WO2023145695A1 - 発光装置及びセンシングシステム - Google Patents

発光装置及びセンシングシステム Download PDF

Info

Publication number
WO2023145695A1
WO2023145695A1 PCT/JP2023/001974 JP2023001974W WO2023145695A1 WO 2023145695 A1 WO2023145695 A1 WO 2023145695A1 JP 2023001974 W JP2023001974 W JP 2023001974W WO 2023145695 A1 WO2023145695 A1 WO 2023145695A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
emitting device
output
intensity
light emitting
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/001974
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
岳志 阿部
省吾 茂手木
充 新田
亮祐 鴫谷
Original Assignee
パナソニックIpマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックIpマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックIpマネジメント株式会社
Publication of WO2023145695A1 publication Critical patent/WO2023145695A1/ja

Links

Images

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/145Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue
    • A61B5/1455Measuring characteristics of blood in vivo, e.g. gas concentration, pH value; Measuring characteristics of body fluids or tissues, e.g. interstitial fluid, cerebral tissue using optical sensors, e.g. spectral photometrical oximeters
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3577Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing liquids, e.g. polluted water
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/359Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using near infrared light
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • the spectrum of the output light L shown in FIG. 7 is the spectrum of the light after the output light L shown in FIG. 4 has passed through the filter 50 . That is, the light emitting device 3 that emits the output light L shown in FIG. 7 contains only (Ga,Sc) 2 O 3 :Cr 3+ as the wavelength converter, as in the case of FIG.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Physiology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cardiology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

出力光(L)を発する発光装置(2)は、1次光(L1)を発する発光素子(20)と、1次光(L1)の少なくとも一部を2次光(L2)に変換する波長変換体と、を備える。出力光(L)は、2次光(L2)の少なくとも一部を含む。出力光(L)の光強度は、750nm以上900nm以下の波長範囲全体に亘って所定値以上である。750nmにおける出力光(L)の光強度に対する900nmにおける出力光(L)の光強度の比は、0.2以上3.0未満である。出力光(L)のスペクトル視感度は、0.1lm/W以上、10lm/W以下である。

Description

発光装置及びセンシングシステム
 本発明は、発光装置及びセンシングシステムに関する。
 特許文献1には、有機物の分析などに使用される分光計に設けられるビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子が開示されている。当該オプトエレクトロニクス素子は、半導体チップから放射される一次ビームを、700nmから2000nmの間の波長の二次ビームに変換する変換材料を含んでいる。
国際公開第2016/174236号
 本発明は、酸素飽和度などの高精度な測定を支援することができる発光装置及びセンシングシステムを提供することを目的とする。
 本発明の一態様に係る発光装置は、出力光を発する発光装置であって、1次光を発する発光素子と、前記1次光の少なくとも一部を2次光に変換する波長変換体と、を備える。前記出力光は、前記2次光の少なくとも一部を含む。前記出力光の光強度は、750nm以上900nm以下の波長範囲全体に亘って所定値以上である。750nmにおける前記出力光の光強度に対する900nmにおける前記出力光の光強度の比は、0.2以上3.0未満である。前記出力光のスペクトル視感度は、0.1lm/W以上、10lm/W以下である。
 本発明の一態様に係るセンシングシステムは、上記一態様に係る発光装置と、前記出力光の反射光を検知する検知装置と、を備える。
 本発明によれば、酸素飽和度などの高精度な測定を支援することができる。
図1は、実施の形態1に係る発光装置を備える光照射装置の外観の一例を示す斜視図である。 図2は、実施の形態1に係る発光装置の断面図である。 図3は、実施の形態1に係る発光装置からの出力光のスペクトルの一例を示す図である。 図4は、実施の形態1に係る発光装置からの出力光のスペクトルの別の一例を示す図である。 図5は、実施の形態2に係る発光装置の断面図である。 図6は、実施の形態2に係る発光装置からの出力光のスペクトルの一例を示す図である。 図7は、実施の形態2に係る発光装置からの出力光のスペクトルの別の一例を示す図である。 図8は、実施の形態3に係るセンシングシステムの構成を示す図である。
 以下では、本発明の実施の形態に係る発光装置及びセンシングシステムについて、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
 また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
 また、本明細書において、要素間の関係性を示す用語、及び、要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数%程度の差異をも含むことを意味する表現である。
 (実施の形態1)
 [構成]
 まず、実施の形態1に係る発光装置の構成について、図1及び図2を用いて説明する。
 図1は、本実施の形態に係る発光装置を備える光照射装置1の外観の一例を示す斜視図である。図2は、本実施の形態に係る発光装置2の断面図である。
 図1に示される光照射装置1は、例えばスポットライトであり、図2に示される発光装置2を備える。光照射装置1は、発光装置2と、発光装置2を収容する筐体と、発光装置2から照射される光を透過するレンズなどの光学系と、を備える。光照射装置1は、天井に設けられたダクトレールなどに固定される。光照射装置1は、商用電源などの電源装置から供給される電力を受け、当該電力によって発光装置2が発する出力光L(図2を参照)を照射する。なお、光照射装置1は、ダウンライト、シーリングライト、ペンダントライト、ウォールライト又はフロアライトであってもよい。
 発光装置2は、出力光Lを発する。出力光Lは、1次光L1及び2次光L2を含む。つまり、1次光L1と2次光L2との合成光が出力光Lである。1次光L1は、可視光であり、例えば、青色光である。2次光L2は、近赤外光である。出力光Lの具体的なスペクトルは、後で説明する。
 図2に示されるように、発光装置2は、基板10と、発光素子20と、波長変換体を含む波長変換体層30と、ダム材40と、を備える。
 基板10は、発光素子20を実装するための実装用基板である。基板10には、複数の発光素子20に電力を供給するための金属配線(図示せず)が設けられている。基板10は、例えば、セラミックスからなるセラミックス基板、樹脂からなる樹脂基板、又は、ガラス基板などの絶縁基板である。あるいは、基板10は、金属板に絶縁膜が被膜されたメタルベース基板(金属基板)でもよい。
 発光素子20は、1次光L1を発する。発光素子20は、例えば、LED(Light Emitting Diode)チップであり、基板10上に実装されている。発光素子20は、例えば、中心波長(発光スペクトルのピーク波長)が430nm以上495nm以下の範囲にある青色LEDチップである。例えば、発光素子20は、1次光L1として、ピーク波長が約440nmの青色光を発する青色LEDチップである。
 発光素子20の1個あたりの1次光L1の出力エネルギーは、例えば、5mW以上であるが、10mW以上でもよく、30mW以上でもよい。発光装置2が備える全ての発光素子20からの1次光L1の合計での出力エネルギーは、例えば100mW以上である。1次光L1の合計での出力エネルギーは、1W以上でもよく、1.2W以上でもよく、5W以上でもよく、10W以上でもよい。1次光L1の出力エネルギーが大きくなるにつれて、2次光L2の出力エネルギーも大きくなる。
 波長変換体層30は、1次光L1の少なくとも一部を2次光L2に変換する波長変換体を含む。波長変換体層30は、例えば、樹脂層を含み、当該樹脂層の内部に波長変換体が分散されている。樹脂層は、可視光及び近赤外光に対して透光性を有する。例えば、樹脂層は、シリコーン樹脂を用いて形成されるが、これに限定されない。
 本実施の形態では、波長変換体は、1種類又は2種類以上の蛍光体を含む。1種類又は2種類以上の蛍光体の少なくとも1種類の蛍光体は、近赤外光を発する近赤外蛍光体である。つまり、2次光L2は、近赤外帯域の光を含んでいる。
 近赤外蛍光体としては、例えば、780nm以上2500nm未満、好ましくは800nm以上2500nm未満の波長範囲内に蛍光強度のピークを有する蛍光体を使用することができる。これにより、出力光Lは、人の目に見えない赤外光成分を含むことができる。そして、この場合、近赤外蛍光体に吸収される1次光L1としては、380nm以上700nm未満の可視光の波長範囲内に強度最大値を示す光(例えば、青色光)を使用することができる。
 なお、少なくとも780nm以上2500nm未満の波長範囲内に、蛍光強度を有する光を放つものであれば、近赤外蛍光体として、780nm未満の波長範囲内に蛍光強度のピークを有する蛍光体を使用することもできる。
 近赤外蛍光体としては、希土類イオン及び遷移金属イオンの少なくとも一方で賦活され、近赤外の光成分を含む蛍光を放つ蛍光体を利用することができる。希土類イオンは、Nd3+、Eu2+、Ho3+、Er3+、Tm3+及びYb3+からなる群より選ばれる少なくとも1つである。遷移金属イオンはTi3+、V4+、Cr4+、V3+、Cr3+、V2+、Mn4+、Fe3+、Co3+、Co2+及びNi2+からなる群より選ばれる少なくとも1つである。そして、近赤外蛍光体としては、上述のイオンを発光中心として含有し、母体として、酸化物、硫化物、窒化物、ハロゲン化物、酸硫化物、酸窒化物及び酸ハロゲン化物の少なくとも1つを含有した蛍光体を使用することができる。
 本実施の形態では、近赤外蛍光体として、例えばCr3+を含む蛍光体を利用することができる。これにより、可視光、特に青色光又は赤色光を吸収して近赤外の光成分に変換する性質を持つ近赤外蛍光体を容易に実現することができる。また、母体の種類によって、光吸収ピーク波長及び/又は蛍光ピーク波長を変えることも容易となるので、励起スペクトル形状及び/又は蛍光スペクトル形状を変えるうえで有利になる。
 また、青色光又は赤色光を吸収して近赤外の蛍光成分に変換するCr3+賦活蛍光体は、数多く知られている。このため、発光素子20の選択の幅が広がるだけでなく、2次光L2の蛍光ピーク波長を変えることが容易となるため、出力光Lの分光分布の制御に有利となる。
 例えば、近赤外蛍光体としては、ガーネット型の結晶構造を有し、Cr3+で賦活された複合酸化物蛍光体を利用することができる。このようなCr3+賦活ガーネット蛍光体は、例えば、希土類アルミニウムガーネット蛍光体及び希土類ガリウムガーネット蛍光体の少なくとも一方である。具体的には、Cr3+賦活ガーネット蛍光体は、例えば、YAl(AlO:Cr3+、LaAl(AlO:Cr3+、GdAl(AlO:Cr3+、YGa(AlO:Cr3+、LaGa(AlO:Cr3+、GdGa(AlO:Cr3+、YSc(AlO:Cr3+、LaSc(AlO:Cr3+、GdSc(AlO:Cr3+、YGa(GaO:Cr3+、LaGa(GaO:Cr3+、(Gd,La)Ga(GaO:Cr3+、GdGa(GaO:Cr3+、YSc(GaO:Cr3+、LaSc(GaO:Cr3+、GdSc(GaO:Cr3+、及び(Gd,La)(Ga,Sc)(GaO:Cr3+からなる群より選ばれる少なくとも1つである。また、Cr3+賦活ガーネット蛍光体は、これらの蛍光体を端成分としてなる固溶体であってもよい。
 また、近赤外蛍光体としては、ガーネット型以外の結晶構造を有するCr3+賦活蛍光体であってもよい。ガーネット型以外の結晶構造を有するCr3+賦活蛍光体は、820nm以上の波長範囲に蛍光強度のピークを有しやすいので、酸素飽和度などを高精度で測定できる光を放つ発光装置を提供できる。
 このような近赤外蛍光体は、高出力に対する耐久性が高い。励起光(1次光L1)の出力エネルギーが高い程、近赤外蛍光体による波長変換の際に発生する熱も多くなり、温度が上昇する。上述した近赤外蛍光体は、高温での劣化がしにくく、高い出力エネルギーの1次光L1を効率良く2次光L2に変換することができる。
 波長変換体層30が発する2次光L2の出力エネルギーは、例えば10mW以上である。2次光L2の出力エネルギーは、100mW以上でもよく、1W以上でもよく、5W以上でもよく、10W以上でもよい。2次光L2の出力エネルギーが大きくなる程、酸素飽和度などのバイタルの測定精度を高めることができる。
 なお、本実施の形態では、波長変換体層30が複数の発光素子20を一括して封止するように配置されている例を示しているが、これに限定されない。波長変換体層30は、1個又は複数の発光素子20毎に分離して配置されていてもよい。発光素子20毎に波長変換体層30が設けられている場合には、1個あたりの波長変換体層30が発する2次光L2の出力エネルギーは、例えば5mW以上である。あるいは、1個あたりの波長変換体層30が発する2次光L2の出力エネルギーは、10mW以上でもよく、30mW以上でもよい。
 ダム材40は、基板10上に設けられた、波長変換体層30を堰き止めるための部材である。本実施の形態では、ダム材40は、波長変換体層30の周囲を囲むように環状に設けられている。なお、ダム材40は、設けられていなくてもよい。
 ダム材40は、例えば、絶縁性を有する熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂などを用いて形成されている。具体的には、ダム材40としては、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などが用いられる。
 以上のように構成された発光装置2は、近赤外光を含む出力光Lを発する。近赤外光を含む出力光Lは、人の血液の酸素飽和度、及び、脈波などのバイタルの測定(非接触センシング)に利用可能である。例えば、酸素飽和度の測定は、血液中のヘモグロビンによる光の吸収を利用して行われる。具体的には、酸素と結びついたヘモグロビン(HbO)と、酸素を離したヘモグロビン(Hb)とでは、波長毎の吸光度を表す吸光度曲線が相違する。例えば、750nmの波長及びその近傍では、Hbの吸光度がHbOの吸光度よりも大きい。また、900nmの波長及びその近傍では、HbOの吸光度がHbの吸光度よりも大きい。
 このため、この2つの波長を含む出力光Lを照射して、血管からの反射光を受光し、受光した光の強度の比率を算出することにより、HbとHbOとの比率、すなわち、酸素飽和度を算出することができる。また、同様に、動脈血の時間的な変動を検出することにより、脈波の測定も可能である。十分な強度の光を照射することで、ノイズなどの影響を抑制し、酸素飽和度又は脈波などのバイタルの測定精度を高めることができる。
 [出力光のスペクトル]
 次に、出力光Lのスペクトルについて、図3及び図4を用いて説明する。
 図3及び図4はそれぞれ、本実施の形態に係る発光装置2からの出力光Lのスペクトルの一例を示す図である。各図において、横軸は波長(単位:nm)を表し、縦軸は発光強度を表している。
 図3及び図4はいずれも、発光素子20として、同じ種類の青色LEDチップを備える発光装置2が発する出力光Lのスペクトルである。青色LEDチップは、約450nmにピーク波長を有し、半値幅が約15nmの青色光を1次光L1として発する。本実施の形態では、出力光Lが1次光L1を含むので、図3及び図4に示されるように、青色の波長帯域に光強度のピークが存在している。
 図3に示される出力光Lを発する発光装置2と、図4に示される出力光Lを発する発光装置2とでは、含まれる波長変換体の種類が異なっている。具体的には、図3に示される出力光Lを発する発光装置2は、波長変換体として、(Ga,Sc):Cr3+と、GdGa(GaO:Cr3+とを、4:6の体積割合で含んでいる。図4に示される出力光Lを発する発光装置2は、波長変換体として、(Ga,Sc):Cr3+のみを含んでいる。なお、波長変換体は、シリコーン樹脂内に分散されている。図3及び図4に示されるように、波長変換体が発する2次光L2に対応するピークが、近赤外の波長帯域に存在している。
 本実施の形態では、出力光L(2次光L2)は、750nm以上900nm以下の波長範囲全体に亘って所定値以上の光強度を有する。つまり、出力光Lは、ブロードな近赤外成分を含んでいる。
 所定値は、例えば、ピーク強度の0.05倍以上である。所定値は、ピーク強度の0.1倍以上であってもよく、0.2倍以上であってもよく、0.3倍以上であってもよく、0.4倍以上であってもよく、0.5倍以上であってもよい。なお、ピーク強度は、750nm以上900nm以下の波長範囲内に含まれる最大ピークの強度である。所定値が大きい程、出力光Lが含む近赤外光成分の強度が大きくなるので、酸素飽和度などの測定精度を高めることができる。
 例えば、測定には受光器(光検出器)が用いられるが、この受光器の特性が変化しても、測定精度の低下を抑制することができる。つまり、受光器の特性に厳しい測定条件が要求されないので、汎用性が高いセンシングシステムに対する発光装置2の適用が可能である。
 本実施の形態では、750nmにおける出力光Lの光強度に対する900nmにおける出力光Lの光強度の比は、0.2以上3.0未満である。750nmにおける出力光Lの光強度に対する900nmにおける出力光Lの光強度の比は、1.0であってもよい。これにより、各波長の強度差を考慮しなくてもよいので、信号処理を簡単にすることができる。あるいは、750nmにおける出力光Lの光強度に対する900nmにおける出力光Lの光強度の比は、0.2以上1.0未満であってもよく、1.0より大きく3.0未満であってもよい。測定対象に応じて、波長変換体の種類及び配合比を調整することで、所望のスペクトルを実現することができる。
 例えば、図3に示される例では、2次光L2のピーク波長は、約810nmである。当該ピーク波長の光強度(すなわち、ピーク強度)を1とした場合、750nmの光強度は、約0.74であり、900nmの光強度は、約0.54である。つまり、900nmの光強度は、750nmの光強度より小さい。具体的には、750nmにおける出力光Lの光強度に対する900nmにおける出力光Lの光強度の比は、約0.73である。
 また、図4に示される例では、2次光L2のピーク波長は、約830nmである。当該ピーク波長の光強度を1とした場合、750nmの光強度は、約0.22であり、900nmの光強度は、約0.66である。つまり、900nmの光強度は、750nmの光強度より大きい。具体的には、750nmにおける出力光Lの光強度に対する900nmにおける出力光Lの光強度の比は、約3.0である。
 本実施の形態では、出力光Lのスペクトル視感度は、0.1lm/W以上、10lm/W以下である。スペクトル視感度は、波長λを変数とする値であり、K(λ)で表される。スペクトル視感度K(λ)は、以下の式(1)で表される。
 (1) K(λ)=KmV(λ)
 V(λ)は、比視感度であり、具体的には、明所視の視感度である。Km=638lm/Wである。
 スペクトル視感度K(λ)は、物理的な光の強度から心理物理的な明るさへ変換するための係数に相当する。光強度のスペクトル密度をe(λ)とすると、人の眼が感じる明るさf(λ)は、スペクトル視感度K(λ)を用いて以下の式(2)で表される。
 (2) f(λ)=K(λ)e(λ)
 スペクトル視感度K(λ)が大きすぎると、空間デザインへの影響が大きくなる。すなわち、発光装置2からの可視光成分の影響が大きくなって、既存の照明空間とは異なる印象を人に与えてしまうおそれがある。一方で、スペクトル視感度K(λ)が小さすぎると、発光装置2からの可視光成分が小さくなるので、目視では発光装置2が発光しているか否かを確認できなくなる。本実施の形態に係る発光装置2では、スペクトル視感度K(λ)が0.1lm/W以上、10lm/W以下であるので、目視による発光の確認を可能にしつつ、空間デザインへの影響を抑制することができる。
 なお、空間の照明環境によっては、スペクトル視感度K(λ)が0.1lm/W以上、10lm/W以下であっても、目視では発光装置2が発光しているか否かを確認できない場合があるため、スペクトル視感度K(λ)は、0.1lm/W以上、20lm/W以下であってもよく、0.1lm/W以上、30lm/W以下であってもよい。
 [効果など]
 以上のように、本実施の形態に係る発光装置2は、出力光Lを発する発光装置であって、1次光L1を発する発光素子20と、1次光L1の少なくとも一部を2次光L2に変換する波長変換体と、を備える。出力光Lは、2次光L2の少なくとも一部を含む。出力光Lの光強度は、750nm以上900nm以下の波長範囲全体に亘って所定値以上である。750nmにおける出力光Lの光強度に対する900nmにおける出力光Lの光強度の比は、0.2以上3.0未満である。出力光Lのスペクトル視感度は、0.1lm/W以上、10lm/W以下である。
 これにより、酸素飽和度などの高精度な測定を支援することができる。具体的には、出力光Lが750nm以上900nm以下の波長範囲全体で高い光強度を有するので、受光器の特性が変化しても、測定精度の低下を抑制することができる。つまり、受光器の特性に厳しい測定条件が要求されないので、汎用性が高いセンシングシステムへの発光装置2の適用が可能である。また、スペクトル視感度K(λ)が0.1lm/W以上、10lm/W以下であるので、目視による発光の確認を可能にしつつ、空間デザインへの影響を抑制することができる。
 また、例えば、波長変換体は、2種類以上の蛍光体を含んでもよい。
 これにより、複数種類の蛍光体を利用することで、2次光L2のスペクトルの調整を容易に行うことができる。例えば、測定対象及び/又は測定環境に応じて最適な2次光L2のスペクトルを得ることができる。
 また、例えば、2種類以上の蛍光体の少なくとも1種類の蛍光体は、Cr3+を含む近赤外蛍光体である。
 これにより、高温での劣化が少ない波長変換体を実現することができる。このため、励起光である1次光L1の出力エネルギーを利用することができ、高い効率で所望の出力光Lを発することができる。また、1つの発光素子20からの1次光L1の出力エネルギーを高くすることができるので、発光素子20の数を減らすことができる。これにより、発光装置2の小型化を実現することができる。
 また、例えば、2次光L2の出力エネルギーは、100mW以上であってもよい。
 これにより、近赤外光の強度を高めることができるので、酸素飽和度などの測定精度を高めることができる。
 (実施の形態2)
 続いて、実施の形態2について説明する。
 実施の形態2に係る発光装置は、実施の形態1と比較して、フィルタを備える点が相違する。以下では、実施の形態1との相違点を中心に説明を行い、共通点の説明を省略又は簡略化する。
 図5は、本実施の形態に係る発光装置3の断面図である。図5に示される発光装置3は、図2に示される発光装置2の構成に加えて、フィルタ50を備える。
 フィルタ50は、1次光L1及び2次光L2の少なくとも一方の少なくとも一部を吸収又は反射する。本実施の形態では、フィルタ50は、1次光L1のほぼ全てと、2次光L2のうちの可視光成分と、を吸収又は反射する可視光カットフィルタである。このため、フィルタ50を介して出射される出力光Lは、1次光L1を含まず、2次光L2とほぼ同じスペクトルを有する。
 フィルタ50は、例えば、樹脂又はガラスなどの基材の内部に分散された吸収色素を含む。あるいは、フィルタ50は、基材の表面に形成された、可視光成分を反射する反射膜を含む。反射膜は、例えば誘電体多層膜であってもよい。目的の波長成分の透過を抑制することができれば、フィルタ50の構成は特に限定されない。
 図5に示される例では、フィルタ50は、波長変換体層30から離れて配置されているが、波長変換体層30とフィルタ50とは接触していてもよい。
 次に、発光装置3が発する出力光Lのスペクトルについて、図6及び図7を用いて説明する。
 図6及び図7はそれぞれ、本実施の形態に係る発光装置3からの出力光Lのスペクトルの一例を示す図である。各図において、横軸は波長(単位:nm)を表し、縦軸は発光強度を表している。
 図6に示される出力光Lのスペクトルは、図3に示される出力光Lがフィルタ50を通過した後の光のスペクトルである。すなわち、図6に示される出力光Lを発する発光装置3は、図3の場合と同様に、波長変換体として、(Ga,Sc):Cr3+と、GdGa(GaO:Cr3+とを、4:6の体積割合で含んでいる。
 同様に、図7に示される出力光Lのスペクトルは、図4に示される出力光Lがフィルタ50を通過した後の光のスペクトルである。すなわち、図7に示される出力光Lを発する発光装置3は、図4の場合と同様に、波長変換体として、(Ga,Sc):Cr3+のみを含んでいる。
 図6及び図7に示されるように、フィルタ50を通過した出力光Lは、400nm以上700nm以下の波長範囲の光を実質的に含まない。出力光Lは、700nm以上750nm以下の範囲の可視光成分を僅かながら含んでいる。可視光成分(ここでは、赤色光)を僅かに含むことによって、目視による発光装置3の発光の確認が容易になる。
 以上のように、本実施の形態に係る発光装置3は、1次光L1及び2次光L2の少なくとも一方の少なくとも一部を吸収又は反射するフィルタ50を備える。
 これにより、出力光Lに含まれる可視光成分を十分に小さくすることで、空間デザインへの影響を抑制することができる。実験室などの特殊な環境ではなく、生活空間などの一般的な環境に発光装置3を設置しても、既存の照明環境を変化させないようにすることができる。よって、人の酸素飽和度又は脈波などのバイタルの測定を生活空間で日常的に行うことが可能になる。近赤外光を利用したバイタルの測定は、非接触で行うことが可能であるので、生活の妨げにならず、人に測定を意識させずに負担なく行うことができる。
 なお、フィルタ50は、1次光L1のみを吸収又は反射してもよい。この場合、出力光Lは、2次光L2に含まれる可視光成分(例えば、700nm程度の赤色光)を含む。すなわち、発光装置3が発光している場合には、近赤外光だけでなく、人が視認可能な赤色光も発せられる。これにより、目視による発光装置3の発光の確認が容易になる。
 (実施の形態3)
 続いて、実施の形態3について説明する。
 実施の形態3に係るセンシングシステムは、実施の形態1又は2に係る発光装置を備える。以下では、実施の形態1又は2との相違点を中心に説明を行い、共通点の説明を省略又は簡略化する。
 図8は、本実施の形態に係るセンシングシステム100の構成を示す図である。
 図8に示されるセンシングシステム100は、対象物101の特性値を測定する。対象物101は、例えば、人などの生物である。センシングシステム100は、人の酸素飽和度又は脈波などのバイタルを非接触で測定する。
 図8に示されるように、センシングシステム100は、発光装置2と、検知装置102と、を備える。なお、センシングシステム100は、発光装置2の代わりに、実施の形態2に係る発光装置3を備えてもよい。
 検知装置102は、発光装置2から発せられた出力光Lの反射光Lrを検知する。反射光Lrは、対象物101が出力光Lを反射させることで発生する光である。
 酸素飽和度又は脈波を測定する場合、上述したように、近赤外帯域に含まれる複数の波長の光を利用する。このため、検知装置102は、例えば、複数の波長の光を受光可能な光検出器を含む。光検出器は、受光した反射光Lrの強度に応じた電気信号を出力する。
 光検出器は、例えば、光が半導体のPN接合に入射したときに生じる電荷を検出する量子型の光検出器を用いることができる。具体的には、光検出器は、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトIC(Integrated Circuit)、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサなどである。また、光検出器としては、光を受光したときの発生熱による温度上昇によって生じる電気的性質の変化を検知する熱型の光検出器、又は光に感光する赤外線フィルムなども用いることができる。熱型の光検出器としては、熱電効果を利用するサーモパイル、焦電効果を利用する焦電素子などを利用することができる。
 検知装置102は、光検出器から出力される電気信号を処理する信号処理回路(図示せず)を含む。信号処理回路は、例えば、光検出器で受光された2つの波長の反射光Lrの強度の比率を算出することにより、HbとHbOとの比率、すなわち、酸素飽和度を算出する。あるいは、信号処理回路は、脈波を算出してもよい。
 以上のように、本実施の形態に係るセンシングシステム100は、発光装置2と、出力光Lの反射光Lrを検知する検知装置102と、を備える。
 これにより、酸素飽和度又は脈波などを高精度に測定することができる。
 また、センシングシステム100では、空間デザインへ与える影響が少ないため、発光装置2を生活空間に配置することができる。このため、人が意識的に測定を行わなくても、日常的な生活を送る中で無意識で酸素飽和度などの測定を行うことができる。このように、ユーザにとっての利便性が高いセンシングシステム100が実現できる。
 (その他)
 以上、本発明に係る発光装置及びセンシングシステムについて、上記の実施の形態などに基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
 例えば、互いに異なる複数種類の蛍光体は、1つの波長変換体層30内に分散して混合されて配置されていてもよく、蛍光体毎に層が分かれていてもよい。例えば、波長変換体層30は、複数の樹脂層の積層構造を有し、樹脂層毎に異なる種類の蛍光体が分散して配置されていてもよい。発光素子20側からの1次光L1が複数種類の蛍光体を順に通過して2次光L2に変換されることで、変換効率を高めることができる。例えば、第1種類の蛍光体からの2次光L2が第2種類の蛍光体に吸収される場合には、1次光L1の通過順で第1種類の蛍光体を第2種類の蛍光体よりも後に配置する。これにより、第1種類の蛍光体から発せられる2次光L2を、第2種類の蛍光体で吸収されずに外部に出射させることができる。
 また、例えば、発光装置は、樹脂内に分散された波長変換体の代わりに、波長変換体の焼結体を備えてもよい。具体的には、発光装置は、蛍光体粒子の焼結体(セラミック蛍光体)を備えてもよい。
 また、例えば、上記の実施の形態では、LEDチップが基板に直接実装されたCOB(Chip On Board)型の発光装置について示したが、これに限らない。例えば、発光装置は、SMD(Surface Mount Device)型の発光素子を備えてもよい。
 SMD型の発光素子は、LEDチップと、LEDチップを収容する凹部を有するパッケージと、当該凹部を充填する樹脂層と、当該樹脂層に分散された波長変換体と、を備えてもよい。つまり、波長変換体は、SMD型の発光素子の一部として設けられていてもよい。
 また、発光素子は、青色LEDでなくてもよい。例えば、発光素子は、紫色LEDでもよく、紫外LEDでもよく、赤色LEDでもよい。つまり、1次光L1は、青色光でなくてもよく、紫色光又は紫外光又は赤色光であってもよい。
 また、発光素子は、LEDでなくてもよい。例えば、発光素子は、レーザ素子又は有機EL(Electroluminescence)素子であってもよい。
 また、例えば、発光装置は、酸素飽和度又は脈波などのバイタルの測定以外に利用されてもよい。例えば、赤外線を利用したガスセンサ若しくは距離センサ、又は、監視カメラなどに利用されてもよい。
 その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
2、3 発光装置
20 発光素子
30 波長変換体層
50 フィルタ
100 センシングシステム
102 検知装置
L 出力光
L1 1次光
L2 2次光
Lr 反射光

Claims (6)

  1.  出力光を発する発光装置であって、
     1次光を発する発光素子と、
     前記1次光の少なくとも一部を2次光に変換する波長変換体と、を備え、
     前記出力光は、前記2次光の少なくとも一部を含み、
     前記出力光の光強度は、750nm以上900nm以下の波長範囲全体に亘って所定値以上であり、
     750nmにおける前記出力光の光強度に対する900nmにおける前記出力光の光強度の比は、0.2以上3.0未満であり、
     前記出力光のスペクトル視感度は、0.1lm/W以上、10lm/W以下である、
     発光装置。
  2.  前記1次光及び前記2次光の少なくとも一方の少なくとも一部を吸収又は反射するフィルタをさらに備える、
     請求項1に記載の発光装置。
  3.  前記波長変換体は、2種類以上の蛍光体を含む、
     請求項1又は2に記載の発光装置。
  4.  前記2種類以上の蛍光体の少なくとも1種類の蛍光体は、Cr3+を含む近赤外蛍光体である、
     請求項3に記載の発光装置。
  5.  前記2次光の出力エネルギーは、100mW以上である、
     請求項1~4のいずれか1項に記載の発光装置。
  6.  請求項1~5のいずれか1項に記載の発光装置と、
     前記出力光の反射光を検知する検知装置と、を備える、
     センシングシステム。
PCT/JP2023/001974 2022-01-27 2023-01-23 発光装置及びセンシングシステム WO2023145695A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022010604A JP2023109215A (ja) 2022-01-27 2022-01-27 発光装置及びセンシングシステム
JP2022-010604 2022-01-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023145695A1 true WO2023145695A1 (ja) 2023-08-03

Family

ID=87471984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2023/001974 WO2023145695A1 (ja) 2022-01-27 2023-01-23 発光装置及びセンシングシステム

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2023109215A (ja)
WO (1) WO2023145695A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120071739A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Nellcor Puritan Bennett Llc Wavelength switching for pulse oximetry
JP2014130688A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Stanley Electric Co Ltd 車両用方向指示灯具
WO2017188121A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 旭化成株式会社 推定装置
JP2019010144A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 セイコーエプソン株式会社 測定機器
US20190194539A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-27 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor, method for preparing phosphor, optoelectronic component, and method for producing optoelectronic component

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120071739A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Nellcor Puritan Bennett Llc Wavelength switching for pulse oximetry
JP2014130688A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Stanley Electric Co Ltd 車両用方向指示灯具
WO2017188121A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 旭化成株式会社 推定装置
JP2019010144A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 セイコーエプソン株式会社 測定機器
US20190194539A1 (en) * 2017-12-21 2019-06-27 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor, method for preparing phosphor, optoelectronic component, and method for producing optoelectronic component

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023109215A (ja) 2023-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6695327B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体デバイス、及び、フラッシュライト
TWI683994B (zh) 基於複合紫外光led及磷光劑的高光譜校準器
US9885813B2 (en) Projection apparatus
KR101197991B1 (ko) 발광 다이오드 장치, 광 기록 장치 및 적어도 하나의 발광다이오드의 펄스식 구동 방법
WO2017164214A1 (ja) 光源装置および発光装置
JP6773690B2 (ja) 近視抑制物品用光源および近視抑制物品用光源の使用方法
RU2632263C2 (ru) Светопреобразующий блок, лампа и светильник
KR20160037050A (ko) 발광 모듈
US8410504B2 (en) LED module
WO2006011571A1 (ja) 光源装置および該光源装置を備える内視鏡
JP2011511447A (ja) オプトエレクトロニクスモジュールおよびオプトエレクトロニクスモジュールを備えたプロジェクション装置
JP5213707B2 (ja) 色点制御システム
JP2014112621A (ja) 半導体発光装置及び照明装置
WO2023145695A1 (ja) 発光装置及びセンシングシステム
TWI324397B (en) Radiation detector
JP5980439B2 (ja) 発光装置
CN115200703A (zh) 光源检测装置
WO2023145696A1 (ja) 発光装置及びセンシングシステム
US8779448B2 (en) Illumination system with light source, radiation converting element and filter
JP2013127392A (ja) 煙霧透過率測定装置
KR102681596B1 (ko) 발광장치, 이를 적용한 살균장치, 공기청정기 및 폐쇄회로 텔레비전
US9528691B2 (en) Lighting device
US20240218246A1 (en) Light-emitting device, illumination device, and night-vision device
US11603982B2 (en) Broadband light-emitting device
Chung et al. Measuring the temperature of LED chips encapsulated by transparent silicone rubber

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 23746906

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1