応性シリル基の構造は同じであっても互いに異なっていてもよい。 The silsesquioxane compound contains a plurality of reactive silyl groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group. The number of reactive silyl groups bonded to one silicon atom of the silsesquioxane skeleton is preferably 2 to 15, more preferably 2 to 9, and even more preferably 2 or 3. The number of reactive silyl groups in one molecule of the silsesquioxane compound is preferably 2 to 60, more preferably 2 to 36, even more preferably 2 to 12, particularly preferably 2 to 9, and most preferably 2 or 3. . The structures of the plurality of reactive silyl groups may be the same or different from each other.
　反応性シリル基とは、Ｓｉ原子に反応性基が結合した基を意味する。反応性基としては、加水分解性基又は水酸基が好ましい。 A reactive silyl group means a group in which a reactive group is bonded to a Si atom. The reactive group is preferably a hydrolyzable group or a hydroxyl group.
　加水分解性基とは、加水分解反応により水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ－Ｌで表される加水分解性を有するシリル基は、加水分解反応によりＳｉ－ＯＨで表されるシラノール基となる。シラノール基は、さらにシラノール基間で反応してＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面に存在する酸化物に由来するシラノール基と脱水縮合反応して、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成できる。加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、及びイソシアナト基（－ＮＣＯ）が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。ただし、アリールオキシ基のアリール基は、ヘテロアリール基を含む。ハロゲン原子は、塩素原子が好ましい。アシル基は、炭素数１～６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基は、炭素数１～６のアシルオキシ基が好ましい。 A hydrolyzable group is a group that becomes a hydroxyl group through a hydrolysis reaction. That is, the hydrolyzable silyl group represented by Si-L becomes a silanol group represented by Si-OH through a hydrolysis reaction. The silanol groups further react among themselves to form Si--O--Si bonds. Further, the silanol group can undergo a dehydration condensation reaction with a silanol group derived from an oxide present on the surface of the base material to form a Si--O--Si bond. Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group, an aryloxy group, a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, and an isocyanato group (-NCO). The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. However, the aryl group of the aryloxy group includes a heteroaryl group. The halogen atom is preferably a chlorine atom. The acyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms. The acyloxy group is preferably an acyloxy group having 1 to 6 carbon atoms.
　均一な膜を作製しやすく、耐久性に優れる観点からは、反応性シリル基としてはアルコキシシリル基又はトリクロロシリル基が好ましい。基材との反応において生じる副生物の取り扱いやすさの観点から、反応性シリル基は、アルコキシシリル基がより好ましい。アルコキシシリル基としてはジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基が好ましく、トリアルコキシシリル基がより好ましい。 From the viewpoint of easy production of a uniform film and excellent durability, the reactive silyl group is preferably an alkoxysilyl group or a trichlorosilyl group. From the viewpoint of ease of handling by-products produced in the reaction with the base material, the reactive silyl group is more preferably an alkoxysilyl group. The alkoxysilyl group is preferably a dialkoxysilyl group or a trialkoxysilyl group, and more preferably a trialkoxysilyl group.
　反応性シリル基としては、下記式（２）で表される基が好ましい。
　－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ　　（２）
　式（２）中、Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、ｎは０～２の整数である。 As the reactive silyl group, a group represented by the following formula (2) is preferable.
-Si(R) n L 3-n (2)
In formula (2), R is each independently a monovalent hydrocarbon group, L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group, and n is an integer from 0 to 2.
　複数の基（２）は、同じであっても異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性に優れる観点からは、複数の基（２）は、同じであることが好ましい。 The plurality of groups (2) may be the same or different. From the viewpoint of excellent availability of raw materials and ease of manufacturing the compound, it is preferable that the plurality of groups (2) are the same.
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、１価の飽和炭化水素基が好ましい。Ｒの炭素数は、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。 Each R is independently a monovalent hydrocarbon group, preferably a monovalent saturated hydrocarbon group. The number of carbon atoms in R is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2.
　なかでも、Ｌは、化合物の製造容易性に優れる観点から、アルコキシ基（好ましくは炭素数１～４のアルコキシ基）又はハロゲン原子が好ましい。Ｌは、塗布時のアウトガスが少なく、化合物の保存安定性がより優れる観点から、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。化合物の長期の保存安定性が必要な場合には、Ｌは、エトキシ基がより好ましい。塗布後の反応時間を短時間とする場合には、Ｌは、メトキシ基がより好ましい。式（２）において、Ｌの少なくとも１つが上記基であることが好ましく、Ｌのすべてが上記基であることがより好ましい。 Among these, L is preferably an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms) or a halogen atom from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound. L is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms from the viewpoint of less outgassing during coating and better storage stability of the compound. When long-term storage stability of the compound is required, L is more preferably an ethoxy group. When the reaction time after coating is to be shortened, L is more preferably a methoxy group. In formula (2), it is preferable that at least one of the L's is the above-mentioned group, and it is more preferable that all of the L's are the above-mentioned groups.
　ｎは、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。本開示の組成物を表面処理剤に用いる場合、Ｌが複数存在することによって、表面処理層の基材への密着性がより強固になる。
　ｎが１以下である場合、１分子中に存在する複数のＬは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性に優れる観点から、複数のＬは同じであることが好ましい。ｎが２である場合、１分子中に存在する複数のＲは同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。原料の入手容易性、及び、化合物の製造容易性に優れる観点から、複数のＲは同じであることが好ましい。 n is an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0. When the composition of the present disclosure is used as a surface treatment agent, the presence of a plurality of L's makes the adhesion of the surface treatment layer to the base material stronger.
When n is 1 or less, the plurality of L's present in one molecule may be the same or different from each other. From the viewpoint of excellent availability of raw materials and ease of manufacturing the compound, it is preferable that the plurality of L's are the same. When n is 2, multiple R's present in one molecule may be the same or different from each other. From the viewpoint of excellent availability of raw materials and ease of manufacturing the compound, it is preferable that a plurality of R's are the same.
　シルセスキオキサン骨格のケイ素原子と複数の反応性シリル基とを連結する３価以上の連結基は、本開示の目的を損なわない基であればよく、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、及び環状基からなる群より選択される少なくとも１つの分岐部と２価の連結基との組み合わせ等が挙げられる。
　２価の連結基としては、後述するシルセスキオキサン骨格に結合する２価の連結基が挙げられる。
　前記３価以上の連結基としては、後述の式（１）のＹ１として説明される連結基も挙げられる。 The trivalent or higher-valent linking group that connects the silicon atom of the silsesquioxane skeleton and the plurality of reactive silyl groups may be any group that does not impair the purpose of the present disclosure, and may include carbon atoms, nitrogen atoms, silicon atoms, and Examples include a combination of at least one branch selected from the group consisting of cyclic groups and a divalent linking group.
Examples of the divalent linking group include a divalent linking group bonded to the silsesquioxane skeleton described below.
Examples of the trivalent or higher-valent linking group include a linking group explained as Y 1 in formula (1) below.
　シルセスキオキサン化合物は、「シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基」に該当する構造が少なくとも１つ含まれていればよく、「シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に２価の連結基を介して結合する１つの反応性シリル基」に該当する構造が含まれていてもよい。
　２価の連結基としては、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－、及びこれらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ただし、シルセスキオキサン化合物のケイ素原子には、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、又は－Ｓｉ（Ｒａ）２－は直接結合しない。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）又はフェニル基であり、Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
　２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基等が挙げられる。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。
　２価の飽和炭化水素基（例えばアルキレン基）の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。それ以外にも、２価の炭化水素基は、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
　前記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、又は－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－を有するアルキレン基が挙げられる。
　一態様において、２価の連結基としては、－Ｏ－アルキレン基が好ましい。 The silsesquioxane compound only needs to contain at least one structure corresponding to "a plurality of reactive silyl groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group", A structure corresponding to "one reactive silyl group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a divalent linking group" may be included.
Examples of divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O)-, Examples thereof include -Si(R a ) 2 - and a combination of two or more thereof. However, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O)-, or -Si(R a ) 2 - does not directly bond to the silicon atom of the silsesquioxane compound. . Here, R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group, and R d is a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms).
Examples of the divalent hydrocarbon group include a divalent saturated hydrocarbon group, a divalent aromatic hydrocarbon group, an alkenylene group, and an alkynylene group. The divalent saturated hydrocarbon group may be linear, branched, or cyclic, and includes, for example, an alkylene group.
The carbon number of the divalent saturated hydrocarbon group (for example, alkylene group) is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, and may be 2 to 6. There may be. Furthermore, the divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 5 to 20 carbon atoms, such as a phenylene group. In addition, the divalent hydrocarbon group may be an alkenylene group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynylene group having 2 to 20 carbon atoms.
Examples of groups combining two or more of these include -OC(O)-, -C(O)O-, -C(O)S-, -C(O)N(R d )-, - N(R d )C(O)-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N(R d )-, or -N(R d )SO 2 -.
In one embodiment, the divalent linking group is preferably an -O-alkylene group.
　好ましい一態様において、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子には、直接又はアルキレン基を介して水酸基又は「シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基」のみが結合されていてもよい。 In a preferred embodiment, the silicon atom of the silsesquioxane skeleton has a hydroxyl group directly or via an alkylene group, or a plurality of reactive groups bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group. Only "silyl group" may be bonded.
　シルセスキオキサン化合物は、耐擦傷性及び耐摩耗性に優れる観点から、下記式（１）で表される化合物が好ましい。
　ＳＱ８（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１）
　式（１）中、
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。 The silsesquioxane compound is preferably a compound represented by the following formula (1) from the viewpoint of excellent scratch resistance and abrasion resistance.
SQ 8 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1)
In formula (1),
SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms,
Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group,
R is each independently a monovalent hydrocarbon group,
L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group,
n is each independently an integer from 0 to 2,
g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 7,
m2 is an integer from 1 to 7,
m3 is an integer from 0 to 6,
m1+m2+m3 is 8,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
　式（１）中、ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格である。シルセスキオキサン骨格の詳細は、前述の事項が適用できる。化合物（１）のＳＱ８はかご型であることが好ましい。 In formula (1), SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms. For details of the silsesquioxane skeleton, the above-mentioned matters can be applied. SQ 8 of compound (1) is preferably cage-shaped.
　式（１）中、Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基である。Ｙ１はＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
　Ｙ１としては、本開示の効果を損なわない基であればよく、例えば、上述した、シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に結合する２価の連結基（ｇが１の場合）又は３価以上の連結基（ｇが２以上の場合）として説明した基が挙げられる。
　Ｙ１としては、後述する式（３－１Ａ）、式（３－１Ｂ）、及び式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）から－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎを除いた基も挙げられる。
　また、Ｙ１は、後述する基（ｇ２－１）～基（ｇ２－１４）であってもよい。 In formula (1), each Y 1 is independently a (g+1)-valent linking group. Y 1 bonds to the silicon atom in SQ 8 .
Y 1 may be any group that does not impair the effects of the present disclosure, for example, the above-mentioned divalent linking group bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton (when g is 1) or trivalent or more Examples of the linking group (when g is 2 or more) include the groups described above.
As Y 1 , -Si(R) n L 3-n is obtained from formula (3-1A), formula (3-1B), and formulas (3-1A-1) to (3-1A-7) described later. Also included are excluded groups.
Further, Y 1 may be groups (g2-1) to (g2-14) described below.
　式（１）中、［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］の詳細は、基（２）の詳細と同じである。シルセスキオキサン化合物中の複数の［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は同じであっても互いに異なっていてもよい。 In formula (1), the details of [Si(R) n L 3-n ] are the same as the details of group (2). A plurality of [Si(R) n L 3-n ] in the silsesquioxane compound may be the same or different from each other.
　式（１）中、ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数である。ｇはそれぞれ独立に２～１５の整数が好ましく、２～９の整数がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。化合物（１）中のｇの合計は、２～６０が好ましく、２～３６がより好ましく、２～１２がさらに好ましく、２～９が特に好ましく、２又は３が最も好ましい。 In formula (1), each g is independently an integer of 1 or more, and at least one g is an integer of 2 or more. g is each independently preferably an integer of 2 to 15, more preferably an integer of 2 to 9, even more preferably 2 or 3. The total g in compound (1) is preferably 2 to 60, more preferably 2 to 36, even more preferably 2 to 12, particularly preferably 2 to 9, and most preferably 2 or 3.
　式（１）中、ｇが２以上の整数である（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）の個数割合は、ｍ１個のうち、５０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、１００％がさらに好ましい。 In formula (1), the number ratio of (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) in which g is an integer of 2 or more is preferably 50% or more, and 80% or more of m1 pieces. More preferably, 100% is even more preferable.
　式（１）中、ｍ１は１～７の整数であり、ｍ２は１～７の整数であり、ｍ３は０～６の整数であり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８である。ｍ１は２～６でもよく、３～５でもよい。ｍ２は２～６でもよく、３～５でもよい。ｍ３は０～６が好ましく、０～４がより好ましく、０～２がさらに好ましく、０が特に好ましい。 In formula (1), m1 is an integer from 1 to 7, m2 is an integer from 1 to 7, m3 is an integer from 0 to 6, and m1+m2+m3 is 8. m1 may be 2 to 6 or 3 to 5. m2 may be 2-6 or 3-5. m3 is preferably 0 to 6, more preferably 0 to 4, even more preferably 0 to 2, and particularly preferably 0.
　シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率は１：７～７：１が好ましく、２：６～６：２でもよく、３：５～５：３でもよい。なお、反応性シリル基がシラノール基（－Ｓｉ－ＯＨ）を含む場合、前記「シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率」とは、シルセスキオキサン化合物１分子中の、（水酸基に結合するシルセスキオキサン骨格のケイ素原子の個数）：（反応性シリル基に結合するシルセスキオキサン骨格のケイ素原子の個数）を表す。　
　前記比率は、例えば、シルセスキオキサン化合物の合成において、ｍ１とｍ２の比率が前記範囲となるように、中間体となる水酸基を含むシルセスキオキサン化合物と反応性シリル基を付加するための化合物とのモル比を調整することにより得られる。 The ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is preferably 1:7 to 7:1, may be 2:6 to 6:2, or may be 3:5 to 5:3. In addition, when the reactive silyl group contains a silanol group (-Si-OH), the above-mentioned "ratio of m1 and m2 in the silsesquioxane compound" refers to (Number of silicon atoms in the silsesquioxane skeleton): (Number of silicon atoms in the silsesquioxane skeleton bonded to the reactive silyl group).
For example, in the synthesis of a silsesquioxane compound, the ratio between m1 and m2 is set to be within the above range, and a silsesquioxane compound containing an intermediate hydroxyl group and a reactive silyl group are added to each other. It can be obtained by adjusting the molar ratio with the compound.
　式（１）中、ｎ１は０～５の整数であり、１～３が好ましく、１がより好ましい。 In formula (1), n1 is an integer of 0 to 5, preferably 1 to 3, and more preferably 1.
　式（１）中、Ｒｘは１価の有機基である。Ｒｘが存在する場合、ＲｘはＳＱ８中のケイ素原子と結合する。１価の有機基としては、炭化水素基、アルコキシ基等が挙げられる。
　前記炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられ、炭素数１～１０の直鎖又は分岐炭化水素基、炭素数３～１０の環状炭化水素基、炭素数６～２０の芳香族炭化水素基、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される基が好ましい。前記炭化水素基はハロゲン原子（例えばフッ素原子）で置換されていてもよく、環境負荷の低減の観点からは、ハロゲン原子（例えばフッ素原子）で置換されていないことが好ましい。
　前記アルコキシ基としては、前記炭化水素基として例示した基に酸素原子が結合した基が挙げられる。ただし、前記酸素原子はＳＱ８中のケイ素原子と結合する。
　前記炭化水素基としては、－ＣＨ３、－ＣＨ２ＣＨ３、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＣＨ（ＣＨ３）２、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３、－Ｃ（ＣＨ３）３、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、－ＯＣＨ３、－ＯＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣＨ（ＣＨ３）２、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２、－ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ３、－ＯＣ（ＣＨ３）３、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、及び下記群（Ａ）からなる群より選択される基が挙げられる。以下の構造式において、波線はＳＱ８のケイ素原子との結合部を表す。 In formula (1), R x is a monovalent organic group. If R x is present, R x bonds to the silicon atom in SQ 8 . Examples of the monovalent organic group include a hydrocarbon group and an alkoxy group.
Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group, including a straight chain or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, and a cyclic hydrocarbon group having 6 carbon atoms. Groups selected from the group consisting of -20 aromatic hydrocarbon groups, and combinations thereof are preferred. The hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom), and from the viewpoint of reducing environmental load, it is preferable that it is not substituted with a halogen atom (for example, a fluorine atom).
Examples of the alkoxy group include groups in which an oxygen atom is bonded to the group exemplified as the hydrocarbon group. However, the oxygen atom is bonded to the silicon atom in SQ8 .
The hydrocarbon groups include -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 3 , -CH(CH 3 ) 2 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CH 2 CH(CH 3 ) 2 , -CH(CH 3 )CH 2 CH 3 , -C(CH 3 ) 3 , -CH 2 CH 2 CF 3 , -OCH 3 , -OCH 2 CH 3 , -OCH 2 CH 2 CH 3 , -OCH ( CH3 ) 2 , -OCH2CH2CH2CH3 , -OCH2CH ( CH3 ) 2 , -OCH( CH3 ) CH2CH3 , -OC ( CH3 ) 3 , -OCH2CH2 Examples include CF 3 and a group selected from the group consisting of the following group (A). In the structural formula below, the wavy line represents the bond of SQ 8 to the silicon atom.
　式（１）におけるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇで表される基としては、基（３－１Ａ）又は基（３－１Ｂ）が好ましい。 The group represented by Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in formula (1) is preferably group (3-1A) or group (3-1B).
　－Ｑａ－Ｘ３１（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）ｈ（－Ｒ３１）ｉ　　…（３－１Ａ）
　－Ｑｃ－［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］ｙ－Ｒ３３　　…（３－１Ｂ）
　式（３－１Ａ）及び式（３－１Ｂ）中、Ｒ、Ｌ、及びｎの定義は、上述した通りである。 -Q a -X 31 (-Q b -Si(R) n L 3-n ) h (-R 31 ) i ...(3-1A)
-Q c -[CH 2 C(R 32 ) (-Q d -Si(R) n L 3-n )] y -R 33 ... (3-1B)
In formula (3-1A) and formula (3-1B), the definitions of R, L, and n are as described above.
　式（３－１Ａ）において、
　Ｑａは、単結合又は２価の連結基であり、
　Ｘ３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基であり、
　Ｑｂは、単結合又は２価の連結基であり、
　Ｒ３１は、水素原子、水酸基又はアルキル基であり、
　ｈは１以上の整数であり、ｉは０以上の整数であり、
　Ｒ、Ｌ、及びｎの定義及び具体例は、反応性シリル基内の各符号の定義及び具体例と同じである。
　ただし、Ｑａ、Ｘ３１、及びＱｂ全てが単結合となることはない。すなわち、式（３－１Ａ）において、Ｑａが単結合であり、かつ、Ｘ３１が単結合であり、かつ、Ｑｂが単結合であること、はない。 In formula (3-1A),
Q a is a single bond or a divalent linking group,
X 31 is a group having a single bond, an alkylene group, a carbon atom, a nitrogen atom, a silicon atom, a 2- to 8-valent organopolysiloxane residue, or a (h+i+1)-valent ring,
Q b is a single bond or a divalent linking group,
R 31 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group,
h is an integer of 1 or more, i is an integer of 0 or more,
The definitions and specific examples of R, L, and n are the same as the definitions and specific examples of each symbol in the reactive silyl group.
However, Q a , X 31 , and Q b are not all single bonds. That is, in formula (3-1A), Q a is a single bond, X 31 is a single bond, and Q b is not a single bond.
　式（３－１Ｂ）において、
　Ｑｃは、単結合又は２価の連結基であり、
　Ｒ３２は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基であり、
　Ｑｄは、単結合又はアルキレン基であり、
　Ｒ３３は、水素原子又はハロゲン原子であり、
　ｙは、１～１０の整数であり、
　Ｒ、Ｌ、及びｎの定義及び具体例は、反応性シリル基内の各符号の定義及び具体例と同じである。 In formula (3-1B),
Q c is a single bond or a divalent linking group,
R 32 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
Q d is a single bond or an alkylene group,
R 33 is a hydrogen atom or a halogen atom,
y is an integer from 1 to 10,
The definitions and specific examples of R, L, and n are the same as the definitions and specific examples of each symbol in the reactive silyl group.
　Ｑａは、単結合又は２価の連結基である。
　２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－及び、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ただし、ＱａのＳＱ８側末端は、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、又は－Ｓｉ（Ｒａ）２－ではない。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）、又はフェニル基である。上記Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
　上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基等が挙げられる。
　２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
　２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。
　２価の炭化水素基は、炭素数２～２０のアルケニレン基、炭素数２～２０のアルキニレン基であってもよい。
　上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、又は－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－を有するアルキレン基が挙げられる。 Q a is a single bond or a divalent linking group.
Examples of divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O) -, -Si(R a ) 2 -, and a combination of two or more thereof. However, the SQ 8 end of Q a is not -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O)-, or -Si(R a ) 2 -. Here, R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group. The above R d is a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms).
Examples of the divalent hydrocarbon group include a divalent saturated hydrocarbon group, a divalent aromatic hydrocarbon group, an alkenylene group, and an alkynylene group.
The divalent saturated hydrocarbon group may be linear, branched, or cyclic, and includes, for example, an alkylene group. The number of carbon atoms in the divalent saturated hydrocarbon group is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, even more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 3.
The divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 5 to 20 carbon atoms, such as a phenylene group.
The divalent hydrocarbon group may be an alkenylene group having 2 to 20 carbon atoms or an alkynylene group having 2 to 20 carbon atoms.
Examples of groups combining two or more of the above-mentioned types include -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O)-, -Si(R a ) 2 - , -OC(O)-, -C(O)O-, -C(O)S-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)-, -N (R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N(R d )-, Or an alkylene group having -N(R d )SO 2 -.
　Ｘ３１は、単結合、アルキレン基、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、２～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である。
　なお、上記アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
　Ｘ３１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましい。
　２～８価のオルガノポリシロキサン残基としては、２価のオルガノポリシロキサン残基、及び、後述する（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基が挙げられる。 X 31 is a group having a single bond, an alkylene group, a carbon atom, a nitrogen atom, a silicon atom, a 2- to 8-valent organopolysiloxane residue, or a (h+i+1)-valent ring.
The alkylene group may have -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group. The alkylene group may have a plurality of groups selected from the group consisting of -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, and a dialkylsilylene group.
The alkylene group represented by X 31 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms.
Examples of the divalent to octavalent organopolysiloxane residues include divalent organopolysiloxane residues and (w2+1)-valent organopolysiloxane residues described below.
　Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基である場合、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、及び－Ｒ３１(ｉ＝１以上の場合）は該環を構成する原子に直接結合している。ただし、該環はオルガノポリシロキサン環以外の環である。以下、特に言及しない限り、Ｘ３１における環は、オルガノポリシロキサン環以外の環を意味する。
　Ｘ３１における環は、単環、縮合多環、橋かけ環、スピロ環及び集合多環のいずれであってもよく、環を構成する原子は、炭素原子のみからなる炭素環でもよく、２価以上の原子価を有するヘテロ原子と炭素原子とからなるヘテロ環でもよい。また、環を構成する原子間の結合は、単結合であってもよく、多重結合であってもよい。さらに、環は芳香族性の環であってもよく、非芳香族性の環であってもよい。
　単環としては、４員環～８員環が好ましく、５員環及び６員環がより好ましい。縮合多環としては、４員環～８員環の２以上が縮合した縮合多環が好ましく、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個結合した縮合多環、及び、５員環及び６員環から選ばれる環の１又は２個と４員環１個が結合した縮合多環がより好ましい。橋かけ環としては、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環が好ましく、スピロ環としては、４員環～６員環の２つからなるスピロ環が好ましい。集合多環としては、５員環及び６員環から選ばれる環の２又は３個が単結合、炭素原子の１～３個、又は原子価が２又は３のヘテロ原子１個を介して結合した集合多環が好ましい。なお、集合多環においては、各環にＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）及びＲ３１(ｉ＝１以上の場合）のいずれかが結合していることが好ましい。
　上記環を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が好ましく、窒素原子及び酸素原子がより好ましい。環を構成するヘテロ原子の数は３個以下が好ましい。また、環を構成するヘテロ原子の数が２個以上の場合、それらのヘテロ原子は同じでも異なっていてもよい。 When X 31 is a group having a (h+i+1)-valent ring, Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ), and -R 31 (when i=1 or more) are is directly bonded to the atoms that make it up. However, the ring is a ring other than an organopolysiloxane ring. Hereinafter, unless otherwise specified, the ring in X 31 means a ring other than an organopolysiloxane ring.
The ring in X 31 may be a monocyclic ring, a fused polycyclic ring, a bridged ring, a spiro ring, or an assembled polycyclic ring, and the atoms constituting the ring may be a carbocyclic ring consisting only of carbon atoms, or a divalent ring. A heterocycle consisting of a heteroatom having the above valence and a carbon atom may also be used. Further, the bond between atoms constituting the ring may be a single bond or a multiple bond. Furthermore, the ring may be an aromatic ring or a non-aromatic ring.
The monocyclic ring is preferably a 4- to 8-membered ring, more preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring. The fused polycyclic ring is preferably a fused polycyclic ring in which two or more 4- to 8-membered rings are fused together, and fused polycyclic rings in which 2 or 3 rings selected from 5-membered rings and 6-membered rings are bonded together; A fused polycyclic ring in which one or two rings selected from membered rings and six-membered rings and one four-membered ring are bonded is more preferred. The bridged ring is preferably a bridged ring whose largest ring is a 5- or 6-membered ring, and the spiro ring is preferably a spiro ring consisting of two 4- to 6-membered rings. As a collective polycyclic ring, two or three rings selected from 5-membered rings and 6-membered rings are bonded via a single bond, 1 to 3 carbon atoms, or 1 heteroatom with a valence of 2 or 3. A set of polycyclic rings is preferred. In addition, in a set polycycle, each ring may have one of Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ), and R 31 (when i=1 or more) bonded to each ring. preferable.
The hetero atoms constituting the ring are preferably nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms, and more preferably nitrogen atoms and oxygen atoms. The number of heteroatoms constituting the ring is preferably 3 or less. Furthermore, when the number of heteroatoms constituting the ring is two or more, these heteroatoms may be the same or different.
　Ｘ３１における環としては、化合物を製造しやすい点及び表面処理層の耐摩耗性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる観点から、３～８員環の脂肪族環、ベンゼン環、３～８員環のヘテロ環、これらの環のうちの２又は３個が縮合した縮合環、５員環又は６員環を最大の環とする橋かけ環、及び、これらの環のうちの２つ以上を有し、連結基が単結合、炭素数３以下のアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子である集合多環からなる群より選択される１種が好ましい。
　好ましい環は、ベンゼン環、５員又は６員の脂肪族環、窒素原子又は酸素原子を有する５員又は６員のヘテロ環、及び、５員又は６員の炭素環と４～６員のヘテロ環との縮合環である。
　具体的な環としては、以下に示す環と、１，３－シクロヘキサジエン環、１，４－シクロヘキサジエン環、アントラセン環、シクロプロパン環、デカヒドロナフタレン環、ノルボルネン環、ノルボルナジエン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラジン環、モルホリン環、アジリジン環、イソキノリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピラン環、ピリダジン環、ピリミジン環、及びインデン環が挙げられる。なお、以下には、オキソ基（＝Ｏ）を有する環も示す。 As the ring in A heterocycle of a membered ring, a condensed ring in which two or three of these rings are fused together, a bridged ring in which the largest ring is a 5- or 6-membered ring, and two or more of these rings One type selected from the group consisting of a single bond, an alkylene group having 3 or less carbon atoms, an oxygen atom, or a sulfur atom as a linking group is preferable.
Preferred rings include a benzene ring, a 5- or 6-membered aliphatic ring, a 5- or 6-membered heterocycle having a nitrogen atom or an oxygen atom, and a 5- or 6-membered carbon ring and a 4- to 6-membered heterocycle. It is a fused ring with a ring.
Specific rings include the rings shown below, 1,3-cyclohexadiene ring, 1,4-cyclohexadiene ring, anthracene ring, cyclopropane ring, decahydronaphthalene ring, norbornene ring, norbornadiene ring, furan ring, Examples include a pyrrole ring, a thiophene ring, a pyrazine ring, a morpholine ring, an aziridine ring, an isoquinoline ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a pyran ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, and an indene ring. In addition, below, a ring having an oxo group (=O) is also shown.
　Ｘ３１における環を構成する原子の環を構成しない結合手は、Ｑａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）又はＲ３１(ｉ＝１以上の場合）に結合する結合手であり、残余の結合手がある場合は水素原子や置換基に結合している。該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（炭素－炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等が挙げられる。
　また、環を構成する炭素原子の１個がＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、又は－Ｒ３１(ｉ＝１以上の場合）に結合できる結合手を２つ有する場合、その１個の炭素原子にＱａ、（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）、及び－Ｒ３１のうちの任意の２つが結合していてもよい。ＱａとＱｂとは別の環構成原子に結合していることが好ましい。ｉ個のＲ３１はそれぞれ別個の環構成原子に結合していてもよく、ｉ個のＲ３１のうちの２個が１個の環構成炭素原子に結合していてもよい。２個のＲ３１が結合した環構成炭素原子が２個以上存在してもよい。 The bond that does not form a ring of the ring-forming atom in X 31 is a bond bonded to Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ) or R 31 (when i=1 or more) The remaining bonds, if any, are bonded to hydrogen atoms or substituents. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group (which may contain an etheric oxygen atom between carbon atoms), a cycloalkyl group, an alkenyl group, an allyl group, an alkoxy group, and an oxo group (=O). etc.
In addition, one of the carbon atoms constituting the ring has two bonds that can be bonded to Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ), or -R 31 (when i = 1 or more). When the carbon atom has two atoms, any two of Q a , (-Q b -Si(R) n L 3-n ), and -R 31 may be bonded to that one carbon atom. It is preferable that Q a and Q b are bonded to different ring constituent atoms. Each of the i R 31s may be bonded to a separate ring atom, or two of the i R 31s may be bonded to one ring carbon atom. There may be two or more ring-constituting carbon atoms to which two R 31s are bonded.
　なかでも、Ｘ３１は、表面処理層の耐摩耗性を向上させる観点から、炭素原子、窒素原子、ケイ素原子、４～８価のオルガノポリシロキサン残基、又は（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基が好ましく、炭素原子又はケイ素原子がより好ましい。 Among these, X 31 is a group having a carbon atom, a nitrogen atom, a silicon atom, a 4- to 8-valent organopolysiloxane residue, or a (h+i+1)-valent ring, from the viewpoint of improving the abrasion resistance of the surface treatment layer. is preferable, and a carbon atom or a silicon atom is more preferable.
　Ｑｂは、単結合又は２価の連結基である。
　２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓｉ（Ｒａ）２－及び、これらを２種以上組み合わせた基が挙げられる。ここで、Ｒａは、アルキル基（好ましくは炭素数１～１０）又はフェニル基である。上記Ｒｄは、水素原子又はアルキル基（好ましくは炭素数１～１０）である。
　上記２価の炭化水素基としては、２価の飽和炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状であってもよく、例えば、アルキレン基が挙げられる。２価の飽和炭化水素基（例えばアルキレン基）の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。アルキニレン基又はアルケニレン基の炭素数は２～２０が好ましく、例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数５～２０のものが好ましく、例えば、フェニレン基が挙げられる。
　上記これらを２種以上組み合わせた基としては、例えば、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－を有するアルキレン基、エーテル性酸素原子を有するアルキレン基、－ＯＣ（Ｏ）－を有するアルキレン基、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－を有するアルキレン基、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－を有するアルキレン基、アルキレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２－フェニレン基－Ｓｉ（Ｒａ）２が挙げられる。
　一態様において、Ｑｂとしては、単結合、及びアルキレン基（好ましくは炭素数１～３０、より好ましくは１～２０、さらに好ましくは２～２０、例えば２、３、８、９、１１）が好ましい。 Q b is a single bond or a divalent linking group.
Examples of divalent linking groups include divalent hydrocarbon groups, divalent heterocyclic groups, -O-, -S-, -SO 2 -, -N(R d )-, -C(O) -, -Si(R a ) 2 -, and a combination of two or more thereof. Here, R a is an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms) or a phenyl group. The above R d is a hydrogen atom or an alkyl group (preferably having 1 to 10 carbon atoms).
Examples of the divalent hydrocarbon group include a divalent saturated hydrocarbon group, a divalent aromatic hydrocarbon group, an alkenylene group, and an alkynylene group. The divalent saturated hydrocarbon group may be linear, branched, or cyclic, and includes, for example, an alkylene group. The carbon number of the divalent saturated hydrocarbon group (e.g. alkylene group) is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, and examples include 2, 3, 8, 9, and 11. . The alkynylene group or alkenylene group preferably has 2 to 20 carbon atoms, and examples thereof include 2, 3, 8, 9, and 11 carbon atoms. Furthermore, the divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 5 to 20 carbon atoms, such as a phenylene group.
Examples of groups combining two or more of the above include -OC(O)-, -C(O)O-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O )-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N( R d )-, -N(R d )SO 2 -, -C(O)N(R d )-, alkylene group having -N(R d )C(O)-, etheric oxygen an alkylene group having an atom, an alkylene group having -OC(O)-, an alkylene group having -C(O)O-, an alkylene group having -SO 2 N(R d )-, an alkylene group -Si(R a ) 2 -phenylene group-Si(R a ) 2 .
In one embodiment, Q b includes a single bond and an alkylene group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, even more preferably 2 to 20 carbon atoms, for example 2, 3, 8, 9, 11). preferable.
　Ｒ３１は、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
　アルキル基の炭素数は、１～５が好ましく、１～３がより好ましく、１がさらに好ましい。 R 31 is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group.
The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
　ｈは１以上の整数であり、ｉは０以上の整数である。
　Ｘ３１が単結合又はアルキレン基の場合、ｈは１、ｉは０である。
　Ｘ３１が窒素原子の場合、ｈは１～２の整数であり、ｉは０～１の整数であり、ｈ＋ｉ＝２を満たす。
　Ｘ３１が炭素原子又はケイ素原子の場合、ｈは１～３の整数であり、ｉは０～２の整数であり、ｈ＋ｉ＝３を満たす。
　Ｘ３１が２～８価のオルガノポリシロキサン残基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
　Ｘ３１が（ｈ＋ｉ＋１）価の環を有する基の場合、ｈは１～７の整数であり、ｉは０～６の整数であり、ｈ＋ｉ＝１～７を満たす。
　（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｑｂ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。 h is an integer greater than or equal to 1, and i is an integer greater than or equal to 0.
When X 31 is a single bond or an alkylene group, h is 1 and i is 0.
When X 31 is a nitrogen atom, h is an integer of 1 to 2, i is an integer of 0 to 1, and h+i=2 is satisfied.
When X 31 is a carbon atom or a silicon atom, h is an integer of 1 to 3, i is an integer of 0 to 2, and h+i=3 is satisfied.
When X 31 is a divalent to octavalent organopolysiloxane residue, h is an integer of 1 to 7, i is an integer of 0 to 6, and h+i=1 to 7 is satisfied.
When X 31 is a group having a (h+i+1)-valent ring, h is an integer of 1 to 7, i is an integer of 0 to 6, and h+i=1 to 7 is satisfied.
If there are two or more (-Q b -Si(R) n L 3-n ), two or more (-Q b -Si(R) n L 3-n ) are different even if they are the same. You can leave it there. When there are two or more R 31 s, two or more (-R 31 )s may be the same or different.
　なかでも、表面処理層の耐摩耗性を向上させる観点からは、ｉは０が好ましい。 Among these, from the viewpoint of improving the wear resistance of the surface treatment layer, i is preferably 0.
　Ｑｃは、単結合又は２価の連結基である。
　２価の連結基の定義及び詳細は、上述したＱａで説明した定義及び詳細と同じである。 Q c is a single bond or a divalent linking group.
The definition and details of the divalent linking group are the same as those explained in Q a above.
　Ｒ３２は、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基であり、化合物を製造しやすい観点から、水素原子が好ましい。
　アルキル基としては、メチル基が好ましい。 R 32 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of easy production of the compound.
As the alkyl group, a methyl group is preferred.
　Ｑｄは、単結合又はアルキレン基である。アルキレン基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～６がより好ましい。化合物を製造しやすい観点から、Ｑｄは、単結合又は－ＣＨ２－が好ましい。 Q d is a single bond or an alkylene group. The alkylene group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. From the viewpoint of easy production of the compound, Q d is preferably a single bond or -CH 2 -.
　Ｒ３３は、水素原子又はハロゲン原子であり、化合物を製造しやすい観点から、水素原子が好ましい。 R 33 is a hydrogen atom or a halogen atom, and a hydrogen atom is preferable from the viewpoint of easy production of the compound.
　ｙは、１～１０の整数であり、１～６の整数が好ましい。
　２個以上の［ＣＨ２Ｃ（Ｒ３２）（－Ｑｄ－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ）］は、同一であっても異なってもよい。 y is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 6.
Two or more [CH 2 C(R 32 )(-Q d -Si(R) n L 3-n )] may be the same or different.
　基（３－１Ａ）としては、基（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）が好ましい。
　－（Ｏ）ｓ１－Ｑｂ１－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ　　　　　　　　　　…（３－１Ａ－１）
　－（Ｏ）ｓ２－Ｑａ２－Ｎ［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２　　…（３－１Ａ－２）
　－Ｑａ３－Ｓｉ（Ｒｇ）［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］２　　　…（３－１Ａ－３）
　－［Ｏ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｃ［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３－ｗ１（－Ｒ３１）ｗ１　　　…（３－１Ａ－４）
　－Ｑａ５－Ｓｉ［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］３　　　　　　　…（３－１Ａ－５）
　－［Ｏ］ｖ－Ｑａ６－Ｚａ［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ２　　…（３－１Ａ－６）
　－［Ｏ］ｓ４－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－Ｚｃ［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｗ３（－ＯＨ）ｗ４　　…（３－１Ａ－７）
　なお、式（３－１Ａ－１）～（３－１Ａ－７）中、Ｒ、Ｌ、及び、ｎの定義は、上述した通りである。 As the group (3-1A), groups (3-1A-1) to (3-1A-7) are preferable.
-(O) s1 -Q b1 -Si(R) n L 3-n ...(3-1A-1)
-(O) s2 -Q a2 -N [-Q b2 -Si(R) n L 3-n ] 2 ...(3-1A-2)
-Q a3 -Si(R g ) [-Q b3 -Si(R) n L 3-n ] 2 ...(3-1A-3)
-[O] s4 -Q a4 -(O) t4 -C[-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3-n ] 3-w1 (-R 31 ) w1 ...(3-1A- 4)
-Q a5 -Si [-Q b5 -Si(R) n L 3-n ] 3 ...(3-1A-5)
-[O] v -Q a6 -Z a [-Q b6 -Si(R) n L 3-n ] w2 ...(3-1A-6)
-[O] s4 -Q a4 -(O) t4 -Z c [-(O-Q b4 ) u4 -Si(R) n L 3-n ] w3 (-OH) w4 ...(3-1A-7)
Note that in formulas (3-1A-1) to (3-1A-7), the definitions of R, L, and n are as described above.
　基（３－１Ａ－１）において、ｓ１は、０又は１である。 In the group (3-1A-1), s1 is 0 or 1.
　Ｑｂ１は、アルキレン基である。なお、アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。アルキレン基は、－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基及びジアルキルシリレン基からなる群から選択される基を複数有していてもよい。
　なお、アルキレン基が－Ｏ－、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有する場合、炭素原子－炭素原子間にこれらの基を有することが好ましい。
　Ｑｂ１で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。 Q b1 is an alkylene group. Note that the alkylene group may have -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group. The alkylene group may have a plurality of groups selected from the group consisting of -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, and a dialkylsilylene group.
In addition, when the alkylene group has -O-, a silphenylene skeleton group, a divalent organopolysiloxane residue, or a dialkylsilylene group, it is preferable to have these groups between carbon atoms.
The number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b1 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
　Ｑｂ１としては、ｓ１が０の場合は、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。ｓ１が１の場合は、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。Ｑｂ１がこれらの基であると化合物が製造しやすい。 For Q b1 , when s1 is 0, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si(CH 3 ) 2 OSi(CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 - are preferred. When s1 is 1, -CH 2 CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 - are preferable. When Q b1 is one of these groups, the compound can be easily produced.
　基（３－１Ａ－１）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。 Specific examples of the group (3-1A-1) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom.
　基（３－１Ａ－２）において、Ｑａ２は、単結合、アルキレン基、－Ｃ（Ｏ）－、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、若しくは－ＮＨ－を有する基である。
　Ｑａ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。
　Ｑａ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）Ｃ（Ｏ）Ｏ－、－ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、－ＳＯ２Ｎ（Ｒｄ）－、－Ｎ（Ｒｄ）ＳＯ２－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６がより好ましい。 In the group (3-1A-2), Q a2 is a single bond, an alkylene group, -C(O)-, or an etheric oxygen atom between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, - C(O)-, -C(O)O-, -OC(O)-, -C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O-, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N(R d )-, -N( R d ) is a group having SO 2 -, -C(O)N(R d )-, or -NH-.
The alkylene group represented by Q a2 preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms.
Ether oxygen atom, -C(O)-, -C(O)O-, -OC(O)-, -C between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q a2 (O)N(R d )-, -N(R d )C(O)-, -N(R d )C(O)N(R d )-, -N(R d )C(O)O -, -OC(O)N(R d )-, -SO 2 N(R d )-, -N(R d )SO 2 -, -C(O)N(R d )-, or -NH- The number of carbon atoms in the group having is preferably 2 to 10, more preferably 2 to 6.
　Ｑａ２は、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２－、又は－Ｃ（Ｏ）－が好ましい。 Q a2 is -CH 2 -, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 - , -CH 2 NHCH 2 CH 2 - from the viewpoint of easy production of the compound. , -CH 2 OC(O)CH 2 CH 2 -, or -C(O)- are preferred.
　ｓ２は、０又は１（ただし、Ｑａ２が単結合の場合は０である。）である。 s2 is 0 or 1 (however, when Q a2 is a single bond, it is 0).
　Ｑｂ２は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子若しくは－ＮＨ－を有する基である。
　Ｑｂ２で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ２で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間に、２価のオルガノポリシロキサン残基、エーテル性酸素原子又は－ＮＨ－を有する基の炭素数は、２～１０が好ましく、２～６がより好ましい。 Q b2 is an alkylene group or a group having a divalent organopolysiloxane residue, an ether oxygen atom, or -NH- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
The number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b2 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
The number of carbon atoms in the group having a divalent organopolysiloxane residue, ether oxygen atom or -NH- between carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b2 is 2 to 10. is preferable, and 2 to 6 are more preferable.
　Ｑｂ２としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。 As Q b2 , -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 - are preferable from the viewpoint of easy production of the compound (provided that the right side is bonded to Si).
　２個の［－Ｑｂ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。 The two [-Q b2 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
　基（３－１Ａ－２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。また、式中、反応性シリル基に結合する（ＣＨ２）αにおけるαはメチレン基の数を表す整数であり、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば、２、３、８、９、１１が挙げられる。また、αは１～１０であってもよい。同一化合物中に含まれる複数のαは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。例えば、同一化合物中に含まれる複数のαが全て２、３、８、９、又は１１である。以下同様である。 Specific examples of the group (3-1A-2) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom. Further, in the formula, α in (CH 2 ) α bonded to the reactive silyl group is an integer representing the number of methylene groups, preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, It may be from 2 to 10, or from 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, α may be 1 to 10. A plurality of α's contained in the same compound may be the same or different, but are preferably the same. For example, all of the plurality of α's contained in the same compound are 2, 3, 8, 9, or 11. The same applies below.
　基（３－１Ａ－３）において、Ｑａ３は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。 In the group (3-1A-3), Q a3 is an alkylene group which may have an ether oxygen atom.
The alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
　Ｒｇは、水素原子、水酸基又はアルキル基である。
　Ｒｇとしては、化合物を製造しやすい観点からは、水素原子又はアルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１～４がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。 R g is a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group.
From the viewpoint of easy production of the compound, R g is preferably a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably a methyl group.
　Ｑｂ３は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
　Ｑｂ３で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ３で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
　Ｑｂ３は、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、又は－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。 Q b3 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
The number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b3 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
The carbon number of the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms, represented by Q b3 , is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
Q b3 is preferably -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, or -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 - from the viewpoint of easy production of the compound.
　２個の［－Ｑｂ３－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。 The two [-Q b3 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
　基（３－１Ａ－３）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは１～１０の整数を表す。 Specific examples of the group (3-1A-3) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom. r represents an integer from 1 to 10.
　基（３－１Ａ－４）において、Ｒ３１の定義は、上述した通りである。
　ｓ４は、０又は１である。
　Ｑａ４は、単結合、又は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　ｔ４は、０又は１（ただし、Ｑａ４が単結合の場合は０である。）である。
　－Ｑａ４－（Ｏ）ｔ４－としては、化合物を製造しやすい観点から、ｓ４が０の場合は、－ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２－が好ましく（ただし、左側がＳＱ８のケイ素原子に結合する。）、ｓ４が１の場合は、単結合、－ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。 In the group (3-1A-4), the definition of R 31 is as described above.
s4 is 0 or 1.
Q a4 is a single bond or an alkylene group which may have an ether oxygen atom.
The alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
t4 is 0 or 1 (however, when Q a4 is a single bond, it is 0).
From the viewpoint of easy production of the compound, -Q a4 -(O) t4 - is -CH 2 O-, -CH 2 OCH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 O-, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 - are preferred (however, the left side is bonded to the silicon atom of SQ 8 ), and when s4 is 1, A single bond, -CH 2 -, and -CH 2 CH 2 - are preferred.
　Ｑｂ４は、アルキレン基であり、上記アルキレン基は－Ｏ－、－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－（Ｒｄの定義は、上述した通りである。）、シルフェニレン骨格基、２価のオルガノポリシロキサン残基又はジアルキルシリレン基を有していてもよい。
　なお、アルキレン基が－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有する場合、炭素原子－炭素原子間に－Ｏ－又はシルフェニレン骨格基を有することが好ましい。また、アルキレン基が－Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒｄ）－、ジアルキルシリレン基又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する場合、炭素原子－炭素原子間又は（Ｏ）ｕ４と結合する側の末端にこれらの基を有することが好ましい。
　Ｑｂ４で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記範囲は１～１０であってもよい。 Q b4 is an alkylene group, and the alkylene group is -O-, -C(O)N(R d )- (the definition of R d is as described above), a silphenylene skeleton group, a divalent may have an organopolysiloxane residue or a dialkylsilylene group.
In addition, when the alkylene group has -O- or a silphenylene skeleton group, it is preferable to have -O- or a silphenylene skeleton group between carbon atoms. In addition, when the alkylene group has -C(O)N(R d )-, a dialkylsilylene group, or a divalent organopolysiloxane residue, the terminal between carbon atoms or the side bonded to (O) u4 preferably has these groups.
The number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b4 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the range may be from 1 to 10.
　ｕ４は、０又は１である。
　－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＣＨ３）２ＰｈＳｉ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側が－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎのＳｉに結合する。）。 u4 is 0 or 1.
-(O) u4 -Q b4 - includes -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 from the viewpoint of easy production of the compound. OCH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -OCH 2 CH 2 CH 2 -, -OSi(CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -OSi(CH 3 ) 2 OSi(CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 CH 2 Si(CH 3 ) 2 PhSi(CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 - are preferable (however, -Si(R) n L 3-n on the right side bond to Si).
　ｗ１は、０～２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
　［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ）ｕ４－Ｑｂ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒ３１が２個以上ある場合は、２個以上の（－Ｒ３１）は、同一であっても異なっていてもよい。 w1 is an integer from 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
If there are two or more [-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3-n ], two or more [-(O) u4 -Q b4 -Si(R) n L 3- n ] may be the same or different.
When there are two or more R 31 s, two or more (-R 31 )s may be the same or different.
　基（３－１Ａ－４）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは０～１０の整数を表す。 Specific examples of the group (3-1A-4) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom. r represents an integer from 0 to 10.
　基（３－１Ａ－５）において、Ｑａ５は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基又は（ポリ）オキシアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　Ｑａ５としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉに結合する。）。 In the group (3-1A-5), Q a5 is an alkylene group or a (poly)oxyalkylene group which may have an etheric oxygen atom.
The alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
Q a5 is -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , -CH 2 CH 2 from the viewpoint of easy production of the compound. 2 CH 2 - and OCH 2 CH 2 CH 2 - are preferred (however, the right side is bonded to Si).
　Ｑｂ５は、単結合、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
　Ｑｂ５で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ５で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
　Ｑｂ５としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＳｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎに結合する。）。 Q b5 is a single bond, an alkylene group, or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
The number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b5 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
The number of carbon atoms in the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b5 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
From the viewpoint of easy production of the compound, Q b5 is preferably -CH 2 CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 - (provided that the right side is Si(R) n L 3- bond to n ).
　３個の［－Ｑｂ５－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。 The three [-Q b5 -Si(R) n L 3-n ] may be the same or different.
　基（３－１Ａ－５）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは１～１０の整数を表す。 Specific examples of the group (3-1A-5) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom. r represents an integer from 1 to 10.
　基（３－１Ａ－６）中、ｖは、０又は１である。 In the group (3-1A-6), v is 0 or 1.
　Ｑａ６は、エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基である。
　エーテル性酸素原子を有していてもよいアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６がさらに好ましく、１～３が特に好ましい。また、前記炭素数は２～６であってもよい。
　Ｑａ６としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい（ただし、右側がＺａに結合する。）。 Q a6 is an alkylene group which may have an etheric oxygen atom.
The alkylene group which may have an etheric oxygen atom preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, even more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. Further, the number of carbon atoms may be 2 to 6.
From the viewpoint of easy production of the compound, Q a6 includes -CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 OCH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 - , and -CH 2 CH 2 CH 2 - is preferred (provided that the right side is bonded to Z a ).
　Ｚａは、（ｗ＋１）価のオルガノポリシロキサン残基である。
　ｗ２は、２～７の整数である。
　（ｗ２＋１）価のオルガノポリシロキサン残基としては、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲａは、上述の通りである。 Z a is a (w+1)-valent organopolysiloxane residue.
w2 is an integer from 2 to 7.
Examples of the (w2+1)-valent organopolysiloxane residue include the following groups. However, R a in the following formula is as described above.
　Ｑｂ６は、アルキレン基、又は、炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子若しくは２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
　Ｑｂ６で表されるアルキレン基の炭素数は、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよい。
　Ｑｂ６で表される炭素数２以上のアルキレン基の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子又は２価のオルガノポリシロキサン残基を有する基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６がさらに好ましい。
　Ｑｂ６としては、化合物を製造しやすい観点から、－ＣＨ２ＣＨ２－、及び－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－が好ましい。
　ｗ２個の［－Ｑｂ６－Ｓｉ（Ｒ）ｎ３Ｌ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。 Q b6 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.
The number of carbon atoms in the alkylene group represented by Q b6 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, or may be 2 to 6. . Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10.
The carbon number of the group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between the carbon atoms of the alkylene group having 2 or more carbon atoms represented by Q b6 is preferably 2 to 20, and 2 to 20. 10 is more preferable, and 2 to 6 is even more preferable.
As Q b6 , -CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH 2 CH 2 - are preferable from the viewpoint of easy production of the compound.
w2 [-Q b6 -Si(R) n3 L 3-n ] may be the same or different.
　基（３－１Ａ－６）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは１～１０の整数を表す。 Specific examples of the group (3-1A-6) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom. r represents an integer from 1 to 10.
　基（３－１Ａ－７）において、Ｚｃは（ｗ３＋ｗ４＋１）価の炭化水素基である。
　ｗ３は、４以上の整数である。
　ｗ４は、０以上の整数である。
　ｓ４、Ｑａ４、ｔ４、Ｑｂ４、及びｕ４の定義及び好ましい範囲は基（３－１Ａ－４）中の各符号の定義と同じである。 In group (3-1A-7), Z c is a (w3+w4+1)-valent hydrocarbon group.
w3 is an integer of 4 or more.
w4 is an integer greater than or equal to 0.
The definitions and preferred ranges of s4, Q a4 , t4, Q b4 and u4 are the same as the definitions of each symbol in group (3-1A-4).
　Ｚｃは炭化水素鎖からなってもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよく、炭化水素鎖からなることが好ましい。
　Ｚｃの価数は５～２０価が好ましく、５～１０価がより好ましく、５～８価がさらに好ましく、５価又は６価が特に好ましい。
　Ｚｃの炭素数は３～５０が好ましく、４～４０がより好ましく、５～３０がさらに好ましい。
　ｗ３は、４～２０が好ましく、４～１６がより好ましく、４～８がさらに好ましく、４又は５が特に好ましい。
　ｗ４は、０～１０が好ましく、０～８がより好ましく、０～６がさらに好ましく、０～３が特に好ましく、０又は１が最も好ましい。
　［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］が２個以上ある場合は、２個以上の［－（Ｏ－Ｑｂ４）ｕ４－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］は、同一であっても異なっていてもよい。 Z c may consist of a hydrocarbon chain, may have an ether oxygen atom between carbon atoms of the hydrocarbon chain, and is preferably composed of a hydrocarbon chain.
The valence of Z c is preferably 5 to 20, more preferably 5 to 10, even more preferably 5 to 8, particularly preferably penta or hexavalent.
The number of carbon atoms in Z c is preferably 3 to 50, more preferably 4 to 40, even more preferably 5 to 30.
w3 is preferably 4 to 20, more preferably 4 to 16, even more preferably 4 to 8, and particularly preferably 4 or 5.
w4 is preferably 0 to 10, more preferably 0 to 8, even more preferably 0 to 6, particularly preferably 0 to 3, and most preferably 0 or 1.
If there are two or more [-(O-Q b4 ) u4 -Si(R) n L 3-n ], two or more [-(O-Q b4 ) u4 -Si(R) n L 3- n ] may be the same or different.
　基（３－１Ａ－７）の具体例としては、以下の基が挙げられる。下記式中、＊は、ＳＱ８のケイ素原子との結合位置を表す。ｒは０～１０の整数を表す。 Specific examples of the group (3-1A-7) include the following groups. In the following formula, * represents the bonding position of SQ 8 to the silicon atom. r represents an integer from 0 to 10.
　　式（１）におけるＹ１は、基（ｇ２－１）～（ｇ２－７）であってもよい。 Y 1 in formula (1) may be groups (g2-1) to (g2-7).
　－Ａ１－Ｑ１２－Ｃ（Ｒｅ２）３－ｅ２（－Ｑ２２－）ｅ２　　　…（ｇ２－２）
　－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－）２　　　　　　　　　　…（ｇ２－３）
　－Ａ１－Ｑ１４－Ｚ１（－Ｑ２４－）ｈ２　　　　　　　　　…（ｇ２－４）
　－Ａ１－Ｑ１５－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ２（－Ｑ２５－）ｉ２　　…（ｇ２－５）
　－Ａ１－Ｑ２６－　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（ｇ２－６）
　－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－）ｉ３　　…（ｇ２－７） -A 1 -Q 12 -C(R e2 ) 3-e2 (-Q 22 -) e2 ...(g2-2)
-A 1 -Q 13 -N(-Q 23 -) 2 ...(g2-3)
-A 1 -Q 14 -Z 1 (-Q 24 -) h2 ...(g2-4)
-A 1 -Q 15 -Si(R e3 ) 3-i2 (-Q 25 -) i2 ...(g2-5)
-A 1 -Q 26 -...(g2-6)
-A 1 -Q 12 -CH(-Q 22 -)-Si(R e3 ) 3-i3 (-Q 25 -) i3 ...(g2-7)
　ただし、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）においては、Ａ１側がＳＱ８のケイ素原子に接続し、Ｑ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５又はＱ２６側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。
　Ａ１は、単結合又は－Ｏ－である。
　Ｑ１１は、単結合、－Ｏ－、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基である。
　Ｑ１２は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基と－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又は－Ｏ－との組み合わせである。
　Ｑ１３は、単結合、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基と－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又は－Ｏ－との組み合わせである。
　Ｑ１４は、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ１２であり、Ｑ１４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ１３である。
　Ｑ１５は、アルキレン基、又はアルキレン基と－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又は－Ｏ－との組み合わせである。
　Ｑ２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有しかつＳｉに接続しない側の末端に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基であり、Ｑ２２が２以上存在する場合、２以上のＱ２２は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基であり、２個のＱ２３は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２４は、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が炭素原子の場合、Ｑ２２であり、Ｑ２４が結合するＺ１における原子が窒素原子の場合、Ｑ２３であり、Ｑ２４が２以上存在する場合、２以上のＱ２４は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基であり、Ｑ２５が２以上存在する場合、２以上のＱ２５は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｑ２６は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－又はＯ－を有する基である。
　Ｚ１は、Ｑ１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有する（ｈ２＋１）価の環構造を有する基である。
　Ｒｅ１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｒｅ１が２以上存在する場合、２以上のＲｅ１は同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒｅ２は、水素原子、水酸基、アルキル基又はアシルオキシ基である。
　Ｒｅ３は、アルキル基である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。 However, in formulas (g2-1) to (g2-7), the A 1 side is connected to the silicon atom of SQ 8 , and the Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 or Q 26 side is [-Si(R) n L 3-n ].
A 1 is a single bond or -O-.
Q 11 is a single bond, -O-, an alkylene group, or a bond between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 -, or It is a group having O-.
Q 12 is a single bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
Q 13 is a single bond, an alkylene group, or a combination of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
Q 14 is Q 12 when the atom in Z 1 to which Q 14 is bonded is a carbon atom, and is Q 13 when the atom in Z 1 to which Q 14 is bonded is a nitrogen atom.
Q 15 is an alkylene group or a combination of an alkylene group and -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O-.
Q 22 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, an alkylene group A group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- at the end not connected to Si, or between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- at the end not connected to Si and -C(O)NR 6 -, -C(O) It is a group having -, -NR 6 - or O-, and when two or more Q 22s exist, two or more Q 22s may be the same or different.
Q 23 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms; , two Q23s may be the same or different.
Q 24 is Q 22 when the atom in Z 1 to which Q 24 is bonded is a carbon atom, and is Q 23 when the atom in Z 1 to which Q 24 is bonded is a nitrogen atom, and two or more Q 24 exist. In this case, two or more Q24 's may be the same or different.
Q 25 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms; , Q 25 exists, two or more Q 25 may be the same or different.
Q 26 is an alkylene group or a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms. .
Z 1 is a group having a (h2+1)-valent ring structure in which Q 14 has a carbon atom or nitrogen atom to which Q 14 is directly bonded, and Q 24 has a carbon atom or nitrogen atom to which Q 24 is directly bonded.
R e1 is a hydrogen atom or an alkyl group, and when two or more R e1s exist, two or more R e1s may be the same or different.
R e2 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, or an acyloxy group.
R e3 is an alkyl group. R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group.
　ｄ２は、０～２の整数であり、１又は２が好ましい。
　ｄ４は、０～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｄ２＋ｄ４は、１～５の整数であり、４又は５が好ましい。
　ｅ２は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｈ２は、１以上の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｉ２は、１～３の整数であり、２又は３が好ましい。
　ｉ３は、２又は３である。 d2 is an integer of 0 to 2, preferably 1 or 2.
d4 is an integer from 0 to 3, preferably 2 or 3.
d2+d4 is an integer from 1 to 5, preferably 4 or 5.
e2 is an integer from 1 to 3, preferably 2 or 3.
h2 is an integer of 1 or more, preferably 2 or 3.
i2 is an integer from 1 to 3, preferably 2 or 3.
i3 is 2 or 3.
　Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４、Ｑ１５、Ｑ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５及びＱ２６のアルキレン基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点、及び表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる観点から、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよく、１～６であってもよく、１～４であってもよい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。 The number of carbon atoms in the alkylene groups of Q 11 , Q 12 , Q 13 , Q 14 , Q 15 , Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 and Q 26 is determined from the viewpoint of excellent manufacturing ease of the compound and the surface treatment layer. From the viewpoint of even better wear resistance, the number is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, even more preferably 2 to 20, may be 2 to 10, and may be 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10, 1 to 6, or 1 to 4. However, when the alkylene group has a specific bond between carbon atoms, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.
　Ｚ１における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚ１における環構造にはＱ１４やＱ２４が直接結合するため、例えば、環構造にアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ１４やＱ２４が連結することはない。 Examples of the ring structure in Z 1 include the ring structures described above, and preferred forms are also the same. In addition, since Q 14 and Q 24 are directly bonded to the ring structure in Z 1 , for example, an alkylene group is not connected to the ring structure and Q 14 or Q 24 is not connected to the alkylene group.
　Ｒｅ１、Ｒｅ２又はＲｅ３のアルキル基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　Ｒｅ２のアシルオキシ基のアルキル基部分の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　ｈ２としては、化合物の製造容易性に優れる観点、及び表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる観点から、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。 The number of carbon atoms in the alkyl group of R e1 , R e2 or R e3 is preferably from 1 to 6, more preferably from 1 to 3, even more preferably from 1 to 2, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
The number of carbon atoms in the alkyl group portion of the acyloxy group of R e2 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
h2 is preferably 2 to 6, more preferably 2 to 4, and even more preferably 2 or 3, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound and further excellent wear resistance of the surface treatment layer.
　式（１）におけるＹ１は、基（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）であってもよい。 Y 1 in formula (1) may be groups (g2-8) to (g2-14).
　－Ａ１－Ｑ１２－Ｃ（Ｒｅ２）３－ｅ２（－Ｑ２２－Ｇ１）ｅ２　　…（ｇ２－９）
　－Ａ１－Ｑ１３－Ｎ（－Ｑ２３－Ｇ１）２　　　　　　　　　…（ｇ２－１０）
　－Ａ１－Ｑ１４－Ｚ１（－Ｑ２４－Ｇ１）ｈ２　　　　　　　　…（ｇ２－１１）
　－Ａ１－Ｑ１５－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ２（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ２　…（ｇ２－１２）
　－Ａ１－Ｑ２６－Ｇ１　　　　　　　　　　　　　　　　　…（ｇ２－１３）
　－Ａ１－Ｑ１２－ＣＨ（－Ｑ２２－Ｇ１）－Ｓｉ（Ｒｅ３）３－ｉ３（－Ｑ２５－Ｇ１）ｉ３　　…（ｇ２－１４） -A 1 -Q 12 -C(R e2 ) 3-e2 (-Q 22 -G 1 ) e2 ...(g2-9)
-A 1 -Q 13 -N (-Q 23 -G 1 ) 2 ... (g2-10)
-A 1 -Q 14 -Z 1 (-Q 24 -G 1 ) h2 ...(g2-11)
-A 1 -Q 15 -Si(R e3 ) 3-i2 (-Q 25 -G 1 ) i2 ...(g2-12)
-A 1 -Q 26 -G 1 ...(g2-13)
-A 1 -Q 12 -CH(-Q 22 -G 1 )-Si(R e3 ) 3-i3 (-Q 25 -G 1 ) i3 ...(g2-14)
　ただし、式（ｇ２－８）～（ｇ２－１４）においては、Ａ１側がＳＱ８のケイ素原子に接続し、Ｇ１側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｇ１は、基（ｇ３）であり、Ｙ１が有する２以上のＧ１は同一であっても異なっていてもよい。Ｇ１以外の符号は、式（ｇ２－１）～（ｇ２－７）における符号と同じである。
　－Ｓｉ（Ｒ８）３－ｋ３（－Ｑ３－）ｋ３　　…（ｇ３）
　ただし、式（ｇ３）においては、Ｓｉ側がＱ２２、Ｑ２３、Ｑ２４、Ｑ２５及びＱ２６に接続し、Ｑ３側が［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］に接続する。Ｒ８は、アルキル基である。Ｑ３は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素－炭素原子間に－Ｃ（Ｏ）ＮＲ６－、－Ｃ（Ｏ）－、－ＮＲ６－若しくは－Ｏ－を有する基、又は（ＯＳｉ（Ｒ９）２）ｐ－Ｏ－であり、２以上のＱ３は同一であっても異なっていてもよい。ｋ３は、２又は３である。Ｒ６は、水素原子、炭素数１～６のアルキル基又はフェニル基である。Ｒ９は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ９は同一であっても異なっていてもよい。ｐは、０～５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ９）２）は同一であっても異なっていてもよい。 However, in formulas (g2-8) to (g2-14), the A 1 side is connected to the silicon atom of SQ 8 , and the G 1 side is connected to [-Si(R) n L 3-n ]. G 1 is a group (g3), and two or more G 1s in Y 1 may be the same or different. The symbols other than G 1 are the same as those in equations (g2-1) to (g2-7).
-Si(R 8 ) 3-k3 (-Q 3 -) k3 ...(g3)
However, in equation (g3), the Si side is connected to Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 and Q 26 , and the Q 3 side is connected to [-Si(R) n L 3-n ]. R 8 is an alkyl group. Q 3 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -NR 6 - or -O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, or (OSi(R 9 ) 2 ) p -O-, and two or more Q 3 may be the same or different. k3 is 2 or 3. R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group. R 9 is an alkyl group, a phenyl group, or an alkoxy group, and two R 9s may be the same or different. p is an integer from 0 to 5, and when p is 2 or more, two or more (OSi(R 9 ) 2 ) may be the same or different.
　Ｑ３のアルキレン基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点、並びに、表面処理層の耐摩耗性がさらに優れる観点から、１～３０が好ましく、１～２０がより好ましく、２～２０がさらに好ましく、２～１０であってもよく、２～６であってもよい。例えば２、３、８、９、１１が挙げられる。また、前記炭素数は１～１０であってもよく、１～６であってもよく、１～４であってもよい。ただし、炭素－炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
　Ｒ８のアルキル基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　Ｒ９のアルキル基の炭素数は、化合物の製造容易性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　Ｒ９のアルコキシ基の炭素数は、化合物（１）の保存安定性に優れる観点から、１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　ｐは、０又は１が好ましい。 The number of carbon atoms in the alkylene group of Q 3 is preferably 1 to 30, more preferably 1 to 20, more preferably 2 to 20, from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound and from the viewpoint of further excellent wear resistance of the surface treatment layer. is more preferable, and may be from 2 to 10, or from 2 to 6. Examples include 2, 3, 8, 9, and 11. Further, the number of carbon atoms may be 1 to 10, 1 to 6, or 1 to 4. However, when the alkylene group has a specific bond between carbon atoms, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.
The number of carbon atoms in the alkyl group of R 8 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
The number of carbon atoms in the alkyl group of R 9 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent ease of manufacturing the compound.
The number of carbon atoms in the alkoxy group of R 9 is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1 to 2 from the viewpoint of excellent storage stability of compound (1).
p is preferably 0 or 1.
　化合物（１）としては、以下のＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇを有する化合物（１）が挙げられる。 Examples of the compound (1) include a compound (1) having the following Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g .
　Ｙ１が基（ｇ２－１）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-1) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－２）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-2) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－３）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。
Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-3) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－４）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。ｒは０～１０の整数を表す。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-4) include the following structures. r represents an integer from 0 to 10.
　Ｙ１が基（ｇ２－５）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-5) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－６）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。　 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-6) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－７）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-7) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－８）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-8) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－９）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-9) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－１０）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-10) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－１１）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-11) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－１２）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-12) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－１３）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-13) include the following structures.
　Ｙ１が基（ｇ２－１４）であるＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇとしては、下記構造が挙げられる。 Examples of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in which Y 1 is a group (g2-14) include the following structures.
　シルセスキオキサン化合物としては、例えば、以下の化合物が好ましい。 As the silsesquioxane compound, for example, the following compounds are preferred.
　上記化合物において、Ｙの少なくとも１つは、　［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］で表される基であり、Ｙの少なくとも１つは、Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇで表される基であり、残りのＹは、１価の炭化水素基である。ただし、Ｙの少なくとも１つにおいて、Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇのｇは２以上である。
　基Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇの定義及び詳細は式（１）中のＹ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇの定義及び詳細と同じである。
　１価の炭化水素基の定義及び詳細は式（１）中の１価の炭化水素基の定義及び詳細と同じである。
　上記化合物において、シルセスキオキサン骨格が完全かご型シルセスキオキサン骨格であることを除き、上述したシルセスキオキサン化合物の詳細を適用できる。 In the above compound, at least one of Y is a group represented by [(CH 2 ) n1 OH], and at least one of Y is a group represented by Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g The remaining Y is a monovalent hydrocarbon group. However, in at least one of Y, g of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g is 2 or more.
The definition and details of the group Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g are the same as the definition and details of Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g in formula (1).
The definition and details of the monovalent hydrocarbon group are the same as the definition and details of the monovalent hydrocarbon group in formula (1).
In the above compound, the details of the silsesquioxane compound described above can be applied, except that the silsesquioxane skeleton is a complete cage-type silsesquioxane skeleton.
　シスセスキオキサン化合物としては、化合物（１）以外に化合物（３）及び（４）も挙げられる。化合物（３）及び（４）のＳＱ１０及びＳＱ１２中のＳｉ炭素数はそれぞれ１０、１２個である。化合物（３）及び（４）のＳＱ１０及びＳＱ１２はかご型であることが好ましい。 Examples of the cissesquioxane compound include compounds (3) and (4) in addition to compound (1). The number of Si carbon atoms in SQ 10 and SQ 12 of compounds (3) and (4) is 10 and 12, respectively. SQ 10 and SQ 12 of compounds (3) and (4) are preferably cage-shaped.
　ＳＱ１０（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（３）
　式（３）中、
　ＳＱ１０はＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～９の整数であり、
　ｍ２は１～９の整数であり、
　ｍ３は０～８の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１０であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１０中のケイ素原子と結合する。 SQ 10 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(3)
In formula (3),
SQ 10 is a silsesquioxane skeleton having 10 Si atoms,
Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group,
R is each independently a monovalent hydrocarbon group,
L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group,
n is each independently an integer from 0 to 2,
g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 9,
m2 is an integer from 1 to 9,
m3 is an integer from 0 to 8,
m1+m2+m3 is 10,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 10 .
　ＳＱ１２（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（４）
　式（４）中、
　ＳＱ１２はＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
　ｍ１は１～１１の整数であり、
　ｍ２は１～１１の整数であり、
　ｍ３は０～１０の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１２であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１２中のケイ素原子と結合する。 SQ 12 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(4)
In formula (4),
SQ 12 is a silsesquioxane skeleton having 12 Si atoms,
Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group,
R is each independently a monovalent hydrocarbon group,
L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group,
n is each independently an integer from 0 to 2,
g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 11,
m2 is an integer from 1 to 11,
m3 is an integer from 0 to 10,
m1+m2+m3 is 12,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 12 .
　式（３）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１０がＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１０であることを除き、式（１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（３）におけるｍ１とｍ２の比率は１：９～９：１が好ましい。
　式（３）の具体的態様は、上記を除き式（１）の具体的態様と同じである。 The definition and details of each symbol in formula (3) are as follows, except that SQ 10 is silsesquioxane having 10 Si atoms and m1+m2+m3 is 10. Same as details.
The ratio of m1 and m2 in formula (3) is preferably 1:9 to 9:1.
The specific embodiment of formula (3) is the same as the specific embodiment of formula (1) except for the above.
　式（４）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１２がＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１２であることを除き、式（１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（４）におけるｍ１とｍ２の比率は１：１１～１１：１が好ましい。
　式（４）の具体的態様は、上記を除き式（１）の具体的態様と同じである。 The definition and details of each symbol in formula (4) are as follows, except that SQ 12 is silsesquioxane having 12 Si atoms and m1+m2+m3 is 12. Same as details.
The ratio of m1 and m2 in formula (4) is preferably 1:11 to 11:1.
The specific embodiment of formula (4) is the same as the specific embodiment of formula (1) except for the above.
〔化合物の製造方法〕
　シルセスキオキサン化合物の製造方法は特に制限されない。一態様において、シルセスキオキサン化合物は、中間体のヒドロシリル化により得られる。例えば化合物（１）は、下記式（１－１）で表される中間体のヒドロシリル化により得られる。
　ＳＱ８［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１－１）
　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～７の整数であり、
　ｍ２は１～７の整数であり、
　ｍ３は０～６の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。 [Method for producing compound]
The method for producing the silsesquioxane compound is not particularly limited. In one embodiment, the silsesquioxane compound is obtained by hydrosilylation of an intermediate. For example, compound (1) can be obtained by hydrosilylation of an intermediate represented by the following formula (1-1).
SQ 8 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1-1)
SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms,
Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group,
B is each independently -Q L -CH=CH 2 , where Q L is a single bond or a divalent linking group,
g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 7,
m2 is an integer from 1 to 7,
m3 is an integer from 0 to 6,
m1+m2+m3 is 8,
R x is a monovalent organic group,
Y 11 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
　式（１－１）におけるＹ１１（Ｂ）ｇ１は、式（１）中のＹ１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇにおける末端が－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎである場合に、当該－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ基が－ＣＨ＝ＣＨ２に置き換えられたものである。 Y 11 (B) g1 in formula (1-1) is Y 1 [-Si(R) n L 3-n ] g in formula (1) whose terminal is -CH 2 -CH 2 -Si(R) n L 3-n , the -CH 2 -CH 2 -Si(R) n L 3-n group is replaced with -CH=CH 2 .
　同様にして、化合物（３）及び（４）は、下記式（３－１）及び（４－１）で表される中間体のヒドロシリル化によりそれぞれ得られる。なお、化合物（３－１）及び（４－１）のＳＱ１０及びＳＱ１２はかご型であることが好ましい。 Similarly, compounds (3) and (4) are obtained by hydrosilylation of intermediates represented by the following formulas (3-1) and (4-1), respectively. Note that SQ 10 and SQ 12 of compounds (3-1) and (4-1) are preferably cage-shaped.
　ＳＱ１０［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（３－１）
　ＳＱ１０はＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～９の整数であり、
　ｍ２は１～９の整数であり、
　ｍ３は０～８の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１０であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１０中のケイ素原子と結合する。 SQ 10 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(3-1)
SQ 10 is a silsesquioxane skeleton having 10 Si atoms,
Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group,
B is each independently -Q L -CH=CH 2 , where Q L is a single bond or a divalent linking group,
g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 9,
m2 is an integer from 1 to 9,
m3 is an integer from 0 to 8,
m1+m2+m3 is 10,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 11 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 10 .
　ＳＱ１２［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（４－１） SQ 12 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(4-1)
　ＳＱ１２はＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサン骨格であり、
　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
　ｍ１は１～１１の整数であり、
　ｍ２は１～１１の整数であり、
　ｍ３は０～１０の整数であり、
　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は１２であり、
　ｎ１は０～５の整数であり、
　Ｒｘは１価の有機基であり、
　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ１２中のケイ素原子と結合する。 SQ 12 is a silsesquioxane skeleton having 12 Si atoms,
Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group,
B is each independently -Q L -CH=CH 2 , where Q L is a single bond or a divalent linking group,
g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more,
m1 is an integer from 1 to 11,
m2 is an integer from 1 to 11,
m3 is an integer from 0 to 10,
m1+m2+m3 is 12,
n1 is an integer from 0 to 5,
R x is a monovalent organic group,
Y 11 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 12 .
　式（３－１）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１０がＳｉ原子を１０個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１０であることを除き、式（１－１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。
　式（４－１）中の各符号の定義及び詳細は、ＳＱ１２がＳｉ原子を１２個有するシルセスキオキサンであり、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３が１２であることを除き、式（１－１）中の各符号の定義及び詳細と同じである。 The definition and details of each symbol in formula (3-1) are as follows: SQ 10 is a silsesquioxane having 10 Si atoms, and m1+m2+m3 is 10. The definition and details of the symbol are the same.
The definition and details of each symbol in formula (4-1) are as follows: SQ 12 is a silsesquioxane having 12 Si atoms, and m1+m2+m3 is 12. The definition and details of the symbol are the same.
　式（３－１）及び（４－１）におけるＹ１１（Ｂ）ｇ１は、それぞれ式（３）及び式（４）中のＹ１［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇにおける末端が－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎである場合に、当該－ＣＨ２－ＣＨ２－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ基が－ＣＨ＝ＣＨ２に置き換えられたものである。 Y 11 (B) g1 in formulas (3-1) and (4-1) is the terminal in Y 1 [-Si(R) n L 3-n ] g in formulas (3) and (4), respectively. is -CH 2 -CH 2 -Si(R) n L 3-n , the -CH 2 -CH 2 -Si(R) n L 3-n group is replaced with -CH=CH 2 It is something.
　シルセスキオキサン化合物は、組成物中で、上述したシルセスキオキサン化合物の形態で存在していてもよく、反応性シリル基の加水分解によって生じた加水分解物の形態で存在していてもよく、前記加水分解物同士又は前記加水分解物と他の化合物とが縮合して生じた部分縮合物の形態で存在していてもよく、これらの一部又は全部の混合物の形態で存在していてもよい。部分縮合物は、例えば、シルセスキオキサン化合物同士の部分縮合物であってもよく、シルセスキオキサン化合物と後述のアルコキシシランの部分縮合物であってもよい。
　より具体的には、シルセスキオキサン化合物の加水分解物は、反応性シリル基の加水分解により生じる基、例えば、式（２）で表される反応性シリル基の加水分解により生じるシラノール基を有する。また、シルセスキオキサン化合物の部分縮合物は、例えば、前記加水分解物のシラノール基同士、又は前記加水分解物のシラノール基と前記アルコキシシランの加水分解物のシラノール基とが脱水縮合して生じる、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を介した縮合物等が挙げられる。 The silsesquioxane compound may be present in the composition in the form of the above-mentioned silsesquioxane compound, or in the form of a hydrolyzate produced by hydrolysis of a reactive silyl group. Often, it may exist in the form of a partial condensate formed by condensing the hydrolysates with each other or with another compound, or it may exist in the form of a mixture of some or all of these. It's okay. The partial condensate may be, for example, a partial condensate of silsesquioxane compounds, or a partial condensate of a silsesquioxane compound and an alkoxysilane described below.
More specifically, the hydrolyzate of a silsesquioxane compound contains a group produced by hydrolysis of a reactive silyl group, for example, a silanol group produced by hydrolysis of a reactive silyl group represented by formula (2). have Further, the partial condensate of the silsesquioxane compound is produced, for example, by dehydration condensation between the silanol groups of the hydrolyzate, or between the silanol groups of the hydrolyzate and the silanol groups of the alkoxysilane hydrolyzate. , condensates via Si--O--Si bonds, and the like.
　本開示の組成物中の、シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物の合計含有率は、前記シルセスキオキサン化合物による耐擦傷性及び耐摩耗性の効果を良好に発揮する観点からは、前記シルセスキオキサン化合物換算で、組成物中の固形分全量に対して６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。前記合計含有率は、他の成分による効果を発揮する観点からは、９９．９質量％以下であってもよく、９５質量％以下であってもよい。 The total content of the silsesquioxane compound, its hydrolyzate, and its partial condensate in the composition of the present disclosure is such that the silsesquioxane compound exhibits good scratch resistance and wear resistance effects. In terms of the silsesquioxane compound, it is preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and even more preferably 80% by mass or more, based on the total solid content in the composition. The total content may be 99.9% by mass or less, or 95% by mass or less from the viewpoint of exhibiting the effects of other components.
＜水＞
　本開示の組成物は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられる後述のアルコキシシランの加水分解のため、水を含む。
　水の含有量は、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに必要に応じて後述のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、の合計量１００質量部に対して、１～５０質量部が好ましい。前記合計量は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられるアルコキシシラン化合物に換算したときの合計量とする。 <Water>
The composition of the present disclosure contains water for hydrolysis of a silsesquioxane compound and an optionally used alkoxysilane described below.
The water content is the total amount of 100 mass of the silsesquioxane compound, its hydrolyzate, and its partial condensate; and, if necessary, the below-mentioned alkoxysilane, its hydrolyzate, and its partial condensate. It is preferably 1 to 50 parts by mass. The above-mentioned total amount is the total amount when converted into the silsesquioxane compound and the alkoxysilane compound used as necessary.
＜水以外の溶媒＞
　本開示の組成物は、水以外の溶媒を含む。水以外の溶媒としては、組成物中の固形分を溶解可能な溶媒であれば特に制限されず、具体的には、炭化水素系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、グリコール系有機溶媒、及びアルコール系有機溶媒が挙げられる。
　炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ヘキサデカン、イソヘキサン、イソオクタン、イソノナン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、ｏ－ジエチルベンゼン、ｍ－ジエチルベンゼン、ｐ－ジエチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、パラフィンが挙げられる。
　ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、３，５，５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン、及び３，３，５－トリメチルシクロヘキサノン、イソホロンが挙げられる。
　エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサンが挙げられる。
　エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、３－エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチルエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－３－メチルブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールジメチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノールアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ－ルメチルエ－テルアセテ－ト、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，４－ブタンジオールジアセテート、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，６－ヘキサンジオールジアセテート、γ－ブチロラクトン、トリアセチン、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレートが挙げられる。
　グリコール系有機溶媒の具体例としては、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、１，３－ブチレングリコール、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ－ブチルエ－テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルペンタン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
　アルコール系有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノール、ジアセトンアルコール、イソブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、３－メチル－１，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，３－ブチレングリコール、オクタンジオール、２，４－ジエチルペンタンジオール、ブチルエチルプロパンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、２－エチル－１－ヘキサノール、３，５，５－トリメチル－１－ヘキサノール、イソデカノール、イソトリデカノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール、シクロヘキサノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、及びメチルシクロヘキサノールが挙げられる。 <Solvents other than water>
Compositions of the present disclosure include solvents other than water. Solvents other than water are not particularly limited as long as they can dissolve the solid content in the composition, and specifically include hydrocarbon-based organic solvents, ketone-based organic solvents, ether-based organic solvents, and ester-based organic solvents. Examples include solvents, glycol-based organic solvents, and alcohol-based organic solvents.
Specific examples of hydrocarbon organic solvents include pentane, hexane, heptane, octane, hexadecane, isohexane, isooctane, isononane, cycloheptane, cyclohexane, bicyclohexyl, benzene, toluene, ethylbenzene, o-xylene, m-xylene, Examples include p-xylene, o-diethylbenzene, m-diethylbenzene, p-diethylbenzene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene, and paraffin.
Specific examples of ketone organic solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-heptanone, 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one, and 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one. Examples include 3,5-trimethylcyclohexanone and isophorone.
Specific examples of ether organic solvents include diethyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane.
Specific examples of ester organic solvents include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, tert-butyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, and ethyl ethylene glycol lactate. Monobutyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl acetate, propylene glycol dimethyl acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanol acetate, propylene glycol diacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono Butyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,4-butanediol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate Examples include acetate, 1,6-hexanediol diacetate, γ-butyrolactone, triacetin, and 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate.
Specific examples of glycol-based organic solvents include ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, and ethylene glycol mono-2. -Ethylhexyl ether, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monotert -Butyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monobutyl ether tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monophenyl ether, 1,3-butylene glycol, propylene glycol n-propyl ether, propylene glycol n-butyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol n-propyl ether, Propylene glycol n-butyl ether, tripropylene glycol methyl ether, tripropylene glycol n-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , tetraethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether pentane, triethylene glycol dimethyl ether, and polyethylene glycol dimethyl ether.
Specific examples of alcoholic organic solvents include methanol, ethanol, 1-propanol, isopropyl alcohol, n-butanol, diacetone alcohol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, pentanol, 3-methyl-1,3 -Butanediol, 1,3-butanediol, 1,3-butylene glycol, octanediol, 2,4-diethylpentanediol, butylethylpropanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 4-hydroxy-4 -Methyl-2-pentanone, 2-ethyl-1-hexanol, 3,5,5-trimethyl-1-hexanol, isodecanol, isotridecanol, 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, 2-methoxybutanol , 3-methoxybutanol, cyclohexanol, furfuryl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol, benzyl alcohol, and methylcyclohexanol.
　また、水以外の溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒、含窒素化合物、含硫黄化合物、シロキサン化合物が挙げられる。
　ハロゲン系有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－クロロトルエン、ｍ－クロロトルエン、ｐ－クロロトルエン、ｍ－ジクロロベンゼン、１，２，３－トリクロロプロパンが挙げられる。
　含窒素化合物としては、ニトロベンゼン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンが挙げられる。
　含硫黄化合物としては、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
　シロキサン化合物としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサンが挙げられる。
　なかでも、水以外の溶媒としては、水への親和性及び化合物を溶解しやすい観点からは、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、アルコール系有機溶媒が好ましく、アルコール系有機溶媒が特に好ましい。アルコールとしては、乾燥に適する観点からエタノールがより好ましい。水以外の溶媒は１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 Moreover, examples of solvents other than water include halogenated organic solvents, nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and siloxane compounds.
Examples of halogenated organic solvents include dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, dichloroethane, chlorobenzene, o-chlorotoluene, m-chlorotoluene, p-chlorotoluene, m-dichlorobenzene, and 1,2,3-trichloropropane. .
Examples of nitrogen-containing compounds include nitrobenzene, acetonitrile, benzonitrile, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
Examples of sulfur-containing compounds include carbon disulfide and dimethyl sulfoxide.
Examples of the siloxane compound include hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, and decamethyltetrasiloxane.
Among these, as the solvent other than water, ketone organic solvents, ether organic solvents, and alcohol organic solvents are preferred, and alcohol organic solvents are particularly preferred, from the viewpoint of affinity for water and ease of dissolving compounds. As the alcohol, ethanol is more preferred from the viewpoint of suitability for drying. Solvents other than water may be used alone or in combination of two or more.
　組成物中の水以外の溶媒の含有量は、組成物の塗布性等の観点からは、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに必要に応じて後述のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、の合計量１００質量部に対して、１００～１００，０００質量部が好ましく、１５０～１０，０００質量部がより好ましく、２００～１，０００質量部がさらに好ましく、２００～５００質量部が特に好ましい。前記合計量は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられるアルコキシシラン化合物に換算したときの合計量とする。 From the viewpoint of coating properties of the composition, the content of solvents other than water in the composition is determined from the above-mentioned silsesquioxane compound, its hydrolyzate, and its partial condensate; and, if necessary, the following alkoxy The total amount of silane, its hydrolyzate, and its partial condensate is preferably 100 to 100,000 parts by mass, more preferably 150 to 10,000 parts by mass, and 200 to 1,000 parts by mass. parts by weight is more preferable, and 200 to 500 parts by weight is particularly preferable. The total amount is the total amount when converted into the silsesquioxane compound and the alkoxysilane compound used as necessary.
＜酸又はアルカリ＞
　本開示の組成物は、酸又はアルカリを含む。酸又はアルカリは、それぞれ１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア又はアンモニウム化合物等が挙げられ、金属化合物を含まない観点からは、アンモニウム化合物が好ましい。一態様において、入手容易性に優れる観点からは、特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、及び水酸化アンモニウムが好ましい。
　酸としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、リン酸、及び、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等のスルホン酸等が挙げられ、半導体等における塩素混入を低減する観点からは、リン酸、硝酸、酢酸、及びスルホン酸が好ましい。 <acid or alkali>
Compositions of the present disclosure include acids or alkalis. One type of acid or alkali may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Examples of the alkali include sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, and ammonium compounds, and ammonium compounds are preferred from the viewpoint of not containing metal compounds. In one embodiment, tetramethylammonium hydroxide and ammonium hydroxide are particularly preferred from the viewpoint of excellent availability.
Examples of acids include hydrochloric acid, nitric acid, acetic acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and sulfonic acids such as methanesulfonic acid and p-toluenesulfonic acid. From the viewpoint of reducing chlorine contamination in semiconductors, etc., phosphoric acid, Nitric acid, acetic acid, and sulfonic acid are preferred.
　本開示の組成物中の、酸又はアルカリの含有量は、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに必要に応じて後述のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、の合計量１００質量部に対して、０．０１～５０質量部が好ましく、０．１～３０質量部がより好ましい。前記合計量は、シルセスキオキサン化合物、及び必要に応じて用いられるアルコキシシラン化合物に換算したときの合計量とする。 The acid or alkali content in the composition of the present disclosure is determined by the amount of the silsesquioxane compound, its hydrolyzate, and its partial condensate; and, if necessary, the below-mentioned alkoxysilane, its hydrolyzate, and It is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the partial condensate. The above-mentioned total amount is the total amount when converted into the silsesquioxane compound and the alkoxysilane compound used as necessary.
＜他の成分＞
　本開示の組成物は、目的に応じて、上述の成分に加えて他の成分を含んでもよい。例えば、本開示の組成物は、金属酸化物（酸化ケイ素等の半金属の酸化物も含む）の粒子、染料又は顔料等の着色用材料、防汚性材料、樹脂、静電防止剤、抗菌・抗ウイルス剤等の添加剤を含んでもよい。添加剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 <Other ingredients>
The composition of the present disclosure may contain other components in addition to the above-mentioned components depending on the purpose. For example, the composition of the present disclosure may include particles of metal oxides (including semimetal oxides such as silicon oxide), coloring materials such as dyes or pigments, antifouling materials, resins, antistatic agents, antibacterial - May contain additives such as antiviral agents. One type of additive may be used alone, or two or more types may be used in combination.
　本開示の組成物は、加水分解性基を有する金属化合物（以下、加水分解性基を有する金属化合物を「特定金属化合物」とも記す。）、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。本開示の組成物が特定金属化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含むと、表面処理層の滑り性及び防汚性をより向上しうる。前記特定金属化合物は、組成物中で、前記特定金属化合物の形態で存在していてもよく、加水分解性基の加水分解によって生じた加水分解物の形態で存在していてもよく、前記加水分解物同士又は前記加水分解物と他の化合物とが縮合して生じた部分縮合物の形態で存在していてもよく、これらの一部又は全部の混合物の形態で存在していてもよい。
　特定金属化合物としては、下記式（Ｍ１）～（Ｍ３）が挙げられる。 The composition of the present disclosure is a group consisting of a metal compound having a hydrolyzable group (hereinafter, a metal compound having a hydrolyzable group is also referred to as a "specific metal compound"), a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof. It may include at least one selected from the following. When the composition of the present disclosure contains at least one selected from the group consisting of a specific metal compound, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof, the slipperiness and antifouling properties of the surface treatment layer can be further improved. The specific metal compound may be present in the composition in the form of the specific metal compound, or may be present in the form of a hydrolyzate produced by hydrolysis of a hydrolyzable group, It may exist in the form of a partial condensate produced by condensing the decomposition products with each other or the hydrolyzate and another compound, or it may exist in the form of a mixture of some or all of these.
Specific metal compounds include the following formulas (M1) to (M3).
　Ｍ（Ｘｂ１）ｍ１（Ｘｂ２）ｍ２（Ｘｂ３）ｍ３　　…（Ｍ１）
　Ｓｉ（Ｘｂ４）（Ｘｂ５）３　　　　　　　　　…（Ｍ２）
　（Ｘｂ６）３Ｓｉ－（Ｙｂ１）－Ｓｉ（Ｘｂ７）３　　…（Ｍ３） M(X b1 ) m1 (X b2 ) m2 (X b3 ) m3 ...(M1)
Si(X b4 )(X b5 ) 3 ...(M2)
(X b6 ) 3 Si-(Y b1 )-Si(X b7 ) 3 ...(M3)
　式（Ｍ１）中、
　Ｍは、３価又は４価の金属原子を表す。
　Ｘｂ１はそれぞれ独立に、加水分解性基を表す。
　Ｘｂ２はそれぞれ独立に、シロキサン骨格含有基を表す。
　Ｘｂ３はそれぞれ独立に、炭化水素鎖含有基を表す。
　ｍ１は２～４の整数であり、
　ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に、０～２の整数であり、
　Ｍが３価の金属原子の場合、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は３であり、Ｍが４価の金属原子の場合、ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は４である。 In formula (M1),
M represents a trivalent or tetravalent metal atom.
Each of X b1 independently represents a hydrolyzable group.
Each of X b2 independently represents a siloxane skeleton-containing group.
Each of X b3 independently represents a hydrocarbon chain-containing group.
m1 is an integer from 2 to 4,
m2 and m3 are each independently an integer of 0 to 2,
When M is a trivalent metal atom, m1+m2+m3 is 3, and when M is a tetravalent metal atom, m1+m2+m3 is 4.
　式（Ｍ２）中、
　Ｘｂ４は、加水分解性シランオリゴマー残基を表す。
　Ｘｂ５は、それぞれ独立に、加水分解性基又は炭素数１～４のアルキル基を表す。 In formula (M2),
X b4 represents a hydrolyzable silane oligomer residue.
Each of X b5 independently represents a hydrolyzable group or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
　式（Ｍ３）中、
　Ｘｂ６及びＸｂ７は、それぞれ独立に、加水分解性基又は水酸基を表す。
　Ｙｂ１は、２価の有機基を表す。 In formula (M3),
X b6 and X b7 each independently represent a hydrolyzable group or a hydroxyl group.
Y b1 represents a divalent organic group.
　式（Ｍ１）中、Ｍで表される金属には、Ｓｉ、Ｇｅ等の半金属も包含される。Ｍとしては、３価金属及び４価金属が好ましく、Ａｌ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、及びＺｒがより好ましく、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及びＺｒがさらに好ましく、Ｓｉが特に好ましい。 In formula (M1), the metal represented by M also includes semimetals such as Si and Ge. M is preferably a trivalent metal or a tetravalent metal, more preferably Al, Fe, In, Hf, Si, Ti, Sn, and Zr, even more preferably Al, Si, Ti, and Zr, and particularly preferably Si. .
　式（Ｍ１）中、Ｘｂ１で表される加水分解性基としては、上記反応性シリル基における［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］中のＬで示される加水分解性基と同様のものが挙げられる。 In formula ( M1 ), the hydrolyzable group represented by Things can be mentioned.
　Ｘｂ２で表されるシロキサン骨格含有基は、シロキサン単位（－Ｓｉ－Ｏ－）を有し、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。シロキサン単位としては、ジアルキルシリルオキシ基が好ましく、ジメチルシリルオキシ基、ジエチルシリルオキシ基等が挙げられる。シロキサン骨格含有基におけるシロキサン単位の繰り返し数は、１以上であり、１～５が好ましく、１～４がより好ましく、１～３がさらに好ましい。
　シロキサン骨格含有基は、シロキサン骨格の一部に２価の炭化水素基を含んでいてもよい。具体的には、シロキサン骨格の一部の酸素原子が２価の炭化水素基で置き換わっていてもよい。前記２価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等のアルキレン基が挙げられる。
　シロキサン骨格含有基の末端のケイ素原子には、加水分解性基、炭化水素基（好ましくはアルキル基）等が結合していてもよい。
　シロキサン骨格含有基の元素数は、１００以下が好ましく、５０以下がより好ましく、３０以下がさらに好ましい。前記元素数は１０以上が好ましい。
　シロキサン骨格含有基としては、＊－（Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ３）２）ｎＣＨ３で表される基が好ましく、ここで、ｎは１～５の整数であり、＊は隣接原子との結合部位を表す。 The siloxane skeleton-containing group represented by X b2 has a siloxane unit (-Si-O-) and may be linear or branched. The siloxane unit is preferably a dialkylsilyloxy group, such as a dimethylsilyloxy group or a diethylsilyloxy group. The number of repeating siloxane units in the siloxane skeleton-containing group is 1 or more, preferably 1 to 5, more preferably 1 to 4, and even more preferably 1 to 3.
The siloxane skeleton-containing group may include a divalent hydrocarbon group in a part of the siloxane skeleton. Specifically, some oxygen atoms in the siloxane skeleton may be replaced with divalent hydrocarbon groups. Examples of the divalent hydrocarbon group include alkylene groups such as a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and a butylene group.
A hydrolyzable group, a hydrocarbon group (preferably an alkyl group), etc. may be bonded to the terminal silicon atom of the siloxane skeleton-containing group.
The number of elements in the siloxane skeleton-containing group is preferably 100 or less, more preferably 50 or less, and even more preferably 30 or less. The number of elements is preferably 10 or more.
The siloxane skeleton-containing group is preferably a group represented by * -(O-Si(CH 3 ) 2 ) n CH 3 , where n is an integer from 1 to 5, and * represents a bond with an adjacent atom. Represents a part.
　Ｘｂ３で表される炭化水素鎖含有基は、炭化水素鎖のみからなる基でもよく、炭化水素鎖の炭素原子－炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する基でもよい。炭化水素鎖は直鎖でも分岐鎖でもよく、直鎖が好ましい。炭化水素鎖は飽和炭化水素鎖でも不飽和炭化水素鎖でもよく、飽和炭化水素鎖が好ましい。炭化水素鎖含有基の炭素数は、１～３が好ましく、１～２がより好ましく、１がさらに好ましい。炭化水素鎖含有基としては、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、又はプロピル基がより好ましい。 The hydrocarbon chain-containing group represented by X b3 may be a group consisting only of a hydrocarbon chain, or may be a group having an etheric oxygen atom between carbon atoms of the hydrocarbon chain. The hydrocarbon chain may be straight or branched, preferably straight. The hydrocarbon chain may be a saturated hydrocarbon chain or an unsaturated hydrocarbon chain, with a saturated hydrocarbon chain being preferred. The number of carbon atoms in the hydrocarbon chain-containing group is preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2, and even more preferably 1. The hydrocarbon chain-containing group is preferably an alkyl group, more preferably a methyl group, an ethyl group, or a propyl group.
　ｍ１は３又は４が好ましい。 It is preferable that m1 is 3 or 4.
　式（Ｍ１）で表される化合物としては、ＭがＳｉである下記式（Ｍ１－１）～（Ｍ１－５）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ１－１）で表される化合物がより好ましい。式（Ｍ１－１）で表される化合物としては、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシメチルシランが好ましい。 As the compound represented by formula (M1), compounds represented by the following formulas (M1-1) to (M1-5) where M is Si are preferable, and the compound represented by formula (M1-1) is More preferred. As the compound represented by formula (M1-1), tetraethoxysilane, tetramethoxysilane, and triethoxymethylsilane are preferred.
　Ｓｉ（Ｘｂ１）４　　　　　　　　　　　…（Ｍ１－１）
　ＣＨ３－Ｓｉ（Ｘｂ１）３ 　　　　　　　　…（Ｍ１－２）
　Ｃ２Ｈ５－Ｓｉ（Ｘｂ１）３　　　　　　　…（Ｍ１－３）
　ｎ－Ｃ３Ｈ７－Ｓｉ（Ｘｂ１）３　　　　　…（Ｍ１－４）
　（ＣＨ３）２ＣＨ－Ｓｉ（Ｘｂ１）３　　　…（Ｍ１－５） Si(X b1 ) 4 ...(M1-1)
CH 3 -Si(X b1 ) 3 　...(M1-2)
C 2 H 5 -Si(X b1 ) 3 ...(M1-3)
n-C 3 H 7 -Si(X b1 ) 3 ...(M1-4)
(CH 3 ) 2 CH-Si(X b1 ) 3 ... (M1-5)
　式（Ｍ２）中、Ｘｂ４で表される加水分解性シランオリゴマー残基に含まれるケイ素原子の数は、３以上が好ましく、５以上がより好ましく、７以上がさらに好ましい。前記ケイ素原子の数は、１５以下が好ましく、１３以下がより好ましく、１０以下がさらに好ましい。
　加水分解性シランオリゴマー残基は、ケイ素原子に結合するアルコキシ基を有していてもよい。前記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられ、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。加水分解性シランオリゴマー残基は、これらアルコキシ基の１種又は２種以上を有してもよく、１種を有することが好ましい。
　加水分解性シランオリゴマー残基としては、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）２）４Ｏ－＊等が挙げられる。ここで、＊は隣接原子との結合部位を表す。 In formula (M2), the number of silicon atoms contained in the hydrolyzable silane oligomer residue represented by X b4 is preferably 3 or more, more preferably 5 or more, and even more preferably 7 or more. The number of silicon atoms is preferably 15 or less, more preferably 13 or less, and even more preferably 10 or less.
The hydrolyzable silane oligomer residue may have an alkoxy group bonded to a silicon atom. Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, and methoxy group and ethoxy group are preferred. The hydrolyzable silane oligomer residue may have one or more types of these alkoxy groups, and preferably has one type.
Examples of the hydrolyzable silane oligomer residue include (C 2 H 5 O) 3 Si-(OSi(OC 2 H 5 ) 2 ) 4 O- * and the like. Here, * represents a bonding site with an adjacent atom.
　式（Ｍ２）中、Ｘｂ５で表される加水分解性基としては、上記反応性シリル基における［－Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］中のＬで示される加水分解性基と同様のもの、シアノ基、水素原子、アリル基が挙げられ、アルコキシ基又はイソシアナト基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましい。
　Ｘｂ５としては、加水分解性基が好ましい。 In formula ( M2 ), the hydrolyzable group represented by Examples include a cyano group, a hydrogen atom, and an allyl group, with an alkoxy group or an isocyanato group being preferred. The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
As X b5 , a hydrolyzable group is preferable.
　式（Ｍ２）で表される化合物としては、（Ｈ５Ｃ２Ｏ）３－Ｓｉ－（ＯＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）２）４ＯＣ２Ｈ５等が挙げられる。 Examples of the compound represented by formula (M2) include (H 5 C 2 O) 3 -Si-(OSi(OC 2 H 5 ) 2 ) 4 OC 2 H 5 and the like.
　式（Ｍ３）で表される化合物は、２価の有機基の両末端に反応性シリル基を有する化合物、すなわち、ビスシランである。
　式（Ｍ３）中、Ｘｂ６及びＸｂ７で表される加水分解性基としては、アルコキシ基、アシロキシ基、ケトオキシム基、アルケニルオキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、イソシアナト基、ハロゲン原子が挙げられ、アルコキシ基、イソシアナト基が好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１～４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
　式（Ｍ３）において、Ｘｂ６及びＸｂ７は互いに同じ基でもよく、互いに異なる基でもよい。入手しやすさの点で、Ｘｂ６及びＸｂ７は互いに同じ基であることが好ましい。 The compound represented by formula (M3) is a compound having a reactive silyl group at both ends of a divalent organic group, that is, bissilane.
In formula (M3), the hydrolyzable groups represented by X b6 and X b7 include an alkoxy group, an acyloxy group, a ketoxime group, an alkenyloxy group, an amino group, an aminoxy group, an amide group, an isocyanato group, and a halogen atom. an alkoxy group and an isocyanato group are preferred. The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a methoxy group or an ethoxy group.
In formula (M3), X b6 and X b7 may be the same group or different groups. From the viewpoint of availability, it is preferable that X b6 and X b7 are the same group.
　式（Ｍ３）中、Ｙｂ１は、両末端の反応性シリル基を連結する２価の有機基である。２価の有機基のＹｂ１の炭素数は１～８が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｙｂ１としては、アルキレン基、フェニレン基、炭素原子間にエーテル性酸素原子を有するアルキレン基が挙げられる。例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ６Ｈ４－が挙げられる。 In formula (M3), Y b1 is a divalent organic group that connects the reactive silyl groups at both ends. The number of carbon atoms in Y b1 of the divalent organic group is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 3.
Examples of Y b1 include an alkylene group, a phenylene group, and an alkylene group having an etheric oxygen atom between carbon atoms. For example, -CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 CH 2 CH 2 C(CH 3 ) 2 -, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 -, -CH(CH 3 )CH 2 OCH 2 CH(CH 3 )-, and -C 6 H 4 -.
　式（Ｍ３）で表される化合物としては、（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、（ＯＣＮ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３、Ｃｌ３Ｓｉ（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、（Ｃ２Ｈ５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３が挙げられる。 Examples of the compound represented by formula (M3) include (CH 3 O) 3 Si(CH 2 ) 2 Si(OCH 3 ) 3 , (C 2 H 5 O) 3 Si(CH 2 ) 2 Si(OC 2 H 5 ) 3 , (OCN) 3Si ( CH2 ) 2Si ( NCO ) 3 , Cl3Si( CH2 ) 2SiCl3 , ( CH3O ) 3Si ( CH2 ) 6Si ( OCH3 ) 3 , ( C2H5O ) 3Si ( CH2 ) 6Si ( OC2H5 ) 3 is mentioned.
　なかでも、本開示の組成物は、３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含んでいてもよい。組成物が３官能以上のアルコキシシランを含むことにより、ゾルゲル反応においてより密な架橋構造が形成されることから、より良好な耐擦傷性、耐摩耗性等が発揮され得る。
　前記アルコキシシランは、組成物中で、前記アルコキシシランの形態で存在していてもよく、アルコキシ基の加水分解によって生じた加水分解物の形態で存在していてもよく、前記加水分解物同士又は前記加水分解物と他の化合物とが縮合して生じた部分縮合物の形態で存在していてもよく、これらの一部又は全部の混合物の形態で存在していてもよい。部分縮合物は、例えば、前記アルコキシシラン同士の部分縮合物であってもよく、前記アルコキシシランと前記シルセスキオキサン化合物との部分縮合物であってもよい。
　３官能以上のアルコキシシランとしては、３官能アルコキシシラン及び４官能アルコキシシランが挙げられ、架橋密度を高める観点からは、４官能アルコキシシランが好ましい。 Among these, the composition of the present disclosure may contain at least one selected from the group consisting of trifunctional or more functional alkoxysilanes, hydrolysates thereof, and partial condensates thereof. When the composition contains a trifunctional or higher functional alkoxysilane, a denser crosslinked structure is formed in the sol-gel reaction, so better scratch resistance, abrasion resistance, etc. can be exhibited.
The alkoxysilane may be present in the composition in the form of the alkoxysilane, or may be present in the form of a hydrolyzate produced by hydrolysis of an alkoxy group, and the hydrolyzates may be present with each other or with each other. It may exist in the form of a partial condensate produced by condensing the hydrolyzate with another compound, or it may exist in the form of a mixture of some or all of these. The partial condensate may be, for example, a partial condensate of the alkoxysilanes, or a partial condensate of the alkoxysilane and the silsesquioxane compound.
Examples of trifunctional or higher-functional alkoxysilanes include trifunctional alkoxysilanes and tetrafunctional alkoxysilanes, and from the viewpoint of increasing crosslinking density, tetrafunctional alkoxysilanes are preferred.
　３官能以上のアルコキシシランとしては、Ｓｉ（Ｒａ１）ｂ１（ＯＲａ２）ｂ２（式中、Ｒａ１及びＲａ２はそれぞれ独立に炭素数１～８の有機基であり、ｂ１は０又は１であり、ｂ２は３又は４であり、ｂ１＋ｂ２は４である。）で表される化合物が挙げられる。
　Ｒａ１としては、炭素数１～８のアルキル基が好ましい。
　Ｒａ２としては、メチル基又はエチル基が好ましい。 Trifunctional or more functional alkoxysilanes include Si(R a1 ) b1 (OR a2 ) b2 (wherein R a1 and R a2 are each independently an organic group having 1 to 8 carbon atoms, and b1 is 0 or 1; , b2 is 3 or 4, and b1+b2 is 4).
R a1 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
As R a2 , a methyl group or an ethyl group is preferable.
　３官能以上のアルコキシシランとしては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン、ｎ－オクチルテトラエトキシシラン、トリエトキシメチルシラン、フェニルトリエトキシシラン等が挙げられ、ｎ－オクチルテトラエトキシシラン及びＴＥＯＳが好ましい。 Examples of trifunctional or higher functional alkoxysilanes include tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane, n-octyltetraethoxysilane, triethoxymethylsilane, phenyltriethoxysilane, etc., and n-octyltetraethoxysilane and TEOS preferable.
　３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物の合計含有量は、シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物の合計含有量１００質量部に対して、１～１，０００質量部が好ましく、２～５００質量部がより好ましく、５～１００質量部がさらに好ましく、８～５０質量部が特に好ましい。前記合計含有量は、それぞれ、シルセスキオキサン化合物、及びアルコキシシラン化合物に換算したときの合計含有量とする。 The total content of trifunctional or more functional alkoxysilane, its hydrolyzate, and its partial condensate is based on 100 parts by mass of the total content of the silsesquioxane compound, its hydrolyzate, and its partial condensate, It is preferably 1 to 1,000 parts by weight, more preferably 2 to 500 parts by weight, even more preferably 5 to 100 parts by weight, and particularly preferably 8 to 50 parts by weight. The total content is the total content when converted into a silsesquioxane compound and an alkoxysilane compound, respectively.
　一態様において、表面処理層を形成したときの膜強度の向上、低反射性等の観点から、本開示の組成物は、シリカ粒子を含んでいてもよい。シリカ粒子としては、多孔質シリカ粒子が好ましく、中空シリカ微粒子、メソポーラス状微粒子等が挙げられる。
　シリカ粒子の形状は特に制限されず、粉体状、ゾル状（コロイダルシリカ）等が挙げられる。コロイダルシリカを使用する場合、例えば、水分散性コロイダルシリカ、アルコール等の有機溶媒分散性コロイダルシリカとして使用してもよい。
　シリカ粒子の平均粒子径は、５～２，０００ｎｍが好ましく、５～１，０００ｎｍがより好ましく、５～１００ｎｍがさらに好ましい。前記平均粒子径は動的光散乱法によって求められる。
　組成物がシリカ粒子を含む場合、シリカ粒子の含有率は、膜強度、低反射性等の観点から、組成物中の固形分全量に対して０．１～５０質量％が好ましく、１０～５０質量％がより好ましい。
　シリカ粒子は、例えば特開２０１０－１００８１９号公報に記載される多孔質シリカ微粒子を参照できる。 In one embodiment, the composition of the present disclosure may contain silica particles from the viewpoint of improving film strength, low reflectivity, etc. when a surface treatment layer is formed. As the silica particles, porous silica particles are preferable, and examples thereof include hollow silica particles, mesoporous particles, and the like.
The shape of the silica particles is not particularly limited, and examples include powder, sol (colloidal silica), and the like. When colloidal silica is used, it may be used as, for example, water-dispersible colloidal silica or organic solvent-dispersible colloidal silica such as alcohol.
The average particle diameter of the silica particles is preferably from 5 to 2,000 nm, more preferably from 5 to 1,000 nm, even more preferably from 5 to 100 nm. The average particle diameter is determined by dynamic light scattering.
When the composition contains silica particles, the content of the silica particles is preferably 0.1 to 50% by mass, and 10 to 50% by mass based on the total solid content in the composition, from the viewpoint of film strength, low reflectivity, etc. Mass% is more preferred.
As the silica particles, reference can be made to, for example, porous silica fine particles described in JP-A No. 2010-100819.
〔組成物の調製方法〕
　本開示の組成物の調製方法は特に制限されず、各成分を混合できる任意の方法を採用できる。
　一態様において、シルセスキオキサン化合物、水、水以外の溶媒、酸又はアルカリ、及びその他の任意成分を混合することにより、ゾルゲル反応により、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つ、を含む組成物が生成する。
　一態様において、３官能以上のアルコキシシランを用いる場合には、シルセスキオキサン化合物、３官能以上のアルコキシシラン、水、水以外の溶媒、酸又はアルカリ、及びその他の任意成分を混合することにより、ゾルゲル反応により、前記シルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物；並びに前記３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物、からなる群より選択される少なくとも１つが生成する。
　一態様において、シリカ粒子を用いる場合には、前記ゾルゲル反応の前又はゾルゲル反応の間にシリカ粒子を混合することが好ましい。 [Method for preparing composition]
The method for preparing the composition of the present disclosure is not particularly limited, and any method that allows mixing of the components can be adopted.
In one embodiment, by mixing the silsesquioxane compound, water, a solvent other than water, an acid or alkali, and other optional components, the silsesquioxane compound, its hydrolyzate, and its A composition containing at least one selected from the group consisting of partial condensates is produced.
In one embodiment, when using a trifunctional or higher functional alkoxysilane, by mixing a silsesquioxane compound, a trifunctional or higher functional alkoxysilane, water, a solvent other than water, an acid or alkali, and other optional components. , the silsesquioxane compound, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof; and the trifunctional or more functional alkoxysilane, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof, by a sol-gel reaction. At least one generates.
In one embodiment, when using silica particles, it is preferable to mix the silica particles before or during the sol-gel reaction.
［表面処理剤］
　一態様において、本開示の表面処理剤は、本開示の組成物を含む。本開示の組成物は上述の構成を有するため、本開示の組成物を含む表面処理剤を用いることにより、撥水性及び耐摩耗性に優れた表面処理層を形成できる。 [Surface treatment agent]
In one aspect, the surface treatment agent of the present disclosure comprises a composition of the present disclosure. Since the composition of the present disclosure has the above-described structure, a surface treatment layer having excellent water repellency and abrasion resistance can be formed by using a surface treatment agent containing the composition of the present disclosure.
［物品］
　一態様において、本開示の物品は、基材と、前記表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む。 [Goods]
In one aspect, the article of the present disclosure includes a base material and a surface treatment layer surface treated with the surface treatment agent.
　表面処理層は、基材の表面の一部に形成されてもよく、基材の表面全体に形成されてもよい。表面処理層は、基材の表面に膜状に拡がっていてもよく、ドット状に点在していてもよい。
　表面処理層において、本開示の組成物は、反応性シリル基の一部又は全部の加水分解が進行し、かつ、シラノール基の脱水縮合反応が進行した状態で含まれる。 The surface treatment layer may be formed on a part of the surface of the base material, or may be formed on the entire surface of the base material. The surface treatment layer may be spread over the surface of the base material in the form of a film, or may be scattered in the form of dots.
In the surface treatment layer, the composition of the present disclosure is contained in a state in which hydrolysis of some or all of the reactive silyl groups has proceeded and a dehydration condensation reaction of the silanol groups has proceeded.
　表面処理層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍがより好ましい。表面処理層の厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面処理層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面処理層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（製品名「ＡＴＸ－Ｇ」、ＲＩＧＡＫＵ社製）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。 The thickness of the surface treatment layer is preferably 1 to 100 nm, more preferably 1 to 50 nm. If the thickness of the surface treatment layer is 1 nm or more, the effect of the surface treatment is likely to be sufficiently obtained. If the thickness of the surface treatment layer is 100 nm or less, the utilization efficiency is high. The thickness of the surface treatment layer is determined by using an X-ray diffractometer for thin film analysis (product name "ATX-G", manufactured by RIGAKU) to obtain an interference pattern of reflected X-rays by the X-ray reflectance method. It can be calculated from the vibration period of
　基材の種類は特に限定されず、例えば、撥水性の付与が求められている基材が挙げられる。基材として、例えば、他の物品（例えば、スタイラス）又は人の手指を接触させて使用することがある基材；操作時に人の手指で持つことがある基材；及び、他の物品（例えば、載置台）の上に置くことがある基材が挙げられる。
　基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、繊維、不織布、紙、木、天然皮革、人工皮革、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。 The type of base material is not particularly limited, and includes, for example, base materials that are required to have water repellency. As a base material, for example, a base material that may be used in contact with another article (e.g., a stylus) or a person's fingers; a base material that may be held by a person's fingers during operation; , a mounting table).
Examples of the base material include metal, resin, glass, sapphire, ceramic, stone, fiber, nonwoven fabric, paper, wood, natural leather, artificial leather, and composite materials thereof. The glass may be chemically strengthened.
　基材としては、建材、装飾建材、インテリア用品、輸送機器（例えば、自動車）、看板・掲示板、飲用器・食器、水槽、観賞用器具（例えば、額、箱）、実験器具、家具、繊維製品、包装容器；アート、スポーツ、ゲーム等に使用する、ガラス又は樹脂；携帯電話（例えば、スマートフォン）、携帯情報端末、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラス又は樹脂が挙げられる。基材の形状は、板状であってもよく、フィルム状であってもよい。 Base materials include building materials, decorative building materials, interior goods, transportation equipment (e.g. automobiles), signboards/bulletin boards, drinking vessels/tableware, aquariums, ornamental equipment (e.g. frames, boxes), laboratory equipment, furniture, textile products. , Packaging containers; Glass or resin used for art, sports, games, etc.; Used for the exterior parts (excluding display parts) of devices such as mobile phones (e.g. smartphones), personal digital assistants, game consoles, remote controls, etc. Examples include glass or resin. The shape of the base material may be plate-like or film-like.
　基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。 As the base material, touch panel base materials, display base materials, and eyeglass lenses are suitable, and touch panel base materials are particularly suitable. As the material for the touch panel base material, glass or transparent resin is preferable.
　基材は、一方の表面又は両面が、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理が施された基材であってもよい。表面処理が施された基材は、表面処理層との密着性がより優れ、表面処理層の耐摩耗性がより向上する。そのため、基材の表面処理層と接する側の表面に表面処理を施すことが好ましい。また、表面処理が施された基材は、後述する下地層が設けられる場合には、下地層との密着性がより優れ、表面処理層の耐摩耗性がより向上する。そのため、下地層が設けられる場合には、基材の下地層と接する側の表面に表面処理を施すことが好ましい。 The base material may be a base material that has been subjected to surface treatment such as corona discharge treatment, plasma treatment, plasma graft polymerization treatment, etc. on one surface or both surfaces. A surface-treated base material has better adhesion with the surface-treated layer, and the abrasion resistance of the surface-treated layer is further improved. Therefore, it is preferable to perform surface treatment on the surface of the base material that is in contact with the surface treatment layer. Furthermore, when the surface-treated base material is provided with a base layer, which will be described later, the adhesion with the base layer is better, and the wear resistance of the surface-treated layer is further improved. Therefore, when a base layer is provided, it is preferable to perform a surface treatment on the surface of the base material that is in contact with the base layer.
　表面処理層は、基材の表面上に直接設けられていてもよく、基材と表面処理層との間に下地層が設けられていてもよい。表面処理層の撥水性及び耐摩耗性をより向上させる観点から、本開示の物品は、基材と、基材上に配置された下地層と、下地層上に配置された本開示の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含むことが好ましい。 The surface treatment layer may be provided directly on the surface of the base material, or a base layer may be provided between the base material and the surface treatment layer. From the perspective of further improving the water repellency and abrasion resistance of the surface treatment layer, the article of the present disclosure includes a base material, a base layer disposed on the base material, and a surface treatment of the present disclosure disposed on the base layer. It is preferable to include a surface treatment layer whose surface is treated with an agent.
　下地層は、ケイ素と、周期表の第１族元素、第２族元素、第４族元素、第５族元素、第１３族元素、及び第１５族元素からなる群から選択される少なくとも１つの特定元素とを含む酸化物を含む層が好ましい。 The base layer includes silicon and at least one selected from the group consisting of a group 1 element, a group 2 element, a group 4 element, a group 5 element, a group 13 element, and a group 15 element of the periodic table. A layer containing an oxide containing a specific element is preferable.
　周期表の第１族元素（以下、「第１族元素」ともいう。）とは、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムを意味する。第１族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、リチウム、ナトリウム、カリウムが好ましく、ナトリウム、カリウムがより好ましい。下地層には、第１族元素が２種以上含まれていてもよい。 Group 1 elements of the periodic table (hereinafter also referred to as "Group 1 elements") mean lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium. As Group 1 elements, lithium, sodium, and potassium are selected from the viewpoint of forming a surface treatment layer on the underlayer more uniformly without defects or from the viewpoint of suppressing variations in the composition of the underlayer between samples. Preferably, sodium and potassium are more preferable. The underlayer may contain two or more types of Group 1 elements.
　周期表の第２族元素（以下、「第２族元素」ともいう。）とは、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムを意味する。第２族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、マグネシウム、カルシウム、バリウムが好ましく、マグネシウム、カルシウムがより好ましい。下地層には、第２族元素が２種以上含まれていてもよい。 Group 2 elements of the periodic table (hereinafter also referred to as "Group 2 elements") mean beryllium, magnesium, calcium, strontium, and barium. As Group 2 elements, magnesium, calcium, and barium are used from the viewpoint of forming a surface treatment layer on the underlayer more uniformly without defects, or from the viewpoint of suppressing variations in the composition of the underlayer between samples. Preferably, magnesium and calcium are more preferable. The underlayer may contain two or more types of Group 2 elements.
　周期表の第４族元素（以下、「第４族元素」ともいう。）とは、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムを意味する。第４族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、チタン、ジルコニウムが好ましく、チタンがより好ましい。下地層には、第４族元素が２種以上含まれていてもよい。 Group 4 elements of the periodic table (hereinafter also referred to as "Group 4 elements") mean titanium, zirconium, and hafnium. As the Group 4 element, titanium and zirconium are preferable from the viewpoint of being able to form a surface treatment layer on the underlayer more uniformly without defects or from the viewpoint of suppressing variations in the composition of the underlayer between samples. Titanium is more preferred. The base layer may contain two or more types of Group 4 elements.
　周期表の第５族元素（以下、「第５族元素」ともいう。）とは、バナジウム、ニオブ及びタンタルを意味する。第５族元素としては、表面処理層の耐摩耗性がより優れる観点から、バナジウムが特に好ましい。下地層には、第５族元素が２種以上含まれていてもよい。 Group 5 elements of the periodic table (hereinafter also referred to as "Group 5 elements") mean vanadium, niobium, and tantalum. As the Group 5 element, vanadium is particularly preferable from the viewpoint of providing better wear resistance of the surface treatment layer. The underlayer may contain two or more types of Group 5 elements.
　周期表の第１３族元素（以下、「第１３族元素」ともいう。）とは、ホウ素、アルミニウム、ガリウム及びインジウムを意味する。第１３族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、ホウ素、アルミニウム、ガリウムが好ましく、ホウ素、アルミニウムがより好ましい。下地層には、第１３族元素が２種以上含まれていてもよい。 Group 13 elements of the periodic table (hereinafter also referred to as "Group 13 elements") mean boron, aluminum, gallium, and indium. As Group 13 elements, boron, aluminum, and gallium are used from the viewpoint of forming a surface treatment layer on the underlayer more uniformly without defects, or from the viewpoint of suppressing variations in the composition of the underlayer between samples. Preferably, boron and aluminum are more preferable. The base layer may contain two or more types of Group 13 elements.
　周期表の第１５族元素（以下、「第１５族元素」ともいう。）とは、窒素、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマスを意味する。第１５族元素としては、下地層上に表面処理層を欠陥なくより均一に形成できる観点、又は、サンプル間での下地層の組成のバラツキがより抑制される観点から、リン、アンチモン、ビスマスが好ましく、リン、ビスマスがより好ましい。下地層には、第１５族元素が２種以上含まれていてもよい。 Group 15 elements of the periodic table (hereinafter also referred to as "Group 15 elements") mean nitrogen, phosphorus, arsenic, antimony, and bismuth. As Group 15 elements, phosphorus, antimony, and bismuth are used from the viewpoint of forming a surface treatment layer on the underlayer more uniformly without defects or from the viewpoint of suppressing variations in the composition of the underlayer between samples. Preferably, phosphorus and bismuth are more preferable. The base layer may contain two or more types of Group 15 elements.
　下地層に含まれる特定元素としては、第１族元素、第２族元素、第１３族元素が表面処理層の耐摩耗性がより優れるため好ましく、第１族元素、第２族元素がより好ましく、第１族元素がさらに好ましい。
　特定元素として、１種のみの元素が含まれていても２種以上の元素が含まれていてもよい。 As the specific elements contained in the underlayer, Group 1 elements, Group 2 elements, and Group 13 elements are preferable because the wear resistance of the surface treatment layer is better, and Group 1 elements and Group 2 elements are more preferable. , Group 1 elements are more preferred.
As the specific element, only one type of element may be included, or two or more types of elements may be included.
　下地層に含まれる酸化物は、上記元素（ケイ素及び特定元素）単独の酸化物の混合物（例えば、酸化ケイ素と、特定元素の酸化物と、の混合物）であってもよいし、上記元素を２種以上含む複合酸化物であってもよいし、上記元素単独の酸化物と複合酸化物との混合物であってもよい。 The oxide contained in the base layer may be a mixture of oxides of the above elements (silicon and specific elements) alone (for example, a mixture of silicon oxide and an oxide of a specific element), or a mixture of the above elements (silicon and specific elements). It may be a composite oxide containing two or more types, or a mixture of an oxide of the above element alone and a composite oxide.
　下地層中のケイ素のモル濃度に対する、下地層中の特定元素の合計モル濃度の比（特定元素／ケイ素）は、表面処理層の耐摩耗性がより優れる観点から、０．０２～２．９０であるのが好ましく、０．１０～２．００であるのがより好ましく、０．２０～１．８０であるのがさらに好ましい。
　下地層中の各元素のモル濃度（モル％）は、例えば、イオンスパッタリングを用いたＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による深さ方向分析によって測定できる。 The ratio of the total molar concentration of the specific element in the underlayer to the molar concentration of silicon in the underlayer (specific element/silicon) is 0.02 to 2.90 from the viewpoint of better wear resistance of the surface treatment layer. It is preferably 0.10 to 2.00, even more preferably 0.20 to 1.80.
The molar concentration (mol %) of each element in the underlayer can be measured, for example, by depth direction analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) using ion sputtering.
　下地層は、単層であっても複層であってもよい。下地層は、表面に凹凸を有していてもよい。
　下地層の厚さは、１～１００ｎｍが好ましく、１～５０ｎｍがより好ましく、２～２０ｎｍがさらに好ましい。下地層の厚さが上記下限値以上であれば、下地層による表面処理層の密着性がより向上して、表面処理層の耐摩耗性がより優れる。下地層の厚さが上記上限値以下であれば、下地層自体の耐摩耗性が優れる。
　下地層の厚さは、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による下地層の断面観察によって測定される。 The base layer may be a single layer or a multilayer. The base layer may have an uneven surface.
The thickness of the underlayer is preferably 1 to 100 nm, more preferably 1 to 50 nm, and even more preferably 2 to 20 nm. If the thickness of the base layer is equal to or greater than the above lower limit, the adhesion of the surface treatment layer to the base layer will be further improved, and the wear resistance of the surface treatment layer will be more excellent. If the thickness of the base layer is below the above upper limit, the base layer itself will have excellent wear resistance.
The thickness of the base layer is measured by observing a cross section of the base layer using a transmission electron microscope (TEM).
　下地層は、例えば、蒸着材料を用いた蒸着法、又は、ウェットコーティング法により形成できる。 The base layer can be formed, for example, by a vapor deposition method using a vapor deposition material or a wet coating method.
　蒸着法で用いる蒸着材料は、ケイ素及び特定元素を含む酸化物を含有することが好ましい。
　蒸着材料の形態の具体例としては、粉体、溶融体、焼結体、造粒体、破砕体が挙げられ、取り扱い性の観点から、溶融体、焼結体、造粒体が好ましい。
　ここで、溶融体とは、蒸着材料の粉体を高温で溶融させた後、冷却固化して得られた固形物を意味する。焼結体とは、蒸着材料の粉体を焼成して得られた固形物を意味し、必要に応じて、蒸着材料の粉体の代わりに、粉体をプレス成形して成形体を用いてもよい。造粒体とは、蒸着材料の粉体と液状媒体（例えば、水、有機溶媒）とを混練して粒子を得た後、粒子を乾燥させて得られた固形物を意味する。 The vapor deposition material used in the vapor deposition method preferably contains an oxide containing silicon and a specific element.
Specific examples of the form of the vapor deposition material include powder, molten body, sintered body, granulated body, and crushed body, and from the viewpoint of ease of handling, molten body, sintered body, and granulated body are preferable.
Here, the melt means a solid obtained by melting the powder of the vapor deposition material at a high temperature and then cooling and solidifying the powder. A sintered body means a solid obtained by firing a powder of a vapor deposition material, and if necessary, a molded body obtained by press-molding the powder may be used instead of a powder of a vapor deposition material. Good too. The granule refers to a solid material obtained by kneading a powder of a vapor deposition material and a liquid medium (for example, water, an organic solvent) to obtain particles, and then drying the particles.
　蒸着材料は、例えば、以下の方法で製造できる。
・酸化ケイ素の粉体と、特定元素の酸化物の粉体と、を混合して、蒸着材料の粉体を得る方法。
・上記蒸着材料の粉体及び水を混練して粒子を得た後、粒子を乾燥させて、蒸着材料の造粒体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（例えば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、特定元素を含む粉体（例えば、特定元素の酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、水と、を混合した混合物を乾燥させた後、乾燥後の混合物又はこれをプレス成形した成形体を焼成して、焼結体を得る方法。
・ケイ素を含む粉体（例えば、酸化ケイ素からなる粉体、珪砂、シリカゲル）と、特定元素を含む粉体（例えば、特定元素の酸化物の粉体、炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物）と、を高温で溶融させた後、溶融物を冷却固化して、溶融体を得る方法。 The vapor deposition material can be manufactured, for example, by the following method.
・A method of obtaining a vapor deposition material powder by mixing silicon oxide powder and oxide powder of a specific element.
- A method of kneading the powder of the vapor deposition material and water to obtain particles, and then drying the particles to obtain granules of the vapor deposition material.
・Powders containing silicon (e.g. powder of silicon oxide, silica sand, silica gel) and powders containing specific elements (e.g. powder of oxides of specific elements, carbonates, sulfates, nitrates, oxalic acid) A method of obtaining a sintered body by drying a mixture of salt, hydroxide) and water, and then firing the dried mixture or a press-molded body of the dried mixture.
・Powders containing silicon (e.g. powder of silicon oxide, silica sand, silica gel) and powders containing specific elements (e.g. powder of oxides of specific elements, carbonates, sulfates, nitrates, oxalic acid) (salt, hydroxide) at high temperature, and then cooled and solidified to obtain a molten product.
　蒸着材料を用いた蒸着法の具体例としては、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材の表面に付着させる方法である。
　蒸着時の温度（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を配置するボートの温度）としては、１００～３，０００℃が好ましく、５００～３，０００℃がより好ましい。
　蒸着時の圧力（例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を配置する槽内の圧力）としては、１Ｐａ以下が好ましく、０．１Ｐａ以下がより好ましい。
　蒸着材料を用いて下地層を形成する場合、１つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む２つ以上の蒸着材料を用いてもよい。 A specific example of a vapor deposition method using a vapor deposition material includes a vacuum vapor deposition method. The vacuum deposition method is a method in which a deposition material is evaporated in a vacuum chamber and adhered to the surface of a base material.
The temperature during vapor deposition (for example, the temperature of the boat in which the vapor deposition material is placed when using a vacuum vapor deposition apparatus) is preferably 100 to 3,000°C, more preferably 500 to 3,000°C.
The pressure during vapor deposition (for example, when using a vacuum vapor deposition apparatus, the pressure in the tank in which the vapor deposition material is placed) is preferably 1 Pa or less, more preferably 0.1 Pa or less.
When forming the base layer using a vapor deposition material, one vapor deposition material may be used, or two or more vapor deposition materials containing different elements may be used.
　蒸着材料の蒸発方法の具体例としては、高融点金属製抵抗加熱用ボート上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビームを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる観点、電子ビームが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない観点から、電子銃法が好ましい。
　蒸着材料の蒸発方法としては、複数のボートを用いてもよく、単独のボートに全ての蒸着材料を入れて用いてもよい。蒸着方法は、共蒸着であってもよく、交互蒸着等でもよい。具体的には、シリカと特定源を同一のボートに混合して用いる例、シリカと特定元素源とを別々のボートに入れて共蒸着する例、同様に別々のボートに入れて交互蒸着する例が挙げられる。蒸着の条件、順番等は下地層の構成により適宜選択される。 Specific examples of evaporation methods include resistance heating, in which the evaporation material is melted and evaporated on a resistance heating boat made of high-melting-point metal, and irradiation of an electron beam onto the evaporation material to directly heat the evaporation material on the surface. An example is the electron gun method, which melts and evaporates. The method of evaporating the evaporation material is based on the viewpoints that high melting point substances can be evaporated because it can be heated locally, and that there is no risk of reaction with the container or contamination with impurities because the area not hit by the electron beam is at a low temperature. Gun law is preferred.
As a method for evaporating the evaporation materials, a plurality of boats may be used, or all the evaporation materials may be placed in a single boat. The vapor deposition method may be codeposition, alternate vapor deposition, or the like. Specifically, examples include mixing silica and a specific element source in the same boat, co-evaporating silica and a specific element source in separate boats, and alternately depositing silica and a specific element source in separate boats. can be mentioned. The conditions, order, etc. of vapor deposition are appropriately selected depending on the structure of the underlying layer.
　ウェットコーティング法では、ケイ素を含む化合物と、特定元素を含む化合物と、液状媒体と、を含むコーティング液を用いたウェットコーティング法によって、基材上に下地層を形成することが好ましい。 In the wet coating method, it is preferable to form the base layer on the base material by a wet coating method using a coating liquid containing a compound containing silicon, a compound containing a specific element, and a liquid medium.
　ケイ素化合物の具体例としては、酸化ケイ素、ケイ酸、ケイ酸の部分縮合物、アルコキシシラン、アルコキシシランの部分加水分解縮合物が挙げられる。 Specific examples of silicon compounds include silicon oxide, silicic acid, partial condensates of silicic acid, alkoxysilanes, and partially hydrolyzed condensates of alkoxysilanes.
　特定元素を含む化合物の具体例としては、特定元素の酸化物、特定元素のアルコキシド、特定元素の炭酸塩、特定元素の硫酸塩、特定元素の硝酸塩、特定元素のシュウ酸塩、特定元素の水酸化物が挙げられる。 Specific examples of compounds containing specific elements include oxides of specific elements, alkoxides of specific elements, carbonates of specific elements, sulfates of specific elements, nitrates of specific elements, oxalates of specific elements, and water of specific elements. Examples include oxides.
　液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。 As the liquid medium, an organic solvent is preferable.
　有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物、並びに、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が挙げられ、具体的には、炭化水素系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、グリコール系有機溶媒、及びアルコール系有機溶媒が挙げられる。
　炭化水素系有機溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ヘキサデカン、イソヘキサン、イソオクタン、イソノナン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、ｏ－ジエチルベンゼン、ｍ－ジエチルベンゼン、ｐ－ジエチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンが挙げられる。
　ケトン系有機溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、４－ヘプタノン、３，５，５－トリメチル－２－シクロヘキセン－１－オン、及び３，３，５－トリメチルシクロヘキサノン、イソホロンが挙げられる。
　エーテル系有機溶媒の具体例としては、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサンが挙げられる。
　エステル系有機溶媒の具体例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔｅｒｔ‐ブチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、３－エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチルエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－３－メチルブチルアセテート、３－メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルアセテート、プロピレングリコールジメチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノールアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコ－ルメチルエ－テルアセテ－ト、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，４－ブタンジオールジアセテート、１，３－ブチレングリコールジアセテート、１，６－ヘキサンジオールジアセテート、γ－ブチロラクトン、トリアセチン、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチレートが挙げられる。
　グリコール系有機溶媒の具体例としては、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ－２－エチルヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、１，３－ブチレングリコール、プロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ－ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ－ブチルエ－テル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテルペンタン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。
　アルコール系有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノール、ジアセトンアルコール、イソブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、３－メチル－１，３－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、１，３－ブチレングリコール、オクタンジオール、２，４－ジエチルペンタンジオール、ブチルエチルプロパンジオール、２－メチル－１，３－プロパンジオール、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、２－エチル－１－ヘキサノール、３，５，５－トリメチル－１－ヘキサノール、イソデカノール、イソトリデカノール、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、２－メトキシブタノール、３－メトキシブタノール、シクロヘキサノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ベンジルアルコール、及びメチルシクロヘキサノールが挙げられる。 Examples of organic solvents include compounds consisting only of hydrogen atoms and carbon atoms, and compounds consisting only of hydrogen atoms, carbon atoms, and oxygen atoms. Specifically, examples include hydrocarbon-based organic solvents, ketone-based organic solvents, and ethers. Examples include organic solvents based on organic solvents, organic solvents based on esters, organic solvents based on glycol, and organic solvents based on alcohol.
Specific examples of hydrocarbon organic solvents include pentane, hexane, heptane, octane, hexadecane, isohexane, isooctane, isononane, cycloheptane, cyclohexane, bicyclohexyl, benzene, toluene, ethylbenzene, o-xylene, m-xylene, Examples include p-xylene, o-diethylbenzene, m-diethylbenzene, p-diethylbenzene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, and tert-butylbenzene.
Specific examples of ketone organic solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-heptanone, 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one, and 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one. Examples include 3,5-trimethylcyclohexanone and isophorone.
Specific examples of ether organic solvents include diethyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, and 1,4-dioxane.
Specific examples of ester organic solvents include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, tert-butyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl 3-ethoxypropionate, and ethyl ethylene glycol lactate. Monobutyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl acetate, propylene glycol dimethyl acetate, ethylene glycol Monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, cyclohexanol acetate, propylene glycol diacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono Butyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,4-butanediol diacetate, 1,3-butylene glycol diacetate Examples include acetate, 1,6-hexanediol diacetate, γ-butyrolactone, triacetin, and 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate.
Specific examples of glycol-based organic solvents include ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, and ethylene glycol mono-2. -Ethylhexyl ether, diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monotert -Butyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monobutyl ether tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monophenyl ether, 1,3-butylene glycol, propylene glycol n-propyl ether, propylene glycol n-butyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol n-propyl ether, Propylene glycol n-butyl ether, tripropylene glycol methyl ether, tripropylene glycol n-butyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , tetraethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether pentane, triethylene glycol dimethyl ether, and polyethylene glycol dimethyl ether.
Specific examples of alcoholic organic solvents include methanol, ethanol, 1-propanol, isopropyl alcohol, n-butanol, diacetone alcohol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, pentanol, 3-methyl-1,3 -Butanediol, 1,3-butanediol, 1,3-butylene glycol, octanediol, 2,4-diethylpentanediol, butylethylpropanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 4-hydroxy-4 -Methyl-2-pentanone, 2-ethyl-1-hexanol, 3,5,5-trimethyl-1-hexanol, isodecanol, isotridecanol, 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, 2-methoxybutanol , 3-methoxybutanol, cyclohexanol, furfuryl alcohol, tetrahydrofurfuryl alcohol, benzyl alcohol, and methylcyclohexanol.
　また、有機溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒、含窒素化合物、含硫黄化合物、シロキサン化合物が挙げられる。
　ハロゲン系有機溶媒の具体例としては、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－クロロトルエン、ｍ－クロロトルエン、ｐ－クロロトルエン、ｍ－ジクロロベンゼン、１，２，３－トリクロロプロパンが挙げられる。
　含窒素化合物としては、ニトロベンゼン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノンが挙げられる。
　含硫黄化合物としては、二硫化炭素、ジメチルスルホキシドが挙げられる。
　シロキサン化合物としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサンが挙げられる。 Further, examples of the organic solvent include halogenated organic solvents, nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and siloxane compounds.
Specific examples of halogenated organic solvents include dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, dichloroethane, chlorobenzene, o-chlorotoluene, m-chlorotoluene, p-chlorotoluene, m-dichlorobenzene, 1,2,3-trichloropropane. can be mentioned.
Examples of nitrogen-containing compounds include nitrobenzene, acetonitrile, benzonitrile, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.
Examples of sulfur-containing compounds include carbon disulfide and dimethyl sulfoxide.
Examples of the siloxane compound include hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane, and decamethyltetrasiloxane.
　液状媒体の含有量は、下地層の形成に使用するコーティング液の全量に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１０質量％がより好ましい。 The content of the liquid medium is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the total amount of the coating liquid used to form the base layer.
　下地層を形成するためのウェットコーティング法の具体例としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。 Specific examples of wet coating methods for forming the base layer include spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet, flow coating, roll coating, Examples include the cast method, Langmuir-Blodgett method, and gravure coating method.
　コーティング液をウェットコーティングした後、塗膜を乾燥させるのが好ましい。塗膜の乾燥温度としては、２０～２００℃が好ましく、８０～１６０℃がより好ましい。 After wet coating the coating liquid, it is preferable to dry the coating film. The drying temperature of the coating film is preferably 20 to 200°C, more preferably 80 to 160°C.
　本開示の物品は、光学部材であることが好ましい。光学部材としては、例えば、カーナビゲーション、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、胃カメラ等の医療用器機、複写機、ＰＣ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ）、タッチパネル、保護フィルム、及び反射防止フィルムが挙げられる。特に、物品は、ディスプレイ又はタッチパネルであることが好ましい。 The article of the present disclosure is preferably an optical member. Examples of optical components include medical devices such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game devices, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras. Examples include personal appliances, copying machines, PCs, displays (eg, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films. In particular, the article is preferably a display or a touch panel.
［物品の製造方法］
　本開示の物品の製造方法は、例えば、基材に対して、本開示の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造するという方法である。表面処理方法としては、例えば、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法が挙げられる。 [Method for manufacturing articles]
A method for producing an article of the present disclosure is, for example, a method of surface-treating a base material using the surface treatment agent of the present disclosure to produce an article in which a surface-treated layer is formed on the base material. . Examples of surface treatment methods include spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet, flow coating, roll coating, casting, and Langmuir-Blodgett methods. , gravure coating method.
　表面処理層の耐摩耗性を向上させるために、必要に応じて、本開示の組成物と基材との反応を促進させるための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。
　例えば、水分を有する大気中で表面処理層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
　表面処理後、表面処理層中の化合物であって、他の化合物又は基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。除去する方法としては、例えば、表面処理層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。 In order to improve the abrasion resistance of the surface treatment layer, an operation may be performed to accelerate the reaction between the composition of the present disclosure and the base material, if necessary. Such operations include heating, humidification, light irradiation, and the like.
For example, by heating a base material on which a surface treatment layer is formed in a moist atmosphere, a hydrolysis reaction of hydrolyzable groups, a reaction between hydroxyl groups, etc. on the surface of the base material and silanol groups, and a condensation reaction of silanol groups. can promote reactions such as the formation of siloxane bonds.
After the surface treatment, compounds in the surface treatment layer that are not chemically bonded to other compounds or the base material may be removed as necessary. Examples of the removal method include a method of pouring a solvent onto the surface treatment layer, a method of wiping with a cloth impregnated with a solvent, and the like.
　次に本開示の実施形態を実施例により具体的に説明するが、本開示の実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。以下、「ＳＱ８」とはＳｉ原子を８個有するかご型シルセスキオキサン骨格を表す。 Next, embodiments of the present disclosure will be specifically described using examples, but the embodiments of the present disclosure are not limited to these examples. Hereinafter, "SQ 8 " represents a cage-shaped silsesquioxane skeleton having eight Si atoms.
〔化合物（Ｉ）〕
　２０ｍＬのバイアル中に、０．１Ｍ　ＫＯＨ水溶液（２ｍＬ）とトリエトキシシリルメタノールのエタノール溶液（５ｍＬ。エタノール中５０質量％）とを加え、反応混合物を室温（約２５℃）で１２時間撹拌した。溶媒を蒸発させ、その後、数週間静置して固体の化合物（Ｉ）を得た。化合物（Ｉ）は、ＳＱ８のケイ素原子８個全てにＣＨ２ＯＨ基が結合している化合物である。 [Compound (I)]
In a 20 mL vial, 0.1 M KOH aqueous solution (2 mL) and an ethanolic solution of triethoxysilylmethanol (5 mL, 50% by weight in ethanol) were added, and the reaction mixture was stirred at room temperature (about 25° C.) for 12 hours. The solvent was evaporated and then left to stand for several weeks to obtain solid Compound (I). Compound (I) is a compound in which CH 2 OH groups are bonded to all eight silicon atoms of SQ 8 .
〔化合物（ＩＩ）〕
　化合物（Ｉ）をテトラヒドロフラン（１０ｇ）に溶解させ、続いて、水素化ナトリウムを加えた。化合物（Ｉ）の水酸基価に対して、１当量（例２）、４当量（例３）、７当量（例４）、４当量（例５）、又は４当量（例６）のアリルブロミドを滴下し、５０℃で３時間撹拌した。室温（約２５℃）まで放冷した後、飽和塩化アンモニウム水溶液（７０ｍＬ）をゆっくり加え、分液後上層を回収し、溶剤及び未反応物を減圧留去して化合物（ＩＩ）を得た。なお、化合物（Ｉ）の水酸基価は、ＪＩＳ　Ｋ　１５５７－１：２００７に基づいて算出した。化合物（ＩＩ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２が結合している化合物である。 [Compound (II)]
Compound (I) was dissolved in tetrahydrofuran (10 g), followed by the addition of sodium hydride. 1 equivalent (Example 2), 4 equivalents (Example 3), 7 equivalents (Example 4), 4 equivalents (Example 5), or 4 equivalents (Example 6) of allyl bromide relative to the hydroxyl value of compound (I). The mixture was added dropwise and stirred at 50°C for 3 hours. After cooling to room temperature (approximately 25°C), a saturated aqueous ammonium chloride solution (70 mL) was slowly added, the upper layer was collected after separation, and the solvent and unreacted substances were distilled off under reduced pressure to obtain compound (II). Note that the hydroxyl value of compound (I) was calculated based on JIS K 1557-1:2007. Compound (II) is a compound in which a CH 2 OH group is bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-CH 2 -CH=CH 2 is bonded to the remaining silicon atoms.
〔化合物（ＩＩＩ）〕
　還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（ＩＩ）、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、トリアセトキシメチルシラン、及びトリクロロシランを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて５時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（ＩＩＩ）を得た。化合物（ＩＩＩ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－ＳｉＣｌ３が結合している化合物である。 [Compound (III)]
Compound (II), 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, triacetoxymethylsilane, and trichlorosilane were charged into a four-necked flask equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, and under a nitrogen atmosphere, Stirred at 5°C for 30 minutes. Subsequently, a xylene solution containing 2% Pt complex of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added, the temperature was raised to 60°C, and the mixture was stirred at this temperature for 5 hours. . Thereafter, compound (III) was obtained by distilling off volatile components under reduced pressure. Compound (III) is a compound in which a CH 2 OH group is bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -SiCl 3 is bonded to the remaining silicon atoms. .
〔化合物（ＩＶ）〕
　還流冷却器、温度計及び撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（ＩＩＩ）、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、アリルマグネシウムブロミドを０．７ｍｏｌ／Ｌ含むジエチルエーテル溶液を加えた後、室温（約２５℃）まで昇温させ、この温度にて１０時間撹拌した。その後、５℃まで冷却し、メタノールを加えた後、室温（約２５℃）まで昇温させて不溶物をろ過した。続いて、減圧下で揮発分を留去した後、不揮発分をペルフルオロヘキサンで希釈し、分液ロートでメタノールによる洗浄操作を行った。続いて、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（ＩＶ）を得た。化合物（ＩＶ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（－ＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２）３が結合している化合物である。 [Compound (IV)]
Compound (III) and 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene were charged into a four-necked flask equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, and the mixture was stirred at 5° C. for 30 minutes under a nitrogen stream. Subsequently, a diethyl ether solution containing 0.7 mol/L of allylmagnesium bromide was added, the temperature was raised to room temperature (about 25°C), and the mixture was stirred at this temperature for 10 hours. Thereafter, the mixture was cooled to 5° C., methanol was added, and then the temperature was raised to room temperature (about 25° C.), and insoluble materials were filtered. Subsequently, after distilling off the volatile components under reduced pressure, the non-volatile components were diluted with perfluorohexane, and washed with methanol in a separating funnel. Subsequently, compound (IV) was obtained by distilling off volatile components under reduced pressure. Compound (IV) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si(-CH 2 -CH=CH 2 ) is a compound in which 3 is bonded.
〔化合物（Ｖ）〕
　還流冷却器、温度計、撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（ＩＶ）、１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、トリアセトキシメチルシラン、トリクロロシランを仕込み、窒素気流下、５℃で３０分間撹拌した。続いて、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサンのＰｔ錯体を２％含むキシレン溶液を加えた後、６０℃まで昇温させ、この温度にて５時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（Ｖ）を得た。化合物（Ｖ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ[－（ＣＨ２）３－ＳｉＣｌ３］３が結合している化合物である。 [Compound (V)]
Compound (IV), 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, triacetoxymethylsilane, and trichlorosilane were placed in a four-necked flask equipped with a reflux condenser, thermometer, and stirrer, and the mixture was heated under a nitrogen atmosphere for 5 minutes. Stirred at ℃ for 30 minutes. Subsequently, a xylene solution containing 2% Pt complex of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added, the temperature was raised to 60°C, and the mixture was stirred at this temperature for 5 hours. . Thereafter, compound (V) was obtained by distilling off volatile components under reduced pressure. Compound (V) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -SiCl to the remaining silicon atoms. 3 ] is a compound in which 3 is bonded.
〔化合物（ＶＩ）〕
　還流冷却器、温度計、及び撹拌機を取り付けた４つ口フラスコに、化合物（Ｖ）、及び１，３－ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンを加え、窒素気流下、５０℃で３０分間撹拌した。続いて、メタノールとオルソギ酸トリメチルの混合溶液を加えた後、６５℃まで昇温させ、この温度にて３時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物（ＶＩ）を得た。化合物（ＶＩ）は、ＳＱ８の一部のケイ素原子にＣＨ２ＯＨ基が結合し、残りのケイ素原子に－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ[－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３が結合している化合物である。 [Compound (VI)]
Compound (V) and 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene were added to a four-necked flask equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, and the mixture was stirred at 50°C for 30 minutes under a nitrogen stream. . Subsequently, a mixed solution of methanol and trimethyl orthoformate was added, the temperature was raised to 65°C, and the mixture was stirred at this temperature for 3 hours. Thereafter, compound (VI) was obtained by distilling off volatile components under reduced pressure. Compound (VI) has a CH 2 OH group bonded to some of the silicon atoms of SQ 8 , and -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -Si to the remaining silicon atoms. It is a compound in which (OCH 3 ) 3 ] 3 is bonded.
〔組成物の調製〕
　化合物（Ｉ）又は（ＶＩ）を、表１に示される配合量（質量部）で、エタノール、水、５Ｍ　ＮＨ４ＯＨ、及びｎ－オクチルトリエトキシシラン（Ｃ８Ｈ１７Ｓｉ（ＯＥｔ）３）と混合し、例１～５の組成物を調製した。表１中、「ｍ１：ｍ２」は、化合物（ＶＩ）中の－ＣＨ２－Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｓｉ[－（ＣＨ２）３－Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］３（ｍ１）とＣＨ２ＯＨ基（ｍ２）のモル比を表す。 [Preparation of composition]
Compound (I) or (VI) was added in the amounts (parts by mass) shown in Table 1 in ethanol, water, 5M NH 4 OH, and n-octyltriethoxysilane (C 8 H 17 Si(OEt) 3 ). The compositions of Examples 1 to 5 were prepared. In Table 1, "m1:m2" refers to -CH 2 -O-(CH 2 ) 3 -Si[-(CH 2 ) 3 -Si(OCH 3 ) 3 ] 3 (m1) in compound (VI). Represents the molar ratio of CH 2 OH groups (m2).
〔評価方法〕
　調製した例１～５の組成物をガラス基材に対してスピンコートにより塗布した。１２０℃、２時間の加熱後に得られたガラス基板を評価した。例６では、化合物（ＶＩ）を下記条件でガラス基板に蒸着した。
　蒸着は、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。化合物（ＶＩ）の２０％酢酸エチル溶液の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０－３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、１００℃で３０分間加熱処理し、基材の表面に表面処理層を有する物品を得た。 〔Evaluation methods〕
The prepared compositions of Examples 1 to 5 were applied to a glass substrate by spin coating. The glass substrate obtained after heating at 120° C. for 2 hours was evaluated. In Example 6, compound (VI) was deposited on a glass substrate under the following conditions.
The vapor deposition was performed using a vacuum vapor deposition apparatus (manufactured by ULVAC, VTR350M) (vacuum vapor deposition method). 0.5 g of a 20% ethyl acetate solution of compound (VI) was filled into a molybdenum boat in a vacuum evaporation apparatus, and the inside of the vacuum evaporation apparatus was evacuated to 1×10 −3 Pa or less. The boat containing the compound is heated at a temperature increase rate of 10°C/min or less, and when the deposition rate exceeds 1 nm/sec using a crystal oscillation film thickness meter, the shutter is opened to form a film on the surface of the substrate. started. When the film thickness reached approximately 50 nm, the shutter was closed to complete the film formation on the surface of the substrate. The substrate on which the compound was deposited was heat-treated at 100° C. for 30 minutes to obtain an article having a surface-treated layer on the surface of the substrate.
＜耐擦傷性（スチールウール）＞
物品の表面処理層について、ＪＩＳ　Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ　１０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で３，０００回往復させた後、傷ついた程度を目視で評価した。判断基準は以下の通りである。なお、Ａ及びＢが実用上好ましい範囲である。
　Ａ…　まったく傷がつかない　
　Ｂ…　ほとんど傷がつかない　
　Ｃ…　少し傷がつく
　Ｄ…　ひどく傷がつく <Scratch resistance (steel wool)>
Regarding the surface treatment layer of the article, steel wool Bonstar (#0000) was tested at a pressure of 98.07 kPa using a reciprocating traverse tester (manufactured by KNT) in accordance with JIS L0849:2013 (ISO 105-X12:2001). After reciprocating 3,000 times at a speed of 320 cm/min, the degree of damage was visually evaluated. The judgment criteria are as follows. Note that A and B are practically preferable ranges.
A... It won't hurt at all.
B... Almost no damage
C... Slightly damaged D... Severely damaged
＜耐摩耗性（スチールウール）＞
　ガラス基板に指紋を付け、物品の表面処理層について、ＪＩＳ　Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ　１０５－Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で３，０００回往復させた後、指紋が見える程度を目視で評価した。摩擦後の指紋の見えにくさを耐摩耗性として評価した。判断基準は以下の通りである。なお、Ａ及びＢが実用上好ましい範囲である。
　Ａ…　指紋がまったく見えない
　Ｂ…　指紋がほとんど見えない
　Ｃ…　指紋が少し見える
　Ｄ…　指紋がはっきりと見える <Abrasion resistance (steel wool)>
Fingerprints were placed on the glass substrate, and the surface treatment layer of the article was tested using steel wool Bonstar (#0000) using a reciprocating traverse tester (manufactured by KNT) in accordance with JIS L0849:2013 (ISO 105-X12:2001). After reciprocating 3,000 times at a pressure of 98.07 kPa and a speed of 320 cm/min, the degree to which fingerprints were visible was visually evaluated. The invisibility of fingerprints after rubbing was evaluated as wear resistance. The judgment criteria are as follows. Note that A and B are practically preferable ranges.
A... Fingerprints are not visible at all B... Fingerprints are barely visible C... Fingerprints are slightly visible D... Fingerprints are clearly visible
　例２～５は実施例、例１は比較例、例６は参考例である。
　例２～５では、耐擦傷性及び耐摩耗性の評価がいずれも良好である。なかでも、ｎ－オクチルトリエトキシシランを含み、かつ化合物（ＶＩ）中の水酸基が適度に調整された例３及び４では、耐擦傷性又は耐摩耗性に特に優れている。
　一方、例１では耐擦傷性及び耐摩耗性のいずれも、例２～５と比べて劣っていた。また、蒸着により化合物（ＶＩ）を基材に付与した例６でも、耐擦傷性及び耐摩耗性において例２～５と比べて劣っている。
　以上より、本開示の組成物によれば基材に良好な耐擦傷性及び耐摩耗性を付与できる。 Examples 2 to 5 are examples, Example 1 is a comparative example, and Example 6 is a reference example.
In Examples 2 to 5, both scratch resistance and abrasion resistance were evaluated as good. Among them, Examples 3 and 4, which contain n-octyltriethoxysilane and have appropriately adjusted hydroxyl groups in compound (VI), are particularly excellent in scratch resistance or abrasion resistance.
On the other hand, in Example 1, both scratch resistance and abrasion resistance were inferior to Examples 2 to 5. Furthermore, Example 6, in which compound (VI) was applied to the substrate by vapor deposition, was also inferior to Examples 2 to 5 in terms of scratch resistance and abrasion resistance.
As described above, the composition of the present disclosure can impart good scratch resistance and abrasion resistance to the substrate.
　本開示の組成物は、表面処理剤として有用である。表面処理剤は、例えば、タッチパネルディスプレイ等の表示装置、光学素子、半導体素子、建築材料、自動車部品、ナノインプリント技術等における基材に対して用いることができる。また、表面処理剤は、電車、自動車、船舶、航空機等の輸送機器におけるボディー、窓ガラス(フロントガラス、サイドガラス、リアガラス)、ミラー、バンパー等に対して用いることができる。さらに、表面処理剤は、建築物外壁、テント、太陽光発電モジュール、遮音板、コンクリート等の屋外物品；漁網、虫取り網、水槽に対して用いることができる。また、表面処理剤は、台所、風呂場、洗面台、鏡、トイレ周辺部品；シャンデリア、タイル等の陶磁器；人工大理石、エアコン等の各種屋内設備に対して用いることができる。また、表面処理剤は、工場内の治具、内壁、配管等の防汚処理としても用いることができる。また、表面処理剤は、ゴーグル、眼鏡、ヘルメット、パチンコ、繊維、傘、遊具、サッカーボールに対して用いることができる。また、表面処理剤は、食品用包材、化粧品用包材、ポットの内部等の各種包材の付着防止剤としても用いることができる。また、表面処理剤は、カーナビゲーション、携帯電話、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ＰＤＡ、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、胃カメラ等の医療用器機、複写機、ＰＣ、ディスプレイ（例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ）、タッチパネル、保護フィルム、及び反射防止フィルム等の光学部材に対して用いることができる。 The composition of the present disclosure is useful as a surface treatment agent. The surface treatment agent can be used, for example, for substrates in display devices such as touch panel displays, optical elements, semiconductor elements, building materials, automobile parts, nanoimprint technology, and the like. Furthermore, the surface treatment agent can be used for bodies, window glasses (windshields, side glasses, rear glasses), mirrors, bumpers, etc. of transportation equipment such as trains, automobiles, ships, and airplanes. Furthermore, the surface treatment agent can be used for outdoor articles such as building exterior walls, tents, solar power generation modules, sound insulation boards, and concrete; fishing nets, insect nets, and aquariums. Furthermore, the surface treatment agent can be used for various indoor equipment such as kitchens, bathrooms, washstands, mirrors, toilet peripheral parts; ceramics such as chandeliers and tiles; artificial marble, and air conditioners. Furthermore, the surface treatment agent can be used as an antifouling treatment for jigs, inner walls, piping, etc. in a factory. Furthermore, the surface treatment agent can be used for goggles, glasses, helmets, pachinko machines, textiles, umbrellas, play equipment, and soccer balls. Furthermore, the surface treatment agent can also be used as an adhesion prevention agent for various packaging materials such as food packaging materials, cosmetic packaging materials, and the inside of pots. In addition, surface treatment agents are used for medical applications such as car navigation systems, mobile phones, smartphones, digital cameras, digital video cameras, PDAs, portable audio players, car audio, game equipment, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, and gastrocameras. It can be used for optical members such as appliances, copying machines, PCs, displays (for example, liquid crystal displays, organic EL displays, plasma displays, touch panel displays), touch panels, protective films, and antireflection films.
　２０２２年５月１３日に出願された日本国特許出願第２０２２－０７９８０７号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に援用されて取り込まれる。 The disclosure of Japanese Patent Application No. 2022-079807 filed on May 13, 2022 is incorporated herein by reference in its entirety. All documents, patent applications, and technical standards mentioned herein are incorporated by reference to the same extent as if each individual document, patent application, and technical standard was specifically and individually indicated to be incorporated by reference. Incorporated herein by reference.

Claims (14)

  1. 　シルセスキオキサン骨格と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に直接又はアルキレン基を介して結合する水酸基と、前記シルセスキオキサン骨格のケイ素原子に３価以上の連結基を介して結合する複数の反応性シリル基と、を含むシルセスキオキサン化合物、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つと、
    　水と、
    　水以外の溶媒と、
    　酸又はアルカリと、
    を含む組成物。     a silsesquioxane skeleton, a hydroxyl group that is bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton directly or via an alkylene group, and a hydroxyl group that is bonded to the silicon atom of the silsesquioxane skeleton via a trivalent or higher valent linking group. a plurality of reactive silyl groups, and at least one selected from the group consisting of silsesquioxane compounds, hydrolysates thereof, and partial condensates thereof;
    water and,
    A solvent other than water,
    acid or alkali;
    A composition comprising.
  2. 　前記シルセスキオキサン化合物が下記式（１）で表される、請求項１に記載の組成物。
    　ＳＱ８（Ｙ１［Ｓｉ（Ｒ）ｎＬ３－ｎ］ｇ）ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３…（１）
    　式（１）中、
    　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
    　Ｙ１はそれぞれ独立に（ｇ＋１）価の連結基であり、
    　Ｒはそれぞれ独立に１価の炭化水素基であり、
    　Ｌはそれぞれ独立に加水分解性基又は水酸基であり、
    　ｎはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
    　ｇはそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇは２以上の整数であり、
    　ｍ１は１～７の整数であり、
    　ｍ２は１～７の整数であり、
    　ｍ３は０～６の整数であり、
    　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
    　ｎ１は０～５の整数であり、
    　Ｒｘは１価の有機基であり、
    　Ｙ１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。     The composition according to claim 1, wherein the silsesquioxane compound is represented by the following formula (1).
    SQ 8 (Y 1 [Si(R) n L 3-n ] g ) m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1)
    In formula (1),
    SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms,
    Y 1 is each independently a (g+1)-valent linking group,
    R is each independently a monovalent hydrocarbon group,
    L is each independently a hydrolyzable group or a hydroxyl group,
    n is each independently an integer from 0 to 2,
    g is each independently an integer of 1 or more, at least one g is an integer of 2 or more,
    m1 is an integer from 1 to 7,
    m2 is an integer from 1 to 7,
    m3 is an integer from 0 to 6,
    m1+m2+m3 is 8,
    n1 is an integer from 0 to 5,
    R x is a monovalent organic group,
    Y 1 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
  3. 　前記シルセスキオキサン骨格が、かご型のシルセスキオキサン骨格である、請求項１に記載の組成物。 The composition according to claim 1, wherein the silsesquioxane skeleton is a cage-shaped silsesquioxane skeleton.
  4. 　前記シルセスキオキサン化合物におけるｍ１とｍ２の比率が１：７～７：１である、請求項２に記載の組成物。 The composition according to claim 2, wherein the ratio of m1 to m2 in the silsesquioxane compound is 1:7 to 7:1.
  5. 　前記酸又はアルカリが、アルカリである、請求項１に記載の組成物。 The composition according to claim 1, wherein the acid or alkali is an alkali.
  6. 　前記アルカリがアンモニウム化合物である、請求項５に記載の組成物。 The composition according to claim 5, wherein the alkali is an ammonium compound.
  7. 　前記溶媒がアルコールである、請求項１に記載の組成物。 The composition according to claim 1, wherein the solvent is an alcohol.
  8. 　さらに、３官能以上のアルコキシシラン、その加水分解物、及びその部分縮合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の組成物。 The composition according to claim 1, further comprising at least one selected from the group consisting of a trifunctional or higher functional alkoxysilane, a hydrolyzate thereof, and a partial condensate thereof.
  9. 　下記式（１－１）で表される化合物。
    　ＳＱ８［Ｙ１１（Ｂ）ｇ１］ｍ１［（ＣＨ２）ｎ１ＯＨ］ｍ２（Ｒｘ）ｍ３　…（１－１）
    　ＳＱ８はＳｉ原子を８個有するシルセスキオキサン骨格であり、
    　Ｙ１１はそれぞれ独立に（ｇ１＋１）価の連結基であり、
    　Ｂはそれぞれ独立に、－ＱＬ－ＣＨ＝ＣＨ２であり、ここでＱＬは単結合又は２価の連結基であり、
    　ｇ１はそれぞれ独立に１以上の整数であり、少なくとも１つのｇ１は２以上の整数であり、
    　ｍ１は１～７の整数であり、
    　ｍ２は１～７の整数であり、
    　ｍ３は０～６の整数であり、
    　ｍ１＋ｍ２＋ｍ３は８であり、
    　ｎ１は０～５の整数であり、
    　Ｒｘは１価の有機基であり、
    　Ｙ１１、（ＣＨ２）ｎ１、及びＲｘはそれぞれＳＱ８中のケイ素原子と結合する。     A compound represented by the following formula (1-1).
    SQ 8 [Y 11 (B) g1 ] m1 [(CH 2 ) n1 OH] m2 (R x ) m3 ...(1-1)
    SQ 8 is a silsesquioxane skeleton having 8 Si atoms,
    Y 11 is each independently a (g1+1)-valent linking group,
    B is each independently -Q L -CH=CH 2 , where Q L is a single bond or a divalent linking group,
    g1 is each independently an integer of 1 or more, at least one g1 is an integer of 2 or more,
    m1 is an integer from 1 to 7,
    m2 is an integer from 1 to 7,
    m3 is an integer from 0 to 6,
    m1+m2+m3 is 8,
    n1 is an integer from 0 to 5,
    R x is a monovalent organic group,
    Y 11 , (CH 2 ) n1 , and R x each bond to the silicon atom in SQ 8 .
  10. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の組成物を含む表面処理剤。 A surface treatment agent comprising the composition according to any one of claims 1 to 8.
  11. 　基材に対して、請求項１０に記載の表面処理剤を用いて表面処理を行い、基材上に表面処理層が形成された物品を製造する、物品の製造方法。 A method for manufacturing an article, comprising performing a surface treatment on a base material using the surface treatment agent according to claim 10, and manufacturing an article in which a surface treatment layer is formed on the base material.
  12. 　基材と、前記基材上に配置され、請求項１０に記載の表面処理剤で表面処理された表面処理層と、を含む物品。 An article comprising a base material and a surface treatment layer disposed on the base material and surface treated with the surface treatment agent according to claim 10.
  13. 　前記物品が光学部材である、請求項１２に記載の物品。 The article according to claim 12, wherein the article is an optical member.
  14. 　前記物品がディスプレイ又はタッチパネルである、請求項１２に記載の物品。 The article according to claim 12, wherein the article is a display or a touch panel.
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710643A (en) * 1980-06-24 1982-01-20 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Silicone resin composition
JP2004331647A (en) * 2003-03-13 2004-11-25 Chisso Corp Polymer and compound having silsesquioxane skeleton
JP2004359933A (en) * 2003-05-14 2004-12-24 Nagase Chemtex Corp Sealing material for optical element
JP2007251121A (en) * 2006-02-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor optical device and transparent optical member
JP2013001813A (en) * 2011-06-16 2013-01-07 Nitto Denko Corp Silicone resin composition, encapsulating layer, reflector and optical semiconductor device
JP2020184010A (en) * 2019-05-07 2020-11-12 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition, insulation film for display device, display device, method of forming insulation film for display device, and silsesquioxane
WO2021060055A1 (en) * 2019-09-27 2021-04-01 富士フイルム株式会社 Composition for hard coat layer formation, hard coat film, method for producing hard coat film, and article including hard coat film
JP2022152981A (en) * 2021-03-29 2022-10-12 マツダ株式会社 Polymer material, heat-sealing material, anti-fogging film and manufacturing method of polymer material

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710643A (en) * 1980-06-24 1982-01-20 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Silicone resin composition
JP2004331647A (en) * 2003-03-13 2004-11-25 Chisso Corp Polymer and compound having silsesquioxane skeleton
JP2004359933A (en) * 2003-05-14 2004-12-24 Nagase Chemtex Corp Sealing material for optical element
JP2007251121A (en) * 2006-02-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor optical device and transparent optical member
JP2013001813A (en) * 2011-06-16 2013-01-07 Nitto Denko Corp Silicone resin composition, encapsulating layer, reflector and optical semiconductor device
JP2020184010A (en) * 2019-05-07 2020-11-12 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition, insulation film for display device, display device, method of forming insulation film for display device, and silsesquioxane
WO2021060055A1 (en) * 2019-09-27 2021-04-01 富士フイルム株式会社 Composition for hard coat layer formation, hard coat film, method for producing hard coat film, and article including hard coat film
JP2022152981A (en) * 2021-03-29 2022-10-12 マツダ株式会社 Polymer material, heat-sealing material, anti-fogging film and manufacturing method of polymer material

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