WO2023213481A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement - Google Patents

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Definitions

  • the optoelectronic semiconductor component is designed in particular to generate electromagnetic radiation, for example light that can be perceived by the human eye.
  • One task to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor component that enables particularly reliable assembly.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a semiconductor body which is intended for emitting electromagnetic radiation in a main emission direction.
  • the semiconductor body comprises an active region designed to emit electromagnetic radiation.
  • the semiconductor body is preferably set up to emit electromagnetic radiation with a main wavelength in the visible and non-visible range.
  • the active region has, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW, single quantum well) or a multiple quantum well structure (MQW, multi quantum well). to generate radiation.
  • the semiconductor body is, for example, a luminescent diode, in particular a light-emitting or laser diode.
  • the semiconductor body is arranged on the mounting body, for example, with a connecting material, in particular a conductive silver adhesive.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises an electrically insulating mounting body.
  • the mounting body is preferably designed to be mechanically self-supporting.
  • the mounting body is formed with a circuit board material.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a first and a second contact structure on a front side of the mounting body.
  • the front side of the mounting body is preferably aligned parallel to a main extension plane of the mounting body.
  • the first and second contact structures are formed in particular with an electrically conductive material.
  • the first contact structure is preferably at a different electrical potential than the second contact structure. For example, an anode of the semiconductor body is electrically contacted via the first contact structure and a cathode of the semiconductor body is electrically contacted via the second contact structure.
  • the contact structures each comprise a contact element on a mounting side of the mounting body and a contact path.
  • the mounting side of the mounting body is oriented in particular transversely to the front. The assembly side is preferred for subsequent assembly of the
  • the Contact element extends, for example, starting from the mounting side along the front of the mounting body.
  • the contact path extends in particular on the front of the mounting body. For example, the contact path establishes an electrical connection between the contact element and the semiconductor body.
  • a taper region is arranged between the contact element and the contact path.
  • the junction area in particular forms the transition between the contact element and the contact path.
  • the taper area is the area in which the contact path adjoins the contact element.
  • the main emission direction of the semiconductor body is aligned transversely to the front and parallel to the mounting side of the mounting body.
  • the main emission direction preferably runs perpendicular to the front side.
  • the semiconductor body is arranged on the front of the mounting body.
  • the optoelectronic semiconductor component forms a so-called side-looker component.
  • a lateral extent of the taper region is reduced compared to a lateral extent of the contact element.
  • the first contact structure and the second contact structure each have a taper at a taper area.
  • the lateral extent of the contact element corresponds in particular to a mean lateral extent parallel to the mounting side of the mounting body.
  • the lateral extent of the taper area corresponds, for example, to a mean lateral extent parallel to the mounting side of the mounting body. Due to a small lateral extent of the junction area, wetting of the contact path with a solder material can advantageously be reduced or prevented.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises
  • the contact structures each comprise a contact element on a mounting side of the mounting body and a contact path
  • a taper area is arranged between the contact element and the contact path
  • the main emission direction of the semiconductor body is aligned transversely to the front and parallel to the mounting side of the mounting body
  • a lateral extent of the taper area is reduced compared to a lateral extent of the contact element.
  • An optoelectronic semiconductor laser component described here is based, among other things, on the following considerations:
  • a ref low soldering process is used.
  • a solder paste is applied to the carrier, which covers the contact pads on the carrier.
  • the optoelectronic semiconductor component itself is then pressed into the sticky solder paste.
  • the optoelectronic semiconductor component is heated uniformly to up to 260 ° C, which leads to the melting of the solder paste and the wetting of the metal surface of both the contact pads on the carrier and the contact elements of the semiconductor component.
  • a certain thickness of the solder joint is advantageous for a perfect connection.
  • solder stop structures are not yet known in conventional optoelectronic semiconductor components, in particular in side-looker components. This can lead to uncontrolled solder joint thickness, which can cause reliability problems due to reduced thermal bonding or reduced mechanical adhesion of the optoelectronic semiconductor device to the carrier. In addition, excessive wetting of the contact elements of the optoelectronic semiconductor component can lead to undesirable creep of the solder material between other interfaces and thus cause further damage during assembly.
  • the optoelectronic semiconductor laser component described here makes use, among other things, of the idea of introducing a taper region into the metal surface of the contact element.
  • the rejuvenation area causes the wetting process to be reduced or stopped by the surface tension of the solder material.
  • This increases the volume of the solder material For example, limited in a lower third of the contact element, which can lead to a constant volume at the soldering point.
  • the tapered area in the metal surface of the contact element leads in particular to a volume control of the solder material at the soldering point, which promotes self-alignment of the optoelectronic semiconductor component and can correct possible misalignments during assembly on a carrier through self-adjustment. Furthermore, this can prevent melted solder material from creeping between adjacent elements.
  • sufficient mechanical adhesion of the optoelectronic semiconductor component to a carrier can be ensured.
  • a lateral extent of the taper region corresponds to at most one half of a lateral extent of the contact element.
  • the lateral extent of the contact element corresponds in particular to a mean lateral extent parallel to the mounting side of the mounting body.
  • the lateral extent of the taper area corresponds, for example, to a mean lateral extent parallel to the mounting side of the mounting body. In other words, the taper area has at most half of the lateral extent of the contact element.
  • the lateral dimensions of the contact element and the taper area are measured in particular parallel to one another.
  • a width of the contact path corresponds to a lateral extent of the taper region.
  • the Width of the contact path corresponds in particular to a lateral extent transverse to the main direction of extension of the contact path. In this way, production of the contact path can advantageously be simplified.
  • the taper region reduces or prevents a solder material from spreading in a direction away from the contact element.
  • the junction area is designed in such a way that the spread of a solder material during a soldering process is made more difficult or prevented. This happens, for example, through a particularly small lateral expansion of the taper area.
  • a height of the first and second contact elements corresponds to at most one third of a height of the mounting body.
  • a height is considered here and below to be a vertical extension of an element.
  • the vertical direction is aligned parallel to the side surface of the mounting body and transverse to the mounting surface of the side body.
  • the height of the first and second contact elements is measured in particular in a direction parallel to the height of the mounting body. Restricting the height of the contact elements to less than a third of the height of the mounting body causes a limitation of solder material in the lower third of the mounting body.
  • a sufficient amount of solder material remains at the soldering point to promote self-alignment of the optoelectronic semiconductor component.
  • the taper area is like this shaped so that the solder material only extends a maximum of 100 pm beyond the contact element.
  • a particularly thin taper area can advantageously limit the spread of the solder material to a maximum area of 100 ⁇ m beyond the contact element. This makes particularly good control of the solder volume possible.
  • recesses are formed on the mounting side of the mounting body in the area of the contact elements.
  • the recesses act in particular as reservoirs for melted solder material.
  • the recesses are concavely shaped when viewed from outside the optoelectronic semiconductor component.
  • At least one contact structure comprises a polarity marking.
  • the polarity marking indicates, for example, whether the anode or the cathode of the semiconductor body is connected to the contact structure. This is helpful for correct mounting of the optoelectronic semiconductor component on a carrier.
  • the polarity marking includes, for example, a thickening of the contact path at one point.
  • a radiation-permeable optical element is arranged downstream of the semiconductor body.
  • the optical element is arranged on the front of the mounting body.
  • the optical element is formed with an epoxy.
  • the optical element is preferably used to form the during operation Semiconductor body emerging electromagnetic radiation.
  • the optical element includes a collimation lens.
  • the contact structures each have a multiply angled structure at the taper region.
  • the multi-angled structure includes at least two angled areas.
  • the angled structure includes two angled regions in which the contact path each has a bend of 90°. Due to the multi-angled structure, wetting of the contact path with solder material can be advantageously reduced.
  • the multiply angled structure has a trench with a trench width of at least 50 pm, preferably at least 100 pm and particularly preferably at least 200 pm.
  • the trench is arranged between the contact path and the contact element. The trench advantageously prevents the contact path from being wetted with solder material.
  • the mounting body is formed with a polymer composite material.
  • the mounting body is formed with a material from the following group: epoxy glass resin laminate, BT material, CEM material.
  • BT material refers in particular to a halogen-free high-temperature material with the main components bismaleimide and triazine resin.
  • CEM material is preferably a base material for hard paper-based circuit boards.
  • CEM material for example, has a core made of epoxy resin-impregnated paper with an outer layer of glass fabric.
  • FR4 material refers to a class of flame-retardant and flame-retardant composite materials.
  • FR4 material is preferably formed with epoxy resin and glass fiber fabric.
  • FR4 material has high mechanical stability and is particularly easily available.
  • the contact structures are formed with Cu.
  • Copper has high electrical and thermal conductivity. Copper can advantageously be structured particularly easily.
  • the contact structures comprise a coating with at least one material selected from the following group: Ni, Pd, Au, NiAu, NiAg, NiSn.
  • contact structures are also arranged on a rear side of the mounting body opposite the front side, analogous to the front side.
  • the contact structures on the back are designed with identical dimensions to the contact structures on the front. This enables particularly even wetting with solder material on the front and back. Self-adjustment of the optoelectronic semiconductor component during its assembly is thereby advantageously facilitated.
  • the Contact structures on the back also have one
  • contact strips run on a side surface of the mounting body, the contact strips electrically conductively connecting the first and second contact structures from the front to the first and second contact structures on the back.
  • the side surface connects the front with the back of the mounting body and is preferably aligned transversely to the front and the mounting side.
  • the contact strips are preferably formed with the same material as the contact structures. In particular, contact strips also cover an area of the mounting side of the mounting body.
  • the contact elements of contact structures on the front are electrically conductively connected to contact elements of contact structures on the back, for example via contact strips. Contact strips preferably cover the recesses at least partially.
  • An optoelectronic semiconductor component described here is particularly suitable for use as a light source in various areas of application, for example for smoke detection, facial recognition, gesture control, driver monitoring or as lighting for video surveillance systems.
  • FIG. 1 shows a schematic exploded view of an optoelectronic semiconductor component described here according to a first exemplary embodiment
  • FIGS. 2A and 2B show perspective schematic views of the optoelectronic semiconductor component described here according to the first exemplary embodiment
  • 3A and 3B show perspective views of the optoelectronic semiconductor component described here according to the first exemplary embodiment after assembly
  • FIGS. 4A and 4B top views of the optoelectronic semiconductor component described here according to the first exemplary embodiment before and after assembly
  • FIG. 5 shows a schematic view of an optoelectronic semiconductor component described here according to a second exemplary embodiment
  • Figure 6 shows a schematic view of an optoelectronic semiconductor component described here according to a third exemplary embodiment.
  • FIG. 1 shows a schematic exploded view of an optoelectronic semiconductor component 1 described here according to a first exemplary embodiment.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 comprises a semiconductor body 10, an electrically insulating mounting body 20 and an optical element 60.
  • the semiconductor body 10 is intended for emitting electromagnetic radiation in a main emission direction E.
  • the semiconductor body 10 is arranged on a front side 20A of the mounting body 20 via a connecting material 11.
  • the connecting material 11 is preferably electrically conductive.
  • the connecting material 11 comprises a conductive silver adhesive.
  • the mounting body 20 is formed with FR4 material.
  • a first contact structure 31 and a second contact structure 32 are arranged on a front side 20A and a back side 20B of the mounting body 20 opposite the front side 20A.
  • a mounting side 20M connects the front 20A to the back 20B of the mounting body 20.
  • the mounting body 20 includes recesses 40.
  • the recesses 40 are arranged on the mounting side 20M adjacent to side surfaces 20C of the mounting body 20.
  • the side surfaces 20C connect the front 20A to the rear 20B of the mounting body 20 and are aligned transversely to the front 20A and the mounting side 20M.
  • the recesses 40 are therefore in the area of Contact elements 310, 320 are formed.
  • the recesses 40 act in particular as reservoirs for melted solder material 9.
  • the recesses 40 are concavely shaped when viewed from outside the optoelectronic semiconductor component 1 .
  • the mounting body 20 has a main extension plane that is aligned parallel to the front side 20A and the back side 20B.
  • the mounting side 20M is therefore aligned perpendicular to the main extension plane of the mounting body 20.
  • the mounting body 20 has a thickness of 1 mm. The thickness corresponds to the average extent of the mounting body 20 perpendicular to its main plane of extension.
  • the first contact structure 31 and the second contact structure 32 each include a contact element 310, 320, a taper region 311, 321 and a contact path 312, 322.
  • the first contact structure 31 is preferably at a different electrical potential than the second contact structure 32.
  • an anode of the semiconductor body 10 is electrically contacted via the first contact structure 31 and a cathode of the semiconductor body 10 is electrically contacted via the second contact structure 32.
  • the contact element 310, 320 extends from the mounting side 20M of the mounting body 20 along the front side 20A of the mounting body 20.
  • the contact path 312, 322 also extends on the front side 20A of the mounting body 20.
  • the contact path 312, 322 establishes an electrical connection between the contact element 310, 320 and the semiconductor body 10.
  • the tapering region 311, 321 in particular forms the transition between the contact element 310, 320 and the contact path 312, 322.
  • the taper region 311, 321 is the region in which the contact path 312, 322 adjoins the contact element 310, 320.
  • the contact structures 31, 32 each have a multiply angled structure 70 on the taper region 311, 321.
  • the multi-angled structure 70 comprises two angled areas in which the contact path 312, 322 each has a bend of 90°. Due to the multiple angled structure 70, wetting of the contact path 312, 322 with solder material 9 can be advantageously reduced.
  • the multi-angled structure 70 has a trench 71 with a trench width 71X of at least 50 pm, preferably at least 100 pm, particularly preferably at least 200 pm.
  • the trench 71 is arranged between the contact path 312, 322 and the contact element 310, 320. The trench 71 advantageously prevents the contact path 312, 322 from being wetted with solder material 9.
  • the first contact structure 31 includes a polarity marking 50.
  • the polarity marking 50 indicates, for example, whether the anode or the cathode of the semiconductor body 10 is connected to the contact structure 31. This is helpful for correct mounting of the optoelectronic semiconductor component 1 on a carrier 8.
  • the polarity marking 50 includes a thickening of the contact path 312 at one point that can be seen with the naked eye.
  • Contact strips 313, 323 run on the side surfaces 20C of the mounting body 20, the contact strips 313, 323 connecting the first and second contact structures 31, 32 from the front 20A of the mounting body 20 with the first and second contact structures 31, 32 on the back 20B of the Connect the mounting body 20 in an electrically conductive manner.
  • the contact strips 313, 323 are preferably formed with the same material as the contact structures 31, 32. In particular, contact strips 313, 323 also cover an area of the mounting side 20M of the mounting body 20.
  • the contact elements 310, 320 of contact structures 31, 32 of the front side 20A of the mounting body 20 are electrically conductively connected, for example via contact strips 313, 323, to contact elements 310, 320 of contact structures 31, 32 on the back side 20B of the mounting body 20.
  • contact strips 313, 323 at least partially cover the recesses 40 of the mounting body 20.
  • the optical element 60 is arranged on the front side 20A of the mounting body 20.
  • the optical element 60 is formed with an epoxy.
  • the optical element 60 preferably serves to shape the electromagnetic radiation emerging from the semiconductor body 10 during operation.
  • the optical element 60 includes a collimation lens.
  • FIGS. 2A and 2B show perspective schematic views of the optoelectronic semiconductor component 1 described here according to the first exemplary embodiment.
  • the front side 20A of the mounting body 20 can be seen in FIG. 2A.
  • contact strips 313, 323 run along the recesses 40.
  • Figure 2B shows the back 20B of the mounting body 20.
  • first and second contact structures 31, 32 are arranged analogously to the first and second contact structures 31, 32 on the front side 20A. All contact structures 31, 32 on the back 20B have identical dimensions the contact structures 31, 32 on the front 20A.
  • the contact elements 310, 320 on the back 20B are exactly the same size as the contact elements 310, 320 on the front 20A of the mounting body 20. This enables a particularly uniform distribution of solder material 9.
  • FIGS 3A and 3B show perspective views of the optoelectronic semiconductor component 1 described here according to the first exemplary embodiment after assembly.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 is mounted on a carrier 8.
  • a solder material 9 is located between the optoelectronic semiconductor component 1 and the carrier 8.
  • the solder material 9 extends along the contact element 311, 321 in the direction of the contact path 312, 322. It can be clearly seen that the taper area 311, 321 and the trench 71 in the multi-angled area 70 reduce or prevent the solder material 9 from spreading.
  • the shape of the contact structures 31, 32 can also prevent molten solder material 9 from creeping between the optical element 60 and the mounting body 20. This could lead to undesirable detachment of the optical element 60.
  • the solder material 9 extends essentially evenly into the junction area 311, 321 on the front 20A and the back 20B.
  • FIG. 4A shows top views of the optoelectronic semiconductor component 1 described here according to the first exemplary embodiment before and after assembly.
  • 4A shows a step of a method for assembling the optoelectronic semiconductor component 1, in which the semiconductor component 1 is in a solder material 9 on a Carrier 8 is arranged.
  • the carrier 8 includes contact pads 80 which are provided with the soldering material 9 in the form of a soldering paste. A misalignment of the optoelectronic semiconductor component 1 relative to the contact pads 80 of the carrier 8 is clearly visible in FIG. 4A.
  • a reflow soldering process is used.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 is heated uniformly to up to 260° C., which leads to the melting of the solder material 9 and the wetting of the metal surface of both the contact pads 80 on the carrier 8 and the contact elements 310, 320 of the semiconductor component 1.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 shown in FIG. 4B has already gone through this step. It can be clearly seen that the optoelectronic semiconductor component 1 has aligned itself relative to the contact pads 80 on the carrier 8. The surface tension of the melted solder material 9 has pulled the optoelectronic semiconductor component 1 into the desired position.
  • a method for assembling an optoelectronic semiconductor component 1 therefore includes, for example, the following steps:
  • a method for assembling an optoelectronic semiconductor component 1 could include a step, wherein
  • the mounting body 20 aligns itself with the contact pads 80 of the underlying carrier 8.
  • Figure 5 shows a schematic view of an optoelectronic semiconductor component 1 described here according to a second exemplary embodiment.
  • the second exemplary embodiment essentially corresponds to the first exemplary embodiment shown in FIGS. 1, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A and 4B.
  • the contact structures 31, 32 do not include a multiply angled region 70.
  • the contact path 312, 322 each connects directly to the contact element 310, 320.
  • the contact path 312, 322 has a width 312X, 322X that is equal to the lateral extent 311X, 322X of the taper region 311, 322. In other words, the contact path 312, 322 has the same width as the taper region 311, 321.
  • the contact path 312, 322 has a width of at least 50 pm and at most 100 pm.
  • Such contact structures 31, 32 are advantageously particularly easy to produce. Only one front side 20A of the mounting body 20 is shown in FIG. A design of the contact structures 31, 32 can also be carried out on the back 20B in a similar way to the front side 20A.
  • the mounting body 20 includes a height 20Y, which corresponds to a vertical extent of the mounting body 20.
  • the height 20Y of the mounting body 20 corresponds to the extent of the Mounting body 20 transverse to the mounting surface 20M and parallel to the side surface 20C of the mounting body 20.
  • the height 310Y, 320Y of the contact elements 310, 320 corresponds to at most one third of the height 20Y of the mounting body 20. In this way, the spread of a solder material 9 in a lower third of the mounting body 20 can be limited.
  • Figure 6 shows a schematic view of an optoelectronic semiconductor component 1 described here according to a third exemplary embodiment.
  • the third exemplary embodiment essentially corresponds to the first exemplary embodiment shown in FIGS. 1, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A and 4B.
  • the region 70 which is angled several times, is designed in a mirror image. Alternatively or additionally, rounded corners can also be provided on the contact path 312, 322.

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10), der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptemissionsrichtung (E) vorgesehenen ist, einen elektrisch isolierenden Montagekörper (20) und eine erste und eine zweite Kontaktstruktur (31, 32) auf einer Vorderseite (20A) des Montagekörpers (20). Die Kontaktstrukturen (31, 32) umfassen jeweils ein Kontaktelement (310, 320) an einer Montageseite (20M) des Montagekörpers (20A) und einen Kontaktpfad (312, 322). Ein Verjüngungsbereich (311, 321) ist zwischen dem Kontaktelement (310, 320) und dem Kontaktpfad (312, 322) angeordnet. Die Hauptemissionsrichtung (E) des Halbleiterkörpers (10) ist quer zur Vorderseite (20A) und parallel zur Montageseite (20M) des Montagekörpers (20) ausgerichtet. Eine laterale Ausdehnung des Verjüngungsbereichs (311, 321) ist gegenüber einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements (310, 320) verringert.

Description

Beschreibung
OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben . Das optoelektronische Halbleiterbauelement ist insbesondere zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise von für das menschliche Auge wahrnehmbarem Licht , eingerichtet .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das eine besonders zuverlässige Montage ermöglicht .
Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung gemäß dem unabhängigen Patentanspruch gelöst . Vorteilhafte Aus führungs formen und Weiterbildungen der Vorrichtung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Figuren hervor .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper, der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptemissionsrichtung vorgesehenen ist . Insbesondere umfasst der Halbleiterkörper einen zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich . Bevorzugt ist der Halbleiterkörper zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung mit einer Hauptwellenlänge im sichtbaren und nicht-sichtbaren Bereich eingerichtet . Der aktive Bereich weist beispielsweise einen pn-Ubergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur ( SQW, single quantum well ) oder eine Mehrfachquantentopfstruktur (MQW, multi quantum well ) zur Strahlungserzeugung auf . Bei dem Halbleiterkörper handelt es sich beispielsweise um eine Lumines zenzdiode , insbesondere eine Leucht- oder Laserdiode . Der Halbleiterkörper ist beispielsweise mit einem Verbindungsmaterial , insbesondere einem Silberleitkleber, auf dem Montagekörper angeordnet .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement einen elektrisch isolierenden Montagekörper . Der Montagekörper ist bevorzugt mechanisch selbsttragend ausgebildet . Beispielsweise ist der Montagekörper mit einem Leiterplattenmaterial gebildet .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement eine erste und eine zweite Kontaktstruktur auf einer Vorderseite des Montagekörpers . Die Vorderseite des Montagekörpers ist bevorzugt parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Montagekörpers ausgerichtet . Die erste und zweite Kontaktstruktur sind insbesondere mit einem elektrisch leitfähigen Material gebildet . Bevorzugt liegt die erste Kontaktstruktur auf einem anderen elektrischen Potential als die zweite Kontaktstruktur . Beispielsweise ist eine Anode des Halbleiterkörpers über die erste Kontaktstruktur elektrisch kontaktiert und eine Kathode des Halbleiterkörpers ist über die zweite Kontaktstruktur elektrisch kontaktiert .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfassen die Kontaktstrukturen j eweils ein Kontaktelement an einer Montageseite des Montagekörpers und einen Kontaktpfad . Die Montageseite des Montagekörpers ist insbesondere quer zur Vorderseite ausgerichtet . Bevorzugt ist die Montageseite für eine nachfolgende Montage des
Halbleiterbauelements an einem Träger vorgesehen . Das Kontaktelement erstreckt sich beispielsweise ausgehend von der Montageseite entlang der Vorderseite des Montagekörpers . Der Kontaktpfad erstreckt sich insbesondere auf der Vorderseite des Montagekörpers . Beispielsweise stellt der Kontaktpfad eine elektrische Verbindung zwischen dem Kontaktelement und dem Halbleiterkörper her .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist ein Verj üngungsbereich zwischen dem Kontaktelement und dem Kontaktpfad angeordnet . Der Ver üngungsbereich bildet insbesondere den Übergang zwischen dem Kontaktelement und dem Kontaktpfad . Mit anderen Worten, der Verj üngungsbereich ist der Bereich, in dem der Kontaktpfad an das Kontaktelement angrenzt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist die Hauptemissionsrichtung des Halbleiterkörpers quer zur Vorderseite und parallel zur Montageseite des Montagekörpers ausgerichtet . Bevorzugt verläuft die Hauptemissionsrichtung senkrecht zur Vorderseite . Insbesondere ist der Halbleiterkörper auf der Vorderseite des Montagekörpers angeordnet . Beispielsweise bildet das optoelektronische Halbleiterbauelement ein sogenanntes Side-Looker-Bauelement .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist eine laterale Ausdehnung des Verj üngungsbereichs gegenüber einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements verringert . Mit anderen Worten, die erste Kontaktstruktur und die zweite Kontaktstruktur weisen j eweils eine Verj üngung an einem Verj üngungsbereich auf . Die laterale Ausdehnung des Kontaktelements entspricht insbesondere einer mittleren lateralen Ausdehnung parallel zur Montageseite des Montagekörpers . Die laterale Ausdehnung des Verj üngungsbereichs entspricht beispielsweise einer mittleren lateralen Ausdehnung parallel zur Montageseite des Montagekörpers . Durch eine geringe laterale Ausdehnung des Ver üngungsbereichs kann eine Benetzung des Kontaktpfades mit einem Lotmaterial vorteilhaft vermindert oder unterbunden werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement
- einen Halbleiterkörper, der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptemissionsrichtung vorgesehenen ist ,
- einen elektrisch isolierenden Montagekörper,
- eine erste und eine zweite Kontaktstruktur auf einer Vorderseite des Montagekörpers , wobei
- die Kontaktstrukturen j eweils ein Kontaktelement an einer Montageseite des Montagekörpers und einen Kontaktpfad umfassen,
- ein Verj üngungsbereich zwischen dem Kontaktelement und dem Kontaktpfad angeordnet ist ,
- die Hauptemissionsrichtung des Halbleiterkörpers quer zur Vorderseite und parallel zur Montageseite des Montagekörpers ausgerichtet ist , und
- eine laterale Ausdehnung des Verj üngungsbereichs gegenüber einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements verringert ist .
Einem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterlaserbauelement liegen unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde : Bei einer Montage eines optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einem Träger, insbesondere einer Leiterplatte ( englisch : Printed Circuit Board) , kommt beispielsweise ein Ref low-Lotverf ahren zum Einsatz . Dabei wird zunächst eine Lotpaste auf den Träger auf getragen, die Kontaktpads auf dem Träger bedeckt . Anschließend wird das optoelektronische Halbleiterbauelement selbst in die klebrige Lotpaste gedrückt . In einem Ofen wird das optoelektronische Halbleiterbauelement gleichmäßig auf bis zu 260 ° C erhitzt , was zum Schmel zen der Lotpaste und der Benetzung der Metalloberfläche sowohl der Kontaktpads auf dem Träger als auch der Kontaktelemente des Halbleiterbauelements führt . Für eine einwandfreie Verbindung ist eine bestimmte Dicke der Lötstelle vorteilhaft . Auf dem Träger wird die laterale Benetzung durch das Lotmaterial beispielsweise durch Lötstoppstrukturen verhindert . Bei herkömmlichen optoelektronischen Halbleiterbauelementen, insbesondere bei Side-Looker-Bauelementen, sind solche Lötstoppstrukturen bislang nicht bekannt . Das kann zu einer unkontrollierten Lötstellendicke führen, was Zuverlässigkeitsprobleme aufgrund einer verminderten thermischen Verbindung oder einer verminderten mechanischen Haftung des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf dem Träger verursachen kann . Darüber hinaus kann eine übermäßige Benetzung der Kontaktelemente des optoelektronischen Halbleiterbauelements zu einem unerwünschten Kriechen des Lotmaterials zwischen andere Schnittstellen führen und so weitere Schäden bei der Montage hervorrufen .
Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterlaserbauelement macht unter anderem von der Idee Gebrauch, einen Verj üngungsbereich in die Metalloberfläche des Kontaktelements einzubringen . Der Ver üngungsbereich bewirkt insbesondere , dass der Benetzungsprozess durch die Oberflächenspannung des Lotmaterials vermindert oder gestoppt wird . Dadurch wird das Volumen des Lotmaterials beispielsweise in einem unteren Drittel des Kontaktelements begrenzt , was zu einem konstanten Volumen an der Lötstelle führen kann . Der Verj üngungsbereich in der Metalloberfläche des Kontaktelements führt insbesondere zu einer Volumenkontrolle des Lotmaterials an der Lötstelle , was eine Selbstausrichtung des optoelektronischen Halbleiterbauelements begünstigt und mögliche Fehlausrichtungen bei der Bestückung auf einem Träger durch eine Selbst ustage korrigieren kann . Ferner kann dadurch verhindert werden, dass geschmol zenes Lotmaterial zwischen angrenzende Elemente kriecht . Zudem kann durch die Kontrolle der Lötstellendicke eine ausreichende mechanische Haftung des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einem Träger sichergestellt werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements entspricht eine laterale Ausdehnung des Ver üngungsbereichs höchstens einer Häl fte einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements . Die laterale Ausdehnung des Kontaktelements entspricht insbesondere einer mittleren lateralen Ausdehnung parallel zur Montageseite des Montagekörpers . Die laterale Ausdehnung des Verj üngungsbereichs entspricht beispielsweise einer mittleren lateralen Ausdehnung parallel zur Montageseite des Montagekörpers . Mit anderen Worten, der Verj üngungsbereich weist höchstens die Häl fte der lateralen Ausdehnung des Kontaktelements auf . Die lateralen Ausdehnungen des Kontaktelements und des Verj üngungsbereichs werden dabei insbesondere parallel zueinander gemessen .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements entspricht eine Breite des Kontaktpfads einer lateralen Ausdehnung des Verj üngungsbereichs . Die Breite des Kontaktpfads entspricht insbesondere einer lateralen Ausdehnung quer zur Haupterstreckungsrichtung des Kontaktpfads . Vorteilhaft kann so eine Herstellung des Kontaktpfades vereinfacht werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements vermindert oder unterbindet der Verj üngungsbereich eine Ausbreitung eines Lotmaterials in einer Richtung weg von dem Kontaktelement . Der Ver üngungsbereich ist derart ausgestaltet , dass eine Ausbreitung eines Lotmaterials bei einem Lötvorgang erschwert oder unterbunden wird . Dies geschieht beispielsweise durch eine besonders geringe laterale Ausdehnung des Verj üngungsbereichs .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements entspricht eine Höhe des ersten und zweiten Kontaktelements höchstens einem Drittel einer Höhe des Montagekörpers . Eine Höhe gilt hier und im Folgenden als eine vertikale Erstreckung eines Elements . Die vertikale Richtung ist parallel zur Seitenfläche des Montagekörpers und quer zur Montagefläche des Seitenkörpers ausgerichtet . Die Höhe der ersten und zweiten Kontaktelemente wird insbesondere in einer Richtung parallel zur Höhe des Montagekörpers gemessen . Eine Beschränkung der Höhe der Kontaktelemente auf weniger als ein Drittel der Höhe des Montagekörpers bewirkt eine Begrenzung eines Lotmaterials in dem unteren Drittel des Montagekörpers . Vorteilhaft verbleibt so ausreichend viel Lotmaterial an der Lötstelle , dass eine Selbstausrichtung des optoelektronischen Halbleiterbauelements begünstigt ist .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen
Halbleiterbauelements ist der Verj üngungsbereich derart geformt , dass sich das Lotmaterial nur höchstens 100 pm über das Kontaktelement hinaus erstreckt . Ein besonders dünner Verj üngungsbereich kann eine Ausbreitung des Lotmaterials vorteilhaft auf einen Bereich von höchstens 100 pm über das Kontaktelement hinaus begrenzen . So ist eine besonders gute Kontrolle eines Lotvolumens möglich .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind an der Montageseite des Montagekörpers im Bereich der Kontaktelemente Ausnehmungen ausgebildet . Die Ausnehmungen wirken insbesondere als Reservoirs für auf geschmol zenes Lotmaterial . Beispielsweise sind die Ausnehmungen von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterbauelements betrachtet konkav geformt .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst zumindest eine Kontaktstruktur eine Polaritätsmarkierung . Die Polaritätsmarkierung gibt beispielsweise an, ob an der Kontaktstruktur die Anode oder die Kathode des Halbleiterkörpers angeschlossen ist . Dies ist hil freich für eine korrekte Montage des optoelektronischen Halbleiterbauelements an einem Träger . Die Polaritätsmarkierung umfasst beispielsweise eine Verdickung des Kontaktpfades an einer Stelle .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist dem Halbleiterkörper ein strahlungsdurchlässiges Optikelement nachgeordnet . Insbesondere ist das Optikelement auf der Vorderseite des Montagekörpers angeordnet . Beispielsweise ist das Optikelement mit einem Epoxid gebildet . Bevorzugt dient das Optikelement zur Formung der im Betrieb aus dem Halbleiterkörper austretenden elektromagnetischen Strahlung .
Insbesondere umfasst das Optikelement eine Kollimationslinse .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements weisen die Kontaktstrukturen j eweils eine mehrfach abgewinkelte Struktur an dem Ver üngungsbereich auf . Die mehrfach abgewinkelte Struktur umfasst zumindest zwei abgewinkelte Bereiche . Beispielsweise umfasst die abgewinkelte Struktur zwei abgewinkelte Bereiche , in denen der Kontaktpfad j eweils einen Knick von 90 ° aufweist . Durch die mehrfach abgewinkelte Struktur kann eine Benetzung des Kontaktpfades mit Lotmaterial vorteilhaft verringert werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist die mehrfach abgewinkelte Struktur einen Graben mit einer Grabenbreite von mindestens 50 pm, bevorzugt von mindestens 100 pm und besonders bevorzugt von mindestens 200 pm auf . Insbesondere ist der Graben zwischen dem Kontaktpfad und dem Kontaktelement angeordnet . Der Graben verhindert vorteilhaft eine Benetzung des Kontaktpfades mit Lotmaterial .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist der Montagekörper mit einem Polymerverbundmaterial gebildet . Beispielsweise ist der Montagekörper mit einem Material aus der folgenden Gruppe gebildet : Epoxy-Glasharzlaminat , BT-Material , CEM-Material . BT-Material bezeichnet insbesondere ein halogenfreies Hochtemperaturmaterial mit den Hauptbestandteilen Bismaleimid und Triazinharz . CEM-Material ist bevorzugt ein Basismaterial für Leiterplatten auf Hartpapierbasis . CEM-Material hat beispielsweise einen Kern aus epoxydharzimprägniertem Papier mit j e einer Außenlage Glasgewebe . Insbesondere ist das Polymerverbundmaterial ein FR4-Material . FR4-Material bezeichnet eine Klasse von schwer entflammbaren und flammenhemmenden Verbundwerkstof fen . Bevorzugt ist FR4- Material mit Epoxidharz und Glas fasergewebe gebildet . FR4- Material weist eine hohe mechanische Stabilität auf und ist besonders einfach verfügbar .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind die Kontaktstrukturen mit Cu gebildet . Kupfer weist eine hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit auf . Vorteilhaft kann Kupfer besonders einfach strukturiert werden .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfassen die Kontaktstrukturen eine Beschichtung mit zumindest einem Material ausgewählt aus folgender Gruppe : Ni , Pd, Au, NiAu, NiAg, NiSn . Eine Beschichtung mit zumindest einem Material ausgewählt aus der Gruppe : Ni , Pd, Au, NiAu, NiAg, NiSn vermeidet insbesondere eine unerwünschte Oxidation einer mit Kupfer gebildeten Kontaktstruktur .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements sind Kontaktstrukturen analog zur Vorderseite auch auf einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite des Montagekörpers angeordnet . Insbesondere sind die Kontaktstrukturen auf der Rückseite mit den identischen Abmessungen zu den Kontaktstrukturen auf der Vorderseite ausgeführt . Dies ermöglicht eine besonders gleichmäßige Benetzung mit Lotmaterial auf der Vorderseite und der Rückseite . Eine Selbst j ustage des optoelektronischen Halbleiterbauelements bei seiner Montage ist dadurch vorteilhaft erleichtert . Weiter ist durch die Kontaktstrukturen auf der Rückseite auch eine
Stromtragfähigkeit vorteilhaft erhöht .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauelements verlaufen Kontaktstrei fen an einer Seitenfläche des Montagekörpers , wobei die Kontaktstrei fen die ersten und zweiten Kontaktstrukturen von der Vorderseite mit den ersten und zweiten Kontaktstrukturen auf der Rückseite elektrisch leitend verbinden . Die Seitenfläche verbindet die Vorderseite mit der Rückseite des Montagekörpers und ist bevorzugt quer zur Vorderseite und der Montageseite ausgerichtet . Die Kontaktstrei fen sind bevorzugt mit dem gleichen Material gebildet wie die Kontaktstrukturen . Insbesondere bedecken Kontaktstrei fen auch einen Bereich der Montageseite des Montagekörpers . Die Kontaktelemente von Kontaktstrukturen der Vorderseite sind beispielsweise über Kontaktstrei fen mit Kontaktelementen von Kontaktstrukturen auf der Rückseite elektrisch leitend verbunden . Bevorzugt bedecken Kontaktstrei fen die Ausnehmungen zumindest teilweise .
Ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement eignet sich insbesondere zum Einsatz als Lichtquelle in verschiedenen Anwendungsbereichen, beispielsweise für Raucherkennung, Gesichtserkennung, Gestensteuerung, Fahrerüberwachung oder als Beleuchtung für Videoüberwachungsanlagen .
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des optoelektronischen Halbleiterbauelements ergeben sich aus den folgenden, im Zusammenhang mit den in den Figuren dargestellten, Aus führungsbeispielen . Es zeigen :
Figur 1 eine schematische Explosionsdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem ersten Aus führungsbeispiel ,
Figuren 2A und 2B perspektivische schematische Ansichten des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß dem ersten Aus führungsbeispiel ,
Figuren 3A und 3B perspektivische Ansichten des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß dem ersten Aus führungsbeispiel nach einer Montage ,
Figuren 4A und 4B Draufsichten des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß dem ersten Aus führungsbeispiel vor und nach einer Montage ,
Figur 5 eine schematische Ansicht eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem zweiten Aus führungsbeispiel , und
Figur 6 eine schematische Ansicht eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem dritten Aus führungsbeispiel .
Gleiche , gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugs zeichen versehen . Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten . Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein .
Figur 1 zeigt eine schematische Explosionsdarstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gemäß einem ersten Aus führungsbeispiel . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 umfasst einen Halbleiterkörper 10 , einen elektrisch isolierenden Montagekörper 20 und ein Optikelement 60 .
Der Halbleiterkörper 10 ist zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptemissionsrichtung E vorgesehen . Der Halbleiterkörper 10 ist über ein Verbindungsmaterial 11 auf einer Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 angeordnet . Das Verbindungsmaterial 11 ist bevorzugt elektrisch leitfähig . Insbesondere umfasst das Verbindungsmaterial 11 einen Silberleitkleber .
Der Montagekörper 20 ist mit FR4-Material gebildet . Auf einer Vorderseite 20A und einer der Vorderseite 20A gegenüberliegenden Rückseite 20B des Montagekörpers 20 sind j eweils eine erste Kontaktstruktur 31 und eine zweite Kontaktstruktur 32 angeordnet . Eine Montageseite 20M verbindet die Vorderseite 20A mit der Rückseite 20B des Montagekörpers 20 . An der Montageseite 20M umfasst der Montagekörper 20 Ausnehmungen 40 . Die Ausnehmungen 40 sind auf der Montageseite 20M angrenzend zu Seitenflächen 20C des Montagekörpers 20 angeordnet . Die Seitenflächen 20C verbinden die Vorderseite 20A mit der Rückseite 20B des Montagekörpers 20 und sind quer zur Vorderseite 20A und der Montageseite 20M ausgerichtet . Die Ausnehmungen 40 sind somit im Bereich der Kontaktelemente 310 , 320 ausgebildet . Die Ausnehmungen 40 wirken insbesondere als Reservoirs für auf geschmol zenes Lotmaterial 9 . Die Ausnehmungen 40 sind von außerhalb des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 betrachtet konkav geformt .
Der Montagekörper 20 weist eine Haupterstreckungsebene auf , die parallel zur Vorderseite 20A und der Rückseite 20B ausgerichtet ist . Die Montageseite 20M ist folglich senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Montagekörpers 20 ausgerichtet . Der Montagekörper 20 weist eine Dicke von 1 mm auf . Die Dicke entspricht der mittleren Ausdehnung des Montagekörpers 20 senkrecht zu seiner Haupterstreckungsebene .
Die erste Kontaktstruktur 31 und die zweite Kontaktstruktur 32 umfassen j eweils ein Kontaktelement 310 , 320 , einen Ver üngungsbereich 311 , 321 und einen Kontaktpfad 312 , 322 . Bevorzugt liegt die erste Kontaktstruktur 31 auf einem anderen elektrischen Potential als die zweite Kontaktstruktur 32 . Beispielsweise ist eine Anode des Halbleiterkörpers 10 über die erste Kontaktstruktur 31 elektrisch kontaktiert und eine Kathode des Halbleiterkörpers 10 ist über die zweite Kontaktstruktur 32 elektrisch kontaktiert .
Das Kontaktelement 310 , 320 erstreckt sich ausgehend von der Montageseite 20M des Montagekörpers 20 entlang der Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 . Der Kontaktpfad 312 , 322 erstreckt sich ebenfalls auf der Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 . Beispielsweise stellt der Kontaktpfad 312 , 322 eine elektrische Verbindung zwischen dem Kontaktelement 310 , 320 und dem Halbleiterkörper 10 her . Der Verj üngungsbereich 311 , 321 bildet insbesondere den Übergang zwischen dem Kontaktelement 310 , 320 und dem Kontaktpfad 312 , 322. Mit anderen Worten, der Verjüngungsbereich 311, 321 ist der Bereich, in dem der Kontaktpfad 312, 322 an das Kontaktelement 310, 320 angrenzt.
Die Kontaktstrukturen 31, 32 weisen jeweils eine mehrfach abgewinkelte Struktur 70 an dem Verjüngungsbereich 311, 321 auf. Die mehrfach abgewinkelte Struktur 70 umfasst zwei abgewinkelte Bereiche, in denen der Kontaktpfad 312, 322 jeweils einen Knick von 90° aufweist. Durch die mehrfach abgewinkelte Struktur 70 kann eine Benetzung des Kontaktpfades 312, 322 mit Lotmaterial 9 vorteilhaft verringert werden. Die mehrfach abgewinkelte Struktur 70 weist einen Graben 71 mit einer Grabenbreite 71X von mindestens 50 pm, bevorzugt mindestens 100 pm, besonders bevorzugt von mindestens 200 pm auf. Der Graben 71 ist zwischen dem Kontaktpfad 312, 322 und dem Kontaktelement 310, 320 angeordnet. Der Graben 71 verhindert vorteilhaft eine Benetzung des Kontaktpfades 312, 322 mit Lotmaterial 9.
Die erste Kontaktstruktur 31 umfasst eine Polaritätsmarkierung 50. Die Polaritätsmarkierung 50 gibt beispielsweise an, ob an der Kontaktstruktur 31 die Anode oder die Kathode des Halbleiterkörpers 10 angeschlossen ist. Dies ist hilfreich für eine korrekte Montage des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 an einem Träger 8. Die Polaritätsmarkierung 50 umfasst eine mit bloßem Auge erkennbare Verdickung des Kontaktpfades 312 an einer Stelle.
An den Seitenflächen 20C des Montagekörpers 20 verlaufen Kontaktstreifen 313, 323, wobei die Kontaktstreifen 313, 323 die ersten und zweiten Kontaktstrukturen 31, 32 von der Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 mit den ersten und zweiten Kontaktstrukturen 31, 32 auf der Rückseite 20B des Montagekörpers 20 elektrisch leitend verbinden . Die Kontaktstrei fen 313 , 323 sind bevorzugt mit dem gleichen Material gebildet wie die Kontaktstrukturen 31 , 32 . Insbesondere bedecken Kontaktstrei fen 313 , 323 auch einen Bereich der Montageseite 20M des Montagekörpers 20 . Die Kontaktelemente 310 , 320 von Kontaktstrukturen 31 , 32 der Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 sind beispielsweise über Kontaktstrei fen 313 , 323 mit Kontaktelementen 310 , 320 von Kontaktstrukturen 31 , 32 auf der Rückseite 20B des Montagekörpers 20 elektrisch leitend verbunden . Bevorzugt bedecken Kontaktstrei fen 313 , 323 die Ausnehmungen 40 des Montagekörpers 20 zumindest teilweise .
Das Optikelement 60 ist auf der Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 angeordnet . Beispielsweise ist das Optikelement 60 mit einem Epoxid gebildet . Bevorzugt dient das Optikelement 60 zur Formung der im Betrieb aus dem Halbleiterkörper 10 austretenden elektromagnetischen Strahlung . Insbesondere umfasst das Optikelement 60 eine Ko llimat ions linse .
Figuren 2A und 2B zeigen perspektivische schematische Ansichten des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gemäß dem ersten Aus führungsbeispiel . In der Figur 2A ist die Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 erkennbar . Auf der Montageseite 20M verlaufen Kontaktstrei fen 313 , 323 entlang der Ausnehmungen 40 .
Figur 2B zeigt die Rückseite 20B des Montagekörpers 20 . Auf der Rückseite 20B sind erste und zweite Kontaktstrukturen 31 , 32 analog zu den ersten und zweiten Kontaktstrukturen 31 , 32 auf der Vorderseite 20A angeordnet . Alle Kontaktstrukturen 31 , 32 auf der Rückseite 20B weisen identische Abmessungen zu den Kontaktstrukturen 31 , 32 auf der Vorderseite 20A auf . Insbesondere sind die Kontaktelemente 310 , 320 auf der Rückseite 20B genau so groß wie die Kontaktelemente 310 , 320 auf der Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 . So ist eine besonders gleichmäßige Verteilung von Lotmaterial 9 ermöglicht .
Figuren 3A und 3B zeigen perspektivische Ansichten des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gemäß dem ersten Aus führungsbeispiel nach einer Montage . Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 ist auf einem Träger 8 montiert . Zwischen dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 1 und dem Träger 8 befindet sich ein Lotmaterial 9 . Das Lotmaterial 9 erstreckt sich entlang des Kontaktelements 311 , 321 in Richtung des Kontaktpfades 312 , 322 . Es ist klar erkennbar, dass der Verj üngungsbereich 311 , 321 und der Graben 71 in dem mehrfach abgewinkelten Bereich 70 eine Ausbreitung des Lotmaterials 9 vermindern oder unterbinden . Durch die Form der Kontaktstrukturen 31 , 32 kann ferner verhindert werden, dass geschmol zenes Lotmaterial 9 zwischen das Optikelement 60 und den Montagekörper 20 kriecht . Dies könnte zur unerwünschten Ablösung des Optikelements 60 führen . Im Vergleich zwischen den Figuren 3A und 3B ist erkennbar, dass sich das Lotmaterial 9 im Wesentlichen gleichmäßig weit in den Ver üngungsbereich 311 , 321 auf der Vorderseite 20A und der Rückseite 20B erstreckt .
Figuren 4A und 4B zeigen Draufsichten des hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gemäß dem ersten Aus führungsbeispiel vor und nach einer Montage . In der Figur 4A ist ein Schritt eines Verfahrens zur Montage des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 , in dem das Halbleiterbauelement 1 in einem Lotmaterial 9 auf einem Träger 8 angeordnet ist . Der Träger 8 umfasst Kontaktpads 80 , die mit dem Lotmaterial 9 in Form einer Lotpaste versehen sind . In der Figur 4A ist eine Fehlausrichtung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 relativ zu den Kontaktpads 80 des Trägers 8 klar erkennbar .
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt kommt ein Reflow- Lotverfahren zum Einsatz . In einem Ofen wird das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 gleichmäßig auf bis zu 260 ° C erhitzt , was zum Schmel zen des Lotmaterials 9 und der Benetzung der Metalloberfläche sowohl der Kontaktpads 80 auf dem Träger 8 als auch der Kontaktelemente 310 , 320 des Halbleiterbauelements 1 führt . Das in der Figur 4B dargestellte optoelektronische Halbleiterbauelement 1 hat diesen Schritt bereits durchlaufen . Es ist klar erkennbar, dass sich das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 selbst relativ zu den Kontaktpads 80 auf dem Träger 8 ausgerichtet hat . Die Oberflächenspannung des auf geschmol zenen Lotmaterials 9 hat das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 in die gewünschte Position gezogen .
Ein Verfahren zur Montage eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 umfasst also beispielsweise die folgenden Schritte :
A) Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 ,
B ) Aufbringen des Halbleiterbauelements 1 mit der Montageseite 20M des Montagekörpers 20 auf Kontaktpads 80 eines Trägers 8 , wobei ein Lotmaterial 9 zwischen den Kontaktpads 80 und dem Montagekörper 20 angeordnet wird,
C ) Aufhei zen des Lotmaterials 9 über seine Schmel ztemperatur, wobei sich das Lotmaterial 9 nur höchstens 100 pm über das Kontaktelement 310 , 320 hinaus erstreckt . Ferner könnte ein Verfahren zur Montage eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 einen Schritt umfassen, wobei
- sich der Montagekörper 20 bei dem Lötvorgang selbst j ustiert auf die Kontaktpads 80 des darunterliegenden Trägers 8 ausrichtet .
Figur 5 zeigt eine schematische Ansicht eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gemäß einem zweiten Aus führungsbeispiel . Das zweite Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in den Figuren 1 , 2A, 2B, 3A, 3B, 4A und 4B gezeigten ersten Aus führungsbeispiel . Im Unterschied zu dem ersten Aus führungsbeispiel umfassen die Kontaktstrukturen 31 , 32 keinen mehrfach abgewinkelten Bereich 70 . Der Kontaktpfad 312 , 322 schließt j eweils gerade an das Kontaktelement 310 , 320 an . Der Kontaktpfad 312 , 322 weist eine Breite 312X, 322X auf , die gleich der lateralen Ausdehnung 311X, 322X des Verj üngungsbereichs 311 , 322 ist . Mit anderen Worten, der Kontaktpfad 312 , 322 weist die gleiche Breite auf wie der Verj üngungsbereich 311 , 321 . Beispielsweise weist der Kontaktpfad 312 , 322 eine Breite von mindestens 50 pm und höchstens 100 pm auf . Vorteilhaft sind solche Kontaktstrukturen 31 , 32 besonders einfach herstellbar . In der Figur 5 ist nur eine Vorderseite 20A des Montagekörpers 20 dargestellt . Eine Ausgestaltung der Kontaktstrukturen 31 , 32 kann analog zu der Vorderseite 20A auch auf der Rückseite 20B entsprechend erfolgen .
Der Montagekörper 20 umfasst eine Höhe 20Y, die einer vertikalen Erstreckung des Montagekörpers 20 entspricht . Die Höhe 20Y des Montagekörpers 20 entspricht der Ausdehnung des Montagekörpers 20 quer zur Montagefläche 20M und parallel zur Seitenfläche 20C des Montagekörpers 20 . Die Höhe 310Y, 320Y der Kontaktelemente 310 , 320 entspricht höchstens einem Drittel der Höhe 20Y des Montagekörpers 20 . So kann eine Ausbreitung eines Lotmaterials 9 in einem unteren Drittel des Montagekörpers 20 begrenzt werden .
Figur 6 zeigt eine schematische Ansicht eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 gemäß einem dritten Aus führungsbeispiel . Das dritte Aus führungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in den Figuren 1 , 2A, 2B, 3A, 3B, 4A und 4B gezeigten ersten Aus führungsbeispiel . Im Unterschied zu dem ersten Aus führungsbeispiel ist der mehrfach abgewinkelte Bereich 70 spiegelbildlich ausgeführt . Alternativ oder zusätzlich können auch abgerundete Ecken an dem Kontaktpfad 312 , 322 vorgesehen sein .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Aus führungsbeispiele beschränkt . Vielmehr umfasst die Erfindung j edes neue Merkmal sowie j ede Kombination von Merkmalen, was insbesondere j ede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet , auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht expli zit in den Patentansprüchen oder Aus führungsbeispielen angegeben ist .
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102022111033 . 8 , deren Of fenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird . Bezugs zeichenliste
I optoelektronisches Halbleiterbauelement
10 Halbleiterkörper
I I Verbindungsmaterial
20 Montagekörper
20A Vorderseite
20B Rückseite
20C Seitenfläche
20M Montageseite
20Y Höhe des Montagekörpers
31 erste Kontaktstruktur
32 zweite Kontaktstruktur
310 Kontaktelement
310Y Höhe des Kontaktelements
311 Verj üngungsbereich
311X laterale Ausdehnung des Ver üngungsbereichs
312 Kontaktpfad
312X Breite des Kontaktpfades
313 Kontaktstrei fen
320 Kontaktelement
320Y Höhe des Kontaktelements
321 Verj üngungsbereich
321X laterale Ausdehnung des Verj üngungsbereichs
322 Kontaktpfad
322X Breite des Kontaktpfades
323 Kontaktstrei fen
40 Ausnehmung
50 Polaritätsmarkierung
60 Optikelement
70 mehrfach abgewinkelte Struktur
71 Graben
71X Grabenbreite 8 Träger
80 Kontaktpad
E Hauptemissionsrichtung

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) umfassend,
- einen Halbleiterkörper (10) , der zur Emission von elektromagnetischer Strahlung in eine Hauptemissionsrichtung (E) vorgesehenen ist,
- einen elektrisch isolierenden Montagekörper (20) ,
- eine erste und eine zweite Kontaktstruktur (31, 32) auf einer Vorderseite (20A) des Montagekörpers (20) , wobei
- die Kontaktstrukturen (31, 32) jeweils ein Kontaktelement (310, 320) an einer Montageseite (20M) des Montagekörpers (20A) und einen Kontaktpfad (312, 322) umfassen,
- ein Verjüngungsbereich (311, 321) zwischen dem Kontaktelement (310, 320) und dem Kontaktpfad (312, 322) angeordnet ist,
- die Hauptemissionsrichtung (E) des Halbleiterkörpers (10) quer zur Vorderseite (20A) und parallel zur Montageseite (20M) des Montagekörpers (20) ausgerichtet ist,
- eine laterale Ausdehnung des Verjüngungsbereichs (311, 321) gegenüber einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements (310, 320) verringert ist, und
- die Kontaktstrukturen (31, 32) jeweils eine mehrfach abgewinkelte Struktur (70) an dem Verjüngungsbereich (311, 321) aufweisen.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem
- eine laterale Ausdehnung des Verjüngungsbereichs (311, 321) höchstens einer Hälfte einer lateralen Ausdehnung des Kontaktelements (310, 320) entspricht.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem - eine Breite (312X, 322X) des Kontaktpfads (312, 322) einer lateralen Ausdehnung (311X, 321X) des Ver üngungsbereichs (311, 321) entspricht.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- der Verjüngungsbereich (311, 321) eine Ausbreitung eines Lotmaterials (9) in einer Richtung weg von dem Kontaktelement (310, 320) vermindert oder unterbindet.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- eine Höhe (310Y, 320Y) des ersten und zweiten Kontaktelements (310, 320) höchstens einem Drittel einer Höhe (20Y) des Montagekörpers (20) entspricht.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem
- der Verjüngungsbereich (311, 321) derart geformt ist, dass sich das Lotmaterial (9) nur höchstens 100 pm über das Kontaktelement (310, 320) hinaus erstreckt.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- an der Montageseite (20B) des Montagekörpers (20) im Bereich der Kontaktelemente (310, 320) Ausnehmungen (40) ausgebildet sind.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- zumindest eine Kontaktstruktur (31, 32) eine Polaritätsmarkierung (50) umfasst.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- dem Halbleiterkörper (10) ein strahlungsdurchlässiges Optikelement (60) nachgeordnet ist.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die mehrfach abgewinkelte Struktur (70) einen Graben (71) mit einer Grabenbreite (71X) von mindestens 50 pm, bevorzugt mindestens 100 pm aufweist.
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- der Montagekörper (20) mit einem Polymerverbundmaterial gebildet ist.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die Kontaktstrukturen (31, 32) mit Cu gebildet sind.
13. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- die Kontaktstrukturen (31, 32) eine Beschichtung mit zumindest einem der Materialien ausgewählt aus folgender Gruppe umfassen: Ni, Pd, Au, NiAu, NiAg, NiSn.
14. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem
- Kontaktstrukturen (31, 32) analog zur Vorderseite (20A) auch auf einer der Vorderseite (20A) gegenüberliegenden Rückseite (20B) des Montagekörpers (20) angeordnet sind.
15. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem
- Kontaktstreifen (313, 323) an einer Seitenfläche (20C) des Montagekörpers (20) verlaufen, wobei die Kontaktstreifen (313, 323) die ersten und zweiten Kontaktstrukturen (31, 32) von der Vorderseite (20A) mit den ersten und zweiten Kontaktstrukturen (31, 32) auf der Rückseite (20B) elektrisch leitend verbinden.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250841A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Fujitsu General Ltd 表面実装部品の接合構造
US20110079801A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Zhang Xianzhu Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation
CN210519046U (zh) * 2019-07-11 2020-05-12 深圳光台实业有限公司 一种pcb封装结构

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07131072A (ja) 1993-10-29 1995-05-19 Rohm Co Ltd 面実装型側面発光器、および、これを用いた発光装置、ならびにこの発光装置を用いた液晶表示装置
TWI488329B (zh) 2008-05-15 2015-06-11 億光電子工業股份有限公司 線路基板與發光二極體封裝
DE102008049535A1 (de) 2008-09-29 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul und Herstellungsverfahren
CN106233478A (zh) 2014-04-23 2016-12-14 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置及发光装置用基板的制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250841A (ja) * 1995-03-09 1996-09-27 Fujitsu General Ltd 表面実装部品の接合構造
US20110079801A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Zhang Xianzhu Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation
CN210519046U (zh) * 2019-07-11 2020-05-12 深圳光台实业有限公司 一种pcb封装结构

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