WO2023084769A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

有機ＥＬ表示装置（１）は、行方向（Ｄｘ）および列方向（Ｄｙ）に配列された複数の有機ＥＬ素子（５０）と、複数の有機ＥＬ素子（５０）の発光をそれぞれ制御する複数のＴＦＴ（３０）とを備える。有機ＥＬ素子（５０）の発光が、行方向（Ｄｘ）に並んだ複数の有機ＥＬ素子（５０）ごとにＴＦＴ（３０）の動作で制御される。画像を表示する表示領域（ＤＡ）は、有機ＥＬ素子（５０）により発光可能な複数の第１領域（Ａ１）と、後方からの光を透過可能な複数の第２領域（Ａ２）とを含む。第１領域（Ａ１）と第２領域（Ａ２）とは、行方向（Ｄｘ）および列方向（Ｄｙ）に交互に設けられる。

Description

表示装置

　本開示は、表示装置に関する。

　従来から、画像を表示しつつ後方の景色などの背景も視認可能なシースルーディスプレイとして機能する表示装置が知られている。そのような表示装置として、例えば、特許文献１には、複数の画素のそれぞれが不透明領域および透明領域を含む有機発光表示装置が開示される。この有機発光表示装置では、不透明領域が光を放出する表示領域を含む。そして、表示領域および透明領域は、導電ラインによって隔離される。これにより、広い透明領域を確保して光透過性を向上させ、イメージの歪みを最小化する。

特開２０１２－１３４１１８号公報

　特許文献１に開示の有機発光表示装置では、透明領域が走査線の延びる方向に直線状に並ぶ。そのため、表示部においては、透過される背景が表示領域での発光による表示画像に対して横縞状に視認されやすい。このことは、画素サイズが大きいほど顕著になる。表示装置の画面に背景が横縞状に視認されると、表示越しに見える背景の自然な透け感が損なわれるため、シースルーディスプレイとしての表示品位が低下する。

　本開示の目的は、シースルーディスプレイとして機能する表示装置で、高い背景透過率を得つつ、表示領域に透過される背景が表示画像に対して縞状に見えるのを抑制することにある。

　本開示の技術は、表示装置を対象とする。本開示の技術に係る表示装置は、互いに直交する第１方向および第２方向に配列された複数の発光素子と、複数の前記発光素子の発光をそれぞれ制御する複数のアクティブ素子とを備え、前記発光素子の発光が、前記第１方向または前記第２方向に並んだ複数の前記発光素子ごとに前記アクティブ素子の動作で制御されることにより、画像を表示する。当該表示装置において、画像を表示する表示領域は、前記発光素子により発光可能な複数の第１領域と、後方からの光を透過可能な複数の第２領域とを含む。前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１方向および前記第２方向に交互に設けられる。

　本開示の技術によれば、シースルーディスプレイとして機能する表示装置で、高い背景透過率を得つつ、表示領域に透過される背景が表示画像に対して縞状に見えるのを抑制できる。

図１は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の概略構成を例示する平面図である。 図２は、図１のA－A線における有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図３は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置によって表示される画像と画面を透過して視認される背景との見え方の一例を示す模式図である。 図４は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図５は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の共通電極の構成を例示する平面図である。 図６は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置における第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図７は、図６のB－B線における第１領域の断面図である。 図８は、図６のC－C線における第１領域の断面図である。 図９は、図６のD－D線における第２領域の断面図である。 図１０は、図６のE－E線における第２領域の断面図である。 図１１は、実施形態１の有機ＥＬ層の積層構造を例示する断面図である。 図１２は、実施形態１の画素回路を例示する等価回路図である。 図１３は、実施形態１の第１変形例の有機ＥＬ表示装置の第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図１４は、図１３のF－F線における第１領域の断面図である。 図１５は、図１３のG－G線における第１領域の断面図である。 図１６は、図１３のH－H線における第２領域の断面図である。 図１７は、図１３のI－I線における第２領域の断面図である。 図１８は、実施形態１の第２変形例の有機ＥＬ表示装置の第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図１９は、図１８のJ－J線における第１領域の断面図である。 図２０は、図１８のK－K線における第１領域の断面図である。 図２１は、図１８のL－L線における第２領域の断面図である。 図２２は、図１８のM－M線における第２領域の断面図である。 図２３は、実施形態１の第３変形例の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図２４は、実施形態１の第４変形例の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図２５は、実施形態１の第５変形例の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図２６は、実施形態１の第６変形例の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図２７は、実施形態１の第７変形例の画素回路を例示する等価回路図である。 図２８は、実施形態２の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図２９は、実施形態２の有機ＥＬ表示装置における第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図３０は、図２９のN－N線における第１領域の断面図である。 図３１は、図２９のO－O線における第１領域の断面図である。 図３２は、図２９のP－P線における第２領域の断面図である。 図３３は、図２９のQ－Q線における第２領域の断面図である。 図３４は、実施形態２の画素回路を例示する等価回路図である。 図３５は、実施形態２の第１変形例の有機ＥＬ表示装置における第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図３６は、図３５のR－R線における第１領域の断面図である。 図３７は、図３５のS－S線における第１領域の断面図である。 図３８は、図３５のT－T線における第２領域の断面図である。 図３９は、図３５のU－U線における第２領域の断面図である。 図４０は、実施形態２の第２変形例の有機ＥＬ表示装置における第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図４１は、図４０のV－V線における第１領域の断面図である。 図４２は、図４０のW－W線における第１領域の断面図である。 図４３は、図４０のX－X線における第２領域の断面図である。 図４４は、図４０のY－Y線における第２領域の断面図である。 図４５は、実施形態２の第３変形例の画素回路を例示する等価回路図である。 図４６は、実施形態３の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図４７は、実施形態３の有機ＥＬ表示装置における第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図４８は、図４７のZ－Z線における第１領域の断面図である。 図４９は、図４７のAA－AA線における第１領域の断面図である。 図５０は、図４７のAB－AB線における第２領域の断面図である。 図５１は、実施形態３の画素回路を例示する等価回路図である。 図５２は、実施形態３の第１変形例の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図５３は、実施形態３の第１変形例の有機ＥＬ表示装置における第１領域および第２領域の構成を例示する平面図である。 図５４は、図５３のAC－AC線における第１領域の断面図である。 図５５は、図５４のAD－AD線における第２領域の断面図である。 図５６は、実施形態３の第１変形例の有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成を例示する平面図である。 図５７は、実施形態３の第２変形例の画素回路を例示する等価回路図である。

　以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、本開示の技術に係る表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；以下、ＥＬと称する）表示装置を例に挙げて説明する。なお、図面は、本開示の技術を概念的に説明するためのものである。よって、図面では、本開示の技術の理解を容易にするために寸法、比または数を、誇張あるいは簡略化して表す場合がある。

　以下の実施形態において、「行方向」とは、表示装置の画面の水平方向を意味する。「行方向」は、第１方向に相当する。「列方向」とは、表示装置の画面の垂直方向を意味する。「列方向」は、第２方向に相当する。サブ画素などの構成要素の行とは、行方向に一列をなす複数の構成要素の横の並びを意味する。サブ画素などの構成要素の列とは、列方向に一列をなす複数の構成要素の縦の並びを意味する。

　以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素の上に他の膜や層、素子などの構成要素が設けられる、または形成されるとする記載は、或る構成要素の直上に他の構成要素が存在する場合のみを意味するのではなく、それら両方の構成要素の間に、それら以外の膜や層、素子などの構成要素が介在される場合も含む。

　また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素が他の膜や層、素子などの構成要素に接続されるとする記載は、特に断らない限り電気的に接続されることを意味する。当該記載は、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、それら以外の膜や層、素子などの構成要素を介した間接的な接続を意味する場合も含む。当該記載はさらに、或る構成要素に他の構成要素が一体化される、つまり或る構成要素の一部が他の構成要素を構成する場合も含む。

　また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素が他の膜や層、素子などの構成要素と同一層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素と同一プロセスによって形成されることを意味する。或る構成要素が他の構成要素の下層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素よりも先のプロセスによって形成されることを意味する。或る構成要素が他の構成要素の上層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素よりも後のプロセスによって形成されることを意味する。

　また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素が他の膜や層、素子などの構成要素と同一である、または同等であるとする記載は、或る構成要素と他の構成要素とが完全に同一である状態、または完全に同等である状態のみを意味するのではなく、或る構成要素と他の構成要素とが製造ばらつきや公差の範囲内で変動するといった実質的に同一である状態、または実質的に同等である状態を含む。

　また、以下の実施形態において、第１、第２、第３…という記載は、これらの記載が付与された語句を区別するために用いられ、その語句の数や何らかの順序までも限定するものではない。

　《実施形態１》
　有機ＥＬ表示装置１は、ユーザ側から当該装置後方の背景を視認可能なシースルーディスプレイとして機能する表示装置である。有機ＥＬ表示装置１でユーザ側から視認される背景は、例えば、特定の物体、別の表示パネルによって表示される画像、または風景などである。

　　－有機ＥＬ表示装置の構成－
　図１および図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示領域ＤＡと、額縁領域ＦＡとを有する。

　表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であって、画面を構成する。表示領域ＤＡは、矩形状に設けられる。本実施形態では、矩形状の表示領域ＤＡを例示するが、表示領域ＤＡは、少なくとも１つの辺が円弧状になった形状、少なくとも１つの角部が円弧状になった形状、少なくとも１つの辺の一部に切欠きがある形状などの略矩形状であってもよい。

　額縁領域ＦＡは、画像を表示しない領域であって、画面以外の非表示部分を構成する。額縁領域ＦＡは、矩形枠状に設けられる。額縁領域ＦＡの一辺（図１で下側の辺）を構成する部分は、端子領域ＴＡを構成する。端子領域ＴＡは、平面視でアレイ基板３の対向基板５から張り出した領域に設けられる。端子領域ＴＡには、表示制御回路などの外部回路と接続するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板ＣＢが接続される。

　端子領域ＴＡにおいて、配線基板ＣＢが接続される部分と表示領域ＤＡとの間には、ソースドライバＳＤがＩＣ（Integrated Circuit）チップとして実装される。額縁領域ＦＡにおいて端子領域ＴＡが設けられた辺と隣り合う辺（図１で左右の各辺）を構成する各部分には、ゲートドライバＧＤがモノリシックに設けられる。

　額縁領域ＦＡにはさらに、第１額縁線Ｌａと、第２額縁線Ｌｂとが設けられる。第１額縁線Ｌａおよび第２額縁線Ｌｂはそれぞれ、アレイ基板３に表示領域ＤＡを囲むように設けられ、端子領域ＴＡに延びる。第１額縁線Ｌａには、端子領域ＴＡで配線基板ＣＢを介してハイレベル電源電圧（ＢＬＶＤＤ）が供給される。第２額縁線Ｌｂには、端子領域ＴＡで配線基板ＣＢを介してローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が供給される。

　図４にも示すように、表示領域ＤＡは、複数の画素ＰＸを含んで構成される。複数の画素ＰＸは、３つのサブ画素Ｐｓからなる。３つのサブ画素Ｐｓは、赤色に発光するサブ画素Ｐｒ、緑色に発光するサブ画素Ｐｇ、および青色に発光するサブ画素Ｐｂである。本例の各画素ＰＸをなす３色のサブ画素Ｐｓは、行方向Ｄｘにおいて隣り合う。

　表示領域ＤＡは、マトリクス状に配列された複数のサブ画素Ｐｓの一部を間引いたような構成とされる。表示領域ＤＡは、複数の第１領域Ａ１（図４にドットハッチングを付した領域）と、複数の第２領域Ａ２とを含む。第１領域Ａ１は、有機ＥＬ素子５０により発光可能な発光領域である。第２領域Ａ２は、有機ＥＬ表示装置１の後方（背面側）からの光を正面側へ透過可能なシースルー領域である。

　複数の第１領域Ａ１と複数の第２領域Ａ２とは、表示領域ＤＡにおいて混在する。複数の第１領域Ａ１は、千鳥状に配列される。複数の第２領域Ａ２は、隣り合う第１領域Ａ１の間に位置するように千鳥状に配列される。そうして、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２は、市松模様状に配置される。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、行方向Ｄｘにおいて交互に設けられ、列方向Ｄｙにおいて交互に設けられる。第１領域Ａ１および第２領域Ａ２はそれぞれ、行方向Ｄｘおよび列方向Ｄｙに対して斜めの方向に連続して並ぶ。

　図３に一例を示すように、有機ＥＬ表示装置１では、表示領域ＤＡに画像（静止画像または動画像）を表示すると共に、表示領域ＤＡの全域において、当該装置１後方の背景が表示画像を透けて観察される。なお、一部の第２領域Ａ２は、有機ＥＬ表示装置１の背面側からの光を遮り、当該装置１の後方の背景を視認できない非シースルー領域であってもよい。

　有機ＥＬ表示装置１は、個々のサブ画素Ｐｓでの発光を個別に制御することにより画像表示を行うアクティブマトリクス駆動方式を採用する。図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板３と、対向基板５とを備える。アレイ基板３は、ベース基板１０と、素子層２０と、封止膜６０とを備える。対向基板５は、封止膜６０に貼り付けられ、アレイ基板３と対向して配置される。

　　〈ベース基板〉
　ベース基板１０は、有機ＥＬ表示装置１のベースをなす基板である。ベース基板１０は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂材料によって形成される。ベース基板１０は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる無機絶縁層と、上述したような有機樹脂材料からなる樹脂層とが積層された積層構造を有してもよい。

　　〈素子層〉
　図７～図１０に示すように、素子層２０は、ベースコート膜２１と、複数のゲート線２２と、複数のソース線２３と、複数の電源線２４と、複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、ＴＦＴと称する）３０と、複数のキャパシタ４０と、複数の有機ＥＬ素子５０とを含む。ベースコート膜２１は、ベース基板１０の表面の全体に亘って設けられる。複数のＴＦＴ３０、複数のキャパシタ４０および複数の有機ＥＬ素子５０は、ベースコート膜２１上に構成される。

　複数のゲート線２２はそれぞれ、ゲート信号を伝達する配線である。ゲート線２２は、第３配線の一例である。図４～図６に示すように、複数のゲート線２２は、表示領域ＤＡに設けられ、隣り合うサブ画素Ｐｓの行の間を行方向Ｄｘに互いに平行に延びる。複数のゲート線２２は、列方向Ｄｙに互いに間隔をあけて配置される。ゲート線２２は、サブ画素Ｐｓの行ごとに設けられる。各ゲート線２２は、行方向Ｄｘに並んだ複数のサブ画素Ｐｓの各画素回路ＰＣに接続される。各ゲート線２２は、ゲートドライバＧＤに接続される。

　複数のソース線２３はそれぞれ、ソース信号を伝達する配線である。ソース線２３は、第１配線の一例である。複数のソース線２３は、表示領域ＤＡに設けられ、隣り合うサブ画素Ｐｓの列の隙間を列方向Ｄｙに互いに平行に延びる。複数のソース線２３は、行方向Ｄｘに互いに間隔をあけて配置される。ソース線２３は、サブ画素Ｐｓの列を２つおきに設けられる。各ソース線２３は、列方向Ｄｙに並んだ複数のサブ画素Ｐｓの各画素回路ＰＣに接続される。各ソース線２３は、ソースドライバＳＤに接続される。

　複数の電源線２４はそれぞれ、所定のハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）を印加する配線である。電源線２４は、第２配線の一例である。複数の電源線２４は、表示領域ＤＡに設けられ、隣り合うサブ画素Ｐｓの列の隙間を列方向Ｄｙに互いに平行に延びる。複数の電源線２４は、行方向Ｄｘに互いに間隔をあけて配置される。電源線２４は、サブ画素Ｐｓの列を２つおきに設けられる。各電源線２４は、列方向Ｄｙに並んだ複数のサブ画素Ｐｓの各画素回路ＰＣに接続される。各電源線２４は、第１額縁線Ｌａに接続される。

　ソース線２３と電源線２４とは、行方向Ｄｘにおいて交互に配置され、画素回路ＰＣを互いの間に介する位置関係で設けられる。隣り合うサブ画素Ｐｓの列の隙間のうち、電源線２４が配置されていない隙間にはソース線２３が配置され、ソース線２３が配置されていない隙間には電源線２４が配置される。各ソース線２３は、当該ソース線２３に隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの列に設けられた各画素回路ＰＣに共用される。各電源線２４は、当該電源線２４に隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの列に設けられた各画素回路ＰＣに共用される。

　ソース線２３および電源線２４とゲート線２２とは、第１絶縁膜３２を介して互いに交差する。ゲート線２２、ソース線２３および電源線２４は、表示領域ＤＡにおいて、平面視で全体として格子状をなすように延びる。表示領域ＤＡには、ゲート線２２、ソース線２３および電源線２４によって区画された複数の区画領域Ａｐが設けられる。複数の区画領域Ａｐは、マトリクス状に配置される。複数の区画領域Ａｐは、同一の面積とされる。第１領域Ａ１および第２領域Ａ２は、互いに異なる区画領域Ａｐに設定される。

　本例の第１領域Ａ１および第２領域Ａ２はそれぞれ、区画領域Ａｐと一対一で対応して設けられる。第１領域Ａ１は、行方向Ｄｘおよび列方向Ｄｙに１つおきの所定の区画領域Ａｐに設定される。第１領域Ａ１は、所定の区画領域Ａｐの略全域に設定される。第２領域Ａ２は、行方向Ｄｘおよび列方向Ｄｙに１つおきの、第１領域Ａ１とは異なる所定の区画領域Ａｐに設定される。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１が設定されない所定の区画領域Ａｐの略全域に設定される。

　行方向Ｄｘに隣り合う区画領域Ａｐにおいて、一方の区画領域Ａｐは第１領域Ａ１を構成し、他方の区画領域Ａｐは第２領域Ａ２を構成する。列方向Ｄｙに隣り合う区画領域Ａｐにおいても、一方の区画領域Ａｐは第１領域Ａ１を構成し、他方の区画領域Ａｐは第２領域Ａ２を構成する。本例において、第２領域Ａ２の面積は、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐに第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられる分、第１領域Ａ１の面積よりも大きい。

　複数のＴＦＴ３０は、複数の有機ＥＬ素子５０の発光をそれぞれ制御する。ＴＦＴ３０は、アクティブ素子の一例である。複数のＴＦＴ３０は、複数の第１ＴＦＴ３０Ａと、複数の第２ＴＦＴ３０Ｂとを含む。第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂは、サブ画素Ｐｓごとに設けられる。本例の第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂは、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐには設けられるが、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐには設けられない。

　図７および図８にも示すように、本例の第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂはいずれも、ボトムゲート型に構成される。第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂはそれぞれ、ゲート電極３１ａ，３１ｂと、第１絶縁膜３２と、半導体層３３ａ，３３ｂと、第１端子電極３４ａ，３４ｂと、第２端子電極３５ａ，３５ｂとによって構成される。

　ゲート電極３１ａ，３１ｂは、ベースコート膜２１上に設けられる。第１絶縁膜３２は、ゲート線２２およびゲート電極３１ａ，３１ｂを覆うようにアレイ基板３の略全体に亘って設けられる。半導体層３３ａ，３３ｂは、第１絶縁膜３２を介してゲート電極３１ａ，３１ｂに重なるように設けられる。

　第１端子電極３４ａ，３４ｂおよび第２端子電極３５ａ，３５ｂは、第１絶縁膜３２上の互いに離間した位置に設けられる。第１端子電極３４ａ，３４ｂおよび第２端子電極３５ａ，３５ｂは、半導体層３３ａ，３３ｂにおけるゲート電極３１ａ，３１ｂと重なる領域（真性領域）を挟んだ位置で互いに異なる部分（導通領域）に重なって接続される。

　第１ＴＦＴ３０Ａのゲート電極３１ａは、対応するゲート線２２と一体に形成される。第１ＴＦＴ３０Ａの第１端子電極３４ａは、対応するソース線２３と一体に形成される。ソース線２３を介して隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの列に設けられた各第１ＴＦＴ３０Ａの第１端子電極３４ａは、共通のソース線２３と一体に形成される。第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ａは、第１絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール３２ａを介して第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂに接続される。

　第２ＴＦＴ３０Ｂの第１端子電極３４ｂは、対応する電源線２４と一体に形成される。電源線２４を介して隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの列に設けられた各第２ＴＦＴ３０Ｂの第１端子電極３４ｂは、共通の電源線２４と一体に形成される。第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂは、第１絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール３２ｂを介して画素電極５１に接続される。

　複数のキャパシタ４０は、サブ画素Ｐｓごとに少なくとも１つ設けられる。キャパシタ４０は、データ保持用の素子である。本例のキャパシタ４０は、第１領域Ａ１に配置される。キャパシタ４０は、第１容量電極４１と、第１絶縁膜３２を含む絶縁膜と、第２容量電極４３とによって構成される。キャパシタ４０は、第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂと共に、第２絶縁膜４２によって覆われる。

　本例のキャパシタ４０は、第２ＴＦＴ３０Ｂにおいて構成される。より詳細には、キャパシタ４０は、第２ＴＦＴ３０Ｂにおいて、第１容量電極４１として機能するゲート電極３１ｂと、第２容量電極４３として機能する第２端子電極３５ｂとが、半導体層３３ｂおよび第１絶縁膜３２を介して重なり合う部分で構成される。

　本例のキャパシタ４０はさらに、第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂと、画素電極５１とが近接する部分においても構成される。より詳細には、キャパシタ４０は、第１容量電極４１として機能する第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂと、第２容量電極４３として機能する画素電極５１との間で、ベースコート膜２１または第１絶縁膜３２を介して生じる画面の水平方向における電界に基づいて構成される。

　ゲート線２２とゲート電極３１ａ，３１ｂとは、互いに同一層に同一材料によって形成される。ソース線２３、電源線２４、第１端子電極３４ａ，３４ｂ、第２端子電極３５ａ，３５ｂおよび第１容量電極４１は、同一層に同一材料によって形成される。これら各種の配線および電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属からなる。

　半導体層３３ａ，３３ｂは、ポリシリコンからなる。ポリシリコンとしては、例えばＬＴＰＳ（Low Temperature Polycrystalline Silicon）が挙げられる。半導体層３３ａ，３３ｂは、酸化物半導体からなっていてもよい。酸化物半導体としては、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体が挙げられる。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。

　ベースコート膜２１、第１絶縁膜３２および第２絶縁膜４２は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる。ベースコート膜２１、第１絶縁膜３２および第２絶縁膜４２は、無機絶縁材料からなる単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。

　図４に示すように、複数の有機ＥＬ素子５０は、互いに直交する行方向Ｄｘおよび列方向Ｄｙに配列される。本例の有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐには設けられるが、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐには設けられない。第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐは、サブ画素Ｐｓを構成する。有機ＥＬ素子５０は、発光素子の一例である。

　複数の有機ＥＬ素子５０はいずれも、有機ＥＬ層５２で発した光を対向基板５側から取り出すトップエミッション型に構成される。図８に示すように、有機ＥＬ素子５０は、画素電極５１と、有機ＥＬ層５２と、共通電極５３とを備える。

　画素電極５１は、個々のサブ画素Ｐｓに設けられる。複数の有機ＥＬ素子５０はそれぞれ、個別に画素電極５１を有する。画素電極５１は、第１領域Ａ１に対応して配列される。画素電極５１は、ベースコート膜２１上に設けられる。画素電極５１は、第１領域Ａ１に第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂの各ゲート電極３１ａ，３１ｂを避けて形成される。画素電極５１は、第２領域Ａ２には設けられない。画素電極５１は、光を反射する性質を有する。

　画素電極５１には、仕事関数の大きな材料を用いることが好ましい。画素電極５１の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）などの金属が挙げられる。画素電極５１の材料は、金属化合物または合金であってもよい。画素電極５１の材料は、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性酸化物であってもよい。画素電極５１は、導電材料からなる層を複数積層して形成されてもよい。

　第２絶縁膜４２の各第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐに対応する部分には、開口４２ａが形成される。第１絶縁膜３２には、複数の開口３２ｃが第２絶縁膜４２の各開口４２ａ内で画素電極５１を露出させるように形成される。有機ＥＬ層５２は、第１絶縁膜３２に形成された開口３２ｃ内で画素電極５１上に設けられる。

　図１１に示すように、有機ＥＬ層５２は、画素電極５１上に順に設けられた、正孔注入層５２ａと、正孔輸送層５２ｂと、発光層５２ｃと、電子輸送層５２ｄと、電子注入層５２ｅとを有する。

　正孔注入層５２ａは、画素電極５１から有機ＥＬ層５２への正孔の注入効率を高める。正孔注入層５２ａの材料には、画素電極５１の仕事関数と正孔輸送層５２ｂの分子軌道とをマッチングさせる材料として周知の化合物が用いられる。正孔注入層５２ａに用いられる化合物としては、例えば、アリールアミン類、フタロシアニン類、ルイス酸をドープした有機層が挙げられる。

　正孔輸送層５２ｂは、発光層５２ｃへの正孔の輸送効率を向上させる。正孔輸送層５２ｂの材料には、電子親和力が小さく正孔移動度の高い材料として周知の化合物が用いられる。正孔輸送層５２ｂに用いられる化合物としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体などのアリールアミン類が挙げられる。

　発光層５２ｃは、画素電極５１および共通電極５３によって電流が印加されたときに、画素電極５１から注入された正孔と共通電極５３から注入された電子とを再結合させて発光する。発光層５２ｃの材料には、個々のサブ画素Ｐｓにおける有機ＥＬ素子５０の発光色（赤色、緑色または青色）に適した、蛍光性またはリン光性の強い発光特性を有する周知の化合物が用いられる。発光層５２ｃに用いられる化合物としては、例えば、アルミニウム錯体、アントラセン類、希土類錯体、イリジウム錯体、各種蛍光色素が挙げられる。

　電子輸送層５２ｄは、発光層５２ｃへの電子の輸送効率を向上させる。電子輸送層５２ｄの材料には、電子親和力が大きく電子移動度の高い材料として周知の化合物が用いられる。電子輸送層５２ｄに用いられる化合物としては、例えば、キノリノールアルミニウム錯体などのアルミニウム錯体、オキサジアゾール類、トリアゾール類、フェナントロリン類が挙げられる。

　電子注入層５２ｅは、共通電極５３から有機ＥＬ層５２への電子の注入効率を改善する。電子注入層５２ｅの材料には、共通電極５３の仕事関数と電子輸送層５２ｄの分子軌道とをマッチングさせる材料として周知の化合物が用いられる。電子注入層５２ｅに用いられる化合物としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）などのアルカリ金属、フッ化リチウム、酸化リチウム、リチウム錯体、アルカリ金属をドープした有機層が挙げられる。

　共通電極５３は、複数のサブ画素Ｐｓに共通して一続きに設けられる。共通電極５３は、第１領域Ａ１において開口３２ｃ内を延び、有機ＥＬ層５２上に設けられる。共通電極５３は、第２絶縁膜４２の開口４２ａ内から第２絶縁膜４２上に乗り上げて、第２絶縁膜４２を介して第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂを覆うように広がる。共通電極５３は、第２領域Ａ２には設けられない。共通電極５３は、額縁領域ＦＡにまで広がり、第２額縁線Ｌｂに接続される。

　図５に示すように、共通電極５３は、平面視でゲート線２２とソース線２３との交差部分、およびゲート線２２と電源線２４との交差部分に重なる箇所にも設けられる。共通電極５３の斜め方向に隣り合う第１領域Ａ１に設けられた部分同士は、四隅で接続される。共通電極５３には、複数の開口５３ａが第２領域Ａ２に対応するように千鳥状に形成される。共通電極５３は、有機ＥＬ層５２に電子を注入する陰極として機能する。共通電極５３は、光を透過する性質を有する。

　共通電極５３には、仕事関数の小さな材料を用いることが好ましい。共通電極５３の材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物が挙げられる。共通電極５３の材料は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの金属であってもよい。共通電極５３の材料は、金属化合物または合金であってもよい。共通電極５３は、導電材料からなる層を複数積層して形成されてもよい。

　　〈封止膜〉
　図７～図１０に示すように、封止膜６０は、複数の有機ＥＬ素子５０を覆うように素子層２０上に設けられる。封止膜６０は、有機ＥＬ素子５０（特に有機ＥＬ層５２）を水分などから保護する。封止膜６０は、例えばＴＦＥ（Thin Film Encapsulation）構造を有する。封止膜６０は、無機層、有機層および無機層が積層されて構成される。無機層は、窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる。有機層は、エポキシ樹脂などの有機樹脂材料からなる。

　封止膜６０は、ダムフィル構造を採用してもよい。ダムフィル構造では、ダム剤と、フィル剤とが用いられる。ダム剤は、アレイ基板３と対向基板５との間において、表示領域ＤＡを囲むように枠状に設けられる。フィル剤は、ダム剤の内側に充填される。ダム剤およびフィル剤は、接着剤として機能する。ダム剤およびフィル剤には、例えば光学透明樹脂（ＯＣＲ）などの光硬化型接着剤が用いられる。

　　〈画素回路〉
　各サブ画素Ｐｓに設けられた第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂ、キャパシタ４０および有機ＥＬ素子５０は、図１２に示すような画素回路ＰＣを構成する。図１２の等価回路図では、第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂの各第１端子電極３４ａ，３４ｂを丸付きの数字の１で示し、第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂの各第２端子電極３５ａ，３５ｂを丸付きの数字の２で示す。また、キャパシタ４０の第１容量電極４１を四角付きの数字の１で示し、キャパシタ４０の第２容量電極４３を四角付きの数字の２で示す。

　画素回路ＰＣは、対応するサブ画素Ｐｓに設けられた有機ＥＬ素子５０に駆動電流を供給する。画素回路ＰＣは、ゲート線２２に供給されるゲート信号と、ソース線２３に供給されるソース信号と、電源線２４に供給されるハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）と、共通電極５３に供給されるローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）とに基づいて動作し、有機ＥＬ素子５０の発光を制御する。

　画素回路ＰＣにおいて、第１ＴＦＴ３０Ａのゲート電極３１ａは、対応するゲート線２２に接続される。第１ＴＦＴ３０Ａの第１端子電極３４ａは、対応するソース線２３に接続される。第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ａは、第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂと、キャパシタ４０の第１容量電極４１に接続される。第２ＴＦＴ３０Ｂの第１端子電極３４ｂは、電源線２４に接続される。キャパシタ４０の第２容量電極４３と、第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂとは、有機ＥＬ素子５０の画素電極５１に接続される。

　　〈第１領域〉
　図４および図６に示すように、表示領域ＤＡを構成する複数の第１領域Ａ１にはそれぞれ、画素回路ＰＣが設けられる。画素回路ＰＣは、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂ、キャパシタ４０および有機ＥＬ素子５０を含むので、各第１領域Ａ１では、有機ＥＬ表示装置１の後方からの光が遮られる。各第１領域Ａ１では、有機ＥＬ素子５０が画素回路ＰＣにより制御されて発光する。各第１領域Ａ１での発光は、画素の色味を表現し、画像の表示に寄与する。

　　〈第２領域〉
　表示領域ＤＡを構成する複数の第２領域Ａ２にはいずれも、画素回路ＰＣ（第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂ、キャパシタ４０および有機ＥＬ素子５０）が設けられない。各第２領域Ａ２は、第１絶縁膜３２、第２絶縁膜４２、封止膜６０および対向基板５によって構成される。各第２領域Ａ２では、有機ＥＬ表示装置１の後方からの光が透過する。各第２領域Ａ２での光の透過は、有機ＥＬ表示装置１の後方の背景をユーザに視認させるのに寄与する。

　　－有機ＥＬ表示装置の動作－
　有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素Ｐｓにおいて、ゲート線２２が選択されて活性状態になると、そのゲート線２２を介してゲート信号が第１ＴＦＴ３０Ａに入力され、第１ＴＦＴ３０Ａがオン状態になる。第１ＴＦＴ３０Ａがオン状態になると、ソース線２３を介して伝達されるソース信号に対応する電圧が、第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂに印加されると共にキャパシタ４０に書き込まれる。そして、第２ＴＦＴ３０Ｂがオン状態になると、第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電圧に応じた駆動電流が第２ＴＦＴ３０Ｂを介して電源線２４から有機ＥＬ素子５０に供給される。これにより、各サブ画素Ｐｓで有機ＥＬ層５２（発光層５２ｃ）が発光して、画像が表示される。

　このように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子５０の発光が、行方向Ｄｘに並んだ複数の有機ＥＬ素子５０ごとに第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂの動作で制御されることにより、複数のサブ画素Ｐｓ（第１領域Ａ１）の発光に応じて画像を表示する。なお、有機ＥＬ層５２の発光は、第１ＴＦＴ３０Ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電圧がキャパシタ４０によって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまでサブ画素Ｐｓごとに維持される。そして、有機ＥＬ表示装置１では、表示領域ＤＡの全域において、当該装置１の後方の背景が複数の第２領域Ａ２を通過した光により表示画像を透けてユーザに視認される。

　　－実施形態１の特徴－
　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、表示領域ＤＡが、複数の第１領域Ａ１と、複数の第２領域Ａ２とを混在した状態で含む。複数の第１領域Ａ１は、有機ＥＬ素子５０により発光することで、表示領域ＤＡに画像を表示する。また、複数の第２領域Ａ２は、光を透過することで、表示領域ＤＡに背景を透過させる。これにより、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示しつつ当該装置１の後方の背景を視認可能なシースルーディスプレイとして、高い背景透過率を得ることができる。そして、有機ＥＬ表示装置１においては、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とが、行方向Ｄｘおよび列方向Ｄｙに交互に設けられる。そのことで、第２領域Ａ２は、行方向Ｄｘおよび列方向Ｄｙには直線状に並ばない。よって、表示領域ＤＡに透過される背景が表示画像に対して縞状に視認されるのを抑制できる。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、ソース線２３と電源線２４とが行方向Ｄｘに交互に配置される。そして、画素回路ＰＣがソース線２３と電源線２４との間に位置する。ソース線２３および電源線２４はそれぞれ、行方向Ｄｘに隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの列に含まれる複数の画素回路ＰＣで共用される。これによれば、ソース線２３および電源線２４をサブ画素Ｐｓの列ごとに設けずに済むので、配線の本数を削減できる。したがって、第２領域Ａ２に配置される配線を少なくするかまたは無くし、第２領域Ａ２の開口率を高めることができる。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、ソース線２３と電源線２４とが同一層に同一材料によって形成される。そのことで、ソース線２３および電源線２４を別個の層に形成する場合に比べて、表示領域ＤＡの層構成を簡素化できる。このようにソース線２３と電源線２４とが同一層に形成される場合において、ソース線２３および電源線２４をそれぞれ行方向Ｄｘに隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの列に含まれる複数の画素回路ＰＣで共用することは、第２領域Ａ２に配置される配線を少なくするかまたは無くすのに、特に有利である。

　この実施形態１の有機ＥＬ表示装置１では、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２がゲート線２２、ソース線２３および電源線２４によって区画された区画領域Ａｐに設定される。区画領域Ａｐに設定された第１領域Ａ１および第２領域Ａ２は、微小であるので、ユーザからは個別に視認され難い。したがって、シースルーディスプレイとして表示画像越しに見える背景に自然な透け感を得ることができる。

　　－第１変形例－
　図１３～図１５に示すように、この第１変形例の有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素Ｐｓに設けられた第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂが、トップゲート型に構成される。複数のゲート線２２は、第２絶縁膜４２上に設けられる。複数のソース線２３および複数の電源線２４は、第１絶縁膜３２上に設けられ、第２絶縁膜４２に覆われる。

　第１端子電極３４ａ，３４ｂおよび第２端子電極３５ａ，３５ｂは、第１絶縁膜３２上に設けられ、第２絶縁膜４２に覆われる。半導体層３３ａ，３３ｂは、第１端子電極３４ａ，３４ｂおよび第２端子電極３５ａ，３５ｂの上層として設けられる。半導体層３３ａ，３３ｂは、第１端子電極３４ａ，３４ｂと第２端子電極３５ａ，３５ｂとの間に延び、それら第１端子電極３４ａ，３４ｂおよび第２端子電極３５ａ，３５ｂに部分的に重なって接続される。ゲート電極３１ａ，３１ｂは、第２絶縁膜４２上に設けられる。

　第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂは、第２絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｂを介して第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ａに接続される。第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂは、第２絶縁膜４２に形成された開口４２ａ内に露出する。本例の画素電極５１は、第２絶縁膜４２の開口４２ａ内に設けられ、第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂに部分的に重なって接続される。

　本例のキャパシタ４０も、第２ＴＦＴ３０Ｂにおいて構成される。より詳細には、キャパシタ４０は、第２ＴＦＴ３０Ｂにおいて、第１容量電極４１として機能するゲート電極３１ｂと、第２容量電極４３として機能する第２端子電極３５ｂとが、半導体層３３ｂおよび第２絶縁膜４２を介して重なり合う部分で構成される。

　図１４～図１７に示すように、本例の共通電極５３も、第１領域Ａ１には設けられるが、第２領域Ａ２には設けられない。共通電極５３は、第１絶縁膜３２の下層に位置する。共通電極５３は、上記実施形態１と同様に、第２領域Ａ２に対応するように千鳥状に配置された複数の開口５３ａを有する形状に形成される。共通電極５３は、ベースコート膜２１上に設けられ、第１絶縁膜３２によって覆われる。

　本例の各第２領域Ａ２も、第１絶縁膜３２、第２絶縁膜４２、封止膜６０および対向基板５によって構成される。第１絶縁膜３２の各第１領域Ａ１に対応する部分には、共通電極５３を露出させる開口３２ｄが形成される。有機ＥＬ層５２は、第１絶縁膜３２の開口３２ｄ内に設けられ、共通電極５３と画素電極５１との間に配置される。共通電極５３と画素電極５１とは、有機ＥＬ層５２を介して互いに対向し、有機ＥＬ素子５０を構成する。

　　－第２変形例－
　図１８～図２０に示すように、この第２変形例の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子５０が、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。本例の有機ＥＬ素子５０は、各サブ画素Ｐｓにおいて、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０に対応する部分にも設けられる。第１領域Ａ１には、区画領域Ａｐにおける第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられた部分も含まれる。

　複数の画素電極５１は、第２絶縁膜４２の表面に設けられる。各画素電極５１は、第２絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｃを介して対応する第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂに接続される。隣り合う画素電極５１は、エッジカバー５４によって区画される。エッジカバー５４は、各画素電極５１の周縁部分を覆うように設けられる。有機ＥＬ層５２は、エッジカバー５４の開口５４ａ内で個々の画素電極５１上に設けられる。

　図１９～図２２に示すように、本例の共通電極５３も、第１領域Ａ１には設けられるが、第２領域Ａ２には設けられない。共通電極５３には、上記実施形態１と同様に、複数の開口５３ａが第２領域Ａ２に対応するように千鳥状に形成される。共通電極５３は、各有機ＥＬ層５２を覆うように設けられる。共通電極５３は、有機ＥＬ層５２を介して複数の画素電極５１と対向して配置される。

　本例のキャパシタ４０も、第２ＴＦＴ３０Ｂにおいて構成されるが、第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ｂおよび第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂと、画素電極５１とが重なり合う部分においても構成される。より詳細には、キャパシタ４０は、第１容量電極４１として機能する第１ＴＦＴ３０Ａの第２端子電極３５ａと、第２容量電極４３として機能する画素電極５１とが、第２絶縁膜４２を介して互いに重なり合う部分で構成される。キャパシタ４０はさらに、第１容量電極４１として機能する第２ＴＦＴ３０Ｂのゲート電極３１ｂと、第２容量電極４３として機能する画素電極５１とが、第１絶縁膜３２および第２絶縁膜４２を介して互いに重なり合う部分で構成される。

　　－第３変形例－
　図２３に示すように、この第３変形例の有機ＥＬ表示装置１では、各第１領域Ａ１が列方向に隣り合う２つの区画領域Ａｐに亘って設定される。本例の各第１領域Ａ１は、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられた区画領域Ａｐの略全域と、その区画領域Ａｐと列方向Ｄｙにおける片側（図２３に示す例では下側）に隣り合う、第２領域Ａ２を構成する区画領域Ａｐの一部とに設定される。

　本例では、有機ＥＬ素子５０が、上記第２変形例と同様に、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。有機ＥＬ素子５０は、平面視で第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０を覆うように広がる。有機ＥＬ素子５０は、第１絶縁膜３２および第２絶縁膜４２を介してゲート線２２と重なり、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２が設定された列方向Ｄｙに隣り合う２つの区画領域Ａｐに亘って設けられる。

　有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐから、対応するゲート線２２と第１絶縁膜３２および第２絶縁膜４２を介して交差し、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐに延びる。有機ＥＬ素子５０のうち第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐに延びる部分は、当該区画領域Ａｐの列方向Ｄｙにおける片側部分（図２３で上側の部分）に設けられる。そのことで、第１領域Ａ１は１つの区画領域Ａｐを越えて拡大され、第２領域Ａ２は相対的に小さくなる。

　本例において、第１領域Ａ１の面積は、第２領域Ａ２の面積よりも大きい。第１領域Ａ１の面積が第２領域Ａ２の面積よりも大きいと、表示領域ＤＡでの画像表示に寄与する発光面積が広くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置１は、シースルーディスプレイとして機能しながらも、表示領域ＤＡでの画像表示を重視して高品質な画像表示を行うことができる。

　　－第４変形例－
　図２４に示すように、この第４変形例の有機ＥＬ表示装置１では、第１領域Ａ１が行方向Ｄｘに隣り合う２つの区画領域Ａｐに亘って設定される。本例の第１領域Ａ１は、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられた区画領域Ａｐの略全域と、その区画領域Ａｐと行方向Ｄｘにおける片側（図２４に示す例では電源線２４側）に隣り合う、第２領域Ａ２を構成する区画領域Ａｐの一部とに設定される。

　本例でも、有機ＥＬ素子５０は、上記第２変形例と同様に、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。有機ＥＬ素子５０は、平面視で第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０を覆うように広がる。有機ＥＬ素子５０は、第２絶縁膜４２を介して電源線２４と重なり、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２が設定された行方向Ｄｘに隣り合う２つの区画領域Ａｐに亘って設けられる。

　有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐから、対応する電源線２４と第２絶縁膜４２を介して交差し、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐに延びる。有機ＥＬ素子５０のうち第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐに延びる部分は、当該区画領域Ａｐの列方向Ｄｙにおける片側部分（図２４で下側の部分）に設けられる。そのことで、第１領域Ａ１は１つの区画領域Ａｐを越えて拡大され、第２領域Ａ２は相対的に小さくなる。

　本例においても、第１領域Ａ１の面積は、第２領域Ａ２の面積よりも大きい。したがって、有機ＥＬ表示装置１は、上記第３変形例と同様に、シースルーディスプレイとして機能しながらも、表示領域ＤＡでの画像表示を重視して高品質な画像表示を行うことができる。

　　－第５変形例－
　図２５に示すように、この第５変形例の有機ＥＬ表示装置１では、第１領域Ａ１が行方向Ｄｘに隣り合う３つの区画領域Ａｐに亘って設定される。本例の第１領域Ａ１は、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられた区画領域Ａｐの略全域と、その区画領域Ａｐと行方向Ｄｘにおける両側に隣り合う、第２領域Ａ２を構成する区画領域Ａｐの一部とに設定される。

　本例でも、有機ＥＬ素子５０は、上記第２変形例と同様に、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。有機ＥＬ素子５０は、平面視で第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０を覆うように広がる。有機ＥＬ素子５０は、第２絶縁膜４２を介してソース線２３および電源線２４と重なり、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２が設定された行方向Ｄｘに隣り合う３つの区画領域Ａｐに亘って設けられる。

　有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐから、対応するソース線２３および電源線２４と第２絶縁膜４２を介して交差し、第２領域Ａ２が設定された２つの区画領域Ａｐに延びる。有機ＥＬ素子５０のうち第２領域Ａ２が設定された各区画領域Ａｐに延びる部分は、当該区画領域Ａｐにおける行方向Ｄｘにおける片側部分に設けられる。そのことで、第１領域Ａ１は１つの区画領域Ａｐを越えて拡大され、第２領域Ａ２は相対的に小さくなる。

　本例においても、第１領域Ａ１の面積は、第２領域Ａ２の面積よりも大きい。したがって、有機ＥＬ表示装置１は、上記第３変形例と同様に、シースルーディスプレイとして機能しながらも、表示領域ＤＡでの画像表示を重視して高品質な画像表示を行うことができる。

　　－第６変形例－
　図２６に示すように、この第６変形例の有機ＥＬ表示装置１では、一部の第１領域Ａ１が十字状に配置された５つの区画領域Ａｐに亘って設定される。本例における当該一部の第１領域Ａ１は、行方向Ｄｘにおいて互いに隣り合う、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられた２つの区画領域Ａｐの略全域と、それら２つの区画領域Ａｐの間に位置する区画領域Ａｐの略全域と、その区画領域Ａｐの列方向Ｄｙにおける両側に隣り合う２つの区画領域Ａｐの略全域とに設定される。

　本例でも、有機ＥＬ素子５０は、上記第２変形例と同様に、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。５つの区画領域Ａｐに亘って設定される第１領域Ａ１は、４つの有機ＥＬ素子５０によって構成される。１つの有機ＥＬ素子５０は、平面視で第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０を覆って、対応する電源線２４と第２絶縁膜４２を介して交差し、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられない区画領域Ａｐに延びる。

　他の１つの有機ＥＬ素子５０は、上記１つの有機ＥＬ素子５０が設けられた、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられない区画領域Ａｐの行方向Ｄｘにおける片側に隣り合う区画領域Ａｐに設けられる。残りの２つの有機ＥＬ素子５０は、上記１つの有機ＥＬ素子５０が設けられた、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられない区画領域Ａｐの列方向Ｄｙにおける両側に隣り合う区画領域Ａｐに分けて設けられる。

　有機ＥＬ素子５０が設けられた互いに隣り合う５つの区画領域Ａｐは、１つの第１領域Ａ１と見なすことができる。このような手法で第１領域Ａ１を拡大することは、有機ＥＬ表示装置１をシースルーディスプレイとして機能させながらも、表示領域ＤＡに所定の文字や絵柄などの情報を鮮明に表示するのに有利である。

　　－第７変形例－
　この第７変形例の有機ＥＬ表示装置１では、画素電極５１が陰極として機能し、共通電極５３が陽極として機能する。図２７に示すように、電源線２４には、第１額縁線Ｌａを介してローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が供給される。有機ＥＬ素子５０の共通電極５３には、第２額縁線Ｌｂを介してハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が供給される。

　本例の画素回路ＰＣにおいて、キャパシタ４０の第２容量電極４３は、第２ＴＦＴ３０Ｂの第１端子電極３４ｂと共に電源線２４に接続される。本例の有機ＥＬ層５２は、上記実施形態１の有機ＥＬ層５２を反転した積層構造とされる。有機ＥＬ層５２は、画素電極５１上に順に設けられた、電子注入層５２ｅと、電子輸送層５２ｄと、発光層５２ｃと、正孔輸送層５２ｂと、正孔注入層５２ａとを有する。

　《実施形態２》
　この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１は、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の構成が上記実施形態１と異なる。なお、以降の各実施形態では、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の構成が上記実施形態１と異なる他は、有機ＥＬ表示装置１について上記実施形態１と同様に構成される。よって、構成の異なる第１領域Ａ１および第２領域Ａ２についてのみ説明する。

　図２８および図２９に示すように、この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、発光素子としての第１有機ＥＬ素子５０Ａが第１領域Ａ１に設けられ、発光素子としての第２有機ＥＬ素子５０Ｂが第２領域Ａ２に設けられる。第１有機ＥＬ素子５０Ａは、トップエミッション型に構成される。第２有機ＥＬ素子５０Ｂは、有機ＥＬ層５２で発した光をベース基板１０側および対向基板５側の両側から取り出す両面発光型に構成される。

　複数の第１領域Ａ１は、上記実施形態１と同様に構成される。各第１領域Ａ１には、画素回路ＰＣが設けられる。図３４に示すように、画素回路ＰＣは、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０と、第１有機ＥＬ素子５０Ａとを含む。図３０および図３１に示すように、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０は、上記実施形態１と同様に構成される。第１有機ＥＬ素子５０Ａは、上記実施形態１の有機ＥＬ素子５０と同様に構成される。

　図３２および図３３にも示すように、本例において、複数の第２領域Ａ２にはそれぞれ、第２有機ＥＬ素子５０Ｂと、駆動電極３６とが設けられる。第２有機ＥＬ素子５０Ｂは、画素電極５１と、有機ＥＬ層５２と、共通電極５３とを備える。複数の第２有機ＥＬ素子５０Ｂは、個別に画素電極５１を有する。画素電極５１は、第２領域Ａ２に対応して配列される。画素電極５１は、ベースコート膜２１上に設けられる。

　第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１は、光を透過する性質を有する。そのことで、第２有機ＥＬ素子５０Ｂ自体も、光の透過性を有する。第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１は、第１有機ＥＬ素子５０Ａの画素電極５１とは別材料によって形成される。本例の画素電極５１は、表示領域ＤＡに表示される画像の表示品位や、当該表示画像を透過して視認される背景の見え方に影響するため、有機ＥＬ表示装置１の用途に応じて適宜設定される。

　第２有機ＥＬ素子５０Ｂの有機ＥＬ層５２は、第１有機ＥＬ素子５０Ａの有機ＥＬ層５２と同様に構成される。第２有機ＥＬ素子５０Ｂの発光層５２ｃは、周辺のサブ画素Ｐｓに設けられた第１有機ＥＬ素子５０Ａの発光層５２ｃと発光色を合わせるように同一材料によって形成される。第１有機ＥＬ素子５０Ａの共通電極５３と第２有機ＥＬ素子５０Ｂの共通電極５３とは、一体に形成される。共通電極５３は、複数の第１領域Ａ１と複数の第２領域Ａ２とで共用されるように表示領域ＤＡの全体に亘って設けられる。

　駆動電極３６は、第１絶縁膜３２上に設けられる。駆動電極３６は、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐの電源線２４側の隅寄りに配置される。駆動電極３６は、対応する電源線２４と一体に形成される。駆動電極３６は、第１絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール３２ｅを介して第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１に接続される。図３４にも示すように、第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１は、駆動電極３６を介して電源線２４に接続される。

　　－実施形態２の特徴－
　この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、第２有機ＥＬ素子５０Ｂが第２領域Ａ２を構成する各区画領域Ａｐに設けられる。第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１には、電源線２４から駆動電極３６を介してハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が供給される。各第１有機ＥＬ素子５０Ａによる第１領域Ａ１の発光を制御して画像を表示するときには、第２有機ＥＬ素子５０Ｂにも駆動電流が電源線２４から供給される。それにより、各第２有機ＥＬ素子５０Ｂの有機ＥＬ層５２（発光層５２ｃ）が発光して、各第２領域Ａ２が点灯する。このように、有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＡは、当該装置１の後方の背景を透かさないブラインド状態で画像を表示する。

　また、この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、ゲート線２２またはソース線２３によって伝達される信号を第１有機ＥＬ素子５０Ａの有機ＥＬ層５２が画素回路ＰＣによる制御で発光しない信号とすることにより、各第２有機ＥＬ素子５０Ｂの有機ＥＬ層５２（発光層５２ｃ）のみが発光して、表示領域ＤＡが全体的に点灯する。そうすることで、有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＡは、当該装置１の後方の背景を透かさないブラインド状態での点灯を行える。

　そして、この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、各第１有機ＥＬ素子５０Ａを動作させずに画像を表示しないときには、第１額縁線Ｌａおよび第２額縁線Ｌｂに電源電圧が供給されないため、各第２有機ＥＬ素子５０Ｂの有機ＥＬ層５２も発光せず、各第２領域Ａ２は点灯しない。それにより、表示領域ＤＡの全域において、有機ＥＬ表示装置１の後方の背景がユーザに視認される。このように、有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＡは、当該装置１の後方の背景を透かして見えるシースルー状態となる。

　　－第１変形例－
　図３５に示すように、この第１変形例の有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素Ｐｓに設けられた第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂが、トップゲート型に構成される。複数のゲート線２２は、第２絶縁膜４２上に設けられる。複数のソース線２３および複数の電源線２４は、第１絶縁膜３２上に設けられ、第２絶縁膜４２に覆われる。

　本例の第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂはそれぞれ、図３６および図３７に示すように、上記実施形態１の第１変形例の第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂと同様に構成される。図３８および図３９にも示すように、本例の共通電極５３も、複数の第１領域Ａ１と複数の第２領域Ａ２とで共用されるように表示領域ＤＡの全体に亘って設けられる。共通電極５３は、第１絶縁膜３２の下層に位置する。共通電極５３は、ベースコート膜２１上に設けられ、第１絶縁膜３２によって覆われる。

　第２絶縁膜４２の各第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐに対応する部分にも、開口４２ａが形成される。第１絶縁膜３２において各第１領域Ａ１に対応する部分および各第２領域Ａ２に対応する部分には、複数の開口３２ｄが第１絶縁膜３２の開口４２ａ内で共通電極５３を露出させるように形成される。駆動電極３６は、第２絶縁膜４２の開口４２ａ内に露出する。本例の画素電極５１は、第２絶縁膜４２の開口４２ａ内に設けられ、駆動電極３６に部分的に重なって接続される。

　第１有機ＥＬ素子５０Ａは、上記実施形態１の第１変形例の有機ＥＬ素子５０と同様に構成される。各第１領域Ａ１の共通電極５３と画素電極５１とは、有機ＥＬ層５２を介して互いに対向し、第１有機ＥＬ素子５０Ａを構成する。有機ＥＬ層５２は、第１絶縁膜３２の各第２領域Ａ２に対応する部分の開口３２ｄ内にも設けられ、共通電極５３と画素電極５１との間に配置される。各第２領域Ａ２の共通電極５３と画素電極５１とは、有機ＥＬ層５２を介して互いに対向し、第２有機ＥＬ素子５０Ｂを構成する。

　　－第２変形例－
　図４１～図４４に示すように、この第２変形例の有機ＥＬ表示装置１では、第１有機ＥＬ素子５０Ａおよび第２有機ＥＬ素子５０Ｂが、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。本例の第１有機ＥＬ素子５０Ａは、上記実施形態１の第２変形例と同様に構成される。図４０にも示すように、本例の第２有機ＥＬ素子５０Ｂは、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐにおいて、駆動電極３６に対応する部分にも設けられる。

　各第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１は、各第１有機ＥＬ素子５０Ａの画素電極５１と同様に、第２絶縁膜４２の表面に設けられ、エッジカバー５４によって区画される。各第２有機ＥＬ素子５０Ｂの画素電極５１は、第２絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｄを介して対応する駆動電極３６に接続される。各第２有機ＥＬ素子５０Ｂの有機ＥＬ層５２は、エッジカバー５４の開口５４ａ内で画素電極５１上に設けられる。

　図４１～図４４に示すように、本例の共通電極５３は、有機ＥＬ層５２の上層に位置する。共通電極５３は、複数の第１領域Ａ１と複数の第２領域Ａ２とで共用されるように表示領域ＤＡの全体に亘って設けられる。共通電極５３は、有機ＥＬ層５２およびエッジカバー５４を覆って、額縁領域ＦＡにまで広がる。共通電極５３は、有機ＥＬ層５２を介して複数の画素電極５１と対向して配置される。

　　－第３変形例－
　この第３変形例の有機ＥＬ表示装置１では、画素電極５１が陰極として機能し、共通電極５３が陽極として機能する。図４５に示すように、電源線２４には、第１額縁線Ｌａを介してローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が供給される。第１有機ＥＬ素子５０Ａおよび第２有機ＥＬ素子５０Ｂに共用される共通電極５３には、第２額縁線Ｌｂを介してハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が供給される。

　本例の画素回路ＰＣにおいて、キャパシタ４０の第１容量電極４１は、第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂと共に電源線２４に接続される。第１有機ＥＬ素子５０Ａおよび第２有機ＥＬ素子５０Ｂの各有機ＥＬ層５２は、上記実施形態１の有機ＥＬ層５２を反転した積層構造とされる。有機ＥＬ層５２は、画素電極５１上に順に設けられた、電子注入層５２ｅと、電子輸送層５２ｄと、発光層５２ｃと、正孔輸送層５２ｂと、正孔注入層５２ａとを有する。

　《実施形態３》
　図４６および図４７に示すように、この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１では、画素回路ＰＣが、列方向Ｄｙに隣り合う２つの区画領域Ａｐに跨がって設けられる。図５１にも示すように、本例の画素回路ＰＣでは、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０と、有機ＥＬ素子５０とが別々の区画領域Ａｐに分けて設けられる。

　列方向Ｄｙに隣り合う２つの区画領域Ａｐのうち一方の区画領域Ａｐには、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられるが、有機ＥＬ素子５０（画素電極５１を除く）が設けられない。他方の区画領域Ａｐには、有機ＥＬ素子５０が設けられるが、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられない。

　有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐは、第１領域Ａ１を構成する。有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１を構成する区画領域Ａｐの略全体に設けられる。すなわち、第１領域Ａ１は、有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐの略全体に設定される。複数の第１領域Ａ１は、上記実施形態１と同様に、千鳥状に配列される。図５０に示すように、有機ＥＬ素子５０は、第２絶縁膜４２上に設けられ、封止膜６０によって覆われる。

　複数の画素電極５１は、第２絶縁膜４２の表面に設けられる。図４９にも示すように、各画素電極５１は、列方向Ｄｙにおいて第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐの外側に延び出る延出部５１ａを有する。各画素電極５１の延出部５１ａは、当該有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐと列方向Ｄｙに隣り合う、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられた区画領域Ａｐに延びる。

　各画素電極５１の延出部５１ａは、第２絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｃを介して対応する第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂに接続される。このように、各有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａが設定された区画領域Ａｐではなく、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐで第２ＴＦＴ３０Ｂに接続される。第１ＴＦＴ３０Ａなどが設けられた各区画領域Ａｐは、第２領域Ａ２を構成する。

　第２領域Ａ２は、第１ＴＦＴ３０Ａなどが設けられた各区画領域Ａｐの行方向Ｄｘにおける一方側の部分に設定される。第１ＴＦＴ３０Ａなどが設けられた各区画領域Ａｐの行方向Ｄｘにおける他方側の部分は、第３領域Ａ３を構成する。第３領域Ａ３は、画素電極５１の延出部５１ａが設けられた領域である。第３領域Ａ３では、画素電極５１の延出部５１ａで後方からの光が遮られる。本例において、第１領域Ａ１の面積は、第２領域Ａ２の面積よりも大きい。

　複数の第２領域Ａ２は、上記実施形態１と同様に、隣り合う第１領域Ａ１の間に位置するように千鳥状に配列される。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、行方向Ｄｘにおいて交互に設けられ、列方向Ｄｙにおいて交互に設けられる。具体的には、列方向Ｄｙに隣り合う２つのサブ画素Ｐｓの行のうち一方のサブ画素Ｐｓの行では、第１領域Ａ１、第３領域Ａ３および第２領域Ａ２が行方向Ｄｘに繰り返し配置される。他方のサブ画素Ｐｓの行では、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２および第３領域Ａ３が行方向Ｄｘに繰り返し配置される。

　図４８～図５０に示すように、本例の共通電極５３は、第１領域Ａ１には設けられるが、第２領域Ａ２には設けられない。共通電極５３には、上記実施形態１と同様に、複数の開口５３ａが第２領域Ａ２に対応するように千鳥状に形成される。共通電極５３は、各有機ＥＬ層５２を覆うように設けられる。共通電極５３は、有機ＥＬ層５２を介して複数の画素電極５１と対向して配置される。

　　－実施形態３の特徴－
　この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１では、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０と、有機ＥＬ素子５０とが、別々の区画領域Ａｐに分けて設けられる。これにより、有機ＥＬ素子５０と第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂなどとの間の寄生容量を低減しながらも、第１領域Ａ１を区画領域Ａｐいっぱいに設定できる。

　　－第１変形例－
　図５２および図５３に示すように、この第１変形例の有機ＥＬ表示装置１では、画素回路ＰＣが、行方向Ｄｘに隣り合う２つの区画領域Ａｐに跨がって設けられる。本例の画素回路ＰＣでは、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０と、有機ＥＬ素子５０とが別々の区画領域Ａｐに分けて設けられる。

　行方向Ｄｘに隣り合う２つの区画領域Ａｐのうち一方の区画領域Ａｐには、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられるが、有機ＥＬ素子５０（画素電極５１を除く）が設けられない。他方の区画領域Ａｐには、有機ＥＬ素子５０が設けられるが、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０が設けられない。

　有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐは、第１領域Ａ１を構成する。有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１を構成する区画領域Ａｐの略全体に設けられる。すなわち、第１領域Ａ１は、有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐの略全体に設定される。複数の第１領域Ａ１は、上記実施形態１と同様に、千鳥状に配列される。図５４および図５５にも示すように、各画素電極５１は、行方向Ｄｘにおいて第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐの外側に延び出る延出部５１ｂを有する。

　各画素電極５１の延出部５１ｂは、当該有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐと行方向Ｄｘに隣り合う、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐに延びる。当該延出部５１ｂは、第２絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４２ｅを介して対応する第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂに接続される。このように、各有機ＥＬ素子５０は、第１領域Ａ１が設定された区画領域Ａｐではなく、第２領域Ａ２が設定された区画領域Ａｐで第２ＴＦＴ３０Ｂに接続される。

　複数の第２領域Ａ２は、上記実施形態１と同様に、隣り合う第１領域Ａ１の間に位置するように千鳥状に配列される。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、行方向Ｄｘにおいて交互に設けられ、列方向Ｄｙにおいて交互に設けられる。第２領域Ａ２が設定された各区画領域Ａｐの一部は、第３領域Ａ３を構成する。第３領域Ａ３は、画素電極５１の延出部５１ｂが設けられた領域である。本例においても、第１領域Ａ１の面積は、第２領域Ａ２の面積よりも大きい。

　　－第２変形例－
　図５６に示すように、この第２変形例の有機ＥＬ表示装置１では、一部の画素回路ＰＣが、列方向Ｄｙに隣り合う２つの区画領域Ａｐに跨がって設けられる。当該一部の画素回路ＰＣを構成する第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂ、キャパシタ４０および有機ＥＬ素子５０は、上記実施形態３と同様に構成される。当該一部の画素回路ＰＣの有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐは、その区画領域Ａｐの行方向Ｄｘにおける両側に位置する、有機ＥＬ素子５０が設けられた２つの区画領域Ａｐと共に１つの第１領域Ａ１を構成する。

　また、他の一部の画素回路ＰＣは、行方向Ｄｘに隣り合う２つの区画領域Ａｐに跨がって設けられる。当該他の一部の画素回路ＰＣを構成する第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂ、キャパシタ４０および有機ＥＬ素子５０は、上記第１変形例と同様に構成される。当該他の一部の画素回路ＰＣの有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐは、その区画領域Ａｐの行方向Ｄｘにおける片側（図５６で右側）に位置する、有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐと、その区画領域Ａｐの列方向Ｄｙにおける両側に位置する、有機ＥＬ素子５０が設けられた区画領域Ａｐと共に、１つの第１領域Ａ１を構成する。

　この第２変形例の有機ＥＬ表示装置１では、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０と有機ＥＬ素子５０とが行方向Ｄｘに隣り合う２つの区画領域Ａｐに分けて設けられる画素回路ＰＣと、第１ＴＦＴ３０Ａ、第２ＴＦＴ３０Ｂおよびキャパシタ４０と有機ＥＬ素子５０とが列方向Ｄｙに隣り合う２つの区画領域Ａｐに分けて設けられる画素回路ＰＣとを有する。このように、特定の画素回路ＰＣを変則的なパターンで設けることは、サブ画素Ｐｓの配列パターンの自由度を向上させるのに有利である。

　　－第３変形例－
　この第２変形例の有機ＥＬ表示装置１では、画素電極５１が陰極として機能し、共通電極５３が陽極として機能する。図５７に示すように、電源線２４には、第１額縁線Ｌａを介してローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が供給される。有機ＥＬ素子５０の共通電極５３には、第２額縁線Ｌｂを介してハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が供給される。

　本例の画素回路ＰＣにおいて、キャパシタ４０の第２容量電極４３は、第２ＴＦＴ３０Ｂの第２端子電極３５ｂと共に電源線２４に接続される。有機ＥＬ素子５０の有機ＥＬ層５２は、上記実施形態１の有機ＥＬ層５２を反転した積層構造とされる。有機ＥＬ層５２は、画素電極５１上に順に設けられた、電子注入層５２ｅと、電子輸送層５２ｄと、発光層５２ｃと、正孔輸送層５２ｂと、正孔注入層５２ａとを有する。

　以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。上記実施形態について、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲においてさらに色々な変形が可能なこと、またそうした変形も本開示の技術の範囲に属することは、当業者に理解されるところである。

　上記実施形態１～３では、有機ＥＬ層５２が、各サブ画素Ｓｐに個別に設けられるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ層５２は、複数のサブ画素Ｓｐにおいて一続きとして共通に設けられてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素Ｓｐの色調表現を行ってもよい。

　上記実施形態１～３では、各画素Ｐｘが３色のサブ画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂによって構成されるとしたが、これに限らない。各画素Ｐｘを構成するサブ画素Ｐｓは３色に限らず、４色以上であってもよい。また、各画素Ｐｘを構成する３色のサブ画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂは、行方向Ｄｘにおいて隣り合うとしたが、これに限らない。各画素ＰＸをなす３色のサブ画素Ｐｓは、デルタ配置の位置関係にある３つのサブ画素Ｐｓであってもよく、その他の方式で配列されてもよい。

　上記実施形態１～３では、画素回路ＰＣを構成するＴＦＴ３０が第１ＴＦＴ３０Ａおよび第２ＴＦＴ３０Ｂの２つであるとしたが、これに限らない。画素回路ＰＣに含まれるＴＦＴ３０の数は、３つ以上であってもよい。また、ゲート線２２とソース線２３および電源線２４との延びる方向を入れ替えて、すなわちゲート線２２が列方向Ｄｙに延び、且つソース線２３および電源線２４が行方向Ｄｘに延びる構成として、同様の画素回路ＰＣを構成してもよい。

　上記実施形態１および３では、有機ＥＬ素子５０がトップエミッション型に構成されるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ素子５０は、有機ＥＬ層５２で発した光をベース基板１０側から取り出すボトムエミッション型に構成されてもよい。有機ＥＬ素子５０は、有機ＥＬ層５２で発した光をベース基板１０側および対向基板５側の両側から取り出す両面発光型に構成されてもよい。これらのことは、上記実施形態２の第１有機ＥＬ素子５０Ａおよび第２有機ＥＬ素子５０Ｂにおいても同じである。

　上記実施形態１～３では、有機ＥＬ層５２は、正孔注入層５２ａ、正孔輸送層５２ｂ、発光層５２ｃ、電子輸送層５２ｄおよび電子注入層５２ｅからなる５層構造であるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ層５２は、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層および電子輸送層兼電子注入層からなる３層構造であってもよく、任意の積層構造を採用することが可能である。

　上記実施形態１～３では、表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、これに限らない。本開示の技術は、例えば、電流によって駆動される複数の発光素子を備える表示装置に適用することが可能である。当該表示装置としては、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備える表示装置が挙げられる。

　以上説明したように、本開示の技術は、シースルーディスプレイとして機能する表示装置について有用である。

　　Ａ１　　第１領域
　　Ａ２　　第２領域
　　Ａｐ　　区画領域
　　Ｄｘ　　行方向（第１方向）
　　Ｄｙ　　列方向（第２方向）
　　ＰＣ　　画素回路
　　　１　　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
　　２２　　ゲート線（第３配線）
　　２３　　ソース線（第１配線）
　　２４　　電源線（第２配線）
　　３０　　ＴＦＴ（アクティブ素子）
　　３２　　第１絶縁膜（絶縁膜）
　　４２　　第２絶縁膜（絶縁膜）
　３０Ａ　　第１ＴＦＴ（アクティブ素子）
　３０Ｂ　　第２ＴＦＴ（アクティブ素子）
　　５０　　有機ＥＬ素子（発光素子）
　５０Ａ　　第１有機ＥＬ素子（発光素子）
　５０Ｂ　　第２有機ＥＬ素子（発光素子）
 

Claims (12)

1. 　互いに直交する第１方向および第２方向に配列された複数の発光素子と、
   　複数の前記発光素子の発光をそれぞれ制御する複数のアクティブ素子と、を備え、
   　前記発光素子の発光が、前記第１方向または前記第２方向に並んだ複数の前記発光素子ごとに前記アクティブ素子の動作で制御されることにより、画像を表示する表示装置であって、
   　画像を表示する表示領域は、前記発光素子により発光可能な複数の第１領域と、後方からの光を透過可能な複数の第２領域とを含み、
   　前記第１領域と前記第２領域とは、前記第１方向および前記第２方向に交互に設けられる、表示装置。
2. 　請求項１に記載された表示装置において、
   　前記発光素子と該発光素子を制御する前記アクティブ素子とは、前記発光素子に駆動電流を供給する画素回路を構成し、
   　前記表示領域には、前記第２方向に並んだ複数の前記画素回路に接続される第１配線および第２配線がそれぞれ複数設けられ、
   　前記第１配線と前記第２配線とは、それぞれ前記第２方向に延び、前記画素回路を互いの間に介する位置関係で前記第１方向に交互に配置される、表示装置。
3. 　請求項２に記載された表示装置において、
   　前記第１配線と前記第２配線とは、互いに同一層に同一材料によって形成される、表示装置。
4. 　請求項２または３に記載された表示装置において、
   　前記表示領域には、前記第１方向に並んだ複数の前記画素回路に接続される第３配線が、前記第１方向に延びるように複数設けられ、
   　前記第１領域および前記第２領域はそれぞれ、前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線によって区画された区画領域に設定される、表示装置。
5. 　請求項４に記載された表示装置において、
   　前記発光素子は、前記第１配線、前記第２配線または前記第３配線と絶縁膜を介して重なり、前記第１領域および前記第２領域が設定された隣り合う２つの前記区画領域に亘って設けられる、表示装置。
6. 　請求項５に記載された表示装置において、
   　前記発光素子は、前記第２領域が設定された前記区画領域で前記アクティブ素子に接続される、表示装置。
7. 　請求項４に記載された表示装置において、
   　前記発光素子および前記アクティブ素子はそれぞれ、前記第１領域が設定された前記区画領域に設けられ、前記第２領域が設定された前記区画領域に設けられない、表示装置。
8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載された表示装置において、
   　前記発光素子は、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられ、
   　前記第２領域に設けられた前記発光素子は、光の透過性を有する、表示装置。
9. 　請求項１～７のいずれか１項に記載された表示装置において、
   　前記第１領域および前記第２領域は、市松模様状に配置される、表示装置。
10. 　請求項１～８のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記第１領域の面積は、前記第２領域の面積よりも大きい、表示装置。
11. 　請求項１～９のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記第２領域の面積は、前記第１領域の面積よりも大きい、表示装置。
12. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、表示装置。

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