WO2023132549A1 - 기판처리장치 - Google Patents

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WO2023132549A1
WO2023132549A1 PCT/KR2022/021438 KR2022021438W WO2023132549A1 WO 2023132549 A1 WO2023132549 A1 WO 2023132549A1 KR 2022021438 W KR2022021438 W KR 2022021438W WO 2023132549 A1 WO2023132549 A1 WO 2023132549A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plate
adapter
coupled
processing apparatus
substrate processing
Prior art date
Application number
PCT/KR2022/021438
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
황철주
유인서
이지훈
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020220181219A external-priority patent/KR20230107124A/ko
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a processing process such as a deposition process and an etching process for a substrate.
  • a predetermined thin film layer, thin film circuit pattern, or optical pattern must be formed on a substrate.
  • the substrate process such as a deposition process of depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process of selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process of forming a pattern by selectively removing the thin film of an exposed portion, etc. processing takes place.
  • a processing process for such a substrate is performed by a substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus includes a substrate support for supporting a substrate, a plate disposed above the substrate support, and a chamber in which the plate is installed.
  • the plate is coupled to the chamber to be disposed inside the chamber.
  • the substrate processing apparatus since the plate is coupled only to the chamber and supported only by the chamber, deflection occurs in the plate due to its own weight. Accordingly, the substrate processing apparatus according to the prior art has a problem in that the quality of the substrate subjected to the processing process is deteriorated as the distance between the plate and the substrate supported by the substrate support part is partially changed.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing degradation of the quality of a substrate on which processing has been performed due to sagging of a plate.
  • the present invention may include the following configuration.
  • a substrate processing apparatus includes a chamber including a lid thereon; a first plate installed below the lid and having a plurality of gas holes; a second plate including a plurality of gas holes communicating with some of the plurality of gas holes of the first plate and coupled to the first plate; And it may include a gap adjusting unit connected to the second plate and adjusting a gap between the lead and the first plate.
  • the spacing adjustment unit may be connected to the RF power feeding line.
  • a substrate processing apparatus may include a feeding unit coupled to the first plate.
  • the feeding unit may necessarily apply RF power to the first plate, and the spacing adjusting unit may selectively apply RF power to the first plate.
  • the present invention may be implemented such that the spacing adjusting unit supports the first plate. Accordingly, the present invention can reduce the deflection caused by the weight of the first plate. Therefore, since the present invention can reduce the extent to which the distance between the first plate and the substrate is partially changed, the quality of the substrate on which the treatment process has been performed can be improved.
  • the present invention is implemented to adjust the distance between the lead and the first plate by using the distance adjusting unit. Therefore, since the present invention can reduce the sagging generated in the first plate, it is possible to improve the ease of work for solving the sagging generated in the first plate.
  • the present invention may be implemented such that the spacing adjusting unit is electrically connected to the first plate. Accordingly, the present invention can improve the ease of work for imparting electrical characteristics to the first plate.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional side view showing the coupling relationship between the first plate, the second plate, and the gap control unit in the substrate processing apparatus according to the present invention
  • 3 to 5 are schematic side cross-sectional views illustrating embodiments of an adapter included in a second plate by enlarging a portion A of FIG. 2 .
  • Figure 6 is a schematic cross-sectional side view showing the coupling relationship between the first plate, the upper plate, the upper adapter, the lower adapter, the upper gap adjusting unit, and the lower gap adjusting unit in the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • Figure 7 is a schematic plan view of the first plate in the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic side cross-sectional view of an embodiment including a protruding electrode and an opening in the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • Figure 9 is a schematic side cross-sectional view of an embodiment including a feeding unit in the substrate processing apparatus according to the present invention
  • FIG. 2 to 6, 8, and 9 may be side cross-sectional views taken along line II of FIG. 7 as a reference. 7, gas holes formed in the first plate and adapters coupled to the first plate are omitted.
  • a substrate processing apparatus 1 performs a processing process on a substrate S.
  • the substrate S may be a silicon substrate, a glass substrate, or a metal substrate.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may perform a deposition process of depositing a thin film on the substrate S, an etching process of removing a part of the thin film deposited on the substrate S, and the like.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention will be described based on an embodiment in which the deposition process is performed, but from this, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs other processing processes such as the etching process. It will be apparent to those skilled in the art belonging to the technical field to which the present invention belongs.
  • a substrate processing apparatus 1 may include a chamber 2 , a first plate 3 , a second plate 4 , and a space adjusting unit 5 .
  • the chamber 2 provides a processing space 20 .
  • a processing process such as a deposition process and an etching process for the substrate S may be performed.
  • the processing space 20 may be disposed inside the chamber 2 .
  • An exhaust port (not shown) for exhausting gas from the processing space 20 may be coupled to the chamber 2 .
  • the first plate 3, the adapter 43, and the space adjusting part 5 may be disposed. A part of the gap adjusting part 5 may be disposed outside the chamber 2 .
  • a substrate support 21 may be installed in the chamber 2 .
  • the substrate support part 21 supports the substrate (S).
  • the substrate support part 21 may support one substrate (S) or may support a plurality of substrates (S).
  • a processing process for a plurality of substrates (S) may be performed at one time.
  • the substrate support part 21 may be coupled to the chamber 2 .
  • the substrate support 21 may be disposed inside the chamber 2 .
  • the first plate 3 is installed in the chamber 2 .
  • the first plate 3 may be coupled to the chamber 2 so as to be disposed inside the chamber 2 .
  • the first plate 3 may be disposed to face the substrate support part 21 .
  • the first plate 3 may be disposed above the substrate support part 21 based on the vertical direction (Z-axis direction).
  • the vertical direction (Z-axis direction) is an axial direction parallel to the direction in which the first plate 3 and the substrate support part 21 are spaced apart from each other.
  • the processing space 20 may be disposed between the first plate 3 and the substrate support part 21 .
  • the first plate 3 may be coupled to the lead 22 .
  • the lid 22 may be disposed to cover an upper portion of the chamber 2 .
  • the first plate 3 may inject gas toward the substrate support part 21 .
  • a plurality of gas holes 31 (hereinafter referred to as 'lower gas holes 31') may be formed in the first plate 3 .
  • Gas may pass through the lower gas holes 31 and be injected toward the substrate support part 21 .
  • the gas is used for the processing of the substrate S, and may be supplied from a gas storage unit (not shown).
  • Each of the lower gas holes 31 may be formed through the first plate 3 .
  • the lower gas holes 31 may be spaced apart from each other.
  • the second plate 4 is disposed inside the chamber 2 .
  • the second plate 4 may be coupled to the first plate 3 .
  • the second plate 4 may include a plurality of gas holes 41 (hereinafter referred to as 'upper gas holes 41').
  • the upper gas holes 41 may communicate with some of the lower gas holes 31 .
  • the upper gas holes 41 may be spaced apart from each other. Gas may be injected toward the substrate S supported by the substrate support 21 through the upper gas hole 41 and the lower gas hole 31 .
  • the spacing adjusting part 5 is connected to the second plate 4 .
  • the gap adjusting part 5 may be connected to the first plate 3 through the second plate 4 .
  • the gap control unit 5 supports the first plate 3 through the second plate 4, so that the support function for the first plate 3 can be implemented.
  • one side of the gap adjusting part 5 may be connected to the first plate 3 through the second plate 4 and the other side may be supported by the lead 22 .
  • the gap adjusting unit 5 may implement a supporting function for the first plate 3 by supporting the second plate 4 using the supporting force supported by the lead 22 .
  • the other side of the gap adjustment unit 5 may be supported by another structure disposed outside the chamber 2 .
  • the spacing adjusting unit 5 may be connected to the RF power feeding line 50 (shown in FIG. 1).
  • the RF power feeding line 50 may apply RF power for plasma generation.
  • the gap control unit 5 may be electrically connected to the first plate 3 through the second plate 4, thereby implementing an electrical connection function for determining the electrical characteristics of the first plate 3. .
  • one side of the spacing adjusting unit 5 may be connected to the first plate 3 through the second plate 4 and the other side may be connected to the RF power feeding line 50 .
  • the spacing control unit 5 may implement both a support function and an electrical connection function.
  • the spacing adjusting unit 5 may adjust the spacing between the lead 22 and the first plate 3 .
  • the gap control unit 5 can adjust the gap between the lead 22 and the first plate 3 by raising the first plate 3 through the second plate 4 .
  • the distance between the lead 22 and the first plate 3 is adjusted, the distance between the first plate 3 and the substrate S supported by the substrate support 21 may be adjusted. .
  • the gap adjusting unit 5 raises the second plate 4 so that the sagging occurs through the second plate 4. A portion of the first plate 3 may be raised.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the first plate 3 using the gap adjusting unit 5, the first plate 3 and the substrate A change in the distance between the substrates S supported by the support part 21 may be reduced. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the quality of the substrate S on which the processing process has been performed. In addition, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the first plate 3 using the gap adjusting unit 5, the first plate 3 Ease of work to solve sagging can be improved.
  • the gap control unit 5 may include a coupling member 51 (shown in FIG. 5).
  • the coupling member 51 is fastened to the second plate 4 through a fastening groove 42 (shown in FIG. 3) formed in the second plate 4.
  • a screw thread may be formed on an outer circumferential surface of the coupling member 51 .
  • Screw threads corresponding to the threads formed on the outer circumferential surface of the coupling member 51 may be formed on the inner surface of the second plate 4 facing the fastening groove 42 .
  • the coupling member 51 is fastened to the second plate 4 through the fastening groove 42, so that the second plate 4 can be raised.
  • the coupling member 51 is fastened to the second plate 4.
  • the second plate 4 may be raised.
  • a portion of the first plate 3 to which the second plate 4 is coupled may be raised. Therefore, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the first plate 3 by using the fastening between the coupling member 51 and the second plate 4, the A change in the distance between the first plate 3 and the substrate S supported by the substrate support 21 may be reduced.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the quality of the substrate S on which the processing process has been performed.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the first plate 3 through the rotation of the spacing adjusting part 5, the first plate 3 The ease of work to solve the deflection can be improved.
  • the coupling member 51 may be rotated as the spacing control unit 5 rotates around the rotation shaft 5a.
  • the rotation shaft 5a of the spacing adjusting unit 5 may be disposed parallel to the vertical direction (Z-axis direction).
  • the gap control unit 5 may include a connection member 52 and a support member 53 .
  • connection member 52 is coupled to each of the coupling member 51 and the support member 53 .
  • the coupling member 51 and the support member 53 may be connected to each other.
  • the connection member 52 may be disposed between the coupling member 51 and the support member 53 .
  • the supporting member 53 is coupled to the connecting member 52 .
  • the support member 53 may be disposed on the opposite side of the coupling member 51 based on the connection member 52 .
  • the support member 53 may be supported by the lead 22 . Accordingly, the support member 53 can support the first plate 3 through the second plate 4 by using the support force supported by the lead 22 .
  • the support member 53 may be supported by the lead 22 by being inserted into and coupled to an upper portion of the lead 22 .
  • the connection member 52 may protrude downward from the lower surface of the support member 53 . In this case, one side of the connection member 52 is inserted into the lead 22 and coupled to the support member 53, and the other side is coupled to the coupling member 51 coupled to the second plate 4. can
  • the second plate 4 may include an adapter 43 .
  • the adapter 43 is coupled to the first plate 3 .
  • the adapter 43 may be coupled with the spacing adjusting unit 5. Accordingly, the adapter 43 may function as a medium for connecting the space adjusting part 5 and the first plate 3 to each other. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can achieve the following operational effects.
  • the spacing adjusting unit 5 may support the first plate 3 through the adapter 43 .
  • the first plate 3 may be supported by the chamber 2 and also by the spacing adjusting part 5 .
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce deflection of the first plate 3 caused by its own weight. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the extent to which the distance between the lead 22 and the first plate 3 is partially changed. Accordingly, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the degree of partial change of the distance between the first plate 3 and the substrate S supported by the substrate support part 21, The quality of the substrate S on which the treatment process has been performed can be improved.
  • the spacing adjusting unit 5 is connected to the spacing adjusting unit 5 during use.
  • damage or breakage occurs during the assembly process of connecting to the first plate 3
  • damage or breakage may be induced to the adapter 43.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the possibility of damage or damage to the first plate 3, maintenance costs can be reduced.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can induce damage or damage to the adapter 43, which is relatively easier to maintain than the first plate 3, maintenance work ease of use can be improved.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may be implemented such that the spacing adjusting part 5 is electrically connected to the first plate 3 through the adapter 43 .
  • the adapter 43 may electrically connect the gap control unit 5 and the first plate 3 . Accordingly, power for generating plasma may be applied to the first plate 3 through the gap adjusting unit 5 and the adapter 43 . Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the ease of operation for imparting electrical characteristics to the first plate 3 when compared to the comparative example using a separate wire or the like.
  • All or part of the adapter 43 may be inserted into the first plate 3 .
  • all of the adapters 43 may be inserted into the insertion grooves 32 formed in the first plate 3 .
  • the upper surface 43a of the adapter 43 and the upper surface 3a of the first plate 3 may be disposed at the same height.
  • a portion of the adapter 43 may be inserted into the insertion groove 32 formed in the first plate 3 .
  • the upper surface 43a of the adapter 43 may be disposed at a higher level than the upper surface 3a of the first plate 3 . As shown in FIG.
  • the adapter 43 may be coupled to the upper surface 3a of the first plate 3 so as to protrude upward from the upper surface 3a of the first plate 3 .
  • the insertion groove 32 is not formed in the first plate 3 .
  • the lower surface 43b of the adapter 43 may contact the upper surface 3a of the first plate 3 .
  • the adapter 43 may be fixedly coupled to the first plate 3 through an adhesive or the like.
  • the adapter 43 may be fixedly coupled to the first plate 3 through bonding, welding, or the like.
  • the coupling member 51 of the spacing adjusting unit 5 may be coupled to the adapter 43 .
  • the coupling member 51 may be coupled to the adapter 43 by fastening.
  • the fastening groove 42 may be formed in the adapter 43 .
  • a screw thread corresponding to a screw thread formed on an outer circumferential surface of the coupling member 51 may be formed on an inner surface of the adapter 43 toward the fastening groove 42 .
  • the coupling member 51 is fastened to the adapter 43 through the fastening groove 42, so that the adapter 43 can be elevated. For example, when deflection occurs in the portion of the first plate 3 to which the adapter 43 is coupled, as shown in FIG.
  • the coupling member 51 rotates in the direction in which the adapter 43 is fastened. As such, the adapter 43 can be raised. As the adapter 43 is elevated, a portion of the first plate 3 to which the adapter 43 is coupled may be elevated. Therefore, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the first plate 3 by using the fastening between the coupling member 51 and the adapter 43, the first A change in the distance between the plate 3 and the substrate S supported by the substrate support 21 can be reduced.
  • the adapter 43 when the adapter 43 is provided, one side of the connection member 52 of the gap adjusting unit 5 is inserted into the lead 22 and coupled to the support member 53, and the other side is the adapter. It can be coupled to the coupling member 51 coupled to (43).
  • the substrate processing apparatus 1 may include a plurality of adapters 43 and a plurality of space adjusting units 5, respectively.
  • the adapters 43 may be spaced apart from each other and coupled to different parts of the first plate 3 .
  • the spacing adjusting parts 5 may be disposed spaced apart from each other and supported on different parts of the lead 22 . Accordingly, the spacing control parts 5 support different parts of the first plate 3 through the adapters 43, thereby reducing the degree of sagging of the first plate 3 as a whole. can make it
  • the spacing control parts 5 are rotated independently of each other, different parts of the first plate 3 can be independently raised. Accordingly, when a partial sagging occurs in the first plate 3, the gap control units 5 raise only the portion where the sagging occurs, thereby maintaining the first plate 3 and the substrate support 21. A distance between the supported substrates S may be maintained uniformly.
  • the second plate 4 may include an upper plate 44 (shown in FIG. 6 ).
  • the upper plate 44 is disposed above the first plate 3 .
  • the upper plate 44 and the first plate 3 may be spaced apart from each other along the vertical direction (Z-axis direction).
  • a separation space 45 may be disposed between the upper plate 44 and the first plate 3 .
  • the upper plate 44 and the first plate 3 may be disposed not to be electrically connected to each other through the separation space 45 .
  • an insulator electrically insulating the upper plate 44 and the first plate 3 may be disposed in the separation space 45 .
  • a lower surface 44a of the upper plate 44 may be formed flat.
  • the lower surface 44a of the upper plate 44 is a surface disposed toward the separation space 45 .
  • the upper surface 3a of the first plate 3 may be disposed toward the separation space 45 .
  • the upper gas holes 41 may be formed in the upper plate 44 .
  • the upper gas holes 41 may be formed through the upper plate 44 at positions spaced apart from each other. Gas may pass through the upper gas hole 41 and be injected toward the separation space 45 .
  • the substrate processing apparatus 1 may include a plurality of the adapter 43 and the spacing adjusting part 5, respectively. there is.
  • a lower adapter 431 may be coupled to the first plate 3 .
  • an upper adapter 432 may be coupled to the upper plate 44 .
  • the lower gap adjusting part 54 may be coupled to the lower adapter 431 and connected to the first plate 3.
  • one side of the lower gap adjusting part 54 may be coupled to the lower adapter 431 and the other side may be coupled to the lead 22 or other structure.
  • the other side of the lower spacing adjusting part 54 may be connected to the RF power feeding line 50 or grounded.
  • the lower gap adjusting part 54 may be inserted into the upper plate 44 .
  • an insulating member 541 may be disposed between the lower gap adjusting unit 54 and the upper plate 44 . The insulating member 541 may insulate the lower gap adjusting part 54 and the upper plate 44 .
  • the lower gap adjusting part 54 may be fastened to the lower adapter 431 .
  • the lower gap adjusting part 54 raises the lower adapter 431 as it rotates in the direction to be fastened to the lower adapter 431, so that the first plate 3 to which the lower adapter 431 is coupled ) can be raised. Therefore, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the first plate 3 by using the fastening between the lower gap adjusting unit 54 and the lower adapter 431, A change in the distance between the first plate 3 and the substrate S supported by the substrate support 21 may be reduced. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the quality of the substrate S on which the processing process has been performed.
  • the lower gap adjustment unit 54 may include the above-described coupling member 51 , the connection member 52 , and the support member 53 .
  • the upper gap adjusting part 55 may be coupled to the upper adapter 432 and connected to the upper plate 44.
  • one side of the upper gap adjusting part 55 may be coupled to the upper adapter 432 and the other side may be coupled to the lead 22 or another structure.
  • the other side of the upper spacing adjusting part 55 may be connected to the RF power feeding line 50 or grounded.
  • the other side of the upper spacing adjusting unit 55 when the other side of the upper spacing adjusting unit 55 is connected to the RF power feeding line 50, the other side of the lower spacing adjusting unit 54 may be grounded.
  • the other side of the lower spacing adjusting unit 54 may be connected to the RF power feeding line 50 .
  • the upper gap adjusting part 55 may be fastened to the upper adapter 432 .
  • the upper adapter 432 is lifted as the upper gap adjustment unit 55 is rotated in the direction in which the upper adapter 432 is fastened, thereby increasing the upper plate 44 to which the upper adapter 432 is coupled. part of can be raised. Therefore, since the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the deflection generated in the upper plate 44 by using the fastening between the upper gap adjusting unit 55 and the upper adapter 432, A change in the distance between the upper plate 44 and the first plate 3 can be reduced. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the quality of the substrate S on which the processing process has been performed.
  • the substrate processing apparatus 1 can reduce the deflection generated in the upper plate 44 through the rotation of the upper gap adjusting part 55, the upper plate 44 Ease of work to solve sagging can be improved.
  • the upper gap adjustment unit 55 may include the above-described coupling member 51 , the connection member 52 , and the support member 53 .
  • the upper gap adjusting part 55 may be disposed outside the lower gap adjusting part 54 . That is, the lower gap adjusting part 54 may be disposed further inside than the upper gap adjusting part 55 .
  • the lower gap adjusting part 54 may be coupled to the first plate 3 in the first area FA.
  • the lower adapter 431 is coupled to a portion of the first plate 3 belonging to the first area FA.
  • the lower gap adjusting unit 54 may be coupled to the lower adapter 431 and connected to a portion of the first plate 3 belonging to the first area FA through the lower adapter 431.
  • a plurality of lower gap adjusting units 54 and lower adapters 431 may be disposed.
  • the upper gap adjusting part 55 may be coupled to the upper plate 44 in an area corresponding to the second area SA.
  • the second area SA is disposed to surround the first area FA.
  • the first area FA may be disposed inside the second area SA.
  • the upper adapter 432 is coupled to a portion of the upper plate 44 belonging to an area corresponding to the second area SA. Accordingly, the upper gap adjusting unit 55 is coupled to the upper adapter 432, and the portion of the upper plate 44 belonging to the region corresponding to the second region SA through the upper adapter 432. can be connected to In an area corresponding to the second area SA, a plurality of upper spacing adjusting units 55 and a plurality of upper adapters 432 may be disposed.
  • the lower gas holes 31 formed in the first plate 3 may be spaced apart from each other at intervals (D, shown in FIG. 2) of 8 mm or more and 13 mm or less. Accordingly, even when the adapter 43 is coupled to the first plate 3, the lower gas holes 31 may be spaced apart from each other at the same distance D as a whole.
  • the adapter 43 may be formed to have a smaller horizontal cross-sectional area than the distance D at which the lower gas holes 31 are spaced apart from each other.
  • the horizontal cross-sectional area may be a cross-sectional area based on a horizontal direction perpendicular to the vertical direction (Z-axis direction).
  • the adapter 43 may be formed to have a horizontal cross-sectional area of less than 13 mm.
  • the lower adapter 431 may be coupled to the first plate 3 .
  • the lower adapter 431 may be formed to have a smaller horizontal sectional area than the distance D at which the lower gas holes 31 are spaced apart from each other.
  • the upper gas holes 41 formed in the upper plate 44 may be spaced apart from each other at an interval of 8 mm or more and 13 mm or less. Accordingly, even when the upper adapter 432 is coupled to the upper plate 44, the upper gas holes 41 may be spaced apart from each other at equal intervals as a whole.
  • the upper adapter 432 may be formed to have a smaller horizontal cross-sectional area than the distance between the upper gas holes 41 .
  • the upper adapter 432 may be formed to have a horizontal cross-sectional area of less than 13 mm.
  • the second plate 4 may include a plurality of protruding electrodes 46 .
  • the first plate 3 may include a plurality of openings 33 .
  • Each of the protruding electrodes 46 protrudes downward from the lower surface 44a of the upper plate 44 .
  • the protruding electrodes 46 may be spaced apart from each other.
  • the upper gas hole 41 may be formed in each of the protruding electrodes 46 .
  • the upper gas holes 41 may be formed through the upper plate 44 and the protruding electrode 46, respectively.
  • the protruding electrodes 46 and the upper plate 44 may be integrally formed.
  • the openings 33 are formed in the first plate 3 .
  • the openings 33 may be formed through the first plate 3 at positions spaced apart from each other.
  • the openings 33 may be disposed at positions corresponding to each of the protruding electrodes 46 .
  • the protruding electrodes 46 may protrude to a length inserted into each of the openings 33 .
  • the lower end of the protruding electrode 46 may be disposed in the opening 33 .
  • the protruding electrodes 46 may protrude with a length disposed at a position spaced upward from each of the openings 33 .
  • the lower end of the protrusion electrode 46 may be disposed between the lower surface 44a of the upper plate 44 and the upper surface 3a of the first plate 3 .
  • the lower end of the protruding electrode 46 may be disposed on the same line as the upper surface 3a of the first plate 3 .
  • the protruding electrodes 46 may protrude from the first plate 3 in a downward direction through each of the openings 33 . In this case, the lower end of the protruding electrode 46 may be disposed in the processing space 20 .
  • the substrate processing apparatus 1 may include a feeding unit 6 .
  • the feeding unit 6 may be coupled to the first plate 3 .
  • the feeding unit 6 may essentially apply RF power to the first plate 3 .
  • the spacing adjusting unit 5 may selectively apply RF power to the first plate 3 .
  • the substrate processing apparatus 1 is implemented to adjust the number of points of the first plate 3 to which RF power is directly applied according to process conditions, so that it can be applied to processing processes under various process conditions. versatility can be improved.
  • the lower spacing adjusting unit 54 among the spacing adjusting units 5 may function as auxiliary RF feeding.
  • the upper space adjusting part 55 may be grounded.
  • the feeding part 6 may be coupled to the first plate 3 at a position spaced apart from each of the lower gap adjusting part 54 and the upper gap adjusting part 55 .
  • the feeding unit 6 and the spacing adjusting unit 5 may be connected to the RF power feeding line 50, respectively.
  • the feeding unit 6 may be connected to a separately prepared RF power feeding line.
  • the feeding unit 6 may be inserted into the upper plate 44 and coupled to the first plate 3 .
  • an insulating part 61 may be disposed between the feeding part 6 and the upper plate 44 .
  • the insulating part 61 may insulate the feeding part 6 from the upper plate 44 .

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Abstract

본 발명은 상부에 리드를 포함하는 챔버; 상기 리드 하부에 설치되고, 복수의 가스홀이 형성된 제1플레이트; 상기 제1플레이트의 복수의 가스홀 중 일부와 연통되는 복수의 가스홀을 포함하며, 상기 제1플레이트에 결합되는 제2플레이트; 및 상기 제2플레이트에 연결되고, 상기 리드와 상기 제1플레이트의 사이 간격을 조절하는 간격조절부를 포함하고, 상기 간격조절부는 RF 전원 피딩라인과 접속되는 기판처리장치에 관한 것이다.

Description

기판처리장치
본 발명은 기판에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 한다. 이를 위해, 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등과 같은 기판에 대한 처리공정이 이루어진다. 이러한 기판에 대한 처리공정은 기판처리장치에 의해 이루어진다.
종래 기술에 따른 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지부, 상기 기판지지부의 상측에 배치된 플레이트, 및 상기 플레이트가 설치된 챔버를 포함한다. 상기 플레이트는 상기 챔버의 내부에 배치되도록 상기 챔버에 결합된다.
여기서, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 플레이트가 상기 챔버에만 결합되어서 상기 챔버에 의해서만 지지되므로, 자중(自重)에 의해 상기 플레이트에 처짐이 발생된다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판처리장치는 상기 플레이트와 상기 기판지지부에 지지된 기판 사이의 간격이 부분적으로 변화됨에 따라 처리공정이 수행된 기판의 품질이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 플레이트의 처짐으로 인해 처리공정이 수행된 기판의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 상부에 리드를 포함하는 챔버; 상기 리드 하부에 설치되고, 복수의 가스홀이 형성된 제1플레이트; 상기 제1플레이트의 복수의 가스홀 중 일부와 연통되는 복수의 가스홀을 포함하며, 상기 제1플레이트에 결합되는 제2플레이트; 및 상기 제2플레이트에 연결되고, 상기 리드와 상기 제1플레이트의 사이 간격을 조절하는 간격조절부를 포함할 수 있다. 상기 간격조절부는 RF 전원 피딩라인과 접속될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 상기 제1플레이트에 결합되는 피딩부를 포함할 수 있다. 상기 제1플레이트에 RF 전원이 인가되는 경우, 상기 피딩부가 필수적으로 상기 제1플레이트에 RF 전원을 인가하고, 상기 간격조절부가 선택적으로 상기 제1플레이트에 RF 전원을 인가할 수 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 간격조절부가 제1플레이트를 지지하도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1플레이트에 자중(自重)에 의해 발생되는 처짐을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 제1플레이트와 기판 사이의 간격이 부분적으로 변화되는 정도를 감소시킬 수 있으므로, 처리공정이 수행된 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 간격조절부를 이용하여 리드와 제1플레이트의 사이 간격을 조절할 수 있도록 구현된다. 따라서, 본 발명은 제1플레이트에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 제1플레이트에 발생된 처짐을 해결하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 간격조절부가 제1플레이트에 전기적으로 연결되도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 제1플레이트에 전기적 특성을 부여하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성도
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1플레이트, 제2플레이트, 및 간격조절부 간의 결합관계를 나타낸 개략적인 측단면도
도 3 내지 도 5는 제2플레이트가 갖는 어댑터에 관한 실시예들을 도 2의 A 부분을 확대하여 나타낸 개략적인 측단면도
도 6은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1플레이트, 상부플레이트, 상부어댑터, 하부어댑터, 상부간격조절부, 및 하부간격조절부 간의 결합관계를 나타낸 개략적인 측단면도
도 7은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 제1플레이트의 개략적인 평면도
도 8은 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 돌출전극과 개구를 포함하는 실시예에 대한 개략적인 측단면도
도 9는 본 발명에 따른 기판처리장치에 있어서 피딩부를 포함하는 실시예에 대한 개략적인 측단면도
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 2 내지 도 6, 도 8, 및 도 9는 도 7의 I-I 선을 기준으로 하는 측단면도일 수 있다. 도 7에는 제1플레이트에 형성된 가스홀들과 제1플레이트에 결합된 어댑터들이 생략되어 있다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 기판(S)에 대한 처리공정을 수행하는 것이다. 상기 기판(S)은 실리콘기판, 유리기판, 메탈기판 등일 수 있다. 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 기판(S)에 박막을 증착하는 증착공정, 상기 기판(S)에 증착된 박막의 일부를 제거하는 식각공정 등을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 증착공정을 수행하는 실시예를 기준으로 설명하나, 이로부터 본 발명에 따른 기판처리장치(1)가 상기 식각공정 등과 같이 다른 처리공정을 수행하는 실시예를 도출하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에 속하는 당업자에게 자명할 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 챔버(2), 제1플레이트(3), 제2플레이트(4), 및 간격조절부(5)를 포함할 수 있다.
도 1을 참고하면, 상기 챔버(2)는 처리공간(20)을 제공하는 것이다. 상기 처리공간(20)에서는 상기 기판(S)에 대한 증착공정, 식각공정 등과 같은 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 처리공간(20)은 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다. 상기 챔버(2)에는 상기 처리공간(20)으로부터 가스를 배기시키는 배기구(미도시)가 결합될 수 있다. 상기 챔버(2)의 내부에는 상기 제1플레이트(3), 상기 어댑터(43), 및 상기 간격조절부(5)가 배치될 수 있다. 상기 간격조절부(5)의 일부는 상기 챔버(2)의 외부에 배치될 수도 있다.
상기 챔버(2)에는 기판지지부(21)가 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(21)는 상기 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판지지부(21)는 하나의 기판(S)을 지지할 수도 있고, 복수개의 기판(S)을 지지할 수도 있다. 상기 기판지지부(21)에 복수개의 기판(S)이 지지된 경우, 한번에 복수개의 기판(S)에 대한 처리공정이 이루어질 수 있다. 상기 기판지지부(21)는 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다. 상기 기판지지부(21)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 제1플레이트(3)는 상기 챔버(2)에 설치된 것이다. 상기 제1플레이트(3)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치되도록 상기 챔버(2)에 결합될 수 있다. 상기 제1플레이트(3)는 상기 기판지지부(21)에 대향되게 배치될 수 있다. 상기 제1플레이트(3)는 수직방향(Z축 방향)을 기준으로 하여 상기 기판지지부(21)의 상측에 배치될 수 있다. 상기 수직방향(Z축 방향)은 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)가 서로 이격된 방향에 대해 평행한 축 방향이다. 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)의 사이에는 상기 처리공간(20)이 배치될 수 있다. 상기 제1플레이트(3)는 리드(22)에 결합될 수 있다. 상기 리드(22)는 상기 챔버(2)의 상부를 덮도록 배치될 수 있다.
상기 제1플레이트(3)는 상기 기판지지부(21)를 향해 가스를 분사할 수 있다. 이를 위해, 상기 제1플레이트(3)에는 복수의 가스홀(31)[이하, '하부가스홀(31)'이라 함]이 형성될 수 있다. 가스는 상기 하부가스홀(31)들을 통과하여 상기 기판지지부(21) 쪽으로 분사될 수 있다. 가스는 상기 기판(S)에 대한 처리공정에 이용되는 것으로, 가스저장부(미도시)로부터 공급될 수 있다. 상기 하부가스홀(31)들은 각각 상기 제1플레이트(3)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 하부가스홀(31)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 상기 제2플레이트(4)는 상기 챔버(2)의 내부에 배치되는 것이다. 상기 제2플레이트(4)는 상기 제1플레이트(3)에 결합될 수 있다. 상기 제2플레이트(4)는 복수의 가스홀(41)[이하, '상부가스홀(41)'이라 함]을 포함할 수도 있다. 상기 상부가스홀(41)들은 상기 하부가스홀(31)들 중 일부와 연통될 수 있다. 상기 상부가스홀(41)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 가스는 상기 상부가스홀(41)과 상기 하부가스홀(31)들을 통해 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 쪽으로 분사될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 상기 간격조절부(5)는 상기 제2플레이트(4)에 연결되는 것이다. 상기 간격조절부(5)는 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 간격조절부(5)는 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)를 지지함으로써, 상기 제1플레이트(3)에 대한 지지기능을 구현할 수 있다. 이 경우, 상기 간격조절부(5)는 일측이 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)에 연결되고, 타측이 상기 리드(22)에 지지될 수 있다. 이에 따라, 상기 간격조절부(5)는 상기 리드(22)에 지지된 지지력을 이용하여 상기 제2플레이트(4)를 지지함으로써 상기 제1플레이트(3)에 대한 지지기능을 구현할 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 간격조절부(5)의 타측은 상기 챔버(2)의 외부에 배치된 다른 구조물에 의해 지지될 수도 있다.
상기 간격조절부(5)는 RF 전원 피딩라인(50, 도 1에 도시됨)과 접속될 수 있다. 상기 RF 전원 피딩라인(50)은 플라즈마 생성을 위한 RF 전력을 인가하는 것일 수 있다. 상기 간격조절부(5)는 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)에 전기적으로 연결됨으로써, 상기 제1플레이트(3)의 전기적 특성을 결정하는 전기적 연결기능을 구현할 수도 있다. 이 경우, 상기 간격조절부(5)는 일측이 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)에 연결되고, 타측이 상기 RF 전원 피딩라인(50)에 연결될 수 있다. 상기 간격조절부(5)는 지지기능과 전기적 연결기능 모두를 구현할 수도 있다.
상기 간격조절부(5)는 상기 리드(22)와 상기 제1플레이트(3)의 사이 간격을 조절할 수 있다. 상기 간격조절부(5)는 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)를 상승시킴으로써, 상기 리드(22)와 상기 제1플레이트(3)의 사이 간격을 조절할 수 있다. 상기 리드(22)와 상기 제1플레이트(3)의 사이 간격이 조절됨에 따라, 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 예컨대, 상기 제1플레이트(3)의 부분에 처짐이 발생된 경우, 상기 간격조절부(5)는 상기 제2플레이트(4)를 상승시킴으로써 상기 제2플레이트(4)를 통해 처짐이 발생된 상기 제1플레이트(3)의 부분을 상승시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 간격조절부(5)를 이용하여 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 사이의 간격 변화를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리공정이 수행된 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 간격조절부(5)를 이용하여 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 해결하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다.
상기 간격조절부(5)는 결합부재(51, 도 5에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 결합부재(51)는 상기 제2플레이트(4)에 형성된 체결홈(42, 도 3에 도시됨)을 통해 상기 제2플레이트(4)에 체결되는 것이다. 상기 결합부재(51)의 외주면에는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 체결홈(42)을 향하는 제2플레이트(4)의 내면에는 상기 결합부재(51)의 외주면에 형성된 나사산에 대응되는 나사산이 형성될 수 있다.
상기 결합부재(51)는 상기 체결홈(42)을 통해 상기 제2플레이트(4)에 체결됨으로써, 상기 제2플레이트(4)를 상승시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제2플레이트(4)가 결합된 제1플레이트(3)의 부분에 처짐이 발생된 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 결합부재(51)는 상기 제2플레이트(4)에 체결되는 방향으로 회전됨에 따라 상기 제2플레이트(4)를 상승시킬 수 있다. 상기 제2플레이트(4)가 상승됨에 따라, 상기 제2플레이트(4)가 결합된 제1플레이트(3)의 부분이 상승될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 결합부재(51)와 상기 제2플레이트(4) 간의 체결을 이용하여 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 사이의 간격 변화를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리공정이 수행된 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 간격조절부(5)의 회전을 통해 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 해결하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다. 상기 결합부재(51)는 상기 간격조절부(5)가 회전축(5a)을 중심으로 회전됨에 따라 회전될 수 있다. 상기 간격조절부(5)의 회전축(5a)은 상기 수직방향(Z축 방향)에 대해 평행하게 배치될 수 있다.
상기 간격조절부(5)는 연결부재(52), 및 지지부재(53)를 포함할 수 있다.
상기 연결부재(52)는 상기 결합부재(51)와 상기 지지부재(53) 각각에 결합된 것이다. 상기 연결부재(52)를 통해, 상기 결합부재(51)와 상기 지지부재(53)는 서로 연결될 수 있다. 상기 연결부재(52)는 상기 결합부재(51)와 상기 지지부재(53)의 사이에 배치될 수 있다.
상기 지지부재(53)는 상기 연결부재(52)에 결합된 것이다. 상기 지지부재(53)는 상기 연결부재(52)를 기준으로 하여 상기 결합부재(51)의 반대쪽에 배치될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(53)는 상기 리드(22)에 지지될 수 있다. 이에 따라, 상기 지지부재(53)는 상기 리드(22)에 지지된 지지력을 이용하여 상기 제2플레이트(4)를 통해 상기 제1플레이트(3)를 지지할 수 있다. 상기 지지부재(53)는 상기 리드(22)의 상부(上部)에 삽입되어 결합됨으로써, 상기 리드(22)에 지지될 수 있다. 상기 연결부재(52)는 상기 지지부재(53)의 하면(下面)으로부터 하측방향으로 돌출될 수 있다. 이 경우, 상기 연결부재(52)는 일측이 상기 리드(22)에 삽입되어서 상기 지지부재(53)에 결합되고, 타측이 상기 제2플레이트(4)에 결합된 결합부재(51)에 결합될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참고하면, 상기 제2플레이트(4)는 어댑터(43)를 포함할 수 있다.
상기 어댑터(43)는 상기 제1플레이트(3)에 결합된 것이다. 상기 어댑터(43)에는 상기 간격조절부(5)가 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 어댑터(43)는 상기 간격조절부(5)와 상기 제1플레이트(3)를 서로 연결시키는 매개체로 기능할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 다음과 같은 작용효과를 도모할 수 있다.
첫째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 간격조절부(5)가 상기 어댑터(43)를 통해 상기 제1플레이트(3)를 지지하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 제1플레이트(3)는 상기 챔버(2)에 의해 지지됨과 아울러 상기 간격조절부(5)에 의해 지지될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1플레이트(3)에 자중(自重)에 의해 발생되는 처짐을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 리드(22)와 상기 제1플레이트(3)의 사이 간격이 부분적으로 변화되는 정도를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 사이의 간격이 부분적으로 변화되는 정도를 감소시킬 수 있으므로, 처리공정이 수행된 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 간격조절부(5)가 상기 어댑터(43)를 통해 상기 제1플레이트(3)에 연결되므로, 사용과정, 상기 간격조절부(5)를 상기 제1플레이트(3)에 연결하는 조립과정 등에서 손상 내지 파손이 발생되는 경우 상기 어댑터(43)에 손상 내지 파손이 발생되도록 유도할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1플레이트(3)가 손상 내지 파손될 가능성을 감소시킬 수 있으므로, 유지보수비용을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 제1플레이트(3)보다 상대적으로 유지보수작업이 더 용이한 상기 어댑터(43)에 손상 내지 파손이 발생되도록 유도할 수 있으므로, 유지보수작업의 용이성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 간격조절부(5)가 상기 어댑터(43)를 통해 상기 제1플레이트(3)에 전기적으로 연결되도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 어댑터(43)는 상기 간격조절부(5)와 상기 제1플레이트(3)를 전기적으로 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 간격조절부(5)와 상기 어댑터(43)를 통해, 상기 제1플레이트(3)에는 플라즈마 생성을 위한 전원이 인가될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 별도의 배선 등을 이용하는 비교예와 대비할 때, 상기 제1플레이트(3)에 전기적 특성을 부여하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다.
상기 어댑터(43)는 전부 또는 일부가 상기 제1플레이트(3)에 삽입될 수 있다. 도 2와 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 어댑터(43)는 전부가 상기 제1플레이트(3)에 형성된 삽입홈(32)에 삽입될 수 있다. 이 경우, 상기 어댑터(43)의 상면(43a)과 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)은 동일한 높이에 배치될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 어댑터(43)는 일부가 상기 제1플레이트(3)에 형성된 삽입홈(32)에 삽입될 수도 있다. 이 경우, 상기 어댑터(43)의 상면(43a)은 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)보다 더 높은 높이에 배치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 어댑터(43)는 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)으로부터 상측방향으로 돌출되도록 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)에 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1플레이트(3)에는 상기 삽입홈(32)이 형성되지 않는다. 상기 어댑터(43)의 하면(43b)은 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)에 접촉될 수 있다. 상기 어댑터(43)는 점착제 등을 통해 상기 제1플레이트(3)에 고정되게 결합될 수 있다. 상기 어댑터(43)는 본딩(Bonding), 용접 등을 통해 상기 제1플레이트(3)에 고정되게 결합될 수도 있다.
상기 어댑터(43)가 구비되는 경우, 상기 간격조절부(5)의 결합부재(51)는 상기 어댑터(43)에 결합될 수 있다. 상기 결합부재(51)는 체결에 의해 상기 어댑터(43)에 결합될 수도 있다. 이 경우, 상기 체결홈(42)은 상기 어댑터(43)에 형성될 수 있다. 상기 체결홈(42)을 향하는 어댑터(43)의 내면에는 상기 결합부재(51)의 외주면에 형성된 나사산에 대응되는 나사산이 형성될 수 있다. 상기 결합부재(51)는 상기 체결홈(42)을 통해 상기 어댑터(43)에 체결됨으로써, 상기 어댑터(43)를 상승시킬 수 있다. 예컨대, 상기 어댑터(43)가 결합된 제1플레이트(3)의 부분에 처짐이 발생된 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 결합부재(51)는 상기 어댑터(43)에 체결되는 방향으로 회전됨에 따라 상기 어댑터(43)를 상승시킬 수 있다. 상기 어댑터(43)가 상승됨에 따라, 상기 어댑터(43)가 결합된 제1플레이트(3)의 부분이 상승될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 결합부재(51)와 상기 어댑터(43) 간의 체결을 이용하여 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 사이의 간격 변화를 감소시킬 수 있다. 한편, 상기 어댑터(43)가 구비되는 경우, 상기 간격조절부(5)의 연결부재(52)는 일측이 상기 리드(22)에 삽입되어서 상기 지지부재(53)에 결합되고, 타측이 상기 어댑터(43)에 결합된 결합부재(51)에 결합될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 어댑터(43)와 상기 간격조절부(5)를 각각 복수개씩 구비할 수도 있다. 이 경우, 상기 어댑터(43)들은 서로 이격되게 배치되어서 상기 제1플레이트(3)의 서로 다른 부분에 결합될 수 있다. 상기 간격조절부(5)들은 서로 이격되게 배치되어서 상기 리드(22)의 서로 다른 부분에 지지될 수 있다. 이에 따라, 상기 간격조절부(5)들은 상기 어댑터(43)들을 통해 상기 제1플레이트(3)의 서로 다른 부분을 지지함으로써, 상기 제1플레이트(3)에 대해 전체적으로 처짐이 발생되는 정도를 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 간격조절부(5)들은 서로 간에 독립적으로 회전됨으로써, 상기 제1플레이트(3)의 서로 다른 부분을 독립적으로 상승시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 간격조절부(5)들은 상기 제1플레이트(3)에 부분적으로 처짐이 발생된 경우, 처짐이 발생된 부분만을 상승시킴으로써 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 간의 간격이 균일하게 유지되도록 할 수 있다.
도 1 내지 도 6을 참고하면, 상기 제2플레이트(4)는 상부플레이트(44, 도 6에 도시됨)를 포함할 수 있다.
상기 상부플레이트(44)는 상기 제1플레이트(3)의 상측에 배치된 것이다. 상기 상부플레이트(44)와 상기 제1플레이트(3)는 상기 수직방향(Z축 방향)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 상부플레이트(44)와 상기 제1플레이트(3)의 사이에는 이격공간(45)이 배치될 수 있다. 상기 상부플레이트(44)와 상기 제1플레이트(3)는 상기 이격공간(45)을 통해 서로 전기적으로 연결되지 않도록 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 이격공간(45)에는 상기 상부플레이트(44)와 상기 제1플레이트(3)를 전기적으로 절연시키는 절연체가 배치될 수도 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 상부플레이트(44)의 하면(下面)(44a)은 평평하게 형성될 수 있다. 상기 상부플레이트(44)의 하면(44a)은 상기 이격공간(45)을 향해 배치된 면(面)이다. 이 경우, 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)이 상기 이격공간(45)을 향하도록 배치될 수 있다.
상기 상부플레이트(44)에는 상기 상부가스홀(41)들이 형성될 수 있다. 상기 상부가스홀(41)들은 서로 이격된 위치에서 상기 상부플레이트(44)를 관통하여 형성될 수 있다. 가스는 상기 상부가스홀(41)을 통과하여 상기 이격공간(45)을 향해 분사될 수 있다.
상기 상부플레이트(44)와 상기 제1플레이트(3)가 구비되는 경우, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 어댑터(43)와 상기 간격조절부(5)를 각각 복수개씩 포함할 수 있다.
상기 어댑터(43)들 중에서 하부어댑터(431)는 상기 제1플레이트(3)에 결합될 수 있다. 상기 어댑터(43)들 중에서 상부어댑터(432)는 상기 상부플레이트(44)에 결합될 수 있다.
상기 간격조절부(5)들 중에서 하부간격조절부(54)는 상기 하부어댑터(431)에 결합되어서 상기 제1플레이트(3)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 하부간격조절부(54)는 일측이 상기 하부어댑터(431)에 결합되고, 타측이 상기 리드(22) 또는 다른 구조물에 결합될 수 있다. 상기 하부간격조절부(54)의 타측은 상기 RF 전원 피딩라인(50)에 연결되거나 접지될 수 있다. 상기 하부간격조절부(54)는 상기 상부플레이트(44)에 삽입될 수 있다. 이 경우, 상기 하부간격조절부(54)와 상기 상부플레이트(44)의 사이에는 절연부재(541)가 배치될 수 있다. 상기 절연부재(541)는 상기 하부간격조절부(54)와 상기 상부플레이트(44)를 절연시킬 수 있다.
상기 하부간격조절부(54)는 상기 하부어댑터(431)에 체결될 수 있다. 이 경우, 상기 하부간격조절부(54)는 상기 하부어댑터(431)에 체결되는 방향으로 회전됨에 따라 상기 하부어댑터(431)를 상승시킴으로써, 상기 하부어댑터(431)가 결합된 제1플레이트(3)의 부분을 상승시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 하부간격조절부(54)와 상기 하부어댑터(431) 간의 체결을 이용하여 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)와 상기 기판지지부(21)에 지지된 기판(S) 사이의 간격 변화를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리공정이 수행된 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 하부간격조절부(54)의 회전을 통해 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 제1플레이트(3)에 발생된 처짐을 해결하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다. 상기 하부간격조절부(54)는 상술한 상기 결합부재(51), 상기 연결부재(52), 및 상기 지지부재(53)를 포함할 수 있다.
상기 간격조절부(5)들 중에서 상부간격조절부(55)는 상기 상부어댑터(432)에 결합되어서 상기 상부플레이트(44)에 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 상부간격조절부(55)는 일측이 상기 상부어댑터(432)에 결합되고, 타측이 상기 리드(22) 또는 다른 구조물에 결합될 수 있다. 상기 상부간격조절부(55)의 타측은 상기 RF 전원 피딩라인(50)에 연결되거나 접지될 수도 있다. 이 경우, 상기 상부간격조절부(55)의 타측이 상기 RF 전원 피딩라인(50)에 연결되면, 상기 하부간격조절부(54)의 타측은 접지될 수 있다. 상기 상부간격조절부(55)의 타측이 상기 접지되면, 상기 하부간격조절부(54)의 타측은 상기 RF 전원 피딩라인(50)에 연결될 수 있다.
상기 상부간격조절부(55)는 상기 상부어댑터(432)에 체결될 수 있다. 이 경우, 상기 상부간격조절부(55)는 상기 상부어댑터(432)에 체결되는 방향으로 회전됨에 따라 상기 상부어댑터(432)를 상승시킴으로써, 상기 상부어댑터(432)가 결합된 상부플레이트(44)의 부분을 상승시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 상부간격조절부(55)와 상기 상부어댑터(432) 간의 체결을 이용하여 상기 상부플레이트(44)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 상부플레이트(44)와 상기 제1플레이트(3) 사이의 간격 변화를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 처리공정이 수행된 기판(S)의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 상기 상부간격조절부(55)의 회전을 통해 상기 상부플레이트(44)에 발생된 처짐을 감소시킬 수 있으므로, 상기 상부플레이트(44)에 발생된 처짐을 해결하기 위한 작업의 용이성을 향상시킬 수 있다. 상기 상부간격조절부(55)는 상술한 상기 결합부재(51), 상기 연결부재(52), 및 상기 지지부재(53)를 포함할 수 있다.
상기 상부간격조절부(55)는 상기 하부간격조절부(54)보다 더 외측에 배치될 수 있다. 즉, 상기 하부간격조절부(54)는 상기 상부간격조절부(55)보다 더 내측에 배치될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 하부간격조절부(54)는 제1영역(FA)에서 상기 제1플레이트(3)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 제1영역(FA)에 속한 상기 제1플레이트(3)의 부분에는 상기 하부어댑터(431)가 결합되어 있다. 이에 따라, 상기 하부간격조절부(54)는 상기 하부어댑터(431)에 결합되어서 상기 하부어댑터(431)를 통해 상기 제1영역(FA)에 속한 상기 제1플레이트(3)의 부분에 연결될 수 있다. 상기 제1영역(FA)에는 상기 하부간격조절부(54)와 상기 하부어댑터(431)가 복수개씩 배치될 수 있다.
상기 상부간격조절부(55)는 상기 제2영역(SA)에 대응되는 영역에서 상기 상부플레이트(44)에 결합될 수 있다. 상기 제2영역(SA)은 상기 제1영역(FA)을 둘러싸도록 배치된 것이다. 이 경우, 상기 제1영역(FA)은 상기 제2영역(SA)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 제2영역(SA)에 대응되는 영역에 속한 상기 상부플레이트(44)의 부분에는 상기 상부어댑터(432)가 결합되어 있다. 이에 따라, 상기 상부간격조절부(55)는 상기 상부어댑터(432)에 결합되어서 상기 상부어댑터(432)를 통해 상기 제2영역(SA)에 대응되는 영역에 속한 상기 상부플레이트(44)의 부분에 연결될 수 있다. 상기 제2영역(SA)에 대응되는 영역에는 상기 상부간격조절부(55)와 상기 상부어댑터(432)가 복수개씩 배치될 수 있다.
여기서, 상기 제1플레이트(3)에 형성된 상기 하부가스홀(31)들은 8mm 이상 13mm 이하의 간격(D, 도 2에 도시됨)으로 서로 이격되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1플레이트(3)에 상기 어댑터(43)가 결합되더라도, 상기 하부가스홀(31)들은 전체적으로 서로 동일한 간격(D)으로 이격되게 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 어댑터(43)는 상기 하부가스홀(31)들이 서로 이격된 간격(D)보다 더 작은 수평단면적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 수평단면적은 상기 수직방향(Z축 방향)에 대해 수직한 수평방향을 기준으로 하는 단면적일 수 있다. 예컨대, 상기 어댑터(43)는 13mm 미만의 수평단면적을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 상부플레이트(44)가 구비되는 경우, 상기 제1플레이트(3)에는 상기 하부어댑터(431)가 결합될 수 있다. 상기 하부어댑터(431)는 상기 하부가스홀(31)들이 서로 이격된 간격(D)보다 더 작은 수평단면적을 갖도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 상부플레이트(44)에 형성된 상기 상부가스홀(41)들은 8mm 이상 13mm 이하의 간격으로 서로 이격되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 상부플레이트(44)에 상기 상부어댑터(432)가 결합되더라도, 상기 상부가스홀(41)들은 전체적으로 서로 동일한 간격으로 이격되게 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 상부어댑터(432)는 상기 상부가스홀(41)들이 서로 이격된 간격보다 더 작은 수평단면적을 갖도록 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 상부어댑터(432)는 13mm 미만의 수평단면적을 갖도록 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)에 있어서, 상기 제2플레이트(4)는 복수의 돌출전극(46)을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1플레이트(3)는 복수의 개구(33)를 포함할 수 있다.
상기 돌출전극(46)들은 각각 상기 상부플레이트(44)의 하면(44a)으로부터 하측방향으로 돌출된 것이다. 상기 돌출전극(46)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 돌출전극(46)들 각각에는 상기 상부가스홀(41)이 형성될 수 있다. 상기 상부가스홀(41)들은 각각 상기 상부플레이트(44)와 상기 돌출전극(46)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 돌출전극(46)들과 상기 상부플레이트(44)는 일체로 형성될 수도 있다.
상기 개구(33)들은 상기 제1플레이트(3)에 형성된 것이다. 상기 개구(33)들은 서로 이격된 위치에서 상기 제1플레이트(3)를 관통하여 형성될 수 있다. 상기 개구(33)들은 상기 돌출전극(46)들 각각에 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 상기 돌출전극(46)들은 상기 개구(33)들 각각에 삽입되는 길이로 돌출될 수 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(46)의 하단은 상기 개구(33)에 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 돌출전극(46)들은 상기 개구(33)들 각각으로부터 상측으로 이격된 위치에 배치되는 길이로 돌출될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(46)의 하단은 상기 상부플레이트(44)의 하면(44a)과 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a) 사이에 배치될 수 있다. 상기 돌출전극(46)의 하단은 상기 제1플레이트(3)의 상면(3a)과 동일선 상에 배치될 수도 있다. 도시되지 않았지만, 상기 돌출전극(46)들은 상기 개구(33)들 각각을 통해 상기 제1플레이트(3)로부터 하측방향으로 돌출되는 길이로 돌출될 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출전극(46)의 하단은 상기 처리공간(20)에 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 9를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 피딩부(6)를 포함할 수 있다.
상기 피딩부(6)는 상기 제1플레이트(3)에 결합될 수 있다. 상기 제1플레이트(3)에 RF 전원이 인가되는 경우, 상기 피딩부(6)는 필수적으로 상기 제1플레이트(3)에 RF 전원을 인가할 수 있다. 이 경우, 상기 간격조절부(5)는 선택적으로 상기 제1플레이트(3)에 RF 전원을 인가할 수 있다. 이와 같이, 상기 제1플레이트(3)에 RF 전원이 인가되는 경우, 상기 피딩부(6)가 메인 RF 피딩(Main RF Feeding)으로 기능하고, 상기 간격조절부(5)가 보조 RF 피딩(Sub RF Feeding)으로 기능할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(1)는 공정조건 등에 따라 RF 전원이 직접적으로 인가되는 제1플레이트(3)의 지점의 개수를 조절할 수 있도록 구현됨으로써, 다양한 공정조건의 처리공정에 적용할 수 있는 범용성을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상기 간격조절부(5)들 중에서 상기 하부간격조절부(54)가 보조 RF 피딩으로 기능할 수 있다. 상기 간격조절부(5)들 중에서 상기 상부간격조절부(55)는 접지될 수 있다. 상기 피딩부(6)는 상기 하부간격조절부(54)와 상기 상부간격조절부(55) 각각으로부터 이격된 위치에서 상기 제1플레이트(3)에 결합될 수 있다.
상기 피딩부(6)와 상기 간격조절부(5)는 각각 상기 RF 전원 피딩라인(50)과 접속될 수 있다. 상기 피딩부(6)는 별도로 마련된 RF 전원 피딩라인과 접속될 수도 있다. 상기 피딩부(6)는 상기 상부플레이트(44)에 삽입되어서 상기 제1플레이트(3)에 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 피딩부(6)와 상기 상부플레이트(44)의 사이에는 절연부(61)가 배치될 수 있다. 상기 절연부(61)는 상기 피딩부(6)와 상기 상부플레이트(44)를 절연시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 상부에 리드를 포함하는 챔버;
    상기 리드 하부에 설치되고, 복수의 가스홀이 형성된 제1플레이트;
    상기 제1플레이트의 복수의 가스홀 중 일부와 연통되는 복수의 가스홀을 포함하며, 상기 제1플레이트에 결합되는 제2플레이트; 및
    상기 제2플레이트에 연결되고, 상기 리드와 상기 제1플레이트의 사이 간격을 조절하는 간격조절부를 포함하고,
    상기 간격조절부는 RF 전원 피딩라인과 접속되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트에는 상기 간격조절부가 체결되기 위한 체결홈이 형성되고,
    상기 간격조절부는 상기 체결홈을 통해 상기 제2플레이트에 체결되는 결합부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1플레이트에 형성된 복수의 가스홀은 8mm 이상 13mm이하의 간격으로 서로 이격되게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2플레이트는 상기 제1플레이트에 결합된 어댑터를 포함하고,
    상기 간격조절부는 상기 어댑터에 결합되어서 상기 어댑터를 통해 상기 제1플레이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 어댑터에는 상기 간격조절부가 체결되기 위한 체결홈이 형성되고,
    상기 간격조절부는 상기 체결홈을 통해 상기 어댑터에 체결되는 결합부재를 포함하며,
    상기 결합부재는 상기 어댑터에 체결되는 방향으로 회전됨에 따라 상기 어댑터를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 간격조절부는 상기 리드에 지지되는 지지부재, 및 상기 지지부재와 상기 결합부재의 사이에서 상기 지지부재와 상기 결합부재 각각에 결합된 연결부재를 포함하고,
    상기 지지부재는 상기 리드에 지지된 지지력을 이용하여 상기 어댑터를 통해 상기 제1플레이트를 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2플레이트는 상기 제1플레이트의 상측에 배치되는 상부플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 어댑터와 상기 간격조절부는 각각 복수개씩 구비되고,
    상기 어댑터들 중에서 하부어댑터는 상기 제1플레이트에 결합되며,
    상기 간격조절부들 중에서 하부간격조절부는 상기 하부어댑터에 결합되어서 상기 제1플레이트에 연결되고,
    상기 어댑터들 중에서 상부어댑터는 상기 상부플레이트에 결합되며,
    상기 간격조절부들 중에서 상부간격조절부는 상기 상부어댑터에 결합되어서 상기 상부플레이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 하부간격조절부는 상기 상부간격조절부보다 더 내측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 하부간격조절부는 상기 하부어댑터에 체결되고, 상기 하부어댑터에 체결되는 방향으로 회전됨에 따라 상기 하부어댑터를 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2플레이트는 상기 상부플레이트의 하면(下面)으로부터 하측방향으로 돌출된 복수개의 돌출전극을 포함하고,
    상기 제1플레이트에는 상기 돌출전극이 삽입되는 복수의 개구가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 제1플레이트의 상면에는 상기 어댑터가 삽입되기 위한 삽입홈이 형성되고,
    상기 어댑터는 상면이 상기 제1플레이트의 상면보다 더 높은 높이에 배치되도록 상기 삽입홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 제1플레이트의 상면에는 상기 어댑터가 삽입되기 위한 삽입홈이 형성되고,
    상기 어댑터는 상면이 상기 제1플레이트의 상면과 동일한 높이에 배치되도록 상기 삽입홈에 삽입된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제4항에 있어서,
    상기 어댑터는 상기 제1플레이트의 상면으로부터 상측방향으로 돌출되도록 상기 제1플레이트의 상면에 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제1플레이트에 결합되는 피딩부를 포함하고,
    상기 제1플레이트에 RF 전원이 인가되는 경우, 상기 피딩부가 필수적으로 상기 제1플레이트에 RF 전원을 인가하고, 상기 간격조절부가 선택적으로 상기 제1플레이트에 RF 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004087981A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Kyocera Corp エッチング装置およびエッチング方法
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