WO2023171733A1 - 半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物 - Google Patents
半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023171733A1 WO2023171733A1 PCT/JP2023/008951 JP2023008951W WO2023171733A1 WO 2023171733 A1 WO2023171733 A1 WO 2023171733A1 JP 2023008951 W JP2023008951 W JP 2023008951W WO 2023171733 A1 WO2023171733 A1 WO 2023171733A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- group
- protective film
- wafer
- forming
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 171
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 46
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- -1 cinnamoyl group Chemical group 0.000 claims description 151
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 33
- 239000000047 product Substances 0.000 description 32
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 29
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 13
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 12
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 10
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- VNQNXQYZMPJLQX-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical group CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CN2C(N(CC=3C=C(C(O)=C(C=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(=O)N(CC=3C=C(C(O)=C(C=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C2=O)=O)=C1 VNQNXQYZMPJLQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 7
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 7
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 7
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 7
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 6
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 6
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 5
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 description 4
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 4
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 4
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MPAGVACEWQNVQO-UHFFFAOYSA-N 3-acetyloxybutyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)CCOC(C)=O MPAGVACEWQNVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- XYXJKPCGSGVSBO-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris[(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylphenyl)methyl]-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C)=C1CN1C(=O)N(CC=2C(=C(O)C(=CC=2C)C(C)(C)C)C)C(=O)N(CC=2C(=C(O)C(=CC=2C)C(C)(C)C)C)C1=O XYXJKPCGSGVSBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanobutan-2-yldiazenyl)-2-methylbutanenitrile Chemical compound CCC(C)(C#N)N=NC(C)(CC)C#N AVTLBBWTUPQRAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methoxy-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-4-methoxy-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound COC(C)(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)(C)OC PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKSAKVMRQYOFBC-UHFFFAOYSA-N 2-cyanopropan-2-yliminourea Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(N)=O CKSAKVMRQYOFBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDWSNKPLZUXBPE-UHFFFAOYSA-N 3,5-ditert-butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=CC(C(C)(C)C)=C1 ZDWSNKPLZUXBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJWBTWIBUIGANW-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 RJWBTWIBUIGANW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHKHCABWJGFHOG-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonate pyridin-1-ium Chemical compound c1cc[nH+]cc1.Oc1ccc(cc1)S([O-])(=O)=O AHKHCABWJGFHOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-M 4-hydroxybenzoate Chemical compound OC1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 5-sulfosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC=C1O YCPXWRQRBFJBPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N [2-[(1-azaniumyl-1-imino-2-methylpropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanimidoyl]azanium;dichloride Chemical compound Cl.Cl.NC(=N)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(N)=N LXEKPEMOWBOYRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N abcn Chemical compound C1CCCCC1(C#N)N=NC1(C#N)CCCCC1 KYIKRXIYLAGAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- MIAUJDCQDVWHEV-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-disulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O MIAUJDCQDVWHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OCC)OCC OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OC)OC FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWVYZMVYXAVAKS-UHFFFAOYSA-N pyridin-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F YWVYZMVYXAVAKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCTUKSQTSHXEZ-UHFFFAOYSA-N (1-cyano-2-methylpropan-2-yl) carbamate Chemical compound N#CCC(C)(C)OC(N)=O AFCTUKSQTSHXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy 2,2-dimethylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C(C)(C)C HGXJDMCMYLEZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJDHKUHTYJLWPV-UHFFFAOYSA-N (2-nitrophenyl)methyl 4-(2-methylprop-2-enoyloxy)piperidine-1-carboxylate Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OC1CCN(CC1)C(=O)OCC1=C(C=CC=C1)[N+](=O)[O-] VJDHKUHTYJLWPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLDWUFCUUXXYTB-UHFFFAOYSA-N (2-oxo-1,2-diphenylethyl) 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=CC=CC=C1 DLDWUFCUUXXYTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C=C)C=C1 LTQBNYCMVZQRSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N (NE)-N-[(2E)-2-hydroxyiminoethylidene]hydroxylamine Chemical class O\N=C\C=N\O LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N 0.000 description 1
- IDXCKOANSQIPGX-UHFFFAOYSA-N (acetyloxy-ethenyl-methylsilyl) acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C=C)OC(C)=O IDXCKOANSQIPGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWFOOUAPWFZKQK-UHFFFAOYSA-N (acetyloxy-methyl-phenylsilyl) acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 AWFOOUAPWFZKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFROTQKOFJESPY-CMDGGOBGSA-N (e)-3-(2-hydroxyphenyl)-1-piperidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound OC1=CC=CC=C1\C=C\C(=O)N1CCCCC1 HFROTQKOFJESPY-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- BXLJEWHVJIGCFE-ZHACJKMWSA-N (e)-n-cyclohexyl-3-(2-hydroxyphenyl)prop-2-enamide Chemical compound OC1=CC=CC=C1\C=C\C(=O)NC1CCCCC1 BXLJEWHVJIGCFE-ZHACJKMWSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGUMNRYFUFLBGA-UHFFFAOYSA-N 1,4-dihydropyridine-3-carboxamide Chemical compound NC(=O)C1=CNC=CC1 KGUMNRYFUFLBGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UICXTANXZJJIBC-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hydroperoxycyclohexyl)peroxycyclohexan-1-ol Chemical compound C1CCCCC1(O)OOC1(OO)CCCCC1 UICXTANXZJJIBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical group CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNUTZBZXLPWRJG-UHFFFAOYSA-N 1-Piperidine carboxylic acid Chemical compound OC(=O)N1CCCCC1 DNUTZBZXLPWRJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFIAIMMAHAIVFT-UHFFFAOYSA-N 1-[bis(2-hydroxybutyl)amino]butan-2-ol Chemical compound CCC(O)CN(CC(O)CC)CC(O)CC BFIAIMMAHAIVFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFDXQGNDWIPXQL-UHFFFAOYSA-N 1-cyclooctyldiazocane Chemical compound C1CCCCCCC1N1NCCCCCC1 NFDXQGNDWIPXQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006433 1-ethyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 1-heptoxyheptane Chemical compound CCCCCCCOCCCCCCC UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- 125000004066 1-hydroxyethyl group Chemical group [H]OC([H])([*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QPAWHGVDCJWYRJ-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrolidine-2,5-dione;trifluoromethanesulfonic acid Chemical compound ON1C(=O)CCC1=O.OS(=O)(=O)C(F)(F)F QPAWHGVDCJWYRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006438 1-i-propyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006432 1-methyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006439 1-n-propyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDNHRKZFTZTTMD-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-3-triethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(N)C1=CC=CC=C1 ZDNHRKZFTZTTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 138-42-1 Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 SPXOTSHWBDUUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZODKRWQWUWGCD-UHFFFAOYSA-N 2,5-di-tert-butylbenzene-1,4-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1O JZODKRWQWUWGCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBSTGRRSTANR-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(2-methylpropyl)phenol Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC(CC(C)C)=C1O JRPBSTGRRSTANR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZUHIVLOSAPWDM-UHFFFAOYSA-N 2-(1h-imidazol-2-yl)-1h-imidazole Chemical class C1=CNC(C=2NC=CN=2)=N1 AZUHIVLOSAPWDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWSKCAVEJNPBX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxy-2-phenylacetyl)benzenesulfonic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O FEWSKCAVEJNPBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKIBGGGFMXVBJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-phenylphenyl)propan-2-yl carbamate Chemical compound C1=CC(C(C)(OC(N)=O)C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 KXKIBGGGFMXVBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-triphenoxysilane Chemical compound C1CC2OC2CC1CC[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-tripropoxysilane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC)CCC2OC21 ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQMDWSXUIQGTQV-UHFFFAOYSA-N 2-(benzenesulfonyl)acetate;carbamimidoylazanium Chemical compound NC(N)=N.OC(=O)CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SQMDWSXUIQGTQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDWZKAVSDAFOAQ-UHFFFAOYSA-M 2-(benzenesulfonyl)acetate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]C(=O)CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QDWZKAVSDAFOAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DIZBQMTZXOUFTD-UHFFFAOYSA-N 2-(furan-2-yl)-3h-benzimidazole-5-carboxylic acid Chemical compound N1C2=CC(C(=O)O)=CC=C2N=C1C1=CC=CO1 DIZBQMTZXOUFTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSRJVOOOWGXUDY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoyloxy]ethoxy]ethoxy]ethyl 3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C)=CC(CCC(=O)OCCOCCOCCOC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C)C=2)C(C)(C)C)=C1 QSRJVOOOWGXUDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCRXZJYCOMRCER-UHFFFAOYSA-N 2-[n,n'-di(propan-2-yl)carbamimidoyl]-1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CC(C)NC(=NC(C)C)N=C(N(C)C)N(C)C UCRXZJYCOMRCER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJPDDQSCZGTACX-UHFFFAOYSA-N 2-[n-(2-hydroxyethyl)anilino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)C1=CC=CC=C1 OJPDDQSCZGTACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYOSFLPUWVWHOA-UHFFFAOYSA-N 2-ethylidenepropane-1,3-diol;urea Chemical compound NC(N)=O.CC=C(CO)CO XYOSFLPUWVWHOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAZQZUFYRLFOLC-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 HAZQZUFYRLFOLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)sulfanyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1SC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPNYZBKIGXGYNU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-6-[(3-tert-butyl-5-ethyl-2-hydroxyphenyl)methyl]-4-ethylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CC)=CC(CC=2C(=C(C=C(CC)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O GPNYZBKIGXGYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFRHHAYSXIKGH-UHFFFAOYSA-N 3-(5-methoxy-2-methoxycarbonyl-1h-indol-3-yl)prop-2-enoic acid Chemical compound C1=C(OC)C=C2C(C=CC(O)=O)=C(C(=O)OC)NC2=C1 XYFRHHAYSXIKGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPAHSIUDXQGKMZ-UHFFFAOYSA-N 3-(benzenesulfonyl)propyl-triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QPAHSIUDXQGKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-triphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)CCCOCC1CO1 GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-tripropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCOCC1CO1 DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNUGTBDONWLTAT-UHFFFAOYSA-N 3-bicyclo[2.2.1]hept-3-enyl(triethoxy)silane Chemical compound C1CC2CC([Si](OCC)(OCC)OCC)=C1C2 ZNUGTBDONWLTAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJZNCUHIYJBAMS-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-2h-1,2-oxazol-5-one Chemical compound N1OC(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 JJZNCUHIYJBAMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDWVSAYEQPLWMX-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Methylenebis(2,6-di-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 MDWVSAYEQPLWMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTGCZBEERTTDQ-UHFFFAOYSA-N 4-Methoxy-1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(OC)=CC=C(O)C2=C1 BOTGCZBEERTTDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 4-[[3,5-bis[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-2,4,6-trimethylphenyl]methyl]-2,6-ditert-butylphenol Chemical compound CC1=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C1CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPPHXULEHGYZRW-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2,4-dimethyl-2-phenyldiazenylpentanenitrile Chemical compound COC(C)(C)CC(C)(C#N)N=NC1=CC=CC=C1 OPPHXULEHGYZRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBSKZKPSSKTLNE-UHFFFAOYSA-N 4-methylpent-3-enoxysilane Chemical compound CC(=CCCO[SiH3])C ZBSKZKPSSKTLNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVVFVKJZNVSANF-UHFFFAOYSA-N 6-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]hexyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCCCCCCOC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 ZVVFVKJZNVSANF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940076442 9,10-anthraquinone Drugs 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005047 Allyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRPFOCLXXPOTAQ-UHFFFAOYSA-N C(=C)[Si](OC)(OC)OC.Cl[SiH3] Chemical compound C(=C)[Si](OC)(OC)OC.Cl[SiH3] CRPFOCLXXPOTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHNYRVPCZTVSBL-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)OC(=O)N1C(C(CCC1C)C)(C)C Chemical class C(C)(C)OC(=O)N1C(C(CCC1C)C)(C)C BHNYRVPCZTVSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVJVVQKDAHSJF-UHFFFAOYSA-N CCO[SiH](OCC)CCCC1=CC=CC=C1 Chemical compound CCO[SiH](OCC)CCCC1=CC=CC=C1 HVVJVVQKDAHSJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDHWSBJMXLGEAR-UHFFFAOYSA-N COC1=C(OC[Si](OCC)(OCC)OCC)C=CC(=C1)COC Chemical compound COC1=C(OC[Si](OCC)(OCC)OCC)C=CC(=C1)COC DDHWSBJMXLGEAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100389975 Mus musculus Ezhip gene Proteins 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 1
- UAKWLVYMKBWHMX-UHFFFAOYSA-N SU4312 Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=C1C2=CC=CC=C2NC1=O UAKWLVYMKBWHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000007875 V-40 Substances 0.000 description 1
- AVTLBBWTUPQRAY-BUHFOSPRSA-N V-59 Substances CCC(C)(C#N)\N=N\C(C)(CC)C#N AVTLBBWTUPQRAY-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N V-65 Substances CC(C)CC(C)(C#N)\N=N\C(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 1
- 239000007874 V-70 Substances 0.000 description 1
- 239000007878 VAm-110 Substances 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N [(2R)-2-[(2R,3R,4S)-4-hydroxy-3-octadecanoyloxyoxolan-2-yl]-2-octadecanoyloxyethyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N 0.000 description 1
- IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N [C].[C] Chemical group [C].[C] IUHFWCGCSVTMPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXAUSQMWBKTIFG-UHFFFAOYSA-N [SiH4].C(C1CO1)OC(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)C Chemical compound [SiH4].C(C1CO1)OC(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)C HXAUSQMWBKTIFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USDJGQLNFPZEON-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis(hydroxymethylamino)-1,3,5-triazin-2-yl]amino]methanol Chemical compound OCNC1=NC(NCO)=NC(NCO)=N1 USDJGQLNFPZEON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis[bis(hydroxymethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]-(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)C1=NC(N(CO)CO)=NC(N(CO)CO)=N1 YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNOSLBKTVBFPBB-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(diphenyl)silyl] acetate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)=O)(OC(=O)C)C1=CC=CC=C1 CNOSLBKTVBFPBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHSZXAAKBYPYFU-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy-bis(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C=C)(C=C)OC(C)=O UHSZXAAKBYPYFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAHTXWAQKVPWPB-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy-methyl-(2-phenylethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)CCC1=CC=CC=C1 OAHTXWAQKVPWPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXJWBTHFKDQCIV-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(2-phenylethyl)silyl] 2-methoxyacetate Chemical compound COCC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCC1=CC=CC=C1 KXJWBTHFKDQCIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PECQSOLVQJKROE-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(2-phenylethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCC1=CC=CC=C1 PECQSOLVQJKROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(3-chloropropyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCCCl YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWAGZYOSLAHVJZ-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(benzyl)silyl] 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]acetate Chemical compound CC(C)(C)OCC(=O)O[Si](OC(=O)C)(OC(C)=O)CC1=CC=CC=C1 BWAGZYOSLAHVJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEOVBGUVMYATCK-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(benzyl)silyl] 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CC1=CC=CC=C1 SEOVBGUVMYATCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYTCESPLCDCYGK-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(benzyl)silyl] 2-methoxyacetate Chemical compound COCC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CC1=CC=CC=C1 VYTCESPLCDCYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXEVKRXGDPPRKG-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(naphthalen-1-yl)silyl] 2-ethoxyacetate Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(=O)COCC)=CC=CC2=C1 GXEVKRXGDPPRKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGEBOGMJMYZUKU-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(naphthalen-1-yl)silyl] 2-methoxyacetate Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(=O)COC)=CC=CC2=C1 HGEBOGMJMYZUKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMUOUYUZRFIZCC-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]acetate Chemical compound CC(C)(C)OCC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(=O)C)C1=CC=CC=C1 SMUOUYUZRFIZCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVEFMFLMXJZMKU-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 XVEFMFLMXJZMKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEBNHBSEHQSBOG-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] 2-methoxyacetate Chemical compound COCC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 YEBNHBSEHQSBOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRLWQTOZMISADO-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(prop-2-enyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC=C)(OC(C)=O)OC(C)=O XRLWQTOZMISADO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEVICWGPAZOCGD-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 KEVICWGPAZOCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTVHXOHGRUQTPX-UHFFFAOYSA-N [ethenyl(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)C=C KTVHXOHGRUQTPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)CO JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001539 acetonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004171 alkoxy aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- RQQQALLRAMHWMY-UHFFFAOYSA-N benzhydryl(1-phenylethyl)diazene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)N=NC(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RQQQALLRAMHWMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- OWDOUERXHFTHJS-UHFFFAOYSA-N benzyl 2,6-dimethylpiperidine-1-carboxylate Chemical compound CC1CCCC(C)N1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 OWDOUERXHFTHJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLASELWOOUNGW-UHFFFAOYSA-N benzyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC1=CC=CC=C1 CPLASELWOOUNGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKPSBYZGRQJIMO-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 FKPSBYZGRQJIMO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GQVVQDJHRQBZNG-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 GQVVQDJHRQBZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCWIUCHVGDLQJS-UHFFFAOYSA-N benzyl-(ethoxymethoxy)-dimethoxysilane Chemical compound CCOCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 DCWIUCHVGDLQJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABHNFDUSOVXXOA-UHFFFAOYSA-N benzyl-chloro-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CC1=CC=CC=C1 ABHNFDUSOVXXOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOZUDRJLDDIFNI-UHFFFAOYSA-N benzyl-diethoxy-(2-ethoxyethoxy)silane Chemical compound CCOCCO[Si](OCC)(OCC)CC1=CC=CC=C1 WOZUDRJLDDIFNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JETFXJAHBBREEC-UHFFFAOYSA-N benzyl-diethoxy-(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCC)(OCC)CC1=CC=CC=C1 JETFXJAHBBREEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCAPSLUVDGPONB-UHFFFAOYSA-N benzyl-diethoxy-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethoxy]silane Chemical compound CC(C)(C)OCCO[Si](OCC)(OCC)CC1=CC=CC=C1 SCAPSLUVDGPONB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLKGHSKMEBJFAK-UHFFFAOYSA-N benzyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CC1=CC=CC=C1 VLKGHSKMEBJFAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJBQWFSPJVPVFD-UHFFFAOYSA-N benzyl-dimethoxy-(methoxymethoxy)silane Chemical compound COCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 ZJBQWFSPJVPVFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRDYQTNZVALVET-UHFFFAOYSA-N benzyl-dimethoxy-[(2-methylpropan-2-yl)oxymethoxy]silane Chemical compound CC(C)(C)OCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 QRDYQTNZVALVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSKAIYAPIGRGRZ-UHFFFAOYSA-N benzyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC1=CC=CC=C1 GSKAIYAPIGRGRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFXODRCAZTVEOH-UHFFFAOYSA-N benzyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)CC1=CC=CC=C1 RFXODRCAZTVEOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIQWLKKNIDPHPE-UHFFFAOYSA-N benzyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)CC1=CC=CC=C1 FIQWLKKNIDPHPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VGZKCAUAQHHGDK-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 VGZKCAUAQHHGDK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CSXPRVTYIFRYPR-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-diethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C=C)(C=C)OCC CSXPRVTYIFRYPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-dimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(C=C)C=C ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBSPZZSGTIBOFG-UHFFFAOYSA-N bis[2-(4,5-dihydro-1h-imidazol-2-yl)propan-2-yl]diazene;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.N=1CCNC=1C(C)(C)N=NC(C)(C)C1=NCCN1 LBSPZZSGTIBOFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004657 carbamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=CC=CC=C1 KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMVZWUQHMJAWSY-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-prop-2-enylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CC=C KMVZWUQHMJAWSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJZNZOXALZKPEA-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(C)C1=CC=CC=C1 OJZNZOXALZKPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004976 cyclobutylene group Chemical group 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-O cyclohexylammonium Chemical compound [NH3+]C1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;titanium(2+) Chemical class [Ti+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 PESYEWKSBIWTAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004979 cyclopentylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004980 cyclopropylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012973 diazabicyclooctane Substances 0.000 description 1
- CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N diazo(sulfonyl)methane Chemical compound [N-]=[N+]=C=S(=O)=O CSYSRRCOBYEGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIOUJECYOVQAMA-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)CCCOCC1CO1 JIOUJECYOVQAMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAYIDWCWWMOISO-UHFFFAOYSA-N dichloro-bis(ethenyl)silane Chemical compound C=C[Si](Cl)(Cl)C=C MAYIDWCWWMOISO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTEHVUWHCBXMPI-UHFFFAOYSA-N dichloro-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](Cl)(Cl)CC=C VTEHVUWHCBXMPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLJJAVFOBDSYAN-UHFFFAOYSA-N dichloro-ethenyl-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C=C YLJJAVFOBDSYAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDEKNJPMOJJQNQ-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-(2-phenylethyl)silane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCC1=CC=CC=C1 IDEKNJPMOJJQNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCEQUKAYVABWTE-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-prop-2-enylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CC=C YCEQUKAYVABWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-O dicyclohexylazanium Chemical compound C1CCCCC1[NH2+]C1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEMVXSJSJHHPNR-UHFFFAOYSA-N diethoxy-(1-methoxyethoxy)-(2-phenylethyl)silane Chemical compound COC(C)O[Si](OCC)(OCC)CCC1=CC=CC=C1 DEMVXSJSJHHPNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIPFRDIMZLSNDT-UHFFFAOYSA-N diethoxy-(2-ethoxyethoxy)-naphthalen-1-ylsilane Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OCC)(OCC)OCCOCC)=CC=CC2=C1 PIPFRDIMZLSNDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUXHRXGEWBVUBS-UHFFFAOYSA-N diethoxy-(2-ethoxyethoxy)-phenylsilane Chemical compound CCOCCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 SUXHRXGEWBVUBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXLOCEMFUBGFNF-UHFFFAOYSA-N diethoxy-(2-methoxyethoxy)-naphthalen-1-ylsilane Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OCC)(OCCOC)OCC)=CC=CC2=C1 IXLOCEMFUBGFNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGQKXISBXKGFFZ-UHFFFAOYSA-N diethoxy-(2-methoxyethoxy)-phenylsilane Chemical compound COCCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 GGQKXISBXKGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UILQGNLRDRZQQY-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethoxy]-phenylsilane Chemical compound CC(C)(C)OCCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 UILQGNLRDRZQQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWQIWFOQNHTTIA-UHFFFAOYSA-N diethoxy-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(CC=C)OCC NWQIWFOQNHTTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWZTDBPOBTQIB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)COCC1CO1 UMWZTDBPOBTQIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(C)OCC1CO1 NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(CC)OCC1CO1 FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKJWRHASAVFGPS-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-prop-2-enylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(CC=C)OCC VKJWRHASAVFGPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004925 dihydropyridyl group Chemical group N1(CC=CC=C1)* 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMRAXGXBBIQUGZ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-(methoxymethoxy)-(2-phenylethyl)silane Chemical compound COCO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=C1 JMRAXGXBBIQUGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMOYYAJKVGIRFE-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-(methoxymethoxy)-naphthalen-1-ylsilane Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OC)(OC)OCOC)=CC=CC2=C1 YMOYYAJKVGIRFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXEMKWTVMQUHEH-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-(methoxymethoxy)-phenylsilane Chemical compound COCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 UXEMKWTVMQUHEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHQRJFFGOMXPMF-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[(2-methylpropan-2-yl)oxymethoxy]-phenylsilane Chemical compound CC(C)(C)OCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 CHQRJFFGOMXPMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WERMRYHPOOABQT-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-bis(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=CC[Si](OC)(CC=C)OC WERMRYHPOOABQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXXLLMOVBDFOKK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(2-phenylethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCC1=CC=CC=C1 FXXLLMOVBDFOKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAEPKDWOZATEMI-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)COCC1CO1 CAEPKDWOZATEMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(C)OCC1CO1 RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(CC)OCC1CO1 KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCOCC1CO1 PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC(C)OCC1CO1 SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQTNGCZMPUCIEX-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-prop-2-enylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC=C WQTNGCZMPUCIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- WVJOGYWFVNTSAU-UHFFFAOYSA-N dimethylol ethylene urea Chemical compound OCN1CCN(CO)C1=O WVJOGYWFVNTSAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIAWWFZNZAIXRF-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl 1-benzoylcyclohexa-3,5-diene-1,3-dicarboperoxoate Chemical compound C1C(C(=O)OOC(C)(C)C)=CC=CC1(C(=O)OOC(C)(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 BIAWWFZNZAIXRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGGOIDKBHYYNIC-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl 4-[3,4-bis(tert-butylperoxycarbonyl)benzoyl]benzene-1,2-dicarboperoxoate Chemical compound C1=C(C(=O)OOC(C)(C)C)C(C(=O)OOC(C)(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(=O)OOC(C)(C)C)C(C(=O)OOC(C)(C)C)=C1 KGGOIDKBHYYNIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKCPCPKXFGQXGS-UHFFFAOYSA-N ditert-butyldiazene Chemical compound CC(C)(C)N=NC(C)(C)C GKCPCPKXFGQXGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C=C NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHCECZPYHVEJO-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 FIHCECZPYHVEJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEIZMBLMTCAJSQ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethyl-prop-2-enylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)CC=C FEIZMBLMTCAJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADLWTVQIBZEAGJ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 ADLWTVQIBZEAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XDLXSLPWQLLCEX-UHFFFAOYSA-N ethoxymethoxy-dimethoxy-naphthalen-1-ylsilane Chemical compound C1=CC=C2C([Si](OC)(OC)OCOCC)=CC=CC2=C1 XDLXSLPWQLLCEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHCAFXORDIAPE-UHFFFAOYSA-N ethoxymethoxy-dimethoxy-phenylsilane Chemical compound CCOCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 GQHCAFXORDIAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YICRPEGTQDSFEX-UHFFFAOYSA-N ethyl imidazole-1-carboxylate Chemical compound CCOC(=O)N1C=CN=C1 YICRPEGTQDSFEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSJWBNAOYWNTBI-UHFFFAOYSA-N ethyl-dimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)CCOCC1CO1 CSJWBNAOYWNTBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMIHMHFIISTVLV-UHFFFAOYSA-N ethyl-dimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)CC(C)OCC1CO1 NMIHMHFIISTVLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYDBOMXUCPLLSK-UHFFFAOYSA-N ethyl-dimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 YYDBOMXUCPLLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- CZLCEPVHPYKDPJ-UHFFFAOYSA-N guanidine;2,2,2-trichloroacetic acid Chemical compound NC(N)=N.OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl CZLCEPVHPYKDPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGOOKVWNJHJZDN-UHFFFAOYSA-N guanidine;3-phenylprop-2-ynoic acid Chemical compound NC(N)=N.OC(=O)C#CC1=CC=CC=C1 VGOOKVWNJHJZDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002357 guanidines Chemical class 0.000 description 1
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O guanidinium Chemical compound NC(N)=[NH2+] ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M hexadecyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- DKYWVDODHFEZIM-UHFFFAOYSA-N ketoprofen Chemical compound OC(=O)C(C)C1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1 DKYWVDODHFEZIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N methoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC)C1=CC=CC=C1 BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REQXNMOSXYEQLM-UHFFFAOYSA-N methoxy-dimethyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 REQXNMOSXYEQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALPYWOWTSPQXHR-UHFFFAOYSA-N methoxy-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 ALPYWOWTSPQXHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- MRGQSWVKLLRBRJ-UHFFFAOYSA-N methyl(2,2,2-triphenylethoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(CO[SiH2]C)C1=CC=CC=C1 MRGQSWVKLLRBRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRBAVICMCJULJS-UHFFFAOYSA-N methyl(tripentoxy)silane Chemical compound CCCCCO[Si](C)(OCCCCC)OCCCCC QRBAVICMCJULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)CCCOCC1CO1 CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOARQMXRPHXHID-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)CCCOCC1CO1 VOARQMXRPHXHID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIHDEVWPDTQIM-UHFFFAOYSA-N methyl-tris(phenylmethoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CO[Si](OCC=1C=CC=CC=1)(C)OCC1=CC=CC=C1 GEIHDEVWPDTQIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N methylurea Chemical compound [14CH3]NC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 1
- APRJFNLVTJWEPP-UHFFFAOYSA-M n,n-diethylcarbamate Chemical compound CCN(CC)C([O-])=O APRJFNLVTJWEPP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYQYCASVINMDFD-UHFFFAOYSA-N n,n-ditert-butyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N(C(C)(C)C)C(C)(C)C CYQYCASVINMDFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVFLGSMUPMVNTQ-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxyethyl)-2-[[1-(2-hydroxyethylamino)-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCO WVFLGSMUPMVNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUIDKHDGPKIDGB-UHFFFAOYSA-N n-(3-triethoxysilylpropyl)benzenesulfonamide Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 LUIDKHDGPKIDGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N n-[2-(2-hydroxyethylamino)ethyl]-2-[[1-[2-(2-hydroxyethylamino)ethylamino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCNCCO QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006609 n-nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- KZAUOCCYDRDERY-UHFFFAOYSA-N oxamyl Chemical compound CNC(=O)ON=C(SC)C(=O)N(C)C KZAUOCCYDRDERY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229940044652 phenolsulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N phthalic acid di-n-butyl ester Natural products CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001816 polyoxyethylene sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000010988 polyoxyethylene sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFUOHLRSTYVNKU-UHFFFAOYSA-N silyl 2,2,2-triphenylacetate Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C(C(=O)O[SiH3])(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 YFUOHLRSTYVNKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLBUAIWOGVOKEC-UHFFFAOYSA-N silyl 3,3-diphenylpropanoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(CC(=O)O[SiH3])C1=CC=CC=C1 NLBUAIWOGVOKEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 239000001589 sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000011078 sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004129 sorbitan tristearate Drugs 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XFHDOSGLKQJYLP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,6-dimethylpiperidine-1-carboxylate Chemical compound CC1CCCC(C)N1C(=O)OC(C)(C)C XFHDOSGLKQJYLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYKYCHHWIJXDAO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-ethylhexaneperoxoate Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)OOC(C)(C)C WYKYCHHWIJXDAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N triacetyloxysilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O YZVRVDPMGYFCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JREYOWJEWZVAOR-UHFFFAOYSA-N triazanium;[3-methylbut-3-enoxy(oxido)phosphoryl] phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].CC(=C)CCOP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O JREYOWJEWZVAOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC)CCC2OC21 OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCCOCC1CO1 FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMYXZXAKZWIOHO-UHFFFAOYSA-N trichloro(2-phenylethyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCC1=CC=CC=C1 FMYXZXAKZWIOHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKFSBKQQYCMCKO-UHFFFAOYSA-N trichloro(prop-2-enyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC=C HKFSBKQQYCMCKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAXCNWCOODGCCT-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2-ethoxynaphthalen-1-yl)silane Chemical compound C1=CC=CC2=C([Si](Cl)(Cl)Cl)C(OCC)=CC=C21 VAXCNWCOODGCCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDGORAVIRGNDBW-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2-ethoxyphenyl)silane Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1[Si](Cl)(Cl)Cl QDGORAVIRGNDBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUOCWUHEMWGXIQ-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2-methoxy-2-phenylethyl)silane Chemical compound COC(C[Si](Cl)(Cl)Cl)C1=CC=CC=C1 PUOCWUHEMWGXIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZLYTTRTHVZCNU-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2-methoxynaphthalen-1-yl)silane Chemical compound C1=CC=CC2=C([Si](Cl)(Cl)Cl)C(OC)=CC=C21 WZLYTTRTHVZCNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWFIHFZPSAMFV-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2-methoxyphenyl)silane Chemical compound COC1=CC=CC=C1[Si](Cl)(Cl)Cl YTWFIHFZPSAMFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXYASSFFTRSIGT-UHFFFAOYSA-N trichloro-[(2-methylpropan-2-yl)oxy-phenylmethyl]silane Chemical compound CC(C)(C)OC([Si](Cl)(Cl)Cl)C1=CC=CC=C1 BXYASSFFTRSIGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUMAYXXJSADQBQ-UHFFFAOYSA-N trichloro-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]silane Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=CC=C1[Si](Cl)(Cl)Cl OUMAYXXJSADQBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZARCDHCAFJWJC-UHFFFAOYSA-N trichloro-[ethoxy(phenyl)methyl]silane Chemical compound CCOC([Si](Cl)(Cl)Cl)C1=CC=CC=C1 ZZARCDHCAFJWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMGOKIYLLQQVJE-UHFFFAOYSA-N trichloro-[methoxy(phenyl)methyl]silane Chemical compound COC([Si](Cl)(Cl)Cl)C1=CC=CC=C1 SMGOKIYLLQQVJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBSUMMHIJNZMRM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC1=CC=CC=C1 VBSUMMHIJNZMRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQFQVYFUZUTIMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl)silane Chemical compound C1C(C[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 VQFQVYFUZUTIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)COCC1CO1 UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CCC)OCC1CO1 OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)OCC1CO1 SJQPASOTJGFOMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFRRMEMOPXUROM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CC)OCC1CO1 NFRRMEMOPXUROM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(CC)OCC1CO1 FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCOCC1CO1 RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(C)OCC1CO1 CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSUKBUSXHYKMLU-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[4-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)butyl]silane Chemical compound C1C(CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 PSUKBUSXHYKMLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSUGNQKJVLXBHC-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCOCC1CO1 GSUGNQKJVLXBHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPHXJBZAVNFMKX-UHFFFAOYSA-M triethyl(phenyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)C1=CC=CC=C1 GPHXJBZAVNFMKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=C1 UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGCVEHIYVPDFMS-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl)silane Chemical compound C1C(C[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 HGCVEHIYVPDFMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)COCC1CO1 LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCCC([Si](OC)(OC)OC)OCC1CO1 FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAVVOFDYOGMLNQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)OCC1CO1 DAVVOFDYOGMLNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(CC)OCC1CO1 FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCOCC1CO1 ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTVULPNMIHOVRU-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)OCC1CO1 HTVULPNMIHOVRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)propyl]silane Chemical compound C1C(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)OCC1CO1 ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOWVSEMGATXETK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)butyl]silane Chemical compound C1C(CCCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 ZOWVSEMGATXETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCOCC1CO1 GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Definitions
- the present invention relates to a composition for forming a protective film for forming a protective film on the surface edge and bevel portion of a semiconductor manufacturing substrate (wafer) in a semiconductor device manufacturing process, and a protective film formed using the composition for forming a protective film.
- the present invention relates to a film, a wafer for semiconductor manufacturing manufactured using the protective film, a method for manufacturing the wafer for semiconductor manufacturing, and a semiconductor device.
- the chemical solution supplied to the front surface of the wafer wraps around the periphery of the wafer and the back surface, causing unintended contact with the periphery of the wafer and the back surface.
- these areas may be contaminated with metal due to the formation of a coating film.
- wafer processing equipment such as exposure equipment or etching equipment or a wafer transport mechanism
- the wafer may be transported and processed later through these processing equipment or transport mechanisms.
- the wafer may also be contaminated with metal, that is, cross-contamination may occur.
- Patent Document 1 In forming a coating film on the surface of a substrate, a technique has been disclosed in which the coating film can be formed so that the peripheral edge portion of the substrate, that is, the peripheral end face and the back side peripheral edge portion, do not come into contact with the coating film (Patent Document 1).
- Patent Document 2 A method for manufacturing a semiconductor device is disclosed in which peeling of a film from a beveled portion of a substrate is suppressed.
- the problem to be solved by the present invention is to eliminate abnormal shapes (partial bulges or dents) on the surface edges and bevel portions of semiconductor manufacturing substrates (wafers) using a simple coating method in manufacturing semiconductor devices.
- a composition for forming a protective film that can form a protective film with good film condition a protective film formed from the composition for forming a protective film, a wafer for semiconductor manufacturing manufactured using the protective film, a wafer for semiconductor manufacturing
- An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
- the present invention includes the following.
- [1] Contains a polymer or compound with a crosslinkable group and a solvent, the solvent includes a first solvent and a second solvent, When the evaporation rate of n-butyl acetate is 1, the evaporation rate of the first solvent is 0.10 or more, and the evaporation rate of the second solvent is 0.05 or less.
- the difference (V1-V2) between the evaporation rate (V1) of the first solvent and the evaporation rate (V2) of the second solvent is 0.10 or more, [1] or [2]
- Constituent elements of the first solvent are carbon, oxygen, and hydrogen
- Constituent elements of the second solvent are carbon, oxygen, and hydrogen
- the protective film according to [9] having a thickness of 1 to 10,000 nm.
- the protective film according to [9] or [10] which is a protective film for preventing metal contamination of the wafer surface edge and bevel portion.
- the protective film according to any one of [9] to [11] which is cured by being irradiated with light having a wavelength of 170 to 800 nm.
- [20] The method for manufacturing a semiconductor device according to [18], including a step (Z) of removing the protective film after the step (Y).
- [21] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [14] to [20], wherein the resist film contains a metal.
- the composition for forming a protective film on the edge of a wafer for semiconductor manufacturing is photosensitive, From [14], the formation of the protective film in the step (X) is performed by applying the composition for forming a protective film on the edge of a semiconductor manufacturing wafer, exposing a predetermined area to light, and developing the composition. 21].
- the removal of the protective film in the step (Z) is performed by ashing, or by treatment with hydrofluoric acid, an organic solvent, an alkaline developer, or a cleaning solution for semiconductors, [19] or [20]. ] The method for manufacturing a semiconductor device according to.
- a method for manufacturing a wafer for semiconductor manufacturing comprising: The composition for forming a protective film on the edge of a wafer for semiconductor manufacturing according to any one of [1] to [8] is applied to the edge of the wafer precursor, and the formed protective film protects the surface edge and beveled portion. a process for manufacturing protected wafers;
- a method for manufacturing a wafer for semiconductor manufacturing including:
- the surface edges and bevel parts of semiconductor manufacturing substrates can be coated in a film state without abnormal shapes (partial bulges or dents) using a simple coating method.
- composition for forming a protective film on the edge of a wafer for semiconductor manufacturing (hereinafter sometimes referred to as the "composition for forming a protective film") of the present invention is used to protect the surface edge and bevel portion of a wafer for semiconductor manufacturing.
- composition for forming a protective film contains a polymer or compound having a crosslinkable group and a solvent.
- the solvent includes a first solvent and a second solvent.
- the evaporation rate used in the present invention is the evaporation rate obtained according to ASTM D 3539.
- the numerical value of the evaporation rate used in the present invention is a relative value to the evaporation rate of n-butyl acetate. That is, the evaporation rate value used in the present invention is the evaporation rate of the solvent divided by the evaporation rate of n-butyl acetate.
- the evaporation rate of n-butyl acetate is 1, the evaporation rate of the first solvent is 0.10 or more, and the evaporation rate of the second solvent is 0.05 or less.
- the present inventors have conducted intensive studies to form a protective film in good film condition by a simple coating method on the edges of semiconductor manufacturing wafers (surface edges and beveled areas).
- various solvents were tried as the solvent for the composition for forming a protective film, it was found that the evaporation rate affected the coverage of the surface edge and the film shape of the beveled part.
- a solvent with a high evaporation rate easily evaporates
- the coverage of the surface edges will be good, but the shape of the film on the beveled part will be poor (e.g. , partial bulges or dents occurred).
- the film shape of the edge of the semiconductor manufacturing wafer can be measured using, for example, a scanning electron microscope (with magnifications of 20 to 400 times, 30 to 200 times, 40 to 100 times, 50 times, 80 times, etc.). It can be observed at 100x magnification.
- the above-mentioned abnormal shape is present in 10 or less places, preferably 5 or less places, more preferably 3 or less places, even more preferably 1 place or less, and most preferably an abnormal shape in the field of view in the above-mentioned scanning electron microscope observation. is not observed (zero abnormal locations).
- the first solvent and the second solvent are organic solvents.
- the evaporation rate of the first solvent is 0.10 or more, preferably 0.10 to 0.80, more preferably 0.20 to 0.60, particularly preferably 0.30 to 0.50.
- the evaporation rate of the second solvent is 0.05 or less, preferably 0.04 or less, and more preferably 0.03 or less.
- the difference (V1-V2) between the evaporation rate (V1) of the first solvent and the evaporation rate (V2) of the second solvent is not particularly limited, but from the viewpoint of suitably obtaining the effects of the present invention, the difference (V1-V2) is 0. It is preferably 10 or more, more preferably 0.15 or more, and particularly preferably 0.20 or more. Further, the difference (V1-V2) is preferably 0.70 or less, more preferably 0.60 or less, and particularly preferably 0.50 or less.
- the mass ratio (S1:S2) of the first solvent (S1) and the second solvent (S2) is not particularly limited, but from the viewpoint of suitably obtaining the effects of the present invention, it is 50:50 to 95:5. is preferable, 60:40 to 93:7 is more preferable, and 70:30 to 90:10 is particularly preferable.
- Constituent elements of the first solvent are, for example, carbon, oxygen, and hydrogen.
- Constituent elements of the second solvent are, for example, carbon, oxygen, and hydrogen.
- the first solvent preferably does not contain nitrogen atoms or halogen atoms as constituent elements.
- the second solvent preferably does not contain nitrogen atoms or halogen atoms as constituent elements.
- the first solvent contains, for example, at least one of an ether bond, an ester bond, and a carbonyl group.
- the second solvent contains, for example, at least one of an ether bond, an ester bond, and a carbonyl group.
- the solvent may contain an organic solvent other than the first solvent and the second solvent.
- the total proportion of the first solvent and the second solvent in the solvent is not particularly limited, but is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 75% to 100% by mass, and 90% to 100% by mass. % is particularly preferred.
- the content of the solvent in the composition for forming a protective film is not particularly limited, but is preferably 70% by mass to 99% by mass, more preferably 75% to 98% by mass, and particularly preferably 80% to 95% by mass. .
- the total content of the first solvent and the second solvent in the composition for forming a protective film is not particularly limited, but is preferably 50% by mass to 99% by mass, more preferably 60% by mass to 98% by mass, Particularly preferred is 75% by weight to 95% by weight.
- a crosslinkable group means a group that can form a crosslinked structure by the action of light, electron beams, other electromagnetic waves, radicals, acids, heat, water, oxygen, and the like. Examples include, but are not limited to, epoxy groups, (meth)acrylic groups, vinyl groups, carboxyl groups, thiol groups, silanol groups, cinnamoyl groups, and hydroxyl groups (including phenolic hydroxyl groups).
- polymer and “compound” do not necessarily mean different substances, and a substance containing a polymer is sometimes referred to as a "compound.”
- the protective film (cured film) using the above-mentioned “polymer” and “compound” has, for example, an evaluation based on "[5] Post-exposure curability evaluation” in the Examples described later, with respect to the unexposed part of the film. It exhibits solubility in a developer such that the residual film rate of the cured film in the exposed area is 80% or more, preferably 90% or more.
- Examples of the polymer or compound having a crosslinkable group include, but are not limited to, the following.
- ⁇ Epoxy (meth)acrylate e.g., reaction product of glycidyl ether of cresol novolac resin and (meth)acrylic acid
- ⁇ Cinnamic acid grafted epoxy novolac, -phenoplast a thermosetting material obtained by polycondensation of phenols and aldehydes with removal of water and the formation of a three-dimensional network
- melamine resins such as trimethylolmelamine and hexamethylolmelamine, urea resins such as dimethylolpropylene urea, dimethylolethylene urea, and dimethylolhydroxyne urea
- aminoblast resins such as dimethyloluron resin
- ⁇ (Block) isocyanate ⁇ Vinyl ether, ⁇ Polysiloxane resin with (meth)acrylic group ⁇ Epoxy resin.
- An example of a polymer or compound having a crosslinkable group is a polymer having a structural unit represented by the following formula (1-1).
- Ar represents a benzene ring, a naphthalene ring, or an anthracene ring
- R 1 is a hydroxy group, a mercapto group that may be protected with a methyl group, or an amino group that may be protected with a methyl group.
- n1 represents an integer of 0 to 3
- L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms
- n2 represents 1 or 2
- A represents a group having a (meth)acryloyloxy group
- alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group.
- alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, cyclopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, s-butylene group, t-butylene group, cyclo Butylene group, 1-methyl-cyclopropylene group, 2-methyl-cyclopropylene group, n-pentylene group, 1-methyl-n-butylene group, 2-methyl-n-butylene group, 3-methyl-n-butylene group , 1,1-dimethyl-n-propylene group, 1,2-dimethyl-n-propylene group, 2,2-dimethyl-n-propylene, 1-ethyl-n-propylene group, cyclopentylene group, 1-methyl -Cyclobutylene group, 2-methyl-cyclobutylene group, 3-methyl-cyclobutylene group, 1,2-dimethyl-cyclopropylene group, 2,3-d
- C1-C10 alkyl group substituted or interrupted by a heteroatom in R 1 is a C1-C10 alkoxy group.
- alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms examples include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, s-butoxy group, t-butoxy group, n- Pentoxy group, 1-methyl-n-butoxy group, 2-methyl-n-butoxy group, 3-methyl-n-butoxy group, 1,1-dimethyl-n-propoxy group, 1,2-dimethyl-n-propoxy group, 2,2-dimethyl-n-propoxy group, 1-ethyl-n-propoxy group, n-hexyloxy group, 1-methyl-n-pentyloxy group, 2-methyl-n-pentyloxy group, 3- Methyl-n-pentyloxy group, 4-methyl-n-pentyloxy group, 1,1-dimethyl-n-butoxy group, 1,2-dimethyl-n-butoxy group, 1,3-dimethyl-n-butoxy group , 2, 2,
- A is, for example, a group represented by the following formula (A).
- R a is a hydrogen atom or a methyl group. * represents a bond.
- the unit structure represented by formula (1-1) may be one type or a combination of two or more types.
- it may be a copolymer having a plurality of unit structures in which Ar is the same type, or a copolymer in which the types of Ar are different, such as a unit structure in which Ar has a unit structure containing a benzene ring and a unit structure containing a naphthalene ring.
- copolymers having a plurality of unit structures are not excluded from the technical scope of the present application.
- any carbon-carbon atom in the alkylene group shown on the left may be a heteroatom (i.e., in the case of oxygen, an ether bond,
- any carbon-carbon atom in the alkylene group shown on the left may be a heteroatom (i.e., in the case of oxygen, an ether bond
- sulfur it is interrupted by a sulfide bond), ester bond, or amide bond
- 1 carbon atom i.e., methylene group
- heteroatom i.e., in the case of oxygen
- T1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms which may be interrupted by an ether bond, an ester bond or an amide bond, but a combination of an ether bond and a methylene group, A combination of an ester bond and a methylene group, or a combination of an amide bond and a methylene group is preferred.
- An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that may be substituted with a hetero atom means that one or more hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are substituted with a hetero atom (preferably a halogeno group). It means that something is being done.
- L 1 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and is preferably represented by the following formula (1-2).
- R 2 and R 3 are independently hydrogen atom, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, cyclopropyl group, n-butyl group, i- represents a butyl group, s-butyl group, t-butyl group, or cyclobutyl group, and R 2 and R 3 may be bonded to each other to form a ring having 3 to 6 carbon atoms).
- both R 2 and R 3 are hydrogen atoms (that is, -(CR 2 R 3 )- is a methylene group)
- halogeno group refers to halogen-X (F, Cl, Br, I) substituted with hydrogen.
- a polymer having a structural unit represented by the formula (1-1) can be obtained by, for example, reacting a polymer having a unit structure represented by the following formula (1-1') with (meth)acrylic acid. can get.
- Ar, R 1 , n1, L 1 , n2, and T 1 are Ar, R 1 , n1, L 1 , n2, and T 1 in formula (1-1).
- E is a group having an epoxy group.
- the polymer having the structural unit represented by formula (1-1') is not particularly limited, for example, as long as it satisfies the unit structure of formula (1-1'). It may be manufactured by a method known per se. Commercially available products may be used. Commercially available products include heat-resistant epoxy novolac resin EOCN (registered trademark) series (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), epoxy novolac resin D.E.N (registered trademark) series (manufactured by Dow Chemical Japan Co., Ltd.), etc. Can be mentioned.
- EOCN registered trademark
- D.E.N registered trademark
- the weight average molecular weight of the polymer having a structural unit represented by formula (1-1') is 100 or more, 500 to 200,000, 600 to 50,000, or 700 to 10,000. It is.
- Examples of the polymer having a structural unit represented by formula (1-1') include those having the following unit structure.
- Me represents a methyl group and Et represents an ethyl group.
- the weight average molecular weight of the polymer or compound having a crosslinkable group is not particularly limited, but is preferably from 2,000 to 50,000, more preferably from 2,500 to 25,000, particularly from 3,000 to 9,000. preferable. Weight average molecular weight can be measured by gel permeation chromatography (GPC).
- the content of the polymer or compound having a crosslinkable group in the composition for forming a protective film is not particularly limited, but is preferably 1% by mass to 30% by mass, more preferably 5% to 25% by mass, and 10% by mass. ⁇ 20% by weight is particularly preferred.
- the content of the polymer or compound having a crosslinkable group in the composition for forming a protective film is not particularly limited, but is preferably 70% to 99% by mass, and 80% to 97% by mass based on the film constituent components. More preferably, 85% by mass to 95% by mass is particularly preferred.
- the film constituent component is a component obtained by removing volatile components (solvent) from the composition for forming a protective film.
- the composition for forming a protective film may optionally contain a radical polymerization initiator (such as a photopolymerization initiator), an acid (catalyst), a thermal acid generator, a photoacid generator, a base (catalyst), and a thermal base.
- a radical polymerization initiator such as a photopolymerization initiator
- an acid catalyst
- a thermal acid generator a photoacid generator
- a base catalyst
- thermal base a thermal base.
- Any radical polymerization initiator may be used as long as it is capable of releasing a substance that initiates radical polymerization upon irradiation with light and/or heating.
- a photoradical polymerization initiator benzophenone derivatives, imidazole derivatives, bisimidazole derivatives, N-arylglycine derivatives, organic azide compounds, titanocene compounds, aluminate complexes, organic peroxides, N-alkoxypyridinium salts, thioxanthone derivatives etc.
- benzophenone 1,3-di(tert-butyldioxycarbonyl)benzophenone, 3,3',4,4'-tetrakis(tert-butyldioxycarbonyl)benzophenone, 3-phenyl-5- Isoxazolone, 2-mercaptobenzimidazole, bis(2,4,5-triphenyl)imidazole, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-benzyl- 2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, bis( ⁇ 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl)-bis(2,6-difluoro-3-(1H -pyrrol-1-yl)-phenyl)titanium) and the like, but are not limited to these.
- photoradical polymerization initiator examples thereof include IRGACURE (registered trademark) 651, 184, 369, and 784 manufactured by BASF Japan.
- IRGACURE registered trademark
- commercially available products other than those mentioned above can also be used, specifically IRGACURE (registered trademark) 500, 907, 379, 819, 127, 500, 754, 250, 1800, 1870, OXE01, DAROCUR manufactured by BASF Japan Co., Ltd.
- thermal radical polymerization initiators include acetyl peroxide, benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, hydrogen peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, di-tert-butyl peroxide, dicumyl peroxide, dilauroyl Peroxide, peroxides such as tert-butylperoxyacetate, tert-butylperoxypivalate, tert-butylperoxy-2-ethylhexanoate; 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'- Azobis(2,4-dimethylvaleronitrile), (1-phenylethyl)azodiphenylmethane, 2,2'-azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), Dimethyl-2,2'-azobisiso butyrate, 2,2'-azo
- thermal radical polymerization initiators include, for example, Perloyl (registered trademark) IB, NPP, IPP, SBP, TCP, OPP, SA, 355, L, Perbutyl (registered trademark) ND, NHP, manufactured by NOF Corporation.
- radical polymerization initiator Only one type of radical polymerization initiator may be used, or two or more types may be used in combination.
- the content of the radical polymerization initiator is preferably 1 part by mass or more, 2 parts by mass or more, 3 parts by mass or more, 50 parts by mass or less, 20 parts by mass or less, per 100 parts by mass of the polymer or compound having a crosslinkable group. It is 10 parts by mass or less.
- a hindered phenol compound may be used, specifically 2,6-diisobutylphenol, 3,5-di-t-butylphenol, 3,5-di-t-butylphenol, etc.
- -Butyl cresol hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum, pyrogallol, t-butylcatechol, 4-methoxy-1-naphthol, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol , 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, octadecyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, isooctyl-3-(3,5-di-t- Butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 4,4'-methylenebis(2,6-di-t-butylphenol), 4,4'-methylenebis(2,6-di
- 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H, 3H,5H)-trione is preferred.
- a commercially available product may be used as the polymerization inhibitor, and a specific example is Irganox-3114 (manufactured by BASF Japan Co., Ltd.).
- the content of the polymerization inhibitor is preferably 0.01 to 1 part by weight, more preferably 0.01 to 0.5 part by weight, per 100 parts by weight of the polymer or compound having a crosslinkable group.
- surfactants include polyoxyethylene alkyl ether compounds such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether; Oxyethylene alkyl allyl ether compounds, polyoxyethylene/polyoxypropylene block copolymer compounds, sorbitan fatty acid ester compounds such as sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan trioleate and sorbitan tristearate, polyoxy Examples include polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester compounds such as ethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, and polyoxyethylene sorbitan tristearate.
- polyoxyethylene alkyl ether compounds such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and
- the product names are FTOP EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products Co., Ltd.), the product names Megafac F171, F173, R-08, R-30 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Florado FC430, FC431. (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), product name Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Ltd.) and other fluorine-based surfactants and organosiloxane polymers. Examples include KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
- the content of the surfactant is preferably 0.1 parts by mass or more, 0.5 parts by mass or more, 5 parts by mass or less, and 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer or compound having a crosslinkable group.
- acid catalyst acidic compounds, basic compounds, or various compounds that generate acids or bases when exposed to heat or light can be used.
- a sulfonic acid compound or a carboxylic acid compound can be used as the acidic compound.
- an amine compound or an ammonium hydroxide compound can be used, and as the compound that generates a base by heat, urea can be used.
- amine compounds include triethanolamine, tributanolamine, trimethylamine, triethylamine, trin-propylamine, triisopropylamine, tri-n-butylamine, tri-tert-butylamine, tri-n-octylamine, triisopropanolamine, phenyldiethanolamine, stearyl.
- tertiary amines such as diethanolamine and diazabicyclooctane
- aromatic amines such as pyridine and 4-dimethylaminopyridine.
- ammonium hydroxide compounds include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, benzyltrimethylammonium hydroxide, benzyltriethylammonium hydroxide, cetyltrimethylammonium hydroxide, Examples include phenyltrimethylammonium hydroxide and phenyltriethylammonium hydroxide.
- the acid generator either a thermal acid generator or a photoacid generator can be used.
- thermal acid generators examples include p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, pyridinium-p-toluenesulfonate (pyridinium-p-toluenesulfonic acid), and pyridinium-p-hydroxybenzenesulfonic acid (p-phenolsulfonic acid).
- pyridinium salt pyridinium-trifluoromethanesulfonic acid
- salicylic acid camphorsulfonic acid
- 5-sulfosalicylic acid 4-chlorobenzenesulfonic acid
- 4-hydroxybenzenesulfonic acid 4-hydroxybenzenesulfonic acid
- benzenedisulfonic acid 1-naphthalenesulfonic acid
- citric acid benzoic acid
- sulfonic acid compounds such as hydroxybenzoic acid, and carboxylic acid compounds.
- K-PURE registered trademark
- CXC-1612, CXC-1614, TAG-2172, TAG-2179, TAG-2678, TAG2689 manufactured by King Industries
- Examples include SI-45, SI-60, SI-80, SI-100, SI-110, and SI-150 (all manufactured by Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd.).
- photoacid generators examples include sulfonium salts, iodonium salts, sulfonyldiazomethane, N-sulfonyloximide, benzoin sulfonate type photoacid generators, pyrogallol trisulfonate type photoacid generators, sulfone type photoacid generators, and glyoxime derivative type photoacid generators.
- acid generators oxime-O-sulfonate type acid generators, bisoxime sulfonate type acid generators, and the like.
- Examples include bis(4-tert-butylphenyl)iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, phenyl-bis(trichloromethyl)-s-triazine, benzoin tosylate, and N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate. be able to.
- thermal base generator examples include carbamates such as 1-methyl-1-(4-biphenylyl)ethyl carbamate and 2-cyano-1,1-dimethylethyl carbamate; urea, N,N-dimethyl-N'- Ureas such as methylurea; Guanidines such as guanidine trichloroacetate, guanidine phenylsulfonylacetate, and guanidine phenylpropiolate; Dihydropyridines such as 1,4-dihydronicotinamide; N-(isopropoxycarbonyl)-2,6-dimethyl Dimethylpiperidines such as piperidine, N-(tert-butoxycarbonyl)-2,6-dimethylpiperidine, N-(benzyloxycarbonyl)-2,6-dimethylpiperidine; tetramethylammonium phenylsulfonylacetate, tetramethyl phenylpropiolate Examples include
- U-CAT registered trademark
- SA810, SA831, SA841, and SA851 which are salts of 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene (DBU), are also available from San-Apro Co., Ltd. )] etc.
- -2-yl)ethyl N,N-dicyclohexyl carbamate
- dicyclohexylammonium 2-(3-benzoylphenyl) propionate
- 9-anthryl N-cyclohexyl carbamate
- 1-(9,10-anthraquinon-2-yl)ethyl N-Cyclohexyl carbamate
- cyclohexylammonium 2-(3-benzoylphenyl) propionate
- the above components can be used alone or in combination of two or more, and in that case, they are used in an amount of usually 10% by mass or less, preferably 3% by mass or less based on the solid content of the composition for forming a protective film. It will be done.
- the method for preparing the composition for forming a protective film is not particularly limited. That is, a polymer or compound having a crosslinkable group, a solvent, and other components may be mixed in any ratio and in any order to form a uniform solution.
- the composition for forming a protective film in a solution state thus prepared is preferably used after being filtered using a filter having a pore size of about 0.2 ⁇ m.
- the composition for forming a protective film preferably has a viscosity of about 100 cps or less at 25°C, more preferably 50 cps or less, Particularly preferred is 10 cps or less.
- the viscosity is a value measured at 25°C using an E-type viscometer.
- the composition for forming a protective film is photosensitive.
- it may be of a negative solvent development type.
- the composition for forming a photosensitive protective film (negative type) is applied to the front edge, beveled portion, and optionally back edge of the substrate. After that, by exposing and developing the portion of the film to be cured, it becomes possible to accurately cover the beveled portion with the protective film.
- Being photosensitive makes it easy to control the thickness of the protective film at the wafer edge, eliminates inner humps, improves the edge shape, and corrects misalignment of the center position during spin coating. There are advantages such as
- the composition for forming a protective film is a compound ( E).
- the compound (E) is a polymer or compound having a crosslinkable group.
- R 1 , R 1a , R 3 , R 5a , and R 6a are each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an arylene group having 6 to 40 carbon atoms (the alkylene group and the arylene group may be optionally substituted with one or more amide or amino groups), oxygen atom, carbonyl group, sulfur atom, -C(O)-NR a -, -NR b -, or those Represents a divalent group consisting of a combination of R 5 is each independently a nitrogen atom, or a nitrogen atom and an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, or an arylene group having 6 to 40 carbon atoms (the alkylene group and arylene group are one or more (optionally substituted with an amide group or an amino group), an oxygen atom, a carbonyl group, a sulfur atom, -C(O)-NR a - and -NR b - Represents a
- R a represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
- R b represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkylcarbonyl group having 1 to 10 carbon atoms
- n represents the number of repeating units from 1 to 10
- dotted lines represent chemical bonds with adjacent atoms.
- the composition for forming a protective film may contain polysiloxane.
- the polysiloxane may be a modified polysiloxane in which some of the silanol groups are modified, such as a modified polysiloxane in which some of the silanol groups are alcohol-modified or acetal-protected.
- the polysiloxane may be, for example, a hydrolyzed condensate of a hydrolyzable silane, or a modified product in which at least a portion of the silanol groups of the hydrolyzed condensate are alcohol-modified or acetal-protected (hereinafter referred to as may also be referred to as "modified hydrolyzed condensate").
- the hydrolyzable silane related to the hydrolyzed condensate can contain one or more types of hydrolyzable silane.
- the polysiloxane can have a structure having any of a cage type, ladder type, linear type, and branched type main chain. Furthermore, commercially available polysiloxanes can be used.
- the "hydrolytic condensate" of hydrolyzable silane that is, the product of hydrolytic condensation, includes not only a polyorganosiloxane polymer that is a condensate that has completely completed condensation, but also a polyorganosiloxane polymer that is a condensate that has completely completed condensation. Also included are polyorganosiloxane polymers that are incompletely partially hydrolyzed condensates. Similar to completely condensed condensates, such partially hydrolyzed condensates are also polymers obtained by hydrolysis and condensation of hydrolyzable silanes, but only partially hydrolyzed and condensed. Therefore, the Si--OH group remains.
- Examples of the polysiloxane of the present invention include hydrolyzed condensates of hydrolyzable silanes containing at least one type of hydrolyzable silane represented by the following formula (1), or modified products thereof.
- R 1 is a group bonded to a silicon atom, which independently represents an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted aralkyl group.
- group optionally substituted halogenated alkyl group, optionally substituted halogenated aryl group, optionally substituted halogenated aralkyl group, optionally substituted alkoxyalkyl group, optionally substituted an organic group representing a good alkoxyaryl group, an optionally substituted alkoxyaralkyl group, or an optionally substituted alkenyl group, or having an epoxy group, an organic group having an acryloyl group, an organic group having a methacryloyl group, It represents an organic group having a mercapto group, an organic group having an amino group, an organic group having an alkoxy group, an organic group having a sulfonyl group, an organic group having a cyano group, or a combination of two or more thereof.
- R 2 is a group or atom bonded to a silicon atom, and independently represents an alkoxy group, an aralkyloxy group, an acyloxy group, or a halogen atom.
- a represents an integer from 0 to 3.
- each group and atom in R 1 in formula (1) and their preferred carbon numbers include the groups and carbon numbers described above for R 3 in formulas (A-1) and (A-2). can be mentioned.
- Specific examples of each group and atom in R 2 in formula (1) and their preferred number of carbon atoms include the groups and atoms and carbon atoms described above for X in formulas (A-1) and (A-2). I can list a number of them.
- hydrolyzable silanes represented by formula (1) include tetramethoxysilane, tetrachlorosilane, tetraacetoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, and tetra-n.
- -butoxysilane methyltrimethoxysilane, methyltrichlorosilane, methyltriacetoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltributoxysilane, methyltriamyloxysilane, methyltriphenoxysilane, methyltribenzyloxysilane, Methyltriphenethyloxysilane, glycidoxymethyltrimethoxysilane, glycidoxymethyltriethoxysilane, ⁇ -glycidoxyethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxyethyltriethoxysilane, ⁇ -glycidoxyethyltrimethoxy Silane, ⁇ -glycidoxyethyltriethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltriethoxysilane, ⁇ -g
- composition for forming a protective film is described in JP-A No. 2016-003160,
- (A) polyfunctional epoxy (meth)acrylate compound may contain (B) a polyfunctional thiol compound and (C) a radical polymerization initiator.
- (A) The polyfunctional epoxy (meth)acrylate compound is a polymer or compound having a crosslinkable group.
- the molecular weight of component (A) may be 300 to 20,000.
- the component (A) may be a bisphenol type polyfunctional epoxy (meth)acrylate compound.
- the above component (B) may be liquid at 25°C.
- (D) a polymerization inhibitor may be contained.
- the viscosity at 25° C. may be 2,000 to 100,000 mPa ⁇ s.
- the composition for forming a protective film may be a film-forming composition containing a photopolymerizable substance and a photopolymerization initiator, as described in WO2009/104643.
- Photopolymerizable substances are polymers or compounds with crosslinkable groups.
- the photopolymerizable substance may be a compound having at least one cationically polymerizable reactive group, and the cationic polymerization initiator may be a photocationic polymerization initiator.
- the photopolymerizable substance may be a compound having at least one reactive group capable of radical polymerization, and the photopolymerization initiator may be a radical photopolymerization initiator.
- the photopolymerizable substance may be a sugar compound.
- the sugar compound may be a monosaccharide or a disaccharide compound.
- the sugar compound has formula (10):
- G 1 represents a sugar skeleton
- T represents a divalent linking group
- R 1 represents a vinyl group or glycidyl group
- R 2 represents a hydrogen atom or a hydroxyl group.
- n and L are each 0 or 1 p is an integer and is the total number of hydroxyl groups that the sugar has;
- m is an integer satisfying 1 ⁇ m ⁇ (pm).
- the photopolymerizable substance may be an alicyclic epoxy compound or an alicyclic oxetane compound.
- the alicyclic epoxy compound may be a cycloalkylene oxide derivative.
- the alicyclic epoxy compound has formula (2) or formula (3):
- G 2 represents an alkylene group, carbonyloxy group, heterocycle, aromatic ring, or a monovalent to pentavalent linking group having a combination thereof
- G 3 represents an alkyl group, an alkylcarbonyl group, a heterocycle, an aromatic ring. It may be an organic group having a ring or a combination thereof, where n and m each represent an integer of 1 to 5).
- the protective film of the present invention is a cured product of a coating film made of the composition for forming a protective film of the present invention.
- Examples of the method for forming the protective film include step (X) in the method for manufacturing a semiconductor device, which will be described later.
- the protective film is, for example, a protective film for preventing metal contamination of the wafer surface edge and bevel portion.
- the lower limit of the thickness of the protective film is, for example, 1 nm, 3 nm, 5 nm, 10 nm, 30 nm, 50 nm, 80 nm, 100 nm, 200 nm, 500 nm, 800 nm, 1,000 nm, 1,500 nm, 1,700 nm.
- the upper limit of the thickness of the protective film is, for example, 10,000 nm, 9,000 nm, 8,000 nm, 7,000 nm, 6,000 nm, 5,000 nm, 4,000 nm, 3,800 nm, 3,700 nm, 3,600 nm, 3 , 500nm, 3,300nm, 3,000nm, 2,500nm, 2,000nm, 1,500nm, 1,000nm, 800nm, 500nm, and 300nm.
- the protective film is, for example, a protective film that is cured by being irradiated with light having a wavelength of 170 to 800 nm (for example, 254 nm).
- the characteristics of the protective film that covers the surface edges and bevels of semiconductor manufacturing substrates include the ability to prevent metal contamination, as well as dry etching resistance, phosphoric acid resistance, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) resistance, HF removability, scratch resistance, good embedding into stepped substrates, low amount of sublimation, affinity for hydrophobic substrates, no crater foreign matter left on the wafer side (bevel part), good edge shape, inner hump ( It is desirable to satisfy the function of suppressing the phenomenon in which the film-forming composition remains in the form of a bump directly under the injection hole of the nozzle.
- TMAH tetramethylammonium hydroxide
- the method for manufacturing a semiconductor device includes: (A) a step of forming a resist film on the semiconductor substrate; (B) forming a resist pattern by irradiating the resist film with light or electron beam and subsequent development; (C) Processing the semiconductor substrate by etching using the resist pattern as a mask; In a method of manufacturing a semiconductor device including, A step (X) of forming a protective film using the composition for forming a protective film of the present invention on the front edge, the bevel part, and optionally the back edge of a wafer for semiconductor manufacturing; This is a method for manufacturing a semiconductor device.
- step (A) a resist film is formed on the semiconductor substrate.
- Semiconductor substrates are wafers used for manufacturing semiconductor devices, etc., and include commonly used silicon wafers and germanium wafers, as well as gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride.
- Compound semiconductor wafers made by combining two or more types of elements, such as, can be used. These are usually disc-shaped and have dimensions of, for example, 4, 6, 8, or 12 inches. Commercially available products may be used.
- the inorganic film can be formed by, for example, an ALD (atomic layer deposition) method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vacuum evaporation method. method, spin coating method (spin-on-glass: SOG).
- the inorganic film examples include a polysilicon film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a BPSG (Boro-Phosphosilicate Glass) film, a titanium nitride film, a titanium nitride oxide film, a tungsten film, a gallium nitride film, and a gallium arsenide film.
- a polysilicon film a silicon oxide film, a silicon nitride film, a BPSG (Boro-Phosphosilicate Glass) film
- titanium nitride film a titanium nitride oxide film
- tungsten film a gallium nitride film
- gallium arsenide film examples include a gallium arsenide film.
- a resist underlayer film, a resist film, etc. of a predetermined thickness are formed using an appropriate coating method such as a spray, a spinner, or a coater.
- an appropriate coating method such as a spray, a spinner, or a coater.
- each of the resist underlayer film forming composition, the resist film forming composition, etc. is supplied from above the center of a rotating disc-shaped substrate through a nozzle or the like.
- these films are baked using a heating means such as a hot plate.
- the photoresist used to form the resist film is not particularly limited as long as it is sensitive to the light used for exposure. Note that in this specification, electron beam resist is also included in photoresist. Both negative photoresists and positive photoresists can be used.
- a positive photoresist consisting of a novolac resin and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester, a chemically amplified photoresist consisting of a binder having a group that decomposes with acid and increases the rate of alkali dissolution, and a photoacid generator;
- a chemically amplified photoresist comprising a low molecular weight compound that decomposes to increase the alkali dissolution rate of the photoresist, an alkali-soluble binder, and a photoacid generator, and a binder having a group that decomposes with an acid to increase the alkali dissolution rate.
- photoresists consisting of a photoacid generator and a low-molecular compound that decomposes with acid to increase the alkali dissolution rate of the photoresist, and resists containing metal elements.
- Examples include product name V146G manufactured by JSR Corporation, product name APEX-E manufactured by Shipley, product name PAR710 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and product names AR2772 and SEPR430 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Proc. SPIE Vol. 3999, 330-334 (2000)
- Examples include fluorine-containing atom polymer photoresists such as those described in 3999, 365-374 (2000). Preferably it is a negative photoresist.
- the resist film forming composition used to form the resist film can contain one or more metals.
- the form of the metal include simple metals, metal salts, metal complexes, and other metal-containing compounds.
- the metal species is not particularly limited, but examples include tin, indium, antimony, bismuth, gallium, germanium, aluminum, zirconium, hafnium, cerium, lanthanum, and cesium.
- the resist film forming composition used for forming the resist film may be a metal-containing resist.
- the metal-containing resist is also called a metal oxide resist (metal oxide resist (MOR)), and a typical example is a tin oxide resist.
- metal oxide resist materials include coating compositions containing metal oxo-hydroxo networks having organic ligands through metal carbon bonds and/or metal carboxylate bonds, as described in JP-A-2019-113855. .
- metal-containing resist uses peroxo ligands as radiation-sensitive stabilizing ligands. The peroxo-based metal oxo-hydroxo compound is explained in detail in, for example, the patent document described in paragraph [0011] of Publication No.
- Patent Documents include, for example, US Patent No. 9,176,377B2, US Patent Application Publication No. 2013/0224652A1, US Patent No. 9,310,684B2, and US Patent Application Publication No. 2016. /0116839A1 and US Patent Application Publication No. 15/291738.
- the baking conditions for the resist film are appropriately selected from baking temperatures of 70° C. to 400° C. and baking times of 0.3 minutes to 60 minutes.
- the baking temperature is 80°C to 350°C and the baking time is 0.5 to 30 minutes, more preferably the baking temperature is 90°C to 300°C, and the baking time is 0.8 to 10 minutes.
- the lower limit of the average thickness of the resist film is preferably 1 nm, more preferably 3 nm, 5 nm, or 10 nm.
- the upper limit of the average thickness of the resist film is 5,000 nm, 3,000 nm, 2,000 nm, preferably 1,000 nm, more preferably 200 nm, and more preferably 50 nm.
- Step (X) of forming a protective film from the composition for forming a protective film of the present invention on the front edge, beveled part, and optionally back edge of a wafer for semiconductor manufacturing is performed at any time.
- step (X) preferably, a composition for forming a protective film is applied, and a predetermined area is exposed to light and developed.
- Step (X) may be performed before step (A), between step (A) and step (B), or after step (B) or step (C). good.
- the surface of the substrate on which a device portion such as a resist film is provided is referred to as the front surface, and the surface opposite thereto is referred to as the back surface.
- the front edge refers to an area with a width of usually 1 to 10 mm from the edge of the device section provided on the board to the bevel
- the bevel refers to the area that connects the front edge and the back edge.
- the curved area (side surface of the wafer) is referred to as the backside edge
- the backside edge is the area corresponding to the frontside edge of the backside of the substrate.
- a composition for forming a protective film is applied to a semiconductor substrate.
- the method for applying the composition for forming a protective film is not particularly limited, and for example, known means such as a spin coating method, a spray method, etc. can be employed.
- the protective film forming composition is supplied through a nozzle from above or near the surface end of the rotating disk-shaped substrate while rotating the semiconductor substrate at a predetermined rotation speed.
- the bevel portion and/or the back end of the substrate are also supplied through nozzles from near each.
- the conditions for spin coating can be selected as appropriate and are not limited in any way, but typical conditions are as follows.
- ⁇ Viscosity of the composition for forming a protective film Approximately 100 cps or less ⁇ Wafer rotation speed: ...When supplying the composition for forming a protective film: 50 to 500 rpm ⁇ During shaking off: 700 to 2,000 rpm ⁇ Protective film thickness: 300nm
- the protective film forming composition is exposed to light. Exposure is performed by applying actinic rays such as ultraviolet rays, visible rays, and radiation to the composition for forming a protective film through a mask or without a mask (i-ray, KrF excimer laser, ArF excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), This can be done by irradiating with EB (including electron beam).
- actinic rays such as ultraviolet rays, visible rays, and radiation
- EB including electron beam
- soft baking SB
- PEB post-exposure heating
- the temperature of post-exposure heating is preferably 50° C. to 150° C.
- the time of post-exposure heating is preferably 1 minute to 10 minutes.
- the protective film forming composition after exposure is developed.
- Development can be carried out by removing the exposed area of the composition for forming a protective film after exposure with a developer, and the development temperature is appropriately selected from 5° C. to 50° C. and the developing time from 10 seconds to 300 seconds.
- Examples of the organic solvent contained in the developer include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and hydrocarbon solvents.
- the organic solvent of the developer preferably contains an ester solvent, a ketone solvent, or a combination thereof.
- the above-mentioned developer may contain one type of organic solvent alone, or may contain two or more types of organic solvents.
- alcoholic solvents include aliphatic monoalcohols having 1 to 18 carbon atoms such as 4-methyl-2-pentanol and n-hexanol; alicyclic monoalcohols having 3 to 18 carbon atoms such as cyclohexanol; Solvents include polyhydric alcohol partial ether solvents having 3 to 19 carbon atoms such as propylene glycol monomethyl ether.
- ether solvents include dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, dipentyl ether, diisoamyl ether, dihexyl ether, and diheptyl ether; cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran; diphenyl ether and aromatic ring-containing ether solvents such as anisole.
- dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, dipentyl ether, diisoamyl ether, dihexyl ether, and diheptyl ether
- cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran
- diphenyl ether and aromatic ring-containing ether solvents such as anisole.
- ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, 2-heptanone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone.
- ketone solvents cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, and other cyclic ketone solvents: 2,4-pentanedione, acetonyl Examples include acetone and acetophenone.
- amide solvents include cyclic amide solvents such as N,N'-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone; N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide, acetamide, Examples include chain amide solvents such as N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
- ester solvents include monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate and ethyl lactate; polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol acetate; and polyhydric alcohol partial ether carboxylic acid solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate.
- rate solvents include rate solvents; polyhydric carboxylic acid diester solvents such as diethyl oxalate; carbonate solvents such as dimethyl carbonate and diethyl carbonate.
- hydrocarbon solvents examples include aliphatic hydrocarbon solvents having 5 to 12 carbon atoms such as n-pentane and n-hexane; aromatic hydrocarbon solvents having 6 to 16 carbon atoms such as toluene and xylene. Can be mentioned. Among these, ester solvents, ketone solvents, ether solvents, and combinations thereof are preferred, and ester solvents, ketone solvents, and combinations thereof are more preferred.
- ester solvent propylene glycol monomethyl ether acetate is preferred.
- ketone solvent cyclohexanone is preferred.
- ether solvent propylene glycol monomethyl ether is preferred.
- the lower limit of the content of the organic solvent in the developer is preferably 80% by mass, more preferably 90% by mass, even more preferably 99% by mass, and particularly preferably 100% by mass.
- the developer may contain a nitrogen-containing compound.
- aqueous developer may be used instead of the organic solvent-based developer described above.
- alkaline aqueous solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, and tetramethylammonium hydroxide may be used.
- the base concentration of these aqueous solutions is not particularly limited, but can be, for example, 0.1 to 10% by mass.
- alcohols and surfactants may be added to the developer.
- Each of these can be blended in an amount of preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the developer.
- the surfactant include ionic and nonionic fluorine-based surfactants, silicon-based surfactants, and the like.
- Development methods include, for example, a method in which the substrate is immersed in a tank filled with a developer for a certain period of time (dip method), a method in which the developer is raised on the surface of the substrate by surface tension and the substrate is left stationary for a certain period of time (paddle method). ), a method in which the developer is sprayed onto the surface of the substrate (spray method), and a method in which the developer is continuously applied while scanning the developer application nozzle at a constant speed onto a rotating substrate (dynamic dispensing method). etc.
- the heating temperature in the heat treatment is usually in the range of 150°C or higher and 350°C or lower, preferably 200 to 300°C.
- the heat treatment time is the time until the composition for forming a protective film is cured, and in consideration of productivity, it is preferably less than 30 minutes.
- the lower limit of the thickness of the protective film is preferably 1 nm, more preferably 3 nm.
- the upper limit of the thickness of the protective film is preferably 500 nm, more preferably 300 nm.
- step (X) is performed before step (A). Then, for example, in step (A), a resist film is formed on at least a portion of the protective film. In that case, a step (Y) of removing the resist film above the protective film is performed. In step (Y), the resist film above the protective film can be removed using a removal solution. At this time, as in step (X) above, it is preferable to apply the removal liquid to the front end, bevel part, and optionally back end of the semiconductor manufacturing wafer.
- Examples of the resist removing liquid include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, water, butyl acetate, an aqueous tetramethylammonium solution, or a mixture thereof.
- propylene glycol monomethyl ether acetate and water are preferred from the viewpoint of resist film removability.
- step (Z) of removing the protective film is performed.
- the protective film is preferably removed by ashing, or the protective film is preferably removed by treatment with hydrofluoric acid, an organic solvent, an alkaline developer, or a cleaning solution for semiconductors. This is done by Thereafter, it is preferable to wash with any solvent or a conventional semiconductor cleaning solution.
- Steps (X), (Y), and (Z) can be performed simultaneously with steps (A), (B), and (C), or at any time before or after each step.
- step (X) when step (X) is included before step (A), step (Y) of removing the resist film above the protective film may be performed between step (A) and step (B).
- a step (Z) of removing the protective film can be performed between the step (Y) and the step (B).
- protective A step (Z) of removing the film can also be performed.
- step (B) a resist pattern is formed by irradiating the resist film with light or an electron beam and subsequent development.
- the resist film is irradiated with light or electron beams through a mask (reticle) for forming a predetermined pattern. ) is used.
- a mask reticle
- soft baking SB
- PEB post-exposure heating
- the temperature of post-exposure heating is preferably 50° C. to 150° C.
- the time of post-exposure heating is preferably 1 minute to 10 minutes.
- an alkaline developer is used, and the development temperature is appropriately selected from 5° C. to 50° C. and the developing time from 10 seconds to 300 seconds.
- alkaline developers include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, Secondary amines such as di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline, etc.
- Aqueous solutions of alkalis such as quaternary ammonium salts, pyrrole, cyclic amines such as piperidine, etc. can be used.
- the base concentration of these aqueous solutions is not particularly limited, but can be, for example, 0.1 to 10% by mass.
- an appropriate amount of an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant may be added to the aqueous solution of the alkali.
- an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant
- Each of these can be blended in an amount of preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the developer.
- preferred developers are quaternary ammonium salts, more preferably tetramethylammonium hydroxide and choline.
- surfactants and the like can also be added to these developers.
- an alkaline developer develop with a polyhydric alcohol solvent having 2 to 18 carbon atoms such as 1,2-propylene glycol or an organic solvent such as butyl acetate to remove areas where the alkali dissolution rate of the resist has not improved.
- a method of developing can also be used.
- the semiconductor substrate subjected to the above exposure and development is baked.
- the baking means is not particularly limited, for example, a proximity baking oven that uses a plurality of substrate support pins to ensure a gap between the substrate and the hot plate is preferably used.
- the baking temperature is usually 40° C. to 300° C., preferably 200° C. to 300° C., for 1 to 30 minutes, but may be set to 90° C. or lower if it is necessary to avoid damage to the resist pattern.
- Baking may be performed on the semiconductor substrate after exposure and before development.
- the baking means and conditions are as described above, but if it is necessary to avoid damage to the resist pattern, the temperature may be set to 90° C. or lower.
- step (C) the semiconductor substrate is processed by etching using the resist pattern as a mask.
- a semiconductor substrate is processed by etching using the formed resist pattern as a mask.
- the resist underlayer film is etched, preferably dry etched, to form a patterned resist.
- the semiconductor substrate is processed using the patterned resist using a method known per se (dry etching method, etc.).
- the etching for processing the semiconductor substrate may be a known method.
- the semiconductor substrate is a silicon substrate
- a step of processing the shape by dry etching using a fluorine-based gas such as carbon tetrafluoride may be used.
- a surface treatment process such as removing the silicon nitride film present on the surface of the semiconductor substrate with hot phosphoric acid.
- a semiconductor device can be manufactured through the above steps.
- the method for manufacturing a wafer for semiconductor manufacturing of the present invention includes applying the composition for forming a protective film of the present invention to the edge of a wafer precursor, and producing a wafer whose surface edge and bevel portion are protected by the formed protective film. Including the process of manufacturing.
- the protective film-forming composition is applied, for example, to the front edge, the bevel, and optionally the back edge of the wafer precursor.
- a wafer precursor is one obtained by subjecting a semiconductor substrate to at least one step of a method for manufacturing a semiconductor device.
- a process of forming an inorganic film, a resist lower layer film, a resist film, etc. on a semiconductor substrate is performed, and for example, the resist film is irradiated with light or an electron beam.
- Examples include materials before being subjected to a step of forming a resist pattern by subsequent development.
- the composition for forming a protective film of the present invention is applied to the front edge, bevel portion, and optionally back edge of a wafer precursor obtained through one or more steps of a semiconductor device manufacturing process. Apply by spin coating.
- the semiconductor substrate may be baked.
- the baking means is not particularly limited, but for example, a proximity baking oven that uses a plurality of substrate support pins to ensure a gap between the substrate and the hot plate is preferably used.
- the baking temperature is usually 40°C to 300°C, preferably 200 to 300°C, for 1 to 30 minutes.
- the end face of the protective film may be subjected to known treatments in semiconductor manufacturing processes, such as edge bead removal and back rinsing.
- the wafer for semiconductor manufacturing of the present invention is a wafer for semiconductor manufacturing in which the wafer edge is protected, and is formed by coating the wafer edge with the composition for forming a protective film of the present invention. be.
- the equipment and conditions used to analyze the physical properties of the samples are as follows.
- the molecular weight used in the present invention is the molecular weight obtained in terms of polystyrene by GPC analysis.
- GPC measurement was performed using a GPC device (trade name: HLC-8320GPC, manufactured by Tosoh Corporation), GPC columns (TSKgel Super-Multipore HZ-N (2 pieces)), column temperature: 40°C, eluent (elution solvent): tetrahydrofuran, The flow rate (flow rate) was 0.35 mL/min, and the standard sample was polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich).
- the evaporation rate used in the present invention is the evaporation rate obtained according to ASTM D 3539.
- the numerical value of the evaporation rate used in the present invention is a relative value to the evaporation rate of n-butyl acetate. That is, the evaporation rate value used in the present invention is the evaporation rate of the solvent divided by the evaporation rate of n-butyl acetate.
- Propylene glycol monomethyl ether (evaporation rate 0.71) Propylene glycol monomethyl ether acetate (evaporation rate 0.34) Ethyl lactate (evaporation rate 0.23) Dipropylene glycol methyl ether (evaporation rate 0.03) 1,3-butylene glycol diacetate (evaporation rate 0.01 or less)
- ⁇ Synthesis example 2> Add 48.76 g of propylene glycol monomethyl ether (PGME) to 15.00 g of product name EOCN-104S (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 4.98 g of acrylic acid, 0.88 g of tetrabutylphosphonium bromide, and 0.04 g of hydroquinone. The mixture was heated and stirred at 100° C. for 18 hours under a nitrogen atmosphere.
- PGME propylene glycol monomethyl ether
- EOCN-104S product name
- good coverage means that the thickness of the protective film at a point 500 ⁇ m inside from the outermost edge of the wafer surface is 80% or more of the thickness of the protective film at a point 1500 ⁇ m inner from the outermost edge.
- Slightly poor coverage means that the thickness of the protective film at a point 500 ⁇ m inside from the outermost edge of the wafer surface is 30% or more and less than 80% of the thickness of the protective film at a point 1500 ⁇ m inside from the outermost edge.
- Point. Poor coverage means that the thickness of the protective film at a location 500 ⁇ m inside from the outermost edge of the wafer surface is less than 30% of the thickness of the protective film at a location 1500 ⁇ m inner from the outermost edge.
- Viscosity measurement The viscosity of each protective film forming composition was measured using an E-type viscometer (TVE-22L (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), sample volume 1.1 mL, cone rotor 1° 34', R24). , measured at 25°C. The results are shown in Table 2.
- N/A indicates that the film thickness after coating was too thin to be evaluated.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
架橋性基を持つポリマー又は化合物、及び溶剤を含み、 前記溶剤が、第1の溶剤及び第2の溶剤を含み、 酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とした場合、前記第1の溶剤の蒸発速度が0.10以上であり、かつ前記第2の溶剤の蒸発速度が0.05以下である、 半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
Description
本発明は、半導体装置製造工程における、半導体製造用基板(ウエハ)表面端部及びベベル部の保護膜を形成するための保護膜形成用組成物、該保護膜形成用組成物により形成された保護膜、該保護膜を用いて製造した半導体製造用ウエハ、該半導体製造用ウエハ及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造において、製造プロセスの複雑化に伴い、例えばエッチング選択比を向上させるなどの目的から、金属を含有した薬液をウエハに塗布する方法が検討されている。さらに、例えば極端紫外線(EUV)を用いて露光を行う場合のレジストパターンの解像度が高くなること、及び高いエッチング耐性を持つことから、無機系の金属を含有するレジストを用いてレジスト膜を形成することが検討されている。ところで、半導体装置の製造工程におけるウエハの予定しない部位への金属の付着は、半導体装置の電気特性に大きく影響する。しかし、上記のように金属を含有する塗布膜を形成するにあたっては、ウエハの表面に供給した薬液が、ウエハの周端面及び裏面の周縁部へと回り込み、予定しないこれら周端面及び裏面周縁部にまで塗布膜が形成されてしまうことで、これらの部位が金属汚染されてしまう懸念がある。そして、ウエハの汚染された部位が露光装置やエッチング装置などのウエハの処理装置やウエハの搬送機構に接触することによって、これらの処理装置や搬送機構を介して当該ウエハの後に搬送及び処理されるウエハも金属汚染される、つまりクロスコンタミネーションが発生するおそれがある。
基板の表面に塗布膜を形成するにあたり、基板の周縁部である周端面及び裏面側周縁部が塗布膜と接触しないように当該塗布膜を形成することができる技術が開示されている(特許文献1)。
基板のベベル部から膜が剥離することが抑制された半導体装置の製造方法が開示されている(特許文献2)。
本発明が解決しようとする課題は、半導体装置の製造において、塗布による簡便な方法で半導体製造用基板(ウエハ)の表面端部及びベベル部に、異常形状(部分的な膨れ又は凹み)が無い、膜状態がよい保護膜を形成できる保護膜形成用組成物、該保護膜形成用組成物により形成された保護膜、該保護膜を用いて製造した半導体製造用ウエハ、該半導体製造用ウエハ及び半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明は以下を包含する。
[1] 架橋性基を持つポリマー又は化合物、及び溶剤を含み、
前記溶剤が、第1の溶剤及び第2の溶剤を含み、
酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とした場合、前記第1の溶剤の蒸発速度が0.10以上であり、かつ前記第2の溶剤の蒸発速度が0.05以下である、
半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[2] 前記第1の溶剤(S1)と前記第2の溶剤(S2)との質量比率(S1:S2)が、50:50~95:5である、[1]に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[3] 前記第1の溶剤の蒸発速度(V1)と前記第2の溶剤の蒸発速度(V2)との差(V1-V2)が、0.10以上である、[1]又は[2]に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[4] 前記第1の溶剤の構成元素が、炭素、酸素、及び水素であり、
前記第2の溶剤の構成元素が、炭素、酸素、及び水素である、
[1]から[3]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[5] 前記溶剤の含有量が、70質量%~99質量%である、[1]から[4]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[6] 25℃において100cps以下の粘度を有する、[1]から[5]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[7] 感光性である、[1]から[6]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[8] 前記架橋性基が、エポキシ基、(メタ)アクリル基、ビニル基、カルボキシル基、チオール基、シラノール基、シンナモイル基、及び水酸基からなる群より選ばれる、[1]から[7]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[9] [1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物からなる塗布膜の硬化物である保護膜。
[10] 1~10,000nmの厚みを有する、[9]に記載の保護膜。
[11] ウエハ表面端部及びベベル部の金属汚染を防止するための保護膜である、[9]又は[10]に記載の保護膜。
[12] 170~800nmの波長の光を照射されて硬化した、[9]から[11]のいずれかに記載の保護膜。
[13] ウエハ表面端部及びベベル部が保護された半導体製造用ウエハであって、ウエハ前駆体の表面端部及びベベル部に、[1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成した、半導体製造用ウエハ。
[14] (A)半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、
(B)前記レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
(C)前記レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する工程と、
を含む半導体装置の製造方法において、
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、[1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成する工程(X)を含む、
半導体装置の製造方法。
[15] 前記工程(A)の前に前記工程(X)が行われる、[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[16] 前記工程(A)と前記工程(B)との間に前記工程(X)が行われる、[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[17] 前記工程(B)又は前記工程(C)の後に前記工程(X)が行われる、[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[18] 前記工程(A)の前に前記工程(X)が行われ、
前記工程(A)において、少なくとも一部の前記保護膜の上に前記レジスト膜が形成され、
前記保護膜の上の部分の前記レジスト膜を除去する工程(Y)を含む、
[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[19] 前記保護膜を除去する工程(Z)を含む、[14]から[18]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[20] 前記工程(Y)の後に、前記保護膜を除去する工程(Z)を含む、[18]に記載の半導体装置の製造方法。
[21] 前記レジスト膜が金属を含む、[14]から[20]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[22] 前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物が感光性であり、
前記工程(X)における前記保護膜の形成が、前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布し、所定の領域に露光、及び現像を行うことにより行われる、[14]から[21]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[23] 前記工程(X)における前記保護膜の形成が、前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物をスピンコートすることにより行われる、[14]から[22]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[24] 前記工程(Z)における前記保護膜の除去が、アッシングにより行われる、又はフッ化水素酸、有機溶剤、アルカリ現像液、若しくは半導体用洗浄液による処理により行われる、[19]又は[20]に記載の半導体装置の製造方法。
[25] 半導体製造用ウエハの製造方法であって、
ウエハ前駆体の端部に、[1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布し、形成された保護膜により表面端部及びベベル部が保護されたウエハを製造する工程、
を含む、半導体製造用ウエハの製造方法。
[1] 架橋性基を持つポリマー又は化合物、及び溶剤を含み、
前記溶剤が、第1の溶剤及び第2の溶剤を含み、
酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とした場合、前記第1の溶剤の蒸発速度が0.10以上であり、かつ前記第2の溶剤の蒸発速度が0.05以下である、
半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[2] 前記第1の溶剤(S1)と前記第2の溶剤(S2)との質量比率(S1:S2)が、50:50~95:5である、[1]に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[3] 前記第1の溶剤の蒸発速度(V1)と前記第2の溶剤の蒸発速度(V2)との差(V1-V2)が、0.10以上である、[1]又は[2]に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[4] 前記第1の溶剤の構成元素が、炭素、酸素、及び水素であり、
前記第2の溶剤の構成元素が、炭素、酸素、及び水素である、
[1]から[3]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[5] 前記溶剤の含有量が、70質量%~99質量%である、[1]から[4]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[6] 25℃において100cps以下の粘度を有する、[1]から[5]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[7] 感光性である、[1]から[6]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[8] 前記架橋性基が、エポキシ基、(メタ)アクリル基、ビニル基、カルボキシル基、チオール基、シラノール基、シンナモイル基、及び水酸基からなる群より選ばれる、[1]から[7]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
[9] [1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物からなる塗布膜の硬化物である保護膜。
[10] 1~10,000nmの厚みを有する、[9]に記載の保護膜。
[11] ウエハ表面端部及びベベル部の金属汚染を防止するための保護膜である、[9]又は[10]に記載の保護膜。
[12] 170~800nmの波長の光を照射されて硬化した、[9]から[11]のいずれかに記載の保護膜。
[13] ウエハ表面端部及びベベル部が保護された半導体製造用ウエハであって、ウエハ前駆体の表面端部及びベベル部に、[1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成した、半導体製造用ウエハ。
[14] (A)半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、
(B)前記レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
(C)前記レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する工程と、
を含む半導体装置の製造方法において、
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、[1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成する工程(X)を含む、
半導体装置の製造方法。
[15] 前記工程(A)の前に前記工程(X)が行われる、[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[16] 前記工程(A)と前記工程(B)との間に前記工程(X)が行われる、[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[17] 前記工程(B)又は前記工程(C)の後に前記工程(X)が行われる、[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[18] 前記工程(A)の前に前記工程(X)が行われ、
前記工程(A)において、少なくとも一部の前記保護膜の上に前記レジスト膜が形成され、
前記保護膜の上の部分の前記レジスト膜を除去する工程(Y)を含む、
[14]に記載の半導体装置の製造方法。
[19] 前記保護膜を除去する工程(Z)を含む、[14]から[18]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[20] 前記工程(Y)の後に、前記保護膜を除去する工程(Z)を含む、[18]に記載の半導体装置の製造方法。
[21] 前記レジスト膜が金属を含む、[14]から[20]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[22] 前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物が感光性であり、
前記工程(X)における前記保護膜の形成が、前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布し、所定の領域に露光、及び現像を行うことにより行われる、[14]から[21]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[23] 前記工程(X)における前記保護膜の形成が、前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物をスピンコートすることにより行われる、[14]から[22]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[24] 前記工程(Z)における前記保護膜の除去が、アッシングにより行われる、又はフッ化水素酸、有機溶剤、アルカリ現像液、若しくは半導体用洗浄液による処理により行われる、[19]又は[20]に記載の半導体装置の製造方法。
[25] 半導体製造用ウエハの製造方法であって、
ウエハ前駆体の端部に、[1]から[8]のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布し、形成された保護膜により表面端部及びベベル部が保護されたウエハを製造する工程、
を含む、半導体製造用ウエハの製造方法。
本発明によれば、半導体装置の製造において、塗布による簡便な方法で半導体製造用基板(ウエハ)の表面端部及びベベル部に、異常形状(部分的な膨れ又は凹み)が無い、膜状態がよい保護膜を形成できる。そのことにより、その後の半導体装置製造プロセスにおいて、金属汚染によるクロスコンタミネーションを防止することができ、半導体製造装置良品の収率を向上させることができる。
(半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物)
本発明の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物(以下、「保護膜形成用組成物」と称することがある)は、半導体製造用ウエハ表面端部及びベベル部を保護するために用いる保護膜形成用組成物である。
保護膜形成用組成物は、架橋性基を持つポリマー又は化合物及び溶剤を含む。
本発明の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物(以下、「保護膜形成用組成物」と称することがある)は、半導体製造用ウエハ表面端部及びベベル部を保護するために用いる保護膜形成用組成物である。
保護膜形成用組成物は、架橋性基を持つポリマー又は化合物及び溶剤を含む。
<溶剤>
溶剤は、第1の溶剤及び第2の溶剤を含む。
ここで、本発明で用いる蒸発速度は、ASTM D 3539により得られる蒸発速度である。ただし、本発明で用いる蒸発速度の数値は、酢酸n-ブチルの蒸発速度に対する相対値である。即ち、本発明で用いる蒸発速度の数値は、その溶剤の蒸発速度を酢酸n-ブチルの蒸発速度で割った値である。
そして、酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とした場合、第1の溶剤の蒸発速度は0.10以上であり、かつ第2の溶剤の蒸発速度は0.05以下である。
溶剤は、第1の溶剤及び第2の溶剤を含む。
ここで、本発明で用いる蒸発速度は、ASTM D 3539により得られる蒸発速度である。ただし、本発明で用いる蒸発速度の数値は、酢酸n-ブチルの蒸発速度に対する相対値である。即ち、本発明で用いる蒸発速度の数値は、その溶剤の蒸発速度を酢酸n-ブチルの蒸発速度で割った値である。
そして、酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とした場合、第1の溶剤の蒸発速度は0.10以上であり、かつ第2の溶剤の蒸発速度は0.05以下である。
本発明者らは、半導体製造用ウエハ端部(表面端部及びベベル部)に塗布による簡便な方法で膜状態がよい保護膜を形成するために鋭意検討を行った。
保護膜形成用組成物の溶剤として、種々の溶剤を試みたところ、蒸発速度が、表面端部の被覆性及びベベル部の膜形状に影響を与えていることが分かった。
例えば、保護膜形成用組成物の溶剤として、蒸発速度が高い(蒸発しやすい)溶剤を単独で用いると、表面端部の被覆性は良好になるものの、ベベル部の膜形状が悪くなる(例えば、部分的な膨れ又は凹みが生じる)ことが分かった。他方、蒸発速度が低い(蒸発しにくい)溶剤を単独で用いると、ベベル部の膜形状は良好になるものの、表面端部の被覆性が悪くなる(膜厚が薄くなる)ことが分かった。更に、蒸発速度が中間の溶剤を単独で用いても両立は困難であった。
即ち、1種類の溶剤のみでは、表面端部の被覆性及びベベル部の膜形状の両方を良好にすることが難しいことが分かった。
そこで、蒸発速度が異なる2種以上の溶剤を併用することで、半導体製造用ウエハ端部(表面端部及びベベル部)に塗布による簡便な方法で膜状態がよい保護膜を形成することができることを見出し、本発明の完成に至った。
なお、上記半導体製造用ウエハ端部(表面端部及びベベル部)の膜形状は、例えば走査型電子顕微鏡(倍率は例えば20~400倍、30~200倍、40~100倍、50倍、80倍、100倍)にて観察することができる。上記異常形状は、上記走査型電子顕微鏡観察での視野中に10か所以下、好ましくは5か所以下、より好ましくは3か所以下、更により好ましくは1か所以下、最も好ましくは異常形状が観察されない(異常個所が0(ゼロ)箇所)。
保護膜形成用組成物の溶剤として、種々の溶剤を試みたところ、蒸発速度が、表面端部の被覆性及びベベル部の膜形状に影響を与えていることが分かった。
例えば、保護膜形成用組成物の溶剤として、蒸発速度が高い(蒸発しやすい)溶剤を単独で用いると、表面端部の被覆性は良好になるものの、ベベル部の膜形状が悪くなる(例えば、部分的な膨れ又は凹みが生じる)ことが分かった。他方、蒸発速度が低い(蒸発しにくい)溶剤を単独で用いると、ベベル部の膜形状は良好になるものの、表面端部の被覆性が悪くなる(膜厚が薄くなる)ことが分かった。更に、蒸発速度が中間の溶剤を単独で用いても両立は困難であった。
即ち、1種類の溶剤のみでは、表面端部の被覆性及びベベル部の膜形状の両方を良好にすることが難しいことが分かった。
そこで、蒸発速度が異なる2種以上の溶剤を併用することで、半導体製造用ウエハ端部(表面端部及びベベル部)に塗布による簡便な方法で膜状態がよい保護膜を形成することができることを見出し、本発明の完成に至った。
なお、上記半導体製造用ウエハ端部(表面端部及びベベル部)の膜形状は、例えば走査型電子顕微鏡(倍率は例えば20~400倍、30~200倍、40~100倍、50倍、80倍、100倍)にて観察することができる。上記異常形状は、上記走査型電子顕微鏡観察での視野中に10か所以下、好ましくは5か所以下、より好ましくは3か所以下、更により好ましくは1か所以下、最も好ましくは異常形状が観察されない(異常個所が0(ゼロ)箇所)。
第1の溶剤及び第2の溶剤は、有機溶剤である。
第1の溶剤の蒸発速度は0.10以上であり、0.10~0.80が好ましく、0.20~0.60がより好ましく、0.30~0.50が特に好ましい。
第2の溶剤の蒸発速度は0.05以下であり、0.04以下が好ましく、0.03以下がより好ましい。
第1の溶剤の蒸発速度(V1)と第2の溶剤の蒸発速度(V2)との差(V1-V2)としては、特に制限されないが、本発明の効果を好適に得る観点から、0.10以上が好ましく、0.15以上がより好ましく、0.20以上が特に好ましい。また、差(V1-V2)は、0.70以下が好ましく、0.60以下がより好ましく、0.50以下が特に好ましい。
第1の溶剤(S1)と第2の溶剤(S2)との質量比率(S1:S2)としては、特に制限されないが、本発明の効果を好適に得る観点から、50:50~95:5が好ましく、60:40~93:7がより好ましく、70:30~90:10が特に好ましい。
第1の溶剤の構成元素は、例えば、炭素、酸素、及び水素である。
第2の溶剤の構成元素は、例えば、炭素、酸素、及び水素である。
第2の溶剤の構成元素は、例えば、炭素、酸素、及び水素である。
第1の溶剤は、好適には、構成元素に、窒素原子及びハロゲン原子を含まない。
第2の溶剤は、好適には、構成元素に、窒素原子及びハロゲン原子を含まない。
第2の溶剤は、好適には、構成元素に、窒素原子及びハロゲン原子を含まない。
第1の溶剤は、例えば、エーテル結合、エステル結合、及びカルボニル基の少なくともいずれかを含む。
第2の溶剤は、例えば、エーテル結合、エステル結合、及びカルボニル基の少なくともいずれかを含む。
第2の溶剤は、例えば、エーテル結合、エステル結合、及びカルボニル基の少なくともいずれかを含む。
ここで、蒸発速度(酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とする)の一例を以下に示す。
溶剤は、第1の溶剤及び第2の溶剤以外の有機溶剤を含んでいてもよい。
溶剤における第1の溶剤及び第2の溶剤の合計の割合としては、特に制限されないが、50質量%~100質量%が好ましく、75質量%~100質量%がより好ましく、90質量%~100質量%が特に好ましい。
保護膜形成用組成物における溶剤の含有量としては、特に制限されないが、70質量%~99質量%が好ましく、75質量%~98質量%がより好ましく、80質量%~95質量%が特に好ましい。
保護膜形成用組成物における第1の溶剤及び第2の溶剤の合計の含有量としては、特に制限されないが、50質量%~99質量%が好ましく、60質量%~98質量%がより好ましく、75質量%~95質量%が特に好ましい。
<架橋性基を持つポリマー又は化合物>
架橋性基とは、光、電子線、その他の電磁波、ラジカル、酸、熱、水、酸素等の作用により、架橋構造を形成しうる基を意味する。例えば、エポキシ基、(メタ)アクリル基、ビニル基、カルボキシル基、チオール基、シラノール基、シンナモイル基、水酸基(フェノール性水酸基も含む)等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
なお本明細書において、「ポリマー」と「化合物」とは必ずしも別々の物質を意味するものではなく、重合体が含まれている物質を「化合物」と称することもある。
上記「ポリマー」及び「化合物」を用いた保護膜(硬化膜)は、例えば、後述する実施例における「[5]露光後の硬化性評価」に準ずる評価において、未露光部分の膜に対し、露光部分の硬化膜の残膜率が80%以上、好ましくは90%以上を達成する、現像液に対する溶解性を呈する。
架橋性基とは、光、電子線、その他の電磁波、ラジカル、酸、熱、水、酸素等の作用により、架橋構造を形成しうる基を意味する。例えば、エポキシ基、(メタ)アクリル基、ビニル基、カルボキシル基、チオール基、シラノール基、シンナモイル基、水酸基(フェノール性水酸基も含む)等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
なお本明細書において、「ポリマー」と「化合物」とは必ずしも別々の物質を意味するものではなく、重合体が含まれている物質を「化合物」と称することもある。
上記「ポリマー」及び「化合物」を用いた保護膜(硬化膜)は、例えば、後述する実施例における「[5]露光後の硬化性評価」に準ずる評価において、未露光部分の膜に対し、露光部分の硬化膜の残膜率が80%以上、好ましくは90%以上を達成する、現像液に対する溶解性を呈する。
架橋性基を持つポリマー又は化合物としては以下を例示することができるが、これらに限定されるわけではない。
・エポキシ(メタ)アクリレート(例えば、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物と(メタ)アクリル酸との反応生成物)、
・けい皮酸グラフトエポキシノボラック、
・フェノールとアルデヒドの水の除去を伴う重縮合および三次元網目の形成によって得られる熱硬化性材料であるフェノプラスト、
・例えば、トリメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミンなどのメラミン樹脂、ジメチロールプロピレン尿素、ジメチロールエチレン尿素、ジメチロールヒドロキシン尿素などの尿素系樹脂、ジメチロールウロン樹脂等のアミノブラスト樹脂、
・(ブロック)イソシアネート、
・ビニルエーテル、
・(メタ)アクリル基を持つポリシロキサン樹脂
・エポキシ樹脂。
・エポキシ(メタ)アクリレート(例えば、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物と(メタ)アクリル酸との反応生成物)、
・けい皮酸グラフトエポキシノボラック、
・フェノールとアルデヒドの水の除去を伴う重縮合および三次元網目の形成によって得られる熱硬化性材料であるフェノプラスト、
・例えば、トリメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミンなどのメラミン樹脂、ジメチロールプロピレン尿素、ジメチロールエチレン尿素、ジメチロールヒドロキシン尿素などの尿素系樹脂、ジメチロールウロン樹脂等のアミノブラスト樹脂、
・(ブロック)イソシアネート、
・ビニルエーテル、
・(メタ)アクリル基を持つポリシロキサン樹脂
・エポキシ樹脂。
ここで、架橋性基を持つポリマー又は化合物の一例を挙げる。
架橋性基を持つポリマー又は化合物の一例の一例は、下記式(1-1)で表される構造単位を有する重合体である。
(式(1-1)中、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、R1はヒドロキシ基、メチル基で保護されていてもよいメルカプト基、メチル基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲノ基又は、ヘテロ原子で置換若しくは中断されていてもよくヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基を表し、n1は0~3の整数を表し、L1は単結合又は炭素原子数1~10のアルキレン基を表し、n2は、1又は2を表し、Aは(メタ)アクリロイルオキシ基を有する基を表し、T1はn2=1のとき、単結合、又はエーテル結合、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表し、T1はn2=2のとき、窒素原子又はアミド結合を表す。)
架橋性基を持つポリマー又は化合物の一例の一例は、下記式(1-1)で表される構造単位を有する重合体である。
炭素原子数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アミノメチル基、1-アミノエチル基、2-アミノエチル基、メチルチオ基、エチルチオ基、メルカプトメチル基、1-メルカプトエチル基、2-メルカプトエチル基、等が挙げられる。
炭素原子数1~10のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、s-ブチレン基、t-ブチレン基、シクロブチレン基、1-メチル-シクロプロピレン基、2-メチル-シクロプロピレン基、n-ペンチレン基、1-メチル-n-ブチレン基、2-メチル-n-ブチレン基、3-メチル-n-ブチレン基、1,1-ジメチル-n-プロピレン基、1,2-ジメチル-n-プロピレン基、2,2-ジメチル-n-プロピレン、1-エチル-n-プロピレン基、シクロペンチレン基、1-メチル-シクロブチレン基、2-メチル-シクロブチレン基、3-メチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロプロピレン基、2,3-ジメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-シクロプロピレン基、2-エチル-シクロプロピレン基、n-ヘキシレン基、1-メチル-n-ペンチレン基、2-メチル-n-ペンチレン基、3-メチル-n-ペンチレン基、4-メチル-n-ペンチレン基、1,1-ジメチル-n-ブチレン基、1,2-ジメチル-n-ブチレン基、1,3-ジメチル-n-ブチレン基、2,2-ジメチル-n-ブチレン基、2,3-ジメチル-n-ブチレン基、3,3-ジメチル-n-ブチレン基、1-エチル-n-ブチレン基、2-エチル-n-ブチレン基、1,1,2-トリメチル-n-プロピレン基、1,2,2-トリメチル-n-プロピレン基、1-エチル-1-メチル-n-プロピレン基、1-エチル-2-メチル-n-プロピレン基、シクロヘキシレン基、1-メチル-シクロペンチレン基、2-メチル-シクロペンチレン基、3-メチル-シクロペンチレン基、1-エチル-シクロブチレン基、2-エチル-シクロブチレン基、3-エチル-シクロブチレン基、1,2-ジメチル-シクロブチレン基、1,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,2-ジメチル-シクロブチレン基、2,3-ジメチル-シクロブチレン基、2,4-ジメチル-シクロブチレン基、3,3-ジメチル-シクロブチレン基、1-n-プロピル-シクロプロピレン基、2-n-プロピル-シクロプロピレン基、1-イソプロピル-シクロプロピレン基、2-イソプロピル-シクロプロピレン基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピレン基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピレン基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピレン基、2-エチル-3-メチル-シクロプロピレン基、n-ヘプチレン基、n-オクチレン基、n-ノニレン基又はn-デカニレン基が挙げられる。
R1におけるヘテロ原子で置換若しくは中断されている炭素原子数1~10のアルキル基の一例は、炭素原子数1~10のアルコキシ基である。
炭素原子数1~10のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、1-メチル-n-ブトキシ基、2-メチル-n-ブトキシ基、3-メチル-n-ブトキシ基、1,1-ジメチル-n-プロポキシ基、1,2-ジメチル-n-プロポキシ基、2,2-ジメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-n-プロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブトキシ基、1,2-ジメチル-n-ブトキシ基、1,3-ジメチル-n-ブトキシ基、2,2-ジメチル-n-ブトキシ基、2,3-ジメチル-n-ブトキシ基、3,3-ジメチル-n-ブトキシ基、1-エチル-n-ブトキシ基、2-エチル-n-ブトキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1,2,2,-トリメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ基、1-エチル-2-メチル-n-プロポキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基及びn-ノニルオキシ基等が挙げられる。
式(1-1)で表される単位構造は、1種類でも2種以上の組み合わせでもよい。例えばArが同一種類である複数の単位構造を有する共重合体であってもよく、例えばArがベンゼン環を含む単位構造と、ナフタレン環とを有する単位構造を有するような、Arの種類が異なる、複数の単位構造を有する共重合体も本願の技術範囲から排除されない。
上記「中断されていてもよい」、とは、炭素原子数2~10のアルキレン基の場合、左記アルキレン基中の何れかの炭素-炭素原子間がヘテロ原子(すなわち酸素の場合はエーテル結合、硫黄の場合はスルフィド結合)、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていることを言い、炭素原子数1(すなわちメチレン基)では、メチレン基の炭素のどちらか一方にヘテロ原子(すなわち酸素の場合はエーテル結合、硫黄の場合はスルフィド結合)、エステル結合若しくはアミド結合を有することを言う。
T1はn2=1のとき、単結合、又はエーテル結合、エステル結合若しくはアミド結合で中断されていてもよい炭素原子数1~10のアルキレン基を表すが、エーテル結合とメチレン基との組み合わせ、エステル結合とメチレン基との組み合わせ、又はアミド結合とメチレン基との組み合わせであることが好ましい。
ヘテロ原子で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基とは、炭素原子数1~10のアルキル基が有する1つ以上の水素原子が、ヘテロ原子(好ましくはハロゲノ基)で置換されていることをいう。
L1は単結合又は炭素原子数1~10のアルキレン基を表すが、下記式(1-2)であることが好ましい。
(式(1-2)中、R2、R3は、互いに独立して水素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基を表し、R2、R3は互いに結合して炭素原子数3~6の環を形成してもよい)で表されることが好ましい。これらの中でもR2、R3いずれも水素原子(すなわち―(CR2R3)―がメチレン基)
ハロゲノ基とは、水素と置換したハロゲン-X(F、Cl、Br、I)をいう。
式(1-1)で表される構造単位を有する重合体は、例えば、下記式(1-1’)で表される単位構造を有する重合体と、(メタ)アクリル酸とを反応させて得られる。
(式(1-1’)中、Ar、R1、n1、L1、n2、及びT1は、式(1-1)中のAr、R1、n1、L1、n2、及びT1とそれぞれ同義である。Eは、エポキシ基を有する基である。)
式(1-1’)で表される構造単位を有する重合体は、例えば、式(1-1’)の単位構造を満たすものであれば、特に制限されない。自体公知の方法で製造されたものでよい。市販品を使用してもよい。市販品としては、耐熱性エポキシノボラック樹脂EOCN(登録商標)シリーズ(日本化薬(株)製、エポキシノボラック樹脂D.E.N(登録商標)シリーズ(ダウ・ケミカル日本(株)製)等が挙げられる。
式(1-1’)で表される構造単位を有する重合体の重量平均分子量としては100以上であり、500~200,000であり、600~50,000であり、又は700~10,000である。
架橋性基を持つポリマー又は化合物の重量平均分子量としては、特に制限されないが、2,000~50,000が好ましく、2,500~25,000がより好ましく、3,000~9,000が特に好ましい。
重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定することができる。
重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定することができる。
保護膜形成用組成物における架橋性基を持つポリマー又は化合物の含有量としては、特に制限されないが、1質量%~30質量%が好ましく、5質量%~25質量%がより好ましく、10質量%~20質量%が特に好ましい。
保護膜形成用組成物における架橋性基を持つポリマー又は化合物の含有量としては、特に制限されないが、膜構成成分に対して70質量%~99質量%が好ましく、80質量%~97質量%がより好ましく、85質量%~95質量%が特に好ましい。膜構成成分とは、保護膜形成用組成物から揮発分(溶剤)を除いた成分である。
<その他の成分>
更に、保護膜形成用組成物には、必要に応じて、ラジカル重合開始剤(光重合開始剤など)、酸(触媒)、熱酸発生剤、光酸発生剤、塩基(触媒)、熱塩基発生剤、光塩基発生剤、重合禁止剤、架橋剤(多官能アクリルなど)、密着性向上剤、密着助剤(シランカップリング剤)、界面活性剤、消泡剤、レオロジー調整剤、顔料、染料、保存安定剤、多価フェノールや多価カルボン酸等の溶解促進剤、増感剤等を含めることができる。
更に、保護膜形成用組成物には、必要に応じて、ラジカル重合開始剤(光重合開始剤など)、酸(触媒)、熱酸発生剤、光酸発生剤、塩基(触媒)、熱塩基発生剤、光塩基発生剤、重合禁止剤、架橋剤(多官能アクリルなど)、密着性向上剤、密着助剤(シランカップリング剤)、界面活性剤、消泡剤、レオロジー調整剤、顔料、染料、保存安定剤、多価フェノールや多価カルボン酸等の溶解促進剤、増感剤等を含めることができる。
ラジカル重合開始剤は、光照射及び/又は加熱によりラジカル重合を開始させる物質を放出することが可能であればよい。例えば、光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾフェノン誘導体、イミダゾール誘導体、ビスイミダゾール誘導体、N-アリールグリシン誘導体、有機アジド化合物、チタノセン化合物、アルミナート錯体、有機過酸化物、N-アルコキシピリジニウム塩、チオキサントン誘導体等が挙げられる。更に具体的には、ベンゾフェノン、1,3-ジ(tert-ブチルジオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3,3’,4,4’-テトラキス(tert-ブチルジオキシカルボニル)ベンゾフェノン、3-フェニル-5-イソオキサゾロン、2-メルカプトベンズイミダゾール、ビス(2,4,5-トリフェニル)イミダゾール、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタン-1-オン、ビス(η5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル)-ビス(2,6-ジフルオロ-3-(1H-ピロール-1-イル)-フェニル)チタニウム)等が挙げられるが、これらに限定されない。
上記光ラジカル重合開始剤としては市販品を利用することもでき、例えば、BASFジャパン(株)製のIRGACURE(登録商標)651、184、369、784等が挙げられる。また、上記以外の市販品も使用でき、具体的には、BASFジャパン(株)製IRGACURE(登録商標)500、907、379、819、127、500、754、250、1800、1870、OXE01、DAROCUR(登録商標)TPO、1173;Lambson社製Speedcure(登録商標)MBB、PBZ、ITX、CTX、EDB;Lamberti社製Esacure(登録商標)ONE、KIP150、KTO46;日本化薬(株)製KAYACURE(登録商標)DETX-S、CTX、BMS、DMBI等が挙げられる
また、熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、アセチルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、メチルエチルケトンペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、過酸化水素、tert-ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、ジtert-ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジラウロイルペルオキシド、tert-ブチルペルオキシアセテート、tert-ブチルペルオキシピバラート、tert-ブチルぺルオキシ-2-エチルヘキサノアート等の過酸化物;2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)、(1-フェニルエチル)アゾジフェニルメタン、2,2’-アゾビス(4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル)、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチラート、2,2’-アゾビス(2-メチルブチロニトリル)、1,1’-アゾビス(1-シクロヘキサンカルボニトリル)、2-(カルバモイルアゾ)イソブチロニトリル、2,2’-アゾビス(2,4,4-トリメチルペンタン)、2-フェニルアゾ-2,4-ジメチル-4-メトキシバレロニトリル、2,2’-アゾビス(2-メチルプロパン)等のアゾ系化合物;過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。
市販の熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、日油(株)製パーロイル(登録商標)IB、NPP、IPP、SBP、TCP、OPP、SA、355、L、パーブチル(登録商標)ND、NHP、MA、PV、355、A、C、D、E、L、I、O、P、Z、パーヘキシル(登録商標)ND、PV、D、I、O、Z、パーオクタ(登録商標)ND、ナイパー(登録商標)PMB、BMT、BW、パーテトラ(登録商標)A、パーヘキサ(登録商標)MC、TMH、HC、250、25B、C、25Z、22、V、パーオクタ(登録商標)O、パークミル(登録商標)ND、D、パーメンタ(登録商標)H、ノフマー(登録商標)BC;和光純薬(株)製V-70、V-65、V-59、V-40、V-30、VA-044、VA-046B、VA-061、V-50、VA-057、VA-086、VF-096、VAm-110、V-601、V-501;BASFジャパン(株)製IRGACURE(登録商標)184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI1700、CGI1750、CGI1850、CG24-61、DAROCUR(登録商標)1116、1173、LUCIRIN(登録商標)TPO;サイテックサーフェイススペシャルティーズ社製UVECRYL(登録商標)P36;Lamberti社製Esacure(登録商標)KIP150、KIP65LT、KIP100F、KT37、KT55、KTO46、KIP75/B等が挙げられるが、これらに限定されない。
ラジカル重合開始剤は一種のみを使用してもよく、二種以上を併用してもよい。ラジカル重合開始剤の含有量は、架橋性基を持つポリマー又は化合物100質量部に対し、好ましくは1質量部以上、2質量部以上、3質量部以上、50質量部以下、20質量部以下、10質量部以下である。
重合禁止剤(酸化防止剤)としては、ヒンダードフェノール化合物を使用してもよく、具体的には2,6-ジイソブチルフェノール、3,5-ジ-t-ブチルフェノール、3,5-ジ-t-ブチルクレゾール、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、N-ニトロソ-N-フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム、ピロガロール、t-ブチルカテコール、4-メトキシ-1-ナフトール、2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノール、2,5-ジ-t-ブチル-ハイドロキノン、オクタデシル-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネ-ト、イソオクチル-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、4、4’-メチレンビス(2、6-ジ-t-ブチルフェノール)、4,4’-チオ-ビス(3-メチル-6-t-ブチルフェノール)、4,4’-ブチリデン-ビス(3-メチル-6-t-ブチルフェノール)、トリエチレングリコール-ビス〔3-(3-t-ブチル-5-メチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、1,6-ヘキサンジオール-ビス〔3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、2,2-チオ-ジエチレンビス〔3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、N,N’ヘキサメチレンビス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシ-ヒドロシンナマミド)、2,2’-メチレン-ビス(4-メチル-6-t-ブチルフェノール)、2,2’-メチレン-ビス(4-エチル-6-t-ブチルフェノール)、ペンタエリスリチル-テトラキス〔3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、トリス-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)-イソシアヌレイト、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼン、1,3,5-トリス(3-ヒドロキシ-2,6-ジメチル-4-イソプロピルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-s-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス[4-(1-エチルプロピル)-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル]-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス[4-トリエチルメチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル]-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(3-ヒドロキシ-2,6-ジメチル-4-フェニルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,5,6-トリメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5-エチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-6-エチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-6-エチル-3-ヒドロキシ-2,5-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5,6-ジエチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,5-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-5‐エチル-3-ヒドロキシ-2-メチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオン等を挙げることができる。
ヒンダードフェノール化合物の中でも、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオンが好ましい。
上記重合禁止剤は市販品を使用してもよく、具体例としてはIrganox-3114(BASFジャパン株式会社製)が挙げられる。
ヒンダードフェノール化合物の中でも、1,3,5-トリス(4-t-ブチル-3-ヒドロキシ-2,6-ジメチルベンジル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6-(1H,3H,5H)-トリオンが好ましい。
上記重合禁止剤は市販品を使用してもよく、具体例としてはIrganox-3114(BASFジャパン株式会社製)が挙げられる。
重合禁止剤は一種のみを使用してもよく、二種以上を併用してもよい。重合禁止剤の含有量は、架橋性基を持つポリマー又は化合物100質量部に対し、0.01~1質量部が好ましく、0.01~0.5質量部がより好ましい。
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル及びポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル及びポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー化合物、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタントリオレエート及びソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート及びポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル化合物が挙げられる。また、商品名エフトップEF301,EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製)、商品名メガファックF171、F173、R-08、R-30(大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、商品名アサヒガードAG710,サーフロンS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤及びオルガノシロキサンポリマ-KP341(信越化学工業(株)製)等を上げることができる。
界面活性剤は一種のみを使用してもよく、二種以上を併用してもよい。界面活性剤の含有量は、架橋性基を持つポリマー又は化合物100質量部に対し、好ましくは0.1質量部以上、0.5質量部以上、5質量部以下、2質量部以下である。
酸触媒としては、酸性化合物、塩基性化合物、又は熱若しくは光により酸若しくは塩基が発生する各種化合物を用いることができる。
酸性化合物としては、スルホン酸化合物又はカルボン酸化合物を用いることができる。
スルホン酸化合物又はカルボン酸化合物として、例えば、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート(=ピリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸)、ピリジニウム-p-トルエンスルホネート、ピリジニウム-4-ヒドロキシベンゼンスルホナート、サリチル酸、カンファースルホン酸、5-スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-フェノールスルホン酸、ピリジニウム-4-フェノールスルホネート、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸、4-ニトロベンゼンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。
スルホン酸化合物又はカルボン酸化合物として、例えば、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムトリフルオロメタンスルホナート(=ピリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸)、ピリジニウム-p-トルエンスルホネート、ピリジニウム-4-ヒドロキシベンゼンスルホナート、サリチル酸、カンファースルホン酸、5-スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-フェノールスルホン酸、ピリジニウム-4-フェノールスルホネート、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸、4-ニトロベンゼンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。
塩基性化合物としては、アミン化合物又は水酸化アンモニウム化合物を用いることができ、熱により塩基が発生する化合物としては、尿素を用いることができる。
アミン化合物として、例えば、トリエタノールアミン、トリブタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリノルマルブチルアミン、トリ-tert-ブチルアミン、トリノルマルオクチルアミン、トリイソプロパノールアミン、フェニルジエタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、及びジアザビシクロオクタン等の第3級アミン、ピリジン及び4-ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミンが挙げられる。また、ベンジルアミン及びノルマルブチルアミン等の第1級アミン、ジエチルアミン及びジノルマルブチルアミン等の第2級アミンもアミン化合物として挙げられる。
水酸化アンモニウム化合物としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリエチルアンモニウム、水酸化セチルトリメチルアンモニウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化フェニルトリエチルアンモニウムが挙げられる。
アミン化合物として、例えば、トリエタノールアミン、トリブタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリノルマルブチルアミン、トリ-tert-ブチルアミン、トリノルマルオクチルアミン、トリイソプロパノールアミン、フェニルジエタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、及びジアザビシクロオクタン等の第3級アミン、ピリジン及び4-ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミンが挙げられる。また、ベンジルアミン及びノルマルブチルアミン等の第1級アミン、ジエチルアミン及びジノルマルブチルアミン等の第2級アミンもアミン化合物として挙げられる。
水酸化アンモニウム化合物としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリエチルアンモニウム、水酸化セチルトリメチルアンモニウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化フェニルトリエチルアンモニウムが挙げられる。
酸発生剤としては、熱酸発生剤、光酸発生剤何れも使用することができる。
熱酸発生剤としては、例えば、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム-p-トルエンスルホネート(ピリジニウム-p-トルエンスルホン酸)、ピリジニウム-p-ヒドロキシベンゼンスルホン酸(p-フェノールスルホン酸ピリジニウム塩)、ピリジニウム-トリフルオロメタンスルホン酸、サリチル酸、カンファースルホン酸、5-スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のスルホン酸化合物及びカルボン酸化合物が挙げられる。
市販品としては、例えば、K-PURE〔登録商標〕CXC-1612、同CXC-1614、同TAG-2172、同TAG-2179、同TAG-2678、同TAG2689(以上、King Industries社製)、及びSI-45、SI-60、SI-80、SI-100、SI-110、SI-150(以上、三新化学工業株式会社製)が挙げられる。
市販品としては、例えば、K-PURE〔登録商標〕CXC-1612、同CXC-1614、同TAG-2172、同TAG-2179、同TAG-2678、同TAG2689(以上、King Industries社製)、及びSI-45、SI-60、SI-80、SI-100、SI-110、SI-150(以上、三新化学工業株式会社製)が挙げられる。
光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド、ベンゾインスルホネート型光酸発生剤、ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤、スルホン型光酸発生剤、グリオキシム誘導体型光酸発生剤、オキシム-O-スルホネート型酸発生剤、ビスオキシムスルホネート型酸発生剤等がある。例えば、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、フェニル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、ベンゾイントシレート、及びN-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。
熱塩基発生剤としては、例えば、1-メチル-1-(4-ビフェニリル)エチルカルバメート、2-シアノ-1,1-ジメチルエチルカルバメート等のカルバメート類;尿素、N,N-ジメチル-N’-メチル尿素等の尿素類;トリクロロ酢酸グアニジン、フェニルスルホニル酢酸グアニジン、フェニルプロピオール酸グアニジン等のグアニジン類;1,4-ジヒドロニコチンアミド等のジヒドロピリジン類;N-(イソプロポキシカルボニル)-2,6-ジメチルピペリジン、N-(tert-ブトキシカルボニル)-2,6-ジメチルピペリジン、N-(ベンジルオキシカルボニル)-2,6-ジメチルピペリジン等のジメチルピペリジン類;フェニルスルホニル酢酸テトラメチルアンモニウム、フェニルプロピオール酸テトラメチルアンモニウム等の四級化アンモニウム塩;ジシアンジアミドなどが挙げられる。また、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)の塩である、U-CAT(登録商標)SA810、同SA831、同SA841、同SA851[以上、サンアプロ(株)製]等が挙げられる。
光塩基発生剤としては、例えば、9-アントリルメチル=N,N-ジエチルカルバメート等のアルキルアミン系光塩基発生剤;9-アントリル=N,N-ジシクロヘキシルカルバメート、1-(9,10-アントラキノン-2-イル)エチル=N,N-ジシクロヘキシルカルバメート、ジシクロヘキシルアンモニウム=2-(3-ベンゾイルフェニル)プロピオネート、9-アントリル=N-シクロヘキシルカルバメート、1-(9,10-アントラキノン-2-イル)エチル=N-シクロヘキシルカルバメート、シクロヘキシルアンモニウム=2-(3-ベンゾイルフェニル)プロピオネート、(E)-N-シクロヘキシル-3-(2-ヒドロキシフェニル)アクリルアミド等のシクロアルキルアミン系光塩基発生剤;9-アントリルメチル=ピペリジン-1-カルボキシレート、(E)-1-ピペリジノ-3-(2-ヒドロキシフェニル)-2-プロペン-1-オン、(2-ニトロフェニル)メチル=4-ヒドロキシピペリジン-1-カルボキシレート、(2-ニトロフェニル)メチル=4-(メタクリロイルオキシ)ピペリジン-1-カルボキシレート等のピペリジン系光塩基発生剤;グアニジニウム=2-(3-ベンゾイルフェニル)プロピオネート、1,2-ジイソプロピル-3-(ビス(ジメチルアミノ)メチレン)グアニジニウム=2-(3-ベンゾイルフェニル)プロピオネート、1,2-ジシクロヘキシル-4,4,5,5-テトラメチルビグアニジウム=n-ブチルトリフェニルボラート、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デカ-5-エニウム=2-(9-オキソキサンテン-2-イル)プロピオネート等のグアニジン系光塩基発生剤;1-(9,10-アントラキノン-2-イル)エチル=イミダゾール-1-カルボキシレート等のイミダゾール系光塩基発生剤等が挙げられる。
以上の成分は、1種又は2種以上を組み合わせて用いることができ、その場合は、保護膜形成用組成物の固形分中通常10質量%以下、好ましくは3質量%以下の配合量で用いられる。
保護膜形成用組成物の調製方法は、特に限定されない。すなわち、架橋性基を持つポリマー又は化合物、溶剤、その他の成分を任意の割合で任意の順で混合し、均一な溶液とすればよい。こうして調製された溶液状態の保護膜形成用組成物は、孔径が0.2μm程度のフィルタ等を用いて濾過した後に使用することが好ましい。
後述するように、回転塗布法により膜厚300nm程度の保護膜を作製するためには、保護膜形成用組成物は25℃において約100cps以下の粘度を有することが好ましく、50cps以下がより好ましく、10cps以下が特に好ましい。なお、本発明において、粘度は、E型粘度計による25℃での測定値である。
また、保護膜形成用組成物は感光性であることが好ましい。例えばネガ型の溶剤現像タイプであってよい。感光性を有する保護膜形成用組成物の場合、上記基板の表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、該感光性保護膜形成用組成物(ネガ型)を塗布した後、膜の硬化を行いたい部分を露光、現像を行うことで、ベベル部分を正確に前記保護膜で覆うことが可能となる。感光性であることにより、保護膜のウエハ端部における膜厚コントロールが容易となり、インナーハンプを除去することができ、エッジ形状を改良することができ、回転塗布時のセンターポジションのずれを修正できる等の利点がある。
保護膜形成用組成物は、WO2018/190380に記載の、下記式(1-1)乃至式(1-7)で表される部分構造(I)から選ばれる少なくとも一つの部分構造を含む化合物(E)を含む組成物であってよい。
当該化合物(E)は、架橋性基を持つポリマー又は化合物である。
当該化合物(E)は、架橋性基を持つポリマー又は化合物である。
R5は、それぞれ独立して、窒素原子、又は窒素原子と炭素原子数1~10のアルキレン基、炭素原子数6~40のアリーレン基(該アルキレン基及びアリーレン基は、1つ又は2つ以上のアミド基又はアミノ基で任意に置換されていても良い)、酸素原子、カルボニル基、イオウ原子、-C(O)-NRa-及び-NRb-からなる群から選択される少なくとも一つ以上の基との組み合わせからなる3価の基を表し、
R2、R2a、R4、及びR6は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基、又は水素原子と、炭素原子数1~10のアルキレン基、酸素原子、カルボニル基、-C(O)-NRa-及び-NRb-からなる群から選択される少なくとも一つ以上の基との組み合わせからなる1価の基を表し、
Raは水素原子又は炭素原子数1~10のアルキル基を表し、
Rbは、水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基又は炭素原子数1~10のアルキルカルボニル基を表し、
nは1~10の繰り返し単位数を表し、及び
点線は隣接原子との化学結合を表す。)
WO2018/190380号公報の全開示が本願に参酌として援用される。
保護膜形成用組成物は、ポリシロキサンを含有してもよい。ポリシロキサンは、シラノール基の一部が変性されている変性ポリシロキサン、例えばシラノール基の一部がアルコール変性された又はアセタール保護されたポリシロキサン変性物であってもよい。
またポリシロキサンは、一例として加水分解性シランの加水分解縮合物であってもよいし、加水分解縮合物が有するシラノール基の少なくとも一部がアルコール変性された又はアセタール保護された変性物(以下、「加水分解縮合物の変性物」と称することがある。)であってもよい。加水分解縮合物に係る加水分解性シランは、一種又は二種以上の加水分解性シランを含むことができる。
ポリシロキサンは、かご型、ラダー型、直鎖型、及び分岐型のいずれの主鎖を有する構造であるものとすることができる。さらに市販のポリシロキサンを使用することができる。
またポリシロキサンは、一例として加水分解性シランの加水分解縮合物であってもよいし、加水分解縮合物が有するシラノール基の少なくとも一部がアルコール変性された又はアセタール保護された変性物(以下、「加水分解縮合物の変性物」と称することがある。)であってもよい。加水分解縮合物に係る加水分解性シランは、一種又は二種以上の加水分解性シランを含むことができる。
ポリシロキサンは、かご型、ラダー型、直鎖型、及び分岐型のいずれの主鎖を有する構造であるものとすることができる。さらに市販のポリシロキサンを使用することができる。
なお、本発明において、加水分解性シランの「加水分解縮合物」、すなわち加水分解縮合の生成物には、縮合が完全に完了した縮合物であるポリオルガノシロキサンポリマーだけでなく、縮合が完全に完了しない部分加水分解縮合物であるポリオルガノシロキサンポリマーも包含される。このような部分加水分解縮合物も、縮合が完全に完了した縮合物と同様、加水分解性シランの加水分解及び縮合によって得られたポリマーであるが、部分的に加水分解で止まり、縮合しておらず、それ故、Si-OH基が残存しているものである。
本発明のポリシロキサンとして、例えば下記式(1)で表される少なくとも1種の加水分解性シランを含む加水分解性シランの加水分解縮合物又はその変性物を挙げることができる。
本発明のポリシロキサンとして、例えば下記式(1)で表される少なくとも1種の加水分解性シランを含む加水分解性シランの加水分解縮合物又はその変性物を挙げることができる。
式(1)中、R1は、ケイ素原子に結合する基であって、互いに独立して、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいアラルキル基、置換されていてもよいハロゲン化アルキル基、置換されていてもよいハロゲン化アリール基、置換されていてもよいハロゲン化アラルキル基、置換されていてもよいアルコキシアルキル基、置換されていてもよいアルコキシアリール基、置換されていてもよいアルコキシアラルキル基、若しくは置換されていてもよいアルケニル基を表すか、又はエポキシ基を有する有機基、アクリロイル基を有する有機基、メタクリロイル基を有する有機基、メルカプト基を有する有機基、アミノ基を有する有機基、アルコキシ基を有する有機基、スルホニル基を有する有機基、若しくはシアノ基を有する有機基、又はそれらの2種以上の組み合わせを表す。
またR2は、ケイ素原子に結合する基又は原子であって、互いに独立して、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。
aは0~3の整数を表す。
またR2は、ケイ素原子に結合する基又は原子であって、互いに独立して、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。
aは0~3の整数を表す。
式(1)中のR1における各基及び原子の具体例、並びにそれらの好適な炭素数としては、式(A-1)及び(A-2)中のR3について前述した基及び炭素数を挙げることができる。
式(1)中のR2における各基及び原子の具体例、並びにそれらの好適な炭素数としては、式(A-1)及び(A-2)中のXについて前述した基及び原子並びに炭素数を挙げることができる。
式(1)中のR2における各基及び原子の具体例、並びにそれらの好適な炭素数としては、式(A-1)及び(A-2)中のXについて前述した基及び原子並びに炭素数を挙げることができる。
<<<式(1)で表される加水分解性シランの具体例>>>
式(1)で表される加水分解性シランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリアミロキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリベンジルオキシシラン、メチルトリフェネチルオキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、(3,4-エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、(3,4-エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリブトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリフェノキシシラン、γ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、γ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)プロピルトリエトキシシラン、δ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)ブチルトリメトキシシラン、δ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)ブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α-グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α-グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β-グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β-グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリアセトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、メチルビニルジクロロシラン、メチルビニルジアセトキシシラン、ジメチルビニルメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジメチルビニルクロロシラン、ジメチルビニルアセトキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジアセトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリアセトキシシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、アリルメチルジエトキシシラン、アリルメチルジクロロシラン、アリルメチルジアセトキシシラン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルジメチルエトキシシラン、アリルジメチルクロロシラン、アリルジメチルアセトキシシラン、ジアリルジメトキシシラン、ジアリルジエトキシシラン、ジアリルジクロロシラン、ジアリルジアセトキシシラン、3-アリルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-アリルアミノプロピルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリアセトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジクロロシラン、フェニルメチルジアセトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルジメチルアセトキシシラン、ジフェニルメチルメトキシシラン、ジフェニルメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、ジフェニルメチルアセトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、トリフェニルメトキシシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルアセトキシシラン、トリフェニルクロロシラン、3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、ジメトキシメチル-3-(3-フェノキシプロピルチオプロピル)シラン、トリエトキシ((2-メトキシ-4-(メトキシメチル)フェノキシ)メチル)シラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルトリアセトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、フェネチルメチルジアセトキシシラン、メトキシフェニルトリメトキシシラン、メトキシフェニルトリエトキシシラン、メトキシフェニルトリアセトキシシラン、メトキシフェニルトリクロロシラン、メトキシベンジルトリメトキシシラン、メトキシベンジルトリエトキシシラン、メトキシベンジルトリアセトキシシラン、メトキシベンジルトリクロロシラン、メトキシフェネチルトリメトキシシラン、メトキシフェネチルトリエトキシシラン、メトキシフェネチルトリアセトキシシラン、メトキシフェネチルトリクロロシラン、エトキシフェニルトリメトキシシラン、エトキシフェニルトリエトキシシラン、エトキシフェニルトリアセトキシシラン、エトキシフェニルトリクロロシラン、エトキシベンジルトリメトキシシラン、エトキシベンジルトリエトキシシラン、エトキシベンジルトリアセトキシシラン、エトキシベンジルトリクロロシラン、i-プロポキシフェニルトリメトキシシラン、i-プロポキシフェニルトリエトキシシラン、i-プロポキシフェニルトリアセトキシシラン、i-プロポキシフェニルトリクロロシラン、i-プロポキシベンジルトリメトキシシラン、i-プロポキシベンジルトリエトキシシラン、i-プロポキシベンジルトリアセトキシシラン、i-プロポキシベンジルトリクロロシラン、t-ブトキシフェニルトリメトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリエトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリアセトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリクロロシラン、t-ブトキシベンジルトリメトキシシラン、t-ブトキシベンジルトリエトキシシラン、t-ブトキシベンジルトリアセトキシシラン、t-ブトキシシベンジルトリクロロシラン、メトキシナフチルトリメトキシシラン、メトキシナフチルトリエトキシシラン、メトキシナフチルトリアセトキシシラン、メトキシナフチルトリクロロシラン、エトキシナフチルトリメトキシシラン、エトキシナフチルトリエトキシシラン、エトキシナフチルトリアセトキシシラン、エトキシナフチルトリクロロシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリエトキシシラン、γ-クロロプロピルトリアセトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、β-シアノエチルトリエトキシシラン、チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルジアリルイソシアヌレート、ビシクロ[2,2,1]ヘプテニルトリエトキシシラン、ベンゼンスルホニルプロピルトリエトキシシラン、ベンゼンスルホンアミドプロピルトリエトキシシラン、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ-クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メルカプトメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシランが挙げられるが、これらに限定されない。
式(1)で表される加水分解性シランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ-n-プロポキシシラン、テトラ-i-プロポキシシラン、テトラ-n-ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリアミロキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリベンジルオキシシラン、メチルトリフェネチルオキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ-グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ-グリシドキシブチルトリエトキシシラン、(3,4-エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、(3,4-エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリブトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリフェノキシシラン、γ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、γ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)プロピルトリエトキシシラン、δ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)ブチルトリメトキシシラン、δ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)ブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α-グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α-グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β-グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β-グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリアセトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、メチルビニルジクロロシラン、メチルビニルジアセトキシシラン、ジメチルビニルメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジメチルビニルクロロシラン、ジメチルビニルアセトキシシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジクロロシラン、ジビニルジアセトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリクロロシラン、アリルトリアセトキシシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、アリルメチルジエトキシシラン、アリルメチルジクロロシラン、アリルメチルジアセトキシシラン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルジメチルエトキシシラン、アリルジメチルクロロシラン、アリルジメチルアセトキシシラン、ジアリルジメトキシシラン、ジアリルジエトキシシラン、ジアリルジクロロシラン、ジアリルジアセトキシシラン、3-アリルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-アリルアミノプロピルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリアセトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジクロロシラン、フェニルメチルジアセトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルジメチルアセトキシシラン、ジフェニルメチルメトキシシラン、ジフェニルメチルエトキシシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、ジフェニルメチルアセトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、トリフェニルメトキシシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルアセトキシシラン、トリフェニルクロロシラン、3-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、ジメトキシメチル-3-(3-フェノキシプロピルチオプロピル)シラン、トリエトキシ((2-メトキシ-4-(メトキシメチル)フェノキシ)メチル)シラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルトリアセトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、フェネチルメチルジアセトキシシラン、メトキシフェニルトリメトキシシラン、メトキシフェニルトリエトキシシラン、メトキシフェニルトリアセトキシシラン、メトキシフェニルトリクロロシラン、メトキシベンジルトリメトキシシラン、メトキシベンジルトリエトキシシラン、メトキシベンジルトリアセトキシシラン、メトキシベンジルトリクロロシラン、メトキシフェネチルトリメトキシシラン、メトキシフェネチルトリエトキシシラン、メトキシフェネチルトリアセトキシシラン、メトキシフェネチルトリクロロシラン、エトキシフェニルトリメトキシシラン、エトキシフェニルトリエトキシシラン、エトキシフェニルトリアセトキシシラン、エトキシフェニルトリクロロシラン、エトキシベンジルトリメトキシシラン、エトキシベンジルトリエトキシシラン、エトキシベンジルトリアセトキシシラン、エトキシベンジルトリクロロシラン、i-プロポキシフェニルトリメトキシシラン、i-プロポキシフェニルトリエトキシシラン、i-プロポキシフェニルトリアセトキシシラン、i-プロポキシフェニルトリクロロシラン、i-プロポキシベンジルトリメトキシシラン、i-プロポキシベンジルトリエトキシシラン、i-プロポキシベンジルトリアセトキシシラン、i-プロポキシベンジルトリクロロシラン、t-ブトキシフェニルトリメトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリエトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリアセトキシシラン、t-ブトキシフェニルトリクロロシラン、t-ブトキシベンジルトリメトキシシラン、t-ブトキシベンジルトリエトキシシラン、t-ブトキシベンジルトリアセトキシシラン、t-ブトキシシベンジルトリクロロシラン、メトキシナフチルトリメトキシシラン、メトキシナフチルトリエトキシシラン、メトキシナフチルトリアセトキシシラン、メトキシナフチルトリクロロシラン、エトキシナフチルトリメトキシシラン、エトキシナフチルトリエトキシシラン、エトキシナフチルトリアセトキシシラン、エトキシナフチルトリクロロシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリエトキシシラン、γ-クロロプロピルトリアセトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、β-シアノエチルトリエトキシシラン、チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルジアリルイソシアヌレート、ビシクロ[2,2,1]ヘプテニルトリエトキシシラン、ベンゼンスルホニルプロピルトリエトキシシラン、ベンゼンスルホンアミドプロピルトリエトキシシラン、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ-クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ-クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ-メルカプトメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシランが挙げられるが、これらに限定されない。
保護膜形成用組成物は、特開2016-003160号公報に記載の、
(A)多官能エポキシ(メタ)アクリレート化合物、
(B)多官能チオール化合物、及び
(C)ラジカル重合開始剤を含有するものであってよい。
(A)多官能エポキシ(メタ)アクリレート化合物は、架橋性基を持つポリマー又は化合物である。
(A)多官能エポキシ(メタ)アクリレート化合物、
(B)多官能チオール化合物、及び
(C)ラジカル重合開始剤を含有するものであってよい。
(A)多官能エポキシ(メタ)アクリレート化合物は、架橋性基を持つポリマー又は化合物である。
上記(A)成分の分子量が300~20,000であってよい。
上記(A)成分がビスフェノール型多官能エポキシ(メタ)アクリレート化合物であってよい。
上記(B)成分が25℃で液状であってよい。
更に、(D)重合禁止剤を含有してよい。
25℃における粘度が2,000~100,000mPa・sであってよい。
上記(A)成分がビスフェノール型多官能エポキシ(メタ)アクリレート化合物であってよい。
上記(B)成分が25℃で液状であってよい。
更に、(D)重合禁止剤を含有してよい。
25℃における粘度が2,000~100,000mPa・sであってよい。
特開2016-003160号公報の全開示が本願に参酌として援用される。
保護膜形成用組成物は、WO2009/104643に記載の、光重合性物質及び光重合開始剤を含む膜形成組成物であってよい。光重合性物質は、架橋性基を持つポリマー又は化合物である。
前記光重合性物質がカチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物であり、前記カチオン重合開始剤が光カチオン重合開始剤であってよい。
前記光重合性物質がラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物であり、前記光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤であってよい。
前記光重合性物質がカチオン重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物であり、前記カチオン重合開始剤が光カチオン重合開始剤であってよい。
前記光重合性物質がラジカル重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物であり、前記光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤であってよい。
前記光重合性物質が糖化合物であってよい。
前記糖化合物が単糖類又は二糖類化合物であってよい。
前記糖化合物が式(10):
前記糖化合物が単糖類又は二糖類化合物であってよい。
前記糖化合物が式(10):
(ただし、G1は糖骨格を示し、Tは2価の連結基を示し、R1はビニル基又はグリシジル基を示し、R2は水素原子又は水酸基を示す。n及びLはそれぞれ0又は1の整数を示し、pは整数であって糖が有する水酸基の総数である。mは1≦m≦(p-m)を満たす整数である。)であってよい。
前記光重合性物質が脂環式エポキシ化合物、又は脂環式オキセタン化合物であってよい。
前記脂環式エポキシ化合物がシクロアルキレンオキシド誘導体であってよい。
前記脂環式エポキシ化合物が式(2)又は式(3):
前記脂環式エポキシ化合物がシクロアルキレンオキシド誘導体であってよい。
前記脂環式エポキシ化合物が式(2)又は式(3):
(ただし、G2はアルキレン基、カルボニルオキシ基、ヘテロ環、芳香環、又はこれらの組み合わせを有する1価~5価の連結基を示し、G3はアルキル基、アルキルカルボニル基、ヘテロ環、芳香環、又はこれらの組み合わせを有する有機基であり、n及びmはそれぞれ1~5の整数を示す。)であってよい。
WO2009/104643の全開示が本願に参酌として援用される。
(保護膜)
本発明の保護膜は、本発明の保護膜形成用組成物からなる塗布膜の硬化物である。
保護膜の形成方法としては、例えば、後述する半導体装置の製造方法における工程(X)が挙げられる。
本発明の保護膜は、本発明の保護膜形成用組成物からなる塗布膜の硬化物である。
保護膜の形成方法としては、例えば、後述する半導体装置の製造方法における工程(X)が挙げられる。
保護膜は、例えば、ウエハ表面端部及びベベル部の金属汚染を防止するための保護膜である。
保護膜の厚みの下限は、例えば1nm、3nm、5nm、10nm、30nm、50nm、80nm、100nm、200nm、500nm、800nm、1,000nm、1,500nm、1,700nmである。保護膜の厚みの上限は、例えば10,000nm、9,000nm、8,000nm、7,000nm、6,000nm、5,000nm、4,000nm、3,800nm、3,700nm、3,600nm、3,500nm、3,300nm、3,000nm、2,500nm、2,000nm、1,500nm、1,000nm、800nm、500nm、300nmである。
保護膜は、例えば、170~800nmの波長の光(例えば254nm)を照射されて硬化した保護膜である。
半導体製造用基板(ウエハ)の表面端部及びベベル部を覆う保護膜の特性としては、金属汚染を防止する機能のほか、ドライエッチング耐性、リン酸耐性、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)耐性、HF除去性、耐擦傷性、段差基板に対する良好な埋め込み性、低昇華物量、疎水性基板に対する親和性、ウエハ側面(ベベル部)にクレーター異物等を残さないこと、良好なエッジ形状、インナーハンプ(ノズルの射出孔直下に膜形成組成物が瘤状に残る現象)を抑制する機能等を満足することが望ましい。
(半導体装置の製造方法)
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
(A) 半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、
(B) レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
(C) レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する工程と、
を含む半導体装置の製造方法において、
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、本発明のの保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成する工程(X)を含む、
半導体装置の製造方法である。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
(A) 半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、
(B) レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
(C) レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する工程と、
を含む半導体装置の製造方法において、
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、本発明のの保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成する工程(X)を含む、
半導体装置の製造方法である。
以下、順に説明する。
<工程(A)>
工程(A)では、半導体基板上にレジスト膜を形成する。半導体基板は、半導体素子等の製造のために使用されるウエハであり、一般的に用いられるシリコンウェハー、ゲルマニウムウェハーの他、例えば、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム等の2種類以上の元素が結合してできる化合物半導体ウエハが使用できる。これらは通常円盤状であり、大きさは例えば4、6、8、12インチ等である。市販品を使用してよい。
<工程(A)>
工程(A)では、半導体基板上にレジスト膜を形成する。半導体基板は、半導体素子等の製造のために使用されるウエハであり、一般的に用いられるシリコンウェハー、ゲルマニウムウェハーの他、例えば、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウム等の2種類以上の元素が結合してできる化合物半導体ウエハが使用できる。これらは通常円盤状であり、大きさは例えば4、6、8、12インチ等である。市販品を使用してよい。
表面に無機膜が形成された半導体基板を用いる場合、当該無機膜は、例えば、ALD(原子層堆積)法、CVD(化学気相堆積)法、反応性スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スピンコーティング法(スピンオングラス:SOG)により形成される。前記無機膜として、例えば、ポリシリコン膜、酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)膜、窒化チタン膜、窒化酸化チタン膜、タングステン膜、窒化ガリウム膜、及びヒ化ガリウム膜が挙げられる。
このような半導体基板上に、スプレー、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により所定の厚みのレジスト下層膜、レジスト膜等を形成する。一般に回転塗布法の場合、レジスト下層膜形成組成物、レジスト膜形成組成物等のそれぞれが、回転する円盤状基板の中心部の上方からノズル等を通じて供給される。通常、これらの膜は、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークする。
レジスト膜の形成に使用されるフォトレジストとしては、露光に使用される光に感光するものであれば特に限定はない。なお、本明細書では、電子線レジストもフォトレジストに含まれるものとする。ネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストのいずれも使用できる。ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型フォトレジスト、及び酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、メタル元素を含有するレジストなどがある。例えば、JSR(株)製商品名V146G、シプレー社製商品名APEX-E、住友化学工業(株)製商品名PAR710、及び信越化学工業(株)製商品名AR2772、SEPR430等が挙げられる。また、例えば、Proc.SPIE,Vol.3999,330-334(2000)、Proc.SPIE,Vol.3999,357-364(2000)、やProc.SPIE,Vol.3999,365-374(2000)に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系フォトレジストを挙げることができる。好ましくはネガ型フォトレジストである。
レジスト膜の形成に使用されるレジスト膜形成組成物には、一種以上の金属を含めることができる。金属の形態としては、金属単体のほか、金属塩、金属錯体、その他の金属含有化合物が挙げられる。金属種としては特に限定されないが、例えば、スズ、インジウム、アンチモン、ビスマス、ガリウム、ゲルマニウム、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、セリウム、ランタン、セシウム等が挙げられる。
また、レジスト膜の形成に使用されるレジスト膜形成組成物は、金属含有レジストであってもよい。
金属含有レジストは、金属酸化物レジスト(メタルオキサイドレジスト(MOR))とも呼ばれ、代表的には、スズ酸化物系レジストが挙げられる。
金属酸化物レジスト材料として、例えば、特開2019-113855号公報に記載の、金属炭素結合及び/又は金属カルボキシラート結合により有機配位子を有する金属オキソ-ヒドロキソネットワークを含むコーティング組成物が挙げられる。
金属含有レジストの一例は、放射線感受性安定化配位子としてペルオキソ配位子を使用する。ペルオキソベースの金属オキソ-ヒドロキソ化合物は、例えば、公表2019-532489号公報の段落〔0011〕に記載されている特許文献にその詳細が説明されている。当該特許文献としては、例えば、米国特許第9,176,377B2号明細書、米国特許出願公開第2013/0224652A1号明細書、米国特許第9,310,684B2号明細書、米国特許出願公開第2016/0116839A1号明細書、米国特許出願公開第15/291738号明細書が挙げられる。
金属含有レジストは、金属酸化物レジスト(メタルオキサイドレジスト(MOR))とも呼ばれ、代表的には、スズ酸化物系レジストが挙げられる。
金属酸化物レジスト材料として、例えば、特開2019-113855号公報に記載の、金属炭素結合及び/又は金属カルボキシラート結合により有機配位子を有する金属オキソ-ヒドロキソネットワークを含むコーティング組成物が挙げられる。
金属含有レジストの一例は、放射線感受性安定化配位子としてペルオキソ配位子を使用する。ペルオキソベースの金属オキソ-ヒドロキソ化合物は、例えば、公表2019-532489号公報の段落〔0011〕に記載されている特許文献にその詳細が説明されている。当該特許文献としては、例えば、米国特許第9,176,377B2号明細書、米国特許出願公開第2013/0224652A1号明細書、米国特許第9,310,684B2号明細書、米国特許出願公開第2016/0116839A1号明細書、米国特許出願公開第15/291738号明細書が挙げられる。
レジスト膜のベーク条件としては、ベーク温度70℃~400℃、ベーク時間0.3分~60分間の中から適宜、選択される。好ましくは、ベーク温度80℃~350℃、ベーク時間0.5分~30分間、より好ましくは、ベーク温度90℃~300℃、ベーク時間0.8分~10分間である。
レジスト膜の平均厚みの下限は、好ましくは1nm、より好ましくは3nm、5nm、10nmである。レジスト膜の平均厚みの上限は、5,000nm、3,000nm、2,000nm、好ましくは1,000nm、より好ましくは200nm、より好ましくは50nmである。
<保護膜を形成する工程(X)>
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、本発明の保護膜形成用組成物からの保護膜を形成する工程(X)を任意の時点で行う。工程(X)においては、好ましくは、保護膜形成用組成物を塗布し、所定の領域に露光、現像を行う。工程(X)は、工程(A)の前に行ってもよく、工程(A)と工程(B)との間に行ってもよく、工程(B)又は工程(C)の後に行ってもよい。
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、本発明の保護膜形成用組成物からの保護膜を形成する工程(X)を任意の時点で行う。工程(X)においては、好ましくは、保護膜形成用組成物を塗布し、所定の領域に露光、現像を行う。工程(X)は、工程(A)の前に行ってもよく、工程(A)と工程(B)との間に行ってもよく、工程(B)又は工程(C)の後に行ってもよい。
なお、本明細書において、基板においてレジスト膜等のデバイス部が設けられた面を表面、その反対側の面を裏面という。また、表面端部とは、基板上に設けられたデバイス部の端からベベル部に至るまでの通常1~10mmの幅の領域をいい、ベベル部とは、表面端部と裏面端部をつなぐ曲がった領域(ウエハ側面)をいい、裏面端部とは、基板裏面の表面端部に対応する領域をいう。
まず、半導体基板に保護膜形成用組成物を塗布する。保護膜形成用組成物を塗布する方法としては、特に限定されないが、例えば、回転塗布法(スピンコート法)、スプレー法等の公知の手段を採用することができる。例えば、回転塗布法を採用する場合、半導体基板を所定の回転速度で回転させつつ、保護膜形成用組成物を、回転する円盤状基板の表面端部の上方又は近傍からノズルを通じて供給する。好ましくは、当該基板のベベル部及び/又は裏面端部にも、各々の近傍からノズルを通じて供給する。
回転塗布の条件は適宜選択することができ、何ら限定されるものではないが、典型的な条件を例示すると以下のとおりである。
・保護膜形成用組成物の粘度:約100cps以下
・ウエハの回転速度:
・・保護膜形成用組成物供給時:50~500rpm
・・乾燥振り切り時:700~2,000rpm
・保護膜厚み:300nm
・保護膜形成用組成物の粘度:約100cps以下
・ウエハの回転速度:
・・保護膜形成用組成物供給時:50~500rpm
・・乾燥振り切り時:700~2,000rpm
・保護膜厚み:300nm
次に、一実施形態では、保護膜形成用組成物の露光を行う。露光は、保護膜形成用組成物に、マスクを介して、又はマスクを介さずに紫外線、可視光線、放射線などの活性光線(i線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV(極端紫外線)、EB(電子線)を含む)を照射することにより行うことができる。なお、露光前にソフトベーク(SB)を行ってもよく、露光後現像前に露光後加熱(PEB)を行ってもよい。露光後加熱の温度は50℃~150℃、露光後加熱の時間は1分~10分が好ましい。
次に、露光後の保護膜形成用組成物の現像を行う。現像は、露光後の保護膜形成用組成物の露光部を現像液で除去することにより行うことができ、現像温度5℃~50℃、現像時間10秒~300秒から適宜選択される。
現像液に含有される有機溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。上記現像液の有機溶媒としては、エステル系溶媒、ケトン系溶媒又はこれらの組み合わせを含むものが好ましい。上記現像液は、有機溶媒を1種単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば、4-メチル-2-ペンタノール、n-ヘキサノール等の炭素数1~18の脂肪族モノアルコール系溶媒;シクロヘキサノール等の炭素数3~18の脂環式モノアルコール系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数3~19の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、2-ヘプタノン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒:シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、N,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸n-ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
炭化水素系溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン等の炭素数5~12の脂肪族炭化水素系溶媒;トルエン、キシレン等の炭素数6~16の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
これらの中では、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒及びこれらの組み合わせが好ましく、エステル系溶媒、ケトン系溶媒及びこれらの組み合わせがより好ましい。エステル系溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。ケトン系溶媒としては、シクロヘキサノンが好ましい。エーテル系溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
アルコール系溶媒としては、例えば、4-メチル-2-ペンタノール、n-ヘキサノール等の炭素数1~18の脂肪族モノアルコール系溶媒;シクロヘキサノール等の炭素数3~18の脂環式モノアルコール系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数3~19の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒などが挙げられる。
ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、2-ヘプタノン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒:シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、N,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒などが挙げられる。
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸n-ブチル、乳酸エチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
炭化水素系溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン等の炭素数5~12の脂肪族炭化水素系溶媒;トルエン、キシレン等の炭素数6~16の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
これらの中では、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒及びこれらの組み合わせが好ましく、エステル系溶媒、ケトン系溶媒及びこれらの組み合わせがより好ましい。エステル系溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。ケトン系溶媒としては、シクロヘキサノンが好ましい。エーテル系溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
現像液中の有機溶媒の含有量の下限としては、80質量%が好ましく、90質量%がより好ましく、99質量%がさらに好ましく、100質量%が特に好ましい。現像液中の有機溶媒の含有量を上記範囲とすることで、露光部と未露光部との間の溶解コントラストを向上させることができ、
現像液は含窒素化合物を含有していてもよい。
現像液は、上記の有機溶媒系現像液に替えて、水溶液の現像液を使用してもよい。具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウムなどのアルカリ水溶液等であってもよい。これらの水溶液の塩基濃度は特に限定されないが、例えば、0.1~10質量%とすることができる。
また、上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、より好ましくは0.1~5質量部の範囲で配合することができる。界面活性剤としては、例えばイオン性や非イオン性のフッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤等が挙げられる。
現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。
次に、現像後の保護膜形成用組成物のベーキングを行う。現像後得られたパターンをベークすることにより、所望のパターンを形成することができる。加熱処理における加熱温度は、通常150℃以上、350℃以下、好ましくは200~300℃の範囲である。加熱処理時間は、保護膜形成用組成物が硬化するまでの時間であり、生産性を考慮すると概ね30分未満であることが好ましい。
保護膜の厚みの下限は、好ましくは1nm、より好ましくは3nmである。保護膜の厚みの上限は、好ましくは500nm、より好ましくは300nmである。
保護膜の厚みの下限は、好ましくは1nm、より好ましくは3nmである。保護膜の厚みの上限は、好ましくは500nm、より好ましくは300nmである。
例えば、工程(A)の前に工程(X)が行われる。そして、例えば、工程(A)において、少なくとも一部の保護膜の上にレジスト膜が形成される。その場合、保護膜の上の部分のレジスト膜を除去する工程(Y)が行われる。
工程(Y)において、保護膜の上の部分のレジスト膜は、除去液により除去することができる。このとき、上記工程(X)と同様に、半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに除去液を適用することが好ましい。レジスト除去液としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、水、酢酸ブチル、テトラメチルアンモニウム水溶液またはそれらの組み合わせからなる混合液等が挙げられる。これらの中でレジスト膜の除去性の観点から、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、水が好ましい。
工程(Y)において、保護膜の上の部分のレジスト膜は、除去液により除去することができる。このとき、上記工程(X)と同様に、半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに除去液を適用することが好ましい。レジスト除去液としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、水、酢酸ブチル、テトラメチルアンモニウム水溶液またはそれらの組み合わせからなる混合液等が挙げられる。これらの中でレジスト膜の除去性の観点から、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、水が好ましい。
工程(X)又は工程(Y)の後に、保護膜を除去する工程(Z)が行われる。工程(Z)において、保護膜の除去は、好適には、アッシングにより行われる、又は保護膜の除去は、好適には、フッ化水素酸、有機溶剤、アルカリ現像液、若しくは半導体用洗浄液による処理により行われる。その後、任意の溶剤や慣用の半導体洗浄液などで洗浄することが好ましい。
工程(X)、(Y)、(Z)は、工程(A)、(B)、(C)と同時に、又はそれぞれの工程の前後の任意の時点で行うことができる。例えば、工程(A)の前に工程(X)を含む場合、工程(A)と工程(B)との間に、保護膜の上の部分のレジスト膜を除去する工程(Y)を行うことができ、工程(Y)と工程(B)との間に、保護膜を除去する工程(Z)を行うことができる。
また、工程(A)と、工程(B)又は工程(C)との間に工程(X)を含む場合、工程(X)と、工程(B)又は工程(C)との間に、保護膜を除去する工程(Z)を行うこともできる。
また、工程(A)と、工程(B)又は工程(C)との間に工程(X)を含む場合、工程(X)と、工程(B)又は工程(C)との間に、保護膜を除去する工程(Z)を行うこともできる。
<工程(B)>
工程(B)では、レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する。
工程(B)では、レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する。
レジスト膜に対する光又は電子線の照射は、所定のパターンを形成するためのマスク(レチクル)を通して行われ、例えば、i線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV(極端紫外線)またはEB(電子線)が使用される。なお、露光前にソフトベーク(SB)を行ってもよく、露光後現像前に露光後加熱(PEB)を行ってもよい。露光後加熱の温度は50℃~150℃、露光後加熱の時間は1分~10分が好ましい。
現像には、例えば、アルカリ現像液が用いられ、現像温度5℃~50℃、現像時間10秒~300秒から適宜選択される。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。これらの水溶液の塩基濃度は特に限定されないが、例えば、0.1~10質量%とすることができる。
さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、より好ましくは0.1~5質量部の範囲で配合することができる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。
アルカリ現像液に代えて、1,2-プロピレングリコール等の炭素数2~18の多価アルコール系溶媒、酢酸ブチル等の有機溶媒で現像を行い、レジストのアルカリ溶解速度が向上していない部分を現像する方法を用いることもできる。
上記露光、現像を経た半導体基板をベークする。ベーキングの手段は特に限定されないが、例えば、基板とホットプレートとの間に複数の基板支持ピンを用いてギャップを確保するプロキシミティベーク炉が好適に用いられる。
ベーク温度は通常40℃~300℃、好ましくは200~300℃で1~30分間であるが、レジストパターンのダメージを避ける必要がある場合には90℃以下に設定してもよい。
ベーク温度は通常40℃~300℃、好ましくは200~300℃で1~30分間であるが、レジストパターンのダメージを避ける必要がある場合には90℃以下に設定してもよい。
ベーキングは、上記露光後現像前の半導体基板に対して行ってもよい。ベーキングの手段、条件は上記のとおりであるが、レジストパターンのダメージを避ける必要がある場合には90℃以下に設定してもよい。
<工程(C)>
工程(C)では、レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する。
工程(C)では、レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する。
例えば、形成したレジストパターンをマスクとして、半導体基板をエッチングで加工する。
または、例えば、形成したレジストパターンをマスクとして、レジスト下層膜をエッチング、好ましくはドライエッチングし、パターン化されたレジストを形成する。その際、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されている場合、その無機膜の表面を露出させ、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されていない場合、その半導体基板の表面を露出させる。その後、パターン化された前記レジストにより半導体基板を自体公知の方法(ドライエッチング法等)により基板を加工する。
上記半導体基板を加工するためのエッチングは、公知の方法であってよく、例えば半導体基板がシリコン基板である場合は、4フッ化炭素等のフッ素系ガスを用いてドライエッチングにより形状加工する工程の他、半導体基板表面に存在する窒化ケイ素膜を熱リン酸で除去する等の表面処理工程も含む。
または、例えば、形成したレジストパターンをマスクとして、レジスト下層膜をエッチング、好ましくはドライエッチングし、パターン化されたレジストを形成する。その際、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されている場合、その無機膜の表面を露出させ、用いた半導体基板の表面に前記無機膜が形成されていない場合、その半導体基板の表面を露出させる。その後、パターン化された前記レジストにより半導体基板を自体公知の方法(ドライエッチング法等)により基板を加工する。
上記半導体基板を加工するためのエッチングは、公知の方法であってよく、例えば半導体基板がシリコン基板である場合は、4フッ化炭素等のフッ素系ガスを用いてドライエッチングにより形状加工する工程の他、半導体基板表面に存在する窒化ケイ素膜を熱リン酸で除去する等の表面処理工程も含む。
以上の工程を経て、半導体装置が製造できる。
(半導体製造用ウエハの製造方法)
本発明の半導体製造用ウエハの製造方法は、ウエハ前駆体の端部に、本発明の保護膜形成用組成物を塗布し、形成された保護膜により表面端部及びベベル部が保護されたウエハを製造する工程を含む。
保護膜形成用組成物は、例えば、ウエハ前駆体の表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに塗布される。
本発明の半導体製造用ウエハの製造方法は、ウエハ前駆体の端部に、本発明の保護膜形成用組成物を塗布し、形成された保護膜により表面端部及びベベル部が保護されたウエハを製造する工程を含む。
保護膜形成用組成物は、例えば、ウエハ前駆体の表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに塗布される。
ウエハ前駆体とは、半導体基板を、半導体装置の製造方法の少なくとも1工程に供して得られたものをいう。例えば、上記のような半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、無機膜、レジスト下層膜、レジスト膜等を形成する工程を経たものであって、例えば、レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程に供される以前の素材が挙げられる。
一実施形態では、半導体装置製造プロセスを1工程以上経て得た、ウエハ前駆体の表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、本発明の保護膜形成用組成物をスピンコートにより塗布する。
その後、半導体基板をベークしてもよい。その場合、ベーキングの手段は特に限定されないが、例えば、基板とホットプレートとの間に複数の基板支持ピンを用いてギャップを確保するプロキシミティベーク炉が好適に用いられる。ベーク温度は通常40℃~300℃、好ましくは200~300℃で、1~30分間である。
保護膜形成用組成物を塗布した後、保護膜端面にエッジビード除去、バックリンス等、半導体製造プロセスにおける公知の処理を行ってよい。
保護膜形成用組成物を塗布した後、保護膜端面にエッジビード除去、バックリンス等、半導体製造プロセスにおける公知の処理を行ってよい。
(半導体製造用ウエハ)
本発明の半導体製造用ウエハは、ウエハ端部が保護された半導体製造用ウエハであって、ウエハ端部に、本発明の保護膜形成用組成物を塗布して形成した、半導体製造用ウエハである。
本発明の半導体製造用ウエハは、ウエハ端部が保護された半導体製造用ウエハであって、ウエハ端部に、本発明の保護膜形成用組成物を塗布して形成した、半導体製造用ウエハである。
以下、合成例および実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例のみに限定されるものではない。
なお実施例において、試料の物性の分析に使用した装置及び条件は、以下のとおりである。
(1)分子量測定
本発明で用いる分子量は、GPC分析によるポリスチレン換算で得られる分子量である。
GPCの測定は、GPC装置(商品名HLC-8320GPC、東ソー株式会社製)、GPCカラム(TSKgel Super-MultiporeHZ-N (2本))、カラム温度は40℃、溶離液(溶出溶媒)はテトラヒドロフラン、流量(流速)は0.35mL/min、標準試料はポリスチレン(シグマアルドリッチ社製)を用いて行った。
本発明で用いる分子量は、GPC分析によるポリスチレン換算で得られる分子量である。
GPCの測定は、GPC装置(商品名HLC-8320GPC、東ソー株式会社製)、GPCカラム(TSKgel Super-MultiporeHZ-N (2本))、カラム温度は40℃、溶離液(溶出溶媒)はテトラヒドロフラン、流量(流速)は0.35mL/min、標準試料はポリスチレン(シグマアルドリッチ社製)を用いて行った。
(2)蒸発速度
本発明で用いる蒸発速度は、ASTM D 3539により得られる蒸発速度である。ただし、本発明で用いる蒸発速度の数値は、酢酸n-ブチルの蒸発速度に対する相対値である。即ち、本発明で用いる蒸発速度の数値は、その溶剤の蒸発速度を酢酸n-ブチルの蒸発速度で割った値である。
下記の実施例で用いる溶剤の蒸発速度(酢酸n-ブチル=1)は以下のとおりである。
プロピレングリコールモノメチルエーテル(蒸発速度0.71)
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(蒸発速度0.34)
乳酸エチル(蒸発速度0.23)
ジプロピレングリコールメチルエーテル(蒸発速度0.03)
1,3-ブチレングリコールジアセテート(蒸発速度0.01以下)
本発明で用いる蒸発速度は、ASTM D 3539により得られる蒸発速度である。ただし、本発明で用いる蒸発速度の数値は、酢酸n-ブチルの蒸発速度に対する相対値である。即ち、本発明で用いる蒸発速度の数値は、その溶剤の蒸発速度を酢酸n-ブチルの蒸発速度で割った値である。
下記の実施例で用いる溶剤の蒸発速度(酢酸n-ブチル=1)は以下のとおりである。
プロピレングリコールモノメチルエーテル(蒸発速度0.71)
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(蒸発速度0.34)
乳酸エチル(蒸発速度0.23)
ジプロピレングリコールメチルエーテル(蒸発速度0.03)
1,3-ブチレングリコールジアセテート(蒸発速度0.01以下)
[1]ポリマーの合成
<合成例1>
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)50.00g、アクリル酸16.60g、テトラブチルホスホニウムブロマイド2.93g、及びヒドロキノン0.13gにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)162.54gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))70g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))70gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物の繰り返し単位は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は5100であった。
<合成例1>
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)50.00g、アクリル酸16.60g、テトラブチルホスホニウムブロマイド2.93g、及びヒドロキノン0.13gにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)162.54gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))70g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))70gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物の繰り返し単位は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は5100であった。
<合成例2>
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)15.00g、アクリル酸4.98g、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.88g、及びヒドロキノン0.04gにプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)48.76gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))20g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))20gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物の繰り返し単位は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は6100であった。
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)15.00g、アクリル酸4.98g、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.88g、及びヒドロキノン0.04gにプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)48.76gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))20g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))20gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物の繰り返し単位は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は6100であった。
<合成例3>
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)15.00g、アクリル酸4.98g、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.88g、及びヒドロキノン0.04gにジプロピレングリコールメチルエーテル(DPM)48.46gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))20g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))20gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物の繰り返し単位は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は7600であった。
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)15.00g、アクリル酸4.98g、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.88g、及びヒドロキノン0.04gにジプロピレングリコールメチルエーテル(DPM)48.46gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))20g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))20gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物の繰り返し単位は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は7600であった。
<合成例4>
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)15.00g、アクリル酸4.98g、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.88g、及びヒドロキノン0.04gに乳酸エチル(EL)48.46gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))20g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))20gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は4100であった。
製品名EOCN-104S(日本化薬(株)製)15.00g、アクリル酸4.98g、テトラブチルホスホニウムブロマイド0.88g、及びヒドロキノン0.04gに乳酸エチル(EL)48.46gを加え、窒素雰囲気下、100℃で18時間加熱撹拌した。得られた溶液に陰イオン交換樹脂(製品名:ダウエックス〔登録商標〕550A、ムロマチテクノス(株))20g、及び陽イオン交換樹脂(製品名:アンバーライト〔登録商標〕15JWET、オルガノ(株))20gを加えて、室温で4時間イオン交換処理した。イオン交換樹脂を分離後、化合物溶液が得られた。得られた化合物は下記式に相当し、GPCにより標準ポリスチレン換算で測定される重量平均分子量は4100であった。
[2]保護膜形成用組成物の調製
<調製例1>
合成例1で得た樹脂溶液(固形分は24.26質量%)13.79gに、光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGMEA溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びPGMEA5.72gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
<調製例1>
合成例1で得た樹脂溶液(固形分は24.26質量%)13.79gに、光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGMEA溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びPGMEA5.72gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
<調製例2>
合成例2で得た樹脂溶液(固形分は25.02質量%)13.37gに、光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGME溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びPGME6.14gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
合成例2で得た樹脂溶液(固形分は25.02質量%)13.37gに、光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGME溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びPGME6.14gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
<調製例3>
合成例3で得た樹脂溶液(固形分は25.47質量%)13.13gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%DPM溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びDPM6.38gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
合成例3で得た樹脂溶液(固形分は25.47質量%)13.13gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%DPM溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びDPM6.38gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
<調製例4>
合成例1で得た樹脂溶液(固形分は24.26質量%)13.79gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGMEA溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、PGMEA2.47g、及びDPM3.25gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
合成例1で得た樹脂溶液(固形分は24.26質量%)13.79gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGMEA溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、PGMEA2.47g、及びDPM3.25gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
<調製例5>
合成例4で得た樹脂溶液(固形分は26.56質量%)13.14gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.34g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%EL溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びEL6.36gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
合成例4で得た樹脂溶液(固形分は26.56質量%)13.14gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.34g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%EL溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、及びEL6.36gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
<調製例6>
合成例1で得た樹脂溶液(固形分は24.26質量%)13.79gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGMEA溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、PGMEA2.47g、及び1,3-ブチレングリコールジアセテート(1,3-BGDA)3.25gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
合成例1で得た樹脂溶液(固形分は24.26質量%)13.79gに光重合開始剤としてIrgacure Oxe01(BASFジャパン(株)製)0.33g、界面活性剤としてメガファックR-30(大日本インキ化学(株)製)10質量%PGMEA溶液を0.10g、酸化防止剤としてIrganox3114(BASFジャパン(株)製)0.05g、PGMEA2.47g、及び1,3-ブチレングリコールジアセテート(1,3-BGDA)3.25gを加え混合し、その溶液を孔径0.2μmポリテトラフルオロエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、保護膜形成用組成物を得た。
[3]塗布後のウエハエッジ側面(ベベル部)観察
比較例1~4、及び実施例1~2として、調製例1乃至調製例6で作製された保護膜形成用組成物を、それぞれシリコン基板上に900nmの膜厚でスピンコートさせ、保護膜を形成した。このシリコン基板のエッジ側面(ベベル部)を日立ハイテクノロジーズ(株)製走査型電子顕微鏡(S-4800)を用いて、シリコン基板のエッジ側面における保護膜の形状を観察した(倍率50倍)。保護膜に異常形状(部分的な膨れ又は凹み)が見られない場合を「〇」と評価し、保護膜に異常形状(部分的な膨れ又は凹み)が見られる場合を「×」と評価した。後述する表2に結果を記す。
比較例1~4、及び実施例1~2として、調製例1乃至調製例6で作製された保護膜形成用組成物を、それぞれシリコン基板上に900nmの膜厚でスピンコートさせ、保護膜を形成した。このシリコン基板のエッジ側面(ベベル部)を日立ハイテクノロジーズ(株)製走査型電子顕微鏡(S-4800)を用いて、シリコン基板のエッジ側面における保護膜の形状を観察した(倍率50倍)。保護膜に異常形状(部分的な膨れ又は凹み)が見られない場合を「〇」と評価し、保護膜に異常形状(部分的な膨れ又は凹み)が見られる場合を「×」と評価した。後述する表2に結果を記す。
[4]塗布後のウエハエッジ部(表面端部)観察
比較例1~4、及び実施例1~2として、調製例1乃至調製例6で作製された保護膜形成用組成物を、それぞれシリコン基板上に900nmの膜厚でスピンコートさせ、保護膜を形成した。このシリコン基板のエッジ部(表面端部)の膜形状をBRUKER製DEKTAK XT-Aを用いて観察し、塗布膜の被覆性を評価した。被覆性が良好である場合「〇」、被覆性がやや悪い場合「△」、被覆性が悪い場合「×」とし、後述する表2に結果を記す。
ここで、被覆性が良好であるとは、ウエハ表面の最端部から500μm内側の箇所の保護膜の厚みが、最端部から1500μm内側の箇所の保護膜の厚みの80%以上であることを指す。
被覆性がやや悪いとは、ウエハ表面の最端部から500μm内側の箇所の保護膜の厚みが、最端部から1500μm内側の箇所の保護膜の厚みの30%以上80%未満であることを指す。
被覆性が悪いとは、ウエハ表面の最端部から500μm内側の箇所の保護膜の厚みが、最端部から1500μm内側の箇所の保護膜の厚みの30%未満であることを指す。
比較例1~4、及び実施例1~2として、調製例1乃至調製例6で作製された保護膜形成用組成物を、それぞれシリコン基板上に900nmの膜厚でスピンコートさせ、保護膜を形成した。このシリコン基板のエッジ部(表面端部)の膜形状をBRUKER製DEKTAK XT-Aを用いて観察し、塗布膜の被覆性を評価した。被覆性が良好である場合「〇」、被覆性がやや悪い場合「△」、被覆性が悪い場合「×」とし、後述する表2に結果を記す。
ここで、被覆性が良好であるとは、ウエハ表面の最端部から500μm内側の箇所の保護膜の厚みが、最端部から1500μm内側の箇所の保護膜の厚みの80%以上であることを指す。
被覆性がやや悪いとは、ウエハ表面の最端部から500μm内側の箇所の保護膜の厚みが、最端部から1500μm内側の箇所の保護膜の厚みの30%以上80%未満であることを指す。
被覆性が悪いとは、ウエハ表面の最端部から500μm内側の箇所の保護膜の厚みが、最端部から1500μm内側の箇所の保護膜の厚みの30%未満であることを指す。
[5]露光後の硬化性評価
比較例1~4、及び実施例1~2として、調製例1乃至調製例6で作製された保護膜形成用組成物を、それぞれシリコンウェハー上にスピンコートし、その後、東京エレクロトン(株)製コーター・デベロッパーLithiusProのウエハエッジ露光モジュール(WEE)を用いて、水銀ランプ光を130mJ/cm2(254nm波長)の露光量でウエハエッジ部に露光を行った。露光後、現像液としてOK73シンナー(東京応化工業((株))製)を用いて30秒現像し、ウエハエッジ部にパターンを形成した。
(株)スクリーン社製の光干渉式膜厚測定装置(VM-3210)を用いて、塗布後膜厚と現像後に残ったパターンの膜厚を測定し、現像後の残膜率(現像後膜厚/塗布後膜厚)を算出した。結果を表2に示す。
比較例1~4、及び実施例1~2として、調製例1乃至調製例6で作製された保護膜形成用組成物を、それぞれシリコンウェハー上にスピンコートし、その後、東京エレクロトン(株)製コーター・デベロッパーLithiusProのウエハエッジ露光モジュール(WEE)を用いて、水銀ランプ光を130mJ/cm2(254nm波長)の露光量でウエハエッジ部に露光を行った。露光後、現像液としてOK73シンナー(東京応化工業((株))製)を用いて30秒現像し、ウエハエッジ部にパターンを形成した。
(株)スクリーン社製の光干渉式膜厚測定装置(VM-3210)を用いて、塗布後膜厚と現像後に残ったパターンの膜厚を測定し、現像後の残膜率(現像後膜厚/塗布後膜厚)を算出した。結果を表2に示す。
[6]粘度測定
各保護膜形成用組成物の粘度を、E型粘度計(TVE-22L(東機産業社製)、サンプル量1.1mL、コーンロータ1°34’、R24)を用いて、25℃で測定した。結果を表2に示す。
各保護膜形成用組成物の粘度を、E型粘度計(TVE-22L(東機産業社製)、サンプル量1.1mL、コーンロータ1°34’、R24)を用いて、25℃で測定した。結果を表2に示す。
Claims (25)
- 架橋性基を持つポリマー又は化合物、及び溶剤を含み、
前記溶剤が、第1の溶剤及び第2の溶剤を含み、
酢酸n-ブチルの蒸発速度を1とした場合、前記第1の溶剤の蒸発速度が0.10以上であり、かつ前記第2の溶剤の蒸発速度が0.05以下である、
半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。 - 前記第1の溶剤(S1)と前記第2の溶剤(S2)との質量比率(S1:S2)が、50:50~95:5である、請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
- 前記第1の溶剤の蒸発速度(V1)と前記第2の溶剤の蒸発速度(V2)との差(V1-V2)が、0.10以上である、請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
- 前記第1の溶剤の構成元素が、炭素、酸素、及び水素であり、
前記第2の溶剤の構成元素が、炭素、酸素、及び水素である、
請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。 - 前記溶剤の含有量が、70質量%~99質量%である、請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
- 25℃において100cps以下の粘度を有する、請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
- 感光性である、請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
- 前記架橋性基が、エポキシ基、(メタ)アクリル基、ビニル基、カルボキシル基、チオール基、シラノール基、シンナモイル基、及び水酸基からなる群より選ばれる、請求項1に記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物。
- 請求項1から8のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物からなる塗布膜の硬化物である保護膜。
- 1~10,000nmの厚みを有する、請求項9に記載の保護膜。
- ウエハ表面端部及びベベル部の金属汚染を防止するための保護膜である、請求項9に記載の保護膜。
- 170~800nmの波長の光を照射されて硬化した、請求項9に記載の保護膜。
- ウエハ表面端部及びベベル部が保護された半導体製造用ウエハであって、ウエハ前駆体の表面端部及びベベル部に、請求項1から8のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布して保護膜を形成した、半導体製造用ウエハ。
- (A)半導体基板上にレジスト膜を形成する工程と、
(B)前記レジスト膜に対する光又は電子線の照射とその後の現像によりレジストパターンを形成する工程と、
(C)前記レジストパターンをマスクとして半導体基板をエッチングで加工する工程と、
を含む半導体装置の製造方法において、
半導体製造用ウエハの表面端部と、ベベル部と、任意選択的に裏面端部とに、請求項1から8のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を用いて保護膜を形成する工程(X)を含む、
半導体装置の製造方法。 - 前記工程(A)の前に前記工程(X)が行われる、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(A)と前記工程(B)との間に前記工程(X)が行われる、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(B)又は前記工程(C)の後に前記工程(X)が行われる、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(A)の前に前記工程(X)が行われ、
前記工程(A)において、少なくとも一部の前記保護膜の上に前記レジスト膜が形成され、
前記保護膜の上の部分の前記レジスト膜を除去する工程(Y)を含む、
請求項14に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜を除去する工程(Z)を含む、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(Y)の後に、前記保護膜を除去する工程(Z)を含む、請求項18に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レジスト膜が金属を含む、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物が感光性であり、
前記工程(X)における前記保護膜の形成が、前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布し、所定の領域に露光、及び現像を行うことにより行われる、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(X)における前記保護膜の形成が、前記半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物をスピンコートすることにより行われる、請求項14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(Z)における前記保護膜の除去が、アッシングにより行われる、又はフッ化水素酸、有機溶剤、アルカリ現像液、若しくは半導体用洗浄液による処理により行われる、請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体製造用ウエハの製造方法であって、
ウエハ前駆体の端部に、請求項1から8のいずれかに記載の半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物を塗布し、形成された保護膜により表面端部及びベベル部が保護されたウエハを製造する工程、
を含む、半導体製造用ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024506387A JPWO2023171733A1 (ja) | 2022-03-10 | 2023-03-09 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-037045 | 2022-03-10 | ||
JP2022037045 | 2022-03-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2023171733A1 true WO2023171733A1 (ja) | 2023-09-14 |
Family
ID=87935279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2023/008951 WO2023171733A1 (ja) | 2022-03-10 | 2023-03-09 | 半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2023171733A1 (ja) |
TW (1) | TW202403444A (ja) |
WO (1) | WO2023171733A1 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045171A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
-
2023
- 2023-03-09 JP JP2024506387A patent/JPWO2023171733A1/ja active Pending
- 2023-03-09 WO PCT/JP2023/008951 patent/WO2023171733A1/ja active Application Filing
- 2023-03-09 TW TW112108638A patent/TW202403444A/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045171A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202403444A (zh) | 2024-01-16 |
JPWO2023171733A1 (ja) | 2023-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI810152B (zh) | 用以形成膜密度經提昇之阻劑下層膜的組成物 | |
KR102312211B1 (ko) | 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법 | |
KR102439080B1 (ko) | 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체 장치의 제조방법 | |
US9494862B2 (en) | Resist underlayer film forming composition containing silicon having sulfone structure and amine structure | |
KR20150112960A (ko) | 리소그래피용 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체장치의 제조방법 | |
KR20230007525A (ko) | 아크릴아미드 구조와 아크릴산에스테르 구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 | |
TWI665525B (zh) | 含有具有雜原子的環狀有機基之含矽阻劑底層膜形成組成物 | |
JP2014174329A (ja) | リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2013051442A1 (ja) | リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物 | |
WO2023171733A1 (ja) | 半導体製造用ウエハ端部保護膜形成用組成物 | |
CN117043678A (zh) | 保护膜形成用组合物 | |
WO2021200769A1 (ja) | 薬液耐性保護膜 | |
WO2023162968A1 (ja) | 自己架橋性ポリマーを含む光硬化性樹脂組成物 | |
WO2023033094A1 (ja) | 半導体製造用ウエハ端部保護膜形成組成物 | |
WO2023085414A1 (ja) | 多環芳香族炭化水素系光硬化性樹脂組成物 | |
WO2014017331A1 (ja) | リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2018155377A1 (ja) | レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及びポリシロキサン | |
WO2021153698A1 (ja) | Euvレジスト下層膜形成組成物 | |
WO2023063237A1 (ja) | 下層膜形成組成物 | |
WO2023157943A1 (ja) | 不飽和結合及び環式構造を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
TW202348673A (zh) | 耐藥液性保護膜 | |
TW202248301A (zh) | 用於定向自組裝之含矽之下層膜形成用組成物 | |
WO2020184642A1 (ja) | レジスト下層膜形成組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 23766909 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2024506387 Country of ref document: JP |