WO2023112201A1 - 表示装置の製造方法、発光素子および表示装置 - Google Patents

表示装置の製造方法、発光素子および表示装置 Download PDF

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WO2023112201A1
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layer
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light
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昌行 兼弘
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シャープディスプレイテクノロジー株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Definitions

  • the present invention relates to a display device manufacturing method and a display device.
  • QLEDs Quantum dot light emitting diodes
  • Cited Document 1 discloses a method of forming a light-emitting layer by applying and curing a light-emitting layer-forming coating solution containing quantum dots in which a silane coupling agent is arranged, and patterning the light-emitting layer by a lift-off method.
  • Patent document 1 has a light-emitting layer containing quantum dots, the light-emitting layer can be stably patterned by a lift-off method, and the main object is to provide a method for manufacturing an electroluminescent device with good life characteristics. aim.
  • Patent Document 1 describes confirmation of light emission at a high voltage of 10V.
  • silane coupling agents are difficult to coordinate with quantum dots. This is because the silane coupling agent is usually considered to coordinate with hydroxyl groups, and there are no hydroxyl groups on the surface of the quantum dots.
  • the surface of the quantum dot is the surface of the shell when the quantum dot is of core-shell type.
  • Patent Document 1 since the method disclosed in Patent Document 1 requires hydrolysis of the silane coupling agent, there are concerns about damage to the quantum dots and accelerated hardening of the photoresist layer due to high-temperature treatment. Hardening of the photoresist layer tends to cause poor lift-off of the light-emitting layer.
  • a method of manufacturing a display device includes steps of forming a first sacrificial layer on a charge functional layer, and removing a portion of the first sacrificial layer to expose the charge functional layer. forming a first light-emitting layer containing first quantum dots and a first ligand on the first sacrificial layer and the charge functional layer; and using a first stripper containing a second ligand, the patterning the first light-emitting layer by removing a first sacrificial layer.
  • One embodiment of the present disclosure can provide a display device that has a light-emitting layer containing quantum dots and has excellent lifetime characteristics, which is different from that of Patent Document 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of a schematic configuration of a display device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a display area shown in FIG. 1
  • FIG. 1 is a schematic flow chart showing an example of a method for manufacturing a display device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 1 is a schematic flow diagram showing an example of a process for forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process for forming a light-emitting layer 24 according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4 is a graph showing temporal changes in fluorescence intensity of display devices according to examples and comparative examples of the present disclosure
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing an example of a process of forming a light-emitting layer according to an embodiment of the present disclosure
  • 1 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a display area of a display device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 1 is a schematic flow chart showing an example of a method for manufacturing a display device 2 according to an embodiment of the present disclosure
  • “same layer” means formed in the same process (film formation process), and “lower layer” means formed in a process earlier than the layer to be compared. and the “upper layer” means that it is formed in a process after the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of a schematic configuration of a display device 2 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display device 2 includes a display area DA that performs display by extracting light emitted from each light-emitting element described later, and a frame area NA that surrounds the display area DA. . Terminals T to which signals for driving the light emitting elements of the display device 2 are input are formed in the frame area NA.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the schematic configuration of the display area DA shown in FIG. FIG. 2 corresponds to the AB cross-sectional view of FIG.
  • the display device 2 includes a plurality of electroluminescent elements.
  • FIG. 2 shows a red light emitting element 6R, a green light emitting element 6G, and a blue light emitting element 6B among the plurality of electroluminescent elements included in the display device 2.
  • light emitting element refers to any one of the red light emitting element 6R, the green light emitting element 6G, and the blue light emitting element 6B.
  • the display device 2 includes a substrate 4 , a light emitting element layer 6 on the substrate 4 , and a sealing layer 8 covering the light emitting element layer 6 .
  • Substrate 4 includes a support substrate.
  • the substrate 4 includes a thin film transistor layer (TFT layer) in which circuit elements such as thin film transistors (TFT) are provided on a support substrate.
  • TFT layer thin film transistor layer
  • Substrate 4 may further include additional components such as barrier layers.
  • the barrier layer reduces penetration of moisture, oxygen, and the like into the light emitting element layer 6 from outside the support substrate.
  • the support substrate may be a non-flexible substrate made of quartz or glass, or a flexible substrate made of a resin film or resin sheet. Quartz substrates and glass substrates are suitable because of their high light transmittance and high gas shielding properties.
  • materials for the resin film include methacrylic resins such as polyethylene methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene. Polyester resins represented by phthalate (PBN) and polycarbonate resins are preferred.
  • the light emitting element layer 6 is a layer provided with light emitting elements.
  • the light emitting element layer 6 includes an anode 10 (first electrode) on the substrate 4 , a cathode 16 (second electrode) facing the anode 10 , a bank 12 , and between the anode 10 and the cathode 16 . and an active layer 14 provided.
  • the active layer 14 includes, in order from the anode 10 side, a hole injection layer 20 (charge function layer), a hole transport layer 22 (charge function layer), a light emitting layer 24 and an electron transport layer 26 .
  • the active layer 14 is also called an electroluminescence layer (EL layer).
  • the direction from the light-emitting layer 24 of the light-emitting element layer 6 to the substrate 4 is described as “downward” or “bottom”
  • the direction from the light-emitting layer 24 to the sealing layer 8 is described as “upward” or “upper”. do.
  • the anode 10 is individually formed for each light emitting element.
  • the anode 10 is provided in an island shape for each light-emitting element, that is, for each sub-pixel, and is also called a “pixel electrode”.
  • Anodes 10 include anode 10R for red light emitting element 6R, anode 10G for green light emitting element 6G, and anode 10B for blue light emitting element 6B.
  • the hole injection layer 20, the hole transport layer 22, the electron transport layer 26, and the cathode 16 are each formed in common for a plurality of light emitting elements. Cathode 16 is also referred to as the "common electrode.”
  • the bank 12 may be formed individually for each light emitting element, but is preferably formed integrally with a plurality of light emitting elements in order to increase the definition of the display device 2 .
  • Bank 12 is formed such that at least a portion of bank 12 is adjacent to or spaced apart from anode 10 or is disposed above anode 10 in top view.
  • adjacent refers to adjacent and touching, and “adjacent” refers to not only touching but also distantly adjacent.
  • the bank 12 is a protruding portion formed on the periphery of the light emitting element and is not functionally limited.
  • the bank 12 may be partially formed around the periphery of the light emitting device.
  • Bank 12 may perform any function other than providing unevenness, either in cooperation with other components or alone.
  • the bank 12 is preferably formed between the light emitting elements adjacent to each other and formed as a partition that electrically insulates the light emitting elements.
  • the bank 12 is insulating, and the bank 12 partitions the light emitting element layer 6 into red light emitting elements 6R, green light emitting elements 6G, and blue light emitting elements 6B.
  • the bank 12 is preferably formed as an edge cover that covers the edge of the anode 10.
  • at least part of bank 12 is preferably formed so as to be in contact with the end surface of anode 10 or arranged on the end surface of anode 10 when viewed from above.
  • a part of the bank 12 is arranged on the anode 10 will be illustrated.
  • Those skilled in the art will readily understand based on this description when a portion of bank 12 is adjacent or adjacent to anode 10 .
  • the light emitting layer 24 includes a red light emitting layer 24R that emits red light, a green light emitting layer 24G that emits green light, and a blue light emitting layer 24B that emits blue light.
  • the light-emitting layer 24 may be formed individually for each light-emitting element, or may be formed commonly for a plurality of light-emitting elements of the same color.
  • the light emitting layer 24 is formed so as to cover at least the corresponding anode 10 exposed from the opening 12A of the bank 12 .
  • Contact between the hole-transporting layer 22 and the electron-transporting layer 26 over or near the exposed region of the anode 10 causes reactive current to flow through the contact site, which does not contribute to the light emission of the light-emitting layer 24 . Therefore, it is preferable that the light emitting layer 24 further cover a part of the side surface of the bank 12 (specifically, a part near the outline of the corresponding opening 12A).
  • blue light is, for example, light having an emission center wavelength in the wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less.
  • green light means light having an emission center wavelength in a wavelength band of more than 500 nm and less than or equal to 600 nm, for example.
  • red light is, for example, light having an emission center wavelength in a wavelength band of more than 600 nm and less than or equal to 780 nm.
  • the light emitting element layer 6 is not limited to the above structure, and may further include an additional layer between the anode 10 and the cathode 16 .
  • the light-emitting device layer 6 may further comprise an electron-injecting layer between the electron-transporting layer 26 and the cathode 16 .
  • the light-emitting layer 24 may emit light of two colors or less, or may emit light of four colors or more.
  • Anode 10 and cathode 16 comprise a conductive material, at least one of which is a transparent electrode.
  • the electrode of the anode 10 and the cathode 16 that is closer to the display surface is the transparent electrode, and the electrode that is farther from the display surface is the reflective electrode.
  • both the anode 10 and the cathode 16 are transparent electrodes.
  • the transparent electrode can be formed from a light-transmitting conductive material.
  • the reflective electrode can be formed from a light-reflective conductive material, and can be formed from a laminate of a light-transmitting conductive material and a light-reflective conductive material.
  • Light-transmitting conductive materials include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO2), fluorine-doped tin oxide (FTO), and the like. Since these materials have high visible light transmittance, the luminous efficiency of the light-emitting element is improved.
  • As the light-reflective conductive material aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), silver alloys such as MgAg, and the like can be used. Since these materials have high visible light reflectance, the luminous efficiency of the light-emitting element is improved. It is also possible to use a light-transmitting conductive material having light-transmitting properties by forming a thin light-reflecting conductive material. It is also possible to use a light-reflecting conductive material as nanowires (NWs) and arrange the NWs in a network, thereby resulting in light-transmitting light-transmitting conductive material.
  • NWs nanowire
  • the anode 10 supplies holes to the light-emitting layer 24 and the cathode 16 supplies electrons to the light-emitting layer 24 .
  • Anode 10 is provided to face cathode 16 .
  • the hole-injection layer 20 contains a material having hole-transport properties, and has the function of injecting holes from the anode 10 into the hole-transport layer 22 or the light-emitting layer 24 .
  • the hole-transporting layer 22 contains a material having a hole-transporting property and functions to transport holes from the hole-injecting layer 20 or the anode 10 to the light-emitting layer 24 .
  • At least one of the hole injection layer 20 and the hole transport layer 22 preferably has a function of inhibiting transport of electrons from the light emitting layer 24 to the anode 10 .
  • the hole-transporting material can be appropriately selected from materials commonly used in the relevant field.
  • organic hole-transporting materials include polystyrenesulfonic acid-doped polyethylenedioxyphene (PEDOT:PSS), 4,4′,4′′-tris(9-carbazoyl)triphenylamine (TCTA), 4,4 '-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl (NPB), zinc phthalocyanine (ZnPC), di[4-(N,N-ditolylamino)phenyl]cyclohexane (TAPC), 4, 4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP), 2,3,6,7,10,11-hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene (HATCN) and the like materials, poly(N-vinylcarbazole) (PVK), poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene))--
  • the inorganic hole transport material examples include at least one of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, Sr, and W, and oxygen atoms. , a hydroxyl group, a carbon atom, and a material containing at least one selected from the group consisting of metal compounds containing at least one of nitrogen atoms.
  • the inorganic hole transport material is an oxide containing at least one of Zn, Cr, Ni, Ti, Nb, Al, Si, Mg, Ta, Hf, Zr, Y, La, and Sr. is preferred.
  • suitable inorganic hole-transporting materials also include metal-bonded CN, SCN, and SeCN groups, such as CuSCN. These inorganic hole transport materials may be nanoparticles (NP).
  • metal oxides similarly include not only single substances but also mixtures that are industrially produced and/or used.
  • Nanoparticle in the present disclosure means a particle having a maximum width of nano-order (less than 1000 nm).
  • the shape of the nanoparticles is not particularly limited as long as it satisfies the above maximum width, and is not limited to a spherical three-dimensional shape (circular cross-sectional shape).
  • a polygonal cross-sectional shape, a rod-like three-dimensional shape, a branch-like three-dimensional shape, a three-dimensional shape having an uneven surface, or a combination thereof may be used.
  • the hole injection layer 20 and the hole transport layer 22 preferably contain an inorganic hole transport material.
  • the inorganic hole-transporting material is preferably a metal oxide, in which case it has higher chemical stability.
  • inorganic materials are preferable and metal oxides are more preferable, which is common to all the elements, materials, or layers that constitute the active layer 14 .
  • the inorganic material or metal oxide is nanoparticulated. This is because surface area-dependent electrochemical activity is enhanced in the nanoparticle state compared to the bulk or deposited film state.
  • the hole injection layer 20 preferably contains nickel oxide as a hole transport material. This is because nickel oxide has high alkali resistance. Therefore, deterioration of the hole injection layer 20 can be reduced when an alkaline developer is used for patterning the light emitting layer 24 .
  • Nickel oxide in this disclosure means a compound containing nickel and oxygen. That is, the nickel oxide includes, for example, not only Ni 2 O 3 simple substance, NiO simple substance and Ni 2 O simple substance having uniform valences, but also any two or more kinds of Ni 2 O 3 , NiO, Ni 2 O having different valences. a mixture containing at least one of Ni 2 O 3 , NiO and Ni 2 O plus a nickel compound other than an oxide, or at least one of Ni 2 O 3 , NiO and Ni 2 O Also includes mixtures containing metal compounds other than nickel compounds. "Nickel oxide” in this disclosure includes mixtures produced and/or used industrially as nickel oxide.
  • a monomolecular film is provided on the surface of the hole-injection layer 20 (that is, between the hole-injection layer 20 and the hole-transport layer 22).
  • a monolayer may contain only one type of molecule or may contain two or more types of molecules.
  • the monolayer is preferably a self-assembled monolayer (SAM).
  • H denotes hydrogen
  • S denotes sulfur
  • C denotes carbon
  • N denotes nitrogen
  • Si denotes silicon
  • Cl denotes chlorine
  • Se denotes selenium
  • Te denotes tellurium
  • Mg magnesium
  • Br bromine
  • Li lithium
  • Ar represents an aryl group
  • X represents any of Cl, OCH 3 and OC 2 H 5 .
  • 2PACz, MeO-2PACz, and FOPA are particularly preferable as self-assembling molecules.
  • the electron-transporting layer 26 contains an electron-transporting material and has the function of transporting electrons from the cathode 16 to the light-emitting layer 24 .
  • the electron transport layer 26 preferably has a function of inhibiting transport of holes from the light emitting layer 24 to the cathode 16 .
  • organic electron transport materials suitable for the electron transport layer 26 include nitrogen-containing heterocycles such as oxadiazole rings, triazole rings, triazine rings, quinoline rings, phenanthroline rings, pyrimidine rings, pyridine rings, imidazole rings, and carbazole rings. Compounds and complexes containing one or more are included.
  • 1,10-phenanthroline derivatives such as bathocuproine and bathophenanthroline
  • benzimidazole derivatives such as 1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene (TPBI), tris(8- quinolinolato)aluminum complex (Alq3), bis(10-benzoquinolinolato)beryllium complex, 8-hydroxyquinoline Al complex, bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate aluminum complex, etc., 4 , 4′-biscarbazole biphenyl and the like.
  • TPBI 1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene
  • Alq3 tris(8- quinolinolato)aluminum complex
  • Alq3 bis(10-benzoquinolinolato)beryllium complex
  • 8-hydroxyquinoline Al complex bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-pheny
  • aromatic boron compounds aromatic silane compounds
  • aromatic phosphine compounds such as phenyldi(1-pyrenyl)phosphine, bathophenanthroline, bathocuproine, 2,2′,2′′-(1,3,5-benzenetriyl) )-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole) (TPBI)
  • TPBI 2,2′,2′′-(1,3,5-benzenetriyl)
  • nitrogen-containing heterocyclic compounds such as triazine derivatives, and the like.
  • Organic electron-transporting materials suitable for the electron-transporting layer 26 also include, for example, compounds having a paraphenylene vinylene skeleton. Specific examples include poly(2-2'-ethyl-hexoxy)-5-methoxy-1,4-phenylene vinylene (PPh-PPV) and other polyparaphenylene vinylene (PPV) compounds.
  • PPh-PPV poly(2-2'-ethyl-hexoxy)-5-methoxy-1,4-phenylene vinylene
  • PPV polyparaphenylene vinylene
  • Inorganic electron-transporting materials suitable for the electron-transporting layer 26 include oxides containing any one or more of Zn, Ni, Cr, Mg, Li, Ti, W, Mo, In, and Ga. . Among them, an oxide that tends to have a shift toward the oxygen-deficient side based on the stoichiometric composition is preferable. Examples include zinc oxide (ZnO), zinc magnesium oxide (MgZnO), titanium oxide (TiO2), strontium oxide (SrTiO3), and the like. These materials may be nanoparticles.
  • the electron transport layer 26 preferably contains an inorganic electron transport material.
  • the inorganic electron transport material is preferably a metal oxide, in which case the chemical stability is further enhanced. Zinc oxide-based materials are also most preferred.
  • the inorganic material or metal oxide is nanoparticulated.
  • the transparent electrode, the hole injection layer 20, the hole transport layer 22, and the electron transport layer 26 transmit light in the wavelength band used for display on the display device 2.
  • the light-emitting layer 24 is a layer that emits light when recombination of holes from the anode 10 and electrons from the cathode 16 occurs to excite the emitter and return to the ground state of the excited emitter. . By applying a voltage or current between the anode 10 and the cathode 16, recombination occurs in the light-emitting layer 24, resulting in light emission.
  • the light-emitting layer 24 contains quantum dots as emitters and ligands coordinated to the quantum dots.
  • Ligands in the present disclosure refer to molecules or ions that can bind to quantum dots. More specifically, a "ligand” includes not only molecules or ions that are currently bound to a quantum dot, but also molecules or ions that are capable of binding to a quantum dot but are not bound.
  • a quantum dot means a dot with a maximum width of 100 nm or less.
  • the shape of the quantum dot is not particularly limited as long as it satisfies the above maximum width, and is not limited to a spherical three-dimensional shape (circular cross-sectional shape).
  • a polygonal cross-sectional shape, a rod-like three-dimensional shape, a branch-like three-dimensional shape, a three-dimensional shape having an uneven surface, or a combination thereof may be used.
  • the quantum dots are, for example, semiconductor fine particles having a particle size of 100 nm or less, MgS, MgSe, MgTe, CaS, CaSe, CaTe, SrS, SrSe, SrTe, BaS, BaSe, BaTe, ZnS, Crystals of II-VI group semiconductor compounds such as ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, HgTe and/or III-V group semiconductor compounds such as GaAs, GaP, InN, InAs, InP and InSb, and/or may have crystals of group IV semiconductor compounds such as Si, Ge, and the like.
  • the quantum dot may have a core/shell structure in which the above semiconductor crystal is used as a core and the core is overcoated with a shell material having a large bandgap.
  • the shell does not necessarily have to completely cover the core, and may be formed on even a portion of the core.
  • the ligand can be appropriately selected from materials commonly used in the relevant field.
  • organic ligands include alkylthiols, alkylamines, alkylcarboxylic acids, and alkylated phosphorus.
  • Inorganic ligands include, for example, halide ions such as fluoride, chloride, bromide, and iodide ions.
  • the bank 12 may contain an insulating material.
  • Bank 12 may include, for example, polyimide resins, acrylic resins, novolac resins, fluorene resins, and the like.
  • the bank 12 can be formed by patterning a photosensitive resin material using photolithography, for example.
  • the photosensitive resin may be either negative or positive.
  • the sealing layer 8 covers the light emitting element layer 6 and seals each light emitting element included in the display device 2 .
  • the sealing layer 8 reduces permeation of moisture, oxygen, and the like from the outside of the display device 2 on the side of the sealing layer 8 into the light emitting element layer 6 and the like.
  • the sealing layer 8 may have, for example, a laminated structure of an inorganic sealing film made of an inorganic material and an organic sealing film made of an organic material.
  • the inorganic sealing film is formed by CVD, for example, and is composed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof.
  • the organic sealing film is composed of, for example, a coatable resin material including polyimide or the like.
  • FIG. 3 is a schematic flow chart showing an example of a method for manufacturing the display device 2 according to this embodiment.
  • the substrate 4 is formed (step S2).
  • the substrate 4 may be formed, for example, by forming a film substrate and TFTs on the film substrate on a rigid glass substrate, and then peeling the glass substrate from the film substrate.
  • the above-described peeling of the glass substrate may be performed after forming the light-emitting element layer 6 and the sealing layer 8, which will be described later.
  • substrate 4 may be formed, for example, by forming TFTs directly on a rigid glass substrate.
  • an anode 10 is formed on the substrate 4 (step S4).
  • the anode 10 may be formed, for example, by forming a thin film of a metal material by sputtering, vacuum deposition, or the like, and then patterning the thin film by dry etching or wet etching using a photoresist.
  • the anode 10R, the anode 10G, and the anode 10B which are formed in the shape of islands for each sub-pixel on the substrate 4, are obtained.
  • step S6 the bank 12 is formed by photolithography using a positive photosensitive resin. Specifically, for example, the upper surfaces of the substrate 4 and the anode 10 are coated with a positive photosensitive resin that will be the material of the bank 12 .
  • a photomask having a light-transmitting portion at a position corresponding to each sub-pixel is placed above the applied photosensitive resin, and ultraviolet light or the like is irradiated through the photomask. The photosensitive resin irradiated with ultraviolet light is then washed with a suitable developer. As a result, banks 12 are formed between positions corresponding to the sub-pixels on the substrate 4 .
  • a hole injection layer 20 is formed (step S8).
  • a hole-transporting material is dissolved in a solvent to obtain a material solution, and the material solution is applied onto the anode 10 and the bank 12 and solidified.
  • the hole injection layer 20 may be formed by other methods such as vacuum deposition or sputtering.
  • the hole transport layer 22 is formed (step S10).
  • a hole transport material is dissolved in a solvent to obtain a material solution, and the material solution is applied onto the hole injection layer 20 and solidified.
  • the hole transport layer 22 may be formed by other methods such as vacuum deposition or sputtering.
  • the light emitting layer 24 is formed (step S12). The formation of the light emitting layer 24 will be detailed later.
  • an electron transport layer 26 is formed (step S14).
  • an electron transport material is dissolved in a solvent to obtain a material solution, and the material solution is applied onto the light emitting layer 24 and the hole transport layer 22 and solidified.
  • the electron transport layer 26 may be formed by other methods such as, for example, vacuum deposition or sputtering.
  • the cathode 16 is formed (step S16).
  • the cathode 16 may be formed, for example, by forming a thin film of a metal material commonly for each sub-pixel by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like. Thus, the formation of the light emitting element layer 6 is completed.
  • a sealing layer 8 is formed (step S18).
  • the formation of the organic encapsulating film may be performed by applying an organic encapsulating material.
  • the sealing layer 8 includes an inorganic sealing film, the inorganic sealing film may be formed by a CVD method or the like. Thereby, a sealing layer 8 for sealing the light emitting element layer 6 is formed.
  • Functional films include, for example, a polarizing plate film, a sensor film having a touch sensor panel function, a protective film, an antireflection film, and the like.
  • FIG. 4 is a schematic flow diagram showing an example of the forming process (step S12) of the light emitting layer 24 according to this embodiment.
  • 5 to 15 are schematic cross-sectional views showing an example of the forming process (step S12) of the light emitting layer 24 according to this embodiment.
  • the red light-emitting layer 24R first light-emitting layer
  • the green light-emitting layer 24G second light-emitting layer
  • the blue light-emitting layer 24B third light-emitting layer
  • step S12 First, a red protective layer 30R (protective layer) is formed on the hole transport layer 22 (step S22), and a red photoresist is formed on the red protective layer 30R. A layer 32R (resist layer) is formed (step S24). As a result of steps S22 and S24, a red sacrificial layer 34R (first sacrificial layer) including a red protective layer 30R and a red photoresist layer 32R is formed.
  • Materials for the red protective layer 30R include, for example, acrylic resin, polyvinylpyrrolidone (PVP) resin, polyvinyl alcohol (PVA) resin, and polyethylene oxide (PEO) resin.
  • Examples of the material of the red photoresist layer 32R include photosensitive acrylic resin and photosensitive novolac resin.
  • the material of the red photoresist layer 32R deteriorates the hole transport layer 22 when it comes into contact with the hole transport layer 22. Therefore, in order to prevent the red photoresist layer 32R from contacting the hole transport layer 22, a red protective layer 30R covering the hole transport layer 22 is provided.
  • the red photoresist layer 32R is then patterned by photolithography so as to partially remove the red photoresist layer 32R (step S26). Specifically, at least the portion of the red photoresist layer 32R corresponding to the anode 10R of the red light emitting element 6R is removed. In step S26, the red photoresist layer 32R is exposed using a photomask and developed using a developer.
  • the red protective layer 30R is patterned so as to partially remove the red photoresist layer 32R by etching using the red photoresist layer 32R as a protective mask (step S28). Specifically, at least the portion of the red photoresist layer 32R corresponding to the anode 10R of the red light emitting element 6R is removed.
  • the etching in step S28 may be wet etching or dry etching. In order to reduce the cost and the number of steps required for manufacturing, the etching in step S28 is preferably wet etching with a developer in step S26.
  • a portion of the red sacrificial layer 34R is removed to expose the hole transport layer 22 corresponding to the anode 10R of the red light emitting element 6R. Specifically, at least the portion of the red photoresist layer 32R corresponding to the anode 10R is removed.
  • a red light emitting layer 44R (first light emitting layer) is formed on the red photoresist layer 32R and the hole transport layer 22 (step S30).
  • the red light-emitting layer 44R includes red quantum dots 40R (first quantum dots) that emit red light and red ligands 42R (first ligands) coordinated to the red quantum dots 40R.
  • the red quantum dots 40R deteriorate when they come into contact with the material of the red photoresist layer 32R.
  • the portion of the red light-emitting layer 44R that remains as the red light-emitting layer 24R after patterning is formed on the hole transport layer 22, and the portion of the red light-emitting layer 44R that is removed by patterning is the red photoresist layer 32R. formed on top.
  • the red quantum dots 40R contained in the patterned red light-emitting layer 24R do not contact the red photoresist layer 32R.
  • the red ligand 42R covers the surface of the red quantum dot 40R to protect the surface of the red quantum dot 40R.
  • the red light-emitting layer 44R is patterned by removing the red sacrificial layer 34R using the red stripping solution 54R (first stripping solution) according to the present embodiment (step S32).
  • the red stripping liquid 54R according to the present embodiment is supplied to the red light emitting layer 44R (step S320).
  • step S320 for example, the red stripping liquid 54R is applied or dropped onto the red light emitting layer 44R.
  • the red stripping liquid 54R according to the present embodiment is a liquid obtained by adding a red additive ligand 52R (second ligand) different from the red ligand 42R to the conventional stripping liquid 50R.
  • Red additive ligand 52R is preferably coordinable to red quantum dot 40R.
  • the conventional stripping solution 50R is a solution that can penetrate the red light emitting layer 44R and dissolve the red sacrificial layer 34R.
  • Conventional stripping solution 50R is an organic solvent containing, for example, acetone, PGMEA, PGME, DMSO, and the like. Therefore, the red stripping liquid 54R according to the present embodiment can also pass through the red light emitting layer 44R and dissolve the red sacrificial layer 34R.
  • the red ligand 42R is easily eluted from the red light emitting layer 44R into the conventional stripping solution 50R. This is because the concentration of the red ligand 42R in the red light emitting layer 44R is higher than the concentration of the red ligand 42R in the conventional stripping solution 50R. The concentration of red ligand 42R in conventional stripping solution 50R is zero or nearly zero. Then, the red ligand 42R in the red light-emitting layer 44R is reduced and the surface of the red quantum dot 40R is exposed.
  • the top surface 48R and side surfaces of the red light emitting layer 44R since it is eluted from the top surface 48R and side surfaces of the red light emitting layer 44R, the top surface 48R and side surfaces of the red light emitting layer 44R and the surfaces of the red quantum dots 40R located in the vicinity thereof are exposed.
  • the red added ligand 52R in the red stripping liquid 54R reduces the elution of the red ligand 42R. Therefore, the surface of the red quantum dot 40R is covered with the red ligand 42R and is sufficiently protected.
  • the red additive ligand 52R according to this embodiment is selected so as to reduce the elution of the red ligand 42R from the red light-emitting layer 44R to the red stripping solution 54R.
  • red additive ligand 52R has the same coordinating functional group as red quantum dot 40R.
  • selected from the group consisting of organic molecules or organic ions having Coordinating functional groups are, for example, droxyl groups, aldehyde groups, carboxyl groups, carbonyl groups, ether groups, amino groups, thiol groups and phosphine groups.
  • the red additional ligand 52R is selected from inorganic ions containing another halogen element.
  • Halogen elements include fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), and iodine (I).
  • the red additive ligand 52R is selected from inorganic ions containing another chalcogen element.
  • Chalcogen elements include oxygen (O), sulfur (S), selenium (Se), tellurium (Te) and polonium (Po).
  • the red additive ligand 52R can coordinate to the red quantum dot 40R
  • the red additive ligand 52R can bind to the surface of the red quantum dot 40R instead of the red ligand 42R. Therefore, the surface of the red quantum dot 40R is covered with the red ligand 42R and/or the red additive ligand 52R to be more sufficiently protected.
  • the process then waits for the red stripping solution 54R to permeate the red light-emitting layer 44R and dissolve the red sacrificial layer 34R (step S322).
  • step S322 for example, it is preferable to wait for 30 seconds or more so that the red stripping liquid 54R can sufficiently permeate.
  • step S322 for example, in order to prevent the red stripping liquid 54R from adversely affecting any one or more of the red light emitting layer 24R, the hole transport layer 22, and the hole injection layer 20, the standby time is set to 300 seconds or less. preferably.
  • the red stripping liquid 54R dissolves the red sacrificial layer 34R.
  • the portion of the red light emitting layer 44R formed on the red sacrificial layer 34R is removed.
  • the portion of the red light emitting layer 44R formed on the hole transport layer 22 remains as the red light emitting layer 24R.
  • the dissolved material of the red sacrificial layer 34R and the peeled material of the red light emitting layer 44R are liberated in the red stripping liquid 54R.
  • the dissolved material of red sacrificial layer 34R includes material 31R of red protective layer 30R and material 33R of red photoresist layer 32R.
  • the material 33R of the red photoresist layer 32R is likely to come into contact with the red quantum dots 40R, and the red quantum dots 40R contained in the red light emitting layer 24R are likely to deteriorate.
  • the red stripping solution 54R according to the present embodiment is supplied to the red light emitting layer 44R, the surfaces of the red quantum dots 40R are covered with the red ligands 42R and/or the red additive ligands 52R, as described above. Therefore, the material 33R of the red photoresist layer 32R is less likely to come into contact with the red quantum dots 40R, and the red quantum dots 40R are less likely to deteriorate.
  • the red stripping liquid 54R is then removed (step S324). Together with the red stripping liquid 54R, the dissolved material of the red sacrificial layer 34R and the stripped material of the red light emitting layer 44R are removed.
  • the red light emitting layer 44R is patterned to form a patterned red light emitting layer 24R (first light emitting layer) on the hole transport layer 22.
  • Patterned red light-emitting layer 24R includes red quantum dots 40R and red ligands 42R. Additionally, patterned red light-emitting layer 24R may further include red additive ligand 52R, if red additive ligand 52R is a ligand that is coordinable to red quantum dot 40R.
  • step S32 the red ligand 42R migrates from the surface of the red light emitting layer 44R or the red light emitting layer 24R to the red stripping liquid 54R. Therefore, if the distribution of the red ligand 42R in the red light-emitting layer 24R is uneven, the concentration of the red ligand 42R on the lower surface 46R (interface on the first electrode side) of the red light-emitting layer 24R and its vicinity is It is higher than the concentration in the upper surface 48R (the interface on the second electrode side) of the red light emitting layer 24R and its vicinity.
  • step S32 the red additive ligand 52R penetrates into the red light emitting layer 44R or the red light emitting layer 24R from the surface of the red light emitting layer 44R or the red light emitting layer 24R. Therefore, if the distribution of the red additive ligand 52R in the red light emitting layer 24R is uneven, the concentration of the red additive ligand 52R in the lower surface 46R of the red light emitting layer 24R and in the vicinity thereof is higher than that in the upper surface 48R of the red light emitting layer 24R. and less than the concentration in its vicinity.
  • step S34 it is determined whether or not the formation of the entire light emitting layer 24 has been completed. Then, since it is not completed (No), a series of steps including steps S22 to S34 are repeated.
  • a green protective layer 30G is formed on the red light emitting layer 24R and the hole transport layer 22 (step S22), and a green photoresist is formed on the green protective layer 30G.
  • a layer 32G is formed (step S24).
  • green sacrificial layer 34G (second sacrificial layer) including green protective layer 30G and green photoresist layer 32G is formed.
  • the green sacrificial layer 34G includes an overlapping region 36G (first region) overlapping the red light emitting layer 24R and a non-overlapping region 38G (second region) not overlapping the red light emitting layer 24R.
  • Materials for the green protective layer 30G include, for example, acrylic resin, polyvinylpyrrolidone (PVP) resin, polyvinyl alcohol (PVA) resin, and polyethylene oxide (PEO) resin.
  • the material of the green protective layer 30G may be the same as or different from the material of the red protective layer 30R.
  • Examples of the material of the green photoresist layer 32G include photosensitive acrylic resin, photosensitive novolak resin, and the like.
  • the material of the green photoresist layer 32G may be the same as or different from the material of the red photoresist layer 32R.
  • the material of the green photoresist layer 32G degrades the red quantum dots 40R and/or the hole transport layer 22 when it contacts the red quantum dots 40R and/or the hole transport layer 22. Therefore, in order to prevent the green photoresist layer 32G from contacting the red quantum dots 40R and the hole transport layer 22, a green protective layer 30G covering the red light emitting layer 24R and the hole transport layer 22 is provided.
  • the green photoresist layer 32G is patterned so as to remove at least part of the green photoresist layer 32G (step S26). Specifically, at least the portion of the green photoresist layer 32G corresponding to the anode 10G of the green light emitting element 6G is removed. In step S26, the green photoresist layer 32G is exposed using a photomask and developed using a developer.
  • the green protective layer 30G is patterned so as to remove at least a portion of the green photoresist layer 32G by etching using the green photoresist layer 32G as a protective mask (step S28). Specifically, at least the portion of the green photoresist layer 32G corresponding to the anode 10G of the green light emitting element 6G is removed.
  • the etching in step S28 may be wet etching or dry etching. In order to reduce the cost and the number of steps required for manufacturing, the etching in step S28 is preferably wet etching with a developer in step S26.
  • steps S26 and S28 At least part of the non-overlapping region 38G of the green sacrificial layer 34G is removed, exposing the hole transport layer 22 corresponding to the anode 10G of the green light emitting element 6G. Specifically, at least a portion of the non-overlapping region 38G of the green sacrificial layer 34G corresponding to the anode 10G of the green light emitting element 6G is removed.
  • a green light emitting layer 44G (second light emitting layer) is formed on the green photoresist layer 32G and the hole transport layer 22 (step S30).
  • the green light-emitting layer 44G includes green quantum dots 40G (second quantum dots) that emit green light, and green ligands 42G coordinated to the green quantum dots 40G.
  • the green quantum dots 40G deteriorate when they come into contact with the material of the green photoresist layer 32G.
  • the portion of the green light-emitting layer 44G that remains as the green light-emitting layer 24G after patterning is formed on the hole transport layer 22, and the portion of the green light-emitting layer 44G that is removed by patterning is the green photoresist layer 32G. formed on top.
  • green quantum dots 40G contained in patterned green light-emitting layer 24G do not contact green photoresist layer 32G.
  • the green ligand 42G covers the surface of the green quantum dot 40G to protect the surface of the green quantum dot 40G.
  • the green sacrificial layer 34G is removed using the green stripping solution 54G (second stripping solution) according to the present embodiment, thereby patterning the green light emitting layer 44G (step S32).
  • step S32 first, the green stripping solution 54G according to the present embodiment is supplied to the green light emitting layer 44G (step S320).
  • step S320 for example, the green stripping liquid 54G is applied or dropped onto the green light emitting layer 44G.
  • the green stripping solution 54G according to this embodiment is a solution obtained by adding a green additive ligand 52G (third ligand) different from the green ligand 42G to the conventional stripping solution 50G.
  • Green additive ligand 52G is preferably a ligand that can coordinate to green quantum dot 40G. Additionally or alternatively, green additive ligand 52G may be a ligand coordinable to red quantum dot 40R.
  • the conventional stripping solution 50G is a solution that can penetrate the green light emitting layer 44G and dissolve the green sacrificial layer 34G.
  • the conventional stripper 50G is an organic solvent containing, for example, acetone, PGMEA, PGME, DMSO, and the like.
  • the conventional stripping solution 50G may be the same as or different from the conventional stripping solution 50R. Therefore, the green stripping solution 54G according to the present embodiment can also pass through the green light emitting layer 44G and dissolve the green sacrificial layer 34G.
  • the green ligand 42G is easily eluted from the green light emitting layer 44G into the conventional stripping solution 50G. This is because the concentration of the green ligand 42G in the green light emitting layer 44G is higher than the concentration of the green ligand 42G in the conventional stripping solution 50G. The concentration of green ligand 42G in conventional stripping solution 50G is 0 or nearly 0. Then, the green ligand 42G in the green light-emitting layer 44G is reduced and the surface of the green quantum dot 40G is exposed.
  • the top surface 48G and side surfaces of the green light emitting layer 44G are exposed.
  • the green stripping solution 54G according to the present embodiment when supplied to the green light emitting layer 44G, the green added ligand 52G in the green stripping solution 54G reduces the elution of the green ligand 42G. Therefore, the surfaces of the green quantum dots 40G are covered with the green ligands 42G and sufficiently protected.
  • the green doping ligand 52G according to this embodiment is selected to reduce elution of the green ligand 42G from the green light-emitting layer 44G into the green stripping solution 54G.
  • green additive ligand 52G is capable of coordinating green quantum dot 40G, green additive ligand 52G can bind to the surface of green quantum dot 40G instead of green ligand 42G. Therefore, the surfaces of the green quantum dots 40G are covered with the green ligands 42G and/or the green additive ligands 52G to be more sufficiently protected.
  • step S322 wait for the green stripping solution 54G to permeate the green light-emitting layer 44G and dissolve the green sacrificial layer 34G (step S322).
  • step S322 it is preferable to wait for 30 seconds or longer so that the green stripping liquid 54G is sufficiently permeated.
  • step S322 waits to prevent the green stripping solution 54G from adversely affecting any one or more of the red light emitting layer 24R, the green light emitting layer 24G, the hole transport layer 22, and the hole injection layer 20. is preferably 300 seconds or less.
  • step S322 the green stripping solution 54G dissolves the green sacrificial layer 34G.
  • the portion of the green light emitting layer 44G formed on the green sacrificial layer 34G is removed.
  • the dissolved material of the green sacrificial layer 34G and the peeled material of the green light emitting layer 44G are liberated in the green peeling liquid 54G.
  • the dissolved material of green sacrificial layer 34G includes material 31G of green protective layer 30G and material 33G of green photoresist layer 32G.
  • the material 33G of the green photoresist layer 32G is likely to come into contact with the green quantum dots 40G, and the green quantum dots 40G contained in the green light emitting layer 44G are likely to deteriorate.
  • the green stripping solution 54G according to the present embodiment is supplied to the green light emitting layer 44G, the surfaces of the green quantum dots 40G are covered with the green ligand 42G and/or the green additive ligand 52G, as described above. Therefore, the material 33G of the green photoresist layer 32G is less likely to come into contact with the green quantum dots 40G, and the green quantum dots 40G are less likely to deteriorate.
  • the green peeling liquid 54G is then removed (step S324). Together with the green stripping liquid 54G, the dissolved material of the green sacrificial layer 34G and the stripped material of the green light emitting layer 44G are removed.
  • the green light-emitting layer 44G is patterned to form the patterned green light-emitting layer 24G on the hole transport layer 22 .
  • Patterned green light-emitting layer 24G includes green quantum dots 40G and green ligands 42G. Additionally, patterned green light-emitting layer 24G may further include green doped ligand 52G, if green doped ligand 52G is a ligand capable of coordinating green quantum dots 40G.
  • step S32 the green ligand 42G migrates from the surface of the green light-emitting layer 44G or the green light-emitting layer 24G to the green stripping solution 54G. Therefore, if the distribution of the green ligand 42G in the green light-emitting layer 24G is uneven, the concentration of the green ligand 42G in the lower surface 46G of the green light-emitting layer 24G and in the vicinity thereof is higher than that in the upper surface 48G of the green light-emitting layer 24G and its vicinity. Greater than the concentration in the neighborhood.
  • step S32 the green additive ligand 52G penetrates into the green light emitting layer 44G or the green light emitting layer 24G from the surface of the green light emitting layer 44G or the green light emitting layer 24G. Therefore, if the distribution of the green doped ligand 52G in the green light emitting layer 24G is uneven, the concentration of the green doped ligand 52G in the lower surface 46G of the green light emitting layer 24G and the concentration in the vicinity thereof is higher than that in the upper surface 48G of the green light emitting layer 24G. and less than the concentration in its vicinity.
  • the red light emitting layer 24R after removing the green sacrificial layer 34G may further contain the green additive ligand 52G.
  • the green additive ligand 52G penetrates into the red light emitting layer 24R from the surface of the red light emitting layer 24R. Therefore, if the distribution of the green additive ligand 52G in the red light emitting layer 24R is uneven, the concentration of the green additive ligand 52G in the lower surface 46R of the red light emitting layer 24R and the concentration in the vicinity thereof is higher than that in the upper surface 48R of the red light emitting layer 24R. and less than the concentration in its vicinity.
  • step S34 it is determined whether or not the formation of the entire light emitting layer 24 has been completed. Then, since it is not completed (No), a series of steps including steps S22 to S34 are repeated.
  • step S34 the blue protective layer 30B is formed on the green light-emitting layer 24G, the red light-emitting layer 24R, and the hole transport layer 22 (step S22).
  • a blue photoresist layer 32B is formed thereon (step S24).
  • blue sacrificial layer 34B (third sacrificial layer) including blue protective layer 30B and blue photoresist layer 32B is formed.
  • the blue sacrificial layer 34B includes an overlapping region 36B (third region) that overlaps at least one of the red light emitting layer 24R and the green light emitting layer 24G, and a non-overlapping region 38B that overlaps neither the red light emitting layer 24R nor the green light emitting layer 24G ( fourth area).
  • Materials for the blue protective layer 30B include, for example, acrylic resin, polyvinylpyrrolidone (PVP) resin, polyvinyl alcohol (PVA) resin, and polyethylene oxide (PEO) resin.
  • the material of blue protective layer 30B may be the same as or different from the material of green protective layer 30G and/or red protective layer 30R.
  • Materials for the blue photoresist layer 32B include, for example, a photosensitive acrylic resin, a photosensitive novolac resin, and the like.
  • the material of blue photoresist layer 32B may be the same as or different from the material of green photoresist layer 32G and/or red photoresist layer 32R.
  • blue photoresist layer 32B degrades green quantum dots 40G, red quantum dots 40R and/or hole transport layer 22 when in contact with green quantum dots 40G, red quantum dots 40R and/or hole transport layer 22. . Therefore, in order to prevent the blue photoresist layer 32B from contacting the green quantum dots 40G, the red quantum dots 40R and the hole transport layer 22, the red light emitting layer 24R, the green light emitting layer 24G and the hole transport layer 22 are formed.
  • a covering blue protective layer 30B is provided.
  • the blue photoresist layer 32B is patterned so as to partially remove the blue photoresist layer 32B (step S26). Specifically, at least the portion of the blue photoresist layer 32B corresponding to the anode 10B of the blue light emitting element 6B is removed. In step S26, the blue photoresist layer 32B is exposed using a photomask and developed using a developer.
  • the blue protective layer 30B is patterned so as to partially remove the blue photoresist layer 32B by etching using the blue photoresist layer 32B as a protective mask (step S28). Specifically, at least the portion of the blue photoresist layer 32B corresponding to the anode 10B of the blue light emitting element 6B is removed.
  • the etching in step S28 may be wet etching or dry etching. In order to reduce the cost and the number of steps required for manufacturing, the etching in step S28 is preferably wet etching with a developer in step S26.
  • steps S26 and S28 At least part of the non-overlapping region 38B of the blue sacrificial layer 34B is removed, exposing the hole transport layer 22 corresponding to the anode 10B of the blue light emitting element 6B. Specifically, at least the portion corresponding to the anode 10B of the blue light emitting element 6B in the non-overlapping region 38B of the blue sacrificial layer 34B is removed.
  • a blue light-emitting layer 44B (third light-emitting layer) is formed on the blue photoresist layer 32B and the hole transport layer 22 (step S30).
  • the blue light-emitting layer 44B includes blue quantum dots 40B (third quantum dots) that emit blue light, and blue ligands 42B coordinated to the blue quantum dots 40B.
  • the blue quantum dots 40B deteriorate when they come into contact with the material of the blue photoresist layer 32B.
  • the portion of the blue light-emitting layer 44B that remains as the blue light-emitting layer 24B after patterning is formed on the hole transport layer 22, and the portion of the blue light-emitting layer 44B that is removed by patterning is the portion of the blue photoresist layer 32B. formed on top.
  • blue quantum dots 40B contained in patterned blue light-emitting layer 24B do not contact blue photoresist layer 32B.
  • the blue ligand 42B covers the surface of the blue quantum dot 40B to protect the surface of the blue quantum dot 40B.
  • the blue sacrificial layer 34B is removed using the blue stripping solution 54B (third stripping solution) according to the present embodiment, thereby patterning the blue light emitting layer 44B (step S32).
  • step S32 first, the blue stripping liquid 54B according to the present embodiment is supplied to the blue light emitting layer 44B (step S320).
  • step S320 for example, the blue stripping liquid 54B is applied or dropped onto the blue light emitting layer 44B.
  • the blue stripping solution 54B according to the present embodiment is a solution obtained by adding a blue additive ligand 52B (fourth ligand) different from the blue ligand 42B to the conventional stripping solution 50B.
  • Blue additive ligand 52B is preferably a ligand that can coordinate to blue quantum dot 40B. Additionally or alternatively, blue additive ligand 52B may be a ligand capable of coordinating with one or more of red quantum dots 40R and green quantum dots 40G.
  • the conventional stripping solution 50B is a solution that can penetrate the blue light-emitting layer 44B and dissolve the blue sacrificial layer 34B.
  • the conventional stripping solution 50B is an organic solvent containing, for example, acetone, PGMEA, PGME, DMSO, and the like.
  • the conventional stripping solution 50B may be the same as or different from the conventional stripping solutions 50R and 50G. Therefore, the blue stripping solution 54B according to the present embodiment can also pass through the blue light emitting layer 44B and dissolve the blue sacrificial layer 34B.
  • the blue ligand 42B is easily eluted from the blue light emitting layer 44B into the conventional stripping solution 50B. This is because the concentration of the blue ligand 42B in the blue light emitting layer 44B is higher than the concentration of the blue ligand 42B in the conventional stripping solution 50B. The concentration of blue ligand 42B in conventional stripping solution 50B is zero or nearly zero. Then, the blue ligand 42B in the blue light-emitting layer 44B is reduced and the surfaces of the blue quantum dots 40B are exposed.
  • the top surface 48B and side surfaces of the blue light emitting layer 44B are exposed.
  • the blue stripping solution 54B according to the present embodiment when supplied to the blue light emitting layer 44B, the blue added ligand 52B in the blue stripping solution 54B reduces the elution of the blue ligand 42B. Therefore, the surface of the blue quantum dot 40B is covered with the blue ligand 42B and sufficiently protected. Conversely, the green doping ligand 52G according to this embodiment is selected to reduce the elution of the blue ligand 42B from the blue light-emitting layer 44B into the blue stripping solution 54B.
  • blue additive ligand 52B is capable of coordinating blue quantum dot 40B
  • blue additive ligand 52B can bind to the surface of blue quantum dot 40B instead of blue ligand 42B. Therefore, the surfaces of the blue quantum dots 40B are covered with the blue ligands 42B and/or the blue additive ligands 52B to be more sufficiently protected.
  • the blue stripping solution 54B then waits to penetrate the blue light-emitting layer 44B and dissolve the blue sacrificial layer 34B (step S322).
  • step S322 for example, it is preferable to wait for 30 seconds or longer so that the blue stripping liquid 54B is sufficiently permeated.
  • Step S322 prevents the blue stripping solution 54B from adversely affecting any one or more of the red light emitting layer 24R, the green light emitting layer 24G, the blue light emitting layer 24B, the hole transport layer 22, and the hole injection layer 20. Therefore, it is preferable to wait for 300 seconds or less.
  • step S322 the blue stripping solution 54B dissolves the blue sacrificial layer 34B. As a result, the portion of the blue light emitting layer 44B formed on the blue sacrificial layer 34B is removed. Then, the dissolved material of the blue sacrificial layer 34B and the peeled material of the blue light-emitting layer 44B are liberated in the blue peeling liquid 54B.
  • the dissolved material of blue sacrificial layer 34B includes material 31B of blue protective layer 30B and material 33B of blue photoresist layer 32B.
  • the conventional stripping solution 50B is supplied to the blue light emitting layer 44B, the surfaces of the blue quantum dots 40B are exposed as described above. Therefore, the material 33B of the blue photoresist layer 32B is likely to come into contact with the blue quantum dots 40B, and the blue quantum dots 40B contained in the blue light emitting layer 44B are likely to deteriorate.
  • the blue stripping solution 54B according to the present embodiment is supplied to the blue light emitting layer 44B, the surfaces of the blue quantum dots 40B are covered with the blue ligand 42B and/or the blue additive ligand 52B, as described above. Therefore, the material 33B of the blue photoresist layer 32B is less likely to come into contact with the blue quantum dots 40B, and the blue quantum dots 40B are less likely to deteriorate.
  • the blue stripping liquid 54B is then removed (step S324). Together with the blue stripping liquid 54B, the dissolved material of the blue sacrificial layer 34B and the stripped material of the blue light emitting layer 44B are removed.
  • the blue light-emitting layer 44B is patterned to form the patterned blue light-emitting layer 24B on the hole transport layer 22 .
  • Patterned blue light-emitting layer 24B includes blue quantum dots 40B and blue ligands 42B. Additionally, patterned blue light-emitting layer 24B may further include blue additive ligand 52B, if blue additive ligand 52B is a ligand capable of coordinating blue quantum dots 40B.
  • step S32 the blue ligand 42B migrates from the surface of the blue light-emitting layer 44B or the blue light-emitting layer 24B to the blue stripping solution 54B. Therefore, if the distribution of the blue ligand 42B in the blue light-emitting layer 24B is uneven, the concentration of the blue ligand 42B in the lower surface 46B of the blue light-emitting layer 24B and its vicinity is higher than that in the upper surface 48B of the blue light-emitting layer 24B and its vicinity. Greater than the concentration in the neighborhood.
  • step S32 the blue additive ligand 52B penetrates into the blue light-emitting layer 44B or the blue light-emitting layer 24B from the surface of the blue light-emitting layer 44B or the blue light-emitting layer 24B. Therefore, if the distribution of the blue additive ligand 52B in the blue light emitting layer 24B is uneven, the concentration of the blue additive ligand 52B in the lower surface 46B of the blue light emitting layer 24B and in the vicinity thereof is higher than that in the upper surface 48B of the blue light emitting layer 24B. and less than the concentration in its vicinity.
  • the red light emitting layer 24R after removing the blue sacrificial layer 34B may further contain the blue additive ligand 52B.
  • blue doped ligand 52B is a ligand that can coordinate to green quantum dots 40G
  • green light-emitting layer 24G after removal of blue sacrificial layer 34B may further include blue doped ligand 52B.
  • the blue additive ligand 52B penetrates inside from the surface of the red light emitting layer 24R and/or the green light emitting layer 24G.
  • the concentration of the blue additive ligand 52B will be higher than the lower surface 46R of the red light-emitting layer 24R and/or the green light-emitting layer 24G.
  • 46G and its vicinity is smaller than the concentration at and near the upper surfaces 48R, 48G of the red light emitting layer 24R and/or the green light emitting layer 24G.
  • step S32 it is determined whether or not the formation of the entire light emitting layer 24 has been completed (step S34). Then, since it is completed (Yes), step S12 is ended.
  • the red light-emitting layer 24R, the green light-emitting layer 24G, and the blue light-emitting layer 24B are each protected from ligand starvation and deterioration due to the resist material. This has the effect of improving the life and reliability of the display device 2 .
  • each contains a halide ion to improve the .
  • each is configured to include at least one of a tetrabutylammonium halide such as TBAF, TBACl, TBABr, TBAI, and a zinc halide such as ZnF2 , ZnCl2 , ZnBr2 , ZnI2 . preferably.
  • TBA tetrabutylammonium
  • Zn zinc
  • F fluorine
  • Cl chlorine
  • Br bromine
  • I iodine
  • the red additive ligand 52R is different from the red ligand 42R. This means that the substance that constitutes the red ligand 42R and the substance that constitutes the red additive ligand 52R are different.
  • green additive ligand 52G differs from green ligand 42G. This means that the substance that constitutes the green ligand 42G and the substance that constitutes the green additive ligand 52G are different.
  • blue additive ligand 52B is different from blue ligand 42B. This means that the material that constitutes the blue ligand 42B and the material that constitutes the blue additive ligand 52B are different. For example, if red ligand 42R is dodecanethiol, red additive ligand 52R is not dodecanethiol.
  • the red ligand 42R, the green ligand 42G, and the blue ligand 42B may be the same or different.
  • the red additive ligand 52R, the green additive ligand 52G, and the blue additive ligand 52B may each be the same or different.
  • red ligand 42R may be the same as or different from green additive ligand 52G and/or blue additive ligand 52B.
  • green ligand 42G may be the same as or different from red additive ligand 52R and/or blue additive ligand 52B.
  • blue ligand 42B may be the same as or different from red additive ligand 52R and/or green additive ligand 52G.
  • the electron transport property of the red additive ligand 52R is preferably lower than the electron transport property of the red ligand 42R. Specifically, it is preferred that the red additive ligand 52R has a longer chain shape than the red ligand 42R.
  • the concentration of red doped ligand 52R is greater at and near top surface 48R of red light emitting layer 24R than at and near bottom surface 46R of red light emitting layer 24R.
  • the lower surface 46R is on the anode 10 side
  • the upper surface 48R is on the cathode 16 side.
  • light-emitting devices typically tend to operate in an excess of electrons. Therefore, in this case, the carrier balance of the red light emitting element 6R can be adjusted by reducing the electron injection from the cathode 16 to the red light emitting layer 24R.
  • X has a longer chain shape than Y
  • Y has a long chain structure such as an alkyl group
  • the molecular length of the substance constituting X is greater than Y It means longer than the molecular length of the constituent substance.
  • green additive ligand 52G can coordinate to red quantum dots 40R and/or green quantum dots 40G
  • the electron transport properties of green additive ligand 52G are greater than the electron transport properties of red ligand 42R and/or green ligand 42G. is preferably low.
  • the green additive ligand 52G is of longer chain form than the red ligand 42R and/or the green ligand 42G. This reduces electron injection from the cathode 16 to the red light emitting layer 24R and/or the green light emitting layer 24G, thereby adjusting the carrier balance of the red light emitting element 6R and/or the green light emitting element 6G.
  • blue additive ligand 52B is also capable of coordinating to red quantum dot 40R, green quantum dot 40G and/or blue quantum dot 40B, then the electron transport properties of blue additive ligand 52B are reduced to red ligand 42R, green ligand 42G and/or lower than the electron-transporting property of the blue ligand 42B.
  • the blue additive ligand 52B has a longer chain configuration than the red ligand 42R, the green ligand 42G and/or the blue ligand 42B.
  • ⁇ Ligand Bias> As described above, the distribution of ligands in the light-emitting layer 24 can be biased. The presence or absence and degree of this bias can be revealed by various means. For simplification of explanation, the red light emitting layer 24R in which the red additive ligand 52R can be coordinated to the red quantum dot 40R will be explained as an example.
  • the cross section of the red light emitting layer 24R is imaged or observed using an SEM.
  • a sample collected from the vicinity of the lower surface 46R of the red light emitting layer 24R (hereinafter referred to as "upper sample”) ) and a sample collected from the vicinity of the upper surface 48R of the red light emitting layer 24R (hereinafter referred to as “lower sample”) are analyzed using column chromatography filled with the adsorbent.
  • an upper sample and a lower sample of the red light-emitting layer 24R are dissolved in a solvent, each solution is poured into a column, the solution discharged from the column is recovered, and the concentration of the red additive ligand 52R in each recovered solution is measured. and compare.
  • the red ligand 42R is difficult to dissolve in a solvent and the red additive ligand 52R is difficult to dissolve in the solvent
  • the upper sample and the lower sample of the red light emitting layer 24R are dissolved in the solvent and filtered, and the red additive in each filtrate is filtered.
  • the upper sample and the lower sample of the red light emitting layer 24R are analyzed using an X-ray analyzer. Specifically, the magnitude of the peak frequency corresponding to the element or functional group in each sample is measured and compared.
  • the upper sample and the lower sample of the red light emitting layer 24R are analyzed by a mass spectrometer (Mass Analyze using Spectrometer: MS).
  • the green additive ligand 52G according to this embodiment is different from the red ligand 42R contained in the red light-emitting layer 24R and is selected so as to reduce the elution of the red ligand 42R from the red light-emitting layer 24R into the green stripping solution 54G.
  • the green additive ligand 52G according to this embodiment is preferably capable of coordinating with the red quantum dots 40R.
  • the green additive ligand 52G according to this embodiment may be the same as or different from the green ligand 42G contained in the green light emitting layer 44G.
  • the blue additive ligand 52B according to the present embodiment is (1) different from the red ligand 42R contained in the red light emitting layer 24R and reduces the elution of the red ligand 42R from the red light emitting layer 24R to the blue stripping liquid 54B. and/or (2) different from green ligands 42G contained in green light-emitting layer 24G and selected to reduce elution of green ligands 42G from green light-emitting layer 24G into blue stripping solution 54B. It is characterized by
  • blue additive ligands 52B according to this embodiment are preferably capable of coordinating with red quantum dots 40R and/or green quantum dots 40G.
  • the blue additive ligand 52B according to this embodiment may be the same as or different from the blue ligand 42B contained in the blue light-emitting layer 44B.
  • the method according to the present embodiment is the same as the method according to the first embodiment described above except for the points described above.
  • step S322 in step S12 for forming the green light emitting layer 24G the green stripping solution 54G dissolves the green sacrificial layer 34G.
  • the material 33G of the green photoresist layer 32G is liberated in the green stripping solution 54G, and the green stripping solution 54G is in direct contact with the red light emitting layer 24R.
  • the red ligand 42R is easily eluted from the red light emitting layer 24R into the conventional stripping solution 50G. This is because the concentration of the red ligand 42R in the red light emitting layer 24R is higher than the concentration of the red ligand 42R in the conventional stripping solution 50G. The concentration of red ligand 42R in conventional stripping solution 50G is 0 or nearly 0. Then, the red ligand 42R in the red light-emitting layer 24R is reduced and the surface of the red quantum dot 40R is exposed.
  • the top surface 48R and side surfaces of the red light emitting layer 24R since it is eluted from the top surface 48R and side surfaces of the red light emitting layer 24R, the top surface 48R and side surfaces of the red light emitting layer 24R and the surfaces of the red quantum dots 40R located in the vicinity thereof are exposed. Therefore, the material 33G of the green photoresist layer 32G is likely to come into contact with the red quantum dots 40R, and the red quantum dots 40R contained in the red light emitting layer 24R are likely to deteriorate.
  • the green added ligand 52G reduces the elution of the red ligand 42R. Therefore, the surface of the red quantum dot 40R is covered with the red ligand 42R and is sufficiently protected. Additionally, if green additive ligand 52G is capable of coordinating red quantum dot 40R, green additive ligand 52G can bind to the surface of red quantum dot 40R instead of red ligand 42R. Therefore, the surface of the red quantum dot 40R is covered with the red ligand 42R and/or the green additive ligand 52G to be more sufficiently protected. Therefore, the material 33G of the green photoresist layer 32G is less likely to come into contact with the red quantum dots 40R, and the red quantum dots 40R are less likely to deteriorate.
  • step S322 in step S12 for forming the blue light emitting layer 24B the blue stripping solution 54B dissolves the blue sacrificial layer 34B.
  • the material 33B of the blue photoresist layer 32B is liberated in the blue stripping solution 54B, and the blue stripping solution 54B is in direct contact with the red light emitting layer 24R and the green light emitting layer 24G.
  • the red quantum dots 40R contained in the red light emitting layer 24R and the green quantum dots 40G contained in the green light emitting layer 24G deteriorate. easy.
  • the blue stripping solution 54B according to the present embodiment is supplied to the blue light emitting layer 44B, the red quantum dots 40R included in the red light emitting layer 24R and the green quantum dots 40G included in the green light emitting layer 24G are less likely to deteriorate.
  • the red light-emitting layer 24R and the green light-emitting layer 24G are each protected from ligand starvation and deterioration due to the resist material. This has the effect of improving the life and reliability of the display device 2 .
  • green additive ligand 52G is different from red ligand 42R.
  • red ligand 42R is oleic acid
  • green additive ligand 52G is not oleic acid.
  • the red ligand 42R, the green ligand 42G, and the blue ligand 42B may be the same or different.
  • the red additive ligand 52R, the green additive ligand 52G, and the blue additive ligand 52B may each be the same or different.
  • the red ligand 42R may be the same as or different from the red additive ligand 52R.
  • green ligand 42G may be the same as or different from red additive ligand 52R and/or green additive ligand 52G.
  • blue ligand 42B may be the same as or different from red additive ligand 52R, green additive ligand 52G and/or blue additive ligand 52B.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing an example of the step of forming the light-emitting layer 24 (step S12) according to this embodiment.
  • the red stripping liquid 54R is a liquid obtained by adding a red ligand 42R to the conventional stripping liquid 50R.
  • the red ligand 42R in the red stripping solution 54R reduces the elution of the red ligand 42R from the red light emitting layer 44R and the red light emitting layer 24R into the red stripping solution 54R.
  • the red ligand 42R in the red stripping liquid 54R can be coordinated to the red quantum dot 40R.
  • the green stripping solution 54G is a solution obtained by adding a green ligand 42G to the conventional stripping solution 50G.
  • Green ligand 42G in green stripper 54G reduces elution of green ligand 42G from green light-emitting layer 44G and green light-emitting layer 24G into green stripper 54G.
  • the green ligand 42G in the green stripping solution 54G can be coordinated to the green quantum dot 40G.
  • green ligand 42G in green stripper 54G may be capable of coordinating to red quantum dot 40R.
  • the blue stripping solution 54B is a solution obtained by adding a blue ligand 42B to the conventional stripping solution 50B.
  • the blue ligand 42B in the blue stripping solution 54B reduces the elution of the blue ligand 42B from the blue light emitting layer 44B and the blue light emitting layer 24B into the blue stripping solution 54B.
  • the blue ligand 42B in the blue stripping solution 54B can be coordinated to the blue quantum dots 40B.
  • blue ligands 42B in blue stripper solution 54B may be capable of coordinating to red quantum dots 40R and/or green quantum dots 40G.
  • the method according to the present embodiment is the same as the method according to the first embodiment described above except for the points described above. Therefore, the method and configuration according to this embodiment have the same effect as the method and configuration according to the first embodiment.
  • the red light emitting layer 24R includes red quantum dots 40R and red ligands 42R. Additionally, if green ligand 42G is a ligand that can coordinate to red quantum dots 40R, red light emitting layer 24R after removal of green sacrificial layer 34G may further include green ligand 42G. Moreover, when the blue ligand 42B is a ligand that can be coordinated to the red quantum dots 40R, the red light emitting layer 24R after removing the blue sacrificial layer 34B may further include the blue ligand 42B. In step S32, the green ligand 42G and/or the blue ligand 42B enter from the surface of the red light emitting layer 24R.
  • the concentration of the green ligand 42G and/or the blue ligand 42B will be the same as that of the lower surface of the red light emitting layer 24R and its vicinity. is lower than the concentration at and near the upper surface of the red light emitting layer 24R.
  • the green light-emitting layer 24G includes green quantum dots 40G and green ligands 42G. Additionally, if the blue ligand 42B is a ligand that can coordinate to the green quantum dots 40G, the green light-emitting layer 24G after removing the blue sacrificial layer 34B may further include the blue ligand 42B. In step S32, the blue ligand 42B penetrates inside from the surface of the green light emitting layer 24G.
  • the concentration of the blue ligand 42B at and near the bottom surface of the green light-emitting layer 24G is higher than at and near the top surface of the green light-emitting layer 24G. less than concentration.
  • the blue light-emitting layer 24B includes blue quantum dots 40B and blue ligands 42B.
  • Steps S2 to S18 were executed in order.
  • step S12 a series of steps including steps S22 to S32 (see FIG. 4) were performed only once.
  • step S22 a red protective layer 30R containing an acrylic resin was formed on the hole transport layer 22.
  • step S24 a red photoresist layer 32R including a photosensitive acrylic resin layer was formed on the red protective layer 30R.
  • a red light emitting layer 44R containing red quantum dots 40R and red ligands 42R was formed on the hole transport layer 22 and the red photoresist layer 32R.
  • the red quantum dots 40R were of InP/ZnS core-shell type.
  • the red quantum dots 40R can absorb light with a wavelength of about 365 nm and emit light with a wavelength of about 640 nm as long as they do not deteriorate.
  • Red ligand 42R was dodecanethiol.
  • a red stripping solution 54R obtained by adding dodecanethiol to a conventional stripping solution 50R was supplied to the red light emitting layer 44R.
  • the conventional stripping solution 50R was PGME.
  • the dodecanethiol concentration in the red stripping solution 54R was 0.3 mol/L.
  • the display device 2 according to Example 1 was formed.
  • step S32 a conventional stripping solution 50R containing no red ligand 42R was supplied to the red light emitting layer 44R.
  • the display device 2 according to Comparative Example 1 was formed in the same manner as the display device 2 according to Example 1 in other respects.
  • Comparative example 2 A display device 2 according to Comparative Example 2 was formed in the same manner as the display device 2 according to Comparative Example 1.
  • FIG. 1 A display device 2 according to Comparative Example 2 was formed in the same manner as the display device 2 according to Comparative Example 1.
  • FIG. 17 is a graph showing temporal changes in fluorescence intensity of the display devices 2 according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2.
  • FIG. 17 is a graph showing temporal changes in fluorescence intensity of the display devices 2 according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2.
  • the display areas DA of the display devices 2 according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were irradiated with light having a wavelength of about 365 nm at a constant intensity, and the intensity of the light having a wavelength of about 640 nm emitted from the display areas DA was measured. bottom.
  • the temporal changes in fluorescence intensity according to Examples 1 and 2 substantially match each other, and the temporal changes in fluorescence intensity according to Comparative Examples 1 and 2 substantially match each other.
  • the temporal change in fluorescence intensity according to Examples 1 and 2 is clearly different from the temporal change in fluorescence intensity according to Comparative Examples 1 and 2. This indicates that the difference between Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 is not a manufacturing error. Therefore, adding a ligand to the stripping solution provides a significant performance difference.
  • the attenuation of the fluorescence intensity according to Examples 1 and 2 is gentler than the attenuation of the fluorescence intensity according to Comparative Examples 1 and 2, and the fluorescence intensity according to Examples 1 and 2 is lower than that according to Comparative Examples 1 and 2. Greater than fluorescence intensity. This indicates that the fluorescence lifetime of the red quantum dots 40R in Examples 1 and 2 is longer than the fluorescence lifetime of the red quantum dots 40R in Comparative Examples 1 and 2. Therefore, by adding a ligand to the stripping solution, the life and reliability of the light-emitting element can be improved, so that the life and reliability of the display device 2 can be improved.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing an example of the step of forming the light-emitting layer 24 (step S12) according to this embodiment.
  • the green stripping solution 54G is a solution obtained by adding a red ligand 42R to the conventional stripping solution 50G.
  • the red ligand 42R in the green stripping solution 54G reduces the elution of the red ligand 42R from the red light-emitting layer 24R into the green stripping solution 54G.
  • the red ligand 42R in the green stripping solution 54G can be coordinated with the red quantum dot 40R.
  • the red quantum dots 40R in the green stripper 54G may be capable of coordinating to the green quantum dots 40G.
  • the blue stripping solution 54B is a solution obtained by adding a red ligand 42R and/or a green ligand 42G to the conventional stripping solution 50B.
  • the red ligand 42R in the blue stripping solution 54B reduces the elution of the red ligand 42R from the red light emitting layer 24R into the blue stripping solution 54B.
  • the red ligand 42R in the blue stripping liquid 54B can be coordinated to the red quantum dot 40R.
  • red ligands 42R in blue stripper solution 54B may be coordinable to green quantum dots 40G and/or blue quantum dots 40B.
  • green ligand 42G in blue stripping solution 54B reduces elution of green ligand 42G from green light-emitting layer 24G into blue stripping solution 54B.
  • the green ligand 42G in the blue stripping solution 54B can be coordinated to the green quantum dot 40G.
  • green ligands 42G in blue stripper 54B may be coordinable to red quantum dots 40R and/or blue quantum dots 40B.
  • the method according to this embodiment is the same as the method according to the above-described second embodiment except for the points described above. Therefore, the method and configuration according to this embodiment have the same effect as the method and configuration according to the above-described second embodiment.
  • the red light emitting layer 24R includes red quantum dots 40R and red ligands 42R.
  • the green ligand 42G is a ligand that can be coordinated to the red quantum dots 40R, and the blue stripping solution 54B contains the green ligand 42G
  • the red light-emitting layer 24R after removing the blue sacrificial layer 34B further contains the green ligand 42G may be included.
  • the green ligand 42G penetrates inside from the surface of the red light emitting layer 24R.
  • the concentration of the green ligand 42G at and near the bottom surface of the red light-emitting layer 24R is higher than that at and near the top surface of the red light-emitting layer 24R. less than concentration.
  • the green light-emitting layer 24G includes green quantum dots 40G and green ligands 42G.
  • the red ligand 42R is a ligand capable of coordinating with the green quantum dots 40G
  • the blue stripping solution 54B contains the red ligand 42R
  • the green light-emitting layer 24G after removing the blue sacrificial layer 34B further contains the red ligand 42R may be included.
  • the red ligand 42R penetrates inside from the surface of the green light emitting layer 24G in step S32.
  • the concentration of the red ligand 42R at and near the lower surface of the green light-emitting layer 24G is lower than that at and near the upper surface of the green light-emitting layer 24G. less than concentration.
  • the blue light-emitting layer 24B includes blue quantum dots 40B and blue ligands 42B. Additionally, if green ligand 42G is a ligand capable of coordinating blue quantum dots 40B and blue stripping solution 54B includes green ligand 42G, patterned blue light-emitting layer 24B may further include green ligand 42G. Also, when the red ligand 42R is a ligand that can coordinate to the blue quantum dots 40B and the blue stripping solution 54B contains the red ligand 42R, the patterned blue light-emitting layer 24B may further contain the red ligand 42R.
  • the concentrations of the red ligand 42R and/or the green ligand 42G in the lower surface of the blue light-emitting layer 24B and in the vicinity thereof differ from those of the blue light-emitting layer 24B. It is lower than the concentration in and near the upper surface of the light emitting layer 24B.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of the schematic configuration of the display area DA of the display device 2 according to this embodiment.
  • FIG. 20 is a schematic flow diagram showing an example of a method for manufacturing the display device 2 according to this embodiment.
  • the light-emitting element layer 6 includes a cathode 116 (first electrode) on the substrate 4, an anode 110 (second electrode) facing the cathode 116, a bank 12, and an anode. 110 and active layer 14 disposed between cathode 116 .
  • the cathode 116 is individually formed for each light emitting element.
  • the cathode 116 is provided in an island shape for each light-emitting element, that is, for each sub-pixel, and is also called a “pixel electrode”.
  • Cathode 116 includes cathode 116R for red light emitting element 6R, cathode 116G for green light emitting element 6G, and cathode 116 for blue light emitting element 6B.
  • the hole injection layer 20, the hole transport layer 22, the electron transport layer 26, and the anode 110 are each formed in common for a plurality of light emitting elements.
  • Anode 110 is also referred to as a "common electrode.”
  • the substrate 4 is formed (step S2), the cathode 116 is formed (step S16), and the bank 12 is formed (step S6). ).
  • the electron transport layer 26 is formed (step S14), the light emitting layer 24 is formed (step S12), the hole transport layer 22 is formed (step S10), and the hole injection layer 20 is formed (step S8 )do.
  • the anode 110 is formed (step S4) and the sealing layer 8 is formed (step S18). Then, if necessary, the glass substrate is peeled off, the functional film is attached, and the like, and the manufacture of the display device 2 is completed.
  • the display device 2 according to the present embodiment differs from the display device 2 according to the first embodiment in that the stacking order of the light emitting element layers 6 is reversed. Accordingly, the manufacturing method of the display device 2 according to the present embodiment differs from the display device 2 according to the first embodiment in the order of steps between step S2 and step S18. Except for these points, the method and configuration according to the present embodiment are the same as the method and configuration according to the first embodiment described above.
  • the method and configuration according to this embodiment have the same effect as the method and configuration according to the first embodiment.
  • red additive ligand 52R is capable of coordinating red quantum dot 40R
  • the hole-transporting property of red additive ligand 52R is preferably higher than the hole-transporting property of red ligand 42R.
  • the red ligand 42R has a longer chain shape than the red additive ligand 52R.
  • the concentration of red doped ligand 52R is greater at and near the top surface of red light-emitting layer 24R than at and near the bottom surface of red light-emitting layer 24R.
  • the lower surface is the cathode 116 side and the upper surface is the anode 110 side.
  • light-emitting devices typically tend to operate in an excess of electrons. Therefore, in this case, the carrier balance of the red light emitting element 6R can be adjusted by increasing the hole injection from the anode 110 to the red light emitting layer 24R.
  • green additive ligand 52G can coordinate to red quantum dots 40R and/or green quantum dots 40G, then the hole-transporting properties of green additive ligand 52G will increase the hole-transporting properties of red ligand 42R and/or green ligand 42G. higher than the strength. Specifically, it is preferred that the red ligand 42R and/or the green ligand 42G are longer chain forms than the green additive ligand 52G. Accordingly, the carrier balance of the red light emitting element 6R and/or the green light emitting element 6G can be adjusted by increasing the hole injection from the anode 110 to the red light emitting layer 24R and/or the green light emitting layer 24G.
  • blue additive ligand 52B is also capable of coordinating to red quantum dot 40R, green quantum dot 40G and/or blue quantum dot 40B
  • the hole-transporting properties of blue additive ligand 52B are determined by red ligand 42R, green ligand It is preferably higher than the hole transport properties of 42G and/or the blue ligand 42B.
  • the red ligand 42R, the green ligand 42G and/or the blue ligand 42B are longer chain forms than the blue additive ligand 52B.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the claims, and can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. is also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, new technical features can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.
  • a stripping solution according to the present disclosure includes a stripping solution to which a ligand is added.
  • the manufacturing method according to the present disclosure includes a method of patterning at least one of the layers included in the light-emitting layer 24 by a lift-off method using a ligand-added stripping solution.
  • the display device includes a display device in which at least one of the layers included in the light-emitting layer 24 is patterned by a lift-off method using a ligand-added stripping solution.
  • any two or more of Embodiments 1 to 4 may be combined.
  • the stacking order of the light emitting element layers 6 may be reversed as in Embodiment 5.
  • FIG. 5 any two or more of Embodiments 2 to 4 and Embodiment 5 in which the stacking order of the light emitting element layers 6 is reversed may be combined.

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Abstract

正孔輸送層（２２）の上に赤色犠牲層（３４Ｒ）を形成する工程と、赤色犠牲層（３４Ｒ）の一部を除去して正孔輸送層（２２）を露出させる工程と、赤色犠牲層（３４Ｒ）および正孔輸送層（２２）の上に赤色量子ドット（４０Ｒ）および赤色リガンド（４２Ｒ）を含む赤色発光層（４４Ｒ）を形成する工程と、赤色添加リガンド（５２Ｒ）を含む赤色剥離液（５４Ｒ）を用いて赤色犠牲層（３４Ｒ）を除去することによって、赤色発光層（４４Ｒ）をパターニングする工程と、を含む。

Description

表示装置の製造方法、発光素子および表示装置
　本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関する。
　量子ドット発光ダイオード（Quantum dot light emitting diode：ＱＬＥＤ）が普及してきている。
　引用文献１は、シランカップリング剤が配置された量子ドットを含有する発光層形成用塗工液を塗布および硬化して発光層を形成し、発光層をリフトオフ法によりパターニングする方法を開示している。
日本国特開２００９－８７７６０号
　特許文献１は、量子ドットを含有する発光層を有し、リフトオフ法により発光層を安定してパターニングすることが可能であり、寿命特性が良好な電界発光素子の製造方法を提供することを主目的とする。
　しかしながら、特許文献１に開示の方法では、量子ドットの周囲に配置されるリガンドとしてシランカップリング剤を用いるため、量子ドットへのキャリア注入が困難である。特許文献１には、１０Ｖという高電圧での発光の確認が記載されている。
　加えて、シランカップリグ剤は、量子ドットに配位しにくい。なぜならば、シランカップリング剤が通常、水酸基に対して配位すると考えられるとともに、量子ドットの表面に水酸基が無いからである。ここで、量子ドットの表面は、量子ドットがコアシェル型の場合、シェルの表面である。
　また、特許文献１に開示の方法では、シランカップリング剤の加水分解が必要なため、高温処理による量子ドットのダメージおよびフォトレジスト層の硬化促進が懸念される。フォトレジスト層の硬化は、発光層のリフトオフの不良を引き起こしやすい。
　本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、電荷機能層の上に、第１犠牲層を形成する工程と、前記第１犠牲層の一部を除去して前記電荷機能層を露出させる工程と、前記第１犠牲層および前記電荷機能層の上に、第１量子ドットおよび第１リガンドを含む第１発光層を形成する工程と、第２リガンドを含む第１剥離液を用いて前記第１犠牲層を除去することによって、前記第１発光層をパターニングする工程と、を含む方法である。
　本開示の一態様は、特許文献１と異なる、量子ドットを含有する発光層を有し、寿命特性が良好な表示装置を提供できる。
本開示の一実施形態に係る表示装置の概略構成の一例を示す平面図である。 図１に示した表示領域の概略構成の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を示す概略フロー図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略フロー図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る発光層２４の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の実施例および比較例に係る表示装置の蛍光強度の時間変化を示すグラフを示す図である。 本開示の一実施形態に係る発光層の形成工程の一例を示す概略断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の表示領域の概略構成の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置２の製造方法の一例を示す概略フロー図である。
　〔実施形態１〕
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　＜表示装置の概要＞
　図１は、本開示の一実施形態に係る表示装置２の概略構成の一例を示す平面図である。
　図１に示すように、本開示に係る表示装置２は、後述する各発光素子からの発光を取り出すことにより表示を行う表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲を囲う額縁領域ＮＡとを備える。額縁領域ＮＡにおいては、表示装置２の各発光素子を駆動するための信号が入力される端子Ｔが形成されている。
　図２は、図１に示した表示領域ＤＡの概略構成の一例を示す断面図である。図２は、図１のＡＢ断面図に相当する。
　表示領域ＤＡにおいて、本実施形態に係る表示装置２は複数の電界発光素子を備える。図２には、表示装置２が備える複数の電界発光素子のうち、赤色発光素子６Ｒと緑色発光素子６Ｇと青色発光素子６Ｂとについて示している。本開示において特段の説明が無い限り、「発光素子」は、赤色発光素子６Ｒと緑色発光素子６Ｇと青色発光素子６Ｂとの何れかを指す。
　図２に示すように、表示装置２は、基板４と、基板４上の発光素子層６と、発光素子層６を覆う封止層８とを備える。
　＜基板＞
　基板４は、支持基板を含む。基板４は、支持基板の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの回路素子が設けられた薄膜トランジスタ層（ＴＦＴ層）を含む。基板４はさらに、バリア層などの追加の構成要素を含んでもよい。バリア層は、支持基板よりも外側から水分および酸素などが発光素子層６へ侵入することを低減する。
　支持基板は、石英またはガラスなどから成る非可撓性基板であっても、樹脂フィルムまたは樹脂シートから成る可撓性基板であってもよい。石英基板およびガラス基板は、光透過性が高く、ガス遮蔽性が高いため、好適である。また、光透過性およびガス遮蔽性の観点から樹脂フィルムの場合の材質は、ポリエチレンメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）とポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）とポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）に代表されるポリエステル樹脂類、およびポリカーボネート樹脂類などが好ましい。
　＜発光素子層＞
　発光素子層６は、発光素子が設けられている層である。
　本実施形態に係る発光素子層６は、基板４上のアノード１０（第１電極）と、アノード１０に対向するカソード１６（第２電極）と、バンク１２と、アノード１０およびカソード１６の間に設けられた活性層１４とを含む。活性層１４は、アノード１０側から順に、正孔注入層２０（電荷機能層）と正孔輸送層２２（電荷機能層）と発光層２４と電子輸送層２６とを含む。活性層１４は、エレクトロルミネッセンス層（ＥＬ層）とも称する。
　本開示において、発光素子層６の発光層２４から基板４への方向を「下方向」または「下」、発光層２４から封止層８への方向を「上方向」または「上」として記載する。
　ここで、アノード１０は発光素子毎に個別に形成されている。アノード１０は、発光素子毎に、すなわちサブ画素毎に島状に設けられ、「画素電極」とも称される。アノード１０は、赤色発光素子６Ｒ用のアノード１０Ｒ、緑色発光素子６Ｇ用のアノード１０Ｇ、および青色発光素子６Ｂ用のアノード１０Ｂを含む。一方、正孔注入層２０と正孔輸送層２２と電子輸送層２６とカソード１６とはそれぞれ、複数の発光素子に対して共通に形成されている。カソード１６は、「共通電極」とも称される。
　バンク１２は、発光素子毎に個別に形成されてもよいが、表示装置２の高精細化のために、複数の発光素子に対して一体に形成されることが好ましい。バンク１２は、バンク１２の少なくとも一部が、アノード１０に隣接するもしくは離れて隣り合うか、または、上面視でアノード１０の上に配置するように形成される。本開示において、「隣接」は、隣り合いかつ接触している場合を指し示し、「隣り合う」は接触している場合のみならず、離れて隣り合っている場合も指し示す。
　バンク１２は、発光素子の周縁部に形成される突出部であり、機能的には限定されない。バンク１２は、発光素子の周縁部に部分的に形成されてもよい。バンク１２は、他の構成要素と協働して、または単独で、凹凸を設ける以外の任意の機能を果たしてもよい。
　例えば、バンク１２は、互いに隣り合う発光素子の間に形成され、発光素子間を電気的に絶縁する隔壁として形成されることが好ましい。この場合、バンク１２は絶縁性であり、バンク１２により、発光素子層６は、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ、および青色発光素子６Ｂに区画される。
　例えば、バンク１２は、アノード１０のエッジを覆うエッジカバーとして形成されることが好ましい。具体的には、バンク１２の少なくとも一部が、アノード１０の端面に接触するか、または、上面視でアノード１０の端面の上に配置するように形成されることが好ましい。以降、説明の簡単化のために、バンク１２の一部がアノード１０の上に配置している場合についてのみ図示を行った説明をする。当業者にとって、バンク１２の一部がアノード１０に隣接もしくは隣り合っている場合を、この説明に基づいて理解することは容易である。
　発光層２４は、赤色光を発する赤色発光層２４Ｒ、緑色光を発する緑色発光層２４Ｇ、および青色光を発する青色発光層２４Ｂを含む。発光層２４は、発光素子毎に個別に形成されても、同じ色の複数の発光素子に対して共通に形成されてもよい。
　発光層２４は、少なくともバンク１２の開口１２Ａから露出する対応するアノード１０を覆うように形成される。アノード１０の露出領域の上またはその近傍の上で正孔輸送層２２と電子輸送層２６とが接触すると、接触部位を通って、発光層２４の発光に寄与しない無効電流が流れる。このため、発光層２４は、バンク１２の側面の一部（具体的には、対応する開口１２Ａの輪郭に近い部分）をさらに覆うことが好ましい。
　本開示において、「青色光」とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光である。また、「緑色光」とは、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。また、「赤色光」とは、例えば、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域に発光中心波長を有する光のことである。
　なお、本実施形態に係る発光素子層６は、上記構成に限らず、アノード１０およびカソード１６の間に、さらに追加の層を備えていてもよい。例えば、発光素子層６は、電子輸送層２６とカソード１６との間に、電子注入層をさらに備えていてもよい。また発光層２４は、２色以下の光を発し得てもよく、４色以上の光を発し得てもよい。
　アノード１０およびカソード１６は導電性材料を含み、少なくとも一方は透明電極である。表示装置２が片面表示である場合、アノード１０およびカソード１６のうちの表示面に近い電極が透明電極であり、表示面に遠い電極が反射電極である。表示装置２が両面表示である場合、アノード１０およびカソード１６の両方が透明電極である。透明電極は、光透過性の導電性材料から形成できる。反射電極は、光反射性の伝導性材料から形成でき、光透過性の導電性材料と光反射性の伝導性材料との積層体から形成できる。
　光透過性の導電性材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）などを含む。これらの材料は可視光の透過率が高いため、発光素子の発光効率が向上する。光反射性の伝導性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、およりＭｇＡｇなどの銀合金などを用いることができる。これらの材料は可視光の反射率が高いため、発光素子の発光効率が向上する。なお、光反射性の伝導性材料を薄く形成することにより、結果的に光透過性を持つ光透過性の導電性材料として用いることも可能である。また、光反射性の伝導性材料をナノワイヤ（ＮＷ）にして、ＮＷを網条に配置することにより、結果的に光透過性を持つ光透過性の導電性材料として用いることも可能である。
　アノード１０は発光層２４に正孔を供給し、カソード１６は発光層２４の電子を供給する。アノード１０はカソード１６と対向するように設けられる。
　正孔注入層２０は、正孔輸送性を有する材料を含み、アノード１０から正孔輸送層２２または発光層２４へ正孔注入する機能を担う。正孔輸送層２２は、正孔輸送性を有する材料を含み、正孔注入層２０またはアノード１０から発光層２４へ正孔輸送する機能を担う。なお、正孔注入層２０および正孔輸送層２２の少なくとも一方が、発光層２４からアノード１０への電子の輸送を阻害する機能を有することが好ましい。
　正孔輸送材料は、当該分野で一般的に用いられる材料から適宜選択できる。
　有機正孔輸送材料としては例えば、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリエチレンジオキシオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、４,４’，４’’－トリス（９－カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］－ビフェニル（ＮＰＢ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰＣ）、ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴＣＮ）などの材料や、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリ（２，７－（９,９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン））－（１，４－フェニレン－（４－第２ブチルフェニル）イミノ）－１，４－フェニレン（ＴＦＢ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などが挙げられる。
　無機正孔輸送材料としては例えば、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｗのうちのいずれか１つ以上を含み酸素原子、水酸基、炭素原子、および窒素原子の少なくとも１つ以上を含む金属化合物からなる群から選択される一種以上を含む材料が挙げられる。中でも、無機系正孔輸送材料としては、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｒのうちのいずれか１つ以上を含む酸化物が好ましい。加えて、好適な無機正孔輸送材料として、ＣｕＳＣＮなど、金属にＣＮ基、ＳＣＮ基、およびＳｅＣＮ基が結合した材料も挙げられる。これらの無機正孔輸送材料は、ナノ粒子（ＮＰ）であっても良い。
　本開示において、その他の金属酸化物も同様に、単体だけでなく、工業的に生産および／または使用される混合物を含む。
　本開示において「ナノ粒子」は、ナノオーダー（１０００ｎｍ未満）の最大幅を有する粒子のことを意味する。ナノ粒子の形状は、上記最大幅を満たす範囲であればよく、特に制約されず、球状の立体形状（円状の断面形状）に限定されるものではない。例えば、多角形状の断面形状、棒状の立体形状、枝状の立体形状、表面に凹凸を有す立体形状でもよく、または、それらの組合せでもよい。
　無機材料は有機材料よりも化学的安定性が高く、発光素子または発光素子を含む表示装置などの製品の長寿命化および信頼性向上に寄与できる。このため、正孔注入層２０および正孔輸送層２２は、無機系正孔輸送材料を含むことが好ましい。さらに、無機系正孔輸送材料は金属酸化物であることが好ましく、この場合、より化学的安定性が高くなる。このように無機材料が好適であり、金属酸化物がより好適であることは、活性層１４を構成するすべての要素、材料または層に共通する。加えて、無機材料または金属酸化物がナノ粒子化されていることが好適である。なぜならば、バルクまたは蒸着膜の状態よりも、ナノ粒子の状態の方が表面積が増大するため、表面積に依存する電気化学的活性が向上するからである。
　正孔注入層２０は、正孔輸送材料として、ニッケル酸化物を含むことが好ましい。なぜならば、ニッケル酸化物は、アルカリ耐性が高いからである。このため、発光層２４のパターンニングにアルカリ性の現像液を用いた場合に、正孔注入層２０の劣化を低減することができる。
　本開示における「ニッケル酸化物」は、ニッケルと酸素とを含む化合物を意味する。すなわち、ニッケル酸化物は例えば、価数が揃ったＮｉ２Ｏ３単体、ＮｉＯ単体およびＮｉ２Ｏ単体だけでなく、価数の異なるＮｉ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏの何れか２種類以上を含む混合物、Ｎｉ２Ｏ３，ＮｉＯおよびＮｉ２Ｏの何れか１種類以上に加えて酸化物以外のニッケル化合物を含む混合物、あるいはＮｉ２Ｏ３，ＮｉＯおよびＮｉ２Ｏの何れか１種類以上に加えてニッケル化合物以外の金属化合物を含む混合物も含む。本開示における「ニッケル酸化物」は、ニッケル酸化物として工業的に生産および／または使用される混合物を含む。
　正孔注入層２０に用いる正孔輸送材料が金属酸化物の場合、正孔注入層２０の表面に（すなわち、正孔注入層２０と正孔輸送層２２との間に）単分子膜を設けることが好ましい。単分子膜は、１種類の分子のみを含んでも、２種類以上の分子を含んでもよい。単分子膜は自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ　Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ　Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ：ＳＡＭ）であることが好ましい。
　自己組織化する分子は、当該分子が有する官能基をＲ及びＲ´と示すと、Ｒ－ＳＨ，ＲＳ－ＳＲ´，Ｒ－ＲＳＣＮ，Ｒ－ＳｅＨ，Ｒ－ＴｅＨ，ＲＳｅ－ＳｅＲ´，Ｒ－ＮＣ，Ｒ－ＮＣＯ，Ｒ－ＳｉＨ３，Ｒ－Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｈ，Ｒ－Ｓｉ（ＣＨ３）３，Ｒ－ＣＯＯＨ，ｄｙｅ－ＣＯＯＨ，Ｒ－ＰＯ３Ｈ２，ＲＯ－ＰＯ３Ｈ２，Ｒ－ＳｉＸ２［Ｘ＝Ｃｌ，ＯＣＨ３，ＯＣ２Ｈ５］，Ｒ－ＮＨ２，Ｒ－ＯＨ，［Ｒ－Ｃ（Ｏ）Ｏ］２，Ｒ－ＣＨ＝ＣＨ２，Ｒ－Ｃ≡ＣＨ，Ｒ－ＭｇＢｒ２，Ｒ－Ｌｉ，Ａｒ－Ｎ２ ＋Ｘ－［Ｘ＝Ｃｌ，ＯＣＨ３，ＯＣ２Ｈ５］及びＲ－ＢｒＲ－ＣＨ＝ＣＨ２の中から選択される少なくとも１種の分子を含んでもよい。
　ここで、Ｈは水素を示し、Ｓは硫黄を示し、Ｃは炭素を示し、Ｎは窒素を示し、Ｓｉは珪素を示し、Ｃｌは塩素を示し、Ｓｅはセレンを示し、Ｔｅはテルルを示し、Ｍｇはマグネシウムを示し、Ｂｒは臭素を示し、Ｌｉはリチウムを示し、Ａｒはアリール基を示し、Ｘは、Ｃｌ、ＯＣＨ３、およびＯＣ２Ｈ５の何れかを示す。
　自己組織化する分子として特に、２ＰＡＣｚ，ＭｅＯ－２ＰＡＣｚ，ＦＯＰＡが好ましい。
　電子輸送層２６は、電子輸送性を有する材料を含み、カソード１６から発光層２４へ電子輸送する機能を担う。電子輸送層２６は、発光層２４からカソード１６への正孔の輸送を阻害する機能を有することが好ましい。
　電子輸送層２６に適した有機電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール環、トリアゾール環、トリアジン環、キノリン環、フェナントロリン環、ピリミジン環、ピリジン環、イミダゾール環カルバゾール環等の含窒素ヘテロ環を１つ以上含む化合物や錯体が挙げられる。具体例としては、バソクプロインやバソフェナントロリン等の１，１０－フェナントロリン誘導体、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）等のベンズイミダゾール誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（１０－ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、８－ヒドロキシキノリンＡｌ錯体、ビス（２－メチル－８－キノリナート）－４－フェニルフェノレートアルミニウム等の金属錯体、４，４’－ビスカルバゾールビフェニル等が挙げられる。その他、芳香族ホウ素化合物、芳香族シラン化合物、フェニルジ（１－ピレニル）ホスフィン等の芳香族ホスフィン化合物、バソフェナントロリン、バソクプロイン、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）、またはトリアジン誘導体等の含窒素ヘテロ環化合物等が挙げられる。
　電子輸送層２６に適した有機電子輸送材料としては加えて、例えば、パラフェニレンビニレン骨格を有する化合物が挙げられる。具体例としては、ポリ（２－２’－エチル－ヘキソキシ）－５－メトキシ－１，４－フェニレンビニレン（ＰＯＰｈ－ＰＰＶ）等のポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系化合物が挙げられる。
　また、電子輸送層２６に適した無機電子輸送材料としては、Ｚｎ、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｇ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｇａのうちのいずれか１つ以上を含む酸化物が挙げられる。中でも、化学量論組成に基づいて酸素欠損側へのずれを有しやすい酸化物が好ましい。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛マグネシウム（ＭｇＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等が挙げられる。これらの材料は、ナノ粒子であっても良い。
　前述したように、無機材料は有機材料よりも化学的安定性が高く、製品の信頼性を向上できる。このため、電子輸送層２６は、無機系電子輸送材料を含むことが好ましい。さらに、無機系電子輸送材料は金属酸化物であることが好ましく、この場合、より化学的安定性が高くなる。また、亜鉛酸化物系材料が最も好ましい。加えて、無機材料または金属酸化物がナノ粒子化されていることが好適である。
　透明電極、正孔注入層２０、正孔輸送層２２、電子輸送層２６は、表示装置２の表示に利用される波長帯域の光を透過する。
　発光層２４は、アノード１０からの正孔とカソード１６からの電子との再結合が発生することにより、発光体が励起し、励起した発光体が基底状態に戻るときに光を発する層である。アノード１０とカソード１６との間に電圧、または、電流を印加することによって、発光層２４で再結合が生じて発光が生じる。発光層２４は、発光体として量子ドットを含み、量子ドットに配位するリガンドを含む。
　本開示における「リガンド」は、量子ドットに結合可能な分子またはイオンを指し示す。より具体的に言えば、「リガンド」は、量子ドットに現に結合している分子またはイオンだけでなく、量子ドットに結合可能だが結合していない分子またはイオンも含む。
　量子ドットは、最大幅が１００ｎｍ以下のドットを意味する。量子ドットの形状は、上記最大幅を満たす範囲であればよく、特に制約されず、球状の立体形状（円状の断面形状）に限定されるものではない。例えば、多角形状の断面形状、棒状の立体形状、枝状の立体形状、表面に凹凸を有す立体形状でもよく、または、それらの組合せでもよい。本実施例においては、量子ドットは、例えば、１００ｎｍ以下の粒子サイズを有する半導体微粒子であり、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等のＩＩ－ＶＩ族半導体化合物、及び／又は、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等のＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物の結晶、及び／又は、Ｓｉ、Ｇｅ等のＩＶ族半導体化合物の結晶を有することができる。また、量子ドットは、例えば、上記の半導体結晶をコアとして、当該コアをバンドギャップの大きいシェル材料でオーバーコートしたコア／シェル構造を有していてもよい。なお、シェルは必ずしもコアを完全に覆う必要はなく、コア上の一部にでも形成されていればよい。
　リガンドは、当該分野で一般的に用いられる材料から適宜選択できる。
　有機リガンドとしては例えば、アルキルチオール、アルキルアミン、アルキルカルボン酸、アルキル化リンなどが挙げられる。無機リガンドとしては例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、およびヨウ化物イオンなどのハロゲン化物イオンが挙げられる。
　バンク１２が絶縁性である場合、バンク１２は、絶縁材料を含んでもよい。バンク１２は例えば、ポリイミド樹脂類、アクリル樹脂類、ノボラック樹脂類、フルオレン樹脂類などを含とよい。バンク１２は、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて、感光性の樹脂材料をパターニングすることによって形成することができる。感光性樹脂は、ネガ型であっても、ポジ型であってもよい。
　封止層８は、発光素子層６を覆い、表示装置２が備える各発光素子を封止する。封止層８は、表示装置２の封止層８側の外部から、水分および酸素等が発光素子層６等に浸透することを低減する。封止層８は、例えば、無機材料からなる無機封止膜と、有機材料からなる有機封止膜との積層構造を有していてもよい。無機封止膜は、例えば、ＣＶＤにより形成され、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、あるいは酸窒化ケイ素膜、またはこれらの積層膜により構成される。有機封止膜は、例えば、ポリイミド等を含む塗布可能な樹脂材料により構成される。
　＜表示装置の製造方法＞
　図３は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法の一例を示す概略フロー図である。
　本実施形態に係る表示装置２の製造方法において、はじめに、基板４を形成する（ステップＳ２）。基板４は、例えば、硬直なガラス基板上に、フィルム基材と、当該フィルム基材上のＴＦＴとを形成した後、フィルム基材からガラス基板を剥離することにより形成してもよい。上述したガラス基板の剥離は、後述する発光素子層６および封止層８の形成後に実行してもよい。あるいは、基板４は、例えば、硬直なガラス基板上に直接ＴＦＴを形成することにより形成してもよい。
　次いで、基板４上にアノード１０を形成する（ステップＳ４）。アノード１０は、例えば、金属材料の薄膜をスパッタ法および真空蒸着法等により製膜した後、フォトレジストを用いたドライエッチングまたはウェットエッチングにより、当該薄膜のパターニングを行うことにより実行してもよい。これにより、基板４に、サブ画素ごとに島状に形成された、アノード１０Ｒ、アノード１０Ｇ、およびアノード１０Ｂが得られる。
　次いで、バンク１２を形成する（ステップＳ６）。ステップＳ６においては、ポジ型の感光性樹脂のフォトリソグラフィにより、バンク１２を形成する。具体的には、例えば、基板４およびアノード１０の上面に、バンク１２の材料となるポジ型の感光性樹脂を塗布する。次いで、塗布した感光性樹脂の上方に、各サブ画素に対応する位置に透光部を有したフォトマスクを設置して、フォトマスク越しに紫外光等を照射する。次いで、紫外光を照射した感光性樹脂を、適切な現像液によって洗浄する。これにより、基板４上の各サブ画素に対応する位置の間に、バンク１２を形成する。
　次いで、正孔注入層２０を形成する（ステップＳ８）。正孔注入層２０の形成において例えば、正孔輸送性材料を溶媒に溶かして材料溶液を得、当該材料溶液をアノード１０およびバンク１２の上に塗布および固化する。正孔注入層２０は、例えば、真空蒸着法またはスパッタ法などの他の方法によって形成されてもよい。
　次いで、正孔輸送層２２を形成する（ステップＳ１０）。正孔輸送層２２の形成において例えば、正孔輸送性材料を溶媒に溶かして材料溶液を得、当該材料溶液を正孔注入層２０の上に塗布および固化する。正孔輸送層２２は、例えば、真空蒸着法またはスパッタ法などの他の方法によって形成されてもよい。
　次いで、発光層２４を形成する（ステップＳ１２）。発光層２４の形成については、後に詳述する。
　次いで、電子輸送層２６を形成する（ステップＳ１４）。電子輸送層２６は、例えば、電子輸送性材料を溶媒に溶かして材料溶液を得、当該材料溶液を発光層２４および正孔輸送層２２の上に塗布および固化する。電子輸送層２６は、例えば、真空蒸着法またはスパッタ法などの他の方法によって形成されてもよい。
　次いで、カソード１６を形成する（ステップＳ１６）。カソード１６は、例えば、金属材料の薄膜を真空蒸着法またはスパッタ法等により、各サブ画素に対し共通に成膜することにより形成してもよい。以上により、発光素子層６の形成が完了する。
　次いで、封止層８を形成する（ステップＳ１８）。封止層８が有機封止膜を含む場合、当該有機封止膜の形成は、有機封止材料の塗布により実行してもよい。また、封止層８が無機封止膜を含む場合、当該無機封止膜は、ＣＶＤ法等により成膜してもよい。これにより、発光素子層６を封止する封止層８が形成される。
　そして、必要に応じて、ガラス基板の剥離、および機能フィルムの貼り付けなどを実行して、表示装置２の製造が完了する。機能フィルムは、例えば、偏光板フィルム、タッチセンサパネル機能を有するセンサフィルム、保護フィルム、および反射防止フィルムなどを含む。
　＜発光層の形成＞
　図４は、本実施形態に係る発光層２４の形成工程（ステップＳ１２）の一例を示す概略フロー図である。
　図５から図１５は各々、本実施形態に係る発光層２４の形成工程（ステップＳ１２）の一例を示す概略断面図である。
　説明の簡単化のために以降、赤色発光層２４Ｒ（第１発光層）と緑色発光層２４Ｇ（第２発光層）と青色発光層２４Ｂ（第３発光層）とをこの順に、互いと離れて、リフトオフ法によって形成する場合についてのみ図示しながら説明する。
　当業者にとって、後述の説明に基づいて、この場合以外を理解することは容易である。
　（赤色発光層の形成）
　図４および図５に示すように、ステップＳ１２においてはまず、正孔輸送層２２の上に赤色保護層３０Ｒ（保護層）を形成し（ステップＳ２２）、赤色保護層３０Ｒの上に赤色フォトレジスト層３２Ｒ（レジスト層）を形成する（ステップＳ２４）。ステップＳ２２およびステップＳ２４の結果、赤色保護層３０Ｒと赤色フォトレジスト層３２Ｒとを含む赤色犠牲層３４Ｒ（第１犠牲層）が形成される。
　赤色保護層３０Ｒの材料は、例えば、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂、ポリエチレンオキサイト（ＰＥＯ）樹脂などが挙げられる。赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料は、例えば、感光性アクリル樹脂、感光性ノボラック樹脂などが挙げられる。
　赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料は、正孔輸送層２２に接触すると、正孔輸送層２２を劣化させる。このため、赤色フォトレジスト層３２Ｒが正孔輸送層２２に接触することを防止するために、正孔輸送層２２を覆う赤色保護層３０Ｒが設けられる。
　図４および図６に示すように、次いで、フォトリソグラフィ技術を用いて、赤色フォトレジスト層３２Ｒの一部を除去するように、赤色フォトレジスト層３２Ｒをパターニングする（ステップＳ２６）。具体的には、赤色発光素子６Ｒのアノード１０Ｒに対応する赤色フォトレジスト層３２Ｒの部分を少なくとも除去する。ステップＳ２６において、赤色フォトレジスト層３２Ｒを、フォトマスクを用いて露光し、現像液を用いて現像する。
　次いで、赤色フォトレジスト層３２Ｒを保護マスクとして用いるエッチングによって、赤色フォトレジスト層３２Ｒの一部を除去するように、赤色保護層３０Ｒをパターニングする（ステップＳ２８）。具体的には、赤色発光素子６Ｒのアノード１０Ｒに対応する赤色フォトレジスト層３２Ｒの部分を少なくとも除去する。ステップＳ２８におけるエッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよい。製造に要する費用および工程数を低減するために、ステップＳ２８におけるエッチングは、ステップＳ２６の現像液によるウェットエッチングであることが好ましい。
　ステップＳ２６およびステップＳ２８の結果、赤色犠牲層３４Ｒの一部が除去され、赤色発光素子６Ｒのアノード１０Ｒに対応する正孔輸送層２２が露出する。具体的には、アノード１０Ｒに対応する赤色フォトレジスト層３２Ｒの部分が少なくとも除去される。
　次いで、赤色フォトレジスト層３２Ｒおよび正孔輸送層２２の上に赤色発光層４４Ｒ（第１発光層）を形成する（ステップＳ３０）。赤色発光層４４Ｒは、赤色光を発する赤色量子ドット４０Ｒ（第１量子ドット）と、赤色量子ドット４０Ｒに配位する赤色リガンド４２Ｒ（第１リガンド）と、を含む。
　赤色量子ドット４０Ｒは、赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料に接触すると、劣化する。赤色発光層４４Ｒのうちパターニング後に赤色発光層２４Ｒとして残る部分は、正孔輸送層２２の上に形成されており、赤色発光層４４Ｒのうちパターニングによって除去される部分は、赤色フォトレジスト層３２Ｒの上に形成されている。このように、パターニングされた赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色量子ドット４０Ｒは、赤色フォトレジスト層３２Ｒに接触しない。
　赤色リガンド４２Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒの表面を覆って、赤色量子ドット４０Ｒの表面を保護している。
　次いで、本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒ（第１剥離液）を用いて赤色犠牲層３４Ｒを除去することによって、赤色発光層４４Ｒをパターニングする（ステップＳ３２）。
　図４および図７に示すように、ステップＳ３２においてまず、赤色発光層４４Ｒに本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒを供給する（ステップＳ３２０）。ステップＳ３２０は例えば、赤色発光層４４Ｒの上に赤色剥離液５４Ｒを塗布または滴下する。本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒは、従来の剥離液５０Ｒに赤色リガンド４２Ｒと異なる赤色添加リガンド５２Ｒ（第２リガンド）を添加した液である。赤色添加リガンド５２Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒに配位可能であることが好ましい。
　従来の剥離液５０Ｒは、赤色発光層４４Ｒを透過して、赤色犠牲層３４Ｒを溶解することができる溶液である。従来の剥離液５０Ｒは例えば、アセトン、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、ＤＭＳＯなどを含む有機溶媒である。このため、本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒも、赤色発光層４４Ｒを透過して、赤色犠牲層３４Ｒを溶解することができる。
　ここで仮に、赤色発光層４４Ｒに従来の剥離液５０Ｒのみを供給した場合、赤色リガンド４２Ｒが赤色発光層４４Ｒから従来の剥離液５０Ｒに溶出し易い。なぜならば、赤色発光層４４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒの濃度が、従来の剥離液５０Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒの濃度よりも大きいからである。従来の剥離液５０Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒの濃度は、０またはほぼ０である。そして、赤色発光層４４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒが減少して、赤色量子ドット４０Ｒの表面が露出する。特に、赤色発光層４４Ｒの上面４８Ｒおよび側面から溶出するので、赤色発光層４４Ｒの上面４８Ｒおよび側面ならびにその近傍に位置する赤色量子ドット４０Ｒの表面が露出する。
　一方、赤色発光層４４Ｒに本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒを供給した場合、赤色剥離液５４Ｒ中の赤色添加リガンド５２Ｒが赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減する。このため、赤色量子ドット４０Ｒの表面が赤色リガンド４２Ｒによって覆われて十分に保護される。逆に言えば、本実施形態に係る赤色添加リガンド５２Ｒは、赤色発光層４４Ｒから赤色剥離液５４Ｒへの赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減するように選択される。
　例えば、赤色リガンド４２Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能な配位性官能基を有する有機分子または有機イオンである場合、赤色添加リガンド５２Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒと同一の配位性官能基を有する有機分子または有機イオンから成る群から選択される。配位性官能基は、例えば、ドロキシル基、アルデヒド基、カルボキシル基、カルボニル基、エーテル基、アミノ基、チオール基、ホスフィン基である。
　例えば、赤色リガンド４２Ｒがハロゲン元素を含む無機イオンである場合、赤色添加リガンド５２Ｒは、別のハロゲン元素を含む無機イオンから選択される。ハロゲン元素は、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、およびヨウ素（Ｉ）を含む。
　例えば、赤色リガンド４２Ｒがカルコゲン元素を含む無機イオンである場合、赤色添加リガンド５２Ｒは、別のカルコゲン元素を含む無機イオンから選択される。カルコゲン元素は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）およびポロニウム（Ｐｏ）を含む。
　加えて、赤色添加リガンド５２Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能である場合、赤色添加リガンド５２Ｒが赤色リガンド４２Ｒの代わりに赤色量子ドット４０Ｒの表面に結合できる。このため、赤色量子ドット４０Ｒの表面が赤色リガンド４２Ｒおよび／または赤色添加リガンド５２Ｒによって覆われてより十分に保護される。
　図４および図８に示すように、次いで、赤色剥離液５４Ｒが赤色発光層４４Ｒを浸透して赤色犠牲層３４Ｒを溶解するように、待機する（ステップＳ３２２）。ステップＳ３２２は例えば、赤色剥離液５４Ｒが十分に浸透するように、３０秒以上待機することが好ましい。ステップＳ３２２は例えば、赤色剥離液５４Ｒが赤色発光層２４Ｒ、正孔輸送層２２、および正孔注入層２０の何れか１つ以上に悪影響を及ぼすことを防止するために、待機を３００秒以下とすることが好ましい。
　ステップＳ３２２において、赤色剥離液５４Ｒは赤色犠牲層３４Ｒを溶解する。これによって、赤色発光層４４Ｒの赤色犠牲層３４Ｒの上に形成された部分が、剥離される。そして、赤色発光層４４Ｒの正孔輸送層２２の上に形成された部分が、赤色発光層２４Ｒとして残る。一方、溶解した赤色犠牲層３４Ｒの材料と剥離した赤色発光層４４Ｒの材料とは、赤色剥離液５４Ｒ中に遊離する。溶解した赤色犠牲層３４Ｒの材料は、赤色保護層３０Ｒの材料３１Ｒと赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料３３Ｒとを含む。
　ここで仮に、赤色発光層４４Ｒに従来の剥離液５０Ｒのみを供給した場合、前述のように赤色量子ドット４０Ｒの表面が露出している。このため、赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料３３Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに接触し易く、赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色量子ドット４０Ｒが劣化し易い。
　一方、赤色発光層４４Ｒに本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒを供給した場合、前述のように、赤色量子ドット４０Ｒの表面が赤色リガンド４２Ｒおよび／または赤色添加リガンド５２Ｒによって覆われている。このため、赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料３３Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに接触し難く、赤色量子ドット４０Ｒが劣化し難い。
　図４および図９に示すように、次いで、赤色剥離液５４Ｒを除去する（ステップＳ３２４）。赤色剥離液５４Ｒと共に、溶解した赤色犠牲層３４Ｒの材料と剥離した赤色発光層４４Ｒの材料とが除去される。
　以上のように、赤色発光層４４Ｒをパターニングして、正孔輸送層２２上にパターニングされた赤色発光層２４Ｒ（第１発光層）を形成する。パターニングされた赤色発光層２４Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒおよび赤色リガンド４２Ｒを含む。加えて、赤色添加リガンド５２Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドである場合、パターニングされた赤色発光層２４Ｒがさらに、赤色添加リガンド５２Ｒを含んでよい。
　赤色リガンド４２ＲはステップＳ３２において、赤色発光層４４Ｒまたは赤色発光層２４Ｒの表面から赤色剥離液５４Ｒへ移行する。このため、赤色発光層２４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒの分布に偏りがある場合、赤色リガンド４２Ｒの濃度は、赤色発光層２４Ｒの下面４６Ｒ（第１電極の側の界面）およびその近傍における濃度が、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒ（第２電極の側の界面）およびその近傍における濃度よりも大きい。一方、赤色添加リガンド５２ＲはステップＳ３２において、赤色発光層４４Ｒまたは赤色発光層２４Ｒの表面から赤色発光層４４Ｒまたは赤色発光層２４Ｒの内部に侵入する。このため、赤色発光層２４Ｒ中の赤色添加リガンド５２Ｒの分布に偏りがある場合、赤色添加リガンド５２Ｒの濃度は、赤色発光層２４Ｒの下面４６Ｒおよびその近傍における濃度が、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒおよびその近傍における濃度よりも小さい。
　図４に示すように、ステップＳ３２に次いで、発光層２４全体の形成が完了したか否かを判定する（ステップＳ３４）。そして、完了していない（Ｎｏ）ので、ステップＳ２２～Ｓ３４を含む一連の工程を繰り返す。
　（緑色発光層の形成）
　図４および図１０に示すように、ステップＳ３４に次いで、赤色発光層２４Ｒおよび正孔輸送層２２の上に緑色保護層３０Ｇを形成し（ステップＳ２２）、緑色保護層３０Ｇの上に緑色フォトレジスト層３２Ｇを形成する（ステップＳ２４）。ステップＳ２２およびステップＳ２４の結果、緑色保護層３０Ｇと緑色フォトレジスト層３２Ｇとを含む緑色犠牲層３４Ｇ（第２犠牲層）が形成される。緑色犠牲層３４Ｇは、赤色発光層２４Ｒと重なる重畳領域３６Ｇ（第１領域）と、赤色発光層２４Ｒと重ならない非重畳領域３８Ｇ（第２領域）とを含む。
　緑色保護層３０Ｇの材料は、例えば、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂、ポリエチレンオキサイト（ＰＥＯ）樹脂などが挙げられる。緑色保護層３０Ｇの材料は、赤色保護層３０Ｒの材料と同一であっても、異なってもよい。緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料は、例えば、感光性アクリル樹脂、感光性ノボラック樹脂などが挙げられる。緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料は、赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料と同一であっても、異なってもよい。
　緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料は、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または正孔輸送層２２に接触すると、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または正孔輸送層２２を劣化させる。このため、緑色フォトレジスト層３２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒおよび正孔輸送層２２に接触することを防止するために、赤色発光層２４Ｒおよび正孔輸送層２２を覆う緑色保護層３０Ｇが設けられる。
　次いで、フォトリソグラフィ技術を用いて、緑色フォトレジスト層３２Ｇの少なくとも一部を除去するように、緑色フォトレジスト層３２Ｇをパターニングする（ステップＳ２６）。具体的には、緑色発光素子６Ｇのアノード１０Ｇに対応する緑色フォトレジスト層３２Ｇの部分を少なくとも除去する。ステップＳ２６において、緑色フォトレジスト層３２Ｇを、フォトマスクを用いて露光し、現像液を用いて現像する。
　次いで、緑色フォトレジスト層３２Ｇを保護マスクとして用いるエッチングによって、緑色フォトレジスト層３２Ｇの少なくとも一部を除去するように、緑色保護層３０Ｇをパターニングする（ステップＳ２８）。具体的には、緑色発光素子６Ｇのアノード１０Ｇに対応する緑色フォトレジスト層３２Ｇの部分を少なくとも除去する。ステップＳ２８におけるエッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよい。製造に要する費用および工程数を低減するために、ステップＳ２８におけるエッチングは、ステップＳ２６の現像液によるウェットエッチングであることが好ましい。
　ステップＳ２６およびステップＳ２８の結果、緑色犠牲層３４Ｇの非重畳領域３８Ｇの少なくとも一部が除去され、緑色発光素子６Ｇのアノード１０Ｇに対応する正孔輸送層２２が露出する。具体的には、緑色犠牲層３４Ｇの非重畳領域３８Ｇのうちの緑色発光素子６Ｇのアノード１０Ｇに対応する部分が少なくとも除去される。
　次いで、緑色フォトレジスト層３２Ｇおよび正孔輸送層２２の上に緑色発光層４４Ｇ（第２発光層）を形成する（ステップＳ３０）。緑色発光層４４Ｇは、緑色光を発する緑色量子ドット４０Ｇ（第２量子ドット）と、緑色量子ドット４０Ｇに配位する緑色リガンド４２Ｇと、を含む。
　緑色量子ドット４０Ｇは、緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料に接触すると、劣化する。緑色発光層４４Ｇのうちパターニング後に緑色発光層２４Ｇとして残る部分は、正孔輸送層２２の上に形成されており、緑色発光層４４Ｇのうちパターニングによって除去される部分は、緑色フォトレジスト層３２Ｇの上に形成されている。このように、パターニングされた緑色発光層２４Ｇに含まれる緑色量子ドット４０Ｇは、緑色フォトレジスト層３２Ｇに接触しない。
　緑色リガンド４２Ｇは、緑色量子ドット４０Ｇの表面を覆って、緑色量子ドット４０Ｇの表面を保護している。
　次いで、本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇ（第２剥離液）を用いて緑色犠牲層３４Ｇを除去することによって、緑色発光層４４Ｇをパターニングする（ステップＳ３２）。
　ステップＳ３２においてまず、緑色発光層４４Ｇに本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇを供給する（ステップＳ３２０）。ステップＳ３２０は例えば、緑色発光層４４Ｇの上に緑色剥離液５４Ｇを塗布または滴下する。本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇは、従来の剥離液５０Ｇに緑色リガンド４２Ｇと異なる緑色添加リガンド５２Ｇ（第３リガンド）を添加した液である。緑色添加リガンド５２Ｇは緑色量子ドット４０Ｇに配位可能なリガンドであることが好ましい。加えてまたはあるいは、緑色添加リガンド５２Ｇは赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドであってもよい。
　従来の剥離液５０Ｇは、緑色発光層４４Ｇを透過して、緑色犠牲層３４Ｇを溶解することができる溶液である。従来の剥離液５０Ｇは例えば、アセトン、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、ＤＭＳＯなどを含む有機溶媒である。従来の剥離液５０Ｇは、従来の剥離液５０Ｒと同一であっても、異なってもよい。このため、本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇも、緑色発光層４４Ｇを透過して、緑色犠牲層３４Ｇを溶解することができる。
　ここで仮に、緑色発光層４４Ｇに従来の剥離液５０Ｇのみを供給した場合、緑色リガンド４２Ｇが緑色発光層４４Ｇから従来の剥離液５０Ｇに溶出し易い。なぜならば、緑色発光層４４Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇの濃度が、従来の剥離液５０Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇの濃度よりも大きいからである。従来の剥離液５０Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇの濃度は、０またはほぼ０である。そして、緑色発光層４４Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇが減少して、緑色量子ドット４０Ｇの表面が露出する。特に、緑色発光層４４Ｇの上面４８Ｇおよび側面から溶出するので、緑色発光層４４Ｇの上面４８Ｇおよび側面ならびにその近傍に位置する緑色量子ドット４０Ｇの表面が露出する。
　一方、緑色発光層４４Ｇに本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇを供給した場合、緑色剥離液５４Ｇ中の緑色添加リガンド５２Ｇが緑色リガンド４２Ｇの溶出を低減する。このため、緑色量子ドット４０Ｇの表面が緑色リガンド４２Ｇによって覆われて十分に保護される。逆に言えば、本実施形態に係る緑色添加リガンド５２Ｇは、緑色発光層４４Ｇから緑色剥離液５４Ｇへの緑色リガンド４２Ｇの溶出を低減するように選択される。加えて、緑色添加リガンド５２Ｇが緑色量子ドット４０Ｇに配位可能である場合、緑色添加リガンド５２Ｇが緑色リガンド４２Ｇの代わりに緑色量子ドット４０Ｇの表面に結合できる。このため、緑色量子ドット４０Ｇの表面が緑色リガンド４２Ｇおよび／または緑色添加リガンド５２Ｇによって覆われてより十分に保護される。
　図４および図１１に示すように、次いで、緑色剥離液５４Ｇが緑色発光層４４Ｇを浸透して緑色犠牲層３４Ｇを溶解するように、待機する（ステップＳ３２２）。ステップＳ３２２は例えば、緑色剥離液５４Ｇが十分に浸透するように、３０秒以上待機することが好ましい。ステップＳ３２２は例えば、緑色剥離液５４Ｇが赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層２４Ｇ、正孔輸送層２２、および正孔注入層２０の何れか１つ以上に悪影響を及ぼすことを防止するために、待機を３００秒以下と待機することが好ましい。
　ステップＳ３２２において、緑色剥離液５４Ｇは緑色犠牲層３４Ｇを溶解する。これによって、緑色発光層４４Ｇの緑色犠牲層３４Ｇの上に形成された部分が、剥離される。そして、溶解した緑色犠牲層３４Ｇの材料と剥離した緑色発光層４４Ｇの材料とが緑色剥離液５４Ｇ中に遊離する。溶解した緑色犠牲層３４Ｇの材料は、緑色保護層３０Ｇの材料３１Ｇと緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料３３Ｇとを含む。
　ここで仮に、緑色発光層４４Ｇに従来の剥離液５０Ｇのみを供給した場合、前述のように緑色量子ドット４０Ｇの表面が露出している。このため、緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料３３Ｇが緑色量子ドット４０Ｇに接触し易く、緑色発光層４４Ｇに含まれる緑色量子ドット４０Ｇが劣化し易い。
　一方、緑色発光層４４Ｇに本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇを供給した場合、前述のように、緑色量子ドット４０Ｇの表面が緑色リガンド４２Ｇおよび／または緑色添加リガンド５２Ｇによって覆われている。このため、緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料３３Ｇが緑色量子ドット４０Ｇに接触し難く、緑色量子ドット４０Ｇが劣化し難い。
　図４および図１２に示すように、次いで、緑色剥離液５４Ｇを除去する（ステップＳ３２４）。緑色剥離液５４Ｇと共に、溶解した緑色犠牲層３４Ｇの材料と剥離した緑色発光層４４Ｇの材料とが除去される。
　以上のように、緑色発光層４４Ｇをパターニングして、正孔輸送層２２上にパターニングされた緑色発光層２４Ｇを形成する。パターニングされた緑色発光層２４Ｇは、緑色量子ドット４０Ｇおよび緑色リガンド４２Ｇを含む。加えて、緑色添加リガンド５２Ｇが緑色量子ドット４０Ｇに配位可能なリガンドである場合、パターニングされた緑色発光層２４Ｇがさらに、緑色添加リガンド５２Ｇを含んでよい。
　緑色リガンド４２ＧはステップＳ３２において、緑色発光層４４Ｇまたは緑色発光層２４Ｇの表面から緑色剥離液５４Ｇへ移行する。このため、緑色発光層２４Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇの分布に偏りがある場合、緑色リガンド４２Ｇの濃度は、緑色発光層２４Ｇの下面４６Ｇおよびその近傍における濃度が、緑色発光層２４Ｇの上面４８Ｇおよびその近傍における濃度よりも大きい。一方、緑色添加リガンド５２ＧはステップＳ３２において、緑色発光層４４Ｇまたは緑色発光層２４Ｇの表面から緑色発光層４４Ｇまたは緑色発光層２４Ｇの内部に侵入する。このため、緑色発光層２４Ｇ中の緑色添加リガンド５２Ｇの分布に偏りがある場合、緑色添加リガンド５２Ｇの濃度は、緑色発光層２４Ｇの下面４６Ｇおよびその近傍における濃度が、緑色発光層２４Ｇの上面４８Ｇおよびその近傍における濃度よりも小さい。
　加えて、緑色添加リガンド５２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドである場合、緑色犠牲層３４Ｇを除去した後の赤色発光層２４Ｒがさらに、緑色添加リガンド５２Ｇを含んでよい。緑色添加リガンド５２ＧはステップＳ３２において、赤色発光層２４Ｒの表面から赤色発光層２４Ｒの内部に侵入する。このため、赤色発光層２４Ｒ中の緑色添加リガンド５２Ｇの分布に偏りがある場合、緑色添加リガンド５２Ｇの濃度は、赤色発光層２４Ｒの下面４６Ｒおよびその近傍における濃度が、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒおよびその近傍における濃度よりも小さい。
　図４に示すように、ステップＳ３２に次いで、発光層２４全体の形成が完了したか否かを判定する（ステップＳ３４）。そして、完了していない（Ｎｏ）ので、ステップＳ２２～Ｓ３４を含む一連の工程を繰り返す。
　（青色発光層の形成）
　図４および図１３に示すように、ステップＳ３４に次いで、緑色発光層２４Ｇ、赤色発光層２４Ｒおよび正孔輸送層２２の上に青色保護層３０Ｂを形成し（ステップＳ２２）、青色保護層３０Ｂの上に青色フォトレジスト層３２Ｂを形成する（ステップＳ２４）。ステップＳ２２およびステップＳ２４の結果、青色保護層３０Ｂと青色フォトレジスト層３２Ｂとを含む青色犠牲層３４Ｂ（第３犠牲層）が形成される。青色犠牲層３４Ｂは、赤色発光層２４Ｒおよび緑色発光層２４Ｇの少なくとも一方と重なる重畳領域３６Ｂ（第３領域）と、赤色発光層２４Ｒおよび緑色発光層２４Ｇの何れともと重ならない非重畳領域３８Ｂ（第４領域）とを含む。
　青色保護層３０Ｂの材料は、例えば、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂、ポリエチレンオキサイト（ＰＥＯ）樹脂などが挙げられる。青色保護層３０Ｂの材料は、緑色保護層３０Ｇおよび／または赤色保護層３０Ｒの材料と同一であっても、異なってもよい。青色フォトレジスト層３２Ｂの材料は、例えば、感光性アクリル樹脂、感光性ノボラック樹脂などが挙げられる。青色フォトレジスト層３２Ｂの材料は、緑色フォトレジスト層３２Ｇおよび／または赤色フォトレジスト層３２Ｒの材料と同一であっても、異なってもよい。
　青色フォトレジスト層３２Ｂの材料は、緑色量子ドット４０Ｇ、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または正孔輸送層２２に接触すると、緑色量子ドット４０Ｇ、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または正孔輸送層２２を劣化させる。このため、青色フォトレジスト層３２Ｂが緑色量子ドット４０Ｇ、赤色量子ドット４０Ｒおよび正孔輸送層２２に接触することを防止するために、赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層２４Ｇおよび正孔輸送層２２を覆う青色保護層３０Ｂが設けられる。
　次いで、フォトリソグラフィ技術を用いて、青色フォトレジスト層３２Ｂの一部を除去するように、青色フォトレジスト層３２Ｂをパターニングする（ステップＳ２６）。具体的には、青色発光素子６Ｂのアノード１０Ｂに対応する青色フォトレジスト層３２Ｂの部分を少なくとも除去する。ステップＳ２６において、青色フォトレジスト層３２Ｂを、フォトマスクを用いて露光し、現像液を用いて現像する。
　次いで、青色フォトレジスト層３２Ｂを保護マスクとして用いるエッチングによって、青色フォトレジスト層３２Ｂの一部を除去するように、青色保護層３０Ｂをパターニングする（ステップＳ２８）。具体的には、青色発光素子６Ｂのアノード１０Ｂに対応する青色フォトレジスト層３２Ｂの部分を少なくとも除去する。ステップＳ２８におけるエッチングは、ウェットエッチングでもドライエッチングでもよい。製造に要する費用および工程数を低減するために、ステップＳ２８におけるエッチングは、ステップＳ２６の現像液によるウェットエッチングであることが好ましい。
　ステップＳ２６およびステップＳ２８の結果、青色犠牲層３４Ｂの非重畳領域３８Ｂの少なくとも一部が除去され、青色発光素子６Ｂのアノード１０Ｂに対応する正孔輸送層２２が露出する。具体的には、青色犠牲層３４Ｂの非重畳領域３８Ｂのうちの青色発光素子６Ｂのアノード１０Ｂに対応する部分が少なくとも除去される。
　次いで、青色フォトレジスト層３２Ｂおよび正孔輸送層２２の上に青色発光層４４Ｂ（第３発光層）を形成する（ステップＳ３０）。青色発光層４４Ｂは、青色光を発する青色量子ドット４０Ｂ（第３量子ドット）と、青色量子ドット４０Ｂに配位する青色リガンド４２Ｂと、を含む。
　青色量子ドット４０Ｂは、青色フォトレジスト層３２Ｂの材料に接触すると、劣化する。青色発光層４４Ｂのうちパターニング後に青色発光層２４Ｂとして残る部分は、正孔輸送層２２の上に形成されており、青色発光層４４Ｂのうちパターニングによって除去される部分は、青色フォトレジスト層３２Ｂの上に形成されている。このように、パターニングされた青色発光層２４Ｂに含まれる青色量子ドット４０Ｂは、青色フォトレジスト層３２Ｂに接触しない。
　青色リガンド４２Ｂは、青色量子ドット４０Ｂの表面を覆って、青色量子ドット４０Ｂの表面を保護している。
　次いで、本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂ（第３剥離液）を用いて青色犠牲層３４Ｂを除去することによって、青色発光層４４Ｂをパターニングする（ステップＳ３２）。
　ステップＳ３２においてまず、青色発光層４４Ｂに本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂを供給する（ステップＳ３２０）。ステップＳ３２０は例えば、青色発光層４４Ｂの上に青色剥離液５４Ｂを塗布または滴下する。本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂは、従来の剥離液５０Ｂに青色リガンド４２Ｂと異なる青色添加リガンド５２Ｂ（第４リガンド）を添加した液である。青色添加リガンド５２Ｂは、青色量子ドット４０Ｂに配位可能なリガンドであることが好ましい。加えて、またはあるいは、青色添加リガンド５２Ｂは、赤色量子ドット４０Ｒと緑色量子ドット４０Ｇとの１つ以上に配位可能なリガンドであってもよい。
　従来の剥離液５０Ｂは、青色発光層４４Ｂを透過して、青色犠牲層３４Ｂを溶解することができる溶液である。従来の剥離液５０Ｂは例えば、アセトン、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、ＤＭＳＯなどを含む有機溶媒である。従来の剥離液５０Ｂは、従来の剥離液５０Ｒ，５０Ｇと同一であっても、異なってもよい。このため、本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂも、青色発光層４４Ｂを透過して、青色犠牲層３４Ｂを溶解することができる。
　ここで仮に、青色発光層４４Ｂに従来の剥離液５０Ｂを供給した場合、青色リガンド４２Ｂが青色発光層４４Ｂから従来の剥離液５０Ｂに溶出し易い。なぜならば、青色発光層４４Ｂ中の青色リガンド４２Ｂの濃度が、従来の剥離液５０Ｂ中の青色リガンド４２Ｂの濃度よりも大きいからである。従来の剥離液５０Ｂ中の青色リガンド４２Ｂの濃度は、０またはほぼ０である。そして、青色発光層４４Ｂ中の青色リガンド４２Ｂが減少して、青色量子ドット４０Ｂの表面が露出する。特に、青色発光層４４Ｂの上面４８Ｂおよび側面から溶出するので、青色発光層４４Ｂの上面４８Ｂおよび側面ならびにその近傍に位置する青色量子ドット４０Ｂの表面が露出する。
　一方、青色発光層４４Ｂに本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂを供給した場合、青色剥離液５４Ｂ中の青色添加リガンド５２Ｂが青色リガンド４２Ｂの溶出を低減する。このため、青色量子ドット４０Ｂの表面が青色リガンド４２Ｂによって覆われて十分に保護される。逆に言えば、本実施形態に係る緑色添加リガンド５２Ｇは、青色発光層４４Ｂから青色剥離液５４Ｂへの青色リガンド４２Ｂの溶出を低減するように選択される。加えて、青色添加リガンド５２Ｂが青色量子ドット４０Ｂに配位可能である場合、青色添加リガンド５２Ｂが青色リガンド４２Ｂの代わりに青色量子ドット４０Ｂの表面に結合できる。このため、青色量子ドット４０Ｂの表面が青色リガンド４２Ｂおよび／または青色添加リガンド５２Ｂによって覆われてより十分に保護される。
　図４および図１４に示すように、次いで、青色剥離液５４Ｂが青色発光層４４Ｂを浸透して青色犠牲層３４Ｂを溶解するように、待機する（ステップＳ３２２）。ステップＳ３２２は例えば、青色剥離液５４Ｂが十分に浸透するように、３０秒以上待機することが好ましい。ステップＳ３２２は例えば、青色剥離液５４Ｂが赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層２４Ｇ、青色発光層２４Ｂ、正孔輸送層２２、および正孔注入層２０の何れか１つ以上に悪影響を及ぼすことを防止するために、待機を３００秒以下と待機することが好ましい。
　ステップＳ３２２において、青色剥離液５４Ｂは青色犠牲層３４Ｂを溶解する。これによって、青色発光層４４Ｂの青色犠牲層３４Ｂの上に形成された部分が、剥離される。そして、溶解した青色犠牲層３４Ｂの材料と剥離した青色発光層４４Ｂの材料とが青色剥離液５４Ｂ中に遊離する。溶解した青色犠牲層３４Ｂの材料は、青色保護層３０Ｂの材料３１Ｂと青色フォトレジスト層３２Ｂの材料３３Ｂとを含む。
　ここで仮に、青色発光層４４Ｂに従来の剥離液５０Ｂを供給した場合、前述のように青色量子ドット４０Ｂの表面が露出している。このため、青色フォトレジスト層３２Ｂの材料３３Ｂが青色量子ドット４０Ｂに接触し易く、青色発光層４４Ｂに含まれる青色量子ドット４０Ｂが劣化し易い。
　一方、青色発光層４４Ｂに本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂを供給した場合、前述のように、青色量子ドット４０Ｂの表面が青色リガンド４２Ｂおよび／または青色添加リガンド５２Ｂによって覆われている。このため、青色フォトレジスト層３２Ｂの材料３３Ｂが青色量子ドット４０Ｂに接触し難く、青色量子ドット４０Ｂが劣化し難い。
　図４および図１５に示すように、次いで、青色剥離液５４Ｂを除去する（ステップＳ３２４）。青色剥離液５４Ｂと共に、溶解した青色犠牲層３４Ｂの材料と剥離した青色発光層４４Ｂの材料とが除去される。
　以上のように、青色発光層４４Ｂをパターニングして、正孔輸送層２２上にパターニングされた青色発光層２４Ｂを形成する。パターニングされた青色発光層２４Ｂは、青色量子ドット４０Ｂおよび青色リガンド４２Ｂを含む。加えて、青色添加リガンド５２Ｂが青色量子ドット４０Ｂに配位可能なリガンドである場合、パターニングされた青色発光層２４Ｂがさらに、青色添加リガンド５２Ｂを含んでよい。
　青色リガンド４２ＢはステップＳ３２において、青色発光層４４Ｂまたは青色発光層２４Ｂの表面から青色剥離液５４Ｂへ移行する。このため、青色発光層２４Ｂ中の青色リガンド４２Ｂの分布に偏りがある場合、青色リガンド４２Ｂの濃度は、青色発光層２４Ｂの下面４６Ｂおよびその近傍における濃度が、青色発光層２４Ｂの上面４８Ｂおよびその近傍における濃度よりも大きい。一方、青色添加リガンド５２ＢはステップＳ３２において、青色発光層４４Ｂまたは青色発光層２４Ｂの表面から青色発光層４４Ｂまたは青色発光層２４Ｂの内部に侵入する。このため、青色発光層２４Ｂ中の青色添加リガンド５２Ｂの分布に偏りがある場合、青色添加リガンド５２Ｂの濃度は、青色発光層２４Ｂの下面４６Ｂおよびその近傍における濃度が、青色発光層２４Ｂの上面４８Ｂおよびその近傍における濃度よりも小さい。
　加えて、青色添加リガンド５２Ｂが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドである場合、青色犠牲層３４Ｂを除去した後の赤色発光層２４Ｒがさらに、青色添加リガンド５２Ｂを含んでよい。同様に、青色添加リガンド５２Ｂが緑色量子ドット４０Ｇに配位可能なリガンドである場合、青色犠牲層３４Ｂを除去した後の緑色発光層２４Ｇがさらに、青色添加リガンド５２Ｂを含んでよい。青色添加リガンド５２ＢはステップＳ３２において、赤色発光層２４Ｒおよび／または緑色発光層２４Ｇの表面から内部に侵入する。このため、赤色発光層２４Ｒおよび／または緑色発光層２４Ｇ中の青色添加リガンド５２Ｂの分布に偏りがある場合、青色添加リガンド５２Ｂの濃度は、赤色発光層２４Ｒおよび／または緑色発光層２４Ｇの下面４６Ｒ，４６Ｇおよびその近傍における濃度が、赤色発光層２４Ｒおよび／または緑色発光層２４Ｇの上面４８Ｒ，４８Ｇおよびその近傍における濃度よりも小さい。
　図４に示すように、ステップＳ３２に次いで、発光層２４全体の形成が完了したか否かを判定する（ステップＳ３４）。そして、完了している（Ｙｅｓ）ので、ステップＳ１２を終了する。
　以上のように、本実施形態に係る方法および構成によれば、赤色発光層２４Ｒと緑色発光層２４Ｇと青色発光層２４Ｂとがそれぞれ、リガンドの欠乏およびレジスト材料による劣化から保護される。これによって、表示装置２の寿命および信頼性が向上する効果を奏する。
　＜リガンド＞
　赤色リガンド４２Ｒと緑色リガンド４２Ｇと青色リガンド４２Ｂと、赤色添加リガンド５２Ｒと緑色添加リガンド５２Ｇと青色添加リガンド５２Ｂとは、有機リガンドである場合、溶媒中での分散状態を維持するためにアルキル基を各々含むことが好ましい。具体的には、各々が、アルキルチオール、アルキルアミン、アルキルカルボン酸、アルキル化リンの少なくとも１つを含むように構成されていることが好ましい。
　赤色リガンド４２Ｒと緑色リガンド４２Ｇと青色リガンド４２Ｂと、赤色添加リガンド５２Ｒと緑色添加リガンド５２Ｇと青色添加リガンド５２Ｂとは、無機リガンドである場合、量子ドットへの配位力（配位し易さ）を向上するために、ハロゲン化物イオンを各々含むことが好ましい。具体的には、各々が、ＴＢＡＦ、ＴＢＡＣｌ、ＴＢＡＢｒ、ＴＢＡＩなどのテトラブチルアンモニウムハライド、およびＺｎＦ２、ＺｎＣｌ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２などのハロゲン化亜鉛の少なくとも１つを含むように構成されていることが好ましい。
　ここで、ＴＢＡはテトラブチルアンモニウムを示し、Ｚｎは亜鉛を示し、Ｆはフッ素を示し、Ｃｌは塩素を示し、Ｂｒは臭素を示し、Ｉはヨウ素を示す。
　前述のように本実施形態において、赤色添加リガンド５２Ｒは、赤色リガンド４２Ｒと異なる。これは、赤色リガンド４２Ｒを構成する物質と、赤色添加リガンド５２Ｒを構成する物質とが異なることを意味する。同様に、緑色添加リガンド５２Ｇは、緑色リガンド４２Ｇと異なる。これは、緑色リガンド４２Ｇを構成する物質と、緑色添加リガンド５２Ｇを構成する物質とが異なることを意味する。同様に、青色添加リガンド５２Ｂは、青色リガンド４２Ｂと異なる。これは、青色リガンド４２Ｂを構成する物質と、青色添加リガンド５２Ｂを構成する物質とが異なることを意味する。例えば、赤色リガンド４２Ｒがドデカンチオールである場合、赤色添加リガンド５２Ｒはドデカンチオールでない。
　また本実施形態において、赤色リガンド４２Ｒと緑色リガンド４２Ｇと青色リガンド４２Ｂとは各々、互いに同じであっても、異なってもよい。また、赤色添加リガンド５２Ｒと緑色添加リガンド５２Ｇと青色添加リガンド５２Ｂとは各々、互いに同じであっても、異なってもよい。また、赤色リガンド４２Ｒは、緑色添加リガンド５２Ｇおよび／または青色添加リガンド５２Ｂと同じであっても、異なってもよい。また、緑色リガンド４２Ｇは、赤色添加リガンド５２Ｒおよび／または青色添加リガンド５２Ｂと同じであっても、異なってもよい。また、青色リガンド４２Ｂは、赤色添加リガンド５２Ｒおよび／または緑色添加リガンド５２Ｇと同じであっても、異なってもよい。
　赤色添加リガンド５２Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能な場合、赤色添加リガンド５２Ｒの電子輸送性が、赤色リガンド４２Ｒの電子輸送性よりも低いことが好ましい。具体的には、赤色添加リガンド５２Ｒが、赤色リガンド４２Ｒよりも長鎖形状であることが好ましい。前述のように、赤色添加リガンド５２Ｒの濃度が、赤色発光層２４Ｒの下面４６Ｒおよびその近傍よりも、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒおよびその近傍で大きい。本実施形態においては、下面４６Ｒがアノード１０側であり、上面４８Ｒがカソード１６側である。また、発光素子は通常、電子が過剰な状態で動作する傾向にある。したがって、この場合、カソード１６から赤色発光層２４Ｒへの電子注入を低減することによって、赤色発光素子６Ｒのキャリアバランスを整えることができる。
　本開示において、「ＸがＹよりも長鎖形状である」とは、Ｘ，Ｙを構成する各物質がアルキル基などの長鎖構造を有し、Ｘを構成する物質の分子長がＹを構成する物質の分子長よりも長いことを意味する。
　同様に、緑色添加リガンド５２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒおよび／または緑色量子ドット４０Ｇに配位可能な場合、緑色添加リガンド５２Ｇの電子輸送性が、赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇの電子輸送性よりも低いことが好ましい。具体的には、緑色添加リガンド５２Ｇが、赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇよりも長鎖形状であることが好ましい。これによって、カソード１６から赤色発光層２４Ｒおよび／または緑色発光層２４Ｇへの電子注入を低減することによって、赤色発光素子６Ｒおよび／または緑色発光素子６Ｇのキャリアバランスを整えることができる。
　同様に、また、青色添加リガンド５２Ｂが赤色量子ドット４０Ｒ、緑色量子ドット４０Ｇおよび／または青色量子ドット４０Ｂに配位可能な場合、青色添加リガンド５２Ｂの電子輸送性が、赤色リガンド４２Ｒ、緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２Ｂの電子輸送性よりも低いことが好ましい。具体的には、青色添加リガンド５２Ｂが、赤色リガンド４２Ｒ、緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２Ｂよりも長鎖形状であることが好ましい。これによって、カソード１６から赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層２４Ｇおよび／または青色発光層２４Ｂへの電子注入を低減することによって、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇおよび／または青色発光素子６Ｂのキャリアバランスを整えることができる。
　＜リガンドの偏り＞
　上述のように、発光層２４中のリガンドの分布には偏りが生じ得る。この偏りの有無及び程度は、様々な手段によって明らかにすることができる。説明の簡単化のために、赤色添加リガンド５２Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能である場合の赤色発光層２４Ｒを例に説明する。
　例えば、ＳＥＭを用いた観察において、赤色リガンド４２Ｒと赤色添加リガンド５２Ｒとの外観が異なる場合、および赤色リガンド４２Ｒが配位した赤色量子ドット４０Ｒと赤色添加リガンド５２Ｒが配位した赤色量子ドット４０Ｒとの外観が異なる場合、ＳＥＭを用いて赤色発光層２４Ｒの断面を撮像または観察する。
　また例えば、赤色リガンド４２Ｒがある吸着剤に吸着され易く、赤色添加リガンド５２Ｒが当該吸着剤に吸着され難い場合、赤色発光層２４Ｒの下面４６Ｒの近傍部から採取した試料（以降、「上部試料」）と、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒの近傍部から採取した試料（以降、「下部試料」）とを、当該吸着剤が充填されたカラムクロマトグラフィーを用いて分析する。具体的には、赤色発光層２４Ｒの上部試料と下部試料とを溶媒に溶かし、各溶液をカラムに注ぎ、カラムから出た溶液を回収し、回収した各溶液における赤色添加リガンド５２Ｒの濃度を計測および比較する。
　また例えば、赤色リガンド４２Ｒがある溶媒に溶け難く、赤色添加リガンド５２Ｒが当該溶媒に溶け難い場合、赤色発光層２４Ｒの上部試料と下部試料とを当該溶媒に溶かして濾過し、各濾液における赤色添加リガンド５２Ｒの濃度を計測および比較する。
　また例えば、赤色リガンド４２Ｒを構成する物質がある元素またはある官能基を含まず、赤色添加リガンド５２Ｒを構成する物質が当該元素または当該官能基を含む場合、赤色発光層２４Ｒの上部試料と下部試料とをＸ線分析装置を用いて分析する。具体的には、各試料における当該元素または当該官能基に対応するピーク周波数の大きさを計測および比較する。
　また例えば、赤色リガンド４２Ｒを構成する物質の質量数と、赤色添加リガンド５２Ｒを構成する物質の質量数とに差異がある場合、赤色発光層２４Ｒの上部試料と下部試料とを質量分析計（Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：ＭＳ）を用いて分析する。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　本実施形態に係る緑色添加リガンド５２Ｇは、赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色リガンド４２Ｒと異なると共に、赤色発光層２４Ｒから緑色剥離液５４Ｇへの赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減するように選択されることを特徴とする。加えて、本実施形態に係る緑色添加リガンド５２Ｇは、赤色量子ドット４０Ｒに配位可能であることが好ましい。本実施形態に係る緑色添加リガンド５２Ｇは、緑色発光層４４Ｇに含まれる緑色リガンド４２Ｇと同じであっても、異なってもよい。
　同様に、本実施形態に係る青色添加リガンド５２Ｂは、（１）赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色リガンド４２Ｒと異なると共に、赤色発光層２４Ｒから青色剥離液５４Ｂへの赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減するように選択され、かつ/あるいは、（２）緑色発光層２４Ｇに含まれる緑色リガンド４２Ｇと異なると共に、緑色発光層２４Ｇから青色剥離液５４Ｂへの緑色リガンド４２Ｇの溶出を低減するように選択されることを特徴とする。加えて、本実施形態に係る青色添加リガンド５２Ｂは、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または緑色量子ドット４０Ｇに配位可能であることが好ましい。本実施形態に係る青色添加リガンド５２Ｂは、青色発光層４４Ｂに含まれる青色リガンド４２Ｂと同じであっても、異なってもよい。
　本実施形態に係る方法は、上述以外の点について、前述の実施形態１に係る方法と同様である。
　＜発光層の形成＞
　説明の簡単化のために以降、青色添加リガンド５２Ｂが上記（１）および（２）の双方を満たす場合についてのみ図示しながら説明する。
　図１１に示すように、緑色発光層２４Ｇを形成するためのステップＳ１２におけるステップＳ３２２において、緑色剥離液５４Ｇが緑色犠牲層３４Ｇを溶解する。そして、緑色剥離液５４Ｇ中に緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料３３Ｇが遊離し、緑色剥離液５４Ｇが赤色発光層２４Ｒに直接接している。
　ここで仮に、緑色発光層４４Ｇに従来の剥離液５０Ｇのみを供給した場合、赤色リガンド４２Ｒが赤色発光層２４Ｒから従来の剥離液５０Ｇに溶出し易い。なぜならば、赤色発光層２４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒの濃度が、従来の剥離液５０Ｇ中の赤色リガンド４２Ｒの濃度よりも大きいからである。従来の剥離液５０Ｇ中の赤色リガンド４２Ｒの濃度は、０またはほぼ０である。そして、赤色発光層２４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒが減少して、赤色量子ドット４０Ｒの表面が露出する。特に、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒおよび側面から溶出するので、赤色発光層２４Ｒの上面４８Ｒおよび側面ならびにその近傍に位置する赤色量子ドット４０Ｒの表面が露出する。このため、緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料３３Ｇが赤色量子ドット４０Ｒに接触し易く、赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色量子ドット４０Ｒが劣化し易い。
　一方、緑色発光層４４Ｇに本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇを供給した場合、緑色添加リガンド５２Ｇが赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減する。このため、赤色量子ドット４０Ｒの表面が赤色リガンド４２Ｒによって覆われて十分に保護される。加えて、緑色添加リガンド５２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能である場合、緑色添加リガンド５２Ｇが赤色リガンド４２Ｒの代わりに赤色量子ドット４０Ｒの表面に結合できる。このため、赤色量子ドット４０Ｒの表面が赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色添加リガンド５２Ｇによって覆われてより十分に保護される。このため、緑色フォトレジスト層３２Ｇの材料３３Ｇが赤色量子ドット４０Ｒに接触し難く、赤色量子ドット４０Ｒが劣化し難い。
　図１４に示すように、青色発光層２４Ｂを形成するためのステップＳ１２におけるステップＳ３２２において、青色剥離液５４Ｂが青色犠牲層３４Ｂを溶解する。そして、青色剥離液５４Ｂ中に青色フォトレジスト層３２Ｂの材料３３Ｂが遊離し、青色剥離液５４Ｂが赤色発光層２４Ｒおよび緑色発光層２４Ｇに直接接している。
　したがって同様に、ここで仮に、青色発光層４４Ｂに従来の剥離液５０Ｂのみを供給した場合、赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色量子ドット４０Ｒおよび緑色発光層２４Ｇに含まれる緑色量子ドット４０Ｇが劣化し易い。一方、青色発光層４４Ｂに本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂを供給した場合、赤色発光層２４Ｒに含まれる赤色量子ドット４０Ｒおよび緑色発光層２４Ｇに含まれる緑色量子ドット４０Ｇが劣化し難い。
　以上のように、本実施形態に係る方法および構成によれば、赤色発光層２４Ｒと緑色発光層２４Ｇとがそれぞれ、リガンドの欠乏およびレジスト材料による劣化から保護される。これによって、表示装置２の寿命および信頼性が向上する効果を奏する。
　＜リガンド＞
　前述のように本実施形態において、緑色添加リガンド５２Ｇは、赤色リガンド４２Ｒと異なる。これは、赤色リガンド４２Ｒを構成する物質と、緑色添加リガンド５２Ｇを構成する物質とが異なることを意味する。同様に、青色添加リガンド５２Ｂは、赤色リガンド４２Ｒおよび緑色リガンド４２Ｇの少なくとも一方と異なる。これは、赤色リガンド４２Ｒおよび緑色リガンド４２Ｇの少なくとも一方を構成する物質と、青色添加リガンド５２Ｂを構成する物質とが異なることを意味する。例えば、赤色リガンド４２Ｒがオレイン酸である場合、緑色添加リガンド５２Ｇはオレイン酸でない。
　また本実施形態において、赤色リガンド４２Ｒと緑色リガンド４２Ｇと青色リガンド４２Ｂとは各々、互いに同じであっても、異なってもよい。また、赤色添加リガンド５２Ｒと緑色添加リガンド５２Ｇと青色添加リガンド５２Ｂとは各々、互いに同じであっても、異なってもよい。また、赤色リガンド４２Ｒは、赤色添加リガンド５２Ｒと同じであっても、異なってもよい。また、緑色リガンド４２Ｇは、赤色添加リガンド５２Ｒおよび／または緑色添加リガンド５２Ｇと同じであっても、異なってもよい。また、青色リガンド４２Ｂは、赤色添加リガンド５２Ｒ、緑色添加リガンド５２Ｇおよび／または青色添加リガンド５２Ｂと同じであっても、異なってもよい。
　〔実施形態３〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図１６は、本実施形態に係る発光層２４の形成工程（ステップＳ１２）の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態に係る赤色剥離液５４Ｒは、従来の剥離液５０Ｒに赤色リガンド４２Ｒを添加した液である。赤色剥離液５４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒは、赤色発光層４４Ｒおよび赤色発光層２４Ｒから赤色剥離液５４Ｒへの赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減する。また、赤色剥離液５４Ｒ中の赤色リガンド４２Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒに配位可能である。
　本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇは、従来の剥離液５０Ｇに緑色リガンド４２Ｇを添加した液である。緑色剥離液５４Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇは、緑色発光層４４Ｇおよび緑色発光層２４Ｇから緑色剥離液５４Ｇへの緑色リガンド４２Ｇの溶出を低減する。また、緑色剥離液５４Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇは、緑色量子ドット４０Ｇに配位可能である。加えて、緑色剥離液５４Ｇ中の緑色リガンド４２Ｇは、赤色量子ドット４０Ｒに配位可能であってよい。
　本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂは、従来の剥離液５０Ｂに青色リガンド４２Ｂを添加した液である。青色剥離液５４Ｂ中の青色リガンド４２Ｂは、青色発光層４４Ｂおよび青色発光層２４Ｂから青色剥離液５４Ｂへの青色リガンド４２Ｂの溶出を低減する。また、青色剥離液５４Ｂ中の青色リガンド４２Ｂは、青色量子ドット４０Ｂに配位可能である。加えて、青色剥離液５４Ｂ中の青色リガンド４２Ｂは、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または緑色量子ドット４０Ｇに配位可能であってよい。
　本実施形態に係る方法は、上述以外の点について、前述の実施形態１に係る方法と同様である。このため、本実施形態に係る方法および構成は、前述の実施形態１に係る方法および構成と同様の効果を奏する。
　図１６に示すように、本実施形態に係る赤色発光層２４Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒと赤色リガンド４２Ｒとを含む。加えて、緑色リガンド４２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドである場合、緑色犠牲層３４Ｇを除去した後の赤色発光層２４Ｒがさらに、緑色リガンド４２Ｇを含んでよい。また、青色リガンド４２Ｂが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドである場合、青色犠牲層３４Ｂを除去した後の赤色発光層２４Ｒがさらに、青色リガンド４２Ｂを含んでよい。緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２ＢはステップＳ３２において、赤色発光層２４Ｒの表面から内部に侵入する。このため、赤色発光層２４Ｒ中の緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２Ｂの分布に偏りがある場合、緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２Ｂの濃度は、赤色発光層２４Ｒの下面およびその近傍における濃度が、赤色発光層２４Ｒの上面およびその近傍における濃度よりも小さい。
　本実施形態に係る緑色発光層２４Ｇは、緑色量子ドット４０Ｇと緑色リガンド４２Ｇとを含む。加えて、青色リガンド４２Ｂが緑色量子ドット４０Ｇに配位可能なリガンドである場合、青色犠牲層３４Ｂを除去した後の緑色発光層２４Ｇがさらに、青色リガンド４２Ｂを含んでよい。青色リガンド４２ＢはステップＳ３２において、緑色発光層２４Ｇの表面から内部に侵入する。このため、緑色発光層２４Ｇ中の青色リガンド４２Ｂの分布に偏りがある場合、青色リガンド４２Ｂの濃度は、緑色発光層２４Ｇの下面およびその近傍における濃度が、緑色発光層２４Ｇの上面およびその近傍における濃度よりも小さい。
　本実施形態に係る青色発光層２４Ｂは、青色量子ドット４０Ｂと青色リガンド４２Ｂとを含む。
　（実施例１）
　本開示の実施形態３の一実施例について以下に説明する。
　ステップＳ２からステップＳ１８（図３参照）を順に実行した。
　ステップＳ１２において、ステップＳ２２からステップＳ３２（図４参照）を含む一連の工程を１回のみ実行した。
　ステップＳ２２において、正孔輸送層２２上に、アクリル樹脂を含む赤色保護層３０Ｒを形成した。
　ステップＳ２４において、赤色保護層３０Ｒ上に、感光性アクリル樹脂層を含む赤色フォトレジスト層３２Ｒを形成した。
　ステップＳ３０において、正孔輸送層２２および赤色フォトレジスト層３２Ｒの上に、赤色量子ドット４０Ｒと赤色リガンド４２Ｒとを含む赤色発光層４４Ｒを形成した。赤色量子ドット４０Ｒは、ＩｎＰ／ＺｎＳのコアシェル型であった。赤色量子ドット４０Ｒは、劣化しない限り、波長約３６５ｎｍの光を吸収して波長約６４０ｎｍの光を発光できる。赤色リガンド４２Ｒはドデカンチオールであった。
　ステップＳ３２において、赤色発光層４４Ｒに、従来の剥離液５０Ｒにドデカンチオールを添加した赤色剥離液５４Ｒを供給した。従来の剥離液５０Ｒは、ＰＧＭＥであった。赤色剥離液５４Ｒにおけるドデカンチオールの濃度は、０．３ｍｏｌ／Ｌであった。
　以上のように、実施例１に係る表示装置２を形成した。
　（実施例２）
　実施例２に係る表示装置２を、実施例１に係る表示装置２と同様に形成した。
　（比較例１）
　ステップＳ３２において、赤色発光層４４Ｒに、赤色リガンド４２Ｒを含まない従来の剥離液５０Ｒを供給した。
　比較例１に係る表示装置２を、その他の点で、実施例１に係る表示装置２と同様に形成した。
　（比較例２）
　比較例２に係る表示装置２を、比較例１に係る表示装置２と同様に形成した。
　（蛍光寿命測定）
　図１７は、実施例１，２および比較例１，２に係る表示装置２の蛍光強度の時間変化を示すグラフを示す図である。
　実施例１，２および比較例１，２に係る表示装置２の表示領域ＤＡに波長約３６５ｎｍの光を一定の強度で照射し、表示領域ＤＡから発光された波長約６４０ｎｍの光の強度を測定した。
　図１７に示すように、実施例１，２に係る蛍光強度の時間変化が互いに略一致しており、比較例１，２に係る蛍光強度の時間変化が互いに略一致している。一方、実施例１，２に係る蛍光強度の時間変化は、比較例１，２に係る蛍光強度の時間変化から明白に異なる。これは、実施例１，２と比較例１，２との間の差異が、製造誤差でないことを示す。したがって、剥離液にリガンドを添加することによって、有意な性能差が得られる。
　約１８ｎｓ以降において、実施例１，２に係る蛍光強度の減衰が比較例１，２に係る蛍光強度の減衰より緩やかであり、実施例１，２に係る蛍光強度が比較例１，２に係る蛍光強度より大きい。これは、実施例１，２における赤色量子ドット４０Ｒの蛍光寿命が、比較例１，２における赤色量子ドット４０Ｒの蛍光寿命よりも長いことを示している。したがって、剥離液にリガンドを添加することによって、発光素子の寿命および信頼性を向上できるので、表示装置２の寿命および信頼性を向上できる。
　〔実施形態４〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図１８は、本実施形態に係る発光層２４の形成工程（ステップＳ１２）の一例を示す概略断面図である。
　本実施形態に係る緑色剥離液５４Ｇは、従来の剥離液５０Ｇに赤色リガンド４２Ｒを添加した液である。緑色剥離液５４Ｇ中の赤色リガンド４２Ｒは、赤色発光層２４Ｒから緑色剥離液５４Ｇへの赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減する。また、緑色剥離液５４Ｇ中の赤色リガンド４２Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒに配位可能である。加えて、緑色剥離液５４Ｇ中の赤色量子ドット４０Ｒは、緑色量子ドット４０Ｇに配位可能であってよい。
　本実施形態に係る青色剥離液５４Ｂは、従来の剥離液５０Ｂに赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇを添加した液である。青色剥離液５４Ｂ中の赤色リガンド４２Ｒは、赤色発光層２４Ｒから青色剥離液５４Ｂへの赤色リガンド４２Ｒの溶出を低減する。また、青色剥離液５４Ｂ中の赤色リガンド４２Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒに配位可能である。加えて、青色剥離液５４Ｂ中の赤色リガンド４２Ｒは、緑色量子ドット４０Ｇおよび／または青色量子ドット４０Ｂに配位可能であってよい。同様に、青色剥離液５４Ｂ中の緑色リガンド４２Ｇは、緑色発光層２４Ｇから青色剥離液５４Ｂへの緑色リガンド４２Ｇの溶出を低減する。また、青色剥離液５４Ｂ中の緑色リガンド４２Ｇは、緑色量子ドット４０Ｇに配位可能である。加えて、青色剥離液５４Ｂ中の緑色リガンド４２Ｇは、赤色量子ドット４０Ｒおよび／または青色量子ドット４０Ｂに配位可能であってよい。
　本実施形態に係る方法は、上述以外の点について、前述の実施形態２に係る方法と同様である。このため、本実施形態に係る方法および構成は、前述の実施形態２に係る方法および構成と同様の効果を奏する。
　図１８に示すように、本実施形態に係る赤色発光層２４Ｒは、赤色量子ドット４０Ｒと赤色リガンド４２Ｒとを含む。加えて、緑色リガンド４２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能なリガンドであり、青色剥離液５４Ｂが緑色リガンド４２Ｇを含む場合、青色犠牲層３４Ｂを除去した後の赤色発光層２４Ｒがさらに、緑色リガンド４２Ｇを含んでよい。緑色リガンド４２ＧはステップＳ３２において、赤色発光層２４Ｒの表面から内部に侵入する。このため、赤色発光層２４Ｒ中の緑色リガンド４２Ｇの分布に偏りがある場合、緑色リガンド４２Ｇの濃度は、赤色発光層２４Ｒの下面およびその近傍における濃度が、赤色発光層２４Ｒの上面およびその近傍における濃度よりも小さい。
　本実施形態に係る緑色発光層２４Ｇは、緑色量子ドット４０Ｇと緑色リガンド４２Ｇとを含む。加えて、赤色リガンド４２Ｒが緑色量子ドット４０Ｇに配位可能なリガンドであり、青色剥離液５４Ｂが赤色リガンド４２Ｒを含む場合、青色犠牲層３４Ｂを除去した後の緑色発光層２４Ｇがさらに、赤色リガンド４２Ｒを含んでよい。赤色リガンド４２ＲはステップＳ３２において、緑色発光層２４Ｇの表面から内部に侵入する。このため、緑色発光層２４Ｇ中の赤色リガンド４２Ｒの分布に偏りがある場合、赤色リガンド４２Ｒの濃度は、緑色発光層２４Ｇの下面およびその近傍における濃度が、緑色発光層２４Ｇの上面およびその近傍における濃度よりも小さい。
　本実施形態に係る青色発光層２４Ｂは、青色量子ドット４０Ｂと青色リガンド４２Ｂとを含む。加えて、緑色リガンド４２Ｇが青色量子ドット４０Ｂに配位可能なリガンドであり、青色剥離液５４Ｂが緑色リガンド４２Ｇを含む場合、パターニングされた青色発光層２４Ｂがさらに、緑色リガンド４２Ｇを含んでよい。また、赤色リガンド４２Ｒが青色量子ドット４０Ｂに配位可能なリガンドであり、青色剥離液５４Ｂが赤色リガンド４２Ｒを含む場合、パターニングされた青色発光層２４Ｂがさらに、赤色リガンド４２Ｒを含んでよい。青色発光層２４Ｂ中の赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇの分布に偏りがある場合、赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇの濃度は、青色発光層２４Ｂの下面およびその近傍における濃度が、青色発光層２４Ｂの上面およびその近傍における濃度よりも小さい。
　〔実施形態５〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図１９は、本実施形態に係る表示装置２の表示領域ＤＡの概略構成の一例を示す断面図である。
　図２０は、本実施形態に係る表示装置２の製造方法の一例を示す概略フロー図である。
　図１９に示すように、本実施形態に係る発光素子層６は、基板４上のカソード１１６（第１電極）と、カソード１１６に対向するアノード１１０（第２電極）と、バンク１２と、アノード１１０およびカソード１１６の間に設けられた活性層１４とを含む。
　ここで、カソード１１６は発光素子毎に個別に形成されている。カソード１１６は、発光素子毎に、すなわちサブ画素毎に島状に設けられ、「画素電極」とも称される。カソード１１６は、赤色発光素子６Ｒ用のカソード１１６Ｒ、緑色発光素子６Ｇ用のカソード１１６Ｇ、および青色発光素子６Ｂ用のカソード１１６を含む。一方、正孔注入層２０と正孔輸送層２２と電子輸送層２６とアノード１１０とはそれぞれ、複数の発光素子に対して共通に形成されている。アノード１１０は、「共通電極」とも称される。
　図２０に示すように、本実施形態に係る表示装置２の製造方法において、はじめに、基板４を形成し（ステップＳ２）、カソード１１６を形成し（ステップＳ１６）、バンク１２を形成する（ステップＳ６）。続いて、電子輸送層２６を形成し（ステップＳ１４）、発光層２４を形成し（ステップＳ１２）、正孔輸送層２２を形成し（ステップＳ１０）、正孔注入層２０を形成し（ステップＳ８）する。次いで、アノード１１０を形成し（ステップＳ４）し、封止層８を形成する（ステップＳ１８）。そして、必要に応じて、ガラス基板の剥離、および機能フィルムの貼り付けなどを実行して、表示装置２の製造が完了する。
　したがって、本実施形態に係る表示装置２は、発光素子層６の積層順が逆転している点で、前述の実施形態１に係る表示装置２と異なる。また、これに伴って、本実施形態に係る表示装置２の製造方法は、ステプＳ２とステップＳ１８との間のステップ順序が前述の実施形態１に係る表示装置２と異なる。これら以外の点について、本実施形態に係る方法および構成は、前述の実施形態１に係る方法および構成と同様である。
　このため、本実施形態に係る方法および構成は、前述の実施形態１に係る方法および構成と同様の効果を奏する。
　＜リガンド＞
　赤色添加リガンド５２Ｒが赤色量子ドット４０Ｒに配位可能な場合、赤色添加リガンド５２Ｒの正孔輸送性が、赤色リガンド４２Ｒの正孔輸送性よりも高いことが好ましい。具体的には、赤色リガンド４２Ｒが赤色添加リガンド５２Ｒよりも長鎖形状であることが好ましい。前述のように、赤色添加リガンド５２Ｒの濃度が、赤色発光層２４Ｒの下面およびその近傍よりも、赤色発光層２４Ｒの上面およびその近傍で大きい。本実施形態においては、下面がカソード１１６側であり、上面がアノード１１０側である。また、発光素子は通常、電子が過剰な状態で動作する傾向にある。したがって、この場合、アノード１１０から赤色発光層２４Ｒへの正孔注入を増大することによって、赤色発光素子６Ｒのキャリアバランスを整えることができる。
　同様に、緑色添加リガンド５２Ｇが赤色量子ドット４０Ｒおよび／または緑色量子ドット４０Ｇに配位可能な場合、緑色添加リガンド５２Ｇの正孔輸送性が、赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇの正孔輸送性よりも高いことが好ましい。具体的には、赤色リガンド４２Ｒおよび／または緑色リガンド４２Ｇが緑色添加リガンド５２Ｇよりも長鎖形状であることが好ましい。これによって、アノード１１０から赤色発光層２４Ｒおよび／または緑色発光層２４Ｇへの正孔注入を増大することによって、赤色発光素子６Ｒおよび／または緑色発光素子６Ｇのキャリアバランスを整えることができる。
　同様に、また、青色添加リガンド５２Ｂが赤色量子ドット４０Ｒ、緑色量子ドット４０Ｇおよび／または青色量子ドット４０Ｂに配位可能な場合、青色添加リガンド５２Ｂの正孔輸送性が、赤色リガンド４２Ｒ、緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２Ｂの正孔輸送性よりも高いことが好ましい。具体的には、赤色リガンド４２Ｒ、緑色リガンド４２Ｇおよび／または青色リガンド４２Ｂが青色添加リガンド５２Ｂよりも長鎖形状であることが好ましい。これによって、アノード１１０から赤色発光層２４Ｒ、緑色発光層２４Ｇおよび／または青色発光層２４Ｂへの正孔注入を増大することによって、赤色発光素子６Ｒ、緑色発光素子６Ｇおよび／または青色発光素子６Ｂのキャリアバランスを整えることができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本開示に係る剥離液は、リガンドが添加された剥離液を含む。
　本開示に係る製造方法は、発光層２４に含まれる層のうちの少なくとも１層を、リガンド添加された剥離液を用いたリフトオフ法によってパターニングする方法を含む。換言すると、電荷機能層の上（および既に形成されている発光層が在れば、当該発光層の上）に犠牲層を形成する工程と、犠牲層の一部を除去して電荷機能層を露出させる工程と、犠牲層および電荷機能層の上に発光層を形成する工程と、本実施形態に係る剥離液を用いて犠牲層を除去することによって、発光層をパターニングする工程と、を含む一連の工程を１回以上行う製造方法が、本開示の範囲に含まれる。
　本開示に係る表示装置は、発光層２４に含まれる層のうちの少なくとも１層が、リガンド添加された剥離液を用いたリフトオフ法によってパターニングされた表示装置を含む。
　例えば、実施形態１～４の何れか２つ以上を組合せてもよい。例えば、実施形態２～４について、実施形態５と同様に発光素子層６の積層順が逆転してもよい。例えば、発光素子層６の積層順が逆転した実施形態２～４および実施形態５の何れか２つ以上を組合せてもよい。
　１０　アノード（第１電極）
　１６　カソード（第２電極）
　２０　正孔注入層（電荷機能層）
　２２　正孔輸送層（電荷機能層）
　２４Ｒ　赤色発光層（第１発光層）
　３０Ｒ　赤色保護層（保護層）
　３２Ｒ　赤色フォトレジスト層（レジスト層）
　３４Ｒ　赤色犠牲層３４Ｇ（第１犠牲層）
　３４Ｇ　緑色犠牲層３４Ｇ（第２犠牲層）
　３４Ｂ　青色犠牲層３４Ｇ（第３犠牲層）
　３６Ｇ　重畳領域（第１領域）
　３６Ｂ　重畳領域（第３領域）
　３８Ｇ　非重畳領域（第２領域）
　３８Ｂ　非重畳領域（第４領域）
　４０Ｒ　赤色量子ドット（第１量子ドット）
　４０Ｇ　緑色量子ドット（第２量子ドット）
　４０Ｂ　青色量子ドット（第３量子ドット）
　４２Ｒ　赤色リガンド（第１リガンド）
　４４Ｒ　赤色発光層（第１発光層）
　４４Ｇ　緑色発光層（第２発光層）
　４４Ｂ　青色発光層（第３発光層）
　５２Ｒ　赤色添加リガンド（第２リガンド）
　５２Ｇ　緑色添加リガンド（第３リガンド）
　５２Ｂ　青色添加リガンド（第４リガンド）
　５４Ｒ　赤色剥離液（第１剥離液、剥離液）
　５４Ｇ　緑色剥離液（第２剥離液、剥離液）
　５４Ｂ　青色剥離液（第３剥離液、剥離液）
　１１０　アノード（第２電極）
　１１６　カソード（第１電極）

 

Claims (24)

  1. 　電荷機能層の上に、第１犠牲層を形成する工程と、
    　前記第１犠牲層の一部を除去して前記電荷機能層を露出させる工程と、
    　前記第１犠牲層および前記電荷機能層の上に、第１量子ドットおよび第１リガンドを含む第１発光層を形成する工程と、
    　第２リガンドを含む第１剥離液を用いて前記第１犠牲層を除去することによって、前記第１発光層をパターニングする工程と、を含む、表示装置の製造方法。
  2. 　前記第２リガンドは、前記第１量子ドットに配位可能である、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 　前記第１犠牲層を除去した後の前記第１発光層に前記第２リガンドが含まれる、請求項２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 　前記第１リガンドを構成する物質と、前記第２リガンドを構成する物質とが異なる、請求項１～３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  5. 　前記第１リガンドを構成する物質と、前記第２リガンドを構成する物質とが同一である、請求項１～３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  6. 　前記第１リガンドが、アルキルチオール、アルキルアミン、アルキルカルボン酸、およびアルキル化リンの少なくとも１つで構成されており、
    　前記第２リガンドが、アルキルチオール、アルキルアミン、アルキルカルボン酸、およびアルキル化リンの少なくとも１つで構成されている、請求項１～５の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  7. 　前記第１リガンドが、テトラブチルアンモニウムハライド、およびハロゲン化亜鉛の少なくとも１つで構成されており、
    　前記第２リガンドが、テトラブチルアンモニウムハライド、およびハロゲン化亜鉛の少なくとも１つで構成されている、請求項１～５の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  8. 　前記第１犠牲層は、前記電荷機能層の上の保護層と、前記保護層の上のレジスト層とを含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  9. 　前記第１発光層と重なる第１領域と、前記第１発光層と重ならない第２領域とを含む第２犠牲層を形成する工程と、
    　前記第２領域の少なくとも一部を除去して前記電荷機能層を露出させる工程と、
    　前記第２犠牲層および前記電荷機能層の上に、第２量子ドットを含む第２発光層を形成する工程と、
    　第３リガンドを含む第２剥離液を用いて前記第２犠牲層を除去することによって、前記第２発光層をパターニングする工程と、をさらに含む請求項１～８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  10. 　電荷機能層の上に、第１量子ドットおよび第１リガンドを含む、パターニングされた第１発光層を形成する工程と、
    　前記第１発光層と重なる第１領域と、前記第１発光層と重ならない第２領域とを含む第２犠牲層を形成する工程と、
    　前記第２領域の少なくとも一部を除去して前記電荷機能層を露出させる工程と、
    　前記第２犠牲層および前記電荷機能層の上に、第２量子ドットを含む第２発光層を形成する工程と、
    　第３リガンドを含む第２剥離液を用いて前記第２犠牲層を除去することによって、前記第２発光層をパターニングする工程と、を含む、表示装置の製造方法。
  11. 　前記第３リガンドは、前記第１量子ドットに配位可能である、請求項９または１０に記載の表示装置の製造方法。
  12. 　前記第２犠牲層を除去した後の前記第１発光層に前記第３リガンドが含まれる、請求項９～１１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  13. 　前記第１リガンドを構成する物質と、前記第３リガンドを構成する物質とが異なる、請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  14. 　前記第１リガンドを構成する物質と、前記第３リガンドを構成する物質とが同一である、請求項９～１２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  15. 　前記第１リガンドが、アルキルチオール、アルキルアミン、アルキルカルボン酸、およびアルキル化リンの少なくとも１つで構成されており、
    　前記第３リガンドが、アルキルチオール、アルキルアミン、アルキルカルボン酸、およびアルキル化リンの少なくとも１つで構成されている、請求項９～１４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  16. 　前記第１リガンドが、テトラブチルアンモニウムハライド、およびハロゲン化亜鉛の少なくとも１つで構成されており、
    　前記第３リガンドが、テトラブチルアンモニウムハライド、およびハロゲン化亜鉛の少なくとも１つで構成されている、請求項９～１４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
  17. 　前記第２量子ドットは緑または青の光を発する、請求項９～１６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  18. 　前記第１発光層および前記第２発光層の少なくとも一方と重なる第３領域と、前記第１発光層および前記第２発光層のいずれにも重ならない第４領域とを含む第３犠牲層を形成する工程と、
    　前記第４領域の少なくとも一部を除去して前記電荷機能層を露出させる工程と、
    　前記第３犠牲層上および前記電荷機能層上に、第３量子ドットを含む第３発光層を形成する工程と、
    　第４リガンドを含む剥離液を用いて前記第３犠牲層を除去することで前記第３発光層をパターニングする工程と、を含む、請求項９～１７のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  19. 　前記電荷機能層にナノ粒子化された金属酸化物が含まれる、請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  20. 　前記電荷機能層が正孔注入層を含み、前記正孔注入層に前記金属酸化物としてニッケル酸化物が含まれる、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
  21. 　第１電極および第２電極と、
    　第１電極および第２電極間に位置し、第１量子ドットを含む第１発光層と、を含み、
    　前記第１発光層においては、前記第１電極側の界面に含まれる第１リガンドと、前記第２電極側の界面に含まれる第２リガンドとの構成物質が異なる、発光素子。
  22. 　前記第２電極側の界面には、前記第１リガンドと同物質のリガンドが、前記第２リガンドよりも低濃度に含まれている、請求項２１に記載の発光素子。
  23. 　前記第１電極がアノード、前記第２電極がカソードであり、
    　前記第２リガンドは前記第１リガンドよりも長鎖形状である、請求項２１または２２に記載の発光素子。
  24. 　請求項２１～２３の何れか１項に記載の発光素子を備える表示装置。
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