WO2023157136A1 - 配線基板の製造方法、配線基板、レチクル、及び、露光描画データ構造 - Google Patents

配線基板の製造方法、配線基板、レチクル、及び、露光描画データ構造 Download PDF

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慶 東ヶ崎
健一 岩下
謙介 吉原
正也 鳥羽
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Definitions

  • the present disclosure relates to a wiring board manufacturing method, a wiring board, a reticle, and an exposure drawing data structure.
  • a semi-additive (SAP) method and a modified semi-additive (MSAP) method are widely used as methods for forming a wiring having a very small width (see, for example, Patent Document 1). These methods generally involve forming a copper plating layer on a metal layer by electroplating, the SAP method using an electroless copper plating layer for the metal layer, and the MSAP method using a copper foil.
  • An object of the present disclosure is to provide a method of manufacturing a wiring board, a wiring board, a reticle, and an exposure drawing data structure that can suppress yield reduction due to collapse of metal wiring.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for manufacturing a wiring board.
  • This method of manufacturing a wiring board includes the steps of forming a resist layer on a support, exposing the resist layer, developing the exposed resist layer to form an opening in the resist layer, and forming an opening in the opening.
  • the method includes a step of forming metal wiring and a step of removing the resist layer after the metal wiring is formed.
  • the wiring exposure pattern corresponding to the metal wiring and the dummy exposure pattern not corresponding to the metal wiring are exposed to the resist layer. At least part of the dummy exposure pattern is positioned within 200 ⁇ m from the edge of the wiring exposure pattern.
  • a dummy exposure pattern which does not constitute the wiring etc. of the wiring board is formed in a region within 200 ⁇ m from the end of the wiring exposure pattern corresponding to the metal wiring constituting the wiring etc. of the wiring board. at least partially located.
  • a dummy metal structure is provided in the region exposed by the dummy exposure pattern, or the resist layer in the region is divided into small pieces by providing the dummy exposure pattern, so that the area exposed by the wiring exposure pattern is reduced.
  • the stress from the resist to the metal wiring provided in the region can be reduced.
  • the adjacent dummy exposure pattern can prevent the metal wiring from collapsing due to the stress of the resist during the manufacturing process of the wiring board.
  • the metal wiring referred to herein includes, for example, wiring electrodes formed for horizontal electrical connection in a chip or substrate, or terminal electrodes or projecting electrodes formed for vertical electrical connection. is included.
  • the resist layer in the step of forming the resist layer, the resist layer is formed on the metal layer provided on the support, and in the step of forming the opening, the metal layer is exposed from the opening, and the metal layer is exposed from the opening.
  • finer wiring electrodes can be easily formed by forming metal wiring by SAP method, MSAP method, or the like. Therefore, according to this wiring board manufacturing method, it is possible to realize miniaturization or a reduction in the diameter of wiring electrodes and the like.
  • the dummy exposure pattern may surround at least part of the wiring exposure pattern. Also, the dummy exposure pattern may surround the entire wiring exposure pattern.
  • the outer side tends to collapse due to the peeling of the resist, but the arrangement of the dummy exposure pattern more reliably suppresses the collapse of the metal wirings, thereby increasing the yield. Decrease can be suppressed.
  • the dummy exposure pattern may include a mesh shape in which a plurality of lines are arranged in a grid.
  • the dummy exposure pattern can more reliably suppress collapse of the metal wiring such as the wiring electrode due to peeling of the resist, thereby suppressing a decrease in yield.
  • the width or diameter of the formed metal wiring in the lateral direction may be 20 ⁇ m or less.
  • metal wiring such as wiring electrodes can be made finer or finer, and even when fine or fine metal wiring is provided, it is possible to suppress the falling of the metal wiring and suppress the decrease in yield. can be done.
  • the resist layer may be formed of a negative resist, and the resist has a swelling rate of 30 wt. % or less.
  • the resist may have a swelling rate of 5% by weight or more, or 10% by weight or more and 20% by weight or less after being immersed in a 10-fold diluted stripping solution at 22° C. for 1 minute.
  • the stripping liquid can be a general-purpose stripping liquid.
  • the dummy exposure pattern may have a linear portion, and the width of the linear portion may be equal to or less than the resolution of the resist forming the resist layer.
  • the exposed resist layer is divided into small pieces, so that it is possible to prevent the metal wiring from falling down when the resist is stripped. Thereby, according to this manufacturing method, it is possible to suppress a decrease in yield.
  • this manufacturing method since it is difficult to form a dummy metal structure based on a dummy exposure pattern, it is not necessary to leave unnecessary portions in the manufactured wiring board.
  • the resist layer in the step of exposing the resist layer, may be exposed using a reticle including a wiring exposure pattern and a dummy exposure pattern.
  • drawing may be performed based on exposure drawing data including the wiring exposure pattern and the dummy exposure pattern, and the resist layer may be exposed.
  • a member such as a reticle becomes unnecessary, so the manufacturing cost can be reduced accordingly.
  • the exposure drawing data can be easily created or corrected.
  • a beam of a laser or an electron gun can be used for exposure.
  • the wiring board includes a support, a plurality of metal wires provided on the support, and at least one dummy metal structure surrounding at least a portion of the plurality of metal wires.
  • the width or diameter of the metal wiring in the lateral direction is 20 ⁇ m or less, and at least part of the dummy metal structure is located within 200 ⁇ m from the metal wiring closest to the dummy metal structure among the plurality of metal wirings.
  • the dummy metal structure is located within 200 ⁇ m from the metal wiring closest to the dummy metal structure among the plurality of metal wirings constituting the wiring of the wiring board.
  • the adjacent dummy metal structure can prevent the metal wiring from collapsing due to stress due to expansion of the resist during the manufacturing process of the wiring board. As a result, according to this wiring board, the collapse of the metal wiring is suppressed.
  • the dummy metal structures include a mesh-shaped dummy metal structure in which a plurality of lines are arranged in a grid pattern, an inner dummy metal structure positioned between the plurality of metal lines, and a plurality of metal lines arranged in a line. and a dummy metal structure having a plurality of dot-shaped electrodes surrounding at least a portion of the plurality of metal wires.
  • the planar shape of the dot-shaped electrodes may have, for example, geometric patterns such as circles, triangles, squares, cross marks, and combinations thereof.
  • the present disclosure provides a reticle for exposing a resist.
  • This reticle includes a wiring exposure pattern and a dummy exposure pattern at least a part of which is located within 200 ⁇ m from the end of the wiring exposure pattern.
  • the wiring etc. in the wiring board are not formed in the area within 200 ⁇ m from the end of the wiring exposure pattern corresponding to the metal wiring constituting the wiring etc. in the wiring board.
  • At least part of the dummy exposure pattern can be located.
  • the adjacent dummy exposure pattern prevents the metal wiring from collapsing due to the stress caused by the expansion of the resist during the manufacturing process of the wiring board, thereby suppressing the yield reduction of the wiring board. be able to.
  • the dummy exposure pattern may be formed so as to surround at least part of the wiring exposure pattern. In this case, such arrangement of the dummy exposure pattern can more reliably suppress the collapse of the metal wiring, thereby suppressing a decrease in the yield of the wiring board.
  • the present disclosure provides an exposure drawing data structure for an exposure apparatus for exposing a resist layer.
  • This exposure drawing data structure includes wiring exposure data that causes the exposure device to draw a wiring exposure pattern and dummy exposure data that causes the exposure device to draw a dummy exposure pattern. and dummy exposure data located within 200 ⁇ m from the end of the pattern.
  • wiring electrodes, etc., on the wiring board are configured within 200 ⁇ m from the end of the wiring exposure pattern corresponding to the metal wiring that constitutes the wiring, etc. on the wiring board.
  • At least a portion of the dummy exposure pattern may be positioned that is not intended to be used. As a result, it is possible to prevent the metal wiring from falling down during the manufacturing process of the wiring board by means of the adjacent dummy exposure pattern, thereby suppressing a decrease in the yield of the wiring board.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a pattern exposed in the exposure step in the wiring board manufacturing method shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view showing an enlarged corner S of the exposure pattern shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of exposure and development of a region corresponding to a dummy exposure pattern, showing an example in which the line width of the dummy exposure pattern is equal to or greater than the resolution of the resist.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a pattern exposed in the exposure step in the wiring board manufacturing method shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view showing an enlarged corner S of the exposure pattern shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of exposure and development of a region corresponding to a dummy exposure pattern, showing an example in which the line width of the dummy exposure pattern is smaller than the resolution of the resist.
  • FIGS. 6A and 6B are diagrams showing examples of exposure patterns with different dummy exposure patterns.
  • (a) to (c) of FIG. 7 are diagrams showing examples of exposure patterns with further different dummy exposure patterns.
  • FIG. 8 is a diagram showing an exposure pattern according to Example 1.
  • FIG. FIG. 9 is a diagram showing an exposure pattern according to Comparative Example 1.
  • FIG. 10 is a photograph showing wiring electrodes of a wiring board according to Comparative Example 1.
  • FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which a wiring electrode is tilted due to expansion of a resist in a wiring board manufacturing method.
  • the term “layer” includes not only a shape structure formed over the entire surface but also a shape structure formed partially when observed as a plan view.
  • the term “process” includes not only an independent process, but also when the intended action of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other processes. .
  • the numerical range indicated using “-" indicates the range including the numerical values before and after “-" as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper limit value or lower limit value of the numerical range at one step may be replaced with the upper limit value or lower limit value of the numerical range at another step.
  • the upper or lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
  • (meth)acrylic acid means at least one of “acrylic acid” and “methacrylic acid” corresponding thereto, and the same applies to other similar expressions such as (meth)acrylate.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a wiring board manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of a pattern exposed in the exposure step in the wiring board manufacturing method shown in FIG.
  • the method for manufacturing the wiring board shown in FIG. 1 includes a step A of forming a metal layer on a support, a step B of forming a resist layer on the metal layer on the support, a step C of exposing the resist layer, A step D of developing the exposed resist layer to form an opening in the resist layer, a step E of forming a metal wiring in the opening, a step F of removing the resist layer after the metal wiring is formed, and a metal wiring. and a step G of removing metal layers other than the above.
  • a metal layer 20 is formed on the main surface 10a of a plate-like support 10.
  • the outermost layer of the support 10 on which the metal layer 20 is provided is, for example, an insulating layer.
  • the insulating layer provided as the outermost layer of the support 10 may be, for example, an insulating resin layer such as a buildup layer.
  • the support 10 may include wiring connected to wiring electrodes 2 (see (f) in FIG. 1), which will be described later.
  • the metal layer 20 is a layer that functions as a seed layer for electrolytic plating.
  • the metal layer 20 may be, for example, a metal plating layer formed by electroless plating, a metal foil such as copper foil, a layer formed by vapor deposition such as sputtering, or a sintered metal layer.
  • the sintered metal layer is a layer formed by heating a coating film containing metal particles to sinter the metal particles.
  • Metal layer 20 may contain, for example, at least one metal selected from the group consisting of copper, gold, silver, tungsten, molybdenum, tin, cobalt, chromium, iron, titanium, and zinc.
  • the metal layer 20 may be a single layer, or may be composed of two or more layers.
  • the thickness of the metal layer 20 may be, for example, 0.1-10.0 ⁇ m.
  • a resist layer 30 is formed on the metal layer 20 on the support 10, as shown in FIG. 1(b).
  • the resist layer 30 can be formed of a photosensitive resist material commonly used for forming wiring.
  • the resist material forming the resist layer 30 may be a negative resist material, such as a material containing an acrylic polymer containing carboxylic acid.
  • the thickness of the resist layer 30 may be, for example, 5 to 200 ⁇ m.
  • a resist material for forming the resist layer 30 may be, for example, a photosensitive resin composition containing a binder polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and a photopolymerization initiator.
  • the binder polymer may be, for example, a copolymer containing benzyl (meth)acrylate or its derivative, styrene or a styrene derivative, (meth)acrylic acid alkyl ester, and (meth)acrylic acid as monomer units.
  • benzyl (meth)acrylate derivatives constituting the binder polymer include 4-methylbenzyl (meth)acrylate, 4-ethylbenzyl (meth)acrylate, 4-tertbutylbenzyl (meth)acrylate, 4-methoxybenzyl ( meth)acrylate, 4-ethoxybenzyl (meth)acrylate, 4-hydroxybenzyl (meth)acrylate, and 4-chlorobenzyl (meth)acrylate.
  • styrene derivatives that make up the binder polymer include vinyltoluene, p-methylstyrene, and p-chlorostyrene.
  • the (meth)acrylic acid alkyl ester that constitutes the binder polymer may be an ester compound formed from (meth)acrylic acid and a linear or branched aliphatic alcohol having 1 to 12 carbon atoms.
  • the aliphatic alcohol may have 1-8 or 1-4 carbon atoms.
  • (meth) acrylic acid alkyl esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, (meth) ) tert-butyl acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate.
  • the ratio of monomer units derived from benzyl (meth)acrylate or derivatives thereof in the binder polymer is 50 to 80% by mass, 50 to 75% by mass, 50 to 70% by mass, or 50 to 65% by mass based on the mass of the binder polymer. %.
  • the proportion of monomer units derived from styrene or styrene derivatives in the binder polymer may be 5 to 40% by weight, or 5 to 35% by weight based on the weight of the binder polymer.
  • the ratio of monomer units derived from (meth)acrylic acid alkyl ester in the binder polymer is 1 to 20% by mass, 1 to 15% by mass, 1 to 10% by mass, or 1 to 5% by mass based on the mass of the binder polymer.
  • the proportion of monomer units derived from (meth)acrylic acid in the binder polymer may be 5 to 30% by weight, 5 to 25% by weight, or 10 to 25% by weight based on the weight of the binder polymer.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer may be 20,000 to 150,000, 30,000 to 100,000, 40,000 to 80,000, or 40,000 to 60,000.
  • a weight average molecular weight here means a standard polystyrene conversion value calculated
  • the acid value (mgKOH/g) of the binder polymer may be 13-78, 39-65, or 52-62.
  • the acid value here means the amount (mg) of potassium hydroxide required to neutralize 1 g of the binder polymer.
  • photopolymerizable compounds having an ethylenically unsaturated bond include bisphenol A (meth)acrylate compounds, hydrogenated bisphenol A (meth)acrylate compounds, polyalkylene glycol (meth)acrylates, urethane monomers, and pentaerythritol. (meth)acrylates and trimethylolpropane (meth)acrylates. These are used alone or in combination of two or more.
  • the bisphenol A-based di(meth)acrylate compound may be, for example, a compound represented by the following general formula (1).
  • each R independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
  • EO and PO represent oxyethylene and oxypropylene groups, respectively.
  • m 1 , m 2 , n 1 and n 2 each independently represent 0-40, m 1 +m 2 is 1-40, and n 1 +n 2 is 0-20.
  • Either EO or PO may be on the phenolic hydroxyl group side.
  • m 1 , m 2 , n 1 and n 2 respectively indicate the number of EOs or POs.
  • a compound having m 1 +m 2 of 5 or less on average and a compound having m 1 +m 2 of 6 to 40 on average may be combined.
  • the polyalkylene glycol (meth)acrylate may be a compound represented by the following formula (2).
  • a bisphenol A-based di(meth)acrylate compound and a compound represented by the following formula (2) may be combined as the photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond.
  • R 14 and R 15 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • EO and PO are as defined above
  • s 1 represents 1 to 30
  • r 1 and r 2 are each 0 ⁇ 30
  • r 1 +r 2 is 1-30.
  • Commercially available examples of the compound represented by formula ( 2 ) include a vinyl compound ( Showa Denko Materials Co., Ltd., trade name: FA-023M).
  • photopolymerization initiators include benzophenone, N,N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), N,N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, 4-methoxy- 4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propanone- Aromatic ketones such as 1; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenyl quinones such as an
  • the content of the binder polymer in the photosensitive resin composition is 40 to 80 parts by mass, 45 to 75 parts by mass, or 50 to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass as the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound.
  • the content of the photopolymerization initiator in the photosensitive resin composition is 0.01 to 5 parts by mass, 0.1 to 4.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound, Alternatively, it may be 1 to 4 parts by mass.
  • the photosensitive resin composition may contain other components as necessary.
  • other components include a photopolymerizable compound having a cationic polymerizable cyclic ether group, a cationic polymerization initiator, a sensitizer, dyes such as malachite green, tribromomethylphenylsulfone, and photocoloring such as leuco crystal violet.
  • agents, anti-thermal coloring agents, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion imparting agents, leveling agents, release accelerators, antioxidants, fragrances, Imaging agents, and thermal cross-linking agents are included.
  • the content of other components may be about 0.01 to 20 parts by mass, respectively, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the binder polymer and the photopolymerizable compound.
  • the total content of the binder polymer, the photopolymerizable compound and the photopolymerization initiator in the photosensitive resin composition is 90 to 100% by mass, or It may be 95 to 100% by mass.
  • a resist film containing a photosensitive resin composition may be laminated on the metal layer 20, or a photosensitive resin composition containing a solvent may be applied to the metal layer 20 and removed from the coating film. Solvent may be removed.
  • the resist material (dry resist) forming such a resist layer 30 may swell when stripped with a stripping solution.
  • a resist material may have a swelling rate of 30% by weight or less after being immersed in a 10-fold diluted stripping solution at 22° C. for 1 minute.
  • the resist material may have a swelling rate of 5% by weight or more after being immersed in a 10-fold diluted stripping solution at 22° C. for 1 minute, or may be 10% by weight or more and 20% by weight or less.
  • the stripping liquid may be a general-purpose stripping liquid.
  • the swelling rate of such a resist material can be measured using the QCM (Quartz Crystal Microbalance) method. Specifically, for example, it can be measured using a QCM (IPN 603800 Rww.K, manufactured by INFICON) with a natural frequency of 5 MHz.
  • QCM Quadrat Crystal Microbalance
  • a resist material which is a photosensitive film, is laminated on the QCM under the same conditions as in the actual wiring formation process. After that, light irradiation is performed under the same conditions as the actual wiring forming process.
  • the sample resist material (thickness: 25 ⁇ m) after light irradiation is set on the QCM sensor and immersed in a beaker containing the stripping solution described below.
  • the weight change rate ⁇ m/m (initial resist weight) after one minute from the start of measurement is taken as the swelling rate (%).
  • dry resist A (trade name: RD1225, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd.) has a swelling rate of 20%
  • dry resist B (trade name: RY5125, manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd.) has a swelling rate of 20%.
  • the swelling rate is 15%.
  • a dry resist having a swelling ratio of about 10% can also be provided as appropriate.
  • step C after the formation of the resist layer 30 is completed, the resist layer 30 is exposed.
  • a reticle also called a photomask
  • the resist layer 30 is formed into a wiring exposure pattern 41 (wiring exposure pattern) corresponding to the wiring electrode 2 (metal wiring) and a dummy exposure pattern 42 not corresponding to the wiring electrode, as shown in FIG. and is exposed to
  • FIG. 1B shows the resist portion 31 exposed by the wiring exposure pattern 41 and the resist portion 32 exposed by the dummy exposure pattern 42 .
  • the wiring exposure pattern 41 is a portion having a large number of shielding portions 41 a corresponding to the large number of wiring electrodes 2 .
  • the shielding portion 41a is an area for shielding the irradiated light when exposed to light of a predetermined wavelength so as not to expose the corresponding area in the resist layer 30 .
  • Exposure can be carried out by conventional methods known to those skilled in the art.
  • the resist layer 30 is formed of a negative resist, the exposed areas become less soluble in the developer, and the exposed areas remain after development. That is, the area where exposure is shielded by the shielding portion 41a is dissolved by the developer.
  • the dummy exposure pattern 42 is an exposure pattern formed so as to surround the entire wiring exposure pattern 41, and is formed including a mesh shape in which a plurality of lines are arranged in a grid.
  • the resist layer 30 outside the wiring exposure pattern 41 can be divided into fine portions. As a result, it is possible to reduce the size of the peeled pieces in the resist peeling process described later, and to speed up the peeling of the resist.
  • the dummy exposure pattern 42 is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and various forms can be adopted as described later.
  • the dummy exposure pattern 42 is arranged in the vicinity of the outer edge 41b of the wiring exposure pattern 41, and is located close to the outer edge of the wiring exposure pattern 41. It is formed so that the distance D between 41b and the dummy exposure pattern 42 (rear inner peripheral portion) is within 200 ⁇ m. In other words, at least part of the dummy exposure pattern 42 is positioned within 200 ⁇ m from the end 41 b of the wiring exposure pattern 41 .
  • the distance D between the wiring exposure pattern 41 and the dummy exposure pattern 42 may be, for example, 150 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or less, or 50 ⁇ m or less. As an example, the distance D is 70-80 ⁇ m.
  • a separation distance A between the linear portions 42a forming the mesh of the dummy exposure pattern 42 may be, for example, 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, or 1 ⁇ m or more and 75 ⁇ m or less. It may be 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less. As an example, the separation distance A is 50 ⁇ m.
  • the line width W of each linear portion 42a may be 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, or 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less. As an example, the line width W is 5 ⁇ m.
  • the exposure in this embodiment may be exposure using a reticle, which is a photomask, as described above.
  • An exposure pattern may be drawn on the resist layer 30 by a beam such as a laser or an electron gun of an exposure device based on exposure data (exposure drawing data structure) including exposure data.
  • step D the exposed resist layer 30 is developed to form a plurality of openings 35 and 35a in the resist layer 30, as shown in FIG. 1(c).
  • the opening 35 is a portion corresponding to the wiring electrode 2 on the wiring substrate 1
  • the opening 35 a is a portion corresponding to the dummy metal structure 2 a on the wiring substrate 1 .
  • the resist layer 30 is left for a predetermined time (for example, 30 minutes), the protective film of the resist film is peeled off, and a developing solution such as a 1.0% sodium carbonate aqueous solution is used. development processing. As a result, the unexposed portions are dissolved to form openings 35 and 35a.
  • the metal layer 20, which serves as a seed layer for plating is exposed in the openings 35, 35a.
  • the openings 35 and 35a are, for example, recesses with a width of about 5 ⁇ m in the lateral direction, and extend in a direction perpendicular to the plane of the paper.
  • the opening 35 and the opening 35 a may have the same size, the width or diameter of the opening 35 a may be larger than that of the opening 35 , or the width or diameter of the opening 35 a may be smaller than that of the opening 35 .
  • the resist layer 30 including the openings 35 and 35a where the metal layer 20 is exposed is formed.
  • Development can be carried out by conventional methods known to those skilled in the art.
  • the developer for development may be an alkaline aqueous solution such as an aqueous sodium carbonate solution.
  • the openings 35a formed by development are not perfect and the metal layer 20 is not exposed in the openings 35a.
  • the solution permeates from the linear portion of the dummy exposure pattern 42 which is not exposed during the peeling step, and the resist is formed at the boundary of the dummy portion.
  • the layer 30 will be in a state where it is likely to be fragmented. That is, the portion corresponding to the opening 35a becomes the resist portion which is likely to be fragmented in the next peeling process.
  • the resist is separated into individual pieces at the time of peeling, the stress applied to the wiring is reduced, and the yield can be improved even if the dummy metal structure is not formed.
  • the presence of the dummy pattern speeds up penetration of the solution, which leads to shortening of the peeling process time.
  • step E metal layers 21 and 21a are formed by electroplating using the metal layer 20 exposed in the plurality of openings 35 and 35a as a seed layer.
  • a wiring electrode 2 and a dummy metal structure 2a are formed within 35a.
  • the openings 35 and 35a are filled with copper plating, for example.
  • the method of forming the metal layer 21 may be electrolytic plating, electroless plating, injection and sintering of a metal-containing paste, and combinations thereof.
  • the metal forming the metal layer 21 contains, for example, at least one metal selected from the group consisting of copper, gold, silver, nickel, tin, titanium, tungsten, molybdenum, cobalt, chromium, iron, and zinc. good too.
  • the metal layers 21 and 21a may be single layers, or may be composed of two or more layers.
  • the thickness of the metal layers 21, 21a may be, for example, 0.1 to 10.0 ⁇ m, or may be 1 to 150 ⁇ m.
  • the metal layers 21 and 21a may include linear portions, and their width may be 1 to 20 ⁇ m.
  • the line/space (L/S) of the wiring electrode 2 and the dummy metal structure 2a including the metal layers 21 and 21a may be 1 ⁇ m/1 ⁇ m to 20 ⁇ m/20 ⁇ m. According to the method of the present embodiment, since the exposure pattern including the dummy exposure pattern 42 is exposed, defects such as peeling and collapse of the wiring may occur even with such fine wiring. is small.
  • the metal layers 21 and 21a may include a circular portion, may have a diameter of 5 to 100 ⁇ m, or may have a diameter of 20 ⁇ m or less. According to the method of the present embodiment, since the exposure pattern including the dummy exposure pattern 42 is exposed, defects such as peeling and collapse of the wiring may occur even with such fine wiring. is small. As described above, when the line width of the dummy exposure pattern 42 is equal to or less than the resolution of the resist and the opening 35a is not completely formed, neither the metal layer 21a nor the dummy metal structure 2a are formed.
  • step F after the metal layers 21 and 21a are formed in the openings 35 and 35a, the resist layer 30 is removed from the metal layer 20 as shown in FIG. 1(e). Such peeling is performed using a commonly used peeling liquid. Examples of general-purpose stripping solutions are as described above.
  • step G As shown in FIG. 1(f), the portion of the metal layer 20 exposed by the peeling of the resist layer 30, that is, the portion other than the regions bonded to the metal layers 21 and 21a is removed by etching or the like. removed by the method of As a result, the wiring electrode 2 composed of the metal layer 20 and the metal layer 21 remaining on the support 10 is formed, and the dummy metal structure 2a composed of the metal layer 20 and the metal layer 21a is formed. . Since the dummy metal structure 2a is a member for preventing the wiring electrode 2 from collapsing due to the resist, it is electrically connected to other electrodes (for example, the wiring electrode 2 or the electrodes in the support 10). It is preferably insulated.
  • a wiring substrate 1 having a support 10, a plurality of wiring electrodes 2 provided on the support 10, and a plurality of dummy metal structures 2a is manufactured.
  • the dummy metal structure 2a is formed to surround the plurality of wiring electrodes 2 similarly to the dummy exposure pattern 42, and at least part of the dummy metal structure 2a is the dummy metal structure 2a among the plurality of wiring electrodes 2. located within 200 ⁇ m from the wiring electrode closest to the Moreover, the wiring substrate 1 may have a configuration in which the dummy metal structure 2a manufactured based on the dummy exposure pattern 42 is not formed. This will be explained below.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of exposure and development of a region corresponding to a dummy exposure pattern, showing an example in which the width of the dummy exposure pattern is equal to or greater than the resolution of the resist.
  • the method of FIG. 4 is similar to the method described above.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of exposure and development of a region corresponding to the dummy exposure pattern, showing an example in which the width of the dummy exposure pattern is smaller than the resolution of the resist.
  • the manufacturing method for the exposed portion by the dummy exposure pattern 42 will be mainly described, and the manufacturing method for the exposed portion by the wiring exposure pattern 41 is the same as described above, and the description thereof will be omitted.
  • the resist layer 30 is exposed (step C). Thereafter, as shown in FIGS. 4(b) and 4(c), a development process of process D and an electrode forming process of process E are performed to form a metal layer 21a for the dummy metal structure 2a.
  • the resist layer 30 outside the metal layer 21a for the dummy metal structure 2a is removed in the resist removal step of process F. During this peeling, the resist layer 30 is peeled off as fine resist pieces 30a. In this case, the wiring electrode 2 adjacent to the dummy metal structure 2a is protected by the dummy metal structure 2a from stress due to expansion of the resist of the resist layer 30, and is prevented from tilting or falling. In addition, since the resist layer 30 itself becomes a small piece, the stress due to the expansion of the resist is reduced, and in this respect as well, the wiring electrode 2 is suppressed from being tilted or overturned.
  • the width of the dummy exposure pattern 42 is smaller than the resolution of the resist forming the resist layer 30, following the steps A and B, as shown in FIG. is used to expose the resist layer 30 (step C). Thereafter, as shown in FIG. 5(b), the development process of process D is performed. At this time, since the width of the dummy exposure pattern 42 is smaller than the resolution of the resist, the opening 35a formed by developing with the developer is not perfect, and the metal layer 20 is not exposed in the opening 35a. In addition, since the metal layer 20 is not exposed, no dummy metal structure is formed in the electrode forming step in step E, as shown in FIG. 5(c).
  • the resist layer 30 is stripped in the resist stripping step of process F. During this peeling, the resist layer 30 is peeled off as fine resist pieces 30a. In this case, since the resist layer 30 becomes a small piece of the wiring electrode 2 adjacent to the dummy region 42a formed by the dummy exposure pattern 42, the stress due to expansion of the resist is reduced, and the dummy metal structure 2a is not provided. This prevents the wiring electrode 2 from being tilted or overturned.
  • the metal layer 20 is not exposed in the dummy region 42a, since the curing of the dummy region 42a is weaker than that of the exposed portion, the peeling solution easily permeates the corresponding portion, and the resist is peeled off while being broken into small pieces. A sufficient stress relaxation effect can be obtained. Further, when the metal layer 20 is not exposed in the dummy region 42a, plating is not deposited on the dummy region 42a, and the wiring electrodes 2 can be formed by depositing plating only on the wiring portions required for the wiring substrate. becomes. That is, in this case, it is possible to obtain a wiring substrate without the dummy metal structure 2a shown in FIG. 1(f).
  • the wiring electrodes 2 are formed in a region within 200 ⁇ m from the end portion 41 b of the wiring exposure pattern 41 corresponding to the wiring electrodes 2 constituting the wiring and the like on the wiring board 1 . At least a portion of the dummy exposure pattern 42 that is not intended to be exposed is located. In this case, the dummy metal structure 2a is provided in the region exposed by the dummy exposure pattern 42, or the resist layer 30 in the region is divided into small pieces by providing the dummy exposure pattern 42, so that the wiring electrode 2 is formed. stress from the resist can be reduced.
  • the adjacent dummy exposure pattern 42 (or the dummy metal structure 2a) can prevent the wiring electrode 2 from collapsing due to the stress of the resist during the manufacturing process of the wiring substrate 1.
  • FIG. Therefore, according to this wiring board manufacturing method, it is possible to suppress a decrease in yield.
  • the metal wiring is formed by the SAP method, the MSAP method, or the like, and the finer wiring electrode 2 can be easily formed. Therefore, according to this method of manufacturing a wiring board, it is possible to achieve miniaturization or a reduction in diameter of the metal wiring.
  • the dummy exposure pattern 42 surrounds the whole or part of the wiring exposure pattern.
  • the outer portion of the wiring electrode 2 tends to collapse due to the peeling of the resist, by arranging the dummy exposure pattern 42 in this way, the wiring electrode 2 can be more reliably prevented from collapsing, thereby suppressing a decrease in yield. be able to.
  • the dummy exposure pattern 42 includes a mesh shape in which a plurality of lines are arranged in a grid. In this case, it is possible to more reliably suppress the collapse of wiring electrodes and the like due to resist peeling by the dummy exposure pattern, thereby suppressing a decrease in yield.
  • the width or diameter of the wiring electrode 2 in the lateral direction may be 20 ⁇ m or less.
  • the wiring electrodes 2 and the like can be made finer or finer, and even when fine or fine wiring electrodes are provided, it is possible to suppress the collapse of the wiring electrodes, thereby suppressing a decrease in yield. .
  • the resist layer 30 in the step of exposing the resist layer 30, the resist layer 30 is exposed using a reticle including the wiring exposure pattern 41 and the dummy exposure pattern 42.
  • the time required for each exposure process can be reduced, the manufacturing efficiency of the wiring board 1 can be improved.
  • the deviation between each exposure process can be reduced, the manufacturing yield of the wiring board 1 can be improved.
  • the step of exposing the resist layer 30 drawing is performed based on the exposure drawing data including the wiring exposure pattern 41 and the dummy exposure pattern 42, and the resist layer 30 is exposed. may be exposed. In this case, a member such as a reticle becomes unnecessary, so the manufacturing cost can be reduced accordingly. Also, by creating or correcting the exposure drawing data, the exposure pattern can be easily created or corrected.
  • the dummy exposure pattern 42 may have a linear portion, and the width of the linear portion may be equal to or less than the resolution of the resist forming the resist layer 30. .
  • the exposed resist layer 30 is easily divided into small pieces, so that the wiring electrode 2 may be knocked down when the resist is removed. can be suppressed.
  • this manufacturing method since it is difficult to form a dummy metal structure based on the dummy exposure pattern 42, it is not necessary to leave unnecessary portions in the manufactured wiring board 1.
  • the exposure pattern 40 may be an exposure pattern configured as shown in FIGS. As shown in (a) of FIG. 6, the exposure pattern includes a dummy exposure pattern 42A surrounding a part (three directions in the example shown) of the wiring exposure pattern 41A corresponding to the linear wiring electrode 2. 40A may be used.
  • the dummy exposure pattern 42A may have a mesh shape.
  • the dummy exposure pattern 42A is positioned within 200 ⁇ m from the end of the wiring exposure pattern 41A corresponding to the wiring electrode 2, thereby suppressing the wiring electrode 2 from collapsing.
  • the exposure pattern includes a dummy exposure pattern 42B surrounding a part (three directions in the example shown) of the wiring exposure pattern 41A corresponding to the linear wiring electrode 2.
  • An exposure pattern 40B may also be used.
  • the dummy exposure pattern 42B is formed so as to partially cover the wiring exposure pattern 41A by providing a large number of dot-shaped light shielding portions.
  • the dot-shaped light shielding portions may have geometric patterns such as circles, triangles, squares, crosses, and combinations thereof in plan view.
  • various patterns can be used as the dummy exposure pattern, and various patterns can be used as long as they are structured so that the resist of the resist layer 30 can be peeled off quickly and the peeled pieces can be made small. can.
  • the wiring electrodes 2 here are, for example, wiring electrodes formed for horizontal electrical connection in a chip or a substrate in the same manner as described above.
  • a dummy exposure pattern 42C is provided so as to surround the entire terminal exposure pattern 41C (wiring exposure pattern) corresponding to the circular terminal electrode 3 (metal wiring). It may be the exposure pattern 40C.
  • the dummy exposure pattern 42C is configured to doubly surround the terminal exposure pattern 41C.
  • the inner dummy exposure pattern 42D (corresponding to the inner dummy metal structure) is further added between the terminal electrodes 3. ) may be used. In this case, the pitch between the terminal electrodes 3 may be widened.
  • FIG. 7A a dummy exposure pattern 42C is provided so as to surround the entire terminal exposure pattern 41C (wiring exposure pattern) corresponding to the circular terminal electrode 3 (metal wiring). It may be the exposure pattern 40C.
  • the dummy exposure pattern 42C is configured to doubly surround the terminal exposure pattern 41C.
  • the inner dummy exposure pattern 42D (corresponding to the inner dummy metal structure) is further added between the terminal electrodes 3. ) may be used. In this case, the pitch between the terminal electrode
  • a dummy exposure pattern 42E is provided so as to surround the entire terminal exposure pattern 41C corresponding to the terminal electrode 3 in a single layer (linearly).
  • a pattern 40E may also be used.
  • the terminal electrode 3 here is, for example, a terminal electrode formed for electrical connection in the vertical direction.
  • the terminal electrode 3 may be, for example, a protruding electrode formed for vertical electrical connection.
  • a reticle 40F having a Cr shield was prepared (see FIG. 8).
  • wiring exposure pattern 41F was designed to have a dummy wiring with a line width of 30 ⁇ m outside the fine wiring (dummy exposure pattern 42F).
  • the closest distance D was 20 ⁇ m.
  • [Formation of Wiring Layer] A negative resist film (Showa (manufactured by Denko Materials Co., Ltd., thickness 25 ⁇ m) was laminated. The lamination temperature was 110° C., the lamination speed was 1.4 m/min, and the lamination pressure was 0.5 MPa. After lamination, the film was allowed to stand for 30 minutes, and the resist film was exposed using an i-line stepper (manufactured by Therma Precision, S6Ck) and a negative photomask. The illuminance was 33 mW/cm 2 and the exposure amount was 120 mJ/cm 2 . The negative photomask used was the one described above. The resist film used had a swelling ratio of 15% by weight or less after being immersed in a 10-fold diluted stripping solution (described later) at 22° C. for 1 minute.
  • a line/space (L/S) 5 ⁇ m/5 ⁇ m linear shape exposing the seed layer was developed using a 1.0% sodium carbonate aqueous solution.
  • Development was carried out by spraying a developing solution for 260 seconds and then spraying pure water as a rinsing solution for 100 seconds using an ultra-high pressure spin developing device (manufactured by Blue Ocean Technology).
  • the development temperature was 30° C.
  • the number of revolutions was 500 rpm
  • the spray pressure was 0.18 MPa
  • the moving distance of the spray nozzle head was 7.2 cm
  • the moving speed of the spray nozzle head was 10 cm/s.
  • the substrate on which the seed layer and the resist layer were formed was immersed in a 100 mL/L aqueous solution of an acidic cleaner (PB-242D manufactured by JCU) at 45° C. for 5 minutes. After that, the substrate on which the seed layer and the resist layer were formed was immersed in pure water at 50° C. for 1 minute, in pure water at 25° C. for 1 minute, and in 10% sulfuric acid aqueous solution at 25° C. for 1 minute.
  • an acidic cleaner PB-242D manufactured by JCU
  • Electrolytic copper plating solution 120 g/L of copper sulfate pentahydrate, 7.3 L of aqueous solution of 96% sulfuric acid 220 g/L, 0.26 mL of hydrochloric acid, 92 mL of Top Lucina NSV-1 (trade name, manufactured by Okuno Chemical Industry Co., Ltd.), and Top Lucina.
  • NSV-2 trade name, manufactured by Okuno Chemical Industry
  • Top Lucina NSV-3 (trade name, manufactured by Okuno Chemical Industry) was used.
  • a substrate having a copper wiring was formed by peeling off the resist layer present on the substrate after electroplating.
  • the stripping was carried out by spraying a stripping solution for 300 seconds and then spraying pure water as a rinsing solution for 30 seconds using a photolithographic developing device AD-3000 (manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.).
  • the stripping temperature was 50° C.
  • the number of revolutions was 500 rpm
  • the spray pressure was 0.18 MPa
  • the moving distance of the spray nozzle head was 7.2 cm
  • the moving speed of the spray nozzle head was 10 cm/s.
  • a mixture of 150 mL/L of A-06A (trade name, manufactured by Kao Corporation) and 80 mL/L of A-06B (trade name, manufactured by Kao Corporation) was used as the stripping solution.
  • Comparative example 1 [Preparing a mask]
  • a reticle 140A having a Cr shielding portion was prepared.
  • No dummy pattern was formed in the reticle 140A shown in FIG. 2. Formation of wiring layer
  • SYMBOLS 1 Wiring board, 2... Wiring electrode, 2a... Dummy metal structure, 3... Terminal electrode, 10... Support, 20... Metal layer, 30... Resist layer, 35, 35a... Opening, 40, 40A, 40B, 40C , 40D, 40E... exposure pattern, 40F... reticle, 41, 41A... wiring exposure pattern, 41C... terminal exposure pattern, 41b... edge, 42, 42A, 42B, 42C, 42D, 42E... dummy exposure pattern.

Landscapes

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Abstract

配線基板の製造方法は、支持体上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層を露光する工程と、露光されたレジスト層を現像してレジスト層に開口を形成する工程と、開口内に金属配線を形成する工程と、金属配線が形成された後にレジスト層を除去する工程と、を備える。レジスト層を露光する工程では、金属配線に対応する配線用露光パターンと金属配線に対応しないダミー露光パターンとをレジスト層に露光する。ダミー露光パターンの少なくとも一部は、配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内の領域に位置する。

Description

配線基板の製造方法、配線基板、レチクル、及び、露光描画データ構造
　本開示は、配線基板の製造方法、配線基板、レチクル、及び、露光描画データ構造に関する。
　電子機器を構成する配線基板は、電子機器の小型化、軽量化、高速化の要求に対応するために、微小な幅を有する配線を有することが必要とされる。微小な幅を有する配線を形成する方法として、セミアディティブ(ＳＡＰ)法、及びモディファイドセミアディティブ（ＭＳＡＰ）法が広く利用されている（例えば、特許文献１を参照）。これらの方法は、一般に、金属層上に電解めっきによって銅めっき層を形成する工程を含み、ＳＡＰ法では、金属層に無電解銅めっき層を使用し、ＭＳＡＰ法では、銅箔を使用する。
特開２００４－６７７３号公報
　近年、半導体パッケージの高密度化に伴い、配線の微細化、バンプおよびビア等の端子電極の小径化などが進められている。パッケージの水平面方向においては上述したＳＡＰ法等により配線等の微細化及び小型化が進む一方で、電気抵抗の観点で配線等の断面積をある一定以上に保つために垂直方向の配線等の高さは比較的高いままである。そのため、金属配線のアスペクト比は高くなる傾向にあり、配線基板の製造工程中に金属配線が倒れてしまい、歩留まりを低下させてしまうことがある。一方、金属配線を形成する場合に広く使用されるドライフィルムレジスト１３０の一部は、図１１に示すように、めっきによって金属配線１２１を開口１３５に形成した後のレジスト剥離工程において、図１１の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、膨潤しながら剥離することが知られている。この剥離の際の膨潤によって上記のような高アスペクトの金属配線１２１に応力がかかり、金属配線の倒れが更に促進されてしまう。
　本開示は、金属配線の倒れによる歩留まり低下を抑制することができる、配線基板の製造方法、配線基板、レチクル、及び、露光描画データ構造を提供することを目的とする。
　本開示は、一側面として、配線基板の製造方法に関する。この配線基板の製造方法は、支持体上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層を露光する工程と、露光されたレジスト層を現像してレジスト層に開口を形成する工程と、開口内に金属配線を形成する工程と、金属配線が形成された後にレジスト層を除去する工程と、を備える。レジスト層を露光する工程では、金属配線に対応する配線用露光パターンと金属配線に対応しないダミー露光パターンとをレジスト層に露光する。ダミー露光パターンの少なくとも一部は、配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内の領域に位置する。
　この配線基板の製造方法では、配線基板における配線等を構成する金属配線に対応する配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内の領域に、配線基板における配線等を構成するものではないダミー露光パターンの少なくとも一部が位置するようになっている。この場合、ダミー露光パターンによって露光された領域にダミー金属構造物を設けたり、又は、ダミー露光パターンを設けることでその領域におけるレジスト層を小片化したりすることで、配線用露光パターンによって露光された領域に設けた金属配線へのレジストからの応力を低下させることができる。これにより、配線基板の製造工程中にレジストの応力によって金属配線が倒れてしまうことを、隣接するダミー露光パターンによって防止することができる。よって、この配線基板の製造方法によれば、歩留まりの低下を抑制することができる。なお、ここでいう金属配線には、例えば、チップ若しくは基板における水平方向の電気的接続のために形成される配線電極、又は、垂直方向の電気的接続のために形成される端子電極若しくは突起電極が含まれる。
　上記の配線基板の製造方法において、レジスト層を形成する工程では、支持体上に設けられた金属層上にレジスト層を形成し、開口を形成する工程では、金属層が開口から露出し、金属配線を形成する工程では、開口内に露出した金属層上に電解めっきを析出させて金属配線を形成することが好ましい。この場合、ＳＡＰ法又はＭＳＡＰ法等により金属配線を形成して、より微細な配線電極等を容易に形成することができる。よって、この配線基板の製造方法によれば、配線電極等の微細化又は小径化を実現することが可能となる。
　上記の配線基板の製造方法において、ダミー露光パターンは、配線用露光パターンの少なくとも一部を取り囲んでもよい。また、ダミー露光パターンは、配線用露光パターンの全体を取り囲んでもよい。配線電極等の複数並んで形成された金属配線のうち外側がレジスト剥離によって倒れやすい傾向にあるが、ダミー露光パターンのこのような配置により、金属配線の倒れをより確実に抑制して、歩留まりの低下を抑制することができる。
　上記の配線基板の製造方法において、ダミー露光パターンは、複数の線を格子状に配置したメッシュ形状を含んでもよい。この場合、配線電極等の金属配線のレジスト剥離による倒れをダミー露光パターンでより確実に抑制して、歩留まりの低下を抑制することができる。
　上記の配線基板の製造方法において、形成された金属配線の短手方向の幅又は直径が２０μｍ以下であってもよい。この場合、配線電極等の金属配線をより微細又は微小にすることができ、微細又は微小な金属配線を設けた場合であっても、金属配線の倒れを抑制して歩留まりの低下を抑制することができる。
　上記の配線基板の製造法方法において、レジスト層は、ネガ型のレジストから形成されてもよく、レジストは、１０倍に希釈した剥離液に２２℃で１分間浸漬した後の膨潤率が３０重量％以下であってもよい。レジストは、１０倍に希釈した剥離液に２２℃で１分間浸漬した後の膨潤率が５重量％以上であってもよく、１０重量％以上２０重量％以下であってもよい。剥離液は、汎用の剥離液とすることができる。
　上記の配線基板の製造方法において、ダミー露光パターンは、線状の部分を有し、線状の部分の幅がレジスト層を構成するレジストの解像度以下であってもよい。この場合、ダミー露光パターンに基づいてダミー金属構造物が形成されないものの、露光されたレジスト層が分割されて小片化するため、レジスト剥離の際に金属配線を倒してしまうといったことを抑制できる。これにより、この製造方法によれば、歩留まりの低下を抑制することができる。また、この製造方法では、ダミー露光パターンに基づいてダミー金属構造物が形成されづらいため、作製された配線基板では不要となる部分を残した構成としなくてよくなる。
　上記の配線基板の製造方法において、レジスト層を露光する工程では、配線用露光パターンとダミー露光パターンとを含むレチクルを用いて、レジスト層を露光してもよい。
　上記の配線基板の製造方法において、レジスト層を露光する工程では、配線用露光パターンとダミー露光パターンとを含む露光描画データに基づいて描画を行い、レジスト層を露光してもよい。この場合、レチクル等の部材が不要となるため、その分の製造コストを低減することができる。また、露光描画データを作成又は修正することで、露光パターンの作成又は修正を容易に行うことができる。なお、露光描画データを用いて露光する場合、例えば、レーザ又は電子銃のビーム等を用いて露光することができる。
　本開示は、別の側面として、配線基板に関する。この配線基板は、支持体と、支持体上に設けられた複数の金属配線と、複数の金属配線の少なくとも一部を取り囲む少なくとも１つのダミー金属構造物と、を備える。金属配線の短手方向の幅または直径は２０μｍ以下であり、ダミー金属構造物の少なくとも一部は、複数の金属配線のうちダミー金属構造物に最も近い金属配線から２００μｍ以内の領域に位置する。
　この配線基板では、ダミー金属構造物の少なくとも一部が、配線基板の配線等を構成する複数の金属配線のうち当該ダミー金属構造物に最も近い金属配線から２００μｍ以内の領域に位置している。この場合、配線基板の製造工程中にレジストの膨張による応力により金属配線が倒れてしまうことを、隣接するダミー金属構造物によって防止することができる。これにより、この配線基板によれば、金属配線の倒れが抑制される。
　上記の配線基板において、ダミー金属構造物は、複数の線を格子状に配置したメッシュ形状のダミー金属構造物、複数の金属配線の間に位置する内側ダミー金属構造物、複数の金属配線を線状に取り囲むダミー金属構造物、及び、複数のドット状の電極を複数の金属配線の少なくとも一部を取り囲むように配置したダミー金属構造物、の少なくとも１つを含んでもよい。ドット状の電極の平面形状は、例えば、丸、三角、四角、バツ印（Cross Mark）などの幾何学的なパターン及びそれらの組み合わせを呈してもよい。このようなダミー金属構造物により、金属配線の倒れをより確実に抑制することができる。
　本開示は、更に別の側面として、レジストを露光するためのレチクルを提供する。このレチクルは、配線用露光パターンと、配線用露光パターンの端部に対して少なくとも一部が２００μｍ以内に位置するダミー露光パターンと、を備える。このようなレチクルを用いて露光することにより、配線基板における配線等を構成する金属配線に対応する配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内の領域に、配線基板における配線等を構成するものではないダミー露光パターンの少なくとも一部を位置させることができる。これにより、配線基板の製造工程中に金属配線がレジストの膨張による応力によって倒れてしまうことを、隣接するダミー露光パターン（ダミー金属構造物）によって防止して、配線基板の歩留まりの低下を抑制することができる。
　上記のレチクルにおいて、ダミー露光パターンは、配線用露光パターンの少なくとも一部を取り囲むように形成されていてもよい。この場合、ダミー露光パターンのこのような配置により、金属配線の倒れをより確実に抑制して、配線基板の歩留まりの低下を抑制することができる。
　本開示は、更に別の側面として、レジスト層を露光するための露光装置用の露光描画データ構造を提供する。この露光描画データ構造は、露光装置に配線用露光パターンを描画させる配線用露光データと、露光装置にダミー露光パターンを描画させるダミー露光データであって、ダミー露光パターンの少なくとも一部が配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内に位置する、ダミー露光データと、により構成される。このような露光描画データ構造を用いて露光することにより、配線基板における配線等を構成する金属配線に対応する配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内の領域に、配線基板における配線電極等を構成するものではないダミー露光パターンの少なくとも一部を位置させることができる。これにより、配線基板の製造工程中に金属配線が倒れてしまうことを、隣接するダミー露光パターンによって防止して、配線基板の歩留まりの低下を抑制することができる。
　本開示によれば、配線電極等の金属配線の倒れによる歩留まり低下を抑制することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 図２は、図１に示す配線基板の製造方法での露光工程で露光されるパターンの一例を示す平面図である。 図３は、図２に示す露光パターンの角部Ｓを拡大して示す拡大平面図である。 図４は、ダミー露光パターンに対応する領域の露光及び現像の例を示す断面図であり、ダミー露光パターンの線幅がレジストの解像度以上の場合の例を示す。 図５は、ダミー露光パターンに対応する領域の露光及び現像の例を示す断面図であり、ダミー露光パターンの線幅がレジストの解像度よりも小さい場合の例を示す。 図６の（ａ）及び（ｂ）は、ダミー露光パターンが異なる露光パターンの例を示す図である。 図７の（ａ）～（ｃ）は、ダミー露光パターンが更に異なる露光パターンの例を示す図である。 図８は、実施例１に係る露光パターンを示す図である。 図９は、比較例１に係る露光パターンを示す図である。 図１０は、比較例１に係る配線基板の配線電極を示す写真である。 図１１は、配線基板の製造方法においてレジストの膨張により、配線電極が傾いてしまう状態を示す断面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明に係る実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
　本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」の少なくとも一方を意味し、（メタ）アクリレート等の他の類似表現についても同様である。
　図１は、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す図である。図２は、図１に示す配線基板の製造方法での露光工程で露光されるパターンの一例を示す平面図である。図１に示す配線基板の製造方法は、支持体上に金属層を形成する工程Ａと、支持体上の金属層上にレジスト層を形成する工程Ｂと、レジスト層を露光する工程Ｃと、露光されたレジスト層を現像してレジスト層に開口を形成する工程Ｄと、開口内に金属配線を形成する工程Ｅと、金属配線が形成された後にレジスト層を除去する工程Ｆと、金属配線以外の金属層を除去する工程Ｇと、を備えている。
［工程Ａ］
　工程Ａでは、図１の（ａ）に示すように、板状の支持体１０の主面１０ａ上に金属層２０を形成する。支持体１０の金属層２０が設けられる側の最表層は、例えば絶縁層である。支持体１０の最表層として設けられる絶縁層が、例えばビルドアップ層のような絶縁樹脂層であってもよい。支持体１０は、後述する配線電極２（図１の（ｆ）を参照）に接続される配線を含んでいてもよい。
　金属層２０は、電解めっきのためのシード層として機能する層である。金属層２０は、例えば、無電解めっきによって形成された金属めっき層、銅箔等の金属箔、スパッタ等の蒸着によって形成された層、又は、金属焼結層であってもよい。金属焼結層は、金属粒子を含有する塗膜を加熱し、金属粒子を焼結させることによって形成される層である。金属層２０は、例えば、銅、金、銀、タングステン、モリブデン、スズ、コバルト、クロム、鉄、チタン、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。金属層２０は単層であってもよく、２層以上から構成されていてもよい。金属層２０の厚さは、例えば０．１～１０．０μｍであってもよい。
［工程Ｂ］
　工程Ｂでは、図１の（ｂ）に示すように、支持体１０上の金属層２０上にレジスト層３０を形成する。レジスト層３０は、配線を形成するために通常用いられている感光性のレジスト材料によって形成することができる。レジスト層３０を構成するレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料であってもよく、例えば、カルボン酸を含有するアクリルポリマーを含む材料であってもよい。また、レジスト層３０の厚さは、例えば５～２００μｍであってもよい。
　レジスト層３０を形成するためのレジスト材料は、例えば、バインダーポリマー、エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物、及び光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物であってもよい。
　バインダーポリマーは、例えば、ベンジル（メタ）アクリレート又はその誘導体、スチレン又はスチレン誘導体、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、及び（メタ）アクリル酸をモノマー単位として含む共重合体であってもよい。
　バインダーポリマーを構成するベンジル（メタ）アクリレート誘導体の具体例としては、４－メチルベンジル（メタ）アクリレート、４－エチルベンジル（メタ）アクリレート、４－ｔｅｒｔブチルベンジル（メタ）アクリレート、４－メトキシベンジル（メタ）アクリレート、４－エトキシベンジル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシルベンジル（メタ）アクリレート、及び４－クロロベンジル（メタ）アクリレートが挙げられる。
　バインダーポリマーを構成するスチレン誘導体の具体例としては、ビニルトルエン、ｐ－メチルスチレン、及びｐ－クロロスチレンが挙げられる。
　バインダーポリマーを構成する（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、（メタ）アクリル酸と、直鎖状又は分岐状の炭素数１～１２の脂肪族アルコールとで形成されたエステル化合物であってもよい。脂肪族アルコールの炭素数は１～８又は１～４であってもよい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルの具体例としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、及び（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシルが挙げられる。
　バインダーポリマーにおけるベンジル（メタ）アクリレート又はその誘導体に由来するモノマー単位の割合は、バインダーポリマーの質量を基準として５０～８０質量％、５０～７５質量％、５０～７０質量％、又は５０～６５質量％であってもよい。バインダーポリマーにおけるスチレン又はスチレン誘導体に由来するモノマー単位の割合は、バインダーポリマーの質量を基準として５～４０質量％、又は５～３５質量％であってもよい。バインダーポリマーにおける（メタ）アクリル酸アルキルエステルに由来するモノマー単位の割合は、バインダーポリマーの質量を基準として１～２０質量％、１～１５質量％、１～１０質量％、又は１～５質量％であってもよい。バインダーポリマーにおける（メタ）アクリル酸に由来するモノマー単位の割合は、バインダーポリマーの質量を基準として５～３０質量％、５～２５質量％、又は１０～２５質量％であってもよい。
　バインダーポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は２００００～１５００００、３００００～１０００００、４００００～８００００、又は４００００～６００００であってもよい。ここでの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって求められる標準ポリスチレン換算値を意味する。
　バインダーポリマーの酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）は、１３～７８、３９～６５、又は５２～６２であってもよい。ここでの酸価は、バインダーポリマー１ｇの中和に要する水酸化カリウムの量（ｍｇ）を意味する。
　エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物の具体例としては、ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物、水添ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物、ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート、ウレタンモノマー、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、及びトリメチロールプロパン（メタ）アクリレートが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。ビスフェノールＡ系ジ（メタ）アクリレート化合物は、例えば、下記一般式（１）で表される化合物であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式（１）中、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基を示す。ＥＯ及びＰＯはそれぞれ、オキシエチレン基及びオキシプロピレン基を示す。ｍ１、ｍ２、ｎ１、ｎ２はそれぞれ独立に０～４０を示し、ｍ１＋ｍ２は１～４０であり、ｎ１＋ｎ２は０～２０である。ＥＯ、ＰＯのうちどちらがフェノール性水酸基側にあってもよい。ｍ１、ｍ２、ｎ１及びｎ２はそれぞれ、ＥＯ又はＰＯの数を示す。ｍ１＋ｍ２が平均で５以下である化合物と、ｍ１＋ｍ２が平均で６～４０である化合物とを組み合わせてもよい。
　ポリアルキレングリコール（メタ）アクリレートは、下記式（２）で表される化合物であってもよい。エチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物として、ビスフェノールＡ系ジ（メタ）アクリレート化合物と、下記式（２）で表される化合物とを組み合わせてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（２）中、Ｒ１４及びＲ１５はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、ＥＯ及びＰＯは上記と同義であり、ｓ１は１～３０を示し、ｒ１及びｒ２はそれぞれ０～３０を示し、ｒ１＋ｒ２は１～３０である。式（２）で表される化合物の市販品の例としては、Ｒ１４及びＲ１５がメチル基、ｒ１＋ｒ２＝４（平均値）、ｓ１＝１２（平均値）であるビニル化合物（昭和電工マテリアルズ株式会社製、商品名：ＦＡ－０２３Ｍ）が挙げられる。
　光重合開始剤の具体例としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタノン－１、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノ－プロパノン－１等の芳香族ケトン；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナンタラキノン、２－メチル１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９，９’－アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体、Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。光重合開始剤が、２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体、特に２－（Ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体を含んでもよい。
　感光性樹脂組成物におけるバインダーポリマーの含有量は、バインダーポリマー及び光重合性化合物の合計量１００質量部に対して、４０～８０質量部、４５～７５質量部、又は５０～７０質量部であってもよい。感光性樹脂組成物における光重合開始剤の含有量は、バインダーポリマー及び光重合性化合物の合計量１００質量部に対して、０．０１～５質量部、０．１～４．５質量部、又は１～４質量部であってもよい。
　感光性樹脂組成物には、必要に応じてその他の成分を含んでもよい。その他の成分の例としては、カチオン重合可能な環状エーテル基を有する光重合性化合物、カチオン重合開始剤、増感剤、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモメチルフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、ｐ－トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、及び熱架橋剤が挙げられる。その他の成分の含有量は、バインダーポリマー及び光重合性化合物の合計量１００質量部に対して、それぞれ０．０１～２０質量部程度であってもよい。
　感光性樹脂組成物におけるバインダーポリマー、光重合性化合物及び光重合開始剤の合計の含有量は、感光性樹脂組成物のうち溶剤以外の成分の合計質量に対して、９０～１００質量％、又は９５～１００質量％であってもよい。
　レジスト層３０を形成するために、感光性樹脂組成物を含むレジストフィルムを金属層２０上に積層してもよいし、溶剤を含む感光性樹脂組成物を金属層２０に塗布し、塗膜から溶剤を除去してもよい。
　このようなレジスト層３０を形成するレジスト材料（ドライレジスト）は、剥離液によって剥離する際に膨潤することがある。例えば、このようなレジスト材料は、１０倍に希釈した剥離液に２２℃で１分間浸漬した後の膨潤率が３０重量％以下であってもよい。また、このレジスト材料は、１０倍に希釈した剥離液に２２℃で１分間浸漬した後の膨潤率が５重量％以上であってもよく、１０重量％以上２０重量％以下であってもよい。なお、剥離液は、汎用の剥離液とすることができる。
　このようなレジスト材料の膨潤率は、ＱＣＭ（Quartz Crystal Microbalance）法を用いて測定することができる。具体的には、例えば、固有振動数５ＭＨｚのＱＣＭ（IPN 603800 Rww.K、INFICON社製）を用いて測定することができる。まず、ＱＣＭの上に感光性フィルムであるレジスト材料を実際の配線形成工程と同様の条件でラミネートする。その後、実際の配線形成工程と同様の条件で光照射を行う。光照射後の上記サンプルのレジスト材料（膜厚２５μｍ）をＱＣＭセンサーにセットし、下記の剥離液の入ったビーカーに浸漬させる。
　剥離液：一般的な汎用剥離液（例えば、R-100S 15vol%＋R-101 8vol%（三菱ガス化学製）を１０倍に希釈した溶液
　測定温度：２２℃
　レジスト膨潤に応じてＱＣＭクリスタルの振動数が低くなるため、測定データとしては含浸時間に対する振動数変化Δｆが得られる。そして、下記のSauebreyの式（１）に基づいて、重量変化（Δｍ）を算出する。
　Δｆ＝Ｃｆ×Δｍ・・・（１）
　Ｃｆは使用するクリスタルの感度因子（sensitivity factor of crystal）であり、単位は（Ｈｚ／ｎｇ／ｃｍ２）である。５ＭＨｚのクリスタルを用いた場合、Ｃｆ＝０．０５６である。本実施形態では、測定開始から１分後の重量変化率Δｍ／ｍ（初期のレジスト重量）を膨潤率（％）としている。なお、例えば、ドライレジストＡ（商品名：RD1225、昭和電工マテリアルズ株式会社製）の上記膨潤率は２０％であり、ドライレジストＢ（商品名：RY5125、昭和電工マテリアルズ株式会社製）の上記膨潤率は１５％である。上記の膨潤率を１０％程度にしたドライレジストも適宜提供可能である。
［工程Ｃ］
　工程Ｃでは、レジスト層３０の形成が終了すると、レジスト層３０を露光する。工程Ｃでは、例えば、図２に示す構成の露光パターン４０となるように、レチクル（フォトマスクとも言う）をレジスト層３０の上方に配置して所定の露光を行う。このような露光により、レジスト層３０は、図２に示すように、配線電極２（金属配線）に対応する配線用露光パターン４１（配線用露光パターン）と、配線電極に対応しないダミー露光パターン４２とに露光される。なお、図１の（ｂ）には、配線用露光パターン４１によって露光されるレジスト部分３１と、ダミー露光パターン４２によって露光されるレジスト部分３２とを示している。
　配線用露光パターン４１は、多数の配線電極２のそれぞれに対応する遮蔽部４１ａを多数有する部分である。遮蔽部４１ａは、所定波長の光で露光された場合に照射された光を遮蔽して、レジスト層３０において対応する領域の露光をさせないための領域である。レジスト層３０の一部をこのように露光することで、反応が一部進行したレジスト層３０が形成される。露光は、当業者に知られる通常の方法によって行うことができる。レジスト層３０がネガ型レジストから形成される場合、露光された箇所が現像液に対して溶解性が低下し、現像によって露光した領域が残ることになる。即ち、露光が遮蔽部４１ａによって遮蔽された領域が、現像液によって溶解されることになる。
　ダミー露光パターン４２は、配線用露光パターン４１の全体を取り囲むように形成される露光パターンであり、複数の線を格子状に配置したメッシュ形状を含んで形成されている。このようなメッシュ形状のダミー露光パターン４２を配線用露光パターン４１の外側に設けることにより、配線用露光パターン４１の外側のレジスト層３０を細かい部分に分けることができる。これにより、後述するレジストの剥離工程における剥離片を小さくすることができ、また、レジストの剥離を早めることが可能となる。なお、ダミー露光パターン４２は、図２に示す構成に限定されず、後述するように、各種の形態を採用し得る。
　ダミー露光パターン４２は、より詳細には、図３に示すように、配線用露光パターン４１の外周側の端部４１ｂに近接して配置されており、配線用露光パターン４１の外周側の端部４１ｂとダミー露光パターン４２（再内周部分）との間の距離Ｄが２００μｍ以内となるように形成されている。言い換えると、ダミー露光パターン４２の少なくとも一部は、配線用露光パターン４１の端部４１ｂから２００μｍ以内の領域に位置する。この配線用露光パターン４１とダミー露光パターン４２との間の距離Ｄは、例えば１５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよい。一例として、距離Ｄは、７０～８０μｍである。
　ダミー露光パターン４２のメッシュを形成する線状の部分４２ａ，４２ａ同士の離隔距離Ａ（双方の中心線の間の距離）は、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、１μｍ以上７５μｍ以下であってもよく、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。一例として、離隔距離Ａは、５０μｍである。また、各線状の部分４２ａの線幅Ｗは、１μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。一例として、線幅Ｗは５μｍである。
　本実施形態における露光は、上述したように、フォトマスクであるレチクルを用いた露光であってもよいが、配線用露光パターン４１に対応する配線用露光データと、ダミー露光パターン４２に対応するダミー露光データとを備えた露光データ（露光描画データ構造）に基づいて、露光装置のレーザ又は電子銃等のビームにより露光パターンをレジスト層３０に描画するようにしてもよい。
［工程Ｄ］
　工程Ｄでは、図１の（ｃ）に示すように、露光されたレジスト層３０を現像してレジスト層３０に複数の開口３５，３５ａを形成する。開口３５は、配線基板１における配線電極２に対応する部分であり、開口３５ａは、配線基板１におけるダミー金属構造物２ａに対応する部分である。現像工程では、工程Ｃでの露光後、所定時間（例えば３０分）、レジスト層３０を放置し、レジストフィルムの保護フィルムをはく離し、例えば、１．０％炭酸ナトリウム水溶液等の現像液を用いて現像処理を行う。これにより、露光されていない部分が溶解して、開口３５，３５ａが形成される。開口３５，３５ａが形成される場合、めっき処理の際のシード層となる金属層２０が開口３５，３５ａ内に露出する。開口３５，３５ａは、例えば、短手方向の幅が５μｍ程度の凹部であり、紙面に直交する方向に延在する。開口３５及び開口３５ａは、同じ大きさであってもよいし、開口３５ａの幅又は径が開口３５より大きくてもよく、開口３５ａの幅又は径が開口３５より小さくてもよい。
　露光後のレジスト層３０を上述したように現像することにより、金属層２０が露出した開口３５，３５ａを含むレジスト層３０が形成される。現像は、当業者に知られる通常の方法によって行うことができる。現像のための現像液は、炭酸ナトリウム水溶液のようなアルカリ水溶液であってもよい。
　なお、後述するように、ダミー露光パターン４２の線幅がレジストの解像度以下の場合、現像によって形成される開口３５ａが完全ではなく、金属層２０が開口３５ａ内に露出しない。この場合、後の工程で３５ａに該当する箇所にダミー金属構造物２ａが形成されないものの、剥離工程時に未露光であるダミー露光パターン４２の線状部分から溶液が浸透し、ダミー部分を境としてレジスト層３０が小片化しやすい状態となる。つまり、開口３５ａに対応する部分が、次の剥離工程の際に小片化されやすい状態のレジスト部分となる。これにより、剥離時にレジストが個片化し配線にかかる応力が小さくなり、ダミー金属構造物が形成されなくとも歩留まりを向上させることができる。加えて、ダミーパターンを有することで溶液の浸透が速くなるため、剥離工程時間の短縮にもつながる。
［工程Ｅ］
　工程Ｅでは、図１の（ｄ）に示すように、複数の開口３５，３５ａ内に露出した金属層２０をシード層として電解めっきによって金属層２１，２１ａを形成して、複数の開口３５，３５ａ内に配線電極２及びダミー金属構造物２ａを形成する。この工程では、例えば、銅めっきにより開口３５，３５ａが充填される。金属層２１の形成方法は、電解めっき、無電解めっき、金属含有ペーストの注入および焼結、およびこれらの組み合わせであってもよい。
　金属層２１を形成する金属は、例えば、銅、金、銀、ニッケル、スズ、チタン、タングステン、モリブデン、コバルト、クロム、鉄、及び亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含んでいてもよい。金属層２１，２１ａは単層であってもよいし、２層以上から構成されていてもよい。金属層２１，２１ａの厚さは、例えば０．１～１０．０μｍであってもよく、１～１５０μｍであってもよい。
　金属層２１，２１ａは、線状部を含んでいてもよく、その幅が１～２０μｍであってもよい。言い換えると、金属層２１，２１ａを含んで構成される配線電極２及びダミー金属構造物２ａのライン／スペース（Ｌ／Ｓ）は、１μｍ／１μｍ～２０μｍ／２０μｍであってもよい。本実施形態に係る方法によれば、ダミー露光パターン４２を含んで露光パターンで露光しているため、このような微細な配線であっても、配線の剥離及び倒れのような欠陥が生じる可能性が小さい。
　金属層２１，２１ａは、円状部を含んでいてもよく、直径が５～１００μｍであってもよく、直径が２０μｍ以下であってもよい。本実施形態に係る方法によれば、ダミー露光パターン４２を含んで露光パターンで露光しているため、このような微細な配線であっても、配線の剥離及び倒れのような欠陥が生じる可能性が小さい。なお、上述したように、ダミー露光パターン４２の線幅がレジストの解像度以下であり、開口３５ａが完全に形成されない場合、金属層２１ａ及びダミー金属構造物２ａも形成されない。
［工程Ｆ］
　工程Ｆでは、開口３５，３５ａへの金属層２１，２１ａの形成が終了すると、図１の（ｅ）に示すように、レジスト層３０を金属層２０から剥離する。このような剥離は、一般的に用いられている剥離液を用いて行う。汎用的な剥離液の例については、上述した通りである。
［工程Ｇ］
　工程Ｇでは、図１の（ｆ）に示すように、レジスト層３０の剥離により露出した部分の金属層２０、即ち、金属層２１，２１ａに結合している領域を除いた部分を、エッチング等の方法によって除去する。これにより、支持体１０上に残った金属層２０と金属層２１とから構成される配線電極２が形成され、金属層２０と金属層２１ａとから構成されるダミー金属構造物２ａが形成される。なお、ダミー金属構造物２ａは、配線電極２のレジストによる倒れを防止するための部材であるため、電気的には他の電極（例えば配線電極２又は支持体１０中の電極等）に対して絶縁されていることが好ましい。
　以上の工程により、図１の（ｆ）に示すように、支持体１０と、支持体１０上に設けられた複数の配線電極２と、複数のダミー金属構造物２ａとを備えた配線基板１を得ることができる。ダミー金属構造物２ａは、ダミー露光パターン４２と同様に、複数の配線電極２を取り囲むように形成され、ダミー金属構造物２ａの少なくとも一部は、複数の配線電極２のうちダミー金属構造物２ａに最も近い配線電極から２００μｍ以内の領域に位置する。また、配線基板１は、ダミー露光パターン４２に基づいて作製されるダミー金属構造物２ａが形成されない構成であってもよい。以下、説明する。
　図４及び図５を参照して、工程Ｃの露光工程～工程Ｅの電極形成工程について、更に詳細に説明する。図４は、ダミー露光パターンに対応する領域の露光及び現像の例を示す断面図であり、ダミー露光パターンの幅がレジストの解像度以上の場合の例を示す。図４の方法は、上述した方法と同様である。図５は、ダミー露光パターンに対応する領域の露光及び現像の例を示す断面図であり、ダミー露光パターンの幅がレジストの解像度よりも小さい場合の例を示す。なお、以下では、ダミー露光パターン４２による露光部分での製造方法について主に説明し、配線用露光パターン４１による露光部分での製造方法は上述したものと同様であり、説明を省略する。
　ダミー露光パターン４２の幅がレジスト層３０を形成するレジストの解像度以上の場合、工程Ａ及び工程Ｂに続いて、まずは図４の（ａ）に示すように、幅広のダミー露光パターン４２を用いて、レジスト層３０を露光する（工程Ｃ）。その後、図４の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、工程Ｄの現像工程、工程Ｅの電極の形成工程を行い、ダミー金属構造物２ａ用の金属層２１ａを形成する。
　その後、図４の（ｄ）に示すように、工程Ｆのレジスト剥離工程にて、ダミー金属構造物２ａ用の金属層２１ａの外側にあるレジスト層３０を剥離する。この剥離の際、レジスト層３０は細かなレジスト片３０ａとなって剥離される。この場合、ダミー金属構造物２ａに近接する配線電極２は、レジスト層３０のレジストが膨張することによる応力からダミー金属構造物２ａによって保護され、傾いたり又は倒されたりすることが抑制される。また、レジスト層３０自体が小片となるため、レジストの膨張による応力が低下され、この点でも、配線電極２は傾いたり又は倒されたりすることが抑制される。
　一方、ダミー露光パターン４２の幅がレジスト層３０を形成するレジストの解像度より小さい場合、工程Ａ及び工程Ｂに続いて、まずは図５の（ａ）に示すように、幅狭のダミー露光パターン４２を用いて、レジスト層３０を露光する（工程Ｃ）。その後、図５の（ｂ）に示すように、工程Ｄの現像工程を行う。この際、ダミー露光パターン４２の幅がレジストの解像度よりも小さいため、現像液による現像によって形成される開口３５ａが完全ではなく、金属層２０が開口３５ａ内に露出しない。また、金属層２０が露出しないため、図５の（ｃ）に示すように、工程Ｅでの電極形成工程においてダミー金属構造物が形成されない。
　その後、図５の（ｄ）に示すように、工程Ｆのレジスト剥離工程にて、レジスト層３０を剥離する。この剥離の際、レジスト層３０は細かなレジスト片３０ａとなって剥離される。この場合、ダミー露光パターン４２によって形成されるダミー領域４２ａに近接する配線電極２は、レジスト層３０が小片となるため、レジストの膨張による応力が低下され、ダミー金属構造物２ａを設けなくても配線電極２が傾いたり又は倒されたりすることが抑制される。ダミー領域４２ａにおいて金属層２０が露出していなくても、露光部分に比べてダミー領域４２ａは硬化が弱いため、剥離液が該当部に浸透しやすく、レジストが小片化しながら剥離するため上述した剥離時の応力緩和効果を十分に得ることができる。また、ダミー領域４２ａにおいて金属層２０が露出しない場合、ダミー領域４２ａにめっきが析出することがなく、配線基板に必要となる配線部のみにめっきを析出して配線電極２を形成することが可能となる。つまり、この場合、図１の（ｆ）に示すダミー金属構造物２ａを有しない配線基板を得ることできる。
　以上、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、配線基板１における配線等を構成する配線電極２に対応する配線用露光パターン４１の端部４１ｂから２００μｍ以内の領域に、配線電極２を構成するものではないダミー露光パターン４２の少なくとも一部が位置する。この場合、ダミー露光パターン４２によって露光された領域にダミー金属構造物２ａを設けたり、又は、ダミー露光パターン４２を設けることでその領域におけるレジスト層３０を小片化したりすることにより、配線電極２へのレジストからの応力を低下させることができる。これにより、配線基板１の製造工程中にレジストの応力によって配線電極２が倒れてしまうことを、隣接するダミー露光パターン４２（又はダミー金属構造物２ａ）によって防止することができる。よって、この配線基板の製造方法によれば、歩留まりの低下を抑制することができる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、レジスト層３０を形成する工程において、支持体１０上に設けられた金属層２０上にレジスト層３０を形成し、開口を形成する工程では、金属層２０が開口３５から露出し、配線を形成する工程では、開口３５内に露出した金属層２０上に電解めっきを析出させて配線電極２を形成している。この場合、ＳＡＰ法又はＭＳＡＰ法等により金属配線を形成して、より微細な配線電極２を容易に形成することができる。よって、この配線基板の製造方法によれば、金属配線の微細化、又は、小径化等を実現することが可能となる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、ダミー露光パターン４２は、配線用露光パターンの全体若しくは一部を取り囲んでいる。配線電極２の外側部分がレジスト剥離によって倒れやすい傾向にあるが、ダミー露光パターン４２をこのような配置にすることにより、配線電極２の倒れをより確実に抑制して、歩留まりの低下を抑制することができる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、ダミー露光パターン４２は、複数の線を格子状に配置したメッシュ形状を含んでいる。この場合、配線電極等のレジスト剥離による倒れをダミー露光パターンでより確実に抑制して、歩留まりの低下を抑制することができる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、配線電極２の短手方向の幅または直径が２０μｍ以下であってもよい。この場合、配線電極２等をより微細又は微小にすることができ、微細又は微小な配線電極を設けた場合であっても、配線電極の倒れを抑制して歩留まりの低下を抑制することができる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、レジスト層３０を露光する工程では、配線用露光パターン４１とダミー露光パターン４２とを含むレチクルを用いて、レジスト層３０を露光している。この場合、各露光工程の時間を低減できるため、配線基板１の製造効率を向上することができる。また、各露光工程間でのズレを低減することができるため、配線基板１の製造歩留まりを向上することができる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、レジスト層３０を露光する工程では、配線用露光パターン４１とダミー露光パターン４２とを含む露光描画データに基づいて描画を行い、レジスト層３０を露光してもよい。この場合、レチクル等の部材が不要となるため、その分の製造コストを低減することができる。また、露光描画データを作成又は修正することで、露光パターンの作成又は修正を容易に行うことができる。
　また、本実施形態に係る配線基板の製造方法では、ダミー露光パターン４２は、線状の部分を有し、線状の部分の幅がレジスト層３０を構成するレジストの解像度以下であってもよい。この場合、ダミー露光パターン４２に基づいてダミー金属構造物が形成されないものの、露光されたレジスト層３０が分割されて小片化しやくなるため、レジスト剥離の際に配線電極２を倒してしまうといったことを抑制できる。これにより、この製造方法によれば、歩留まりの低下を抑制することができる。また、この製造方法では、ダミー露光パターン４２に基づいてダミー金属構造物が形成されづらいため、作製された配線基板１では不要となる部分を残した構成としなくてよくなる。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、露光パターン４０は、図６及び図７に示す構成の露光パターンであってもよい。図６の（ａ）に示すように、露光パターンとして、線状の配線電極２に対応する配線用露光パターン４１Ａの一部（図の例では三方向）を取り囲むダミー露光パターン４２Ａを有する露光パターン４０Ａを用いてもよい。このダミー露光パターン４２Ａは、メッシュ形状であってもよい。この場合も、配線電極２に対応する配線用露光パターン４１Ａの端部から２００μｍ以内の領域に、ダミー露光パターン４２Ａの少なくとも一部が位置しており、配線電極２の倒れを抑制する。以下の変形例でも同様である。
　また、図６の（ｂ）に示すように、露光パターンとして、線状の配線電極２に対応する配線用露光パターン４１Ａの一部（図の例では三方向）を取り囲むダミー露光パターン４２Ｂを有する露光パターン４０Ｂを用いてもよい。このダミー露光パターン４２Ｂは、ドット形状の遮光部を多数設けて、配線用露光パターン４１Ａの一部を覆うように形成されている。ドット形状の遮光部は、平面視で、丸、三角、四角、バツ印などの幾何学的なパターン及びそれらの組み合わせを呈してもよい。このように、ダミー露光パターンとしては各種のパターンを用いることができ、レジスト層３０のレジストの剥離を早めたり、剥離片を小さくすることができる構成であれば、各種のパターンを採用することができる。なお、ここでいう配線電極２は、上記同様に、例えば、チップ若しくは基板における水平方向の電気的接続のために形成される配線電極である。
　また、図７の（ａ）に示すように、円形の端子電極３（金属配線）に対応する端子用露光パターン４１Ｃ（配線用露光パターン）の全体を取り囲むように、ダミー露光パターン４２Ｃを設けた露光パターン４０Ｃであってもよい。ダミー露光パターン４２Ｃでは、端子用露光パターン４１Ｃを二重に取り囲むように構成されている。また、図７の（ｂ）に示すように、露光パターンとして、ダミー露光パターン４２Ｃの構成に加えて、更に、複数の端子電極３の間に内側ダミー露光パターン４２Ｄ（内側ダミー金属構造物に対応）が位置する構成の露光パターン４０Ｄを用いてもよい。この場合、端子電極３間のピッチが広くなっていてもよい。また、図７の（ｃ）に示すように、露光パターンとして、端子電極３に対応する端子用露光パターン４１Ｃの全体を一重で（線状に）取り囲むように、ダミー露光パターン４２Ｅを設けた露光パターン４０Ｅを用いてもよい。なお、ここでいう端子電極３は、例えば、垂直方向の電気的接続のために形成される端子電極である。端子電極３は、例えば、垂直方向の電気的接続のために形成される突起電極であってもよい。
　以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
［マスクの用意］
　実施例１として、Ｃｒ遮蔽部を有するレチクル４０Ｆを用意した（図８を参照）。レチクルのデザインパターンとしては、ライン／スペース(Ｌ／Ｓ)=５μｍ／５μｍの線状の配線構造を有するものであった（配線用露光パターン４１Ｆ）。加えて、上記微細配線の外側にライン幅３０μｍのダミー配線を有するデザインとした（ダミー露光パターン４２Ｆ）。ダミー露光パターン４２Ｆと配線用露光パターン４１Ｆとの最も近い距離Ｄ（図３を参照）は、２０μｍであった。
［配線層の形成］
［レジスト層の形成］
　１５０ｍｍ角、厚み０．８１ｍｍのプリント配線板用の銅張積層板(昭和電工マテリアルズ株式会社)上に、ラミネーター（ラミーコーポレーション社製、ＧＫ－１３ＤＸ）を用いて、ネガ型のレジストフィルム（昭和電工マテリアルズ社製、厚み２５μｍ）をラミネートした。ラミネート温度は１１０℃、ラミネート速度は１．４ｍ／分、ラミネート圧力は０．５ＭＰａとした。ラミネート後、３０分放置し、レジストフィルムをｉ線ステッパー（サーマプレシジョン社製、Ｓ６Ｃｋ）、及びネガ型フォトマスクを用いて露光した。照度は３３ｍＷ／ｃｍ２、露光量は１２０ｍＪ／ｃｍ２とした。ネガ型フォトマスクは上述したものを用いた。また、使用したレジストフィルムは、１０倍に希釈した剥離液（後述）に２２℃で１分間浸漬した後の膨潤率が１５重量％以下のものを用いた。
　露光後、６０分放置し、レジストフィルムの保護フィルムをはく離し、１．０％炭酸ナトリウム水溶液を用いた現像により、シード層が露出するライン／スペース(Ｌ／Ｓ)＝５μｍ／５μｍの線状パターンおよび上記微細配線の外側にライン幅３０μｍのダミー線状パターンを有するレジスト層を形成した。現像は、超高圧スピン現像装置（ブルーオーシャンテクノロジー社製）を用いて、現像液を２６０秒間スプレーし、次いでリンス液として純水を１００秒間スプレーすることによって行った。現像温度は３０℃、回転数は５００ｒｐｍ、スプレー圧は０．１８ＭＰａ、スプレーノズルヘッドの移動距離は７．２ｃｍ、スプレーノズルヘッドの移動速度は１０ｃｍ/ｓであった。
　［クリーナー前処理］
　シード層及びレジスト層が形成された基板を、酸性クリーナー（ＪＣＵ社製、ＰＢ－２４２Ｄ）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に４５℃で５分間浸漬した。その後、シード層及びレジスト層が形成された基板を、５０℃の純水に１分間、２５℃の純水に１分間、２５℃の１０％硫酸水溶液に１分間の順に浸漬した。
［Ｃｕ電解めっき］
　その後、酸洗浄処理後のレジスト層付き銅張積層板を電解銅めっき液に浸漬し、２５℃で１０分間電解銅めっきをおこなった。電解銅めっき液として、硫酸銅５水和物の１２０ｇ／Ｌ、９６％硫酸２２０ｇ／Ｌの水溶液７．３Ｌ、塩酸０．２６ｍＬ、トップルチナＮＳＶ－１（商品名、奥野製薬工業製）９２ｍＬ、トップルチナＮＳＶ－２（商品名、奥野製薬工業製）１１．５ｍＬ、及びトップルチナＮＳＶ－３（商品名、奥野製薬工業製）２３ｍＬの混合液を用いた。
［レジスト剥離］
　電解めっき処理後の基板上に存在するレジスト層を剥離することにより、銅配線を有する基板を形成した。剥離は、フォトリソ用現像装置ＡＤ－３０００（滝沢産業株式会社製）を用いて、剥離液を３００秒間スプレーし、次いでリンス液として純水を３０秒間スプレーすることによって行った。剥離温度は５０℃、回転数は５００ｒｐｍ、スプレー圧は０．１８ＭＰａ、スプレーノズルヘッドの移動距離は７．２ｃｍ、スプレーノズルヘッドの移動速度は１０ｃｍ／ｓであった。剥離液として、Ａ－０６Ａ（商品名、花王製）１５０ｍＬ／Ｌ、Ａ－０６Ｂ（商品名、花王製）８０ｍＬ／Ｌの混合液を用いた。
（比較例１）
［マスクの用意］
　比較例１では、Ｃｒ遮蔽部を有するレチクル１４０Ａを用意した。デザインとしては、図９に示すように、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍの線状の配線構造を有するものであった（配線用露光パターン１４１Ｆ）。図９に示すレチクル１４０Ａでは、ダミーパターンは形成されていなかった。
２．配線層の形成
　用いたレチクルのデザインが異なる以外は、実施例１と同様の条件で、レジスト層の形成、クリーナー前処理、Ｃｕ電解めっきの形成、レジスト剥離を行った。
［倒れの観察の評価］
　形成された銅配線を、光学顕微鏡を用いて観察した。倒れが観察された配線の数およびデザインされた配線本数に対する倒れた配線の割合を表１にまとめた。また、図１０に、比較例１による配線電極の写真を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　以上、表１に示されるように、露光デザインパターンにおいて、配線用露光パターンに隣接してダミー露光パターンを含めることで、高アスペクトのめっきパターンの倒れを抑制でき、歩留まりを向上できることが確認された。
　１…配線基板、２…配線電極、２ａ…ダミー金属構造物、３…端子電極、１０…支持体、２０…金属層、３０…レジスト層、３５，３５ａ…開口、４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ…露光パターン、４０Ｆ…レチクル、４１，４１Ａ……配線用露光パターン、４１Ｃ…端子用露光パターン、４１ｂ…端部、４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４２Ｄ，４２Ｅ…ダミー露光パターン。

Claims (15)

  1. 　支持体上にレジスト層を形成する工程と、
    　前記レジスト層を露光する工程と、
    　前記露光された前記レジスト層を現像して前記レジスト層に開口を形成する工程と、
    　前記開口内に金属配線を形成する工程と、
    　前記金属配線が形成された後に前記レジスト層を除去する工程と、を備え、
    　前記レジスト層を露光する工程では、前記金属配線に対応する配線用露光パターンと前記金属配線に対応しないダミー露光パターンとを前記レジスト層に露光し、
    　前記ダミー露光パターンの少なくとも一部は、前記配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内の領域に位置する、配線基板の製造方法。
  2. 　前記レジスト層を形成する工程では、前記支持体上に設けられた金属層上に前記レジスト層を形成し、
    　前記開口を形成する工程では、前記金属層が前記開口から露出し、
    　前記金属配線を形成する工程では、前記開口内に露出した前記金属層上に電解めっきを析出させて前記金属配線を形成する、
    請求項１に記載の配線基板の製造方法。
  3. 　前記ダミー露光パターンは、前記配線用露光パターンの少なくとも一部を取り囲む、
    請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
  4. 　前記ダミー露光パターンは、前記配線用露光パターンの全体を取り囲む、
    請求項３に記載の配線基板の製造方法。
  5. 　前記ダミー露光パターンは、複数の線を格子状に配置したメッシュ形状を含む、
    請求項１～４の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
  6. 　前記金属配線の短手方向の幅が２０μｍ以下である、
    請求項１～５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
  7. 　前記レジスト層は、ネガ型のレジストから形成され、
    　前記レジストは、１０倍に希釈した剥離液に２２℃で１分間浸漬した後の膨潤率が３０重量％以下である、
    請求項１～６の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
  8. 　前記ダミー露光パターンは、線状の部分を有し、
    　前記線状の部分の幅が前記レジスト層を構成するレジストの解像度以下である、
    請求項１～７の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
  9. 　前記レジスト層を露光する工程では、前記配線用露光パターンと前記ダミー露光パターンとを含むレチクルを用いて、前記レジスト層を露光する、
    請求項１～８の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
  10. 　前記レジスト層を露光する工程では、前記配線用露光パターンと前記ダミー露光パターンとを含む露光描画データに基づいて描画を行い、前記レジスト層を露光する、
    請求項１～８の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
  11. 　支持体と、前記支持体上に設けられた複数の金属配線と、前記複数の金属配線の少なくとも一部を取り囲む少なくとも１つのダミー金属構造物と、を備え、
    　前記金属配線の短手方向の幅は２０μｍ以下であり、
    　前記ダミー金属構造物の少なくとも一部は、前記複数の金属配線のうち前記ダミー金属構造物に最も近い配線電極から２００μｍ以内の領域に位置する、配線基板。
  12. 　前記ダミー金属構造物は、複数の線を格子状に配置したメッシュ形状のダミー金属構造物、前記複数の金属配線の間に位置する内側ダミー金属構造物、前記複数の金属配線を線状に取り囲むダミー金属構造物、及び、複数のドット状の電極を前記複数の金属配線の少なくとも一部を取り囲むように配置したダミー金属構造物、の少なくとも１つを含む、
    請求項１１に記載の配線基板。
  13. 　レジストを露光するためのレチクルであって、
    　配線用露光パターンと、前記配線用露光パターンの端部に対して少なくとも一部が２００μｍ以内に位置するダミー露光パターンとを備える、レチクル。
  14. 　前記ダミー露光パターンは、前記配線用露光パターンの少なくとも一部を取り囲むように形成されている、
    請求項１３に記載のレチクル。
  15. 　レジスト層を露光するための露光装置用の露光描画データ構造であって、
    　前記露光装置に配線用露光パターンを描画させる配線用露光データと、
    　前記露光装置にダミー露光パターンを描画させるダミー露光データであって、前記ダミー露光パターンの少なくとも一部が前記配線用露光パターンの端部から２００μｍ以内に位置する、ダミー露光データと、
    により構成される露光描画データ構造。

     
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