WO2023163004A1 - 分布定数回路 - Google Patents

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WO2023163004A1
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series
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郁弥 長澤
大志 関口
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ローム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters

Definitions

  • a bandpass filter circuit when configuring a band-pass filter circuit, it is generally known to combine an inductor and a capacitor to form a passive filter that utilizes resonance circuit characteristics. Also, it is known that a bandpass filter circuit can be realized by a lumped constant circuit simulating an equivalent circuit of the Su-Schrieffer-Heeger model (hereinafter referred to as SSH model) having topological characteristics.
  • SSH model Su-Schrieffer-Heeger model
  • the 2A, 2B, and 2C are the YZ planes viewed from the X direction. That is, the first direction of the dielectric 1 is called the X direction, the second direction crossing the X direction is called the Y direction, and the third direction is called the Z direction. In the following description, the first direction is the X direction, the second direction is the Y direction, and the third direction is the Z direction.
  • the transmission line 2 is arranged on the first main surface 1a as shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the transmission line 2 has first lines 21 1 and 21 2 , second lines 22 1 and 22 2 and a third line 23 1 formed with different line widths, as shown in FIG. 1A.
  • the transmission lines 2 include first lines 21 1 , 21 2 , 21 3 , second lines 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 and second lines 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 which are formed with different line widths. It has 3 lines 23 1 and 23 2 .
  • the first lines 21 1 , 21 2 , 21 3 , the second lines 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 , and the third lines 23 1 , 23 2 are made of highly conductive metal. Specifically, copper (Cu), aluminum (Al), and gold (Au) are applicable.
  • the transmission line 2 includes a first line 21 1 , a second line 22 1 , a third line 23 1 , a second line 22 2 and a first line 21 2 as a configuration for one period. It comprises periodic structures 100 arranged in series in sequence. 1A, the transmission line 2 is electrically connected to the first line 21 1 , the second line 22 1 , the third line 23 1 , the second line 22 2 , and the first line 21 2 . ing. In the following description, the structure in which the first line 21 1 , the second line 22 1 , the third line 23 1 , the second line 22 2 , and the first line 21 2 are arranged in series in this order is referred to as a periodic structure 100 . Note that the number of periodic structures 100 is not limited to one.
  • the transmission line 2 has a configuration for two cycles, consisting of a first line 21 1 , a second line 22 1 , a third line 23 1 , a second line 22 2 , and a first line 21 2 . and the periodic structure 200 arranged in series in the order of the first line 21 2 , the second line 22 3 , the third line 23 2 , the second line 22 4 , and the first line 21 3 .
  • the transmission line 2 is electrically connected to the first line 21 2 , the second line 22 3 , the third line 23 2 , the second line 22 4 , and the first line 21 3 . ing.
  • the first line 21 1 is formed with a narrow line width WLa as a microstrip line of the transmission line 2 in the Y direction, and functions as a first series inductor La. ing. As shown in FIG. 2A, the first line 21 1 is arranged on the first main surface 1a facing the second main surface 1b on which the ground electrode 3 is arranged, with the dielectric 1 interposed therebetween.
  • the second line 22 1 is formed as a microstrip line of the transmission line 2 with a wide line width WC in the Y direction, and functions as a parallel capacitor C. .
  • the second line 22 1 is arranged on the first main surface 1a, as shown in FIG. 2B.
  • the line width WC of the second line 22 1 is wider than the line width WLa of the first line 21 1 and the line width WLb of the third line 23 1 , as shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the transmission line 2 may be provided with an active circuit, for example, in the middle between the microstrip lines. That is, an active circuit may be electrically connected between the transmission lines 2 .
  • the active circuit can be, for example, a terahertz wave integrated circuit, a resonant tunneling diode (RTD: also called a resonant tunneling diode), a MOS element, an active filter circuit, or the like.
  • the periodic structures 100 and 200 of the transmission line 2 are configured for two cycles as a first series inductor La, a parallel capacitor C, a second series inductor Lb, a parallel capacitor C, and a first series inductor. It can be expressed as a configuration in which La is electrically connected in order.
  • the equivalent circuit of the periodic structures 100 and 200 of the transmission line 2 includes a first series inductor La, a second series inductor Lb connected in series with the first series inductor La, and a first series inductor La and the second series inductor Lb, and a parallel capacitor C electrically connected between the ground electrode 3 and the connection point of the second series inductor Lb. That is, the first lines 21 1 and 21 2 have a first series inductor La, the second lines 22 1 and 22 2 have a parallel capacitor C, and the third line 23 1 has a second series inductor Lb. .
  • the second series inductor Lb has an inductance higher than that of the first series inductor La (Lb>La).
  • the distributed constant circuit 10 includes the transmission line 2 arranged on the first main surface 1a of the dielectric 1, so that the process steps can be simplified.
  • FIG. 4A is an explanatory diagram of the Su-Schrieffer-Heeger model (hereinafter referred to as the SSH model) showing a case without topological properties.
  • FIG. 4B is an explanatory diagram of the SSH model showing the case with topological properties.
  • FIG . 5 shows polyacetylene having carbon atoms 51 1 , . . . 51 4 , 52 1 , . 4 is an explanatory diagram indicated by 4.
  • FIG. 52 4 single bonds 61 1 , 61 2 , 61 3 , and double bonds 62 1 , . 1 is an equivalent circuit diagram.
  • the equivalent circuit of FIG. 6 In order for the equivalent circuit of FIG. 6 to have topological characteristics, the equivalent circuit of the configuration of FIG. 4B is required. That is , the equivalent circuit of FIG . , first series inductor 62 2 A, parallel capacitor 52 2 A, and second series inductor 61 2 A in that order. That is, the equivalent circuits of the periodic structure 100 shown in FIG. 3A and the periodic structures 100 and 200 shown in FIG. 3B have topological characteristics.
  • the transmission line 2A has a microstrip line. That is, the transmission line 2A can be formed by, for example, a microstrip line transmission line. Note that the transmission line 2A is not limited to a microstrip line. In the following description, the transmission line 2A will be described using a microstrip line as an example.
  • the transmission line 2A includes a first line 21 1 A, a second line 22 1 A, a third line 23 1 A , a second line 22 2 A, and a first line 22 2 A as a configuration for two cycles.
  • the periodic structure 100A which is the order of the line 21 2 A, and the order of the first line 21 2 A, the second line 22 3 A, the third line 23 2 A, the second line 22 4 A, and the first line 21 3 A.
  • the transmission line 2A includes a first line 21 2 A, a second line 22 3 A, a third line 23 2 A, a second line 22 4 A, and a first line 21 3 A. electrically connected.
  • the periodic structures 200B and 300B are arranged in series in the X direction in the order of the first line 21B, the second line 22B, the third line 23B, the second line 22B, and the first line 21B. It also includes periodic structures 400B, 500B, and 600B arranged in series in the order of the first line 21B, the second line 22B, the third line 23B, the second line 22B, and the first line 21B in the Y direction.
  • the first line 21B, the second line 22B, the third line 23B, the second line 22B, and the first line 21B are electrically connected in the periodic structures 200B, 300B, 400B, 500B, and 600B. It is Note that the number of periodic structures 100B is not limited to one. Also, a plurality of periodic structures 100B, 200B, 300B, 400B, 500B, and 600B may be electrically connected.
  • the periodic structures 100B, 200B, 300B, 400B, 500B, and 600B of the transmission line 2B are structures in which a first series inductor La, a parallel capacitor C, and a second series inductor Lb are electrically connected in order.
  • the peripheral portion of the periodic structure (here, the first series inductor La and the second series inductor Lb) can be conducted at a specific frequency.

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Abstract

本実施形態の一態様によれば、分布定数回路は、第１の主面及び第１の主面と対向する第２の主面を有する誘電体と、第１の主面に配置された伝送線路と、第２の主面に配置された接地電極と、を備え、伝送線路は、異なる線路幅で形成された第１線路、第２線路、及び第３線路を有し、第１線路、第２線路、第３線路、第２線路、及び第１線路の順に直列に配置された周期構造を備え、小型化あるいは低背化のできる分布定数回路を提供する。

Description

分布定数回路
　本実施形態は、分布定数回路に関する。
　電気回路において、一般的に、バンドパスフィルタ回路を構成する場合には、インダクタとキャパシタとを組み合わせて、共振回路特性を利用した受動フィルタによる構成が知られている。また、トポロジカルな特性を有するSu-Schrieffer-Heegerモデル（以下、SSHモデルと称する）の等価回路を模した集中定数回路によって、バンドパスフィルタ回路を実現できることが知られている。
特開2011-82875号公報
Shuo Liu, Wenlong Gao, Qian Zhang, Shaojie Ma, Lei Zhang, Changxu Liu, Yuan Jiang Xiang, Tie Jun Cui, and Shuang Zhang, "Research Article Topologically Protected Edge State in Two-Dimensional Su-Schrieffer-Heeger Circuit", Research A SCIENCE PARTNER JOURNAL, February 2019（AAAS Research Volume 2019, Article ID 8609875, 8 pages, ttps://doi.org/10.34133/2019/8609875）
　しかしながら、集中定数回路によって、トポロジカルな特性を有するSSHモデルの等価回路を模したバンドパスフィルタ回路を構成すると、受動部品が大きく、基板上に実装するため、小型化あるいは低背化に問題があった。
　本開示は、小型化あるいは低背化のできる分布定数回路を提供することを目的とする。
　本実施形態の一態様によれば、分布定数回路は、第１の主面及び第1の主面と対向する第２の主面を有する誘電体と、第１の主面に配置された分布定数回路と、第２の主面に配置された接地電極と、を備える。分布定数回路は、異なる線路幅で形成された第１線路、第２線路、及び第３線路を有する。第１線路、第２線路、第３線路、第２線路、及び第１線路の順に直列に配置された周期構造を備える。
　本実施形態によれば、小型化あるいは低背化のできる分布定数回路を提供することができる。
図１Ａは、第１の実施形態に係る分布定数回路であって、１周期分の構成図である。 図１Ｂは、第１の実施形態に係る分布定数回路であって、２周期分の構成図である。 図２Ａは、図１Ａ及び図１ＢのＡ１－Ａ１線に沿う断面図である。 図２Ｂは、図１Ａ及び図１ＢのＡ２－Ａ２線に沿う断面図である。 図２Ｃは、図１Ａ及び図１ＢのＡ３－Ａ３線に沿う断面図である。 図３Ａは、第１の実施形態に係る分布定数回路であって、１周期分の等価回路図である。 図３Ｂは、第１の実施形態に係る分布定数回路であって、２周期分の等価回路図である。 図４Ａは、トポロジカルな特性のない場合のＳＳＨモデルの説明図である。 図４Ｂは、トポロジカルな特性のある場合のＳＳＨモデルの説明図である。 図５は、ポリアセチレンを炭素原子の単結合と二重結合とで示す説明図である。 図６は、図５の炭素原子の単結合と二重結合とを模した等価回路図である。 図７Ａは、第２の実施形態に係る分布定数回路であって、１周期分の構成図である。 図７Ｂは、第２の実施形態に係る分布定数回路であって、２周期分の構成図である。 図８Ａは、図７Ａ及び図７ＢのＡ４－Ａ４線に沿う断面図である。 図８Ｂは、図７Ａ及び図７ＢのＡ５－Ａ５線に沿う断面図である。 図８Ｃは、図７Ａ及び図７ＢのＡ６－Ａ６線に沿う断面図である。 図９Ａは、第２の実施形態に係る分布定数回路であって、１周期分の等価回路図である。 図９Ｂは、第２の実施形態に係る分布定数回路であって、２周期分の等価回路図である。 図１０は、第３の実施形態に係る分布定数回路であって、Ｘ方向及びＹ方向に３周期分の構成図である。 図１１Ａは、図１０のＡ７－Ａ７線に沿う断面図である。 図１１Ｂは、図１０のＡ８－Ａ８線に沿う断面図である。 図１１Ｃは、図１０のＡ９－Ａ９線に沿う断面図である。 図１２は、第３の実施形態に係る分布定数回路であって、Ｘ方向及びＹ方向に３周期分の等価回路図である。
　次に、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
　また、以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。本実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
　［第１の実施形態］
　図１Ａは、第１の実施形態に係る分布定数回路１０であって、１周期分の構成図である。図１Ｂは、第１の実施形態に係る分布定数回路１０であって、２周期分の構成図である。図２Ａは、図１Ａ及び図１ＢのＡ１－Ａ１線に沿う断面図である。図２Ｂは、図１Ａ及び図１ＢのＡ２－Ａ２線に沿う断面構造図である。図２Cは、図１Ａ及び図１ＢのＡ３－Ａ３線に沿う断面図である。なお、図１Ａ及び図１Ｂに示す平面図のデバイス面をＸ－Ｙ面とし、Ｘ－Ｙ面に垂直な方向をＺ軸として説明する。図２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、Ｘ方向からみたＹ－Ｚ面である。すなわち、誘電体１の第１の方向をＸ方向、Ｘ方向と交差する第２の方向をＹ方向、第３の方向をＺ方向と称する。以下の説明において、第１の方向をＸ方向、第２の方向をＹ方向、第３の方向をＺ方向として説明する。
　第１の実施形態に係る分布定数回路１０は、図１Ａ、図１Ｂに示すように、誘電体１と、伝送線路２と、接地電極３とを備える。
　誘電体１は、図１Ａ、図１Ｂ及び図２Ａ～図２Ｃに示すように、第１の主面１ａ及び第1の主面１ａと対向する第２の主面１ｂを有する。誘電体１は、図１Ａ、図１Ｂに示すように、第１の主面１ａ上のデバイス面を平面視して、例えば、長方形状の絶縁材料により形成されている。
　伝送線路２は、図１Ａ、図１Ｂに示すように、第１の主面１ａに配置されている。伝送線路２は、図１Ａに示すように、異なる線路幅で形成された第１線路２１1、２１2、第２線路２２1、２２2、及び第３線路２３1を有する。また、伝送線路２は、図１Ｂに示すように、異なる線路幅で形成された第１線路２１1、２１2、２１3、第２線路２２1、２２2、２２3、２２4、及び第３線路２３1、２３2を有する。第１線路２１1、２１2、２１3、第２線路２２1、２２2、２２3、２２4、及び第３線路２３1、２３2は、導電性の良い金属により形成されている。具体的には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）が適応可能である。
　伝送線路２は、マイクロストリップライン（Microstripline）を備える。すなわち、伝送線路２は、例えば、マイクロストリップラインの伝送路により形成可能である。なお、伝送線路２は、マイクロストリップラインに限定されない。以下の説明においては、マイクロストリップラインを一例として伝送線路２を説明する。
　伝送線路２は、図１Ａに示すように、１周期分の構成として、第１線路２１1、第２線路２２1、第３線路２３1、第２線路２２2、及び第１線路２１2の順に直列に配置された周期構造１００を備えている。また、伝送線路２は、図１Ａに示すように、第１線路２１1、第２線路２２1、第３線路２３1、第２線路２２2、及び第１線路２１2が電気的に接続されている。以下の説明において、第１線路２１1、第２線路２２1、第３線路２３1、第２線路２２2、及び第１線路２１2の順に直列に配置された構造を周期構造１００と称する。なお、周期構造１００は、１個に限定されない。
　伝送線路２は、図１Ｂに示すように、２周期分の構成として、第１線路２１1、第２線路２２1、第３線路２３1、第２線路２２2、及び第１線路２１2の順である周期構造１００と、第１線路２１2、第２線路２２3、第３線路２３2、第２線路２２4、及び第１線路２１3の順に直列に配置された周期構造２００とを備えている。また、伝送線路２は、図１Ｂに示すように、第１線路２１2、第２線路２２3、第３線路２３2、第２線路２２4、及び第１線路２１3が電気的に接続されている。以下の説明において、第１線路２１2、第２線路２２3、第３線路２３2、第２線路２２4、及び第１線路２１3の順に直列に配置された構造を周期構造２００と称する。なお、周期構造１００、２００は、複数個電気的に接続されていてもよい。
　伝送線路２の回路構成については、以下の図３Ａ、図３Ｂを用いて説明する。
　第１線路２１1は、図１Ａ、図１Ｂ及び図２Ａに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２のマイクロストリップラインとして線路幅ＷＬａを狭く形成したもので、第１直列インダクタＬａとして機能している。第１線路２１1は、図２Ａに示すように、誘電体１を挟み、接地電極３が配置される第２の主面１ｂに対向する第１の主面１ａ上に配置されている。
　第２線路２２1は、図１Ａ、図１Ｂ及び図２Ｂに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２のマイクロストリップラインとして線路幅ＷＣを広く形成したもので、並列キャパシタＣとして機能している。第２線路２２1は、図２Ｂに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。第２線路２２1の線路幅ＷＣは、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、第１線路２１1の線路幅ＷＬａ及び第３線路２３1の線路幅ＷＬｂよりも広い。
　第３線路２３1は、図１Ａ、図１Ｂ及び図２Ｃに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２のマイクロストリップラインとして線路幅ＷＬｂを狭く形成したもので、第２直列インダクタＬｂとして機能している。第３線路２３1は、図２Ｃに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。第３線路２３1の線路幅ＷＬｂは、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、第１線路２１1の線路幅ＷＬａよりも狭い。
　接地電極３は、図１Ａ、図１Ｂ及び図２Ａ～図２Ｃに示すように、第２の主面１ｂ上に配置されている。接地電極３は、例えば、回路動作の基準となる電位と接続してもよい。
　なお、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に限定されない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極、配線、スイッチング素子、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。
　伝送線路２は、例えば、マイクロストリップラインの間の中間に、アクティブ回路を設けてもよい。すなわち、伝送線路２の線路間に、アクティブ回路を電気的に接続してもよい。アクティブ回路は、例えば、テラヘルツ波集積回路、共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunneling Diodeとも称する）、ＭＯＳ素子、アクティブフィルタ回路等が適応可能である。
　（伝送線路の回路構成）
　図３Ａは、第１の実施形態に係る分布定数回路１０であって、１周期分の等価回路図である。図３Ｂは、第１の実施形態に係る分布定数回路１０であって、２周期分の等価回路図である。
　分布定数回路１０は、図１Ａ及び図１Ｂのステップインピーダンス型(Stepped-impedance)の回路構成による１次元のＬＣラダー回路で表される。
　伝送線路２の周期構造１００は、図３Ａに示すように、１周期分の構成として、第１直列インダクタＬａ、並列キャパシタＣ、第２直列インダクタＬｂ、並列キャパシタＣ、及び第１直列インダクタＬａを順に電気的に接続した構成として表すことができる。
　伝送線路２の周期構造１００の等価回路は、図３Ａに示すように、第１直列インダクタＬａと、第１直列インダクタＬａと直列接続された第２直列インダクタＬｂと、第１直列インダクタＬａと第２直列インダクタＬｂとの接続点と接地電極３との間に電気的に接続された並列キャパシタCとを備える。すなわち、第１線路２１1及び２１2は、第１直列インダクタＬａを備え、第２線路２２1及び２２2は、並列キャパシタCを備え、第３線路２３1は、第２直列インダクタＬｂを備える。
　伝送線路２の周期構造１００、２００は、図３Ｂに示すように、２周期分の構成として、第１直列インダクタＬａ、並列キャパシタＣ、第２直列インダクタＬｂ、並列キャパシタC、及び第１直列インダクタＬａが順に電気的に接続した構成として表すことができる。
　伝送線路２の周期構造１００、２００の等価回路は、図３Ｂに示すように、第１直列インダクタＬａと、第１直列インダクタＬａと直列接続された第２直列インダクタＬｂと、第１直列インダクタＬａと第２直列インダクタＬｂとの接続点と接地電極３との間に電気的に接続された並列キャパシタＣとを備える。すなわち、第１線路２１1及び２１2は、第１直列インダクタＬａを備え、第２線路２２1及び２２2は、並列キャパシタＣを備え、第３線路２３1は、第２直列インダクタＬｂを備える。
　第２直列インダクタＬｂは、第１直列インダクタＬａよりも高い値のインダクタンスを備える（Ｌｂ＞Ｌａ）。
　周期構造１００、２００の等価回路は、トポロジカル（topological）な特性を有する。トポロジカルな特性とは、電子や電磁波の波動関数がもつ特異な位相幾何学的（＝トポロジカル）位相によってサンプルの内部では電流や電磁波が通過できないが、ここでは、端部に量子化されたチャンネルCHが現れ、強靭な電流あるいは電磁波伝送が可能になる性質を称する。すなわち、周期構造１００、２００の等価回路は、電子や電磁波の波動関数がもつ特異な位相幾何学的（＝トポロジカル）位相によって、回路の端部（ここでは、第１直列インダクタＬａと第２直列インダクタＬｂの間の箇所）に特定周波数でチャンネルCHが現れる。トポロジカルな特性については、以下の図４Ａ～６で説明する。
　周期構造１００、２００の等価回路は、トポロジカルな特性を有する構造を１次元で配置している。すなわち、周期構造１００、２００は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、Ｘ方向に、トポロジカルな特性を有する構造を周期的に１次元配置されている。なお、周期構造１００、２００は、Ｙ方向に、周期的に１次元配置されていてもよい。
　以上のように、第１の実施形態に係る分布定数回路１０は、トポロジカルな特性を有する周期構造によって、周期構造の端部（ここでは、第１直列インダクタＬａと第２直列インダクタＬｂの間の箇所）に特定周波数でチャンネルCHが現れる。
　また、第１の実施形態に係る分布定数回路１０は、誘電体１の第１の主面１ａに配置された伝送線路２を備えることで、プロセス工程を簡易にできる。
　さらに、第１の実施形態に係る分布定数回路１０は、形成される伝送線路２の線路幅によって、回路の受動素子を構成することで小型化及び低背化を実現可能である。
　（トポロジカルな特性）
　ここで、トポロジカルな特性について簡単に説明する。
　図４Ａは、トポロジカルな特性のない場合を示すSu-Schrieffer-Heegerモデル（以下、SSHモデルと称する）の説明図である。図４Ｂは、トポロジカルな特性のある場合を示すＳＳＨモデルの説明図である。図５は、ポリアセチレンを炭素原子５１1、・・・５１4、５２1、・・・５２4と単結合６１1、６１2、６１3、と、二重結合６２1、・・・、６２4とで示す説明図である。図５の炭素原子５１1、・・・５１4、５２1、・・・５２4と単結合６１1、６１2、６１3、と二重結合６２1、・・・、６２4とを模した等価回路図である。
　トポロジカルな特性について、例えば、ポリアセチレンを例にすると、図４Ａ及び図４Ｂのように表される。ポリアセチレンは、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、炭素原子５１1、５１2、５１3、５２1、５２2、５２3と、単結合６１1、６１2、６１3と、二重結合６２1、６２2、６２3と、電子７１として表することができる。
　ポリアセチレンは、例えば、炭素原子５１1、・・・５１4、５２1、・・・５２4間に単結合６１1、６１2、６１3、二重結合６２1、６２2、６２3が交互に形成されて一次元鎖を組んでいる。図４Ａと図４Ｂの違いは、電子７１が隣の炭素原子に遷移する遷移確率の配列が異なっている。図４Ａに示すように、端の炭素原子５１1を含む炭素原子５１1、５２1、間の遷移確率が大きくなる場合の電子状態は、トポロジカルな特性を有さない。すなわち、絶縁体の性質を示す。
　一方、図４Ｂに示すように、端の炭素原子５２1を含む炭素原子５１1、５２1間の遷移確率が小さな場合、端の電子が余って端に局在化した状態を生じる。すなわち、図４Ｂに示すように、端の炭素原子５２1において、余った電子の波動関数の広がりを表している。つまり、余った電子の波動関数の広がりを有する端の状態では、電子の波動関数が持つ特異な位相幾何学的（＝トポロジカル）位相によって、端に量子化されたチャンネルCHが現れ、電子の伝送が可能な性質が生じる。つまり、端の炭素原子５２1を含む炭素原子５１1、５２1間の遷移確率が小さな場合、トポロジカルな特性を有する。
　以上のように、ポリアセチレンを一例にトポロジカルな特性について説明するため、一次元、または二次元格子状に原子を並べた模型をＳＳＨモデルと称する。
　また、ＳＳＨモデルは、図６に示すように、例えば、炭素原子５１1、・・・５１4、５２1、・・・５２4と、単結合６１1、６１2、６１3と、二重結合６２1、６２2、６２3、６２4とを、第２直列インダクタ６１1Ａ、６１2Ａ、６１3Ａ、第１直列インダクタ６２1Ａ、６２2Ａ、６２3Ａ、６２4Ａ及び並列キャパシタ５１1Ａ、５１2Ａ、５１3Ａ、５１4Ａ、５２1Ａ、５２2Ａ、５２3Ａ、５２4Ａとで構成する等価回路に模してもトポロジカルな特性は、成り立つ。
　すなわち、炭素原子５１1、５１2、５１3、５１4、５２1、５２2、５２3、５２4は、図６に示すように、並列キャパシタ５１1Ａ、５１2Ａ、５１3Ａ、５１4Ａ、５２1Ａ、５２2Ａ、５２3Ａ、５２4Ａとして表することができる。また、単結合６１は、図６に示すように、第２直列インダクタ６１1Ａ、６１2Ａ、６１3Ａとして表することができる。同様に、また、二重結合６２1、６２2、６２3、６２4は、図６に示すように、第１直列インダクタ６２1Ａ、６２2Ａ、６２3Ａ、６２4Ａとして表することができる。なお、炭素原子５２1、５２2、５２3、５２4は、炭素原子５１1、５１2、５１3、５１4であってもよい。つまり、並列キャパシタ５２1Ａ、５２2Ａ、５２3Ａ、５２4Ａは、並列キャパシタ５１1Ａ、５１2Ａ、５１3Ａ、５１4Ａであってもよい。
　なお、図６の等価回路がトポロジカルな特性を有するには、図４Ｂの構成の等価回路が必要となる、つまり、図６の等価回路は、第２直列インダクタ６１1Ａ、並列キャパシタ５１2Ａ、第１直列インダクタ６２2Ａ、並列キャパシタ５２2Ａ、及び第２直列インダクタ６１2Ａの順とする等価回路が必要である。つまり、図３Ａに示す周期構造１００、及び図３Ｂに示す周期構造１００、２００の等価回路ではトポロジカルな特性を有する。
　［第２の実施形態］
　第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａについて図面を用いて説明する。図７Ａは、第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａであって、１周期分の構成図である。図７Ｂは、第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａであって、２周期分の構成図である。図８Ａは、図７Ａ及び図７ＢのＡ４－Ａ４線に沿う断面図である。図８Ｂは、図７Ａ及び図７ＢのＡ５－Ａ５線に沿う断面図である。図８Ｃは、図７Ａ及び図７ＢのＡ６－Ａ６線に沿う断面図である。
　第１の実施形態と第２の実施形態との違いは、伝送線路２において、第１の実施形態の第２線路２２1、２２2、２２3、２２4がステップインピーダンス型に対し、第２の実施形態の第２線路２２1Ａ、２２2Ａ、２２3Ａ、２２4Ａがオープンスタブ型（Open-Stub）である。他の構成は、第１の実施形態と同じである。
　伝送線路２Ａは、図７Ａ、図７Ｂ及び図８Ａ～図８Ｃに示すように、第１の主面１ａに配置されている。伝送線路２Ａは、図７Ａに示すように、異なる線路幅で形成された第１線路２１1Ａ、２１2Ａ、第２線路２２1Ａ、２２2Ａ、及び第３線路２３1Ａを有する。また、伝送線路２Ａは、図７Ｂに示すように、異なる線路幅で形成された第１線路２１1Ａ、２１2Ａ、２１3Ａ、第２線路２２1Ａ、２２2Ａ、２２3Ａ、２２4Ａ、及び第３線路２３1Ａ、２３2Ａを有する。第１線路２１1Ａ、２１2Ａ、２１3Ａ、第２線路２２1Ａ、２２2Ａ、２２3Ａ、２２4Ａ、及び第３線路２３1Ａ、２３2Ａは、導電性の良い金属により形成されている。具体的には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）が適応可能である。
　伝送線路２Ａは、マイクロストリップラインを備える。すなわち、伝送線路２Ａは、例えば、マイクロストリップラインの伝送路により形成可能である。なお、伝送線路２Ａは、マイクロストリップラインに限定されない。以下の説明においては、マイクロストリップラインを一例として伝送線路２Ａを説明する。
　伝送線路２Ａは、図７Ａに示すように、１周期分の構成として、第１線路２１1Ａ、第２線路２２1Ａ、第３線路２３1Ａ、第２線路２２2Ａ、及び第１線路２１2Ａの順に直列に配置された周期構造１００Ａを備えている。また、伝送線路２Ａは、図７Ａに示すように、第１線路２１1Ａ、第２線路２２1Ａ、第３線路２３1Ａ、第２線路２２2Ａ、及び第１線路２１2Ａが電気的に接続されている。以下の説明において、第１線路２１1Ａ、第２線路２２1Ａ、第３線路２３1Ａ、第２線路２２2Ａ、及び第１線路２１2Ａの順に直列に配置された構造を周期構造１００Ａと称する。なお、周期構造１００Ａは、１個に限定されない。
　伝送線路２Ａは、図７Ｂに示すように、２周期分の構成として、第１線路２１1Ａ、第２線路２２1Ａ、第３線路２３1Ａ、第２線路２２2Ａ、及び第１線路２１2Ａの順である周期構造１００Ａと、第１線路２１2Ａ、第２線路２２3Ａ、第３線路２３2Ａ、第２線路２２4Ａ、及び第１線路２１3Ａの順である周期構造２００Ａとを備えている。また、伝送線路２Ａは、図７Ｂに示すように、第１線路２１2Ａ、第２線路２２3Ａ、第３線路２３2Ａ、第２線路２２4Ａ、及び第１線路２１3Ａが電気的に接続されている。以下の説明において、第１線路２１2Ａ、第２線路２２3Ａ、第３線路２３2Ａ、第２線路２２4Ａ、及び第１線路２１3Ａの順に直列に配置された構造を周期構造２００Ａと称する。なお、周期構造１００Ａ、２００Ａは、複数個電気的に接続されていてもよい。
　伝送線路２Ａの回路構成については、以下の図９Ａ、図９Ｂを用いて説明する。
　第１線路２１1Ａは、図７Ａ、図７Ｂ及び図８Ａに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２Ａのマイクロストリップラインとして線路幅ＷＬａを狭く形成したもので、第１直列インダクタＬａとして機能している。第１線路２１1Ａは、図８Ａに示すように、誘電体１を挟み、接地電極３が配置される第２の主面１ｂに対向する第１の主面１ａ上に配置されている。
　第２線路２２1Ａは、図７Ａ、図７Ｂ及び図８Ｂに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２Ａのマイクロストリップラインとして線路幅ＷＣを広く形成したもので、並列キャパシタＣとして機能している。第２線路２２1Ａは、図８Ｂに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。第２線路２２1Ａの線路幅ＷＣは、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１線路２１1Ａの線路幅ＷＬａ及び第３線路２３1Ａの線路幅ＷＬｂよりも広い。
　第３線路２３1Ａは、図７Ａ、図７Ｂ及び図８Ｃに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２Ａのマイクロストリップラインとして線路幅ＷＬｂを狭く形成したもので、第２直列インダクタＬｂとして機能している。第３線路２３1Ａは、図８Ｃに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。第３線路２３1Ａの線路幅ＷＬｂは、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１線路２１1の線路幅ＷＬａよりも狭い。
　（伝送線路の回路構成）
　図９Ａは、第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａであって、１周期分の等価回路図である。図９Ｂは、第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａであって、２周期分の等価回路図である。
　分布定数回路１０Ａは、図７Ａ及び図７Ｂのオープンスタブ型の回路構成による1次元のＬＣラダー回路で表される。
　伝送線路２Ａの周期構造１００Ａは、図９Ａに示すように、１周期分の構成として、第１直列インダクタＬａ、並列キャパシタＣ、第２直列インダクタＬｂ、並列キャパシタC、及び第１直列インダクタＬａを順に電気的に接続した構成として表すことができる。
　伝送線路２Ａの周期構造１００Ａの等価回路は、図９Ａに示すように、第１直列インダクタＬａと、第１直列インダクタＬａと直列接続された第２直列インダクタＬｂと、第１直列インダクタＬａと前記第２直列インダクタＬｂとの接続点と接地電極３との間に電気的に接続された並列キャパシタＣとを備える。すなわち、第１線路２１1Ａ及び２１2Ａは、第１直列インダクタＬａを備え、第２線路２２1Ａ及び２２2Ａは、並列キャパシタＣを備え、第３線路２３1Ａは、第２直列インダクタＬｂを備える。
　伝送線路２Ａの周期構造１００Ａ、２００Ａは、図９Ｂに示すように、２周期分の構成として、第１直列インダクタＬａ、並列キャパシタＣ、第２直列インダクタＬｂ、並列キャパシタＣ、及び第１直列インダクタＬａを順に電気的に接続した構成として表することができる。
　伝送線路２Ａの周期構造１００Ａ、２００Ａの等価回路は、図９Ｂに示すように、第１直列インダクタＬａと、第１直列インダクタＬａと直列接続された第２直列インダクタＬｂと、第１直列インダクタＬａと前記第２直列ＣンダクタＬｂとの接続点と接地電極３との間に電気的に接続された並列キャパシタＣとを備える。すなわち、第１線路２１1Ａ、２１2Ａ、２１3Ａは、第１直列インダクタＬａを備え、第２線路２２1Ａ、２２2Ａ、２２3Ａ、２２4Ａは、並列キャパシタＣを備え、第３線路２３1Ａ、２３2Ａは、第２直列インダクタＬｂを備える。
　第２直列インダクタＬｂは、第１直列インダクタＬａよりも高い値のインダクタンスを備える（Ｌｂ＞Ｌａ）。
　周期構造１００Ａ、２００Ａの等価回路は、トポロジカルな特性を有する。
　周期構造１００Ａ、２００Ａの等価回路は、トポロジカルな特性を有する構造を１次元配置している。すなわち、周期構造１００Ａ、２００Ａは、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、Ｘ方向に、トポロジカルな特性を有する構造を周期的に１次元配置されている。なお、周期構造１００Ａ、２００Ａは、Ｙ方向に、周期的に１次元配置されていてもよい。
　以上のように、第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａは、トポロジカルな特性を有する周期構造によって、周期構造の端部（ここでは、第１直列インダクタＬａと第２直列インダクタＬｂとの間の箇所）に特定周波数のチャンネルCHが現れる。
　また、第２実施形態に係る分布定数回路１０Ａは、誘電体１の第１の主面１ａに配置された伝送線路２Ａを備えることで、プロセス工程を簡易にできる。
　さらに、第２の実施形態に係る分布定数回路１０Ａは、形成される伝送線路２Ａの線路幅によって、回路の受動素子を構成することで小型化及び低背化を実現可能である。
　［第３の実施形態］
　第３の実施形態に係る分布定数回路１０Ｂについて図面を用いて説明する。図１０は、第３の実施形態に係る分布定数回路１０Ｂであって、Ｘ方向及びＹ方向に３周期分の構成図である。図１１Ａは、図１０のＡ７－Ａ７線に沿う断面図である。図１１Ｂは、図１０のＡ８－Ａ８線に沿う断面図である。図１１Ｃは、図１０のＡ９－Ａ９線に沿う断面図である。
　第１の実施形態と第３の実施形態との違いは、第１の実施形態では、周期構造１００がＸ方向に１次元配置しているのに対し、第３の実施形態では、周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００ＢがＸ方向及びＹ方向に２次元配置している点である。他の構成は、第１の実施形態と同じである。
　伝送線路２Ｂは、図１０に示すように、第１の主面１ａに配置されている。伝送線路２Ｂは、図１０に示すように、異なる線路幅で形成された第１線路２１1Ｂ、・・・２１nＢ、第２線路２２1Ｂ、・・・２２nＢ、及び第３線路２３1Ｂ、・・・２３nＢを有する。第１線路２１1Ｂ、・・・２１ｎＢ、第２線路２２1Ｂ、・・・２２ｎＢ、及び第３線路２３1Ｂ、・・・２３ｎＢは、導電性の良い金属により形成されている。具体的には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）が適応可能である。
　伝送線路２Ｂは、図１０に示すように、第１線路２１1Ｂ、第２線路２２1Ｂ、第３線路２３1Ｂ、第２線路２２2Ｂ、及び第１線路２１2Ｂの順に直列に配置された周期構造１００Ｂを備える。また、伝送線路２Ｂは、図１０に示すように、第１線路２１1Ｂ、第２線路２２1Ｂ、第３線路２３1Ｂ、第２線路２２2Ｂ、及び第１線路２１2Ｂが電気的に接続されている。以下の説明において、第１線路２１1Ｂ、第２線路２２1Ｂ、第３線路２３1Ｂ、第２線路２２2Ｂ、及び第１線路２１2Ｂの順に直列に配置された構造を周期構造１００Ｂと称する。なお、図１０、図１２において、周期構造２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂの第１線路、第２線路、第３線路、第２線路、及び第１線路の符号は、省略する。また、以下の説明において、周期構造２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂの第１線路、第２線路、第３線路、第２線路、及び第１線路は、第１線路２１Ｂ、第２線路２２Ｂ、第３線路２３Ｂ、第２線路２２Ｂ、及び第１線路２１Ｂと称する。
　周期構造１００Ｂと同様に、Ｘ方向に第１線路２１Ｂ、第２線路２２Ｂ、第３線路２３Ｂ、第２線路２２Ｂ、及び第１線路２１Ｂの順に直列に配置された周期構造２００Ｂ、３００Ｂを備える。また、Ｙ方向に第１線路２１Ｂ、第２線路２２Ｂ、第３線路２３Ｂ、第２線路２２Ｂ、及び第１線路２１Ｂの順に直列に配置された周期構造４００Ｂ、５００Ｂ、及び６００Ｂを備える。伝送線路２Ｂは、周期構造２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、及び６００Ｂにおいても、第１線路２１Ｂ、第２線路２２Ｂ、第３線路２３Ｂ、第２線路２２Ｂ、及び第１線路２１Ｂが電気的に接続されている。なお、周期構造１００Ｂは、１個に限定されない。また、周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、及び６００Ｂは、複数個電気的に接続されていてもよい。
　伝送線路２Ｂの回路構成については、以下の図１２で説明する。
　第１線路２１1Ｂの線路幅ＷＬａは、図１０及び図１１Ａに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２Ｂのマイクロストリップラインの線路幅を狭く形成したもので、第１直列インダクタＬａとして機能している。第１線路２１1Ｂ、・・・２１nＢは、図１０及び図１１Ａに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。
　第２線路２２1Ｂの線路幅ＷＣは、図１０及び図１１Ｂに示すように、Ｙ方向において、伝送線路２Ｂのマイクロストリップラインの線路幅を広く形成したもので並列キャパシタＣとして機能している。第２線路２２1Ｂ、・・・２２nＢは、図１１Ｂに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。第２線路２２1Ｂ、・・・２２nＢの線路幅ＷＣは、図１０に示すように、第１線路２１1Ｂ、・・・２１nＢの線路幅ＷＬａ及び第３線路２３1Ｂ、・・・２３nＢの線路幅ＷＬｂよりも広い。
　第３線路２３1Ｂの線路幅ＷＬｂは、図１０及び図１１Ｃに示すように、Ｘ方向において、伝送線路２Ｂのマイクロストリップラインの線路幅を狭く形成したもので、第２直列インダクタＬｂとして機能している。第３線路２３1Ｂは、図１１Ｃに示すように、第１の主面１ａ上に配置されている。第３線路２３1Ｂの線路幅ＷＬｂは、図１０に示すように、第１線路２１1Ｂの線路幅ＷＬａよりも狭い。
　（伝送線路の回路構成）
　図１２は、第３の実施形態に係る分布定数回路１０Ｂであって、Ｘ方向及びＹ方向に３周期分の構成を示す等価回路図である。
　等価回路の分布定数回路１０Ｂは、図１０のステップインピーダンス型による２次元のＬＣラダー回路で表される。
　伝送線路２Ｂの周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂは、図１２に示すように、第１直列インダクタＬａ、並列キャパシタＣ、及び第２直列インダクタＬｂが順に電気的に接続した構造として表することができる。
　伝送線路２Ｂの周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂの等価回路は、図１２に示すように、第１直列インダクタＬａと、第１直列インダクタＬａと直列接続された第２直列インダクタＬｂと、第１直列インダクタＬａと前記第２直列インダクタＬｂとの接続点と接地電極３との間に電気的に接続された並列キャパシタＣとを備える。すなわち、第１線路２１1Ｂ、・・・２１nＢは、第１直列インダクタＬａを備え、第２線路２２1Ｂ、・・・２２nＢは、並列キャパシタＣを備え、第３線路２３1Ｂ、・・・２３nＢは、第２直列インダクタＬｂを備える。
　第２直列インダクタＬｂは、第１直列インダクタＬａよりも高い値のインダクタンスを備える（Ｌｂ＞Ｌａ）。
　周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂの等価回路は、トポロジカルな特性を有する。周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂで構成される回路の周辺部分は、バンドパスフィルタ回路として機能する。
　周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂの等価回路は、トポロジカルな特性を有する構造を２次元配置している。すなわち、周期構造１００Ｂ、２００Ｂ、３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂは、図１２に示すように、Ｘ方向及びＹ方向の両方向に対して、周期的に２次元配置されている。
　以上のように、第３の実施形態に係る分布定数回路１０Ｂは、トポロジカルな特性を有する周期構造によって、周期構造の周辺部（ここでは、回路の縁の第１直列インダクタＬａと第２直列インダクタＬｂの間を繋いだ箇所）に特定周波数で電流を導通することができる。
　また、第３の実施形態に係る分布定数回路１０Ｂは、誘電体１の第１の主面１aに配置された伝送線路２Ｂを備えることで、プロセス工程を簡易にできる。
　さらに、第３の実施形態に係る分布定数回路１０Ｂは、形成される伝送線路２Ｂの線路幅によって、回路の受動素子を構成することで小型化及び低背化を実現可能である。
　（その他の実施形態）
　上述のように、実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載しない様々な実施形態等を含む。
１　誘電体
２、２Ａ、２Ｂ　伝送線路
３　接地電極
２１1、２１2、２１3　第１線路
２１1Ａ、２１2Ａ、２１3Ａ　第１線路
２１1Ｂ、２１2Ｂ、２１3Ｂ、・・・２１nＢ　第１線路
２２1、２２2、２２3、２２4　第２線路
２２1Ａ、２２2Ａ、２２3Ａ、２２4Ａ　第２線路
２２、２２1Ｂ、２２2Ｂ、２２3Ｂ、２２4Ｂ、・・・２２nＢ　第２線路
２３1、２３2　第３線路
２３1Ａ、２３2Ａ　第３線路
２３1Ｂ、２３2Ｂ、・・・２３nＢ　第３線路
１０、１０Ａ、１０Ｂ　分布定数回路
１００、１００Ａ、１００Ｂ　周期構造
２００、２００Ａ、２００Ｂ　周期構造
３００Ｂ、４００Ｂ、５００Ｂ、６００Ｂ　周期構造
Ｌａ　第１直列インダクタ
Ｃ　並列キャパシタ
Ｌｂ　第２直列インダクタ
ＷＬａ　第１線路の線路幅
ＷＣ　第２線路の線路幅
ＷＬｂ　第３線路の線路幅

Claims (14)

  1. 　第１の主面及び前記第1の主面と対向する第２の主面を有する誘電体と、
    　前記第１の主面に配置された伝送線路と、
    　前記第２の主面に配置された接地電極と、を備え、
    　前記伝送線路は、
    　異なる線路幅で形成された第１線路、第２線路、及び第３線路を有し、
    　前記第１線路、前記第２線路、前記第３線路、前記第２線路、及び前記第１線路の順に直列に配置された周期構造を備えている、分布定数回路。
  2. 　前記周期構造は、１個または複数個、電気的に接続されている、請求項１に記載の分布定数回路。
  3. 　前記周期構造は、
    　トポロジカルな特性を有する、請求項１に記載の分布定数回路。
  4. 　前記第３線路の線路幅は、前記第１線路の線路幅より狭い、請求項１～３のいずれか一項に記載の分布定数回路。
  5. 　前記第２線路の線路幅は、前記第１線路及び前記第３線路の線路幅より広い、請求項１～４のいずれか一項に記載の分布定数回路。
  6. 　前記第１線路は、
    　第１直列インダクタを備える、請求項１～５のいずれか一項に記載の分布定数回路。
  7. 　前記第２線路は、
    　並列キャパシタを備える、請求項６に記載の分布定数回路。
  8. 　前記第３線路は、
    　第２直列インダクタを備える、請求項７に記載の分布定数回路。
  9. 　前記周期構造は、
    　前記第１直列インダクタと、
    　前記第１直列インダクタと直列接続された前記第２直列インダクタと、
    　前記第１直列インダクタと前記第２直列インダクタとの接続点と前記接地電極との間に電気的に接続された前記並列キャパシタと、を備える、請求項８に記載の分布定数回路。
  10. 　前記第２直列インダクタは、前記第１直列インダクタよりも高い値のインダクタンスを備える、請求項８に記載の分布定数回路。
  11. 　前記周期構造は、
    　第１の方向に、周期的に1次元配置されている、請求項１～１０のいずれか一項に記載の分布定数回路。
  12. 　前記周期構造は、
    　第２の方向において、周期的に1次元配置されている、請求項１～１０のいずれか一項に記載の分布定数回路。
  13. 　前記周期構造は、
    　第１の方向及び第２の方向の両方に対して、周期的に２次元配置されている、請求項１～１０のいずれか一項に記載の分布定数回路。
  14. 　前記伝送線路は、
    　マイクロストリップラインを備える、請求項１～１３のいずれか一項に記載の分布定数回路。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1926501A1 (de) * 1969-05-23 1970-11-26 Siemens Ag Tiefpassfilter fuer elektrische Schwingungen
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