WO2023190659A1 - 積層体、放熱基板および積層体の製造方法 - Google Patents

積層体、放熱基板および積層体の製造方法 Download PDF

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insulating layer
inorganic insulating
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heat dissipation
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隼人 高倉
岳人 石川
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日東電工株式会社
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate

Definitions

  • the present invention relates to a laminate, a heat dissipation substrate, and a method for manufacturing a laminate.
  • a laminate including a metal substrate and an insulating layer is known (for example, see Patent Document 1 below). ).
  • the insulating layer is crystalline.
  • the laminate is required to have excellent insulation properties. However, in the laminate described in Patent Document 1, there is a limit to how the insulation can be improved.
  • the present invention provides a laminate with excellent insulation, a heat dissipation substrate, and a method for manufacturing the laminate.
  • the present invention (1) includes a laminate including a metal substrate and an amorphous inorganic insulating layer in order in the thickness direction.
  • the laminate since the inorganic insulating layer is amorphous, the inorganic insulating layer has high insulation properties. Therefore, the laminate has excellent insulation properties.
  • the present invention (2) includes the laminate according to (1), which is at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, tungsten, and molybdenum.
  • the present invention (3) provides the laminated layer according to (1) or (2), wherein the material of the inorganic insulating layer is at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides, and oxynitrides. Including the body.
  • the present invention (4) provides the method according to any one of (1) to (3), wherein the material of the inorganic insulating layer includes at least one selected from the group consisting of silicon, aluminum, and titanium.
  • the laminate includes the described laminate.
  • the present invention (5) includes the laminate according to any one of (1) to (4), wherein the inorganic insulating layer has a thickness of 10 ⁇ m or less.
  • the metal substrate includes one surface and the other surface in the thickness direction, and a side surface connecting a peripheral edge of the one surface and a peripheral edge of the other surface, and the inorganic insulating layer is , the laminate according to any one of (1) to (5), which is disposed on the one surface and the side surface of the metal substrate.
  • the present invention (7) includes a heat dissipation substrate comprising the laminate according to any one of (1) to (6).
  • the present invention (8) is a method for manufacturing the laminate according to any one of (1) to (6), in which an amorphous inorganic insulating layer is formed on one side of a metal substrate in the thickness direction under vacuum. This includes a method for manufacturing a laminate formed using a film forming method.
  • the laminate and heat dissipation substrate obtained by the laminate manufacturing method of the present invention have excellent insulation properties.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an embodiment of a laminate of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the laminate shown in FIG. 1.
  • FIG. It is a sectional view of the layered product of a modification.
  • 3 is a chart of GIXD of Example 3 and Comparative Example 1.
  • the laminate 1 has a thickness.
  • the laminate 1 has a plate shape.
  • the laminate 1 has a rectangular plate shape.
  • the laminate 1 extends in the plane direction.
  • the surface direction is perpendicular to the thickness direction.
  • the laminate 1 includes a metal substrate 2 and an inorganic insulating layer 3.
  • the metal substrate 2 has a plate shape.
  • the metal substrate 2 has a rectangular plate shape.
  • the metal substrate 2 includes one surface 21 and the other surface 22 in the thickness direction, and a side surface 23 that connects the peripheral edge of the one surface 21 and the peripheral edge of the other surface 22.
  • the side surface 23 is along the thickness direction. In this embodiment, the side surface 23 is orthogonal to the one surface 21 and the other surface 22.
  • the material of the metal substrate 2 is not limited.
  • the material of the metal substrate 2 is, for example, at least one selected from the group consisting of copper, aluminum, tungsten, and molybdenum.
  • the material of the metal substrate 2 may contain an alloy. Examples of the alloy include copper alloy, aluminum alloy, tungsten alloy, and molybdenum alloy.
  • the material for the metal substrate 2 is preferably copper, copper alloy, aluminum, or aluminum alloy. If the material of the metal substrate 2 is copper or a copper alloy, the metal substrate 2 will have good thermal conductivity, and the laminate 1 will have excellent heat dissipation. If the material of the metal substrate 2 is aluminum or an aluminum alloy, both thermal conductivity and light weight can be achieved.
  • the heat dissipation of the laminate 1 is excellent, since the heat dissipation of the heat dissipation board 10 will be excellent when the laminate 1 is provided on the heat dissipation board 10.
  • the thickness of the metal substrate 2 is, for example, 30 ⁇ m or more, preferably 50 ⁇ m or more, and is, for example, 1000 ⁇ m or less, preferably 500 ⁇ m or less.
  • Inorganic insulation layer 3 is arranged on one side 21 of metal substrate 2 .
  • the inorganic insulating layer 3 contacts the entire one side 21 of the metal substrate 2 .
  • the inorganic insulating layer 3 follows the shape of the one side 21 .
  • the inorganic insulating layer 3 has a shape extending in the plane direction.
  • the inorganic insulating layer 3 is amorphous. On the other hand, if the inorganic insulating layer 3 is crystalline, the insulation of the laminate 1 cannot be improved.
  • the inorganic insulating layer 3 is amorphous can be determined by ⁇ 1> Grazing incidence X-ray diffraction (GIXD), ⁇ 2> Out-of-Plane crystal analysis using X-ray diffraction (XRD), or ⁇ 3> Can be confirmed by observing crystal grains using a transmission electron microscope (TEM). Note that details of the conditions ⁇ 1> will be described in later examples.
  • Examples of the material for the inorganic insulating layer 3 include inorganic materials.
  • Examples of inorganic substances include oxides, nitrides, and oxynitrides.
  • examples of the material of the inorganic insulating layer 3 include silicon, aluminum, titanium, niobium, and tantalum, and preferably silicon, aluminum, and titanium. The above materials can be used alone or in combination.
  • the oxide examples include silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), niobium oxide (NbO 2 ), and tantalum oxide (Ta 2 O 5 ).
  • Preferable examples of the oxide include silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide.
  • nitrides examples include aluminum nitride and silicon nitride.
  • oxynitrides examples include aluminum oxynitride and silicon oxynitride.
  • the inorganic insulating layer 3 is a single layer or a multilayer.
  • the inorganic substance is preferably an oxide from the viewpoint of improving insulation.
  • the thickness of the inorganic insulating layer 3 is, for example, 10 nm or more, preferably 25 nm or more, and more preferably 50 nm or more. If the thickness of the inorganic insulating layer 3 is at least the above-mentioned lower limit, the laminate 1 will have excellent insulation properties.
  • the thickness of the inorganic insulating layer 3 is, for example, 10 ⁇ m or less, preferably 5 ⁇ m or less, more preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and still more preferably 0.5 ⁇ m or less. If the thickness of the inorganic insulating layer 3 is below the above-mentioned upper limit, the laminate 1 will have excellent heat dissipation.
  • the heat dissipation of the laminate 1 is excellent, since the heat dissipation of the heat dissipation board 10 will be excellent when the laminate 1 is provided on the heat dissipation board 10.
  • the ratio of the thickness of the inorganic insulating layer 3 to the thickness of the metal substrate 2 is, for example, 0.00001 or more, preferably 0.0001 or more, and is, for example, 0.35 or less, preferably 0.1 or less. be.
  • the method for manufacturing the laminate 1 will be explained. To manufacture the laminate 1, first, a metal substrate 2 is prepared, and then an inorganic insulating layer 3 is formed on one side 21 of the metal substrate 2 using a vacuum film forming method.
  • the vacuum film forming method examples include a vapor deposition method, a sputtering method, and an ion plating method.
  • the vacuum film forming method includes a sputtering method.
  • the laminate 1 is provided on a heat dissipation substrate 10. That is, the heat dissipation board 10 includes the above-described laminate 1.
  • the heat dissipation substrate 10 may further include an electrode 4 (imaginary line) arranged on one surface of the laminate 1 in the thickness direction.
  • the electrode 4 has a pattern.
  • the electrode 4 is arranged on a part of one surface of the inorganic insulating layer 3 in the thickness direction.
  • the electrode 4 is made of a conductor. Examples of the conductor include copper and titanium.
  • the electrode 4 has a single layer or multiple layers.
  • the inorganic insulating layer 3 is disposed on one side 21 and side surface 23 of the metal substrate 2.
  • the inorganic insulating layer 3 continuously covers the one side 21 and the side 23.
  • Inorganic insulating layer 3 follows the shape of one side 21 and side 23 .
  • the inorganic insulating layer 3 disposed on the side surface 23 has a shape extending in the thickness direction.
  • the inorganic insulating layer 3 disposed on the side surface 23 is also amorphous.
  • the inorganic insulating layer 3 placed on the side surface 23 has the same physical properties as the inorganic insulating layer 3 placed on the one side 21 .
  • the inorganic insulating layer 3 is also formed on the side surface 23 of the metal substrate 2, so the insulation on the side surface 23 of the laminate 1 is is excellent.
  • Example 1 A metal substrate 2 was prepared.
  • the metal substrate 2 has a thickness of 150 ⁇ m and is made of copper.
  • Vacuum film formation method DC magnetron sputtering method
  • Sputtering gas Ar Sputtering pressure: 0.2Pa
  • Output 80W Sputtering temperature: 25°C
  • an inorganic insulating layer 3 made of silica oxide (SiO 2 ) and having a thickness of 50 nm was formed using a vacuum film forming method.
  • the film forming conditions are as follows.
  • Vacuum film formation method RF magnetron sputtering method
  • Sputtering gas Ar/O 2 mixed gas
  • Sputtering pressure 0.2 Pa
  • Output 100W Sputtering temperature: 25°C
  • Example 2-Example 4 Laminated body 1 was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the material and thickness of the inorganic insulating layer 3 were changed as shown in Table 1.
  • Laminated body 1 was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the material of the inorganic insulating layer 3 was changed as shown in Table 1. Furthermore, the inorganic insulating layer 3 was made crystalline. In order to make the inorganic insulating layer 3 crystalline, the inorganic insulating layer 3 after vacuum deposition was annealed in the atmosphere at 350° C. for 4 hours using a muffle furnace.
  • X-ray entrance side parallel entrance slit, solar slit 5°, vertical restriction slit 10mm, width restriction slit 0.1mm
  • X-ray receiving side Receiving slit 20mm, parallel slit analyzer 0.5° and solar slit 5°
  • X-ray source Cu K ⁇ ray (wavelength: 1.5418 ⁇ ) with output 40kV-50mA, incident angle 0.1°, step width 0.1°, scan speed 4°/min
  • each inorganic insulating layer 3 of Examples 1-4 was amorphous.
  • Comparative Example 1 a diffraction peak (101) of anatase type crystal structure was confirmed at 25.5°. In other words, the inorganic insulating layer 3 of Comparative Example 1 was crystalline.
  • Example 3 The GIXD charts of Example 3 and Comparative Example 1 are shown in FIG. 4.
  • the electrode 4 includes a titanium layer with a thickness of 50 nm and a copper layer with a thickness of 100 nm in this order toward one side in the thickness direction.
  • the conditions for forming the electrode 4 are as follows. Vacuum film formation method: DC magnetron sputtering method Sputtering gas: Ar Sputtering pressure: 0.2Pa Output: 80W Sputtering temperature: 25°C
  • a digital multimeter 6 (imaginary line) was connected to the metal substrate 2 and the electrode 4 via a line 7 (imaginary line). Then, the resistance in the thickness direction of the laminate 1 was measured. Then, the insulation properties were evaluated according to the following criteria. The results are listed in Table 1.
  • ⁇ Resistance exceeded 1 M ⁇ , and insulation properties were good. ⁇ : Resistance was 1 M ⁇ or less, and insulation was poor.
  • the laminate is provided on a heat dissipation board.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

積層体（１）は、金属基板（２）と、非晶質の無機絶縁層（３）とを厚み方向に順に備える。

Description

積層体、放熱基板および積層体の製造方法
　本発明は、積層体、放熱基板および積層体の製造方法に関する。
　金属基板と、絶縁層とを備える積層体が知られている（例えば、下記特許文献１参照。
）。特許文献１に記載の積層体では、絶縁層は、結晶性である。
特開昭５８－１０３１５６号公報
　積層体には、優れた絶縁性が求められる。しかし、特許文献１に記載の積層体では、絶縁性の向上を図るには、限界がある。
　本発明は、絶縁性に優れる積層体、放熱基板および積層体の製造方法を提供する。
　本発明（１）は、金属基板と、非晶質の無機絶縁層とを厚み方向に順に備える、積層体を含む。
　この積層体では、無機絶縁層が非晶質であるので、無機絶縁層は絶縁性が高い。そのため、積層体は、絶縁性に優れる。
　本発明（２）は、銅、アルミニウム、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つである、（１）に記載の積層体を含む。
　本発明（３）は、前記無機絶縁層の材料は、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか１つである、（１）または（２）に記載の積層体を含む。
　本発明（４）は、前記無機絶縁層の材料は、ケイ素、アルミニウム、および、チタンからなる群から選択される少なくともいずれか１つを含む、（１）から（３）のいずれか一項に記載の積層体を含む。
　本発明（５）は、前記無機絶縁層の厚みは、１０μｍ以下である、（１）から（４）のいずれか一項に記載の積層体を含む。
　本発明（６）は、前記金属基板は、厚み方向における一方面および他方面と、前記一方面の周端縁および前記他方面の周端縁を連結する側面とを含み、前記無機絶縁層は、前記金属基板の前記一方面および前記側面に配置される、（１）から（５）のいずれか一項に記載の積層体を含む。
　本発明（７）は、（１）から（６）のいずれか一項に記載の積層体を備える、放熱基板を含む。
　本発明（８）は、（１）から（６）のいずれか一項に記載の積層体の製造方法であり、非晶質の無機絶縁層を、厚み方向における金属基板の一方面に、真空成膜法を用いて形成する、積層体の製造方法を含む。
　本発明の積層体の製造方法により得られる積層体および放熱基板は、絶縁性に優れる。
本発明の積層体の一実施形態の断面図である。 図１に示す積層体の平面図である。 変形例の積層体の断面図である。 実施例３および比較例１のＧＩＸＤのチャートである。
　１．積層体の一実施形態
　図１および図２を参照して、本発明の積層体の一実施形態を説明する。積層体１は、厚みを有する。積層体１は、板形状を有する。本実施形態では、積層体１は、矩形板形状を有する。積層体１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。積層体１は、金属基板２と、無機絶縁層３とを備える。
　１．１　金属基板２
　金属基板２は、板形状を有する。本実施形態では、金属基板２は、矩形板形状を有する。金属基板２は、厚み方向における一方面２１および他方面２２と、一方面２１の周端縁および他方面２２の周端縁を連結する側面２３と、を含む。
　一方面２１および他方面２２のそれぞれは、平坦形状を有する。一方面２１および他方面２２は、平行する。一方面２１および他方面２２のそれぞれは、厚み方向と直交する。
　側面２３は、厚み方向に沿う。本実施形態では、側面２３は、一方面２１および他方面２２に対して直交する。
　金属基板２の材料は、限定されない。金属基板２の材料は、例えば、銅、アルミニウム、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つである。金属基板２の材料は、合金を含有してもよい。合金としては、例えば、銅合金、アルミニウム合金、タングステン合金、および、モリブデン合金が挙げられる。金属基板２の材料として、好ましくは、銅、銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金である。金属基板２の材料が、銅または銅合金であれば、金属基板２の熱伝導性が良好となり、積層体１の放熱性に優れる。金属基板２の材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金であれば、熱伝導性と軽量性とを両立できる。
　積層体１の放熱性が優れれば、積層体１を放熱基板１０に備えるときに、放熱基板１０の放熱性が優れるので、好適である。
　金属基板２の厚みは、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
　１．２　無機絶縁層３
　無機絶縁層３は、金属基板２の一方面２１に配置される。無機絶縁層３は、金属基板２の一方面２１の全てに接触する。無機絶縁層３は、一方面２１の形状に追従する。本実施形態では、無機絶縁層３は、面方向に延びる形状を有する。
　無機絶縁層３は、非晶質である。一方、無機絶縁層３が結晶質であれば、積層体１の絶縁性を向上させることができない。
　無機絶縁層３が非晶質であることは、＜１＞斜入射Ｘ線回折法（ＧＩＸＤ）、＜２＞Ｘ線回折法（ＸＲＤ）によけるＯｕｔ－ｏｆ－Ｐｌａｎｅ結晶解析、または、＜３＞透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって結晶粒の観察によって、確認できる。なお、＜１＞の条件の詳細は、後の実施例で記載される。
　無機絶縁層３の材料としては、例えば、無機物が挙げられる。無機物としては、例えば、酸化物、窒化物および酸窒化物が挙げられる。また、無機絶縁層３の材料としては、例えば、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニオブ、および、タンタルが挙げられ、好ましくは、ケイ素、アルミニウム、および、チタンが挙げられる。上記した材料は、単独または併用できる。
　酸化物としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ニオブ（ＮｂＯ２）、および、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）が挙げられる。酸化物として、好ましくは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、および、酸化チタンが挙げられる。
　窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム、および、窒化ケイ素が挙げられる。
　酸窒化物としては、例えば、酸窒化アルミニウム、および、酸窒化ケイ素が挙げられる。
　無機絶縁層３は、単層または複層である。
　無機物として、好ましくは、絶縁性を向上する観点から、酸化物が挙げられる。
　無機絶縁層３の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、２５ｎｍ以上、より好ましくは、５０ｎｍ以上である。無機絶縁層３の厚みが上記した下限以上であれば、積層体１は、絶縁性に優れる。
　無機絶縁層３の厚みは、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下、より好ましくは、２μｍ以下、より好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．５μｍ以下である。無機絶縁層３の厚みが上記した上限以下であれば、積層体１は、放熱性に優れる。
　積層体１の放熱性が優れれば、積層体１を放熱基板１０に備えるときに、放熱基板１０の放熱性が優れるので、好適である。
　金属基板２の厚みに対する無機絶縁層３の厚みの比は、例えば、０．００００１以上、好ましくは、０．０００１以上であり、また、例えば、０．３５以下、好ましくは、０．１以下である。
　１．３　積層体１の製造方法
　積層体１の製造方法を説明する。積層体１を製造するには、まず、金属基板２を準備し、次いで、真空成膜法を用いて、無機絶縁層３を、金属基板２の一方面２１に形成する。
　真空成膜法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、および、イオンプレーティング法が挙げられる。真空成膜法として、好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。
　この積層体１の用途は、限定されない。好ましくは、積層体１は、放熱基板１０に備えられる。つまり、放熱基板１０は、上記した積層体１を備える。放熱基板１０は、厚み方向における積層体１の一方面に配置される電極４（仮想線）をさらに備えてもよい。電極４は、パターンを有する。電極４は、厚み方向における無機絶縁層３の一方面の一部に配置される。電極４は、導体からなる。導体としては、例えば、銅、および、チタンが挙げられる。電極４は、単層または複層である。
　２．　一実施形態の作用効果
　この積層体１では、無機絶縁層３が非晶質であるので、無機絶縁層３は絶縁性が高い。
　そのため、積層体１は、絶縁性に優れる。
　積層体１の製造方法では、真空成膜法で、無機絶縁層３を形成するので、無機絶縁層３を簡便に形成できる。
　３．　変形例
　以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。
　３．１　第１変形例
　図３に示すように、第１変形例の積層体１では、無機絶縁層３は、金属基板２の一方面２１と側面２３とに配置されている。無機絶縁層３は、一方面２１および側面２３を連続して被覆する。無機絶縁層３は、一方面２１および側面２３の形状に追従する。側面２３に配置される無機絶縁層３は、厚み方向に延びる形状を有する。側面２３に配置される無機絶縁層３も、非晶質である。側面２３に配置される無機絶縁層３は、一方面２１に配置される無機絶縁層３と同一の物性を有する。
　３．１．１　第１変形例の作用効果
　第１変形例の積層体１では、無機絶縁層３は、金属基板２の側面２３にも形成されるので、積層体１の側面２３における絶縁性が優れる。
　３．２　第２変形例
　図１の仮想線で示すように、、積層体１は、密着層５をさらに備えてもよい。密着層５は、金属基板２の一方面２１と、無機絶縁層３との間に配置される。密着層５としては、例えば、クロム層が挙げられる。密着層５の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。密着層５は、例えば、真空成膜法で形成される。
　以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
＜実施例１＞
　金属基板２を準備した。金属基板２は、厚みが１５０μｍであり、銅からなる。
　次いで、真空成膜法を用いて、クロムからなり、厚み２０ｎｍである密着層５を成膜した。成膜条件は、以下の通りである。
　真空成膜法：ＤＣマグネトロンスパッタリング法
　スパッタリングガス：Ａｒ
　スパッタリング圧力：０．２Ｐａ
　出力：８０Ｗ
　スパッタリング温度：２５℃
　その後、真空成膜法を用いて、酸化シリカ（ＳｉＯ２）からなり、厚み５０ｎｍの無機絶縁層３を形成した。成膜条件は、以下の通りである。
　真空成膜法：ＲＦマグネトロンスパッタリング法
　スパッタリングガス：Ａｒ／Ｏ２混合ガス
　スパッタリング圧力：０．２Ｐａ
　出力：１００Ｗ
　スパッタリング温度：２５℃
＜実施例２－実施例４＞
　実施例１と同様にして、積層体１を製造した。但し、無機絶縁層３の材料および厚みを表１に記載の通りに変更した。
＜比較例１＞
　実施例１と同様にして、積層体１を製造した。但し、無機絶縁層３の材料を表１に記載の通りに変更した。また、無機絶縁層３を結晶質にした。無機絶縁層３を結晶質にするには、真空成膜後の無機絶縁層３を、マッフル炉を用いて大気下、３５０℃で４時間、アニールした。
＜評価＞
　１．　非晶質性
　Ｘ線回折装置を用い、以下の測定条件で、斜入射Ｘ線回折測定（ＧＩＸＤ）を実施した。
　Ｘ線入射側：入射平行スリット、ソーラースリット５°、縦制限スリット１０ｍｍ、幅制限スリット０．１ｍｍ
　Ｘ線受光側：受光スリット２０ｍｍ、平行スリットアナライザ０．５°およびソーラースリット５°
　Ｘ線源：出力４０ｋＶ－５０ｍＡのＣｕ　Ｋα線（波長：１．５４１８Å）、入射角０．１°、ステップ幅０．１°、スキャンスピード４°／分
　実施例１－４のそれぞれでは、入射角（２θ）が２０°－３５°において結晶格子に由来する回折ピークがないことを確認した。つまり、実施例１－４のそれぞれの無機絶縁層３は、非晶質であった。
　一方、比較例１では、２５．５°において、アナターゼ型の結晶構造の回折ピーク（１０１）を確認した。つまり、比較例１の無機絶縁層３は、結晶質であった。
　実施例３および比較例１のそれぞれのＧＩＸＤのチャートを図４に示す。
　２．　積層体１の絶縁性
　実施例１－４および比較例１のそれぞれの積層体１の一方面に、開口部を有するメタルマスクを介して、縦２ｍｍ、横２ｍｍのサイズを有する電極４を成膜した。電極４は、厚み５０ｎｍのチタン層、および、厚み１００ｎｍの銅層を厚み方向の一方側に向かって順に備える。
　電極４の成膜条件は、以下の通りである。
　真空成膜法：ＤＣマグネトロンスパッタリング法
　スパッタリングガス：Ａｒ
　スパッタリング圧力：０．２Ｐａ
　出力：８０Ｗ
　スパッタリング温度：２５℃
　デジタルマルチメーター６（仮想線）を、ライン７（仮想線）を介して、金属基板２および電極４に接続した。そして、積層体１の厚み方向における抵抗を測定した。そして、下記の基準に従って、絶縁性を評価した。その結果を表１に記載する。
○：抵抗が１ＭΩ超過であり、絶縁性が良好であった。
×：抵抗が１ＭΩ以下であり、絶縁性が不良であった。
　なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記請求の範囲に含まれる。
　積層体は、放熱基板に備えられる。
１　積層体
２　金属基板
３　無機絶縁層
１０　放熱基板
２１　一方面
２２　他方面
２３　側面

Claims (8)

  1. 　金属基板と、非晶質の無機絶縁層とを厚み方向に順に備える、積層体。
  2. 　前記金属基板の材料は、銅、アルミニウム、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１に記載の積層体。
  3. 　前記無機絶縁層の材料は、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか１つである、請求項１または請求項２に記載の積層体。
  4. 　前記無機絶縁層の材料は、ケイ素、アルミニウム、および、チタンからなる群から選択される少なくともいずれか１つを含む、請求項１または請求項２に記載の積層体。
  5. 　前記無機絶縁層の厚みは、１０μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の積層体。
  6. 　前記金属基板は、厚み方向における一方面および他方面と、前記一方面の周端縁および前記他方面の周端縁を連結する側面とを含み、
    　前記無機絶縁層は、前記金属基板の前記一方面および前記側面に配置される、請求項１または請求項２に記載の積層体。
  7. 　請求項１または請求項２に記載の積層体を備える、放熱基板。
  8. 　請求項１または請求項２に記載の積層体の製造方法であり、
    　非晶質の無機絶縁層を、厚み方向における金属基板の一方面に、真空成膜法を用いて形成する、積層体の製造方法。
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