WO2023161324A1 - Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren - Google Patents

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WO2023161324A1
WO2023161324A1 PCT/EP2023/054522 EP2023054522W WO2023161324A1 WO 2023161324 A1 WO2023161324 A1 WO 2023161324A1 EP 2023054522 W EP2023054522 W EP 2023054522W WO 2023161324 A1 WO2023161324 A1 WO 2023161324A1
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WO
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semiconductor component
optoelectronic semiconductor
optoelectronic
electrically conductive
area
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PCT/EP2023/054522
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English (en)
French (fr)
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Patrick HOERNER
Erwin Lang
Michael Jobst
Andreas Rausch
Original Assignee
Ams-Osram International Gmbh
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Publication date
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    • H01L33/60—Reflective elements
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention deals with technologies for displaying information in or on a transparent pane or surface of a vehicle.
  • the invention relates to a pane, a window, panoramic roof glazing, a roof liner or another surface of a vehicle, comprising optoelectronic semiconductor components, and their wiring and control in order to display information or symbols on the pane, the window , the panoramic roof glazing, the headliner or other surface of the vehicle.
  • the invention primarily deals with panes, windows, panoramic roof glazing, a headliner and exterior surfaces of a car, it is not limited to this particular type of vehicle, but can alternatively be implemented in other types of vehicles such as trains, buses, trucks, airplanes, or ships.
  • the subject matter of the present invention can also be used in the area of buildings and houses in order to display information in or on correspondingly used panes, in particular panes of glass.
  • the panes of a motor vehicle are usually made of laminated glass.
  • laminated glass is used not only for windshields, but also for some used for side windows, rear windows, sliding roofs and panorama roofs.
  • Laminated glass is manufactured by joining two or more panes of glass together using a thermoplastic bonding layer. In some cases, the thermoplastic layer is only applied to one pane.
  • LEDs aligned to radiate toward the interior of a motor vehicle, particularly a car are used to provide interior lighting or to provide information to the driver or other occupant of the vehicle.
  • light sources such as headlights, taillights, the high-mounted brake light and additional brake lights or turn signals, which are aligned in such a way that they radiate outwards, provide external lighting for the vehicle.
  • LED lighting as an integral part of vehicle components, for example to provide interior lighting for the vehicle.
  • One approach consists, for example, in integrating LEDs in the glazing of a vehicle, in particular in the thermoplastic connecting layer between two panes of glass.
  • LEDs can be integrated into vehicle components that appear transparent, such as the windows of a motor vehicle, so that only interior lighting or exterior lighting is provided.
  • Light emitted by the LEDs for example when used as a brake light in the rear window, should only be emitted to the outside if possible, since light that is emitted into the vehicle interior can dazzle the driver.
  • no red light may be emitted to the front, which is why emission of the LEDs into the vehicle interior must be prevented.
  • a transparent display element in the windshield or the vehicle side window it can be avoided that information displayed on it can be read from outside the vehicle.
  • An optoelectronic lighting device includes a first at least partially transparent embedding layer. Furthermore, the lighting device comprises at least one at least partially transparent carrier substrate arranged on the first embedding layer, on whose side facing the first embedding layer a structured electrically conductive layer and at least one optoelectronic semiconductor component are arranged.
  • the carrier substrate with the structured electrically conductive layer and the at least one optoelectronic semiconductor component is arranged opposite the first embedding layer in such a way that the first embedding layer embeds the structured electrically conductive layer and the at least one optoelectronic semiconductor component.
  • the at least one optoelectronic semiconductor component is also designed to emit light during intended use at least along a main emission direction through an upper side of the optoelectronic semiconductor component and in a direction opposite to the main emission direction through an underside of the optoelectronic semiconductor component.
  • at least one essentially opaque, in particular reflective area is provided below the at least one optoelectronic semiconductor component, viewed in the opposite direction to the main emission direction, the area having a size dependent on at least two
  • the opaque area is larger than an area on the opaque area impinging light cone of a light emitted by the underside of the optoelectronic semiconductor component and smaller than 2 times the impinging light cone formed.
  • the opaque area is larger than a projection of a light cone impinging on a surface of the opaque area of a light emitted through the underside of the optoelectronic semiconductor component.
  • the opaque area is smaller than twice the projection of the cone of light impinging on the surface of the opaque area.
  • a key aspect of the invention is to integrate LEDs into a component/layer that appears transparent, such as the windows of a motor vehicle, so that they emit light in only one direction, ie, for example, into the interior or exterior of a vehicle.
  • optoelectronic semiconductor components are arranged on an at least partially transparent carrier substrate and electrically contacted by means of a structured electrically conductive layer, and an opaque or reflective area is provided below the optoelectronic semiconductor components, viewed in the opposite direction to the main emission direction prevents light emission from the component/layer in the opposite direction to the main emission direction.
  • the opaque or reflective area is dimensioned and positioned below the optoelectronic semiconductor components such that the component/layer still appears transparent at least to the human eye of a user of the component (eg the driver or passenger of a vehicle).
  • the size of the opaque or reflective area results depending on at least one of a vertical distance between an underside of the optoelectronic semiconductor component and the opaque area, a surface of the underside of the optoelectronic semiconductor component ments, and a maximum emission angle of the light emitted by the underside of the optoelectronic semiconductor component.
  • the structured electrically conductive layer has at least a first region and a second region that is electrically insulated from the first region.
  • the first region is coupled to a first electrical connection area of the optoelectronic semiconductor component and the second region is coupled to a second electrical connection area of the optoelectronic semiconductor component.
  • the structured electrically conductive layer or the first and the second region of the structured electrically conductive layer can serve to supply the at least one optoelectronic semiconductor component with electrical energy and/or a data signal.
  • the structured electrically conductive layer can be made of a conductive material, such as. B. copper exist.
  • the areas of the structured electrically conductive layer can be coated and/or blackened in order to reduce the degree of reflection of the outer surface area of the at least one electrical line.
  • the coating may be a palladium or molybdenum coating. At least for areas of the structured electrically conductive layer, it can be desirable for these to be particularly reflective.
  • the structured electrically conductive layer comprises a substantially transparent material, such as. B. Indium Tin Oxide (ITO). Such a material can, for example, increase the transparency of the optoelectronic lighting device.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the opaque area is formed by a third area of the structured electrically conductive layer which is electrically insulated from the first and second.
  • the third area can be in this case be a contiguous area which is arranged below the at least one optoelectronic semiconductor component and which is electrically insulated from the first and second area.
  • the opaque area is formed by a partial area of the second area of the structured electrically conductive layer.
  • the partial area can be, for example, a coherent area/area which is arranged below the at least one optoelectronic semiconductor component.
  • the first and the second area of the structured electrically conductive layer, and in the case of a third area also the third area of the structured electrically conductive layer, are separated from one another by an insulation layer.
  • the insulation layer can be arranged, for example, on the second or the third area and between the first, second and third area.
  • the optoelectronic lighting device also includes a first conductor track section, which connects the first region of the structured electrically conductive layer to the first electrical connection area of the optoelectronic semiconductor component.
  • the first conductor track section is arranged on the insulation layer and extends thereon from the first region of the structured electrically conductive layer to the first electrical connection area of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic lighting device also includes a second conductor track section, which is the second region of the structured electrically conductive layer with the second electrical connection surface of the optoelectronic semiconductor component connects.
  • the second conductor track section is arranged on the insulation layer and extends on it from the second area of the structured electrically conductive layer to the second electrical connection area of the optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic lighting device also comprises a second at least partially transparent embedding layer which is arranged on a side of the carrier substrate which is opposite the optoelectronic semiconductor component.
  • the first and/or second at least partially transparent embedding layer is formed by a layer of hot melt material, an adhesive layer, a hot melt adhesive layer, a resin such as e.g. ethylene vinyl acetate (EVA), polyvinyl butyral (PVB), or by an ionomer-based system.
  • the first and/or second at least partially transparent embedding layer can comprise or consist of an at least partially transparent plastic, in particular an at least partially transparent film, in particular a flexible film.
  • At least the first at least partially transparent embedding layer can be formed, for example, by a protective lacquer which embeds the structured electrically conductive layer and the at least one optoelectronic semiconductor component.
  • the first and/or second at least partially transparent embedding layer can be blackened.
  • the carrier substrate with the structured electrically conductive layer arranged thereon and the at least one optoelectronic semiconductor component is embedded between the first and the second at least partially transparent embedding layer.
  • the first and second at least partially transparent embedding layer can, for example, compensate for a height or topography of the structured electrically conductive layer and the at least one optoelectronic semiconductor component.
  • the opaque area is arranged on a side of the carrier substrate opposite the optoelectronic semiconductor component and is embedded in the second at least partially transparent embedding layer.
  • the opaque area is formed by an accumulation of an opaque material, for example a reflective and/or light-absorbing material, which is arranged on a side of the carrier substrate opposite the optoelectronic semiconductor component.
  • the opaque area can also be formed by a material accumulation of a reflective material and a light-absorbing material encasing the reflective material.
  • a region of the accumulation of material facing the at least one optoelectronic semiconductor component can be designed to be reflective, and lateral regions and a region of the accumulation of material facing away from the at least one optoelectronic semiconductor component can be designed to be light-absorbing, for example.
  • the at least partially transparent carrier substrate comprises at least one of the materials PET, polycarbonate, PMMA, and PEN.
  • the flexible carrier substrate can comprise a substantially transparent material that additionally has flexible or elastic properties.
  • the wording "flexible" can be understood to mean that the carrier substrate is pliable or elastic and can be brought into a desired shape non-destructively and without the action of large forces.
  • the optoelectronic lighting device comprises a transparent pane arranged on the first embedding layer.
  • the transparent pane can be formed by a glass pane, for example, but the transparent pane can also be formed from a transparent plastic such as Plexiglas or a transparent film.
  • the transparent pane is formed by a transparent, flexible film.
  • the optoelectronic lighting device comprises a further transparent pane, in particular glass pane, with the first and the optional second embedding layer being arranged between the two transparent panes, in particular glass panes.
  • the first and the optional second embedding layer can be formed, for example, by a thermoplastic bonding layer which is laminated between two glass panes.
  • the optoelectronic lighting device can form a laminated glass pane into which a multiplicity of lighting elements are integrated.
  • the optoelectronic lighting device also includes an anti-reflective layer that is arranged on the transparent pane. Back reflections inside the optoelectronic lighting device can be reduced by an antireflection coating on the surface of the transparent pane.
  • the at least one optoelectronic semiconductor component is formed by a light-emitting element or an LED.
  • the at least one optoelectronic semiconductor component forms a luminous point, it being possible for all of a plurality of such luminous points to form a luminous symbol or luminous lettering during intended use of the optoelectronic luminous device.
  • the light points can, however, also be arranged arbitrarily to one another and, for example, form a dotted pattern.
  • the term luminous point is not to be understood as a punctiform element, but rather as an area of a defined luminous surface predetermined by the size of the semiconductor component.
  • the at least one optoelectronic semiconductor component can be formed by a light-emitting element or an LED that includes a conversion material.
  • the conversion material can be arranged, for example, over a light-emitting region of the semiconductor component and be designed to convert the light emitted by the semiconductor component into light of a different wavelength.
  • the at least one optoelectronic semiconductor component is formed by an LED, in particular an LED chip.
  • An LED can in particular be referred to as a mini-LED, which is a small LED, for example with edge lengths of less than 200 ⁇ m, in particular down to less than 40 ⁇ m, in particular in the range from 200 ⁇ m to 10 ⁇ m. Another range is between 150 ⁇ m to 40 ⁇ m. With these spatial extensions, the optoelectronic semiconductor component is almost invisible to the human eye.
  • the LED can also be referred to as a micro-LED, also known as a ⁇ LED, or as a ⁇ LED chip, in particular if the edge lengths are in a range from 100 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the LED may have a spatial dimension of 90 ⁇ 150 ⁇ m or a spatial dimension of 75 ⁇ 125 ⁇ m.
  • the mini-LED or the ⁇ LED chip can be an unhoused semiconductor chip. Unpackaged can mean that the chip has no packaging around its semiconductor layers, such as a "chip die". In some embodiments, unpackaged can mean that the chip is free of any organic material. Thus, the unpackaged component does not contain any organic compounds that contain carbon in a covalent bond.
  • the at least one optoelectronic semiconductor device may include a mini-LED or ⁇ LED chip configured to emit light of a selected color.
  • two or more optoelectronic semiconductor components can form a pixel, such as a pixel.
  • B. form an RGB pixel which comprises three mini-LEDs or ⁇ LED chips.
  • an RGB pixel can emit light in the colors red, green and blue as well as any mixed colors.
  • more than three optoelectronic semiconductor components can be a pixel, such as.
  • B. form an RGBW pixel which comprises four mini-LEDs or ⁇ LED chips.
  • an RGBW pixel can emit red, green, blue and white light as well as any mixed colors.
  • an RGBW pixel can be used to generate white light, or red light, or green light, or blue light in the form of a full conversion.
  • the at least one optoelectronic semiconductor component is assigned to an integrated circuit for driving it.
  • 2 or more optoelectronic semiconductor components are assigned to an integrated circuit for driving them.
  • each RGB pixel can be assigned to an integrated circuit (IC).
  • the integrated circuit or the integrated circuits can, for example, be replaced by a particularly small integrated circuit, e.g. B. a micro-integrated circuits ( ⁇ IC) formed.
  • a layer with light-scattering particles can be arranged over the at least one optoelectronic semiconductor component or over each pixel. The Using such a layer with the light-scattering particles can in particular improve a homogeneous emission of the light from the at least one optoelectronic semiconductor component.
  • the multiplicity of optoelectronic semiconductor components can form a luminous symbol or luminous lettering during intended use of the optoelectronic lighting device.
  • the lighting elements can form a symbol or illuminated lettering as a whole during intended use of the optoelectronic lighting device, or the lighting elements can form several symbols or illuminated lettering during intended use of the optoelectronic lighting device.
  • the invention also relates to a method for producing an optoelectronic lighting device with the steps:
  • the step of providing the carrier substrate includes applying the structured electrically conductive layer to the carrier substrate in such a way that the structured electrically conductive layer has at least a first region and a second region that is electrically insulated from the first.
  • the step of applying the structured electrically conductive layer can include producing a third region of the structured electrically conductive layer that is electrically insulated from the first and second, the third region forming the opaque region.
  • a partial area of the second area of the structured electrically conductive layer can also form the opaque area.
  • the step of providing the carrier substrate includes applying an insulating layer to the third area or to the partial area of the second area of the structured electrically conductive Layer.
  • a first conductor track section (which is electrically connected to the first area of the structured electrically conductive layer) can also be formed on the insulation layer.
  • a second conductor track section can also be formed on the insulation layer, which connects to the second area of the structured electrically conductive layer is electrically connected
  • the step of providing the carrier substrate comprises arranging the at least one optoelectronic semiconductor component on the carrier substrate in such a way that the first region of the structured electrically conductive layer is connected to a first electrical connection area of the at least one optoelectronic semiconductor component and the second Area of the structured electrically conductive layer is coupled to a second electrical connection surface of the optoelectronic semiconductor component.
  • the step of providing the carrier substrate includes forming or providing the opaque region on a top side of the carrier substrate opposite the optoelectronic semiconductor component or on another surface located below the semiconductor component.
  • the opaque area is in particular in the form of a material accumulation of a light-absorbing and/or reflecting material.
  • the method also includes applying a second at least partially transparent embedding layer on a side of the carrier substrate opposite the first embedding layer in such a way that the second and the first embedding layer cover the carrier substrate and the components and layers arranged thereon .
  • the method also includes applying a transparent pane, in particular a glass pane, to the first embedding layer.
  • the method includes a further step:
  • the transparent pane, the first embedding layer, the second embedding layer and the optional further transparent pane are connected to one another in a further lamination step, in particular under the action of pressure and/or temperature.
  • the optoelectronic lighting device can have the following advantages: light emission in only one direction, so that no light is emitted, for example, into the interior of a vehicle;
  • FIGS. 2A and 2B show the structure of an optoelectronic lighting device according to some aspects of the proposed principle
  • 3A and 3B show the structure of a further embodiment of an optoelectronic lighting device according to some aspects of the proposed principle
  • 4A to 5B show the structure of further embodiments of an optoelectronic lighting device according to some aspects of the proposed principle
  • FIG. 6 shows a sectional view of an optoelectronic lighting device according to some aspects of the proposed principle to clarify the geometric relationships; and 7 to 9B the structure of further embodiments of an optoelectronic lighting device according to some aspects of the proposed principle.
  • FIG. 1A and 1B show two possible ways of arranging an optoelectronic semiconductor element 6 on a carrier substrate 4.
  • the main emission direction E 1 of the semiconductor element 6 can, as shown in FIG. 1A, run either away from the substrate 4 (chip last) or, as shown in FIG. 1B, through the substrate 4 (chip first).
  • electrical connection surfaces can be connected directly to a contact structure on the substrate 4, or must be connected to a contact structure on the substrate 4 by means of wire bonds, for example. With chip first, the chip is contacted from above using wire bonds, with chip last, the chip is contacted from below by placing the chip on a contact structure.
  • FIG. 1C shows the structure of a laminated glass pane with a carrier substrate 4 corresponding to FIG. 1A.
  • the laminated glass pane comprises a first glass pane 2 and a second glass pane 15, as well as a first embedding layer 4 and a second embedding layer 11, which mechanically connect the two glass panes to one another.
  • the carrier substrate 4 with the optoelectronic semiconductor component 6 is arranged between the two embedding layers 3, 11 and embedded in it.
  • the laminated glass pane can be produced, for example, by laminating the two glass panes together using the two embedding layers 3, 11.
  • the lighting device 1 comprises an at least partially transparent embedding layer 3 on which an at least partially transparent carrier substrate 4 is arranged.
  • a structured electrically conductive layer 5 and an optoelectronic semiconductor component 6 are arranged on the side of the carrier substrate 4 facing the first embedding layer 3 .
  • the first embedding layer 3 embeds the structured electrically conductive layer 5 and the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • the optoelectronic semiconductor component 6 is designed to emit light along a main emission direction E 1 through an upper side 6a of the optoelectronic semiconductor component 6 and in a direction E 2 counter to the main emission direction through an underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • the structured electrically conductive layer 5 is designed in such a way that it has a first 5a, a second 5b and a third 5c region, which are each electrically insulated from one another.
  • An insulation layer 9 is arranged on the third area 5c or between the first and the third and the second and the third area.
  • a first conductor track section 10a is arranged on the insulation layer 9 and connects the first region 5a of the structured electrically conductive layer 5 to a first electrical connection surface 8a of the optoelectronic semiconductor component 6, and a second one is on the insulation layer 9
  • Interconnect section 10b is arranged, which connects the second area 5b of the structured electrically conductive layer 5 to a second electrical connection surface 8b of the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • a substantially opaque, in particular reflective area 7 is provided below the optoelectronic semiconductor component 6 viewed in direction E 2 opposite to the main emission direction. In the present case, this is formed by the third region of the structured electrically conductive layer 5 . This is intended to absorb light emitted by the semiconductor component 6 in the direction E 2 counter to the main emission direction or to reflect it in the direction of the main emission direction E 1 .
  • the size of the opaque area depends on a vertical distance d between the underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 and the opaque area 7, the area of the underside 6b of the optoelectronic African semiconductor component 6, and the maximum emission angle ⁇ of the underside 6 of the optoelectronic semiconductor component 6 emitted light.
  • Such an adapted contacting layout for the optoelectronic semiconductor component with a partially larger contact area or a non-current-carrying area allows a large part of the light emitted in direction E 2 counter to the main emission direction to be absorbed or reflected forward.
  • the novel contacting layout is based on a double-layer metallization with a continuous and in particular electrically insulated and therefore non-current-carrying metallization below the optoelectronic semiconductor component 6 (opaque local mirroring).
  • the different metallization levels can be electrically isolated from one another by means of the insulation layer 9 .
  • the first and the second region 5a, 5b of the structured electrically conductive layer 5 and the conductor track sections 10a, 10b can be made thin so that the transparency of the optoelectronic lighting device 1 is not impaired by them.
  • the opaque area 7, here in the form of the third area 5c of the structured electrically conductive layer 5, can have a certain size, it can still be invisible to an observer of the optoelectronic lighting device 1 due to the local introduction and a selected dimensioning.
  • the light-impermeable area 7 can have a diameter or edge lengths in the range of ⁇ 500 ⁇ m, ⁇ 200 ⁇ m, or ⁇ 50 ⁇ m, depending on the size of the semiconductor component 6, for example.
  • the lighting device 1 comprises a transparent pane 2, in particular glass pane, on which a first at least partially transparent embedding layer 3 is arranged. Furthermore, the lighting device 1 comprises a carrier substrate 4 on whose side facing the first embedding layer 3 a structured electrically conductive layer 5 and an optoelectronic semiconductor component 6 are arranged. In this case, the first embedding layer 3 embeds the structured electrically conductive layer 5 and the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • the optoelectronic semiconductor component 6 is designed to emit light along a main emission direction E 1 through an upper side 6a of the optoelectronic semiconductor component 6 and in a direction E 2 counter to the main emission direction through an underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • a second at least partially transparent embedding layer 11 which covers the carrier substrate 4 and over the second embedding layer 11 there is another transparent pane 15, in particular a glass pane.
  • the composite of the layers or panes shown is mechanically connected to one another in that the two transparent panes 2, 15 can be laminated together, for example, by the two embedding layers 3, 11. Alternatively, the composite of the layers or panes shown can be glued together.
  • the structured electrically conductive layer 5 is designed in such a way that it has a first 5a, a second 5b and a third 5c region, which are each electrically insulated from one another.
  • An insulation layer 9 is arranged in this area.
  • a first conductor track section 10a is arranged on the insulation layer 9 and connects the first region 5a of the structured electrically conductive layer 5 to a first electrical connection surface 8a of the optoelectronic semiconductor component 6, and a second one is on the insulation layer 9
  • Interconnect section 10b is arranged, which connects the second area 5b of the structured electrically conductive layer 5 to a second electrical connection surface 8b of the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • a substantially opaque, in particular reflective area 7 is provided below the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • this is formed by the third region of the structured electrically conductive layer 5 .
  • This is intended to absorb light emitted by the semiconductor component 6 in the direction E 2 counter to the main emission direction or to reflect it in the direction of the main emission direction E 1 .
  • the size of the opaque area depends on a vertical distance d between the underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 and the opaque area 7, the area of the underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6, and the maximum emission - Kels ⁇ of the light emitted by the underside 6 of the optoelectronic semiconductor component 6 .
  • Such an adapted contacting layout for the optoelectronic semiconductor component with a partially larger contact area or a non-current-carrying area allows a large part of the light emitted in direction E 2 counter to the main emission direction to be absorbed or reflected forward.
  • the novel contact layout is based on a double-layer metallization with a continuous and, in particular, electrically isolated and therefore non-current-carrying Metallization below the optoelectronic semiconductor component 6 (opaque local mirroring).
  • the different metallization levels can be electrically isolated from one another by means of the insulation layer 9 .
  • the first and the second region 5a, 5b of the structured electrically conductive layer 5 and the conductor track sections 10a, 10b can be made thin so that the transparency of the optoelectronic lighting device 1 is not impaired by them.
  • the opaque area 7, here in the form of the third area 5c of the structured electrically conductive layer 5, can have a certain size, it can still be invisible to an observer of the optoelectronic lighting device 1 due to the local introduction and a selected dimensioning.
  • the light-impermeable area 7 can have a diameter or edge lengths in the range of ⁇ 500 ⁇ m, ⁇ 200 ⁇ m, or ⁇ 50 ⁇ m, depending on the size of the semiconductor component 6, for example.
  • FIGS. 4A and 4B show the structure of a further embodiment of an optoelectronic lighting device 1 according to some aspects of the proposed principle in a side view and in a plan view.
  • the structured electrically conductive layer 5 does not have a third region chosen as the opaque region 7, but the second region 5b of the structured electrically conductive layer 5 extends underneath the whole Semiconductor component 6 and a portion of the second region acts as the opaque region 7.
  • the first and second regions 5a, 5b are electrically isolated from each other by the insulation layer 9, which is applied in regions to the portion of the second region 5b separated.
  • the optoelectronic lighting device 1 also has only a first conductor track section 10a, which is arranged on the insulation layer 9, and which has the first region 5a of the structured electrically conductive Layer 5 with a first electrical connection surface 8a of the optoelectronic semiconductor component 6 connects.
  • the second electrical connection surface 8b is electrically connected to the second area 5b via an enlarged solder pad or an elevation on the latter.
  • 5A and 5B show the structure of a further embodiment of an optoelectronic lighting device 1 according to some aspects of the proposed principle in a side view and in a top view.
  • the opaque area 7 is not formed by the structured electrically conductive layer 5 but by an accumulation of material arranged on the rear side of the carrier substrate 4 .
  • the accumulation of material is embedded in the second embedding layer 11 .
  • the accumulation of material can be, for example, a locally printed structured metal layer, or locally printed colored dots, reflectors, lenses or other things that absorb, reflect or deflect light emitted in direction E 2 counter to the main emission direction.
  • the accumulation of material should be dimensioned in such a way that it is large enough that a light emitted in direction E 2 counter to the main emission direction cannot shine past the opaque area 7 and at the same time it should be small enough that transparency of the optoelectronic lighting device 1 is not significantly impaired.
  • the opaque area 7 should be arranged sufficiently precisely below the semiconductor component 6 so that a light emitted in direction E 2 counter to the main emission direction cannot shine past the opaque area 7 to the side. 6 shows a sectional view of an optoelectronic lighting device 1 according to some aspects of the proposed principle to clarify the geometric relationships with regard to the size of the opaque area 7.
  • the figure shows the maximum emission angle ⁇ of a light emitted through the underside of the semiconductor component 6 , so that a correspondingly radiated light cone L results.
  • the size of the opaque area 7 results accordingly from the size of the underside 6b of the semiconductor component 6 plus an additional area due to the divergence of the light cone L, which with the distance d between the underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 and the light- impermeable area 7 becomes larger.
  • the additional surface can, for example, be ring-shaped or approximately ring-shaped with a width a.
  • the opaque area 7 also becomes larger accordingly.
  • the distance d between the underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 and the opaque region 7 is accordingly kept as small as possible.
  • the opaque area 7 is formed on the same side of the carrier substrate 4 as the semiconductor component 6, or, for example, in that the carrier substrate and possible further layers that are arranged between the underside 6b of the optoelectronic semiconductor component 6 and the opaque area 7 are arranged as far as possible be made thin.
  • FIG. 7 shows a further embodiment of an optoelectronic lighting device 1, in which the opaque area 7 is arranged on a further carrier substrate 4b.
  • the two carrier substrates 4a, 4b together with the first, the second and a third embedding layer 3, 11, 16 form a composite which is laminated between the two transparent panes 2, 15.
  • Such an arrangement has the advantage that the two substrates 4a, 4b with the respective components arranged on them can be produced separately and can then be glued to one another.
  • an anti-reflecting layer 14 can be arranged on the transparent pane 2, as shown by way of example in the embodiment in FIG. As a result, back reflections (Fresnel reflections at the interface between glass and air) of the light emitted in the main emission direction, which can arise through the surface of the transparent panes 2, can be reduced.
  • anti-reflective layers 14 can also be laminated between the further layers of the lighting device 1 .
  • the opaque region 7 is formed by a material accumulation of a reflective material 12 and a light-absorbing material 13 encasing the reflective material. Any possible translucency through the opaque area 7 can be additionally weakened or prevented by the light-absorbing material.
  • the opaque area 7 can be implemented correspondingly, for example, by white-suppressed black dots. A reflection in the direction of the main emission direction E 1 takes place by means of a white material 12 and possible light shining through the white material absorbed by a black coating 13 of the white dot.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung umfassend eine erste zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht und wenigstens ein auf der ersten Einbettungsschicht angeordnetes zumindest teilweise transparentes Trägersubstrat, auf dessen der ersten Einbettungsschicht zugewandten Seite eine strukturierte elektrisch leitfähige Schicht und wenigstens ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angeordnet sind. Die erste Einbettungsschicht bettet dabei die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht und das optoelektronische Halbleiterbauelement ein. Zudem ist das optoelektronische Halbleiterbauelement dazu ausgebildet zumindest entlang einer Hauptabstrahlrichtung Licht durch eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements und in eine Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung durch eine Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements zu emittieren. In Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung gesehen unterhalb des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist ein im Wesentlichen lichtundurchlässiger Bereich vorgesehen, der eine Größe in Abhängigkeit von wenigstens zwei aus - einem senkrechten Abstand zwischen der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements und dem lichtundurchlässigen Bereich; - einer Fläche der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements; und - eines maximalen Abstrahlwinkels des durch die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements emittierten Lichts aufweist.

Description

OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deut- schen Patentanmeldung Nr. 10 2022 104 459.9 vom 24. Februar 2022, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
Die vorliegende Erfindung beschäftigt sich mit Technologien zur Anzeige von Informationen in oder auf einer transparenten Scheibe oder einer Oberfläche eines Fahrzeugs. Insbesondere be- trifft die Erfindung eine Scheibe, ein Fenster, eine Panorama- dachverglasung, einen Dachhimmel oder eine weitere Oberfläche eines Fahrzeugs, umfassend optoelektronische Halbleiterbauele- mente, sowie deren Verkabelung und Ansteuerung, um Informatio- nen oder Symbole auf der Scheibe, dem Fenster, der Panoramad- achverglasung, dem Dachhimmel oder der weiteren Oberfläche des Fahrzeuges anzuzeigen.
Obwohl die Erfindung hauptsächlich Scheiben, Fenster, Panora- madachverglasung, einen Dachhimmel und Außenflächen eines Autos thematisiert, ist sie nicht auf diesen bestimmten Fahrzeugtyp beschränkt, sondern kann alternativ in andere Fahrzeugtypen wie beispielsweise Züge, Busse, Lastwägen, Flugzeuge, oder Schiffe implementiert werden.
Darüber hinaus kann der Gegenstand der vorliegenden Erfindung auch im Bereich von Gebäuden und Häusern verwendet werden, um Informationen in oder auf entsprechend verwendeten Scheiben, insbesondere Glasscheiben, anzuzeigen.
HINTERGRUND
Die Scheiben eines Kraftfahrzeugs, insbesondere eines Autos, bestehen in der Regel aus Verbundglas. Ein solches Verbundglas wird nicht nur für Windschutzscheiben, sondern zum Teil auch für Seitenfenster, Heckscheiben, Schiebedächer und Panoramadä- cher verwendet. Verbundglas wird hergestellt, indem zwei oder mehr Glasscheiben mittels einer thermoplastischen Verbindungs- schicht miteinander verbunden werden. Teils wird die thermo- plastische Schicht auch nur auf eine Scheibe aufgebracht.
LEDs, die so ausgerichtet sind, dass sie in Richtung des Innen- raums eines Kraftfahrzeugs, insbesondere eines Autos, strahlen, werden verwendet, um eine Innenbeleuchtung bereitzustellen oder, um dem Fahrer oder einem weiteren Insassen des Fahrzeugs Informationen zu liefern. Lichtquellen, wie beispielsweise Frontleuchten, Rücklichter, die hochgesetzte Bremsleuchte und zusätzliche Bremsleuchten bzw. Blinker, die so ausgerichtet sind, dass sie nach außen strahlen, liefern hingegen eine Au- ßenbeleuchtung für das Fahrzeug.
In der Vergangenheit wurden bereits Versuche unternommen, eine LED-Beleuchtung als integralen Bestandteil von Fahrzeugkompo- nenten zu integrieren um beispielsweise eine Innenbeleuchtung für das Fahrzeug bereitzustellen. Ein Ansatz besteht beispiels- weise darin LEDs in die Verglasung eines Fahrzeugs, insbesondere in die thermoplastische Verbindungsschicht zwischen zwei Glas- scheiben, zu integrieren.
Zum gegenwärtigen Zeitpunkt sind jedoch keine Lösungen bekannt, bei der LEDs in transparent erscheinende Fahrzeugkomponenten, wie die Scheiben eines Kraftfahrzeugs, integriert werden kön- nen, sodass lediglich eine Innenbeleuchtung oder eine Außenbe- leuchtung bereitgestellt wird. So soll ein von den LEDs emit- tiertes Licht z.B. bei einer Anwendung in der Heckscheibe als Bremslicht möglichst nur nach außen abgestrahlt werden, da Licht, das in den Fahrzeuginnenraum abgestrahlt wird, den Fahrer blenden kann. Gemäß Straßenverkehrsordnung darf außerdem z.B. kein rotes Licht nach vorne abgestrahlt werden, weswegen eine Emission der LEDs in den Fahrzeuginnenraum verhindert werden muss. In gleicher Weise soll z.B. bei der Integration eines transparenten Anzeigeelements in die Windschutzscheibe oder die Fahrzeug-Seitenscheibe vermieden werden, dass eine darauf an- gezeigte Information von außerhalb des Fahrzeugs lesbar ist.
Um LEDs in transparent erscheinende Fahrzeugkomponenten zu in- tegrieren, bietet es sich an Saphir-Chips auf LED-Folien mit möglichst hoher Transparenz (kleine Pads und nur kleinstmögli- che metallische Leiterbahnbreiten) zu verwenden. Jedoch lässt sich dabei aufgrund des intrinsischen Abstrahlverhaltens der Chips nicht verhindern, dass Licht auch entgegen einer Haupt- abstrahlrichtung der Chips abgestrahlt wird. Zum gegenwärtigen Zeitpunkt sind keine Möglichkeiten bekannt, dieses Verhalten unter Beibehaltung der technologiespezifischen Vorteile (z.B. hohe Transparenz) zu unterdrücken. Durch ein Einlaminieren ei- ner vollflächig getönten PVB-Folie kann eine Abstrahlung ent- gegen der Hauptabstrahlrichtung zwar modifiziert und reduziert werden, jedoch hat eine solch getönte Folie negative Auswirkun- gen auf die Transparenz der Anwendung
Es besteht das Bedürfnis, den vorgenannten Problemen entgegen- zuwirken und eine im Wesentlichen transparente optoelektroni- sche Leuchtvorrichtung, beispielsweise eine Scheibe eines Fahr- zeugs bereitzustellen, die optoelektronische Halbleiterbauele- mente umfasst, und die einfach und kostengünstig herzustellen ist.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Diesem und anderen Bedürfnissen wird durch eine optoelektroni- sche Leuchtvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 1 und einem Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruch 17 Rechnung getragen. Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Eine erfindungsgemäße optoelektronische Leuchtvorrichtung um- fasst eine erste zumindest teilweise transparente Einbettungs- schicht. Ferner umfasst die Leuchtvorrichtung wenigstens ein auf der ersten Einbettungsschicht angeordnetes zumindest teil- weise transparentes Trägersubstrat, auf dessen der ersten Ein- bettungsschicht zugewandten Seite eine strukturierte elektrisch leitfähige Schicht und wenigstens ein optoelektronisches Halb- leiterbauelement angeordnet sind. Das Trägersubstrat mit der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht und dem wenigs- tens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement ist dabei derart gegenüber der ersten Einbettungsschicht angeordnet, dass die erste Einbettungsschicht die strukturierte elektrisch leit- fähige Schicht und das wenigstens eine optoelektronische Halb- leiterbauelement einbettet. Das wenigstens eine optoelektroni- sche Halbleiterbauelement ist ferner dazu ausgebildet, während einer bestimmungsgemäßen Verwendung zumindest entlang einer Hauptabstrahlrichtung Licht durch eine Oberseite des optoelekt- ronischen Halbleiterbauelements und in eine Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung durch eine Unterseite des optoelekt- ronischen Halbleiterbauelements zu emittieren. Zudem ist in Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung gesehen unterhalb des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements wenigstens ein im Wesentlichen lichtundurchlässiger, insbeson- dere reflektierender, Bereich vorgesehen, der eine Größe auf- weist in Abhängigkeit von wenigstens zwei aus
- einem senkrechten Abstand zwischen der Unterseite des opto- elektronischen Halbleiterbauelements und dem lichtundurch- lässigen Bereich;
- einer Fläche der Unterseite des optoelektronischen Halb- leiterbauelements; und
- eines maximalen Abstrahlwinkels des durch die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements emittierten Lichts.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der lichtundurchläs- sige Bereich größer als ein auf den lichtundurchlässigen Bereich auftreffender Lichtkegel eines durch die Unterseite des opto- elektronischen Halbleiterbauelements emittierten Lichts und kleiner als das 2 fache des auftreffenden Lichtkegels ausgebil- det. Insbesondere ist der lichtundurchlässige Bereich größer als eine Projektion eines auf eine Oberfläche des lichtundurch- lässigen Bereich auftreffenden Lichtkegels eines durch die Un- terseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements emittier- ten Lichts. Gleichzeitig ist der lichtundurchlässige Bereich kleiner als das 2 fache der Projektion des auf die Oberfläche des lichtundurchlässigen Bereichs auftreffenden Lichtkegels.
Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung liegt darin, LEDs in eine transparent erscheinende Komponente/Schicht, wie beispielsweise die Scheiben eines Kraftfahrzeugs, zu integrieren, sodass diese Licht in lediglich eine Richtung, also beispielsweise in den Innenraum oder in den Außenraum eines Fahrzeugs, emittieren. Dazu werden auf einem zumindest teilweise transparenten Trä- gersubstrat optoelektronische Halbleiterbauelemente angeordnet und mittels einer strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht elektrisch kontaktiert, und in Richtung entgegen der Hauptab- strahlrichtung gesehen unterhalb der optoelektronischen Halb- leiterbauelemente wird ein lichtundurchlässiger bzw. reflektie- render Bereich vorgesehen, der eine Lichtemission aus der Kom- ponente/Schicht in Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung verhindert. Der lichtundurchlässige bzw. reflektierende Bereich ist dabei derart dimensioniert und unterhalb der optoelektro- nischen Halbleiterbauelemente positioniert, sodass zumindest für das menschliche Auge eines Benutzers der Komponente (bspw. der Fahrer oder Beifahrer eines Fahrzeugs) die Kompo- nente/Schicht dennoch transparent erscheint. Die Größe des lichtundurchlässigen bzw. reflektierenden Bereichs ergibt sich dabei in Abhängigkeit von wenigstens einem aus einem senkrechten Abstand zwischen einer Unterseite des optoelektronischen Halb- leiterbauelements und dem lichtundurchlässigen Bereich, einer Fläche der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauele- ments, und eines maximalen Abstrahlwinkels des durch die Unter- seite des optoelektronischen Halbleiterbauelements emittierten Lichts.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht zumindest einen ersten und einen zum ersten elektrisch isolierten zweiten Bereich auf. Der erste Bereich ist dabei mit einer ersten elektrischen Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements und der zweite Be- reich mit einer zweiten elektrischen Anschlussfläche des opto- elektronischen Halbleiterbauelements gekoppelt. Die struktu- rierte elektrisch leitfähige Schicht bzw. der erste und der zweite Bereich der strukturierten elektrisch leitfähige Schicht können der Versorgung des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelementen mit elektrischer Energie und/oder einem Datensignal dienen. Die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht kann aus einem leitfähigen Material, wie z. B. Kupfer, bestehen. Die Bereiche der strukturierten elektrisch leitfähi- gen Schicht können beschichtet und/oder geschwärzt sein, um den Reflexionsgrad des äußeren Oberflächenbereichs der wenigstens einen elektrischen Leitung zu reduzieren. Die Beschichtung kann zum Beispiel eine Palladium- oder Molybdänbeschichtung sein. Zumindest für Bereiche der strukturierten elektrisch leitfähi- gen Schicht kann es gewünscht sein, dass diese besonders re- flektierend sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die strukturierte elektrisch leitfähigen Schicht ein im Wesentlichen transparen- tes Material, wie z. B. Indium-Zinn-Oxid (ITO). Durch ein sol- ches Material kann beispielsweise die Transparenz der opto- elektronischen Leuchtvorrichtung erhöht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der lichtundurchläs- sige Bereich durch einen zum ersten und zweiten elektrisch iso- lierten dritten Bereich der strukturierten elektrisch leitfä- higen Schicht gebildet. Bei dem dritten Bereich kann es sich dabei um einen zusammenhängenden Bereich handeln, der unterhalb des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements angeordnet ist und der von dem ersten und zweiten Bereich elektrisch isoliert ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der lichtundurchläs- sige Bereich hingegen durch einen Teilbereich des zweiten Be- reichs der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht gebil- det. Bei dem Teilbereich kann es sich beispielsweise um einen zusammenhängenden Bereich/Fläche handeln, der unterhalb des we- nigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements ange- ordnet ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der erste und der zweite Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht, sowie im Falle eines dritten Bereichs auch der dritte Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht durch eine Isolationsschicht voneinander getrennt. Die Isolations- schicht kann beispielsweise auf dem zweiten oder dem dritten Bereich und zwischen dem ersten, zweiten und dritten Bereich angeordnet sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optoelektro- nische Leuchtvorrichtung zudem einen ersten Leiterbahnab- schnitt, der den ersten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht mit der ersten elektrischen Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements verbindet. Der erste Leiterbahnabschnitt ist dabei auf der Isolationsschicht angeordnet und erstreckt sich auf dieser von dem ersten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht zu der ersten elektrischen Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiter- bauelements.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optoelektro- nische Leuchtvorrichtung zudem einen zweiten Leiterbahnab- schnitt, der den zweiten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht mit der zweiten elektrischen Anschlussflä- che des optoelektronischen Halbleiterbauelements verbindet. Der zweite Leiterbahnabschnitt ist dabei auf der Isolationsschicht angeordnet und erstreckt sich auf dieser von dem zweiten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht zu der zwei- ten elektrischen Anschlussfläche des optoelektronischen Halb- leiterbauelements.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optoelektro- nische Leuchtvorrichtung zudem eine zweite zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht, die auf einer dem optoelekt- ronischen Halbleiterbauelement gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrates angeordnet ist.
In einigen Ausführungsformen ist die erste und/oder zweite zu- mindest teilweise transparente Einbettungsschicht durch eine Schmelzmaterialschicht, einer Klebstoffschicht, einer Schmelz- klebstoffschicht, ein Harz, wie z. B. Ethylenvinylacetat (EVA), Polyvinylbutyral (PVB), oder durch ein System auf lonomerbasis gebildet. Insbesondere kann die erste und/oder zweite zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht einen zumindest teil- weise transparenten Kunststoff, insbesondere eine zumindest teilweise transparente Folie, insbesondere eine flexible Folie, umfassen oder daraus bestehen. Zumindest die erste zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht kann beispielweise durch einen Schutzlack gebildet sein, der die die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht und das wenigstens eine opto- elektronische Halbleiterbauelement einbettet. In einigen Aus- führungsformen kann die erste und/oder zweite zumindest teil- weise transparente Einbettungsschicht geschwärzt sein.
In einigen Ausführungsformen ist das Trägersubstrat mit der darauf angeordneten strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht und dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiter- bauelement zwischen der ersten und der zweiten zumindest teil- weise transparenten Einbettungsschicht eingebettet. Die erste und zweite zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht können beispielsweise eine Höhe bzw. Topographie der struktu- rierten elektrisch leitfähigen Schicht und dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement ausgleichen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der lichtundurchläs- sige Bereich auf einer dem optoelektronischen Halbleiterbauele- ment gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrates angeordnet und in die zweite zumindest teilweise transparente Einbettungs- schicht eingebettet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der lichtundurchläs- sige Bereich durch eine Materialanhäufung eines lichtundurch- lässigen Materials, bspw. ein reflektierendes und/oder licht absorbierendes Material, gebildet, die auf einer dem optoelekt- ronischen Halbleiterbauelement gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrates angeordnet ist. Beispielsweise kann der licht- undurchlässige Bereich auch durch eine Materialanhäufung eines reflektierenden Materials und ein das reflektierende Material einmantelndes licht absorbierendes Material gebildet sein. Ein dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement zugewandter Bereich der Materialanhäufung kann dabei reflektie- rend ausgestaltet sein, und seitliche Bereiche, sowie ein dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement abge- wandter Bereich der Materialanhäufung kann beispielsweise lichtabsorbierend ausgestaltet sein.
In einigen Ausführungsformen umfasst das zumindest teilweise transparente Trägersubstrat mindestens eines aus den Materia- lien PET, Polycarbonat, PMMA, und PEN. Insbesondere kann das flexible Trägersubstrat ein im Wesentlichen transparentes Ma- terial umfassen, dass zusätzlich dazu flexible bzw. elastische Eigenschaften aufweist. Die Formulierung „flexibel" kann dabei dahingehend verstanden, dass das Trägersubstrat biegsam bzw. elastisch ist und zerstörungsfrei und ohne Einwirkung großer Kräfte in eine gewünschte Form gebracht werden kann. In einigen Ausführungsformen umfasst die optoelektronische Leuchtvorrichtung eine transparente Scheibe, die auf der ersten Einbettungsschicht angeordnet ist. Die transparente Scheibe kann beispielsweise durch eine Glasscheibe gebildet sein, je- doch kann die transparente Scheibe auch aus einem transparenten Kunststoff wie Plexiglas oder einer transparenten Folie gebil- det sein. In einigen Ausführungsformen ist die transparenten Scheibe durch eine transparente, biegsame Folie gebildet.
In einigen Ausführungsformen umfasst die optoelektronische Leuchtvorrichtung eine weitere transparente Scheibe, insbeson- dere Glasscheibe, wobei die erste und die optionale zweite Ein- bettungsschicht zwischen den beiden transparenten Scheiben, insbesondere Glasscheiben, angeordnet sind. Die erste und die optionale zweite Einbettungsschicht können beispielsweise durch eine thermoplastische Verbindungsschicht gebildet sein, die zwischen zwei Glasscheiben laminiert ist. Entsprechend kann die optoelektronische Leuchtvorrichtung eine Verbundglasscheibe bilden, in die eine Vielzahl von Leuchtelementen integriert ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die optoelektro- nische Leuchtvorrichtung zudem eine entspiegelnde Schicht, die auf der transparenten Scheibe angeordnet ist. Durch eine Ent- spiegelung auf der Oberfläche der transparenten Scheibe können Rückreflexionen im inneren der optoelektronische Leuchtvorrich- tung reduziert werden.
In einigen Ausführungsformen ist das wenigstens eine optoelekt- ronische Halbleiterbauelement durch ein Leuchtelement bzw. eine LED gebildet. In einigen Ausführungsformen bildet das wenigs- tens eine optoelektronische Halbleiterbauelement einen Leucht- punkt, wobei die Gesamtheit mehrerer solcher Leuchtpunkte wäh- rend einer bestimmungsgemäßen Verwendung der optoelektronische Leuchtvorrichtung ein leuchtendes Symbol oder einen leuchtenden Schriftzug formen kann. Die Leuchtpunkte können hingegen auch willkürlich zueinander angeordnet sein und beispielsweise ein punktförmiges Muster bilden. Dabei ist der Begriff Leuchtpunkt nicht als punktförmiges Element, sondern als Bereich einer durch die Größe des Halbleiterbauelements vorgegebenen definierten Leuchtfläche zu verstehen.
In einigen Ausführungsformen kann das wenigstens eine opto- elektronische Halbleiterbauelement durch ein Leuchtelement bzw. eine LED gebildet sein, das ein Konversionsmaterial umfasst. Das Konversionsmaterial kann beispielsweise über einem licht- emittierenden Bereich des Halbleiterbauelements angeordnet sein und dazu ausgebildet sein, das von dem Halbleiterbauelement emittierte Licht in Licht einer anderen Wellenlänge konvertie- ren.
In einigen Ausführungsformen ist das wenigstens eine optoelekt- ronische Halbleiterbauelement durch eine LED, insbesondere ei- nen LED-Chip gebildet. Eine LED kann insbesondere als Mini-LED bezeichnet werden, das ist eine kleine LED, beispielsweise mit Kantenlängen von weniger als 200 μm, insbesondere bis zu weniger als 40 μm, insbesondere im Bereich von 200 μm bis 10 μm. Ein anderer Bereich liegt zwischen 150 μm bis 40 μm. Bei diesen räumlichen Ausdehnungen ist das optoelektronische Halbleiter- bauelemente für das menschliche Auge nahezu unsichtbar.
Die LED kann auch als Mikro-LED, auch μLED genannt, oder als μLED-Chip bezeichnet werden, insbesondere für den Fall, dass die Kantenlängen in einem Bereich von 100 μm bis 3 μm liegen. In einigen Ausführungsformen kann die LED eine räumliche Abmes- sung von 90 x 150μm oder eine räumliche Abmessung von 75 x 125μm aufweisen.
Die Mini-LED oder der μLED-Chip kann in einigen Ausführungsfor- men ein ungehauster Halbleiterchip sein. Ungehaust kann bedeu- ten, dass der Chip kein Gehäuse um seine Halbleiterschichten herum aufweist, wie z.B. ein „chip die". In einigen Ausfüh- rungsformen kann ungehaust bedeuten, dass der Chip frei von jeglichem organischen Material ist. Somit enthält das ungehauste Bauelement keine organischen Verbindungen, die Kohlenstoff in kovalenter Bindung enthalten.
In einigen Ausführungsformen kann das wenigstens eine opto- elektronische Halbleiterbauelement eine Mini-LED oder einen μLED-Chip umfassen, der so konfiguriert ist, dass er Licht einer ausgewählten Farbe emittiert. In einigen Ausführungsformen kön- nen zwei oder mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente ein Pixel, wie z. B. ein RGB-Pixel, das drei Mini-LEDs oder μLED-Chips umfasst, bilden. Ein RGB-Pixel kann zum Beispiel Licht der Farben Rot, Grün und Blau sowie beliebige Mischfarben emittieren. In einigen Ausführungsformen können auch mehr als drei optoelektronische Halbleiterbauelemente ein Pixel, wie z. B. ein RGBW-Pixel, das vier Mini-LEDs oder μLED-Chips umfasst, bilden. Ein RGBW-Pixel kann zum Beispiel Licht der Farben Rot, Grün, Blau und Weiß sowie beliebige Mischfarben emittieren. Beispielsweise kann mittels einem RGBW-Pixel weißes Licht, oder rotes Licht oder grünes Licht oder blaues Licht in Form einer Vollkonversion erzeugt werden.
In einigen Ausführungsformen ist das wenigstens eine optoelekt- ronische Halbleiterbauelement einem integrierten Schaltkreis zu dessen Ansteuerung zugeordnet. In einigen Ausführungsformen sind jeweils 2 oder mehrere optoelektronische Halbleiterbauele- mente einem integrierten Schaltkreis zu deren Ansteuerung zu- geordnet. Beispielsweise kann jeweils ein RGB-Pixel einem in- tegrierten Schaltkreise (IC) zugeordnet sein. Der oder die in- tegrierten Schaltkreise können beispielsweise durch einen be- sonders kleinen integrierten Schaltkreis, wie z. B. einen mik- rointegrierten Schaltkreise (μIC), gebildet sein.
In einigen Ausführungsformen kann über dem wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelement bzw. über jedem Pixel eine Schicht mit lichtstreuenden Partikeln angeordnet sein. Die Verwendung einer solchen Schicht mit den lichtstreuenden Par- tikeln kann insbesondere eine homogene Abstrahlung des Lichts des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements verbessern.
Die Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen kann während einer bestimmungsgemäßen Verwendung der optoelektroni- sche Leuchtvorrichtung ein leuchtendes Symbol oder einen leuch- tenden Schriftzug formen. Im Fall einer Vielzahl von optoelekt- ronischen Halbleiterbauelementen können die Leuchtelemente wäh- rend einer bestimmungsgemäßen Verwendung der optoelektronischen Leuchtvorrichtung gesamthaft ein Symbol oder einen leuchtenden Schriftzug formen, oder die Leuchtelemente können während einer bestimmungsgemäßen Verwendung der optoelektronische Leuchtvor- richtung mehrere Symbole oder leuchtende Schriftzüge formen.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronische Leuchtvorrichtung mit den Schritten:
- Bereitstellen einer ersten zumindest teilweise transparen- ten Einbettungsschicht;
- Bereitstellen eines zumindest teilweise transparenten Trä- gersubstrates mit - einer strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht und wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterbau- element, wobei das wenigstens eine optoelektronische Halbleiterbauelement dazu ausgebildet ist während ei- ner bestimmungsgemäßen Verwendung zumindest entlang einer Hauptabstrahlrichtung Licht durch eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements und in eine Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung durch eine Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbau- elements zu emittieren, und - einem im Wesentlichen lichtundurchlässigen, insbeson- dere reflektierenden, Bereich, der in Richtung entge- gen der Hauptabstrahlrichtung gesehen unterhalb des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauele- ments vorgesehen ist, wobei der lichtundurchlässige Bereich eine Größe in Abhängigkeit eines senkrechten Abstandes zwischen der Unterseite des optoelektroni- schen Halbleiterbauelements und dem lichtundurchläs- sigen Bereich und/oder in Abhängigkeit der Größe der Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauele- ments und/oder in Abhängigkeit eines maximalen Ab- strahlwinkels des durch die Unterseite des optoelekt- ronischen Halbleiterbauelements emittierten Lichts aufweist; und
- Anordnen des Trägersubstrates auf der ersten Einbettungs- schicht derart, dass die strukturierte elektrisch leitfä- hige Schicht und das wenigstens eine optoelektronische Halbleiterbauelement in der ersten Einbettungsschicht ein- gebettet sind.
In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Bereit- stellens des Trägersubstrats ein Aufbringen der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht auf das Trägersubstrat, derart, dass die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht zumindest einen ersten und einen von dem ersten elektrisch isolierten zweiten Bereich aufweist. Zudem kann der Schritt des Aufbringens der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht ein Erzeugen eines von dem ersten und zweiten elektrisch isolierten dritten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht um- fassen, wobei der dritte Bereich den lichtundurchlässigen Be- reich bildet. Alternativ kann jedoch auch ein Teilbereich des zweiten Bereichs der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht den lichtundurchlässigen Bereich bilden.
In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Bereit- stellens des Trägersubstrats ein Aufbringen einer Isolations- schicht auf den dritten Bereich oder auf den Teilbereich des zweiten Bereichs der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht. Auf der Isolationsschicht kann zudem ein erster Lei- terbahnabschnitt (ausgebildet werden, der mit dem ersten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht elektrisch verbunden ist. Zusätzlich dazu kann auch ein zweiter Leiter- bahnabschnitt auf der Isolationsschicht ausgebildet werden, der mit dem zweiten Bereich der strukturierten elektrisch leitfä- higen Schicht elektrisch verbunden ist
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Schritt des Bereitstellens des Trägersubstrats ein Anordnen des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements auf dem Trä- gersubstrat, derart, dass der erste Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht mit einer ersten elektrischen Anschlussfläche des wenigstens einen optoelektronischen Halb- leiterbauelements und der zweite Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht mit einer zweiten elektrischen Anschlussfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements gekoppelt ist.
In einigen Ausführungsformen umfasst der Schritt des Bereit- stellens des Trägersubstrats ein Ausbilden bzw. Bereitstellen des lichtundurchlässigen Bereichs auf einer dem optoelektroni- schen Halbleiterbauelement gegenüberliegenden Oberseite des Trägersubstrats oder einer anderen unterhalb des Halbleiterbau- elements liegenden Fläche. Der lichtundurchlässige Bereich ist dabei insbesondere in Form einer Materialanhäufung eines licht- absorbierenden und/oder reflektierenden Materials ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner ein Aufbringen einer zweiten zumindest teilweise trans- parente Einbettungsschicht auf einer der ersten Einbettungs- schicht gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrats derart, dass die zweite und die erste Einbettungsschicht das Trägersub- strat und die darauf angeordneten Komponenten und Schichten bedeckt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren ferner ein Aufbringen einer transparenten Scheibe, insbesondere Glasscheibe auf der ersten Einbettungsschicht.
In einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren einen wei- teren Schritt:
- Anordnen einer weiteren transparenten Scheibe, insbesondere Glasscheibe, auf der zweiten Einbettungsschicht derart, dass die erste und die zweite Einbettungsschicht zwischen den beiden transparenten Scheiben, insbesondere Glasschei- ben, angeordnet sind.
In einigen Ausführungsformen werden die transparente Scheibe, die erste Einbettungsschicht, die zweite Einbettungsschicht und die optionale weitere transparente Scheibe in einem weiteren Laminationsschritt, insbesondere unter Einwirkung von Druck und/oder Temperatur, miteinander verbunden.
Die erfindungsgemäße optoelektronische Leuchtvorrichtung kann folgende Vorteile mit sich bringen: -Lichtabstrahlung lediglich in eine Richtung, so dass kein Licht z.B. in den Innenraum eines Fahrzeuges ab- gestrahlt wird;
Erhöhung der Systemeffizienz, da initial in Rückwärts- richtung abgestrahltes Licht in Richtung der Haupte- missionsseite umgelenkt wird und genutzt werden kann; Beibehaltung einer möglichst hohen Transparenz, da eine Abschattung / Reflexion nur lokal erfolgt, (ge- genüber dem Stand der Technik, bei dem eine getönte PVB-Folie vollflächig einlaminiert wird ist das ein deutlicher Transparenzgewinn);
Die Integration solcher lokal strukturierter oder lo- kal aufgebrachter lichtundurchlässiger Bereiche ist relativ preisgünstig; Durch die Verwendung von entspiegelten Gläsern können störende Reflexionen bzw. Mehrfachreflexionen verhin- dert und dadurch die Brillanz der Anzeigeelemente er- höht werden.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch,
Fig. 1A bis 1C ein Trägersubstrat mit einem optoelektroni- schen Halbleiterbauteil und den Aufbau ei- ner Verbundglasscheibe;
Fig. 2A und 2B den Aufbau einer optoelektronischen Leucht- vorrichtung nach einigen Aspekten des vor- geschlagenen Prinzips;
Fig. 3A und 3B den Aufbau einer weiteren Ausführungsformen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips;
Fig. 4A bis 5B den Aufbau weiterer Ausführungsformen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prin- zips;
Fig. 6 eine Schnittansicht einer optoelektroni- schen Leuchtvorrichtung nach einigen Aspek- ten des vorgeschlagenen Prinzips zur Ver- deutlichung der geometrischen Zusammen- hänge; und Fig. 7 bis 9B den Aufbau weiterer Ausführungsformen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prin- zips.
Detaillierte Beschreibung
Die folgenden Ausführungsformen und Beispiele zeigen verschie- dene Aspekte und ihre Kombinationen nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die Ausführungsformen und Beispiele sind nicht immer maßstabsgetreu. Ebenso können verschiedene Elemente vergrößert oder verkleinert dargestellt werden, um einzelne Aspekte her- vorzuheben. Es versteht sich von selbst, dass die einzelnen Aspekte und Merkmale der in den Abbildungen gezeigten Ausfüh- rungsformen und Beispiele ohne weiteres miteinander kombiniert werden können, ohne dass dadurch das erfindungsgemäße Prinzip beeinträchtigt wird. Einige Aspekte weisen eine regelmäßige Struktur oder Form auf. Es ist zu beachten, dass in der Praxis geringfügige Abweichungen von der idealen Form auftreten kön- nen, ohne jedoch der erfinderischen Idee zu widersprechen.
Außerdem sind die einzelnen Figuren, Merkmale und Aspekte nicht unbedingt in der richtigen Größe dargestellt, und auch die Pro- portionen zwischen den einzelnen Elementen müssen nicht grund- sätzlich richtig sein. Einige Aspekte und Merkmale werden her- vorgehoben, indem sie vergrößert dargestellt werden. Begriffe wie „oben", „oberhalb", „unten", „unterhalb", „größer", „klei- ner" und dergleichen werden jedoch in Bezug auf die Elemente in den Figuren korrekt dargestellt. So ist es möglich, solche Be- ziehungen zwischen den Elementen anhand der Abbildungen abzu- leiten.
Fig. 1A und 1B zeigen zwei Möglichkeiten einer Anordnung eines optoelektronischen Halbleiterelements 6 auf einem Trägersub- strat 4. Die Hauptemissionsrichtung E1 des Halbleiterbauelements 6 kann, wie in Fig. 1A dargestellt, entweder weg vom Substrat 4 (Chip Last) oder, wie in Fig. 1B dargestellt, durch das Sub- strat 4 (Chip First) verlaufen. Elektrische Anschlussflächen können entsprechend der Ausführung direkt mit einer Kontakt- struktur auf dem Substrat 4 verbunden werden, oder müssen mit- tels beispielsweise Wirebonds mit einer Kontaktstruktur auf dem Substrat 4 verbunden werden. Bei Chip First wird der Chip von oben mittel Wirebonds kontaktiert, bei Chip Last wird der Chip von unten kontaktiert durch aufsetzten des Chips auf einen Kon- taktstruktur kontaktiert.
Fig. 1C zeigt den Aufbau einer Verbundglasscheibe mit einem Trägersubstrat 4 entsprechend Fig. 1A. Die Verbundglasscheibe umfasst eine erste Glasscheibe 2 und eine zweite Glasscheibe 15, sowie eine erste Einbettungsschicht 4 und eine zweite Ein- bettungsschicht 11, die die beiden Glasscheiben mechanisch mit- einander verbinden. Zwischen den beiden Einbettungsschichten 3, 11 ist das Trägersubstrat 4 mit dem optoelektronischen Halblei- terbauelement 6 angeordnet und in diese eingebettet. Die Ver- bundglasscheibe kann beispielsweise dadurch erzeugt werden, dass die beiden Glasscheiben mittels den beiden Einbettungs- schichten 3, 11 zusammen laminiert werden.
Fig. 2A und 2B zeigen den Aufbau einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips in einer Seitenansicht und in einer Draufsicht. Die Leuchtvorrichtung 1 umfasst eine zumindest teilweise transpa- rente Einbettungsschicht 3 auf der ein zumindest teilweise transparentes Trägersubstrat 4 angeordnet ist. Auf der der ers- ten Einbettungsschicht 3 zugewandten Seite des Trägersubstrates 4 ist eine strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5 und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 6 angeordnet. Die erste Einbettungsschicht 3 bettet dabei die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5 und das optoelektronische Halb- leiterbauelement 6 ein. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 6 ist während einer bestimmungsgemäßen Verwendung dazu ausgebildet entlang einer Hauptabstrahlrichtung E1 Licht durch eine Oberseite 6a des opto- elektronischen Halbleiterbauelements 6 und in eine Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung durch eine Unterseite 6b des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 zu emittieren.
Die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5 ist derart ausgebildet, dass sie einen ersten 5a, einen zweiten 5b und einen dritten 5c Bereich aufweist, die jeweils elektrisch von- einander isoliert sind. Auf dem dritten Bereich 5c bzw. zwischen dem ersten und dem dritten und dem zweiten und dem dritten Bereich ist eine Isolationsschicht 9 angeordnet. Auf der Iso- lationsschicht 9 ist ein erster Leiterbahnabschnitt 10a ange- ordnet, der den ersten Bereich 5a der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 mit einer ersten elektrischen Anschluss- fläche 8a des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 ver- bindet, und auf der Isolationsschicht 9 ist ein zweiter Leit- bahnabschnitt 10b angeordnet, der den zweiten Bereich 5b der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 mit einer zwei- ten elektrischen Anschlussfläche 8b des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 verbindet.
In Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung gesehen ist unterhalb des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 ein im Wesentlichen lichtundurchlässiger, insbesondere reflektieren- der, Bereich 7 vorgesehen. Dieser ist im vorliegenden Fall durch den dritten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 gebildet. Dieser ist dazu vorgesehen ein von dem Halbleiterbauelement 6 in Richtung E2 entgegen der Hauptab- strahlrichtung emittiertes Licht zu absorbieren oder in Rich- tung der Hauptabstrahlrichtung E1 zu reflektieren. Der lichtun- durchlässige Bereich weist dabei eine Größe in Abhängigkeit von einem senkrechten Abstand d zwischen der Unterseite 6b des opto- elektronischen Halbleiterbauelements 6 und dem lichtundurchläs- sigen Bereich 7, der Fläche der Unterseite 6b des optoelektro- nischen Halbleiterbauelements 6, und des maximalen Abstrahlwin- kels α des durch die Unterseite 6 des optoelektronischen Halb- leiterbauelements 6 emittierten Lichts auf.
Durch ein derartig angepasstes Kontaktierungslayout für das optoelektronische Halbleiterbauteil mit einer partiell größeren Kontaktfläche bzw. einem nicht stromführenden Bereich kann ein Großteil des in Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung emittierten Lichtes absorbiert oder nach vorne reflektiert wer- den. Das neuartige Kontaktierungslayout basiert dabei auf einer doppellagigen Metallisierung mit einer durchgängigen und ins- besondere elektrisch isolierten und somit nicht stromführenden Metallisierung unterhalb des optoelektronischen Halbleiterbau- teils 6 (blickdichte lokale Verspiegelung). Mittels der Isola- tionsschicht 9 können die unterschiedlichen Metallisierungsebe- nen elektrisch voneinander getrennt werden.
Der erste und der zweite Bereich 5a, 5b der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 sowie die Leiterbahnabschnitte 10a, 10b können dabei dünn ausgeführt werden, sodass durch diese die Transparenz der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nicht beeinträchtigt wird. Der lichtundurchlässige Bereich 7, hier in Form des dritten Bereichs 5c der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 kann zwar eine gewisse Größe aufweisen, jedoch aufgrund der lokalen Einbringung und einer gewählten Dimensionierung dennoch unsichtbar für einen Betrach- ter der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 sein. Der licht- undurchlässige Bereich 7 kann beispielsweise einen Durchmesser bzw. Kantenlängen im Bereich von < 500 μm, < 200 μm, oder < 50 μm je nach Größe des Halbleiterbauteils 6 aufweisen.
Fig. 3A und 3B zeigen den Aufbau einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips in einer Seitenansicht und in einer Draufsicht. Die Leuchtvorrichtung 1 umfasst eine transparente Scheibe 2, ins- besondere Glasscheibe, auf der eine erste zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht 3 angeordnet ist. Ferner um- fasst die Leuchtvorrichtung 1 ein Trägersubstrat 4 auf dessen der ersten Einbettungsschicht 3 zugewandten Seite eine struk- turierte elektrisch leitfähige Schicht 5 und ein optoelektro- nisches Halbleiterbauelement 6 angeordnet sind. Die erste Ein- bettungsschicht 3 bettet dabei die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5 und das optoelektronische Halbleiterbau- element 6 ein.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 6 ist während einer bestimmungsgemäßen Verwendung dazu ausgebildet entlang einer Hauptabstrahlrichtung E1 Licht durch eine Oberseite 6a des opto- elektronischen Halbleiterbauelements 6 und in eine Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung durch eine Unterseite 6b des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 zu emittieren.
Auf der der ersten Einbettungsschicht 3 gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrates 4 ist eine zweite zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht 11 angeordnet, die das Trä- gersubstrat 4 bedeckt und über der zweiten Einbettungsschicht 11 ist eine weitere transparente Scheibe 15, insbesondere Glas- scheibe angeordnet.
Der Verbund aus den dargestellten Schichten bzw. Scheiben ist miteinander mechanisch verbunden, indem die beiden transparen- ten Scheiben 2, 15, durch die beiden Einbettungsschichten 3, 11 beispielsweise zusammen laminiert werden können. Alternativ kann der Verbund aus den dargestellten Schichten bzw. Scheiben miteinander verklebt werden.
Die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5 ist derart ausgebildet, dass sie einen ersten 5a, einen zweiten 5b und einen dritten 5c Bereich aufweist, die jeweils elektrisch von- einander isoliert sind. Auf dem dritten Bereich 5c bzw. zwischen dem ersten und dem dritten und dem zweiten und dem dritten Bereich ist eine Isolationsschicht 9 angeordnet. Auf der Iso- lationsschicht 9 ist ein erster Leiterbahnabschnitt 10a ange- ordnet, der den ersten Bereich 5a der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 mit einer ersten elektrischen Anschluss- fläche 8a des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 ver- bindet, und auf der Isolationsschicht 9 ist ein zweiter Leit- bahnabschnitt 10b angeordnet, der den zweiten Bereich 5b der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 mit einer zwei- ten elektrischen Anschlussfläche 8b des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 verbindet.
In Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung gesehen ist unterhalb des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 ein im Wesentlichen lichtundurchlässiger, insbesondere reflektieren- der, Bereich 7 vorgesehen. Dieser ist im vorliegenden Fall durch den dritten Bereich der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 gebildet. Dieser ist dazu vorgesehen ein von dem Halbleiterbauelement 6 in Richtung E2 entgegen der Hauptab- strahlrichtung emittiertes Licht zu absorbieren oder in Rich- tung der Hauptabstrahlrichtung E1 zu reflektieren. Der lichtun- durchlässige Bereich weist dabei eine Größe in Abhängigkeit von einem senkrechten Abstand d zwischen der Unterseite 6b des opto- elektronischen Halbleiterbauelements 6 und dem lichtundurchläs- sigen Bereich 7, der Fläche der Unterseite 6b des optoelektro- nischen Halbleiterbauelements 6, und des maximalen Abstrahlwin- kels α des durch die Unterseite 6 des optoelektronischen Halb- leiterbauelements 6 emittierten Lichts auf.
Durch ein derartig angepasstes Kontaktierungslayout für das optoelektronische Halbleiterbauteil mit einer partiell größeren Kontaktfläche bzw. einem nicht stromführenden Bereich kann ein Großteil des in Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung emittierten Lichtes absorbiert oder nach vorne reflektiert wer- den. Das neuartige Kontaktierungslayout basiert dabei auf einer doppellagigen Metallisierung mit einer durchgängigen und ins- besondere elektrisch isolierten und somit nicht stromführenden Metallisierung unterhalb des optoelektronischen Halbleiterbau- teils 6 (blickdichte lokale Verspiegelung). Mittels der Isola- tionsschicht 9 können die unterschiedlichen Metallisierungsebe- nen elektrisch voneinander getrennt werden.
Der erste und der zweite Bereich 5a, 5b der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 sowie die Leiterbahnabschnitte 10a, 10b können dabei dünn ausgeführt werden, sodass durch diese die Transparenz der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nicht beeinträchtigt wird. Der lichtundurchlässige Bereich 7, hier in Form des dritten Bereichs 5c der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 kann zwar eine gewisse Größe aufweisen, jedoch aufgrund der lokalen Einbringung und einer gewählten Dimensionierung dennoch unsichtbar für einen Betrach- ter der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 sein. Der licht- undurchlässige Bereich 7 kann beispielsweise einen Durchmesser bzw. Kantenlängen im Bereich von < 500 μm, < 200 μm, oder < 50 μm je nach Größe des Halbleiterbauteils 6 aufweisen.
Fig. 4A und 4B zeigen den Aufbau einer weiteren Ausführungsform einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nach einigen As- pekten des vorgeschlagenen Prinzips in einer Seitenansicht und in einer Draufsicht. Im Gegensatz zu der in den Fig. 3A und 3B gezeigten Ausführungsform weist die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5 keinen dritten Bereich auf, der als der lichtundurchlässige Bereich 7 gewählt ist, sondern der zweite Bereich 5b der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 erstreckt sich unterhalb des gesamten Halbleiterbauteils 6 und ein Teilbereich des zweiten Bereichs wirkt als der lichtun- durchlässige Bereich 7. Durch die Isolationsschicht 9, die be- reichsweise auf den Teilbereich des zweiten Bereichs 5b aufge- bracht ist, werden der erste und der zweite Bereich 5a, 5b elektrisch voneinander getrennt. Die optoelektronische Leucht- vorrichtung 1 weist zudem nur einen ersten Leiterbahnabschnitt 10a auf der auf der Isolationsschicht 9 angeordnet ist, und der den ersten Bereich 5a der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht 5 mit einer ersten elektrischen Anschlussfläche 8a des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 verbindet. Die zweite elektrischen Anschlussfläche 8b ist hingegen über ein vergrößertes Lotpad oder eine Erhöhung auf dem zweiten Bereich 5b mit diesem elektrisch verbunden.
Fig. 5A und 5B zeigen den Aufbau einer weiteren Ausführungsform einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nach einigen As- pekten des vorgeschlagenen Prinzips in einer Seitenansicht und in einer Draufsicht. Im Gegensatz zu der in den Fig. 3A und 3B, sowie 4A und 4B gezeigten Ausführungsform ist der lichtundurch- lässige Bereich 7 nicht durch die strukturierte elektrisch leit- fähige Schicht 5, sondern durch eine auf der Rückseite des Trägersubstrates 4 angeordnete Materialanhäufung gebildet. Die Materialanhäufung ist dabei in die zweite Einbettungsschicht 11 eingebettet.
Bei der Materialanhäufung kann es sich beispielsweise um einen lokal aufgedruckte strukturierte Metallschicht, oder um lokal aufgedruckte farbige Punkte, Reflektoren, Linsen oder sonstiges handeln, die ein in Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrich- tung emittiertes Licht absorbieren, reflektieren oder umlenken.
Die Materialanhäufung sollte dabei derart dimensioniert sein, dass es groß genug ist, dass ein in Richtung E2 entgegen der Hauptabstrahlrichtung emittiertes Licht nicht an dem lichtun- durchlässigen Bereich 7 seitlich vorbeischeinen kann und gleich- zeitig sollte es klein genug sein, dass eine Transparenz der optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nicht wesentlich beein- trächtigt wird. Zudem sollte der lichtundurchlässige Bereich 7 ausreichend genau unterhalb des Halbleiterbauelements 6 ange- ordnet sein, sodass ein in Richtung E2 entgegen der Hauptab- strahlrichtung emittiertes Licht nicht an dem lichtundurchläs- sigen Bereich 7 seitlich vorbeischeinen kann. Fig. 6 zeigt eine Schnittansicht einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips zur Verdeutlichung der geometrischen Zusammenhänge bzgl. der Größe des lichtundurchlässigen Bereichs 7. In der Figur ist der maximale Abstrahlwinkel α eines durch die Unter- seite des Halbleiterbauteils 6 emittierten Lichts dargestellt, sodass sich ein entsprechend abgestrahlter Lichtkegel L ergibt. Die Größe des lichtundurchlässigen Bereichs 7 ergibt sich ent- sprechend aus der Größe der Unterseite 6b des Halbleiterbauteils 6 plus eine aufgrund der Divergenz des Lichtkegels L zusätzli- chen Fläche, die mit dem Abstand d zwischen der Unterseite 6b des optoelektronischen Halbleiterbauelements 6 und dem licht- undurchlässigen Bereich 7 größer wird. Die Zusätzliche Fläche kann dabei beispielsweise ringförmig bzw. annähernd ringförmig mit einer Breite a ausgebildet sein. Die Breite a lässt sich dabei anhand des trigonometrischen Zusammenhangs a = tan(α)*d er- mitteln. Mit größer werdendem Abstand d und ebenso mit größer werdendem maximale Abstrahlwinkel α (zumindest zwischen 0° und 90°) wird entsprechend auch der lichtundurchlässige Bereich 7 größer.
Es versteht sich von selbst, dass entsprechend der Abstand d zwischen der Unterseite 6b des optoelektronischen Halbleiter- bauelements 6 und dem lichtundurchlässigen Bereich 7 möglichst klein gehalten wird. Beispielsweise indem der lichtundurchläs- sigen Bereich 7 auf derselben Seite des Trägersubstrates 4 wie das Halbleiterbauteil 6 ausgebildet ist, oder beispielsweise indem das Trägersubstrat und mögliche weitere Schichten, die zwischen der Unterseite 6b des optoelektronischen Halbleiter- bauelements 6 und dem lichtundurchlässigen Bereich 7 angeordnet sind möglichst dünn ausgeführt werden.
Fig. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform einer optoelektroni- schen Leuchtvorrichtung 1, bei der der lichtundurchlässige Be- reich 7 auf einem weiteren Trägersubstrat 4b angeordnet ist. Die beiden Trägersubstrate 4a, 4b bilden zusammen mit der ers- ten, der zweiten und einer dritten Einbettungsschicht 3, 11, 16 einen Verbund, der zwischen die beiden transparenten Scheiben 2, 15 laminiert wird. Eine solche Anordnung hat den Vorteil, dass die beiden Substrate 4a, 4b mit den jeweils darauf ange- ordneten Komponenten separat hergestellt werden können und an- schließend miteinander verklebt werden können. Beispielsweise ist es auch möglich den lichtundurchlässige Bereich 7 direkt auf eine der Einbettungsschichten anzuordnen und so das zweite Trägersubstrat 4b einzusparen.
Zusätzlich dazu kann, wie exemplarisch in der Ausführungsform in Fig. 8 gezeigt, auf der transparenten Scheiben 2 eine ent- spiegelnde Schicht 14 angeordnet sein. Dadurch können Rückre- flexionen (Fresnel-Reflexionen an der Grenzfläche zwischen Glas und Luft) des in Hauptemissionsrichtung emittierten Lichts, die durch die Oberfläche der transparenten Scheiben 2 entstehen können reduziert werden. Solche entspiegelnden Schichten 14 können alternativ auch zwischen die weiteren Schichten der Leuchtvorrichtung 1 laminiert werden.
Die Fig. 9a und 9b zeigen den Aufbau einer weiteren Ausfüh- rungsform einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung 1 nach ei- nigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips in einer Seitenan- sicht und in einer Draufsicht. Der lichtundurchlässige Bereich 7 ist dabei durch eine Materialanhäufung eines reflektierenden Materials 12 und ein das reflektierende Material einmantelndes lichtabsorbierendes Material 13 gebildet. Durch das lichtabsor- bierende Material kann ein mögliches Durchscheinen durch den lichtundurchlässigen Bereich 7 zusätzlich abgeschwächt bzw. un- terbunden werden. Der lichtundurchlässige Bereich 7 kann ent- sprechend beispielsweise durch weiß unterdrückte schwarze Punkte ausgeführt werden. Eine Reflexion in Richtung der Haupt- abstrahlrichtung E1 erfolgt dabei mittels eines weißen Materials 12 und mögliches das weiße Material durchscheinendes Licht wird durch eine schwarze Ummantelung 13 des weißen Punktes absor- biert.
BEZUGSZEICHENLISTE 1 optoelektronische Leuchtvorrichtung 2 erste Glasscheibe 3 erste zumindest teilweise transparente Einbettungs- schicht 4 Trägersubstrat 5 strukturierte elektrisch leitfähige Schicht 5a erster Bereich 5b zweiter Bereich 5c dritter Bereich 6 optoelektronisches Halbleiterbauelement 6a Oberseite 6b Unterseite 7 lichtundurchlässiger Bereich 8a, 8b Anschlussfläche 9 Isolationsschicht 10a, 10b Leiterbahnabschnitt 11 zweite zumindest teilweise transparente Einbettungs- schicht 12 reflektierendes Material 13 lichtabsorbierendes Material 14 entspiegelnde Schicht 15 zweite Glasscheibe 16 dritte zumindest teilweise transparente Einbettungs- schicht E1 Hauptabstrahlrichtung E2 Richtung entgegen der Hauptabstrahlrichtung L Lichtkegel d Abstand a Breite α Abstrahlwinkel

Claims

PATENTANSPRÜCHE 1 . Optoelektronische Leuchtvorrichtung (1) umfassend: eine erste zumindest teilweise transparente Einbet- tungsschicht (3); und wenigstens ein auf der ersten Einbettungsschicht (3) angeordnetes zumindest teilweise transparentes Trä- gersubstrat (4), auf dessen der ersten Einbettungsschicht (3) zugewandten Seite eine strukturierte elektrisch leit- fähige Schicht (5) und wenigstens ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (6) angeordnet sind; wobei die erste Einbettungsschicht (3) die struktu- rierte elektrisch leitfähige Schicht (5) und das wenigs- tens eine optoelektronische Halbleiterbauelement (6) ein- bettet; wobei das wenigstens eine optoelektronische Halblei- terbauelement (6) während einer bestimmungsgemäßen Ver- wendung dazu ausgebildet ist zumindest entlang einer Hauptabstrahlrichtung (E1) Licht durch eine Oberseite (6a) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (6) und in eine Richtung (E2) entgegen der Hauptabstrahlrichtung durch eine Unterseite (6b) des optoelektronischen Halb- leiterbauelements (6) zu emittieren; und wobei in Richtung (E2) entgegen der Hauptabstrahl- richtung gesehen unterhalb des wenigstens einen opto- elektronischen Halbleiterbauelements (6) ein im wesent- lichen lichtundurchlässiger, insbesondere reflektieren- der, Bereich (7) vorgesehen ist, der eine Größe in Ab- hängigkeit von wenigstens zwei aus
- einem senkrechten Abstand (d) zwischen der Unter- seite (6b) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (6) und dem lichtundurchlässigen Bereich (7);
- einer Fläche der Unterseite (6b) des optoelektro- nischen Halbleiterbauelements (6); und eines maximalen Abstrahlwinkels (α) des durch die
Unterseite (6b) des optoelektronischen Halbleiterbauele ments (6) emittierten Lichts aufweist .
2. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 1 wobei der lichtundurchlässige Bereich (7) größer als ein auf den lichtundurchlässigen Bereich (7) auf tref fender
Lichtkegel eines durch die Unterseite (6b) des optoelekt ronischen Halbleiterbauelements (6) emittierten Lichts und kleiner als das 2 fache des auf tref f enden Lichtkegels ist .
3. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2, wobei die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht
(5) zumindest einen ersten (5a) und einen zum ersten elektrisch isolierten zweiten Bereich (5b) aufweist, wo- bei der erste Bereich (5a) mit einer ersten elektrischen
Anschluss fläche (8a) des optoelektronischen Halbleiter bauelements (6) und der zweite Bereich (5b) mit einer zweiten elektrischen Anschlussfläche (8b) des optoelekt ronischen Halbleiterbauelements (6) gekoppelt ist.
4. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 3 wo- bei der lichtundurchlässige Bereich (7) durch einen zum ersten (5a) und zweiten (5b) elektrisch isolierten drit- ten Bereich (5c) der strukturierten elektrisch leitfähi gen Schicht (5) gebildet ist.
5. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 3 wo- bei der lichtundurchlässige Bereich (7) durch einen Teil bereich des zweiten Bereichs (5b) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) gebildet ist.
6. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der An spräche 3 bis 5, wobei der erste und der zweite Bereich (5a, 5b) der strukturierten elektrisch leitfähigen
Schicht ( 5 ) , sowie der optionale dritte Bereich (5c) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) durch eine Isolationsschicht (9) voneinander getrennt sind.
7. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 6, f er- ner umfassend einen ersten Leitbahnabschnitt (10a) der den ersten Bereich (5a) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit der ersten elektrischen An schlussfläche (8a) des optoelektronischen Halbleiterbau- elements (6) verbindet, und der auf der Isolationsschicht
(9) angeordnet ist.
8. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 6 oder
7, ferner umfassend einen zweiten Leitbahnabschnitt (10b) der den zweiten Bereich (5b) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit der zweiten elektrischen Anschlussfläche (8b) des optoelektronischen
Halbleiterbauelements (6) verbindet, und. der auf der Iso- lationsschicht (9) angeordnet ist.
9. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vo- rangegangenen Ansprüche, ferner umfassend eine zweite zu- mindest teilweise transparente Einbettungsschicht (11) , die auf einer dem optoelektronischen Halbleiterbauelement
(6) gegenüberliegenden Seite des Trägersubstrates (4) an- geordnet ist.
10. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 9 wo- bei der lichtundurchlässige Bereich (7) in die zweite zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht (11) eingebettet ist.
11. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vo- rangegangenen Ansprüche wobei der lichtundurchlässige Bereich (7) durch eine Materialanhäufung eines lichtun- durchlässigen Materials gebildet ist, die auf einer dem optoelektronischen Halbleiterbauelement (6) gegenüber- liegenden Seite des Trägersubstrates (4) angeordnet ist.
12. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 11, wo- bei der lichtundurchlässige Bereich (7) durch eine Mate- rialanhäuf ung eines reflektierenden Materials( 12 ) und ein das reflektierende Material einmantelndes licht ab- sorbierendes Material (13) gebildet ist.
13. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vo- rangegangenen Ansprüche, wobei das Trägersubstrat (4) mindestens eins aus PET, PC, und PEN umfasst.
14. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vo- rangegangenen Ansprüche, ferner umfassend eine transpa rente Scheibe (2) , insbesondere Glasscheibe, die auf der ersten Einbettungsschicht (3) angeordnet ist.
15. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 14, ferner umfassend eine weitere transparente Scheibe (15) , insbesondere Glasscheibe, wobei die erste (3) und die optionale zweite Einbettungsschicht (11) sowie das Trä gersubstrat (4) zwischen den beiden transparenten Schei ben (2, 15) , insbesondere Glasscheiben, angeordnet sind.
16. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vo- rangegangenen Ansprüche, ferner umfassend eine entspie- gelnde Schicht (14) , die auf der ersten Einbettungs schicht (3) oder der transparenten Scheibe (2) angeordnet ist .
17. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen
Leuchtvorrichtung (1) umfassend die Schritte: Bereitstellen einer ersten zumindest teilweise transparente Einbettungsschicht (3);
Bereitstellen eines zumindest teilweise transparen- ten Trägersubstrates (4) mit einer strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) und wenigstens einem optoelektroni- schen Halbleiterbauelement (6), wobei das we- nigstens eine optoelektronische Halbleiterbau- element (6) dazu ausgebildet ist während einer bestimmungsgemäßen Verwendung zumindest entlang einer Hauptabstrahlrichtung (E1) Licht durch eine Oberseite (6a) des optoelektronischen Halb- leiterbauelements (6) und in eine Richtung (E2) entgegen der Hauptabstrahlrichtung (E1) durch eine Unterseite (6b) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (6) zu emittieren, und einem im Wesentlichen lichtundurchlässigen, insbesondere reflektierenden, Bereich (7), der in Richtung (E2) entgegen der Hauptabstrahlrich- tung gesehen unterhalb des wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterbauelements (6) vorgesehen ist, wobei der lichtundurchlässige Bereich (7) eine Größe in Abhängigkeit eines senkrechten Abstandes (d) zwischen der Unter- seite (6b) des optoelektronischen Halbleiterbau- elements (6) und dem lichtundurchlässigen Be- reich (7) und/oder in Abhängigkeit der Größe der Unterseite (6b) des optoelektronischen Halblei- terbauelements (6) und/oder in Abhängigkeit ei- nes maximalen Abstrahlwinkels (α) des durch die Unterseite (6b) des optoelektronischen Halblei- terbauelements (6) emittierten Lichts aufweist; und
Anordnen des Trägersubstrates (4) auf der ersten Ein- bettungsschicht (3) derart, dass die strukturierte elektrisch leitfähige Schicht (5) und das wenigstens eine optoelektronische Halbleiterbauelement (6) in der ersten
Einbettungsschicht (3) eingebettet sind.
18. Verfahren nach Anspruch 17 1 wobei der Schritt des Bereit- stellens des Träger Substrats (4) ein Aufbringen der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) auf das
Träger subs trat (4) umfasst, derart, dass die struktu- rierte elektrisch leitfähige Schicht (5) zumindest einen ersten ( 5a ) und einen zum ersten elektrisch isolierten zweiten Bereich (5b) aufweist .
19. Verfahren nach Anspruch 18 wobei der Schritt des Auf- bringens der strukturierten elektrisch leitfähigen
Schicht (5) das Erzeugen eines zum ersten und zweiten
(5a 5b) elektrisch isolierten dritten Bereich (5c) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) um- fasst, wobei der dritte Bereich (5c) den lichtundurch- lässigen Bereich (7) bildet.
20. Verfahren nach Anspruch 18, wobei ein Teilbereich des zweiten Bereichs (5b) der strukturierten elektrisch leit- fähigen Schicht (5) den lichtundurchlässigen Bereich (7) bildet .
21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, wobei der Schritt des
Bereitstellens des Trägersubstrats (4) ein Aufbringen ei ner Isolat ions schicht (9) auf den dritten Bereich (5c) oder auf den Teilbereich des zweiten Bereichs (5b) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) um- fasst .
22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei der Schritt des Bereit- stellens des Trägersubstrats (4) ein Ausbilden eines ers ten Leiterbahnabschnittes (10a) auf der Isolationsschicht (9) umfasst der mit dem ersten Bereich (5a) der struk- turierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) elektrisch verbunden ist.
23. Verfahren nach Anspruch 22 wobei der Schritt des Bereit- stellens des Träger Substrats (4) ein Ausbilden eines zweiten Leiterbahnabschnittes (10b) auf der Isolations- schicht (9) umfasst, der mit dem zweiten Bereich (5b) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) elektrisch verbunden ist.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 23, wobei der
Schritt des Bereitstellens des Trägersubstrats (4) ein
Anordnen des wenigstens einen optoelektronischen Halb leiterbauelements (6) auf dem Trägersubstrat (4) umfasst derart , dass der erste Bereich (5a) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit einer ersten elektrischen Anschlussfläche (8a) des optoelektronischen
Halbleiterbauelements (6) und der zweite Bereich (5b) der strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht (5) mit ei ner zweiten elektrischen Anschlussfläche (8b) des opto elektronischen Halbleiterbauelements (6) gekoppelt ist.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 24, wobei der
Schritt des Bereitstellens des Trägersubstrats (4) ein
Ausbilden des lichtundurchlässigen Bereichs (7) auf einer dem optoelektronischen Halbleiterbauelement (6) gegen- überliegenden Oberseite des Trägersubstrats (4) umfasst.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 25, ferner umfassend ein Aufbringen einer zweiten zumindest teil- weise transparente Einbettungsschicht (11) auf eine der ersten Einbettungsschicht (3) gegenüberliegende Seite des
Trägersubstrates (4) .
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 26, weiter umfassend ein Anordnen einer transparenten Scheibe
(2), insbesondere Glasscheibe, auf der ersten Einbet- tungsschicht (3).
28. Verfahren nach Anspruch 27, weiter umfassend ein Anordnen einer weiteren transparente Scheibe (15), insbesondere Glasscheibe, auf der zweiten Einbettungsschicht (11) derart, dass die erste und die zweite Einbettungsschicht (3, 11) zwischen den beiden transparenten Scheiben (2, 15), insbesondere Glasschei- ben, angeordnet sind.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 oder 28, weiter umfassend einen Laminationsschritt, bei dem die transparente Scheibe (2), die erste Einbettungsschicht
(3), die die optionale zweite Einbettungsschicht (11) und die optionale weitere transparente Scheibe (15) mitei- nander verbunden werden.
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