WO2023132402A1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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WO2023132402A1
WO2023132402A1 PCT/KR2022/002111 KR2022002111W WO2023132402A1 WO 2023132402 A1 WO2023132402 A1 WO 2023132402A1 KR 2022002111 W KR2022002111 W KR 2022002111W WO 2023132402 A1 WO2023132402 A1 WO 2023132402A1
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WO
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plasma
substrate processing
sealing
chamber
processing apparatus
Prior art date
Application number
PCT/KR2022/002111
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French (fr)
Korean (ko)
Inventor
서효정
윤성진
양수영
김범석
박종우
김진욱
Original Assignee
피에스케이 주식회사
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    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for processing a substrate using plasma.
  • Plasma refers to an ionized gaseous state composed of ions, radicals, and electrons. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields or RF Electromagnetic Fields.
  • a semiconductor device manufacturing process includes an ashing or etching process of removing a thin film on a substrate using plasma. The ashing or etching process is performed when ion and radical particles contained in the plasma collide with or react with a film on the substrate.
  • An apparatus for processing a substrate using such a plasma is composed of various parts fastened to each other.
  • the O-ring is provided with a material having elasticity such as rubber. The sealing of the connection between parts is achieved by using the restoring force of the O-ring.
  • Plasma generated in the chamber collides with the chamber to increase the temperature of the chamber and components adjacent to the chamber.
  • the higher the density of the plasma generated in the chamber the higher the thermal load is applied to the chamber and components adjacent to the chamber.
  • the aforementioned O-rings are susceptible to such thermal loads.
  • sealing of a connection between parts is performed using a restoring force, but when a thermal load is applied to the O-ring, the O-ring loses elasticity and loses its function.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of effectively sealing between parts of the substrate processing apparatus.
  • an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of extending the life of the sealing member by enabling the movement path of heat generated in the chamber to bypass the sealing member.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of flexibly expanding or contracting a sealing member due to heat.
  • An apparatus for processing a substrate includes a first body; a second body different from the first body; and a sealing unit sealing a connection portion between the first body and the second body, wherein the sealing unit includes: a sealing member sealing the connection portion; and an interface member that is in contact with the first body or the second body and is made of a material having higher thermal conductivity than the sealing member.
  • the interface member may have a ring shape including an incision part of which is cut out.
  • the sealing unit the ring body for fixing the position of the sealing member; and a holder fixing the ring body and the interface member.
  • the interface member may include a contact surface contacting the first body or the second body; and an inclined surface facing the holder.
  • a channel groove recessed in one direction from one surface of the ring body is formed in the ring body, and the sealing unit further includes a fluid channel provided in the channel groove and through which a cooling fluid flows. can do.
  • the holder may include a cover portion covering the channel groove; And it may include an inclined portion facing the inclined surface.
  • the first body may be a chamber in which plasma is generated or flows
  • the second body may be a flange connected to the chamber
  • a substrate processing apparatus includes a process chamber having a processing space; a plasma chamber communicating with the processing space and having a plasma generation space in which plasma is generated; A plasma source generating the plasma in the plasma chamber, the plasma source comprising: an antenna surrounding the plasma chamber; a power source for applying power to the antenna; and a flange disposed above or below the antenna; and at least one sealing unit sealing a connection between the plasma chamber and the flange, wherein the sealing unit includes: a sealing member sealing the connection; and an interface member contacting the plasma chamber and made of a material having higher thermal conductivity than the sealing member.
  • the interface member may have a ring shape including an incision part of which is cut out.
  • the interface member may be provided with a material containing metal
  • the sealing member may be provided with a material containing rubber
  • the sealing unit fixes the position of the sealing member
  • the ring body is formed with a channel groove; and a holder fixing the ring body and the interface member.
  • the interface member may include a contact surface contacting the plasma chamber; and an inclined surface facing the holder.
  • the holder may include a cover portion covering the channel groove; And it may include an inclined portion facing the inclined surface.
  • the ring body and the holder may be provided with a material containing metal.
  • the sealing unit may further include a fluid channel provided in the channel groove and through which a cooling fluid flows.
  • the fluid channel may be provided with a material containing copper.
  • the flange may include an upper flange disposed above the antenna; and a lower flange disposed under the antenna, wherein a plurality of sealing units are provided, one of which is configured to seal a connection between the upper flange and the plasma chamber, and the other is the lower flange. And it may be configured to seal the connection portion of the plasma chamber.
  • sealing between parts of a substrate processing apparatus can be effectively performed.
  • the life of the sealing member can be extended by allowing the movement path of heat generated in the chamber to bypass the sealing member.
  • expansion or contraction of the sealing member due to heat can be made flexibly.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
  • FIG. 2 is a view showing a substrate processing apparatus performing a plasma processing process in the process chamber of FIG. 1 .
  • FIG. 3 is a view showing a part of a cross section of the sealing unit of FIG. 2 .
  • FIG. 4 is a view showing a cross section of the interface member of FIG. 3 .
  • FIG. 5 is a view showing a part of the interface member viewed from the top of FIG. 3 .
  • FIG. 6 is a view showing a cross-section of the holder of FIG. 5;
  • FIG. 7 is a view showing how the substrate processing apparatus of FIG. 2 performs a plasma processing process.
  • FIG. 8 is a view showing a heat movement path in the sealing unit of FIG. 7 .
  • FIGS. 1 to 8 embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 8 .
  • a substrate processing facility 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a processing module 30 .
  • EFEM equipment front end module
  • the facility front end module 20 and processing module 30 are arranged in one direction.
  • the facility front end module 20 has a load port 10 and a transfer frame 21 .
  • the load port 10 is disposed in front of the equipment front end module 20 in the first direction 11 .
  • the load port 10 has a plurality of support parts 6 . Each support part 6 is arranged in a row in the second direction 12, and a carrier 4 (for example, a cassette, FOUP, etc.) is settled. In the carrier 4, a substrate W to be subjected to a process and a substrate W after processing are received.
  • the transfer frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing module 30 .
  • the transfer frame 21 includes a first transfer robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing module 30 .
  • the first transfer robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing module 30 .
  • the processing module 30 includes a load lock chamber 40 , a transfer chamber 50 , and a process chamber 60 .
  • the load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21 .
  • the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the facility front end module 20 .
  • the load lock chamber 40 is a waiting space before the substrate W to be provided for the process is transferred to the process chamber 60 or before the substrate W after the process is transferred to the front end module 20 of the facility.
  • the transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40 .
  • the transfer chamber 50 When viewed from the top, the transfer chamber 50 has a polygonal body. Referring to FIG. 1 , the transfer chamber 50 has a pentagonal body when viewed from above.
  • a load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed along the circumference of the body.
  • a passage (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on each sidewall of the body, and the passage connects the transfer chamber 50 and the load lock chamber 40 or the process chambers 60 .
  • Each passage is provided with a door (not shown) that opens and closes the passage to seal the inside.
  • a second transfer robot 53 that transfers the substrate W between the load lock chamber 40 and the process chamber 60 is disposed in the inner space of the transfer chamber 50 .
  • the second transfer robot 53 transfers an unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60 or transfers a substrate W after processing to the load lock chamber 40. do.
  • the substrates W are transferred between the process chambers 60 in order to sequentially provide the substrates W to the plurality of process chambers 60 .
  • the transfer chamber 50 has a pentagonal body
  • the load lock chambers 40 are disposed on the side walls adjacent to the front end module 20 of the equipment, and the process chambers 60 are continuously arranged on the other side walls. are placed by
  • the transfer chamber 50 may be provided in various shapes according to the required process module as well as the above shape.
  • the process chamber 60 is disposed along the circumference of the transfer chamber 50 .
  • a plurality of process chambers 60 may be provided.
  • processing of the substrate W is performed.
  • the process chamber 60 receives the substrate W from the second transfer robot 53 and processes the substrate W, and provides the substrate W upon completion of the process to the second transfer robot 53 .
  • Processes performed in each of the process chambers 60 may be different from each other.
  • the substrate processing apparatus 1000 performing the plasma processing process in the process chamber 60 will be described in detail.
  • FIG. 2 is a view showing a substrate processing apparatus performing a plasma processing process in the process chamber of FIG. 1 .
  • the substrate processing apparatus 1000 performs a predetermined process on a substrate W using plasma.
  • the substrate processing apparatus 1000 may etch or ashing the thin film on the substrate (W).
  • the thin film may be various types of films such as a polysilicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film.
  • the thin film may be a natural oxide film or a chemically generated oxide film.
  • the substrate processing apparatus 1000 may include a process processing unit 200 , a plasma generating unit 400 , an exhaust unit (not shown), and a sealing unit 500 .
  • the processing unit 200 provides a processing space 212 in which a substrate W is placed and processing of the substrate is performed.
  • Plasma is generated by discharging the process gas of the plasma generating unit 400 and supplied to the processing space 212 of the process processing unit 200 .
  • An exhaust unit (not shown) may discharge process gases remaining inside the process processor 200 and/or reaction by-products generated during substrate processing to the outside, and maintain the pressure in the process processor 200 at a set pressure.
  • An exhaust unit (not shown) may adjust the pressure of the processing space 212 to a pressure close to vacuum while the substrate W is being processed.
  • the process processor 200 may include a process chamber 210 , a support unit 230 , and a baffle 250 .
  • the process chamber 210 may have a process space 212 in which a process of processing the substrate W is performed.
  • An upper portion of the process chamber 210 may be open, and an opening (not shown) may be formed in a sidewall.
  • the substrate W enters and exits the process chamber 210 through the opening.
  • the opening may be opened and closed by an opening and closing member such as a door (not shown).
  • an exhaust hole (not shown) is formed on the bottom surface of the process chamber 210 .
  • the exhaust hole may be connected to an exhaust unit including a pressure reducing member such as a pump to exhaust process gas and/or by-products in the processing space 212 to the outside of the processing space 212 .
  • the support unit 230 supports the substrate W in the processing space 212 .
  • the support unit 230 may chuck the substrate W using static electricity or vacuum pressure.
  • the support unit 230 may include a lift pin module (not shown), and may move the substrate W in a vertical direction.
  • the baffle 250 is positioned above the support unit 230 to face the support unit 230 .
  • the baffle 250 may be disposed between the support unit 230 and the plasma generator 400 .
  • Plasma generated by the plasma generator 400 may pass through a plurality of holes (not shown) formed in the baffle 250 .
  • the baffle 250 uniformly supplies the plasma flowing into the processing space 212 to the substrate W. Holes (not shown) formed in the baffle 250 are provided as through holes provided from the upper surface to the lower surface of the baffle 250 and may be uniformly formed in each area of the baffle 250 .
  • the plasma generator 400 may be located above the process chamber 210 .
  • the plasma generating unit 400 may generate plasma by discharging process gas and supply the generated plasma to the processing space 212 .
  • the plasma generator 400 includes a plasma chamber 410 (an example of the first body), a gas supply port 420, a plasma source 430, a diffusion chamber 440, a gas supply unit 450, and a sealing unit ( 500) may be included.
  • the plasma chamber 410 may have an open top and bottom surfaces.
  • the plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces.
  • the plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces.
  • the plasma chamber 410 may have a plasma generating space 412 .
  • the plasma chamber 410 may be made of a quartz material.
  • the plasma chamber 410 may have a tube shape.
  • a gas supply port 420 may be disposed above the plasma chamber 410 , and a diffusion chamber 440 may be disposed below the plasma chamber 410 .
  • the gas supply port 420 may receive process gas from the gas supply unit 450 and supply it to the plasma generation space 412 .
  • the process gas supplied by the gas supply unit 450 may include fluorine and/or hydrogen.
  • the gas supply unit 450 includes a gas supply source 451 for storing and/or supplying process gas, and a gas supply line 453 connected to the gas supply source 451 to deliver process gas to the gas supply port 420. ) may be included.
  • the process gas supplied to the plasma generating space 412 may be excited into a plasma state by an electric field generated by an antenna 432 described later.
  • Process gas may be supplied to the plasma generating space 412 through the gas supply port 424 .
  • Gas supplied to the plasma generation space 412 may flow into the processing space 212 via the baffle 250 .
  • the plasma source 430 applies high frequency power to the plasma generating space 412 .
  • the plasma source 430 may generate plasma by exciting a process gas.
  • the plasma source 430 may include a flange 431 (an example of the second body), an antenna 432, a power source 434, and a fan 435.
  • the Flange 431 may surround antenna 432 .
  • the flange 431 may include a lower flange 431a (one example of the second body), an upper flange 431b (another example of the second body), and a side flange 431c.
  • the lower flange 431a, the upper flange 431b, and the side flange 431c may be provided as separate parts and fastened to each other, or may be provided as one part.
  • the lower flange 431a, the upper flange 431b, and the side flange 431c may be combined with each other to form a space in which the antenna 432 can be disposed.
  • the upper flange 431a may be disposed above the antenna 432
  • the lower flange 431b may be disposed below the antenna 432
  • the side flange 431c may be disposed on the side of the antenna 432.
  • the lower flange 431a and the upper flange 431b may be connected to the plasma chamber 410, which is a quartz tube.
  • Antenna 432 may be an inductively coupled plasma (ICP) antenna.
  • the antenna 432 may be provided in a coil shape.
  • the antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 multiple times from outside the plasma chamber 410 .
  • the antenna 432 may be spirally wound around the plasma chamber 410 multiple times from the outside of the plasma chamber 410 .
  • the antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 in a region corresponding to the plasma generating space 412 .
  • Power source 434 may apply power to antenna 432 .
  • the power source 434 may apply a high-frequency alternating current to the antenna 432 .
  • the high-frequency alternating current applied to the antenna 432 may form an induced electric field in the plasma generating space 412 .
  • the process gas supplied into the plasma generation space 412 may be converted into a plasma state by obtaining energy required for ionization from an induced electric field.
  • the power source 434 may be connected to one end of the antenna 432 .
  • the power source 434 may be connected to one end of an antenna 432 provided at a height corresponding to the upper region of the plasma chamber 410 . Also, the other end of the antenna 432 may be grounded.
  • the other end of the antenna 432 provided at a height corresponding to the lower region of the plasma chamber 410 may be grounded.
  • the power supply 434 may be connected to the other end of the antenna 432 and one end of the antenna 432 may be grounded.
  • the fan 435 may dissipate heat generated by the antenna 432 to the outside of the substrate processing apparatus 1000 .
  • the diffusion chamber 440 may diffuse the plasma generated in the plasma chamber 410 .
  • the diffusion chamber 440 may be disposed below the plasma chamber 410 .
  • the diffusion chamber 440 may have an open top and bottom shape.
  • the diffusion chamber 440 may have an inverted funnel shape.
  • An upper end of the diffusion chamber 440 may have a diameter corresponding to that of the plasma chamber 410 .
  • the lower end of the diffusion chamber 440 may have a larger diameter than the upper end of the diffusion chamber 440 .
  • the diffusion chamber 440 may increase in diameter from top to bottom.
  • the diffusion chamber 440 may have a diffusion space 442 .
  • Plasma generated in the plasma generating space 412 may diffuse while passing through the diffusion space 442 .
  • Plasma introduced into the diffusion space 442 may be introduced into the processing space 412 via the baffle 250 .
  • the sealing unit 500 may seal a connection between the plasma chamber 410 and the flange 431 .
  • At least one sealing unit 500 may be provided.
  • a plurality of sealing units 500 may be provided. Any one of the sealing units 500 may be configured to seal a connection between the upper flange 431b and the plasma chamber 410 .
  • Another one of the sealing units 500 may be configured to seal a connection between the lower flange 431a and the plasma chamber 410 . That is, one of the sealing units 500 may be configured to surround the upper portion of the plasma chamber 410 and the other of the sealing units 500 may be configured to surround the lower portion of the plasma chamber 410 .
  • a detailed description of the sealing unit 500 will be described later.
  • An exhaust unit may exhaust process gas and impurities inside the process processing unit 200 to the outside.
  • the exhaust unit may exhaust impurities generated during the processing of the substrate W to the outside of the substrate processing apparatus 1000 .
  • the exhaust may provide reduced pressure to the process space 212 .
  • FIG. 3 is a view showing a part of a cross section of the sealing unit of FIG. 2 . 3 shows an enlarged view of a connection portion between the lower flange 431a and the plasma chamber 410 .
  • the connection between the upper flange 431a and the plasma chamber 410 has a vertically symmetrical structure with respect to the configuration shown in FIG. 3 .
  • the sealing unit 500 according to an embodiment of the present invention includes a ring body 510, a fluid channel 520, a sealing member 530, an interface member 540, and a holder 550. can include
  • the ring body 510 may fix the position of the sealing member 530 .
  • the ring body 510 may have a ring shape when viewed from above.
  • a channel groove 512 may be formed in the ring body 510 .
  • the channel groove 512 may be formed by being recessed in one direction from one surface of the ring body 510 . When viewed from above, the channel groove 512 may be generally formed along the circumferential direction of the ring body 510 .
  • the channel groove 512 may be formed in the ring body 510 to have a substantially 'U' shape.
  • the ring body 510 may be provided with a material containing metal.
  • the ring body 510 may be provided with a material containing aluminum.
  • the fluid channel 520 may be provided in a channel groove 512 formed in the ring body 510 .
  • the fluid channel 520 may form a flow path through which fluid may flow therein.
  • a cooling fluid capable of cooling the ring body 510 may flow through the fluid channel 520 .
  • the cooling fluid may be cooling water. However, it is not limited thereto, and the cooling fluid may be provided as a cooling gas capable of cooling the ring body 510.
  • the fluid channel 520 may be made of a material including metal.
  • the fluid channel 520 may be made of a material including copper.
  • the sealing member 530 may have a ring shape.
  • the sealing member 530 may seal a connection between the flange 431 and the plasma chamber 410 .
  • the sealing member 530 may be an O-ring.
  • the sealing member 530 may be made of a material having excellent elasticity.
  • the sealing member 530 may be provided with a material having greater elasticity (ie, a material having greater restoring force) than the ring body 510 , the interface member 540 , and the holder 550 .
  • the sealing member 530 may be made of a material including rubber.
  • the sealing member 530 may be disposed between the ring body 510 , the plasma chamber 410 , and the flange 431 to seal a connection between the plasma chamber 410 and the flange 431 .
  • the interface member 540 may provide a heat transfer path so that heat generated from the plasma chamber 410 bypasses the sealing member 530 and is dissipated.
  • the interface member 540 may be provided with a material having higher thermal conductivity than the sealing member 530 .
  • the interface member 540 may be made of a material containing metal.
  • the interface member 540 may be made of aluminum.
  • the interface member 540 may be disposed between the aforementioned ring body 510 and the holder 550 described later. When viewed from the top, the interface member 540 may have a generally ring shape.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the interface member of FIG. 3
  • FIG. 5 is a view showing a portion of the interface member of FIG. 3 viewed from the top. 4 and 5
  • an interface member 540 according to an embodiment of the present invention includes a first surface 541, a second surface 542, a contact surface 543, an inclined surface 544, and a cutout. (545).
  • the first surface 541 may be a surface adjacent to the antenna 432 .
  • the second surface 542 may be a surface far from the antenna 432 .
  • the second surface 542 may be a surface facing the ring body 510 .
  • a contact surface 543 and an inclined surface 544 may be provided between the first surface 541 and the second surface 542 .
  • the contact surface 543 may contact the plasma chamber 410 .
  • the contact surface 543 may be a surface that receives heat transferred from the plasma chamber 410 .
  • the area of the contact surface 543 may increase or decrease according to heat generated in the plasma chamber 410 .
  • the area of the contact surface 543 may be the first area.
  • the temperature of the plasma chamber 410 is a second temperature higher than the first temperature
  • the area of the contact surface 543 may be a second area larger than the first area.
  • the inclined surface 544 may be provided at a position opposite to the contact surface 543 .
  • the inclined surface 544 may be a surface facing the holder 550 to be described later.
  • the inclined surface 544 may be a surface facing the inclined portion 545 of the holder 550 to be described later.
  • a cutout 545 may be formed in the interface member 540 . That is, the interface member 540 may have a ring shape as a whole, but may have a cut ring shape in which a portion of the interface member 540 is cut out.
  • the interface member 540 may be thermally expanded, and the shape of the interface member 540 may be distorted by such thermal expansion. If the shape of the interface member 540 is distorted, contact between the interface member 540 and the plasma chamber 410 may not be properly made.
  • the interface member 540 includes a cutout 545 in which a portion is cut, so that even if heat is transferred to the interface member 540 and the interface member 545 is thermally expanded, the interface member 545 may be thermally expanded.
  • the shape of the member 540 is not distorted, and when the interface member 540 is cooled, it can return to its original shape.
  • the width of the cutout 545 formed in the interface member 540 may be equal to or larger than the maximum expansion amount of the interface member 540 due to heat transferred from the plasma chamber 410 .
  • FIG. 6 is a view showing a cross-section of the holder of FIG. 5;
  • the holder 550 may fix the ring body 510 and the interface member 540 .
  • the holder 550 may have a ring shape when viewed from above.
  • the holder 550 may be made of a material including metal.
  • the holder 550 may be provided with a material including aluminum.
  • the holder 550 may include a first part 551 , a second part 552 , an inclined part 554 , and a cover part 555 .
  • the first part 551 may be a part facing the antenna 432 .
  • the second part 552 may be a part facing the plasma chamber 410 .
  • the inclined portion 554 may include an inclined portion 554 and a cover portion 555 between the first portion 551 and the second portion 552 .
  • the inclined portion 554 may be a portion facing the aforementioned inclined surface 544 .
  • the cover part 555 may be a part covering the channel groove 512 of the ring body 510 .
  • the inclined portion 554 of the holder 550 may be inserted into a space between the interface ring 540 and the ring body 510 .
  • holes not shown are formed in the ring body 510, and coupling means such as screws and bolts may be inserted into the holes. Accordingly, the ring body 510 and the flange 431 may be fastened to each other. Also, holes (not shown) may be formed in the holder 550, and grooves corresponding to the holes may be formed in the ring body 510. A coupling means such as a screw or a bolt may be inserted into the hole, and the coupling means may be again fastened to a groove (eg, a screw groove) formed in the ring body 510 . Accordingly, the holder 550 and the interface ring 540 may be fastened.
  • FIG. 7 is a view showing how the substrate processing apparatus of FIG. 2 performs a plasma processing process
  • FIG. 8 is a view showing a heat transfer path in the sealing unit of FIG. 7 .
  • the gas supply unit 450 supplies process gas G to the plasma generation space 412
  • the process gas is excited by an electric field generated by the antenna 432 .
  • plasma P may be generated.
  • Plasma P generated in the plasma space may collide with the plasma chamber 510 and transfer heat to the plasma chamber 510 .
  • most of the heat H transferred to the plasma chamber 510 may be transferred to the interface member 540 having a higher thermal conductivity than the sealing member 530 and a larger contact area.
  • the heat H transferred to the interface member 540 may be dissipated through the ring body 510 provided with the fluid channel 520 through which the cooling fluid flows. That is, according to an embodiment of the present invention, the interface member 540 provides a heat transfer path through which heat (H) of the plasma chamber 410 can be dissipated to the outside without passing through the sealing member 530. Thermal deformation of the sealing member 530 may be minimized.
  • the interface member 540 can be thermally expanded due to heat transfer. As described above, the interface member 540 is provided with the cutout 545 so that the interface member 540 can be more flexibly deformed against thermal expansion. and can be reversed.
  • the interface member 540 may have an inclined surface 544
  • the holder 550 may include the inclined portion 554 . That is, the wedge-shaped holder 550 fixing the interface member 540 to the inclined surface 544 of the interface member 540 has an inclined portion 554 .
  • thermal expansion may occur in the interface member 540. Since the holder 550 applies force F in an inclined direction through the inclined portion 554 (Press), Problems in which the interface member 540 is separated or the contact surface 543 of the interface member 540 does not properly contact the plasma chamber 410 may be minimized.

Abstract

The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The apparatus for processing a substrate may comprise: a first body; a second body which is different from the first body; and a sealing unit which seals the connection portion between the first body and the second body, wherein the sealing unit comprises: a sealing member which seals the connection portion; and an interface member which comes into contact with the first body or the second body and is provided as a material having higher thermal conductivity than the sealing member.

Description

기판 처리 장치Substrate processing device
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for processing a substrate using plasma.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gaseous state composed of ions, radicals, and electrons. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields or RF Electromagnetic Fields. A semiconductor device manufacturing process includes an ashing or etching process of removing a thin film on a substrate using plasma. The ashing or etching process is performed when ion and radical particles contained in the plasma collide with or react with a film on the substrate.
이러한, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 다양한 파트들이 서로 체결되어 이루어진다. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치의 경우 내부의 진공 기밀을 유지하는 것이 중요한데, 이러한 진공 기밀을 유지할 수 있도록 파트들 사이에 오-링(O-Ring)을 설치한다. 오-링은 고무와 같은 탄성을 가지는 소재로 제공된다. 오-링의 복원력을 이용해 파트들 사이의 연결 부위의 실링(Sealing)이 이루진다.An apparatus for processing a substrate using such a plasma is composed of various parts fastened to each other. In the case of a device for processing a substrate using plasma, it is important to maintain internal vacuum confidentiality, and O-rings are installed between parts to maintain such vacuum confidentiality. The O-ring is provided with a material having elasticity such as rubber. The sealing of the connection between parts is achieved by using the restoring force of the O-ring.
한편, 플라즈마는 챔버 내에서 발생한다. 챔버 내에서 발생된 플라즈마는 챔버와 충돌하여 챔버, 그리고 챔버와 인접한 구성들의 온도를 높인다. 챔버 내에서 발생한 플라즈마의 밀도가 높을수록 챔버, 그리고 챔버와 인접한 구성들에는 더욱 많은 열적 부하가 인가된다. 특히, 상술한 오-링은 이러한 열적 부하에 취약하다. 오-링의 경우 복원력을 이용하 파트들 사이의 연결 부위의 실링(Sealing)을 수행하나, 열적 부하가 오-링에 인가되는 경우 오-링은 탄성을 잃게 되어 그 기능을 잃는다. Meanwhile, plasma is generated in the chamber. Plasma generated in the chamber collides with the chamber to increase the temperature of the chamber and components adjacent to the chamber. The higher the density of the plasma generated in the chamber, the higher the thermal load is applied to the chamber and components adjacent to the chamber. In particular, the aforementioned O-rings are susceptible to such thermal loads. In the case of an O-ring, sealing of a connection between parts is performed using a restoring force, but when a thermal load is applied to the O-ring, the O-ring loses elasticity and loses its function.
본 발명은 기판 처리 장치가 가지는 파트들 간의 실링을 효과적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of effectively sealing between parts of the substrate processing apparatus.
또한, 본 발명은 챔버 내에서 발생하는 열의 이동 경로가 실링 부재를 우회할 수 있게 하여 실링 부재의 수명을 연장시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of extending the life of the sealing member by enabling the movement path of heat generated in the chamber to bypass the sealing member.
또한, 본 발명은 열에 의한 실링 부재의 팽창 또는 수축이 유연하게 이루어질 수 있게 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of flexibly expanding or contracting a sealing member due to heat.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings. will be.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 제1바디; 상기 제1바디와 상이한 제2바디; 및 상기 제1바디 및 상기 제2바디 사이의 연결 부위를 실링하는 실링 유닛을 포함하고, 상기 실링 유닛은, 상기 연결 부위를 실링하는 실링 부재; 및 상기 제1바디 또는 상기 제2바디와 접촉되며 상기 실링 부재보다 열 전도성이 큰 소재로 제공되는 인터페이스 부재를 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate includes a first body; a second body different from the first body; and a sealing unit sealing a connection portion between the first body and the second body, wherein the sealing unit includes: a sealing member sealing the connection portion; and an interface member that is in contact with the first body or the second body and is made of a material having higher thermal conductivity than the sealing member.
일 실시 예에 의하면, 상기 인터페이스 부재는, 일부가 절개된 절개 부를 포함하는 링 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment, the interface member may have a ring shape including an incision part of which is cut out.
일 실시 예에 의하면, 상기 실링 유닛은, 상기 실링 부재의 위치를 고정시키는 링 바디; 및 상기 링 바디, 그리고 상기 인터페이스 부재를 고정하는 홀더를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the sealing unit, the ring body for fixing the position of the sealing member; and a holder fixing the ring body and the interface member.
일 실시 예에 의하면, 상기 인터페이스 부재는, 상기 제1바디 또는 상기 제2바디와 접촉되는 접촉면; 및 상기 홀더와 마주하는 경사면을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the interface member may include a contact surface contacting the first body or the second body; and an inclined surface facing the holder.
일 실시 예에 의하면, 상기 링 바디에는, 상기 링 바디의 일 면으로부터 일 방향으로 만입된 채널 홈이 형성되고, 상기 실링 유닛은, 상기 채널 홈에 제공되며, 냉각 유체가 흐르는 유체 채널을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, a channel groove recessed in one direction from one surface of the ring body is formed in the ring body, and the sealing unit further includes a fluid channel provided in the channel groove and through which a cooling fluid flows. can do.
일 실시 예에 의하면, 상기 홀더는, 상기 채널 홈을 커버하는 커버 부; 및 상기 경사면과 마주하는 경사 부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the holder may include a cover portion covering the channel groove; And it may include an inclined portion facing the inclined surface.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는, 내부에 플라즈마가 발생 또는 유동하는 챔버이고, 상기 제2바디는 상기 챔버와 연결되는 플랜지일 수 있다.According to an embodiment, the first body may be a chamber in which plasma is generated or flows, and the second body may be a flange connected to the chamber.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 처리 공간과 연통되며 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생 공간을 가지는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에서 상기 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 - 상기 플라즈마 소스는, 상기 플라즈마 챔버를 둘러싸는 안테나; 상기 안테나에 전력을 인가하는 전원; 및 상기 안테나의 상부 또는 하부에 배치되는 플랜지를 포함함 - ; 및 상기 플라즈마 챔버, 그리고 상기 플랜지 사이의 연결 부위를 실링하는 적어도 하나 이상의 실링 유닛을 포함하고, 상기 실링 유닛은, 상기 연결 부위를 실링하는 실링 부재; 및 상기 플라즈마 챔버와 접촉되며 상기 실링 부재보다 열 전도성이 큰 소재로 제공되는 인터페이스 부재를 포함할 수 있다.In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes a process chamber having a processing space; a plasma chamber communicating with the processing space and having a plasma generation space in which plasma is generated; A plasma source generating the plasma in the plasma chamber, the plasma source comprising: an antenna surrounding the plasma chamber; a power source for applying power to the antenna; and a flange disposed above or below the antenna; and at least one sealing unit sealing a connection between the plasma chamber and the flange, wherein the sealing unit includes: a sealing member sealing the connection; and an interface member contacting the plasma chamber and made of a material having higher thermal conductivity than the sealing member.
일 실시 예에 의하면, 상기 인터페이스 부재는, 일부가 절개된 절개 부를 포함하는 링 형상을 가질 수 있다.According to one embodiment, the interface member may have a ring shape including an incision part of which is cut out.
일 실시 예에 의하면, 상기 인터페이스 부재는, 금속을 포함하는 소재로 제공되고, 상기 실링 부재는, 고무를 포함하는 소재로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the interface member may be provided with a material containing metal, and the sealing member may be provided with a material containing rubber.
일 실시 예에 의하면, 상기 실링 유닛은, 상기 실링 부재의 위치를 고정시키며, 채널 홈이 형성된 링 바디; 및 상기 링 바디, 그리고 상기 인터페이스 부재를 고정하는 홀더를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the sealing unit fixes the position of the sealing member, the ring body is formed with a channel groove; and a holder fixing the ring body and the interface member.
일 실시 예에 의하면, 상기 인터페이스 부재는, 상기 플라즈마 챔버와 접촉되는 접촉면; 및 상기 홀더와 마주하는 경사면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the interface member may include a contact surface contacting the plasma chamber; and an inclined surface facing the holder.
일 실시 예에 의하면, 상기 홀더는, 상기 채널 홈을 커버하는 커버 부; 및 상기 경사면과 마주하는 경사 부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the holder may include a cover portion covering the channel groove; And it may include an inclined portion facing the inclined surface.
일 실시 예에 의하면, 상기 링 바디, 그리고 상기 홀더는, 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the ring body and the holder may be provided with a material containing metal.
일 실시 예에 의하면, 상기 실링 유닛은, 상기 채널 홈에 제공되며, 냉각 유체가 흐르는 유체 채널을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the sealing unit may further include a fluid channel provided in the channel groove and through which a cooling fluid flows.
일 실시 예에 의하면, 상기 유체 채널은, 구리를 포함하는 소재로 제공될 수 있다.According to one embodiment, the fluid channel may be provided with a material containing copper.
일 실시 예에 의하면, 상기 플랜지는, 상기 안테나의 상부에 배치되는 상부 플랜지; 및 상기 안테나의 하부에 배치되는 하부 플랜지를 포함하고, 상기 실링 유닛은, 복수로 제공되어, 그 중 하나는 상기 상부 플랜지와 상기 플라즈마 챔버의 연결 부위를 실링하도록 구성되고, 다른 하나는 상기 하부 플랜지와 상기 플라즈마 챔버의 연결 부위를 실링하도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the flange may include an upper flange disposed above the antenna; and a lower flange disposed under the antenna, wherein a plurality of sealing units are provided, one of which is configured to seal a connection between the upper flange and the plasma chamber, and the other is the lower flange. And it may be configured to seal the connection portion of the plasma chamber.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치가 가지는 파트들 간의 실링을 효과적으로 수행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, sealing between parts of a substrate processing apparatus can be effectively performed.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버 내에서 발생하는 열의 이동 경로가 실링 부재를 우회할 수 있게 하여 실링 부재의 수명을 연장시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the life of the sealing member can be extended by allowing the movement path of heat generated in the chamber to bypass the sealing member.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 열에 의한 실링 부재의 팽창 또는 수축이 유연하게 이루어질 수 있게 한다.In addition, according to an embodiment of the present invention, expansion or contraction of the sealing member due to heat can be made flexibly.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
도 2는 도 1의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a view showing a substrate processing apparatus performing a plasma processing process in the process chamber of FIG. 1 .
도 3은 도 2의 실링 유닛의 단면 중 일부를 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view showing a part of a cross section of the sealing unit of FIG. 2 .
도 4는 도 3의 인터페이스 부재의 단면을 보여주는 도면이다.4 is a view showing a cross section of the interface member of FIG. 3 .
도 5는 도 3의 상부에서 바라본 인터페이스 부재의 일부를 보여주는 도면이다.FIG. 5 is a view showing a part of the interface member viewed from the top of FIG. 3 .
도 6은 도 5의 홀더의 단면을 보여주는 도면이다.6 is a view showing a cross-section of the holder of FIG. 5;
도 7은 도 2의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 모습을 보여주는 도면이다.7 is a view showing how the substrate processing apparatus of FIG. 2 performs a plasma processing process.
도 8은 도 7의 실링 유닛에서 열 이동 경로를 나타낸 도면이다.8 is a view showing a heat movement path in the sealing unit of FIG. 7 .
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and actions.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless otherwise stated. Specifically, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features or It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.
이하 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 8 .
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a processing module 30 . The facility front end module 20 and processing module 30 are arranged in one direction.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.The facility front end module 20 has a load port 10 and a transfer frame 21 . The load port 10 is disposed in front of the equipment front end module 20 in the first direction 11 . The load port 10 has a plurality of support parts 6 . Each support part 6 is arranged in a row in the second direction 12, and a carrier 4 (for example, a cassette, FOUP, etc.) is settled. In the carrier 4, a substrate W to be subjected to a process and a substrate W after processing are received. The transfer frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing module 30 . The transfer frame 21 includes a first transfer robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing module 30 . The first transfer robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing module 30 .
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. The processing module 30 includes a load lock chamber 40 , a transfer chamber 50 , and a process chamber 60 .
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21 . For example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the facility front end module 20 . The load lock chamber 40 is a waiting space before the substrate W to be provided for the process is transferred to the process chamber 60 or before the substrate W after the process is transferred to the front end module 20 of the facility. provides
트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40 . When viewed from the top, the transfer chamber 50 has a polygonal body. Referring to FIG. 1 , the transfer chamber 50 has a pentagonal body when viewed from above. On the outside of the body, a load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed along the circumference of the body. A passage (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on each sidewall of the body, and the passage connects the transfer chamber 50 and the load lock chamber 40 or the process chambers 60 . Each passage is provided with a door (not shown) that opens and closes the passage to seal the inside. A second transfer robot 53 that transfers the substrate W between the load lock chamber 40 and the process chamber 60 is disposed in the inner space of the transfer chamber 50 . The second transfer robot 53 transfers an unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60 or transfers a substrate W after processing to the load lock chamber 40. do. In addition, the substrates W are transferred between the process chambers 60 in order to sequentially provide the substrates W to the plurality of process chambers 60 . As shown in FIG. 1, when the transfer chamber 50 has a pentagonal body, the load lock chambers 40 are disposed on the side walls adjacent to the front end module 20 of the equipment, and the process chambers 60 are continuously arranged on the other side walls. are placed by The transfer chamber 50 may be provided in various shapes according to the required process module as well as the above shape.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수 개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다. 이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상세히 설명한다.The process chamber 60 is disposed along the circumference of the transfer chamber 50 . A plurality of process chambers 60 may be provided. In each process chamber 60, processing of the substrate W is performed. The process chamber 60 receives the substrate W from the second transfer robot 53 and processes the substrate W, and provides the substrate W upon completion of the process to the second transfer robot 53 . Processes performed in each of the process chambers 60 may be different from each other. Hereinafter, the substrate processing apparatus 1000 performing the plasma processing process in the process chamber 60 will be described in detail.
도 2는 도 1의 프로세스 챔버 중 플라즈마 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. FIG. 2 is a view showing a substrate processing apparatus performing a plasma processing process in the process chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus 1000 performs a predetermined process on a substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 1000 may etch or ashing the thin film on the substrate (W). The thin film may be various types of films such as a polysilicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film. In addition, the thin film may be a natural oxide film or a chemically generated oxide film.
기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 플라즈마 발생부(400), 배기부(미도시), 그리고 실링 유닛(500)을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 1000 may include a process processing unit 200 , a plasma generating unit 400 , an exhaust unit (not shown), and a sealing unit 500 .
공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고, 기판에 대한 처리가 수행되는 처리 공간(212)을 제공한다. 플라즈마 발생부(400) 공정 가스를 방전시켜 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 공정 처리부(200)의 처리 공간(212)으로 공급한다. 배기부(미도시)는 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 공정 가스 및/또는 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지할 수 있다. 배기부(미도시)는 기판(W)이 처리되는 동안 처리 공간(212)의 압력을 진공에 가까운 압력으로 조절할 수 있다. The processing unit 200 provides a processing space 212 in which a substrate W is placed and processing of the substrate is performed. Plasma is generated by discharging the process gas of the plasma generating unit 400 and supplied to the processing space 212 of the process processing unit 200 . An exhaust unit (not shown) may discharge process gases remaining inside the process processor 200 and/or reaction by-products generated during substrate processing to the outside, and maintain the pressure in the process processor 200 at a set pressure. An exhaust unit (not shown) may adjust the pressure of the processing space 212 to a pressure close to vacuum while the substrate W is being processed.
공정 처리부(200)는 공정 챔버(210), 지지 유닛(230), 그리고 배플(250)을 포함할 수 있다.The process processor 200 may include a process chamber 210 , a support unit 230 , and a baffle 250 .
공정 챔버(210)는 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 공정 챔버(210)는 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 공정 챔버(210)의 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 공정 챔버(210)의 바닥면에는 배기홀(미도시) 형성된다. 배기홀은 펌프와 같은 감압 부재를 포함하는 배기부와 연결되어, 처리 공간(212) 내 공정 가스 및/또는 부산물을 처리 공간(212)의 외부로 배기할 수 있다. The process chamber 210 may have a process space 212 in which a process of processing the substrate W is performed. An upper portion of the process chamber 210 may be open, and an opening (not shown) may be formed in a sidewall. The substrate W enters and exits the process chamber 210 through the opening. The opening may be opened and closed by an opening and closing member such as a door (not shown). In addition, an exhaust hole (not shown) is formed on the bottom surface of the process chamber 210 . The exhaust hole may be connected to an exhaust unit including a pressure reducing member such as a pump to exhaust process gas and/or by-products in the processing space 212 to the outside of the processing space 212 .
지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(230)은 정전기 또는 진공 압력을 이용하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 지지 유닛(230)은 리프트 핀 모듈(미도시)을 포함할 수 있고, 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. The support unit 230 supports the substrate W in the processing space 212 . The support unit 230 may chuck the substrate W using static electricity or vacuum pressure. The support unit 230 may include a lift pin module (not shown), and may move the substrate W in a vertical direction.
배플(250)은 지지 유닛(230)과 마주보도록 지지 유닛(230)의 상부에 위치한다. 배플(250)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400)의 사이에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)에서 발생되는 플라즈마는 배플(250)에 형성된 복수의 홀(미도시)들을 통과할 수 있다.The baffle 250 is positioned above the support unit 230 to face the support unit 230 . The baffle 250 may be disposed between the support unit 230 and the plasma generator 400 . Plasma generated by the plasma generator 400 may pass through a plurality of holes (not shown) formed in the baffle 250 .
배플(250)은 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 공급되도록 한다. 배플(250)에 형성된 홀(미도시)들은 배플(250)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(250)의 각 영역에 균일하게 형성될 수 있다.The baffle 250 uniformly supplies the plasma flowing into the processing space 212 to the substrate W. Holes (not shown) formed in the baffle 250 are provided as through holes provided from the upper surface to the lower surface of the baffle 250 and may be uniformly formed in each area of the baffle 250 .
플라즈마 발생부(400)는 공정 챔버(210)의 상부에 위치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급할 수 있다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410, 제1바디의 일 예), 가스 공급 포트(420), 플라즈마 소스(430), 확산 챔버(440), 가스 공급 유닛(450), 그리고 실링 유닛(500)을 포함할 수 있다.The plasma generator 400 may be located above the process chamber 210 . The plasma generating unit 400 may generate plasma by discharging process gas and supply the generated plasma to the processing space 212 . The plasma generator 400 includes a plasma chamber 410 (an example of the first body), a gas supply port 420, a plasma source 430, a diffusion chamber 440, a gas supply unit 450, and a sealing unit ( 500) may be included.
플라즈마 챔버(410)에는 상면, 그리고 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상면, 그리고 하면이 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 상면, 그리고 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 플라즈마 발생 공간(412)을 가질 수 있다. The plasma chamber 410 may have an open top and bottom surfaces. The plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces. The plasma chamber 410 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces. The plasma chamber 410 may have a plasma generating space 412 .
플라즈마 챔버(410)는 쿼츠(Quartz) 소재로 제공될 수 있다. 플라즈마 챔버(410)는 튜브 형상을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)의 상부에는 가스 공급 포트(420)가 배치될 수 있고, 플라즈마 챔버(410)의 하부에는 확산 챔버(440)가 배치될 수 있다. The plasma chamber 410 may be made of a quartz material. The plasma chamber 410 may have a tube shape. A gas supply port 420 may be disposed above the plasma chamber 410 , and a diffusion chamber 440 may be disposed below the plasma chamber 410 .
가스 공급 포트(420)는 가스 공급 유닛(450)으로부터 공정 가스를 전달받아 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(450)이 공급하는 공정 가스는 플루오린(Fluorine) 및/또는 하이드러전(Hydrogen)을 포함할 수 있다. 가스 공급 유닛(450)은 공정 가스를 저장 및/또는 공급하는 가스 공급 원(451), 그리고 가스 공급 원(451)과 연결되어 가스 공급 포트(420)로 공정 가스를 전달하는 가스 공급 라인(453)을 포함할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 공정 가스는, 후술하는 안테나(432)가 발생시키는 전계에 의해 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The gas supply port 420 may receive process gas from the gas supply unit 450 and supply it to the plasma generation space 412 . The process gas supplied by the gas supply unit 450 may include fluorine and/or hydrogen. The gas supply unit 450 includes a gas supply source 451 for storing and/or supplying process gas, and a gas supply line 453 connected to the gas supply source 451 to deliver process gas to the gas supply port 420. ) may be included. The process gas supplied to the plasma generating space 412 may be excited into a plasma state by an electric field generated by an antenna 432 described later.
공정 가스는 가스 공급 포트(424)를 통해 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급될 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 가스는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.Process gas may be supplied to the plasma generating space 412 through the gas supply port 424 . Gas supplied to the plasma generation space 412 may flow into the processing space 212 via the baffle 250 .
플라즈마 소스(430)는 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 플라즈마 소스(430)는 공정 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 플라즈마 소스(430)는 플랜지(431, 제2바디의 일 예), 안테나(432), 전원(434), 그리고 팬(435)을 포함할 수 있다.The plasma source 430 applies high frequency power to the plasma generating space 412 . The plasma source 430 may generate plasma by exciting a process gas. The plasma source 430 may include a flange 431 (an example of the second body), an antenna 432, a power source 434, and a fan 435.
플랜지(431)는 안테나(432)를 둘러쌀 수 있다. 플랜지(431)는 하부 플랜지(431a, 제2바디의 일 예), 상부 플랜지(431b, 제2바디의 다른 예), 그리고 측부 플랜지(431c)를 포함할 수 있다. 하부 플랜지(431a), 상부 플랜지(431b), 그리고 측부 플랜지(431c)는 별개의 파트로 제공되어, 서로 체결될 수 있고, 또는 하나의 파트로 제공될 수도 있다. Flange 431 may surround antenna 432 . The flange 431 may include a lower flange 431a (one example of the second body), an upper flange 431b (another example of the second body), and a side flange 431c. The lower flange 431a, the upper flange 431b, and the side flange 431c may be provided as separate parts and fastened to each other, or may be provided as one part.
하부 플랜지(431a), 상부 플랜지(431b), 그리고 측부 플랜지(431c)는 서로 조합되어 안테나(432)가 배치될 수 있는 공간을 형성할 수 있다. 상부 플랜지(431a)는 안테나(432)보다 상부에 배치되고, 하부 플랜지(431b)는 안테나(432)보다 하부에 배치되고, 그리고 측부 플랜지(431c)는 안테나(432)의 측부에 배치될 수 있다. 하부 플랜지(431a)와 상부 플랜지(431b)는 쿼츠 튜브인, 플라즈마 챔버(410)와 서로 연결될 수 있다.The lower flange 431a, the upper flange 431b, and the side flange 431c may be combined with each other to form a space in which the antenna 432 can be disposed. The upper flange 431a may be disposed above the antenna 432, the lower flange 431b may be disposed below the antenna 432, and the side flange 431c may be disposed on the side of the antenna 432. . The lower flange 431a and the upper flange 431b may be connected to the plasma chamber 410, which is a quartz tube.
안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나일 수 있다. 안테나(432)는 코일 형상으로 제공될 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감길 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410)의 외부에서 나선 형으로 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감길 수 있다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감길 수 있다. Antenna 432 may be an inductively coupled plasma (ICP) antenna. The antenna 432 may be provided in a coil shape. The antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 multiple times from outside the plasma chamber 410 . The antenna 432 may be spirally wound around the plasma chamber 410 multiple times from the outside of the plasma chamber 410 . The antenna 432 may be wound around the plasma chamber 410 in a region corresponding to the plasma generating space 412 .
전원(434)은 안테나(432)에 전력을 인가할 수 있다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 교류 전류를 인가할 수 있다. 안테나(432)에 인가된 고주파 교류 전류는 플라즈마 발생 공간(412)에 유도 전기장을 형성할 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412) 내로 공급되는 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환될 수 있다. 또한, 전원(434)은 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다. 전원(434)은 플라즈마 챔버(410)의 상부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(432)의 일단에 연결될 수 있다. 또한, 안테나(432)의 타단은 접지될 수 있다. 플라즈마 챔버(410)의 하부 영역과 대응되는 높이에 제공되는 안테나(432)의 타단은 접지될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 안테나(432)의 타단에 전원(434)이 연결되고 안테나(432)의 일단이 접지될 수도 있다. Power source 434 may apply power to antenna 432 . The power source 434 may apply a high-frequency alternating current to the antenna 432 . The high-frequency alternating current applied to the antenna 432 may form an induced electric field in the plasma generating space 412 . The process gas supplied into the plasma generation space 412 may be converted into a plasma state by obtaining energy required for ionization from an induced electric field. Also, the power source 434 may be connected to one end of the antenna 432 . The power source 434 may be connected to one end of an antenna 432 provided at a height corresponding to the upper region of the plasma chamber 410 . Also, the other end of the antenna 432 may be grounded. The other end of the antenna 432 provided at a height corresponding to the lower region of the plasma chamber 410 may be grounded. However, it is not limited thereto, and the power supply 434 may be connected to the other end of the antenna 432 and one end of the antenna 432 may be grounded.
팬(435)은 안테나(432)가 발생시키는 열을 기판 처리 장치(1000)의 외부로 방열할 수 있다.The fan 435 may dissipate heat generated by the antenna 432 to the outside of the substrate processing apparatus 1000 .
확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킬 수 있다. 확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)의 하부에 배치될 수 있다. 확산 챔버(440)는 상부와 하부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 역 깔대기 형상을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 상단은 플라즈마 챔버(410)와 대응되는 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)의 하단은 확산 챔버(440)의 상단보다 큰 직경을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 상단에서 하단으로 갈수록 그 직경이 커질 수 있다. 또한, 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 플라즈마 발생 공간(412)에서 발생된 플라즈마는 확산 공간(442)을 거치면서 확산될 수 있다. 확산 공간(442)으로 유입된 플라즈마는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(412)으로 유입될 수 있다.The diffusion chamber 440 may diffuse the plasma generated in the plasma chamber 410 . The diffusion chamber 440 may be disposed below the plasma chamber 410 . The diffusion chamber 440 may have an open top and bottom shape. The diffusion chamber 440 may have an inverted funnel shape. An upper end of the diffusion chamber 440 may have a diameter corresponding to that of the plasma chamber 410 . The lower end of the diffusion chamber 440 may have a larger diameter than the upper end of the diffusion chamber 440 . The diffusion chamber 440 may increase in diameter from top to bottom. Also, the diffusion chamber 440 may have a diffusion space 442 . Plasma generated in the plasma generating space 412 may diffuse while passing through the diffusion space 442 . Plasma introduced into the diffusion space 442 may be introduced into the processing space 412 via the baffle 250 .
실링 유닛(500)은 플라즈마 챔버(410), 그리고 플랜지(431) 사이의 연결 부위를 실링할 수 있다. 실링 유닛(500)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 실링 유닛(500)은 복수 개가 제공될 수 있다. 실링 유닛(500) 중 어느 하나는 상부 플랜지(431b)와 플라즈마 챔버(410) 사이의 연결 부위를 실링하도록 구성될 수 있다. 실링 유닛(500) 중 다른 하나는 하부 플랜지(431a)와 플라즈마 챔버(410) 사이의 연결 부위를 실링하도록 구성될 수 있다. 즉, 실링 유닛(500) 중 어느 하나는 플라즈마 챔버(410)의 상부를 둘러싸도록 구성될 수 있고, 실링 유닛(500) 중 다른 하나는 플라즈마 챔버(410)의 하부를 둘러싸도록 구성될 수 있다. 실링 유닛(500)의 상세한 설명은 후술한다.The sealing unit 500 may seal a connection between the plasma chamber 410 and the flange 431 . At least one sealing unit 500 may be provided. For example, a plurality of sealing units 500 may be provided. Any one of the sealing units 500 may be configured to seal a connection between the upper flange 431b and the plasma chamber 410 . Another one of the sealing units 500 may be configured to seal a connection between the lower flange 431a and the plasma chamber 410 . That is, one of the sealing units 500 may be configured to surround the upper portion of the plasma chamber 410 and the other of the sealing units 500 may be configured to surround the lower portion of the plasma chamber 410 . A detailed description of the sealing unit 500 will be described later.
배기부(미도시)는 공정 처리부(200) 내부의 공정 가스 및 불순물을 외부로 배기할 수 있다. 배기부는 기판(W) 처리 과정에서 발생하는 불순물을 기판 처리 장치(1000)의 외부로 배기할 수 있다. 배기부는 처리 공간(212)에 감압을 제공할 수 있다.An exhaust unit (not shown) may exhaust process gas and impurities inside the process processing unit 200 to the outside. The exhaust unit may exhaust impurities generated during the processing of the substrate W to the outside of the substrate processing apparatus 1000 . The exhaust may provide reduced pressure to the process space 212 .
도 3은 도 2의 실링 유닛의 단면 중 일부를 보여주는 도면이다. 도 3에서는 하부 플랜지(431a)와 플라즈마 챔버(410)의 연결 부위의 모습을 확대하여 보여준다. 상부 플랜지(431a)와 플라즈마 챔버(410) 사이의 연결 부위의 모습은 도 3에 도시된 구성에 대하여 상하 대칭 구조를 가진다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 실링 유닛(500)은 링 바디(510), 유체 채널(520), 실링 부재(530), 인터페이스 부재(540), 그리고 홀더(550)를 포함할 수 있다.FIG. 3 is a view showing a part of a cross section of the sealing unit of FIG. 2 . 3 shows an enlarged view of a connection portion between the lower flange 431a and the plasma chamber 410 . The connection between the upper flange 431a and the plasma chamber 410 has a vertically symmetrical structure with respect to the configuration shown in FIG. 3 . Referring to FIG. 3 , the sealing unit 500 according to an embodiment of the present invention includes a ring body 510, a fluid channel 520, a sealing member 530, an interface member 540, and a holder 550. can include
링 바디(510)는 실링 부재(530)의 위치를 고정시킬 수 있다. 링 바디(510)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 링 바디(510)에는 채널 홈(512)이 형성될 수 있다. 채널 홈(512)은 링 바디(510)의 일 면으로부터 일 방향으로 만입되어 형성될 수 있다. 채널 홈(512)은 상부에서 바라볼 때, 대체로 링 바디(510)의 윈주 방향을 따라 형성될 수 있다. 채널 홈(512)은 대체로 'U' 형상을 가지도록 링 바디(510)에 형성될 수 있다. 링 바디(510)는 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 링 바디(510)는 알루미늄을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.The ring body 510 may fix the position of the sealing member 530 . The ring body 510 may have a ring shape when viewed from above. A channel groove 512 may be formed in the ring body 510 . The channel groove 512 may be formed by being recessed in one direction from one surface of the ring body 510 . When viewed from above, the channel groove 512 may be generally formed along the circumferential direction of the ring body 510 . The channel groove 512 may be formed in the ring body 510 to have a substantially 'U' shape. The ring body 510 may be provided with a material containing metal. For example, the ring body 510 may be provided with a material containing aluminum.
유체 채널(520)은 링 바디(510)에 형성된 채널 홈(512)에 제공될 수 있다. 유체 채널(520)은 내부에 유체가 흐를 수 있는 유로를 형성할 수 있다. 유체 채널(520)에는 링 바디(510)를 냉각시킬 수 있는 냉각 유체가 흐를 수 있다. 냉각 유체는 냉각 수 일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 냉각 유체는 링 바디(510)를 냉각 시킬 수 있는 냉각 가스로 제공될 수도 있다. 또한, 유체 채널(520)은 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 유체 채널(520)은 구리(Copper)를 포함하는 소재로 제공될 수 있다.The fluid channel 520 may be provided in a channel groove 512 formed in the ring body 510 . The fluid channel 520 may form a flow path through which fluid may flow therein. A cooling fluid capable of cooling the ring body 510 may flow through the fluid channel 520 . The cooling fluid may be cooling water. However, it is not limited thereto, and the cooling fluid may be provided as a cooling gas capable of cooling the ring body 510. Also, the fluid channel 520 may be made of a material including metal. For example, the fluid channel 520 may be made of a material including copper.
실링 부재(530)는 링 형상을 가질 수 있다. 실링 부재(530)는 플랜지(431)와 플라즈마 챔버(410)의 연결 부위를 실링할 수 있다. 실링 부재(530)는 오-링(O-Ring)일 수 있다. 실링 부재(530)는 탄성이 우수한 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 실링 부재(530)는 링 바디(510), 인터페이스 부재(540), 그리고 홀더(550)보다 탄성이 우수한 소재(즉, 복원력이 우수한 소재)로 제공될 수 있다. 예컨대, 실링 부재(530)는 고무를 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 실링 부재(530)는 링 바디(510), 플라즈마 챔버(410), 그리고 플랜지(431) 사이에 배치되어 플라즈마 챔버(410), 그리고 플랜지(431) 사이의 연결 부위를 실링할 수 있다.The sealing member 530 may have a ring shape. The sealing member 530 may seal a connection between the flange 431 and the plasma chamber 410 . The sealing member 530 may be an O-ring. The sealing member 530 may be made of a material having excellent elasticity. For example, the sealing member 530 may be provided with a material having greater elasticity (ie, a material having greater restoring force) than the ring body 510 , the interface member 540 , and the holder 550 . For example, the sealing member 530 may be made of a material including rubber. The sealing member 530 may be disposed between the ring body 510 , the plasma chamber 410 , and the flange 431 to seal a connection between the plasma chamber 410 and the flange 431 .
인터페이스 부재(540)는 플라즈마 챔버(410)로부터 발생되는 열이 실링 부재(530)를 우회하여 방열될 수 있도록, 열 이동 경로를 제공할 수 있다. 인터페이스 부재(540)는 실링 부재(530)보다 열 전도성이 큰 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 인터페이스 부재(540)는 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 인터페이스 부재(540)는 알루미늄 소재로 제공될 수 있다. 인터페이스 부재(540)는 상술한 링 바디(510), 그리고 후술하는 홀더(550) 사이에 배치될 수 있다. 인터페이스 부재(540)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 링 형상을 가질 수 있다.The interface member 540 may provide a heat transfer path so that heat generated from the plasma chamber 410 bypasses the sealing member 530 and is dissipated. The interface member 540 may be provided with a material having higher thermal conductivity than the sealing member 530 . For example, the interface member 540 may be made of a material containing metal. For example, the interface member 540 may be made of aluminum. The interface member 540 may be disposed between the aforementioned ring body 510 and the holder 550 described later. When viewed from the top, the interface member 540 may have a generally ring shape.
도 4는 도 3의 인터페이스 부재의 단면을 보여주는 도면이고, 도 5는 도 3의 상부에서 바라본 인터페이스 부재의 일부를 보여주는 도면이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인터페이스 부재(540)는 제1면(541), 제2면(542), 접촉면(543), 경사면(544), 그리고 절개 부(545)를 포함할 수 있다. 제1면(541)은 안테나(432)와 인접한 면일 수 있다. 제2면(542)은 안테나(432)와 멀리 떨어진 면일 수 있다. 제2면(542)은 링 바디(510)와 마주하는 면일 수 있다. 제1면(541)과 제2면(542) 사이에는 접촉면(543) 및 경사면(544)이 제공될 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view of the interface member of FIG. 3 , and FIG. 5 is a view showing a portion of the interface member of FIG. 3 viewed from the top. 4 and 5, an interface member 540 according to an embodiment of the present invention includes a first surface 541, a second surface 542, a contact surface 543, an inclined surface 544, and a cutout. (545). The first surface 541 may be a surface adjacent to the antenna 432 . The second surface 542 may be a surface far from the antenna 432 . The second surface 542 may be a surface facing the ring body 510 . A contact surface 543 and an inclined surface 544 may be provided between the first surface 541 and the second surface 542 .
접촉면(543)은 플라즈마 챔버(410)와 접촉될 수 있다. 접촉면(543)은 플라즈마 챔버(410)로부터 전달되는 열을 전달 받는 면일 수 있다. 접촉면(543)의 면적은 플라즈마 챔버(410)에서 발생되는 열에 따라 더 커질 수도, 또는 더 작아질 수도 있다. 예컨대, 플라즈마 챔버(410)의 온도가 제1온도인 경우, 접촉면(543)의 면적은 제1면적일 수 있다. 이와 달리, 플라즈마 챔버(410)의 온도가 제1온도보다 높은 제2온도인 경우, 접촉면(543)의 면적은 제1면적보다 넓은 제2면적일 수 있다.The contact surface 543 may contact the plasma chamber 410 . The contact surface 543 may be a surface that receives heat transferred from the plasma chamber 410 . The area of the contact surface 543 may increase or decrease according to heat generated in the plasma chamber 410 . For example, when the temperature of the plasma chamber 410 is the first temperature, the area of the contact surface 543 may be the first area. In contrast, when the temperature of the plasma chamber 410 is a second temperature higher than the first temperature, the area of the contact surface 543 may be a second area larger than the first area.
경사면(544)은 접촉면(543)의 반대되는 위치에 제공될 수 있다. 경사면(544)은 후술하는 홀더(550)와 마주하는 면일 수 있다. 경사면(544)은 후술하는 홀더(550)의 경사 부(545)와 마주하는 면일 수 있다.The inclined surface 544 may be provided at a position opposite to the contact surface 543 . The inclined surface 544 may be a surface facing the holder 550 to be described later. The inclined surface 544 may be a surface facing the inclined portion 545 of the holder 550 to be described later.
또한, 인터페이스 부재(540)에는 절개 부(545)가 형성되어 있을 수 있다. 즉, 인터페이스 부재(540)는 전체적으로는 링 형상을 가지되, 그 일부가 절개된 부분이 존재하는 절단된 링 형상을 가질 수 있다. 인터페이스 부재(540)에 열이 전달되면, 인터페이스 부재(540)는 열 팽창될 수 있는데, 이러한 열 팽창에 의해 인터페이스 부재(540)의 모양이 틀어질 수 있다. 인터페이스 부재(540)의 모양이 틀어지게 되면, 인터페이스 부재(540)와 플라즈마 챔버(410) 사이의 접촉이 제대로 이루어지지 않을 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인터페이스 부재(540)에는 일부가 절개된 절개 부(545)를 포함하여, 인터페이스 부재(540)에 열이 전달되어 인터페이스 부재(545)가 열 팽창되더라도, 인터페이스 부재(540)의 모양이 틀어지지 않고, 인터페이스 부재(540)가 냉각되면 원 모양으로 되돌아 갈 수 있게 한다. 인터페이스 부재(540)에 형성된 절개 부(545)의 폭은, 플라즈마 챔버(410)가 전달하는 열에 의해 인터페이스 부재(540)가 최대로 팽창할 수 있는 변형량과 같거나, 그보다 클 수 있다.In addition, a cutout 545 may be formed in the interface member 540 . That is, the interface member 540 may have a ring shape as a whole, but may have a cut ring shape in which a portion of the interface member 540 is cut out. When heat is transferred to the interface member 540, the interface member 540 may be thermally expanded, and the shape of the interface member 540 may be distorted by such thermal expansion. If the shape of the interface member 540 is distorted, contact between the interface member 540 and the plasma chamber 410 may not be properly made. Therefore, the interface member 540 according to an embodiment of the present invention includes a cutout 545 in which a portion is cut, so that even if heat is transferred to the interface member 540 and the interface member 545 is thermally expanded, the interface member 545 may be thermally expanded. The shape of the member 540 is not distorted, and when the interface member 540 is cooled, it can return to its original shape. The width of the cutout 545 formed in the interface member 540 may be equal to or larger than the maximum expansion amount of the interface member 540 due to heat transferred from the plasma chamber 410 .
도 6은 도 5의 홀더의 단면을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 홀더(550)는 링 바디(510), 그리고 인터페이스 부재(540)를 고정할 수 있다. 홀더(550)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 홀더(550)는 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 홀더(550)는 알루미늄을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.6 is a view showing a cross-section of the holder of FIG. 5; Referring to FIG. 6 , the holder 550 may fix the ring body 510 and the interface member 540 . The holder 550 may have a ring shape when viewed from above. The holder 550 may be made of a material including metal. The holder 550 may be provided with a material including aluminum.
홀더(550)는 제1부(551), 제2부(552), 경사 부(554), 그리고 커버 부(555)를 포함할 수 있다. 제1부(551)는 안테나(432)와 마주하는 부분일 수 있다. 제2부(552)는 플라즈마 챔버(410)와 마주하는 부분일 수 있다. 경사 부(554)는 제1부(551), 그리고 제2부(552) 사이에는 경사 부(554), 그리고 커버 부(555)를 포함할 수 있다. 경사 부(554)는 상술한 경사면(544)과 마주하는 부분일 수 있다. 커버 부(555)는 링 바디(510)의 채널 홈(512)을 커버하는 부분일 수 있다. 홀더(550)의 경사 부(554)는 인터페이스 링(540)과 링 바디(510)의 사이 공간에 삽입될 수 있다.The holder 550 may include a first part 551 , a second part 552 , an inclined part 554 , and a cover part 555 . The first part 551 may be a part facing the antenna 432 . The second part 552 may be a part facing the plasma chamber 410 . The inclined portion 554 may include an inclined portion 554 and a cover portion 555 between the first portion 551 and the second portion 552 . The inclined portion 554 may be a portion facing the aforementioned inclined surface 544 . The cover part 555 may be a part covering the channel groove 512 of the ring body 510 . The inclined portion 554 of the holder 550 may be inserted into a space between the interface ring 540 and the ring body 510 .
또한, 링 바디(510)에는 도시되지 않은 홀들이 형성되고, 홀에 나사, 볼트와 같은 결합 수단이 삽입될 수 있다. 이에, 링 바디(510)와 플랜지(431)는 서로 체결될 수 있다. 또한, 홀더(550)엔도 도시되지 않는 홀들이 형성되고, 링 바디(510)에 홀과 대응되는 홈이 형성될 수 있다. 홀에는 나사, 볼트와 같은 결합 수단이 삽입되고, 결합 수단은 다시 링 바디(510)에 형성된 홈(예컨대, 나사 홈)에 체결될 수 있다. 이에, 홀더(550)와 인터페이스 링(540)은 체결될 수 있다.In addition, holes not shown are formed in the ring body 510, and coupling means such as screws and bolts may be inserted into the holes. Accordingly, the ring body 510 and the flange 431 may be fastened to each other. Also, holes (not shown) may be formed in the holder 550, and grooves corresponding to the holes may be formed in the ring body 510. A coupling means such as a screw or a bolt may be inserted into the hole, and the coupling means may be again fastened to a groove (eg, a screw groove) formed in the ring body 510 . Accordingly, the holder 550 and the interface ring 540 may be fastened.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치가 플라즈마 처리 공정을 수행하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 8은 도 7의 실링 유닛에서 열 이동 경로를 나타낸 도면이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 가스 공급 유닛(450)이 플라즈마 발생 공간(412)으로 공정 가스(G)를 공급하면, 공정 가스는 안테나(432)가 발생시키는 전계에 의해 여기된다. 이에, 플라즈마(P)가 발생할 수 있다. 플라즈마 공간에서 발생된 플라즈마(P)는 플라즈마 챔버(510)와 충돌하여, 플라즈마 챔버(510)에 열을 전달할 수 있다. 이때, 플라즈마 챔버(510)로 전달된 거의 대부분의 열(H)은 실링 부재(530)보다 열 전도도가 우수하고, 접촉 면적이 더 큰 인터페이스 부재(540)로 전달될 수 있다. 인터페이스 부재(540)로 전달된 열(H)은 냉각 유체가 흐르는 유체 채널(520)이 제공되는 링 바디(510)를 통해 방열될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플라즈마 챔버(410)의 열(H)이 실링 부재(530)를 거의 거치지 않고 외부로 방열될 수 있는 열 이동 경로를 인터페이스 부재(540)가 제공함으로써, 실링 부재(530)에 열 변형이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.FIG. 7 is a view showing how the substrate processing apparatus of FIG. 2 performs a plasma processing process, and FIG. 8 is a view showing a heat transfer path in the sealing unit of FIG. 7 . Referring to FIGS. 7 and 8 , when the gas supply unit 450 supplies process gas G to the plasma generation space 412 , the process gas is excited by an electric field generated by the antenna 432 . Accordingly, plasma P may be generated. Plasma P generated in the plasma space may collide with the plasma chamber 510 and transfer heat to the plasma chamber 510 . In this case, most of the heat H transferred to the plasma chamber 510 may be transferred to the interface member 540 having a higher thermal conductivity than the sealing member 530 and a larger contact area. The heat H transferred to the interface member 540 may be dissipated through the ring body 510 provided with the fluid channel 520 through which the cooling fluid flows. That is, according to an embodiment of the present invention, the interface member 540 provides a heat transfer path through which heat (H) of the plasma chamber 410 can be dissipated to the outside without passing through the sealing member 530. Thermal deformation of the sealing member 530 may be minimized.
또한, 열 전달로 인해 인터페이스 부재(540)는 열 팽창될 수 있는데, 상술한 바와 같이 인터페이스 부재(540)에는 절개 부(545)가 제공되어 열 팽창에 대해 인터페이스 부재(540)는 보다 유연하게 변형 및 원복될 수 있다.In addition, the interface member 540 can be thermally expanded due to heat transfer. As described above, the interface member 540 is provided with the cutout 545 so that the interface member 540 can be more flexibly deformed against thermal expansion. and can be reversed.
또한, 인터페이스 부재(540)는 경사면(544)을 가지고, 홀더(550)는 경사부(554)를 포함할 수 있다. 즉, 인터페이스 부재(540)의 경사면(544)에 맞추어, 인터페이스 부재(540)를 고정해주는 쐐기 형태의 홀더(550)가 경사부(554)를 가진다. 인터페이스 부재(540)에 열이 전달되면 인터페이스 부재(540)에는 열 팽창이 발생할 수 있는데, 홀더(550)가 경사부(554)를 통해 경사진 방향으로 힘(F)을 가하므로(Press), 인터페이스 부재(540)가 이탈되거나, 인터페이스 부재(540)의 접촉면(543)이 플라즈마 챔버(410)와 적절하게 접촉되지 않는 문제점을 최소화 할 수 있다.Also, the interface member 540 may have an inclined surface 544 , and the holder 550 may include the inclined portion 554 . That is, the wedge-shaped holder 550 fixing the interface member 540 to the inclined surface 544 of the interface member 540 has an inclined portion 554 . When heat is transferred to the interface member 540, thermal expansion may occur in the interface member 540. Since the holder 550 applies force F in an inclined direction through the inclined portion 554 (Press), Problems in which the interface member 540 is separated or the contact surface 543 of the interface member 540 does not properly contact the plasma chamber 410 may be minimized.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The foregoing embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

Claims (17)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing the substrate,
    제1바디;first body;
    상기 제1바디와 상이한 제2바디; 및a second body different from the first body; and
    상기 제1바디 및 상기 제2바디 사이의 연결 부위를 실링하는 실링 유닛을 포함하고,A sealing unit for sealing a connection between the first body and the second body,
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    상기 연결 부위를 실링하는 실링 부재; 및a sealing member sealing the connection portion; and
    상기 제1바디 또는 상기 제2바디와 접촉되며 상기 실링 부재보다 열 전도성이 큰 소재로 제공되는 인터페이스 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus including an interface member that is in contact with the first body or the second body and is provided with a material having higher thermal conductivity than the sealing member.
  2. 제1항에 있어서,According to claim 1,
    상기 인터페이스 부재는,The interface member,
    일부가 절개된 절개 부를 포함하는 링 형상을 가지는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus having a ring shape including a partially cut incision.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,According to claim 1 or 2,
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    상기 실링 부재의 위치를 고정시키는 링 바디; 및a ring body fixing the position of the sealing member; and
    상기 링 바디, 그리고 상기 인터페이스 부재를 고정하는 홀더를 더 포함하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus further includes a holder fixing the ring body and the interface member.
  4. 제3항에 있어서,According to claim 3,
    상기 인터페이스 부재는,The interface member,
    상기 제1바디 또는 상기 제2바디와 접촉되는 접촉면; 및a contact surface contacting the first body or the second body; and
    상기 홀더와 마주하는 경사면을 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising an inclined surface facing the holder.
  5. 제4항에 있어서,According to claim 4,
    상기 링 바디에는,In the ring body,
    상기 링 바디의 일 면으로부터 일 방향으로 만입된 채널 홈이 형성되고,A channel groove recessed in one direction is formed from one surface of the ring body,
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    상기 채널 홈에 제공되며, 냉각 유체가 흐르는 유체 채널을 더 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus further comprising a fluid channel provided in the channel groove and through which a cooling fluid flows.
  6. 제5항에 있어서,According to claim 5,
    상기 홀더는,the holder,
    상기 채널 홈을 커버하는 커버 부; 및a cover portion covering the channel groove; and
    상기 경사면과 마주하는 경사 부를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising an inclined portion facing the inclined surface.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,According to claim 1 or 2,
    상기 제1바디는,The first body,
    내부에 플라즈마가 발생 또는 유동하는 챔버이고,A chamber in which plasma is generated or flows,
    상기 제2바디는 상기 챔버와 연결되는 플랜지인 기판 처리 장치.The second body is a substrate processing apparatus that is a flange connected to the chamber.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing the substrate,
    처리 공간을 가지는 공정 챔버;a process chamber having a process space;
    상기 처리 공간과 연통되며 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생 공간을 가지는 플라즈마 챔버;a plasma chamber communicating with the processing space and having a plasma generation space in which plasma is generated;
    상기 플라즈마 챔버에서 상기 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 - 상기 플라즈마 소스는, 상기 플라즈마 챔버를 둘러싸는 안테나; 상기 안테나에 전력을 인가하는 전원; 및 상기 안테나의 상부 또는 하부에 배치되는 플랜지를 포함함 - ; 및A plasma source generating the plasma in the plasma chamber, the plasma source comprising: an antenna surrounding the plasma chamber; a power source for applying power to the antenna; and a flange disposed above or below the antenna; and
    상기 플라즈마 챔버, 그리고 상기 플랜지 사이의 연결 부위를 실링하는 적어도 하나 이상의 실링 유닛을 포함하고,including at least one sealing unit sealing a connection between the plasma chamber and the flange;
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    상기 연결 부위를 실링하는 실링 부재; 및a sealing member sealing the connection portion; and
    상기 플라즈마 챔버와 접촉되며 상기 실링 부재보다 열 전도성이 큰 소재로 제공되는 인터페이스 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus including an interface member contacting the plasma chamber and provided with a material having higher thermal conductivity than the sealing member.
  9. 제8항에 있어서,According to claim 8,
    상기 인터페이스 부재는,The interface member,
    일부가 절개된 절개 부를 포함하는 링 형상을 가지는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus having a ring shape including a partially cut incision.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,According to claim 8 or 9,
    상기 인터페이스 부재는,The interface member,
    금속을 포함하는 소재로 제공되고,Provided with a material containing metal,
    상기 실링 부재는,The sealing member,
    고무를 포함하는 소재로 제공되는 기판 처리 장치.A substrate processing device provided with a material containing rubber.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,According to claim 8 or 9,
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    상기 실링 부재의 위치를 고정시키며, 채널 홈이 형성된 링 바디; 및a ring body fixing the position of the sealing member and having a channel groove; and
    상기 링 바디, 그리고 상기 인터페이스 부재를 고정하는 홀더를 더 포함하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus further includes a holder fixing the ring body and the interface member.
  12. 제11항에 있어서,According to claim 11,
    상기 인터페이스 부재는,The interface member,
    상기 플라즈마 챔버와 접촉되는 접촉면; 및a contact surface in contact with the plasma chamber; and
    상기 홀더와 마주하는 경사면을 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising an inclined surface facing the holder.
  13. 제12항에 있어서,According to claim 12,
    상기 홀더는,the holder,
    상기 채널 홈을 커버하는 커버 부; 및a cover portion covering the channel groove; and
    상기 경사면과 마주하는 경사 부를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising an inclined portion facing the inclined surface.
  14. 제13항에 있어서,According to claim 13,
    상기 링 바디, 그리고 상기 홀더는,The ring body and the holder,
    금속을 포함하는 소재로 제공되는 기판 처리 장치.A substrate processing device provided with a material containing metal.
  15. 제14항에 있어서,According to claim 14,
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    상기 채널 홈에 제공되며, 냉각 유체가 흐르는 유체 채널을 더 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus further comprising a fluid channel provided in the channel groove and through which a cooling fluid flows.
  16. 제15항에 있어서,According to claim 15,
    상기 유체 채널은,The fluid channel,
    구리를 포함하는 소재로 제공되는 기판 처리 장치.A substrate processing device provided with a material containing copper.
  17. 제8항 또는 제9항에 있어서,According to claim 8 or 9,
    상기 플랜지는,The flange is
    상기 안테나의 상부에 배치되는 상부 플랜지; 및an upper flange disposed above the antenna; and
    상기 안테나의 하부에 배치되는 하부 플랜지를 포함하고,And a lower flange disposed under the antenna,
    상기 실링 유닛은,The sealing unit,
    복수로 제공되어, 그 중 하나는 상기 상부 플랜지와 상기 플라즈마 챔버의 연결 부위를 실링하도록 구성되고, 다른 하나는 상기 하부 플랜지와 상기 플라즈마 챔버의 연결 부위를 실링하도록 구성되는 기판 처리 장치.Provided in plurality, one of which is configured to seal the connection between the upper flange and the plasma chamber, and the other is configured to seal the connection between the lower flange and the plasma chamber.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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